1. TRANZISTORUL BIPOLAR 1.1. No iunea de tranzistor bipolar.

Structura i jonc iunile tranzistorului bipolar Tranzistor bipolar este numit dispozitivul electronic cu trei pini i dou sau mai multe jonc iuni p-n ce interac ioneaz între ele. În tranzistor se rânduiesc trei regiuni semiconductoare, pentru care pe placheta de izolator din Si-i, prin metoda epitaxial - planar se formeaz regiunile colectorului (C), bazei (B) i emitorului (E) (fig.1.1). Pentru aceasta, în regiunea Si-n, ce serve te ca colector, prin metoda difuziei este format regiunea bazei Si-p. În aceast regiune, prin metoda difuziei locale, este format emitorul Si-n cu concentra ie major a impurit ilor donoare. C B1 p n Si-i E1 n C Jonc iunea emitorului Jonc iunea colectorului

Fig.1.1. Structura tranzistorului bipolar tip n-p-n La frontiera regiunii emitorului cu cea a bazei i de asemenea la frontiera regiunii bazei cu cea a colectorului se formeaz dou jonc iuni p-n ± emitor i colector (dup denumirea regiunilor laterale ale structurii). Jonc iunile interac ioneaz dac distan a între ele WB , numit l imea bazei, este cu mult mai mic ca lungimea de difuzie a purt torilor de sarcin mobili ( WB L p ,n ). este distan a pe care o parcurge Lungimea de difuzie ,n electronul sau golul din momentul apari iei în semiconductor pân la recombinare. De regul , suprafa a jonc iunii colectorului este mai mare ca suprafa a jonc iunii emitorului. Regiunea emitorului trebuie s posede o electroconductibilitate mai înalt ca cea a bazei i a 3
 

colectorului. Concentra ia impurt ilor în regiunile tranzistorului bipolar trebuie s respecte inegalitatea N E " 100 N B u N C . (1.1) 1.2. Tranzistorul bipolar ca element al circuitului În dependen de alternarea regiunilor, dup tipul de electroconductibilitate, se deosebesc structuri tip p-n-p i n-p-n. În fig.1.2 sunt prezentate structurile p-n-p i n-p-n ale tranzistorului bipolar i reprezentarea lor în circuitele electrice. JE E p B E C p-n-p n p JC C E n E B p C n-p-n n JE JC C

B

B

Fig.1.2. Reprezentarea tranzistoarelor bipolare Ca element al circuitului electric, tranzistorul bipolar este utilizat în a a mod, ca unul din pini s fie conectat la intrare, iar altul ± la ie ire. Al treilea pin este comun. În dependen care din pini este comun, se deosebesc trei circuite de conectare ale tranzistoarelor bipolare: - baz comun (BC); - emitor comun (EC); - colector comun (CC). În fig.1.3. sunt prezentate aceste trei modific ri de cuplare a tranzistorului bipolar în circuitul electric. 4

IE Iintr.

BC

IC IB Iie . IB Iintr.

EC

IC IB Iie . IE Iintr.

CC

IE Iie . IC

Fig.1.3. Schemele de conectare ale tranzistoarelor bipolare

1.3. Regimul de lucru i procesele fizice în tranzistorul bipolar 1.3.1. Regimul de lucru al tranzistoarelor bipolare În timpul func ion rii tranzistorului la bornele sale este aplicat tensiune de la sursa de alimentare în curent contionuu. În dependen de polaritatea tensiunii aplicate, fiecare din jonc iunile p-n ale tranzistorului bipolar poate fi polarizat direct sau indirect, adic sunt posibile patru modalit i de func ionare a tranzistorului (tab.1.1). Tabelul 1.1 Modalit ile de func ionare a tranzistorului bipolar
Denumirea jonc iunii Jonc iunea emitorului Jonc iunea colectorului Jonc iunea emitorului Jonc iunea colectorului Jonc iunea emitorului Jonc iunea colectorului Jonc iunea emitorului Jonc iunea colectorului Conectarea jonc iunii Invers Invers Idirect Idirect Direct Dnvers Invers Direct Denumirea regimului de func ionare a tranzistorului Regim de blocaj Regim de satura ie Regim activ Regim de inversie

5

U CE sat ). y pentru circuitul cu CC . rezisten ele lor sunt reduse.1. jonc iunile sunt saturate cu purt tori de sarcin mobili. I CES . al doilea ± schema de conectare.3. Ele sunt prezentate sub forma urm toare: y pentru circuitul cu BC . I BES .1. Regimul activ În fig.2. I CE 0 . În fiecare din cele trei scheme de conectare a tranzistorului ace ti parametri posed valori determinate. Regim de blocaj În regim de blocaj ambele jonc iuni p-n sunt polarizate indirect. I BCS .4.3. jonc iunea emitor a c reia este polarizat 6 . ÄS´ ± scurtcircuit).I BC 0 . condi iile în regiunea r mas a schemei (Ä0´ ± lipsa curentului. Regiunea E-C posed o conductibilitate înalt i poate fi considerat ca scurtcircuitat . Primul indice în reprezentare determin pinul prin care circul curentul. adic mers în gol.3. I CBS . Regim de satura ie În regimul de satura ie ambele jonc iuni p-n sunt polarizate direct. Parametrii statici reprezint curen ii de satura ie I E sat . ob inem rezisten a de satura ie: U CE sat U . y pentru circuitul cu EC . I EC 0 . R C sat ! I C sat I B sat 1. I CB 0 . care reprezint parametrii statici ai regimului dat. 1. al treilea. I C sat . I ECS .3. Raportând m rimile tensiunilor i curen ilor. I B sat i tensiunile de rest ( U BE sat . I EBS . R B sat ! BE sat .I BE0 .I EB 0 . Prin bornele tranzistorului circul curen ii de scurgere a jonc iunilor polarizate indirect.4 este reprezentat modelul plan unidimensional al tranzistorului bipolar.

În circuitul extern al emitorului circul curentul de injec ie: q U EB I E ! I E p  I E n ! I EB 0 (e kT  1) .purt torii injecta i prin baz care circul drept rezultat al fenomenelor de difuzie i drift. . IEp=KIE JE p JC ]IEp n p conectare IE IC IE n I B rec UEB IB ICB0 UCB Fig. Injec ia purt torilor de sarcin duce la trecerea prin jonc iunea emitorului a curen ilor de difuzie (a golurilor I E p i electronilor I E n ). (1.2) Pentru structura tranzistorului tip p-n-p rela ia între concentra iile impurit ilor din regiunile emitorului .1. .recombinarea purt torilor de sarcin în regiunea bazei. iar cea a colectorului indirect.extragerea purt torilor minoritari din baz în regiunea colectorului prin intermediul câmpului electric. format de jonc iunea colectorului.direct. Aceast corespunde regimului activ.4. .injec ia purt torilor de sarcin prin jonc iunea emitorului. Mi carea purt torilor de sarcin i curen ii în tranzistorul bipolar (regim activ) Principiul de func ionare a tranzistorului bipolar în regim activ se bazeaz pe utilizarea urm toarelor fenomene: .

N acc E i bazei .

N don B se determin ca: .

N acc E u 100 ™ .

7 .N don B .

4) pn ! pn e Sarcina golurilor. Majorarea concentra iei electronilor i a golurilor în apropierea jonc iunii emitorului formeaz gradientul concentra iei purt torilor de sarcin în baz ( “p i “p ). se compenseaz cu sarcina electronilor. Deoarece l imea bazei este considerabil mai mic ca lungimea de difuzie a WB L p . ce p trund în baz de la sursa de alimentare UEB. Concomitent cu difuzia golurilor în baz . iar curentul de recombinare I B rec este mai 0 qU E kT .n . mic orarea concentra iei purt torilor de sarcin purt torilor de sarcin în regiunea bazei din cauza recombin rii este nesemnificativ . Circuitul emitor ± baz devine blocat i asigur circula ia curentului emitorului. Rela ia între componentele curentului emitorului pot fi apreciate cu ajutorul coeficientului de injec ie I IE p K ! Ep ! p 1. (1. are loc i recombinarea lor cu electronii. formând curentul de recombinare al bazei I B rec .3) IE IE p  I E n Injec ia purt torilor de sarcin din emitor în baz m re te concentra ia purt torilor minoritari în regiunea bazei. (1. al turi de curentul electronilor injecta i I En .Din aceste considerente se ob ine I E p "" I E n . În locul electronilor care se recombin în regiunea bazei din circuitul extern al sursei de alimentare UEB sunt injecta i al i electroni. Sub ac iunea gradientului concentra iei purt torilor de sarcin se produce mi carea de difuzie a golurilor i electronilor prin regiunea bazei de la emitor spre colector. ap rute momentan în apropierea jonc iunii emitorului (~ 10-17 s). Concentra ia lor la frontiera jonc iunii emitorului pentru structura tip p-n-p se determin din rela ia: .

nimerind în câmpul de 8 . mic decât curentul emitorului I E cu un ordin-dou . Golurile injectate de emitor în regiunea bazei se apropie de jonc iunea colectorului polarizat indirect.

