Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Memoriainterna
Memoriainterna
JUDETUL GORJ
PROIECT
DE
ABSOLVIRE
CLASA: a XII-a F
PROFILUL: ELECTRONICA AUTOMATIZARI
SPECIALIZARE: TEHNICIAN OPERATOR TEHNICA DE CALCUL
COORDONATOR PROF.
BALEANU
DORIN
ABSOLVENT,
DINCA ALEXANDRU COSMIN
2016
1
TEMA:
MEMORIA
INTERNA A
SISTEMULUI
CUPRINS
Argument ..
... Pag. 4
I.
Memoria RAM .
... Pag. 5
II.
Memoria ROM ..
.. Pag.16
III.
Memoria CACHE
.... Pag.25
Concluzii
.
. Pag.29
Bibliografie
......
Pag.30
ARGUMENT
Putem defini functia de memorare ca fiind
posibilitatea de regasire a unor informatii reprezentata
sub forma binara care au fost anterior stocate. Un
circuit de memorare este un circuit electronic care
implementeaza functia de memorare . Mentionam ca
implementarea acestei functii se poate realiza in mai
multe moduri ,depinzand de suportul fizic folosit
pentru stocarea datelor . Putem avea spre exemplu
memorii magnetice, memorii optice, memorii
semiconductoare. In continuare avem in vedere numai
circuite de memorie realizate cu dispozitive
semiconductoare. Din punct de vedere al
memorarii ,memorarea unor informatii sub forma
numerica mai precis a unor numere reprezentate sub
forma binara, aceste numere nu au nici o importanta.
CAPITOLUL I
I.
Memoria RAM
liniei din matrice, pentru care avem nevoie de 2/3 cicluri (in functie de
calitatea memoriei utilizata), aceasta perioada se numeste RAS (Row
Address Strobe) to CAS (Column Address Strobe) delay si identificarea
coloanei (CAS latency) pentru care se consuma aproximativ acelasi
timp ca si pentru prima operatie (2/3 cicluri). Pentru transmiterea
informatiei catre interfata de date se consuma 1 ciclu iar pentru ultima
operatie, transmiterea datelor catre chipset si apoi catre procesor, inca 2
cicluri.
Dupa transmiterea informatiilor, in cazul in care cererea emisa de
procesor este mai mai mare decit latimea magistralei pentru date,
urmatoarele cuvinte sint transmise catre procesor in modul rafala "burst
mode" la fiecare ciclu de tact, acest lucru este posibil datorita unui
numarator intern care identifica urmatoarea coloana si transmite catre
amplificator continutul.
Deosebiri SRAM/DRAM
Principalul avantaj al memoriei dinamice (DRAM) este pretul
foarte redus pentru obtinerea unei celule. De altfel, acesta este si
singurul plus pe care aceasta memorie il are in comparatie cu SRAM. In
schimb performantele sint cu mult in urma memoriei statice (SRAM).
Datorita modului prin care se comuta intre starile 0 si 1 si a modului in
care se executa citirea celulei de memorie, SRAM nu are nevoie de
rescriere a datelor dupa ce acestea au fost citite si nici de
reimprospatarea celulei de memorie. Atfel ca timpii de acces sint mult
mai mici iar viteza la care acest tip de memorie lucreaza depaste cu mult
performantele memoriei dinamice. Datorita pretului de cost mare pentru
obtinerea unei celule SRAM, acest tip de memorie este utilizat numai
pentru fabricarea memoriei cache ce se implementeaza in placile de
baza sub denumirea de cache level 2 (L2) ori pentru memoria cache
level 1 (L1) ce este integrata in structura procesoarelor. Memoria cache
L1 functioneaza la aceasi frecventa cu cea a procesorului in timp ce
pentru memoria cache L2 frecventa de lucru este jumatate fata de
frecventa procesorului. Memoria cache a fost introdusa ca un artificiu
tehnologic, care trebuie sa suplineasca diferenta de frecventa dintre
procesor si memorie.
15
CAPITOLUL II
II.
Memoria ROM
Memoria ROM ;
Memoria PROM ;
Memoria EPROM ;
Memoria EEPROM ;
Memoria FLASH .
Memoria ROM este in general utilizata pentru a stoca BIOSul (Basic Input Output System) unui PC. BIOS-ul este un program de
marime mica (<2 MB) fara de care computerul nu poate functiona,
acesta reprezinta interfata intre componentele din sistem si sistemul de
operare instalat (SO).
Este acea memorie nevolatila care este programata in momentul
fabricarii, cu ajutorul unei masti prin care se stabileste configuratia
circuitelor pe CIP. Aceasta face ca informatiile continute sa nu poata fi
modificate, ci doar citite.
17
19
este strpuns prin avalan i, prin efect tunel, electronii sunt injectai
n poarta flotant. Numrul lor depinde de amplitudinea i durata
impulsului. Aceast sarcin electric stocat n poart determin crearea
unui canal p n substrat i tranzistorul conduce. Radiaia ultraviolet
creaz perechi electronigoluri i permite descrcarea porii ([Valachi,
1986]). ns izolaia nu este perfect i n timp se pierd electroni, dar se
pare c circa 70% din sarcin este regsit i dup 10 ani.
Fara sa ne dam seama memoria ROM este cea mai prezenta in viata
de zi cu zi; ea insemna defapt cipurile din diversele aparate electronice
si electrotehnice pe care le folosim (de ex. Telefoane mobile/fixe,
masina,aparat radio-tv, etc), in ea fiind scrise isntructiunile necesare pt o
functionare corecta a acestora, mai jos este o poza cu acestea, iar in
Anexa 2 este o schema a acestora.
Memoria ROM, cel mai des intalnit tip de memorie
24
CAPITOLUL III
III.
Memoria CACHE
27
28
Concluzii
29
BIBLIOGRAFIE
Boian F. M., Sisteme de operare interactive, Ed. Libris,
Cluj Napoca, 1994
30
31