Sunteți pe pagina 1din 37

9

Circuite Electronice Liniare

Ed

t
- Ei
Q

QA
ts

QI

Ii

Ui

tS timp de stocare
tC timp de cdere
tB timp de blocare

- durata medie de
via a purttorilor de
sarcin
tB = tS+tC

II
t

I i U I R

tC

blocare
nmA

u
UD

0,6V
-Ui
tB

Dac iniial dioda (jonciunea p-n) este polarizat direct, curentul prin circuit este dat de
relaia: I D

UD
deoarece n regim de conducie dioda are o rezisten foarte mic. Cderea de
R

tensiune pe diod n cazul polarizrii directe este de aproximativ 0,6 0,7V.


Dac se aplic brusc o tensiune invers, sarcina Q D scade exponenial, curentul invers prin
jonciune este practic constant pn cnd sarcina suplimentar la polarizarea direct atinge valoarea

10

Circuite Electronice Liniare

0 (n timpul t s ), iar tensiunea aplicat jonciunii scade liniar devenind egal cu zero la momentul
de timp t t s . n acest moment curentul invers ncepe s scad, inervalul de timp n care curentul
invers scade de la valoarea I i n mA la valoarea I i n A sau nA , fiind timpul de cdere.
Comutarea invers a jonciunii este caracterizat de timpul de stocare i timpul de cdere.
ntrzierea la comutare este influienat n special de timpul de stocare care trebuie redus ct mai
mult. Micorarea timpului de stocare se poate obine utiliznd jonciuni de dimensiuni reduse.

1.6 Diode redresoare


Diodele redresoare au aplicaii n domeniul de joas frecven. Se folosesc pentru
redresarea curentului alternativ cu frecvena de ordinul a 100Hz, motiv pentru care nu trebuie s
aib capaciti reduse i timpi de comutaie mici. Se caracterizeaz prin :
1. tensiune invers maxim ridicat de ordinul 1000V.
2. tensiune direct mic, rezult putere disipat pe diod redus
3. curentul n sens direct mare (1000A) prin creterea suprafeei.
Constructiv se realizeaz utiliznd trei grade de disipare :p+n n+ sau p+n- n+ unde simbolul: +
puternic dopat; fr semn disipare redus n impuriti; semnul fr dopare sau disipare forte
redus.
Regiunea central care prezint rezistivitatea ridicat contribuie la creterea regiunii de
trecere.
Regiunea de trecere poate ajunge pn la limita zonei n+
P+ n
n+
prelund tensiunea invers mare. La polarizarea direct regiunea
de trecere se ngusteaz, reducndu-se cderea de tensiunie n
Regiune de trecere
sens direct pe jonciune.
Pentru evacuarea cldurii se monteaz pe capsule radiatoare, astfel s nu depeasc
temperatura maxim admisibil a jonciunii t j max .

85 pentru Ge

t j max

200C pentru Si

ID
Ge

UI

1000V

200V

200V pentru Ge Si
U strap
12001VV pentru Si U

Si

100V
Ge

11

Circuite Electronice Liniare

Diodele cu siliciu sunt mai performante dect cele cu germaniu, valoarea curentului invers
nederanjnd.

Mrimi limit a diodelor redresoare


Se nelege prin mrimi limit acele mrimi a cror depire duce la distrugerea dispozitivului.
1
Curentul n sens direct
I
a) 0 I FAV Farward Average- curent mediu redresat
i(t)

IFAV

b) I FM - curent direct maxim n regim semisinusoidal permanent(Peak Forward Current)


i (t)
IFM
t

c) I FRM - curentul repetitiv maxim n sens direct periodic poate fi de 8 ori mai mare dect cel
mediu.
i (t)
IFRM

d) I FSM (Surge) - curent de suprasarcin maxim nerepetitiv. Este dat n catalog pentru o
durata de cel mult 10ms.
2
Tensiunea n sens invers
a) V RWM (Reverse Working Maxim)- tensiune invers maxim n regim semisinusoidal la
redresoare fr filtru.
u (t)
VRM
t

b) V RRM -tensiune invers de vrf repetitiv maxim


u (t)
VRRM

12

Circuite Electronice Liniare

c) V RSM - tensiunea maxim de sarcin nerepetitiv, mult mai mare dect celelalte tensiuni.
3

Temperatura maxim pe jonciune, necesar n calculul radiatoarelor la rcirea diodelor.

Dimensionarea radiatoarelor de rcire.


Mrimile caracteristice diodei redresoare sunt U D i I D , pe baza crora se poate calcula
Pd (puterea disipat).
ntre diferitele puncte exist rezistene termice diferite:
Rthjc - rezisten termic jonciune-capsul;
Rthca - rezistena termic capsul-aer;
t j max - temperatura maxim a jonciunii se stabilete de utilizator n funcie de datele din
catalog.
Schema echivalent este dat n figura de mai jos.
0
Rthjc
tc
tj
Rth [ C ]
W
Rthcr - rezisten termic capsul-radiator

Pd

Rthcr

Rthca

Rthra - rezisten termic radiator-aer


t j t a Pd ( Rthjc Rthca )
t j t a Pd [ Rthjc Rthca

Rthra

( Rthcr Rthra )]

=> t j t a Pd ( Rthjc Rthcr Rthra )

ta

unde s-a neglijat Rthca (mare).

n cazul cel mai defavorabil :


t j max t a max Pd max ( Rthjc Rthcr Rthra necesara )

=> Rthra necesar

Deoarece pentru dimensionarea radiatorului este necesar cunoaterea puterii disipate medii,
este prezentat modul de calcul al Pdmed n cazul unui redresor monofazat. Presupunnd dioda
echivalent cu schema urmtoare:
2
Pdmed U D0 I Dmed I Def
rd

diod ideal

rd

unde:

i(t)
UD0

I Dmed

1 2
i( t )dt
2 0

I Def

1 2 2
i t dt ;
2 0

n cazul redresrii curenilor rectangulari puterea disipat variaz n cele dou semiperioade,
deci i temperatura jonciunii.
iD, ti
tjmax
Cunoscnd Pdmed rezult tjmed. Este
ns necesar ca tjmax < tJMAX (dat n
catalog).Din acest motiv este necesar
tjmed

13

Circuite Electronice Liniare

ca tjmed = tjMAX/1,5 (rezerv de 30%).


tj
Datorit proprietii lor de a conduce curentul ntr-un singur sens i de a nu permite trecerea
lui n sens opus, diodele sunt utilizate n circuite care transform tensiunea alternativ n tensiune
continu, numite redresoare. n toate sursele de curent continuu alimentate n curent alternativ se
gsesc redresoare. Sursa de alimentare este un bloc esenial pentru funcionarea tuturor sistemelor
electronice, de la cele mai simple le cele mai complexe fiind astfel unul dintre cele mai uzuale
circuite electronice.
Sursa de alimentare de curent continu transform tensiunea alternativ de 220 V i 50Hz,
furnizat consumatorilor casnici i disponibil. la prizele din perete, ntr-o tensiune constant de
curent continuu.
Schema bloc de principiu a unei surse de alimentare este prezentat n figura urmtoare.

