Diodos semiconductores de potencia 241 INTRODUCCION ‘Los diodos semicondactores do pateeiajucgan un papel significative en ls creitos elects ‘os de potncia. Un ¢iodo funciona como un interrupor a fin de evar a cabo varias funcanes, ‘oma lade interruptores en los retficadore de marcha ibe en los reguladres conmutados, in- ‘version de carga de capacitors y iranserenca dc ener entre componente, aslamionto de vol tae, retoatimenaciém dela cnorga de a carga ala fuente de energiay ecuperacién de la enerpia sarap. ‘ara la mayor parte dela aplicaciones, se puede suponer que los diodos de potencia son in- termuparesidales, pero tos dios prcicos 0 eles difioren de las earacersticas ideales te- ‘en ceraslimiucions, Los dias de potcacia son similares a los dias de sefal de unién pr. ‘in embargo, los dods de potencia isnen mayores capecidades en el manejo deta energia, el voltae y In corrent, quc los dios do seal ordinaris. La respuesta la frecuencia (0 velocidad ‘de conmutzcidn es baja en comparacién con los dodos de seal 2.2 CARAGTERISTICAS DE LOS DIODOS [Un diodo de potenia es un dispositive de unin pa de dos terminals, por To general una nin ‘pn est formada por aleacs,difusion y erecimicno epitaxial. Las ucnicas modemas de contol {nos procesos de difsiin y epilaxais permien obtener las caactrsticasdeseadas para el dis- Pestivo. En la figura 2-1 aparece wa cone transversal de una unin pn y un siolo de eid. ‘Cuando el potencal del dnodo ex positivo con respect al estado, se dice que el diodo tiene polaizacid directa o pasiiva y el diodo conduce. Un diodo en contccign tiene una caida de ‘oliaje directa relaivamente pogueta a tawds de sf mismo: Ia magni de esta caida de volaje ‘depend del proceso de manufactra y de la temperatura de Ia niki. Cuando el potencal del e&- tod es positivo con respcto al do, se die que el diodo iene poltiacién invers, Bajo con-‘rose ste Aeode cate 1 Une po (Simao de ado Figora 2-1 Simbolo de dodo y unin pr 0 Repin de polarizacién inversa, donde Vp <0 Regién de ruptura, donde Vo <— Vix Region de polarizacién directa. En la rgidn de polarizacién directa, Vp > 0. La co- rriente del diodo Zy es muy pequeita si cl volkaje del diodo Vip es menor que un valor espeettico Vao (lipicamente 0.7 V). El diodo conduce totalmente si Vp es mayor que este valor Vio. que se conoce como el voitaje uinbral, voliaje de corte, 0 voltaje de activacién. Por lo tanto, et voliaje tumbrat es un voltaje al cual ef diodo conduce totalmente, Consideremos un pequetio voliaje de diado Vo = 0.1 V, n= 1y Vy ccidn (2-1) podemos encontsar que la corriente correspondiente al diodo Jp es 25.8 mV. De ta ecua- In = belwnte = 1) fo i 0.1 V, que es por lo general el caso, fo >> Z,,y ka ecuacién (2-1) se puede aproximar, dentro de-un error de 2.1%, @ ai 23) In = Nev" 1) = he Region de polarizacién inversa. En la rogidn de polariaacién inversa, Vp <0. es negativo y Wi! >> Vr, cosa que ocurre para Vp < 0.1, el término de fa exponencial de fa ecu cidn 2-1) se vuclve despreciablemente pequeiio en comparacién con la unidad, y la corriente del diodo fp se vuelve In = dhe: Wat — ye 1, (244) To que indica que la corriente del dioda fp en ta direccién inversa es constante y es igual a J, Regién de ruptura. En la regiGn de ruptura, el volta inverso 6s alto, por fo general mayor que 1000 V. La magnitud de! voltae invorso excede un voltaje especificade conocido eo- mmo voliaje de ruptura, Vay. La coriente inversa aumentaripidamente con un pequetio cambio en el voltae inverso mis