Dispozitive Electronice Si Optoelectronice

DISPOZITIVE ELECTRONICE SI
OPTOELECTRONICE
Suport curs - 2009
Vesa Vlad
6/26/2009
[Type the abstract of the document here. The abstract is typically a short summary of the contents of the
document. Type the abstract of the document here. The abstract is typically a short summary of the contents of
the document.]
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
BAZELE FIZICE ALE DISPOZITIVELOR ELECTRONICE

SEMICONDUCTOARE
Electronul-particula elementara cu sarcina negativa, q=e=−1,6∙10-19 C. Intra în componenta

atomilor.
Electronica-domeniu al tehnicii care se ocupa cu teoria, fabricarea si utilizraea dispozitivelor
semiconductoare , a circuitelor integrate, etc.
Optoelectronica- ramura a electronicii care se ocupa cu producerea, masurarea si folosirea
radiatiei electromagnetice în domeniul optic, precum si cu conversia acestei radiatii în semnal
electric.
Materiale semiconductoare- au o rezistivitate specifica între cea a conductoarelor (Cu, Ag, Au,
Fe) si cea a izolatoarelor (sticla, diamant, etc.)
Conductori 10-5 10-4 10-2 100 102 104 106 107 ρ[Ωm]
(metale)
Izolatori
GaAs Ge Si Se
Semiconductori
Explicatii: R[Ω]=ρ ; ρ- parametrul fizic cu cel mai larg domeniu de valori (10-10†1018 Ωm).
Din punct de vedere tehnic, cel mai important material semiconductor este siliciul. Face parte
din grupa a patra a sistemului periodic al elementelor ( este tetravalent) si cristalizeaza in structura de
tetraedru. Fiecare din cei 4 electroni de valenta ai unui atom participa la cate o legatura covalenta cu
unul din cei 4 atomi învecinati. La temperatura zero absolut (0 grade K), toti electronii sunt prinsi în
legaturi covalente si materialul se comporta ca un izolator (ca diamantul- forma cristalina a
carbonului). Este cazul reprezentat in figura. (expl: 00 K=-273,150 C)
1
O data cu cresterea temperaturii, un numar tot mai mare de legaturi covalente se “rup”:
electronii in cauza devin liberi sa se deplaseze in reteaua cristalina. Intr-o reprezentare plana, reteaua
cu legaturi covalente rupte se prezinta ca in figura.
Locul lasat liber de electronul care a rupt legatura se interpreteaza ca o sarcina pozitiva, q, si se
numeste “gol”. Golul poate fi ocupat de un electron dintr-o legatura covalenta vecina. Aceasta
deplasare a legaturilor libere se interpreteaza ca o deplasare a golurilor.
Eliberarea unui electron din retea este echivalenta cu generarea termica a unei perechi electron-
gol. Orientativ, într-un cristal de Ge la tempetarura camerei (aprox 3000 K) se rup 1013 legaturi/
cm3.Aceste valori sunt mici comparativ cu 1023 cat este numarul electronilor/ cm3, in metale. Totusi,
aceste densitati mici fac posibila conductia semiconductorilor. Se vorbeste de semiconductori
intrinseci respectiv de conductie intrinseca.
Densitatea spatiala a perechilor electron-gol se numeste concentratie intrinseca de purtatori, ni.
Electronii liberi se deplaseaza prin cristal datorita agitatiei termice. Traiectoria lor este in zig-
zag ca urmare a ciocnirilor cu paturile externe ale atomilor sau cu alti purtatori. În medie nu este
favorizata o directie de deplasare (a). Daca insa în cristal actioneaza un camp electric (Ē), va fi
favorizata clar o directie de deplasare. Ia nastere un curent de electroni si un curent de goluri. Spre
deosebire de metale, la semiconductoare rezistenta electrica scade cu cresterea temperaturii.
a) b) Ē
Semiconductoare extrinseci ( impurificate, dopate)
2
Conductivitatea semiconductorului poate fi crescuta prin introducerea in reteaua cristalina a

unor atomi pentavalenti (P, As). Al cincilea electron, care nu poate intra într-o legatura covalenta,
este eliberat de atom.
Astfel, pe langa perechile electron-gol,în cristal se vor gasi atatia electroni liberi cati atomi
pentavalenti (donatori) au fost introdusi în retea. Se vorbeste de Si dopat N sau simplu, siliciu N.
Electronii sunt în acest caz purtatori majoritari iar golurile sunt purtatori minoritari. Fiecare atom
donor ionizat este încarcat electric pozitiv, astfel încat cristalul este neutru din punct de vedere
electric.
Spre deosebire de gol, atomul de P ionizat pozitiv este fix in retea si nu participa la curentul
electric. În semiconductori de tip N, numarul golurilor din cristal este mai mic decat la
semiconductori intrinseci, coform relatiei p∙n=ni2(T). La semiconductori intrinseci, p=n=ni(T).
Similar, conductivitatea Si poate fi crescuta prin introducerea în retea a unor atomi trivalenti (B,
Al, Ga, In). Un electron dintr-o legatura covalenta vecina ocupa golul atomului acceptor, lasand în
urma o legatura rupta (gol).
În acest cristal golurile sunt purtatori majoritari iar electronii, purtatori minoritari.
Se vorbeste de semiconductor dopat (smcd de tip P) si de conductie de tip P.
3
Daca se întalneste un electron cu un gol, ei se recombina si dispar ca purtatori liberi de sarcina.

Atunci cand generarea perechilor electron-gol este compensata de disparitia acestor perechi prin
recombinare se spune ca semiconductorul este in stare de echilibru.
Intr-un semiconductor pot exista 4 tipuri de entitati “încarcate”: electroni mobili, n/cm 3; ioni
acceptori, NA/cm3 (sarcini negative); goluri mobile, p/cm3; ioni donori, ND/cm3(sarcini pozitive).
Daca semiconductorul este omogen, densitatea locala de sarcina este nula: ρ=q(p + ND – n – NA)=0
adica p-n= NA- ND.
Consideram un semiconductor N: NA=0; ND>>ni ⇒ n0≅ND si . Notatiile n0 si p0 arata ca
semiconductorul se alfa in stare de echilibru.
n0≅ND
ni=pi
𝑛
p0≅𝑁𝑖
𝐷
Ex: si la temperatura camerei are n0∙p0=1020/cm6. Daca ND=1015, ⇒ n0≅1015/cm3 si p0≅105/cm3.

Se observa ca p0<<pi deoarece recombinarea este puternica datorita numarului mare de elecroni.
4
Este posibila perturbarea temporara a concentratiilor de purtatori ( de exemplu prin iluminare,

ca în cazul fotorezistentelor). Daca notam cu n` si p` concentratiile în exces fata de starea de echilibru,
concentratiile momentane se pot exprima astfel:p=p0+p`; n=n0+n`
Daca p`>0; n`>0, este vorba într-adevar de un exces de purtatori. Dupa disparitia stimulului,
excesul de concentratie tinde sa revina la zero prin recombinarea
purtatorilor. Legea de revenire este exponentiala n`(t)=n`(0)∙e-t/τ; p`(t)=p`(0)∙e-t/τ.
Daca p`<0; n`<0, exista un deficit (exces negativ) de purtatori. Revenirea la zero a deficitului se
produce prin generare de purtatori. Constanta de timp τ se numeste timp de viata mediu al
purtatorilor în exces.
Constanta de timp τ depinde de natura semiconductorului si ia valori tipice intre 1 ns si 500 μs.
Modelul benzilor energetice(m.b.e)
Modelul benzilor energetice este o reprezentare bazata pe considerente cuantice si statistice a

energiei electronilor din atomi, molecule semiconductoare, etc. Conform modelului atomic al lui
Bohr electronii pot avea doar valori discrete de energie.
Multimea atomilor dintr-un smcd. face ca valorile discrete de energie ale atomilor individuali sa
se grupeze in benzi compacte de energie separate de zone interzise.
Pentru intelegerea functionarii dispozitivelor electronice este importanta ocuparea cu electroni a
celor doua benzi superioare: banda de conductie si banda de valenta.
5
In figura a s-a notat cu Ev limita energetica superioara a benzii de valenta si cu Ec limita

inferioara a benzii de conductie. Intre aceste limite se afla o banda interzisa de latime E i=Ec-Ev.
pentru Si, Ei=1,1eV iar pentru Ge, Ei=0,67 eV. (electron-voltul este o unitate de masura tolerata
pentru energie, în analiza proceselor ce implica particule elementare. 1eV=1,6∙10-19 J este energia pe
care o castiga un electron parcurgand o diferenta de potential de 1V).
ED- nivelul energetic al donatorilor
EA- nivelul energeti c al acceptorilor ⇒ cad în banda interzisa.
M.b.e explica dependenta de temperatura a conductivitatii semiconductorilor. De asemenea, e

clar ca in aceleasi conditii de temperatura, smcd. cu banda interzisa mai ingusta ( EC-EV ) are
conductibilitatea mai buna. M.b.e explica si influenta impuritatilor asupra conductibilitatii. Astfel,
atomii donatori introduc un nivel energetic suplimentar aproape de banda de conductie (BC). De aici,
electronii atomilor de impuritate trec usor in BC si conductibilitatea astfel crescuta are un caracter
electronic(electronii sunt majoritari). Atomii acceptori introduc un nivel energetic suplimentar
aproape de banda de valenta(BV).
Pe acest nivel pot veni usor electroni din BV, în care apar astfel goluri in plus si
conductibilitatea crescuta are un caracter de goluri ( golurile sunt majoritare).
Curentul electric in semiconductoare

In conditii de echilibru, purtatorii mobili de sarcina se misca datorita agitatiei termice dupa
traiectorii in zig-zag. Nici o directie nu este favorizata, valoarea medie a vitezei este nula; nu exista
curent (v=0).
Doua cauze pot determina o stare de dezechilibru:
- aplicarea unui camp electric din exterior;
- distributia neuniforma a purtatorilor din semiconductoare.
Campul electric Ē determina o tendinta (“drift”) in miscarea purtatorilor. Viteza medie a
golurilor, vg, respectiv a electronilor ve, nu vor mai fi nule ci proportionale cu intensitatea campului:
vg=μg∙Ē; ve=-μe∙Ē.
6
Parametrii μg si μe se masoara in [ ]=[ ], se numesc „mobilitatea electronilor‟ si au valoari

de ordinul 103. Curentul care ia astfel nastere se numeste curent de drift iar marimea lui se apreciaza
prin densitate de curent J.
Electronii si golurile se deplaseaza in directii opuse, dar densitatile de curent corespunzatoare se

aduna:
J=Jg+Je= =q(n∙μe+ p∙μg) ∙ E= σ ∙ E.
Coeficientul σ este conductivitatea materialului semiconductor. Curentul de conductie I are
sensul de deplasare a golurilor, identic cu sensul cîmpului electric, E. Exemplu: o bara de Ge avand
forma unui paralelipiped de lungime l=1 cm si o sectiune S=(0,1 cm)2 este strabatuta de curent.
Mobilitatile purtatorilor sunt: μg=2∙103cm2/(V∙s) si μe=4∙103cm2/(V∙s). Daca semiconductorul
este intrinsec (n0=p0=ni≅2∙1013cm-3, la T=3000K) se poate calcula conductivitatea materialului:
σ=q∙ni(μe+ μg)=1,6∙10-19∙2∙1013 (2+4)∙103 = 19,2∙10

[C] [cm-3] [cm2/(V∙s)] [(Ω∙cm)-1]
Cunoscand geometria barei si conductivitatea materialului, se poate determina rezistenta barei:
I=J∙S= σ∙E∙S= σ∙ ∙S. Dar
∙ .
σ∙ ∙ ∙ ∙
Sa consideram acum ca semiconductorul este de tip N si ca între capetele ei s-a masurat o

rezistenta R=10Ω. În aceste conditii se poate determina concentratia purtatorilor majoritari:
0(Ω∙cm)-1.
∙
În acest caz σ este determinat în principal de purtatorii majoritari:
σ ∙
≅ ∙ ∙ ⇒ ≅ ≅ ∙ .
∙μ ∙ ∙ ∙ ∙
Rezulta o concentratie a purtatorilor majoritari (si implicit a atomilor donori) cu trei ordine de
marime peste valoarea concentratiilor n0=p0 din cazul unui semiconductor intrinsec.
Pe langa curentul de drift care ia nastere prin aplicarea unui camp electric, poate sa apara si
curenti de difuzie, atunci cand distributia purtatorilor de sarcina în semiconductor nu este uniform a.
7
Distributii neuniforme ale purtatorilor pot sa apara, de exemplu, la injectia de purtatori majoritari sau
minoritari intr-un semiconductor.
Daca presupunem o densitate scazatoare a golurilor in sensul axei Ox, este clar ca golurile vor
difuza in sensul acestei axe.
Sensul curentului si al densitatii de curent de difuzie va fi dat de versorul axei Ox, ū: J = -q∙Dg∙ ∙ ū.
Daca s-ar fi considerat o repartitie similara a electronilor, acestia ar fi difuzat tot spre dreapta
dar curentul si densitatea de curent corespunzatoare ar fi fost orientate împotriva lui ū: Je=q∙De∙ ∙ ū.
Desigur, daca curentii de difuzare si curentii de drift coexista, densitatile de curent se aduna vectorial.
Efectul final al curentilor de difuzie este egalizarea, uniformizarea distributiei purtatorilor de sarcina.
Constantele De si Dg se numesc coeficienti de difuzie pentru goluri respectiv pentru electroni.
Sunt dovedite urmatoarele egalitati (Einstein):
In aceste relatii k=1,38∙10-23J/K este constanta lui Boltzmann iar VT≅25mV la T=2930K se
numeste tensiune termica. Relatiile se obtin pe baze statistice.
8
DIODE SEMICONDUCTOARE
Toate dispozitivele sunt privite din punct de vedere al comportarii la borne (relatii intre tensiuni si
curenti).
Structura (fig 2.1): o jonctiune p-n; retea cristalina continua.
A – Anod J
A C
C – Catod p n
J – Jonctiune iD
p – zona in care sunt majoritare golurile UD
n – zona in care sunt majoritari electronii
Simbol de circuit pentru diode redresoare (comutatie)
A u D , i D - marimi instantanee
C
iD
uD
Conventie de notare:
V  - componenta continua
- valoare instantanee
ud - variatia
UD
uD t s 
Daca u D  0 dioda este polarizata direct; se afla in conductie ( i D  0 )

