Sunteți pe pagina 1din 7

MECANISMUL CONDUCIEI (CONTINUARE)

Acest model de semiconductor astfel introdus, corespunde


semiconductorului intrinsec. La acest tip, reeaua cristalin este considerat
ca avnd n noduri numai atomi ai semiconductorului de baz i nu prezint
defecte. ntr-un semiconductor intrinsec, prin ruperea unei legturi
covalente se formeaz o pereche electron-gol, deci concentraiile celor dou
tipuri de purttori sunt egale.
Notnd cu n concentraia de electroni i cu p concentraia de goluri
din semiconductor, valoarea lor comun se numete concentraia intrinsec
i este notat ni. Deci, n = p = ni.
Concentraia intrinsec depinde de temperatura absolut i de
lrgimea benzii interzise E:
3
2

n i A T exp

2k T

(1.2)

unde A constant, iar k constanta lui Boltzman.


Concentraiile golurilor i electronilor sunt puternic influenate de
cantiti infime de impuriti, care se adaug la un semiconductor n timpul
fabricrii lui. Procesul prin care ntr-un semiconductor se introduc impuriti
se numete dopare, iar semiconductorii respectivi se numesc
semiconductori extrinseci.
Dac reeaua cristalin a unui semiconductor tetravalent (germaniu,
siliciu) este dopat cu o impuritate pentavalent (stibiu, fosfor, arseniu,
bismut), cel de-al cincilea electron de valen nu particip la formarea
legturii covalente, fiind slab legat de atomul su. Chiar la temperatura
camerei acest al cincilea electron poate s devin liber i astfel atomii de
impuritate constituie o surs de electroni de conducie n reeaua
semiconductorului (figura 1.9).
Electronul de impuritate, devenit liber, nu las n urma sa un ci un ion
pozitiv de impuritate, fix, n reeaua cristalin a semiconductorului.

+4

+4

+4
e-

+4

+5

+4

+4

+4

+4

Figura 1.9
Notnd cu nn concentraia de electroni, pn concentraia de goluri din
materialul semiconductor, ND concentraia atomilor de impuritate, ND+
concentraia de ioni pozitivi, avem urmtoarele relaii:

n n N D N D
pn

(1.3)

2
i

n
nn

(1.4)

Aceste impuriti se numesc donoare (de tip n), iar semiconductorul


cu impuriti donoare se numete semiconductor de tip n. ntr-un
semiconductor de tip n electronii de conducie (datorai atomilor de
impuritate) snt n numr mare i se numesc purttori mobili de sarcin
majoritari, iar golurile sunt n numr mic i se numesc purttori de sarcin
minoritari.
Cnd reeaua cristalin a unui semiconductor tetravalent este dopat cu
impuriti trivalente (atomi de indiu, galiu, aluminiu etc.), atunci o legtur
covalen dintre un atom de impuritate i un atom de semiconductor rmne
nesatisfcut. Din cauza agitaiei termice (chiar la temperatura camerei),
electronii de valen dobndesc un surplus de energie i unii dintre ei vor
completa legturile covalente nesatisfcute ale atomilor de impuritate, lsnd
goluri n urma lor (figura 1.10).
Deoarece electronul care a completat legtura covalent liber rmne
fixat n cadrul legturii covalente a atomului de impuritate, acesta din urm
se transform n ion negativ. Mecanismul de formare a unui gol nu a fost
nsoit de apariia unui electron de conducie.
+4

+4

+4

+4

+3

+4
Gol
e-

+4

+4

+4

Figura 1.10
Notnd cu pp numrul de goluri, np concentraia de electroni, NA
concentraia atomilor de impuritate, NA- concentraia de ioni negativi din
materialul semiconductor, avem urmtoarele relaii:
p p N A N A

np

2
i

n
pp

(1.5)
(1.6)

Asemenea impuriti se numesc acceptoare (de tip p), iar


semiconductorul cu impuriti acceptoare se numete semiconductor de tip
p. ntr-un asemenea semiconductor, purttorii mobili de sarcin majoritari
(provenii din atomii impuritilor) snt golurile, iar purttorii mobili minoritari
(produi de ruperea legturilor covalente datorit creterii temperaturii) snt
electronii.

JONCIUNEA P - N LA ECHILIBRU TERMIC


n tehnic i-au gsit aplicaii materialele semiconductoare formate
din dou regiuni: o regiune dopat cu impuriti acceptoare, n concentraie
NA, deci de tip p, i o regiune dopat cu impuriti donoare, n concentraie
ND, respectiv de tip n. Simplist, un semiconductor n poate considerat ca
format din ioni donori pozitivi fici i electroni negativi mobili, iar cel de tip p
ca format din ioni acceptori negativi fici i goluri pozitive mobile.
S considerm cele dou regiuni unite printr-o structur cristalin
continu. Suprafaa care separ regiunile de tip p i de tip n dintr-un
semiconductor eterogen reprezint o jonciune p-n.
n regiunea p, golurile, n concentraie p p0, snt purttori mobili de
sarcin majoritari, iar electronii, n concentraie n p0, snt purttori minoritari,
concentraia golurilor fiind mult mai mare dect cea a electronilor.
2
n
p p0 N A
n p0 i
(2.1)
NA
n regiunea n, dimpotriv, electronii, n concentraie n n0 sint purttori
majoritari, iar golurile, n concentraie pn0, sint purttori minoritari.
2
ni
n n0 N D
p n0
(2.2)
ND
Deci, n regiunea p exist o nalt concentraie de goluri, pe cnd n
regiunea n exist o mic concentraie de goluri. De asemenea, n regiunea n
exist o nalt concentraie de electroni, pe cnd n regiunea p exist o mic
concentraie de electroni.
Din cauza concentraiei neuniforme, are loc difuzia purttorilor de
sarcin i anume: electronii din regiunea n vor difuza n regiunea p i se vor
recombina cu golurile de aici, iar golurile din regiunea p vor difuza n
regiunea n i se vor recombina cu electronii majoritari aici.
Ca urmare a difuziei, n vecintatea suprafeei de separaie a regiunilor
p i n se formeaz o zon de trecere, sau de difuzie, cu lungimea l de ordinul
micronilor, caracterizat printr-o anumit distribuie a densitii de volum a
sarcinii electrice spaiale.
ntr-adevr, n regiunea p din imediata vecintate a suprafeei
jonciunii, plecnd goluri i sosind electroni, apare sarcina electric negativ,
iar n regiunea n din apropierea suprafeei jonciunii pleac electroni i
sosesc goluri, nct se formeaz o sarcin spaial pozitiv.
Ca urmare ia natere un cmp electric intern orientat de la regiunea n
spre regiunea p. Acest cmp electric transport golurile din regiunea n n p i
electronii din regiunea p n regiunea n, deci n sens contrar fluxurilor de
difuzie.

