9

CAPITOLUL 1. DIODA SEMICONDUCTOARE

Caracteristici statice
Dispozitivele electronice sunt componente electronice a cror
funcionare se bazeaz pe controlul micrii purttorilor de sarcin n
diferite medii (gaz, solid, lichid).
Dispozitivele electronice pot avea 2, 3 sau 4 borne de acces, prin
intermediul crora se realizeaz controlul purttorilor de sarcin. n
condiiile n care are 2 borne de acces se numete dipol (figura 1.1 a),
iar dac are 4 borne de acces se numete cuadripol (figura 1.1 a).
Un circuit sau un dispozitiv cu trei borne de acces (spre exemplu
tranzistorul) se trateaz

ca i un cuadripol, una din borne fiind

comun intrrii i ieirii. n figura 1.1b borna 3 este notat cu 1 born de intrare i cu 2 care este born de ieire.

Bornele de acces sunt numite de intrare (i notate cu 1) sau de

ieire (notate cu 2) n funcie de sensul transferului de putere sau n
funcie de sensul de circulaie al semnalului. La bornele de intrare se
conecteaz sursa de semnal iar la bornele de ieire se percepe
rezultatul prelucrrii semnalului de ctre cuadriol. n figura 1.1 sensul
circulaiei puterii este figurat prin sgei.

10

Descrierea funcionrii circuitului n regim static se face prin

intermediul unor funcii numite caracteristici statice, care exprim
dependena mrimilor de ieire de semnalul aplicat la intrare i de
structura intern a circuitului.
Regimul static precizeaz faptul c mrimile sunt constante n
timp, ceea ce nseamn c timpul nu este o variabil - toate mrimile
rmn la aceeai valoare din momentul cnd s-a aplicat semnalul la
intrare i pn la infinit.
Caracteristicile statice ale dispozitivelor pot fi exprimate n mai
multe moduri:
-

prin intermediul unor relaii analitice (matematice);

prin intermediul unor relaii grafice.

Caracteristicile statice reprezint un mod de exprimare a
modelului circuitului atunci cnd mrimile nu se modific n decursul
timpului(regim static).
Modelele circuitelor arareori sunt liniare, de regul sunt
neliniare, ceea ce nseamn c i caracteristicile statice vor fi la fel.
Liniaritatea se refer la faptul c mrimile de ieire depind de
mrimile de intrare printr-o relaie de forma:
mrime de ieire = (coeticient 1) x (mrime de intrare) +
(coeficient2),
unde cei doi coeficieni depind de structura circuitului. n cazul
modelelor neliniare cei doi coeficieni depind de structura circuitului
i de mrimile de intrare (uneori nici nu poate fi expilcitat mrimea
de ieire, ca n relaia de mai sus).
Spre exemplu:
n figura 1.2 a este prezentat un dipol (o diod semiconductoare)
pentru care caracteristica static poate fi exprimat prin relaia
I f U .

11

U
R

U
U1

U2 U

neliniar
a)

liniar

b)

c)
Fig. 1.2.

Dac relaia ntre intrare i ieire este liniar caracteristica static

poate fi exprimat grafic ca n figura 1.2.c sau dioda poate fi definit
prin rezistena intern R i caracteristica static se exprim analitic
prin relaia:
RI

U
GU .
R

Att modelele matematice ct i caracteristicile statice nu sunt

unice (spre exemplu exist modele matematice specifice zonelor de
funcionare). Uneori, putem avea un model matematic general i o
caracteristic static unic, dar datorit complexitii modelului se
prefer a se utiliza modelele matematice mai simple care s fie
valabile pentru anumite zone de funcionare.
Spre exemplu caracteristica static neliniar din figura 1.2.b
poate fi exprimat prin dou drepte, ca n figura 1.3., sau poate fi
descris aproximativ prin dou ecuaii, (fiecare valabil pe domeniul
specificat)
0 U U2

U 0

1
I
U
ron ,

1
U
roff ,

U
roff

U1

Fig. 1.3.

U2

U
ron
U

12
ron mic 50 1K

unde

roff foarte mare 100K10M ,

reprezint rezistena intern a diodei pentru domeniul de tensiuni

precizat.
n cazul cuadripolului, deoarece avem de-a face cu 4 borne, deci
4 mrimi la borne (figura 1.4), modelul matematic trebuie s conin 2
ecuaii care s exprime dependena dintre mrimile de ieire i cele de
intrare ca n (1) sau o alt dependen (2) a celor patru mrimi.

V2 f1 V1, I1
1
I2 f2 V1, I1

IN

V
1

I1

I2 2
C

OUT

V2

Fig. 1.4.

V1 g1 I1, I2
2
V2 g2 I1, I2
n majoritatea aplicaiilor cele dou funcii (f1 i f2 ) pot fi
liniarizate n raport cu mrimile de la bornele cuadripolului astfel nct

modelul (2) se rescrie sub forma:

V1 Z11I1 Z12I2

V2 Z21I1 Z22I2

n care termenii Zij , numii parametrii de cuadripol (de tipul unor

impedane) nu depind de mrimile idependente de la borne (curenii I1,
I2 ).

13

Dac drept variabile independente se adopt tensiunile la borne

I1 Y11V1 Y12V2
,

I2 Y21V1 Y22V2

modelul cuadripolar:
conine admitanele Yij .

Sunt patru tipuri de modele cuadripolare, fiecare avnd alte

mrimi independente.
Not: Pentru a fixa noiunile n figura 1.5 este prezentat o form
de und (sinusoidal) a unei mrimi variabile n timp.
Dac T este suficient de mare, regimul este cvasistaionar la
fiecare timp n T mrime v are aceeai valoare, iar trecerea de la o
valoare la alta are loc prin intermediul unei succesiuni de regimuri
staionare. Mrimea este caracterizat, n afar de perioada T prin
valoarea efectiv Vef i valoarea medie VM, definite prin relaiile
v
Vef

1 T 2
v t dt
t 0

v(t)
VM
2Vef

VM

1
T

T
0 v t dt .

Fig. 1.5

Regimul static este regimul n care mrimile sunt aceleai la orice

moment de timp i n cazul figurii 1.5 mrimile constante n timp sunt
VM i Vef.

