3

REGIMUL DE COMUTARE
AL DISPOZITIVELOR ELECTRONICE
Circuitele electronice n comutaie sunt circuite a cror stare se
modific rapid de la o stare extrem la alt stare extrem (spre
exemplu din conducie n blocare sau invers) .
Circuitele electrice digitale primesc la intrare semnale care au dou
valori distincte numite zero logic i unu logic, semnale care
condiioneaz starea ieirii circuitului.
Nu se aleg valori de tensiune fixe pentru valorile logice (zero logic i
unu logic) ci se aloc domenii de tensiune V pentru fiecare semnal
logic, domenii separate ntre ele, printr-un interval de tensiune numit
zon de incertitudine .
V

V2

V1

Fig. 3.1.
Spre exemplu, n figura 3.1 toate tensiunile sub limita inferioar V1
sunt interpretate drept zero logic, iar toate valorile de tensiune care
depesc limita superioar V2 , sunt interpretate drept unu logic.
Circuitele electrice i modific starea n funcie de semnalele de la
intrare i n funcie de alte elemente (spre exemplu n funcie de starea
anterioar a ieirii).
87

Circuitele electrice n comutaie primesc la intrare un continuu de

valori i i modific starea pentru anumite nivele (specifice
circuitului ) aplicate la intrare.
Procesul de comutaie a dispozitivelor semiconductoare const
n tranziia din starea de transfer a curentului electric de conducie (de
la intrarea la ieirea dispozitivului) , numit stare "de conducie" la
starea "de blocare" a curentului electric i invers.
Deoarece toate dispozitivele au o caracteristic static, ca n figura 3.2
, coninnd o zon liniar OA i o zon de saturaie AB a curentului,
starea de conducie poate fi:
- la saturaie, cnd PSF este pe AB;
- la saturaie incipient, cnd PSF este n A;
- n zona liniar, cnd PSF este pe OA.
Starea de blocare situeaz PSF n zona OC, aproape de punctul O.
Dac PSF se ndeprteaz de O ctre valori negative, starea de blocare
este "profund".
I
Is

Vs

Fig. 3.2.
Principalele dispozitive semiconductoare utilizate n procesul de
comutare a curenilor se bazeaz fie pe proprietile dinamice ale unei
jonciuni semiconductoare fie pe efectele cmpului electric (i uneori
magnetic) asupra purttorilor de sarcin.

3.1. Comutarea diodei semiconductoare

n figura 3.3 este schematizat o jonciune P-N i profilul
concentraiei de goluri. [2,3,4]
Polarizarea direct a jonciunii conduce la injectarea de purttori
minoritari (goluri n zona N i electroni n zona P). se noteaz +q
sarcina n exces fa de concentraia la echilibru ( pp0 n zona P i
respectiv pn0) a purttorilor de sarcin.
88

Pp0
q
Pn0

Fig. 3.3.
Variaia sarcinii acumulate are loc prin intermediul curentului i ,
care este format din trei componente:
- componenta datorat golurilor i electronilor care traverseaz
jonciunea component exprimat prin viteza de variaie a
sarcinii

dq
;
dt

- componenta datorat recombinrii purttorilor n exces

(golurilor) din zona N cu purttorii majoritari din respectiva
zon semiconductoare (electronii) o component invers
proporional cu timpul de via p :
- componenta datorat ncrcrii /descrcrii capacitii
jonciunii Cj cu purttorii majoritari
i=

dv
dq q
+
+ c j ak .
dt F
dt

Curentul datorat purttorilor majoritari s-a exprimat n funcie de

capacitatea jonciunii

89

dv
dq dq dv j q dv ak
=
=
= c j ak .
dt dv j dt v ak dt
dt

Comutarea diodei semiconductoare din blocare n conducie

poate fi exemplificat pe baza montajului din figura 3.4.
P

N
i

VF

Vi

RL

VL

Vi
VF
t

i
IF, F
t

Fig. 3.4.
Componenta curentului de ncrcare a capacitii este mic
(C j

dv ak
0 ) astfel nct ecuaia transferului de purttori
dt
dv
dq 1
i= +
q + C j ak ,
dt F
dt

devine
i=

dq q
+
dt F

Condiiile iniiale ale circuitului sunt

0 pentru t 0
i=
t>0
IF

90

unde IF este curentul ce se stabilete n circuit n condiii de regim

permanent ( cnd dioda este n conducie, rezistena acesteia este ron,
de valoare mic), care se determin n funcie de sarcin
IF =

