" ACERCA DE LOS AUTORES C. J. SAVANT, Jr., es un ingeniero dedicado a la educacin, Recibié su Ph.D. cum laude de\ California Institute of Technology y ha impartido cétedra en el sistema de la California State University, en los campus de Long Beach y Los Angeles. El doctor Savant posee el “Premio al Profesor Distinguido” otorgado por la California State University y constantemente es elegido por sus alumnos como el “profesor ‘més querido del Departamento de Ingenierfa Eléctrica” en la misma universidad. MARTIN S. RODEN es Jefe del Departamento de Ingenierfa Eléctrica y de Computacién en la California State University en Los Angeles. El Dr. Roden recibié su BSEE summa cum laude del Polytechnic Institute of Brooklyn, y iuego pas6 cinco.afios haciendo investigacién en los Laboratorios Bel, el'Iugar de na~ cimiento del transistor. Su interés en la educacién lo llev6 a la academia, donde ‘ocupé los cargos de Jefe de Departamento, Decano Asociado, Decano y Vicepre- sidente Asociado varias veces. Sin embargo, el principal amor del profesor Roden sigue siendo la ensefianza, por lo cual se le otorg6 el Premio al Profesor Dist guido de la Universidad. Es un miembro muy activo de la TEEE, obtuvo el Premio ‘al Consejero mas Distinguido, y es miembro del Institute for the Advancement of Engineering. GORDON CARPENTER es un Teniente Coronel retirado de la Fuerza Aérea de Jos Esiados Unidos, donde acumul6 més de veinteafios de experiencia en el diseio - y desarrollo de alta teenologia para el equipo de la USAF. Esta experiencia hizo al profesor Carpenter muy realista en sus métodos de educaci6n de los futuros inge- nieros. En su carrera en la Fuerza Aérea como director de R&D, entrené nuevos ingenieros para desarollar especificaciones de hardware a partir de requerimientos de sistemas y asegurar que el hardware pueda constrirse para cumplir esas es- pecificaciones. El Coronel Carpenter es un convencido partidario de la educacién orientada al disefo, y su experiencia prictica ha sido esencial para este texto.VvPREFACIO La presente obra ha sido escrita para utilizarse como texto en los cursos de clectrénica bésicos en programas de pregrado en ingenieria. El libro cubre tres &reas:- dispositivos discretos, circuitos integrados lineales y circuitos integrados Ip lp CA GIL Repién desérica o » © en directo. La regi6n desértica disminuye de tamafio debido a la atraccién de pportadores mayoritarios al lado opuesto. Esto es, el potencial negativo ala derecha atrae huecos a la regién p, y viceversa. Con una regién desértica més pequefia, la corriente puede fluir con mayor rapidez. Cuando.se polariza en directo, Ip—Is =I después-de alcanzar el equilibrio, donde J es la corriente a través de la uniGn. Por otra parte, si la tensi6n se aplica como en la figura 1.11(c), el diodo se polariza en inverso. Los electrones libres se llevan del material n hacia la derecha; ¥¥ del mismo modo, los huecos se llevan hacia la iaquierda. La regiGn desértica se ‘hace més ancha y el diodo acta como un aislante. Cuando se polariza en inverso, Is — Ip =1 luego de alcanzar el equilibrio, donde es 1a corriente a través de la unién. Operacién del diodo En la figura 1.12 se ilustran las earactersticas de operacién de wn diodo practice. Esta curva difiere de la caracterstica ideal de la figura 1.9(0) en los siguientes puntos: conforme la tensién en directo aumenta més allé de cero, la cortiente no fluye de inmediato. Es necesaria una tensién minima, denotada por V3, pare obtener una coriene significtiva. Conforme la tension tiende aexceder V, 8 €0- riente aumenta con rapide. La pendiente de la curva caracerstca es grande Pero ‘no infinita, como en el caso del diodo ideal. La tensién minima necesaria para obte- ner una corriente significativa, V,, es aproximadamente 0.7 V para semiconductores 39 Ma12 Capitulo 1 Andlisis de ciruitos con diodos semiconductores Figura 12 (Caracteriieas de operacin del dodo, Regi de polasiacion Repisn de potaizacion en desto 02 07 * Conesie |v, SH e pdida reste & Roprra de svalancha 4e silcio (a temperatura ambiente) y 0.2 V para semiconductores de germanio. La Giferencia de tensién para el silico y el germanio radica en la estructura at6mica e los materiales. Para diodos de arseniuro de galio, V, €s més 0 menos 1.2 V. ‘Cuando el diodo esta polarizado en inverso, existe una pequefia cortiente de fuga. Esta corrente se produce siempre que la tensién sea inferior a la requerida para romper la unién. La comiente de fuga es mucho mayor para los diodos de germanio que para los de silicio 0 arseniuro de galio. Si la tensién negativa es lo suficientermente grande como para estar en la regién de raptura, podria destruirse un diodo normal. Esta tensién de ruptura se define como tensién inversa pico (PIV, ‘peak inverse voliage) en-las especificaciones del fabricante (el Ap. D contiene hojas de especificaciones representativas. A menudo se hard referencia a ellas en €l texto, por lo que serfa conveniente tomar unos minutos para localizarlas en este momento). La curva de la figura 1.12 no esté a escala en la regi6n inversa, ya {que la ruptura por avalancha suele tener valores negativos de tensiGn elevados (generalmente 50 V0 més). El dafio al diodo normal en ruptura se debe a la avalancha de electrones, que fluyen a través de la uni6n con poco incremento en la tensién, La corriente muy grande puede destruir el diodo si se genera excesivo calor. Esta ruptura a menudo se conoce como la tensién de ruptura del diodo (Ve.1.2. Diodos semiconductores 13 Figura 1 Modelos de diodes o7v 7 Ry Diode ideat (© Modelo en ed (dteto einvers) ie z (@) Model simple en oa pars el diodo polarizado en inverse (© Modelo en ca para el diodo polaraado en diecto Los diodos se pueden construir para utilizar Ia tensién de ruptura a fin de simular ‘un dispositivo de control de tensidn. El resultado es un diodo Zener, que se analiza en la seccién 1.6. 1.2.3 Modelos de suite equivalentes del diodo cireuito mostrado en la figura 1.13(a) representa un modelo simplificado del diodo de silcio bajo condiciones de operacién en cd tanto en directo como en inverso, Las relaciones para este modelo se aproximan a las curvas de opereciGn del diodo de la figura 1.12. El resistor R representa la resistencia en polarizacion inversa del diodo y, por lo general, es del orden de megaohms (MO). El resistor ‘Ry representa la resistencia de bloque y contacto del diodo, y suele ser menor que ‘50.2. Cuando se encuentra polarizado en directo, el diodo ideal es un cortocireuto, 6 resistencia cero. La resistencia de circuito del diodo préctico modelado en la figura 1.13(@) es BUR) Ry a *14 Capitulo 1 Anélisis de circuitos con diodos semiconductores Bajo condiciones de polarizacién en inverso, el diodo ideal tiene resistencia infinita (Circuito abierto), y la resistencia de circuito del modelo prictico es R,. El diodo {deal que es parte del modelo de la figura 1.13(a) esté polarizado en directo cuando Ja tensiGn entre sus terminales excede de 0.7 V. Los modelos de circuito en ca son més complejos debido a que la operacién del diodo depende de Ia frecuencia. En la figura 1.13(b) se muestra un modelo simple en ca para un diodo polarizado en inverso. El capacitor, Cy, representa Ja capacitancia de unin. En la figura 1.13(€) se muestra el circuito equivalente fen ca para un diodo potarizado en directo. El modelo incluye dos capacitores, el capacitor de difusién, Cp, y el capacitor de unién, Cz. La capacitancia de difusién, Cp, se aproxima a cero para diodos polarizados en inverso. La resistencia dindmica es ra y esté dada por la pendiente de la caracteristica tensiGn-corriente. A baja frecuencias, los efectos capacitivos son pequefios y ra és el tinico elemento significativo. 1.3 FISICA DE LOS DIODOS DE ESTADO SOLIDO Ahora que se ha analizado la construccién del diodo y presentado una breve in- troduccién a los modelos pricticos del diodo, se explorardn algunos aspectos més detallados de las diferencias entre diodos précticos ¢ ideales. En el apéndice B se incluyen detalles adicionales. 1.3.1 Distribucién de carga [Los diodos se pueden visualizar como la combinacién de un semiconductor de tipo n conectado a un semiconductor de tipo p. Sin embargo, en una produccién real, se forma un solo cristal semiconductor con una parte del cristal contaminada por material de tipo n y la otra parte contaminada por material de tipo p. ‘Cuando existen materiales de tipo p y de tipo n juntos en un cristal, se produce ‘una redistribucién de carga. Algunos de los electrones libres del material n migran 2 través de la-unién y se combinan con huecos libres en el material p. De la misma forma, algunos de 10s huecos libres del material p se mueven a través de la uni6n y Se combinan con electrones libres en el material n. Como resultado de esta ‘edistribucién de carga, el material p adquiere una carga negativa neta y el material 1m obtiene una carga positiva neta. Estas cargas crean un campo eléctrico y una diferencia de potencial entre los dos tipos de material que inhiben cualquier otro movirhiento de carga. El resultado es una reduocién en el nmero de portadores de Corriente cerca de la unin, Esto sucede en un érea conocida como region desé El campo eléctrico resultante proporciona una barrera de potencial, 0 colina, en 421.3 Fisica de los diodos de estado sdlido 15 Figura 114 ‘Bueras de potecil. Potéacat Posiiéa tuna diteccién que inhibe la migracién de pontadores a través de la uni6n. Esto se muestra en la figura 1.14. Para producir una corriente a través de la unién, se ‘debe reducir la barrera de potencial o colina aplicando una tensi6n con la polaridad aptopiada a través del diodo. 1.3.2. Relacién entre la corriente y la tensién en un diodo Existe una relacién exponencial entre la corriente del diodo y el potencial aplicado. Es posible escribir una expresi6n dinica para la comiente que se aplique a condi- ciones de polarizacién tanto en directo como en inverso. La expresin se aplica siempre que la tensién no exceda la tensiGn de ruptura. La relacién se describe por medio de la ecuacién (1.1). [exe (22) - 1] an Los términos de la ecuacién (1.1) se definen como sigue: ip ip = comtiente en el diodo up = diferencia de potencial a través del diodo I, = comriente de fuga q = carga del electrén: 1.6 x 107" coulombs (C) k= constante de Boltzmann: 1.38 x 10-# °K T = temperatura absolvta en grados Kelvin rn = constante empirica entre 1 y 2, que a veces se refiere como el factor exponenciai de idealidad 4316 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores La ecuacién (1.1) se puede simplificar definiendo wr wet a q Esto da inele [= (2) 5 H| a2 Si se opera a temperatura ambiente (25°C) y sélo en la regién de polarizacién en directo (vp > 0), entonces predomina el primer término en el paréntesis y la corriente esté dada aproximadamente por ip = Teexp. (3) as) Estas ecuaciones se ilustran en la figura 1.15, La comrente de ssturacin inversa, Ie, eS funcign de la pureza del material, de la contaminacién y de la geometia del diodo. La constante empirica, n, es un ‘iimero propiedad de la construcciGn del diodo y puede variar de acuerdo con los niveles de tensiGn y de corriente. Sin embargo, algunos diodos operan sobre un ‘ntervalo considerable de tensign con una constante n aceptable. Si m = 1, el valor de nVp es de 26 mV a 25°C. Cuando n = 2, nVp tiene un valor de 52 mV. Para diodos de germanio, por lo comin se considera que n es 1. Para diodos de silcio, 1a teorfa de Sah-Noyce-Shockley (SNS) [47] predice que n deberia ser 2. Aunque se predice el valor de 2, muchos diodos de silicio operan con n en el intervalo 13 a 16. El valor de n puede variar un poco, inclusive en una produccién particular debido a la tolerancia durante Ia fabricacién, la pureza del material y los niveles de contaminacién ((36], Sec. 1.2). ‘Ya se tiene la informacin necesaria para evaluar Ia relacién entre la corriente ¥y Ta tension en un punto de operacién Q. Aunque las curvas para la regién en directo mostradas en la figura 1.15 recuerdan una linea recta, se sabe que la linea ‘no es recta, ya que sigue una relacién exponencial. Esto significa que la penidiente de la linea se modifica conforme cambia ip. Se puede diferenciar Ia expresién de Ja ecuacién (1.3) para encontrar la pendiente en cualquier ip dada: io [oe (38)] wp a as) Para eliminar la funci6n exponencial, se resuelve la ecuaci (1.2) a fin de obtener ee aaFigura 115 Relacin tensiGn-comiene en el dodo 1.3.3 1.3. Fisica de los diodos de estado s6lido 17 ip= le av; (Sato region deca) vy % (Toda ta curva) ip Te +1 vw (3%) ‘Entonces, al susttur esta expresi6n en la ecuacién (1.4) se tiene dip Gv +h) dup Vy La resistencia dinfmica, rg, ¢s el reefproco de esta expresi6n, © Vr . Vr “+ ~ t4 ip ‘Aunque se sabe que ra cambia cuando cambia ip, se puede suponer fija para um intervalo de operaciGn espectfco, Se utiliza el término Ry para denotar 1a resistencia del diodo en directo, la cual se compone de rg y la resistencia de contacto. Efectos de la temperatura ‘La temperatura tiene un papel importante en la determinacién de las caracteristcas coperacionales de los diodos. Los cambios en estas caracteristicas provocados por cambios de temperatura requieren ajustes en el disefio y empaquetado de los Circuitos. 4518 Capitulo 1 Andlisis de cireuitos con diodos semiconductores Figura 1.16 7 Dependencia de Ip hacia la tempera. TT To T>T\>T Vy Conforme aumenta la temperatura, disminuye la tensién de encendido V;. Por otra parte, un descenso en la temperatura provoca un incremento en V,. Esto se ilustra en la figura 1.16. Aqui V, varia linealmente con la temperatura de acuerdo ccon la siguiente ecuacién (se supone que la corriente del diodo, ip, se mantiene constante): Vy(Ty) — Va (To) = RT — To) donde Te = temperatura ambiente, 025° T; = nueva temperatura del diodo en °C Vi(C,) = tens del diodo a temperatura ambiente VAT k = coeficiente de temperatura en V/°C tensién del diodo a la nueva temperatura ‘Aunque de hecho k varia con cambios en los parémetros de operacién, la préctica estindar en ingenier‘a permite suponer que es constante. A continuacién se mues- tran valores de k para varios tipos de diodos ({50}, Sec. 1.11): ~2.5 mVFC. para diodos de germanio -2.0 mVFC para diodos de silicio 1:5 mVFC para diodos de Schottky 46Ejercicios 1.3. Fisica de los diodos de estado sélido, 19 Vy(Zz) es igual a os valoces mostrados abajo. diodos de silicio: onVv diodos de germanio: o2V diodos Schottky: 03V diodos de arseniuro de galio: 1.2 V La comiente de saturacién en inverso, I,, es otro pardmetro que depende de Ja temperatura. Aumenta aproximadamente 7.296/°C para diodos tanto de silicio ‘como de germanio. En otras palabras, J. se duplica mas o menos por cada 10°C de aumento en la temperatura, La expresiOn para la corriente de saturacién inversa fen funci6n de la temperatura es IAT) = ToT exp [BCT - T)] donde kj =0.072/C y Ty 7; son dos temperaturas diferentes. Esta expresi6n se puede simplificar y reesctibir como: To(Pa) = ToT APO as) Esta simplificacién es posible porque OP a2 1.1 Cuando un diodo esté en conduccién a 25°C, hay una cafda de 0.7 V entre sus terminales. {Cufl es la tensi6n, V>, a uavés del diodo a 100°C? Reps Vj, =0.55.V 1.2 El diodo descrito en el ejercicio D1.1 se enfria a ~100°C. ;Cusl es la tension necesaria para establecer una corriente apreciable a la nueva temperatura? Resp: Vy =0.95.V Lineas de carga del diodo ‘Como el diodo es un dispositivo no lineal, se deben modificar las técnicas estindar de anilisis de circuitos. No se pueden escribir ecuaciones simples y resolver para las variables, ya que las ecuaciones s6lo son vélidas dentro de una regién particular de operacién. a a20 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores Figura 117 ‘Gauita con dio. (2) Circuito del diodo Vs % Noo 8s IR + Yoo (©) Linea de carga en ef dodo ‘A menudo un circuito cofitiene fuentes de ed y fuentes variables en el tiempo. Si se hace a las fuentes variables iguales a cero, la tnica energfa suministrada a Jos circuitos proviene de las fuentes de cd. Con las fuentes variables en el tiempo fuera del circuit, la tensi6n y la corriente en el diodo definen lo que se conoce como punto de operacién en reposo (punto Q). En a figura 1.17(a) se ilustra un cicuito con un diodo, un capacitor, una fuente y dos esistores. Si se denomina a la corrientey ala tensiGn del diodo como las dos inobgnitas del circito, se necesitan dos ecuaciones independientes que incluyan