nvmntul profesional i tehnic n domeniul TIC

Proiect cofinanat din Fondul Social European n cadrul POS DRU 2007-2013
Beneficiar-Centrul Naional de Dezvoltare a nvmntului Profesional i Tehnic
Str.Spiru Haret nr.10-12, sector 1, Bucureti-010176, tel 021-3111162, fax. 021- 3125498, vet@tvet.ro

Dispozitive electronice

Material de predare partea I

Domeniul: Electronic i Automatizri

Calificarea: Electronist reele de Telecomunicaii
Nivel 2

2009

AUTOR:
AURELIA PITIC profesor grad didactic I Grup colar de Pot i TelecomunicaiiTimioara

COORDONATOR:
REMUS CAZACU - profesor grad didactic I colegiul Tehnic de Telecomunicaii Nicolae
Vasilescu Karpen-Bacu

CONSULTAN:
IOANA CRSTEA expert CNDIPT
ZOICA VLDU expert CNDIPT
ANGELA POPESCU expert CNDIPT
DANA STROIE expert CNDIPT

Acest material a fost elaborate n cadrul proiectului nvmntul profesional i tehnic n domeniul TIC,
proiect cofinanat din Fondul Social European n cadrul POS DRU 2007-2013

Cuprins
II.Documente necesare pentru activitatea de predare.......................6
III.Resurse..........................................................................................7
Tema 1. Tranzistoare bipolare.....................................................................7
Fia suport 1.1. Structura i simbolul tranzistorului bipolar............................................7
Fia suport 1.2. Funcionarea tranzistorului bipolar.......................................................11
Fia suport 1.3. Parametrii tranzistoarelor bipolare.......................................................14
Fia suport 1.4. Modurile de conexiune ale tranzistoarelor bipolare.............................17
Fia suport 1.5. Regimurile de funcionare ale tranzistoarelor bipolare........................20
Fia suport 1.6. Circuite de polarizare ale tranzistorului...............................................22
Fia suport 1.7. Caracteristicile statice ale tranzistoarelor bipolare.............................27
Fia suport 1.8. Caracteristicile statice ale tranzistorului n conexiune emitor comun..29
Fia suport 1.9. Caracteristicile statice ale tranzistorului n conexiune baz comun. 33
Fia suport 1.10. Punctul static de funcionare al tranzistorului bipolar........................37
Fia suport 1. 11. Dreapta de sarcin static................................................................40
Fisa suport 1.12 Testarea tranzistoarelor bipolare cu aparate de msur....................43

Tema 2: Tiristorul.......................................................................................45
Fisa suport 2.1. Structura i funcionarea tiristorului.....................................................45
Fia suport 2.2 Caracteristica static a tiristorului........................................................49
Fia suport 2.3. Parametrii tiristorului............................................................................52

IV. Fia rezumat...............................................................................54

V. Bibliografie...................................................................................56

I.Introducere
Materialul de predare este resurs-suport pentru activitatea de predare, conine
instrumente auxiliare care includ un mesaj/ o informaie didactic i care pot fi utilizate in
contexte diferite.
Prezentul material de predare se adreseaz cadrelor didactice care predau la clasele din
domeniul Electronic i automatizri, calificarea: Electronist reele de Telecomunicaii, nivel
de calificare 2. Acesta a fost ntocmit pentru modulul Dispozitive electronice i acoper
dou teme din coninutul modulului. ntreg modulul este dezvoltat pe 116 ore din care 29
ore laborator tehnologic i 58 ore instruire practic
Tema
1
Tema1.

Competene/
rezultate ale nvrii
2
C1.Identific

Tranzistoare dispozitivele
bipolare

Fie suport
3
Fia 1.1. Structura i simbolul tranzistorului bipolar
Fia 1.2. Funcionarea tranzistorului bipolar

electronice discrete
C2.Selecteaz dispo-

Fia 1.3. Parametrii tranzistorului bipolar

zitivele electronice
discrete
C3. Determin
funcionalitatea

Fia 1.4. Modurile de conexiune ale tranzistorului

dispozitivelor

bipolar
Fia 1.5. Regimurile de funcionare ale tranzis-

electronice discrete

torului bipolar

C4. Verific

Fia 1.6. Circuite de polarizare ale tranzistorului

funcionalitatea

bipolar
Fia 1.7. Caracteristicile statice ale tranzistorului

dispozitivelor
electronice discrete

bipolar
Fia 1.8. Caracteristicile statice ale tranzistorului n
conexiunea emitor comun
Fia 1.9. Caracteristicile statice ale tranzistorului n

C3. Determin funcionalitatea dispozitivelor

conexiunile baz comun

Fia 1.10. Punctul static de funcionare al
tranzistorului

electronice discrete

Fia 1.11. Dreapta de sarcin static

C4. Verific funcionalitatea dispozitivelor

electronice discrete
C4. Verific funcio-

Fia 1.12. Testarea tranzistoarelor bipolare cu

nalitatea dispozitivelor

aparate de msura

electronice discrete
Tema 2
Tiristorul

C1. Identific

Fia 2.1. Structura intern i funcionarea

dispozitivele

tiristorului

electronice discrete
C3. Determin
funcionalitatea
dispozitivelor
electronice discrete
C2. Selecteaz

Fia 2.3. Parametrii tiristorului

dispozitivele
electronice discrete
C4. Verific

Fia 2.2. Caracteristica static a tiristorului

funcionalitatea
dispozitivelor electronice discrete

II.Documente necesare pentru activitatea de predare

Pentru predarea la clas a coninuturilor abordate n materialul de predare, cadrul didactic
are obligaia de a studia urmtoarele documente:
Standardul de Pregtire Profesional pentru calificarea Electronist reele de telecomunicaii
nivel 2 www.tvet.ro , seciunea SPP sau www.edu.ro seciunea nvmnt preuniversitar.
Curriculum pentru calificarea Electronist reele de Telecomunicaii; nivel 2- www.tvet.ro
seciunea Curriculum sau www.edu.ro seciunea nvmnt preuniversitar.
SPP este un document structurat pe uniti de competene care descrie n termeni de
rezultate ale nvrii ceea ce un participant la un program de pregtire trebuie s
demonstreze la nivelul acestuia.
Curriculum const n proiectarea parcursului de educaie i formare profesional pe baza
unitilor de competene precizate n SPP.

III.Resurse
Tema 1. Tranzistoare bipolare
Fia suport 1.1. Structura i simbolul tranzistorului bipolar
Competena C1.Identific dispozitivele electronice discrete

Tranzistorul bipolar este un dispozitiv implantat ntr-un monocristal de material

semiconductor (Ge sau Si) n care se creeaz prin impurificare trei regiuni alternativ
dopate, desprite prin suprafee de separaie.
Regiunile de la extremiti au acelai tip de conductibilitate (de tip p sau de tip n ) i se
numesc EMITOR (E) i COLECTOR (C). Regiunea central are conductibilitate opus i
se numete BAZ (B).

n jurul suprafeelor de separaie se formeaz dou jonciuni:

- jonciunea emitor-baz EB
- jonciunea colector-baz CB
C

B
E

E
Fig. 1.2 Simbolul tranzistorului pnp i npn

n
C

B
Fig. 1.1 Tranzistor tip pnp i npn

Se observ c sgeata marcheaz ntotdeauna emitorul i indic sensul curentului prin

tranzistor.
Gradul de dopare al regiunilor se refer la procentajul alocat purttorilor majoritari n raport
cu purttorii minoritari.
Din analiza comparativ a dimensiunilor i a gradului de dopare a regiunilor tranzistorului,
rezult urmtoarele concluzii:
Emitorul este de dimensiune relativ mare i este puternic dopat
Baza este foarte subire ( 1m , ceea ce reprezint 1% din suprafaa emitorului) i
este slab dopat
Colectorul are dimensiunea cea mai mare i este dopat moderat

Din cauza deosebirilor structurale, emitorul i colectorul nu i pot inversa rolurile dei
au acelai tip de conductibilitate.
Pentru a-l feri de ageni externi, monocristalul n care s-a implantat tranzistorul va fi
introdus ntr-o capsul ermetic, terminalele E,B,C fiind accesibile prin electrozi sudai pe
regiunea respectiv.
Aspectul fizic al tranzistoarelor i marcajul nscris pe capsul va fi analizat pentru diferite
tipuri de tranzistoare, clasificate n funcie de materialul semiconductor, puterea maxim
disipat sau factorul de amplificare.

