Sunteți pe pagina 1din 21

C A P I T O L U L 1

STRUCTURA CRISTALINĂ A
MATERIALELOR METALICE

În funcţie de legăturile atomice materialele se pot clasifica:


- materiale metalice (metale şi combinaţii de mai multe
metale numite aliaje);
- materiale semimetalice (semiconductori cum ar fi siliciul
şi germaniul);
- materiale nemetalice (substanţe anorganice şi organice);
Metalele sunt substanţe cristaline (cu excepţia mercurului) în care
atomii sunt distribuiţi ordonat şi periodic respectând anumite legi de
simetrie, determinând structuri cristaline specifice în care distantele dintre
atomi sunt de ordinul angstromilor (1Å = 10-10 m = 10-8 cm). Prin
fenomenul de difracţie al razelor X s-a pus în evidenţă aranjamentul
regulat al atomilor în particule de forme geometrice denumite cristale.
Din punct de vedere al proprieţătilor fizico-mecanice cristalul este
anizotrop, asta înseamnă că pe direcţii atomice diferite proprietăţile
variază, deci nu sunt aceleaşi. Aglomerările de cristale formează structura
cristalină care prezintă următoarele caracteristici:
a). Simetrie internă - atomii sau particulele constituente sunt aranjate
periodic în spaţiu;
b). Simetrie externă - cristalele iau forma de poliedre convexe
determinate de procesul de cristalizare. Un poliedru convex este
caracterizat de o serie de elemente geometrice cum ar fi feţele cristalului
(F), muchiile (M) şi colţurile sau nodurile (N). Între aceste elemente
geometrice ale cristalelor, Euler a scris următoarea relaţie:
F +N = M +2 (1.1)
c). Procesele de germinare - la formarea cristalelor au loc o serie de
procese de germinare (nucleaţie) şi creştere din stare gazoasă, topituri,
soluţii;
d). Deformarea şi ruperea cristalelor - sub acţiunea unor solicitări
mecanice cristalul se poate deforma sau rupe de-a lungul unor plane cu
maximă densitate atomică, numite plane de alunecare sau de clivaj;
e). Difracţia coerentă a razelor X, a fasciculului de electroni sau neutroni
- planele de atomi se comportă ca nişte reţele de difracţie atunci când

15
distanţele atomice sunt comparabile cu lungimile de undă ale radiaţiilor
folosite;
f). Anizotropia - distanţele dintre atomi sunt diferite în funcţie de
direcţiile cristalografice, astfel rezultă că majoritatea proprietăţilor sunt
diferite pe direcţii diferite.

1.1. Geometria reţelei cristaline


Aranjamentul atomic într-un cristal este descris cu ajutorul unei
reţele de puncte tridimensionale numită reţea spaţială. Elementele
geometrice ale unei astfel de reţele sunt:
Punctele sau nodurile retelei, a căror pozitie este exprimată prin
folosirea unor indici, notaţi h, k, l (numiţi indici Miller , fig. 1.1, a).
Direcţiile cristaline sau şirul reticular exprimate în indici Miller ,[h k
l] (fig. 1.1 b).
Plane reticulare notate în indici ,(h k l) în fig.1.1 c.
Celula elementară reprezintă cel mai mic poliedru prin a cărui translaţie
de-a lungul a trei direcţii se reproduce reţeaua cristalină.
Axele cristalografice de referinţă, notate Ox, Oy, Oz, reprezintă
direcţiile determinate de muchiile celulei elementare.
Parametrii reţelei cristaline sunt determinaţi de lungimile muchiilor
celulei elementare, denumite şi constantele reţelei, a, b, c (fig. 1.1 e, f)
Unghiurile α, β, γ sunt unghiurile formate de cele trei direcţii ale
spaţiului.

Fig. 1.1. Elemente de simetrie ale reţelei cristaline

Celulele elementare pot fi clasificate în celule primitive sau


simple, atunci când au noduri numai în colturile celulei elementare şi
celule neprimitive, când prezintă noduri atât în colţuri cât şi în interiorul
celulei la intersecţia diagonalelor spaţiale şi la intersecţia diagonalelor
diferitelor feţe. Numărul de noduri ce aparţine unei celule elementare este
dat de relaţia:
N N
N = Ni + f + c (1.2)
2 8
Ni - numărul de noduri din interiorul celulei;
Nf - numărul de noduri de pe feţele celulei;
Nc - numărul de noduri din colţurile celulei.
Din relaţia (2) rezultă că un nod de pe o faţă aparţine la două celule
elementare, în timp ce un nod din colţ aparţine la opt celule elementare.

16
Studiind aranjamentele de noduri, Bravais a arătat că sunt posibile
14 moduri de aranjare grupate în 7 sisteme cristalografice.

1.2. Sisteme cristalografice

Aplicând legile simetriei unei reţele spaţiale infinită de puncte,


rezultă că ea va putea fi împărţită într-o infinitate de celule elementare.
Fiecare reţea cristalină este caracterizată de o celulă elementară distinctă
care se întâlneşte de-a lungul mai multor direcţii în cristal (fig.1.1 d).
Considerând criteriul distribuţiei paralelipidale a nodurilor, reţelele
Bravais se pot grupa astfel:
Tabelul 1.1
Nr. Sistem Relaţii între unghiuri şi Reţele Bravais
crt constantele reţelei
a=b=c 1 simplă (primitivă)
° 2 cu volum centrat
1 Cubic α = β = γ = 90
3 cu feţe centrate
2 Tetragonal a=b≠c 4 simplă
α = β = γ = 90° 5 cu volum centrat
6 simplă
3 Ortorombic a≠b≠c 7 cu volum centrat
8 cu baze centrate
(rombic) α = β = γ = 90° 9 cu feţe centrate
4 Trigonal a=b=c 10 simplă
°
(romboedric) α = β = γ ≠ 90
5 Hexagonal a =b≠c 11 simplă
° °
α = β = 90 γ = 120
6 Monoclinic a≠b≠c 12 simplă
° 13 cu baze centrate
α = γ = 90 ≠ β
7 Triclinic a≠b≠c 14 simplă
α≠γ≠β
Conform tabelului 1.1. reţelele Bravais pot fi:
Reţele primitive (simple) în care punctele materiale (atomii) sunt
localizate numai în colţurile paralelipipedului. Analizând celula
elementară constatăm că fiecare punct material din colţurile sale aparţine
în acelaşi timp şi altor celule elementare adiacente (în număr de 8) în
contextul unei reţele spaţiale infinite. Deci celulei elementare primitive îi
revine câte 1/8 din fiecare particulă adică în total un singur punct material
(8 colţuri x 1/8 = 1 punct material).
Reţele cu baze centrate la care particulele sunt localizate în centrul
bazelor, sau al oricăror două feţe paralele ale celulei elementare. Punctul