estas dos incégnitas para encontrar una soluci dnica para el punto de operacién. Una de las ecvaciones es la restricci6n proporcionada por los elementos conectados al diodo. La segunda es la relacién real entre corviente y tensi6n para el diodo. Esias dos ecuaciones se deben resolver simulténeamente para determinar la tensi6n y la corriente en el diodo. Esta solucién simulténea se puede levar a cabo en forma gréfica. Si-en primer lugar se toma la condicin de cd, la fuente de tensiGn se vuelve simplemente Vs, y el capacitor es un circuito abierto (es decir, la impedancia del 481.3. Fisica de los diodos de estado sélido 21 capacitor es infinita a frecuencia cero). Por tanto, la ecuacién de lazo se puede escribir como Vs = Vp + Vai = Vo $Zii+ Jo? Vp=-Rilp+Vs a6) Esta es Ia primera de dos ecuaciones que incluyen la corriente y la tensién del iodo. Es necesario combinarla con la caracteristica del diodo y resolver para el punto de operacién, La gréfica de esta ecuacién se muestra en la figura 1.17(0) y se etiqueta como “linea de carga en cd”. La grifica de la caracteristica del diodo también se muestra en el mismo conjunto de ejes. La interseccién de las dos ‘grficas da la solucién simultinea de las dos ecuaciones y se etiqueta como “punto Q” en Ia figura. Este es el punto en el cual opera el circuito con las entradas variables iguales a cero. La Q (quiescent) denota condicién de reposo. SSi ahora se aplica una seffal variable en el tiempo ademés de la entrada de cd, cambia una de las dos ecuaciones simultineas. Si se supone que la entrada variable es de una frecuencia suficientemente alta como para permitir la aproximacién del capacitor como un cortocircuito, Ia nueva ecuaci6n est dada por (1.7): vy = va ie(Ry || Re) v= =(Ri || Radia + ¥s an De los mychos parémetros, s6lo se han considerado los componentes variables en el tiempo. (Notese la utilizaci6n de letras minisculas para las variables. Considérese Ja simbologia de etiquetas presentada al principio del texto.) Entonces, el valor total de los parémetros esté dado por y la ecuacién (1.7) se vuelve p= Voq = ~(Rs | Ri Xip ~Ipq)+ % Esta sitima ecuaciGn se etiqueta como “linea de carga en ca” en la figura 1.17(0). La linea de carga en ca debe pasar a través del punto @, ya que en los momentos en que la parte variable se hace cero, las dos condiciones de operaciOn (cd y ca) deben coincidir. Por tanto la linea de carga en ca se determina de manera \inica, ~ 4922 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores Ejemplo 1.41 h La fuente de tensién, ug = 1.1 + 0.1 sen 1000t ‘se coloca a través de una combinaciGn en serie de un diodo y un resistor de 100 2, ‘como se muestra en la figura 1.18. Encuéntrese la corriente, ip, si SOLUCION Se utiliza LTK para la ecuacién en ed a fin de obtener Ve=V,+IoRe Ye-¥y He Ibe 100 mA Esto fija el punto de operacin en cd del diodo. Se necesita determinar la resistencia dindmica (se utiliza el simbolo Ry en ver de ra, porque el primero incluye la resistencia de contacto) para poder establecer la resistencia de la uni6n polarizada fen directo para la sefial de ca. ‘Utilizando 1a ecuacién (1.4a) y suponiendo que la resistencia de contacto es despreciable, se tiene ay Ft Ow 100 ‘Ahora se puede reemplazar el diodo por un resistor de 10 9, con la salvedad de que permanezca polarizado en directo durante todo el periodo de la sefial de entrada de ca. Utlizando otra vez LTK, se obtiene vy = Ryigt Rria * Ry Rt TiO fa 0.91 sen 10008 mA Por tanto, la corriente del diodo esté dada por ip =4+0.91 sen 1000t mA ‘Como ip siempre es positiva, el diodo se encuentra potarizado en directo todo el tiempo, y la solucién esté completa. ‘ 50Figura 1 Cito con diodo en 13.5 13.6 1.3. Fisica de los diodos de estado sélido 23 bs 1000 Si la amplitud de la corriente en ca es mayor que él valor de ta corriente en cd, la solucién se debe modificar. En ese caso, cuando la amplitud de corriente en ca en la parte negativa es mayor que el valor en ed, el diodo se polariza en inverso y la coments se nul. Esta situaci we anna ena seceida 18 ¢ Capacidad de manejo de potencia Los diodos se clasifican de acuerdo con su capacidad de manejo de corriente. Las ccaracteristicas se determina por la construccién fisica del diodo (por ejemplo, el tamafo de la unién, el tipo de empaque y el tamafio del diodo). Las especificaciones del fabricante se utilizan para determinar la capacidad de potencia de un diodo para ciertos intervalos de temperatura. Algunos diodos, como los de potencia, se clasifiean por su capacidad de paso de cortiente. La potencia instanténea disipada por un diodo se define por medio de la ex- presién de la ecuaci6n (1.8): po=vpip as) Capacitancia del diodo El cireuto equivalente del diodo incluye un pequefio capacitor. El tamafio de este capacitor depende de la magnitud y polaridad de 1a tensién aplicada al diodo, asf como de las caracteristicas de la uni6n formada durante la fabricacin, En el modelo simple del diodo de unién mostrado en la figura 1.19, la regién alrededor dela unign es deficiente ef electrones y huecos. En el lado p de la unién existe una gran concentracién de huecos, mientras que en el lado 7 18 concen- traci6n de eleetrones es grande. La difusién de estos eletrones y huecos se produce cerca de la uni6n, provocando wna corriente de difusin iniial. Cuando los huecos se difunden hacia la regi6n n a través de la nin, se combinan répidamente con los electrones mayoritarios presentes en el drea y desaparecen. Del mismo modo, Jos eleetrones se difunden a través de Ia uniGn, se recombinan y desaparecen. Esto forma una regiGn desértca (a veces Hamada regién de carga espacial) cerca de la unién debido a la recombinacién de electrones y huecos. Conforme se aplica una tensi6n inversa a través de la unién, esta regi6n se ensancha, provocando que la regiGn desértca aumente de tamaio. st24 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores Movimiento de huecos debido 's polaizacin iaversa Movimiento de eleewones dbido \ - ' polaiaci savers 1 Regis TF estrics Hiuxso ——9 +0 SO Electén oe ee oo eee Figura L19 Modelo de dio y circuit equivalence 14 1.4.1 La regién desémtica actia como aislante. Por tanto, un diodo polarizado en inverso actéa como un capacitor cuya capacitancia varia en raz6n inversa a la raiz cuadrada de la tensiGn a través del material semiconductor. La capacitancia equivalente para diodos de alta velocidad es inferior a 5 pF. Esta capacitancia puede legar a ser tan grande como 500 pF en diodos de alta co- rriente (baja velocidad). Se deben consultar las especificaciones del fabricante para El lado izqujerdo de esta ecuacién es la pendiente, my, del andlisis de la secci6n anterior. El lado derécho es la méxima pendiente de la sefial de audio (es decir, el ‘méximo valor de la derivada de Vm senist). Resolviendo para el valor limite de la capacitancia, se encuentra nell ORpm aan Esta ecuacién se puede utilizar para seleccionar el valor del capacitor cuando se conoce la resistencia de carga. DI.7 Una portadora de radiofrecuencia de 15 Mz se modula con una sefial de ‘5 KHz con un {adice de modulacién de 0.5. Sila resistencia de carga del detector es 5. KM, gqué valor de capacitor se debe afiadir en paralelo a la carga para filtrar Ia sefial de radiofrecuencia? Resp: 0.013 pF DL Si el capacitor detector del ejercicio D1.7 se cambia a 0.01 pF, jhasta qué valor se puede elevar la frecuencia modulante para filtrar la RF al mismo grado que en el ejercicio D1.7? Resp: 6.37 kHz DIODOS ZENER lOTECA El diodo Zener es un dispositive donde la contaminacién se realiza de tal forma i6n caracteristica de ruptura 0 avalancha, Vz, es muy pronunciada. 6 k34 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores 1.6.1 Si la tensi6n en inverso excede la tensiGn de ruptura, el diodo normalmente no se Gestruye. Esto siempre que la corriente no exceda un maximo predeterminado y el dispositivo no se sobrecaliente. ‘Cuando un portador generado en forma térmica (parte de la corriente de satu- zacién inversa)atraviesa la barrera de la unién (véase Fig. 1.14) y adquiere energta el potencial aplicado, el portador choca con iones en el cristal e imparte sufi- ciente energia para romper un enlace covalente. Ademds del portador original, se genera un nuevo par electr6n-hueco que puede tomar suficiente energia del campo aplicado para chocar con jones en ouo cristal y crear nuevos pares elect6n-hueco. Esta acci6n contintay asf se rompen los enlaces covalentes; este proceso se conoce como multiplicacién por avalancha 0 ruptura por avalancia. Existe un segundo mecanismo por el cual se rompen los enlaces covalentes. La utilizacién de un campo eléctrico bastante fuerte en la unién puede provocar Ja ruptura directa del enlace. Si el campo eléctrico ejerce una fuerza intensa en un electrén de enlace, el electén se extrae del enlace covalente provocando Ta rmultiplicacién de pares electr6n-hueco. Eite mecanismo se lama ruprura Zener. El valor de la tensién inversa al cual se produce este fendmeno se controla con la cantidad de contaminante en el diodo. Un diodo fuertemente contaminado tiene baja tensiGn de ruptura Zener, mientras que un diodo poco contaminado tiene una tension de ruptura Zener elevada, ‘Aungue se describen dos mecanismos distintos para que se produzca la ruptura, 1 menudo se intereambian."Con valores de tensiGn por arriba de aproximadamente 10 V, el mecanismo predominante ¢s la nuptura por avalancha ((35], Sec. 2.9). Como el efecto Zener (avalancha) se produce en un punto predecible, el diodo se puede utilizar como referencia de tensiGn. La tensi6n inversa a la cual se produce la avalancha se lama tensién Zener. 1a caraceristica de vin diodo Zener tipico se muestra en la figura 1.28, El sfm- bolo de circuito para el diodo Zener es diferente del de un diodo regulary se ilustra cen Ja figura 1.28 La méxima comiente inversa, Izmuy que puede soporar el diodo depende del disefio y ta construccién de éste. La cortiende de pérdida (znia) por de- bajo del vértice de la curva caracteristica generalmente se supone que es 0.1 Tmax La utilizaciOn de Izqiq asegura que 1a curva de avalancha permanezca paralela al je ip entre Izmix € Tzmie- La cantidad de potencia que el diodo puede soportr 8 Pz = IzmisVz Regulador Zener Se puede utilizar un diodo Zener como regulador de tensién en la configuracion ‘mostrada en Ia figura 1.29. En la figura se ilustra una carga cuya resistencia puede variar sobre un intervalo particular. Este circuito se disefia de tal forma que el diodo opere en la regién de ruptura, aproximindose asf a una fuente ideal de tensi6n. La tensiGn de salida permanece relativamente constante aun cuando la tensi6n de ta fuente de entrada varfe sobre un intervalo més 0 menos amplio ({49], Sec. 4.4). 621.6 Diodos Zener 35 Figura 1.28 ip iodo Zener { Region de Regidn de polarizacisn inversa polazasin direc 1 tea 10% lami \ iodo Diode regular Zener Veni Figura 129 Regulado Zener. Es importante conoter el intervalo de la tensi6n de entrada y de la corriente de carga para disefiar este circuito de manera apropiada. La resistencia, Ry, debe set tal que el diodo permanezca en el modo de tensién constante sobre el intervalo completo de variables. ‘La ecuacién de nodo para el eircuito de la figura 1.29 da ve —Vz _u- Ve az 6336 Capitulo 1 Andlisis de cicuitos con diodos semiconductores ara asegurar que el diodo permanezca en la regi6n de tensién constante (ruptura), se examinan los dos extremos de las condiciones de entrada-salida. 1. Lacomriente a través del diodo iz es minima cuando la corriente de carga iz. es méxima y la fuente de tensi6n vs es minima, 3 2. La comriente a través del diodo iz es méxima cuando la corriente de carga iz es minima y la fuente de tensién vs es méxima. Cuando estas caracteristicas de los dos extremos se insertan en la ecuacién (1.12), se encuentra Condicién 1 Ryo em (1.138) Contcin 2: Ri = Pome V2 3b) Se igualan (1.130) y (1.136) para obtener (Ws min ~ Va Ti, mio + 12 mix) = (V5 mix ~ Ve (Ut mtx + I rain) (1.130), En un problema prictico, es razonable suponer que se conoce el intervalo de tensiones de entrada, el intervalo de corriente de salida en la carga y el valor de tensién Zener deseado. La ecuacién (1.13c) representa por tanto una ecuacién en dos incégnitas, las corrientes Zener méxima y minima. Se encuentra una segunda ecuaciGn examinando la figura 1.28. Para evitar la porcién no constante de la curva caracteristica, se utiliza la regla prictica de que la méxima corriente Zener debe ser al menos 10 veces mayor que la minima ((46], Sec. 5.4); esto es, Tenn = 0.12 wis Este ¢s un criterio de disefio aceptable ‘Ahora se escribe la ecuacién (1.13c) como Ws nia = Vala Tz ess) (Vs mia — Va) Et ts + 0.10 rte) Resolviendo entonces para la méxima cortiente Zener, se obti Tema = Lente — Vs nis) + Tn ma(Vs te ~ V2) 2 mite = Vs win — 0.9Vz — 0.1V 5 max Ahora que se tiene la méxima corriente Zener, el valor de R; se puede calcular de Ia ecuacién (1.13a) 0 de la (1.136). —$$$$$$____«Figora 130 Regulador con dado Zener. 1.6 Diodos Zener 37 Ejemplo 1.2 |, Disefio de un regulador Zener Diséfiese un regulador Zener (Fig. 1.30) para cada una de las siguientes con- diciones: a, La comiente en Ia carga varia de 100 mA 2 200 mA y la fuente de tensiGn varia de 14 V a 20 V, >. La comiente en la carga varfa de 20 mA a 200 mA y la fuente de tensién vara de 10.2 a 14 V. Utilicese un diodo Zener de 10 V en ambos casos. SOLUCION a. El disefio consiste en elegir el valor apropiado de la resistencia, Rj, y la esti- smacin de potencia para el Zener. En primer lugar se utilizan las ecuaciones de esta seccién para calcular la méxima corriente en el diodo Zener y luego. encontrar el valor del resistor de entrada. De la ecuacién (1.14), se obtiene Tome = S100 = 14+ 0.2000 ~ 10) 2 mte = 14 —9,9(10) = 0.1000) = 0.533 A 3 Entonces, de la ecuacién (1.136), se obtiene R; como sigue: Vemux—Vz___20-10 1533 +01 5.8.2 Tent * Toate No es suficiente especificar s6lo la resistencia de Rj, también se debe se- leccionar el resistor apropiado que maneje la potencia estimada. La maxima potencia esté dada por el producto de la tensién por la corriente, utilizando el méximo de cada valor. Pr = Inmis(V5 mix ~ V2) Tz mis + Tismia)(V5 mtx ~ Vz) 63 x 10= 6.3 W38 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores Por siltimo, se debe realizar la estimacién de potencia del diodo Zener. La ‘méxima potencia disipada en el diodo Zener esté dada por el producto de la tensi6n y la cortiente Pz = Vela pi = 10x 053=5.3W b. Repitiendo os pasos para los parémetros de la parte (b), se obtiene 0.02(10 — 10,2) +0.2(14 ~ 10) 10.2 = 0.9(10) = 0.1(14) Ta mis 4A El valor negativo de Iz mie indica que el margen entre Vsnin y Vz no es lo ‘bastante grande para permitir a variacin de la corrente en la carga. Esto es, bajo la condicién del peor caso de 10.2 V de entrada y 200 mA de corriente en la carga, no es posible para el Zener mantener 10 V a uavés de sus terminales. Por tanto, el regulador no opera comectamente para ninguna eleccién de resistencia. El circuito regulador Zener de Ia figura 1.30 se puede combinar con el restif- cador de onda completa de la figura 1.24 para obtener el regulador Zener de onda completa de la figura 1.31 El componente Rr se llama resistor de sangria y se utiliza para proporcionar tun trayecto de descarga para el capacitor cuando se quita la carga. Por lo comin, los resistores de sangria son resistencias altas para que no absorban una potencia significativa cuando el circuito estd en operacién. Como Ry es mucho mayor que AR, se desprecia en el siguiente andliss El valor de Cp se encuentra adaptando la ecuaciGn (1.10) a esta situaciOn, La resistencia en la ecuacién es la resistencia equivalente a través de Cr. El diodo Zener se reemplaza por una fuente de tensién, Vz. La resistencia equivalente es entonces la combinacién en paralelo de Re y Ry. Como Re es mucho mayor que Ry, la resistencia es mis © menos igual a R,. Puesto que la tensi6n a través de Rj no cae a cero, como es el caso del rectificador de onda completa, en la ecuaciGn (1.9) Vass $€ debe reemplazar por Ia excursién total de tensiGn. Por tanto, el capacitor queda especificado como en la ecuaci6n (1.15), donde se supone que @ (ia raz6n del transformador) es 1 Figura 1.31 Regulador Zeer de onda complet R, Dh Ji : no 1 ™ -} ve pt +1.6.2 1.6 Diodos Zener 39 SVs = Va) Or = ER as) La tensién més grande que se coloca sobre el regulador es Vs mux. Como antes, AV 8 