alld de Vay. La operacin en Ja regién de ruptura no seré destrutiva, sicm- ‘re y cuando la disipacién de la potencia¢sié dentro del “nivel seguro” especificado en ta hoja de ‘das del fabricante, A menudo es necesario limita la Corriente inversa en la regién de la ruptura, «fin de mantener la disipacigin de la enengia dentro de valores permisibles,Ejemplo 2-1 La caida de volisie directa de un diodo de potencia es Vp = 1.2.V a Ip = 300 A. Suponiendo que m= 2y Vp = 25.8 mV, encuenire la corriente de saturacién [y Solucién Aplicando ta eeuscicin (2-1), podemos encontrar la corriente de fuga (0 corriente de saturaci6n) [ya pant de 30 = fie! 2%288%107) 4) 238371 x 18 A, To que nos da CARACTERISTICAS DE LA RECUPERACION INVERSA La corriente de un diodo de unin con polarizaciGn directa se debe al efecto neto de los portadores ‘mayoritarios y minoriarios. Cuando un diodo esté en modo de conduccién directa y su corriente se reduce a cera (debido al comportamienio natural de circuito del diode 0 a ta aplicacién de un vol- taje inverso), el dioto continia conducieado, debido a los portadores minoritarias que permanccen almacenados en la unién pn y en el material del cuerpo del semiconductor. Los portadores minori- tarios requicren de un cierto tiempo para recombjinarse con cargas opuestas y neutralizarse. Este tiempo se conoce como tiempo de recuperactén inversa det diodg) En lerTigura 2-3 se muestran dos caraciersticas de recuperacién inversa de diodos de unign. El mis comiin es el tipo de recupera- ‘in suave. El ticmpo de recuperacién inversa se donomina fa y se mide a partir del cruce del card inicial de Ia corriente del diodo con cl 25% de la corriente inversa maxima (0 de pico), Ie. fr €St8 formado por dos componentes,t,y ty £6 65t6 generado por cl almacenamiento de carga en la regi¢n de agotamiento de la unin y representa el tiempo entree! cruce por cero.y la corriente inversa’ 0, lee. fs €8 debido al almacenamiento de carga en cl matrial del cuerpo del semiconductor. La re- lacién iit, se conace como el factor de suavidad, SF. Para efectos prcticos, uno debe preocuparse Por el tiempo toa de recuperacién ty por el valor pico de la corriente inversa ln. fy = ta + by (2-5) La corrieme inversa pico se puede expresar en dildt inversa como, 26 et “ i d : a \ ' Sig 1 ' -4 hei VI (ieee caeneaupn ip Figura 2-3 Caracteristicas de rocuperacisn inversaEl sien de recuperacion inversa tn, puede detinitse como cl itervalo de tiempo entre el instante en que la corsiente pasa através de cer, durans el cambio dc la conduceidn dicta a condicin de blogucoinverso, y ef momento en que la coriene inversa Seba reduc at 3% de su valor inverso pico ign fm depende dela temperatura dela unin, de la velocidad de ebaiomients {de ia comiemie directa y de le coricne directa antes de la conmutacis La carga de recuperacién inversa Qyr, es la cantidad de portadores de carga que fluyen a través del diodo en direccn inversa debido aun cambio de la conduceién directa a la condicion {de bloqueo inverso, Su valor queda determinado por cl drea encerrada por la wayectoria dela co. riente de ecuperacién inversa. La carga de almacenamiento, que es el deca envuck es aproximaciamente Dor la trayectoria de la corriente de re- Que = ante + Hente = Maat an obion Ia (2-8) Tgualando la ecuacién (2-6) con la ccuacién (2-8) nos da tnt, = 22an 29) ditdt Si es despreciable en comparacisn con iy, que por lo general cs €l ¢a0, fy = fy la ccuacién (2.9) se convierte cn wo (ES e219 Jen = 2200 5 a ‘Se puede