Sunteți pe pagina 1din 191

e

gic
alo
An
Circuite integrate analogice I.
e
at
Circuite fundamentale
gr
te
In
ite
rcu
Ci
e
gic
Cuprins

alo
1 Tranzistoare MOS şi bipolare 3

An
1.1 Tranzistoare bipolare . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.1.1 Generalitǎţi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.1.2 Funcţionarea tranzistorului bipolar . . . . . . . . . . . . 4
1.1.3 Modelul de semnal mare ı̂n regiunea activǎ normalǎ . . . 7
te
1.1.4 Modelul de semnal mare al tranzistorului
bipolar ı̂n saturaţie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
ra
1.1.5 Modelul de semnal mic al tranzistorului
bipolar ı̂n RAN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
g

1.1.6 Caracteristica de ieşire . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10


1.1.7 Caracteristica de transfer . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
te

1.1.8 Modelul de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ . . . . . . . . 11


1.2 Tranzistorul MOS cu canal indus . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
In

1.2.1 Generalitǎţi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.2.2 Funcţionarea tranzistoarelor MOS . . . . . . . . . . . . 14
1.2.3 Modelul de semnal mare al tranzistorului MOS . . . . . 17
ite

1.2.4 Modelul de semnal mic al tranzistorului MOS


ı̂n saturaţie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
1.2.5 Polarizarea substratului şi efectul ”latch-up” . . . . . . . 22
rcu

1.2.6 Modelul de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ . . . . . . . . 23


1.3 Sumar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

2 Surse de curent 27
Ci

2.1 Sursa simplǎ de curent cu un singur tranzistor . . . . . . . . . . 27


2.2 Sursa de curent cu un singur tranzistor şi degenerare rezistivǎ . . 30
2.3 Sursa de curent cascodǎ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
2.4 Sursa de curent cu rezistenţǎ de ieşire mǎritǎ . . . . . . . . . . 35
2.5 Sumar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

ii
3 Oglinzi de curent 39
3.1 Introducere . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
3.2 Oglinzi de curent MOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

e
3.2.1 Oglinda simplǎ de curent MOS . . . . . . . . . . . . . . 40
3.2.2 Oglinda de curent cascodǎ MOS . . . . . . . . . . . . . 44

gic
3.2.3 Oglinda cascodǎ MOS de joasǎ tensiune . . . . . . . . . 46
3.2.4 Oglinda de curent Wilson cu tranzistoare MOS . . . . . 50
3.3 Oglinzi de curent cu tranzistoare bipolare . . . . . . . . . . . . 53

alo
3.3.1 Oglinda simpla cu tranzistoare bipolare . . . . . . . . . . 53
3.3.2 Oglinda de curent cu compensare de β . . . . . . . . . . 57
3.3.3 Oglinda de curent bipolarǎ cu degenerare rezistivǎ . . . . 61

An
3.3.4 Oglinda cascodǎ bipolarǎ . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
3.3.5 Oglinda Wilson bipolarǎ . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
3.4 Sumar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68

4 Referinţe electronice 70
e
4.1 Referinţǎ simplǎ cu divizor de tensiune . . . . . . . . . . . . . . 71
at
4.2 Referinţa de tensiune cu diodǎ
bipolarǎ şi MOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
gr

4.3 Referinţa de tensiune cu diodǎ Zener . . . . . . . . . . . . . . . 77


4.4 Referinţǎ de curent cu oglindǎ simplǎ
de curent . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
te

4.5 Referinţa de curent Widlar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79


4.5.1 Referinţa Widlar cu tranzistoare MOS . . . . . . . . . . 79
In

4.5.2 Referinţa Widlar cu tranzistoare bipolare . . . . . . . . . 81


4.6 Referinţa de curent VT h şi VBE . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82
4.7 Referinţe independente de VDD . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
ite

4.8 Referinţe compensate cu temperatura . . . . . . . . . . . . . . 85


4.9 Exemple . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
4.10 Sumar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92
rcu

5 Amplificatoare simple 94
5.1 Amplificatorul inversor cu sarcinǎ rezistivǎ . . . . . . . . . . . . 94
5.2 Amplificatorul inversor cu sarcinǎ diodǎ . . . . . . . . . . . . . 100
Ci

5.3 Amplificatorul inversor cu sarcinǎ sursǎ


de curent . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104
5.4 Amplificatorul inversor cascodǎ . . . . . . . . . . . . . . . . . . 107
5.5 Amplificatorul inversor cascodǎ simetricǎ . . . . . . . . . . . . . 114
5.6 Amplificatorul inversor cascodǎ pliatǎ . . . . . . . . . . . . . . . 119

iii
5.7 Sumar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 124

6 Amplificatoare diferenţiale 125


6.1 Introducere . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125

e
6.2 Amplificatorul diferenţial cu sarcinǎ rezistivǎ . . . . . . . . . . . 126

gic
6.3 Amplificatorul diferenţial MOS cu sarcinǎ
oglindǎ de curent . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 133
6.4 Amplificatorul diferenţial cu sarcinǎ surse de curent . . . . . . . 139

alo
6.5 Sumar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 145

7 Amplificatoare operaţionale 147


7.1 Introducere . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147

An
7.2 Amplificatorul operaţional Miller . . . . . . . . . . . . . . . . . 149
7.2.1 Dimensionarea condensatorului Miller pentru stabilitate
necondiţionatǎ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 156
7.2.2 Viteza de variaţie a tensiunii de ieşire la AO Miller . . . 157
e
7.2.3 Amplificatorul operational Miller complet diferenţial . . . 159
at
7.2.4 Amplificatorul operaţional Miller
cu etaj repetor de ieşire . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160
7.2.5 Metoda de proiectare a amplificatorului
gr

operaţional Miller . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 162


7.3 Amplificatorul operaţional cascodǎ telescop . . . . . . . . . . . 167
te

7.3.1 AO cascodǎ telescop complet diferenţial . . . . . . . . . 176


7.4 Amplificatorul operaţional cascodǎ pliatǎ . . . . . . . . . . . . . 177
In

7.4.1 AO cascodǎ pliatǎ complet diferenţial . . . . . . . . . . 185


7.5 Sumar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 186
ite
rcu
Ci

iv
e
gic
Prefaţǎ

alo
Materialul prezentat ı̂n aceastǎ carte se adreseazǎ studenţilor de la facultǎţile
de Electronicǎ şi Telecomunicaţii, care urmeazǎ cursurile de Circuite Inte-

An
grate Analogice, inginerilor cu aceastǎ specialitate şi tuturor celor interesaţi
de proiectarea analogicǎ. Cartea este structuratǎ pe şapte capitole, fiecare
abordând o categorie de circuite sau principii, utilizate ı̂n proiectarea cir-
cuitelor analogice integrate.
te
În capitolul 1 sunt prezentate tranzistoarele bipolare şi tranzistoarele MOS.
ra
Pentru fiecare dispozitiv sunt discutate structura fizicǎ, probleme de pola-
rizare, modelul de semnal mare şi ecuaţiile de funcţionare, caracteristicile
eg

de ieşire şi de transfer, iar ı̂n final modelul de semnal mic şi parametrii
specifici, atât pentru joasǎ cât şi pentru ı̂naltǎ frecvenţǎ.
t

Capitolul 2 ı̂şi propune studiul câtorva implementǎri electronice ale surselor


In

de curent. Pornind de la structura cea mai simplǎ şi argumentând fiecare


ı̂mbunǎtǎţire se ajunge la structuri mai performante, utilizate ı̂n practicǎ.
ite

Capitolul 3 se ocupǎ de oglinzile de curent MOS şi bipolare. Accentul este


pus pe comportamentul de curent continuu şi caracteristicile de semnal mic
ale circuitelor. Fiecare oglindǎ este caracterizatǎ prin parametrii ei speci-
rcu

fici, astfel fiind posibilǎ comparaţia ı̂ntre diferitele implementǎri la nivel de


tranzistor.

În capitolul 4 sunt introduse câteva tipuri de referinţe de tensiune şi de


Ci

curent. Pentru fiecare referinţǎ sunt date expresia senzitivitǎţii mǎrimii de


ieşire cu tensiunea de alimentare şi a coeficientului de temperaturǎ. Tot
ı̂n aceastǎ secţiune este explicata o metodǎ prin care se eliminǎ dependenţa
de tensiunea de alimentare a mǎrimii generate. În final, sunt prezentate
referinţele de tip bandǎ interzisǎ, imune la variaţiile cu temperatura.
Capitolul 5 se referǎ la principalele configuraţii de amplificatoare simple,
iar capitolul 6 la amplificatoarele diferenţiale. Aceste circuite stau la baza

e
oricǎrei structuri mai complicate ale unui amplificator operaţional complet.
Caracteristicile specifice fiecǎrui etaj de amplificare, discutate ı̂n acest pa-

gic
ragraf, sunt punctul static de funcţionare, domeniul de variaţie al tensiunii
de ieşire, modelul de semnal mic şi comportamentul ı̂n frecvenţǎ.

alo
Ultimul capitol vizeazǎ studiul unei categorii speciale de circuite analogice, şi
anume cel al amplificatoarelor operaţionale. În acest context, sunt discutate
AO având compensare de tip Miller, AO cascodǎ telescop şi AO cascodǎ

An
pliatǎ. În cazul fiecǎruia sunt evidenţiate avantajele, limitǎrile şi domeniul
de frecvenţe ı̂n care se utilizeazǎ ı̂n practicǎ. Cele trei structuri de AO sunt
ı̂nsoţite de metoda completǎ de proiectare pentru specificaţii impuse.

Lucrarea oferǎ, pe lângǎ prezentarea şi analiza concretǎ a unor circuite, o


e
vedere de ansamblu aspura metodelor de analizǎ specifice circuitelor analo-
at
gice. Aceste metode permit cititorului sǎ adapteze algoritmii propuşi altor
categorii de circuite, care nu sunt discutate ı̂n aceastǎ carte.
gr
te

Aprilie, 2007 Autoarea


In
ite
rcu
Ci
e
gic
Capitolul 1

alo
Tranzistoare MOS şi bipolare

An
Tranzistoarele sunt cele mai importante componente ale circuitelor integrate.
Ele pot fi de mai multe tipuri ı̂n funcţie de paşii utilizaţi ı̂n procesul de fabricaţie.
e
Tranzistoarele cel mai adesea utilizate sunt cele bipolare şi MOS cu canal indus.
at
1.1 Tranzistoare bipolare
gr

1.1.1 Generalitǎţi
te

Tranzistoarele bipolare sunt dispozitive cu 3 terminale (4 terminale dacǎ se


considera şi conexiunea de substrat) comandate ı̂n curent. Simbolurile tipice
utilizate sunt date ı̂n Figura 1.1.
In

C E
ite

B B
rcu

E C
NPN PNP
Ci

Figura 1.1: Simbolurile tipice ale tranzistoarelor bipolare

În procesele moderne BiCMOS tranzistoarele NPN au o structurǎ fizicǎ ver-


ticalǎ, spre deosebire de tranzistoarele PNP, realizate de regulǎ ca dispozitive
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS ŞI BIPOLARE

laterale. Structura unui tranzistor NPN este prezentatǎ ı̂n Figura 1.2 (vedere
de sus şi secţiune).

e
gic
conexiuni metalice p+
n+

alo
n+ p+ n+

An
n-
n-
p-
e
SiO2
at

p+ n+
gr

n+
p+ p+
n-
te

n+ buried
p-
In

Figura 1.2: Structura fizicǎ a unui tranzistor NPN


ite

Colectorul este realizat ca un strat ı̂ngropat (eng. n+ buried), contactul


acestuia fiind accesibil printr-o porţiune verticalǎ de tip n+ (dopatǎ puternic cu
rcu

atomi donori cu exces de electroni). Colectorul ı̂ngropat de dimensiuni mai mari


permite captarea optimǎ a purtǎtorilor. Tranzistorul este izolat de dispozitivele
adiacente prin structuri p+.
Ci

1.1.2 Funcţionarea tranzistorului bipolar


Funcţionarea tranzistorului bipolar este determinatǎ de cele douǎ joncţiuni pn
din structurǎ, fiind similarǎ pentru tranzistoarele NPN şi PNP. Din acest motiv
se va discuta pe larg numai funcţionarea variantei NPN.

4 Doris Csipkes
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS ŞI BIPOLARE

Tranzistorul nepolarizat

Figura 1.3 prezintǎ distribuţia purtǎtorilor de sarcinǎ ı̂ntr-un tranzistor NPN ale

e
cǎrui terminale sunt conectate la masǎ.

gic
n p n
+ +

alo
+ +
+ +
+ +

An
+ +
+ +
E B e C

Figura 1.3: Electronii şi golurile ı̂ntr-un tranzistor NPN nepolarizat


at
La limita dintre regiunile n şi p electronii se recombinǎ cu golurile astfel ı̂ncât
gr

fâşiile adiacente joncţiunii sunt golite de sarcini mobile. Astfel dispozitivul


este ı̂n echilibru energetic, curentul de conducţie fiind zero.
te

Tranzistorul corect polarizat


In

Figura 1.4 aratǎ distribuţia purtǎtorilor de sarcinǎ ı̂ntr-un tranzistor NPN corect
polarizat.
ite

Polarizarea corectǎ ı̂nseamnǎ:

- polarizarea directǎ a joncţiunii bazǎ-emitor (VBE > 0);


rcu

- polarizarea inversǎ a joncţiunii bazǎ-colector (VBC < 0);


Ci

O tensiune pozitivǎ aplicatǎ ı̂ntre bazǎ şi emitor reduce lǎţimea regiunii de
golire prin compensarea potenţialului intrinsec datorat recombinǎrii purtǎtorilor.
Când tensiunea externǎ egaleazǎ efectul potenţialului intrinsec, dioda bazǎ-
emitor intrǎ ı̂n conducţie, iar emitorul injecteazǎ electroni mobili ı̂n regiu-
nea bazei.

Doris Csipkes 5
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS ŞI BIPOLARE

E(n) B(p) C(n)


+
+ + +
+
+ + +

e
+
+ + +

gic
+
+ + +
+
+ + +
+
+ + +

alo
_ V + _ V +
BE BC

Figura 1.4: Electronii şi golurile ı̂ntr-un tranzistor NPN corect polarizat

An
O tensiune negativǎ aplicatǎ ı̂ntre bazǎ şi colector mǎreşte lǎţimea regiu-
nii de golire şi ı̂n acelaşi timp potenţialul pozitiv al colectorului accelereazǎ
electronii liberi injectaţi ı̂n zona bazei de cǎtre emitor. Electronii acceleraţi
e
urmeazǎ sǎ fie captaţi de colector. Astfel se formeazǎ un curent de conducţie
at
ı̂ntre colector şi emitor. Mecanismul de conducţie este prezentat ı̂n Figura
1.5.
gr

E(n) B(p) C(n) C


te

B
In

_ V + _ V + E
ite

BE BC

Figura 1.5: Mecanismul de conducţie a tranzistorului NPN


rcu

Observaţie: sensul sǎgeţilor reprezintǎ direcţia de deplasare a electronilor.


Sensul curentului este opus cu sensul de deplasare a purtǎtorilor. Drept
Ci

urmare, ı̂n tranzistoarele NPN curentul curge de la colector la emitor (sens


sugerat de sǎgeata de pe simbolul dispozitivului).

Electronii liberi din regiunea bazei sunt ı̂n numǎr mult mai mic decât golurile.
Din acest motiv ei se numesc purtǎtori minoritari.

6 Doris Csipkes
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS ŞI BIPOLARE

Dintre electronii injectaţi ı̂n bazǎ de cǎtre emitor majoritatea ajung sǎ fie
captaţi de colector. Un numǎr mic de electroni se pierd ı̂n bazǎ datoritǎ
potenţialului pozitiv al bazei faţǎ de emitor. Astfel, apare un curent ı̂n bazǎ.

e
Valoarea tipicǎ a curentului de bazǎ este de aproximativ 1% din valoarea
curentului de colector.

gic
1.1.3 Modelul de semnal mare ı̂n regiunea activǎ normalǎ

alo
Modelul de semnal mare descrie funcţionarea dispozitivului, dependenţa din-
tre tensiunile aplicate celor douǎ joncţiuni şi curenţii generaţi. Ecuaţiile de
funcţionare se deduc din concentraţiile de purtǎtori ı̂n diferite regiuni şi para-
metrii geometrici ai joncţiunilor. Curentul de colector se scrie ı̂n funcţie de ten-

An
siunea bazǎ-emitor ca ı̂n ecuaţia (1.1). Se observǎ dependenţa exponenţialǎ.

vBE
iC = IS · e eVT
(1.1)

În aceastǎ ecuaţie VT = kT /q este tensiunea termicǎ, iar IS este curentul de


at
saturaţie.
gr

Modelul de semnal mare este prezentat ı̂n Figura 1.6.


te

B C
iB iC
In

vBE vCE
ite

E E
rcu

Figura 1.6: Modelul de semnal mare al tranzistorului bipolar

Joncţiunea bazǎ-emitor se modeleazǎ cu o diodǎ. Joncţiunea colector-emitor


Ci

se modeleazǎ cu o sursǎ de curent comandatǎ ı̂n curent a cǎrei factor de


transfer β este câştigul de curent al tranzistorului.

În ecuaţia (1.1) şi modelul de semnal mare nu s-a ţinut cont de modulaţia lǎţimii
bazei cu variaţia regiunii de golire bazǎ-colector. Cu cât tensiunea negativǎ VBC

Doris Csipkes 7
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS ŞI BIPOLARE

este mai mare, cu atât regiunea de golire este mai latǎ, iar lǎţimea bazei scade.
Acest fenomen se numeşte efect Early. Ecuaţia (1.1) se poate rescrie pentru
a considera şi efectul Early. Factorul de corecţie este invers proporţional cu

e
tensiunea Early VEA şi direct proporţional cu tensiunea colector-emitor.

gic
vBE
 
vCE
iC = IS · e VT
· 1+ (1.2)
VEA

alo
Observaţie: tensiunea Early se poate exprima ca fiind variaţia relativǎ a
lǎţimii bazei cu tensiunea colector-emitor.

An
1.1.4 Modelul de semnal mare al tranzistorului
bipolar ı̂n saturaţie
e
În regim saturat ambele joncţiuni sunt polarizate direct. Astfel, atât emito-
at
rul cât şi colectorul injecteazǎ sarcini ı̂n bazǎ, iar curentul nu se mai conformeazǎ
ecuaţiei iC = βiB . Tipic, curentul de bazǎ creşte, condiţia de saturaţie fiind
gr

iC ≤ βiB (1.3)
te

În practicǎ, pentru a evita saturaţia nedoritǎ a tranzistoarelor bipolare, punctul


In

static de funcţionare se alege astfel ı̂ncât VBE < VCE .

1.1.5 Modelul de semnal mic al tranzistorului


ite

bipolar ı̂n RAN


Modelul de semnal mic se obţine din modelul de semnal mare considerând
rcu

variaţii infinitezimale ale tensiunilor şi curenţilor ı̂n jurul punctului static de
funcţionare ales.
Ci

Observaţie: Modelul de semnal mic este un model inerent liniar datoritǎ


faptului cǎ variaţiile de semnal sunt infinitezimale ı̂n jurul punctului static
de funcţionare.

Modelul de semnal mic este dat ı̂n Figura 1.7.

8 Doris Csipkes
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS ŞI BIPOLARE

B C
iB iC
vBE rBE gmvBE rCE vCE

e
gic
E E

Figura 1.7: Modelul de semnal mic al tranzistorului bipolar ı̂n RAN

alo
Parametrii de semnal mic sunt rezistenţa bazǎ-emitor (rBE ), rezistenţa
colector-emitor (rCE ) şi transconductanţa de semnal mic (gm ).

An
Rezistenţa colector-emitor
e
Definiţie: rezistenţa colector emitor se defineşte ca variaţia tensiunii
at
colector-emitor cauzatǎ de variaţia infinitezimalǎ a curentului de colec-
tor.
gr

Expresia rezistenţei colector-emitor este:


te

∂vCE 1 1 ∼ VEA
rCE = = = vBE = (1.4)
∂iC ∂iC IS iC
In

· e VT
∂vCE VEA

Ordinul tipic de mǎrime al rezistenţei colector-emitor este de sute de kΩ.


ite

Transconductanţa de semnal mic


rcu

Definiţie: transconductanţa de semnal mic se defineşte ca variaţia curen-


tului de colector cauzatǎ de o variaţie infinitezimalǎ a tensiunii bazǎ-
emitor.
Ci

Expresia transconductanţei de semnal mic este:

vBE
 
∂iC vCE 1 iC
gm = = IS · e VT · 1 + · = (1.5)
∂vBE VT VT VT

Doris Csipkes 9
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS ŞI BIPOLARE

Ordinul tipic de mǎrime a transconductanţei este de mS.

Rezistenţa bazǎ-emitor

e
gic
Definiţie: rezistenţa bazǎ-emitor se defineşte ca variaţia tensiunii bazǎ-
emitor cauzatǎ de variaţia infinitezimalǎ a curentului de bazǎ.

alo
Expresia rezistenţei bazǎ-emitor este:

∂vBE 1 1 β
rBE = = = = (1.6)

An
∂iB ∂iB 1 ∂iC gm
·
∂vBE β ∂vBE

Ordinul tipic de mǎrime a rezistenţei bazǎ-emitor este de sute de kΩ.


e
1.1.6 Caracteristica de ieşire
at
Caracteristica de ieşire, datǎ ı̂n Figura 1.8, descrie dependenţa dintre tensiu-
nea colector-emitor şi curentul de colector. Caracteristica de ieşire este o
gr

familie de curbe corespunzǎtoare diferitelor valori ale tensiunii VBE . Panta


caracteristicii ı̂n RAN este conductanţa colector-emitor (1/rCE ).
te

iC
In

SAT RAN
ite

iC_PSF ¶i C
¶v CE vBE
rcu
Ci

VEA 0 vCE_PSF vCE


Figura 1.8: Caracteristica de ieşire a tranzistorului NPN

10 Doris Csipkes
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS ŞI BIPOLARE

1.1.7 Caracteristica de transfer


Caracteristica de transfer descrie dependenţa curentului de colector de ten-
siunea bazǎ-emitor. Aceastǎ dependenţǎ, prezentatǎ ı̂n Figura 1.9, este o

e
exponenţialǎ rapid crescǎtoare. Panta caracteristicii, mǎsuratǎ ı̂n jurul punc-

gic
tului static de funcţionare, reprezintǎ transconductanţa de semnal mic (gm ).

iC

alo
An
iC_PSF ¶i C
¶v BE
e
at
0 vBE_PSF vBE
gr

Figura 1.9: Caracteristica de transfer a tranzistorului NPN


te
In

1.1.8 Modelul de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ


ite

Modelul de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ caracterizeazǎ comportamentul ı̂n


frecvenţǎ al tranzistorului. Dependenţa de frecvenţa a parametrilor este datǎ
de capacitǎţile parazite ale dispozitivului. Modelul este prezentat ı̂n Figura
rcu

1.10.

În acest model rB , rC şi rE sunt rezistenţele echivalente ale terminale-


lor, iar CBE , CBC şi CCS sunt capacitǎţile asociate cu joncţiunile bazǎ-
Ci

emitor, bazǎ-colector şi colector-substrat. Toate capacitǎţile parazite sunt de


tip joncţiune (eng. ”depletion”). Ele se datoreazǎ regiunilor de golire (aces-
tea acţioneazǎ ca izolatoare fǎrǎ sarcini mobile) dintre regiunile p şi n din
structura dispozitivului.

Doris Csipkes 11
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS ŞI BIPOLARE

B rB iB CBC iC rC C
CBE rBE gmvBE rCE CCS

e
gic
Substrat

rE

alo
E

An
Figura 1.10: Modelul de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ al tranzistorului
bipolar

Expresia tipicǎ a unei capacitǎţi de golire depinde de tensiunea aplicatǎ


e
joncţiunii, de potenţialul intrinsec al joncţiunii nepolarizate precum şi de
at
concentraţia purtǎtorilor din regiunile p şi n. De exemplu, capacitatea bazǎ-
colector se scrie:
gr

CBC0
CBC = r (1.7)
te

VBC
1−
ΦintrinsecBC
In

Capacitatea bazǎ-emitor mai are o componentǎ datoratǎ tensiunii create de


difuzia sarcinilor din emitor spre bazǎ. Aceastǎ componentǎ depinde de
lǎţimea bazei, de constanta de difuzie a electronilor ı̂n siliciu şi de transconduc-
ite

tanţa de semnal mic a tranzistorului.


rcu

1.2 Tranzistorul MOS cu canal indus


1.2.1 Generalitǎţi
Ci

Tranzistoarele MOS sunt dispozitive cu 4 terminale, comandate ı̂n tensiune.


Simbolurile tipice sunt prezentate ı̂n Figura 1.11.

Structura tranzistoarelor MOS cu canal n şi canal p este datǎ ı̂n Figura 1.12.
Acest exemplu de structurǎ este valid numai pentru un proces de fabricaţie

12 Doris Csipkes
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS ŞI BIPOLARE

de tip n-well cu substrat de tip p slab dopat. Din figurǎ trebuie remarcatǎ
şi semnificaţia parametrilor geometrici W şi L ai tranzistorului. Dispozitivele
individuale sunt izolate unul de celǎlalt prin implanturi speciale de izolator.

e
gic
D S
sau
G B G B

alo
S D

An
NMOS PMOS NMOS PMOS

Figura 1.11: Simbolurile frecvent utilizate pentru tranzistoarele MOS


e
at
L L
polisiliciu
gr

W W

G G
B S D S D B
te

ISO n+ ISO p+ p+ ISO n+ n+ ISO p+ ISO


SiO2 SiO2
In

n-well

substrat p-
PMOS NMOS
ite

Figura 1.12: Secţiunea tranzistoarelor MOS


rcu
Ci

Observaţie: din Figura 1.12 se observǎ cǎ tranzistorul PMOS este plasat
ı̂ntr-o regiune specialǎ (n-well) menitǎ sǎ elimine un scurt circuit ı̂ntre drenǎ
şi sursǎ prin substrat. Ca regulǎ generalǎ, tranzistoarele cu canalul de acelaşi
tip cu substratul sunt poziţionate ı̂ntotdeauna pe o regiune implantatǎ cu
dopant complementar.

Doris Csipkes 13
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS ŞI BIPOLARE

1.2.2 Funcţionarea tranzistoarelor MOS


Funcţionarea tranzistoarelor MOS este determinatǎ de structura fizicǎ a dispo-
zitivelor. Deoarece funcţionarea tranzistoarelor PMOS este similarǎ cu a celor

e
NMOS (dacǎ toate tensiunile se considerǎ ı̂n modul) ı̂n continuare se discutǎ

gic
numai tranzistorul cu canal n.

Secţiunea unui tranzistor NMOS nepolarizat este prezentatǎ ı̂n Figura 1.13.

alo
An
G
S D

n+ n+
e
regiuni de golire
at
substrat p-
gr

Figura 1.13: Secţiunea unui tranzistor NMOS nepolarizat


te

La joncţiunea dintre materialele de tip n (drenǎ sau sursǎ) şi p (substrat) se


formeazǎ regiuni de golire a cǎror lǎţime depinde de concentraţia de atomi
In

donori şi acceptori.

Regiunea de sub grilǎ ramâne de tip p− , iar curentul prin dispozitiv este zero.
ite

Dacǎ grila este polarizatǎ cu un potenţial pozitiv faţǎ de sursǎ, atunci elec-
tronii minoritari din substratul p− vor fi atraşi spre grilǎ. Atât timp cât
rcu

tensiunea VGS este mai micǎ decât o tensiune de prag VT h , recombinarea aces-
tor electroni cu golurile din regiunea imediat adiacentǎ oxidului de grilǎ duce la
extinderea regiunilor de golire dintre drenǎ, sursǎ şi substrat. Procesul este
ilustrat ı̂n Figura 1.14.
Ci

Dacǎ tensiunea grilǎ-sursǎ depǎşeşte tensiunea de prag, concentraţia de


electroni sub grilǎ duce la apariţia temporarǎ a unei regiuni de inversie (numitǎ
ı̂n continuare canal). Canalul se menţine atâta timp cât VGS > VT h (Figura
1.15).

14 Doris Csipkes
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS ŞI BIPOLARE

VGS<VTh

G
S D

e
n+ n+

gic
alo
e e
e e
e e substrat p-

An
Figura 1.14: Extinderea regiunilor de golire sub grilǎ

e
at
VGS>VTh
gr

G
S D
te

n+ n+
In

canal
substrat p-
ite

Figura 1.15: Formarea canalului pentru VGS > VT h


rcu
Ci

Observaţie: spre deosebire de tranzistoarele bipolare, aici conducţia se da-


toreazǎ purtǎtorilor majoritari (regiune complet inversatǎ). Deasemenea,
este important de remarcat cǎ dispozitivul are o structurǎ perfect simetricǎ.
Drept urmare, din punct de vedere teoretic, este indiferent care terminal se
considerǎ drenǎ şi care sursǎ.

Doris Csipkes 15
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS ŞI BIPOLARE

Funcţionarea ı̂n regim liniar

Canalul odatǎ format, este necesarǎ aplicarea unei tensiuni ı̂ntre drenǎ şi

e
sursǎ pentru a accelera electronii şi a aduce tranzistorul ı̂n conducţie. Odatǎ
cu creşterea tensiunii VDS (presupunem VDS > 0) joncţiunea substrat-drenǎ

gic
este invers polarizatǎ, iar regiunea de golire din jurul drenei se lǎrgeşte
cauzând o ı̂ngustare a canalului de partea drenei. Fenomenul este prezentat
ı̂n Figura 1.16.

alo
VGS>VTh 0<VDS<VDSsat

An
G
S D

n+ n+
e
at
canal îngustat
gr

substrat p-
te

Figura 1.16: Îngustarea canalului datoritǎ tensiunii VDS


In

În regim liniar (eng. ”triode” sau ”weak inversion”) canalul formeazǎ un
contact ohmic ı̂ntre drenǎ şi sursǎ. Astfel tranzistorul se va comporta ca o
rezistenţǎ a cǎrei valoare este controlatǎ de tensiunea VGS . Condiţia de
ite

funcţionare ı̂n regim liniar este ca 0 < VDS < VDSsat .


rcu

Funcţionarea ı̂n regim saturat

În regim saturat tensiunea VDS depǎşeşte tensiunea VDSsat . Regiunea de


golire din jurul drenei se lǎrgeşte mai mult decât adâncimea canalului. Astfel
Ci

contactul ohmic al drenei cu canalul dispare, fiind ı̂nlocuit de o regiune de golire


numitǎ regiune de ”pinch-off” ca ı̂n Figura 1.17.

Datoritǎ pierderii contactului ohmic ı̂ntre drenǎ şi sursǎ curentul prin dispozitiv
nu mai depinde de tensiunea drenǎ-sursǎ, ci numai de concentraţia de

16 Doris Csipkes
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS ŞI BIPOLARE

sarcini din sursǎ-canal, adicǎ de VGS . Electronii acceleraţi de VDS trec de


bariera de potenţial fiind apoi eliminaţi din dispozitiv prin terminalul drenei.

e
VGS>VTh

gic
VDS>VDSsat
G
S D

alo
n+ n+

An
regiune "pinch-off"
substrat p-
Figura 1.17: Regiunea de golire eliminǎ contactul ohmic al drenei cu ca-
e
nalul
at
Regimurile de funcţionare se pot da conform Tabelului 1.1 in funcţie de tensiu-
nile aplicate la terminale.
gr

Regiune VGS VDS Canal


te

blocare < VT h nu conteazǎ nu


liniar > VT h 0 < VDS < VDSsat da
In

saturat > VT h > VDSsat da, pinch-off

Tabelul 1.1: Regimurile de funcţionare ale tranzistoarelor MOS


ite

1.2.3 Modelul de semnal mare al tranzistorului MOS


rcu

Ecuaţiile specifice modelului de semnal mare se obţin calculând gradientul de


variaţie a sarcinii ı̂n canal ı̂n diferite regimuri de funcţionare. Cea mai generalǎ
ecuaţie a curentului de drenǎ se obţine pentru polarizarea ı̂n regim liniar. Aici
Ci

tranzistorul se comportǎ ca o rezistenţǎ controlatǎ ı̂n tensiune.

 2 
VDS
µCox W
ID = (VGS − VT h ) VDS − , 0 < VDS < VDSsat (1.8)
L 2

Doris Csipkes 17
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS ŞI BIPOLARE

Mǎrimile din aceastǎ ecuaţie au urmǎtoarele semnificaţii:

- µ - mobilitatea purtǎtorilor de sarcinǎ (electroni sau goluri);

e
- Cox - capacitatea specificǎ a oxidului de sub grilǎ;

gic
- W/L - raportul lǎţime/lungime al canalului.

Se observǎ cǎ variaţia curentului cu tensiunea drenǎ-sursǎ este parabolicǎ.

alo
Acest lucru ı̂nseamnǎ cǎ valoarea curentului prin tranzistor va creşte pǎtratic
cu VDS pânǎ la o valoare maximǎ, dupǎ care ar avea o tendinţǎ de scǎdere.
Intuitiv, curentul va creşte conform ecuaţiei (1.8) atâta timp cât contactul
ohmic dintre drenǎ şi canal persistǎ, adicǎ pânǎ la apariţia regiunii ”pinch-off”.

An
Observaţie: valoarea maximǎ a curentului ı̂n regim liniar pentru un VGS
dat se determinǎ calculând derivata curentului ı̂n funcţie de VDS şi apoi
e
egalând derivata cu zero (metoda clasicǎ de calcul ale punctelor de infle-
at
xiune).
gr

Prin calcule se demonstreazǎ cǎ valoarea curentului maxim se obţine pentru


te

VDS = VGS − VT h = VDSsat (1.9)


In

Aceastǎ ecuaţie aratǎ cǎ regiunea ”pinch-off” apare dacǎ VDS depǎşeşte dife-
renţa dintre tensiunea grilǎ-sursǎ şi tensiunea de prag. Astfel, (VGS −VT h )
se identificǎ cu VDSsat . Aceastǎ tensiune este adesea numitǎ şi tensiune de
”overdrive” (notatǎ ı̂n continuare cu Vod ).
ite

Dacǎ VDS > Vod curentul ı̂şi pǎstreazǎ valoarea maximǎ atinsǎ ı̂n regim
liniar pentru un VGS dat, iar tranzistorul se satureazǎ. Termenul saturaţie se
rcu

referǎ la faptul cǎ valoarea curentului este constantǎ indiferent de VDS . În
consecinţǎ valoarea constantǎ a curentului se obţine substituind VDS cu Vod ı̂n
ecuaţia (1.8).
Ci

I = µCox W V 2

D od
2L (1.10)
VDS > VDSsat

18 Doris Csipkes
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS ŞI BIPOLARE

Aceastǎ ecuaţie presupune cǎ lungimea canalului se menţine constantǎ indi-


ferent de VDS . În realitate ı̂nsǎ lungimea regiunii ”pinch off” creşte cu
VDS (modulaţia regiunilor de golire), iar lungimea efectivǎ a canalului se

e
micşoreazǎ. Astfel, curentul de drenǎ va avea o dependenţǎ slabǎ de VDS .
Expresia curentului de drenǎ trebuie corectatǎ ı̂n mod similar ca la tranzistoa-

gic
rele bipolare. Considerând gradientul de variaţie a lungimii canalului cu VDS se
introduce coeficientul de variaţie a lungimii canalului λ.

alo
µCox W 2
ID = · Vod · (1 + λVDS ) (1.11)
2L

An
Figura 1.18 aratǎ variaţia curentului de drenǎ cu VDS pentru regimul liniar şi
cel saturat (caracteristica de ieşire a dispozitivului).

ID
e
Liniar Saturaþie
at
VGS
gr
te
In

0
VDS
ite

Figura 1.18: Variaţia curentului de drenǎ cu VDS


rcu

Observaţie: curentul de drenǎ variazǎ cu tensiunea substrat-sursǎ, chiar


Ci

dacǎ VGS este o valoare constantǎ. Acest lucru se datoreazǎ variaţiei ten-
siunii de prag VT h cu VBS conform ecuaţiei (1.12).

q q
VT h (VBS ) = VT h0 + γ 2 |Φf | + |VBS | − γ 2 |Φf | (1.12)

Doris Csipkes 19
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS ŞI BIPOLARE

Mǎrimile au urmǎtoarele semnificaţii:

- γ - parametrul de prag al substratului;

e
- VT h0 - tensiunea de prag a tranzistorului pentru VBS = 0;

gic
- Φf - potenţialul intrinsec al joncţiunii sursǎ-substrat.

1.2.4 Modelul de semnal mic al tranzistorului MOS

alo
ı̂n saturaţie
Modelul de semnal mic al tranzistorului MOS este similar cu modelul tranzisto-

An
rului bipolar polarizat ı̂n RAN. O diferenţǎ este rezistenţa grilǎ-sursǎ infinitǎ,
datoratǎ izolatorului de sub grilǎ. O altǎ diferenţǎ este contribuţia joncţiunii
substrat-sursǎ la fenomenul de conducţie. Modelul este prezentat ı̂n Figura
1.19. e
G D
at
iD
gr

vGS gmbvBS gmvGS rDS vDS


te

S S
In

Figura 1.19: Modelul de semnal mic al tranzistorului MOS saturat


ite

Parametrii de semnal mic sunt transconductanţa (gm ), transconductanţa


sursǎ-substrat (gmb ) şi rezistenţa drenǎ-sursǎ (rDS ).
rcu

Transconductanţa de semnal mic


Ci

Definiţie: transconductanţa este variaţia curentului de drenǎ cauzatǎ de


o variaţie infinitezimalǎ a tensiunii grilǎ-sursǎ ı̂n jurul punctului static de
funcţionare.

Expresia transconductanţei se scrie:

20 Doris Csipkes
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS ŞI BIPOLARE

r
∂iD µCox W 2iD ∼ 2µCox W iD
gm = = vod (1 + λvDS ) = = (1.13)
∂vGS L vod L

e
Valoarea tipicǎ a transconductanţei este de sute de µS, de 3-4 ori mai micǎ

gic
decât a tranzistoarelor bipolare la acelaşi curent.

Transconductanţa sursǎ-substrat

alo
Definiţie: transconductanţa sursǎ-substrat se defineşte ca variaţia curen-
tului de drenǎ cauzatǎ de o variaţie infinitezimalǎ a tensiunii substrat-

An
sursǎ.

