Surse de curent cu tranzistoare şi sarcini active  

  
  
  
  
  
1.  Introducere  
  
Sursele de curent realizate cu tranzistoare au ajuns să lie utilizate atât ca elemente de polarizare cât şi ca sarcini pentru etajele de 
amplificare. Utilizarea surselor de curent pentru polarizare duce la creşterea insensibilităţii circuitului faţă de variaţiile surselor de alimentare 
şi ale temperaturii. În ceea ce priveşte aria de pe cip necesară pentru a se realiza o valoare dată a curentului de polarizare, în particular 
atunci când valoarea necesară   a curentului de polarizare este mică.  Utilizarea surselor de curent cu sarcină î n amplificatoarele cu 
tranzistoare, duce –  datorită  rezistenţei incrementale mari –  la obţinerea de câştiguri în tensiune mari pentru valori mici ale tensiunii 
surselor de alimentare. 
Prima secţiune a acestui capitol analizează tipurile de bază de surse de curent folosite în mod uzual atâtt în tehnologiile bipolare cât 
şi în cele MOS. Pentru fiecare tip de sursă de curent se calculează curentul de ieşire şi rezistenţa de ieşire şi se consideră efectele date de 
neîmperecherea componentelor. A doua secţiune a capitolului se ocupa cu proiectarea circuitelor de polarizare pentru circuitele integrate, 
obiectivul urmărit fiind obţinerea insensibilităţii curenţilor de polarizare faţă de temperatură şi de tensiunile surselor de alimentare. În final 
se discutilizarea sursei de curent ca sarcină activă. 
  
  
2.  Surse de curent  
  
2.1 Sursa de curent simplă 
  
          Cea mai simplă formă a sursei de curent – vezi fig. 1 – constă dintr­un rezistor şi două tranzistoare. Tranzistorul Q 1 este conectat 
ca diodă,  forţându­se astfel o valoare nulă  pentru tensiunea colector­bază.  În acest fel, la joncţiunea colector­bază  nu există  injecţie 
(deoarece nu este polarizată) şi tranzistorul se comportă ca şi cum ar fi regiunea activă directă. În continuare vom neglija curenţii reziduali 
ai joncţiunilor şi vom presupune ca tranzistoarele sunt identice şi că  rezistenţa de ieşire a tranzistorului Q 2 este infinită.  Deoarece 
tranzistoarele Q 1 şi Q2 au aceeaşi tensiune bază­emitor curenţii lor de colector sunt egali  
                                         IC1 =IC2                  (1) 
Scriind suma curenţilor în colectorul tranzistorului Q 1 se abţine 
 

                                                     
deci  
 

                                           (2)
Dacă βF este mare, curentul de colector al tranzistorului Q 2 este practic egal cu curentul de referinţă 
 
                          (3)
  

                                  
Fig.1 O sursă de curent simplă, cu două tranzistoare
             
Rezultă  că în cazul a două tranzistoare Q 1, Q 2 identice curenţii de ieşire şi de referinţă sunt egali. De fapt nu este necesar ca 
tranzistoarele să fie identice. Ariile de emitor ale lui Q1 şi Q2 pot să fie făcute diferite, fapt care determină ca şi valorile curentului IS pentru 
cele două tranzistoare să fie diferite; în acest caz valorile celor doi curenţi de colector, I C1  şi IC2 , nu vor mai fi egale ci se vor afla într­un 
raport constant. Cum acest raport poate să fie supraunitar sau subunitar, rezultă că plecând de la o valoare dată a curentului de referinţă se 
poate obţine orice valoare se doreşte pentru curentul de ieşire. Totuşi rapoartele de arii mai mari ca, aproximativ, 5:1 duc la un consum 
mare de arie, din cauza suprafeţei ocupate de către cel mai mare dintre cele două tranzistoare. Din această cauză penrtu generarea unor 
 1 2
tranzistoarele să fie identice. Ariile de emitor ale lui Q1 şi Q2 pot să fie făcute diferite, fapt care determină ca şi valorile curentului IS pentru 
cele două tranzistoare să fie diferite; în acest caz valorile celor doi curenţi de colector, I C1  şi IC2 , nu vor mai fi egale ci se vor afla într­un 
raport constant. Cum acest raport poate să fie supraunitar sau subunitar, rezultă că plecând de la o valoare dată a curentului de referinţă se 
poate obţine orice valoare se doreşte pentru curentul de ieşire. Totuşi rapoartele de arii mai mari ca, aproximativ, 5:1 duc la un consum 
mare de arie, din cauza suprafeţei ocupate de către cel mai mare dintre cele două tranzistoare. Din această cauză penrtu generarea unor 
rapoarte mari de curenţi se preferă alte metode care se vor discuta în secţiunile următoare. Deoarece curentul de intrare este reflectat la 
ieşire, acest circuit este deseori denumit “oglindă de curent”.   
Unul din cele mai importante aspecte legete de funcţionarea unei surse de curent este dat de modificarea curentului sursei de 
curent la variaţiile de tensiune de pe terminalul de ieşire. Această modificare este caracterizată de rezistenţa de ieşire de semnal mic a sursei 
de curent. Importanţa acestui parametru este pusă în evidenţă, se exemplu, de faptul că atât raportul de rejecţie a modului comun al unui 
amplificator diferenţial cât şi câştigul unui circuit cu sarcină activă depind în mod direct de valoarea sa.  
În scrierea relaţiei (1) am presupus independenţa curenţilor de colector ai celor două tranzistoare de tensiunile lor colector­emitor. 
În realitate, curentul de colector creşte uşor odată cu creşterea tensiunii colector­emitor (vezi fig.2).   
Figura 2 
Efectul de modulare a grosimii bazei se poate reprezenta, pentru condiţii de semnal mare prin expresia 
 
                 
unde V A este tensiunea Early. O valoare tipica a tensiunii Early pentru tranzistoarele npn este de 130 V. Deci, de exemplu, presupunând 
că potenţialul colectorului tranzistorului Q 2 este de 30 V şi observând că tensiunea colector­emitor a tranzistorului Q 1 este egală cu V BE
 
(on), raportul curenţilor IC2  şi IC1  este:
 

                                          (4)
Rezultă ca pentru un circuit care lucrează cu o alimentare de 30 V curenţii sursei de curent pot să difere faţă de valprile calculate – pentru 
cazul în care se neglijează rezistenţa de ieşire a tranzistorului – cu nu mai puţin decât 25%.   
Un alt factor de merit pentru o sursă de current realizată cu tranzistoare este tensiunea echivalentă în gol, V Thev. Atât timp cât 
tranzistoarele sursei de curent sunt în regiunea activă directă, orice configuraţie de sursă de curent poate fi caracterizată printr­o rezistenţă 
de ieşire R o  şi un current de ieşire I o,  în conformitate cu circuitul echivalent Norton din fig. 4.3a. În general vorbind, în circuitele 
concrete, rezistenţa de ieşire scade atunci când cerentul de ieşire creşte. Circuitul echivalent Thévenin este indicat în fig. 4.3b, generatorul 
echivalent Thévenin fiind egal cu   
                               (5) 
Tensiunea Thévenin rămâne în general constantă pentru o configuraţie dată de sursă de curent, fiind independentă de valoarea particulară 
Io urmărită prin proiectare.  
  

                    
          Fig. 3 (a) Reprezentarea prin circuit echivalent Norton a unei surse de curent cu transistor. (b) Reprezentarea prin circuitul echivalent Thévenin a unei 
surse de curent cu transistor. 
  
  
  
De exemplu pentru sursa de curent  simplă se obţine 
 
                                             (6)
expresie în care s­a utilizat relaţia ro=VA/IC. Deci pentru sursa de curent simplă tensiunea echivalentă în gol este egală cu tensiunea Early, 
VA. Sursele de current cu o structură  de circuit mai complexă au valori ale tensiunii VThev care sunt mai mari ca V A. De exemplu, dacă 
curentul de ieşire al sursei de curent simple este de 1 mA, atunci  
 
                             (7)
De observat că la ieşirea sursei de curent  nu apare niciodată tensiunea echivalentă în gol, V Thev. Dacă ieşirea sursei de curent este 
lăsată în gol, din circuitul echivalent din fig. 4.3b rezultă că s­ar obţine o tensiune de ieşire –VThev. Acest rezultat nu se verifică în realitate 
deoarece tranzistorul sursă de curent se saturează atunci când tensiunea la bornele sursei de curent (care este egală cu tensiunea colector­
emitor) se apropie de zero. Rezultă că reprezentările Thévenin şi Norton sunt valabile numai pentru acele valori ale tensiunii şi curentului 
de la ieşirea sursei de curent pentru care tranzistoarele sunt în regiunea activă  directă. 
  
  
  
2.2 Sursa de curent simplă cu câştig de curent   
  
de la ieşirea sursei de curent pentru care tranzistoarele sunt în regiunea activă  directă. 
  
  
  
2.2 Sursa de curent simplă cu câştig de curent   
  
În plus faţă de variaţia curentului de ieşire datorită valorii finite a rezistenţei de ieşire, curentul de collector I C2  diferă de curentul 
de referinţă şi printr­un factor 1+2/βF. Atunci când sursa de current se realizează cu tranzistoare pnp de câştig mic, valoarea lui βF poate 
fi destul de mică astfel încât acest factor să fie semnificativ. 
Pentru a reduce această sursă de eroare, se adaugă un transistor, după cum se arată în fig. 4. Curentul de emitor al tranzistorului 
Q3 este egal cu  
 
               (8)
unde curenţii IE, I C şi IB sunt pozitivi atunci când intră în transistor. În relaţia 8 s­au neglijat efectele date de valoarea finită a rezistenţei de 
ieşire. 
Curentul de bază al tranzistorului Q 3 este dat de relaţia: 
 
                   (9)
Scriind suma curenţilor în colectorul tranzistorului Q 2, se obţine: 
 
                                    (10)
Deoarece curenţii IC1  şi IC2  sunt egali rezultă 
 

                                          (11)
În acest fel curentul de referinţă şi curentul de ieşire diferă numai printr­un factor de ordinal 1/β2F (dacă se neglijează efectul rezistenţei de 
ieşire). 

                  
     Fig. 4  Sursa de current simplă cu câştig de curent 
  
Această configuraţie este deseori utilizată pentru generarea unor ieşiri multiple, plecând de la un singur curent de referinţă. În acest 
scop în paralel cu tranzistorul Q 2 se conectează mai multe tranzistoare identice care au colectoarele independente. Odată cu creşterea 
numărului de ieşiri independente creşte şi curentul total de bază (furnizat de emitorul lui Q3) dar contribuţia acestui termen de eroare în Iref 
este redusă prin câşigul în current βF3. 
Topologia sursei de curent simple din fig. 1 este mult utilizată şi în circuitele analogice integrate MOS. Versiunea MOS prezentată 
în fig. 5 pune în evidenţă un TECMOS conectat ca diodă (M1) care generează o tensiune se polarizare V GS1 stabilită prin intermediul 
curentului Iref. Deoarece V GS1=VGS2 şi ambele tranzistoare sunt în regiunea activă directă curentul de ieşire este  
                      (12) 
dacă  se presupune că  rezistenţa de ieşire a tranzistoarelor este infinită.  De fapt tranzistorul M 2 are o rezistenţă de ieşire finită,  ro, 
caracteristica I­V a sursei de curent prezentată în fig. 6 având un aspect asemănător ca aceea din cazul bipolar. În ambele cazuri rezistenţa 
de ieşire ro este invers proporţională cu curentul de polarizare.  
De observat că în versiunea MOS nu există termenul de eroare corespunzător curentului de bază; ca urmare se poate genera un 
număr arbitrar de ieşiri prin conectarea în parallel cu tranzistorul M 2 a unui număr corespunzător de trabzistoare. Totodată nu mai este 
nevoie de tranzistoare suplimentare, cum este Q 3 în fig. 4.  
  
                  
                       
  Fig. 5  Sursa de curent  simplă realizată cu TECMOS 
  
De observat că în versiunea MOS nu există termenul de eroare corespunzător curentului de bază; ca urmare se poate genera un 
număr arbitrar de ieşiri prin conectarea în parallel cu tranzistorul M 2 a unui număr corespunzător de trabzistoare. Totodată nu mai este 
nevoie de tranzistoare suplimentare, cum este Q 3 în fig. 4.  
O diferenţă semnificativă faţă de sursa de curent  bipolară constă în faptul că rezistenţa de ieşire a TECMOS poate fi mărită prin 
creşterea lungimii canalului L eff. O altă diferenţă care trebuie remarcată este dată de valoarea minimă a tensiunii de ieşire VDS2, sub care 
sursa de curent  nu mai îşi menţ ine valoarea dorită a rezistenţei de ieşire, dată de VDS(sat) =VGS­Vt=ΔVGSQ . Sursele bipolare se 
limitează la VCE(sat) care este tipic mai mică dacât V DS(sat) . Această caracteristică constituie o chestiune importantă în condiţiile tendinţei 
continue de scădere a tensiunii de alimentare (până la 1 V în unele echipamente alimentate de la baterie) deoarece distanţa între tensiunea 
sursei de alimentare şi tensiunea minimă de funcţionare a nodului de ieşire a sursei de curent este critică. 
  
  
2.3 Sursa de curent simplă cu degenerare în emitor  
  
  
Performanţele sursei de curent simple bipolare din fig. 4 se pot îmbunătăţi prin adăugarea se rezistenţe de degenerare în emitoare 
(vezi fig. 7). Pentru generalitate se consideră o sursă de curent cu două ieşiri independente. Prin introducerea rezistenţelor de degenerare 
în emitoare se realizează doua obiective.  
Primul îl constituie îmbunătăţirea mojoră a împerecherii între Iref şi curenţii de ieşire IC3  şi IC4 . 
Al doilea îl constituie creşterea rezistenţei de ieşire a sursei de current. Rezistenţa de ieşire la semnal mic care se vede în 
colectoarele tranzistoarelor Q 3 şi Q4 este  
               (13) 
Luând ca exemplu pe Q 3 şi folosind relaţia g m3 =IC3/VT rezultă 
 
                          (14)
(Tranzistoarele Q 1 şi Q 2 acţionează combinat prezentând în baza lui Q 3 şi Q4 o rezistenţă foarte mică). Mărimea IC3 R3 este chiar căderea 
de tensiune în curent continuu pe rezistorul R 3. De exemplu, dacă această cădere de tensiune este de 260 mV rezistenţa R o va fi egală cu 
aproximativ 10r o. Limita până la care se poate merge cu această mărire a rezistenţei de ieşire  este dată de valoarea minimă care poate fi 
acceptată a tensiunii de ieşire în colectorul tranzistorului Q 3 care este acum (VCE(sat)+IC3 R3). 

                    
   Fig. 7  Sursa de curent simplă cu degenerare în emitor . 
  
Ariile de emitor ele tranzistoarelor Q 1, Q 3 şi Q4 pot fi egale sau se pot afla într­un raport dat. De exemplu, dacă dorim ca I C3 =Iref 
şi IC4 =2Iref putem să­i facem pe Q 1 şi Q 3 identici şi IS4=2IS1. În plus putem face R 1=R 3 şi să scădem pe R 4 facându­l egal cu R 1/2. De 
observat că în acest fel căderile de tensiune pe R 1, R 3 şi R4 vor fie gale. Adunând tensiunile pe ochiul care include tranzistoarele Q 1 şi Q4 
şi neglijând curenţii de bază se obţine 
 
                (15)
din care rezultă 
 
                         (16)
Deoarece IS4=2IS1 soluţia ecuaţiei (16) este  
 
                                        (17)
ultimul termen din (16) anulându­se. Din analiza relaţiei 16 se observă că datorită faptului că termenii care conţin logaritmul variază slab 
  
                         (16)
Deoarece IS4=2IS1 soluţia ecuaţiei (16) este  
 
                                        (17)
ultimul termen din (16) anulându­se. Din analiza relaţiei 16 se observă că datorită faptului că termenii care conţin logaritmul variază slab 
odată cu variaţia argumentului, dacă facem căderea de tensiune I refR1  şi I C4 R4 mult mai mari decât V T putem forţa I C4  ≈ (R1/R4)Iref 
chiar dacă ariile de emitor ale tranzistoarelor Q 1  şi Q 4 nu se scalează convenabil. În sfârşit trebuie observat că degenerarea în sursă nu 
este folosită în cazul surselor de current cu TEC. Motivul se găseşte în faptul că TEC este inerent un transistor controlat. Ca urmare 
îmbunătăţirea împerecherii în sursele de current cu TEC se realizează direct, făcând aria tranzistoarelor mai mare. Creşterea rezistenţei de 
ieşire se realizează prin creşterea lungimii canalului. 
Atât în circuitele cu TEC cât şi în cele cu tranzistoare bipolare preţul plătit pentru îmbunătăţirea performanţelor constă în aria mai 
mare consumată de către sursele de curent.  
  
  
2.4     Sursa de curent Widlar  
  
  
În amplificatoarele operaţionale bipolare, valoarea mică impusă curentului de la intrare dictează pentru curentul de polarizare al 
perechii cu cuplaj în emitor de la intrare o valoare foarte mică, de ordinal 5 μA. Curenţii de polarizare de această valoare sunt de asemenea 
necesari într­o mulţime de alte aplicaime de alte aplicţii. Dacă am utilize o sursă de current simplă, în care am lua pentru raportul ariilor de 
emitor ale tranzistoarelor Q 1 şi Q 2 valoarea maximă, practică, de 10:1, ar rezulta pentru un curent de ieşire de 5 μA un curent de referinţă 
de 50 μA. Dacă curentul de referinţă se obţine prin conectarea pe sursa de alimentare a unui resistor, valoarea rezistorului ar fi de 600 kΩ, 
pentru o alimentare de 30 V. Un resistor cu o astfel de valoare este foarte scump din punct de vedere al consumului de arie. Curenţii de 
valori atât de mici pot fi obţinuţi, totuşi, cu valori moderate de rezistenţă, prin modificarea sursei de current simple, astfel încât cele două 
tranzistoare Q 1  şi Q 2 s ă funcţioneze cu valori diferite ale tensiunilor bază­emitor. În cazul sursei de curent Widlar din fig. 8 aceasta se 
realizează  prin plasarea unui resistor în serie cu emitorul tranzistorului Q 2.  În continuare vom calcula pentru această sursă de curent 
curentul de ieşire şi tensiunea echivalentă în gol. Pentru acest circuit nu există o versiune echivalentă realizată cu TECJ.  
  

