155

CAPITOLUL 7. ETAJE DE AMPLIFICARE

CU TRANZISTORI CUPLAI
n condiiile n care nu se pot obine performanele dorite prin
utilizarea numai a unui singur tranzistor n conexiune EC, BC sau CC
se utilizeaz conexiunile compuse sau se conecteaz mai multe etaje
de amplificare n cascad.
Un etaj de amplificare cu tranzistori cuplai este format din doi
tranzistori cuplai att n regim de curent alternativ ct i n regim de
curent continuu. Rezult c punctele statice de funcionare se
influeneaz reciproc, spre deosebire de situaia conectrii n cascad a
mai multor amplificatoare cnd fiecare etaj este separat n regim de
curent continuu (separaie realizat de condensatori de cuplaj, de
transformatoare sau de un cuplaj optic).

7.1. Etaje cu tranzistori compui

Termenul de tranzistor compus se refer la doi tranzistori cuplai
n curent continuu fiecare tranzistor fiind ntr-una din conexiunile
cunoscute (EC, BC, CC).
n

figura

7.1

este

prezentat

conexiunilor EC+CC i CC+CC.

structura

corespunztoare

156

a)

b)
Fig. 7.1.

Structura format din cei doi tranzistori , din figura 7.1a, cuplai
este echivalent cu un singur tranzistor echivalent , din figura 7.1b, a
crui proprieti urmeaz s le determinm. Prin proprieti nelegem
de fapt parametri de cuadripol ai tranzistorului echivalent.
n

figura

7.2

sunt

prezentate

schemele

echivalente

corespunztoare schemelor din figura 7.1. Cunoscui fiind parametrii

de cuadripol ai celor doi tranzistori, n continuare se vor determina
parametrii de cuadripol ai tranzistorului echivalent.

a)

b)
Fig. 7.2.

157

Ecuaiile de cuadripol sunt cele corespunztoare exprimrii cu

parametrii h
Vi hi I i
I 0 h f I i h0V0

Parametrul h numit admitan de ieire se constat, comparnd

cele dou scheme, c este determinat de tranzistorul T2
h0= h02 .
Impedana de intrare se definete prin relaia:
hi

Vi hi1 I i hi 2 I 2

hi1 (1 h f )hi 2 .
Ii
Ii

S-au folosit relaiile dintre cureni:

I 2 I 1 h f 1 I 1 I 1 1 h f 1 I 1

I i I1

Factorul de amplificare n curent este:

hf

I0
Ii

V0 0

Suma curenilor n nodul de la ieire

I0 hf 2I 2 I3 hf 2 I2

V0
h f 2 I 2 h02V0 h f 2 I 1 1 h f 1 h02V0
1
h02

Pentru V0 = 0 avem
I0

V0 0

h f 2 1 h f 1 I 1 h f h f 2 (1 h f 1 )

Concluzii:
- impedana de intrare are valori mari

hi hi1 (1 h f )hi 2 ;

- factor de amplificare este mare egal cu produsul factorilor de

amplificare;
- impedana de ieire dat de T2.
Un circuit des utilizat este tranzistorul Darlington fiind un
montaj format din doi tranzistori cuplai ambii n conexiune colector
comun, cu schema din figura 7.3.

158

T1

T1

T2

T2

b)
Fig. 7.3.

Schema din fig. 7.3b conine un rezistor care s preia o parte din
curentul de emitor al T1, pentru ca acesta s poat lucra la cureni de
emitor mai mari dect curentul de baz al T2.

7.2 . Modaliti de creterea impedanei de ieire a

amplificatorului
Impedana de ieire fiind condiionat de valoarea impedanei de
ieire a tranzistorului i de impedana conectat n colectorul (drena)
acestuia pentru a crete valoarea impedanei de ieire trebuie s se
acioneze asupra acestor doi factori.
Montajul cascod este format dintr-un tranzistor n conexiune
emitor comun (surs comun) - pentru c prezint amplificri
supraunitare, att n tensiune ct i n curent - n colectorul cruia se
conecteaz un tranzistor n conexiune baz comun pentru c este
conexiunea care prezint o impedan de ieire mare, ca n figura 7.4.

159

Fig. 7.4.

