UNIVERSITATEA TEHNIC A MOLDOVEI

FACULTATEA CALCULATOARE, INFORMATIC I

MICROELECTRONIC
Catedra Microelectronic i Inginerie Biomedical

N D R U M AR
pentru lucrri de laboator la cursul

MATERIALELE TEHNICII
BIOMEDICALE
(1)

Chiinu 2016

Scopul lucrrilor de laborator este aprofundarea cunotinelor

teoretice privitor la proprietile electrice ale materialelor utilizate
n componentele pasive i active ale circuitelor electrice analogice
i digitale - rezistoare, condensatoare, dioade i tranzistoare, n
baza crora se proiecteaz i elaboreaz dispozitivele medicale.
Totodat, se vor obine cunotine de efetuare a msurrilor electrice
i utilizare a dispozitivelor de msurare a semnalelor. Cunotinele
vor fi utile la proiectarea schemelor i plcilor electronice cu
destinaii variate.
ndrumarul este destinat studenilor specialitii Ingineria
sistemelor biomedicale, care studiaz cursul Materialelele tehnicii
biomedicale, partea I.

CUPRINS
1.Cercetarea proprietilor electrice a materialelor conductoare
(dependena parametrilor rezistoarelor de temperarur).

2.Cercetarea

caracteristicilor condensatoarelor
parametrilor condensatoarelor de temperarur).

(dependena

3.Cercetarea dependenei de temperatur a conductibilitii

electrice a semiconductoarelor.

Lucrarea de laborator Nr. 1

Cercetarea proprietilor electrice a materialelor conductoare
( dependena parametrilor rezistoarelor de temperarur )
Scopul lucrrii: studierea sistemului de marcare, proprietilor
constructive, parametrilor i caracteristicilor diferitor tipuri de
rezistoare n dependen de temperatur.
1. Date principale despre rezistoare.
Rezistoarele se numesc elementele (componentele) aparatelor
electronice, care au proprietatea de rezisten electric activ i sunt
destinate pentru repartizarea i reglarea puterii electrice ntre
elementele schemei. n dependen de materialele aplicate,
rezistoarele pot fi liniare (scderea tensiunii pe rezistor depinde de
curentul electric linear, adic rezistena rmne constant) i
neliniare, la care rezistena se schimb sub aciune curentului sau
tensiunii. Rezistoarele liniare pot fi fixe sau variabile. Rezistena
rezistoarelor fixe este determinat n procesul de fabricaie, in timp
ce la rezistoarele variabile exist posibilitatea de a regla rezistena
mecanic (cu ajutorul unui al treilea contact, sau fr contact, cu
ajutorul comenzilor digitale). n lucrarea dat de laborator se
studiaz rezistoarele fixe si variabile lineare.
Dup caracterul schimbrii rezistenei toate rezistoarele se
mpart n fixe si variabile. Rezistoarele fixe (liniare) au o rezisten
constant care in procesul de exploatare nu se regleaz, i n
dependen de scop se mpart n:
- rezistoare pentru diferite scopuri,
- de nalt precizie,
- de nalt frecven,
- pentru tensiuni nalte,
- de o rezisten mare.
Rezistoarele se mpart in trei categorii: peliculare, bobinate si de
volum. Rezistoarele bobinate puternice (de la 5 la 1000W) au o
3

carcas tubular din ceramic, pe care se spiralizeaz srma de

nihrom (Ni-80%,Cr-20%) sau alte aliaje, care conin Ni si Cr.
La cele mai puternice rezistoare srma este goal, si la puteri de
250W sunt acoperite cu o pelicul de email vitrificat.
Rezistoarele bobinate de precizie se fabric cu puterea de la 0.05
la 5W. Ele au un corp, nuntrul cruia se afl o spiral de
constantan (Cu 55%, Ni 45%) sau manganin (Cu 86%, Ni 2%,
Mn 12%).
Rezistoarele peliculare (de obicei 0.075 la 2W) conin material
rezistibil n form de pelicul, care este depus pe un suport
dielectric, n form de cilindru. Rezistoarele peliculare se mpart in:
- rezistoare peliculare de carbon (materialul peliculei - carbon
pirolitic);
- rezistoare cu pelicul de metal, si
- metalodielectrice (pelicule de oxizi, sticle conductoare i
emailurilor).
Rezistoarele de volum (de obicei 0.125 la 2W) prezint n sine
un amestec multicomponent polimerizat sau sinterizat la
temperaturi mari, care conin materialul-legtur i componentele
conductoare (rezistori compui).
Rezistoarele variabile se mpart in reglabile si ajustabile.
Rezistoarele reglabile permit schimbarea repetat a rezistenei n
procesul funcionrii n aparatur.
Rezistena rezistoarelor ajustabile se schimb odat
(tehnologic ) sau periodic
n procesul funcionrii aparatului.
Rezistoarele variabile de asemenea se fabric bobinate, peliculare
i de volum. Construcia rezistoarelor variabile este cu mult mai
complicat dect a rezistoarelor fixe. Pe lng elementul rezistiv
(bobinat) i a ieirilor electrice la nceput i capt (iar n unele
construcii i n punctele intermediare) rezistoarele variabile au un
sistem mobil de schimbare a curentului. Sistemul mobil asigur o
deplasare lin a contactului pe elementul rezistent si fixarea lui.
Parametri de baz a rezistoarelor garantate de productor:
4

- Rezistenta nominala Rnom. Este rezistena, care se indic pe

corpul rezistorului. Valoarea rezistenei nominale se garanteaz cu
o tolerana prestabilit nintervalul temperaturii de lucru (de obicei
de la -55 la +70 C).
- Deviaia admisibiil a rezistenei (tolerana) rezistorului:
= (R-Rnom)/Rnom *100% ,

(1)

unde R - rezistena real a rezistorului. Valoarea toleranei este

nsoit de semnul + sau - , astfel valoarea real a rezistenei
poate sa fie mai nalta sau mai joas. Valoarea rezistenei nominale
este standardizat. Sunt expuse ire de rezistene: E6, E12, E24,
E48, E96, E192. Cifra dup litera E indic valoarea n fiecare
interval zecimal. De exemplu rndul E6 conine 6 valori: 1.0 ,1.5,
2.2, 3.3, 4.7, 6.8. Rezistena trebuie s ia valorile indicate, sau
valorile care se primesc nmulind cu 10n. Valoarea real a
rezistenei poate s se deosebeasc de cele nominale n limita
anumitor valori. irul de abateri admisibile, indicate n procente, de
asemenea este standardizat. n tabelul 1 n calitate de exemplu sunt
expuse cele mai folosite ire de valori nominale ale rezistenei
rezistoarelor i toleranelor:
Indicele Valoarea nominal, nmulit cu 10n
E6
1.0, 1.5, 2.2, 3.3, 4.7, 6.8
E12
1.0 , 1.5 , 2.2 , 3.3 , 4.7 , 6.8
1.2 , 1.8 , 2.7 , 3.9 , 5.6 , 8.2
E24
1.0 , 1.5 , 2.2 , 3.3 , 4.7 , 6.8
1.1 ,1.6 , 2.4 , 3.6 , 5.1 , 7.5
1.2 , 1.8 , 2.7 , 3.9 , 5.6 , 8.2
1.3 , 2.0 , 3.0 , 4.3 , 6.2 , 9.1

Tabelul 1
Tolerana, %
20
10
5

Pentru ire standarde sunt caracteristice urmtoarele

proprieti:
- in fiecare urmtor ir sunt incluse toate valorile precedente;
- celor mai dese rnduri le corespund tolerane mai mici;
- valorile in ir sunt aranjate astfel, ncit la variaia maxim a
rezistenei n limita toleranei, rezistena real va fi mai aproape de
valoarea nominal, dect cele de alturi.
La rezistoare de larg folosin rezistena nominal este corelat
n aa mod, nct se primete aa numita scara fr pierderi:
rezistena nominal i toleran a unui rezistor se apropie de
valorile rezistenei din preajm.
- Puterea nominal disipat Pnom. este acea putere, care poate
fi disipat de rezistor n mediul ambiant la o presiune atmosferic
normal. Puterea P, care este disipat de rezistor ntr-un circuit dat,
este egal cu produsul dintre intensitatea curentului I si tensiunea
U: P=UI
Conform legii lui Ohm intensitatea curentului avnd rezistenta
R, gsim formula pentru putere:

= I 2R = U 2/R.

(2)

- Coeficientul termic al rezistentei (CTR sau R ). Acest

coeficient caracterizeaz sensibilitatea rezistentei la schimbarea
temperaturii. CTR se exprim n uniti relative. Astfel nct
dependena rezistenei rezistoarelor de temperatura este foarte
mic, CTR se indic n milionimi n raport cu un grad (10e-6/ K).
La momentul actual in multe manuale n loc de 10e-6 aprobat de
simbolica american ppm (Parts Per Million pri la milion).
CTR se msoar n acest caz n ppm/K. Valoarea CTR a
rezistorului (n ppm/K) poate fi determinat din rezultatele
msurrilor dependenei rezistentei de temperatur din formula:

R = (1/R)*(dR/dT)*10e6=(1/R)*(R/T)10e6,
6

(3)

unde R - rezistenta rezistorului la o temperature data; Rschimbarea rezistentei la schimbarea temperaturii T.

n rnd cu parametrii expui, pentru rezistoare mai sunt
reglamentat i: tensiunea maximal ntre bornele acestuia (V),
tensiunea de zgomot (V/V), durata de funcionarea fr defectri
(ore), durata pstrrii (ore), puterea maximala (W) etc.
Pentru rezistoarele variabile sunt indicate de asemenea unele
caracteristici si parametri speifici:
- caracteristica funcional - dependena rezistenei dintre
contactul mobil i cel fix a rezistorului de unghiul de rotire a
sistemului mobil;
- capacitatea de rezoluie - care caracterizeaz reglarea cu
caracter lin i apreciaz ca schimbarea minim a rezistenei la
deplasarea contactului;
- rezistena la frecri se determin dup numrul de rotiri a
sistemului mobil, in timpul creia parametrii rezistoarelor rmn in
limita toleranei;
n afar de parametrii de baz toate rezistoarele au nite
parametri parazitari, aa ca inductana si capacitatea, care limiteaz
folosirea rezistoarelor la frecvene nalte. Inductana i capacitatea
in rezistoarele variabile este cu mult mai mare dect n cele fixe.
Marcarea rezistoarelor.
Pentru marcajul rezistoarelor se folosesc, de obicei, marcarea
alfanumeric cu ajutorul literelor si cifrelor, care se depune pe
corpul rezistorului i se indic n documentaie. Rezistoarele,
fabricarea crora a nceput n 1968 i care continu i azi, sunt
confecionate dup vechile denumiri. Exemple de simbolizri:
(O, ) - rezistoare u pelicul metalic, lcuite,
termorezistente;
BC (OBC) - de nalt stabilitate;
cu carbon - bor, lcuit, de precizie;
cu carbon, lcuit, de dimensiuni mici;
cu oxid de metal, de valoare omic mic;
7

 compus, lcuit, de megaohmi;

