Sunteți pe pagina 1din 49

1 Lucrul mecanic i energia. Conservarea energiei.

Prin definiie, lucrul mecanic elementar efectuat de o for F cnd punctul de aplicaie al

acestei fore se deplaseaz cu distana d r , este egal cu produsul scalar dintre F i d r :



(1.28)
dW F dr Fdr cos
unde este unghiul dintre vectorul for i vectorul deplasare (Fig. 1.5).
Dac se ine seama de relaia (1.26), lucrul mecanic se mai poate scrie astfel:

..
.. d r
.. .
.

(1.29)
dW m r d r m r dt m r r dt m v vdt mvdv
dt
Rezult c lucrul mecanic se mai poate scrie i astfel:
1

(1.30)
dW mvdv d mv 2
2

Mrimea din parantez din relaia (1.30) se numete energia cinetic a corpului de mas m:
mv 2
(1.31)
Ec
2
Cu aceast notaie, relaia (1.30) devine:
(1.32)
dW dE c
care reprezint legea variaiei energiei cinetice sub form local.

Fig. 1.5. Aciunea unei forei asupra punctului material.

Prin integrarea relaiei (1.32) ntre dou puncte definite de vectorii de poziie r1 i r2 , se
obine:
r

W F dr E c2 E c2

(1.33)

r1

adic variaia energiei cinetice n direcia deplasrii este egal cu lucrul mecanic efectuat n
decursul acestei deplasri de ctre fora care acioneaz asupra corpului.
n cazul n care asupra corpului nu acioneaz nici o for sau fora este orientat normal la
vectorul deplasare, lucrul mecanic este nul i conform relaiei (1.33) energia cinetic a corpului se
conserv.
Forma de existen a materiei care se manifest prin aciunea corpurilor constituie un cmp
de fore. Exist cmpuri de fore numite conservative, de exemplu cmpul gravitaional sau cmpul
electrostatic, pentru care, lucrul mecanic efectuat de forele cmpului asupra corpurilor nu depinde
de traiectoria sau viteza corpului, ci numai de poziiile iniial i final (Fig. 1.6):


W F dr F dr
(1.34)
C1

C2

Pentru aceste cmpuri lucrul mecanic efectuat de forele conservative pe o traiectorie nchis
este nul. ntr-adevr, conform figurii 1.6 i avnd n vedere relaia (34), se obine:
1



W F dr F dr
C

C1

F dr F dr F dr 0

C'2

C1

(1.35)

C2

Folosind teorema lui Stokes, relaia (35) se poate scrie i sub forma:


(1.36)
F dr F dS 0

unde S este o suprafa arbitrar mrginit de curba (C). Suprafaa S fiind arbitrar, rezult:

(1.37)
F 0

Fig. 1.6. Traiectorii diferite n cmp conservativ de fore.

Relaia (1.37) indic posibilitatea definirii unei funcii E p ( r ) E p (x, y, z) , astfel nct fora

F s derive din gradientul acestei funcii:

E p E p E p
(1.38)
F E p
i
j
k

Deoarece rotorul unui gradient este ntotdeauna nul, expresia (1.38) satisface condiia (1.36)
(1.39)
(E p ) 0

Funcia E p ( r ) astfel definit se numete energia potenial a punctului material de vector de

poziie r .
Lucrul mecanic al forelor conservative poate fi scris acum i sub forma urmtoare:

dW F dr E p dr
(1.40)
Deoarece membrul drept al relaiei (1.40) se poate scrie sub forma:
E p
E p
E p
(1.41)
E p d r
dx
dy
dz dE p
x
y
z
relaia (1.40) devine:
dW dE p
(1.42)

Lucrul mecanic total efectuat de fora conservativ F ntre dou puncte A i B se obine prin
integrarea relaiei (1.42) ntre aceste puncte:
B
B

W F d r dE p E pA E pB E p
(1.43)
A

Fixnd valoarea energiei poteniale Ep ntr-un punct, de exemplu n A, se poate defini


energia potenial ntr-un punct oarecare B de vector de poziie r :

E p ( r ) E pA F d r
(1.44)
A

n multe cazuri punctul A se alege la infinit, unde se consider prin convenie, energia
potenial EpA nul. Rezult atunci c energia potenial ntr-un punct oarecare va fi dat de relaia:

E p ( r ) F d r W ( r )
(1.45)


Deci, energia potenial a punctului material ntr-un punct de vector de poziie r este egal

cu lucrul mecanic efectuat de fora F , luat cu semn schimbat, cnd punctul material este deplasat
din punctul de referin n punctul respectiv.
n cazul forelor conservative, prin compararea relaiilor (1.32) i (1.42) se obine:
(1.46)
dW dE c dE p
sau
(1.47)
d(E c E p ) 0
adic energia total este constant:
(1.48)
E c E p const.
Relaia (1.48) reprezint legea conservrii energiei mecanice, care arat c atunci cnd
asupra unui punct material acioneaz numai fore conservative, suma dintre energia cinetic i
energia potenial rmne constant. De asemenea din relaia (1.48) se poate observa c n cursul
deplasrii punctului material ntr-un cmp de fore conservativ are loc o transformare reciproc a
energiei cinetice n energie potenial, dar suma lor rmnnd constant n orice moment.

2. Micarea oscilatorie amortizat


n cazul micrii oscilatorii armonice libere s-a presupus c influena mediului exterior este
neglijabil.
n realitate ns, orice mediu opune o rezisten micrii oscilatorii, astfel c n general
oscilaiile sunt amortizate. Pentru o mare clas de fenomene fizice, se poate considera c fora de
rezisten (de frnare) este proporional, n modul, cu viteza corpului:
(1.81)
Ff rv rx
unde r este coeficientul de rezisten, strict pozitiv.
n aceste condiii, pe lng fora elastic apare i fora de frecare care se opune deplasrii i
astfel ecuaia diferenial care descrie micarea oscilatorului va fi (Fig. 1.10):
(1.82)
mx kx rx
sau
(1.83)
mx rx kx 0
n care notnd cu:
k
(1.84)
02
m
pulsaia proprie a oscilatorului i cu
r

(1.85)
2m
factorul de amortizare, se obine urmtoarea ecuaie diferenial de ordinul doi, omogen i cu
coeficieni constani:
x 2x 02 x 0
(1.86)

Fig.1.10. Oscilatorul liniar amortizat.

Ecuaia caracteristic a ecuaiei difereniale (1.86) va fi:


2 2 02 0
3

(1.87)

care are urmtoarele soluii:


i
1 2 02
Mai departe se noteaz cu:

2 2 02

(1.88)

(1.89)
02 2
numit pseudo-pulsaia sau pulsaia micrii oscilatorii amortizate.
Se pot distinge trei cazuri:
1) 0 sau r 2 mk , caz n care frecarea din partea mediului este foarte mare. n acest
caz soluiile ecuaiei caracteristice 1 i 2, date de relaiile (1.88), sunt mrimi pozitive i conduc la
soluii reale pentru elongaia x:
( 2 2 ) t

( 2 2 ) t

0
0
(1.90)
x C1e
C2e
Din relaia (1.90) se observ c micarea const n descreterea deformaiei iniiale, care
tinde asimptotic ctre poziia de echilibru (fr oscilaii) atunci cnd t, aa cum se observ din
Fig. 1.11a curba (1). Acest tip de micare se numete micare amortizat aperiodic.
2) 0 sau r 2 mk . n acest caz soluiile ecuaiei caracteristice sunt reale i
confundate: 1=2=-. Ecuaia de micare a oscilatorului n acest caz va fi:
(1.91)
x (C1 tC2 ) e t
Acest caz este un caz particular al micrii aperiodice, numit micare amortizat aperiodic critic.
Elongaia iniial a oscilatorului tinde i n acest caz la zero tot fr oscilaii, cnd t (Fig. 1.11a
curba 2).
3) 0 sau r 2 mk , caz n care frecarea din partea mediului este foarte mic. Soluiile
(1.88) ale ecuaiei caracteristice sunt complexe:
i
(1.92)
1 i
2 i
iar ecuaia general a ecuaiei de micare va fi:
(1.93)
x e t (C1e i t C 2 e i t )
Termenul din paranteza relaiei (1.93) este de aceeai form cu cel din relaia (1.64) i
efectund un raionament similar cu cel folosit la oscilatorul liniar armonic se obine soluia de
forma:
x A 0 e t cos (t 0 )
(1.94)

unde A0 este amplitudinea iniial i 0 faza iniial, constante care se determin din condiiile
iniiale.
Relaia (1.94) arat c micarea este o micare oscilatorie amortizat, pentru care
amplitudinea micrii scade exponenial n timp
A(t ) A 0 e t
(1.95)
Perioada micrii oscilatorii amortizate este mai mare dect perioada proprie a micrii
oscilatorii libere efectuate sub aciunea aceleiai fore elastice, dar n absena forelor de frecare:
2
2
T
T0
(1.96)
2
2

0

0

Din relaia (1.96) se observ c perioada micrii oscilatorii amortizate tinde asimptotic
ctre infinit pe msur ce tinde spre 0, deci atunci cnd micarea tinde spre o micare aperiodic
critic.
Variaia elongaiei micrii oscilatorii amortizate n funcie de timp este prezentat n Fig.
1.11 b. Curba continu reprezint relaia (1.84) iar cele punctate funcia:
x(t ) A 0 e t
(1.97)

Experimental se poate determina factorul de amortizare, , cu ajutorul decrementului


logaritmic, , care reprezint logaritmul natural a dou amplitudini succesive sau a dou elongaii
succesive, separate n timp de o perioad:
A 0 e t
A
x(t )
(1.98)
ln
ln n ln
T
x ( t T)
A n 1
A 0 e ( t T )
Dac se cunoate amplitudinea iniial A0 i amplitudinea dup n oscilaii complexe, An, se
poate obine o alt relaie pentru decrementul logaritmic:
A A
A
A
(1.99)
ln 0 ln 0 1 n 1 n
An
A
A
A
n
1 2

1 A0
ln
n An

(1.100)

a)

b)

Fig. 1.11. a) Micarea amortizat aperiodic, b) Micarea oscilatorie amortizat.

O alt mrime caracteristic micrii oscilatorii amortizate este i timpul de relaxare, ,


definit ca intervalul de timp dup care amplitudinea scade de e ori:
A( t )
(1.101)
A( t )
e
Din aceast relaie rezult:
1
(1.102)

i se poate constata c raportul:

1
1
(1.103)

T T
reprezint numrul de oscilaii complete efectuate de oscilator n intervalul de timp egal cu timpul
de relaxare .

3 Ecuaia undei plane monocromatice


n general se poate considera c o und reprezint o perturbaie care se propag n spaiu, din
aproape n aproape, prin intermediul unui cmp. Acest cmp poate fi un cmp de fore elastice, n
cazul undelor elastice sau un cmp electromagnetic, n cazul undelor electromagnetice. Mrimea
perturbat este funcie att de poziia punctului n spaiu prin coordonatele x,y,z, ct i de timp,

astfel nct poate fi reprezentat printr-o funcie (x, y, z, t ) ( r , t ) , numit funcie de und.
Aceast funcie poate fi att o mrime vectorial, cum ar fi elongaia, intensitatea cmpului electric
sau magnetic, ct i o mrime scalar: presiunea unui gaz, diferena de potenial, etc.
Mulimea punctelor din spaiu n care funcia de und are aceeai valoare constant, la un
moment dat, formeaz o suprafa de und.. Dac suprafaa de und este plan i perpendicular pe
direcia de propagare a undei, unda se numete und plan. Undele elastice pot fi longitudinale cnd
5

punctele mediului oscileaz de-a lungul direciei de propagare i unde transversale, cnd punctele
mediului oscileaz perpendicular pe direcia de propagare.
Considerm o und plan care se propag de-a lungul direciei Ox cu o vitez constant, v,
i fr atenuare. Pentru particula din origine, x=0, unde se consider sursa de oscilaie, elongaia va
fi (0, t ) f (t ) , astfel c n orice punct de pe ax, la care va ajunge unda, elongaia ( x, t ) a
particulei din acest punct va trece prin aceleai valori ca i n origine, dar cu o ntrziere dat de
timpul necesar undei s ajung n punctul respectiv: =x/v.
Deci elongaia n punctul x, la momentul t, va trebui s fie aceeai ca n origine, dar la
momentul (t-):
x

x
(1.121)
( x, t ) 0, t f t
v
v

Relaia (1.121) reprezint ecuaia undei plane progresive neatenuate care se propag n
sensul pozitiv al axei Ox cu viteza v. Dac n unda plan oscilaiile periodice sunt armonice cu
anumit pulsaie =2/T, atunci unda este i monocromatic. Funcia de und pentru undele plane
monocromatice poate fi exprimat prin funciile trigonometrice cosinus sau sinus. De exemplu, dac
se adopt exprimarea prin funcia cosinus, funcia de und va avea expresia:
t x
x

(1.122)
( x, t ) A cos t A cos 2

T v
unde A se numete amplitudinea undei.
Din relaia (1.122) se observ c unda elastic plan este un fenomen periodic n timp, cu
perioada T i spaiu cu perioada spaial, , numit lungime de und. ntr-adevr se pot scrie
relaiile:
t x
t T x

( x, t T) A cos 2

A cos 2
( x, t ) (1.123)
T
v

T v
i
t
x

(1.124)
( x , t ) A cos 2
( x, t )
v
T
Din condiia:

(1.125)
2
v
rezult expresia lungimii de und:
2
v
(1.126)

v Tv

unde =1/T se numete frecvena undei.


Din relaia (1.126) se observ c lungimea de und reprezint distana parcurs de und n
timpul unei perioade, sau altfel spus, distana minim dintre dou puncte, de-a lungul direciei de
propagare, care oscileaz n faz. Introducnd numrul de und
2
(1.127)
k

ecuaia undei plane se poate exprima astfel:


(1.128)
(x, t ) A cos (t kx)

Dac unda plan se propag de-a lungul unei direcii oarecare r , ecuaia undei plane devine:

(1.129)
(x, t ) A cos (t kr )

unde k kn este vectorul de und iar n este versorul direciei de propagare a undei.
Pentru funcia de und se poate folosi i expresia complex:

(1.130)
( r , t ) A e i (t kr )
avnd semnificaie fizic partea real a acestei expresii sau partea imaginar dac funcia de und
(1.129) se exprim prin funcia sinus.
6

Mrimea (t kx) se numete faza undei plane. Deeoarece suprafaa de und este
definit prin condiia ( x, t ) =const., nseamn c aceast suprafa este determinat de relaia
=const. Din aceast condiie rezult c suprafeele de und sunt suprafee de faz constant, care
sunt plane normale pe direcia de propagare. Suprafaa de und cea mai naintat n sensul de
propagare a undei se numete front de und.
Prin definiie, viteza de propagare a unui punct x de faz constant este denumit vitez de
faz. Din condiia d/dt=0, rezult c viteza de faz este chiar viteza de propagare a undei:
dx
(1.131)
vf
v
dt k T
Dou puncte de pe direcia de propagare, de coordonate x1 i x2 sunt n concordan de faz
dac fazele undei n aceste puncte difer printr-un numr par de :
t x
t x
(1.132)
2 1 2 2 2n , n=0,1,2,
T
T
adic

(1.133)
x 2 x 1 2n
2
Dac fazele undei n cele dou puncte difer printr-un numr impar de , cele dou puncte
vor oscila n opoziie de faz:
t x
t x
(1.134)
2 1 2 2 (2n 1) , n=0,1,2,
T
T
sau

(1.135)
x 2 x1 (2n 1)
2
Studiul undelor plane monocromatice este important deoarece o und oarecare poate fi
descompus n unde plane monocromatice, analog descompunerii unei oscilaii oarecare n oscilaii
armonice sinusoidale.

