Guia de Estudio Electrónica II

Instituto Tecnolgico Superior
Vida Nueva
ELECTRNICA II
COMPENDIO DE
3 CREDITOS
1. Datos informativos:
Carrera/s
Nivel
Electromecnica
Segundo
Mecnica automotriz
Segundo
Mecnica industrial
Segundo
Informtica
Segundo
www.istvidanueva.edu.ec
Tecnolgico
Vida Nueva
http://campus.istvidanueva.edu.ec/1
2. ndice
1. Datos informativos:......................................................................1
2. ndice...........................................................................................2
3. Introduccin.................................................................................5
4. Prerrequisitos..............................................................................8
5. Evaluacin inicial.........................................................................8
6. Orientaciones generales para el estudio...................................10
7. Desarrollo de contenidos...........................................................11
I.
Unidad: EL TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA............11

Objetivos....................................................................................11
Contenidos................................................................................11
Configuracin del transistor..................................................14
Estructura.............................................................................15
Operacin del transistor........................................................17
Curva caracterstica de entrada............................................19
Aproximaciones para el funcionamiento del transistor.........22
Clasificacin de los transistores bipolares............................26
Polarizacin de los transistores bipolares............................27
Circuito de polarizacin fija...................................................28
Circuito de polarizacin estabilizado en emisor....................28
Corrientes de polarizacin....................................................29
Voltajes de polarizacin........................................................29
Voltaje en la juntura colector emisor.....................................29
Tecnolgico Vida Nueva
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Circuito de polarizacin por divisor de voltaje......................29

Anlisis exacto......................................................................29
Polarizacin con realimentacin...........................................30
Estrategias de enseanza aprendizaje..................................31
Evaluacin.................................................................................32
Recursos...................................................................................33
II.
Unidad: APLICACIONES DEL BJT.......................................34

Objetivos...................................................................................34
Contenidos................................................................................35
El transistor como interruptor................................................35
El transistor como amplificador.............................................36
Evaluacin.................................................................................47
Recursos...................................................................................48
III.
Unidad. EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL....................49
Objetivos:..................................................................................49
Contenidos................................................................................49
El amplificador operacional ideal..........................................51
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Estructura interna y caractersticas:.....................................52

Configuraciones basadas en los circuitos inversor y no
inversor.................................................................................58
El amplificador diferencial.-...................................................58
El sumador inversor..............................................................61
El integrador.........................................................................63
El diferenciador.....................................................................65
El seguidor de tensin..........................................................66
Resumen de las configuraciones bsicas del amplificador y
sus caractersticas................................................................67
Evaluacin.................................................................................70
Recursos...................................................................................71
8. Evaluacin final.........................................................................72
9. Bibliografa................................................................................75
10.
Anexos..................................................................................76
Codificacin de los transistores bipolares............................76
Codificacin europea............................................................76
Codificacin japonesa...........................................................77
Codificacin americana........................................................78
Datos tcnicos de voltaje y corriente en un transistor..........78
11.
Glosario..............................................................................104
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Electrnica II
Orientaciones generales para el

estudio
3. Introduccin
Durante el periodo 1904-1947, el tubo de vaco fue sin duda el
dispositivo electrnico de inters y desarrollo. En 1904, el diodo de
tubo de vaco fue introducido por J. A. Fleming. Poco despus, en
1906, Lee, De Forest agreg un tercer elemento, denominado rejilla
de control, al tubo de vaco, lo que origin el primer amplificador: el
triodo. En los aos siguientes, la radio y la televisin brindaron un
gran impulso a la industria de tubos electrnicos.
La produccin aument de cerca de 1 milln de tubos en 1922
hasta aproximadamente 100 millones en 1937. A principios de la
dcada de los treinta el ttrodo de cuatro elementos y el pntodo de
cinco elementos se distinguieron en la industria de tubos
electrnicos. Durante los aos siguientes, la industria se convirti en
una de primera importancia y se lograron avances rpidos en el
diseo, tcnicas, aplicaciones de alta potencia, alta frecuencia y la
miniaturizacin.
Sin embargo, el 23 de diciembre de 1947,(1940 a 1950) la industria
electrnica atestigu el advenimiento de una direccin de inters y
desarrollo completamente nueva. Fue en el transcurso de la tarde
de ese da que Walter H. Brattain y John Bardeen demostraron el
efecto amplificador del primer transistor en los Bell Telephone
Laboratorios.
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Electrnica II

estudio
Figura 1: Inicios de la electrnica (Monografias, 2013)
El transistor original (un transistor de punto de contacto) se muestra

en la figura. De inmediato, las ventajas de este dispositivo de
estado slido de tres terminales sobre el tubo electrnico fueron
evidentes: era ms pequeo y ligero; no tena requerimientos de
filamentos o prdidas trmicas; ofreca una construccin de mayor
resistencia y resultaba ms eficiente porque el propio dispositivo
absorba menos potencia; instantneamente estaba listo para
utilizarse, sin requerir un periodo de calentamiento; adems, eran
posibles voltajes de operacin ms bajos. Obsrvese que este
captulo es nuestro primer estudio de dispositivos con tres o ms
terminales.
El lector descubrir que todos los amplificadores (son dispositivos
que incrementan el nivel de voltaje, corriente o potencia) tendrn al
menos tres terminales con una de ellas controlando el flujo entre las
otras dos.
Figura 2: El primer transistor (bell telephone laboratories).

(Monografias, 2013)
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Electrnica II

estudio
Sera imposible entender la evolucin de la electrnica analgica y
digital en general, sin una buena comprensin de lo que es, y lo
que ha aportado el transistor a estas ciencias. El transistor vino a
reemplazar a un dispositivo denominado tubo de vaco (los tubos de
vaco an se emplean en electrnica de potencia, cuando son
necesarias elevadsimas ganancias, por ejemplo en amplificadores
para trasmisin va satlite) con las siguientes ventajas:
Su consumo de energa es mucho menor con lo que tambin

es menor su produccin de calor.
Su tamao es tambin mucho menor. Esto permite una

drstica reduccin de tamao y por ende la miniaturizacin de
la industria electrnica.
Mientras que las tensiones de alimentacin de los tubos

estaban alrededor de los 300 voltios las de los transistores
vienen a ser de 10 voltios con lo que los dems elementos de
circuito tambin pueden ser de menor tamao al tener que
disipar mucho menos calor y soportar tensiones mucho
menores.
El transistor es un elemento constituido fundamentalmente por

silicio o germanio. Su vida media es prcticamente ilimitada y
en cualquier caso muy superior a la del tubo de vaco.
El transistor en un dispositivo de estado slido ms robusto.
Como podemos ver el simple hecho de pasar del tubo de vaco al

transistor supone un gran paso en cuanto a reduccin de tamao y
consumo y aumento de fiabilidad.
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Electrnica II

estudio
4. Prerrequisitos
Es necesario tener aprobado:
Electrnica 1
Adems de conocimientos elementales de computacin
5. Evaluacin inicial
En un grfico detalle la construccin de semiconductores Tipo N y

Tipo P.
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Explique construccin y caractersticas del primer elemento
electrnico de estado slido llamado EL DIODO.
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Explique con grficos como se prueba un diodo utilizando el
multmetro.
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Electrnica II

estudio
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Realice un resumen acerca de la aplicacin ms importante del
diodo como: rectificador de onda completa tipo puente.
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Indique cuatro aplicaciones prcticas de diodos.
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Electrnica II

estudio
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6. Orientaciones generales para el estudio
La importancia de utilizar el transistor no tiene comparacin, desde
hace ms de 65 aos (dcada 1940-1950) los primeros dispositivos
de estado slido llamados diodo y transistor respectivamente no
han podido reemplazarse y siguen siendo utilizados en todas las
reas de la vida cotidiana. Esto ha hecho que este mdulo tenga
una importancia relevante para todas las especialidades comunes.
El presente mdulo se presta para realizar prcticas conforme se
avanza tericamente, lo que permite reforzar conocimientos,
adems tiene la ventaja de usar software simulador llamado
CIRCUIT MAKER dnde se puede visualizar en sus instrumentos
virtuales las formas de voltajes, corrientes y potencia en cualquier
punto del circuito, por lo tanto se recomienda tener conocimientos
bsicos de computacin.
Adems la importancia de la comunicacin alumno-profesor usando
medios de comunicacin va internet dnde se publican trabajos,
notas, asistencia deberes e incluso captulos de teora electrnica.
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Electrnica II
Unidad: EL TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA
7. Desarrollo de contenidos
I.
Objetivos
Realizar el anlisis completo y detallado del funcionamiento
de transistores trabajando en las tres regiones de aplicacin.
Entender como un dispositivo de estado slido tan pequeo
reemplaza a los tubos de vaco eficientemente especialmente
en la aplicacin como amplificador.
Matemticamente realizar clculos de corrientes y voltajes de
polarizacin en cualquier configuracin y poder limitar
adecuadamente los parmetros de voltajes, corrientes y
potencias para su funcionamiento adecuado.
Contenidos
Introduccin
La siguiente figura muestra el smbolo de un transistor bipolar o
BJT (Bipolar Junction Transistor), con la nomenclatura habitual de
sus terminales.
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Electrnica II
Figura 3: Smbolo y tipos de transistor BJT. (Wikipedia, 2013)
Internamente, el BJT se compone de tres capas de silicio o
germanio
dopados
adecuadamente,
segn
la
configuracin
mostrada en la Figura.
Figura 4: Estructura interna del transistor bipolar. (Wikipedia, 2013)

Como puede apreciarse, la flecha que indica el tipo de transistor,
apunta al sentido de la corriente en polarizacin directa del diodo
BASE-EMISOR. En principio, parece una estructura simtrica, en la
que es imposible distinguir el emisor del colector. Sin embargo la
funcin que cumple cada uno es completamente distinta, y en
consecuencia, se fabrican con diferentes caractersticas. Por lo
tanto no es un componente simtrico.
Un transistor tiene dos formas principales de operacin: como un
interruptor o como una resistencia variable.
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Electrnica II
El transistor bipolar de juntura
Figura 5: Modelos de transistores. (Wikipedia, 2013)

El transistor de unin bipolar (Bipolar Junction Transistor, BJT) es
un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos
uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de
la corriente a travs de sus terminales. La denominacin de bipolar
se debe a que la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento
de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones
negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones;
pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de
entrada bastante baja.
Segn la evolucin tecnolgica los transistores bipolares son los
ms conocidos y se usados generalmente en electrnica aunque
tambin hay otros dispositivos: los transistores de tecnologa JFET.
CMOS Y MOSFET.
En el presente mdulo se detallar la
construccin, funcionamiento y aplicaciones de transistor bipolar de

juntura cuyas siglas son TBJ.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos uniones PN en
un solo cristal semiconductor, separados por una regin muy
estrecha llamada barrera. De esta manera quedan formadas tres
regiones de cada una de las cuales sale un terminal llamado:
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Electrnica II

Emisor (E), que se diferencia de las otras dos por estar
fuertemente dopada, comportndose como un metal. Su
nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de
portadores de carga.
Base (B), la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor

del colector.
Colector (C), de extensin mucho mayor, pero de menor

dopaje.
Configuracin del transistor
Figura 6: Transistores bipolares NPN y PNP. Estructura. Circuito

equivalente, smbolo. (Wikipedia, 2013)
La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En
su funcionamiento normal, la unin base-emisor est polarizada
directamente, mientras que la base-colector inversamente. Los
portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base,
porque es muy angosta, hay poca recombinacin de portadores, y
la mayora pasa al colector. El transistor posee tres estados de
Pgina
Electrnica II
operacin: estado de corte, estado de saturacin y estado de
actividad.
Estructura
Un transistor de unin bipolar consta de tres regiones o capas
semiconductoras dopadas: la regin del emisor, la regin de la base
y la regin del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P,
tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor
NPN. Cada regin del semiconductor est conectada a un terminal,
denominado
emisor
(E),
base
(B)
colector
(C),
segn
corresponda.
Figura 7: Estructura interna de un transistor NPN. (Wikipedia, 2013)
Corte transversal simplificado de un transistor de unin bipolar NPN.