1.1. Semiconductori intrinseci

Dispozitivele semiconductoare sunt realizate cu elemente din
grupa a IV-a datorit faptului c legtura dintre atomi este covalent
(legtur chimic care se realizeaz prin punerea n comun a

14

electronilor de valen a 2 atomi nvecinai). Dintre elementele grupei

se utilizeaz cu precdere Siliciul i apoi Germaniul.
Caracteristic elementelor semiconductoare este faptul c energia
electronilor se gsete pe nivele energetice situate n benzi.
Banda de valen BV conine nivele energetice ale electronilor de
energie mic, electroni care sunt prini n legturi covalente. Energia
maxim a benzii de valen se noteaz Wv.
Electronii care au posibilitatea s se deplaseze n spaiul
interatomic (electronii liberi) au energii situate pe nivele energetice
corespunztoare benzii de conducie BC. Energia minim a benzii de
conducie se noteaz Wc.
ntre cele dou benzi permise (BC i BI) se afl banda interzis
BI, (vezi figura 1.6) a crei lime energetic W = Wc - W v, este o
constant de material fiind specific naturii semiconductorului spre
exemplu Semiconductori realizai din Si au limea benzii interzise
1,12 eV.
Un electron cu energia Wv , pentru a se desprinde din legtura
covalent, ca s devin electron liber, trebuie s primeasc pe o cale
oarecare (spre exemplu prin impuls, adic prin ciocnirea cu un
electron de vitez mai mare) o energie suplimentar de cel puin W.
n aceste condiii energia electronului va depi BI i va trece pe un
nivel din interiorul BC electronul este liber. Prsirea legturii
covalente de electronul care a primit suficient energie determin o
legtur covalent nesatisfcut n structura semiconductorului
numit gol.

15
W [eV]

}BC
}
}BV

Wc
Wv

Fig. 1.6.

n cazul metalelor, conducia curentului electric se face prin

electroni.
n cazul semiconductorilor, conducia curentului electric se face
att prin electroni ct i prin goluri.
nelegem prin conducie a curentului electric transferul de
sarcin electric printr-o suprafa .
Curentul electric este o micare ordonat a unor purttori de
sarcin printr-o suprafa , caracterizat prin intensitatea curentului
electric de conducie.

Fig.1.7.

Intensitatea curentului electric i de conducie este definit prin

variaia a sarcinii electrice care trece prin suprafaa n unitatea de
timp.

dq
dt

Pentru figura 1.7, avnd n vedere c 3 goluri g trec de la

stnga la dreapta prin suprafaa i doi electroni e trec de la

16

dreapta spre stnga, rezult c prin suprafaa trece o sarcin electric

pozitiv egal cu sarcina electric transportat de un gol (q p = - qe = 1,6
10-23 C). Dac considerm c situaia se menine dinamic pentru un
interval de timp de 1 secund, prin suprafa va circula un curent
electric de conducie, cu sensul de la stnga spre dreapta, cu
intensitatea de 1,6 10-23 A.
Conducia curentului este realizat de goluri (legturi covalente
nesatisfcute) prin intermediul electronilor prini n legturi covalente
ale atomilor nvecinai golului. Un electron dintr-o legtur covalent,
datorit unei fore (spre exemplu datorit forei determinate de un
cmp electric), pleac din legtur i se poziioneaz la atomul cu
legtur covalent nesatisfcut. Golul din poziia veche nu mai exist
- legtura a fost refcut de electronul sosit, dar apare un gol n poziia
din care aplecat electronul. Aceast deplasare este echivalent cu
deplasarea golului n sens invers micrii electronilor. Electronul care
s-a deplasat i a ocupat legtura covalent nesatisfcut are o energie
aflat n BV.
n condiiile n care legtura covalent nesatisfcut (golul) este
ocupat de un electron a crui energie este n BC procesul se cheam
de recombinare. Electronul nu a plecat dintr-o legtur covalent, ca
s determine formarea unui nou gol. Dispare, pentru procesul de
conducie, att electronul ct i golul, pentru c electronul liber a fost
prins n legtura covalent nesatisfcut numit gol.
La temperatura camerei, numrul de electroni liberi este egal cu
numrul de goluri, pentru c fiecare electron devenit liber a plecat
dintr-o legtur covalent care a devenit nesatisfcut (gol).
Concentraia de electroni liberi

n0

egal cu concentraia de goluri

se numete concentraie intrinsec ni.

n0 p0 ni

[numr de purttori/cm3].

p0

17

S-au folosit notaiile

n0

p0

cu indice zero pentru a specifica

faptul c semiconductorul se afl la echilibru termodinamic.

Cele dou concentraii fiind egale semiconductorul este electric
neutru.
Concentraia intrinsec poate fi exprimat n principal n funcie
de limea benzii interzise W i de temperatura T. n relaie
intervine constanta lui Boltzman (K = 1,38 10-23 J/K) i o constant
(A) care s preia influenele factorilor nespecificai.
ni AT

3
2

W
2 KT

Orientativ n cazul unui semiconductor din Si, aflat la T = 300 K,

care are o concentraie de atomi
intrinsec este

ni 1,5 x1010

ni 10 22

atomi/cm3, concentraia

purttori/cm3, ceea ce nseamn c la

fiecare 1012 atomi exist o legtur covalent nesatisfcut (un gol) i

un electron liber.
Relaia

dintre

concentraiile

purttorilor,

la

echilibru

termodinamic,
n p ni2

este valabil att n cazul semiconductoarelor intrinseci ct i n

cazul semiconductorilor extrinseci.
Modificarea numrului de purttori se face prin:
- creterea temperaturii semiconductorului;
- iradiere;
- iluminare;
- injecie de purttori din exterior.
Primele trei metode de modificare a concentraiei intrinseci
determin un

aport energetic din exteriorul semiconductorului. O

parte din electroni, prin acest aport energetic, i cresc energia peste
Wc, devenind electroni liberi. Se genereaz totodat i un gol datorit
apariiei unei legturi covalente nesatisfcute, legtur din care a

18

plecat electronul respectiv. Concentraia de electroni i goluri fiind

egal semiconductorul va fi tot neutru.
Numrul de purttori este condiionat n principal de temperatur,
pentru care concentraiile la echilibru termodinamic sunt notate n 0 i
p0. n condiiile n care apare o perturbare (injecie de purttori din
exterior) astfel nct s se modifice concentraia unuia dintre purttori,
intervine procesul de generare sau recombinare de purttori astfel
nct concentraiile s revin la echilibrul stabilit de valoarea
temperaturii, respectiv n0 i p0. Odat cu ncetarea perturbaiei
semiconductorul acioneaz n scopul anulrii excesului de purttori
pentru a ajunge n vechea stare de echilibru.
Semiconductori intrinseci sunt folosii la realizarea rezistorilor i
a termistorilor (rezistoare a cror rezisten se modific cu
temperatura).