4. Principiul al doilea al termodinamicii. Entropia


Primul principiu al termodinamicii a introdus funcia de stare energia intern, pentru a
caracteriza conservarea energiei n procesele termice, fr ns a impune nici-o limitare n
posibilitatea de transformare a lucrului mecanic n cldur i a cldurii n lucru mecanic.
Experimental s-a constatat c afirmaiile de mai sus, ce decurg din primul principiu al
termodinamicii, sunt valabile numai n cazul transformrii integrale a lucrului mecanic n cldur
dar nu i invers. De exemplu primul principiu nu exclude posibilitate realizrii unui perpetuum
mobile de spea a doua, adic a unei maini termice monoterme, capabile s transforme n lucru
mecanic, ntr-un proces ciclic, cldura obinut prin rcirea corpurilor nconjurtoare. Tot din
experien rezult c fr compensaie din exterior, cldura nu se poate transforma integral n lucru
mecanic i de aceea n cazul n care un corp primete cldura Q i o transform n lucru mecanic L,
ntotdeauna are loc relaia: QL, iar dac lucrul mecanic L este transformat n cldur Q, atunci este
posibil ca L=Q. Rezult c procesele naturale sunt ntotdeauna ireversibile.
Din punct de vedere istoric, principiul al doilea al termodinamicii a aprut din studiul
mainilor termice (ciclu Carnot) i a fost fundamentat de ctre R.Clausius si W.Thomson,
Formularea lui Clausius a principiului al doilea al termodinamicii: nu este posibil o
transformare care s aib ca rezultat trecerea cldurii de la sine a cldurii de la un corp cu o
temperatur dat la un corp cu o temperatur mai ridicat.
Formularea lui Thomson a principiului al doilea al termodinamicii: ntr-o transformare
ciclic monoterm, sistemul nu poate ceda lucrul mecanic n exterior. Dac transformarea ciclic
monoterm este i ireversibil, atunci sistemul primete lucru mecanic din exterior. Acest principiu
7

se mai enun i astfel: n natur nu este posibil s se construiasc o main termic cu o singur
surs de cldur sau cu un singur termostat (monoterm).
Din aceste formulri echivalente ale principiului doi al termodinamicii rezult c
transformrile ciclice reversibile nu pot fi monoterme. Totui exist posibilitatea realizrii unor
transformri ciclice reversibile biterme, adic a unei maini termice care schimb cldur cu dou
termostate cu temperaturi diferite T1 i respectiv T2.
Dac presupunem c T1T2, atunci sistemul primete cldura Q10 de la termostatul cald T1
i cedeaz cldura Q20 termostatului rece T2, transformnd n lucru mecanic diferena valorilor
absolute ale acestor cantiti de cldur:
(3.60)
L Q1 Q 2 0
Randamentul unei maini termice care efectueaz o transformare ciclic biterm va fi:
Q2
L
(3.61)

1
1
Q1
Q1
S. Carnot n dorina de a mbunti randamentul mainii termice, a realizat o main ideal
care s funcioneze dup un ciclu format din dou izoterme i dou adiabate, numit ciclu Carnot
(Fig. 3.3). n transformarea izoterm (1-2), maina termic primete cldura Q1 de la sursa cald cu
temperatura T1, iar n transformarea izoterm (3-4), maina termic cedeaz cldura Q2 sursei reci
aflat la temperatura T2.
Cantitile de cldur Q1 i Q2 pot fi calculate astfel:
V
(3.62)
Q1 RT1 ln 2
V1
V
(3.63)
Q 2 RT2 ln 3
V4
Din legea transformrii adiabatice n coordonate (T,V), relaia (3.55) se pot scrie
urmtoarele egaliti:
(3.64)
T1V2 1 T2 V3 1
T1V1 1 T2 V4 1
de unde rezult c:
V2 V3

V1 V4
astfel nct randamentul (3.61) devine:
T
c 1 2 1
T1

(3.65)
(3.66)

(3.67)

Fig. 3.3. Ciclul Carnot.

Relaia (3.67) arat c randamentul ciclului Carnot este independent de natura substanei de
lucru i depinde numai de temperaturile T1 i T2 ale sursei calde i respectiv ale sursei reci. Pentru a
obine un randament egal cu unitatea, conform relaiei (3.67), rezult c ar trebui fie ca T1, fie
ca T2 0K. Cum aceste cazuri nu sunt posibile, rezult c este imposibil s se realizeze o main
8

termic cu randamentul egal cu unitatea. n plus, dac am presupune T1 = T2, ar rezulta =0, ceea ce
nseamn c nu se poate obine lucru mecanic folosind o singur surs de cldur. Constatarea c
randamentul unei maini termice este ntotdeauna mai mic dect unitatea (1) reprezint, de
asemenea, enunul principiului al doilea al termodinamicii.
Dac ciclul Carnot este parcurs n sens invers celui din Fig. 3.3, adic maina termic ar
prelua cldura Q2 de la sursa rece T2 i ar ceda sursei calde T1 cldura Q1, pe seama unui consum de
lucru mecanic din exterior L=Q1, atunci maina termic funcioneaz ca o main frigorific sau
ca o pomp de cldur, cu eficiena:
Q
T2
1
(3.68)
2
1
L
c
T1 T2
Din relaiile randamentului (3.61) i (3.67) rezult:
Q1 Q 2 T1 T2
(3.69)

Q1
T1
de unde se poate deduce c:
Q1 Q 2
(3.70)

0
T1
T2
Q1 Q 2
(3.71)

0
T1 T2
Mrimea (Q/T) se mai numete cldur redus, astfel nct ntr-un ciclu Carnot reversibil,
suma algebric a cldurilor reduse este nul. Relaia (3.71) poate fi extins pentru orice ciclu
reversibil arbitrar, deoarece un asemenea ciclu poate fi mprit ntr-o infinitate de cicluri Carnot
elementare i reversibile pentru care relaia (3.71) este valabil. ntr-adevr, conform Fig. 3.4,
deoarece toate adiabatele intermediare vor fi parcurse n ambele sensuri lucrul mecanic total pe
aceste adiabate se va anula. Izotermele rmase i prima i ultima adiabat, care sunt parcurse doar o
singur dat, formeaz la limit o linie frnt nchis, care la limit coincide cu ciclul iniial. Ca
urmare pentru orice ciclu reversibil se poate scrie o relaie de forma (3.71):

Q irev
T 0
i
i
sau la limit:
dQ
T 0
( rev)

(3.72)

(3.73)

numit egalitatea lui Clausius i exprim n cazul proceselor ciclice cvasistatice reversibile forma
matematic a principiului doi al termodinamicii.
Mrimea de sub integral din relaia (3.73) se noteaz astfel:
dQ
(3.74)
dS
T
n care funcia de stare S este o diferenial total exact, numit entropie. Conform relaiei (3.74)
se observ c n cazul transformrilor adiabatice reversibile, entropia este constant: S=const.,
deoarece dQ=0. Transformrile adiabatice se mai numesc deci i transformri izentropice.
n general, din relaia (3.74) se poate calcula numai variaia de entropie, valoarea entropiei
propriu-zis fiind definit pn la o constant arbitrar aditiv S0:
dQ
S
S0
(3.75)
T
n cazul n care sistemul efectueaz o transformare ciclic ireversibil, cum ar fi cazul unei
maini termice reale care funcioneaz cu pierderi de energie, cednd sursei reci mai mult cldur
dect maina termic ideal: Q' 2 Q 2 , randamentul va fi:

irev

Q1 Q' 2
Q1

T1 T2
rev
T1

(3.76)

din care rezult:


Q1 Q' 2

0
T1 T2

(3.77)

Fig. 3.4. Ciclul termodinamic reversibil oarecare.

Generaliznd relaia (3.77) ca i n cazul ciclurilor reversibile oarecare, se obine n cazul


transformrilor ciclice ireversibile oarecare, relaia:
dQ
(3.78)
T 0
(irev)
care se numete inegalitatea lui Clausius.
Relaiile (3.73) i (3.78) pot fi comasate ntr-o singur relaie, valabil att pentru procese
ciclice reversibile, ct i pentru procese ciclice ireversibile:
dQ
(3.79)
T 0
()
iar variaia de entropie ntre dou stri (1) i (2), poate fi determinat astfel:
( 2)
dQ
(3.80)
S
T
(1)
unde semnul = corespunde proceselor reversibile i semnul proceselor ireversibile. Valoarea
( 2)

dQ
mrimii: S
, fiind o msur a ireversibilitii procesului respectiv.
T

(1)
Relaia diferenial corespunztoare relaiei integrale (3.80), va fi:
(3.81)
TdS dQ
sau:
(3.82)
TdS dU pdV
care reprezint formula fundamental a termodinamicii.
Pentru un sistem izolat adiabatic, n care sistemul nu schimb cldur cu exteriorul (dQ=0),
din formula fundamental scris numai pentru procesele naturale (ireversibile), rezult c aceste
procese se desfoar n direcia creterii entropiei, adic:
S 0
(3.83)
Aceast ultim afirmaie reprezint nc o formulare a principiului doi al termodinamicii.
n concluzie se poate afirma c principiul al doilea al termodinamicii stabilete c pentru
orice sistem termodinamic se poate defini o nou funcie univoc de stare, numit entropie, care la
sistemele izolate nu se modific n timpul proceselor cvasistatice reversibile (S=0) i care crete
spre o valoare maxim n cursul proceselor nestatice ireversibile (procese naturale).

10

5. Distribuia canonic n fizica statistic


Prin stabilirea distribuiei microcanonice a strilor de echilibru ale unui sistem, problema
fundamental a fizicii statisticii este complet rezolvat.
Totui, datorit caracterului singular al densitii de probabilitate i a necesitii trecerii la
limit a energiei sistemului, distribuia microcanonic prezint unele dezavantaje n aplicaiile
practice. Chiar din punct de vedere experimental, este foarte dificil de a menine energia unui sistem
riguros constant, aa cum necesit aplicarea distribuiei microcanonice. Din aceste motive,
sistemele termodinamice se menin n stare de echilibru, nu printr-o izolare complet de exterior, ci
punndu-le n contact cu un termostat.
n asemenea condiii, sistemul nchis va avea numrul de particule N, volumul V, i
temperatura T riguros constante, cruia i corespunde o anumit distribuie a punctelor figurative
n spaiul fazelor, numit distribuia canonic. Distribuia canonic se refer la ansambluri
statistice nchise, adic la sistemele care, meninndu-i temperatura constant, pot schimba energie
cu termostatul (dar nu i substan), astfel nct energia lui nu mai are o valoare bine determinat,
valoarea energiei putnd fluctua n jurul unei valori foarte probabile.
Pentru a determina densitatea de probabilitate (p,q) din cazul distribuiei canonice, se
consider un sistem (1) aflat n stare de echilibru n contact termic cu un termostat (2) (Fig. 4.4.).

Fig. 4.4. Sistemul termodinamic (1) n contact termic cu termostatul (2)


n distribuia canonic.

Termostatul are n orice moment o energie perfect determinat, deoarece ntre acesta i
mediul exterior nu exist schimb de energie. Astfel, termostatului i va corespunde o distribuie
microcanonic.
Se noteaz cu p1 i q1, respectiv p2 i q2, variabilele canonice ale sistemului (1) i respectiv
ale termostatului (2).
Deoarece sistemul i termostatul formeaz mpreun un sistem izolat, energia acestui
ansamblu poate fi considerat constant E=const.
Densitile de probabilitate ale sistemului, respectiv termostatului, conform relaiei (4.31),
vor fi de forma:
(4.75)
1 (p1 , q1 ) 1[H1 (p1 , q1 )]
(4.76)
2 (p 2 , q 2 ) 2 [H 2 (p 2 , q 2 )]
unde H1 i H2 sunt funciile lui Hamilton pentru sistem i respectiv termostat.
Energia ansamblului sistem-termostat va fi:
E E1 E 2 E1,2
(4.77)
unde E1,2 este energia de interaciune dintre sistem i termostat. n cazul unui sistem termodinamic
aflat n echilibru cu un termostat energia de interaciune E1,2 este ntotdeauna mult mai mic dect
energiile E1 i E2, astfel nct poate fi neglijat. Aceasta deoarece energiile E1 i E2 sunt
proporionale cu numrul de particule din volumele V1 i V2 pe care le ocup sistemul i respectiv
termostatul, iar E1,2 este proporional cu numrul de particule de pe suprafaa de separaie dintre
sistemul (1) i termostatul (2). n aceste condiii, relaia (4.77) devine:
E E1 E 2 const.
Dei energia total E rmne contant n timp, energiile E1 i E2 pot varia n timp.
Fluctuaiile energiilor E1 i E2 trebuie, deci, s aib loc astfel nct energia total a ansamblului
11

sistem-termostat s nu varieze, iar mrimea variaiilor energiilor E1 i E2 s nu fie sensibile la scar


macroscopic.
Deoarece att termostatului, ct i ansamblului sistem-termostat, le corespund distribuii
microcanonice, probabilitatea dP1 ca un punct figurativ al sistemului (1) s se afle n elementul
de volum d1 din spaiul fazelor, din jurul punctului (p1,q1), independent de starea n care se afl
termostatul, va fi proporional cu densitatea de stri 2(E2) a termostatului, ntruct singura
restricie la care este supus termostatul este ca energia sa s fie E2=E-E1. O microstare fizic a
sistemului (1) se poate realiza cu o probabilitate proporional cu numrul total de stri ale
termostatului (2), datorit interaciunii sistem-termostat.
n aceste condiii, rezult:
1 (p1 , q1 ) const. 2 (E 2 )
(4.78)
dP1 1 (p1 , q1 ) d1 const. 2 (E 2 ) d1
Conform formulei lui Boltzmann (4.52), entropia termostatului (2) va fi:
S2 (E 2 ) k B ln 2 (E 2 )
(4.79)
S2 (E E1 ) k B ln 2 (E E1 )
de unde rezult densitatea de stri a termostatului:
(4.80)
2 (E E1 ) exp S2 (E E1 ) / k B
Deoarece energia ansamblului sistemtermostat E>>E1, entropia termostatului S2(E-E1), se poate
dezvolta n serie Taylor n jurul valorii energiei totale a ansamblului sistem-termostat, E, i
neglijnd termenii de ordin superior, se obine:
S
(4.81)
S 2 ( E E1 ) S 2 ( E ) 2 E1
E
Deoarece, conform relaiei (3.124) se poate scrie urmtoarea relaie:
1
S 2
(4.82)


E V T
iar entropia termostatului devine:
E
(4.83)
S 2 ( E E1 ) S 2 ( E ) 1
T
n aceste condiii, densitatea de stri a termostatului dat de relaia (4.80), va fi:
S2 ( E )
kB

E1
k BT

(4.84)
2 (E E1 ) e
e
Din relaia (4.78) densitatea de probabilitate a sistemului 1(p1,q1), rezult egal cu:
S2 ( E )
kB

E1
k BT

(4.85)
1 (p1 , q1 ) const. e
e
ntruct primul termen exponenial din relaia (4.85) este o mrime independent de energia
E1, acesta se poate ngloba n constanta de proporionalitate.
n aceste condiii, relaia (4.85) poate fi generalizat pentru orice sistem nchis, avnd
energia E(p,q), sub forma urmtoare:

E
k BT

(4.86)
(p, q) C e
Constanta de proporionalitate, C, din relaia (4.86) se poate calcula din condiia de normare
(4.9) efectuat pe ntreg spaiul fazelor corespunztor unui sistem termodinamic nchis:

Ce

E ( p,q )
k BT

d 1

(4.87)

C
e

E ( p,q )

k BT

1
Z(T, V)

(4.88)

unde
12

Z(T, V) e

E ( p,q )
k BT

4.89)

se numete integrala statistic a sistemului pentru distribuia canonic sau funcia de partiie a
sistemului.
Densitatea de probabilitate canonic este dat de relaia:
1
e
Z

(p, q)

E ( p,q )
k BT

E ( p,q )
k BT

E ( p,q )
k BT

(4.90)
d

Valoarea medie a unei mrimi fizice oarecare f(p,q), n cazul distribuiei canonice se va
calcula conform expresiei:
E ( p,q )

1
f (p, q) f (p, q) e k B T d
Z
Energia medie a unei particule:

Ee

E ( p,q )
k BT

(4.91)

E ( p,q )
k BT

Pentru un sistem format din N particule identice, care interacioneaz ntre ele, energia
sistemului se poate exprima sub forma:
3N p2
(4.92)
E(p, q) i E p (q1 , q 2 ,...q3 N )
i 1 2m
iar integrala statistic Z(V,T), devine:
Z(V, T) e

E ( p,q )
k BT

p i2
3N
i 1 2 mk B T

3N

d e

dpi e
i 1

Ep
k BT

3N

dqi
i 1

(4.93)

Prima integral din relaia (4.93), dup impulsuri, reprezint un produs de 3N integrale de
tip Poisson, de forma:

1
x 2
(4.94)
e dx ; unde 2mk T

B
adic:

3N p2
i

3N
i 1 2 mk BT

dp i
i 1

(2mk B T)

3N
2

(4.95)

Integrala a doua din relaia (4.93), dup coordonatele de poziie qi, se numete integral de
configuraie i este funcie de N, V i T:
QN e
q

Ep
k BT

3N

dq i

(4.96)

i 1

Integrala de configuraie QN se poate calcula numai dac se cunoate dependena energiei


poteniale Ep(q) de coordonatele de poziie. n asemenea condiii, integrala statistic se exprim
prin:
3N

(4.97)
Z(T, V) (2mk BT) 2 Q N
Integrala statistic este legat de energie liber a sistemului, F(T,V):
F(T, V) k B T ln Z(T, V)
Aceast relaie exprim legtura dintre energia liber a sistemului (parametru macroscopic),
F(T,V), i integrala statistic, Z, care este o caracteristic microscopic a sistemului termodinamic.
13

n asemenea condiii, determinarea proprietilor termodinamice se reduce la calcularea integralei


statistice a sistemului care permite evaluarea energiei libere, precum i a altor parametrii de stare.
Pentru gazul ideal monoatomic, Ep(q)=0, iar integrala de configuraie va fi:
3N

Q N dqi V N
q i 1

3N
2

Z(T, V) (2mk BT) V N


Mai departe se determin energia liber, cu ajutorul relaiei (4.107):
3
2

F(T, V) k BT ln Z(T, V) Nk BT ln [(2mk BT) V]


Dar F(T,V)=U-TS
care prin difereniere conduce la:
dF dU TdS SdT (TdS pdV) TdS SdT pdV SdT
iar din dependena F=F(T,V) se obine difereniala total:
F
F
dF
dV dT
V T
T S
n aceste condiii se obine:
F
p

V T
F
S
T V
innd seama de aceste relaii se determin presiunea i entropia gazului ideal monoatomic:
Nk BT
F
p

V
V T
pV Nk B T RT
care reprezint ecuaia de stare a gazului ideal.
Entropia sistemului se obine n acest caz egal cu:
3
3
1
F
S Nk B ln [(2mk BT) 2 V] Nk BT
2
T
T V
3
F
S Nk B ln [(2mk BT) 2 V] Nk B
2
T V
Energia intern, U, se obine din relaia:
3

3
2

3
2

3
3
U F TS Nk BT ln [(2mk BT) V] Nk BT ln [(2mk BT) V] Nk BT Nk BT
2
2
3
U RT
2
Cldura molar la V=const., va fi:
1 U
3
CV
R
T V 2

14

6. Efectul fotoelectric extern


Din teoria lui Max Planck a rezultat c radiaia termic i pot modifica energia lor numai
printr-o cantitate care este un multiplu ntreg al cuantei de energie =h. Albert Einstein a fost
primul care a semnalat c, n afara legilor radiaiei termice, mai exist i alte fenomene
inexplicabile n cadrul fizicii clasice, dar explicabile pe baza ipotezei de cuantificare. Einstein a
afirmat c nsi radiaia luminoas este constituit din corpusculi, numii fotoni, care se propag cu
viteza luminii (c=3108 m/s). Fotonul trebuie privit ca o particul care are energie, mas de micare
i impuls.
Energia fotonului este:
h
(5.50)
E f h
2
2
iar masa de micare a fotonului, conform mecanicii relativiste, va fi:
E
h
(5.51)
m f 2f 2
c
c
Pe de alt parte, din teoria relativitii rezult c viteza luminii n vid, deci i a fotonului,
este invariant la trecerea de la un referenial la altul. n consecin, fotonul nu posed referenial
propriu, ceea ce este echivalent cu a afirma c nu are mas proprie de repaus, adic, formal, aceasta
nseamn c m0f=0.
Impulsul fotonului este dat de relaia:
h h
(5.52)
pf mf c

h 2
(5.53)
pf
k,
p f k
2

unde k este vectorul de und al fotonului.


Prima dovad experimental pentru susinerea existenei fotonului a constituit-o explicarea
legilor efectului fotoelectric.
Efectul fotoelectric extern reprezint emisia de electroni de ctre suprafaa metalelor sub
aciunea undelor electromagnetice. Pentru studiul experimental al efectului fotoelectric se poate
folosi un dispozitiv ca cel din Fig. 5.5, care constituie o celul fotoelectric.

Fig.5.5. Dispozitiv experimental pentru studiul efectului fotoelectric extern.

Catodul celulei fotoelectrice este construit din metalul n care se studiaz emisia de electroni
sub aciunea radiaiei. Celula fotoelectric const dintr-un tub de sticl vidat prevzut cu o fereastr
de cuar, pentru a nu fi absorbite radiaiile din domeniul ultraviolet. Sub aciunea radiaiei incidente,
catodul emite electroni (numii fotoelectroni), care, datorit tensiunii U aplicate ntre anod i catod,
ajung la anod determinnd n circuitul exterior al celulei fotoelectrice un curent electric, numit
curent fotoelectric. La o diferen suficient de mare, toi fotoelectroni emii de catodul iluminat cu
radiaie monocromatic, ajung la anod. Se obine astfel un curent de saturaie, a crui valoare
depinde de intensitatea radiaiei incidente. Pentru o anumit valoare diferenei de potenial anod15

catod, U0, denumit potenial de blocare (sau de frnare), curentul fotoelectric se anuleaz, ceea ce
arat c din catod nu iese nici un electron cu energia mai mare dect eU0, unde e=1,610-19 C este
sarcina elementar a electronului.
Cercetrile experimentale au condus la urmtoarele legi ale efectului fotoelectric:
1) Intensitatea curentului fotoelectric de saturaie, IS, determinat de numrul de electroni
smuli din metal n unitatea de timp, este proporional cu fluxul radiaiei electromagnetice
incidente, , cnd frecvena radiaiei este constant (Fig. 5.6). Is S , unde S este sensibilitatea
celulei fotoelectrice.

Fig.5.6. Caracteristicile curent-tensiune n cazul efectului fotoelectric extern.

2) Energia cinetic maxim a fotoelectronilor crete liniar cu frecvena radiaiei incidente i


nu depinde de fluxul acesteia;
3) Efectul fotoelectric extern se produce numai pentru radiaii incidente a cror frecven
este mai mare sau cel puin egal cu o valoare minim, 0, numit frecvena de prag (pragul rou),
care este o caracteristic a fiecrui metal n parte. Pentru frecvene incidente mai mici dect
frecvena de prag, <0, efectul fotoelectric nu se produce.
4) Efectul fotoelectric extern se produce practic instantaneu, intervalul de timp dintre
cderea radiaiei incidente i emisia fotoelectronilor fiind foarte mic, de ordinul 10-9 s.
Legile efectului fotoelectric nu au putut fi explicate corect pe baza teoriei electromagnetice
clasice a luminii. n anul 1905, Albert Einstein a artat c aceste legi pot fi explicate dac,
extinznd ipoteza lui Planck, se admite c radiaia nsi este discontinu, fiind compus din cuante
de energie, numite fotoni. Mai departe, Einstein a considerat c efectul fotoelectric const n
absorbia unui foton de ctre electronii din metal. Dac intensitatea radiaiei electromagnetice
crete, atunci numrul de fotoni se mrete corespunztor, iar numrul de fotoelectroni i, deci, i
intensitatea curentului fotoelectric crete proporional cu intensitatea radiaiei. Pentru ca electronul
s prseasc metalul, trebuie s nving bariera de potenial de la suprafaa acestuia. Energia
necesar pentru extragerea unui electron de pe suprafaa metalului este denumit lucru mecanic de
extracie, Lex i este o mrime caracteristic fiecrui metal n parte. Cnd un foton incident
ntlnete un electron, poate ceda acestuia ntreaga energie = h. Prsind metalul electronul
nvinge bariera de potenial i va avea o anumit energie cinetic. n conformitate cu legea
conservrii energiei, electronul trebuie s aib o energie cinetic ce rezult din relaia lui Einstein:
mv 2max
h
L ex
(5.54)
2
unde s-a considerat energia cinetic maxim a electronului, deoarece Lex, reprezint lucru mecanic
de extracie a unui electron de pe suprafaa metalului. Pentru electronii aflai pe straturi interioare
din metal, energia de extracie este mai mare i deci energia lor cinetic este mai mic dect cea din
relaia (5.54).
Din relaia (5.54) se pot deduce legile efectului fotoelectric. Prima lege rezult din faptul c
fiecrui foton absorbit i corespunde un electron i, ca urmare, numrul de electroni este
proporional cu intensitatea luminii.
16

Legea a II-a rezult direct din relaia lui Einstein (5.54)


mv 2max
E c max
h Lex
2
Tot din relaia (5.54) se observ c energia cinetic maxim a fotoelectronilor nu depinde de
numrul de fotoni incideni, ci este determinat de frecvena fotonilor.
Frecvena de prag 0 este determinat de relaia:
(5.55)
h 0 L ex
adic, fotonul are o energie suficient pentru a scoate electronul din metal, energia cinetic a
fotoelectronului fiind nul. Dac <0, rezult c energia h< Lex i deci electronul nu primete
energie suficient pentru a putea prsi metalul iar efectul fotoelectric nu se produce. Astfel, pe
baza relaiei lui Einstein, poate fi explicat i legea a treia a efectului fotoelectric.
Emisia instantanee a fotoelectronilor (legea a patra a efectului fotoelectric) poate fi uor
neleas, dac se consider radiaia electromagnetic ca un flux de fotoni. Cnd un foton
interacioneaz cu un electron i transmite acestuia instantaneu toat energia sa, scondu-l din
metal.
Relaia (5.54) permite o verificare cantitativ a teoriei lui Einstein cu privire la efectul
fotoelectric. Dac ntre anod i catod se aplic o tensiune de frnare Uf, o parte din electronii emii
de catod cu o energie cinetic mai mic, nu vor ajunge la anod i deci intensitatea curentului electric
prin circuit scade odat cu creterea tensiunii de frnare. Pentru o anumit valoare a tensiunii de
frnare, U0f, nu vor mai putea ajunge pe anod nici electronii cu energia cinetic maxim i, deci,
intensitatea curentului electric prin circuit se anuleaz. n acest caz, din relaia lui Einstein, rezult:
mv 2max
(5.56)
eU 0f h L ex
2
sau
h L ex
(5.57)
U 0f

e
e
Msurnd dependena tensiunii maxime de frnare U0f de frecvena a radiaiei
electromagnetice incidente se obine o dreapt (Fig. 5.7) a crei pant este tg=(h/e). Din aceast
pant se poate determina experimental constanta lui Planck.
Mai mult, din grafic se poate determina valoarea lucrului mecanic de extracie Lex, din
intersecia dreptei cu axa ordonatelor. Pentru majoritatea metalelor, valoarea lucrului de extracie
este de ordinul unui electronvolt (1eV=1,610-19 J). Astfel de experiene au fost efectuate, pentru
prima dat, de R.A. Millikan (Premiul Nobel 1923, pentru munca sa asupra ncrcrii elementar i
efectului fotoelectric), n anul 1915, obinnd concordane perfecte cu teoria lui Einstein.

Fig.5.7. Determinarea experimental a lucrului mecanic de extracie


i a constantei lui Planck cu ajutorul efectului fotoelectric extern.

Efectul fotoelectric extern st la baza construciei unor dispozitive optoelectronice, cum ar


fi: celula fotoelectrice i fotomultiplicatorul.

17

7. Groapa de potenial unidimensional


Se numete groap de potenial un anumit domeniu dintr-un cmp de fore n care energia
potenial a particulei are valori mult mai mici dect n regiunea nconjurtoare. Pentru simplitate
considerm o particul cuantic aflat ntr-o groap de potenial unidimensional sub form
dreptunghiular, de lrgime , dispus de-a lungul axei Ox (Fig. 7.1).
Energia potenial a particulei n groapa de potenial este nul, iar n afara ei este U0, adic:
U 0 pentru x 0 (domeniul I)

(7.36)
pentru 0 x (domeniul II)
U( x) 0
U pentru x (domeniul III)
0

Fig. 7.1. Groapa de potenial unidimensional.

n cazul clasic, particula nchis ntr-o astfel de groap de potenial, rmne n aceast
groap avnd orice valoare a spectrului energetic continuu. n cazul cuantic, aa cum vom vedea
mai departe, microparticula aflat n groapa de potenial unidimensional, are un spectru discret
de energii.
Deoarece ne intereseaz numai strile staionare ale microparticulei n groapa de potenial,
vom considera ecuaia staionar a lui Schrdinger (7.14), scris numai pentru coordonata x. Astfel
n regiunea II, ecuaia Schrdinger devine:
d 2 2 ( x ) 2m 0
2 E 2 ( x ) 0
(7.37)
dx 2

Dac se noteaz cu:


2m 0
p2
2
(7.38)
k 2 E 2 0

atunci ecuaia (7.37) devine:


d 2 2 (x)
k 2 2 (x) 0
(7.39)
2
dx
Soluia general a acestei ecuaii difereniale este:
(7.40)
2 (x) A2eikx B2eikx pentru x [0, ]
Pentru E<U0, n domeniile I i III comportarea particulei va fi descris de urmtoarele
ecuaii Schrdinger staionare:
d 21( x ) 2m0
2 [ U0 E] 1( x ) 0 n domeniul I
(7.41)
dx 2

d 2 3 ( x ) 2m 0
2 [ U0 E] 3 ( x ) 0 n domeniul III
(7.42)
dx 2

Soluiile acestor ecuaii sunt de forma:


1(x )

1
1
2m 0 ( U 0 E) x

2m 0 ( U 0 E ) x

A1e
B1e

18

pentru x 0 (7.43)

1
1
2m 0 ( U 0 E) x

2m 0 ( U 0 E ) x

A3e
B3e

3 ( x )
pentru x (7.44)
n ambele soluii, coeficienii lui x de la exponeni sunt reali. Cum funciile de und 1 i
3 trebuie s ndeplineasc condiiile standard, adic s fie finite, rezult c B1=0, n regiunea I i
A3=0 n regiunea III. n aceste condiii funciile de und care descriu comportarea microparticulei n
regiunile I i III sunt:
1
2m 0 ( U 0 E) x
1(x ) A1e
pentru x 0
1

2m 0 ( U 0 E) x

3 ( x ) B3e
pentru x

(7.45)

(7.46)
n cazul gropii de potenial cu perei infinii, pentru care U0, funciile de und se
anuleaz 1 (x) 3 (x) 0 (particula nu se poate gsi n exteriorul gropii de potenial). Din
condiia de continuitate a funciei de und pe frontier, rezult:
(7.47)
2 (0) 1 (0) 0
(7.48)
2 () 3 () 0
Din condiia de continuitate a funciei de und la x=0 (7.40), rezult:
(7.49)
A 2 B 2
ceea ce nseamn c funcia de und, 2 ( x ) , care descrie comportarea particulei n groapa de
potenial (pentru x [0, ] ), devine:

(7.50)
2 (x) A 2 e ikx e ikx 2iA 2 sin kx a sin kx
Mai departe avnd n vedere condiia de continuitate (7.48), pentru x , rezult:
(7.51)
2 () a sin k 0
ceea ce pentru a 0 este posibil doar dac:
(7.52)
k n, n 1, 2, 3....
adic

(7.53)
k n n , n 1, 2, 3....

innd seama de relaia (7.38), energia total a microparticulei n groapa de potenial are
valori discrete (valori proprii), date de relaia:
2 k 2n
2 2 2
(7.54)
En

n ,
n 1, 2, 3....
2 m 0 2m 0 2
iar funciile de und corespunztoare acestor valori ale energie (funciile proprii) sunt:
n
(7.55)
n ( x ) a n sin x , n 1, 2, 3.....

