Ejercicios resueltos de tecnologı́a electrónica.

Tema 1. Diodo de unión.

23 de abril de 2008

((Éstas son las expresiones que vamos a manejar para resolver problemas.))
V
I = I0 (e ηVT − 1)
kT T
VT = =
q 11600
VT |300o K = 26mV η=2
T −T1
Io (T ) = Io1 · 2 10

V
Rest. =
I
dV ηVT
Rdin. = =
dI I + Io

1. a) ¿A qué tensión la corriente inversa de un diodo p-n de silicio alcanza d 95 %

de su valor de saturación a temperatura ambiente?
b) ¿Cuál es la relación entre la corriente con polarización directa de 0,1 V y la
corriente con polarización inversa del mismo valor?
c) Si la corriente inversa de saturación es de 10 nA, calcular la corriente directa
para las tensiones de 0,5 V, 0,6 V y 0,7 V, respectivamente.
Solución:
V
a) 0,95I0 = I0 (e ηVT − 1)

V
= ln 0,05 = −3
ηVT
V = −3,2 · 0,026 = −0,156V
100
ID |0,1V I0 (e 2·26 ) 6,84 − 1
b) = = = −6,84
II |0 ,1V −100
I0 (e 2·26 ) 0,146 − 1

c) I0 = 10nA
500
I = 10 · 10−9(e 2·26 − 1) = 0,15mA

QueGrande.org 1 QueGrande.org
 600
I = 10 · 10−9(e 2·26 − 1) = 1,026mA
700
I = 10 · 10−9(e 2·26 − 1) = 7,02mA

6. Un diodo de silicio tiene una corriente inversa de saturación de 0,1µA a 1250 C.

Hallar, a 1050C, la resistencia dinámica para una polarización de 0,8V : a) en sentido
directo b) en sentido inverso.
Solución:
105−125
I0 |1050 C = 0,1µA · 2 10 = 25nA

T 273 + 105
VT |1050 C = = = 32,59mV
11600 11600

ηVT
a) Rf =
I + I0
800
I = 25 · 10−9(e 2·32,59 − 1) = 5,35mA

232,59
Rf = = 12,18Ω
5,35 + I0

b) V = −800mV

ηVT ηVT ηVT 2 · 32,99 · 10−3 V

RR = = V = V = = 558 · 109Ω =
I + I0 I0 (e ηVT
− 1) + I0 I0 e ηVT 25 · 10 · e
−9
−800
2·32,54

558GΩ

8. Un diodo de silicio está en serie con una resistencia de 2kΩ y con una fuente de
tensión de 10 V. ¿Cuál será, aproximadamente, la intensidad en el circuito si el
diodo tiene polarización directa?
b) Si la caı́da medida en el diodo es de 0,6 V con 1 mA, hallar con más exactitud d
valor de la corriente en el circuito.
c) Si se invierte la baterı́a y la tensión de ruptura del diodo es de 7 V, hállese la
corriente en el circuito.
d) Si se añade en serie y oposición (los dos ánodos unidos) un segundo diodo idéntico
al anterior, ¿cuá será aproximadamente la corriente en el circuito?
e) Si se reduce a 4V la tensión de alimentación del apartado d), ¿cuál será la corrien-
te?
Solución:
2K

10V

QueGrande.org 2 QueGrande.org
 
Vγ = 0,6V
a) ¿I? Diodo silicio
VD = 0,7V
VR 10 − 0,7 V
I= = = 4,65mA
R 2 KΩ
V
b) I = I0 (e ηVT − 1)

10−3
I0 = 600 = 0,75
e 2·26 − 1
Para I = 4,65mA → ¿VD ?
V
4,65 · 10−3 = 9,75 · 10−9 (e 2·26 − 1)

VD = 679,9mV

10 − 0,6799
I′ = = 4,66mA
2

c) Se invierte VBAT y VZ = 7V

2K

10V 7V = VZ
I

10 − 7
I= = 1,5mA
2

d) Se añade otro diodo en serie y oposición

2K

7V
10V
I
0,7V

VR 10 − 0,7 − 7
I= = = 1,15mA
R 2

e) Se reduce VBAT a 4V.

QueGrande.org 3 QueGrande.org
 2K

D1
4V
I
D1

D1 OFF ⇒ I = I0

I = I0 = 9,75nA

10. Las corrientes de saturación de los dos diodos de la figura son de 1 y 2µA, respec-
tivamente. La tensión de ruptura es la misma en ambos diodos y vale 100 V.
a) Calcular la corriente y la tensión en cada diodo si V=80 y V=120 V.
b) Repetir d apartado a) si se coloca en paralelo con cada diodo una resistencia de
81V.

