Sunteți pe pagina 1din 10

1.1.

INTRODUCERE N ELECTRONIC
1.1.1. Scurt istoric
Electronica este tiina i tehnologia micrii sarcinilor ntr-un gaz, vid
sau semiconductor. De notat c micarea sarcinii (restrns la metale) nu
este considerat ca innd de electronic.
Astzi inginerii din domeniul electric execut diverse funcii
(proiectare, dezvoltare, producie sau cercetare) apelnd la diferite aplicaii
din ingineria electronic.
Istoria electronicii este divizat n dou perioade majore de timp,
referite ca era tubului cu vid i era tranzistorului, cea de-a doua ncepnd cu
inventarea tranzistorului, n anul 1948.
Originile ingineriei electrice se bazeaz pe realizrile unor gigani ai
tiinei ca Ampre, Coulomb, Faraday, Gauss, Henry, Kirchhoff, Maxwell i
Ohm. Primele utilizri practice ale muncii lor, n contextul electronicii
moderne, au constat n dezvoltarea sistemelor de comunicaie. Astfel, n
1837 Samuel MORSE, profesor la Universitatea din New York, a pus la punct
telegraful.
Aproape 40 de ani mai trziu, n anul 1876, Graham BELL a inventat
telefonul i a introdus o metod de codare a informaiei vorbite n semnal
electric i apoi decodarea acestor semnale la un receptor. Inventarea de
ctre Thomas EDISON a fonografului n 1877, a demonstrat c semnalele
electrice pot fi stocate i nregistrate secvenial . nregistrarea de tip
fonograf poate fi considerat ca prima memorie electric de tip ROM.
Introducerea comunicaiei radio este bazat pe contribuia major a lui
James Clark MAXWELL, care n 1865 a structurat cercetrile sale anterioare
ntr-o consistent teorie a electromagnetismului, acum referit ca ecuaiile
lui Maxwell. Saltul major nainte a fost realizat prin prevederea de ctre
Maxwell a existenei undelor electromagnetice, care pot fi propagate n
spaiu. De aceast dat, teoria a precedat experimentul, iar 23 ( 1888) de ani
mai trziu HERTZ a produs astfel de unde experimental, n laborator. TESLA a
fost ns primul care a folosit undele hertziene. Dei n istoria electronicii se
vorbete c n 1896 MARCONI a fost primul care a transmis succesiuni de
astfel de unde i le-a detectat la 2 mile deprtare, punnd astfel bazele
telegrafiei fr fir, n realitate TESLA a fcut un asemenea experiment nc n
1988.
Originea termenului electronic poate fi atribuit lui H.A. LORENTZ,
care n 1895 a postulat existena sarcinilor discrete numite de el electroni
(nlocuind cuvntul amber folosit de grecii antici). Doi ani mai trziu, n
1897, J.J. THOMPSON a verificat experimental existena electronilor.
1.1.2. Tubul cu vid
Era tubului cu vid acoper prima jumtate a secolului al XX-lea. n
1904, Fleming a inventat un dispozitiv cu dou elemente dioda, pe care el
a numit-o lamp. Acest dispozitiv consta dintr-un fir nclzit (filamentul, care
n cazul diodei inea loc i de catod), care emitea electroni (efect Edison) i

era separat de un platou metalic. ntreaga structur era ncapsulat n vid


(balon de sticl).
Inventarea triodei de ctre DeForest n 1906, consta din introducerea
n tub a unui al treilea electrod (grila), inseriat ntre platou i catodul tubului
lui Fleming. Potenialul grilei controla practic curgerea de sarcin ntre
platou i catod.
Primele aplicaii ale tuburilor cu vid au fost n telefonie i comunicaii
radio. Dup 1930, tuburile au fost utilizate pe scar larg i n televiziune.

Figura 1.1.
Televiziunea alb-negru a demarat dup anul 1925 i a fost bazat la
acea dat pe iconoscopul i cinescopul lui Zworykin. Rspndirea televiziunii
ns a avut loc dup cel de-al doilea rzboi mondial.

Figura 1.2
Primul calculator electronic a fost realizat n 1946 de ctre Eckert, cu
ajutorul a 18.000 de tuburi cu vid i ocupa o suprafa de cca. 130 m 2.
1.1.3. Tranzistorul
Era semiconductorului a nceput cu inventarea tranzistorului n 1948.
Oricum aceast er a nceput n munca anterioar, realizat ntre 1920 i
1945. n acea perioad studierea proprietilor electromagnetice ale
semiconductorilor a fost n principal domeniul fizicienilor. Toate aceste
cercetri erau necesare deoarece tuburile cu vid aveau limitri majore:
puterea era mare i era consumat chiar cnd ele nu erau n utilizare,
filamentele se ardeau i astfel tuburile trebuiau schimbate destul de des.
Toat aceast munc asidu, a fost ncununat de succes la sfritul
anului 1947, cnd la laboratoarele Bell, un grup (BRATTAIN si BARDEEN)
condus de William SHOKLEY a terminat experimentele legate de tranzistorul
cu jonciuni. Aceste dispozitive depindeau de purttori de sarcin de ambele
polariti i de aceea s-au numit tranzistoare bipolare. Pentru aceast
invenie, grupul condus de Shockley a primit Premiul Nobel pentru fizic n
anul 1956.

