Analiza Circuitelor Electronice

MINISTERUL EDUCAIEI CERCETRII I TINERETULUI
Proiectul Phare TVET RO 2005/017-553.04.01.02.04.01.03
MEdCTCNDIPT / UIP
AUXILIAR CURRICULAR
PROFILUL: TEHNIC
SPECIALIZAREA: TEHNICIAN ELECTRONIST
MODULUL: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE
NIVELUL: 3
Acest material a fost elaborat prin finanare Phare n proiectul de Dezvoltare instituional a sistemului de
nvmnt profesional i tehnic
Noiembrie 2008
AUTOR:
PROF.ING. CARMEN LILIANA GHEA, Grad didactic I,
GRUPUL COLAR INDUSTRIAL UNIREA, BUCURETI
CONSULTAN CNDIPT:
ASISTEN TEHNIC:
POPESCU ANGELA, EXPERT CURRICULUM

WYG INTERNATIONAL
IVAN MYKYTYN, EXPERT
COORDONATOR: CIOBANU MARIANA VIOLETA
Profilul: TEHNIC
Nivelul 3
MULUMIRI:
Prof.ing. Mariana Robe inspector de specialitate ISMB
Prof.ing. Carmen Onofreiciuc - Grupul colar Industrial
UNIREA, BUCURETI
Profilul: TEHNIC
Nivelul 3
Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE
CUPRINS
1. Introducere
2. Competene relevante pentru modul
3. Activiti de nvare
1.Lucrare practic de laborator:
Caracteristica static a diodei semiconductoare
2.Simulare cu ajutorul calculatorului
3.Rezolvare de probleme
4. Evaluare
Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar
Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar
7.Rezolvare de exerciii
8. Rezolvare de exerciii
10. Evaluare
Amplificatorul operaional cu reacie negativ
17. Prezentare Power Point:
Amplificatorul operational caracteristici
Dispunerea terminalelor circuitelor integrate analogice
Amplificatorul operational
Amplificatorul operational
21. Cubul Amplificatorul operaional
23. Evaluare
Stabilizatorului de tensiune, realizat cu circuitul integrat A 723
Aplicaiile circuitului integrat E555
26. Concurs de testare a cunotinelor
Circuite integrate analogice
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
Pagina
6
8
13
13
16
19
20
22
26
28
32
34
35
38
41
42
43
45
46
47
48
49
52
54
55
57
59
62
64
65
4

Analiza porilor logice folosind programul Digital Works
4. Glosar
5. Fie de documentare
1. Caracteristicile electrice ale diodei semiconductoare
2. Caracteristicile electrice ale tranzistorului bipolar
3. Tranzistorul n regim dinamic
4. Tranzistoare cu efect de cmp
5. Reacia n amplificatoare
6. Oscilatorul armonic
7. Oscilator cu reea Wien i amplificator de tensiune
8. Stabilizatoare electronice cu reacie
9. Amplificatoare operaionale
10. Stabilizatoare de tensiune cu circuite integrate
11. Axiomele i teoremele fundamentale ale algebrei booleene
12. Moduri de exprimare a funciilor logice
13. Analiza i sinteza circuitelor logice combinaionale
14. Programul Digital Works
6. Soluionarea activitilor de nvare
7. Fie de rezumat
8. Bibliografie
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
67
69
70
71
75
75
79
83
89
92
97
98
100
103
110
112
114
116
118
120
131
138
1. INTRODUCERE
Acest material auxiliar de nvare a fost elaborat pentru modulul ANALIZA
CIRCUITELOR ELECTRONICE, pentru clasa a XIII-a ruta progresiv a liceului
tehnologic, specializarea Tehnician Electronist. Acest modul ofer elevilor cunotine
care le vor permite s-i dezvolte abiliti practice privind analiza circuitelor electronice
cu competene cheie privind prelucrarea datelor numerice, n condiiile participrii lor
nemijlocite i responsabile la un proces instructiv-formativ centrat pe nevoile i
aspiraiile proprii.
Modulul face parte din Cultura de specialitate (aria curricular "Tehnologii") i are
alocate un numr de 124 de ore / an, din care:
Teorie 62 ore;
Laborator tehnologic 62 ore
n acest modul au fost agregate competene din unitatea de competen tehnic
specializat ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE i din unitatea de competen
cheie PROCESAREA DATELOR NUMERICE.
nainte de aplicarea propriu-zis a materialelor de nvare propuse, profesorul
trebuie s cunoasc particularitile colectivului de elevi i, ndeosebi, stilurile de
nvare ale acestora, pentru reuita centrrii pe elev a procesului instructiv.
Structurarea coninuturilor se bazeaz pe principiul subordonrii la competenele
de format i la criteriile de performan ale fiecrei competene: astfel, au fost selectate
i organizate corespunztor, informaii care permit formarea unei competene i
atingerea criteriilor de performan prevzute n SPP.
Fiecare etap de nvare este urmat de execiii prin care sunt exersate diferite
stiluri de nvare i, de asemenea, abilitile cheie.
Materialele de nvare urmresc cu strictee condiiile de aplicabilitate ale
criteriilor de performan pentru fiecare competen, aa cum sunt acestea precizate n
Standardele de Pregtire Profesional.
Prin coninutul auxiliarului se dorete sporirea interesului elevului pentru
formarea abilitilor din domeniul tehnic, prin implicarea lui interactiv n propria
formare.
Activitile propuse elevilor, exerciiile i rezolvrile lor, urmresc atingerea
majoritii criteriilor de performan respectnd condiiile de aplicabilitate cuprinse n
Standardele de Pregtire Profesional. Ele conin sarcini de lucru care constau n:
Cutarea de informaii utiliznd diferite surse (manuale, documente,
standarde, pagini Web);
Rezolvarea de exerciii i desfurarea unor activiti practice;
ntocmirea unui portofoliu coninnd toate exerciiile rezolvate i activitile
desfurate. Portofoliul trebuie s fie ct mai complet pentru ca evaluarea
competenelor profesionale s fie ct mai adecvat.
Sugestiile pentru activitile cu elevii sunt n concordan cu stilurile de nvare
ale acestora: vizual, auditiv i practic. Alegerea activitilor s-a fcut innd seama de
nivelul de cunotine al elevilor de clasa a XIII-a, enunurile fiind formulate ntr-un limbaj
adecvat i accesibil.
Activitile propuse pot fi evaluate folosind diverse tehnici i instrumente de
evaluare: probe orale, scrise, practice, observarea activitii i comportamentului
elevului consemnat n fie de evaluare i de progres al elevului.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3

Rezultatele activitilor desfurate i ale evalurilor, colectate att de profesor
ct i de elev, trebuie strnse i organizate astfel nct informaiile s poat fi regsite
cu uurin:
elevilor le pot fi necesare pentru actualizarea, pentru reluarea unor
secvene la care nu au obinut feed-back pozitiv;
profesorilor le pot fi necesare ca dovezi ale progresului nregistrat de
elev i ca dovezi de evaluare.
Prezentul Auxiliar didactic nu acoper toate cerinele cuprinse n Standardele de

Pregtire Profesional pentru care a fost realizat. El poate fi folosit n procesul
instructiv i pentru evaluarea continu a elevilor. ns, pentru obinerea
Certificatului de calificare, este necesar validarea integral a
competenelor din S.P.P., prin probe de evaluare conforme celor prevzute n
standardele respective.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
2. C ompetene relevante pentru modul

UNITATEA DE COMPETEN 26: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE
1. Utilizeaz metodele de analiz ale circuitelor cu componente discrete.
2. Utilizeaz noiunile i conceptele algebrei logice pentru analiza circuitelor
digitale.
3. Utilizeaz circuite integrate analogice
4. Utilizeaz reacia n circuite electronice
UNITATEA DE COMPETEN 7: PROCESAREA DATELOR NUMERICE
1. Planific o activitate i culege date numerice n legtur cu aceasta.
2. Prelucreaz datele numerice3. Interpreteaz rezultatele obinute i prezint concluziile.
II.Tabelul de corelare a competenelor i coninuturilor
Unitate de
competene
26.Analiza
circuitelor
electronice
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
Competene
Coninuturi tematice
26.1.Utilizeaz
metodele de analiz
ale circuitelor cu
componente
discrete.
Caracteristicile statice ale componentelor

electronice
discrete
(diode,
tranzistoare
bipolare, tranzistoare cu efect de cmp).
Modele
echivalente
de
semnal
pentru
componente discrete (modelul de semnal mic al
diodei semiconductoare, modele de cuadripol cu
parametri h, Z, Y ale tranzistoarelor bipolare,
modelul natural al tranzistorului bipolar, modelul
de semnal mic al tranzistorului cu efect de
cmp).
Analiza circuitelor electronice simple folosind
modele echivalente ale componentelor discrete
(circuite
cu
diode
semiconductoare,
amplificatoare cu unul sau dou etaje
cu
tranzistoare bipolare n conexiuni emitor comun,
colector comun, baz comun, amplificatoare cu
un etaj cu tranzistoare cu efect de cmp).

Unitate de
competene
Competene
Coninuturi tematice
26.2.Utilizeaz
noiunile i
conceptele algebrei
logice pentru
analiza circuitelor
digitale.
7.Procesarea
datelor
numerice.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
Pori logice elementare (NU, SAU, I-NU, SAUNU, SAU EXCLUSIV).

Funcii logice. Exprimare folosind:
- tabel de adevr
- forma canonic normal disjunctiv
- forma canonic normal conjunctiv
- forma elementar.
Metode de minimizare a funciilor logice:
- postulatele i teoremele algebrei logice
- diagrame Veitch-Karnaugh.
Implementarea funciilor logice folosind pori
logice elementare.
26.3.Utilizeaz
Circuite integrate analogice uzuale (A 741,
circuite integrate
M324, A723, AA145, E555):
analogice.
- parametrii caracteristici
- dispunere terminale
- aplicaii specifice.
26.4.Utilizeaz
Reacia n circuite electronice:
reacia n circuite
- definiie
electronice.
- reacia pozitiv
- reacia negativ.
Configuraii tipice ale circuitelor electronice
(amplificatoare, oscilatoare) cu reacie:
- serie-serie
- serie-paralel
- paralel-serie
- paralel-paralel.
7.1.Planific o
Demonstreaz abiliti de colectare a datelor
activitate i culege
numerice (dimensiuni, distane, temperatur,
date numerice n
mas, concentraie, densitate, tensiune) n
legtur cu aceasta.
vederea analizei circuitelor electronice, de
selectare i nregistrare a acesotor date n
tabele, fie.

Unitate de
competene
Competene
Coninuturi tematice
7.2.Prelucreaz
datele numerice.
Demonstreaz abiliti de utilizare a formulelor

de calcul (transformri de uniti de msur,
calcule economico-financiare, ecuaii liniare cu
dou variabile, media aritmetic, geometric,
dispersia, abaterea medie ptratic) pentru
efectuarea calculelor (puteri, radicali, procente,
scri i proporii) necesare analizei circuitelor
electronice.
Caracteristicile statice ale componentelor
electronice
discrete
(diode,
tranzistoare
bipolare, tranzistoare cu efect de cmp)
reprezentarea i citirea graficelor (liniare, n
coloane i bare, circulare, radar, Gantt) i
diagramelor (cumulativ, Paretto, de dispersie).
Corelarea competenelor cu criteriile de performan din SPP:

Competena 1:
Utilizeaz metodele de analiz ale circuitelor cu componente

discrete.
Criterii de performan:
(a) Caracterizarea componentelor discrete cu ajutorul caracteristicilor statice.
(b) Realizarea modelelor echivalente de semnal pentru componente discrete.
(c) Reprezentarea schemei electrice a circuitelor cu componente discrete folosind
modele echivalente.
(d) Efectuarea calculelor pentru determinarea parametrilor circuitului folosind schema
echivalent de semnal.
Condiii de Aplicabilitate a Criteriilor de Performen:
Componente:
diode, tranzistoare bipolare, tranzistoare cu efect de cmp
Modele echivalente:
modelul de semnal mic al diodei semiconductoare, modele
de cuadripol cu parametri Z, Y, h ai tranzistoarelor bipolare,
modelul natural al tranzistorului bipolar, modelul de semnal
mic al tranzistorului cu efect de cmp
Circuite:
cu diode semiconductoare, amplificatoare cu unul sau dou

etaje cu tranzistoare bipolare (conexiuni BC, EC, CC),
amplificatore cu un etaj cu tranzistoare cu efect de cmp
(conexiuni DC, SC, GC)
Probe de evaluare:
Probe scrise care atest capacitatea candidatului de a analiza circuite electronice cu
componente discrete folosind scheme echivalente de semnal, aa cum s-a precizat n
criteriile (a), (b), (c) i (d) de performan, cuprinznd toate elementele din condiiile de
aplicabilitate.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
10
Competena 2:
Utilizeaz noiunile i conceptele algebrei logice pentru

analiza circuitelor digitale.
(a) Exprimarea funciilor logice n forme precizate..
(b) Realizarea minimizrii funciilor logice folosind metode adecvate.
(c) Implementarea funciilor logice minimizate folosind pori logice.
Condiii de aplicabilitate a criteriilor de performan:
Forme:
tabel de adevr, forma canonic normal disjunctiv, forma
canonic normal conjunctiv, forma elementar
Metode de minimizare:
pe baza postulatelor i teoremelor algebrei logice, cu
diagrame Veitch-Karnaugh
Pori logice:
NU, SAU, I-NU, SAU-NU, SAU EXCLUSIV
Probe de evaluare:
Probe scrise care atest capacitatea candidatului a eprima funcii logice n diverse
forme, aa cum s-a precizat n criteriul (a) de performan, cuprinznd toate elementele
din condiiile de aplicabilitate.
Probe scrise i observarea desfurrii activitii care atest capacitatea candidatului
de a implementa funcii logice cu pori logice, dup minimizarea acestora, aa cum s-a
precizat n criteriile (b) i (c) de performan, cuprinznd toate elementele din condiiile
de aplicabilitate.
Competena 3:
Utilizeaz circuite integrate analogice.
(a) Definirea parametrilor caracteristici ai circuitelor integrate analogice.
(b) Identificarea
dispunerii terminalelor pe baza informaiilor din catalogele de
componete.
(c) Precizarea rolului funcional al circuitului integrat ntr-o aplicaie dat.
Circuite integrate:
A 741, M 324, A 723, AA145, E555
Aplicaii:
conform indicaiilor din cataloagele de componente
Probe de evaluare:
Probe orale i scrise care atest capacitatea candidatului de a defini parametrii
caracteristici ai circuitelor integrate analogice, aa cum s-a precizat n criteriul (a) de
performan, cuprinznd toate elementele din condiiile de aplicabilitate.
Probe orale, practice i observarea desfurrii activitii care atest capacitatea
candidatului de a identifica dispunerea terminalelor pe baza informaiilor din catalogele
de componete, aa cum s-a precizat n criteriul (b) de performan, cuprinznd toate
elementele din condiiile de aplicabilitate.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
11

Probe orale, scrise i practice care atest capacitatea candidatului de a indica rolul
funcional al circuitului integrat ntr-o aplicaie dat, aa cum s-a precizat n criteriul (c)
de performan, cuprinznd toate elementele din condiiile de aplicabilitate.
Competena 4:
Utilizeaz reacia n circuite electronice.
(a) Definirea reaciei n circuite electronice.
(b) Precizeaz tipurile de reacie n circuitele electronice.
(c) Reprezentarea configuraiilor tipice ale circuitelor electronice cu reacie.
(d) Identificarea tipurilor de reacie n circuite electronice.
Tipuri:
negativ i pozitiv
Configuraii tipice: serie-serie, serie-paralel, paralel-serie, paralel-paralel
Circuite:
amplificatoare, oscilatoare
Probe de evaluare:
Probe orale i scrise care atest capacitatea candidatului de a defini reacia n circuite
electronice, aa cum s-a precizat n criteriul (a) de performan, cuprinznd toate
elementele din condiiile de aplicabilitate.
Probe orale i scrise care atest capacitatea candidatului de a preciza tipuri de reacie
n circuitele electronice, aa cum s-a precizat n criteriul (b) de performan, cuprinznd
toate elementele din condiiile de aplicabilitate.
Probe practice i observarea desfurrii activitii care atest capacitatea candidatului
de a reprezenta configuraii tipice ale circuitelor electronice cu reacie, aa cum s-a
precizat n criteriul (c) de performan, cuprinznd toate elementele din condiiile de
aplicabilitate.
Probe practice i observarea desfurrii activitii care atest capacitatea candidatului
de a identifica tipuri de reacie n circuite electronice, aa cum s-a precizat n criteriul (d)
de performan, cuprinznd toate elementele din condiiile de aplicabilitate.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
12
3. Activiti de
nvare
3.1 Activitatea de nvare 1
Competene:
Utilizeaz metodele de analiz ale circuitelor cu componente discrete
Planific o activitate i culege date numerice n legtur cu aceasta.
Prelucreaz datele numerice
Obiective:
S caracterizeze diodele semiconductoare cu ajutorul caracteristicilor
statice.
S realizeze circuitul echivalent pentru diferite tipuri de diode
semiconductoare
S analizeze circuite electronice simple folosind modele echivalente
Lucrare practic de laborator
Activitatea se va desfura n laboratorul de electronic.

Resurse: Platform experimental, miliampermetru, voltmetru, calculator.
Organizare: Elevii vor lucra organizai pe echipe.
Timp alocat: 3 ore
Evaluare / Autoevaluare: Referat

Procedura de lucru:
Realizai (sau identificai) circuitul din figura de mai jos pe
platforma experimental din laborator.
R1=220
R2=100k
D1 1N4001
D2 EFD 108
1
R1
D1
R2
E1
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
E2
5
6
13

a. Polarizarea direct
1.Conectai miliampermetrul ntre bornele
A
notate cu 1 i 2, iar voltmetrul ntre bornele
1
2
3
4
notate cu 2 i 5, ca n figura alturat.
2. Alimentai circuitul de la sursa de tensiune
variabil E1.
R1
R2
D1
3. Reglai tensiunea furnizat de sursa de
V
alimentare, astfel nct voltmetrul s indice
E1
E2
UD=0,1V.
4. Msurai curentul prin circuit. Notai
valoarea msurat n tabelul 1.1.
5
6
5. Repetai paii 3 i 4 pentru toate valorile
tensiunii UD din tabelul 1.1.
6. Cu ajutorul calculatorului i a programului Microsoft Excel realizai diagrama care
reprezint caracteristica static a diodei semiconductoare, n polarizare direct.
Tabelul 1.1
UD(V)
0
0,1 0,2 0,3 0,4 0,45 0,5 0,55 0,6 0,65 0,7
ID(mA)
7. Analizai aspectul caracteristicii statice a diodei semiconductoare, n polarizare direct.
b. Rezistena de curent continuu
Cu ajutorul graficului, determinai rezistena de curent continuu a diodei n punctele:
M1: UD=0,5V.
M2: UD=0,65V.
UM
Folosii relaia: R M
IM
c. Rezistena dinamic.
Cu ajutorul graficului, determinai rezistena dinamic a diodei in punctele:
- UD=0,5V.
- UD=0,65V.
Folosii relaia: rd
U
I
rd(0,5V)=
rd(0,65V)=
Comparai rezultatele obinute.
d. Polarizarea invers
1.Conectai miliampermetrul ntre bornele
A
notate cu 3 i 4, iar voltmetrul ntre bornele
1
2 3
4
2. Alimentai circuitul de la sursa de tensiune
variabil E2.
R1
R2
D1 V
Reglai tensiunea furnizat de sursa de
alimentare, astfel nct voltmetrul s indice
E1
E2
UD=0V.
5
6
tensiunii E2 din tabelul 1.2.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
14

Tabelul 1.2
E2
0
1
2
5
10
20
30
40
50
60
70
UD(V)
IR(A)
7. Analizai aspectul caracteristicii statice a diodei semiconductoare, n polarizare invers.
e. Reprezentarea caracteristicii statice a diodei semiconductoare
1. Reprezentai, pe o singur diagram, caracteristica static a diodei semiconductoare.
ID(mA)
UR(V)
UD(V)
IR(A)
2. Reprezentai, pe caracteristic, parametrii electrici ai diodei:

Tensiunea de deschidere
Tensiunea maxim
Tensiunea de strpungere
3. Analizai caracteristica static a diodei semiconductoare.
4. Realizai circuitul echivalent, la frecvene joase, al diodei redresoare.
f. Repetai lucrarea practic de laborator nlocuind dioda D 1 cu dioda D2.
g. Comparai rezultatele obinute.
h. ntocmii un referat cu tema Caracteristica static a diodei semiconductoare
Soluionarea activitii
Utilizarea glosarului: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot

cuta n glosar cuvintele subliniate.
Fie de documentare: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot
consulta Fia de documentare 1.
Coninutul referatului:
o Titlul activitii de nvare
o Obiectivele activitii de nvare
o Schemele electronice utilizate
o Tabele completate
o Diagramele ridicate
o Interpretarea datelor experimentale
o Observaii i concluzii.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
15

Competene:
Obiective:
statice.
semiconductoare
ale componentelor discrete
Simulare cu ajutorul calculatorului
Activitatea se va desfura n laboratorul de electronic sau de

informatic, astfel nct fiecare echip s aib acces la un calculator.
Resurse: Calculator, program de simulare Multisim.
Timp alocat: 3 ore

a. Polarizarea direct
1. Realizai cu ajutorul calculatorului i a programului de simulare circuitul din figura de
mai jos.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
16
R1
R1=220
R2=100k
D1 D1 1N4001
E1
2. Reglai tensiunea furnizat de sursa de alimentare, astfel nct voltmetrul s indice

UD=0,1V.
3. Msurai curentul prin circuit. Notai valoarea msurat n tabelul 2.1.
4. Repetai paii 3 i 4 pentru toate valorile tensiunii U D din tabelul 2.1.
Tabelul 2.1
UD(V)
0
0,1 0,2 0,3 0,4 0,45 0,5 0,55 0,6 0,65 0,7
ID(mA)
6. Analizai aspectul caracteristicii statice a diodei semiconductoare, n polarizare
direct.
b. Polarizarea invers
Realizai cu ajutorul calculatorului i a programului de simulare circuitul din figura de
mai jos.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
17
D1
R2
E2
Reglai tensiunea furnizat de sursa de alimentare, astfel nct voltmetrul s indice

UD=0V.
ID(mA)
tensiunii E2 din tabelul 2.2.
6. Cu ajutorul calculatorului i a programului
Microsoft Excel realizai diagrama care
reprezint caracteristica static a diodei
UR(V)
UD(V)
semiconductoare, n polarizare direct.
Tabelul 2.2
E2
0
1
2
5
10
20
30
40
50
60
70
UD(V)
IR(A)
IR(A)
7. Analizai aspectul caracteristicii statice a
diodei semiconductoare, n polarizare invers.
c. Reprezentarea caracteristicii statice a diodei semiconductoare
1. Reprezentai, pe o singur diagram, caracteristica static a diodei semiconductoare.
2. Reprezentai, pe caracteristic, parametrii electrici ai diodei:
Tensiunea de deschidere
Tensiunea maxim
Tensiunea de strpungere
4. Analizai caracteristica static a diodei semiconductoare
d. Realizai cu ajutorul calculatorului i a programului de simulare circuitul din figura
alturat.
2. Vizualizai imaginea obinut pe ecranul
osciloscopului.
3. Analizai oscilograma obinut.
4. Interpretai rezultatele obinute.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
18
d. ntocmii un referat cu tema Caracteristica static a diodei semiconductoare

o Tabele completate

Competene:
Obiective:
semiconductoare
Rezolvare de exerciii
Activitatea se va desfura n laboratorul de electronic sau n sala de clas.

Resurse: Fie de lucru individual.
Organizare: Elevi vor lucra individual.
Timp alocat: 1 or
Evaluare / Autoevaluare: fia de evaluare /autoevaluare.
Rezolvai sarcinile de lucru de mai jos.
a. Se consider circutele din figurile de mai jos, n care E=10V, R=1000
IR=0, rezistena diodei n conducie=10,UD=0,7V.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
19
R
D
D1
D2
R
E
D1
D2
1. Reprezentai, pe fia de lucru, circuitele folosind circuitul echivalent al diodei

semiconductoare.
2. Determinai curentul prin diode, pentru fiecare circuit n
CV
parte.
b. Se consider dioda varicap BB 139, al crui circuit
RS
LS
echivalent este prezentat n figura de mai jos. La tensiunea
invers UR=25V, se msoar frecvena de rezonan serie
f01=1.4GHz i capacitatea C01=6pF. La tensiunea invers
RP
UR=3V, se msoar capacitatea C02=32pF.
Determinai frecvena de rezonan serie, f 02, pentru tensiunea invers U R=3V i
valoarea inductanei serie, LS2.

Autoevaluare: Pentru autoevaluare, elevii vor consulta anexa 6.

