TRANZISTORUL CU EFECT DE CAMP

Tranzistorul cu Efect de Camp tip Metal-Oxid-Semiconductor (TEC-MOS, in

engleza MOSFET, Field Effect Tranzistor) este un dispozitiv semiconductor cu 3
terminale :
1. Sursa => electrodul de unde pleaca sarcinile electrice,
2. Drena => electrodul catre care se indreapta sarcinile electrice,
3. Poarta => electrodul care comanda comportarea dispozitivului.

Figura 1. Tranzistori cu efect de camp

Poarta este un film metalic izolat de semiconductor printr-un strat de oxid de siliciu.
Cand se aplica o tensiune intre poarta si sursa ("+" pe poarta si "" pe sursa pentru
MOSFET cu canal N) se creaza un camp electric ca intr-un condensator plan. Campul
electric creat atrage langa suprafata electroni.

Figura 2. Structura inerna a tranzistorului cu efect de camp cu poarta izolata

Pana la o anumita tensiune de prag VP sarcinile de langa suprafata nu sunt suficiente

pentru crearea unui canal conductor intre sursa si drena. Peste valoarea de prag
campul reuseste sa aduca suficiente sarcini electrice langa suprafata si conductanta
(inversul rezistentei electrice) canalului dintre sursa si drena creste.

Curentul ID care trece intre sursa drena va fi cu atat mai mare cu cat va fi mai mare
tensiunea aplicata portii UGS si cu cat va fi mai mare tensiunea aplicata intre drena si
sursa UDS (daca UGS >> UDS cu "+" pe drena si "" pe sursa).
ID = (UGS VP) UDSK
unde K este o constanta ce depinde de detaliile constructive ale tranzistorului.
Daca UDS > UGS curentul prin canal nu mai creste din cauza ingustarii canalului langa
drena datorita campului invers ce apare intre poarta si drena. Curentul are valoarea
limita:
ID = (UGS VP)2K/2

Figura 3. Caracteristica curent de drena in functie de tensiunea drena-sursa si gila-sursa

Tranzistor Caracteristici Pret

BS170

UDSmax = 60V/ IDmax = 0,5A/ Pmax =0,83W/ RDSmin =<5

0,5DM

IRF830

UDSmax = 500V/ IDmax = 4,5A/ Pmax =74W/ RDSmin =1,5

3DM

BUK455-60

UDSmax = 60V/ IDmax = 41A/ Pmax =125W/ RDSmin =0,04

3DM

IRF740

UDSmax = 400V/ IDmax = 10A/ Pmax =125W/ RDSmin =0,55

4DM

BUZ11

UDSmax = 50V/ IDmax = 30A/ Pmax =75W/ RDSmin = 0,05

2,5DM

APLICATIE "Comutator pentru becuri cu halogen"

Becul cu halogen da o lumina foarte buna cu un randament excelent. Ca orice bec cu

filament in momentul conectarii absoarbe un curent de circa 10 ori mai mare decat
curentul nominal, ceea ce determina scurtarea timpului de viata. Fiindca becurile cu
halogen sunt scumpe, mai ales cele speciale pentru automobile, este util un circuit
care sa le mareasca timpul de viata.
Circiutul prezentat aici se bazeaza pe faptul ca daca tensiunea pe poarta creste treptat
si curentul drena-sursa prin tranzistorul cu efect de camp va creste tot treptat. Timpul
de crestere este stabilit de rezistenta R 1 si condensatorul C :
= RC = 100 k 10 F = 1s.
Dioda descarca condensatorul prin bec si TEC la intreruperea alimentarii. Fiinca
rezistenta drena - sursa este 0,05 , caderea de tensiune pe tranzistor va fi :
UTEC = RDS x Ibec = 0,05 x 4A=0,2V
Puterea disipata va avea valoarea => P=U TEC x Ibec = 0,8W destul de mica pentru a nu
fi necesar radiator pentru tranzistor.