17
material poziţionat astfel este comun la două celule învecinate şi deci
celulei elementare îi revine câte o jumătate din fiecare punct material,
deci în total un singur punct material. Dacă la acesta adăugăm punctul
rezultat din participarea fracţiunilor din colţurile celulei, înţelegem de ce
reţelei cu baze centrate îi revin în total 2 puncte materiale (8 colţuri x 1/8
+ 2 feţe x 1/2 = 2 puncte materiale).
Reţele centrate în volum prezintă un punct material situat în interiorul
celulei elementare la care se adaugă fracţiunile atomilor din colţurile
celulei, deci în total celula centrată în volum conţine două puncte
materiale (8 colturi x 1/8 + 1 punct material = 2 puncte materiale).
Reţele cu feţe centrate sunt alcătuite din puncte materiale localizate în
colţurile paralelipipedului şi în mijlocul fiecăreia din feţele sale, deci în
total celula elementară conţine 4 puncte materiale (8 colţuri x 1/8 + 6 feţe
x 1/2 = 4 puncte materiale).

Fig. 1.2. Tipuri de celule elementare (reţele Bravais)

Astfel se obţin 14 tipuri de celule elementare, care multiplicate în


spaţiu formează cele 14 reţele Bravais. Tipul reţelelor cristaline,
parametrii acestora se determină prin difracţia razelor X, sau difractie
electronică.

1.3. Coordonatele nodurilor unei celule elementare


Poziţia unui nod dintr-o reţea spaţială se dă prin coordonatele lui.
Se consideră vectorul de la originea celulei elementare la punctul
considerat:
→ → → →
r u, v , w = u a + v b + w c (1.3)
unde u, v, w sunt coordonatele punctului. Se consideră celula elementară
a reţelei cubice cu feţe centrate CFC (figura 1.3.).

Fig. 1.3. Coordonatele nodurilor din celula CFC

Punctul O situat în originea celulei are coordonatele 000. Punctul A are


coordonatele 100, punctul D are coordonatele 110. Punctul D poate fi
atins plecând din origine şi parcurgând de-a lungul axei Ox o distanţă

egală cu lungimea vectorului a , după care se parcurge pe paralela la axa
Oy o distanţă egală cu lungimea aceluiaşi vector. Coordonatele nodurilor
situate la intersecţia diagonalelor feţelor celulei se obţin în acelaşi mod şi
sunt de forma: 0 1 1 , 1 0 1 , 1 1 0, 1 1 1 , etc.
2 2 2 2 2 2 2 2

18
1.4. Plane si direcţii cristalografice
Nodurile reţelelor cristaline delimitează diferite familii de drepte
şi plane numite direcţii şi plane cristaline. Acestea se deosebesc prin
orientare, prin densitatea de noduri şi de aceea este necesară folosirea
unor notaţii care definesc precis diferite drepte şi plane dintr-o reţea
cristalină.
Direcţia unei drepte dintr-o reţea cristalină spaţială se notează cu
indici scrişi între paranteze drepte, [u v w]. Pentru determinarea indicilor
unei drepte, se trasează o paralelă din origine şi printr-un punct de
coordonate u, v, w, la dreapta dată. Cifrele u, v, w reprezintă indicii
dreptei dusă prin origine, cât şi a oricărei paralele a acestei drepte, deci şi
a dreptei date. Câteodată aceşti indici sunt fracţionari, iar în astfel de
cazuri aceştia trebuiesc transformaţi în numere întregi. Ca exemplu,
[ ]
considerăm direcţia 1 1 1 , care devine prin aducerea la acelaşi numitor
22
comun [1 1 2]. Indicii negativi se scriu cu o bară deasupra u v w . [ ]
Folosind această regulă se pot determina indicii oricărei direcţii într-un
cristal.
În figura 1.4, care reprezintă un cristal cubic, direcţiile paralele cu
Ox vor avea indicii [1 0 0] deoarece Ox trece prin punctul A de
coordonate 1 0 0. Dreptele Oy şi Oz se vor nota [0 1 0], respectiv [0 0 1].
Dreapta care se trasează din A şi trece prin punctul de coordonate 0 1 0
2
[ ]
are indicii, 2 1 0 deoarece este paralelă cu

Fig. 1.4. Indicii direcţiilor cristaline


Fig.1.5. Determinarea indicilor unui plan

dreapta care pleacă din origine şi trece prin punctul de coordonate 2 1 0 .


Direcţiile legate între ele prin relaţii de simetrie (exemplu:
diagonalele cubului) alcătuiesc o familie de direcţii notate între paranteze
unghiulare, 〈1 1 1〉. În cadrul sistemului cubic CFC, direcţiile 〈1 1 1〉 sunt
direcţii cu cea mai mare densitate de noduri, la sistemul cubic cu volum
centrat CVC, direcţiile cu cea mai mare densitate de noduri sunt direcţiile
〈1 1 0〉.
Notarea planelor cristaline se face folosind indicii Miller scrişi între
paranteze
rotunde, (h k l ). Indicii h k l ai unui plan sunt valorile inverse ale
segmentelor tăiate de plan pe axele de coordonate, segmente măsurate în

19
parametrii de reţea. În figura 1.5, considerăm un plan care taie pe axe
segmentele OA, OB şi OC:
h= 1 = 1 = 1 ; k= 1 = 1 = 1 ; l = 1 = 1 = 1
OA ma m OB n b n OC p c p

unde m, n, p sunt numere întregi. În figura 1.5. considerăm un plan, care


taie pe axele de coordonate ale unei reţele cubice segmentele a, 2a, 4a.
Astfel indicii se pot scrie:

h= 1 ; k= 1 ; l = 1
a 2a 4a
   
iar planul se va nota  1 1 1  , respectiv 1 1 1  deoarece a = 1 .
 a 2 a 4 a   2 4 
Prin aducere la acelaşi numitor comun a fracţiilor planul se poate scrie (4
2 1) unde h=4, k=2, l=1

Fig. 1.6. Indicii unor plane din reţeaua cubică. a-planul (100); b-planul (111); c-planul
(110)