Competene:
Obiective:
statice.
semiconductoare
Evaluare
Activitatea se va desfura n laboratorul de electronic sau n sala de

clas.
Resurse: Fie de evaluare individuale.
Organizare: Elevii vor lucra individual.
Timp alocat: 1 or
Autoevaluare:
Pentru
autoevaluare,
elevii pot consulta anexa 3.
Rezolvai
sarcinile de lucru
de mai
jos.
Se acord 10 puncte din oficiu. Punctaj total : 100 puncte.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
Timp de lucru: 60 minute.
20

a. Se consider caracteristica static a diodei semiconductoare din figura alturat. (30p)
1. Identificai, pe diagram, regimurile de
funcionare ale diodei semiconductoare.
I.............................................
ID
II........................................
PDM
IDM (mA)
III.......................................
IV,V....................................
2. Explicai fenomenele care au loc n fiecare
regiune de pe caracteristica static.
US I0
R
UD0 UDMUD (V)
PDM
I..............................................................................................................................................
.........II....................................................................................................................................
.............
III............................................................................................................................................
....
IV,V................................................................
3. Reprezentai, pe fia de lucru, circuitul echivalent al diodei, pentru fiecare regim de
funcionare
I polarizare direct
II polarizare invers
III strpungere(stabilizare)
b. Alege varianta corect:

(25p)
1. Tensiunea maxim pe o diod, realizat din siliciu, polarizat direct, este de ordinul:
a) 0,7mV;
b) 0,3V;
c) 0,7V;
d) 0,3mV
2. Tensiunea maxim pe o diod, realizat din germaniu, polarizat direct, este de
ordinul:
a) 0,7mV;
b) 0,3V;
c) 0,7V;
d) 0,3mV
3. Printr-o diod realizat din siliciu, polarizat invers, valorile tipice ale curentului
invers sunt de ordinul:
a)mA;
b)A;
c)A;
d)nA
4. Printr-o diod realizat din germaniu, polarizat invers, valorile tipice ale curentului
invers sunt de ordinul:
a)mA;
b)A;
c)A;
d)nA
5. ntr-o diod polarizat direct curentul direct
a) crete exponenial cu creterea tensiunii de polarizare direct
b) crete liniar cu creterea tensiunii de polarizare direct
c) nu depinde de creterea tensiunii de polarizare direct
d) descrete cu tensiunea aplicat.
R1=1k A
c. Dioda din figura de mai jos este o diod de siliciu. (20p) +5V
UD
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
21
R2=2k
-4,6V

1.Determinai cderea de tensiune pe rezistorul R1.
2.Calculai tensiunea ntre punctele A i B.
d. Se consider circuitul din figura de mai jos, n care E=10V.
(15p)
R
E
ID[mA]
D
Caracteristica static a diodei este prezentat n figura

alturat, iar punctul static de funcionare este M.
Determinai valoarea rezistenei rezistoruluiR.
19,6
0
0,2
UD[V]

Autoevaluare: Pentru autoevaluare, elevii vor consulta anexa 6.

Competene:
Obiective:
S caracterizeze tranzistoarele bipolare cu ajutorul caracteristicilor
statice.
S realizeze circuitul echivalent pentru trazistorul bipolar n diferite
regimuri de funcionare.
S analizeze circuite electronice simple folosind caracteristicile
statice.

Resurse: Platform experimental, miliampermetru, voltmetru, calculator.
Timp alocat: 8 ore
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
22

Caracteristicile statice ale tranzistoarelor bipolare
Resurse: Platform experimental, microampermetru, miliampermetru, voltmetru,
calculator.
RV1
R2
R3
3
5
7
8
E1
E2
4
Procedura de lucru:
Realizai (sau identificai) circuitul din figura alturat pe platforma experimental din
laborator.
RV1=500k
R2=220k
R3=470
T1 2N2222A
a. Caracteristica de intrare
1.Conectai miliampermetrul ntre bornele notate cu 1 i 2, iar voltmetrul ntre bornele
2. Alimentai circuitul de la sursa de
R3
IB RV1 R2
tensiune E1 = 5V.
5 6
3. Variai valoarea rezistorului RV1
7
astfel nct valoarea curentului I B
UBE
A
s se afle ntre 5 i 10 A.
8
V
4. Msurai tensiunea UBE. Notai
E1
E2
5. Repetai paii 3 i 4 pentru toate
valorile curentului de baz din
tabelul 5.1.
6. Cu ajutorul calculatorului i a
programului Microsoft Excel realizai diagrama care reprezint caracteristica de intrare a
tranzistorului bipolar.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
23

Tabelul 5.1
IB (A)
0
- dorit
IB (A)
- msurat
UBE (V)
5-10
16-25
30-50
120-200
7. Analizai aspectul caracteristicii statice de intrare a tranzistorului bipolar.

b. Caracteristica de transfer
1.Conectai microampermetrul ntre bornele notate cu 1 i 2, iar miliampermetrul ntre
bornele notate cu 7 i 8, ca n figura alturat.
2. Alimentai circuitul de intrare
IC
de la sursa de tensiune E1 = 5V i
circuitul de ieire de la sursa de
R3
IB RV1 R2
tensiune variabil E2. Reglai
6
5
E2=10V.
mA
3. Variai valoarea rezistorului R V1
A
astfel nct valoarea curentului I B
s aib valoarea IB=10 A.
E1
E2
4. Msurai valoarea curentului
de colector IC. Notai valoarea
msurat n tabelul 5.2.
5. Repetai paii 3 i 4 pentru
toate valorile curentului de baz
din tabelul 5.2.
reprezint caracteristica de transfer a tranzistorului bipolar.
Tabelul 5.2
IB (A) 10
IC (mA)
I
C
IB
20
30
40
50
60
70
80
90
100
IC
.
IB
8. Analizai aspectul caracteristicii statice de transfer a tranzistorului bipolar.
9. Pe graficul obinut, determinai panta caracteristicii de transfer.
c. Familia caracteristicilor de ieire
1.Conectai microampermetrul ntre bornele notate cu 1 i 2, miliampermetrul ntre
bornele notate cu 7 i 8, iar voltmetrul ntre bornele 5 i 4, ca n figura alturat.
Scurtcircuitai rezistorul R3.
R3
2. Alimentai circuitul de intrare de
IB RV1 R2
UCE
la sursa de tensiune E1 = 5V i
6
5
mA
circuitul de ieire de la sursa de
A
tensiune variabil E2.
V
3. Variai valoarea rezistorului R V1
astfel nct valoarea curentului I B s E
1
aib valoarea IB=10 A.
E2
7. Calculai valoarea factorului de amplificare
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
24

4. Reglai sursa variabil, E2, astfel nct voltmetrul s indice UCE=0,05V.
5. Msurai valoarea curentului de colector IC. Notai valoarea msurat n tabelul 5.3.
6. Repetai paii 3, 4 i 5 pentru toate valorile curentului de baz din tabelul 5.3.
reprezint familia caracteristicilor de ieire ale tranzistorului bipolar.
Tabelul 5.3
IB (A) 10
UCE(V)
20
30
40
50
60
IC (mA)
70
80
90
100
0,05
0,07
0,1
0,2
0,4
0,5
1
2
4
6
8
10
8. Analizai aspectul familiei caracteristicilor de ieire ale tranzistorului bipolar.
9. Pe graficul obinut, identificai regiunile corespunztoare regimurilor de funcionare
ale tranzistorului bipolar.
10. n planul caracteristicilor de ieire, delimitai aria de funcionare normal a unui
tranzistor bipolar.
11. Caracterizai funcionarea tranzistorului bipolar:
n regim activ normal
n regim de saturaie
n regim de blocare
n regim activ invers.
12. Reprezentai, pe fia de lucru, circuitul echivalent al tranzistorului bipolar:
n regim de saturaie
n regim de blocare
13. Determinai valorile mrimilor UCE i IC pentru cazurile indicate la punctul 11.
d.
Dreapta de sarcin
1. Se consider montajul de la punctul c. nlturai scurtcircuitarea rezistorului R3.
2. Pe graficul obinut la punctul c. trasai dreapta de sarcin.
3. Determinai, cu ajutorul graficului, punctul static de funcionare al tranzistorului pentru
IB = 20 A, respectiv pentru IB = 60 A i E2=10V.
4. Variai valoarea rezistorului RV1 astfel nct valoarea curentului I B s aib valoarea
IB=20 A.
5. Reglai sursa variabil, E2=10V.
7. Msurai valoarea curentului de colector IC.
8. Msurai valoarea tensiunii UCE.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
25

9. Comparai valorile msurate cu valorile determinate cu ajutorul graficului, la punctul
3.
IB=60 A.
11. Repetai paii 7,8, i 9.
e. ntocmii un referat cu tema: Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar

o Tabele completate
Competene:
Obiective:
statice.

Timp alocat: 6 ore
Evaluarestatice
/ Autoevaluare:
Referat bipolare
Caracteristicile
ale tranzistoarelor
a. Caracteristica de intrare
1. Realizai cu ajutorul calculatorului i a
1
programului de simulare circuitul din figura
2
alturat.
RV1=500k
E1
R2=220k
R3=470
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
RV1
R2
R3
3
5
T
7
8
E2
26

T1 2N2222A
2.Conectai miliampermetrul ntre bornele notate cu 5 i 1, iar voltmetrul ntre bornele
notate cu 3 i 0, ca n figura de mai jos.
3. Alimentai circuitul de la sursa de tensiune V1 = 5V.

4. Variai valoarea rezistorului R 3 astfel nct valoarea curentului I B s se afle ntre 5 i
10 A.
5. Msurai tensiunea UBE. Notai valoarea msurat n tabelul 6.1.
6. Repetai paii 3 i 4 pentru toate valorile curentului de baz din tabelul 6.1.
reprezint caracteristica de intrare a tranzistorului bipolar.
Tabelul 6.1
IB (A)
0
5-10
16-25
30-50
120-200
- dorit
IB (A)
- msurat
UBE (V)
8. Analizai aspectul caracteristicii statice de intrare a tranzistorului bipolar.
9. Comparai cu rezultatele obinute n cadrul lucrrii practice de laborator.
b. Caracteristica de transfer
RV1
R2
R3
3
Realizai cu ajutorul calculatorului i a
5 6
programului de simulare circuitul din
1
7
T
figura alturat.
2
8
RV1=500k
E1
R2=220k
E2
R3=470
T1 2N2222A
4
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
27
1. Conectai multimetrul 1 ntre bornele notate cu 6 i 7, selectai funcia ampermetru

(A) i setai domeniul de msurare 1mA. Conectai multimetrul 2 ntre bornele notate cu
1 i 5, selectai funcia ampermetru (A) i selectai domeniul de msurare 1A, ca n
figura de mai sus.
2. Alimentai circuitul de intrare de la sursa de tensiune V 1 = 5V i circuitul de ieire de
la sursa de tensiune V2=12V.
aproximativ IB=10 A.
4. Msurai valoarea curentului de colector I C. Notai valoarea msurat n tabelul 6.2.
5. Repetai paii 3 i 4 pentru toate valorile curentului de baz din tabelul 6.2.
reprezint caracteristica de transfer a tranzistorului bipolar.
Tabelul 6.2
IB (A)10
dorit
IB (A)msura
t
IC (mA)
I
C
IB
20
30
40
50
60
70
80
90
100
IC
.
IB
8. Analizai aspectul caracteristicii statice de transfer a tranzistorului bipolar.
9. Pe graficul obinut, determinai panta caracteristicii de transfer.
10. Comparai cu valorile calculate.
c. Familia caracteristicilor de ieire
7. Calculai valoarea factorului de amplificare
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
28

Realizai cu ajutorul calculatorului i a programului de simulare circuitul din figura
alturat.
RV1
R2
3
RV1=500k
1
7
R2=220k
T
2
R3=470
8
T1 2N2222A
E1
E2
4
1. Conectai multimetrul 3 ntre bornele notate cu 1 i 5, selectai funcia ampermetru

(A) i setai domeniul de msurare 1mA. Conectai multimetrul 2 ntre bornele notate cu
4 i 6, selectai funcia ampermetru (A) i selectai domeniul de msurare 1A. Conectai
multimetrul 3 ntre bornele notate cu 4 i 0, selectai funcia voltmetru (V), ca n figura
de mai sus.
2. Alimentai circuitul de intrare de la sursa de tensiune V 1 = 5V i circuitul de ieire de
la sursa de tensiune variabil V2.
aproximativ IB=10 A.
4. Reglai sursa variabil, E2, astfel nct voltmetrul s indice UCE=0,05V.
5. Msurai valoarea curentului de colector IC. Notai valoarea msurat n tabelul 6.3.
6. Repetai paii 3, 4 i 5 pentru toate valorile curentului de baz din tabelul 6.3.
reprezint familia caracteristicilor de ieire ale tranzistorului bipolar.
Tabelul 6.3
IB (A) 10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
UCE(V)
IC (mA)
0,05
0,07
0,1
0,2
0,4
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
29

0,5
1
2
4
6
8
10
8. Analizai aspectul familiei caracteristicilor de ieire ale tranzistorului bipolar.
9. Pe graficul obinut, identificai regiunile corespunztoare regimurilor de funcionare
ale tranzistorului bipolar.
10. n planul caracteristicilor de ieire, delimitai aria de funcionare normal a unui
tranzistor bipolar.
11. Comparai cu rezultatele obinute n cadrul lucrrii practice de laborator.
e. ntocmii un referat cu tema: Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar

Autoevaluare: Pentru autoevaluare, elevii pot consulta anexa 6.
Evaluare: Referat
o Tabele completate

Competene:
Obiective:
statice.
statice.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
30
Activitatea se va desfura n laboratorul de electronic sau n sala

de clas.
Timp alocat: 2 ore

a. Se consider montajul din figura alturat.
Tranzistorul este de tip BC 107 i are caracteristicile
statice reprezentate n figura de mai jos.
RB
RC
2k
4M
CB
ui ~~
+E =10V
C
CS
C
S
u0
R
2
Determinai punctul static

funcionare al tranzistorului.
de
b. Tranzistorul din figura de mai jos este caracterizat de parametrii:

= 100, UBE = 0,7 V i ICBO = 0. Dac RC = 1 k i EC = 20 V.
EC
R
1. Determinai coordonatele punctelor (M, N) de intersecie ale dreptei de sarcin cu

axele de coordonate (OIC i OUCE)
2. Calculai valoarea rezistenei RB astfel nct tranzistorul s funcioneze n punctul
static aflat la jumtatea dreptei de sarcin (se presupune c tensiunea U BE = ct).
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
31

consulta Fia de documentare 5.2.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
32

Competene:
Obiective:
S realizeze circuite echivalente pentru tranzistoare bipolare
S reprezinte schema electric a circuitelor cu componente discrete
folosind modelele echivalente.
ale componentelor discrete.
S efectueze calcule pentru determinarea parametrilor circuitului

de clas.
Timp alocat: 1 or
a. n figura de mai jos este prezentat un etaj de amplificare, avnd tranzistorul T cu Si,
caracterizat de parametri: UBE=0,6V, ICB0 0, =49, h11=1,5k, h12=60, h12 0, h22 0.
1. Determinai punctul static de funcionare;

2.Calculai valoarea tensiunii la ieirea amplificatorului, n condiiile n care la intrare se
aplic tensiunea: ui = 0,3 sint, iar reactanele condensatoarelor C B, CE i CS se pot
neglija la frecvena de lucru.
b. Un tranzistor cu Si (UBE = 0,6V, ICB0 0, h21= = 24, h11= 0,12k), este utilizat ntr-un
etaj de amplificare, n conexiune EC, ca n figura de mai jos. Pentru polarizarea bazei
se folosete un divizor de tensiune, format din rezistenele R 1 i R2. n vederea asigurrii
stabilitii cu temperatura a punctului static de funcionare, se impune ca R2/RE =10 i
UEM/UBE =5. n condiiile n care Ec=20V, IE = 5mA i IB=0,2mA, se cere s se determine:
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
33
1. elementele de circuit RE, R1 i R2;

2. mrimile Ic i UCE pentru RC = 1k;
3. mrimile Ri1 =ui / ii i Au = u0 / ui, n condiiile n care se neglijaz parametrii h 12, h22,
precum i reactanele condensatoarelor CE, CB, CS.

Profilul TEHNIC
Nivelul 3
34

Competene:
Obiective:
S realizeze circuite echivalente pentru tranzistoare cu efect de cmp.

de clas.
Timp alocat: 1ore
a. Se consider amplificatorul cu TEC-J din figura alturat.
Tranzistorul are parametrii: gm = 2mA/V, rd =10k.
Calculai amplificarea Au= u0 /ui, considernd condensatorul
Cs un scurtcircuit.
ID
+ED=+24V
RD
50k
ui
Cs
RS
50k
UGS
u0
ES=12V
b. n repetorul pe surs din figura alturat, tranzistorul

are gm = 2mA/V.
Calculai amplificarea n tensiune.
+ED=+24V
ui
Cs
RS
100k
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
u0
35

cosulta Fia de documentare 5.

Competene:
Obiective:
S realizeze circuite echivalente pentru tranzistoare
folosind schema echivalent de semnal.
Evaluare

de clas.
Resurse: Fie de evaluare individuale.
Timp alocat: 1 or
Autoevaluare: Pentru autoevaluare, elevii pot consulta anexa 3..

Se acord 10 puncte din oficiu. Punctaj total : 100 puncte.
Timp de lucru: 60 minute.
a.
Alege varianta corect:
(20p)
1. Pentru ca un tranzistor bipolar s funcioneze n regiunea activ normal este
necesar ca:
a)att jonciunea emitorului ct i cea a colectorului s fie polarizate direct;
b)att jonciunea emitorului ct i cea a colectorului s fie polarizate invers;
c)jonciunea emitorului s fie polarizat direct iar cea a colectorului invers;
d)jonciunea emitorului s fie polarizat invers iar cea a colectorului direct;
e)s fie polarizat numai jonciunea emitorului.
2. Curentul de baz al unui tranzistor npn, funcionnd n regiunea activ normal, are
sensul:
a)spre baz pentru orice tensiune uBE;
b)din spre baz pentru orice tensiune uBE;
c)spre baz pentru tensiuni uBE mici i dinspre baz pentru tensiuni uBE mari;
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
36

d)dinspre baz pentru tensiuni uBE mici i dinspre baz pentru tensiuni uBE mari;
e)spre baz pentru tensiuni uBE mari i dinspre baz pentru tensiuni uBE mici.
.
3. Un tranzistor funcioneaz n regiunea de saturaie cnd:
a)jonciunea emitorului este polarizat direct, iar cea a colectorului este polarizat
invers;
b jonciunea emitorului este polarizat invers, iar cea a colectorului este polarizat
direct;
c)jonciunea emitorului este polarizat direct, iar cea a colectorului este polarizat
direct;
d)jonciunea emitorului este polarizat invers, iar cea a colectorului este polarizat
invers;
IC
e)nici o jonciune nu este polarizat.
I
4. Zona haurat din figura alturat C max
UCB = 0
corespunde:
a) domeniului interzis de valori pentru
PD max
funcionarea tranzistorului;
b) domeniului permis de valori pentru
funcionarea tranzistorului;
c) regimului activ invers;
IB = 0
d) regimului de blocare a tranzistorului.
e) Regimului activ normal.
0
UCE max UCE
b. Notai n dreptul fiecrui enun de mai jos litera A, dac apreciai c enunul este
adevrat i litera F, dac apreciai c enunul este fals.
(30p)
1. Coordonatele punctului static de funcionare al tranzistorului bipolar verific
ecuaia dreptei de sarcin.
2. Tranzistoarelel cu efect de cmp cu jonciuni sunt comandate n curent.
3. Tranzistoarele cu efect de cmp n comparaie cu tranzistoarele bipolare au
cureni de intrare mult mai mici i impedana de intrare mult mai mare.
4. Cu ct tensiunea UBE de polarizare a jonciunii baz-emitor este mai mare, cu
att curentul de emitor IE va fi mai mare.
5. Dac ntre curentul de colector IC i curentul de baz IB exist relaia IC < IB ,
tranzistorul funcioneaz n regim de saturaie.
6. Punctul static de funcionare al tranzistorului bipolar este dependent de
temperatur.
c. Se consider circuitul din figura de mai jos.
(40p)
1. Calculai valoarea rezistenei RB1 pentru ca tranzistorul T2 din figur s funcioneze n
punctul static caracterizat de mrimile:
UCE2 = 10 v, UBET2 = 0,7 V. Se mai cunosc:
EC = 20 V, RC1 =RC2 = RE2 = 1 k, RB2 = 50 k, T1 = T1 = 50, UBE1 = 0,7 V. Curenii
reziduali de colector se neglijeaz
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
37

EC
RC1
RB1
IB1
T1
RC2
I1
RB2
T2
IC2
IB2
IE2
RE2
2. Determinai regimul n care funcioneaz tranzistorul T2 dac rezistena RC1 se

scurtcircuiteaz i tensiunea UBE2 se consider constant i egal cu 0,7V.

consulta Fia de documentare 2,5.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
38

Competene:
Interpreteaz rezultatele obinute i prezint concluziile.
Obiective:
S defineasc reacia n circuite electronice.
S precizeze tipurile de reacie n circuitele electronice.
S reprezinte configuraiile tipice ale circuitelor electronice cu reacie.
S identifice tipurile de reacie n circuite electronice.

de clas.
Timp alocat: 2 ore
a. Completez spaiile libere pentru a obine o formulare corect:
Un amplificator cu reacie este un ........(1)............ la care o parte din semnalul
de ............(2).......... este aplicat la ...............(3)..............
b. Pe schema bloc de mai jos completeaz semnalele corespunztoare intrrilor i
ieirilor, precum i expresia lui A i .
A=
Reea de reacie
c. Alege varianta corect:

1. n cazul reaciei negative:
a.
Ar A
b.
Ar A
c.
d.
Ar A
Ar
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
39
2
'
U2
U2
U1
A
ELECTRONICE
1 Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR
2
U1'
U1r
U2r
2. Prin aplicarea reaciei negative:

a. banda de frecven se ngusteaz
b. banda de frecven se lrgete
c. banda de frecven nu se modific
d. banda de frecven tinde la zero.
d. n coloana A a tabelului de mai jos sunt prezentate schemele bloc ale
amplificatoarelor cu reacie , iar n coloana B tipurile de reacii. S se stabileasc
asocierile corespunztoare dintre cifrele din coloana A i literele corespunztoare din
1
2
coloana B.
1
2
U1
U2
B
U1'
A
Scheme
Tipuri de reacii
1 bloc 1ale amplificatoarelor cu reacie
U2
U1r
U2r
2
a)Serie serie
1.
2.
'
1 I1 1 I1
U1
U1
1
I1r
U1r
I2 2 I 2 2
U2
U2
b)Serie paralel
I2r
U2r
c) Paralel serie
3.
d)Paralel paralel
e. Realizeaz corespondena ntre elementele coloanelor de mai jos, completnd

corect tabelul propus:
A
B
C
Eantionare pe nod
serie - serie
tensiune - serie
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
40

Eantionare pe bucl
Comparare pe nod
Comparare pe bucl
Eantionare
Comparare
serie - paralel
paralel - serie
paralel - paralel
NOD
tensiune - paralel
curent - serie
curent - paralel
BUCL
tensiune - paralel
NOD
paralel - serie
BUCL
f. Se consider montajul prezentat n schema de principiu de mai jos, n care
condensatoarele sunt scurtcircuit n current alternativ.
Evideniai reaciile.
.
+Ec
RC2
RC1
CS
CB
C
RG
Ug
RB
RE1
CE
RS
RE2
CE2
g. n absena reaciei negative, un amplificator are frecvenele limit: f j=100Hz i

fs=1MHz.
Indicai modul n care se modific aceste frecvene limit, dac reacia negativ aplicat
este caracterizat de 1- A = 50.
h. Un amplificator are amplificarea n tensiune fr reacie egal cu A = 1000 100.
Se dorete un amplificator a crui amplificare s nu varieze cu mai mult de 0,1%.
a) Calculai factorul de transfer, , al reelei de reacie;
b) Determinai valoarea amplificrii cu reacie.

Profilul TEHNIC
Nivelul 3
41

Competene:
Obiective:

de clas.
Timp alocat: 1 or
Amplificatorul operaional cu reacie negativ

a. Amplificatorul operaional cu reacie din figura alturat este considerat ideal.
1. Determinai amplificarea amplificatorului cu
R2
reacie.
2. Identificai tipul de reacie.
b. Analizai influena reaciei asupra
R1
Ao
Ui
amplificatorului operaional.
c. Stiind c R1=2k i R2=8k, calculai

amplificarea amplificatorului cu reacie.
Uo

Profilul TEHNIC
Nivelul 3
42

Competene:
Obiective:

Timp alocat: 1or
Evaluare
/ Autoevaluare:
Referat
Amplificatorul
operaional
cu reacie
negativ
1. Realizai cu ajutorul calculatorului i a programului de
simulare circuitul din figura alturat.
R1=1k
R2=10k
AO - virtual
2.Conectai osciloscopul ca n figura alturat.
3. Variai valoarea rezistenei de reacie,
R2.
4. Analizai modul n care valoarea
rezistena de reacie nflueneaz
amplificarea amplificatorului cu reacie.

Profilul TEHNIC
Nivelul 3
43

Competene:
Obiective:

de clas.
Resurse: Fie de lucru.
Timp alocat: 1 or
Oscilatorul cu reacie
Se consider schema bloc a unui oscilator cu reacie.
Xg X1
X2
X2
A=
X1
Xr
Reea de reacie
Xr
=
X2
X2
a.Completeaz spaiile punctate pentru a obine o formulare corect:

Oscilatorul armonic este un .......(1)............ .care genereaz un semnal de form ..........
(2)........
b. Determinai condiia de oscilaie (relaia lui Barkhausen).
c. Alege varianta corect
1. Condiia de oscilaie a unui oscilator armonic este:
a) . A 1
b) . A = 1
c) . A 1
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
44

2. Pentru a se obine un oscilator amplificatorul trebuie s aib:
a) reacie negativ;
b) reacie pozitiv;
c) reacie negativ sau pozitiv;
d) nu trebuie s aib reacie.
d.Explicai de ce oscilatorul armonic genereaz semnal sinusoidal i nu de alt form.
e. Completeaz spaiile punctate pentru a obine o formulare corect:
n cazul n care amplificatorul are A = real frecvena de oscilaie este determinat
de..........(1).....