Expresia transconductanţei sursǎ-substrat este:


e
∂iD ∂iD ∂VT h ∂VT h γ
at
gmb = = · = gm = gm · p (1.14)
∂vBS ∂VT h ∂vBS ∂vBS 2 |vBS | + 2 |Φf |
gr

Datoritǎ factorului γ, tensiunii substrat-sursǎ şi potenţialului intrinsec, valoarea


tipicǎ a transconductanţei sursǎ-substrat este cu un ordin de mǎrime mai
te

micǎ decât cea a transconductanţei de semnal mic.

Rezistenţa drenǎ-sursǎ
In

Definiţie: rezistenţa drenǎ-sursǎ se defineşte ca variaţia tensiunii drenǎ-


ite

sursǎ cauzatǎ de variaţia infinitezimalǎ a curentului de drenǎ ı̂n jurul


punctului static de funcţionare.
rcu

Expresia rezistenţei drenǎ-sursǎ se calculeazǎ ca ı̂n ecuaţia (1.15):

 
 
∂vDS 1  = 1 + λvDS ∼ 1
Ci


rDS = = = (1.15)
∂iD sat
 ∂iD  λiD λiD
∂vDS sat

Valoarea tipicǎ a rezistenţei drenǎ-sursǎ este de sute de kΩ, dar tinde sǎ fie
mai redusǎ decât rezistenţa colector-emitor a tranzistorului bipolar.

Doris Csipkes 21
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS ŞI BIPOLARE

1.2.5 Polarizarea substratului şi efectul ”latch-up”


Regiunile dopate ale douǎ tranzistoare adiacente, unul NMOS şi celǎlalt
PMOS, formeazǎ elementele parazite Rn , Rp , Q1 şi Q2 din Figura 1.20.

e
gic
Gp Gn

alo
Bp Sp Dp Sn Dn Bn
ISO n+ ISO p+ p+ ISO n+ n+ ISO p+ ISO

Q2

An
Rn Q1 Rp
n-well
PMOS NMOS substrat p-
e
Figura 1.20: Elementele parazite ale structurii complementare
at
Tranzistorul PNP Q1 are terminalele conectate dupǎ cum urmeazǎ: baza la Bp ,
gr

emitorul la Sp şi colectorul la Bn . În mod similar, Q2 , de tip NPN, are baza
conectatǎ la Bn , emitorul la Sn şi colectorul la Bp . Structura echivalentǎ cu
te

conexiuni este datǎ ı̂n Figura 1.21.

Rezistenţele ı̂mpreunǎ cu tranzistoarele bipolare PNP şi NPN sunt conectate


In

ı̂ntr-o structurǎ de reacţie pozitivǎ. O perturbaţie aplicatǎ la una din bazele


tranzistoarelor poate aduce structura ı̂n conducţie. În acest caz circuitul ajunge
rapid la echilibru, pǎstrând starea de conducţie pânǎ când tensiunea dintre
ite

nodurile Sp şi Sn este redusǎ la zero. Acest fenomen se numeşte ”agǎţare”


sau ”latch-up”.
rcu

Pentru a evita agǎţarea elementelor parazite ı̂n starea de conducţie se impune


blocarea explicitǎ a tranzistoarelor bipolare parazite. Pentru aceasta trebuie sǎ
asigurǎm o tensiune de bazǎ corespunzǎtoare ambelor tranzistoare. Un tran-
Ci

zistor bipolar NPN este blocat dacǎ potenţialul bazei este mai mic sau egal cu
potenţialul emitorului. Drept urmare, nodul Bn se conecteazǎ ı̂n totdeauna
la cel mai mic potenţial din circuit (alimentarea negativǎ). Un raţionament
asemǎnǎtor duce la concluzia cǎ nodul Bp trebuie conectat la cel mai ı̂nalt
potenţial din circuit (alimentarea pozitivǎ).

22 Doris Csipkes
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS ŞI BIPOLARE

Bp
Rn Q2

e
Sn
reactie

gic
pozitiva Rp
Sp Q1

alo
Bn
Figura 1.21: Structura parazitǎ echivalentǎ a tranzistoarelor complemen-

An
tare adiacente

1.2.6 Modelul de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ


e
Modelul de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ cuprinde capacitǎţile parazite şi
rezistenţele echivalente ale terminalelor. Dintre aceste elemente cele mai
at
importante sunt capacitǎţile parazite introduse de structura fizicǎ a tranzis-
toarelor. Figura 1.22 aratǎ distribuţia capacitǎţilor parazite.
gr

- COLS , COLD - capacitǎţi formate din suprapunerea unei porţiuni din


contactul grilei cu regiunea sursei şi a drenei (eng. ”overlap capacitan-
te

ces”);
In

- CjBS , CjBD , CjCh - capacitati de tip golire/joncţiune (eng. ”deple-


tion”/”junction capacitances”) formate de contactul dintre douǎ regiuni
adiacente dopate complementar;
ite

- CCh - capacitatea canalului care are o naturǎ similarǎ cu capacitǎţile


de suprapunere.
rcu

Capacitǎţi de joncţiune
Ci

Expresia capacitǎţilor de joncţiune este similarǎ cu cea din ecuaţia (1.7).

CBS0 CBD0
CjBS = r ; CjBD = r (1.16)
VBS VBD
1− 1−
Φ0BS Φ0BD

Doris Csipkes 23
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS ŞI BIPOLARE

S COLS CCh COLD D

e
gic
CjBCh
CjBS CjBD
L

alo
LOL LOL B

An
Figura 1.22: Capacitǎţile parazite specifice structurii NMOS

Capacitǎţi de suprapunere
e
at
Aceste capacitǎţi sunt de tip planar. Prin urmare, expresia lor se scrie ca un
produs ı̂ntre o capacitate specificǎ (acelaşi Cox ca ı̂n expresia curentului) şi
gr

aria de suprapunere a grilei cu sursa, respectiv cu drena.


te

COLS = COLD ∼
= W · LOL · Cox = CGS0 · LOL = CGD0 · LOL (1.17)
In

În ecuaţia de mai sus s-a considerat cǎ regiunile de suprapunere a grilei cu drena
şi cu sursa au aceeaşi arie.
ite

Capacitatea canalului

Capacitatea canalului este tot o capacitate planarǎ, formatǎ prin suprapunerea


rcu

grilei cu canalul. Drept urmare, expresia sa este similarǎ cu cea din ecuaţia
(1.17).

CCh = W · (L − 2LOL ) · Cox (1.18)


Ci

Fiecare dintre aceste capacitǎţi contribuie la capacitǎţile parazite totale dintre


terminale, ı̂n funcţie de regimul de funcţionare al tranzistorului. Tabelul
1.2 aratǎ contribuţia fiecǎrei capacitǎţi ı̂n diferitele regimuri de funcţionare.
Lungimea efectivǎ a canalului se defineşte ca fiind Lef = L − LOL .

24 Doris Csipkes
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS ŞI BIPOLARE

Blocare Liniar Saturaţie

CGD W LOL Cox W LOL Cox + W LOL Cox


1

e
+ W Lef Cox
2

gic
CGS W LOL Cox W LOL Cox + W LOL Cox +
1 2
+ W Lef Cox + W Lef Cox
2 3

alo
CGB CGB0 + CGB0 CGB0
+W Lef Cox

An
1 2
CSB CjSB CjSB + CjBCh CjSB + CjBCh
2 3
1
CDB CjDB CjDB + CjBCh CjDB
2
e
at
Tabelul 1.2: Contribuţia capacitǎţilor parazite ı̂n diferite regimuri de
gr

funcţionare
te

1.3 Sumar
In

În aceastǎ secţiune s-au studiat tranzistoarele bipolare şi tranzistoarele MOS.
Pentru fiecare dispozitiv au fost discutate urmǎtoarele aspecte:
ite

• structura fizicǎ simplificatǎ;


rcu

• probleme de polarizare generale ( adiţional efectul ”latch-up” la MOS);

• modelul de semnal mare şi ecuaţiile de funcţionare;

• caracteristicile de ieşire şi de transfer;


Ci

• modelul de semnal mic şi parametrii specifici;

• modelul de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ;

• capacitǎţile parazite.

Doris Csipkes 25
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS ŞI BIPOLARE

Bibliografie

e
1. Lelia Feştilǎ - Circuite integrate analogice I, Casa Cǎrţii de Ştiinţǎ, 1997;

gic
2. Lelia Feştilǎ - Circuite integrate analogice II, Casa Cǎrţii de Ştiinţǎ, 1999;

3. Doris Csipkes, Gabor Csipkes - Fundamental analog circuits. Practical

alo
simulation exercises, UTPres, 2004;

4. P.E. Allen, D. Holberg - CMOS analog circuit design, Oxford University

An
Press, 1987

5. B. VanZeghbroeck - Principles of Semiconductor Devices, online book


2004, http://ece-www.colorado.edu/ bart/book/.
e
at
gr
te
In
ite
rcu
Ci

26 Doris Csipkes
e
gic
Capitolul 2

alo
Surse de curent

An
Sursele de curent joacǎ un rol important ı̂n polarizarea circuitelor electronice.
În mod ideal ele furnizeazǎ un curent independent de tensiunea de la borne.
e
Parametrii specifici implementǎrii electronice:
at
- rezistenţa de ieşire - trebuie sǎ fie cât mai mare pentru a se apropia de
gr

sursele de curent ideale;

- tensiunea minimǎ la ieşire - trebuie sǎ fie cât mai micǎ pentru a permite
te

funcţionarea la tensiuni de alimentare joase.


In

2.1 Sursa simplǎ de curent cu un singur tranzistor


Figura 2.1 prezintǎ sursa de curent cu un tranzistor ı̂n varianta MOS şi bipolarǎ.
ite

Tensiunile de comandǎ sunt aplicate ı̂n grila, respectiv ı̂n baza tranzistoarelor.
rcu

Iout Iout Iout


M1 Q1
Ci

VG VB

Figura 2.1: Sursa de curent simplǎ cu un tranzistor


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 2. SURSE DE CURENT

Observaţie: orice tranzistor poate fi considerat sursǎ de curent contro-


latǎ ı̂n tensiune dacǎ este polarizat ı̂n regiunea activǎ normalǎ (bipolar)
sau ı̂n regim saturat (MOS).

e
gic
Datoritǎ rǎspândirii pe scarǎ mai largǎ a tehnologiilor CMOS şi BiCMOS, ı̂n
aceastǎ secţiune se vor discuta numai sursele de curent ı̂n varianta MOS.

alo
Ecuaţia (2.1) defineşte condiţia de saturaţie pentru un tranzistor MOS.

VDS ≥ Vod ⇒ VDSmin = Vod (2.1)

An
Aceastǎ ecuaţie defineşte implicit şi tensiunea minimǎ admisǎ la ieşire şi
anume Voutm in = VDSmin . e
Caracteristica de ieşire a sursei simple de curent este datǎ ı̂n Figura 2.2.
at
Iout
gr

150uA
te

real PSF
100uA
In

ideal
ite

50uA
rcu

Vout_min
0A Vout
0V 0. 5V 1. 0V 1. 5V 2. 0V
I D( M1)
Ci

V_V1
Figura 2.2: Caracteristica de ieşire a sursei de curent cu un tranzistor

Din figurǎ se observǎ cǎ valoarea curentului depinde slab de tensiunea de


ieşire. Acest lucru conduce la ideea cǎ sursa implementatǎ de tranzistor nu

28 Doris Csipkes
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 2. SURSE DE CURENT

este idealǎ, ci are rezistenţa de ieşire finitǎ. Valoarea lui Rout se poate
determina mǎsurând panta caracteristicii ı̂n regim saturat ı̂n jurul PSF.

e
Se poate demonstra cǎ rezistenţa de ieşire este egalǎ cu rezistenţa drenǎ-sursǎ a
tranzistorului. Pentru demonstraţie se considerǎ modelul echivalent de semnal

gic
mic al tranzistorului din Figura 2.3.

alo
Iout

gmVGS gmbVBS rDS

An
Vout

e
at
Figura 2.3: Schema echivalentǎ de semnal mic a sursei de curent cu un
tranzistor
gr

Rezistenţa de ieşire se scrie:


te

Vout (Iout − gm VGS − gmb VBS ) · rDS


Rout = = (2.2)
In

Iout Iout

La construcţia modelului echivalent de semnal mic se pasivizeazǎ toate sursele


ite

constante din circuit. Astfel toate sursele de curent devin ı̂ntrerupere, iar toate
sursele de tensiune devin scurt circuit la masǎ. Din acest motiv atât VGS cât
şi VBS sunt egale cu zero. Rezistenţa de ieşire devine:
rcu

Vout
Rout = = rDS (2.3)
Iout
Ci

Ordinul tipic de mǎrime al rezistenţei drenǎ-sursǎ a fost precizat la secţiunea


de tranzistoare MOS, aceasta fiind de o sutǎ de kΩ. Acest lucru ı̂nseamnǎ
cǎ o variaţie de tensiune de 1V la bornele sursei (VDS ) va produce o variaţie
de 10µA. De multe ori aceastǎ variaţie este consideratǎ prea mare. Astfel este
necesarǎ gǎsirea unei metode de a mǎri rezistenţa de ieşire a sursei.

Doris Csipkes 29
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 2. SURSE DE CURENT

2.2 Sursa de curent cu un singur tranzistor şi de-


generare rezistivǎ

e
O metodǎ de a mǎri rezistenţa de ieşire a sursei simple cu un tranzistor este
conectarea ı̂ntre terminalul sursei şi masǎ a unei rezistenţe ca ı̂n Figura 2.4.

gic
Iout

alo
Iout
M1 gmVGS gmbVBS rDS
VG

An
VB

Iout Vout
R
e R
at
gr

Figura 2.4: Schema şi modelul de semnal mic al sursei degenerate rezistiv
te

Rezistenţa de ieşire se calculeazǎ ı̂n mod similar ca pentru sursa farǎ degene-
In

rare.

Vout (Iout − gm VGS − gmb VBS ) · rDS + Iout R


Rout = = (2.4)
Iout Iout
ite

Observaţie: De aceastǎ datǎ, deşi grila şi terminalul de substrat ale tranzis-
rcu

torului sunt conectate la masǎ ı̂n modelul de semnal mic, terminalul sursei
este un nod flotant. Din acest motiv tensiunile VGS şi VBS sunt diferite de
zero şi pot fi exprimate ca diferenţe de potenţial.
Ci


VGS = VG − VS = −VS = −Iout R
(2.5)
VBS = VB − VS = −VS = −Iout R

30 Doris Csipkes
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 2. SURSE DE CURENT

Din ecuaţiile (2.4) şi (2.5) rezultǎ:

Rout = rDS + R + (gm + gmb ) rDS R (2.6)

e
Deoarece gmb este tipic cu un ordin de mǎrime mai mic decât gm , rezistenţa de

gic
ieşire se aproximeazǎ:

alo
Rout ∼
= rDS + R + gm rDS R ∼
= gm rDS R (2.7)

În afarǎ de modul de calcul al rezistenţei de ieşire bazat pe schema de semnal

An
mic, mai existǎ un mod intuitiv de abordare a problemei care duce la acelaşi
rezultat aproximativ (ca ı̂n ecuaţia (2.7)).

Aceastǎ metodǎ de analizǎ se bazeazǎ pe identificarea unei reacţii negative de


tip serie-serie care mǎreste rezistenţa de ieşire a amplificatorului de pe calea
e
directǎ de semnal cu un factor egal cu câştigul buclei.
at
Din analiza sursei de curent se observǎ cǎ mǎrimea de ieşire este chiar curentul
gr

Iout . Mǎrimea de intrare este consideratǎ potenţialul de comandǎ din grila


tranzistorului. Astfel amplificatorul de pe calea directǎ de semnal este de tip
transconductanţǎ, câştigul acestuia fiind egal cu transconductanţa de semnal
te

mic a tranzistorului. Curentul de ieşire este mǎsurat ı̂n serie şi transformat ı̂n
tensiune cu un factor de reacţie egal cu R. Din schemǎ mai rezultǎ cǎ aceastǎ
In

cǎdere de tensiune pe R se scade din tensiunea de intrare, astfel bucla de reacţie


negativǎ fiind ı̂nchisǎ.
ite

rDS
VGS gm
rcu

VG Iout Rout
VR
Ci

Figura 2.5: Bucla de reacţie negativǎ serie-serie

Doris Csipkes 31
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 2. SURSE DE CURENT

Observaţie: reacţia este serie-serie deoarece la intrare tensiunile se


ı̂nsumeazǎ serie, iar la ieşire curentul se mǎsoarǎ tot serie.

e
Rezistenţa de ieşire a amplificatorului transconductanţǎ de pe calea directǎ

gic
este rezistenţa rDS a tranzistorului, dupǎ cum s-a arǎtat la sursa simplǎ fǎrǎ
degenerare. Reacţia negativǎ mǎreşte rezistenţa de ieşire ı̂n buclǎ ı̂nchisǎ cu
un factor egal cu câştigul buclei, adica cu gm · R. Astfel se ajunge la aceeaşi

alo
aproximare a rezistenţei de ieşire ca ı̂n ecuaţia (2.7).

Tensiunea minimǎ admisǎ la ieşire necesarǎ tranzistorului pentru a funcţiona ı̂n


regim saturat este:

An
Voutmin = VDSmin + RIout (2.8)

Ca exemplu, vom calcula câteva valori pentru Rout şi Voutmin corespunzǎtoare
e
sursei de curent cu degenerare rezistivǎ, ştiind cǎ tranzistorul are rDS = 100kΩ,
at
gm = 1mS şi Vod = 200mV , pentru diferite valori ale rezistentei R.

Ştiind valoarea transconductanţei şi a tensiunii de overdrive se poate calcula


gr

curentul prin tranzistor ca fiind 100µA.


te

În Tabelul 2.1 sunt calculate Rout şi Voutmin pentru o rezistenţǎ de degenerare
de 1kΩ, 10kΩ şi 100kΩ.
In

R Rout Voutmin
1kΩ 201kΩ VDSmin + 0, 1V
ite

10kΩ 1, 11M Ω VDSmin + 1V


100kΩ 10, 2M Ω VDSmin + 10V
rcu

Tabelul 2.1: Rout şi Voutmin pentru diferite valori ale lui R

Observaţie: valorile din acest tabel sunt valide numai dacǎ presupunem cǎ
Ci

punctul static de funcţionare al tranzistorului este menţinut constant.


Acest lucru implicǎ o creştere a potenţialului din grilǎ pentru a compensa
cǎderea de tensiune pe rezistenţǎ. Astfel tranzistorul se va menţine saturat.
Dacǎ nu este compensatǎ cǎderea de tensiune pe R, tranzistorul va intra ı̂n
regim liniar odatǎ cu scǎderea excesivǎ a tensiunii de ieşire.

32 Doris Csipkes
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 2. SURSE DE CURENT

Din tabel se poate vedea cǎ pentru valori mari ale rezistenţei pasive se obţine
creşterea rezisţentei de ieşire, dar tensiunea minimǎ la ieşire creşte şi ea limitând
funcţionarea sursei ı̂n circuitele mai complicate cu alimentare redusǎ. Astfel

e
apare ideea de a gǎsi o structurǎ care sǎ implementeze o sursǎ de curent având
Rout mǎritǎ şi totodatǎ Voutmin sǎ se menţinǎ la valori relativ reduse. Soluţia

gic
este ı̂nlocuirea rezistenţei pasive cu un tranzistor (privit ı̂n saturaţie ca sursǎ de
curent).

alo
2.3 Sursa de curent cascodǎ
Schema şi modelul echivalent de semnal mic al sursei de curent cascodǎ sunt

An
prezentate ı̂n Figura 2.6.

Iout
e
at
gm2VGS2 gmb2VBS2 rDS2
Iout
gr

M2

VG2 VB2 Iout


te

M1
Vout
In

VG1 gm1VGS1 rDS1


ite

Figura 2.6: Sursa de curent cascodǎ şi modelul echivalent de semnal mic
rcu

corespunzǎtor

Rezistenţa de ieşire se scrie:


Ci

(Iout − gm1 VGS1 ) · rDS1


Rout = +
Iout
(Iout − gm2 VGS2 − gmb2 VBS2 ) · rDS2
+ (2.9)
Iout

Doris Csipkes 33
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 2. SURSE DE CURENT

Tensiunea VGS1 este zero datoritǎ pasivizǎrii, iar expresiile lui VGS2 şi VBS2
sunt:

e

VGS2 = VG2 − VS2 = −VS2 = −Iout rDS1

gic
(2.10)
VBS2 = VB2 − VS2 = −VS2 = −Iout rDS1

alo
Înlocuind tensiunile grilǎ-sursǎ şi substrat-sursǎ ale lui M2 ı̂n ecuaţia (2.9),
rezultǎ:

An
Rout = rDS1 + rDS2 + (gm2 + gmb2 ) rDS2 rDS1 ∼
= gm2 rDS2 rDS1 (2.11)
e
Din aceastǎ ecuaţie se poate vedea cǎ expresia lui Rout este aceeaşi ca pentru
at
sursa de curent cu degenerare rezistivǎ, cu diferenţa cǎ rezistenţa pasivǎ a fost
ı̂nlocuita̧ cu rezistenţa drenǎ-sursǎ a lui M1 . Astfel ordinul teoretic de mǎrime
al rezistenţei de ieşire este cel al MΩ -lor, pentru cazul ı̂n care tranzistoarele au
gr

rDS de o sutǎ kΩ şi gm de ordinul mS. În practicǎ aceastǎ valoare este adesea
imposibil de realizat.
te

Tensiunea minimǎ de ieşire este ı̂n acest caz:


In

Voutmin = VDSmin1 + VDSmin2 (2.12)


ite

Caracteristica de iesire a sursei de curent cascodǎ este data ı̂n Figura 2.7.
rcu

Din caracteristica de ieşire simulatǎ se observǎ o aplatizare a curbei ı̂n regiunea


corespunzǎtoare regimului de saturaţie a ambelor tranzistoarelor faţǎ de sursa
simplǎ de curent. Acest fapt indicǎ o creştere considerabilǎ a rezistenţei de
ieşire. O altǎ remarcǎ importantǎ este aceea cǎ existǎ douǎ puncte de frı̂ngere
Ci

pe caracteristicǎ, unul corespunzǎtor intrǎrii ı̂n regim liniar a lui M2 , iar celǎlalt
intrǎrii ı̂n regim liniar a lui M1 . Tensiunea minimǎ la ieşire este impusǎ de
condiţia de funcţionare ı̂n regim saturat a ambelor tranzistoare.

34 Doris Csipkes
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 2. SURSE DE CURENT

120uA
Iout

e
gic
80uA

alo
40uA

An
Vout_min
0A Vout
0V 1. 0V 2. 0V 3. 0V
I D( M2)
V_V1
Figura 2.7: Caracteristica de ieşire a sursei de curent cascodǎ
e
at
2.4 Sursa de curent cu rezistenţǎ de ieşire mǎritǎ
gr

O creştere ı̂n continuare a rezistenţei de ieşire a sursei de curent cascodǎ este


posibilǎ prin mǎrirea câştigului buclei de reacţie negativǎ. Aceasta se poate
face prin conectarea unui amplificator inversor ı̂ntre sursa şi grila tranzistorului
te

M2 .
In

VG2 Iout
gm2VGS2 gmb2VBS2 rDS2
ite

Iout
VCT +
a VG2 M2
-a
- VB2 Iout
rcu

Vout
M1
gm1VGS1 rDS1
Ci

VG1

Figura 2.8: Sursa de curent cascodǎ cu Rout maritǎ şi modelul echivalent
de semnal mic

Doris Csipkes 35
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 2. SURSE DE CURENT

Rezistenţa de ieşire se determinǎ dupǎ cum urmeazǎ:

(Iout − gm1 VGS1 ) · rDS1

e
Rout = +
Iout

gic
(Iout − gm2 VGS2 − gmb2 VBS2 ) · rDS2
+ (2.13)
Iout

alo
Tensiunea VGS1 este zero, iar expresiile lui VGS2 şi VBS2 se scriu:


VGS2 = VG2 − VS2 = −aVS2 − VS2 = − (a + 1) Iout rDS1

An
(2.14)
VBS2 = VB2 − VS2 = −VS2 = −Iout rDS1

Combinând ecuaţiile (2.13) şi (2.14) rezultǎ:


e
at
Rout = rDS1 + rDS2 + [(a + 1) gm2 + gmb2 ] rDS2 rDS1 ∼
=

= (a + 1) gm2 rDS2 rDS1 (2.15)
gr

Din expresia lui Rout se poate vedea cǎ aceasta a crescut de aproximativ a ori
te

faţǎ de sursa de curent cascodǎ. Ordinul teoretic de mǎrime este cel al zecilor de
MΩ dacǎ se ia rDS de o sutǎ kΩ, gm de ordinul mS şi câştigul amplificatorului
In

de ordinul zecilor.

Tensiunea minimǎ de ieşire este identicǎ cu cea a sursei de curent cascodǎ.


ite

O posibilǎ implementare a sursei de curent cascodǎ cu rezistenţǎ mǎrita este


datǎ ı̂n Figura 2.9.
rcu

Rezistenţa de ieşire are urmǎtoarea formǎ:


Ci

Rout = rDS1 + rDS2 + [(a + 1) gm2 + gmb2 ] rDS2 rDS1


(2.16)
a = gm3 (rDS3 || rDS4 )

36 Doris Csipkes
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 2. SURSE DE CURENT

VDD

VCT
Iout

e
M4

gic
M2
VG2
VB2
M3

alo
M1

An
VG1

e
Figura 2.9: Implementarea la nivel de tranzistor a sursei de curent cas-
at
codǎ cu Rout mǎritǎ
gr

2.5 Sumar
te

În aceastǎ secţiune s-au prezentat câteva implementǎri electronice ale sursei
de curent. Pornind de la structura cea mai simplǎ şi argumentând fiecare
ı̂mbunǎtǎţire se ajunge la structuri mai performante, utilizate ı̂n practicǎ. Pen-
In

tru fiecare structurǎ au fost discutate urmǎtoarele aspecte:

- schema şi modelul echivalent de semnal mic;


ite

- rezistenţa de ieşire;

- tensiunea minimǎ de ieşire pentru care circuitul mai funcţioneazǎ ca sursǎ


rcu

de curent;

- caracteristica de ieşire şi interpretarea ei.


Ci

Bibliografie:
1. Lelia Feştilǎ - Circuite integrate analogice I, Casa Cǎrţii de Ştiinţǎ, 1997;

Doris Csipkes 37
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 2. SURSE DE CURENT

2. Doris Csipkes, Gabor Csipkes - Fundamental analog circuits. Practical


simulation exercises, UTPres, 2004;

3. P.E. Allen, D. Holberg - CMOS analog circuit design, Oxford University

e
Press, 1987

gic
alo
An
e
at
gr
te
In
ite
rcu
Ci

38 Doris Csipkes
e
gic
Capitolul 3

alo
Oglinzi de curent

An
În secţiunea Surse de curent au fost prezentate structurile unor surse de curent
electronice şi parametrii specifici de funcţionare. S-a presupus cǎ toate tranzis-
e
toarele sunt corect polarizate ı̂n regim de saturaţie. Punctul nediscutat a fost
at
metoda cu care sunt generate tensiunile constante din grilele tranzistoarelor.
În majoritatea cazurilor tensiunile de grilǎ sunt generate injectând un curent de
referinţǎ ı̂ntr-un tranzistor conectat ca diodǎ MOS, determinând astfel tensiu-
gr

nea grilǎ-sursǎ a tranzistorului. Astfel se ajunge la o clasǎ de subcircuite numite


oglinzi de curent. Oglinzile sunt utilizate pentru distribuirea curenţilor de
te

polarizare, dar mai pot fi utilizate şi ca amplificatoare de curent. În conti-
nuare se vor discuta câteva variante constructive implementate cu tranzistoare
In

MOS şi tranzistoare bipolare.

3.1 Introducere
ite

Parametrul de bazǎ care descrie funcţionarea oglinzii de curent este câştigul de


curent sau raportul de reflexie. Raportul de reflexie se defineşte ca raportul
rcu

dintre curentul de ieşire şi curentul de intrare/referinţǎ.

Iout
Ci

n= (3.1)
Iin

Cerinţele de performanţǎ pentru oglinzile de curent sunt asemǎnǎtoare cu cele


de la sursele de curent, dar adiţional mai punem condiţiile necesare ca intrarea
oglinzii sǎ fie o intrare de curent (de joasǎ impedanţǎ):
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT

- rezistenţa de ieşire sǎ fie cât mai mare pentru a reduce dependenţa cu-
rentului de ieşire cu tensiunea de ieşire (ca la sursele de curent);

- tensiunea minimǎ la ieşire pentru care circuitul mai funcţioneazǎ ca sursǎ

e
de curent sǎ fie cât mai micǎ (ca la sursele de curent);

gic
- tensiunea minimǎ la intrare sǎ fie cât mai micǎ (determinatǎ de PSF a
diodei MOS);

alo
- rezistenţa de intrare sǎ fie cât mai micǎ;

- raportul de reflexie sǎ fie cât mai precis, constant cu tensiunea de alimen-

An
tare şi independent de temperaturǎ.

3.2 Oglinzi de curent MOS e


3.2.1 Oglinda simplǎ de curent MOS
at
Oglinda simplǎ de curent se obţine din sursa de curent cu un singur tranzistor
gr

prin conectarea grilei la dioda MOS care genereazǎ tensiunea de grilǎ. Schema
circuitului este datǎ ı̂n Figura 3.1 ı̂mpreuna cu modelul echivalent de semnal
mic.
te
In

Iin Iin Iout


Iout
gm1VGS1 rDS1 gm2VGS2 rDS2
Vin Vout
ite

M1 M2
rcu

Figura 3.1: Oglinda simplǎ de curent şi modelul echivalent de semnal mic
Ci

Observaţie: modelul de semnal mic se deseneazǎ pentru tranzistoare ı̂n


saturaţie. M1 este ı̂ntotdeauna saturat datoritǎ conexiunii de diodǎ MOS
(VDS = Vod + VT h > Vod ), iar M2 este o sursǎ de curent.

40 Doris Csipkes
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT

Observaţie: ı̂n schema echivalentǎ de semnal mic nu apar sursele de curent


corespunzǎtoare transconductanţei de substrat (gmb ) deoarece tensiunile
VBS de control ale acestora sunt zero (B conectat la S pentru ambele

e
tranzistoare).

gic
Rezistenţa de intrare a oglinzii se calculeazǎ din schema echivalentǎ de semnal
mic, ţinând cont de faptul cǎ tensiunea grilǎ-sursǎ a tranzistorului M1 este egalǎ

alo
cu tensiunea drenǎ-sursǎ:

Vin rDS1 ∼ 1

An
Rin = = = (3.2)
Iin 1 + gm1 rDS1 gm1

Rezistenţa de ieşire este aceeaşi ca pentru sursa de curent simplǎ:


e
Vout
at
Rout = = rDS2 (3.3)
Iout
gr

Tensiunea minimǎ admisǎ la ieşire este aceeaşi ca pentru sursa simplǎ de curent
şi este egalǎ cu tensiunea drenǎ-sursǎ a lui M2 pentru care acesta este ı̂ncǎ ı̂n
te

regim saturat.

Curenţii de drenǎ ai tranzistoarelor se scriu:


In
ite



iD1 = β1 (VGS1 − VT h1 )2 (1 + λVDS1 )


iD2 = β2 (VGS2 − VT h2 )2 (1 + λVDS2 )

(3.4)
rcu



 µCox W1 µCox W2
β1 =
 ; β2 =
2L1 2L2
Ci

Ştiind cǎ tensiunile grilǎ-sursǎ ale tranzistoarelor sunt egale, rezultǎ expresia
raportului de reflexie:

Iout β2 (VGS2 − VT h2 )2 (1 + λVDS2 )


n= = (3.5)
Iin β1 (VGS1 − VT h1 )2 (1 + λVDS1 )

Doris Csipkes 41
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT

Examinând ecuaţia (3.5) se observǎ cǎ sunt trei factori care afecteazǎ precizia
raportului de reflexie: modulaţia lungimii canalului, neı̂mperecherea tensiu-
nilor de prag a tranzistoarelor şi neı̂mperecherea geometriei tranzistoarelor.

e
Pentru analiza efectului de modulaţie a lungimii canalului se considerǎ un raport

gic
de reflexie unitar (presupunând cǎ tranzistoarele au aceeaşi geometrie) şi cǎ
tensiunile de prag sunt perfect ı̂mperecheate. În acest caz obţinem:

alo
Iout 1 + λVDS2
n= = (3.6)
Iin 1 + λVDS1

An
Ca o concluzie, se poate spune cǎ un dezechilibru ı̂ntre tensiunile de intrare şi
de ieşire va produce o eroare a raportului de reflexie.

Pentru a analiza efectul neı̂mperecherii tranzistoarelor se considerǎ tensiunile


e
drenǎ-sursǎ egale. Diferenţa dintre tensiunile de prag se noteazǎ cu VT h iar
at
diferenţa dintre geometriile tranzistoarelor se traduce ı̂n ∆β. Pentru tensiunile
de prag şi parametrii β se pot scrie relaţiile:
gr

 
1
te

1

VT h1 = VT h − ∆VT h 
β1 = β − ∆β
2 2

 


 

1 1
 
In

VT h2 = VT h + ∆VT h β2 = β + ∆β (3.7)

 2 
 2
 
 V + VT h2  β + β2
VT h = T h1 β = 1

 

2 2
ite

Combinând ecuaţiile (3.5) şi (3.7) rezultǎ:


rcu

  
∆β ∆VT h
1+ 1−
2β 2 (VGS − VT h )2
n=  (3.8)
Ci

 
∆β ∆VT h
1− 1+
2β 2 (VGS − VT h )2

În continuare se considerǎ funcţia binomialǎ inversǎ şi dezvoltarea sa ı̂n serie
Taylor:

42 Doris Csipkes
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT

X (−x)k ∞
1 1 x x2 x3
= = − + − 4 + ... (3.9)
a+x ak+1 a a2 a3 a
k=0

e
gic
Dacǎ se considerǎ x << 1 atunci termenii de ordin mai mare sau egal cu doi
se neglijeazǎ, iar ecuaţia (3.9) devine:

alo
1 ∼ 1 x
= − 2 (3.10)
a+x a a

An
∆β ∆VT h
Pentru cazul ı̂n care, a = 1, << 1 şi , termenii de grad
β 2 (VGS − VT h )
mai mare decât doi se neglijeazǎ şi expresia aproximativǎ a lui n devine:

 2 
e 4
∆β ∆VT h
n∼
= 1+ 1− (3.11)
at
2β 2 (VGS − VT h )
gr

Ridicând la puterile corespunzǎtoare şi neglijn̂d din nou termenii de ordin mai
mare decât unitatea, raportul de reflexie se poate aproxima astfel:
te

∆β 2∆VT h
n∼
=1+ − (3.12)
In

β VGS − VT h
ite

Observaţie: eroarea raportului de reflexie se poate reduce dacǎ dimensiunea


tranzistoarelor este mai mare (geometria depinde de β) sau dacǎ curentul
prin ele este mai mare (curentul depinde de VGS − VT h ). Intuitiv, douǎ
rcu

tranzistoare se ı̂mperecheazǎ mai bine dacǎ dimensiunile lor sunt mai mari.

Însumând performanţele oglinzii simple de curent se poate observa cǎ rezistenţa


Ci

de ieşire este relativ redusǎ (ca la sursa simplǎ de curent), iar factorul de reflexie
variazǎ puternic cu asimetriile din circuit. Pentru a ı̂mbunǎtǎţi raportul de
reflexie şi rezistenţa de ieşire trebuie gǎsitǎ o structurǎ care sǎ egaleze tensiunile
drenǎ-sursǎ ale tranzistoarelor. De asemenea trebuie mǎritǎ şi rezistenţa de
ieşire. Metoda cu care toate aceste neajunsuri sunt reduse este cascodarea.

Doris Csipkes 43
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT

3.2.2 Oglinda de curent cascodǎ MOS


Oglinda de curent cascodǎ se obţine din oglinda simplǎ prin cascodarea ambelor
ramuri de circuit, având schema şi modelul echivalent de semnal mic din Figura

e
3.2.

gic
Iin Iout

alo
Iin Iout gm3VGS3 gmb3VBS3 rDS3 gm4VGS4 gmb4VBS4 rDS4

VB3 M3 M4 VB4

An
Iin Iout
Vin Vout

M1 M2 gm1VGS1 rDS1 gm2VGS2 rDS2


e
at
Figura 3.2: Oglinda de curent cascodǎ MOS şi modelul de semnal mic
gr
te

Determinarea rezistenţei de intrare se face considerând teorema lui Norton la


ieşire (la ieşire curentul se mǎsoarǎ serie ⇒ Norton), conform cǎreia rezistenţa
In

de sarcinǎ se ı̂nlocuieşte cu un scurt circuit la masǎ. Drept urmare, trebuie


sǎ considerǎm Vout = 0. În mod similar, pentru calculul rezistenţei de ieşire
aplicǎm teorema lui Thevenin la intrare (curentul se ı̂nsumeaza paralel ⇒
ite

Thevenin). Astfel, se considerǎ Iin = 0.