Figura 1.3
Apoi, n anii 1952-1953 se pune la punct tranzistorul cu efect de cmp
cu jonciune (Shockley-Pearson), iar Lask n 1953 inventeaz tranzistorul

unijonciune. Primele tipuri de tiristoare snt realizate de un grup condus de


Moll i Tanenbaum n 1958.
Pn n 1961 att firma Fairchild ct i Texas Instruments au trecut la
comercializarea circuitelor integrate (realizarea unor dispozitive multiple pe
o singur pastil de siliciu, cu scopul de a reduce mrimea, greutatea, costul
pe element activ i a crete fiabilitatea dispozitivului).
Dezvoltarea industriei calculatoarelor a impus fabricarea unor noi
circuite integrate. Viteza, consumul de putere i densitatea de componente
snt considerate importante privind circuitele digitale. O prim familie de
circuite integrate bipolare a fost cea de tip TTL, inventat n 1961 de firma
Pacific Semiconductor.
Prima dezvoltare important n circuitele integrate analogice a venit n
1964, cnd firma Fairchild, a dezvoltat primul amplificator operaional.

1.1.4. Obiectivele cursului


Dispozitivele electronice snt acele componente ale circuitelor
electronice a cror comportare se bazeaz pe controlul micrii purttorilor
de sarcin n corpul solid, n gaze sau n vid. n ultimii ani, aproape toate
dispozitivele electronice folosesc conducia n corpul solid, respectiv n
semiconductoare.
n cazul acestor dispozitive, fenomenele electronice se petrec fie n
volumul semiconductorului (fotorezisten), fie la grania dintre regiuni
semiconductoare cu proprieti diferite (dioda, tranzistorul etc.), fie la
contactul dintre un semiconductor i un metal (tranzistorul MOS etc.).
Prezentul curs va aborda funcionarea, caracteristicile i aplicaiile
dispozitivelor semiconductoare.
Circuitele electrice care folosesc dispozitive electronice se numesc
circuite electronice. Acestea au rolul de a realiza anumite funcii electronice
specifice ntre care: amplificarea, redresarea, stabilizarea tensiunii,
generarea de oscilaii armonice etc.

1.2. METALE I SEMICONDUCTOARE


Majoritatea conductoarelor de electricitate solide snt fie metale, fie
semiconductoare.
Semiconductoarele, ntre care exemplele cele mai obinuite snt
siliciul i germaniul, difer de metale din mai multe puncte de vedere.
Diferena cea mai important i fundamental este faptul c la nivel
microscopic, semiconductoarele conduc curentul electric cu ajutorul a dou
moduri distincte i independente de micare a purttorilor de sarcin
curgerea sarcinilor negative i curgerea sarcinilor pozitive.
Metalele conduc curentul electric numai prin purttori de sarcin
mobili de sarcin negativ, ntr-un metal neexistnd purttori mobili de
sarcin pozitiv.

1.3. MECANISMUL CONDUCIEI


Atomul este format dintr-un nucleu, care conine neutroni (particule
fr sarcin electric) i protoni (particule cu sarcin electric pozitiv). n
jurul nucleului, graviteaz pe diverse orbite, electroni (particule cu sarcin
electric negativ). Cnd numrul protonilor este egal cu numrul
electronilor, atomul este neutru din punct de vedere electric.
n anumite mprejurri, electronii pot s sar de pe o orbit pe alta,
emind sau absorbind cuante de energie. Electronii situai pe orbita cea mai
apropiat de nucleu snt mai strns legai de acesta, pe cnd electronii de pe
ultima orbit electronii de valen, snt cei mai slab legai de nucleu. Ei
determin numrul de valen al elementului considerat.
n micarea lor, electronii posed anumite energii bine definite, deci
posed anumite niveluri energetice. Unitatea de msur pentru nivelul
energetic se numete electronvolt (eV) i
1 eV = 1,6 10-19 J
Cnd are loc cuplarea electronilor de valen ai atomilor vecini dintr-un
cristal, electronii cuplai n reeaua cristalin, au posibilitatea s ocupe
nivelurile energetice cuprinse n anumite benzi de energie, numite benzi
permise, i nu numai niveluri enegetice discrete corespunztoare atomului
izolat.
De regul, electronii ocup niveluri de energie minim din banda
ocupat, denumit i banda de valen. Datorit agitaiei termice sau sub
influena unui cmp electric aplicat din exterior, electronii i sporesc energia
i pot trece pe nivelurile permise superioare, n banda liber, denumit i
band de conducie, i astfel ei devin electroni liberi sau electroni de
conducie, care pot s circule n ntreaga reea cristalin.
La un material conductor, banda de valen se ntreptrunde, cu
banda de conducie (figura 1.4), iar numrul electronilor liberi, este foarte
mare. Sub aciunea unui cmp electric orict de slab, electronii liberi capt o
micare ordonat n sens contrar cmpului i astfel apare curentul electric n
corpul conductor. Cnd materialul conductor primete energie din afar (ex.:
prin nclzire), electronii liberi pot prsi corpul, dnd natere emisiei
electronice.
banda liber