Daca u D  0 dioda este polarizata invers; dioda este blocata ( i D  0 )
Caracteristica diodei ( i D  f (u D ) )
I FM  0,4 A
i D mA  pentruA157
VF  1,5V 
I FM
ID Polarizare directa
VF
VRRM La Si: U D  0,6...0,7V
IS UD u D V 
Polarizare inversa
9
La Ge: U D  0,2...0,3V
I s  1A...9A(tipic ) : curent de saturatie

VRRM  400V . pentru.A157
Descrierea analitica a caracteristicii diodei
I S - curent rezidual
(2.1 – pag 44) m  1,2 - parametrul tehnologic; vom lua m=1

U T -tensiunea termica: 25mV la 25 C
I D ,U D - marimi statice  caracteristica statica
Aproximari ale relatiei (2.1)
   100mV  
a) U D  0.1V (polarizare directa) : I S exp    1
  25mV  
U   1V 
 I D  I S exp  D   I S exp   U D   I S exp( 40U D ) (2.3)
 UT   25mV 
b) U D  0.1V  I D   I S (2.4)
Efectul temperaturii asupra caracteristicii diodei

- Curentul rezidual I S depinde de temperatura jonctiunii
I S (T )  I S (T1 )  2(T T1 ) / 10 (2.5)  IS
- se dubleaza la fiecare crestere a temperaturii cu 10  C
- Tensiunea U D are un coeficient de temperatura negative: la acelasi curent prin dioda tensiunea U D
U D
scade daca temperatura T creste  2,5mV / C (2.6)
T I D  const
IS
T  T1
T1
U D V 
10
Notiunile de dreapta de sarcina si PFS
R  1K E  I D  R  U D - ecuatia dreptei de sarcina

 R- rezistenta de sarcina
E  10V UD
ID

Taieturile la axe :
 I D  0  U D  E  10V

 E 10V
UD  0  ID    10mA
 R 1K
I D [mA] PFS – Punctul de functionare static se afla la intersecta dreptei de

E sarcina(statica) cu caracteristica diodei.
R
PFS

ID
U D0 E
U D [V ]
ID
Metode pentru determinarea PFS

1) Rezolvarea sistemului de ecuatii
2) Calculul iterativ(utilizat in programe ca PSPICE)
U D'  0  I D'  U D"  I D"  U D"'  etc. (calculul este rapid convergent) UD
Rezistenta dinamica a diodei (§2.4 si fig 2.7)
Caracteristica
diodei Variatii presupuse
id
I D0 iD  I  id
0
D
sinusoidale
PFS
t ud  U m sin t
uD  U D0  ud
U D0
id  I m sin t
ud Pentru variatii de mica amplitudine in jurul PFS, dioda se comporta ca o rezistenta.

diD
Din ecuatia (2.3)   I S exp( 40U D )  40  40  I D0
du D
t
11
 1 25 
rd []   0  (2.10) - Formla analitica pentru rezistenta dinamica (la mici variatii) a unei
 40  I D [ A] I D [mA] 
0
diode aflata la polarizare directa.
Ex: I D  5mA  rd  5
0
Observatie: cu cat I D0 creste mai mult, cu atat rd scade mai accentuat.
Modelul de dioda ideala (§ 2.6 si fig. 2.11)

In unele aplicatii cum sunt redresoarele din blocurile de alimentare, tensiunile care intervin sunt mult mai
mari decat caderile de tensiune pe diodele polarizate direct iar curentii inversi (reziduali) prin diode sunt
neglijati fata de curentii care intervin in circuit.
Daca se neglijeaza tensiunile pe diodele polarizate direct si curentii reziduali prin diodele polarizate
invers se obtine modelul diodei ideale.
La polarizare directa: iD
u d  0 pentru i d >0 Caracteristica
La polarizare inversa: diodei ideale
i D  0 pentru u D  0 uD
Observatie: Exista o deosebire esentiala intre dioda si intrerupator, dioda conduce curentul intr-un singur
sens de la anod la catod. Dioda – dispozitiv unidirectional.
Aplicatie
Redresor monofazat monoalternanta(§2.7 pag 52)
Redresor – transforma o tensiune sinusoidala( fara componenta continua) intr-una cu componenta

continua, adica intr-o tensiune cu valoare medie nenula.
Monofazat – primeste la intrare o singura tensiune sinusoidala
Monoalternanta – redreseaza o singura alternanta

Tr :
u1 D
- coboara tensiunea
220V u2 RS uS - separa galvanic partea de forta (reteaua) de sarcina
50 Hz u 2  U 2m  sin t
D – dioda ideala
Tr 
Alternanta :
 + (pozitiva) u2 RS uS  u2
12
 - (negativa) u2 RS uS  0
u2 , uS U SCC -componenta continua(valoarea medie) a tensiunii u S (t )

u S t  
1 U
U SCC  
2 0
U 2 m sin d  2 m

0  2  Tensiunea redresata are o componenta contiuna dar este

departe de a fi constanta.
u 2 t 
Filtrarea tensiunii redresate

Se pot utiliza bobine in serie cu RS sau condensatoare in paralel cu RS . Cel mai des se utilizeaza
condensatoare electrolitice sau cu tantal de valori mari.
Tens. redresata si filtrata
iS uS
u S
U 2m
u2 C RS uS
Tensiunea redresata
t1 t 2 t3 t 4 t
[t1 , t 2 ];[t 3 , t 4 ] - dioda conduce si C se incarca

[t 2 , t 3 ] - dioda este blocata si C se descarca peste RS
Teoretic descarcarea este exponentiala; practic din cauza constantei de timp mari ( CRs ), in intervalul
[t 2 , t 3 ] descarcarea este liniara  Tensiunea redresata si filtrata e aproape constanta. Prezinta o “ondulatie”,
u s .
Q  C  u s  sarcina cu care se incarca C in [t1 , t 2 ]
U 1
Q  iS (t 3  t 2 )  2 m  T  sarcina evacuata din C pe durata descarcarii; T  este perioada tensiunii
RS f
iar f  50Hz este frecventa
U 2m
C (2.15)
u S  RS  f
Formula de calcul a condensatorului care asigura o tensiune de ondulatie impusa.

Componenta contiuna a tensiunii redresata si filtrata este:
uS
U SCC  U 2 m  (2.17)
2
13
UN MODEL MAI PRECIS PENTRU DIODA (§2.6, fig. 2.12)

In aplicatiile in care caderile de tensiune care intervin sunt relativ mici (  6V amplitudine), neglijarea
caderilor de tensiune pe diodele polarizate direct duce la
erori grosolane in analiza circuitelor  In locul
modelului de dioda ideala vom utiliza un model mai Caracteristica reala iD
precis:
u D  U D 0 , iD  0 U D 0  0,6V

iD  0, u D  U D 0
Schema de circuit corespunzatoare acestui model este:
dioda ideala
id U D 0  0,6V
O U D0 uD
uD
MODELUL LINIAR PE PORTIUNI COMPLET( fig 2.13)

Daca vrem sa descriem si faptul ca tensiunea directa pe dioda creste usor o data cu curentul direct trebuie sa
includem in model si rezistenta dinamica a diodei  cel mai precis model liniar pe portiuni.
Schema de circuit adecvata este:
iD
U D 0  0,6V `rd
id
u D
 rd
iD iD
uD
uD
O U D0 uD
In acest caz, U D 0  0,6V de exemplu U D 0  0,5V ; rd  5

R Aplicatie
 Limitator simetric cu diode(§2.9, pag 61)
1k
Circuitul se poate utiliza pentru a obtine o tensiune rectangulara
uI D1 D2 uE dintr-o tensiune sinusoidala sau pentru protejarea instrumentelor
de masura.
 D1  D2
14
Pentru analiza limitatorului vom folosi pentru diode modelul liniar complet. Deducem caracteristica de
transfer u E  f u I  . Se pot distinge trei situatii:
a) u I  0 Diodele sunt blocate si conteaza ca intreruperi de circuit:

R

1k
uI uE  uI ;U D0  uI  U D0

b) u I  U D 0 Dioda D2 conduce iar D1 este blocata

R Pentru a exprima tensiunea u E aplicam principiul

suprapunerii efectelor. Astfel, pentru U D 0  0 ,
1k U D0 rd
uI rd uE  u E'  u I  ;
R  rd
R
Similar, daca presupunem u I  0  u E  U D 0 
''
.
 R  rd
rd R
La suma de cauze corespunde suma de efecte:  u E  u E  u E  u I  U D0 ; u I  U D0
' ''
R  rd R  rd
Exemplu: U D 0  0,5V ;r d  5 . Se vede ca pentru u I  U D 0  u E  u I  U D 0 iar pentru
5 1k
u I  10V  u E  10V   0,5V   50mV  0,5V  0,55V
10k  5 1k  5
c) u I  U D 0 . Dioda D1 conduce iar D2 este blocata.
 R
rd R
uE  uI  U D0 ; uI  U D
U D0 R  rd R  rd
uI rd u E De exemplu, pentru u I  10V  u E  0,55V
15
uE
0,5V
uE
0,05V t
0,5V
 10V  0,5V
0,5V 10V u I  0,5V
 0,5V
0,05V
uI
Observatie: Pentru rd  0 si u I  U D 0 , caracteristica de transfer este perfect orizontala
Dioda stabilizatoare (Zener) – §2.5 pag.49
Din motive tehnologice, comportarea diodei Zener la polarizare inversa ( u D  0 ) difera esential de cea a unei
diode redresoare. DZ lucreaza, in general polarizata invers, motiv pentru care se folosesc notatiile:
iZ  i D ; u Z  u D .
Caracteristica DZ (vezi fig.2.9)
i D mA
U D 0  0,6V
VZ 0
C
uZ u D V  iD
I zm
uZ uD
Regiunea de
rZ iZ
stabilizare
A
I ZM
iZ mA
La polarizare directa ( u D  0 ) DZ se comporta ca o dioda redresoare obisnuita ( U D 0  0,6V ).
La polarizare inversa pentru u Z  VZ 0 ( tensiunea Zener ), apare o strapungere nedistructiva. Practic DZ
pastreaza tensiunea la borne aproximativ constanta, pentru variatii ale curentului i Z in limite largi. Valoarea
I Zm  5mA (tipic) se stabileste de utilizator;
Daca iZ  I Zm , PF intra in cotul caracteristicii si DZ nu mai stabilizeaza. Valoarea I Zm depinde de puterea
diodei. Exemplu: Dioda PL9V1Z se distruge daca iZ  I Zm 100mA .
16
In functie de tipul diodei, VZ 0 poate lua valori de la 2,7V…sute de V. Exemplu: la PL9V1Z,

VZ 0
VZ 0  9,1V  0,5V . Tensiunea Zener are si un coeficient de temperatura, VZ  ; Exemplu: la
VZ 0  T
PL9V1Z, VZ  5  10 4 / 0C (vezi anexa B2).
Diodele cu VZ 0  5...6V , au  Z 0  0 (tensiunea Zener independenta de temperatura).
u Z
Panta caracteristicii in regiunea de stabilizare, este data de rezistenta dinamica rZ   4 la PL9V1Z.
i Z
Modelul liniar pe portiuni al DZ(fig 2.14, pag. 52)