1.2. Semiconductori extrinseci

Semiconductorul

extrinsec

este

format

dintr-un

material

semiconductor intrinsec n structura cruia s-au introdus elemente din

grupa a III-a (Bo,Al, .a.) sau din grupa a V-a (P, As, St, .a.).
Concentraiile de elemente strine, voit introduse, sunt foarte mici
(1012...1018

atomi/cm3)

semiconductorului (1022 atomi)

raport

cu

numrul

motiv pentru care sunt

atomilor
numite

impuriti.
Semiconductorul de tip N este realizat prin introducerea de
elemente din grupa a V-a ceea ce conduce la prinderea n legturi
covalente a 4 electroni ai impuritii cu atomii semiconductorului de
baz rmnnd un electron foarte slab legat de atomul de impuritate,
care electron la temperatura camerei este electron liber (are energia n
BC). Impuritile din grupa a V-a sunt donoare (de electroni) i

19

introduc un nivel energetic apropiat de banda de conducie W c notat

Wn n figura 1.8.
Notm cu N D 1014 1018 [atomi/cm3] concentraia de impuriti
introdus. Impuritile fiind ionizate (au pierdut un electron) vor
modifica numai concentraia de electroni liberi
W
Wc
Wn
Wv
Fig. 1.8.

n n0 N D ni N D N D

p p0 ni

innd seam de relaia concentraiilor

n p ni2 p

ni2 ni2

n ND

Semiconductorul se numete N pentru c, conducia curentului

electric este asigurat n principal de electroni i anume de electronii
liberi furnizai de impuriti.
Semiconductorul de tip P realizeaz prin introducerea n structura
semiconductorului de baz de elemente din grupa a III-a, ceea ce face
ca cei 3 electroni ai impuritii s formeze legturi covalente cu atomii
semiconductorului, rmnnd o legtur covalent nesatisfcut.
Impuritile introduc un nivel energetic Wp n banda interzis a
semiconductorului de baz,
nivel apropiat de limita benzii de valen WV, ca n Figura 1.9.

20

Notnd cu NA concentraia de impuritate introdus, obinem

concentraiile de purttori n semiconductorul de tip P.
W
Wc
Wp
Wv
Fig. 1.9.

ni2
n
NA

p p N N
0 a
A

Semiconductorii intrinseci se numesc de tip P i de tip N dup

semnul sarcinii purttorilor majoritari, respectiv golurile de sarcin
pozitiv (pentru P) i electronii de sarcin negativ (pentru N).
Nivelul Fermi, WF, este acel nivel energetic sub care se gsete
energia tuturor electronilor unui solid n condiiile n care temperatura
acestuia este de zero grade Kelvin.
Concentraia purttorilor de sarcin poate fi exprimat n funcie
de poziia nivelului Fermi prin relaiile
n0 AT
p0 AT

3
2

3
2

exp(

Wc WF
),
kT

exp(

WF Wv
),
kT

care verific condiia de echilibru termodinamic ( n p =

ni2 ).

Deoarece nivelul Fermi al semiconductorului intrinsec este la

jumtatea benzii interzise se noteaz acest nivel cu
Wi

Wc Wv
,
2

21

n funcie de care pot fi exprimate concentraiile purttorilor pentru

semiconductorul extrinsec
W Wi
n0 ni exp( F
)
kT

W WF
p0 ni exp( i
).
kT

1.3. Densiti de curent n semiconductori

Curentul electric de conducie este definit prin micarea ordonat
a purttorilor de sarcin
printr-o suprafa dat. n general, dac nu acioneaz nici o for
curentul este 0.
Curentul electric de conducie apare n condiiile n care asupra
purttorilor de sarcin acioneaz o for (electric sau de difuzie) care
s orienteze vitezele purttorilor ctre suprafaa n cauz, ca n figura
1.10.

Fig. 1.10.

Fora electric este datorat prezenei unui cmp electric de

intensitate E n semiconductor.
Valoarea forei electrice cu care acioneaz. Cmpul electric de
intensitate E acioneaz asupra unui purttor de sarcin q e cu fora

22

F qe E ,

unde

q e 1,6 1023 C

(semnul minus pentru electroni i

plus pentru goluri).

Fora de difuzie este acea for care apare datorit neuniformitii
de concentraie a purttorilor n diferite zone ale semiconductorului i
este proporional cu gradientul concentraiei:

Fd grad n

Pentru a caracteriza local starea de conducie electric se

folosete densitatea j a curentului electric de conducie

ji

j dA ,

j const j

1
SI

unde Sj este aria suprafeei .

Fora electric determin apariia unei densiti de curent prin
suprafa care este proporional cu Vm (viteza medie a purttorilor),
concentraia purttorilor

p i sarcina electric transportat de un

purttor qp

j p q p pV m

Viteza medie a purttorilor poate fi exprimat prin intermediul

coeficientului p numit mobilitate
Vm p E

Se obine expresia densitii de curent a golurilor aflate ntr-un

cmpului electric

j p qp pE

Sub influena cmpului electric electronii vor determina o

densitate de curent

j n q n n n E ,

Semnul minus se datoreaz faptului c electronii se mic invers

liniilor de cmp electric, ca n figura 1.11. Cele dou densiti de
curent se nsumeaz dac exist dou tipuri de purttori de sarcin.