Coeficientul de transfer depinde de l rgimea bazei WB i lungimea de difuzie a golurilor L p ! I Cp I Ep }1 2 WB . numit curentul de scurgere a jonc iunii p-n polarizate indirect. este o proprietate important a tranzistorului bipolar.6) Coeficientul E E este numit coeficient integral de transfer al curentului emitorului în circuitul colectorului. Utilizând rela iile (1.5) . Aici indicii ÄC´ indic curentul jonc iunii colectorului cuplate indirect. Din aceste considerente curentul I C este propor ional cu curentul emitorului i se nume te p curentul dirijat al colectorului. El este analogic curentului diodei semiconductoare cuplate indirect i de aceea a primit denumirea de curentul de scurgere al colectorului I CB 0 .3). (1.7) IE IE p IE Posibilitatea de dirijare cu curentul de ie ire al tranzistorului.3) i (1. În a a mod se formeaz componenta dirijat a curentului colectorului: I C p ! I E  I B rec  I E n ! I E p  I B rec . În afar de componenta dirijat a curentului colectorului I C p prin electrodul colectorului circul i componenta nedirijat a curentului. Procesul de tranzi ie a purt torilor de sarcin minoritari prin baz este caracterizat de coeficientul de transfer = . (1. modificând valoarea curentul de intrare.accelerare a acestei jonc iuni i sunt transferate în colector. cu atât mai major este curentul colectorului. (1.5). ÄB´ ± m sur rile au loc în 9 ¡ (1. Dac apel m la rela iile (1. primim: I I I EE ! C p ! C p ™ E p ! K ™ ] . se ob ine I C p ! K] I E ! E E I E . ceea ce ofer posibilitatea de al utiliza în calitate de element activ în circuitele electronice.5). ( 2L p ) 2 Cu cât mai multe goluri sunt injectate din emitor în baz .

8) poate fi scris în felul urm tor: I C ! E ™ I E  I CB 0 ! E ™ .10) determin leg tura dintre curen ii tranzistorului i sunt adecvate pentru oricare din circuitele de conectare.1.8) Curentul I CB 0 în circuitul bazei este orientat invers curentului de recombinare în baz I B rec i curentului de injec ie I n inj (1. Direc iile curen ilor continui i polarizarea tensiunilor de alimentare ce corespund regimului activ sunt prezentate în fig.9) În circuitul emitorului curentul de injec ie se determin ca suma curentului colectorului I C i curentul bazei I B : IE ! IC  IB . adic pentru regim mers în gol la intrare. În circuitele EC i CC (fig. Procese analogice au loc i în tranzistorul tip n-p-n. Direc ia curentului de scurgere a colectorului I CB 0 corespunde cu componenta dirijat a curentului colectorului i de aceea I C ! E ™ I E  I CB 0 .10) Rela iile (1.3. (1.3) curentul de dirijare este curentul bazei. (1. cu unic deosebire c în loc de goluri trebuie s vorbim despre electroni i invers. iar rela ia pentru curentul colectorului (1. 0 ± m sur rile au loc pentru I E ! 0 .1.schema de cuplare BC.8) i (1.

™ I CB 0 ! . 1 E 1 E unde: E ! F este coeficientul de amplificare dup curent în schema 1 E 1 de cuplare EC. I C  E ™ I C ! E ™ I B  I CB 0 . E 1 (1.I C  I B  I CB 0 .11) IC ! ™ IB  ™ I CB 0 ! F ™ I B  I CE 0 .

10 I B ! I B rec  I CB 0  I n inj . sau curentul de scurgere a tranzistorului bipolar. .componenta 1 E nedirijat a curentului colectorului în schema EC.1  F I CB 0 ! I CE 0 .

emitorul i colectorul î i schimb func ia i pozi ia în circuit. în regim de inversie injec ia purt torilor de sarcin este înf ptuit de jonc iunea colectorului. I ! 1 E 1. Regim de inversie În regim de inversie jonc iunea emitorului este cuplat invers. atunci Ei E . 1 E 1 E sau I E ! K I I B  I CE 0 .5. în compara ie cu regimul activ. Din aceste considerente I E  I B ! I C ! E ™ I E  I CB 0 .Pentru schema CC curentul de ie ire este curentul emitorului. De aceea.3. Deoarece suprafa a jonc iunii emitorului este cu mult mai mic decât cea a jonc iunii colectorului i N C N B . Practic. 1 I IE ! I B  CB 0 . (1.13) unde Ei este coeficientul de transfer invers. Pentru schema de cuplare BC: I E ! E i ™ I C  I EB 0 . iar jonc iunea colectorului direct.12) ! F 1. unde 1 (1. iar extrac ia purt torilor de jonc iunea emitorului. Pentru schema CC I E ! F i ™ I B  .

1  F i I EB 0 . (1.14) Pentru schema EC I C ! .

1  F i I B  .

1  F i I EB 0 .15) 11 . (1.

leg tura dintre curen ii colectorului i emitorului este determinat de rela ia diferen ial (1. Coeficientul diferen ial de amplificare dup curent În rela ia (1. amplitudinea c rora este cu mult mai mic ca valoarea tensiunii de alimentare.7) ca func ie de dou argumente pentru I CB 0 ! const . indic leg tura dintre componentele respective în curent continuu. Aceast formul arat leg tura dintre componentele curentului de dirijare I E i valoarea curentului de ie ire I C . care întotdeauna este mai mare decât E E . unde EIE este parametrul static al regimului activ. Coeficientul E este determinat de rela ia E ! ( I C  I CB 0 ) I E .7) pentru coeficientul static de amplificare a curentului emitorului E E ! K]M : y coeficientul de injec ie K caracterizeaz eficacitatea jonc iunii emitorului. Rela ia pentru curentul colectorului I C ! E E ™ I E  I CB 0 . M ! 1 . 12 . y coeficientul M se introduce pentru a lua în considerare procesele în jonc iunea colectorului i. y coeficientul de transfer de difuzie = caracterizeaz procesele ce au loc în baz ± difuzia i recombinarea purt torilor de sarcin .3.6.1. ! EE  IE dI E dI E (1.16) unde E x este coeficientul diferen ial de amplificare dup curent în schema BC. adic dI C ! E E ™ dI E  I E ™ dE E sau Ex ! dI C dE E . Pentru semnale alternative. de regul .

1.5).17) pot fi scrise sub forma: ¨ qU ¸ ¨ qU ¸ I E ! I EBC © e kT  1 ¹  E i I CBC © e kT  1 ¹ .1. (1.7.20) © ¹ © ¹ ª º ª º U U ¸ ¸ EI EB 0 ¨ k I CB 0 ¨ k ©e © IC !  1¹   1¹ . ¢ £ U EB k (1.3. (1. Ei I2 IE E B I1 I2 EI1 IC C Fig. I C ! EI 1  I 2 . Schema echivalent a tranzistorului bipolar dup modelul Ebers-Moll I E ! I 1  E i I 2 . Luând în considerare (1. (1.1.18) i (1.5.21) © ¹ 1  EE © e ¹ 1  EE i ª i ª º º EB EB 13 ¦ § ¤ ¥ EB EB ¦ § EB . Modelul Ebers-Moll Leg tura dintre curen ii i tensiunile tranzistorului bipolar pentru cele patru modalit i de cuplare în circuit pot fi studiate cu ajutorul modelului matematic Ebers-Moll. (1.19) © ¹ ª º unde I EBC i I CBC prezint curen ii de scurgere ai jonc iunilor emitorului i colectorului. bazat pe schema echivalent format din dou diode conectate una în întâmpinarea celeilalte i a dou surse de curent continuu care indic interac iunea dintre aceste diode (fig.17) ¨ ¸ I 1 ! I EBC © e  1¹ .19) rela iile (1.18) © ¹ ª º ¨ U ¸ I 2 ! I CBC © e k  1 ¹ . m surate în regim scurtcircuit în partea corespunz toare a schemei.

