SOLUII LA PROBLEMELE DE ASIGURARE A EMC

53
_______________________________________________________________________________________________________

5. SOLUII LA PROBLEMELE DE EMC

Am vazut mai inainte ca problematica asigurarii EMC pot fi descompuse in trei parti,
corelat cu elementele participante la procesul de perturbare: emitator, calea de cuplare si
receptorul. De obicei nu avem posibilitatea de a controla emisia perturbatoare a emitatorului,
atata timp cat aceste emitatoare sunt in afara sistemului care dorim sa fie protejat. Atunci
cand se cunosc caracteristicile sursei am putea incerca sa limitam raspunsul receptorului la un
nivel acceptabil printr-o proiectare corespunzatoare a receptorului sau intervenind asupra caii
de cuplaj. Putem proteja receptorul la o gama larga de emisii perturbatoare, dar costurile pot
fi ridicate. Cel mai adesea, manipularea caii de cuplaj constituie singura masura eficienta de
asigurare a EMC, ieftina si la dispozitia unui un inginer din domeniu. Pentru aceasta trebuie
sa intelegem modurile fundamentale de interventie. Proprietatile electromagnetice ale
structurii de sistemului nu sunt adesea specificate (de ex., materiale din structura sistemului,
conductele si penetrarile in sistem etc.) sau nu sunt specificate pentru intreg spectrul de
frecvente. De aceea, nu aveti intotdeauna o viziune completa asupra caii de legatura. Pentru a
evidentia complexitatea problemei, sa precizam ca raspunsul la semnale tranzitorii trebuie
reduse foarte mult, de asemenea. De exemplu, fulgerul este posibil sa induca in liniile de
alimentare cu energie tensiuni de sute de kV. Aceste nivele trebuie s fie reduse la ctiva volti
la intrarea in sursa de alimentare a echipamentul digital. O micsorare de un factor de 106
ntre liniile de putere si circuitele de semnal mic pot s fie realizate numai intervenind in mai
multe etape (etaje succesive de filtrare).
Metodele generale folosite pentru a asigura EMC se pot imparti in patru clase;
aranjamente corespunzatoare de componente si cabluri, sisteme de impamantare si legaturi de
masa, ecrane si filtre.
5.1. Topologia sistemului
Una dintre cele mai eficiente metode (din punct de vedere al costurilor) de control a
EMI intr-un sistem este cea proiectarii corespunzatoare a topologiei (layout) sistemului.
Aceasta poate fi explicata utilizand urmatorul exemplu (fig. 5.1):

Fig 5.1. Topologia protectiei cu strat dublu

Topologia (geometria) unei ecranari dublu-strat pentru controlul EMI din surse
interne si externe este data in figura de mai sus.
Toate circuitele sensibile (critice) sunt fizic grupate impreuna (cat este posibil) si
prevazute cu un ecran care exclude campurile exterioare care pot sa le afecteze. Similar,
sursele interne EMI puternice sunt grupate impreuna si prevazute cu un ecran care limiteaza

SOLUII LA PROBLEMELE DE ASIGURARE A EMC

54
_______________________________________________________________________________________________________

EMI in volumul inchis al ecranului extern I. Restul surselor interne EMI slabe si
componentele necritice sunt fizic grupate impreuna, fara utilizarea unui ecran special. Toate
conexiunile de la sau spre circuitele sensibile, respectiv sursele puternice, sunt controlate cu
diverse circuite si dispozitive pentru limitarea EMI. Toate subsistemele sunt inconjurate de un
ecran extern I, care reduce turbulentele electromagnetice externe (de ex. fulgerul). Toate
conexiunile care patrund in ecranul extern (de ex. semnale de alimentare cu energie, date,
telefonie etc.) sunt prevazute cu dispozitive pentru limitarea EMI. In ciuda tuturor acestor
aranjamente privind topologia liniilor de semnal sensibile la EMI si tehnicile de ecranare,
campurile si curentii perturbatori pot sa patrunda in interiorul ecranului:
a) Datorita conductorilor izolati de ecran care-l penetreaza;
b) Prin deschideri (gauri) si imperfectiuni in ecrane;
c) Trandmisie prin ecranele neideal conductoare.
Obiectivul de intarire EMI a sistemului (facand calea de cuplaj ineficienta) este sa
controleze aceste patrunderi EMI prin interventii corecte la nivelul fiecarui ecran, astfel ca
perturbatia EMI care ajunge la circuitul sensibil sa fie in toleranta specifica circuitului. In
continuare, vom analiza mai in detaliu penetrarea EMI a ecranelor prin conductoare de
semnal si efectul deschiderilor (gaurilor; efectul de apertura) in ecrane.
5.2. Controlul interfetelor
Trecerea conductorilor prin ecrane
Un ecran are doua suprafete: externa si interna. Daca un conductor parcurs de curenti de
interferenta este conectat in afara scutului, curentii EMI sunt pastrati in afara ecranului si
au o influenta mica in volumul inchis al ecranului (fig. 5.2).
Daca conductorul este conectat la suprafata interioara a scutului, curenti de interferenta intra
in interiorul ecranului si poate sa afecteze circuitele din interiorul volumului ecranului.

Fig. 5.2 Conectarea conductorului la exteriorul

ecranului

Fig. 5.3. Conectarea conductorului la

interiorul ecranului

In cateva cuvinte, pentru a mentine integritatea ecranului curentii de interferenta

externi trebuie sa fie deviati spre suprafata externa a ecranului (ca in fig. 5.2)
Cateva exemple de aplicare corespunzatoare a acestui principiu sunt date in
urmatoarele figuri (fig. 5.4-5.6):

SOLUII LA PROBLEMELE DE ASIGURARE A EMC

55
_______________________________________________________________________________________________________

Fig. 5.4. Conductori de masa

Fig. 5.5. Conductori care trebuie pui la masa

Fig. 5.6. Conductori izolai sau care nu trebuie pui la masa

Deschideri
Penetrarea ecranelor externe prin mici deschideri (comparabile cu lungimea de unda)
este ilustrata in figura urmatoare (fig. 5.7):

Fig 5.7 Penetrarea electromagnetica prin mici deschideri

Uneori deschiderea este o crapatura lunga (ex. la balamale) sau poate sa fie o
fereastra mare. Campurile care penetreaza o deschidere mica depind de marimea acesteiai.
Daca suprafata necesara deschiderii este impartita in mai multe suprafete mai mici ( ex.
folosind o plasa conductoare) penetrarea campului este redusa.
Daca peretii deschiderii sunt grosi, deschiderea se poate comporta ca un ghid de unda filtrant,
reducand penetrarea campului chiar si mai mult. Campurile transmise pe directia undei prin
taietura sunt atenuate exponential cu distanta de-a lungul directiei de propagare. Ideile de mai
sus sunt ilustrate in urmatoarele situaii din figura 5.8:
Cand ecranul prezinta fante lungi (crapaturi), nu intindeti cabluri paralel cu acestea.