În figura 1.6. a este prezentat planul AEFG care taie pe axa x


segmentul OA egal cu a şi pe axele y şi z segmente infinite. Deci indicii
acestui plan sunt:
h= 1 ; k= 1 ; l = 1
1 ∞ ∞
h=1 ; k=0 ; l =0
şi planul se va nota (100). Planul ABC (fig. 1.6 b) taie pe cele trei axe
segmente egale cu a deci indicii vor fi (111). În figura 1.6 c, planul
AFDB taie pe axele x şi y segmente egale cu a şi pe axa z un segment
infinit, deci indicii acestui plan sunt (110). Asemănător se pot determina
indicii oricărui plan din reţeaua spaţială.
Planele legate prin relaţii de simetrie se notează prin indicii unui
singur plan în acoladă. De exemplu feţele cubului (100), (010), (001), se
vor nota {100}.
La reţelele CFC, planele {111} sunt planele cu cea mai mare
densitate în noduri de reţea. La reţelele CVC, cea mai mare densitate de
noduri de reţea o au planele {110}.
Din figurile 1.4. şi 1.6. rezultă că între indicii planelor şi direcţiile
cristaline există următoarea relaţie: indicii unui plan cristalin sunt identici
cu indicii direcţiei perpendiculare pe planul considerat.

20
1.5. Structura cristalelor. Reţele cristaline ale metalelor
Structura cristalelor reale este descrisă cu ajutorul reţelelor
spaţiale şi al sistemelor cristaline. Între “reţeaua spaţială” şi “structura
cristalină” există o deosebire; reţeaua spaţială reprezintă schema de
repetiţie ce caracterizează un cristal şi nu aranjamentul real al atomilor în
cristal, numărul reţelelor spaţiale este limitat la 14, în timp ce numărul
structurilor cristaline este nelimitat.
Structura cristalină se obţine prin ataşarea unei baze de atomi
fiecărui nod al reţelei spaţiale. Se poate spune că:
Structura cristalină = Reţeaua spaţială + baza de atomi

Fig. 1.7. Formarea unei structuri cristaline dintr-o reţea spaţială şI o bază alcătuită dintr-
un singur atom

Revenind la tabelul 1.1. se constată că metalele cristalizează într-


un număr limitat de reţele cristaline şI anume:
- reţeaua cubică cu volum centrat CVC (fig. 1.8.)
- reţeaua cubică cu feţe centrate CFC (fig. 1.9.)
- reţeaua hexagonală compactă HC (fig. 1.10.)

Fig. 1.8. Reţeaua cubică cu volum centrat CVC


Fig. 1.9. Reţeaua cubică cu feţe centrate CFC
Fig. 1.10. Reţeaua hexagonală compactă HC

Aceste reţele răspund exigenţelor de compactitate mare şi simetrie


ridicată, rezultate din aranjamentele spaţiale ordonate ale ionilor din
metale, pe criteriul umplerii maxime a spaţiului, ca un sistem de sfere
rigide.
În reţeaua CVC cristalizează: V, Feα, Ta, Cr, Mo, W, etc.
Conform relaţiei (1) celula elementară a reţelei CVC conţine doi atomi.
Pentru redarea amplasamentului atomilor în metale utilizăm un model de
sfere rigide (fig. 1.8.). Din această figură se observă că în celula
elementară CVC, tangenta atomilor se produce după diagonala spaţială a
cubului. Pe baza unor relaţii geometrice simple, din figura 1.8. se obţine
corelaţia 4r = a 3 unde r-raza atomică şi a-parametrul reţelei cristaline.
Majoritatea acestor metale au rezistenţă mecanică bună şi plasticitate
ridicată.
În reţeaua CFC cristalizează metale cum ar fi Ag, Au, Al, Pb, Ni,
Feγ, Cu, etc. Din relaţia (1) celula elementară a reţelei CFC conţine patru
atomi, iar conform reprezentării amplasamentului atomilor prin modelul
sferelor rigide din figura 1.9, tangenta atomilor se produce după diagonala
feţei cubului. Corelând raza atomică cu parametrul reţelei se obţine

21
4r = a 2 . Aceste materiale se caracterizează prin ductilitate şi
maleabilitate mare.
În reţeaua HC cristalizează metale cum ar fi: Be, Mg, Zn, Cd, Ti,
Zr. Din punct de vedere cristalografic reţeaua HC nu figurează printre
reţelele Bravais posibile (vezi tab. 1.1.). Aranjamentul atomic din reţeaua
HC (fig. 1.10. b şi c) se realizează pe baza unei reţele hexagonale simple
(fig. 1.10. a). Reprezentarea uzuală a reţelei hexagonale compacte (fig.
1.10. b) se obţine prin juxtapunerea a trei celule simple de tipul celei din
fig. 1.10. a, rezultând o prismă hexagonală. Numărul de atomi în celula
elementară a reţelei HC (fig. 1.10. b) este egal cu şase (trei atomi în
poziţii interne, un atom în centrul feţelor bazale şi doi atomi în colţurile
prismei hexagonale)
Reţeaua HC reprezintă unul dintre cele două moduri în care se pot
împacheta sfere rigide cu densitate maximă posibilă în spaţiu, păstrându-
se un aranjament periodic. Celălalt mod de maximă împachetare îl
reprezintă reţeaua CFC. Distincţia între cele două reţele de maximă
împachetare, HC şi CFC, constă în secvenţa de aşezare în spaţiu a
straturilor atomice compacte. Aceste straturi atomice de maximă
compactitate apar în planul bazal la reţeaua HC (fig. 1.11. a), respectiv în
planul diagonal spaţial la reţeaua CFC (fig. 1.11. b)

1.6. Compactitatea reţelelor metalice


Compactitatea unei reţele cristaline poate fi caracterizată prin:
- numărul de coordinaţie, C;
- gradul de compactitate, η
Prin număr de coordinaţie se înţelege numărul de atomi vecini care
înconjoară un atom al cristalului la distanţă minimă de acesta.