bobinat, emailat;
rezistena variabil de volum;
O- termorezistent, rezistent la umiditate, de volum etc.
Din 1968 pentru rezistoarele noi a fost introdus marcarea
alfanumeric. Litera indic grupa fabricaiilor:
- C-rezistori fixe (de la cuvntul rezistena),
- C-rezistori variabili,
- HC-seturi de rezistene.
Cifra care st dup litera, nseamn tipul rezistorului n
dependena de materialul rezistent: 1- nebobinat, cu carbon, cu
pelicul subire; 2- nebobinat, cu oxid de metal; 3- nebobinat,
pelicular, compus; 4- nebobinat, compus, de volum; 5- bobinat; 6nebobinat, cu pelicul subire, metalizat.
Dup prim cifra dup apostrof se pune a doua cifra (cifre),
care arat numrul de nregistrare a elaborrii rezistorului.
Din anul 1980 s-a introdus un nou sistem de marcare a
rezistoarelor la care:
- prima litera (litere) nseamn subclasa rezistorului (Prezistoarele fixe, P-rezistoare variabile, HP-set de rezistoare);
- al doilea element al simbolului - cifra care arat grupa
rezistorului dup materialul rezistiv (1- nebobinate; 2- bobinate;
- al treilea element al simbolului - cifra dup apostrof arat
numrul de nregistrare a elaborrii acestui rezistor.
De exemplu, P1-33 rezistor fix nebobinat nregistrat sub
numrul 33.nMarcajul convenional complet al rezistoarelor const
din notarea scurt (urmrit mai sus), tipul de construcie,
semnificaia celor mai importani parametri si caracteristici a
rezistoarelor, influena factorului climatic i notarea documentului
la furnizare. De exemplu, marcarea P1-33- - 0.25W- 100k
20% A 0.467. 027.T nseamn un rezistor fix nebobinat cu
numrul de nregistrare 33, de puterea 0.25W, rezistena nominal
8

de 100k, valoarea toleranei de 2%, grupa dup tensiunea de

zgomot A, notat in documente 0.467.0270.T.
Majoritatea rezistoarelor care se fabric au marcaj, de la care se
citesc direct tipul, puterea nominala, rezistena si tolerana. De
exemplu, rezistorul fix bobinat de tipul C5-5 cu puterea de 8W,
avnd rezistena de 68 i tolerana de 1% au pe corp urmtoarea
notare: C5-5-8-68. Astfel din exemplul dat, dimensiunea puterii
nominale nu se indic deoarece puterea totdeauna se exprim n W.
Aceasta se refer i la rezistoarele de mica putere de exemplu:
MT-0.25 -10+-10% (rezistor de tipul MT cu puterea de
0.25W).
Rezistena nominal la notarea complet const din cifre si
notare unitii de msur (-ohmi, k-kiloohmi, M-megaohmi,
G-gigaohmi, T-teraohmi). De exemplu 220; 150k; 2.2M;
8.2G; 1T.
n scopul micorrii numrului de simboluri pe rezistor deseori
la notarea rezistentei se introduc multiplicatori notai prin litere.
Literele latine R, K, M, G, T, corespund multiplicatorilor: 1, 10e3,
10e6, 10e9, 10e12 (rar n transcripia rus pentru nsemnarea 1 in
loc de R se pune E, si corespunztor pentru gigaom ). Rezultatul
decodrii unui astfel de notaii tot timpul se indic in omi. De
exemplu: 0.1=R10 sau E10; 1=1R0 sau 1E; 5.6=5R6 sau
5E6; 330=330R sau 330E; 1k=1k0; 3.3k=3k3; 2.2M=2M2;
2.2M=2M2; 6.8G=6G8 sau 68.
nc o form de nsemnarea rezistenei nominale a rezistoarelor
produse in strintate este notarea cu patru cifre. n acest cod
primele trei cifre exprim partea semnificativ a nominalului
rezistorului, i a patra nseamn puterea 10e, la care se nmulete
partea semnificativ, pentru a obine valoarea final n . De
exemplu: 3332 corespunde cu 33310Om sau 33,3 kOm; 9510
corespunde 95110 sau 951Om; 8251 corespunde 82510=8,25
kOm .a.m.d.
9

n corespundere cu normativele internaionale CEI62 ale

toleranilor admisibile, n locul cifrelor pot fi codificate cu litere
(tab. 2).
Tabelul 2
Codificarea simbolizrilor a toleranilor rezistenei
Tolerana
Codificarea
simbolilor

0.05 0.1 0.25 0.5

A

10

Alt des rspndit sistem de marcaj al rezistorului este

codificarea n culori. Pe rezistor n acest caz se traseaz inele de
diferite culori, formnd un cod, cu care se codific valoarea
nominal i tolerana (codificarea cu 4 sau 5 inele). Mai puin
rspndit codificare cu 6 inele se codific nc i valoarea lui
CTR, fig 1.

Fig.1. Marcarea rezistoarelor cu cod de culori

10

Datele n corespundere cu marcarea n culorii i cifre a

rezistenei nominale, valoarea multipl, toleranele i CTR sunt
date n tab. 3.
Tabelul 3
Culori
Rezistene nominale, Om
ale
CTR
1-ma 2-ua
3-ia Multi Toleraninelelor
ppm/K
a,

cifr cifr
cifr - plu
Argintiu
10-2
10
-1
Auriu
10
5
Negru
0
1
200
Cafeniu
1
1
1
10
1
100
Rou
2
2
2
102
2
50
3
Oranj
3
3
3
10
15
Galben
4
4
4
104
25
Verde
5
5
5
105
0.5
6
Albastru
6
6
6
10
0.25
10
Violet
7
7
7
107
0.1
5
8
Sur
8
8
8
10
0.05
1
Alb
9
9
9
109
-

2. Descrierea standului de laborator.

Cercetarea rezistoarelor fixe de diferite tipuri se produc cu
ajutorul schemelor, demonstrate n fig.2. Rezistoarele R1, R2R10
sudate pe o plac textolit de sticl pot s conecteze pe rnd cu un
comutator SA la un Ohmmetru PR (multimetru de tipul DT
830B). Rezistoarele cercetate pot fi amplasate n termostat i
conectate la schem cu ajutorul fiei amplasat n spatele
termostatului. Temperatura termostatului se regleaz cu manivel
reostatului i se msoar cu ajutorul termometrului.

11

Fig. 2. Schema pentru msurarea dependenei de

temperatur ai rezistenei rezistoarelor cercetate
Cercetarea rezistorului bobinat de mare putere de tipul 10 se efectueaz cu ajutorul schemei, indicat n fig. 3. n calitatea
de aparate de msurat (PA, PV1 i PV2) se folosesc multimetre de
tipul DT-830B. Pentru alimentarea schemei se utilizeaz sursa de
alimentare ce reglez tensiunea curentului continuu (U50B).

Fig. 3.Schema pentru msurarea dependenei detemperatur

a rezistenei rezistorului bobinat de mare putere
12

Temperatura rezistorului cercetat se determin cu ajutorul

termocuplului TC, amplasat n interiorul corpului rezistorului i se
calculeaz dup formula T = Tcam + 25Ut (mV), unde Ut- fora
electromotoare termice a termocuplului n mV, msurat cu
milivoltmetru PV2.
Pe o machet aparte sunt instalate rezistoarele variabile R1
R4. n jurul fiecrui este trasat scara cu uniti unghiulare. Bornele
de ieire ale rezistoarelor sunt unite cu jacurile, ce servesc pentru
conectarea multimetrului la ridicarea
caracteristicilor
funcionale ale rezistoarelor.
3. Ordinea efecturii lucrrii.
1. Se scoate din termostat setul de rezistoare i se nscriu
marcarea lor n tab. 4. Se face decodarea rezistenelor nominale,
toleranelor i puterilor nominale (dac acestea sunt indicate).

Tipul de
rezistor

Rnom,
(dup
marcare)

Rnom,
msurat

Tabelul 4
Toleran, Pnom,
%
W

1
2

1
0
2. Se msoar rezistenele rezistoarelor R1R10 la
temperatura de camer.
Pentru aceasta conectm la jacurile corespunztoare pe macheta
(fig.2) ohmmetrul (multimetru DT-830V), amplasm placa cu
rezistoare n termostat, i le conectm la fia nuntrul
termostatului, producem msurrile rezistenei rezistoarelor n
13

poziiile 110, folosind comutatorul SA. Rezultatele se introduc n

tab. 5.
Tabelul 5
T,

R1

R,

R,
ppm/ 0 C

R2
R,

R,
ppm/ 0 C

R10
R,

R,
ppm/ 0 C

20
30
40
50
60
70
80
90
100

3. Conectai termostatul i cercetai dependena rezistenelor

rezistoarelor de temperatur n intervalul de la temperatura de
camer pn la 100C peste fiecare 20C. Rezultatele msurrilor
se introduc n tab. 5. De calculat R a rezistoarelor cercetate.
4. Ridicai i construii caracteristica voltamperic (CVA) a
rezistorului de mare putere 10.
Pentru aceasta asamblai schema prezentat n fig. 7.3,
conectnd multimetrele n calitate de miliampermetru i voltmetru,
respectiv i sursa de alimentare reglat de tensiunea curentului
continuu (dup indicaiile inginerului). Luai datele pentru CVA,
mrii valoarea tensiunii U peste 5V prin intermediul blocului de
alimentare i poteniometrului R1 pn la valoarea, la care curentul
ce trece prin rezistorul R2 nu depete (!) 200 mA. Odat cu luarea
datelor pentru CVA este necesar de aflat temperatura rezistorului R 2
cu ajutorul termocuplului TC, sudura fierbinte a crui este introdus
n interiorul rezistorului, iar sudura rece se conecteaz la
milivoltmetru PV2. Trecerea la alt msurare se efectueaz numai
14

dup stabilizarea indicaiilor aparatelor de msurat. Rezultatele

msurrilor se introduc n tab.6.
Tabelul 6
Temperatura
P, W
rezistorului R2,
I, mA
U, V
R,
disipat de R2
C

Conform datelor din tab.6 calculai valoarea rezistenei

rezistorului R2 i construii dependena rezistenei de temperatur.
De asemenea construii dependena temperaturii de puterea
disipat P = UI. Din graficul R 2 = f(T) calculai valoarea maxim a
R n diapazonul de temperatur studiat.
5. Determinai capacitatea de rezoluie a rezistoarelor variabile
R1...R4.
Pentru aceasta fixai cursorul rezistorului variabil n poziia din
mijloc i msurai rezistena nominal Rn a rezistorului ntre
bornele de la margine, dup aceasta msurai rezistena stabilit RS1
ntre o born din mijloc i una de la margine. Dup aceasta
schimbai unghiul cursorului a sistemului mobil i msurai
rezistena RS2. Capacitatea de rezoluie se calculeaz dup formula:
R

R S 1 RS 2
100% ,
Rn

(4)

6. De luat datele i de construit caracteristica funcional

R
,
f
Rn
n

(5)

a rezistoarelor variabile R1...R4.

