Electronica 2e25f

Cap.
1 Noiuni ntroductive
1.1 Obiectivele cursului
1.1 Obiectivele cursului

Electronica este un domeniu tehnico-tiinific, care
are ca obiecte de studiu:
fenomenele fizice n dispozitivele semiconductoare i
alte dispozitive electronice,
elaborarea unor dispozitive de performan sau cu
destinaii speciale,
caracteristicile electrice i parametrii acestor
dispozitive,
elaborarea circuitelor electronice cu diverse destinaii
i aplicaii.
Primele dou obiecte constituie baza electronicii

fizice, iar altele dou a electronicii tehnice. Din electronica
tehnic fac parte:
radioelectronica st la baza radiotelecomunicaiilor,
televiziunii, radiolocaiei, radioastronomiei, etc.;
electronica industrial asigur diverse ramuri ale
industriei cu aparate electronice, sisteme de msur, sisteme
de comand, convertoare de putere (electronica de putere),
echipament tehnologic etc.;
bioelectronica furnizeaz echipament electronic pentru
cercetri n domeniul biologiei i, n deosebi, pentru medicin
(electronica medicinal).
exist i alte domenii ale electronicii tehnice cum ar fi
electronica pentru cercetri tiinifice etc.
Diverse domenii ale electronicii tehnice au o baz

comun aplicarea dispozitivelor semiconductoare
pentru elaborarea circuitelor electronice (amplificatoare,
oscilatoare, generatoare, convertoare statice, circuite
digitale etc.).
Aceste circuite formeaz baza diferitelor sisteme
electronice sofisticate ca sisteme de comand automat
sisteme de msur i achiziii de date, sisteme cu
microprocesoare etc.
n electronica industrial deosebim cteva direcii
ca:
electronica informaional, care st la baza

sistemelor informaionale (dispozitive de transmitere,
recepie, prelucrare i pstrare a informaiei, reele de
calculatoare), sistemelor de msur i a celor de
automatizare (de exemplu automatizarea i monitorizarea
proceselor tehnologice).
electronica de putere are ca obiective convertoarele

statice de putere i dispozitive semiconductoare pentru
aceste aplicaii.
electronica tehnologic, care cuprinde domeniile de

elaborare i exploatare a aparatelor i echipamentelor
electronice utilizate pentru diverse tehnologii de
prelucrare a materialelor (spre exemplu, cu fluxuri de
electroni sau ioni, lasere, ultrasunet etc.).
Scopurile ciclului prezent sunt:

studiul structurii, principiului de funcionare,
caracteristicilor i parametrilor i modului de
exploatare a dispozitivelor semiconductoare;
analiza principiilor de elaborare, funcionare i
utilizare a circuitelor electronice analogice
(amplificatoare
electronice,
reacii
n
amplificatoare, oscilatoare etc.).
1.2 Elemente de circuit (reale i ideale)

Elementul de circuit ideal este un model care descrie
un sistem fizic ce schimb energie i informaie cu restul lumii
(reprezentat de circuitul exterior lui) numai prin curenii i
tensiunile de la bornele sale. Legturile ntre aceste
elemente de circuit se realizeaz prin conductoare ideale.
Firul conductor ce leag dou elemente de circuit este
modelat cu un conductor ideal, fr rezisten, i desenat pe
scheme ca o linie continu. /Corespondentul su fizic are, ns,
ntodeauna o rezisten electric diferit de zero, prezint acumulri

de sarcini electrice care, prin cmpul electrostatic creat,
interacioneaz cu celelalte conductoare din apropiere, i, n plus,
prin cmpul magnetic creat, interacioneaz cu ceilali cureni electrici
din circuit/.
Cnd mrimea acestor efecte conteaz, nu

renunm la modelul conductorului ideal ci adugm n
circuit modelele unor alte elemente de circuit, modele la
fel de ideale: de exemplu, interaciunea unui conductor cu
un alt conductor nvecinat, prin cmp electrostatic, este
modelat prin adugarea unui condensator ideal, al crui
cmp electric nu se extinde n afara armturilor.
Regula jocului este simpl: utiliznd elemente de
circuit ideale modelm elemente i interaciuni reale. Nu
trebuie s uitm, ns, c simbolurile pe care le vedem pe
scheme reprezint modele idealizate, chiar dac poart
aceleai nume cu dispozitivele fizice reale, i c legile pe
care le vom formula se refer la aceste modele.
Schemele circuitelor cu care vom lucra trebuie

desenate n aa fel nct s faciliteze nelegerea
funcionrii, s conin suficiente informaii pentru
construirea circuitelor i, de asemenea, s ajute la
depanarea acestora; o schem desenat prost sau creia
i lipsesc informaii importante produce numai confuzii.
Singurul mod n care putei nva sa desenai bine
scheme electronice este chiar desenarea acestora, cu
mna liber, eventual pe hrtie cu caroiaj orizontal i
vertical.
Utilizai numai creionul i pregtii-v guma, nici cei

cu mult experien nu pot desena ntodeauna o schem
"bun" din prima ncercare.
Mult mai mult dect din seturi de reguli complicat
formulate putei nva prin desenarea pe caiet a
schemelor circuitelor.
Completai-le ntodeauna cu informaii care v ajut
la nelegerea funcionrii, cum sunt sensurile curenilor
i polaritile tensiunilor pe ramurile importante, precum
i cele legate de desfurarea concret a experimentului:
tipul aparatelor de msur folosite, polaritatea legrii lor
n circuit, scala pe care au fost utilizate i rezistenele lor
interne.
Principii, reguli i trucuri care v ajut s

desenai corect o schem electronic:
1. Schemele nu trebuie s conin ambiguiti;
simbolurile componentelor, valorile parametrilor lor
(inclusiv unitile de msur), polaritile, etc, trebuie
s fie trecute cu claritate pentru evitarea confuziilor.
2. O schem bun sugereaz limpede funcionarea
circuitului; din acest motiv desenai distinct regiunile
cu funcionare diferit, fr s va temei c lsai zone
libere. Pentru multe tipuri de circuite exist moduri
convenionale de a le desena, care permit
recunoaterea lor imediat; le putei nva numai
desenndu-le aa cum le gsii n manuale.

3. Interconectarea
conductoarelor
este bine s fie figurat prin
cercuri pline, ca n Fig. 1.1. a).
Uneori vom uita i noi acest lucru
pentru c respectarea altor reguli
elimin pericolul confuziilor.
4. Dei muli consider aceasta
demodat, noi v sftuim s
desenai dou conductoare care se
intersecteaz fr conexiune cu un
mic semicerc, ca n desenul b al
figurii; fii pregtii, totui, s gsii
n
scheme
aceast
situaie
reprezentat ca n desenul c).

5. Pentru a evita orice posibilitate de
confuzie nu desenai niciodat
patru conductoare conectate ntrun singur punct, ca n Fig. 1.1 d) ci
folosii reprezentarea din desenul
e) al figurii.
6. ncercai, pe ct posibil, s aliniai
orizontal i vertical componentele,
astfel nct conductoarele de
legtur s fie i ele orizontale sau
verticale.

7.
8.
9.
Punei linia de alimentare cu tensiune pozitiv n

partea superioar a desenului i cea negativ n
partea inferioar, astfel nct curenii s curg (pe
desen) de sus n jos.
Circuitele prelucreaz semnale; n general, acestea
trebuie s "mearg" de la stnga la dreapta, intrarea
fiind n stnga iar ieirea n partea dreapt a schemei.
Dac schema se complic, nu insistai s strngei
toate firele care merg la mas ntr-un singur punct ci
utilizai local simbolul de mas; acelai lucru este
valabil i pentru firele care merg la alimentare, pentru
care putei scrie, pur i simplu, valoarea tensiunii de
alimentare (fa de mas).
simbolul de mas
1.3 Intensitatea
curentului
Intensitatea curentului electric ntr-un punct al unui

conductor (mai corect ar fi ntr-o seciune a sa, dar noi
vom neglija grosimea sa fizic) este, prin definiie
"debitul" de sarcin electric transportat prin acel punct
I(t)=dq/dt
Unitatea de msur este amperul, care corespunde

trecerii unui coulomb (aproximativ 6x1018 sarcini
elementare) n timp de o secund.
Cum transportul poate avea loc n oricare dintre
cele dou sensuri, este obligatoriu s atribuim acestei
mrimi un sens.
A spune c prin punctul M al conductorului
intensitatea este de 3 A este o informaie util, dar cu
siguran incomplet. Pentru a simplifica exprimarea,
vom spune adesea "un curent de 2 A" n loc de un "curent
cu intensitatea de 2 A.
S presupunem, c
avem stabilit un regim de
curent continuu, adic toate
intensitile i potenialele din
circuit au ncetat s mai
depind de timp. Aceasta
nseamn i c sarcina
electric
total
a
conductorului dintre punctele
M i N de pe Fig. 1.2 a),
trebuie s rmn constant.
Cum ea nu poate fi
creat sau distrus "debitul"
de sarcin care intr prin
punctul M trebuie s fie exact
egal cu debitul de sarcin
care iese prin punctuil N
IM=IN
Electronica opereaz ns,

cel mai adesea, cu tensiuni i
cureni
variabili
n
timp.
Revenind la situaia simpl din
Fig. 1.2 a) putem spune acum
c la orice moment de timp
avem egalitatea IM(t)=IN(t) ?
Numai dac o perturbaie
n distribuia de sarcin de pe
ntregul circuit se deplaseaz
instantaneu.
O
asemenea
perturbaie se deplaseaz, ns,
cu vitez finit, aproape egal cu
viteza
luminii
n
mediul
respectiv. Ajungem, astfel, la
concluzia c putem considera
intensitile egale
Ajungem, astfel, la concluzia c putem considera

intensitile egale
IM(t)=IN(t)
numai dac privim fenomenele la o scar de timp mult mai

mare dect dMN/c, unde dMN este distana ntre punctele M i
N iar c viteza luminii n mediul respetiv. Pentru semnale
sinusoidale, condiia anterioar conduce la
dMN<<cT=
1.3
adic dimensiunile circuitului trebuie s fie mult mai mici

dect lungimea de und.
Pentru circuite
de
dimensiuni
obinuite,
aceasta
nseamn frecvene pn n domeniul sutelor de MHz (pn
n domeniul undele radio ultrascurte i a emitoarelor de
televiziune).
Peste aceste frecvene, modelarea circuitelor se face
complet diferit, cu parametri distribuii, ecuaiile care le
descriu fiind cu derivate pariale. Aa este cazul cablului
pe care primii semnalul de televiziune CATV (CAble
TeleVision): lungimea de und este de ordinul a ctiva metri
i, la un moment dat curenii prin firul central arat ca n
Fig. 1.3. Noi nu vom aborda acest domeniu, aa c relaia
(1.3) va fi ntodeauna respectat.
Dac
relaiile
(1.2-1.3)
sunt
ndeplinite, aa cum va fi
ntodeauna cazul n circuitele cu
care vom lucra, la punctul de
conexiune
a
mai
multor
conductoare, numit nod, suma
intensitilor curenilor care intr
este egal cu suma intensitilor
curenilor care ies din nodul
respectiv (Fig. 1.4).
De multe ori este comod s tratm identic aceste
intensiti, acordndu-le semne algebrice, dup o
anumit convenie, de exemplu considernd pozitivi
curenii care intr i negativi pe cei care ies. In acest
mod, proprietatea anterioar se scrie
1.5
sumarea efectundu-se peste toi curenii care ajung Ia

nodul respectiv.
Relaia anterioar este esenial n circuitele
electronice i este cunoscut sub numele de legea (sau
teorema) I a lui Kirchhoff sau legea curenilor. Dei acum
intensitatea este reprezentat printr-un numr pozitiv sau
negativ, nu trebuie s uitm c, n spatele acestei
convenii,
curentul are un sens, intrnd sau ieind
din nodul respectiv.
Ori de cte ori analizm un circuit este mult mai bine
s figurm printr-o sgeat sensul curentului dect
s spunem c "intensitatea este negativ", deoarece
caracterul negativ i-a fost acordat de convenia noastr,
care putea, la fel de bine, sa fie aleasa exact pe dos.
1.4 Tensiunea electric

Intre bornele elementelor de
circuit parcurse de curent electric
exist tensiuni electrice, ele neavnd
acelai potenial.
Cum la efectuarea diferenei
de potenial ordinea este esenial,
va trebui s spunem ntodeauna ce
nelegem prin tensiunea U ntre
punctele A i B, diferena VA-VB sau
diferena VB-VA.
Exist mai multe variante de a

reprezenta pe desen convenia pe
care am ales-o; nou ni se pare c
cea mai simpl i sigur este
trecerea semnelor + i - la capetele
unui arc de cerc, desenat ntre
punctele respective, ca n Fig. 1.5.
Aceste semne ne spun modul
n care efectum diferena ntre
poteniale i nu faptul c potenialele
respective sunt ele nsele pozitive
sau negative.
In electronic, regula general

este
msurarea
potenialelor
nodurilor fa de un nod anumit,
numit mas i s se lucreze, pe ct
posibil
numai
cu
potenialele
nodurilor.
Raiunea este simpl: este
mult mai uor s vorbeti despre
altitudinea fa de nivelul mrii a
fiecruia dintre cinci orae dect
despre cele 10 diferene de nivel
dintre aceste orae; oricnd o
anumit diferen poate fi calculat
rapid din altitudinile celor dou
orae.
Vom utiliza pentru nodul de
mas simbolul din Fig. 1.5 i, uneori,
prescurtarea GND, ca n limba
englez (de la ground).
Astfel, ori de cte ori vei

ntlni poteniale (sau tensiuni) care
au un singur indice inferior (VA) este
vorba despre potenialul nodului
respectiv (tensiunea sa msurat
fa de mas).
Cnd va trebui s vorbim
despre tensiunea ntre dou puncte
oarecare, vom utiliza doi indici
inferiori, care s se refer la nodurile
respective (VAB), sau vom trece ca
indice inferior elementul de circuit la
bornele cruia msurm tensiunea
(UR1).
Tensiunea electric se msoar n voli;

prescurtarea acestei uniti de msur, V, poate s
produc confuzii, deoarece i potenialele se noteaz, de
regul tot cu litera V.
Pentru evitarea confuziilor, este bine sa se respecte
regula ncetenita in literatura tiinifica i anume ca
variabilele corespunztoare mrimilor fizice sa tie notate
cu utere italice (cursive). Astfel, 3V nseamn trei voli, pe
cnd
3V este produsul dintre constanta trei
i
potenialul notat cu litera V.
n fenomenele ntlnite n natur i tehnic, att

curentul ct i tensiunea pot avea valori pe o gam foarte
larg. Diagrama prezentat n Fig. 1.5 b) se refer la cteva
fenomene mai cunoscute;
Faptul c pentru supraconductori tensiunile sunt mult mai

mici dect cele figurate iar pentru acceleratoarele de
particule ele sunt mult mai mari a fost reprezentat pe
diagram prin sgei. Acelai lucru se ntmpl n cazul
"loviturilor" de trznet, pentru care i tensiunea i
curentul pot fi mai mari dect valorile reprezentate pe
diagram.
Tensiunea electric ntre dou puncte se

definete prin lucrul mecanic efectuat de cmpul
electrostatic la deplasarea unei sarcini de valoare
unitar. Aceasta nseamn c, fiind parcurs de un
curent electric, un element de circuit transfer
sarcinilor energie (este un generator electric) sau
primete de la acestea energie (este un
consumator electric).
Consumatoarele sunt numite elemente
pasive, pe cnd generatoarele sunt elemente
active.
Cnd curentul electric intr n elementul de circuit

pe la borna de potenial ridicat (la borna pozitiv vom
spune, adesea, prin abuz de limbaj), sarcinile electrice
sunt accelerate de cmpul electrostatic i "frnate" prin
interacia cu structura intern a elementului de circuit. In
acest caz, elementul de circuit este un consumator de
energie electric, aa cum este cazul poriunilor BC i DE
din Fig. 1.6.
ntr-un consumator de energie electric, curentul

curge de la borna cu potenial ridicat la borna cu potenial
cobort
Pe de alt parte, exist elemente de circuit care
furnizeaz energie electric, fie primind-o din exterior sub
o alt form (lumin n cazul fotoelementelor, mecanic n
cazul generatoarelor hidrocentralelor, etc), fie avnd-o
stocat sub o form diferit (chimic n cazul elementelor
galvanice). Dup cum se poate observa n Fig. 1.6,
ntr-un generator de energie electric, curentul
curge de la borna cu potenial cobort la borna cu
potenial ridicat.
Enunurile
anterioare,
sintetizare n Fig. 1.7, pot fi
memorate uor prin analogie
cu micarea unor corpuri n
cmp
gravitaional:
generatorul le transport de
la nlime mic la nlime
mare,
iar
ele
coboar,
transfernd energia, prin
frecare, corpurilor cu care
vin n contact.
Dup cum v amintii, introducerea potenialului

electrostatic a fost posibil deoarece ntr-un astfel de
cmp lucrul mecanic efectuat de cmp nu depindea de
drum. Aceasta afirmaie este echivalent cu aceea c pe
orice contur nchis lucrul mecanic este nul. In circuitele
electrice, orice contur nchis nseamn "orice ochi (bucl)
a circuitului"; cum lucrul mecanic este proporional cu
tensiunea electric
rezult imediat c
pe orice ochi al circuitului, suma algebric a variaiilor de potenial
este nul
aa cum se poate vedea n Fig. 1.8.

33
Aceasta implic parcurgerea ochiului ntr-un sens

oarecare i considerarea ca pozitive a variaiilor care duc
la creterea potenialului i negative a celor care coboar
potenialul. Relaia anterioar este cunoscut ca a doua
lege a lui Kirchhoff sau legea tensiunilor.
Astfel, pe circuitul din Fig.

1.6, parcurgnd circuitul n
sensul ABCDEFA avem
-2-3+5= 0
iar parcurgndu-1 n sens

invers, AFEDCBA ajungem
la relaia echivalent
-5+3+2= 0
1.5 Legea lui Ohm: rezistoare

Un element de circuit cu dou
borne de acces se numete dipol.
Conform cu cele discutate anterior,
intensitile la cele dou borne
trebuie s fie egale (Fig.1.9). In plus,
mai avem pentru descrierea strii
sale electrice tensiunea la bornele
sale. Vom adopta o convenie care
este
natural
pentru
dipolii
consumatori de energie: curentul
intr n dipol pe la borna cu
potenial ridicat.
Cu
acestea,
comportarea
dipolului n regim de curent
continuu este complet descris de
relaia funcional I = f(U), numit
caracteristic static a dipolului.
Pentru conductoarele reale confecionate din metale

sau multe alte tipuri de materiale, relaia funcional
este una de proporionalitate
1.8
cunoscut ca legea lui Ohm. Constanta R caracterizeaz

conductorul respectiv i poart numele de rezisten
electric.
Dei multe materiale o respect, relaia de mai sus
nu este altceva dect o relaie de material. Nu toi dipolii
respect, deci, legea lui Ohm, "dac legea lui Ohm ar fi
general valabil, electronica n-ar mai exista"1.
Elementele de circuit care respect legea lui Ohm
cu destul acuratee sunt numite rezistoare i sunt
utilizate pe scar larg n circuitele electronice.
Rezistorul ideal respect cu exactitate legea lui

Ohm. Simbolurile recomandate pentru el sunt cele din Fig.
1.10 a).
Caracteristica sa static
este o linie dreapt (desenul b al
figurii) i, din acest motiv, el este
un dispozitiv de circuit liniar.
Dac n relaia (1.8) schimbai
simultan semnele intensitii i
tensiunii, relaia continu s
rmn valabil.
Aceasta nseamn c, de
fapt, putei inversa rezistorul la
borne fr ca restul circuitului s
sesizeze modificarea: rezistorul
este un dispozitiv simetric.
In aplicarea legii lui Ohm

trebuie s acordai ntodeauna
atenie conveniei de sensuri:
dac
ai
stabilit
sensul
curentului, atunci relaia trebuie
scris
aa cum este exemplificat n desenele c) i d) ale figurii
Chiar
atunci
cnd
sunt
fabricate n condiii foarte bine
controlate, rezistoarele au valoarea
mprtiat
statistic;
astfel
productorii de dispozitive electronice
ofer rezistoare n mai multe game de
toleran.
Cele mai puin precise au o
toleran de +/- 20 % n jurul valorii
nominale (valoarea marcat pe
rezistor).
Cu
aceast
toleran,
valorile nominale standardizate pentru
o decad de valori sunt cele din seria
E6, prezentat n Fig. 1.10 e).
Se observ c aceste valori
sunt aproximativ echidistante pe
scara logaritmic; cu linie subire au
fot trasate intervalele de toleran
pentru fiecare din valori.
Pentru
celelalte
decade,
valorile nominale se nmulesc cu
puteri ale lui 10, ca de exemplu 33 ,
330 , 3.3 k,...etc.
10. AMPLIFICATOARE SELECTIVE

Amplificatoarele selective au banda de trecere
foarte ngust i sunt folosite pentru a evidenia semnalul
util, prin suprimarea celorlalte armonici suplimentare,
(pentru amplificarea semnalelor de o anumit frecven
f0) la recepia radio i TV, n echipamentele de msurri
i automatizri.
Pentru ngustarea benzii

amplificatoarelor selective este
principii:
1.n calitate de sarcin
conectat un circuit oscilant (vezi
de trecere i formarea
folosit unul din dou
a amplificatorului este
fig. 10.1.).
2.
n bucla de reacie este folosit un filtru de band
(vezi fig.3.2.).
Amplificatoarele selective de tipul I se mai numesc

amplificatoare de rezonan i au conectate n circuitul
colectorului un circuit oscilant LC (vezi fig.10.3).
Caracteristica amplitudine - frecven va avea
aceeai form ca i dependena impedanei circuitului
oscilant de frecven.
Pentru a mbunti parametrii (factorul de calitate

Q) inductana L este conectat n circuitul colectorului
parial (prin priz) (vezi fig.10.4).
Pentru a evita untarea circuitului oscilant prin
sarcina cu rezisten mic, semnalul este cules prin
condensatorul de cuplaj de pe o poriune a inductanei
vezi fig.10.4.a.) sau este cules prin intermediul unei
inductane mutuale (vezi fig.10.4.b.).
Deoarece la joase frecvene (f<50 kHz) cresc

valorile necesare ale inductanelor i capacitilor, cresc
gabaritele elementelor folosite. n acelai timp crete i
rezistena bobinei, deci scade factorul ei de calitate.
Din aceste considerente n amplificatoarele
selective de tipul II n bucla de reacie sunt folosite filtre
RC de band: reeaua Wien i reeaua dublu T (vezi
fig.8.11 i 2.12).
Mai frecvent este folosit reeaua dublu T (vezi

fig.10.5), deoarece putem cpta la frecvena de
cuazirezonan f0 un factor de transfer al buclei de reacie
aproape de zero .
0 0
La aceast frecven reacia este nul i factorul de

amplificare al amplificatorului capt valoarea maximal.
La frecvene deferite de f0 apare reacia negativ, care
aduce la micorarea factorului de amplificare.
11. AMPLIFICATOARE DE PUTERE