Calculul rezistenţelor de intrare şi de ieşire


rcu

Tensiunea de intrare se scrie ca suma cǎderilor de tensiune pe tranzistoarele M1


şi M3 :
Ci

Vin = VDS1 + VDS3 (3.13)

Ţinând cont de faptul cǎ tensiunile drenǎ-sursǎ ale lui M1 şi M3 sunt egale cu
tensiunile grilǎ-sursǎ, rezultǎ:

44 Doris Csipkes
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT

rDS1 1
VDS1 = (Iin − gm1 VGS1 ) rDS1 ⇒ VDS1 = Iin ∼
= Iin
1 + gm1 rDS1 gm1

e
(3.14)

gic
În mod similar se scrie VDS3 :

rDS3 ∼ 1 Iin

alo
VDS3 = Iin = (3.15)
1 + gm3 rDS3 gm3

Înlocuind ecuaţiile (3.14) şi (3.15) ı̂n (3.13), rezultǎ:

An
Vin ∼ 1 1
Rin = = + (3.16)
Iin gm1 gm3
e
Rezistenţa de ieşire este identicǎ cu cea a sursei de curent cascodǎ:
at
Vout
gr

Rout = = rDS2 +rDS4 +(gm4 + gmb4 ) rDS4 rDS2 ∼


= gm4 rDS4 rDS2 (3.17)
Iout
te

Ordinul de mǎrime pentru Rin este de kΩ, iar pentru Rout de MΩ.
In

Calculul tensiunii minime admise la ieşire

Pentru a determina tensiunea minimǎ admisǎ la ieşirea circuitului se vor consi-


ite

dera toate tranzistoarele de aceeaşi dimensiune şi perfect ı̂mperecheate (VGS1 =


VGS2 = VGS3 = VGS4 ). Ştiind cǎ tensiunea drenǎ-sursǎ pentru care un tran-
zistor mai este ı̂n regim de saturaţie este notatǎ cu VDSmin , putem scrie:
rcu

VoutM IN =DSmin4 +VDSmin2 =


Ci

= VDSmin4 + (VGS3 + VGS1 − VGS4 ) = 2VDSmin + VT h (3.18)

Din expresia tensiunii minime admise la ieşire se poate remarca faptul


cǎ pe tranzistorul M2 cade o tensiune VDSmin + VT h . Pentru a lucra
ı̂n regim saturat valoarea minimǎ necesarǎ acestuia ar fi VDSmin . Prin

Doris Csipkes 45
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT

urmare, structura clasicǎ de oglindǎ de curent cascodǎ nu este soluţia


optimǎ din punctul de vedere al tensiunii minime la ieşire (având cu VT h
mai mult decât este necesar pentru a polariza tranzistoarele).

e
Raportul de reflexie al oglinzii cascodǎ este ı̂mbunǎtǎţit deoarece prin cascodare

gic
tensiunile drenǎ-sursǎ ale tranzistoarelor M1 şi M2 au fost echilibrate (curenţii
din M3 şi M4 precum şi geometriile identice egaleazǎ VGS3 cu VGS4 ). Astfel
câştigul de curent este mult mai puţin influenţat de efectul de modulaţie al

alo
lungimii canalului.

În practicǎ, pentru ı̂mbunǎtǎţirea raportului de reflexie, tranzistoarele M1 şi M2

An
sunt optimizate pentru o ı̂mperechere cât mai bunǎ, având aria relativ extinsǎ,
iar M3 şi M4 sunt optimizate pentru transconductanţǎ cât mai mare ı̂n vederea
creşterii rezistenţei de ieşire.

3.2.3 Oglinda cascodǎ MOS de joasǎ tensiune


e
at
Oglinda de curent cascodǎ de joasǎ tensiune ı̂ncearcǎ sǎ optimizeze oglinda
de curent cascodǎ din punctul de vedere al tensiunii minime admise la
gr

ieşire. În acelaşi timp se pǎstreaza structura etajului de ieşire a oglinzii cascodǎ
şi implicit şi rezistenţa de ieşire.
te

Iin Iout
In

VTh
M3 M4
ite

VGS3 VGS4
rcu

M1
VDSmin
M2
VGS1
Ci

Figura 3.3: Principiul utilizat la reducerea tensiunii minime de ieşire

În secţiunea anterioarǎ s-a demonstrat cǎ tensiunea minimǎ la ieşirea oglinzii

46 Doris Csipkes
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT

de curent cascodǎ era 2VDSmin + VT h , ı̂n timp ce valoarea necesarǎ este doar
2VDSmin . Considerând structura oglinzii din Figura 3.2 se observǎ cǎ surplusul
de tensiune VT h se datoreazǎ potenţialului prea ridicat din grila tranzistorului

e
M4 . Pentru a elimina VT h din expresia tensiunii minime de ieşire este necesar
ca potenţialul acestui punct sǎ scadǎ cu VT h . Aceastǎ scǎdere se poate realiza

gic
prin inserarea unei surse de tensiune constantǎ ca ı̂n Figura 3.3. Tensiunea
furnizatǎ de aceastǎ sursǎ trebuie sǎ fie egalǎ cu VT h .

alo
Pentru o funcţionare corectǎ a circuitului este necesar ca toate tranzistoa-
rele sǎ fie saturate. Teorema lui Kirchhoff pentru tensiunile pe buclǎ duce
la urmǎtoarea ecuaţie:

An
VGS1 + VGS3 = VT h + VGS4 + VDSmin (3.19)

Din aceastǎ ecuaţie rezultǎ cǎ potenţialul din grila tranzistorului M3 trebuie sǎ
e
fie suficient de mare pentru a permite funcţionarea ı̂n regim saturat a lui
M2 . Relaţia practicǎ de proiectare se poate scrie (ı̂ntr-o primǎ aproximare se
at
considerǎ acelaşi VT h pentru toate tranzistoarele):
gr

Vod1 + Vod3 = Vod4 + VDSmin (3.20)


te

O implementare practicǎ a acestui principiu este prezentatǎ ı̂n Figura 3.4. În
aceastǎ structurǎ deplasarea de nivel se face cu ajutorul unei ramuri suplimen-
In

tare (M5 -M6 ).

Ecuaţia pentru tensiuni este:


ite

VGS1 + VGS3 = VGS6 + VGS4 + VDSmin (3.21)


rcu

Dacǎ se considerǎ aceeaşi tensiune de prag pentru toate tranzistoarele, rezultǎ:

Vod1 + Vod3 = Vod6 + Vod4 + VDSmin (3.22)


Ci

Pentru a realiza tensiunile de overdrive Vod1 şi Vod3 suficient de mari, ı̂n acea
ramurǎ de circuit se injecteazǎ un curent de referinţǎ, iar dimensiunile se aleg
ı̂n concordanţǎ cu tensiunile Vod dorite şi cu valoarea curentului de referinţǎ.

Doris Csipkes 47
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT

Iref Iin Iout

e
M3 M6

gic
VGS6 M4
VGS3
VGS4

alo
M1
VDSmin
M5 M2
VGS1

An
Figura 3.4: Schema practicǎ de oglindǎ cascodǎ de joasǎ tensiune
e
at
O altǎ implementare implicǎ scǎderea potenţialului din sursa tranzistorului M3 .
Acest lucru este posibil (farǎ a bloca tranzistorul M1 ) numai dacǎ potenţialul
din grila lui M3 este independent de VGS1 . Structura de circuit este datǎ ı̂n
gr

Figura 3.5 a).


te

Iref Iin Iout Iref Iin Iout


In

M3 M4 M3 M4

VGS3 VGS4 VGS4


ite

VGS3

M1 M1
VDSmin R VDSmin
rcu

VDSmin
VGS1 M2 M2

a) b)
Ci

Figura 3.5: Altǎ modalitate de a scǎdea tensiunea minimǎ la ieşire

Aceastǎ structurǎ de circuit ne permite sǎ fixǎm tensiunea drenǎ-sursǎ a lui M2

48 Doris Csipkes
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT

conform urmǎtoarei relaţii:

Vod3 = Vod4 + VDSmin (3.23)

e
Din nou Vod3 trebuie sǎ fie suficient de mare pentru a permite funcţionarea

gic
tranzistorului M2 ı̂n regim saturat. Dezavantajul structurii este acela cǎ pentru
a obţine Vod3 suficient de mare trebuie fie sǎ mǎrim curentul prin ramurǎ, fie
sǎ alegem dimensiuni mult mai reduse pentru M3 decât pentru M4 . O soluţie

alo
ar fi introducerea unei rezistenţe care sǎ preia o parte din tensiunea VGS3
(Figura 3.5 b). În acest caz tensiunile se scriu:

An
Vod3 + Iref R = Vod4 + VDSmin (3.24)

Dacǎ M3 se alege identic cu M4 atunci cǎderea de tensiune drenǎ-sursǎ a lui


M2 va fi tocmai Iref R. Prin aceastǎ metodǎ putem regla cu uşurinţǎ tensiunea
minimǎ la ieşire la 2VDSmin .
e
at
Observaţie: raportul de reflexie al oglinzii din Figura 3.5 este afectat de
dezechilibrul dintre tensiunile VDS ale M1 şi M2 . Corecţia se poate face
gr

inserând un tranzistor care sǎ echilibreze VDS2 cu VDS1 . Suplimentar, im-


plementarea numai cu tranzistoare este preferatǎ rezistenţei pasive ori de
te

câte ori este posibil.


In

Iref Iin Iout Iref Iin Iout


ite

M5 M5
M3 M4 VGS3 M4

VGS3 VGS4 M3 VGS4


rcu

R M1 VDSmin M1 VDSmin
VDSmin VDSmin
M6
M2 M2
Ci

a) b)

Figura 3.6: Implementarea practicǎ a oglinzii cascodǎ de joasǎ tensiune

Doris Csipkes 49
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT

Observaţie: rolul ramurii M3 -M6 este sǎ stabileascǎ potenţialul ı̂n grilele
tranzistoarelor M5 şi M4 . Aceastǎ ramurǎ nu va afecta expresia rezistenţei
de intrare.

e
gic
Calculul rezistenţei de intrare şi de ieşire

Rezistenţa de ieşire este aceeaşi ca la oglinda cascodǎ clasicǎ. Rezistenţa de


intrare se calculeazǎ pentru Vout = 0, conform teoremei lui Norton (similar ca

alo
la oglinda cascodǎ clasicǎ). Din calcule rezultǎ:

An
rDS1 + rDS5 + (gm5 + gmb5 ) rDS5 rDS1 ∼ 1
Rin = = (3.25)
1 + gm1 rDS1 + (gm5 + gmb5 ) rDS5 gm1 rDS1 gm1

Se observǎ cǎ rezistenţa de intrare este comparabilǎ cu cea a oglinzii MOS


e
simple.
at
3.2.4 Oglinda de curent Wilson cu tranzistoare MOS
gr

Oglinda Wilson utilizeazǎ reacţia negativǎ pentru a mǎri rezistenţa de ieşire.


Structura şi schema echivalentǎ de semnal mic a circuitului sunt date ı̂n Figura
te

3.7.
In

Iout

Iin Iout gm3VGS3 gmb3VBS3 rDS3


ite

M3 VB3
VGS3 Iout
rcu

Vout
Iin

gm1VGS1 rDS1 gm2VGS2 rDS2


M1 M2 Vin
Ci

Figura 3.7: Structura şi schema echivalentǎ a oglinzii Wilson cu tranzis-


toare MOS

50 Doris Csipkes
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT

Tensiunea minimǎ la ieşire

Tensiunea minimǎ la ieşire trebuie sǎ asigure funcţionarea tranzistorului M3 ı̂n

e
regim saturat, precum şi sǎ acopere tensiunea VGS2 . Astfel, se obţine o valoare
similarǎ ca şi pentru oglinda cascoda clasicǎ:

gic
VoutM IN = 2VDSmin + VT h (3.26)

alo
Este important de remarcat cǎ, datoritǎ conexiunii de diodǎ a M2 , nu
avem nici o posibilitate de a reduce tensiunea minimǎ la ieşire.

An
Calculul rezistenţelor de intrare şi de ieşire

Rezistenţele de intrare şi de ieşire se calculeazǎ ı̂n condiţii similare ca pentru


oglinzile de pâna acum (Iin = 0 pentru Rout şi Vout = 0 pentru Rin ). Din
calcule rezultǎ:
e
at
 rDS1
Rin ∼
= gm1 gm3 rDS1
gr


1+


1 1


+ + gm2 + gm3

rDS2 rDS3 (3.27)
te



rDS2 1 + gm1 rDS1

Rout ∼

= rDS3 + + gm3 rDS3 rDS2 ·


1 + gm2 rDS2 1 + gm2 rDS2
In

În relaţiile (3.27) se pot face câteva simplificǎri care conduc la expresiile apro-
ximative din sistemul (3.28). Acestea sunt urmǎtoarele:
ite

◦ gm rDS >> 1 si gm rDS rDS >> rDS


◦ rDS /(1 + gm rDS ) ∼
= 1/gm
rcu

◦ adiţional s-a ignorat efectul substratului asupra tensiunii de prag


(gm >> gmb ).
Ci

∼ gm2 + gm3

Rin = g g


m1 m3
(3.28)
gm1 gm3 rDS1 rDS3
Rout ∼

 =
gm2

Doris Csipkes 51
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT

Din structura circuitului (Figura 3.7) se observǎ cǎ tensiunile drenǎ-sursǎ ale
tranzistoarelor M1 şi M2 nu sunt egale. Drept urmare, raportul de reflexie este
afectat de o eroare sistematicǎ. Aceastǎ eroare se poate reduce prin echilibrarea

e
tensiunilor drenǎ-sursǎ. Rezultǎ o structurǎ similarǎ cu cascoda clasicǎ (Figura
3.8).

gic
alo
Iin Iout

Iin Iout gm4VGS4 gmb4VBS4 rDS4 gm3VGS3 gmb3VBS3 rDS3

An
VB4 M4 M3 VB3
Iin Iout
Vin Vout

M1 M2 gm1VGS1 rDS1
e gm2VGS2 rDS2
at
gr

Figura 3.8: Structura şi schema de semnal mic a oglinzii Wilson MOS
echilibrate
te

Tensiunea minimǎ la ieşire rǎmâne aceeaşi, iar rezistenţele de intrare şi de ieşire
In

se calculeazǎ conform urmǎtoarelor relaţii:


ite

 rDS4
 rDS1 +
1 + gm4 rDS4

Rin ∼

=

g gm3 rDS1

rcu

m1


 1+
1 1

+ + gm2 + gm3 (3.29)


 rDS2 rDS3

rDS2 1 + gm1 rDS1

Rout ∼

Ci

= rDS3 + + gm3 rDS3 rDS2 ·




1 + gm2 rDS2 1 + gm2 rDS2

Deşi structura circuitului s-a modificat, valorile aproximative ale rezistenţei de


ieşire şi ale rezistenţei de intrare sunt aceleaşi ca pentru oglinda Wilson simplǎ.

52 Doris Csipkes
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT

3.3 Oglinzi de curent cu tranzistoare bipolare

Oglinzile de curent cu tranzistoare bipolare au aceeaşi topologie ca şi oglinzile cu

e
tranzistoare MOS. Principalele diferenţe ı̂n funcţionare se datoreazǎ rezistenţei

gic
bazǎ-emitor finite şi curentului de bazǎ diferit de zero.

alo
3.3.1 Oglinda simpla cu tranzistoare bipolare

Schema oglinzii de curent simple cu tranzistoare bipolare este datǎ ı̂n Figura

An
3.9.

e
Iin Iout
at
gr

IC1 IC2
Q1 Q2
te

IB1 IB2
In

Figura 3.9: Oglinda de curent simplǎ cu tranzistoare bipolare


ite

În primul pas se analizeazǎ erorile factorului de reflexie. Aceste erori pot fi
rcu

introduse de dezechilibrul tensiunilor colector-emitor ale celor douǎ tranzis-


toare, de amplificarea de curent β şi, ı̂n mod similar ca la oglinda MOS, de
neı̂mperecherea ariilor. Neı̂mperecherea ariilor se traduce ı̂n neı̂mperecherea
Ci

curenţilor de saturaţie IS ai tranzistoarelor.

Analiza factorului de reflexie ı̂ncepe de la expresiile curenţilor de colector ale


tranzistoarelor Q1 şi Q2 . Datoritǎ faptului cǎ atât bazele cât şi emitoarele sunt
conectate ı̂mpreunǎ, se poate considera VBE1 = VBE2 .

Doris Csipkes 53
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT

 VBE1
 
VCE1
IC1 = IS1 · e · 1+

 VT
VEA

e
  (3.30)
VBE2
V

gic
IC2 = IS2 · e VT · 1 + CE2



VEA

O relaţie importantǎ, dedusǎ din sistemul de mai sus, este dependenţa curentului

alo
IC2 de IC1 . Pentru a determina aceastǎ dependenţǎ se calculeazǎ raportul
curenţilor de colector. Dupǎ efectuarea calculelor rezultǎ:

An
 
IS2 VCE2 − VCE1
IC2 = IC1 1+ (3.31)
IS1 VCE1 + VEA

Aplicând teorem lui Kirchhoff pentru curenţi la nodul de intrare al oglinzii se


e
obţine expresia curentului de intrare.
at

IC1 IC2
gr

Iin = IC1 + IB1 + IB2 = IC1 + + =


β β
   
1 IS2 VCE2 − VCE1 1
te

= IC1 1 + + IC1 1+ (3.32)


β IS1 VCE1 + VEA β
In

Din schema circuitului se poate scrie curentul de ieşire:


ite

 
IS2 VCE2 − VCE1
Iout = IC2 = IC1 1+ (3.33)
IS1 VCE1 + VEA
rcu

Factorul de reflexie este raportul dintre curentul de ieşire şi curentul de intrare.
Se observǎ cǎ ı̂n acest raport curentul IC1 se simplificǎ. Astfel expresia lui n
rezultǎ:
Ci

 
IS2 VCE2 − VCE1
1+
Iout IS1 V + VEA
n= =  CE1  (3.34)
Iin 1 IS2 VCE2 − VCE1 1
1 + + IC1 1+
β IS1 VCE1 + VEA β

54 Doris Csipkes
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT

O transformare a acestei relaţii permite exprimarea factorului de reflexie ı̂n


funcţie de o eroare sistematicǎ :

e
IS2
n= (1 + ) , (3.35)

gic
IS1

unde eroarea  se scrie:

alo
VCE2 − VCE1
1+
VCE1 + VEA
 = −1 +  (3.36)

An
1 IS2 VCE2 − VCE1 1
1 + + IC1 1+
β IS1 VCE1 + VEA β

În cazul ideal, dacǎ VCE1 = VCE2 şi β tinde la infinit, eroarea sistematicǎ a
e
raportului de reflexie va tinde la 0, iar factorul de reflexie este definit numai
de raportul curenţilor de saturaţie şi implicit de raportul ariilor.
at
IS2 A2
n= = (3.37)
gr

IS1 A1
te

Acest lucru ı̂nseamnǎ cǎ, de exemplu, dacǎ tranzistorul Q2 are o arie dublǎ faţǎ
de Q1 , atunci raportul ideal de reflexie va fi egal cu doi (curentul de ieşire dublu
faţǎ de cel de intrare).
In

Observaţie: şi ı̂n acest caz este valabilǎ teorema suprapunerii efectelor.
ite

Eroarea totalǎ se obţine prin cumularea erorilor datorate dezechlibrului ten-


siunilor colector-emitor şi câştigului de curent β (conform ecuaţiei (3.36)).
rcu

Observaţie: raportul de reflexie este influenţat şi de neı̂mperecherea geo-


metricǎ a ariilor celor douǎ tranzistoare. Astfel pot sǎ aparǎ erori statistice
chiar dacǎ β tinde la infinit şi VCE1 = VCE2 .
Ci

Performanţele oglinzii de curent mai depind şi de rezistenţele de intrare şi de


ieşire. Aceste rezistenţe se determinǎ din schema echivalentǎ de semnal mic
datǎ ı̂n Figura 3.10.

Doris Csipkes 55
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT

Iin Iout
rBE1 gm1VBE1 rCE1 rBE2 gm2VBE2 rCE2

e
Vin Vout

gic
alo
Iin Iout
rBE1 1/gm1 rCE1 rBE2 gm2VBE2 rCE2

An
Vin Vout

e
Figura 3.10: Schema echivalentǎ de semnal mic a oglnzii simple cu TB
at
Observaţie: orice sursǎ de curent controlatǎ de tensiunea de la propri-
gr

ile borne este conform legii lui Ohm o rezistenţǎ. Valoarea rezistenţei
echivalente este R = 1/gm .
te

Rezistenţa de intrare
In

Rezistenţa de intrare se calculeazǎ pentru Vout = 0 conform teoremei lui Nor-


ton. Tensiunea de intrare se scrie ı̂n funcţie de curentul de intrare şi rezistenţa
echivalentǎ vǎzutǎ la masǎ.
ite

 
1
Vin = Iin rBE1 || || rCE1 || rBE2 (3.38)
rcu

gm1

Rezistenţa de intrare rezultǎ:


Ci

Vin 1 1
Rin = = rBE1 || || rCE1 || rBE2 ∼
= (3.39)
Iin gm1 gm1

La aproximare s-a ţinut cont de faptul cǎ rezistenţa colector-emitor (de ordinul
100kΩ) şi rezistenţa bazǎ-emitor (100kΩ) sunt mult mai mari decât 1/gm (kΩ).

56 Doris Csipkes
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT

Rezistenţa de ieşire

e
Rezistenţa de ieşire se calculeazǎ pentru un curent de intrare Iin = 0 conform
teoremei lui Thevenin. Din nou se ţine cont de egalitatea tensiunilor bazǎ-

gic
emitor ale celor douǎ tranzistoare. Astfel, VBE1 = VBE2 = Vin = Rin Iin = 0.
Tensiunea de ieşire şi rezistenţa de ieşire se scriu:

alo
Vout
Vout = rCE2 (Iout − gm2 VBE2 ) = rCE2 Iout ⇒ Rout = = rCE2 (3.40)
Iout

An
Tensiunea minimǎ la ieşire

Tensiunea minimǎ la ieşire trebuie sǎ permitǎ funcţionarea tranzistorului Q2 ı̂n


e
regiunea activǎ normalǎ (ca sursǎ de curent). Drept urmare, VCE2 trebuie sǎ
at
fie suficient de mare pentru a evita polarizarea directǎ şi deschiderea diodei
bazǎ-colector. În caz contrar Q2 poate sǎ treacǎ ı̂n regimul de saturaţie. În
practicǎ se impune condiţia ca VCE = VBE (ı̂n ciuda faptului cǎ tranzistorul
gr

este ı̂n RAN şi pentru pentru VBE = VCE = VCEsat ).


te

În mod similar ca la oglinda simplǎ cu tranzistoare MOS, se pot face urmǎtoarele
observaţii:
In

• rezistenţa de ieşire este relativ redusǎ, fiind necesarǎ o metodǎ de ı̂mbu-


nǎtǎţire;
ite

• factorul de reflexie prezintǎ o eroare sistematicǎ chiar şi dacǎ tensiunile


colector-emitor sunt echilibrate.
rcu

3.3.2 Oglinda de curent cu compensare de β


(eng. EFA - Emitter Follower Augmented)
Ci

Din schema oglinzii simple cu tranzistoare bipolare se observǎ cǎ responsabil


pentru eroarea sistematicǎ a factorului de reflexie introdusǎ de β este curentul
pierdut ı̂n bazele celor douǎ tranzistoare. Astfel curentul de colector IC1
nu mai este perfect egal cu IC2 ca ı̂n cazul realizǎrii MOS. Intuitiv, eroarea
datoratǎ câştigului de curent s-ar putea reduce dacǎ s-ar micşora curentul

Doris Csipkes 57
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT

pierdut ı̂n baze. Cea mai simplǎ metodǎ de a realiza aceastǎ ı̂mbunǎtǎţire
este introducerea unui buffer de curent care sǎ permitǎ extracţia unui curent
foarte redus din colectorul lui Q1 şi ı̂n acelaşi timp sǎ producǎ curentul IB1 +IB2

e
prin amplificare de curent. Bufferul se poate implementa cu un simplu tranzistor
ca ı̂n Figura 3.11 a.

gic
alo
gm3VBE3 rCE3

Iin Iout

An
Iin Iout
Q3
IB3 rBE3
IC1 IE3 IC2
rCE1 rBE1 rBE2 rCE2
Q1
IB1 IB2 Q2 gm1VBE1 gm2VBE2
Vin Vout
e
at
a) b)
gr

Figura 3.11: Structura şi schema echivalentǎ de semnal mic a oglinzii EFA
te

Raportul de reflexie se calculeazǎ ı̂n mod similar ca la oglinda simplǎ. În primul
pas se scrie curentul de intrare ı̂n funcţie de curenţii de colector IC1 şi IC2 .
In

IE3 IB1 + IB2 IC1 + IC2


ite

Iin = IC1 +IB3 = IC1 + = IC1 + = IC1 + (3.41)


β+1 β+1 β (β + 1)
rcu

Utilizând relaţia (3.31) expresia curentului de intrare devine:


Ci

   
1 IS2 VCE2 − VCE1 1
Iin = IC1 1+ + IC1 1+ (3.42)
β (β + 1) IS1 VCE1 + VEA β (β + 1)

Curentul de ieşire are aceeaşi expresie ca ı̂n cazul oglinzii simple (ecuatia (3.33)).
Raportul de reflexie rezultǎ:

58 Doris Csipkes
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT

 
IS2 VCE2 − VCE1
1+
Iout IS1 V + VEA

e
n= =  CE1  (3.43)
Iin 1 IS2 VCE2 − VCE1 1

gic
1+ + 1+
β (β + 1) IS1 VCE1 + VEA β (β + 1)

alo
Eroarea sistematicǎ va avea aceeaşi formǎ ca ı̂n relaţia (3.35), dar β este ı̂nlocuit
de β (β + 1). Astfel, ı̂n cazul unui β finit funcţia 1/[β(β +1)] va tinde la 0 mult
mai rapid decât 1/β, iar eroarea sistematicǎ datoratǎ lui β este mult redusǎ.

An
Observaţie: aceastǎ oglindǎ este ı̂n continuare sensibilǎ la erorile dato-
rate dezechilibrului tensiunilor colector-emitor şi neı̂mperecherii aleatoare a
e
ariilor. Corecţia rezolvǎ numai problemele legate de β.
at
Rezistenţa de intrare
gr

Rezistenţa de intrare se calculeazǎ din schema echivalentǎ de semnal mic datǎ


te

ı̂n Figura 3.11 b). Scriind teoremele lui Kirchhoff şi legea lui Ohm se ajunge la
sistemul de ecuaţii (3.44). Din schema de semnal mic se observǎ cǎ rezistenţa
rCE2 este conectatǎ cu ambele borne la masǎ. Drept urmare, curentul prin ea
In

este zero. Deasemenea, sursa gm2 VBE2 extrage şi injecteazǎ acelaşi curent ı̂n
nodul de masǎ şi astfel nu contribuie la echilibrul curenţilor (se neglijeazǎ).
ite


Vin = VBE3 + VBE1
rcu




Vin


Iin = gm1 VBE1 + r + IB3



CE1
(3.44)
VBE3 = rBE3 IB3
Ci





VBE1 VBE1


IB3 + gm3 VBE3 − =


rCE3 rBE1 || rBE2

Rezolvarea acestui sistem duce la urmǎtoarea expresie a rezistenţei de intrare:

Doris Csipkes 59
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT

 1
Rin =

 1 1 gm1
+ +

e
rBE3 + rech 1 + rBE3

rCE1 (3.45)
rech

gic




rech = (1 + gm3 rBE3 ) (rBE1 || rBE2 || rCE3 )

alo
Ţinând cont de faptul cǎ rCE şi rBE sunt mult mai mari decât 1/gm , expresia
rezistenţei de ieşire se aproximeazǎ:

An
1
Rin ∼
= (3.46)
gm1

Se observǎ cǎ valoarea rezistenţei de intrare este similarǎ cu cea a oglinzii simple.
e
Rezistenţa de ieşire
at
La calculul rezistenţei de ieşire Iin se considerǎ egal cu zero. Drept urmare nodul
gr

de intrare va fi un nod flotant al cǎrui potenţial se stabileşte prin echilibrul


curenţilor şi tensiunilor ı̂n restul circuitului. Se poate scrie urmǎtorul sistem de
ecuaţii:
te
In




Vin = VBE3 + VBE1

Vin


gm1 VBE1 + r + IB3 = 0


ite


CE1
(3.47)


VBE3 = rBE3 IB3


VBE1 VBE1

rcu


IB3 + gm3 VBE3 − =


rCE3 rBE1 || rBE2

Rezolvând sistemul, rezistenţa de ieşire se scrie:


Ci


VBE1 = VBE2 = 0
(3.48)
CE2 (Iout − gm2 rBE2 ) = Iout rCE2
V = r
out

60 Doris Csipkes
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT

Astfel:

Vout
Rout = = rCE2 (3.49)

e
Iout

gic
Tensiunea minimǎ la ieşire este aceeaşi ca la oglinda bipolarǎ simplǎ.

3.3.3 Oglinda de curent bipolarǎ cu degenerare rezistivǎ

alo
Oglinda bipolarǎ simplǎ şi cea cu compensare de β nu rezolvǎ problema rezisten-
ţei de ieşire relativ reduse. Ca şi ı̂n cazul oglinzilor MOS, o soluţie ar fi in-

An
troducerea unei reacţii negative prin douǎ rezistenţe conectate ı̂n emitoarele
tranzistoarelor ca ı̂n Figura 3.12 a).

Iin Iout
e
Iin IB2 Iout Iout
at
IC1 IC2 rBE1 gm1VBE1 rCE1 rBE2 gm2VBE2 rCE2
Q1 Q2

IB1 IB2
gr

Vin Vout
R1 R2 R1 R2
te

a) b)
In

Figura 3.12: Oglinda bipolarǎ cu degenerare rezistivǎ


ite

Considerând tranzistoarele perfect ı̂mperecheate şi β tinzând la infinit


(Iin = IC1 ), teorema lui Kirchhoff pentru tensiunile pe ramuri se scrie:
rcu

VBE1 + Iin R1 = VBE2 + Iout R2 (3.50)

Dacǎ tensiunile bazǎ-emitor sunt egale (aproximativ acelaşi curent şi aceeaşi
Ci

arie) atunci raportul de reflexie rezultǎ:

Iout ∼ R1
n= = (3.51)
Iin R2

Doris Csipkes 61
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT

Observaţie: raportul de reflexie este ı̂n continuare influenţat de β finit şi


de dezechilibrul tensiunilor colector-emitor ale tranzistoarelor.

e
Observaţie: pentru a obţine un raport de reflexie diferit de unitate este

gic
necesarǎ şi scalarea ariilor celor douǎ tranzistoare (pe lânga scalarea
rezistenţelor). Ecuatia (3.51) este validǎ sub aceastǎ formǎ numai dacǎ
VBE1 = VBE2 . Dacǎ aceasta condiţie nu este ı̂ndeplinitǎ atunci raportul de

alo
reflexie rezultǎ diferit de unitate, dar valoarea va fi diferitǎ de cea doritǎ.
(a se vedea exemplul)

An
Exemplu: dacǎ se doreşte un factor de reflexie egal cu 2 atunci se alege R1 =
2R2 . Suplimentar, aria tranzistorului Q2 trebuie sǎ fie de douǎ ori mai mare.
În acest caz raportul de reflexie va fi aproximativ 2, cu eroarea introdusǎ de β
finit şi de dezechilibrul tensiunilor. e
Rezistenţa de intrare
at
Rezistenţa de intrare se calculeazǎ din schema echivalentǎ de semnal mic din
gr

Figura 3.12 b) pentru Vout = 0. Teoremele lui Kirchhoff şi legea lui Ohm duc
la urmǎtorul sistem de ecuaţii:
te

  
1
In

Vin = R1 + rBE1 ||

|| rCE1 (Iin − IB2 )
gm1






Vout = rCE2 (Iout − gm2 VBE2 ) + R2 (Iout + IB2 ) = 0

(3.52)
ite


VBE2 = rBE2 IB2







V = V
in BE2 + R2 (Iout + IB2 )
rcu

Rezistenţa de intrare rezultǎ:


Ci

1
R1 + rBE1 ||
|| rCE1
Vin gm1 ∼ 1
Rin = = = R1 + (3.53)
Iin 1 gm1
R1 + rBE1 || || rCE1
gm1
1+
rBE2 + (1 + gm2 rBE2 ) (R2 || rCE2 )

62 Doris Csipkes
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT

La aproximare s-a considerat R1 de ordinul kΩ-lor. Dacǎ R1 este mai mare,


de exemplu 100kΩ, atunci conteazǎ toţi termenii fracţiei.

e
Rezistenţa de ieşire

gic
Pentru a determina rezistenţa de ieşire se scrie urmǎtorul sistem de ecuaţii:

alo



Vout = rCE2 (Iout − gm2 VBE2 ) + R2 (Iout + IB2 )


VBE2 = rBE2 IB2


An
 
1

VBE2 + R2 (Iout + IB2 ) = R1 + rBE1 || || rCE1 (Iin − IB2 )



 gm1


I = 0
in
(3.54)
e
at
Rezistenţa de ieşire este raportul dintre tensiunea şi curentul de ieşire. Aceasta
este de forma:
gr

 
rech

te

 1+
gm2 R2


   rBE2
Rout = rCE2 
1 +
 + R2


R2 rech  R2 rech
In

1+ + 1+ + (3.55)

 rBE2 rBE2 rBE2 rBE2


 1
rech
 = R1 + rBE1 || || rCE1
gm1
ite

Expresia aproximativǎ a lui Rout este:


rcu

Rout = rCE2 + R2 + gm2 rCE2 R2 ∼


= gm2 rCE2 R2 (3.56)
Ci

Observaţie: din ecuaţia (3.56) se observǎ cǎ rezistenţa de ieşire are aceeaşi
formǎ ca la sursele de curent MOS. Rezistenţa de ieşire aproximativǎ a
unei structuri de tip cascodǎ se scrie ı̂n totdeauna ca un produs ı̂ntre
câştigul tranzistorului cascodǎ (gmcas rCE(DS)cas ) şi rezistenţa echiva-
lentǎ vǎzutǎ ı̂n emitor/sursǎ.

Doris Csipkes 63
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT

Tensiunea minimǎ la ieşire

e
Tensiunea minimǎ la ieşire trebuie sǎ permitǎ funcţionarea tranzistorului Q2

gic
ı̂n regiunea activǎ normalǎ şi sǎ acopere cǎderea de tensiune Iout R2 pe
rezistenţǎ. Dacǎ se doreşte obţinerea unei rezistenţe de ieşire foarte mari,
aceastǎ cǎdere de tensiune devine semnificativǎ. În practicǎ rezistenţa pasivǎ
se ı̂nlocuieşte adesea cu o sursǎ de curent care permite o rezistenţǎ echivalentǎ

alo
similarǎ cu R2 , dar cu avantajul unei cǎderi de tensiune mult mai reduse.
Astfel se ajunge la structura cascodǎ.

An
3.3.4 Oglinda cascodǎ bipolarǎ

Structura circuitului este datǎ ı̂n Figura 3.13. e


at
Iin Iout
gr

IC3 IC4
te

Q3 Q4

IB3 IB4
In

IE3 IE4

IC1 IC2
ite

Q1 Q2

IB1 IB2
rcu

Figura 3.13: Oglinda cascodǎ bipolarǎ


Ci

Forma generalǎ a raportului de reflexie se deduce ı̂n mod similar ca la oglinzile


discutate anterior. Pentru ı̂nceput se scrie curentul de intrare având urmǎtoarea
formǎ:

64 Doris Csipkes
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT

βIE3 IE3 βIE4 IE4


Iin = IC3 + IB3 + IB4 = + + = IE3 + (3.57)
β+1 β+1 β+1 β+1

e
gic
Identificând IE3 şi IE4 de pe schema circuitului se obţine:

alo
IC2 IC1 IC2 IC2
Iin = (IC1 + IB1 + IB2 ) + = IC1 + + + (3.58)
β+1 β β β+1

An
În urmǎtorul pas se ţine cont de relaţia (3.31) dintre IC1 şi IC2 . Rezultǎ:

    
1 IS2 VCE2 − VCE1 1 1
Iin = IC1 1+ + IC1 1+
e + (3.59)
β IS1 VCE1 + VEA β β+1
at
Curentul de ieşire se scrie:
gr
te

 
β β IS2 VCE2 − VCE1 β
Iout = IC4 = IE4 = IC2 = IC1 1+
β+1 β+1 IS1 VCE1 + VEA β+1
(3.60)
In

Raportul de reflexie se obţine ı̂mpǎrţind ecuaţiile (refecogl57) şi (refecogl56).


ite

 
IS2 VCE2 − VCE1 β
1+
IS1 VCE1 + VEA β + 1
n=   (3.61)
1 IS2 VCE2 − VCE1 2β + 1
rcu

1+ + 1+
β IS1 VCE1 + VEA β (β + 1)

Eroarea sistematicǎ (faţǎ de unitate) rezultǎ:


Ci

 
VCE2 − VCE1 β
1+
V + VEA β + 1
 = −1 +  CE1  (3.62)
1 IS2 VCE2 − VCE1 2β + 1
1+ + 1+
β IS1 VCE1 + VEA β (β + 1)

Doris Csipkes 65
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT

Se observǎ cǎ eroarea sistematicǎ depinde ı̂n continuare de β şi de diferenţa de


tensiune VCE2 − VCE1 . Dacǎ curenţii prin tranzistoarele Q3 şi Q4 sunt apro-
ximativ egali atunci se poate spune cǎ şi VBE3 = VBE4 . Astfel, tranzistoarele

e
cascodǎ echilibreazǎ tensiunile colector-emitor, iar eroarea raportului de refle-
xie va depinde foarte puţin de VCE2 − VCE1 . Dacǎ tranzistoarele sunt identice,

gic
factorul de reflexie se aproximeazǎ:

β2

alo
n= (3.63)
β 2 + 4β + 2

Rezistenţa de intrare

An
Calculul riguros al rezistenţei de intrare este relativ complicat datoritǎ curenţi-
lor de bazǎ şi rezistenţelor bazǎ-emitor finite ale tranzistoarelor. O expresie
aproximativǎ este datǎ ı̂n urmǎtoarea ecuaţie (similarǎ ca la varianta MOS):
e
at
1 1
Rin ∼
= + (3.64)
gm3 gm1
gr

Rezistenţa de ieşire
te

Calculul riguros este din nou relativ complicat. Drept urmare ı̂n ecuaţia (3.65)
este datǎ expresia aproximativǎ a rezistenţei de ieşire.
In

gm4 rCE4 rCE2 rBE4


Rout ∼
=   (3.65)
ite

gm2
rBE4 + rCE2 1 +
gm1
rcu

Tensiunea minimǎ la ieşire

Tensiunea minimǎ la ieşire trebuie sǎ asigure funcţionarea tranzistoarelor Q2 şi


Q4 ı̂n regiunea activǎ normalǎ.
Ci

3.3.5 Oglinda Wilson bipolarǎ


Varianta bipolarǎ a oglinzii de curent Wilson utilizeazǎ aceeaşi reacţie nega-
tivǎ ca şi implementarea MOS pentru a mǎri rezistenţa de ieşire a circuitului.

