Curs 6 Dispozitive electronice de baza.

Tranzistoare unipolare
Cuprins
Tranzistoare cu efect de camp. Introducere.
TEC cu jonctiune (TEC-J)
TEC cu grila izolata (TEC-MOS)
Exercitii
Concluzii
Tema de casa
1. Tranzistoare cu efect de camp. Introducere.
Tranzistoarele cu efect de camp (TEC) regleaza curentul de conductie prin folosirea unei
tensiuni electrice, in opozitie cu tranzistorul bipolar ce foloseste curentul de baza. Rezulta ca
valoarea curentului de intrare (poarta) este foarte mica, comanda facandu-se in tensiune.
Functionarea TEC-urilor are la baza variatia conductantei unui strat semiconductor, numit
canal, la actiunea campului electric creat de tensiunea aplicata unui electrod de comanda
numit poarta sau grila. Curentul prin TEC se datoreaza numai purtatorilor majoritari, electroni
sau goluri, in fucntie de tipul canalului (de tip n, respectiv p).
O scurta clasificare a acestor dispozitive: (1) TEC cu jonctiune (sau grila jonctiune) : TEC-J;
(2) TEC cu grila izolata : TEC metal-oxid-semiconductor: TEC-MOS
La TEC-J valoarea curentului este de ordinul
curentului invers al unei jonctiuni pn, zeci de
nanoamperi. La TEC-MOS poarta este izolta
prin intermediul unui strat izolator (dioxid de
siliciu) astfel incat curentii de poarta sunt de
ordinul zecilor de picoamperi.
In figura se prezinta o scurta clasificare a
tranzistoarelor cu efect de camp. Se va studia
numai fucntionarea TEC cu canal n, ca fiind
similara cu a transzistoarelor bipolare de tip
npn.

2. TEC cu jonctiune (TEC-J)

Structura fizica si simbolul sunt prezentate in figura 1. De la sursa la drena se formeaza fizic
un canal de conductie, a carui latime este controlata de tensiunea aplicata portii. Canalul este
de cel putin zece pana la sute de ori mai lung decat lung. Cele doua regiuni de tip p sunt
conectate intre ele formand electrodul portii.
Acest TEC este implicit (din fabricatie) cu canal initial. Tensiunea aplicata portii trebuie sa fie
negativa pentru a miscosra latimea canalului si, deci, intensitatea curentului ce trece prin
canal. Cu tensiune zero pe poarta, curentul este maxim.

Electronica analogica

Figura 1: TEC-J. Structura si simbol

2.1. Caracteristicile TEC-J.
TECJ are urmatoarele tipuri de caracteristici statice:
Caracteristici de iesire: ID = ID(UDS) cu UGS = ct;
Caracteristica de transfer ID = ID(UGS) cu UDS = ct.

Figura 2: Caracteristica de transfer si caracteristicile de iesire

ale tranzistorului TEC-J cu canal n
Intrucat curentul de grila este zero, nu exista caracteristica de intare.
Caractersitica de transfer tipica este independenta de UDS daca UDS > UDSSat:

I
I D DSS
0,

U
1 GS , U GS V p
, cu I DSS I Dsat
VP

U GS 0
U GS V p

(1)

In figura sunt reprezentate caracteristicile de iesire (de drena) ID=ID(UDS) pentru UGS=ct. ale
unui tranzistor cu canal n. Pentru tensiuni UDS mari se disting: o zona neliniara, o zona de
saturatie in care IDS este foarte putin dependent de UDS si o zona de strapungere, caracterizata
de o crestere abrupta a curentului.