Profilul TEHNIC
Nivelul 3
45

Competene:
Obiective:

de clas.
Timp alocat: 2 ore
Oscilator cu reea Wien i amplificator

operaional
Se consider oscilatorul cu reea Wien i
amplificator operaional din figura de mai
jos.
1. Identificai buclele de reacie care exist
n acest circuit.
2. Precizai tipul reaciei pentru fiecare
bucl.
3. Precizai rolul fiecrei bucle de reacie.
4. Redesenai schema de mai sus, astfel
nct s punei n eviden puntea.
r2
r1
U2
R1
U1
R2
C1
C2

consulta Fia de documentare 7, 8.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
46

Competene:
Obiective:

de clas.
Timp alocat: 1 or
Stabilizatorul cu reacie
Se consider schema stabilizatorului serie, cu reacie, din figura de mai jos.
T
Io
Io
i
UBE
R
IB
Uo
Rs
Ui
DZ
Uz
Analizai funcionarea schemei i evideniai rolul reaciei n acest circuit.

consulta Fia de documentare 9
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
47

Competene:
Obiective:
S defineasc parametri caracteristici ai circuitelor integrate
Prezentare PowerPoint

Resurse: Calculator, Windows, MS Office
Timp alocat: 30 minute
Meninei apsat tasta contol i facei click pe textul Prezentare PowerPoint sau
deschidei fiierul Amplificatorul operational caracteristici.
Urmai indicaiile din prezentare.

Autoevaluare: On-line.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
48

Competene:
Obiective:
analogice.
S identifice dispunerea terminalelor pe baza informaiilor din

Meninei apsat tasta contol i facei click pe textul Prezentare PowerPoint sau
deschidei fiierul Dispunerea terminalelor circuitelor integrate analogice.

consulta Fiele de documentare 10,11.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
49

Competene:
Obiective:
analogice.
catalogele de componente.

Resurse: Platform experimental, voltmetre, calculator.
Timp alocat: 3 ore
Amplificatorul operaional
Procedura de lucru:
Realizai (sau identificai) circuitul din figura de mai jos pe platforma experimental din
laborator.
R2
R1
Intrare
R4
R3
6
+15V
Ieire
A0
E1
V1
Ui
+
R5
-15V
V2
U0
R1=22k
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
50

R2=22k
R3=10k
R4=100k
R5=1k
AO A741
1. Conectai voltmetrul V1 la intrare, pentru msurarea tensiunii de intrare, iar voltmetrul
V2 la ieire pentru msurarea tensiunii de ieire, ca n figur.
2. Conectai, la intrare, sursa de tensiune variabil E V1.
3. Variai valoarea EV1 astfel nct valoarea tensiunii de intrare, U i, s fie n jur de 0,1V.
4. Msurai tensiunea de ieire Notai valoarea msurat n tabelul 19.1.
5. Repetai paii 3 i 4 pentru toate tensiunii de intrare din tabelul 19.1.
reprezint variaia amplificrii cu reacie.
Tabelul 19.1
Ui(V) 0,1
dorit
0,5
10
12
Ui(V)
msurat
U0(V)
A1
U0
Ui
7. Analizai aspectul diagramei

8. Calculai amplificarea cu formula A1
R2
i comparai cu valorile obinute n urma
R1
msurtorilor.
9. Desfacei conexiunile dintre bornele 1-2, respectiv, 3-4 i conectai bornele 5-6,
respectiv 7-8.
10. Variai valoarea EV1 astfel nct valoarea tensiunii de intrare IB s fie n jur de 0,1V.
11. Msurai tensiunea de ieire Notai valoarea msurat n tabelul 19.2.
12. Repetai paii 3 i 4 pentru toate tensiunii de intrare din tabelul 19.2.
Tabelul 17.2
Ui(V) 0,1
dorit
0,5
10
12
Ui(V)
msurat
U0(V)
A2
U0
Ui

reprezint variaia amplificrii cu reacie.
14. Analizai aspectul diagramei.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
51

R2
R1
msurtorilor.
16. Rspundei la urmtoarele ntrebri:
a. Pentru ce domeniu al tensiunii de intrare, variaiile amplificrii cu reacie sunt mai
mici de 5%?
b. Pentru valori mici ale tensiunii de intrare amplificarea este influenat de
. (offset, saturaie)
c.Pentru valori mari ale tensiunii de intrare amplificarea este inflenat de
. (offset, saturaie)
17. ntocmiti un referat cu titlul: Amplificatorul inversor n c.c.

o Tabele completate
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
52

Competene:
Obiective:
analogice.

Resurse: Platform experimental, osciloscop cu 2 canale, calculator.
Timp alocat: 3 ore
Amplificatorul operaional
Procedura de lucru:
Realizai (sau identificai) circuitul din figura de mai jos pe platforma experimental din
laborator.
AO A741
R1=22k
R2=22k
R3=10k
R4=100k
R5=1k
1. Conectai, la intrare, generatorul de funcii
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
53

2. Conectai sonda corespunztoare canalului A la intrare, pentru vizualizarea tensiunii
de intrare, iar sonda corespunztoare canalului B la ieire, pentru msurarea tensiunii
de ieire, ca n figur.
3. Reglai generatorul de funcii astfel nct s obinei, la intrare un semnal triunghiular,
cu frecvena de 1000 Hz i valoarea vrf la vrf de 1V.
4. Vizualizai forma de und a semnalului de ieire.
5. Reprezentai, pe fia de lucru, forma de und a semnalului de intrare i de ieire.
6. Comparai cele dou forme de und.
7. Analizai rezultatele i tragei concluziile.
R2
R1
msurtorilor.
9. Reglai generatorul de funcii astfel nct s obinei, la intrare un semnal sinusoidal,
cu frecvena de 1000 Hz i valoarea vrf la vrf de 8V.
10. Variai frecvena semnalului de intrare, conform valorilor din tabelul 20.1.
11. Msurai tensiunea de intrare i de ieire. Notai valorile msurate n tabelul 20.1
Tabelul 20.1
Frecvena
1
10
100 1000 5000 10000 20000 30000 50000 100000
(Hz)
Ui(V)
U0(V)
A2
U0
Ui

reprezint caracteristica de frecven a amplificatorului..
15. Determinai lrgimea de band i calculai produsul amplificare-band.
17. ntocmii un referat cu titlul: Amplificatorul inversor n c.a.

o Schemele electronice utiliaze
o Tabele completate
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
54

Competene:
Obiective:
analogice.
Cubul

de clas.
Organizare: Elevii se vor organiza n 6 echipe.
Timp alocat: 2 ore
Evaluare / Autoevaluare: coevaluare.
Folosii un cub care semnific, n mod simbolic, tema ce urmeaz a fi explorat:

Amplificatorul operaional. Cubul are nscrise pe fiecare dintre feele sale Descrie,
Compar, Analizeaz, Asociaz, Aplic, Argumenteaz. Pe tabl, profesorul detaliaz
cerinele de pe feele cubului cu urmtoarele:
Descrie: Proprietile amplificatorului operaional.
Compar: Compar amplificatorul operaional cu amplificatorul cu componente
discrete.
Analizeaz: Analizeaz funcionarea amplificatorului inversor
Asociaz: Transform schema amplificatorului inversor n amplificator neinversor.
Aplic: Ce aplicaii au amplificatoarele operaionale?
Argumenteaz: De ce se utilizeaz amplificatoarele operaionale n schemele
electronice.
Conductorul fiecrui grup va rostogoli cubul. Echipa sa va explora tema din
perspectiva cerinei care a czut pe faa superioar a cubului i va nregistra totul pe o
foaie de flip-chart.
Dup 1 or, grupurile se reunesc n plen i vor mprti clasei rezultatul analizei.
Afiai pe tabl, flip-chart rezultatele ntregii discuii.

Utilizarea fielor de documentare adecvate.
Utilizarea altor surse de informare (internet, manual, reviste de
specialitate, caiet de notie, etc)
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
55

Competene:
Obiective:
analogice.

de clas.
Timp alocat: 2 ore

a. Se consider configuraia de amplificator inversor, din figura de mai jos, n care se
utilizeaz un amplificator operaional ideal. Calculai amplificarea n tensiune, Au .
Ir
I1
Ui
Ii
R1=10k uu
R2=50k
Ao
Uo
b. Se consider circuitul sumator inversor din figura de mai jos.

R2=10k I2
I1
Ui2
Ui1
I3
Ii
R1=10k u
u
R3=50k
Ao
Uo
La cele dou intrri se aplic tensiunile continue: U i1 = E1 = 1V i Ui2 = E2 = 2V, iar A.O.
este considerat ideal.
Determinai tensiunea la ieirea circuitului.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
56
c. Se consider circuitul cu ieire diferenial din figura de mai jos.

R4
R1
R2
Ui
AO1
+
R3
- AO
+
Uo
Amplificatoarele sunt presupuse ideale.

Ui = 10V.
R1 = 10K; R2 = 50K; R3 = 50K; R4 = 50K.
1.Determinai tensiunea de ieire a fiecrui amplificator.
2.Determinai tensiunea de ieire diferenial.
3.Determinai amplificarea acestui amplificator.

Profilul TEHNIC
Nivelul 3
57

Competene:
Obiective:
analogice.
catalogele de componete.
Evaluare

de clas.
Timp alocat: 2 ore
Evaluare: Se acord 10 puncte din oficiu. Punctaj total : 100 puncte
Rezolvai sarcinile de lucru de mai jos:
Se acord 10 puncte din oficiu. Punctaj total : 100 puncte. Timp de lucru: 120 minute.
a. Completeaz spaiile punctate pentru a obine o formulare corect:
(16puncte)
1. Amplificarea n bucl deschis fiind (1) ., poate fi considerat (2) ..:
2. Din relaia U0 =A0(u+ - u-), cum U0 are o valoare finit, rezult: u+ - u- =(3) ., deci,
bornele de intrare sunt n (4) virtual;
3.Impedana de intrare fiind(5) , poate fi considerat (6) ..:, ca urmare
curentul de intrarea poate fi considerat(7) .;
4. Impedana de ieire, Zo este foarte mic, putnd fi considerat egal cu (8) ..
b.Alege varianta corect:
(20puncte)
b.1 Amplificatorul operaional are proprietile:
a)impedan de ieire mic
b)amplificare mare:
c)impedan de intrare mic;
d)curent de intrare mare
e) band de frecven mic
b.2 Impedana de intrare a AO este:
a)de ordimul
b)de ordinul sute de
c)de ordinul M.
b.3 Alege varianta corect:
Amplificatorul operaional are proprietile:
a)impedan de ieire mare
b)amplificare mic:
c)impedan de intrare mare;
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
58

d)decalaj mare
e) band de frecven mic
b.4.Alege varianta corect:
Curentul absorbit de un AO este:
a)de ordimul mA;
b)de ordinul nA;
c)de ordinul A.
c.Deseneaz schema de principiu a unui sumator neinversor i explic funcionarea
circuitului.
(20puncte)
d. Se consider configuraia de amplificator inversor, din figura de mai jos, n care se
utilizeaz un amplificator operaional ideal.
R1=2k
R2=2k
(30puncte)
1)Calculai amplificarea n tensiune, Au .
Ii
2)tiind c ui=7V,s se calculeze uo.
3)Determinai R2, , astfel nct
uAo
amplificatorul s fie divizor cu 2.
Ii
Uo
u
Ui
e.Pe borna de intrare a amplificatorului din problema

precedent se aplic una dintre sondele unui osciloscop i se
obine oscilograma din figura de mai jos.
Desenai oscilograma care trebuie s apar atunci cnd cea
de a doua sond se aplic la ieirea amplificatorului.
(4puncte)

Autoevaluare: Pentru autoevaluare, elevii pot consulta anexa 2.1.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
59

Competene:
Obiective:
analogice.

Timp alocat: 1or
A723
Stabilizatorului de tensiune, realizat cu circuitul integrat A 723

Se consider schema stabilizatorului de
tensiune, realizat cu circuitul integrat A
723, din figura de mai jos.
C1
Marimile fizice care definesc
independenta stabilizatorului de
influenele mediului extern sunt:
1
14
2
13
-tensiunea minim de alimentare la
R2
3
12
intrarea stabilizatorului Uimin
4
11
5
10
- factorul de stabilizare
6
9
U i
7
8
R
S
3
U 0
R6
R1
- curentul maxim de ieire Iomax
- deriva termic a tensiunii de ieire.
1. Realizai cu ajutorul calculatorului i a
programului de simulare circuitul din
figura alturat.
R1=4,7k
R2=3,3k
R3=2,2k
R6=10M
Rsc1=2,2
RS = 51
T BD 135
C1= 390pF
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
Ui
Rsc1
Rs
U0
60
2. Conectai voltmetrul n paralel cu sarcina.

3. Alimentai circuitul de la sursa de tensiune variabil U 1 = 5V.
5. Msurai tensiunea U0. Notai valoarea msurat n tabelul 24.1.
6. Repetai paii 3 i 4 pentru toate valorile tensiunii de intrare din tabelul 24.1.
reprezint variaia tensiunii de ieire funcie de variaia tensiunii de intrare.
Tabelul 24.1
Ui(V)
5
6
7
8
9
10
11
12
5
20
U0(V)
9. Determinai tensiunea minima de alimentare la intrarea stabilizatorului
Uimin=
10. Calculai factorul de stabilizare
U i
S
=
U 0
11. Stabilii tensiunea de intrare la valoarea Ui=20V.
12. Reglai valoarea rezistenei de sarcin la R S= 10.
13. Msurai tensiunea U0. Notai valoarea msurat n tabelul 24.2.
14. Repetai paii 12 i 13 pentru toate valorile rezistenei de sarcin din tabelul 24.2.
Tabelul 24.2
100 200
RS ()
10
20
25
30
40
U0(V)
U
I 0 0 (A
Rs
)
reprezint variaia tensiunii de ieire funcie de valoarea rezistenei de sarcin de
intrare.
16. Determinai valoarea intensitii curentului de scurtcircuit (pentru R sc=10):
U
I sc 0 =
R sc
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
61

17. Determinai valoarea maxim a curentului de ieire pentru care tensiunea de ieire
se menine constant:
I0max=
18. Analizai calitatea circuitului de stabilizare studiat.
19. ntocmii un referat cu tema Stabilizatorului de tensiune, realizat cu circuitul
integrat A 723

o Tabele completate
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
62

Competene:
Obiective:
analogice.

Aplicaiile circuitului integrat E555.

n figura de mai jos este rezentat un circuit electronic realizat cu ajutorul circuitului
integrat E555.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
63

1. Cu ajutorul datelor din catalog, identificai semnificaia pinilor circuitului integrat.
1.
2.
3.
4.
6.
7.
9.
2. Identificai componentele discrete utilizate. Notai n dreptul fiecrei componente de
mai jos, cifra corespunztoare.
3. Identificai rolul funcional al circuitului i explicai funcionarea.

Prezentare PowerPoint: Meninei apsat tasta contol i facei click pe
textul Prezentare PowerPoint sau deschidei fiierul E555.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
64

Competene:
Obiective:
analogice.
Concurs de testare a cunotinelor

Resurse: Calculator, Internet, Cataloage, reviste de specialitate etc.
Evaluare / Autoevaluare: Coevaluare / Autoevaluare.
Sugestii:
- elevii se vor organiza n grupe mici (4 elevi)
- fiecare grup va formula cte 6 ntrebri de verificare a cunotinelor despre un
circuit integrat analogic studiat precum i rspunsurile la acestea
- profesorul va verifica ntrebrile i rspunsurile pentru a fi sigur c sunt atinse
informaii relevante i au rspunsuri corecte
- ntrebrile vor fi schimbate ntre grupuri
- timp de lucru recomandat 50 minute
Enun: Folosind surse diferite (internet, manual, reviste de specialitate, caiet de notie,
etc) obtinei informaii despre utilizrile circuitelor integrate analogice studiate. Formulai
cte 6 ntrebri, precum i rspunsurile pentru ele. Scriei ntrebrile pe cartonae i
schimbai ntrebrile cu alt grup. Rspundei la ntrebrile primite i dai-le spre
verificare grupei care le-a formulat. Dac ai rspuns corect putei lua setul de ntrebri
de la alt grup.

Utilizarea fielor de documentare adecvate.
Utilizarea altor surse de informare (internet, manual, reviste de
specialitate, caiet de notie, etc)
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
65

Competene:
Utilizeaz noiunile i conceptele algebrei logice pentru analiza
circuitelor digitale.
Obiective:
S exprime funciile logice n forme precizate.
S realizeze minimizarea funciilor logice folosind metode adecvate.
S implementeze funciile logice minimizate folosind pori logice.

Resurse: Calculator, program de simulare Digital Works.
Timp alocat: 2 ore
Analiza porilor logice folosind programul Digital Works

a. Stabilirea tabelului de adevr pentru porile logice I, I-NU, SAU, SAU-NU, SAUEXCLUSIV, SAU-EXCLUSIV NEGAT. Urmai indicaiile urmtoare:
selectai, pe rnd, porile amintite mai sus i se poziioneaz n zona destinat
circuitului;
pentru fiecare dintre ele legai la ambele intrri dispozitivele denumite intrri
interactive; (nu uitai s legai efectiv aceste dispozitive, folosind unealta de legturi,
!);
la ieirea fiecrei pori legai cte un led pentru a putea stabili starea sa logic; (nu
uitai s legai efectiv aceste dispozitive, folosind unealta de legturi, !);
facei clic pe butonul
pentru a pomi efectiv simularea.
transformai cursorul astfel nct s se poat comanda intrrile interactive.
Comandnd intrrile interactive, stabilii tabelele de adevr pentru fiecare poart n
parte.
b. Pornind de la variabilele binare A, B, C i D, realizai cu pori logice urmtoarele
funcii:
f 1 A BC D
A B C D
AB A B C
f2 A B D C
f3
f4
Pentru fiecare dintre funciile de mai sus, stabilii tabelul de adevr, folosind intrri
interactive i led-uri.
c. Studiul unui comparator digital.
Realizai, cu ajutorul programului, urmtoarea schem cu pori logice:
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
66
poziionai porile logice, led-urile i intrrile interactive;

facei legturile folosind unealta pentru legturi, !;
pentru a pomi simularea;
transformai cursorul astfel nct s se poat comanda intrrile interactive
stabilii la intrare toate combinaiile posibile i notai de fiecare dat starea celor trei
ieiri, notate 1, 2 i 3;
stabilii care dintre ieiri reprezint A<B, A>B i A=B.
d. Studiul unui semisumator.
Realizai schema cu pori logice prezentat alturat.
poziionai porile logice, led-urile i intrrile interactive;

facei legturile folosind unealta pentru legturi, !;
pentru a porni simularea;
transformai cursorul astfel nct s se poat comanda intrrile interactive;
stabilii la intrare toate combinaiile posibile i se noteaz de fiecare dat starea celor
dou ieiri, S i C;
completai tabela de adevr a circuitului.
e. ntocmii un referat cu tema Analiza porilor logice.

consulta Fiele de documentare 14, 15.
o Schemele cu pori logice simulate cu ajutorul programului.
o Tabelele de adevr pentru funciile logice studiate.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
67

Competene:
Obiective:

de clas.
Resurse: Fie de lucru, flipcart.
Organizare: Elevii vor lucra organizai n 4 echipe.
Timp alocat: 1 or
Evaluare: Coevaluare/Autoevaluare
Implemetarea funciilor logice
Se consider funcia logic:
f A B A B
Implementai funcia n urmtoarele variante:

a)cu pori I,SAU,NU
b)cu pori I-NU
c)cu pori SAU-NU
d)cu pori SAU-EXCLUSIV
Analizai economicitatea fiecrei implementri.
Fiecare echip va implementa funcia n una dintre variante i va analiza
economicitatea implementrii. Dup 30 de minute, grupurile se reunesc n plen i
compar rezultatele i trag concluziile.
Afiai pe tabl/flip-chart rezultatele ntregii discuii.
Indicaii:
1. Utilizai postulatele i teoremele algebrei logice pentru a transforma funcia ntr-o
form convenabil fiecrei variante de implementare.
2. Notai n dreptul fiecrei pori utilizate la implementare codul corespunztor porii i
fraciunea care arat ct reprezint poarta n cadrul circuitului integrat folosit.
Analizai, pentru fiecare variant de implementare, cte pori s-au utilizat, cte circuite
integrate sau folosit i cte pori au rmas nefolosite.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
68

Coevaluare/Autoevaluare: Pentru autoevaluare, elevii pot consulta
anexa 6.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
69

Competene:
Obiective:

de clas.
Organizare: Elevii vor lucra n echipe.
Timp alocat: 1 or
Evaluare / Autoevaluare: autoevaluare, coevaluare..

Se consider funcia logic descris n tabelul de adevr de mai jos:
C
0
0
0
0
1
1
1
1
B
0
0
1
1
0
0
1
1
A
0
1
0
1
0
1
0
1
f
1
0
1
1
0
1
1
0
a) minimizai funcia folosind postulatele i teoremele algebrei logice.

b) minimizai funcia folosind diagrama Veich-Karnaugh.
c) implementai funcia cu pori logice.
d) Analizai economicitatea fiecrei implementri.
Clasa se va mpri ntr-un numr par de echipe. Jumtate din echipe va minimiza
funcia prin una dintre metode, iar cealalt jumtate prin a doua metod. Fiecare
echip va implementa funcia obinut. Dup 30 de minute, grupurile se reunesc n plen
i compar rezultatele, analizeaz implementrile i trag concluziile.

consulta Fia de documentare 12, 13, 14.
Coevaluare/Autoevaluare: Pentru autoevaluare, elevii pot consulta anexa 6.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
70

Competene:
Obiective:

de clas.
Resurse: Fie de lucru, flipcart.
Organizare: Elevii vor lucra organizai n echipe.
Timp alocat: 1 or

Se consider funcia logic definit cu ajutorul tabelului de adevr de mai jos:
C
0
0
0
0
1
1
1
1
B
0
0
1
1
0
0
1
1
A
0
1
0
1
0
1
0
1
f
1
0
1
1
0
1
1
0
Implementai funcia n urmtoarele variante:

a)cu pori I-NU cu dou intrri;
b)cu pori I-NU;
Analizai economicitatea fiecrei implementri.
Clasa se va mpri ntr-un numr par de echipe. Jumtate din echipe va implementa
funcia n varianta de la puncul a), iar cealalt jumtate n varianta de la puncul b).
Fiecare echip va analiza implementarea realizat. Dup 30 de minute, grupurile se
reunesc n plen i compar rezultatele, analizeaz implemetrile i trag concluziile.

consulta Fiele de documentare 12,13,14.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
71
4. GLOSAR
4.1 Algebra logic - opereaz cu propoziii care pot fi adevrate sau false. Unei
propoziii adevrate i se atribuie valoarea 1, iar unei propoziii false i se atribuie
valoarea 0. O propoziie nu poate fi simultan adevrat sau fals, iar dou
propoziii sunt echivalente d.p.d.v. Al algebrei logice, dac simultan ele sunt
adevrate sau false.
4.2 Amplificator - este un circuit electronic care furnizeaz la ieire un semnal cu o
putere mai mare dect semnalul aplicat la intrare.
4.3 Amplificator cu reacie - este un amplificator la care o parte din semnalul de
ieire este aplicat la intrarea acestuia.
4.4 Amplificatorul operaional - este un amplificator de c.c. (cu cuplaj direct), care
ndeplinete nite performane deosebite: amplificare, band de frecven i
impedan de intrare foarte mari, decalaj, deriv i impedan de ieire foarte
mici.
4.5 Capacitate de cuplaj - are rolul de a bloca accesul curentului continuu, dar de a
permite trecerea curentului alternativ.
4.6 Caracteristica static reprezentare grafic care d indicaii asupra proprietilor
de curent continuu ale dispozitivului.
4.7 Caracteristic dinamic - d indicaii asupra proprietilor de curent alternativ
sau de impuls ale dispozitivului semiconductor.
4.8 Caracteristici de ieire - arat dependena dintre mrimile de ieire (i c = ic
(UCE)), pentru diferite valori ale curentului de intrare, I B)
4.9 Caracteristici de intrare - arat dependena dintre mrimile de intrare
(reprezentarea grafic a variaiei curentului de intrare, I B, n funcie de tensiunea
de intrare, UBE)
4.10 Caracteristici de transfer - arat dependena dintre o mrimile de ieire i o
mrime de intrare (reprezentarea grafic a variaiei curentului de ieire, I C, n
funcie de tensiunea de intrare, UBE sau n funcie de curentul de intrare, IB).
4.11 Circuit echivalent - circuit care modeleaz proprietile i comportamentul
electric al unui dispozitiv
4.12 Cuadripol - un bloc care are dou borne de intrare i dou borne de ieire
4.13 Curentul direct - curentul care parcuge o diod polarizat direct. Valoarea
acestui curent crete exponenial cu tensiunea direct aplicat.
4.14 Curentul invers (curentul rezidual) curentul care parcuge o diod
polarizat invers. Acest curent este ve valori foarte mici, de ordinul nA pentru
diodele realizate din siliciu, respective de ordinal A pentru diodele realizate din
germaniu. Valoarea acestui curent este independent de tensiunea invers
aplicat.
4.15 Diagrama Veitch-Karnaugh este o reprezentare grafic a formelor canonice
ale unei funcii logice. Elementele mulimii de intrare sunt reprezentate de
suprafee dreptunghiulare, din intersectarea crora rezult termenii canonici.
4.16 Dioda - este un dispozitiv electronic care prezint conducie electric unilateral
4.17 Diode redresoare - diode utilizate la transformarea energiei electrice de curent
alternativ n energie electric de curent continuu la frecvene joase, de obicei la
frecvena industrial; sunt utilizate n orice alte aplicaii, la frecvene joase, n care
este folosit faptul c acestea prezint conducie unilateral.
4.18 Diode stabilizatoare - diode destinate s lucreze n regiunea de strpungere
(III). Proprietatea de stabilizare provine din meninerea unei tensiuni relativ
constante la borne, pentru o gam de cureni specificat.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
72