Elevii vor fi capabili, la finalizarea activitilor propuse de cadrul didactic, s:

- explice deosebirile structurale ntre tranzistoarele pnp i npn
- identifice simbolurile tranzistoarelor pnp i npn
- numeasc cele trei regiuni ale tranzistorului
- stabileasc gradul de dopare al regiunilor
-identifice capsula tranzistorului bipolar
- identifice configuraia terminalelor tranzistorului

Fig. 1.3. Tranzistoare ncapsulate

Sugestii metodologice
Pentru a fixa cunotinele noi n ce privete structura, elevii pot rezolva probleme cu teme
ca gradul de dopare i identificarea regiunilor tranzistorului.
Identificarea tranzistoarelor dup aspect fizic i marcaj poate fi dezvoltat pe parcursul
orelor de instruire practic ale modulului.
10

CU CE ?
CUM ?

Dispozitive electronice discrete

Fie de lucru

Metode de nvmnt: - expunerea

- explicaia
- problematizarea

- Demonstraia prin efectuarea operaiei de identificare a unui

tranzistor de ctre cadrul didactic.
- Observaia dirijat urmrete identificarea capsulelor i
terminalelor tranzistorului de ctre elevi.
- Exerciiu repetarea operaiunilor de identificare pentru diversele
capsule de ctre elevi.
- organizarea clasei - frontal/ pe grupe
UNDE ?

- Laboratorul de electronic

PENTRU CE?

- Metode de evaluare conversaie dirijat

-

prob practic identificare tranzistoare

test
Mijloace de evaluare fie de lucru

chestionare

Tema 1. Tranzistoare bipolare

Fia suport 1.2. Funcionarea tranzistorului bipolar.
Competena C1. Identific dispozitivele electronice discrete.
Se analizeaz funcionarea tranzistorului n situaia n care jonciunea emitor-baz EB este
direct polarizat, iar jonciunea colector-baz CB invers polarizat.
n figura de mai jos este ndeplinit aceast condiie pentru tranzistorul de tip pnp.

11

Fig 1.4 Reprezentarea curenilor tranzistorului pnp

Emitorul de tip p puternic dopat are un numr foarte mare de sarcini pozitive majoritare,
care se deplaseaz n baz datorit polarizrii directe a jonciunii emitor-baz; n acest fel
apare un curent de difuzie mare dinspre emitor spre baz notat cu

Baza este foarte ngust i slab dopat i ca urmare are un numr mai mic de purttori,
respectiv un numr mic de sarcini negative disponibile pentru recombinarea cu numrul
mare de sarcini pozitive venite din emitor. Sarcinile relativ puine care s-au recombinat
prsesc baza prin terminalul B formnd curentul de baz

de valoare mic.

Majoritatea sarcinilor pozitive care circul dinspre emitor ctre baz nu se recombin i
sunt atrai prin jonciunea BC invers polarizat, de tensiunea de alimentare a colectorului.
Astfel se formeaz curentul de colector

. Curenii

sunt formai de purttori de

sarcin minoritari din fiecare jonciune i au valoare foarte mic, deci

0.

Relaia ntre curenii tranzistorului este exprimat prin Ecuaia I a fundamental a

tranzistorului.

12

(1)

Cea mai mare parte a purttorilor de sarcin din emitor ajung in colector, de aceea curentul
de colector are valoare mult mai mare dect curentul din baz ceea ce este exprimat prin
Ecuaia a II-a a tranzistorului.
=*

(2)

Cu = ( 0.95 0.998 )
Din ( 1 ) i ( 2 ) rezult

=*

i cu =

Toate ecuaiile sunt valabile pentru tranzistoarele pnp i npn

Dei jonciunea colector-baz este invers polarizat favorizeaz trecerea unui curent
de valoare mare, acest fenomen fiind denumit Efect de tranzistor

Prin limea i doparea bazei este controlat valoarea curenilor

Acest aspect

este exprimat prin valorile coeficienilor i .

Elevii vor fi capabili, la finalizarea activitilor propuse de cadrul didactic, s:

- descrie modul de polarizare al jonciunilor tranzistorului
- explice principiul de funcionare al tranzistorului
- enune formulele ce stabilesc relaii ntre curenii tranzistorului

Sugestii metodologice
Explicaiile privind funcionarea pot fi reluate pentru tranzistorul de tip npn
13

Pe simbolurile tranzistoarelor de tip pnp i npn pot fi marcate sensurile curenilor

Relaiile de calcul ntre curenii tranzistorului pot fi utilizate n aplicaii numerice
CU CE ?

Folii transparente

Fi de lucru

Prezentare multimedia
- Expunerea

CUM ?

Metode de nvmnt

- Explicaia
- Problematizarea

UNDE ?

Organizarea clasei: frontal pe grupe

Sal de clas

Laborator tehnologic

PENTRU CE?

- Metode de evaluare conversaie dirijat

-

test

teme n clas/pentru acas

Mijloace de evaluare fie de lucru

-

chestionare

referate privind funcionarea tranzistoru-lui de tip npn

Tema 1. Tranzistoare bipolare

Fia suport 1.3. Parametrii tranzistoarelor bipolare
Competena C2.Selecteaz dispozitivele electronice discrete.
14

Parametrii tranzistoarelor bipolare sunt mrimi care definesc condiiile de funcionare a

tranzistorului i stabilesc limitele n care acesta poate s funcioneze fr a se deteriora.
a) Factorul de amplificare al tranzistorului

Raportul dintre curentul continuu din colector Ic i curentul continuu din baz I B
este factorul de amplificare n curent din baz n colector.

=I C/IB

(1)

In fapt, este ctigul in c.c al tranzistorului i indic de cte ori este mai mare curentul
de colector IC fa de curentul de baz IB.
este o mrime static de c.c, iar valoarea acesteia pentru un tranzistor anume este
precizat n cataloagele de componente, fiind stabilit de productor (ntre 10 i 1000)

Raportul dintre curentul din colector

Ic i curentul continuu din emitor I E se

numete factor de amplificare in curentul din emitor in colector.

=IC/IE

(2)

De regul, are valori ntre 0,95 si 0,99 deci ntotdeauna este subunitar pentru c I C
este puin mai mic dect I E. Valoarea parametrului pentru un tranzistor anume este
dat n cataloagele de componente.

Valorile precizate n catalogul de componente pentru parametrii i pentru un

tranzistor, se consider c nu se vor modifica pe durata utilizrii acestuia.

Relaia matematic dintre si este:

= /1-

(3)

sau

= /1+ (4)

Cu ct este mai aproape de 1. cu att are valoare mai mare.

b) Valori limit ale parametrilor funcionali ai tranzistorului
Depirea valorilor limit ale unor parametri poate provoca distrugerea tranzistorului,
acestea fiind:
- temperatura maxim a jonciunilor T0C
15

- puterea disipat maxim PDmax

- curentul de colector maxim ICmax
- tensiunea maxima UBemax , UCEmax
Temperatura maxim a jonciunilor este, pentru tranzistoarele de Ge de 85 C, iar
pentru tranzistoarele cu Si ntre 175-200 C
Nu se refer la temperatura mediului ambiant.
Puterea disipat maxim este determinat de condiia ca temperatura jonciunii
colector-baz s nu depaeasc temperatura maxim admis. De aceea se utilizeaz
radiatoare metalice montate pe colector pentru a mri suprafaa de radiaie a cldurii.
Curentul de colector maxim este valoarea maxim pe care o poate avea curentul de
colector fr a distruge tranzistorul prin efect termic.
Tensiunea maxim

este valoarea limit pe care o poate avea tensiunea colector-

emitor, UCEmax, pentru care tranzistorul nu este distrus, respectiv valoarea maxim a
tensiunii emitor baz UBEmax pentru care tranzistorul nu este distrus.
Valorile numerice ale parametrilor sunt precizate n cataloagele de componente
electronice pentru fiecare tranzistor.
Parametrii nu vor atinge simultan valorile limit deci este necesar s ne asigurm
c puterea disipat de tranzistor PD=IC*UCE este mai mic dect PDmax.
c) Dependena cu temperatura a parametrilor tranzistorului
Valoarea curentului rezidual colector-baz I cb0 se dubleaz la fiecare cretere a
temperaturii cu 9 C pentru tranzistoarele de Ge, respective la creterea cu 6 C pentru
tranzistoarele cu Si. Aceast mrire a curentului rezidual are drept consecin creterea
semnificativ a curentului de colector care poate depi curentul maxim ceea ce are
drept consecin distrugerea tranzistorului. De aceea n circuitul de polarizare a
tranzistorului se introduc elemente de circuit care s asigure stabilizarea termic a
curenilor tranzistorului astfel nct creterea temperaturii s nu influeneze regimul de
funcionare al tranzistorului.