el rizo pico a pico y fp la frecuencia fundamental de la forma de onda retificada (es decir, el doble de la frecuencia original para rectiicaci6n de onda completa) Diodos Zener practicos y porcentaje de regulacién En a seccién anterior se supuso que el diodo Zener era ideal. Esto es, en la regién de ruptura por avalancha, el diodo se comporta como fuente de tensién constante. Esta suposicin significa que la curva de Ja figura 1.28 es una linea vertical en la regin de ruptura. En la préctica, esta curva no es vertical, y Ia pendiente es provocada por una resistencia en serie. La tensiGn de ruptura es enfonces una funci6n de la coriente en vez de una constante. El diodo Zener prctico se modela como se muestra en la figura 1.32. Este modelo reemplaza al diodo Zener con un diedo ideal en serie con una resistencia, Rz. Para mostrar los efectos de este resistor en serie, se resuelve nuevamente el ejemplo 1,2. Se supone que se incorpora un diodo Zener préctico en el cicuito, con una resistencia de diodo Rz = 22. En ese ejemplo, se utiliza el cireuito de la figura 1.30 como un regulador donde la méxima coriente Zener es 0.53 A. Se supone que Izu es el 10% de Iznss, 0 0.053 A. Dedido a Rz, Ia tension de salida (a través de la carga) ya no es la constante 10 V. Los valores minimo yy méximo de esta tensin se encuentran a partir de la figura 1.32, uilizando los valores de corriente mfnimo y méximo. La tensién a través del diodo ideal de la figura 1.32 es 10 V, por lo que se puede escribir Vermin = 10+ (0.053 x 2) = 10.1 V Vomis = 10+ (0.53 x 2) = 11.1 V Figura 1:32. Cizeuito Zener equivalent yMe o740 Capitulo 1 Andtisis de circutes con diodos semiconductores Ejercicios El porcentaje de regulacién se define como la excursi6n de tensién dividida entre. cl valor de latensiGn nominal. A menor porcentaje de regulacién, mejor regulador. Por tanto, en este ejemplo, Vo mtx ~ Vo nip _ 1.1~10.1 rcentaje de reg. = = Ls 2 io Vo vomis 10 0.1, 0 10% Este valor d& regulacién es pobre, y la regulacién se incrementa limitando la corriente en el Zener a un valor més pequefio. Esto se consigue wilizando un amplificador en serie con la carga. El efecto de este amplificador es limitar las variaciones de coriente a través del diodo Zener. Estos amplifcadores se estudian en el capitulo 6. _ DL9 Un circuto regulador Zener (véase Fig. 1.30) tiene una entrada cuya tensién varia entre 10 y 15 V y una carga cuya comiente varia entre 100 mA y 500 mA. Encuénrense los valores de Ri ¢ Iz x Suponiendo que se uiliza un Zener de 6 V. Resp: 6.33.9; 132A D1.10 Enel ejercicio D1.9, encuéntrense las estimaciones de potencia para el diodo Zener y para el resistor de entrada. Resp. 7.94 W; 128 W D1.11 En el ejercicio 1.9, encuéntrese el valor del capacitor necesario si la fuente es Ia salida de un rectificador de media onda con una entrada de 60 Hz. Resp. 3800 uF D112 Si no se utilizara el resistor, Re, en el circuito de la figura 1.31, y hubiera un transformador de derivacién central 4:1 con una entrada de 120 V rms a'60 Hz, {qué valor para Rj seria necesario para mantener 10 V a través de una carga cuya Corriente varia entre 50 mA y 200 mA? Sup6ngase que la tensién minima permitida en Ia entrada del regulador es 14 V. Resp: 148.2 D113 {Qué valor de capacitor es necesario en el regulador del ejercicio D1.12 ‘para mantener una tensi6n minima de 14 V? Resp: 697 pF D1.14 En el circuito del ejercicio D1.12, supéngase que Ia tensién de entrada varia de 110 V a 120 V ims a 60 Hz. Selecci6nese un valor de capacitancia que se se eenww LT Disefo de una fuente de poder usando un cireuito integrado 41 ‘acomode tanto a una variaci6n de corriente de carga de 50 mA a 200 mA como a 1a variaci6n de tensiGn de entrada especificada. Resp: C= 922 pF DISENO DE UNA FUENTE DE PODER USANDO UN CIRCUITO INTEGRADO Los reguladores se empaquetan como circuitos integrados (CD; como ejemplo, se enfocari la atencién sobre la serie MC78XX. Las hojas de especificaciones apropiadas aparecen en el apéndice D, y se deben considerar durante la siguiente exposicién, Se pueden obtener varias tensiones diferentes de la serie de CI 7800; éstas on 5, 6, 8, 8.5, 10, 12, 15, 18 y 24 V. Todo lo que se requiere para disefiar un regulador alrededor de tno de estos Cl es seleccionar el transformador, 10s diodos yeel filtro. En la figura 1.33 se muestra un cireuito caracterfsico. Lanhoja de especificaciones para este CT indica que debe existir una terra comin centre Ia entrada y Ia salida, y que la tensi6n mfnima en la entrada del CI debe estar al menos.2 6 4 V por encima de la salida regulada. Para asegurar esta sltima condicién, es necesaro fltrar la salida del rectificador. En la figura 1.33, Cr realiza este fitrado cuando se combina con la resistencia de entrada del CI. La resistencia de entrada equivalente m4s pequefia del CI esté dada por Visnia/ Tints. Entonces 5(Vs mix — Vi) OF Ban fyVsmal lime am donde Vs mix €$ la tensién més grande que sé aplica al CI, AV es la caida de tensin del capacitor (es dei, la tensén pico mis pequefia aplicada al Cl menos Ja tensi6n de salida del CT més 4 V) y fp es el mimero de pulsos por segundo. El capacitor de salida, Cp, se afiade para ayudar a aislar los efectos de la err Feouncia provenines dela cuter de ears. ‘Figura 1.33. Fuente de alimensacion eguada, Sy Dt Earda oe vy [C7008 ——2 ee = cc Y 6942 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores Los reguladores de la serie MC7900 son idénticos a los de la serie 7800, con la cexcepcién de que los primeros proporcionan tensiones reguladas de salida negativas en vez de positivas. Ejemplo 1.3 a Ejercicios ‘Sup6ngase que se desea disefiar un circuito regulador con CI para generar 12 V de salida en una carga cuya corriente varia de 5a 800 mA. SOLUCION Se use el circuito de Ia figura 1.33 con un regulador 7812. La salida Gel transformador esta dada por una onda senoidal rectificada completa de amplitud 115V3/6, 0 27.1 V (cero a pico) a 120 Hz. La fensi6n minima que se desea en la entrada del CI es Vomi = 1242= 14 V donde se utilizan 2 V por arriba de Ia salida deseada, La resistencia equivalente de carga mas pequefia es le raz6n entre la minima tensién y la méxima corriente, 0 16 Bere Ry (el peor caso) La diferencia de tensi6n entre el méximo y el minimo es V=21-162111V Entonces, de la ecuacién (1.15), se resuelve para el filtro capacitor: _ S@IA= 12) = TaG@reoy20 c = 451 uF Usilizando un capacitor de al menos 451 4F, se asegura que el regulador propor- cione 12 V regulados para cualquier carga que consuma una cortiente de hasta 800 ma. eo DLS Se utiliza un CI MC7812 como regulador con un transformador con deri- vvaciOn central para hacer la rectificacién de onda completa de una sefial de 40 V de amplitud pico a pico. {Cuél es el capacitor mas pequefio que se requiere para roporcionar una salida de 12 V a 400 mA? Resp: 332 uF 7018 18 Recortadores y fijadores 43 D116 En el ejercicio D1.15 se utiliza un MC7808 en lugar del MC7812. ;Cudl es el capacitor de menor valor necesario para filtar la sefial rectificada de onda completa? Resp: 332 uF RECORTADORES Y FIJADORES 1.81 Los diodos tienen otras aplicaciones aparte de la rectificaciGn y la detecci6n. Entre ellas estén las de recortar una sefial de entrada o limitar s6lo partes de la sefal. Los Vat Vy, Gory Wie Los recortes positive y negativo se pueden realizar sirnulténeamente, El resul- tado es un recortador polarizado en paralelo, que se diseha utilizando dos diodos n44 Capitulo 1 Analisis de circuitos con diodos semiconductores PPL Figura 134 Ciruitosreconadores pcos. 1 dos fuentes de tensién orientadas de forma opuesta. El circuito produce una onda 4e salida como.1a mostrada en la figura 1.36 cuando se suponen diodos ideales. La ‘extensién a diodos précticos es paralela al andlisis que conduce a los resultados de Ja figura 1.35. Otro tipo de recortadar es el polarizado en serie, ue se muestra en la figura 1.37. La baterfa de 1 V en serie con la entrada provoca que la sefial de entrada se superponge en una tensién de cd de —1 V en vez de estar simétrica alrededor el eje cero. Suponiendo que este sistema utiliza un diodo ideal, se encuentra ue el diodo de la figura 1.37(a) conduce s6lo durante la porcién negativa de la sefial de entrada condicionada (es decir, desplazada). Cuando el diodo se encuentra fen conduccién, la satida es cero. Se tiene una salida distinta de cero cuando el iodo no conduce. En la figura 1.37(b), lo contrario es cierto. Cuando Ia sefial condicionada es positiva, el diodo conduce y existe sefial en la salida, pero cuando ¢l diodo esté apagado, no hay sefial de salida. Aungue la operacion de 1os dos nR1.8 Recortadores y fijadores 45 Figura 135 Ferma de onda de slide para el ciruito dela figure 13400. | Did en i i | — directo — | circuitos es diferente, las dos salidas son idénticas. En la figura 1.37(c) y (é) se invierte la polaridad de la baterfa, y en la salida se obtienen las formas de onda mostradas. 1.82 Fijadores Una forma de onda de tensién se puede desplazar afiadiendo en serie con ella una fuente de tensi6n independiente, ya sea constante o dependiente del tiempo. La ‘fiacidn es una operacién de desplazamiento, pero la cantidad de éste depende de la 2B46 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores oh st Van 1V Figura 137 Reconador con poarzacn en serie. Vn ent Enns () Czeito Bjador (@) Salida cuando Vp < Vn Figura 138 Circuito fjador. 741.9. Tipos alternos de diodos 47 eM) nM) iC 4 4 al £ le yk ob ' ' i ae (@) Bouade (®) Fijudor con constane de tempo grande (9. Salida con constante tempo pegueta Figura 1.39 Fijacén en cero. forma de onda real. En la figura 1.38 se muestra un ejemplo de ijacion. La forma de onda de entrada se encuentra desplazada por una cantidad que leva el valor pico de la onda desplazada al valor Vp. Por tanto la cantidad de desplazamiento es la cantidad exacta necesaria para cambiar el méximo original, Vm, al nuevo réximo, Vp. La forma de onda se “fja” al valor Vp. Si la forma de onda en la entrada cambia, a canidad de desplazamiento se modifica de manera que la saida siempre se fijaen Vp. Ast el circuito de fijacién proporciona un componente de cod necesario para lograr el nivel de fijacin deseado. Un circuito de fjacién esté compuesto de una batera ( fuente de cd), un diodo, un capacitor y un resistor. El resistor y el capacitor se eligen de tal forma que Ja constante de tiempo sea grande. Es deseable que el capacitor se cargue a un valor constante y permanezca en ese valor durante el periodo de la onda de entrada. Si se cumple esta condicién y se supone que la resistencia en directo del diodo es cero, la salida es. una reproduceién de la entrada con el desplazamiento adecuado. ‘Cuando la salida uata de exceder Va, el diodo se polariza en directo y la salida se limita a Vp. Durante esos instantes, el capacitor se carga, Cuando se alcanza el ‘estado estacionaro, el capacitor se carga al valor Ve =Vn-Va En la figura 1.39 se ilustra un eircuito de fjacién donde la salida se fija a cero (€s decir, no existe baterfa, por lo que Vz = 0). Como el diodo se encuentra en irecci6n opuesta al del cireuto previo, se fija el minimo en lugar del maximo de la salida. Se muestra el cicuito con una onda cuadrada como entrada. Es impor- ‘ante que la tensin a través del capacitor permanezca aproximadamente constante durante el semiperiodo de la onda de entrada. Una regla practica de disefio es hacer que la constante de tiempo RC tenga al menos cinco veces la duracién del semiperiodo (es decir, cinco veces 1 ~ to 0 fa ~ i). En este caso, el circuito RC tiene menos del 20% de la constante de tiempo para cargarse 0 descargarse durante €l semiperiodo. Esto coloca el valor final en poco menos del 18% del valor inicial (@ sea, exp(~0.2) = 0.82). Si la constante de tiempo es muy pequefa, Ia onda se distorsiona, como se muestra en la figura 1.39(c). ((6], Sec. 1.22.) Para reducir el error a menos del 18%, se puede incrementar la constanté de tiempo (por ejemplo, 10 veces la duracién del semiperiodo), 7 ’48 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores 1.9 TIPOS ALTERNOS DE DIODOS: 1.94 Esta secci6n presenta brevemente los siguientes tipos de diodos: ‘© Schottky ‘© Varactor Tinel Emisor de Juz Fotodiodo PIN Diodos Schottky I diodo Schottky se forma al enlazar un metal, como aluminio o platino, a sili- cio de tipo n. Se utiliza a menudo en circuitos integrados para aplicaciones de conmutacién de alta velocidad. Su simbolo y su construccién se muestran en la figura 1.40. EI diodo Schottky tiene una caracteristica de tensi6n contra comrente similar ala del diodo de unién pn de silico, excepto porque la tensién en directo, V,, es 0.3 V en ver de 0.7 V. Cuando el diodo Schottky se opera en modo directo, se induce corriente por el movimiento de electrones del silicio de tipo n 1 lo largo de fa unién y a través del metal. Como los electrones se mueven casi sin resistencia’ través de los metals, el tiempo de recombinacién es pequefio, del orden de 10 ps. Esto es més répido que un diodo ordinario de unién pn. Pot tanto, el diodo Schottky es de gran valor en aplicaciones de conmutaci6n de alta velocidad. La capacitancia asociada con el diodo es pequefia. EI material metélico en el contacto 1 y la regién n poco contaminada forman tuna unin rectificadora, mientras que la regiGn n muy contaminada y el contacto 2 forman un contacto Shmico. Los electrones en direccién directa del silicio de tipo m cruzan la unién hacia el metal, donde existen muchos electrones disponi- bles. Esto produce un dispositive de portadores mayoritarios que contrasta con Jos diodos estindar de unién pn, donde los portadores minoritarios determinan las cearactefsticas del diodo. El diodo Schottky a veces se denomina diodo de barrera, ya que se forma una barrera a través de la unién debido al movimiento de electrones del semiconductor ala interfaz metélica. Los diodos Schottky son tiles en ta tecnologia de CI porque resultan féciles de fabricar y pueden construirse al mismo tiempo que-los otros componentes del Circuito integrado (chip). La fabricacién de un diodo Schottky en un circuito integrado requiere de un paso menos que la fabricacién de un diodo de unién pm, ya ue éste necesita la difusin adicional del tipo p. Las caracteristicas de bajo ruido del diodo Schottky lo hacen ideal para aplicaciones en supervisién de potencia de radiofreeuencias de bajo nivel, en detectores de alta frecuencia y en mezcladores de radar Doppler. 16@ Conduccisa Figura 140__Diodo Schott. 