66 Doris Csipkes
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT

Schemele oglinzii simple şi a oglinzii ehilibrate sunt date ı̂n Figura 3.14. În
continuare se discutǎ numai varianta echilibratǎ.

e
Iin Iout

gic
Iin Iout
IC4 IC3
Q3
Q4 Q3
IB3
IE3 IB4 IB3

alo
IE4 IE3
IC1 IC2 IC1 IC2
Q1 Q2 Q1 Q2

An
IB1 IB2 IB1 IB2

Figura 3.14: Oglinzile bipolare Wilson a) simplǎ şi b) echilibratǎ


e
at
Forma generalǎ a raportului de reflexie se calculeazǎ ı̂n mod similar ca şi pentru
celelalte oglinzi bipolare discutate anterior. Dupǎ calcule raportul de reflexie al
gr

oglinzii Wilson echilibrate se obţine:


te

 
1 IS2 VCE2 − VCE1
+ 1+
1 + β IS1 V + VEA
In

n=  CE1  (3.66)
1 IS2 VCE2 − VCE1 1
1+ + 1+
β (β + 1) IS1 VCE1 + VEA β
ite

În cazul particular ı̂n care tranzistoarele sunt identice (aceeaşi arie a
emitorului) şi VCE1 = VCE2 (tranzistoarele Q3 şi Q4 echilibreazǎ oglinda
Q1 -Q2 ), raportul de reflexie va fi o funcţie numai de β, expresia lui fiind
rcu

urmǎtoarea:

β 2 + 2β
Ci

n= (3.67)
β2 + 4β + 2

Rezistenţa de intrare

Expresia aproximativǎ a rezistenţei de intrare este:

Doris Csipkes 67
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT

rBE3 (gm2 + gm3 ) ∼ 1 1


Rin ∼
= = + (3.68)
gm2 + gm1 gm3 rBE3 gm3 gm1

e
Se observǎ cǎ rezistenţa de ieşire aproximativǎ are aceeaşi expresie ca şi ı̂n cazul

gic
oglinzii cascodǎ clasice. În calcule s-a ţinut seama de egalitatea lui gm1 cu gm2 .
Aceastǎ egalitate este valabilǎ numai dacǎ raportul de reflexie al oglinzii
este unitar.

alo
Rezistenţa de ieşire

An
Rezistenţa de ieşire aproximativǎ se scrie:

rCE1
gm1 gm3 rCE1 rCE3 +
∼ rBE3
Rout =   (3.69)
rCE1
e rCE1
gm2 1 + + gm1
rBE3 rBE3
at
Tensiunea minimǎ la ieşire
gr

Tensiunea minimǎ la ieşire trebuie sǎ asigure funcţionarea tranzistoarelor Q2


te

şi Q3 ı̂n regiunea activǎ normalǎ. Din structura circuitului se observǎ cǎ
tranzistorul Q2 va funcţiona ı̂n RAN datoritǎ conexiunii de diodǎ. Drept urmare
tensiunea minimǎ teoreticǎ la ieşire este ceva mai mare decât la oglinda cascodǎ.
In

În practicǎ, punând condiţia VCE = VBE pentru fiecare tranzistor, rezultǎ valori
similare pentru tensiunea minimǎ la ieşire ca şi pentru oglinda cascodǎ bipolarǎ.
ite

3.4 Sumar
rcu

În acest capitol s-au studiat structurile de oglinzi de curent MOS şi bipolare.
Accentul s-a pus pe comportamentul de curent continuu şi caracteristicile de
semnal mic ale circuitelor. Fiecare oglindǎ a fost caracterizatǎ prin factorul de
reflexie, tensiunea minimǎ la ieşire, rezistenţa de intrare şi rezistenţa de ieşire.
Ci

La oglinzile MOS raportul de reflexie depinde de neı̂mperecherea geometricǎ a


tranzistoarelor şi de dezechilibrul tensiunilor drenǎ-sursǎ ale tranzistoarelor din
oglinda fundamentalǎ. Adiţional, la oglinzile bipolare mai apare şi dependenţa
de câştigul de curent finit al tranzistoarelor bipolare. Soluţia care ı̂mbunǎtǎţeste

68 Doris Csipkes
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT

performanţele oglinzilor (ı̂n general precizia raportului de reflexie şi rezistenţa


de ieşire) este alegerea unor structuri de tip cascodǎ.

e
Bibliografie:

gic
1. Lelia Feştilǎ - Circuite integrate analogice I, Casa Cǎrţii de Ştiinţǎ, 1997;

alo
2. Doris Csipkes, Gabor Csipkes - Fundamental analog circuits. Practical
simulation exercises, UTPres, 2004;

3. P.E. Allen, D. Holberg - CMOS analog circuit design, Oxford University

An
Press, 1987

4. A. Manolescu - Analog Integrated Circuits, editura Foton International,


1999 e
at
gr
te
In
ite
rcu
Ci

Doris Csipkes 69
e
gic
Capitolul 4

alo
Referinţe electronice

An
Referinţele de curent şi de tensiune sunt implementǎrile cu dispozitive active
ale unor surse ideale. Ele furnizeazǎ o tensiune sau un curent independent
e
de sarcinǎ, de temperaturǎ şi de tensiunea de alimentare.
at
În realitate, termenul de referinţǎ este utilizat pentru a denumi circuitele care
genereazǎ tensiuni şi curenţi cu o precizie mai bunǎ şi mai independente de
gr

temperaturǎ şi tensiunea de alimentare decât sursele electronice obişnuite.


te

Pentru a caracteriza calitativ performanţele unei referinţe, trebuie luate ı̂n con-
siderare dependenţele curentului sau tensiunii generate de temperaturǎ precum
In

şi de parametrii de circuit. Astfel referinţele se caracterizeazǎ prin doi parametrii


principali: senzitivitatea şi coeficientul de temperaturǎ.
ite

Senzitivitatea este o mǎrime relativǎ şi se defineşte astfel:

∂Xref y
rcu

y
SXref = · (4.1)
∂y Xref

În aceastǎ ecuaţie Xref este tensiunea sau curentul generat, iar y este parame-
Ci

trul de circuit care introduce dependenţa (de ex. tensiunea de alimentare sau
o rezistenţǎ).

Coeficientul de temperaturǎ este senzitivitatea la variaţii ale temperaturii de


funcţionare, normatǎ la 1◦ C.
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. REFERINŢE ELECTRONICE

∂Xref 1
TC = · (4.2)
∂T Xref

e
Coeficientul de temperaturǎ este dat de regulǎ ı̂n V(A)/◦ C sau ı̂n ppm/◦ C.

gic
Majoritatea parametrilor de circuit care intervin ı̂n expresia curentului sau a
tensiunii de referinţǎ depind de temperaturǎ. Astfel determinarea riguroasǎ a

alo
coeficientului de temperaturǎ poate deveni foarte laborioasǎ.

4.1 Referinţǎ simplǎ cu divizor de tensiune

An
Cea mai simplǎ implementare a unei surse de tensiune este un divizor de
tensiune. Pentru realizǎri practice se pot utiliza elemente pasive sau active.
Schema circuitului este datǎ ı̂n Figura 4.1. e
VDD VCC
at
I I
M2
gr

R1
te
In

Vref Vref
R2
M1
ite

Figura 4.1: Referinţǎ cu divizor de tensiune


rcu

Expresia tensiunii de ieşire se poate gǎsi uşor scriind regula divizorului de


tensiune.
Ci

R2
Vref = · VDD (4.3)
R1 + R2

Aceastǎ ecuaţie este validǎ numai dacǎ circuitul funcţioneazǎ ı̂n gol sau dacǎ
rezistenţa de sarcinǎ este foarte mare.

Doris Csipkes 71
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. REFERINŢE ELECTRONICE

Senzitivitatea cu tensiunea de alimentare se calculeazǎ dupǎ cum urmeazǎ:

e
V
ref ∂Vref VDD R2 · VDD R1 + R2
SVDD = · = · =1 (4.4)

gic
∂VDD Vref R1 + R2 R1 · VDD

Senzitivitatea fiind unitarǎ, o variaţie de 10% a tensiunii de alimentare (uzualǎ


de altfel ı̂n practicǎ) va produce o variaţie de 10% a tensiunii de referinţǎ.

alo
Coeficientul de temperaturǎ depinde de variaţia raportului de rezistenţe precum
şi de variaţia tensiunii de alimentare cu temperatura. Coeficientul de tempera-

An
turǎ al unui raport de rezistenţe de acelaşi tip este foarte redus. Prin urmare
factorul care influenţeazǎ variaţia lui Vref cu temperatura este VDD .

Tensiunea de referinţǎ furnizatǎ de varianta activǎ a circuitului se calculeazǎ


e
din urmǎtorul sistem de ecuaţii:
at

ID1 = βn · (VGS1 − VT hn )2
gr





ID2 = βp · (VSG2 − |VT hp |)2

(4.5)
te

k W k W

βn = n 1 βp = p 2



2L1 2L2
In

Exprimând tensiunile VGS ale celor douǎ tranzistoare rezultǎ ecuaţiile de dispo-
zitiv:
ite

 r
ID1
VGS1 = VT hn +



 βn
rcu

s (4.6)
 ID2
VSG2 = |VT hp | +


 βp
Ci

Din circuit se mai obţine:

(
VDD − VSG2 = Vref
(4.7)
VGS1 = Vref

72 Doris Csipkes
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. REFERINŢE ELECTRONICE

Din combinaţia sistemelor (4.6) şi (4.7) rezultǎ curentul prin circuit. În calcule
se considerǎ ID1 = ID2 .

e
√ VDD − |VT hp | − VT hn
I= (4.8)

gic
1 1
√ +p
βn βp

Ştiind cǎ VGS1 = Vref şi considerând expresia lui VGS1 ı̂n funcţie de curent, se

alo
ajunge la urmǎtoarea expresie a tensiunii de referinţǎ:

VDD − VT hn − |VT hp |

An
Vref = VT hn + s (4.9)
βn
1+
βp
e
Senzitivitatea cu tensiunea de alimentare se obţine prin calculul derivatei.
at
V
ref ∂Vref VDD VDD
SVDD = · = s (4.10)
gr

∂VDD Vref βn
VDD + VT hn − |VT hp |
βp
te

În cazul particular ı̂n care βn = βp şi VT hn = |VT hp | senzitivitatea este egalǎ
In

cu unitatea. În practicǎ acest caz particular este foarte puţin probabil.

Coeficientul de variaţie cu temperatura al implementǎrii active se determinǎ


calculând derivatele parţiale ı̂n raport cu toţi parametrii de circuit care variazǎ
ite

cu temperatura. Astfel se poate scrie:


rcu

∂Vref 1 
T CVref = · = f T CVDD , T CVT hn , T CVT hp , T Cβn , T Cβp (4.11)
∂T Vref
Ci

Calculul matematic riguros al lui T CVref este relativ laborios.

Din expresia senzitivitǎţii şi coeficientului de temperaturǎ se observǎ cǎ ten-


siunea furnizatǎ de referinţǎ este puternic dependentǎ de tensiunea de ali-
mentare şi de temperaturǎ. Aceastǎ dependenţǎ se datoreazǎ faptului cǎ Vref

Doris Csipkes 73
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. REFERINŢE ELECTRONICE

este definitǎ de curentul de echilibru prin circuit, care la rândul lui depinde
proporţional de VDD . O ı̂mbunǎtǎţire s-ar putea aduce circuitului dacǎ Vref
ar depinde neliniar de curentul de echilibru. Dependenţa neliniarǎ se poate

e
realiza prin ı̂nlocuirea rezistenţei la masǎ cu un element neliniar, tipic o diodǎ
bipolarǎ sau MOS.

gic
4.2 Referinţa de tensiune cu diodǎ

alo
bipolarǎ şi MOS
Schemele referinţelor de tensiune cu diodǎ bipolarǎ şi diodǎ MOS sunt date ı̂n

An
Figura 4.2.

VDD VCC
e
I I
at
R R
gr
te

Vref Vref
In

M1 Q1
ite

Figura 4.2: Referinţa de tensiune cu diodǎ bipolarǎ şi diodǎ MOS


rcu

Expresia tensiunii de ieşire şi senzitivitatea cu VDD se pot determina cu metode


similare ca la referinţa cu divizor de tensiune. Presupunând cǎ referinţa este
izolatǎ de sarcinǎ (functioneazǎ ı̂n gol) punctele statice de funcţionare se gǎsesc
Ci

la intersecţia dintre caracteristicile tranzistoarelor şi dreapta de sarcinǎ.

Varianta MOS

Pentru varianta MOS se scrie urmǎtorul sistem de ecuaţii:

74 Doris Csipkes
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. REFERINŢE ELECTRONICE

VDD − Vref

I =


R

e
r (4.12)
I
Vref = VGS = VT h +

gic

β

unde β are aceeaşi semnificaţie ca la circuitele discutate anterior.

alo
Tensiunea de referinţǎ rezultǎ:
s
VDD − Vref

An
Vref = VT h + (4.13)
β·R

Aceastǎ ecuaţie are soluţii multiple (prin rearanjarea termenilor rezultǎ o ecuaţie
de gradul 2). Calculul riguros al soluţiilor nu este neapǎrat necesar pentru
e
a determina senzitivitatea tensiunii de referinţǎ cu tensiunea de alimentare.
at
Senzitivitatea se obţine cu metoda clasicǎ prin calculul derivatelor.
gr

V
ref ∂Vref VDD VDD
SVDD = · = p (4.14)
∂VDD Vref 2Vref β · R · (VDD − Vref )
te

Coeficientul de temperaturǎ este din nou o funcţie de variaţiile cu temperatura


In

ale tuturor parametrilor de circuit. Determinarea expresiei exacte se face prin


derivare ı̂n raport cu temperatura.
ite

∂Vref 1
T CVref = · = f (T CVDD , T CVT h , T Cβ , T CR ) (4.15)
∂T Vref
rcu

Varianta bipolarǎ

Sistemul de ecuaţii care caracterizeazǎ punctul static de funcţionare se scrie:


Ci

 
I

Vref = VBE = VT · ln I


S
(4.16)

 VCC − Vref
I=
R

Doris Csipkes 75
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. REFERINŢE ELECTRONICE

Tensiunea de referinţǎ rezultǎ:

 
VCC − Vref
Vref = VT · ln (4.17)

e
R · IS

gic
Se observǎ cǎ aceastǎ ecuaţie este transcendentǎ. Din acest motiv pentru
rezolvare se utilizeazǎ metode numerice. Senzitivitatea cu VDD se calculeazǎ
cu ajutorul derivatelor parţiale.

alo
V
ref ∂Vref VCC VCC · VT
SVCC = · = (4.18)
∂VCC Vref Vref · (VCC − Vref )

An
Se observǎ cǎ senzitivitatea scade cu Vref . Acest fapt se datoreazǎ variaţiei
neliniare a lui Vref cu valoarea curentul prin circuit. e
at
Observaţie: comparând senzitivitǎţile variantelor MOS şi bipolare se poate
ajunge la concluzia cǎ implementarea bipolarǎ oferǎ o senzitivitate mai
scǎzutǎ datoritǎ neliniaritǎţii accentuate a funcţiei IC = f (VBE ). Chiar
gr

şi aşa, uneori senzitivitatea nu este suficient de micǎ pentru aplicaţii de


precizie. În aceste cazuri este nevoie de structuri speciale care sǎ compen-
te

seze dependenţele de VDD .


In

Coeficientul de temperaturǎ se scrie:

T CVref = f (T CVCC , T CVT , T CR , T CIS ) (4.19)


ite

Un dezavantaj al referinţei cu diodǎ simplǎ este domeniul limitat de valori ale


tensiunii de referinţǎ. Din schemǎ rezultǎ cǎ Vref este ı̂ntotdeauna egal cu
rcu

tensiunile grilǎ-sursǎ sau bazǎ-emitor ale tranzistoarelor.

O extensie a domeniului de valori se obţine prin introducerea unui divizor de


tensiune rezistiv ca ı̂n Figura 4.3. Tensiunea de referinţǎ pentru varianta MOS
Ci

se scrie:

  s !
R1 VDD − Vref
Vref = 1+ VT h + (4.20)
R2 β·R

76 Doris Csipkes
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. REFERINŢE ELECTRONICE

VDD VCC
I I

e
R R

gic
R1 R1
Vref

alo
Vref

M1 Q1
R2 R2

An
Figura 4.3: Referinţa de tensiune cu diodǎ şi domeniu extins de valori
e
at
În mod similar pentru varianta bipolarǎ rezultǎ:
gr

   
R1 VCC − Vref
Vref = VT 1+ ln (4.21)
R2 R · IS
te
In

4.3 Referinţa de tensiune cu diodǎ Zener


ite

Din comparaţia referinţelor de tensiune cu dioda MOS şi dioda bipolarǎ a rezul-
tat cǎ o dependenťǎ mai neliniarǎ a tensiunii pe diodǎ (proporţionalǎ sau egalǎ
cu Vref ) duce la o senzitivitate mai scǎzutǎ cu VDD . Intuitiv, cu cât variaţia
rcu

curentului prin diodǎ cu tensiunea aplicatǎ (VGS sau VBE ) este mai abruptǎ,
cu atât senzitivitatea cu VDD scade. Aceastǎ proprietate a circuitului este ex-
ploatatǎ prin utilizarea unor diode Zener cu caracteristica VD = f (ID ) foarte
abruptǎ. Figura 4.4 prezintǎ referinţa de tensiune cu o diodǎ Zener şi variaţia
Ci

curentului cu tensiunea pe diodǎ. Punctul static de funcţionare este determinat


tot de intersecţia caracteristicii diodei cu dreapta de sarcinǎ.

Dioda Zener este utilizatǎ ı̂n regim de strǎpungere pentru a implementa carac-
teristica tensiune-curent abruptǎ. Tensiunea de strǎpungere VBV este puternic

Doris Csipkes 77
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. REFERINŢE ELECTRONICE

dependentǎ de concentraţia purtǎtorilor de sarcinǎ din regiunile p+ şi n+ ale


joncţiunii.

e
VDD

gic
I
I
R VDD/R

alo
An
D Vref IPSF

VBV VDD V
e
at
Figura 4.4: Referinţa de tensiune cu diodǎ Zener
gr

Dezavantajul major al circuitului este faptul cǎ ı̂n tehnologiile MOS tensiunea
de strǎpungere are valori ridicate, tipic 5-6V. Astfel referinţa nu poate fi
te

utilizatǎ ı̂n circuitele de joasǎ tensiune unde alimentarea nu depǎşeste 2,5-3V.


In

4.4 Referinţǎ de curent cu oglindǎ simplǎ


de curent
ite

Referinţa de tensiune cu diodǎ discutatǎ anterior se poate transforma ı̂ntr-o


referinţǎ de curent prin copierea curentului din circuit cu o oglindǎ de curent.
Prin adǎugarea unui tranzistor de ieşire din oglindǎ rezultǎ schema din Figura
rcu

4.5.

Dacǎ tranzistoarele sunt identice şi oglinzile echilibrate, atunci senzitivitatea


curentului de ieşire cu VDD va fi egalǎ cu senzitivitatea lui Iref . O ı̂mbunǎtǎţire
Ci

a senzitivitǎţii este posibilǎ dacǎ senzitivitatea curentului Iref ar fi scalatǎ cu


un coeficient subunitar. Aceastǎ scalare se poate implementa dacǎ o parte
din tensiunea VGS (VBE ) creatǎ de curentul Iref ar fi preluatǎ de un element
liniar. Astfel s-ar introduce o dependenţǎ mai slabǎ a curentului de ieşire cu
VDD . Circuitul rezultat se numeşte oglindǎ de curent sau referinţǎ Widlar.

78 Doris Csipkes
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. REFERINŢE ELECTRONICE

VDD VCC
Iref Iref

e
R Io R Io

gic
M1 M2 Q1 Q2

alo
Figura 4.5: Referinţǎ de curent cu oglindǎ de curent simplǎ

4.5 Referinţa de curent Widlar


An
e
at
Referinţa Widlar se poate implementa atât cu tranzistoare MOS cât şi cu tran-
zistoare bipolare. Schemele celor douǎ variante sunt date ı̂n Figura 4.6.
gr

VDD VCC
te

Iref Iref
R1 R1
In

Io Io
ite

M1 M2 Q1 Q2

R2 R2
rcu

Figura 4.6: Referinţǎ de curent Widlar


Ci

4.5.1 Referinţa Widlar cu tranzistoare MOS


Funcţionarea circuitului este descrisǎ de urmǎtorul sistem de ecuaţii:

Doris Csipkes 79
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. REFERINŢE ELECTRONICE



VGS1 = VGS2 + R2 Io

e
r
Iref



VGS1 = VT h + (4.22)
β1

gic

 r
Io



VGS2 = VT h +

β2

alo
Calculând diferenţa tensiunilor grilǎ-sursǎ şi ı̂nlocuind ı̂n prima ecuaţie rezultǎ:

An
s s
Io Iref
Io R2 + − =0 (4.23)
β2 β1

Aceastǎ ecuaţie este de gradul doi cu necunoscuta Io . Soluţia este de forma:
e
at
 v 
u s
p 1  1 u 1 Iref 
Io = · − √ ± t + 4R2 (4.24)
gr

2R2 β2 β2 β1

te

Dat fiind faptul cǎ termenul din stânga este un radical, soluţia acceptatǎ este
numai cea cu semnul plus.
In

Senzitivitatea curentului de ieşire cu tensiunea de alimentare se determinǎ prin


calculul derivatelor din ecuaţia (4.23) şi identificarea senzitivitǎţilor SVIoDD şi
SVIref
DD .
ite

r
Iref
I β1 I Vod1
rcu

SVIoDD = SVref · s = SVref · (4.25)


DD
Iref
r
Io
DD 2Vod1 − Vod2
2 −
β1 β2
Ci

Din prima ecuaţie a sistemului (4.22) rezulta ca VGS1 > VGS2 . Aceastǎ inega-
litate este valabilǎ şi pentru perechea Vod1 şi Vod2 . Astfel:

I
SVIoDD = k · SVref
DD
, k<1 (4.26)

80 Doris Csipkes
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. REFERINŢE ELECTRONICE

4.5.2 Referinţa Widlar cu tranzistoare bipolare


Sistemul de ecuaţii care descrie funcţionarea circuitului se scrie:

e

gic
V = VBE2 + R2 Io
 BE1


  
Iref


VBE1 = VT · ln

IS1 (4.27)

alo

  
Io


VBE2 = VT · ln


IS2

An
Înlocuind ı̂n prima ecuaţie tensiunile bazǎ-emitor se obţine:

 
Io IS1
Io R2 + VT · ln · =0 (4.28)
e
Iref IS2
at
Curentul de ieşire rezultǎ:
gr

 
VT Iref IS2
Io = · ln · (4.29)
te

R2 Io IS1

Aceastǎ ecuaţie este transcendentǎ, prin urmare valoarea curentului de ieşire se


In

determinǎ prin metode numerice.


ite

Observaţie: curentul de ieşire depinde direct proporţional de VT deci de


temperatura absolutǎ. Astfel, putem spune cǎ referinţa de curent Widlar cu
tranzistoare bipolare genereazǎ un curent de tip PTAT (Proportional To
rcu

Absolute Temperature). Pentru a fi PTAT curentul trebuie sǎ fie indepen-


dent de curentul de saturaţie al tranzistoarelor, IS .
Ci

Senzitivitatea curentului de ieşire cu VDD se calculeazǎ similar ca la varianta


MOS, rezultând:

I VT I
SVIoCC = SVref · = k · SVref , k<1 (4.30)
CC VT + R2 Io CC

Doris Csipkes 81
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. REFERINŢE ELECTRONICE

Senzitivitatea se poate ı̂mbunǎtǎţi dacǎ ı̂ntreaga tensiune VGS2 (VBE2 ) este


preluatǎ de o rezistenţǎ pasivǎ astfel ı̂ncât valoarea curentului de ieşire nu va
mai depinde de VGS2 (VBE2 ).

e
gic
4.6 Referinţa de curent VT h şi VBE
Structura circuitului rezultǎ din observaţia de mai sus şi este datǎ ı̂n Figura 4.7.

alo
VDD VCC
Iref Iref

An
R1 Io R1 Io

M2
e Q2
at
M1 Q1
gr

R2 R2
te
In

Figura 4.7: Referinţǎ de curent VT h şi VBE


ite

În aceastǎ structurǎ rolul tranzistorului M2 (Q2 ) este sǎ acţioneze ca tampon
şi sǎ stabileascǎ rezistenţa de ieşire a circuitului.
rcu

Curenţii de ieşire se scriu:

 r
Iref
VT h +


Ci

V


IoM OS = GS1 =

 β1
R2 R2

  (4.31)
 Iref
VT ln


V IS1

IoT B = BE1 =



R2 R2

82 Doris Csipkes
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. REFERINŢE ELECTRONICE

Prin derivare se gǎsesc senzitivitǎţile curenţilor de ieşire cu tensiunea de alimen-


tare.

e
gic
Vod1

IoM OS Iref
SVDD = SVDD ·


2 (Vod1 + VT h )
(4.32)
VT
SVIoT B = SVIref

 ·

alo
CC CC VBE1

Prin calcule numerice se poate demonstra cǎ referinţele de tip VT h şi VBE

An
au senzitivitǎţi mai reduse cu tensiunea de alimentare decât oglinzile Widlar
corespunzǎtoare.

4.7 Referinţe independente de VDD


e
at
Curenţii şi tensiunile furnizate de referinţele studiate depind de tensiunea de
alimentare, având o senzitivitate nenulǎ cu VDD .
gr

La referinţele studiate pânǎ ı̂n acest moment curentul de ieşire depinde de


tensiunea de alimentare prin intermediul curentului de referinţǎ Iref . La
te

rândul lui Iref depinde de VDD prin metoda cu care a fost generat (echilibrul din
prima ramurǎ → o cǎdere de tensiune pe o dioda MOS sau bipolarǎ). Intuitiv,
In

dacǎ Iref ar fi generat cu ajutorul lui Io , farǎ o dependenţǎ de VDD , atunci


curentul de ieşire ar fi teoretic independent de tensiunea de alimentare. Acest
lucru este posibil prin dubla definiţie a curentului de ieşire şi fenomenul numit
ite

”bootstrapping”.

Generarea curentului Iref cu ajutorul lui Io se face prin simpla copiere a curen-
rcu

tului Io ı̂n cealaltǎ ramurǎ printr-o oglindǎ de curent. Schema circuitului este
datǎ ı̂n Figura 4.8.

Cele douǎ variante se bazeazǎ pe referinţele Widlar şi VT h cu tranzistoare MOS.


Ci

Tranzistoarele M5 şi M6 preiau şi distribuie curentul de ieşire spre alte circuite
dupǎ necesitate.

Ecuaţiile care descriu funcţionarea circuitului sunt urmǎtoarele (scrise pentru


varianta cu referinţa VT h ):

Doris Csipkes 83
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. REFERINŢE ELECTRONICE


VGS1 = Io R

e
r (4.33)
Iref

gic
VGS1 = VT h +


β1

alo
VDD VDD

An
M3 M4 M5 M3 M4 M5
Rp Rp

I5 I5
M7 Iref M7 Iref
Io Io
I6
e
at
M2 I6
M1 M2 M6
M8 M8
M1 M6
gr

R R
te

Circuit de pornire Circuit de pornire


In

Figura 4.8: Referinţǎ bootstrap


ite

Dacǎ se considerǎ tranzistoarele M3 şi M4 identice şi se neglijeazǎ neidealitǎţile


oglinzii de curent rezultǎ Iref = Io . În aceste condiţii, din sistemul (4.33) se
poate obţine expresia curentului de ieşire.
rcu

 r 
p 1 1 1
Io = · √ + + 4RVT h (4.34)
2R β1 β1
Ci

Se observǎ cǎ aceastǎ ecuaţie nu conţine elemente dependente de tensiunea de


alimentare. Drept urmare, senzitivitatea curentului de ieşire cu tensiunea de
alimentare este zero.

84 Doris Csipkes
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. REFERINŢE ELECTRONICE

Observaţie: ı̂n realitate eroarea raportului de reflexie al oglinzii PMOS


depinde de dezechilibrul tensiunilor drenǎ-sursǎ ale tranzistoarelor. Deze-
chilibrul conţine ı̂n expresia sa tensiunea de alimentare VDD . Astfel, dacǎ

e
raportul de reflexie nu este precis, senzitivitatea va avea o valoare diferitǎ
de zero.

gic
Observaţie: datoritǎ principiului de funcţionare, circuitul are douǎ puncte

alo
de echilibru. Primul punct este ı̂n origine, unde atât Iref cât şi Io sunt
zero. Al doilea punct este definit de egalitatea lui Iref şi Io la valori diferite
de zero. Pentru a ne asigura cǎ circuitul pǎrǎseşte punctul static nedorit

An
din origine trebuie sǎ adaugǎm un circuit de pornire.

Circuitul de pornire asigurǎ un curent iniţial prin circuit şi este dezactivat treptat
dacǎ circuitul evolueazǎ spre punctul static de funcţionare definit de ecuaţia
(4.34). Funcţionarea circuitului de pornire din Figura 4.8 este urmǎtoarea:
e
at
- Iref = Io = 0 → ı̂n drena lui M1 avem potenţial zero, dar ı̂n grila lui
M7 avem un potenţial egal cu VGS8 → M7 conduce → se injecteazǎ un
gr

curent ı̂n dioda MOS M1 → apare o cǎdere de tensiune pe rezistenţa R


→ apare un curent Io la ieşire → Io este copiat ı̂n ramura de referinţǎ
→ curenţii Iref şi Io vor converge spre o valoare de echilibru prin reacţie
te

pozitivǎ;
In

- tototdatǎ potenţialul din drena lui M1 creşte → M7 pierde VGS şi se va


bloca treptat → circuitul de pornire este dezactivat, curentul prin M7
reducându-se la zero.
ite

4.8 Referinţe compensate cu temperatura


rcu

Referinţele prezentate pânǎ acum erau puternic influenţate de variaţia tempe-


raturii. În practicǎ este adesea necesarǎ generarea unei tensiuni sau a unui
curent stabil cu temperatura. Aceastǎ condiţie este ı̂ndeplinitǎ de referinţele
de tip bandǎ interzisǎ (eng. bandgap).
Ci

Tensiunile şi curenţii generaţi de referinţele studiate aveau o variaţie pozitivǎ


sau negativǎ cu temperatura. În continuare se vor considera douǎ tipuri de
tensiuni: VBE şi VBE , prima generatǎ de referinţa de curent de tip VBE , iar a
doua generatǎ de referinţa de curent Widlar cu tranzistoare bipolare.

Doris Csipkes 85
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. REFERINŢE ELECTRONICE

Variaţia lui VBE cu temperatura

e
Reamintim variaţia lui VBE cu valoarea curentului printr-un tranzistor bipolar:

gic
 
IC
VBE = VT · ln (4.35)
IS

alo
La prima vedere s-ar pǎrea cǎ VBE creşte cu temperatura (fiind proporţionalǎ
cu VT ). Pentru a determina sensul de variaţie corect trebuie consideratǎ
urmǎtoarea expresie semi-empiricǎ a curentului de saturaţie:

An
VG0

IS = I0 · e VT (4.36)
e
În aceastǎ ecuaţie I0 este un curent dependent de procesul de fabricaţie (mult
at
mai mare decât IS ), iar VG0 este tensiunea de bandǎ interzisǎ a siliciului, ex-
trapolatǎ la temperatura de 0◦ K. Înlocuind expresia lui IS ı̂n ecuaţia (4.35),
rezultǎ:
gr

 
VG0
te

 
 IC V I0
VBE = VT · ln  ·e T  = VG0 − VT · ln (4.37)

I0 IC
In

Din aceastǎ ecuaţie se observǎ cǎ tensiunea VBE scade liniar cu temperatura.
Deasemenea, la 0◦ K, VBE este egalǎ cu VG0 . Drept urmare, se poate spune cǎ
ite

VBE este o tensiune de tip CTAT (Complementary To Absolute Temperature).

Variaţia tensiunii ∆VBE cu temperatura


rcu

Tensiunea ∆VBE este de fapt o diferenţǎ de tensiuni de tip VBE . Astfel, se


poate scrie:
Ci

 
IC1 IS2
∆VBE = VBE1 − VBE2 = VT · ln · (4.38)
IC2 IS1

Dacǎ cele douǎ tranzistoare sunt identice, atunci ∆VBE va depinde numai de
raportul curenţilor de colector, iar curenţii IS1 şi IS2 se simplificǎ. Astfel,

86 Doris Csipkes
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. REFERINŢE ELECTRONICE

dependenţa de temperaturǎ a lui IS este eliminatǎ, iar ∆VBE va creşte liniar


cu temperatura. Drept urmare putem spune cǎ ∆VBE este o tensiune de tip
PTAT.

e
gic
Observaţie: de câte ori avem nevoie de tensiune (sau curent) PTAT, vom
cǎuta sǎ generǎm o tensiune de tip ∆VBE . De câte ori avem nevoie de o
tensiune CTAT, generǎm o tensiune de tip VBE .

alo
Principiul de funcţionare a referinţelor compensate cu temperatura se bazeazǎ
pe ı̂nsumarea ponderatǎ a douǎ tensiuni având coeficientul de temperaturǎ

An
de semn opus (practic ı̂nsumǎm un PTAT cu un CTAT). Adţional, ambele
tensiuni ar trebui sǎ fie independente de tensiunea de alimentare (se obţine prin
bootstrapping) deoarece sumarea compenseazǎ numai variaţiile cu temperatura.
e
Schema de principiu a unei referinţe ”bandgap” este datǎ ı̂n Figura 4.9.
at
VDD
VT
a
gr

PTAT
I
te

I1 aVT
In

VBE Vo
Q
ite

Figura 4.9: Schema de principiu a unei referinţe ”bandgap”


rcu

Tensiunea de ieşire se scrie:


Ci

Vo = VBE + a · VT (4.39)

Coeficientul a este o mǎrime constantǎ, independentǎ de temperaturǎ


V
(de cele mai multe ori realizatǎ ca raport de rezistenţe şi/sau de curenţi de
saturaţie).

Doris Csipkes 87
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. REFERINŢE ELECTRONICE

Ţinând cont de expresiile tensiunilor VBE şi ∆VBE , tensiunea de ieşire se scrie:

e
   
I0 IC1 IS2
Vo = VG0 − VT · ln + VT · ln · (4.40)

gic
IC IC2 IS1

Dacǎ circuitul este corect dimensionat, atunci termenii dependenţi de tempe-

alo
raturǎ se reduc, iar tensiunea de ieşire va fi aproximativ egalǎ cu VG0 (de aici
numele de ”bandgap”).

Pentru a gǎsi variaţia tensiunii de ieşire cu temperatura se deriveazǎ ecuaţia

An
(4.39) ı̂n raport cu temperatura. Pentru un calcul corect ar trebui sǎ cunoaştem
valorile exacte ale tensiunilor şi coeficientul lor de variaţie cu temperatura.

4.9 Exemple
e
at
Referinţa ”bandgap” de tip Widlar
gr

Una dintre primele implementǎri ale referinţelor ”bandgap”, bazatǎ numai pe


tranzistoare bipolare, este cea datǎ de Widlar. Schema circuitului este prezen-
te

tatǎ ı̂n Figura 4.10.

Pentru simplitate, ı̂n calcule se considerǎ β = ∞. Expresia tensiunii de ieşire


In

se calculeazǎ din urmǎtorul sistem de ecuaţii:


ite


V = R1 I1 + VBE1
 o


VBE1 = VBE2 + R3 I2 (4.41)

rcu


VBE1 + R1 I1 = VBE3 + R2 I2

Dacǎ tranzistoarele Q1 şi Q3 sunt identice, atunci expresia lui I2 se scrie:


Ci

 
VT R2 IS2
I2 = · ln · (4.42)
R3 R1 IS1

Tensiunea de ieşire rezultǎ:

88 Doris Csipkes
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. REFERINŢE ELECTRONICE

 
R2 R2 IS2
Vo = VBE1 + VT · · ln · (4.43)
R3 R1 IS1

e
Din aceastǎ ecuaţie se observǎ cǎ tensiunea de ieşire este compensatǎ cu tem-

gic
peratura.

VCC

alo
I3
Q4
Rp

An
Vo

R2 R1
I2 e I1
Q3
at
Q2 Q1
gr

R3
te

Figura 4.10: Referinţa ”bandgap” de tip Widlar


In
ite

Observaţie: ı̂n general referinţele ”bandgap” prezintǎ o curburǎ a carac-


teristicii Vo = f (T ) datoratǎ neidealitǎţilor. Punctul de maxim al curbei
semnificǎ un coeficient de temperaturǎ egal cu zero şi se ajusteazǎ la
rcu

temperatura nominalǎ cu ajutorul elementelor de circuit.

Referinţa ”bandgap” de tip Song


Ci

Referinţa ”bandgap” Song foloseşte o oglindǎ Widlar bipolarǎ pentru a ge-


nera curentul PTAT. Oglinda de curent PMOS utilizatǎ pentru compensarea
variaţiilor cu VDD este o oglindǎ cascodǎ care reduce erorile raportului de re-
flexie şi implicit senzitivitatea curentului de ieşire cu VDD . Schema circuitului
este datǎ ı̂n Figura 4.11.

Doris Csipkes 89
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. REFERINŢE ELECTRONICE

VDD

M6 M7 M8

e
gic
M3 M4 M5

alo
I1 IPTAT
I2 Vo
M1 M2
R2

Q1 Q2 Q3

An
e
R1
at
gr

Figura 4.11: Referinţa ”bandgap” de tip Song


te

Sistemul de ecuaţii corespunzǎtoare circuitului se scrie:


In

V

V = VBE3 + R2 IP T AT
 o


(4.44)
ite

VBE1 = VBE2 + R1 I2


I1 = I2 = IP T AT

Rezultǎ:
rcu

 
R2 IS2
Vo = VBE3 + VT · · ln (4.45)
R1 IS1
Ci

Referinţa ”bandgap” de tip Brokaw

Una dintre cele mai cunoscute structuri de referinţe ”bandgap” este celula
Brokaw. Diferenţa dintre tensiunile bazǎ-emitor necesarǎ pentru producerea
curentului PTAT este generatǎ cu ajutorul unui divizor rezistiv de tensiune.

90 Doris Csipkes
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. REFERINŢE ELECTRONICE

Schema circuitului este datǎ ı̂n Figura 4.12.

e
VCC

gic
R1 R2

alo
Vo
-
I1 I2

An
Q1 Q2

R3
e
at

R4
gr
te

Figura 4.12: Referinţa ”bandgap” cu celulǎ Brokaw


In

În aceastǎ variantǎ de celulǎ Brokaw amplificatorul operaţional este utilizat ı̂n
configuraţia cu reacţie pentru a egala tensiunile la bornele sale de intrare. Dacǎ
ite

se considerǎ amplificatorul operaţional ideal (tensiune de offset şi curenţi de


polarizare neglijabili) atunci potenţialele de la bornele inversoare şi neinversoare
sunt egale. Astfel, cǎderile de tensiune pe rezistenţele R1 şi R2 sunt egale, iar
rcu

curenţii sunt ponderaţi de valorile rezistenţelor.