Curs #6: Dispozitive electronice de baza. Tranzistoare uipolare

La tensiuni DS mici, caracteristica de iesire este liniara, tranzistorul comportandu-se intre
drena si sursa ca un rezistor comandat in tensiune, tensiunea pe poarta. In aceasta regiune,
dependenta curentului de sursa poate fi aproximata cu relatia
2 I DSS
U GS VP U DS
VP2

(2)

U DS
VP2

I DS
2 I DSS U GS VP

(3)

ID

Valoarea rezistentei fiind

RDS

Valoarea minima a rezistentei este la UGS = 0 [V] si este

VP
RDS ,min
2 I DSS

(3)

Pentru tensiuni DS mari, curentul este aproape constanta si numai depinde de tensiunea drenasursa, comportandu-se ca o sursa de curent constrolata de tensiunea de poarta. Linia de
separatie intre cele doua regimuri (rezistor su sursa controlata) este:

U DS VGS VP

(4)

2.2. Polarizarea TEC-J

2.2.1 In figura se prezinta schema de polarizare automata, asigurata de caderea de tensiune pe
rezistenta RS. Aceasta tensiune se aplica pe poarta prin rezistenta RG (cu valori de ordinul
MOhmilor).
Polarizarea automata a portii fata de sursa este furnizata de caderea de tensiune pe rezistenta
RS, care se aplica cu semn opus- pe poarta prin rezistenta RG (de ordinul MOhmilor). In
planul caracteristicilor de transfer, ID=F(UGS), punctul de functionare se gaseste la la
intersectia dreptei de polarizare de ecuatie:
U GS RS I D I D

1
U GS
RS

(1)

Figura: Polarizarea automata a TEC-J si stabilirea punctului static de functionare

3

Electronica analogica
2.2.2 Polarizarea cu divizor de tensiune este prezentata in figura de mai jos.

Figura: Polarizarea TEC-J cu divizor rezistiv

Se pot scrie ecuatiile de circuit:

U GS VGG RS I D

U GG

(2)

U DD
R2
R1 R2

(3)

Dreapta de sarcina are ecuatia:

ID

VGG
1

U GS
RS
RS

(4)

Alegerea uneia din schemele de polarizare depinde de variatiile acceptate ale PSF-ulu
tranzistorului. Schema cu divizor rezistiv asigura a variatia mai mica a punctului de
fucntionare.

2.3. Regimul dinamic al TEC-J

La variatii mici in jurul unui punct de functionare, comportarea tranzistorului TEC-J este
descrisa de transconductanta

gm

I DSS
I
dI D

2 DSS
U

2
GS
P
dU GS
VP
V p2

ID

(1)

Valoarea maxima a transconductantei se obtine pentru tensiune GS egala cu zero, deci

curentul de drena este maxim:
I
I
g m,max 2 DSS I DSS 2 DSS
(2)
VP
VP

Curs #6: Dispozitive electronice de baza. Tranzistoare uipolare

Figura : Dependenta transconductantei de tensiunea grila sursa si modelul de semnal mic

2.4. Exemple de aplicatii cu TEC-J
Exista cateva aplicatii de baza: amplificator, sursa de curent comandata si rezistenta
comandata. In figura se prezinta un atentuator controlat in tensiune, de exemplu pentru
reglarea intensitatii volumului sonor la un amplificator audio.
Pentru folosirea TEC-J se inlocuieste rezistenta R2 din divizorul de tensiune. La tensiune nula
pe grila, rezistenta are valoare minima. Pentru tensiune de control negativa, mai mica decat
VP, tranzistorul este blocat si la iesire se regaseste intreg semnalul de la intrare. Relatia intre
amplitudinile semnalelor de la intrare si iesire este

U out
RDS

U in
RDS R1

(1)

Figura: Atenuator cu divizor rezistiv si cu transzistor TEC-J

Exemplu numeric pentru dimensionare sursa de curent de 2 [mA]. Fie un TEC-J cu canal, ca
in figura, cu parametrii VP = - 4 [V] si IDSS = 15 [mA]. Trebuie calculata rezistenta Rs.
Solutie: Se calculeaza tensiunea de comanda UGS pentru ID=2 mA din caracteristica de
transfer:
5

Electronica analogica

U
I D I DSS 1 GS
VP

U
2 15 1 GS
4

U GS 4
1 1.46 V
15
Aceasta tensiune trebuie sa fie generata de caderea de tensiune pe rezistenta
RS:
RS