Fig. 1.11. Straturi atomice de maximă compactitate

Gradul de compactitate (umplere în atomi) al unei reţele reprezintă


conform modelului sferelor rigide raportul definit prin :
volumul atomilor care participã la celulã
η=
volumul celulei
Spaţiile libere dintre atomii în contact reprezintă interstiţiile
reţelei cristaline.
În reţeaua CVC (fig. 1.8), numărul de coordinaţie este 8 (C=8),
aceasta se poate observa considerând fie atomul din centrul celulei, fie un
atom echivalent din colţul cubului. Sferele atomice sunt tangente de-a

22
lungul diagonalei spaţiale şi deci raza atomică este r = a 3 . Gradul de
4
compactitate se calculează ţinând seama de raza atomică şi de faptul că
celula conţine 2 atomi astfel:
3
a 3
 
4  4  π 3
η=2 π = =0,68
3 a3 8
deci un grad de compactitate de 68%. Restul volumului (volumul liber al
cristalului) se găseşte fragmentat în goluri sau în interstiţii cu anumite
dimensiuni şi amplasamente. Caracteristicile interstiţiilor prezintă
importanţă la alierea metalelor, când atomii unor elemente de aliere se
aşează în interstiţiile reţelei metalului de bază.
În reţeaua CFC (fig. 1.9), numărul de coordinaţie este 12 (C=12),
aşa cum se observă considerând un atom din colţul cubului şi însumând
pe toate cele trei plane ortogonale câte patru vecini apropiaţi situaţi în
centrele feţelor. Sferele atomice sunt tangente de-a lungul diagonalei feţei
a 2
cubului şi deci raza atomică r = . Gradul de compactitate se
4
calculează ţinând seama de expresia razei atomice şi de faptul că celula
elementară conţine 4 atomi astfel:
3
 a 2
 4 
4   π 2
η= 4 π = = 0 ,74
3 a3 6
deci 74%, restul volumului fiind fragmentat în interstiţii.
În reţeaua HC (fig. 1.10), numărul de coordinaţie este 12 (C=12),
ceea ce se poate observa considerând atomul din centrul feţei bazale.
Luând în considerare tangenţa sferelor atomice după muchia feţei bazale,
rezultă că raza atomică în metalele cristalizate în această reţea este r = a .
2
Gradul de compactitate calculat ţinând seama de expresia razei atomice şi
de faptul că celula elementară conţine 6 atomi este:

()
3
a
η=6 4π 2 = π = 0 ,74
3  a2  3 2
6 4 3 a 8
 3
deci 74%.

23
Observaţie: la calculul volumului celulei elementare se ia în
considerare raportul între înălţimea prismei hexagonale şi latura
hexagonului bazal care este c = 1,63 = 8 , în cazul în care atomii sunt
a 3
sferici de dimensiune egală. Totuşi pentru o serie de metale raportul c a
are valoarea 1,62 la magneziu; 1,62 la cobalt; 1,59 la titan; etc. Abaterile
faţă de valoarea ideală 1,63 se explică presupunând că atomii acestor
metale sunt elipsoidali.
Metalele cristalizate în reţeaua CFC, respectiv HC au aceeaşi
compactitate, totuşi între aceste metale există o diferenţă mare de
comportare la solicitări mecanice (vezi fig. 1.11). În timp ce la reţeaua
CFC există 4 serii de straturi atomice cu împachetare compactă (normale
la cele 4 diagonale ale cubului), în reţeaua HC nu există decât o singură
serie de straturi atomice cu împachetare compactă (stratul bazal al
prismei). Această particularitate cristalografică a metalelor HC expică
plasticitatea redusă a acestor metale.
În figura 1.12. a este reprezentată structura cristalină a
diamantului, iar în fig. 1.12 b, structura cristalină a grafitului. În reţeaua
cub-diamant, numărul de coordinaţie C=4 şi gradul de compactitate este
η=0,25. Cum se poate observa din desen, în reţeaua cubică atomii de
carbon sunt aranjaţi mai compact faţă de aceeaşi atomi de carbon din
reţeaua hexagonală. Astfel se poate explica duritatea foarte mare a
diamantului comparativ cu cea a grafitului care lasă urme pe hârtie.

Fig. 1.12. Retelele cristaline ale carbonului; a-diamant (reţea cubică); b-grafit (reţea
hexagonală

Cunoasterea structurii a unui metal (parametrul reţelei, tipul de


reţea) se face prin tehnici de difracţie, cum ar fi difracţia cu raze X, sau
difracţia electronică.

1.7. Polimorfism
Se numeşte “polimorfism”, proprietatea unor substanţe de a
prezenta mai multe tipuri de structuri cristaline, în funcţie de conditiile de
temperatură, presiune şi alţi factori. În cazul elementelor chimice se
foloseşte şi denumirea de modificaţii alotropice sau “alotropie”. Prezintă
polimorfism mai ales metalele de tranziţie, modificaţiile alotropice fiind
simbolizate printr-o literă din alfabetul grec, ataşată la simbolul
elementului.

24
Schimbându-se structura cristalină se produce variaţia densităţii şi
modificarea unor proprietăţi fizico-chimice şi mecanice. Cele mai
importante metale cu transformări alotropice amintim:
-fierul, care prezintă următoarele modificaţii alotropice: Feα
0
(CVC) cu parametrul reţelei cristaline a=2,86 A la 20 0C, care la 770 0C
(punct Curie) îşi pierde magnetismul şi trece în Feβ paramagnetic; la 912
0
0
C Feα se transformă în Feγ (CFC) cu a=3,64 A , iar la 1394 0C Feγ trece
0
în Feδ (CVC) cu a=2,93 A , care se topeşte la 1538 0C. La presiuni mari,
peste 150 kbari s-a obţinut modificaţia hexagonală denumităFeε cu
0 0
parametrii a=2,46 A , c=4,05 A , şi c/a=1,64 la 25 0C
-staniul, al cărui polimorfism se produce la temperaturi sub 0 0C
când Snα are o structură cubică de tip diamant şi însuşiri
semiconductoare, fiind denumit “staniul cenuşiu”, iar la temperaturi
obişnuite, Snβ are structură tetragonală şi însuşiri metalice fiind denumit
“staniul alb”. Transformarea Snβ în Snα la răcire are loc cu creştere în
volum ceea ce duce la pulverizarea obiectelor de cositor, fenomen
cunoscut în chimie sub denumirea de “ciuma staniului”.
-titanul, prezintă modificaţia alotropică Tiα cu structură HC, care
la temperatura de 882 0C trece în Tiβ cu structură CVC.

1.8. Structura reală a cristalelor


Aranjarea perfect ordonată a atomilor consideraţi sferici în
nodurile reţelei cristaline este considerată structura perfectă (ideală) a
cristalelor. De regulă în cristalele reale există numeroase abateri de la
structura perfect periodică denumite imperfecţiuni sau defecte de
structură.

