Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Prin definiie, lucrul mecanic elementar efectuat de o for F cnd punctul de aplicaie al
..
.. d r
.. .
.
(1.29)
dW m r d r m r dt m r r dt m v vdt mvdv
dt
Rezult c lucrul mecanic se mai poate scrie i astfel:
1
(1.30)
dW mvdv d mv 2
2
Mrimea din parantez din relaia (1.30) se numete energia cinetic a corpului de mas m:
mv 2
(1.31)
Ec
2
Cu aceast notaie, relaia (1.30) devine:
(1.32)
dW dE c
care reprezint legea variaiei energiei cinetice sub form local.
Prin integrarea relaiei (1.32) ntre dou puncte definite de vectorii de poziie r1 i r2 , se
obine:
r
W F dr E c2 E c2
(1.33)
r1
adic variaia energiei cinetice n direcia deplasrii este egal cu lucrul mecanic efectuat n
decursul acestei deplasri de ctre fora care acioneaz asupra corpului.
n cazul n care asupra corpului nu acioneaz nici o for sau fora este orientat normal la
vectorul deplasare, lucrul mecanic este nul i conform relaiei (1.33) energia cinetic a corpului se
conserv.
Forma de existen a materiei care se manifest prin aciunea corpurilor constituie un cmp
de fore. Exist cmpuri de fore numite conservative, de exemplu cmpul gravitaional sau cmpul
electrostatic, pentru care, lucrul mecanic efectuat de forele cmpului asupra corpurilor nu depinde
de traiectoria sau viteza corpului, ci numai de poziiile iniial i final (Fig. 1.6):
W F dr F dr
(1.34)
C1
C2
Pentru aceste cmpuri lucrul mecanic efectuat de forele conservative pe o traiectorie nchis
este nul. ntr-adevr, conform figurii 1.6 i avnd n vedere relaia (34), se obine:
1
W F dr F dr
C
C1
F dr F dr F dr 0
C'2
C1
(1.35)
C2
Folosind teorema lui Stokes, relaia (35) se poate scrie i sub forma:
(1.36)
F dr F dS 0
unde S este o suprafa arbitrar mrginit de curba (C). Suprafaa S fiind arbitrar, rezult:
(1.37)
F 0
Relaia (1.37) indic posibilitatea definirii unei funcii E p ( r ) E p (x, y, z) , astfel nct fora
E p E p E p
(1.38)
F E p
i
j
k
Deoarece rotorul unui gradient este ntotdeauna nul, expresia (1.38) satisface condiia (1.36)
(1.39)
(E p ) 0
poziie r .
Lucrul mecanic al forelor conservative poate fi scris acum i sub forma urmtoare:
dW F dr E p dr
(1.40)
Deoarece membrul drept al relaiei (1.40) se poate scrie sub forma:
E p
E p
E p
(1.41)
E p d r
dx
dy
dz dE p
x
y
z
relaia (1.40) devine:
dW dE p
(1.42)
Lucrul mecanic total efectuat de fora conservativ F ntre dou puncte A i B se obine prin
integrarea relaiei (1.42) ntre aceste puncte:
B
B
W F d r dE p E pA E pB E p
(1.43)
A
E p ( r ) E pA F d r
(1.44)
A
n multe cazuri punctul A se alege la infinit, unde se consider prin convenie, energia
potenial EpA nul. Rezult atunci c energia potenial ntr-un punct oarecare va fi dat de relaia:
E p ( r ) F d r W ( r )
(1.45)
Deci, energia potenial a punctului material ntr-un punct de vector de poziie r este egal
cu lucrul mecanic efectuat de fora F , luat cu semn schimbat, cnd punctul material este deplasat
din punctul de referin n punctul respectiv.
n cazul forelor conservative, prin compararea relaiilor (1.32) i (1.42) se obine:
(1.46)
dW dE c dE p
sau
(1.47)
d(E c E p ) 0
adic energia total este constant:
(1.48)
E c E p const.
Relaia (1.48) reprezint legea conservrii energiei mecanice, care arat c atunci cnd
asupra unui punct material acioneaz numai fore conservative, suma dintre energia cinetic i
energia potenial rmne constant. De asemenea din relaia (1.48) se poate observa c n cursul
deplasrii punctului material ntr-un cmp de fore conservativ are loc o transformare reciproc a
energiei cinetice n energie potenial, dar suma lor rmnnd constant n orice moment.
(1.85)
2m
factorul de amortizare, se obine urmtoarea ecuaie diferenial de ordinul doi, omogen i cu
coeficieni constani:
x 2x 02 x 0
(1.86)
(1.87)
2 2 02
(1.88)
(1.89)
02 2
numit pseudo-pulsaia sau pulsaia micrii oscilatorii amortizate.
Se pot distinge trei cazuri:
1) 0 sau r 2 mk , caz n care frecarea din partea mediului este foarte mare. n acest
caz soluiile ecuaiei caracteristice 1 i 2, date de relaiile (1.88), sunt mrimi pozitive i conduc la
soluii reale pentru elongaia x:
( 2 2 ) t
( 2 2 ) t
0
0
(1.90)
x C1e
C2e
Din relaia (1.90) se observ c micarea const n descreterea deformaiei iniiale, care
tinde asimptotic ctre poziia de echilibru (fr oscilaii) atunci cnd t, aa cum se observ din
Fig. 1.11a curba (1). Acest tip de micare se numete micare amortizat aperiodic.
2) 0 sau r 2 mk . n acest caz soluiile ecuaiei caracteristice sunt reale i
confundate: 1=2=-. Ecuaia de micare a oscilatorului n acest caz va fi:
(1.91)
x (C1 tC2 ) e t
Acest caz este un caz particular al micrii aperiodice, numit micare amortizat aperiodic critic.
Elongaia iniial a oscilatorului tinde i n acest caz la zero tot fr oscilaii, cnd t (Fig. 1.11a
curba 2).
3) 0 sau r 2 mk , caz n care frecarea din partea mediului este foarte mic. Soluiile
(1.88) ale ecuaiei caracteristice sunt complexe:
i
(1.92)
1 i
2 i
iar ecuaia general a ecuaiei de micare va fi:
(1.93)
x e t (C1e i t C 2 e i t )
Termenul din paranteza relaiei (1.93) este de aceeai form cu cel din relaia (1.64) i
efectund un raionament similar cu cel folosit la oscilatorul liniar armonic se obine soluia de
forma:
x A 0 e t cos (t 0 )
(1.94)
unde A0 este amplitudinea iniial i 0 faza iniial, constante care se determin din condiiile
iniiale.
Relaia (1.94) arat c micarea este o micare oscilatorie amortizat, pentru care
amplitudinea micrii scade exponenial n timp
A(t ) A 0 e t
(1.95)
Perioada micrii oscilatorii amortizate este mai mare dect perioada proprie a micrii
oscilatorii libere efectuate sub aciunea aceleiai fore elastice, dar n absena forelor de frecare:
2
2
T
T0
(1.96)
2
2
0
0
Din relaia (1.96) se observ c perioada micrii oscilatorii amortizate tinde asimptotic
ctre infinit pe msur ce tinde spre 0, deci atunci cnd micarea tinde spre o micare aperiodic
critic.
Variaia elongaiei micrii oscilatorii amortizate n funcie de timp este prezentat n Fig.
1.11 b. Curba continu reprezint relaia (1.84) iar cele punctate funcia:
x(t ) A 0 e t
(1.97)
1 A0
ln
n An
(1.100)
a)
b)
1
1
(1.103)
T T
reprezint numrul de oscilaii complete efectuate de oscilator n intervalul de timp egal cu timpul
de relaxare .
astfel nct poate fi reprezentat printr-o funcie (x, y, z, t ) ( r , t ) , numit funcie de und.
Aceast funcie poate fi att o mrime vectorial, cum ar fi elongaia, intensitatea cmpului electric
sau magnetic, ct i o mrime scalar: presiunea unui gaz, diferena de potenial, etc.
Mulimea punctelor din spaiu n care funcia de und are aceeai valoare constant, la un
moment dat, formeaz o suprafa de und.. Dac suprafaa de und este plan i perpendicular pe
direcia de propagare a undei, unda se numete und plan. Undele elastice pot fi longitudinale cnd
5
punctele mediului oscileaz de-a lungul direciei de propagare i unde transversale, cnd punctele
mediului oscileaz perpendicular pe direcia de propagare.
Considerm o und plan care se propag de-a lungul direciei Ox cu o vitez constant, v,
i fr atenuare. Pentru particula din origine, x=0, unde se consider sursa de oscilaie, elongaia va
fi (0, t ) f (t ) , astfel c n orice punct de pe ax, la care va ajunge unda, elongaia ( x, t ) a
particulei din acest punct va trece prin aceleai valori ca i n origine, dar cu o ntrziere dat de
timpul necesar undei s ajung n punctul respectiv: =x/v.
Deci elongaia n punctul x, la momentul t, va trebui s fie aceeai ca n origine, dar la
momentul (t-):
x
x
(1.121)
( x, t ) 0, t f t
v
v
Relaia (1.121) reprezint ecuaia undei plane progresive neatenuate care se propag n
sensul pozitiv al axei Ox cu viteza v. Dac n unda plan oscilaiile periodice sunt armonice cu
anumit pulsaie =2/T, atunci unda este i monocromatic. Funcia de und pentru undele plane
monocromatice poate fi exprimat prin funciile trigonometrice cosinus sau sinus. De exemplu, dac
se adopt exprimarea prin funcia cosinus, funcia de und va avea expresia:
t x
x
(1.122)
( x, t ) A cos t A cos 2
T v
unde A se numete amplitudinea undei.