220V, 50Hz
0

Tensiune redresat
0

Vc.a

Tensiune filtrat
Vcc
0

Tensiune stabilizat
Vcc
0

Redresor

Filtru

Stabilizator
Sarcin

Fig. 1 Schema bloc a unei surse de alimentare cu sarcin

Redresorul poate fi mono- alternan sau dubl alternan. Redresorul transform tensiunea de
intrare de c.a ntr-o tensiune pulsatorie de c.c. redresat monoalternan dup cum se poate observa
n figura 1. Filtrul elimin fluctuaiile tensiunii redresate, furniznd la ieirea sa o tensiune de c.c.
relativ constant. Stabilizatorul este un circuit ce menine constant tensiunea continu, indiferent
de variaiile tensiunii de alimentare sau ale sarcinii. Stabilizatoarele pot fi realizate cu un singur
circuit sau cu circuite mai complexe. Sarcina sursei de alimentare este, n general, un circuit pentru
care aceasta furnizeaz la ieirea sa tensiunea continu i curentul corespunztor.

Redresorul mono-alternan
Figura 2 prezint schema unui redresor mono-alternan. Cnd tensiunea de intrare
sinusoidal (Vin ) este pozitiv, dioda este polarizat direct i permite trecerea curentului prin
rezistena de sarcin. Curentul produce o cdere de tensiune pe sarcina R s , a crei form de und o
reproduce pe cea a semiperioadei pozitive a tensiunii de intrare.

14

Circuite Electronice Liniare

1.7

Dioda Schottky. - este construit dintr-o jonciune metal-semiconductor.


metal

SiO2
n epitaxial

Se utilizeaz numai anumite metale care realizeaz


contact redresor. Cele care realizeaz contact ohmic
neredresor nu snt bune. Dioda Schottky se
caracterizeaz printr-o valoare de 0,30,5V pentru Si.

n+
Metalul conduce numai prin electroni, deci nu conine purttori minoritari, deci nu apare
concentraie de purttori minoritari, deci nu apare capacitatea de difuzie. Regiunea de trecere
ptrunde foarte puin n metal rezultnd c dioda are o capacitate de barier foarte redus.
Datorit acestor proprieti dioda Schottky prezint timpi de comutaie extrem de redui, de
ordinul a 1ns. De asemenea zgomotul este mai mic dect la diodele de nalt frecven.
Simbolul diodei :
Dac se ataeaz unui tranzistor bipolar se obine tranzistorul Schottky.
C

0,45V
n
B

n
E

Utiliznd dioda Schottky, tensiunea minim U CE este de 0,30,4V (fa de 0,10,2V fr


dioda Schottky) fapt care face ca sarcina stocat n jonciunea baz-colector s fie mai mic,
rezultnd un timp de stocare mai mic. n acest fel tranzistoarele Schottky au timpi de comutaie mai
mici de ordinul 23ns fa de cele normale (1213ns) sau rapide (67ns).

1.8 Dioda Varicap (capacitate variabil)


Se realizeaz constructiv printr-o jonciune p-n ngust la care prin polarizare invers
capacitatea de barier (>>Cd) depinde de tensiunea de polarizare invers dup legea:
Cb

B
n

U0 U

unde B este o constant ce include i pe Cbo.


C b0
56
C
C 20

Cbo n 10 pF

Aceast diod este folosit doar pentru polarizare invers, nct s intervin numai
capacitatea de barier. C20
U
U
Dac U esteI negativ rezult sub radical U 0 U .
-20 V
Aplicaii
circuite pentru modulaie n frecven
circuite LC pentru acord electronic

15

Circuite Electronice Liniare

Capacitatea diodei Varicap se modific odat cu variaia tensiunii.


Simbol
ExempluAcord electronic cu diod Varicap.
+

fr

Cv
L

Rv

C ech

C1

1
2 C ech L

CV C1
i dac C1>>Cv
CV C1

C ech CV f r

1
2 CV L

f U

1.9 Fotodioda - Este un dispozitiv care las s treac un curent proporional cu


iluminarea la care este supus.
Se utilizeaz jonciuni pn polarizate invers la care curentul rezidual este mrit de energia
radiaiei care cade pe fotodiod.
Se formeaz perechi electron-gol att datorit
Lumin
SiO2
polarizrii inverse ct i datorit iluminrii.
iFcurent fotoelectric
iIcurrent invers

P+

regiune de
trecere

i
n+

Caracteristicile fotodiodei

UI

20V

Ii=1

S 0,1

A
lux

250lux
500lux
regim de celul
fotoelectric

750lux
1000lux

Simbolul:

100A

E/R
I

16

Circuite Electronice Liniare

Schema de conectare:
R
IF

E R IF U F

+E

IF

UF
-

1.10

1
E
U F
R
R

dreapta de sarcin.

Efectul temperaturii const n dublarea curentului


cu creterea temperaturii cu 6,5C la Si i 10C la Ge n
lipsa iluminrii

Diode foto emisive. LED (Light Emitted Diode).

Sunt jonciuni p-n cu semiconductoare de baz care au banda interzis mare (este necesar o
energie mare pentru ndeprtarea electronilor (e ) din banda de valen). n cazul polarizrii directe
se degaj energie luminoas n infrarou.
Semiconductoare de baz : GaAs, GaP, GaAlAs.- verde i infrarou.
Se folosesc la afiare i semnalizri.
Caracteristica :
R
ID
E+
IDmax

R 5

LED

(n10mA)
ID
(10-20mA)

1,5 V UD

UD

LED-ul poate fi utilizat ca diod Zener la


tensiuni mici, fiind mai bun ca o diod Zener
din punct de vedere al performanelor.

1.11 Dioda stabilizatoare. (Zener).


Dioda Zener funcioneaz n regiunea de polarizare invers n care intensitatea cmpului

7
8
electric n zona jonciunii este de 10 10 ( V

)
m .

Funcionarea diodelor stabilizatoare se bazeaz n principal pe dou efecte:

8
1) Dac intensitatea cmpului electric este de ordinul 10 ( V

)
m , n cazul unor regiuni de trecere

nguste apare efectul Zener de emisie prin cmp.Acesta se caracterizeaz prin faptul c electronii de
valen sub influena cmpului electric sunt smuli producnd perechi electron -gol care contribuie
la procesul de conducie. Efectul Zener se manifest pn la 5-6 V.

17

Circuite Electronice Liniare

7
2) Dac intensitatea cmpului electric este de ordinul a 10 ( V

)
m , dac regiunea de trecere este mai

lat i mai slab dopat, la tensiuni mai mari de 6-7 V apare procesul de ciocnire i rupere din reea a e
de valen i prin ciocniri repetate apare procesul de multiplicare prin avalan.
Caracteristica U-I :
Pdmax = 0,420 W uzual
2,7V..5V.6V200V
Ustr

UZ

0
Simbolul diodei Zener :

UZ=2,7200V

Efect Zener

IZ

Efect de multiplicare prin avalan

Efectul temperaturii asupra tensiunii de strpungere :


Uz
56V
0
IZ

Pdmax(tjmax)

KTUZ0
KTUZ<0

KTUZ>0

efect de multiplicare
efect Zener
prin avalan
tj = 25C
tj = 50C

Iz

A
sau

K
K
n cazul diodelor caracterizate prin efect Zener
crete agitaia n i p deci electronii de valen sunt
smuli mai uor de cmp deci strpungerea are loc
la tensiune mai mic.
n cazul diodelor bazate pe efectul de
multiplicare prin avalan dei crete numrul de
ciocniri odat cu creterea temperaturii, energia
acestora este mai mic, fiind insuficient pentru a produce
e mobili rezult c trebuie mrit E (deci U) pentru ca
ciocnirile s fie eficiente.