Carcteristica diodei Zener la polarizare inversa poate fi aproximata prin doua segmente de dreapta. Modelul de
circuit al DZ polarizata invers este:
uZ VZ 0
VZ 0 `rZ iZ
rZ
uZ
Aplicatie:Stabilizator de tensiune cu DZ(§2.8 pag 58) iZ
R
uI , uS
iZ
uI uZ RS uS uI
uS
t
RS - rezistenta de sarcina pe care trebuie sa obtinem u S cat mai constanta. R- rezistenta de balast (pe ea se
pierde tensiunea u i  u S . Schema echivalenta a circuitului pentru regiunea de stabilizare este:
R iS
i Scriem relatii pentru a exprima dependenta
u S  f u I , iS  (unde u S -efect iar u I , iS cauze)
VZ 0
iZ u Z  VZ 0 u S  VZ 0
uI uZ RS uS u I  (iZ  iS ) R  u S ; Dar, iZ  
rZ rZ
uS V
 uI  R  R Z 0  Ri S  u S /  -intereseaza de
rZ rZ
fapt doar variatiile
17
u S
u I  R  0  RiS  u S
rZ
rZ R  rZ
 u S  u I  iS
R  rZ R  rZ
u I R  rZ R
Sa consideram “cauzele” pe rand : iS  0; iS  const.  S 0  | iS  const  
u S rZ rZ
Exemplu: R  400 rZ  4  S 0  100
Se numeste factor de stabilizare si arata de cate ori ondulatia tensiunii de iesire este mai mica decat
ondulatia tensiunii de intrare. Consideram cealalta cauza:  i S
u R  rZ
uI  0; uI  const   S   R || rZ  rZ  4
iS R  rZ
Stabilizator u S RS
Ries Acest parametru se numeste rezistenta de iesire “vazuta”
de Rs atunci cand “priveste” spre stabilizator. Acesti parametri pot fi
definiti (calculati) pentru orice stabilizator. Ca urmare orice
stabilizator poate fi reprezentat astfel:
iS
Ries
u I
u I RS u S
S0
stabilizator
Este evidenta relatia: − ∙
Stabilizatorul este cu atat mai bun cu cat este mai mare si Ries mai mica. Ambele cerinte sunt
satisfacute daca este mai mica (adica daca in regiunea de stabilizare caracteristica este mai aproape de
verticala).
Observatie: nu reprezinta, in general o simpla rezistenta, ci un aparat care trebuie alimentat cu o
tensiune constanta. In acest caz variatiile si nu sunt sincronizate si efectele lor nu se compenseaza ca
in relatia *. In cazul cel mai defavorabil, variatiile si isi cumuleaza efectele, rezultand o variatie
mai mare.
Tema: exemplul de proiectare de la pagina 59.
18
COMPORTAREA DINAMICA A JONCTIUNII PN

Caracteristica diodei descrisa si utilizata anterior este perfect valabila atunci cand marimile electrice si
concentratiile de purtatori variaza relativ lent. Pentru a vedea ce se intampla in cazul unor variatii
rapide ale marimilor electrice trebuie analizata
schimbarea distributiei de sarcina atat in regiunea de 
Regiunea n
sarcina spatiala cat si in regiunile neutre. Regiunea p
Capacitatea de bariera, (numita uneori capacitate

de tranzitie), Cb, se datoreaza sarcinilor spatiale ale
ionilor de impuritati din stratul de saracire. Este mai x
importanta la polarizare inversa a jonctiunii.
In figura se arata (linie –) situatia sarcinilor Goluri Q

spatiale pentru o anumita tensiune inversa, uj<0. Daca
(
negativarea scade, adica daca tensiunea pe jonctiune
(Q  0)
devine uj+∆u cu ∆u>0, sarcina spatiala se restrange(linia
….) prin aportul unor purtatori liberi de sarcina, goluri x
(Q  0)
respectiv electroni (linia –). Pentru variatii de Electroni
amplitudine mica, ∆Q este proportionala cu variatia (
Q
cauza ∆u. Astfel, se poate defini capacitatea de bariera, Cb= lim . Se dovedeste ca Cb poate fi
u 0 u
exprimata similar cu σ capacitate a condensatorului plan: Cb= , unde Aj este aria jonctiunii,
d=dp+du este grosimea zonei de sarcina spatiala iar ε este permitivitatea “dielectricului dintre placi”.
Valorile tipice ale Cb: 1 pF † 10 pF.(cativa pF)
In figura este prezentat simbolul de circuit si Cb

A
dependenta Cb(uD) pentru o dioda capacitiva (varicap).Pe
langa aria jonctiunii si tensiunea aplicata, Cb este C 30 pF
determinata esential si de nivelul de dopare cu impuritati
(NA, ND). Dependenta Cb(uD) poate fi determinata
tehnologic astfel incat ea sa conduca la o relatie liniara intre
tensiune si frecventa in circuitele oscilante.Astfel diodele Cb max
5
varicap pot fi folosite pentru acordul pentru o anumita Cb min
frecventa, pentru modularea in frecventa, si amplificarea
parametrica. Capacitatea de difuzie se datoreaza acumularii 0 uD
 20V
de purtatori minoritari in volumul semiconductorului, de o
parte si de alta a regiunii saracite.
Trecerea curentului prin jonctiunea pn determina o injectie de purtatori minoritari a caror
densitate scade exponential cu departarea de jonctiune. La variatia curentului, sarcina totala a
purtatorilor minoritari in exces variaza, insa cu o anumita intarziere care depinde de durata de viata a
purtatorilor in materialul dat. Pentru a caracteriza variatia sarcinii in regiunile neutre ∆Q, la o variatie
Q dQ
mica de amplitudine, ∆uD , a tensiunii, se defineste capacitatea de difuzie Cd  lim  .
uD 0 u du D
D
19
np pn
Regiunea n
Regiunea saturata
Regiunea p
n p0 pn 0 x
Analiza detaliata a proceselor dinamice din jonctiunea pn arata ca Cd poate fi exprimata astfel:
Cd=Cd0∙exp(UD/UT) unde Cd0 este capacitatea de
r[] C[ pF ]
difuzie la uD=0 iar UT tensiunea termica. In figura se
prezinta dependenta rezistentei dinamice (rd) si a rd Cd
capacitatilor (Cb si Cd) de tensiunea aplicata pe
jonctiune (dioda). Evident, la polarizare directa
predomina capacitatea Cd care poate creste pana la Cb
sutimi de μF. La polarizare inversa este preponderenta
capacitatea de bariera, Cb.
Se poate intocmi acum o schema echivalenta uD
care sa descrie mai exact comportarea jonctiunilor 0
(diodelor) la variatii. Astfel, la frecvente joase si
curenti mici, modelul se poate limita la rezistenta dinamica rd. Daca frecventa variatiilor creste,
trebuie introduse in schema capacitatile Cd si Cb. Acestea intervin in paralel si conteaza prin suma lor
numita capacitatea jonctiunii Cj.La polarizare directa, Cj≅Cb. In sfarsit, daca PFS in jurul caruia se
produc variatiile este plasat la un curent mare, rezistentele de volum ale zonelor N si P (rn respectiv
rp) nu mai pot fi neglijate. Suma acestor rezistente, rs, trebuie inseriata cu modelul dinamic pentru
curenti mici.
rd
rs  rn  rp
C j  Cb  Cd
Comportarea diodelor de inalta frecventa si de comutatie este influentata si de “inductivitatea”

terminalelor (Ls) respectiv de capacitatea capsulei in care este montata dioda (Cc). Astfel, schema
echivalenta pentru variatii a diodelor de inalta frecventa arata ca in figura.
20
A Ls rs
Cc Cj rd
Comutarea diodelor
Trecerea unei diode din starea de conductie in starea de blocare,
sau invers- din blocare in conductie- se numeste comutare. Acest R id
proces nu are loc instantaneu ci presupune desfasurarea unor regimuri
tranzitorii. Pe formele de unda tranzitorii se pot defini anumiti timpi
uI ud
de comutare. Este de dorit ca timpii de comutare sa fie cat mai mici.
De aceea se acorda atentie mai ales timpilor de comutare inversa (din
conductie in blocare), comutarea directa (din blocare in conductive)
fiind mai rapida.
Tensiunea de intrare, uI variaza brusc
intre nivelurile VF (polarizare directa) si - VF u I
VR(care asigura blocarea diodei). Imediat t
dupa ce uI da comanda de blocare, curentul prin
dioada trece pe valoarea (-VR/R). Acest curent  VR
este asigurat de sarcina ce intra sau iese dintr-un
anumit volum, dar si de recombinarile din acest Q
VF
volum − (τ - durata de viata a 
R
purtatorilor). I S  t
Curentul ramane constant cat timp mai
exista sarcina in exces (stocata) in regiunile
neutre. Astfel, din conditia Q=0 rezulta ca VF
 
timpul de stocare . iD R
VF
Abia dupa acest interval, incepe R
“caderea” la zero (de fapt la -Is aproximativ 0) a IS t
curentului. La o noua comanda uI=VF, incepe un
proces tranzitoriu de “ridicare” a curentului la tS
tC tr
VR
valoarea VF/R. Timpul de cadere tc si timpul de 
R
ridicare tr se definesc de regula intre momentele
care marcheaza 10% si 90% din variatie. Cum ts+tc>>tr, este clar ca durata comutarii inverse (≅ts+tc)
iar nu timpul de comutare directa (tr) limiteaza performanta diodei in aplicatii bazate pe comutare.
TIPURI DE DIODE (BREVIAR)

Diode redresoare- utilizate la frecvente joase, in circuite de redresare si limitoare
21
Diode Zener- prezinta o strapungere inversa nedistructiva. Se utilizeaza pentru stabilizarea

tensiunii sau in circuitele de limitare.
Diode capacitive (varicap) – regiunea sarcinilor spatiale functioneaza ca un condensator a carui
valoare este controlata prin tensiune. Se utilizeaza pentru acordarea circuitelor oscilante.
Diode Schottky- se bazeaza pe contactul metal-semiconductor si asigura o basculare rapida din
starea de conductie in starea de blocare. Se utilizeaza in circuite de comutare rapide si in domeniul
microundelor.
Diode tunel- se bazeaza pe o dotare foarte puternica (p++, n++) a domeniilor semiconductoare.
Bariera de potential este ingusta si poate fi strapunsa de electroni prin efect tunel. Se utilizeaza in
comutatoare rapide, amplificatoare de zgomot redus si oscilatoare in domeniul GHz.
Diode Impatt (Impact Ionisation Avalanche Transit Time). Functionarea diodei se bazeaza pe
avalansa de purtatori de sarcina care ia nastere in zona de camp electric intens datorita ionizatiilor de
impact. Se utilizeaza in oscilatoare si amlificatoare de microunde, circuite logice, formatoare de
impulsuri, etc.
Fotodiodele- sunt elemente fotosensibile; vor fiprezentate ca dispozitive optoelectronice.
Diodele fotoemisive (LED Light Emitting Diode) vor fi prezentate tot ca dispozitive
optoelectronice).
22
TRANZISTORUL BIPOLAR
Tranzistorul este un element “activ”, in sensul ca poate amplifica semnalele. Denumirea
“bipolar” arata ca in functionarea acestor dispozitive intervin purtatori de ambele polaritati.
Structura tranzistorului evidentiaza doua

C jonctiuni si trei terminale: Emitorul, Baza si Colectorul.
Exista doua variante complementare de
n tranzistori: npn si pnp. Cele mai des utilizate sunt
Jonctiunea BC tranzistoarele npn.
B Fata de potentialul de referinta (┴) terminalele
p
tranzistorului se afla la potentialele VE, VB, si VC,
n
Tensiunile continui dintre terminale se pot exprima cu
Jonctiunea BE ajutorul potentialelor. De exemplu UCE=VC-VE;
goluri UEC=VE-VC=-UCE, etc.
E
electroni
Efectul de tranzistor
IC
gol; electron care se deplaseaza sub actiunea
tensiunilor de polarizare. EB si EC sunt surse de tensiune C
U BC
constanta, cate determina tranzistorul sa lucreze in regiunea
activa: jonctiunea BE e polarizata direct iar jonctiunea BC,
invers. (UBC= -UCE+UBE=-5V+0,6 V=-4,4 V). Campul creat de
sursa EB face ca electronii din Emitor sa difuzeze spre Baza. B E
1m  5V
Deoarece Baza este slab dopata si ingusta, majoritatea  C
IB
covarsitoare a electronilor ajunsi in Baza difuzeaza mai departe
in Colector. Tipic, doar un electron din 200 se “recombina” in 
Baza. IB este un current de goluri iar IE si IC sunt in esenta 
EB  0,6V
curenti de electroni. Se defineste castigul static in curent: IE E
(domeniul uzual).
Datele de catalog arata ca β difera mult de la un tranzistor la altul. Astfel, pentru BC 171,
β=110...850 (anexa B5). Alte relatii intre curentii tranzistorului: IE=IB+IC; Cum IB= este neglijabil
fata de IC⇒IE≅IC.
Caracteristicile de iesire IC=f(UCE, IB) Fig. 3.7
La valori mici ale tensiunii UCE, curentul IC depinde puternic de tensiune. Este vorba de
regiunea de saturatie in care ambele jonctuni sunt polarizate direct. Pentru UCE>0.6 V, Ic≅const;
pentru IB dat. Aceasta e regiunea activa in care IC depinde practic doar de IB: IC= βIB. Daca pentru
UCE=constant, scadem IB, pentru IB<0, tranzistorul intra in regiunea de blocare, unde ambele
jonctiuni sunt polarizate invers.
23
I C [mA]
s
0,6V
a
t
I B 15A
u
r Regiunea
I B 10A
a Activa
I B 5A
t
i I B 0
e
blocare U CE [V ]
Modele statice pentru tranzistorul npn IB