1.9.3 1.9.4 1.9 Tipos alternos de diodos 49 Regién de resistencia negatva Cava pan 1 dodo roma Figura 141" Caractertcas del dio eine Diodos varactor 1Los diodos de unién pn normales exhiben capacitancia cuando se operan en modo Ge polarizacién inversa. El diodo varactor se fabrica espectficamente para operar en este modo, La capacitancia ¢s una funcién de la inversa de tensi6n, Por tanto, €! diodo actia como capacitor variable, donde el valor de Ja capacitancia es una funcién de la tensi6n de entrada, ‘Un uso comin de este diodo es en el ascilador controlado por tensién (VCO, voltage controlled oscillator). El VCO es un generador senoidal-cuya frecuencia de salida depende de la tensiGn de entrada. Diodos tunel (diodo Esaki) El diodo tinel esté més contaminado que e! diodo Zener, provocando que la zona desértica sea pequefia. Esto aumenta la velocidad de operacién, por lo que el diodo tinel es dtil en aplicaciones de alta velocidad. Conforme aumenta la po- Jarizacién directa, la corriente aumenta con mucha rapidez hasta que se produce Ja ruptura. Entonces la corriente cae répidamente. Esta caracteristica se muestra en Ja figura 1.41. La regiGn de pendiente negativa de la caracteristica se puede modelar como resistencia negativa en serie con una fuente de od. El diodo ttine! €$ Util debido a esta regién de resistencia negativa. Como ejemplo, se puede uti- lizar en conjuncién con un circuito sintonizado para producir un oscilador de alta frecuencia y alta Q. La regiGn de resistencia negativa de un diodo tinel se desarrolla de manera caracteristica en el intervalo de 50 mV a 250 mV. Esta tensiGn relativamente baja limita sus aplicaciones ((36}, Sec. 3.4). Diodos emisores de luz y fotodiodos Ciettos tipos de diodos son capaces de cambiar la fuente de energia eléctrica fuente de energla luminica. El diodo emisor de luz (LED, light emiting diode) 750 Capitulo 1 Andlisis de cireuitos con diodos semiconductores transforma la corriente eléctrica en luz. Es sil para diversas formas de despliegues, ya veces se puede utilizar como fuente de luz para aplicaciones de comunicaciones por fibra 6ptica. Un electrén puede caer de la banda de conduccién a un hueco y liberar energta fen la forma de un fotén de luz. La relacién entre momento y energia en el silicio y el germanio es tal que el electrén libera su energ(a como calor cuando regresa de la banda de conduccién a la de valencia. Sin embargo, en un cristal de arsenfuro de galio el electrén produce un fotén cuando regresa de la banda de condiuccién a la de valencia, Aunque no existen suficientes electrones en un cristal intrinseco para producir luz visible, cuando se aplica polarizacién directa, se inyecta tun gran nimero de electrones del material nal p. Estos electrones se combinan con Inuecos en el material p en el nivel de energfa de la banda de valencia, y se liberan fotones. La intensidad de la luz es proporcional a la velocidad de recombinacién de electrones y, por tanto, proporcional a la cortiente del diodo. El diodo de arseniuro de galio emite ondas de luz en una longitud de onda cercana a la banda infrarroja. Para producir luz en el intevalo visible, se debe mezclar fosfuro de galio con el arseniuro de galio. Un fotodiodo realiza la funcién inversa al LED. Esto es, transforma la fuente de energia luminica en corriente eléctrica. Se aplica polarizacién inversa al fotodiodo y la corriente de saturaci6n inversa se controla por la intensidad de luz que ilumina €l diodo. La luz genera pares electrén-hueco, que inducen corriente. El resultado es una “fotocorrente” en el circuito extemo, que es proporcional a la intensidad de luz efectiva en el dispositivo. Este se comporta como generador de corriente constante mientras la tepsin no exceda la tensi6n de avalancha. Los tiempos de respuesta son inferiores a I 4s. La sensibilidad del diodo se puede aumentar si el frea de la unin se hace mayor, ya que se pueden colectar mAs forones, pero esto también aumenta el tiempo de respuesta pues la capacitancia de unién se vuelve mayor. En la figura 1.42 se muestra un fotodiodo. La coriente inversa, —Iy, aumenta conforme lo hace la intensidad de luz, H. Se puede utilizar la ecuacién (1.18) para estimar la corriente del fotodiodo, Ip: Jp=nqH lg) cficiencia cudntica carga del electr6n: 1.6 x 107 C @ x A= intensidad de luz en fotones/s densidad de flujo de fotones en fotones/s-cm? rea de Ta unién en em? Muchos detectores de luz de silicio consisten en un fotodiodo de unién y un amplificador, casi siempre en un circuito integrado, Se deja el andlisis de este tipo de dispositivo para el capitulo 3, ———_ 8Figura 142 El fotodiodo. 1.10 Especifcaciones de los fabricantes 51 ys én 19.5 1.10 Diodos PIN Un diodo que tiene una regién poco contaminada y casi intrinseca entre las regio nes p y n se llama diodo PIN. El nombre se deriva del material intrinseco entre las capas p y n. Debido a su construcci6n, el diodo PIN tiene baja capacitan- cia y, por tanto, encuentra aplicacién en frecuencias altas. Cuando se polariza en directo, la inyeccién de portadores minoritarios aumenta la conductividad de la regign intcinseca. Cuando se polariza en inverso, la regién se vacia totaimente de portadores y Ja intensidad del campo a través de la regién es constante. La cstimacién méxima de tensi6n del diodo se determina por la intensidad del campo cerftico para la avalancha y el espesor de la regién i. Los diodos PIN se utilizan en conmutadores de radiofrecuencia, altemadores y esplazadores de fase en radiofrecuencia. Con una corriente de control variable, los diodos PIN se utilizan en modulacién de amplitud ((36), Sec. 3.4). ESPECIFICACIONES DE LOS FABRICANTES La construccién de un diodo determina la cantidad de cortiente que es capaz de ‘manejar, Ja cantidad de potencia que puede disipar y Ia tensién inversa pico que ‘puede soportar sin dafiarse. Cada fabricante desazrolla estos criterios en las ho- Jas de especificaciones del dispositive. Algunos ejemplos de especificaciones del fabricante se dan en el apéndice D. ‘A continuacidn se listan los parémetros principales que se encuentran en la hoja de especificaciones del fabricante de un diodo rectificador: 1, Tipo de dispositive con el niimero genérico de los niimeros del fabricante. 2. Tensién inversa pico (PIV). 3. Maxima corviente inversa en PIV. 4, Maxima comiente de ed en directo. 7952 Capinulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores 5. Corriente promedio de media ondp rectificada en directo. 6. Méxima temperatura de Ta unién. 7. Curvas de degradacién de corriente. 8. Curvas caracteristicas para cambios en temperatura de tal forma que el dis- positivo se pueda estimar para altas temperaturas En el caso de los diodos Zener, por lo general aparecen los siguientes parémetros en las hojas de especificaciones: ‘Tipo de dispositive con el niimero genérico o el niimero del fabricante, Tensi6n Zener nominal (tensién de ruptura por avalancha). Tolerancia de tensién. |. Maxima disipacion de potencia (a 25°C). Corriente de prueba, Izr. 5. Impedancia dinémica a Iz7. Corriente de vértice ‘Maxima temperatura en 1a unin, Coeficiente de temperatura. Curvas de degradacién para altas,temperaturas. Se escogerd un ejemplo de especificacién y se verd le informaciGn suministrada por la hoja de especificaciones. Utilizando el diodo rectficador 1N4001 mostrado en el apéndice D, se encuentra la siguiente lista PIV = 50V. 2. Maxima corriente inversa (a la tensiGn en ed estimada) a 25°C = 10 wA. A 100°C la méxima corriente es 5A. ‘Maxima cafda instanténea de tensién en directo a 25°C = 1.1 V. |. Corriente rectificada promedio en directo a 25°C = 1 A. Intervalo de temperatura en la unin para operacién y almacenamiento (T}) = 65° 2 #175°C. 6, Se presenta una figura de temperatura contra montaje en un circuito impreso para varias cargas, 7. Se presenta una figura para efectos de longitud de la terminal para cargas resistivas contra temperatura, En la figura 1.43 se muestra una tipica curva de degradacién de corriente. Esta couva indica el juste requeride en la corriente estimada conforme la temperatura aumenta més allé del ambiente, A menudo se presenta una curva similar para degradacién de potencia. Notese que el fabricante no proporciona las curvas de degradaci6n estindar para el 1N40O1. Sin embargo, la informacién brindada es mas que suficiente para asegurar que el diodo de unién no se sobrecaliente al operar en varios modos circuitales, En la préctica, los di 1 valores de corriente que se encuentren al menos entre el 20% y el 30% por debajo de los valores méximos publicados. En algunas aplicaciones (como las militares 0 ‘espaciales), se requiere un ajuste de hasta 0%. fiadores deben asegurar que el diodo esté sujeto 80Figura 148 Cave de degradacién de coment Problemas 53 Itoi) nut tempera del empague ala ‘ual ooure Ia egratacion PROBLEMAS 1.1 Bosquéjese la salida del cireuito mostrado en la figura P1.1 cuando la entrada, ‘y,, e$ tuna onda cuadrada de 100 V pico a pico con un periodo de 2 s. Supbngase que el diodo es ideal 1.2 Bosquéjese la salida del eieuito mostrado en Ia figura PL? (el diodo es ideal) cuando v, es: ‘a, Una onda cuadrada de 100 V pico a pico con periodo de 2 s. ’b. Una onda senoidal de 100 V pico a pico con un periodo de 2 s. ‘c. Una onda triangular de 40 V pico a pico con un periodo de 2 s. k sooka. +f Ka + 4 1kA SR. » Figura PL Figura P12 1.3 Bosquéjese ia salida del circuito mostrado en la figura P1.3 cuando v, ¢s una ‘onda senoidal de 100 V pico a pico con un periodo de 2 s. Supdngase que €l diodo es ideal. 8154 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores chagwin % Figura PLS 114 Si la carga de salida de un rectificador de media onda es 10 kM, zqué valor de capacitor se requiere para obtener una tensién de salida que no varie més del 5%? La tensiGn de entrada es de 100 V rms a 60 Hz. Remitase a la figura P11. Dibijese la forma de onda de 1a salida. LS Si la carga de salida de un rectificador de onda completa es 10 kM, iqué valor de capacitor se requiere para mantener una tensién de salida que no varfe més del 10%? La entrada es de 100 V rms a 60 Hz. Remitase a la figura P13. Dibijese la forma de onda de la salida 1L6 Una seftal de radiofrecuencia (rf) de 2 MHz se modula con una sefial de 15 KHz, con indice de modulacién de 0.5. ,Qué capacitancia se debe utilizar a través de un detector de 2 KS de carga para filtra la ef sin afectar la sefial modulante? 17 Grafique Ip contra Vp para un diodo de silicio si la corriente de saturacién inversa, Ip = 0.1 4A utilizando n= 1.5 para el silicio. Determinese también la tensién de encendido del diodo. 18 Grafique Ip contra Vp para un diodo de germanio sila coriente de saturacion inversa, I, = 0.01 mA. Determ{nese también la tensién de encendido para el dodo (esta curva se puede trazar en la misma gréfica que la del problema 1.7). Un diodo particular tiene una corriente de saturacién inversa de 0.2 A, n= 1.6 y Vp = 26 mV. Determinese la corriente del diodo cuando la tensi6n a través de éste es 0.4 V. Determinese también la resistencia én directo del iodo en este punto de operacién, 1.10 Para el circuito mostrado en la figura P1.4, determinese la coriente a través del diodo cuando la tensién de cd a través de éste es de 0.6 V para el intervalo de corriente y nVr = 40 mV. 109 20 10.sen1000¢ mV v Figura PLA Figura PLS 82Problemas. 5S 1.11 Para el circuito mostrado en la figura P1.S, determinese J para cada caso. 1. Cuando los diodos se consideran ideales. ’b. Cuando los diodos no se consideran ideales con Ry = 102 y Vp = Ignérese a corrente de saturaci6n inversa TV. 1.12 Un diodo Zener se conecta en un circuito, como se muestra en la figura P16. {Cual es el valor de la resistencia R; que mantiene la tensién en la carga a 12 V (Vz) si la corriente en Ia carga es 1A y la tensin de entrada varia de 14.2 20 V? {Cudl es el margen de potencia necesario para el resistor y el iodo Zener? Figura PLS 1.13 Si un diodo Zener se conecta en un circuito como el mostrado en Ia fi- gura P16, jcudl es el valor del resistor Rj que mantiene la tensién en ta carga a 12 V (Vz) cuando Ja carga varfa de 50 mA a 500 mA y la tensién de entrada varfa de 15 a 20 V? Determinese el margen de potencia requerido para el resistor y el diodo Zener. 1.14 El regulador Zener mostrado en la figura.P1.7 utiliza un diodo Zener de 20 Y para mantener 20 V constantes a través de la resistencia de carga, Ry. Si la tensién de entrada varia de 32 a 43 V y la corriente en la carga varia de 200 mA a 600 mA, selecciénese el valor de R; para mantener la tensién cconstante a través de la carga. Determinese el margen de potencia para el resistor y el diodo Zener. Supéngase que Rz = 0. 4S El regulador Zener mostra en Ia figura P17 utiliza un diodo Zener de 9 V para mantener 9 V constantes a través de la carga, con una entrada que varia centze 16 y 25 V y una salida que varia entre 100 mA y 800 mA. Considerese que Rz =0. ‘a. SelecciGnese el valor de Ry necesario y determ{nese el equerimiento mi- imo de potencia56 Capttulo 1 Andlisis de cireuitos con diodos semiconductores . Determinese el margen de potencia del diodo Zener. . Caleilese la variacién pico a pico en la salida si Rz = 19. 1.46 Considerando que no existen pérdidas en los diodos sectificadores de la f- gura PLB, gcudl es el valor de Rj necesario para mantener Vz a 16 V con tuna corriente en la carga de 1 A utilizando un diodo Zener de 16 V? v; varfa entre 110 y 120 V rms a 60 Hz. Supéngase que Rz = 0. La tensi6n hacia el , ok _ 1 . i r Ro Ve = 7 ; 1.17 Suponiendo que no existe cafda de tensién en el diodo rectificador de la figura P1.8, cudl es el valor necesario de R; para mantener Vz, a 16 V con tuna carga de 1 A? La tensiGn de entrada al transformador es de 110 a 120 V sms a 60 Hz. La salida filtrada del rectificador no debe variar més de +5 V. Determinese el margen de potencia necesario para el resistor y el diodo Zener. 1.18 Utilizando los valores para la tensin de entrada a Rj del problema 1.17 pero con un Zener de 12 V, jcudl debe ser el valor de R; para mantener 12 V en 1a salida si la carga varia de 20 mA a 600 mA? {Qué tamafio debe tener el capacitor? 41.19 Usilizando el circuito de la figura P1.8 y suponiendo que no hay pérdidas en los diodos rectficadores, cudl es el valor de Rj para mantener 12 V a través de la carga utilizando un Zener de 12 V cuando v; es de 110 a 120 V rms a 60 Haz? La salida del rectificador cae 20% debido al tamafio del capacitor, C1, y la carga varia de 20 mA a 500 mA. {Cul es el tamatio del capacitor? 41.20 Repitase el problema 1.19 utilizando un MC7812 para reemplazar el regulador discreto mostrado. Determfnese el minimo tamafio necesario del capacitor. \. 1.21 Con una forma de onda de entrada de 10senwt, jeual es la forma de onda de salida para los circuitos recortadores mostrados en la figura P1.9? Suponga ue todos los diodos son ideales. \".22)Diséiese un fijador que proportione +2 V de nivel fijo a una onda de entrada “cuadrada para el circuto mostrado en la figura P10. La magnitud de la onda cuadrada de entrada es 44 V con un periodo de 100 us. "1.23 En los circuitos recortadores con diodos de la figura P1.11, vj = 20senut, R=2kOy Vq=10 V. La tensiGn de referencia se obtiene de una terminal ‘enn divisor de 10 k9 conectado a una fuente de 100 V. Despréciense todas a meProblemas 57 ° ® Figura PLO —t 4 2Ko w= Figura P10 Figura PLL las capacitancias, La resistencia en directo del diodo es 100.9, Rr = 00, y Vy = 0. Dibéjense las formas de onda de entrada y salida, Apliquese el teorema de Tévenin para la red divisora de la tensi6n de referencia. 4.24ra, La tensin de entrada, vj, al recortador mostrado en la figura P1.12(a) ~~ varia en forma lineal de 0 a 175 V. Bosquéjese la tensién de salida v, en Ja misma gréfica que la entrada. Supéngase diodos ideales. b. Repitase la parte (2) para el circuito'de la figura P1.12(b).. Figura PLZ58 Capttulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores Figura PLAS x 11.25 Una fuente ideal de tensién senoidal de 10 k#tz cuyas excursiones pico son de + 10 V con respecto a tierra se aplica al cireuito fijador con diodo de la figura PI.13. Supéngase que R= 00, R, = 0, C = 1yiF, el diodo tiene una R, = 00, Ry =Oy V, =0, y la resistencia de la fuente es cero. Bosquéjese Ja forma de onda en Ia salida, 1.26 La sefial mostrada en la figura P1.13 con una frecuencia de 10 kHz se aplica al cirenito, con valores R, = 0, R= 10k9, C= 1yF, Ry =0, R, = 00 ¥,=0 a. Bosquéjese la forma de onda en la salida, vo. \_, B Repitase i pate (@) si R= LKR y C=O.1 uF, 1.27 ,Qué tipo de recortador se necesita para obtener las formas de onda ilustradas en la figura P1.14 SupOngase que Ia entrada es 10 sent volts. Dibsjense y etiquétense los circitos. ®, vot +s| 2d “\ ° 1 . @ Figura LisProblemas adicionales 59 PROBLEMAS ADICIONALES PALI fie una fuente de energia con un rectificador de media onda que tiene tuna entrada de 120 V rms a 60 Hz, con una salida méxima de 17 V y una minima de 12 V. La fuente debe proporcionar energfa @ un cir- cuito.electrénico que necesita una corriente méxima de 1A. Determine la cconfiguracién del circuito, la razén de vueltas del transformador y el tamafio del capacitor. Suponga que los diodos y el transformador son ideales. PA1.2 Repita el problema anterior con un rectificador de onda completa. PA1.3 Determine el valor del capacitor para el circuito mostrado en la figura 1.24 cuando a = 6 y Ry = 50. La tensiOn minima en la carga no debe caer més de un 20%. PALA Disere una fuente de energia con wn rectificador de onda completa, un transformador con ran de velas de 4:1 con dervacin central y un diodo ener de 8 V y 2 W, qe proporione 8 V constantes a una carga que varia de 200 a 500 0, La tension de entrada al transformador es de 120 V ems, 60 Hz, Ignore las pérdidas en el tansformador y los diodos. Determine: 2 To ¢ Foe b Ry Vsu- ¢. El valor del capacitor necesrio. 4. EI poreentaje de regulacién cuando Rz =2 9. PALS Disefie una fuente de energia regulada con un rectifcador de onda completa, tun transformador con raz6n de vueltas de 5:1 con derivacién central y un diodo Zener de 8 V y 2 W, que proporcione 8 V constantes a una carga ue varia de 100 a $00 9. ‘La tensién de entrada al transformador es de 120 V mms, 60 Hz. Ignore las pérdidas en el transformador y los diodos. Determine: 2 Tem © Toe b. RLY Vow ¢. El valor del capacitor necesario. 