Din relaia (1.122) se observ c unda elastic plan este un fenomen periodic n timp, cu
perioada T i spaiu cu perioada spaial, , numit lungime de und. ntr-adevr se pot scrie
relaiile:
t x
t T x
( x, t T) A cos 2
A cos 2
( x, t ) (1.123)
T
v
T v
i
t
x
(1.124)
( x , t ) A cos 2
( x, t )
v
T
Din condiia:
(1.125)
2
v
rezult expresia lungimii de und:
2
v
(1.126)
v Tv
Dac unda plan se propag de-a lungul unei direcii oarecare r , ecuaia undei plane devine:
(1.129)
(x, t ) A cos (t kr )
unde k kn este vectorul de und iar n este versorul direciei de propagare a undei.
Pentru funcia de und se poate folosi i expresia complex:
(1.130)
( r , t ) A e i (t kr )
avnd semnificaie fizic partea real a acestei expresii sau partea imaginar dac funcia de und
(1.129) se exprim prin funcia sinus.
6
Mrimea (t kx) se numete faza undei plane. Deeoarece suprafaa de und este
definit prin condiia ( x, t ) =const., nseamn c aceast suprafa este determinat de relaia
=const. Din aceast condiie rezult c suprafeele de und sunt suprafee de faz constant, care
sunt plane normale pe direcia de propagare. Suprafaa de und cea mai naintat n sensul de
propagare a undei se numete front de und.
Prin definiie, viteza de propagare a unui punct x de faz constant este denumit vitez de
faz. Din condiia d/dt=0, rezult c viteza de faz este chiar viteza de propagare a undei:
dx
(1.131)
vf
v
dt k T
Dou puncte de pe direcia de propagare, de coordonate x1 i x2 sunt n concordan de faz
dac fazele undei n aceste puncte difer printr-un numr par de :
t x
t x
(1.132)
2 1 2 2 2n , n=0,1,2,
T
T
adic
(1.133)
x 2 x 1 2n
2
Dac fazele undei n cele dou puncte difer printr-un numr impar de , cele dou puncte
vor oscila n opoziie de faz:
t x
t x
(1.134)
2 1 2 2 (2n 1) , n=0,1,2,
T
T
sau
(1.135)
x 2 x1 (2n 1)
2
Studiul undelor plane monocromatice este important deoarece o und oarecare poate fi
descompus n unde plane monocromatice, analog descompunerii unei oscilaii oarecare n oscilaii
armonice sinusoidale.
se mai enun i astfel: n natur nu este posibil s se construiasc o main termic cu o singur
surs de cldur sau cu un singur termostat (monoterm).
Din aceste formulri echivalente ale principiului doi al termodinamicii rezult c
transformrile ciclice reversibile nu pot fi monoterme. Totui exist posibilitatea realizrii unor
transformri ciclice reversibile biterme, adic a unei maini termice care schimb cldur cu dou
termostate cu temperaturi diferite T1 i respectiv T2.
Dac presupunem c T1T2, atunci sistemul primete cldura Q10 de la termostatul cald T1
i cedeaz cldura Q20 termostatului rece T2, transformnd n lucru mecanic diferena valorilor
absolute ale acestor cantiti de cldur:
(3.60)
L Q1 Q 2 0
Randamentul unei maini termice care efectueaz o transformare ciclic biterm va fi:
Q2
L
(3.61)
1
1
Q1
Q1
S. Carnot n dorina de a mbunti randamentul mainii termice, a realizat o main ideal
care s funcioneze dup un ciclu format din dou izoterme i dou adiabate, numit ciclu Carnot
(Fig. 3.3). n transformarea izoterm (1-2), maina termic primete cldura Q1 de la sursa cald cu
temperatura T1, iar n transformarea izoterm (3-4), maina termic cedeaz cldura Q2 sursei reci
aflat la temperatura T2.
Cantitile de cldur Q1 i Q2 pot fi calculate astfel:
V
(3.62)
Q1 RT1 ln 2
V1
V
(3.63)
Q 2 RT2 ln 3
V4
Din legea transformrii adiabatice n coordonate (T,V), relaia (3.55) se pot scrie
urmtoarele egaliti:
(3.64)
T1V2 1 T2 V3 1
T1V1 1 T2 V4 1
de unde rezult c:
V2 V3
V1 V4
astfel nct randamentul (3.61) devine:
T
c 1 2 1
T1
(3.65)
(3.66)
(3.67)
Relaia (3.67) arat c randamentul ciclului Carnot este independent de natura substanei de
lucru i depinde numai de temperaturile T1 i T2 ale sursei calde i respectiv ale sursei reci. Pentru a
obine un randament egal cu unitatea, conform relaiei (3.67), rezult c ar trebui fie ca T1, fie
ca T2 0K. Cum aceste cazuri nu sunt posibile, rezult c este imposibil s se realizeze o main
8
termic cu randamentul egal cu unitatea. n plus, dac am presupune T1 = T2, ar rezulta =0, ceea ce
nseamn c nu se poate obine lucru mecanic folosind o singur surs de cldur. Constatarea c
randamentul unei maini termice este ntotdeauna mai mic dect unitatea (1) reprezint, de
asemenea, enunul principiului al doilea al termodinamicii.
Dac ciclul Carnot este parcurs n sens invers celui din Fig. 3.3, adic maina termic ar
prelua cldura Q2 de la sursa rece T2 i ar ceda sursei calde T1 cldura Q1, pe seama unui consum de
lucru mecanic din exterior L=Q1, atunci maina termic funcioneaz ca o main frigorific sau
ca o pomp de cldur, cu eficiena:
Q
T2
1
(3.68)
2
1
L
c
T1 T2
Din relaiile randamentului (3.61) i (3.67) rezult:
Q1 Q 2 T1 T2
(3.69)
Q1
T1
de unde se poate deduce c:
Q1 Q 2
(3.70)
0
T1
T2
Q1 Q 2
(3.71)
0
T1 T2
Mrimea (Q/T) se mai numete cldur redus, astfel nct ntr-un ciclu Carnot reversibil,
suma algebric a cldurilor reduse este nul. Relaia (3.71) poate fi extins pentru orice ciclu
reversibil arbitrar, deoarece un asemenea ciclu poate fi mprit ntr-o infinitate de cicluri Carnot
elementare i reversibile pentru care relaia (3.71) este valabil. ntr-adevr, conform Fig. 3.4,
deoarece toate adiabatele intermediare vor fi parcurse n ambele sensuri lucrul mecanic total pe
aceste adiabate se va anula. Izotermele rmase i prima i ultima adiabat, care sunt parcurse doar o
singur dat, formeaz la limit o linie frnt nchis, care la limit coincide cu ciclul iniial. Ca
urmare pentru orice ciclu reversibil se poate scrie o relaie de forma (3.71):
Q irev
T 0
i
i
sau la limit:
dQ
T 0
( rev)
(3.72)
(3.73)
numit egalitatea lui Clausius i exprim n cazul proceselor ciclice cvasistatice reversibile forma
matematic a principiului doi al termodinamicii.
Mrimea de sub integral din relaia (3.73) se noteaz astfel:
dQ
(3.74)
dS
T
n care funcia de stare S este o diferenial total exact, numit entropie. Conform relaiei (3.74)
se observ c n cazul transformrilor adiabatice reversibile, entropia este constant: S=const.,
deoarece dQ=0. Transformrile adiabatice se mai numesc deci i transformri izentropice.
n general, din relaia (3.74) se poate calcula numai variaia de entropie, valoarea entropiei
propriu-zis fiind definit pn la o constant arbitrar aditiv S0:
dQ
S
S0
(3.75)
T
n cazul n care sistemul efectueaz o transformare ciclic ireversibil, cum ar fi cazul unei
maini termice reale care funcioneaz cu pierderi de energie, cednd sursei reci mai mult cldur
dect maina termic ideal: Q' 2 Q 2 , randamentul va fi:
irev
Q1 Q' 2
Q1
T1 T2
rev
T1
(3.76)
0
T1 T2
(3.77)
dQ
mrimii: S
, fiind o msur a ireversibilitii procesului respectiv.
T
(1)
Relaia diferenial corespunztoare relaiei integrale (3.80), va fi:
(3.81)
TdS dQ
sau:
(3.82)
TdS dU pdV
care reprezint formula fundamental a termodinamicii.
Pentru un sistem izolat adiabatic, n care sistemul nu schimb cldur cu exteriorul (dQ=0),
din formula fundamental scris numai pentru procesele naturale (ireversibile), rezult c aceste
procese se desfoar n direcia creterii entropiei, adic:
S 0
(3.83)
Aceast ultim afirmaie reprezint nc o formulare a principiului doi al termodinamicii.
n concluzie se poate afirma c principiul al doilea al termodinamicii stabilete c pentru
orice sistem termodinamic se poate defini o nou funcie univoc de stare, numit entropie, care la
sistemele izolate nu se modific n timpul proceselor cvasistatice reversibile (S=0) i care crete
spre o valoare maxim n cursul proceselor nestatice ireversibile (procese naturale).