B IC C
(ideal)
In regiunea activa, jonctiunea BE se IE    IB
U
comporta ca o dioda polarizata direct, avand  BE 0
caderea de tensiune UBE0≅0,6 V. Spre colector,
tranzistorul se comporta ca un generator de
E
curent dependent de curentul de baza: IC= βIB.
In regiunea de saturatie, tranzistorul ideal se comporta ca un B C
scurtcircuit intre terminale. Asta inseamna ca tensiunile pe jonctiuni
sunt neglijabile iar curentii sunt mari si vor fi limitati doar de E
rezistentele din circuit.
Dimpotriva, in regiunea de blocare curentii prin tranzistor sunt
practic nuli, si tensiunile sunt mari. Ca urmare, in mod ideal, B C
tranzistorul blocat poate fi considerat ca o intrerupere de circuit.
E
24
Dreapta de sarcina si PFS
 EC
 EC  10V
RC
RC  1k
RB  300k C
IB IC
IC
U CE RB   IB
IB
U CE
U BE 
B  U BE 0
EB E
EB
Schema echivalenta in care tranzistorul s-a inlocuit cu modelul static pentru regiunea activa.
In circuitul de intrare, se poate scrie relatia: EB = RBIB + UBE0 = 300kΩ∙ 10μA + 0,6V = 3V +
+0,6V = 3,6V.
Altfel spus, daca fixam EB=3,6V impunem implicit un curent de baza IB=10μA. Dintre
caracteristicile tranzistorului, am selectat cea pentru care IB=10 μA.
In circuitul de iesire, este valabila relatia EC=RC∙IC+UCE, I C
numita ecuatia dreptei de sarcina. Ea se traseaza prin taieturi la E

 10mA PFS
C
R
axe: C
- pentru IC=0 ⇒ UCE=EC=10V; 0

I  10A B
I
- pentru UCE=0 ⇒ IC=EC/RC=10mA C
U CE [V ]
PFS se afla la intersectia caracteristicii pentru IB=10μA cu U E  10V

0
CE C
dreapta de sarcina. De exemplu, daca β=500⇒ = β =500∙10 dreapta de sarcina

μA=5mA. ⇒ =EC-RC∙IC=10-1kΩ∙5mA=5V. Se observa ca PFS
este fixat in mijlocul regiunii active. Daca se modifica EC, dreapta de sarcina se deplaseaza paralel cu
ea insasi si permite alegerea unui alt PFS. Pentru un tranzistor cu β mai mic, caracteristica ce
corespunde lui IB=10 μA va fi situata la valori mai mici ale curentului IC. PFS depinde de β.
25
SCHEME SIMPLE DE POLARIZARE

Se prezinta doua scheme de polarizare a tranzistorului, EC EC
prin prisma influentei pe care dispersia tehnologica a
factorului β o are asupra PFS.
Numim schema din figura, circuit cu polarizarea bazei RB RC RB RC
prin rezistenta. Ne propunem sa calculam RB si RC,
I I
respectiv sa alegem EC astfel incat tranzistorul sa lucreze in I C C
B
U CE I
B  I B
PFS: =2mA; =5V. Presupunem ca dispunem de un
tranzistor cu β=500. Pentru a scrie mai usor relatiile de 
calcul, redesenam schema inlocuind tranzistorul cu modelul  U BE 0
static. Din circuitul colectorului rezulta: RC=(EC- )/ .

Evident, trebuie sa alegem tensiunea de alimentare pentru a putea calcula rezistenta RC. Pentru ca
UCE sa poata creste si scadea cu cantitati aproximativ egale in jurul valorii , alegem
EC=2∙ =10V.⇒ RC=(10V-5V)/2mA=2,5kΩ. Similar, din circuitul bazei rezulta: RB=(EC- )/
in care = /β. Tinand seama ca EC>>UBE0, se obtine relatia mai simpla:
RB≅EC∙β/ =10V∙500/2mA=2,5MΩ. Cu aceasta “proiectarea” schemei de polariazre e gata. Stiind
insa ca β poate fi mult diferit de la un tranzistor la altul, ne intrebam ce s-ar intampla daca schimbam
tranzistorul cu un exemplar avand β=200(de exemplu). Aceasta schema fixeaza curentul de baza la
valoarea ≅ = =4μA. Ca urmare, cata vreme tranzistorul lucreaza in regiunea activa, =β
depinde esential de β. Pentru β=200 rezulta =0,8mA si =EC- ∙RC=8V. Similar, pentru un
tranzistor cu β=800 s-ar fi obtinut =3,2mA respectiv =2V. In concluzie, la aceasta schema PFS
este puternic dependent de β.
In continuare, se prezinta o schema la care dependenta PFS de β este partial eliminata. Pentru a
putea face comparatii, impunem acelasi PFS ca in cazul EC EC
precedent: =5V; =2mA. Alegem EC=2∙ =10V.
Pentru β=500 rezulta RC = (EC- ) / ( + ) ≅ (EC - ) RC
/ = 2.5kΩ , respectiv RB = ( -UBE0) / ≅ /( /β) = RB
RB RC
1.25MΩ. Spre deosebire de schema precedenta, aici nu este
fixat rigid ci depinde de PFS: =( -UBE0)/RB≅ /RB. Cu I I C
I C
B
U CE  I
aceasta expresie aproximativa pentru se poate scrie: B
I B
≅EC-β∙( /RB)∙RC sau =EC/(1+β∙ ). 

 U BE 0
Cu aceasta ultima relatie se pot calcula valorile lui
(o coordonata a PFS) pentru situatiile in care tranzistorul
initial cu β=500 ar fi inlocuit cu un exemplar avand alt β. De exemplu, pentru β=200 s-ar obtine
≅7,1 V iar pentru β=800 ar rezulta ≅3,8 V. Se observa ca pentru aceleasi abateri ale lui β de
la valoarea considerata in proiectare, deplasarea PFS este mai mica decat in cazul schemei
precedente. Altfel spus, circuitul se opune printr-un mecanism de reactie negativa in c.c. tendintei de
modificare a PFS datorita modificarii lui β. Acest mecanism poate fi descris prin urmatorul lant
cauzal:
 I C0 0
U CE I B0 I C0
26
Daca in cazul celei de-a doua scheme se neglijeaza IB fata I [mA]

C
de IC, se poate considera ca in ambele cazuri, dreapta de sarcina E C

 4mA
a tranzistorului are ecuatia: EC = RC ∙ IC + UCE . R C
Reprezentarea ei grafica se arata in figura impreuna cu

caracteristica pentru IB=4μA a unui tranzistor avand β=500.
Observatie: La tranzistorul pnp, toate
IC
relatiile stabilite pentru tranzistorul npn I  4A
raman valabile, cu observatia ca sensul 2
B
IB
U EC curentilor si tensiunilor este exact invers. U [V ] CE
Sageata din simbolul tranzistorului pnp este

IE E  10V
pnp indreptata spre jonctiune. Astfel, atat pentru pentru :   500 C
tranzistorul npn, cat si pentru pnp, sageata din simbol arata sensul real al
curentului de emitor IE.
Schema de polarizare cu divizor in baza (Fig 3.12a)

 EC  12V
Se pun doua tipuri de probleme:
a) ANALIZA RC
- Se dau: EC, RB1,RB2, RC, RE, β. RB1 104k 2,5k
- Se cere:
IB I C0
b) PROIECTAREA ID 0
U CE
- Se impune: PFS
I E0
- Se determina: EC, RB1, … , ID
RB 2 16k RE
0,5k
Pentru proiectarea schemei de polarizare, se pot parcurge

pasii descrisi la pagina 79-80.
La baza analizei sta ipoteza simplificatoare IB<<ID. Ca urmare neglijam IB, in aceste conditii,
RB1 si RB2 formeaza un divizor rezistiv⇒ VB= ∙RB2=1,6V. Cu caderea de tensiune tipica,
UBE0=0,6V (vezi schema echivalenta a tranzistorului) ⇒ VE=VB-UBE0=1V.
Acum se poate calcula curentul de emitor:
IE=VE/RE=2mA. I C [mA] E
Ecuatia dreptei de sarcina EC≅IC∙(RC+RE)+UCE, se C
RC  RE
 4mA
traseaza prin taieturi la axe. Dar ≅IE=2mA. Din ecuatia

PFS
dreptei de sarcina, rezulta =EC- ∙ (RC+RE)=12V- I C0
2mA∙(2,5kΩ+0,5kΩ)=6V. Astfel, PFS are coordonatele
( =2mA; =6V). Acum e utila verificarea ipotezei U CE [V ]
initiale: = /β=2mA/400=5μA( s-a presupus β=400). Cum 0
U CE
ID=EC/(RB1+RB2)=0.1mA, este evident ca IB<<ID. In aceste
EC  12V
conditii, PFS nu depinde, practic, de β.
27
COMPORTAREA TRANZISTORULUI LA SEMNAL MIC.

MODELE DINAMICE
Tranzistorul (T) poate fi privit a un cuadripol pentru care se pot scrie relatiile:
ib ic
ube uce | | | |∙| |
(3.42, pag. 85)

circuit de intrare EC circuit de iesire
Se poate arata ca, intr-o prima aproximare, parametrii h12e si h22e se pot neglija (exemplu, p.87).
Rezulta urmatorul model simplificat:
ube=h11e∙ib
ic=h21e∙ib
Parametrii se numesc hibrizi(h), pentru ca au dimensiuni diferite. De exemplu, h21e este
adimensional iar h11e este o rezistenta. Indicele e denota conexiunea EC (emitorul este comun intre
circ. de intrare si de iesire).
Paramentrul h21e se numeste castig in curent la semnal mic (small signal current gain) si poate
avea de la exemplar la exemplar, valori mult diferite:
h21e =125...900 (pt BC171, v.p.236).
Practic, acest parametru se masoara cu tranzistormetrul, pentru un PFS dat si o frecventa aleasa.
Spre deosebire de h21e care este raport de variatii, raportul curentilor statici de colector si baza
, se numeste castig static in curent. Desi acesti parametri difera usor (h21e>h21E) pentru
simplificare, in cele ce urmeaza ii vom considera egali.
Parametrul h11e este impedanta de intrare (input impedance) si poate fi exprimat printr-o
formula, in functie de h21e. Formula (3.38, p.84) este:
∙ . Ea permite determinarea lui h11e pentru un tranzistor cu h21e cunoscut si
care lucreaza intr-un PFS dat. Exemplu: =1mA, h21e=200 ⇒ h11e=200∙25/1=5kΩ.
Modelul in parametri h simplificat corespunde urmatoarelor relatii:

B ib ic C
∙
{ ∙
h11e h21e  ib
ube
ie
E
In acest model, curentul de iesire variabil (ic) este comandat de curentul de intrare (ib).
28
Modelul π simplificat
Uneori este util ca variatia iC sa se exprime in raport cu tensiunea variabila de intrare. Se
introduce astfel parametrul numit transconductanta: ic=h21e∙ ⇒ic=gm∙ube
gm= ∙ ⇒gm in [ ].
∙
Exemplu: ⇒gm = 40 .
Modelul exprimat cu ajutorul lui gm se numeste model π (simplificat):
B ib ic C
h11e gm  ube
ube
ie
E
29
ANALIZA UNUI AMPLIFICATOR LA SEMNAL MIC (VARIATII)

 EC  12V
Rg=1kΩ
R1=104 kΩ
Rin R1 RC Ries R2=16 kΩ
C2 RC=5 kΩ
Rg C1
RS=5 kΩ
RE1=0,1 kΩ
ui RE1 uies RE2=0,9 kΩ
Cg R2 RS
C1, C2- condensatoare de cuplaj;
RE 2 C3
C3- condensator de decuplare a
rezistentei RE2.
Sursa de semnal amplificator sarcina
Reactantele condensatoarelor sunt neglijabile la variatii XCi ≅0; ω-pulsatia semnalului.

Daca nu se aplica semnal la intrare, eg=0, nu se obtine semnal variabil nici la iesire, uies=0. In
acest caz, T lucreaza in PFS determinat de R1,R2, Rc, RE1, RE2, si Ec. Procedand ca in cursul anterior,
se poate calcula PFS ( =1mA, =6V).
La variatii ne intereseaza urmatoarele marimi: rezistenta de intrare Rin, rezistenta de iesire Ries
si amplificarea de tensiune Au=uies/ui. Pentru a calcula aceste marimi, intocmim o schema echivalenta
pentru variatii. In acest sens tinem seama ca:
- rezistentele se comporta la fel in curent continuu si la variatii (c.a)-respecta legea lui
Ohm
- condensatoarele conteaza,practic, ca niste scurtcircuite la variatii (Xci≅0);
- sursa de tensiune continua conteaza ca scurtcircuit la variatii(∆Ec=0);
- tranzistorul conteaza la variatii prin schema sa pentru semnal mic.
SCHEMA ECHIVALENTA ESTE:

Rg Rint r ib ic Ries
i*
u*
R2 R1 h11e RC RS
uies
Cg ui
ie E
RE1
- reprezinta scurtcircuite, in locul condensatoarelor si sursei Ec.