4. El porcentaje de regulacién cuando Rz = 2.9. . La potencia de Ra. PAL a.’Dibuje la sefal de salida para el circuito mostrado en la figura PAL.1(@) situ = 9sen 1000¢ V. Muestre los valores maximo y minimo en el dibujo y la ecuacién de las curvas para diferentes intervalos de tiempo. Suponga {que los diodos son ideales. ’. Repita el problema para la figura PAL.1(b). 8760 Capitulo 1. Andlisis de circuitos con diodos semiconductores 2a aka Db AD “ aioe Cu 2a 4K we wy - NT 6v 9 ® Figura PALL PA17 Disefie un cireuito recortador para obtener Ia salida mostrada en Ia fi- gura PA12 a partir de una onda cuadrada simétrica de +10 V. Suponga que V;, =0.7 V. PAL8 Disefie un circuito sujetador para obtener ta salida mostrada en Ia figu- ra PAL.3. Suponga que el capacitor disponible es de 0.1 uF y que la entrada es vy = Ssen25000¢ V. Suponga que V; = 0.7 V. PA19 Seleccione un resistor para limitar la corriente e iluminar en forma adecuada tun LED cuando se aplican 8 V al LED. Figara PAL? Figura PALS 882.0 AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION INTRODUCCION El antlisis bésico de cireuitos es el estudio de la interconexién de dispositivos pa- sivos y fuentes, Los dispositivos pasivos lineales incluyen resistores, capacitores ¢ inductores. Estos dispositivos realizan las operaciones lineales de multiplicacion proporcional, integracin y diferenciacién. Las fuentes independientes son de co- rriente o de tensi6n, y los valores de sus salidas no dependen de ningin otro valor en el circuito, Las fuentes dependientes se caracterizan por tenet tna corriente o tensién de salida, funcién de un parimetro en alguna rama del circuito separada de quella de la fuente. Por lo general, las fuentes dependientes surgen del modelado de dispositivos activos como los transstores bipolares de unin, los transistores de efecto de campo y los amplificadores operacionales. El estudio de dispositivos activos en este libro se inicia con el transistor bipolar de unién, En 1948 John Bardeen, Walter H. Brattain y William Shockley de Bell Telephone Laboratories construyeron y probaron el primer transistor, Era un dispositive imperfecto (no refinado) de baja ganancia; en realidad, no tenfa mayores propésitos que los de experimentar en el laboratorio. Por otra part, en Ia industria cl tubo de vacfo reinaba en aplicaciones que iban desde bienes de consumo hasta tusos militares. Sin embargo, existfan algunas funciones que el tubo no podfa desempefar sin un gran gasto. An mas, ciertas aplicaciones eran imposibles de Jograr utilizando tubes de vacio. Poco después de Ia invencién del transistor, los 61 8962 Capitulo 2 Amplificadores con transistores bipolares de unién 24 ingenieros vieron sus ventajas en pequefios dispositivos portitiles y empezaron a ‘mejorar su desempefio. EI resultado fue una continua evolucién que condujo al transistor de hoy en dia. Durante los afos sesenta, los procesos y métodos de fabricaci6n se mejoraron de-forma tal que el transistor pado construrse de manera confable. Esto produjo una explosién en la industria clectrénica, pues muchos productos se podfan construr en forma barata. La capacidad de manejar potencia ¥ las frecuencias méximas de operacin se incrementaron de forma constante en este periodo. En la actualidad el transistor ha reemplazado casi completamente al tubo de vacio, excepto en algunas aplicaciones de alta potenciay alta frecuencia, FUENTES DE TENSION Y DE CORRIENTE DEPENDIENTES Las fuentes dependientes producen una tensién 0 corrente cuyo valor est determi- nado por la existencia de una tensién 0 corriente en otro lugar del circuito (ndtese ue los dispositivos pasivos producen una tensi6n 0 corriente cuyo valor se deter- ‘mina por una tensin o corriente en el mismo lugar del circuito). Las fuemtes de tension y corriente dependientes o independientes son elementos activos, esto es, ccapaces de suministrar energfa a algin dispositivo externo. Los elementos pasivos no pueden generar energla, aunque pueden almacenar cantidades finitas de ésta para su disrbucin posterior, como es el caso de los capacitores ¢ inductores. En a figura 2.1 se muestra un circuito que contiene una fuente dependiente. La fuente de tension depende del valor de la tensiGn, Van. El factor de amplificacién es 4, La ley de tensiones de Kirchhoff (LTK) se aplica al lazo para obtener 10 = (S000) + 4Va — Vio = (5000) +3V 2 Entonces, uilizando la ley de Ohm, se obtiene Vea = —(1000)7 Sustituyendo esto en la ecuacién de lazo, se tiene 10 = (5000) + 3V ie = (5000)I — (3000) = (2000) Por tanto, T=SmA Van =-SV y 90¥ a ska. TOR S Ri | rk $Y" Figura 2.1 Circuito con una feene de tension dependiente ‘Figura 22 Circuito con una fuente de comfente dependiente 2.1 Fuentes de tensi6n y de corriente dependientes 63 Node 1 Nodo2 a3 ¥e La tensi6n a través de la fuente dependiente es dos veces mayor que la de la fuente independiente, ‘Sila baterfa de 10 V se reemplaza por una fuente de tensién alterna, Ia tensién a través de la fuente dependiente tendré el doble de amplitud que la entrada y estard 180° fuera de fase. ‘Ahora Se analizaré un cireuito simple que comtiene una fuente de corriente dependiente, como e] mostrado en la figura 2.2. Nétese que este circuito s6lo cuenta, con una fuente dependiente y resistores; no existe una fuente independiente de ‘energfa, Por tanto, sin conexiones externas, el circuito se mantendré con corrientes y tensiones cero para cada rama (verifiquese que haciendo todos-los pardmetros iguales a cero se satisfacen las leyes de corriente y de tensién de Kirchhoff). Este circuito tiene interés s6lo cuando se conectan circuitos adicionales (en este caso, a las terminales A y B). ‘Se encontrard el equivalente de Thévenin del circuito visto a través de estas dos terminales. La tensién de circuito abierto es cero, por lo que todo el circuito es cequivalente a una sola resistencia, La resistencia de Thévenin no se puede encontrar ttilizando combinaciones simples de resistores debido a la presencia de la fuente dependiente. Tampoco se puede encontrar utilizando la téenica de evaluar Ja tensién, de cireuito abjerto y hacer un cortocireuito en la corriente para luego tomar la raz6n, Ambas cantidades son cero, por lo que'este método conduce a una respuesta, indeterminada. El método mds utilizado en este tipo de problemas es suponer que se aplica una fuente de corriente 0 tensién a las terminales, evaluar la tensién 0 corriente resultante, y entonces tomar la raz6n para encontrar 1a resistencia, ‘Supéngase que se aplica una corriente i, como se muestra con Iineas punteadas cen la figura. La ley de corrientes de Kirchhoff (LCK) (andlisis de nodos) en el nodo 1 da ”64 Capitulo 2 Amplificadores con transistores bipolares de unién Sustituyendo ir = vp/4000 en la ecuacién anterior, se tiene Ty — 150. =0 =20) + 30. = 4000%5 Se utiliza la regla de Cramer para resolver este sistema de ecuaciones y obtener ° ig x 4000] _ (28000)i. 1s)” 21-30 3 =(-3110ji. V La resistencia equivalente, Rra, se obtiene dividiendo vs por i para obtener Rm 11k El hecho de que la resistencia sea negativa sugiere una ganancia de potencia, o amplificacin. Este circuito no consume energia. Al contrario, la suministra, © produce ganancia de potencia. En Ia figura 2.3 se ilustra una configuraci6n comtin en anélisis de circuitos de estado s6lido. Se encontrard la ganancia de tensiOn y de comiente de este sistema, La ganancia de tensin se define como la raz6n de la tensién de salida a Ja de entrada. Del mismo modo, la ganancia de corriente es la raz6n de cortiente de salida a corriente de entrada. La corriente de entrada es %y _ 2senut mV ee RT a asent HA ‘Se puede utilizar una relacién de divisor de cortiente para encontrar fy 2000(20senwt 1A) *1= "3000+ 2000 = lOsenut yA, La tensién de salida esta dada por 100%; (10 K® |} 10 2) donde || indica una combinacién de resistores en paralelo. ‘v9 = ~(500000)i; = ~$00000(10 x 10~§ senwtt) = ~Ssenut V 92Bigura 23 ‘Gteito de estado sido equivalent. 2.2 Transistores bipolares 65 iF bs 0, l y= senor 2KNY 2A. 1ka Z10kn % mV Entonces, utilizando una relacién de divisor de corriente, se encuentra que la co- riente de salida es 10000(—100%;) _ 10000 + 10000 ~ fe 50% La ganancia de tensién es ve _ ~Ssenut 7 Odeenwt -~"5° La ganancia de corriente es =50(10 HA) 25 TRANSISTORES BIPOLARES. El transistor es un dispositivo de tres terminales, a diferencia del diodo, que tiene ‘dos terminales, Este consiste en un material de tipo p y uno de tipo n; el transistor ‘consiste en dos materiales de tipo m separados por un material de tipo p (transis- tor npn) o en dos materiales p separados por un material m (transistor pnp). En la figura 2.4(a) se incluye la representacin esquemétice de un transistor (22) ‘Las tres capas 0 secciones diferentes se identifican como emisor, base y colecto. El emisor, capa de tamaio medio diseiada para emitir 0 inyectar electrones, esté bastante contaminado, La base, con una contaminacién media, es una capa delgada disefiada para pasar electrones. El colector, capa grande disefiada para colectar electrones, esté poco contaminado. El transistor se puede coneebir como dos uniones pn colocadas “espalda contra espalda”;éstas se denominan transistores bipolares de unién (BIT, bipolar junction transistor).El wansstor bipolar. Capitulo 2 Amplificadores con transistores bipolares de unién Figura 24 Base Colector ° fopPy oe? kb ae mise Cokecor el Base Colector » Jel» Base Emir Colestor od (@ Simbolos de ito (Coo —L Trayeciora de electones bres Reign eserica —¥ (©) Diagrama potencial colina Para explicar la operacién del transistor, se desarrolla un modelo matemético simple basado en las caracteristicas operacionales del dispositivo para Ia regién en Ja que se esté trabajando. A fin de mantener la sencillez del modelo, se restringe el andlisis a bajas frecuencias. En el capitulo 3 se modifica este modelo simple para incluir las resistencias de entrada. Luego, en el capitulo 10, se amplia el modelo y se incluyen componentes adicionales para poder analizar la operacién del transistor en alta frecuencia, El presente modelo es suficiente para exponet los conceptos y disefar varias apli- caciones stiles en baja frecuencia, Intencionalmente se presenta poco complicado, de manera que es posible encontrar soluciones de forma cerrada a las ecuaciones resultantes. No obstante, si se requieren resultados més exactos, puede ser ne- cesario el andlisis por computador. Se ha desarrollado un programa de andlisis apoyado por computador, que se conoce como SPICE (simulated program with integrated circuit emphasis, véase el Ap. A y (36]. pg. 254) y utiliza el modelo de Gummel-Poon ((16], pég. 286). Muchas compafias estadounidenses utilizan SPICE para desarvollar circuitos de muchos transistores y también para realizar andlisis de “peor caso” en circuitos y determinar los efectos de la tolerancia de los ‘componentes. En el capitulo 10 se comentan modelos similares al de Gummel-Poon utilizado ‘en SPICE, considerando el andlisisy el disefio en alta frecuencia. ot2.3, Operacién del transistor 67 2.3 OPERACION DEL TRANSISTOR ‘Una explicacién sencilla pero efectiva de la operacién del transistor npn se lleva a cabo utilizando la técnica de diagramas de barrera de potencial de la figura 2.4(b. Este método ilustra de manera simplificada la operacién bésica de un transistor bipolar de tal forma gue se puedan entender ejemplos de circuitos sencillos. Cuando Ja unién base-emisor se polariza en directo y la unién base-colector en inverso, los electrones que dejan el material x del emisor slo ven una barrera de potencial pequeria en la uni6n np. Como la barrera de potencial es pequefta, muchos de los clectrones tienen la suficiente energia para legar al tope de ella. Una vez en el tope, los electrones se mueven fécilmente a través del material p (base) a Ia unién ‘pn (base-colector). Cuando se acercan a esta uni6n, log electrones se encuentran bajo la influencia de la fuente de tensién positiva y se mueven con mucha rapidez conforme descienden en la barrera de potencial. Si se reduce la polarizacién en directo de la unin base-emisor, aumenta la altura de la barrera de potencial. A los eleetrones que dejan el emisor les seré més dificil alcanzar el tope. Los electrones que lo alcanzan son aquellos con mayor cantidad de energia, y los que alcanzarén el colector. Por tanto, una reduecién de la polarizacién en directo provoca que la corriente a través del transistor se reduzca en forma considerable. Por otra parte, al incrementar Ia polarizacin en directo de la unin base-emisor se reduce la barrera de potencial y se permite el flujo de un mayor niimero de electrones a través del transistor._ El flujo de corriente en un transistor de.unién también se puede entender me- diante 1 examen del comportamiento de los portadores de carga y las regiones desérticas. Estas regiones se indicaron en la figura 2.4(b). Nétese que como la “nin base-emisor esté polarizada en directo, la regiOn desértica es relativamente elgada, Lo inverso es correcto para la uniGn base-colector. Un gran mimero de portadores mayoritaris (electrones) se difunde a través de la unién base-emisor, puesto que ésta se halla polarizada en directo. Estos electrones entran a Ja regiGn de Ta base y tienen dos opciones. Podrfan dejar esta regiGn a través de Ia conexién con las fuentes de alimentacién o continuar hacia la regién de colector a través de la amplia regién desética de la unin polarizada en inverso. Lo normal serfa esperar que la mayor parte de esta corriente regresara a la fuente, excepto por las siguientes observaciones. Como la region de base es muy delgada, estos electrones necesita viajar una distancia més corta para ser atraidos por la fuente positiva del colector. Ademés, el material de la base posee una conductividad baja, por lo que el trayecto hacia la terminal de la fuente presenta alta impedancia. En realidad, ‘una cantidad muy pequeia de los electrones deja la base a través de la conexién con Ia fuente; la mayor parte de la corriente fluye hacia el colector. EL transistor de uni6n bipolar presenta ganancia de corriente, lo cual se puede utilizar para amplifcar sefiales. En la figura 2.5 se muestra el_circuito equivalente simplificado de un transistor npn. Por lo general, este modelo es adecuado para el disehio y andlisis de muchos circuitos. En la figura 2.6 se muestra un circvito simple para obtener ganancia de co- riente. Se aplica una fuente de tensi6n a través de la unién base-emisor, y Se 95,68 Capitulo 2 Amplificadores con transistores bipolares de unin Figura 25 5 Paes cones dee Spends dt esis cornet conte eens base emir Bae caer fein 26 Chuo smple Fuene cant ene Jin te Scam Ear ® © conecta una resistencia entre colector y emisor. En la figura 2.6(6) se muestra el ‘mismo circuito, donde el transistor se reemplaz6 por el modelo de la figura 2.5. Debido a la presencia de la fuente dependiente, una corriente en la terminal de ’base controla Ia corriente del colector al emisor. La fuente de cortiente en el co- lector depende de la corriente de base, ip. Conforme aumenta ig, la cortiente de colector, ic, aumenta en forma proporcional. La constante de proporcionalidad se Mama beta (B). En la figura 2.7 se muestra una versi6n refinada de este modelo, conocida como ‘modelo de Ebers-Moll (32}. La uni6n base-emisor actéa como un diodo polarizado en directo con una corriente ég + ic. La unin base-colector esté polarizada en inverso y exhibe una corriente de fuga pequefa, Jono, y una corriente grande, Bi. Esta Ghtima es provocada por la interaccién de corvientes en la base. Queda claro que en [Notese que la direccién positiva de las corrientes de base y de colector se define entrando al transistor, y en forma inversa para la cortiente del emisor. Esta es tuna simple convencién, y se podria haber invertido cualquiera de las direeciones. EI modelo de Ebers-Moll incluye una corriente, Togo, que ¢s independiente de la corriente de base. 96Figura 27 Moto de Eners Mol, Figura 28 ‘Comets intras en an 23 Operacién del ransistor 69 ape Tero pit ree D7. ion. ls RE ae F E ei + Hewe Hews (© Visa simptiicada ‘La ganancia de corriente en base comin, a, se define como la raz6n del cambio en la corriente de colector al cambio en la corriente de emisor, suponiendo que la tensién entre el colector y la base es constante. Por tanto, ic! BiElyog = constane, Esto se muestra de manera gréfica en la figura 2.8, donde ogo es la corriente de fuga entre base y colector. Se desea encontrar una relacién entre tas corrien- tes de base y de colector. La corriente de colector se encuentra al observar la figura 2.8(b): ig = aig +Ica0 22) 9770 Capitulo 2 Amplifcadores con transistores bipolares de unién Combinando las ecuaciones (2.1) y (2.2), se encuentra la corriente de emisor, ig=aig+Icso+is ¥ resolviendo para la corriente de base, ip =ip(l— a) Jono @3) Se puede eliminar ip de la ecuacién (2.3) reescribiendo la ecuscién (2.2) como wic=tczo @ ig Por sltimo, esto se sustitaye en la ecuacién (2.3) para obtener una relacién entre ip, ic e Iezo: & Topo) ~ a) ipe Teso” 24) = (l=adic _ Teno La ganancia de corriente en base comén, a, suele estar entre 0.9 y 0.999. Por tanto, el inverso se puede aproximar a la unidad, dando asf = Gua _ 5 p= Icpo Beta (6) se utiliz6 antes (véase Fig. 2.6) para definir la raz6n entre cambios de ccortiente de colector y cambios de corriente de base. Esto es, Por tanto, se diferencia la ecuacién (2.4) y se reacomodan los términos. Los valores tipicos de f se hallan entre 10 y 600. Haciendo la sustitucién para B, se tiene igs 2 -k n= - leno 9824 24 Cireuitos con transistores 71 Por lo general, se puede despreciar Igo, pues es pequefia en magnitud. Por tanto, @5) ia a selal grande o factor de ampli- ‘ficacién ened, Por tanto, se vuelve al modelo original simplificado. En la préctica, ‘el valor de 2 varia con la cortiente de base. Existen inconvenientes en el disefio debido a las variaciones de f por los cambios de corriente en el transistor. Ademés, durante Ia fabricaciGn del transistor, se producen variaciones en el valor de beta dentro de un mismo lote de produccién. Por tanto, dos transistores fabricados al mismo tiempo tendrén diferentes valores de 8, aun en los mismos niveles de corriente. Esto leva al desarrollo de un procedimiento de disefio que haga al valor de la cortiente de colector relativamente independiente de los cambios en f. Estos métodos se comentan en la seccién 2.5. ‘Otra suposicién que se realiza a menudo como simplificacién es que la comtiente {de colector es aproximadamente igual ala corriente de emisor. Esto es, como Jono resulta pequefia comparada con ic y como a esté entre 0.9 y 0.999, se tiene ickip _ - 2.6) CIRCUITOS CON TRANSISTORES. 