notar, de las ceuaciones (2-10) y (2-11), que el tiempo de recuperacién inversa fy ¥ la corriemte de recuperacion inversa pico Ip» dependen de la carga de almacenamiento Ore y de ditdt inverso (0 reaplicaxio). La carga de almacenamicnto depende de la corriente directa del diodo fr. La corriente de recuperacidn inversa pico /pg, la carga inversa Ose y el factor de suavidad son {odos de interés para el discfador de circuitos, y estos pardimetsos se incluyen en forma comin en las hojas de especificacién de dios. Si un diodo esté en una condicién de polarizacién inversa, fluye una corriente de fuga debi- dda. los poriadores minoritarios. En ese caso, la aplicacién de un voliaje directo obligaria al diodo 4 conducir la corriente en la dreccién direct. Sin embargo, se requicre de un cierto tiempo, cone. ido como cl tiempo de recuperacién directa (0 de activacién), anes de que los portadores mayo. Fitarios de toda ta unin pucdan contribuir al Nujo de corrionte. Si ta velocidad de elevacién de la corriente directa es alta, y la corriemte directa est concentrada en una pequetia superficie de la tunién, el diode puede fallar. Por lo tanto, cl tiempo de recuperacién directo limita la velocidad de levacién de Ia corriente directa y la velocidad de conmutacién.Ejemph El tiempo de recuperacicn inversa de un diodo es in = 3 Us la velocidad del deerementa 0 dela reducciGn deta coriente del diodo es dds = 30 AJjs. Determine (a) le earga de almacenamiento, Gan y (0) a cominte versa pic Fe. Solueiin iy =3uxy did = 30 As. (@) De Ta ceuacin (12-10), Midi Onn = BOS * 30 Alps 3 10%? — 135 pC () De couacisn 2-11) a hg = 20 = NIST HT 2:4 TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA dealmente, un diodo no deberia tener tiempo de recuperacida inversa, Sin embargo, el costo de fabricacién de un dioso semejante aumentara. En muchas aplicaciones, no son de importancia los ‘efectos del tiempo de recuperacisn inversa, y se pueden utilizar diodas poco costosos, Dependien- do de las caraetersticas de rocuperacion y de las técnicas de fabricaci6n, los diodos de potencia se Dueden clasificar cn wes calogorias. Las caractersticas y ls limitaciones pricticas de cada uno de los tipos restringen sus aplicaciones, 1. Diodlos estindar © de uso general 2. Diodos de recuperacisn pide 3. Diodos Schouky 24.1. Diodos de uso general Los diodos de rectificacisn de uso gene tienen un ticmpo de recuperaciGn inversa relativamente alto, tipicamente de 25 us, y se utlizan en aplicaciones de baja velocidad, en las que el tiempo de recuperacin no es eriico (por ejemplo, en rectficadores de diados y convertidores para una baja frecuencia de entrala, de hasta 1 KH, y en convertidores conmutados en Ifnea). Estos diodos cu- bren especificaciones de corriente desde menos de uno hasia varios miles de amperios, con espe- cificaciones de voliaje deste 50 V hasta alrededor de $ KY. Estos diodos generalmente se fabrican por difusién. Sin embargo, los retificadores de tipo de aleacién usados en las fuentes de alimen- in para méquinas de soldadura son muy econdmicos y duraderos,cuyasespecficaciones ue, ‘den llegar hasta 300 A y 1000 V. 2-42 Diodos de recuperacin rapida Los diodos de recuperacin répida tienen un tiempo de,recuperacién bajo, por lo general menor que 5 ps. Se uilzan en circuitos conveniidores c-cd Y Guta, en los que la velocidad de reeupe= racidn es a menusko de importancia rica. Estos diodos cubren espocificaciones de corriente, des- de menos de uno hasta cientos de amperios, con