aracteristicile statice pentru tranzistorul bipolar

  1.4.1. Modalitatile caracteristicilor statice

        Caracteristicile statice indica legatura functionala între curentii si tensiunile la bornele tranzistorului
bipolar. Pentru fiecare schema de conectare în regim activ exista o familie de 515i85f caracteristici, ce
arata legatura între curentii si tensiunile aplicate la tranzistor.
        Patru modalitati de caracteristici descriu proprietatile oricarui dispozitiv cu trei borne:
caracteristicile de intrare:

;
caracteristicile de iesire:

;
caracteristicile de transfer:

;
caracteristicile reactiei inverse:

.
     1.4.2. Caracteristicile pentru cuplaj baza comuna
        În cuplaj baza comuna (BC) tranzistorul poseda urmatoarele caracteristici:
familia caracteristicilor de intrare (fig.1.6,a)

familia caracteristicilor de iesire(fig.1.6,b)

;
variatia curentului colectorului trebuie sa fie constanta la transferul de la o caracteristica la alta, adica
;
caracteristicile de transfer (fig.1.6,c);
caracteristicile reactiei inverse (fig.1.6,d).

Fig.1.6. Caracteristicile statice ale

tranzistorului bipolar.
a)      caracteristicile de intrare; b)
caracteristicile de
iesire; c) caracteristicile de
transfer;
d) caracteristicile reactiei inverse
        Referindu-ne la modelul
Ebers-Moll si rezolvând ecuatia
(1.20) fata de , obtinem
relatiile pentru caracteristicile de
intrare idealizate:
  .               (1.23)
Relatia (1.23) prezinta caracteristica de intrare a tranzistorului cuplat în circuitul BC.
       Relatia pentru caracteristicile de iesire sunt obtinute utilizând (1.21):

;                      (1.24)
;
,
unde:  este coeficientul de amplificare a curentului emitorului în regim  activ; - coeficientul de
amplificare a curentului colectorului în regim  de inversie.
        Dependenta pozitiei caracteristicilor de intrare, caracteristicilor de transfer si caracteristicilor de
reactie inversa în functie de valoarea tensiunii aplicate pe colector se explica prin efectul de modulare a
grosimii bazei, din cauza caruia cu majorarea tensiunii  a jonctiunii colector, invers polarizata,
grosimea stratului cu concentratie redusa a purtatorilor de sarcina se mareste. Frontiera jonctiunii
colectorului se deplaseaza în directia jonctiunii emitorului. Drept rezultat, grosimea bazei  devine
mai mica. Concomitent creste gradientul de concentratie a purtatorilor de sarcina  si  în baza
tranzistorului si se mareste valoarea curentul de difuzie  (fig.1.7).

                 Fig.1.7. Efectul de modulare a

grosimii bazei
        Efectul de modulare a grosimii
bazei provoaca aparitia reactiei interne
în tranzistor. La marirea modulului
tensiunii de iesire  curentul de
intrare  în schema cu baza comuna
creste. De aceea pentru unul si acelasi
curent al emitorului, odata cu
cresterea tensiunii pe colector, tensiunea pe emitor trebuie micsorata.
        În caz ideal caracteristicile de iesire trebuie sa fie paralele axei tensiunii . Devierea 
caracteristicii este datorata efectului de modulare a grosimii bazei.
        Prezenta curentului  în circuitul colectorului când  (fig. 1.6,b) prezinta o particularitate
a caracteristicilor de iesire pentru tranzistorul bipolar cuplat în schema BC, asigurata de interactiunea
jonctiunilor. În baza are loc deplasarea purtatorilor de sarcina prin procedura de difuzie spre jonctiunea
colectorului dirijata de gradientul de concentratie. Apoi purtatorii sunt accelerati de câmpul electric al
jonctiunii. Însa la un nivel major de injectie ( ), pentru , coeficientul  tinde spre zero
si curentul colectorului tot este aproape de zero.
     1.4.3. Caracteristicile pentru cuplaj emitor comun
        Cele mai întrebuintate sunt caracteristicile tranzistorului bipolar în cuplaj emitor comun (EC),
deoarece în acest caz curentul bazei este argument pentru caracteristicile de intrare si caracteristicile de
transfer si ca parametru pentru celelalte.
        În fig.1.8 si  fig.1.12 sunt prezentate familiile de caracteristici pentru tranzistorul bipolar cuplat în
schema EC:
familia caracteristicilor de intrare (fig.1.8,a)

familia caracteristicilor de iesire (fig.1.8,b)

familia caracteristicilor de transfer dupa curent (fig. 1.12,a)

familia caracteristicilor de reactie inversa (fig. 1.12,b)

.
        Forma de evantai a caracteristicilor de intrare este conditionata de efectul de modulare a grosimii
bazei. Tensiunii mai mari pe colector îi corespunde o grosime mai mica a bazei. Rezulta o probabilitate
mai redusa de recombinare a purtatorilor în baza si un curent   mai mic.
        Pentru cazul când avem scurtcircuit la intrare ( , fig.1.9,a), curentul bazei este aproximativ
de doua ori mai mare decât în regim activ, deoarece jonctiunile emitorului si  colectorului sunt
conectate paralel la sursa de alimentare  , asa cum este aratat în fig. 1.9.

Fig.1.8. Caracteristicile de intrare

si iesire în cuplaj EC
        Regiunea caracteristicilor de
iesire din fig.1.8,b ce se afla în
interiorul granitei hasurate,
corespunde regimului activ
limitat de parametri electrici
maximi permisi: , ,
. Portiunea cu panta înalta a caracteristicii de iesire corespunde granitei între regimul de
saturatie si regimul activ, deoarece pentru  jonctiunile emitorului si ale colectorului sunt
polari-zate direct (fig.1.10), adica .

Fig. 1.9. Conectarea jonctiunilor p-n

pentru

Fig. 1.10. Conectarea jonctiunilor p-n pentru

        Regimului de blocaj, ilustrat în fig.1.8,b ,

corespunde regiunii ce se afla sub caracteristica de iesire pentru , unde curentul colectorului este
determinat conform relatiei
 .
         În schema EC pentru circuitul deschis ( ) curentul de scurgere în circuitul colectorului  
este de  ori mai mare decât curentul invers al colectorului . Aceasta se explica prin
conectarea directa a jonctiunii emitorului, asa cum este prezentat în fig.1.11.
        Caracteristicile de transfer si reactie inversa (fig.1.12) reflecta actiunea efectului de modulare a
grosimii bazei. Cu majorarea modului tensiunii aplicate la colector, grosimea bazei se micsoreaza,
probabilitatea recombinatiei purtatorilor de sarcina scade si curentul bazei se micsoreaza. Curentul
bazei ramâne constant la marirea tensiunii aplicate la baza tranzistorului.

Fig.1.11. Conectarea jonctiunilor în cuplaj EC