Sistemul de ecuaţii caracteristic circuitului se scrie:


Ci


V = VBE1 + R4 (I1 + I2 )
 o


VBE1 = VBE2 + R3 I2 (4.46)


R1 I1 = R2 I2

Doris Csipkes 91
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. REFERINŢE ELECTRONICE

Tensiunea de ieşire rezultǎ:


   
R4 R2 R2 IS2
Vo = VBE1 + VT · · 1+ · ln · (4.47)
R3 R1 R1 IS1

e
gic
Observaţie: ı̂n realitate variaţia cu temperatura a lui VBE este uşor ne-
liniarǎ, astfel ı̂ncât caracteristica de ieşire a referinţei ”bandgap” variazǎ

alo
cu temperatura ca ı̂n Figura 4.13. Se observǎ cǎ panta caracteristicii se
anuleazǎ la o singurǎ temperaturǎ, consideratǎ temperatura nominalǎ de
proiectare. De multe ori, mai ales la circuitele integrate de joasǎ putere,
aceastǎ temperaturǎ este egalǎ cu cea a camerei (27◦ C).

Vo
An
e
at
gr

T
te

o o o
-40 C 27 C 100 C
In

Figura 4.13: Variaţia realǎ a tensiunii de ieşire cu temperatura


ite

4.10 Sumar
rcu

În acest capitol s-au prezentat câteva tipuri de referinţe considerate imple-
mentǎri electronice ale surselor ideale. Majoritatea referinţelor simple sunt sen-
sibile la variaţiile tensiunii de alimentare şi ale temperaturii. Pentru a com-
pensa variaţiile cu tensiunea de alimentare se utilizeazǎ procedeul de boots-
Ci

trapping care introduce o dubla definiţie a curentului de ieşire eliminând astfel


dependenţa de VDD .

Pentru a compensa variaţiile tensiunii sau curentului generat cu temperatura


se utilizeazǎ ı̂nsumarea unor tensiuni cu coeficienţi de temperaturǎ de semn

92 Doris Csipkes
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. REFERINŢE ELECTRONICE

opus. În paragrafele dedicate referinţelor de tip bandǎ interzisǎ s-a arǎtat cǎ
aceste referinţe sunt, ı̂n cazul ideal, imune la schimbǎrile de temperaturǎ, dar
ı̂n realitate existǎ o curburǎ a caracteristicii temperaturǎ-tensiune. Elementele

e
de circuit permit o ajustare a temperaturii nominale la care coeficientul de
temperaturǎ al referinţei se anuleazǎ.

gic
Bibliografie:

alo
1. Lelia Feştilǎ - Circuite integrate analogice I, Casa Cǎrţii de Ştiinţǎ, 1997;

2. Doris Csipkes, Gabor Csipkes - Fundamental analog circuits. Practical

An
simulation exercises, UTPres, 2004;

3. P.E. Allen, D. Holberg - CMOS analog circuit design, Oxford University


Press, 1987 e
4. A. Manolescu - Analog Integrated Circuits, editura Foton International,
at
1999.

5. T. H. Lee - The Design of CMOS Radio-Frequency Integrated Circuits,


gr

Cambridge University Press, 1998;


te

6. J-T. Wu - Voltage and Current References - Lecture Notes, National


Chiao-Tung University, Taiwan, 2003
In
ite
rcu
Ci

Doris Csipkes 93
e
gic
Capitolul 5

alo
Amplificatoare simple

An
Amplificatoarele inversoare simple constituie etajele fundamentale ı̂n circuitele
de amplificare mai complexe, cum sunt amplificatoarele operaţionale sau com-
e
paratoarele integrate.
at
Structura amplificatoarelor inversoare conţine ı̂ntotdeauna o sursǎ de curent
controlatǎ ı̂n tensiune şi un circuit de sarcinǎ. Mecanismul de amplificare
gr

are la bazǎ principiul de conversie a tensiunii de intrare ı̂n curent, iar apoi
acest curent este injectat ı̂ntr-un nod de ı̂naltǎ impedanţǎ de unde se culege
te

tensiunea de ieşire.

Discuţia asupra amplificatoarelor simple din aceastǎ secţiune prezintǎ analiza


In

punctului static de funcţionare, modelul de semnal mic şi joasǎ frecvenţǎ, pre-
cum şi comportamentul la frecvenţe mari.
ite

5.1 Amplificatorul inversor cu sarcinǎ rezistivǎ


rcu

La acest tip de amplificator tensiunea de intrare este convertitǎ ı̂n curent de


tranzistorul de intrare. Sarcina este o rezistenţǎ pasivǎ care determinǎ ı̂n ultima
instanţǎ câştigul. Schema circuitului este datǎ ı̂n Figura 5.1.a.
Ci

Punctul static de funcţionare

Punctul static de funcţionare se gǎseşte din condiţia de echilibru al circui-


tului. Condiţia de echilibru implicǎ egalitatea curenţilor prin rezistenţǎ şi prin
tranzistor (presupunând funcţionarea ı̂n gol sau cu sarcinǎ pur capacitivǎ).
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE

Punctul static de funcţionare se poate determina ı̂n mod grafic din intersecţia
caracteristicii de ieşire a tranzistorului M1 şi a dreptei de sarcinǎ (Figura 5.1.b).

e
VDD I

gic
VDD R
R R

alo
I vout PSF

vin M1 M1

An VDD Vout
a)
e b)
at
Figura 5.1: Amplificatorul inversor cu sarcinǎ rezistivǎ
gr
te

Observaţie: fiecǎrei tensiuni de intrare continue (fiecǎrui VGS1 ) ı̂i va cores-


punde un punct de echilibru diferit, circuitul are mai multe puncte statice
de funcţionare posibile
In
ite

Domeniul de variaţie a tensiunii de ieşire

Punctul static de funcţionare al circuitului trebuie ales astfel ı̂ncât la valori de


rcu

vârf ale semnalului tranzistorul sǎ rǎmânǎ ı̂n regim saturat. Invers, pentru un
PSF ales se poate determina domeniul de variaţie a semnalului de ieşire.

În cazul amplificatorului cu sarcinǎ rezistivǎ limita de sus a domeniului de


Ci

variaţie este chiar VDD deoarece rezistenţa nu impune reguli asupra cǎderii
de tensiune la bornele sale. Limita de jos este determinatǎ de polarizarea
tranzistorului care funcţioneazǎ ı̂n regim saturat dacǎ VDS > Vod . Astfel, la un
vârf negativ al semnalului tensiunea instantanee la ieşire nu are voie sǎ scadǎ
sub Vod1 .

Doris Csipkes 95
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE

Modelul de semnal mic şi joasǎ frecvenţǎ

Modelul de semnal mic şi joasǎ frecvenţǎ, prezentatı̂n Figura 5.2, ignorǎ efectele

e
capacitǎţilor parazite şi a capacitǎţii de sarcinǎ asupra funcţionǎrii circuitului.

gic
alo
vin gm1vGS1 rDS1 R vout

An
Figura 5.2: Schema de semnal mic a amplificatorului cu sarcinǎ rezistivǎ
e
La construcţia modelului s-a considerat transconductanţa de substrat mult mai
at
micǎ decât gm , iar nodurile conectate la surse constante au fost pasivizate (de
ex. VDD devine masǎ).
gr

Observaţie: modelul de semnal mic este inerent liniar deoarece descrie


te

variaţii mici (infinitezimale) ale semnalelor ı̂n jurul punctului static de


funcţionare. Acest lucru ı̂nseamnǎ cǎ o tensiune sinusoidalǎ aplicatǎ la
In

intrarea modelului va produce la ieşire tot un semnal sinusoidal de aceeaşi


frecvenţǎ.
ite

Observaţie: modelul de semnal mic conţine doar elemente pasive şi surse
comandate. Drept urmare, efectele dinamice din circuit (de ex. limitarea
rcu

semnalului sau viteza de variaţie a semnalului) nu sunt modelate.

Câştigul de joasǎ frecvenţǎ se determinǎ scriind teorema lui Kirchhoff şi legea
Ci

lui Ohm la nodul de ieşire.


vout vout
gm1 vin + + =0 (5.1)
rDS1 R

Dacǎ se considerǎ rDS1 >> R, rezultǎ:

96 Doris Csipkes
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE

vout −gm1
A0 = = = −gm1 Rout ∼
= −gm1 R (5.2)
vin 1 1
+
rDS1 R

e
gic
Observaţie: câştigul de joasǎ frecvenţǎ al unui amplificator simplu de ten-
siune se scrie ı̂ntotdeauna ca produsul dintre transconductanţa tranzisto-
rului de intrare (conversia tensiune-curent) şi rezistenţa de ieşire (conver-

alo
sia curent-tensiune).

Pentru amplificatorul cu sarcinǎ rezistivǎ transconductanţa tranzistorului de

An
intrare este gm1 , iar rezistenţa de ieşire se aproximeazǎ cu R.

Comportamentul ı̂n frecvenţǎ


e
Pentru a descrie comportamentul ı̂n frecvenţǎ trebuie sǎ ţinem cont de capa-
at
citǎţile parazite din circuit şi de capacitatea de sarcinǎ. Figura 5.3 prezintǎ
schema amplificatorului cu toate capacitǎţile nodurilor explicitate.
gr

VDD
te

R
In

rhz vout
C1
p
ite

M1
vin
M1 C2
rcu
Ci

Figura 5.3: Schema amplificatorului cu sarcinǎ rezistivǎ şi capacitǎţile ex-


plicitate

Capacitatea C1 este chiar capacitatea grilǎ-drenǎ a tranzistorului M1 . Capa-


citatea C2 conţine toate capacitǎţile parazite conectate la nodul de ieşire şi

Doris Csipkes 97
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE

capacitatea de sarcinǎ.

Din examinarea schemei se observǎ cǎ nodul de ieşire va introduce un pol ı̂n

e
funcţia de transfer a circuitului. Etajul fiind inversor, efectul Miller datorat

gic
cuplajului capacitiv prin C1 va produce şi un zero ı̂n semiplanul drept (RHZ
= Right Half-plane Zero). În concluzie, dacǎ se considerǎ o sursǎ de tensiune
idealǎ la intrare, funcţia de transfer a amplificatorului va avea un pol şi un zero
pozitiv.

alo
Schema de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ a circuitului este datǎ ı̂n Figura 5.4.

An
C1
e
vin Gmvin Rout C2 vout
at
gr
te

Figura 5.4: Modelul de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ al amplificatorului


cu sarcinǎ rezistivǎ
In

Teorema lui Kirchhoff pentru curenţi la nodul de ieşire conduce la urmǎtoarea


ite

funcţie de transfer:
rcu

   
sC1 sC1
gm1 Rout 1 − gm1 Rout 1 −
vout gm1 ∼ gm1
A(s) = =− =− (5.3)
vin 1 + s (C1 + C2 ) Rout 1 + sCL Rout
Ci

În aceastǎ ecuaţie capacitatea conectatǎ la nodul de ieşire este dominatǎ de


capacitatea de sarcinǎ. Funcţia de transfer se mai poate scrie sub forma generalǎ
dupǎ cum urmeazǎ:

98 Doris Csipkes
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE

 
s
A0 · 1 −
ωrhz
A(s) = − s (5.4)

e
1+
ωp

gic
Identificând parametrii rezultǎ câştigul de joasǎ frecvenţǎ A0 , frecvenţa polului
fp şi frecvenţa zeroului pozitiv fz .

alo


A0 = −gm1 Rout = −gm1 R

An

1


fp = (5.5)
 2πRC L
gm1



fz =

2πC1 e
at
Diagramele Bode corespunzǎtoare funcţiei de transfer de mai sus sunt date ı̂n
Figura 5.5.
gr

|A(s)|
20
te

0
In

-20

-40
ite

f
Ð A(s) fp frhz
180d
rcu

90d
Ci

0d f
10KHz 1.0MHz 100MHz 10GHz 1.0THz

Figura 5.5: Caracteristicile de frecvenţǎ ale amplificatorului cu sarcinǎ


rezistivǎ

Doris Csipkes 99
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE

Pe figurǎ sunt identificate frecvenţele aproximative fp şi fz . Se observǎ cǎ zeroul


pozitiv compenseazǎ cǎderea cu -20dB/decadǎ a caracteristicii de amplitudine,
dar introduce un defazaj suplimentar de −90◦ . Deasemenea trebuie remarcate

e
ordinele de mǎrime ale celor douǎ frecvenţe şi câştigul de joasǎ frecvenţǎ
relativ redus (< 10).

gic
5.2 Amplificatorul inversor cu sarcinǎ diodǎ

alo
Amplificatorul cu sarcinǎ diodǎ are structura similarǎ cu cea a amplificatorului cu
sarcinǎ rezistivǎ. Sarcina este de aceastǎ datǎ o diodǎ MOS. Schema circuitului

An
este datǎ ı̂n Figura 5.6.a.

Punctul static de funcţionare


e
Punctul static de funcţionare se determinǎ din condiţia de echilibru a circuitului
at
(acelaşi curent prin ambele tranzistoare). În mod grafic, punctul static de
funcţionare este la intersecţia dintre caracteristica de ieşire a tranzistorului M1 şi
caracteristica de transfer a lui M2 (Figura 5.6.b). M2 fiind ı̂ntotdeauna saturat
gr

(diodǎ), caracteristica sa de transfer este o parabolǎ cu vârful ı̂n tensiunea


VDD − |VT hp |.
te
In

VDD
I
M2
M2
ite

PSF
vout
rcu

I
M1 M1
vin
Ci

VDD-|VThp| Vout
a) b)

Figura 5.6: Amplificatorul inversor cu sarcinǎ diodǎ

100 Doris Csipkes


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE

Domeniul de variaţie a tensiunii de ieşire

Valoarea instantanee a tensiunii de ieşire trebuie sǎ permitǎ pǎstrarea tranzis-

e
torului M1 ı̂n regim saturat şi a lui M2 ı̂n conducţie. La evaluarea domeniului
admis de variaţie trebuie luat ı̂n seamǎ şi semnalul suprapus peste compo-

gic
nenta continuǎ. Astfel rezultǎ:

alo
Vod1 + vmax ≤ Vout ≤ VDD − |VT hp | − vmax (5.6)

În aceastǎ inegalitate vmax este amplitudinea semnalului la ieşirea circuitului.

An
Modelul de semnal mic şi joasǎ frecvenţǎ

Modelul de semnal mic şi joasǎ frecvenţǎ, prezentat ı̂n Figura 5.7, permite
e
determinarea rezistenţei de ieşire şi a câştigului de joasǎ frecvenţǎ.
at
gr

vin gm1vGS1 rDS2 vout


rDS1 gm2vGS2
te
In

Figura 5.7: Modelul de semnal mic al amplificatorului cu sarcinǎ diodǎ


ite

Câştigul de joasǎ frecvenţǎ se calculeazǎ scriind teorema lui Kirchhoff pentru


rcu

curenţi la nodul de ieşire al circuitului. Dacǎ se considerǎ gDS << gm rezultǎ:

vout gm1 ∼ gm1


A0 = = −gm1 Rout = − =− (5.7)
vin gDS1 + gDS2 + gm2 gm2
Ci

Se observǎ cǎ rezistenţa de ieşire este redusǎ datoritǎ conexiunii de diodǎ a


tranzistorului M2 (rezistenţa echivalentǎ aproximativ 1/gm2 ). Astfel, câştigul de
joasǎ frecvenţǎ este apropiat de unitate, iar circuitul se utilizeazǎ ca repetor.

Doris Csipkes 101


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE

Comportamentul ı̂n frecvenţǎ

În mod similar ca şi amplificatorul cu sarcinǎ rezistivǎ existǎ un singur nod ı̂n

e
calea semnalului. Capacitǎţile specifice circuitului sunt date ı̂n Figura 5.8. Polul
introdus de nodul de ieşire este mutat la frecvenţe mai mari datoritǎ rezistenţei

gic
de ieşire reduse. Zeroul pozitiv apare aproximativ la aceeaşi frecvenţǎ ca şi la
amplificatorul cu sarcinǎ rezistivǎ.

alo
VDD

An
M2

rhz vout
p
e
C1 C2
at
M1

vin
gr
te

Figura 5.8: Capacitǎţile specifice amplificatorului cu sarcinǎ diodǎ


In

Modelul de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ a amplificatorului este dat ı̂n Figura
ite

5.9. Se observǎ cǎ modelul este identic cu cel al amplificatorului cu sarcinǎ


rezistivǎ (topologia circuitului este neschimbatǎ), dar expresia rezistenţei de
ieşire Rout este diferitǎ.
rcu

Pentru Rout aproximativ egal cu 1/gm2 şi C1 + C2 aproximativ egal cu CL


funcţia de transfer rezultǎ:
Ci

sC1 s
1− 1−
vout ∼ gm1 gm1 ωz
A(s) = =− · = A0 · s (5.8)
vin gm2 sCL 1+
1+ ωp
gm2

102 Doris Csipkes


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE

C1

e
vin Gmvin Rout C2 vout

gic
alo
Figura 5.9: Modelul de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ al amplificatorului
cu sarcinǎ diodǎ

An
Parametrii funcţiei de transfer sunt:

gm1 gm2 gm1


A0 ∼
=− ; fp = ; fz = (5.9)
gm2 2πCL
e
2πC1
at
Diagramele Bode corespunzǎtoare sunt date ı̂n Figura 5.10.
gr

|A(s)|
te

0
In

-20

-40
ite

f
Ð A(s) fp frhz
180d
rcu

90d
Ci

0d f
10KHz 1.0MHz 100MHz 10GHz 1.0THz

Figura 5.10: Caracteristicile de frecvenţǎ ale amplificatorului cu sarcinǎ


diodǎ

Doris Csipkes 103


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE

Se observǎ deplasarea polului spre frecvenţe mai ı̂nalte faţǎ de amplificatorul


cu sarcinǎ rezistivǎ. Zeroul a rǎmas la aceeaşi frecvenţǎ, iar câştigul de joasǎ
frecvenţǎ este apropiat de 0dB.

e
gic
5.3 Amplificatorul inversor cu sarcinǎ sursǎ
de curent

alo
Topologia circuitului nu se schimbǎ faţǎ de circuitele discutate pânǎ acum,
dar sarcina este ı̂nlocuitǎ cu o sursa de curent simplǎ cu un singur tranzistor.
Schema circuitului este datǎ ı̂n Figura 5.11.a.

An
VDD

M2 e
I
M2
at
VG2 M1
I
PSF
gr

vout
M1
te

vin
In

VDD Vout
a) b)
ite

Figura 5.11: Amplificatorul inversor cu sarcinǎ sursǎ de curent


rcu

Punctul static de funcţionare

Punctul static de funcţionare se gǎseşte la intersecţia caracteristicilor de ieşire


Ci

ale celor douǎ tranzistoare (Figura 5.11.b). Tensiunile de polarizare din grilele
celor douǎ tranzistoare trebuie alese astfel ı̂ncât intersecţia caracteristicilor sǎ
fie ı̂n zonele de saturaţie ale tranzistoarelor. Astfel, ambele tranzistoare vor
fi saturate şi se vor comporta ca şi surse de curent.

104 Doris Csipkes


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE

Domeniul de variaţie a tensiunii de ieşire

Domeniul de variaţie a tensiunii de ieşire se determinǎ din condiţiile de satu-

e
raţie ale celor douǎ tranzistoare. Condiţiile de saturaţie, scrise pentru cazurile
ı̂n care semnalul la ieşire ı̂şi atinge valoarea maximǎ (vmax ) respectiv minimǎ

gic
(−vmax ), conduc la urmǎtoarea inegalitate:

alo
Vod1 + vmax ≤ Vout ≤ VDD − Vod2 − vmax (5.10)

Inegalitatea de mai sus este utilizatǎ şi pentru a determina valoarea componentei

An
continue a tensiunii de ieşire. Alegerea se face astfel ı̂ncât circuitul sǎ poatǎ fi
conectat ı̂n cascadǎ ı̂n timp ce variaţia semnalului este maxim posibilǎ (trebuie
evitatǎ limitarea). În practicǎ apar frecvent amplificatoare ı̂n cascadǎ unde
polarizarea tranzistorului de intrare ı̂ntr-un etaj este asiguratǎ de ieşirea etajului
precedent.
e
at
Modelul de semnal mic şi joasǎ frecvenţǎ
gr

Modelul de semnal mic şi joasǎ frecvenţǎ al amplificatorului inversor cu sarcinǎ


sursǎ de curent este datǎ ı̂n Figura 5.12.
te
In

vin gm1vGS1 rDS2 vout


rDS1 gm2vGS2
ite
rcu

Figura 5.12: Modelul de semnal mic şi joasǎ frecvenţǎ al amplificatorului


cu sarcinǎ sursǎ de curent
Ci

Observaţie: grila şi sursa tranzistorului M2 sunt conectate la un potenţial


constant, independent de semnal. Prin pasivizare aceste noduri sunt conec-
tate la masǎ. Drept urmare, VGS2 = 0 şi sursa comandatǎ gm2 VGS2 dispare
din schema de semnal mic.

Doris Csipkes 105


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE

Teorema lui Kirchhoff pentru curenţi şi legea lui Ohm conduc la urmǎtoarea
expresie a câştigului de joasǎ frecvenţǎ:

e
gic
gm1
A0 = − = −gm1 (rDS1 || rDS2 ) = −gm1 Rout (5.11)
gDS1 + gDS2

alo
Rezistenţa de ieşire a circuitului se obţine ca o conexiune paralelǎ ı̂ntre
rezistenţele drenǎ-sursǎ ale celor douǎ tranzistoare.

Comportamentul ı̂n frecvenţǎ

An
Intuitiv, se poate spune cǎ amplificatorul cu sarcinǎ sursǎ de curent va avea
un comportament similar ı̂n frecvenţǎ ca şi amplificatoarele discutate anterior.
Acest lucru se datoreazǎ topologiei identice. Schema circuitului cu capacitǎţi
e
parazite este prezentatǎ ı̂n Figura 5.13.
at
VDD
gr

M2
te

VG2
In

p rhz vout
C1
M1
ite

vin C2
rcu

Figura 5.13: Capacitǎţile parazite ı̂n amplificatorul cu sarcinǎ sursǎ de


curent
Ci

Modelul de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ este dat ı̂n Figura 5.14.

106 Doris Csipkes


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE

C1

e
vin Gmvin Rout C2 vout

gic
alo
Figura 5.14: Capacitǎţile parazite ı̂n amplificatorul cu sarcinǎ sursǎ de
curent

An
Funcţia de transfer ı̂n s a circuitului este:

 
sC1 s
gm1 (rDS1 || rDS2 ) 1 − 1−
vout ∼
e gm1 ωz
A(s) = =− = A0 · s (5.12)
vin 1 + s (rDS1 || rDS2 ) CL
at
1+
ωp
gr

Câştigul de joasǎ frecvenţǎ, frecvenţa polului şi frecvenţa zeroului se scriu:


te

1 gm1
A0 ∼
= −gm1 (rDS1 || rDS2 ) ; fp = ; fz = (5.13)
2πRout CL 2πC1
In

Datoritǎ rezistenţei de ieşire mǎrite frecvenţa polului se deplaseazǎ la frecvenţe


mai joase, ı̂n timp ce câştigul de joasǎ frecvenţǎ al circuitului creşte. Aceste
modificǎri sunt ilustrate ı̂n diagramele Bode din Figura 5.15. Parametrii funcţiei
ite

de transfer sunt comparabile cu cele ale amplificatorului cu sarcinǎ rezistivǎ.


rcu

5.4 Amplificatorul inversor cascodǎ


Amplificatoarele discutate ı̂n paragrafele anterioare se pot utiliza numai pentru
un câştig relativ redus (tipic ı̂n jur de 20-30dB), chiar unitar. Adiţional, s-a
Ci

ignorat efectul rezistenţei nenule al sursei de semnal de la intrare. Aceastǎ


rezistenţǎ poate deteriora semnificativ comportamentul ı̂n frecvenţǎ al circui-
tului dacǎ se combinǎ cu capacitatea reflectatǎ la intrare prin efect Miller (de
ordinul sutelor de fF sau chiar pF dacǎ A0 > 20dB). Rezultatul efectului Miller
este ı̂n aceste cazuri un pol suplimentar la frecvenţe joase sau medii.

Doris Csipkes 107


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE

|A(s)|
20

e
gic
-20

-40
f

alo
Ð A(s) fp frhz
180d

An
90d

0d f
10KHz 1.0MHz
e
100MHz 10GHz 1.0THz
at
Figura 5.15: Caracteristicile de frecvenţǎ ale amplificatorului cu sarcinǎ
sursǎ de curent
gr
te

Observaţie: deşi de cele mai multe ori efectul Miller nu este dorit, el poate
avea şi efecte benefice. Aceste efecte se folosesc la ı̂mbunǎtǎţirea stabilitǎţii
In

amplificatoarelor cu etaje multiple (discuţie mai detaliatǎ la structuri de


AO).
ite

Utilizarea structurilor cascodǎ mǎreşte rezistenţa de ieşire a amplificatorului.


Adiţional, tranzistorul M1 va vedea ı̂n drena sa o rezistenţǎ de valoare apro-
rcu

ximativ egalǎ cu 1/gm2 şi astfel câştigul lui va scǎdea faţǎ de amplificatorul
cu sarcinǎ sursǎ de curent. Drept urmare, capacitatea reflectatǎ la intrare prin
efect Miller va fi mai redusǎ. Acest lucru ı̂nseamnǎ cǎ structura cascodǎ
permite reducerea consecinţelor efectului Miller pe tranzistorul de intrare.
Ci

Structura amplificatorului cascodǎ este datǎ ı̂n Figura 5.16.a.

Punctul static de funcţionare

108 Doris Csipkes


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE

Punctul static de funcţionare al amplificatorului cascodǎ cu sarcinǎ sursǎ de


curent se obţine prin intersectarea caracteristicilor de ieşire ale tranzistorului
M3 şi a sursei de curent cascodǎ M1 -M2 ca ı̂n Figura 5.16.b.

e
gic
VDD
M3 I
VG3 M3 M1+ M2

alo
PSF
M2
vout
M2

An
VG2 M1+ M2 liniar
liniar
M1

vin
VDD Vout
e
at
a) b)
Figura 5.16: Amplificatorul cascodǎ
gr

Cele douǎ coturi ale caracteristicii de ieşire a sursei cascodǎ corespund tensiu-
te

nilor la care tranzistorul M2 şi apoi M1 intrǎ ı̂n regim liniar. Aceste aspecte au
fost discutate detaliat ı̂n paragraful cu surse de curent.
In

Domeniul de variaţie a tensiunii de ieşire


ite

Valorile extreme ale tensiunii instantanee la ieşire trebuie sǎ permitǎ menţine-
rea tuturor tranzistoarelor ı̂n regim saturat, chiar dacǎ semnalul ı̂şi atinge
valorile maxime pozitive şi negative.
rcu

Limita superioarǎ a domeniului admis pentru tensiunea de ieşire este determi-


natǎ de tensiunea sursǎ-drenǎ minimǎ a tranzistorului M3 .
Ci

VoutM AX = VDD − Vod3 − vmax (5.14)

Limita inferioarǎ a domeniului de variaţie se obţine similar, impunând condiţia


de saturaţie pentru tranzistoarele M1 şi M2 .

Doris Csipkes 109


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE

VoutM IN = Vod1 + Vod2 + vmax (5.15)

e
Modelul de semnal mic şi joasǎ frecvenţǎ

gic
Schema de semnal mic se obţine prinı̂nlocuirea fiecǎrui tranzistor cu modelul sǎu
de semnal mic. Tensiunile VG2 şi VG3 nu depind de semnal şi devin conexiuni
la masǎ dupǎ pasivizarea schemei. Figura 5.17 aratǎ schema de semnal mic

alo
rezultatǎ dupǎ pasivizare.

An
gm2vGS2 rDS2
e
rDS3
at
vout
gr

vin gm1vGS1
te

rDS1
In

Figura 5.17: Schema de semnal mic a amplificatorului cascodǎ cu sarcinǎ


ite

sursǎ de curent
rcu

Observaţie: la circuitele care conţin surse de curent mai complicate (de ex.
cascodǎ) este util sǎ se construiascǎ schema echivalentǎ de semnal mic prin
ı̂nlocuirea tranzistoarelor. Astfel, pot fi puse ı̂n evidenţǎ aspectele legate
Ci

de etajele intermediare de amplificare. În cazul amplificatorului cascodǎ


tranzistorul M2 reprezintǎ un etaj tampon de curent (grilǎ comunǎ).

Câştigul de joasǎ frecvenţǎ rezultǎ din teorema lui Kirchhoff pentru curenţi
şi legea lui Ohm.

110 Doris Csipkes


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE

−gm1 (gDS2 + gm2 + gmb2 )


A0 = (5.16)
gDS1 (gDS2 + gDS3 ) + gDS3 (gDS2 + gm2 + gmb2 )

e
Dacǎ se considerǎ transconductanţa de semnal mic mult mai mare decât con-

gic
ductanţa drenǎ-sursǎ şi transconductanţa sursǎ-substrat, A0 se aproximeazǎ:

A0 ∼
= −gm1 rDS3 = −gm1 Rout (5.17)

alo
Se observǎ cǎ rezistenţa de ieşire a amplificatorului este aproximativ egalǎ cu
rDS3 .

An
Comportamentul ı̂n frecvenţǎ

Figura 5.18 prezintǎ schema amplificatorului cascodǎ cu capacitǎţile parazite


e
explicitate.
at
VDD
gr
te

M3
vG3
In

p1 vout

M2
ite

vG2
C3
rhz
rcu

C1 p2
M1
C2
vin
Ci

Figura 5.18: Capacitǎţile parazite ı̂n amplificatorul cascodǎ cu sarcinǎ


sursǎ de curent

Doris Csipkes 111


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE

Diferenţa majorǎ dintre caracteristicile de frecvenţǎ ale amplificatoarelor stu-


diate pânǎ acum şi ale amplificatorului cascodǎ este apariţia unui pol supli-
mentar (p2 ) datorat etajului ı̂n grilǎ comunǎ. Frecvenţa acestui pol este

e
determinatǎ de capacitatea şi de rezistenţa echivalentǎ a nodului din drena
tranzistorului M1 .

gic
Schema echivalentǎ de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ este datǎ ı̂n Figura 5.19.

alo
gm2vGS2 rDS2

An
vout
C1 rDS3 C3
e
vin
at
gm1vGS1 rDS1 C2
gr
te

Figura 5.19: Schema echivalentǎ de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ ampli-
ficatorul cascodǎ
In

Funcţia de transfer a circuitului rezultǎ:


ite

 
sC1
A0 1 −
gm1
A(s) = 2 (5.18)
s a + sb + 1
rcu

Coeficienţii lui s se identificǎ dupǎ cum urmeazǎ:


Ci

C3 (C1 + C2 )

a =


 gDS1 (gDS2 + gDS3 ) + gDS3 (gDS2 + gm2 )
(5.19)
C3 (gDS1 + gDS2 + gm2 ) + (C1 + C2 ) (gDS2 + gDS3 )
b =


gDS1 (gDS2 + gDS3 ) + gDS3 (gDS2 + gm2 )

112 Doris Csipkes


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE

Examinând ecuaţia (5.18) se observǎ cǎ funcţia de transfer a circuitului are


doi poli şi un zero pozitiv. Câştigul de joasǎ frecvenţǎ, frecvenţa polilor şi
frecvenţa zeroului se pot aproxima ca ı̂n urmǎtoarele ecuaţii:

e
gic
A0 ∼


 = −gm1 rDS3

1 ∼ 1



fp1 =
 =

 2πb 2πRout C3

alo
b ∼ gm2 (5.20)

fp2 = =
2πa 2π (C1 + C2 )




fz = gm1


An
2πC1

Diagramele Bode corespunzǎtoare circuitului sunt date ı̂n Figura 5.20.


e
|A(s)|
at
40

0
gr

-40
te

-80
In

f
Ð A(s) fp1 fp2 frhz
ite

90d
rcu

0d

-90d f
10KHz 1.0MHz 100MHz 10GHz 1.0THz
Ci

Figura 5.20: Diagramele Bode corespunzǎtoare amplificatorului cascodǎ

Se observǎ cǎ frecvenţa polului dominant a rǎmas aproximativ neschimbatǎ faţǎ


de amplificatorul simplu cu sarcinǎ sursǎ de curent, ı̂n timp ce câştigul de joasǎ

Doris Csipkes 113


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE

frecvenţǎ a crescut uşor. Frecvenţa polului al doilea, introdus de etajul ı̂n grilǎ
comunǎ este de ordinul GHz-lor.

e
Un dezavantaj al circuitului este acela cǎ structura de cascodǎ nu este simetricǎ.
Din acest motiv, beneficiul adus de cascodǎ rezistenţei de ieşire se pierde. O

gic
soluţie la aceastǎ problemǎ este utilizarea unei structuri de cascodǎ p-n
simetrice raportat la nodul de ieşire.

alo
5.5 Amplificatorul inversor cascodǎ simetricǎ

An
Amplificatorul cascodǎ simetricǎ pǎstreazǎ avantajul introdus de cascoda simplǎ
ı̂n ceea ce priveşte reducerea consecinţelor efectului Miller pe tranzistorul de
intrare. Adiţional, rezistenţa de ieşire este mǎritǎ considerabil prin simetrizarea
structurii. Schema circuitului este datǎ ı̂n Figura 5.21.
e
at
VDD
gr

M4

VG4 I
te

M3
M3+ M4 M1+ M2
PSF
In

VG3
vout M2 M3+ M4
M2 M1+ M2 liniar liniar
ite

liniar
VG2 M3
liniar
M1
VDD Vout
rcu

vin

a) b)
Ci

Figura 5.21: Amplificatorul inversor cu cascodǎ simetricǎ

Punctul static de funcţionare

114 Doris Csipkes


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE

Punctul static de funcţionare se gǎseşte la intersecţia caracteristicilor de


ieşire ale celor douǎ surse de curent cascodǎ (M1 -M2 şi M3 -M4 ). Este de
remarcat faptul cǎ ambele caracteristici prezintǎ frânturile specifice introduse

e
de intrarea ı̂n regim liniar a tranzistoarelor cascodǎ şi apoi ale tranzistoarelor
conectate la VDD respectiv VSS . În punctul static de funcţionare curentul este

gic
acelaşi prin toate cele patru tranzistoare.

Domeniul de variaţie a tensiunii de ieşire

alo
Valoarea instantanee a tensiunii de ieşire trebuie sǎ permitǎ menţinerea ı̂n
saturaţie a tuturor tranzistoarelor. Limitele domeniului admis de variaţie se

An
scriu similar ca la amplificatorul cascodǎ simplu:


VoutM AX = VDD − Vod3 − Vod4 − vmax
(5.21)
V
e
outM IN = Vod1 + Vod2 + vmax
at
Modelul de semnal mic şi joasǎ frecvenţǎ
gr
te

gm2vGS2 rDS2 gm3vGS3 rDS3


In

vout
ite

rDS4
rcu

vin gm1vGS1 rDS1


Ci

Figura 5.22: Schema de semnal mic a amplificatorul inversor cu cascodǎ


simetricǎ

Modelul de semnal mic şi joasǎ frecvenţǎ a amplificatorului cu cascodǎ simetricǎ

Doris Csipkes 115


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE

(Figura 5.22) se construieşte ı̂nlocuind tranzistoarele cu schemele echivalente.


Suplimentar, potenţialele din grilele tuturor tranzistoarelor ı̂n afarǎ de M1 sunt
constante şi devin conexiuni la masǎ dupǎ pasivizare.

e
Teoremele lui Kirchhoff şi legea lui Ohm scrise pentru circuit duc la urmǎtoarea

gic
expresie a câştigului de joasǎ frecvenţǎ:

A0 ∼

alo
= −gm1 (gm2 rDS2 rDS1 || gm3 rDS3 rDS4 ) = −gm1 Rout (5.22)

Ordinul de mǎrime a rezistenţei de ieşire este cel al MΩ-lor, considerabil mai


mare decât ı̂n cazul amplificatorului cascodǎ simplu.

An
VDD e
at
M4
vG4
gr

Rech3-4
M3
vG3
te

p1
In

vout

M2
vG2
ite

p2 C3
C1
rhz C2
rcu

vin
M1
Ci

Figura 5.23: Capacitǎţile specifice amplificatorului cu cascodǎ simetricǎ

116 Doris Csipkes


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE

Comportamentul ı̂n frecvenţǎ

Comportamentul ı̂n frecvenţǎ al circuitului se determinǎ considerând capa-

e
citǎţile parazite şi rezistenţele echivalente ale tuturor nodurilor din circuit.
Figura 5.23 prezintǎ schema amplificatorului cu capacitǎţile nodurilor explici-

gic
tate.

Schema de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ a circuitului este datǎ ı̂n Figura 5.24.

alo
An
gm2vGS2 rDS2
e Rech3-4 C3 vout
at
C1
gr

vin gm1vGS1 rDS1 C2 v


te
In

Figura 5.24: Schema de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ a amplificatorului


cu cascodǎ simetricǎ
ite

Funcţia de transfer a circuitului are aceeaşi formǎ ca şi ı̂n cazul variantei cu
rcu

cascodǎ simplǎ, conţinând un zero pozitiv şi doi poli.

 
s
A0 1 −
Ci

ω
A(s) =    rhz  (5.23)
s s
1+ 1+
ωp1 ωp2

Frecvenţele polilor şi a zeroului se scriu:

Doris Csipkes 117


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE



A0 = −gm1 (gm2 rDS2 rDS1 || gm3 rDS3 rDS4 )

e




∼ 1 ∼ 1
fp1 = 2πC3 (gm2 rDS2 rDS1 || gm3 rDS3 rDS4 ) = 2πRout C3

gic

gm2 (5.24)

fp2 ∼
=



 2π (C1 + C2 )
g

alo

 ∼ m1

fz =
2πC1

An
Diagramele Bode corespunzǎtoare sunt date ı̂n Figura 5.25.

|A(s)| e
40
at
0
gr

-40

-80
te

f
Ð A(s) fp1 fp2 frhz
180d
In

90d
ite

0d

f
rcu

-90d
10KHz 1.0MHz 100MHz 10GHz 1.0THz
Figura 5.25: Raspunsul ı̂n frecvenţǎ al amplificatorului cu cascodǎ sime-
tricǎ
Ci

Din figurǎ se observǎ cǎ polii şi zeroul pozitiv duc la un comportament ı̂n
frecvenţǎ similar cu cel al amplificatorului cascodǎ simplǎ. Diferenţa principalǎ
constǎ ı̂n creşterea câştigului datoritǎ rezistenţei mǎrite de ieşire şi deplasarea
polului dominant la frecvenţe mai joase.