11.1 Noiuni generale
Amplificatoarele de putere sunt etaje de ieire
(finale) ale amplificatoarelor cu multe etaje, care servesc
pentru dezvoltarea pe sarcin a puterii maximale.
Dificultile eseniale legate de amplificatoare de
putere sunt:
1.sarcina are de regul rezisten mic i, prin
urmare, impedana de ieire a amplificatorului de putere
trebuie s fie mic;
2.cuplajul sarcinii trebuie ales urmrind acelai
scop i mai frecvent este efectuat prin transformator;
3.deoarece puterea necesar pe sarcin este mare,
este important alegerea tranzistorului dup mrimea
puterii maxime a colectorului PCM.
Parametrii principali, prin care sunt caracterizate

amplificatoarele de putere sunt:
puterea de ieire Pie;
factorul de amplificare a puterii Kp;
randamentul ;
factorul distorsiunilor neliniare v;
factorul de utilizare a tranzistorului n

tensiune .
Parametrii amplificatoarelor de putere depind de

clasa de funcionare a etajului de ieire: A, B, C sau clasa
intermediar AB.
Cu toate c schemele amplificatoarelor de putere n
varianta clasic includ transformatoarele de cuplaj, n
schemele
moderne,
de
regul,
sunt
folosite
amplificatoarele cu tranzistoare complementare, n care
sunt evitate transformatoarele.
Deoarece tradiional amplificatoarele de putere sunt
folosite pentru amplificarea semnalelor sonore, ele sunt
mai frecvent amplificatoare de joas frecven.
11.2 Amplificatoare de putere clasa A
n
fig.11.1
este
reprezentat
schema
amplificatorului de putere clasa A.
Acordarea sarcinii este efectuat folosindu-se
transformatorul T.
Deoarece
rezistena
nfurrii
primare
a
transformatorului de ieire Rw1 este foarte mic, dreapta
de sarcin va fi aproape vertical. Sarcina n curent
alternativ este determinat de rezistena sarcinii raportat
la nfurarea primar:
Sarcina n curent alternativ este

determinat de rezistena sarcinii
raportat la nfurarea primar:
unde kT este factorul de transformare

al transformatorului de ieire:
Dreapta de sarcin n c.a. (caracteristica dinamic de

ieire) trece prin punctul de repaos i intersecteaz axa
UCE n punctul:
Destinaia celorlalte elemente ale

schemei este identic cu cazul etajului
amplificator EC.
Deoarece puterea disipat pe RE poate fi trecut n

pierderi, pentru a majora randamentul va fi necesar de
micora valoarea RE.
Prin urmare, capacitatea CE va trebui s aib valori
foarte mari. Atunci, cnd aceste valori sunt exagerat de
mari ne refuzm de condensatorul CE n schem.
Rezistena RE va fi aleas de o valoare foarte mic pentru
a asigura stabilitatea funcionrii amplificatorului i
reducerea zgomotului, formnd reacie negativ.
Pentru amplificatoarele de putere clasa A pot fi

menionate urmtoarele avantaje:
simplitatea modificrii fazei tensiunii de ieire;
posibilitatea folosirii sursei de alimentare cu
tensiune joas, deoarece n nfurarea primar a
transformatorului de ieire n curent continuu
cderea de tensiune va fi foarte mic (datorit
rezistenei mici) i
U CE0 E C
Dezavantajele principale sunt:

deoarece este folosit clasa A randamentul maxim
posibil va fi 50%;
datorit curentului colectorului de repaos, care
curge prin nfurarea primar a transformatorului
de ieire, regimul transformatorului este apropiat de
saturaie i acest fapt aduce la distorsiuni neliniare
eseniale;
folosirea transformatorului este nsoit de:
creterea gabaritelor i masei,
dependena parametrilor de frecvena ,
sensibilitatea echipamentului la cmpuri
magnetice.
11.3 Amplificatoare de putere n contratimp

cu cuplaj prin transformator
n fig.4.2. este reprezentat schema amplificatorului
de putere n contratimp clasa B cu cuplaj prin
transformator.
Schema este format din dou etaje cu punct
neutru comun i transformator de ieire comun cu priz
median n primar.
Pentru ca tensiunile de intrare pentru fiecare etaj s

fie n antifaz poate fi folosit etajul cu sarcin divizat
schema crui a fost prezentat n cap.8 (vezi fig.8.14). De
asemenea poate fi folosit un transformator de intrare cu
priza median n secundar (vezi n fig.11.2).
Tranzistoarele VT1 i VT2 funcioneaz pe rnd n

antifaz, amplificnd cte o alternan a semnalului. n
timpul alternanei pozitive VT1 va fi blocat i curentul iC1
va fi egal cu zero, iar VT2 va fi n regim activ direct i
curentul iC2 va parcurge seminfurarea primar de jos a
transformatorului de ieire T2, i n nfurarea secundar
va fi indus tensiunea de ieire. n timpul alternanei
negative tranzistoarele i schimb rolul. Curentul
nfurrii primare a transformatorului de ieire va fi suma
algebric a curenilor colectoarelor:
i1T2 = iC1 - iC2.
n fig.11.3 sunt reprezentate formele de und

tensiunilor de intrare uBE1, uBE2, curenilor de ieire
tranzistoarelor iC1, iC2 i al transformatorului de ieire
n circuitul amplificatorului clasa B pentru semnal
intrare sinusoidal.
ale
ale
i2T2
de
n amplificatoarele clasa B, adic fr polarizarea

tranzistoarelor, apar distorsiuni neliniare datorit
neliniaritii caracteristicilor de intrare ale tranzistoarelor
VT1 i VT2 la tensiuni mici (vezi fig.11.4). n aa mod la
nivelul zero se formeaz o treapt n semnalul de ieire.
Pentru a exclude aceste distorsiuni este folosit

clasa AB . Prin divizorul de tensiune R1-R2 baza este slab
polarizat. Schema amplificatorului de putere n
contratimp clasa AB este reprezentat n fig.11.5.
Dezavantajul principal
este necesitatea unei

perechi de tranzistoare cu parametrii identici, la care se
adaug
dezavantajele,
legate
de
folosirea
transformatoarelor (vezi 11.2.).
11. 4 Amplificatoare de putere n contratimp fr

transformator
Aceste amplificatoare pot fi (vezi fig.11.6.) cu dou
intrri separate cu semnale n antifaz (vezi fig.11.6.a) sau
cu o intrare comun (vezi fig.4.6.b. i fig.11.6.c.), cu dou
surse de alimentare (vezi fig.4.6.a. i fig.11.6.b.) sau cu
una comun (vezi fig.11.6.c.).
Schema reprezentat n fig.11.6.a. este format din

dou tranzistoare de acelai tip VT1 i VT2, care
funcioneaz n contratimp, polarizate de dou surse
individuale de alimentare (E1 i E2), i are dou ntrri, la
care semnalele de intrare se aplica n antifaz. Schemele
din fig.11.6.b. i fig.11.6.c. au o singur intrare deoarece
sunt dotate cu tranzistoare complementare (cu parametri
identici): VT1 de tip p-n-p i VT2 de tip n-p-n.
n schema din fig.11.6.b fiecare tranzistor este

polarizat separat, iar n schema din fig.11.6.c ca surs de
polarizare
pentru
tranzistorul
VT2
este
folosit
condensatorul C: cnd este aplicat alternana negativ a
semnalului de intrare, VT1 este n regim activ direct i
curentul emitorului iE1 ncarc condensatorul C pn la
E/2. n acest timp VT2 este blocat, adic curentul su este
egal cu zero.
n timpul alternanei pozitive VT1 este blocat, iar

tensiunea de pe armturile condensatorului C polarizeaz
VT2. Tranzistorul VT2 este n conducie i prin
condensatorul C curge iE2. Deoarece VT1 i VT2 au
parametri identici i curenii prin sarcin ai tranzistoarelor
iE1 i iE2 de asemenea sunt egali. n curent continuu
tranzistoarele sunt conectate n serie, iar n curent
alternativ, att la intrare, ct i la ieire, sunt conectate n
paralel. Capacitatea C este aleas din condiia, ca la joase
frecvene XCRS. Tensiunea sursei de alimentare este
limitat de strpungerea tranzistorului VT1:
Dezavantajul principal al amplificatoarelor de putere n

contratimp
fr
transformator
este
tranzistoarelor complementare identice.
necesitatea
11.5 Amplificatoare de putere cu intrare paralel a

tranzistoarelor de ieire
n ultimul timp sunt folosite pe larg amplificatoare
de putere fr transformator cu intrare paralel i
sinfazic a tranzistoarelor de ieire. Schema unui
amplificator de acest tip este reprezentat n fig.4.7.a. n
baza tranzistorului VT1 este format etajul de intrare, care
funcioneaz n clasa A.
Sarcina de colector a tranzistorului VT1 este

rezistorul RC. n calitate de etaj de ieire este folosit un
amplificator de putere n contratimp cu tranzistoare
complementare VT2 i VT3. Datorit rezistorului R bazele
tranzistoarelor VT2 i VT3 sunt slab polarizate i, prin
urmare, etajul de ieire funcioneaz n clasa AB. n acest
mod sunt micorate distorsiunile neliniare. n locul
rezistorului R poate fi inclus n schem o diod polarizat
direct. Folosirea unei diode semiconductoare sau a unui
termorezistor n locul rezistorului R asigur o stabilizare
termic suficient a amplificatorului.
n timpul alternanei pozitive a semnalului de intrare

este format alternana negativ a tensiunii pe colectorul
tranzistorului VT1 i curentul curge prin VT2 i sarcin. n
timpul alternanei negative a semnalului de intrare
tranzistorul VT3 trece n conducie i curentul curge prin
VT3 i sarcin. n aa mod, pe parcursul unei perioade a
semnalului de intrare sunt formate alternanele pozitiv i
negativ ale curentului i tensiunii pe sarcin.
Dezavantajul principal al acestor amplificatoare

const n problema alegerii tranzistoarelor de putere VT2
i VT3 de tip p-n-p i n-p-n cu aceeai parametri. Deoarece
tranzistoare complementare (cu parametri identici) de
putere mic pot fi alese mai uor, mai frecvent este
folosit schema cu tranzistoare de putere (de ieire) de
acelai tip (vezi fig.4.7.b).
12. AMPLIFICATOARE DE CURENT CONTINUU

12.1 Noiuni generale
Pentru amplificarea semnalelor foarte lente vor
fi necesare amplificatoare, frecvena limit de jos a
cror tinde spre zero. Ele se numesc amplificatoare
de curent continuu (A.C.C.).
Caracteristicile amplitudine - frecvena i fazfrecvena a A.C.C. sunt reprezentate n fig. 12.1.(a i b).
Deoarece semnalele electrice la intrarea A.C.C. au

valori foarte mici (tensiuni circa 10-7 V i curenii de
ordinul
10-12 10-16 A), este necesar un factor de
amplificare foarte mare, din care cauz A.C.C. sunt
amplificatoare cu multe etaje.
n amplificatoarele de c.a. cuplajul ntre etaje,
cuplajul semnalului de intrare i sarcinii este realizat prin
grup RC sau prin transformator.
n aa mod se amplific numai semnalul variabil
(util). Odat cu micorarea frecvenei cresc distorsiunile,
provocate de condensatoare sau transformatoare.
Prin urmare, pentru liniarizarea caracteristicii
amplitudine - frecven la joase frecvene este necesar
evitarea elementelor
reactive
n
schema
amplificatorului. Atunci, cnd semnalul este foarte lent
sau trebuie amplificat curent continuu, este folosit
cuplajul direct.
Toate, cele menionate mai sus, provoac

urmtoarele dificulti:
Necesitatea acordrii potenialelor de la ieirea
etajului precedent i intrarea etajului urmtor.
Este
dificil
stabilizarea
funcionrii
amplificatorului
la
variaiile
tensiunii
de
alimentare i a parametrilor elementelor schemei
cu
temperatura
i
timpul (este exclus
condensatorul din circuitul emitorului ).
Este complicat cuplajul sursei de semnal i
sarcinii, deoarece variaiile tensiunilor n schem
vor avea acelai caracter i valoare cu semnalul
util.
Variaia parametrilor provoac variaii ale tensiunii

i curentului de ieire, adic decalajului .
Decalajul este variaia maximal a semnalului de
ieire ntr-un anumit interval de timp n condiiile de
scurcircuit la intrare.
De aici rezult noiunea de tensiune de drift sau
tensiune de offset:
n acest fenomen rolul principal revine etajului de

intrare. Amplificatorul poate amplifica sigur semnale cu
Uint. Uoff..
Pentru micorarea decalajului pot fi ntreprinse
urmtoarele msuri:
folosirea n etajul de intrare a tranzistoarelor cu
siliciu, n care dependena curentului colectorului de
temperatur este mai mic,
folosirea n etajul de intrare a tranzistoarelor cu
efect de cmp,
stabilizarea tensiunii surselor de alimentare,
termostatarea amplificatoarelor,
folosirea n circuitul amplificatorului a compensrii
termice,
folosirea reaciei negative locale sau globale,
folosirea amplificatoarelor simetrice.
n majoritatea ACC este necesar ca la schimbarea

polaritii semnalului de intrare s-i sensul i semnalul
de ieire.
Prin urmare, caracteristica de amplitudine a A.C.C.
are forma reprezentat n fig. 12.1.c.
A.C.C. sunt utilizate n stabilizatoare de tensiune

sau curent, n metrologie, automatic, n metrologie etc.
A.C.C. pot fi parte component a amplificatoarelor
de curent alternativ deoarece nu conin condensatoare
(de dimensiuni mari) i datorit posibilitii realizrii
sale n form integral..
A.C.C. pot fi:
cu cuplaj direct, care au schem mai

simpl,
amplificatoare cu modulare - demodulare.
12.2 A.C.C. cu cuplaj direct

Schema unui A.C.C. cu
dou
etaje
cu
tranzistoare bipolare pn-p cu cuplaj direct este
reprezentat n fig.12.2.
Fig.12.2. A.C.C. cu cuplaj direct
Regimul de repaos al
etajului de intrare este calculat n
mod
obinuit.
Rezistena
n
circuitul
emitorului etajului urmtor RE2
este aleas n aa mod, ca s se
respecte condiia:
UCE1+UE1=UBE2+UE2,
(12.2)
de unde rezult, c:
UE2 =UCE1+UE1-UBE2.
(12.3)
UE2 =UCE1+UE1-UBE2.
Deoarece, de regul: UCE1>>UE1,

din (12.3) rezult:
(12.4)
UE2 > UE1. (12.5)
Pentru regimuri identice ale tranzistoarelor VT1 i VT2

(adic IE1 =IE2 i UCE1 =UCE2) din ultima inegalitate (12.5)
rezult:
RE2 >RE1 i RC2 < RC1.
(12.6)
Deoarece prin rezistena n circuitul emitorului se

realizeaz reacie negativ, n etajul urmtor avem
nevoie de o rezisten mai mare n circuitul emitorului i
una mai mic n circuitul colectorului, iar acest lucru
duce la adncirea reaciei negative n etajul urmtor i,
prin urmare, n fiecare etaj urmtor factorul de
amplificare va fi mai mic ca n cel precedent.
Adic majorarea numrului

de etaje n aa un A.C.C. ne va
aduce la o situaie, cnd factorul
de amplificare din ultimul etaj va fi
mai mic ca unitatea i acest etaj
va fi inutil. Din aceast cauz nu
putem majora valoarea factorului
de
amplificare
numai
prin
creterea numrului de etaje.
O ieire din situaie este schimbarea tipului

tranzistoarelor de la etaj la etaj (vezi fig.5.3.). Acest
A.C.C. a cptat denumirea de amplificator cu
simetrie suplimentar.
Fig.5.3. A.C.C. cu simetrie suplimentar
Alt soluie folosirea n A.C.C. cu cuplaj direct a

cuplajului poteniometric ntre etaje (vezi fig.5.4).
Fig.5.4. A.C.C. cu cuplaj poteniometric
n acest caz pot fi folosite

rezistoare cu aceleai valori de
la etaj la etaj i, prin urmare,
pot fi asigurate regimuri de
repaos identice i valori
identice ale factorilor de
amplificare n diferite etaje.
Sarcina este conectat n diagonala unei punii

braele creia sunt:
RC2;
R1 plus o parte din R0;
R2 plus cealalt parte din R0;
RE2 plus tranzistorul VT2.
n cealalt diagonal este conectat sursa de alimentare

E1. Puntea este n echilibru, dac (fig.12.5):
curentul prin sarcin lipsete,
potenialele nodurilor a i b sunt egale,
tensiunea pe sarcin este nul.
Fig.12.5. Puntea n echilibru
Condiia de echilibru a puni

este:
R1
R3
R2
R4
(5.10)
Dup acest principiu n circuitul de ieire este stabilit

echilibrul variind alunectorul R0 n condiia, cnd
semnalul de intrare lipsete.
12.3 Amplificatoare simetrice

Structura schemotehnic a amplificatoarelor simetrice
este format pe principiul punii (vezi 12.2).
Fig.5.6. Amplificatoare simetrice

a cu tranzistoare bipolare, b cu tranzistoare cu efect de cmp
Sarcina este conectat n diagonala

punii braele creia sunt:
R1,
R 2,
VT2 plus o parte din R0,
VT1 plus cealalt parte din R0.
n
cealalt
diagonal
este
conectat sursa de alimentare E.
Rezistenele RB11, RB12, RB21, RB22 formeaz

divizoare de tensiune pentru polarizarea bazelor VT1
i VT2 (n fig. 12.6.b RG1, RG2).
De regul, este obligatorie
condiia c tranzistoarele trebuie
se aib parametrii identici.
Rezistena
R3
este
comun pentru tranzistoare i
servete
pentru
stabilirea
curenilor de emitor (surs).
Semnalul de intrare este aplicat
ntre
bazele
(grilele)
tranzistoarelor, iar semnalul de
ieire este cules ntre colectoare
(drene).
n
aa
mod,
amplificatoarele simetrice au
intrare i ieire simetrice.
Deplasnd
alunectorul
rezistenei R0 puntea este stabilit
n echilibru, adic n absena
semnalului (scurtcircuit) la intrare
se stabilete Uie = 0. Schimbarea
tensiunii sursei de alimentare,
temperaturii mediului i a altor
factori aduce la schimbri identice
n curenii colectoarelor (drenelor).
Prin urmare, tensiunile pe colectoare (drene) se
schimb analogic i Uie rmne nul. n aa mod aceste
fluctuaii se compenseaz reciproc pe sarcin,
micorndu-se esenial decalajul.
Dac, de exemplu, crete

temperatura, ea va crete pentru
ambele tranzistoare cu aceeai
valoare. Prin urmare, va crete
cderea de tensiune pe R1 i R2 cu
aceeai valoare. Se vor micora
tensiunile pe colectoare cu aceeai
valoare i diferena de potenial
ntre
colectoarele
(drenele)
tranzistoarelor, adic tensiunea de
ieire, rmne neschimbat.
Pe cnd semnalul de intrare fiind aplicat cu
polariti diferite provoac schimbri egale ca valoare i
cu sensuri opuse pe cele dou tranzistoare. Prin urmare,
tensiunea de ieire se va dubla. Schimbarea polaritii
tensiunii de intrare aduce la schimbarea polaritii
tensiunii de ieire, adic caracteristica de amplitudine
are forma reprezentat n fig.5.1.c.
Sub aciunea semnalului de

intrare schimbrile tensiunilor
bazelor (grilelor) sunt egale ca
valoare i au sens opus: Uint/2 i
Uint/2 . Aceste tensiuni provoac
aa schimbri ale curenilor i1 i
i2, c i1= - i2. Tensiunea pe R3
nu se va schimba, deoarece:
u3=( i1+ i2)R3=0.
Prin urmare, pentru semnal R3 nu formeaz reacie
negativ, iar VT1 i VT2 formeaz etaje cu R1 i R2 ,
respectiv, n circuitul colectorului (drenei) i fr reacie
negativ.
5.4 Amplificatoare
difereniale
Amplificatorul diferenial (vezi fig.5.8.) reprezint o

variant a amplificatorului simetric, n care la bazele
tranzistoarelor se aplic semnale diferite Uint1 i Uunt2,
iar semnalul de ieire este cules de pe unul din
colectoare sau ntre ele.
Fig.5.8. Amplificatoare difereniale

a cu tranzistoare bipolare, b cu tranzistoare cu efect de
cmp
Atunci, cnd la intrrile

amplificatorului
diferenial
se vor aplica semnale n
antifaz: Uint1=Uint/2 i Uint2=Uint/2 (semnal diferenial),
funcionarea schemei nu
difer
de
cea
a
amplificatorului simetric.
Atunci, cnd semnalele sunt sinfazice (semnal de mod
comun): Uint.1= Uint.2= Uint., modificrile curenilor i1 i i2
sunt identice ca valoare i sens, iar variaia tensiunii pe
R3:
Prin urmare, pentru semnal de mod comun

rezistena R3 formeaz reacie negativ, iar fiecare din
cele dou pri (brae) simetrice ale poate fi
reprezentat ca n fig.13.9.
Fig.13.9. Circuit echivalent al amplificatorului diferenial
Factorul de amplificare se va determina prin expresia:

(13.17)
unde
ku=SR este factorul de amplificare al fiecrui bra fr
a ine cont de reacia negativ,
=uR/uie. factorul de transfer al buclei de reacie
negativ,
R rezistena echivalent a circuitului de ieire a
amplificatorului.
nlocuind n (13.17), vom cpta pentru factorul de
amplificare al unui bra al A.D. urmtoarea expresie:
(13.18)
De regul Zie.>>R1 i Zie.>>R2 i, prin urmare, putem

considera R=R1=R2=RC. Atunci expresia (13.18) capt
forma:
(13.19)
unde RC i RE sunt rezistenele din circuitele colectorului

i emitorului, respectiv.
Pentru semnal de mod comun potenialele
colectoarelor variaz identic ca valoare i sens i uie.=0.
Deoarece semnalul de mod comun n realitate nu
este altceva de ct zgomot sau perturbaii, este dorit
kuc=0. Reducerea factorului kuc se efectueaz prin
majorarea rezistenei RE (R3).
n majoritatea cazurilor reale semnalele de intrare
reprezint o combinaie de semnal de mod comun (uint.c)
i semnal diferenial (uint.dif=uint.1- uint.2 ), cum este
reprezentat n fig.13.10.
Fig.15.10.
Descompunerea
semnalului de intrare
n componente
Atunci, putem scrie:
(13. 20)
(13.21)
n fiecare bra al A.D. componenta de mod comun se

amplific cu factorul kuc (vezi expresia (13.19)), iar
componenta diferenial cu factorul ku (vezi expresia
(13.14)). Prin urmare, la ieire vom avea:
(13.22)
(13.23)
(13.24)
Expresiile (13.22), (13.23) i (13.24) demonstreaz, c n

amplificatorul diferenial cu braele simetrice (identice)
semnalul de mod comun este suprimat complet, iar
tensiunea semnalului de ieire este proporional
deferenei tensiunilor de intrare ( de unde i provine
denumirea amplificator diferenial).
Semnalul de ieire va repeta faza semnalului de

intrare uint.2, de aceea a doua intrare este numit
neinversoare, i semnalul de ieire va fi n antifaz cu
semnalul de intrare uint.1 , de aceea dprima intrare
este numit inversoare
n scheme reale la ieire va fi prezent i o component
(nedorit) mic de semnal de mod comun. Caracterizarea
abaterii unui amplificator diferenial de la comportarea
ideal se indic prin parametrul rejecia semnalului de
mod comun:
(13.25)
(13.25)
Expresia (13.25) demonstreaz, c pentru

mbuntirea performanelor amplificatorului diferenial
(majorarea G ) este necesar majorarea rezistenei RE.
ns majorarea rezistenei RE este nsoit de
creterea cderii de tensiune pe ea i cere o tensiune de
alimentare mai mare. Acest fapt cauzeaz nlocuirea RE
cu un generator de curent stabil, care are rezistene
dinamic mare iar static mic.
Amplificatoarele difereniale sunt pe larg

folosite n practic nu numai n A.C.C. Ele sunt
un element obligatoriu n amplificatoare
operaionale, deoarece intrarea diferenial a
amplificatorului operaional este format
folosindu-se ca etaj de intrare un etaj
diferenial. Pentru o amplificare mai mare sunt
folosite cteva etaje cuplajul ntre ele fiind
direct.
5.5 Generator de curent stabil

Schema unui amplificator diferenial cu generator de curent stabil
(G.C.S.) cu tranzistoare bipolare este reprezentat n fig.5.11.
Fig.12.11. Amplificator diferenial cu generator de curent stabil
Aa schem de principiu are

circuitul integrat 1181. G.C.S. este
realizat pe tranzistorul bipolar VT3.
Regimul
de
funcionare
al
tranzistorului VT3, deci i curentul
colectorului de repaos IC0, este
determinat de divizorul de tensiune R4
R5, VT4 (n montaj diod) i rezistena
R3
n
circuitul
emitorului.
G.C.S. (VT3) are rezisten dinamic

mare i rezisten static mic datorit
caracterului neliniar al caracteristicilor
statice de ieire ale tranzistorului VT3
(vezi fig.5.12.).
Fig.12.12. Caracteristicile statice ale VT3
n regimul de repaos cu curentul colectorului IC0 i tensiunea UCE0

rezistena static (integral) este:
(5.27)
Prin urmare, rC>>RC.

n amplificatoarele difereniale i alte amplificatoare integrate n
calitate de G.C.S. este folosit pe larg circuitul numit oglind de
curent. Schema de principiu a unui aa circuit ntr-o variant simpl
este reprezentat n fig.12.13. Circuitul conine dou tranzistoare
bipolare cu emitoarele cuplate direct
Fig.12.13. Oglind de curent
Deoarece jonciunile emitoarelor au arii egale, curenii

emitoarelor IE1 i IE2 de asemenea sunt egale, iar de aici rezult i
egalitatea curenilor I1 i I2.
Dac primul etaj va fi considerat de intrare, iar etajul doi de
ieire, atunci din egalitatea I1 = I2 rezult, c curentul de ieire
repet curentul de intrare. De aici provine noiunea de oglind de
curent.
Circuitul mai este numit repetitor de curent. El este caracterizat,
spre deosebire de repetitorul de tensiune, prin impedan de intrare
mic i impedan de ieire mare.
Curenii emitoarelor IE1 i IE2 vor avea valori diferite, dac

jonciunile emitoarelor tranzistoarelor VT1 i VT2 se vor afla sub
tensiuni cu valori diferite, sau, dac vor avea arii diferite. Prin
urmare, schimbnd geometria tranzistoarelor sau modificnd
valorile tensiunilor UBE1 i UBE2, aplicate pe jonciunile emitoarelor
poate fi variat factorul de redare al curentului.
Majorarea ariei jonciunii emitorului tranzistorului VT2 poate fi

efectuat att direct prin majorarea ariei jonciunii, ct i folosind un
tranzistor cu multe emitoare (vezi fig.12.14.a). n aa mod pentru
tranzistoarele p-n-p poate fi variat factorul de redare ntre valorile
1,0 i 10.
Pentru a forma diferite valori ale tensiunilor pe jonciunile

emitoarelor n circuitele emitoarelor sunt incluse rezistenele
R1 i R2 (vezi fig.5.14.b). Prin alegerea respectiv a valorilor
rezistenelor factorul de redare poate fi variat n domeniul de
valori 0,1 la 0,9.
Fig.12.14. Variaia factorului de redare
12.6 Amplificatoare cu modularedemodulare

Cu toate, c amplificatoarele moderne cu cuplaj direct sunt
caracterizate printr-un decalaj foarte mic (circa civa microvoli pe
grad), aceste amplificatoare sunt inutile pentru amplificarea
semnalelor foarte slabe de ordinul 10-7 V.
Cu acest scop sunt folosite amplificatoarele cu modularedemodulare (A.M.D.). Schema bloc a A.M.D. este reprezentat n
fig.5.15, iar formele de und ale tensiunilor n amplificator n
fig.5.16.
Fig.5.15. Schema bloc a amplificatorului cu modulare-demodulare
(5.25)
Fig. 12.16. Formele de und n A.M.D
n A.M.D. este folosit principiul modulaiei n amplitudine i

procesul de amplificare are loc n trei etape:
- cu modulare-demodulare
- amplificarea semnalului alternativ,
- demodulare.
Destinaia elementelor principale ale amplificatorului cu modularedemodulare urmeaz:
Filtrul trece-jos FTJ1 limiteaz semnalul de intrare (lent variabil)

Uint. la domeniu precizat al frecvenelor joase, pentru a elimina
efectul semnalelor perturbatoare din exteriorul benzii semnalului
util.
Modulatorul M transform semnalul lent variabil Uint. ntr-un

semnal alternativ de frecven pilot (purttoare) a crui amplitudine
respect legea variaiei n timp a semnalului de intrare (modulaia n
amplitudine) UMA 1.
Filtrul trece-sus FTS1 suprim componenta de curent

continuu i este realizat, folosindu-se cuplajul prin condensator sau
transformator.
-- Generatorul G furnizeaz oscilaii de

frecvena pilot Up.. Frecvena pilot este aleas
mult mai mare ca frecvena de sus a semnalului
de intrare (de circ 10 - 20 de ori). Generatorul
acioneaz sincron asupra modulatorului i
demodulatorului.
-- Amplificatorul de curent alternativ A.C.A.
realizeaz funcia principal de amplificare i
este realizat conform tuturor principiilor, care le
cunoatem pentru amplificatoare de semnal
variabil (curent alternativ).
-- Filtrul trece-sus FTS2 de asemenea
suprim componenta de curent continuu i este
realizat, folosindu-se cuplajul prin condensator
sau transformator.
Demodulatorul DM este realizat pe

principiul deteciei sensibile. Semnalul la
ieirea demodulatorului este proporional
cu amplitudinea semnalului de la intrarea
sa.
- Filtrul trece jos FTJ2 suprim

componentele spectrale suplimentare de
frecvene nalte, aprute n componena
spectral a semnalului n circuitul
amplificatorului cu modulare-demodulare.
Avantajele amplificatorului A.M.D. sunt urmtoarele:
posibilitatea obinerii unui decalaj minim;
posibilitatea separrii galvanice ntre ieire i intrare;
amplificarea poate fi de orice nivel ct de nalt este dorit;
deoarece amplificatorul este curent alternativ, este simpl

folosirea reaciei negative i deci putem cpta o funcionare stabil.
Ca dezavantaje pot fi menionate:

Nivelul nalt de sofisticare a schemei,
Banda de trecere este limitat (ngust), deoarece trebuie
respectat condiia, expus mai sus referitor la relaia ntre frecvena
pilot i banda semnalului de intrare.
Cap. 2. Rezistoare, condensatoare i

inductoare: aplicaii n circuite electronice
2.1 Prezentare general: utilizarea n regim de comutaie
2.1.1 Rezistoare
Rezistoarele sunt elemente de circuite cu doua borne (dipoli), care
respect legea lui Ohm.
Pentru regimul de curent continuu expresia ce descrie funcionarea
rezistorului este:
(0.1)
Fig. 2.1 Rezistorul (a), caracteristica sa static (b) i caracteristica

static n cazurile extreme R=0 i R=
Convenia pentru poteniale i curent este (Fig. 9.1 a): curentul intr la
nodul de potenial ridicat. Aceast convenie este numit convenie de
consumator. (va fi utilizat i la condensatoare i inductoare)
Mrimea R rezistena electric din 0.1 este constant i pozitiv,
astfel, intensitatea curentului este proporional cu tensiunea la bornele
rezistorului.
Reprezentarea grafic I = f(U) este caracteristica static curent
tensiune.
n cazul extrem n care R=0 (scurtcircuit), caracteristica se confund
cu axa vertical.
n cazul extrem n care R= (circuit ntrerupt), caracteristica se
confund cu axa orizontal.
Dac potenialele i curenii au o dependen de timp:

(2.2)
Curentul la un anumit moment depinde numai de tensiunea la

momentul respectiv rezistorul este un element de circuit fr
memorie.
Dependena 2.2 este de gradul nti - rezidtorul este un

dispozitiv linear.
Rezistena R fiind o constant pozitiv, tensiunea i curentul au
n orice moment acela semn, curentul ntrnd pe la nodul de potenial
ridicat.
Rezistorul este n orice moment un consumator de energie.
2.1.2 Condensatoare
Dou armturi metalice separate printr-un dielectric formeaz
un condensator.
La ncrcarea lor cu Q i Q, cmpul electric produce ntre
acestea o diferen de potenial, armtura ncrcat pozitiv avnd un
potenial mai ridicat (fig. 2.2).
Fig. 2.2 Condensatorul (a) i caracteristica lui static (b)
Tensiunea ntre armturi este proporional cu sarcina:.

