Tranzistorul bipolar în regim variabil

1.Scopul lucrării : se studiează funcţionarea tranzistorului bipolar într-un circuit de amplificator elementar (montaj cu emitorul
la masă) la semnale mici şi se determină dependenţa principalilor parametrii ai amplificatorului (amplificări de tensiune şi de
curent, impedanţe de intrare şi de ieşire) de impedanţa de sarcină şi de frecvenţă.
2.Amplificarea de tensiune a amplificatoarului cu un tranzistor în montaj emitor I2
la masă (EM), a cărui schemă de principiu este dată în fig.6.1, definită prin
U2 h21Z S I1
raportul va fi Au = − . .Se constată că, pentru Z S → ∞ , U 2 Z S
U1 h11 + Z S ∆h U1
h Z Z
amplificarea de tensiune tinde la valoarea Au∞ = − 21 , cea mai mare valoare i 0
f i g . 6 . 1
∆h
care se poate obţine, teoretic, cu un montaj elementar cu un tranzistor. Pentru valori mici ale impedantei de sarcină,
Z S , se poate neglija termenul Z S ∆h faţă de h11 şi amplificarea de tensiune rămâne proporţională cu impedanta de
h21
sarcină. Deoarece S = , S fiind panta tranzistorului, dependentă de punctul static de funcţionare, pentru valori
h11
mici ale impedanţei de sarcină, se poate scrie : Au ≈ − SZ S , relaţie care permite determinarea pantei tranzistorului.
Pentru schema electrică din fig.6.8, pe care se vor efectua măsurătorile, impedanţa de sarcină a tranzistorului va fi formată din
rezistenta de sarcină a tranzistorului, RS , în paralel cu rezistenta, RC , necesară pentru polarizarea tranzistorului, astfel că se
va considera: Z S = RS || RC .
U2
Determinarea amplificării de tensiune se face prin măsurarea tensiunilor şi din fig.6.1, aplicându-se relaţia: Au = .
U1
3.Impedanţa de intrare a amplificatorului din fig.6.1 este puţin dependentă de impedanţa de sarcină, deoarece, in relaţia (6.5)
h11 + Z S ∆h
termenii Z S h22 şi Z S ∆h pot fi neglijaţi pentru valori uzuale ale impedantei de sarcină Z S : Z i = .
1 + Z S h22

Pentru valori mici (relativ mici) ale lui Z S , se obtine : Z i = h11 , relaţie care permite măsurarea parametrului h11 .
Pentru schema electrică din fig.6.8, impedanţa de intrare măsurată este influenţată de circuitul de polarizare; în cazul utilizării
generatorului de curent de bază, având în vedere şi valorile nu prea mari ale impedantei de intrare a tranzistorului, se poate
aprecia că: Z int = Z i .

U1
Conform definiţiei, impedanţa de intrare în amplificator este Z int = .
I1
Curentul I1 se măsoară indirect, aşa cum rezultă din fig.6.2 prin măsurarea căderii de tensiune la bornele unei rezistenţe
U1
adiţionale R′ , astfel încât relaţia de calcul devine Z int = R′ .
U1′ − U1
h21
4.Amplificarea de curent a amplificatorului din fig.6.1 se calculează cu relaţia: Ai = şi depinde de Z S numai
1+ h22 Z S
pentru valori mari ale acesteia.
I 2 U 2 R′ U 2 R′
Amplificarea de curent se determină tot cu schema din fig.6.2, cu relaţia: Ai = = =
I1 Z S U1′ − U1 U1′ − U1 Z S

1
 h11 + Z g
5.Impedanţa de ieşire este dependentă de impedanţa generatorului de semnal, conform relaţiei Z 0 =
1 + Z g h22
U0
Măsurarea impedanţei de ieşire se poate face cu schema din fig.6.3, pentru care se deduce relaţia: Z0 = R′′ .
U 0′ − U 0

Această metodă se poate aplica pentru circuitul din fig.6.8, în care R′′ = RC , cu condiţia ca între bonele 2 şi 3 (la borna 3 se
aplică generatorul de semnal, U 0′ ) să se introducă o bobină de şoc pentru a nu se scurtcircuita generatorul de semnal prin
I2