10
Termostatul are n orice moment o energie perfect determinat, deoarece ntre acesta i
mediul exterior nu exist schimb de energie. Astfel, termostatului i va corespunde o distribuie
microcanonic.
Se noteaz cu p1 i q1, respectiv p2 i q2, variabilele canonice ale sistemului (1) i respectiv
ale termostatului (2).
Deoarece sistemul i termostatul formeaz mpreun un sistem izolat, energia acestui
ansamblu poate fi considerat constant E=const.
Densitile de probabilitate ale sistemului, respectiv termostatului, conform relaiei (4.31),
vor fi de forma:
(4.75)
1 (p1 , q1 ) 1[H1 (p1 , q1 )]
(4.76)
2 (p 2 , q 2 ) 2 [H 2 (p 2 , q 2 )]
unde H1 i H2 sunt funciile lui Hamilton pentru sistem i respectiv termostat.
Energia ansamblului sistem-termostat va fi:
E E1 E 2 E1,2
(4.77)
unde E1,2 este energia de interaciune dintre sistem i termostat. n cazul unui sistem termodinamic
aflat n echilibru cu un termostat energia de interaciune E1,2 este ntotdeauna mult mai mic dect
energiile E1 i E2, astfel nct poate fi neglijat. Aceasta deoarece energiile E1 i E2 sunt
proporionale cu numrul de particule din volumele V1 i V2 pe care le ocup sistemul i respectiv
termostatul, iar E1,2 este proporional cu numrul de particule de pe suprafaa de separaie dintre
sistemul (1) i termostatul (2). n aceste condiii, relaia (4.77) devine:
E E1 E 2 const.
Dei energia total E rmne contant n timp, energiile E1 i E2 pot varia n timp.
Fluctuaiile energiilor E1 i E2 trebuie, deci, s aib loc astfel nct energia total a ansamblului
11
E V T
iar entropia termostatului devine:
E
(4.83)
S 2 ( E E1 ) S 2 ( E ) 1
T
n aceste condiii, densitatea de stri a termostatului dat de relaia (4.80), va fi:
S2 ( E )
kB
E1
k BT
(4.84)
2 (E E1 ) e
e
Din relaia (4.78) densitatea de probabilitate a sistemului 1(p1,q1), rezult egal cu:
S2 ( E )
kB
E1
k BT
(4.85)
1 (p1 , q1 ) const. e
e
ntruct primul termen exponenial din relaia (4.85) este o mrime independent de energia
E1, acesta se poate ngloba n constanta de proporionalitate.
n aceste condiii, relaia (4.85) poate fi generalizat pentru orice sistem nchis, avnd
energia E(p,q), sub forma urmtoare:
E
k BT
(4.86)
(p, q) C e
Constanta de proporionalitate, C, din relaia (4.86) se poate calcula din condiia de normare
(4.9) efectuat pe ntreg spaiul fazelor corespunztor unui sistem termodinamic nchis:
Ce
E ( p,q )
k BT
d 1
(4.87)
C
e
E ( p,q )
k BT
1
Z(T, V)
(4.88)
unde
12
Z(T, V) e
E ( p,q )
k BT
4.89)
se numete integrala statistic a sistemului pentru distribuia canonic sau funcia de partiie a
sistemului.
Densitatea de probabilitate canonic este dat de relaia:
1
e
Z
(p, q)
E ( p,q )
k BT
E ( p,q )
k BT
E ( p,q )
k BT
(4.90)
d
Valoarea medie a unei mrimi fizice oarecare f(p,q), n cazul distribuiei canonice se va
calcula conform expresiei:
E ( p,q )
1
f (p, q) f (p, q) e k B T d
Z
Energia medie a unei particule:
Ee
E ( p,q )
k BT
(4.91)
E ( p,q )
k BT
Pentru un sistem format din N particule identice, care interacioneaz ntre ele, energia
sistemului se poate exprima sub forma:
3N p2
(4.92)
E(p, q) i E p (q1 , q 2 ,...q3 N )
i 1 2m
iar integrala statistic Z(V,T), devine:
Z(V, T) e
E ( p,q )
k BT
p i2
3N
i 1 2 mk B T
3N
d e
dpi e
i 1
Ep
k BT
3N
dqi
i 1
(4.93)
Prima integral din relaia (4.93), dup impulsuri, reprezint un produs de 3N integrale de
tip Poisson, de forma:
1
x 2
(4.94)
e dx ; unde 2mk T
B
adic:
3N p2
i
3N
i 1 2 mk BT
dp i
i 1
(2mk B T)
3N
2
(4.95)
Integrala a doua din relaia (4.93), dup coordonatele de poziie qi, se numete integral de
configuraie i este funcie de N, V i T:
QN e
q
Ep
k BT
3N
dq i
(4.96)
i 1
(4.97)
Z(T, V) (2mk BT) 2 Q N
Integrala statistic este legat de energie liber a sistemului, F(T,V):
F(T, V) k B T ln Z(T, V)
Aceast relaie exprim legtura dintre energia liber a sistemului (parametru macroscopic),
F(T,V), i integrala statistic, Z, care este o caracteristic microscopic a sistemului termodinamic.
13
Q N dqi V N
q i 1
3N
2
V T
F
S
T V
innd seama de aceste relaii se determin presiunea i entropia gazului ideal monoatomic:
Nk BT
F
p
V
V T
pV Nk B T RT
care reprezint ecuaia de stare a gazului ideal.
Entropia sistemului se obine n acest caz egal cu:
3
3
1
F
S Nk B ln [(2mk BT) 2 V] Nk BT
2
T
T V
3
F
S Nk B ln [(2mk BT) 2 V] Nk B
2
T V
Energia intern, U, se obine din relaia:
3
3
2
3
2
3
3
U F TS Nk BT ln [(2mk BT) V] Nk BT ln [(2mk BT) V] Nk BT Nk BT
2
2
3
U RT
2
Cldura molar la V=const., va fi:
1 U
3
CV
R
T V 2
14
h 2
(5.53)
pf
k,
p f k
2
Catodul celulei fotoelectrice este construit din metalul n care se studiaz emisia de electroni
sub aciunea radiaiei. Celula fotoelectric const dintr-un tub de sticl vidat prevzut cu o fereastr
de cuar, pentru a nu fi absorbite radiaiile din domeniul ultraviolet. Sub aciunea radiaiei incidente,
catodul emite electroni (numii fotoelectroni), care, datorit tensiunii U aplicate ntre anod i catod,
ajung la anod determinnd n circuitul exterior al celulei fotoelectrice un curent electric, numit
curent fotoelectric. La o diferen suficient de mare, toi fotoelectroni emii de catodul iluminat cu
radiaie monocromatic, ajung la anod. Se obine astfel un curent de saturaie, a crui valoare
depinde de intensitatea radiaiei incidente. Pentru o anumit valoare diferenei de potenial anod15
catod, U0, denumit potenial de blocare (sau de frnare), curentul fotoelectric se anuleaz, ceea ce
arat c din catod nu iese nici un electron cu energia mai mare dect eU0, unde e=1,610-19 C este
sarcina elementar a electronului.
Cercetrile experimentale au condus la urmtoarele legi ale efectului fotoelectric:
1) Intensitatea curentului fotoelectric de saturaie, IS, determinat de numrul de electroni
smuli din metal n unitatea de timp, este proporional cu fluxul radiaiei electromagnetice
incidente, , cnd frecvena radiaiei este constant (Fig. 5.6). Is S , unde S este sensibilitatea
celulei fotoelectrice.
e
e
Msurnd dependena tensiunii maxime de frnare U0f de frecvena a radiaiei
electromagnetice incidente se obine o dreapt (Fig. 5.7) a crei pant este tg=(h/e). Din aceast
pant se poate determina experimental constanta lui Planck.
Mai mult, din grafic se poate determina valoarea lucrului mecanic de extracie Lex, din
intersecia dreptei cu axa ordonatelor. Pentru majoritatea metalelor, valoarea lucrului de extracie
este de ordinul unui electronvolt (1eV=1,610-19 J). Astfel de experiene au fost efectuate, pentru
prima dat, de R.A. Millikan (Premiul Nobel 1923, pentru munca sa asupra ncrcrii elementar i
efectului fotoelectric), n anul 1915, obinnd concordane perfecte cu teoria lui Einstein.
17
(7.36)
pentru 0 x (domeniul II)
U( x) 0
U pentru x (domeniul III)
0
n cazul clasic, particula nchis ntr-o astfel de groap de potenial, rmne n aceast
groap avnd orice valoare a spectrului energetic continuu. n cazul cuantic, aa cum vom vedea
mai departe, microparticula aflat n groapa de potenial unidimensional, are un spectru discret
de energii.