IC ! .

1  E I EB 0 ¨ e qU © kT 1  EE i © ª EB ¸ .

1. Patru modalit i de caracteristici descriu propriet ile oric rui dispozitiv cu trei borne: y caracteristicile de intrare: I Ies ! const I Int ! f . ce arat leg tura între curen ii i tensiunile aplicate la tranzistor. Caracteristicile statice pentru tranzistorul bipolar 1.22)  1¹  ¹ ¹ 1  EE i © º ª º EB 1. Pentru fiecare schem de conectare în regim activ exist o familie de caracteristici.1  E i I CB 0 ¨ qU ¸ © e kT  1 ¹ . Modalit ile caracteristicilor statice Caracteristicile statice indic leg tura func ional între curen ii i tensiunile la bornele tranzistorului bipolar.4. (1.4.

U Int sa . U Ies ! const y caracteristicile de ie ire: I Int ! const I Ies ! f .

U Ies sa U Int ! const

;

y

caracteristicile de transfer:
I Ies ! f

I Int U Ies ! const

;

y

caracteristicile reac iei inverse:
U Int ! f

I Ies I Ies ! const

.

14

a) I E ! f . Caracteristicile pentru cuplaj baz comun În cuplaj baz comun (BC) tranzistorul posed urm toarele caracteristici: y familia caracteristicilor de intrare (fig.4.1.1.6.2.

Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar. a) caracteristicile de intrare. b) caracteristicile de ie ire.1. y caracteristicile de transfer (fig. varia ia curentului colectorului trebuie s fie constant la transferul de la o caracteristic la alta. d) caracteristicile reac iei inverse 15 . UEB UEB=0 UEB0 y IC IE Regim de satura ie IE IE=0 Regim de blocare a) IC UEB0 UEB=0 b) IC IE UCB IE UCB c) d) Fig.d).6.6.1.b) I C ! EI E  I CB 0 .6.6. familia caracteristicilor de ie ire(fig. adic (I E ! const . c) caracteristicile de transfer. y caracteristicile reac iei inverse (fig.c).U EB U CB ! const .1.1.

Referindu-ne la modelul Ebers-Moll i rezolvând ecua ia (1.20) fa de U EB . ob inem rela iile pentru caracteristicile de intrare idealizate: U EB ! f .

Rela ia pentru caracteristicile de ie ire sunt ob inute utilizând (1.I E U EB ! U CB ! const . (1. ¨ qU CB ¸» kT « I E ln ¬  1  E© e kT  1 ¹ ¼ . (1.21): ¨ UCB ¸ I C ! EI E  I CB 0 © e k  1 ¹ .23) © ¹ q ¬ I EB 0 ¼ ª º½ ­ Rela ia (1.24) © ¹ ª º I CB 0 ! I CBC .23) prezint caracteristica de intrare a tranzistorului cuplat în circuitul BC.

1  EE i . I EB 0 ! I EBC .

grosimea bazei WB devine mai mic . Ei .1  EE i . Concomitent cre te gradientul de concentra ie a purt torilor de sarcin “p i “ n în baza tranzistorului i se m re te valoarea curentul de difuzie I E (fig. din cauza c ruia cu majorarea tensiunii U CB a jonc iunii colector. Frontiera jonc iunii colectorului se deplaseaz în direc ia jonc iunii emitorului. unde: E este coeficientul de amplificare a curentului emitorului în regim activ.1.7). ¨ © 16 . invers polarizat . grosimea stratului cu concentra ie redus a purt torilor de sarcin se m re te. Drept rezultat. caracteristicilor de transfer i caracteristicilor de reac ie invers în func ie de valoarea tensiunii aplicate pe colector se explic prin efectul de modulare a grosimii bazei. Dependen a pozi iei caracteristicilor de intrare.coeficientul de amplificare a curentului colectorului în regim de inversie.

pn IE UEB IC d d { U Cd 0 U C ! 0 pn 0 UCB x dx WBd 2 WBd x1 Fig. În caz ideal caracteristicile de ie ire trebuie s fie paralele axei tensiunii U CB . asigurat de interac iunea jonc iunilor. pentru U CB ! 0 . Efectul de modulare a grosimii bazei Efectul de modulare a grosimii bazei provoac apari ia reac iei interne în tranzistor. Îns la un nivel major de injec ie ( pn " N P ). tensiunea pe emitor trebuie mic orat . odat cu cre terea tensiunii pe colector. La m rirea modulului tensiunii de ie ire U CB curentul de intrare I E în schema cu baz comun cre te. De aceea pentru unul i acela i curent al emitorului. coeficientul E tinde spre zero i curentul colectorului tot este aproape de zero. În baz are loc deplasarea purt torilor de sarcin prin procedura de difuzie spre jonc iunea colectorului dirijat de gradientul de concentra ie.7.b) prezint o particularitate a caracteristicilor de ie ire pentru tranzistorul bipolar cuplat în schema BC.6. 1. Prezen a curentului I C în circuitul colectorului când U CB ! 0 (fig.1. Devierea caracteristicii este datorat efectului de modulare a grosimii bazei. 17 . Apoi purt torii sunt accelera i de câmpul electric al jonc iunii.

8 i fig.1.1.1. Caracteristicile pentru cuplaj emitor comun Cele mai întrebuin ate sunt caracteristicile tranzistorului bipolar în cuplaj emitor comun (EC). deoarece în acest caz curentul bazei este argument pentru caracteristicile de intrare i caracteristicile de transfer i ca parametru pentru celelalte.8.3.12 sunt prezentate familiile de caracteristici pentru tranzistorul bipolar cuplat în schema EC: y familia caracteristicilor de intrare (fig. În fig.a) U BE ! f .1.4.

1.8.b) I C ! f .I B U CE ! const . y familia caracteristicilor de ie ire (fig.

y familia caracteristicilor de transfer dup curent (fig.12. 1.a) I C ! f .U CE I B ! const .

1. y familia caracteristicilor de reac ie invers (fig.I B U CE ! const .b) U BE ! f .12.

U CE . Rezult o probabilitate mai redus de recombinare a purt torilor în baz i un curent I B mai mic. I B ! const Forma de evantai a caracteristicilor de intrare este condi ionat de efectul de modulare a grosimii bazei. Tensiunii mai mari pe colector îi corespunde o grosime mai mic a bazei.a).9. Pentru cazul când avem scurtcircuit la intrare ( U CE ! 0 . fig. curentul bazei este aproximativ de dou ori mai mare decât în regim activ.9. a a cum este ar tat în fig. 18 . 1. deoarece jonc iunile emitorului i colectorului sunt conectate paralel la sursa de alimentare U EB .1.

1. PC max .1. 1. corespunde regimului activ limitat de parametri electrici maximi permi i: I C max . deoarece pentru U CE U BE jonc iunile emitorului i ale colectorului sunt polarizate direct (fig.10. 1. Conectarea jonc iunilor p-n pentru U CE ! 0.8.b ce se afl în interiorul grani ei ha urate. Caracteristicile de intrare i ie ire în cuplaj EC Regiunea caracteristicilor de ie ire din fig. U BE { 0 IC IB UBE p n p UCE JE UCE UBE JC Fig.UBE UtCE Ud IC ICmax Regim de satura ie IV   UCE=0 I IV d d I Bd d I Bd d IB UCEmax PCmax IB a) IB=0 Regim de blocaj UCB b) Fig.9.8. Por iunea cu pant înalt a caracteristicii de ie ire corespunde grani ei între regimul de satura ie i regimul activ. Conectarea jonc iunilor p-n pentru U CE { 0. IC  I  p n JE JC UBE a) b) p U E Fig.1. adic U CP ! U BE  U CE .10). U CE max . U BE { 0 19 .

b . corespunde regiunii ce se afl sub caracteristica de ie ire pentru I B ! 0 . ilustrat în fig.1. unde curentul colectorului este determinat conform rela iei IB ! 0 I C ! F ™ I B  .8.Regimului de blocaj.

I CE 0 ! .F  1 I CB 0 .

F  1 I CB 0 În schema EC pentru circuitul deschis ( I B ! 0 ) curentul de scurgere în circuitul colectorului I CE 0 este de .