- reprezinta schema echivalenta la var. a tranzistorului;
locurile unde sunt “vazute” Rin, Ries si Rintr
30
∙ ∙
≅ ∙
Exemplu: h21e=200; h11e = 5kΩ ⇒ Rintr = 5kΩ+200∙0,1kΩ = 25kΩ. Aproximare groba:

Rintr≅h21e∙RE1.
Rin=R2 || R1 || Rintr = 16kΩ || 104kΩ || 25kΩ ≅ 9kΩ.
Amplificarea de tensiune:
− − ∙ ∙ − ∙
≅ ≅ −
∙ ∙ ∙ ∙
Exemplu:
− − −
Semnul (-) arata ca uies este in antifaza fata de ui. Ca amplitudine, uies este de 25 de ori mai
mare.
| (Explicatie: daca eg=0, rezulta ib=0 ⇒ ic=0 si curentul i* se inchide
doar prin Rc).
Se poate calcula si amplificarea fata de sursa de semnal, eg: ∙ ∙

Dar . Deci Aug=Au∙
Comentarii (v. pag. 89 si seminarul).
31
PRECIZARE IN LEGATURA CU PARAMETRII “h”

Comportarea ampificatorului la variatii s-a facut pe baza modelului in parametri h simplificat.
In cele ce urmeaza se considera un exemplu simplu pentru a evidentia modelul in parametri h
complet si pentru a justifica prin calcul neglijarea parametrilor h12e si h22e, in modelul simplificat.
Modelul in parametri h complet este descris de relatiile: EC (10V )
ube=h11e∙ib+h12e∙uce
ic=h21e∙ib+h22e∙uce RC 2,5k
In circuitul alaturat, uBE, iB, iC si uCE au cate doua componente:
una constanta ( de exemplu , care tine de PFS) si una variabila IB
I C
(de exemplu ube, care tine de semnalul ce trebuie amplificat). uCE

uBE
Schema echivalenta pentru variatii se prezinta alaturat.
Pentru cei patru parametri consideram ib

valorile de catalog: h22e=18μS, h21e=220, ic
-4
h11e=2,7kΩ, h12e=1,5∙10 . Cum 1/h22e =
1/18 μS≅55kΩ ⇒ (1/h22e) || Rc = 55kΩ || 2,5 kΩ =
2,39kΩ ≅ Rc. h11e 1
RC u
Deci, h22e poate fi omis din schema fara a h22e ce
face o mare eroare. h21e  ib
Consideram acum o variatie uce=1V≅h21e ∙ h12e  uce
Ib∙Rc. Acum putem calcula variatia curentului
ib=uce/(h21e∙Rc)=1V/(220∙2,5kΩ)≅1,8μA. Se pot
calcula acum cele doua componente ale variatiei ube. Prima parte este ib∙h11e=1,8μA∙2,7kΩ=4,86mV.
A doua, datorata “reactiei interne” a tranzistorului, este: h12e∙uce=1,5∙10-4∙1V=0,15mV. Deoarece
h12e∙uce<<ib∙h11e, putem neglija efectul lui h12e. Astfel, ube≅4,86V. S-ar putea calcula o amplificare a
circuitului:
− ∙ ∙
≅ ≅−
∙
32
TRANZISTORUL: REGIMURI DE FUNCTIONARE SI CONEXIUNI
In functie de tensiunile care polarizeaza cele doua jonctiuni( JBE- jonctiunea baza-emitor; JBC-
jonctiunea baza-colector) se disting 4 regimuri de functionare ale tranzistorului. Aceste regimuri sunt
precizate in tabel, pentru un tranzistor npn.
Regimul de functionare UBE UBC Precizari
JBE-polarizata direct
Activ normal >0 <0
JBC-polarizata invers
JBE-polarizata invers
Activ invers <0 >0
JBC-polarizata direct
Saturat (Saturatie) >0 >0 JBE si JBC polarizate direct
Blocat (Blocare) <0 <0 JBE si JBC polarizate invers
Tot cu referire la un tranzistor npn, in figura se prezinta cele trei conexiuni in care poate fi montat
un tranzistor. Astfel, in functie de electrodul de referinta („comun” intre intrare si iesire) avem
conexiunea „Emitor Comun”(EC), „Baza Comuna”(BC) sau „Colector Comun”(CC). Cea mai
utilizata este conexiunea EC.
IC C E IE IC C IE E
B IB B IB
U CE U EB U CB U EC
U BE IB U BC IC
IE
E E B B C C
EC BC CC
In toate conexiunile este valabila relata IE=IC+IB. In conexiunea EC, curentul de baza comanda
curentul de colector. Factorul de amplificare in curent
2
β=IC/IB se noteaza si cu βN, sau βF atunci cand U CE  1V
tranzistorul lucreaza in regimul activ Normal, adica in
conectare directa (Forward-direct). Cum s-a vazut,
acest parametru ia valori de ordinul sutelor. 50 C
In conexiunea BC curentul care comanda pe IC este 1

25 C
IE. Factorul de „amplificare” este in acest caz α=IC/IE
si ia valori usor subunitare: α=0,98†0,998. Pentru 0 C
regimul activ Normal zis si direct (Forward) se
folosesc si notatiile αN respectiv αF. Sunt usor de vazut 0
relatiile α=β/(β+1), β=α/(1-α). E usor de constatat ca 100 101 I [mA]
C
mici diferente in α corespund la mari diferente in β.
Astfel, α=0,98⇔β=49 iar α=0,998⇔β=499.
Asa cum se poate constata din graficul alaturat, factorul β este dependent de curentul de colector
IC (adica de PFS) dar si de temperatura. Valoarea maxima a lui β se constata la curenti =4†10 mA.
33
MODELUL EBERS-MOLL
Modelul Ebers-Moll exprima functionarea statica a tranzistorului bipolar in toate regimurile de
functionare. Aplicand principiul superpozitiei, se I EN n p n I CI
exprima curentii la terminale in functie de tensiunile E I E IC C
I
arbitrare ale jonctiunilor. Curentii IEN si ICI sunt ai I ET CT
celor doua jonctiuni functionand ca diode. Daca se

considera factorul tehnologic m=1, putem scrie: IB
IEN=IES[exp( -1)] si U U
BE BC
B
ICI=ICS[exp( -1)].
In aceste relatii IES si ICS sunt curenti de saturatie ai jonctiunii de emitor respectiv de colector,
cand cealalta jonctiune este scurtcircuitata. Pe de alta parte, ICT si IET sunt curenti de transfer care
pornind de la una dintre jonctiuni, ajung la cealalta jonctiune:
ICT=αN∙ IEN, si IET= αI∙ ICI
αN(≅0,995 tipic) si αI(≅0,5 tipic) sunt factori de amplificare in curent pentru conexiune BC, in
regim activ Normal, respectiv Invers.
Este posibil sa exprimam curentii de transfer in functie de tensiunea aplicata jonctiunii de la care
ei provin:
ICT=ICES[exp( )-1];
IET=IECS[exp( )-1];
Din comparatia cu relatiile precedente rezulta:
ICES=αN∙IES;IECS αI∙ICS. In plus este valabila relatia ICES= IECS=IS.
Pe baza figurii si a relatiilor precedente, se pot scrie expresiile curentilor la bornele tranzistorului:
IE=IES[exp( -)-1]- IECS[exp( )-1] (1)
IC=ICES[exp( )-1]- ICS[exp( )-1] (2)
IB=IE-IC.
E IE IC C
B'
RBB '
IB
B B
Aceste trei relatii sunt echivalente cu circuitul alaturat (modelul Ebers-Moll al tranzistorului). Cu
ajutorul acestor relatii se pot trasa caracteristicile tranzistorului in toate cele trei conexiuni.
Se mai pot observa urmatoarele relatii:
34
⇒
− −
0,998 499
⇒
− −
0,5 1
Elementul RBB` din model tine seama de faptul ca intre baza externa (terminalul accesibil al
tranzistorului) si baza interna B` exista o rezistenta electrica.
Caracteristici statice curent-tensiune

Caracteristicile de intrare si iesire in conexiunea BC se obtin din ecuatia (1) a modelului Ebers-
Moll: IE=f(UBE, UBC). In figura se reprezinta doua caracteristici din familie pentru UBC=0, respectiv
pentru UBC<<-UT. Caracteristicile de iesire pentru conexiunea BC tin de familia : IC=f(UBC, IE), in
care IE se ia ca parametru. Daca din relatia (1) se exprima [exp( )-1] si se distribuie in (2)⇒
IC= ∙IE-ICS(1- ∙ )[exp( )-1] sau IC=αN∙IE-ICS(1- αN∙ αI)[exp( )-1] (3).
Pentru
U BC  U T
IE
( I ECS ) Pentru
I EF U BC  0
I ES
U BEF
U BE
Pe baza ultimei expresii a lui IC, se pot reprezenta caracteristicile din figura, in regim activ normal,
UBC<<-UT, exp( )≅0 si expresia lui IC IC
devine: IC=αN∙IE+ICB0 (4) unde ICB0≅ICS.
Ultima expresie arata ca la tensiuni -UBC mari, IE  0
IC e independent de UBC ⇒ caract. orizontale.
Saturatie
ACTIV
Limita dintre regimul activ si starea de blocare
corespunde conditiei UBE=0. Cand -UBC scade, U BE  0
termenul exponential din expresia lui IC IE  0
conteaza tot mai mult si IC scade, la o valoare
BLOCARE  U BC
data a lui IE. In functie de valoarea  I CB0
parametrului IE, exista o valoare UBC>0
(-UBC<0) pentru care IC se anuleaza. In domeniul de blocare poate fi remarcata caracteristica pentru
IE=0 pentru care IC=ICB0.
Se poate defini si ca o caracteristica de transfer in conexiunea BC: IC=f(IE,UBC) in care UBC este
luata ca parametru. Din (3) se vede ca pentru UBC=0, IC= αN∙IE. In schimb, in regimul activ normal, la
UBC<<-UT, este valabila relatia (4), astfel ca la IE=0 ⇒ IC= ICB0. ICB0 se numeste curent rezidual de
colector (vezi pag.313) sau curent rezidual in conexiunea BC.
35
IC Pentru
U BC  U T
Pentru
U BC  0
I CB0
IE
Caracteristicile de intrare in conexiunea EC au expresia generala IB=f(UBE, UCE) in care UCE
este luata ca parametru. Astfel, daca se scade (2) din (1) si se tine seama ca U BC=UBE-UCE, pentru
regimul activ normal (UCE>>UT) se obtine: IB≅IES(1- αN) exp ) ceea ce reprezinta caracterstica
unei diode.
I B [ A]
PentruU CE  1V
20
10
U BE [V ]
0,5
Caracteristicile de iesire in conexiunea EC au expresia generala IC=f(UCE, IB) in care IB se
considera parametru. Calitativ, ele au fost prezentate in
legatura cu PFS. O expresie cantitativa a acestor I C [mA]
caracteristici se obtine daca in (4) substituim IE=IC+IB. U BC  0
I B  20A
Rezulta IC= ∙IB+ =βN∙IB+ICE0 (5) unde ICE0 este
SATURATIE
Regimul 15A
curentul rezidual in conexiunea EC iar βN- factorul de
activ -normal
amplificare.
10A
Dupa (5), in regimul activ normal, caracteristicile ar
trebui sa fie paralele cu axa UCE. Practic se constata insa o
5A
crestere a lui IC cu tensiunea UCE in special la curenti I CE 0
mari(vezi fig. 3.7). Aceasta comportare se explica prin 0
 I CB0
efectul Early: cand polarizarea inversa a JBC creste, BLOCARE U CE [V ]
regiunea de sarcina spatiala a jonctiunii se lateste, latimea
bazei scade si creste numarul purtatorilor care provenind din emitor difuzeaza in colector. Ca urmare,
IC creste.
Caracteristica de transfer in conexiunea EC, IC=f(IB, UCE), in care UCE=constant, este, conform
relatiei (5), o dreapta. Avand in vedere valoarea relativ mica a lui ICE0 aceasta dreapta trece prin
origine (vezi fig. 3.14). Trebuie inteles faptul ca relatia (5) reprezinta o dreapta doar daca
βN=constant. Dar, s-a aratat ca pentru un domeniu larg de valori ale lui IC, valoarea lui βN se modifica
substantial: la curenti IC mici, βN scade deoarece, procentual, numarul recombinarilor in baza creste,
iar la curenti mari, βN scade deoarece baza se comporta de parca ar fi mai puternic dopata decat este
in realitate (a se vedea in acest sens si comentariile la figura 3.14).
36
In legatura cu curentii reziduali ICB0, ICE0 trebuie retinuta si puternica crestere o data cu cresterea
temperaturii jonctiunilor (a se vedea comentariile la figura 3.13 si figura B5.4).
I C [mA]
Pentru
(T. in regimul activ-normal)
I B [A]
37
COMPLETARI PRIVIND TRANZISTORUL B

FUNCTIONAREA IN AFARA REGIUNII ACTIVE
Circuitul din figura permite saturarea tranzistorului ca si EC

functionarea lui in regiunea activa. Presupunem ca la inceput
(10V )
RB=1,05MΩ (valoarea maxima). Rezulta IB ≅ ≅ ≅
50k
Pentru β=200 ⇒ IC= β∙IB=1,8mA iar din ecuatia dreptei de sarcina, RB RC

EC=RC∙IC+UCE se obtine UCE=6,4V. In concluzie, JBE este polarizata
direct (UBE≅UBE0=0,6V) iar JBC este polarizata invers (UBC=UBE- 10k
UCE=0,6V-6,4V=-5,8V). Deci, tranzistorul lucreaza in regiunea activa. IC
Sa scadem acum rezistenta RB. Ce se intampla? IB

IBICUCE iar PFS se deplaseaza in sus de DSS.
Limita regiunii de saturatie (hasura galbena) este atinsa cand UBC=0, adica atunci cand UCE=UBE.
Curentul de baza care duce PFS la limita regiunii de saturatie are I C [mA]
valoarea I ≅ . Acest curent corespunde