(2.3)
constanta C pozitiv fiind capacitatea electric
n cazul regimului de curent continuu, cnd

potenialele sunt constante, i sarcina de pe
condensator este constant, deci intesitatea
curentului este nul. Astfel caracteristica static este
cea din 2.2.c, curentul este nul, iar tensiunea poate
lua orice valoare curentul continuu nu trece prin
condensator.
n analiza de curent continuu al unui circuit electric condensatoarele
trebuie ignorate.
Dac potenialele nu sunt constatte n timp, atunci:
(2.4)
Prin derivarea acesteia i utilizarea definiiei intensitii curentului

prin cantitatea de sarcin transportat n unitate de timp I(t)=dQ(t)/dt
obinem:
(2.5)
Deci curentul nu mai este nul: curentul care ntr n

armtura 1 , prsete armtura 2. (fig.2.2.a)
curentul variabil trece prin condensator
Deci, viteza de variaie a tensiunii pe cindensator este n orice moment
proporional cu intensitatea curentului
Dependena ntre derivata tensiunii i intesitatea curentului
este de gradul nti, deci condensatorul este un element liniar n
circuit.
Privit
la
osciloscop,
panta
formei de und a
tensiunii
este
proporional
cu
intesitatea din acel
moment.
De
exemplu,
dac tensiune pe un
condensator de 1000
F are evoluia ca n
fig.2.3.a,
calculm
pantele
n
cteva
puncte
cheie
i
obinem
forma
de
und a curentului din
desenul b) al figurii:
(0.5)
Fig. 2.3 Formele de und a tensiunii i curentului: curentul la un

moment dat este capacitatea nmulit cu panta dependenei tensiunii
Relaia de funcionare a condensatorului sub

form de integral
(2.6)
arat, c tensiunea la un moment dat nu depinde numai de intesitatea

curentului la acel moment ci de ntreaga evoluie n timp a I(t), astfel
condensatorul este un dispozitibv de circuit cu memorie.
Din 2.5 mai putem afirma: deoarece viteza de variaie este
proporional cu intensitatea instantanee a curentului, care este
ntotdeauna finit, tensiunea pe un condensator nu poate avea variaii
instantanee.
n consecin, dac potenialul unei armturi este forat s efectuieze o
variaie instantanee V, potenialul celeilalte armturi sufer exact
aceeai variaie instantanee V.
De exemplu, n fig.24, comutatorul a fost trecut n poziia A de foarte

mult timp, astfel nct a fost atins regimul de curent continuu,
potenialul punctului M fiind Ualim/2=3V, iar tensiune de pe
condensator fiind egal tot cu 3 V. La t=0 comutatorul trece brusc n
poziia B. Care sun valorile poteniaului punctului M imediat dup
comutare?
Deoarece tensiunea de pe condensator nu sufer variaii instantanee,

n primul moment dup comutare armtura din dreapta contuni s se
gaseasc tot cu 3 V, deasupra armturii din stnga, ajungnd astfel la
valoarea de 9V, deasupra tensiunii de alimentare.
Din aceeai ecuaie dU(t)/dt=I(t)/C reiese: mrimile I(t) i U(t) nu sunt

obligate s aib mereu semne identice (ca la rezistor).
Deci condensatorul poate fi n anumite momente consumator de
energie, iar in altele generator de energie.
Din 2.5 expresia energiei primite de condensator:
(0.7)
Deci energia nu este disipat, ci nmagazinat la creterea lui |U(t)| i

apoi redat circuitului la scderea modulului tensiunii.
0.1.3 Circuite lineare cu rezistoare i

condensatoare.
Integratorul RC
Circuite cu rezistoare i condensatoare pot efectua operaii ce
in de analiza matematic: integrarea i derivarea n timp.
Un astfel de circuit e prezentaqt n fig.0.5 cunoscut sub nume
de integrator RC.
Fig. 0.5 Integratorul RC
La ntrarea lui se aplic un semnal de tensiune Vin(t) variabil n timp.

S presupunem c pe parcursul procesului:
(0.8)
condensatorul neavnd timp s se ncarce semnificativ.

n consecin, curentul de ncrcare este dictat practic numai de
tensiunea de ntrare:
(0.9)
Tensiunea de pe condensator (identic cu cea de ieire) se obine prin

integrala curentului (relaia 0.6), i considernd condensatorul inial
descrcat, obinem:
(0.10)
Deci, tensiunea de ieire este aproximativ proporional cu integrala

tensiunii de ntrare circuitul este numit integrator, iar constanta Ti=RC
este timpul de integrare.
De exemplu, rspunsul integratorului la un semnal
de tensiune dreptungiular cu perioada T, care este
mult mai mic dect timpul de integrare (fig. 0.6):
fig. 0.6
(0.11)
Astfel condensatorul nu are timp s se

ncarce semnificativ, intervalele de
ncrcare-descrcare alternndu-se
succesiv. Condiia
Este ndeplinit, circuitul

funcioneaz ca integrator.
Deoarece prin integrarea unei constante se obine o dependen
linear de timp, forma tensiunii de ieire este una triungiular (fig. b))
Integratorul transform o form de und dreptungiular ntr-una
triungiular
Dac timpul de integrare T>>Ti condensatorul se ncarc practic
complet la fiecare palier al tensiunii de ntrare i forma de und de la
ieire este aproape identic cu cea de la ntrare (fig. 0.6 c) )
n regiunea intermediar, n care perioada este comparabil cu timpul
de integrare, condensatorul nu are timp s se ncarce complet, dar
evoluia semnalului de ieire nu este dup segmente de dreapt, ci
compus din arce de exponenial (fig. 0.6 d) ).
Derivatorul RC
Dac scimbm cu locurile rezistorul i condensatorul, obinem
circuitul din fig. 0.7.
Fig. 0.7 Integratorul RC
Vom presupune din nou
Cu aceast aproximare
Conducnd la expresia tensiunii de ieiere
Unde constanta de timp RC este numit timp de derivare

Tensiunea de ieire este aproximativ proporional cu derivata
tensiunii la ntrare.
Dac derivatorul este excitat de un

semnal dreptunghiular (fig. 0.7 b)
acesta impune condiia
n momentul salturilor, deoarece

acolo derivata sa este infinit.
Armtura din stnga sufer salturi
instantanee care se regsesc n
semnalul de ieire (fig. 0.7 c) .
n restul timpului potenialul ieirii tinde exponenial spre valoarea

regimului de curent continuu, care este nul. Dac perioada
semnalului este mult mai mic dect timpul de integrare, condesatorul
se descarc foarte puin i forma tensiunii de ieire este semntoare
cu cea a tensiunii de ntrare cu excepia c palierele nu mai sunt
orizontale ci nite arce de exponenial.
Un semenea circuit se formeaz

la ntrarea unui osciloscop, atunci cnd
aceasta este cuplat n alternativ:
rezistena R este rezistena de ntrare
de
1
MOhm
a
amplificatorului
osciloscopului i condensatorul C este
ntrodus pentru a bloca componenta
continu a semnalului.
Constanta de timp a circuitului
este de cteva secunde, ceea ce face ca
pentru semnalele care au perioada mult
nai mic de 1 secund forma de und
afiat pe ecran s nu difere practic de
forma real.
Cnd sa urmrete un palier pe o durat de timp care se apropie de 1

secund, n locul unei linii drepte orizontale, osciloscopul va arta un
arc de exponenial.
n situaia opus, cnd perioada

semnalului este mult mai mare dect
timpul de derivare, condensatorul se
descarc rapid i practic complet pe
fiecare semialternan (fig. 0.7 d)
Semnalul de ieire const din nite pulsuri, care apar n momentele

n care semnalul de ntrare are variaii brute, au semnul acestor
variaii i amplituda egal cu amplituda variaiilor. Circuitul utilizat
este numit detector de fronturi edge detector
0.1.4 Inductoare.
Prin bobinarea unui conductor de
rezisten negligabil, de multe ori pe un miez cu
permeabilitatea magnetic mare, se obine un
inductor.
Considernd pentru tensiune i curent
aceeai convenie de sensuri utilizat la rezistor
i condensator, relaia ce descrie funcionarea
inductorului ca element de circuit este:
Fig. 0.8
Inductorul
Unde constanta poyitiv L este este inductana sa, masurat
n Henry. Aceasta are valori de la 10 H (cteva spire bobinate n aer)
pn la zeci i sute de H n cazul bobitelor cu mulze spire i miez cu
permeabilitate mare.
Tensiunea la bobinele unui inductor este proporional cu
viteza de variaie a curentulu.i
n regim de curent constant, derivata dI I dt este nul, i deci

tensiunea la bornele inductorului este nul , indiferent de valoarea
curentului.
Inductorul se comport n regim de curent continuu ca un
scurtcircuit.
Dac la bornele unui inductor
se leag o surs ideal de
tensiune, care are la nceput
tensiunea constant, conform
relaiei
Curentul va crete cu viteza
E/L constant, adic linear
n timp (desenul b): atta
timp, ct sursa de tensiune i
inductorul pot fi considerate
ideale. Relaia de mai sus ne
mai spune urmtoarele:
Fig. 0.9 Conectarea

unei surse ideale la un
inductor
Curentul prin inductor nu poate avea variaii instantanee
De exemplu, n fig. 0.10

curentul prin inductor este iniial nul,
iar la t=0 ntreruptorul este adus n
conducie. Curentul prin rezistor
sare brusc de la zero la valoarea
constant E/R, cerut de legea lui
Ohm, iar curentul prin inductor
ncepe s creasc cu viteza E/L
constant.
La momentul t=t1,
cnd
contactul K se ntrerupe, separnd
sursa de tensiune, curentul prin
inductor i pstreaz n primul
moment valoarea Et1/L, curgnd prin
rezistor des. b.
Pentru aceasta, inductorul
produce
n
primul
moment
tensiunea Et1/L. Apoi ecuaia 0.21
mpreun cu legea lui Ohm
determin, aa cum se vede n des.
c o stingere exponenial a
curentului dup legea:
Fig. 0.10
Unde I0=Et1/L, =L/R este constanta de timp a circuitului, iar timpul t

se msoar ncepnd cu ntreruperea contectului.
Relaia
care descrie funcionarea inductorului ideal poate fi pus sub form
de integral:
artnd c inductorul este un element de circuit liniar, cu memorie.

Relaia U(t)=LdI(t)/dt arat, c exist o legtur direct ntre semnele
lui U(t) i I(t), inductorul comportndu-se n unele momente ca un
consumator de energie electric iar n altele ca un generator. Din
relaie rezult, c energia electric primit de el se poate scrie ca
Ea nu este disipat, ci nmaganizat de inductor i inapoiat

circuitului atunci cnd |I(t)| scade.
0.2 Regimul sinusoidal: Filtre

0.2.1 Circuite lineare
Am afirmat despre R, L i C c sunt elemente liniare de circuit,
deoarece relaiile care descriu comportarealor n timp (fig. 0.11) conin
numai termeni de gardul nti n variabilele intesitate, poteniale, precum
i derivatele acestora..
Fig. 0.11 Relaiile de funcionare pentru R, C i L:
Dac n vre-o ecuaie ar fi aprut, de exemplu, I(t)V(t), I2(t), sau

V(t)dI/dt dispozitivele nu ar mai fi fost lineare.
n regimul de curent continuu caracteristica static intensitatea
curentului-tensiune este o dreapt ce trece prin origine. Aceast
comportare se numete liniaritate static.
Pentru dispozitivele cu memorie , linearitatea static nu este
suficient pentru ca acestea s fie liniare. De exemplu, n regim de
curent continuu, la polarizare invers, o diod varicap are
caracteristica static linear I 0 dar, dac ncercm s scriem relaia
de funcionare n timp, I(t)=C(U)dU/dt observm,
c valoarea
capacitii nu este constant ci depinde de tensiune; expresia C(U)
dU/dt nu este una de gradul nti.
Relaiile de dispozitiv nu sunt singurele care guverneaz comportarea

circuitului: ele trebuie completate cu primele dou legi ale lui
Kirgchhoff. Dar ele nu conin dect sume algebrice de intensiti i
poteniale.: ele sunt deci, relaii liniare. n consecin:
Un circuit care coniine numai elemente liniare este un circuit liniar.
Este suficient ca un singur element de circuit sn aib o relaie de
funcionare nelinear i circuitul nu mai este liniar.
n afara linearitii, circuitele cu R,L i C mai au dou caracteristici

eseniale:
-- coeficienii care apar n relaiile lineare sunt constani n timp (cum
ar fi rezistena, capacitatea, inductana),
-- n absena vreunei surse de tensiune sau curent, circuitul are o
stare de echilibru n care toi curenii i toate potenialele sunt nule
stare care se numete stare relaxat.
Existena strii relaxate este obligatorie pentru dou proprieti
fundamentale:
1. Creterea de un numr de ori a amplitudinii semnalului de ntrare
determin creterea de acelai numr de ori a amplitudinii
semnalului de ieire, fiecare semnal pstrndu-i forma.
x(t) prduce y(t) K x(t) produce K y(t)
n ambele situaii starea iniial a circuitului este cea relaxat (fig. 0.12
)
Fig. 0.12
Proprietatea este valabil pentru orice form a semnalului de ntrare.

n general, semnalul de ieire are alt form dect a celui de ntrare,
esenial este c amplitudinile ambelor semnale cresc de acelai
numr de ori.
Aceast proprietate este numit omogenitate, care este
utilizat frecvent pentru testarea liniaritii unui circuit sau a unui alt
sistem fizic. Dac nu este ndeplinit, atunci sistemul nu este linear.
2. Dac la ntrare se aplic suma a dou semnale, semnalul de ieire
este suma ieirilor care s-ar fi obinut dac fiecare semnal de
ntrare ar fi fost aplicat separat.
x1(t) produce y1(t) i x2(t) produce y2(t)
x1(t) + x2(t) produce y1(t) + y2(t)
Aceasta este proprietatea de superpoziie sau aditivitate (fig. 0.13).
Fig. 0.13
Aceast proprietate este valabil doar pentru sisteme liniare i

numai dac starea iniial este cea relaxat.
n practic omogenitatea este considerat suficient pentru a
declara un sistem ca fiind linear.
Liniaritatea pentru variaii mici

Putem ncerca s profitm de comportarea simpl a circuitelor
liniare chiar i n cazul circuitelor nelineare.
De exemplu, un circuit cu un tranzistor alimentat de la o surs
de tensiune continu (fig. 0.14).
Fig. 0.14
n circuit se stabilete un regim de curent continuu, n care

potenialele i curenii nu se schimb n timp. Spunem c am
polarizat etajul i am obinut regim de repaus.
S notm VBQ,VCQ i ICQ potenialul bazei, colectorului i
curentul de colector, toate msurate n regum de repaos.
Modificm
apoi
cuasistatic, cu o cantitae
mic,
potenialul
bazei
VB=VBQ+VB.
Dei
caracteristica
static a
tranzistorului este puternic
nelinear,
dac variaiile sunt suficient de mici, ele sunt aproximativ
proporionale, IC=gmVB
cu gm constant. (gm transconductana
tranzistorului)
Proprietile de omogenitate I aditivitate se refer numai la

abaterile de la regimul de repaus; (fig. c), numai IC crete de acelai
numr de ori cu ct a crescut VB.
Rspunsul la semnale periodice

S lum un circuit liniar, n stare relaxat (avnd toi curenii i toate
tensiunile egale cu zero). Apoi, la t=0 l excitm (cu o surs de
tensiune sau curent) cu o form de und periodic. Cum vor evolua n
timp potenialele i curenii?
Dac circuitul conine numai elemente fr memorie, (de ex. R), la
fiecare moment de timp orice dintre poteniale i cureni vor depinde
numai de starea semnalului de excitaie din acel moment. Cum
ecuaiile sunt liniare, formele de und ale acestor poteniale i cureni
vor fi proporionale (identice pn la o constant multiplicativ) cu
forma de und a excitaiei.
Un circuit liniar fr memorie nu distorsioneaz forma semnalului de
excitaie.
Divizorul rezistiv este un astfel de circuit i pe proprietatea anterioar
se bazeaz utilizarea sa la controlul volumului untr-un lan audio,
unde semnalul este nici mcar periodic.
Ce se ntmpl
dac circuitul are
memorie?
De exemplu, integratorul RC excitat cu
un semnal dreptunghiular: care va fi
evoluia tensiunii chiar de la momentul
aplicrii excitaiei?
Distingem dou regiuni diferite:
Dup trecerea unui anumit timp,
semnalul de ieire se repet identic
la fiecare perioad avem regimul
permanent..
nainte de acest regim semnalul are o form mai complicat, care
trece treptat la regimul permanent ceea ce se numete regiumul
tranzitoriu.
De ce apare regimul tranzitoriu?
Se poate arta, c rspunsul unui circuit linear este o sum de

termeni: o parte din ei au forme care depind de circuit i nu de
semnalul de excitaie. Grupul lor formeaz rspunsul liber al
circuitului.
La circuitele stabile rspunsul liber se stinge n timp, formele
termenilor fiind n general exponeniale sau sinusoide a cror
anvelope se stinge exponenial.
A doua grup din rspunsul n timp al circuitului conine termeni a

cror form este determinat att de semnalul de excitaie, ct i de
circuit: este rspunsul forat. Dac excitaia este periodic,
rspunsul forat va fi tot periodic, cu aceeai perioad.
Rspunsul circuitului liniar este suma dintre rspunsul liber i
rspunsul forat; la circuitele stabile, rspunsul liber se stinge n timp.
Figura 0.15 exemplific acest lucru, pentru RC excitat cu un semnal
dreptunghiular.
Fig.15
Deci, regimul tranzitoriu este cazul, cnd rspunsul liber nu s-a stins
nc, i prezena lui afecteaz forma rspunsului total. Dup stingerea
rspunsului liber, rspunsul permanent este, de fapt, rspunsul forat.
n general, rspunsul permanent al unui circuit liniar nu are aceeai

form cu semnalul de excitaie; rspunsul su pstreaz ns
caracterul periodic i mrimea perioadei.
Filtrul trece jos

S calculm amplificarea
complex a integratorului
analogic.
Avem un divizor alctuit din dou

impedane, una rezistiv, i una
capacitativ. Raportul tensiunilor se
obine cu regula de trei simpl:
Dac ntroducem constanta (frecvena
circular):
Atunci:
Expresiile modulului i fazei fiind:
Dependena de frecven a acestor mrimi este n fig. 0.16a.
Fig.16
Sinusoidele cu frecvenele <<c terc pratic nealterate (amplificarea
unitar, defazajul nul), n timp ce cele de frcvena mai mari sunt
puternic atenuate. i defazate n urm cu 90o. Exact la =c
amplificarea este de 1/2 = 0.707, iar defazajui e de -45o. Circuitul
funcioneaz ca un filtru trece jos, c=1/(RC) fiind numit frecvena
(circular) de tiere.
Separarea grafic n coordonate lineare este util doar atunci,

cnd se urmrete separarea unor semnale de frecvene apropriate.
n majoritatea cazurilor:
Reprezentarea rspunsului
frecvene logaritmice.
n frecven se face cu o scar de
i pentru modulul amplificrii se

utilizeaz o scar logaritmic
diagrame Bode.
Se
observ,
c
modulul
amplificrii (ca i diagrama fazei) poate
fi bine aproximat cu dou segmente
de linie dreapt obinem diagramele
Bode aproximative.
La fercvene <<c modulul
amplificrii este practic constant, iar
defazajul este neglijabil aceasta este
banda de trecere.
La >>c modulul poate fi bine
aproximat cu c/ banda de oprire.
Demarcaia ntre cele dou
benzi nu este net, putem vorbi de o
band de tranziie, situat n jurul
frecvenei
c,
band
n
care
amplificarea are valori intermediare.
Cele dou drepte se ntlnesc la c ,

unde modulul amplificrii este 1/2
Frecvena de tiere este definit prin
condiia c modulul amplicicrii s fie
1/2=0.707 din valoarea sa din banda
de trecere.
Simplitatea formei obinute este un
avantaj esenial al reprezentrii n scar
dublu logaritmic pentru orice funcie de
putere, de tipul m: graficul este o linie
dreapt cu pante de m decade pe
decad.
Reprezentarea dependenei |A()| n coordonate log-log face ca

graficul s poat fi bine aproximat prin segmente de dreapt.
De multe ori, n locul modulului amplificrii se utilizeaz

ctigul (sau amplificarea n decibeli), definit ca:
n tabelul 0.1 avem cteva corespondee utile ntre amplificare i

ctig:
Putem acum s definim frecvena de tiere prin valoarea ctigului:

La frecvena de tiere, ctigul este cu 3 dB mai mic dect valoarea sa
din banda de trecere.
Cap.2 SEMICONDUCTOARE
I DISPOZITIVE
SEMICONDUCTOARE
2.1 Diagrama energetic a
cristalului
Structura unui atom separat este format din nucleu i

electroni, care sunt situai pe anumite orbite strict
determinate pentru elementul chimic.
Fiecrei orbite i corespunde un nivel energetic, o
valoare a energiei electronului. n cazul formrii unui corp
solid din atomi prin legturi (mai des covalente) nivelurile
energetice din atomii separai se suprapun formnd benzi
energetice. O band energetic presupune un continuu de
valori a energiei pe care le poate cpta electronul n
acest cristal. Benzile de valori admise sunt separate ntre
ele prin benzi interzise.
Structura i dimensiunile benzilor energetice ntrun cristal sunt reprezentate n diagrama energetic a
cristalului.
Din punct de vedere a proprietilor electrice este
important partea superioar a diagramei energetice, care
cuprinde trei benzi:
banda de valen, cu valoarea maxim Ev, n care

sunt situate nivelurile energetice ale electronilor de
valen, care formeaz legturile covalente;
banda de conducie, cu valoarea minim Ec, n care
sunt situate nivelurile energetice ale electronilor, care au
fost rupi din legturile covalente, se pot mica liber prin
cristal i se numesc purttori de sarcin. Ei realizeaz
conductivitatea electric a cristalului.
Aceste benzi sunt separate de banda interzis cu
limea Eg.
Fig.1.1. Diagrama energetic a cristalului:

a conductor, b izolator, c semiconductor
Diagrama energetic a cristalului

permite
explicaia
clasificrii
materialelor din punct de vedere a
proprietilor electrice n 3 categorii
(vezi fig.2.1):
izolatoare materiale care au
banda interzis foarte larg, prin
urmare
probabilitatea
apariiei
purttorilor de sarcini este foarte mic,
concentraia lor este foarte mic i
conductivitatea electric a cristalelor
este foarte mic;
conductoare materiale care au

banda interzis foarte ngust, sau
lipsete, sau banda de conducie i
banda
de
valen
sunt
parial
suprapuse. Prin urmare, pentru apariia
purttorilor de sarcin nu sunt
necesare eforturi energetice deosebite
i n condiii normale conductivitatea
acestor materiale este foarte nalt;
semiconductoare
au
banda
interzis de o valoare intermediar. Din
acest motiv n condiii normale (fr
excitani
externi)
proprietile
semiconductoarelor sunt foarte aproape
de izolatoare, avnd conductivitate mic.
Odat cu apariia unor excitani energetici
externi (cldura, cmpuri magnetice,
electrice,
electromagnetice,
stresuri
mecanice
etc.),
datorit
energiei
comunicate electronilor n cristal, crete
brusc concentraia purttorilor de sarcin
i conductivitatea electric.
Proprietile
electrice
ale
semiconductoarelor pot fi comandate
prin intermediul factorilor externi i din
acest motiv materialele semiconductoare
sunt
folosite
la
confecionarea
dispozitivelor
electronice.
Sunt
considerate
(convenional)
semiconductoare materialele cu limea
benzii interzise 0,5 Eg 3,5 eV.
YouTube
- Conductors
Insulators and Semi
Conductors
2.2 Conductivitatea
semiconductorului intrinsec
n acest paragraf vom analiza conductivitatea
semiconductorului
intrinsec.
Prin
semiconductor
intrinsec nelegem un cristal ideal, fr impuriti i fr
defecte n reeaua cristalin.
n acest caz purttorii de sarcin apar numai
datorit transferului din banda de valen n banda de
conducie. Sub aciunea factorilor externi electronilor de
valen li se comunic destul energie pentru a distruge
legtura covalent i, prin urmare, aceti electroni sunt
transferai n banda de conducie. n aa mod aceti
electroni devin purttori de sarcin. Acest proces poart
un caracter de probabilitate. Conform mecanicii cuantice
probabilitatea aflrii electronului pe nivelul energetic E la
temperatura T (vezi fig.1.2) este:
f E , T
1
E Ef
exp
kT
(2.1)
YouTube
- Semiconductors_ 3D
Animation
Fig.1.2.Probabilitatea aflrii electronului n

diagrama energetic a cristalului pentru: a T=0 K, b
T=T1, c T=T2>T1
Fermi-Dirac distribution.
States with energy below the Fermi energy, here , have

higher probability n to be occupied, and those above are less likely to be occupied. Smearing
of the distribution increases with temperature.
f E , T
1
E Ef
exp
kT
(2.1)
unde: k este constanta Boltzmann, iar Ef este nivelul