Donde se puede apreciar como la unin base-colector es mucho
ms amplia que la base-emisor.
La base est fsicamente localizada entre el emisor y el colector y
est compuesta de material semiconductor ligeramente dopado y de
alta resistividad. El colector rodea la regin del emisor, haciendo
casi imposible para los electrones inyectados en la regin de la
base escapar de ser colectados, lo que hace que el valor resultante
de (variacin de la corriente de colector con respecto a la de
emisor = IC / IE) se acerque mucho hacia la unidad, y por eso,
Pgina
Electrnica II
otorgarle al transistor un parmetro llamado (variacin de la
corriente de colector con respecto a la de base = IC / IB).
El transistor de unin bipolar, a diferencia de otros transistores, no
es usualmente un dispositivo simtrico. Esto significa que
intercambiando el colector y el emisor hacen que el transistor deje
de funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo
inverso. Debido a que la estructura interna del transistor est
usualmente optimizada para funcionar en modo activo, intercambiar
el colector con el emisor hacen que los valores de y en modo
inverso sean mucho ms pequeos que los que se podran obtener
en modo activo; muchas veces el valor de en modo inverso es
menor a 0.5. La falta de simetra es principalmente debido a las
tasas de dopaje entre el emisor y el colector. El emisor est
altamente dopado, mientras que el colector est ligeramente
dopado, permitiendo que pueda ser aplicada una gran tensin de
reversa en la unin colector-base antes de que esta colapse. La
unin colector-base est polarizada en inversa durante la operacin
normal. La razn por la cual el emisor est altamente dopado es
para aumentar la eficiencia de inyeccin de portadores del emisor:
la tasa de portadores inyectados por el emisor en relacin con
aquellos inyectados por la base. Para una gran ganancia de
corriente, la mayora de los portadores inyectados en la unin baseemisor deben provenir del emisor.
Pequeos cambios en la tensin aplicada entre los terminales baseemisor genera que la corriente que circula entre el emisor y el
colector cambie significativamente. Este efecto puede ser utilizado
para amplificar la tensin o corriente de entrada. Los BJT pueden
ser pensados como fuentes de corriente controladas por tensin,
Pgina
Electrnica II
pero son caracterizados ms simplemente como fuentes de
corriente controladas por corriente, o por amplificadores de
corriente, debido a la baja impedancia de la base.
Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la
mayora de los BJT modernos estn compuestos de silicio.
Actualmente, una pequea parte de stos (los transistores bipolares
de dos junturas) estn hechos de arseniuro de galio, especialmente
utilizados en aplicaciones de alta velocidad.
Operacin del transistor
Curvas caractersticas: Son grficos que representan la variacin
del voltaje corriente en los terminales de un dispositivo que
poseen todos los elementos electrnicos.
En este caso
serepresenta la corriente de colector vs el voltaje en los terminales

colector-emisor.
Figura 8: Curva caracterstica idealizada de un transistor bipolar.

(Wikipedia, 2013)
En una configuracin normal, la unin emisor-base se polariza en
directa y la unin base-colector en inversa. Debido a la agitacin
trmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la
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Electrnica II
barrera de potencial (juntura) emisor-base y llegar a la base. A su
vez, prcticamente todos los portadores que llegaron son
impulsados por el campo elctrico que existe entre la base y el
colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la
regin del nodo compartida. En una operacin tpica, la unin
base-emisor est polarizada en directa y la unin base-colector est
polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando
una tensin positiva es aplicada en la unin base-emisor, el
equilibrio entre los portadores generados trmicamente y el campo
elctrico
repelente
de
la
regin
agotada
se
desbalancea,
permitiendo a los electrones excitados trmicamente inyectarse en

la regin de la base. Estos electrones "vagan" a travs de la base,
desde la regin de alta concentracin cercana al emisor hasta la
regin de baja concentracin cercana al colector. Estos electrones
en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la
base est dopada con material P, los cuales generan "huecos"
como portadores mayoritarios en la base.
La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente
delgada, para que los portadores puedan difundirse a travs de esta
en mucho menos tiempo que la vida til del portador minoritario del
semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se
re combinan antes de alcanzar la unin base-colector. El espesor de
la base debe ser menor al ancho de difusin de los electrones.
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Electrnica II
Curva caracterstica de entrada
Si variamos el valor de la fuente V BB de la malla de entrada,
tomando valores de IB y VBE podemos obtener la ecuacin
caracterstica de entrada
Figura 9: Curva caracterstica. (Wikipedia, 2013)

Como vemos, es la caracterstica del diodo base-emisor, y tiene una
forma exponencial.
Curva caracterstica de salida

Analizamos la malla de salida y obtenemos distintas curvas para
Diferentes valores de IB (corriente de base).
Ajustando VBB fijo un valor de IB que voy a mantener constante (por
ejemplo IB 10 mA). Ahora variando VCC mido valores de VBEy IC y
obtengo la correspondiente curva de IB 10 mA. Hago lo mismo para
IB = 20 mA, etc... Y as sucesivamente para diferentes valores de I B.
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Electrnica II
Figura 10. Circuito electrnico. (Wikipedia, 2013)

En cada una de estas curvas hay diferentes zonas:
Figura 11. Curva del circuito electrnico. (Wikipedia, 2013)
Zona entre 1 y 2: ZONA DE SATURACIN.
Zona entre 2 y 3: ZONA ACTIVA.
Zona a partir de 3: ZONA DE RUPTURA.
Recordar que en activa conociendo el valor de I B se puede calcular

la IC con la ecuacin: IC = * IB.
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Electrnica II
Figura 12. Zonas de activacin. (Wikipedia, 2013)

La zona de corte es desde IB = 0 hacia abajo (zona rallada) y no
conduce
Veamos para que sirve cada zona:
Activa: Amplificadores y dems Circuitos Lineales
Figura 13. Curvas Ic. (Wikipedia, 2013)
Corte y Saturacin: Conmutacin (Corte abierto y Saturacin

cerrado).
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Electrnica II
Figura 14. Curvas de conmutacin. (Wikipedia, 2013)

En este caso el control es por corriente. Es decir Si la corriente de
base es cero la juntura colector-emisor est abierta. En cambio si la
corriente de base es mayor que cero la juntura colector emisor est
cerrado.
Aproximaciones
para
el
funcionamiento
transistor
Las caractersticas de entrada y salida no son lineales:
Figura 15. Curvas de un transistor. (Wikipedia, 2013)
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del
Electrnica II
Para facilitar los clculos usaremos las siguientes aproximaciones.
Esta es la aproximacin ideal, por lo tanto la menos exacta de las
tres, las caractersticas de entrada y salida son estas:

Esta aproximacin no es tan ideal como la anterior por lo tanto se
parece ms al funcionamiento real del transistor.

La aproximacin ms exacta o la que ms se parece a la realidad,
por lo tanto algo ms compleja que las anteriores, se gana en
exactitud pero tambin en complejidad.
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Electrnica II

Ejemplo: En este ejemplo usaremos las 3 aproximaciones para ver
que error se comete de una a otra.
1 aproximacin
Para saber dnde estamos hacemos una hiptesis. Hiptesis:
ACTIVA.
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Electrnica II
Vemos que la UE est en polarizacin directa y la UC est en

polarizacin inversa por lo tanto la hiptesis es correcta, estamos en
la zona activa.
2 aproximacin
Tambin queda demostrado que nos encontramos en la zona activa.

La mayor diferencia est en VCE y debido eso se recomienda usar la
2aproximacin
en
vez
de
la
1.
En problemas complicados, con varios transistores, para reducir

incgnitas se toma: IC = IE.
3 aproximacin
La 3 aproximacin no se suele utilizar, porque no se sabe en qu
punto estamos trabajando (punto Q). En prcticas se podra utilizar
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Electrnica II
la 3 aproximacin midiendo la tensin VBE con el voltmetro, pero
en problemas no se usa la 3 aproximacin.
Si supiramos su valor, aplicamos la 3 aproximacin y se ven los
valores que salen:
Por ejemplo con un voltmetro mido la tensin V BE y se obtiene el
siguiente valor:
Como se ve los errores son mnimos comparndolos con la 2

aproximacin, por eso usaremos la 2 aproximacin.
Clasificacin de los transistores bipolares
Los transistores bipolares se clasifican de la siguiente manera:

1. Por la disposicin de sus capas
- Transistores PNP
- Transistores NPN
2. Por el material semiconductor empleado
- Transistores de Silicio
- Transistores de Germanio
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Electrnica II
3. Por la disipacin de Potencia
- Transistores de baja potencia
-Transistores de mediana potencia
- Transistores de alta potencia
4. Por la frecuencia de trabajo
- Transistores de baja frecuencia
- Transistores de alta frecuencia
Polarizacin de los transistores bipolares
Para que un transistor bipolar funcione adecuadamente, es
necesario polarizarlo correctamente utilizando una fuente de
corriente continua. Para un transistor NPN se debe cumplir que:
- La juntura BASE - EMISOR este polarizado directamente, y
- La juntura COLECTOR BASE este polarizado inversamente.
Ejemplo:
Si el transistor es NPN, la base debe tener un voltaje positivo con
respecto al emisor y el colector debe tener un voltaje tambin
positivo pero, mayor que el de la base.
Si el transistor es PNP la base debe tener un voltaje negativo con
respecto al emisor y el colector debe tener un voltaje tambin
negativo pero, mayor que el de la base.
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Electrnica II
Circuito de polarizacin fija
Rb
1
Rc
1
+ Vcc
1V
Q2
NPN
Figura 19: Polarizacin fija. (Monografias, 2013)

Circuito de polarizacin estabilizado en emisor
Rb
1
Rc
1
+ Vcc
1V
Q1
NPN
Re
1
Figura 20: Polarizacin estabilizado. (Monografias, 2013)
Corrientes de polarizacin
IB = (VCC VBE) / [Rb + (+1) * Re]
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Electrnica II
IC = * I B
IE = ( + 1) * IB
Voltajes de polarizacin
VB = VCC - IB * Rb
VE = IE * RE
VC = VCC IC * RC =VBE + IE * RE
Voltaje en la juntura colector emisor
VCE = VCC IC * RC IE * RE
Circuito de polarizacin por divisor de voltaje
El figura se tiene dos circuitos equivalentes, dnde R BB representa
la resistencia de Thvenin y VBB el voltaje de Thvenin.
Anlisis exacto
R1
1
Rc
1
Rc
1
+ Vcc
1V
RBB
1
Q1
NPN
R2
1k
Re
1
+ VBB
1
+ Vcc
1
Q1
NPN
Re
1
RTH = RBB = R1R2 = (R1* R2) / (R1+ R2)

VTH= VBB = (R2*VCC) / (R1 + R2)
VBE es el voltaje en la juntura BASE-EMISOR dependiendo del tipo
de transistor 0,6 A 0,7 Para transistores de Silicio y 0,2 a 0,3 para
transistores de Germanio.
Pgina
Electrnica II
IB = (VBB VBE) / [RBB + (+1) * Re]
IC = * I B
IE = ( + 1) * IB
NOTA: algunos autores consideran IC = IE que para fines prcticos
son valores muy aproximados.
VB = VBE + IE * Re
VE = IE * Re
VC = VCC IC * Rc
VCE = VCC IC * Rc IE * Re
Polarizacin con realimentacin
Rc
1
Rb
1
+ Vcc
1
Q1
NPN
Re
1
Figura 21: Polarizacin retroalimentacin. (Monografias, 2013)

IB = (Vcc VBE) / [Rb + (Rc+Re) *]
IC = * I B
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Electrnica II
IE = ( + 1) * IB
NOTA: algunos autores consideran IC = IE que para fines prcticos
son valores muy aproximados.
VB = VBE + IE * Re
VE = IE * Re
VC = VCC IC * Rc
VCE = VCC IC * RC IE * Re
Estrategias de enseanza aprendizaje

Realizar un circuito de aplicacin con los conocimientos adquiridos
durante la unidad
Pgina
Electrnica II
II.
Bibliografa
Unidad: APLICACIONES DEL BJT
Objetivos
Estudiar la primera aplicacin del transistor como un switch de
alta velocidad sin contactos mviles que se desgastan o salta
chispas.
Reforzar los contenidos del captulo anterior en base al cual
se polariza al transistor alimentado por seal de corriente
continua.
Implementar en el laboratorio un circuito dnde se vea la
aplicacin como un interruptor de alta velocidad
Entender claramente el efecto amplificador de voltaje o
corriente de un elemento de estado slido tan pequeo
utilizando
elementos
electrnicos
en
el
laboratorio
comprobar utilizando el software simulador CIRCUIT MAKER.