1.46 V
730
2 mA

3. TEC cu grila izolata

Tranzistorul este constituit dintr-un substrat semiconductor de tip p in care s-au format prin
difuziune doua reguni de tip n puternic dopate. Aceste regiuni vor constituie sursa si drena
tranzistorului. Suprafata semiconductorului cuprinsa intre sursa si drena se acopera cu un strat
izolator (de exemplu, dioxid de siliciu). Peste stratul izolant de depune o pelicula care
repreznita grila. Contactul la substrat reprezinta baza care se leaga ohmic la sursa, la utilizarea
obisnuita, aceasta fiind si referinta de potential.
Canalul dintre sursa si drena poate fi indus in substrat prin aplicarea unei tensiuni electrice
intre grila si acesta (se obtin tranzistoarele TECMOS cu canal indus) sau format initial prin
doparea corespunzatoare a suprafetei semiconductorului de sub stratul de izolare (se obtin
tranzistoare TECMOS cu canal initial).

Figura: Structura tranzistorului MOS

Simbolurile tranzistoarelor MOS sunt prezentate mai jos.

Figura: Simbolurile tranzistoarelor TECMOS cu canal initial de tip N si P

6

Curs #6: Dispozitive electronice de baza. Tranzistoare uipolare

Figura: Simbolurile tranzistoarelor TECMOS cu canal indus de tip N si P

Cele doua tipuri de trazistoare, TEC-J si TEC-MOS, sunt asemenatoare in ce priveste
principiul de functionare dar au si deosebiri:
1). TEC-J lucreaza prin golire. In mod normal, jonctiunea este polarizata invers, iar curentul
de poarta este mai mare decat la un TEC-MOS. Daca jonctiunea este polarizata direct curentul
de poarte devine foarte mare.
2). TEC-MOS are curentul de poarta mult mai mic si este mai usor de fabricat. TEC-MOS
poate sa lucreze in doua moduri: cu polarizare directa dar si inversa a jonctiunii grila- sursa.
Dintre tranzistoarele TEC-MOS cel mai des folosit, datorita performantelor sale, este
tranzistorul TEC-MOS cu canal indus de tip N, simbolizat prin NMOS.

3.1.Caracteristici
La nivelul tranzistorului MOS apar patru marimi electrice: un curent electric generat ntre
drena si sursa: iD curentul de drena; trei tensiuni electrice si anume tensiunile ntre
terminalele tranzistoarelor: UGS tensiunea grila-sursa; UDS tensiunea drena-sursa; UGD
tensiunea grila-drena.
In figura de mai jos se prezinta caracteristicile de baza ale tranzistorului MOS cu canal indus,
in stanga - carateristica de transfer si, in dreapta, caracteristicile de iesire.

Figura: Caracteristici tipice pentru TECMOS: de transfer si de iesire

Caractersitica de transfer arata dependenta curentului de drena de tensiunea grila-sursa. Daca
tensiunea de intrare este zero curentul de drena este zero. La cresterea tensiunii de intrare
peste o valoare de prag VTH apare canal indus si curentul de drena variaza dupa relatia:
7

Electronica analogica

0, U GS VTH
ID
2
K U GS VTH , U GS VTH

(1)

Parametrul K nu se da in foile de catalog. El se calculeaza. In catalog se da curentul de drena,

ID(ON) cand tranzistorul este complet deschis (in starea ON), la anumita valoare a tensiunii
GS, tipic de 10 V. Se poate estima atunci parametrul K dupa relatia

I D (ON )

(2)

U GS VTH 2

Ca ordin de marime, tensiunea de prag VTH este in domeniul (1.55) [V]si ID(ON) in
domeniul (315) [mA].
Caracteristica de iesire. Fiecare dintre caracteristici prezinta doua regiuni distincte. La
tensiuni drena-sursa mici, curentul de drena este aproximativ proportional cu tensiunea drenasursa. Tranzistorul se comporta ca un rezistor. In aceasta regiune, curentul de drena are
expresia aproximativa:

I D 2 K U GS VTH U DS

U DS
RDS

(3)