23

Fe q

Fe

qp

n
Fig. 1.11

q p qe

je j p jn q p p p qn n n E qe p p n n E .

qn qe

Legea de material a conduciei poate fi utilizat pentru a stabili

expresia rezistivitii a unui semiconductor
1

1
j E E
qe p p n n

Mobilitatea purttorilor este afectat

- de

temperatur

crescnd

odat

cu

creterea

temperaturii,
- de concentraia de impuriti care determin scderea
mobilitii i
- de intensitatea cmpului electric aplicat din exterior
(la intensiti mari mobilitatea scade).
Fora de difuzie determin densiti de curent n semiconductor a
cror expresii se pot exprima

j pd qe D p grad p
,

jnd qe Dn grad n

n funcie de gradientul de concentraie, de sarcina purttorilor i de

coeficienii de difuzie ai fiecrui tip de purttor de sarcin Dp, Dn .
Coeficienii de difuzie; sunt mrimi dependente de materialul
semiconductorului, fiind corelate cu mobilitatea purttorilor
relaiile Euler:
Dp

KT
KT
p ; Dn
n
qe
qe

prin

24

Densitile de curent ale celor doi purttori de sarcin se

nsumeaz:

jd j pd j pn

Densitatea de curent care se stabilete printr-o suprafa a unui

semiconductor cnd acioneaz att fora electric ct i fora de
difuzie sumeaz efectul celor dou fore

dE
j je j d
,
dt

Expresia densitii de curent conine un termen dependent de

viteza de variaie n timp a cmpului electric, care poart numele de
densitate de curent de deplasare.
Densitatea curentului de deplasare este semnificativ

cnd

intensitatea cmpului electric are o vitez mare de variaie n timp.

Generarea i recombinarea purttorilor de sarcin

Fenomenul de recombinare const n scderea energiei unui
electron liber sub valoarea nivelului Wv , ceea ce determin fixarea
acestuia ntr-o legtur covalent nesatisfcut. Rezult dispariia a 2
purttori de sarcin (att un electron ct i un gol) dac legtura
covalent provine de la materialul semiconductor de baz.
Dac electronul este prins ntr-o legtur a impuritii sau a unui
centru de recombinare se pierde numai un electron pentru procesul de
conducie, vezi figura 1.11a, pentru c atomul de impuritate este
ionizat i primind un electron devine neutru.

25

Generarea purttorilor de sarcin se poate face n perechi (un

electron i un gol) dac electronul provine dintr-o legtur covalent.
Se genereaz numai un purttor dac electronul provine de la un
atom de impuritate care, prin cedarea sau acceptarea, unui purttor se
ionizeaz.

Semiconductorul rmne neutru pentru c sarcina

purttorului generat este egal i de semn opus sarcinii ionului format,

vezi figura 1.11b.

recombinare
cu centru de
captur
(1 e-)
recombina
re bandband
(2
purttori)
Fig. 1.11.

Wc
Wv
a)

W
ion
pozitiv
(1
purttor
gol
generat)
(2
purttori)

Wc
Wv
b)

Viteza net de recombinare a purttorilor U este definit drept

variaia a excesului de sarcin n unitatea de timp fa de sarcina
stabilit de echilibrul termodinamic
U

unde

pn ni2
,
n (n nt ) p ( p pt )

reprezint timpii de via ai electronilor li respectiv

golurilor, n i p sunt concentraiile de purttori iar n t i pt reprezint

concentraii fictive de purttori dac acetia ar avea energia
corespunztoare nivelului de captur (n cazul recombinrii prin
neutralizarea unei impuriti ionizate, energia nivelului de captur
corespunde nivelului energetic introdus de impuritate vezi figura
1.11 a).
La echilibru termodinamic ntre concentraiile de purttori avem
relaia:

26

n p = ni2

U= 0,

pentru c U este viteza net de recombinare, adic diferena ntre

viteza de recombinare a purttorilor i viteza de generare a acestora.

1.4. Jonciunea p-n la echilibru termodinamic

Jonciunea PN este linia care separ dou zone semiconductoare
diferite - una de tipul P i cealalt de tipul N - care au fost puse n
contact. Concentraiile purttorilor n cele dou zone semiconductoare
sunt prezentate n tabelul de mai jos.
P

p N A p0 N A goluri

n N D n0 N D electroni

n i2
n N
A

n i2

ND

goluri - majoritare
electroni - minoritari

electroni - majoritari
goluri - minoritare

La echilibru termodinamic temperatura este constant i nu exist

schimb de energie cu exteriorul.
Datorit faptului c n zona P avem multe goluri, n condiiile n
care se pune n contact cu N, apare fenomenul de difuzie care
determin transferul de goluri din zona P n zona N.
La fel se pune problema pentru electronii din zona N, aa nct
plecnd golurile de la suprafaa semiconductorului de tip P aceast
zon este srcit n purttori i plecnd electroni de la suprafaa
semiconductorului din zona N aceasta este srcit n sarcini negative,
ca n figura 1.12.
P

-l

p
E dp

+ln

Fig. 1.12

27

n zona de jonciune, datorit plecrii purttorilor de sarcin,

rmn numai ionii de impuritate. Ionii de impuritate de la suprafaa
semiconductorului de tip N sunt sarcini pozitive (pentru c au cedat
un electron) i determin o densitate de sarcin
q = qe ND

pe intervalul

0,..., ln ,

(se nmulete sarcina ionului cu densitatea ionilor din zona

semiconductoare N).
Ionii de impuritate de la suprafaa semiconductorului de tip P sunt
sarcini negative (pentru c au primit un electron) i determin o
densitate de sarcin

q = -qe NA pe intervalul -lp ,..., 0

(se nmulete sarcina ionului cu densitatea ionilor din zona

semiconductoare P).
Prezena celor dou acumulri de sarcin la jonciune conduce la
apariia unui cmp electric de intensitate notat cu E. Intensitatea
cmpului electric poate fi calculat pe baza legii fluxului electric fluxul induciei D a cmpului electric printr-o suprafa nchis este
egal cu cantitatea de electricitate-sarcin electic - din volumul
delimitat de suprafaa respectiv
grad () = q .
n condiiile din figura 1.12, cnd intensitatea cmpului se
modific numai pe OX gradientul conine numai derivata pe axa x:

dE
q
dx
.

Separnd variabilele se obin expresiile cmpului electric

28
NA
pentru l p x 0

,
N
E ( x) qe (l n x) D pentru 0 x l n

E ( x) qe (l p x)

reprezentate n figura 1.13.