I1 R ’ Z g
U Z U 0 U 0 ’
Z 2
K S
U1 ’ U 1g

eg ~ U 2 Z S U 2 ~
U1 f i g . 6 . 3
f i g . 6 . 2
f i g . 6 . 5
f i g . 6 . 4
bateria de alimentare, dar care să asigure închiderea curentului continuu de colector al tranzistorului.
Impedanţa de ieşire a amplificatorului se poate determina şi cu schema din fig.6.4, în care se măsoară tensiunea de ieşire în gol,
U 2′ , pentru RS → ∞ , respectiv în sarcină, U 2 , pentru RS =20 kΩ , menţinând tensiunea generatorului de semnal constantă.

 U 2′ 
Se obţine Z ies = RS  − 1 .
U2 
6.Măsurarea parametrului h12 al tranzistorului se face conform schemei din fig.6.5, în care se aplică tensiunea U 2 la ieşire şi
U1
se măsoară tensiunea U 1 de la intrare, în gol. Rezultă : h12 = .
U2
7.Valoarea maximă a tensiunii de ieşire, ce se obţine fără distorsiuni majore, este determinată atât de poziţia
punctului static de funcţionare, cât şi de rezistenţa de sarcină, aşa cum se vede în fig.6.6, unde, în planul
caracteristicilor statice de ieşire ale tranzistorului, sunt trasate dreapta statică de funcţionare, cu panta determinată
de RC şi dreapta dinamică corespunzătoare impedantei de sarcină RC || RS .

8.În cazul cuplării a două etaje în cascadă, amplificarea de tensiune a primului etaj este micşorată datorită încărcării pe care o
iC c a r a c t e r i s t i c a d i n a m i c a
d r e a p t a s t a t i c a d e
EC f u n c t i o n a r e
RC
M iB T ’ R C2 T ” U 2 R C 2
U1 U ’
uC E f i g . 6 . 7
E C

U m a x

f i g . 6 . 6
produce cel de-al doilea etaj. Pentru circuitul din fig.6.7 (schemă de principiu), amplificarea de tensiune va fi :
U2 U2 U ′ ′ Z S1
− h21 ′′ Z S 1
− h21
Au = = = Au1 Au 2 = , unde
U1 U ′ U1 h11′ + Z S 1∆h′ h11′′ + Z S 1∆h′′
h′′ + RS 2 ∆h′′
′′ = RC1 || Rb1 || Rb 2 || 11
Z S 1 = RC1 || Z int ≈ RC1 || Rb1 || Rb 2 || h11′′ (s-a scris Z S 1 pentru circuitul concret din
1 + h22′′ RS 2
fig.6.8), adică mai mică decât produsul amplificărilor calculate pentru fiecare etaj lucrând separat, în gol.

2
 Desfăşurarea lucrării
1.Se identifică montajul din fig.6.8 în care tranzistorul T1 este testat. Pentru fixarea curentului de bază se foloseşte
un generator de curent reglabil, realizat cu tranzistorul T3 , impedanţa de ieşire oferită fiind de valoare foarte
mare, pentru semnale variabile. Cel de-al doilea etaj este realizat cu tranzistorul T2 .
Se conectează un miliampermetru între bornele 2
1 6
2 şi 3, se alimentează cu EC =25 V şi se R b1 R C 1
1 5
reglează curentul de bază al tranzistorului T1 P T3 3
C 1
8
1 4

(cu potenţiometrul P) până când I C =1 mA (sau R C

7 T2 1 3 9

1 7 1 2
U CE =5 V). 6
1 1
R ’
4 T1 R b2
1 0
2. Se măsoară dependenţa de rezistenţa de f i g . 5 . 7
sarcină a amplificării de tensiune, a amplificării 5