DU z negativ pentru D Z
KTuz
U z DT pozitiv pentru diode cu mult volt prin avalansa
ID

Uz

VZmax

Mrimi
caracteristice
i mrimi limit la dioda Zener.
Vz (10200V
VZmin
0
UD

n10

n100

Izmin=(1015%)Izmax
rZ

Iz

U Z
rezistenta dinamica
I Z

Izmin - valoarea minim a curentului


pentru ca s funcioneze dioda Zener

Uz
Pdmax

Izmax
Iz

18

Circuite Electronice Liniare

Izmax - valoarea limit pentru care se


atinge Pdmax peste care dioda se distruge.

Puterea disipat maxim (Pdmax ) are valori uzuale de 0,4 W la dioda Zener i 1 W la PL.
Stabilizatorul parametric utiliznd dioda Zener este utilizat pentru stabilizarea tensiunilor
continue.
Rir

Iz+Is

RL

Er

Iz

Is

Dz

RS

Stabilizator de tensiune

Sarcin

Ui

US

Presupunem c RS =ct. i se
Er
modific
(uzual n domeniul
+5% -(5-10%) ).

Sursa

Rolul diodei Zener este de a prelua variaiile de curent din schem datorate variaiilor
tensiunii Er astfel nct tensiunea pe rezistena de sarcin RS s fie constant.
Dac E r ct . i se modific RS rezult c se modific IS dar IZ se modific n sens contrar
astfel ca tensiunea pe rezistena de sarcin US s rmn constant.
Uz

Uz

Ecuaia dreptei de sarcin este:


Iz

E r ( I Z I S ) ( Rir R L ) U Z

E I R
U
IZ Z r S
R
R

Er I s R
R

Izmax
Dioda Zener funcioneaz nIzpunctul obinut la intersecia caracteristicii tensiunii-curent cu
dreapta de sarcin.
I Z 0 U Z E r - I S R

UZ

Er I S R
Uz U Z 0 I Z
R

0
0 ,

unde R Rir R L

reprezint panta dreptei de sarcin.

n practic este posibil ca E r s varieze ntre E r min si E r max i de asemenea IS s varieze


Izmin
A
ntre I s min si I s max .
Rmax

E min I s max R maxDin ecuaia dreptei de sarcin se obine :


Rmax
Er I S R U Z
Izmax

B
Rmin

Iz

IZ

19

Circuite Electronice Liniare

care scris pentru punctele A i B duce la:

A Rmax
B Rmax

E r min I S max Rmax U ZA


I Z min

E r max I S min Rmin U ZB


I Z max

Avnd n vedere c :

U ZA U Z - U Z U Z rZ Z Z min
care nlocuite n relaiile precedente duc la

U ZB U Z U Z U Z rZ Z max Z ,
obinerea valorilor Rmin i Rmax .
Rezistenele se aleg astfel nct s fie Rmin R Rmax
Rmin Rir R L Rmax Rir

Aceast prim relaie de dimensionare presupune c se cunosc valorile U ZA i U ZB (date n


catalog prin valorile U Z min i U Z max ).
Calculul performanelor stabilizatorului cu diod Zener.
Aceast analiz se face prin determinarea influienei variaiei tensiunii de alimentare i a
curentului de sarcin asupra tensiunii de ieire.
S-a artat c:
dU Z
S

U s f Er , I s U Z
U Z
U
dE r Z dI S
E r
I S

E r
U z I const
s

R0

U z
I s E const
r

U Z

- factor de stabilizare
- rezisten de ieire

E r
Riesire I S
S

Pentru ca stabilizatorul s fie ct mai bun trebuie ca:

C
- R0 s fie ct mai mare , astfel nct curentul prin circuitul de sarcin s varieze
n limite ct mai

largi, i totui tensiunea pe dioda Zener s fie constant;


C
- Factorul de stabilizare
s fie ct mai mic;
inM
n
C
IC
Tranzistorul
bipolar
a
fost
descoperit
n
anul
1948.
n
Constructiv, este realizat din dou jonciuni p-n, jonciunile fiind emitor (E), baz (B) i
ICB0
colector (C). Purttorii de sarcin+ circul n jonciunile
E B i B C, baza fiind foarte ngust
I
p
B
U

10
V
I CBO cu emitorul iCE
comparativ
colectorul i slab dopat.
B
(1-)i
I CBO este
nM curentul de polarizare invers are
p
valori icuprinse n intervalul (10nA-10A).
B
pM

IB
U BE n 0,1V
-

inM

n
E

IE

IE

20

Circuite Electronice Liniare

coeficient de transport.
ipM
inM
sunt cureni de valori neglijabile

I i I
nM CBO
C
Se pot scrie urmtoarele ecuaii: I B 1 inM i pM I CBO

I E i pM inM

Dac se noteaz i nM i E

ecuaiile devin:

unde

iC I E I CBO

iB 1 I E I CBo

i I

1
iE
I CB 0
i E B CB0 iC
1
1
1

poart denumirea de factor de transport direct sau factor de amplificare static al

curentului de emitor ( I E ).
Se definete factorul de amplificare static ca fiind:
Uzual
IC I

ia valori n intervalul

0 ,95 0 ,999

iar

20 1000

=>

I C ; I C
(I I C ) I C I
1
1-

Curentul I CBO are valori uzuale de :

10 A la Ge

10nA la Si

n practic factorul de amplificare


static depinde mult de curentul de
colector.
I C * I CB 0

I CEO

ICoptim

ICmax

iC

unde

* 5...10 I C I CEO

i I CEO poart denumirea de curent


rezidual cnd baza este ntrerupt.

Curentul I CEO este mai mare de 510 ori dect curentul I CBO .

21

Circuite Electronice Liniare

Regimuri de funcionare i caracteristici statice pentru tranzistorul bipolar


Nr.
crt.

Regim

1.

Normal ( activ )

Polarizarea jonciunilor

Ferm
2.

Blocare(tiere)
Simpl

3.

Saturat

jonciunea BE direct
jonciunea BC invers
jonciunea BE invers
jonciunea BC invers
jonciunea BE slab direct
jonciunea BC invers
jonciunea BE direct
jonciunea BC direct

Regimurile de funcionare pot fi identificate pe caracteristicile tranzistoarelor.