Fig. 1.13. Defecte punctiforme. a-asociate în aceeaşi reţea: 1-vacanţe; 2-atomi


proprii interstiţiali; 3-atomi străini interstiţiali; 4, 5-atomi străini de substituţie; b
şi c-tensionarea reţelei; d şi e-exemple de atomi străini în aliaje (d-Ni+Cu; e-
Fe+C)
Imperfecţiunile structurale, sau de reţea reprezintă domenii
restrânse din cristal cu dimensiuni până la câteva distanţe interatomice, în
care anumiţi atomi, sau grupări de atomi nu sunt înconjuraţi în mod
identic de alţi atomi vecini. Din punct de vedere geometric, defectele de
reţea se pot clasifica:
A. imperfecţiuni punctiforme. Din această categorie fac
parte vacanţele, atomii în poziţie interstiţială, atomii străini, defecte
punctiforme complexe.

25
B. imperfecţiuni liniare sau dislocaţii;
C. imperfecţiuni de suprafaţă (plane). Acestea enumerate
în ordinea descrescătoare a volumului de material pe care îl delimitează
sunt: limita de grăunte, limita de subgrăunte, limita de macle.

1.9. Imperfecţiuni punctiforme


Sunt caracterizate prin dimensiuni de ordin de mărime egal cu cel
al distanţelor interatomice. Pot fi: vacanţe, atomi interstiţiali şi atomi
străini (de impurităţi)
Vacanţele reprezintă locuri libere neocupate de atomi în nodurile
reţelei cristaline, formate prin deplasarea unui atom din interiorul
cristalului la suprafaţa sa. Numărul vacanţelor creşte exponenţial cu
temperatura, după cum se prezintă în figura 1.14, astfel, aceste vacanţe
create prin încălzire, se pot conserva prin răcire bruscă (călire) până la
temperatura obişnuită. Fiecare vacanţă este înconjurată de un câmp de
tensiuni elastice, care permit atomilor învecinaţi să treacă dintr-o poziţie
în alta.
La metale, prin formarea unei vacanţe, cristalele rămân neutre din
punct de vedere electric, aceste defecte fiind numite defecte Schotcky.
La cristalele ionice în jurul unei vacanţe anionice (Va) există un
plus de sarcini electrice pozitive, iar în jurul unei vacanţe cationice (Vc)
un plus de sarcini electrice negative (fig. 1.15,a). Neutralitatea electrică a
reţelei este asigurată în acest prim caz, prin formarea unor perechi de
vacanţe, fiecare pereche fiind alcătuită dintr-o vacanţă anionică Vaşi una
cationică Vc.

Fig. 1.14. Concentraţia de echilibru a vacanţelor în aluminiu în funcţie de temperatură.

Atomii interstiţiali (fig. 1.13, a), sau de pătrundere reprezintă


atomi proprii dislocaţi ocupând poziţii intermediare (interstiţiale) între
nodurile reţelei şi constituie defecte cu energie mare (circa 4 eV),întrucât
creează o deformare locală puternică cu un important efect de durificare.
În schimb, deplasarea unui atom interstiţial necesită o energie mult mai
mică (circa 0,1 eV).

Fig. 1.15. Defecte punctiforme în cristalele ionice.a-defect


Schotcky; b-defect Frenkel; Vc-vacanţă cationică; Va-vacanţâ anionică.

La cristalele ionice, formarea unui atom interstiţial este însoţită de


modificări în distribuţia sarcinii electrice şi apariţia unei vacanţe. Astfel
prin trecerea unui cation (ion pozitiv) într-o poziţie interstiţială se
formează un atom interstiţial cu un exces de sarcină pozitivă şi o vacanţă

26
cationică Vc cu un exces de sarcină negativă. Neutralitatea electrică a
reţelei este asigurată prin formarea unor perechi de defecte punctiforme,
alcătuite dintr-un atom interstiţial şi o vacanţă; astfel de perechi de
defecte se numesc defecte Frenkel (fig. 1.15, b).
Atomii străini sunt specii de atomi diferiţi existenţi în reţeaua
cristalină a unui metal (vezi fig. 1.16). Dacă prezenţa lor este accidentală
şi nedorită se numesc imperfecţiuni. Atomii străini se regăsesc în reţeaua
cristalină ca atomi interstiţiali sau substituţionali (fig. 1.13). Atomii
elementelor de aliere sunt atomi străini faţă de atomii metalului de bază şi
au un rol important în crearea aliajelor industriale. Dizolvarea acestor
atomi străini provoacă deformări plastice ale reţelei (fig. 1.13, b,c),
deoarece în majoritatea situaţiilor, dimensiunile atomice ale atomilor
străini diferă de cele ale metalului de bază.
În general, în structura cristalină a materialelor, nu există defecte
singulare, adică numai vacanţe, atomi interstiţiali, ş.a.; ele se găsesc în
stare combinată, astfel, acestea reprezintă o asociere de mai multe defecte
diferite. Defectul rezultat prin asocierea între un atom interstiţial şi un loc
vacant (vacanţă) reprezintă un defect punctiform complex, stabil numit
defect Frenkel.

1.10. Imperfecţiuni liniare sau dislocaţii


Defectele liniare sunt defecte din structura cristalină, caracterizată
prin două dintre dimensiuni aproximativ egale cu o distanţă interatomică,
a treia dimensiune fiind mult mai mare. Se deosebesc două tipuri de
dislocaţii:
A. dislocaţii marginale;
B. dislocaţii elicoidale sau în şurub.

Fig. 1.16. Dislocaţie marginală tip Taylor. a-extraplan atomic suplimentar ABCD; b-
distorsonarea reţelei cristaline şi formarea dislocaţiei CD în planul de alunecare PP’ prin
introducerea forţată a extraplanului ABCD; c-aspect simplificat al dislocaţiei ⊥ pe planul figurii.