Conectai multimetru n calitate de ommetru la unul din
rezistoarele variabile i msurai rezistena lui la diferite valori a

15

unghiului de la 0 pn la limit a sistemului mobil de msurare

n peste fiecare 20...40. Rezultatele msurrilor fixai n tab.7.
Tabelul 7
,
grd
/n
R1
R1/R1n
......
......

40

80

120

160

180

220

Dup datele din tab.7 construii curba dependenei

260

...

f
Rn
n

a rezistoarelor cercetate pe un singur grafic.

4. Coninutul drii de seam.
1. Schema instalaiei de laborator.
2. Tabelele 4...7 cu rezultatele msurrilor.
3. Decodificarea marcrilor rezistoarelor cercetate.
4. Graficele dependenilor de temperatur a rezistenei i R ,
graficele dependenei R2=f(T), T = f(P) a rezistorului de mare
putere R2.
5. Graficele caracteristicilor funcionale a rezistoarelor
variabile.
5. ntrebrile de control.
1. Clasificarea rezistoarelor.
2. Marcarea rezistoarelor.
3. Parametri de baz a rezistoarelor (fixe i variabile ).
4. Tipul caracteristicilor funcionale a rezistoarelor variabile.
6. Bibliografie.
16

1. . ., . . . .:
, 1989.
2. : / . . .
. . . .: , 1991.
3. Drgulescu N., Miroiu C., Moraru D. A,B,C... Electronica
n imagini: Componente pasive. Ed. Tehnica, Bucureti, 1990.
4. Ianculescu R. Manual radioamatorului nceptor.Bucureti: Ed. Tehnic, 1989.
Surse electronice pentru suport la calcul.
1. http://www.radiant.su/rus/articles/?action=show&id=335
2. www.cxem.net/sprav/sprav12.php
3. www.radiant.su/rus/articles/?action=show&id=335
4. www.asc-development.ru/markirovka.html
5. www.asc-development.ru/markirovka-11.html
6. http://orionsp.cn.ua/page.php?pageId=2
7. http://www.softportal.com/get-8757-predeleniesoprotivleniya-rezistora-po-tsvetovoj-markirovke.html
8. http://www.loadboard.ru/index.php?
option=com_content&view=article&id=232:resistor&cati
d=51:utiliti&Itemid=79
9. http://www.soft-v3.ru/elektronika-radio/opredeleniesoprotivleniya-rezistora-po-tsvetovoy-markirovke-11.html
10. http://zenway.ru/page/gresistor
11. http://www.texnic.ru/program/progr-color.htm
12. http://radio-stv.ru/radio_tehnologii/izuchenie-radioprogramm/opredelenie-elementov-po-tsvetu-i-kodu

17

Lucrarea de laborator Nr. 2

Cercetarea caracteristicilor condensatoarelor
Scopul lucrrii: familizarea cu clasificarea, construciile i
parametrii principali a condensatoarelor fixe de diferite tipuri i
cercetarea stabilitii lor n funcie de temperatur. Determinarea
legii de variaie a capacitii condensatoarelor variabile
1. Datele principale despre condensatoare
Condensatorul este un element discret al tehnicii electronice
care posed capaciti concentrate, adic "condenseaz" sarcini
electric i este format din electrozi separai de dielectric. Electrozii
(plcile) condensatorului se numesc armturile i dielectricul care
separ garnitur. Sarcina condensatorului Q i energia acumulat
n el W, depind de tensiunea U i capacitatea C conform relaiei:
Q = CU,

W = CU 2 / 2.

(1)

Condensatoarele se clasific:
- dup caracterul de variaie a capacitii - capacitatea fix,
variabil, ajustabil, la care se schimb la reglarea aparaturii, i
speciale, capacitatea crora poate fi schimbat la diferite aciuni
externe ( temperatur, tensiunea electric sau mecanic etc.);
- dup mrimea nominal a tensiunii - de tensiune joas (Umin
< 1600V) i de tensiune nalt (Umax 1600V);
- dup genul tensiunii - destinate pentru lucrri cu tensiune
alternativ, continue ori pulsatil i n regimul de impulsuri;
- dup tipul dielectricului utilizat cu dielectric in form de
gaz (cu aer, n vid), cu dielectric in forma lichid, cu dielectric solid
neorganic (cu sticl, sticl-ceramic, cu mic, ceramice), cu
dielectric organic (cu hrtie, peliculare etc.), cu dielectric oxidat
18

(lichide, uscate i solide, oxid-semiconductoare condensatoare

electrolitice);
- dup tipul electrozilor (cu folie, cu plci, cu electrozi
metalizate i combinate).
Condensatoarele se mai deosebesc prin abaterea iniial a
capaciii, stabilitii de temperatur-frecven, n dependena de
forma constructiv (cilindric, evi, discuri).
n tab. 1 este prezentat clasificarea condensatoarelor dup tipul
dielectricului i denumirile vechi, care n prezent se produc i se
utilizeaz.
Clasificarea condensatoarelor
dup tipul dielectricului
Ceramice de tensiune joas
(< 1600 V)
Ceramice de tensiune nalt
(1600 V)
Cu sticl
Sticl - ceramice
Cu sticl - email
Peliculare cu straturi subiri cu
dielectricul anorganic
u mic de mic putere

Simbolica
scurtat

condensatorului

10

, ,
, , ,
, etc..

15
21
22
23

,
- ,
-
-

26
31

, ,
etc..
, ,
-

u mic de mare putere

Cu hrtie cu folii metalice pentru
tensiune nominal pn la 2000 V
Cu hrtie cu folii metalice pentru
tensiune nominal pn la 2000 V
Cu hrtie metalizat

32

Oxid electrolitice cu aluminiu

50

19

Tabelul 1
Simbolica
anterioar a

40
41
42

, ,
etc..
,

Oxid electrolitice
cu tantal, cu niobium etc.
Volum- poroase
Oxid semiconductor
Cu strat electric dublu (ionistoare)
Cu ar
De vid
Cu polistiren:
cu armtura de folie
talizate
Cu politetrafluoretilen
( fluoroplast, teflon)
Cu poliester (polietilentereftalat,
lavsan, mailar)
Cu poliester (lavsan, mailar) cu
folie
u dielectric combinatat (mixt)
Cu pelicul de lac
Cu policarbonat
Cu polipropilen

51
52
53
58
60
61

70
71

,
-

72

73
74
75
76
77
78

,
-

,,,

Condensatoarele fixe au urmtoarele caracteristici constructive:

plan cu plci i cu spiral (bobinat), mai rar - cilindric. Ca
regul, condensatoarele din ceramic, sticl - emal i sticl ceramice se produc mono - sau multistrat, de forma patratic sau
rotund a plcilor (forma de disc). Construcia bobinat se practic
pentru condensatoarele cu hrtie, hrtie metalizat, peliculare i cele
electrolitice.
Mai detaliat se poate face cunotin cu construcia i
parametrii condensatoarelor n literatura recomandat.
Simbolizarea scurtat a condensatoarelor tehnicii electronice
conine trei elemente:
- o liter sau dou: K condensator fix, K variabil, KT
ajustabil, KC de set (ansamblu), KH neliniar;
20

- dou cifre care indic tipul dielectricului al condensatorului,

de exemplu: 10 condensatoare ceramice de tensiune joas, 15
condensatoare ceramice de tensiune nalt, K21 condensatoare cu
sticl etc. i indice convenional care determin destinaie
condensatorului (, , , );
- o cifr dou, care indic numrul de ordine n producere.
De exemplu, simbolul K10--5, nsemn condensatorul fix
ceramic de tensiune joas destinat pentru lucrri n circuite de
curent continuu i alternativ (- universal), 5 - numarul de ordine
n producere).
Simbolizarea complet a condensatoarelor const din patru
elemente:
Primul element simbolizarea scurtat, al doilea - valorile
parametrilor i caracteristicilor de baza, al treilea- nsemnarea
executrii climatice (pentru unele tipuri), al patrulea nsemnare
documentului pentru furnizare.
De exemplu, simbolizarea
K15-25-68010%-120- 460.130 nseamn: condensatorul fix, ceramic, de
tensiune joas, capacitatea nominal 680 pF, tolerana 10%, grupa
stabilitii de temperatur 120, fr "scinilaii capacitii"(),
executare pentru orice climat (B), corespunde condiiilor tehnice
460.130 .
Pentru condensatoare de mici dimensiuni se folosete indicaia
prin cod. Codul conine cifre ce indic valoarea nominal a
capacitii; litera indic unitatea de msurare a capacitii i
concomitent poziia virgulei fraciei zecimale (de exemplu, 1520pF
codific 1H52), tolerana 5%- prin litera ;-20% +100% prin A.
Se folosete i sistemul de cod colorat, aici culoarea acoperirii
corpului indic semnul CTC, dar culoarea semnului cod - indic
valoarea CTC (vezi L. 2; 4).
La condensatoarele de dimensiuni mici unitatea de masur nu se
indic; capacitatea lor se exprim n picofarade cu cod numeric,
unde primele dou cifre sunt semnificative, ultima cifr arat
21

puterea N a numrului 10N. De exemplu: marcarea "223" pe corpul

condensatorului indic capacitatea 22103 pF = 22 nF = 0.022F.
Parametrii de baz a condensatoarelor sunt: capacitatea
nominal Cn; abaterea capacitii de la capacitatea nominal
(tolerana) C; coeficientul termic al capacitatii CTC; tensiunea
nominal Un; rezistena izolaiei Riz; coeficientul de absorbie a
sarcinii Ka; constanta de timp de ncrcare automat a
condensatorului c; tangenta pierderilor dielectrice tg; intervalul
temperaturilor de lucru T etc.
Capacitatea nominal Cn este valoarea capacitii pentru care
un condensator concret este contat. Unitatea de msur a capacitii
electrice n sistemul SI este farada (F). n circuitele electronice
capacitatea condensatoarelor, ca regul, e mai mic dect un farad
(1F) de aceea se folosesc alte unitai: picofarada (1pF=10 -12 F),
nanofarada (1 nF = 10-9 F = 1000 pF) i microfarada (1 F = 10 -6 F
= 1000 nF = 106 pF).
Pentru orice tip de condensator capacitatea Cn se alege din
rnduri de valori standardizate (ca i pentru rezistoare), aplicare
mai larg au rndurile E6, E12, E24. Condensatoarele se deosebesc
prin capacitatea nominal Cn i cea adevrat - C a . Aceast
capacitate se msoar la temperaturi i frecvene concrete.
Abaterea capacitii condensatorului (tolerana) C se
calculeaz dup formula:
C Cn
C a
100%.
(2)
Cn
Valorile toleranei sunt limitate de standard i pot fi indicate pe
corpul condensatorului n % sau prin cod (litera sau semnul de
culoare).
Coeficientul de temperatur a capacitii CTC caracterizeaz
instabilitatea de temperatur a capacitii i se determin prin
relaia:
C

1 dC 1 C

C dT C T

22

(3)