IC
Blocat

Ge
0,1

0,45

Si
normal

ICBOGe
Regiune activ

ICBOSi

UBE

Caracteristicile statice ale tranzistorului : se mpart n dou categorii :


slab direct
Blocare
a) caracteristici
cu ferm
tensiunile referiteBlocaj
la emitor.
b) caracteristici cu tensiunile referite la baz.
Cele mai des folosite sunt cele cu tensiuni referite la emitor care se mpart n :
- caracteristici de intrare;
- caracteristici de ieire;
- caracteristici de transfer.
RC
UCB

IC

IB
UB+
-

UBE

UCE

+
-

UC

IE

a) Caracteristicile statice de intrare.(pentru Si)

IC I B I E
U CE U CB U BE

22

Circuite Electronice Liniare


I B I B U BE U
CE ct.

IB
UCE1UCE2UCE3

b) Caracteristicile statice de ieire sunt date n figura urmtoare:

1V 5V 10V

I C I C U CE I ct .
B

UBE

0,45 V

IC
UCB=0 V

limita regiunii de saturaie

IB4

IB crete

IB3
regiunea de
saturaie

IB2

c) caracteristicile de transfer
IC IC I B U

BE ct .

( variaia lui n funcie de IC)

Mrimi limitI la tranzistorul bipolar


CBO
Puterea disipat maxim

ICEO

IB1
U

BE
UBEI

IB=0

Regiunea de
blocare
Pd I C U CB I E U BE
I C ( U CB U BE ) I C U CE =>

rezultnd o hiperbol de disipaie


maxim. n regim de durat nu este admis s se depeasc aceast caracteristic.
IC
zon
interzis

Pdmax
zon
admis

UCE

UCE

Pdmax I C U CE

23

Circuite Electronice Liniare

2 Exist cazuri limit n care dei puterea disipat nu depete Pdmax , datorit frecvenei mari a
Fig.
1
semnalului
de comand tranzistorul s se distrug.
Schem

iC

Pentru a nu se distruge tranzistorul


este deci necesar ca :

Pdmed
t
tj
tjmax
tjmed
t
Pdmed

Pdmax

( tjmed ) ( tjmax )

Din punct de vedere al puterii disipate pe el, tranzistorul poate funciona n dou
regimuri :
a) n regim permanent n care puterea disipat este constant i n care se face o astfel de
dimensionare nct s nu se depeasc temperatura maxim a jonciunii (tjmax).
b) Dac puterea disipat pe tranzistor prezint variaii de frecven foarte mari, dei puterea
medie disipat nu ar duce la distrugerea tranzistorului, este posibil ca temperatura jonciunii
n anumite momente s depeasc temperatura maxim a jonciunii (tjmax).
Dac ne situm n a doua variant, dimensionarea se face din punct de vedere al puterii
medii disipate, dup care suprafaa rezultat a radiatorului se supradimensioneaz. (de obicei prin
nmulire cu 1,5).
tj
Rjc
tc
Circuitul termic echivalent :
.
Rth [C / W]
Rthiz foi de mic
Pd

Rthca

(0,1-0,2 mm)

Rthcr
Rthra

ta
radiator
Suprafaa se unge n prealabil cu vaselin siliconic pentru un contact bun.
Rthjc 1 2 [C / W ]
Rthca n 106 [C / W ]
Rthiz
0,2.1 [C / W ] i depinde de aria de contact.
Rthcr
Rthcr = 200.275 /A [mm2]
Rthiz = 275.325/A [mm2] - pentru foia de mic

24

Circuite Electronice Liniare

n catalog se d PdMAX 0 , puterea disipat maxim fr radiator.


PdMAX 0

t jMAX t aMAX
Rthjc Rthca

Dac Pd PdMAXO => necesitatea folosirii unui radiator.


Pd

t jMAX t aMAX
Rthjc Rthca || ( Rthiz Rthcr Rthra )

relaie din care rezult Rthra .

Dimensionarea radiatoarelor se face n dou cazuri ( funcie de Rthra ).


a) Din catalog , dac este radiator cu aripioare rezult lungimea barei n funcie de Rthra
necesar.
b) Dac se folosete ca radiator o tabl ptrat, suprafaa radiatorului este dat de :

650 K

S cm 2

Rthra 33

4K

unde:

K este o constant care depinde de poziia i culoarea radiatorului. Dac aluminiul se


eloxeaz scade K i scade suprafaa radiatorului.
este conductivitatea termic a aluminiului.
g grosimea tablei din care este confecionat radiatorul.
n catalog se d de obicei puterea disipat maxim la

P
25 0 C , dMAX 250 C i PdMAX .

n practic nu se poate menine temperatura capsulei la

25 0 C

n condiii naturale doar n

condiii de rcire forat.


De obicei se alege : PdMAXr 0,4 0,5 PdMAX - pentru radiator plan.
PdMAXr 0 ,6 PdMAX

La o alt temperatur dect

- pentru radiator cu aripioare.

25 0 C :
t jMAX ta

dMAX 25 C t
jMAX 25 C

PdMAXta P

PdMAX

Rthjc
Rthjc Rthca

PdMAX25C

Rthcr Rthra

PdMAX25C
fr radiator

t
25C

Rjc+Rca

tjMAX

Alegerea punctului static de funcionare


Se face n
I funcie de aplicaia concret , deci de amplitudinea semnalelor dorite a se obine .
C

ICmax

pentru circuite de semnal mare


pentru circuite de semnal mediu
pentru circuite de semnal mic
UCEO

UCE

25

Circuite Electronice Liniare

Punctul static de funcionare se determin pe dreapta de sarcin static ce se obine pentru


( f 0 XC ) .
Exemplu : Schema unui etaj n conexiune EC .
CC

RC

+EC

a) Schema echivalent pentru regim static( X C ).


IC
+E
C

CS

CE

RC
UCE

RS
IE

RE

EC I C RC R E U CE
IC

U CE
EC

RC R E RC R E

Panta dreptei n regim static este :

1
RC R E

RE
b) Schema echivalent pentru regim dinamic este dat n figura urmtoare ( X C 0 ) .
RC

u CE - iC RC || R S - iC Rdinamic

RS

Dreapta de sarcin trece prin punctul static de

iC
uCE

funcionare i are panta: -

1
.
Rd

IC
A
I*C

Rd

Rd+RE
PSF
Deoarece Rd RC R E rezult c excursia de tensiune se micoreaz ne fiind utilizat
toat dreapta de funcionare static. Excursia de tensiune este cuprins ntre punctul A ( cnd
tranzistorul tinde la saturaie ) i punctul B ( cnd tranzistorul tinde la blocare ).
U*ca
B
EC
U(PSF)
CE punctul static de funcionare
CE
Pentru semnale mari se recomand
s se situeze la
i
u = I Rd
mijlocul dreptei de funcionare dinamice.