5 I BSat
la RB= ≅376kΩ. Astfel, circuitul permite cresterea in I BLSat
continuare a lui IB (prin scaderea lui RB) dar cresterile lui IC vor Regiunea Activa
fi tot mai mici (IC este limitat la valoarea 5mA). Rezulta ca in 1,8 PFS
regiunea de saturatie β este mai mic decat in regiunea activa.
U BC  0
Pentru o saturare profunda, se forteaza un curent de baza
IBSAT=(5†10) IBLSAT=(5†10) . In aceste conditii la un 6,4 10V U CE [V ]
tranzistor cu Si, se obtin urmatoarele tensiuni tipice: UCEsat=0,2V;
UBEsat=0,7V; UBCsat=0,5V.  EC
La un tranzistor cu Ge, lucrurile se petrec la fel, dar tensiunile RC
tipice regiunii de saturatie sunt mai mici: UCEsat=0,1V; I CB0 2k
UBEsat=0,3V; UBCsat=0,2V. RB
EB I B IC
In continuare urmarim functionarea tranzistorului in regiunea
de blocare. Un circuit care permite blocarea tranzistorului se  1M IE  0

prezinta in figura.
Sursa EB are polaritatea astfel aleasa incat sa poata polariza invers J BE (adica sa asigure UBE<0).
Cealalta jonctiune, JBC era polarizata invers si in regiunea
I C [mA]
activa (UBC<0), datorita sursei EC.
Din figura se observa ca la curentul IB=0, tranzistorul este Regiunea activa

inca in regiunea activa. Valoarea lui IC pentru IB=0 se
noteaza cu ICE0. Limita regiunii de blocare corespunde la IC  ICE 0
IB  0
UBE=0, cand IE=0 si dinspre C spre B circula curentul  I CE 0
IC −IB=ICB0. Se dovedeste ca ICE0=β∙ICB0, astfel incat pentru
ICB0=10mA, si β=200, rezulta ICE0=2μA (valori tipice). U CE [V ]
IC  ICE 0
38
Conditia de blocare profunda a tranzistorului este UBE = -0,1V. Din circuit se poate scrie relatia:
EB=-UBE+ICB0∙RB.=-(-0,1V)+10nA∙1MΩ=0,11 V.
Se vede ca o tensiune foarte mica asigura blocarea tranzistorului. Exista insa un risc: curentul ICB0
isi dubleaza valoarea la fiecare crestere a temperaturii cu 18oC. Ca urmare, pentru EB fixat, o data cu
cresterea temperaturii, tensiunea UBE poate deveni nula sau chiar pozitiva, astfel incat tranzistorul
paraseste regiunea de blocare si intra in regim activ.
COMUTAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR
In circuitele de comutare, tranzistorul functioneaza fie blocat, EC (5V )

fie saturat, cu treceri rapide prin regiunea activa. Pentru
exemplificare consideram circuitul care implementeaza functia RC  3k
de inversor.
Cand uA≅EC=5V, tranzistorul este saturat uY =UCesat ≅0,2V RB  15k
≅ 0 . In schimb, pentru uA=0V, tranzistorul este (aproape)
IB IC
blocat; IC≅0 si uY=UCE≅EC=5V.

uY
uA
Se observa ca valorile 1 si 0 logic nu sunt

U reprezentate prin valori unice de tensiune ci
EC Banda de valori care-l reprezinta pe 1 logic prin benzi continue de tensiuni. Banda de
valori care-l reprezinta pe 1 logic include si
Banda interzisa toleranta sursei EC. Cu aceste precizari,
Banda de valori pentru 0 logic circuitul asigura pentru 1 logic la intrare, 0
iB
logic la iesire, iar pentru 0 logic la intrare, 1 logic I B1
la iesire. Denumirea de inversor e justificata.
Ne intereseaza comportarea dinamica a t0 t
0
inversorului, adica trecerea din blocare in
saturatie, si revenirea din saturatie in blocare a  IB2
tranzistorului. Presupunem ca la momentul t=0 se
aplica la intrarea circuitului un salt de tensiune
care determina trecerea curentului iB de pe
valoarea –IB2 pe valoarea IB1: injectarea curentului
iB=IB1 in baza nu determina cresterea imediata a I CS iC (t )
curentului de colector. 0,9  I CS
tS
Daca se noteaza cu ICS curentul de colector in ti
regim saturat, se poate defini timpul de intarziere, tC
ti scurs din momentul aplicarii comenzii de 0,1 ICS tr t
comutare directa (t=0) pana in momentul cand
iC(t)=0,1∙ICS. Acest timp este necesar pentru incarcarea capacitatilor de bariera C bc si Cbe, dar si
pentru ca purtatorii de sarcina injectati in baza sa ajunga in colector. Deoarece Cbe se incarca peste RB
39
iar Cbc se incarca peste RB si RC, timpul de intarziere (delay-time, td) are expresia:
ti(=td)≅RB∙Cbe+(RB+RC)∙Cbc.
Valoarea tipica a lui ti este de cateva ns (1†10ns).
Timpul necesar cresterii curentului de la 0,1ICS la 0,9ICS se numeste timp de ridicare (rise-time), tr.
In acest interval de timp tranzistorul lucreaza in regim activ. Expresia analitica a lui tr se obtine
folosind modelul de control prin sarcina a tranzistorului. Se obtine: tr= r∙ln unde m=β∙IB1/ICS>1
este un factor de spracomanda a intrarii in saturatie. Se vede ca t r creste daca IB1 creste (saturarea e
mai profunda). r este o constanta de timp care depinde de Cbc, de durata de viata a purtatorilor
minoritari din baza, etc. Valoarea tipica a lui r este de (20†30)ns. Suma tcd=ti+tr se numeste timp de
comutare directa.
Dupa ce se da comanda de blocare (iB trece de la valoarea IB1 la valoarea –IB2), curentul iC ramane
inca la nivelul ICS pana cand este executata sarcina in exces stocata in regiunea bazei. Intervalul
corespunzator este numit timp de stocare, ts. Orientativ acesta are valori de (60†80)ns ⇒(Storage-
time).
Dupa ce curentul ic incepe sa scada, se defineste timpul de cadere, tc (fall-time). Pentru acesta se
obtine expresia: tc= r∙ln , unde k= ∙IB2/ICS este un factor de comanda la blocare. Tipic, acest
timp este de ordinul zecilor de ns. Impreuna, ts+tc=tci reprezinta timpul de comutare inversa. Este de
retinut ca tci>>tcd.
40
TRANZISTOR CU EFECT DE CAMP

TEC sau FET ( Field-Effect-Tranzistor)
-sunt dispozitive unipolare- in functionarea lor intervine un singur tip de purtatori de sarcina.
-sunt comandate in tensiune (curentii de intrare sunt, practic, nuli); au impedanta mare de intrare.
-se pot folosi ca rezistente comandate in tensiune.
-au o tehnologie mai simpla si permit o densitate mai mare de integrare (memorii,
microprocesoare)
TEC cu structura MOS (Metal-Oxid-Semiconductor) sunt foarte sensibile (pot fi distruse prin
atingere).
Clasificare:
- TEC-J (JFET) – tranzistoare cu poarta - jonctiune cu canal n sau cu canal p.
- TEC-MOS(MOSFET) – tranzistoare cu poarta izolata cu canal indus (n,p) sau initial
(n,p).
TEC-J CU CANAL “N”

G (gate = grila) – poarta;
D (drena) – colecteaza (dreneaza) purtatorii;
S (sursa) - furnizeaza purtatori de sarcina care in cazul canalului de tip n sunt electroni.
ID
D
RD

 Rp p p
ED 
E G
G
U GS
S
Deoarece grila este negativata fata de sursa (UGS 0) jonctiunile pn sunt polarizate invers si in
jurul lor se creaza zone saracite in purtatori. Deplasand cursorul potentiometrului R P in sus,
negativarea creste si canalul se ingusteaza pana la strangularea lui completa. Odata cu negativarea tot
mai puternica a portii, curentul de drena ID (care are sensul contrar deplasarii electronilor) se tot
micsoreaza pana la anulare. In felul acesta tensiunea de intrare U GS 0 controleaza curentul ID. pentru
a atrage electroni, drena este la un potential mai mare decat sursa (UDS 0).
41
Simboluri de circuit
D D
U DS U DS
G G
U GS U GS
S S
Canal de tip n Canal de tip p
Sensul sagetii din simbol precizeaza tipul canalului (si al tranzistorului). Se observa ca tensiunile
UGS, UDS si curentul ID au semne contrare penteu cele doua tipuri de tranzistoare. Deoarece
jonctiunile sunt polarizate invers, curentii de grila sunt practic nuli.
Caracteristicile de drena. Caracteristica de transfer
ID=f(UDS, UGS)
UGS - se ia ca parametru, caracteristica de drena
I D [mA]
U DSsat U GS V P
U DS const
Ramura fizic imposibila

I D [mA]
10 U GS 0
I DSS
R.Lin R. Sat.
 1V
 2V
5 0
U DS  const
 3V
5 10 U DS [V ]  3V  2V  1V
VP VP U GS [V ]
R.Lin – regiunea lineara (ID≅k∙UDS)

R.SAT – regiunea de saturatie – caracteristicile sunt, practic orizontale (independente de UDS)
De remarcat:
- La UGS=VP canalul este strangulat si ID=0
- La UGS=0 ⇒ ID=IDSS (valoarea maxima)
Caracteristica de transfer poate fi aproximata cu relatia:
∙( − )
Din punct de vedere matematic, relatia ID=f(UGS) (pentru UDS = constant si in regiunea de
saturatie) are doua ramuri. Doar ramura cu UGS intre 0 si VP este realizabila fizic.
42
Aplicatie:Amplificator cu TEC-J
Parametrii tranzistorului: ED
VP=-4V; ID
IDSS=8mA; RD
C2
Tensiuni si rezistente: D
EP=30V; C1
ES=-6V; G
RG=10MΩ, uies
RD=10kΩ; S
RS=4kΩ; RG
uin RS
)In curent continuu:
Determinam PFS, adica ( , , ).
Presupunem ca tranzistorul lucreaza in ES
regiunea de saturatie astfel ca putem folosi, ca
o prima ecuatie, expresia caracteristicii de transfer. A doua legatura intre ID si UGS, inlocuiesc
tensiunile in [V], curentii in [mA] si rezistentele in [kΩ]. se obtine sistemul:
∙( − )
{ −
− − − ∙ ∙
Din rezolvarea sistemului se obtine o solutie corecta − si una falsa
.
Solutia corecta se recunoaste prin faptul ca VP UGS0 0. In schimb, la solutia falsa UGS0=6V-
3,1mA∙4kΩ ≅ - 6V VP.
Tensiunea UDS0 poate fi aflata din ecuatia:
=ED-RD∙ -RS∙ -ES=30V-10kΩ∙2mA-4kΩ∙2mA+6V=8V. solutia completa este (2mA, -2V,
8V).
Verificam daca presupunerea ca tranzistorul lucreaza in regiunea de saturatie este corecta (altfel
calculele nu ar fi valabile). La limita regiunii de saturatie, UDSsat=UGS-VP. pentru caracteristica pe
care se afla PFS calculat, putem scrie UDSsat=-2-(-4)=2V. evident, =8V UDSsat.Deci presupunerea
initiala a fost justa si PFS este corect calculat.
( )In curent alternativ:
Comportarea la variatii a amplificatorului poate fi analizata pe baza schemei echivalente:
Rin G D Ries
i*
uin RG U gs g m U gs RD uies
ie S
RS
43
Transconductanta gm se determina din expresia caracteristicii de transfer:

∙
gm ( − ) ∙I ∙√ ∙ √ ∙
In exemplu, rezulta: gm − ∙√ ∙ 2
Se obtin valorile: Rin=RG=10MΩ (foarte mare, acesta e principalul avantaj al amplificatorului cu
TEC).
Ries= |
∙ ∙ ∙ ∙
Au − .
∙ ∙ ∙ ∙
Amplificarea de tensiune este mica deoarece gm este mica (in comparatie cu valorile uzuale
pentru tranzistor bipolar).
TEC MOS cu canal indus de tip “p”
Structura TEC MOS din figura arata ca intre zonele de tip p

G D
care formeaza sursa (S) si drena (D) nu exista in momentul S
initial, un canal. Daca insa negativam grila, o parte din golurile
existente in substratul de tip n vor fi atrase pe cealalta parte a p p
Oxizi,
substratului de oxid izolator si canalul astfel indus va permite strat
izolator
trecerea curentului. Fiind un curent de goluri, ID are semnal de la n  substrat
sursa la drena.
B
Simbol de circuit
B
U DS
G
U GS
S
44
I D [mA]
U DSsat U GS V P
U DS const
I D [mA]
10 U GS 10V
Ramura fizic imposibila
R.Lin R. Sat.
 8V
5  6V 0
U DS  const
 4V
5  10 U DS [V ] VP  3V  2V  1V
U GS [V ]
Pentru a atrage golurile, drena trebuie sa fie negativizata fata de sursa (UDS 0). Cu cat
negativizarea grilei este mai puternica (UGS 0) cu atat canalul indus este mai larg si ID este mai mare
pentru UDS dat. Ca si la TEC-J, in planul caracteristicilor de drena se pot distinge doua regiuni: o
regiune liniara in care ID depinde si de UDS si de UGS, conform relatiei: ID=K[2 (UGS-VP) – UDS –
UDS2]
O regiune de saturatie in care curentul ID depinde, practic, doar de UGS conform relatiei:
ID=K(UG-VP)2 pentru |UGS| VP
Reprezentarea grafica a ultimei relatii este numita caracteristica de transfer. Deoarece pentru
inducerea canalului, trebuie indeplinita relatia
UGS VP (tensiunea de prag), numai una din cele D
doua ramuri ale parabolei este fizic realizabila.
Parametrul K este dependent de tehnologie: I D [mA] U DS  0
K=(1...10)mA/V2. B
Relatiile precedente sunt valabile si pentru un
TEC-MOS cu canal indus de tip „n‟ cu precizarea G
ca tensiunile si curentii au sensuri schimbate. 0
U DS  const
Simbolul de circuit si caracteristica de transfer se U GS  0
prezinta alaturat. Ramura fizic realizabila a S
parabolei (pentru care se creaza canalul intre drena
si sursa corespunde pozitivizarii grilei peste nivelul 2 VP 6 U GS [V ]
tensiunii de prag: UGS VP.
Observatie: pentru TEC-MOS cu canal initial vezi pagina 119.

