Sunteți pe pagina 1din 5

DIODA SEMICONDUCTOARE

Lucrarea are ca scop ridicarea caracteristicilor şi determinarea principalilor parametrii


ai diodelor semiconductoare precum şi studiul comportării diodei semiconductoare în circuite
elementare.
qu A
Caracteristica statică este dată de legea: i = I (e γkT − 1)
A 0

Graficul legii
I 0 este curentul de saturaţie al diodei dat de expresia
D Dn
I 0 = qni2 ( p + ) S şi este dependent de
L p N D Ln N A
parametrii fizici şi tehnologici ai joncţiunii PN:
• suprafaţa joncţiunii, S ;
• concentraţia intrinsecă de purtători ni
• coeficienţii de difuzie D p , Dn ,
• lungimile de difuzie L p , Ln , ale
purtătorilor de sarcină
• concentraţiile de impurităţi, N D , N A )
• 1 < γ < 2 este un coeficient cu valori
mai apropiate de 1 pentru Ge, şi mai
apropiate de 2 pentru Si, care rezultă din
considerarea efectului de recombinare din
zona de sarcină spaţială la tensiuni de
polarizare directe mici

Graficul teoretic la ecuaţiei diodei semiconductoare la scară semilogaritmică


Punctul static de funcţionare M are coordonatele M (U A , I A ) , iar în acest punct de
funcţionare dioda este caracterizată din punct de vedere al semnalelor lent variabile (ce pot fi
iA
R iA E
R
IA
- D uA
E
-
-
uA
UA E
f i g . 1 . 3 f i g . 1 . 4
aplizate in serie cu tensiunea continuă E ) printr-o rezistenţă dinamică, pentru care se deduce
KT
relaţia : rd = γ . Rezistenta dinamică rd se determină experimental prin calculul pantei
qI A
∆u A
caractristicii statice, în punctul static de funcţionare M conform relaţiei : rd = .
∆i A M

REZULTATELE EXPERIMENTULUI

1. Pentru montajul din figura de mai jos se foloseşte o schemă electrică ajutătoare ca
sursă de curent reglabil cu ajutorul potenţiometrului P . Alimentat în curent continuu între
bornele 3 (+5 V) şi 2 (masă), circuitul furnizează la borna 7 un curent reglabil între 0÷ 50 mA,
iar la borna 8 un curent de maximum 500 mA, ambele închizându-se spre borna comună de
masă (borna 2).

P R

9 4 5 6 1 0
D 1
D 2
D 3 R ’

2 7 8 1
f i g . 1 . 6
D1 - D1N4001
I = 0,5÷ 100 mA (borna 4 este anodul)
D2 - BA 220
I = 0,1÷ 50 mA (borna 5 este anodul)
D3 - BZX 84-C7V5
I = 0,1÷ 20 mA (anodul este borna 6).
I [mA] 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50
U[V] D1 0.05 0.08 0.1 0.16 0.12 0.2 0.23 0.25 0.27
U[V] D2 0.5 0.55 0.58 0.61 0.65 0.69 0.72 0.76 0.8
U[V] D3 0.65 0.68 0.72 0.74 0.78 0.8 0.82 0.83 0.86
2. I A = 5 mA
uo=0,58 V
dioda BA 220
Se observă o dublare a curentului de saturaţie la fiecare 10 0C pentru diode din Ge
respectiv la fiecare 6 0C pentru diodele din Si. Această depedenţă poate fi pusă în evidenţă şi
prin coeficientul de variaţie a tensiunii directe de pe diodă cu temperatura, la curent constant.
Teoretic acest curent este de circa –2 mV / 0C, pentru ambele tipuri de material utilizate
curent pentru realizarea diodelor semiconductoare.
3. Se trasează caracteristicile statice ale celor trei diode la scară semilogaritmică şi se
determină parametrii I 0 şi γ .

D io d a 1 (D 1 N 4 0 0 1 )

100

10
I [A]

0.1
0 0 .0 5 0 .1 0.15 0 .2 0.25 0.3 0.35
U [V ]

D io d a 2 (B A 2 2 0 )

100

10
I [A]

0.1
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0 .7 0.8 0.9
U [V ]
D io d a 3 (B ZX 8 4 C 7 V 5 )

100

10
I [A]

0.1
0 0 .1 0 .2 0 .3 0 .4 0.5 0 .6 0 .7 0 .8 0 .9 1
U [V ]

Determinarea curentului de saturaţie , şi a coeficientului de recombinare γ

Pentru dioda D1 – D1N4001 (Ge) : I=1 mA U=0,155 V


I=100 mA U=0,31 V

1000 1 0.300 −0.155


γ = ≅ 1.317
26 2.3 lg 100 −lg 1

Pentru dioda D2 - BA220 (Si) : I=1 mA U=0,61 V


I=100 mA U=0,84 V

1000 1 0.84 − 0.61


γ = ≅ 1.918
26 2.3 lg 100 − lg 1

Pentru dioda D3 - BZX84C7V5(Zener) : I=1 mA U=0,74 V


I=100 mA U=0,88 V

1000 1 0.88 − 0.74


γ = ≅ 1.167
26 2.3 lg 100 − lg 1
4. Se trasează cele trei caracteristici la scară liniară pe un acelaşi.

Cele trei diode


D1N4001 BA 220 BZX 84 C7V5
100
90

80
70
60
I [A]

50
40
30
20

10
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
U [V]

Pentru BA 220 se va trasa şi dreapta statică de funcţionare ( E = 5 V şi R =820Ω ) şi


se determină punctul static de funcţionare M (prin precizarea coordonatelor sale, U A şi I A ).

D io d a 2 (B A 2 2 0 )
p . s . f.
10
8
6
I [A]

4
2
0
0 . 4 0 .9 1 . 4 1 . 9 2 . 4 2 . 9 3 . 4 3 . 9 4 . 4 4 . 9
U [V ]