244 Configuraciones comunes en circultos Existen tes configuraciones usadas en circuitos de transistores. La més utiizada es la de amplifcador en emisor comin (EC), asi lamada porque el emisor se encuentra tanto en el lazo de entrada como en el de salida. I siguiente circuito ‘mis utizado es la configuraci6n en colector comin (CC), también conocida como ‘enisor seguidor. La tercera configuracion es el circuito en base comin (BC). En Ja figura 29 se muestran ejemplos de estas configuraciones de amplificadores y se ilustran los circitos que utilizan transistores npn. En este capitulo se considera el disefio de la polarizaciGn, o circuito en cd. Est caracterizado por el resistor de base, Rp, el resistor de emisor, Re, el resistor de colector, Rc, y la fuente de tensién, Voc. La técnica de polarizacién para el amplificador EC es la misma que para la configuracién BC, por lo que se consi- eran juntas. La configuraci6n CC se considera por separado. Cuando se utlizan transisores pnp, se invierten las polaridades de las tensiones de Vpp y Voc. pero Jos cireitos equivalentes desarrollados en ca se mantienen igual 9972 Capitulo 2. Amplificadores con transistores bipolares de unién Figura 29 CCcuitos amplicadres. 2.4.2 Vee Vex Vee (@) Emisor comin (6) Cotecor comin (© Base comin (nis seuidor) Curvas caracteristicas Como el transistor es un dispositive no lineal, una forma de definir su operacion cs usar una serie de curvas caracteristcas de manera similar a las utilizadas en el capitulo anterior para los diodos. Existe un conjunto de curvas para cada tipo de transistor. Como no se esté tratando con dispositives de dos terminales, las ecua- ciones incluyen al menos tres variables. Por tanto, se utilizan curvas paramétricas para describir el comportamiento del transistor. En la figura 2.10 se muestran dos agréficas caracteristicas. En la figura 2.10(a) se ilustra la corriente del emisor como funcién de la tensi6n entre la base y el emisor cuando vce se mantiene cons- tante, Notese que, como se podria esperar, esta curva es similar a‘la del diodo, ya que constituye la caracteristica de la corriente en una unién simple. Se dibuja luna Ifnea de carga utilizando las dos intersecciones con los ejes. Cuando iz = 0, vpe = Vap. La otra interseccién se encuentra haciendo ve = 0. El punto donde Ja linea de carga cruza la curva de ig contra vgp se llama punto de operacién, © ‘punto Q. La pendiente de la linea de carga es —1/(Re+Rp). Estos, la resistencia cequivalente vista por las terminales de base y de emisor es simplemente Re + Rs. La pendiente de la curva caracteristica es 1/ra, donde ra es la resistencia dindmica de la unin base-emisor del transistor. Esta pendiente se puede calcular a partir de la ecuacién (1.1) y de las simplificaciones que le siguen, Como esta es una unién pn, nVz = 26 mV (suponiendo una unién de silicio a temperatura ambiente). To- ‘mando la derivada de la ecuacién (1.1) y realizando las simplificaciones adecuadas, se encuentra que la resistencia dindmica es aproximadamente- wy 0.026 Teg donde Iq es la corriente del emisor en el punto Q. 1002.4 Circuitos con transistores. 73 Figura 210 (Curvas carmueristcas de () Caraceisicas colctoremisor Como ig = ic/B, 1a unién base-emisor es similar a Ja del diodo. Por tanto, para una unién polarizada en directo, o- (oo) Para un diodo de silicio, n tiene un valor de 1.3 a 1.6. Sin embargo, en transistores de silicio, el valor de n esté cercano a la unidad debido a los efectos de recombinacién provocados por las corrientes de base y de colector combinadas cen Ia regién del emisor. Los transistores de difusién exhiben un ineremento del 10 al 20% en el valor de n para niveles de corriente por arriba del intervalo normal 4e operacién del transistor. En este texto, se utlizardn n= 1 y nV =26 mV para transistores de silicio. ‘Una extensiGn en linea recta de la curva caracteristica intersecarfa €l eje vas en 0.7 V para transistores de silicio, 0.2 V para germanio y 1.2 V para dispositivos de arseniuro de galio. Si ahora ig se mantiene constante, 1a uni6n colector-emisor se define por la curva, de ic contra cs mostrada en la figura 2.10(b). Como puede verse en esta curva tpica; la corrente de colector es casi independiente de la tensiGn entre el colector y el emisor, vce, dentro del “intervalo lineal” de operacién. Cuando fig esté prOxima a cero, ic se acerca a cero de manera no lineal. Esto se conoce ‘como operacién en la regiGn de corte. Para la seccién de las curvas caracterfsticas donde vce se acerca a cero, ic es méxima. Esta regiGn, conocida como regién de saturacién, no es Stil para amplificar debido a la operaci6n no lineal. ‘Las curvas caractersticas son curvas paramétricas de i¢ contra vce, con ip como parmetro. En la figura 2.11 se muestra un ejemplo de una familia de dichas curvas. Cada tipo de transistor tiene su propio conjunto tnico de curvas caractertsticas. 10174 Capltulo 2 Amplificadores con transistores bipolares de unién ‘Como ejemplo del uso de las curvas caracteristicas, se analizard el circuito de Ja figura 2.12. Aplicando LTK alrededor del lazo de colector emisor, se obtiene Vee ioRo +vce +igRe (27) Como ig es aproximadamente igual a ic, la ecuacién (2.7) se puede simplifi ‘ear, como se hizo en la ecuacién (2.8) Veo =ic(Re+Re)+ vox 28) La ecuacién (2.8) define una relacién lineal entre i¢ y cg. Esto es, jp = Voom vee 1 Veo "0° "Ro+Re ~ Ro+Rs°** Ro+Re a Una forma de’graficar esta linea recta es resolver las dos intersecciones con los dies. Si ic =0, vce = Vee. Si vce = 0, entonces ioe Vee °" Ro+Re La linea de carga en ed esté graficada sobre las curvas caracteristicas de la figura 2.11, Cuando se trate el disefio, se verd la forma apropiada de seleccionar los Pardmetros del ciruito. Por ahora, se supondré que el punto de operacién, el punto Q, se puede seleccionar en cualquier lugar de la linea de carga. El punto 10225 25. Elamplifcador EC 75 tendré las coordenadas Vorg € Ica, los valores en el punto de operacién de vog € ig, respectivamente. El punto de operaci6n es el valor de sefial nulo para veg € ic. EL AMPLIFICADOR EC Figura 213 “Amplifcador de wanistor emir comin npr. ELEC, o amplificador emisor comin, se llama asf porque las corrientes de base y ‘de colector se combinan en el emisor. En la figura 2.13 se muestra la configuracién {del amplificador, donde se seleccioné un transistor npn como ilustracin. En primer lugar se analiza el circuito de la figura 2.13 bajo condiciones de cd. La fuente variable, v,, se hace igual a cero. La LTK en el lazo de base se eseribe como IpRp+Var ~ Veo =0 2.10) Recuérdese que Vag esté entre 0.6 y 0.7 V para transistores de silicio, pero en ‘este libro se utilizaré el valor 0.7 V a menos que se especifique otro valor. ‘Se escribe ahora la LTK a través del lazo de colector-emisor como sigue: Veo = Relc + Vee Entonces Veo - Ves Re Te em La eouacién 2.11) define la Hinea de carga, que se dibuja en las curvas carac- tersticas de la figura 2.14(a). Ahora se puede seleccionar sobre la Uinea de carga €\ punto Q, o punto de operacién, que se define como el punto de sefial cero. Si se supone ahora una entrada de ca v, = V senut 10316 Capitulo 2 Amplifeadores con transstoresbipolares de unin Figera 214 Curves caracersicas para 1 amplicador EC. (@) Curvas carscteristica del eanssior (wa) | (mayt Ny fe : (©) Cuvas de coriete en a entrada y la sada sali Ja onda de salida se puede encontrar de manera grifica. Moviendo el punto de ‘operacién hacia arriba y abajo a lo largo de la linea de carga conforme cambia ip, se pueden graficar ic; ip y voz, como se muestra en la figura 2.14. Se determinaré el cambio en la corriente de colector para un cambio dado en la ccorriente de base. Esta relaciGn es la ganancia de corriente, que se define como 104Figura 215 ‘Amplieador EC con resistor en el emisor. 2.5.1 25 Elamplifcador EC 77 En Ia figura 2.14, Aic y Aig se len como: las excursiones totsles en estos pardmetros. Tal ganancia es Ia que hace importante a este dispositivo para muchas aplicaciones de ingenieria El amplificador EC con resistor en el emisor En la figura 2.15 se ilustra un circuito EC al cual se afadi6 un resistor en el emisor. Se escriben las ecuaciones de Kirchhoff en el lazo emisor-colector para determinar la Iinea de carga en od. Con referencia a la figura 2.15(a) se encuentra Veo = Role +Vox+Rele Como Ic ¢s aproximadamente igual a Ip, se obtiene Veo - Veg lo=FeaRe @a2) Si Ic =0, entonces Veg = Veo Este punto de operacién se encuentra en la regién de corte. Si Veg =0, se obtiene To= toe Rips Ro 10578 Capitulo 2. Amplifcadores con transistores bipolares de unin Este punto se encuentra en la regién de saturacién, La linea de carga resultante ests dibujada en la figura 2.15(). Al utilizar el transistor en emisor comiin se evité la regi6n.no lineal de las courvas carateristicas que ocurren en niveles bajos de ic (core) y en valores bajos de vce (saturacin). A menudo, al disefiar un amplificador con transistor se desea una salida con méxima excursién no distorsionada. Si la sefial de entrada en ca es simétrica alrededor de cero, se puede obtener una excursién-méxima colocando él panto @ evel cn de nines de carga, Por tanto, % Vorg=—5* Esta ecuacién establece a Vong € Tog. Ademés, debido a que la unién base-emisor actia como un diodo, Vag = Vy Escribiendo las ecuaciones de la LTK alrededor del lazo de la base, se obtiene Ven = Rain +vsp+icRs Nétese que se utilizan letras mintsculas y subindices en maytisculas para las va- Fiables. Esto indica valores totales (ed + ca). Este es un momento adecuado para revisar las convenciones de notacién presentadas al inicio del texto. Debido a que Bia se tiene Von = Baie +VeeticRs y el punto de operacién, Van — Vos . 2.3) La tensién, Vee, se considera constante a temperatura ambiente (25°C) y tiene tun valor cercano a 0.7 V para transistores de silicio. Con el fin de evitar ta utlizacion de dos fuentes de cd separadas, se puede utilizar una red de division de tensin para suministrar la fuente de od al circuito de base, como se muestra en Ia figura 2.16. Los valores para Ri y Ra determinan la ubicacién del punto Q. 106 >Figura 216 (Ciao de tansstor con ‘una fuente 25 Elamplifcador EC 79 Vee Si en la figura 2.16 la combinaci6n de fuente y resistor conectados a la base se reemplaza por un equivalente de Thévenin, el nuevo circuito es idéntico al de la Rm =R; || R= Re = es (2.15) Se puede resolver para Ri y Re sustituyendo la ecuacién (2.14) en la ecuacién @.15) ReVeo_ R 1 Vec~Vos CH) Ry = Yooke aan Vee Es necesario determinar R, y Ry para establecer e] punto de polarizacién requerido. El anilisis de la seccin anterior supone que 1a corriente de} colector es igual a la del emisor. Esta es una buena aproximacién, ya que § suele ser superior a 100. Para el circuito considerado, se desea tener alrededor del 10% de Ia corriente de entrada hacia la base y alrededor de! 90% a través del resistor externo valenie, R ap ea a nae caubiidad os polrsc’e y pore semis ir tiizgeion de ecuaciones simplificadss. Por tanto, la corriente en Rigdebe ser aproximadamente 10 veces mayor que la coriente de base. Para lograr esto, se 10780 Capttulo 2 Amplificadores con transistores bipolares de unién 2.5.2 Ejempio 2.1 |, ° Rp ® sour, F S01Re Esto evita que las variaciones en f afecten de manera significativa el punto de operacién en cd de la etapa, Més adelante se dard informacién adicional acerca’ de esto. Se puede utilizar ahora la ecvacién (2.13) a fin de encontrar 1a cortiente de colector en el punto de operacién. Haciendo Re igual a 0.1 8Rz, se obtiene __Vep-Vas | Von —Vae tea= OipRe/B+ Re” 11Re/ ee La ecuacién (2.19) se utiliza en el proceso de disefio. Introduccién al andlisis y el lisefio En problemas de andlisis, el circuto esté completamente especificado. En conse- cuencia, se conoce el punto Q, ya que estin dados tanto Ry como Ry. Tal ver el punto de polarizacién no esté colocado de manera éptima, y, de hecho, se puede escubrir que el transistor se encuentra en la regién de corte o de saturaciGn. Pero, como todo el circuito esté especificado, es suficiente con sustiuir valores en las ecuaciones y calcular los resultados. En problemas de disefo, el circuito no esté completamente especiicado. El 76™* Se encuentran Res = Re || Ru, =500 Dy Rea= Ro+ Re = 1.1 kM. Voxq se encuentra como en el paso 3, Vogg = Veo ~ IoqRea = 5 — (2.76 x 10™(1.1 x 10° Entonces Vico = Verg + Log Rec = 1.96 + (2.76 x 10-3500) Como el punto @ se halla en la mitad inferior de la linea de carga de ca, la méxima excursiGn simétrica en Ia tensién de salida es UeQ(Ro |i Rx) = (2.16 x 10-)(500) = 2.76 V 1222.9 Andlisis y disefio en ca 95 En este ejemplo, el punto Q no se encuentra en la mitad de la linea de carga, de manera que la excursién en la salida no es méxima. Sin embargo, si la sefal de entrada es pequefia y no se requiere méxima salida, se puede utilizar una Ig pequefla para reducir la potencia disipada en el circuito. —- Ejemplo 2.4 | Disefio Selecciénese Ry y Ra para méxima excursiOn en la tensi6n de salida en el circuito de fa figura 2.22. SOLUCION Siguiendo los pasos de disefio de la secci6n 2.9.2, se determina primero la [og del circuito: Yoo ___$ 2+ Reg” 500+ 1105 1 A Teg = como a = Ro || Ry = 5000 Rea = Rp + Rg = 11009 ara méxima excursin, Vico =2Wezg entonces, Veg esté dado por Veg = (.13 mA(500 9) = 1.56 V La intersecci6n de la nea de carga de ca con el eje vce es V’ce. Como “ enone Vie = 3.12 V 12396 Capttulo 2 Amplificadores con transistores bipolares de unién De las especificaciones del fabricante en el apéndice D, la para el 2N3903 es aproximadamente 140. Rp se hace igual a 0.1 8Rz, y entonces Yoo «0.13% 10% [+10] o07 =104 v Como se conocen Vag y Rp, se encuentran Ry y Re: Re 1400 1=Vap/Veo 1- 10/5 ReVeo _ 1400 x5 Vas ‘1.044 R, = LITER =6.7k2 ‘La méxima excursi6n en la tensién de salida, ignorando las no linealidades de saturacién y corte, serfa entonces ‘méxima excursién de salida = 2eq(Re || Rr) 23.13 mA)(500 2) 13. Las Ifneas de carga se muestran en las curvas caracterfsticas de la figura 2.23, ‘Se controla la méxima potencia disipada por el transistor para asegurar que no exceda las especificaciones. De la ecuacién (2.22), se obtiene Peaasiton) = (1.56 VXG13 mA) = 4.88 mW Figura 2.23 Lineas de