Elevii vor fi capabili, la finalizarea activitilor propuse de cadrul didactic, s:

- defineasc factorii de amplificare n curent continuu i
16

- enune relaiile matematice dintre i

- enumere valorile limit ale parametrilor tranzistorului
- utilizeze concret valorile limit enumerate
- interpreteze o foaie de catalog pentru tranzistoare
Sugestii metodologice
Dup expunerea noiunilor teoretice pe parcursul a dou ore de predare este indicat ca activitatea s

se finalizeze prin lucrare de laborator n care s fie studiat o foaie de catalog pentru tranzistor unde s

fie identificate valorile numerice ale parametrilor i s fie selectate tranzistoarele n funcie de acestea.
CU CE ? cataloage de componente
- fie de lucru
- dispozitive electronice
CUM ?

- metode de nvmnt

expunerea

demonstraia

observaia dirijat

problematizarea

comparaia

- organizarea clasei frontal/pe grupe

UNDE ? laborator electronic
PENTRU CE?

- Metode de evaluare conversaie dirijat

-

prob practic de selectare tranzistoare

observare

Mijloace de evaluare fie de lucru

- fi tehnologic a tranzistorului

Tema 1. Tranzistoare bipolare

Fia suport 1.4. Modurile de conexiune ale tranzistoarelor bipolare
Competena C3. Verific funcionalitatea dispozitivelor electronice discrete .
Tranzistorul dispune de trei terminale care pot fi conectate n 3 moduri:

17

- modul de conexiune emitor comun, n care emitorul este conectat la mas; emitorul i
baza sunt borne de intrare iar la emitor i colector sunt borne de ieire.

Fig 1.5 Conexiunea emitor comun

- modul de conexiune baz comun, n care baza este conectat la mas; baza si
emitorul sunt borne de intrare iar baza i colectorul sunt borne de ieire.

Fig 1.6 Conexiunea baz comun

- modul de conexiune colector comun, n care colectorul este conectat la mas;
colectorul i baza sunt borne de intrare iar colectorul i emitorul sunt borne de ieire.

Fig 1.7 Conexiunea colector comun

18

Fiecare mod de conexiune este caracterizat de mrimile electrice de intrare i de ieire

respectiv
- curentul de intrare I in ; tensiunea de intrare U in
- curentul de ieire I ies ; tensiunea de ieire U ies

Schema electric a modurilor de conexiune este identic pentru ambele tipuri de

tranzistoare pnp i npn.

Se vor determina mrimile de intrare si ieire pentru fiecare mod de conexiune.

Se va calcula raportul I ies / I in n funcie de parametrii i pentru fiecare mod de
conexiune conform relaiilor din fia suport 1.2.
Se va aprecia n care mod de conexiune tranzistorul realizeaz funcia de amplificare a
curentului.

Elevii vor fi capabili la finalizarea activitilor propuse de cadrul didactic s:

-

identifice modul de conexiune al tranzistorului

dup schema electric

precizeze mrimile electrice de intrare i

ieire ale conexiunii

identifice modurile de conexiune n care

tranzistorul funcioneaz ca amplificator

19

Sugestii metodologice.

Ulterior expunerii noiunilor se vor reprezenta mpreun cu elevii schemele electrice corespunz

modurilor de conexiune pentru tranzistoarele complementare pnp apoi se vor indentifica mrimile ele

de intrare/ ieire pentru fiecare mod de conexiune n parte. Activitatea poate s se desfoare pe gru
elevi sau frontal.
CU CE ?

- folii transparente

- prezentare multimedia
- fi de lucru
CUM ?

- metode de nvmnt: - expunere

- explicaie
- exemplificare
- demonstraie
- observaia dirijat
- organizarea clasei pe grupe / frontal

UNDE ?

- laboratorul tehnologic.

PENTRU CE?

- Metode de evaluare conversaie dirijat

-

observare

teste

teme n clas/pentru acas

Mijloace de evaluare fie de lucru

-

Tema 1. Tranzistoare bipolare

20

chestionare

Fia suport 1.5. Regimurile de funcionare ale tranzistoarelor bipolare.

Competena C3. Determin funcionalitatea dispozitivelor electronice discrete
Dup felul n care sunt polarizate cele dou jonciuni, tranzistorul funcioneaz n unul din
urmtoarele regimuri funcionare:
a) regimul activ normal dac: - jonciunea emitor- baz este direct polarizat
- jonciunea collector- baz este invers polarizat
b) regimul de saturaie dac: - jonciunea emitor- baz este direct polarizat
- jonciunea colector- baz este direct polarizat
c) regimul de blocare sau de tiere dac: - jonciunea emitor- baz este invers polarizat
- jonciunea colector- baz este direct polarizat
d) regimul activ invers dac: - jonciunea emitor- baz este invers polarizat
- jonciunea collector- baz este direct polarizat
Regimul activ normal se bazeaz pe existena efectului de tranzistor, iar dispozitivul
funcioneaz practic n regim de amplificare. Sunt valabile relaiile ntre curenii
tranzistorului stabilite prin ecuaiile fundamentale ale acestuia. Factorul de amplificare n
curent are valoare de catalog cnd tranzistorul funcioneaz n acest regim
Regimul de saturaie. Tensiunea de colector - emitor U CE are valoare foarte mic, de
aproximativ 0,2- 0,3 V, deoarece este determinat ca diferena tensiunilor U CB si U EB care
au valori apropiate datorit polarizrii directe ambelor jonciuni. Ca urmare, rezistena de
ieire a tranzistorului este foarte mic.
Regimul de blocare. Prin ambele jonciuni invers polarizate trec doar curentii reziduali de
valoare foarte mic, rezistena echivalent a tranzistorului este deci foarte mare.
Tranzistorul n acest regim ntrerupe curentul.
Stabilirea regimului de funcionare va fi realizat n urmtoarele etape:
-

se va considera simbolul tranzistorului

pnp

tranzistorul va fi polarizat pe simbol astfel

nct s funcioneze n regim normal activ

se va proceda similar pentru regimul de

saturaie respectiv de blocare

21

problema va fi reluat pentru tranzistorul

npn
Regimul activ invers. n aceast situaie, emitorul are rolul colectorului iar colectorul pe

cel al emitorului. Din cauza deosebirilor tehnologice (suprafa, grad de dopare) al celor
dou regiuni, factorul de amplificare n curent al tranzistorului este mult mai mic dect n
regim normal.
Se va consulta Fia 1.1 i Fia 1.2

- Elevii vor fi capabili, la finalizarea activitilor propuse de cadrul didactic, s:

identifice

regimul

de

funcionare

al

tranzistorului n funcie de polarizarea jonciunilor

-

descrie starea tranzistorului aflat ntr-un

anumit regim de funcionare identificat

reprezinte simbolul tranzistorului polarizat

pentru fiecare regim de funcionare

Sugestii metodologice.
Activitile descrise n fia suport pot s se desfoare i pe grupe, eventual ntr-o or de
laborator a modulului. La polarizarea jonciunii tranzistorului pot fi date exemple numerice
pentru tensiunile de polarizare
CU CE ? - folii transparente
- fie de lucru
CUM ?

- metode de nvmnt: - expunere

- demonstraie
- observaia dirijat
- problematizarea
- organizarea clasei frontal / pe grupe.