26

Circuite Electronice Liniare

Polarizarea tranzistorului bipolar const n dimensionarea unor rezistene pentru


stabilirea punctului static de funcionare.
a) Polarizarea cu dou surse de tensiune

RC
RB

UCE

EC
UBE
EB
REpentru c are dezavantajul utilizrii a dou surse de
Se utilizeaz rar , n cazul speciale
R
tensiune. Rezistena
dorit.
- din emitor ( E ) se adopt n funcie de amplificarea

n general se cunosc tensiunile de la sursele de tensiune din emitor respectiv colector. Se


E
alege U *CE C . Se alege funcie de amplificarea dorit
2
b) Polarizarea cu rezisten n baz

I*
C

Se poate scrie :

EC I B RB U BE I E RE

EC I C RC U CE I E RE

EC
RB

RC
IC

IB

relaii care pot fi rescrise funcie de curentul de colector I C :

UCE
UBE

I
IC I B I B C

RE

RB
E

(
RE C U
C

R R U
C C C E C

Uzual R B rezult de valori


n 100 K M . Schema are avantajul c ofer o impedan de intrare foarte mare.

relaii pe baza crora se poate face dimensionarea schemei.

c) Polarizarea cu divizor rezistiv n baz


EC
RB1

ID

RC
IC

IB

UCE

ID -IB
RB2

UBE

RE

La dimensionarea schemei se alege astfel ca :


I D 20 50 I B

27

Circuite Electronice Liniare

EC I D ( RB1 RB2 )

EC

R B2
U BE I C RE
( RB1 RB2 )

EC ( RC RE ) I C U CE

relaii pe baza crora se face dimensionarea schemei.

I D RB1 I D I B RB2 U BE I E RE

( I D I B ) RB2 U BE I E RE

Schema de polarizare cu divizor n baz are importan mai mic n regim dinamic dar o
stabilitate cu temperatura mai bun.
Dac n calcule se ia I D 20 I B , calculele se fac mai exact, adic nu se mai neglijeaz
curentul de baz. n acest caz rezistenele de intrare sunt mari. Dac n calcule se ia I D 50 I B
calculele se fac ne innd seama de curentul de baz.
d) Polarizarea prin cuplaj direct
EC
RC1

RC2
IB2

IC1

UCE2

UBE2
UBE1

UCE1

RE

Schema alturat prezint dezavantajul c


tensiunea n colectorul tranzistorului T1 (deci
tensiunea UBE a tranzistorului T2) nu poate fi
sub 0,5V i nici peste 0,8V pentru c
tranzistorul T2 s-ar bloca, respectiv ar fi
saturat. Aceasta duce la o limitare a
amplificrii.

Stabilitatea P.S.F. al tranzistorului


n general n timpul funcionrii
temperatura mediului ambiant se poate modifica. Pe de alt parte, din fabricaie tranzistoarele
prezint o dispersie a parametrilor. Rezult c n general curentul de colector I C depinde de
temperatur astfel :
I C I C I CBO ,U BE , , parametrii care la rndul lor depind de temperatur.
dI C

I C I CB 0
I C U BE
I

dT

dT C
dT
I CB 0
T
U BE
T
T

SI
S I , SU , S

SU

factori de stabilizare n raport cu curentul, cu tensiunea, cu .


I CBO
T

U BE
T

28

Circuite Electronice Liniare


T

ICB 0
2 6 ,5 1
T

ICB 0
2 10 1
T

Si
Ge

2
2

mV
o
C

50

mV

100

Aceti factori de stabilizare depind de schema complet de polarizare, rezultnd c


schemele de polarizare optime n raport cu variaia temperaturii sunt acelea n care factorii de
stabilizare sunt minimi.
Ca exemplu se prezint determinarea influenei temperaturii asupra PSF n cazul polarizrii
cu dou surse de tensiune.

IC
RB

E I R U I R
B B B BE E E

RC

UCE

+
-

UBE

EB +
-

I C I E I CBO

I B 1 I E I CBO

EC

RE
IE

I
I
I
I
I B C C CBO CBO I CBO

IB

I
1
I C CBO

EB

I
I I
1
I C R B CBO R B U BE C CBO R E

EB

I
I
I
1
I C R B CBO R B U BE C R E CBO R E

E B 1 I C R B I CBO R B U BE I C R E I CBO R E
E B I C ( R B R B R E ) I CBO ( R B R E ) U BE

IC

E B I CBO R B R E U BE
R B 1 R E

SI

SU

I C
RB RE
R RB

E
R
I CBO R B 1 R E
RE B

I C

U BE

R
R
RE B
RE B

;
;
1
1

I I
I E C CBO ;

I I
I B 1 C CBO I CBO ;

29

Circuite Electronice Liniare

Determinarea factorului de stabilitate

S se

face nlocuind pe

n funcie de

n relaia

C
de determinare a lui I C i efectund derivata parial
.

Factorul de stabilizare

S este

dat de relaia:

I R RB I B
S B E

SI
Rb

RE

Din punct de vedere al stabilitii cu temperatura circuitul de polarizare cu divizor rezistiv n


baz este mai stabil.
Pentru ca influena temperaturii asupra PSF s fie ct mai mic se poate proceda n
urmtoarele moduri:
1. Alegerea unor scheme de polarizare la care coeficienii de stabilizare s fie ct mai mici.
Aceast variant nu este ntotdeauna posibil datorit existenei altor condiii mai importante pe
care trebuie s le satisfac schema de amplificare.
De exemplu polarizarea cu divizor rezistiv n baz permite obinerea unor valori mai mici a
factorului de stabilizare dect polarizarea cu rezisten n baz, ns rezistena de intrare a acestei
scheme este mai mic, de unde rezult c atunci cnd se dorete obinerea unei rezistene de intrare
mai mari se va utiliza polarizarea cu rezisten n baz chiar dac PSF este mai puternic influenat
de temperatur.
2. A doua soluie const n termostatarea circuitelor, adic a ntregii scheme la o anumit
temperatur i meninerea fix a acesteia. Este cea mai eficient metod, dar i cea mai scump.
3. Compensarea influenei temperaturii asupra PSF utiliznd alte dispozitive neliniare.
Compensarea influenei temperaturii asupra PSF
n figura urmtoare a fost nseriat o diod D cu rezistena Rb 2 a divizorului rezistiv. La
modificarea temperaturii ambiante conform celor artate la jonciunea p-n, tensiunea pe dioda

mV
polarizat direct scade cu 2
0 C . Aceasta face ca tendina de cretere a lui I C datorit scderii
tensiunii U BE s fie compensat de scderea tensiunii pe diod.
+EC
Rb1

RC

IC

0
50 0 C25 C

IC
UCE
D
Rb2

UD

IE
RE

'
IC
I*
C

P
P

U CE

30

Circuite Electronice Liniare

n absena diodei, la creterea temperaturii P.S.F. se deplaseaz din P n P , fiind


' I*
caracterizat de un curent de colector I C
C . Prin utilizarea diodei D, P.S.F. este translatat pe

caracteristic din P n P, revenind la vechea valoare a curentului I C (aproximativ acelai PSF).