VF
V
F .
R L + ron RL

Expresia curentului, dup nchiderea comutatorului, se obine din

ecuaia transferului de purttori ( n condiiile iniiale specificate mai
sus)
dq 1
+
q = IF
dt F
q (t ) = I F F (1 e

dq
+ q = I F F
dt

).

Timpul tr la care se obine 90 % din valoarea final IF a curentului, se

determin exprimnd innd seama de definiia curentului electric de
conducie (viteza de variaie n timp a sarcinii printr-o suprafa dat
a jonciunii)
i (t ) =

dq
t
= I F exp( )
dt
F

i (t r ) = 0,9 I F = I F exp(

tr

t r = F ln(10) = 2,3 F .

Se constat c timpul de cretere t r este de 2,3 ori mai mare ca timpul

de via al purttorilor minoritari injectai F , n condiiile cnd
jonciunea nu a fost mai nti blocat.
Dac comutarea are loc din blocare n conducie, n sensul c
la aplicarea sursei de comutare VF jonciunea era blocat de o tensiune
invers, timpul de conectare este mai lung.
Timpul tr se msoar dup ce s-a descrcat capacitatea de barier CB
de sarcina pe care o avea cnd dispozitivul era n stare
de blocare. Descrcarea capacitii se face exponenial prin rezistena
de sarcin ntr-un timp
t r = 2,3R L C B ,

91

aa nct timpul de comutare a jonciunii din blocare n conducie este

t r = 2,3R L C B + 2,3 F .

Comutarea diodei semiconductoare din conducie n blocare

poate fi exemplificat pe baza montajului din figura 3.5.
La momentul iniial de timp dioda este n conducie, ceea ce nseamn
c prezint o rezisten mic i curentul prin dispozitiv are expresia
VF
V
F .
RL + ron RL

IF =

n funcie de sarcina stocat la jonciune

q (0 ) = I F f ,

poate fi exprimat, n regim staionar, curentul direct

i=

IF =

q (0 )

La comutarea sursei de blocare VR (t=0) dispozitivul este nc n

conducie, deci este caracterizat prin rezistena ron , de valoare mic,
ceea ce conduce la expresia curentului invers din momentul conectrii
IR =

VR
V
R .
RL + ron RL

Valoarea final a sarcinii injectate este funcie de valoarea curentului

care circul
q f = I R f .

Variaia sarcinii se exprim prin intermediul unei ecuaii difereniale

de ordinul I, i anume ecuaia de transfer a purttorilor, a crei soluie
este n funcie de valorile iniial i final a sarcinii n exces
t
q (t ) = q f (q f q i ) exp( ),

unde qi este sarcina la t=0, iar este constanta de timp F.

92

IR
P

i
IR
VF

VR

VL
RL

i
IF
t

-IR

q
IFF
t
-IRF

Fig. 3.5.
Cu aceste notaii avem
q (t ) = I R f ( I R f I F f )e

La t S se elimina toat sarcina n exces

q (t s ) = 0
t s = f ln

(I R + I F ) f
q / s + IR f

93

I
f ln1 + F .
IR

Dup anularea sarcinii n exces se continu procesul de ncrcare a

capacitii de barier ntr-un timp
t d = 2,3R L C B .

