Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
C1. Introducere PDF
C1. Introducere PDF
Fig.
Fig.
Din cele prezentate mai sus, se constat c, n cazul materialului semiconductor de tip P,
concentraia de goluri este mult mai mare dect cea a electronilor de conducie. Din acest
motiv, golurile se numesc purttori de sarcin majoritari, iar electronii de conducie se
numesc purttori de sarcin minoritari.
Deoarece atomul de impuritate primete un electron de valen de la un atom de siliciu
nvecinat, el se numete atom acceptor. n urma primirii acestui electron, atomul acceptor
devine ion negativ.
CONCLUZII:
-
izolatoare
Printr-un aport de energie un electron purtator de sarcina poate migra din banda de
Prin polarizare directa tensiune de drift/ difuzie isi diminueaza valarea, in timp ce prin
polarizare inversa aceasta creste si bariera de potential va fi tot mai mare.
Atomii donori sunt generatori de curent de goluri (+) , iar atomii acceptori invers.