Fermi reprezint nivelul energetic pentru care aceast
probabilitate este .
Concentraia electronilor liberi n cristal crete
exponenial cu temperatura:
Eg
,
ni A exp
2kT
(2.2)
unde: A este o constant valoarea crei depinde de

proprietile materialului semiconductor.
Cnd
electronului
din
legtura covalent i se comunic
un cuantum de energie ca el s
treac n banda de conducie i
devine purttor de sarcin, rmne
un loc vacant, care de asemenea
poate s se deplaseze prin cristal
ca un purttor de sarcin pozitiv
i se numete gol. Acest proces se
numete
generarea
cuplurilor
electron-gol.
Fig.1.3. Procesele de
generare (a) i
recombinare (b) a
purttorilor de sarcin
n cristal este posibil i

procesul invers, cnd electronul
ocup un loc vacant; un cuplu de
purttori de sarcin (electron i
gol) este anihilat i este eliberat un
cuantum de energie. Acest proces
se numete recombinare (vezi
fig.2.2).
generare (a) i
recombinare (b) a
purttorilor de sarcin
n condiii de echilibru dinamic

aceste procese se echilibreaz
reciproc, vitezele acestor procese
sunt egale:
(3.3)
unde: ni i pi sunt concentraia

electronilor
i
concentraia
golurilor, respectiv, iar B este o
generare (a) i
constant valoarea crei depinde
recombinare (b) a
de
proprietile
materialului purttorilor de sarcin
semiconductor.
n
semiconductorul
intrinsec
concentraia electronilor i concentraia
golurilor sunt egale ni=pi, i, prin urmare,
expresia (1.3) se va modifica:
Vg =Vr=ni2.
(1.3a)
Expresia
(1.3a)
reprezint condiia de
echilibru pentru purttorii
de
sarcin
n
semiconductorul
intrinsec.
n lipsa cmpului electric

purttorii de sarcin se mic prin
haotic cristal. S analizm situaia
cnd n cristal este format un cmp
electric cu intensitatea (vezi
fig.1.4).
Dac electronul prsete
atomul din stnga i se deplaseaz
contrar sensului cmpului electric,
aa se formeaz un gol. Sub
aciunea
cmpului
electric
electronul atomului vecin ocup
locul golului, iar pe acest atom se
formeaz un gol.
Fig.3.4.
Conductivitatea
semiconductorului
intrinsec
Acest proces se dezvolt n

continuare n mod analogic. Prin
urmare, n cristal are loc deplasarea
electronilor contrar cmpului i
deplasarea
golurilor
n sensul
cmpului. Deci curentul electric n
semiconductor este format din dou
componente:
micarea orientat a electronilor

contra cmpului electric
micarea orientat a golurilor n
sensul cmpului electric.
Fig.3.4.
Conductivitatea
semiconductorului
intrinsec
Densitatea curentului electric este format analogic din

componenta electronic jn i componenta golurilor jp:
j=jn+jp,
(1.4)
Densitatea curentului electric depinde de viteza

medie a purttorilor de sarcin, care este proporional
intensitii cmpului electric:
n=n,
(3.5)
unde n este mobilitatea electronilor. Mobilitatea egal

cu valoarea vitezei electronilor ntr-un cmp electric cu
intensitatea de 1 V/m:
n =n /.
(3.6)
n mod analogic se poate scrie pentru componenta
golurilor. Viteza medie a golurilor:
p=p,
(3.7)
iar mobilitatea:
p =p /.
(3.8)
Densitatea curentului electric este egal cu valoarea

sarcinii electrice care trece prin seciunea transversal
cu o arie unitar ntr-o unitate de timp. Prin urmare,
densitatea curentului electric prin electroni:
jn=enn=enn,
p=p,
(3.9)
(3.7)
densitatea curentului electric prin goluri:
jp=epp=epp,
(3.10)
n=n,
(3.5)
iar densitatea curentului global este:

j=jn+jp=enn+epp.
(3.11)
Pornind de la legea lui Ohm n form diferenial:

j=. (3.12)
Din expresia pentru curent:
j=e(nn+pp) ;
(3.13)
i deoarece n=p=ni, gsim conductivitatea:
=eni(n+p);
(3.14)
iar innd cont de expresia (3.2) cptm: ni A exp g ,

2kT
Eg
.
e n p A exp
(3.12)
2kT
E
Expresia (1.15) reprezint dependena conductivitii

semiconductorului intrinsec de limea benzii interzise
Eg, mobilitatea purttorilor de sarcin n i p i de
temperatur.
Fig (a) - Resistivity rT of copper as a function of temperature T
http://www.hscphysics.edu.au/resource/SemiHeat.flv
Fig (c) - Temperature dependence of resistivity for a typical

semiconductor
2.3 Conductivitatea semiconductoarelor

cu impuriti
Introducerea intenionat sau neintenionat a
impuritilor n cristalul semiconductor afecteaz cardinal
proprietile cristalului. n funcie de tipul atomilor de
impuriti introduse n cristal predomin un tip de
purttori de sarcin.
Si
Si
Si
Si
As
Si
Si
Si
Si
Fig.3.5. Semiconductor
de tip n
Si
Si
Si
Si
In
Si
Si
Si
Si
Fig.3.6. Semiconductor
de tip p
Dac n locul unui atom de Si, n

reeaua cristalin va fi implantat un atom
cu cinci electroni de valen (spre
exemplu As), patru din cinci electroni
completeaz legturile covalente, iar un
electron rmne neimplicat. Nivelul
energetic al acestui electron este situat n
banda interzis la distana Ed de la
banda de conducie (vezi fig.1.7a).
Fig.1.7. Diagrama energetic a semiconductorului de tip n (a) i de tip

p (b)
Dac acestui electron i se

comunic un cuantum de energie
Ed, acest electron se rupe de la
atom i va deveni purttor de sarcin.
Din acest motiv n cristale de acest
tip, concentraia electronilor la
temperaturi normale va fi mult mai
mare ca concentraia golurilor. Deci
conductivitatea va fi electronic
(de tip n). Impuritile de acest tip se
numesc donoare. Conductivitatea
cristalului caracterizat de impuriti
este:
E d
n e nn n e n Bn exp
kT
(1.16)
unde nn este concentraia electronilor n cristalul de

tip n, iar Bn coeficient caracteristic materialului
semiconductor
Cnd atomul de impuritate are trei

electroni de valen, o legtur covalent
rmne incomplet (vezi fig.1.6). Aceast
stare este caracterizat printr-un nivel
energetic din banda interzis la distana
Ea de la banda de valen. Cu un
cuantum de energie Ea n cristal se va
forma un gol, prin acapararea unui
electron de la un atom vecin. n condiii
normale concentraia golurilor n cristal
va fi mult mai mare ca concentraia
electronilor. Impuritile de acest tip se
numesc acceptoare.
Cristalul are conductivitate prin goluri
iar semiconductor este de tip p:
E a
p e p p p e p B p exp
KT
(1.17)
unde pp este concentraia golurilor n cristalul de

tip p, iar Bp coeficient caracteristic materialului
semiconductor.
Ponderea conductivitii extrinseci

(cauzat de impuriti) va fi sesizabil
numai cnd concentraia atomilor de
impuriti (Nd i/sau Na) va fi mult mai
mare
ca
concentraia
purttorilor
intrinseci:
Ndni sau
Nani.
(1.18)
Deoarece practic toi atomii de impuriti vor fi

ionizai n cazurile real existente, putem presupune c
concentraia purttorilor extrinseci coincide cu
concentraia atomilor de impuriti:
nn = Nd sau
pp =Na.
(1.19)
Atunci
pentru
conductivitatea
extrinsec poate fi exprimat:
n=e Ndn i p=e Nap .
(1.20)
n caz general conductivitatea global a

semiconductorului este format att de purttori
generai de pe atomii de impuriti, adic n procese de
tipul (1) i (2) (vezi fig.3.18), ct i de conductivitatea
intrinsec, adic de purttori de sarcin generai prin
procesul band-band de tipul (3) din fig.3.18.
E
EC
Ed
Eg
EV
Ea
2
Fig.3.18. Procese de generare
a purttorilor de sarcin
Fig.3.19. Dependena
conductivitii
semiconductorului
de temperatur
1
T
Prin
urmare,
dependena
conductivitii
semiconductorului
de temperatur reprezentat n
fig.1.19 poate fi explicat n modul
urmtor. La joase temperaturi
(domeniul
1)
se
manifest
conductivitatea extrinsec cu panta
dependenei
(1/T)
de
Ea.
n domeniul 2 se atinge saturaia
acestui proces, adic toi atomii de
impuriti au fost ionizai i au
format
purttori
de
sarcin.
La temperaturi nalte (n domeniul 3)
predomin
conductivitatea
intrinsec i panta caracteristicii
este Ec.
Dependena conductivitii semiconductorului

de temperatur
Atunci cnd este proiectat un

dispozitiv
semiconductor
care
trebuie s aib parametrii stabili la
variaia temperaturii, se alege
materialul
semiconductor
din
condiia ca domeniul (2) al
dependenei (1/T) s acopere
intervalul temperaturilor de lucru al
dispozitivului proiectat
2.4 Curenii de drift i de difuzie

Curentul electric n semiconductor poate fi cauzat
de cmp electric sau de un proces de difuzie a purttorilor
de sarcin:
J J dr J dif
.
(2.21)
Curentul de drift este micarea orientat a
puttorilor de sarcin cauzat de cmpul electric.

Curentului de drift poate fi format de electroni
(componenta electronic) sau de goluri (componenta
lacunar):
jdr. = jdr. n + jdr. p.
(1.22)
Densitatea curentului de drift prin electroni este

proporional vitezei de deplasare a electronilor printr-o
seciune unitar enn, i proporional intensitii
cmpului electric:
jdr. n= enn.
(2.23)
Densitatea curentului de drift prin goluri este

proporional vitezei de deplasare a golurilor printr-o
seciune unitar epp, i proporional intensitii
cmpului electric:
jdr. p= epp.(1.23a)
Curentul de difuzie este micarea orientat a

puttorilor de sarcin ntr-un proces de difuzie, cauzat de
existena unui gradient al concentraiei puttorilor de
sarcin n cristal. Curentului de difuzie poate fi format de
electroni (componenta electronic) sau de goluri
(componenta lacunar):
J dif J difn J difp
(1.25)
Densitatea
curentului
de
difuzie
este
proporional
gradientului
concentraiei
puttorilor de sarcin (vezi fig.1.8):
j difn eDn
j difp
dn
dx
dp
eD p
dx
(1.26)
(1.26a)
Fig.1.20. Curentul de
difuzie: a electronic
unde Dn este coeficientul de difuzie

al electronilor, iar Dp este coeficientul
de difuzie al golurilor, care depind de
proprietile
materialului.
Semnul
minus n expresia (1.26a) pentru
densitatea curentului de goluri de
difuziune se explic prin faptul c
fluxul de difuzie a golurilor este
orientat n sens opus gradientului
concentraiei golurilor (vezi fig.1.20b).
n caz general curentul global n
semiconductor poate fi format din
toate componentele:
Fig.1.20. Curentul de
difuzie: b de goluri
dn
dp
j en n ep p eDn
eD p
dx
dx
(1.27)
2.5 DIODE SEMICONDUCTOARE

Dioda este un element al circuitului electric cu dou
terminale, care manifest conductivitatea unilateral
(proprietate de redresare). n dioda semiconductoare
pentru a asigura proprietatea de conductibilitate
unilateral n cristalul semiconductor este format
jonciunea p-n. Jonciunea p-n reprezint un cristal
semiconductor n care un domeniu are conductivitate de
tip p, iar altul conductivitate de tip n. Structura
simplificat a jonciunii p-n, simbolul grafic al diodei
semiconductoare i caracteristica static a diodei ideale
sunt reprezentate n figura 2.1.
Fig.2.1.
Structura
simplificat
a
jonciunii
p-n
(a),
simbolul grafic al diodei semiconductoare (b) i caracteristica static a diodei
ideale (c)
2.5.1 Procesele fizice n jonciunea p-n n

absena tensiunii
Jonciunea p-n nu poate fi format printr-un proces
simplu de aducere n contact a dou cristale
semiconductoare,deoarece inevitabil ntre ele vor rmne
impuriti: oxizi, decapant rezidual aer etc. Jonciunea p-n
poate fi format prin diverse procese tehnologice: difuzie,
cretere epitaxial, implantare ionic etc.
Dac n cristalul semiconductor este format

jonciunea p-n prin doparea unui domeniu cu impuriti
acceptoare, iar alt domeniu cu impuriti donore, atunci n
condiii normale atomii de impuriti sunt complet ionizai.
Prin urmare, atomii de impuriti donore au cedat
cte un electron, care au devenit purttori de sarcin, iar
atomii de impuriti acceptoare au acaparat cte un
electron formnd goluri.
Aceti purttori de sarcin sunt majoritari: n
domeniul n electronii, iar n domeniul p golurile.
Menionm c n cristal exist i purttori minoritari
(intrinseci): : n domeniul n goluri, iar n domeniul p
electroni.
n domeniul p concentraia golurilor este mult mai

mare ca concentraia electronilor, din acest motiv golurile
se numesc purttori majoritari, iar electronii purttori
minoritari. n domeniul n concentraia electronilor este
mult mai mare ca concentraia golurilor, din acest motiv
electronii sunt purttori majoritari, iar golurile purttori
minoritari.
n practic mai rspndite sunt structurile p-n n

care concentraia impuritilor n domeniile n (Nd) i p (Na)
se deosebesc cardinal. Mai frecvent Na >>Nd. Dac inem
cont c Napp, iar Ndnn, atunci n aceste structuri pp>>nn.
La suprafaa de separaie sub aciunea gradientului

concentraiei purttorilor de sarcin apare micare de
difuzie a purttorilor majoritari: golurile din domeniul p
spre domeniul n, iar electronii din domeniul n se mic
spre domeniul p. Golurile ajungnd n domeniul n
recombin cu electronii, iar electronii ajungnd n
domeniul p recombin cu golurile.
n urma a dou procese:
purttorii de sarcin majoritari prsesc domeniile

adiacente suprafeei de separaie,
recombinarea purttorilor de sarcin;
n domeniul adiacent suprafeei de separaie

concentraia purttorilor de sarcin se micoreaz
cardinal. Golurile prsind domeniul p las la suprafaa
de separaie ionii atomilor de impuriti cu sarcin
negativ, iar n domeniul n rmn ioni pozitivi. Aceste
sarcini sunt fixate rigid n reeaua cristalin i formeaz
domeniul de sarcin spaial (D.S.S.) Grosimea D.S.S.
este n structurile reale de fraciuni de micron.
Deoarece din domeniul de sarcin spaial au

plecat purttorii de sarcin, el are proprieti de izolator.
Datorit acestor sarcini n jonciunea p-n apare un cmp
electric intern Eint., care reprezint mpreun cu D.S.S.
caracteristica principal a jonciunii p-n.
Cmpul
electric
intern frneaz purttorii
majoritari i n acest mod
pentru purttorii majoritari
n jonciunea p-n apare o
barier de potenial cu
nlimea c. Deci curentul
de difuzie al purttorilor
majoritari va fi format
numai din acei purttori de
sarcin
care
posed
energie destul pentru
depirea
barierei
de
potenial
Fig.2.2. Jonciunea p-n n absena
tensiunii: a structura,
b profilul concentraiei
purttorilor de sarcin,
c profilul sarcinii electrice,
d profilul potenialului
n
acelai
timp
cmpul
electric
intern
accelereaz purttorii de
sarcin minoritari formnd
un curent de drift al
purttorilor
minoritari,
orientat de la catod spre
anod (cu sens negativ).

n
lipsa
surselor
externe de energie n
jonciunea
p-n
se
stabilete un echilibru
dinamic i, prin urmare,
se stabilete valoarea
cmpului electric intern,
se stabilete grosimea
domeniului de sarcin
spaial,
se stabilete sarcina n
domeniul
de
sarcin
spaial,
se stabilete valoarea
barierei de potenial.
n
aceste
condiii
curentul
global
prin
jonciunea p-n este nul:

j= jdif. jdr = jdif. p jdr. p + jdif. n jdr. n= 0.

(2.1)
2.5.2 Procesele fizice n jonciunea p-n la

polarizare
La
aplicarea
tensiunii
(polarizarea) pe bornele jonciunii
p-n
se modific condiiile de
transport a purttorilor de sarcin
prin jonciune i este foarte
important sensul polarizrii.
La polarizare direct, cnd
pe anod se aplic +, iar pe catod
; cmpul electric extern Eext. este
opus cmpului electric intern Eint
i cmpul electric global n
jonciune se micoreaz (vezi
fig.2.3):
Eext.
Eint.
A
++
++
++
+ U
=cU
Fig.2.3. Polarizare
direct a jonciunii
se micoreaz sarcina electric

n domeniul de sarcin spaial,
se micoreaz bariera de
potenial:
=cU. (2.2)
Fig.2.3. Polarizare direct a jonciunii
Purttorii de sarcin majoritari au posibilitate s

se apropie de suprafaa de separaie a jonciunii p-n i
compenseaz o parte din ionii de impuriti. Acest fapt
duce, att la micorarea sarcinii n D.S.S., ct i la
micorarea grosimii D.S.S. Prin urmare, vor exista mai
muli purttori de sarcin majoritari, care pot depi
bariera de potenial, n aa mod crete curentul de
difuzie al purttorilor majoritari. Acest fenomen se
numete injecie.
Injecie este procesul de trecere a purttorilor de
sarcin din domeniul unde ei sunt majoritari n
domeniul unde ei sunt minoritari, datorit micorrii
barierei de potenial.
Deoarece cmpul electric n jonciunea p-n se

micoreaz considerabil, curentul de drift al purttorilor
minoritari scade brusc. Curentul global n jonciunea pn va fi orientat de la anod spre catod i este format
preponderent de curentul de difuzie al purttorilor
majoritari.
j= jdif. jdr. > 0.
(2.3)
Eext.
La polarizare invers, cnd

pe anod se aplic , iar pe
catod +; sensul cmpului
electric extern Eext. coincide
cu sensul cmpului electric
intern Eint
i cmpul
electric global n jonciune
crete (vezi fig.2.4). n
consecin, n jonciunea pn
crete bariera de
potenial:
=c+U.
(2.4)
Eint.
A
++++++
++++++
U +
=c+U
Fig.2.4. Polarizare invers a

jonciunii p-n
Prin urmare, cantitatea

purttorilor
de
sarcin
majoritari care posed energie
destul pentru a depi bariera
de potenial este foarte mic i
curentul
de
difuzie
al
purttorilor majoritari scade
brusc.
Sarcina n D.S.S. crete
i grosimea domeniului de
sarcin
spaial
crete.
Deoarece crete cmpul, crete
curentul de drift al purttorilor
minoritari. Curentul global prin
jonciunea p-n este format
preponderent de curentul de
drift al purttorilor minoritari i
este orientat de la catod spre
anod:
j= jdr. jdif. < 0.
Eext.
Eint.
A
++++
++++
++++
U +
=c+U
Fig.2.4.
Polarizare
invers a
jonciunii p-n
(2.5)
Valoarea curentului invers practic nu depinde

de tensiune deoarece cantitatea de cupluri electrongol (purttori intrinseci) generai la o temperatur
constant este i ea constant.
Prin urmare, la polarizare direct curentul direct
n jonciunea p-n este format de purttorii majoritari,
iar la polarizarea invers curentul invers n jonciunea
p-n este format de purttori minoritari. Deoarece
concentraia purttorilor majoritari este cu cteva
ordine zecimale mai mare ca concentraia purttorilor
minoritari, i curentul direct este aproximativ tot de
attea ori mai mare ca curentul invers. n aa mod se
explic proprietatea de redresare a jonciunii p-n.
YouTube
- p-n-Juction-AndDiodes.flv
2.5.3 Caracteristica static a jonciunii p-n

Proprietile jonciunii p-n
sunt
reprezentate
prin
caracteristica
static,
care
reprezint dependena curentului
prin jonciune ca funcie de
valoarea i polaritatea tensiunii
aplicate, n regim staionar.
Caracteristica ideal a jonciunii
p-n (vezi
fig.2.5)
poate
fi
reprezentat prin urmtoarea
expresie analitic:
eU
I I 0 exp
1,
kT
(2.6)
I0
U
Fig.2.5.
Caracteristica
static a
jonciunii p-n

eU
I I 0 exp
1,
kT
(2.6)
unde: I0 curentul
invers (curent de saturaie,
curent termic) al jonciunii p-n,
valoarea crui depinde de
proprietile
fizice
ale
materialului semiconductor, U
tensiunea aplicat pe bornele
jonciunii p-n, k constanta
Boltzman,
sarcina
electronului, temperatura
absolut.
I0
U
Fig.2.5.
Caracteristica static
a jonciunii p-n
La
polarizare
direct,
funcia exponenial fiind foarte
rapid, deja de la valori foarte
mici ale tensiunii:
U > 0 i
eU
exp
1.
kT
(2.7)
I0
Prin urmare, n expresia (2.6)

unitatea poate fi neglijat:
eU
I I 0 exp
kT
(28)
Fig.2.5.
Caracteristica static
a jonciunii p-n
Deci la polarizare direct curentul n jonciunea p-n

ideal depinde de tensiune exponenial.
0 i
La polarizarea invers: U <

I
eU
exp
1,
kT
(2.9)
Prin urmare, expresia (2.6)

se poate reduce la:
I I0 ,
I0
U
Fig.2.5. Caracteristica
static a jonciunii p-n
(2.10)
Deci la polarizare invers curentul n jonciunea p-n

ideal nu depinde de tensiune (depinde foarte slab).
Caracteristica
static a
jonciunii p-n
2.5.4 Strpungerea jonciunii p-n. Dioda Zener

Caracteristica static a
jonciunii p-n prezentat mai sus
nu ine cont de unele fenomene
prezente n caracteristica real, n
mod deosebit, la polarizare
invers.
La tensiuni inverse mari n
jonciunea
p-n
are
loc
strpungerea
jonciunii
p-n.
Fenomenul de strpungere n
jonciunea p-n se manifest la
polarizare invers, cnd domeniul
de sarcin spaial se impune ca
izolator.
Strpungerea
n
jonciunea p-n poate fi:
electric (reversibil),
termic (ireversibil).
Uzmax.
0
Uzmin
Iz min.
1
4
Iz max.
2
3
static real a jonciunii p-n
Strpungerea electric poate fi:

1. prin avalan n jonciuni p-n
"lungi" (cu grosime mare a
domeniului de sarcin spaial)
are loc strpungerea conform
efectului Zener;
1. prin efectul tunel n jonciuni
"scurte".
Uzmax.
0
Uzmin
Iz min.
1
4
Iz max.
2
3
Strpungerea n avalan
poate fi explicat n modul
urmtor: la polarizarea invers
purttorii de sarcin minoritari se
mic n cmp electric cu
intensitate mare. Accelerndu-se
electronii capt energie cinetic
destul pentru a rupe ali electroni
din legturile covalente. n acest
mod concentraia purttorilor de
sarcin crete n avalan i n
acelai mod va crete curentul prin
jonciunea p-n. Pe caracteristica
static a jonciunii p-n (vezi fig.2.6)
strpungerii
electrice
i
corespunde pe poriunea 1-2.
Uzmax.
0
Uzmin
Iz min.
1
4
Iz max.
2
3
Atunci cnd curentul prin

jonciunea p-n depete valoarea
Izmax are loc strpungerea termic
(poriunea
23
n
fig.2.6).
Strpungerea
termic are loc
datorit
generrii
intensive
a
cuplurilor electron-gol (purttorilor
intrinseci)
n
jonciunea
p-n.
Deoarece
n
structurile
reale
semiconductorul nu este absolut
omogen, n anumite locuri prin
suprafaa de separaie a jonciunii pn curentul are densitate mai mare.
Uzmax.
0
Uzmin
Iz min.
1
4
Iz max.
2
3
Prin urmare, cantitatea de

cldur degajat n aceste locuri
este mai mare i n aceste locuri
crete
temperatura
cristalului.
Deoarece concentraia purttorilor
intrinseci
crete
proporional
temperaturii
absolute,
curentul
invers crete i el n acelai mod.
Prin urmare, n aceste locuri
crete curentul. Temperatura atinge
valori foarte mari, la care au loc
transformri
metalurgice
fenomenul strpungerii termice. n

cazul cnd nu este asigurat
evacuarea de cldur de la
jonciunea
p-n,
strpungerea
termic poate anticipa strpungerea
electric (pe poriunea 14 a
caracteristicii din fig.2.6).
Uzmax.
0
Uzmin
Iz min.
1
4
Iz max.
2
3
Dup cum se vede din fig.2.6,

ntr-un interval vast de valori ale
curentului
invers
(IzminIzmax),
tensiunea pe jonciunea p-n rmne
practic constant, cu o variaie
mic Uz=UzmaxUzmin. Acest efect
este folosit n dispozitive speciale,
care se numesc diode Zener (diode
stabilitron). Diodele Zener sunt
dispozitive
semiconductoare
formate n baza jonciunii p-n i
folosite pentru stabilizarea tensiunii
pe sarcin.
Uzmax.
0
Uzmin
Iz min.
1
4
Iz max.
2
3
Diodele Zener sunt fabricate

mai frecvent din Si, deoarece
acestea n comparaie cu diodele
Zener cu Ge prezint urmtoarele
avantaje:
valori mai mici ale curentului

minim de stabilizare IZ min,
deviaia tensiunii stabilizate Uz
este mai mic,
poate funciona la temperaturi
mai nalte
Uzmax.
0
Uzmin
Iz min.
1
4
Iz max.
2
3
Rb
n
figura
2.7
este
reprezentat ca exemplu schema
de montaj a diodei Zener VD.
Rezistena de balast Rb se alege
pentru protecia diodei Zener de
supracurent i este dimensionat
n aa mod nct curentul s nu
depeasc valoarea Izmax.
Uint.
VD
Fig.2.7. Schema de
montaj
a diodei Zener
Rs
vc
Cap. 3.
Analiza circuitelor
3.1 Metodica analizei circuitelor
Cele dou legi ale lui Kirchhoff, mpreun cu

caracteristicile statice ale elementelor de circuit, furnizeaz
ntodeauna numrul necesar de ecuaii din care rezult starea
de curent continuu a circuitului, numit i punct static de
funcionare.
Aceast operaie este numit analiza circuitului. Cu
toate acestea, n analiza circuitelor efectuat "manual" legea a
II este rar utilizat n forma "suma algebric a variaiilor de
potenial este nul pe orice ochi al circuitului" deoarece,
n primul rnd, conductorul de mas nu mai conecteaz
explicit pe scheme diversele elemente de circuit i, din
acest motiv, ochiurile de circuit nu mai sunt evidente.
In al doilea rnd, n multe cazuri, scrierea legii tensiunilor
pe ntregul ochi complic problema mrind inutil numrul
de ecuaii.
Chiar n cazul efecturii automate a analizei, de ctre
calculator, metoda preferat este, de obicei, aceea a
potenialelor nodurilor.
De exemplu, va trebui s calculai frecvent

potenialul unui nod al unui circuit cunoscnd potenialele
altora i anumite tensiuni; n aceast situaie legea a II a
lui Kirchhoff este o alegere proast pentru c v oblig s
parcurgei un ntreg ochi de circuit i s introducei
necunoscute suplimentare.
Atunci va trebui s v aducei aminte c variaia
total de potenial ntre dou puncte nu depinde de
drumul ales i s pornii de la un nod cu potenial
cunoscut, mergnd pe ramuri de circuit cu tensiuni
cunoscute, ca
n
exemplul din Fig. 1.11, unde va
trebui s calculm potenialele nodurilor C i E, folosind
informaiile existente pe schem.
In aceast figur apare un simbol

care v este, poate, necunoscut,
tranzistorul bipolar, dar avei
suficiente
informaii
ca
s
rezolvai problema propus fr
s tii modul n care funcioneaz
tranzistorul (adic relaiile ntre
curenii i tensiunile la bornele
sale).
Nodul A are potenialul de +10 V,
cunoatem curentul prin rezistena
RC i valoarea acestei rezistene;
trebuie s calculm potenialul
nodului C. Cum rezistena este un
consumator, curentul circul prin ea
"de la + la - adic de la potenial
ridicat la potenial cobort. Pornim
de la nodul A i avem imediat
potenialul nodului C
Vc = VA- 4.7 V=10 V-4.7 V =5.3 V
Pentru potenialul nodului E

pornim de la nodul de mas i
avem
VE = 0 + 1 V=1 V
Cnd vom fi interesai de valoarea

tensiunii ntre nodurile C i E, nu
trebuie dect s scdem potenialele
VCE=VC-VE=4.3 V
tim ns, n plus, un lucru care nu
depinde de convenia de definiie a
tensiunii: potenialul nodului C este
mai ridicat dect al nodului E.
Alteori, nodul al crui potenial trebuie s-l calculai este

legat numai prin rezistoare de noduri cu poteniale
cunoscute, ca n Fig. 1.12 a).
Dac scriei c suma algebric a curenilor

la nodul de potenial V este nul, exprimai
curenii prin legea lui Ohm i rearanjai
puin ecuaia, obinei c
1.10
relaie pe care merit s o inei minte,

pentru c leag direct potenialele
nodurilor. Teorema pe care tocmai ai
demonstrat-o se numete teorema Milman
i este frecvent utilizat n electronic.
Din relaia (1.10) se poate arta
imediat c potenialul V al nodului de care
ne ocupm este cuprins ntodeauna ntre
valorile minim i maxim ale potenialelor
Vk. Vei descoperi c aceast proprietate se
pstreaz i dac rezistoarele sunt
nlocuite cu alte dispozitive, neliniare, cu
condiia ca acestea s fie consumatoare de
energie. Din aceeai relaie se poate vedea
de asemenea c, dac una dintre
rezistene, s zicem R3, tinde la zero, atunci
potenialul V este tras ctre potenialul
nodului respectiv (V3 n exemplul nostru).
1.10
S-ar putea ca una din ramurile care

sunt legate la nod s nu fie rezistiv
dar s cunoatei curentul prin ea, ca
n desenul b) al Fig. 1.12. Legea
curenilor i legea lui Ohm v conduc
imediat la relaia
din care se obine uor potenialul necunoscut V.
3.2 Msurarea intensitilor de regim

continuu
Aa cum am spus, intensitatea curentului se definete ntr-un
punct dar rmne aceeai de-a lungul unui circuit neramificat.
Pentru msurarea sa. conductorul trebuie secionat ntr-un
anumit punct, ca n Fig. 1.13 a)
i trebuie introdus n circuit un aparat de msur numit

ampermetru (desenul b). Bornele sale nu sunt
echivalente, fiind marcate cu semnele + i -; innd
seama c el este un consumator de energie.
curentul intr n ampermetru pe la borna marcat cu +
Ampermetrul "clasic" msoar intensitatea prin
deflexia unui ac indicator, deflexie datorat forelor de
interacie dintre un magnet permanent i o bobin
mobil parcurs de curentul pe care l msurm. Este
un instrument analogic deoarece poziia acului este o
funcie continu care poate lua orice valoare dintr-un
anumit interval cuprins ntre zero si captul de scal.
Aparatele disponibile au
mai multe scale de sensibilitate,
selectabile cu un comutator
rotativ,
ca
n
Fig.
1.14.
Pentru
msurarea
curenilor i a tensiunilor, poziia
comutatorului arat ntodeauna
valoarea
corespunztoare
captului de scal, 10 mA n
exemplul din figur. Scala este
gradat, ns, ntr-un numr
convenabil de diviziuni, 100 n
exemplul nostru, aa c valoarea
msurat se calculeaz cu regula
de
trei
simpl.
Calculai, mai nti ct
reprezint o diviziune pe scala
respectiv i s nmulii valoarea
citit cu aceast constant: 65
diviziuni x 0.1 mA/diviziune= 6.5
mA.
Cele mai sensibile ampermetre clasice au captul

de scal la cteva zeci de la A, uzual la 50 A i, din
acest motiv se numesc microamperemetre.
Pentru a putea msura asemenea intensiti mici,
bobina trebuie s fie uoar i, deci, srma bobinajului s
fie subire.
Astfel, rezistena intern a microamperemetrului nu
poate fi redus prea mult, ea fiind de 600 -2 k . Vom
considera, pentru fixarea ideilor, c ea are o rezisten
"tipic" de 2 k. Rezult c, pentru ca microampermetrul
s ne arate c prin circuit trece curentul de 50 A, ntre
bornele sale va trebui s existe o tensiune de 100 mV !
Or, nainte de introducerea

sa, tensiunea ntre punctele A i
B era nul, ntreaga funcionare a
circuitului a fost perturbat i
ceea ce msurm nu este
intensitatea
curentului
care
trecea nainte de conectarea
aparatului.
Acest lucru poate fi neles
mai uor pentru cazul particular
din Fig. 1.13 c), unde ntre cele
dou noduri avem un rezistor
de
rezisten
R.
Dup
legarea aparatului, rezistena
dintre noduri va crete, devenind
R + Ra. Intensitatea citit se
apropie de cea existent iniial
numai dac
1.12
adic rezistena ampermetrului este mult mai mic dect

aceea a poriunii de circuit neramificat unde se msoar
intensitatea. Mai mult, n aceast situaie putem estima i
eroarea relativ, ea fiind de ordinul Ra/R: cu _Ra = R/10 ne
ateptm la o eroare de 10 % dar cu Ra = R/100 eroarea
scade la 1 %.
Exist, ns, situaii cnd nu ne intereseaz dect
intensitatea curentului cu ampermetrul montat. In aceste
situaii, nu mai vorbim despre o eroare de msur datorat
rezistenei sale interne.
Cnd dorim s msurm intensiti de N ori mai mari dect

cei 50 A ai instrumentului, soluia este ca (N -1)/N din
curent s fie deviat printr-un rezistor numit shunt i numai
1/N din curent s treac prin ampermetru, ca n Fig. 1.15.
Rezult imediat rezistena de shunt Rsh = Ra/(N-1) i

noua rezisten a aparatului de msur
Rezistena ampermetrului a sczut exact cu factorul

cu are a fost desensibilizat. Nu trebuie s ne amgim, ns:
pentru ca acul s ajung la captul de scal, la bornele
aparatului trebuie s avem aceeai tensiune de 100 mV !
Ea este o msur a perturbaiei introdus de ampermetru
independent de mrimea curentului pe care trebuie s-l
msurm.
Aparatele de msur moderne sunt electronice i cu

afiaj digital. Curentul msurat nu mai este utilizat pentru a
deplasa corpuri ci informaia sa este prelucrat electronic, prin
amplificare. Dei primele aparate de msur electronice
utilizau tot un sistem de afiaj analogic cu ac indicator, datorit
preciziei limitate de citire a poziiei acului ele au fost nlocuite
complet de cele cu afiare digital (numeric). Dac aparatul
este unul cu 2000 de puncte se pot afia numere ntre 0000 i
2000; ultima cifra poate fi afectat de o eroare egala cu o
unitate i precizia relativ de citire este la captul de scal
0.05 %, de 20 de ori mai bun dect la afiarea analogic.
Ampermetrele electronice cu afiaj digital pot

msura, deci, cu precizie relativ mult mai bun dect cele
clasice. Cu toate acestea, ele nu ofer o rezisten intern
mult mai mic dect cele clasice, deoarece, n general, ele
msoar (electronic) cderea de tensiune pe un rezistor
prin care curentul de msurat este obligat s treac. De
exemplu, pentru scala de 200.0 A (rezoluie 0.1 A), un
asemenea aparat msoar cderea de tensiune pe un
domeniu de 200.0 mV; rezult, de aici, c rezistena
microampermetrului este de 1 k, numai de dou ori mai
mic dect a microampermetrului clasic.
Chiar dac ampermetrele electronice pot fi
parcurse de curent n ambele sensuri, ele afind i
semnul, bornele lor trebuie s fie marcate n continuare
cu + i -, n absena acestei convenii informaia -10 mA
neavnd nici un sens logic.
1.8 Msurarea tensiunilor continue

Tensiunea electric se definete ntodeauna ntre
dou puncte. Chiar dac, pentru comoditate, vorbim
uneori despre "tensiunea unui punct", nelegem c este
vorba despre tensiunea fa de mas a acelui punct.
Aparatul care msoar tensiuni electrice, numit voltmetru,
trebuie legat, deci, ntre aceste puncte, ca n Fig. 1.16 b).
Voltmetrul "clasic" msoar tensiunea indirect: el

conecteaz ntre punctele respective o rezisten
cunoscut, msoar intensitatea curentului prin acea
rezisten i, utiliznd legea lui Ohm, ne anun victorios
c "tensiunea ntre bornele voltmetrului este de...".
Aa se face c cel mai sensibil voltmetru clasic,
numit milivoltmetru, este tocmai microampermetrul
(instrumentul), care msura la capt de scal 50 A i
avea o rezisten de 2 k; nu mai trebuie dect s
desenm o alt scal pe care s scrie la capt 100 mV !
Ceea ce am scris n paragraful

precedent poate fi citit ns i altfel:
pentru a putea msura o tensiune de
100 mV, milivoltmetrul nostru trebuie
s "extrag" din circuitul pe care l
msoar un curent de 50 A. Din
acest motiv, cu el nu putem msura
tensiuni ntr-un cmp electrostatic ntro regiune unde nu exist cureni
electrici, aa cum se vede n Fig. 1.16
c);
mai mult, sarcinile mobile din conductoarele legate la

voltmetru se deplaseaz puin sub influena cmpului
electrostatic i egaleaz potenialele punctelor ntre care
doream s msurm tensiunea. Chiar n circuitele
electronice parcurse de cureni, cei civa microamperi
cerui de milovoltmetru pot reprezenta o perturbaie care
s afecteze funcionarea circuitului: la conectarea
milivoltmetrului n baza tranzistorului din Fig. 1.17 punctul
su de funcionare se modific ntr-att nct circuitul
nceteaz s mai funcioneze ca amplificator.
Dac ntre punctele ntre care msurm tensiunea

exist o rezisten de valoare
R, iar rezistena
voltmetrului verific relaia
atunci perturbaia introdus de voltmetru poate fi

neglijat. Prin rezistena R trebuie neleas rezistena
echivalent dintre aceste puncte; conceptul de rezisten
echivalent va fi clarificat n capitolul urmtor, aici este
suficient s tim c aceasta este todeauna mai mic sau
egal cu cea conectat direct ntre punctele de maur,
datorit celorlalte drumuri posibile prin circuit, care apar
n paralel.
In practic, dac RV10R putem conta pe o precizie de

msurare de 10 %; n cazul n care RV 100R , precizia
ajunge la 1 %. Ca i la msurarea intensitii,
perturbaia produs constituie o eroare numai dac ne
intereseaz valoarea tensiunii nainte de conectare
aparatului de msur, dac nu dorim s tim dect
valoarea tensiunii cu voltmetrul conectat nu mai avem
despre ce eroare s vorbim.
Atunci
cnd
tensiunea
de
msurat are valori de N ori mai
mari dect cele cuprinse pe scala
milivoltmetrului nostru, soluia
este intercalarea n serie cu el a
unei rezistene adiionale, astfel
nct pe instrument s cad
numai a N-a parte din tensiunea
de msurat (Fig. 1.18
Rezistena adiional trebuie s aib, deci, valoarea,

(N - 1)RV iar rezistena "noului" aparat este
Atunci
cnd
tensiunea
de
Microampermetrul (instrumentul), mpreun cu

rezistenele de shunt care i modific sensibilitatea ca
amperemetru i cu rezistenele adiionale care l fac s
funcioneze ca voltmetru cu diferite sensibiliti, formeaz
un aparat complex, cruia i se mai adaug, de regul, i
funcia de ohmetru. El se numete, atunci, avohmetru sau
aparat universal de msur sau multimetru (volt-ohmmeter, prescurtat VOM, n limba englez).
Pentru funcionarea ca
ohmetru, marcarea scalelor i
citirea valorilor se face complet
diferit:
indiferent
de
sensibilitate, scala de ohmetru
are zero la unul din capete i
infinit la cellalt capt. Din acest
motiv, la poziiile comutatorului
nu se mai trece valoarea
corespunztoare captului de
scal ci un factor cu care trebuie
multiplicat numrul citit. Pentru
evitarea confuziilor, naintea
factorului este scris ntodeauna
semnul operaiei de nmulire (x,
, sau *), aa cum se vede n Fig.
1.19, unde ohmetrul ne spune ca
avem o rezisten de 100 k.
Ca i la ampermetre, voltmetrele electronice cu afiaj

digital permit citirea rezultatului cu o precizie mult mai bun
dect cele clasice. Dar, spre deosebire de cazul
ampermetrelor, voltmetrele electronice aduc mbuntiri
semnificative n ceea ce privete rezistena intern.
In primul rnd, voltmetrele electronice au aveeai
rezisten pe oricare scal de sensibilitate, nemaifiind
nevoie s recalculm rezistena intern ori de cte ori
schimbm scala. Dar, ceea ce este mai important, aceast
rezistena este foarte mare n comparaie cu aceea a
voltmetrelor clasice. Dac un voltmetru clasic avea 2 k pe
scala de 100 mV i abia ajungea la 2 M pe scala de 100 V,
un voltmetru electronic are o rezisten tipic de 10 M pe
toate scalele. Modificarea cea mai spectaculoas se produce
pe scala cea mai sensibil (100 mV cap de scal) unde
rezistena voltmetrului electronic este de cinci mii de ori mai
mare; dac cel clasic cerea ntodeauna cureni de ordinul 50
A, voltmetrul electronic are nevoie, pe aceast scal, de
numai 10 nA !
1.9 Msurarea curenilor i tensiunilor

alternative (regim sinusoidal)
Dac un circuit coninnd numai elemente liniare
(rezistoare, condensatoare, inductane, etc.) este excitat
sinusoidal, atunci, dup stingerea regimului tranzitoriu
toate potenialele i toi curenii evolueaz sinusoidal cu
frecvena de excitaie. Ceea ce difer sunt numai
amplitudinile i fazele acestor mrimi. Exemplul tipic l
constituie circuitele alimentate direct sau prin
transformatoare de la reeaua de distribuie a energiei
electric. Aceat reea furnizeaz ntre cele dou borne o
tensiune care evolueaz sinusoidal n timp, cu frecvena
de 50 Hz (perioada de 20 ms), ntre - 311 V i + 311 V; 311
V este, deci, amplitudinea tensiunii sinusoidale a reelei.
In electronic trebuie s fim prudeni cu noiunea de

amplitudine pentru c ea este utilizat ntr-un sens mai
general dect n fizic. Astfel, pentru tensiunea reelei, 311
este valoarea de vrf (de pic, din englezescul peak) dar,
cum vom vedea imediat, de multe ori este mai comod de
msurat amplitudinea vrf la vrf, care n cazul reelei este
de 622 Vpp (pentru a evita orice confuzie este bine s
adugai indicele inferior "pp" sau "vv" la unitatea de
msur).
Dup cum tii, puterea instantanee comunicat unui

rezistor, prin efect Joule, este
adic depinde de ptratul valorii instantanee a

curentului sau tensiunii. Curentul i tensiunea
modificndu-se periodic, este intersant s tim puterea
medie pe o perioad, aceasta fiind practic egal cu
puterea medie calculat pe un interval de timp mult mai
mare dect o perioad. Conform ecuaiei precedente,
puterea medie va depinde de media ptratului tensiunii
sau curentului. Este, ns, mai comod, s se lucreze cu
nite mrimi echivalente, care sunt cele efective sau
eficace
definire ca radical din media ptratului mrimii

respective
n
limba
englez
aceast operaie este
notat prescurtat RMS
(Koot Mean Square) iar
valorile respective se
numesc "valori RMS");
este bine s adugai
indicele inferior "ef' sau
"RMS" la unitatea de
msur.

respective
Pentru
o
dependen
sinusoidal,
operaia de radical din
media ptratului produce
valoarea amplitudinea/2 =
0.707 amplitudini; reeaua
de
alimentare
are
tensiunea efectiv de 220
V. Trebuie reinut, ns, c
aceasta este valabil numai
pentru
o
dependen
sinusoidal. De exemplu,
pentru forma de und din
Fig. 1.19 b, tensiunea
efectiv nu este 0.707amplitudini, ci este egal
chiar cu amplitudinea.
5. Analiza circuitelor
5.1 Metodica analizei circuitelor
Cele dou legi ale lui Kirchhoff, mpreun cu

caracteristicile statice ale elementelor de circuit,
furnizeaz ntodeauna numrul necesar de ecuaii din
care rezult starea de curent continuu a circuitului,
numit i punct static de funcionare.
Aceast operaie este numit analiza circuitului.
Cu toate acestea, n analiza circuitelor efectuat

"manual" legea a II este rar utilizat n forma "suma
algebric a variaiilor de potenial este nul pe orice ochi
al circuitului" deoarece,
n primul rnd, conductorul de mas nu mai
conecteaz explicit pe scheme diversele elemente de
circuit i, din acest motiv, ochiurile de circuit nu mai
sunt evidente.
In al doilea rnd, n multe cazuri, scrierea legii
tensiunilor pe ntregul ochi complic problema
mrind inutil numrul de ecuaii.
Chiar n cazul efecturii automate a analizei, de ctre
calculator, metoda preferat este, de obicei, aceea a
potenialelor nodurilor.
De exemplu, va trebui s calculai frecvent

potenialul unui nod al unui circuit cunoscnd potenialele
altora i anumite tensiuni; n aceast situaie legea a II a
lui Kirchhoff este o alegere proast pentru c v oblig s
parcurgei un ntreg ochi de circuit i s introducei
necunoscute suplimentare.
Atunci va trebui s v aducei

aminte c variaia total de potenial
ntre dou puncte nu depinde de drumul
ales i s pornii de la un nod cu
potenial cunoscut, mergnd pe ramuri
de circuit cu tensiuni cunoscute, ca n
exemplul din Fig. 5.11, unde va trebui
s calculm potenialele nodurilor C i
E, folosind informaiile existente pe
schem.
In aceast figur apare un simbol

care v este, poate, necunoscut,
tranzistorul bipolar, dar avei
suficiente
informaii
ca
s
rezolvai problema propus fr
s tii modul n care funcioneaz
tranzistorul (adic relaiile ntre
curenii i tensiunile la bornele
sale).
Nodul A are potenialul de

+10 V, cunoatem curentul prin
rezistena RC i valoarea acestei
rezistene; trebuie s calculm
potenialul nodului C.
Cum rezistena este un
consumator, curentul circul prin ea
"de la + la - adic de la potenial
ridicat la potenial cobort. Pornim
de la nodul A i avem imediat
potenialul nodului C
Vc = VA- 4.7 V=10 V - 4.7 V = 5.3 V
Pentru potenialul nodului E

pornim de la nodul de mas i
avem
VE = 0 + 1 V=1 V
Cnd vom fi interesai de valoarea

tensiunii ntre nodurile C i E, nu
trebuie dect s scdem potenialele
VCE = VC-VE = 4.3 V
tim ns, n plus, un lucru care nu
depinde de convenia de definiie a
tensiunii: potenialul nodului C este
mai ridicat dect al nodului E.
Alteori, nodul al crui potenial trebuie s-l calculai este

legat numai prin rezistoare de noduri cu poteniale
cunoscute, ca n Fig. 5.12 a).
Dac scriei c suma algebric a curenilor

la nodul de potenial V este nul, exprimai
curenii prin legea lui Ohm i rearanjai
puin ecuaia, obinei c
1.10
1.10
relaie pe care merit s o inei minte,

pentru c leag direct potenialele
nodurilor. Teorema pe care tocmai ai
demonstrat-o se numete teorema Milman
i este frecvent utilizat n electronic.
Din relaia (1.10) se poate arta

imediat c potenialul V al nodului de care
ne ocupm este cuprins ntodeauna ntre
valorile minim i maxim ale potenialelor
Vk.
Vei descoperi c aceast proprietate
se pstreaz i dac rezistoarele sunt
nlocuite cu alte dispozitive, neliniare, cu
condiia ca acestea s fie consumatoare de
energie.
Din aceeai relaie se poate vedea de
asemenea c, dac una dintre rezistene,
s zicem R3, tinde la zero, atunci
potenialul V este tras ctre potenialul
nodului respectiv (V3 n exemplul nostru).
1.10
S-ar putea ca una din ramurile care

sunt legate la nod s nu fie rezistiv
dar s cunoatei curentul prin ea, ca
n desenul b) al Fig. 1.12. Legea
curenilor i legea lui Ohm v conduc
imediat la relaia
din care se obine uor potenialul necunoscut V.
5.2 Msurarea intensitilor de regim

continuu
Aa cum am spus, intensitatea curentului se definete
ntr-un punct dar rmne aceeai de-a lungul unui circuit
neramificat. Pentru msurarea sa conductorul trebuie
secionat ntr-un anumit punct, ca n Fig. 1.13 a)
i trebuie introdus n circuit un

aparat
de
msur
numit
ampermetru (desenul b). Bornele
sale nu sunt echivalente, fiind
marcate cu semnele + i -; innd
seama c el este un consumator
de energie.
curentul intr n ampermetru pe la borna marcat cu +
Ampermetrul "clasic" msoar intensitatea prin
deflexia unui ac indicator, deflexie datorat forelor de
interacie dintre un magnet permanent i o bobin
mobil parcurs de curentul pe care l msurm. Este
un instrument analogic deoarece poziia acului este o
funcie continu care poate lua orice valoare dintr-un
anumit interval cuprins ntre zero si captul de scal.
Aparatele disponibile au mai

multe scale de sensibilitate,
selectabile cu un comutator rotativ,
ca n Fig. 1.14.
Pentru msurarea curenilor
i
a
tensiunilor,
poziia
comutatorului arat ntodeauna
valoarea
corespunztoare
captului de scal, 10 mA n
exemplul din figur.
Scala este gradat, ns, ntrun numr convenabil de diviziuni,
100 n exemplul nostru, aa c
valoarea msurat se calculeaz
cu regula de trei simpl.
Calculai,
mai
nti
ct
reprezint o diviziune pe scala
respectiv i s nmulii valoarea
citit cu aceast constant: 65
diviziuni x 0.1 mA/diviziune= 6.5
mA.
Cele mai sensibile ampermetre clasice au captul

de scal la cteva zeci de la A, uzual la 50 A i, din
acest motiv se numesc microamperemetre.
Pentru a putea msura asemenea intensiti mici,
bobina trebuie s fie uoar i, deci, srma bobinajului s
fie subire.
Astfel, rezistena intern a microamperemetrului nu
poate fi redus prea mult, ea fiind de 600 -2 k . Vom
considera, pentru fixarea ideilor, c ea are o rezisten
"tipic" de 2 k. Rezult c, pentru ca microampermetrul
s ne arate c prin circuit trece curentul de 50 A, ntre
bornele sale va trebui s existe o tensiune de 100 mV !
Or, nainte de introducerea

sa, tensiunea ntre punctele A i
B era nul, ntreaga funcionare a
circuitului a fost perturbat i
ceea ce msurm nu este
intensitatea
curentului
care
trecea nainte de conectarea
aparatului.
1.12
Acest lucru poate fi neles

mai uor pentru cazul particular
din Fig. 1.13 c), unde ntre cele
dou noduri avem un rezistor
de rezisten R. Dup legarea
aparatului, rezistena se apropie
de cea existent iniial dintre
noduri va crete, devenind R +
Ra. Intensitatea citit numai dac
1.12
adic rezistena ampermetrului este mult mai mic dect

aceea a poriunii de circuit neramificat unde se msoar
intensitatea. Mai mult, n aceast situaie putem estima i
eroarea relativ, ea fiind de ordinul Ra/R: cu _Ra = R/10 ne
ateptm la o eroare de 10 % dar cu Ra = R/100 eroarea
scade la 1 %.
Exist, ns, situaii cnd nu ne intereseaz dect
intensitatea curentului cu ampermetrul montat. In aceste
situaii, nu mai vorbim despre o eroare de msur
datorat rezistenei sale interne.
Cnd dorim s msurm intensiti de N ori mai mari

dect cei 50 A ai instrumentului, soluia este ca (N 1)/N din curent s fie deviat printr-un rezistor numit
shunt i numai 1/N din curent s treac prin
ampermetru, ca n Fig. 1.15.
Rezult imediat rezistena de shunt Rsh = Ra/(N-1) i

noua rezisten a aparatului de msur
Rezistena ampermetrului a sczut exact cu

factorul cu are a fost desensibilizat. Nu trebuie s ne
amgim, ns: pentru ca acul s ajung la captul de
scal, la bornele aparatului trebuie s avem aceeai
tensiune de 100 mV ! Ea este o msur a perturbaiei
introdus de ampermetru independent de mrimea
curentului pe care trebuie s-l msurm.
Aparatele de msur moderne sunt electronice i

cu afiaj digital. Curentul msurat nu mai este utilizat
pentru a deplasa corpuri ci informaia sa este prelucrat
electronic, prin amplificare.
Dei primele aparate de msur electronice utilizau
tot un sistem de afiaj analogic cu ac indicator, datorit
preciziei limitate de citire a poziiei acului ele au fost
nlocuite complet de cele cu afiare digital (numeric).
Dac aparatul este unul cu 2000 de puncte se pot afia
numere ntre 0000 i 2000; ultima cifra poate fi afectat de
o eroare egala cu o unitate i precizia relativ de citire
este la captul de scal 0.05 %, de 20 de ori mai bun
dect la afiarea analogic.
Ampermetrele electronice cu afiaj digital pot

msura, deci, cu precizie relativ mult mai bun dect cele
clasice. Cu toate acestea, ele nu ofer o rezisten intern
mult mai mic dect cele clasice, deoarece, n general, ele
msoar (electronic) cderea de tensiune pe un rezistor
prin care curentul de msurat este obligat s treac.
De exemplu, pentru scala de 200.0 A (rezoluie 0.1
A), un asemenea aparat msoar cderea de tensiune pe
un domeniu de 200.0 mV; rezult, de aici, c rezistena
microampermetrului este de 1 k, numai de dou ori mai
mic dect a microampermetrului clasic.
Chiar dac ampermetrele electronice pot fi

parcurse de curent n ambele sensuri, ele afind i
semnul, bornele lor trebuie s fie marcate n continuare
cu + i -, n absena acestei convenii informaia -10 mA
neavnd nici un sens logic.
5.3 Msurarea tensiunilor continue