Din condiia de continuitate a cmpului n origine E(-0) = E(+0),
E

x[m]
U
U0

E0

x
-lp

ln

Fig. 1.13.

Se obine o relaie ntre limile zonelor de golire in cele dou

zone semiconductoare
NA lp = ND ln .
Considernd

drept

referin

tensiunii

zona

neutr

semiconductorului P (V(-lp) = 0) i plecnd de la definiia cderii de

tensiune
U

p1

Ip

Edr ,

p0 Edr

particularizat pentru jonciune

U0

se obine expresia cderii de tensiune pe jonciune cunoscut sub

numele de barier de potenial
U0

qe N A 2 qe N D 2
lp
ln

29

care se opune transferului de purttori prin jonciune.

Fd

Fe q e E
Fig. 1.14.

De fapt cmpul electric determin fora electric F e , ca n figura

1.14, care este de sens opus forei de difuzie F d . La conectarea celor
dou zone ncepe procesul de difuzie a purttorilor, zona de golire se
extinde, sarcina de fiecare parte a jonciunii crete, cmpul electric
crete i fora electric crete aa nct
me a Fd Fe

diferena celor dou fore se micoreaz. Transferul de sarcin i

extinderea zonelor golite n purttori nceteaz cnd fora electric
egaleaz fora de difuzie.
Notnd limea total a zonei de golire l = lp + ln din ecuaia
barierei de potenial se obine
l

2 1
1

U0

q e N A N D

Deoarece avem dou acumulri de sarcini opuse separate printr-o

zon de lime l n care se stabilete un cmp electric, rezult c avem
un condensator a crei capacitate
Si
,
l

CB
C B este

numit capacitatea de barier.

Expresia barierei de potenial poate fi dedus pe baze energetice,

innd
seam de faptul energiile benzilor de conducie din cele dou
Wc(-l ps
) se racordeze aa
Wc(+l
zone semiconductoare trebuie
can)nivelul Fermi W
F

qe U0
s fi acelai (vezi figura 1.15) n toat structura.
WF
-lp
Fig. 1.15

+ln

30

Wc(-l p) = Wc(+l n) + qe U0
Energiile benzilor de conducie se expliciteaz din expresia
purttorilor

majoritari

din

zona

semiconductoare

W (l ) W F
n N D A exp( c n
) din care se determin Wc(+l n) i din
kT

expresia purttorilor minoritari din zona semiconductoare P din care

se determin Wc(-l p).
n

Wc (l p ) W F
ni2
A exp(
)
NA
kT

nlocuind se obine expresia barierei de potenial ca funcie

numai de caracteristicile zonelor semiconductoare (ND , NA)
U0

unde

reprezint

ni
3
2

n i AT e

W
2 KT

N N
kT
In( A D )
qe
ni2

concentraia

intrinsec

are

valoarea

1.5. Polarizarea jonciunii P-N

Polarizarea jonciunii P-N const n aplicarea din exterior a unei
surse de tensiune electromotoare cu bornele sursei pe zonele neutre ale
semiconductorului.
Dac borna pozitiv a sursei se aplic pe zona P polarizarea este
direct, iar cnd pe zona P se aplic borna negativ polarizarea este
invers.

31

n cazul polarizrii directe a jonciunii t.e.m. EAA determin

apariia unui cmp electric notat EA care este de sens invers cmpului
electric intern notat E0. Rezult c valoarea cmpului electric care
acioneaz asupra purttorilor se micoreaz, ceea ce nseamn c o
parte din purttori vor traversa datorit forei de difuzie zona de golire.
Golurile din zona P vor ajunge n zona N pn la o distan L p = lp +
p (vezi figura 1.16), numit lungime medie de difuzie a golurilor i
definit drept acea distan pe

care o parcurge un golul pn la

recombinarea cu un electron.
Lungimea medie de difuzie poate fi exprimat
Lp

prin

Dp

D p p

- coeficientul de difuzie i p - timpul de via al golurilor

(definit drept timpul ct golul se mic n zona N de la intrare i

pn la recombinare).

-ln +lp
E0

EA
E AA

n n0 ND

Pp 0

-ln

+lp
p

P0

Fig. 1.16.

Golurile, provenind din zona P, vor modifica, pe distana p,

concentraia purttorilor minoritari din zona N. Concentraia de goluri,
pe distana p, va diferi de concentraia impus de echilibrul
termodinamic. Vom avea o sarcin suplimentar numit sarcin n
exces.

32

Aceleai considerente se fac pentru electronii provenii din zona

N i injectai n zona P.
Acumulrile de sarcin excedentar determin definirea unei
capaciti numit capacitate de difuzie
Cd

q
E AA

Aceast teorie este valabil n cazul nivelelor mici de injecie

adic atunci cnd curentul electric de conducie prin semiconductor nu
are valori foarte mari, ceea ce nseamn c numrul de purttori care
sunt injectai prin suprafaa semiconductorului este mic n raport cu
numrul de purttori majoritari din zona respectiv.
Exemplu numeric:

Ppot 1015 1018

12

Pinj 10
n zona P:

Ppot Pinj 1015 1012 1012 103 1 1015

la nivele mici concentraia de purttori majoritari (goluri n

zona P) nu se modific prin injecie de purttori minoritari.
Dar golurile care ajung n zona N (unde sunt minoritari) vor
modifica concentraia de purttori minoritari (pe distane mici). La fel
se prezint situaia pentru electronii care ajung n zona P.
Sursa de t.e.m. furnizeaz numai purttorii care au fost injectai
(spre exemplu furnizeaz electroni pentru zona N), dar numrul
acestora este mic fa de ce exist deja n zon, rezult c vor
determina un curent de valoare mic n zonele neutre (unde sunt
plasate bornele sursei). Curentul de valoare mic determin cderi de
tensiune mici, motiv pentru care se neglijeaz cderile de tensiune
pe zonele neutre. Reformulnd putem spune c ntreaga tensiune
furnizat de sursa de t.e.m. se aplic jonciunii.