Condensatorii CE i CB sunt condensatori de decuplare a

rezistoarelor specificate
1

jCE
1

jCB

R E
B ' B1 R ' B 2

primul scurcircuitnd rezistorul RE iar cel de al doilea conectnd

la mas baza tranzistorului T2.
n figura 7.5 este prezentat o alt modalitate de polarizare
atranzistorilor din montajul cascod.

160

Fig. 7.5.

Schema echivalent n regim de curent alternativ valabil pentru

ambele montaje cascod este prezentat n figura 7.6.

Fig. 7.6.

161

Pentru a efectua calculele necesare stabilirii parametrilor

montajului se nlocuiesc tranzistorii cu modelul lor cuadripolar, ceea
ce conduce la schema echivalent din figura 7.7.

Fig. 7.7.
Pentru calculul impedanei de ieire se ine seam de faptul c
aceasta este definit n condiiile n care la intrare semnalul este nul.
I1 = 0 i sursa de curent se va nlocui cu un rezistor de valoare
infint, ceea ce conduce la schema echivalent din figura 7.8 valabil
numai pentru calculul impedanei de ieire.

Fig. 7.8.

162

Impedana de ieire poate fi privit de la RL, incluznd i valoarea

acesteia, sau poate fi privit dup RL, ca raport:
R 0T

V0
,
I 02

fiind numit impedan de ieire a montajului.

Impedana care include i RL se calculeaz cu relaia:
R0

V0
R 0T R L .
I0

Tensiunea i curentul pot fi aproximate ca mai jos, deoarece

impedana de intrare este mult mai mic dect impedana de ieire a
tranzistorului

hi 2

1
.
h02

1
hi 2 I 02 hi 2 I 02
h02

I2

1
h02
1
hi 2
h02

I 02 I 02

Curentul I03 este dat de diferena de potenial:

I 03

V0 V
h02 (V0 V ) h02 (V0 hi 2 I 02 ).
1
h02

Teorema I a lui Kirchhoff stabilete relaia ntre cureni:

I 02 h f I 2 I 03

I 02 h f I 02 h02 (V0 hi 2 I 02 )

expresia rezistenei de ieire a tranzistorului:

R0 T

V0
1
1

(1 h f h02 hi 2 )
(1 h f ) .
I 02 h02
h02

Se constat c rezistena de ieire a montajului a crescut de hf ori

fa de valoarea rezistenei de ieire a tranzistorului.
Pentru determinarea factorilor de amplificare AV, Ai i a
impedanei de intrare Zi , nu este necesar s lum n considerare
impedana de ieire a tranzistorului (acesata avnd valori mari nu

163

modific rezultatele), aa nct schema echivalent din figura 7.7 se

simplific ca n figura 7.9.

Fig. 7.9.

Impedana de intrare este:

Zi

Vi
RB hi 2 hi 2
Ii

Factorul de amplificare n curent devine:

Ai

I0 hf I2

Ii
I1

Dac se scrie teorema I Kirchhoff n nodul cu cele dou surse

comandate:
I 2 h f 2 I 2 h f 1 I1

hf1
I2

1,
I1 1 h f 2

factorul de amplificare n curent capt forma:

Ai

hf I2
I1

hf

ceea ce spune c amplificarea n curent a montajului este dat de un

singur tranzistor.
Factorul de amplificare n tensiune
AV

hf
V0 h f I 2 RL

RL g m RL ,
Vi
hi I 1
hi

are expresia de mai sus pentru c raportul curenilor este unitar.

164

Se constat c numai un tranzistor formeaz factorul de

amplificare n tensiune, expresia factorului de amplificare fiind cea a
unui tranzistor n conexiunea emitor comun.
n figura 7.10 este prezentat schema de principiu a unui etaj
cascod realizat cu doi tranzistori cu efect de cmp (SC+GC), a
crei schem de curent alternativ este n figura 7.11.

Fig. 7.10.

T2
G

T1

V i R B 2 R B1

Fig. 7.11.