Diferena de temperatur la determinrea CTC condensatoarelor cu

temperatura maxim de lucru >60oC trebuie s fie nu mai mic de
40oC. Se consider, c CTC se exprim n pri pe milion la un grad
Kelvin: 10-6 K-1 = 1ppm/K.
Pe condensatoarele cu hrtie i electrolitice tolerana se indic la
marcarea pe corp n procente, de exemplu: 5%; 10%; 20%.
Condensatoarele din ceramic, ca regul, au cu att mai mare
C, cu ct mai mare este Cn. Pentru ele snt folosite dou moduri
de nsemnare a toleranei. Pentru condensatoarele cu dependen de
temperatur a capacitii prezis i monoton, adic cu valoarea lui
CTC cunoscut, sunt introduse grupe de termostabilitate ce sunt
indicate pe corpul condensatorului impreun cu capacitatea
nominal a condensatorului. Pentru aceast grup de condensatoare
pentru tot intervalul temperaturilor de lucru CTC poate fi dat ca
mrime constant. CTC se exprim i n form mai prescurtat,
atunci, n loc de semnul minus i plus, se marcheaz M i .
Exemplu: CTC= -220 ppm/K nseamn M220 (sau R); CTC =
+120 ppm/K - 120 (sau A), etc., tab. 2.
belul 2
Simbolizarea condiional CTC a condensatoarelor ceramice, cu sticl,
cu sticl - email i sticl - ceramic de frecven nalt
Valoarea
nominal a
CTC, (ppm/)

+100

+33

47

75

150

750

1500

Simbolizarea
condiioal a
grupei CTC

100

33

47

75

150

750

1500

Codul literal a
CTC
(normele CEI )

H
(33)

23

Indicarea grupei de termostabilitate a condensatoarelor cnd n

intervalul de temperatur variaia capacitii nu poart un caracter
monoton ( c la inceput crete, dupa ce- scade, sau invers ), se
ncepe cu litera H. Dup litera H este indicat un numr cu dou
cifre, ce indic tolerana n procente, tab. 3.
Tensiunea nominala Un este tensiunea la care permite
condensatorul poate lucra pe parcursul duratei de funcionare.
Rezistenta izolatiei Riz - este rezistena care opune
condensatorul curentului de scurgere la aplicarea tensiunii continuu
la terminalele condensatorului Uo: Riz=Uo/Isc. Calitatea izolaiei
condensatorului de mare capacitate se apreciaz cu constanta de
timp de ncrcare automat: c = CnRiz. Valorile c constituie
belul 3
Grupele stabilitii termice ale
condensatoarelor ceramice cu CTC nedeterminat
70
Tolerana, , %
Simbolizarea
condiioal a
grupei toleranei
Simbolizarea
internaional a
grupei toleranei
(normele CEI )

10
%

20
%

30%

50%

70%

10

20

30

50

70

90

2B

2C

2D
(+20%
...
-30%)

2E
(+20%

-55%)

2F
(+30%
.

-80%)

aproximativ: pentru condensatoarele cu hrtie 2000 s, cu hrtie

metalizat - 200 s, ceramice- 75-250 s, oxid-electrolitice - 10-100 s,
cu polistiren- 3104 s, cu fluoroplast- 108 s.
Ur
Coeficientul de absorbire al sarcinii =
100% , ( 4 )
U0
unde Uo - tensiunea la armturile condensatorului dup incrcare pe
parcursul timpului t1, U r - tensiunea care apare la armturile
24

condensatorului dup timpul t2, dupa ce el a fost scurtcircuitat de

timp t3. Ca regula Ka se determin prin t1=3-15 min, t2=3-10 min,
t3=2-5 s.
Tangenta unghiului de pierderi tg caracterizeaz pierderile
dielectrice n condensator, puterea crora Pa=U2ctg. Valorile
minimale tg sunt caracterizate pentru condensatoarele cu
fluoroplast, ci maximale - pentru condensatoarele electrolitice.
Intervalul temperaturilor de lucru T caracterizeaz limetele
schimbrii temperaturii mediului nconjurtor, pentru care
parametrii condensatorului rmn n limitele admisibile n ntreaga
durat de functionare a condensatorului. Limita inferioar pentru
majoritatea condensatoarelor este 60 oC, dar limita superioar
-pentru condensatoarele cu hrtie +7085 oC, ceramice - +85 oC,
pentru oxid - semiconductor +85125 oC, cu fluoroplast, cu sticl
i sticl - ceramice +200 oC.
Condensatoarele conin o inductan parazitar, ce limiteaz
utilizarea lor la frecvene nalte. Din cauza existentei inductanei
parazitare condensatoarele posed o frecven de rezonan:
f r 1 / 2 LC . Penru frecvene mai mari ca frecvena de
rezonan rezistena condensatoarelor devine inductiv, de aceea se
recomand s fie utilizate la frecvene mai mici dect frecvena de
rezonan.
Condensatoarele de frecven joas cu capaciti constante sunt
utilizate n circuite de curent continuu, alternativ i pulsatil n
calitate de condensatoarele reglabile, de blocare, de filtre. La
aceast grup de condensatoare se refer condensatoarele cu hrtie,
cu hrtie metalizat, peliculare cu lavsan i unele ceramice. Multe
condensatoare de frecvena joas cu capacitai destul de mari (de
pn la zecimi de microfarade), cu cresterea capacitii
condensatoarelor cresc i dimensiunile lor. Conform construciei
condensatoarele de frecven joas sunt de cteva tipuri. Ca
dezavantaje pentru condensatoarele cu hrtie si cu hrtie metalizat
sunt pierderile mari de energie i nestabilitrate mare a parametrilor
25

Aceste condensatoare au o rezistena de izolaie relativ mic i

rigiditatea dielectric se micsoreaza n procesul de degradare. n
aceast privin condensatoarele peliculare i ceramice de frecven
joas se deosebesc evident de condensatoarele cu hrtie i cu hrtie
metalizat. Se produc condensatoare de frecven joas cu
capacitate de la sute de picofarade pn la zecimi de microfarade.
Pentru condensatoarele de nalta frecven sunt caracteristice
piederi nensemnate, stabilitate nalt i precizie a parametrilor,
dimensiuni i masa mici. Aceste condensatoare sunt utilizate n
circuitele generatoarelor i radioamplificatoarelor etc. Capacitatea
nominal a condensatoarelor de nalt frecven constitue de la
uniti sute picofarade, cu toate c unele condensatoare au
capacitatea aproape 1F. La condensatoarele de inalt frecven se
refer condensatoarele peliculare cu fluoroplast, cu polistizol,
ceramice, cu mic, cu sticl, sticl - email, sticl -ceramic.
Condensatoarele electrolitice i oxid - semiconductor. Aceste
condensatoare au ca dielectric un strat subire de oxid pe metal, ce
serveste ca o armtur (anod). A doua armtur (catod) electrolit
(n condensatoarele electrolitice) sau un strat de semiconductor
bioxidul de mangan ( n condensatoarele oxid- semiconductoare) ce
este depus pe stratul de oxid. Anozii se fabric din folie de
aluminiu, tantal sau niobiu. Terminalele acestor condensatoare au
polaritatea anumit: anod pozitiv, catod negativ. Sunt
condensatoare electrolitice, n care ambele armturi conin un strat
de oxid. La aceleai valori de tensiune nominal si capaciti
dimensiunile condensatoarelor cu tantal i cu niobiu sunt mai mici
dect dimensiunile condensatoarelor cu aluminiu. Condensatoarele
cu tantal i cu niobiu pot funciona la temperaturi mai mari,
capacitile lor variaz mai puin la schimbarea temperaturii, chiar
si curenii de scurgere sunt mai mici.
Condensatoarele electrolitice i oxid - semiconductor au
capaciti mari i pot s ajung pna la mii de microfarade. Aceste
condensatoare se utilizeaz n filtrele de netezire ale redresoarelor
i n circuite de audiofrecven n calitate de condensatoare de
26

blocare i de divizare, de asemenea n amplificatoarele de

audiofrecven n calitate de condensatoare de trecere.
Dezavantajele condensatoarelor electrolitice sunt: nestabilitatea
parametrilor, curentul de scurgere mare, dependena capacitii de
temperatur, intervalul de frecven limitat.
Condensatoarele variabile sunt caracterizate prin dependena
capacitii de unghiul de rotaie a armturilor mobile (rotor) fa de
armturile imobile (stator), aici variaz mrimea ariei de acoperire
a plcilor, dar interstiiu i permitivitatea dielectric ramn
neschimbate. Dependena capacitii de unghiul de rotaie a
rotorolui fa de stator ( legea de variaie a capacitii ) poate fi
linear, logaritmic, de asemenea poate fi dependena de variaie
pentru frecven variabil linear, pentru lungime de und variabil
linear.
n condensatoarele cu capacitatea variabil ca dielectrici
se folosesc pelicule organice si ceramica de nalt frecvena.
Condensatoarele ceramice se deosebesc cu dimensiuni mai mici.
Condensatoarele variabile pot fi cu o secie sau cu mai multe. n
condensatoarele cu mai multe secii plcile rotorului n toate
sectiile se rotesc sincronic i capacitatea oricrei secii se schimb
la fel.
Este cunoscut, c tensiunea pe condensator in timpul
proceselor tranzitorii in circuitele RC cu sursa de tensiune continu
se descriu printr-o funcie exponeniala. Condensatorul nencrcat
fiind conectat la sursa de tensiune Un se ncarc, i tensiunea pe
condensator crete n procesul de incarcare dupa legea exponenial
de la valoarea 0 la t =0, pn la Un pentru t = . Dependena
tensiunii pe condensator fa de timpul ncrcrii Uc = f(t) se
exprim prin formula:
Uc (t) = U [1 exp ( t/)],

(5)

unde = RC constanta de timp a circuitului de ncrcare (descrcare).

Dac la inceputul procesului de descrcare (t=0) condensatorul

a fost ncrcat pna la tensiunea U0, dar la terminarea procesului 27

descrcat pn la zero, atunci dependena Uc = f(t) se va exprima

prin relaia:
U(t) = U0 exp ( t/).

(6)

2. Descrierea standului de laborator

Cercetarea condensatjarelor fixe de diferite tipuri C1, C2, ... ,
C10 se produce cu ajutorul schemei, prezentat n fig. 1.

Fig. 1. Schema pentru cercetarea dependenei de

temperatur a capacitii condensatoarelor.
Condensatoarele sunt montate pe o plac comun i se afl n
termostat. Terminalele condensatoarelor se conecteaz la circuitul
de msurare cu ajutorul fiei, amplast n spatele termostatului. La
luare de cunotina cu aspectul general al condensatoarelor, cu
particularitiile de construcie i cu marcarea condensatoarele se
extrag din termostat, dup obinerea informaiei necesare se
introduc regulat n thermostat i se conecteaz la fi. Msurarea
capacitii se efectueaz cu msurtorul PC de tip E7-15, la care
28

condensatorul cercetat se conecteaz cu ajutorul comutatorului SA,

n acela timp, bornele de intrare ale aparatului E7-15 se
conecteaz la jacurile corespunztoare a machetei. Pentru
cercetarea dependenei capacitii condensatorului de temperatur
termostatul se conecteaz la reeaua 220 V, temperatura cruia se
regleaz cu ajutorul reostatului i se msoar cu termometrul.
Cercetarea procesului de ncrcare i descrcare a
condensatorului se efectueaz cu ajutorul schemei, prezentat n
fig. 2.