Circuitul integrat

Circuitul integrat, prescurtare n englez: IC, de

la integrated circuit, pronunie /ai si/ (v. AFI),
prescurtare n romn C.I., este un dispozitiv
electronic alctuit din mai multe componente
electrice i electronice interconectate, pasive i
active, situate pe o plcu de material
semiconductor (fcut de exemplu din siliciu),
dispozitiv care n cele mai multe cazuri este
ncapsulat ntr-o capsul etan prevzut cu elemente de conexiune electric spre exterior, numite
terminale sau pini (piciorue).

Un circuit integrat, mrit

I se mai spune i "cip", de la cuvntul englez chip.

Caracteristici i clasificri
Exist o mare diversitate de structuri semiconductoare i peliculare utilizate n
construcia de circuite integrate. Dup modul de realizare, circuitele integrate pot fi:
semiconductoare, peliculare sau hibride.
Circuitele integrate semiconductoare sunt structuri formate n interiorul sau pe
suprafaa unei poriuni de material semiconductor monocristalin. Dintre acestea,
circuitele tip monolitic au elementele de circuit formate ntr-o singur structur
semiconductoare (cip), iar cele fragmentare se realizeaz din mai multe structuri
monolitice, interconectate ntre ele. Toate componentele din structura acestor circuite
integrate se realizeaz n acelai timp, n cadrul operaiilor tehnologice specifice la
care sunt supuse plachetele semiconductoare.
Circuitele integrate peliculare sunt structuri realizate prin depunerea unor
pelicule pe suprafaa unui material dielectric, peliculele fiind fie subiri (sub 1 m), fie
groase (peste 10 m).
Circuitele integrate hibride sunt structuri n care unele elemente de circuit se
monteaz pe un substrat dielectric, iar restul elementelor se realizeaz prin depuneri pe
suprafaa suportului dielectric.

n cele ce urmeaz se vor face referiri numai la prima categorie de circuite

integrate, care sunt cele mai rspndite i anume circuitele integrate monolitice,
numite generic circuite integrate (C.I.). Dimensiunile cipurilor variaz n funcie de
2
complexitatea circuitului integrat n intervalul 1,25 - 10 mm sau chiar mai mult.
Circuitele integrate monolitice prezint o fiabilitate ridicat, deoarece conexiunile
dintre componente sunt realizate n interiorul capsulei.
Elementele componente din structura circuitelor integrate monolitice: tranzistoare,
diode, rezistoare, condensatoare se realizeaz printr-o succesiune de procese
tehnologice specifice tehnologiei planare. ntr-un circuit integrat monolitic toate
componentele se execut simultan. Procesul tehnologic poate fi optimizat numai
pentru un singur tip de component. n cazul circuitelor cu tranzistoare bipolare este
optimizat procesul tehnologic al tranzistoarelor npn. Operaiile de realizare a
componentelor din structura circuitelor integrate se aseamn, n mare msur, cu cele
folosite la realizarea tranzistoarelor discrete (cap. 8).
Probleme specifice care apar la tehnologia circuitelor integrate monolitice sunt:
- izolarea componentelor din structura aceluiai cip (unele fa de altele);
- aducerea la faa superioar a structurii (cipului) a contactelor
componentelor, inclusiv a contactelor de colector ale tranzistoarelor;

Un IC este un ansamblu de componente electrice i electronice discrete (diode,

tranzistoare, rezistene, condensatoare i chiar bobine) montate pe un suport de siliciu
miniatural numit cip. Aceste ansambluri au fost standardizate i au cptat forme de
capsule cu diferite dimensiuni i numr de terminale. Numrul componentelor a crescut
n timp de la cteva sute la milioane de componente pe cip (de ex. n
cazul microprocesoarelor).
Cele mai simple circuite integrate sunt cele logice, fabricate nc de la nceputuri i n
Romnia, de ex. seria CDB (Circuit Digital Bipolar) tipului TTL cu membrii