Solución:
I
I0 = 1µA
V VZ = 100V
VZ V
0,6
I0 = 2µA
VZ = 100V

a) I) V = 80, hallar I, VD1 , VDZ

Ambos diodos en OFF. ⇒ I = I01 = 1µA

V
I = I0 (e ηVT − 1)
V
1 · 10−6 = 2 · 10−6 (e 2·26 − 1)
V
e 52 = 0,5 ⇒ VD2 = 36mV

VD1 = 80 − VD2 = 80 − 0,036 = 79,96V

QueGrande.org 4 QueGrande.org
 II) V = 120V
V > VZ ⇒ D1 Zéner ⇒ D2 OFF

VD1 = VZ = 100V
120V I
VD2 = 120 − 100 = 20V

I = I02 = 2µA

b) I) V = 80V

I1

1µA 8M

80V
2µA 8M

I2

ID1 = I01
D1 = D2 = OFF
ID2 = I02
80V = I1′ · 8 + I2′ · 8

I1′ + I2′ = 10

I2′ = 4,5µA
I1′ + 1 = I2′ + 2 ⇒ I1′ = I2′ + 1 ⇒ 2I2′ + 1 = 10 ⇒
I1′ = 5,5µA
VR1 = VD1 = I1′ · R1 = 5,5µA · 8MΩ = 44V

VR2 = VD2 = I2′ · R2 = 4,5µA · 8MΩ = 36V

II) V = 120V

1µA 8M

120V
2µA 8M


ID1 = I01
D1 = D2 = OFF
ID2 = I02
120 = 8I1′ + 8I2′ ⇒ I1 + I2 = 15

QueGrande.org 5 QueGrande.org
 I2′ = 7µA
I1′ + 1 = I2′ + 2 ⇒ I1′ = I2′ + 1 ⇒ 2I2′ + 1 = 15 ⇒
I1′ = 8µA
VR1 = VD1 = I1′ · R1 = 8µA · 8MΩ = 64V

VR2 = VD2 = I2′ · R2 = 7µA · 8MΩ = 56V

15. Supóngase que los diodos del circuito de la figura tienen Rf = 0, Vv = 0,6V y
Rr = ∞, con una caı́da del diodo en conducción de 0,7V . Hallar I1 , I2 , I3 y Vo en
las siguientes condiciones:
I4 +40V

20K
I1
1K D1
V1

V2 D2
V0
1K
I2
D3
I3
+5V

Solución:

a) V1 = 0v; V2 = 25V

I4 +40V

20K
I1
1K D1

I2 D2
V0
1K
25V
D3
I3
+5V


 D1ON
Suponemos D2OF F
D3ON

40 − 0,7 − I1
40 = I4 · 20 + 0,7 + I1 · 1 ⇒ I4 =
20
5 = 0,7 + 0,7 + I1 · 1 ⇒ I1 = 3,6mA ⇒ I4 = 1,785mA

Vo = 5 − 0,7 = 4,3V

QueGrande.org 6 QueGrande.org
 La suposición es correcta.

b) V1 = V2 = 25V

I4 +40V

20K
I1
1K D1
25V
I2 D2
25V V0
1K
D3
I3
+5V


D1 = D2 = ON
Suponemos
D3 = OF F

I3 = 0

I1 = I2

I4 = I1 + I2 = 2I1 = 2I2

40 = 20I4 + 0,7 + 1I1 + 25

I1 = I2 = 0,3488mA

I4 = 2I1 = 0,6976mA

Vo = 40 − I4 · 20 = 26,05V

Sep-91 En el circuito de la figura, la tensión de ruptura inversa de los diodos es VZ1 = 10V
y VZ2 = 8V . Hallar las intensidades I1 , I2 e I3 , indicando el estado de los dos diodos.
I1 I2 I3

600Ω 400Ω
20V 300Ω

Solución:

I) Suponemos D1 = D2 = Zéner.

QueGrande.org 7 QueGrande.org
 I1 I2 I3

600Ω 400Ω
20V 10V 8V 300Ω

8V

I3 = = 26,66mA 

300Ω






10 − 8

I2 = = 5mA Suposición incorrecta.
400 




20 − 10 

I1 = = 16,66mA 

600
II) Suponemos D1 Zéner, D2 OFF.

I1 I2 I3

600Ω 400Ω
20V 10V 300Ω

10
I2 = I3 = = 14,285mA
400 + 300
20 − 10
I1 = = 16,66mA
600

QueGrande.org 8 QueGrande.org