Curentul bazei r mâne constant la m rirea tensiunii aplicate la baz tranzistorului.11. Aceasta se explic prin conectarea direct a jonc iunii emitorului.11. C p ICE0 UCE UBE IB=0 E JC JE n p UBE Fig. Caracteristicile de transfer (a) i de reac ie invers (b) pentru tranzistorul bipolar în cuplaj EC 20 . probabilitatea recombina iei purt torilor de sarcin scade i curentul bazei se mic oreaz . 1. Cu majorarea modului tensiunii aplicate la colector.1. Conectarea jonc iunilor în cuplaj EC IC d d U EC d d d U EC " U EC d d d U EC " U EC UBE a) b) IB I BIV d d I Bd d I Bd d IB UCE Fig.12. a a cum este prezentat în fig.1.1. Caracteristicile de transfer i reac ie invers (fig.12) reflect ac iunea efectului de modulare a grosimii bazei.F  1 ori mai mare decât curentul invers al colectorului I CB 0 . grosimea bazei se mic oreaz .

1.5. L) i generatoare echivalente de tensiune electromotoare sau curent.5.1. Cuadripol activ este numit circuitul electric format din elemente pasive (R.13. 1. ce posed dou perechi de borne (fig. Reprezentarea tranzistorului ca cuadripol Sub curen i i tensiuni se subân eleg dependen e de tipul (1.  I 2  I1  U1  I2  U2  U1  I1 B C  U2 E Fig. Sistemul de parametri diferen iali ai tranzistorului bipolar 1.Caracteristicile statice permit de a determina parametrii de baz ai tranzistorului bipolar i sunt utilizate pentru calculul etajelor de amplificare în circuitele electronice cu tranzistoare. Perechii de borne de ie ire îi   corespunde curentul I 2 i tensiunea U 2 .13).25) i. Tranzistorul ca cuadripol activ Varia iile mici ale tensiunii pe jonc iunile tranzistorului aduc la schimb ri liniare în valoarea curen ilor i tranzistorul devine cuadripol liniar activ.1. C. Perechii de borne de intrare îi corespunde   curentul I1 i tensiunea U 1 .

t ! I m sin.

.[t  N .

t ! U m sin.

! I e  j.[t  ] .

[ t  N . U ! U e  j.

[t ] .  (1.26) I m m Exist ase sisteme posibile de ecua ii pentru descrierea tranzistorului bipolar ca cuadripol. care sunt prezentate în tab. 21 .1.2.

I 2 I1. e ± parametrii tranzistorului în cuplaj EC. (1. U 2 I 1 . I1 U1 . H) sunt determina i din condi iile mers în gol sau scurtcircuit dup curent alternativ în dependen de sistemul de parametri.c ± parametrii tranzistorului în cuplaj CC. la intrarea tranzistorului în circuitul bazei se conecteaz un rezistor cu rezisten înalt . I 2 U1 . I 2 I 1 . Între sistemele de parametri Z i H exist o interdependen .27) ¯   U ° 2 ! 21I1  22 I 2    ®1 ! Y11 U1  Y12 U 2 I . 22 . Valorile numerice ale parametrilor diferen iali ai tranzistorului ca cuadripol depind de schema de conectare.29) ¯   I ° 2 ! H 21I 1  H 22 U 2 Parametrii diferen iali (Z. Rezisten a jonc iunii emitorului polarizat direct este mic i pentru ob inerea st rii de mers în gol. U1 I 2. De aceea parametrii diferen iali se noteaz cu indici suplimentari: b ± parametrii tranzistorului în cuplaj BC.Tabelul 1. De aceea sistemul de parametri H este cel mai comod pentru m sur ri. Y. Y. (1.3. (1.28) ¯   I °2 ! Y21 U 1  Y22 U 2    ® 1 ! H 11U1  H12 I 2 U . H    ® 1 ! 11I 1  12I 2 U .2 Sisteme de ecua ii pentru descrierea tranzistorului Argumentul Func iile I1. I 2 U1 . U1 Cele mai întrebuin ate în practic sunt trei sisteme de parametri i anume: Z. U 2 I1.1. Transferul de la un sistem la altul este u or de efectuat conform rela iilor din tab. U 2 U2 . U 2 U1 . U 2 I 2.

3 Leg tura dintre parametrii Z. sunt prezentate rela iile de baz pentru parametrii H la conectarea tranzistorului EC i BC.Y.4.Tabelul 1.4 Parametrii H pentru diferite scheme de conectare H11e ! H 21e H11b 1  H 21b H 21b ! 1  H 21b H12e ! H11b H 22b  H 21b 1  H 21b H 22 b H 22e ! 1  H 21b H 12c ! H 21e  1 H 22c ! H 22e H 11c ! H 11e H 21c ! H 21e  1 23 .1. Tabelul 1.H ?Z A ?ZA Z 11 Z 21 Z 22 (Z Z  21 (Z ( 22 ?Y A Y22 (Y Y  21 (Y Y11 Y21 1 Y11 Y21 Y11  Y12 (Y Y11 (Y ?H A (H H 12 H 22 H 22 H 1  21 H 22 H 22 1 H  12 H11 H 11 H 21 (H H11 H 11 H 11 H 21 H 12 H 22 Z12 Z 22  Z12 (Z Z11 (Z 12 22 ?YA Y12 Y22  Y12 Y11 (Y Y11 ?H A  21 22 1 22 În tab.

30) sau (1. (1. utilizând rela ia (1.30) poate fi scris sub forma: (U 1 ! h 11(I 1  h 12 (U 2 .31).Tabelul 1. ob inem: (U 1 U . (1.32) ! h 11 ! m1 I m1 U m 2 ! 0 (I 1 (U 2 ! 0 h 21 !   (I Im2 ! 2 . când tranzistorul nu introduce defazaj între curent i tensiune. (1.30) ¯ I ° m 2 ! h 21I m1  h 22 U m 2 Sistemul de ecua ii (1. parametrii H complexi sunt substitui i cu valori reale U m 1 ! h 11I m1  h 12 U m 2 . I m1 U m 2 ! 0 (I 1 (U 2 ! 0 (1.4 (continuare) H11b ! H 21b H 11e 1  H 21e H 21e ! 1  H 21e H12b ! H11e H 22 e  H 21e 1  H 21e H 22e H 22b ! 1  H 21e La frecven e joase. ob inem: (U 1 U .33) Pentru determinarea parametrilor h12 i h 22 la intrarea cuadripolului asigur m regim mers în gol dup curent alternativ ( U m1 ! 0 sau (U1 ! 0 ) i.34) ! h 12 ! m 1 U m 2 I m1 ! 0 ( U 2 (I 1 ! 0 24 .31) ¯ ( ° I 2 ! h 21 (I 1  h 22 ( U 2 Pentru determinarea parametrilor 11 i 21 la ie irea cuadripolului asigur m regim scurtcircuit dup curent alternativ ( U m 2 ! 0 sau (U 2 ! 0 ) i. (1.31). utilizând rela ia (1.30) sau (1.

h22 . 1 ! care indic reac ia invers în tranzistor.1.   (1. adic influen a curentului de ie ire asupra circuitului de intrare (fig. Fiec rui sistem de parametri îi corespunde o schem echivalent . ! U m 2 I m1 ! 0 (U 2 (I 1 ! 0 (1. Pentru simplificarea calculelor se introduc schemele echivalente formale.35) Coeficien ii 12 i 22 exprima i în a a mod.36)  Tensiunea de intrare U 1 prezint suma c derilor de tensiune  !   Ud 11I 1 pe impedan a la circula ia curentului I1 i 1 11 d  tensiunii generatorului cu impedan a diferit de zero Ud 12 I 2 .h 22 ! (I 2 Im 2 . 1. 22 I 2 .14). Acest sistem permite prin m surarea nemijlocit s determin m cel mai important parametru al tranzistorului ± coeficientul de amplificare dup curent.coeficient de reac ie invers dup tensiune.conductibilitatea de ie ire pentru regim mers în gol la intrarea cuadripolului ?Sm A.5. când la intrarea tranzistorului este asigurat regim mers în gol. putem scrie ®1 ! U ¯ U °2! 11 I 1 21 1   I  12 I 2 . Pentru sistemul de parametri Z. au urm toarele denumiri i unit i de m sur : h12 . Avantajele sistemului de parametri h se explic prin comoditatea determin rii lor experimental i întrebuin area pe larg pentru proiectarea diverselor rezolv ri tehnice ce utilizeaz tranzistoare bipolare. Schemele formale pentru substituirea tranzistorului Descrierea propriet ilor tranzistorului pentru semnale alternative cu amplitudini reduse cu ajutorul ecua iilor cuadripolului nu este comod la calculul schemelor practice. 25 .2.