UNDE ? - sal de clas

- laboratorul tehnologic.
PENTRU CE?

- Metode de evaluare conversaie dirijat

-

teste

- Mijloace de evaluare fie de lucru, chestionare

22

Tema 1: Tranzistoare bipolare

Fia suport 1.6. Circuite de polarizare ale tranzistorului
Competena: C4. Verific funcionalitatea dispozitivelor electronice discrete
Circuitul de polarizare are rolul de a fixa valorile curenilor i tensiunilor
corespunztoare tranzistorului n regimul de c.c. , fiind format din rezistoare i surse de
alimentare.
Astfel, sunt polarizate jonciunile tranzistorului i este stabilit regimul de funcionare al
acestuia.
a) Rezistena din colector

Fig 1.8. Modul de conectare al rezistenei din colector R C

Tensiunile de alimentare de valoare constanta EB si EC polarizeaz

jonciunea EB i

indirect jonciunea CB. Pentru tranzistorul n conexiune emitor comun, ieirea se afl n
colector iar potenialul colectorului n raport cu masa este:
UC = EC IC RC
Prezena rezistenei RC n colectorul tranzistorului permite reglarea valorii U C , care altfel ar
fi constant i egal cu tensiunea de alimentare E C.

23

n situaia in care se va conecta un semnal alternativ la intrarea circuitului, rezistena de

colector RC va avea si rol de rezisten, de sarcin, care va prelua variaiile semnalului
alternativ format la ieirea circuitului: uS = iC RC
Valoarea uS este direct proporional cu a rezistenei RC, de aceea este indicat ca aceasta
sa fie mare.
Ins consumul de energie de la sursa de alimentare EC depinde i de valoarea rezistenei
RC direct proporional deoarece puterea disipat la ieire este :
PD = IC2 RC
Pentru a limita consumul n c.c. este necesar ca valoarea rezistenei RC s fie mic.
Aceste dou considerente vor influena alegerea valorii rezistenei din colectorul
tranzistorului.
b) Rezistena din emitor

Fig 1.9. Modul de conectare al rezistenei din emitor R E

La variaiile temperaturii mediului ambiant se consemneaz o variaie semnificativ a
curentului de colector, acesta depind valoarea maxim admis i provocnd distrugerea
tranzistorului.
Se va consulta fia 1.3
Rezistena RE introdus ntre emitor i mas are rolul de a stabiliza valoarea curentului prin
tranzistor la variaii ale temperaturii.
Interdependena curenilor tranzistorului IE, IB, IC este exprimat de ecuaiile fundamentale
ale tranzistorului i justific afirmaia ca variaia unui curent va provoca variaii ale celorlali
doi, respectiv stabilizarea termic a unui curent este echivalent cu stabilizarea termic a
celor trei cureni amintii.
24

Se va consulta fia 1.2

n acest circuit, potenialul bazei n raport cu masa este constant i egal cu tensiunea de
alimentare EB .
EB=UBE + IE RE = constant
O eventual cretere, a temperaturii va avea ca efect o tendin de cretere a curentului IE
ceea ce va determina scderea tensiunii UBE, conform ecuaiei prezentate.
Din analiza caracteristicilor de intrare ale conexiunii emitor comun (Fisa 1.8) rezult c o
scdere a UBE implic o scdere a curentului IB, deci i o scdere a curentului IC= IB i a
curentului IE= IB + IC
Scderea valorii curentului IE compenseaz tendina iniial de cretere a aceluiai curent,
astfel ca valorile curenilor prin tranzistor nu vor fi afectate de variaiile temperaturii i
aceasta datorit potenialului constant al bazei n raport cu masa i rezistenei din emitor.
Valoarea acestei rezistene, RE , va fi stabilit astfel nct s fac posibil stabilizarea
termic a curenilor.
Daca, ns, la utilizarea circuitului n regim de curent alternativ ar fi benefica micorarea
valorii rezistenei RE , se va aplica o soluie de compromis: conectarea unui condensator n
paralel cu rezistena RE.

Fig 1.10 Conectarea condensatorului CE

Astfel n regim de c.c. condensatorul CE nu are nici o funcie i valoarea rezistenei RE nu
este afectat de prezena CE dar n regim de c.a. ntre emitor i mas este conectat o
impedan echivalent ZE = RE ll CE de valoare foarte mic, astfel nct emitorul poate fi
considerat a fi legat direct la mas.
De aceea, CE se numete condensator de decuplare a rezistenei RE n c.a.

25

c) Rezistenele de polarizare a bazei

Pentru polarizarea n c.c. a celor dou jonciuni ale tranzistorului sunt necesare dou surse
de tensiune.
Se va consulta fia 1.5
n practic se va utiliza o singur surs de alimentare mpreun cu rezistoare care s
realizeze indirect polarizarea jonciunilor tranzistorului.

Fig 1.11 Modul de conectare al rezistenei de polarizare a bazei R B

Din relaia EC = IB RB + UBE + IE RE rezult c potenialul bazei n raport cu masa nu este
constant iar aceast condiie trebuie ndeplinit pentru ca rezistena RE s realizeze
stabilizarea termic a curenilor tranzistorului.
De aceea, n practic este preferat circuitul cu tensiune de baz constant din figura de
mai jos.

Fig 1.12 Circuit de polarizare cu divizor de tensiune n baz

Rezistenele de polarizare a bazei au rolul de a nlocui a doua surs de alimentare ce ar fi
necesar pentru polarizarea celor dou jonciuni ale tranzistorului.
26

Elevii vor fi capabili, la finalizarea activitilor propuse de cadrul didactic, s:

-

enune rolul rezistenelor din circuitul de

polarizare
-

identifice rezistena de polarizare n schema

electric a circuitului de polarizare

-

defineasc rolul fiecrei rezistene conectate

n terminalele tranzistorului

Sugestii metodologice
-materialul din aceast fi poate fi prezentat clasei pe parcursul a 3-4 ore de predare

-pentru fiecare situaie, elevii ar putea rezolva exemple de calcul numerice utiliznd formulele de calcu
potenialelor relevante pentru circuitul de polarizare n raport cu masa circuitului.
CU CE? -fie de lucru
-folii transparente
CUM?

-metode de nvare-explicaie
-problematizare
-organizarea clasei-frontal/pe grupe

UNDE? -sala de clas/laborator de electronic

PENTRU CE?

- Metode de evaluare conversaie dirijat

- teste
-

teme

- Mijloace de evaluare fie de lucru

-

27

chestionare

Tema 1. Tranzistoare bipolare

Fia suport 1.7. Caracteristicile statice ale tranzistoarelor bipolare
Competena C4. Verific funcionalitatea dispozitivelor electronice discrete
Prin interpretarea caracteristicilor de intrare se vor obine informaii privind modul de
conexiune i regimul de funcionare ale tranzistorului.

a) Caracteristicile de ieire sunt reprezentarea grafic a variaiei curentului de ieire

n funcie de tensiunea de ieire pentru valori date ale curentului / tensiunii de intrare.
I ies f (U iesire ) pentru I int = constant

b) Caracteristicile de intrare

sau

I iesire f (U iesire ) pentru U int = constant

sunt reprezentarea grafic a variaiei curentului de

intrare n funcie de tensiunea de intrare pentru valori date ale tensiunii de ieire a
tranzistorului.
I int f (U int ) pentru U int = constant

c) Caracteristicile de transfer sunt reprezentarea grafic a variaiei curentului de

ieire n funcie de tensiunea / curentul de intrare pentru valori date ale tensiunii de ieire a
tranzistorului.
I iesire f (U int ) pentru U iesire = constant

sau

I iesire f ( I int ) pentru U iesire = constant

Corelaia ntre curenii / tensiunile de intrare / ieire care definesc tranzistorul bipolar
i mrimile I C , I E , I B ,U BE ,U BC ,U CE se va face n funcie de modul de conexiune al
tranzistorului astfel c se vor enuna expresiile matematice ale celor trei categorii de
caracteristici pentru fiecare mod de conexiune n parte

Se va consulta Fia 1.4.