                           
                         Fig. 8  Sursa de curent Widlar 
  
Prin adunarea tensiunilor pe ochiul emitor­bază, presupunând că tensiunea Early, V A, este infinită şi neglijând curenţii de bază se 
obţine 
                         (18) 
deci  
 
                            (19)
Pentru tranzistoare identice curenţii IS1 şi IS2 sunt egali iar relaţia 19 devine 
 
                                          (20)
Dacă se dau R 2  şi I C1 , găsirea valorii I C2  care constituie soluţia acestei ecuaţii transcendente se face prin încercări. În proiectare, sunt 
cunoscuţi de obicei I C1  şi IC2  valoarea rezistorului R 2 obţinându­se direct din (20).  
  
  
2.5     Sursa de curent cascodă 
  
În conexiunea cascodă  se atinge o rezistenţă de ieşire foarte mare, proprietate care este de dorit pentru sursele de curent. Ca 
urmare este natural să se încerce utilizarea cascadelor ca surse de curent.  
O sursă de current bipolară bazată pe conexiunea cascodă este prezentată în fig. 9. Tranzistoarele Q 3 şi Q 4 formează sursa de 
curent de bază;  de multe ori se adaugă şi rezistenţe în emitor pentru îmbunătăţirea împerecherii. Tranzistorul Q 2, care operează ca partea 
bază­comună a cascodei, transferă la ieşire curentul de collector al tranzistorului Q 3 prezentând o rezistenţă de ieşire mare. Tranzistorul 
Q1 realizează o deplasare de nivel de un V BE asigurând faptul că tranzistorul Q 3 eate în regiunea activă cu V BE≈0. Dacă presupunem că 
rezistenţele de semnal mic ale tranzistoarelor Q 1 şi Q4 sunt mici rezistenţa de ieşire de semnal mic în colectorul lui Q 2 este   
 O sursă de current bipolară bazată pe conexiunea cascodă este prezentată în fig. 9. Tranzistoarele Q 3 şi Q 4 formează sursa de 
curent de bază;  de multe ori se adaugă şi rezistenţe în emitor pentru îmbunătăţirea împerecherii. Tranzistorul Q 2, care operează ca partea 
bază­comună a cascodei, transferă la ieşire curentul de collector al tranzistorului Q 3 prezentând o rezistenţă de ieşire mare. Tranzistorul 
Q1 realizează o deplasare de nivel de un V BE asigurând faptul că tranzistorul Q 3 eate în regiunea activă cu V BE≈0. Dacă presupunem că 
rezistenţele de semnal mic ale tranzistoarelor Q 1 şi Q4 sunt mici rezistenţa de ieşire de semnal mic în colectorul lui Q 2 este   
                                 
                                           (21) 

                           
Fig. 9  Sursa de curent cascodă realizată cu tranzistoare bipolare. 
  
Un rezultat mai exact se obţine dacă în analiza completă de semnal mic a circuitului din fig. 9 se ţine cont şi de valorile finite ale 
rezistenţelor de semnal mic ale tranzistoarelor Q 1 şi Q4: 
 
                                      (22)
modificarea rezultatului fiind datorată  căii de semnal de la Q 2la Q 3 prin Q 1  şi Q 4. În concluzie, sursa de current cascodă determină 
creşterea valorii rezistenţei de ieşire şi a tensiunii echivalente în gol cu un factor de aproximativ β0/2. 
De exemplu pentru β0=100 şi VA=130 V 
 
                                          (23)
la un curent de ieşire Io=1 mA se obţine o rezistenţă de ieşire 
 
                                                  (24)
În analiza surselor de curent Widlar şi cascodă  s­au neglijat efectele date de rezistenţa r μ. În timp ce pentru sursa de curent  
simplă  această  presupunere a fost uşor de justificat, în cazul acestor surse de impedanţă mai mare ea trebuie reexaminată. Rezistenţa 
colector­bază  rμ, rezultă din modularea curentului de recombinare în bază, consecinţă a efectului Early. Pentru cazul unui trabzistor al 
cărui curent  de bază este compus în întregime din curentul de recombinare în bază, variaţia procentuală a curentului de bază va fi egală 
cu aceea a curentului de colector; ca urmare r μ  va fi legat de r o printr­un factor β0. În aceste condiţii efectul dat de r μ  ar consta în 
reducerea rezistenţei de ieşire a sursei de curent  cascodă cu un factor de 2; sursa Widlar va fi mult mai puţin afectată. 
Totuşi într­un tranzistor npn, real, de circui integrat numai o foarte mică parte a curentului de bază rezultă din recombinarea în 
bază. Deoarece numai această componentă este modulată de efectul Early, valorile observate pentru r μ sunt cu un factor de 10, sau mai 
mult, mai mari ca β0ro. Aceasta înseamnă că în sursele de curent npn considerate până acum efectul rezistenţei de reacţie este neglijabil. 
În cazul tranzistoarelor pnp laterale, rezistenţa de reacţie, rμ, este mult mai mica decât la tranzistoarele npn deoarece cea mai mare 
parte a curentului de bază rezultă prin recombinarea în bază. Valoarea reală a acestei rezistenţe depinde de diferite variabile de proces şi 
de geometria tranzistorului, valorile observate fiind în gama (2­5)β0ro. Ca urmare pentru tranzistoarele pnp efectul rezistenţei de reacţie 
poate fi semnificativ dacă baza tranzistorului este conectată la o rezistenţă incrementală mare. 
Efectele date de rezistenţa r μ  trebuie luate în considerare în cazul surselor de curent care ao o rezistenţă de ieşire mai mare ca 
β0ro. Să observăm, de esemenea, că în toate circuitele discutate până acum baza tranzistorului sursă de curent este legată la un punct de 
mică impedanţă, astfel că variaţiile de curent prin r μ nu modifică tensiunea V BE. În cazul în care baza se leagă la un punct de impedanţă 
mare variaţiile curentului care curge prin r μ  trec în bază fiind amplificate de către tranzistor cu β; rezultă astfel variaţii mult mai mari ale 
curentului de ieşire, în comparaţie cu cazul în care baza se leagă la un punct de impedanţă mică. 
Sursa de curent cascodă este larg utilizată şi în tehnologiile MOS. Un exemplu simplu este prezentat în fig. 10.  
Figura 10 
Expresia rezistenţei de ieşire de semnal mic este:  
                               (25) 
După cum s­a arătat anterior sursele de curent cascodă simple bipolare nu pot realiza o rezistenţă de ieşire mai mare decât β0ro/2 din 
cauza efectului dat de curentul de bază î n tranzistorul cascodă.  Spre deosebire de cazul tranzistorului bipolar câştigul în curent al 
tranzistorului MOS este infinit, fiind posibilă astfel obţinerea cu cascoda MOS a unei rezistenţe de ieşire arbitrar de mari prin adăugarea în 
stiva cascodei a unui număr sufficient de tranzistoare. O limitare este introdusă de curentul residual de substrat al TECMOS care creează 
un şunt rezistiv de la nodul de ieşire spre masă. Acest şunt poate domina valoarea rezistenţei de ieşire pentru valori moderate şi mari ale 
tensiunii Vout. 
  
Exemplu: 
cauza efectului dat de curentul de bază î n tranzistorul cascodă.  Spre deosebire de cazul tranzistorului bipolar câştigul în curent al 
tranzistorului MOS este infinit, fiind posibilă astfel obţinerea cu cascoda MOS a unei rezistenţe de ieşire arbitrar de mari prin adăugarea în 
stiva cascodei a unui număr sufficient de tranzistoare. O limitare este introdusă de curentul residual de substrat al TECMOS care creează 
un şunt rezistiv de la nodul de ieşire spre masă. Acest şunt poate domina valoarea rezistenţei de ieşire pentru valori moderate şi mari ale 
tensiunii Vout. 
  
Exemplu: 
Să se determine tensiunea echivalentă în gol a cascosei triple din fig. 11. Pentru fiecare transistor se va presupune că valoarea 
tensiunii echivalente în gol este de 50 V şi că gmro=50. Se va neglija efectul de substrat.  
Fiecare etaj cascodă creşte rezistenţa de ieşire cu un factor aproximativ egal cu (1+g mro). Deci tensiunea echivalentă în gol este: 
 
                        
10
Din acest exemplu se constată că rezistenţa de ieşire este de ordinal a 10   Ω  pentru curenţi de polarizare de ordinal a 10 μA. Diferite 
elemente parasite cum ar fi, de exemplu, rezistenţa determinată de curentul residual de substrat, pot fi comparabile ca valoare cu această 
rezistenţă de ieşire. 
  
Un dezavantaj important al sursei de curent cascodă, în comparaţie cu sursa de curent simplă, este dat de valoarea mai mică a 
excursiei de tensiune în nodul de ieşire pentru care ambele tranzistoare sunt în regiunea de saturaţie. Această situaţie este o urmare a 
faptului că tranzistoarele sursă de curent şi cascodă sunt stivuite. După cum rezultă din fig. 10 tensiunea minimă la ieşirea sursei de curent, 
astfel ca ambele tranzistoare să  fie în saturaţia, este (V t+2ΔVGSQ ). Cu toate că  ΔVGSQ  poate fi făcut mai mic folosind W mari şi 
polarizând tranzistoarele la curenţi mici termenul dat de tensiunea de prag contribuie semnificativ la scăderea excursiei de tensiune, în 
special în cazurile în care sursa de curent este utilizată ca element de sarcină în etajele de amplificare.  
O tehnică   mult mai bună   de polarizare, care permite îmbunătăţirea excursiei de tensiune la ieşire, constă î n polarizarea 
tranzistorului M 1 la marginea regiunii de saturaţie, drena fiind mai negativă faţă de grilă cu o tensiune de prag. O soluţie de principiu este 
descrisă în fig. 11a în care în serie cu grila tranzistorului M 2 s­a inserat un element de deplasare de nivel. O posibilitate de implementare a 
acestei scheme de polarizare este prezentă în fig. 11b; repetorul pe sursă M5 a fost inserat pentru a se obţine căderea de tensiune iar 
raportul W/L al lui M 4 a fost micşorat de patru ori pentru compensarea ΔVGSQ  a lui M 5. de fapt tranziţia de la regiunea de tip triodă la 
cea de saturaţie  a tranzistoarelor MOS este graduală astfel că de obicei este necesar să se mărească tensiunea de drenă a lui M1 cu câteva 
sute de mV peste ΔVGSQ  pentru a reliza valoarea rezistenţei incrementale de ieşire prezisă de (25).  
Acest tip de deplasare de nivel, folosit pentru mărirea excursiei tensiunii de la ieşirea surselor de curent cascodă, se poate aplica şi 
la circuitele bipolare.  
  
  
  
  
2.4     Sursa de curent Wilson  
  
O altă configuraţie de sursă de curent larg utilizată, care permite obţinerea de valori foarte mari pentru R o, este sursa de curent 
Wilson, prezentată în fig. 12 în versiunea care foloseşte tranzistoare bipolare. De fapt este un circuit cu reacţie negativă: reacţia prin 
tranzistorul Q 3  îl comandă  pe Q 1 pentru a­i creşte rezistenţa de ieşire. În plus, se obţine un grad ridicat de compensare a erorii 
determinate de curentul de bază rezultând astfel un transfer precis de la I ref la Io=IC2 . 
  
  

                       
                  Fig. 12  Sursa de curent Wilson . 
Dintr­un punct de vedere calitativ, se poate spune că  diferenţa  între curentul de referinţă şi curentul I C1  va curge în baza 
tranzistorului Q 2. Acest curent de bază multiplicat cu (βF+1) trece prin tranzistorul conectat ca diodă Q3, ceea ce face ca un curent de 
aceeaşi valoare să curgă prin tranzistorul Q 1. Se formează deci o buclă de reacţie care reglează valoarea curentului I C1  astfel încât să fie 
practic egală cu valoarea curentului de referinţă. Trebuie observat ca tranzistoarele Q 1 şi Q 3 funcţionează la tensiuni colector­emitor care 
diferă doar prin căderea de tensiune pe o diodă şi că la variaţiile de tensiune de la bornele sursei de curent tensiunea colector­emitor a 
tranzistorului Q 3 nu se modifică. Ca urmare curentul de colector al tranzistorului Q 3 rămâne practic egal cu acela al tranzistorului Q 1, 
independent de valoarea tensiunii din colectorul tranzistorului Q 2. Acest fapt determină o valoare aproape constantă pentru curentul de 
colector al tranzistorului Q 2, rezultând o valoare mare a rezistenţei de ieşire. 
Pentru analiza de curent continuu vom presupune ca V A=∞ şi că tranzistoarele sunt identice. Curentul de emitor al tranzistorului 
diferă doar prin căderea de tensiune pe o diodă şi că la variaţiile de tensiune de la bornele sursei de curent tensiunea colector­emitor a 
tranzistorului Q 3 nu se modifică. Ca urmare curentul de colector al tranzistorului Q 3 rămâne practic egal cu acela al tranzistorului Q 1, 
independent de valoarea tensiunii din colectorul tranzistorului Q 2. Acest fapt determină o valoare aproape constantă pentru curentul de 
colector al tranzistorului Q 2, rezultând o valoare mare a rezistenţei de ieşire. 
Pentru analiza de curent continuu vom presupune ca V A=∞ şi că tranzistoarele sunt identice. Curentul de emitor al tranzistorului 
Q2 este egal cu curentul de colector al tranzistorului Q 3 plus curenţii de bază ai tranzistoarelor Q 1 şi Q3: 
 
                            (26)
 
                                     (27)
Din (27) se obţine curentul de colector la tranzistorului Q2 
 
                         (28)
care se scrie  
 
                                      (29)
Făcând suma curenţilor în bază tranzistorului Q 2 se găseşte 
 
                                      (30)
Deoarece în scrierea expresiei 26 am presupus că tranzistoarele sunt identice rezultă 
                                           (31) 
Înlocuind (29) şi (30) în (31) se obţine  
 

                                         (32)
Deci curentul de ieşire şi curentul de referinţă diferă doar printr­un factor de ordinul 2/ . 
O analiză   de semnal mic a circuitului, desfăşurată î n acelaşi mod ca  şi pentru sursa Widlar, neglijându­se r μ,  conduce la 
următoarele expresii pentru rezistenţa de ieşire şi tensiunea echivalentă Thévenin: 
 
                         (33a)
 
                       (33b)
Sursele de curent Wilson sunt utilizate şi în tehnologiile MOS, un exemplu fiind dat în fig. 13. Funcţionarea circuitului este în 
esenţă identică cu aceea a versiunii bipolare în cazul în care βF este infinit. Rezistenţa de ieşire de semnal mic presupunând că sursa I ref 
introduce o încărcare rezistivă neglijabilă este dată de expresia:  
                            (34) 
                      

                    
Fig. 14   Sursa de curent Wilson             Fig. 15    Sursa de curent Wilson 
  realizată cu TECMOS.                          îmbunătăţită prin adăugarea unui                              
                                                                tranzistor suplimentar. 
  
În sursa de curent Wilson din fig. 13 tensiunea drenă­sursă  de curent continuu este mai mare pe tranzistorul M 3 decât pe 
tranzistorum M 2. În cazul unor tensiuni de prag mari aceasta conduce la o neîmperechere a curenţilor de drenă datorită valorii finite a 
rezistenţei de ieşire a tranzistoarelor. Problema se rezolvă prin adăugarea unui tranzistor conectat ca diodă M4, care egalizează tensiunea 
drenă­sursă pe M 3  şi M 2 (vezi fig. 14). Aceeaşi tehnică –  adăugarea unei diode suplimentare –  se poate aplica şi pentru sursa Wilson 
bipolară di fig. 12 îmbunătăţindu­se împerecherea şi precizia. 
În analiza sursei de curent simplă şi a surselor de curent Widlar şi Wilson ne­am concentrat asupra problemei obţinerii valorii 
dorite a curentului de ieşire – care poate să fie mic – şi asupra problemei obţinerii unei valori mari a rezistenţei de ieşire a sursei de curent. 
Circuitul Widlar este util pentru realizarea de valori mici ale curenţilor de ieşire, iar circuitul Wilson pentru relizarea de valori mari ale 
impedanţei de ieşire şi a unei sensibilităţi mici faţă de curenţii de bază ai tranzistoarelor.  
Problemele particulare de proiectare a circuitelor impun în mod frecvent şi controlul atant al altor aspecte legete de funcţionarea 
surselor de curent cu tranzistoare. De exemplu de multe ori este necesară generarea a doi curenţi ale căror valori trebuie să fie apropiate, 
cât se poate de precis. Posibilitatea de a realiza astfel de surse de curent  împerecheate este de obicei limitată  de neîmperecherile 
tranzistoarelor care compun circuitul.   
dorite a curentului de ieşire – care poate să fie mic – şi asupra problemei obţinerii unei valori mari a rezistenţei de ieşire a sursei de curent. 
Circuitul Widlar este util pentru realizarea de valori mici ale curenţilor de ieşire, iar circuitul Wilson pentru relizarea de valori mari ale 
impedanţei de ieşire şi a unei sensibilităţi mici faţă de curenţii de bază ai tranzistoarelor.  
Problemele particulare de proiectare a circuitelor impun în mod frecvent şi controlul atant al altor aspecte legete de funcţionarea 
surselor de curent cu tranzistoare. De exemplu de multe ori este necesară generarea a doi curenţi ale căror valori trebuie să fie apropiate, 
cât se poate de precis. Posibilitatea de a realiza astfel de surse de curent  împerecheate este de obicei limitată  de neîmperecherile 
tranzistoarelor care compun circuitul.   
O a doua cerinţă întălnită frecvent este aceea ca funcţionarea circuitului integrat să nu fie afectată de variaţiile – în interiorul unor 
limite specificate –  a tensiunilor surselor de alimentare şi/sau ale temperaturii. Această cerinţă impune în general ca sursele de curent de 
polarizare din circuit să aibă curenţi de ieşire care să fie insensibili la variaţiile tensiunilor surselor de alimentare şi ale temperaturii. 
  