Coeficienii an pot fi determinai din condiia de normare a funciei de und:
2

2 (x)

dx 1

(7.56)

sau
a 2n
a 2n
n
2n
a sin x dx
1 cos
x dx
1
2 0
2


0
de unde rezult:
2
an

Funciile proprii atemporale se scriu n final sub forma:

2
n

19

(7.57)

(7.58)

2
n
(7.59)
sin x , n 1, 2, 3.....


n Fig. 7.2 sunt reprezentate funciile de und date de relaia (7.59), pentru n=1, 2, 3, 4. Se
observ c aceste reprezentri sunt asemntoare soluiilor coardei vibrante fixate la capete, caz n
care se formeaz unde staionare.
Densitatea de probabilitate este independent de timp i va fi dat de relaia:
2
2
n
(7.61)
( x, t ) ( x, t ) * ( x, t ) sin 2 x , n 1, 2, 3.....


n Fig. 7.3 sunt reprezentate densitile de probabilitate corespunztoare strilor
caracterizate de numerele cuantice n=1, 2, 3, 4. Se observ c strile descrise de funciile de und
n (x, t ) sunt stri staionare. Rezult, deci, c probabilitatea de a gsi particula ntr-un punct sau
altul din interiorul gropii de potenial nu este aceeai pe toat lrgimea gropii, dar este constant n
timp n fiecare punct al gropii de potenial. De exemplu pentru starea staionar (n=1),
probabilitatea maxim este la mijlocul gropii de potenial, iar probabilitatea de a gsi particula la
marginea gropii de potenial este nul. n cazul clasic o particul macroscopic se poate gsi cu
probabilitate egal n orice punct al gropii.
n (x)

Fig. 7.2. Reprezentarea grafic a funciilor de und n ( x ) pentru n=1, 2, 3, 4,


n cazul gropii de potenial unidimensionale.

Fig. 7.3. Reprezentarea grafic a densitilor de probabilitate n ( x )

pentru n=1, 2, 3, 4, n cazul gropii de potenial unidimensionale.

Din relaia (7.54) se observ c energia particulei n groapa de potenial este cuantificat.
Starea cu cea mai joas energie se obine pentru n=1 i se numete starea fundamental, iar strile
20

corespunztoare numrului cuantic n2 se numesc stri excitate. Energia strii fundamentale este
dat de relaia:
2 2
(7.62)
E1
2m 0 2
iar a strilor excitate se obin uor din relaia general:
(7.63)
E n n 2 E1
Efectele cuantificrii energiei se manifest cu att mai puternic asupra distanrii nivelelor
cu ct masa m0 i mai ales lrgimea gropii de potenial sunt mai mici. Este evident c n cazul
particulelor macroscopice distanele dintre nivelele energetice succesive devin insesizabil de mici i
spectrul energetic devine continuu.

8. Modelul gazului electronic n metale


Din punct de vedere cuantic, se consider c unui metal i corespunde o groap de
potenial tridimensional, cubic de muchie L, care conine electroni ale cror nivele energetice sunt
foarte apropiate ntre ele.
Pentru electronii unui atom liber este satisfcut principiul excluziunii al lui Pauli, conform
cruia doi electroni nu pot avea aceleai patru numere cuantice: n, , m , ms. Pentru electronii
aflai n groapa de potenial vor corespunde alte patru numere cuantice care vor satisface principiul
lui Pauli. Aceste numere cuantice rezult din expresia funcie de und n1n 2n 3 a electronilor din
groapa de potenial tridimensional, dat de expresia :
(x, y, z) x (x) y ( y) z (z)
3/ 2

2
n x n y n z
n1n 2 n 3 ( x, y, z) sin 1 sin 2 sin 3
L
L L L
i de valorile proprii ale energie En, date de relaia (7.86):
2 2
2 2 2
2
2
2
En
n

n ; n1 , n 2 , n 3 Z {0}
1
2
3
2 m 0 L2
2 m 0 L2

(8.46)

(8.47)

Fig. 7.4. Groapa de potenial tridimensional.

Rezult c spectrul energetic al electronilor n metal este discret, iar dac L este foarte mare,
nivelele energetice sunt foarte apropiate. Deoarece, diferitele nivele energetice ale electronilor n
groapa de potenial tridimensional a metalului sunt determinate de cele trei numere cuantice n 1, n2,
i n3 la care se mai adaug i numrul cuantic magnetic de spin ms, atunci se obin cele patru
numere cuantice care caracterizeaz starea electronilor n metale.
n acest caz, pentru fiecare triplet de numere cuantice (n1 n2 n3) exist o singur funcie de
und n1n 2n 3 , dat de relaia (8.46), Valorile energiei En, ns, sunt aceleai pentru toate strile
descrise de numerele cuantice (n1 n2 n3) care satisfac condiia (8.47). Deci, n cazul gropii de
potenial sub form cubic, diferite stri ale microparticulei corespund unui singur nivel de energie.
21

Astfel de stri se numesc stri degenerate, iar numrul strilor cuantice (funciilor de und)
diferite, care au aceeai energie se numete grad de degenerare sau ponderea cuantic a strii.
De exemplu, pentru cazul n care:
(8.47b)
n 2 n12 n 22 n 32 9
nivelele energetice au aceeai energie, dat de relaia:
9 2 2
En
2 m0 2
iar strile cuantice sunt descrise de trei funcii de und distincte determinate de cele trei combinaii
ale numerelor cuantice (n1 n2 n3), care ndeplinesc condiia (8.47b). Gradul de degenerare n acest
caz fiind egal cu 3.
Cele trei funcii de und sunt date de relaiile:

2
122( x, y, z)
L

3/ 2

x 2y 2z
sin sin
sin

L L L

3/ 2

2x 2y z
sin
sin
sin
L L L

2
221( x, y, z)
L

3/ 2

2
2x y 2z
212( x, y, z) sin
sin sin

L
L L L
Nivelele energetice pot fi reprezentate ca puncte n spaiul numerelor cuantice (n1, n2, n3). n
acest spaiu, numrul total de stri energetice distincte ale electronilor, cu energia mai mic sau
egal cu o anumit limit E, este egal cu numrul de triplei (n1, n2, n3), care satisfac condiia:
(8.48)
n12 n 22 n 32 n 2
Numrul de stri cu energia E En se determin, dac se interpreteaz tripletul (n1, n2, n3)
ca un punct n primul octan al unei sfere de raz R=n, din spaiul numerelor de und (Fig. 8.11). Un
punct cu coordonate ntregi corespunde la o celul cu volumul (n1n2n3) = 1 i, deci, numrul de
stri energetice, G(E), este egal cu numrul de celule cuprinse n primul octan al sferei de raz n,
adic:
1 4n 3 n 3
(8.49)
G (E)

8 3
6
Din relaia (8.47) rezult expresia numrului cuantic n:
L
(8.50)
n
(2m 0 E)1 / 2

Fig. 8.11. Determinarea numrului de stri cu energia E En.

Numrul de stri cu energia E En, va avea expresia:


V
G ( E ) 2 3 ( 2m 0 E ) 3 / 2
(8.51)
6
Densitatea energetic de stri, g(E), adic numrul de stri cu energia cuprins ntr-un
interval energetic unitar, se definete prin relaia:

22

dG(E)
V
(8.52)
2 3 ( 2m 0 ) 3 / 2 E 1 / 2
dE
4
Deoarece electronii din metal sunt caracterizai i de numrul cuantic magnetic de spin ms,
1
care poate lua 2s+1 valori (unde s ), un nivel energetic are gradul de degenerare 2s+1, iar
2
densitatea de stri a electronilor va fi:
V
(8.53)
g(E) (2s 1) 2 3 (2m 0 ) 3 / 2 E1 / 2
4
Deoarece numrul cuantic de spin, n cazul electronilor este s=1/2, rezult c densitatea
energetic de stri n cazul electronilor din metale este:
V
(8.54)
g ( E ) 2 3 ( 2m 0 ) 3 / 2 E 1 / 2
2
sau
4V
(8.55)
g ( E ) 3 ( 2m 0 ) 3 / 2 E 1 / 2
h
Numrul electronilor care au energia cuprins n intervalul de energie E i E+dE, este
dat de produsul dintre numrul de stri energetice din intervalul de energie menionat g(E)dE i
probabilitatea de ocupare a acestor stri. Deoarece electronii sunt fermioni, acetia se supun
statisticii Fermi-Dirac (7.172), probabilitatea de ocupare a unei stri energetice este chiar funcia de
distribuie Fermi-Dirac, fFD(E,T). n aceste condiii numrul electronilor care au energia cuprins n
intervalul de energie E i E+dE, va fi:
(8.56)
dN(E) g(E) f FD (E, T)dE
Deoarece electronii sunt caracterizai de numrul cuantic magnetic de spin ms, pe fiecare
nivel energetic pot exista cel mult doi electroni cu spinii antiparaleli. Rezult c la T0 K,
electronii vor ocupa toate nivelele energetice pn la o anumit valoare, EF, numit energia Fermi
(Fig. 8.12 a). La zero absolut cei N electroni din metal vor ocupa N/2 nivele de energie, iar funcia
Fermi-Dirac (7.172), trebuie s satisfac condiiile:
1 dac E E F
f FD (E, T)
(8.57)
0 dac E E F
g ( E)

Aceste condiii sunt satisfcute dac potenialul chimic, (0), la T=0 K, reprezint energia
Fermi, EF, adic:
1
(8.58)
f FD (E, T) E E
F

e
1
La temperaturi mai mari ca zero absolut (T0 K), o parte din electronii care au energie
apropiat de energia Fermi pot ctiga energie termic i sar pe nivele energetice superioare EEF
(Fig. 8.12 b).
k BT

a)

b)

Fig. 8.12. Electronii n groapa de potenial: a) T=0 K, b) T0 K.

23

Limita pn la care pot fi ocupate strile superioare nivelului Fermi este dat de mrimea
energiei termice kBT. n mod corespunztor, o parte din nivelele situate sub limita nivelului Fermi,
pn la (EF- kBT), vor fi depopulate, astfel c pe un interval de energie 2 kBT, n jurul nivelului
Fermi, va exista n medie cte un electron pe fiecare nivel. La temperaturi foarte mari electronii pot
chiar prsi groapa de potenial, adic pot prsi metalul respectiv.
Dependena de energie a funciei Fermi-Dirac fFD(E,T) la T=0K i T0 K este reprezentat
n Fig.8.13. Din Fig. 8. 13 se observ c pentru T0 K apar electroni cu energie peste nivelul Fermi.
De asemenea, se observ c probabilitatea de ocupare a nivelului Fermi la orice temperatur T0 K
este 1/2.

Fig. 8.13. Funcia de distribuie Fermi-Dirac.

De exemplu, pentru a determina energia nivelului Fermi E F n funcie de concentraia n0 a


electronilor liberi din metale trebuie s se calculeze numrul de electroni cu energia cuprins ntre E
i E+dE. Acest numr de electroni este dat de relaia (8.56), unde se ine seama de relaia (8.55),
pentru g(E) i de relaia (8.57) pentru funcia Fermi-Dirac, fED(E,T)=1, la T=0 K, adic:
4 V
(8.59)
dN 3 2m 0 3 / 2 E1/ 2 dE
h
Prin integrarea relaiei (8.59) ntre zero i EF, i apoi raportnd la volumul total al metalului
V, se obine concentraia electronilor:

N
n0
V

EF

4
3

2m0 3 / 2 E1/ 2dE

8
2

2m0 3 / 2 E3F/ 2

h
3h
de unde rezult energia Fermi n metale la T=0 K:

(8.60)

2/3

h 2 3n 0
(8.61)
EF

8m0
Din relaia (8.61) sau (8.61) se observ c energia Fermi este funcie numai de concentraia
n0 a electronilor i cum pentru metale ea este n jur de 1028 - 1029 electroni/m3, rezult o energie
Fermi cuprins n intervalul 1-10 eV i o temperatur Fermi, TF=EF/kB cuprins ntre 104 K i 105
K, care este aproximativ cu dou, trei ordine de mrime peste temperatura de topire a metalelor.
Exemplu de calcul, pentru electronul de mas m0=9,1 10-31 kg i o concentraie de
aproximativ n0=1029 electroni/m3, se obine:

6.6262 1068 3 1029


EF
8 9,1 1031

2/3

1
7,87 eV
1,6 1019

E F 7,87 1,6 1019

9,12 104 K

23
kB
1,38 10
n calcule s-a utilizat valorile constantei lui Planck: h=6,626 10-34 J/K i a constantei lui
Boltzmann: kB=1,38 10-23 kg.
TF

24

9. Concentraiile purttorilor de sarcin n semiconductorii intrinseci


Structura de tip diamant n care cristalizeaz Si i Ge, poate fi reprezentat printr-un model
bidimensional, numit modelul legturilor de valen (Fig. 9.3) care ilustreaz corect principalele
proprieti ale acestui tip de structur. Aa cum s-a artat n capitolul VI, configuraia electronic a
atomului de Si (Z=14), este: 1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 2 . Cercurile din Fig. 9.3, avnd nscrise simbolul Si,
indic miezurile ionice, inerte i pozitive, compuse din nucleu i electronii periferici de pe orbitele
interioare, cu excepia celor 4 electroni de valen. Ultima subptur electronic (3p2) a unui atom
de Si este incomplet, de pe ea lipsind 4 electroni.
Legtura covalent se realizeaz printr-o pereche de electroni pui n comun ntre atomii
vecini, fr a fi transferai de la unul la cellalt i ocupnd dou orbitale stabile, cte unul pentru
fiecare atom. Cei doi electroni au spinii antiparaleli. Fiecare atom, datorit legturii covalente, are
n reeaua cristalin 8 electroni periferici, devenind n acest mod o structur stabil, similar cu cea
a gazelor nobile. Aceti electroni periferici leag miezurile ionice prin atracie columbian,
asigurnd coeziunea cristalului semiconductor.
La temperaturi sczute, apropiate de zero absolut, materialele semiconductoare se comport
ca nite izolatori, toi electronii de valen din structura cristalin a semiconductorului particip la
formarea legturilor covalente, neexistnd electroni liberi care s asigure conducia electric.
Legturile covalente pot fi rupte dac fiecare electron primete din exterior o energie mai
mare sau egal cu energia de legtur a electronului n atom (1,10 eV pentru Si). Electronii care
primesc energie egal cu energia de legtur, devin liberi, putndu-se deplasa n cristal n mod
similar cu electronii liberi din metale. Aceti electroni se numesc electroni de conducie,
concentraia acestora depinznd puternic de temperatur. Un numr egal de legturi covalente vor
rmne nesatisfcute, determinnd apariia unor regiuni de sarcin pozitiv, denumite goluri. Are
loc astfel un proces de generare de perechi electron-gol. Astfel, concentraia electronilor de
conducie n va fi egal cu cea golurilor, p. Dac generarea perechilor electron-gol este datorat unei
radiaii luminoase, fenomenul se numete generare optic iar dac generarea se datoreaz unei
surse de cldur, se numete generare termic.
La conducia electric a semiconductorului particip deopotriv att electronii ct i golurile.
Deplasarea golurilor este ns mai complex, deoarece, ea este determinat de electronii de valen
ai semiconductorului. Astfel, o legtur covalent rupt poate fi refcut prin deplasarea unui
electron de valen de la un atom vecin. La rndul ei, aceast nou legtur rupt, prin plecarea
electronului de valen, poate fi ocupat de un alt electron de la un alt atom vecin i aa mai departe
(Fig. 9.4).