Aplicatie: amplificator cu TEC-MOS (p. 123 problema 4.2.1).
Parametrii tranzistorului VP=3V, k- nu se da, dar se stie ca la =6V, curentul de drena este
=10mA. Rezistentele au valori din figura (remarcati valoarea intensa a lui RG – in scopul cresterii
rezistentei de intrare). Tensiunea de alimentare: ED=30V
45
ED
RG1  19k RD 3k

C2
C1 D
G
RG  10M S
uin RG 2  11k RS 1k uies
In curent continuu:
Determinam PFS al tranzistorului ( , , ). Mai intai calculam valoarea parametrului
K ≅1,1 mA/V . Desi RG este foarte mare, pe ea nu apare cadere de tensiune deoarece
2
curentul de grila este nul.

Ca urmare,potentialul grilei, VG depinde doar de difuzorul de tensiune (RG1, RG2):
VG=ED Acum putem exprima tensiunea UGS=VG-VS=VG-ID∙RS.
Cea de-a doua ecuatie este reprezentata de caracteristica de transfer ID=k(UGS-VP)2. Daca se
elimina UGS intre cele doua ecuatii iar tensiunile se inlocuiesc I D [mA]
in [V] si rezistentele in kΩ rezulta o ecuatie pentru ID in [mA]: E  I (R  R )  U
10 ID2-169ID+640=0. Solutia adevarata este ID0=5,73mA
D D D S DS
Ecuatia dreptei de saracina

(ID=11,17 este o falsa solutie deoarece pentru acest curent ar I D0  5,73mA
rezulta UGS=11V-1kΩ∙11,17mA=-0,17V VP=3V). deci,

=11V-1KΩ∙5,73Ma=5,27 =ED- (RD+RS)=7V. in
U [V ] DS
figura alaturata este reprezentata dreapta de sarcina si PFS 0
U DS  7V
calculat.
Se verifica faptul ca =7V UDSsat=5,27V-3V=2,27.
In curent alternativ:
Comportarea amplificatorului la variatii se analizeaza pe baza schemei echivalente:
46
Rin G D Ries
i*
uin RG U gs g m U gs RD uies
RG1 RG 2 S
RS
Ca si in cazul TEC-J, transconductanta gm se determina ca panta caracteristicii de transfer in

PFS:
gm 2K(UGS-VP)=2K∙√ =2√
cu valorile din acest exemplu, rezulta gm~5 mA/V. Acum, se poate calcula valoarea amplificarii:
∙
Au =-2,5.
∙
Ca si pentru amplificatorul cu TEC-J, Au este mica.
Marele avantaj al acestui amplificator este rezistenta de intrare:
Rin= =RG+RG1||RG2=RG=10MΩ.
Aceasta inseamna ca pentru uin cu amplitudinea de 1V, curentul iin abia atinge amplitudinea de
0,1µA..
Ries | RD=3kΩ
47
DISPOZITIVE OPTOELECTRONICE
In optica, oscilatiile sunt definite prin lungimea de unda si prin frecventa ∙ ∙ .

Undele radio, microundele, domeniul optic, razele X si razele gamma sunt unde electromagnetice.
Viteza de propagare a undelor electromagnetice in vid este c= in care si sunt
∙√
permitivitatea, respectiv permeabilitatea magnetica a vidului. Domeniul optic cuprinde frecventele si
lungimile de unde din figura:
c  3 108 m / s
IR Vizibil UV
75GHz 400THz 769THz 60000THz 

(4mm) (0,75m) (0,39m) (5nm) ( )
Ochiul uman percepe violetul la un capat de scala (≅0,43μm) si
rosul la celalalt (≅0,68μm).
Dispozitivele optoelectronice sunt prevazute cu lentila.
Confectionate din sticla, plastic sau alte materiale transparente, S
R
acestea au rolul de a focaliza sau de a imprastia razele de lumina.
In optica se foloseste unghiul solid (vezi figura). Unghiul solid C
corespunzator unui obiect O, se defineste ca Ω= unde S este
suprafata delimitata de conul cu varful in centrul C si sprijinit pe corpul O. Unghiul solid se masoara
in steradian [sr] si poate lua valori intre 0 si 4 .
Intensitatea unei surse punctiforme se masoara in candele [cd] sau lumeni/steradiani(1cd=1lm/sr)
Intensitatea unei surse extinse se masoara in [lm/cm2]: BL= , unde [lm] reprezinta fluxul
2
luminos iar S [cm ] este suprafata radianta.
DIODA ELECTROLUMINISCENTA(LED)
Denumirea LED este acronimul expresiei “Light Emitting Diode”si desemneaza diodele care
daca sunt strabatute de curent, emit radiatie luminoasa de o anumita culoare. Pentru explicarea
acestei comportari se foloseste teoria benzilor (zonelor) energetice.
Dintre numeroasele benzi permise si interzise ale corpului solid, pentru
tehnica electronica doua sunt importante: Banda de Valenta (BV) n E
corespunzatoare electronilor de valenta – cei mai indepartati de nucleu-
si banda de conductie (BC). BV si BC sunt separate printr-o banda BC
interzisa (BI). Prin introducerea unor impuritati in semiconductor, se
pot crea niveluri energetice in interiorul BI. Impuritatile care cedeaza Nivel donor
electroni in BC se numesc donoare si semiconductorul rezultat este de EG
tip n (vezi figura). BI
Impuritatile care accepta electroni din BV generand acolo goluri,
BV
se numesc acceptoare si semiconductorul rezultat este de tip p.
La revenirea unui electron din BC in BV este emis un foton (cuanta
48
de lumina). Frecventa si lungimea de unda ale radiatiei emise, depind de saltul energetic ce
caracterizeaza tranzitia electronului din BC in BV: ∙ ∙ .
∙
∙ =h∙ ⇒ λ=
- -Lungimea de unda
- h - Constanta lui Planck (6,626∙10-34 Js)
- - Intervalul (saltul) energetic
- - viteza luminii
Exemplu: aliajul GaAsP prezinta o banda interzisa de EG=1,9 eV. (1eV=1,6∙10-19 J reprezinta
energia pe care o castiga un electron care strabate o [W ]
diferenta de potential de 1V). Banda radiata se va situa intre
640 †700 nm. Daca lungimea de unda centrala λ0=650nm  max
culoarea va fi rosie. Pentru λ0=610 nm culoarea va fi
galbena.  max
(3dB)
2
Caracteristica spectrala (tipica) a radiatiei emise, se
prezinta in figura. Banda la 3dB se defineste la o scadere a
fluxului luminos la jumatate din valoarea maxima. Fluxul 1 0 2 [nm]
luminos se defineste prin puterea (energia in unitatea de
timp) ce strabate o anumita sectiune:
10log −10∙log2≅-3dB; B3dB=λ2−λ1≅5%∙ λ0
Diodele laser au o caracteristica spectrala ingusta, tipic de doar cativa nm.
Caracteristica tensiune-curent a LED seamana cu cea a diodelor cu Ge si Si dar caderea de

tensiune directa depinde de latimea benzii interzise (de culoarea radiatiei emise). Valoarea curentului
direct IF, este de (0,1†5)mA la LED mai noi si de (5†20)mA la cele mai vechi.
I F [mA]
Ge Si Rosu Oranj Verde Albastru

 2V ...  5V U F [V ]
Strapungere 1V 1,7V 3V2V
Pentru a mari stralucirea unui LED, acesta poate fi comandat si cu impulsuri de curent. In acest
caz, IFmed= ∙IFmax, unde ON/T este factorul de umplere al secventei de impulsuri. Pentru ca LED
sa nu se distruga, se cere indeplinita conditia IFmed IFnominal.
I F [mA]
I F max
TON TOFF TON
I Fmed
t
T
49
Simbol STAS Simbol ORCAD

Tesitura pentru
marcarea catodului
K
A
A K
Vedere laterala (stanga) si

de jos a unui LED
Simboluri grafice (de circuit) pentru LED-uri
Circuite simple cu LED-uri

 EC
In circuitul de semnalizare alaturat, LED-ul lumineaza la inchiderea

intrerupatorului K (o usa, contact cu lichid, etc.). Cunoscand IF (1…5mA) si UF (1,2 R
… 3,5V in functie de culoare), se poate calcula rezistenta de limitare R=(EC-UF)/IF.

K
UF
IF
In circuitul alaturat, tranzistorul functioneaza ca  EC

sursa de curent constant, si comanda n LED-uri. Se
D1 UF
observa ca IF=IC≅IE= .
RB
RB trebuie sa asigure curentul necesar pentru ca
DZ sa stabilizeze: IZ≅ 10mA.
Pentru ca tranzistorul sa nu intre in saturatie Dn
trebuie sa se asigure UCE UCEmin≅1V. De aici rezulta
numarul de diode care pot fi comandate cu acest IF
U CE
circuit: EC n∙UF+UCEmin+UE, unde n .
DZ RE UE
Circuit de afisare comandat dintr-o iesire logica (TTL):
EC
R
R1
(TTL)
R1  R2  1k
R2
50
Optocuplorul
Optocuplorul este un dispozitiv care realizeaza separarea galvanica intre un circuit electric numit
transmitator (Tx) si altul numit receptor (Rx). Prin “separare galvanica” se intelege faptul ca intre Tx
si Rx nu exista o cale de curent, nici in curent continuu, nici in curent alternativ. Aceasta separare este
utila in multe aplicatii. Cateva exemple:
- in electronica de putere se separa partea de forta de partea de comanda si semnalizare;
- in electronica medicala se separa galvanic senzorii aplicati pe corpul pacientului de eventualele
tensiuni periculoase pentru acesta;
- in domeniul comunicatiilor se separa liniile dintre emitor si receptor, etc.
Fata de transformatorul de tensiune care, si el, realizeaza o separare galvanica, optocuplorul are
avantajul miniaturizarii si faptul ca semnalul se transmite intre Tx si Rx atat in curent alternativ cat si
in curent continuu. La transformator cuplajul se face prin campul magnetic variabil (in curent
alternativ) iar la optocuplor transmiterea semnalului intre Tx si Rx se realizeaza prin fluxul de lumina
constant (in curent continuu) sau variabil (in curent alternativ).
, S Curba de
sensibilitate
Spectrul
emitatorului
0 [nm]
In alegerea sursei de lumina si a elementului fotosensibil se tine seama de spectrul sursei si de

curba de sensibilitate a fotodetectorului. In cazul nostru, spectrul radiat si curba de sensibilitate au
maximul la aceeasi lungime de unda, 0 (vezi figura). O alta cerinta de compatibilitate intre sursa si
detector este ca timpii lor de comutatie sa aibe valori apropiate sau de acelasi ordin de marime.
Fotoemitatorul cel mai folosit este LED-ul. Pe post de fotodetector se folosesc uzual fotodiode
sau fototranzistoare. Mai rar ca elemente fotosensibile se pot folosi si fotorezistente, fotoFET-uri,
fototriace sau fototiristoare.
IL I FD
LED FOTODETECTOR
optocuplor
Simbolul grafic al optocuplorului cu LED si fotodioda se prezinta alaturat. Optocuplorul LED-

fotodioda este cel mai rapid (frecventa de taiere maxima ≅100Mhz) fotodioda lucreaza cu detector de
lumina (in cadranul III). Fotocurentul IFD generat de ea este mic (µA) si trebuie amplificat.
51
Simbolul de circuit al optocuplorului LED-fototranzistor se prezinta in figura.
IC
IL I FD IL I FD
Poate fi un optocuplor cu baza fototranzistorului accesibila sau inaccesibila. Cel cu baza

accesibila mai larga. Fata de optocuploarele cu fotodioda, cele cu fototranzistor au avantajul unui
fotocurent mai mare (fototranzistorul amplifica), dar au si dezavantajul ca lucreaza la frecvente mult
mai mici.
Se mentioneaza varianta constructiva de optocuplor cu
apertura (fotointrerupatorul) la care o parte a caii optice este LED FOTODETECTOR
accesibila utilizatorului. Deschiderea aperturii este de 2…3
mm. Se utilizeaza ca traductoare de pozitie pentru obiecte
aflate in miscare de translatie sau de rotatie. Se aplica de
exemplu in mouse, imprimanta, s.a.
Optocuploarele pot fi privite ca amplificatoare de curent. Factorul de transfer in curent (current

transfer rate), CTR se defineste, ca in figura:
IC
saturatie
(Fotocurentul,
in general)
I C
I L
IL
I C
CTR  lim
I L 0 I L
Caracteristica IC=f(IL) are o portiune liniara, pe care se poate defini, ca raport de variatii, CTR.
Uzual IL ia valori de ordinul m. Asadar exista si optocuploare care lucreaza la curenti de ordinul
zecilor de mA. Daca la primele optocuploare CTR are valori de 0,01†0,1, in prezent CTR are valori
uzuale de ordinul miilor (103), la frecvente de taiere de ordinul MHz.
Aplicatie: optocuplor pentru cititor de banda perforata. In momentele in care banda perforata
obtureaza calea optica (IF≅0), in sensul ca prin fototranzistor trece doar curentul de intuneric), prin
LED circula curentul I 2,45 mA
52
IF
IL
Banda perforata
UD U CE
3,3k R
330k RE
uies
E  10V
S-a presupus ca pe LED apare o cadere de tensiune de 1,6V (culoare rosie).