  
  
3.      Sursele de curent ca sarcini active  
  
În amplificatoarele diferenţiale convenţionale, ca element de sarcină în colector se foloseau rezistoare. Pentru acest circuit câştigul 
în tensiune este dat de:  
 
                               (35)
Pentru a obţine o valoare mare a câştigului în tensiune, produsul I CRC trebuie să fie mare, fapt care reclamă atât o tensiune de 
alimentare mare cât şi o valoare mare a rezistenţei. De exemplu, un câştig în tensiune de 500 impune ca I CRC=13 V şi dacă, IC=100 μA, 
RC va avea o valoare de 130 kΩ.  În acest caz pentru o alimentare de 15 V gama tensiunii de mod comun de la intrare pentru care 
tranzistoarele rămân nesaturate va fi foarte restrânsă. În plus cele două rezistoare vor consuma o parte foarte mare din aria cipului. Un 
obiectiv important al proiectării amplificatorului cu reacţie este dat de realizarea valorii cerute a câştigului în tensiune utilizând un număr cât 
mai mic posibil de etaje. Folosirea rezistenţei ro a tranzistoarelor pnp ca element de sarcină permite obţinerea de valori mari ale câştigului 
în tensiune fără a mai fi necesare tensiuni mari de alimentare. Deoarece elementul de sarcină într­un astfel de circuit este un tranzistor pnp, 
şi nu un rezistor, sarcina din colector se numeşte activă. 
  
  
  
3.1.           Amplificatorul cu emitorul comun cu sarcină activă 
  
În Fig. 16 se indică  schema de principiu a unui amplificator cu emitorul comun cu sarcină  activă.  Vom începe cu analiza 
comportării acestui circuit, în curent continuu la semnal mare. Ceracteristica I­V a sursei de curent cu tranzistoare pnp este indicată în 
Fig. 17a. Vom nota această caracteristică 
Ic2=Ic2(Vce2 ,VBE2)  
Unde V BE2 este tensiunea bază­emitor în curent continuu a tranzistorului Q 2. Caracteristicile de colector pentru tranzistorul npn – cu V BE 
ca parametru – sunt date în Fig. 17b. Pentru circuitul cu sarcină activă 
                                  (36) 
                             (37a) 
Utilizarea acestor relaţii ne permite să suprapunem caracteristica I­V a sarcinii active pnp pe caracteristicile de colector ale tranzistorului 
npn. Caracteristica I­V a tranzistorului sarcină impune ca I c1, curentul de colector al tranzistorului Q 1, şi Vce1 , tensiunea colector­emitor a 
aceluiaşi tranzistor să fie legate între ele prin relaţia  
                                   (37b) 
Folosind (37a) se obţine 
                            (37c) 
Deci, în concordanţă cu (37c), curba de sarcină va avea forma caracteristicii curentului de colector din Fig. 17a, curba fiind însă oglindită 
faţă de axa orizontală şi deplasată spre dreapta cu o mărime egală cu V CC . Curba de sarcină care rezultă este indicată în Fig. 17c.  
Acum putem trece la discutarea caracteristicii de curent continuu a circuitului. Să presupunem că iniţial Vi=0. Tranzistorul npn 
este blocat, iar tranzistorul pnp saturat, situaţie care corespunde punctului 1 din Fig. 17c. Odată cu creşterea tensiunii V i, tranzistorul npn 
începe să conducă, dar tranzistorul npn rămâne saturat până când se atinge starea din punctul 2. Aici tranzistorul pnp iese din saturaţie, şi 
o creştere ulterioară mică a tensiunii V i mută rapid punctul de operare din punctul 3 în punctul 4. Variaţia tensiunii V i, necesară pentru 
deplasarea din punctul 2 în punctul 4 este de numai câţiva mV din cauza înclinării foarte mici a caracteristicilor de colector. Curba de 
transfer (V o în funcţie de V i) este schiţată în Fig. 17d. Pentru tranzistorul npn Q 1, din Fig. 16, se poate scrie  
 
                           (38)
unde V AN este tensiunea Earley a tranzistorului npn. Pentru tranzistorul pnp Q 2 
 
                               (39) 
unde V AP este tensiunea Earley a tranzistorului pnp. Deoarece tranzistorul Q 3 este conectat ca diodă, tensiunea sa colector­emitor V CE 
este egală cu V BE(on) obţinându­se  
 
                  (40)
dacă se presupune βF>>1. Deoarece V BE2=VBE3, din relaţiile (39) şi (40) se găseşte  
unde V AP este tensiunea Earley a tranzistorului pnp. Deoarece tranzistorul Q 3 este conectat ca diodă, tensiunea sa colector­emitor V CE 
este egală cu V BE(on) obţinându­se  
 
                  (40)
dacă se presupune βF>>1. Deoarece V BE2=VBE3, din relaţiile (39) şi (40) se găseşte  
 

                                (41)
Curenţii Ic1 şi Ic2 trebuie să aibă valori egale; din (38) şi (41) se obţine: 
 

                       (42)
Tensiunea de la ieşire, Vo, este legată de tensiunea colector­emitor prin relaţiile 
                                (43) 
                  (44) 
deci  
 

                           (45)
şi rezultă 
 

                                   (46)
Vom face acum presupunerea că mărimile (VCC ­Vo)/VAP, V BE(on)/VAP şi Vo/VAN sunt mult subunitare. Folosind aproximaţiile 
 
                          (x<<1)      (47)
şi 
                (x,y<<1)  (48) 
expresia (46) se poate simplifica astfel:  
 
            (49)
Rezolvarea acestei ecuaţii conduce la următoarea expresie pentru V o: 
 

                        (50)
unde 
 
                           (51)
este tensiunea Earley efectivă. 
Primul termen din (50) este constant, iar al doilea este o funcţie de tensiunea V i. Expresia (50) este valabilă dacă 
                     (52) 
Caracteristica de transfer între punctele 2 şi 4 este de fapt o mică porţiune a unei caracteristici exponenţiale. Să observăm că atunci când 
în (50) 
 

                       (53)
tensiunea de la ieşire are valoarea 
 
                            (54)
după cum se arată în Fig. 17d. În acest caz tensiunea de la ieşire are o valoare cuprinsă între V CC  şi masă, dictată de relaţia particulară 
care există î ntre valorile tensiunilor Earley V AN  şi V AP. Dacă  cele două  tensiuni ar fi egale atunci tensiunea de la ieşire ar fi de, 
aproximativ, jumătate din V CC . Din (53) valoarea tensiunii V i în acest punct este V Tln(Itef/IS1), care este acea valoare care produce prin 
colectorul tranzistorului Q 1 un curent I ref, dacă tensiunea VCE1 ar fi foarte mică. 
Deşi, pentru a determina câştigul în tensiune şi rezistenţa de ieşire a acestui circuit, vom face o analiză separată de semnal mic 
valoarea câştigului în tensiune, de semnal mic, se poate determina acum direct prin diferenţierea relaţiei (50): 
 
care există î ntre valorile tensiunilor Earley V AN  şi V AP. Dacă  cele două  tensiuni ar fi egale atunci tensiunea de la ieşire ar fi de, 
aproximativ, jumătate din V CC . Din (53) valoarea tensiunii V i în acest punct este V Tln(Itef/IS1), care este acea valoare care produce prin 
colectorul tranzistorului Q 1 un curent I ref, dacă tensiunea VCE1 ar fi foarte mică. 
Deşi, pentru a determina câştigul în tensiune şi rezistenţa de ieşire a acestui circuit, vom face o analiză separată de semnal mic 
valoarea câştigului în tensiune, de semnal mic, se poate determina acum direct prin diferenţierea relaţiei (50): 
 

         (55)
Considerând cazul în care termenul din paranteze este unitar, câştigul de semnal mic este  
 
                          (56)
expresie care se poate scrie  
 

                      (57)
(s­a utilizat relaţia η=VT/VA). Câştigul în tensiune este deci egal cu inversul sumei calor doi factori Earley.  
În continuare vom trece la calculul câştigului în tensiune pe baza unei analize de semnal mic. Pentru funcţionarea de semnal mic a 
acestui circuit caracteristicile de interes, esenţiale, sunt câştigul şi rezistenţa de ieşire atunci când ambele tranzistoare sunt în regiunea 
activă directă. Circuitul echivalent de semnal mic este indicat în Fig. 18. Din examinarea figurii este evident că fără sarcină la ieşire 
 

         ║   (58)
Deoarece cele două tranzistoare funcţionează la acelaşi curent de colector, g m1=gm2, şi se obţine 
 
                       (59)                                  
Această expresie a câştigului în tensiune este identică cu cea găsită prin diferenţierea relaţiei (50). Valorile tipice ale câştigului în tensiune 
se plasează în gama 1000­2000; se observă că etajele cu sursă activă asigură valori mari ale câştigului în tensiune.  
Din examinarea circuitului de semnal mic, rezultă  că  rezistenţa care se vede privind în ieşire este chiar combinaţia paralel a 
rezistenţelor de ieşire ale celor două tranzistoare: 
          ║             (60) 
  
Exemplu: 
Să se determine câştigul în tensiune al circuitului din Fig. 18 atunci când ambele tranzistoare sunt în regiunea activă. Se cunosc: 
­4 ­4  
ηnpn=5x10 , ηpnp=2x10 .
 
. 
  
  
3.2.  Amplificatorul cu sursa comună ca sarcină activă 
  
  
În Fig. 19 se prezintă schema unui amplificator cu sursa comună larg utilizat în tehnologia CMOS; circuitul foloseşte ca element 
de comandă un tranzistor NMOS şi ca sarcină activă un tranzistor PMOS.  
Funcţionarea circuitului este foarte asemănătoare cu aceea a amplificatorului cu emitorul comun cu sarcină activă din Fig. 16. 
Dacă tranzistoarele M 1 şi M2 se află în regiunea activă directă (în regiunea de saturaţie) câştigul de semnal mic este  
 
                    (61)
iar rezistenţa de ieşire de semnal mic este r o1║ro2. 
Etajele de amplificare cu sarcină activă se pot realiza şi cu procese care oferă un singur tip de tranzistor MOS cu condiţia ca în 
meniul de componente să existe şi tranzistoare cu canal iniţial. Această situaţie se întâlnaşte în orice proces care încorporează TECJ şi în 
majoritatea proceselor NMOS care oferă şi TECMOS cu canal iniţial. Un TECMOS cu canal iniţial se comportă între sursă şi drenă ca o 
sursă de curent dacă grila este conectată la sursă. 
Caracteristica I­V a unui TECMOS cu canal n iniţial este prezentată în Fig. 20. Dacă se neglijează efectul de substrat dispozitivul 
este identic cu un TECJ, având în saturaţie o rezistenţă de ieşire foarte mare (egală cu cea a tranzistorului, r o). Dacă se ţine seama de 
efectul de substrat rezistenţa de ieşire scade la aproximativ 1/g mb. În Fig. 21 se prezintă un etaj de amplificare complet şi caracteristica sa 
de transfer în curent continuu. Circuitul echivalent de semnal mic în cazul în care atât M1 cât şi M2 sunt în regiunea activă directă este dat 
în Fig. 22. Folosind acest circuit expresia câştigului rezultă: 
 
                  (62)
Această relaţie se poate rescrie astfel:  
 
                          (63)
De observat că,  în cazul în care această  topologie de circuit este implementată  folosind TECJ într­un proces BiCMOS, efectul de 
 
                   (62)
Această relaţie se poate rescrie astfel:  
 
                          (63)
De observat că,  în cazul în care această  topologie de circuit este implementată  folosind TECJ într­un proces BiCMOS, efectul de 
substrat este inexistent şi valoarea câştigului care se poate realiza, ­gm1/(go1+go2), este mult mai mare. Rezultă: 
 

                      (64)
Deoarece χ este dependent de V o=VSB, câştigul în tensiune incremental variază în funcţie de tensiunea de ieşire, ceea ce explică variaţia 
pantei caracteristicii de transfer din Fig. 21b atunci când ambele tranzistoare sunt în saturaţie. Din examinarea fig. 22 rezistenţa de ieşire a 
etajului rezultă egală cu, aproximativ, 1/g mb1. 
În finalul acestei secţiuni se va discuta amplificatorul ca sursă comună în care ca sarcină activă se foloseşte un tranzistor cu canal 
indus, prezentat în fig. 23. În esenţă acesta este un etaj cu o sarcină rezistivă neliniară, formată de un TECMOS conectat ca diodă. Acest 
circuit este deseori folosit în amplificatoarele de bandă largă în care se poate tolera o valoare mică a câştigului, rezistenţa mică a sarcinii 
conducând la o bandă mare a etajului. 
Pentru tensiuni de intrare mai mici decât o tensiune de prag tranzistorul M 1 este blocat şi prin circuit nu curge curent. Pentru 
tensiuni de intrare care depăşesc o tensiune de prag tranzistorul M 1 se deschide, ambele tranzistoare intră în regiunea de saturaţie şi 
circuitul realizează   funcţia de amplificare. Impedanţa tranzistorului sarcină   este impedanţa care se vede privind  în sursa sa, fiind 
aproximativ egală cu inversul transconductanţei. Deoarece este o impedanţă de valoare relativ mică şi valoarea câştigului in tensiune este 
mică în comparaţie cu alte tipuri de etaje de amplificatoare MOS. Dacă se neglijează efectul de substrat şi efectul de modulare a lungimii 
canalului câştigul de semnal mic este dat de raportul între transconductanţa tranzistorului cu sursa comună şi transconductanţa rezistorului 
sarcină: 
 
                 (65)
Această relaţie arată că pentru geometriile curente ale tranzistoarelor câştigul în tensiune este limitat la valori maxime de ordinul 10­20. 
Totuşi acest tip de inversor este util pentru implementarea amplificatoarelor de bandă largă, cu câştig mic, de mare liniaritate deoarece 
într­o aproximaţie de prim ordin valoarea câştigului în tensiunea de semnal mic este independentă  de punctul static de funcţionare 
(caracteristica de transfer este liniară atunci când ambele tranzistoare se află în regiunea de saturaţie). 
Câştigul în tensiune la semnal mic  se poate determina mult mai precis folosind circuitul echivalent din fig. 24 în care au fost 
incluse atât efectul de substrat cât şi rezistenţele de ieşire ale ambelor tranzistoare. Scriind suma curenţilor în nodul de ieşire se obţine 
relaţia 
 
    (66)
din care rezultă expresia câştigului 
 
                      (67) 
unde 
 
                ,         (68)
O limitare importantă în performanţele inversorului care are ca sarcină activă un tranzistor cu canal indus este dată de faptul că 
tranzistorul sarcină rămâne în regiunea de saturaţie numai dacă potenţialul ieşirii este mai negativ decât sursa de alimentare pozitivă cu cel 
puţin o tensiune de prag. Pentru valori ale tensiunii de ieşire mai pozitive decât această limită tranzistorul sarcină intră în regiunea de 
blocare şi amplificatorul nu mai funcţionează. Deci, excursia de tensiune la ieşirea acestui amplificator este limitată superior la o tensiune 
de prag sub tensiunea sursei de alimentare pozitive.  
  
Exemplu: 
Să se determine câştigul în tensiune al unui inversor NMOS având ca sarcină un tranzistor  cu canal indus ştiind că W1=100 μm, 
W2=6 μm şi că lungimile efective ale canalelor sunt L 1=6 μm şi L2=30 μm. 
Din (65) se obţine: 
 
        
  
  
  
3.3     Perechea cu cuplaj în emitoare cu sarcină activă 
  
  
Aplicarea directă  a conceptului de sarcină  activă  la perechea cu cuplaj în emitoare conduce la circuitul prezentat în fig. 25a. 
Observând că  semicircuitul de mod diferenţial pentru această  pereche cu cuplaj în emitor este identic cu acela al amplificatorului cu 
emitorul comun din fig. 16, rezultă că valoarea câştigului în tensiune, de mod diferenţial, este într­adevăr foarte mare. Totuşi, circuitul, aşa 
cum este, are neajunsul că valoarea tensiunii de mod comun de la ieşire în punctul static de funcţionare este foarte sensibilă faţă de 
valoarea sursei de curent de polarizare din emitor şi de valoarea surselor de curent –  sarcini active. Acest fapt este ilustrat mai clar de 
semicircuitul de mod comun, valabil în curent continuu, din fig. 25b. În semicircuitul de mod comun combinaţia de tranzistoare Q 1, Q 6 şi 
jumătate din Q 7 formează o sursă de curent cascodă, care este conectată la sursa de curent pnp, Q 3­Q5. 
Acest circuit îl reaminteşte pe acela al amplificarorului cu emitorul comun cu sarcină activă, excepţie făcând tranzistorul cascodă 
emitorul comun din fig. 16, rezultă că valoarea câştigului în tensiune, de mod diferenţial, este într­adevăr foarte mare. Totuşi, circuitul, aşa 
cum este, are neajunsul că valoarea tensiunii de mod comun de la ieşire în punctul static de funcţionare este foarte sensibilă faţă de 
valoarea sursei de curent de polarizare din emitor şi de valoarea surselor de curent –  sarcini active. Acest fapt este ilustrat mai clar de 
semicircuitul de mod comun, valabil în curent continuu, din fig. 25b. În semicircuitul de mod comun combinaţia de tranzistoare Q 1, Q 6 şi 
jumătate din Q 7 formează o sursă de curent cascodă, care este conectată la sursa de curent pnp, Q 3­Q5. 
Acest circuit îl reaminteşte pe acela al amplificarorului cu emitorul comun cu sarcină activă, excepţie făcând tranzistorul cascodă 
Q1, introdus în serie cu tranzistorul cu emitorul comun Q 7. Ca şi în cazul amplificatorului cu emitorul comun cu sarcină activă tensiunea 
de ieşire, V oc, este foarte sensibilă  faţă de tensiunea din baza tranzistorului Q 6, care este influenţată de curentul de referinţă Iref2. De 
ezemplu, o analiză detaliată arată că pentru o diferenţă de 4% între cei doi curenţi de referinţă Iref1 şi Iref2, tensiunea de la ieşire Voc se 
modifică fată de valoarea nominală cu 2 V. Aceeaşi modificare rezultă şi dintr­o neîmperechere de 1 mV între tranzistoarele Q 6 şi Q7. În 
concluzie, pentru acest circuit, tensiunea de mod comun în curent continuu este foarte sensibilă  faţă de neîmperecherea şi variaţia 
componentelor, circuitul fiind neconvenebil din punct de vedere al stabilităţii punctului static de funcţionare. 
O altă abordare, indicată în fig. 26, constă în a controla sursa de curent sarcină activă cu curentul de colector al unei părţi din 
perechea cu cuplaj în emitor. Acest circuit nu numai că elimină problemele legate de modul comun, dar asigură şi o ieşire nesimetrică cu o 
rejecţie a semnalelor de mod comun mult mai bună decât aceea dată de perechea cu cuplaj în emitoare standard, cu sarcină rezistivă, la 
care ieşirea se ia dintr­un colector. În continuare vom analiza atât comportarea de semnal mare cât şi cea de semnal mic a acestui circuit.  
Pentru a obţine o imagine intuitivă asupra funcţionării acestui circuit, îi vom analiza pentru început comportarea de semnal mare în 
condiţiile presupunerii nerealiste că terminalul de ieşire este conectat la o sursă de tensiune (vezi fig. 27), astfel că rezistenţa de sarcină este 
zero. Cum acest circuit este utilizat în primul rând pentru a se obţine un câştig în tensiune mare, desigur că în realitate el nu lucrează având 
ca sarcină un scurtcircuit în curent continuu. Totuşi o analiză a dependenţei curentului de scurtcircuit la ieşire de tensiunea de la intrare ne 
oferă un bun punct de plecare pentru înţelegerea funcţionării circuitului. Deoarece rezistenţa de sarcină este nulă, rezistenţele de ieşire ale 
tranzistoarelor Q 2 şi Q 4 au un efect minor asupra curentului de ieşire astfel că iniţial le vom neglija, la fel ca şi pe r o1 şi ro3. De asemenea, 
vom neglija curentul de bază al tranzistoarelor pnp şi vom presupune că tranzistoarele sunt identice. Folosind rezultatele din Capitolul 3 se 
obţine: 
 