Conocer los tres tipos de configuraciones; emisor, base y
colector comn, cado uno con sus caractersticas de entrada y
salida.
Demostrar matemticamente clculos para ganancia de
voltajes y corrientes en cada una de las configuraciones.
Demostrar matemticamente clculos para impedancias de
entrada y salida en cada una de las configuraciones.
Implementar aplicaciones prcticas con amplificadores de
audio.
Contenidos
El transistor como interruptor
Introduccin:
Electrnica II
Bibliografa
La funcin del transistor como interruptor de alta velocidad es

exactamente igual que la de un dispositivo mecnico: o bien deja
pasar la corriente, o bien la corta. La diferencia est en que
mientras en el primero es necesario que haya algn tipo de control
mecnico, en el BJT la seal de control es electrnica. En la Figura
se muestra la aplicacin al encendido de una bombilla.
Figura 22: El transistor bipolar como interruptor. (Monografias, 2013)

En el primer caso, bajo la seal de control adecuada, que es
introducida a travs de la base, el transistor se comporta como un
circuito abierto entre el emisor y el colector, no existe corriente y la
bombilla estar apagada. En el segundo caso, cambiando la seal
de control, se cierra el circuito entre C y E, y los 12 V se aplican a la
bombilla, que se enciende.
Este funcionamiento entre los estados de corte y conduccin se
denomina operacin en conmutacin. Las aplicaciones tpicas de
este modo de operacin son la electrnica de potencia y en
electrnica digital, en la que los circuitos operan con dos niveles de
tensin fijos equivalentes a 1L y 0L lgicos.
Circuito de aplicacin
Electrnica II
Bibliografa
Rc
1
S1
S1
R1
R1
1k
1k
Rc
1
Vcc
1
+ Vcc
1
Q1
NPN
Q1
NPN
Re
1
Re
1
1) En conduccin: SiIB> 0 la juntura colector-emisor est

cerrada por lo tanto Vo 0 V.
2) En corte: Si I B = 0 la juntura colector-emisor est
abierta por lo tanto Vo Vcc
El transistor como amplificador
Introduccin
El mundo est lleno de pequeas seales que necesitan
amplificarse para procesar la informacin que contienen. Por
ejemplo: una guitarra elctrica. El movimiento de una cuerda
metlica en el interior de un campo magntico (creado por los
captadores o pastillas) provoca una pequea variacin de tensin
entre dos terminales de una bobina. Para que esa dbil seal pueda
llegar a los odos de todo un auditorio, es evidente que se necesita
una amplificacin. La seal producida por la pastilla de la guitarra
viaja por un par de terminales hasta el amplificador. Aqu se produce
la transformacin de la pequea seal, que es capaz ahora de
excitar la membrana de un altavoz con la potencia que se desee.
Para que se pueda or lo que se toca realmente, la amplificacin
debe cumplir ciertas condiciones: Debe respetar la forma de onda
Electrnica II
Bibliografa
de la tensin de entrada. Si no lo hace as, se produce una

distorsin, una prdida de la informacin que aporta.
La energa absorbida de la fuente que emite la onda que se desea
amplificar ha de ser mnima. El circuito amplificador necesita una
fuente de alimentacin propia.
Parmetros importantes de un amplificador
Impedancia de entrada Zi: Representa la relacin entre el voltaje de
entrada y la corriente de entrada Zi = Vi / I i
Impedancia de salida Zo: Representa la relacin entre el voltaje de
salida y la corriente de salida: ZO = VO / I O
Ganancia de voltaje Av: Representa la relacin entre el voltaje de
salida y el voltaje de entrada: Av = Vo / Vi
Ganancia de corriente Ai: Representa la relacin entre la corriente
de salida y la corriente de entrada: Ai = Io / Ii
De acuerdo a la forma como ingresan y como salen las seales en
un amplificador se tienen tres tipos de configuraciones:
Emisor comn: La entrada de seal se tiene por la base y la salida

por colector.
Electrnica II
Bibliografa
R1
39k
C1
1uF
Rc
10k
C2
1uF
+ Vcc
22V
Q1
NPN
V1
-1/1V
RL
2,2k
R2
3,9k
1kHz
Re
1,5k
Figura 23: Emisor Comn. (Monografias, 2013)
Colector comn: La entrada de seal se tiene por la base y la

salida por colector.
R1
39k
Rc
10k
+ Vcc
22V
C1
1uF
Q1
NPN
C2
1uF
V1
-1/1V
R2
3,9k
1kHz
Re
1,5k
RL
2,2k
Figura 23: Colector Comn. (Monografias, 2013)
Base comn; La entrada de seal se tiene por el emisor y la salida

por colector.
Electrnica II
Bibliografa
R1
39k
Rc
10k
C2
1uF
+ Vcc
22V
Q1
NPN
C1
1uF
R2
3,9k
Re
1,5k
V1
-1/1V
1kHz
RL
2,2k
Figura 23: Base Comn. (Monografias, 2013)

Implementar una prctica con un circuito dnde se alimente a un
transistor una seal generada por un oscilador LM555 y encienda
varios leds en serie o paralelo.
Considerando el circuito y el grfico de la siguiente figura. Calcular y

dibujar la lnea de carga del circuito entre C y E.
Electrnica II
Bibliografa
Localizar el punto de operacin Q en la grfica cuando I C = 1,25 mA.

Determinar la tensin de VCE en el punto Q. Calcular el valor de I B en
el punto Q.
Sabiendo que VCC =12 V y dada la grfica de la figura, calcular el

valor de RC y RB necesario para que el transistor dado en la figura
opere en el punto Q dado.
Electrnica II
Bibliografa
Calcular las tensiones y corrientes de polarizacin en DC para el

circuito de la figura (Beta = 80).
Qu resistencia RB se requiere para que el transistor opere en el

punto medio de la recta de carga si E CC es 20 V, RC es 5 KW y b es
125?
Electrnica II
Bibliografa
En el circuito amplificador de la figura:
Calcular el punto de operacin DC del transistor.
Determinar el modelo AC para pequeas seales
Calcular la ganancia y la resistencia de entrada del dispositivo
Electrnica II
Bibliografa
En el circuito de la figura:
Hallar el punto de operacin DC del transistor.
Determinar el modelo AC de pequeas seales equivalente

para ese punto de operacin
Hallar el valor de la impedancia de entrada y la ganancia en

tensin.
Tensin de salida del circuito si la entrada es una onda

sinusoidal de 20 mV de tensin entre pico y pico.
Electrnica II
Bibliografa
Calcular impedancia de entrada y salida. Ganancia de voltaje y

corriente. Comprobar implementando el circuito en una prctica de
laboratorio.
R2
50k
C2
1uF
C1
1uF
MPS3904
Q1
Rl
2k
V1
-1/1mV
1kHz
Rc
1k
+ Vcc
10V
R1
5.6k
Verificar los pines y comprobar en estado del transistor. Usando el

manual NTE. Que consta en el anexo del presente trabajo.
Electrnica II
Bibliografa
En la configuracin EMISOR COMN demostrar las frmulas para:

ganancia de voltaje, ganancia de corriente, impedancia de entrada e
impedancia de salida.
En la configuracin COLECTOR COMN demostrar las frmulas

para: ganancia de voltaje, ganancia de corriente, impedancia de
entrada e impedancia de salida.
Comprobar los ejercicios utilizando el software simulador para

electrnica analgica CIRCUIT MAKER.
Electrnica II
Bibliografa
Implementar en el laboratorio un circuito en EMISOR COMNy

comprobar la ganancia de VOLTAJE Y CORRIENTE.
Implementar en el laboratorio un circuito en COLECTOR COMN y

comprobar la ganancia de VOLTAJE Y CORIENTE.
Electrnica II
III.
Bibliografa
Unidad. EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL
Objetivos:
Conocer una de las primeras aplicaciones de los transistores
en circuitos integrados llamados amplificadores operacionales.
Realizar comparaciones con los circuitos tradicionales del
transistor y anotar las ventajas de los operacionales
Implementar circuitos con amplificadores operacionales y
realizar clculos de ganancia de voltaje y corriente as como
impedancias de entrada y salida.
Contenidos
Introduccin
El concepto original del AO (amplificador operacional) procede del
campo de los computadores analgicos, en los que comenzaron a
usarse tcnicas operacionales en una poca tan temprana como en
los aos 40. El nombre de amplificador operacional deriva del
concepto de un amplificador dc (amplificador acoplado en continua)
con una entrada diferencial y ganancia extremadamente alta, cuyas
caractersticas
de
operacin
estaban
determinadas
por
los
elementos de realimentacin utilizados. Cambiando los tipos y

disposicin
de
los
elementos
de
realimentacin,
podan
implementarse diferentes operaciones analgicas; en gran medida,

las caractersticas globales del circuito estaban determinadas slo
por estos elementos de realimentacin. De esta forma, el mismo
amplificador era capaz de realizar diversas operaciones, y el
desarrollo gradual de los amplificadores operacionales dio lugar al
nacimiento de una nueva era en los conceptos de diseo de
circuitos.
Electrnica II
Bibliografa
Los primeros amplificadores operacionales usaban el componente

bsico de su tiempo: la vlvula de vaco. El uso generalizado de los
amplificadores operacionales (AOs) no comenz realmente hasta
los aos 60, cuando empezaron a aplicarse las tcnicas de estado
slido
al
diseo
de
circuitos
amplificadores
operacionales,
fabricndose mdulos que realizaban la circuitera interna del

amplificador operacional mediante diseo discreto de estado slido.
Entonces, a mediados de los 60, se introdujeron los primeros
amplificadores operacionales de circuito integrado. En unos pocos
aos los amplificadores operacionales integrados se convirtieron en
una herramienta estndar de diseo, abarcando aplicaciones
mucho ms all del mbito original de los computadores analgicos.
Con la posibilidad de produccin en masa que las tcnicas de
fabricacin de circuitos integrados proporcionan, los amplificadores
operacionales
integrados
estuvieron
disponibles
en
grandes
cantidades, lo que, a su vez contribuy a rebajar su coste.