Timpul total de comutare din conducie n blocare este suma celor doi
timpi
I
t inv = 2,3RL C B + f ln1 + E .
IR

Pentru a scdea timpul de comutare se adopt dispozitive cu capacitate

de blocare CB mic i se adopt cureni de blocare IR de valori suficient
de mari fa de curentul IF care circula prin dispozitiv n condiiile
iniiale de polarizare n conducie a dispozitivului.

3.2. Comutarea tranzistorului bipolar

Pentru a preciza noiunile, toate referirile se vor face la tranzistorul
bipolar de tipul PNP, a crei schem funcional i simbol sunt
prezentate n figura 3.6.
C
P

iC
C

iB
B

VEB>0

VCB<0

iE

B
E

Fig. 3.6.

Tranzistorul este n conducie dac jonciunile sunt polarizate

corespunztor i anume jonciunea emitor baz n conducie i
jonciunea colector baz este polarizat invers, ca n figura 3.6.
94

pn
p n(0)

pn0
O

Fig. 3.7.
Considernd o ax OX cu originea n zona bazei la limita jonciunii
emitor baz n figura 3.7 este prezentat profilul concentraiei
purttorilor minoritari (goluri).
Concentraia golurilor injectate din emitor n baz pn(0) scade pn la
valoarea concentraiei pn0 stabilit de echilibrul termodinamic (pentru
zona bazei).
Golurile injectate determin acumularea n baz a unei sarcini n
exces(fa de cea de la echilibru termodinamic) care se noteaz cu
w

q B = q e Ai ( p n p n 0 )dx .
0

dq B
dt
Purttori (golurile) injectai prin suprafaa bazei se deplaseaz pn la
ciocnirea cu un atom din reeaua cristalin a bazei , pierznd energie
astfel nct energia acestuia nu se mai gsete n BC. Procesul este
numit recombinare.
Prin recombinare, un electron care nu mai are suficient energie va fi
prins ntr-o legtur covalent nesatisfcut (remintim c s-a definit
golul ca fiind o legtur covalent nesatisfcut). Prin recombinare att
electronul ct i golul nu vor mai putea participa la procesul de
conducie a curentului electric.
Variaia sarcini q B determin un curent i1 =

95

n aceste condiii avem un curent datorat recombinrii ( i2 =

qB

) care

este proporional cu numrul de purttori i invers proporional cu p

numit timp de via al purttorilor n exces n zona bazei.
Jonciunea colector baz este polarizat invers , ceea ce nseamn
c exist o zon de golire (nu conine purttori de sarcin, rezult o
conductivitate mic la fel ca a unui dielectric) care determin o
capacitate de barier notat cu C BC Modificarea sarcini pe una din
armturi (n zona bazei, spre exemplu ) determin, prin modificarea
cmpului intern o modificare a sarcini i pe cealalt armtur. Apare
astfel un curent datorat variaiei sarcinii de pe capacitatea respectiv

i3 =
unde C BC =

dV
dq
dq dVCB
=
= C BC CB
dt dVCB dt
dt

q
, este capacitatea jonciunii colector baz.
V

Curentul n baz este datorat celor trei fenomene care modific sarcina
se exprim prin ecuaia
iB =

dVCB
dq B q B
+
+ C BC
.
dt P
dt

Curentul n colector este determinat de recombinarea purttorilor care

au traversat jonciunea BC
iC =

qB

unde F este timpul de via al purttorilor n zona colectorului.

Ecuaiile curenilor, mai sus definite, mpreun cu relaia dintre
curenii la bornele tranzistorului definesc ecuaiile metodei sarcinii
iB =

dVCB
dq B q B
+
+ C BC
dt P
dt
q
iC = B

i E = iC + i B

96

unde timpii de via sunt P - n zona bazei, iar F - n zona

colectorului.
n regim staionar , cnd nu exist variaii n timp ale tensiunilor de pe
tranzistor nu vor exista variaii ale sarcini n exces din baz i
ecuaiile sarcinii pentru regim staionar sunt:
IB =
IC =

qB

P
qB

,
,

I E = IC + I B .