Tensiunea electric se definete ntodeauna ntre
dou puncte. Chiar dac, pentru comoditate, vorbim
uneori despre "tensiunea unui punct", nelegem c este
vorba despre tensiunea fa de mas a acelui punct.
Aparatul care msoar tensiuni electrice, numit voltmetru,
trebuie legat, deci, ntre aceste puncte, ca n Fig. 1.16 b).
Voltmetrul "clasic" msoar tensiunea indirect: el

conecteaz ntre punctele respective o rezisten
cunoscut, msoar intensitatea curentului prin acea
rezisten i, utiliznd legea lui Ohm, ne anun victorios
c "tensiunea ntre bornele voltmetrului este de...".
Aa se face c cel mai sensibil voltmetru clasic,
numit milivoltmetru, este tocmai microampermetrul
(instrumentul), care msura la capt de scal 50 A i
avea o rezisten de 2 k; nu mai trebuie dect s
desenm o alt scal pe care s scrie la capt 100 mV !
Ceea ce am scris n paragraful

precedent poate fi citit ns i altfel:
pentru a putea msura o tensiune de
100 mV, milivoltmetrul nostru trebuie
s "extrag" din circuitul pe care l
msoar un curent de 50 A. Din
acest motiv, cu el nu putem msura
tensiuni ntr-un cmp electrostatic ntro regiune unde nu exist cureni
electrici, aa cum se vede n Fig. 1.16
c);
mai mult, sarcinile mobile din conductoarele legate la

voltmetru se deplaseaz puin sub influena cmpului
electrostatic i egaleaz potenialele punctelor ntre care
doream s msurm tensiunea.
Chiar n circuitele electronice parcurse de cureni,

cei civa microamperi cerui de milivoltmetru pot
reprezenta o perturbaie care s afecteze funcionarea
circuitului: la conectarea milivoltmetrului n baza
tranzistorului din Fig. 1.17 punctul su de funcionare se
modific ntr-att nct circuitul nceteaz s mai
funcioneze ca amplificator.
Dac ntre punctele ntre care msurm tensiunea

exist o rezisten de valoare
R, iar rezistena
voltmetrului verific relaia
atunci perturbaia introdus de voltmetru poate fi

neglijat. Prin rezistena R trebuie neleas rezistena
echivalent dintre aceste puncte; conceptul de rezisten
echivalent va fi clarificat n capitolul urmtor, aici este
suficient s tim c aceasta este todeauna mai mic sau
egal cu cea conectat direct ntre punctele de maur,
datorit celorlalte drumuri posibile prin circuit, care apar
n paralel.
In practic, dac RV10R putem conta pe o precizie de

msurare de 10 %; n cazul n care RV 100R , precizia
ajunge la 1 %. Ca i la msurarea intensitii,
perturbaia produs constituie o eroare numai dac ne
intereseaz valoarea tensiunii nainte de conectare
aparatului de msur, dac nu dorim s tim dect
valoarea tensiunii cu voltmetrul conectat nu mai avem
despre ce eroare s vorbim.
Atunci
cnd
tensiunea
de
Rezistena adiional trebuie s aib, deci, valoarea,

(N - 1)RV iar rezistena "noului" aparat este
Microampermetrul (instrumentul), mpreun cu

rezistenele de shunt care i modific sensibilitatea ca
amperemetru i cu rezistenele adiionale care l fac s
funcioneze ca voltmetru cu diferite sensibiliti, formeaz
un aparat complex, cruia i se mai adaug, de regul, i
funcia de ohmetru. El se numete, atunci, avohmetru sau
aparat universal de msur sau multimetru (volt-ohmmeter, prescurtat VOM, n limba englez).
Pentru funcionarea ca
ohmetru, marcarea scalelor i
citirea valorilor se face complet
diferit:
indiferent
de
sensibilitate, scala de ohmetru
are zero la unul din capete i
infinit la cellalt capt. Din acest
motiv, la poziiile comutatorului
nu se mai trece valoarea
corespunztoare captului de
scal ci un factor cu care trebuie
multiplicat numrul citit. Pentru
evitarea confuziilor, naintea
factorului este scris ntodeauna
semnul operaiei de nmulire (x,
, sau *), aa cum se vede n Fig.
1.19, unde ohmetrul ne spune ca
avem o rezisten de 100 k.
Ca i la ampermetre, voltmetrele electronice cu

afiaj digital permit citirea rezultatului cu o precizie mult
mai bun dect cele clasice. Dar, spre deosebire de cazul
ampermetrelor, voltmetrele electronice aduc mbuntiri
semnificative n ceea ce privete rezistena intern.
In primul rnd, voltmetrele electronice au aceeai

rezisten pe oricare scal de sensibilitate, nemaifiind
nevoie s recalculm rezistena intern ori de cte ori
schimbm scala. Dar, ceea ce este mai important, aceast
rezistena este foarte mare n comparaie cu aceea a
voltmetrelor clasice. Dac un voltmetru clasic avea 2 k
pe scala de 100 mV i abia ajungea la 2 M pe scala de
100 V, un voltmetru electronic are o rezisten tipic de 10
M pe toate scalele. Modificarea cea mai spectaculoas
se produce pe scala cea mai sensibil (100 mV cap de
scal) unde rezistena voltmetrului electronic este de
cinci mii de ori mai mare; dac cel clasic cerea
ntodeauna cureni de ordinul 50 A, voltmetrul electronic
are nevoie, pe aceast scal, de numai 10 nA !
5.4 Msurarea curenilor i tensiunilor

alternative (regim sinusoidal)
Dac un circuit coninnd numai elemente liniare
(rezistoare, condensatoare, inductane, etc.) este excitat
sinusoidal, atunci, dup stingerea regimului tranzitoriu
toate potenialele i toi curenii evolueaz sinusoidal cu
frecvena de excitaie. Ceea ce difer sunt numai
amplitudinile i fazele acestor mrimi. Exemplul tipic l
constituie circuitele alimentate direct sau prin
transformatoare de la reeaua de distribuie a energiei
electric. Aceat reea furnizeaz ntre cele dou borne o
tensiune care evolueaz sinusoidal n timp, cu frecvena
de 50 Hz (perioada de 20 ms), ntre - 311 V i + 311 V; 311
V este, deci, amplitudinea tensiunii sinusoidale a reelei.
In electronic trebuie s fim prudeni cu noiunea de

amplitudine pentru c ea este utilizat ntr-un sens mai
general dect n fizic. Astfel, pentru tensiunea reelei, 311
este valoarea de vrf (de pic, din englezescul peak) dar,
cum vom vedea imediat, de multe ori este mai comod de
msurat amplitudinea vrf la vrf, care n cazul reelei este
de 622 Vpp (pentru a evita orice confuzie este bine s
adugai indicele inferior "pp" sau "vv" la unitatea de
msur).
Dup cum tii, puterea instantanee comunicat unui

rezistor, prin efect Joule, este
adic depinde de ptratul valorii instantanee a

curentului sau tensiunii. Curentul i tensiunea
modificndu-se periodic, este intersant s tim puterea
medie pe o perioad, aceasta fiind practic egal cu
puterea medie calculat pe un interval de timp mult mai
mare dect o perioad. Conform ecuaiei precedente,
puterea medie va depinde de media ptratului tensiunii
sau curentului. Este, ns, mai comod, s se lucreze cu
nite mrimi echivalente, care sunt cele efective sau
eficace

respective
n
limba
englez
aceast operaie este
notat prescurtat RMS
(Root Mean Square) iar
valorile respective se
numesc "valori RMS");
este bine s adugai
indicele inferior "ef' sau
"RMS" la unitatea de
msur.
Pentru
o
dependen
sinusoidal,
operaia de radical din
media ptratului produce
valoarea amplitudinea/2 =
0.707 amplitudini; reeaua
de
alimentare
are
tensiunea efectiv de 220
V. Trebuie reinut, ns, c
aceasta este valabil numai
pentru
o
dependen
sinusoidal. De exemplu,
pentru forma de und din
Fig. 1.19 b, tensiunea
efectiv nu este 0.707amplitudini, ci este egal
chiar cu amplitudinea.
Utilitate
Amplitudinea medie
Amplitudinea medie
6.1 Efectul temperaturii asupra caracteristicilor

dispozitivelor semiconductoare
Mecanismul nduci in semiconductoare este
diferit de acela al nduci in metale. Din acest motiv, in
timp la metale modificarea temperaturii are un efect
foarte slab asupra ndutivitii (variatii de citeva miimi
grad), caracteristicile dispozitivelor semiconductoare
sunt influentate mult mai putemic de temperatura. In
general, acesta este un inconvenient important in
utilizarea lor in circuitele electronice, mai ales in cazul
tranzistoarelor i al amplificatoarelor integrate. In anumite
situatii insa, u este cazul termistorilor i, mai rar, al
diodelor, efectul temperaturii este utilizat pentru obtinerea
unor senzori de temperatura.
6.1.1 Tranzistoare bipolare

Tranzistorul indeplinete func unui robinet
controlat. Partea care controleaza este intensitatea
curentului de colector iar controlul se efectueaza prin
polarizarea directa jncunii emitor baza.
De curentul de colector trebuie sa fie stabil in

raport u temperatura ambianta? Circuitul din Fig. 0.4 )
trebuie sa amplifice de 300 de ori variatii de tensiune u
frecventa peste 20 z i amplitudini de ordinul milivoltului.
n absenta semnalului de intrare potentialul

colectorului se gasete undeva la jumatatea tensiunii
de alimentare, sa zicem la 8 V; aplicind semnalul de
intrare, potentialul colectorului v evolua in jurul nivelului
de 8 V u amplitudini de ordinul 0.3 V.
Condensatorul de ieire blocheaza componenta
continua i sarcina ajung numai variatiile, de data
aceasta ele efectuindu-se in jurul nivelu1ui de V.
Creterea prin incalzire curentului de colector
coboara nivelul mediu al potentialului de colector, dar
semnalul de sarcina v continua sa fie versiune
amplificata semnalului de intrare; sarcina nu v sesiza
se intimpla v u tranzistorul.
Daca
insa
creterea curentului de
colector
este
prea
mare,
potentialul
colectorului
coboara
aproape
de nivelul
masei i tranzistorul
intra
in
saturatie
incetind sa amplifice.
um nivelul inil era la
jumatatea tensiunii de
alimentare
dublare curentului de colector aduce u siguranta

tranzistorul in saturatie, scotind din uz amplificatorul.
Nu trebuie sa ajungem pina acolo pentru

efectele sa n deranjeze. Vm vedea, la acest circuit
amplificarea variatiilor de tensiune este rornla
u valoarea medie curentului de colector.
Astfel, incalzirea tranzistorului v produce
marirea amplitudinii variatiilor care ajung sarcina,
lucru u totul neplacut, mai ales daca utilzam
amplificatorul intr-un lant de masura.
Chiar in cazul unui amplificator audio, variatie
de citeva procente curentului de colector este tot
putem accepta.
Situatia se schimba dramatic daca dorim sa

amplificam pentru masura este un nivel de tensiune
continua.
In acest caz nu mai putem separa, u un
condensator, semnalul util de regimul de polarizare pentru
ambele u aceeai frecventa : 0 z. Vom vedea,
modificare u 10 % curentului de colector este
echivalenta u variatie semnalului de 2 mV.
Cind trebuie sa sesizam semnale intr-adevar mici
(un termocuplu ofera in jur de 50 V p grad), curentul de
colector ar trebui sa varieze u temperatura u mult mai
putin de 0.1 la suta.
Pentru tranzistoarele din amplificatorul de putere

desenat in Fig. 8. 4 b) stabilitatea termica este chestiune
de viata i de moarte. Fr semnal, circuitul de polarizare
asigura trecerea unui curent de valoare mica (citiva m)
prin cele doua tranzistoare catre masa.
Principiul de funcnar al amplificatorului se
bazeaza deschiderea rind tranzistoarelor de catre
semnalul altemativ aplicat la intrare, curentul, u
amplitudinea de ordinul amperilor, trecind prin
condensatorul de ieire spre difuzor.
Astfel, tranzistoare se disipa putere

apreciabila, de ordinul zecilor de W, care produce
incalzirea lor.
Creterea temperaturii deschide simultan ambele
tranzistoare i un curent important IH incepe sa circule de
la alimentarea pozitiva, prin cele doua tranzistoare, spre
masa.
Puterea disipata crete suplimentar u IHValim i
tranzistoarele se incalzesc i mai mult: v reacpe
pozitiva de natura termica.
Aa um am vazut, daca gradul rci pozitive

depaete un anumit prag sistemul devine instabil; in
cazul nostru temperatura crete foarte rapid i procesul
se sfirete prin distrugerea tranzistoarelor, deoarece
curentul I nu este limitat de nici rezistenta .
Aceasta este ambalarea termica (thermal run-away

in engleza). Pentru preintimpina, in vremurile cind se
mai utilizau tranzistoare u germaniu, in locul rezistentei
R2 se conectau in serie doi termistori NTC in foarte bun
contact termic u capsulele tranzistoarelor. La incalzirea
excesiva acestora, rezistenta termistorilor scadea
putemic,
micorind
tensiunile
baza-emitor
ale
tranzistoarelor i incercind sa le blocheze. De multe ori,
insa, creterea temperaturii inteme tranzistoarelor,
datorata rci pozitive, era atit de rapida incit pin la
incalzirea termistorilor tranzistoarele erau deja distruse.
La modificarea temperaturii sau schimbarea

tranzistorului u alt exemplar, curentul de colector se
schimba. Circuitul de polarizare incearca sa "impuna"
tranzistorului valoarea unei anumite marimi de control,
care sa ramina constanta.
Dupa configuratia circuitului de polarizare,
aceasta marime mentinuta constanta poate fi

curentul de emitor, curentul de baza sau
tensiunea jncun emitor-baza.
In oricare din aceste situatii suntem interesati

modificarea temperaturii sa aiba un efect cit mai mic
asupra marimii controlate, care este curentul de colector.
Vm analiza, una din aceste variante, identificind modul in
care temperatura afecteaza curentul de colector.
Tensiunea baza-emitor este mentinuta constanta

Curentii de colector i emitor, fiind aproximativ
egali, u practic aceeai dependenta de VBE.
In Fig. 6.10 este reprezentat influenta temperaturii
asupra caracteristicii de transfer IC = f(VBE ).
In primul rind constatam nu exista diferente

semnificative intre comportarea tranzistorului u
germaniu i celui u siliciu (exceptind, bineinteles,
diferenta de aproximativ 0.25 V intre valorile tensiunii de
deschidere). Ecuatia care descrie caracteristica de
transfer IC = f(VBE ) in regiunea activa este
unde potentialul termic VT este

rornl
u
temperatura
masurata in . Graficele din Fig.
6.10 un in evidentil doua
modifican
l
variatia
temperaturii.
Mai intii, l creterea
temperaturii panta graficelor
scade; aceasta se datoreaza
variatiei lui VT, deoarece panta in
scara
semilogaritmica
este
rocnla u 1/VT adica
invers
rocnla
u
temperatura. Putem chiar sa
calculam de cite ori s-a micorat
panta: de (273 + 100)/(273 + 25)
=1.25 ori.
Efectul l mai putemic il prezinta, insa, translatia

in sus caracteristicii, care se datorete creterii
factorului multiplicativ Is din relatia precedenta. Acest este
rocnl u ICBO, depinzind i de alti
parametri ai tranzistorului.
Indiferent de tipul tranzistorului, incalzirea de l
250 l 1000, u mentinerea constanta

tensiunii
baza-emitor,
produce
creterea
putemica curentului de colector. La un curent de
colector de 1 , aceasta incalzire provoaca
multiplicare de aproape 100 de ori curentului de
colector.
Sa privim in detaliu modificarea

caracteristicii de transfer IC =
f(VBE) pentru variatie de un grad
(Fig. 0.11).
Daca mentinem tensiunea baza-emitor

constanta (aa u nu trebuie sa facem),
curentul de colector crete u 10% grad.
Daca, de lta parte, dorim intensitatea

curentului de colector sa ramina constanta, trebuie
tensiunea baza-emitor sa scada u aproximativ 2 mV
grad. In textele de electronica, acest efect de modificare
u temperatura caracteristicii IC = f(VBE) este numit
variapa u temperatura tensiunii baza-emitor (sau
tensiunii de deschidere) tranzistorului, de multe ori fara
sa se mai specifice aceasta se intimpla l curent
constat de colector.
La curent de colector constant, tensiunea baza-emitor
scade liniar u temperatura, aproximativ u 2 mV grad.
Aa u se vede in Fig. 0.11, l

tensiune baza-emitor constanta,
valoarea curentului crete u
aproximativ 10 % grad. u
aceasta
cretere
este
exponentiala,
l VBE = const. curentul de colector se dubleaza l fiecare cretere

u 8 grade.
Pentru circuitele practice aceasta variatie este

inacceptabil de mare: un amplificator proiectat sa
functioneze bin l 20 de grade (Fig. 8.12 ) ar intra in
saturatie i ar inceta sa mai amplifice l temperatura de 28
de grade !
Concluzia este un singura:
tensiunea baza-emitor nu trebuie meninuta constanta
Din acelai motiv, un circuit simplu in

conexiune emitor-comun nu poate fi
utilizat pentru amplificarea tensiunii
continue furnizata de un termocuplu
(Fig. 0.12 b). Sa presupunem am
ajustat u grija tensiunea sursei de
polarizare din baza astfel incit l
anumita temperatura de referinta 0
curentul de colector este de 1 i
potentialul din colector este de 10 V - 1
5 k = 5 V.
La incalzire termocuplului u un grad, tensiunea

furnizata de acesta crete u aproximativ 50V aa n
ateptam l cretere curentului de colector de gmV
= (1 m/ 25 mV) 50 V = 2 care sa coboare u 10mV
potentialul colectorului.
Am putea spune m amplificat de 200 de ori
informatia de tensiune oferita de termocuplu. Realitatea
este insa u totul alta.
i temperatura tranzistorului se poate modifica, nu

numai termocuplului, iar variatia echivalenta tensiunii
VBE pentru incalzire u un grad este de - 2 mV, de 40 de
ori mai mare decit data de termocuplu.
u alte cuvinte, tranzistorul este un termometru de
40 de ori mai sensibil decit termocuplul. Din acest motiv,
daca vm observa scadere potentialului de colector
u 10 mV nu vm v de unde sa tim daca termocuplul
s-a inalzit u un grad sau tranzistorul s-a incalzit u 1/40 =
0.0250.
In concluzie,
datorita sensibilitatii sale termice, etajul u emitor un

nu poate fi utilizat pentru amplificarea tensiunilor
continue.
In legatura u circuitul din
Fig. 0.12 b) mai trebuie sa
scoatem in evident dificultate.
Chiar daca printr-un miracol m
aranjat tranzistorul sa nu-i
modifice caracteristica de transfer
l variatia temperaturii ambiante,
mai ramine problema sursei de
tensiune
continue
u
care
polarizam baza tranzistorului i
carei tensiune se aduna u
informatia de tensiune de l
termocuplu.
Tensiunea sursei trebuie sa

aiba valoare undeva l 600
mV i aceasta valoare trebuie sa
se modifice u mult mai putin de
50 V grad, altfel ar masca
semnalul de l termocuplu.
Tensiunea sursei trebuie sa
aiba, deci, un coeficient de
temperatura mult mai mic decit
50 V /600 mV grad, adica
aproxmativ 80 ppm/grad (
este prescurtarea pentru "ri
milion").
Pentru dioda Zener

obinuita putem conta, in l mai
bun caz, un coeficient de
temperatura (prescurtat tempco
in engleza) de 300 ppm / grad.
V trebui sa utilizam
referinta de tensiune integrata de
performan, care are coeficientul
de temperatura de citiva ppm /
grad, evident u diferenta de pret
corespunzatoare.
In cautarea unui circuit de polarizare

Aa cum tim, pentru putea fi utilizat in regiunea
activa, un tranzistor bipolar trebuie sa fie mai intii
polarizat prin stabilirea unui regim de curent continuu u
jncun baza-emitor deschisa. Acest lucru se intimpla
deoarece caracteristica sa de transfer IC = f(VBE) este
putemic neliniara, valori utile ale curentului de colector
obtinindu-se bi dupa VBE depaete tensiunea de
deschidere.
Sa vedem acum in mod putem realiza
polarizarea unui tranzistor u siliciu astfel incit punctul
sau de funcnr sa nu se deplaseze inacceptabil de
mult la variatia temperaturii.
In acelai timp, m dori intensitatea curentului
de colector sa fie cit mai insensibila la modificarea lui ,
deoarece acest parametru este foarte impratiat
tehnologic.
sa tim precis despre vorbim, sa consideram

tensiune de alimentare de 10V i sa polarizam
tranzistorul u colectorul la jumatatea acestei tensiuni, la
un curent de colector IC(0) de 1 m. Evident, rezistenta din
colector v trebui sa aiba 5 k. In Fig. 0.13 vm citeva
circuite de polarizare.
Fig. 8.13. Circuite de polarizare care asigura un curent de colector

de 1 i un potential de 5 V in colector: () polarizare fixa, (b) polarizare
colector-baza, () polarizare u sursa de tensiune in baza i rezistenta in
emitor i (d) "autopolarizare" (proiectarea fost efectuata u = 100).
Pentru cel din desenul ), numit "u polarizare simpla", valoarea

curentului de baza se obtine din relatia
IB= Vali/ RB
RB = (0)Vali/ IC(0) = 2(0)RC
cum tensiunea baza-emitor este de aproximativ 0.6V, mult

mai mica decit tensiunea de alimentare, curentul de baza
este aproximativ IB= Vali/ RB . De aici putem obtine
valoarea necesara rezistentei de polarizare RB = (0)Vali/
IC(0) = 2(0)RC, unde am notat u (0) valoarea lui
la
temperatura pentru care proiectam circuitul.
Curentul de baza fiind IB = Vali/ RB, tranzistorul este
operat, astfel, la curent de baza practic constant. Aa cum
m vazut graficul din Fig. 8.9 b), curentul de colector
este afectat de temperatura prin intermediul factorului
valoarea curentului de colector fiind rocnla u

nu valoare lui , aa cum se poate constata i
graficul din Fig. 8.14
Chiar daca factorul nu

sufera variatii dramatice u
temperatura, nu merita sa
pieredem timpul u acest mod
de polarizare pentru l
montarea unui tranzistor intrun circuit, in roduc de
serie, nimeni nu tie, de
lu, unde anu este
intre 100 i 250.
Acest tip de polarizare
trebuie utilizat doar daca
vrem sa aruncam apoi peste
jumatate
din
circuitele
realizate; l-m discutat aici
numai datorita omniprezentei
sale in literatura autohtona.
Fig. 8.14. Efectu1 modificarii

factorului asupra curentului de
colector pentru polarizare fix,
polarizare
colector-baza,
polarizare u divizor rezistiv i
rezistenta in emitor (circuitu1 din
Fig. 8.13 d) i polarizare fixa u
rezistor in emitor.
alta varianta de polarizare este

din desenul b), numita polarizare
"colector-baza". Pentru proiectarea
circuitului observam rezistenta RB
este legata u in colector, deci l
jumatate din tensiunea de alimentare.
Pentru obtine acelai curent de baza
l primul circuit, valoarea ei trebuie
sa fie aproximativ de doua ori mai mi
decit l cazul anterior, deci aproape
egala u (0)RC (in aproximatia
Vali/2>>VBE)
Ne intereseaza um se intimpla u valoarea curentului
de colector l modificarea temperaturii. Din configuratia
circuitului obtinem relatia
care, u aproximatia de mai sus i
De data aceasta, tranzistorul nu mai este operat l curent de

baza constant; l creterea factorului se produce
automat scadere curentului de baza, scadere care

diminueaza efectele acestei creteri asupra curentului de
colector. Acest tip de polarizare introduce reacpe negativa. Daca
exprimam curentul de colector, obtinem
n fig 0.14 am reprezentatt dependena
i pentru polarizarea colectorbaza.