Hoy en da el precio de un amplificador operacional integrado de
propsito general, con una ganancia de 100 dB, una tensin offset
de entrada de 1 mV, una corriente de entrada de 100 nA. Y un
ancho de banda de 1 MHz. es inferior a 1 euro.
El amplificador, que era un sistema formado antiguamente por
muchos componentes discretos, ha evolucionado para convertirse
en un componente discreto l mismo, una realidad que ha cambiado
por completo el panorama del diseo de circuitos lineales.
Con componentes de ganancia altamente sofisticados disponibles al
precio
de
los
componentes
pasivos,
el
diseo
mediante
Electrnica II
Bibliografa
componentes activos discretos se ha convertido en una prdida de

tiempo y de dinero para la mayora de las aplicaciones dc y de baja
frecuencia.
Claramente, el amplificador operacional integrado ha redefinido las
"reglas bsicas" de los circuitos electrnicos acercando el diseo de
circuitos al de sistemas.
Lo que ahora debemos de hacer es a conocer bien los AOs, cmo
funciona, cules son sus principios bsicos y estudiar sus
aplicaciones
El amplificador operacional ideal.
Los fundamentos bsicos del amplificador operacional ideal son
relativamente fciles. Quizs, lo mejor para entender el amplificador
operacional ideal es olvidar todos los pensamientos convencionales
sobre los componentes de los amplificadores, transistores, tubos u
otros cualesquiera. En lugar de pensar en ellos, piensa en trminos
generales y considere el amplificador como una caja con sus
terminales
de
entrada
salida.
Trataremos,
entonces,
el
amplificador en ese sentido ideal, e ignoraremos qu hay dentro de

la caja.
Electrnica II
Bibliografa
Estructura interna y caractersticas:
Figura 24: Estructura interna de un amplificador operacional Vd

(voltaje de entrada). (Monografias, 2013)
V0 = a Vd (voltaje de salida)
a = infinito (ganancia de voltaje)
Ri = infinito (resistencia de entrada)
Ro = 0 (resistencia de salida)
BW = infinito (ancho de banda)
V0 = 0 s Vd = 0
En la figura anterior se muestra un amplificador idealizado. Es un
dispositivo de acoplo directo con entrada diferencial, y un nico
terminal de salida. El amplificador slo responde a la diferencia de
tensin entre los dos terminales de entrada, no a su potencial
comn.
Una seal positiva en la entrada inversora (-), produce una seal
negativa a la salida, mientras que la misma seal en la entrada no
inversora (+) produce una seal positiva en la salida. Con una
tensin de entrada diferencial, Vd, la tensin de salida, Vo, ser a
Vd, donde a es la ganancia del amplificador. Ambos terminales de
entrada del amplificador se utilizarn siempre independientemente
de la aplicacin. La seal de salida es de un slo terminal y est
Electrnica II
Bibliografa
referida a masa, por consiguiente, se utilizan tensiones de

alimentacin bipolares ( )
Teniendo en mente estas funciones de la entrada y salida, podemos
definir ahora las propiedades del amplificador ideal. Son las
siguientes:
1. La ganancia de tensin es infinita:
2. La resistencia de entrada es infinita:
3. La resistencia de salida es cero:

Ro = 0
4. El ancho de banda es infinito:
5. La tensin offset de entrada es cero:

V0 = 0 s Vd = 0
A partir de estas caractersticas del AO, podemos deducir otras dos

importantes propiedades adicionales. Puesto que, la ganancia en
Electrnica II
Bibliografa
tensin es infinita, cualquier seal de salida que se desarrolle ser

el resultado de una seal de entrada infinitesimalmente pequea.
La tensin de entrada diferencial es nula. Tambin, si la resistencia
de entrada es infinita. No existe flujo de corriente en ninguno de los
terminales de entrada
Estas dos propiedades pueden considerarse como axiomas, y se
emplearn repetidamente en el anlisis y diseo del circuito del AO.
Una vez entendidas estas propiedades, se pude, lgicamente,
deducir el funcionamiento de casi todos los circuitos amplificadores
operacionales.
Configuraciones bsicas del amplificador operacional

Los amplificadores operacionales se pueden conectar segn dos
circuitos amplificadores bsicos:
Las configuraciones (1) inversora y (2) no inversora.
Casi todos los dems circuitos con amplificadores operacionales
estn basados, de alguna forma, en estas dos configuraciones
bsicas.
Adems, existen variaciones estrechamente relacionadas de estos
dos circuitos, ms otro circuito bsico que es una combinacin de
los dos primeros: el amplificador diferencial.
El amplificador inversor
Electrnica II
Bibliografa
La figura 25 ilustra la primera configuracin bsica del AO. El

amplificador inversor. En este circuito, la entrada (+) est a masa, y
la seal se aplica a la entrada (-) a travs de R 1, con realimentacin
desde la salida a travs de R2.
Figura 25: Amplificador inverso. (Monografias, 2013)

Aplicando las propiedades anteriormente establecidas del AO ideal,
las caractersticas distintivas de este circuito se pueden analizar
cmo sigue.
Puesto que el amplificador tiene ganancia infinita, desarrollar su
tensin de salida, V0, con tensin de entrada nula. Ya que, la
entrada diferencial de A es:
Vd = Vp - Vn, ==>Vd = 0.- Y si Vd = 0, entonces toda la tensin de
entrada Vi, deber aparecer en R1, obteniendo una corriente en R1
I=
Vi
R1
Vn est a un potencial cero, es un punto de tierra virtual
Electrnica II
Bibliografa
Toda la corriente I que circula por R 1 pasar por R2, puesto que no
se derivar ninguna corriente hacia la entrada del operacional
(Impedancia infinita), as pues el producto de I por R 2 ser igual a V0
I=
V0
R2
Vi V0
=
R1 R2
Por lo que:
V 0=
R 2
V i
R12
Luego la ganancia del amplificador inversor:

V i R 2
=
Vi
R1
Deben observarse otras propiedades adicionales del amplificador

inversor ideal. La ganancia se puede variar ajustando bien R 1, o
bien R2. Si R2 vara desde cero hasta infinito, la ganancia variar
tambin desde cero hasta infinito, puesto que es directamente
proporcional a R2. La impedancia de entrada es igual a R 1, y Vi y R1
nicamente determinan la corriente I, por lo que la corriente que
circula por R2 es siempre I, para cualquier valor de dicha R2.
La entra del amplificador, o el punto de conexin de la entrada y las
seales
de
realimentacin,
es
un
nudo
de
tensin
nula,
independientemente de la corriente I. Luego, esta conexin es un
Electrnica II
Bibliografa
punto de tierra virtual, un punto en el que siempre habr el mismo

potencial que en la entrada (+). Por tanto, este punto en el que se
suman las seales de salida y entrada, se conoce tambin como
nudo suma. Esta ltima caracterstica conduce al tercer axioma
bsico de los amplificadores operacionales, el cual se aplica a la
operacin en bucle cerrado:
En bucle cerrado, la entrada (-) ser regulada al potencial de
entrada (+) o de referencia.
Esta propiedad puede an ser o no ser obvia, a partir de la teora de
tensin de entrada de diferencial nula. Es, sin embargo, muy til
para entender el circuito del AO, ver la entrada (+) como un terminal
de referencia, el cual controlar el nivel que ambas entradas
asumen. Luego esta tensin puede ser masa (como en la figura 2),
o cualquier potencial que se desee.
El amplificador no inversor
La segunda configuracin bsica del AO ideal es el amplificador no
inversor, mostrado en la figura 26. Este circuito ilustra claramente la
validez del axioma 3.
Electrnica II
Bibliografa
Figura 26: Amplificador no inversor. (Monografias, 2013)

En este circuito, la tensin V i se aplica a la entrada (+), y una
fraccin de la seal de salida, Vo, se aplica a la entrada (-) a travs
del divisor de tensin R1 - R2. Puesto que, no fluye corriente de
entrada en ningn terminal de entrada, y ya que V d = 0, la tensin
en R1 ser igual a Vi.
As pues
V i=I R
y como
V 0=I ( R + R )
1
tendremos pues que:

V 0=
Vi
( R1 + R2 )
R1
Electrnica II
Bibliografa
que si lo expresamos en trminos de ganancia:

V 0 R 1 + R2
=
Vi
R1
que es la ecuacin caracterstica de ganancia para el amplificador

no inversor ideal.
Tambin se pueden deducir propiedades adicionales para esta
configuracin. El lmite inferior de ganancia se produce cuando R 2 =
0, lo que da lugar a una ganancia unidad.
En el amplificador inversor, la corriente a travs de R 1 siempre
determina la corriente a travs de R2, independientemente del valor
de R2, esto tambin es cierto en el amplificador no inversor. Luego
R2 puede utilizarse como un control de ganancia lineal, capaz de
incrementar la ganancia desde el mnimo unidad hasta un mximo
de infinito. La impedancia de entrada es infinita, puesto que se trata
de un amplificador ideal.
Configuraciones basadas en los circuitos inversor y
no inversor
El amplificador diferencial.Una tercera configuracin del AO conocida como el amplificador
diferencial, es una combinacin de las dos configuraciones
anteriores. Aunque est basado en los otros dos circuitos, el
amplificador diferencial tiene caractersticas nicas. Este circuito,
mostrado en la figura 27, tiene aplicadas seales en ambos
Electrnica II
Bibliografa
terminales de entrada, y utiliza la amplificacin diferencial natural

del amplificador operacional.
Figura 27: Amplificador diferencial. (Monografias, 2013)

Para comprender el circuito, primero se estudiarn las dos seales
de entrada por separado, y despus combinadas. Como siempre V d
= 0 y la corriente de entrada en los terminales es cero.
Recordar que Vd = V(+) - V(-) ==> V(-) = V(+)
La tensin a la salida debida a V1 la llamaremos V01
+
y como V(-) = V(+)

La tensin de salida debida a V1 (suponiendo V2 = 0) valdr:
V 01=
V 1 R2 R3 + R 4
R 1+ R 2
R3
Y la salida debida a V2 (suponiendo V1 = 0) ser, usando la

ecuacin de la ganancia para el circuito inversor, V 02
Electrnica II
V 02=V 2
Bibliografa
R4
R3
Y dado que, aplicando el teorema de la superposicin la tensin de

salida V0 = V01 + V02 y haciendo que R3 sea igual a R1 y R4 igual a R2
tendremos que:
V 01=
V 1 R2
R
V 02=V 2 2
R1
R1
por lo que concluiremos

V 0=( V 1 V 2 )
R2
R1
que expresando en trminos de ganancia:

V0
R
= 2
V 1 V 2 R1
que es la ganancia de la etapa para seales en modo diferencial

Esta configuracin es nica porque puede rechazar una seal
comn a ambas entradas. Esto se debe a la propiedad de tensin
de entrada diferencial nula, que se explica a continuacin.
En el caso de que las seales V1 y V2 sean idnticas, el anlisis es
sencillo. V1 se dividir entre R1 y R2, apareciendo una menor tensin
V(+) en R2. Debido a la ganancia infinita del amplificador, y a la
tensin de entrada diferencial cero, una tensin igual V(-) debe
aparecer en el nudo suma (-). Puesto que la red de resistencias R 3y
R4 es igual a la red R1 y R2, y se aplica la misma tensin a ambos
terminales de entrada, se concluye que Vo debe estar a potencial
Electrnica II
Bibliografa
nulo para que V(-) se mantenga igual a V(+); Vo estar al mismo

potencial que R2, el cual, de hecho est a masa. Est muy til
propiedad del amplificador diferencial, puede utilizarse para
discriminar componentes de ruido en modo comn no deseables,
mientras que se amplifican las seales que aparecen de forma
diferencial. Si se cumple la relacin
R4 R2
=
R3 R 1
La ganancia para seales en modo comn es cero, puesto que, por

definicin, el amplificador no tiene ganancia cuando se aplican
seales iguales a ambas entradas.
Las dos impedancias de entrada de la etapa son distintas. Para la
entrada (+), la impedancia de entrada es R 1 + R2. La impedancia
para la entrada (-) es R3. La impedancia de entrada diferencial (para
una fuente flotante) es la impedancia entre las entradas, es decir,
R1+R3.
El sumador inversor
Utilizando la caracterstica de tierra virtual en el nudo suma (-) del
amplificador inversor, se obtiene una til modificacin, el sumador
inversor, figura 25.
Electrnica II
Bibliografa
Figura 28: Sumador inversor. (Monografias, 2013)

