PROBLEMAS DE ELECTRNICA FSICA

Boletn 1 Propuesto
1.-Indique la posicin relativa aproximada del nivel de Fermi con respecto a EC y EV en el
Silicio en los siguientes casos:
a) Intrnseco.
b) Tipo N no degenerado.
c) Tipo P no degenerado.
d) Tipo N degenerado
e) Tipo P degenerado.
2.- a) Una oblea de Silicio de tipo P est uniformemente dopada con NA = 1015 cm-3.Cules
son las concentraciones de equilibrio n y p a T ~ 0 K ?
b) Un semiconductor est dopado con una concentracin de impurezas N tal que N >> ni y
todas las impurezas estn ionizadas. Si se verifica que n = N y p = ni2/N, indique
razonadamente de qu tipo es la impureza.
c) La concentracin de electrones en una muestra de Si a 300 K en condiciones de
equilibrio es de 105 cm-3. Cul es la concentracin de huecos ?
d) En una muestra de silicio a T = 300 K, el nivel de Fermi se encuentra a 0.26 eV por
encima del nivel intrnseco. Cules son las concentraciones de huecos y electrones?
3.- Explica el comportamiento en funcin de la Temperatura de un semiconductor dopado
con impurezas aceptoras desde las proximidades del 0 absoluto hasta la zona intrnseca
(600 K ), utilizando diagramas de bandas de energa.
4.- En una muestra de Si uniformemente dopada, determina las concentraciones de
equilibrio de electrones y de huecos en las siguientes condiciones:
a) temperatura ambiente, NA << ND, ND = 1015 cm-3
b) temperatura ambiente, NA = 1016 cm-3, ND << NA,
c) temperatura ambiente, NA = 0.9 x1015 cm-3, ND = 1016 cm-3
d) T = 450 K, NA = 0, ND = 1014 cm-3 ; ( ni
x 014 cm-3 )
d) T = 650 K, NA = 0, ND = 1014 cm-3 ; ( ni 1016 cm-3 )
5.- Determine la posicin exacta del nivel de Fermi en una muestra intrnseca de Ge y otra
de AsGa a temperatura ambiente (300 K).
6.- Calcula las concentraciones mximas no degeneradas de donadores y aceptores para el
Si, el Ge y el AsGa a temperatura ambiente.

7.-Cuando se aplican 2 V a una barra de semiconductor de 1 cm de longitud se produce un

desplazamiento de huecos con una velocidad de arrastre media de 103cm s-1, Cul es la
movilidad de los huecos dentro de la barra?
8.- Enumera los dos mecanismos dominantes de la dispersin en materiales
semiconductores no degenerados dopados de alta calidad. Quin tendr portadores con
mayor valor de movilidad, un semiconductor intrnseco o el mismo semiconductor
fuertemente dopado? Por qu?
9.- Para una misma concentracin de impurezas, quin tendr un valor mayor de
resistividad, un semiconductor tipo N o tipo P? Razona la respuesta.
10.- Qu efecto tiene la existencia de un campo elctrico en un semiconductor sobre sus
bandas de energa ? Razona la respuesta.