4.19 Diode varicap - diode destinate s funcioneze n regim de polarizare
invers. n acest domeniu schema echivalent a jonciunii pn cuprinde doar
capacitatea de barier Cb, dependent de tensiunea continu de polarizare
invers. Astfel, se obine un condensator a crui capacitate se poate controla pe
cale electronic.
4.20 Forma canonic - presupune operarea cu termeni canonici. Prin termen
canonic nelegem un termen n care sunt prezente toate variabilele
independente, luate sub form direct sau negat.
4.21 Forma canonic conjunctiv - n cadrul formei canonice conjunctive (f.c.c.),
termenii sunt legai ntre ei prin conjuncii, iar variabilele - n cadrul fiecrui
termen, numit "constituent al lui zero" - prin disjuncii.
4.22 Forma canonic disjunctiv - n cadrul formei canonice disjunctive (f.c.d.)
Termenii sunt legai ntre ei prin disjuncii, iar variabilele - n cadrul fiecrui
termen, numit "constituent al unitii" - prin conjuncii.
4.23 Forma elementar - are n alctuire cel puin un termen elementar. Prin
termen elementar se nelege un termen care nu conine toate cele n variabile ale
funciei, deci care nu este canonic.
4.24 Funcie logic este o funcie de una sau mai multe variabile care nu pot lua
dect dou valori: 0 sau 1.
4.25 Implemetarea unei funcii logice realizarea circuitului electronic care
realizeaz funcia propus.
4.26 Metoda circuitelor echivalente, - const n nlocuirea dispozitivului electronic
cu un circuit echivalent compus din elemente obinuite de circuit: generatoare
de tensiune sau de curent, rezistoare, capaciti i care are aceiai funcionare.
4.27 Microsoft Excel este un program performant de calcul tabelar ce se poate
utiliza pentru stocarea i prelucrarea eficient a listelor de date n vederea
realizrii de calcule numerice n scopul obinerii de rapoarte i analize. De
asemenea, pe baza datelor nregistrate programul Excel poate crea foarte uor
diagrame i poate face schimb de informaii cu alte programe, cum ar fi Microsoft
Word, Microsoft powerpoint, Microsoft Access, astfel nct datele s poat fi
prezentate practic, n orice form.
4.28 Minimizarea - reprezint trecerea de la o form canonic la o form
elementar de exprimare a unei funcii logice, deci eliminarea unor variabile de
intrare din termenii funciei.
4.29 Oscilatorul armonic - este un circuit electronic care genereaz un semnal de
form sinusoidal
4.30 Poart logic
- este un dispozitiv electronic digital elementar care
implementeaz o funciune logic elementar.
4.31 Polarizare direct - borna + a sursei se conecteaz la regiunea p, iar borna la regiunea n.
4.32 Polarizare invers - borna - a sursei se conecteaz la regiunea p, iar borna +
la regiunea n.
4.33 Program de simulare Multisim - soft de proiectare i simulare n domeniul
electric.
4.34 Regim activ invers se obine atunci cnd jonciunea emitor baz este
polarizat invers, n timp ce jonciunea colector baz este polarizat direct.
4.35 Regimul activ normal se - obine atunci cnd jonciunea emitorului este
polarizat direct, iar jonciunea colectorului este polarizat invers.
4.36 Regimul de saturaie - se obine atunci cnd ambele jonciuni sunt polarizate
direct. Tranzistorul se comport ca un comutator nchis.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
73

4.37 Regimul de tiere - se obine atunci cnd ambele jonciuni sunt polarizate
invers. Tranzistorul se comport ca un comutator deschis.
4.38 Regiunea activ normal - corespunde zonei delimitate de regiunea de
saturaie i de blocare. n aceast zon, curentul de ieire, I C, se menine la o
valoare aproximativ constant, determinat da valoarea curentului de intrare, I B.
n aceast situaie spunem c tranzistorul funcioneaz n regim activ normal. n
acest regim de funcionare, tranzistorul se comport ca amplificator.
4.39 Regiunea de saturaie - corespunde zonei n care curentul de ieire, I C, crete
rapid pn la valoarea sa maxim. Aceast zon corespunde unei tensiuni de
ieire, UCE, de valoare foarte mic. n aceast situaie spunem c tranzistorul
este n regim de saturaie, sau c este saturat.
4.40 Regiunea de tiere, sau de blocare - corespunde zonei n care curentul de
ieire, IC, ia valori foarte mici, apropiate de zero. Tensiunea de ieire, U CE, poate
lua valori mari. Aceast zon este situat sub curba care corespunde lui I B = 0.
n aceast situaie spunem c tranzistorul este n regim de tiere sau c este
blocat.
4.41 Rezistena de curent continuu - egal cu raportul ntre tensiunea de
polarizare a jonciunii i curentul care o strbate, este numeric egal cu tangenta
unghiului format de axa vertical cu dreapta care unete originea cu punctul
static de funcionare, P.
4.42 Rezisten dinamic (rezisten diferenial, rezisten de curent
alternativ) - numeric egal cu tangenta unghiului pe care l face tangenta la
caracteristic cu axa vertical.
4.43 Stabilizatorul - este un circuit electronic care se conecteaz ntre sursa de
semnal nestabilizat i consumator i care, ideal, asigur la ieire un semnal
independent de tensiunea de intrare, de curentul de sarcin (rezistena de
sarcin) i de temperatur.
4.44 Tabel de adevr tabel care conine, ordonat, toate configuraiile de intrare
posibile precum i toate valorile corespunztoare funciei de ieire.
4.45 Tensiune de strpungere - valoarea tensiunii de polarizare invers la care
curentul crete brusc datorit efectului Zener sau multiplicrii n avalan a
purttorilor de sarcin care particip la conducie.
4.46 Tensiunea de deschidere - reprezint tensiunea minim de polarizare la care
dispozitivul ncepe s conduc curentul electric
4.47 Tensiunea maxim - valoarea maxim a cderii de tensiune pe diod U DM,
pentru un curent dat, de obicei, curentul maxim admisibil, I DM.
4.48 Tranzistorul bipolar - este un dispozitiv electronic realizat dintr-un monocristal
semiconductor n care sunt realizate dou jonciuni pn, situate n imediat
vecintate una fa de cealalt.
4.49 Tranzistorul cu efect de cmp (prescurtat TEC; n englez field effect
transistor, FET) este un dispozitiv electronic semiconductor folosit pentru a
comanda intensitatea curentului electric dintr-un circuit. Funcionarea lui se
bazeaz pe modificarea conductibilitii unui canal realizat dintr-un material
semiconductor prin aplicarea unui cmp electric. ntruct conducia electric
este asigurat de un singur tip de purttori de sarcin asemenea dispozitive
se numesc i tranzistoare unipolare.
4.50 Tranzistorul MOS - este un dispozitiv electronic bazat pe conducia curentului
electric la suprafaa semiconductorului. Proprietile conductive ale suprafeei
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
74

semiconductorului sunt controlate de un cmp electric aplicat printr-un electrod
izolat de semiconductor numit poart.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
75
5 Fie de documentare
5.1 Fia de documentare 1
CARACTERISTICILE ELECTRICE ALE DIODEI SEMICONDUCTOARE
Dioda este un dispozitiv electronic care prezint
conducie electric unilateral. Simbolul general
diodei este prezentat n figura 3.1; cei doi electrozi
ai dispozitivului se numesc anod (A) i catod (C).
Sensul direct de conducie electric este de
la anod la catod.
ID
a.
Fig.1.1
b.
UD
Marea majoritate a diodelor semiconductoare sunt realizate pe baza jonciunii pn.
n figura 2.1.b este prezentat
structura fizic a diodei semiconductoare cu jonciune pn.
a
Figura 2.1
Diodele semiconductoare se realizeaz ntr-o mare varietate de tipuri, n funcie

de utilizrile ce li se dau n circuite.
Observaie: Nu trebuie fcut confuzia ntre dioda semiconductoare i jonciunea
pn. Diodele pot fi realizate i pe baza altor structuri fizice (de exemplu contactul metal semiconductor). Pe de alt parte, dioda conine i alte elemente, pe lng jonciunea
pn, cum ar fi: elemente de contact, terminale, sistem de evacuare a cldurii, capsul
etc.
2.2 CARACTERISTICI ELECTRICE
Sunt reprezentate de caracteristicile statice (de curent continuu), caracteristici
dinamice (de curent alternativ) i de familii de caracteristici.
Caracteristicile statice dau indicaii asupra proprietilor de curent continuu ale
dispozitivului.
Principalii parametri electrici de c.c. ai diodei
semiconductoare sunt reprezentai n figura 2.2.
ID
n polarizare direct dioda este caracterizat de:
PDM
(mA)
I
Tensiunea de deschidere, UD0,
care
DM
reprezint tensiunea minim de polarizare la care
dispozitivul ncepe s conduc curentul electric.
Valoarea lui UD0 depinde de tipul diodei. Astfel, U D0
US I0
este n jur de 0,2V pentru diodele realizate din
R
germaniu i n jur de 0,5V pentru diodele realizate
UD0 UDMUD (V)
din siliciu.
Pentru tensiuni mai mari dect UD0, cderea
de tensiune pe diod este determinat de valoarea
intensitii curentului ce trece prin dispozitiv. Cu o P
DM
Fig.1.2
oarecare aproximaie se poate considera: U D = UD0 +
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
76

RD. ID, unde RD este rezistena intern a diodei i include efectele fizice ale tuturor
fenomenelor care au loc n dispozitiv.
n cataloage se specific valoarea maxim a cderii de tensiune pe diod
UDM, pentru un curent dat, de obicei, curentul maxim admisibil, IDM.
Observaie: Tensiunea direct pe diod UDM, este mai mare dect valoarea
barierei de potenial a jonciunii, U 0, n special n cazul diodelor care lucreaz la cureni
mari, unde devine important rezistena serie a jonciunii, Rs, iar efectele temperaturii
sunt foarte puternice. Astfel, pentru o diod redresoare de siliciu U DM poate ajunge la
maxim 1,4V.
n polarizare invers dioda este caracterizat de faptul c la variaii mari ale tensiunii
inverse, UR1 (uneori pn la sute sau mii de voli), curentul prin dispozitiv este neglijabil.
Acesta este curentul invers, sau curentul rezidual, I 0. Cnd se ajunge la o valoare
critic a tensiunii de polarizare invers, curentul prin diod crete brusc, datorit
efectului Zener sau multiplicrii n avalan a purttorilor de sarcin care particip la
conducie.
Valoarea tensiunii de polarizare invers la care curentul crete brusc se numete
tensiune de strpungere, US. n mod obinuit, firmele productoare garanteaz
funcionarea corect a dispozitivului la o valoare U RM US, numit tensiune invers
maxim admis. Pentru intervalul URM 0 V , n cataloage se specific o valoare maxim
admisibil a curentului invers I0.
Un alt parametru important este puterea disipat maxim admis, PDM.
Observaii:
1. n funcie de utilizarea diodei, se precizeaz i se garanteaz i ali parametri electrici
de c.c.
2. Caracteristicile de curent continuu sunt dependente de temperatur i sunt valabile
numai pentru o temperatur ambiant sau a capsulei date.
Caracteristicile dinamice dau indicaii asupra proprietilor de curent alternativ
sau de impuls ale dispozitivului semiconductor. n funcie de tipul dispozitivului se
prezint cele mai importante caracteristici de joas sau de nalt frecven, sau de
comutaie, valabile numai n condiii speciale de lucru. n funcie de necesiti, n
cataloage se specific i circuitele de msurare corespunztoare.
DIODE REDRESOARE
Sunt utilizate la transformarea energiei electrice de curent alternativ n
energie electric de curent continuu la frecvene joase, de obicei la frecvena industrial
(50-60 Hz). Procesul de transformare a curentului alternativ n curent continuu se
bazeaz pe conducia unilateral a diodei i poart numele de redresare 2.
Aceste diode lucreaz n regiunile I (conducie) i II (blocare).
Circuitul echivalent al unei diode redresoare este
prezentat n figura 1.3 Dioda redresoare se comport ca o
rezisten de valoare rD, pentru semnalele pozitive i ca o
ntrerupere pentru semnalele negative.
1
+
-
rD
Figura 1.3
UR este o notaie consacrat pentru tensiunea invers (R de la Reverse invers, n limba englez)
n realitate procesul de transformare a curentului alternativ n curent continuu presupune mai mult dect redresarea,
ns n practic se obinuiete s se numeasc simplu, redresare (vezi 3.4).
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
77

Observaie: Circuitul echivalent corespunde modelrii jonciunii la frecvene
joase, unde se pot neglija capacitile acesteia.
Parametrii garantai de catalog pentru astfel de diode sunt:
tensiunea invers maxim admis, URM - care pentru astfel de diode poate ajunge la
sute sau chiar mii de voli;
curentul n polarizare direct maxim admis, IDM - care pentru astfel de diode poate
ajunge la zeci sau chiar sute de amperi;
tensiunea de polarizare direct, UDM, msurat la un curent dat, de obicei la IDM;
curentul mediu redresat, I0 - este valoarea medie a curentului direct calculat pe o
perioad complet pentru redresare monoalternan, monofazat;
curentul invers - pentru o tensiune invers specificat;
rezistena dinamic direct - msurat pentru tensiuni sau cureni alternativi de
semnal mic, ntr-un punct dat de pe caracteristica static;
capacitatea jonciunii - Cj
rezistena termic a jonciunii, Rthja.
ntruct diodele folosite la redresare se folosesc la semnal mare, pun probleme
speciale de rcire. Cele de putere mic asigur disiparea cldurii prin capsul. Cele de
putere mare se monteaz pe radiatoare speciale.
Diodele redresoare cu siliciu asigur, n general, cureni inveri mult mai mici i
tensiuni inverse mai mari dect cele cu germaniu.
Observaie: n afara circuitelor de redresare, diodele redresoare sunt
utilizate n orice alte aplicaii, la frecvene joase, n care este folosit faptul c
acestea prezint conducie unilateral.
DIODE STABILIZATOARE
Aceste diode sunt destinate s lucreze n
Iz
Iz
regiunea de strpungere (III). Proprietatea de
+
rZ
stabilizare provine din meninerea unei
U
z
+Uz
DZ
tensiuni relativ constante la borne, pentru o
gam de cureni specificat. Sunt diode de
siliciu care, de la o anumit tensiune invers
a
Figura 1.4
b
aplicat, prezint o cretere rapid a curentului
invers. Datorit creterii rapide a curentului
Iz
invers,
tensiunea
de
strpungere
U
corespunztoare este aproape constant.
Evident, n acest regim de funcionare, dioda
Uz
prezint o rezisten dinamic de valoare foarte
u
Izm
mic.
Simbolul acestor diode este prezentat n
Iz
figura 1.4.a, iar n figura 1.4.b este prezentat
circuitul echivalent al diodei stabilizatoare.
IZM
PDM
n cataloage se specific :
curentul de control al tensiunii de stabilizare,
Figura 1.5
Iz - este valoarea impus a curentului invers
la care se verific dac tensiunea de stabilizare este egal cu tensiunea de
stabilizare nominal, innd cont de toleranele impuse;
rezistena dinamic, rZ pentru un curent Iz dat;
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
78

curentul minim, respectiv maxim pentru care dioda funcioneaz n zona de
stabilizare, IZm i IZM - unde IZm este determinat de ieirea din regiunea de stabilizare,
iar IZM este determinat din considerente de putere maxim disipat);
tensiunea nominal de stabilizare, Uz - care reprezint tensiunea pe diod pentru o
valoare specificat a curentului invers, Iz.
coeficientul de temperatur al tensiunii stabilizate, arat dependena de temperatur
a tensiunii de lucru pentru un curent specificat.
n figura 1.5 este prezentat caracteristica static de funcionare a diodei
stabilizatoare i sunt marcate principalele caracteristici electrice.
Pentru a funciona n regiunea de strpungere, dioda stabilizatoare trebuie
polarizat invers, respectiv cu plusul pe catod i minusul pe anod, ca n figura 1.5.a .
Polarizat direct, ea se va comporta ca o diod obinuit (redresoare). Pentru a se evita
greelile de conectare, pe capsula diodei se marcheaz electrodul pe care trebuie s se
aplice plusul tensiunii de polarizare, respectiv catodul.
Diodele stabilizatoare se fabric pentru tensiuni de la 4 voli pn la sute de voli.
Observaie: Dei numai pentru diodele cu tensiuni de stabilizare pn n 6 voli,
strpungerea se face prin efect Zener, iar pentru restul prin multiplicare n avalan, se
obinuiete s se numeasc toate diodele stabilizatoare i diode Zener.
3.3.4 DIODE VARICAP
Diodele varicap sunt destinate s funcioneze n regim de polarizare invers, n
regiunea II de pe caracteristica static de funcionare. n acest domeniu schema
echivalent a jonciunii pn cuprinde doar capacitatea de barier C b, dependent de
tensiunea continu de polarizare invers (figura 1.6). Astfel, se obine un condensator a
crui capacitate se poate controla pe cale electronic. Calitatea acestui condensator va
depinde de curentul rezidual al diodei. Diodele varicap se realizeaz din siliciu, tocmai
pentru faptul c prezint cureni reziduali neglijabili . Pentru a se realiza o variaie
maxim de capacitate la o variaie dat de tensiune, se utilizeaz jonciuni p +n.3
Tensiunea de polarizare aplicabil diodelor varicap este cuprins ntre o valoare
minim, URm, pentru ca semnalul aplicat s nu fie deformat sau redresat, i o valoarea
maxim, URM, determinat de tensiunea de strpungere. n cataloage este
specificat raportul de capacitate, exprimat prin:
C M (U Rm )
C m (U RM )
Diodele varicap se utilizeaz n circuite acordate, oscilatoare, filtre etc.

Simbolul diodei varicap este prezentat n figura 1.7.
C
Figura 1.7
CM
Fa
de
condensatoarele
variabile obinuite, varicapul este mai mic, mai sensibil i are
o foarte bun stabilitate i fiabilitate.
Cm
3
U
U
notaia p+n semnific faptul c zona p are o concentraie mult mai mare de impuritiR dect zonaRM
n. Figura 1.6
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
79
CARACTERISTICI STATICE DE FUNCIONARE

TIPURI DE CARACTERISTICI
Dac pentru a descrie dioda n curent continuu era suficient caracteristica curent
-tensiune, n cazul tranzistorului se folosesc trei tipuri de caracteristici:
Caracteristici de intrare: arat dependena dintre mrimile de intrare.
Caracteristici de transfer: arat dependena dintre o mrimile de ieire i o mrime
de intrare
Caracteristici de ieire: arat dependena dintre mrimile de ieire.
Observaie: Este evident faptul c, pentru fiecare din conexiunile tranzistorului
corespund alte mrimi de intrare, respectiv de ieire, deci caracteristicile vor fi diferite
pentru fiecare tip de conexiune. Astfel, pentru un anumit tranzistor, va exista, de
exemplu, caracteristica de intrare n conexiunea emitor comun, diferit de caracteristica
de intrare n conexiunea colector comun.
n continuare vom considera un tranzistor de tip npn, n conexiune emitor comun
(figura 2.1.a).
Montajul pentru ridicarea caracteristicilor este prezentat n figura 2.1.b.
IC
IB
UCE +EB
UBE
Fi
IB
A
V
Fi
mA
+EC
UCE
UBE
a
a
b d
Figura 2.1
Caracteristica
de
intrare
const
n
reprezentarea grafic a variaiei curentului
de intrare, IB, n funcie de tensiunea de
intrare, UBE (figura 2.2).
Privit dinspre intrare, tranzistorul n

conexiune emitor comun se prezint ca o
jonciune pn polarizat direct. Ca urmare,
caracteristica de intrare este asemntoare
cu caracteristica exponenial a unei diode.
Astfel, curentul IB devine semnificativ numai
dup ce tensiunea UBE atinge valoarea
tensiunii de prag de deschidere a jonciunii
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
Curentul de intrare, IB (A)
CARACTERISTICA DE INTRARE
o
c
u
100
80
60
Ge
Si
m
e
40
nt
20
ar
e
2
C
A
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
Tensiunea de intrare, UBE (V)
Figura 2.2
0,7
80
R
A
C
T
BE. Odat atins aceast valoare, curentul crete rapid,
n timp ce tensiunea U BE
E
rmne practic constant.
RI
S
CARACTERISTICI DE TRANSFER
TI
Caracteristicile de transfer constau n reprezentarea CI
grafic a variaiei curentului de
ieire, IC, n funcie de tensiunea de intrare, UBE (figura 2.3.a) sau n funcie de curentul
L
de intrare, IB (figura 2.3.b).
E
Si
Ge
10
Curentul de ieire, IC (mA)
E
L
E
C
T
10
RI
C
E
A
2
Aspectul acestor caracteristici este
justificat Lde cea de a doua ecuaie
fundamental a tranzistorului: IC = IB + ICE0.
Caracteristica de transfer iC = iC (uBE), pentru uE
CE = constant (figura 2.3.a) are
20
40
60
80
100
0,1 0,2 ca
0,3i caracteristica
0,4 0,5
0,6
0,7de intrare, respectiv,
aceiai alur
I
crete
exponenial
cu tensiunea
cT
Curentul de intrare, I
Tensiunea de intrare, U (V)
UBE.
Rb
a
Caracteristica
ce transfer iC Figura
= iC (i2.3
B), pentru uCE = constant (figura 2.3.b) este
aproximativ liniar.
A
2
B (A)
BE
CARACTERISTICI DE IEIRE
ZI
n figura 2.4 este prezentat familia

caracteristicilor de ieire
iC = iC (UCE)), pentru diferite valori ale
curentului de intrare, IB.
Se observ c, dup o cretere
rapid, curentul de colector se stabilete la
o valoare aproximativ constant.
S
T
O
R
8
IB=80A
IB=60A
UI M
IB=40A
BI
2
IB=20A
P
O
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
L
A
R
I =0
6
8
10B
12
Tensiunea de ieire UCE, (V)
Figura 2.4
81
Analiznd graficul care reprezint

familia caracteristicilor de ieire, se
disting trei regiuni n care
tranzistorul prezint regimuri de
funcionare diferite.
Regiunea
de
saturaie
corespunde zonei n care curentul
de ieire, IC, crete rapid pn la
valoarea sa maxim. Aceast zon
corespunde unei tensiuni de ieire,
UCE, de valoare foarte mic. n
aceast
situaie
spunem
c
tranzistorul este n regim de
saturaie, sau c este saturat.
Regimul de saturaie se obine
atunci cnd ambele jonciuni sunt
polarizate
direct,
(pentru
tranzistorul npn UBE 0 i UBC0).
n figura 2.6 este prezentat

circuitul echivalent al unui
tranzistor saturat.
UCE = UBC - UBE 0
ICEC /RC
REGIMURI DE FUNCIONARE
REGIUNE
DE
SATURAIE
IB=80A
8
IB=60A
IB=40A
IB=20A
Figura 2.5
+EC
RC
I
CC
UBC
B
UBE
I =0
10B
12
-UCE, (V)
NE DE
REGIU
TIERE
+EC
RC
ICEC /RC
UCE
Figura 2.6
n regim de saturaie, tranzistorul se comport ca un comutator nchis.

Observaie: Curentul prin tranzistor este independent de acesta, fiind determinat
numai de circuitul exterior (Ec i Rc).
Regiunea de tiere, sau de blocare corespunde zonei n care curentul de ieire, I C,
ia valori foarte mici, apropiate de zero. Tensiunea de ieire, U CE, poate lua valori
mari. Aceast zon este situat sub curba care corespunde lui I B = 0. n aceast
situaie spunem c tranzistorul este n regim de tiere sau c este blocat.
Regimul de tiere se obine atunci cnd ambele jonciuni sunt polarizate
invers, (pentru tranzistorul npn UBE 0 i UBC 0).
circuitul echivalent al unui
tranzistor blocat.
UCE EC
IC0
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
-EC
RC
I
CC
E
+EC
RC
IC0
UCE
+EC
Figura 2.7
82
n regim de blocare (tiere), tranzistorul se comport ca un comutator deschis.