En este circuito, como en el amplificador inversor, la tensin V(+)
est conectada a masa, por lo que la tensin V(-) estar a una
masa virtual, y como la impedancia de entrada es infinita toda la
corriente I1 circular a travs de RF y la llamaremos I2. Lo que ocurre
en este caso es que la corriente I 1 es la suma algebraica de las
corrientes proporcionadas por V1, V2 y V3, es decir:
I1 =
V1 V2 V3
+
+
R g 1 RG 2 R g 3
y tambin
I2 =
V OUT
RF
Como I1 = I2 concluiremos que:
V OUT = V 1
RF
RF
RF
+V 2
+ V 3
RG1
RG 2
RG3
Electrnica II
Bibliografa
que establece que la tensin de salida es la suma algebraica

invertida de las tensiones de entrada multiplicadas por un factor
corrector, que el alumno puede observar que en el caso en que R F =
RG1 = R G2 = R G3 ==> VOUT = - (V1 + V2 + V3)
La ganancia global del circuito la establece R F, la cual, en este
sentido, se comporta como en el amplificador inversor bsico. A las
ganancias
de
los
canales
individuales
se
les
aplica
independientemente los factores de escala R G1, R G2, R G3,... tc. Del

mismo modo, R G1, R G2 y R G3 son las impedancias de entrada de los
respectivos canales.
Otra caracterstica interesante de esta configuracin es el hecho de
que la mezcla de seales lineales, en el nodo suma, no produce
interaccin entre las entradas, puesto que todas las fuentes de
seal alimentan el punto de tierra virtual. El circuito puede
acomodar cualquier nmero de entradas aadiendo resistencias de
entrada adicionales en el nodo suma.
Aunque los circuitos precedentes se han descrito en trminos de
entrada y de resistencias de realimentacin, las resistencias se
pueden reemplazar por elementos complejos, y los axiomas de los
amplificadores operacionales se mantendrn como verdaderos. Dos
circuitos que demuestran esto, son dos nuevas modificaciones del
amplificador inversor.
El integrador
Se ha visto que ambas configuraciones bsicas del AO actan para
mantener constantemente la corriente de realimentacin, I F igual a
IIN.
Electrnica II
Bibliografa
Figura 29: Integrador. (Monografias, 2013)

Una modificacin del amplificador inversor, el integrador, mostrado
en la figura 6, se aprovecha de esta caracterstica. Se aplica una
tensin de entrada VIN, a RG, lo que da lugar a una corriente IIN.
Como ocurra en el amplificador inversor, V(-) = 0, puesto que V(+)
= 0, y por tener impedancia infinita toda la corriente de entrada Iin
pasa hacia el condensador CF, llamaremos a esta corriente IF.
El elemento realimentador en el integrador es el condensador C F.
Por consiguiente, la corriente constante I F, en CF da lugar a una
rampa lineal de tensin. La tensin de salida es, por tanto, la
integral de la corriente de entrada, que es forzada a cargar C F por el
lazo de realimentacin.
La variacin de tensin en CF es
V OUT =
I t
CF
lo que hace que la salida vare por unidad de tiempo segn:

V OUT
V
=
t
RG CF
Electrnica II
Bibliografa
Como en otras configuraciones del amplificador inversor, la

impedancia de entrada es simplemente RG
Obsrvese el siguiente diagrama de seales para este circuito
Figura 30: Diagrama de seales. (Monografias, 2013)

Por supuesto la rampa depender de los valores de la seal de
entrada, de la resistencia y del condensador.
El diferenciador
Una segunda modificacin del amplificador inversor, que tambin
aprovecha la corriente en un condensador es el diferenciador
mostrado en la figura siguiente.
Figura 31: Diferenciador. (Monografias, 2013)
Electrnica II
Bibliografa
En este circuito, la posicin de R y C estn al revs que en el

integrador, estando el elemento capacitivo en la red de entrada.
Luego la corriente de entrada obtenida es proporcional a la tasa de
variacin de la tensin de entrada:
I =
V C
t
De nuevo diremos que la corriente de entrada I IN, circular por RF,

por lo que IF = IIN
Y puesto que VOUT= - IF RF Sustituyendo obtenemos
V OUT =
V RF C
t
Obsrvese el siguiente diagrama de seales para este circuito
Electrnica II
Bibliografa
Figura 32: Emisor Comn. (Monografias, 2013)

El seguidor de tensin
Una modificacin especial del amplificador no inversor es la etapa
de ganancia unidad mostrada en la figura 8
Figura 33: Seguidor de tensin. (Monografias, 2013)

En este circuito, la resistencia de entrada se ha incrementado hasta
infinito, y RF es cero, y la realimentacin es del 100%. V 0 es
entonces exactamente igual a Vi, dado que Es = 0. El circuito se
conoce como "seguidor de emisor" puesto que la salida es una
Electrnica II
Bibliografa
rplica en fase con ganancia unidad de la tensin de entrada. La

impedancia de entrada de esta etapa es tambin infinita.
Resumen
de
las
configuraciones
bsicas
del
amplificador y sus caractersticas.

Todas las caractersticas de los circuitos que se han descrito son
importantes, puesto que, son las bases para la completa
fundamentacin de la tecnologa de los circuitos amplificadores
operacionales. Los cinco criterios bsicos que describen al
amplificador ideal son fundamentales, y a partir de estos se
desarrollan los tres principales axiomas de la teora de los
amplificadores operacionales, los cuales repetimos aqu:
1. La tensin de entrada diferencial es nula

2. No existe flujo de corriente en ninguno de los terminales
de entrada
3. En lazo cerrado, la entrada (-) ser regulada al potencial
de entrada (+) o de referencia.
Estos tres axiomas se han ilustrado en todos los circuitos bsicos y

sus variaciones. En la configuracin inversora, los conceptos de
corriente de entrada nula, y tensin de entrada diferencial cero, dan
origen a los conceptos de nudo suma y tierra virtual, donde la
entrada inversora se mantiene por realimentacin al mismo
potencial que la entrada no inversora a masa.
Electrnica II
Bibliografa
Usando el concepto de la entrada no inversora como terminal de

referencia, el amplificador no inversor y el seguidor de emisor
ilustran como una tensin de entrada es indirectamente multiplicada
a travs de una realimentacin negativa en la entrada inversora, la
cual es forzada a seguir con un potencial idntico. La configuracin
diferencial combina estos conceptos, ilustrando el ideal de la
simultaneidad de la amplificacin diferencial y del rechazo de la
seal en modo comn. Las variaciones del inversor ponen de nuevo
de manifiesto los principios bsicos. En todos estos circuitos, hemos
visto tambin cmo el funcionamiento est solamente determinado
por los componentes conectados externamente al amplificador.
Hasta este momento, hemos definido el AO en sentido ideal y
hemos examinado sus configuraciones bsicas. Con una definicin
adicional, la simbologa del dispositivo, llegaremos al mundo real de
los dispositivos prcticos, examinaremos sus desviaciones respecto
al ideal, y veremos cmo superarlas.
1.- Determinar el voltaje de salida para el circuito sumador de la
figura, si las entradas son seales senoidales: V 1 = 50*Sen(1000t)
mV. V2 = 100*Sen(1000t) mV. V3 = 150 Sen(1000t) mV
R1
33k
R2
10k
R3
5k
Rf
330k
Vcc
9V
+V
+
+V
Vcc
9V
U1
OPAMP5
Electrnica II
Bibliografa
2.- Realice los diagramas de los circuitos integrador y diferenciador,

comente los resultados.
3.-
Dibuje
dos
circuitos
dnde
se
utilicen
amplificadores
operacionales como filtro. Comente sus resultados.
4.- Realice un mapa conceptual con la clasificacin de los

amplificadores operacionales.
voltajes y aplicaciones.
Ponga sus nombre, ganancia de
Electrnica II
Bibliografa
8. Bibliografa
[1]
BOYLESTAD
Robert ,Anlisis de circuitos elctricos.
Editorial Prentice Hall .Madrid 2010.

[2]
Malvino Pal, Principios de Electrnica.
Editorial Mc Graw
Hill. Espaa Barcelona 2002.

[3]
MOHAN,
Ned,
Power
Electronics:
Converters,
Applications and Design, John Wiley & Sons,2005.

[4]
RASHID Muhammad H., Electrnica de Potencia,
Circuitos, Dispositivos y Aplicaciones. Segunda Edicin, 1995.

[5]
MONOGRAFIAS
http://www.monografias.com/trabajos16/representacionInformacion/representacion
[6]
WIKIPEDIA.ORG
http://es.wikipedia.org/wiki/Binario
http://100cia.com/enciclopedia/sistema_binario1.htm
[7]
Centro de estudios: Universidad Catlica de Occidente.
Santa Ana. El Salvadorjaimemontoya@gmail.com
Electrnica II
Bibliografa
9. Anexos
Codificacin de los transistores bipolares
Los transistores tienen un cdigo de identificacin que en algunos
casos especifica la funcin que cumple y en otros casos indica su
fabricacin.
Pese a la diversidad de transistores, se distinguen tres grandes
grupos: Europeos, Japoneses y Americanos.
Codificacin europea
Primera letra
A: Germanio
B: Silicio
Segunda Letra
A: Diodo (excepto los diodos tnel)
B: Transistor de baja potencia
D: Transistor de baja frecuencia y de potencia
E: Diodo tnel de potencia
F: Transistor de alta frecuencia
L: Transistor de alta frecuencia y potencia
P: Foto semiconductor
S: Transistor para conmutacin
U: Transistor para conmutacin y de potencia
Y: Diodos de potencia
Z: Diodo Zener
Nmero de serie
100 999: Para equipos domsticos tales como radio, TV,
amplificadores, grabadoras, etc.
10 99 y la letra X, Y o Z: Para aplicaciones especiales.
Electrnica II
Bibliografa
Ejemplo: AD149, es un transistor de potencia, de germanio y sus

aplicaciones son de baja frecuencia.
Codificacin japonesa
Primero
0 (cero): Foto transistor o fotodiodo
1: Diodos
2: Transistor
Segundo
S: Semiconductor
Tercero
A: Transistor PNP de RF (radiofrecuencia)
B: Transistor PNP de AF (audiofrecuencia)
C: Transistor NPN de RF
D: Transistor NPN de AF
F: Tiristor tipo PNPN
G: Tiristor tipo NPNP
Cuarto
Nmero de serie: comienza a partir del nmero 11
Quinto
Indica un transistor mejor que el anterior
Ejemplo:
Es un transistor PNP de RF con mejores caractersticas tcnicas

que el 2SA186.
Electrnica II
Bibliografa
Codificacin americana
Anteriormente
los
transistores
americanos
empezaban
su
codificacin con el prefijo 2N y a continuacin un nmero que