D
G

RL

165

Condensatorii CB i CS sunt condensatori de decuplare a

rezistoarelor pe care sunt conectai (n paralel), iar CC sunt
condensatori de cuplaj.
n figura 7.12 este prezentat schema echivalent complet a
montajului.
S

G
G

Vi

R B1

R B 2V gS 1

g mV gS 2

rD
V gS 2rD
g mV gS 1
IG

I0

RL

V0
Z0

Fig. 7.12.

Pentru determinarea impedanei de ieire se scurcircuiteaz intrarea Vi

= 0 i VgS1 = 0.
Z0

Vo
I0

Vi 0

Vi 0 V gS 1 0 g mV gS 1 0

Cu aceste condiii schema echivalent pentru determinarea

impedanei de ieire este prezentat n figura 7.13.

rD
I1
rD

V gS 2

g mV gS 2

Fig. 7.13.

I0
I1
I2
RL
V0

166

Se determin rezistena R0T care se vede de la RL ctre circuit,

pentru c rezistena de ieire total este
R0 R0T R L

.
V

0
Vom determina R0T I .
1

Tensiunea de ieire conform teoremei a II-a

V0 rD I D rD I 1 ,

iar
V gS 2 rD I 1 .

Din nodul de la ieire se obine curentul ID

I 1 g mV gS 2 I D I D I 1 g mV gS 2 I 1 g m rD I 1 .

Relund tensiunea V0 avem

V0 rD ( I 1 g m rD I 1 ) rD I 1 R0T

V0
rD (2 g m rD ) .
I1

Se constat c rezistena de ieire a montajului este foarte mare.

RB3

T2C

CB

Vi

RB 2
CC

VDD

RL

C
B

V0

T1

R B1 R
E

CE

Fig. 7.14.

Se mai ntlnesc dou scheme electronice ale montajului cascod,

obinute din schema din figura 7.10 prin nlocuirea unuia din
tranzistorii cu efect de cmp cu un tranzistor bipolar.

167

Spre exemplu n figura 7.14 este prezentat una din schemele

montajului cascod cu doi tranzistori diferii, n care tranzistorul
bipolar este n conexiune emitor comun iar tranzistorul cu efect de
cmp este n conexiunea surs comun.
Impedana de ieire a montajului este:
R0T ) rD

1
(1 g m rD ) ,
h0

unde intervine conductana de ieire h0 a tranzistorului bipolar.

Etaje cuplate prin emitor - sunt etaje la care emitorii celor doi
tranzistori sunt cuplai printr.o rezisten unic, ca n figura 7.15.

Fig. 7.15.

Tranzistorul T1 este n conexiunea colector comun iar T2, datorit

condensatorului de decuplare CB ( RB1

RB 2

1
J CB

) , este n

conexiunea baz comun.

Schema de c.a. a montajului este prezentat n figura 7.16, iar
schema echivalent n figura 7,17.

168

Fig. 7.16.

Rg

BI

r02

hi1

E
RE

1
hOC

hf 2I2

E2

I2
hi 2
h f 1 I1
B2

C2
R2

RL
ZO

Z OT
Fig. 7.17.

Pentru a determina impedana de ieire se anuleaz intrarea ca

n figura 7.18.

r02

I1 R h
g
i1
Vg

IA

I3

I0
hf 2I2

h f 1 I1

RE

V3
Fig. 7.18

hi 2

I2

1
hO

I0

V0

169

Se noteaz impedana
R01

V3
IA

dar avem:
I A I 1 h f 1 I 1 (1 h f ) I 1

V3 ( R g hi1 ) I 1 hi I 1 ,

i se obine:
R01

V3
hi

I A 1 hf

de valoare foarte mic.

Rezistena RE i hi2 sunt n paralel cu R01 de valoare mic, ceea ce

nseamn c rezistena echivalent va fi:
Z 3 R01 R E hi 2 R01

hi
1 hf

Tensiunea de ieire este

V0

1
1
I 3 R01 I 0
( I 0 h f I 2 ) R01 I 0
h0
h0

pentru c
I3 I0 hf I2 .

r02

I0
R01

1
hO

I3
hf I2

I2

Fig. 7.19

I0

V0

170

Din figura 7.19 se exprim curentul

I 2 I 0 ,cu

ajutorul cruia

avem
V0

1
1
( I 0 h f I 0 ) R01 I 0 [ (1 h f ) R01 ]I 0
h0
h0
Z0

1
1
(1 h f ) R01 (1 h f )
h0
h0

impedana de ieire a montajului

Z0

1
(1 h f ) .
h0

T2 este n conex BC ( cu intrarea pe emitor i ieirea pe colector)

rezult factorul de amplificare n curent al acestui tranzistor este
subunitar (Ai <1 ) i factorul de amplificare al montajului va fi dat de
factorul de amplificare al tranzistorului T1
T1 este n conexiune colector comun i factorul de amplificare
n curent al ntregului montaj va fi
Ai Ai1 h f 1 .