Se
observa
imbunatatirea
adusa
de
polarizarea colector baza: l
dublarea factorului curentul
de colector nu se mai
dubleaza ci crete doar u 30
%.
Circuitul
introduce
complicatii in privete
amplificarea variatiilor, astfel
este rar utilizat.
Circuitul din Fig. 0.13 ) ncearc

s menin constant curentul de
emitor. La prima vedere se pare
nu suntem l bun,
am legat sursa ideala de
tensiune in baza, or tim
mentinmd
VBE
=
const.
rezultatele sunt dezastruoase.
mai aparut, insa, i rezistenta
in emitor, astfel mcit putem scrie
( utilizat faptul IC = I deoarece curentul ICEO este

neglijabil). Valoarea necesara pentru tensiunea B se
obtine u suficienta precizie u relatia :
Aceasta aproximatie este, insa, insuficienta pentru

calcula variatiile datorate temperaturii. Vm utiliza, pentru
acest scop metoda dreptei de sarcina aplicata
caracteristicii de transfer IC = f(VBE ), in Fig. 0.15 ).
Fig. 0.15. Determinarea grafica punctului de funcnr pentru

circuitul din Fig. 0.13 ) (desenul ) i modificarea acestuia la
inca1zire u un grad (desenul b).
Putem um sa vedem se intimpla l creterea

temperaturii u un grad (desenul b).
Reprezentam in detaliu caracteristicile de l l
doua temperaturi i urmarim deplasarea punctului de
functionare din in N. Daca admitem sa pierdem
rezistenta RE tensiune mult mai mare decit 25 mV,
dreapta de sarcina v fi foarte putin inclinata in
comparatie u caracteristica de transfer tranzistorului.
u distanta orizontala intre l doua caracteristici
este de 2 mV, vm valoarea variatiei curentului de
colector lC = 2 mV / RE.
Pentru vedea imbunatatire aduce acest tip de

polarizare, sa lcula variatia relativa curentului de
colector la variatie de temperatura = 750 , daca
acceptam sa pierdem rezistenta RE tensiune VRE = 2
V. Tensiunea baza-emitor scade liniar u temperatura,
coborind in total u |VBE | = 2 mV / grad = 150 mV.
u sursa de tensiune pastreaza constant potentialul
bazei, surplusu1 de tensiune de 150 V se v regasi
rezistenta din emitor, producind cretere curentului de
colector data de legea lui hm IC = | VBE | / RE. de alta
parte, curentul de colector incl indeplinea relatia VRE =
ICRE' de unde obtinem
asemenea variatie relativa, pentru incalzire de

este acceptabila in majoritatea aplicatii1or.
Putem formula prima comcluzie in legatura u
circuitul u rezistenta in emitor i sursa ideala de
tensiune in baza:
750,
Stabilitatea termica este u atit mai bun u cit acceptam

sa pierdem tensiune mai mare rezistenta din emitor; 2
volti asigura variatie curentului de colector de 1 la mie
grad.
In practica, in locul sursei
de tensiune ideale se utilizeaz
un divizor rezistiv, in desenul
d) al figurii, varianta numita in
literatura
de limba
romana
"autopolarizare". Daca este
tensiunea Thevenin divizorului
iar RB este rezistenta sa
echivalenta, in locul ecuatiei
(0.18) v um
Teorema lui Thvenin se utilizeaz cnd sursa de

semnal este de tensiune. Dac sursa de semnal este de
curent se utilizeaz teorema lui Norton (mai rar ntlnit n
practic).
Metoda const n nlocuirea unei prti din circuit (circuitul
liniar si activ conectat la bornele X-Y si alctuit din sursa E si
rezistoarele R1 si R2) cu un circuit serie simplu format dintr-o
surs echivalent Eth si o rezisten echivalent Rth .
Sursa echivalent, Eth se determin pentru circuitul liniar si

activ lucrnd n gol (fr s fie conectate rezistentele R3 si
R4 la bornele X, Y). Se aplic regula divizorului de tensiune,
Eth reprezentnd cderea de tensiune pe R2:
Rezistenta echivalent Rth se determin pasiviznd surse E

(se nlocuieste cu scurt circuit) si se calculeaz rezistenta
vzut de la bornele X-Y, spre stnga, fr R3 si R4. Prin
pasivizarea sursei E, rezistoarele R1 si R2 apar legate n
paralel:
Tensiunea de iesire se poate acum determina usor, aplicnd

regula divizorului de tensiune
Prezenta termenului conine RB produce um

oarecare dependen curentului de colector in raport u
factorul , nedorit att pentru stabilitatea termica cit i
pentru predictibilitatea punctului de funcnr (factorul
nu este cunoscut u precizie pentru fiecare exemplar de
tranzistor).
Din acest motiv, valorile rezistentelor din divizor se
aleg atit de mici incit divizorul sa funcnz practic
nencrcat, astfel nct in expresia IC(RE + RB/ ) termenul
l doilea s poat fi neglijat
u valoarea realista RB = (0)RE /10,

dependenta curentului de colector
de factorul devine
este reprezentata in Fig. 5. 14, unde se poate constata

ct de insensibil devenit u curentul de colector l
modificarile factorului : l dublare factorului
curentul de colector se modifica doar u 5 %.
innd cont de impratierea tehnologica factorului
, aceasta predictibilitatea punctului de funcnr este
suficienta, tranzistoarele putind fi montate fara sa li se
masoare individual acest factor.
Am fi putut incerca introducerea rezistentei de emitor i in

cazul circuitului u polarizare simpla. Deoarece tensiunea
Thevenin B nu mai poate fi u aleasa, fiind egala u
de alimentare, nici valoarea rezistentei RB nu mai este
parametru liber. u valorile numerice considerate, l
utilizarea divizorului rezistiv ales-o sa fie
In cazul polarizarii fixe nu poate fi decit RB = (0)7.4 k;

asemenea valoare pentru aceasta rezistentta crete
sensibilitatea curentului de colector in raport u factorul
, aa u dovedete graficul din Fig. 8.14. Putem formula,
deci, doua concluzie in privinta polarizarii in prezenta
rezistentei din emitor:
7. REDRESOARE
7.1 Redresoare de mic putere pentru curent monofazat
7.1.1 Schema bloc a redresorului
Redresoarele se construiesc pe baza schemei
clasice, de redresor cuplat la reea prin transformator, sau
fr transformator i a crui funcionare se bazeaz pe
transformarea multipl a energiei electrice. Pentru
nceput, s analizm schema tradiional, care se
compune din urmtoarele: (figura 7.1):
- T transformator ridictor sau cobortor de tensiune, n

funcie de raportul dintre tensiunea la ieirea sursei de
alimentare i tensiunea reelei;
- R grup redresor, care servete la transformarea
curentului alternativ n curent continuu (de sens unic);
- F filtru pentru netezirea pulsaiilor tensiunii redresate;
- ST stabilizator de tensiune continu, care asigur
valoarea constant a tensiunii de ieire la variaia
rezistenei sarcinii, a tensiunii de alimentare, etc.
n figura 2.1 sunt reprezentate

i diagramele
tensiunii n diferite pri ale schemei redresorului pentru
dou valori ale tensiunii de reea. Partea principal a
dispozitivului este grupul redresor, ce conine un grup de
elemente neliniare, cu conducie unilateral (ntr-un
singur sens). Ca dispozitive redresoare, la sursele de
alimentare de putere mic se folosesc de obicei diodele
cu siliciu i, mai rar, cele cu germaniu. Celelalte elemente
ale schemei pot s lipseasc n cazuri particulare.
7.1.2 Redresoare monofazate cu sarcin activ

S analizm funcionarea redresorului monofazat cu
punct de nul al transformatorului (figura 2.2.a). Cnd
polaritatea tensiunii alternative este cea indicat n figura
7.2, pe dioda D1 se aplic tensiunea direct (plus la anod,
minus la catod).
Dioda D1 conduce curentul ia, care se nchide prin

sarcina RS i semi-nfurarea superioar a secundarului
transformatorului. Se consider c diodele sunt ideale,
adic au cdere de tensiune nul la trecerea curentului
direct prin acestea i curentul invers este nul cnd pe
acestea se aplic tensiune invers.
Astfel, se poate considera c anodul i catodul
diodei sunt scurtcircuitate pentru curentul n sens direct,
iar n cazul aplicrii pe diod a unei tensiuni inverse,
circuitul acesteia se consider ntrerupt. n legtur cu
aceast aproximare, tensiunea pe sarcin, ud, n
semiperioada [0, ] (figura 2.2.b) se consider egal cu
tensiunea la bornele semi-nfurrii superioare a
secundarului transformatorului: ud(t) = e2(t).
Figura 7.2
n acest timp, dioda D2 este polarizat invers i nu

permite trecerea curentului.
n a doua semiperioad, [, 2], datorit schimbrii
polaritii tensiunii alternative n nfurrile secundare
ale transformatorului, se deschide dioda D2 i pe sarcin
se aplic tensiunea semi-nfurrii inferioare.
n continuare, lucrurile se repet periodic i, prin
deschiderea succesiv a diodelor, tensiunea ud const
din semisinusoide pozitive care se succed (figura 7.2.b).
Tensiunea pe sarcin, ud, este

constant ca sens, dar nu este
constant ca mrime. Pulsaia
tensiunii, adic variaia acesteia,
atest existena unei componente
variabile n curba tensiunii redresate
i indic faptul c redresarea este
incomplet. Cum tensiunea de ieire,
ud, reprezint o funcie periodic, ea
poate fi descompus n forma:
unde
ud(t)=Ud + up(t),
este componenta continu util sau valoarea medie a

tensiunii pe o perioad a curbei ud, iar up(t) este
componenta
variabil,
egal
cu
suma
tuturor
componentelor armonice. n figura 2.3 este reprezentat
descompunerea grafic a curbei tensiunii ud(t) n dou
componente.
Se poate considera
c, pe sarcin, acioneaz
tensiunea constant ca
mrime i form, Ud,
distorsionat
de
componenta
alternativ,
up.
Caracteristica
de
baz a tensiunii redresate
este valoarea medie. Ea
este egal cu nlimea
dreptunghiului a crui
suprafa este egal cu
suprafaa limitat de curba
tensiunii, axa absciselor
i dou drepte verticale
situate la distana egal cu
o perioad (figura 2.3). n
schema
analizat,
perioada
tensiunii
de
ieire este egal cu , din
care cauz,
unde = t. Avnd vedere c valoarea maxim a tensiunii

pe sarcin, Udm, este egal cu amplitudinea E2m = 2 E2,
unde E2 este valoarea efectiv a tensiunii e2 la bornele
nfurrii secundare a transformatorului, rezult:
Cea mai mare valoare a amplitudinii n curba

tensiunii redresate o are armonica I, a crei frecven p
este de 2 ori mai mare dect frecvena tensiunii de
alimentare.
Aceast armonic este cel mai greu de atenuat cu
filtre, motiv pentru care, pe baza valorii acesteia, se face o
apreciere asupra distorsionrii tensiunii redresate. n
figura 2.3, cu linie punctat este reprezentat armonica I a
componentei alternative a tensiunii redresate, up1
amplitudinea acesteia fiind Uplm.
Pulsaia tensiunii redresate se caracterizeaz prin

factorul de ondulaie, , egal cu raportul dintre
amplitudinea tensiunii primei armonici a componentei
alternative i valoarea tensiunii componentei continue:
Din descompunerea n serie Fourier a curbei tensiunii

redresate, se obine formula:
unde m este factorul de multiplicare a frecvenei

componentei alternative a tensiunii redresate n raport cu
frecvena reelei, care depinde de schema de redresare i
se numete pulsaia redresorului.
Pentru redresoarele monofazate

analizate, cum este cel din figura 2.2.a,
m = 2, iar = 0,67. Pentru alegerea
diodelor n schema din figura 2.2.a, se
determina valoarea medie a curentului
prin acestea. Pe baza diagramelor de
timp din figura 2.2.b, se constata ca:
Pe dioda blocata, se aplica tensiunea a doua

nfasurari secundare. Din aceasta cauza, tensiunea
inversa maxima pe dioda, avnd n vedere relatia (2.1),
este:
Puterea activ total transmis n sarcin, n

schema din figura 2.2.a, este determinat de valoarea
efectiv E2:
Puterea activ transmis sub forma componentei
continue a curentului, este determinat de valoarea
medie
Prin urmare, n schema din figura 2.2.a, o parte
substanial din puterea activ se transmite n sarcin sub
forma componentei alternative (neredresate), ceea ce
confirm insuficiena redresrii.
7.1.3 Redresoare monofazate cu sarcin inductiv

S analizm funcionarea redresorului monofazat in
punte (figura 2.4.a). Pentru semiperioada pozitiv a
tensiunii electromotoare e2 (intervalul [0, ]) i pentru
polaritatea indicat in figura 2.4.a, curentul redresat trece
prin dioda D1, sarcina RS - LS i dioda D4 . Diodele D3 i
D2 sunt polarizate invers i nu conduc curent.
Prin schimbarea polaritii tensiunii alternative (intervalul

[, 2 ]), se deschid diodele D2 i D3, ins curentul in sarcin
ii menine sensul anterior. Dac sarcina este activ (Ls =
0), atunci curentul Id repet forma tensiunii in sarcin;
curenii bobinelor primar i secundar, i1 i i2 au form
sinusoidal (figura 2.4.b).
Dac in circuitul sarcinii exist o inductan (LS0),

ea se opune variaiei curentului in sarcin i acesta nu
reuete s urmreasc tensiunea ud, astfel incat curentul
Id se va netezi (figura 2.4.c).
Cand inductana da este mare (XL = p Ls > 10Rs ),
datorit pulsaiilor mici, curentul in sarcin poate fi
considerat constant (adic netezit total), caz in care
transmiterea puterii active in sarcin de ctre
componentele alternative ale curentului lipsete. In acest
regim, curentul prin diode, ia curentul i2 in secundar i
curentul i1 in primarul transformatorului capt forma
impulsurilor dreptunghiulare.
7.1.4 Filtre pentru redresoare de mic putere

La ieirea grupului redresor se cupleaz un filtru,
care are rolul reducerii
componentei alternative up.
Componenta util constant, Ud, trebuie s fie transmis
n sarcin pe ct posibil fr pierderi. Cele mai utilizate
sunt filtrele de netezire de tipul L (figura 2.5.a), LC (figura
2.5.b), C (figura 2.5c) i RC (figura 2.5.d). Prin cuplarea
filtrelor, se formeaz filtre multiple: LC-LC, C-RC, LC-RC,
etc.
Mrimea caracteristic a
unui filtru este factorul de
netezire, egal cu raportul
factorilor de ondulaie la
intrarea, respectiv la ieirea
filtrului:
unde Ud este tensiunea de ieire a grupului redresor,

Us,plm este amplitudinea primei armonici a pulsaiilor la
ieirea filtrului i Us este valoarea medie a tensiunii la
ieirea filtrului.
7.1.5 Funcionarea redresorului cu filtru capacitiv

Cnd sarcina consum cureni relativ mici de la
redresor, se folosesc de obicei filtre cu condensator. La
cuplarea redresorului din fig. 2.6.a, tensiunea pe
condensator i pe sarcin, ud, crete de la o perioad la
alta (fig. 2.6.b). n intervalele cnd e2 > Ud, de exemplu
cnd 0 < < 1, dioda D1 se deschide i condensatorul se
ncarc cu curentul de impuls ia1 (fig. 2.6.c).
Astfel, diferena tensiunilor e2 ud se aplic pe rezistena

r, egal cu suma dintre rezistena diodei, a secundarului
transformatorului
i cea a primarului reflectat n
secundar. Cnd e2 < ud i 1 < < 2, dioda se
blocheaz i condensatorul se descarc parial pe
sarcin.
Pe msura creterii tensiunii ud, durata impulsului de

curent de ncrcare a condensatorului se micoreaz, iar
timpul de descrcare a condensatorului se mrete, din
care motiv, dup un timp oarecare, tensiunea ud ncepe
s oscileze n jurul valorii medii stabilizate Ud.
Datorit timpului scurt de conducie n regim stabilizat,
valoarea amplitudinii curentului diodei Iam poate fi de 5
7 ori mai mare dect valoarea sa medie, Ia (fig. 2.6.c). La
cuplarea sursei de alimentare, aceast depire este i
mai mare i, pentru limitarea saltului iniial al curentului
de ncrcare a condensatorului, se introduce uneori o
rezisten suplimentar de limitare, r care, mpreun cu
condensatorul, formeaz filtrul RC (fig.2.5.f).
7.1.5 Stabilizatoare de tensiune

Definiie: circuitele stabilizatoare care conin un
element neliniar, caracterizat printr-un parametru variabil
cu valoarea curentului care il parcurge se numesc
stabilizatoare parametrice.
Schemele de realizare sunt simple, dar calitatea
stabilizrii este slab, debitand in sarcin puteri relativ
mici.
Tipuri de stabilizatoare parametrice: de tensiune i
de curent.
Stabilizatoarele parametrice de tensiune se pot
realiza cu diode Zener.
Din caracteristica diodei se observ c la variaii mari de

curent la intrare IZ (corespunztoare unor variaii mari ale
tensiunii de intrare Uin ), se obine o variaie mic a
tensiunii la borne.
Rezistena R, numit i rezisten de balast, este

aleas astfel inct curentul prin ea (IR) s fie mai mare
dect curentul necesar in sarcin, diferena fiind curentul
necesar funcionrii diodei. (Izm, IzM). Tensiunea se menne
constant, fiind egal cu tensiunea diodei Zener.
Deoarece Uin >> Us se obine un factor de
stabilizare mult mai mare decat 1.
Dezavantajele acestui stabilizator sunt:

tensiunea stabilizat se modific la variaia temperaturii
ambiante;
modificarea in limite largi a curentului prin dioda Zener
o dat cu modificarea tensiunii de alimentare.
Pentru a obine tensiuni stabilizate mai mari se pot

conecta mai multe diode Zener in serie , iar pentru a mri
valoarea factorului de stabilizare se pot folosi mai multe
celule dispuse in cascad.
In oricare din aceste situaii se impune ca punctul
static de funcionare s fie situat in imediata vecintate a
tensiunii Zener, iar puterea maxim admisibil de disipaie
s nu depeasc puterea maxim admisibil a diodei.
8 AMPLIFICATOARE
8.1
Noiuni generale
Amplificator se numete circuitul electronic,

care transform semnalul de putere mic, aplicat la
intrare, ntr-un semnal de ieire de putere mai mare.
n
fig.1.1 amplificatorul este
reprezentat ca un cuadripol.
Procesul de amplificare const
n
modularea
puterii
sursei
de
alimentare de curent continuu conform
variaiei n timp a semnalului de
intrare.
Parametrul
principal
al
amplificatorului
este
factorul
de
amplificare k. Deosebim:
- factorul de amplificare a tensiunii
- factorul de amplificare a curentului
- factorul de amplificare a puterii
Valorile factorilor de amplificare pentru diferite

amplificatoare pot fi diferite, ns k1. n caz contrar
amplificatorul i pierde sensul. Dac exprimm factorul
de amplificare n decibeli, avem:
Deoarece factorul de amplificare

n caz general este un numr complex, el
poate fi scris n forma:
Caracteristice importante
ale amplificatorului sunt:
-caracteristica
amplitudine frecven (CAF) (vezi. fig. 8.2 a),
care
exprim
dependena
modulului
factorului
de
amplificare
de
frecvena
semnalulu,
k Ff
- caracteristica faz - frecven

(CFF),
care
reprezint
dependena
defazajului
introdus
de
amplificator
(argumentul ) de frecvena
semnalului = F(f) (vezi fig.
8.2 b):
Im k
arctg
Re k
Parametrii de intrare ai amplificatorului sunt:

tensiunea de intrare Uint. ,
curentul de intrare Iint. ,
puterea de intrare Pint. ,
impedana de intrare
Z int.
U int.
,
I int.
Parametrii de ieire ai amplificatorului sunt:

-tensiunea de ieire Uie. ,
-curentul de ieire Iie. ,
-puterea de ieire Pie. ,
-impedana de ieire
Z ie.
U ie.
I ie.
Criterii de calitate: Zint. i Pie. - maximale, iar Zie. minimal.

Alt caracteristic important este caracteristica
de amplitudine (de transfer), reprezentat n figura 1.3.
Pe poriunea liniar a ei (de la Uint.min. pn la Uint.max.)
amplificatorul este n regim dinamic. La tensiuni mai
nalte este regimul de saturaie.
Modificarea
componentei
spectrale a
semnalului
este
definit
prin distorsiuni.
Distorsiunile
pot fi liniare
i
neliniare.
Distorsiunile liniare sunt:
de frecven, cnd diferite frecvene sunt
amplificate diferit, adic datorit dependenei
k Ff
de faz, cnd defazajul pentru diferite frecvene
este diferit.
Factorul distorsiunilor de frecven este
k
k max.
Distorsiunile de faz i de frecven sunt liniare,

deoarece nu provoac modificarea spectrului semnalului.
Adic nu apar componente spectrale suplimentare la
ieirea amplificatorului. Distorsiunile
liniare
sunt
provocate de elementele reactive din schem.
Distorsiunile de faz sunt inacceptabile n televizoare,
osciloscoape i alte echipamente de acest gen.
Distorsiunile
neliniare
se
exprim
prin
modificarea
formei
semnalului.
n componenta
spectral a semnalului de ieire gsim armonici noi sau
nu gsim unele armonici ale semnalului de intrare.
Factorul distorsiunilor neliniare este:
2
I
mi
i2
I m1
unde Im1 este amplitudinea armonicii fundamentale, iar

Imi sunt amplitudinile armonicilor superioare.
Alt parametru important este randamentul:
Pie .
Ps.a.
unde Ps.a. puterea, consumat de la sursa de

alimentare.
8.2
Clasificarea amplificatoarelor
Clasificarea amplificatoarelor se face dup

cteva criterii:
n funcie de distorsiuni neliniare deosebim

amplificatoare liniare, n care aceste distorsiuni sunt
minime i neliniare, n care aceste distorsiuni sunt
foarte mari;
Dup
tipul dispozitivelor active
deosebim
amplificatoare
cu tuburi electronice,
cu tranzistoare bipolare,
cu tranzistoare FET,
parametrice cu diode tunel sau diode Gunn.
Dup mrimea semnalului:

amplificatoare de tensiune,
amplificatoare de curent,
amplificatoare de putere.
Dup natura semnalului:
amplificatoare de semnal mic
(amplificatoare de tensiune)
amplificatoare de semnal mare
(amplificatoare de putere).

Dup numrul de etaje amplificatorul poate fi
format dintr-un etaj sau cteva, legate n lan (vezi fig.
1.4).

Dup cuplajul ntre etaje i cuplajul semnalului
de intrare i sarcinii deosebim:
amplificatoare cu cuplaj direct;
amplificatoare cu cuplaj RC (rezistiv-capacitativ);
amplificatoare cu cuplaj prin transformator.
Dup clasa de funcionare a etajului deosebim

amplificatoare de clasa A, B, C i AB.

Amplificatoarele liniare n funcie de banda de
trecere se deosebesc:
- amplificatoare de joas frecven (audio) cu:
- frecvena limit de jos circa 20 Hz i
- frecvena limit de sus circa 20 kHz,
- amplificatoare de nalt frecven cu:
- frecvena limit de jos circa 20 kHz i
- frecvena limit de sus circa 30 MHz,
amplificatoare band larg (amplificatoare video) cu:

frecvena limit de jos circa 20 Hz i
frecvena limit de sus circa 30 MHz,
amplificatoare de curent continuu, care au frecvena
limit de jos aproape de zero. Caracteristica amplitudinefrecven a amplificatorului de curent continuu este
prezentat n fig.8.5.
amplificatoare band ngust (selective). CAF a
amplificatorului selectiv este prezentat n fig.8.6.
8.3
Structura etajului amplificator
Amplificatorul poate fi format din

mai multe etaje: etaj de intrare, etaje
intermediare, etaj de ieire.
Etajul de intrare trebuie s
aib impedana de intrare mare, nivelul
de zgomot mic i sensibilitatea nalt.
Etajele
intermediare
amplific
semnalul n tensiune pn la nivelul
necesar.
Etajele de ieire asigur puterea
de ieire (pe sarcin) maximal
i
servesc
pentru
adaptarea
ieirii
amplificatorului
cu
sarcin.
Toate
aceste etaje sunt formate pe acelai
principiu unic. Structura unui etaj de
amplificare este reprezentat n fig.1.6.
Elementele princpale ale unui etaj

amplificator sunt:
- dispozitivul activ DA, care asigur
procesul de amplificare (poate fi, spre
exemplu, tranzistorul);
- sursa de alimentare de curent continuu
E, inclus n circuitul de ieire, care
furnizeaz energie pentru formarea
semnalului de ieire i asigur regimul
de repaos al etajului;
- rezistena R, pe care este format
semnalul de ieire i de pe care el este
cules.
Sub aciunea semnalului de intrare

variaz rezistena dinamic a DA i
n
circuitul de ieire se formeaz semnalul
de ieire.
Procesul de amplificare este bazat
pe transformarea energiei sursei de
alimentare de curent continuu (c.c.) n
energie de curent alternativ (c.a.) n
circuitul de ieire datorit modificrii
rezistenei dispozitivului activ sub
aciunea semnalului de intrare.
Deoarece sursa de alimentare este de c.c., n

circuitul de ieire pe curentul continuu este suprapus
semnalul variabil. Este necesar, prin urmare, ca
amplitudinile semnalului variabil s nu depeasc
componentele de c.c. Im Ic i Um Uc.
n caz contrar, n anumite intervale de timp curentul
de ieire va fi nul i semnalul de ieire va fi distorsionat.
Prin urmare, i n circuitul de intrare trebuie
format o component de curent continuu. Componentele
de c. c. ale tensiunilor i intensitilor n circuitul etajului
amplificator formeaz regimul de repaos al etajului.
Regimul de repaos al etajului amplificator este definit ca
regimul existent n circuitul etajului n absena semnalului
de intrare.
Deosebesc etaje amplificatoare dotate cu

tranzistoare bipolare n montaj emitor comun (EC), baz
comun (BC) i colector comun (CC).
Analiza etajelor amplificatoare vom efectua-o
presupunnd semnalul este sinusoidal de frecvene
medii de unde rezult, c pot fi neglijate:
reactanele condensatoarelor,
rezistena intern n c.c. a sursei de alimentare,
capacitile
de
montaj
i
capacitile
tranzistorului i
dependena parametrilor tranzistorului de
frecven.
8.4 Etaj amplificator cu tranzistor bipolar n montaj EC

Etajul amplificator cu tranzistor bipolar n
conexiune emitor comun (n continuare etaj amplificator
EC) este cel mai larg folosit. Vom analiza schema cu
tranzistor de tip p-n-p (vezi fig.1.7). Pentru schema cu
tranzistor de tip n-p-n se schimb numai polaritatea
sursei de alimentare i sensurile curenilor.
Elementele principale ale etajului sunt:

tranzistorul VT,
sursa de alimentare EC,
rezistena RC, de pe care este cules
semnalul de ieire.
Restul elementelor ndeplinesc funcii auxiliare.