SOLUII LA PROBLEMELE DE ASIGURARE A EMC

56
_______________________________________________________________________________________________________

Fig. 5.8 Penetrarea ecranelor magnetice prin deschideri

5.3. Impamantarea sau punerea la masa
Impamantarea este un termen provenit din practica ingineriei electrice de putere. Se
refera la conectarea partilor metalice la nulul sursei printr-o cale de rezistenta mica, pentru ca
partile metalice sa fie sigure la atingere. Englezii folosesc termenul de impamantare
(earthing), iar americanii folosesc i termenul de punere la masa (grounding). Aceast mas
(mpmantare) poate fi diferit de masa electronic (de semnal) interna echipamentului. Chiar
se recomand ca unirea acestora ntr-un singur punct sa se faca doar dac este necesar.
Impamantarea ideala se considera ca fiind de potential zero, dar lucrurile nu stau
chiar asa la frecvente ridicate, unde apare i problema asigurarii EMC.
In practica EMC urmatoarele proprietati ale impamantarii trebuie tinute minte:
1) Impamantarea are o impedanta.
La frecvente inalte (gama MHz) impedanta inductiva este dominanta. De aceea, la frecvente
inalte curentii nu se vor intoarce, uneori, de-a lungul caii create prin firul de impamantare.
Curentii se vor intoarce de-a lungul caii cu cea mai mica impedanta (fig. 5.9).
Este foarte posibil ca unele componente de frecventa ridicata ale unui semnal sa se intoarca
chiar de-a lungul mai multor cai de conducie. Curentii care se intorc pe cai nedorite ar putea
cauza interferente.

Fig 5.9. Cai de intoarcere a curentilor

2) Impamantarea intr-un singur punct sau in mai multe puncte
Exista doua metode uzuale de impamantare, care pot fi ntalnite in practic. In cazul
impamantarii intr-un singur punct, impamantarea subsistemelor se realizeaza intr-un singur
punct interior sistemului, ca in figura 5.10. Evident c impamantarea intr-un singur punct
evita problema interferentelor prin impedanta comuna de cuplaj. Oricum, impamantarea intrun singur punct are si dezavantaje.

SOLUII LA PROBLEMELE DE ASIGURARE A EMC

57
_______________________________________________________________________________________________________

Fig. 5.10 Ilustrarea unei impamantari intr-un singur punct

Intr-un sistem distribuit firele de impamantare ale subsistemelor pot fi lungi si pot
avea o impedanta mare sau pot sa actioneze ca linii scurte de transmisii, cauzand multe
probleme. Intoarcerea curentului prin firele de impamantate poate sa genereze emisii, care se
pot cupla sau interfera cu alte circuite. Componentele de frecventa mai inalta vor fi mai
radiante i mai uor de cuplat cu circuitele receptoare, comparativ cu componentele de joas
frecven. Astfel, sistemul de impamantarea intr-un singur punct nu este universal ideal, dar
este cel mai bun pentru subsistemele de joasa frecventa.
In sistemul de impamantare in mai multe puncte, o mare suprafata conductoare
serveste ca o cale de intoarcere si impamantarile individuale ale subsistemelor sunt conectate
in diferite puncte ale suprafetei de impamantare. Trebuie sa ne asiguram ca intre oricare doua
puncte de conectare avem o impedanta foarte mica la frecvene din gama de interes. Figura de
mai jos (fig. 5.11) ne arata un exemplu de impamantare in mai multe puncte.
Impedanta intre punctele A, B si C este neglijabila si nu poate fi considerata o
impedanta comuna de cuplare. Impamantarea in mai multe puncte necesita numai
impamantari scurte, comparativ cu impamantarile intr-un singur punct. Pentru succesul
sistemului de impamantare in mai multe puncte este necesat ca suprafata impamantata sa nu
fie afectata de curenti din alte surse.
Curenti mari de pe suprafata de impamantare pot produce o diferenta majora de
potential intre punctele de masa ale subsistemelor ( de ex: A, B, C in fig. 9.11), cauzand
probleme de EMC. Problema impamantarilor zgomotoase poate fi evitata prin suprafete de
impamantare speciale tip plan (retea) de masa.

Fig. 5.11 Ilustrarea impamantarii in mai multe puncte

In mod obisnuit, sistemele de impamantare in mai multe puncte sunt folosite in
subsistemele digitale unde interferentele reciproce intre subsisteme se datoreaza
interferentelor prin impedanta comuna de masa si cuplaje prin capete de masa. Sistemele de
impamantare intr-un singur punct sunt folosite la subsistemele analogice unde semnalele de
frecventa joas sunt, in general, cele prezente. In aceste cazuri, caderile de tensiune de
ordinul milivoltilor pe impedanta comuna de masa pot crea problemele de interferenta. De
asemenea, sistemele de impamantare intr-un singur punct sunt in mod obisnuit utilizate in
subsisteme de putere, cum ar fi cele de acionare ale motorelor, unde scopul este sa prevenim

SOLUII LA PROBLEMELE DE ASIGURARE A EMC

58
_______________________________________________________________________________________________________

intoarcerea curentilor din motor prin cablul de masa spre circuitul sensibil de masura si
control.
3). Unificarea sistemelor de impamantare
Asa cum am aratat, un sistem electronic tipic necesita trei sisteme de impamantare (pentru
subsistemele analogice, digitale, respectiv de putere fig. 5.12). Tensiunile/curenti/puterile
de joasa frecventa sunt legate la un singur punct de impamantare dedicat (masa). Sistemul de
impamantare zgomotos il reprezinta de fapt circuitele care lucreaza la nivele mari de
tensiune/curent/putere. Sistemul de impamantare este conectat la carcasa, container, rack etc.
pentru a nu transporta curenti perturbatori, cu exceptia cazului in care apare un defect sau
pentru a devia curentii ESD. Principalul scop al utilizarii sistemului de impamantare diferit
pentru subsisteme este prevenirea impedantei comune de cuplare (vezi ex. din fig. 5.13).

Fig. 5.12. Unificarea sistemelor de impmantare

Fig. 5.13. Un exemplu ilustrand problema impedantei commune de cuplare intr-un

circuit electronic si solutia EMC
a) Circuitul electronic cu conectarile sale la impamantare
b) Acelasi circuit, cu evidentierea impedantelor de mas (Z1, Z2, Z3), curentului de sarcina
(I) si curentul de mod comun (IN);
c) Conexiunile de impamantare care evita problema interferentei prin impedante de masa
comune

SOLUII LA PROBLEMELE DE ASIGURARE A EMC

59
_______________________________________________________________________________________________________

5.4. Ecranare electromagnetica

5.4.1. Factorul de ecranare

Ecranarea pastreaza un nivel acceptabil pentru EMI din surse externe asigurand o cale
de impedanta scazuta pentru curentii nedoriti. O masura a eficacitatii ecranari este data de
raportul dintre amplitudinea campului intr-un volum protejat in absenta ecranului raportata la
cea masurata in prezenta ecranului. Oricum, acest raport este dificil de masurat, in vreme ce
campurile sunt influentate de prezenta ecanului. O masura mai practica a efectului de
ecranare (factorul de ecranare) este data de relatia:
Amplitudin ea campului langa ecran de partea sursei
S
Amplitudin ea campului langa ecran de partea receptorului
S [dB] = 20 log10 S
Definitia de mai sus este aplicabila pentru structurile mari cum ar fi containerele si
camerele ecranate, dar nu este practica pentru niste configuratii cum ar fi cablurile ecranate.
In principiu, problema ecranarii poate fi studiata prin rezolvarea ecuatiilor lui Maxwell
cu conditiile de frontiera corespunzatoare. Oricum solutiile analitice sunt posibile doar pentru
cateva forme de ecranare (modele idealizate), cu ecrane compuse din materiale omogene bine
definite, cu surse de campurile bine caracterizate matematic etc. Studiul acestor cazuri simple
ajuta totusi inginerul sa inteleaga cum functioneaza un ecran si permite apoi proiectarea unor
ecrane practice specifice, ale caror topologii nu se incadreaza in tabele de ecrane standard.
Mai intai vom analiza cum un plan metalic atenueaza undele plane uniforme. Apoi,
teoria va fi extinsa la campuri apropiate generate de dipoli electrici si magnetici.
Campurile sunt atenuate datorita absorbiei in placa de metal prin efectul de suprafata, reflexii
la interfata aer/metal si metal/aer si datorita reflectarii multiple in placa de metal. Factorul de
ecranare total este dat de S=SASRSMR unde SA, SR si SMR reprezinta factorii de ecranare
datorati absorbiei, reflexiei, respectiv reflectrilor multiple. Cand exprimam in dB avem:

S [ dB ] S A [ dB ] S R [ dB ] S MR [ dB ]

Absorbia si reflexia sporesc eficacitatea ecranului, in timp ce refectarile multiple tind sa

scada eficacitatea ecranului. Reflectrile multiple sunt importante doar pentru ecrane foarte
subtiri. In urmatoarea sectiune vom obtine o expresie a eficacitii unui ecran metalic plan.
5.4.2. Ecrane metalice
Unda electromagnetica transversal
Sa presupunem ca unda electromagnetica transversal (TEM) este normala pe
suprafata de separare a doua medii, semi-infinite spre stanga (Z1), respectiv dreapta (Z2).
Conditia de frontier la z=0 se scrie astfel:
1. Componentele tangentiale ale lui E trebuie
sa fie continuie:
Ei+Er=Et
2. Componentele tangentiale ale lui H trebuie
sa fie continuie:
Hi-Hr=Ht (considerand directia
aleas pentru H incident)
Stim c:
Ei
E
E
r Z1 , t Z 2
Hi H r
Ht
unde Z1, respectiv Z2, repezint impedana caracteristic a celor dou medii. Definim:
E
coeficientul de reflexie : r
Ei z 0
E
coeficientul de transmisie : t
Ei z 0

SOLUII LA PROBLEMELE DE ASIGURARE A EMC

60
_______________________________________________________________________________________________________

Rescriem si obtinem:

Er
Z Z1
2

Z 2 Z1
E
E
E Er
Ei z 0
E
Hi Hr Ht i r t i

Z1 Z1 Z 2
Z2
2 Z2
Et

E
Z 2 Z1
i z 0
Analog, pentru campul magnetic se definesc coeficienii de reflexie, respectriv de transmisie:
H
H
H r
, H t
H i z 0
Hi z 0

Rescriem si obtinem:

Hr
Z Z1
H 2

Z 2 Z1
H i z 0
E i E r E i Z1 H i Z1 H r Z 2 H t Z1 ( H i H r )
2 Z1
Ht
H
H
Z 2 Z1
i z 0
Se observa diferenta dintre coeficienii de reflexie si cei de transmisie ai campului
electric, respectiv ai campului magnetic. Acest aspect este esential in intelegerea diferentei
intre ecranarea electrica si ecranarea magnetica (nu exista ecran numai pentu o
componenta a campului EM). De asemenea, se poate observa analogia intre perechile camp
electric tensiune si camp magnetic curent, atat timp cat cei doi coeficienti, de transmisie si
de reflexie, sunt concentrati, nu distribuiti.
Atenuarea campurilor de ecranele metalice
Fie o unda electromagnetica transversal incidenta normal pe ecran metalic. O parte
din unda este reflectata, iar o parte este transmisa.
O solutie a ecuatiei undelor care se

reflect in directie inversa propagrii ( z ) este:

E x ( z , t ) E0ez e j (t z ) Er

H y ( z , t )
E0 ez e j (t z )
j

E
0 ez e j (t z ) H r
Zm
j
unde: j , Z m
.

Fie un ecran metalic (2) de grosime d intre dou

medii dielectrice (1 i 3), avand coeficienii de
reflexie i transmisie ai campului electric fa de
ecranul metalic: 12 , 12 , respectiv 23 , 23 .
Vom determina raportul intre campul transmis si
cel incident, care exprim eficienta ecranarii.
Avem amplitudinea pe partea stang interioar a
ecranului de separare: E1=12Ei.
Aceast component se atenueaz pe distana d

E1
23E1e e-d
2123E1e-2d
21223E1e-4d
E1(2123 e-2d)2

-d

E1e-d
23E1e-d
2123E1e-3d
21223E1e-3d

a eranului, urmand s se reflecte i s se transmit la interfaa 2-3. Componenta reflectat

sufer aceai atenuare n metal si apoi acelasi fenomen de transmisie i reflexie la interfaa 12. Acest proces de atenuare si reflexie n ecran continua la infinit (vezi diagrama alturat).
Obtinem campul total din ecran pe direcia de propagare la interfata 1-2:
Etotal=E1(1+2123e-2d+[2123e-2d] 2+)

SOLUII LA PROBLEMELE DE ASIGURARE A EMC

61
_______________________________________________________________________________________________________

1
, deci
1 x
E1
12 Ei

2d
1 21 23e
1 21 23e d

Daca |x|<1, avem 1 x x 2 x 3 ...

Etotal

Campul total care iese din ecran la interfaa 2-3 este:

Eout 23 Etotal e d

12 23 Ei e d

1 21 23e 2d
Deci eficiena ecranului pentru campul electric este:
E
1
SE i
(1 21 23e 2d )e d S E ( R ) S E ( MR ) S E ( A)
Eout 12 23
1
S E ( R)
datorita pierderilor prin reflexie la cele doua interfete

12 23

S E ( MR ) 1 21 23e 2d datorita pierderilor prin reflexii multiple in ecranul metalic

S E ( A) e d datorita atenuarii prin absotie in ecranul metalic

Analog se definete eficiena ecranului pentru campul magnetic:

Hi
1
SH

(1 21 23e 2d )e d S H ( R ) S H ( MR ) S H ( A)
H out 12 23
unde coeficienii de reflexie i transmisie fa de ecran 12 , 12 , respectiv 23 , 23 , sunt cei
pentru campul magnetic.
Asa cum deja am precizat, rezult c avem n general o relaie de tipul:
S S A S R S RM , deci in decibeli: S [dB] S A[dB] S R [dB] S MR [dB]
Factorul de transmisie efectiv (penetrare) a campului electromagnetic prin ecran este:

d
1
1
eff 12 23
e
S
1 21 23e 2d
Aceste relaii sunt aplicabile i liniilor de transmisie cu seciuni avand impedane
caracteristice diferite, utilizand echivalena EV, H I.
Atenuarea datorata absorbtiei
Atenuarea prin absortie este data de relatia:
SA e

SA e

unde j

d
e S A [dB ] 20 log e d / 8.7 8.7 d

j , fiind adancimea de patrundere.

Pentru metale

n concluzie, atenuarea n ecranele metalice este de circa 8.7 dB pentru o - grosime a sa si

creste proportional cu grosimea sa. Pentru o grosime dat atenuare crete cu frecvena (10 dB
pe o decad de frecven).
Atenuarea prin reflexie
Atenuarea are loc prin reflexia pariala la interfaa 1-2 i transmisia pariala la interfaa 2-3.
Problema matematic a reflexiei pariale la interfaa 1-2 i transmisiei pariale la interfaa 2-3
este analog propagarii undelor plane n linii cu seciuni avand impedane caracterictice
diferite, determinand reflexiei pariale i transmisiei pariale la punctul de interfa. La
interfaa 1-2 (aer-metal) avem:
2Z m
2Z w
E0
Ein (vezi figura urmatoare), respectiv H 0
H in
Zw Zm
Zw Zm

SOLUII LA PROBLEMELE DE ASIGURARE A EMC

62
_______________________________________________________________________________________________________

unde Z w , Z m reprezint impedana caracteristic

de und a aerului, respectiv a metalului.