banda liber
(de conducie)
E
banda ocupat
(de valen)

Figura 1.4

banda interzis

banda ocupat
Figura 1.5

La corpurile izolante (Figura 1.5), numrul electronilor liberi este


foarte mic, iar benzile de conducie i de valen, care constituie benzile
permise, snt separate printr-o band interzis cu lrgimea de 5...10 eV, n
care nu se afl electroni. n acest caz, conducia poate s apar numai dac
unii electroni din banda de valen dobndesc prin nclzire puternic, sau
sub aciunea unui cmp electric de intensitate mare, energii suficient de mari
pentru a deveni liberi.
Corpurile semiconductoare au o structur a benzilor de energie
asemntoare cu cea a izolatoarelor, singura deosebire fiind lrgimea mai
mic a benzilor interzise (Figura 1.6). La germaniu, lrgimea benzii interzise
este E = 0,76 eV, iar la siliciu E = 1,1 eV.

banda liber

banda interzis

banda ocupat

Figura 1.6
Cnd electronul posed suficient energie, el poate s treac din banda de
valen n banda de conducie, lsnd n urma lui un nivel energetic
neocupat. Absena unui electron din banda de valen poart numele de gol.
Golul trebuie privit ca o particul activ, cu sarcina electric pozitiv, egal
n valoare absolut cu sarcina electronului. Electronii i golurile se numesc
purttori de sarcin i deci ei particip la conducia curentului electric n
semiconductor.
n majoritatea lor, electronii de valen ai atomilor unui semiconductor
(cum ar fi siliciul) nu snt liberi s se deplaseze n ntregul volum al
semiconductorului. Ei particip n schimb la legturile covalente care menin
ansamblul atomilor semiconductorului dintr-o structur cristalin periodic.
Fiecare atom al cristalului are patru vecini imediat apropiai i mparte cu
aceti vecini electronii si de valen (atomii semiconductorilor snt
elemente din grupa a IV-a).
n cazul n care toi electronii de valen snt legai prin legturi
covalente, conducia electric nu este posibil deoarece nu exist purttori
de sarcin liberi, care s se deplaseze. n consecin, un material care are
aceast dispoziie a electronilor se comport ca un izolator. Ca exemplu, de
astfel material se poate cita diamantul, care este o form cristalin a
carbonului.
Distribuia real a electronilor de valen dintr-un semiconductor
difer de cea prezentat prin faptul c la toate temperaturile peste zero

absolut, cteva legturi covalente snt incomplete. Electronii care lipsesc din
aceste legturi nu mai snt meninui n regiunea legturilor, ci snt liberi s
se deplaseze.
La temperatura camerei, aproximativ un atom din fiecare zece miliarde
are o legtur rupt (Figura 1.7). Dei aceste legturi rupte snt att de rare,
ele au un efect enorm asupra proprietilor electrice ale semiconductoarelor.
Un material este considerat drept semiconductor i nu un izolator, n cazul n
care numrul de legturi rupte este de ordinul 10 8 pe cm3.
e+4
+4
+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

Figura 1.7
Consecina acestor legturi covalente rupte este faptul c exist dou
grupuri distincte i independente de purttori de sarcin care poart curenii
electrici n semiconductoare.
O clas de purttori de sarcin snt electronii de conducie, care snt
produi n momentul n care un electron de valen se elibereaz dintr-o
legtur, iar cealalt clas este asociat electronilor de valen care rmn
legai n legturile covalente. Este evident c o legtur rupt este asociat
cu o regiune localizat de sarcin pozitiv (n vecintatea legturii rupte
exist un exces de sarcin ionic pozitiv fa de sarcina electric negativ).
Aceast regiune de sarcin pozitiv se numete gol, deoarece rezult dintrun defect sau loc liber n structura legturilor.
Micarea sarcinii pozitive localizate are loc datorit faptului c un
electron de valen dintr-o legtur situat n apropierea legturii rupte (n
apropierea golului) poate umple locul liber, fcnd prin aceasta ca golul s se
deplaseze n direcie opus (figura 1.8).
+4