1. Schema formal de substituire a tranzistorului în sistemul de parametri Z  Tensiunea la ie ire U 2 este determinat de tensiunea  !  generatorului Ud 21I 1 care arat propriet ile de amplificare ale 2 d  tranzistorului i c derii de tensiune Ud 22I 2 pe impedan a de 2 ! ie ire a tranzistorului Z 22 .15.15). 2 Pentru sistemul de parametri Y. care circul prin admitan a de ie ire. 1 ! care determin reac ia invers în tranzistor (fig.1. putem scrie    I1 ! Y11U 1  Y12 U 2 .14. I1 Z 11 Z 22  I2  U1 !  U 1d Z 11 I 1 d  U 1d Z 12 I 2 ! d  U 2d Z 22 I 2  ! U2  !  Ud Z I 2 21 1 Fig. Curentul de   !  ie ire I 2 este format din curentul generatorului Id Y21U 1 ce 2 caracterizeaz propriet ile de amplificare ale tranzistorului i d  curentul Id Y22 U 2 . Subliniem c impedan a generatorului  !   cu tensiunea Ud Z 21I 1 pentru curentul I 2 este egal cu zero.1. ¯   I °2 ! Y21 U1  Y22 U 2   !  Curentul de intrare I1 este format din curentul Id Y11 U 1 ce 1 d  circul prin admitan a Y11 i curentul generatorului Id Y12 U 2 . 2 !  I1 d  I 1d Y11U 1 ! !  I 1d Y12U 2 !  d I 2d Y22U 2   d I 2 ! Y21U 1 Y22  I2  U2  U 1 Y11 Fig. Schema formal de substituire a tranzistorului în sistemul de parametri Y 26 .

Pentru sistemul de parametrii H sau h putem scrie    ® 1 ! H 11 U1  H 12 I 2 . 1.3.1. U ¯   I ° !H I H U . În fig. 1.16. 2 21 1 22 2 Tensiunea de intrare prezint suma c derilor de tensiune d H I pe impedan a de intrare H i tensiunea generatorului U 1 ! 11  1 11 d H U .  I1 H 11 !  d I 2d H 22U 2   d I 2 ! H 21U 1  I2  H 22 U 2  U1 !  U 1d H 11 I 1 d  U 1d H 12 I 2 ! Fig. iar Y22 . Schema formal de substituire a tranzistorului în sistemul de parametri H  !  Curentul de ie ire I 2 prezint suma curen ilor Id H 21I 1 ce 1 caracterizeaz propriet ile de amplificare ale tranzistorului i d  curentul Id H 22 U 2 care circul prin admitan a de ie ire H 22 .1. Pentru aceasta se folose te metoda grafic . Determinarea parametrilor diferen iali ai tranzistorului dup caracteristicile statice Parametrii diferen iali sunt determina i pentru punctul de func ionare stabilit ini ial cu utilizarea familiilor de caracteristici statice de intrare i ie ire ale tranzistorului bipolar. care caracterizeaz reac ia invers în tranzistorul  U 1d 12 2 ! bipolar (fig.16).5.1.în regim de scurtcircuit la intrarea cuadripolului.18 este ar tat metoda grafic care permite 27 . deoarece H 22 este determinat în condi ii de mers în gol la intrarea cuadripolului. 2 ! Subliniem c admitan a H 22 nu este egal cu admitan a Y22 .17 i fig.

Determinarea parametrilor h 22e i h 21e dup caracteristicile de ie ire Substituind amplitudinile mici ale curen ilor i tensiunilor pentru semnalele variabile cu devieri finite ob inem U mb ! (U BE . U mc ! (U CE .26). (U CE U B ! const 28 . conform (1. (I B U CE ! const (U BE . IC (I C (I C d" d d d d I Bd I B " I B Ad Bd D B O Dd (U CE (U CE A d IB d d IB Fig.38) Pentru amplitudinile tensiunilor rela iilor (1. (1. I m ! (I B .17.determinarea parametrilor h ai tranzistorului bipolar în punctul de func ionare definit O.37) i curen ilor. h11e ! h 12e !   d d I Bd U CE (U BE . (1.25).30) poate fi scris sub forma U B ! h 11e I B  h 12e U C . I mc ! (I C . ¯ I ° C ! h 21e I B  h 22e U C . Pentru schema EC rela ia (1. putem scrie:  U mb ! h 11e I mb  h 12e U mc . ¯ I ° mc ! h 21e I mb  h 22e U mc .1.

(U CE I B ! const d d U CE d d d U CE d U CE B IB d U CE d d d d d (U CE ! U CE  U CE (U CE ! 0 d d U CE d d d U CE Ad O A Bd U BE (I B (I B (U BE (U BE Fig.18. Apoi determin m media aritmetic a acestui parametru.1.17. Din punctul dat O se traseaz o linie vertical pân la intersec ia cu caracteristica de sus în punctul D i cu cea de jos ± în punctul D¶. 29 . lâng punctul O sunt construite dou triunghiuri mici OAB i OA¶B¶ cu valori echivalente pentru (U CE . ( I B U CE ! const (I C .h 21e ! h 22e ! (I C !F.1. Determinarea parametrilor h 11e i h 12e dup caracteristicile de intrare În fig. ipotenuza c rora o prezint caracteristica pentru curentul continuu al bazei d I B ! Id Din fiecare triunghi determin m conductibilitatea de B . d ie ire ce corespunde curentului bazei Id B h 22e ! (I C (U CE I B ! const .

Y. hd ! . La analiza func ion rii circuitelor o întrebuin are deosebit au ob inut-o parametrii fizici ai tranzistorului. 12 e d d d CE d 2 Ud  Ud Ud  Ud CE CE CE 1. h 12e ! 12 e . De exemplu.1. Utilizându-se ace ti parametrii. se modific doar pozi ia în schema echivalent . Apoi din fiecare triunghi g sim parametrii i calcul m media lor aritmetic .Pentru fiecare segment (OD i OD¶) se determin h 21e ! F hd ! 21 e parametrul d d .18). lega i de procesele fizice care au loc în tranzistor i care nu depind de schema de conectare. H se numesc externe deoarece ele se m soar la bornele cuadripolului i m rimile acestor parametri depind de schema de conectare a tranzistorului. 21 e d d d d Id Id Id Id B  B B  B Apoi calcul m media aritmetic pentru parametrul dat d hd  hd 21e . Pe grafic determin m punctul dat O ce corespunde m rimilor U CE i I B asem n tor cu cel din desenul cu caracteristicile de ie ire. 30 . h 21e ! 21e 2 Parametrii h 11e i h 12e se determin dup caracteristicile de intrare ale tranzistorului (fig. pentru coeficientul de reac ie invers h 12e hd ! 12 e d hd  hd OA OA d 12 e d . hd ! . poate fi alc tuit schema echivalent fizic a tranzistorului la semnale mici. În apropierea punctului O se construiesc dou triunghiuri mici OAB i OA¶B¶. Schemele echivalente ale tranzistorului la frecven joas Sistemele de parametri diferen iali Z.6. La trecerea de la o schem de conectare la alta m rimile numerice ale parametrilor fizici nu se modific .

6.39) © ¹ ª º unde I E 0 este curentul de scurgere al jonc iunii emitorului. rE ! xU E . Curentul jonc iunii emitorului polarizate direct se determin conform rela iei U ¨ k ¸ I E ! I E0 © e  1¹ . xI E ( U C ! 0 unde: U E este tensiunea între emitor i baz . ( U C ! x U C . Rezisten a diferen ial jonc iunii emitorului i capacitatea Rezisten a diferen ial a jonc iunii emitorului rE se determin ca rela ia dintre tensiunea aplicat pe jonc iunea emitorului (U E i curentul emitorului (I E . I E .1.curentul jonc iunii emitorului. kT q } 0. putem scrie: E qU ¨ ¸ 1 « xU E » q qI E © I E 0e kT ¹ ™ !¬ ¼ !© ¹ kT } kT . ( I E ! xI E . (U E . U C . pentru rezisten a diferen ial a jonc iunii emitorului.tensiunea între colector i baz . se ob ine ( U E ! xU E . când în circuitul colectorului este asigurat regim de scurtcircuit dup curent alternativ. rE ! (I E (U C ! 0 Dac substituim devierile curen ilor i tensiunilor cu echivalent diferen ial. rE ­ xI E ½ ª º T ! 300 K .1. În a a mod. (1.026 .