CDB 400 E: 4 pori I-NU

CDB 402 E: 4 pori SAU-NU

CDB 403 E: 4 pori I-NU cu colectorul n gol pentru realizarea funciilor SAUCABLAT
CDB 404 E: 6 inversori

i altele, care conineau maxim 4 tranzistoare, 2 diode, i 4 rezistene pe fiecare poart,

ele putnd fi construite uor i din componente discrete. Aceste pori au fost folosite la
fabricarea de calculatoare i n automatizri, unde era necesar un numr de sute i chiar
mii de IC-uri.[1]
Circuitele integrate de tip TTL au dus la microprocesoare simple ca de ex.: procesorul de
1 bit PC 14500, numrtorul de program de 4 bii PC 14104 sau demultiplexor 1:8 cu
memorie.

Circuitele integrate logice, care au fost folosite cu zecile de mii n primele calculatoare,
dar i n alte aplicaii industriale de automatizare i robotizare, au netezit calea spre
realizarea circuitelor integrate liniare, care puneau probleme noi, generate de
complexitatea structurii, de particularitile procesului tehnologic, de varietatea
metodelor i a aparaturii de testare.

Circuitele integrate sunt de mai multe tipuri: analogice, logice, lineare, digitale etc. n
funcie de caracteristicile funcionale i de domeniul de aplicaii cele analogice au fost
grupate pe familii: amplificatoare operaionale (AO), circuite de uz industrial, circuite de
audio, radio i TV, arii de diode i tranzistoare. Totui ele nu pot fi clasificate foarte exact
dup criterii prestabilite, deoarece au domenii de aplicare foarte largi.

Circuitul integrat n Romnia

ncepnd din anul 1974 au fost produse primele circuite integrate analogice-liniare cu
aplicaii n domeniul audio, radioreceptoare i televizoare. A devenit imperios necesar
asimilarea circuitelor integrate liniare care s preia funciile etajelor clasice cu tuburi
electronice sau cu tranzistoare. S-au nscut primele aparate de radioreceptoare cu circuite
integrate cu etajele de radiofrecven i frecven intermediar integrat ntr-un cip de
TBA 570, cu decodor stereo de tip A758 i cu etajul final audio de tip TCA 150, care la
vremea aceea situau produsele la nivelul de vrf al tehnicii mondiale.
Principalul productor de circuite integrate i alte componente a fost IPRS Bneasa, o
fabric unde au fost produse i alte circuite integrate liniare, ca de ex. alimentatorul
stabilizat pentru tunere cu varicap TAA 550, amplificatorul de frecven intermediar
sunet i imagine la TV (TDA 440), sincroprocesorul TV (TBA 950), C.I. pentru baleiaj
vertical (TDA 1170), amplificatoare operaionale (A 741, M 3900), stabilizatoare de
tensiune (A 723), temporizator E 555, senzor magnetic M 230, comutator senzorial
pentru tastaturile electronice la TV seria SAS 560 i 561. Alte exemple: amplificatorul
operaional A 741 n capsul cu 8 sau 14 terminale; are domenii largi de aplica ii ca:
receptor de tensiune, amplificator neinversor sau inversor, integrator ori amplificator de
putere cu vitez de variaie mare. Toate acestea se aplic n domenii ca robotizarea
industrial, maini-unelte semiautomate sau automate, producia de echipamente audiovideo. Din familia lui A 741 fac parte i amplificatorul operaional cuadruplu M 324 i
cel dual de tip M 358, care i-au gsit aplicaiile n sisteme de control industrial i la
amplificatoarele de curent continuu

REFERAT LA FIZICA
Circuite integrate

Vilcea Madalin
Clasa a XII-a A
REFERAT LA FIZICA

Tranzistorul cu efect de camp

Vilcea Madalin
Clasa a XII-a A