carga para el ejemplo 24 ica) leg 124Ejercicios 29 Andlisis y disefto en ca 97 Este valor se encuentra dentio de los 350 mW méximos dados por la hoja de ‘especificaciones. La maxima eficiencia de conversién es Pa(ca) Proce) x 1073/2)°1000/2 x 100 %100= S313 x 10-4 5778470 6.6% 2.9.3 Disefio por debajo de m: D2.9 Remitase a la figura 2.19 y encuéntrese 1a excursiOn pico a pico en Ja tensién de salida cuando Ry = 2k, Re = 15 kM, Re = 200.9, Ro =2 kN, Ry =2 kN, B= 200, Vaz =0.7 Vy Voo =15 V. Resp: 63 V pico a pico D2.10 En el ejercicio D2.9, diséfiese el amplificador para méxima excursi6n simé- ttica encontrando los valores de Ry y Ra. Reps Ry = 4.5 kM; Ry = 36 KD 2.11 ;Cual es 1a maxima excursién simétrica de tensién para la configuracién del ejercicio D2.107 Resp: 8.8 V pico a pico ‘D212 {Cudl es la potencia de salida para el.amplificador del ejercicio D2.10? {Cul es la potencia suministrada al amplificador? Resp: 4.9 mW; 71.7 mW ‘ima excursion Como se comenté antes, no siempre es deseable disefiar un amplificador para ‘méxima excursiGn posible. Si la sefal de entrada es pequefia, el punto de operacién se mueve s6lo una distancia pequefia en ambos lados del punto Q y nunca llega cerca del corte o la saturacién, En ese caso, disefiar un amplificador con el punto Q cen la mitad de Ja linea de carga desperdicia potencia. La potencia disipada en condicién estacionaria es més de la necesaria para operar sin distorsin. En esta secei6n, se modifica el criterio anterior de disefio para permitir la localizacién del punto Q por debajo del centro de la linea de carga. ‘Supéngase que se desea disefiar para una cortiente estacionaria, Teq = 6 231 donde 1 es la intersecciGn de la linea de carga de ca con el eje ic y-es igual a Fig. 220) 12598 Capitulo 2. Amplificadores con transistores bipolares de unién 210 Fe 2.32) Aguf 6 es un ndmero entre Oy 1, igual a 0.5 para el caso de méxima excursi6n simétrica. Ahora bien, como Tog = 61 se puede resolver la ecuscién (2.32) para Vogg a fin de obtener Vere 233) = DlogRea é ‘Como el panto Q también debe estar sobre la linea de carga de cd, se obtiene Veeq = Veo ~TcaRea 34) Igualando la ecuacién (2.33) a la ecuacién (2.34), se tiene 1 Slog Rea Ge BTeake «Yee - togRes y resolviendo para Jeg, se obtiene Veo te TOR /6+ Ra an Nétese que si 6 = 0.5, la ecuaci6n (2.35) se reduce @ Veo tea" + Raa) como se encontré antes, AMPLIFICADOR EMISOR SEGUIDOR (COLECTOR COMUN) El amplificador emisor seguidor (ES), © colector comin (CO), se itustra en la figura 2.24. Su salida se toma de emisor a tierra en vez de tomarla de colector @ tierra, como en el caso del EC. Este tipo de configuracién para el amplificador se utiliza para obtener ganancia de corriente y ganancia de potencia, 126Figura 224 Enisorsegudor, 2.10 Amplificador emisor seguidor (colector comin) 99. NOTA: A To largo de ese texto, cuando en wn cst tun copacior no erga et ‘ueta, se supone que 34 capa- tania tende a info (es deci, es un corocreato pore todat las sees de frecuen cia. ELEC tiene un desfisamiento de 180° entre 1as tensiones de base y de colector. Esto es, conforme la sefial de entrada aumenta de valor, la sefial de salida dis- ‘minuye, Por otra parte, para un ES, la seial de salida esti en fase.con la seftal de entrada, El amplificador tiene una ganancia de tensién ligeramente menor que ‘uno, Por otro lado, la ganancia de corriente es significativamente mayor que uno. Notése que el colector no necesita resistor (Re = 0), y no se requiere un capacitor de paso en el emisor. Este circuito se analiza en la misma forma que para el emisor comin. Las \inicas diferencias son los valores que se utilizan para Res y Reg. Para el emisor seguidor de la figura 2.24, Rea = Re || Ra Rea = Re yy la Tinea de carga de ed esté dada por la ecuacién ig = Weo=208) Raa La linea de carga de ca, bajo condiciones de méxima excursién, se encuentra de la misma forma que para el cicuito emisor comin. Para méxima excursin, el punto Q se localiza en pe esvockae meted 00" Rao Ra Rel Ri)+ Re Verg = ToqRes = Ieq(Re || Ru) 127 _100 Capttulo 2 Amplificadores con transistores bipolares de unién 2.10.1 Anilisis en ca y disefio de amplificadores ES Los procedimientos para andlisi y para disefio de amplificadores ES son los mismos ue para amplificadores EC. Los Unicos cambios se dan en las ecuaciones para Res, Rea y la excursi6n en la tensién de salida. La excursién de salida para el ES esta ada por Vor = 2ic(amplitud maxima) x (Re || Rr) 236) Ejemplo 2.5 } Disefio En el citcvito de la figura 2.25(a), encuéntrense los valores de Ri y Ro que pro- pporcionen la méxima excursin simétrica en la salida como se muestra en la fic gura 2.25(b). Sup6ngase que se utiliza un transistor 2N2222 (véase Ap. D para hhojas de datos) con una 6 promedio de 100. SOLUCION Rea = Re = 600.2 Rea = 3.3 mA Entonces Voeg = IoqRea = (13.3 x 1077)(300) = 4 V [Figura 2.25 Amplifcador ES pars el empl 25. Voc = 12 anu B= 100 1282.10 Amplificador emisor seguidor (colector comin) 101 Para reducir los efectos de las variaciones en 8, se elige Ry = 0.1 Rp =0.1(100 x 600)= 649 Vop=Vae+ica (S2-+Rs) 8 ‘6000 0700s (28 et) <948v De las ecuaciones (2.16) y (2.17), se obtiene Rp 6000 een R= Vpp/Voo | 1-9.48/13 _ RaVoc _ 6000% 12 | y= Rates = OA -rs9 49 De la ecuaci6n (2.36), se encuentra = Uca(Re || Rx) = 2(0.0133)(300) = _méxima excursién de 98V Ejemplo 2.6 |, Andlisis Encuéntrense el punto @ y la excursién en la tensiGn de salida para el circuito de Ja figura 2.25(a) con Ry = 10 kM y Re = 20 kA. SOLUCION Utilizando las ecuaciones (2.14) y (2.15), se obtiene Rp = Ri || Re =667 2 Rivoo _ 12010 x 10%) _ Veo= Riek” oxi 4 De la eouscin (2.13), se iene Tog = VB Vee °8* Rp/B+ Re 4-07 soma 6707 100+ 600 ~ ** La excursién de salida esté dada por excursion de salida = 2icq(Re || Rx) (4.95 x 10-7300) = 2.98 V 129102 "Capitulo 2. Amplificadores con transistores bipolares de unién Figura 226 fctma) Lines de arg para el semplo 26 ree (W) Esto es menor que Ia méxima excursin de salida posible. Continuando el andlisis, Veeq =Vec ~ IcqRe = 12 — (4.95 x 10°°}600) = 9.03 V Veo = Verq + Io(Re ll Rt) 9.03 + (4.95 x 107*)(300) = 10.52 V 10.52 To = SS = 35.1 mA Las lineas de carga para este problema se muestran en la figura 2.26. Ejercicios 1 D2.13 {Cudl es la maxima excursién simétrica de tensién para el amplificador de la figura 2.24, donde Voc = 15 V, Ri =8 KM, Ro=2kO, Re = 1k, Ry = 1k, Vag =0.7 Vy 8 =80? Resp.: 7.8 V pico a pico © D24 En el ejercicio D2.13, rediséiese el ampificador para la méxima excursion simétrica de tensiGn. ;Cudles son los nuevos valores para Ri, Re ¥ Vay»)? Resp. 36.4 kM; 10.3 kM; 10 V pico a pico 2.15 {Cudl es Ia eficiencia de conversién del amplificador disefiado en el ejercicio p214? Resp 8 % 130 i:Problemas 103 PROBLEMAS {24 Encugnirese Ja localizaci6n del punto Q del amplificador mostrado en la figura P2.1, donde se utiliza un transistor npn. Supéngase que Voc = 10 V, Vas =1Y, Rp = 10K9, Ro = 2M, Re = 100 2, 8 = 100, Igo = 0 )y Veg =0.7 V, ;Cudl es la nueva posicién del punto Q si Rp = 1k? #22 Eneuéntrese. la localizacién del punto Q del amplificador mostrado en la figura P2.1 si se utiliza un transistor pnp y Voc = -12 V, Vap = -1V, Rp = 10k, Ro =1kM, Re = 100 2, 8 = 100y Vez = ~0.7 V. {Cua es a nueva posicién del punto Q si el valor de Rg se cambia a 1 kM? Figura P23 Figura P22 2.3 Encuéntrense los valores de Ri y Ra necesarios para colocar el punto @ del cireuito de la figura P2.2(a) en el centro de Ia linea de carga de cd. Supéngase que Voc = -25V, Ro = 2k My Re =1K0, y que B tiene los siguientes valores a. 6=150 / 2A Enevénurese 1a méxima excursi6n pico a pico de ig en el circuito de la figura P2.2(0). Supéngase que Ry = 1 kM, Re = 7K, Veo = 24 V, Ro = 2KA, Re =400 My f= 100, Dibsjese la linea de carga de od. ¥ 2.5 Repftase el problema 24 si el valor de Ry cambia a 10 kM y los demés valores permanecen iguales E ¥ 2 Con el circuito del problema 2.5, encuéntrense los valores de Ry y Rz que proporcionen la méxima excursién pico a pico posible de ic. Dibijese Ia linea de carga. 2.7 Para el amplificador del problema 2.5, caloélese lo siguiente: a. Potencia stiministrada por la bateri, . Potencia disipada por Ri, Ro, Re y Re. «. Potencia disipada por la unién de colector. 131104 Capitulo 2 Amplificadores con transistores bipolares de unién {© 2.8 Para el amplificador del problema 2.6, calelese lo siguiente: a. Potencia suministrada por la bateria ». Potencia disipada por Fi, Ra, Re ¥ Ro. «. Potencia disipada por la unin de colector. CCompérense las respuestas con las del problema 2.7. 2.9 Para el amplificador de Ia figura P2.2(b), donde Ry = 3%M, Ry = 20k, Re = 10, Re = 2000, 6 = 100 y Vee = 20 V. encuéntrese la posicion {el punto Q. El transistor se reemplaza por otro con diferente 2. Encuéntrese el valor minimo requerido de 8 para que Jog no cambie més del 10%, * 2.10 Utilicese el amplificador de la figura P2.3, Encuéntrense los valores de Ry y Rz para obtener [cg = 10 mA. b. Encuéntrense la excursin siméirica en la salida para los resistores de la parte (a). ¢. Diijense las ineas de carga de ca y ed. 4. Dibjense las formas de onda de ic y vee. nov nv Figura P23 1241 Utiicese el amplificador de la figura P2.3. ‘a, Encuéntrense los valores de Ri y Rz para Jog = 30 mA. ». Encuéntrense la excursién simétrica en la salida utilizando los valores de a parte (a), ¢. Dibdjense las lineas de carga de ca y ed. ___ 4. Dijense tas formas de onda de ic y vor. | 2.12 Utiticese et amplifcador de la figura P23. a. Encuéntrense los valores de Ry y Ro para lograr méxima excursién simé- ‘rica. ». Determinese el valor de la mxima excursién simétrica obtenida en la parte (2). ¢. Dibijense las lineas de carga de ca y od, 4. Bosquéjense las formas de onda para ic y vce. So 132V aa3 a4 {2a ¥ 246 -nv Problemas 105 Uslfeese el amplificador de la figura P2.4 a. Encuéntrense los valores de Ry y Re para Toy », Encuéntrense la excursin simética en Is tensin de salida para los valores, 4e Ia pate (3). ¢. Dibjense las Iineas de carga de ca y od. 4. Determinense la potencia disipada por el transistor y la potencia disipada por Zz. Utilicese el amplificador mostrado en la figura P24. a Encuéntrense los valores de Ry y Rz pata log = 4 mA. ’. Encuéntrese la excursiGn simétrica en la tensién de salida para los valores de la parte (a). «, Dibijedse las Iineas de carga de ca y ed. 4. Determinense 1a potencia disipada por el transistor y 1a potencia disipada por Rr. Uslfese el amplifcador de la figura P2.4 1. Encuéntrense los valores dé Ry y Rz nevesarios para lograr maxima ex- ccusién simétrica b, Determinese la excursiGn siméirica en la tensin de salida para los valores ée la pare (@). «. Dibijense las ineas de carga de ca y od. 4. Determinense la potencia dsipada por el transistor y 1a potencia disipada por Ry. Determinese el valor de Re para méxima excursiGn simétrica en la salida para el circuito de la figura P2.5. Supéngase que se utiliza un transistor pnp. Dibijense las Iineas de carga de ca y cd. {Cudl es el valor pico a pico de la ‘méxima tensiGn simétrica en la salida? ed tH Figura F26 133,106 Capitulo 2 Amplificadores con iransistores bipolares de unién V 247 Selecciénense Jeg y Vozq para méxima excursién simétrica en la tensién de salida para el cireuito dela figura P2.6. a. Determinense los valores de 22, y Rz con el fin de conseguir este punto i de operacién. >. Encuéntrese la méxima excursiGn simétrica en la tensin de sala. ¢. Determinense la potencia disipada por el transistor y la potencia entregada a la-carga i 7 BAB Utlicese el circuito de la figura P2.7. . Encuéntrense Leg y Veeg. b. Determinese si el amplificador es estable para grandes cambios en 8. Puede suponerse que se encuentra en el intervalo 150 < B < 250. c. Dibdjense las Ifineas de carga, 4. Determinese la excursién simétrica en la tensiGn de salida. aay Figura P27 Figura P28 42.9 Usiicese el cireuito de la figura P28. a. Encuéntrense los valores de Rj y Ro si Jog = 6 mA. it Bb. Dibijense las lineas de carga de ca y ed ' «. Determinese la excursign simética en la tensiGn de salida. 4. Encuéatrense la potencia disipada por el transistor y la potencia entregada 2 a la carga. ; 2.20 Utilcese el circuito de la figura P28 a. Encuéntrense los valores de Ri y Ro si Ic¢ b. Dibijense las lneas de carga de ca y ed. ¢. Determinese la excursin simétrca en la tensiGn de salida 4. Encuéntrense la potenciadisipada por el transistor y la potencia entregada ala carga 12.21 Utilicese el circuito deta figura P28 . Encuéntrense los valores de Ry y Rz necesarios para conseguir la maxima excursin simética posible. . b. Dibjense las Lneas de carga de ca y cd. 10 ma. 134v2.22 Problems” 107 cc. Determinese a méxima excursién simétrica en la tensi6n de salida. 4. Encuéntrese la potencia disipada por el transistor y la potencia entregada ala carga, Utilicese et amplificador emisor seguidor de 1a figura P2.9. a. Determinense los valores de Vozg € Jog. , Determinese la excursi6n en la tensiGn de salida. c. Encugntrense la potencia entregada ala carga y laestimacién de la potencia requerida por el transistor. Figura P29 223 224 2.25 ¥ 2.26 Figura P2.10 Utilicese el amplificador emisor seguidor mostrado en la figura P2.10. a. Determfnense los valores de Voeg € Ica: b. Dibujense las lineas de carga de ca y ed. ¢, Determinese el valor de Ia excursiGn simétrca en la tensin de salida, 4. Al resistor de 1 kQ se le coloca un capacitor en paralelo. Describa los cambios que ocurren en la operacién del circuito. Determinese la méxima excursiGn simétrica en la tensiGn de salida para el cir- ccuito de la figura P2.10 seleccionando nuevos valores para Ry y Rz. {Cudles son los valores para estos resistores? Dibdjense las nuevas lineas de carga. Al resistor Re se le coloca un capacitor en paralelo en el circuito de Ja figura P2.10. Determinese la méxima excursién simétrica en la tensién de salida seleccionando nuevos valores para Ri y Rs. {Cusles son los valo- res de estos resistores? Encuéntrense la potencia entregada a la carga y 1a estimacion de potencia necesaria del transistor, Seleccionando nuevos valores para Ri y Ra, determinese la méxima excursi6n simétrica en la tensiGn de salida para el circuit de la figura P2.8 si el resistor de carga se reduce a 500 2. Encuéntrense la potencia entregeda a la carga y la estimacién de potencia del transistor. 135108 Capitulo 2 Amplificadores con transistores bipolares de unién , PROBLEMAS ADICIONALES PA21 Encuentre 1a méxima amplitad pico a pico de ic en el circuito de la figura PA2.1. Suponga que Voc = 24 V, Ro = 2k9, Re = 4009 y B= 100, Dibuje la Iinea de carga en od cuando Ry =1 KM; Rp =3 kN PA22 Encuentre la excursién simétrica pico a pico de ic en el circuito de la figura PA2.2 cuando Ry = 5 k®, Ry = 50 KO, Veo = 12 V, Vag = Re =300 9, 6 = 200 y Ro = Ry =5 k0. 7, Veo RE Re . coe owe I oi . Rg Re R Figura PAD Figura PA22 = PA23 Con el circuito del problema 2.2, encuentre los valores de Ri y Ra que proporcionen la méxima excursién pico a pico posible en ic. Dibuje las lineas de carga. PA24 Para el amplificador del problema 2.2, calcule lo siguiente: a La potencia suministrada por la baterta. b. La potencia disipada por las resistencias Rs, Ro, Re y Ro. ¢. La potencia disipada por la unién del colector. PA2S Para el amplificador del problema 2.3, calcule lo siguiente: a. La potencia suministrada por la bater b. La potencia disipada por las resistencias Rj, Ro, Re y Ro. «. La potencia disipada por la unién del colector. Compare sus respuestas con las del problema 2.4. 'PA2.6 Para el amplificador de la figura PA2.2, Ry = 3 k9, Rp = 20K9, Ro = Ry =1k9, Re = 200 2, 8 = 100 y Voo = 20 V, encuentre la posicién {del punto Q. El transistor se reemplaza con otro de f distinta, Encuentre el valor minimo de 8 para que Teg no cambie mis del 10% 136Problemas adicionales 109 ~PA27 Se aplica una fuente de tensién directamente ala base de un transistor npn ‘como se muestra en Ja figura PA2.3. La resistencia interna de la fuente se ‘muestra como Rj, Determine Icq, Veeg y Vo cuando Ia entrada de ca es cero. (Suponga que 8 = 100 y Vag =0.7 V) o3v — sv 12ka ska 2a -5v Figura PA23 Figura PAZ PA28 En el problema anterior, ,qué valor de resistor seré necesario afadir a 1a resistencia de la fuente’ para que la salida del circuito sea 3 V cuando m=O? ~PA29 Analice el ciruito mostrado en la figura PA2.¢ y determine lo siguiente (Guponga que Vag = 0.7 V y 8 = 100): a Icqy Vorg- . La excursiGn simétrca a la selida, e. La potencia suministrada por fa baterfa. 