                 (69)
 

                  (70)
Tranzistoarele Q 3 şi Q4 sunt identice, deci:  
                       (71) 
Curentul de ieşire este dat de relaţia 
                          (72) 
în care înlocuind (69) şi (70) se obţine 
 
                       (73)
Această caracteristică de transfer este arătată în fig. 28. Se observă că Io=0 atunci când V id=0; rezultă că dacă se ia ca mărime se ieşire 
curentul, circuitul va avea în mod natural tensiunea de offset la intrare nulă. Circuitul este capabil atât să absoarbă cât şi să livreze curent 
sarcinii ataşate la ieşire. Atunci când ieşirea este în scurtcircuit curentul de ieşire variază între +I EE şi –IEE corespunzător variaţiei Vid pe 
un interval de ce de mV. Deşi ulterior vom face o analiză  de semnal mic separată, vom calcula acum transconductanţa circuitului în 
condiţii de scurtcircuit, folosind rezultatele obţinute anterior, prin diferenţierea relaţiei (73): 
 
                        (74)
Pentru cazul V id=0 se găseşte că 
 
                              (75)
transconductanţa circuitului fiind identică cu aceea a fiecărui tranzistor.  
În continuare vom considera comportarea de semnal mare a circuitului, în configuraţia mult mai convenabilă din fig. 26 (cazul în 
care la ieşire nu este conectată nici o sarcină), calculând tensiunea de la ieşire Vo, în funcţie de tensiunea V id. Calitativ, ne aşteptăm ca 
valoarea câştigului în tensiune să fie mai mare atunci când toate cele patru tranzistoare sunt în regiunea activă directă. În această analiză 
vom neglija curenţii de bază, dar vom ţine cont de rezistenţa de ieşire finită a tranzistoarelor. Pentru cele patru tranzistoare se poate scrie:  
 
                   (76)
 
                    (77)
 
                 (78)
 
                (79)
unde V AN este tensiunea Earley a tranzistoarelor npn, iar V AP tensiunea Earley a tranzistoarelor pnp. Vom presupune că potenţialul de 
curent continuu al bazelor tranzistoarelor Q 1 şi Q2 este aproximativ nul, astfel că pentru tranzistorul Q 1 
                  (78)
 
                (79)
unde V AN este tensiunea Earley a tranzistoarelor npn, iar V AP tensiunea Earley a tranzistoarelor pnp. Vom presupune că potenţialul de 
curent continuu al bazelor tranzistoarelor Q 1 şi Q2 este aproximativ nul, astfel că pentru tranzistorul Q 1 
                (80) 
deoarece Vbe3 ≈­Vbe1 .  
Pentru tranzistorul Q 3 care este conectat ca diodă 
                   (81) 
Sciind suma tensiunilor pe ochiul care conţine joncţiunile bază­emitor ale tranzistoarelor Q 1 şi Q2 se obţine: 
                   (82) 
Inversând  (76) şi (77) şi înlocuind apoi în (82) rezultă 
 

                   (83)
unde pentru V ce1  s­a folosit (80). Tensiunile bază­emitor ale tranzistoarelor Q 3 şi Q4 sunt aceleaşi astfel că din (78) şi (79) rezultă 
 

                      (84)
unde pentru V ce3  s­a folosit (82). Dacă neglijăm curenţii de bază, atunci curenţii Ic1 şi Ic3, respectiv I c2 şi Ic4 sunt egali; ca urmare (84) se 
poate scrie astfel:  
 

                                           (85)
Înlocuind acest raport în (83) se obţine: 
 

                          (86)
Exprimând tensiunile colector­emitor în funcţie de tensiunea de ieşire 
                        (87) 
                      (88) 
şi deoarece  
                        (89) 
după înlocuirea acestor relaţii în (86) se obţine: 
 

                  (90)
Vom face acum presupunerea că mărimile VBE(on)/VAP, V BE(on)/VAN, V CC /VAP, V CC /VAN, V o/VAN şi Vo/VAP sunt mult mai mici ca 
unitatea. Îm acest caz prin utilizarea aproximaţiilor 
 
                              (x << 1),  (91)
                   (x,y << 1)    (92) 
expresia (90) se poate simplifica rezultând: 
 

                    (93)
Aplicând exponenţiala ambelor părţi se obţine: 
 
            (94)
Rezolvând această ecuaţie pentru [Vo­VCC +VBE(on)] se găseşte 
 

                 (95)
            (94)
Rezolvând această ecuaţie pentru [Vo­VCC +VBE(on)] se găseşte 
 

                 (95)
În continuare înmulţim numărătorul şi numitorul cu V APVANexp(­Vid/2VT): 
 

                    (96)
Această expresie se poate simplifica prin utilizarea identităţilor 
expx ­ exp(­x) = 2sinhx, 
aexpx + bexp(­x) = (a­b)sinhx + (a+b)coshx, 
obţinându­se  
 

          (97)
care se rescrie  
 

                (98)
unde s­a notat  
 
                         (99)
Această caracteristică de transfer, dedusă în ipoteza că toate cele patru tranzistoare rămân în regiunea activă, este ilustrată în fig. 29. De 
fapt, deoarece atunci când V o se apropie de V CC  se saturează tranzistorul Q 4, iar când V o se apropie se ­0.6 V se saturează tranzistorul 
Q2, relaţia (98) este valabilă numai pentru un interval mic de variaţie a tensiunii Vid în jurul valorii zero. Acest fapt se poate folosi pentru a 
simplifica si mai mult rezultatul, deoarece inegalitatea  
 
                    (100)
este satisfăcută dacă 
 
                           
Deci, (98) se poate aduce la forma  
 
                          (101)
pentru  
                           VCC  > Vo > [­VBE(on) +VCE(sat) ]. 
Deci tensiunea de la iesire are în acest caz aceeaşi dependenţă (tanh) de tensiunea V id ca şi curentul de la ieşire în condiţii de scurtcircuit. 
Se observă că atunci când tensiunea diferenţială de la intrare, V id, este zero tensiunea de la ieşire este egală cu [V CC ­VBE(on)]. Faptul că 
se obţine această valoare a tensiunii de la ieşire era de altfel de aşteptat, deoarece era singura pentru care se realizează  egalităţile: 
Vce2 =Vce1 , V ce4 =Vce3 , │Ic1│=│Ic3│, │Ic2│=│Ic4│. Deşi ulterior vom face şi o analiză de semnal mic separată, în continuare 
vom calcula câştigul în tensiune al circuitului, utilizând rezultatele obţinute până acum, prin diferenţierea relaţiei (101): 
 
               (102)
 
                           (103)
În condiţiile în care valoarea statică a tensiunii Vid este nulă, se găseşte 
 

                (104)
sau  
 
             ║    (105)
unde 
 
                      = factorul Earley =  .
­4  
Deoarece factorul Earley este de ordinul a 2x10 , acest circuit are o valoare foarte mare a câştigului în tensiune.
  
Exemplu: 
unde 
 
                      = factorul Earley =  .
­4  
Deoarece factorul Earley este de ordinul a 2x10 , acest circuit are o valoare foarte mare a câştigului în tensiune.
  
Exemplu: 
Pentru o tensiune a sursei de alimentare V CC  de 15 V, s ă se determine ce valoare are tensiunea diferenţială de la intrare care trebuie 
aplicată circuitului cu sarcină activă din fig. 26 pentru a mişca tensiunea de ieşire de la valoarea care corespunde unei tensiuni de intrare 
nule, [VCC ­VBE(on)], la masă. Se va lua V BE(on)=0.7 V, V AN=130 V, V AP= 50 V.  
  
Din (101), 
 
                         
se obţine după înlocuirea valorilor numerice: 
 
                           
Se găseşte 
 
                   
sau  
                     
Deoarece  
 
                            pentru x << 1
Rezultă 
                    . 
  
  
Deşi analiza de curent continuu asigură o înţelegere intuitivă a modului în care funcţionează circuitul obiectivele de interes major 
rămân câştigul în tensiune de semnal mic fără sarcină conectată la ieşire şi rezistenţa de ieşire. Deoarece circuitul nu mai este simetric nu 
mai este posibilă utilizarea conceptului de semicircuit.  
Ca urmare, în continuare se va analiza direct circuitul de semnal mic, la joasă frecvenţă presupunând că ra=∞, rb=0 şi REE=∞, 
unde R EE este rezistenţa de ieşire a sursei de curent de polarizare. Acest circuit este prezentat în fig. 30.  
Începem scriind că suma curenţilor în nodul 1 este nulă 
 
     (106)
unde v 1, v 2 şi v3 sunt potenţielele nodurilor notate 1, 2 şi 3. 
Reranjând termenii în (106) se obţine: 
 
                    (107)
Adunăm acum curenţii în nodul 2. Se observă  că  rezistenţa totală  conectată între nodul 2 şi V CC  este dată  de conectarea paralel a 
rezistenţelor r π3, r o3, 1/g m3 şi rπ4. Vom face presupunerea simplificatoare că β0 şi ro sunt mari, combinaţia parallel fiind astfel aproximativ 
egală cu 1/g m3. Deci  
 

                          (108)
care prin rearanjare devine 
 

                    (109)
Adunând curenţii în nodul 3 se obţine relaţia 
 
                     (110)
care se rearanjează astfel 
 
                       (111)
Relaţiile (109) şi (111) se utilizează pentru a se elimina v 1 şi v2 din (107). Presupunând că gm1=gm2=gm3=gm şi că 
 
                                     (112)
expresia (107) devine 
 
Relaţiile (109) şi (111) se utilizează pentru a se elimina v 1 şi v2 din (107). Presupunând că gm1=gm2=gm3=gm şi că 
 
                                     (112)
expresia (107) devine 
 

                  ║            (113)
Deoarece v o=v3, câştigul în tensiune va fi, aşa cum s­a gǎsit şi mai înainte,  
 
                    ║   (114)
Până în acest punct am calculate câştigul în tensiune în gol. Pentru a caracterixa complet amplificatorul trebuie să calculăm şi rezistenţa de 
ieşire. Deoarece rezistenţa de ieşire este mare, câştigul în sarcină al circuitului poare fi micşorat de prezenţa rezistenţei de intrare a etajului 
care îl urmează. 
Calculul rezistenţei de ieşire se realizează cu ajutorul circuitului din fig. 31, în care se aplică la ieşire o sursă de tensiune de test v x. 
Curentul care rezultă, ix, este compus din 4 componente. Curentul prin r o4  este  
 
              (115)
Rezistenţa din terminalul de emitor al tranzistorului Q 2 este egală cu cea care se vede privind în emitorul tranzistorului Q 1, aproximativ 
egală cu 1/g m1. Deci, rezistenţa de ieşire efectivă a lui Q2 eate: 
 
                          (116)
Ca urmare, rezultă: 
 
                             (117)
Acest current curge în emitorul tranzistorului Q 1, şi trece – cu câştig unitar – prin tranzistoarele Q 3 şi Q4 pentru a produce curentul  
 
                           (118)
Deci 
                            (119) 
în care înlocuind (115), (117) şi (118) rezultă 
 
                              (120)
deci  
 

                      ║       (121)
Rezultă că rezistenţa de ieşire a circuitului este dată de conectarea în paralel a rezistenţei de ieşire a tranzistorului npn şi a rezistenţei de 
ieşire a tranzistorului pnp. 
Dacă se neglijează efectele date de rezistenţa r o a tranzistoarelor Q 2 şi Q 4, rezistenţa de intrare diferenţială a perechii cu cuplaj în 
emitoare cu sarcină activă este chiar 2r π, la fel ca şi în cazul cu sarcină rezistivă. Totuşi, în realitate, asimetria circuitului şi valoarea mare a 
câştigului în tensiune determină  apariţia unei reacţii prin rezistenţa de ieşire a tranzistorului Q 4 epre nodul 1. Această  reacţie face ca 
valoarea rezistenţei de intrare văzută la cele două intrări să difere uşor de valoarea calculată în condiţiile neglijării acestui efect. 
În concluzie, perechea diferentială cu sarcină activă este capabilă să asigure conversia de la modul diferenţial la modul nesimetric 
(adică conversia de la o tensiune diferenţială la o tensiune a cărei referinţă este potenţialul masei). Valoarea mare a rezistenţei de ieşire a 
circuitului impune – pentru a se realize valori mari ale câştigului – utilizarea ca sarcină a unui etaj cu impedanţă mare de intrare.  
Diportul echivalent de semnal mic al acestui etaj este prezentat în fig. 32.  
  
  
3.4     Perechea cu cuplaj în surse cu sarcină activă 
  
  
Perechea cu cuplaj în surse cu sarcină activă este mult utilizată în proiectarea de circuite CMOS. Un circuit tipic care foloseşte ca 
tranzistoare de comandă NMOS este prezentat în fig. 33. Analiza sa este o aplicaţie directă a analizei anterioare. Câştigul de semnal mic 
este  
 
                (122)
iar rezistenţa de ieşire R o=ro2║ro1. 
La fel ca şi în cazul bipolar circuitul are un raport de rejecţie a modului comun excelent deoarece componentele de mod comun 
ale curenţilor prin tranzistoarele M1 şi M2 tind să se anuleze reciproc în nodul de ieşire ca urmare a acţiunii sarcinii active. 
  
  
  
  
  
 La fel ca şi în cazul bipolar circuitul are un raport de rejecţie a modului comun excelent deoarece componentele de mod comun 
ale curenţilor prin tranzistoarele M1 şi M2 tind să se anuleze reciproc în nodul de ieşire ca urmare a acţiunii sarcinii active. 
  
  
  
  
  
3.5  Tensiunea de offset la intrare a perechii cu cuplaj în emitoare   cu sarcină activă 
  
În cazul perechii cu cuplaj în emitoare, cu sarcină activă, sursa primară a tensiunii de offset era dată de neîmpericherile în I S ale 
tranzistoarelor de la intrare şi de neîmperecherile în rezistenţele de sarcină din colector. În cazul sarcinii active tensiunea de offset la intrare 
rezultă din neîmperecherea tranzistoarelor de intrare şi de sarcină şi din curentul de bază al tranzistoarelor de sarcină. Referindu­ne la fig. 
26 începem prin a presupune că  tensiunea V id a fost ajustată astfel încât să aducă ieşirea la [V CC ­VBE(on)], valoare care corespunde 
tensiunii de ieşire când intrările sunt la masă iar tranzistoarele sunt identice. Pentru această valoare a tensiunii de la ieşire 
 
şi 
. 
Curentul de colector I C4  este legat de curentul I C3  prin relaţia 
 
                           (123)
Deoarece curentul de colector al tranzistorului Q 2 este egal cu (­IC4 ) din expresia (123) rezultă 
 
                                     (124)
Curentul IC1  este egal cu (­IC3 ) plus curenţii de bază ai tranzistoarelor pnp: 
 
                                (125)
Tensiunea de offset la intrare va fi dată de   
 
                    (126)
Înlocuind (124) şi (125) în (126) se găseşte 
 
                            (127)
Dacă neîmperecherile sunt mici, această expresie se poate aproxima astfel:  
 
                              (128)
unde 
                        (129) 
 
                         (130)
                             (131) 
 
                             (132)
Presupunând pentru ΔIS/IS o valoare, în cazul cel mai nefavorabil, de ±5% şi o valoare de 20 pentru β de pnp, se obţine pentru tensiunea 
de offset în cazul cel mai defavorabil: 
                    (133) 
Se observă că aceste circuite au un offset semnificativ mai mare în comparaţie cu acela din cazul sarcinilor rezistive. După cum se 
va arăta în Anexa 1 tensiunea de offset se poate reduce prin inserarea de rezistoare în emitoarele tranzistoarelor Q 3  şi Q 4 pentru a le 
micşora astfel contribuţia la tensiunea de offset. Contribuţia la tensiunea de offset a curenţilor de bază se poate reduce prin includerea 
unui tranzistor în sarcină activă. Aceste modificări sunt prezentate în fig. 34.  
  