V i Pentru diferen ial a jonc iunii emitorului este mic kT 26 mA rE } } . A .40) . ?mA A E 1 31  1 rezisten a (1. qI E I E . ?.

Jonc iunea de parc 32 .2. I C .curentul jonc iunii emitorului. capacitatea jonc iunii emitorului polarizat direct ( CE ) la frecven joas este untat de rezisten a rE i influen a ei asupra func ion rii tranzistorului este nesemnificativ . ( U E ! xU E . xI C ( I E ! 0 (1. rC ! (I C (I E ! 0 Se efectueaz trecerea: ( U C ! x U C .I E ! 1 mA i ! 300 K . în general. Curentul colectorului I C circul prin jonc iunea colectorului polarizat indirect i depinde slab de tensiunea aplicat la colectorul U C . ). rC ! xU C . în schema echivalent fizic m rimea CE poate fi neglijat . 1.1 M . M rimea rC este major (de obicei rC " 0. Cu modificarea valorii tensiunii aplicate pe colectorul U C frontiera jonc iuni colectorului se deplaseaz . Din cauza valorii mici a rezisten ei rE .curentul colectorului. ( I C ! x I C . Rezisten a diferen ial i capacitatea jonc iunii colectorului Rezisten a diferen ial a jonc iunii colectorului rC se determin ca rela ia între tensiunea aplicat pe jonc iunea emitorului (U C i curentul colectorului (I C . I E . când în circuitul emitorului avem mers în gol dup curent alternativ (U C . La frecven joas . de efectul de modulare a grosimii bazei i de curentul de scurgere. De exemplu. Rezisten a diferen ial a jonc iunii colectorului este determinat . pentru rE ! 26 Ohm .41) unde: U C este tensiunea între colector i baz .6.

7). Drept rezultat al modific rii valorii E (când I E ! const ).s-ar mi ca în întâmpinarea golurilor la majorarea tensiunii U C i se retrage la mic orarea ei (fig. Cum arat d calculele.6. Respectiv se modific viteza mi c rii de difuzie a purt torilor minoritari din baz i num rul de goluri ce recombin în procesul mi c rii de difuzie de la emitor spre colector.3. la rândul s u. Îns capacitatea CC unteaz o rezisten mai mare ( rC ). la dependen a coeficientului de amplificare dup curent E de tensiunea aplicat pe jonc iunea colectorului. În rezultat. Aceasta condi ioneaz majorarea total a rezisten ei diferen iale a colectorului rC . 1. Rezisten a de volum a bazei Materialul semiconductor din regiunea bazei i contactul d ohmic al bazei posed o oarecare rezisten rB .1. de aceea cu majorarea frecven ei aceast capacitate are o influen considerabil asupra func ion rii tranzistorului.42) Jonc iunea colectorului polarizat indirect posed capacitatea CC care este determinat de raportul dintre modificarea valorii sarcinii spa iale în jonc iune i valorii tensiunii colectorului când în circuitul emitorului este asigurat regim mers în gol. Aceasta. prin urmare. De obicei capacitatea colectorului CC este cu mult mai mic decât capacitatea jonc iunii emitorului polarizat direct CE . ce poart un caracter de difuzie xI xE xE 1 xWB . ! C ! IE ! IE } xU C xWB xU C rC xU C (I E ! 0 (1. cu schimbarea tensiunii pe colector se modific i valoarea curentul colectorului I C . conduce la dependen a coeficientului de transfer de difuzie a golurilor = i. gradientul concentra iei golurilor din baz cre te la mic orarea grosimii bazei i descre te la m rirea grosimii bazei. valoarea rezisten ei bazei rB poate fi determinat conform rela iei 33 .

Conform legilor fizice.mobilitatea purt torilor majoritari în baz . Schema echivalent pentru cuplaj baz comun Utilizând parametrii analiza i anterior.43) rB ! rB  rBd d rB ! 1.1.19. În schema echivalent jonc iunile emitorului i colectorului sunt reprezentate prin rezisten ele lor diferen iale rE i rC . poate fi construit schema echivalent în T de conectare a tranzistorului cu baz comun . Q n . rezisten a bazei trebuie redus la minim. WB grosimea bazei. Majorarea d rB m re te pierderile în circuitul de intrare. (1.4. Acest circuit echivalent este prezentat în fig.concentra ia donorilor în baz .1 . Pentru majorarea eficacit ii emitorului i mic orarea pierderilor de putere a semnalului de intrare. de aceea circuitul bazei este caracterizat de rezisten a total : d d . Îns aceste considera ii nu ne dau precizia necesar i necesit introducerea rezisten ei ad ug toare d . Efectul  de transfer al curentului emitorului I în circuitul colectorului pe E schema echivalent este indicat sub form de generator de curent  EI E . majorarea rB trebuie s mic oreze curentul emitorului pentru tensiune constant între emitor i baz .6. 8TqQ n N x WB unde: q este sarcina electronului. Cu majorarea valorii grosimii bazei i concentra iei impurit ilor rezisten a de volum a bazei se mic oreaz . d Introducerea rezisten ei rB în circuitul bazei ia în considerare reac ia intern în tranzistor i influen a modula iei grosimii bazei asupra curentului emitorului. ceea ce mic oreaz d eficacitatea emitorului. deoarece aceast tensiune este distribuit între d jonc iunea emitorului i rezisten a rB . rBdnumit de difuzie. N x . unde E prezint coeficientul de transfer al curentului 34 .

1. prezentat în fig. CC  EI E  IE rE Bd rB rC  IC E  UE C  UC B B Fig.1. unde direc iile pozitive ale curen ilor i tensiunilor corespund celor reale în tranzistorul bipolar tip n-p-n. direc ia pozitiv a curentului EI E .1.19.19. coeficientul de transfer dup curent E este socotit independent de efectul de modulare a grosimii bazei. Trebuie de remarcat  c rezisten a intern a generatorului de curent EI E pentru curentul  de ie ire I C tinde spre infinit. trebuie orientat spre punctul Bd Pentru direc ia invers a curentului emitorului (tranzistor tip p-n-p) polaritatea  generatorului EI E este invers .1. emitorului. Schema echivalent a tranzistorului tip n-p-n  cu generator de curent EI E la conectare BC  În cazul orient rii curentului emitorului I E de la punctul Bd spre punctul E (ceea ce corespunde curentului emitorului real în  tranzistorul bipolar tip n-p-n).20).19. Legea descris este determinat de procedeele fizice care au loc în tranzistor. În schema echivalent . Prezen a rezisten ei rB în circuitul 35 . Polaritatea relativ a curentului generatorului EI E în schema echivalent este determinat de sensul pozitiv al curentului emitorului. În schema echivalent a tranzistorului tip p-n-p direc iile curen ilor vor fi inverse (fig. De aceea orientarea curentului emitorului condi ioneaz direc ia tuturor curen ilor r ma i a a cum este ar tat în fig.

19 i fig. (1. Schema echivalent pentru conectarea emitorului comun Schemele prezentate în fig.20.1.1. Ea este utilizat pe larg în calculul ingineresc.20) E G   EI E rC ! I E rG .19 i fig.1.20.bazei eviden iaz leg tura intern în tranzistorul bipolar i influen a modul rii bazei asupra curentului emitorului. rezult din egalitatea c derilor de tensiune create de  curentul EI E pe rezisten a rC (fig. CC  IE rE Bd  IB rB rC  I E rG  IC E  UE C  UC B B Fig. con ine un generator de curent EI E .1. Schema echivalent a tranzistorului tip p-n-p  cu generator I ErG (conectare BC) Echivalen a regiunilor din schem Bd C pentru fig.1.6. unde rG este rezisten a ce reflect propriet ile de amplificare ale tranzistorului.1.19) i tensiunea generatorului  I r (fig. Schema echivalent fizic a tranzistorului bipolar.19.5.20.1. Uneori este mai comod de utilizat schema echivalent în care  în locul generatorului de curent EI E func ioneaz generatorul  echivalent de tensiune I ErG .20 r mân valabile 36 . prezentat  în fig.44) 1. rG ! ErC . Aceast schem este prezentat în fig.1. un num r minim de elemente i reflect procesele fizice ce au loc în tranzistorul bipolar real.1.