, iar n aer Z 0 377 Z m .

La interfaa 2-3 (metal-aer) avem:

Pentru metal () Z m
Eout

2Z w
2Z m
E0 , respectiv H out
H0
Zw Zm
Zw Zm

n majoritatea cazurilor avem Z 0 377 Z m (de exemplu cupru are Z m 2.6 10 6

la frecvena reelei 50Hz i Z m 12 10 3 la frecvena de 1 GHz), deci putem concluziona
c cea mai mare parte a canpului electric este reflectat la interfaa aer-metal, n timp ce
campul magnetic este transmis n cea mai mare parte, atenuarea acestuia avand loc la interfaa
metal-aer. De aceea atenuarea campurilor magnetice depinde de grosimea ecranului i se face
cu ecrane nu prea subiri, de tip multi-mpachetate. Rezult:

SR

Z Z m
Ein
H
in w
Eout H out
4Z w Z m

Ecranarea n regiunea de camp deprtat

Atat pentru campul E, cat i pentru H, avem Z w Z 0

atenuarea prin reflexie este aceeai: S R
n decibeli avem:

Z 0 Z m 2
4Z 0 Z m

0
377 , deci n camp departat
0
Z0
4Z m

1 0
Z

r cu
S R [dB ] 20 log10 0 20 log10

168 10log10 r

r 0
r f
4Z m
4 0
Din relaia de mai sus rezult c atenuarea prin reflexie scade cu frecvena (cu 10 dB per

decad), fiind recomandate materiale conductive nemagnetice (avand

r
1 ).
r

Ecranarea n regiunea de camp apropiat

Consideram un ecran sferic de raz r avand sursa de camp EM tip dipol situat n centrul
sferei. Campul EM incident la ecran are componentele E i H perpendiculare ntre ele i pe
direcia de propagare. Am observat mai inainte c lungimea de und n ecran este mult mai
mic decat cea din aer, respectiv mai mic decat raza sferei. n consecin, putem aproxima
unda de camp EM n timpul propagrii n ecran ca o und plan (TEM) n zona de camp
deprtat i aplica relaiile din camp departat. Oricum, relaiile generale obinute considerand
unda TEM n ecran raman valabile, cu observaia c se analizeaz separat atenuarea pentru
campul E, respectiv H:

SOLUII LA PROBLEMELE DE ASIGURARE A EMC

63
_______________________________________________________________________________________________________

E
1
Z E
H
2f r
Z Z m 2 Z w , unde Z
E
H
S R in in w

w
Eout H out
4Z w Z m
4Z m
E

Z H H 2f r

n decibeli avem:
1
Z
r cu
1
S R ( E ) [dB] 20 log10 E 20 log10

4 2f r 2f
0
r
0
4Z m

1 1
cu
r

20 log10

10log10
4 2
r2 f 3
2 0
0

1
Z
r cu
S R ( H ) [dB] 20 log10 H 20 log10 2f 0 r

2f r 0
4Z m
4
r2 f
1

20 log10 2 0 cu 10log10 r

Din relaia de mai sus rezult c atenuarea prin reflexie pentru campul electric scade cu
distana i cu frecvena (cu 30 dB per decad), iar atenuarea prin reflexie pentru campul
magnetic crete cu distana i cu frecvena (cu 10 dB per decad). n ambele situaii se

recomand materiale conductive nemagnetice (avand

Pentru a compara impedanele Z E i Z H cu
Z0

0
377 , n tabelul alturat se prezint
0

r
1 ).
r
Frecvena (Hz)
50
103
106

Z E ()
Z H ()
8
3.610
3.9510-4
1.8107
7.910-3
4
7.9
1.810
Z 0 377

calculele pentru o distan r=1 m la diferite

frecvene.
Situaiile practice din circuitele electrice sunt evident o combinaie de dipoli electrici i
magnetici. Se observ c n regiunea de camp apropiat avem Z E Z 0 Z H , deci este
relativ dificil s realizezi ecranarea unui camp magnetic care prezint o impedan foarte
mic. Trebuie s avem un ecran eficient care s asigure Z H Z m .
Atenuarea prin reflexii multiple
Atenuare prin reflexii multiple este dat de relaia

S MR 1 21 23e 2d

unde pentru metale

1 j

Reflexiile au loc la interfaa ecran-aer deci

Z Zm
Z0 Zm
12 23 0
Z0 Zm
Z0 Zm
Inlocuind, atenuare prin reflexii multiple este dat de relaia:

12 23

Z Zm
S MR 1 0
Z0 Zm

2
-2

e 1 - e S MR [dB ] 20 log10 1 - e - 2d/

Depinde de grosimea ecranului i de frcven prin

SOLUII LA PROBLEMELE DE ASIGURARE A EMC

64
_______________________________________________________________________________________________________

pentru d
pentru d
1
0
0.865

pentru d
pentru d

- 1.3
S MR
S MR [dB ]
pentru d / 10
pentru d / 10
0.18
- 15
0.02
34
pentru d / 100
pentru d / 100
Atenuare prin reflexii multiple msurat n dB este zero dac ecranul este gros ( d ) sau
negativ pentru ecrane mai subiri.
n tablelul urmtor se d eficiena unui ecran din aluminiu ( r 1, r 0.6 ) de grosime
d=0.5 mm, la dou frecvene ale sursei de camp:
Sursa de
a) EM departat
b) E apropiat la
c) H apropiat la
camp
r=10 cm
r=10 cm
1 kHz
10 MHz
1 kHz
10 MHz
1 kHz
10 MHz
1.6
160
1.6
160
1.6
160
S A [dB ]
136
96
270
150
5.4
45.4
S R [dB ]
S RM [dB ]

S [dB ]

-10
124.4

0
256

-10
259.4

0
310

-10
-3

0
205.4

Remarcm atenuarea sczut a campurilor magnetice de joas frecven.

5.4.3. Ecranarea campurilor magnetice de joas frcven
Atenuarea prin absorbtie crete cu grosimea ecranului
d
S A [dB ] 20 log10 e d / 8.7 8.7 d f

Dac materialul din care este confecionat ecranul are permeabilitate magnetic mare
remarcm c atenuarea prin absorbtie crete cu radical din valoarea ei, iar atenuare prin
reflexie crete conform relaiei:
S R [dB ] 20 log10 2f r
n aceste condiii i campurile magnetice de joas frecven pot fi eficient atenuate prin una
din metodele urmtoare:
1. utilizarea unor materiale supraconductoare

2. utilizarea unor materiale magnetice speciale cu r

foarte mare. De exemplu, mumetal are
r 20000, r 0.03 r r 600 sau oelul
are r r 1000 , fa de cupru care are doar
r r 1 .
3. prin generarea unui flux magnetic opus celui
incident. Curenii indui n inele mici genereaz
astfel de campuri.
5.4.4. Ecrane practice
Pentru ecrane suficient de groase (peste 1 mm) campurile EM de frcvene peste 10 kHz sunt
teoretic atenuate cu peste 200 dB. n general, practica realizrii ecranelor arat c nu se pot
obine atenuri mai mari de 100 dB decat utilizand materiale i tehnici speciale de ecranare.
Imperfeciuni ale ecranului, de tip gaur, fant, col etc., reduc considerabil eficiena
ecranrii. Ecranele subiri tip film pot con stitui soluii pentru majoritatea cazurilor practice.
Nu sunt eficiente pentru campurile magnetice de joas frecven, care sunt dificil de ecranat.
De asemenea, cablurile care penetreaz ecranele pentru a transporta semnale utile pot genera
perturbaii in interiorul ecranat dac nu se realizeaz o conectare corect la mas a acestora.
Efectul deschiderilor i gurilor
Orice ecran al unui echipament electronic care se interfaeaz cu alte echipamente are guri
pentru ventilaie, conectori de semnal, deschideri pentru acces etc. Aperturile pot aciona ca