In a doua regiune, corespunzatoare tensiunilor drena-sursa de valori mari, curentul este

constant in raport cu tensiunea drena-sursa si depinde numai de tensiunea aplicata pe grila.
Tranzistorul se comporta ca o sursa de curent controlata in tensiune si poate fi folosit ca
amplificator.
Tranzistorul MOS poate functiona n 3 regiuni de functionare distincte, determinate de
relatiile care se stabilesc ntre tensiunile tranzistorului. Astfel, regiunile de functionare ale
tranzistorului MOS sunt:
In regiunea de blocare UGS < VTH (canal N).
In regiunea liniara: UGS > VTH si UDS < UGS - VTH ; comportare de rezistor;
In regiunea de saturatie: UGS > VTH si UDS > UGS - VTH; comportare de amplificator;
Frontiera de separatie dintre cele doua regiuni de lucru este:

U DS ,lim ita U GS VTH

(4)

3.3 Tranzistorul MOS in regim variabil de semnal mic

Din ecuatiile de functionare ale tranzistorului MOS, specifice regiunilor de functionare, se
constata ca tranzistorul MOS este un element de circuit neliniar. Analiza circuitelor care
contin elemente de circuit neliniare este dificila. Din acest motiv, ntotdeauna este util ca,
pentru aceste elemente de circuit neliniare, sa se dezvolte modele liniare, valabile n anumite
conditii de functionare. La fel se pune problema si n cazul tranzistoarelor MOS.

Curs #6: Dispozitive electronice de baza. Tranzistoare uipolare

Deoarece tranzistorul MOS poate amplifica liniar numai n regiunea de saturatie, este util sa
se dezvolte un model, care sa descrie comportamentul dinamic al tranzistorului (la variatiile
marimilor sale electrice) n aceasta regiune de functionare.
Modelul prezentat n continuare se poate aplica numai n cazul n care tranzistorul MOS
functioneaza n regim variabil de semnal mic.
Un tranzistor MOS functioneaza n regim variabil de semnal mic daca marimile sale electrice
au valori variabile n timp, iar amplitudinea variatiei tensiunii grila-sursa este mai mica dect
o valoare de aproximativ 12,5 [mV]: UGS <12,5 [mV]. n aceste conditii, comportamentul
tranzistorului MOS poate fi considerat ca fiind liniar si n consecinta poate fi modelat prin
intermediul unui circuit liniar.
Din ecuatia de functionare a tranzistorului MOS valabila n regiunea de saturatie se remarca
faptul ca valoarea curentului de drena iD variaza n functie de tensiunea grila-sursa uGS.
Valoarea variatiei curentului de drena iD se poate determina determinnd derivata curentului
iD n functie de tensiunea uGS pentru cazul n care valoarea curentului de drena este mentinuta
la o valoare constanta, notata ID. Valoarea derivatei respective se noteaza cu gm si se numeste
panta tranzistorului MOS:
di D
gm
(1)
dU GS i D I D
Tinnd cont de ecuatia de functionare a tranzistorului MOS valabila n regiunea de saturatie,
relatia de calcul a pantei tranzistorului este:

gm 2 k I D

(2)

unde ID este curentul continuu prin drena tranzistorului.

Panta tranzistorului MOS descrie complet comportamentul tranzistorului MOS n regim
variabil de semnal mic, astfel nct, circuitul echivalent al tranzistorului, care modeleaza
comportamentul acestuia n regimul de functionare amintit, este cel prezentat n Figura 3. n
acest circuit, marimile electrice Ig, Is si Id reprezinta amplitudinile curentilor de grila, sursa,
respectiv drena, iar Ugs reprezinta amplitudinea tensiunii grila-sursa. Circuitul prezentat este
valabil numai daca frecventa de lucru a tranzistorului MOS este plasata n domeniul frecvente
frecventelor joase si medii, adica este mai mica dect aproximativ 1[MHz].

Figura: Circuitul echivalent ale modelului tranzistorului MOS n regim variabil de semnal
mic, pentru frecvente joase si medii.
3.4. Polarizarea tranzistoarelor MOS

Electronica analogica
Pentru tranzistoare cu canal indus polarizarea se face cu un circuit simplu, cu o singura sursa
de tensiune si un divizor de tensiune, asa cum se prezinta in figura.