 În astfel de circuit curentul generatorului EI E este comod de   înlocuit prin curentul bazei I B i nu prin curentul emitorului I E . C care este determinat ca suma c derilor de tensiune pe rezisten a   rC din cauza curen ilor EI E i I C      . cum este ar tat în fig.  Pentru aceasta este analizat tensiunea U Bd între punctele Bd C.21. dac bornele de intrare de schimbat cu locul a a. 1.pentru conectarea tranzistorului cu EC.

46) B  UB C  UC E E Fig.1.I  EI .C poate fi scris sub forma  U Bd ! C C « F   » ¬I C  1  F I C  I B ¼ ! ­ ½ . Schema echivalent a tranzistorului tip p-n-p  cu generator EI E (conectare EC)    Din cauz c I E ! I C  I B . U d!I  EI ! (1. E ! F /(1  F ) .45) BC C C C E C C E unde 1 1 !  j[ C C . tensiunea între punctele Bd.21. unde F coeficientul de transfer al curentului bazei la conectarea tranzistorului dup schema EC. Z C rC CC  EI E  IB rB Bd  IE rE rC  IC (1.

! Z C ¬I C © 1  ¹ I © ¹ 1  F IB ¼ ! 1  F . « ¨ F ¸ ZC  F »  .

C  FI B 1 F º ª ½ ­ (1.47) 37 .

48).Introducem nota ia (1. rela ia (1.47) cap t forma    U Bd ! Z CE . Dac lu m în considerare (1.48) ! C /(1  F ) .

C la înlocuirea   generatorului de curent EI cu generatorul F I . CE E B Cum se observ din rela iile (1.46) i (1. C Z CE rC Luând în considerare rela iile (1.45) i (1.49) C unde Z CE este impedan a în punctele Bd . I (1.50) 1 F C* ! C C . putem scrie r * rC ! C . unde între punctele  Bd C este conectat generatorul de curent F I B .49).48) pentru schema echivalent a tranzistorului bipolar cuplat EC. direc ia  generatorului de curent F I B trebuie s coincid cu direc ia  generatorului de curent EI E . (1. C  F I B . Impedan a Z CE posed componente activ i reactiv 1 1 ! *  j[ C* .

(1.1  F .51) C CC .

 F 1  FI B  IB rB Bd  IE rE rC 1 F  IC CC .

1.22.  F 1  * I E rG B  UB C  UC Bd rC 1 F C E E Fig. Schema echivalent a tranzistorului tip n-p-n  cu generator de curent F I B i generator de  * tensiune I B rG (conectarea EC) 38 .

22. (1..22) direc iile pozitive ale curen ilor i tensiunilor coincid cu direc iile m rimilor de intrare i ie ire pentru schemele formale.1. 39 .1. ce determin propriet ile de amplificare ale tranzistorului. se determin din rela ia * * rG ! F rC .7.Rela iile (1. Aceasta este posibil dac sunt cunoscute m rimile fizice ale parametrilor tranzistorului în circuitele prezentate în fig.1. Rolul parametrilor h în schema echivalent i calculul lor Utilizarea schemelor echivalente pentru analiza circuitelor electronice permite de a ob ine leg tura dintre procesele fizice care au loc în tranzistor i parametrii circuitelor.22 direc ia curentului  generatorului F I B este aceea i ca i în schema cu baz comun .1.50).1.22). Rezisten a generatorului rG .1. * rezisten a rC este de zece ori mai mic ca rC .fig.. Cum se observ din analiza schemelor formale de înlocuire a tranzistorului (fig.1.51) permit de a trece de la schema prezentat în fig. Uneori în schema echivalent de conectare a tranzistorului cu  emitor comun în locul generatorului de curent F I B se folose te  * generatorul de tensiune I B rG .C. 1.22 este ar tat por iunea de schem între punctele Bd. Îns constanta de timp a jonc iunii colectorului r mâne aceea i pentru ambele scheme de conectare. (1.7. Partea r mas a schemei r mâne * neschimbat .16) i schema echivalent fizic a tranzistorului tip n-p-n conectat cu emitor comun (fig. Leg tura dintre parametrii fizici ai tranzistorului i parametrii h 1.19 i fig. 1.21 la schema tranzistorului cu generator de  curent F I B (fig. În schema din fig.1.49).14.1. iar capacitatea C* C tot de atâtea de ori este mai mare ca CC . În fig.

* * rE  rC rE  rC » « r r* U mb ! I mb ¬rB  E C * . ! i schema echivalent .Pentru determinarea rela iilor de leg tur între parametrii fizici i parametrii h ai tranzistorului este necesar de a analiza concomitent sistemul de ecua ii a parametrilor h (1. prezentat în fig. (1.1. tensiunea la intrare poate fi determinat ca " " U m ! I m rB  I merE ! I m rB  I m " " " * * rErC rErC  FI m .38) U mb ! h 11e I mb  h 12e U mc . adic U mc ! 0 .37).22. În presupunere c tensiunea de ie ire în aceast schem este egal cu zero. ¯ I ° mc ! h 21e I mb  h 22e U mc .

38) i (1.1  F ¼ . rE  rC ½ ­ Dac compar m rela iile (1.52). ob inem r r* h 11e ! rB  E C * .

52) (1. rE  rC (1.1  F .53) * rC .54) h 11e ! rB  rE . ob inem formula de Luând în considerare faptul c rE leg tur a parametrului h 11e cu parametrii fizici: (1.

Pentru U mc ! 0 .55) .22 ca divizor * de tensiune format de rezisten ele rE i rC dac I mb ! 0 . Din aceste considerente 40 # # h 12e ! Um rE .22) * * U mc  F I mb rC ! I mc (rE  rC ) .1. adic Coeficientul de transfer dup curent al tranzistorului cuplat EC se determin cu ajutorul ecua iei lui Kirghoff pentru circuitul colectorului din schema echivalent (fig. ! * U mc I m ! 0 rE  rC (1. Parametrul h 12e se define te în schema din fig.1  F . ob inem * * F I mb rC ! I mc (rE  rC ) .1.

h 11b ! E . h 22 e ! I mc 1 1 ! } *.2.57) fa de m rimea rE primite de a ob ine formula de calcul pentru rezisten a jonc iunii emitorului h rE ! 12e . (1.h 21e ! * F rC I mc ! .54) i (1. Din rela ia (1.(1. * U mc I mb ! 0 rE  rC rC (1.7.57) indic leg tura dintre parametrii fizici i parametrii h ai tranzistorului ± cuadripol. Determinarea parametrilor fizici dup parametrii h În practic apare problema invers ± dup parametrii h cunoscu i de determinat parametrii fizici ai tranzistorului bipolar.. h11b ! rB 1 . presupunând c amplitudinea curentului bazei este egal cu zero ( I mb ! 0 ).56) Parametrul h 22e dup defini ie prezint conductibilitatea de ie ire pentru regim mers în gol la intrarea tranzistorului. h 21e } F .59) h 22e Remarc m c formula dat poate fi utilizat doar în cazul când coeficientul diferen ial de reac ie invers h 12e posed o 41 .53).. Rezolvarea concomitent a ecua iilor (1.57) Rela iile (1. primim * U mc ! I mc (rE  rC ) . * I mb U mc ! 0 rE  rC * rC se ob ine Luând în considerare c rE (1. Analogic putem ob ine leg tura dintre parametrii fizici i parametrii h ai tranzistorului ± cuadripol în schema de cuplare BC h 11b ! rE  rB (1  E ) . rC rC (1. h 22 b ! .58) 1.55).

59).1. ele sunt calculate dup parametrii h cunoscu i ai tranzistorului cuplat dup schema EC conform rela iilor (1. (1. Analogic poate fi g sit leg tura dintre parametrii h i elementele schemei echivalente fizice pentru conectarea tranzistorului BC. (1. Parametrii h ai tranzistorului sunt m sura i experimental sau determina i conform caracteristicile statice. 1  h 21e rC ! (1  h 21e ) .40).56). (1.61) h 22e În îndrumare m rimile rE .61). conductibilitatea specific a semiconductorului este determinat de 42 . Influen a temperaturii asupra parametrilor semiconductorilor Dependen a parametrilor i caracteristicilor dispozitivelor semiconductoare de temperatur este condi ionat de faptul c propriet ile fizice ale materialului semiconductor într-o m sur mare se modific sub influen a temperaturii.60) h 22e Rela iile (1.54).  rC ! h 22e h 22e * * rC ! (1  F )rC ! (1  h 21e )rC .8. De exemplu. (1.8. (1. Dac acest parametru este aproape sau egal cu zero. (1. 1.59) permit de a calcula rezisten a jonc iunii colectorului dup curent alternativ h12e 1 * . De regul . rC nu sunt întotdeauna incluse. Rela iile (1. Dependen a parametrilor tranzistorului de temperatur 1.57) i (1.52). rB . se utilizeaz formula (1.57) permit de a ob ine formula pentru calculul rezisten ei bazei h rB ! h11e  21e (1  h 22e ) .valoare semnificativ .60). (1.