SOLUII LA PROBLEMELE DE ASIGURARE A EMC

65
_______________________________________________________________________________________________________

antene dac au dimensiuni apropiate de lungimea de und a campului. De exemplu, un

conector ngust de lungime l aciona ca o anten dipol jumatate de und pentru campuri de
frecvena care determin =2l. Pentru rezolvarea problemei trebuie ntrerupt antena utilizand
acoperiri cu capace metalice. De asemenea, este preferabil s utilizm mai multe guri de
aerisire mici, decat una singura echivalenta ca arie.
Penetrarea ecranelor prin deschideri care sunt mai mici decat lungimea de und a campului
perturbator a fost prezentata in figura 5.7. Penetrarea depinde de mrimea deschiderilor. Pot
apare deschideri mari de tip fant la ui. Pentru divizarea deschiderilor n unele mai mici se
pot utiliza grile metalice. Deschiderile n perei mai groi se pot comporta ce ghiduri de und,
campurile transmise fiind atenuate exponenial pe direcia propagarii (figura 5.8). S
analizm acest aspect n continuare.
Guri n ecrane care formeaz ghiduri de und
Orice ghid de und are o frecven de tiere de la care campurile pot fi transmise, cele cu
frecvene inferioare fiind puternic atenuate. Pentru un ghid de und rectandular frecvena de
tiere este dat de relaia:
2

c m n
fc

2 b a

unde c este viteza luminii, m i n sunt modurile transmise (TEmn si THmn), iar a i b sunt
dimensiunile ghidului. Dac b>a, atunci cel mai mic mod posibil este TE10 si TH10, care au
c
frecvena de tiere f c
. De exemplu, o gaur rectangular cu dimensiunea mai mare de
2b
1 cm are o frecven de tiere de 15 GHz, deci frecvenele peste 15 GHz trec neatenuate.
Frecvenele pana la 15 GHz sunt atenuate cu e l , unde l>b este adancimea gurii (egal cu
grosimea peretelui ecran dac nu este constructiv mrit), iar este constanta de atenuare:

f c, mn

f c10

1 10
mn
c f
c
La frecvene mult mai mici decat f c avem:
2f c
f
c
, pentru f f c
c f
c
Rezult relaia atenurii n ghidul de und format este:

1
f

f c,10

l
20 log10 e b 27.3
b
Se poate arta c chiar dac nu se formeaz un ghid de und, o gaur rectangular cu cea mai
mare dimensiune b</2 realizeaz o atenuare efectiv cu S dB 20 log10 / 2b . Combinand
efectele de atenuare, un ecran avand o gaur rectangular poate asigura o atenuare de
S dB 27.3 l / b 20 log10 / 2b
Se observ c reducerea dimensiunilor gurilor (b mic) determin cretere atenuarii ecranului.
De exemplu pentru b=1 cm, l=2 cm, f=100 MHz rezult S dB 98dB .
S dB 20 log10 e

5.4.5. Cabluri ecranate

Cablurile ecranate sunt utilizate pentru a proteja firele de semnal de perturbaii externe i,
uneori (de exemplu tipul RG58), asigur calea de ntoarcere a curentului fiind conectat
ecranul su la mas (referin). n seciunea dedicat diafoniei n cabluri ecranate am
considerat ecranul ce fiind fr defecte i am analizat cum are loc diafonia n funcie de
conectare cablului la mas. n aceast seciune vom considera mperfeciuni n ecranul
cablului care permit penetrri directe ale campurilor perturbatoare, discutand conceptul de
impedan (admitan) de transfer.

SOLUII LA PROBLEMELE DE ASIGURARE A EMC

66
_______________________________________________________________________________________________________

Fie un cablu ecranat deasupra unui plan de mas care conecteaz dou echipamente
electronice, ecranul cablului fiind conectat la carcasa ecran a acestora, asigurand ecranarea
semnalului. Carcasele pot sau nu s fie conectate la planul de mas. Cand un camp
electromagnetic apare n zona sistemelor apare o tensiune V s si un curent Is n linia de
transmisie fomate de ecran i planul de masa. n cazul ideal cand carcasele ecran i ecranul
cablului sunt perfect impenetrabile la campul extern perturbator, atunci nu apar tensiuni fa
de firul central de semnal: Vc=0 i V0=Vs. n cazul real apare o tensiune ntre firul central i
mas deoarece :
1) nchiderile metalice sunt imperfecte;
2) ecranul cablului este conectat impropriu la carcase;
3) ecranul cablului are defecte.
n continuare vom analiza ecranarea cablului considerand aceste imperfectiuni.

Penetrarea cablului ecranat de campuri EM

Campurile EM externe pot penetra ecranul cablului n trei moduri:
a) Penetrarea prin difuzie
Curentul prin ecran Is determin un camp electric axial Ez in interiorul
cablului, determinand o tensiune Vc n cablul omogen: Vc E z dl .
Componenta de camp magnetic H detrminat de acelai curent este
zero datorit simetriei circulare.
b) n cabluri cu defecte de ecran sau cu ecran tip
plas, dar rar, campul EM penetreaz ecranul
prin acele guri i se cupleaz cu firul de semnal.
De asemenea, apare i fenomedul de penetrare
prin difuzie.
c) ntr-un cablu cu ecran tip band nfaurat spiralat peste firul central,
liniile de curent Is nu sunt paralele cu axa cablului, determinand apariia
unui camp magnetic Hz n interiorul cablului. Acest camp induce o
tensiune n firul central deorece acesta nu este perfect axat, deci paralel
cu liniile de camp. De asemenea, apare i fenomedul de penetrare prin
difuzie. Dac spiralele se suprapun nu apar guri n ecranul cablului.
Modelarea cablului ecranat
Definirea ecranrii cablului ca raport dintre campul extern i cel interior cablului (in cazul
unei inchideri ecranate) nu este adecvat, deoarece cablurile ecranate, n general, au o
structur de cablu coaxial i ecranul mpreun cu firul (firele) central formeaz o linie de
transmisie (TL). n plus, apare o TL i ntre ecran i planul de mas, prin care circul curentul
perturbator Is. Influena acestui curent prin ecran asupra TL poate fi modelat printr-o surs
de tensiune n serie i un generator de curent n paralel adugate la modelul TL de tip
distribuit. Sursa de tensiune i un generatorul de curent sunt legate de proprietile cablului
prin conceptul de impedan de transfer, respectiv admitant de transfer.