Dac se utilizeaz relaia mediat de factorul static amplificator F

dintre cureni
I C = F I B + I CBO F I B
,
qB
q

= F B

se stabilete o relaie ntre cei doi timpi de via a purttorilor

P = F F

Timpul de via n zona bazei este mult mai mare ca cel din zona
colectorului.

Comutarea n conducie a tranzistorului bipolar

Tranzistorul din figura 3.8, fiind de tipul PNP, pentru a determina
intrarea acestuia n conducie se impune ca semnalul aplicat la intrarea
acestuia (ntre baz i emitor) s aib o cdere din zero voli ctre
tensiuni negative VBB.
Tensiunea negativ a bazei determin n regim staionar un curent de
baz

V EB + R B I B = V BB V BE
I B1 =

Vbb VEB VBB

.
RB
RB

Curentul injectat n baz determin un curent de colector

I C1 = F I B1 .

97

Conform metodei sarcinii avem expresiile curenilor

dVCB
dq B q B
+
+ C BC
,
dt P
dt

iB =
iC =

qB

q B = iC F = i C

P
.
F

Relaiile dintre tensiunile tranzistorului permit aproximarea

VCE = VCB VEB VCB

VCB V EB
iC

RC

VCB
RB
VCE
0
iE

VEB
VBB
iB
IB1

t
iC
IC
t

Fig. 3.8.
Din teorema a doua a lui Kirchoff obinem

RC iC VCE = VCC
RC iC VCB = VCC

98

-VCC

care prin difereniere determin o relaie ntre tensiunea de

capacitatea jonciunii i curentul de colector

RC

diC dVCB dVCC

=
=0
dt
dt
dt
dVCB
di
= RC C
dt
dt

pe

Dac se nlocuiete n prima ecuaie a metodei sarcinii obinem

iB =

di
P diC
1
+
iC + RC C BC C
F dt F
dt

Prin aplicarea impulsului la intrarea tranzistorului, se obine curentul

de baz i B = I B1 i ecuaia de mai sus devine
diC P
1
(
+ RC C BC ) +
iC = i B ,
F
dt F

sau

( P + F RC C BC )

diC
+ iC = F I B 1
dt

Ecuaia diferenial fiind de ordinul I are soluia

t
iC (t ) = I CF + (I CF I CI ) exp( ) ,

unde
I CF = I C1 = F I B!
ICi = 0

= P + F RC C BC

Curentul de colector are o variaie exponenial

t

iC (t ) = F I B1 1 e

Timpul n care curentul de colector ajunge la 90% din valoarea de

regim permanent (valoarea final) este
99

t on = 2,3 = 2,3( P + F RC C BC ) .
Timpul n care curentul de colector ajunge valoarea de regim
permanent la comutarea n conducie a tranzistorului este mai mare
dect tC1 fiind format din trei timpi (prezentai n figura 3.9) i anume:
timpul n care i B creste de la zero la I B1 , datorit ncrcri
capaciti C BE , avnd expresia
t BE = 2,3RB C BE ;
- timpul n care ncepe s creasc iC , timp n care are loc
stabilirea profilului de concentraie a purttorilor
tP =

1
3 fT

depinznd de f T frecvena de tiere a tranzistorului;

- timpul tC1 pn ce curentul ajunge la valoarea final.
iB
IB1
t

iC
IC1
t

tBE

tP

tC1

Fig. 3.9.
n concluzie timpul de comutare din blocare n conducie a
tranzistorului bipolar se determin cu relaia
t on = 2,3( P + F RC C BC ) + 2,3R B C BE +

care poate fi aproximat cu

100

1
,
3 fT

t on = 2,3 F RC C BC .

Pentru scderea timpului de comutare n conducie se iau msuri n

vederea scderii capacitii i a rezistenei din colectorul tranzistorului.