Dislocaţiile marginale se formează în două moduri:


1 - prin introducerea unui semiplan atomic suplimentar ABCD într-o reţea
cristalină şi distanţarea celor două părţi vecine cu o distanţă interatomică.
Linia CD cuprinsă în planul PP’ reprezintă miezul sau inima dislocaţiei şi
este rezultatul intersecţiei dintre planul ABCD cu planul PP’
Dislocaţia propriu-zisă cuprinde întregul domeniu distorsionat din
jurul liniei CD, cu aspect tubular şi se reprezintă simbolic prin semnul
“⊥”, dacă dislocaţia este plasată deasupra planului PP’ şi este pozitivă,

27
sau prin semnul “T”, dacă dislocaţia se găseşte la partea inferioară a
cristalului, sub planul PP’ şi este negativă.
2 - prin provocarea unei alunecări incomplete sub acţiunea unor forţe de
forfecare τ, a unei părţi de cristal de-a lungul unui plan de alunecare PP’
(fig. 1.17, a).

Fig. 1.17. Formarea dislocaţiilor marginale prin deplasarea reciprocă incompletă a celor
două părţi dintr-un cristal ideal (a), sub influenţa unor forţe de forfecare τ de-a lungul
planului de alunecare PP’ (b) şi mecanismul alunecării prin propagarea din aproape în
aproape a dislocaţiilor până la eliminarea sa (c)

Linia de separare a părţii alunecate în raport cu cea nedeplasată


(fig. 1.17, b) constituie o dislocaţie ce se poate deplasa în continuare până
la extremitatea cristalului, unde se elimină, formând o treaptă de
alunecare. (fig. 1.17, c).

Fig. 1.18. Dislocaţie elicoidală (în şurub). a-planul de forfecare ABCD în cristalul ideal;

b-după forfecare pe direcţia b a celor două părţi de cristal.

Planul PP’, care separă (în ambele cazuri) partea superioară a


cristalului cu un număr n+1 şiruri de atomi, comprimaţi de partea
inferioară a cristalului, având n şiruri de atomi rarefiaţi, reprezintă un plan
de alunecare. Direcţia şi mărimea alunecării asociate unei dislocaţii sunt

caracterizate prin vectorul Burgers notat prin b , acest vector fiind
cuprins la dislocaţia marginală în planul de alunecare şi este
perpendicular pe dislocaţie.
Dislocaţiile elicoidale se obţin prin deplasarea a două părţi de
cristal una în raport cu cealaltă prin forfecare, cu o distanţă egală cu

vectorul b , de-a lungul planului ABCD paralel cu muchia AD
(fig.1.18,b).

1.11. Proprietăţile dislocaţiilor


Dislocaţiile reprezintă defecte cu rol important în realizarea
valorilor proprietăţilor mecanice ale metalelor şi aliajelor şi a explicării
unor fenomene ce au loc la deformarea plastică, fluaj, transformări de
faze, la încălzire şi răcire. Astfel, cunoaşterea existenţei lor, a cantităţilor
în care se găsesc, a proprietăţilor lor specifice este de o însemnătate
deosebită.
Principalele proprietăţi ale dislocaţiilor sunt:

28
1. Câmpul de tensiuni asociat dislocaţiei (fig. 1.16, b) se datorează
distorsiunilor elastice ale reţelei cristaline în vecinătatea dislocaţiei şi
corespunde lucrului mecanic cheltuit pentru crearea dislocaţiei. Diferenţa
de energie liberă între un cristal perfect (fără dislocaţii) şi un cristal cu
dislocaţii, corespunde tocmai energiei dislocaţiei. Câmpul de tensiuni
interne, respectiv energia dislocaţiei sunt extinse pe distanţe apreciabile în
raport cu miezul dislocaţiei şi exercită o forţă de interacţiune asupra
celorlalte imperfecţiuni.
2. Interacţiunea elastică dintre două dislocaţii marginale sau elicoidale de
acelaşi semn determină respingerea lor ca urmare a faptului că vor
conduce la creşterea efectului de distorsiune, deci a energiei libere a
cristalului, iar interacţiunea celor de semn contrar determină atracţia lor,
întrucât dislocaţiile se întâlnesc şi se anulează reciproc, refăcându-se
planul atomic complet (fig. 1.19).

Fig. 1.19. Interacţiunea elastică a două dilocaţii marginale paralele având acelaşi plan de
alunecare: a-două dislocaţii pozitive se resping; b-o dislocaţie pozitivă şi una negativă se
atrag şi se anulează.

3. În câmpul străin din jurul dislocaţiei se acumulează atomi străini de


impurităţi, formând aşa numitele “atmosfere Cottrell”, care blochează
temporar dislocaţiile, fiind necesare forţe suplimentare pentru smulgerea
acestora în vederea alunecării.
4. Dislocaţiile sunt mobile ele putându-se deplasa după două mecanisme:
A. - prin alunecare (“slip”) sub acţiunea unor forţe exterioare;
dislocaţiile marginale sau elicoidale plasate în planele de alunecare se

deplasează de-a lungul acestor plane corespunzător vectorului b ,
producând efecte elementare de deformare plastică (fig. 1.17, b şi c).
Tensiunea reală necesară deplasării dislocaţiei, adică a începerii
alunecării (limita de curgere) corespunde unei mărimi critice foarte
reduse ce acţionează în plan:
G⋅b
τ cr = (1.4)
l
G-modul de elasticitate transversal;
b-vectorul Bürgers;
l-lungimea dislocaţiei.
Dislocaţiile elicoidale nu se pot deplasa decât prin alunecare, dar
dislocaţia şi vectorul ei fiind paralele, alunecarea are loc în mai multe
plane.
B. - prin căţărare (“climb”) prin deplasarea dislocaţilor marginale
pe verticală, perpendicular pe planele de alunecare, având la bază un

29
transport de atomi prin difuzia defectelor punctiforme. Această deplasare
poate avea loc numai la temperaturi înalte când apar şiruri suplimentare
de atomi, sau de vacanţe de-a lungul unei direcţii.
Consecinţa practică importantă a mobilităţii dislocaţiilor o
reprezintă producerea deformării plastice (prin alunecare), fluajul (prin
căţărare şi alunecare), poligonizarea (refacerea reţelei de dislocaţii după
deformare şi încălzire) şi recristalizarea.
5. Blocarea dislocaţiilor în timpul deplasării, în bariere preexistente
(limite de grăunte, alte faze, dislocaţii), sau în bariere care se formează
chiar în timpul deplasării, conduce la îngreunarea procesului de
alunecare, respectiv la scăderea plasticităţii şi la creşterea durităţii
metalului (ecruisare). Astfel pentru smulgerea dislocaţiilor blocate,sau
traversarea barierelor sunt necesare forţe exterioare mai mari
6. Dislocaţiile se formează în timpul solidificării la creşterea cristalelor şi
se multiplică în timpul deformărilor plastice prin aşa numitele surse de
dislocaţii Frank-Read. Mecanismul de multiplicare a dislocaţiilor este
prezentat în figura 1.20.
Un segment de dislocaţii N-N’, cu capetele N şi N’ imobilizate în
alte plane, sub efectul unei tensiuni de alunecare F de mărime critică, se
curbează treptat în planul de alunecare, luând forma unei bucle de tip 2
apoi 3, 4 şi 5. Bucla 5 reprezintă o buclă închisă având două fragmente de
dislocaţii elicoidale de semne opuse, care se anulează reciproc, astfel
încât rămâne segmentul N-N’ (regenerat) şi bucla 6 închisă detaşată de
sursă. ªi aşa mai departe, sursa N-N’, la tensiuni sporite, va genera un