28

Elevii vor fi capabili, la finalizarea activitilor propuse de cadrul didactic, s:

- defineasc fiecare familie de caracteristici
- identifice familia de caracteristici a tranzistorului n funcie de expresia
matematic
- enune expresia matematic a familiei de caracteristici pentru un mod de
conexiune al tranzistorului.
Sugestii metodologice.

- se vor scrie expresiile caracteristicilor de intrare / ieire / transfer pentru fiecare mod de conexiu
tranzistorului
CU CE ? - folii transparente
- fie de lucru
CUM ?

- metode de nvmnt: - expunere

- demonstraie
- observaia dirijat
- organizarea clasei

- pe grupe / frontal

UNDE ? - sala de clas

- laboratorul tehnologic
PENTRU CE?

- Metode de evaluare conversaie dirijat

-

teste

teme n clas/pentru acas

Mijloace de evaluare fie de lucru

-

Tema 1. Tranzistoare bipolare

29

chestionare

Fia suport 1.8. Caracteristicile statice ale tranzistorului n conexiune emitor

comun.
Competena C4. Verific funcionalitatea dispozitivelor electronice discrete.

Se va consulta Fia 1.4 i Fia 1.7

Caracteristicile vor fi reprezentante grafic pentru un tranzistor de tip npn.

a) Caracteristicile de intrare ale tranzistorului in conexiunea emitor comun.
IB=f(UBE) pentru UCE=constant

Fig 1.13 Caracteristici intrare emitor comun

Pn cnd tensiunea UBE atinge valoarea de prag V p, (Vp0,2 pentru Ge/0,7 pentru Si),
jonciunea BE este parcurs de curentul rezidual I r, invers ( Fia 1.2), apoi curentul I B
crete exponenial cu creterea tensiuni U BE.
Se obine o familie de caracteristici, pentru diferite valori ale tensiunii U CE, constant pe
durata ridicrii unei caracteristici.
Se observ c valoarea tensiunii UCE influeneaz valoarea curentului I B si forma
caracteristicii.

30

b) Caracteristicile de ieire ale tranzistorului in conexiunea emitor comun.

IC=f(UCE) pentru IB=constant sau IC=f(UCE) pentru UBE=constant

Fig 1.14 Caracteristici ieire emitor comun

Pentru valori ale mrimii IB/UBE foarte mici, tranzistorului funcioneaz in regim de blocare.
Pentru valori ale tensiunii UCE foarte mici, tranzistorul se afl in regim de saturaie.
(UCE=0,20,3V)
n zona central a caracteristicilor tranzistorul funcioneaz n regim normal care
corespunde unui regim de amplificare i unde se verific relaia I C=IB, deci IC rmne
constant pentru o valoare dat a IB.

Se vor consulta Fia 1.2 i Fia 1.5

c) Caracteristicile de transfer ale tranzistorului n conexiunea emitor comun.
Ic=f(IB) pentru UCE=constant sau IC=f(UBE) pentru UCE=constant
Dependena dintre iC i iB este aproximativ liniar ceea ce confirma relaia I C=IB. Mrimea
ICE0 este curentul rezidual colector - emitor.

31

Fig. 1.15 Caracteristici transfer emitor comun

Fig. 1.16 Schem de msurare a caracteristicilor conexiunii emitor comun

Elevii vor fi capabili, la finalizarea activitilor propuse de cadrul didactic, s:

- descrie modul de obinere a graficului caracteristicii unui tranzistor polarizat
-

interpreteze graficele aferente caracteristicilor

conexiunii emitor comun

identifice

zonele

caracteristicii

corespunztoare diferitelor regimuri de funcionare

-

realizeze practic schemele de msurare a

caracteristicilor tranzistorului n conexiunea emitor comun

reprezinte grafic caracteristicile pe baza

msurrilor electrice efectuate

simuleze pe calculator msurarea tensiunilor

i curenilor n vederea reprezentrii grafice a caracteristicilor
32

Sugestii metodologice

- ridicarea caracteristicilor statice poate fi realizat prin msurri electrice efectuate pe schem

msurare prezentat n laboratorul de electronic la orele de laborator alocate modulului, iar activitate

poate desfura pe grupe de elevi; ridicarea caracteristicilor poate fi realizat i prin simularea pe calc
a schemei de msurare, ntr-un proiect
CU CE? - fie de lucru
- dispozitive electronice discrete, echipamente de laborator
- programe de simulare pe calculator a circuitelor electronice
CUM? - metode de nvare explicaie
- demonstraie
- observare dirijat
- simulare
- organizarea clasei pe grupe
UNDE? - laboratorul de electronic
PENTRU CE?

- Metode de evaluare conversaie dirijat

- observare
- prob practic de laborator
- proiect
-

Mijloace de evaluare fie de lucru

-

chestionare

fi evaluare proiect

33

Tema 1.Tranzistoare bipolare

Fia suport 1.9. Caracteristicile statice ale tranzistorului n conexiune baz
comun
Competena C4. Verific funcionalitatea dispozitivelor electronice discrete
Se va consulta Fia 1.4 i Fia 1.7
Caracteristicile vor fi reprezentate pentru un tranzistor de tip npn

a)Caracteristicile de intrare ale tranzistorului n conexiunea baz comun

=f(

) pentru

=constant

Fig 1.17 Caracteristicile intrare baz comun

Curentul de emitor crete aproximativ exponenial cu creterea tensiunii U BE dup intrarea
n conducia tranzistorului la depirea valorii de prag. Valoarea tensiunii U CB influeneaz
forma caracteristicii i valorile curentului de emitor

b) Caracteristcile de ieire ale tranzistorului n conexiunea baz comun

=(
) cu =constant sau =f(
) pentru
=constant

34

Fig. 1. 18 Caracteristici ieire baz comun

n situaia

=0(respectiv

=0,2V) tranzistorul se afl n regim de blocare.

Dac ambele jonciuni sunt direct polarizate ceea ce presupune

<0 i

>0, tranzistorul

>0 i

>0.Se observ

funcioneaz n regim de saturaie.

Regimul activ normal se regsete pe caracteristici la valorile
c

,ceea ce corespunde ecuaiilor tranzistorului.

Se va consulta Fia 1.2 i Fia 1.5

c)Caracteristicile de transfer ale tranzistorului n conexiune baz comun.
=f(

) pentru

=constant

sau

=f(

) pentru

=constant

ntruct Ic este practic egal cu I E prima caracteristic de transfer are aceeai form cu
caracteristicile de intrare ale tranzistorului n aceast conexiune.
i cea de-a a doua caracteristic indic faptul c
rezidual baz-colector

,diferena fiind dat de curentul

(verific Fia 1.2)

Pentru ridicarea caracteristicilor n practic este necesar s se realizeze un circuit de

msurare a curenilor i tensiunilor pe circuitul de intrare respectiv de ieire al tranzistorului
care s permit reglarea valorilor i msurarea acestora conform ecuaiilor enunate.
35

Fig 1.19.Caracteristica de transfer baz comun

Fig 1.20. Schema de msurare a caracteristicilor conexiunii baz comun

Elevii vor fi capabili, la finalizarea activitilor propuse de cadrul didactic, s:

- descrie modul de obinere a graficului caracteristicii unui tranzistor polarizat
-

interpreteze graficele aferente caracteristicilor

conexiunii baz comun

identifice

zonele

caracteristicii

corespunztoare diferitelor regimuri de funcionare

-

realizeze practic schemele de msurare a

caracteristicilor tranzistorului n conexiunea baz comun

reprezinte grafic caracteristicile pe baza

msurrilor electrice efectuate

36

Sugestii metodologice
- ridicarea caracteristicilor statice poate fi realizat prin msurri electrice efectuate pe schema de
msurare prezentat n fi n laboratorul de electronic
- ridicarea caracteristicilor poate fi realizat prin simularea pe calculator a schemei de msurare
- activitatea se poate desfura pe grupe de elevi
CU CE? - fie de lucru
- aparate de msur
- surse de alimentare
- dispozitive electronice discrete
- programe de simulare pe calculator a circuitelor electronice
CUM? - metode de nvare - explicaie
- lucrare practic
- demonstraie
- observaie dirijat
- simulare
- organizarea clasei - pe grupe
UNDE? laboratorul de electronic
PENTRU CE?