Deoarece ne intereseaz numai strile staionare ale microparticulei n groapa de potenial,
vom considera ecuaia staionar a lui Schrdinger (7.14), scris numai pentru coordonata x. Astfel
n regiunea II, ecuaia Schrdinger devine:
d 2 2 ( x ) 2m 0
2 E 2 ( x ) 0
(7.37)
dx 2
d 2 3 ( x ) 2m 0
2 [ U0 E] 3 ( x ) 0 n domeniul III
(7.42)
dx 2
1
1
2m 0 ( U 0 E) x
2m 0 ( U 0 E ) x
A1e
B1e
18
pentru x 0 (7.43)
1
1
2m 0 ( U 0 E) x
2m 0 ( U 0 E ) x
A3e
B3e
3 ( x )
pentru x (7.44)
n ambele soluii, coeficienii lui x de la exponeni sunt reali. Cum funciile de und 1 i
3 trebuie s ndeplineasc condiiile standard, adic s fie finite, rezult c B1=0, n regiunea I i
A3=0 n regiunea III. n aceste condiii funciile de und care descriu comportarea microparticulei n
regiunile I i III sunt:
1
2m 0 ( U 0 E) x
1(x ) A1e
pentru x 0
1
2m 0 ( U 0 E) x
3 ( x ) B3e
pentru x
(7.45)
(7.46)
n cazul gropii de potenial cu perei infinii, pentru care U0, funciile de und se
anuleaz 1 (x) 3 (x) 0 (particula nu se poate gsi n exteriorul gropii de potenial). Din
condiia de continuitate a funciei de und pe frontier, rezult:
(7.47)
2 (0) 1 (0) 0
(7.48)
2 () 3 () 0
Din condiia de continuitate a funciei de und la x=0 (7.40), rezult:
(7.49)
A 2 B 2
ceea ce nseamn c funcia de und, 2 ( x ) , care descrie comportarea particulei n groapa de
potenial (pentru x [0, ] ), devine:
(7.50)
2 (x) A 2 e ikx e ikx 2iA 2 sin kx a sin kx
Mai departe avnd n vedere condiia de continuitate (7.48), pentru x , rezult:
(7.51)
2 () a sin k 0
ceea ce pentru a 0 este posibil doar dac:
(7.52)
k n, n 1, 2, 3....
adic
(7.53)
k n n , n 1, 2, 3....
innd seama de relaia (7.38), energia total a microparticulei n groapa de potenial are
valori discrete (valori proprii), date de relaia:
2 k 2n
2 2 2
(7.54)
En
n ,
n 1, 2, 3....
2 m 0 2m 0 2
iar funciile de und corespunztoare acestor valori ale energie (funciile proprii) sunt:
n
(7.55)
n ( x ) a n sin x , n 1, 2, 3.....
Coeficienii an pot fi determinai din condiia de normare a funciei de und:
2
2 (x)
dx 1
(7.56)
sau
a 2n
a 2n
n
2n
a sin x dx
1 cos
x dx
1
2 0
2
0
de unde rezult:
2
an
2
n
19
(7.57)
(7.58)
2
n
(7.59)
sin x , n 1, 2, 3.....
n Fig. 7.2 sunt reprezentate funciile de und date de relaia (7.59), pentru n=1, 2, 3, 4. Se
observ c aceste reprezentri sunt asemntoare soluiilor coardei vibrante fixate la capete, caz n
care se formeaz unde staionare.
Densitatea de probabilitate este independent de timp i va fi dat de relaia:
2
2
n
(7.61)
( x, t ) ( x, t ) * ( x, t ) sin 2 x , n 1, 2, 3.....
n Fig. 7.3 sunt reprezentate densitile de probabilitate corespunztoare strilor
caracterizate de numerele cuantice n=1, 2, 3, 4. Se observ c strile descrise de funciile de und
n (x, t ) sunt stri staionare. Rezult, deci, c probabilitatea de a gsi particula ntr-un punct sau
altul din interiorul gropii de potenial nu este aceeai pe toat lrgimea gropii, dar este constant n
timp n fiecare punct al gropii de potenial. De exemplu pentru starea staionar (n=1),
probabilitatea maxim este la mijlocul gropii de potenial, iar probabilitatea de a gsi particula la
marginea gropii de potenial este nul. n cazul clasic o particul macroscopic se poate gsi cu
probabilitate egal n orice punct al gropii.
n (x)
Din relaia (7.54) se observ c energia particulei n groapa de potenial este cuantificat.
Starea cu cea mai joas energie se obine pentru n=1 i se numete starea fundamental, iar strile
20
corespunztoare numrului cuantic n2 se numesc stri excitate. Energia strii fundamentale este
dat de relaia:
2 2
(7.62)
E1
2m 0 2
iar a strilor excitate se obin uor din relaia general:
(7.63)
E n n 2 E1
Efectele cuantificrii energiei se manifest cu att mai puternic asupra distanrii nivelelor
cu ct masa m0 i mai ales lrgimea gropii de potenial sunt mai mici. Este evident c n cazul
particulelor macroscopice distanele dintre nivelele energetice succesive devin insesizabil de mici i
spectrul energetic devine continuu.
2
n x n y n z
n1n 2 n 3 ( x, y, z) sin 1 sin 2 sin 3
L
L L L
i de valorile proprii ale energie En, date de relaia (7.86):
2 2
2 2 2
2
2
2
En
n
n ; n1 , n 2 , n 3 Z {0}
1
2
3
2 m 0 L2
2 m 0 L2
(8.46)
(8.47)
Rezult c spectrul energetic al electronilor n metal este discret, iar dac L este foarte mare,
nivelele energetice sunt foarte apropiate. Deoarece, diferitele nivele energetice ale electronilor n
groapa de potenial tridimensional a metalului sunt determinate de cele trei numere cuantice n 1, n2,
i n3 la care se mai adaug i numrul cuantic magnetic de spin ms, atunci se obin cele patru
numere cuantice care caracterizeaz starea electronilor n metale.
n acest caz, pentru fiecare triplet de numere cuantice (n1 n2 n3) exist o singur funcie de
und n1n 2n 3 , dat de relaia (8.46), Valorile energiei En, ns, sunt aceleai pentru toate strile
descrise de numerele cuantice (n1 n2 n3) care satisfac condiia (8.47). Deci, n cazul gropii de
potenial sub form cubic, diferite stri ale microparticulei corespund unui singur nivel de energie.
21
Astfel de stri se numesc stri degenerate, iar numrul strilor cuantice (funciilor de und)
diferite, care au aceeai energie se numete grad de degenerare sau ponderea cuantic a strii.
De exemplu, pentru cazul n care:
(8.47b)
n 2 n12 n 22 n 32 9
nivelele energetice au aceeai energie, dat de relaia:
9 2 2
En
2 m0 2
iar strile cuantice sunt descrise de trei funcii de und distincte determinate de cele trei combinaii
ale numerelor cuantice (n1 n2 n3), care ndeplinesc condiia (8.47b). Gradul de degenerare n acest
caz fiind egal cu 3.
Cele trei funcii de und sunt date de relaiile:
2
122( x, y, z)
L
3/ 2
x 2y 2z
sin sin
sin
L L L
3/ 2
2x 2y z
sin
sin
sin
L L L
2
221( x, y, z)
L
3/ 2
2
2x y 2z
212( x, y, z) sin
sin sin
L
L L L
Nivelele energetice pot fi reprezentate ca puncte n spaiul numerelor cuantice (n1, n2, n3). n
acest spaiu, numrul total de stri energetice distincte ale electronilor, cu energia mai mic sau
egal cu o anumit limit E, este egal cu numrul de triplei (n1, n2, n3), care satisfac condiia:
(8.48)
n12 n 22 n 32 n 2
Numrul de stri cu energia E En se determin, dac se interpreteaz tripletul (n1, n2, n3)
ca un punct n primul octan al unei sfere de raz R=n, din spaiul numerelor de und (Fig. 8.11). Un
punct cu coordonate ntregi corespunde la o celul cu volumul (n1n2n3) = 1 i, deci, numrul de
stri energetice, G(E), este egal cu numrul de celule cuprinse n primul octan al sferei de raz n,
adic:
1 4n 3 n 3
(8.49)
G (E)
8 3
6
Din relaia (8.47) rezult expresia numrului cuantic n:
L
(8.50)
n
(2m 0 E)1 / 2
22
dG(E)
V
(8.52)
2 3 ( 2m 0 ) 3 / 2 E 1 / 2
dE
4
Deoarece electronii din metal sunt caracterizai i de numrul cuantic magnetic de spin ms,
1
care poate lua 2s+1 valori (unde s ), un nivel energetic are gradul de degenerare 2s+1, iar
2
densitatea de stri a electronilor va fi:
V
(8.53)
g(E) (2s 1) 2 3 (2m 0 ) 3 / 2 E1 / 2
4
Deoarece numrul cuantic de spin, n cazul electronilor este s=1/2, rezult c densitatea
energetic de stri n cazul electronilor din metale este:
V
(8.54)
g ( E ) 2 3 ( 2m 0 ) 3 / 2 E 1 / 2
2
sau
4V
(8.55)
g ( E ) 3 ( 2m 0 ) 3 / 2 E 1 / 2
h
Numrul electronilor care au energia cuprins n intervalul de energie E i E+dE, este
dat de produsul dintre numrul de stri energetice din intervalul de energie menionat g(E)dE i
probabilitatea de ocupare a acestor stri. Deoarece electronii sunt fermioni, acetia se supun
statisticii Fermi-Dirac (7.172), probabilitatea de ocupare a unei stri energetice este chiar funcia de
distribuie Fermi-Dirac, fFD(E,T). n aceste condiii numrul electronilor care au energia cuprins n
intervalul de energie E i E+dE, va fi:
(8.56)
dN(E) g(E) f FD (E, T)dE
Deoarece electronii sunt caracterizai de numrul cuantic magnetic de spin ms, pe fiecare
nivel energetic pot exista cel mult doi electroni cu spinii antiparaleli. Rezult c la T0 K,
electronii vor ocupa toate nivelele energetice pn la o anumit valoare, EF, numit energia Fermi
(Fig. 8.12 a). La zero absolut cei N electroni din metal vor ocupa N/2 nivele de energie, iar funcia
Fermi-Dirac (7.172), trebuie s satisfac condiiile:
1 dac E E F
f FD (E, T)
(8.57)
0 dac E E F
g ( E)
Aceste condiii sunt satisfcute dac potenialul chimic, (0), la T=0 K, reprezint energia
Fermi, EF, adic:
1
(8.58)
f FD (E, T) E E
F
e
1
La temperaturi mai mari ca zero absolut (T0 K), o parte din electronii care au energie
apropiat de energia Fermi pot ctiga energie termic i sar pe nivele energetice superioare EEF
(Fig. 8.12 b).
k BT
a)
b)
23
Limita pn la care pot fi ocupate strile superioare nivelului Fermi este dat de mrimea
energiei termice kBT. n mod corespunztor, o parte din nivelele situate sub limita nivelului Fermi,
pn la (EF- kBT), vor fi depopulate, astfel c pe un interval de energie 2 kBT, n jurul nivelului
Fermi, va exista n medie cte un electron pe fiecare nivel. La temperaturi foarte mari electronii pot
chiar prsi groapa de potenial, adic pot prsi metalul respectiv.