Fig. 9.3. Modelul legturilor de


valen pentru Si.

Fig. 9.4. Generarea unei perechi


electron-gol n semiconductorul intrinsec de Si

Deplasarea golului este independent de micarea electronilor de conducie. Micarea


electronilor de conducie i a golurilor se datoreaz agitaiei termice haotice, dar sub aciunea unui
cmp electric poate cpta un caracter dirijat. Electronul se deplaseaz n sens opus cmpului
electric, fiind o particul cu sarcina negativ qn=-e i mas efectiv m n , iar golul se deplaseaz n
25

sens opus cmpului electric, ca i cum ar fi o particul pozitiv cu sarcina pozitiv qp=+e i cu o
mas efectiv m p . Masele efective m n i m p ale electronului i respectiv golului, include efectul
cmpului electric periodic al cristalului semiconductor, cei doi purttori de sarcin fiind supui doar
forelor externe, macroscopice. Electronul de conducie i golul sunt particule fictive care au sens
doar n interiorul semiconductorului. Procesul invers, n care legtura covalent se reface prin
revenirea unui electron liber se numete recombinarea purttorilor de sarcin.
Concentraia electronilor
Pentru calcularea concentraiei purttorilor de sarcin n semiconductorii intrinseci, aflai la
echilibru termodinamic, la o temperatur T 0 K, trebuie s se in seama att de concentraia
electronilor din banda de conducie ct i de concentraia golurilor din banda de valen. Deoarece
ambele tipuri de purttori sunt fermioni, att electroni ct i golurile se vor supune legii de
distribuie Fermi-Dirac (8.58).
Numrul de electroni din unitatea de volum din banda de valen, cu energia cuprins ntre E
i E+dE, va fi egal cu produsul dintre densitatea de stri pe unitatea de volum, gn(E), probabilitatea
de ocupare a unui anumit nivel, fn (E,T), i intervalul energetic dE:
(9.5)
dn 0 g n (E) f n dE
n cazul semiconductorilor, expresia densitii de stri permise pe unitatea de volum pentru
electroni, gn(E), se abate de la expresia (8.55) din cazul metalelor, deoarece, n semiconductori, spre
deosebire de metale, pe lng benzile de energie permise exist i benzi de energie interzise.
Deoarece, majoritatea strilor ocupate de electroni se afl n apropierea limitei inferioare a benzii de
conducie, atunci lund ca referin energia Ec, corespunztoare minimului benzii de conducie,
densitatea de stri pe unitatea de volum pentru electroni este dat de relaia:
4
(9.6)
g n (E) 3 (2m*n ) 3 / 2 (E E c )1 / 2
h
iar expresia (9.5) devine:
4
1
dn 0 3 (2m*n ) 3 / 2 (E E c )1 / 2 E E
dE
(9.7)
F
h
e k BT 1
Deoarece, concentraia electronilor din banda de conducie este mic comparativ cu cea a
atomilor, se poate admite c gazul electronic este nedegerat, pentru care este satisfcut
inegalitatea:
(9.8)
E E F k B T
n aceste condiii n expresia funciei Fermi-Dirac, se poate neglija unitatea n raport cu
exponeniala, funcia Fermi-Dirac putnd fi nlocuit cu funcia de distribuie Boltzmann:
f n ( E, T )

1
E E F
k BT

E E F
k BT

(9.9)

e
1
Concentraia electronilor poate fi calculat prin integrarea relaiei (9.7) ntre minimul benzii
de conducie, Ec i :

4
n 0 3 (2m*n ) 3 / 2 (E E c )1 / 2 e
h
Ec

E E F
k BT

dE

(9.10)

Cum energia nivelului Fermi EF=const., se poate scoate n faa integralei i rezult:
EF

4
* 3 / 2 k BT
n 0 3 ( 2m n ) e
(E E c )1 / 2 e k BT dE

h
Ec

n relaia (9.11) se nmulete i se mparte cu expresia e

26

(9.11)

Ec
k BT

i se obine:

4
n 0 3 (2m*n ) 3 / 2 e
h

E F Ec

k BT

(E E c )

1/ 2

E Ec
k BT

(9.12)

dE

Ec

Se face schimbarea de variabil sub integral:


E Ec
dE
x
;
dx
k BT
k BT
i rezult:

(9.13)

E F Ec

4
n 0 3 (2m*n k B T) 3 / 2 e k BT x 1 / 2 e x dx
h
0
Integrala din relaia (9.14) este o integral de tip Euler:

(9.14)

(r ) x r 1e x dx
0

(r 1) x r e x dx x r (e x )' dx x r e x r x r 1e x dx r x r 1e x dx r(r)
0

1
1
1 1

, unde ( )
( 1) ( )
2
2
2 2
2
n aceste condiii integrala din relaia (9.14) va fi egal cu:

2
0
i relaia (9.14), devine:

1/ 2 x

n0

e dx

(9.15)

2
h

(2m*n k B T) 3 / 2 e
3

Ec E F
k BT

Nce

Ec E F
k BT

(9.16)

unde
2
(9.17)
(2m*n k B T) 3 / 2
3
h
reprezint densitatea efectiv de stri a electronilor din banda de conducie.
La temperatura de 300 K, pentru Si, densitatea de stri este Nc=2,72 1019 cm-3 iar pentru Ge,
Nc=1019 cm-3.
Concentraia golurilor
Pentru a determina concentraia golurilor din banda de valen, la echilibru termic, trebuie
menionat c acestea apar pe seama trecerii electronilor din banda de valen n banda de conducie.
n aceste condiii funcia de distribuie Fermi-Dirac pentru goluri i pentru electroni trebuie s
satisfac relaia:
fn fp 1
(9.18)
deoarece o stare energetic poate fi ocupat fie de un electron fie de un gol.
Din relaia (9.18) rezult:
1
1
f p ( E, T ) 1 E E
E E
(9.19)
Nc

e
1 e
1
care se poate aproxima n condiiile gazului nedegenerat cu funcia Boltzmann:
k BT

f p ( E, T )

E E F
k BT

k BT

E E F
k BT

(9.20)

e
Deoarece majoritatea strilor ocupate de goluri sunt situate n apropierea limitei superioare a
benzii de valen (de unde au plecat electronii n banda de conducie), densitatea de stri pe unitatea
de volum pentru goluri este:

27

4
(9.21)
(2m*p ) 3 / 2 (E v E)1 / 2
3
h
Concentraia golurilor din BV, avnd energia cuprins ntr-un interval E i E+dE va fi dat
de relaia:
(9.22)
dp 0 g p (E) f p dE
g p ( E)

dp 0

E E F
k BT

(9.23)
E) e
dE
h
Pentru calculul concentraiei golurilor din banda de valen, trebuie inut seama c pentru
goluri creterea energie nseamn deprtarea de limita superioar a benzii de valen, E v. Ca urmare
relaia (9.23) trebuie integrat ntre - i Ev. Se obine astfel relaia integral:
(2m*p ) 3 / 2 (E v
3

1/ 2

V
4
p 0 3 (2m*p ) 3 / 2 (E v E)1 / 2 e
h

E E F
k BT

(9.24)

dE

EF E

V
4
p 0 3 (2m*p ) 3 / 2 e k BT (E v E)1 / 2 e k BT dE
h

(9.25)

Dup nmulirea i mprirea relaiei (9.25) cu e


E v E F E
V
k BT

E E
v
k BT
1/ 2

4
(2m*p ) 3 / 2 e
( E v E)
h3

Fcnd schimbarea de variabil:


E E
dE
x v
;
dx
k BT
k BT
se obine:
p0

dE

Ev
k BT

, se obine:
(9.26)

(9.27)

E v E F

4
p 0 3 (2m*p k B T) 3 / 2 e k BT x 1 / 2 e x dx
(9.28)
h
0
Dup nlocuirea integralei cu expresia (9.15), relaia (9.28) se obine:

p0

2
h

(2m*p k B T) 3 / 2 e
3

E F E v
k BT

N ve

E F E v
k BT

(9.29)

unde
2
(9.30)
(2m*p k B T) 3 / 2
3
h
reprezint densitatea efectiv a strilor energetice pentru golurile din banda de valen. La
temperatura de 300 K, pentru Si, densitatea de stri pentru goluri este Nv=1019 cm-3 iar pentru Ge,
Nv=6 1019 cm-3.
Nv

10. Semiconductori extrinseci de tip n


Introducerea anumitor impuriti ntr-o proporie foarte redus, modific considerabil
proprietile electrice ale cristalului semiconductor. Impurificarea controlat a semiconductorilor se
numete dotare sau dopare. n general concentraia impuritilor este de un atom de impuritate la
105-106 atomi ai semiconductorului de baz.
n funcie de natura atomilor de impuritate i de structura reelei semiconductorului de baz,
aceti atomi pot fi donori de electroni sau acceptori de electroni. Ca impuriti donoare se folosesc
elementele pentavalente (P, As, Sb, Bi) iar ca impuriti acceptoare se folosesc elemente trivalente
(B, Al, Ga, In). Introducerea atomilor de impuritate n reeaua cristalin a siliciului sau a
28

germanului, n proporie redus nu modific structura cristalin i proprietile chimice i mecanice


ale semiconductorului.
Semiconductorul cu impuriti donoare, n care concentraia de electroni n este mai mare
dect cea a golurilor, p, se numete semiconductor extrinsec de tip n. Modelul legturilor de valen
a semiconductorului extrinsec de tip n, n care s-a considerat doparea semiconductorului cu atomi
de As, este prezentat n Fig. 9.5a. Patru electroni de valen ai atomului de As satisfac legturile
covalente cu cei patru atomi vecini de Si. Al cincilea electron de valen al atomului de As, nefiind
prins n nici o legtur covalent va fi mai slab legat de atom, putnd deveni electron de conducie.
Pentru aceasta este suficient o energie n jur de 0,049 eV la Si i de 0,012 eV la Ge. Chiar la
temperaturi foarte reduse, n jur de 10-20 K o mare parte din atomii de impuritate vor fi ionizai,
determinnd creterea puternic a concentraiei de electroni. La temperatura camerei, 300 K, practic
toi atomii de impuritate vor fi ionizai. n aceste condiii concentraia electronilor devine mult mai
mare dect cea a golurilor (np). Impuritile pentavalente se numesc donoare deoarece doneaz
electroni pentru conducie. Atomii de impuritate ionizai constituie sarcini imobile n reeaua
cristalin i nu particip la conducia electric.

Fig. 9.5. Modelul legturilor de valen pentru semiconductorul extrinsec de tip n.

Considerm un semiconductor extrinsec de tip n, aflat la echilibru termodinamic, dopat cu o


concentraie Nd atomi donori (atomi pentavaleni). La temperatura T=0 K, nivelul donor de
energie Ed este complet ocupat cu electroni (Fig. 9.15 a). Aceast observaie permite localizarea
nivelului Fermi ntre nivelul donor Ed i limita inferioar a benzii de conducie Ec.
Datorit energiei de ionizare extrem de mic la temperatura foarte sczute, n jur de 10-20
K, un numr de atomi donori vor fi ionizai (Fig. 9.15 b). n urma acestui proces de ionizare a
impuritilor donoare, electronii vor determina apariia unei concentraii de electroni n banda de
conducie mult mai mare dect la semiconductorii intrinseci.

a)

b)

c)

Fig. 9.15. Generarea termic a purttorilor de sarcin n semiconductorul extrinsec


de tip n: a) T=0 K, b) generarea extrinsec, c) generarea intrinsec.

Probabilitatea ca un atom donor s fie ionizat, adic s cedeze un electron, se poate


reprezenta printr-o funcie de distribuie similar cu cea pentru golurile din semiconductorul
intrinsec (9.19):
29

f D ( E, T )

(9.45)

E E
d Fn
k BT

e
1
unde EFn este nivelul Fermi n semiconductorul de tip n.
Concentraia atomilor donori ionizai, pe nivelul donor, va fi:
N
N d E Ed

(9.46)

Fn

e k BT 1
Pentru semiconductorul nedegenerat, la care concentraia impuritilor donoare, Nd, este
relativ mic (1014-1018 atomi/cm3) i aflat la temperaturi sczute, relaia (9.46) trece n funcia de
distribuie Boltzmann i devine:
E d E Fn
k BT

N d

(9.47)
Nde
n acelai timp, concentraia electronilor n banda de conducie va fi dat, conform relaiei
(9.16), de expresia:

E c E Fn
k BT

(9.48)
n Nce
La temperaturi sczute, concentraia electronilor din banda de conducie este practic
determinat numai de electronii provenii de pe nivelul donor, adic:
n

N d

Nde

E d E Fn
k BT

(9.49)

sau

E c E Fn
k BT

E d E Fn
k BT

(9.50)
Nce
Nde
de unde rezult expresia nivelului Fermi:
E E d k BT N c

E Fn c

ln
(9.51)
2
2
N
d

Concentraia electronilor poate fi calculat acum prin nlocuirea nivelului Fermi EFn n
relaia (9.48). Rezult:
n Nc Nd e

Ec Ed
2 k BT

(9.52)

sau
n Nc Nd e

E d
2 k BT

(9.53)

n care mrimea Ed este dat de relaia:


Ed=Ec-Ed
(9.54)
reprezint intervalul energetic dintre banda de conducie i nivelul donor.
Prin nlocuirea lui Ec din relaia (9.54), relaia (9.51) devine:
E d k B T N c

E Fn E d

ln
(9.55)
2
2
Nd
Din relaia (9.55) se observ c la T=0 K, nivelul Fermi extrinsec, E Fn, este situat la mijlocul
distanei dintre nivelul donor Ed i minimul benzii de conducie Ec (Fig. 9.16). La creterea
temperaturii nivelul Fermi, EFn, ncepe s scad spre nivelul Fermi intrinsec, Ei, situat aproximativ
la mijlocul benzii interzise a semiconductorului.
Aceast comportare poate fi neleas dac se analizeaz dependena de temperatur a
concentraiei purttorilor de sarcin.
ntr-adevr, odat cu creterea temperaturii apare i fenomenul de generare intrinsec a
purttorilor (Fig. 9.15 c), care conduce la apariia unei concentraii de goluri n banda de valen i
30

la creterea concentraiei electronilor din banda de conducie. n aceste condiii din relaia de
neutralitate a semiconductorului (9.44), se obine:
(9.56)
n N d p
iar concentraia golurilor va fi:
n i2
(9.57)
p
n

Fig. 9.16. Pozitia nivelului Fermi n semiconductorii extrinseci de tip n la T=0 K.