especificaciones de vollaje desde 50 V hasta aproximadamente 3 kV. Para especificaciones de voltaje por arriba de 400 V, los diodos de recuperacién ripida por lo general se fabrican por difusidn y cl tiempo de recuperacién es conolado por difusion de oro 0platino. Para especificaciones de voliaje por debajo de 400 V, los diodos epitaxiales proporcionan velocidades de conmutaciGn mayores que las de los diodos de difusién, Los diodos epitaxiales tie- nen ta base més angosta, lo que permite un rpido tiempo de recuperacién, tan bajo como 50 ns, En la figura 2-4 se muestran diodos de recuperacin rdpida de varios tamanos. 2-43 \dos Schottky En un diodo Schouky se puede climinar (0 minimizar) cl problema de almacenamiento de carga de una unin pn, Esto se lleva a cabo estableciendo una “-barrera de potencial” con un contacto en- tse un metal y un semiconductor. Sobre una capa delgada epitaxial de silicio de tipo n se deposita tuna capa de metal. La barrera de potencial simula cl comportamiento de una wnién pn, La aecién reetificadora s6lo depend de tos portadores mayoritarios, y como resultado no existen portadores ‘minoritarios en exceso para recombinar, El efecto de eecuperacin se debe inicamente a la auto- ccapacitancia de la unign semiconductors, La carga recuperada de un diodo Schottky es mucho menor que la de un diodo equi de unién pr. Dado que se debe s6lo a la capacitancia de la uniéa, bisicamente cs independiente de la difdr inversa. Un diodo Schouky tiene una salida de vollaje directa rolativamente baja, Lacomrientc de fuga de un diodo Schouky es mayor que la de un dioda de unién pn, Un dio- do Schouky con un voltaje ce conduccidn refativamente bajo tiene una corriente de fuga relativa- mente alta, y viceversa. Como resultado, su voliaje maximo permisible esté por lo general limitada a 100 V. Las especificaciones de corriente de los diodos Schouky varian de 1 a 300 A. Los diodos Schottky son ideales pura las fuentes de alimentacién de alta corriente y de bajo volta {je en corriente directa. Sin embargo, también se utilizan en fuentes de alimentacién de baja co riente para una cficiencia mayor. Bn la figura 2-5 se muestran rectificadores Schottky de 20 y de 30 A duales. ws Figura 2-4. Diodos de recuperacién f+ pda. (Cenesie de Powerex, Ine)Figura 25 Rectcadores conusles Schottky de 20 y ‘Je M0 A duales, (Coresia de Intemational Reefer) 2:5 EFECTOS DEL TIEMPO DE RECUPERACION DIRECTA E INVERSA La importancia de estos partimetras se puede explicar con la figura 2-6a, Si cl inteeruptor, SW, se ¥¥ se mantiene cerrado el tiempo suficiente, una corriente en régimen permanente a = através do la carga y cl diodo en marcha libre D, quedré con potarizacign inversa, Si : bebo aia FP smewpricion —gigura 246. Cireuitopulsador sin indctor (Forms de onda imitate dileruptor se desconecta en ¢ = ni, cl diodo D,, conducird y la corriente de carga circulard a wa- ¥6s de Da. Ahora, si el interruptor se vuelve a conectar en el tiempo = ig, c1 diodo Da se compor. tard como si estuviera en corto circuito. La velocidad de clevacién de la corrients directa det interruptor (y del diodo D;),y la velocidad de reducciGn de la corriente directa en el diodo D,.so- rian muy alts, teadiendo al infinito, De acuerdo con la ecuacién (2-11) la comriente de pico inver. 