Dependena de energie a funciei Fermi-Dirac fFD(E,T) la T=0K i T0 K este reprezentat
n Fig.8.13. Din Fig. 8. 13 se observ c pentru T0 K apar electroni cu energie peste nivelul Fermi.
De asemenea, se observ c probabilitatea de ocupare a nivelului Fermi la orice temperatur T0 K
este 1/2.
N
n0
V
EF
4
3
8
2
2m0 3 / 2 E3F/ 2
h
3h
de unde rezult energia Fermi n metale la T=0 K:
(8.60)
2/3
h 2 3n 0
(8.61)
EF
8m0
Din relaia (8.61) sau (8.61) se observ c energia Fermi este funcie numai de concentraia
n0 a electronilor i cum pentru metale ea este n jur de 1028 - 1029 electroni/m3, rezult o energie
Fermi cuprins n intervalul 1-10 eV i o temperatur Fermi, TF=EF/kB cuprins ntre 104 K i 105
K, care este aproximativ cu dou, trei ordine de mrime peste temperatura de topire a metalelor.
Exemplu de calcul, pentru electronul de mas m0=9,1 10-31 kg i o concentraie de
aproximativ n0=1029 electroni/m3, se obine:
2/3
1
7,87 eV
1,6 1019
9,12 104 K
23
kB
1,38 10
n calcule s-a utilizat valorile constantei lui Planck: h=6,626 10-34 J/K i a constantei lui
Boltzmann: kB=1,38 10-23 kg.
TF
24
sens opus cmpului electric, ca i cum ar fi o particul pozitiv cu sarcina pozitiv qp=+e i cu o
mas efectiv m p . Masele efective m n i m p ale electronului i respectiv golului, include efectul
cmpului electric periodic al cristalului semiconductor, cei doi purttori de sarcin fiind supui doar
forelor externe, macroscopice. Electronul de conducie i golul sunt particule fictive care au sens
doar n interiorul semiconductorului. Procesul invers, n care legtura covalent se reface prin
revenirea unui electron liber se numete recombinarea purttorilor de sarcin.
Concentraia electronilor
Pentru calcularea concentraiei purttorilor de sarcin n semiconductorii intrinseci, aflai la
echilibru termodinamic, la o temperatur T 0 K, trebuie s se in seama att de concentraia
electronilor din banda de conducie ct i de concentraia golurilor din banda de valen. Deoarece
ambele tipuri de purttori sunt fermioni, att electroni ct i golurile se vor supune legii de
distribuie Fermi-Dirac (8.58).
Numrul de electroni din unitatea de volum din banda de valen, cu energia cuprins ntre E
i E+dE, va fi egal cu produsul dintre densitatea de stri pe unitatea de volum, gn(E), probabilitatea
de ocupare a unui anumit nivel, fn (E,T), i intervalul energetic dE:
(9.5)
dn 0 g n (E) f n dE
n cazul semiconductorilor, expresia densitii de stri permise pe unitatea de volum pentru
electroni, gn(E), se abate de la expresia (8.55) din cazul metalelor, deoarece, n semiconductori, spre
deosebire de metale, pe lng benzile de energie permise exist i benzi de energie interzise.
Deoarece, majoritatea strilor ocupate de electroni se afl n apropierea limitei inferioare a benzii de
conducie, atunci lund ca referin energia Ec, corespunztoare minimului benzii de conducie,
densitatea de stri pe unitatea de volum pentru electroni este dat de relaia:
4
(9.6)
g n (E) 3 (2m*n ) 3 / 2 (E E c )1 / 2
h
iar expresia (9.5) devine:
4
1
dn 0 3 (2m*n ) 3 / 2 (E E c )1 / 2 E E
dE
(9.7)
F
h
e k BT 1
Deoarece, concentraia electronilor din banda de conducie este mic comparativ cu cea a
atomilor, se poate admite c gazul electronic este nedegerat, pentru care este satisfcut
inegalitatea:
(9.8)
E E F k B T
n aceste condiii n expresia funciei Fermi-Dirac, se poate neglija unitatea n raport cu
exponeniala, funcia Fermi-Dirac putnd fi nlocuit cu funcia de distribuie Boltzmann:
f n ( E, T )
1
E E F
k BT
E E F
k BT
(9.9)
e
1
Concentraia electronilor poate fi calculat prin integrarea relaiei (9.7) ntre minimul benzii
de conducie, Ec i :
4
n 0 3 (2m*n ) 3 / 2 (E E c )1 / 2 e
h
Ec
E E F
k BT
dE
(9.10)
Cum energia nivelului Fermi EF=const., se poate scoate n faa integralei i rezult:
EF
4
* 3 / 2 k BT
n 0 3 ( 2m n ) e
(E E c )1 / 2 e k BT dE
h
Ec
26
(9.11)
Ec
k BT
i se obine:
4
n 0 3 (2m*n ) 3 / 2 e
h
E F Ec
k BT
(E E c )
1/ 2
E Ec
k BT
(9.12)
dE
Ec
(9.13)
E F Ec
4
n 0 3 (2m*n k B T) 3 / 2 e k BT x 1 / 2 e x dx
h
0
Integrala din relaia (9.14) este o integral de tip Euler:
(9.14)
(r ) x r 1e x dx
0
(r 1) x r e x dx x r (e x )' dx x r e x r x r 1e x dx r x r 1e x dx r(r)
0
1
1
1 1
, unde ( )
( 1) ( )
2
2
2 2
2
n aceste condiii integrala din relaia (9.14) va fi egal cu:
2
0
i relaia (9.14), devine:
1/ 2 x
n0
e dx
(9.15)
2
h
(2m*n k B T) 3 / 2 e
3
Ec E F
k BT
Nce
Ec E F
k BT
(9.16)
unde
2
(9.17)
(2m*n k B T) 3 / 2
3
h
reprezint densitatea efectiv de stri a electronilor din banda de conducie.
La temperatura de 300 K, pentru Si, densitatea de stri este Nc=2,72 1019 cm-3 iar pentru Ge,
Nc=1019 cm-3.
Concentraia golurilor
Pentru a determina concentraia golurilor din banda de valen, la echilibru termic, trebuie
menionat c acestea apar pe seama trecerii electronilor din banda de valen n banda de conducie.
n aceste condiii funcia de distribuie Fermi-Dirac pentru goluri i pentru electroni trebuie s
satisfac relaia:
fn fp 1
(9.18)
deoarece o stare energetic poate fi ocupat fie de un electron fie de un gol.
Din relaia (9.18) rezult:
1
1
f p ( E, T ) 1 E E
E E
(9.19)
Nc
e
1 e
1
care se poate aproxima n condiiile gazului nedegenerat cu funcia Boltzmann:
k BT
f p ( E, T )
E E F
k BT
k BT
E E F
k BT
(9.20)
e
Deoarece majoritatea strilor ocupate de goluri sunt situate n apropierea limitei superioare a
benzii de valen (de unde au plecat electronii n banda de conducie), densitatea de stri pe unitatea
de volum pentru goluri este:
27
4
(9.21)
(2m*p ) 3 / 2 (E v E)1 / 2
3
h
Concentraia golurilor din BV, avnd energia cuprins ntr-un interval E i E+dE va fi dat
de relaia:
(9.22)
dp 0 g p (E) f p dE
g p ( E)
dp 0
E E F
k BT
(9.23)
E) e
dE
h
Pentru calculul concentraiei golurilor din banda de valen, trebuie inut seama c pentru
goluri creterea energie nseamn deprtarea de limita superioar a benzii de valen, E v. Ca urmare
relaia (9.23) trebuie integrat ntre - i Ev. Se obine astfel relaia integral:
(2m*p ) 3 / 2 (E v
3
1/ 2
V
4
p 0 3 (2m*p ) 3 / 2 (E v E)1 / 2 e
h
E E F
k BT
(9.24)
dE
EF E
V
4
p 0 3 (2m*p ) 3 / 2 e k BT (E v E)1 / 2 e k BT dE
h
(9.25)
E E
v
k BT
1/ 2
4
(2m*p ) 3 / 2 e
( E v E)
h3
dE
Ev
k BT
, se obine:
(9.26)
(9.27)
E v E F
4
p 0 3 (2m*p k B T) 3 / 2 e k BT x 1 / 2 e x dx
(9.28)
h
0
Dup nlocuirea integralei cu expresia (9.15), relaia (9.28) se obine:
p0
2
h
(2m*p k B T) 3 / 2 e
3
E F E v
k BT
N ve
E F E v
k BT
(9.29)
unde
2
(9.30)
(2m*p k B T) 3 / 2
3
h
reprezint densitatea efectiv a strilor energetice pentru golurile din banda de valen. La
temperatura de 300 K, pentru Si, densitatea de stri pentru goluri este Nv=1019 cm-3 iar pentru Ge,
Nv=6 1019 cm-3.