Factorul de amplificare n tensiune al montajului este

determinat de factorul de amplificare al tranzistorului T 2 ( care este n
conexiune baz comun) pentru c tranzistorul T1 fiind n conexiune
colector comun are un factor de amplificare n tensiune subunitar (Av
<1 ).

7.3 . Modaliti de cretere a impedanei de intrare a

amplificatorului

171

Aplicaiile care necesit utilizarea unor amplificatoare cu

impedan mare de intrare vor avea n componen etaje de
amplificare cu tranzistori n conexiunea colector comun, pentru c este
singura conexiune a tranzistorului care determin o impedan de
intrare mai mare dect h i .
Impedana de intrare a amplificatoarelor realizate cu tranzistori
bipolari este micorat de rezistenele conectate n baza tranzistorului
(rezistene cu rol de polarizare a acestuia n zona activ de
funcionare) care apar, n schema echivalent, n paralel cu impedana
de intrare a tranzistorului.

a)

b)
Fig.7.20.

n figura 7.20a este prezentat schema schema de c.a. a etajului

cu tranzistor bipolar n conexiunea colector comun .
S-a notat Zig impedana de intrare a amplificatorului, care este
format din trei rezistene conectate n paralel (ca n figura 7.20b)
Zig =RB1 || RB2 || RIT = RB || RIT

unde RIT este impedana de intrare a tranzistorului.

Rezistenele de polarizare RB1 ,RB2 nu pot fi luate de valori foarte
mari => RB va scurcircuita impedana de intrare a tranzistorului, adic
va conduce la micorarea impedanei aa nct

Zig Z IT

172

Creterea impedanei de intrare se poate face prin mai multe

procedee dintre care, n continuare va fi prezentat metoda urmririi
de potenial
Metoda urmririi de potenial const n modificarea circuitului
de polarizare astfel nct potenialul bazei s urmreasc potenialul
emitorului.
Schema de polarizare n zona activ a tranzistorului,
corespunztore metodei urmririi de potenial este prezentat n figura
7.21. , iar n figura 7.22 sunt prezentate schemele echivalente.
Se constat c prin intermediul condensatorului de cuplaj C C1 se
realizeaz o legtur, n curent alternativ, direct ntre baza i emitorul
tranzistorului. n regim variabil potenialul emitorului va urmri
potenialul bazei (i reciproc) .

Fig. 7.21.

173

a)

b)

a)

Fig.7.22.

Constatm c condensatorul de scurcircuitare CC conecteaz RB1

i RB n || cu RE, dar RE<<RB1, RB2 astfel nct RAM = RE || RB1 || RB2 ~
RE .
Impedana de intrare se calculeaz pe desenul din figura 7.22b,
care se redeseneaz, dup nlocuirea tranzistorului cu schema lui
echivalent, n figura 7.23.
Se aplic teoremele lui Kirchoff pentru schema din figura 7.23b, care
determin relaiile ntre tensiuni i respectiv ntre cureni
Vi = hi I1 + IE RE ,
IE = I1 +hf I1

a)

Fig.7.23.

b)

Prin nlocuirea relaiei dintre cureni se obine expresia tensiunii

VI n funcie de curentul de intrare I1
VI = hi I1 + RE (I1 + hf I1)/I1 ,
cu ajutorul creia se stabilete expresia impedanei de intrare
ZI = hi + RE (1 + hf ) .
Schema urmririi potenialului poate fi generalizat.

174

Astfel schema din figura 7.22 poate fi exprimat, evideniind

amplificatorul cu tranzistor i impedana de reacie , ca n figura 7.24.

a)

b)
Fig.7.24.