  
3.5     Raportul de rejecţie a modului comun pentru perechea cu cuplaj în emitoare cu sarcină activă 
  
  
Circuitul din fig. 26 asigură, în plus fată de câştigul mare în tensiune, şi conversia de la semnalul diferenţial la semnalul nesimetric 
(semnal care se referă la potenţialul masei). O astfel de conversie este necesară în toate amplificatoarele cu intrare diferenţială şi ieşire 
nesimetrică, un bun exemplu fiind în acest sens amplificatorul operaţional. 
Cel mai simplu convertor de la modul diferenţial la modul nesimetric îl constituie perechea cu cuplaj în emitoare cu sarcină 
rezistivă (vezi fig. 35a). Se observă că ieşirea este luată numai dintr­un colector. Tensiunea de la ieşire va fi dată de   
 

              (134)
Rezultă că semnalul de mod comun de la intrare va produce modificări ale tensiunii de la ieşire. S­a arătat că în cazul acestui etaj 
rezistivă (vezi fig. 35a). Se observă că ieşirea este luată numai dintr­un colector. Tensiunea de la ieşire va fi dată de   
 

              (134)
Rezultă că semnalul de mod comun de la intrare va produce modificări ale tensiunii de la ieşire. S­a arătat că în cazul acestui etaj 
CMMR este dat de  
                (135) 
Deoarece tranzistorul Q 3, sursă de curent, funcţionează la un curent de două ori mai mare decât tranzistoarele Q 1, Q 2, pentru 
circuitul din fig. 35a se obţine 
                    (136) 
Deci CMMR al etajului cu sarcini rezistive în cazul în care ca element de polarizare se utilizează o sursă de curent simplă este egal 
cu inversul lui η al tranzistorului sursă de curent.  
Etajul cu sarcină activă din fig. 35b are un raport de rejecţie a modului comun care este mult mai mare decât acela al circuitului din 
fig. 35a. Ca şi în cazul sarcinilor rezistive, variaţiile de mod comun la intrare vor produce – din cauza valorii finite a rezistenţei de ieşire a 
sursei de curent de polarizare – variaţii ale curentului se polarizare IEE. 
Apare astfel o variaţie a curentului I C2   şi o variaţie identică  a curentului I C1 . Ca urmare a prezenţei sarcinii active, variaţia 
curentului I C1  va produce o variaţie în curenţii care curg prin tranzistoarele de sarcină pnp; variaţia curentului de colector al tranzistorului 
Q4 va compensa exact variaţia iniţială a curentului de colector al tranzistorului Q 2. Ca urmare, ca răspuns la o excitaţie de mod comun la 
intrare, ieşirea nu se modifică de loc.  
Pentru circuitele cu intrare diferenţială şi ieşire nesimetrică, raportul de rejecţie al modului comun este dat de relaţia 
 
                  (137)
în care V OS  este acea valoare a tensiunii diferenţiale de la intrare necesară pentru a menţine tensiunea de la ieşire la o valoare constantă, iar 
Vic este tensiunea de intrare de mod comun.  
Dacă  ,  de exemplu, în timp ce variază tensiunea de mod comun, V ic, tensiunea de offset nu se modifică rezultă că tensiunea 
diferenţială de la intrare s­a menţinut constantă, deci nici tensiunea de la ieşire nu se schimbă. Acest fapt este echivalent cu a spune că 
valoarea câştigului de mod comun este nulă şi că valoarea raportului de rejecţie a modului comun este infinită, în concordanţă cu relaţia 
(137). 
Pentru perechea cu cuplaj în emitoare cu sarcină activă, tensiunea de offset nu depinde de curentul de polarizare I EE, după cum 
rezultă din expresia (128). Deci atunci când se aplică (137) derivata tensiunii de offset la intrare faţă de tensiunea de intrare de mod comun 
este zero. Ca urmare raportul de rejecţie a modului comun, CMMR, este infinit dacă tranzistoarele sunt identice, chiar şi în cazul în care 
valoarea câştigului în curent al tranzistoarelor pnp este finită. 
  
  
4  Referinţe de curent şi tensiune
  
4.1 Polarizare la curenţi mici 
  
4.1.1 Sursa de curent Widlar bipolară 

În amplificatoarele operaţionale ideale curentul este zero în fiecare din cele două intrări. Oricum, curentul de intrare nu este zero în 
amplificatoarele operaţionale reale cu tranzistoare bipolare în intrare deoarece b F este finit. Deoarece intrările amplificatoarelor 
operaţionale sunt de obicei conectate la un etaj diferenţial, curentul de polarizare al acestuia trebuie să fie de obicei foarte mic pentru a 
păstra un curent mic în intrare. Tipic, curentul de polarizare este de ordinul 5mA. Curenţi de polarizare de această amplitudine sunt de 
asemenea necesari într­o varietate de alte aplicaţii, în special unde minimizarea disipării de putere este importantă. Oglinzile de curent 
simple arătate în Fig. 4.30 nu sunt, de obicei, optime pentru astfel de curenţi mici. De exemplu , folosind o oglindă de curent simplă ca 
cea din Fig. 4.30a şi presupunând un raport maxim practic al ariilor emitoare ale tranzistoarelor de zece la unu, oglinda ar necesita un 
curent de intrare de 50 mA pentru un curent de ieşire de 5 mA. Dacă tensiunea sursei de alimentare din Fig. 4.30a este 5 V, şi dacă VBE(on)
=0.7 V, ar fi necesar R = 86 kW. Rezistoare de asemenea mărime sunt scumpe din punct de vedere al ariei pe care o ocupă. Curenţi de o 
aşa mică amplitudine pot fi obţinuţi cu valori moderate ale rezistenţei modificând oglinda de curent simplă astfel încât tranzistoarele să 
funcţioneze cu tensiuni bază­emitor diferite. În sursa de curent Widlar din Fig. 4.31a, rezistorul R 2 este introdus în serie emitorul lui Q 2, şi 
tranzistoarele Q 1  şi Q 2 funcţionează cu tensiuni bază­emitor diferite dacă R2  ¹  0. Această schemă este mai degrabă o sursă de curent 
decât o oglindă  de curent deoarece curentul în Fig. 4.31a este mult mai puţin dependent de curentul de intrare şi tensiunea sursei de 
alimentare decât în oglinda de curent simplă din Fig. 4.30a, după cum am arătat în Paragraful 4.4.2. Vom calcula acum curentul de ieşire 
al sursei de curent Widlar.  
    Dacă IIN > 0, Q 1 funcţionează în regim activ normal deoarece este conectat ca diodă. Presupunem că Q2 funcţionează de 
asemenea în regim activ normal. Teorema a II­a a lui Kirchhoff pe ochiul care conţine tensiunile bază­emitor determină  
 
                                                                    (4.188)
Dacă presupunem că VBE1 = V BE2 = V BE(on) = 0,7 V în (4.188), vom prezice un curent I OUT = 0. Deşi IOUT este mic în practică, este 
mai mare decât zero în condiţii de polarizare obişnuite, ceea ce înseamnă că presupunerea standard despre V BE(on) nu este valabilă aici. 
Din potrivă, presupunerea standard despre V BE(on) e de obicei aplicabilă  în calcularea lui I IN deoarece micile variaţii ale VBE1 au o mică 
influenţă asupra lui I IN dacă VCC  >> V BE1. Când o tensiune bază­emitor este extrasă din alta micile diferenţe dintre ele sunt importante. 
                                                                    (4.188)
Dacă presupunem că VBE1 = V BE2 = V BE(on) = 0,7 V în (4.188), vom prezice un curent I OUT = 0. Deşi IOUT este mic în practică, este 
mai mare decât zero în condiţii de polarizare obişnuite, ceea ce înseamnă că presupunerea standard despre V BE(on) nu este valabilă aici. 
Din potrivă, presupunerea standard despre V BE(on) e de obicei aplicabilă  în calcularea lui I IN deoarece micile variaţii ale VBE1 au o mică 
influenţă asupra lui I IN dacă VCC  >> V BE1. Când o tensiune bază­emitor este extrasă din alta micile diferenţe dintre ele sunt importante. 
Dacă VA ® ¥, (4.188) poate fi rescrisă folosind (1.35) astfel   
 
                                                      (4.189)
Dacă b F ® ¥, (4.189) se simplifică la 
 
                                                           (4.190)
Pentru tranzistoare identice, I S1 şi IS2 sunt egale, şi (4.190) devine 
 
                                                                               (4.191)
Această ecuaţie transcedentală poate fi rezolvată prin metoda aproximărilor succesive pentru a afla I OUT dacă R2 şi IIN sunt cunoscute, 
ca la o problemă tipică de analiză. Deoarece funcţia logaritmice comprimă modificările argumentului, atenţia poate fi focalizată pe termenul 
liniar din (4.191), simplificând convergenţa procesului de aproximare succesivă.   În proiectare curenţii I IN  şi I OUT sunt de obicei 
cunoscuţi, şi (4.191) determină valoarea necesară pentru R 2. 
  
  
EXEMPLU  
În circuitul din Fig. 4.31a, determinaţi valoarea lui R 2 pentru care I OUT = 5 mA. Presupunem că VCC  = 5 V, R 1 = 4,3 kW, V BE(on) = 0,7 
V, şi b F ® ¥. 
 
                                   
 
                              
Astfel 
                                            
şi 
 
                                      
Rezistenţa totală din circuit este de 31,7 kW. 
  
EXEMPLU  
  
În circuitul din Fig. 4.31a, considerăm că IIN = 1 mA, R 2 = 5 kW, şi b F ® ¥. Găsiţi IOUT.   
 Din (4.191), 
 
                                               
Încercăm 
                                           
                                      

Termenul liniar IOUTR2 este prea mic; de aceea, ar trebui încercat un I OUT > 15 mA. Încercăm 
                                              
                                       

Astfel, curentul de ieşire este aproape de 20 mA. Observaţi că în vreme ce termenul liniar a crescut cu 25 mV de la prima încercare la a 
doua, termenul logaritmic a scăzut doar cu aproximativ 6 mV deoarece funcţia logaritmică comprimă modificările argumentului său. 
  
4.1.2 Sursă de curent Widlar cu tranzistoare MOS  
  
Configuraţia Widlar poate fi folosită de asemenea şi în tehnologie MOS, cum se arată în Fig. 4.31b.   
      Dacă  IIN > 0, M 1 funcţionează î n regim liniar deoarece este în conexiune diodă.  Considerând că  M2 funcţionează  de 
asemenea în regim liniar, a II­a teoremă a lui  Kirchhoff aplicată în jurul buclei ce conţine tensiunile grilă­sursă determină 
                                                         (4.192) 
Dacă ignorăm efectul substratului, componentele de prag ale tensiunilor grilă­sursă se anulează şi (4.192) se simplifică la 
                           (4.193) 
Dacă tranzistoarele funcţionează în inversiune puternică şi VA ® ¥, 
 
                                                (4.194)
Dacă ignorăm efectul substratului, componentele de prag ale tensiunilor grilă­sursă se anulează şi (4.192) se simplifică la 
                           (4.193) 
Dacă tranzistoarele funcţionează în inversiune puternică şi VA ® ¥, 
 
                                                (4.194)
Această ecuaţie de gradul doi poate fi rezolvată pentru  . 
              
 

                                          (4.195)
unde    . Din (1.157),  
 
                                                                (4.196)
Ecuaţia 4.196 se aplică doar când M 2 funcţionează în regiunea activă, ceea ce înseamnă că VGS2 > V t. Drept urmare   > 0 şi soluţia 
posibilă în care al doilea termen din numărătorul ecuaţiei (4.195) este scăzut din primul, nu poate apărea în practică. Astfel,  
 

                                          (4.197)
Ecuaţia 4.197 arată  că  o soluţie restrânsă  poate fi scrisă pentru curentul de ieşire al unei surse Widlar ce foloseşte tranzistoare MOS 
funcţionând în inversiune puternică, spre deosebire de cazul bipolar unde metoda aproximării succesive este necesară pentru aflarea lui 
IOUT. 
  
  
EXEMPLU  
  
În Fig. 4.31b, găsiţi IOUT dacă IIN = 100 mA, R 2 = 4 kW,  , şi  . Considerăm o temperatură de 27°C şi n 
= 1.5 în (1.247).  
Atunci R 2 = 0.004 MW,  , 
 

               
şi IOUT = 25 mA. De asemenea,  
                
De aceea, ambele tranzistoare funcţionează în inversiune puternică, cum s­a presupus.  
  
4.1.3 Sursa de curent cu punct culminant bipolară 
  
Sursa Widlar descrisă în paragraful 4.4.1.1 permite realizarea curenţilor din domeniul microamperilor folosind valori mici ale 
rezistenţelor. Polarizarea etajelor în circuite integrate folosind curenţi de ordinul nanoamperilor este deseori dorită. Pentru a atinge curenţi 
12, 13, 14  
aşa mici folosind valori moderate ale rezistenţelor se poate folosi circuitul din Fig. 4.32.  Neglijând curenţii din baze avem
                                                                                  (4.198) 
Dacă VA ® ¥, (4.198) poate fi rescrisă folosind (1.35) astfel  
 
                                                                   (4.199)
Dacă Q1 şi Q2 sunt identice, (4.199) poate fi rescris ca  
 
                                                                          (4.200)
Ecuaţia 4.200 este folositoare la analiza unui circuit dat. Pentru proiectare cu Q 1 şi Q2 identice se poate rescrie ca  
 
                                                                                    (4.201)
  
De exemplu, pentru I IN = 10 mA şi IOUT = 100 nA, (4.201) poate fi folosită pentru a arăta că R = 12 kW. 
O reprezentare grafică  a lui I OUT funcţie de I IN este desenată în Fig. 4.33. Când curentul de intrare este mic căderea de tensiune pe 
rezistor este mică şi VBE1 » VBE2 deci şi IOUT » IIN. Odată cu creşterea curentului de intrare creşte şi VBE1 logaritmic faţă de curentul de 
intrare, în timp ce căderea de tensiune pe rezistenţă creşte liniar cu creşterea curentului de intrare. Ca rezultat creşterea curentului de intrare 
în cele din urmă determină scăderea tensiunii bază­emitor a tranzistorului Q 2. Curentul de ieşire îşi atinge maximul când V BE2 e maximă. 
Denumirea de sursă de curent cu punct culminant provine tocmai de la acest comportament, şi localizare şi valoarea vârfului amândouă 
depind de R.  
  
  
4.1.4 Sursă de curent cu punct culminant MOS  
intrare, în timp ce căderea de tensiune pe rezistenţă creşte liniar cu creşterea curentului de intrare. Ca rezultat creşterea curentului de intrare 
în cele din urmă determină scăderea tensiunii bază­emitor a tranzistorului Q 2. Curentul de ieşire îşi atinge maximul când V BE2 e maximă. 
Denumirea de sursă de curent cu punct culminant provine tocmai de la acest comportament, şi localizare şi valoarea vârfului amândouă 
depind de R.  
  
  
4.1.4 Sursă de curent cu punct culminant MOS  
  
Configuraţia sursei de curent cu punct culminant poate fi folosită de asemenea şi în tehnologie MOS ca în Fig. 4.34. Dacă IIN e 
mic şi pozitiv , căderea de tensiune pe R e mică şi M1 funcţionează în regiunea activă. Presupunem că M2 funcţionează de asemenea în 
regiunea activă. Aplicând a II­a teoremă a lui Kirchhoff pe bucla cu tensiunile grilă­sursă avem 
                                                                (4.202) 
Cum sursele celor două tranzistoare sunt legate împreună pragurile se anulează şi (4.202) se simplifică la 
                                                                               (4.203) 
Din(1.157),  
 
                                      (4.204)
unde  . Ecuaţia 4.204 presupune că tranzistoarele funcţionează în inversiune puternică. În practică, curentul de intrare 
este suficient de mic astfel încât tensiunea grilă­sursă efectivă (VGS ­ V t) a lui M 1 e mai mică decât2nVT, unde n este definit în (1.247) şi 
VT este tensiunea termică. Ecuaţia 4.203 arată că tensiunea grilă­sursă efectivă a lui M2 este şi mai mică decât a lui M1. De aceea, ambele 
tranzistoare funcţionează în inversiune slabă, unde curentul de drenă variază exponenţial cu tensiunea grilă­sursă cum s­a arătat în (1.252). 
Dacă VDS1 > 3V T, aplicând (1.252) lui M1 şi înlocuind în (4.202) rezultă 
 
                                                               (4.205)
Apoi dacă tranzistoarele sunt identice şi VDS2 > 3V T, înlocuind (4.205) în (1.252) dă 
 
                                               (4.206)
unde I t este dat de (1.251) şi reprezintă curentul de drenă al lui M2 cu V GS2 = V t, W/L = 1 şi VDS >> V T. Comparând (4.206) cu (4.200) 
se observă că curentul de ieşire la o sursă de curent cu punct culminant MOS e la fel cu cel de la cea bipolară cu excepţia că 1,3 £ n £ 1,5 
în structura MOS şi n = 1 în cea bipolară. 
2
Reprezentări grafice ale (4.206) şi (4.204) sunt date în Fig. 4.35  pentru n = 1,5, T = 27°C, R = 10 kW, k’  = 200 mA/V , şi 
. În ambele cazuri, când curentul de intrare este mic căderea de tensiune pe rezistor este mică, şi IOUT » IIN. Odată cu 
creşterea curentului de intrare, V GS1 creşte mult mai încet decât tensiunea pe R. Ca rezultat, creşterea curentului de intrare în cele din 
urmă determină scăderea tensiunii grilă­sursă a lui M2. Curentul de ieşire atinge maximul când V GS2 e maxim. Ca şi în varianta bipolară, 
denumirea de sursă  de curent cu punct culminant provine din acest comportament, şi localizarea şi amplitudinea vârfului amândouă 
depind de R. Deoarece tensiunile grilă­sursă efective ale ambelor tranzistoare sunt de obicei foarte mici, ecuaţia de inversiune puternică 
(4.204) subestimează de obicei valoarea curentului de ieşire. 
  
