Fotorezistori

Este o plac sau o pelicul de semiconductor cu dou contacte ohmice.

Semnalul optic este absorbit i fotonii genereaz purttori de sarcin n
rezultatul actelor de tranziie band-band sau prin intermediul nivelelor
energetice ale impuritilor.
Conductibilitatea fotorezistorilor este descris de relaia:
q n n p p .
Pragul rou al fotosensibilitii este determinat de relaia:
c 1,24 E g .
Dac fluxul de lumin are c atunci el este absorbit de semiconductor.
Funcionarea fotorezitorilor este determinat de trei parametri:
Eficiena cuantic sau de amplificare;
Timpul de fotorspuns;
Fotosensibilitatea sau detectivitatea.
S examinm procesul de funcionare al fotorezistorului. Fie c n primul
moment de timp t 0 numrul purttorilor de sarcin ce au fost generai ntr-o
unitate de volum este n0 . n momentul de timp urmtor numrul lor se va micora
din cauza procesului de recombinare dup legitatea:
n n0 exp t
- timpul de via al purttorilor de sarcin
1 - viteza de recombinare.
Dac fluxul de lumin este constant n timp i este distribuit uniform pe
toat suprafaa S W L , atunci numrul total de fotoni incideni va fi:
Poptic
h

N F , Poptic

- puterea fluxului optic.

Viteza de generare a purttorilor de sarcin este:

-1-

Poptic h
n NF

W LD
W LD

(2)

D - grosimea fotorezistorului; - eficiena cuantic, care este egal cu raportul

numrului de perechi generate la numrul de fotoni incideni; n - numrul de

purttori de sarcin ntr-o unitate de volum.
Fotocurentul dintre contacte este:
I P W D q n n W D q n vd W D ,
(3)
v
- intensitatea cmpului electric n semiconductor; d - viteza de deriv a
purttorilor de sarcin.
Determinm n din relaia (2) i o introducem n relaia (3). Obinem:
Poptic

I p q
h

n momentul iniial fotocurentul este:

Poptic

I ph q
h

Coeficientul de amplificare a curentului este:

Ip
I ph

L
t tr

unde
t tr

L
vd

- timpul de tranziie al purttorilor de sarcin,

- timpul de via al purttorilor de sarcin.

Pentru cu un timp de via al purttorilor de sarcin mare i o distan mic
dintre contactele ohmice coeficientul de amplificare este cu mult mai mare ca 1.
Timpul de fotorspuns este egal cu timpul de tranziie t tr .
Din cauz c la fotorezistori distana dintre contactele ohmice este mare, iar
cmpurile electrice prezente sunt mici, timpul de fotorspuns este mult mai mare
ca la fotodiode.
Capacitatea de detecie (detectivitatea) se determin de relaia:
D*

A1 2 B 1 2
m Poptic

cm Hz

12

max
min
unde m I I
- gradul de modulare al frecvenei, I - intensitatea semnalului
max
min
optic; A - aria suprafeei fotorezistorului; B - banda de transparen a
frecvenelor.
Exemplu: Pentru 0,5m cea mai mare sensibilitate o posed CdS. Pentru
10 m se utilizeaz HgCdTe.
n tabelul 1 de mai jos sunt prezentate lrgimile benzilor energetice interzise
i pragul rou a fotoconduciei (fotosensibilitii) pentru cele mai utilizate
materiale semiconductoare.

Tabelul 1
-2-

Materialul
Ge
Si
CdSe
CdTe
CdS
GaAs
InP
PbS
PbSe

, eV
0,67
1,11
1,74
1,5
2,42
1,43
1,28
0,29
0,15

Eg

0 ,

m
1,85
1,12
0,71
0,83
0,51
0,87
0,97
4,28
8,27

Caracteristicile fotorezistoarelor
1. Caracteristica curent-tensiune
Sunt simetrice n raport cu originea axelor de coordonate, deoarece
rezistena lor nu depinde de polaritatea tensiunii aplicate. De obicei, se construiesc
fotorezistoare numai pentru o polaritate a tensiunii aplicate.

I I 0 I L C 0 U C f 0 U ,

unde I , I 0 , I L - respectiv curentul total, curentul de ntuneric, fotocurentul; C 0 ,

C f - constante ce sunt determinate de proprietile fizice ale semiconductorului la
ntuneric i la iluminare; - coeficientul de neliniaritate a caracteristicii
energetice; U - tensiunea aplicat.

-3-

2. Caracteristica energetic a fotorezistorilor

Sunt neliniare datorit dependenei timpului de via al purttorilor de
sarcin de fluxul incident. Forma matematic a caracteristicii este:
I L k 0 0 , pentru U const ,
unde k 0 C f U .
Pentru majoritatea fotorezistorilor caracteristicile energetice posed dou
regiuni distincte:
Regiunea liniar ( 1 ) la intensiti slabe ale radiaiei incidente;
Regiunea subliniar ( 1 ) la intensiti mari ale radiaiei incidente.

3. Caracteristicile spectrale
Prezint un maxim pronunat n regiunea absorbiei fundamentale, unde
1,24 E g .

-4-

Caracteristica spectral este puternic influenat de prezena impuritilor n

semiconductor. Impuritile se introduc cu scopul sporirii sensibilitii i a lrgimii
spectrului spre lungimi de und mai mari.

4. Dependena sensibilitii de frecven

-5-

- este constant de cretere a fotocurentului sau timpul n care fotocurentul

crete pn la valoarea I L 1 e 1 I 0 0,63 I 0 ; I 0 - valoarea staionar a
fotocurentului; d - constanta de timp a descreterii fotocurentului, n care
fotocurentul crete pn la valoarea I L I 0 e 0,36 I 0 .
Pentru majoritatea fotorezistoarelor i d 0 , unde 0 - este constanta de
timp a fotorezistorului.
Dac radiaia incident este modulat dup o lege sinusoidal atunci funcia
de generare a purttorilor de sarcin se poate scrie sub forma:
g g 0 e it , - frecvena pulsaiilor radiaiei incidente.
Atunci componenta variabil a fotocurentului este:
I ~ I e i t , unde - este defazajul dintre radiaia incident i fotorspuns.
Amplitudinea fotocurentului va fi:
I

I0
1 0

Odat cu creterea frecvenei fluxului luminos, amplitudinea componentei

variabile a fotocurentului scade. Constanta de timp 0 este o msur a ineriei
fotorezistorilor la aciunea radiaiei incidente. Cu ct sensibilitatea este mai mare
cu att constanta de timp este mai mic.
Pentru: CdS, CdSe avem 0 10 2...10 3 s , iar pentru PbS, PbSe avem
0 10 4...10 5 s .
-6-

Autor> Andrei Dorogan

Un nou portal informaional!

Dac deii informaie interesant si doreti s te impari cu noi atunci
scrie la adresa de e-mail : support@sursa.md

-7-