Nv
a)
b)
c)
f D ( E, T )
(9.45)
E E
d Fn
k BT
e
1
unde EFn este nivelul Fermi n semiconductorul de tip n.
Concentraia atomilor donori ionizai, pe nivelul donor, va fi:
N
N d E Ed
(9.46)
Fn
e k BT 1
Pentru semiconductorul nedegenerat, la care concentraia impuritilor donoare, Nd, este
relativ mic (1014-1018 atomi/cm3) i aflat la temperaturi sczute, relaia (9.46) trece n funcia de
distribuie Boltzmann i devine:
E d E Fn
k BT
N d
(9.47)
Nde
n acelai timp, concentraia electronilor n banda de conducie va fi dat, conform relaiei
(9.16), de expresia:
E c E Fn
k BT
(9.48)
n Nce
La temperaturi sczute, concentraia electronilor din banda de conducie este practic
determinat numai de electronii provenii de pe nivelul donor, adic:
n
N d
Nde
E d E Fn
k BT
(9.49)
sau
E c E Fn
k BT
E d E Fn
k BT
(9.50)
Nce
Nde
de unde rezult expresia nivelului Fermi:
E E d k BT N c
E Fn c
ln
(9.51)
2
2
N
d
Concentraia electronilor poate fi calculat acum prin nlocuirea nivelului Fermi EFn n
relaia (9.48). Rezult:
n Nc Nd e
Ec Ed
2 k BT
(9.52)
sau
n Nc Nd e
E d
2 k BT
(9.53)
E Fn E d
ln
(9.55)
2
2
Nd
Din relaia (9.55) se observ c la T=0 K, nivelul Fermi extrinsec, E Fn, este situat la mijlocul
distanei dintre nivelul donor Ed i minimul benzii de conducie Ec (Fig. 9.16). La creterea
temperaturii nivelul Fermi, EFn, ncepe s scad spre nivelul Fermi intrinsec, Ei, situat aproximativ
la mijlocul benzii interzise a semiconductorului.
Aceast comportare poate fi neleas dac se analizeaz dependena de temperatur a
concentraiei purttorilor de sarcin.
ntr-adevr, odat cu creterea temperaturii apare i fenomenul de generare intrinsec a
purttorilor (Fig. 9.15 c), care conduce la apariia unei concentraii de goluri n banda de valen i
30
la creterea concentraiei electronilor din banda de conducie. n aceste condiii din relaia de
neutralitate a semiconductorului (9.44), se obine:
(9.56)
n N d p
iar concentraia golurilor va fi:
n i2
(9.57)
p
n
Din relaiile (9.56) i (9.57), rezult ecuaia care permite determinarea concentraiei
electronilor de conducie:
2
1
(9.58)
n N d N d 4n i2
2
ncepnd cu temperaturi situate n jur de T=100 K, toi atomii donori sunt ionizai iar
concentraia intrinsec ni, deci i a golurilor, este mult mai mic dect concentraia electronilor,
adic:
N d N d n i
(9.59)
Din relaia (9.58), rezult concentraia electronilor:
n N d const.
(9.60)
iar din relaia (9.57), se poate calcula concentraia golurilor:
n2
(9.61)
p i n
Nd
Relaiile (9.60) i (9.61) sunt valabile ntr-un domeniu de temperaturi cuprins ntre 100 K i
500 K, care se numete domeniul de epuizare a impuritilor.
Nivelul Fermi n acest domeniu de temperaturi se obine din relaia (9.48), n care concentraia
electronilor n banda de conducie este n=Nd:
N
E Fn E c k B T ln c
(9.62)
N
d
Peste temperaturi mai mari dect 500 K, concentraia electronilor generai intrinsec din
banda de valen crete apreciabil i devine mult mai mare dect cea datorat ionizrii atomilor
donori (niNd), ceea ce va conduce la o cretere corespunztoare a concentraiei de goluri.. Dac
numrul golurilor aprute n banda de valen depete cu mult concentraia donorilor, atunci
semiconductorul se comport ca un semiconductor intrinsec. Din relaiile (9.58) i (9.57) rezult c
electronii i golurile au concentraii egale cu concentraia intrinsec n=p=n i. Nivelul Fermi, n acest
caz, tinde spre nivelul Fermi intrinsec, Ei, fiind determinat de relaia (9.37).
31
Odat cu creterea concentraiei atomilor donori, Nd, nivelul Fermi scade mai lent cu
creterea temperaturii spre nivelul Fermi intrinsec. De asemenea, se poate arta c n domeniul
temperaturilor joase nivelul Fermi prezint o cretere pn la o valoare maxim, corespunztoare
intrrii semiconductorului n domeniul de epuizare.
n majoritatea aplicaiilor practice, concentraia purttorilor de sarcin din semiconductorii
intrinseci corespunde domeniului de epuizare, pentru care concentraia purttorilor este exclusiv
extrinsec i dat de relaia (9.60). n Fig. 9.17 este reprezentat grafic dependena concentraia
electronilor i golurilor ntr-un semiconductor de tip n, n funcie de temperatur.
Fn eE
Sub aciunea acestei forte electronii vor avea o micare uniform accelerat cu o acceleraie:
Fn
eE
(10.5)
an * *
mn
mn
n prezena cmpului electric, peste micarea de agitaie termic a electronilor, se va
suprapune i o micare dirijat dup direcia cmpului dar n sens opus cmpului, numit micare de
drift. n Fig. 10.2 se prezint traiectoria unui electron care se mic sub influena agitaiei termice i
a cmpului electric.
Viteza medie suplimentar datorat aciunii cmpului electric, numit vitez de drift i care
se suprapune peste viteza termic, este dat de relaia:
e
vn a n n *n E n E
(10.6)
mn
unde
32
e n
(10.7)
m *n
este mobilitatea electronilor i este timpul mediu dintre dou ciocniri succesive.
ntr-un semiconductor extrinsec de tip p, purttorii majoritari fiind golurile, acestea se vor
deplasa sub actiunea unei forte:
Fp eE
acceleratia va fi:
Fp
eE
an * *
mp mp
iar viteza de drift, vp, n sensul cmpului va fi dat de o relaie asemntoare cu relaia (10.6):
ep
(10.8)
v p a p p * E p E
mp
unde
p
e p
(10.9)
m *p
purttori, sub aciunea unui cmp electric exterior E , electronii se vor deplasa n sens contrar
cmpului electric iar golurile n acelai sens cu cmpul electric. Vitezele de drift corespunztoare
deplasrii electronilor i golurilor vor fi date de relaiile (10.6) i (10.8). Acestor deplasri de
n cmp electric exterior E (Fig. 10.3 a). Aceasta nseamn c toi electronii care se gsesc n
momentul iniial n interiorul paralelipipedului cu lungimea vndt, vor strbate suprafaa dS, n
intervalul de timp dt. Dac n este concentraia electronilor, atunci sarcina dQn se poate exprima
astfel:
dQn edN n env n dtdS
(10.10)
n aceste condiii, intensitatea curentului electric va fi:
dQn
dIdrift
n
dt
iar densitatea de curent a electronilor este dat de relaia:
33
J drift
dIdrift
dQn
n
env n
dS
dSdt
(10.11)
sau vectorial:
drift
(10.12)
Jn envn
Dac se ine seama de expresia vitezei de drift a electronilor (10.6), rezult:
drift
(10.13)
Jn enn E
Pentru un semiconductor de tip p (Fig. 10.3 b) se poate face acelai raionament ca i n
cazul semiconductorului de tip n, cu deosebirea c sarcina golurilor este egal cu (+e) iar
concentraia acestora este p.
dQp edN p env pdtdS
dIdrift
J drift
dQp
dt
dIdrift
p
dQp
env p
dS
dSdt
n acest caz se obin urmtoarele expresii pentru densitatea de curent de goluri:
drift
(10.14)
Jp epvp
drift
(10.15)
Jp epp E
a)
b)
J
J n J p env n epv p en n E ep p E
(10.16)
sau
drift
J
e (n n p p ) E
(10.17)
Curentul electric ntr-o seciune oarecare S a unui semiconductor este o mrime scalar, care
se obine integrnd produsul scalar dintre densitatea de curent i elementul de suprafa:
I J drift dS
(10.18)
S
Relaia (10.17) este valabil n cmpuri electrice care nu depesc valoarea de aproximativ
7
10 V/m. La intensiti mai mari ale cmpului electric apar fenomene suplimentare, cum ar fi
multiplicarea prin avalan a purttorilor, care determin o cretere brusc a curentului electric n
semiconductori.