Figura: Schema de polarizare a tranzistoarelor MOS: (a) cu canal indus; (b) cu canal initial
Pentru tranzistoarele MOS, perechea de marimi electrice care defineste PSF-ul este:
- curentul continuu din drena: ID
- tensiunea continua drena-sursa: UDS
Tensiunea aplicata pe poarta este

UG

U DD
RG1
RG1 RG 2

(1)

Curentul de drena va fi determinat pe baza caracteristicii de transfer. Tensiunea de drena este

U DS U DD RD I D RD I D U GS VTH

(2)

Polarizarea tranzistorului cu canal initial trebuie sa ofere posibilitatea obtinerii de valori

pozitive si negative pentru tensiunea de poarta, care se calculeaza cu relatia

U GS U DD

RG1
RS I D VTH
RG 1 RG 2

(3)

Regiunea de functionare a tranzistorului MOS este impusa prin polarizarea acestuia. Circuitul
electronic care realizeaza polarizarea tranzistorului MOS se numeste circuit de polarizare.
Prin polarizarea tranzistorului MOS, la nivelul acestuia se stabilesc marimi electrice continue
(curenti electrici de terminal, respectiv tensiuni electrice ntre terminale).

O pereche de marimi electrice continue, compusa dintr-un curent de terminal si o tensiune

ntre 2 terminale formeaza punctul static de functionare al tranzistorului respectiv (pe scurt
PSF-ul tranzistorului). PSF-ul tranzistorului furnizeaza informatii despre regiunea n care
acesta functioneaza.
Curentul drena-sursa este

I D K U GS VTH

(4)
10

Curs #6: Dispozitive electronice de baza. Tranzistoare uipolare

Circuit cu autopolarizare a grilei. Pentru polarizarea tranzistoarelor MOS cu canal initial,
pe lnga circuitul de polarizare cu divizor rezistiv n grila se mai utilizeaza nca un circuit de
polarizare, denumit circuit cu autopolarizare a grilei. Acest circuit de polarizare este mai
simplu si poate fi utilizat numai n cazul tranzistoarelor MOS cu canal initial, deoarece
utilizarea acestuia se bazeaza pe faptul ca tranzistoarele MOS cu canal initial au tensiunea de
prag VTH de semn contrar tensiunii de prag a tranzistoarelor MOS cu canal indus. De exemplu,
pentru tranzistoarele cu canal de tip N, cele care au canal indus au valoarea VTH > 0 [V], iar
cele care au canal initial, au valoarea VTH < 0[V].
Aplicatie: comutator analogic
De multe ori este necesar sa intrerupem accesul unui semnalintre doua puncte ale unui circuit
sau la bornele sarcinii. Curentii si puterile implicate sunt mici insa curentul este alternativ si
trebuie sa aiba acces in ambele sensuri.
Problema poate fi simbolizata cu ajutorul unui comutator mecanic, ca in figura. Daca in
conductie rezistenta comutatorului este Ron, pe sarcina ajunge fractiunea Rs/(Rs+Ron) din
semnalul aplicat la intrare. In regim deschis, comutatorul are o rezistenta foarte mare Roff,
deci tensiunea pe sarcina este zero.
Dintre solutiile electronice disponibile nici dioda si nici tranzistorul bipolar nu se preteaza la
aceasta apliatie, intrucat tensiunea colector-emitor, cu transzistorul la saturatie, nu poate
atinge valoarea zero si tranzistorul nu se comporta ca un rezistor. Folosirea unui tranzistor
MOS este o solutie viabila.

Figura: Comutatoare analogice

Se presupun urmatoarele date initiale de lucru:
- Tensiunea sursei de semnal variaza intre -5 V si +5 V;
- Rezistenta de sarcina este Rs = 50 kOhm;
- Curentul prin sarcina variaza intre -0.1 mA si +0.1 mA;
- Tranzistorul MOS are VGS (ON)=10 V, RDS = 200 Ohm, IDS(ON) = 10 mA, VTH = 2 V;
- Tensiunea de comanda intre -10 V si +10 V;
Solutia problemei in diferite configuratii este prezentata in figura urmatoare. Substratul se
leaga la cel mai coborat potential, de ex. -10 V, indiferent de regimul de fucntionare.