Regiunea activ normal corespunde zonei delimitate de celelalte dou regiuni. n
aceast zon, curentul de ieire, IC, se menine la o valoare aproximativ constant,
determinat da valoarea curentului de intrare, I B. n aceast situaie spunem c
tranzistorul funcioneaz n regim activ normal. n acest regim de funcionare,
tranzistorul se comport ca amplificator.
Pentru exemplificare, s considerm raportul ntre curentul de ieire, I C, i cel de
intrare, IB, ntr-un punct, M, oarecare de pe caracteristic. Se obine:
IC
4.10-3A
=
= 100 , valoare mult mai mare dect 1.
40A
40.10-6A
Raportul de mai sus se numete factor de amplificare n curent continuu i se
noteaz cu hef. El este aproximativ egal cu .
Regimul activ normal se obine atunci cnd jonciunea emitorului este
polarizat direct, iar jonciunea colectorului este polarizat
invers, (pentru
tranzistorul npn UBE 0 i UBC 0).
IB
4mA
Observaie: Exist i posibilitatea funcionrii tranzistorului bipolar i n cazul n care

jonciunea emitor baz este polarizat invers, n timp ce jonciunea colector baz este
polarizat direct. Acest regim de funcionare se numete regim activ invers i este
foarte rar folosit, deoarece, dei structural tranzistorul bipolar este simetric, tehnologic el
nu este simetric -emitorul este mult mai puternic impurificat n timp ce aria jonciunii
colectorului este mai mare pentru a se asigura o disipaie de putere mai eficient- ceea
ce face ca amplificarea n regim activ invers s fie mai mic .
n tabelul urmtor sunt prezentate regimurile de funcionare ale tranzistorului.
Regimul de
funcionare
Polarizarea
jonciunii
emitor-baz
Regim de
saturaie
Regim de blocare
direct
Polarizarea
jonciunii
colectorbaz
direct
invers
invers
Regim activ
normal
Regim activ invers
direct
invers
invers
direct
Comportarea
tranzistorului
IC
UCE
Comutator
nchis
Comutator
deschis
Amplificator
Ec
Rc
0
0
Ec
mare
mare
mare
mare
Amplificator
(performane
mai slabe)
Observaie: n planul caracteristicilor de ieire se

poate delimita aria de funcionare a unui tranzistor,
ca n figura alturat.
Aria este limitat:
La stnga de intrarea tranzistorului n saturaie;
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
83

Superior de Valoarea curentului de colector maxim
La dreapta de puterea disipat maxim
Inferior de intrarea tranzistorului n tiere.
Fia de documentare 3
TRANZISTORUL N REGIM DINAMIC
n aplicaiile practice cel mai des ntlnit este cazul funcionrii tranzistorului n
regiunea activ normal, n regim dinamic, cu un semnal sinusoidal aplicat la intrare.
n figura 3.1.a este prezentat o schem practic cu tranzistor n conexiunea
emitor comun. Generatorul de semnal alternativ este separat de etajul propriu-zis
printr-o capacitate, numit i capacitate de cuplaj, CB, care are rolul de a bloca accesul
curentului continuu, dar de a permite trecerea curentului alternativ. Rezistena de
sarcin, RS, este conectat n colector prin capacitatea C S care este tot o capacitate de
cuplaj, avnd acelai rol ca si capacitatea C B. n sfrit, rezistena RE (care stabilizeaz
punctul static de funcionare) este decuplat n curent alternativ prin capacitatea CE, de
valoare suficient de mare pentru a se comporta ca un scurtcircuit n curent alternativ, la
frecvena de lucru. Capacitile C B i CS sunt alese astfel nct s se comporte ca
scurtcircuite n curent alternativ, n toat gama de frecvene de lucru.
+EC
RC
R1
CB
uG
~ R2
CS
CE
RS
uG
~ RB
RC
ui
RS u0
RE
a
Figura 3.1
R'S
n figura 3.1. b este prezentat schema echivalent de curent alternativ. n

aceast schem, condensatoarele au disprut deoarece se comport ca scurtcircuite n
c.a. De asemenea, sursa de c.c. se comport ca un scurtcircuit n c.a.
n aceste condiii:
RC RS
R1 R2
RB =
, iar sarcina total n colector va fi:
R'S =
.
R1 R2
RC RS
Dac semnalul de intrare este de amplitudine suficient de mic (de ordinul
milivolilor), atunci caracteristicile dinamice ale tranzistorului pot fi considerate liniare, n
sensul c la variaii egale ale semnalelor de intrare se obin variaii egale ale
semnalelor de ieire.
n aceste condiii, funcionarea tranzistorului n curent alternativ se poate
studia fie grafic, prin metoda aproximrii liniare a caracteristicilor pe poriuni,
utiliznd caracteristicile statice de funcionare, fie algebric, prin metoda circuitelor
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
84

echivalente, nlocuind tranzistorul cu un circuit echivalent compus din elemente
obinuite de circuit: generatoare de tensiune sau de curent, rezistoare, capaciti.
ANALIZA GRAFIC A FUNCIONRII TRANZISTORULUI N C.A.
Pentru a studia variaia

tensiunii de ieire, uCE, apelm la
familia caracteristicilor de ieire,
iC=iC (uCE).
Se observ c atunci
cnd curentul de baz crete (n
primul sfert de perioad), curentul
de colector de asemenea crete,
n timp ce tensiunea dintre
colector i emitor scade.
M
2
20
Figura 3.2
IC(mA)
IB=const.
P
2
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
20
30
40
Curentul de intrare, IB (A)
Curentul de ieire se
poate determina pe baza
caracteristicii de transfer
iC = iC (iB), prezentat n
figura 3.2 i care este
aproximativ liniar.
Astfel, atunci cnd
iB variaz dup o lege
sinusoidal:
iB = IB sin t, IC va avea o
lege de variaie de
aceeai form:
iC = IC sin t.
Din
figur
se
observ c, n timp ce
valoarea instantanee a lui
iB variaz ntre 20 A,
valoarea instantanee a lui
iC ia valori ntre 2mA.
n felul acesta se
evideniaz cu uurin
funcia de amplificator a
tranzistorului.
Din figura 3.3 se observ c semnalul de c.a, u G = UG sin t, se aplic pe baza

tranzistorului. n condiiile aproximrii liniare, n jurul punctului static de funcionare, a
caracteristicii de intrare, acesta va determina un curent de intrare:
i B = IB sin t.
10
UCE, (V)
Figura 3.3
85
Atunci cnd curentul de baz devine descresctor, curentul de colector descrete i el,
iar tensiunea uCE ncepe s creasc. n baza aproximrii liniare a caracteristicilor
tranzistorului, rezult c tensiunea de ieire va avea aceeai variaie sinusoidal ca i
tensiunea de intrare, cu observaia c acestea sunt n antifaz.
Atunci cnd la intrarea tranzistorului se aplic tensiunea u G = UG sin t,
punctul de funcionare se va deplasa pe dreapta de sarcin ntre punctele N i P.
Segmentul de dreapt determinat de N i P se numete caracteristic dinamic.
Mrimea acestui segment depinde de amplitudinea semnalului aplicat la intrare.
De asemenea, se observ c, nu numai curentul este amplificat de ctre
tranzistorul n conexiunea emitor comun, ci si tensiunea: n timp ce tensiunea de intrare
ia valori de ordinul milivolilor, tensiunea de ieire ia valori de ordinul volilor.
n concluzie, tranzistorul n conexiune emitor comun amplific n curent,
amplific n tensiune, iar tensiunea de ieire este defazat cu 180 fa de
tensiunea de intrare.
Observaie: Analiza grafic a funcionrii tranzistorului n c.a. este util
pentru a determina limitrile majore legate de intrarea tranzistorului n blocare (limitare
"jos") sau n saturaie (limitare"sus").
ANALIZA ALGEBRIC A FUNCIONRII TRANZISTORULUI N C.A.
Dup cum s-a artat n paragraful anterior, analiza funcionrii tranzistorului n
regim dinamic se poate face i prin metode algebrice, adic nlocuind dispozitivul cu un
circuit echivalent i aplicnd legile lui Kirchhoff.
Alegerea mrimilor electrice care descriu comportarea tranzistorului n c.a. se
poate face n diferite moduri. Criteriul este urmtorul: se consider tranzistorul ca un
diport sau, cu alte cuvinte, cuadripol, (un bloc care are dou borne de intrare i dou
borne de ieire- figura 3.4). Deoarece tranzistorul are numai trei borne, una dintre ele
trebuie s fie comun intrrii i ieirii (indicat prin linia punctat din figur).
ii
Figura 3.4.
i0
Tranzistor ca
ui
un cuadripol
u0
Observaie: Din motive de

simetrie, sensul pozitiv al
semnalelor este cel precizat n
figur.
Dou dintre cele patru mrimi electrice care definesc cuadripolul pot fi scrise n funcie
de celelalte dou (prin aplicarea legilor lui Kirchhoff). Aceast dependen apare ca un
sistem de dou ecuaii de gradul I care conin patru coeficieni. Proprietile
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
86

tranzistorului, considerat ca un cuadripol, sunt caracterizate de aceti patru coeficieni.
Aceti coeficieni se numesc parametri de cuadripol ai tranzistorului.
Observaie: Deoarece relaiile liniare se pot aplica numai atunci cnd la intrarea
tranzistorului se aplic semnale mici (de ordinul mV), aceti parametri se numesc i
parametri de semnal mic.
Exist ase posibiliti distincte de a alege cele dou mrimi, n funcie de care
se calculeaz celelalte dou, dar nu toate prezint interes. Astfel, se pot calcula
tensiunile n funcie de cureni, curenii n funcie de tensiuni, sau variante combinate.
Pe baza relaiilor ce se pot scrie ntre tensiuni i cureni se determin circuitul
echivalent al tranzistorului n c.a.
Importana definirii acestor parametri const n faptul c acetia pot fi
determinai prin msurtori directe, la bornele tranzistorului, dup cum se va vedea
n continuare.
n domeniul frecvenelor joase, la semnale mici, cel mai utilizat set de parametri
este cel cunoscut sub numele de parametrii hibrizi (notai cu h)
n cazul utilizrii acestor parametrii, se consider ca variabile independente
curentul de intrare, ii i tensiunea de ieire , u 0. n funcie de acestea se calculeaz
celelalte dou mrimi, respectiv tensiunea de intrare, ui, i curentul de ieire, i0.
n aceast situaie se poate scrie urmtorul sistem de ecuaii:
ui = h11 ii + h12 u0
i0 = h21 ii + h22 u0
Parametrii "h" se deduc astfel:
ui
ii u 0
0
ui
h12 = u0 i 0
i
i0
h21 = ii u 0
0
i0
h22 = u0 i 0
i
h11 =
- impedana de intrare, cu ieirea n scurtcircuit;
- factor de transfer (de reacie) n tensiune invers,

cu intrarea n gol;
Arat influena tensiunii de ieire asupra tensiunii de
intrare.
- factor de transfer (de amplificare) n curent, cu ieirea n
scurtcircuit;
- admitana de ieire, cu intrarea n gol;
Observaii:
1. Se observ c parametri nu au aceiai semnificaie fizic, de unde le vine i
denumirea de " parametri hibrizi".
2. O alt particularitate a acestor parametrii este aceea c ei nu sunt definii n aceleai
condiii (de scurtcircuit sau de gol).
3. Avnd natur diferit, ei vor avea i uniti de msur diferite. Astfel:
h11 - impedana de intrare, se msoar n ohmi;
h12 - fiind un raport de dou tensiuni, nu are unitate de msur (este
adimensional);
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
87

h21 - fiind un raport de doi cureni, nu are unitate de msur (este
adimensional);
h22 - admitana de ieire, se msoar n ohm -1 (sau mho, sau Siemens).
Mrimea
1
h22
reprezint impedana de ieire , cu intrarea n gol (se msoar n
ohmi).
5. Valoarea parametrilor hibrizi se modific n funcie de PSF i de temperatur.
6. Valorile parametrilor hibrizi difer n funcie de conexiunea tranzistorului. Pentru a
evidenia acest lucru, cnd este cazul, se mai specific un indice suplimentar:
- h11e, h12e, h21e, h22e - pentru conexiune EC;
- h11b, h12b, h21b, h22b - pentru conexiune BC;
- h11c, h12c, h21c, h22c - pentru conexiune CC.
n tabelul de mai jos sunt prezentate valorile tipice ale acestor parametri, pentru
EC i pentru BC. Examinnd acest tabel, se pot face urmtoarele observaii:
1. Valorile impedanelor de intrare n cele dou conexiuni difer foarte mult, deoarece,
la aplicarea acelorai tensiuni de intrare, U BE, curentul de intrare, n conexiune EC este
IB (de ordinul microamperilor), iar n conexiune BC este I C (de ordinul miliamperilor).
2. La frecvene joase, h12 este foarte mic i, de obicei, se neglijeaz.
3. Impedana de ieire este mai mare n BC fa de EC.
Conexiunea
EC
Parametrul
h11
h12
h21
h22
1
h22
1100
2,5 . 10-4
49
25 . 10-6-1
40k
BC
22
2,9 . 10-4
0,98
0,5 . 10-6-1
2M
Factorii de amplificare n curent alternativ, h21, au valori absolute destul de

apropiate de valorile factorilor de amplificare n curent continuu corespunztori:
h21e
h21b
CIRCUITUL ECHIVALENT CU PARAMETRII HIBRIZI PENTRU TRANZISTOR
Pentru a obine circuitul echivalent al tranzistorului, cu parametrii hibrizi, se
observ c prima ecuaie este o relaie ntre tensiuni, adic reprezint teorema a doua a
lui Kirchhoff aplicat pe ochiul de intrare, iar cea de a doua este o relaie ntre cureni,
adic este prima teorem a lui Kirchhoff aplicat n nodul de ieire. Cu alte cuvinte,
cele dou relaii definesc, de fapt, un circuit echivalent cu parametrii hibrizi.
Modelarea cu parametrii hibrizi se aplic tranzistorului n orice conexiune. n
figura ce urmeaz este prezentat circuitul echivalent pentru conexiunea EC, deoarece
aceasta este cel mai des ntlnit.
h11
i0
ii
i0
ii
1
Profilul TEHNIC
ui
~
u
h
i
i
h22 u0
h12u0
21
0
ui
Nivelul
3
88
a)Tranzistorul ca un cuadripol
b)Circuitul echivalent cu parametrii hibrizi
Figura 3.5
Observaie:
Circuitul echivalent prezentat este valabil numai pentru:
semnale mici, cnd sunt adevrate relaiile liniare ntre tensiuni i cureni;
frecvene joase, cnd se pot neglija capacitile aferente jonciunilor tranzistorului; n
aceast situaie impedana de intrare i cea de ieire sunt rezistene pure;
la frecvene ceva mai nalte (zeci de kHz) trebuie adugate circuitului i capacitile
tranzistorului.
n afara acestor circuite echivalente mai exist si modelarea tranzistorului cu
circuitul echivalent natural (tip Giacoletto), care se construiete pe baza proceselor
fizice care au loc n tranzistor.
COMPORTAREA TRANZISTORULUI N FUNCIE DE FECVEN
Dup cum s-a artat n paragraful anterior, pe msur ce crete frecvena
semnalului sinusoidal aplicat la intrarea tranzistorului, ncep s se fac simite din ce n
ce mai puternic capacitile jonciunilor .
Aceasta are ca efect diminuarea proprietii de amplificare a tranzistorului.
Deoarece, n funcie de conexiunea tranzistorului, poziia fizic, n circuit, a capacitilor
difer, i influena acestora asupra amplificrii difer n funcie de conexiunea n care
este montat tranzistorul.
Astfel, se constat c influena frecvenei asupra amplificrii este mai
puternic n conexiune emitor comun, n sensul c scderea amplificrii devine
important ncepnd de la frecvena mai joase dect n conexiunea baz comun.
Se definete ca "frecven limit", sau "frecven de tiere", n conexiunea
emitor comun, frecvena f la care factorul de amplificare n curent n conexiune emitor
comun, , scade la
1
2
=0,707 din valoarea constant pe care o avea la frecvene
joase.
De asemenea, se definete ca "frecven limit", sau "frecven de tiere", n
conexiunea baz comun, frecvena f la care factorul de amplificare n curent n
conexiune emitor comun, , scade la
1
2
=0,707 din valoarea constant pe care o
avea la frecvene joase.

Frecvenele f i f reprezint dou dintre frecvenele caracteristice ale
tranzistoarelor i arat c fiecare tranzistor poate amplifica semnale ntr-o band
limitat de frecvene.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
89
TRANZISTOARE CU EFECT DE CMP
Tranzistorul cu efect de cmp, TEC (cunoscute i sub numele de FET Field Effect
Transistor, n limba englez), este un dispozitiv semiconductor foarte utilizat n
echipamentele electronice moderne.
El const, n principal, dintr-un canal semiconductor, prin care trece curentul, a
crui rezisten este determinat de un cmp electric, care controleaz astfel valoarea
curentului prin dispozitiv.
La conducia curentului electric particip numai purttorii de sarcin majoritari, de
aceea, tranzistorul cu efect de cmp este un tranzistor unipolar.
MRIMI ELECTRICE CARACTERISTICE
Mrimile electrice care caracterizeaz tranzistorul cu efect de cmp cu jonciuni sunt:
uDS - tensiunea dren - surs : determin valoarea intensitii curentului prin
dispozitiv, pn ce acesta ajunge n saturaie.
uGS - tensiunea poart - surs: permite controlul valorii intensitii curentului prin
dispozitiv.
iD - curentul de dren : curentul prin dispozitiv.
iG - curentul de poart : este un curent invers foarte mic (de ordinul nA) i se
poate considera zero (iG 0).
iS - curentul de surs : iS iD(iG 0).
Ri - rezistena de intrare : foarte mare.
TRANZISTOARE CU EFECT DE CMP CU JONCIUNI - TEC-J
Caracteristici statice de funcionare
a) Caracteristica de ieire: iD=iD(uDS) pentru
UGS=constant este ilustrat n figura alturat
Pe aceast caracteristic se definesc
regimurile de funcionate ale TEC-J:
Pentru tensiuni uDS foarte mici (sub 0,1V),
caracteristicile se pot considera liniare.
Tranzistorul se poate folosi ca o rezisten
controlat n tensiune (prin uGS) .
Pentru tensiuni uDS mai mari distingem o zon
neliniar.
Pentru tensiuni uDS mai mari dect UDSsat ajungem n zona de saturaie. n aceast
zon dispozitivul este folosit ca amplificator.
Pentru tensiuni uDS foarte mari apare o cretere abrupt a curentului prin tranzistor,
datorit strpungerii prin multiplicare n avalan a jonciunii poart-canal
b) Caracteristica de transfer: iD=ID(uGS) pentru UGS=constant este ilustrat n figura
4.2.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
90

La o tensiune de dren constant, atunci cnd tensiunea de poart este zero,
curentul este maxim, IDSS. Valoarea acestui maxim este cu att mai mare cu ct
tensiunea de dren este mai mare.
La
creterea tensiunii de poart,
datorit
polarizrii
inverse
puternice, regiunile de trecere se
extind i curentul scade pn la
zero, atunci cnd regiunile de
trecere se ating. Acest lucru se
ntmpl la UGS = UT.
Dispozitivul
este
folosit
ca
amplificator n zona uDS uDSsat.
Aici iD = iDsat, indiferent de uDS. Pentru calcule de circuit se folosete aproximaia
parabolic:
UGS2
iD = iDsat = IDSS( 1)
UT
TEC-J n regim dinamic
gmuGS
Comportarea tranzistorului cu efect de cmp la frecvene joase i la semnal mic

se poate studia pe baza circuitului echivalent dedus prin liniarizarea caracteristicilor n
jurul punctului static de funcionare.
Definirea parametrilor circuitului echivalent se
iDD
G
face plecnd de la :
iD = iD(uGS, uDS) i se obine circuitul
uDS
uGS
r
prezentat n figura 4.3.
Valorile uzuale pentru gm i rd sunt

de ordinul 0,1-10mA/V i respectiv 0,1 1M.
S
D
S
Figura 4.3
TRANZISTOARE MOS
Tranzistorul MOS este un dispozitiv electronic bazat pe conducia
curentului electric la suprafaa semiconductorului. Proprietile conductive ale
suprafeei semiconductorului sunt controlate de un cmp electric aplicat printr-un
electrod izolat de semiconductor numit poart.
Caracteristici statice de funcionare
Caracteristica de ieire: iD=iD(uDS) pentru
UGS= constant este ilustrat n

figura 4.4
Dispozitivul este folosit ca amplificator n zona uDS UDSsat. Aici iD = iDsat, indiferent
de uDS.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
91

Caracteristica de transfer: iD=ID(uGS) pentru
figura 4.5.
UGS=constant este ilustrat n
Comparaie ntre TEC-J i TEC-MOS

TEC-J
Curentul circul n volumul semiconductorului
Curentul de dren scade la creterea tensiunii
de poart, la tensiune de dren constant.
Este comandat n tensiune
Curentul de intrare foarte mic, de ordinul nA
(practic se consider egal cu zero).
Rezistena de intrare foarte mare (jonciune
polarizat invers)
Nu amplific n curent, ci numai n tensiune
Amplificarea n tensiune este mai mic dect la
tranzistoarle bipolare.
TEC-MOS
Curentul circul la suprafaa semiconductorului
Curentul de dren crete la creterea tensiunii
de poart, la tensiune de dren constant.
polarizat invers)
Amplificarea n tensiune este mai mic dect la
tranzistoarle bipolare.
Tranzistoarele TEC - MOS sunt mult mai fragile
dect TEC -J de aceea sunt necesare precauii la
utilizare.
Comparaie ntre tranzistorul cu efect de cmp i tranzistorul bipolar

Tranzistor cu efect de cmp
Controlul curentului care circul prin dispozitiv
se face prin modificarea conductanei canalului
cu ajutorul unui cmp electric creat de o
tensiune care se aplic pe poart.
La conducia curentului electric particip numai
purttorii majoritari (tranzistoare unipolare).
polarizat invers)
Amplificarea n tensiune este mai mic
Dependena de temperatur a parametrilor
tranzistorului TEC este mai redus deoarece
nu intervin purttorii de sarcin minoritari.
Pericolul de ambalare termic este mult redus.
Nu exist tensiune de decalaj
Sunt mai simplu de fabricat i mai uor de
folosit n circuitele integrate.
Circuitele care folosesc TEC-uri sunt mai
simplu de proiectat, folosind mai puine
componente.
Zgomot mai redus
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
Tranzistorul bipolar
Controlul valorii curentului prin dispozitiv se
realizeaz pe baza unor fenomene de injecie i
transport de purttori de sarcin majoritari
(emitorul injecteaz purttori de sarcin n
baz, care sunt transportate prin difuzie pn n
colector).
La conducia curentului electric particip i
purttorii majoritari i purttorii minoritari
(tranzistoare bipolare).
Este comandat n curent
De obicei, curentul de intrare este curentul de
baz (A).
Valoarea rezistenei de intrare depinde de
conexiune
Amplific i n curent i n tensiune
Purttorii de sarcin minoritari, creai pe cale
termic intervin n conducie.
Exist pericolul ambalrii termice.
Necesit circuite se stabilizare a PSF n raport
cu variaiile de temperatur.
Exist tensiune de decalaj.
92
REACIA N AMPLIFICATOARE
Definiie
Un amplificator cu reacie este un amplificator la care o parte din semnalul de
ieire este aplicat la intrarea acestuia.
Fie amplificatorul din figura de mai jos, cu amplificarea A.
X1
X2
A= X1
X2
Figura 5.1
Amplificatorul cu reacie are urmtoarea configuraie:

Xg
X1
A=
X2
X1
Xr
Reea de reacie
X2
se numete factor de transfer al reelei de

reacie.
Se observ c:
X1 = Xg Xr Xg = X1 - Xr
X2
Xr
=
Figura 5.2
X2
Amplificarea amplificatorului cu reacie va fi:
X2
X
X2
X1
A
A
A
Ar 2
X
X
X
X
X
X g X1 X r
1 A
1 r 1 2 r 1 r 2
X1
X1 X 2
X 2 X1
Tipuri de reacie
a) Dup mrimea amplificrii cu reacie:

a ) |Ar| |A|
|1 - A| 1 REACIE NEGATIV
b ) |Ar| |A|
|1 - A| 1 REACIE POZITIV
c ) |Ar| = |A|
|1 - A| = 1 Nu exist reacie
d ) |Ar|
|1 - A| = 0 OSCILAIE ( se obine semnal la ieirea
amplificatorului fr s se aplice semnal la
intrare)
b) Dup topologia reelei de reacie
Semnalul de reacie, Xr, care se compar cu semnalul dat de generator, Xg, este
proporional cu semnalul de ieire, X2. Semnalul de ieire poate fi curent sau tensiune.
Semnalele care sunt asociate comparatorului de la intrare (Xg, Xr, X1) pot fi, independent
de X2, fie cureni, fie tensiuni. Exist n total 4 posibiliti, care vor fi analizate n
continuare (figura 5.3 a,b,c,d).
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
93

a)
Comparare
Ug
Eantionare
Amplificator de
tensiune
Ig
ZS
Reea de
reacie
Ur
b)
Comparare
I
Eantionare
Amplificator
U2
Ir
Reeaua de reacie ia un eantion al

tensiunii de ieire i l compar cu
tensiunea dat de generatorul de semnal.
Acest tip de reacie se numete
cu eantionare n nod i comparare
pe bucl,
sau reacie de tensiune serie
sau reacie serie -paralel.

cu eantionare n nod i
comparare pe nod
sau reacie de tensiune paralel
sau reacie paralel-paralel.
Reea de
reacie
c)
Ig
Comparare
I
Eantionare
I2
Amplificator
Ir
I2
Reea de
reacie
d)
Comparare
Ug
U1
Reeaua de reacie ia un eantion al

curentului de ieire i l compar cu
curentul dat de generatorul de semnal.
cu eantionare pe bucl
i comparare n nod,
sau reacie de curent paralel
sau reacie paralel- serie.
I2 Eantionare
Amplificator de
tensiune
ZS
I2
Ur

cu eantionare pe bucl
i comparare pe bucl,
sau reacie de curent- serie
sau reacie serie - serie.
Reea de
reacie
Figura 5.3
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
94
Exemple de amplificatoare cu reacie

a)Amplificator cu reacie de curent, tip serie- serie:
+Ec
R1
n figura 5.4 este prezentat un

exemplu tipic de amplificator cu
reacie.
Rc
CS
CB
RG
R2
RS
RE
Figura 5.4
~ Ug
i0
RG
ug
RB ui
Rc
RS
u0
ug ~
ur

schema de c.a.
Presupunnd Rc RS
Rc || RS RS i i0 IC iE.
Ca urmare reacia const n
aplicarea pe bucla de intrare cu
curentul de ieire. Se constat
prezena unei reacii de curent
serie (de tip serie - serie).
RE
Figura 5.5
Reea de reacie
b) Amplificator cu reacie de tensiune, tip paralel- paralel:

+Ec
R1
Rc
R
n figura 5.6, alturat, este prezentat un

alt exemplu tipic de amplificator cu reacie.
CS
CB
RG
RS
ug ~
Figura 5.6
n figura 5.7 este prezentat schema de c.a.