Comutarea n blocare a tranzistorului bipolar (din regiunea

activ n regiune de blocare)
Folosim montajul din figura 3.8, n condiiile n care la momentul
de timp iniial n baza tranzistorului se afl sursa negativ de tensiune.
Pentru comutare se aplic pe baz sursa pozitiv.
Cele dou surse determin curentul direct IB1 i respectiv curentul
invers IB2, ca n figura 3.10, precum i curenii de colector
I C1 = F I B1 ,
I CF = F I B 2 .

Ecuaiile metodei sarcinii, pentru condiiile date, conduc la ecuaia

diferenial

( P + F RC C BC )

diC
+ iC = F I B 2 ,
dt

a crei soluie este

iC (t ) = F I B 2 + F (I B1 + I B 2 )e ,

unde constanta de timp are expresia

= ( P + F C BC RC ) .

Timpul de comutaie se obine din condiia ca valoarea curentului de

colector al tranzistorului s scad la 10% din valoarea iniial
iC (tOff ) = 0,1 F I B1
t off = ( P + F C BC RC ) ln(

I B1 + I B 2
) 2,3( P + F C BC RC ) .
0,1I B1 + I B 2

101

iC

-VCC

VCB

RC

RB
IB2

VCE

IB1

VEB

iE

iB
IB1

-IB2
iC
IC1=FIB1

Fig. 3.10.
n condiiile cnd IB2 este mic se folosete forma aproximativ a
timpului de comutare a tranzistorului din conducie n blocare
t off 2,3( P + F C BC RC ) .

Comutarea din saturaie i n saturaie a tranzistorului

bipolar
Zona activ de funcionare a tranzistorului, n care curentul de
colector crete cu creterea curentului de baz i este valabil relaia
102

iC = F i B , este limitat de curentul de saturaie al bazei iB< IBS, ca n

figura 3.11.
IC
ICS

IBS

IB

Fig. 3.11.
Zona de saturaie se obine pentru cureni de baz mai mari iB > IBS ,
unde curentul de colector este constant IC =ICS.
Tranzistorul funcioneaz la saturaie incipient dac curentul de
colector este constant IC = ICS i curentul de baz este
I BS =

I CS

Sarcina n exces din baz, n condiiile saturaiei incipiente, se noteaz

q Binc i permite redefinirea curenilor
q Binc

I B = = const = I BS

P
.

q
Binc
I =
= const = I CS
C
F

Dac sursa din baza tranzistorului determin un curent n baz I B1 I BS

ca n figura 3.12, spunem c tranzistorul se gsete n saturaie
profund .
n condiiile saturaiei profunde se injecteaz o sarcin suplimentar
q S (sarcin suplimentar fa de sarcina n exces injectat la saturaia
incipient) al crui timp de recombinare l notm cu S .

Comutarea tranzistorului din zona de saturaie incipient n

zona de saturaie profund
Aplicm metoda sarcinii, neglijnd curentul de ncrcare al capacitii.
Sarcina injectat este ( q Binc + q S ) i ecuaiile corespunztoare sunt
103

q Binc q S dq S
q S dq S

i B = + + dt = I BS + + dt

S
S
S
.

q
i = Binc = I = const
CS
C
F
iB
IB1
IBS
t

iC
ICS
t

Fig. 3.12.
Timpul tS necesar pentru ca tranzistorul s comute de la saturaie
incipient la saturaie profund se determin din ecuaia
S

dq S
+ q S = S (I B1 I BS ) ,
dt

unde sarcina suplimentar qS crete de la zero la valoarea final (se

scade din sarcina total injectat la saturaie profund S I B1 sarcina care
a fost injectat pn ce s-a obinut saturaia incipient S I BS )
q S (0 ) = 0 ,

q SF = S (I B1 I BS ) ,

care conduc la relaia de modificare a sarcinii suplimentare

q S (t ) = S (I B1 I BS )e

La t S avem q S (t ) = 0,9q SF t S = 2,3 S .