Conductivitatea electric a semiconductorilor, , poate fi determinat din expresia legii Ohm
sub forma local, care leag densitatea de curent de cmpul electric ntr-un punct:
drift
(10.19)
J
E
Din relaia (10.17) se obine expresia conductivitii electrice a semiconductorului:
34
e(n n p p ) n p
(10.20)
ntr-un semiconductor de tip n, pentru care concentraia electronilor este mult mai mare
dect concentraia golurilor, np, conductivitatea semiconductorului va fi:
(10.21)
n en n
iar ntr-un semiconductor de tip p, pentru care pn, rezult:
p ep p
n cazul semiconductorului intrinsec, deoarece n=p=ni, conductivitatea electric va fi dat de
relaia:
(10.20)
i en i ( n p )
La temperaturi sczute, conductivitatea semiconductorului, n, crete odat cu creterea
temperaturii, deoarece n aceast regiune concentraia electronilor crete exponenial cu
temperatura, conform relaiei (9.53). n aceast regiune are loc ionizarea treptat a impuritilor
donoare, iar conductivitatea este dat de relaia:
n en n e n N c N d e
E d
2 k BT
(10.21)
E d
2 k BT
(10.22)
n Ce e
unde Ce este o constant independent de temperatur, deoarece se poate considera c variaia
mobilitii n aceast regiune este mult mai slab dect variaia concentraiei electronilor, care crete
exponenial.
In domeniul de epuizare a impuritilor, cnd practic toate impuritile au fost ionizate i,
deci, concentraia electronilor este aproximativ independent de temperatur, n = Nd =const. Totui,
conductivitatea electric n aceast regiune, dat de relaia:
n=enNd const.
(10.23)
prezint o uoar scdere la creterea temperaturii la fel cum scade mobilitatea electronilor n cu
temperatura.
La temperaturi ridicate, concentraiile purttorilor cresc foarte mult, deoarece apare
fenomenul de generare intrinsec a perechilor electron-gol, niNd. n aceste condiii, aa cum am
artat n subcapitolul 9.5.1, semiconductorul se comport ca un semiconductor intrinsec. n aceast
regiune conductivitatea semiconductorului crete foarte mult i este practic dat de conductivitatea
intrinsec (10.20). Dac se ine seama de expresia concentraiei intrinseci ni (relaia 9.40),
dependena de temperaturii a conductivitatea electric a semiconductorului va fi:
Eg
(10.24)
n e ( n p )n i C i e
Dependena conductivitii electrice de temperatur a semiconductorilor permite
determinarea benzii interzise a semiconductorilor, Eg i localizarea nivelului donor, Ed fa de
minimul benzii de conducie a semiconductorilor.
Astfel, dac se msoar experimental conductivitatea electric a unui semiconductor de tip n
i se traseaz graficul ln n=f(1/T) (Fig. 10.5), se obin trei regiuni, descrise de relaiile:
E d 1
ln n ln C e
, n regiunea I
(10.25)
2k B T
ln n ln (e n N d ),
n regiunea II
(10.26)
Eg 1
(10.27)
ln n ln C i
, n regiunea III
2k B T
2 k BT
35
tg i
corespunztoare temperaturilor mai mari dect temperatura intrinsec (regiunea III), TTi:
E g 2k B tg i
(10.29)
Deoarece, EgEd, rezult tg i tg e .
n regiunea II graficul ln n=f(1/T) prezint un palier deoarece acesta corespunde
domeniului de epuizare a impuritilor. n cazul Si dopat cu P n concentraie de Nd=31014 cm-3,
domeniul de epuizare a impuritilor este cuprins ntre Te=45 K i Ti=500 K.
Un raionament asemntor cu cel pentru semiconductorul de tip n se poate face i pentru un
semiconductor de tip p.
36
a)
b)
Fig. 10.7. Difuzia purttorilor de sarcin n semiconductori: a) difuzia electronilor, b) difuzia golurilor.
n
dt
dt
a crui densitate de curent este egal cu:
dIdif
n e dN n e e D dn
J difuzie
n
n
n
dS
dS dt
dx
dn
(10.36)
J difuzie
e Dn
n
dx
Dac variaia concentraiei de electroni se face dup o ax oarecare, atunci gradientul de
concentraie va fi (n ) , iar curentul de difuzie va fi dat de expresia:
(10.37)
J difuzie
e D n n
n
n mod similar, dac se consider un semiconductor de tip p (Fig. 10.7 b) n care exist un
gradient de concentraie de goluri (dp/dx0):
dN p
p
dSdt
dQp e dN p
dIdif
p
dt
dt
dif
dI p
e dN p
J difuzie
e p
p
dS
dS dt
dp
(10.38)
J difuzie
e D p
p
dx
pentru cazul unidimensional i
J difuzie
e Dpp
(10.39)
p
pentru cazul tridimensional. n relaiile (10.38) i (10.39) coeficientul de proporionalitate, Dp se
numete coeficient de difuzie pentru goluri.
37
Din relaiile (10.3610.39) i din Fig. 10.7 se observ c densitile de curent de difuzie i,
deci, i curenii de difuzie pentru electroni i respectiv pentru goluri au sensuri opuse deoarece
sarcinile electronilor i golurilor sunt opuse. Curentul de difuzie pentru electroni este orientat
dinspre regiunea cu concentraie mai mic ctre regiunea cu concentraie mai mare, n timp ce
curentul de difuzie pentru goluri este orientat n sens opus. Curenii de difuzie au valoare
apreciabil numai n semiconductori.
n urma plecrii purttorilor de sarcin, electronilor (Fig. 10.7 a) respectiv golurilor (Fig.
10.7 b) din regiunile n care acetia aveau o concentraie ridicat, n aceste regiuni vor rmne
sarcini imobile necompensate, ioni pozitivi n semiconductorul de tip n i respectiv ioni negativi n
10.7a, se observ c la echilibru termic, curentul de difuzie J ndifuzie va fi egalat de curentul de drift
drift
J n , determinat de apariia cmpului intern E . Deoarece cele dou componente ale curentului
n 0 Nce
Ec E F
k BT
(10.46)
Datorit cmpului electric intern E , electronii vor cpta o energie potenial suplimentar
Ep =-eU, unde U este diferena de potenial (tensiunea electric) ce apare ntre capetele
semiconductorului. Aceast energie se adaug la energia Ec a electronilor de conducie, astfel nct,
expresia concentraiei electronilor devine:
n Nce
( E c eU) E F
k BT
n 0e
eU
k BT
(10.47)
38
nE
dx k B T dx
k BT
nlocuind relaia aceast derivat n relaia (10.45), rezult expresia coeficientului de difuzie
pentru electroni:
k T
Dn B n
(10.50)
e
n mod asemntor se obine i coeficientul de difuzie pentru goluri:
k T
Dp B p
(10.51)
e
Din relaiile (10.50) i (10.51), rezult c raportul dintre coeficientului de difuzie i
mobilitatea purttorilor este o constant indiferent de tipul purttorului:
D n D p k BT
UT
(10.52)
n
p
e
unde UT este potenialul termic i are valoarea 26 mV la temperatura T=300 K.
n semiconductorul de tip p i:
n i2
n i2
(12.2)
n n0 N d ; p n0
n n0 N d
n semiconductorul de tip n. Golurile din regiunea p i electronii din regiunea n sunt purttori
majoritari, iar golurile din regiunea n i electronii din regiunea p sunt purttori minoritari.
regiunea de trecere apare un cmp electric intern E 0 , orientat de la regiunea n spre regiunea p.
Acest cmp electric transport prin drift purttorii minoritari din cele dou regiuni, adic electronii
din regiunea p i respectiv golurile din regiunea n. Procesul de scdere a concentraiilor de purttori
majoritari nu se continu pn la uniformizarea concentraiilor, conform teoriei difuziei gazelor, ci
se autolimiteaz, prin generarea cmpului electric intern.
40
Fig. 12.2. Jonciunea pn la echilibru termic: a) regiunile de trecere i neutre ale jonciunii, b) distribuia
sarcinilor spaiale imobile, c) structura de benzi energetice.
La echilibru termic fluxurile de purttori majoritari care trec prin jonciune datorit difuziei
vor fi egale cu fluxurile de purttori minoritari, generai termic n cele dou regiuni i care trec prin
jonciune antrenai de cmpul electric intern care apare n regiunea de trecere a jonciunii.
Ca urmare curenii de drift, datorai de trecerea purttorilor minoritari sunt egali i de sensuri
contrare cu cei de difuzie datorai purttorilor majoritari (Fig. 12.3). Ca rezultat al acestei egaliti,
prin jonciunea pn, la echilibru termic, curentul net total este nul:
difuzie difuzie drift drift
J Jp
Jn
Jp Jn 0
sau:
J n J difuzie
J drift
0
n
n
J p J difuzie
J drift
0
p
p
Fig. 12.3. Curenii de difuzie i de drift prin jonciunea pn, aflat la echilibru termic.