de curent şi a impedanţei de intrare. Pentru aceasta, la borna 4 se aplică un semnal sinusoidal cu frecvenţa de 1000 Hz şi cu
valoarea eficace U 1′ =100 mV. Se vizualizează, cu un osciloscop, tensiunea de ieşire şi, dacă semnalul se limitează, se
micşorează tensiunea de intrare U 1′ , notându-se valoarea ei, care va fi luată în calcule. Se măsoară tensiunile U1 (borna 5) şi
U 2 (borna 6), conform schemei din fig.6.2 pentru diferite valori ale rezistenţei de sarcină. Se conectează borna 9 la masă şi
ieşirea aplificatorului (borna 6) se va conecta succesiv la bornele 10,11,….,16 , realizând diferite impedanţe de sarcină.
Rezultatele măsurătorilor se vor trece în tabelul 6.1. Se vor determina parametrii h11 ( Z i pentru Rs =0), h21 ( Ai pentru
Z s =100 Ω ), S (din Au pentru Z s =100 Ω ) şi se vor verifica relaţia de legătură dintre ei.

Rs KΩ 0 0.1 0.2 0.5 1.05 2.2 6.8 20 ∞

Zs KΩ 0 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20
U1 MV 0 20 20 20 20 20 20 19.5 19
U2 MV 0 60 120 290 520 1120 2800 5400 10000
Au - 0 3 6 14.5 26 56 140 279.92 526.31
Ai - 0 12.5 27.27 65.90 136.5 410.66 2115.5 13500 -
U’1 V 0 10.8 10 9.6 8.8 6.8 4 1.8 -
U1 V 0 6 5.6 5.2 4.8 3.8 2.2 1 -
Zi KΩ 0 1.25 1.27 1.18 1.20 1.26 1.22 1.25 -
U’0=340 mV

3. Se măsoară dependenţa impedanţei de ieşire de rezistenţa generatorului de semnal, Rg . În acest scop, se introduce în serie
cu miliampermetrul o bobină de şoc, se aplică semnal sinusoidal la borna 3 de la un generator prin care nu poate circula curent
continuu, cu valoarea eficace de 1 V şi cu frecvenţa de 1000 Hz, iar borna 5 se cuplează succesiv la bornele 9,10,11,….,16. Se
fac măsurători pentru Rg =0, pentru cele 7 valori ale rezistenţelor aflate pe mintaj, pentru Rg =100 kΩ (borna 4 la masă) şi
pentru Rg → ∞ (numai cu rezistenţa generatorului de curent din bază). Pentru fiecare valoare a rezistenţei de generator, Rg ,
se măsoară, conform schemei de măsură din fig.6.3 , tensiunile U 0 şi U 0′ şi se determină impedanţa de ieşire cu relaţia (6.13),
unde R′′ = Rc =20 kΩ .

Rezultatele măsurătorilor se trec într-un tabel şi se va reprezenta grafic la scară logaritmică pe abscisă dependenţa Z 0 ( Rg ) .

4 Se măsoară parametrul h12 al tranzistorului, aplicând un semnal sinusoidal de valoare eficace U 2 =1000 mV şi frecvenţă
1000 Hz, la borna 6 şi măsurând tensiunea obţinută la intrarea tranzistorului (borna 5) în gol.
Având determinaţi toţi parametrii h , se calculează cu ajutorul relaţiilor (6.1), (6.5), (6.8), şi (6.11) amplificările de tensiune şi
de curent şi impedanţa de intrare pentru Z s = Rc || Rs =10 kΩ şi, respectiv, impedanţa de ieşire pentru Rg =10 kΩ şi, apoi,
se compară cu măsurători directe efecuate la punctele 2 şi 3.
5.Se conectează în cascadă cele două etaje de amplificare (bornele 6 şi 7 împreună), se aplică la intrare (borna 5) semnal
sinusoidal de frecvenţă 1000 Hz şi cu o valoare eficace a tensiunii la ieşirea celui de-al doile tranzistor de 1 V. Se măsoară, U 1
(borna 6) şi U 2 (borna 8) şi se determină amplificările Au1 şi Au 2 şi amplificarea totală, Au

3
 8000

6000

4000
Ai

2000

0
0.1 1 10 100
-2000

-4000
Zs

400
350
300
250
200
Au

150
100
50
0
0.1 -50 1 10 100

-100
Zs
1.4

1.3

1.2
Zi

1.1

0.9

0.8
0.01 0.1 1 10
Zs