SOLUII LA PROBLEMELE DE ASIGURARE A EMC

67
_______________________________________________________________________________________________________

Ecuaiile TL se scriu acum sub forma:

dV
dz ZI E z ( z )
VE ( z , t ), I E ( z , t ) pt. E z ( z ) 0, I ( z ) 0 V ( z , t ) VE ( z , t ) VJ ( z , t )

VJ ( z , t ), I J ( z , t ) pt. E z ( z ) 0, I ( z ) 0
I ( z, t ) I E ( z, t ) I J ( z, t )
dI YV J ( z )
dz
Rezolvarea se face prin metoda superpoziiei efectelor
Impedana de transfer
Fie un cablu ecranat de lungime dz, electric scurt (dz<<), lsat n gol la ambele capete, deci
Ic=0, iar I0=IS. Dac Ez(z) este campul electric axial din interiorul cablului (generat de
curentul prin ecran), atunci Ez(z)dz reprezint tensiunea serie care apare n lungimea dz de
cablu, deci putem defini impedana de transfer astfel ncat: E Z ( z )dz Z T I 0 dz . Din circuitul
echivalent al TL (neglijand curentul injectat de generatorul J ( z )dz ) obinem:
dV
dz
1 dV
ZT
dz
I 0 dz I 0
E Z ( z )dz Z T I 0 dz
( gol )
Impedana de transfer d valoarea tensiunii ntre capetele firului central (lsat n gol) al unui
cablu ecranat de 1 m parcurs prin ecran de un curent de 1 A, generat de campuri cu lungimi
de und mult mai mari de 1 m. Impedana de transfer reprezint o proprietate a ecranului
care, datorit conductivitii finite a lui, contine ntotdeauna o component de difuzie
corespondent a curentului prin ecran n direcie longitudinal. n plus, la cabluri cu ecrane
necompacte (tip plas sau band) apare o inductan mutual a ecranului care permite
cuplarea prin guri a campurilor magnetice.
Admitana de transfer
Fie un cablu ecranat de lungime dz, electric scurt (dz<<), scurtcircuitat la ecran la ambele
capete, deci Vc=0, iar V0=VS. Dac J(z) este densitatea lineic a curentului de deplasare
difuzat n interiorul cablului (generat de curentul prin ecran), atunci J(z)dz reprezint
generatorul de current echivalent lungimii dz de cablu, deci putem defini admitana de
transfer astfel ncat: J ( z )dz V0YT dz . Din circuitul echivalent al TL (neglijand tensiunea
serie a generatorului E ( z )dz ) obinem:
E Z ( z )dz

dI
dz
1 dI
YT
dz
V0 dz V 0
J ( z )dz YT V0 dz
( scurt )
Admitana de transfer d valoarea curentului de scurcircuit
indus n firul central (scurtcircuitat la ecran la amblele
capete) al unui cablu ecranat de 1 m aflat la un potenial de
1 V (ecran fa de planul de mas), generat de campuri cu
lungimi de und mult mai mari de 1 m. Admitana de
transfer reprezint o proprietate a ecranului care, pentru
cabluri cu ecran compact, este n general neglijabil. n
plus, la cablurile cu ecrane necompacte (tip plas sau
band) apare o capacitate mutual C12 a ecranului care
J ( z ) V0YT jC12V0
permite cuplarea prin guri a campurilor electrice:
J ( z )dz

SOLUII LA PROBLEMELE DE ASIGURARE A EMC

68
_______________________________________________________________________________________________________

Admitana de transfer depinde atat de caracteristicile ecranului, cat i de circuitul extern.

Impedana de transfer caracterizeaz eficiena ecranului la perturbaii prin curent n ecran, iar
impedana de transfer caracterizeaz eficiena ecranului la perturbaii prin tensiuni pe ecran.
Datorit efectului pelicular, campurile de frcven mare penetreaz mai puin ecranul, deci
performanele cablurilor cu ecran compact (omogen) sunt mai bune la nalt frecven. n
celelalte tipuri de ecrane tensiunea parazit V c (apruta prin cuplaj inductiv prin guri sau
datorit campului magnetic axial) crete cu frecvena.
Impedana de transfer a cablurilor ecranate cilindrice cu ecran compact (omogen)
n ipoteza unui ecran de tip cilindric subire ( g a ), dac neglijm curentul de
deplasare fa de cel de conducie prin ecran, relaia impedanei de transfer este:
T
(1 j )
j

1
1

ZT

T
2a sinh(T j ) 2a
sinh(1 j )
unde

este adancimea de patrundere.

g f

g 2
n funcie de frecvena campului perturbator putem utiliza o relaie aproximativ:
1
RS , DC

Z T 2ag
2 2e g / R
S , HF

pentru g / 1 f f
pentru g / 1 f f

1
RS , HF reprezint rezistena ecranului la frecvene inalte, cand conducia are
2a
loc doar la suprafa (prin grosimea ). Se observ ca amplitudinea impedanei de transfer la
frecvene inalte scade exponenial cu fracvena, deci numai o parte din spectru de nalt
frcven perturbator poate penetra ecranul. Se definete o constant de timp de difuzie:

unde

1 g
1
. De exemplu pentru un ecran din cupru de 0.2 mm grosime

f
f
obinem: t d 2.9 s, f 109kHz .
Determinarea experimental a impedanei de transfer a cablurilor ecranate
Se utilizeaz un generator de nalt frecven conectat ntre captul scurtcircuitat al cablului
ecranat i un fir conductor cilindric omogen, care asigur nchiderea simetric a curentului IS
prin ecranul cablului.
V
n carcasa ecran se msoar tensiunea V0c . Conform definiiei avem: Z T 0c
I 0l S
t d g 2

SOLUII LA PROBLEMELE DE ASIGURARE A EMC

69
_______________________________________________________________________________________________________

5.5. Protecia la supratensiuni i filtrarea

Supraalimentarea tranzitorie (surge), respectiv supratensiunea tranzitorie
(overvoltage), constitituie o situatie de stres electric, chiar daca durata fenomenului este mai
mica de cateva milisecunde. Pentru a denumi natura temporal a evenimentului e folosit
termenul de tranzitoriu. Supraalimentarea poate cauza unei defectiuni sau disfunctionalitati in
circuitele electronice alimentate. Defectiunea se manifesta prin componente distruse, care
necesita inlocuirea lor. Disfunctionalitatea este o defectiune temporara a circuitului sau
sistemului. Revenirea in urma unei disfunctionalitati nu necesita inlocuirea componentelor
defecte, dar poate necesita interventia operatorului pentru setarea starii sistemului.
O abordare logica a protectiei la supratensiuni presupune: 1) sa se determine
defectele care pot aparea; 2) sa se determine cea mai periculoasa supratensiune care poate
aparea; 3) sa se proiecteze si sa se instaleze un circuit de protectie care va limita defectiunile.
Strategia de protectie:
Dispozitivele pot fi protejate de supraalimentare prin:
1) blocarea sau limitarea curentului de supraalimentare printr-o impedanta serie de valoare
mare
2) devierea supracurentului printr-o impedanta mica conectat in paralel cu circuitul
3) o combinatie a celor de mai sus
Cerinte generale pentru circuitele de protectie impotriva supraalimentarii:
1. Circuitele de protectie impotriva supraalimentarii ar trebui sa aiba o influenta minima in
functionarea normala a sistemului protejat. Asta inseamna ca impedanta serie ar trebui sa fie
foarte mica (Z1<<Z2) si impedanta paralel foarte mare (Z1>>Z2) pentru frecvente si tensiuni
normale de lucru.
2. In timpul unor conditi anormale impedanta serie ar trebui sa fie foarte mare (Z1>>Z2)
pentru a limita curentul si impedanta paralel foarte mica (Z2<<Z1) pentru a devia curentul.
3. Circuitele de protectie impotriva supraalimentari trebuie sa nu fie afectate de aceste
supratensiuni.