Pentru creterea performanelor se poate nlocui dioda cu un tranzistor identic.
EC
RB1

RC
T2
T1

IE

UBE2

UBE1

RE
RB2

O compensare mai general se poarte realiza introducnd n divizorul din baz un termistor.
Rezistena termistorului variaz ca n caracteristica de
mai jos:
.
EC
IC
Rb1
R
C

Rb3
nct
n
tensiunii
R0

UCE

RT

Cunoscndu-se
caracteristica
termistorului se pot dimensiona
rezistenele Rb1 , Rb 2 , Rb 3 astfel
baza tranzistorului T
variaia
s fie aproximativ liniar i de
2 mV 0 . Acest lucru se face

UBE
UBE

Rb2

RE

RT
Rech

prin
dreapta

alegerea unor astfel de valori nct


care aproximeaz curba de variaie

a potenialului bazei s aib panta de 2 mV

i diferena dintre caracteristica real i dreapt s


C T

40-50C
100C
R ech
fie ct mai mic. Rezistenele Rb 2 i Rb3 se aleg astfel nct
s fie potrivit, adic tensiunea
T

mV
pe Rech s scad cu 2
0C .
n lipsa compensrii, reducerea lui

Vb

U BE duce la creterea lui I C rezultnd c

se
PdMAX

depete Pd max => necesitatea compensrii

2 mV 0
C

termice.

31

Circuite Electronice Liniare

Funcionarea tranzistorului bipolar n regim dinamic


Mrimile ce caracterizeaz funcionarea tranzistorului n regim static sunt:
I C , U CE , I B , U BE

Mrimile ce caracterizeaz funcionarea tranzistorului n regim dinamic sunt:


ic , u ce , ib , u be

Analiza funcionrii tranzistorului n regim dinamic se face utiliznd teoria cuadripolilor.


Potrivit acestei teorii un circuit electronic poate fi privit ca un cuadripol, avnd dou mrimi de
intrare (un curent i o tensiune) i dou mrimi de ieire (un curent i o tensiune).
Pentru uurarea determinrii
i1
i2
parametrilor
amplificatoarelor
n
regim dinamic calculul schemelor se
u1
u2
face nlocuind tranzistorul din schem
cu parametrii de cuadripol echivaleni.
Deoarece cuadripolul are 4 terminale iar tranzistorul 3, funcionarea acestuia ca i cuadripol
se poate face dac unul dintre terminale este conectat n comun att pentru intrare ct i pentru
ieire. Terminalul comun d denumirea conexiunii n care funcioneaz tranzistorul n regim
dinamic. Din punct de vedere al funcionrii n regim dinamic exist trei tipuri de conexiuni. (EC,
BC, CC).
ic
ie
ie
ib

ic

ube
uce

ube

ib

ucb
ubc

Spunem
definit dac prin cunoaterea a dou din
EC c un cuadripol este completBC
CCcele patru
Emitor
comun
Colector
baz
comun
mrimi se pot calcula i celelalte dou, pe baza aa numiilor parametrii de cuadripol. comun
a) Parametrii "h" ai tranzistorului bipolar - sunt utilizai n domeniul frecvenelor joase
pentru care ei sunt mrimi reale independente de frecven.

u1 u1 (i1 , u 2 )

i2 i2 (i1, u 2 )

u1
u1
du

di

1 i 1 u du 2

1
2

dI i2 di i2 du
2 i1 1 u 2 2

uec

32

Circuite Electronice Liniare

u1 u1
du i u di
1 1 2 1

d i2 i2 i2 du2

i1 u2
u1
i
1

u1
u2

i2

i1

i2

u2

- matricea parametrilor hibrizi (H)

n regim dinamic se poate scrie:

du`1 h11 di1 h12 du 2

di2 h21 di1 h22 du 2


Parametrii " h " pot fi definii astfel:

h11 - impedana de intrare cu ieirea n scurtcircuit.


h11

h12 - factor de amplificare invers de tensiune cu intrarea n gol.


h12

du1
du1

di1 du 0
di1
2
u2 cons tan t

du1
du1

du 2 di 0
du 2
1
i1 cons tan t

h21 - factor de amplificare direct n curent cu ieirea n scurtcircuit.

33

Circuite Electronice Liniare

h21

di 2
di
2
di1 du 0
di1
2
u2 cons tan t

h22 - conductan ( admitan ) de ieire cu intrarea n gol.


h22

di 2
di 2

du 2 di 0
du 2
1
i1 cons tan t

n aceste condiii se poate scrie:

u1 h11 i1 h12 u 2

i2 h21 i1 h22 u 2

- cea mai simpl form de utilizare

Se definete matricea:
h
h

H 11 12 h h11 h22 h12 h21


h21 h22

u1 h11 h12

i2 h21 h22

i
1
u2

Valorile uzuale ale parametrilor " h " n conexiune EC sunt :


h11e n k;

h12e 10 4 10 5 ;

h21e n 100;

1
h22e 10 6
;

n cataloage sunt dai parametrii " h " la fracvena f 1kHz . Valoarea lor depinde de
conexiunea n care este utilizat tranzistorul, i acest lucru se specific prin adugarea unui indice
la notaia parametrului. (Ex: n cazul conexiunii EC parametrii h sunt: h11e , h12e , h21e , h22e .
Circuitul echivalent al tranzistorului utiliznd parametrii " h " este :

i1

h11

i2
+

u1

h12u2

h21i1

1 h22

u2

- lui h22 i h12 sunt foarte mici, elementele de circuit


Avnd n vedere c valorile uzuale ale
introduse de aceti parametrii sunt neglijabile. n figura urmtoare rezult schema simplificat n
regim dinamic realizat cu parametrii h.
h11
i1
i2
u1

h21i1

u2

b) Parametrii de cuadripol Y - pot fi determinai pn la frecvene ridicate ale semnalului,


astfel nct sunt folosii la analiza circuitului la frecvene nalte.

34

Circuite Electronice Liniare

i1
i1
di

du

1 u 1 u du 2

1
2

i1 i1(u1, u 2 )

i2 i2 (u1, u 2 )

di i2 du i2 du
2 u1 1 u 2 2

Ecuaiile generale scrise cu parametrii Y sunt:

i1 y1 u1 y12 u2 i1 y1 y12 u1

i2 y21 u1 y2 u2 i2 y21 y2 u2
y y11 y 22 y12 y 21

y11 - admitan de intrare cu ieirea n scurtcircuit.


i
y11 1
u1 du 0
2

y 21 - admitan de transfer direct cu ieirea n scurtcircuit.


i
y 21 2
u1 du 0
2

y12 - admitan de transfer invers cu intrarea n scurtcircuit.


i
y12 1
u 2 du 0
1

admitan de ieire cu intrarea n scurtcircuit.


i
y 22 2
u 2 du 0
1

Schema echivalent a curcuitului cu parametrii y este :


i1
u1

1 y11

c) Parametrii de cuadripol z .

y12u2

y21u1

i2

1 y 22

u2

35

Circuite Electronice Liniare

u1
u1
du

di

1 i 1 i di2

1
2

u1 u1 (i1, i2 )

u 2 u 2 (i1, i2 )

du u 2 di u 2 di
2 i1 1 i2 2
Ecuaiile generale scrise cu parametrii z sunt :
u1 z11 i1 z12 i2

u2 z 21 i1 z22 i2
Matricea se poate scrie :
u1 z11
u z
2 21

z12 i1
z
unde z 11
z22 i2
z21

z12
z22

z z11 z 22 z12 z 21

d) Parametrii de cuadripol a

U1
U1
dU

dU

dI 2
2
1 U

2
2

i1 i1 (u1, i2 )

u 2 u 2 (u1, i2 )

dI I1 dU I1 dI
1 U 2 2 I 2 2

Ecuaiile generale scrise cu parametrii a sunt :

u1 a11 u2 a12 i2

i1 a21 u2 a22 i2
Matricea:
u1 a11 a12

i1 a
21 a 22

u
2
i2

n varianta n care se definesc mrimile de ieire n funcie de cele de intrare parametrii sunt de
tip g.
Tabelul de legtur ntre diferii parametrii este urmtorul:
z
y
h
a