  
  
  
4.2 Polarizare independentă faţă de alimentare   
  
Considerăm oglinda simplă de curent din Fig. 4.30a, în care sursa curentului de intrare a fost înlocuită cu o rezistenţă. Ignorând 
efectele valorilor finite ale b F şi VA, (4.5) arată curentul de ieşire 
 
                                                                            (4.207)
Dacă VCC  >> V BE(on), acest circuit are dezavantajul că curentul de ieşire este proporţional cu tensiunea sursei de alimentare. De exemplu, 
dacă VBE(on) = 0,7 V, şi dacă această oglindă de curent este folosită într­un amplificator operaţional care trebuie să funcţioneze pentru 
tensiuni de alimentare de la 3 V la 10 V, curentul de polarizare ar varia într­un interval de 4 ori mai mare, şi puterea disipată ar varia într­un 
interval de treisprezece ori mai mare.  
 O măsură  a acestui aspect al performanţelor polarizării circuitului este …  .  Cel mai util parametru pentru descrierea variaţiei 
curentului de ieşire cu tensiunea sursei de alimentare este sensibilitatea S. Sensibilitatea oricărei variabile a circuitului y faţă de un 
parametru x este definită după cum urmează: 
 
                                                                                (4.208)
Aplicând (4.208) pentru a afla sensibilitatea curentului de ieşire la mici variaţii ale tensiunii sursei de alimentare ne dă 
 
                                                                                  (4.209)
Tensiunea de alimentare V ALIM este de obicei denumită VCC  în circuitele bipolare şi VDD în circuitele MOS. Dacă VCC  >> V BE(on) în 
Fig. 4.30a, şi dacă VDD >> V GS1 în Fig. 4.30b,  
                                                                                                   (4.210) 
Ecuaţia 4.210 arată cum curentul de ieşire al oglinzilor simple de curent depind puternic de tensiunile surselor de alimentare. Din acest 
                                                                                  (4.209)
Tensiunea de alimentare V ALIM este de obicei denumită VCC  în circuitele bipolare şi VDD în circuitele MOS. Dacă VCC  >> V BE(on) în 
Fig. 4.30a, şi dacă VDD >> V GS1 în Fig. 4.30b,  
                                                                                                   (4.210) 
Ecuaţia 4.210 arată cum curentul de ieşire al oglinzilor simple de curent depind puternic de tensiunile surselor de alimentare. Din acest 
motiv, aceste configuraţii nu ar trebui să fie folosite atunci când insensibilitatea faţă de alimentare este importantă. 
  
4.2.1 Surse de curent Widlar  
  
În cazul sursei Widlar bipolare din Fig. 4.31a, curentul de intrare este dat implicit de (4.191). Pentru a determina sensibilitatea lui 
IOUT faţă de tensiunea sursei de alimentare, această ecuaţie se diferenţiază în funcţie de V CC : 
 
                                                                     (4.211)
Diferenţiind se obţine 
 
                                        (4.212)
Rezolvând această ecuaţie pentru ¶IOUT/¶VCC , obţinem 
 

                                                             (4.213)
Înlocuind (4.213) în (4.209) ne dă 
 

                                    (4.214)
Dacă VCC  >> V BE(on), I IN » VCC /R1 şi sensibilitatea lui I IN faţă de V CC  este aproximativ unitară, ca la oglinda simplă de curent din Fig. 
4.30a. De exemplu în paragraful 4.4.1.1 unde I IN = 1 mA, I OUT = 5 mA, şi R2 = 27,4 kW, (4.214) dă 
 

                                                 (4.215)
Astfel în acest caz, o modificare a tensiunii de alimentare cu 10 procente determină o modificare cu doar 1,6 procente a curentului de 
ieşire. 
 În cazul sursei Widlar MOS din Fig. 4.31b, curentul de ieşire e dat de (4.197). Diferenţiind în funcţie de V DD rezultă 
 

                                (4.216)
unde   
  
 
                                          (4.217)
Înlocuind (4.216) şi (4.217) în (4.209) ne dă 
 
                                                             (4.218)
Cum I OUT este de obicei mult mai mic decât IIN, V ov2 este de obicei mic şi IOUTR2 » Vov1 şi (4.218) se simplifică la 
 
                                                                  (4.219)
Dacă VDD >> V GS1, I IN » VDD/R1 şi sensibilitatea lui IIN faţă de V DD este aproximativ unitară, ca şi la oglinda de curent simplă din Fig. 
4.30b. Astfel în acest caz, o schimbare a tensiunii de alimentare cu 10 procente determină o modificare cu 5 procente a curentului e ieşire. 
  
4.2.2 Surse de curent ce folosesc alte tensiuni standard  
  
Nivelul independenţei faţă de sursa de alimentare oferită de sursa de curent Widlar bipolară sau MOS nu este adecvată pentru 
multe tipuri de circuite analogice. O mult mai mică sensibilitate poate fi obţinută făcând curenţii de polarizare să depindă de o altă tensiune 
standard diferită de tensiunea de alimentare. Circuitele de polarizare de referinţă pot fi clasificate după de tensiunea standard în funcţie de 
care se stabilesc curenţii de polarizare. Cele mai convenabile tensiuni standard sunt tensiunile bază­emitor sau de prag ale unui tranzistor, 
tensiunea termică, sau tensiunea de străpungere a unei joncţiuni pn polarizată invers (o diodă Zener). Fiecare din aceste standarde poate fi 
folosită pentru a reduce sensibilitatea faţă de alimentare, dar dezavantajul primelor trei este că tensiunea de referinţă este destul de variabilă 
cu temperatura. Ambele tensiuni bază­emitor şi de prag au coeficienţi de variaţie cu temperatura negativi de mărime între 1 şi 2 mV/°C, iar 
tensiunea termică are un coeficient de variaţie cu temperatura pozitiv de k/q » 86 mV/°C. Dioda Zener are dezavantajul că implică o sursă 
de alimentare de cel puţin 7 până la 10 V deoarece procesele de fabricare standard a circuitelor integrate produc o tensiune de străpungere 
minimă de circa 6 V pe cele mai puternic dopate joncţiuni (de obicei joncţiuni bază­emitor ale tranzistoarelor npn). Mai mult, joncţiunile pn 
care se stabilesc curenţii de polarizare. Cele mai convenabile tensiuni standard sunt tensiunile bază­emitor sau de prag ale unui tranzistor, 
tensiunea termică, sau tensiunea de străpungere a unei joncţiuni pn polarizată invers (o diodă Zener). Fiecare din aceste standarde poate fi 
folosită pentru a reduce sensibilitatea faţă de alimentare, dar dezavantajul primelor trei este că tensiunea de referinţă este destul de variabilă 
cu temperatura. Ambele tensiuni bază­emitor şi de prag au coeficienţi de variaţie cu temperatura negativi de mărime între 1 şi 2 mV/°C, iar 
tensiunea termică are un coeficient de variaţie cu temperatura pozitiv de k/q » 86 mV/°C. Dioda Zener are dezavantajul că implică o sursă 
de alimentare de cel puţin 7 până la 10 V deoarece procesele de fabricare standard a circuitelor integrate produc o tensiune de străpungere 
minimă de circa 6 V pe cele mai puternic dopate joncţiuni (de obicei joncţiuni bază­emitor ale tranzistoarelor npn). Mai mult, joncţiunile pn 
determină o mare cantitate de tensiune de zgomot în condiţiile străpungerii inverse într­un circuit de polarizare de referinţă. Zgomotul în 
străpungerea prin avalanşă este analizat mai încolo în capitolul 11.  
 Acum vom analiza circuitele de polarizare de referinţă bazate pe tensiunea bază­emitor sau grilă­sursă. Circuitul în tehnologie 
bipolară în forma cea mai simplă este arătat în Fig. 4.36a. Acest circuit este similar cu o oglindă de curent Wilson în care tranzistorul 
conectat ca diodă este înlocuit de un rezistor. Pentru a asigura curgerea curentului prin T 1, tranzistorul T 2 trebuie să alimenteze rezistorul 
R2 cu un curent astfel încât tensiunea bază emitor a lui T 1 să fie    
 
                                                                                     (4.220)
Dacă neglijăm curenţii din baze, I OUT este egal curentului prin R 2. Cum tensiunea pe R 2 este V BE1, curentul de ieşire este proporţional cu 
această tensiune bază­emitor. Astfel, neglijând curenţii de bază, avem 
 
                                                                         (4.221)
Diferenţiind (4.221) şi înlocuind în (4.209) ne dă 
 
                                                            (4.222)
Dacă VCC  >> 2V BE(on), I IN » VCC /R1 şi sensibilitatea lui I IN faţă de V CC  este aproximativ unitară. 
Cu V BE(on) = 0,7 V,  
 
                                                                         (4.223)
Astfel, în acest caz, o modificare cu 10 procente a tensiunii de alimentare determină o modificare cu 0,37 procente a lui I OUT. Rezultatul e 
semnificativ mai bun decât în cazul unei surse de curent Widlar.  
  Echivalentul MOS al referinţei bază­emitor este dat în Fig. 4.31b. Aici  
 

                                               (4.224)
De prim interes este cazul în care tensiunea grilă­sursă efectivă a lui T 1 este mică în comparaţie cu tensiunea de prag. Acest caz poate fi 
întâlnit în practică alegând un curent de intrare suficient de mic şi un raport mare (W/L) 1. În acest caz, curentul de ieşire este determinat 
în principal de tensiunea de prag şi R 2. De aceea, acest circuit este cunoscut sub denumirea de circuit de polarizare de referinţă tensiune 
de prag. Diferenţiind (4.224) în funcţie de V DD şi înlocuind în (4.209) ne dă 
 
                                                            (4.225)
De exemplu, dacă Vt = 1 V, V ov1 = 0,1 V, şi   
 
                                                                            (4.226)
    Aceste circuite nu sunt complet independente de alimentare deoarece tensiunile bază­emitor sau grilă­sursă ale lui T1 se modifică uşor 
cu tensiunea de alimentare. Această modificare apare deoarece curentul din colectorul sau din drena lui T 1 este aproximativ proporţional 
cu tensiunea sursei de alimentare. Sensibilitatea faţă de alimentare rezultată este des o problemă în circuite de polarizare al căror curent de 
polarizare este primit dintr­un rezistor conectat la un terminal al sursei de alimentare, deoarece această configuraţie determină curenţii 
dintr­o porţiune de circuit să se modifice odată cu tensiunea sursei de alimentare.  
  
4.2.3 Auto­polarizarea  
  
Sensibilitatea faţă de sursa de alimentare poate fi puternic redusă prin folosirea aşa numitei tehnici de polarizare cu reacţie, numită 
şi auto­polarizare. În loc să producă curentul de intrare printr­o rezistenţă legată la sursă, curentul de intrare este făcut să dependent de 
direct de propriul curent de ieşire al sursei. Principiul este ilustrat în diagrama bloc din Fig. 4.37a. Presupunând că bucla de reacţie 
formată de această conexiune are un punct stabil de funcţionare, curenţii care circulă în acest circuit sunt mult mai independenţi de sursa 
de alimentare decât cei din cazul polarizării rezistive. Cele două variabile cheie în acest caz sunt curentul de intrare, I IN, şi curentul de 
ieşire, I OUT. Relaţia de legătură între aceste variabile este determinată împreună de sursa de curent şi oglinda de curent. Din punctul de 
vedere al sursei de curent, curentul de ieşire este aproape independent de curentul de intrare pentru un interval larg de curenţi de intrare, 
aşa cum se arată în Fig.4.37b. Din punctul de vedere al oglinzii de curent, I IN este fixat egal cu I OUT, presupunând că câştigul oglinzii de 
curent este unitar. Punctul de funcţionare al circuitului trebuie să satisfacă ambele constrângeri deci este la intersecţia a două caracteristici. 
În graficul din Fig.4.37b, se văd două puncte de intersecţie a acestor caracteristici. Punctul A este punctul de funcţionare dorit, şi punctul 
B este un punct de funcţionare nedorit deoarece I OUT = I IN = 0.  
    Dacă  curentul de ieşire din Fig. 4.37a creşte din orice motiv, oglinda de curent creşte curentul de intrare cu aceeaşi cantitate 
deoarece câştigul oglinzii de curent este presupus unitar. Ca rezultat, sursa de curent măreşte curentul de ieşire cu o cantitate care depinde 
de câştigul sursei de curent. Astfel bucla răspunde la o modificare iniţială a curentului de ieşire în sensul măririi modificării iniţiale. Cu alte 
cuvine, conectarea unei surse de curent şi a unei oglinzi de curent ca în Fig. 4.37a formează o buclă de reacţie pozitivă, şi câştigul pe 
În graficul din Fig.4.37b, se văd două puncte de intersecţie a acestor caracteristici. Punctul A este punctul de funcţionare dorit, şi punctul 
B este un punct de funcţionare nedorit deoarece I OUT = I IN = 0.  
    Dacă  curentul de ieşire din Fig. 4.37a creşte din orice motiv, oglinda de curent creşte curentul de intrare cu aceeaşi cantitate 
deoarece câştigul oglinzii de curent este presupus unitar. Ca rezultat, sursa de curent măreşte curentul de ieşire cu o cantitate care depinde 
de câştigul sursei de curent. Astfel bucla răspunde la o modificare iniţială a curentului de ieşire în sensul măririi modificării iniţiale. Cu alte 
cuvine, conectarea unei surse de curent şi a unei oglinzi de curent ca în Fig. 4.37a formează o buclă de reacţie pozitivă, şi câştigul pe 
buclă  este câştigul sursei de curent. În capitolul 9, vom arăta că circuitele cu reacţie pozitivă sunt stabile dacă câştigul pe buclă este 
subunitar. În punctul A, câştigul pe buclă este cât se poate de mic deoarece curentul de ieşire al sursei de curent este independent de 
modificările curentului de intrare în jurul punctului A. Pe de altă  parte, în punctul B, câştigul pe bucla de reacţie este făcut în mod 
deliberat mai supraunitar astfel încât cele două caracteristici din Fig. 4.37b se intersectează într­un punct departe de origine. Drept urmare, 
această analiză simplistă arată că punctul B  este un punct de funcţionare instabil în principiu, şi circuitul ar tinde ideal să se îndepărteze 
de această situaţie. 
    În practică, totuşi, punctul B este un punct de funcţionare stabil datorită curenţilor din tranzistoare care în acest punct sunt foarte 
mici, deseori de ordinul picoamperilor. La nivele de curent aşa mici, curenţii de scurgere şi alte efecte reduc câştigul de curent al 
tranzistoarelor atât bipolare cât şi MOS, de obicei determinând un câştig pe buclă subunitar. Ca rezultat, circuitele reale de acest tip nu 
pot de obicei să se desprindă de acest punct de curent zero. Aşa că, dacă nu se iau măsuri de precauţie, circuitul ar putea să funcţioneze 
în condiţia de curent zero. Din acest motiv, circuitele auto­polarizate de multe ori au o stare stabilă în care circulă curenţi nuli în circuit 
chiar dacă tensiunea sursei de alimentare este nenulă. Această situaţie este analogică cu un motor cu aprindere care nu merge chiar dacă 
are rezervorul plin cu combustibil. Un mecanism electric sau mecanic este necesar pentru a porni motorul. Similar, un circuit de startare 
este necesar pentru a preveni rămânerea circuitului auto­polarizat în starea de curenţi nuli. 
 Aplicaţia acestei tehnici la sursa de curent cu referinţă VBE este ilustrată în Fig. 4.38a, iar varianta cu referinţă tensiune de prag 
MOS în Fig. 4.38b. Presupunem pentru simplificare că VA ® ¥. Circuitul format din T 1, T 2 şi R determină curentul I OUT să depindă 
slab de I IN, după cum indică (4.221) şi (4.224). În al doilea rând oglinda de curent compusă din tranzistoarele identice T 4 şi T5 obligă IIN 
să  fie egal cu I OUT. Punctul de funcţionare al circuitului trebuie să satisfacă ambele constrângeri şi deci este la intersecţia celor două 
caracteristici ca în Fig. 4.37b. Cu excepţia efectelor valorilor finite ale rezistenţelor de ieşire a tranzistoarelor curenţii de polarizare sunt 
independenţi de sursa de alimentare. Dacă se cere rezistenţa de ieşire a sursei şi oglinzii de curent poate fi crescută utilizând cascode 
Wilson în circuite. Curenţii de polarizare de fapt pentru alte circuite sunt daţi de T 6 şi/sau T 3, care sunt identici cu T 5 şi respectiv T 1. 
 Starea de curenţi nuli poate fi evitată   folosind un circuit de startare   pentru a asigura întotdeauna circulă  un curent prin 
tranzistoare în referinţă, astfel încât câştigul pe buclă în punctul B din Fig.4.37b să nu scadă sub unu. O altă cerinţă este ca circuitul de 
startare să nu intervină în funcţionarea normală a circuitului de referinţă de îndată ce a fost atins punctul de funcţionare dorit. Sursa de 
curent cu referinţă VBE cu un circuit tipic de startare folosit în tehnologia bipolară este prezentată în Fig. 4.39a. Mai întâi presupunem că 
circuitul se află în starea nedorită de curenţi nuli. Dacă acest lucru ar fi fost adevărat tensiunea bază­emitor a lui T 1 ar fi zero. Tensiunea 
bază­emitor a lui T 2 ar fi de zeci de milivolţi deasupra masei, determinată de curenţii de scurgere din circuit. Oricum, tensiunea pe anodul 
diodei D 1 este de patru căderi de tensiune pe o diodă deasupra masei, astfel încât o tensiune de cel puţin trei tensiuni pe diodă ar apărea 
pe R x, şi un curent ar curge prin R x în cuplajul T 1­T2. Acest fapt ar determina o curgere de curent prin T 4 şi T5, evitând starea de curenţi 
nuli. 
 Circuitul de polarizare de referinţă se duce singur atunci spre punctul de funcţionare dorit, şi dorim ca circuitul de startare să nu 
afecteze valorile curenţilor din starea permanentă. Acest lucru se poate face punând R x destul de mare astfel încât atunci când curentul 
normal de funcţionare prin T 1 este atins căderea de tensiune pe R x s ă  polarizeze invers dioda D 1.  În stare normală  de funcţionare 
tensiunea colector­emitor a lui T 1 este de două tensiuni pe diodă peste masă, şi tensiunea pe anodul diodei D1 este de patru tensiuni pe 
diodă peste masă. Astfel dacă facem I INRx egal cu două tensiuni pe diodă, D1 va avea tensiune nulă la borne în starea de funcţionare 
normală.  Ca rezultat, circuitul de startare format din R S, D 2­D5,  şi D 1 este, de fapt, deconectat din circuit pentru starea normală de 
funcţionare. 
 Diodele independente nu sunt de obicei disponibile în tehnologiile MOS. Sursa de curent cu referinţă tensiunea de prag cu circuit 
tipic de startare folosit în tehnologia MOIS este prezentată în Fig. 4.39b. Dacă circuitul se află în starea nedorită de curenţi nuli tensiunea 
grilă­sursă  a lui T 1 ar fi mai mică decât o tensiune de prag. Drept urmare T 7 e  închis şi T 8 funcţionează în regim de triodă, ridicând 
tensiunea grilă­sursă a lui T 9 până la V DD. Astfel T 9 este deschis şi micşorează nivelul de tensiune pe grilele tranzistoarelor T 4  şi T 5, 
evitând starea de curent zero.  
  În stare normală de funcţionare tensiunea grilă­sursă a lui T 7 se ridică până la IOUTR, care închide T 7 şi reduce tensiunea grilă­
sursă a lui T 9. Cu alte cuvinte, T 7 şi T 8 formează un inversor CMOS a cărui ieşire cade în zero când circuitul de referinţă se deschide. 
Cum circuitul de startare nu trebuie să influenţeze funcţionarea referinţei în starea stabilă, ieşirea inversorului ar trebui să scadă destul 
pentru a închide T 9 în starea stabilă de funcţionare. DE aceea, tensiunea grilă­sursă a lui T9 trebuie să scadă sub o tensiune de prag atunci 
când intrarea inversorului creşte de la zero la I OUTR. În practică, această cerinţă e satisfăcută prin alegerea unui raport de dimensionare 
pentru T 7 mult mai mare decât al lui T8. 
 Un alt aspect important pentru performanţa circuitelor de polarizare este dependenţa lor de temperatură. Această variaţie este 
exprimată cel mai convenabil prin expresia modificării fracţionare a curentului de ieşire pe grad centigrad modificare a temperaturii, care o 
numim coeficient fracţionar de variaţie cu temperatură TC F: 
 
                                                                                (4.227)
Pentru circuitul cu referinţă VBE din Fig. 4.38a.  
 