Fig. 5.14. Circuit de protecie la supratensiuni

Protectii la supraalimentare
In timpul solicitarii electrice, tensiunea de alimentare este mai mare decat cea normala. De
aceea
dispozitivele paralel, cu caracteristici curent-tensiune (V-I) neliniare alese
corespunzator, pot oferi o impedanta foarte mica in timpul supratensiunii si impedanta foarte
mare in timpul functionarii normale. Forma de unda caracteristica unei supratensiuni va avea
variatii foarte rapide. De aceea dispozitivele paralel trebuiesc sa raspunda foarte repede.
Componentele neliniare pot fi clasificate in trei grupe: 1) dispozitive care au o tensiune
aproximativ constanta in timpul conductiei in suprasarcina (tip limitare); 2) dispozitive care
isi schimba starea din blocare in conductiei in supratensiunii (de tip crowbar); 3) dispozitive
care ofera o impedanta serie mare pentru semnalele de mod comun (de tip izolatoare).
Avantajele si dezavantajele dispozitivelor de protectie impotriva supraalimentarii sunt date in
tabelul de mai jos.
Tabelul 5.1. Dispozitive de protecie la supratensiuni

SOLUII LA PROBLEMELE DE ASIGURARE A EMC

70
_______________________________________________________________________________________________________

Dispozitiv
Varistoare oxid-metalice
(MOV)

Diode Zener sau diode cu

avalansa controlata

Diode cu siliciu

Tuburi cu gaz

Tiristoare (SCR) si triace

Optoizolatoare

Transformatoare izolatoare

Filtre

Proprietai
Caracteristica U-I tip limitare
Raspuns rapid (<0.5 ns)
Energie mare absorbita
Ieftine
Pot conduce curenti mari (kA pt cateva microsecunde)
Capacitate parazita mare (1 - 10 nF)
Caracteristica U-I tip limitare
Raspuns rapid (<0.1 ns)
Selectie precisa a pregurilor de limitare (intre 6.8 V si 200 V)
Curent maxim admis mic (<100A)
Capacitate parazita mare (1 - 3 nF)
Caracteristica U-I tip limitare
Tensiune de limitare mica (0.7 - 2 V)
Ieftine
Capacitate parazita mica
Caracteristica U-I tip crowbar
Pot conduce curenti mari (cativa kA)
Tensiune mica in faza de arc
Rezista la scurtcircuite
Capacitate parazita mica (<2pF)
Necesita tensiuni mari pentru a conduce (>100V)
Relativ lente
Caracteristica U-I tip crowbar
Tensiune mica (0.7 - 2 V) in timpul conductiei
Poate sustine curenti mari
Comutatia in conductie si in blocare este lenta (>1 s)
Dispozitive izolatoare serie
Rejectie de mod comun buna
Izoleaza tensiuni mari (>5kV)
Dispozitive rapide (<1 s)
Scumpe
Dispozitive izolatoare serie
Rejectie de mod comun buna
Izoleaza tensiuni mari (>5kV)
Nu atenueaza supratensiunile de mod diferential
Puteri comutate mai mari decat optoizolatoarele
Pot fi o combinatie intre dispozitive serie si paralel

Cele mai utilizate componente sunt tuburile cu descarcari in gaz, varistoarele metal-oxid
(MOV) si diodele Zener. Deoarece caracteristicile diodelor Zener sunt mai cunoscute, in
sectiunea urmatoare vor fi prezentate in detaliu caracteristicile electrice ale tuburilor cu gaz si
varistoarelor.
Tuburi cu gaz
Una dintre cele mai vechi protectii la supraalimentare a fost dispozitivul cu descarcare
electrica in aer intre doua blocuri de carbon. Un dezavantaj serios era acela ca blocurile de
carbon se erodau in timp, mai ales daca tuburile conduceau energii mari. Erodarea blocurilor
schimba caracteristica de protectie. Acum descarcarile in gaz au loc intre electrozi metalici in
tuburi izolate, care contin un amestec de gaze rare (neon, argon, etc.). Tuburi cu gaz pentru
protectia la tensiuni mici (miniatura) se construiesc in tuburi de ceramica si pot conduce un
curent in impuls de 5 - 20 kA, timp de 10 s, fara ca acestea sa fie afectate. Din clasa
dispozitivelor neliniare de protectie in paralel, tuburile cu gaz au cea mai mica capacitate

SOLUII LA PROBLEMELE DE ASIGURARE A EMC

71
_______________________________________________________________________________________________________

parazita: intre 0.5 si 2 pF. De aceea, tuburile cu gaz pot fi folosite in aplicatii unde semnalul
are frecvente peste 50 MHz.
Caracteristici electrice:
Modul de functionare a unui tub cu gaz poate fi explicat folosind figura 5.15 care arata
raspunsul tipic al unui tub cu gaz de tensiune scazuta la aplicarea unei tensiuni mai mare
dacat tensiunea de amorsare. Dac tensiunea din tubul cu gaz creste incet, tubul descarca la
atingerea pragului de amorsare static Vs (msurat la viteze de cretere de 100V/s),
limitand-o la o valoare mai mica (tensiunea de ardere a descrcrii luminoase de circa 70-130
V sau, dac impedana sursei de perturbaii este mic se ajunge la tensiunea de arc cu valori
sub 25 V). Asta se intampla deoarece tubul trece de la starea de izolator (rezistenta >10G)
la starea de conductie (o rezistenta < 0.1). Schimbarea starilor se poate face intr-o fractiune
de microsecunda. Tensiunea Vs (80 V - 500 kV) se numeste i tensiunea de prag a tubului cu
gaz. Tensiunea de prag si timpul de raspuns al tubului cu gaz depinde de rata de crestere a
tensiunii aplicate tubului. In timpul limitarii tensiunii, rezistenta tubului dV/dI este negativa
(zona cu rezistenta negativa). Curentul prin tub creste si tensiunea creste usor spre Vgl numit
tensiune de licarire. Aceasta regiune e numita regiune de licarire. Licarirea e produsa de
stratul de atomi de gaz excitati, pornind dinspre o parte a catodului si apoi extinzandu-se pe
toata suprafata sa. Curentul maxim in zona de amorsare este intre 0.1A si 1.5A, iar tensiunea
este intre 70 si 130V. Aceasta este o regiune de rezistenta pozitiva. Perechile electron-ion
sunt produse intr-un camp electric intens care exista intre electrozi cand tubul cu gaz
functioneaza in regiunea de licarire. Cand au suficienta energie de accelerare ei se ciocnesc
cu atomi neutri sau ioni, produc mai multe perechi electron-ion, in final producandu-se
strapungerea a tubului. In timpul fazei de arc electric tensiunea de la bornele tubului se
reduce la Va (10-25V) si devine dependenta de curent. Arcul de curent poate fi foarte mare si
este dictat de amplitudinea suprasarcinii si de parametrii circuitului in care este inclus tubul
cu gaz. Odata cu scaderea tensiunii curentul prin tub descreste pana cand coboara sub
valoarea minima (0.01-0.1A) necesara mentinarii arcului electric. Arcul se stinge la tensiunea
Ve, dupa care ce trece prin faza de licarire din nou. Procesele de mai sus se repeta in timpul
oscilatiei negative. Tubul cu gaz este un dispozitiv bipolar. Caracteristicile sale nu depind de
polaritatea tensiunii aplicate.