1
y
h22
a21

z11
y22
h
a11

z12
-y12
h12
a

z21
-y21
-h21
1

z22
y11
1
a22

z
1
h11
a12

36

Circuite Electronice Liniare

g11

-g12

g21

g22

Valorile parametrilor sunt proporionale pe coloan. Pentru a determina valorile


parametrilor necunoscui se nmulesc valorile corespunztoare ale parametrilor cunoscui de pe
coloanele corespunztoare cu o constant de proporionalitate.
Constanta de proporionalitate este egal cu:

1
K = parametrul cunoscut din coloana n care
rndul cu parametrul necunoscut are un 1
Exemplu : Se presupun cunoscui parametrii h i se cer parametrii y :
y11
y
21

y12
1

y 22 h11

1 h12
h

21 h

Utilizarea diagramelor Bod n reprezentarea caracteristicilor amplitudine frecven i faz


frecven
x(t)

h(t)

Cosidernd un sistem la care se aplic semnalul de intrare


x(t), la ieire se obine semnalul y(t). Dac x(t) este
reprezentat sub forma seriei Fourier, la intrare se aplic deci

y(t)

X(j), la ieire obinndu-se Y(j).


X(j)

ntre ieirea i intrarea sistemului se poate scrie :

Y(j)

Y j H j X j

H(j)

H(j) reprezint funcia de rspuns n frecven a sistemului.


H ( j )

Y ( j )
X ( j )

i poate fi reprezentat n majoritatea cazurilor de un raport de dou

funcii polinomiale n j.
H ( j )

a a1 j a 2 ( j ) 2 ..... a n ( j ) n
Y ( j )
K o
X ( j )
b b j b ( j ) 2 ..... b ( j ) m
0

care poate fi reprezentat ntotdeauna sub forma:


n p

H ( j ) K

(C K j )

(1 d K j )

( d K j )

K 1
m r

K 1

(1 C K j )

K n p 1
m
K m r 1

Observaie: De la fracii raionale se tie c un polinom de gradul M poate fi descompus n


produse de polinoame de gradul nti la diferite puteri cu sau fr parte real.
n relaia anterioar apar funciile elementare H ( j ) urmtoare :
1 H1 ( j
2 H 2 ( j jT

37

Circuite Electronice Liniare

3 H 3 ( j

1
jT

4 H 4 ( j 1 jT
5 H 5 ( j

1
1 jT

a) Caracteristica amplitudine-frecven permite reprezentarea variaiei ctigului ( modulului


lui H ( j ) n funcie de frecven. Att pe axa x ct i pe axa y reprezentrile se fac logaritmic
astfel:
- pe axa x se reprezint logaritmul zecimal al pulsaiei ( frecvenei ) log . Aceasta permite ca
ntre dou pulsaii aflate n raport 1/10 s se afle aceeai distan care poart denumirea de decad.
- pe axa y se reprezint ctigul n decibeli potrivit relaiei :
G [dB ] 20 log | H( j
Observaie : Axa X nu conine valoarea 0 a pulsaiei ( sau frecvenei ) rezultnd c axa OY poate fi
aleas ca poziie fa de axa OX oriunde n lungul ei.
b) Caracteristica faz-frecven permite reprezentarea variaiei fazei numrului complex
H (j) funcie de frecven. Reprezentarea este semilogaritmic, pe axa 0X se reprezint logaritmul
frecvenei ( pulsaiei ) iar pe axa 0Y faza (n radiani).
Caracteristici ale funciilor elementare.
1.
H1 ( j
H 1 j

a2 b2

K 2 02 K

G dBlog 1 j logconst.

H 1 j arctg

0
arctg 0
K

De exemplu, pentru K = 100, caracteristicile amplitudine-frecven i faz-frecven sunt


date n figura urmtoare:
G [db ] = 20 log K

60 dB
40 dB
20 dB

0
1000

0
100

0
10

log

10 0

100 0

10 3 0

10 4 0

( j )

log

0
100
2. H 2 ( j j

0
10

10 0

100 0

10 3 0

10 4 0

38

Circuite Electronice Liniare

H 2 j

0 2 2T 2 T

G [db] 20 log | H 2 ( j log j log log

Se observ c pentru o pulsaie 1 10


G 1 [db] 20 log 20 logT 20 log10 20 logT G [db] 20db , adic se obine un ctig

mai mare cu 20db la creterea frecvenei cu o decad. G = 0 => 0


j arctg

1
T

arctg
0
2

G[db]=20log|jT|
60db

+20db/decad

40db
20db
log
-20db

0/100

0/10

0=1/T 100

1000

1030

-40db
(j)

/2
log
-/2

0/100

G[db] 20 log
3. H 3 ( j jT
60db
1

0/10

0=1/T 100

1000

1030

j T

G [db] 20 log | H 3 ( j log

1
1
log
log log
jT
T

40db
Pentru o pulsaie 1 = 10 => G1 [dB] - 20 log10 log G dB dB
20dbse obine un ctig mai mic cu 20 dB la creterea frecvenei cu o decad.
Adic
1

3
/100 1 ; 0/10
0=1/T 10
1000
10
0
Dac G 0 =>
T
0 0
0
j arctg
arctg
T
-20db
0
2

log

-40db
-60db
(j)

/2
log
-/2

0/100

0/10

0=1/T 100

1000

10 0

39

Circuite Electronice Liniare

4 H 4 j 1 jT
G[db ] 20 log H 4 j 20 log 1 2T 2

j arctg T

a)

G dB log 1
(j arctg 0 0
GdB log

b)

2 10 log 2 3dB

(j arctg 1

c) GdB log T i crete cu 20 [dB


(j arctg

decada

G dB 20 log 1 jt

caracteristica real

60db

caracteristica ideal

40db

+20db/decad

20db
3db
0/100

0/10

0=1/T 100

1000

1030

log

0/100

0/10

0=1/T 100

1000

1030

log

(j)
/2
/4

40

Circuite Electronice Liniare

5. H 5 ( j ) 11 jT
G[dB ] 20 log 1

j arctg T
a)
b)

jT

20 log 1 jT 20 log 1 2T 2

T 1 G db 20 log 1 0
j arctg 0 0
T 1 G db 20 log 2 10 log 2 3db

j arctg 1
4

c) T 1 G db 20 log T i scade cu 20 db/decad

j arctg
2

G[dB ] 20 log
20dB

1
1 j T
3dB Caracteristica ideal log
100 1020 103
0

-20dB

Caracteristica real
-40dB
-60dB
(j)

log
-/4

-/2

Reguli pentru reprezentarea diagramelor amplitudine-frecven i faz-frecven.


