1.

Scopul lucrării:

Studierea experimentală a caracteristicii curent-tensiune a diodelor

semiconductoare şi a dependenţei lor de temperatură; determinarea
parametrilor de bază ai diodei semiconductoare conform acestei
caracteristici.

2. Parametrii şi metoda de determinare:

Cuplăm circuitul conform schemei de montaj. Macheta de laborator

conţine două diode semiconductoare, una din Ge şi alta din Si. Ridicăm
ramura directă, şi apoi cea indirectă a caracteristicii curent-tensiune pentru
aceste diode la temperatura t = 200C C. Analog procedăm şi în cazul
temperaturii t = 450C, însă pentru aceasta termostatul se cuplează la
tensiunea U = 5,5 V şi se aşteaptă 15 min pînă a începe experienţa. Datele
obţinute le introducem în tabele. Conform acestor rezultate trasăm
caracteristicele curent-tensiune şi determinăm parametrii de bază ai diodelor,
adică rezistenţele statică şi diferenţială.

U0 ∆U
Rst = ; R dif = .
I0 ∆I

3. Schema de montaj:
4. Caracteristicile aparatelor utilizate:

În această lucrare de laborator am utilizat următoarele aparate: sursele de

curent de continuu Б5-48 şi Б5-44A, voltmetru universal Б7-26 şi
multimetru DT-890B.

a) Sursa de curent continuu Б5-48 este destinată pentru alimentarea

dispozitivelor radiotehnice cu tensiune
sau curent continuu. Parametrii
principali: tensiunea la ieşire
; intensitatea curentului
.

b) Sursa de curent continuu Б5-44A este

destinată pentru alimentarea
dispozitivelor radiotehnice cu tesiune sau
 curent continuu. Parametrii principali: tensiunea la ieşire ;
intensitatea curentului .

c) Voltmetrul universal Б7-26 este destinat pentru măsurarea tensiunii şi

rezistenţei curentului continuu şi alternativ. Măsoară tensiunea curentului
continuu , avînd
diapazoanele cu limita de sus 0,1; 0,3; 1; 3; 10;
30; 100 şi 300 .

d) Multimetrul DT-890B este destinat pentru măsurarea tensiunii curentului

continuu şi alternativ pînă la , intensităţii
curentului pînă la , rezistenţei pînă la
, capacităţii pînă la şi
controlul parametrilor diodelor şi tranzistoarelor.

5. Tabele cu date experimentale şi de calcul:

Polarizare directă.

t = 200C t = 450C
VD1 VD2 VD1 VD2
Udir (V) Idir Udir Idir Udir Idir Udir Idir
(mA) (V) (mA) (V) (mA) (V) (mA)
 0,24 36 0,44 53 0,24 39 0,44 44
0,22 23 0,34 35 0,22 22 0,34 32
0,2 5 0,26 21 0,2 10 0,26 20
0,19 2,5 0,18 10 0,19 4 0,18 10
0,18 1 0,08 1 0,18 2 0,08 1

Polarizare indirectă.

t = 200C t = 450C
VD1 VD2 VD1 VD2
Uind Iind Uind Iind Uind Iind Uind Iind
(V) (µA) (V) (µA) (V) (µA) (V) (µA)
28 1 28 17 28 1 28 52
25 1 25 16 25 1 25 51
20 1 20 14 20 1 20 47
15 1 15 11 15 1 15 42
10 0 10 9 10 0 10 36
5 0 5 8 5 0 5 32

6. Exemple de calcul:
0, 21V
a) pentru VD1: t = 200 C Rst = = 14Ω
0, 015 A

∆I = 20 − 10 = 10mA; ∆ U = 0, 215− 0, 205= 0, 01V

0, 01V
Rdif = = 1Ω
0, 01A

0, 22V
t = 450 C Rst = = 10, 4Ω
0, 021A
 ∆I = 25 − 17 = 8mA; ∆ U = 0, 23− 0, 21= 0, 02V

0, 02V
Rdif = = 2,5Ω
0, 008 A

0, 27V
b) pentru VD2: t = 200 C Rst = = 11, 7Ω
0, 023 A

∆I = 28 − 18 = 10mA; ∆ U = 0,3− 0, 24= 0, 06V

0, 06V
Rdif = = 6Ω
0, 01A

0,3V
t = 450 C Rst = = 11,5Ω
0, 026 A

∆I = 30 − 22 = 8mA; ∆ U = 0,33− 0, 28= 0, 05V

0, 05V
Rdif = = 6, 25Ω
0, 008 A

7. Concluzii:

În urma efectuării acestei lucrări de laborator am ridicat

caracterisiticile curent-tensiune pentru două diode fabricate din materiale
diferite la două temperaturi diferite, t = 200C şi t = 450C. Conform acestor
caracteristici am determinat parametrii de bază ai diodelor, după care am şi
determinat materialele din care sunt fabricate diodele (germaniu şi siliciu).