Fig. 2. Schema pentru cercetarea procesului de

ncrcare i descrcare condensatorului

Parametrii schemei: C = 1000 F - condensatorul cercetat, R
= 33 k rezistorul delimitat, U = 15 - tensiunea sursei de
alimentare a curentului continuu. ntreruptorul S1 n poziia 2
conecteaz circuitul de ncrcare, n poziia 1 - circuitul de descrcare a

condensatorului C. Comutatorul cu buton SB se folosete la

determinarea tensiunii de restabilire Ur a condensatorului C
ncrcat anticipat pentru scurtcircuitarea lui pentru un timp scurt (la
sursa tensiunii deconectat de la schema). n calitate de voltmetru
se folosete multimetrul de tipul DT - 830B.
n lucrarea de laborator se cerceteaz condensatorul variabil
C var de tipul K, terminalele crui sunt conectate cu jacurile pe
macheta pentru conectarea msurtorului capacitii PC. Pentru
ridicarea dependenei capacitii condensatorului de unghiul rotirii
rotorului =() pe machet este depus scara de la 0 pn la 180 n
29

form de semicerc, centrul creia coincide cu axa de rotire a plcilor

mobile ale rotorului. Valoarea necesar a unghiului se stabilete

prin rotirea manetei rotorului n jurul axei.
3. Ordinea efecturii lucrrii
1. Se va scoate din termostat setul de condensatoare , se va
familiriza cu construcia i cu marcarea condensatoarelor sau cu
documentaie de nsoire dac ea exist. Se vor msura capacitiile
C1, C2, ..., C10 i se va ntocmi datele obinute n tab.3. Tolerana
condensatoarelor se calculeaz dup formula 1.

Nr
ord

Marcarea
condensatorului
(denumirea
convenional)

, F
Tipul
(F, nF,pF)
dielectricelui,
n
f
construciei, marca
msu
etc.
t
rat

Tabelul 3
Tolerana
, %
cal
marca cu
t
lat

1
2

10

2. Se vor ridica dependenile de temperatur ale capacitiilor

condensatoarelor de diferite tipuri la nclzire pn la 90 C i se
vor construi graficile corespunztoare.
Pentru acest scop conectai msurtorul E7-15, cuplai bornele
lui de intrare la schema (fig. 1) i dup nclzirea aparatului se vor
efectua msurrile capacitii condensatoarelor (conform
30

indicaiilor profesorului) peste fiecare 10C,

temperanura stabil. Rezultatele se introduc n tab.4.
T,
0

1: tip
condensatorului
C ,

ppm/

2: tip
condensatorului
C ,

ppm/

controlnd

Tabelul 4
10: tip
condensatorului
C ,

ppm/K

20
30
40
50
60
70
80
90
3. n baza rezultatelor de msurare din p.2 de calculat dup formula
(2) valorile CTC, lund diferena de temperatur nu mai mic dect 40 C.

Rezultatele calculelor se vor introduce n tab.4 i pe baza lor se va

determina grupa stabilitii termice a condensatoarelor cercetate.
4. Se va ridica dependena tensiunii de timp Uc = f(t) n
procesul ncrcrii i descrcrii condensatorului.
Pentru acesta asamblai schema, prezentat n fig.2, pstrnd la
conectare polarizarea tensiunii continu U = 15 V. Instalai
comutatorul S1 n poziia 2. Conectai sursa de alimentare a schemei
i, ncepnd de la momentul dat (t 1 =0), nregistrai n tab.5 indicaiile
voltmetrului la ncrcarea condensatorului pn la tensiunea Uc U
peste fiecare 15 s, de la min. al doilea peste fiecare 60 s.
Dup ncrcarea condensatorului cercetai procesul de descrcare.
Pentru acesta comutai comutatorul S1 n poziia 1 i, ncepnd de la
momentul dat (t 2 =0), nregistrai n tab.5 indicaiile voltmetrului peste
fiecare 15 s, i de la minimum a doua msurare peste fiecare 60 s, pn
la descrcarea complet. La nceputul msurrii tensiunii la descrcare a
condensatorului, deconectai sursa de alimentare U .

31

Tabelul 5
t1 , c
U, (exper)

ncrcarea condensatorului
15
.

U, (calcul)
Descrcarea condensatorului
t2 ,c
U, (exper)

15

U, (calcul)

5. Se va construi graficul dependenei Uc = f(t) pentru procesele

de ncrcare i de descrcare dup rezultatele experienei i
calcularea dup formulele 3 i 4. De msurat R i C, de calculat
constanta de timp =RC i de determinat valoarea experimental
,folosnd graficul curbei de descrcare Uc = f(t), ca timpul dup care
tensiunea pe condensator se va micora de e ori.
6. Se va determina coeficientul de absorbie al condensatorului
electrolitic de oxid cu aluminiu.
n acest scop ncrcai condensatorul C pe parcurs de 5 min.,
conectnd sursa de alimentare a schemei U (fig. 2) i comutatorul S1 n
poziia 2. Msurai tensiunea condensatorului U 1 . Dup aceasta,
deconectnd sursa de alimentare mpreun cu firul de legtur de la
schem, imediat scurtcircuitai condensatorul C pentru 3 secunde,
apasnd butonul SB. Peste 3 min. msurai tensiunea U 2 la
condensator i calculai valoarea coeficientulului de absorbie dup
formula:
U2
=
100% .
(7)
U1
7. Se va ridica i va construi dependena capacitii condensatorului
variabil de unghiul de rotaie al rotorului =(). Se va determina legea
de variaie a capaciii.

32

4. Coninutul drii de seam.

1. Schemele de msurare ale parametrilor condensatoarelor.
2. Tabelurile 9.3, 9.4, 9.5 cu rezultatele msurrilor.
3. Graficele dependenilor C=(T), Uc = f(t), =().
4. Calculele parametrilor condensatoarelor , , , .
5. Concluziile lucrrii.
5. ntrebri pentru control.
1. Care element al tehnicii electronice se numete condensator?
2. Cum se clasific condensatoarele?
3.Cum se indic convenional i se marcheaz
condensatoarele?
4. Prin ce parametri se caracterizeaz condensatoarele?
5.Explicai dependenele de temperatur a capacitii
condensatoarelor cercetate.
6. Cum depinde tensiunea la condensator de timpul ncrcrii
(descrcrii)?
7. Ce nseamn noiunea condensator variabil sau reglabil?
8. Care lege de variaie a capacitii pot avea condensatoarele
variabile?
9. Numii domeniile de aplicare ale condensatoarelor?
6. Bibliografie.
1. . ., . .
. .: , 1989.
2. / . . .
. - : , 1982.
3. . . . .: , 1976.
4. Drgulescu N., Miroiu C., Moraru D. A,B,C... Electronica n
imagini: Componente pasive. Ed. Tehnica, Bucureti, 1990.
5. ,
,
, ,
: . , 1994.

33

7. Surse pentru determinarea valorilor mrimilor fizice a

componentelor electronice
- http://cxem.net/sprav/sprav12.php,
- http://ecursuri.wikispaces.com/file/view/marcarea+condensatoarelor.pdf,
- www.digikei.com,
- http://monitor.espec.ws/files/markirovka_160.pdf.

Lucrarea de laborator Nr.3

34

Cercetarea dependenei de temperatur a conductibilitii

electrice a semiconductoarelor
Scopul lucrrii: Studierea fenomenului fizic a conductivitii
electrice n materialele semiconductoare, aplicarea schemei de
msurare a conductivitii electrice, cercetarea dependenei de
temperatur a conductivitii electrice, determinarea regiunilor cu
conductivitate electric intrinsec i extrinsec i lrgirea benzii
interzise n diverse materiale semiconductoare.
1. Cunotine generale
Proprietatea de baz a materialului la aplicarea unui cmp
electric din exterior este conductibilitatea electric, adic,
capacitatea de a conduce curent electric sub aciunea tensiunii
electrice continuu.

Dac materialul se afl ntr-un cmp electric cu intensitatea E ,

atunci particulele ncrcate libere din material, adic purttorii

mobili de sarcini electrice, sub aciunea forei F q E ( unde q

este sarcina particulei) capt o acceleraie n direcia vectorului

E (pentru purttorii care au sarcin pozitiv q), sau n direcia

opus ( pentru purttorii care au sarcina negativ q). Apariia unei
astfel de micri ordonate n spaiu (spre deosebire de cea termic
haotic) al sarcinilor electrice este curentul electric n material.
Pentru cazul cnd n material exist purttori mobili de sarcin
numai de un tip, densitatea curentului electric j reprezint
cantitatea de sarcin electric care este transferat ntr-o unitate de

timp prin unitatea de seciune perpendicular pe vectorul E , i se

determin prin expresia :

(1)
j qN V ,
unde N este numrul de purttori mobili de sarcini electrice ce se
afl ntr-o unitate de volum, sau concentraia purttorilor mobili de
35

sarcin, m-3 ; V este viteza medie n micarea ordonat a

purttorilor mobili de sarcin (viteza de drift) obinut n timpul
parcursului liber sub aciunea cmpului electric exterior. Dac sub
aciunea intensitii cmpului electric se schimb numai direcia
micrii purttorilor mobili de sarcin i v<<u (unde u este viteza
medie termic a purttorilor la micarea haotic), atunci astfel de
cmpuri electrice se numesc slabe. Dac, ns la aciunea cmpului
electric mobilitatea purttorilor se micoreaz i mrimea absolut
a vitezei de drift nceteaz de a mai depinde de cmp i devine
egal cu viteza termic (v u ), astfel de cmpuri electrice se
numesc puternice. De obicei viteza v n cmpurile electrice slabe
este proporional cu intensitatea cmpului electric :
v E ,

(2)

unde este factorul de proporionalitate, numit mobilitatea

purttorilor de sarcin i se msoar n m2/Vs. Mobilitatea este
numeric egal cu viteza medie de drift a purttorilor de sarcin
produs de un cmp electric cu intensitatea unitate i caracterizeaz
agilitatea cu care purttorii mobili de sarcin ptrund printre
nodurile reelei cristaline n timpul micrii dirijate indus de

cmpul electric E .Viteza total a purttorilor mobili de sarcin se

determin prin suma vectorial a vitezei termice i vitezei de drift.
innd cont de expresia (2) i relaia (1) se poate determina
densitatea curentului
j qNE E E / ,

(3)

unde = qN este conductivitatea electric i se msoar n S/m,

=1/ este rezistivitatea i se msoar in Ohmm [ m ].
Relaia (3) reprezint forma diferenial a legii lui Ohm.
Mrimea nu depinde de valoarea cmpului electric slab i a
curentului i prin urmare se determin de proprietile fizice ale
36

materialului. Legea lui Ohm nu se respect numai la intensiti

foarte mari ale cmpului electric, cnd v u . Dar acest caz n

lucrarea dat nu se asigur i n continuare nu se va mai analiza.
n limitele n care are loc legea lui Ohm mobilitatea purttorilor
mobili de sarcin nu depinde de intensitatea cmpului electric i se
determin de proprietile corpului solid i de mecanismul de
mprtiere a purttorilor de sarcin n cristal.
Astfel, conductivitatea electric sau rezistivitatea electric
determin densitatea curentului electric n material la o mrime
dat a intensitii cmpului electric, deci, caracterizeaz cantitativ
fenomenul de conducie electric.
Materiale semiconductoare sunt materialele care se
caracterizeaz prin valori ale rezistivitii electrice la temperatur
normal n domeniul 10-8109 m , ce se afl ntre valorile
rezistivitii ale materialelor conductoare i cele dielectrice, i la
care conductibilitatea electric n mare msur depinde de diferite
aciuni energetice din exterior (ca de exemplu, creterea
temperaturii, aplicarea cmpului electric puternic sau magnetic,
iradiere cu lumina, etc.) i de impuriti ( atomi de alt natur ).
n materialele semiconductoare ca purttori mobili de sarcin
sunt electronii i golurile de conducie, concentraiile de echilibru
ale cror n unitatea de volum se indic prin n i p corespunztor.
Conform relaiei (3) densitatea curentului electric in
semiconductor se determin dup formula :
j j n j p en n ep p E E ,

(4)

(2.4)
unde e este sarcina electric a electronului sau a golului, n i p
este mobilitatea electronilor de conducie i a golurilor, iar :
n p en n ep p e n n p p .