33

n cazul polarizrii inverse a jonciunii intensitatea cmpului

intern

E0

are acelai sens cu valoarea cmpului

EA

determinat de

sursa de t.e.m. E AA (vezi figura 1.17).

n acest caz, cmpul electric este favorabil micrii purttorilor
minoritari, micarea purttorilor majoritari fiind blocat att de bariera
de potenial ct i de cmpul stabilit n materialul semiconductor de
sursa extern.
Constatm c avem de-a face cu un transfer de goluri din zona
N n zona P care determin un curent electric de conducie de valoare
mic (pentru c exist puini purttori de sarcin goluri n zona N).
P

-ln +lp
E0

EA

E AA
Fig. 1.17.

La polarizarea invers curenii prin dispozitiv sunt determinai de

fenomenul de generare de purttori n zona de trecere sau n zonele
neutre.
n figura 1.18 se prezint densitile curenilor care circul prin
jonciunea P-N la polarizarea direct i separat la polarizarea invers.
Polarizare direct

Polarizare invers

jpd

jnd

jr
L n ln

jr
lp

Lp
Fig. 1.18.

J
lp L p

34

La polarizarea direct intervin densitile de curent datorate

difuziei purttorilor, care pot fi exprimate n funcie de tensiunea VA
de pe jonciune (la nivele mici de injecie VA = EAA)
qV A

jd j0 e KT 1

Densitile de curent jr ,reprezint curenii de recombinare

direct a purttorilor de sarcin (n zona de golire) i pot fi exprimai
prin relaia
qVA

j r j 0 r e 2 KT 1

Densitile j0 i j0r sunt constante dependente de natura

semiconductorului de baz i doparea acestuia cu impuriti.
Curentul prin dispozitiv se obine nmulind densitatea de curent
cu suprafaa transversal a semiconductorului.
Att pentru polarizarea direct ct i pentru polarizarea invers,
curentul prin jonciune poate fi descris de ecuaia

qV A

I I 0 e mKT 1

unde

m este coeficientul de neidealitate, m 1 2 iar VA este valoarea

tensiunii aplicate pe jonciune. Dispozitivul este ideal pentru m=1.
n figura 1.19 este prezentat caracteristica static a jonciunii PN, conform cu modelul exponenial (caracteristica static exprimat
analitic).

35

I A

2000A

I0

Vp

VA 0

1,5

IA

VA 0

Pol. inv

K
VAK

Polarizare direct
Fig 1.19.

Fig. 1.20.

La polarizarea direct curentul este mic pn cnd tensiunea de

polarizare ajunge la valoarea tensiunii Vp numit tensiune de prag.
Tensiunea

de

prag

are

valori

diferit

semiconductorului de baz Vp = 0,7 V la Si,

funcie

de

tipul

Vp = 0,3 V la Ge, Vp =

1,0 V la As.
La polarizarea invers curentul are valori foarte mici i crete
puin la creterea tensiunii inverse. n figura 1.20 este prezentat
jonciunea P-N n coresponden cu dispozitivul semiconductor numit
diod semiconductoare realizat pe baza unei jonciuni P-N. Anodul
diodei A este zona P a jonciunii iar catodul K este dat de zona
semiconductoare N a jonciunii. Aplicarea tensiunii de polarizare pe
jonciunii se face prin intermediul unor electrozi metalici.

1.6. Fenomene care modific caracteristica static a

jonciunii P-N
A: Efectul nivelelor mari de injecie
n condiiile n care curentul prin dispozitiv are valori mari,
acesta fiind dat de purttorii injectai nseamn c putem spune c
dispozitivul funcioneaz la nivele mari de injecie. Nu mai pot fi

36

neglijate cderile de tensiune Vl pe zonele neutre ale fiecrui

semiconductor, rezistena acestora se noteaz RN n figura 1.21a.
IA
RN

P N

RN

V1

Vj

V1

real

I1L

VAK

VAK

IA 0
b)

a)
Fig. 1.21.

Pe jonciune nu mai ajunge toat tensiunea sursei ci numai Vj

V AK V1 V j V1 ,

V AK 2V1 V j

ceea ce conduce la modificarea caracteristicii statice ca n figura

1.21b.
Curentul prin dispozitiv se obine din sistemul de ecuaii
V AK 2 RN I A V j

qV j

I A I A0

e mKT

I f V
A
AK

B: Efectul creterii temperaturii

Temperatura determin concentraia intrinsec de purttori de
unde rezult c va crete numrul de purttori (minoritari i majoritari)
i curentul rezidual I A .
0

condiiile

creterii

temperaturii

IA 0

dispozitivul

semiconductor se modific - se dubleaz curentul rezidual la fiecare

cretere cu 10C.

37

Tensiunea pe jonciune VAK scade cu 2mV (1,1...2,1mV) la fiecare

cretere de 1C a temperaturii.
Tensiunea la temperaturi uzuale este

V AKT0 0,65V 650mV

Efectul temperaturii asupra cderii de tensiune pe jonciune este

utilizat la realizarea traductoarelor de temperatur.
Temperatura jonciunii este limitat la Tjmax = 125

C n cazul n

care semiconductorul de baz este Si, pentru c o temperatur mai

mare conduce la ambalarea termic a dispozitivului cu efecte
ireversibile.
C: Efectul prelucrrii suprafeei semiconductorului
Prelucrarea necorespunztoare a suprafeei semiconductorului
determin absorbia pe suprafaa acestuia de elemente strine, care se
constituie n impuriti nedorite. Acestea vor detemin nivele
energetice aflate n interiorul benzii interzise BI a semiconductorului,
numite centre de recombinare. Se modific astfel proprietile
electrice ale semiconductorului (crete curentul rezidual i curentul de
recombinare).

D:Efectul creterii tensiunii inverse aplicate dispozitivului

Creterea tensiunii inverse aplicat jonciunii determin o
cretere a curentului invers, care pentru o anumit valoare a tensiunii
inverse notat cu

U BR

numit tensiune de strpungere (vezi figura

1.22), conduce la apariia unui canal conductor ntre Anod i Katod.

Spunem c dispozitivul s-a strpuns i se comport n circuit ca un
rezistor de valoare foarte mic.
Strpungerea are loc prin 3 fenomene fizice:

38

- multiplicarea n avalan a curentului;

- tunelarea (efectul Zener);
- atingere.
1. Multiplicarea n avalan const n creterea curentului
datorit faptului c sub influena cmpului electric extern crete
energia electronului Wc astfel nct ciocnirea acestuia de un atom
neutru s determine smulgerea unui electron. Se genereaz astfel doi
purttori de sarcin,
un electron i a unui gol. La rndul lui electronul secundar poate s
genereze prin acelai mecanizm ali puttori de sarcin.