.

Din relaiile (9.56) i (9.57), rezult ecuaia care permite determinarea concentraiei
electronilor de conducie:
2
1

(9.58)
n N d N d 4n i2
2

ncepnd cu temperaturi situate n jur de T=100 K, toi atomii donori sunt ionizai iar
concentraia intrinsec ni, deci i a golurilor, este mult mai mic dect concentraia electronilor,
adic:
N d N d n i
(9.59)
Din relaia (9.58), rezult concentraia electronilor:
n N d const.
(9.60)
iar din relaia (9.57), se poate calcula concentraia golurilor:
n2
(9.61)
p i n
Nd
Relaiile (9.60) i (9.61) sunt valabile ntr-un domeniu de temperaturi cuprins ntre 100 K i
500 K, care se numete domeniul de epuizare a impuritilor.
Nivelul Fermi n acest domeniu de temperaturi se obine din relaia (9.48), n care concentraia
electronilor n banda de conducie este n=Nd:
N
E Fn E c k B T ln c
(9.62)
N
d
Peste temperaturi mai mari dect 500 K, concentraia electronilor generai intrinsec din
banda de valen crete apreciabil i devine mult mai mare dect cea datorat ionizrii atomilor
donori (niNd), ceea ce va conduce la o cretere corespunztoare a concentraiei de goluri.. Dac
numrul golurilor aprute n banda de valen depete cu mult concentraia donorilor, atunci
semiconductorul se comport ca un semiconductor intrinsec. Din relaiile (9.58) i (9.57) rezult c
electronii i golurile au concentraii egale cu concentraia intrinsec n=p=n i. Nivelul Fermi, n acest
caz, tinde spre nivelul Fermi intrinsec, Ei, fiind determinat de relaia (9.37).
31

Odat cu creterea concentraiei atomilor donori, Nd, nivelul Fermi scade mai lent cu
creterea temperaturii spre nivelul Fermi intrinsec. De asemenea, se poate arta c n domeniul
temperaturilor joase nivelul Fermi prezint o cretere pn la o valoare maxim, corespunztoare
intrrii semiconductorului n domeniul de epuizare.
n majoritatea aplicaiilor practice, concentraia purttorilor de sarcin din semiconductorii
intrinseci corespunde domeniului de epuizare, pentru care concentraia purttorilor este exclusiv
extrinsec i dat de relaia (9.60). n Fig. 9.17 este reprezentat grafic dependena concentraia
electronilor i golurilor ntr-un semiconductor de tip n, n funcie de temperatur.

Fig. 9.17. Dependena de temperatur a concentraiei purttorilor de sarcin


ntr-un semiconductor extrinsec de tip n.

11. Cureni de drift n semiconductori


Considerm un semiconductor omogen de tip n, aflat ntr-un cmp electric exterior de

intensitate electric E . Asupra electronilor actioneaza o forta electrica:

Fn eE
Sub aciunea acestei forte electronii vor avea o micare uniform accelerat cu o acceleraie:

Fn
eE
(10.5)
an * *
mn
mn
n prezena cmpului electric, peste micarea de agitaie termic a electronilor, se va
suprapune i o micare dirijat dup direcia cmpului dar n sens opus cmpului, numit micare de
drift. n Fig. 10.2 se prezint traiectoria unui electron care se mic sub influena agitaiei termice i
a cmpului electric.

Fig. 10.2. Micarea de drift a electronului n semiconductori.

Viteza medie suplimentar datorat aciunii cmpului electric, numit vitez de drift i care
se suprapune peste viteza termic, este dat de relaia:

e
vn a n n *n E n E
(10.6)
mn
unde
32

e n

(10.7)
m *n
este mobilitatea electronilor i este timpul mediu dintre dou ciocniri succesive.
ntr-un semiconductor extrinsec de tip p, purttorii majoritari fiind golurile, acestea se vor
deplasa sub actiunea unei forte:

Fp eE
acceleratia va fi:

Fp

eE
an * *
mp mp
iar viteza de drift, vp, n sensul cmpului va fi dat de o relaie asemntoare cu relaia (10.6):

ep

(10.8)
v p a p p * E p E
mp
unde
p

e p

(10.9)

m *p

este mobilitatea golurilor.


Mobilitatea purttorilor este reprezint viteza de drift a purttorilor corespunztoare unui
cmp electric egal cu unitatea i se msoar n m2/Vs n SI. Mobilitatea purttorilor depinde de
natura semiconductorului, de tipul purttorului de sarcin, de temperatur i de concentraia de
impuriti. Odat cu creterea concentraiilor de impuriti, mobilitatea scade, deoarece crete
numrul de ciocniri cu ionii de impuritate. La concentrai reduse de impuriti, conteaz doar
ciocnirile cu fononii. Numrul ciocnirilor cu fononii devine din ce n ce mai mare cu ct
temperatura este mai mare. Ca urmare mobilitatea purttorilor scade odat cu creterea temperaturii,
dup legea ~T-, unde este un coeficient cu valori cuprinse ntre 1 i 2,5 pentru majoritatea
semiconductorilor.
Pentru cmpuri electrice mai mici de 104 V/m, viteza de drift este mult mai mic dect
viteza termic, iar mobilitatea purttorilor este aproximativ constant.
ntr-un semiconductor intrinsec, unde conducia electric este asigurat prin ambele tipuri de

purttori, sub aciunea unui cmp electric exterior E , electronii se vor deplasa n sens contrar
cmpului electric iar golurile n acelai sens cu cmpul electric. Vitezele de drift corespunztoare
deplasrii electronilor i golurilor vor fi date de relaiile (10.6) i (10.8). Acestor deplasri de

sarcini, n semiconductor intrinsec va apare o densitate de curent J ndrift corespunztoare deplasrii

electronilor i o densitate J pdrift corespunztoare golurilor. Avnd n vedere c sensul pozitiv al


curentului electric este dat de sensul de deplasare al sarcinilor pozitive (sau de sensul opus
deplasrii electronilor), rezult c ambele componente ale densitii de curent au sensul deplasrii

golurilor, adic n sensul cmpului electric exterior E .


Pentru deducerea expresiei densitii de curent, vom nota cu dQn sarcina electric care
strbate perpendicular un element de suprafa dS, din interiorul unui semiconductor de tip n, aflat

n cmp electric exterior E (Fig. 10.3 a). Aceasta nseamn c toi electronii care se gsesc n
momentul iniial n interiorul paralelipipedului cu lungimea vndt, vor strbate suprafaa dS, n
intervalul de timp dt. Dac n este concentraia electronilor, atunci sarcina dQn se poate exprima
astfel:
dQn edN n env n dtdS
(10.10)
n aceste condiii, intensitatea curentului electric va fi:
dQn
dIdrift

n
dt
iar densitatea de curent a electronilor este dat de relaia:
33

J drift

dIdrift
dQn
n

env n
dS
dSdt

(10.11)

sau vectorial:
drift

(10.12)
Jn envn
Dac se ine seama de expresia vitezei de drift a electronilor (10.6), rezult:
drift

(10.13)
Jn enn E
Pentru un semiconductor de tip p (Fig. 10.3 b) se poate face acelai raionament ca i n
cazul semiconductorului de tip n, cu deosebirea c sarcina golurilor este egal cu (+e) iar
concentraia acestora este p.
dQp edN p env pdtdS
dIdrift

J drift

dQp
dt

dIdrift
p

dQp

env p
dS
dSdt
n acest caz se obin urmtoarele expresii pentru densitatea de curent de goluri:
drift

(10.14)
Jp epvp
drift

(10.15)
Jp epp E

a)

b)

Fig. 10.3. Sensurile vitezei i a curentului de drift n semiconductori:


a) pentru electroni, b) pentru goluri.

ntru-un semiconductor cu ambele tipuri de purttori densitatea total de curent se obine


adunnd cele dou componente ale densitii de curent pentru electroni i pentru goluri:
drift drift drift

J
J n J p env n epv p en n E ep p E
(10.16)
sau
drift

J
e (n n p p ) E
(10.17)
Curentul electric ntr-o seciune oarecare S a unui semiconductor este o mrime scalar, care
se obine integrnd produsul scalar dintre densitatea de curent i elementul de suprafa:

I J drift dS
(10.18)
S

Relaia (10.17) este valabil n cmpuri electrice care nu depesc valoarea de aproximativ
7
10 V/m. La intensiti mai mari ale cmpului electric apar fenomene suplimentare, cum ar fi
multiplicarea prin avalan a purttorilor, care determin o cretere brusc a curentului electric n
semiconductori.
Conductivitatea electric a semiconductorilor, , poate fi determinat din expresia legii Ohm
sub forma local, care leag densitatea de curent de cmpul electric ntr-un punct:
drift

(10.19)
J
E
Din relaia (10.17) se obine expresia conductivitii electrice a semiconductorului:
34

e(n n p p ) n p

(10.20)
ntr-un semiconductor de tip n, pentru care concentraia electronilor este mult mai mare
dect concentraia golurilor, np, conductivitatea semiconductorului va fi:
(10.21)
n en n
iar ntr-un semiconductor de tip p, pentru care pn, rezult:
p ep p
n cazul semiconductorului intrinsec, deoarece n=p=ni, conductivitatea electric va fi dat de
relaia:
(10.20)
i en i ( n p )
La temperaturi sczute, conductivitatea semiconductorului, n, crete odat cu creterea
temperaturii, deoarece n aceast regiune concentraia electronilor crete exponenial cu
temperatura, conform relaiei (9.53). n aceast regiune are loc ionizarea treptat a impuritilor
donoare, iar conductivitatea este dat de relaia:
n en n e n N c N d e

E d
2 k BT

(10.21)

E d
2 k BT

(10.22)
n Ce e
unde Ce este o constant independent de temperatur, deoarece se poate considera c variaia
mobilitii n aceast regiune este mult mai slab dect variaia concentraiei electronilor, care crete
exponenial.
In domeniul de epuizare a impuritilor, cnd practic toate impuritile au fost ionizate i,
deci, concentraia electronilor este aproximativ independent de temperatur, n = Nd =const. Totui,
conductivitatea electric n aceast regiune, dat de relaia:
n=enNd const.
(10.23)
prezint o uoar scdere la creterea temperaturii la fel cum scade mobilitatea electronilor n cu
temperatura.
La temperaturi ridicate, concentraiile purttorilor cresc foarte mult, deoarece apare
fenomenul de generare intrinsec a perechilor electron-gol, niNd. n aceste condiii, aa cum am
artat n subcapitolul 9.5.1, semiconductorul se comport ca un semiconductor intrinsec. n aceast
regiune conductivitatea semiconductorului crete foarte mult i este practic dat de conductivitatea
intrinsec (10.20). Dac se ine seama de expresia concentraiei intrinseci ni (relaia 9.40),
dependena de temperaturii a conductivitatea electric a semiconductorului va fi:

Eg

(10.24)
n e ( n p )n i C i e
Dependena conductivitii electrice de temperatur a semiconductorilor permite
determinarea benzii interzise a semiconductorilor, Eg i localizarea nivelului donor, Ed fa de
minimul benzii de conducie a semiconductorilor.
Astfel, dac se msoar experimental conductivitatea electric a unui semiconductor de tip n
i se traseaz graficul ln n=f(1/T) (Fig. 10.5), se obin trei regiuni, descrise de relaiile:
E d 1
ln n ln C e
, n regiunea I
(10.25)
2k B T
ln n ln (e n N d ),
n regiunea II
(10.26)
Eg 1
(10.27)
ln n ln C i
, n regiunea III
2k B T
2 k BT

35

Fig. 10.5. Graficul ln n=f(1/T) pentru un semiconductor extrinsec de tip n.

n regiunea I, regiunea temperaturilor joase, se poate aprecia c prin creterea temperaturii


pn la temperatura extrinsec Te, dependena ln n=f(1/T) este liniar. Din panta dreptei n aceast
regiune, tg e , se poate determina intervalul energetic dintre minimul benzii de conducie i
nivelul donor:
E d 2k B tg e
(10.28)
Lrgimea benzii interzise, Eg, se poate calcula din panta poriunii liniare,

tg i

corespunztoare temperaturilor mai mari dect temperatura intrinsec (regiunea III), TTi:
E g 2k B tg i
(10.29)
Deoarece, EgEd, rezult tg i tg e .
n regiunea II graficul ln n=f(1/T) prezint un palier deoarece acesta corespunde
domeniului de epuizare a impuritilor. n cazul Si dopat cu P n concentraie de Nd=31014 cm-3,
domeniul de epuizare a impuritilor este cuprins ntre Te=45 K i Ti=500 K.
Un raionament asemntor cu cel pentru semiconductorul de tip n se poate face i pentru un
semiconductor de tip p.

12. Cureni de difuzie n semiconductori


n materialele semiconductoare care sunt impurificate neuniform, n afara curentului de drift
apare i un curent de difuzie. Aceti cureni de difuzie apar ca urmare a existenei unui gradient
de concentraie a purttorilor de sarcin. Gradientul concentraiei de purttori poate apare
ntotdeauna atunci cnd un semiconductor este dopat neuniform sau n urma injectrii de purttori
ntr-o anumit regiune limitat a semiconductorului prin aciunea radiaiilor electromagnetice sau a
unui cmp electric aplicat la un capt sau ntr-o zon a semiconductorului.
Considerm un semiconductor de tip n, n care la momentul iniial, exist un gradient de
concentraie dup axa Ox, (dn/dx0); distribuia electronilor dup axele Oy i Oz fiind uniform
(Fig. 10.7 a). Electronii vor difuza din regiunea cu o concentraie ridicat spre regiunea cu o
concentraie mai redus, n cazul din Fig. 10.7 a, electronii se vor deplasa n sensul pozitiv al axei
Ox, pn cnd gradientul de concentraie dispare. Se produce astfel un flux de particule (electroni)
n sensul pozitiv al axei Ox, proporional cu gradientul de concentraie, dat de legea lui Fick, adic:
dn
(10.35)
n D n
dx
unde Dn se numete coeficientul de difuzie al electronilor i se msoar n m2/s.
Semnul - din relaia (10.35) arat c fluxul de particule este orientat ntotdeauna n
sens contrar gradientului de concentraie indiferent de tipul particulelor (Fig. 10.7).

36

a)

b)

Fig. 10.7. Difuzia purttorilor de sarcin n semiconductori: a) difuzia electronilor, b) difuzia golurilor.

Prin definiie fluxul de particule este egal cu numrul de particule ce traverseaz


unitatea de suprafa aezat perpendicular la direcia de difuzie a particulelor n unitatea de
timp.
dN n
n
dSdt
Micrii ordonate a electronilor va corespunde un curent electric de difuzie de intensitate:
dQn e dN n
dIdif

n
dt
dt
a crui densitate de curent este egal cu:
dIdif
n e dN n e e D dn
J difuzie

n
n
n
dS
dS dt
dx
dn
(10.36)
J difuzie
e Dn
n
dx
Dac variaia concentraiei de electroni se face dup o ax oarecare, atunci gradientul de
concentraie va fi (n ) , iar curentul de difuzie va fi dat de expresia:
(10.37)
J difuzie
e D n n
n
n mod similar, dac se consider un semiconductor de tip p (Fig. 10.7 b) n care exist un
gradient de concentraie de goluri (dp/dx0):
dN p
p
dSdt
dQp e dN p
dIdif

p
dt
dt
dif
dI p
e dN p
J difuzie

e p
p
dS
dS dt
dp
(10.38)
J difuzie
e D p
p
dx
pentru cazul unidimensional i
J difuzie
e Dpp
(10.39)
p
pentru cazul tridimensional. n relaiile (10.38) i (10.39) coeficientul de proporionalitate, Dp se
numete coeficient de difuzie pentru goluri.