37

(5)

n semiconductoarele extrinseci (cu impuriti), ca regul, una

din componentele relaiei (5) poate fi exclus la temperatura
normal. De exemplu, n cazul unei concentraii destul de mari a
atomilor de impuriti donoare n semiconductor aportul golurilor
n conductibilitatea electric este neglijabil. n majoritatea cazurilor
mobilitatea golurilor este mai mic dect cea a electronilor.
Variaia conductibilitii electrice ntr-un domeniu larg de
temperatur pentru un material semiconductor poate avea loc att
n urma modificrii concentraiei a purttorilor mobili de sarcin,
ct i n urma variaiei mobilitii lor.
2. Influena temperaturii asupra conductibilitii electrice a
semiconductoarelor
2.1. Dependena de temperatur a concentraiei purttorilor
mobili de sarcin
Fiecare electron din atomi liberi are o anumit energie i ocup
un nivel energetic discret. La formarea reelei cristaline a
semiconductorului toate nivelurile energetice ale electronilor pe
care le posed atomii de tipul dat, se vor deplasa puin n urma
interaciunii dintre atomi. n corpul solid, datorit interaciunii de
schimb, nivelurile energetice discrete ale atomilor izolai se desfac
n benzi energetice. Diagrama energetic a unui semiconductor pur
(intrisec), adic, dependena energiei, pe care o poate avea
electronul n cristal, de la coordonata X este prezentat n fig.1, a.

38

Fig. 1. Diagramele energetice ale materialelor semiconductoare

intriseci (a), respectiv extrinseci de tip n (b) i p (c)
la
temperatura T>0
Conform modelului de benzi energetice determinat cuantic ntrun corp solid spectrul energetic al electronilor este format din benzi
de energie permis i interzis. ntr-un semiconductor util din punct
de vedere al conduciei electrice, se consider banda energetic
superioar permis, ocupat cu electroni de valen, numit banda
de valen (BV) i urmtoarea band permis liber, numit banda
de conducie (BC); banda interzis (BI) de mrime Eg, n care nu
exist stri permise pentru electroni, se ntinde de la limita
superioar Ev a bandei de valen pna la limita inferioar Ec a
bandei de conducie (fig.1,a). Cu sgeata i se indic trecerea
electronului excitat din banda de valen n banda de conducie.
Aceasta tranziie indic la ruperea unei legturi covalente ntre doi
atomi vecini al materialului i poate fi efectuat din contul energiei
oscilaiilor termice ale reelei cristaline sau a energiei aciunilor din
exterior asupra semiconductorului. n acest caz apare un electron
liber i o legtur covalent nerealizat (rupt), creia pe diagrama
energetic i corespunde o stare posibil, dar neocupat de electron,
39

n banda de valen un gol liber. Energia, necesar pentru ruperea

unei legturi covalente se determin de limea benzii interzise Eg
a semiconductorului. Golul se comport ca o particul fictiv, care
are sarcina pozitiv, egal dup valoare absolut cu sarcina
*
electronului, i o mas efectiv pozitiv m p . Cu ct mai nalt este
temperatura i mai mica limea benzii interzise Eg, cu att este mai
mare viteza de generare termic a electronilor i a golurilor de
conducie. Concomitent cu generarea n semiconductor are loc
nentrerupt procesul invers recombinarea termic a purttorilor
mobili de sarcin, adic, ntoarcerea electronilor de conducie n
banda de valen cu dispariia perechilor de purttori de sarcin
prin refacerea legturilor covalente. n rezultatul decurgerii acestor
dou procese opuse n semiconductor la orice temperatur se
stabilete o oarecare concentraie de echilibru a electronilor i a
golurilor de conducie. ntr-un semiconductor pur (fr impuriti)
concentraia de echilibru a electronilor de conducie ni este egal cu
concentraia de echilibru a golurilor pi :
ni p i ni p i 2ni
;

ni pi ni2 pi2

(6)

Cu indicele i se noteaz toi parametrii semiconductorului pur

(intrisec). Valorile ni i pi pot fi determinate la temperatura T dup
formula :
ni p i

Eg

,
NcNv exp
2kT

(7)

unde Nc i Nv reprezint densitatea efectiv de stri energetice n

banda de conducie i respectiv n banda de valen, iar k este
constanta lui Boltzman. Influena temperaturii asupra mrimii ni
va fi cu att mai mare, cu ct mai mare va fi limea benzii interzise
Eg.
Impuritatea de substituie, care nlocuiete un atom din nodurile
reelei i are mai muli electroni de valen dect snt necesari
pentru formarea legturilor covalente cu atomii vecini din reeaua
de baz a cristalului, creeaz n banda interzis n apropierea de
40

limita inferioar Ec a bandei de conducie stri locale permise,

adic nivele energetice discrete. Pe fiecare aa nivel energetic
permis ocupat, numit nivel donor ED, situat n imediata vecintate a
bandei de conducie, la temperaturi joase se afl cte un electron
(fig 1,b). La ridicarea temperaturii electronii de pe nivele energetice
discrete (deci concentraii nu prea mari) ale impuritilor pot s
treac n banda energetic liber (banda de conducie) i s
participe n proces de conducie electric (tranziia 1 n 1.b).
Intervalul de energie ED=EC--ED reprezint energia necesar a
electronului de valen suplimentar al atomului de impuritate
pentru a deveni electron de conducie. Aceasta energie de ionizare
ED, necesar pentru asemenea tranziii 1, este mult mai mic dect
energia de ionizarea a atomilor proprii din reeaua de baz, adic
mai mic dect lrgimea benzii interzise. Impuritile, ce furnizeaz
electroni n banda de conducie a semiconductorului la ionizare se
numesc impuriti de tip donor.
La temperaturi comparativ mai nalte electronii de valen pot
s rup legturile lor cu atomii de baz ai materialului i s devin
liberi, adic, pot s treac din band de valen n banda de
conducie (tranziia 2 din fig 1.b). n aa caz se formeaz dou
tipuri de purttori mobili de sarcin electronii i golurile. n
astfel de semiconductor cu impuriti donor concentraia
electronilor de echilibru depete concentraia golurilor, i ca
urmare, el se numete semiconductor de tip n.
Impuritatea, care are un numr de electroni de valena mai mic
dect numrul electronilor de valen ai atomului pe care l
substituie n reeaua cristalin, adic, mai mic dect numrul
necesar pentru completarea legturilor covalente cu atomii vecini
de baz ai materialului semiconductor, i datorit acestui fapt poate
uor s capteze electroni de valen de la atomii de baz, este
numit acceptoare. Pentru legtura incomplet impuritatea
acceptoare creeaz n banda interzis un nivel energetic permis
liber, numit nivel acceptor EA, situat n apropierea limitei
superioare a benzii de valen EV (fig. 1,c). Legtura incomplet
41

(vacant a electronului de valen sau golul) n rezultatul

oscilaiilor termice ale reelei cristaline sau excitrii termice poate
fi completata cu un electron de valen a legturii covalente
vecine, care la rndul su va deveni incomplet. Apare un gol nou
n banda de valen. Electronii captai din banda de valen la
astfel de nivele de impuritate (tranziia 1), nu particip la procesul
de conducie a curentului electric din cauza legturii lor cu atomii
de impuritate. Intervalul de energie EA=EA - EV reprezint energia
necesar unui electron de valen pentru a se ataa atomului
acceptor ionizndu-l pentru a satisface o legtur covalent. n
banda de valen sunt goluri mobile (libere), care particip la
procesul de conducie a curentului electric. Micarea golurilor
reprezint micarea relativ complex a electronilor de valen
legai de atomii de baz. La temperaturi nalte sunt posibile
trecerile 2, n rezultatul crora se formeaz o pereche de purttori
mobili: electronul i golul de conducie. Semiconductorul dopat cu
impuriti acceptoare are o concentraie de echilibru a golurilor mai
mare dect concentraia electronilor de conducie i este numit
semiconductor de tip p. Un semiconductor poate s conin att
impuriti donoare ct i impuriti acceptoare.
Purttorii mobili de sarcin, concentraia crora predomin, sunt
numii majoritari (electroni n semiconductori de tip n i golurile
n semiconductori de tip p). Purttorii mobili de sarcin,
concentraia crora ntr-un semiconductor dat este n minoritate, se
numesc minoritari.
Conductibilitatea, condiionat de electroni i (sau) de goluri de
conducie care apar n rezultatul ionizrii numai a atomilor de
impuritate, se numete conductibilitate prin impuriti.
Folosind metodele fizice statice se poate de artat, c la
temperaturi joase concentraia electronilor de conducie n
semiconductorul de tipul n
E D
n NcNd exp
,
(8)
2kT
42

unde ND este concentraia atomilor de impuritate donoar n

unitatea de volum, iar ED este energia de ionizare a impuritilor
donoare. Logaritmiznd aceasta expresie, obinem:
E D
ln n ln NcNd
.
(9)
2kT
n expresia (9) primul termin din partea dreapt este puin
dependent de temperatur n comparaie cu termenul ED/(2kT).
Dependena ln(n) de 1/T n domeniul temperaturilor foarte joase,
unde are loc conductibilitatea prin impuriti, este aproximativ
liniar cu coeficientul unghiular de ED/(2kT) (domeniul 1 pe
curb cu ND1 n fig. 2,a).

Fig.2. Dependenele tipice de temperatur a concentraiei

electronilor de conducie n semiconductori de tip n, ce conine
diverse concentraii ale impuritilor donoare : ND1<ND2<ND3 (a);
nivelele energetice discrete ale impuritii n banda interzis (b);
formarea benzii de niveluri energetice donoare la concetraii mari
ale impuriilor (c); suprapunerea benzii energetice de niveluri
donoare cu banda de conducie la foarte mari concentraii ale
impuritilor (d).
La o ridicare a temperaturii cu puin mai mare dect temperatura
TS practic toi electronii trec de la atomi de impuritate donoar n
banda de conducie i atunci condiia de epuizare deplin a
impuritii donoare are forma:
43

N = ND .