Fig 5.15. Raspunsul unui tub cu gaz la o supratensiune aplicat

Tubul cu gaz poate lucra in regiunea de licarire (stralucire) sau in regiunea de arc electric
oferind protectie la supratensiuni. Amandoua regiunile sunt asociate cu o disipare de putere,
deoarece tubul nu se stinge decat daca tensiunea aplicata scade sub tensiunea de licarire sau
sub tensiunea de arc electric, in functie de caz. Cateodata ioni emisi termic de amandoi
electrozi pot mentine arcul electric i in timpul trecerii rapide prin zero a tensiunii aplicate,
tubul amorsnd la tensiuni negative asemntor. Conducii prelungite pot distruge tubul cu
gaz prin strapungerea carcasei sau prin topirea electrozilor. De aceea, este foarte important sa
limitam curentul prin tub dupa aparitia unei supratensiuni. Limitarea curentului este realizata
cu un varistor in serie cu tubul.

SOLUII LA PROBLEMELE DE ASIGURARE A EMC

72
_______________________________________________________________________________________________________

Tensiunea de licarire si timpul de raspuns (timpul de intrare n conductie) al tubului cu gaz

sunt functie de rata de crestere a tensiunii. Tensinea de licarire creste si timpul de raspuns
scade cu cresterea gradientului dV/dt. De exemplu, daca tensiunea static de licarire, uzual
determinata la o tensiune cu o rata de crestere scazuta (dV/dt=100V/s), este de 350V, pentru
un gradient de dV/dt=1kV/s tensiunea de licarire poate creste la 750V. Corespuztor,
timpul de raspuns al tubului cu gaz poate fi de 4 secunde la 100V/s crestere a tensiunii, iar la
o crestere de 1kV/s scade la circa 0.8 microsecunde. Tubul cu gaz poate conduce in cateva
nanosecunde daca tensiunea aplicata are o crestere de 1MV/s.
Varistoare
Varistoarele sunt dispozitive semiconductoare cu caracteristici neliniare a caror rezistenta
scade cu cresterea tensiunii. Varistoarele moderne sunt fabricate din oxizi de metal, oxidul de
zinc fiind materia primara. O caracteristica tipica a unui varistor metal oxid (MOV) arata ca
in figura 5.16. La tensiuni sub valoarea de prag varistorul conduce un curent mic, mai mic de
0.1mA. Varistorul se comporta ca un simplu resistor, avand o rezistenta mare. In timpul
supratensiunii curentul prin varistor creste, iar tensiunea este limitata la o valoare apropiata
de valoarea de prag. Aceasta este regiunea de lucru a varistorului (fig. 5.16), iar relatia
curent-tensiune este data de:

I kV

unde este un coeficient cu valori intre 25 si 60. Parametrul k din ecuatia de mai sus are o
valoare extrem de mica (<10-100) de aceea I este uzual exprimat logaritmic:

log I log( k ) log V

Daca (V1,I 1) si (V2, I2) sunt doua puncte statice msurate in regiunea de lucru a varistorului,
se poate determina valoarea parametrului :

log( I1 / I 2 )
log( V1 / V2 )

La curenti foarte mari, de obicei mai mari de 100A, apare efectul rezistentei de volum a
varistorului Rbulk. In general varistoarele sunt fabricate in forma de discuri si de aici
capacitatea parazita mare cu valori intre 0.2-10nF. Incluzand inductanta terminalelor
varistorului circuitul echivalent al varistorului va arata ca in fig 5.17.

Fig. 5.16. Caracteristic I-V a varistorului metal oxid (MOV)

SOLUII LA PROBLEMELE DE ASIGURARE A EMC

73
_______________________________________________________________________________________________________

Fig 5.17 Modelul echivalent al varistorului

Varistoarele sunt dispozitive active cu timp de raspuns rapid (mai mic de 0.5ns daca
inductanta parazita poate fi evitata). Performantele varistoarelor sunt afectate de caldura.
Cunductia unui curent excesiv poate ridica temperatura varistorului. Deoarece varistorul are
un coeficient de temperatura negativ curentul va creste daca se va incalzi. Aceasta crestere a
curentului va determina o crestere in avalansa a temperaturii. Varistoarele sunt folosite in
general in protejarea sistemelor electrice impotriva supratensiunilor.
Filtre de putere
Filtrele de putere sunt filtre trece jos, de obicei conectate in serie cu sursa de alimentare cu
energie a echipamentelor electronice, pentru a atenua frecventele inalte generate in interiorul
echipamentului si care pot patrunde in retea sau perturba mediul inconjurator. Filtrele trece
jos pot de asemenea proteja echipamentele impotriva perturbatiilor de frecventa ridicata care
vin din retea. Zgomotul de frecventa ridicata este in general sub tensiunea normala de operare
si de aceea filtrele nu vor opera ca dispozitivele de protectie neliniare. Filtrele nu sunt folosite
singure pentru protectia impotriva supratensiunilor. Oricum filtrele sunt foarte utile in
atenuarea frecventelor inalte, care uzual trec de dispozitivele neliniare (tub cu gaz, varistor
etc.). Aceste frecvente inalte se datoreaza in parte supratensiunilor tranzitorii, dar si actiunii
dispozitivelor neliniare de limitare.
Proprietati de baza ale filtrelor:
Un filtru trece jos simplu contine o bobina in serie ca un condensator in paralel cu iesirea
(sarcina) sau o combinatie a celor doua. Bobina are o impedanta mare la frecvente ridicate si
impedanta mica la frecvente mici, iar condensatoarele au o impedanta mica la frecvente mari
si inpedanta mare la frecvente mici. In acest mod va apare o atenuare a tuturor frecventelor.
De aceea filtrele sunt caracterizate de pierderi de insertie (insertion loss - IL), care sunt
masurate in dB. Daca VLwo este de marimea tensiunii pe sarcina fara filtru si VLw este
tensiunea cu filtru in circuit, atunci pierderile de insertie sunt definite ca:

IL(dB) 20 log 10 (

Tensiunea pe sarcina fara filtru este V Lwo

V Lwo
)
V Lw

RL
Vs
Rs RL

SOLUII LA PROBLEMELE DE ASIGURARE A EMC

74
_______________________________________________________________________________________________________

Tensiunea pe sarcina cu filtru este V Lwo

RL
Vs
Rs Z F RL

unde ZF este impedanta serie a filtrului (ZF =jL in cazul unui filtru trece jos simplu).
Pierderile de insertie sunt date de relaia:

IL 20 log 10 1

ZF
RS RL

Analizand relaia observam ca pierderile de insertie ale filtru depind de impedanta sursei si a
sarcinii, deci nu pot fi calculate independent impedanta de sarcina (dificil de estimat uneori).
De obicei pierderile de insertie se specifica pentru impedante de sarcina de 50 .
Structura unui filtru de putere
Structura general a unui filtru de reea care limiteaz componentele de zgomot de DM i
CM este dat n figura 5.18. Un filtru de putere ar trebui sa ofere protectie pentru semnale de
zgomot de mod comun (CM), respectiv pentru semnale de zgomot diferentiale (DM). De
asemenea, el trebuie s reduc perturbaiile produse de convertorul de putere (care se poate
conecta la portul protejat) i care pot perturba prin reea alte echipamente. Rezult o structur
simetric pentru filtru de putere (numit i filtru EMI).
Filtru const dintr-o bobin de oc de CM, care are dou nfurri identice bobinate pe
acelai miez de ferit, doua condensatoare ( CD1, CD2) pentru reducerea componentelor
perturbatoare DM i doua condensatoare (CC1, CC2) pentru reducerea componentelor
perturbatoare CM. Uzual CC1=CC2 se aleg n gama 2-5 nF pentru a limita curentul de
scurgere prin carcas sub limita de 1-2 mA din considerente de protecie. Pentru CD1 i
CD2 gama de valori este mai mare, alegand valori intre 100500 nF.

Fig. 5.18. Structura general a unui filtru de reea