- Metode de evaluare conversaie dirijat

- observare
- prob practic de laborator
- proiect
-

Mijloace de evaluare fie de lucru

-

chestionare

fi evaluare proiect

37

Tema 1: Tranzistoare bipolare

Fia suport 1.10. Punctul static de funcionare al tranzistorului bipolar.
Competena C3.Determin funcionalitatea dispozitivelor electronice discrete
Competena C4.Verific funcionalitatea dispozitivelor electronice discrete
Pentru a funciona ca amplificator, un tranzistor trebuie alimentat in curent continuu, deci
polarizat cu un circuit de polarizare format din surse de alimentare n c.c. si grupuri
rezistive, n care se stabilesc valorile de curent continuu ale mrimilor electrice specifice
tranzistorului, respectiv valorile urmtorilor cureni si tensiuni: IE, IB, IC, UBE, UBC, UCE.

Se va consulta fia 1.2

n planul caracteristicilor de ieire a tranzistorului determinat n funcie de modul de

conexiune al acestuia, un punct este determinat de trei mrimi:
-

curentul de ieire, tensiunea de ieire, curentul de intrare (Iies, Uies, Iin), sau

curentul de ieire, tensiunea de ieire, tensiunea de intrare (Iies, Uies, Uin).

Se va consulta fia 1.7.

Etapele de parcurs n vederea stabilirii unui punct n planul caracteristicelor de

ieire sunt: - se vor identifica mrimile Iies /Uies /Iin /Uin n funcie de modul de conexiune
al tranzistorului polarizat.
- se vor identifica caracteristicile de ieire ale tranzistorului n modul de conexiune

analizat
- se marcheaz un punct n planul caracteristicilor de ieire ale tranzistorului

Punctul static de funcionare n curent continuu este un punct n planul

caracteristicilor de ieire a tranzistorului, este determinat de trei mrimi electrice si
definete condiiile de funcionare ale tranzistorului: modul de conexiune si regimul de
funcionare. Se folosete abrevierea PSF pentru punctul static de funcionare

38

Se analizeaz dependena dintre poziia PSF n planul caracteristicilor de ieire

i regimul de funcionare al tranzistorului astfel:
-

se indic modul de conexiunii al tranzistorului

se identific reprezentarea grafica a caracteristicelor de ieire corespunztoare

se alege poziia PSF n planul caracteristicilor de ieire astfel nct tranzistorul s fie
n regim normal activ

se alege un alt PSF corespunztor regimului de saturaie

Pentru determinarea valorilor numerice ale mrimilor care definesc PSF se va
rezolva circuitul de polarizare al tranzistorului, pentru care se vor scrie ecuaiile
corespunztoare legilor lui Kirchhoff.

S se calculeze valoarea PSF pentru circuitul de polarizare al tranzistorului in conexiune

emitor comun, redat n figura de mai jos, n care se va considera IC IE si UBE= 0,6 V.
Marcai poziia PSF n planul caracteristicilor de ieire din Fia 1.8.

Fig 1.21 Circuit de polarizare al tranzistorului

Elevii vor fi capabili la finalizarea activitilor propuse de cadrul didactic s:

-

defineasc noiunea de punct static de funcionare

enumere etapele de parcurs n vederea stabilirii PSF pentru un tranzistor n

modul de conexiune precizat

determine valoarea numeric a mrimilor corespunztoare PSF ntr-un

circuit de polarizare al tranzistorului

Sugestii metodologice
39

- activitatea poate s se desfoare i pe parcursul orelor de laborator, unde pot fi analizate mai
exemple de circuite de polarizare n vederea determinrii PSF
CU CE?

- fie de lucru
- folii transparente
- panouri didactice cu circuite de polarizare tranzistor

CUM?

- metode de nvmnt explicaia

- demonstraia
- observaia dirijat
- comparaia
- problematizarea
- organizarea clasei frontal/pe grupe

UNDE?

- laboratorul de electronic

PENTRU CE?

- Metode de evaluare conversaie dirijat

- observare
- test
- teme n clas/ pentru acas
-

Mijloace de evaluare fie de lucru

-

chestionare

Tema 1 Tranzistoare bipolare

Fia suport 1. 11. Dreapta de sarcin static
Competena C3. Determin funcionalitatea dispozitivelor electronice discrete
40

Competena C4. Verific funcionalitatea dispozitivelor electronice discrete

Dreapta de sarcin static este format din totalitatea punctelor statice de
funcionare n c.c. posibile ale unui tranzistor conectat ntr-un circuit de polarizare

Se pot face urmtoarele observaii:

-

ecuaia dreptei de sarcin este ecuaia circuitului de ieire a tranzistorului

ecuaia dreptei de sarcin este dependent de structura circuitului de polarizare la

ieirea tranzistorului.

circuitul de ieire al tranzistorului este stabilit n funcie de modul de conexiune al

acestuia.

dreapta de sarcin se va reprezenta n planul caracteristicilor de ieire a tranzistorului.

Reprezentarea grafic a dreptei de sarcin

Pentru a defini o dreapt sunt suficiente dou puncte. Se vor determina punctele de
intersecie ale dreptei cu axele sistemului de coordonate din planul caracteristicilor de
ieire al tranzistorului (I ie , Uie ), unde Iie i Uie sunt curentul respectiv tensiunea de ieire
ale tranzistorului.
Ecuaia unei drepte este de forma Y = mx +n respectiv Iie = m Uie + n
Pentru a determina punctele de intersecie cu axele se consider I ie = 0 i rezult
Uie = - n /m ; apoi se consider Uie =0 i rezult Iie = n
Se marcheaz aceste dou puncte pe axe iar prin unirea lor se obine dreapta de sarcin
static
Tranzistorului i se impun condiiile de funcionare I ie > 0 i Uie > 0 deci punctul static de
funcionare (PSF) se va situa pe dreapta de sarcin n primul cadran al sistemului de axe.

41

Fig 1.22 Dreapta de sarcin static

Etapele de parcurs pentru ridicarea dreptei de sarcin sunt :

-

identificarea circuitului de polarizare al tranzistorului

identificarea modului de conexiune al tranzistorului

identificarea circuitului de ieire al tranzistorului

scrierea ecuaiei dreptei de sarcin

identificarea planului caracteristicilor de ieire a tranzistorului

ridicarea dreptei prin determinarea tieturilor cu axele

Concluzie: Punctul static de funcionare PSF al tranzistorului se poate situa teoretic

oriunde n planul caracteristicilor de ieire, ns conectarea tranzistorului ntr-un circuit de

polarizare l limiteaz la dreapta de sarcin
Exemplu: Se va reprezenta dreapta de sarcin corespunztoare urmtorului circuit de
polarizare, din figura 1.21,acelai din fia 1.10

Fig 1.21 Circuit de polarizare al tranzistorului

42

Poziionai PSF pe care l-ai calculat pentru acest circuit n fia 1.10 pe dreapta de
sarcin reprezentat.

- Elevii vor fi capabili, la finalizarea activitilor propuse de cadrul didactic, s:

enune ecuaia dreptei de sarcin a unui circuit de polarizare a tranzistorului

stabileasc planul de axe de coordonate n care va fi reprezentat grafic dreapta de

sarcin

reprezinte dreapta de sarcin n planul de axe stabilit

Sugestii metodologice
-

se va ridica dreapta de sarcin i pentru alte circuite de polarizare respectnd etapele menionat

grupe. Aceast activitate poate sa se desfoare i pe durata orelor de laborator sau ca activita
proiect.
CU CE ? CUM ?

Fie de lucru

Metode de nvmnt - explicaia

- demonstraia
- observaia dirijat
- comparaia
Organizarea clasei frontal / pe grupe

UNDE ?
PENTRU CE?

- laboratorul de electronic
- Metode de evaluare conversaie dirijat
- observare
- proiect
-

Mijloace de evaluare fie de lucru

-

chestionare

fi evaluare proiect

Tema 1. Tranzistoare bipolare

43

Fisa suport 1.12 Testarea tranzistoarelor bipolare cu aparate de msur

Competena C4. Verific funcionalitatea dispozitivelor electronice discrete
Ca structur, tranzistorul bipolar corespunde la dou diode montate n opoziie, astfel c
circuitul echivalent al tranzistorului este:

Fig 1.23 Circuitul echivalent al tranzistorului.