4. La potencia de salida en ca, . . Las lineas de carga para el amplificador. “PA2.10 Diseie un amplificador emisor comin utilizando el cireuito mostrado en Ja figura PA2.5 para obtener la méxima excursiGn simétrica en la tensién de salida. El diseiio debe tener una polarizacién estable en od. (Utilice Vpe = -0.6 V y 8 = 200.) Determine: 2. Teg y Verg- b. Ruy Re. c. Méxima excursién simétrica en la tensién de salida, 4. La estimacién en la potencia del transistor requerido. S «. La potencia de salida en ca. 'PA2.11 Diseffe un amplificador emisor comtin estable a la polarizacién wtilizando el cireuito mostrado en la figura PA2.6 para obtener tna tensién de salida de 1 V cero.a pico. (Suponga Vag = 0.7 Vy 6 = 200.) Este amplificador utlizard la minima potencia de Ia baterfa. Determine: 137-—— 110 Capitulo 2 Amplificadores con transistores bipolares de unién ~6v AE 2ka coe ‘oa E* Cre Hows + Figura PAS Figura PA26 a Ica y Vera. b. Bry Re Coe -6v A212 Disefe un amplficador emisor seguidor utilizando un transistor npn con éxima excursiGn simétrica de salida para las siguientes especificaciones: Re = 250 2, Voc = 12 V, Re = Ry = 8 2, Vax = 0.7 Vy B = 200, ‘También, determine P,(ca), la potencia suministrada por la bateria, y la potencia que es necesario disipar en el transistor. ™*PA2.13 Analice el circuito mostrado en la figura PA2.7, y determine lo siguiente cuando 8 = 200 y Vag = 0.7 V: a Ieq ¥ Vero. b. La excursion simétrica de la salida. ¢. La potencia suministrada por la baterfa. 4. La potencia de salida en ca. e. La estimacién de potencia para el wansistor requerido, 10Ke! 10k0 Figura Pa2.7 138, t lov Coe bai 4000 4000 20003.0 DISENO DE AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION INTRODUCCION En el capftulo 2 se analizé la polarizai6n, w operacin en ed, de ciruitos con BIT. El transistor se polariza para obtener la suficiente excursin en la tensién pico a pico de sada. En este capitlo, la atencién se centraré en el andlisis en ‘equefa serial por medio de téenicas de uso de circuitos equivalentes. Se describe 1a utilizacin del método del ciruito equvalente usando pardmetroshiridos. Los parimetros del transistor necesarios para evar 2 cabo este anlisis se pueden Obtener de las hojas de datos de fos fabricanes. Estos proporcionan los datos en un formato como el mosirado en ls ejemplos del apéndice D El método de diseno ‘que se presenta aqui reduce la dependencia del circuto de las variaciones en los parimettos de! transistor. El capitulo comienza con una intcoducci6n& los parémetros bros que se uii- zan para desarrllar un modelo matemético del transistor. Se dervan las esvaciones pata la resistencia de entrada, la ganancia de tensién, la ganancia de correntey la resistencia de salida para las diversas coniguraciones de amplificadres (es deci, EC, CC y BC). En cada caso, se desarrollan tanto las relaciones exactas como las aproximadas. Se presentan ejemplos de dseho para cada caso. También se expone €l andisis de ampliicadores multitapa y se proporcionan problemas. con 139! i 112 Capitulo 3. DiseRo de amplificadores con transistoresbipolares de union Figura 34 Red de dos pues. 3.1 ANALISIS DE REDES DE DOS PUERTOS 3.1.1. Formula de ganancia de impedancia Se deriva una relacién importante entre las cantidades de ca de ganancia de tensi6n, ‘Ay, y de ganancia de coniente, A;, En la figura 3.1 se muestra un diagrama de bioques de una ted de cuatro terminales (dos puertos) con resistencia de entrada Reg y resistencia de carga, Rz, que Se supone Son resistores. En general, pueden ser impedancias compleja. Las relaciones entre las variables de entrada, v;€ fa, ¥ las variables de salida, 1% € io, se derivan directamente de la ley de Ohm. Esto es, Ry 1 = jeaRen ‘Tomando Ia relacién de estas dos ecuaciones, se obtiene Mie Re tte Ree La ganancia de tensién se define como y la ganancia de corriente como Ace ie Combinando las ecuaciones, se obtiene ARy Aaa en La ecuacién (3.1) se llama formula de ganancia de impedancia y se utiliza a 10 largo de este texto 1403.1.2 Figura 32 CCicuito equivalent para los padmet 3.1 Andlisis de redes de dos puerios 113 Pardmetros hibridos Existen muchas formas de caracterizar redes de cuatro terminales. En un sistema de cuatro terminales, hay cuatro variables de circuito: Ia tensién y la corriente de entrada, y la tensi6n y la corriente de salida, Estas cuatro variables se pueden relacionar por medio de algunas ecuaciones, dependiendo de cules variables se consideren independientes y cules dependientes. El par de ecuaciones de pardmetros hibridos (pardmetros h) (y su cireuito equi- ‘valente) se utiliza a menudo para andlisis de circuitos con BIT. El par de ecvaciones se especifica como sigue: t= hut + hiv : G2) ge hai t him G3) El primer digito del subindice en denota la variable dependiente, en tanto que cl segundo dfgito denota la variable independiente asociada con el pardmetro h en panicular, Entonces, por ejemplo, his relaciona v2 con v3. Se supone que los valores de f son constantes. Cuando se utilizan los parsmetros h para describir una red de transistores, el ppar de ecuaciones se escribe como sigue: vy = his + hyn 4) ine hyiy thou @5) donde los pardmetros h se definen como: fh, = hy = sesistencia de entrada del transistor fh, = hia = ganancia de tensi6n inversa del transistor hy =hn = ganancia directa de comiente del transistor hg = haa = conductancia de salida del transistor ‘Cuando los pardmetros # se aplican a redes de wansistores, toman un signifi- cado préctico en relacién con el desempefio del transistor. El circuito desarroliado utilizando los pardmetros h se muestra en la figura 3.2. Una aplicacién simple de las leyes de Kirchhoff al circuito de la figura 3.2 muestra que éste satisface las cecuaciones (3.4) y (3.5) oe ~@ 141Capttulo 3 Diseio de amplificadores con transistores bipolares de unién ‘Cuando los pardmetros de entrada y de salida se igualan en forma individual a cero, cada pardmetro hjbrido representa ya sea una resistencia, una conductancia, ‘una raz6n de dos tensiones o una raz6n de dos corrientes. Las siguientes ecuaciones se derivan de las ecuaciones (3.4) y (3.5). Después de cada ecuacién estén las ‘unidades relacionadas con el pardmetro y el nombre que se da a éste. chs: resistencia de nada en conicclto con v2 €n ' imensinls unc dicta de cone can vy 2 hye costes n eimensonal: isonet con i en i> hy= a cuit abiento Blane a samen (tes ron contac ks on eo You = | circuito abierto “liso Estos pardmetros son idealmente constantes, aunque los valores numéricos de- penden de la configuracién del transistor. Por ejemplo, si la terminal 1 de la figura 3.2 es la base, 2 es el emisor y 3 el colector, el circuito representa una configuracién en EC. De manera similar, el transistor se puede modelar como una configuracién en BC si las terminales 1,2 y 3 son el emisor, la base y el colector, respectivamente, Es muy dtil contar con alguna forma de distinguir entre las tres configuraciones, es decir, EC, CC y BC. Se afiade un segundo subfndice a cada pardmetro hfbrido para proporcionar esta distinciGn, Por ejemplo, un circuito en EC suele tener Ay en el circuito de base, y se cambia a hie. De manera similar para BC, hy se cambia por his, ¥ para CC, se cambia a hic. Los tres valotes se relacionan entre si como hig = (1+ Bphis % Bhan = Iie 66 En la figura 3.3 se muestra un amplificador EC con dos circuitos equivalentes istintos. Aungue el modelo de parimetzos h define el segund> subindice en asociacién con el tipo de configuracién del amplificador, his y he son valores de resistencia que se basan en el punto de opéracién del amplificador y en la ubicacién de estas resistencias en el circuito equivalente. En este caso, los subindices no tienen nada que ver con la configuracién del amplificador. Se aplica el mismo concepto @ hye, que se refiere a 8 sin importar cOmo esté colocado el transistor dentro de la configuracién del amplificador En cada circuito equivalente se hace 1a simplificaci6n (en general razonable) de que hr = hp = 0. En la figura 3.3(b) se utiliza el modelo en EC, donde el transistor se reemplaza por el circuito de la figura 3.2 con la terminal 1 como la base, la 2 como el emisor y la 3 como el colector. En la figura 3.3(c) el transistor 142Figura 33 EC y cictos ‘equivalents. 3.1 Andlisis de redes de dos puertos AS ge ¢ v ie aie fe nO Rs Re Re k, ERe © Re se reemplaza por el modelo en BC. Esto es, utilizando la figura 3.2, la terminal 1 es el emisor, la 2 es la base y la 3 el colector. Para corriente a pequefa sefial, se observa que hye es la razén entre el cam- bio en la cortiente de salida (A‘c) y el cainbio en la corriente de entrada (Ap). Recuérdese que esta relacién es también la expresion que define a 8. Como resul- tado, hye == SIC 4B la. econsame El valor real de f es funci6n de! punto de operaci6n (fog) del transistor. En la “porcién plana de la curva de ic contra vce con ip constante, el cambio en es pequefo. Conforme el transistor se aproxima a la saturaci6n, 8 empieza a caer. A medida que el transistor se aproxima a conte, también se aproxima a cero, Las especifcaciones del fabricante presentan a menudo una gréfica de hye como funcién de ic. La conductancia de salida del transistor, he, suele ser pequefia Por tanto, 1a resistencia de salida, v5, generalmente es grande. Como ejemplo, examinese Ia hoja de especificaciones del fabricante para el 2N3903 (véase Ap. D). Se puede ver que la conductancia de salida varfa de 4 4S a 65 uS conforme ic varia de 0.1 mA 2°10 mA. Esto significa que la resistencia de salida varia de 15 K 4250 KM. Como ejemplo de tn valor caracteristico, cuando Icg es igual a mA, la resistencia de salida del transistor es aproximadamente 115.9. Con una carga caracteristica de 4 kM, le combinacién en paralelo es més 0 menos 4k (aque 115 KM es mucho mayor que 4 KA) y se puede suponer que To es infnita, [La ganancia inversa de tensin de la red, hy, también es pequefia y se ignora en el cireuito equivalente del transistor uilizado en el texto. Otro modelo de dos puertos que se utiliza en el estudio de circuitos de transis- tores es el modelo © h@rido, que es importante cuando ¢} transistor se utiliza en 143116 Capitulo 3 Disefio de amplificadores con transistores bipolares de unién Figura 34 Cresta equvalente bio, 3.2 Be c - ate g E alta frecuencia. Incluye los efectos de los parimetros que se vuelven signifcativos en alta frecuencia (esto se analiza en el capitulo 10). En la figura 3.4 se muestra un modelo = hibrido del transistor a baj frecuencia y pequeia sefial. El modelo para baja frecuencia es similar al de los parémetros para el EC. La diferencia’ principal es que la fuente de corriente controlada por corriente de Ta figura 3.2 se reemplaz6 por una fuente de corriente controlada or tensi6n, De hecho, es muy seneillo comparar los parémetros como sigue: RESISTENCIA DE ENTRADA EN CORTOCIRCUITO Se explora el valor de los pardmetros antes de abordar la utilizaci6n real de los circuitos equivalentes para el disefio y andlisis. Primero se desarrollan las ecuacio- nes para hie y Ais, que muestran la dependencia de estos parsmetros respecto a la ubicacién del punto de operacién, ‘Se comienza con la ecuacién para las caracterfsticas de operacién de la unién bbase-emisor, que se comporta como wn diodo, tal como se present6 en el capitulo 1. woofer) sta ecuaciGn se deriva con respecto a vpe para obtener dia do oxy (URE feos Ve Ve 1443.3 3.3 Pardmetros en EC 117 En la regién de polarizaci6n directa, ig esté dada aproximadamente por ip= [exp (#2) Entonces dig _ ia. dugs Vr Pero de la definicién de hie, se obtiene (véase Fig. 3.2) Au _ dees | Ve Bike” dia Iq Recuérdese ahora que hey B Por sitimo, Vr Vp hae oe 7D [isa Ucel ey La ecuacién (3.7) se conoce como ecuacién de Shockley. Utilizando la aproxi- macién Vy = 26 mV, que se aplica al BIT, la ecuacién (3.7) se vuelve 0.026 V Weal G8) La ecuacién (3.8) es stil para estimar el valor de hip, que se utilizaré en el cireuito ‘equivalente de la figura 3.3(€) (0 gm en el circuito equivalente de la Fig. 3.4). PARAMETROS EN EC Las ecuaciones que definen los pardmetros de amplificacién en ca se resumen en la tabla 3.1 y se derivan en las siguientes secciones. Obsérvese que la tabla proporciona dos ecuaciones de definicién para cada parémeo. Estas se denominan come forma larga y forma corta, La ecuacién en forma corta es una vers 145118 Capitulo 3 Disefto de amplificadores con transistores bipolares de unién 3.3.1 simplificada de Ia ecuacién en forma larga y se deriva haciendo suposiciones acerca de los tamafios relativos de algunos ée los pardmetros. Se anotan las suposiciones necesarias conforme se deriva cada ecuaci6n; las suposiciones se encuentran en la tabla. Este doble conjunto de ecuaciones se utiliza como base para la técnica de reso- Juci6n de problemas usada aqui. En general, se utiliza la ecuacién en forma corta porgue los parimetros no se conocen de manera’ més precisa. Luego se verifica {que las suposiciones necesarias para hacer valida esta forma corta sean, efectiva- mente, vélidas. Si se aplican las condiciones de fa forma corta, los valores de los ‘componentes caen dentro de los margenes de tolerancia de fabricacién. Si no se aplican tales condiciones, los célculos se deben repetir utilizando las ecuaciones en su forma larga, En la tabla 32 se resumen los circuitos equivalentes utilizados en las de- rivaciones. Resistencia de entrada, Ren Se utiliza el ciruito de parimetros hibridos para derivar Ia ecuacién de la resisten- cia de entrada para cada tipo de configuracin del amplifcador. En la figura 3.5 se modifica el amplificador EC de la figura 33 afiadiendo una resistencia de carga aco- plada por capacitor. El circuito bésico se muestra en la figura 3.5(a), mientras que en Ja figura'3.5(b) y (c) se-muestran dos formas de circuito equivalente. Notese que se omitis en el modelo la ganancia inversa de tensin, fr, y la admitancia de salida, ho El cireuito equivalente de la figura 3.5(0) se utiliza para derivar la resistencia de entrada, Req. En general, es bastante grande para eproximar 1 + 8 como 8. La comiente en Re es, por tanto, aproximadamente igual a fy. Si ahora el circuito se divide como en la figura 3.5(c), la comriente a wavés del resistor en serie con hie en el lazo de entrada es is. Entonces, para mantener la tensién en el mismo valor que en el citcuito original, se debe cambiar l valor del resistor a ORs. La resistencia de entrada se encuentra entonces escribiendo las ecuaciones de LTK y LLCK para el lazo de entrada Ba Rol hie + ARs) = Pete * PRED Raw Ra+he+BRe Ce Se sustituye hye = Bhis para obtener Ra(hy+ Re) Fea Rg/B+ha+ Re a Si Rg es despreciable comparada con Rez, la ecuacién (3.10) se puede simplificar mas hacia la forma mostrada en la ecuacién (3.11). = Rathe+ Re) Rae Re Re Gp 146 a9 8 g g z 8 ys Oy i nyt Hy Bo Bud >> ty & ty >> ta yemnoo somo 2 Soyer Bo aey “ Subang ae ae a 9 PY es set ag oma it "y a 1 ACW Pa) >> Hy AE TP >> M4 1s “sen09 seuos open mses & ted men) para 77 fat 4 ne y Bett 7s { ‘yd >My A ty => q is 'sem09 seumoy | aye tye aya oe rE] sty Me Ca Ty a 3 "y= sm rng Gap open e139 epeanaus| CO) armies op panes | CY) wiser 9p eaBHED wi jue op seuopeinbyuoo seueIapp Se) Bed SENUNOS LE EIMEL Caeeyned 147e 3 3H s oy 8 eth S eS ‘upuios aseq, 3 & § : § 8 i a t spas sos a soyzede woo auneanbs 19 idle ep SouoppeINGyuoD SejUs!eyp Se] IEd seqUojeANDe SOUND) z'E BIGEL 120 148Figura 33 Canfguacion EC. 3.3. Parémetros enEC 121 () Modelo en we [MO Reg BRL Re (e) Entrada y std separadas La eouacién (3.10) es la forma larga de la ecuacién y requiere s6lo una apro rmacin, esto es, > 1, La ecuacién (.11) esté en forma corta porque requiere amass aol de aug Rp < Rp, que a menudo se expresa como aes < 0.152; — Aya La relacién de divisién de comtiente aplicada a la salida de Ia figura 3.5(b) da El signo negaivo resulta dela dreccign opuesta de Bis con respecto a iz. Entonces BReiy Re % Rp+Ro Aye Se desea obtener una expresién para Ay que no contenga otras variables. Esto fs, se necesita eliminar is y Uey de la ecuaci6n anterior. Aplicando divisién de corriente en la entrada, se tiene la siguiente expresién para ig: 149Capitulo 3 Disefo de amplificadores con transistores bipolares de unién Rein © Rea + hie + BRE Esto se sustituye en la ecuacién para Ay a fin de obtener Re _ Ro Roice Asa Rit Re Rat hie+ Re Como v; = ign Rens Se obtiene

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