(10)

La ridicarea n continuare a temperaturii concentraia

electronilor n banda de conducie practic nu se va schimba
(domeniul 2 pe curba cu ND1 n fig.2,a) pn cnd nu se va ncepe
trecerea la conductibilitatea intrisec (proprie), adic cnd electronii
vor trece intensiv din banda de valen n banda de conducie.
Deoarece ED<<Eg, apoi intervalul de temperaturi, n care
concentraia electronilor practic nu depinde de temperatur, poate
s fie destul de mare. Acest interval de temperatur (domeniu), se
numete domeniu de epuizare a impuritii. La orice temperatur n
stare de excitaie termic se afl nu numai electronii de valen ai
atomilor de impuritate dar i electronii de valen a atomilor de
baz, adic i electronii din banda de valen. Concentraia
electronilor din banda de conducie are forma:
n = nimp + ni ,

(11)

unde nimp este concentraia electronilor de conducie, condiionat

de ionizarea impuritilor; ni este concentraia electronilor de
conducie determinat de generarea temic a purttorilor intriseci,
ce au trecut din banda de valen n banda de conducie. La
temperaturi T>Ts se poate de notat:
Eg

n N D ni N D NcNv exp
2kT

(12)

Odat cu ridicarea temperaturii se mrete si n, atinge i ntrece

valoarea ND. La temperaturi relativ mari, T>Ti (domeniul 3 pe
curba cu ND1 n fig. 2,a), rolul dominant ncep a juca tranziiile
electronilor peste banda interzis, adic are loc creterea rapid a
concentraiei purttorilor de sarcin proprii i trecerea n domeniul
conductibilitii electrice intriseci. n acest domeniu la T>Ti primul
termen al relaiei (12) poate fi neglijat i concentraia electronilor
44

de conducie este egal cu cea a golurilor, iar panta curbei (tgi) se

determin
de
valoarea
lrgimii
benzii
interzise
a
semiconductorului. Logaritmnd formula (7), obinem :
ln ni ln NcNv

Eg
2kT

i tg i

Eg
.
2k

(13)

Pentru majoritatea semiconductoarelor cu impuriti

temperatura Ti de trecere la conductibilitatea electric intrisec
esenial este mai mare dect cea a camerei. Aa, pentru germaniu de
tip n cu ND=1022m-3 temperatura Ti450K. Valoarea lui Ti este cu
att mai nalt cu ct este mai mare lrgimea benzii interzise a
semiconductorului i cu ct este mai mare concentraia atomilor de
impuritate n el.
Cu mrirea concentraiei impuritii domeniul 1 a curbelor, ce
corespund conductibilitii electrice prin impuriti, se deplaseaz
in sus. Unghiul de nclinaie a domeniului 1 depinde de
concentraia impuritilor ND, deoarece energia de ionizare a
atomilor de impuritate este determinat de interaciunea lor, iar
aceasta din urm depinde de distana dintre ei. Aceasta duce la
despicarea nivelelor energetice discrete i formarea benzii strilor
de impuritate (fig.2, b,c). n mod corespunztor se micoreaz
energia de ionizare (ED1> ED2> ED3). Cu ct este mai mare
concentraia impuritii cu att este mai mare temperatura epuizrii.
Semiconductorul, n care banda de impuriti se suprapune cu
banda de conducie i ED0, este numit degenerat (curba pentru
ND3 n fig.2,a i d).
Formulele pentru concentraia purttorilor mobili n
semiconductor, dopat cu impuriti acceptoare, se obin analogic.
Ele au acelai aspect ca i pentru semiconductorul de tip n, dac n
loc de NC vom scrie NV, n loc de ED - EA i n loc de ND - NA,
adic :
E A
p NaNv exp
.
(14)
2kT
45

Dependena ln(p)=f(1/T) este absolut analogic curbelor pentru

semiconductorul de tip n (fig.2).
2.2. Dependena de temperatur a mobilitii purttorilor de
sarcin
Electronii i golurile de conducie sunt supuse mprtierii
(dispersiei), adic i schimb direcia i viteza micrii la ciocnire
cu nodurile reelei cristaline, defectele reelei, atomii de impuritate.
Viteza de drift, aceasta nseamn c i mobilitatea purttorilor de
sarcin, este strns legat cu lungimea parcursului liber n cristal:

e
e l
0 * ,
m*
m u

(15)

unde m* este masa efectiv a purttorilor de sarcin. O valoare

mare a mobilitii poate fi condiionat de o mas efectiv mic a
purttorilor de sarcin i de o valoare mare a timpului de deplasare
liber sau mai precis a timpului de relaxare 0 . Timpul de relaxare
este determinat de procesele de mprtiere a electronilor aflai n
micare n semiconductor i depinde de temperatur, concentraia
impuritii Nimp i intensitatea cmpului electric E.
n semiconductoare cu reeaua atomic cristalin mprtierea
purttorilor mobili de sarcin are loc n principal pe oscilaiile
termice ale reelei cristaline i pe impuritile ionizate. Aceste dou
mecanisme de dispersie aduc la apariia a dou poriuni n
dependen de temperatur a mobilitii (fig. 3). Dispersia pe baza
oscilaiilor termice ale reelei cristalinte joac un rol dominant la
temperaturi ridicate, unde mobilitatea

T T 3 / 2 ,
46

(16)

adic mobilitatea se micoreaz la creterea temperaturii.

Micorarea mobilitii la creterea temperaturii T se explic prin
creterea numrului de ciocniri ale purttorilor mobili de sarcin n
unitatea de timp cu nodurile reelei cristaline, adic, cu micorarea
timpului parcursului liber. Aceast lege a variaiei a lui n raport
cu T va compensa n formula (5) creterea cu temperatura a
mrimilor NC i NV, care se determin conform relaiilor:
NC

2mn* kT
2
h2

3/ 2

2m P* kT
N V 2
h2

3/ 2

(17)

unde m*n i m*p sunt masele efective ale electronului i ale

golului de conducie n benzi, h este constanta lui Planck. n
domeniul temperaturilor joase o valoare esenial are o dispersie pe
baza atomilor ionizai de impuritate Nimp i mobilitatea
ion~T3/2/Nion

(18)

adic mobilitatea crete odat cu ridicarea temperaturii. Valoarea i

poziia maximului curbei (T) depinde de concentraia
impuritilor. Cu creterea temperaturii maximul se deplaseaz n
regiunea temperaturilor mai ridicate, iar toat curba - n jos, pe axa
coordonatelor. La temperaturi foarte joase, cnd impuritile sunt
slab ionizate, mprtierea purttorilor mobili de sarcin are loc pe
atomii neutri de impuritate. n prezena acestui mecanism de
mprtiere mobilitatea nu depinde de temperatur, dar se
determin numai de concentraia impuritii.
Mrirea concentraiei impuritii aduce la micorarea valorii
parcursului liber al purttorilor i, ca urmare, la scderea mobilitii
lor.
Mobilitatea purttorilor de sarcin poate sa se deosebeasc de la
o prob la alt prob de semiconductor n dependen de
componena lui i perfeciunea structurii cristaline.
47

2.3. Dependena de temperatur a conductivitii electrice a

materialelor semiconductoare
Conductivitatea electric a semiconductorului, cum se vede din
relaia (5), se determin de concentraia i mobilitatea purttorilor
mobili de sarcin, valorile crora depind de temperatur. Precum,
pentru concentraia purttorilor mobili de sarcin este caracteristic
dependena exponenial de temperatur, pentru mobilitate dependena de putere (relativ slab). De aceea, dependena de
temperatur a conductivitii electrice este asemntoare cu
dependena de temperatur a concentraiei purttorilor de sarcin
(fig. 4).

Fig.3. Dependena de temperatura

Fig.4. Dependena de
a mobilitii purttorilor mobili de
temperatur a
conductivitii sarcin ntr-un semiconductor care
electrice ntrun semiconductor conine diverse concentraii de
cu diverse
niveluri
de
dopare
impuriti.
(ND1<ND2< ND3)
48

Legea exponenial de variaie a concentraiei purttorilor

mobili de sarcin n materiale semiconductoare la modificarea
temperaturii explic deosebirea principal ntre dependena de
temperatur
a
conductivitii
semiconductoarelor
i
conductoarelor. n metale (materialele conductoare) concentraia
purttorilor mobili de sarcin practic nu depinde de temperatur.
n intervalul de temperaturi de la TS pna la T1 unde exist
domeniul de epuizare a impuritilor, conductivitatea electric se
micoreaz cu creterea temperaturii pentru semiconductoare slab
dopate, deoarece n acest caz mobilitatea se micoreaz cu
creterea temperaturii i mecanismul principal de mprtiere este
interaciunea cu oscilaiile termice ale reelei cristaline (curba
pentru ND1 n fig. 4.). Micorarea conductivitii n regiunea
temperaturilor joase (T<TS) este determinat de micorarea
concentraiei purttorilor de sarcin, furnizai de atomii de
impuritate, i micorarea mobilitii - din cauza mrimii
interaciunii cu impuritile ionizate. Creterea rapid a
conductivitii la temperaturile T>Ti corespunde domeniului de
conductivitate intrisec, care se caracterizeaz cu egalitatea
concentraiilor electronilor i golurilor . Pentru acest domeniu
i eni ( n p ) e( n p ) NcNv exp(

Eg
).
2kT

(18,a)

innd cont c dependena de temperatura a expresiei

(n+p)NCNV , conductivitatea este dependena de putere i mult
mai slab dect dependena de temperatur a exp(-Eg/(2kT)) rezult
c,
i const exp(

Eg
).
2kT

(19)

Dup panta dreptei pe poriunea conductivitii electrice

intriseci a dependenei ln de 1/T se poate de determinat limea
benzii interzise a semiconductorului, adic
49

tg i

Eg
.
2k

(20)

Pentru materialele semiconductoare cu impuriti, cnd

concentraia purttorilor mobili de sarcin nu depinde de
temperatur dup legea exponenial (vezi relaiile (8) i (14)), se
poate de scris relaia
imp e( n p ) N c ,v N imp exp(
imp const exp(

E imp
2kT

E imp
2kT

) sau

) ,

(21)

unde Eimp i Nimp sunt energia de ionizare i concentraia

atomilor de impuritate. Formula (21) n regiunea conductivitii
volumetrice prin impuriti este valabil numai pentru acele
temperaturi, pentru care nu se petrece ionizarea complet a
atomilor de impuriti (T<TS). Dup panta dreptei n regiunea
conductivitii electrice prin impuriti poate fi determinat energia
de ionizare a atomilor de impuritate, adic:
tg imp

Eimp
2K

(22)

Obinnd experimental dependena de temperatur a

conductivitii sub forma ln=1/T se poate de determinat panta
celor dou poriuni n linie dreapt la axa abciselor sub forma:
tg i

Eg
(ln imp )
Eimp
(ln i )

i tg imp
.
1 / T
2k
1 / T
2k

(23)

Constanta lui Boltzman este k=8,6210-5 eV/K, de aceea din

formula (23) avem:
50

E g 0,172

(ln i )
(1000 / T )

E imp 0,172

(ln imp )
(1000 / T )

(24)
La construirea dependenei de temperatur a conductivitii
electrice n forma ln =f(1/T) panta a dou poriuni drept liniare la
axa abciselor se determin prin acelai mod:
E g 0,4

(ln i )
(10 3 / T )

E imp 0,4

(ln imp )
(10 3 / T )

(24,a)
3. Descrierea machetului de laborator
Schema electric a machetului pentru cercetarea dependenei
conductivitii electrice a materialelor semiconductoare prin
metoda celor dou sonde la diverse temperaturi este prezentat n
fig. 5.