118 Doris Csipkes


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE

5.6 Amplificatorul inversor cascodǎ pliatǎ


Dezavantajul amplificatorului cu structuri p şi n simetrice este cǎ ı̂n tehnologi-
ile cu tensiuni de alimentare joase tranzistoarele sunt dificil de polarizat ı̂n

e
saturaţie (insuficient VDS ). Soluţia este plierea structurii cascodǎ pentru a

gic
reduce numǎrul de tranzistoare dintre cele douǎ conexiuni de alimentare. Cas-
codarea este fǎcutǎ cu un tranzistor PMOS care serveşte ca şi cascodǎ atât
pentru tranzistorul de intrare cât şi pentru cel de sarcinǎ.

alo
Schema amplificatorului inversor cascodǎ pliatǎ este datǎ ı̂n Figura 5.26.

An
VDD

vG4
M4
e
at
VG2
M2
gr

vout
vin
VG3
te

M1

M3
In

Figura 5.26: Amplificatorul inversor cascodǎ pliatǎ


ite

Punctul static de funcţionare


rcu

Punctul static de funcţionare este mai dificil de reprezentat ı̂n mod grafic deoa-
rece curentul furnizat de tranzistorul M4 se divide ı̂ntre douǎ ramuri de cir-
cuit. La dimensionarea tranzistoarelor trebuie ţinut cont de valoare curentului
Ci

prin fiecare dispozitiv ı̂n parte.

Domeniul de variaţie a tensiunii de ieşire

Limitele domeniului de variaţie a tensiunii de ieşire se determinǎ dupǎ acelaşi

Doris Csipkes 119


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE

raţionament ca ı̂n paragrafele precedente. Pentru o funcţionare corectǎ toate


tranzistoarele trebuie menţinute ı̂n regim saturat, chiar şi ı̂n prezenţa sem-
nalului. Rezultǎ:

e
gic

VoutM AX = VDD − Vod2 − Vod4 − vmax
(5.25)
V
outM IN = Vod3 + vmax

alo
Similar, tensiunea ı̂n nodul de pliere este şi ea limitatǎ. Din condiţiile de
saturaţie ale tranzistoarelor se obţine:

An

Vnod−pliereM AX = VDD − Vod4 − vmax
(5.26)
V
nod−pliereM IN = Vod2 + Vod3 + vmax
e
at
Observaţie: În cazul ı̂n care alimentarea este simetricǎ ı̂ntre VDD şi VSS ,
limitele inferioare ale domeniilor de variaţie corespunzǎtoare celor douǎ ten-
gr

siuni se raporteazǎ la VSS .


te

Modelul de semnal mic şi joasǎ frecvenţǎ


In

Schema echivalentǎ de semnal mic şi joasǎ frecvenţǎ a amplificatorului inversor


cascodǎ pliatǎ este datǎ ı̂n Figura 5.27.
ite

Observaţie: Sursele de curent comandate ı̂n tensiune corespunzǎtoare tran-


zistoarelor M3 şi M4 se pot elimina din model deoarece atât grilele cât şi
sursele sunt conectate la potenţiale constante. Astfel ı̂n schema de semnal
rcu

mic tensiunile grilǎ-sursǎ sunt egale cu zero dupǎ pasivizare.

Câştigul de joasǎ frecvenţǎ şi rezistenţa de ieşire rezultǎ:


Ci


A0 = −gm1 Rout
(5.27)
R ∼
out = rDS3 || [gm2 rDS2 (rDS1 || rDS4 )]

120 Doris Csipkes


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE

Rezistenţa de ieşire se poate aproxima cu rDS3 , similar ca şi ı̂n cazul amplifica-
torului cu cascodǎ simplǎ.

e
gic
rDS4

alo
vin gm1vGS1 rDS1 gm2vGS2 rDS2

An rDS3 vout
e
at
Figura 5.27: Modelul echivalent de semnal mic şi joasǎ frecvenţǎ al am-
gr

plificatorului inversor cascodǎ pliatǎ


te

Comportamentul ı̂n frecvenţǎ


In

Comportamentul ı̂n frecvenţǎ al amplificatorului cascodǎ pliatǎ este similar cu


cel al amplificatorului cascodǎ asimetricǎ. Schema circuitului cu capacitǎţile
parazite explicitate este datǎ ı̂n Figura 5.28.
ite

Schema de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ corespunzǎtoare este datǎ ı̂n Figura
rcu

5.29.

Funcţia de transfer a circuitului conţine doi poli şi un zero pozitiv, scriindu-se
sub forma:
Ci

 
s
A0 1 −
ω
A(s) =    rhz  (5.28)
s s
1+ 1+
ωp1 ωp2

Doris Csipkes 121


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE

VDD

e
vG4

gic
M4

vG2

alo
p2
C1 M2
rhz C2 p1 vout
vin

An
M1
vG3
M3 C3

e
Figura 5.28: Capacitǎţile parazite din structura amplificatorului cascodǎ
at
pliatǎ
gr
te

rDS4
In

C1
ite

vin gm1vGS1 rDS1 C2 gm2vGS2 rDS2


rcu

rDS3 C3 vout
Ci

Figura 5.29: Modelul echivalent de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ al am-
plificatorului inversor cascodǎ pliatǎ

122 Doris Csipkes


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE

Frecvenţele polilor şi a zeroului se calculeazǎ din schema de semnal mic şi ı̂naltǎ
frecvenţǎ. Dupǎ efectuarea calculelor rezultǎ:

e

Rout ∼
= rDS3 || [gm2 rDS2 (rDS1 || rDS4 )]

gic




 1
f ∼

=

 p1 2πRout C3



(5.29)

alo
gm2

fp2 ∼
=


 2π (C1 + C2 )

 ∼ gm1


fz =

An
2πC1

Ordinele de mǎrime ale frecvenţelor sunt foarte similare cu cele obţinute pentru
amplificatorul cascodǎ simplu. Asemǎnarea se observǎ şi pe diagramele Bode
din Figura 5.30.
e
at
|A(s)|
gr

0
te

-40
In

-80
f
ite

Ð A(s) fp1 fp2 frhz


rcu

90d

0d
Ci

-90d f
10KHz 1.0MHz 100MHz 10GHz 1.0THz
Figura 5.30: Caracteristicile de frecvenţǎ simulate ale amplificatorului
cascodǎ pliatǎ

Doris Csipkes 123


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE

5.7 Sumar
În acest capitol s-au prezentat principalele configuraţii de amplificatoare simple.
Aceste circuite stau la baza oricǎrei structuri mai complicate ale unui ampli-

e
ficator, fie acesta un amplificator diferenţial sau un amplificator operaţional

gic
complet.

Caracteristicile specifice fiecǎrui etaj de amplificare, discutate ı̂n acest paragraf,

alo
sunt punctul static de funcţionare, domeniul de variaţie a tensiunii de ieşire,
modelul de semnal mic şi comportamentul ı̂n frecvenţǎ. Aceste caracteristici
determinǎ performanţele unui amplificator ı̂n cazul ı̂n care semnalul este sufi-
cient de mic pentru a se putea considera o funcţionare liniarǎ.

An
Bibliografie: e
1. Lelia Feştilǎ - Circuite integrate analogice II, Casa Cǎrţii de Ştiinţǎ, 1999;
at
2. Doris Csipkes, Gabor Csipkes - Fundamental analog circuits. Practical
simulation exercises, UTPres, 2004;
gr

3. P.E. Allen, D. Holberg - CMOS analog circuit design, Oxford University


Press, 1987
te

4. A. Manolescu - Analog Integrated Circuits, editura Foton International,


In

1999.

5. J-T. Wu - Multiple-Transistor Gain Stages - Lecture Notes, National


Chiao-Tung University, Taiwan, 2002
ite
rcu
Ci

124 Doris Csipkes


e
gic
Capitolul 6

alo
Amplificatoare diferenţiale

An
6.1 Introducere
e
Amplificatoarele diferenţiale sunt circuite care, spre deosebire de amplificatoa-
rele simple, au un semnal de intrare diferenţial. Acest semnal se exprimǎ ca
at
o diferenţǎ de potenţial dintre douǎ noduri flotante (fiecare nod este la rândul
lui raportat la masǎ). Adesea semnalul diferenţial util este suprapus peste un
gr

semnal de mod comun. Modul de aplicare a semnalului de intrare unui etaj


diferenţial este ilustrat ı̂n Figura 6.1.
te

v ip v ip
In

v
+ in
2
v in v
v im - in
ite

VMC 2
v im
VMC
rcu

Figura 6.1: Semnalul de intrare diferenţial şi tensiunea de mod comun


Ci

A doua reprezentare permite utilizarea semicircuitelor ı̂n analiza amplificatoare-


lor diferenţiale. Aceastǎ abordare este foarte des utilizatǎ la calculele efectuate
pe baza modelului de semnal mic.
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. AMPLIFICATOARE DIFERENŢIALE

Expresia semnalului de intrare este:

Vin = vip − vim + VM Cin = vin + VM Cin (6.1)

e
gic
Observaţie: tensiunea de mod comun afecteazǎ ı̂n mod identic ambele
intrǎri. Ea serveşte la polarizarea corectǎ a tranzistoarelor de intrare.

alo
În paragrafele urmǎtoare sunt prezentate câteva amplificatoare diferenţiale folo-
site ı̂n proiectarea circuitelor analogice mai complicate (de ex. la amplificatoare

An
operaţionale). Pentru fiecare structurǎ se vor discuta domeniile de variaţie ale
tensiunilor de intrare şi ieşire, modelul de semnal mic şi comportamentul ı̂n
frecvenţǎ.
e
6.2 Amplificatorul diferenţial cu sarcinǎ rezistivǎ
at
Cea mai simplǎ variantǎ de amplificator diferenţial este cea cu sarcinǎ rezistivǎ.
gr

Schema circuitului este datǎ ı̂n Figura 6.2.


te

VDD
RD RD
In

v out v out
- +
ite

2 2
M1 M2
v v in
rcu

+ in VX -
2 2
M3
Vbiasn
Ci

VSS

Figura 6.2: Amplificatorul diferenţial cu sarcinǎ rezistivǎ

126 Doris Csipkes


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. AMPLIFICATOARE DIFERENŢIALE

Domeniul de variaţie a tensiunii de intrare

Tensiunea instantanee la intrǎrile amplificatorului diferenţial trebuie sǎ permitǎ

e
polarizarea corectǎ (ı̂n regim saturat) a tranzistoarelor de intrare M1 -M2 şi a
sursei de curent M3 .

gic
Aparent s-ar putea afirma cǎ cel mai defavorabil caz pentru tranzistoarele de
intrare şi M3 este atunci când semnalul la una dintre intrǎri ı̂şi atinge valoarea

alo
maximǎ negativǎ faţǎ de tensiunea de mod comun. În acest caz s-ar putea
scrie urmǎtoarea ecuaţie:

An
vin
VM Cin−M IN − = Vod1,2 + VT h1,2 + Vx−M IN (6.2)
2

Tensiunile Vod1 şi Vod2 sunt stabilite prin polarizare şi se considerǎ constante.
e
Ecuaţia (6.2) exprimǎ cazul cel mai defavorabil numai dacǎ vârful de semnal
negativ cauzeazǎ scǎderea tensiunii Vx şi intrarea ı̂n regim liniar a tranzistorului
at
M3 . Aici se pot pune douǎ ı̂ntrebǎri:
gr

- ce efect are cealaltǎ ramurǎ asupra tensiunii Vx ?

- cum afecteazǎ semnalul de intrare tensiunea Vx dacǎ se considerǎ


te

şi efectul celeilalte ramuri?


In

La prima ı̂ntrebare se poate rǎspunde considerând perechea ecuaţiei (6.2), scrisǎ


pentru cealaltǎ ramurǎ a etajului diferenţial:
ite

vin
VM Cin−M IN + = Vod1,2 + VT h1,2 + Vx−M IN (6.3)
2
rcu

Din comparaţia celor douǎ ecuaţii se observǎ cǎ cealaltǎ ramurǎ, unde sem-
nalul ı̂şi atinge valoarea maximǎ pozitivǎ, compenseazǎ scǎderea tensiunii
Vx . Rezultǎ rǎspunsul la a doua ı̂ntrebare: tensiunea Vx este independentǎ de
Ci

semnal.

Observaţie: Deorece tensiunea Vx nu depinde de semnal, nodul X, comun


celor douǎ tranzistoare M1 şi M2 , este un nod de masǎ virtualǎ.

Doris Csipkes 127


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. AMPLIFICATOARE DIFERENŢIALE

Dacǎ Vx este constantǎ, punctele statice de funcţionare ale tranzistoarelor nu


depind de semnalul de intrare, ci numai de tensiunea de mod comun VM Cin
(adicǎ de polarizare). Astfel alegerea domeniului de variaţie a tensiunii de intrare

e
se reduce la determinarea intervalului de valori admise pentru tensiunea de mod
comun VM Cin pentru care toate tranzistoarele sunt saturate.

gic
Tensiunea de mod comun minimǎ este:

alo
VM Cin−M IN = Vod1,2 + VT h1,2 + Vod3 (6.4)

Domeniul de variaţie a tensiunii de ieşire

An
Tensiunea maximǎ admisǎ la ieşire se calculeazǎ ţinând seama de cǎderea
de tensiune pe rezistenţa de sarcinǎ şi de variaţia maximǎ a semnalului.
e
at
Vout−M AX = VDD − VR − vmax (6.5)

Rezistenţa de sarcinǎ nu impune o cǎdere de tensiune minimǎ. Totuşi, trebuie


gr

ţinut cont de faptul cǎ tensiunea la ieşire polarizeazǎ intrarea urmǎtorului


etaj ı̂ntr-o cascadǎ de amplificatoare. VR se alege astfel ı̂ncât tranzistoarele de
te

intrare ale etajului urmǎtor sǎ poatǎ fi corect polarizat ı̂n regim saturat.
In

Tensiunea minimǎ la ieşire trebuie sǎ asigure polarizarea tranzistoarelor de


intrare M1 şi M2 ı̂n regim saturat. Rezultǎ:
ite

Vout−M IN = Vx + Vod1,2 + vmax (6.6)


rcu

Observaţie: Existǎ un echilibru strict ı̂ntre tensiunea de mod comun la


intrare VM Cin şi tensiunea de mod comun la ieşire VM Cout . Legǎtura dintre
cele douǎ tensiuni este potenţialul mesei virtuale Vx .
Ci

Modelul de semnal mic şi joasǎ frecvenţǎ

Modelul de semnal mic şi joasǎ frecvenţǎ al amplificatorului diferenţial cu sarcinǎ


rezistivǎ este dat ı̂n Figura 6.3.

128 Doris Csipkes


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. AMPLIFICATOARE DIFERENŢIALE

v out v out
- +
2 2

e
v in v in
+ gm1vGS1 rDS1 RD RD rDS2 gm2vGS2 -

gic
2 2

alo
Figura 6.3: Modelul de semnal mic şi joasǎ frecvenţǎ al amplificatorului
diferenţial cu sarcinǎ rezistivǎ

An
Observaţie: Tranzistorul M3 lipseşte complet din modelul de semnal mic
deoarece prin pasivizare drena şi sursa sunt ambele conectate la masǎ (scurt
circuit ı̂ntre VSS şi masa virtualǎ). e
Câştigul de joasǎ frecvenţǎ şi rezistenţa de ieşire se obţin rezolvând urmǎtorul
at
sistem de ecuaţii:
gr

1 vout 1 vout

gm1 vGS1 − r · − · =0


2 RD 2
te

DS1
(6.7)
1 vout 1 vout
· ·

gm2 vGS2 +
 + =0
rDS2 2 RD 2
In

Adiţional, se ţine cont de modul de aplicare a semnalului de intrare diferenţial


şi de urmǎtoarele egalitǎţi:
ite

vin vin
vGS1 = ; vGS2 = − (6.8)
2 2
rcu

Câştigul de joasǎ frecvenţǎ rezultǎ dupǎ efectuarea calculelor:

vout gm1 + gm2


Ci

A0 = = (6.9)
vin 1 1 2
+ +
rDS1 rDS2 RD

Dacǎ se considerǎ tranzistoarele de intrare şi rezistenţele de sarcinǎ identice şi


perfect ı̂mperecheate, atunci gm1 = gm2 şi rDS1 = rDS2 , iar A0 devine:

Doris Csipkes 129


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. AMPLIFICATOARE DIFERENŢIALE

gm1
A0 = = gm1 (rDS1 || RD ) = gm1 Rout (6.10)
1 1
+
rDS1 RD

e
Ştiind cǎ rezistenţele de sarcinǎ RD au valoarea maximǎ limitatǎ din conside-

gic
rente de zgomot, aria ocupatǎ pe silicu şi polarizare, ele vor fi ı̂n majoritatea
cazurilor cu cel puţin un ordin de mǎrime mai mici decât rezistenţa rDS a unui
tranzistor MOS. Astfel câştigul de joasǎ frecvenţǎ se aproximeazǎ:

alo
A0 ∼
= gm1 RD (6.11)

An
Observaţie: Din expresia câştigului de joasǎ frecvenţǎ se observǎ cǎ
transconductanţa etajului diferenţial este jumǎtate din transconductanţa
unui tranzistor de intrare gm1 , iar rezistenţa de sarcinǎ diferenţialǎ este de
douǎ ori rezistenţa RD .
e
at
Comportamentul ı̂n frecvenţǎ
gr

VDD
te

RD RD
v out v out
In

p - + p
rhz 2 2 rhz
C1 C3 C4 C2
ite

M1 M2
v in M1 M2 v in
+ -
rcu

2 2
M3
Vbiasn
Ci

VSS
Figura 6.4: Amplificatorul diferenţial cu sarcinǎ rezistivǎ şi capacitǎţile
parazite

130 Doris Csipkes


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. AMPLIFICATOARE DIFERENŢIALE

Schema amplificatorului diferenţial cu sarcinǎ rezistivǎ, având capacitǎţile pa-


razite utilizate la determinarea comportamentului ı̂n frecvenţǎ explicitate este
datǎ ı̂n Figura 6.4. Din figurǎ se observǎ cǎ funcţia de transfer a amplificatorului

e
va avea un singur pol şi un zero pozitiv, datorat efectului Miller pe tranzistoa-
rele de intrare. Suplimentar, dacǎ rezistenţa de ieşire a sursei de semnal este

gic
diferitǎ de zero, atunci funcţia de transfer se va extinde cu un pol determinat
de capacitǎţile CGD reflectate la intrare prin efect Miller.

alo
Schema de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ a circuitului este datǎ ı̂n Figura 6.5.

v out v out
- +

An
C1 2 2
C2

v in gm1vGS1 rDS1 rDS2 gm2vGS2 v in


+ RD C3 C4 RD -
2 e 2
at
Figura 6.5: Schema de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ
gr

Teoremele lui Kirchhoff şi legea lui Ohm duc la urmǎtoarea expresie a funcţiei
te

de transfer ı̂n s:
In

 
gm1 + gm2 s (C1 + C2 )
· 1−
1 1 2 gm1 + gm2
+ +
rDS1 rDS2 RD
A (s) = (6.12)
ite

C1 + C2 + C3 + C4
1+s
1 1 2
+ +
rDS1 rDS2 RD
rcu

Identificând câştigul de joasǎ frecvenţǎ din ecuaţia (6.9) şi considerând din nou
tranzistoarele şi rezistenţele de sarcinǎ identice, rezultǎ:
Ci

   
sC1 sC1
A0 · 1 − A0 · 1 −
gm1 gm1
A (s) = = (6.13)
C1 + C3 1 + s (C1 + C3 ) (rDS1 || RD )
1+s
1 1
+
rDS1 RD

Doris Csipkes 131


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. AMPLIFICATOARE DIFERENŢIALE

Funcţia de transfer de mai sus se poate scrie sub forma generalǎ dupǎ cum
urmeazǎ:
 
s

e
A0 1 −
ωrhz

gic
A (s) = s (6.14)
1+
ωp

alo
Identificând coeficienţii termenilor ı̂n s din ecuaţiile (6.13) şi (6.14) se obţin
frecvenţele polului şi a zeroului.

1

An
fp =

2πRout (C1 + C3 )

(6.15)
gm1
frhz =


2πC1 e
Caracteristicile de amplitudine şi fazǎ ale amplificatorului sunt date ı̂n Figura
at
6.6.
gr

|A(s)|
20
te

10
In

0 f
fp frhz
ite

Ð A(s)
0d

-45d
rcu

-90d

-135d
Ci

f
10KHz 1.0MHz 100MHz 10GHz 1.0THz

Figura 6.6: Caracteristica de amplitudine şi fazǎ a amplificatorului

132 Doris Csipkes


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. AMPLIFICATOARE DIFERENŢIALE

6.3 Amplificatorul diferenţial MOS cu sarcinǎ


oglindǎ de curent

e
În Figura 6.7 este prezentatǎ schema amplificatorului diferenţial cu sarcinǎ
oglindǎ de curent. Tranzistoarele de intrare M1 -M2 sunt cu canal n, iar cele

gic
de sarcinǎ M3 -M4 cu canal p. Ieşirea este asimetricǎ şi se culege din drena
tranzistorului M2 .

alo
VDD
M3 M4

An
vout
v in v in
+
e -
2 M1 M2 2
at
gr

M5
Vbiasn
te

VSS
In

Figura 6.7: Schema amplificatorului diferenţial cu sarcinǎ oglindǎ de cu-


rent
ite

Domeniul de variaţie a tensiunii de ieşire

Tensiunea maximǎ admisǎ la ieşirea circuitului se calculeazǎ astfel ı̂ncât


rcu

tranzistorul de sarcinǎ M4 sǎ fie saturat şi ı̂n plus se ţine cont de variaţia
maximǎ a semnalului de ieşire. Prin urmare, Vout−M AX va avea expresia:
Ci

VoutM AX = VDD − Vod4 − vmax (6.16)

Tensiunea minimǎ admisǎ la ieşire trebuie sǎ asigure funcţionarea ı̂n regim
saturat a tranzistoarelor de intrare M1 -M2 şi a lui M5 care implementeazǎ sursa
de curent.

Doris Csipkes 133


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. AMPLIFICATOARE DIFERENŢIALE

vout−M IN = Vod1,2 + vod5 + vmax (6.17)

e
gic
Modelul de semnal mic şi joasǎ frecvenţǎ

Modelul echivalent de semnal mic şi joasǎ frecvenţǎ este prezentat ı̂n Figura
6.8 şi include doar rezistenţele echivalente nu şi capacitǎţi.

alo
An
1 rDS3 rDS4 gm4vGS4
gm3
e vout
v in v in
+ -
at
2 2
gr

gm1vGS1 rDS1 gm2vGS2 rDS2


te
In

Figura 6.8: Modelul echivalent de semnal mic şi joasǎ frecvenţǎ a circui-
tului

Determinarea câştigului de semnal mic şi joasǎ frecvenţǎ necesitǎ scrierea teo-
ite

remei lui Kirchhoff pentru curenţi ı̂n nodul intermediar din drena tranzistorului
M1 şi ı̂n nodul de ieşire.
rcu


gm1 vGS1 + gDS1 v + gDS3 v + gm3 v = 0
(6.18)
Ci

gm2 vGS2 + gDS2 vout + gm4 vGS4 + gDS4 vout = 0


Din inspecţia circuitului din Figura 6.7 rezultǎ urmǎtoarele identitǎţi:


vin vin
vGS1 = ; vGS2 = − ; vGS4 = v (6.19)
2 2

134 Doris Csipkes


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. AMPLIFICATOARE DIFERENŢIALE

Înlocuind tensiunile grilǎ-sursǎ din sistemul (6.18) cu aceste expresii şi apoi
eliminând tensiunea v din cele douǎ ecuaţii, se obţine câştigul circuitului:

e
vout gm2 (gDS1 + gDS3 + gm3 ) + gm1 gm4
A0 = = (6.20)

gic
vin 2 (gDS2 + gDS4 )

Ţinând cont de faptul cǎ tranzistoarele de intrare sunt identice, la fel şi cele de

alo
sarcinǎ, se pot scrie egalitǎţile:

gm1 = gm2 , gm3 = gm4 (6.21)

An
Astfel, câştigul amplificatorului devine:

gm1 (gDS1 + gDS3 + 2gm3 )


A0 = (6.22)
e
2 (gDS2 + gDS4 ) (gDS1 + gDS3 + gm3 )
at
Ştiind cǎ transconductanţa unui tranzistor MOS este mult mai mare decât
conductanţa sa drenǎ-sursǎ, câştigul de joasǎ frecvenţǎ se poate scrie sub o
gr

forma simplificatǎ, dupǎ cum urmeazǎ:


te

gm1
A0 = = gm1 (rDS2 || rDS4 ) (6.23)
gDS2 + gDS4
In

Observaţie: Din expresia câştigului de joasǎ frecvenţǎ se observǎ cǎ


ite

transconductanţa etajului diferenţial este de fapt cât transconductanţa unui


tranzistor de intrare, iar rezistenţa de sarcinǎ este egalǎ cu rezistenţele
drenǎ-sursǎ a tranzistoarelor cu canal n şi p conectate ı̂n paralel.
rcu

Comportamentul ı̂n frecvenţǎ


Ci

În Figura 6.9 este datǎ schema amplificatorului diferenţial cu sarcinǎ oglindǎ de
curent având desenate capacitǎţile parazite ale tranzistoarelor.

Modelul echivalent de semnal mic folosit la analiza de frecvenţǎ este dat ı̂n
Figura 6.10.

Doris Csipkes 135


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. AMPLIFICATOARE DIFERENŢIALE

VDD
M3 M4

e
gic
lhz rhz p1 vout
rhz p2
C1 C3 C2

alo
C4
M1 M2

v in v in
+ -
2 2

An
M5
Vbiasn

VSS
e
at
Figura 6.9: Schema amplificatorului cu capacitǎţile sale parazite
gr
te
In

1
gm3 rDS3 rDS4 gm4vGS4
vout
ite

v in v in
+ -
2 2
rcu

C1 C2
gm1vGS1 rDS1 C3 C4 rDS2 gm2vGS2
Ci

Figura 6.10: Modelul echivalent de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ

136 Doris Csipkes


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. AMPLIFICATOARE DIFERENŢIALE

Comportamentul ı̂n frecvenţǎ al circuitului se determinǎ scriind teorema lui


Kirchhoff pentru curenţi ı̂n nodul intermediar din drena tranzistorului M1 şi
ı̂n nodul de ieşire. Dupǎ efectuarea calculelor şi ţinând seama de expresiile

e
tensiunilor grilǎ-sursǎ date ı̂n (6.19) se obţine funcţia de transfer a circuitului:

gic
 
C2
gm2 1 − s (gDS1 + gDS3 + gm3 + sC1 + sC3 )
gm2

alo
A(s) = +
2 (gDS1 + gDS3 + gm3 ) (gDS2 + gDS4 ) (as2 + bs + 1)
 
C1
gm1 1 − s gm4
gm1

An
+ (6.24)
2 (gDS1 + gDS3 + gm3 ) (gDS2 + gDS4 ) (as2 + bs + 1)

unde coeficienţii a şi b au expresiile de mai jos:


e
at

(C1 + C3 ) (C2 + C4 )
a =

(gDS1 + gDS3 + gm3 ) (gDS2 + gDS4 )

gr


 (C2 + C4 ) (gDS1 + gDS3 + gm3 ) + (C1 + C3 ) (gDS2 + gDS4 )
b =


te

(gDS1 + gDS3 + gm3 ) (gDS2 + gDS4 )


(6.25)
In

Deoarece structura circuitului este simetricǎ sunt valabile urmǎtoarele egalitǎţi:


ite

gm1 = gm2 , gm3 = gm4 , C1 = C2 (6.26)

Folosind aceste egalitǎţi şi identificând termenii care constituie câştigul de joasǎ
rcu

frecvenţǎ, funcţia de transfer din (6.24) se poate rescrie dupǎ cum urmeazǎ:

  
C1 C1 + C3
Ci

A0 1−s 1+s
gm1 gDS1 + gDS3 + 2gm3
A(s) = (6.27)
as2 + bs + 1

Din analiza lui A(s) se observǎ cǎ aceasta are doi poli şi douǎ zerouri. Expresia
generalǎ a unei funcţii de transfer cu doi poli şi douǎ zerouri este datǎ ı̂n (6.28).

Doris Csipkes 137


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. AMPLIFICATOARE DIFERENŢIALE

  
s s
A0 1 − 1+
ωrhz ωlhz
A(s) =    (6.28)
s s

e
1+ 1+
ωp1 ωp2

gic
Polii funcţiei de transfer rezultǎ prin identificarea coeficienţilor ı̂n s a polinoa-
melor de la numitorul expresiilor date ı̂n (6.27) şi (6.28). Astfel vom avea:

alo
1 b
fp1 = , fp2 = (6.29)
2πb 2πa

An
În relaţiile lui a şi b date ı̂n (6.25) se considerǎ conductanţa drenǎ-sursǎ a tran-
zistoarelor mult mai mare decât transconductanţa lor. Astfel rezultǎ expresiile
simplificate ale polilor: e
at
∼ gDS2 + gDS4 1

fp1 = 2π (C + C ) = 2π (C + C ) R


2 4 2 4 out
(6.30)
gr

gm3
fp2 ∼

 =
2π (C1 + C3 )
te

Se observǎ cǎ polul dominat este introdus de nodul de ieşire, iar polul de ı̂naltǎ
In

frecvenţǎ de nodul intermediar din drena tranzistorului M1 .

Expresiile zerourilor se obţin prin identificarea coeficienţilor termenilor ı̂n s de


la numǎrǎtorul expresiilor (6.27) şi (6.28). Este uşor de remarcat faptul cǎ
ite

zeroul pozitiv este introdus de calea directǎ de semnal de la intrare la ieşire prin
capacitǎţile C1 şi C2 . Zeroul negativ provine de la oglinda de curent M3 -M4 .
rcu

 gm1
frhz = 2πC1


(6.31)
Ci

g + gDS3 + 2gm3 ∼ 2gm3


flhz = DS1

 =
2π (C1 + C3 ) 2π (C1 + C3 )

În Figura 6.11 este prezentatǎ caracteristica de amplitudine şi fazǎ a amplifica-
torului diferenţial discutat.

138 Doris Csipkes


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. AMPLIFICATOARE DIFERENŢIALE

|A(s)|
20

-0

e
-20

gic
-40

-60
f
fp1

alo
Ð A(s) fp2 flhz frhz
0d

-45d

An
-90d

-135d

e f
10KHz 1.0MHz 100MHz 10GHz 1.0THz
at
Figura 6.11: Caracteristica de amplitudine şi fazǎ a circuitului
gr

Din analiza caracteristicilor se poate observa prezenţa celor doi poli negativi, a
unui zero pozitiv şi a unui zero negativ, dupǎ cum am obţinut şi din calculul
te

teoretic. Mai mult, se poate specifica ordinea ı̂n care sunt situate ı̂n frecvenţǎ
singularitǎţile. Primul pol este polul dominat datorat nodului de ieşire a circui-
In

tului. Apoi urmeazǎ polul dat de nodul intermediar din grilele tranzistoarelor
care formeazǎ oglinda de curent şi la frecvenţǎ apropiatǎ zeroul dat de acelaşi
nod intermediar. Faptul cǎ aceste singularitǎţi sunt apropiate ı̂n frecvenţǎ se
ite

poate dovedi şi teoretic analizând ecuaţiile (6.30) şi (6.31). Ultimul este zeroul
datorat cǎii directe de semnal de la intrare la ieşire prin capacitatea grilǎ-drenǎ
a tranzistoarelor de intrare.
rcu

6.4 Amplificatorul diferenţial cu sarcinǎ surse de


curent
Ci

Schema amplificatorului diferenţial cu sarcinǎ surse de curent este prezentatǎ


ı̂n Figura 6.12. Tranzistoarele M3 -M4 constituie circuitul de sarcinǎ. Ieşirea se
culege diferenţial din drena tranzistoarelor M1 şi M2 .

Doris Csipkes 139


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. AMPLIFICATOARE DIFERENŢIALE

VDD
M3 M4

e
Vbiasp

gic
v out v out
- +
2 2

alo
v in M1 M2 v in
+ -
2 2

An
M5
Vbiasn

e VSS
at
Figura 6.12: Schema amplificatorului cu sarcinǎ surse de curent
gr

Domeniul de variaţie a tensiunii de ieşire


te

Tensiunea maximǎ admisǎ la ieşirea circuitului se calculeazǎ similar ca pentru


amplificatorul diferenţial cu sarcinǎ oglindǎ de curent. Astfel voutM AX este de
In

forma:

VoutM AX = VDD − Vod3 − vmax (6.32)


ite

Tensiunea minimǎ admisǎ la ieşire se scrie conform relaţiei:


rcu

voutM IN = Vod1 + Vod5 + vmax (6.33)

Domeniul de variaţie a tensiunii de ieşire


Ci

Schema echivalentǎ de semnal mic şi joasǎ frecvenţǎ este prezentatǎ ı̂n Fi-
gura 6.13. Fiecare tranzistor este modelat cu o sursǎ de curent comandatǎ de
tensiunea grilǎ-sursǎ a sa ı̂n paralel cu rezistenţa drenǎ-sursǎ.

140 Doris Csipkes


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. AMPLIFICATOARE DIFERENŢIALE

e
rDS3 gm3vGS3 rDS4 gm4vGS4
v out v out
- +

gic
2 2

v in v in
+ -
2 2

alo
gm1vGS1 rDS1 rDS2 gm2vGS2

An
Figura 6.13: Modelul echivalent de semnal mic şi joasǎ frecvenţǎ a circui-
tului
e
at
Calculul câştigului de semnal mic şi joasǎ frecvenţǎ se determinǎ scriind teorema
lui Kirchhoff pentru curenţi ı̂n nodurile de ieşire, ca ı̂n ecuaţiile (6.34).
gr

 vod vod
gm1 vGS1 − gDS1 − gDS3 = 0
te


2 2
(6.34)
gm2 vGS2 + vod gDS2 +
 vod
gDS4 = 0
In

2 2

Analizând schema din Figura 6.12 se pot exprima tensiunile grilǎ-sursǎ ale tran-
zistoarelor de intrare astfel:
ite

vin vin
vGS1 = ; vGS2 = − (6.35)
2 2
rcu

Înlocuind tensiunile grilǎ-sursǎ cu tensiunile de intrare corespunzǎtoare ı̂n siste-


mul (6.34) şi scǎzând cele douǎ ecuaţii, se obţine câştigul de semnal mic:
Ci

vout gm1 + gm2


A0 = = (6.36)
vin gDS1 + gDS2 + gDS3 + gDS4

Dacǎ se considerǎ tranzistoarele de intrare perfect ı̂mperecheate, la fel şi cele


de sarcinǎ, se pot scrie identitǎţile:

Doris Csipkes 141


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. AMPLIFICATOARE DIFERENŢIALE

gm1 = gm2 , gDS1 = gDS2 , gDS3 = gDS4 (6.37)

e
Bazat pe aceste egalitǎţi, expresia câştigului de joasǎ frecvenţǎ devine mai

gic
simplǎ şi este datǎ ı̂n ecuaţia (6.38).

gm1
A0 = = gm1 (rDS1 || rDS3 ) (6.38)
gDS1 + gDS3

alo
Observaţie: Din expresia câştigului de joasǎ frecvenţǎ se observǎ cǎ

An
transconductanţa etajului diferenţial este jumǎtate din transconductanţa
unui tranzistor de intrare gm1 , iar rezistenţa de sarcinǎ diferenţialǎ este du-
blul rezistenţei rezultate prin conectarea ı̂n paralel rDS a tranzistoarelor cu
canal n şi p.
e
at
Comportamentul ı̂n frecvenţǎ
gr

In Figura 6.14 este datǎ schema cu paraziţi a amplificatorului diferenţial cu


sarcinǎ surse de curent.
te

VDD
In

M3 M4

Vbiasp
p1 v out v out p1
ite

rhz - 2
+
2 rhz
C1 C3 C4 C2
rcu

v in M1 M2 v in
+ -
2 2
Ci

M5
Vbiasn

VSS

Figura 6.14: Schema amplificatorului cu capacitatile sale parazite

142 Doris Csipkes


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. AMPLIFICATOARE DIFERENŢIALE

Modelul echivalent de semnal mic folosit la analiza de frecvenţǎ este dat ı̂n
Figura 6.15.

e
gic
rDS3 gm3vGS3 rDS4 gm4vGS4
v out v out
- +
2 2

alo
v in v in
+ -
2 2

An
C1 C2
gm1vGS1 rDS1 C3 C4 rDS2 gm2vGS2

e
at
Figura 6.15: Modelul echivalent de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ a am-
plificatorului
gr

Funcţia de transfer a circuitului se poate determina scriind teorema lui Kirchhoff


pentru curenţi ı̂n nodurile de ieşire. Ţinând seama de expresia câştigului de
te

joasǎ frecvenţǎ din ecuaţia (6.36), ı̂n urma calculelor raportul dintre tensiunea
de ieşire şi cea de intrare rezultǎ:
In

 
C1 + C2
A0 1 − s
gm1 + gm2
ite

A(s) = (6.39)
C1 + C2 + C3 + C4
1+s
gDS1 + gDS2 + gDS3 + gDS4
rcu

Funcţia de transfer obţinutǎ se poate scrie simplificat, dacǎ se considerǎ tran-


zistoarele de intrare perfect ı̂mperecheate şi la fel cele de sarcinǎ. Aceasta
ı̂nseamnǎ cǎ urmǎtoarele identitǎţi sunt adevǎrate:
Ci

gm1 = gm2 , gm3 = gm4 , C1 = C2 , C3 = C4 (6.40)

Astfel comportamentul ı̂n frecvenţǎ al circuitului va fi caracterizat de relaţia


(6.41).