Presupunnd Rc RS Rc || RS RS.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
95

i0
ii
RG
ui
Rc|| RS
u0
ug ~
R
Reeaua de reacie
Se observ reacia cu eantionare

n nod i comparare pe nod, deci
o reacie de tensiune paralel, sau
de tip paralel- paralel (tensiunea
de reacie se culege n paralel la
ieire i, prin circuitul de reacie, se
aplic, n paralel, la intrare).
Figura5.7
Influena reaciei asupra amplificatorului

a)Influena reaciei asupra amplificrii
Din relaia care definete amplificarea cu reacie se observ c:
reacia negativ scade amplificarea;
reacia pozitiv crete amplificarea.
b)Influena reaciei asupra stabilitii amplificatorului
S presupunem c dintr-un motiv oarecare s-a produs o variaie A A a
amplificatorului fr reacie, care a devenit A A. Amplificarea cu reacie va fi:
A r A r
A r
A A
1 A A
A A
A A
A
Ar
1 A A
1 A A 1 A
Ar
a:
Ar
Calculnd stabilitatea amplificatorului cu reacie, i innd cont c A A, se obine:
Se definete stabilitatea amplificatorului prin relai
Ar
1
A
Ar
1 A A
Ar
A
Ar
A
stabilitatea amplificatorului cu reacie negativ se mbuntete.
n cazul reaciei negative,
1 A
1, de unde
, deci
c)Influena asupra benzii de frecven a amplificatorului

Se demonstreaz c n cazul amplificatorului cu reacie negativ banda de frecven
se lrgete, dup cum se poate observa n figura 5.8:
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
96
fr reacie
cu reacie negativ
fj r =
1
f j fj
1- A
fsr =(1- A) fs fs
fj r fj
fs fsr
Figura 5.8
d)Influena asupra impedanelor de intrare i de ieire

Impedanele de intrare i respectiv de ieire ale amplificatoarelor cu reacie se
modific fa de cele ale amplificatorului de baz. i n acest caz, reacia negativ are
efecte favorabile, deoarece produce modificri ntr-un asemenea sens nct
amplificatorul tinde s se transforme n unul ideal. Examinarea acestui aspect se poate
face pentru cazul concret al fiecrui tip de amplificator cu reacie.
Astfel, de exemplu, pentru un amplificator de tensiune cu reacie serie, se
demonstreaz c impedana de intrare crete, proporional cu (1-
A):
Zir Z i 1 A
Impedana de ieire scade n mod corespunztor:

Z 0r Z 0
1
1 A
Prin creterea impedanei de intrare i scderea impedanei de ieire ca urmare

a aplicrii reaciei negative, amplificatorul devine un amplificator de tensiune mai bun.
Observaie: n cazul folosirii unei reacii negative puternice,
1 A1 1 ,
r
adic
amplificarea cu reacie devine independent de amplificatorul de baz, depinznd

numai de reeua de reacie. Acest fapt confer amplificatorului cu reacie o stabilitate
sporit.
Concluzie :
Reacia negativ mbuntete performanele amplificatoarelor din multe
puncte de vedere, tinznd s le transforme n amplificatoare ideale. Aceasta face
ca utilizarea reaciei negative s fie aproape nelipsit din amplificatoarele electronice.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
97
OSCILATORUL ARMONIC
Oscilatorul armonic este un circuit electronic care genereaz un semnal de form
sinusoidal.
Circuit cu
dispozitive
electronice
active
u(t)= U sint
RS
E
Oscilatorul cedeaz sarcinii putere de curent alternativ. Sursa primar a puterii de
curent alternative, cedat sarcinii este sursa de curent continuu care alimenteaz
oscilatorul. Circuitul trebuie s conin dispozitive electronice active, capabile s
transforme puterea de curent continuu n putere de curent alternativ.
Oscilatorul armonic se poate obine dintr-un amplificator cruia i se aplic o reea de
reacie pozitiv.
Xg
Amplificator
ideal
A=X2/X1
X1
Xr
Reea de
reacie pozitiv
=Xr/X2
X2
X2 = A X1
Xr = X2
X1 = Xg Xr
Amplificarea cu reacie este :
Ar
X2
A
X g 1 A
Condiia de oscilaie : Circuitul de mai sus devine un oscilator, dac ndeprtnd

semnalul de excitaie (Xg =0) obinem totui un semnal la ieire (X2 =finit, 0 )
Ar
X2
1 A 0 A 1 Relaia lui BARKHAUSEN (condiia de oscilaie)
Xg
n general, deoarece circuitul conine elemente reactive,

A A exp j A , j
exp j
n aceste condiii, relaia lui Barkhausen este echivalent cu dou condiii reale:
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
98
A .
A = 0, 2 , 4....
Condiia de amplitudine
Condiia de faz
Semnalul sinusoidal este unicul semnal care i reproduce forma dup ce parcurge
un circuit liniar cu elemente reactive. Acesta este i motivul pentru care circuitul
genereaz un semnal sinusoidal i nu de alt form.
Frecvena de oscilaie. n multe situaii practice se poate presupune c A este un
numr real. Atunci A = 0 sau , dup caz. Condiia de faz devine: A ()= 0,
2 .... i determin frecvena de oscilaie. n acest caz reeaua de reacie pozitiv
este cea care determin frecvena de oscilaie.
OSCILATOR CU REEA WIEN I AMPLIFICATOR DE TENSIUNE
n figura de mai jos este prezentat schema bloc a unui oscilator format dintr-un
amplificator ideal de tensiune i o reea de reacie Wien.
Funcia de transfer n tensiune a reelei
Wien lucrnd n gol este:
F W j
U1
U2
R1 C 2
1
j R1C 2
R2 C1
R2 C1
Condiia Barkausen este:

1
AU F W j 1
Dac AU =AU = real, atunci i FW(j)=real. De aici rezult frecvena de oscilaie:

f osc
1
2
R1 R2 C1C 2
Iar amplificarea necesar pentru susinerea oscilaiilor este:
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
99
AU
R C
1
1 1 2
F W j osc
R2 C1
n figura de mai jos este prezentat un oscilator cu reea Wien i amplificator operaional.
r2
r1
U2
R1
U1
R2
C1
C2
Aici exist dou bucle de reacie:

-o reacie pozitiv, selectiv, dependent de frecven, prin reeaua Wien
-o reacie negativ, neselectiv, prin atenuatorul (divizorul) format din
rezistenele r1 i r2.
Amplificatorul operaional mpreun cu reeaua de reacie negativ formeaz un
amplificator ideal de tensiune, a crui amplificare este AU.
U
r r
r
AU 2 1 2 1 2 real
U1
r1
r1
n cazul R1=R2=R, C1=C2=C, pentru a obine AU= 3, trebuie ca r2=2r1.
Frecvena de oscilaie este: f osc
1
.
2RC
Cele dou bucle de reacie formeaz o punte Wien, aa cum devine clar prin
redesenarea schemei de mai sus. Intrarea amplificatorului este conectat n diagonala
orizontal a punii, iar ieirea amplificatorului n diagonala vertical.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
100
C1
R1
r2
+
R2
C2
r1
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
Uo
101
STABILIZATOARE ELECTRONICE CU REACIE
Stabilizatorul este un circuit electronic care se conecteaz ntre sursa de semnal
nestabilizat i consumator i care, ideal, asigur la ieire un semnal independent de
tensiunea de intrare, de curentul de sarcin (rezistena de sarcin) i de temperatur.
Sursa de semnal care conine i stabilizator se numete surs stabilizat.
Stabilizatoarele electronice sunt acele stabilizatoare care conin elemente active
(tranzistoare, amplificatoare operaionale), la care elementul de reglaj este comandat de
un semnal de eroare. Acest semnal se obine prin compararea tensiunii de ieire cu o
tensiune fix, numit tensiune de referin.
n stabilizatoarele electronice cu reacie efectul de stabilizare a tensiunii de ieire
este realizat printr-o reacie negativ, dup cum se poate observa n figura 8.1 a i b.
Tensiunea de ieire este eantionat n circuitul de eantionare (E) i apoi comparat
n circuitul de comparare (C) cu tensiunea de referin dat de sursa de referin (R).
Semnalul de eroare produs este aplicat elementului regulator (ER). n urma comparrii
se obine o tensiune numit tensiune de reglaj, care comand modificarea valorii
rezistenei echivalente a elementului de reglaj. n felul acesta elementul de reglaj preia
variaiile tensiunii de intrare n vederea obinerii unei tensiuni de ieire constant. n
funcie de poziia elementului de reglaj n circuit se deosebesc dou tehnici de reglare:
reglare serie (figura 8.1.a), n care elementul de reglaj este n serie cu rezistena de
sarcin;
reglare paralel sau derivaie (fig 8.1.b), n care elementul de reglaj este n paralel cu
rezistena de sarcin.
ER
Ui
Uo
Rs
Ui
ER
Uo
Rs
Figura 8.1
Observaie: Dac tensiunea de eroare nu are amplitudinea suficient pentru a comanda

elementul de reglaj, se utilizeaz un amplificator de eroare.
Stabilizator de tensiune serie, cu reacie, fr amplificator de eroare
Schema cea mai simpl a unui stabilizator serie, cu reacie este cea din figura 8.2:
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
102

T
Io
Io
i
R
Ui
IB
DZ
UBE
Uo
Rs
Uz
Figura 8.2
In aceast schem elementul regulator este tranzistorul T. Tensiunea de referin este
asigurat de dioda stabilizatoare DZ. ntreaga tensiune de ieire este comparat cu
tensiunea de referin , Uz, direct pe baza tranzistorului regulator:
Scriind legea a doua a lui Kirchhoff pe ochiul de ieire, se obine:
U0= Uz - UBE
Dac tensiunea de ieire crete, dintr-o cauz oarecare, concomitent scade U BE.
Acest fapt va determina scderea curentului de colector i, implicit, a celui de emitor i
deci i a curentului de ieire, I0, ceea ce va duce la scderea tensiunii de ieire la
valoare iniial.
n cazul n care tensiunea de ieire are o tendin de scdere, se produce
creterea tensiunii UBE, i n consecin creterea curentului de colector, a curentului de
emitor i deci a curentului de ieire, ceea ce va determina creterea tensiunii de ieire.
Observaii:
1.Tranzistorul T lucreaz n conexiunea colector comun (sarcina este n emitor). Cum
potenialul bazei este UB = Uz constant, la ieire, n emitor, se va regsi acest
potenial aproximativ constant. Din acest motiv montajul se mai numete i stabilizator
repetor pe emitor.
2.Tensiunea la ieirea stabilizatorului este chiar tensiunea pe diod: U 0 =Uz i, ca
urmare, este de dorit s alimentm dioda la un curent constant n plaja de stabilizare
(Izm IzM,). Aceste cerine sunt ndeplinite printr-o dimensionare corect a rezistenei R.
3.Dioda stabilizatoare lucreaz n condiii mai uoare dect n cazul stabilizatorului
parametric, prelund numai variaiile curentului de baz al tranzistorului T, variaiile
curentului de ieire fiind preluate de curentul de colector.
4.Tranzistorul T lucreaz ca o rezisten variabil ntre colector i emitor, prelund astfel
variaiile de tensiune.
5.Tranzistorul T este, de obicei un tranzistor de putere.
Stabilizator de tensiune serie, cu reacie, cu amplificator de eroare
Stabilizarea schemei prezentate mai sus se asigur prin modificarea curentului
tranzistorului T, comandat direct prin variaia tensiunii de ieire. Eficacitatea acestei
comenzi poate fi sporit dac se amplific semnalul de eroare nainte de a-l aplica
elementului de reglaj.
n figura 8.3 este prezentat cea mai simpl schem de principiu a unui
stabilizator de tensiune serie, cu reacie, cu amplificator de eroare.
Funcionarea schemei este simpl. Diferena dintre o fraciune a tensiunii de
ieire i tensiunea de referin U z, constituie semnalul de eroare, amplificat de etajul
T1 :
uBE = kU0 - Uz , de unde rezult tensiunea stabilizat:
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
103
Ui
Figura 8.3
U z U BE U
R1 R2
k
R2
Curentul de ieire al amplificatorului T 1 comand curentul de colector al
tranzistorului T i, implicit, rezistena lui echivalent n curent continuu (ntre colector i
emitor). Variaiile cderii de tensiune pe aceast rezisten echivalent compenseaz
variaiile iniiale ale tensiunii de intrare, meninnd practic constant tensiunea de ieire.
Orice tendin de cretere a tensiunii de ieire U 0, se traduce printr-o cretere
concomitent a tensiunii de eroare aplicat pe baza tranzistorului T 1, respectiv
creterea curentului de colector a acestui tranzistor, cretere ce are loc n detrimentul
curentului de baz al tranzistorului T; aceasta va avea drept consecin revenirea
tensiunii de ieire la valoarea iniial.
U0
U BE
Observaii:
1. Rezistena R asigur curentul de polarizare a colectorului tranzistorului T 1 i a bazei
lui T. Ea asigur I= IB IC1 = const. ( este preferabil s se utilizeze un generator de
curent constant).
2. Tranzistorul T1 trebuie s fie un tranzistor cu mare (eventual un montaj Darlington).
3. Dioda Zener, care furnizeaz tensiunea de referin, fiind conectat n emitorul lui T 1,
va suporta variaii mari de curent. Pentru a evita ca DZ s ias din zona de stabilizare
ea se polarizeaz separat prin R3.
4. Pentru a micora variaiile de curent prin DZ, baza lui T 1 se polarizeaz printr-un
divizor de tensiune (R1, R2).
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
104
AMPLIFICATOARE OPERAIONALE
Definiie
Amplificatorul operaional este un amplificator de c.c. (cu cuplaj direct),
care ndeplinete nite performane deosebite: amplificare, band de frecven i
impedan de intrare foarte mari, decalaj, deriv i impedan de ieire foarte
mici.
Din punct de vedere constructiv, AO au o structur complex, fiind realizate sub
form de circuite integrate monolitice, prevzute cu borne pentru alimentare, intrri,
ieiri, reacii etc.
n mod normal, AO se folosesc cu reele de reacie, care, printr-o structurare

adecvat, le permit s realizeze operaii matematice (adunare, scdere, integrare,
difereniere etc) sau s fie utilizate ntr-o gam extrem de larg de aplicaii.
Structura intern a amplificatorului

operaional
Majoritatea AO sunt amplificatoare difereniale, adic ofer la ieire diferena a

dou tensiuni de intrare (notate u+ , respectiv u- ), amplificat, astfel:
U0 = A0 (u+- u-), unde A0 (notat uneori i Ad) reprezint amplificarea diferenial.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
105

Amplificarea diferenial (fr reacie, sau n bucl deschis), A0 (sau Ad ), este
foarte mare, de ordinul zecilor sau sutelor de mii.
Datorit performanelor sale, AO poate fi considerat un amplificator ideal de
tensiune.
Simbol
Simbolul utilizat pentru AO este prezentat n figura de mai jos:
Ec
u-
Uo = A0 ( u - u )
-Ec
Borna notat cu se numete intrare neinversoare.

Borna notat cu - se numete intrare inversoare.
Aplicnd un semnal pe borna inversoare, se obine la ieire un semnal n opoziie
de faz cu cel de la intrare.
Dac semnalul este aplicat pe intrare neinversoare, la ieire se obine un semnal
n faz cu cel de la intrare.
Dup cum se aplic semnalul de intrare, pe una sau pe cealalt dintre intrri,
amplificatorul se numete inversor sau neinversor.
Parametrii electrici
1 Amplificarea n bucl deschis (fr reea de reacie extern), A0, este foarte
mare, putnd fi considerat infinit.
Aceasta face ca diferena de potenial ntre cele dou borne de intrare s fie
practic nul:
u+ u- sau se poate spune c cele dou intrri sunt n scurtcircuit virtual.
2 Impedana de intrare, Zi, este foarte mare, putnd fi considerat infinit.
Aceasta face ca s putem considera curentul absorbit de amplificator practic
nul: Ii 0.
3 Impedana de ieire, Zo este foarte mic, putnd fi considerat egal cu zero.
Aceasta face ca tensiunea de decalaj de intrare s poat fi considerat nul.
u+ = u- U0 = 0.
Utilizrile A.O. circuite specifice
AO constituie principala clas de circuite integrate liniare. Ele sunt destinate
lucrului n bucl de reacie, n care funciile de transfer sunt univoc determinate de
proprietile reelelor de reacie.
Prin aplicarea reaciei amplificatorului operaional, se obin configuraii de circuit
cu noi proprieti:
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
106

n cazul aplicrii reaciei negative se obin: micorarea amplificrii, mrirea stabilitii
etajului, se lrgete banda de frecven, crete viteza de lucru, scade nivelul
zgomotelor i al distorsiunilor neliniare.
Prin aplicarea reaciei pozitive se obin noi proprieti reactive i regenerative
(capaciti, inductane, oscilatoare).
Prin realizarea combinat a unor reacii pozitive i negative se obin circuite de
filtrare a semnalelor, stabilizatoare de tensiune, convertoare D-A etc.
n cele ce urmeaz se vor prezenta principalele configuraii ale AO.
A.O. inversor
Schema de principiu :
Ir
I1
Ui
Ii
R1
u-
R2
Ao
Uo
Aplicnd prima lege a lui Kirchhoff pe nodul de intrare, se obine:

I1 Ir = Ii .
Din proprietile AO: Zi Ii = 0
I1 = - Ir.
Aplicnd a doua lege a lui Kirchhoff pe ochiul de intrare, se obine:
I1 R1 - u- u+ - Ui =0 I1 R1 = Ui - (u+ - u- )
Ui
Din proprietile AO: A0 (u+ - u- ) = 0 I1 =
R1
Aplicnd a doua lege a lui Kirchhoff pe ochiul de ieire, se obine:
- U0 Ir R2 u- u+ = 0 - U0 = - Ir R2
Din U0 = Ir R2
i
I 1 = - Ir
U0 = - I1 R2
Prin definiie: A
U 0 I 1 R2
R
2 ,
Ui
I 1 R1
R1
rezult:
R
2
R
1
Observaii:
1. Din expresia amplificrii se observ c tensiunea de la ieire este n opoziie de faz
cu semnalul de la intrare, deci amplificatorul este inversor.
2. Datorit proprietilor AO, A nu depinde de AO ci numai de reeaua de reacie.
Acest fapt permite controlul amplificrii, conferindu-i o mare stabilitate, precum i
posibiliti de reglaj.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
107

Aplicaii
Alegnd n mod convenabil raportul R 2/R1 se pot realiza diferite operaii
matematice.
nmulirea cu o constant
Dac se alege R2 = k R1, k 1, se obine U0 = - kUi, deci tensiunea de la ieire
reproduce tensiunea de la intrare multiplicat de k ori.
mprirea cu o constant
Dac se alege R2 =
1
k
R1, k 1, se obine U0 =
1
Ui, deci tensiunea de la
k
ieire reproduce o fraciune a tensiunii de la intrare.

Circuit repetor
Dac se alege R2= R1, se obine U0 = -Ui, deci tensiunea de la ieire reproduce
tensiunea de la intrare, dar n antifaz.
Prin montarea n cascad a dou AO repetoare se poate obine la ieire reproducerea
tensiunii de la intrare n faz.
U
I 1 R2
R
A 0
2
Ui
I 1 R1
R1
4.1.4 AO inversor sumator
R11
I11
I12 R12
Ui1
Ui2
I1n R1n
Uin
R2
Ir
Ii
u-
u+
Ao
Uo
Presupunnd AO ideal, i aplicnd

prima lege a lui Kirchhoff pe nodul de
la intrare, se onine:
I11 I12..... I1n Ir = Ii = 0
I11 I12..... I1n = - Ir
Aplicnd a doua lege a lui Kirchhoff
pe fiecare ochi de la intrare se
obine:
Ui1= I11 R11
Ui2= I12 R12
I1k =
U ik
Rik
............
Uin= I1n R1n
Aplicnd a doua lege a lui Kirchhoff pe fiecare ochi de la ieire se obine:
U0
U0 = Ir R2 Ir =
R2
nlocuind expresiile curenilor n prima relaie, se obine:
U
U
Rik R0
ik
2
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
108

Alegnd R11 = R12 =........= R1n = R1 = R2 = R se obine:
Uik
R =
Uo
R
Uo =
U ik
U
0 U 0 U ik
R
R
k
- k U
ik
deci tensiune de la ieire este egal i n antifaz cu suma tensiunilor de la

intrare.
AO neinversor
Schema de principiu:
Ir
I1
Ii
R1 u
+
Ui u
Ui =( u+
R2
Ao
Uo
Aplicnd prima lege a lui Kirchhoff pe nodul de

intrare, se obine:
Ir Ii = I1 .
Din proprietile AO: Zi Ii = 0
I1= Ir.
Aplicnd a doua lege a lui Kirchhoff pe ochiul
de intrare, se obine:
- u- ) I1 R1 Ui = I1 R1
Aplicnd a doua lege a lui Kirchhoff pe ochiul de ieire, se obine:

U0 = Ir R2 I1 R1 = I1 (R2 R1).
Amplificarea va fi: A=
U 0 I 1 R2 R1 R1 R2
R
1 2
Ui
I 1 R1
R1
R1
A 1
R
2
R
1
Observaii:
1. Semnalul de la ieire este n faz cu semnalul de la intrare, deci amplificatorul este
neinversor.
2. A 1, deci nu poate fi folosit ca divizor sau ca repetor.
APLICAII
nmulirea cu o constant
Dac se alege R1 R2 = k R1 R2 = (k - 1) R1, atunci:
k 1 R1
U0
1
k i Uo = k Ui
Ui
R1
Tensiunea de la ieire reproduce tensiunea de la intrare multiplicat de k ori.
A=
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
109
AO neinversor sumator
Ir
R1
Ri1
I11
I12 Ri2
uIi
Ao
I1n Rin
Ui1
Ui2
Uin2
I 1k
k

prima lege a lui Kirchhoff pe nodul de
la intrare, se obine:
R2
Uo
I11 I12..... I1n = Ii = 0

Aplicnd a doua lege a lui Kirchhoff pe
fiecare nod de la intrare, se obine:
Ui1= Ri1 I11 u+
U u
I 1k ik
Ui2= Ri2 I12 u+
Rik
...........
Uin= Ri1 I1n u+
nlocuind aceste expresii n prima
egalitate, se obine:
U ik u
0.
Rik
Dac se alege Ri1 = Ri2 =........= Rin = R se obine:
1
(U ik u ) 0,
R k
1
U ik n.u
R k
Aplicnd a doua lege a lui Kirchhoff pe fiecare nod de la ieire, se obine:

U 0 R1
u+ = u - =
R1 R2
U
alegnd R1 R2 = n R1 , se obine: u 0 ,
n
U0
ik
Deci tensiunea de la ieire este egal cu suma tensiunilor de la intrare.

Observaie: Spre deosebire de sumatorul inversor, n aceast situaie tensiunea de la
ieire este n faz cu suma tensiunilor de la intrare.
Integratoare i derivatoare
n afara operaiilor matematice simple, ca multiplicarea, divizarea, adunarea,
scderea, AO pot efectua i operaii mai complexe, de natur algebric sau din analiza
matematic. Aceste operaii au numeroase i variate utilizri, printre care: msurarea
intervalelor de timp, rezolvarea (analogic) a ecuaiilor difereniale, conversia analog
digital, realizarea regulatoarelor automate etc.
n cele ce urmeaz ne vom opri asupra integratoarelor i derivatoarelor.
Integratoarele i derivatoarele electronice analogice se bazeaz pe relaia care
leag tensiunea de curentul la bornele unei capaciti electrice. Cele dou forme sub
care poate fi scris aceast relaie sunt:
u
1
C
idt
Tensiunea la bornele capacitii este proporional cu integrala curentului prin borne.