Fig. 1.22.

Creterea numrului de purttori determin creterea curentului

n dispozitiv.
Dac curentul prin dispozitiv nu depete o anumit valoare
maxim fenomenul este reversibil - adic la scderea tensiunii inverse
curentul scade, altfel canalul conductor este permanent i dispozitivul
se comport rezistiv.
2. Efectul de tunelare se obine la dispozitivele semiconductoare
a cror concentraie de impuriti este mare

10

16

1018 at imp/cm3

. n

aceste condiii, limitele benzii de valen din una din zone Wc este
apropiat de limitele benzii de conducie din zona cealalt. Un
electron dintr-o legtur covalent trecnd peste zona de golire va
deveni n cealalt zon electron liber (pentru c energia lui corespunde

39

energiei benzii de conducie BC). Apar astfel puttori de sarcin

suplimentari care determin creterea brusc a curentului fr ca
tensiunea s se fi modificat.
3. Fenomenul de atingere apare n condiiile n care dispozitivul
semiconductor este realizat cu zone semiconductoare subiri. Creterea
tensiunii inverse determin att o cretere a cmpului electric intern
ct i creterea limii zonei de golire, astfel c la o valoare a tensiunii
aplicate (notate cu

VBR ),

zona de golire ajunge s ating electrodul de

injectare. Cmpul electric intern, datorat polarizrii inverse a

jonciunii va fi favorabil transferului n semiconductor a purttorilor
de la sursa de t.e.m. direct n zona de purttori majoritari (electroni
furnizai de surs sunt injectai n zona N). Curentul crete puternic
determinnd deteriorarea dispozitivului prin topirea jonciunii.

1.7. Circuite echivalente ale jonciunii P-N n regim static

Un circuit echivalent este un circuit realizat cu elemente pasive
i surse comandate sau necomandate, care poate nlocui dispozitivul
semiconductor fr ca regimul de tensiuni i cureni s se modifice n
exteriorul dispozitivului. Altfel spus aplicnd un semnal la intrarea
dipozitivului i acelai semnal la intrarea circuitului echivalent cele
dou rspunsuri vor fi
identice, pentru un anumit domeniu al semnalului de intrare sau pentru
tot domeniul permis.

40

IA

(IF)

P N
A

I0

IA

K
VAK

VAK

qVAK

I A I A 0 e mKT 1

(IR)
b)
Fig. 1.23.

n figura 1.23 a) este prezentat caracteristica static sub form

grafic a dispozitivului numit diod semiconductoare (jonciunea PN), al crui simbol i model matematic sunt reluate n 1.23b).
Pornind de la caracteristica static se pot realiza scheme
echivalente pentru diferite domenii de funcionare al cror rspuns s
fie suficient de aproape de rspunsul real.
Caracteristica static din figura 1.23a poate fi liniarizat ca n 1,24.

IA

Rinv

Rd

VP

VAK

Fig. 1.24.

Se definesc :
-

tensiunea de prag, ca fiind tensiunea de la care dispozitivul este n

conducie (circul un curent semnificativ)

41

0,3V Ge
Vp
0,7V Si
-

rezistena intern n conducie, este rezistena dispozitivului pentru

VAK > VP
DV

Rd

AK

IA

V AK Rd I A V p
V AK V p

rezistena intern n blocare, este rezistena pentru

DV

Rinv

VAK < VP ,

AK

IA

V AK V p

Schema echivalent corespunztoare caracteristicii statice din

figura 1.23 este rezentat n figura 1.24.

VAK>Vp
A

V
+ p-

Rd

IA

K
Rinv

VAK <Vp

Fig. 1.24.

Circuitul din figura 1.24 conine dou comutatoare care lucreaz

n opoziie cnd este unul nchis cellalt este deschis. Deasupra
fiecrui comutator este nscris condiia care dac este ndeplinit
determin nchiderea comutatorului. Dac ntre cele dou tensiuni
exist relaia VAK < VP numai comutatorul de jos este nchis i V AK =
Rinv IAV
, VAK
nchis R
i VAK = Rd IA +
>V> VP Rnumai comutatorul de sus este
V >V
AK

AK

VP .
IA

IA

Rinv

VAK>Vp
a)

b)
Fig. 1.25.

42

n condiiile n care tensiunea de prag VP este mic n raport cu

tensiunea aplicat la bornele dispozitivului se poate folosi una din
schemele echivalente din figura 1.25 n care se consider VP = 0.
Rezistenele interne au valori din domeniile
Rd sute

Rinv sute K M .

Dac rezistena la polarizarea invers este foarte mare se

folosete schema echivalent din figura 1.25b, considernd Rinv =
infinit ,
pentru VAK > 0 , comutatorul este nchis i n circuit rmne
rezistena intern
la polarizarea direct Rd ,
pentru VAK < 0 , comutatorul este deschis i circuitul va fi n gol
(curentul IA = 0 ).

1.8. Circuite echivalente ale jonciunii P-N n regim

cvasistaionar
Regimul cvasistaionar este caracterizat prin faptul c viteza de
variaie a mrimilor cmpului electromagnetic este suficient de mic
pentru a considera c trecerea de la un regim la altul se face printr-o
succesiune de regimuri staionare.

43

Regimul cvasistaionar se obine n cazul n care tensiunea care

se aplic este format prin suprapunerea a dou semnale - un semnal
va t

de c.c. VA i un semnal de c.a.

v A t V A va t

f(t)

.
t

T
Fig. 1.26.

Semnalul variabil n timp este un semnal periodic de perioad

T[s]

sau

Vmed

1
T

de

frecven

va t dt 0

1
Hz ,
T

crei

valoare

medie

este nul.

Semnalul din figura 1.26 este periodic, de perioad T pentru

c oricare ar fi momentul de timp t avem egalitatea f t T f t .
Orice semnal periodic se poate descompune, cu ajutorul seriilor
Fourier, ntr-o sum format din componenta de curent continuu i un
numr de semnale sinusoidale de amplitudini diferite i frecvene
multiplii ai frecvenei semnalului. Rezult c este suficient s aflm
rspunsul sistemului liniar la un semnal format din componenta de
curent continuu i o singur sinusoid de frecven neprecizat
v A t V A va t ,

n care
vA
VA

va Vmax sin t .

va

iA

Vmax

D
vA(t)

T
b)

Fig. 1.26.