De aceea, tranzistorul poate fi testat cu ohmetrul; se testeaz jonciunea EB i apoi
jonciunea CB. Aceast testare va permite, n cazul unui tranzistor funcional, fr defecte,
identificarea bazei (B) i stabilirea tipului tranzistorului (pnp sau npn). Pentru identificarea
emitorului i colectorului se va utiliza efectul de tranzistor (vezi fia 1.2).
Se consider c baza i tipul componentei au fost deja identificate i se utilizeaz
urmtoarea schem de msurare, pentru un tranzistor pnp:

Fig 1.24 Circuitul de testare al efectului de tranzistor

Dac tranzistorul este conectat corect ( respectiv emitorul E la borna + a ohmetrului, iar C
la borna ), se va produce efectul de tranzistor i ohmetrul va nregistra o rezisten, de
valoare mic. Dac tranzistorul nu este conectat corect ( E la borna - i C la borna + ),
efectul de tranzistor nu se va produce i ohmetrul indic o rezisten infinit.

Tranzistorul este polarizat cu tensiunea bateriei ohmetrului. Din cauza acesteia

semnificaia bornelor ce indic polaritatea pe carcasa multimetrului se inverseaz.

44

Etapele activitii de testare a tranzistorului bipolar sunt:

-

Identificarea capsulei; identificarea terminalelor B, E i C; testarea jonciunii EB;

testarea jonciunii CB; stabilirea tipului tranzistorului

Elevii vor fi capabili, la finalizarea activitilor propuse de cadrul didactic, s:

-

utilizeze multimetrul pentru a testa funcionalitatea unui tranzistor

identifice prin msurare terminalele tranzistorului

Sugestii metodologice :
Materialul poate fi utilizat pentru pregtirea unei ore de instruire practic din cele alocate modulului.
CU CE? - Dispozitive electronice discrete
-

Fie de lucru
Aparate de msur

CUM? - Metode de nvmnt

- demonstraia : prin efectuarea unei testri de ctre cadrul didactic
- observaia dirijat : cadrul didactic urmrete etapele testrii
.
-

tranzistoarelor de ctre elevi

- exerciiu : se repet operaia de testare
- explicaia : sintetizeaz rezultatele testrilor
Organizarea clasei: Individual/pe grupe

UNDE? - Laboratorul de electronic / atelierul de practic

PENTRU CE?

- Metode de evaluare prob practic de laborator

- observare
-

Mijloace de evaluare fie de lucru

-

fie tehnologice tranzistor

fi evaluare proiect

45

Tema 2: Tiristorul
Fisa suport 2.1. Structura i funcionarea tiristorului
Competena: C1. Identific dispozitivele electronice discrete
Competena:C3. Determin funcionalitatea dispozitivelor electronice discrete
Tiristorul este un dispozitiv semiconductor format din patru regiuni complementare de
tip p i n care formeaz trei jonciuni. Tiristorul dispune de trei electrozi numii anod (A),
catod (C) i poart sau gril (G)

Fig 2.1 Structura tiristorului (a) simbolul tiristorului (b)

Pentru analiza funcionrii tiristorului este util circuitul echivalent al dispozitivului.

Fig 2.2 Circuitul echivalent cu tranzistoare al tiristorului

Acesta este format din dou tranzistoare de tip pnp respectiv npn care au terminale n
comun.
Tiristorul prezint dou regimuri de funcionare:

46

a) regimul de blocare care const n ntreruperea circuitului ntre anod si catod, situaie
in care se constat practic existena unei rezistene de valoare foarte mare ntre
anod i catod.
b) regimul de conducie n care se constat o rezisten de valoare foarte mic ntre
anod si catod.
Regimul de funcionare este dependent de polarizarea tranzistorului, n variantele:
1) tensiunea anod-catod este negativ (UA <0), ca urmare tiristorul este blocat, indiferent
de polarizarea porii G. La polarizare invers, tiristorul se comport ca o diod.

Fig 2.3 Tiristorul invers polarizat i circuitul echivalent

Pe circuitul echivalent, se observa c aceast situaie se datoreaz blocrii tranzistoarelor
T1 si T2.
2) tensiunea anod-catod este pozitiv (UA>0) si poarta este nepolarizat tiristorul este n
continuare blocat.

Fig 2.4 Tiristorul direct polarizat cu poarta nepolarizat

Pe circuitul echivalent se observ c tranzistorul T2 este in continuare blocat.
3) tensiunea anod-catod este pozitiv (U A >0) i se aplica un impuls pozitiv pe poart
tiristorul se afl n stare de conducie.
Pe circuitul echivalent se poate observa cum impulsul de scurt durat, numit impuls de
amorsare e suficient pentru a deschide i tranzistorul T 2 i a nchide circuitul ntre anod i
catod.

47

Fig 2.5 Tiristorul direct polarizat cu impuls de amorsare pe poart

Tensiunea anod-catod UA trebuie s fie pozitiv i mai mare dect pragul. Numai peste
aceast valoare de prag a tensiunii U A, impulsul pozitiv aplicat pe poart va debloca
tiristorul (daca T1 e blocat, n zadar este deblocat T2 ).
Tiristorul odat intrat n conducie nu mai poate fi controlat prin poart. Dac, ulterior intrrii
n conducie polarizarea porii este absenta (U G=0), tiristorul rmne n conducie.
4) blocarea unui tiristor aflat in stare de conducie se poate realiza prin ntreruperea
curentului de anod.

Fig 2.6 ntreruperea curentului anodic al tiristorului

Fig.2.7 Tiristoare ncapsulate

Aspectul fizic al capsulei tiristorului este prezentat in figura 2.7

48

Elevii vor fi capabili, la finalizarea activitilor propuse de cadrul didactic, s:

-

identifice simbolul utilizat pentru tiristor

interpreteze circuitul echivalent cu tranzistoare al tiristorului

explice comutarea tranzistorului ntre regimurile de funcionare

identifice dup aspect capsula tiristorului

Sugestii metodologice
-

cadrul didactic poate s apeleze la comparaia intre diodele redresoare si tiristor pentru a
face mai accesibile noile cunotine

materialul poate fi analizat pe durata a doua-trei ore

aspectul fizic al tiristoarelor poate fi analizat in orele de instruire practic ale modulului

CU CE? - fie de lucru

- folii transparente
- dispozitive electronice discrete
CUM?

- metode de nvare - explicaia

- comparaia
- problematizarea
- demonstraia
- organizarea clasei frontal / pe grupe

UNDE?

- sala de clasa / atelier practica

PENTRU CE?

- Metode de evaluare conversaie dirijat

-

observare

prob practic de laborator

Mijloace de evaluare fie de lucru

-

Tema 2. Tiristorul
49

fie tehnologice tiristor

Fia suport 2.2 Caracteristica static a tiristorului

Competena C4. Verific funcionalitatea dispozitivelor electronice discrete

Caracteristica static a tiristorului este reprezentarea grafic a dependenei

curentului de anod de tensiunea anod catod i de tensiunea de polarizare a porii.

Fig 2.8 Caracteristica static a tiristorului cu poarta nepolarizat

Aceasta este caracteristica tiristorului cu poarta nepolarizat ( U 0=0 ).
Al treilea cadran ( UA < 0. IA < 0 ) corespunde strii de blocare prin polarizare invers
(situaia 1 din fia 2.1). Se constat c pentru valori |U A| < |Ustr| tiristorul este practic
ntrerupt, curentul invers fiind de valoare fiind de valoare foarte mic. Pentru U A = Ustr se
constat strpungerea tiristorului i valoarea curentului invers crete brusc.
n primul cadran ( UA > 0, IA > 0) se identific mai multe zone :
-

Pentru UA < UDmax tiristorul este n stare de blocare, la polarizarea direct.