37

Din relaiile (10.3610.39) i din Fig. 10.7 se observ c densitile de curent de difuzie i,
deci, i curenii de difuzie pentru electroni i respectiv pentru goluri au sensuri opuse deoarece
sarcinile electronilor i golurilor sunt opuse. Curentul de difuzie pentru electroni este orientat
dinspre regiunea cu concentraie mai mic ctre regiunea cu concentraie mai mare, n timp ce
curentul de difuzie pentru goluri este orientat n sens opus. Curenii de difuzie au valoare
apreciabil numai n semiconductori.
n urma plecrii purttorilor de sarcin, electronilor (Fig. 10.7 a) respectiv golurilor (Fig.
10.7 b) din regiunile n care acetia aveau o concentraie ridicat, n aceste regiuni vor rmne
sarcini imobile necompensate, ioni pozitivi n semiconductorul de tip n i respectiv ioni negativi n

semiconductorul de tip p. Ca urmare n semiconductori apare un cmp electric intern E , care va


determina apariia unor cureni de drift (de cmp):
(10.40)
J drift
enn E
n
pentru electroni, i
(10.41)
J drift
ep p E
p
pentru goluri. Sensurile curenilor de drift pentru cazurile prezentate sunt indicate n Fig. 10.7.
Curenii totali care circul prin semiconductor, att datorit cmpului intern ct i datorit
difuziei va fi:
dn
(10.42)
J n J drift
J difuzie
en n E e D n
n
n
dx
pentru electroni i:
dp
(10.43)
J p J drift
J difuzie
ep p E e D p
p
p
dx
pentru goluri.
ntr-un semiconductor n care exist att un gradient de concentraie de electroni ct i un
gradient de concentraie de goluri, curentul total va fi:
dn
dp
(10.44)
J en n E e D n
ep p E e D p
dx
dx
Relaiile curentului total de electroni i de goluri rmn valabile i n cazul n care
semiconductorul se afl ntr-un cmp electric extern.
Pentru a deduce expresiile coeficientului de difuzie pentru electroni, D n, considerm un
semiconductor izolat i impurificat neuniform numai cu impuriti donoare. n acest caz din Fig.

10.7a, se observ c la echilibru termic, curentul de difuzie J ndifuzie va fi egalat de curentul de drift

drift
J n , determinat de apariia cmpului intern E . Deoarece cele dou componente ale curentului

electric au sensuri opuse rezult c, n semiconductorul izolat, curentul total J n va fi nul, n


conformitate cu condiia de neutralitate a semiconductorului. Din relaia (10.42) rezult:
dn
(10.45)
e Dn
en n E
dx
Considernd semiconductorul nedegenerat, concentraia de echilibru a electronilor va fi dat
de relaia (9.16):

n 0 Nce

Ec E F
k BT

(10.46)

Datorit cmpului electric intern E , electronii vor cpta o energie potenial suplimentar
Ep =-eU, unde U este diferena de potenial (tensiunea electric) ce apare ntre capetele
semiconductorului. Aceast energie se adaug la energia Ec a electronilor de conducie, astfel nct,
expresia concentraiei electronilor devine:

n Nce

( E c eU) E F
k BT

n 0e

eU
k BT

(10.47)

38

Efectund derivata (dn/dx) i innd seama c valoarea intensitii cmpului electric se


exprim prin derivata diferenei de potenial n raport cu x, adic:
dU
(10.48)
E
dx
rezult:
dn
e
dU
e
(10.49)

nE
dx k B T dx
k BT
nlocuind relaia aceast derivat n relaia (10.45), rezult expresia coeficientului de difuzie
pentru electroni:
k T
Dn B n
(10.50)
e
n mod asemntor se obine i coeficientul de difuzie pentru goluri:
k T
Dp B p
(10.51)
e
Din relaiile (10.50) i (10.51), rezult c raportul dintre coeficientului de difuzie i
mobilitatea purttorilor este o constant indiferent de tipul purttorului:
D n D p k BT

UT
(10.52)
n
p
e
unde UT este potenialul termic i are valoarea 26 mV la temperatura T=300 K.

13. Bariera de potenial a jonciunii pn


Jonciunea pn reprezint o structur fizic realizat prin punerea n contact intim a dou
regiuni semiconductoare extrinseci dopate diferit, una de tip p i cealalt de tip n. Planul de
separaie dintre cele dou regiuni se numete jonciune metalurgic. n funcie de raportul dintre
concentraia impuritilor acceptoare Na i concentraia impuritilor donoare Nd, jonciunile pn pot
fi simetrice dac Na=Nd sau asimetrice dac NaNd. n cazul jonciunilor asimetrice jonciunea se
noteaz cu n+p, dac NdNa i cu p+n, dac NaNd. Dac trecerea de la o regiune
semiconductoare la alta se face brusc, jonciunea se numete abrupt, iar dac trecerea se face
gradat, jonciunea se numete gradat. Cnd trecerea gradat de la o regiune la alta se face liniar,
jonciunea este gradat liniar.
O jonciune format dintr-un singur monocristal semiconductor dopat ntr-o regiune cu
impuriti acceptoare iar n cealalt regiune cu impuriti donoare, jonciunile semiconductoare se
numesc homojonciuni. n cazul cnd materialele semiconductoare de tip p i de tip n sunt realizate
din dou monocristale diferite se numesc heterojonciuni.
Pentru obinerea unei jonciuni pn se utilizeaz anumite procese tehnologice, din care cele
mai utilizate sunt: procesul de aliere, procesul de difuzie, procesul de cretere epitaxial i procesul
implantare de ioni.
Considerm o jonciune pn abrupt format dintr-un semiconductor de tip n (Si-p) i un
semiconductor de tip p (Si-n) (Fig. 12.1 a), pentru care concentraia de impuriti acceptoare este
mai mare dect cea a impuritilor donoare, NaNd (Fig. 12.1 b).
Iniial, cnd semiconductori sunt situai la o anumit distan unul de altul, fiecare
semiconductor este neutru din punct de vedere electric. Deoarece nu exist nici un cmp electric n
cele dou semiconductoare nivelele energetice pot fi reprezentate prin linii orizontale, iar structura
de benzi nu prezint nici un fel de curbur, adic nivelele energetice sunt constante, E(x)=const.
(Fig. 12.1 c).
Concentraiile de goluri i de electroni sunt date de relaiile:
n2
n2
(12.1)
p p0 N a ; n p0 i i
p p0 N a
39

n semiconductorul de tip p i:
n i2
n i2
(12.2)
n n0 N d ; p n0

n n0 N d
n semiconductorul de tip n. Golurile din regiunea p i electronii din regiunea n sunt purttori
majoritari, iar golurile din regiunea n i electronii din regiunea p sunt purttori minoritari.

Fig. 12.1. Semiconductorii de tip p i n independeni: a) nainte de a fi pui n contact, b) distribuia

concentraiilor de impuriti, c) structura de benzi energetice.


n momentul n care se realizeaz contactul intim dintre cele dou semiconductoare (Fig.
12.2 a), datorit concentraiilor diferite ale golurilor i electronilor n cele dou regiuni, golurile din
regiunea p vor difuza n regiunea n i electronii din regiunea n vor difuza n regiunea p. Pe msur
ce golurile din regiunea p trec n regiunea n se vor recombina cu electronii majoritari din aceast
regiune, deci nu se va acumula sarcin pozitiv n regiunea n. Analog electronii care trec din
regiunea n n regiunea p se vor recombina cu golurile majoritare din aceast regiune fr a se
acumula sarcin negativ n aceast regiune. Procesele de difuzie ncep, evident, cu purttorii
majoritari din apropierea jonciunii metalurgice. n regiunea p, adiacent jonciunii metalurgice
[ p0 , 0] , prin plecarea golurilor apare o sarcin spaial negativ imobil, iar n regiunea n, pe o
distan [0, n 0 ] apare o sarcin electric pozitiv imobil (Fig. 12.2 b).
Regiunea cuprins ntre [ p0 , n 0 ] din apropierea jonciunii metalurgice se numete
regiunea de trecere sau regiunea de sarcin spaial. n aceast regiune cele dou sarcini spaiale
imobile au expresiile:
Qp eNaS p0
(12.3)
n regiunea p i:
Qn eN dS n 0
(12.4)
n regiunea n. n relaiile (12.3) i (12.4) S reprezint aria transversal a jonciunii i are valori
cuprinse ntre 1 mm2 i 100 mm2.
Ca urmare a apariiei celor dou sarcini imobile, Qp i Qn, egale i de sens contrar, n

regiunea de trecere apare un cmp electric intern E 0 , orientat de la regiunea n spre regiunea p.
Acest cmp electric transport prin drift purttorii minoritari din cele dou regiuni, adic electronii
din regiunea p i respectiv golurile din regiunea n. Procesul de scdere a concentraiilor de purttori
majoritari nu se continu pn la uniformizarea concentraiilor, conform teoriei difuziei gazelor, ci
se autolimiteaz, prin generarea cmpului electric intern.

40

Fig. 12.2. Jonciunea pn la echilibru termic: a) regiunile de trecere i neutre ale jonciunii, b) distribuia
sarcinilor spaiale imobile, c) structura de benzi energetice.

La echilibru termic fluxurile de purttori majoritari care trec prin jonciune datorit difuziei
vor fi egale cu fluxurile de purttori minoritari, generai termic n cele dou regiuni i care trec prin
jonciune antrenai de cmpul electric intern care apare n regiunea de trecere a jonciunii.
Ca urmare curenii de drift, datorai de trecerea purttorilor minoritari sunt egali i de sensuri
contrare cu cei de difuzie datorai purttorilor majoritari (Fig. 12.3). Ca rezultat al acestei egaliti,
prin jonciunea pn, la echilibru termic, curentul net total este nul:
difuzie difuzie drift drift
J Jp
Jn
Jp Jn 0
sau:
J n J difuzie
J drift
0
n
n
J p J difuzie
J drift
0
p
p

Fig. 12.3. Curenii de difuzie i de drift prin jonciunea pn, aflat la echilibru termic.

n concluzie, se poate afirma n regiunea jonciunii metalurgice se produce un fenomen de


reacie negativ i anume: difuzia purttorilor majoritari conduce la apariia unui cmp electric
intern, care la rndul su se opune difuziei purttorilor majoritari, favoriznd trecerea purttorilor
minoritari prin jonciune. Procesul se desfoar pn la atingerea echilibrului termic, cnd nivelul
Fermi din cele dou regiuni este constant n ntreg sistemul. Ca urmare, extremitile benzilor
energetice n regiunea de trecere se curbeaz n conformitate cu variaia energiei poteniale a
electronilor (Fig. 12.2 c). n acest mod, diferena dintre nivelul minim al benzii de conducie E c i
nivelul Fermi (Ec-EF), care este constant n regiunea neutr n, crete pn cnd se stabilete la
valoarea constant din regiunea p (Fig. 12.2 c).
De asemenea, se poate observa c variaiile extremitilor benzilor energetice constituie
bariere de potenial care se opun trecerii electronilor din regiunea n n p i respectiv trecerii
golurilor din regiunea p n regiunea n, deoarece energia electronilor crete dinspre minimul benzii
de conducie n sus, iar energia golurilor de la maximul benzii de valen n jos.

41

nlimea acestor bariere de energie potenial pentru purttorii majoritari, 0 eU 0 , este


dat chiar de distana dintre nivelele Fermi din semiconductoarele izolate, deoarece cu aceast
mrime trebuie s se deplaseze benzile energetice pentru ca energiile Fermi s ajung la acelai
nivel n ntreg sistemul (Fig. 12.1c). Potenialul U0 care se stabilete ntre limitele regiunii de
sarcin spaial (Fig. 12.4) se numete diferen intern de potenial, tensiunea intern sau
diferen de potenial de contact.

Fig. 12.4. Bariera de potenial U0 a jonciunii pn, aflat la echilibru termic

Mrimea acestei diferene interne de potenial se determin din diagrama energetic a


jonciunii pn (Fig. 12.2 c). Dependena potenialului de distana x n regiunea de sarcin spaial
este dat de relaia:
E c ( p 0 ) E c ( x )
(12.5)
U( x )
e
Diferen intern de potenial, U0 este dat de relaia:
E c ( p0 ) E c ( n 0 )
(12.6)
U0
e
Concentraia purttorilor majoritari (electronii) n regiunea n este dat, conform relaiei
(9.48), de expresia:

E c ( n 0 ) E F
k BT

(12.7)
n n0 N ce
n regiunea p, electronii sunt purttori de sarcin minoritari, iar concentraia lor este dat de
relaia:

Ec ( p 0 )E F

k BT
n p0 N c e
Din relaiile (12.7) i (12.8) rezult:
n
n p 0

E c ( p 0 ) E c ( n 0 ) k B T ln n 0 ln

N
N
c
c

(12.8)

(12.9)

de unde rezult, diferena intern de potenial U0:


k T n
(12.10)
U 0 B ln n 0
n p0
e

sau dac se ine seama de relaia (12.1), rezult:


k T n n 0p p0
(12.11)
U0 B ln
2

e
ni
Deoarece la temperaturi obinuite concentraiile purttorilor majoritari sunt n n 0 N d i
p p0 N a , diferen intern de potenial (12.11) devine:

42

U0

N N
k BT Nd Na
ln 2 U T ln d 2 a
e
ni
ni

(12.12)

Tensiunea intern, la o anumit temperatur, depinde numai de concentraiile de echilibru


ale atomilor de impuritate, Nd i Na i nu depinde de sarcina spaial i imobil Qp i Qn, din
regiunea de trecere a jonciunii pn.
O relaie asemntoare se stabilete i prin utilizarea relaiilor pentru concentraiile de
goluri:

E F E v ( p 0 )

k BT
p p0 N ve
n regiunea p unde sunt majoritari i:

(12.13)

E F E v ( n 0 )
k BT

(12.14)
p n 0 N ve
n acest caz, diferena intern de potenial se determin din relaia:
E v ( p 0 ) E v ( n 0 )
(12.15)
U0
e
k T p p0 k BT n n 0p p0

(12.16)
U 0 B ln
ln
2

e
e
n
pn0
i

Dac se inea seama de relaiile (12.1) i (12.2) se gsesc pentru U0 relaii identice cu
N N
k T N N
(12.12):
U 0 B ln d 2 a U T ln d 2 a
e
ni
ni
Deci, ntr-o jonciune pn la echilibru termic, se formeaz o regiune de sarcin spaial de
mare rezistivitate deoarece aceast regiune este practic lipsit de purttori mobili de sarcin, n care
se stabilete o barier de potenial. Valorile tensiunii interne sunt de cteva zecimi de volt. De
exemplu, pentru valorile tipice ale concentraiilor de impuriti acceptoare, donoare i a
concentraiei intrinseci: Nd=1014 cm-3, Na=1016 cm-3, ni=1010 cm-3, la temperatura camerei T=300 K,
pentru care UT=26 mV, se obine o tensiune intern U0=0,60 V.