82 del diodo Ds podria ser muy alta, y los diodos D; y Dy podrian daftarse. En la figura 2-6b se ‘moestran las diversas formas de onda para las corrientés de diodos. Este problema por lo general s resuelve coneetando un inductor limiuantedifd, Ly, tal y como aparece en la figura 2-7a. Los : | e 4 A Rs Ps Vo] $80 * vo} Wo Figura 2-12 Modelo de diodo SPice, ade pequte seta (or Mode cntsien con dingo de plariscién inverse.cantidad de dopados. Los modelos de pequefa seal y estiticos que se generan mediante SPice aparecen en la figura 2-12 y , respectivamentc. Cys una funcién no lineal del voltaje de diodo Yo ¥ eS igual aC, = da/dp, donde qy es la carga de la capa do agotamiento, SPics genera los pa- rimetros de pequeta sera a partir del punto de operacicn. Elenunciado del modelo SPice de un diodo tiene la forma general POLPL. ONAME B (PL-Vi P2-¥2 Puewn DNAME es cf nombre del modelo y puede empezar con cualquier carécter; pero cl tamafio de esta palabra por lo general se limita a ocho caracteres. D es el simbolo del tipo para diodos. PI, P2, .. ¥y VI, V2, .. son los pardmeiros de modelo y sus valores, respect Ejemplo 2 Dos diodos que se muestean en a figura 2-9a estén conectados en serie, un voltaje total de Vo = ‘SRV. Las corriontes de fuga inversas de los dos diodos son fy = 30 mA ey = 35 mA. (a) En- Cuentre los voltajes de dodo, si Tas resistencias de disiibucién del voltae som iguales, Ry = Ri = 100 KO. (b) Encuentee las resisencias de repanicién del voltaje Ry y Ro, silos voliajes del diowlo son iguales, Vay = Vin = Vpf2. (@) Usilice PSpice para verificar los resultados de la parte (a), Los parsimetros del modelo PSpice son: BV = 3KV ¢ IS = 30 mA para el diodo Dy, € 1S = 35 mA para el diode Do Solueién (a) hy =30 mA, ha=35 mA, Ri = Rr = R= 100K. Vp = Vor + Vor a bien Vor = Vo Vpr- De la ecuscivin (2-19), v fet bk Sustituyenda Vor = Vp ~ Vor. ¥ resolviendo para encontrar el voltae del dios Dy, obtenemos Yo. fy, sev a2) 2 SKY — 2750 = 2250 V, IS mA,y Vou ‘og = Vol = 2SKV.De lnecuacién, (2-19) 1 te ‘que nos da la resistencia Rp para un valor conocido Ry como Re Vor > Rille = fad 22) Suponiendo que R= 100 KR, obienemos 2.5 KV 100k - ns IRV — WEA x BS x 10 Belen R x 10)() El cireuito de dio para la simalacin PSpice aparece en a figura 2-13, La list dl arehi- vo decireuta es coma sigue: Exanole 2-3 Diode Voitaje-Sharing Chreuit vedo DG sR a fe mon m2 3 lank R23 0 100K ploS 2 MDL bz 0 mone (MODEL Moo 9 {Ls-atKA av=IKv) 2 Diode rodel parsneters MODEL O02 > (ISe35HA GUS3KU) } Diode model parameters oe 2 De operaziog point analysis Texo Los rsultaos do la simulacién PSpice ton wane 2 22 D 3006-02 Ip) = -30 m8 “3.S08-02 yg = ~35 wa ry 2I7SEL03 Van = 2750 V 2.258403 Ve ~ ~2250.V ea Loderi2 Rm = 19 Hover? Ry = 26m RESUMEN Las caracteristicas de los dios précticos differen de las de los diodosideales. El tiempo de recu- peracidn inversa juega un pape! sigiticativo especialmente en aplicaciones de interrupcin de al- ta velocidad. Los diodos se pucden clasificar en wes tipos: (1) diodos Ue uso general, (2) diodos de recuperacign ripida y (3) diodos Schottky. Aunque un diode Schottky se comporte como un dodo de uniGn pn, no exisic unid Ksica; y como consecuencia, un diodo Schottky es un disposi- tivo de portadores mayoritarios. Por ot parte, un diodo de unign pn es un diodo de portadores {tanto mayoritarios como minoritarios. Si para aumentar ta capacidad del voltaje de bloguco los diodos se conectan en sere, se re- {quieren de redes de reparicién de voliaje bajo condiciones de eégimen permanente y transitorio, ‘Cuando tos diodos se conectan en paralelo, para aumentar I capacidad de conduceiGn de corrien- te, también requierea de elementos de reparticién de corriene.