Se repezint funcia H(j) ca produse de funcii de tipurile 1)5)
1. Reprezentarea caracteristicii amplitudine frecven.
a) Se nsumeaz diagramele ideale ntr-un punct caracteristic, dup care la stnga i
la dreapta se nsumeaz pantele, obinndu-se caracteristica ideal.
b) Caracteristica real difer de cea ideal n punctele de frngere cu n x 3dB

41

Circuite Electronice Liniare

pentru o variaie a pantei de n x20 dB/dec.


2. Reprezentarea caracteristicii faz-frecven se face pe baza caracteristicii ideale
amplitudine-frecven astfel:
a) n punctele de tangen ale caracteristicii reale cu cea ideal, faza este n x 90
pentru o pant de n x 20 dB/dec.
b) n punctele de frngere faza variaz fa de valoarea din punctul de tangen
precedent cu n x 45 pentru o variaie a pantei de n x20 dB/dec.
Exemplu:

1 0,1 j 1 100 j k
H j 100
(1 10 j ) 1 j 2

K 100;

60dB
40dB

1 j

G[dB]

- 6dB

-3dB

+3dB

1
2

1 j

1
0,1 1 10;
1

1
100 2 0,01;
2

+3dB

1
10 1 0,1;
3
1
1 4 1;
0,001
0,01
4

0,1

10

log
10

10

(j)

/2
log
-/2
-/4

42

Circuite Electronice Liniare

Tranzistorul bipolar la nalt frecven


Se constat c principalii parametri de cuadripol ai tranzistorului bipolar i modific
modulul, acesta depinznd esenal de frecvena de lucru peste anumite valori ale frecvenei
semnalului de intrare.
Principalii parametrii ai tranzistorului bipolar sunt:
h11e , h21e , y 21e - pentru conexiunea emitor comun
h21e

- pentru conexiunea baz comun.


Dependenele de frecven sunt date de relaii de forma:
h11e

-unde

h11e0
1 j

; h11e

h21e0
1 j

f
f

reprezint frecvena de tiere cu ieirea n scurtcircuit pentru conexiunea emitor

comun;

mai poart denumirea de frecven de tiere a amplificrii n curent.


h b
h11e 21 0
f
1 j
f

- f frecvena de tiere a amplificrii cu ieirea n scurtcircuit n conexiunea baz comun.


Indicele zero al parametrilor semnific faptul c valorile acestora sunt la medie sau la joas
frecven.
De exemplu forma de variaie a modulului parametrilor h21 n conexiunile emitor comun
EC i baz comun BC este:
20 log h21e ; 20 log h21e
60dB
20 log h21e0
40dB

fT
f

20dB

20 log h21b0

log f
f

10f

10 f

Frecvena de tiere la joase este practic egal cu zero.

20 log h21e 0

43

Circuite Electronice Liniare

h21e
1 j

h21e f
h21e
1
1
fT
fT

f h21e f T

f T frecvena de tiere care se obine din relaia:

f T h21e0 f

f 1,9 f T
Uzual ntre f i f T se afl relaia:
Studiul comportrii tranzistorului n alt frecven se poate face utiliznd fie parametrii h
de cuadripol la nalt frecven, fie parametrii y la nalt fecven. Prin nalt frecven se ntelege

deobicei domeniul de frecven

f
10

f f , domeniu n care parametrii sunt mrimi complexe.

Un circuit care are echivalent al fenomenelor fizice din jonciunile tranzistorului este
circuitul echivalent natural Giacoletto.
cbc

ic

rbb
B
C
B
gbc
gbe

ube

ube

cbe

S ube

gce

uce

E
Punctul B reprezint punctul din mijlocul bazei, punct aflat n faa emitorului. B mai poart
denumirea de baz intrinsec.
E
B
C
p
+

n+
B

- rbb' - rezistena intrinsec a bazei n 10 100 ;


- g b'e conductan ntre baza intrinsec i emitor;
- cb'e capacitatea echivalent ntre baza intrinsec i emitor;
- g b'c conductana ntre baza intrinsec i colector, semnificnd modificarea grosimii
bazei la modificarea tensiunii colector emitor;
c
- b'c capacitatea ntre baza intrinsec i colector i reprezint capacitatea de barier
echivalent a jonciunii baz colector;
- g ce conductana ntre colector i emitor corespunznd fenomenului fizic de variaie a
rezistenei de ieire cu tensiunea colector emitor;

44

Circuite Electronice Liniare

- S u b'e surs de curent constant comandat de tensiunea baz emitor, iar S reprezint
panta tranzistorului i se msoar n SIEMENS.
Avnd n vedere valorile uzuale ale acestor parametrii, la frecvene joase se pot neglija:
c ' , g ' , c ' rezultnd c schema echivalent de cuadripol coincide cu schema de cuadripol cu
bc
bc
be
parametrii h.
La frecvene ridicare reducerea amplitudinii semnalului la ieire se datoreaz efectului pe
care l au cb'c i cb'e care au impedan tot mai mic avnd ca efect scurtcircuitarea colectorului la
emitor.
Funcionarea tranzitorului bipolar n regim de comutaie
Prin regim de comutaie se nelege trecerea tranzistorului din starea de blocare n starea
de saturaie i invers. Schema electronic de comad este:
Ca

Cacondensatorul de accelerare, care

EC

IC

RC

este utilizat cu scopul transmiterii impulsului


de comand de la intrare direct n baza
tranzistorului;
RB1 i RB2 polarizeaz tranzistorul T.

T
RB1

Trecerea din starea de blocare n starea


de saturaie se face prin deplasarea PSF pe
dreapta de sarcin ntre cele dou zone.

RB2

ui

_
E

EC I C RC BU CE +
E
I C max C U 0
RC CE

Dac tensiunea de intrare este mic, divizorul R B1 , R B 2 i E B sunt astfel alese nct
potenialul bazei tranzistorului s fie sub valoarea tensiunii de deschidere i dac se poate puin
negativ (ca s se obin o blocare ferm).
Dac tensiunea de intrare are potenialul mare, curentul de baz care se obine are o astfel de
valoare nct nmulit cu ar da o valoare mai mare dect curentul de colector maxim determinat
de EC i RC . n aceast situaie tranzistorul conduce la saturaie putnd fi echivalat cu un contact
nchis. Sursa de tensiune E B asigur
IC
blocarea ferm a tranzistorului. Rezistena
Fig.
RC limiteaz curentul maxim de colector

1
Sche
ma
zon de
bloc
saturaie
a
unei
surs
e de
alim
enta
re cu
sarci
n

R
C

E
C

U
zon de
blocare

C
E

pentru a nu se distruge tranzistorul.


Observaie : Rezistena R B 2 i sursa de
tensiune E B sun necesare n special n
situaia n care sursa care comand etajul are
rezistena de ieire mare, n aceast situaie
aprnd dezavantajul c dei se comand cu
tensiune de nivel cobort cderea de
tensiune datorat lui I CBO pe rezistena de
ieire s fie de ordinul volilor fapt care ar
duce la saturarea tranzistorului.

45

Circuite Electronice Liniare

Diagrame de timp
ui

t
IB

ti

IBS<IB
t
IBI
Ic
Saturat

0,1IC

tS
tc
tr
t r timp de ridicare; t s - timp de stocare; t c - timp de cdere.