14. Lrgimea regiunii de trecere la echilibru termic


Pentru descrierea matematic exact a fenomenelor din jonciunea pn se utilizeaz ecuaia
lui Poisson:

2U 2U 2U
2 2 v
(12.22)
2

x
y
z
unde v = Q/V (V fiind volumul jonciunii pn) se numete densitatea volumic de sarcin i este
permitivitatea electric a mediului.
Pentru determinarea lrgimii regiunii de trecere a unei jonciuni pn abrupte, se utilizeaz un
model unidimensional simplificat (de-a lungul axei Ox) numit modelul Schottky (Fig. 12.6 a).
Acest model are la baz aproximaia de golire, conform creia, jonciunea pn se mparte n trei
regiuni: regiunea de trecere situat n jurul jonciunii metalurgice care este cuprins ntre
( p0 x n 0 ) i dou regiuni neutre, una situat n semiconductorul de tip p, cuprins ntre
(d p x p0 ) iar cealalt n semiconductorul de tip n i cuprins ntre ( n 0 x d n ) . Toate
fenomenele specifice jonciunii pn la echilibru termic se petrec n regiunea de sarcin spaial.
Aproximaia de golire consider c n regiunea de sarcin spaial sarcin, concentraiile de
electroni i goluri se neglijeaz fa de concentraiile de impuriti, adic regiunea de trecere este

43

complet srcit n purttori mobili de sarcin, singura sarcin fiind sarcina spaial Qp i Qn dat de
ionii negativi i respectiv pozitivi de impuriti.

Fig. 12.6. Modelul Schottky unidimensional al jonciunii pn: a) jonciunea pn, b) densitatea volumic de

sarcin v, c) variaia cmpului electric intern E , d) variaia potenialului electric U(x).

Avnd n vedere relaiile (12.3) i (12.4) ale sarcinilor spaiale, densitile volumice de
sarcin v (Fig. 12.6 b), n cele dou regiuni sunt date de relaiile:
eN a ; p0 x 0
(12.23)
v

eN
;
0

d
n0

Distribuiile cmpului electric i a potenialului electric se pot deduce din rezolvarea ecuaiei
Poisson n cazul unidimensional:

d2U
v
(12.24)
2

dx
cu condiiile la limit:

E 0 ( p0 ) E 0 ( n 0 ) 0
(12.25)
pentru cmpul electric la echilibru termic i:
U( p0 ) 0; i U( n 0 ) U0
(12.26)
pentru potenialul electric.
n regiunile neutre (d p x p0 ) i ( n 0 x d n ) , cmpul electric este nul, iar
potenialul este constant.
Pentru regiunea de trecere din semiconductorul de tip p: ( p0 x 0) , unde v eN a ,
din ecuaia lui Poisson se obine:
d 2 U d dU eN a
(12.27)

dx 2 dx dx
sau dac se ine seama de legtura dintre cmpul electric i potenial:
dU
E 0 (x)
(12.28)
dx
se obine:

44

eN a
dx

Integrnd relaia (12.29) ntre ( p 0 ) i x0, rezult:


dE 0

E 0 ( x ) E 0 ( p 0 )

(12.29)

eN a
dx
p 0

(12.30)

sau dac se are n vedere condiia la limit pentru cmpul electric E 0 ( p0 ) 0 , se obine
distribuia cmpului electric n aceast regiune:
eN
(12.31)
E 0 (x) a (x p0 )

Integrnd apoi relaia (12.28) se obine distribuia potenialului electric:


x

U ( x ) U ( p 0 )

E 0 (x) dx

(12.32)

p 0

sau dac se ine seama de condiia la limit a potenialului (12.26), U( p0 ) 0 , rezult:


eN a
(12.33)
(x p0 ) 2
2
Analog pentru regiunea de trecere din semiconductorul de tip n, (0 x n 0 ) unde
U( x )

v eN d , pentru cmpul electric se obine:


n0

eN d
dx

x
care prin integrare i impunerea condiiei la limit E 0 ( n 0 ) 0 , devine:
E 0 ( x ) E 0 ( n 0 )

(12.34)

eN d
(12.35)
( n 0 x )

Pentru potenialul electric n aceast regiune rezult:


eN d n 0
(12.36)
U ( n 0 ) U ( x )
( n 0 x ) dx
x
innd seama de condiia la limit (12.26): la x n 0 potenialul electric este U( n 0 ) U 0 ,
din relaia (12.32) rezult:
eN d
(12.37)
U( x ) U 0
( n 0 x ) 2
2
Mai departe, impunnd condiia de continuitate a intensitii cmpului electric la x = 0, din
relaiile (12.38) i (12.39) se obine:
eN a p0 eN d n 0
(12.38)
relaie care exprim neutralitatea global a semiconductorului la echilibru termic.
Relaia (12.38) indic faptul c regiunea de sarcin spaial ptrunde mai puternic n
regiunea mai slab dopat a jonciunii pn.
Lrgimea total a regiunii de trecere: p0 n 0 se poate calcula dac se ine seama de
condiia de continuitate a potenialului la x=0 (Fig. 12.6 d), din care se obine:
e
U 0 ( N a 2p0 N d 2n 0 )
(12.39)
2
Din relaiile (12.34) i (12.35) se obine lrgimea regiunii de trecere la echilibru termic:
E 0 (x)

0 p0 n 0

2 Na Nd

U0
e Na Nd

(12.40)

45

Relaia (12.40) arat c lrgimea total a regiunii de trecere depinde numai de concentraiile
de impuriti i mai ales de concentraia impuritilor din regiunea mai slab dopat i de tensiunea
intern U0. n acest caz lrgimea total a regiunii de trecere se gsete numai n regiunea mai slab
dopat.
De exemplu, pentru o jonciune asimetric de forma n+p pentru care NdNa, lrgimea
regiunii de trecere are expresia aproximativ:
2 U 0
(12.41)
0 p0
e Na
iar pentru o jonciune asimetric de forma p+n pentru care NaNd, lrgimea regiunii de trecere va
fi:
2 U 0
(12.42)
0 n0
e Nd
Din relaiile (12.31) i (12.35) se observ c intensitatea cmpului electric n regiunea de
trecere este negativ n ambele regiunii p i n, avnd o variaie liniar cu distana (Fig. 12.6 c),
atingnd o valoare maxim, n modul, la x=0:
eN a
eN d
(12.43)
E0m
p0
n0

Exprimnd lrgimea regiunii de trecere din regiunea p, p 0 sau din regiunea n, n 0 , n


funcie de lrgimea total a regiunii de trecere se poate obine valoarea maxim a cmpului
electric.
Din relaiile (12.38) i (12.40), se gsesc lrgimile p 0 i n 0 :

p0 0

Nd
2
Nd U0

Na Nd
e Na ( Na Nd )

(12.44)

Na
2
Na U0

(12.45)
Na Nd
e Nd ( Na Nd )
i apoi din relaia (12.43), unde se ine seama de relaia (12.40), se obin relaiile:
n0 0

e N N
e N N 2 Na Nd

U0
E0m a d 0 a d
Na Nd
Na Nd e Na Nd
E0m

2e Na Nd

U0
Na Nd

(12.46)

(12.47)

Pentru jonciuni asimetrice cmpul electric maxim depinde i se gsete, ca i lrgimea


total a regiunii de trecere, numai n regiunea mai slab dopat. Pentru o jonciune asimetric de
forma n+p, cu NdNa:
2e
E 0m
Na U0
(12.48)

iar pentru jonciune de tipul p+n, cu NaNd:


2e
E 0m
Nd U0
(12.49)

Expresia capacitii de barier, Cb0, poate fi calculat cu formula unui condensator plan cu
aria armturilor egal cu suprafaa jonciunii, S, i distana dintre armturi egal cu lungimea
regiunii de trecere, 0 , dat de relaia (12.40):

Cb 0

S
eNd Na
S
0
2( Na Nd ) U0

(12.50)

46

15. Structura fizic i funcionarea tranzistorului bipolar


Tranzistorul bipolar sau tranzistorul bipolar cu jonciuni (acronimul TB sau TBJ) este unul
dintre cele mai utilizate dispozitive semiconductoare n electronic. Numele de tranzistor pune n
eviden funcia de amplificare a semnalelor, realizat de dispozitiv, echivalent cu un transfer de
rezisten (transfer resistor). Denumirea de bipolar provine din nsi funcionarea dispozitivului,
bazat pe deplasarea simultan a dou tipuri de purttori mobili de sarcin: electroni i goluri.
Tranzistorul bipolar poate juca rolul de surs comandat de curent sau de comutator.
Tranzistoarele bipolare sunt dispozitive semiconductoare cu dou jonciuni formate printr-o
succesiune de 3 zone npn sau pnp (fig. 1). Zona din mijloc a tranzistorului se numete baz (B) i
este realizat cu urmtoarele proprieti: este foarte ngust (de ordinul micronilor sau chiar zecimi
de micron) i are o dopare cu impuriti mult mai mic dect regiunile laterale. O zon extrem, cu
cea mai mare dopare cu impuriti se numete emitor (E). Cealalt zon extrem se numete
colector (C).

Fig. 1 Tranzistorul bipolar. a) structura npn; b) structura pnp


Cele dou jonciuni ale unui tranzistor se numesc jonciunea baz-emitor (jonciunea
emitorului), denumit i jonciunea de comand, respectiv jonciunea baz-colector jonciunea
colectorului). La funcionarea n regiunea activ (n care se manifest proprietile de amplificare
ale tranzistorului), jonciunea baz-emitor este polarizat n sens direct, iar jonciunea baz-colector
n sens invers. n simbolul grafic al tranzistorului bipolar, sgeata din emitor desemneaz jonciunea
de comand a tranzistorului i este orientat n sensul curentului direct al acesteia.
Pentru a urmri procesele fizice din tranzistor studiem tranzistorul pnp. Pentru structura npn
funcionarea este similar, inversndu-se rolurile electronilor i golurilor i sensurile tensiunilor i
curenilor. Dac se consider alimentarea normal a tranzistorului (fig. 2), cu jonciunea bazemitor polarizat n sens direct i jonciunea baz-colector polarizat invers numit i regiunea activ
normal de funcionare a tranzistorului bipolar, va exista un curent de difuzie prin jonciunea bazemitor: golurile din emitor difuzeaz n baz, formnd curentul ipE , iar electronii din baz difuzeaz
n emitor, formnd curentul inBE .

Fig. 2. Tranzistorul pnp a) diagrama curenilor prin tranzistor; b) simbolul tranzistorului n


circuitul de alimentare baz comun
47

Deoarece concentraia impuritilor, deci i a purttorilor majoritari, este mult mai mare n
emitor dect n baz, curentul de difuzie prin jonciunea emitorului va fi, in cea mai mare parte,
curent de goluri (ipE >> inBE). Golurile injectate de emitor n baz, formnd curentul ipE al jonciunii
emitorului devin n baz purttori minoritari. Deoarece lrgimea, w, a bazei este foarte mic iar
regiunea de sarcin spaial a jonciunii colectorului se extinde mult n zona n a bazei. n
consecin, golurile difuzate n baz vor fi preluate i transportate n colector de ctre cmpul intern
din regiunea de trecere a jonciunii colectorului, formnd curentul ipEC. Transferul aproape integral
n colector al golurilor difuzate n baz se numete efect de tranzistor. El se produce datorit
grosimii foarte reduse a bazei, precum i datorit extinderii pronunate, n zona bazei a regiunii de
trecere a jonciunii colectorului. O mic parte din golurile injectate n baz nu trec n colector, ci se
recombin cu electronii din baz, formnd curentul ipEB. Sursa EE asigura o circulaie de electroni
care iau locul celor recombinai cu golurile n baz. Prin jonciunea baz-colector va circula numai
curentul invers ICB0, format din purttori minoritari (golurile din baz care trec n colector i
respectiv electronii din colector care trec n baz). Regiunea de trecere a jonciunii baz-colector are
o lrgime mare, datorit prezenei tensiunii de polarizare invers EC . Ea se extinde mult n zona
bazei, deoarece aceasta este mult mai slab dopat cu impuriti dect n zona colectorului.
Conform celor prezentate i aa cum se observ din figura 2, se pot obine relaiile dintre
curenii care circul prin tranzistor:

iE = ipE + inBE
iC = ipEC + ICB0
iB = ipEB + inBE - ICB0

nsumnd iC cu iB i innd cont c:

ipE = ipEC + ipEB

rezult:

iC + iB = ipEC + ICB0 + ipEB + inBE -ICB0 = ipE + inBE = iE


Raportul: N

i pEC

se numete factor static de amplificare n curent ntre emitorul i


i pE
colectorul tranzistorului bipolar n regim activ normal i are valori cuprinse in intervalul 0,980 0,998. Neglijnd componenta i
n raport cu i deoarece concentraia purttorilor majoritari n
nBE

pE

emitor este mult mai mare dect n baz, rezult: iE = ipE . Cu aceast simplificare se obin ecuaiile
uzuale ale curenilor prin tranzistor:
Curentul de colector:

iC = N iE + ICB0

deoarece ICB0 este foarte mic (sub 1 A) se poate neglija i n practic se poate utiliza relaia:
iC Ni E
Curentul de baz:

iB = (1- N ) iE - ICB0
Curentul de emitor:
i
I
i E B CB0
1 N 1 N
iar curentul de colector devine:
N
N
iC
iB
ICB0 ICB0 Ni B 1 N ICB0
1 N
1 N
unde s-a notat cu:
48

N
1 N factorul static de amplificare n curent ntre baza i colectorul tranzistorului bipolar
n regim activ normal i este supraunitar avnd valori cuprinse ntre 50 i 500.
Deoarece curentul de purttori minoritari I
se poate neglija, n practic se poate folosi cu
N

CB0

bun aproximaie relaia:


iC Ni B
Aceast relaie indic dependena intensitii curentului de colector de intensitatea curentului
de baz. De aici se poate observa c tranzistorul bipolar este un element activ comandat n curent.
n cazul tranzistorului npn (fig. 3), electronii majoritari din emitor difuzeaz n zona bazei.
De aici, electronii difuzai, devenii purttori minoritari, trec prin efect de tranzistor n zona
colectorului. Deci, circulaia purttorilor se face n mod analog tranzistorului pnp, cu deosebirea c
sensul curentului de electroni este invers sensului de circulaie a electronilor. Polaritile tensiunilor
aplicate tranzistorului npn se inverseaz fa de tranzistorul pnp, ns n valori absolute, aceste
tensiuni au acelai ordin de mrime.

Fig. 3 Tranzistorul npn a) diagrama curenilor prin tranzistor; b) simbolul tranzistorului n


circuitul de alimentare baz comun
n concluzie, se pot reine urmtoarele aspecte importante privind funcionarea tranzistorului
bipolar, n regimul de lucru considerat (pentru regiunea activ normal de funcionare):
1. tensiunea ntre emitor i baz este mic (zecimi de volt), ntruct jonciunea baz-emitor
este polarizat direct;
2. tensiunea ntre colector i baz are o valoare mare (voli, zeci de voli sau chiar sute de
voli), deoarece jonciunea baz-colector este polarizat invers, putnd prelua tensiuni
mari;
3. curentul de colector este aproximativ egal cu curentul de emitor;
4. ntruct curentul obinut n ''circuitul de ieire'' al tranzistorului (circuitul de bazcolector) este practic egal cu curentul din ''circuitul de intrare'' (circuitul baz - emitor),
iar tensiunea baz - colector este mult mai mare dect tensiunea baz - emitor, rezult c
puterea ce se poate obine n circuitul de ieire este mai mare dect puterea n circuitul
de intrare, ceea ce permite realizarea funciei de amplificare n putere a unui semnal
electric.

49