50

Pentru UA = UDmax , tiristorul va intra n conducie chiar n absena unui impuls de

amortizare pe poart. |UDmax| = |Ustr|

Trecerea din starea de blocare n starea de conducie este un proces tranzitoriu
foarte rapid (cteva sec) i este reprezentat punctat pe poriunea MN a
caracteristicii, unde se observ valoarea minim a curentului anodic I AO peste
care tiristorul este n conducie. n acelai timp tensiunea anod catod U A scade

brusc (tranzistorul T2 din circuitul echivalent se deschide la saturaie).

Din punctul N, tiristorul este n stare de conducie efectiv, iar dependena curent
tensiune este practic liniar.

Se va consulta fia 2.1

Dac poarta este polarizat cu un impuls pozitiv U G > 0, tiristorul nu se deschide numai
dect ce UA > 0 i n acest caz este necesar ca UA s ating o valoare de prag, dar
aceasta scade pe msur ce crete valoarea UG, dup cum se observ n figura 2.9 unde
UG2>UG1>UG0=0 i UD1<UD2<UDmax.

Fig 2.9 Familia de carateristici statice a tiristorului

Se remarc aspecte noi :

-

Posibilitatea trecerii din starea de blocare n starea de conducie i cu poarta

nepolarizat
Existena unei valori de prag pentru tensiunea anod catod
51

Elevii vor fi capabili, la finalizarea activitilor propuse de cadrul didactic, s:

- interpreteze graficul caracteristicii tiristorului
- identifice zonele caracteristicii corespunztoare regimurilor de funcionare
Sugestii metodologice:
Cadrul didactic poate efectua lucrarea de laborator cu tema ridicarea
caracteristicii statice fr a insista asupra interpretrii teoretice a formei
caracteristicii
CU CE?
-

Fie de lucru
Folii transparente
Dispozitive electronice discrete
Aparate de msur

Metode de nvmnt
- explicaia
- demonstraia
Organizarea clasei
- frontal/ pe grupe

CUM?

UNDE?
-

Sala de clas
Laboratorul de electronic

PENTRU CE?

- Metode de evaluare chestionare oral

- observare
-

Mijloace de evaluare fie de

lucru
- fi tehnologic tiristor

Tema 2 : Tiristorul
Fia suport 2.3. Parametrii tiristorului
Competena C2 : Selecteaz dispozitivele electronice discrete.
Parametrii tiristorului caracterizeaz regimurile de funcionare ale acestuia i au fost
menionai n acest sens la analiza modului de funcionare i a caracteristicii statice.
Se va studia fia 2.1. i fia 2.3.

52

Tensiunea direct de ntoarcere Umax este tensiunea la care tiristorul intr n

conducie n condiiile n care poarta este nepolarizat.
Curentul de meninere IAO este valoarea curentului anodic sub care tiristorul comut
din regiunea de conducie direct n cea de blocare direct. Aceast exprimare se refer la
faptul c tensiunea anod - catod este pozitiv (U A > 0 ), deci tiristorul este direct polarizat
cnd are loc comutaia.
Tensiunea invers de strpungere Ustr reprezint valoarea tensiunii inverse ntre
anod i catod la care dispozitivul ptrunde n regiunea de strpungere i ncepe s
conduc necontrolat (similar diodei cu jonciune pn)
Curentul de poart de amorsare IGO este valoarea curentului de poart necesar
pentru ca tiristorul s comute din regiunea de blocare direct n cea de conducie direct,
ceea ce presupune valori pozitive pentru tensiunea anod catod, U A > 0.
Timpul de amorsare ta intervalul de timp necesar dispozitivului s treac din starea
de blocare direct n starea de conducie direct dup aplicarea impulsului de amorsare pe
poart.
Timp de dezamorsare td intervalul de timp necesar dispozitivului s treac din
starea de conducie direct n starea de blocare direct dup ntreruperea curentului
anodic.

Elevii vor fi capabili, la finalizarea activitilor propuse de cadrul didactic, s:

-

defineasc parametrii tiristorului

identifice parametrii tiristorului pe caracteristica static

interpreteze o foaie de catalog pentru tiristoare

53

selecteze tiristoare n funcie de valorile de catalog ale parametrilor

Sugestii metodologice
- se vor identifica valorile de catalog ale acestor parametrii n
cataloagele de

componente, pentru diferite tiristoare

- aceast activitate se poate desfura pe parcursul orelor de

laborator
CU CE ? - fie de lucru
- dispozitive electronice discrete
- cataloage de componente
CUM ? - metode de nvmnt - explicaia
- demonstraia
- observaia dirijat
- comparaia
- organizarea clasei pe grupe
UNDE ? laboratorul de electronic
PENTRU CE?

- Metode de evaluare prob practic de laborator

- observare
-

Mijloace de evaluare
fie de lucru
- fie tehnologice tiristor

IV. Fia rezumat

Numele elevului: _________________________
Numele profesorului: _________________________

54

Competene
care trebuie
dobndite

Evaluare
Activiti efectuate i
comentarii

Data
activitii

Bine

Satisfctor

Refacere

Activitate1
Caracteristica de
intrare emitor comun
- se efectueaz o
lucrare de laborator
prin simularea
Determin
funcionalitatea circuitului pe
dispozitivelor calculator
electronice
Activitate 2
discrete
Caracteristica de
ieire emitor comun
C3

- se efectueaz o
lucrare de laborator
cu aparate de
msur
Comentarii

Prioriti de dezvoltare

Competene care urmeaz s fie

Resurse necesare

dobndite (pentru fia urmtoare)

Competene care trebuie dobndite

Aceast fi de nregistrare este fcut pentru a evalua, n mod separat, evoluia legat de
diferite competene. Acest lucru nseamn specificarea competenelor tehnice generale i
competenelor pentru abiliti cheie, care trebuie dezvoltate i evaluate. Profesorul poate
utiliza fiele de lucru prezentate n auxiliar i/sau poate elabora alte lucrri n conformitate
cu criteriile de performan ale competenei vizate i de specializarea clasei.

Activiti efectuate i comentarii

55

Aici ar trebui s se poat nregistra tipurile de activiti efectuate de elev, materialele

utilizate i orice alte comentarii suplimentare care ar putea fi relevante pentru planificare
sau feed-back.

Prioriti pentru dezvoltare

Partea inferioar a fiei este conceput pentru a meniona activitile pe care elevul trebuie
s le efectueze n perioada urmtoare ca parte a viitoarelor module. Aceste informaii ar
trebui s permit profesorilor implicai s pregteasc elevul pentru ceea ce va urma.

Competenele care urmeaz s fie dobndite

n aceast csu, profesorii trebuie s nscrie competenele care urmeaz a fi dobndite.
Acest lucru poate implica continuarea lucrului pentru aceleai competene sau identificarea
altora care trebuie avute in vedere.

Resurse necesare
Aici se pot nscrie orice fel de resurse speciale solicitate:manuale tehnice, reete, seturi de
instruciuni i orice fel de fie de lucru care ar putea reprezenta o surs de informare
suplimentar pentru un elev care nu a dobndit competenele cerute.

Not: acest format de fi este un instrument detaliat de nregistrare a progresului

elevilor. Pentru fiecare elev se pot realiza mai multe astfel de fie pe durata
derulrii modulului, aceasta permind evaluarea precis a evoluiei elevului, n
acelai timp furniznd informaii relevante pentru analiz.

V. Bibliografie
Dnil Theodor, Ionescu Vaida Monica. (1990). Componente i circuite electronice,
manual pentru clasa a XI a, Bucureti, Editura didactic i pedagogic
Sabin Ionel. (2008). Dispozitive i circuite electronice, Timioara, Editura Politehnica.
Floyd L. Thomas. (2003). Dispozitive electronice, Bucureti, Editura Teora.
Pun Rusalin Lucian. (2005). Msurri electrice i electronice, manual auxiliar pentru clasa
a XI-a, Timioara., Editura Politehnica
56

Drgulnescu Nicolae. (1989). Agenda Radioelectronistului, ediia a II-a, Bucureti, Editura

Tehnic.
Jinga Ioan, Istrate Elena. (1998). Manual de pedagogie, Bucureti, Editura All.
Niculescu Rodica Mariana.(1996). Pedagogie general, Bucureti, Editura Scorpion.

57