Elementele auxiliare sunt:
condensatoarele de cuplaj C1 i C2, care exclud
influena sursei de semnal i a sarcinii asupra
regimului de repaos, meninndu-l neschimbat. C1
exclude circulaia curentului continuu prin sursa de
semnal Eg (cu rezistena intern Rg), iar C2 admite numai
circulaia curentului alternativ prin sarcin.
Rezistenele R1 i R2 formeaz divizor de tensiune,
care asigur componenta de c.c. a tensiunii UBE (UBE0) i
determin regimul de repaos la intrarea tranzistorului.
Rezistena RE servete pentru stabilizarea termic,

formnd reacie negativ serie n curent. De exemplu,
dac n timpul funcionrii tranzistorul s-a nclzit, va
crete curentul colectorului i crete curentul emitorului.
Prin urmare, crete cderea de tensiune pe RE i
tensiunea se micoreaz UBE, adic scad curenii IB si
IC , iar tranzistorul este ntors la regimul iniial.
Condensatorul CE unteaz reacia negativ adic RE
n curent alternativ evitnd micorarea factorului de
amplificare.
Principiul
de
funcionare
etajului:
pe
componentele de c.c. ale tensiunilor i curenilor n
circuitul de intrare este suprapus semnalul variabil ,
care condiioneaz apariia componentei variabile a
curentului colectorului. Ultima formeaz component de
c.a. a cderii de tensiune pe rezistena RC. Semnalul
variabil este cules prin condensatorul de cuplaj C2 spre
sarcina RS. Semnalul de ieire are amplitudine mai mare
ca cel de intrare deoarece impedana de ieire a
tranzistorului este mai mare ca impedana de intrare.
Etajul EC este caracterizat de impedan de intrare mic,

impedan de ieire mare i defazaj ntre semnalul de
ieire i cel de intrare de 180o . Etajul EC este etaj
inversor.
8.6
Analiza etajului EC n curent continuu
(Relaiile principale pentru alegerea regimului de repaos)
Analiza etajului n curent continuu este
efectuat prin metoda grafo-analitic, adic sunt
efectuate construcii grafice n baza caracteristicilor
statice ale tranzistorului nsoite de expresii analitice.
n sistemul de coordonate al caracteristicilor de
ieire (vezi fig. 8.8.) este trasat dreapta de sarcin n
curent continuu.
Dreapta de sarcin n curent continuu este

locul geometric al punctelor, coordonatele crora
corespund
valorilor
posibile
ale
curentului
colectorului IC i tensiunii UCE.
Din
schema
etajului observm, c bilanul
tensiunilor n circuitul de ieire este:
Deoarece IC=IE, iar 1, putem admite c ICIE.

Prin urmare, expresia (8.14) poate fi simplificat pn la:
Formula (8.15) este ecuaia dreptei de sarcin.

Trasm dreapta de sarcin n c.c. prin dou puncte de
intersecie cu axele.
La intersecia cu axa tensiunilor:
iar la intersecia cu axa curenilor:
La intersecia dreptei de sarcin cu caracteristica de

ieire corespunztoare curentului bazei de repaos IB0
este gsit punctul de repaos P. De alegerea corect a
punctului de repaos depinde funcionarea etajului fr
distorsiuni.
n c.a. RE este untat, sursa de curent continuu

EC
(cu
rezistena
intern
mic).
Reactana
condensatorului C2 este foarte
mic i n curent
alternativ n paralel cu RC este conectat sarcina RS.
Prin urmare, n expresia (1.15) RE dispare, iar
rezistena RC este mai mic. Deci dreapta de sarcin n
c.a., care se mai numete caracteristica dinamic de
ieire, trece prin punctul de repaos P i are panta
mai mare ca dreapta de sarcin n c.c. (vezi dreapta
AB n fig.1.1.). Caracteristica dinamic de ieire
reprezint dependena ntre componentele de c.a. ale
tensiunii i curentului de ieire.
Din
fig.8.8
observm:
dac
la
intrarea
amplificatorului, este aplicat un semnal
variabil,
alternana sa pozitiv provoac creterea tensiunii UBE,
curentului IB, curentului IC i, conform dreptei de
sarcin, micorarea tensiunii UCE.
Prin condensatorul de cuplaj C2 este culeas
componenta alternativ a tensiunii de pe colector, care
va avea aceeai form cu semnalul de intrare i un
defazaj de 180o faa de semnalul de intrare. Etajul EC
este inversor, adic introduce defazaj de 180o. De aceea
factorul de amplificare a tensiunii pentru el este
considerat negativ.
8.7 Clasele de funcionare a etajelor amplificatoare

n funcie de poziia punctului de repaos i
amplitudinea semnalului variabil deosebesc 3 clase de
funcionare a etajelor amplificatoare: A, B, C i clasa
intermediar AB. Clasele se deosebesc prin valoarea
maximal posibil a randamentului i
distorsiunile
neliniare.
CLASA A
Punctul de repaos se afl n mijlocul

poriunii liniare
a caracteristicii de transfer a
tranzistorului (vezi fig.8.8), iar amplitudinea semnalului
variabil este limitat n domeniul, care nu scoate punctul
funcionare a tranzistorului din limitele poriunii liniare a
caracteristicii de transfer.
Clasa A este caracterizat prin
distorsiunile
neliniare minime i randament pn la 50 %.
Randamentul etajului amplificator este
CLASA B Punctul de repaos este situat n
originea coordonatelor
caracteristicii de transfer
(fig.8.9). Prin urmare, curentul bazei de repaos este nul.
Pe sarcin apare curent i tensiune numai de o
alternan (pozitiv), n timpul creia tranzistorul este n
conducie (regim activ direct). Cealalt alternan
(negativ) este tiat, deoarece tranzistorul este blocat.
Distorsiunile liniare sunt foarte mari, ns
randamentul poate cpta valori mai mari n comparaie
cu clasa A.
Puterea de ieire este:
Puterea, consumat de la sursa de alimentare

este:
Curentul mediu consumat de la sursa de alimentare va
circula numai n timpul alternanei pozitive:
Deoarece UCm poate fi nu mai mare ca UC0, randamentul

va fi:
Clasa B este folosit n amplificatoarele n

contratimp,
adic
atunci
cnd
tranzistoarele,
funcionnd pe rnd, amplific cte o alternan a
semnalului de intrare.
CLASA C
Aici punctul de repaos este situat n

zona
corespunztoare a regimului de tiere (vezi
fig.8.10) i, prin urmare, va fi amplificat numai o
poriune de alternan a semnalului de
intrare.
Distorsiunile neliniare sunt foarte mari, iar randamentul
poate atinge valoarea 15%.
Clasa C este folosit n cazul, cnd avem nevoie la
ieire de o singur armonic, adic n amplificatoare
selective i oscilatoare (generatoare de semnal
sinusoidal).
8.8 Analiza etajului amplificator EC pentru semnal

variabil
Dac analiza etajului n c.c. ne permite s
dimensionm elementele schemei, atunci analiza n c.a.
ne d posibilitate s gsim parametrii de amplificare,
adic:
factorii de amplificare n curent, tensiune i putere,
impedanele de intrare i ieire.

Pentru analiza n curent alternativ ne vom limita
numai la banda de frecvene medii, n care parametrii
tranzistorului nu depind de frecven
Vom folosi schema echivalent a tranzistorului n

montaj EC cu parametri naturali (vezi fig.8.18) i vom
presupune:
*
rezistena intern a sursei de alimentare n c.a.
nul,
*
reactanele condensatoarelor nule i, prin urmare,
*
rezistena RE fiind untat dispare din schem.
*
rezistenele R1 i R2 pentru c.a. vor fi conectate n
paralel.
*
n paralel cu RC va fi conectat sarcina RS.
Schema echivalent a etajului EC la frecvene medii este
prezentat n figura 8.11.
1.
Pentru a gsi impedana de intrare a etajului
Zint. este necesar s
gsim rezistena la intrarea
tranzistorului. Cu acest scop exprimm tensiunea uBE
prin curentul bazei iB. Influena elementelor rC, iB, RC i
RS poate fi neglijat, deoarece rC este foarte mare i
rezistena intern a sursei de curent este foarte mare.
Deoarece
ib
are rezistena foarte mare, iar
expresia (1.23) poate fi scris n modul urmtor:

Prin urmare, rezistena de intrare a tranzistorului este:
2.
Gsim factorul de amplificare a curentului:
Cu acest scop vom exprima curentul de intrare i

curentul de ieire (curentul sarcinii) prin curentul bazei:
Deoarece rE este foarte mic n comparaie cu rC i RC, ea

poate fi neglijat n circuitul de ieire i, prin urmare,
putem scrie:
Introducnd (8.30) i (8.32) n (8.21.) vom obine:
n cazul dimensionrii optimale a schemei etajului

amplificator EC, factorul de amplificare a curentului
poate atinge valoarea maximal egal cu (h21EC).
3.
Factorul de amplificare a tensiunii:
Exprimm tensiunea pe sarcin uS prin curentul sarcinii

iS
Analiznd circuitul de intrare putem scrie c:
Prin urmare,
Observm c, factorul de amplificare a tensiunii va
fi cu att mai mare cu ct mai mare este (vezi expresia
(8.33)) i va fi cu att mai mare cu ct va fi mai mare
raportul rezistenei sarcinii ctre rezistena circuitului de
intrare.
Deoarece etajul EC este inversor factorul su de
amplificare a tensiunii este considerat avnd valoare
negativ.
4.
Factorul de amplificare puterii:
5.
Impedana de ieire Zie. este calculat, fiind
raportat la bornele colector-emitor:
Deoarece rC este foarte mare (rCRC),

impedanei de ieire este determinat de RC.
valoarea
8.9
Repetitor pe emitor (Etaj CC)
Repetitoare sunt numite amplificatoarele, care au

factorul de amplificare unitar i polaritatea sau faza
tensiunii de ieire coincide cu cea a tensiunii de intrare.
Schema etajului este reprezentat n fig. 8.13.
Pentru semnal variabil colectorul (prin sursa de
alimentare) este comun pentru circuitul de intrare i
circuitul de ieire .
Elementele principale sunt:

*
tranzistorul VT,
*
sursa de alimentare EC i
*
rezistena RE, pe care este format i de pe care
este cules semnalul de ieire.
Elementele auxiliare:
condensatoarele C1 i C2 au aceeai destinaie ca

i n cazul EC,
rezistena RB polarizeaz baza.
Tensiunea aplicat nemijlocit la intrarea tranzistorului

este:
Prin urmare, avem n circuitul repetitorului reacie
negativ (serie n tensiune) total (=1). i factorul de
amplificare a tensiunii n repetitor este:
unde kUEC este factorul de amplificare a tensiunii n

conexiune EC.
Deoarece KUEC 1, KUR va fi practic aproape 1:
Etajul CC nu rotete faza semnalului. Dac este

aplicat alternana pozitiv a semnalului de intrare,
curentul bazei crete, crete curentul emitorului,
cderea de tensiune pe RE crete, fapt echivalent cu
apariia alternanei pozitive la ieire.
Deoarece semnalul de ieire reproduce (repet)
valoarea tensiunii i faza semnalului de intrare i
este cules de pe emitor, etajul este numit repetitor
pe emitor.
Etajul este folosit ca etaj de ieire, deoarece

are impedana de ieire foarte mic.
Proprietile importante ale repetitorului pe emitor
sunt:
impedan de intrare mare;
amplificare n curent mare (kiCC kiEC);
amplificare n tensiune aproximativ unitar i

schimbare de semn;
impedan de ieire foarte mic;
amplificare n putere mare.
Datorit impedanei de intrare foarte mare i

impedanei de ieire foarte mici repetitorul pe emitor este
folosit frecvent ca etaj de adaptare (de ieire) ntre
amplificatoare cu impedane de ieire mari i sarcini
(impedane de sarcini) mici.
Atunci cnd avem nevoie de dou semnale de

aceeai
form
dar
n
antifaz
este
folosit
amplificatorul cu sarcin divizat, schema crui este
reprezentat n fig. 8.14.
Tensiunile U1 i U2 vor avea aceeai form
ns U1 este cules de pe emitor i coincide n faz
cu semnalul de intrare, iar U2 este cules de pe
colector i este n antifaz cu semnalul de intrare.
8 REACIA N AMPLIFICATOARE
Noiuni generale
Reacia este modificarea circuitului electric al
amplificatorului n aa mod, nct mpreun cu semnalul
de intrare se aplic un semnal (semnalul de reacie)
proporional cu una din mrimile de ieire (tensiune,
curent sau putere) (fig.9.1).
8.1
Reacia poate fi parazitar sau

poate fi introdus intenionat.
Reacia poate global sau local,
pozitiv sau negativ.
Atunci, cnd semnalul de reacie
este n antifaz cu semnalul de intrare
reacia este negativ i factorul de
amplificare se va micora:
unde K este factorul de amplificare iniial (fr reacie),

este factorul de transfer al circuitului de reacie
Atunci, cnd semnalul de reacie

coincide n faz cu semnalul de intrare,
reacia este pozitiv i factorul de
amplificare se va mri
conform
expresiei:
Reacia
negativ
prezint
urmtoarele avantaje:
este
redus
nivelul
zgomotului, distorsiunilor de
toate tipurile i a tensiunilor
perturbatoare, provenite din
amplificator;
reacia negativ, ca i cea

pozitiv, permite modificarea
impedanelor de intrare i ieire
ale amplificatorului n sensul
dorit;
este
mbuntit
stabilitatea
funcionrii
amplificatorului;
este lrgit banda de

trecere (vezi fig. 8.2).
Dac se ine seama att de modul n care se culege

semnalul de reacie de la ieire, ct i de modul n care el
este aplicat la intrare, n funcie de conexiunea buclei
de reacie la circuitul amplificatorului deosebesc
urmtoarele tipuri generale de reacie, schemele-bloc ale
crora sunt reprezentate n fig.9.3,:
serie-serie (fig. 8.3, a),
serie-paralel (fig. 8.3, b),
paralel-serie (fig.8.3, c),
paralel-paralel (fig. 8.3, d).
n cazul reaciei serie-serie semnalul de reacie

este proporional curentului de ieire (din aceast cauz
mai este numit reacie n curent), iar la intrare are loc
compararea (sumarea) tensiunilor semnalelor de intrare
i de reacie (adic este reacie serie n curent).Este clar,
c i impedana de intrare, i impedana de ieire dup
introducerea reaciei serie-serie se vor mri.
Un
exemplu
de
amplificator cu
reacie
negativ
serie-serie este
etajul EC, care are n
circuitul
emitorului
o
rezisten (RE) nedecuplat
(neuntat)
de
condensator (vezi fig.8.4).
Adeseori, n aceste cazuri, n amplificatoarele cu etaje,

pentru compensarea efectului de micorare a factorului
de amplificare de reacia negativ, este realizat reacia
pozitiv serie-serie (vezi fig.8.5). Tensiunea de reacie
aplicat pe emitorul etajului de intrare este n opoziie de
faz cu tensiunea semnalului de intrare. Aceasta
provoac creterea tensiunii UBE i, n consecin, crete
factorul de amplificare.
n cazul reaciei serie-paralel mrimile ce se

compar la intrare sunt tensiuni, iar mrimea cu care
este proporional tensiunea de reacie este tensiunea
de ieire (adic este reacie serie n tensiune). Este
clar, c dup introducerea reaciei serie-paralel
impedana de intrare se va mri, iar impedana de ieire
se va micora.
Un exemplu de amplificator cu reacie negativ

serie-paralel este reprezentat n figura 2.6. Semnalul de
reacie este cules de pe colectorul tranzistorului VT2 n
etajul de ieire i este aplicat pe emitorul tranzistorului
VT1 n etajul de intrare. Adic tensiunea de reacie va fi
proporional tensiunii de ieire, i la intrare ea este
aplicat n serie cu tensiunea de intrare. n banda de
frecvene medii defazajul global, introdus de amplificator,
este
a 2
deoarece fiecare etaj rotete faza cu . Prin urmare:
adic reacia este

negativ.
Condensatorul CR separ emitorul VT1 de colectorul VT2

n curent continuu. Capacitatea CR trebuie s fie mare, ca
n banda de trecere impedana buclei de reacie s
depind slab de frecven.
n cazul reaciei paralel-serie mrimile, ce se

compar la intrare sunt curenii, iar curentul de reacie
este proporional cu curentul de ieire (adic este reacie
paralel n curent). Este clar, c dup introducerea
reaciei paralel-serie impedana de intrare se va micora,
iar impedana de ieire se va mri. Un exemplu de
amplificator cu reacie negativ paralel-serie este dat n
fig.8.7. i n acest caz trebuie considerate dou etaje de
amplificare, deoarece numai astfel curentul de ieire
din al doilea etaj este n opoziie de faz cu curentul de
intrare n primul etaj.
Dac reacia este paralel-paralel, mrimile, care se

compar la intrare, sunt cureni, iar mrimea de ieire,
cu care este proporional curentul de reacie, este
tensiunea de ieire
(adic este reacie paralel n
tensiune). Este clar, c dup introducerea reaciei
paralel-paralel, i impedana de intrare, i impedana de
ieire se vor micora. n figura 8.8 este reprezentat
schema unui amplificator cu reacie negativ paralelparalel.
8.2
Corecia caracteristicilor amplitudine-frecven
Pentru lrgirea benzii de trecere i liniarizarea

caracteristicii
amplitudine-frecven este efectuat
corecia caracteristicilor de frecven. Ea este realizat
prin utilizarea n schem a unor elemente suplimentare
cu caracteristici dependente de frecven sau cu ajutorul
reaciei. Liniarizarea n extremele benzii de trecere este
efectuat cu elemente diferite n schem. Adic problema
coreciei caracteristicii
amplitudine-frecven este
divizat n secvene (dup frecven) i soluionat
separat.
Corecia poate fi realizat folosindu-se n bucla de

reacie circuite parametrii crora depind de frecven,
adic circuite cu elemente reactive. Sunt folosite filtrele
trece-jos, trece-sus i filtrele de band. Pentru a avea
posibilitatea s modificm faza semnalului de reacie n
intervalul de la 0 pn la sunt unite n lan celule
elementare, care reprezint filtrele simple de form L.
Mai frecvent elementele se aleg cu valori identice:
C1=C2=C3=C i R1=R2=R3=R. n acest caz banda de
trecere este limitat de frecvena fl, calculat n cazul
filtrului trece-sus conform expresiei:
iar n cazul filtrului trece-sus conform expresiei:
Pentru a evita efectul de untare a celulei precedente de

cea urmtoare trebuie majorat impedana de intrare a
celulei urmtoare. Cu acest scop sunt formate reelele
progresive, n care: R2=mR1, R3=mR2, C2=C1/m,
C3=C2/m, iar m>1. n acest caz frecvena limit fl i
factorul de transfer la frecvena limit, sunt calculate n
cazul filtrului trece-sus conform expresiilor:
iar n cazul filtrului trece-jos conform expresiilor:
n calitate de filtre de band mai frecvent sunt

folosite:
filtru trece-band reeaua Wien (vezi fig.8.11)
sau filtru de rejecie reeaua dublu T (vezi fig.8.12
Frecvena de cvazirezonan (la care factorul de

transfer capt valoarea maximal) f0 i factorul de
transfer la aceast frecven 0, sunt calculate n cazul
reelei Wien conform expresiilor:
Pentru a obine un factor de transfer aproape de zero la

frecvena de cvazirezonan (la care factorul de transfer
capt valoarea minimal) n cazul filtrului dublu T
elementele sunt alese: R1=R2=2R3=R; C1=C2=C3/2=C.
Atunci frecvena de cvazirezonan f0 este:
Corecia la joase frecvene se face, de regul,

folosind filtrul RF CF n circuitul sursei de alimentare
(vezi fig.8.13). Corecia de joas frecven este bazat pe
faptul c odat cu micorarea frecvenei impedana
circuitului colectorului
etajului EC crete, iar, prin
urmare, crete i factorul de amplificare i n aa mod
este compensat scderea factorului de amplificare,
cauzat de distorsiunile de frecven (provocate de
condensatoarele de cuplaj i din circuitul emitorului).
n figura 2.13 n circuitul colectorului suplimentar

rezistorului RC este inclus rezistorul RF, untat de
condensatorul CF. La frecvene medii i nalte impedana
XCF decupleaz rezistena RF i ZC=RC. La frecvene
joase XCF crete considerabil i impedana circuitului
colectorului
de asemenea crete, ceea ce majoreaz
factorul de amplificare n tensiune. n aa mod frecvena
limit de jos se micoreaz de la fj la fj (vezi fig.2.13.b).
Valoarea necesar a capacitii CF este foarte mare, de

aceea
sunt utilizate condensatoare electrolitice.
Concomitent filtrul folosit n circuitul din fig.2.13.a joac
rol de protecie contra perturbaiilor, ce ptrund prin
sursa de alimentare.
Corecia
caracteristicii
amplitudine-frecven la nalte
frecvene este realizat prin
corecia paralel sau prin
reacie n curent. n cazul
coreciei paralele n circuitul
colectorului
sunt
folosite
elemente,
care
majoreaz
impedana
n
circuitul
colectorului la frecvene nalte.
Corecia paralel la frecvene
nalte se face punndu-se o
inductan
n
circuitul
colectorului (vezi fig.8.14).
Circuitul echivalent al etajului n banda de frecvene

nalte poate fi reprezentat ca n fig.2.15. Conform acestei
scheme inductana L, capacitatea C (capacitatea C
reprezint capacitatea de montaj) i rezistena RC
formeaz un circuit oscilant derivaie. La frecvena de
rezonan impedana circuitului oscilant va fi mai mare
ca RC i, prin urmare, crete impedana sarcinii:
ZC=RC+XL i, n aa mod, crete factorul de amplificare.
Dac vom alege frecvena de rezonan n banda de
frecvene nalte, va crete i frecvena limit de sus de la
fS la fS. n caz de alegere optimal fS poate fi majorat
de 1,7 ori.
Pentru calcule de dimensionare a inductanei de corecie

este folosit expresia:
unde fS este valoarea dorit a frecvenei limita de sus.
Mai frecvent, n amplificatoarele

cu tranzistoare bipolare este folosit
corecia la frecvene nalte prin reacie
negativ n curent (vezi fig.8.16). Pentru
formarea reaciei, n circuitul emitorului
este inclus suplimentar, rezistorul R0
(R0<<RE), untat de condensatorul C0.
Capacitatea C0 este aleas n aa mod,
ca la frecvene medii R0, s nu fie
decupat, adic
Prin urmare, la frecvene medii i joase

reacia negativ (R0) va micora factorul
de
amplificare
i
caracteristica
amplitudine-frecven i va extinde
domeniul
de
uniformitate
spre
frecvenele nalte.

Electronica 2e25f

Încărcat de

Informații document

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Electronica 2e25f

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Cap.

1.1 Obiectivele cursului

Primele dou obiecte constituie baza electronicii

Diverse domenii ale electronicii tehnice au o baz

n electronica industrial deosebim cteva direcii

electronica informaional, care st la baza

electronica de putere are ca obiective convertoarele

electronica tehnologic, care cuprinde domeniile de

Scopurile ciclului prezent sunt:

1.2 Elemente de circuit (reale i ideale)

ntodeauna o rezisten electric diferit de zero, prezint acumulri

Cnd mrimea acestor efecte conteaz, nu

Schemele circuitelor cu care vom lucra trebuie

Utilizai numai creionul i pregtii-v guma, nici cei

Principii, reguli i trucuri care v ajut s

Principii, reguli i trucuri care v ajut s

Principii, reguli i trucuri care v ajut s

Principii, reguli i trucuri care v ajut s

Punei linia de alimentare cu tensiune pozitiv n

Intensitatea curentului electric ntr-un punct al unui

Unitatea de msur este amperul, care corespunde

Electronica opereaz ns,

Ajungem, astfel, la concluzia c putem considera

numai dac privim fenomenele la o scar de timp mult mai

adic dimensiunile circuitului trebuie s fie mult mai mici

sumarea efectundu-se peste toi curenii care ajung Ia

1.4 Tensiunea electric

Exist mai multe variante de a

In electronic, regula general

Astfel, ori de cte ori vei

Tensiunea electric se msoar n voli;

n fenomenele ntlnite n natur i tehnic, att

Faptul c pentru supraconductori tensiunile sunt mult mai

Tensiunea electric ntre dou puncte se

Cnd curentul electric intr n elementul de circuit

ntr-un consumator de energie electric, curentul

Dup cum v amintii, introducerea potenialului

aa cum se poate vedea n Fig. 1.8.

Aceasta implic parcurgerea ochiului ntr-un sens

Astfel, pe circuitul din Fig.

iar parcurgndu-1 n sens

1.5 Legea lui Ohm: rezistoare

Pentru conductoarele reale confecionate din metale

cunoscut ca legea lui Ohm. Constanta R caracterizeaz

Rezistorul ideal respect cu exactitate legea lui

In aplicarea legii lui Ohm

aa cum este exemplificat n desenele c) i d) ale figurii

10. AMPLIFICATOARE SELECTIVE

Pentru ngustarea benzii

Amplificatoarele selective de tipul I se mai numesc

Pentru a mbunti parametrii (factorul de calitate

Deoarece la joase frecvene (f<50 kHz) cresc

Mai frecvent este folosit reeaua dublu T (vezi

La aceast frecven reacia este nul i factorul de

11. AMPLIFICATOARE DE PUTERE

Parametrii principali, prin care sunt caracterizate

puterea de ieire Pie;

factorul de amplificare a puterii Kp;

factorul distorsiunilor neliniare v;

factorul de utilizare a tranzistorului n

Parametrii amplificatoarelor de putere depind de

11.2 Amplificatoare de putere clasa A

Sarcina n curent alternativ este

unde kT este factorul de transformare