indicaba la serie de fabricacin. Ejemplo 2N3055, 2N2924, etc.
Actualmente, cada fbrica le antepone su propio prefijo, as se tiene
por
ejemplo:
TI1411,
ECG128,
etc.
que
corresponden
respectivamente a TEXAS INSTRUMENTS Y SYLVANIA.
Datos tcnicos de voltaje y corriente en un transistor
CDIGO
2N109
2N1304
2N1305
2N1307
2N1613
2N1711
2N1893
2N2102
2N2148
2N2165
2N2166
2N2219A
2N2222A
2N2223
2N2223A
2N2243A
2N2369A
2N2857
2N2894
2N2905A
2N2906A
2N2907A
2N2917
2N2926
2N2955
2N3019
2N3053
TIPO
GE-P
GE-N
GE-P
GE-P
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
GE-P
SI-P
SI-P
SI-N
SI-N
2xSI-N
2xSI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-N
SI-N
GE-P
SI-N
SI-N
VOLTAJE CE CORRIENTE POTENCIA FRECUENCIA
35V
25V
30V
30V
75V
75V
120V
120V
60V
30V
15V
40V
40V
100V
100V
120V
40V
30V
12V
60V
60V
60V
45V
25V
40V
140V
60V
0.15A
0.3A
0.3A
0.3A
1A
1A
0.5A
1A
5A
50mA
50mA
0.8A
0.8A
0.5A
0.5A
1A
0.2A
40mA
0.2A
0.6A
0.6A
0.6A
0.03A
0.1A
0.1A
1A
0.7A
0.165W
0.15W
0.15W
0.15W
0.8W
0.8W
0.8W
1W
12.5W
0.15W
0.15W
0.8W
0.5W
0.6W
0.6W
0.8W
.36W
0.2W
1.2W
0.6W
0.4W
0.4W
0.2W
0.15W
0.8W
5W
10MHz
5MHz
B>60
60MHz
70MHz
<120MHz
18MHz
10MHz
250MHz
300MHz
>50
>50
50MHz
12/18ns
>1GHz
60/90ns
45/100
45/100
45/100
>60Mz
300MHz
200MHz
100MHz
100MHz
Electrnica II
2N3054
2N3055
2N3055
2N3055H
2N3251
2N3375
2N3439
2N3440
2N3441
2N3442
2N3495
2N3502
2N3553
2N3571
2N3583
2N3632
2N3646
2N3700
2N3707
2N3708
2N3716
2N3725
2N3740
2N3741
2N3742
2N3767
2N3771
2N3772
2N3773
2N3792
2N3819
2N3820
2N3821
2N3824
2N3866
2N3904
2N3906
2N3909
2N3958
2N3963
2N3972
2N4001
2N4033
2N4036
2N409
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-P
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-P
SI-P
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-P
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-P
N-FET
P-FET
N-FET
N-FET
SI-N
SI-N
SI-P
P-FET
N-FET
SI-P
N-FET
SI-N
SI-P
SI-P
GE-P
Bibliografa
90V
100V
100V
100V
50V
40V
450V
300V
160V
160V
120V
45V
65V
30V
250/175V
40V
40V
140V
30V
30V
100V
80V
60V
80V
300V
100V
50V
100V
160V
80V
25V
20V
50V
50V
55V
60V
40V
20V
50V
80V
40V
100V
80V
90V
13V
4A
15A
15A
15A
0.2A
0.5A
1A
1A
3A
10A
0.1A
0.6A
0.35A
0.05A
2A
0.25A
0.2A
1A
0.03A
0.03A
10A
0.5A
4A
4A
0.05A
4A
30A
20A
16A
10A
20mA
15mA
2.5mA
10mA
0.4A
0.2A
0.2A
10MA
5mA
0.2A
50mA
1A
1A
1A
15mA
25W
115W
115W
115W
0.36W
11.6W
10W
10W
25W
117W
0.6W
0.7W
7W
0.2W
35W
23W
0.2W
0.5W
0.36W
0.36W
150W
1W
25W
25W
1W
20W
150W
150W
150W
150W
0.36W
0.36W
0.3W
0.3W
1W
.35W
.35W
0.3W
0.25W
0.36W
1.8W
15W
0.8W
1W
80mW
3MHz
800kHz
800kHz
800kHz
500MHz
15MHz
15MHz
POWER
0.8MHz
>150MHz
200MHz
500MHz
1.4GHz
>10MHz
400MHz
200MHz
100MHz
80MHz
4MHz
35/60ns
>4MHz
>4MHz
>30MHz
>10MHz
POWER
POWER
POWER
4MHz
<250E
175MHz
300MHz
250MHz
>40MHz
40MHz
150MHz
60MHz
6.8MHz
Electrnica II
2N4126
2N4220
2N4236
2N427
2N428
2N4286
2N4287
2N4291
2N4302
2N4347
2N4348
2N4351
2N4391
2N4392
2N4393
2N4401
2N4403
2N4416
2N4420
2N4427
2N4906
2N4920
2N4923
2N5038
2N5090
2N5109
2N5116
2N5154
2N5179
2N5192
2N5240
2N5298
2N5308
2N5320
2N5322
2N5401
2N5416
2N5433
2N5457
2N5458
2N5460
2N5461
2N5462
2N5484
2N5485
SI-P
N-FET
SI-P
GE-P
GE-P
SI-N
SI-N
SI-P
N-FET
SI-N
SI-N
N-FET
N-FET
N-FET
N-FET
SI-N
SI-P
N-FET
SI-N
SI-N
SI-P
SI-P
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
P-FET
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
N-DARL
SI-N
SI-P
SI-P
SI-P
N-FET
N-FET
N-FET
P-FET
P-FET
P-FET
N-FET
P-FET
Bibliografa
25V
30V
80V
30V
30V
30V
45V
40V
30V
140V
140V
30V
40V
40V
40V
60V
40V
30V
40V
40V
80V
80V
80V
150V
55V
40V
30V
100V
20V
80V
375V
80V
40V
100V
100V
160V
350V
25V
25V
25V
40V
40V
40V
25V
25V
200mA
0.2A
3A
0.4A
0.4A
0.05A
0.1A
0.2A
0.5mA
5A
10A
30mA
50mA
25mA
5mA
0.6A
0.6A
15mA
0.2A
0.4A
5A
1A
1A
20A
0.4A
0.5A
5mA
2A
50mA
4A
5A
4A
0.3A
2A
2A
0.6A
1A
0.4A
1mA
2.9mA
5mA
9mA
16mA
5mA
4mA
HF
1W
0.15W
0.15W
0.25W
0.25W
0.25W
0.3W
100W
120W
0.3W
30E
60E
100E
VHF/UHF
0.36W
1W
87.5W
30W
30W
140W
4W
2.5W
150E
10W
0.2W
40W
100W
36W
0.4W
10W
10W
0.31W
10W
0.3W
Up<6V
UNI
Up<6V
0.31W
Up<9V
0.31W
Up<4V
>3MHz
B>40
B>60
40MHz
150MH
0.8MHz
>0.2MHz
140KHz
Up<10V
Up<5V
Up<3V
200MHz
200MHz
175MHz
>4MHz
0.5us
5mA
1.5GHz
Up<4V
>1GHz
2MHz
>2MHz
>0.8MHz
B>7K
AFSWITCH
AFSWITCH
15MHz
7E
GEN.P
GEN.
Electrnica II
2N5551
2N5589
2N5639
2N5672
2N5680
2N5682
2N5684
2N5686
2N5770
2N5771
2N5876
2N5878
2N5879
2N5884
2N5886
2N6031
2N6050
2N6059
2N6083
2N6098
2N6099
2N6109
2N6124
2N6211
2N6213
2N6248
2N6284
2N6287
2N6292
2N6356
2N6422
2N6427
2N6476
2N6488
2N6491
2N6517
2N6520
2N6547
2N6556
2N6609
2N6660
2N6661
2N6675
2N6678
2N6716
SI-N
SI-N
N-FET
SI-N
SI-P
SI-N
SI-P
SI-N
SI-N
SI-P
SI-P
SI-N
SI-N
SI-P
SI-N
SI-P
P-DARL+D
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
N-DARL
P-DARL
SI-N
N-DARL
SI-P
N-DARL
SI-P
SI-N
SI-P
SI-N
SI-P
SI-N
SI-P
SI-P
N-FET
N-FET
SI-N
SI-N
SI-N
Bibliografa
180V
36V
30V
150V
120V
120V
80V
80V
30V
15V
80V
80V
60V
80V
80V
140V
60V
100V
36V
70V
70V
60V
45V
275V
400V
110V
100V
100V
80V
50V
500V
40V
130V
90V
90V
350V
350V
850/400V
100V
160V
60V
90V
400V
400V
60V
0.6A
0.6A
10mA
30A
1A
1A
50A
50A
0.05A
50mA
10A
10A
10A
25A
25A
16A
12A
12A
5A
10A
10A
7A
4A
2A
2A
15A
20A
20A
7A
20A
2A
0.5A
4A
15A
15A
0.5A
0.5A
15A
1A
16A
2A
2A
15A
15A
2A
0.31W
3W
310mW
140W
1W
1W
200W
300W
0.7W
625mW
150W
150W
150W
200W
200W
200W
100W
150W
PQ=30W
75W
75W
40W
40W
20W
35W
125W
160W
160W
40W
150W
35W
0.625W
16W
75W
30W
0.625W
0.625W
175W
10W
150W
6.25W
6.2W
VID.
175MHz
2W
50MHz
0.5us
>30MHz
>2MHz
>900MHz
>850MHz
>4MHz
>4MHz
>4MHz
AFPOWSW
>4MHz
1MHz
175MHz
AFPOWSWITCH
AFPOWSWITCH
10MHz
20MHz
>20MHz
>6MHz
B>75
B>150
>10MHz
5MHz
>40
>40
>75MHz
2MHz
3E
4E
Electrnica II
2N6718
2N6725
2N6728
2N697
2N7002
2N914
2N918
2SA1006B
2SA1009
2SA1011
2SA1013
2SA1015
2SA1016
2SA1017
2SA1018
2SA1020
2SA1027
2SA1029
2SA1034
2SA1037
2SA1048
2SA1049
2SA1061
2SA1062
2SA1065
2SA1084
2SA1103
2SA1106
2SA1110
2SA1111
2SA1112
2SA1115
2SA1120
2SA1123
2SA1124
2SA1127
2SA1141
2SA1142
2SA1145
2SA1150
2SA1156
2SA1160
2SA1163
2SA1170
2SA1185
SI-N
N-DARL
SI-P
SI-N
N-FET
SI-N
SI-N
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-N
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
Bibliografa
100V
60V
60V
60V
60V
40V
30V
250V
350V
160V
160V
50V
100V
120V
250V
50V
50V
30V
35V
50V
50V
120V
100V
120V
150V
90V
100V
140V
120V
150V
180V
50V
35V
150V
150V
60V
115V
180V
150V
35V
400V
20V
120V
200V
50V
2A
2A
2A
1A
0.115A
0.5A
50mA
1.5A
2A
1.5A
1A
0.15A
0.05A
50mA
70mA
2A
0.2A
0.1A
50mA
0.4A
0.15A
0.1A
6A
7A
10A
0.1A
7A
10A
0.5A
1A
1A
0.2A
5A
50mA
50mA
0.1A
10A
0.1A
50mA
0.8A
0.5A
2A
0.1A
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SI-P
SI-P
SI-P
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SI-P
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SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
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SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
Bibliografa
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150V
120V
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180V
180V
180V
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160V
180V
120V
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160V
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50V
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180V
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60V
120V
140V
50V
120V
35V
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160V
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30V
50V
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SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
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SI-P
SI-P
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SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
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SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
Bibliografa
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80V
80V
60V
60V
180V
250V
60V
80V
50V
50V
50V
80V
200V
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250V
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200V
200V
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180V
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60V
60V
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SI-P
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SI-P
SI-P
SI-P
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SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
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60V
80V
120V
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200V
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180V
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120V
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200V
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32V
120V
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180V
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400V
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50V
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80W
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400MHz
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300MHz
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SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
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SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-N
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
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80V
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180V
230V
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150V
50V
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30V
100V
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80V
30V
80V
30V
180V
30V
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150V
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40V
100V
60V
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60V
25V
120V
100V
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60V
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SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
P-DARL
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
Bibliografa
80V
80V
80V
55V
30V
150V
60V
150V
90V
120V
65V
45V
50V
90V
18V
150V
120V
160V
120V
50V
40V
80V
50V
150V
120V
150V
120V
30V
160V
120V
140V
60V
120V
120V
60V
100V
100V
40V
40V
120V
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100V
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1.5A
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0.75W
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0.9W
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0.5W
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0.7W
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30W
25W
30W
100MHz
100MHz
100MHz
100MHz
300MHz
6MHz
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100MHz
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120MHz
140MHz
200MHz
200MHz
80MHz
80MHz
200MHz
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140MHz
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150MHz
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120MHz
120MHz
100MHz
100MHz
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120MHz
180MHz
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100MHz
100MHz
100MHz
0.4us
5MHz
9MHz
0.4us
Electrnica II
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2SB1163
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P-DARL+D
P-DARL+D
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
P-DARL
SI-P
P-DARL+D
P-DARL+D
P-DARL+D
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
P-DARL
P-DARL
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
Bibliografa
100V
60V
30V
100V
30V
120V
60V
50V
20V
40V
60V
160V
100V
100V
100V
160V
160V
30V
20V
30V
60V
40V
60V
60V
60V
60V
25V
20V
60V
120V
100V
60V
130V
130V
160V
170V
60V
120V
40V
60V
50V
120V
80V
40V
60V
7A
3A
1A
4A
5A
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3A
3A
2A
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5A
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10A
0.1A
0.1A
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2A
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10A
20A
12A
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8A
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2A
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1.5A
3A
2A
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1W
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25W
40W
20W
20W
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1.25W
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0.5W
0.5W
25W
25W
30W
30W
10W
10W
10W
25W
15W
20W
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150W
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20W
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B=5K
100MHz
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120MHz
20MHz
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B>1K
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250MHz
150MHz
150MHz
150MHz
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10MHz
10MHz
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150MHz
140MHz
B=10K
30MHz
130MHz
130MHz
100MHz
70MHz
70MHz
50MHz
100MHz
150MHz
Electrnica II
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2SB1434
2SB1468
2SB1470
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2SB1493
2SB1503
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2SB1557
2SB1559
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2SB1624
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
P-DARL+D
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
P-DARL
P-DARL
P-DARL+D
SI-P
P-DARL+D
SI-P
SI-P
P-DARL+D
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
P-DARL+D
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
P-DARL
P-DARL
P-DARL
P-DARL
P-DARL
P-DARL
P-DARL
P-DARL
SI-P
P-DARL+D
P-DARL
Bibliografa
60V
60V
25V
160V
70V
120V
40V
80V
40V
60V
160V
160V
100V
60V
100V
80V
25V
100V
30V
40V
32V
32V
120V
150V
60V
160V
60V
120V
30V
120V
20V
180V
50V
60/30V
160V
160V
160/140V
160V
140V
140V
160V
160V
80V
160V
110V
5A
8A
5A
1.5A
4A
1.5A
1A
0.7A
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5A
5A
3A
5A
1A
0.7A
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1.5A
9A
3A
12A
3A
16A
3A
16A
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2A
12A
8A
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7A
8A
8A
7A
8A
10A
3A
8A
6A
20W
20W
10W
0.9W
20W
1W
1W
1W
1W
1W
70W
100W
30W
30W
25W
30W
1W
0.3W
1.2W
1.2W
1.2W
1.8W
100W
30W
2.5W
25W
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2W
80W
1W
150W
1W
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150W
90W
70W
120W
120W
100W
80W
100W
25W
70W
60W
130MHz
130MHz
320MHz
50MHz
20MHz
50MHz
150MHz
100MHz
100MHz
B>5K
B>1K
100MHz
50MHz
320MHz
B>200
120MHz
150MHz
100MHz
100MHz
50MHz
15MHz
15MHz
15MHz
9MHz
B>2
30MHz
50MHz
90MHz
10MHz
110MHz
B>5K
B>5K
20
B>5K
B>5K
B>5K
B>5K
50MHz
15MHz
B>5K
B>5K
Electrnica II
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2SB560
2SB561
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2SB601
2SB605
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GE-P
GE-P
GE-P
GE-P
GE-P
GE-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
P-DARL
SI-P
SI-N
SI-N
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
P-DARL+D
P-DARL
SI-N
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
Bibliografa
80V
32V
50V
30V
32V
25V
35V
60V
110V
90V
130V
130V
110V
25V
200V
120V
120V
100V
25V
30V
25V
200V
100V
60V
25V
50V
100V
25V
100V
50V
30V
120V
160V
160V
100V
100V
150V
120V
160V
100V
140V
80V
45V
120V
200V
30A
1A
7A
7A
1A
2A
1.5A
1.5A
0.8A
6A
1.5A
1.5A
8A
1A
2A
0.8A
8A
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0.7A
1A
1A
15A
5A
0.7A
1.5A
1A
1A
2A
6A
0.1A
0.1A
1A
1.5A
12A
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4A
12A
8A
12A
4A
10A
7A
0.1A
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2A
80W
0.25W
30W
30W
6W
6W
10W
10W
10W
50W
20W
20W
80W
0.9W
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10W
80W
0.9W
0.5W
0.8W
0.5W
200W
30W
0.8W
0.6W
0.75W
8W
10W
40W
0.3W
0.9W
1W
125W
40W
30W
100W
80W
100W
40W
120W
40W
0.2W
0.75W
25W
LF-POWER
15KHz
8MHz
70MHz
70MHz
8MHz
40MHz
60MHz
9MHz
180MHz
5MHz
80MHz
100MHz
180MHz
4MHz
120MHz
200MHz
200MHz
100MHz
15MHz
200MHz
120MHz
140MHz
140MHz
20MHz
0.8us
0.15us
13MHz
10MHz
18MHz
17MHz
POWER
80MHz
100MHz
Electrnica II
2SB727
2SB731
2SB733
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2SB739
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2SB815
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2SB819
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2SB824
2SB825
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2SB827
2SB828
2SB829
2SB857
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2SB863
2SB865
2SB873
2SB882
2SB883
2SB884
2SB885
2SB891