Fig. 1.20. Mecanismul multiplicării dislocaţiilor (sursă Frank-Read)

număr practic nelimitat de bucle de dislocaţii care se deplasează în plane


de alunecare. Astfel, în timpul deformării plastice, pe lângă dislocaţiile
preexistente, care se deplasează şi se elimină la suprafaţa cristalului, se
generează noi dislocaţii, care se intersectează reciproc, blocându-se şi
producând barierele cunoscute.
7.Densitatea de dislocaţii ρ exprimă valoric cantitatea de dislocaţii dintr-
un cristal, reprezentând o măsură a stării de echilibru (recoacere), sau de
ecruisare (deformare plastică la rece):
ρ= ∑
V
L
cm −2 [ ] (1.5)

ρ - densitatea de dislocaţii;
∑L - lungimea totală a dislocaţiei din
cristal [cm];
V - volumul cristalului. [cm3].

30
Exemple: pentru materialele recoapte (încăzite la temperaturi T<TAC1),
ρ=106-108 [cm-2];
pentru materiale ecruisate (deformate plastic la rece) ρ=1011-
1012 [cm-2]

1.12. Defecte de suprafaţă


Sunt defecte de reţea, care au o singură dimensiune de acelaşi
ordin de mărime cu o distanţă interatomică, iar celelalte două sunt mult
mai mari. Aceste defecte sunt suprafeţe în interiorul cristalului, care
separă porţiuni de material, care se deosebesc între ele după:

Fig. 1.21. Limite dintre grăunţi. a-fiecare cristal reprezintă un cristal perfect cu orientare
proprie până la zona de limită; b-şi în zona de limită apare o repartizare ordonată a
atomilor; c-orientarea atomilor în zona de limită este intermediară în raport cu atomii din
cristalele 1 şi 2.

- structura cristalină;
- orientarea cristalografică;
- orientarea magnetizării spontane.
Limitele de grăunţi fac parte din această categorie şi reprezintă
zonele de trecere dintre doi grăunţi vecini ai unui material policristalin.
Aceste zone au o structură determinată de structura şi orientarea ambilor
grăunţi. Dată fiind orientarea absolut întâmplătoare a grăunţilor, unghiul θ
dintr-un plan din primul grăunte şi un plan identic din cel de-al doilea
grăunte numit unghi de dezorientare este în mod curent mai mare de 20o;
limitele care separă astfel de grăunţi se numesc limite la unghiuri mari.
În interiorul grăunţilor cristalini pot exista în afară de defecte
punctiforme sau liniare de reţea şi abateri locale faţă de orientarea
cristalografică globală a cristalului. Defectele locale de orientare la scara
unui microcristal determină o fragmentare a grăuntelui într-o serie de
subgrăunţi sau domenii cu mărimi de ordinul micronilor denumite blocuri
în mozaic, separate între ele prin reţele de sublimite. Diferenţa de
orientare fiind foarte redusă (<1o), sublimitele se numesc limite de
unghiuri mici. Deci toţi grăunţii, cu excepţia celor foarte fini prezintă o
structură de mozaic fiind alcătuiţi dintr-un conglomerat de subgrăunţi.

Fig. 1.22. Limite de subgrăunţi. a-structura în mozaic a unui grăunte cristalin; b-


sublimita de grăunte alcătuită dintr-o serie de dislocaţii marginale.

31
În figura 1.22 se prezintă structura în mozaic şi structura unei
sublimite alcătuită dintr-o serie de dislocaţii marginale aliniate.
Totalitatea sublimitelor formează aşa numita reţea de sublimite, sau
substructura care poate fi caracterizată şi evidenţiată pe calea analizei
röentgeno-structurale şi la microscopul electronic.
Limitele de macle reprezintă defecte de suprafaţă în care atomii
interfeţei ocupă poziţii comune pentru două reţele cristaline (fig. 1.23, b).
Macla reprezintă o porţiune din acelaşi cristal reorientată în raport cu un
plan de simetrie (plan de maclare). În figura 1.23. a, se prezintă modul de
formare a unei macle prin alunecarea unor plane cristaline în raport cu
altele

Fig. 1.23. Reprezentarea schematică a formării maclei (a) şi structura limitei de maclă
(b)

1.13. Consecinţele practice ale existenţei imperfecţiunilor structurale


asupra proprietăţilor materialelor metalice
Mărimea imperfecţiunilor de reţea este diferită:
-limitele de grăunţi şi subgrăunţi sunt observabile prin microscopie
optică.
-dislocaţiile pot fi puse în evidenţă prin microscopie electronică;
-dimensiunile vacanţelor punctiforme sunt sub limita de rezoluţie a
microscopiei electronice, ele neputând fi puse în evidenţă decât dacă sunt
grupate.
Imperfecţiunile de reţea definesc structura microscopică sau
submicroscopică a unui material cristalin real în opoziţie cu un cristal
ideal perfect. De regulă, imperfecţiunile de reţea reprezintă o mică
fracţiune din volumul materialului cristalin. Astfel, în materialele
metalice puternic deformate, proporţia atomilor aflaţi în afara poziţiei de
echilibru este mai mică, aşa încât predominant rămâne aranjamentul
ordonat, care caracterizează reţeaua cristalină. Cu toate acestea, influenţa
exercitată de imperfecţiunile de reţea asupra unor proprietăţi importante
cum sunt proprietăţile mecanice de rezistenţă şi plasticitate ale metalelor,
este considerabilă. Astfel, proprietăţile metalelor şi aliajelor pot fi
împărţite în două categorii:
A. proprietăţi independente sau foarte puţin dependente de
structură, determinate de natura metalelor şi aliajelor; ele variază puţin în
probe din acelaşi material, nefiind afectate de prezenţa şi cantitatea
imperfecţiunilor de reţea;