Doris Csipkes 143


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. AMPLIFICATOARE DIFERENŢIALE

sC1
A0 (1 − )
g1
A(s) = (6.41)
s(C1 + C3 )

e
1+
gDS1 + gDS3

gic
Din analiza expresiei lui A(s) se observǎ cǎ funcţia de transfer are un pol şi un
zero. O astfel de funcţie de transfer se poate scrie dupǎ cum urmeazǎ:

alo
 
s
A0 1 −
ωrhz
A (s) = (6.42)

An
s
1+
ωp

În continuare se identificǎ coeficienţii termenilor ı̂n s din relaţiile (6.41) şi (6.42),
e
obţinându-se expresia polului şi a zeroului.
at
 gDS1 + gDS3 1
fp = =
gr

2π (C1 + C3 ) 2πRout (C1 + C3 )





gm1 (6.43)
f =
 rhz

2πC1
te


In

Polul este introdus de nodul de ieşire, iar zeroul este datorat cǎii directe de
semnal de la intrare la ieşire prin capacitatea grilǎ-drenǎ a tranzistoarelor de
intrare.
ite

Caracteristica de amplitudine si faza simulatǎ pentru amplificatorul discutat


este datǎ ı̂n Figura 6.16.
rcu
Ci

144 Doris Csipkes


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. AMPLIFICATOARE DIFERENŢIALE

|A(s)|
20

-0

e
-20

gic
-40

-60 f
fp frhz

alo
Ð A(s)
0d

-45d

An
-90d

-135d

e f
10KHz 1.0MHz 100MHz 10GHz 1.0THz
at
Figura 6.16: Caracteristica de amplitudine şi fazǎ a circuitului
gr

6.5 Sumar
te

În acest capitol s-au prezentat cele mai des utilizate configuraţii de amplifica-
toare diferenţiale. Aceste circuite stau la baza oricǎrei structuri de amplificator
In

operaţional.

În cazul fiecǎrui etaj diferenţial s-a discutat domeniul de variaţie a tensiunii de
ieşire, câştigul de joasǎ frecvenţǎ şi comportamentul ı̂n frecvenţǎ. Determinarea
ite

acestor parametrii s-a facut pe baza modelelor cu surse comandate.


rcu

Bibliografie:
1. Lelia Feştilǎ - Circuite integrate analogice II, Casa Cǎrţii de Ştiinţǎ, 1999;
Ci

2. Doris Csipkes, Gabor Csipkes - Fundamental analog circuits. Practical


simulation exercises, UTPres, 2004;

3. P.E. Allen, D. Holberg - CMOS analog circuit design, Oxford University


Press, 1987

Doris Csipkes 145


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. AMPLIFICATOARE DIFERENŢIALE

4. A. Manolescu - Analog Integrated Circuits, editura Foton International,


1999.

5. J-T. Wu - Multiple-Transistor Gain Stages - Lecture Notes, National

e
Chiao-Tung University, Taiwan, 2002

gic
alo
An
e
at
gr
te
In
ite
rcu
Ci

146 Doris Csipkes


e
gic
Capitolul 7

alo
Amplificatoare operaţionale

An
7.1 Introducere
e
Amplificatoarele operaţionale pot fi considerate ı̂n cazul ideal surse de tensiune
comandate ı̂n tensiune, ale cǎror tensiuni de ieşire depind de tensiunea de intrare
at
cu factorul de scalare numit câştig. În cazul ideal câştigul este independent
de frecvenţǎ. În AO reale câştigul depinde de frecvenţǎ, iar comportamentul
gr

circuitului poate fi modelat cu unul sau mai mulţi poli şi zerouri de transmisie.
te

Amplificatoarele operaţionale se folosesc ı̂n numeroase aplicaţii, dintre care cele


mai uzuale sunt:
In

- ca detector de erori şi amplificator ı̂n sistemele cu reacţie;

- ı̂n filtrele AO-RC, AO-CMOS sau cu capacitǎţi comutate;


ite

- ı̂n amplificatoarele cu câştig variabil;

- ca şi comparatoare de vitezǎ micǎ sau medie.


rcu

Pentru a obţine câştigul specificat (ı̂n general de ordinul miilor sau zecilor de
mii), structura internǎ a AO trebuie sǎ permitǎ conversii succesive tensiune-
Ci

curent şi apoi curent-tensiune. Circuitul de intrare al fiecǎrui etaj din structura
amplificatorului operaţional converteşte tensiunea diferenţialǎ de intrare ı̂n cu-
rent diferenţial. Acest curent este reconvertit ı̂n tensiune de cǎtre circuitul de
sarcinǎ al etajului. Astfel, câştigul dorit este obţinut prin cascadarea câtorva
etaje de amplificare.
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE

Dacǎ notǎm cu Gm câştigul de conversie tensiune-curent, iar cu Rout câştigul


curent-tensiune, atunci pentru un AO cu n etaje câştigul de joasǎ frecvenţǎ se
scrie:

e
A0 = (Gm1 Rout1 ) · (Gm2 Rout2 ) . . . (Gmn Routn ) ·

gic
(7.1)

Schema de principiu a unui amplificator cu n etaje este prezentatǎ ı̂n Figura 7.1.

alo
Etajele acestuia s-au ales sǎ fie de tipul amplificator simplu ı̂n conexiune sursǎ-
comunǎ. Astfel, se poate ı̂nţelege uşor principiului conversiilor succesive, şi
anume: pe fiecare tranzistor se face conversia tensiune-curent, iar apoi curentul
din drenǎ este convertit ı̂napoi ı̂n tensiune pe rezistenţa echivalentǎ de sarcinǎ.

An
VDD

Circuit Circuit Circuit


de sarcina de sarcina
de sarcina
e
at
Vout

Vin
gr

Rech1 Rech2 Rechn


M1 M2 Mn
te

Figura 7.1: Ilustrarea principiului conversiilor succesive ı̂n amplificatoare


In

cu etaje multiple

VDD
ite

I–›V I–›V I–›V

R1 R2 Rn
rcu

V–›I V–›I V–›I VDD


Vout
Ci

Vin M1 M2 Mn

Figura 7.2: Exemplu concret de implementare a unui amplificator simplu


cu etaje cascadate

148 Doris Csipkes

VDD
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE

Un exemplu concret de implementare este arǎtat ı̂n Figura 7.2. În acest scenariu
circuitul de sarcinǎ este o simplǎ rezistenţǎ care determinǎ valoarea aproximativǎ
a rezistenţei de ieşire echivalente corespunzǎtoare fiecǎrui etaj.

e
În structurile practice de AO prima conversie V-I se face pe un etaj diferenţial,

gic
iar conversia I-V se face pe sarcina acestuia, care poate fi rezistivǎ, sursǎ de
curent sau oglindǎ de curent ı̂n funçtie de câştigul pe care dorim sǎ-l obţinem
şi de topologia impusǎ (ieşire asimetricǎ sau diferenţialǎ).

alo
În categoria amplificatoarelor care se bazeazǎ pe cascadarea mai multor etaje
pentru a obţine câştigul dorit, reprezentantul cel mai cunoscut este AO Miller.

An
Câştigul mǎrit al unui AO se poate realiza nu numai prin cascadarea mai multor
etaje, fiecare aducandu-şi aportul la câştigului final, ci şi prin folosirea unui
singur etaj de amplificare cu o structurǎ având rezistenţa de ieşire mare, ceea ce
implicǎ şi un câştig ridicat. Acesta este cazul AO cascodǎ telescop şi cascodǎ
pliatǎ. În cele ce urmeazǎ vor fi studiate diferite topologii de amplificatoare
e
operaţionale.
at
CM
gr

Vin Vout
A1 -A2
te

Etaj diferential Etaj inversor


de intrare
a)
In

CM

Vin Vout
A1 -A2 +1
ite

Etaj diferential Etaj inversor Etaj de iesire


de intrare
b)
rcu

Figura 7.3: Schemele bloc ale AO Miller a) farǎ şi b)cu repetor la ieşire
Ci

7.2 Amplificatorul operaţional Miller


Amplificatorul operaţional Miller se foloseşte pentru aplicaţiile unde funcţiona- VDD
rea la frecvenţe ı̂nalte nu este criticǎ. Existǎ douǎ variante de implementare ale
acestuia, cu şi farǎ repetor la ieşire, având schemele bloc din Figura 7.3.

Doris Csipkes 149


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE

Varianta simplǎ, farǎ etaj repetor la ieşire, are rezistenţa de ieşire mare şi se
poate numi amplificator transconductanţǎ, deoarece livreazǎ la ieşire curent.
Acest tip de AO poate comanda sarcini strict capacitive farǎ a fi influenţat

e
câştigul de joasǎ frecvenţǎ.

gic
Structura unui AO Miller cu repetor la ieşire este bazatǎ pe un amplificator
transconductanţǎ şi un etaj de ieşire având o rezistenţǎ de ieşire (Rout ) micǎ,
ı̂n caz ideal zero. Varianta de AO Miller cu repetor la ieşire poate comanda

alo
sarcini rezistiv-capacitive. La joasǎ frecvenţǎ rezistenţa de sarcinǎ (RL ) va
determina tensiunea de ieşire din divizorul de tensiune format din Rout şi RL .
Astfel, câştigul repetorului este aproximativ egal cu unitatea.

An
VDD
M3 M4 e
M6
at
gr

M1 M2 Vout
te

Vip Vim CL
M7
M5
In

Vbiasn

VSS
ite

Figura 7.4: Schema AO Miller simplu


rcu

Schema implementatǎ la nivel de tranzistor a amplificatorului operaţional Miller


este aratatǎ ı̂n Figura 7.4. Tranzistoarele M1 - M2 formeazǎ etajul diferenţial
de intrare, iar M3 -M4 sarcina acestuia de tip oglindǎ de curent. Amplificatorul
Ci

diferenţial este polarizat de sursa de curent M5 . Cel de-al doilea etaj este un
amplificator inversor simplu, constituit din M6 şi M7 .

Modelul echivalent de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ corespunzǎtor AO Miller


este dat ı̂n Figura 7.5. Se poate observa cǎ fiecare etaj de câştig este modelat

150 Doris Csipkes


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE

cu rezistenţa echivalentǎ vǎzutǎ la ieşirea etajului ı̂n paralel cu capacitatea


echivalentǎ a acestui nod şi o sursǎ de curent comandatǎ ı̂n tensiune, având
parametrul Gm . Oglinda de curent M3 -M4 introduce un pol şi un zero negativ

e
la frecvenţe ı̂nalte unde nu influenţeazǎ funcţionarea AO, din acest motiv nu
au fost modelate.

gic
V

alo
Vin Gm1Vin R1 C1 Gm2V R2 C2 Vout

An
Figura 7.5: Modelul echivalent de semnal mic a AO Miller simplu
e
Conform acestui model, funcţia de transfer a amplificatorului operaţional este
at
de forma:
gr

   
1 1
A(s) =Gm1 R1 || Gm2 R2 || =
sC1 sC2
te

VDD
Gm1 R1 Gm2 R2
= (7.2)
(1 + sR1 C1 ) (1 + sR2 C2 )
In

Parametrii de semnal mic au urmǎtoarele expresii:


ite




Gm1 = gm1 , Gm2 = gm6

DS2 || rDS4 , R2 = rDS6 || rDS7
R = r
1
(7.3)
rcu



C1 = CBD2 + CBD4 + CGS6 + CGD6 (Gm2 R2 )

C = C
2

BD6 + CBD7 + CGD7 + CL = CL
Ci

Analizând ecuaţia (7.2) se observǎ cǎ circuitul are doi poli: unul dat de nodul
de ieşire şi celǎlalt de nodul intermediar. Condensatorul C1 este mult mai mic
decât C2 deoarece primul este format din capacitǎţile parazite ale tranzistoarelor
conectate la nodul intermediar al circuitului, iar cel de-al doilea include pe lângǎ
capacitǎţile parazite şi condensatorul de sarcinǎ. O altǎ observaţie este aceea cǎ

Doris Csipkes 151


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE

rezistenţele R1 şi R2 sunt de acelaşi ordin de mǎrime. Din aceste considerente


rezultǎ cǎ polul p1 este cel dominant şi p2 este polul de ı̂naltǎ frecvenţǎ.

e
Câştigul de tensiune continuǎ şi polii funcţiei de transfer sunt daţi ı̂n sistemul
de ecuaţii (7.4).

gic


A0 = Gm1 R1 Gm2 R2


1

alo


fp1 = (7.4)
 2πR2 C2



fp2 =
 1
2πR1 C1

An
Considerând scenariul ı̂n care p1 este polul dominant, caracteristicile de ampli-
tudine şi fazǎ, aproximate prin asimptotele lor, ale AO ı̂n buclǎ deschisǎ, sunt
date ı̂n Figura 7.6 a).
e
at
|A(s)| |A(s)|
p1 p1
gr

p1* p2
p2
te

GBW f GBW f
In

p2*

A(s) A(s)
f f
ite

-90 -90
mj
rcu

-180 mj -180
a) b)

Figura 7.6: Rǎspunsul ı̂n frecvenţǎ a AO ı̂n buclǎ deschisǎ


Ci

Din inspecţia caracteristicilor de frecvenţǎ se poate vedea cǎ valoarea fazei la


frecvenţa unde câştigul este zero dB (notatǎ GBW, eng. Gain BandWidth)
este apropiatǎ de -180 ◦ . Acest fapt se datoreazǎ celor doi poli apropiaţi, ambii
situaţi la frecvenţe mai mici decât GBW. Astfel la frecvenţa unde amplitudinea

152 Doris Csipkes


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE

este unitarǎ, faza a scǎzut deja douǎ decade ajungând ı̂n jurul valorii de -180◦ .
În aceste condiţii marginea de fazǎ este insuficientǎ pentru a asigura stabilitatea
necondiţionatǎ a amplificatorului ı̂n buclǎ ı̂nchisǎ.

e
Din condiţia de stabilitate a lui Barkhausen rezultǎ cǎ faza nu trebuie sǎ fie mul-

gic
tiplu de 180◦ la frecvenţa egalǎ cu produsul amplificare-banda (GBW). Pentru
a realiza stabilitatea necondiţionatǎ, marginea de fazǎ se recomandǎ sǎ fie mai
mare decât 45◦ . O valoare a marginii de fazǎ de 60◦ asigurǎ stabilitatea simul-

alo
tan cu compromisul overshoot minim şi vitezǎ de variaţie a tensiunii de ieşire
maximǎ al rǎspunsului la semnal treaptǎ.

An
Soluţia la acestǎ problemǎ este aşa numita procedurǎ de compensare a carac-
teristicii de frecvenţǎ. Prin aceasta polii sunt separaţi, un pol deplasându-se la
frecvenţe mai joase, iar celǎlat pol la frecvenţe mai mari decât GBW. Separarea
ı̂n frecvenţǎ a celor doi poli are ca efect creşterea marginii de fazǎ. Concret,
e
compensarea Miller se face cu ajutorul unei capacitǎţi, CM , conectate ı̂ntre
nodul intermediar şi nodul de ieşire al circuitului.
at
gr

VDD
M3 M4
te

M6

CM
In

M1 M2 Vout

Vip Vim CL
ite

M7
M5
Vbiasn
rcu

VSS

Figura 7.7: Schema AO Miller compensat


Ci

Schema AO Miller compensat este prezentatǎ ı̂n Figura 7.7. Compensarea este
realizatǎ folosind efectul Miller pe etajul al doilea, inversor. Practic, capacitatea
grilǎ-drenǎ a tranzistorului M6 este mǎritǎ cu o capacitate pasivǎ CM . Deoarece
câştigul etajului al doilea este ridicat, CM va fi reflectatǎ la ieşirea etajului

Doris Csipkes 153


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE

diferenţial cu valoare mǎritǎ. Drept urmare, capacitatea echivalentǎ a acestui


nod va fi mǎritǎ, iar polul corespunzǎtor nodului se va deplasa la frecvenţe mai
joase, devenind polul dominant ı̂n urma compensǎrii.

e
Adiţional, rezistenţa de ieşire a etajului de câştig ridicat va fi redusǎ de cǎtre

gic
reacţia negativǎ prin capacitatea de compensare. Datoritǎ faptului cǎ la frecven-
ţe ı̂nalte CM este un scurtcircuit virtual, tranzistorul M6 poate fi considerat ı̂n
conexiune de diodǎ. Astfel, rezistenţa de ieşire se poate aproxima cu 1/gm6 .

alo
Reducerea acestei rezistenţe echivalente are drept efect translatarea polului dat
de nodul de ieşire a AO la frecvenţe mai ı̂nalte.

An
Modelul echivalent de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ al AO Miller compensat
este prezentat ı̂n Figura 7.8. În acest model s-au ignorat polul şi zeroul datorat
oglinzii de curent şi zeroul pozitiv datorat efectului Miller pe tranzistoarele de
intrare. e
at
V CM
gr

Vin Gm1Vin R1 C1 Gm2V R2 C2 Vout


te
In

Figura 7.8: Modelul echivalent de semnal mic a AO Miller compensat


ite

Scriind teorema lui Kirchhoff ı̂n nodul intermediar şi ı̂n nodul de ieşire, rezultǎ
sistemul de ecuaţii (7.5).
rcu

V

Gm1 Vin + R + V sC1 + sCM (V − Vout ) = 0

VDD

1
(7.5)
Ci

V
sCM (V − Vout ) = Gm2 V + out + sC2 Vout


R2

Dupǎ eliminarea variabilei V corespunzǎtoare nodului intermediar al circuitului,


rezultǎ urmǎtoarea funcţie de transfer:

154 Doris Csipkes


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE

 
CM


 Gm1 Gm2 R1 R2 1 − s
 Vout Gm2

e

A(s) = =


Vin 2
s a + sb + 1

gic
(7.6)



a = R1 R2 (C1 C2 + C1 CM + C2 CM )



b = R1 C1 + R2 C2 + (R1 + R2 ) CM + Gm2 R1 R2 CM

alo
Examinând ecuaţia (7.6) se poate vedea cǎ funcţia de transfer a circuitului
are doi poli la frecvenţele ωp1 , ωp2 şi un zero pozitiv la ωrhz (eng. Right

An
Halfplane Zero). Din nou s-au ignorat polii şi zerorurile de ı̂naltǎ frecvenţǎ
introduse de oglinda de curent, care nu influenţeazǎ funcţia de transfer ı̂n re-
giunea frecvenţelor de interes. În conformitate cu aceastǎ observaţie, forma
generalǎ a funcţiei de transfer se scrie ca ı̂n ecuaţia (7.7).
e
at
 
s
A0 1 −
ω
A (s) =    rhz (7.7)
gr


s s
1+ 1+
ωp1 ωp2
te

Determinarea expresiei polilor şi a zeroului se face prin identificarea coeficienţilor


termenilor ı̂n s din relaţiile (7.6) şi (7.7). În vederea simplificǎrii calculelor se
In

presupune cǎ polul al doilea este situat la frecvenţǎ mult mai ı̂naltǎ decât polul
dominant, ωp2 >> ωp1 . Utilizând aceastǎ aproximare, rezultǎ:
ite



A0 = Gm1 R1 Gm2 R2


 1 1
ωp1 = =
rcu


b [C R + C R + C (R 1 + R2 ) + CM Gm2 R1 R2 ]

2 2 1 1 M




b C2 R2 + C1 R1 + CM (R1 + R2 ) + CM Gm2 R1 R2 (7.8)
ωp2 = =


 a R1 R2 [C1 C2 + CM C1 + CM C2 ]
Ci



Gm2



ωrhz = C


M

Pentru a simplifica expresiile polilor şi ale zeroului se ţine cont de urmǎtoarele
aproximǎri:

Doris Csipkes 155


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE

- etajul al doilea are un câştig ridicat → Gm2 R2 >> 1;

- capacitatea de sarcinǎ este mult mai mare decât capacitatea parazitǎ a


nodului intermediar → CL >> C1 .

e
gic
Expresiile aproximative ale frecvenţelor polilor şi a zeroului rezultǎ ca ı̂n sistemul
(7.9).

1

alo
fp1 ∼
 =



 2πGm2 R1 R2 CM

Gm2

fp2 ∼
= (7.9)

An


 2πC2
Gm2



frhz =

2πCM
e
Din expresiile polilor se observǎ cǎ p1 este situat la frecvenţe joase datoritǎ
efectului Miller. Efectul Miller se menifestǎ prin mǎrirea capacitǎţii echivalente
at
la nodul intremediar. Capacitatea reflectatǎ are valoarea amplificatǎ de câştigul
etajului al doilea, Gm2 R2 . Polul p2 este translatat la frecvenţǎ ı̂naltǎ datoritǎ
gr

scurtcircuitului realizat de CM şi conexiunii virtuale de diodǎ a tranzistorului


M6 la frecvenţe mari. Caracteristicile de frecvenţǎ ale circuitului compensat
te

sunt date ı̂n Figura 7.6 b).

Dimensionarea condensatorului Miller CM este problema cheie pentru a asigura


In

marginea de fazǎ suficient de mare a amplificatorului cu douǎ etaje. În paragra-


ful urmǎtor sunt deduse relaţiile de dimensionare a condensatorului CM pornind
de la o valoare impusǎ a marginii de fazǎ.
ite

7.2.1 Dimensionarea condensatorului Miller pentru stabili-


rcu

tate necondiţionatǎ

Considerând cǎ polii sunt separaţi ı̂n frecvenţǎ ı̂n urma compensǎrii, iar fp1 <<
Ci

fp2 , efectele lor nu se vor suprapune, prin urmare se poate utiliza modelul cu
pol pseudo-dominat. Modelul cu pol pseudo-dominant ı̂nseamnǎ cǎ primul etaj
va fi considerat un integrator ideal, cu polul specific ı̂n origine (polul dominant
p1 al AO), având defazaj de −90◦ la orice frecvenţǎ. Adiţional, ştiind cǎ zeroul
pozitiv introduce un defazaj suplimentar ı̂n caracteristica de fazǎ, trebuie luat

156 Doris Csipkes


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE

ı̂n calcul şi efectul acestuia asupra marginii de fazǎ. În aceste condiţii, se obţine
expresia marginii de fazǎ dupǎ cum urmeazǎ:

e
   
◦ −1 GBW −1 GBW
mφ = 90 − tan − tan (7.10)

gic
fp2 frhz

Considerând, de exemplu, zeroul poziţionat la frecvenţǎ de zece ori mai mare


decât GBW , se poate calcula frecvenţa polului al doilea raportatǎ la GBW

alo
pentru o valoare a marginii de fazǎ impusǎ. Astfel, pentru mφ = 45◦ rezultǎ
fp2 = 1, 22 · GBW , iar pentru mφ = 60◦ se obţine fp2 = 2, 22 · GBW .

An
În practicǎ, amplificatorul Miller se proiecteazǎ pentru o margine de fazǎ
mφ = 60◦ , valoare care asigurǎ un compromis ı̂ntre stabilitate, overshoot şi
viteza de variaţie a tensiunii de ieşire. Prin urmare, dacǎ valoarea raportului
dintre fp2 şi GBW este cunoscutǎ, utilizând relaţiile (7.11), rezultǎ raportul
e
dintre capacitatea Miller şi a celei de sarcinǎ.
at
 Gm1
GBW = A0 fp1 = 2πC
gr



M
(7.11)
fp2 ∼
 Gm2
=
te


2πCL
In

Capacitatea de compensare se dimensioneazǎ conform urmǎtoarei relaţii:

Gm1 1
CM = CL · · (7.12)
ite

  
Gm2 GBW
tan 90◦ − mφ − tan−1
frhz
rcu

7.2.2 Viteza de variaţie a tensiunii de ieşire la AO Miller


Ci

Viteza de variaţie a tensiunii de ieşire, notatǎ SR (eng. Slew-Rate), este un


parametru de ı̂naltǎ frecvenţǎ şi semnal mare al amplificatoarelor operaţionale.
Acesta se defineşte ca rata maximǎ cu care poate varia tensiunea de ieşire a
amplificatorului operaţional.

Doris Csipkes 157


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE

Dacǎ amplitudinea semnalului de intrare depǎşeste o valoare criticǎ, atunci tot


curentul dat de sursa de curent care polarizeazǎ etajul diferenţial va trece prin
unul dintre tranzistoarele de intrare M1 sau M2 . Blocarea uneia sau a celeilalte

e
dintre ramurile etajului diferenţial depinde de semnul tensiunii de intrare. Pentru
o tensiune pozitivǎ la intrare, tranzistorul M1 conduce şi M2 este blocat. Astfel,

gic
tot curentul de polarizare se regǎseşte ı̂n M1 şi prin oglinda de curent M3 - M4 .
Capacitatea de compensare CM se va ı̂ncǎrca de la acest curent furnizat de
oglindǎ. Sensul curentului este reprezentat cu linie continuǎ ı̂n Figura 7.9. În

alo
cazul unei tensiuni negative la intrare, M1 este blocat şi M2 conduce, iar curentul
de polarizare al etajului descarcǎ direct condensatorul CM . Sensul curentului
este desenat cu linie punctatǎ, ı̂n acest caz.

An
VDD
M3 M4 e CM
at
-A2
Vout
gr

M1 M2 CL

Vip Vim
te

M5
Vbiasn
In

VSS

Figura 7.9: Sensul curentului de polarizare ı̂n AO Miller pentru tensiuni


de intrare pozitive şi negative
ite

La determinarea vitezei de variaţie a tensiunii de ieşire trebuie ţinut cont de


rcu

fiecare nod al circuitului. În formula finalǎ a SR-ului apare raportul minim
dintre curentul de ı̂ncǎrcare şi capacitatea echivalentǎ asociatǎ fiecǎrui nod ı̂n
parte. Pentru AO Miller, expresia SR se poate scrie dupǎ cum urmeazǎ:
Ci

 
dVout I5 I6 I5
SR = = min , = (7.13)
dt CM CL CM

158 Doris Csipkes


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE

7.2.3 Amplificatorul operational Miller complet diferenţial

Schema AO Miller complet diferenţial este prezentatǎ ı̂n Figura 7.10.

e
gic
VDD
M3 M4

Vbiasp M6

alo
CM
M8

CM

An
M1 M2

Vip Vim Vom CL Vop

M7 M9

Vbiasn
M5
e
at
VSS
gr

Figura 7.10: Schema AO Miller complet diferenţial


te

Avantajele prelucrǎrii de semnal diferenţiale au fost punctate ı̂n capitolul ”Am-


In

plificatoare Diferenţiale” şi datoritǎ acestora, ı̂n lanţurile de prelucrare a sem-


nalului sunt preferate structurile complet diferenţiale.
ite

Circuitul este similar cu AO Miller simplu, cu diferenţa cǎ etajul de intrare are
sarcina de tipul sursǎ de curent, formatǎ din tranzistoarele M3 -M4 , iar etajul al
doilea este dublat. Astfel, este posibilǎ sǎ culegem semnalul de ieşire diferenţial.
rcu

Vip CM Vop
Ci

Vin Gm1Vin R1 C1 V Gm2V R2 C2 Vout

CM
Vim Vom

Figura 7.11: Modelul echivalent pentru varianta complet diferenţialǎ

Doris Csipkes 159


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE

Schema de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ este datǎ ı̂n Figura7.11.

Parametrii de semnal mic se exprimǎ ı̂n mod similar ca la varianta cu ieşire

e
asimetricǎ, dar trebuie ţinut cont de conexiunile diferenţiale ale componentelor.

gic
 gm1 gm6
Gm1 = , Gm2 =
 2 2

alo



R = 2 (r || r ) , R2 = 2 (rDS6 || rDS7 )

 1 DS2 DS4


1 (7.14)
C1 = · [CBD2 + CBD4 + CGS6 + (CGD6 + CM ) A2 ]
2

An



C2 = 1 · (CBD6 + CBD7 + CL ) ∼ CL



=
2 2

7.2.4 Amplificatorul operaţional Miller


e
cu etaj repetor de ieşire
at
Amplificatorul operaţional Miller cu etaj repetor de ieşire este folosit ca sursǎ
gr

de tensiune comandatǎ ı̂n tensiune şi poate comanda sarcini rezistiv-capacitive.

Schema AO Miller cu etaj repetor de ieşire este datǎ ı̂n Figura 7.12. Tranzis-
te

toarele M8 si M9 constituie bufferul de ieşire, având câştig unitar.


In

VDD
M3 M4
ite

M6 M8
rcu

CM
M1 M2 Vout
Vip Vim CL
M7 M9
Ci

M5
Vbiasn

VSS

Figura 7.12: Schema AO Miller cu etaj repetor de ieşire

160 Doris Csipkes


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE

Modelul echivalent de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ este arǎtat ı̂n Figura 7.13.
Etajul de ieşire este modelat cu o sursǎ de tensiune comandatǎ ı̂n tensiune
având câştig unitar şi ı̂n serie cu ea este conectatǎ rezistenţa echivalentǎ de

e
ieşire a bufferului.

gic
V CM R3

alo
Vin Gm1Vin R1 C1 Gm2V R2 C2 AV=1 C3 Vout

An
Figura 7.13: Modelul echivalent de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ pentru
circuitul din Figura 7.9

e
Funcţia de transfer a circuitului este similarǎ cu cea a AO Miller simplu, cu
diferenţa cǎ etajul repetor de ieşire introduce un pol deı̂naltǎ frecvenţǎ adiţional.
at
Astfel, expresia lui A(s) este ı̂n conformitate cu ecuaţia (7.15).
gr

  
CM VDD
Gm1 Gm2 R1 R2 1 − s



Gm2
te



A(s) =

 2
(s a + sb + 1) (1 + sR3 C3 )
(7.15)
In

a = R1 R2 (C1 C2 + C1 CM + C2 CM )







b = R C + R C + (R + R ) C + G R R C
1 1 2 2 1 2 M m2 1 2 M
ite

Parametrii de semnal mic G1 , R1 , C1 , G2 şi R2 sunt aceaşi ca la AO Miller


fǎrǎ etaj repetor din ecuaţia (7.3). Însǎ, expresia lui C2 se modificǎ datoritǎ
rcu

influenţei capacitǎţilor parazite ale etajului repetor asupra capacitǎţii echivalente


din nodul de ieşire a amplificatorului simplu. Astfel, C2 , rezistenţa şi capacitatea
echivalentǎ a bufferului de ieşire se scriu:
Ci


C = CBD6 + CBD7 + CGD7 + CGD8
 2


1 ∼ 1
R3 = rDS9 || = (7.16)
 gm8 gm8
C3 = CBD8 + CBS9 + CGS8 + CGD9 + CL ∼

= CL

Doris Csipkes 161


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE

Frecvenţele aproximative ale polilor şi a zeroului funcţiei de transfer sunt date
ı̂n sistemul (7.17).

e

∼ 1
fp1 =

gic

2πGm2 R1 R2 CM








∼ Gm2
fp2 =


2πC2
(7.17)

alo
 1
fp3 =


2πR3 C3





frhz = Gm2


An
2πCM

Analizând aceste ecuaţii se observǎ cǎ frecvenţa polului dominant a rǎmas


aceeaşi ca la AO Miller simplu. Polul de ı̂naltǎ frecvenţǎ s-a mutat mai sus
e
ı̂n frecvenţǎ, datoritǎ capacitǎţii echivalente scǎzute a nodului de la intrarea
at
etajului repetor. Etajul repetor de ieşire introduce un pol suplimentar ı̂n funcţia
de transfer putând contribui semnificativ la ı̂nrǎutǎţirea marginii de fazǎ. Drept
urmare, expresia marginii de fazǎ trebuie completatǎ ca ı̂n urmǎtoarea ecuaţie:
gr
te

     
GBW GBW GBW
mφ = 90◦ − tan−1 − tan−1 − tan−1 (7.18)
fp2 frhz fp3
In

Dezavantajul compensǎrii Miller este acela cǎ impune un compromis ı̂ntre ban-
dǎ, marginea de fazǎ şi consumul de curent al amplificatorului operaţional.
ite

Astfel, stabilitatea necondiţionatǎ şi banda largǎ se pot obţine numai cu preţul
unui consum de curent ridicat. Datoritǎ acestei limitǎri AO Miller este utilizat
cu precǎdere ı̂n circuitele la care frecvenţa de funcţionare nu depǎşeşte câţiva
rcu

MHz.

7.2.5 Metoda de proiectare a amplificatorului


Ci

operaţional Miller
În acest paragraf este prezentatǎ metoda completǎ de proiectare a unui ampli-
ficator operaţional Miller pentru specificaţii impuse.

Specificaţiile considerate ı̂n majoritatea aplicaţiilor sunt urmǎtoarele:

162 Doris Csipkes


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE

- câştigul de joasǎ frecvenţǎ A0 ≥ 60dB;


- viteza maximǎ de variaţie a tensiunii de ieşire SR ≥ 15V /µs;

e
- produsul amplificare-bandǎ GBW ≥ 10M Hz;

gic
- zeroul pozitv sǎ fie situat la o frecvenţǎ frhz = 10GBW ;
- capacitatea de sarcinǎ CL = 10pF ;

alo
- alimentare simetricǎ VDD = −VSS = 3V ;
- stabilitate necondiţionatǎ cu mφ = 60◦ ;

An
- tensiunea de overdrive a tranzistoarelor care nu rezultǎ din calcul se con-
siderǎ Vod = 200mV .

Tip ID W/L Vod VT h


e
NMOS 50µA 10µ/1µ 174mV 450mV
at
PMOS 50µA 20µ/1µ 225mV 450mV

Tabelul 7.1: Valorile parametrilor din setul de referinţǎ


gr
te

Pasul 1: determinarea capacitǎţii de compensare ı̂n raport cu cea de sarcinǎ.


In

Conform expresiilor deduse pentru GBW si frhz , pe care le repetǎm din nou ı̂n
ecuaţiile (7.19), şi ţinând cont de relaţia dintre frecvenţa zeroului şi GBW datǎ
ı̂n specificaţii, vom avea:
ite

Gm1

GBW =

 2πCM
(7.19)
rcu

 G m2
frhz =
 ⇒ Gm2 = 10Gm1
2πCM

Determinarea raportului dintre frecvenţa polului al doilea şi produsul amplifica-


Ci

re-bandǎ se face pe baza ecuaţiei (7.10), dupǎ cum urmeazǎ:

  
GBW ◦ −1 GBW
= tan 90 − mφ − tan ⇒ fp2 ≥ 2, 22GBW (7.20)
fp2 frhz

Doris Csipkes 163


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE

Ţinând cont de acest rezultat, de legǎtura dintre transcoductanţele celor douǎ


etaje dedusǎ ı̂n (7.19) şi de expresiile lui GBW si fp2 , pe care le rescriem ı̂n
sistemul (7.21), rezultǎ relaţia dintre capacitatea Miller şi cea de sarcinǎ:

e
gic
Gm1

GBW = 2πC


M
(7.21)
G
fp2 = m2

 ⇒ CM ≥ 0, 22CL

alo
2πCL

Pe baza acestei relaţii şi ştiind cǎ CL = 10pF , putem alege capacitatea de
compensare CM = 2, 5pF .

An
CM = 2, 5pF
e
Pasul 2: calculul curentului de polarizare a etajului diferenţial.
at
Din formula vitezei maxime de variaţie a tensiunii de ieşire se calculeazǎ curentul
I5 astfel:
gr

I5
SR = ⇒ I5 = SR · CM = 37, 5µA (7.22)
te

CM

I5 = 37, 5µA
In

Pasul 3: calculul valorilor transconductanţelor celor douǎ etaje.


ite

Din expresia produsului amplificare-bandǎ putem obţine valoarea lui Gm1 :


rcu

Gm1
GBW = ⇒ G1 = 2πCM · GBW = 157µS (7.23)
2πCM

Am arǎtat anterior cǎı̂ntre transconductanţele celor douǎ etaje exitǎ urmǎtoarea


Ci

relaţie:

Gm2 = 10Gm1 = 1, 57mS (7.24)

Gm1 = gm1 = 157µS, Gm2 = gm6 = 1, 57mS

164 Doris Csipkes


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE

Pasul 4: gǎsirea tensiunilor de ovedrive pentru tranzistoarele M1 -M2

Ştiind valorile transconductanţei şi a curentului prin M1 , putem afla tensiunea

e
de overdrive a acestui tranzistor:

gic
2I1 I5 I5
gm1 = = ⇒ Vod1 = = 239mV (7.25)
Vod1 Vod1 gm1

alo
Vod1 = Vod2 = 239mV, restul Vod = 200mV

An
Pasul 5: dimensionarea tranzistoarelor M1 -M2

Folosind setul de referinţǎ pentru tranzistoare NMOS (I = 50µA, Vod =


e
174mV, W/L = 10µ/1µ) se face o scalare pentru a obţine setul de parametrii
at
doriţi (I1 = 18, 75µA, Vod1 = 239mV, W1 /L1 ):

2
gr


50µ 10L1 174m W1 2µ
= · ⇒ =2= (7.26)
18, 75µ W1 239m L1 1µ
te

W1 W2 2µ
In

= =
L1 L2 1µ
ite

Pasul 6: dimensionarea tranzistorului M5

Se face o nouǎ scalare pentru setul de parametrii doriţi


rcu

(I5 = 37, 5µA, Vod5 = 200mV, W5 /L5 ):

 2
50µ 10L5 174m W5 5, 7µ
= · ⇒ = 5, 7 = (7.27)
Ci

37, 5µ W5 200m L5 1µ

W5 5, 7µ
=
L5 1µ

Doris Csipkes 165


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE

Pasul 7: dimensionarea tranzistoarelor M3 -M4

Din nou scalǎm, de data aceasta folosind setul de referinţǎ pentru tranzistoare

e
PMOS (I = 50µA, Vod = 225mV, W/L = 20µ/1µ). Parametrii doriţi sunt
(I3 = 18, 75µA, Vod3 = 200mV, W3 /L3 ):

gic
 2
50µ 20L3 225m W3 9, 5µ
= · ⇒ = 9, 5 = (7.28)

alo
18, 75µ W3 200m L3 1µ

W3 W4 9, 5µ
= =

An
L3 L4 1µ

Pasul 8: determinarea curentului prin etajul al doilea de câştig şi dimensionarea


lui M6 e
at
Pentru ca factorul de reflexie al oglinzii de curent M3 -M4 şi M6 sǎ nu depindǎ
de eroarea datoratǎ coeficientului de modulaţie al lungimii canalului, se impune
condiţia de echilibru a tensiunilor drenǎ-sursǎ. În aceste condiţii tensiunile de
gr

overdrive ale tranzistoarelor ce formeazǎ oglinda sunt egale:


te

Vod3 = Vod4 = Vod6 = 200mV (7.29)


In

Din formula transconductanţei pentru M6 , rezultǎ curentul prin acesta conform


ecuaţiei (7.28).
ite

2I6 1
gm6 = ⇒ I6 = · gm6 · Vod6 157µA (7.30)
Vod6 2
rcu

I6 = 157µA

Facem o nouǎ scalare pentru a obţine raportul dintre lǎţimea şi lungimea ca-
Ci

nalului lui M6 :

 2
50µ 20L6 225m W6 40µ
= · ⇒ = 80 = (7.31)
157µ W6 200m L6 0, 5µ

166 Doris Csipkes


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE

W6 40µ
=
L6 0, 5µ

e
Pasul 9: dimensionarea lui M7

gic
 2
50µ 10L7 174m W7 23, 8µ
= · ⇒ = (7.32)
157µ W7 200m L7 1µ

alo
W7 23, 8µ
=

An
L7 1µ

Pasul 10: calculul tensiunii de polarizare Vbiasn e


Vbiasn = VSS + VT hn + Vod5 = −3 + 0, 45 + 0, 2 = −2, 35V (7.33)
at
gr

Vbiasn = −2, 35V


te

Observaţie: metoda de dimensionarea a circuitului prezentatǎ anterior, tre-


In

buie completatǎ prin rularea unor simulǎri atât de punct static de funcţionare
cât şi de curent alternativ şi se ajusteazǎ fin, ı̂n câteva iteraţii geometria
tranzistoarelor pânǎ se obţin performanţele dorite ale AO proiectat.
ite

7.3 Amplificatorul operaţional cascodǎ telescop


rcu

Dezavantajul major al AO Miller este acela cǎ pentru un consum rezonabil


putem obţine o bandǎ modestǎ. Limitarea se datoreazǎ metodei de compensare
Miller. O structurǎ care pentru acelaşi consum oferǎ o bandǎ mai largǎ este
amplificatorul cascodǎ telescop. La aceastǎ variantǎ de AO câştigul ridicat
Ci

este asigurat de rezistenţa de ieşire mare, tipic de ordinul MΩ-lor, a structurii


cascodǎ.