2SB892
P-DARL+D
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
P-DARL+D
SI-P
SI-P
P-DARL+D
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
P-DARL+D
P-DARL+D
P-DARL+D
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
P-DARL
SI-P
P-DARL+D
P-DARL+D
P-DARL
P-DARL+D
SI-P
SI-P
Bibliografa
120V
60V
20V
60V
20/16V
70V
70V
60V
100V
60V
120V
30V
40V
30V
100V
120V
120V
120V
60V
80V
20V
30V
20V
150V
160V
160V
50V
40V
60V
60V
60V
60V
60V
60V
50V
200V
140V
80V
30V
70V
70V
110V
110V
40V
60V
6A
1A
2A
1A
2A
1A
3A
2A
7A
1A
3A
1A
3A
0.1A
6A
7A
0.02A
8A
1.5A
1.5A
0.7A
0.7A
0.7A
8A
12A
12A
1.5A
2A
5A
7A
12A
7A
12A
15A
4A
2A
10A
1.5A
5A
10A
15A
3A
3A
2A
2A
50W
10W
1W
1W
0.9W
0.9W
10W
35W
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0.9A
30W
10W
0.4W
60W
70W
0.4W
40W
10W
10W
0.25W
0.35W
0.25W
80W
100W
90W
1W
0.75W
30W
40W
40W
80W
80W
90W
40W
30W
100W
0.9W
1W
40W
70W
30W
35W
5W
1W
B>1K
75MHz
>50MHz
80MHz
80MHz
45MHz
B>100
0.4us
150MHz
B>1K
200MHz
80MHz
150MHz
13MHz
15MHz
150MHz
B>10
B=7
B<3
250MHz
160MHz
250MHz
15MHz
15MHz
150MHz
100MHz
30MHz
10MHz
10MHz
10MHz
10MHz
20MHz
NF/S-L
15MHz
120MHz
B>5K
B=5K
B=4K
B=4K
100MHz
Electrnica II
2SB895A
2SB897
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2SB909
2SB922
2SB926
2SB938A
2SB940
2SB941
2SB945
2SB946
2SB950A
2SB953A
2SB955
2SB975
2SB976
2SB985
2SB986
2SB988
2SC1000
2SC1008
2SC1012A
2SC1014
2SC1017
2SC1030
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2SC1047
2SC1050
2SC1051
2SC1061
2SC1070
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2SC109
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P-DARL
P-DARL+D
P-DARL+D
SI-P
SI-P
SI-P
P-DARL+D
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
P-DARL+D
SI-P
P-DARL+D
P-DARL+D
SI-P
SI-P
SI-P
SI-P
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-P
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
Bibliografa
60V
100V
80V
40V
120V
30V
60V
200V
60V
130V
130V
80V
50V
120V
100V
27V
60V
60V
60V
55V
80V
250V
50V
75V
150V
1000V
30V
300V
150V
50V
30V
110V
50V
40V
350V
300V
140V
180V
160V
35V
1500V
200V
50V
50V
30V
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10A
12A
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35W
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40W
40W
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40W
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30W
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80W
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100W
100W
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100W
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0.6W
0.4W
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B>1
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150MHz
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POWER
30MHz
30MHz
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150MHz
150MHz
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>80MHz
120MHz
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8MHz
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10MHz
10MHz
10MHz
UNI
50MHz
1.2GHZ
Electrnica II
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2SC1474-4
2SC1501
2SC1505
2SC1507
2SC1509
2SC1515
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2SC1571
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2SC1577
2SC1583
2SC1619
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
N-DARL
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
N-DARL
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
Bibliografa
40V
40/50V
35V
50V
1500V
35V
60V
150V
55V
30V
50V
50V
25V
80V
60V
30V
70V
1200V
50V
35V
110V
30V
150V
100V
300V
300V
150V
40V
150V
300V
20V
300V
300V
300V
80V
200V
300V
40V
100V
55V
40V
200V
500V
50V
100V
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1.5A
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4A
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0.1A
0.2A
0.2A
0.5A
0.05A
0.2A
0.3A
0.5A
0.1A
0.1A
0.1A
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0.1A
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0.4W
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100W
0.1W
0.4W
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0.25W
8W
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1W
250mW
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50W
20W
23W
0.3W
0.5W
40W
10W
20W
25W
5W
20W
50W
0.75W
10W
15W
15W
1W
0.2W
12,5W
0.3W
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0.2W
0.2W
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80W
0.4W
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<20/40
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250MHz
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200MHz
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2.7GHz
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60MHz
10MHz
80MHz
55MHz
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110MHz
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100MHz
100MHz
80MHz
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100MHz
10MHz
Electrnica II
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2SC1847
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2SC1895
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SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
N-DARL
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
N-DARL+D
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
Bibliografa
60V
120V
80V
30V
50V
65V
60V
50V
120V
35V
30V
40V
40V
300V
100V
120V
50V
50V
60V
60V
60V
100V
500V
120V
60V
120V
120V
50V
20V
450V
120V
90V
1500V
19V
30V
150V
90V
250V
1500V
30V
300V
160V
80V
80V
35V
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6A
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150MC
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UHF
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0.4W
0.4W
0.4W
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0.5W
0.5W
0.5W
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150W
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50W
0.3W
15W
0.2W
0.6W
50W
10mW
25W
0.8W
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20W
50W
250MHz
30MHz
100MHz
RF/IF
UNI
550MHz
150MHz
500MHz
1.1GHz
250MHz
>50MHz
80MHz
UNI
80MHz
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B>200
B>120
10MHz
B>10
100MHz
550MHz
<1/3us
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2MHz
1100MHz
120MHz
150MHz
550MHz
80MHz
Electrnica II
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2SC1953
2SC1957
2SC1959
2SC1967
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2SC1971
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2SC1975
2SC1980
2SC1984
2SC1985
2SC2023
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2SC2061
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2SC2094
2SC2097
2SC2120
2SC2122
2SC2166
2SC2168
2SC2200
2SC2209
2SC2216
2SC2228
2SC2229
2SC2230
2SC2233
2SC2235
2SC2236
2SC2237
2SC2238
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
Bibliografa
35V
150V
40V
30V
35V
35V
60V
40V
35V
35V
120V
120V
100V
80V
300V
30V
1500/800V
80V
40V
18V
40V
40V
80V
300V
150V
80V
75V
75V
40V
50V
30V
800V
75V
200V
500V
50V
45V
160V
200V
200V
200V
120V
30V
35V
160V
1A
0.05A
1A
0.5A
2A
5A
6A
0.6A
2A
3.5A
2A
20mA
3A
6A
2A
0.05A
5A
1A
0.3A
0,3A
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0.7A
1A
0.05A
1.5A
3A
1A
3A
3.5A
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0.8A
10A
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1.5A
50mA
0.05A
50mA
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1.5A
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3.8W
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30W
40W
40W
0.25W
50W
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0.6W
0,5W
0.25W
0.75W
0.75W
25W
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0.45W
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PQ>15W
PQ=85W
0.6W
50W
12.5W
30W
40W
10W
0.3W
0.75W
0.8W
0.8W
40W
0.9W
0.9W
PQ>7.5W
25W
175MHz
70MHz
27MHz
200MHz
470MHz
470MHz
50MHz
200MHz
B=700
10MHz
10MHz
500MHz
150MHz
120MHz
95MHz
4MHz
150MHz
27MHz
27MHz
175MHz
120MHz
RFPOWER
10MHz
1US
150MHz
300MHz
>50
120MHz
50MHz
8MHz
120MHz
120MHz
175MHz
100MHz
Electrnica II
2SC2240
2SC2261
2SC2267
2SC2270
2SC2271
2SC2275
2SC2283
2SC2287
2SC2295
2SC2307
2SC2308
2SC2310
2SC2312
2SC2314
2SC2320
2SC2329
2SC2331
2SC2333
2SC2334
2SC2335
2SC2336B
2SC2344
2SC2347
2SC2362
2SC2363
2SC2365
2SC2369
2SC2383
2SC2389
2SC2407
2SC2412
2SC2433
2SC2440
2SC2458
2SC2466
2SC2482
2SC2485
2SC2486
2SC2491
2SC2497
2SC2498
2SC2508
2SC2510
2SC2512
2SC2516
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
Bibliografa
120V
180V
400/360V
50V
300V
120V
38V
38V
30V
500V
55V
55V
60V
45V
50V
38V
150V
500/400V
150V
500V
250V
180V
15V
120V
120V
600V
25V
160V
120V
35V
50V
120V
450V
50V
30V
300V
100V
120V
100V
70V
30V
40V
55V
30V
150V
50mA
8A
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0.75A
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2A
7A
7A
1.5A
1.5A
50mA
50mA
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1A
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0.15A
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1.5A
0.05A
6A
20A
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.3W
80W
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100W
0.2W
0.2W
18.5W
5W
0,3W
2W
15W
40W
40W
40W
25W
25W
250mW
0.4W
0.5W
50W
0.25W
0.9W
0.3W
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150W
40W
0.2W
0.9W
70W
80W
40W
5W
0.3W
50W
250W
TUNE
30W
100MHz
15MHz
100MHz
50MHz
200MHz
500MHz
175MHz
250MHz
18MHz
230MHz
230MHz
27MHz
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POWER
POWER
POWER
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130MHz
POWER
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80MHz
80MHz
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15MHz
15MHz
15MHz
150MHz
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900MHz
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Electrnica II
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SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
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SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
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SI-N
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SI-N
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SI-N
SI-N
Bibliografa
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300V
500V
500V
60V
120V
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160V
200V
120V
180V
50V
300V
300V
300V
450V
35V
150V
150V
60V
350V
40V
50V
450V
200V
30V
15V
180V
120V
35V
150V
140V
50V
30V
30V
30V
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150V
500V
500V
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100W
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250MHz
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160MHz
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SI-N
SI-N
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SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
N-DARL
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
Bibliografa
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20V
50V
900V
850V
900V
300V
100V
500V
55V
30V
80V
150V
20V
36V
50V
20V
45V
90V
35V
500V
40V
200V
160V
180V
200V
180V
300V
1500V
500V
160V
800V
140V
36V
20V
20V
35V
35V
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100W
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F
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1W
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50W
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10W
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50W
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100W
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320MHz
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30MHz
28MHz
100MHz
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150MHz
150MHz
150MHz
50MHz
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2.5us
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175MHz
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140MHz
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2xSI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
Bibliografa
130V
30V
120V
30V
60V
500V
800V
250V
35V
50V
180V
180V
60V
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900V
900V
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500V
500V
500V
400V
1200V
60V
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120V
140V
30V
60V
120V
35V
35V
30V
150V
500V
800V
800V
40V
200V
50V
20V
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150V
30V
50V
250V
50mA
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3A
3A
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10A
2A
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6A
8A
10A
20mA
0.15A
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0.8A
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0.5A
10A
5A
7A
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4A
25A
2A
0.5A
0.1A
1.5A
1A
10A
0.5W
Ueb=15V
Ueb=15V
15W
20W
10W
80W
200W
170W
0.4W
10W
10W
1.5W
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50W
100W
60W
60W
100W
25W
50W
60W
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60W
80W
100W
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1W
0.8W
100W
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110W
0.9W
0.9W
0.9W
0.9W
.9W
40W
160
B>8
B>
100MHz
120MHz
1/1.5us
25MHz
520MHz
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120MHz
120MHz
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1us
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30MHz
30MHz
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120MHz
120MHz
120MHz
1us
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3.5MHz
1us
8MHz
30MHz
80MHz
130MHz
200MHz
130MHz
130MHz B>
1/3.5us
Electrnica II
2SC3258
2SC3260
2SC3262
2SC3263
2SC3264
2SC3271
2SC3277
2SC3279
2SC3280
2SC3281
2SC3284
2SC3293
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2SC3300
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2SC3307
2SC3309
2SC3310
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2SC3327
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2SC3332
SI-N
N-DARL
N-DARL
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
N-DARL+D
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
SI-N
Bibliografa
100V
800V
800V
230V
230V
300V
500V
10V
160V
200V
150V
50V
30V
60V
100V
100V
500V
900V
500V
500V
60V
500V
20V
50V
80V
60V
60V
180V
5A
3A
10A
15A
17A
1A
10A
2A
12A
15A
14A
1.2A
3A
5A
15A
5A
10A
10A
2A
5A
0.1A
15A
0.3A
0.3A
2A
0.2A
0.2A
0.7A
30W
50W
100W
130W
200W
5W
90W
0.75W
120W
150W
125W
20W
15W
20W
100W
20W
100W
150W
20W
30W
0.3W
80W
0.15W
0.2W
0.9W
0.3W
0.5W
0.7W
120MHz
B>10
60MHz
80MHz
20MHz
150MHz
30MHz
30MHz
60MHz
180
100MHz
0.1us
0.2us
1us
1us
1us
1us
150MHz
30MHz
30MHz
100MHz
200MHz
200MHz
120MHz
CORTA HISTORIA...
Charles Plumb, era piloto de un bombardero en la guerra de Vietnam.
Despus de muchas misiones de combate, su avin fue derribado por un misil.
Electrnica II
Bibliografa
Plumb se lanz en paracadas, fue capturado y pas seis aos en una prisin
norvietnamita. A su regreso a Estados Unidos, daba conferencias relatando su
odisea, y lo que aprendi en la prisin.
Un da estaba en un restaurante y un hombre lo salud:
Le dijo "Hola, usted es Charles Plumb, era piloto en Vietnam y lo derribaron
verdad?" "Y usted, cmo sabe eso?", le pregunt Plumb.
"Porque yo empacaba su paracadas. Parece que le funcion bien, verdad?"
Plumb casi se ahog de sorpresa y con mucha gratitud le respondio.
"Claro que funcion, si no hubiera funcionado, hoy yo no estara aqu."
Estando solo Plumb no pudo dormir esa noche, meditando:
Se preguntaba Cuntas veces vi en el portaviones a ese hombre y nunca le
dije buenos das, yo era un arrogante piloto y l era un humilde marinero?"
Pens tambin en las horas que ese marinero paso en las entraas del barco
enrollando los hilos de seda de cada paracadas, teniendo en sus manos la
vida de alguien que no conoca.
Ahora, Plumb comienza sus conferencias preguntndole a su audiencia:
"Quin empac hoy tu paracadas?".
Todos tenemos a alguien cuyo trabajo es importante para que nosotros
podamos salir adelante. Uno necesita muchos paracadas en el da: uno fsico,
uno emocional, uno mental y hasta uno espiritual.
A veces, en los desafos que la vida nos lanza a diario, perdemos de vista lo
que es verdaderamente importante y las personas que nos salvan en el
momento oportuno sin que se los pidamos.
Dejamos de saludar, de dar las gracias, de felicitar a alguien , o aunque sea,
decir algo amable slo porque s.
Hoy, esta semana, este ao, cada da, trata de darte cuenta quin empaca tu
paracadas, y agradcelo.
Electrnica II
10.
Bibliografa
Glosario
() BETA (FACTOR DE GANANCIA): Nmero a dimensional tpico