regiunea de
sarcin spaial

ioni
p

electron
sau gol
n
n - concentraia electronilor

nn0
np0

x
p - concentraia golurilor

pp0
pn0
x
densitatea de volum
a sarcinii spaiale
+

V potenial electric

V0
x
-lp0 0

ln0

Figura 2.3

Corespunztor repartiiei de sarcin electric din dreptul jonciunii pn, n zona de trecere se produce o barier de potenial V 0, cu o variaie n
lungul semiconductorului. Aceast barier de potenial se opune trecerii n
continuare a purttorilor mobili de sarcin dintr-o regiune n alta i astfel se
atinge o stare de echilibru.
JONCIUNEA P-N N REGIM STAIONAR
Dac se conecteaz un semiconductor cu jonciunea p-n n circuitul
unei surse de curent continuu cu tensiunea V A la borne, astfel nct borna +
a sursei s se lege la regiunea n (caz n care vorbim de polarizarea invers a
jonciunii), cmpul electric intern va crete ca valoare, bariera de potenial
crete de la valoarea V0 la valoarea V0+VA, iar lungimea regiunii de trecere
crete de la l la l, l<l. n aceast situaie vom avea:
l'

2 V0 VA n n0 p p0

q
n n0 p p0

l' l 1

(2.4)

VA
V0

(2.5)

n figur, s-a notat cu IpM i InM curenii produi prin difuzia


purttorilor de sarcin majoritari i cu I pm i -Inm curenii cauzai de
deplasarea purttorilor de sarcin minoritari, sub aciunea cmpului electric
determinat de surs n semiconductor.
Crescnd diferena de potenial n cazul polarizrii inverse a jonciunii,
numrul golurilor din regiunea p care ar putea trece n regiunea n pe seama
agitaiei termice, scade tinznd ctre zero.
Ii

V
VA
p

-InM

-Inm

Ipm

IpM

VA

V0

p, n
pp0

nn0
Curentul nIpm, care se poate produce n circuit pep seama golurilor
p0
(minoritare, ce se
afl n regiunea n) i a cror trecere din n0
n n p se face n
x
sensul cmpului electric
este foarte mic, deoarece
0
-l din semiconductor,
l
p

Figura 2.4

concentraia de goluri n semiconductorul n este extrem de mic. Pentru o


tensiune invers VA suficient de mare, toate golurile minoritare i cele
generate termic n regiunea n vor trece n regiunea p, atingndu-se valoarea
de saturaie a curentului Ipm.
Dac sursa de curent continuu se conecteaz n sens direct, adic
borna + se leag la regiunea p, cmpul electric intern scade, bariera de
potenial scade la valoarea V0-VA , iar lungimea regiunii de trecere scade de
la I la I, I > I. n aceast situaie vom obine:
l'

2 V0 VA n n0 p p0

q
n n0 p p0

l' l 1

(2.6)

VA
V0

(2.7)

Concomitent cu creterea tensiunii directe V A, crete curentul IpM pe


seama creterii numrului de goluri care trec prin jonciune din regiunea p n
regiunea n, deoarece la semiconductorul p purttorii majoritari snt golurile.
Raionamentul de mai sus se aplic i pentru electronii liberi (figura 2.5).
Id

V
VA
Ipm

IpM

p
-InM

VA
n

V0

-Inm
l
p,n
Id
pp0

nn0

pn0

np0
Vi

Vstr -l
p

ln

0
Figura 2.5

Zona
strpungere

Zona
interzis

Zona
direct
Ii

Figura 2.6

x
Vd

Caracteristica curent-tensiune a unei jonciuni p-n este neliniar. Dac


sursa de tensiune este conectat n sens direct, curentul direct va fi:
IA = Id = IpM + InM - (Ipm + Inm)

(2.8)

Curentul direct este determinat de purttorii de sarcin majoritari i


crete repede cu Vd, iar dac sursa este conectat invers, curentul invers I i
are o valoare foarte mic, limitat de curentul de saturaie:
IS = Ipm + Inm

(2.9)

Se observ faptul c acest curent invers este cauzat de purttorii de


sarcin minoritari.
De la o anumit valoare a tensiunii inverse V str, numit tensiune de
strpungere, curentul invers Ii crete brusc, iar n semiconductor au loc
procese ireversibile care deterioreaz definitiv jonciunea.
Jonciunea p-n constituie elementul principal n realizarea de diode,
tranzistoare, tiristoare i alte dispozitive semiconductoare.