11

Electronica analogica
Daca poarta este la 10 V , mai coborat decat orice valoare din drena si sursa, rezulta ca
tranzistorul este blocat. Rezistenta intre drena si sursa este de ordinul GOhm. Tensiunea care
ajunge pe sarcin aeste practic zero.

Figura: Functionarea comutatorului cu tranzistor NMOS

Daca poarta este pusa la +10 V, atunci tranzistorul este deschis avand o rezistenta de cca 50
100 Ohm.

Exemplu numeric. Fie un amplificator de tensiune

cu TEC-MOS-N. Sursa de alimentare este VDD=20
[V]. Se impune un PSF cu ID=2 mA si UDS = VDD/2.
Se mai cunosc pentru tranzistor VTH = 0.5 [V] si
curentul in starea ON (tranzistor deschis)
IDS(ON)=10 [mA] masurat la UGS = 20 [V]. Sa se
calculeze circuitul de polarizare compus din
divizorul rezistic din poarta si rezistenta de drena.

Solutie: Se caluleaza rezistenta din drena pe baza impunerii potentialului din drena la
jumatate din valoarea alimentarii:

RD

VDD U DS VDD VDD / 2 VDD

20

5 k
ID
ID
2 I D 2 2[mA]

Se calculeaza constanta K pe baza datelor de catalog. Din ecuatia caracteristicii de transfer

scisa pentru starea ON a tranzistorului:

I D K U GS VTH I DS (ON ) K U GS VTH

2

I DS (ON )

U GS VTH

10 10 3

20 0.5

0.026 mA/V 2

Se calculeaza tensiunea GS pentru obtinerea curentului de drena impus:

I D K U GS VTH U GS
2

ID
2
VTH
0.5 9.27 V
K
0.026
12

Curs #6: Dispozitive electronice de baza. Tranzistoare uipolare

Curentul de grila fiind zero, se inpune prin divizor in curent de 0.01 mA. Valorile
rezistoarelor sunt:

I D K U GS VTH R1
2

R2

U GS
9.27 V

927 k
I div 0.01 [mA]

VDD U GS 20 9.27 V 10.73 V

1073 k
I div
0.01 [mA]
0.01 [mA]

Alegerea unor valori mai mici pentru rezistoare, echivalent a unui curent mai mare prin
divizor, ar duce la micsorarea rezistentei de intrare a tranzistorului TEC-MOC.

Concluzii
Tranzistoarele cu efect de camp (TEC) regleaza curentul de conductie prin folosirea unei
tensiuni electrice, in opozitie cu tranzistorul bipolar ce foloseste curentul de baza. Rezulta ca
valoarea curentului de intrare (poarta) este foarte mica, comanda facandu-se in tensiune.
Exista: (1) TEC cu jonctiune (sau grila jonctiune) : TEC-J; (2) TEC cu grila izolata : TEC
metal-oxid-semiconductor: TEC-MOS. Fiecare din ele poate fi cu canal n sau cu canal p.
Dintre tranzistoarele TEC-MOS cel mai des folosit, datorita performantelor sale, este
tranzistorul TEC-MOS cu canal indus de tip N, simbolizat prin NMOS.
Tranzistoarele TEC-J au curenti de intrare de ordinul nA. Tranzistoarele TEC-MOS au curenti
de intrare de ordiunul pA.
Modelele TEC-urilor sunt de generatoare de curent comandate in tensiune. La tensiuni mici
drena sursa, dispozitivele TEC se comporta ca rezistente comandate in tensiune.
Tranzistoarele TEC-MOS au rezistenta drena-sursa foarte mici in starea On, de ordinul
mOhm, ceea ce le face foarte utile in comutatoare analogice.

Tema pentru acasa #5: Fie un generator de curent cu TEC-J.

Se dau: VDD, IDSS = 15 [mA], ID = 2 [mA], VP =-4 [V]. Sa se
calculeaze rezistentele de polarizare RS, R1 si R2.

VDD 10 ( ziua _ nasterii luna _ nasterii ) / 10 V

13