44

n figura 1.26 este prezentat a)semnalul aplicat i b) dispozitivul

(dioda semiconductoare).
Pentru c tensiunea are variaii att pozitive ct i negative
modelul dispozitivului electronic este modelul complet,
qv A

i A (t ) I A0 e mKT 1

Dac se aplic numai semnalul de curent continuu va = 0

v A t V A va t V A

pentru curentul continuu prin dispozitiv IA se obine expresia

qVA
qVA

v A VA c.c. I A I A 0 e mKT 1 I A 0 e mKT .

n condiiile n care se aplic semnalul complet (c.c +c.a),

curentul prin dispozitiv poate fi scris sub forma:
qv A
qV A
qv A

qV A v A

i A I A e mKT 1 I A0 e mKT
1 I A e mKT e mKT 1

Se noteaz tensiunea termic

D

VT

mKT
q

i se scriu primii termeni ai dezvoltrii n serie de puteri

e

vA
VT

v
1 v
1 a a
VT 2 VT

Constatnd inegalitatea de mai jos se pot reine numai primii doi

termeni din dezvoltarea n serie de puteri

45
va
1
VT

va
VA

v
1 a
VT

n condiiile aproximrii de mai sus expresia curentului

VA
VA

VA

v
v
i A I A 0 1 a e VT 1 I A 0 e VT 1 I A 0 e VT a I A i a

,
V
V

T
T

c.c.

va conine componenta de curent continuu IA (a crei expresie am

stabilit-o) i o component variabil, notat ia .
n expresia componentei variabile a curentului intervine partea
variabil a tensiunii i conform legii lui Ohm

VA
VT

I A0 e
ia
VT

v 1 v
a,
a R
ca

putem identifica expresia rezistenei diodei n regim variabil

1 D I A0 e

Rca
VT

VA
VT

IA
qI A

mkT mkT
q

n condiii de regim variabil, dioda semiconductoare se exprim

la polarizarea direct printr-o rezisten notat cu

Rca

mkT
qI A

R ca

a crei valoare

depinde de valoarea componentei de curent continuu I A . Rezistena

invers a dispozitivului este de cele mai multe ori considerat foarte
mare, aa nct pentru regimul cvasistaionar se utilizeaz schema
echivalent din figura 1.27a .
n cazul n care frecvena semnalului este mare, schema
echivalent se completeaz cu cele 2 capaciti, la polarizarea direct
cu capacitatea de difuzie i la polarizarea invers cu capacitatea de
barier schema echivalent fiind cea din figura 1.27b .

46
Cd
VAK>0

VAK >0

Rca

Rinv=

Rca

CB

b)
Fig. 1.27.

Diodele semiconductoare se utilizeaz la realizarea circuitelor

redresoare, a detectoarelor de nivel a stabilizatoarelor de tensiune
continu (diode Zener) .a.

1.9 Tipuri de diode semiconductoare cu jonciune

n prezentul paragraf se trec n revist principalele tipuri de
diode utilizate curent n aplicaii. Diferenierea se face n funcie de
zona de funcionare pe care o folosete aplicaia A. diode la care se
utilizeaz caracteristica static de la polarizarea n conducie a diodei,
cealalt ramur a caracteristicii fiind utilizat pentru blocarea
curentului (ideal ar fi ca rezistena s fie infinit)
A. diode se utilizeaz caracteristica static de la polarizarea
invers a diodei, cealalt ramur nefiind utilizat (dioda Zener)
Notaii:
IF
VF

- curentul la polarizare direct;

- cderea de tensiune la polarizarea direct;

VR max - tensiunea invers maxim VBR ;

IR

- curentul la polarizare invers.

A. Diode n polarizare direct

47

Diode de comutaie sunt caracterizate prin viteza mare de

rspuns, pentru c evacuarea sarcinii stocate se face rapid. Pot lucra la
frecvene mari ale tensiunii de alimentare.
I Fmax 200mA ; I F 10100mA ; VR max 75V ; VF 1V ;

Diode de uz general
I Fmax 150mA ; I F 800mA ; VR max 20 50V ; VF 1V ;

Diode de nalt tensiune sunt caracterizate prin faptul c suprt

tensiuni mari de polarizare invers. Spre exemplu TV13, TV18, .a.
I Fmax 0,2mA ; VR max 13KV ;

Diode de putere sunt realizate pentru a vehicula puteri mari i

foarte mari.
I Fmax 5500A ; I F 1100 A ; I R 6mA ; VR max 13001800V ; VF 1,4V ;

B. Diode n polarizare invers

Diode stabilizatoare sunt realizate aa fel nct s poat
funciona n zona reversibil de strpungere. Este cunoscut sub
numele de diod Zener.
VZ max 0,75 200V ; I Z 5 700A ; rZ 21500 ;

Puteri disipate

0,4W | 1W | 4W | 10W | 20W.

n figura 1.28 este prezentat caracteristica static a diodei Zener.
Zona de polarizare invers, corespunztoare strpungerii
reversibile poate fi aproximat
prin ecuaia VZ VZ rZ I Z , n care apar Vz0 tensiunea de
0

stabilizare i rz rezistena intern a diodei.

48

IA
NU
VZ

VBR VZ 0
I min

VAK

I max

zona de
strpungere
reversibil

IZ
Fig. 1.28
D

Rezistena intern se definete prin relaia rZ

VZ
.
IZ

Tensiunea de stabilizare VZ se modific cu temperatura conform

0

ecuaiei:
VZ0 VZ0T 1 Z T ,

n care coeficientul de variaie cu temperatura are valori din domeniul

Z 2 8 10 4 / C

Diodele Zener se construiesc pentru tensiuni cuprinse n

domeniul 1,5...200V.

L0

cu tensiunea < 5V avem z negativ pentru

c predomin fenomenul de tunelare, iar pentru tensiuni > 5V

pozitiv pentru c predomin fenomenul de avalan.

este