de un transistor que representa en nmero de veces que puede
amplificar un transistor. Matemticamente representa la variacin
de la corriente de colector con respecto a la de base.
() ALFA: variacin de la corriente de colector con respecto a la de
emisor.
DOPAJE:Introducir tomos de diferente naturaleza a una estructura
pura para alterar la conduccin de corriente elctrica.
POLARIZACIN: Ordenar internamente la carga elctrica en un
semiconductor, para favorecer o no la conduccin.
CIRCUIT MAKER: Software simulador para circuitos elctricos y/o
electrnicos, analgicos o digitales.
2016-2016

Guia de Estudio Electrónica II

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Instituto Tecnolgico Superior

Unidad: EL TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA............11

Tecnolgico Vida Nueva

Circuito de polarizacin por divisor de voltaje......................29

Unidad: APLICACIONES DEL BJT.......................................34

Unidad. EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL....................49

Estructura interna y caractersticas:.....................................52

Tecnolgico Vida Nueva

Orientaciones generales para el

Tecnolgico Vida Nueva

Orientaciones generales para el

El transistor original (un transistor de punto de contacto) se muestra

Figura 2: El primer transistor (bell telephone laboratories).

Orientaciones generales para el

Su consumo de energa es mucho menor con lo que tambin

Su tamao es tambin mucho menor. Esto permite una

Mientras que las tensiones de alimentacin de los tubos

El transistor es un elemento constituido fundamentalmente por

El transistor en un dispositivo de estado slido ms robusto.

Como podemos ver el simple hecho de pasar del tubo de vaco al

Orientaciones generales para el

En un grfico detalle la construccin de semiconductores Tipo N y

Orientaciones generales para el

Orientaciones generales para el

Tecnolgico Vida Nueva

Unidad: EL TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA

Tecnolgico Vida Nueva

Figura 4: Estructura interna del transistor bipolar. (Wikipedia, 2013)

Tecnolgico Vida Nueva

Figura 5: Modelos de transistores. (Wikipedia, 2013)

En el presente mdulo se detallar la

construccin, funcionamiento y aplicaciones de transistor bipolar de

Unidad: EL TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA

Base (B), la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor

Colector (C), de extensin mucho mayor, pero de menor

Configuracin del transistor

Figura 6: Transistores bipolares NPN y PNP. Estructura. Circuito

Figura 7: Estructura interna de un transistor NPN. (Wikipedia, 2013)

Corte transversal simplificado de un transistor de unin bipolar NPN.

serepresenta la corriente de colector vs el voltaje en los terminales

Figura 8: Curva caracterstica idealizada de un transistor bipolar.

permitiendo a los electrones excitados trmicamente inyectarse en

Tecnolgico Vida Nueva

Figura 9: Curva caracterstica. (Wikipedia, 2013)

Curva caracterstica de salida

Tecnolgico Vida Nueva

Figura 10. Circuito electrnico. (Wikipedia, 2013)

Figura 11. Curva del circuito electrnico. (Wikipedia, 2013)

Zona entre 1 y 2: ZONA DE SATURACIN.

Zona entre 2 y 3: ZONA ACTIVA.

Zona a partir de 3: ZONA DE RUPTURA.

Recordar que en activa conociendo el valor de I B se puede calcular

Tecnolgico Vida Nueva

Figura 12. Zonas de activacin. (Wikipedia, 2013)

Activa: Amplificadores y dems Circuitos Lineales

Figura 13. Curvas Ic. (Wikipedia, 2013)

Corte y Saturacin: Conmutacin (Corte abierto y Saturacin

Tecnolgico Vida Nueva

Figura 14. Curvas de conmutacin. (Wikipedia, 2013)

Figura 15. Curvas de un transistor. (Wikipedia, 2013)

Tecnolgico Vida Nueva

Figura 16. Curvas de un transistor. (Wikipedia, 2013)

Figura 17. Curvas de un transistor. (Wikipedia, 2013)

Tecnolgico Vida Nueva