41
E c ( n 0 ) E F
k BT
(12.7)
n n0 N ce
n regiunea p, electronii sunt purttori de sarcin minoritari, iar concentraia lor este dat de
relaia:
Ec ( p 0 )E F
k BT
n p0 N c e
Din relaiile (12.7) i (12.8) rezult:
n
n p 0
E c ( p 0 ) E c ( n 0 ) k B T ln n 0 ln
N
N
c
c
(12.8)
(12.9)
e
ni
Deoarece la temperaturi obinuite concentraiile purttorilor majoritari sunt n n 0 N d i
p p0 N a , diferen intern de potenial (12.11) devine:
42
U0
N N
k BT Nd Na
ln 2 U T ln d 2 a
e
ni
ni
(12.12)
E F E v ( p 0 )
k BT
p p0 N ve
n regiunea p unde sunt majoritari i:
(12.13)
E F E v ( n 0 )
k BT
(12.14)
p n 0 N ve
n acest caz, diferena intern de potenial se determin din relaia:
E v ( p 0 ) E v ( n 0 )
(12.15)
U0
e
k T p p0 k BT n n 0p p0
(12.16)
U 0 B ln
ln
2
e
e
n
pn0
i
Dac se inea seama de relaiile (12.1) i (12.2) se gsesc pentru U0 relaii identice cu
N N
k T N N
(12.12):
U 0 B ln d 2 a U T ln d 2 a
e
ni
ni
Deci, ntr-o jonciune pn la echilibru termic, se formeaz o regiune de sarcin spaial de
mare rezistivitate deoarece aceast regiune este practic lipsit de purttori mobili de sarcin, n care
se stabilete o barier de potenial. Valorile tensiunii interne sunt de cteva zecimi de volt. De
exemplu, pentru valorile tipice ale concentraiilor de impuriti acceptoare, donoare i a
concentraiei intrinseci: Nd=1014 cm-3, Na=1016 cm-3, ni=1010 cm-3, la temperatura camerei T=300 K,
pentru care UT=26 mV, se obine o tensiune intern U0=0,60 V.
2U 2U 2U
2 2 v
(12.22)
2
x
y
z
unde v = Q/V (V fiind volumul jonciunii pn) se numete densitatea volumic de sarcin i este
permitivitatea electric a mediului.
Pentru determinarea lrgimii regiunii de trecere a unei jonciuni pn abrupte, se utilizeaz un
model unidimensional simplificat (de-a lungul axei Ox) numit modelul Schottky (Fig. 12.6 a).
Acest model are la baz aproximaia de golire, conform creia, jonciunea pn se mparte n trei
regiuni: regiunea de trecere situat n jurul jonciunii metalurgice care este cuprins ntre
( p0 x n 0 ) i dou regiuni neutre, una situat n semiconductorul de tip p, cuprins ntre
(d p x p0 ) iar cealalt n semiconductorul de tip n i cuprins ntre ( n 0 x d n ) . Toate
fenomenele specifice jonciunii pn la echilibru termic se petrec n regiunea de sarcin spaial.
Aproximaia de golire consider c n regiunea de sarcin spaial sarcin, concentraiile de
electroni i goluri se neglijeaz fa de concentraiile de impuriti, adic regiunea de trecere este
43
complet srcit n purttori mobili de sarcin, singura sarcin fiind sarcina spaial Qp i Qn dat de
ionii negativi i respectiv pozitivi de impuriti.
Fig. 12.6. Modelul Schottky unidimensional al jonciunii pn: a) jonciunea pn, b) densitatea volumic de
Avnd n vedere relaiile (12.3) i (12.4) ale sarcinilor spaiale, densitile volumice de
sarcin v (Fig. 12.6 b), n cele dou regiuni sunt date de relaiile:
eN a ; p0 x 0
(12.23)
v
eN
;
0
d
n0
Distribuiile cmpului electric i a potenialului electric se pot deduce din rezolvarea ecuaiei
Poisson n cazul unidimensional:
d2U
v
(12.24)
2
dx
cu condiiile la limit:
E 0 ( p0 ) E 0 ( n 0 ) 0
(12.25)
pentru cmpul electric la echilibru termic i:
U( p0 ) 0; i U( n 0 ) U0
(12.26)
pentru potenialul electric.
n regiunile neutre (d p x p0 ) i ( n 0 x d n ) , cmpul electric este nul, iar
potenialul este constant.
Pentru regiunea de trecere din semiconductorul de tip p: ( p0 x 0) , unde v eN a ,
din ecuaia lui Poisson se obine:
d 2 U d dU eN a
(12.27)
dx 2 dx dx
sau dac se ine seama de legtura dintre cmpul electric i potenial:
dU
E 0 (x)
(12.28)
dx
se obine:
44
eN a
dx
E 0 ( x ) E 0 ( p 0 )
(12.29)
eN a
dx
p 0
(12.30)
sau dac se are n vedere condiia la limit pentru cmpul electric E 0 ( p0 ) 0 , se obine
distribuia cmpului electric n aceast regiune:
eN
(12.31)
E 0 (x) a (x p0 )
U ( x ) U ( p 0 )
E 0 (x) dx
(12.32)
p 0
eN d
dx
x
care prin integrare i impunerea condiiei la limit E 0 ( n 0 ) 0 , devine:
E 0 ( x ) E 0 ( n 0 )
(12.34)
eN d
(12.35)
( n 0 x )
0 p0 n 0
2 Na Nd
U0
e Na Nd
(12.40)
45
Relaia (12.40) arat c lrgimea total a regiunii de trecere depinde numai de concentraiile
de impuriti i mai ales de concentraia impuritilor din regiunea mai slab dopat i de tensiunea
intern U0. n acest caz lrgimea total a regiunii de trecere se gsete numai n regiunea mai slab
dopat.
De exemplu, pentru o jonciune asimetric de forma n+p pentru care NdNa, lrgimea
regiunii de trecere are expresia aproximativ:
2 U 0
(12.41)
0 p0
e Na
iar pentru o jonciune asimetric de forma p+n pentru care NaNd, lrgimea regiunii de trecere va
fi:
2 U 0
(12.42)
0 n0
e Nd
Din relaiile (12.31) i (12.35) se observ c intensitatea cmpului electric n regiunea de
trecere este negativ n ambele regiunii p i n, avnd o variaie liniar cu distana (Fig. 12.6 c),
atingnd o valoare maxim, n modul, la x=0:
eN a
eN d
(12.43)
E0m
p0
n0
p0 0
Nd
2
Nd U0
Na Nd
e Na ( Na Nd )
(12.44)
Na
2
Na U0
(12.45)
Na Nd
e Nd ( Na Nd )
i apoi din relaia (12.43), unde se ine seama de relaia (12.40), se obin relaiile:
n0 0
e N N
e N N 2 Na Nd
U0
E0m a d 0 a d
Na Nd
Na Nd e Na Nd
E0m
2e Na Nd
U0
Na Nd
(12.46)
(12.47)
Expresia capacitii de barier, Cb0, poate fi calculat cu formula unui condensator plan cu
aria armturilor egal cu suprafaa jonciunii, S, i distana dintre armturi egal cu lungimea
regiunii de trecere, 0 , dat de relaia (12.40):
Cb 0
S
eNd Na
S
0
2( Na Nd ) U0
(12.50)
46
Deoarece concentraia impuritilor, deci i a purttorilor majoritari, este mult mai mare n
emitor dect n baz, curentul de difuzie prin jonciunea emitorului va fi, in cea mai mare parte,
curent de goluri (ipE >> inBE). Golurile injectate de emitor n baz, formnd curentul ipE al jonciunii
emitorului devin n baz purttori minoritari. Deoarece lrgimea, w, a bazei este foarte mic iar
regiunea de sarcin spaial a jonciunii colectorului se extinde mult n zona n a bazei. n
consecin, golurile difuzate n baz vor fi preluate i transportate n colector de ctre cmpul intern
din regiunea de trecere a jonciunii colectorului, formnd curentul ipEC. Transferul aproape integral
n colector al golurilor difuzate n baz se numete efect de tranzistor. El se produce datorit
grosimii foarte reduse a bazei, precum i datorit extinderii pronunate, n zona bazei a regiunii de
trecere a jonciunii colectorului. O mic parte din golurile injectate n baz nu trec n colector, ci se
recombin cu electronii din baz, formnd curentul ipEB. Sursa EE asigura o circulaie de electroni
care iau locul celor recombinai cu golurile n baz. Prin jonciunea baz-colector va circula numai
curentul invers ICB0, format din purttori minoritari (golurile din baz care trec n colector i
respectiv electronii din colector care trec n baz). Regiunea de trecere a jonciunii baz-colector are
o lrgime mare, datorit prezenei tensiunii de polarizare invers EC . Ea se extinde mult n zona
bazei, deoarece aceasta este mult mai slab dopat cu impuriti dect n zona colectorului.
Conform celor prezentate i aa cum se observ din figura 2, se pot obine relaiile dintre
curenii care circul prin tranzistor:
iE = ipE + inBE
iC = ipEC + ICB0
iB = ipEB + inBE - ICB0
rezult:
i pEC
pE
emitor este mult mai mare dect n baz, rezult: iE = ipE . Cu aceast simplificare se obin ecuaiile
uzuale ale curenilor prin tranzistor:
Curentul de colector:
iC = N iE + ICB0
deoarece ICB0 este foarte mic (sub 1 A) se poate neglija i n practic se poate utiliza relaia:
iC Ni E
Curentul de baz:
iB = (1- N ) iE - ICB0
Curentul de emitor:
i
I
i E B CB0
1 N 1 N
iar curentul de colector devine:
N
N
iC
iB
ICB0 ICB0 Ni B 1 N ICB0
1 N
1 N
unde s-a notat cu:
48
N
1 N factorul static de amplificare n curent ntre baza i colectorul tranzistorului bipolar
n regim activ normal i este supraunitar avnd valori cuprinse ntre 50 i 500.
Deoarece curentul de purttori minoritari I
se poate neglija, n practic se poate folosi cu
N
CB0
49