Cand insa, banda perforate permite iluminarea fototranzistorului, prin acesta va trece un curent
important. Presupunand ca tranzistorul iluminat se satureaza, putem scrie:
IF 24,5 mA.
Astfel, cand tranzistorul este iluminat, curentul total prin LED este:
IL=I+IF=2,45+24,5=26,95 mA
uies [V ] perforatie
8
Tensiunea Uies este o reprezentare a secventei de perforatie, luand valori 0V si RE∙IF = 330Ω ∙
24,5 mA= 8V (secventa de 0 si 1 logic).
Dispozitive fotodetectoare
La baza functionarii dispozitivelor fotodetectoare sta efectul  BC

fotoelectric intern adica trecerea electronilor din zona de valenta in zona
de conductie, sub actiunea luminii absorbite. Pentru aceasta este necesar ca
fotonii sa aibe energia h ∙ EG. Tinand seama ca ∙ =c, rezulta o EG
limitare superioara a lungimii de unda a luminii incidente. De exemplu, la h
Si EG=1,106 eV⇒ 1,1 µm. simultan cu absorbtia unei cuante de
lumina, se cedeaza o pereche electron-gol (vezi figura).  BV
Fotorezistenta este un dispozitiv fotodetector semiconductor nepolar bazat pe fenomenul de

fotoconductivitate (cresterea cunductivitatii unui semiconductor ca urmare a iluminarii lui). Este un
element pasiv, fara jonctiune. Se utilizeaza materiale semiconductoare adaptate la lungimea de unda
a radiatiei de detectat: CdS, CdSe, ZnS. Fotorezistentele au o buna sensibilitate (pot fi utilizate la
iluminari mici) dar prezinta o inertie (zecimi de secunda) care face dificila urmarirea variatiilor
rapide ale iluminarii.
53
Fotodioda si celula solara
.mic 

.mediu 

.mare 

(IR) p n n
UD I
 
Structura unei fotodiode se prezinta in figura, cu evidentierea mecanismului de generare a diodei.
In stratul p+ (puternic dopat cu goluri, p), sub efectul unei radiatii cu mic (albastru), se creaza
perechi electron-gol. In regiunea de sarcina spatiala (saracita in purtatori) are efect radiatia cu
mediu (rosu).
In stratul n- (puternic dopat cu electroni, n), actioneaza radiatia cu mare (IR). Campul electric
intens din regiunea sarcinii spatiale duce la deplasarea golurilor spre zona p+ si a electronilor spre
stratul n-. Acesti purtatori generati datorita iluminarii pot produce un curent extern (fotocurent), IP.
De observat ca IP circula ca un curent invers prin dioda. Ecuatia fotodiodei se obtine daca din
curentul normal al unei diode se scade fotocurentul IP datorat iluminarii:
I=IS[exp( )-1]-IP
Nivelul de iluminare poate fi masurat in [W/m2] sau in Lux [lx]. Daca jonctiunea pn lucreaza in
cadranele I sau III, se va numi fotodioda, iar daca e utilizata in cadranul IV se va numi celula solara.
I
I0 UR U
E 0 UG ( RS  )
 IR
E 0
 1 / RS
I SC ( RS  0)
De obicei fotodioda lucreaza polarizata invers. Fara iluminare, prin ea trece un curent infim, I0
(curentul de intuneric). Curentul invers creste cu incidenta luminoasa.
Pentru cadranul IV exista doua situatii limita: RS= ⇒ lucrand in gol, celula solara furnizeaza o
tensiune Ug. Cand RS=0, celula furnizeaza curentul de scurtcircuit ISC=Ip (pentru iluminarea data). In
general, conectata in paralel cu o rezistenta Rs finita, dioda furnizeaza pe aceasta o putere
fotoelectrica (aria hasurata din figura).
54
Celulele solare de suprafata mare sunt prevazute cu contacte

metalice subtiri pentru a facilita o iluminare cat mai eficienta. Suprafata IR
iluminata e prevazuta cu straturi antireflexie. Puterea furnizata este data
de iluminare, de caracteristica diodei si de punctul de functionare ales
in cadranul IV.
Dioda PIN functioneaza ca si fotodioda dar la parametri superiori: UR RS
timpi de comutare mai redusi, tensiuni inverse mai mici, sensibilitate
mai ridicata, liniaritate mai buna a caracteristicii Ip=f( ).
Solutia tehnologica sa asigure aceste imbunatatiri este interpunerea
intre stratul p+ si stratul n- a unei regiuni de rezistivitate foarte mare
(regiune intrinseca, strat I).
Fototranzistorul corespunde functional unei fotodiode cu amplificator incorporat. Ca urmare,
sensibilitatea fototranzistorului este de sute de ori mai mare decat a fotodiodei. Structura
dispozitivului se prezinta in figura.
E Lumina B
n
Emitorul
p 
Baza 
n colectorul
metal
Contactele bazei (poate sa lipseasca) si emitorului sunt astfel facute incat sa existe o deschidere
cat mai mare pentru radiatia incidenta. Jonctiunea BC are suprafata mare si este polarizata invers.
Perechile electron-gol formate prin absorbtie fotonica se vor separa: golurile vor difuza spre E iar
electronii spre colector.
I C [mA]
E
10 1 3000lx
1000lx
100
300lx
1
10
100lx
30lx
10 2
10 20 30 40 50
U CE [V ]
Curentul de colector are expresia IC=(1+ )∙Ip, unde Ip este fotocurentul iar este
factorul de amplificare in curent. In planul caracteristicilor de iesire, parametrul iluminare tine locul
curentului de baza. Fototranzistoarele sunt dispozitive mai lente decat fotodiodele si de aceea se
utilizeaza doar pana la frecventa f 100 kHz.
Observatie: unitatea de iluminare numita Lux [lx] corespunde unui flux luminos de 1 lumen
repartizat uniform pe o suprafata de 1m2.
55
Aplicatie: controlul curentului printr-un tranzistor cu ajutorul unei fotodiode.
Cand fotodioda este iluminata, curentul de colector al tranzistorului este mare si tensiunea de
iesire este scazuta. In lipsa iluminarii tranzistorul este blocat si tensiunea de iesire este aproximativ
egala cu tensiunea EC. Fata de fototranzistoare, fotodiodele au tolerante mai mici ale fotocurentului
deoarece nu intervine factorul aleator . In plus, caracteristica Ip=f(ɸ) este mai lineara la fotodiode.
De aceea combinatia fotodioda-amplificator cu tranzistor este preferabila utilizarii unui
fototranzistor.
 EC
RC
iesire
Aplicatie: releu comandat de fototranzistor

EC (24V )
Fototranzistoarele admit curenti de colector suficient de mari
IC  5mA
pentru ca sa poata comanda relee cu curenti de anclansare relative
mici. La iluminarea tranzistorului, releul din figura se anclaseaza.
D Cand iluminarea dispare si curentul de colector scade brusc, la
bornele bobinei releului apare o tensiune indusa care poate distruge
fototranzistorul. Dioda D inlatura acest risc prin faptul ca limiteaza
tensiunea din colectorul tranzistorului (UCE) la valoarea EC+UD=24
V+0,6 V≅24V.
56

Dispozitive Electronice Si Optoelectronice

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Dispozitive Electronice Si Optoelectronice

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

DISPOZITIVE ELECTRONICE SI

BAZELE FIZICE ALE DISPOZITIVELOR ELECTRONICE

Electronul-particula elementara cu sarcina negativa, q=e=−1,6∙10-19 C. Intra în componenta

Semiconductoare extrinseci ( impurificate, dopate)

Conductivitatea semiconductorului poate fi crescuta prin introducerea in reteaua cristalina a

Daca se întalneste un electron cu un gol, ei se recombina si dispar ca purtatori liberi de sarcina.

Ex: si la temperatura camerei are n0∙p0=1020/cm6. Daca ND=1015, ⇒ n0≅1015/cm3 si p0≅105/cm3.

Este posibila perturbarea temporara a concentratiilor de purtatori ( de exemplu prin iluminare,

Modelul benzilor energetice(m.b.e)

Modelul benzilor energetice este o reprezentare bazata pe considerente cuantice si statistice a

In figura a s-a notat cu Ev limita energetica superioara a benzii de valenta si cu Ec limita

M.b.e explica dependenta de temperatura a conductivitatii semiconductorilor. De asemenea, e

Curentul electric in semiconductoare

Parametrii μg si μe se masoara in [ ]=[ ], se numesc „mobilitatea electronilor‟ si au valoari

Electronii si golurile se deplaseaza in directii opuse, dar densitatile de curent corespunzatoare se

σ=q∙ni(μe+ μg)=1,6∙10-19∙2∙1013 (2+4)∙103 = 19,2∙10

Sa consideram acum ca semiconductorul este de tip N si ca între capetele ei s-a masurat o

Simbol de circuit pentru diode redresoare (comutatie)

Daca u D  0 dioda este polarizata direct; se afla in conductie ( i D  0 )

I s  1A...9A(tipic ) : curent de saturatie

Descrierea analitica a caracteristicii diodei

I D ,U D - marimi statice  caracteristica statica

Aproximari ale relatiei (2.1)

Efectul temperaturii asupra caracteristicii diodei

Notiunile de dreapta de sarcina si PFS

R  1K E  I D  R  U D - ecuatia dreptei de sarcina

I D [mA] PFS – Punctul de functionare static se afla la intersecta dreptei de

Metode pentru determinarea PFS

Rezistenta dinamica a diodei (§2.4 si fig 2.7)

ud Pentru variatii de mica amplitudine in jurul PFS, dioda se comporta ca o rezistenta.

diode aflata la polarizare directa.

Observatie: cu cat I D0 creste mai mult, cu atat rd scade mai accentuat.

Modelul de dioda ideala (§ 2.6 si fig. 2.11)

Redresor – transforma o tensiune sinusoidala( fara componenta continua) intr-una cu componenta

u2 , uS U SCC -componenta continua(valoarea medie) a tensiunii u S (t )

0  2  Tensiunea redresata are o componenta contiuna dar este

Filtrarea tensiunii redresate

[t1 , t 2 ];[t 3 , t 4 ] - dioda conduce si C se incarca

Formula de calcul a condensatorului care asigura o tensiune de ondulatie impusa.

UN MODEL MAI PRECIS PENTRU DIODA (§2.6, fig. 2.12)

MODELUL LINIAR PE PORTIUNI COMPLET( fig 2.13)

In acest caz, U D 0  0,6V de exemplu U D 0  0,5V ; rd  5

a) u I  0 Diodele sunt blocate si conteaza ca intreruperi de circuit:

b) u I  U D 0 Dioda D2 conduce iar D1 este blocata

c) u I  U D 0 . Dioda D1 conduce iar D2 este blocata.

Observatie: Pentru rd  0 si u I  U D 0 , caracteristica de transfer este perfect orizontala

Dioda stabilizatoare (Zener) – §2.5 pag.49

In functie de tipul diodei, VZ 0 poate lua valori de la 2,7V…sute de V. Exemplu: la PL9V1Z,

Modelul liniar pe portiuni al DZ(fig 2.14, pag. 52)

Este evidenta relatia: − ∙

Tema: exemplul de proiectare de la pagina 59.

COMPORTAREA DINAMICA A JONCTIUNII PN

Capacitatea de bariera, (numita uneori capacitate

In figura se arata (linie –) situatia sarcinilor Goluri Q

amplitudine mica, ∆Q este proportionala cu variatia (

In figura este prezentat simbolul de circuit si Cb

Comportarea diodelor de inalta frecventa si de comutatie este influentata si de “inductivitatea”

TIPURI DE DIODE (BREVIAR)

Diode Zener- prezinta o strapungere inversa nedistructiva. Se utilizeaza pentru stabilizarea

Structura tranzistorului evidentiaza doua

Caracteristicile de iesire IC=f(UCE, IB) Fig. 3.7

Modele statice pentru tranzistorul npn IB

Dreapta de sarcina si PFS