                                                                                          (4.228)
 
                                                                   (4.229)
                                                                                (4.227)
Pentru circuitul cu referinţă VBE din Fig. 4.38a.  
 
                                                                                          (4.228)
 
                                                                   (4.229)
 
                                                                   (4.230)
De aceea,  
 
                                                   (4.231)
Astfel dependenţa de temperatură a curentului de ieşire este legată de diferenţa dintre coeficienţii de variaţie cu temperatura ai rezistorului 
şi joncţiunii bază­emitor. Cum primul are un coeficient pozitiv şi al doilea unul negativ, TC F net este destul de mare.  
  
  
EXAMPLU 
  
Proiectaţi o polarizare de referinţă ca în Fig. 4.38a care să furnizeze un curent d ieşire de 100 mA. Găsiţi TC F. Se consideră că pentru T 1, 
­14  
IS = 10  A. Consideraţi că ¶VBE/¶T = ­2mV/°C şi că (1/R)( ¶R/¶T) = +1500 ppm/°C.
    Curentul prin T 1 va fi egal cu I OUT, aşa că 
 
                                         
Astfel din (4.228),  
 
                                               
Din (4.231), 
 
                         
şi astfel 
                                     
­6  
Termenul ppm este o prescurtare pentru părţi pe milion şi presupune un multiplicator de 10 .
    Pentru circuitul cu referinţă tensiunea de prag din Fig. 4.38b,  
 
                                                                                  (4.232)
Diferenţiind (4.232) şi înlocuind în (4.227) ne dă 
 
                                                        (4.233)
Cum tensiunea de prag a unui tranzistor MOS şi tensiunea bază­emitor a unui tranzistor bipolar amândouă se modifică cu aproximativ –2 
mV/, (4.233) şi (4.231) arată  că  dependenţa de temperatură  a sursei de curent cu referinţă tensiunea de prag din Fig. 4.38b este 
aproximativ aceeaşi cu a sursei de curent cu referinţă tensiunea VBE din Fig. 4.38a.  
    Circuite de polarizare cu referinţă VBE sunt de asemenea folosite şi în tehnologie CMOS. Un exemplu este arătat în Fig. 4.40, unde 
tranzistorul pnp este componenta parazită inerentă în tehnologiile CMOS cu substrat p. Un circuit echivalent folosind tranzistoare npn 
poate fi folosit în tehnologiile CMOS cu substrat n. Circuitul de reacţie format din M 2, M3, M4 şi M5 forţează curentul din tranzistorul Q 1 
să fie egal cu cel din rezistorul R. Presupunând  componente identice, V GS2 = V GS3 şi astfel 
 
                                                                                          (4.234)
    O alternativă pentru tensiunea de referinţă este tensiunea termică VT. Se poate demonstra că diferenţa potenţialelor a două joncţiuni care 
funcţionează  la densităţi de curent diferite este proporţională  cu V T. Această  diferenţă de tensiuni trebuie transformată într­un curent 
pentru a oferi curentul de polarizare. Pentru sursa Widlar arătată în Fig. 4.31a, (4.190) indică o tensiune pe R 2 
 
                                                                        (4.235)
Astfel dacă raportul dintre curentul de intrare şi curentul de ieşire este menţinut constant, tensiunea pe R 2 este într­adevăr proporţională 
cu V T. Acest lucru este folosit în circuitul auto­polarizat din Fig. 4.41. Aici Q 3  şi  Q4 sunt alese să  aibă  arii egale. De aceea, dacă 
presupunem că b F ® ¥ şi            VA ® ¥, oglinda de curent formată din Q 3 şi Q4 forţează curentul de colector al lui Q 1 să­l egaleze pe 
cel al lui Q 2. Figura 4.41 arată de asemenea că Q2 are două emitoare iar Q 1 are un emitor, ceea ce indică faptul că aria emitorului lui Q2 
este dublă faţă de cea a lui Q 1 în acest exemplu. Această alegere este făcută pentru a forţa câştigul pe bucla de reacţie pozitivă în punctul 
B din Fig. 4.37b să fie supraunitară astfel încât punctul B este un punct de funcţionare instabil şi un punct de funcţionare stabil nenul este 
în punctul A. Ca şi în alte circuite auto­polarizate, în practică este necesar un circuit de startare pentru a asigura curgerea unui curent 
suficient pentru a forţa funcţionarea în punctul A din Fig. 4.37b. În aceste condiţii, IS2 = 2I S1 şi tensiunea pe R 2 este  
 
                                                             (4.236)
 1
B din Fig. 4.37b să fie supraunitară astfel încât punctul B este un punct de funcţionare instabil şi un punct de funcţionare stabil nenul este 
în punctul A. Ca şi în alte circuite auto­polarizate, în practică este necesar un circuit de startare pentru a asigura curgerea unui curent 
suficient pentru a forţa funcţionarea în punctul A din Fig. 4.37b. În aceste condiţii, IS2 = 2I S1 şi tensiunea pe R 2 este  
 
                                                             (4.236)
Astfel curentul de ieşire este  
 
                                                                                      (4.237)
    Variaţia cu temperatura a curentului de ieşire poate fi calculată după cum urmează. Din (4.237) 
 

                                                                 
 
                                                                (4.238)
Înlocuind (4.237) în (4.238) ne dă 
 
                                                    (4.239)
Acest circuit are un coeficient de variaţie cu temperatura mult mai mic decât cel cu referinţă VBE datorită sensibilităţilor fracţionare ale 
ambelor V T  şi a rezistorului difuzat R 2 sunt pozitive şi tind să  se anuleze în (4.239). Am ales ca exemplu un raport între ariile 
tranzistoarelor de doi la unu. În practică acest raport este adeseori ales să minimizeze aria totală necesară pentru tranzistoare şi pentru 
rezistorul R 2. 
  
  
EXEMPLU  
Proiectaţi o referinţă de polarizare ca cea din Fig. 4.41 care să  furnizeze un curent de ieşire de 100 mA. Aflaţi TC F­ul lui I OUT. Se 
consideră coeficientul de temperatură al rezistorului (1/R)( ¶R/¶T) = +1500 ppm/°C.  
    Din (4.237) 
          
 
                                      
Din (4.239) 
 
                         
 
                                          
Presupunând că funcţionarea se face la temperatura camerei, T = 300°K şi 
 
                         
     Circuitele de polarizare cu referinţă VT sunt în mod obişnuit folosite şi în tehnologie CMOS. Un exemplu simplu este arătat în Fig. 
4.42, unde tranzistoarele bipolare Q 1 şi Q 2 sunt componente parazite  inerente în tehnologiile CMOS cu substrat p. Aici ariile emitoarelor 
celor două tranzistoare diferă cu un factor n, iar bucla de reacţie le forţează să funcţioneze la acelaşi curent de polarizare. Drept urmare 
diferenţa dintre tensiunile bază­emitor trebuie să apară pe rezistorul R. Curentul rezultat este  
 
                                                                                     (4.240)
    În circuitul din Fig. 4.42, micile diferenţe dintre tensiunile grilă­sursă ale lui M3 şi M4 determină o variaţie puternică a curentului de ieşire 
deoarece căderea de tensiune pe R este doar de ordinul a 100 mV. Asemenea diferenţe de tensiuni grilă­sursă pot rezulta din diferenţele 
componentelor sau din modulaţia pe lungimea canalului în M 3  şi M 4 deoarece tensiuni drenă­sursă diferite. Implementarea practică a 
acestui circuit utilizează  de obicei componente cu geometrie mare pentru M 3  şi M 4 pentru a minimiza offset­urile şi surse de curent 
cascodă  sau Wilson pentru a minimiza modulaţia pe lungimea canalului. Un exemplu tipic de circuit practic este dat în Fig. 4.43. În 
general cascodarea este des folosită pentru a îmbunătăţi performanţa circuitelor de referinţă în toate tehnologiile. Limitarea principală a 
utilizării cascodării este că ea creşte tensiunea de alimentare minimă necesară pentru funcţionarea tuturor tranzistoarelor în regiunea activă. 
  
4.3 Polarizare insensibilă la temperatură 
  
Cum s­a arătat în exemplele din paragraful 4.4.2, circuitele cu referinţă tensiunea bază­emitor sau tensiunea termică au coeficienţi 
de temperatură  ai curentului de ieşire mai degrabă mari. Deşi sensibilitatea faţă de temperatură este redusă considerabil în circuitul cu 
tensiune termică,  chiar şi coeficientul lui de temperatură  nu este destul de mic pentru multe aplicaţii. Astfel suntem determinaţi să 
examinăm alte posibilităţi de realizare a unui circuit de polarizare cu coeficient de temperatură scăzut. 
  
4.3.1 Circuite de polarizare cu referinţă tensiunea de barieră în tehnologie bipolară. 
  
Cum sursele de polarizare cu referinţă VBE(on)  şi V T au TC F de sensuri opuse, există posibilitatea de referinţă a curentului de 
ieşire faţă de o tensiune compusă care este o combinaţie liniară a V BE(on) şi VT. Prin coeficientizare  corespunzătoare, un coeficient de 
temperatură nul ar trebui să fie accesibil . 
  
4.3.1 Circuite de polarizare cu referinţă tensiunea de barieră în tehnologie bipolară. 
  
Cum sursele de polarizare cu referinţă VBE(on)  şi V T au TC F de sensuri opuse, există posibilitatea de referinţă a curentului de 
ieşire faţă de o tensiune compusă care este o combinaţie liniară a V BE(on) şi VT. Prin coeficientizare  corespunzătoare, un coeficient de 
temperatură nul ar trebui să fie accesibil . 
    În sursele de polarizare de scrise până acum ne­am concentrat asupra problemei obţinerii unui curent cu coeficient de temperatură 
scăzut. În practică apar des cerinţe pentru polarizare cu tensiune cu coeficient de temperatură redus sau tensiuni de referinţă. Tensiunea de 
referinţă pentru regulator de tensiune este un bun exemplu. Proiectarea acestor două tipuri de circuite este asemănătoare, cu excepţia că în 
cazul sursei de curent, un coeficient de temperatură  trebuie să  fie introdus intenţionat în referinţa cu tensiune pentru a compensa 
coeficientul de temperatură   al rezistorului care va determina curentul. În descrierea următoare a referinţei cu tensiune de barieră, 
presupunem pentru simplificare că obiectivul este o sursă de tensiune cu un coeficient de temperatură scăzut.   
    Întâi considerăm circuitul ipotetic din Fig. 4.44. Tensiune de ieşire este egală cu V BE(on) plus de M ori V T, unde M este o constantă. 
Neglijând curenţii de bază, 
 
                                                                                   (4.241)
Cum s­a arătat în Capitolul 1, curentul de saturaţie IS poate fi asociată de structura componentei prin  
 
                                                          (4.242)
unde n i este concentraţia purtătorilor minoritari intrinseci, Q B este doparea totală  a bazei pe unitate de arie,  este valoarea medie a 
mobilităţii electronilor în bază, A este aria joncţiunii bază­emitor, iar T este temperatura. Aici constantele B şi B´ implică doar cantităţi 
independente de temperatură. Relaţia lui Einstein m n = (q/kT)D n s­a folosit pentru a scrie I S în funcţie de  şi  . Cantităţile dependente 
15 
de temperatură din (4.242) sunt date de
                                                                                           (4.243) 
 
                                                                           (4.244)
unde V G0 este tensiunea de barieră a siliciului extrapolată la 0°K. Aici din nou C şi D sunt cantităţi independente de temperatură şi a căror 
valori exacte nu au importanţă în analiză.  Exponentul n din expresia mobilităţii electronilor din bază   este dependent de nivelul de 
dopare din bază. Combinând (4.241), (4.242), (4.243), (4.244) rezultă 
 

                                                                  (4.245)
unde E este o altă constantă independentă de temperatură şi 
                                                                                              (4.246) 
În circuitele reale , curentul I 1 nu este constant ci variază cu temperatura. Presupunem pentru moment că această variaţie cu temperatura 
este cunoscută şi că poate fi scrisă sub forma  
                                                                                             (4.247) 
unde G este o altă constantă independentă de temperatură. Combinând (4.245) şi (4.247) ne dă 
                                                    (4.248) 
Din Fig. 4.44, tensiunea de ieşire este  
                                                                             (4.249) 
Înlocuirea  (4.248) în (4.249) ne dă   
                                            (4.250) 
Această  expresie dă  tensiunea de ieşire ca o funcţie de temperatură în termeni daţi de parametrii circuitului G, a, şi M, şi parametrii 
componentei E şi g. Obiectivul nostru este să facem V OUT independentă d temperatură. Deocamdată, luăm derivata lui V OUT în funcţie 
de temperatură pentru a afla valorile necesare pentru G, g, şi M pentru un CT F nul. Diferenţiind (4.250) ne dă 
 
                (4.251)
unde T 0 este temperatura la care TC F­ul ieşirii este zero iar V T0 este tensiunea termică evaluată la T 0. Ecuaţia 4.251 poate fi rearanjată 
pentru a da   
                                                       (4.252) 
Această ecuaţie dă valorile necesare pentru parametrii de circuit M, a, şi G în termenii parametrilor de circuit E şi g. În principiu aceste 
valori ar putea fi calculate direct din (4.252). Oricum, următoarea descriere este ajunsă înlocuind înapoi (4.252) în (4.250). Rezultatul este   
 
                                                            (4.253)
Astfel dependenţa de temperatură a tensiunii de ieşire este descrisă în totalitate de parametrul unic T 0, care în schimb este determinat de 
constantele M, E şi G.  
    Folosind (4.253), tensiunea de ieşire a temperatura cu TC F nul (T = T 0) este dată de 
 
                                                              (4.254)
De exemplu, pentru a obţine TC F nul la 27°C, presupunând că g = 3,2 şi       a = 1,  
 
                                                              (4.255)
constantele M, E şi G.  
    Folosind (4.253), tensiunea de ieşire a temperatura cu TC F nul (T = T 0) este dată de 
 
                                                              (4.254)
De exemplu, pentru a obţine TC F nul la 27°C, presupunând că g = 3,2 şi       a = 1,  
 
                                                              (4.255)
Tensiunea de barieră a siliciului este VG0 = 1,205 V astfel încât 
 
                                (4.256)
Prin urmare, tensiunea de ieşire pentru coeficient de temperatură  nul este aproape de tensiunea de barieră a siliciului, ceea ce explică 
denumirea dată acestor circuite de polarizare.  
    Diferenţiind (4.253) în funcţie de temperatură dă 
 
                             
 
                                                                                (4.257)
Ecuaţia 4.257 dă panta ieşirii în funcţie de temperatură. O familie tipică de caracteristici a variaţiei tensiunii de ieşire este arătată în Fig. 
4.45 pentru diferite valori ale T 0 pentru cazul special în care a = 0 şi I1 este independent de temperatură. Panta fiecărei curbe este zero la 
T = T 0. C ând T < T 0, panta este pozitivă deoarece argumentul logaritmului din (4.257) este supraunitar. Similar, panta este negativă 
pentru T > T 0. Pentru valori T apropiate de T 0, 
 
                                                                (4.258)
şi avem 
 
                                                                   (4.259)
    Cum arată (4.257) şi (4.259), coeficientul de temperatură al ieşirii este zero doar la temperatura T = T 0. Acest rezultat provine dintr­o 
combinaţie liniară  a unei tensiuni termice cu o tensiune bază­emitor cum se arată în Fig. 4.44. Cum coeficientul de variaţie al tensiunii 
bază­emitor cu temperatura nu este chiar constant, câştigul M poate fi ales să seteze coeficientul de temperatură al ieşirii la zero doar la o 
singură temperatură. Altfel spus generatorul de tensiune termică este folosit pentru a anula dependenţa liniară a tensiunii bază­emitor faţă 
de temperatură. După această anulare, ieşirile schimbătoare din Fig. 4.45 provin din dependenţa neliniară a tensiunii bază­emitor faţă de 
temperatură. Referinţele cu tensiune de barieră care compensează aceste neliniarităţi se numesc a fi cu compensare a curbării. 
  