51

Fig.5.Schema electric a machetului pentru msurarea

conductibilitii electrice a materialelor semiconductoare la diverse
temperaturi
Proba de material semiconductor (Rx) se conecteaz n circuitul
de msurare, care conine o surs de tensiune de curent continuu
U=10 V (o surs de alimentare electric 5-48). Rezistorul
variabil R1 servete pentru reglarea curentului I, care curge prin
prob, ci miliampermetru PA - pentru msurarea acestui curent.
Comutatorul S1 servete pentru conectarea sau deconectarea
circuitului, S2 permite schimbarea direciei curentului n proba.
Cderea de tensiune U1 i U2 pe proba ntre sonde (c,d) se msoar
cu ajutorul milivoltmetrului PV1. Proba de cercetare este conectat
n circuit prin comutatorul S3, plasat pe macheta.
Pentru efectuarea msurrilor n dependen de temperatur
suportul cu probe este introdus n termostat, elementul de nclzire
EK a crui se alimenteaz de la reglatorul cu tiristor (sursa de
alimentare nclzitorului U~). Regimul de nclzire a elementului EK se
stabilete prin tensiunea U~, care se majoreaz treptat nepind limita
Umax indicat pe sursa de alimentare a nclzitorului U~, fiind msurat
cu ajutorul unui voltmetru de tensiune continu.
Temperatura n thermostat se stabilete cu ajutorul termocuplului BK
(traductor de temperatur), f.e.m. termic U T a crui se msoar cu

ajutorul milivoltmetrului PV2. Temperatura T n termostat se

determin dup formula
T[K] = Tcam + 25 UT[mV] ,

(25)

unde Tcam este temperatura camerei, K.

n calitate de aparate de msurare sunt utilizate multimetre de
tip DT-830 B i aparate universale digitale B7-21, B7-22, B7-27, la
care este necesar de a stabilit regimul de lucru i limitele de
msurare.
52

Pentru a evita defectarea multimetrilor este interzis de

conectat alimentarea circuitului fr permisiunea profesorului.
La msurarea rezistivitii electrice sau conductivitii electrice
a materialelor semiconductoare se ntlnesc dificulti determinate
de faptul c n contactele la frontiera metal-semiconductor apar,
aa numitele, straturi de baraj, rezistena crora de zeci i sute de
ori este mai mare dect rezistena cristalului de volum.
Metoda cea mai rspndit de msurare a conductibilitii
electrice este metoda celor dou sonde, bazat pe msurarea
diferenei de potenial, ce apare ntre dou puncte ale probei
(punctele c i d pentru proba 1 n fig. 5) la trecerea prin prob
(punctele a i b) a curentului electric. Pentru a exclude influena
rezistenelor de trecere ntre sondele de msurare i prob se
folosete metoda compensrii (reducerii la zero) .
La trecerea curentului prin prob n legtur cu neohmicitatea
contactelor metal semiconductor proba poate s se nclzeasc la
un capt, i s se rceasc la altul. n afar de aceasta, la
determinarea dependenei de temperatur a conductibilitii proba
este necesar se aeze n termostat i, n aa caz, capetele probei pot
sa se afle la diferite temperaturi. Aceste dou fenomene, provoac
ntre sondele de msurare (contacte), de rnd cu cderea tensiunii
U, creat de curentul electric ce trece prin prob cu rezistena R,
apariia diferenei termoelectrice de potenial pe prob UTE, care se
va aduga la U sau se va scdea din U, n dependen de faptul,
care capt a probei este mai cald. Diferena de potenial
termoelectric poate sa constituie de la un procent pn la cteva
zeci de procente din U; precum ea se schimb cu variaia
temperaturii. Efectund msurrile cderii de tensiune pe prob
pentru dou direcii opuse ale curentului electric, se poate evita
influena f.e.m. termice (UTE).
Practic, se va msur diferena de potenial U1=U+UTE pentru
o direcie a curentului electric prin prob. La schimbarea direciei
curentului electric semnul U se schimb, iar semnul tensiunii UTE
rmne acelai, fiindc diferena de temperatur la capetele probei
53

nc nu s-a schimbat. Dac ambele msurri se vor efectua n cel

mai scurt timp posibil, atunci, valoarea UTE nu va dovedi s se
schimbe. De aceea, diferena de potenial dintre sonde pentru o alt
direcie a curentului electric prin prob va fi U2=U+UTE . Micornd
U2 cu U1 i mprind la doi, obinem:
U

U 1 U 2 U U TE U U TE

2
2

(26)

Deoarece diferena de potenial U2 este negativ, fa de U1,

relaia (26) poate fi scris prin valorile absolute:
U

U1U
2

(27)
Astfel, cnd se msoar conductivitatea electric la trecerea
curentului continuu, msurrile sunt necesare de a fi efectuate
pentru dou direcii ale curentului n intervalul minimal de timp.
Metoda celor dou sonde este deosebit de comod pentru
msurarea rezistenei R i determinarea rezistivitii (

RS
) a
l

probelor, seciunea transversal a cror are o form geometric

simpl. Dimensiunile transversale ale probei trebuie sa fie de cteva
ori mai mici dect lungimea l a ei.
n lucrarea dat se cerceteaz trei cristale (probe), confecionate
din diferite materiale semiconductoare n form de paralelipiped
dreptunghiular. Contactele sunt confecionate prin topirea n vid a
materialelor, ce satisfac cerinelor de ohmicitate. Dimensiunile
geometrice ale probelor sunt indicate n Anexa 1. Numrul probelor
i intervalului de temperatur pentru cercetare sunt indicate de
profesor.
54

4. Ordinea efecturii lucrrii

4.1. Facei cunotin cu schema electric din fig.5 i pregtii
machetul de lucru:
- conectai cu ajutorul conductoarelor de conexiune sursa de
tensiune continu U=10 V i aparatele de msurare la jacurile
respective a machetului, alegnd regimul de lucru i limita de
msurare a fiecrui aparat;
- instalai comutatorul SA3 n poziia, care corespunde probei
de cercetare indicat de profesor, i mnerul rezistorului R1 n
poziia limit din stnga.
4.2. Cercetai dependena de temperatur a conductivitii
electrice pentru pentru probele date n intervalul de temperaturi de
la 293 pn la 460 K. Rezultatele msurrilor se vor introduce in
tab. 1.
n acest scop, conectai (dup permisiunea profesorului) sursa
de alimentare 5-48, prin ntreruptorul S1 i instalnd valoarea
indicat a curentului I prin proba, msurai la temperatura camerei
cderea de tensiune ntre sondele U1 i U2, ce corespund direciilor
curentului electric I+ i I- prin prob. Aceleai valori se msoar
pentru toate celelalte probe. Apoi, conectai la sursa de curent
elementul de nclzire EK a termostatului i pe msura ridicrii
temperaturii efectuai analogic pentru toate probele msurrile
tensiunilor U1 i U2 peste 10200C. Temperatura termostatului se
determin prin valoarea f.e.m. termice UT a termocuplului BK i se
calculeaz dup formula (25).
Tabelul 1
T,
K

Proba nr 1, I=100
10 3
U1,
U2,
U,

T mV mV m
-1 -1

-1

ln

Proba nr 2(3), I=10

U1, U2,
U,

mV mV mV -1m-11

ln

.
.

5. Prelucrarea rezultatelor msurrilor

5.1. Calculai conductivitatea electric n -1m-1 a materialelor
semiconductoare cercetate dup formula:
55

l I
,
S U

(28)

unde l este lungimea dintre sonde pe care s-a msurat diferena

de potenial U ( U 1 U 2 ) / 2 ; I - curentul parcurs; S - aria
seciunii transversale a probei.
5.2. Dup datele tab.1 construii pe un desen pentru toate
probele cercetate graficele dependenei ln f 1000 / T . Din
graficele obinute de determinat lrgimea bandei interzise Eg a
materialelor semiconductoare, avnd n intervalul cercetat de
temperaturi o conductivitate electric intrinsec, dup formula
E g 0,172

(ln i )
.
(1000 / T )

(29)

5.3. Determinai materialele probelor cercetate folosindu-v de

datele din ndrumar pentru valorile Eg la temperatura camerei a
materialelor semiconductoare cercetate.
6. Coninutul drii de seam
6.1. Tema i scopul lucrrii.
6.2. Schema electrica de principiu a machetului de laborator i
dimensiunile geometrice ale probelor.
6.3. Ordinea efecturii lucrrii i tab. 1 cu datele
experimentale i de calcul, de asemenea formulele de baz pentru
calcul i exemple de calcul.
6.4.Graficele dependenei ln f 1000 / T i rezultatul
calculelor valorilor Eg. Apreciai eroarea metodei.
6.5. Concluzii.
7. ntrebri pentru control
1. Care materiale se refer la materialele semiconductoare?
56

2. Lmurii noiunele: semiconductor intrisec, limea benzii

interzise?
3. Care valori definesc conductivitatea electric a
semiconductoarului? Lmurii sensul fizic.
4. n ce mod impuritile influeneaz asupra conductivitii
materialelor semiconductoare?
5. Prin ce se deosebesc dependenele de temperatur a
conductivitii
materialelor
semiconductoare
i
conductoare?
6. Cum se poate de determinat g imp. pe dependena de
temperatur?
7. n ce const particularitatea metodei celor dou sonde de
determinare a conductivitii electrice?
8. Numii domeniile principale de utilizare a materialelor
semiconductoare.
8. Bibliografie
1. Ctuneanu V.M., Corleanu V., Iancu O., Drgulinescu M.,
Materiale pentru electronic. Bucureti : Editura Didactic i
Pedagogic, 1982-468 p.
2. . ., B.C.
.
- .: . ., 1986. - 367 .
3. . .
. - .: . ., 1975.
4. . ., . .
.-.: , 1975.-368.
5. . ., . . . - .
. . 1966. - 304 .
6. .., ., B..
. - . , 1985. -304 .
7. / .
. . , . . , . . . 3 . - :
, 1986. .1; 1987, .2; 1988, ..

57

9. Surse electronice
1. http://documents.tips/documents/marcare-diode.htm.
2. http://electromanual.ru/index.php/informacziya/markirovka-ioboznachenie/1266-otechestvennaya-i-zarubezhnyesistemy-markirovki-poluprovodnikovyx-priborov.html
3. http://www.radiant.su/rus/articles/?action=show&id=332
Anexa 1
Dimensiunele geometrice ale cristalelor pentru cercetare
Nr.Probei

Lungime intre
sonde l, mm

Laimea b, mm

1
2
3

58

Grosimea d, mm