Profilul TEHNIC
Nivelul 3
110

iC
du
dt
Curentul prin capacitate este proporional cu derivata tensiunii la bornele acestia.

AO integrator
Ir
I1
Ii
u-
R1
ui
n schema de baz a AO inversor s-a nlocuit R1 cu

o capacitate.
Aplicnd legea a doua alui Kirchhoff pe ochiul de
ieire i apoi pe cel de la intrare,se obine:
Ao
uo
u 0 uC
1
C
i dt R C u dt
r
AO derivator
Ir
I1
ui
Ii
u-
R2
Ao
Uo
n schema de baz a AO inversor s-a nlocuit R 1

cu o capacitate.
Aplicnd legea a doua alui Kirchhoff pe ochiul
de ieire i apoi pe cel de la intrare, se obine:
du
u0 R2 C i
dt
Observaie: n mod similar se realizeaz i integratoare i derivatoare neinversoare.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
111
STABILIZATOARE DE TENSIUNE CU CIRCUITE INTEGRATE
Stabilizatoare cu amplificatoare operaionale
In figura 10.1 este prezentat schema unui stabilizator serie cu reacie realizat cu
amplificatorul operaional A741.
2N2218
R1
R3
Ui=
14-20V
1k
R4
2,2k
10k
U0=12V
A741
U0= Uref (1 R2 ) .
PL6V2Z
R1
R2
Figura 10.1
10k
Dac tensiunea de referin, aplicat pe borna neinversoare, este constant,

atunci i tensiunea de ieire, Uo va fi constant.
n cazul n care rezistena de sarcin variaz, tensiunea de ieire, egal cu
produsul dintre amplificarea n bucl deschis a AO i tensiunea de referin, rmne
constant
Amplificatorul operaional este folosit ca amplificator de eroare. Curentul de ieire
al AO alimenteaz baza tranzistorului regulator. Intrarea sa neinversoare este meninut
la un potenial constant de 6,2V prin dioda Zener. Intrarea inversoare primete semnalul
de eroare, proporional cu tensiunea de ieire, prin intermediul divizorului rezistiv R1 -PR2. Tensiunea de ieire poate fi reglat cu ajutorul poteniometrului P.
Observaie: La cureni mici de sarcin,
amplificatoarele operaionale pot fi
utilizate ca surse de tensiune
stabilizat, ca n figura 10.2.
R1
Ui
R2
Stabilizatoare de tensiune cu circuite

integrate monolitice
Figura 10.2
U0=Uz (1
R2
R1
DZ
Stabilizatoarele de tensiune cu circuite discrete pot fi executate cu uurin, dar

prezint o serie de neajunsuri legate de performanele de stabilizare i de gabaritul lor
relativ mare. Imperativul miniaturizrii aparaturii electronice, performanele excelente
furnizate de stabilizatoarele de tensiune integrate, scderea continu a costurilor, au
contribuit la orientarea celor mai muli dintre utilizatori spre acest gen de dispozitive.
Majoritatea stabilizatoarelor de tensiune continu monolitice se construiesc pe
baza unor scheme de reglare automat tip serie. n principiu schema electric nu difer
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
112

de schema stabilizatoarelor cu componente discrete. Deosebirea const n utilizarea
unor blocuri funcionale, n care se apeleaz la tehnici de circuit mai complexe, pentru a
atinge un nivel de performan mai ridicat.
n figura 10.3.a este prezentat schema bloc a unuia dintre cele mai cunoscute
stabilizatoare de tensiune continu monolitice, A723.
Ui
Uref
Vc
U
Referina
de tensiune
R3
NC
CL
CS
NI
I
Uref
U
Element
regulator
Amplificator
de eroare
U0
r
1
2
3
4
5
6
7
NI
U-
CS
NC
COMP
U
Vc
U0
Uz
NC
Uz
CL
Limitator
de curent
14
13
12
11
10
9
8
R2
Figura 10.3
I
R1
COMP
a
Acest stabilizator are nivelul tensiunii de ieire stabilizat programabil, reeaua de
reacie a amplificatorului de eroare putndu-se aplica din exterior.
De asemenea, circuitul are posibiliti de reglare simpl a curentului de ieire,
prin intermediul terminalelor CL i CS.
Prin conectarea unui condensator de (0,1...10 nF) la terminalul COMP se
realizeaz compensarea n frecven a amplificatorului de eroare.
Cu ajutorul unui numr relativ mic de componente externe, un astfel de
stabilizator monolitic poate asigura performane de stabilizare mai bune de 0,1%,
domenii de tensiuni de ieire de 0 - 40V i cureni de ieire disponibili pn la 10A. De
asemenea, un astfel de stabilizator se poate utiliza ca element de control n circuite de
stabilizare cu performane superioare.
n figura 10.3.b este prezentat configuraia terminalelor.
n figura 10.4 este ilustrat schema general de protecie cu diode a
stabilizatorului de tensiune integrat. Dioda D3 este blocat pentru tensiunea de ieire a
stabilizatorului, dar pentru tensiuni de polariti inverse dioda va scurtcircuita
eventualele tensiuni tranzitorii ce pot apare pe sarcini inductive. Acelai rol l are i
dioda D1 , pentru intrarea n stabilizator. Dioda D2 protejeaz circuitul integrat cnd la
intrare se produc scurtcircuite accidentale.
D2
Ui
C1
Sabilizator
D1
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
D3
U0
C2
Figura 11.4
113
Fia de documentare nr.11

AXIOMELE I TEOREMELE FUNDAMENTALE ALE ALGEBREI BOOLEENE
tiai c..
Algebra Boolean a fost conceput pe la mijlocul secolului al XIX-lea,

de ctre matematicianul englez George Boole (1815 1864) care a propus o
interpretare matematic a logicii propoziiilor bivalente de tip Da Nu sau
Adevrat Fals etc.
Abia n 1938, Claude Shannon, de la Institulul de Tehnologie din Massachusetts
California, avea s o utilizeze pentru prima oar la analiza circuitelor de comutaie.
Algebra Boolean, cunoscut i sub denumirea de Algebra logic opereaz cu funcii
logice.
Operaiile logice de baz sunt prezentate n tab. 11.1.
Se observ c denumirile i simbolurile operaiilor logice difer de la un domeniu
la altul. n cele ce urmeaz, vom utiliza aproape exclusiv notaiile din matematic.
Tab. 11.1. Denumirea i simbolizarea operaiilor de baz
Matematic
Logic
Prima
lege
de
compoziie
Disjuncie
(suma logic)
x1 x2
x1+ x2
A doua lege de Conjuncie
compoziie
x1 x2
(produsul logic)
x1 x2
Elementul invers
Negaie
x
x
Tehnic
SAU (OR)
x1 x2
I (AND)
x1 x2
NU (NOT)
x
Funcia logic sau funcia binar ia valoarea logic 1 cnd este adevrat i 0
cnd este fals.
Funcia logic este complet definit cu ajutorul unui tabel finit (tabel de adevr)
avnd n primele coloane valorile logice ale variabilelor (considerate independente) i n
ultima coloan - valorile logice ale funciei, obinute prin aplicarea operaiilor logice
asupra variabilelor
Exprimarea matematic a unei funcii logice necesit introducerea axiomelor i a
teoremelor ale algebrei Boole.
Axiomele algebrei Booleene
Se consider o mulime, M, compus din n elemente (x 1, x2, ..., xn) i operaiile ""
(produs logic) i "+" (sum logic) deja prezentate.
Spunem c mulimea M formeaz o algebr Boolean dac:
1. Mulimea M conine cel puin dou elemente distincte:
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
114

xi, xj M, cu xi xj.
2. Pentru orice xi, xj M, avem:
xi xj M i xi + xj M, cu 1 i, j n.
3. Operaiile "" i "+" prezint urmtoarele proprieti:
a) comutativitatea:
x1 x2 = x2 x1;
x1 + x2 = x2 + x1;
b) asociativitatea:
x1 x2 x3 = (x1 x2) x3 = x1 (x2 x3) = ... ;
x1 + x2 + x3 = (x1 + x2) + x3 = x1 + (x2 + x3) = ... ;
c) distributivitatea (uneia fa de cealalt):
x1 (x2 + x3) = x1 x2 + x1 x3;
x1 + (x2 x3) = (x1 + x2) (x1 + x3);
4. Ambele operaii admit cte un "element neutru" cu proprietatea:
x 1 = 1 x = x;
x + 0 = 0 + x = x;
5. Pentru orice x M, va exista un element x (non x) cu proprietile:
x x = 0;
x + x = 1.
Ultimele dou relaii poart numele de principiul contradiciei, respectiv - principiul
terului exclus i se enun astfel:
Principiul contradiciei: o propoziie nu poate fi i adevrat i fals n acelai timp.
Principiul terului exclus: o propoziie este sau adevrat, sau fals, o a treia
posibilitate fiind exclus.
Teoremele algebrei Booleene
Pornind de la axiome, se deduc urmtoarele teoreme care devin reguli de calcul n
cadrul algebrei Booleene:
1. Principiul dublei negaii:
x = x (dubla negaie este echivalent cu afirmaia).
2. Idempotena:
x x ... x x ;
n
x x ...
x x .
n
3. Absorbia:
x1 (x1 + x2) = x1;
x1 + (x1 x2) = x1.
4. Legile elementelor neutre:
x 0 = 0;
x + 0 = x;
x 1 = x;
x + 1 = 1.
5. Formulele lui De Morgan:
x 1 x 2 x1 x 2 ;
x1 x 2 x1 x 2 .
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
115
MODURI DE EXPRIMARE A FUNCIILOR LOGICE
Forma canonic
Forma canonic presupune operarea cu termeni canonici. Prin termen canonic
nelegem un termen n care sunt prezente toate variabilele independente, luate sub
form direct sau negat.
Forma canonic disjunctiv
n cadrul formei canonice disjunctive (f.c.d.) termenii sunt legai ntre ei prin
disjuncii, iar variabilele - n cadrul fiecrui termen, numit "constituent al unitii" - prin
conjuncii.
Forma canonic conjunctiv
n cadrul formei canonice conjunctive (f.c.c.), termenii sunt legai ntre ei prin
conjuncii, iar variabilele - n cadrul fiecrui termen, numit "constituent al lui zero" - prin
disjuncii.
Forma elementar
Forma elementar (f.e.) are n alctuire cel puin un termen elementar. Prin
termen elementar se nelege un termen care nu conine toate cele n variabile ale
funciei, deci care nu este canonic.
La forma elementar se ajunge prin minimizare.
Forma neelementar
Funciile logice scrise sub form canonic sau elementar (ambele, disjunctive
sau conjunctive) pot fi aduse la forma neelementar dac exist variabile sau grupuri de
variabile comune mai multor termeni.
Comparativ cu formele din care provin, formele neelementare se pot implementa
cu circuite logice avnd un numr mai mic de intrri, dar structurate pe mai multe
niveluri logice.
Diagrame Veitch Karnaugh
Folosirea unei diagrame pentru simplificarea funciilor booleene a fost sugerat pentru
prima dat de E. Veitch. Ulterior, M. Karnaugh propune de asemenea o form de
diagram n acelai scop, rezultnd diagrama Karnaugh. Aceast diagram se
utilizeaz n mod curent pentru reprezentarea funciilor booleene cu un numr relativ
mic de variabile.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
116

O diagram Karnaugh constituie o variant modificat a unui tabel de adevr. Ea
este,de fapt, o reprezentare grafic a formelor canonice. Elementele mulimii de intrare
sunt reprezentate prin suprafee dreptunghiulare, din intersecia crora rezult termenii
canonici.
A
1
AB
00
P0
P2
C0 P
0
P1
P3
A
0
B0
B1
Pentru 2
variabile de
intrare
C1
P1
AB
01
AB
11
AB
10
P2
P7
P4
P3
P8
P5
Pentru 3 variabile de
intrare
AB
00
AB
01
AB
11
AB
10
CD 00 P
0
P4
P12
P8
CD 01
P1
CD 11 P2
P5
P7
P13
P15
P9
P11
CD 10 P
3
P6
P14
P10
Pentru 4 variabile de
intrare
Se consider adiacente i ptratele aflate la capetele opuse ale unei linii, respectiv
coloane. De aceea, este convenabil s se priveasc aceste diagrame ca suprafee care
se nchid la margini.
Observaie: n cazul unei exprimri sub forma canonic disjunctiv (f.c.d.) a funciei,
fiecrui termen i corespunde o locaie care conine "1" logic, iar n cazul exprimrii sub
form canonic conjunctiv (f.c.c.) - o locaie care conine "0" logic.
Evident, att n cazul f.c.d. ct i n cazul f.c.c, locaiile crora nu le corespunde nici un
termen canonic vor primi valori logice complementare celor menionate mai sus, iar cele
ce corespund unor stri nedeterminate (cazul funciilor incomplet definite) se vor marca
cu "X" i vor fi interpretate, dup caz, ca "0" sau "1" logic, n procesul de minimizare.
Minimizarea funciilor logice
Minimizarea reprezint trecerea de la o form canonic la o form elementar de
exprimare a unei funcii logice, deci eliminarea unor variabile de intrare din termenii
funciei.
Etapele minimizrii cu ajutorul diagramelor Veitch-Karnaugh:
Se scrie diagrama Veitch-Karnaugh pentru funcia exprimat prin f.c.n.d.;
Se aleg suprafeele maxime formate din constituenii 1 (suprafeele au un numr
maxim de ptrate, egal cu puteri ale lui 2);
Aceste suprafee corespund termenilor elementari, iar reprezentarea grafic este
identic cu aplicarea teoremei:
A B A B A
Pentru minimizare se folosete principiul terului exclus.

Lateralele diagramei sunt adiacente.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
117
Fia de documentare nr.13

ANALIZA I SINTEZA CIRCUITELOR LOGICE COMBINAIONALE
Circuitele logice combinaionale sunt circuite fr memorie (independente de
propriile stri anterioare), caracterizate prin faptul c semnalele de ieire sunt combinaii
logice ale semnalelor de intrare, existnd numai atta timp ct acestea din urm exist.
n legtur cu circuitele logice combinaionale, se pun de regul dou probleme
importante i anume: analiza i sinteza c.l.c.
Analiza circuitelor logice combinaionale
Analiza c.l.c. pornete de la schema logic cunoscut a circuitului
i
urmrete stabilirea modului de funcionare a acestuia, fie prin construirea tabelului de
funcionare, fie prin scrierea formei analitice a funciei de ieire.
Spre exemplu, pornind de la schema logic a unui c.l.c. simplu, fig. 13.1, se deduce, din
aproape n aproape, urmrind transformrile semnalelor de intrare, expresia
analitic a funciei de ieire:
Y AB A B
Fig. 13.1. Schema logic a unui XOR
AB
A
B
Y AB AB
B
AB
Construirea tabelului de funcionare este

acum extrem de simpl i urmeaz paii prezentai n coloanele tabelului 13.1.
Tab. 13.1. Tabelul de funcionare al c.l.c. din fig. 13.1
B
A
B
AB
A
AB
Y A B AB
0
0
1
1
0
0
0
0
1
1
0
0
1
1
1
0
0
1
1
0
1
1
1
0
0
0
0
0
Se recunoate funcia de ieire i tabelul de funcionare al circuitului SAU-EXCLUSIV
(XOR).
Sinteza circuitelor logice combinaionale
Sinteza c.l.c. pornete de la funcia pe care trebuie s o ndeplineasc
circuitul i i propune obinerea unei variante (minimale) a structurii acestuia.
Etapele sintezei sunt: definirea funciei (funciilor) de ieire, minimizarea i, n final,
desenarea schemei circuitului.
Dup modul n care este scris funcia, implementarea se poate face n diverse
variante, printre care:
a) cu orice combinaie de circuite logice elementare;
b) numai cu circuite NAND;
c) numai cu circuite NOR.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
118

Y A B i tabelul ei de funcionare, se
Spre exemplu, considernd funcia:
propune realizarea sintezei circuitului corespunztor n mai multe variante.
Tab. 13.2. Tabelul de adevr al funciei XOR
B
0
0
1
1
A
0
1
0
1
Y
0
1
1
0
a) Sinteza utiliznd mai multe tipuri de circuite logice elementare

Pornind de la tab. 13.2, se observ c forma canonic disjunctiv (f.c.d.) a funciei este
cea exprimat de relaia Y AB A B . Fiind o form deja minimal, implementarea ei
conduce la circuitul din fig. 13.1.
Procednd similar, dar utiliznd forma canonic conjunctiv (f.c.c.), se obine:
Y A B A B ,
care n urma implementrii conduce la
A+
circuitul din fig. 13.2.
Y A B A B
B
A
A
B
AB
B
Fig. 13.2. O alt variant de implementare a XOR-ului

Sinteza numai cu pori NAND
Aplicnd De Morgan asupra f.c.d., se A
obine:
Y AB AB AB AB ,
a crei implementare poate fi realizat numai cu
NAND-uri i conduce la circuitul din fig. 13.3.
+Vc
c
Fig. 13.3. Implementarea XOR-ului

numai cu NAND-uri
Sinteza numai cu pori NOR
Aplicnd De Morgan asupra f.c.c., rel. 4.4, se obine:
Y A B A B A B A B ,
a crei implementare poate fi fcut numai cu NOR-uri i conduce la circuitul din fig.
13.4.
A
Y
B
Fig. 13.4. Implementarea XOR-ului numai cu NOR-uri
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
119
PROGRAMUL Digital Works
Exist mai multe posibiliti de a verifica funcionarea corect a unui circuit care
realizeaz o funcie logic. Una dintre ele este simularea cu ajutorul unui program de
analiz a circuitelor logice.
n continuare se va prezenta programul Digital Works(Digital Works for Microsoft
Windows 2.04 1997 David John Barker) care permite o astfel de analiz.
Pentru lansarea n execuie a programului se face dublu clic pe icoana
corespunztoare, cea prezentat mai jos.
Se va trece acum n revist principalele elemente ale lucrului cu fiierele

specifice programului; la apariia ecranului de nceput, n partea stng sus exist
opiuni pentru:
- crearea unui nou fiier,
- ncrcarea unui fiier creat anterior,
< - memorarea fiierului deja deschis.
Urmeaz apoi linia pentru selectarea porilor logice, cu icoanele prezentate mai jos:
1) SAU, 2) SAU-NEGAT, 3) SAU-EXCLUSIV, 4) SAU-EXCLUSIV-NEGAT, 5) NU, 6) SI,

7) SI-NEGAT
Orice selecie se poate face printr-un clic al butonului din stnga al mouse-ului i,
dup aceea, printr-un clic al aceluiai buton n zona activ a ecranului, cea cu grila
punctat, colorat n galben pal, se poziioneaz poarta n zona dorit. Pentru fiecare
poart selectat astfel (i reprezentat iniial punctat pe ecran) se poate stabili numrul
de intrri, dnd clic pe butonul din dreapta al mouse-ului apoi Inputs i se selecteaz
2,3 sau 4 intrri.
Pentru a face conexiuni se folosete o unealt special, cea aflat la
extremitatea din dreapta a celui de-al doilea rnd de icoane i notat cu semnul !.
Odat selectat cu un clic al butonului din stnga al mouse-ului, ea poate fi folosit
dup cum urmeaz:
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
120

Pentru a putea aduce n starea 0 logic sau 1 logic una dintre intrrile unei pori,
se folosete aa numita intrare interactiv, aflat pe bara de instrumente, redat n
figura alturat, n zona afectat semnalelor de intrare.
Intrare interactiv
Pentru a amplasa la intrarea unei pori (sau a unui alt circuit) un astfel de
dispozitiv este necesar sa facem clic pe icoana aferent, se poziioneaz cursorul pe
ecran, n zona prevzut pentru desenarea circuitului (cea cu gril punctat), urmat de
un nou clic pentru validarea poziiei alese. Dup poziionare este necesar s facem
legtura dintre acest dispozitiv i intrarea respectiv, folosind unealta pentru legturi,
(!), aa cum s-a artat mai sus. Simpla poziionare pe ecran a simbolului nu este
suficient pentru o simulare corect !
Pentru a trece acest dispozitiv dintr-o stare n cealalt este necesar s
parcurgem paii pui n eviden de desenul urmtor.
Unu logic este reprezentat, n cazul unei intrri interactive, prin culoarea roie a
cerculeului din interiorul simbolului, n timp ce bitul zero este reprezentat prin culoarea
alb.
Pentru a pune n eviden starea unei ieiri se folosete un dispozitiv numit led,
aflat pe cea de-a doua bar cu unelte, alturi de dispozitivul de afiare cu opt
segmente.
LED
Pentru a aeza un led n zona activ a ecranului se selecteaz acest dispozitiv pe
bara cu unelte i apoi se face clic n poziia dorit. Este necesar legarea acestui
dispozitiv la ieirea circuitului a crui stare dorim s o monitorizm - n acest scop se
folosete unealta de legturi, !.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
121
6. SOLUIONAREA ACTIVITILOR DE NVARE

Soluionarea activitii de nvare 3
a)
1.
R
rD
R
E
D1
rD1
R
E
D2
c
rD
D2
2.I=9,3mA;b)I=0mA,Ud=-10V;c)I=0;d)ID1=0,ID2=9,3mA,UD1=-UD2=0,7V
b.
f 01
1
1
Ls1
2f 01 2 C01
2 C 01 Ls
f 02
C01
1
f 01
606MHz
C02
2 C02 Ls
Ls 2
2f 02 2 C02
2,15nH

a. (30p)
1. zona I: corespunde polarizrii directe.

zona II: corespunde polarizrii inverse.
zona III: corespunde strpungerii jonciunii.
zonele IV ,V : corespund limitrilor datorate puterii
maxim admise.
2. I - Cderea de tensiune pe jonciune, UA, este mai
mic dect diferena intern de potenial a jonciunii,
U0. n aceast zon de funcionare, jonciunea este
strbtut de un curent direct, de valoare mare;
rezistena diodei polarizate direct este de valoare
foarte mic.
II - n situaia de polarizare invers curentul care circul prin jonciune, I 0, nu depinde de
valoarea tensiunii aplicate i este de valoare foarte mic; n polarizare invers
jonciunea prezint o rezisten foarte mare.
III - Aceast zon este caracterizat de creterea puternic a curentului prin jonciune,
la o anumit tensiune, numit tensiune de strpungere (U S).
ntruct curentul crete foarte rapid, tensiunea la bornele jonciunii se menine
aproximativ constant.
IV, V - Creterea curentului prin jonciune peste anumite valori maxim admise duc la
distrugerea structurii prin nclzire excesiv.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
122

3.
b. (25p)
1-c; 2-b;
c. (20p)
3-d;
4-c;
5-a
1. UR1 = I.R1 =3mA . 1k =3V

2. UAB = UD + I.R2 = 0,6V + 3mA . 2k =6,6V
d. (15p)
Circuitul echivalent este:
rD
RB
4M
E U M
9,8V
0,5k
IM
19,6mA
ui ~~
CB
RC
2k
+E =10V
C
CS
C u
0
S

2
a.
Problema se rezolv prin metoda grafo-analitic.
Teorema a II-a a lui Kirchhoff, aplicat pe ochiul de
uCE(V)=5V
intrare, conduce la ecuaia:
E
u
TA=25C
i B C BE
RB RB
Care este o dreapt, reprezentat prin linia punctat
albastr din figura alturat.
Din caracteristica iB(uBE) se obine valoarea lui iB,
repectiv uBE din punctul static de funcionale: IB= 9A,
UBE=0,5V.
0
0,5
1 uBE(V) Teorema a II-a a lui
Kirchhoff,
aplicat
pe
ochiul de ieire, conduce la ecuaia dreptei de sarcin:
E
u
iC CC CE ,
RC
RC
reprezentat, n figura alturat, prin linia, roie, punctat.
PSF se va afla la intersecia dreptei de sarcin cu
IB= 9A
caracteristica de ieire pentru iB=9A:
IC
4mA
IC=4mA, UCE=2V.
0 2V 4
8 uCE(V)
M
IC max
b. 1. Punctele M i N sunt reprezentate n
figura alturat, iar coordonatele sunt:
P
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
123
N
0
UCE max
UCE

M (ICmax, 0 V; 0,7 V)
N (0 A; UCEmax, 0,7 V)
E
IC max C 20 mA i UCE max = EC = 20 V
RC
Deci coordonatele punctelor M i N sunt
M IC max = 20 mA, UCE = 0
N IC = 0, UCE max = 20 V
2. Punctul static (P) aflat la jumtatea dreptei de sarcin este caracterizat de mrimile:
IC = 10 mA, UCE = 10 V i UBE = 0,7V
IC = IB IB
IC
0,1 mA
Teorema a II-a a lui Kirchhoff, aplicat pe ochiul de intrare, conduce la ecuaia:

EC UBE 19,3
193 k
EC = RBIB + UBE RB
IB
0,1
+E =20
R
VC
R
C
1M
1k
C u
a. Rezolvarea problemelor referitoare la
C
0
amplificatoare de abordeaz n dou etape:
ui ~~
S
n primul rnd se determin P.S.F.
R
n a doua etap de construiete circuitul
i0
i1 2
ii
echivalent i, aplicnd legile lui Kirchhoff, se
determin mrimile necunoscute.
ui
RB
h11
Rc u0
1. Ic0,95mA; UCE 19V.
2. Se deseneaz circuitul echivalent, de c.a. i
apoi circuitul echivalent cu parametri h, ca in figura alturat:
Aplicnd legile lui Kirchhoff se obine:
u0 = - RCi0 = -RCh21i1 =-RCh21u1/h11 = -40.ui
u0 = - 12 sint.
b. Cunoscndu-se mrimile IE i UBE, rezult:
+E
I1
RE = UEM / IE = 0,6k.
R
C
R
IC
Totodat, se poate scrie urmtorul sistem de ecuaii:
C
C
EC= R1I1 +R2I2
I2
S
I1 = I2+IB
IE
u
ui ~ R
R2I2 = UBE + REIE
R
C
R
Cum R2 = 10RE = 6k, rezult: R1 =20,5k.
CE
b)IC=4,8mA i UCE = 12,2V.
2
R
RE de mai jos:.
c)Se deseneaz circuitul echivalent de c.a. cu parametri h, ca n figura
S
i0
RB = R1 R2 = 4,64k.
i1
ii
Ri1 =ui / ii = RB h11 =0,11k.
ui
RB
h11
Rc u0
Au = u0 / ui
u0 =- RCi0 = -RCh21i1;
ui = Ri1 ii
RC RB h11ii
RB h11 ii
RB ii
212,68
i1 = ui/h11 = Ri1 ii/h11 =
Au =RB h11 h11 RB h11
RB h11 Ri1i1
h21i1
h21i1
a. Amplificarea n tensiune este:

Au = - gmRs ,
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
124

Rs = rd RD Rs = 7,14k, rezult: Au = - 14,28.
b. Amplificarea n tensiune este:
Au
u0
g m RS
0,995
u i 1 g m RS

a. (20p)
1-c;
2-a;
3-c;
4-a.
b. (30p)
1-A;
2-F;
3-A; 4-A; 5-A; 6-A.
c. (40p)
1. EC = RC2IC2 + UCE2 + RE2IE2
IC2 = 2IB2 i IE2 = (2 + 1) IB2
EC = RC22IB2 + RE2 (2 + 1) IB2 + UCE2
IB2 = 0,99 mA 0,1 mA
Tensiunea UCE1 = RB2IB2 + UBE2 + RE2 (2 + 1) IB2 = 10,8 V
EC = RC1I1 + UCE1 I1 = 9,2 mA,
I1 = IC1 + IB2
IC1 = I1 - IB2 = 9,1 mA
I
IB1 C1 0,18 mA
1
E C UBET1
107,2 k
EC = RB1IB1 + UBET1 R B1
IB1
2. Dac RC1 se scurtcircuiteaz VM = EC
E UBE 2
IB 2 C
0,38 mA
RB2 RE2
2IB2 = 19 mA
Se calculeaz curentul maxim de colector al tranzistorului T2
EC
IC 2 max
10 mA
R C2 R E2
Se observ c 2IB2 > IC2 tranzistorul T2 este n saturaie. Regimul n care
funcioneaz tranzistorul T2 este regimul de saturaie.
a. (1) amplificator;
(2) ieire;
b.
Xg
X1
A=
X2
X1
(3) intrare;
X2
Xr
Reea de reacie
c. 1d. 1-c;
e.
Xr
=
X2
2-d;
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
X2
a;
2-b.
3-b.
125

Eantionare
NOD
BUCL
tensiune - paralel
paralel - paralel
tensiune - serie
serie - paralel
curent - paralel
paralel - serie
curent - serie
serie - serie
Comparare
NOD
BUCL
f.
n c.c. RE1 i RE2 sunt rezistene de reacie i asigur stabilizarea punctului static
de funcionare n raport cu dispersia lui i cu variaia temperaturii.
+Ec
RC2
RC1
CS
CB
C
RG
Ug
RB
RE1
CE
RS
RE2
CE2
RG
Ug
n c.a. rezistena R asigur reacia negativ: dac i C2 are tendina s creasc,

crete i cderea de tensiune pe rezistena R, ceea ce determin scderea lui
uBE1 i deci scderea lui iC1.
RC1
RB
RC2
RS
g. f jr 1 A f j 2 Hz
f sr 1 A f s 50MHz
h. 1. Stabilitatea amplificrii fr reacie este :
A
100
10 %, iar cea a amplificatorului cu reacie este:

A
1000
Ar
A 1
10
0,1 %, rezult 1-A=100, de unde =0,099.

Ar
A 1 A 100
A
2. Ar= 1 A 10
R2
a. 1. A
R1
2. reacie negativ
b. n cazul aplicrii reaciei negative se obin: micorarea amplificrii, mrirea stabilitii
etajului, se lrgete banda de frecven, crete viteza de lucru, scade nivelul
zgomotelor i al distorsiunilor neliniare.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
126

R2
8
4
R1
2
a. (1)- circuit electronic
(2)- sinusoidal
b. X2 = A X1
Xr = X2
X1 = Xg Xr
Amplificarea cu reacie este :
c. A
Ar
X2
A
X g 1 A
Condiia de oscilaie : Circuitul devine un oscilator, dac, ndeprtnd semnalul de

excitaie (Xg =0), obinem totui un semnal la ieire (X2 =finit, 0 )
Ar
X2
1 A 0 A 1 Relaia lui BARKHAUSEN (condiia de oscilaie).
Xg
c. 1- b;
2- b.
d. Semnalul sinusoidal este unicul semnal care i reproduce forma dup ce parcurge
un circuit liniar cu elemente reactive.
e. (1)- reeaua de reacie.
r
a. exist dou bucle de reacie:

reeaua de reacie format din r1 i r2.
reeaua de reacie format din R1,C1, R2, C2.
b. R1,C1, R2, C2
-o reacie pozitiv, selectiv,
dependent de frecven (reeaua Wien)
-o reacie negativ, neselectiv.
1 i r2
c. R1,C1, R2, C2
- asigur funcia de oscilator i
determin frecvena de oscilaie.
r1 i r2 -stabilizeaz amplificatorul, transformndu-l
ntr-un amplificator ideal de tensiune; determin
amplitudinea de oscilaie.
d.

U0= Uz - UBE
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
127

Dac tensiunea de ieire crete, dintr-o cauz oarecare, concomitent scade U BE.
Acest fapt va determina scderea curentului de colector i, implicit, a celui de emitor i
deci i a curentului de ieire, I0, ceea ce va duce la scderea tensiunii de ieire la
valoare iniial.
n cazul n care tensiunea de ieire are o tendin de scdere, se produce
creterea tensiunii UBE, i n consecin creterea curentului de colector, a curentului de
emitor i deci a curentului de ieire, ceea ce va determina creterea tensiunii de ieire.
a.
u
R
Au 0 2 5
ui
R1
b. Pe baza figurii se poate scrie: ntruct Ii=0 (AO ideal), I 3 I 1 I 2
U i1 U i 2
R2
R2
Aplicnd legea a,doua alui Kirchhoff pe ochiul de ieire, se obine :

U
U
U 0 R3 I 3 R3 i1 i 2 15V
R2
R1
c. 1. Uo1 = -
R2
Ui
R1
Uo1 = - 5 Uoi = -50V

Ui2 = Uo1
R4
Ui2
R3
R2
R4
Uo2= (Ui)
R1
R3
Uo2 = -
Uo2= 5 Ui
Uo2= 50V
2. Uo = Uo2 - Uo1
Uo =5 Ui (- 5 Uoi)
Uo =10 Ui
Uo = 100V
Uo
3. AU =
Ui
10U i
AU =
Ui
AU = 10.
a.16 puncte
(1) foarte mare; (2) infinit; (3) zero;
(6) infinit; (7) zero; (8) zero.
b. 20 puncte
1- b; 2 c; 3 c; 4 b.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
(4) scurtcircuit;
(5) foarte mare;
128

c.
prima lege a lui Kirchhoff pe nodul
la intrare, se obine:
R2
Ir
de
R1
I11 I12..... I1n = Ii = 0

I11 Ri1
Aplicnd a doua lege a lui
I12 Ri2
Kirchhoff pe fiecare nod de la
intrare, se obine:
Ui1= Ri1 I11 u+
I1n Rin
Ui1
U u
Ui2
I 1k ik
Ui2= Ri2 I12 u+
Rik
Uin2
...........
Uin= Ri1 I1n u+
nlocuind aceste expresii n prima
U ik u
0.
egalitate, se obine: I 1k
Rik
k
k
Dac se alege Ri1 = Ri2 =........= Rin = R se o bine:
uIi
Ao
Uo
1
(U ik u ) 0,
R k
1
U ik n.u
R k
Aplicnd a doua lege a lui Kirchhoff pe fiecare nod de la ieire, se obine:

U 0 R1
u+ = u - =
R1 R2
U
alegnd R1 R2 = n R1 , se obine: u 0 ,
n
U0
ik
Deci tensiunea de la ieire este egal cu suma tensiunilor de la intrare.

d. 30 puncte
R2
2
1. Au 1
R1
2. u 0 A ui 2.7 14V
3. amplificatorul neinversor nu poate fi divizor.
e. 4 puncte.

a) Implemetarea cu pori I, SAU, NU
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
129
A
B
1/4 CDB 406

1/4 CDB 432 F =
1/6 CDB 404
1/6CDB
CDB404
404
1/6
1/4 CDB 406
Acest tip de implementare este

dezavantajos: se folosesc trei
tipuri de circuite integrate, care
sunt utilizate foarte neeconomic:
mai
rmn
nefolosite
4
inversoare, 2 pori I i trei pori
SAU.
1/4 CDB 400
b)Implementarea cu pori I NU
Pentru implemetarea funciei cu pori I NU se
transform funcia cu ajutorul teoremelor lui De
Morgan.
F=
1/4 CDB 400
1/4 CDB 400
F A B A B
1/4 CDB 400
1/4 CDB 400

Acest tip de implementare are avantajul c se
folosete un singur tip de circuite integrate,
atingndu-se un grad mai mare de utilizarea a acestora, ceea ce conduce la reducerea
numrului de circuite integrate utilizate: se utilizeaz 2 x CDB 400. Rmn neutilizate 3
pori.
c) Implementarea cu pori SAU NU

Pentru implemetarea funciei cu pori
SAU NU se transform funcia cu ajutorul
teoremelor lui De Morgan.
1/4 CDB 402
1/4 CDB 402
F=
1/4 CDB 402
F A B A B
Acest tip de implementare are avantajul

c se folosete un singur tip de circuite
integrate, atingndu-se un grad mai mare
de utilizarea a acestora, ceea ce conduce
la reducerea numrului de circuite
integrate utilizate: se utilizeaz 2 x CDB
400. Rmn neutilizate 2 pori.
1/4 CDB 402
1/4 CDB 402 1/4 CDB 402
d) Implementarea cu pori SAU EXCLUSIV

Aplicnd postulatele i teoremele algebrei booleene, se observ c funcia F este chiar
Sau EXCLUSIV negat.
F A B A B A B A B A B A B A B A B A B
Se utilizeaz un singur circuit integrat.CDB 486.

Rmn nefolosite dou pori XOR.
1/4 CDB 486
F=
1/4 CDB 486

a)Se extrage din tabel funcia:
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
130

F ABC A BC A BC ABC
Aplicnd postulatele i teoremele algebrei booleene,se obine:
F A A BC C C A B BC A B
b)Se folosete diagrama:

Se obine
AB1001 1100C
F BC A B
1/4 CDB 406
A
B
1/6 CDB 404
1/4 CDB 432
C
1/6 CDB 404
1/4 CDB 406
Acest tip de
implementare este dezavantajos: se folosesc
trei tipuri de circuite integrate, care sunt
utilizate foarte neeconomic: mai rmn
nefolosite 4 inversoare, 2 pori I i trei pori
SAU.
Observaie: Prin dubla negare a funciei F, se obine:

F BC A B
La aceast form se ajunge fie algebric, fie din diagram Veitch Karnaugh.
F F BC A B
Aceasta funcie se implementeaz :

Acest tip de implementare este
mai avantajos: se folosesc dou
tipuri de circuite integrate, care
sunt utilizate economic: mai rmn
nefolosite 4 inversoare i 1/2 CDB
451
C
B
A
1/6 CDB 404
1/6 CDB 404
1/2 CDB 451

F CB ACB AC B ACB ACB A
a)n figura alturat este

reprezentat implementarea,
cu pori I NU cu dou intrri,
numai pentru
termenul al
doilea al funciei date.
b) n figura alturat este prezentat

implementare funciei cu pori I
NU cu dou i cu trei intrri.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
131

Este evident c implementarea cu pori I NU cu dou intrri este foarte neeconomic.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
132
7. FIE DE REZUMAT
Fiele de rezumat ale modulului ofer profesorilor i elevilor un mijloc de nregistrare a
progresului.
O pstrare exact a evidenelor reprezint un aspect important de administrare a
nvrii i ajut de asemenea la informarea i motivarea elevilor. Elevii trebuie s fie
ncurajai s i evalueze propria nvare prin comentarii asupra unor domenii, cum ar fi
ce au fcut i ce le-a plcut la un subiect. Aceste comentarii pot oferi profesorilor
informaii valoroase despre domeniile care creeaz dificulti elevilor.
Elevii trebuie s fie ncurajai s i asume responsabilitatea pentru nvare. Elevul care
i asum responsabilitatea pentru aspectele pstrrii evidenei poate contribui la acel
obiectiv.
Prima pagin a unei fie de rezumat exemplu de mai jos include un rezumat al
progresului elevului. Aceasta poate fi util att pentru elev ct i pentru profesor i
poate motiva elevii oferindu-le o imagine vizual clar a progresului pe care l-au fcut.
Exemplu de prima pagin a unei fie de rezumat:
Titlul modulului: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE
Numele
elevului:
Data nceperii:
Data ncheierii:
Unitatea de competene: 26.Analiza circuitelor electronice
Competene
Activitatea de nvare Obiective de
Data
Verificat
nvare
realizrii
Data cnd Semntura
Denumirea sau alte
obiectivele profesorului
referine ale activitii
de nvare
de nvare
au fost
realizate
26.1.Utilizeaz
metodele de
analiz ale
circuitelor cu
componente
discrete.
1.Lucrare practic de
laborator:
Caracteristica static
a diodei
semiconductoare
2.Simulare cu ajutorul
calculatorului
Caracteristica static
a
diodei
semiconductoare
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
S caracterizeze diodele
semiconductoare cu ajutorul
caracteristicilor statice.
S realizeze circuitul
echivalent pentru diferite
tipuri de diode
semiconductoare
S analizeze circuite
electronice simple folosind
modele echivalente ale
componentelor discrete
tipuri de diode
semiconductoare
133
3.Rezolvare de
probleme
4. Evaluare
5.Lucrare practic de
laborator:
Caracteristicile statice
ale
tranzistorului
bipolar
6.Simulare cu ajutorul
calculatorului
Caracteristicile statice
ale
tranzistorului
bipolar
7.Rezolvare de
exerciii
8.Rezolvare de
exerciii
Profilul TEHNIC
Nivelul 3

tipuri de diode
semiconductoare
tipuri de diode
semiconductoare
S caracterizeze
tranzistoarele bipolare cu
ajutorul caracteristicilor
statice.
echivalent pentru trazistorul
bipolar n diferite regimuri
de funcionare.
caracteristicile statice.
S caracterizeze
statice.
S caracterizeze
statice.
S realizeze circuite
echivalente pentru
tranzistoare bipolare
S reprezinte schema
electric a circuitelor cu
componente discrete
folosind modelele
134
9.Rezolvare de
exerciii
10. Evaluare
26.2.Utilizeaz
noiunile i
conceptele
algebrei logice
pentru analiza
circuitelor
digitale.
27.Simulare cu
ajutorul calculatorului
Analiza porilor logice
folosind programul
Digital Works
28.Rezolvare de
exerciii
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
echivalente.
componentelor discrete.
S efectueze calcule
pentru determinarea
parametrilor circuitului
folosind schema echivalent
de semnal.
echivalente pentru
S reprezinte schema
componente discrete
folosind modelele
echivalente.
S efectueze calcule
pentru determinarea
de semnal.
echivalente pentru
S reprezinte schema
componente discrete
folosind modelele
echivalente.
S efectueze calcule
pentru determinarea
de semnal.
S exprime funciile
logice n forme precizate.
S realizeze minimizarea
funciilor logice folosind
metode adecvate.
S implementeze funciile
logice minimizate folosind
pori logice
S exprime funciile
metode adecvate.
135
29.Rezolvare de
exerciii
26.3.Utilizeaz
circuite
integrate
analogice.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
17. Prezentare Power

Point:
Amplificatorul
operational
caracteristici
Point:
Dispunerea
terminalelor circuitelor
integrate analogice
pori logice
S exprime funciile
metode adecvate.
pori logice
S defineasc parametri
caracteristici ai circuitelor
integrate analogice
integrate analogice.
S identifice dispunerea
terminalelor pe baza
informaiilor din catalogele
de componete.
19.Lucrare practic
de laborator:
Amplificatorul
operational
de componete.
20.Lucrare practic
de laborator:
Amplificatorul
operational
de componete.
21. Cubul
Amplificatorul
operaional
de componete.
22.Rezolvare de
exerciii
de componete.
136
26.4.Utilizeaz
reacia n
circuite
electronice.
23. Evaluare
de componete.
24.Simulare cu
Stabilizatorului de
tensiune, realizat cu
circuitul integrat A
723
de componete.

Point:
Aplicaiile circuitului
integrat E555
de componete.
26.
Concurs
de
testare a cunotinelor
Circuite integrate
analogice
de componete.
11.Rezolvare de
exerciii
S defineasc reacia n
circuite electronice.
S precizeze tipurile de
reacie n circuitele
electronice.
S reprezinte
configuraiile tipice ale
circuitelor electronice cu
reacie.
S identifice tipurile de
reacie n circuite
electronice.
reacie n circuitele
electronice.
S reprezinte
reacie.
reacie n circuite
electronice.
12.Rezolvare de
exerciii
13.Simulare cu
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
137

Amplificatorul
operaional cu reacie
negativ
14.Rezolvare de
exerciii
15.Rezolvare de
exerciii
16.Rezolvare de
exerciii
reacie n circuitele
electronice.
S reprezinte
reacie.
reacie n circuite
electronice.
reacie n circuitele
electronice.
S reprezinte
reacie.
reacie n circuite
electronice.
reacie n circuitele
electronice.
S reprezinte
reacie.
reacie n circuite
electronice.
reacie n circuitele
electronice.
S reprezinte
reacie.
reacie n circuite
electronice.
FIA PENTRU NREGISTRAREA PROGRESULUI ELEVULUI

Aceast format de fi este un instrument detaliat de nregistrare a progresului elevilor.
Pentru fiecare elev se pot realiza mai multe astfel de fie pe durata derulrii modulului,
acestea permind evaluarea precis a evoluiei elevului, furniznd n acelai timp
informaii relevante pentru analiz.
Exemplu de fi pentru nregistrarea progresului elevului
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
138

Modulul ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE
Numele elevului _________________________
Numele profesorului _______________________
Competena
26.1.Utilizeaz
metodele de
analiz ale
circuitelor cu
componente
discrete.
Activitatea de
nvare
1.Lucrare practic
de laborator:
Caracteristica
static a diodei
semiconductoare
Obiectivul de
nvare
Finalizat
echivalent pentru diferite tipuri
de diode semiconductoare
Data cnd
obiectivul a
fost realizat.
Comentariul elevului
De exemplu:
Ce v-a plcut la subiectul acestei activiti.

Ce ai gsit interesant la subiectul acestei activiti.
Ce trebuie s tie despre subiectul activitii.
Ideile elevului despre cum ar dori s i ating obiectivul de
nvare.
Comentariul profesorului
De exemplu:
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
Comentarii pozitive despre domeniile n care elevul a avut

rezultate bune, a artat entuziasm, a fost implicat deplin i
a colaborat bine cu alii.
Domenii de nvare sau alte aspecte unde nc este
nevoie de dezvoltare.
Ce au convenit elevul i profesorul c trebuie s fac
elevul avnd n vedere ideile elevului despre cum ar dori
s i urmeze obiectivele de nvare.
139
7. BIBLIOGRAFIE
1. M.Robe i alii: Componente i circuite electronice, Bucureti, Ed. Economic,
2000.
2. T. Dnil, M. Ionescu-Vaida: Componente i circuite electronice, Bucureti, Ed.
Didactic i Pedagogic, 1995
3. D. Cosma i alii: Componente i circuite electronice Lucrri de laborator, Ed.
Arves, 2008
4. Silviu Mirescu, Aurelian Chivu, Drago Cosma, Marin Srcin, Componente i
circuite electronice-teste pentru examenul naional de bacalaureat i olimpiade
interdisciplinare tehnice, Editura Economic, 2001
5. K. F. Ibrahim: Introducere n electronic, Bucureti, Ed. Teora, 2001.
6. T. Dnil: Componente i circuite electronice, Bucureti, Ed. Didactic i
Pedagogic, 1979.
7. D. Dasclu, A. Rusu, M. Profirescu, I. Costea: Dispozitive i circuite electronice,
Bucureti, Ed. Didactic i Pedagogic, 1982.
8. Bioui i alii: Practica electronistului amator, Bucureti, Ed Albatros,1984.
9. R. W. J. Barker: Electronica Aplicat- ntrebri i rspunsuri, Bucureti, Ed.
Tehnic, 1976.
10. Brbat, I Presur, T. Tnsescu: Amplificatoare de audiofrecven, Bucureti, Ed.
Tehnic, 1972.
11. D. Dasclu i alii: Dispozitive i circuite electronice Probleme, Bucureti, Ed.
Didactic i Pedagogic, 1982.
12. V. Croitoru i alii: Electronic Culegere de probleme, Bucureti, Ed. Didactic
i Pedagogic, 1982.
13. Constantin i alii: Aplicaii i probleme de radio i televiziune, Bucureti, Ed.
14. A.Trifu: Electronic digital, Ed. Economic, 2001
15. T. Murean i alii: Circuite integrate numerice Aplicaii i proiectare, Ed. De
Vest, 2000
16. G. tefan, V. Bistriceanu: Circuite integrate digitale proiectare, probleme, Ed.
17. I. Spnulescu, S. Spnulescu: Circuite integrate digitale i sisteme cu
microprocesoare, Ed. Victor, 1996
18. www.williamson-labs.com
19. www.circuit-fantasia.com
20. www.bbc.co.uk/scotland/education/bitesize/higher/physics/elect/analogue_rev.shtml
21. Filipovic D. Miomir: Understanding Electronics Components,
www.mikroe.com/en/books/keu/00.htm
22. www.da4design.com/electronica.htm
23. www.cadsoft.de/
24. www.dforum.ro/electronica-f46.html
25. http://www.scheme-electronice.go.ro/
26. http://www.electronics-lab.com/downloads/schematic/002/index.html
Profilul TEHNIC
Nivelul 3
140

Limbă

Analiza Circuitelor Electronice

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Analiza Circuitelor Electronice

Titlu original:

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

MINISTERUL EDUCAIEI CERCETRII I TINERETULUI

Proiectul Phare TVET RO 2005/017-553.04.01.02.04.01.03

POPESCU ANGELA, EXPERT CURRICULUM

COORDONATOR: CIOBANU MARIANA VIOLETA

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

Prezentul Auxiliar didactic nu acoper toate cerinele cuprinse n Standardele de

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

2. C ompetene relevante pentru modul

Caracteristicile statice ale componentelor

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

Pori logice elementare (NU, SAU, I-NU, SAUNU, SAU EXCLUSIV).

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

Demonstreaz abiliti de utilizare a formulelor

Corelarea competenelor cu criteriile de performan din SPP:

Utilizeaz metodele de analiz ale circuitelor cu componente

cu diode semiconductoare, amplificatoare cu unul sau dou

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

Utilizeaz noiunile i conceptele algebrei logice pentru

Utilizeaz circuite integrate analogice.

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

Utilizeaz reacia n circuite electronice.

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

Lucrare practic de laborator

Activitatea se va desfura n laboratorul de electronic.

Caracteristica static a diodei semiconductoare

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

2. Reprezentai, pe caracteristic, parametrii electrici ai diodei:

Utilizarea glosarului: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

3.2 Activitatea de nvare 2

Simulare cu ajutorul calculatorului

Activitatea se va desfura n laboratorul de electronic sau de

Caracteristica static a diodei semiconductoare

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

2. Reglai tensiunea furnizat de sursa de alimentare, astfel nct voltmetrul s indice

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

Reglai tensiunea furnizat de sursa de alimentare, astfel nct voltmetrul s indice

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

d. ntocmii un referat cu tema Caracteristica static a diodei semiconductoare

Utilizarea glosarului: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot

3.3 Activitatea de nvare 3

Activitatea se va desfura n laboratorul de electronic sau n sala de clas.

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

1. Reprezentai, pe fia de lucru, circuitele folosind circuitul echivalent al diodei

Utilizarea glosarului: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot

3.4 Activitatea de nvare 4

Activitatea se va desfura n laboratorul de electronic sau n sala de

Timp de lucru: 60 minute.

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

UD0 UDMUD (V)

b. Alege varianta corect:

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

Caracteristica static a diodei este prezentat n figura

Utilizarea glosarului: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot

3.5 Activitatea de nvare 5

Lucrare practic de laborator

Activitatea se va desfura n laboratorul de electronic.