  
EXEMPLU  
  
O referinţă cu tensiune de barieră  este proiectată  să  dea tensiune de ieşire nominală  de 1,262 V, care dă  TC F nul la 27°C. Datorită 
variaţiilor componente, tensiunea reală la temperatura camerei este 1,280 V. Găsiţi temperatura reală la care TC F­ul lui VOUT este nul. De 
asemenea scrieţi o ecuaţie pentru V OUT ca funcţie de temperatură şi calculaţi TC F­ul la temperatura camerei. Consideraţi g = 3,2 şi a = 1.   
    Din (4.235) la T = 27°C = 300°K 
 
                             
şi astfel   
 
                                    
Pentru asta, TC F­ul va fi nul la T0 = 441°K = 138°C, şi putem exprima VOUT ca  
 
                                 
Din (4.259) cu T = 300°K şi T0 = 411°K, 
 
                  
Astfel, Tc F­ul la temperatura camerei este  
 
                            
     
Pentru a reduce TC F­ul constanta M în (4.249)­(4.252) este adeseori reglată la o anumită temperatură astfel încât ieşirea este 
19
setată la o tensiune fixată dorită.  În principiu, tensiunea fixată este dată de (4.253). În practică, oricum, inexactitate din (4.253) provine 
20
dintr­o aproximare din (4.244).  Drept urmare, tensiunea fixată este determinată de obicei determinată experimental prin măsurarea lui 
TC F la temperatura de referinţă la un nivel de aproximativ 10 ppm/ °C.  
    Un parametru cheie de interes în surse de referinţă este variaţia ieşirii care este întâlnită pe întreg intervalul de temperaturi. Cum TC F 
exprimă   sensibilitatea faţă  de temperatură   doar la o anumită   temperatură,   un parametru diferit trebuie folosit pentru a caracteriza 
comportarea circuitului într­un interval larg de temperaturi. Un coeficient de temperatură  efectiv poate fi definit pentru o referinţă de 
tensiune ca  
 
TC F la temperatura de referinţă la un nivel de aproximativ 10 ppm/  C.
    Un parametru cheie de interes în surse de referinţă este variaţia ieşirii care este întâlnită pe întreg intervalul de temperaturi. Cum TC F 
exprimă   sensibilitatea faţă  de temperatură   doar la o anumită   temperatură,   un parametru diferit trebuie folosit pentru a caracteriza 
comportarea circuitului într­un interval larg de temperaturi. Un coeficient de temperatură  efectiv poate fi definit pentru o referinţă de 
tensiune ca  
 
                                                                 (4.260)
unde VMAX şi VMIN sunt cea mai mare şi cea mai mică tensiune de ieşire găsită pe intervalul de temperaturi, iar TMAX­TMIN reprezintă 
excursia de temperatură. VOUT este tensiunea de ieşire nominală. Conform acestui standard, TCF(eff) pe intervalul de la ­55 la 125°C 
pentru cazul (b) din Fig. 4.45 este 44 ppm/°C. Dacă   intervalul de temperatură  este restrâns de la 0 p ână  la 70°C, TCF(eff) se 
îmbunătăţeşte   la 17 ppm/°C. Astfel pe un interval restrâns de temperaturi, această  referinţă este comparabilă  cu elementul galvanic 
standard în stabilitatea faţă de temperatură  odată  ce temperatura cu TCF nul a fost setată  la temperatura camerei. Celulele galvanice 
standard saturate (baterii de precizie) au un TCF de aproximativ ±30 ppm/°C.  
     Realizarea practică a referinţelor cu tensiune de barieră iau câteva forme diferite în tehnologiile bipolare.15,19,23 Un astfel de circuit 
este desenat în  Fig. 4.46a.15 Acest circuit foloseşte o buclă de reacţie pentru a stabili un punct de funcţionare al circuitului astfel încât 
tensiunea de ieşire este egală cu un VBE(on) plus o tensiune proporţională cu diferenţa dintre două tensiuni bază­emitor. Funcţionarea 
buclei de reacţie este mai cel mai bine înţeleasă  prin referinţă la Fig. 4.46b, în care este arătată doar o parte din circuit. Vom lua în 
considerare mai  întâi variaţia tensiunii de ieşire V2 la creşterea din zero a tensiunii de intrare V1. Iniţial, cu V1 = 0, componentele Q1 şi 
Q2 nu conduc şi V2 = 0. Odată  cu creşterea lui V1 Q1 şi Q2 nu conduc curenţi semnificativi până când tensiunea de intrare atinge 
aproximativ 0,6 V. Când V1 < 0,6 V, V2 = V1 deoarece căderea de tensiune pe R2 este zero. Când V1 depăşeşte 0,6 V, oricum, Q1 
începe să conducă curent, corespunzând punctului (1) din Fig. 4.46b. Amplitudinea curentului prin Q1 este aproximativ egal cu (V1 ­ 0,6 
V)/R1. Pentru valori mici ale acestui curent Q1 şi Q2 conduc acelaşi curent deoarece tensiunea pe R3 este neglijabilă la curenţi mici.  Cum 
R2 este mult mai mare decât R1 c ăderea de tensiune pe R2 este mult mai mare decât (V1 ­  0,6 V) şi tranzistorul Q2 se saturează 
corespunzător punctului (2) din Fig. 4.46b. Datorită prezenţei lui R3 curentul de colector care ar curge prin Q2 dacă ar fi fost în regim 
activ normal are o dependenţă aproximativ logaritmică de V1, exact ca la sursa Widlar. Astfel odată cu creşterea în continuare a tensiunii 
V1 este atins un punct în care Q2                    iese din saturaţie deoarece V1 creşte mai rapid decât tensiunea pe R2. Acest punct este 
notat cu (3) în Fig. 4.46b.  
    Acum considerăm circuitul complet din Fig. 4.46a. Dacă tranzistorul Q3 este iniţial închis, tranzistorul Q4 va modifica V1 în sens 
pozitiv. Acest proces va continua până când se dezvoltă o tensiune destul de mare în baza lui Q3 pentru a produce un curent prin Q3 
aproximativ egal cu I. Astfel circuitul se stabilizează cu tensiunea V2 egală cu o tensiune de deschidere a diodei, tensiunea bază­emitor a 
lui Q3, ceea ce se poate întâmpla în punctul (1) sau punctul (4) din Fig. 4.46b. Este necesară introducerea unui circuit specific de startare 
pentru a asigura funcţionarea în punctul (4).  
    Presupunând că circuitul a atins un punct static de funcţionare în punctul (4), tensiunea de ieşire VOUT este suma dintre tensiunea 
bază­emitor a lui Q3 şi căderea de tensiune pe R2. Tensiunea pe R2 este egală  cu tensiunea pe R3 multiplicată cu R2/R3 deoarece 
curentul de colector al lui Q2 este aproximativ egal curentului său de emitor. Căderea de tensiune pe R3 este egală cu diferenţa dintre 
tensiunile bază­emitor ale lui Q1 şi Q2. Raportul curenţilor prin Q1 şi Q2 este fixat de raportul dintre R2 şi R1.  
    Un inconvenient al acestei referinţe este că  curentul I este fixat de tensiunea de alimentare şi ar putea varia cu variaţiile sursei de 
alimentare. Un circuit referinţă auto­polarizat cu tensiune de barieră este ilustrat în Fig. 4.46c. Presupunem că acest circuit are un punct 
static de funcţionare şi că amplificatorul operaţional este ideal. Atunci tensiunea diferenţială de intrare a amplificatorului operaţional este 
zero şi căderile de tensiune pe R1 şi R2 sunt egale. Astfel raportul dintre R2 şi R1 determină raportul dintre I1 şi I2. Aceşti doi curenţi 
sunt curenţii de colector a celor două  tranzistoare conectate ca diode Q1 şi Q2, presupunând curenţii de bază  ca fiind neglijabili. 
Tensiunea pe R3 este  
 
                               (4.261)
Cum acelaşi curent care trece prin R3 trece şi prin R2, tensiunea pe R2 trebuie să fie 
 
                                                    (4.262)
Această  ecuaţie arată  că  tensiunea pe R2 este proporţională  cu temperatura absolută  (PTAT) datorită  dependenţei de temperatură  a 
tensiunii termice. Cum amplificatorul operaţional forţează tensiunile pe R1 şi R2 să fie egale, curenţii I1 şi I2 sunt ambii proporţionali cu 
temperatura dacă rezistoarele au coeficient de temperatură nul. Astfel pentru această referinţă a = 1 în  
(4.247). Tensiunea de ieşire este suma tensiunilor pe Q2, R3 şi R2: 
 
                             
 
                                              (4.263)
Circuitul se comportă astfel ca o referinţă cu tensiune de barieră, cu valoarea lui M fixată de rapoartele R2/R3, R2/R1 şi IS2/IS1 . 
  
4.3.2 Circuite de polarizare cu referinţă tensiunea de barieră în tehnologie CMOS  
  
Polarizarea cu referinţă tensiunea de barieră  poate fi implementată,  folosind componentele bipolare parazite inerente, şi în tehnologie 
CMOS. De exemplu în procesul cu well de tip n pot fi folosite tranzistoarele pnp din substrat pentru a înlocui tranzistoarele npn din Fig. 
4.46c, cum se arată în Fig. 4.47. Considerăm că amplificatorul operaţional CMOS are amplificare infinită dar tensiune de offset V OS  
nenulă. (Tensiunea de offset a unui amplificator operaţional este definită ca fiind tensiunea de intrare diferenţială necesară pentru a duce 
ieşirea în zero.) Datorită discrepanţelor dintre tensiunile de prag şi a transconductanţei în curent reduse a tranzistoarelor CMOS, offset­ul 
amplificatoarelor operaţionale în tehnologie CMOS este de obicei mai mare decât cel din tehnologie bipolară. Cu tensiunea de offset, 
tensiunea pe R 3 este  
                                                         (4.264) 
Tensiunile emitor­bază sunt folosite aici deoarece tensiunile bază­emitor ale tranzistoarelor pnp care funcţionează în regim activ normal 
nenulă. (Tensiunea de offset a unui amplificator operaţional este definită ca fiind tensiunea de intrare diferenţială necesară pentru a duce 
ieşirea în zero.) Datorită discrepanţelor dintre tensiunile de prag şi a transconductanţei în curent reduse a tranzistoarelor CMOS, offset­ul 
amplificatoarelor operaţionale în tehnologie CMOS este de obicei mai mare decât cel din tehnologie bipolară. Cu tensiunea de offset, 
tensiunea pe R 3 este  
                                                         (4.264) 
Tensiunile emitor­bază sunt folosite aici deoarece tensiunile bază­emitor ale tranzistoarelor pnp care funcţionează în regim activ normal 
sunt negative. Atunci tensiunea pe R 2 este  
 
                            (4.265)
18 
şi tensiunea de ieşire este
                                          
 
                                                                (4.266)
Cum diferenţa dintre tensiunile bază­emitor este proporţională cu tensiunea termică, comparând (4.266) cu V OS  = 0 cu (4.249) vedem că 
amplificarea M este aici proporţională cu (1 + R 2/R1). Rearanjând (4.266) ne dă 
 
                                                        (4.267)
unde offset­ul referită la ieşire este  
 
                                                                            (4.268)
Ecuaţiile 4.267 şi 4.268 arată că ieşirea conţine o tensiune de offset care este un factor de (1 + R 2/R1) ori mai mare decât tensiunea de 
offset referită la intrare. De aceea, aceeaşi amplificare aplicată deferenţei dintre tensiunile bază­emitor este aplicată şi tensiunii de offsset 
referită la intrare. 
    Presupunem că tensiunea de offset este independentă de temperatură. Pentru a seta TC F­ul ieşirii la zero, amplificarea trebuie să fie 
modificată   astfel încât coeficienţii de temperatură   ai termenilor V EB  şi  DVEB  s ă   se anuleze. Cum s­a presupus că  offset­ul este 
independent de temperatură această anulare apare când ieşirea este egală cu valoarea dorită fixată, unde offset­ul a fost presupus nul, plus 
offset­ul referit la ieşire. Dacă amplificarea este reglată la T = T 0 pentru a seta ieşirea la o tensiune dorită presupunând offset­ul nul (4.267) 
ne arată că amplificarea este prea mică dacă tensiunea de offset este pozitivă şi amplificarea e prea mare dacă tensiunea de offset este 
negativă. Cum amplificarea este aplicată termenului PTAT, panta ieşirii în funcţie de temperatură este negativă atunci când offset­ul este 
pozitiv şi amplificarea este prea mică. Pe de altă parte, această pantă este pozitivă atunci când offset­ul este negativ şi amplificarea este 
prea mare.  
    Vom calcula acum mărimea pantei ieşirii în funcţie de temperatură la T = T 0. Cu offset nul şi o tensiune dorită care presupune offset 
nul, reglarea lui R 2 şi/sau R 3 pentru a seta ieşirea în (4.267) la tensiunea dorită forţează panta termenului DVEB să anuleze panta termenului 
VEB. Cu offset nenul dar aceeaşi tensiune dorită la ieşire factorul (1 + R 2/R3) diferă după reglare de valoarea sa ideală cu –VOS(out) / 
DVEB. Cum această eroare este multiplicată cu DVEB în (2.267), panta ieşirii în funcţie de temperatură rezultată este  
 
                                                              (4.269)
Cum DVEB este proporţională cu tensiunea termică VT, 
                                                                                         (4.270) 
unde H este o constantă independentă de temperatură. Înlocuind (4.270) în (4.269) ne dă 
 
                                               (4.271)
De aceea, când amplificarea este reglată la o temperatură pentru a seta ieşirea la o tensiune dorită, variaţia în offset­ul amplificatorului 
operaţional determină variaţii ale coeficientului de temperatură  al ieşirii. În practică offset­ul amplificatorului operaţional este de obicei 
18
cauza cea principală   a unui coeficient de temperatură  nenul.  Ecuaţia 4.271 arată  că  coeficientul de temperatură  la T = T 0 este 
proporţional în aceste circumstanţe cu offset­ul referit la ieşire. Mai mult, (4.268) arată că offset­ul referit la ieşire este egal offset­ul referit 
la intrare amplificat cu amplificarea aplicată   termenului DVEB. De aceea micşorând această   amplificare se minimizează ş i variaţia 
coeficientului de variaţie cu temperatura al ieşirii. Cum ieşirea referinţei la T = T 0 pentru CT F nul este aproximativ egală cu tensiunea de 
barieră, amplificarea necesară poate fi minimizată maximizând termenul DVEB. 
     Pentru a maximiza termenul DVEB, proiectanţii în general împing un curent mare într­un tranzistor mic şi un curent mic într­un 
tranzistor mare, ca în Fig. 4.48. Ignorând curenţii de bază, 
 
                                                           (4.272)
Ecuaţia 4.272 arată că maximizând produsul rapoartelor I 1/I2 şi IS2/IS1 se maximizează DVEB. În Fig. 4.48, I 1 > I 2 este subliniat desenând 
simbolul pentru I 1 mai mare decât simbolul pentru I 2. Similar aria emitorului lui Q 2 este mai mare decât cea a emitorului  lui Q1 pentru a 
24
face I S2 > I S1, şi această relaţie este arătată desenând simbolul lui Q 2m mai mare decât simbolul lui Q 1.  În practică aceste rapoarte sunt 
deseori reglate să  fie egale cu zece, şi rezultă  DVEB  »  120 mV la temperatura camerei. Deoarece funcţia logaritmică îşi comprimă 
argumentul, totuşi, o limitare a … De exemplu, dacă se măreşte argumentul de zece ori, DVEB creşte doar cu V T  ln(10) » 60 mV. De 
 1 2 S2 S1 EB 1 2
simbolul pentru I 1 mai mare decât simbolul pentru I 2. Similar aria emitorului lui Q 2 este mai mare decât cea a emitorului  lui Q1 pentru a 
24
face I S2 > I S1, şi această relaţie este arătată desenând simbolul lui Q 2m mai mare decât simbolul lui Q 1.  În practică aceste rapoarte sunt 
deseori reglate să  fie egale cu zece, şi rezultă  DVEB  »  120 mV la temperatura camerei. Deoarece funcţia logaritmică îşi comprimă 
argumentul, totuşi, o limitare a … De exemplu, dacă se măreşte argumentul de zece ori, DVEB creşte doar cu V T  ln(10) » 60 mV. De 
aceea, pentru a dubla DVEB la 240 mV, (I 1/I2)(IS1/IS2) trebuie mărit de 100 până la 10  000 ori. Pe de altă parte dacă Q1 şi tranzistoarele 
care formează  I2 sunt componente de dimensiune minimă  atunci când (I 1/I2)(IS1/IS2) = 100, aria necesară  pentru implementare ar fi 
dominată de componentele cele mai mari (Q 2 şi/sau tranzistoarele care generează I1). De aceea, crescând (I 1/I2)(IS1/IS2) e la 100 la 10  000 
ar creşte aria de implementare de 100 de ori şi ar dubla doar DVEB. 
    Pentru a trece peste această limitare pot fi  cascadate etaje care să contribuie fiecare cu DVEB. De exemplu, să considerăm Fig. 4.49, în 
care au fost cascadate două repetoare pe emitor. Aici  
                                                       (4.273) 
Presupunem că componentele noi din Fig. 4.49 sunt identice cu cele originale corespunzătoare din Fig. 4.48 astfel încât I 3 = I 1, I 4 = I 2, 
IS3 = I S1 şi IS4 = I S2. Atunci ignorând curenţii din bază 
 

                                            (4.274)
Astfel cascadând două repetoare pe emitor se identice dublează DVEB în timp ce aria de implementare se dublează doar.  
    Efectul offset­ului într­o referinţă cu tensiunea de barieră poate fi redus de asemenea folosind anularea offset­ului. Un exemplu de 
eliminare a offset­ului într­o referinţă CMOS cu tensiune de barieră şi compensare a curbării este prezentat în Ref. 18, alături de o analiza 
a altor efecte de grad înalt apărute datorită valorilor finite ale b F, diferenţelor dintre  b F, variaţia cu temperatura a  b F, rezistenţei de bază 
nenule şi a coeficientului de temperatură nenul al rezistoarelor.  
    O referinţă cu tensiune de barieră  CMOS de înaltă  performanţă este prezentată în Fig. 4.50, unde sunt folosite oglinzi de curent 
cascadate pentru a îmbunătăţi rejecţia alimentării. Un curent dependent de V T din M 11 dezvoltă o tensiune dependentă e VT pe rezistorul 
xR. O alegere potrivită a raţiei x poate da la V OUT o tensiune de barieră. Dacă se doreşte, se poate obţine un curent de ieşire independent 
de temperatură  alegând x pentru a asigura un coeficient de temperatură  pentru V OUT care să  anuleze coeficientul de temperatură  al 
rezistorului R 2.