32
B. proprietăţi dependente de structură (sensibile la structură),
care nu depind numai de natura materialelor, ele schimbându-şi valorile
în limite largi în funcţie de natura şi cantitatea imperfecţiunilor de reţea
introduse în diversele etape ale procesului tehnologic de prelucrare a
materialelor.
Exemple de proprietăţi din categoria A:
- proprietăţi mecanice - constante elastice, densitate;
- proprietăţi termice - temperatura de topire, căldura specifică,
conductibilitatea termică, dilatare;
- proprietăţi magnetice - caracteristici de diamagnetism şi paramagnetism;
- proprietăţi electrice - caracteistici termoelectrice;
- proprietăţi optice - putere de reflexie.
Exemple de proprietăţi din categoria B:
- proprietăţi mecanice de rezistenţă şi plasticitate - rezistenţă, plasticitate,
tenacitate;
- unele proprietăţi magnetice şi electrice - caracteristici feromagnetice şi
într-o anumită măsură rezistivitatea electrică
Trebuie remarcat că proprietăţile care stau la baza utilizării
materialelor metalice sunt proprietăţi mecanice sensibile la structură.
Vacanţele şi atomii străini în poziţie interstiţială de la metale
constituie obstacole în calea deplasării electronilor sub influenţa unui
câmp electric aplicat; ca urmare creşterea concentraţiei acestor defecte
măreşte rezistivitatea electrică a metalelor. Sub influenţa unei diferenţe de
potenţial se produce o deplasare orientată a electronilor liberi prin
materialul metalic. În deplasarea lor, electronii întâlnesc şi se ciocnesc
elastic şi neelastic cu atomii străini şi impurităţile prezente în materialele
tehnice şi astfel numai o parte din electroni participă efectiv la transportul
sarcinilor electrice. Această caracteristică a materialelor de a frâna
deplasarea dirijată a electronilor se numeşte rezistivitate electrică şi
reprezintă inversul conductivităţii electrice. Prezenţa vacanţelor
determină deformarea reţelei cristaline şi astfel câmpul electric produs de
deplasarea electronilor este perturbat. Vacanţele aflate în mişcare prin
cristal stau la baza unor fenomene de difuzie, ca de exemplu autodifuzia
în metalele pure, sau difuzia în soluţii solide de substituţie. Migrarea unei
vacanţe deplasează fiecare atom întâlnit pe parcurs dintr-un punct de reţea
în altul, ceea ce produce după o perioadă de timp acea modificare
macroscopică de concentraţie, observată ca difuzie.
Îmbunătăţirea rezistenţei unui metal constituie un factor important
din punct de vedere economic, deoarece presupune prelungirea duratei de
funcţionare a maşinii, sau construcţiei respective şi reducerea consumului
de metal. Rezistenţa teoretică a metalelor la deformare şi rupere,

33
determinată pe baza calculelor fizice, care consideră valoarea forţelor de
interacţiune dintre atomi în cristalele perfecte şi a ipotezei că două şiruri
de atomi se deplasează simultan sub acţiunea forţelor de forfecare, este
dată de relaţia:
τ teor = G

(1.6)
unde G - modulul de elasticitate transversal. Pentru o serie de metale,
rezistenţa tehnică corespunzătoare limitei de curgere Rp0,2 determinată la
încercarea la tracţiune a metalelor reale, prezintă valori de 100 şi chiar
1000 de ori mai reduse decât valorile rezistenţei teoretice. Aceste
diferenţe mari între rezistenţa teoretică şi rezistenţa tehnică se datorează
prezenţei dislocaţiilor, care modifică mecanismul de deformare prin
alunecare a reţelei cristaline. Având în vedere dependenţa rezistenţei la
rupere de densitatea de dislocaţii s-au dedus următoarele condiţii pentru
ameliorarea rezistenţei metalelor:
- prin crearea cristalelor perfecte complet lipsite de dislocaţii a
căror rezistenţă se poate apropia de cea teoretică;
- prin saturarea cu dislocaţii în vederea crearii de obstacole
structurale eficiente în calea propagării libere a dislocaţiilor.
În practică s-au obţinut cristale perfecte filiforme cu dimensiuni
reduse (2÷10 mm lungime şi diametre de 0,5÷2 µm) cu rezistenţe la
rupere apropiate de cele teoretice. În cazul monocristalelor de dimensiuni
mari, rezistenţa scade brusc şi obţinerea lor este dificilă din punct de
vedere tehnic.
Industrial se aplică des metoda de durificare bazată pe crearea
structurilor cu număr mare de defecte, convenabil distribuite, sub forma
unei reţele stabile
Proprietăţile metalelor şi aliajelor sunt afectate de prezenţa
tensiunilor interne (remanente), care produc la nivelul reţelelor cristaline
distorsiuni elastice. Cauzele apariţiei acestor tensiuni sunt de mai multe
tipuri:
- exercitarea unor forţe mecanice exterioare. Prin deformarea
plastică a metalelor se produce fenomenul de ecruisare, care induce
tensiuni mecanice;
- existenţa unor diferenţe de temperatură între suprafaţa unui corp
metalic şi miezul acestuia induce tensiuni de natură termică;
- prezenţa unor imperfecţiuni de reţea. În procesul de călire a
oţelurilor se formează o fază numită martensită cu volum mai mare decât
celelalte faze. Acest fapt face ca în reţeaua cristalină să existe o
instabilitate structurală cauzată de prezenţa unor tensiuni structurale.

34
Aceste tensiuni interne determină un câmp al tensiunilor, care redă
intensitatea şi distribuţia deformării elastice.

În cazurile când materialele metalice se folosesc la temperaturi


ridicate se produc fenomene de vibraţii ale atomilor reţelei cristaline cu
frecvenţe care depind de natura şi intensitatea legăturii interatomice.
Amplitudinea acestor vibraţii sunt cu atât mai mari cu cât temperatura
creşte. Vibraţiile reţelei cristaline influenţează proprietăţile materialelor
metalice fie direct (constante de elasticitate, conductibilitate termică şi
electrică, căldură specifică), fie indirect (prin crearea unor imperfecţiuni
de reţea) contribuind la modificarea proprietăţilor de rezistenţă mecanică
şi plasticitate.

35