Cele dou scheme din figura 7.24 sunt echivalente a ) b ) n

condiiile n care
Z =
unde s-a notat cu A

R
1 Av
v

Z ~R ,

factorul de amplificare n tensiune al

amplificatorului n conexiunea colector comun.

Avnd n vedere faptul c tranzistorul cu efect de cmp are o
impedan de intrare foarte mare rezult c, dac dorim s pstrm
valoarea mare a impedanei de intrare i pentru amplificator,

se

impune s aplicm metodei urmririi de potenial. Altfel rezistenele

de polarizare a grilei vor scurcircuita intrarea tranzistorului.
n figura 7.25a este prezentat amplificatorul cu TEC iar n 7.25b este
prezentat amplificatorul cu TEC la care s-a modificat circuitul de
polarizare pentru ca potenialul sursei s urmreasc potenialul grilei.

175

a)

b)
Fig.7.25.

n cazul schemei din figura 7.25a impedana de intrare (foarte

mare) a tranzistorului va fi scurcircuitat de cele dou rezistene din
gril (conectate n paralel)

Zi ~ RG1|| RG2 .

Montajul din figura 7.25b determin schema de curent alternativ

din figura 7.26a i schema echivalent din figura 7.26b.

a)

b)
Fig.7.26.

n figura 7.26 nu apar rezistenele R G1|| RG2 pentru c n c.a.

acestea se conecteaz n paralel cu rezistena de sarcin R S ,care se
presupune de valoare mult mai mic dect cele dou rezistene, ceea
ce nseamn c rezistena echivalent a grupului va fi apropiat de R S
(care apare n desen).
Impedana de intrare se calculeaz cu relaia
VI

ZI = I .
1
Pentru schema echivalent din figura 7.26b se pot scrie relaiile
VI = Vgs + IS RS

, I1 + gmVgs = IS , Vgs = I1 R ,

176

unde I1 este curentul prin R iar IS este curentul prin RS .

=> VI = Vgs + ( I1 + gm Vgs ) Rs = I1 R + (I1 + gm I1 R ) Rs ,
=>

Zi = R + (1 + gm R ) Rs

Expresia de mai sus se poate obine i pe baza schemei generale

a urmririi de potenial (din figura 7.24), calculnd factorul de
amplificare n tensiune pentru schema din figura 7.26b n condiiile
anulrii rezistenei R = 0.
Pentru creterea impedanei de intrare, datorit faptului c R S se
transfer la intrare nmulit cu factorul de amplificare, se recurge la
utilizarea unei rezistene RS care s aib o valoare mare n regim de
c.a. i o valoare mai mic n regim de c.c.
Acest lucru se realizeaz prin nlocuirea RS cu o surs de curent
constant, a crei schem este prezentat n figura 7.27.

a)

b)
Fig.7.27.

Valoarea rezistenei n regim de curent continuu este:

VSM

RS = I .
C
Valoarea rezistenei n regim de c.a. se calculeaz cu relaia de
mai sus pe schema din figura 7.8b.

177

Sursa fiind de curent constant baza tranzistorului va fi la potenial

constant ceea ce nseamn c impedana h i va fi conectat la mas (n
paralel cu RE).
Prin RE|| hi circul curentul I =>
- cderea de tensiune
V2 = RE|| hi I
- curentul prin hi
I1

RE
I
RE hi

Curentul de intrare este:

I =I2 + hf I1,
unde I2 este curentul prin h0, care se determin din lege lui Ohm
I2

V V2
h0 (V V2 ) h0V h0 R E hi I
1
h0

Curentul de intrare se obine

I h0 (V V2 ) h0V h0 RE hi I

I h0V h0 RE hi I h f
I (1 h0 RE hi h f

RE
I
R E hi

RE
) h0V
RE hi

=>

valoarea impedanei n c.a.

Z

RE
V
1
(1 h0 R E hi h f
),
I h0
RE hi

care este mult mai mare dect valoarea n curent continuu.

178

Fig.7.28.

n figura 7.28. este prezentat modul de conectare a sursei de

curent constant la amplificatorul cu TEC n conexiune surs comun.