S

104

t S = 2,3 S

La comutarea tranzistorului din zona de blocare n zona de

saturaie profund, se vor aduna timpii corespunztori transferului
din zona de blocare n zona activ ton pn la saturaie incipient i a
timpului de transfer tS de la saturaie incipient la saturaie profund
t C = t on + t S = [2.3( P + F RC C BC ) + 2,3R B C BE +

1
+ 2,3 S ] .
3f

La comutarea tranzistorului din zona de saturaie profund n

zona de blocare se utilizeaz o surs care s comute curentul din baza
tranzistorului de la IB1 la -IB2 , ca n figura 3.13.
iB
IB1
IBS
t
-IB2
iC
ICS
t
tS

toff

Fig. 3.13.
Comutarea curentului din baza tranzistorului nu determin modificarea
curentului de colector (acesta rmne la valoarea de saturaie ICS )
dect dup evacuarea sarcinii suplimentare qS (sarcin stocat n
intervalul dintre saturaia incipient i saturaia profund) evacuare
care are loc n timpul tS .
n continuare punctul de funcionare traverseaz zona activ pn la
blocarea tranzistorului. Curentul de colector scade, ca n figura 3.13,
pn la zero, n intervalul de timp toff.

105

Timpul de comutare din saturaie incipient n blocare toff este cu o

bun aproximaie egal cu timpul de comutare direct din blocare n
saturaie incipient ton.
Timpul total de comutare din zona de saturaie profund n zona de
blocare este suma celor doi timpi
t C = t S + t off t S + t on .

nlocuind expresiile celor doi timpi, anterior deduse, avem

t C = ( P + F C BC RC ) ln(

I B1 + I B 2
) + 2,3t S
0,1I B1 + I B 2

sau relaia aproximativ

t C 2,3( P + F RC C BC ) + 2,3t S .

De reinut
- Timpul de comutare din regiune de blocare n regiunea activ
prin aplicarea curentului IB1 are expresia
t on = 2,3( P + F RC C BC ) + 2,3R B C BE +

1
2,3( P + F RC C BC ) ;
3 fT

- Timpul de comutare din regiunea activ n regiune de blocare

prin comutarea curentului bazei de la IB1 la IB2 este
t off = ( P + F C BC RC ) ln(

I B1 + I B 2
) 2,3( P + F RC C BC ) ;
0,1I B1 + I B 2

- Timpul de comutare din zona activ (din zona de saturaie

incipient) n zona de saturaie profund este
t S = 2,3 S .

106

3.3. Comutarea tranzistorului cu efect de cmp

Comutarea tranzistorului cu efect de cmp este un proces care
depinde de sarcina acestuia. Cum, n cazul circuitelor digitale un
tranzistor cu efect de cmp comand un alt tranzistor cu efect de cmp
(n cele mai multe cazuri) rezult c sarcina etajului care comut este
format din impedana de intrare a unui tranzistor cu efect de cmp.
Tranzistorul cu efect de cmp prezint o impedan de intrare
foarte mare, motiv pentru care ceea ce conteaz din punctul de vedere
al comutaiei, este capacitatea de la intrarea acestuia i mai puin
rezistena de intrare.
+VDD
Vi
VDD
T1

Vr
t

T2

Ci

Vo
Vo

Vi

t
tC
a)

tr

b)
Fig. 3.14.

Tranzistorul T2 din schema 3.14 se afl n una din strile saturat

sau blocat, iar tranzistorul T1 are rolul de rezisten de sarcin a
tranzistorului T2 (notat RS).
Dac tensiunea de intrare Vi
blocheaz tranzistorul T2
condensatorul Ci se ncarc prin RS, cu o constant de timp = Ci RS
ctre valoarea sursei de alimentare VDD , ntr-un timp tr .
Descrcarea condensatorului are loc cnd T2 se blocheaz, de ctre
semnalul de intrare Vi . Condensatorul Ci se descarc prin RT
(rezistena dren surs a tranzistorului n conducie) , cu o constant
de timp = Ci RT ctre zero , ntr-un timp tC .
107