Schema AO cascodǎ telescop este prezentatǎ ı̂n Figura 7.14. Tensiunea de


intrare se aplicǎ tranzistoarelor M1a -M1b din etajul diferenţial. Sarcina acestuia

Doris Csipkes 167


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE

este oglinda cascodǎ formatǎ din M3a -M3b şi M4a -M4b . Pentru a mǎri rezistenţa
de ieşire se utilizeazǎ cascoda de tip NMOS ı̂n locul structurii simple de etaj
diferenţial. Întreg etajul este polarizat cu sursa de curent implementatǎ cu M5 .

e
gic
VDD
M4a M4b

alo
M3a M3b

An
Vout

M2a M2b
CL
Vcasn
e
D1a D1b
M1a M1b
at
Vip Vim
gr

M5
Vbiasn

VSS
te

Figura 7.14: AO cascodǎ telescop


In

Modelul echivalent de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ corespunzǎtor AO cascodǎ


telescop este dat ı̂n Figura 7.15. Similar ca la AO cu compensare Milller s-au
ite

ignorat singularitǎţile introduse de oglinda de curent cascodǎ M3a -M3b .

D1a
rcu

Vin Rp Cp Vp Rout Cout Vout


Gm1Vin Gm2Vp
Ci

D1b

Figura 7.15: Modelul echivalent de semnal mic al AO cascodǎ telescop

Conform acestui model funcţia de transfer a amplificatorului operaţional rezultǎ

168 Doris Csipkes


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE

de forma:

Gm1 Rout Gm2 Rp


A(s) = , (7.34)
(1 + sRp Cp ) (1 + sRout Cout )

e
gic
unde parametrii de semnal mic au urmǎtoarele expresii:

alo
Gm1 = gm1 ,

 Rout = gm2 rDS2 rDS1 || gm3 rDS3 rDS4

gm2 2

Rp ∼

Gm2 = 2 ,


 =
gm2
(7.35)

An


Cout = CBD2 + CBD3 + CGD2 + CGD3 + CL ∼ = CL



Cp = 1 (CBS2 + CGS2 + CBD1 )



2 e
at
În cele ce urmeazǎ sunt prezentaţi paşii de proiectare sistematicǎ a unui AO
cascodǎ telescop, având specificaţile:
gr

- câştigul de joasǎ frecvenţǎ A0 ≥ 60dB;


te

- viteza maximǎ de variaţie a tensiunii de ieşire SR ≥ 50V /µs;


In

- produsul amplificare-bandǎ GBW ≥ 53M Hz;

- capacitatea de sarcinǎ CL = 4pF ;


ite

- alimentarea simetricǎ VDD = −VSS = 2V ;

- amplitudinea maximǎ a semnalului de ieşire VsemnM AX = 0, 5V


rcu

Pasul 1: domeniul maxim de variaţie a semnalului la ieşire.


Ci

La proiectare se considerǎ toate tranzistoarele polarizate ı̂n regim saturat. Prin


urmare, tensiunea drenǎ-sursǎ a fiecǎrui tranzistor este mai mare decât ten-
siunea sa de overdrive. Pentru tranzistoarele M4 , M5 alegem Vod = 250mV
in vederea obţinerii unei bune ı̂mperecheri. În cazul tranzistoarelor cascodǎ se
alege o valoare mai micǎ, Vod = 200mV , pentru a obţine o valoare mǎritǎ a

Doris Csipkes 169


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE

transconductanţei, necesarǎ realizǎrii rezistenţei de ieşire ridicate a AO. Tensiu-


nea de overdrive a tranzistoarelor de intrare M1 rezultǎ din specificaţii ca fiind
Vod1 = 150mV , dupǎ cum se va arǎta la Pasul 5.

e
Tensiunea drenǎ-sursǎ a fiecǎrui tranzistor se alege cu o margine ∆V = 100mV

gic
pentru a pǎstra tranzistoarele ı̂n regim saturat chiar şi ı̂n cazul cel mai defavo-
rabil, ı̂n care tensiunea de prag şi punctul static de funcţionare se deplaseazǎ
cu temperatura şi cu neidealitǎţile procesului de fabricaţie.

alo
Domeniul de variaţie al tensiunii de ieşire trebuie ales astfel ı̂ncât tranzistoarele
sǎ nu ajungǎ ı̂n regim liniar sau blocate. În consecinţǎ, limitele de variaţie ale

An
tensiunii de ieşire se pot scrie:



VDD − VoutM AX = VDS3 + VDS4

VoutM AX = VDD − (Vod3 + ∆V ) + (Vod4 + ∆V )





e

at

 ⇒ VoutM AX = 1, 35V

(7.36)
VoutM IN − VSS = VDS1 + VDS2 + VDS5
gr





V = VSS + Vod1 + Vod2 + Vod5 + 3∆V
 outM IN




te

⇒ VoutM IN = −1, 1V

In

S-a notat cu VoutM AX şi VoutM IN tensiunea maximǎ, respectiv minimǎ instan-
tanee la ieşirea circuitului.
ite

Rezultǎ cǎ variaţia maximǎ vârf la vârf a tensiunii de ieşire este:

∆Vout = VoutM AX − VoutM IN = 1, 35 − (−1, 1) = 2, 45V (7.37)


rcu

Valoarea teoreticǎ maximǎ a tensiunii de ieşire suportate de circuit farǎ dis-


torsiuni (limitare) este 2, 45V . Pentru aplicaţia noastrǎ considerǎm variaţia
semnalului de ieşire de 1V , valoare normalǎ ı̂n circuitele cu AO. Se pot alege
Ci

şi alte valori ı̂n limitele admise şi considerând tensiunea de mod comun datǎ.
Notǎm amplitudinea semnalului de ieşire cu VsemnM AX , acesta având valoarea
egalǎ cu jumǎtate din variaţia semnalului de ieşire, mai precis 0, 5V .

Pasul 2: calculul tensiunii de mod comun VM C .

170 Doris Csipkes


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE

Pentru ca AO sǎ funcţioneze corect atunci când este cascadat ı̂ntr-un lanţ de
amplificatoare, tensiunile de mod comun la intrare şi ieşire trebuie sǎ fie egale,
VM Cin = VM Cout .

e
Limita inferioarǎ a domeniului de variaţie a tensiunii de mod comun trebuie

gic
sǎ permitǎ ca tranzistoarele de intrare M1a -M1b şi cel de polarizare al etaju-
lui diferenţial M5 sǎ fie ı̂n regim saturat. Conform acestei condiţii, tensiunea
grilǎ-sursǎ a tranzistoarelor de intrare şi cea drenǎ-sursǎ a tranzistorului ce im-

alo
plementeazǎ sursa de curent trebuie sǎ asigure funcţionarea dispozitivelor ı̂n
regim saturat.

An
VM Cmin − VSS = VGS1 + VDS5 , (7.38)
unde:

(
e
VGS1 = Vod1 + VT hn = 0, 15 + 0, 45 = 0, 6V
at
(7.39)
VDS5 = Vod5 + ∆V = 0, 25 + 0, 1 = 0, 35
gr

Rezultǎ VM Cmin = −1, 05V


te

Pe de altǎ parte, tot valoarea minimǎ a tensiunii de ieşire se poate obţine


conform ecuaţiei (7.40).
In

VM Cmin − VSS = VDS1 + VDS2 + VDS5 + VsemnM AX , (7.40)


ite

unde:

VDS1 = Vod1 + ∆V = 0, 15 + 0, 1 = 0, 25V

rcu

VDS2 = Vod2 + ∆V = 0, 2 + 0, 1 = 0, 3V (7.41)



VDS5 = Vod5 + ∆V = 0, 25 + 0, 1 = 0, 35

Ci

De aceastǎ datǎ, rezultǎ VM Cmin = −0, 6V .

Pentru a afla valoarea minimǎ a tensiunii de mod comun, se ia cazul cel mai
defavorabil VM Cmin = −0, 6V .

Doris Csipkes 171


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE

Limita superioarǎ a domeniului de variaţie a tensiunii de mod comun trebuie sǎ


permitǎ funcţionarea tranzistoarelor M3b şi M4b din oglinda de curent cascodǎ ı̂n
regim saturat, chiar şi atunci când semnalul de ieşire atinge valoarea sa maximǎ.

e
VDD − (VM Cmax + VsemnM AX ) = VDS3 + VDS4 , (7.42)

gic
unde:
(

alo
VDS3 = Vod3 + ∆V = 0, 3V
(7.43)
VDS4 = Vod4 + ∆V = 0, 35V

An
Rezultǎ valoarea maximǎ a tensiunii de mod comun, ca fiind VM Cmax = 0, 85V

Teoretic, tensiunea de mod comun poate fi aleasǎ oriunde ı̂ntre -0,6V şi +0,85V.
În practicǎ, variaţia optimǎ a semnalului la ieşire este obţinutǎ atunci când
e
tensiunea de mod comun este aleasǎ la aproximativ jumǎtatea intervalului dintre
at
limitele admise pentru VM C . Prin urmare, o posibilǎ valoare ar putea fi VCM =
0V .
gr

Pasul 3: calculul tensiunilor de polarizare Vbiasn si Vcasn .


te

Pentru a determina tensiunile de polarizare, trebuie mai ı̂ntâi stabilite cǎderile de


tensiune drenǎ-sursǎ pe fiecare tranzistor. Cǎderea de tensiune pe fiecare tran-
In

zistor trebuie sǎ permitǎ polarizarea acestuia ı̂n regim saturat. În consecinţǎ,
tensiunea sa drenǎ-sursǎ se alege cu o margine de cel puţin 100mV faţǎ de
tensiunea de overdrive.
ite

Se porneşte cu aşezarea ı̂n tensiune a tranzistorului M5 . Tensiunea VDS5 este


condiţionatǎ de valoarea tensiunii de mod comun la intrare, astfel:
rcu

VM Cin − VSS = VGS1 + VDS5 ⇒ VDS5 = 1, 4V (7.44)

Dacǎ VM Cin = VM Cout , atunci valoarea teoreticǎ calculatǎ a tensiunii instanta-


Ci

nee la ieşire nu se mai conformeazǎ ecuaţiei 7.36, ci este limitatǎ de tensiunea


grilǎ-sursǎ a tranzistorului de intrare şi de tensiunea drenǎ-sursǎ a lui M5 . Deoa-
rece la M5 asigurǎm 1, 4V , atunci restul de 0, 6V care rǎmân trebuie ı̂mpǎrţiţi
ı̂ntre tranzistoarele M1 şi M2 . Vom aloca mai mult spaţiu ı̂n tensiune tranzisto-
rului cascodǎ, deoarece ca şi la sursa de curent cascodǎ, tranzistorul care intrǎ

172 Doris Csipkes


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE

primul ı̂n regim liniar este cel cascodǎ. Prin urmare, alegem VDS1 = 0, 25V şi
VDS2 = 0, 35V .
Cascodarea tranzistorului de intrare duce la o structurǎ nepotrivitǎ pentru egali-

e
tatea tensiunilor de mod comun de la intrare şi ieşire. Aceasta, datoritǎ faptului
cǎ bugetul de tensiune alocat tranzistorului de intrare şi celui cascodǎ este prea

gic
redus. Este posibil ca pentru valori mai mari ale tensiunii de overdrive a Min ,
acest tranzistor sǎ fie la limita regimului saturat.

alo
În cazul tranzistoarelor PMOS nu mai este o problemǎ alocarea tensiunilor
drenǎ-sursǎ, deoarece dispunem de 2V pe care sǎ-i ı̂mpǎrţim ı̂ntre M3 şi M4 .
Din nou alocǎm mai mult tranzistorului cascodǎ şi vom avea VDS3 = 1, 5V şi

An
VDS4 = 0, 5V .

În Figura 7.16 sunt marcate tensiunile drenǎ-sursǎ şi curenţii prin tranzistoare.
e
at
VDD=2V
M4a M4b

VDS4=0,5V
gr

100uA 100uA
te

M3a M3b
VDS3=1,5V

VMC=0V
In

M2a M2b
Vcasn=0,3V
VDS2=0,35V
ite

M1a VDS1=0,25V M1b


rcu

VMC=0V VMC=0V
200uA
Vbiasn=-1,3V
VDS5=1,4V
M5
VSS=-2V
Ci

Figura 7.16: AO cascodǎ telescop - aşezare ı̂n tensiune

Acum se pot calcula tensiunile de polarizare, conform ecuaţiilor (7.45) şi (7.46).

Doris Csipkes 173


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE

Vcasn − VSS =VGS2 + VDS1 + VDS5

e
⇒ Vcasn = VSS + (Vod2 + VT hn ) + VDS1 + VDS5 (7.45)

gic
Vbiasn − VSS = VGS5 ⇒ Vbiasn = VSS + (Vod5 + VT hn ) (7.46)

alo
Dupǎ ı̂nlocuirea valorilor numerice şi efectuarea calculelor rezultǎ:

(
Vcasn = −2 + (0, 2 + 0, 45) + 0, 25 + 1, 4 = 0, 3V

An
(7.47)
Vbiasn = −2 + (0, 25 + 0, 45) = −1, 3V

Pasul 4: determinarea curentului de polarizare a etajului diferenţial.


e
Curentul I5 se obţine din expresia SR-ului, astfel:
at
I5
gr

SR = ⇒ I5 = SR · CL = 200µA (7.48)
CL
te

Curentul prin cele douǎ ramuri ale etajului diferenţial este egal cu jumǎtate din
curentul dat de sursa implementatǎ cu M5 .
In

I1 = I2 = I3 = I4 = I5 /2 = 100µA (7.49)

I5 = 200µA, I1 = I2 = I3 = I4 = 100µA
ite

Pasul 5: calculul tensiunii de overdrive a tranzistoarelor de intrare.


rcu

Din expresia lui GBW se poate calcula transconductanţa Gm1 .


Ci

Gm1
GBW = ⇒ Gm1 = gm1 = 2πCL · GBW = 1, 33mS (7.50)
2πCL

Pe de altǎ parte transconductanţa tranzistorului M1 se poate scrie conform


ecuaţiei (7.51).

174 Doris Csipkes


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE

2I1
gm1 = (7.51)
Vod1

e
Din ecuaţiile (7.50) şi (7.51) rezultǎ valoarea tensiunii de overdrive pentru tran-

gic
zistoarele M1a -M1b .

2I1
Vod1 = = 150mV (7.52)
gm1

alo
gm1 = 1, 33mS, Vod1 = 150mV

An
Pasul 6: dimensionarea tranzistoarelor.
Tip ID Vod VDS
M1a − M1b 100µA 150mV 0,3V
e
M2a − M2b 100µA 200mV 0,45V
at
M3a − M3b 100µA 200mV 1,5V
M4a − M4b 100µA 250mV 0,5V
gr

M5 200µA 250mV 1,25V

Tabelul 7.2: Curenţii şi tensiunile de overdrive ale tranzistoarelor


te
In

Curenţii şi tensiunile de overdrive a tuturor tranzistoarelor din schemǎ sunt date
ı̂n Tabelul 7.2. Conform acestor valori şi folosind setul de referinţǎ, se poate
calcula raportul W/L pentru fiecare tranzistor.
ite

Pentru dimensionarea tranzistoarelor se face urmǎtoarea scalare:


rcu

!2 !2
ref ref
Iref Wref L Vod W Wref I Vod
= · · ⇒ = · · (7.53)
I Lref W Vod L Lref Iref Vod
Ci

Particularizând aceastǎ ecuaţie pentru fiecare tranzistor din schemǎ, rezultǎ


geometria acestora, conform Tabelului 7.3.
Pentru tranzistoarele cascodǎ M2 şi M3 s-a ales lungimea canalului mai redusǎ
decât a celorlate, ı̂n vederea diminuǎrii capacitǎţilor parazite de la ieşire.

Doris Csipkes 175


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE

M M1 M2 M3 M4 M5
W 26, 9µ 7, 5µ 25, 3µ 32, 4µ 19, 4µ
L 1µ 0, 5µ 0, 5µ 1µ 1µ

e
gic
Tabelul 7.3: Valorile W/L a tranzistoarelor

alo
7.3.1 AO cascodǎ telescop complet diferenţial
Schema AO cascodǎ telescop cu ieşire diferenţialǎ se obţine din structura de
AO cascodǎ telescop cu ieşire simplǎ. Pentru aceasta se ı̂nlocuieşte sarcina

An
oglindǎ de curent cascodǎ cu surse de curent cascodǎ şi se culege diferenţial
ieşirea din drenele tranzistoarelor M2 . În acest caz, circuitul de polarizare trebuie
sǎ furnizeze pe lângǎVtensiunile
casn Vbiasn , Vcasn şi tensiunea de polarizare Vcasp ,
necesarǎ pentru polarizarea tranzistoarelor cascodǎ PMOS.
e
at
Schema AO cascodǎ telescop complet diferenţialǎ este datǎ ı̂n Figura 7.17.
gr

VDD
M4a M4b
te

Vbiasp
In

M3a M3b

Vcasp
ite

Vop Vom
M2a CL M2b

Vcasn
rcu

M1a
D1a D1b M1b

Vip Vim
Ci

M5

Vbiasn
VSS

Figura 7.17: AO cascoda telescop complet diferenţialǎ

176 Doris Csipkes


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE

Un caz special ı̂l constituie modul de generare a tensiunii de polarizare Vbiasp ,


care este furnizatǎ de un circuit destinat reglajului tensiunii de mod comun.
Acesta are la intrarea sa componenta continuǎ a tensiunii instantanee de la

e
fiecare ieşire a AO diferenţial, pe care o comparǎ cu o tensiune de referinţǎ,
egalǎ chiar cu tensiunea de mod comun. Printr-o buclǎ de reacţie negativǎ, prin

gic
intermediul lui Vbiasp se regleazǎ curentul prin ramurile AO, pânǎ când tensiunea
de mod comun la ieşire are valoarea doritǎ. În literatura de specialitate se gǎsesc
mai multe variante de implementare a circuitelor de reglaj a tensiunii de mod

alo
comun, dar acestea, aparţinând unei tematici mai avansate, nu fac obiectul
cursului nostru.

An
Modelul echivalent de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ este arǎtat ı̂n Figura 7.18.

D1a

Vin Gm1Vin Rp Cp
e
Vp
Gm2Vp Rout Cout Vout
at
D1b
gr

Figura 7.18: Modelul echivalent corespunzǎtor AO din Figura 7.17


te

Parametrii de semnal mic sunt daţi ı̂n urmǎtorul sistem de ecuaţii:


In

 gm1
Gm1 = , Rout = 2 (gm2 rDS2 rDS1 || gm3 rDS3 rDS4 )



 2
gm2 ∼ 2
ite



Gm2 = 2 , Rp = gm2



(7.54)
1
Cout = (CBD2 + CBD3 + CGD2 + CGD3 + 2CL ) ∼ = CL

rcu


2





Cp = 1 (CBS2 + CGS2 + CBD1 )



2
Ci

7.4 Amplificatorul operaţional cascodǎ pliatǎ


Dezavantajul major al AO cascodǎ telescop ı̂l constituie polarizarea proble-
maticǎ a tranzistorului de intrare şi a celui cascodǎ NMOS, datoritǎ spaţiului
restrâns ı̂n tensiune care poate fi alocat acestora. Deoarece tensiunile de mod

Doris Csipkes 177


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE

comun la intrare şi ieşire sunt egale, suma tensiunilor drenǎ-sursǎ a lui M1 şi
M2 este egalǎ cu tensiunea grilǎ-sursǎ a tranzistorului de intrare. Pentru o po-
larizare corectǎ, valoarea tensiunii grilǎ-sursǎ se considerǎ insuficientǎ, ı̂n cazul

e
cel mai defavorabil, pentru a acoperi echivalentul a douǎ tensiuni drenǎ-sursǎ.
Un caz concret a fost arǎtat ı̂n exemplul de proiectare al AO cascodǎ telescop,

gic
unde 0,6V au fost alocaţi tranzistorului de intrare şi celui cascodǎ NMOS.

VDD VDD

alo
Vbiasp M4 Vbiasp
M4

An
Vcasp M3

VoutMC Vcasp
VSD3 M3

Vcasn M2 VDS2 e VoutMC


VDSin Min VinMC
VDS1 VinMC Vcasn
M1
at
M2
VGS1
VGS1
VS1 VSin
Vbiasn Vbiasn Vbiasn
gr

M5 M5 M1

VSS VSS VSS


te

Figura 7.19: Secţiuni ale AO cascodǎ telscop şi AO cascodǎ pliatǎ


In

În Figura 7.19 a) este datǎ o secţiune din AO cascodǎ telescop. Dacǎ scriem
cǎderea de tensiune dintre ieşire şi intrare, se poate demonstra afirmaţia ante-
ite

rioarǎ.


VoutM C − VS1 = VDS2 + VDS1
rcu


VinM C − VS1 = VGS1 (7.55)

VinM C = VoutM C ⇒ VDS2 + VDS1 = VGS1

Ci

O soluţie la aceastǎ problemǎ ar fi ı̂nlocuirea tranzistorului cascodǎ NMOS cu


unul PMOS, ca ı̂n Figura 7.19 b). Tranzistorul cascodǎ PMOS introduce o
deplasare de nivel şi astfel diferenţa tensiunilor drenǎ-sursǎ a tranzistorului de
intrare şi a celui cascodǎ PMOS trebuie sa fie egalǎ cu tensiunea grilǎ-sursǎ a
lui Min , conform ecuaţiei (7.56). Astfel, se pot aloca cu o margine rezonabilǎ

178 Doris Csipkes


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE

tensiunile drenǎ-sursǎ tuturor tranzistoarelor din schemǎ, evitând intrarea lor ı̂n
regim liniar sau blocat. Rezultǎ structura cascodǎ pliatǎ. În acest caz ecuaţiile
7.55 se rescriu dupǎ cum urmeazǎ:

e
gic

VoutM C V−casnVSin = VDSin − VSD3

VinM C − VSin = VGSin (7.56)

VinM C = VoutM C ⇒ VDSin − VSD3 = VGSin

alo
Schema AO cascodǎ pliatǎ este prezentatǎ ı̂n Figura 7.20.

An
VDD
M4a M4b

Vbiasp

e
M3a M3b
at
Iin Iin
Vcasp
Vout
gr

Mina Minb
Vip Vim M2b
CL
M2a
te

Icas Icas
M5
In

M1a M1b
Vbiasn
VSS
ite

Figura 7.20: Amplificatorul operaţional cascodǎ pliatǎ

Aceastǎ variantǎ de amplificator operaţional are douǎ etaje. Primul, format


rcu

din tranzistoarele Mina şi Minb converteşte tensiunea diferenţialǎ de intrare


ı̂n curent şi apoi din nou ı̂n tensiune pe rezistenţa echivalentǎ a nodului de
pliere. Acest nod prezintǎ o impedanţa joasǎ, aproximativ egalǎ cu inversul
transconductanţei tranzistoarelor cascodǎ PMOS. Al doilea etaj, este format cu
Ci

tranzistoare ı̂n conexiune grilǎ-comunǎ şi amplificǎ curentul din nodul de pliere,
folosind rezistenţa de ieşire a circuitului de valoare ridicatǎ.

Modelul echivalent de semnal mic este acelaşi ca cel al AO cascodǎ telescop din
Figura 7.15. Parametrii de semnal mic sunt daţi ı̂n sistemul de ecuaţii (7.57).

Doris Csipkes 179


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE




Gm1 = gmin , Rout = gm2 rDS2 rDS1 || gm3 rDS3 rDS4

e
gm3 2

Rp ∼

Gm2 = 2 ,


 =
gm3

gic
(7.57)
C = C
 out BD2 + CBD3 + CGD2 + CGD3 + CL = CL





Cp = 1 (CBS3 + CGS3 + CBD4 + CGD4 + CBD1 )

alo

2

Pentru a arǎta metoda completǎ de proiectare a unui AO cascodǎ pliatǎ, se

An
considerǎ urmǎtoarele specificaţii:

- câştigul de joasǎ frecvenţǎ A0 ≥ 60dB;


e
- viteza maximǎ de variaţie a tensiunii de ieşire SR ≥ 50V /µs;
at
- produsul amplificare-bandǎ GBW ≥ 50M Hz;

- capacitatea de sarcinǎ CL = 4pF ;


gr

- alimentare simetricǎ VDD = −VSS = 1, 5V ;


te

- amplitudinea semnalului de ieşire VsemnM AX = 0, 5V ;

- curentul prin ramurile etajului cascodǎ este Icas = 1, 5 ∗ Iin , pentru a


In

evita blocarea tranzistoarelor din etajul de ieşire la semnal mare.


ite

Pasul 1: domeniul maxim de variaţie a semnalului la ieşire.

Valorile tensiunilor de overdrive se aleg Vod = 250mV pentru tranzistoarele de


rcu

polarizare M1 , M4 , M5 şi Vod = 200mV pentru tranzistoarele cascodǎ M2 , M3 .


Tensiunea de overdrive a tranzistoarelor de intrare Min rezultǎ Vod = 160mV ,
dupǎ cum se va aratǎ la Pasul 5. Adiţional, tensiunea drenǎ-sursǎ a fiecǎrui
tranzistor se alege cu o margine ∆V = 100mV faţǎ de valoarea VDSsat minimǎ
Ci

admisǎ.

Domeniul de variaţie al tensiunii de ieşire trebuie ales astfel ı̂ncât tranzistoarele


sǎ fie polarizate ı̂n regim saturat. Rezultǎ cǎ limitele de variaţie ale tensiunii de
ieşire sunt:

180 Doris Csipkes


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE



VDD − VoutM AX = VDS3 + VDS4

e
VoutM AX = VDD − (Vod3 + ∆V ) + (Vod4 + ∆V )




gic


 ⇒ VoutM AX = 0, 85V

(7.58)



VoutM IN − VSS = VDS1 + VDS2

VoutM IN = VSS + Vod1 + Vod2 + 2∆V

alo






⇒ VoutM IN = −0, 85V

An
Rezultǎ cǎ variaţia maximǎ vârf la vârf a tensiunii de ieşire este:

∆Vout = VoutM AX − VoutM IN = 0, 85 − (−0, 85) = 1, 7V


e (7.59)

Pentru aplicaţia noastrǎ considerǎm cǎ variaţia semnalului de ieşire este de 1V .


at
Aceasta este mai micǎ decât valoarea teoreticǎ maximǎ calculatǎ ı̂n (7.59).
gr

Pasul 2: calculul tensiunii de mod comun VM C .

Din nou punem condiţia ca tensiunile de mod comun la intrare şi ieşire sǎ fie
te

egale, VM Cin = VM Cout .


In

Limita inferioar a a domeniului de variaţie a tensiunii de mod comun trebuie


sǎ permitǎ tranzistoarelor de intrare Mina -Minb şi celui de polarizare a etajului
diferenţial M5 sǎ funcţioneze ı̂n regim saturat.
ite

VM Cmin − VSS = VGS1 + VDS5 , (7.60)


rcu

unde:

(
Ci

VGSin = Vodin + VT hn = 0, 16 + 0, 45 = 0, 61V


(7.61)
VDS5 = Vod5 + ∆V = 0, 25 + 0, 1 = 0, 35

Rezultǎ VM Cmin = −0, 54V

Doris Csipkes 181


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE

Pe de altǎ parte, tot valoarea tensiunii de mod comun la ieşire se poate obţine
conform ecuaţiei (7.61).

e
VM Cmin − VSS = VDS1 + VDS2 + VsemnM AX , (7.62)

gic
unde:

(
VDS1 = Vod1 + ∆V = 0, 16 + 0, 1 = 0, 26V

alo
(7.63)
VDS2 = Vod2 + ∆V = 0, 2 + 0, 1 = 0, 3V

An
De aceastǎ datǎ, rezultǎ VM Cmin = −0, 35V .
Valoarea minimǎ a tensiunii de mod comun care acoperǎ ambele valori parţiale
calculate mai sus este VM Cmin = −0, 35V .

Limita superioarǎ a domeniului de variaţie a tensiunii de mod comun trebuie sǎ


e
permitǎ funcţionarea tranzistoarelor M3 şi M4 ı̂n regim saturat, ı̂n condiţiile ı̂n
at
care semnalul de ieşire atinge valoarea sa maximǎ.
gr

VDD − (VM Cmax + VsemnM AX ) = VDS3 + VDS4 , (7.64)


unde:
te

(
VDS3 = Vod3 + ∆V = 0, 3V
In

(7.65)
VDS4 = Vod4 + ∆V = 0, 35V
ite

Rezultǎ valoarea maximǎ a tensiunii de mod comun, ca fiind VM Cmax = 0, 35V

Teoretic tensiunea de mod comun poate fiı̂n intervalul -0,35V si +0,35V. Pentru
rcu

maximizarea domeniului de variaţie a semnalului de ieşire alegem VCM = 0V .

Pasul 3: calculul tensiunilor de polarizare Vbiasp , Vcasp si Vbiasp .


Ci

Mai ı̂ntâi stabilim cǎderile de tensiune pe fiecare tranzistor din schemǎ, astfel
ı̂ncât ele sǎ fie polarizate ı̂n regim saturat. Pentru aceasta, tensiunile drenǎ-
sursǎ se aleg cu o margine de cel puţin 100mV faţǎ de tensiunile de overdrive.
Deoarece schema este simetricǎ, tranzistoarelor M1 -M2 şi M3 -M4 vom aloca
1,5V. În mod similar ca la AO cascodǎ telescop, repartizǎm mai mult spatiu ı̂n

182 Doris Csipkes


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE

tensiune tranzistoarelor cascodǎ. Prin urmare, alegem VDS1 = VDS4 = 0, 5V


şi VDS2 = VDS3 = 1V .

e
Tensiunea VDS5 este condiţionatǎ de valoarea tensiunii de mod comun la intrare
şi se calculeazǎ conform ecuaţiei:

gic
VM Cin − VSS = VGSin + VDS5 ⇒ VDS5 = 0, 89V (7.66)

alo
În Figura 7.21 sunt marcate tensiunile drenǎ-sursǎ şi curenţii prin tranzistoare.

An
VDD=1,5V
M4a M4b
Vbiasp=0,8V
VDS4=0,5V

250uA
e 250uA

150uA 150uA
at
Vcasp=0,35V
VDS3=1V
100uA 100uA M3a M3b
gr

VMC=0V
Mina Minb
M2b
VMC=0V VMC=0V
te

M2a VDS2=1V

200uA
In

M1b
Vbiasn=-0,8V VDS5=0,89V M1a
VDS1=0,5V
M5

VSS=-1,5V
ite

Figura 7.21: AO cascodǎ pliatǎ - aşezare ı̂n tensiune


rcu

Acum se pot calcula tensiunile de polarizare, conform ecuaţiilor anterioare.


Vbiasn − VSS = VGS5 ⇒ Vbiasn = −0, 8V
Ci


VDD − Vbiasp = VSG4 ⇒ Vbiasp = 0, 8V (7.67)

VDD − Vcasp = VSD4 + VSG3 ⇒ Vcasp = 0, 35V

Pasul 4: determinarea curentului de polarizare a etajului diferenţial.

Doris Csipkes 183


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE

Curentul I5 se obţine din expresia SR-ului, astfel:

I5
SR = ⇒ I5 = SR · CL = 200µA (7.68)

e
CL

gic
Curentul prin cele douǎ ramuri ale etajului diferenţial de intrare este egal cu
jumǎtate din curentul prin M5 .

alo
IDina = IDinb = I5 /2 = 100µA (7.69)

I5 = 200µA, Iina = Iinb = 100µA, Icas = 1, 5 ∗ Iin = 150µA

An
Pasul 5: calculul tensiunii de overdrive a tranzistoarelor de intrare.
e
Din expresia lui GBW determinǎm transconductanţa Gm1 .
at
Gm1
GBW = ⇒ Gm1 = gmin = 2πCL · GBW = 1, 25mS (7.70)
gr

2πCL
te

Pe de altǎ parte, transconductanţa lui Min se poate scrie astfel:

2IDin
In

gmin = (7.71)
Vodin

Din ecuaţiile (7.70) şi (7.71) rezultǎ valoarea tensiunii de overdrive pentru tran-
ite

zistoarele de intrare.

2Iin
Vodin = = 160mV (7.72)
rcu

gmin

gmin = 1, 25mS, Vodin = 160mV


Ci

Pasul 6: dimensionarea tranzistoarelor.

În Tabelul 7.4 sunt daţi curenţii şi tensiunile de overdrive ale tranzistoarelor din
schemǎ.

184 Doris Csipkes


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE

Tip ID Vod VDS


Min 100µA 160mV 1,61V
M1 150µA 250mV 0,5V

e
M2 150µA 200mV 1V

gic
M3 150µA 200mV 1V
M4 250µA 250mV 0,5V
M5 200µA 250mV 0,89V

alo
Tabelul 7.4: Curenţii şi tensiunile de overdrive ale tranzistoarelor

An
Deoarece curenţii din ramurile circuitului sunt multiplii unui curent unitate,
egal cu 50µA, se vor face scalǎri pentru tranzistoarele de tip NMOS şi PMOS
având curentul egal cu unitatea şi tensiunea de overdrive de 200mV şi 250mV .
Utilizând ecuaţia (7.53), rezultǎ: e
at
Wp

Wn 7, 5µ 25, 3µ


 Ln = , = , pentru Vod = 200mV
1µ Lp 1µ

gr

(7.73)
 Wn 4, 8µ Wp 16, 2µ
= , = , pentru Vod = 250mV


Ln 1µ Lp 1µ

te

In Tabelul 7.5 sunt date dimensiunile tranzistoarelor din schemǎ.


In

M Min M1 M2 M3 M4 M5
ite

W 23, 6µ 4, 8µ 3, 7µ 12, 6µ 16, 2µ 4, 8µ


3* 3* 3* 5* 4*
L 1µ 1µ 0, 5µ 0, 5µ 1µ 1µ
rcu

Tabelul 7.5: Geometria tranzistoarelor


Ci

7.4.1 AO cascodǎ pliatǎ complet diferenţial


Varianta complet diferenţialǎ a amplificatorului cascodǎ pliatǎ este datǎ ı̂n Fi-
gura 7.22. Trecerea de la AO cascodǎ pliatǎ cu ieşire simplǎ la structura complet
diferenţialǎ se face ı̂n mod similar ca la amplificatorul cascodǎ telescop.

Doris Csipkes 185


Vcasn

Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE

VDD
M4a M4b

Vbiasp

e
gic
M3a M3b

Vcasp

alo
Mina Minb
Vop Vom
Vip Vim
M2a CL M2b

An
Vcasn

M5 M1a
M1b
Vbiasn e
VSS
at
Figura 7.22: AO cascodǎ pliatǎ complet diferenţial
gr

Schema de semnal mic este aceeaşi ca la AO cascodǎ telescop din Figura 7.18.
te

Parametrii de semnal mic sunt urmǎtorii:


In

 gmin
Gm1 = 2 ,
 Rout = 2 (gm2 rDS2 rDS1 || gm3 rDS3 rDS4 )



 gm3 2
Rp ∼

Gm2 = 2 , =
ite



gm3

(7.74)
1
Cout = (CBD2 + CBD3 + CGD2 + CGD3 + 2CL ) ∼ = CL


2


rcu




Cp = 1 (CBS3 + CGS3 + CBD4 + CGD4 + CBD1 )



2
Ci

7.5 Sumar
În acest capitol s-au prezentat câteva configuraţii de amplificatoare operaţiona-
le. Astfel, au fost discutate AO Miller, AO cascodǎ telescop şi cascodǎ pliatǎ.

186 Doris Csipkes


Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE

În cazul fiecǎruia s-au evidenţiat avantajele, limitǎrile şi domeniul de frecvenţe
ı̂n care se utilizeazǎ ı̂n practicǎ.

e
Cele trei structuri de AO sunt ı̂nsoţite de metoda completǎ de proiectare pentru
specificaţii impuse. Aceşti paşi de proiectare permit ca pentru un nou set de

gic
specificaţii sǎ se obţinǎ cu uşurinţǎ dimensiunile tranzistoarelor şi a componen-
telor pasive, acolo unde este cazul.

alo
Bibliografie:

An
1. Lelia Feştilǎ - Circuite integrate analogice II, Casa Cǎrţii de Ştiinţǎ, 1999;

2. Doris Csipkes, Gabor Csipkes - Fundamental analog circuits. Practical


simulation exercises, UTPres, 2004;
e
3. P.E. Allen, D. Holberg - CMOS analog circuit design, Oxford University
Press, 1987
at
4. J-T. Wu - Multiple-Transistor Gain Stages - Lecture Notes, National
gr

Chiao-Tung University, Taiwan, 2002


te
In
ite
rcu
Ci

Doris Csipkes 187