+4

+4

+4

+4

+4
Gol
e-

+4

+4
Figura 1.8

+4

n felul acesta, electronii de valen se pot deplasa de la legtur la


legtur, fr a dobndi totui energie suficient pentru a se elibera de
structura legturilor. n consecin, golul se poate deplasa n material fr ca
prin aceasta s influeneze ntr-un fel electronii de conducie.
Acest
model
de
semiconductor
introdus,
corespunde
semiconductorului intrinsec. La acest tip, reeaua cristalin este considerat
ca avnd n noduri numai atomi ai semiconductorului de baz i nu prezint
defecte. ntr-un semiconductor intrinsec, prin ruperea unei legturi
covalente se formeaz o pereche electron-gol, deci concentraiile celor dou
tipuri de purttori snt egale.
Notnd cu n concentraia de electroni i cu p concentraia de goluri din
semiconductor, valoarea lor comun se numete concentraia intrinsec i
este notat ni. Deci,
n = p = ni .
Concentraia intrinsec depinde de temperatura absolut i de
lrgimea benzii interzise E:
3

n i A T 2 exp
,
2k T

unde:
A constant, iar k constanta lui Boltzman.
Concentraiile golurilor i electronilor snt puternic influenate de
cantiti infime de impuriti, care se adaug la un semiconductor n timpul
fabricrii lui. Procesul prin care ntr-un semiconductor se introduc impuriti
se numete dopare, iar semiconductorii respectivi se numesc
semiconductori extrinseci.
Dac reeaua cristalin a unui semiconductor tetravalent (germaniu,
siliciu) este dopat cu o impuritate pentavalent (stibiu, fosfor, arseniu,
bismut), cel de-al cincilea electron de valen nu particip la formarea
legturii covalente, fiind slab legat de atomul su. Chiar la temperatura
camerei acest al cincilea electron poate s devin liber i astfel atomii de
impuritate constituie o surs de electroni de conducie n reeaua
semiconductorului (figura 1.9).
Electronul de impuritate, devenit liber, nu las n urma sa un gol ci un
ion pozitiv de impuritate, fix, n reeaua cristalin a semiconductorului.

+4

+4

+4
e-

+4

+5

+4

+4

+4

+4

Figura 1.9

Notnd cu nn concentraia de electroni, pn concentraia de goluri din


materialul semiconductor, ND concentraia atomilor de impuritate, ND+
concentraia de ioni pozitivi, avem urmtoarele relaii:
n n N D N D
pn

n i2
nn

Aceste impuriti se numesc donoare (de tip n), iar semiconductorul


cu impuriti donoare se numete semiconductor de tip n. ntr-un
semiconductor de tip n electronii de conducie (datorai atomilor de
impuritate) snt n numr mare i se numesc purttori mobili de sarcin
majoritari, iar golurile snt n numr mic i se numesc purttori de sarcin
minoritari.
Cnd reeaua cristalin a unui semiconductor tetravalent este dopat cu
impuriti trivalente (atomi de indiu, galiu, aluminiu etc.), atunci o legtur
covalent dintre un atom de impuritate i un atom de semiconductor rmne
nesatisfcut. Din cauza agitaiei termice (chiar la temperatura camerei),
electronii de valen dobndesc un surplus de energie i unii dintre ei vor
completa legturile covalente nesatisfcute ale atomilor de impuritate, lsnd
goluri n urma lor (figura 1.10).
Deoarece electronul care a completat legtura covalent liber rmne
fixat n cadrul legturii covalente a atomului de impuritate, acesta din urm
se transform n ion negativ. Mecanismul de formare a unui gol nu a fost
nsoit de apariia unui electron de conducie.
+4

+4

+4

+3

+4

+4
Gol
e-

+4

+4

+4

Figura 1.10
Notnd cu pp numrul de goluri, np concentraia de electroni, NA
concentraia atomilor de impuritate, NA- concentraia de ioni negativi din
materialul semiconductor, avem urmtoarele relaii:
p p N A N A

np

n i2
pp

Asemenea impuriti se numesc acceptoare (de tip p), iar


semiconductorul cu impuriti acceptoare se numete semiconductor de tip

p. ntr-un asemenea semiconductor, purttorii mobili de sarcin majoritari


(provenii din atomii impuritilor) snt golurile, iar purttorii mobili minoritari
(produi de ruperea legturilor covalente datorit creterii temperaturii) snt
electronii.