Dependen a electroconductibilit ii specifice a semiconductorului cu impurit ii de temperatur La temperatur foarte joas în semiconductor electronii ce se afl pe ultimul nivel energetic interac ioneaz între ei foarte puternic.rela ia W ! q(nQ n  pQ p ) . Majorarea valorii conductibilit ii specifice are loc dup legea Tn .62) unde: Q n . concentra ia purt torilor de sarcin intrinseci r mâne s fie nesemnificativ i. unde n este un num r întreg sau frac ionar.23. Cu m rirea de mai departe a temperaturii to i atomii de impurit i sunt ioniza i. n . conductibilitatea specific scade din cauza mic or rii mobilit ii purt torilor de sarcin Q ! f ( T  3 2 ) .23. ™ cm 1 103 102 10 N1 N2 N 3 " N 2 " N1 N3 1 0 10 20 30 40 50 1000 T. 43 . p . Q p prezint mobilitatea purt torilor de sarcin ce sunt func ie de temperatur . ca urmare. W .1.concentra ia purt torilor de sarcin .1. Majorarea de mai departe a conductibilit ii specifice cu cre terea temperaturii are loc din cauza apari iei perechilor electron ± gol în semiconductorul intrinsec. K Fig. Dependen a tipic a conductibilit ii specifice a semiconductorului de temperatur este prezentat în fig. . Cu majorarea temperaturii la are loc ionizarea atomilor de impurit i i majorarea concentra iei purt torilor de sarcin mobili. (1.

(1.fig.grosimea bazei. Se observ c odat cu majorarea temperaturii pentru curentul emitorului constant rezisten a rE cre te. depind de temperatur .66) rC ! I EL C Pentru a determina influen a temperaturii asupra rezisten ei jonc iunii colectorului este necesar de a analiza caracteristicile în func ie de temperatur a parametrilor ce intr în componen a rela iei (1. (1.1.66). (1. .64) qI E unde F este coeficientul de transfer dup curent în cuplarea tranzistorului EC.1.22.2. prezentate în fig. Rezisten a jonc iunii emitorului depinde de temperatur în modul urm tor kT rE ! . Se cunoa te c 44 . Rezisten a colectorului tranzistorului (f r drift) în cazul jonc iunii abrupte U F WB . Rezisten a bazei este determinat de rela ia k rB } F rE ! F .curentul emitorului.19..sarcina electronului.grosimea jonc iunii colectorului. Modificarea parametrilor tranzistoarelor bipolare la varia ia temperaturii Practic to i parametrii schemei echivalente a tranzistorului. L C .65) rC ! CE I ELC unde: U CE este tensiunea între baz i colector. I E .temperatura.. Pentru tranzistorul cu drift 3U CEF WB .1.63) qI E unde: k este constanta lui Boltzman.8. WB . (1. q .

.03. Majorarea valorii lui E provoac cre terea lui F . (1. i este mai eviden iat la temperaturi înalte (se m re te de dou ori la fiecare 10 grade în varia ia temperaturii).68) unde: K este coeficientul de injec ie.0.bariera de poten ial. Fiindc U CB "" N C asupra grosimii jonc iunii influen eaz nivelul concentra iei purt torilor de sarcin cu modificarea temperaturii. Cu majorartea temperaturii cre te pu in i valoarea 2 coeficientului de transfer K ! 1  WB 2L2n .E . În a a mod. deoarece se m re te F! neesen ial i lungimea de difuzie a purt torilor de sarcin L n . (1. curentul emitorului cre te din cauza modific rii valorii I EB 0 . Deoarece concentra ia purt torilor de sarcin se m re te odat cu cre terea temperaturii..eficacitatea colectorului. unde I EB 0 este curentul termic al jonc iunii emitorului. Modificarea valorii E constituie 0.p .69) I E ! I EB 0e kT . dup legea exponen ial . grosimea jonc iunii scade. Aceasta provoac majorarea coeficientului de transfer dup curent E . Cu majorarea temperaturii. Jonc iunea colectorului este asimetric i grosimea poate fi exprim prin rela ia 2II 0 N C  U CB . Curentul emitorului depinde de temperatur qU EB (1.70) ™ LC ! q N unde: N este concentra ia impurit ilor în regiunea jonc iunii colectorului. ] .coeficientul de transfer. la o temperatur nu prea înalt cea mai mare influen 45 . N C .67) 1 E Coeficientul de transfer al curentului în cuplaj BC E este determinat de rela ia E ! K]M .05% o C . M . (1.p .

Dac vom trece de la logaritmul natural la cel in baza 2. 2.o va avea majorarea coeficientului de transfer F .TY ! 4. TY ! 7 K .5 0 rC rE E . ceea ce va provoca m rirea rezisten ei jonc iunii colectorului.71) I CT ! I CT eG ™ (T .1.24. G ! 0. din siliciu . Dependen a de temperatur a parametrilor din schema echivalent analiza este prezentat în fig.0 1. ! k 02 0 pentru germaniu i G ! 0. ob inem 1 La T ! 300 ( K ) .1 ( K 1 ) I CT ! I CT0 2 ln 2 este temperatura de dublare a curentului termic.0 0. (T ! T  T0 .16( K ) pentru siliciu.5 K . G Pentru jonc iunea fabricat din germaniu. unde TY ! un. rel . unde (E .5 1. La temperatur mai înalt va avea loc mic orarea rC din cauza influen ei tot mai mari a curentului emitorului (1.

oC I CB 0 E . E 1 rE rB 40 0 I CB 0 40 rC T .

72) . E 1 rB 80 Fig.24.1. Dependen a parametrilor fizici de temperatur pentru tranzistorul bipolar 46 $ (T TY . (1.

h12b ! B . rC rC E h11e ! rB  rE (1  F ) .Dup cum se cunoa te. h 22 b ! . apare problema invers ± dup parametrii h cunoscu i se determin parametrii fizici h 1  h 21e h rB ! h11e  12e . de obicei. tranzistorul bipolar poate fi prezentat ca cuadripol liniar. h 22 e ! ! *.73) 1 E r 1 1 h12e ! E . (1. * rC rC (1  E ) rC În practic . h 11b ! E . Parametrii h ai tranzistorului sunt lega i de parametrii schemei echivalente prin rela iile urm toare r 1 h 11b ! rE  rB (1  E ) . h 21e ! .

74) h 22e h 22 e h 22e Dependen a de temperatur a parametrilor h pentru tranzistorul bipolar este prezentat în fig. un.25.1  h 22e . Dependen a parametrilor h de temperatur pentru tranzistorul bipolar 1. rel . (1. 4. rE ! 12e .0 1. rC ! .3. Dependen a caracteristicilor tranzistorului bipolar de temperatur Cu majorarea temperaturii. curentul emitorului se m re te esen ial i caracteristica de intrare pentru schema de conectare BC 47 .1.25.1.0 2.0 0 40 20 0 20 40 h11e h21e h12 e h22 e T .8. oC Fig.0 3.

atunci devierea caracteristicilor de ie ire cu temperatura pentru schema BC este nesemnificativ (fig.75) I C ! EI E  I CB 0 ..1.1. E IC IC IC I C I CB 0 (1.2mV o C .77) Din cauza c modificarea coeficientului E nu este major .26.76) dI C ! I E dE  dI CB 0 . Curentul de ie ire (curentul colectorului) se determin conform rela iei (1..26). Deplasarea caracteristicilor are loc aproximativ cu 1. Pentru schema de conectare EC curentul de intrare este curentul bazei care aproximativ este determinat din formulele Ebers ± Moll în modul urm tor: ¨ UE ¸ ¨ UC ¸ I B ! . Rezult c pentru curent constant al emitorului modificarea absolut a curentului colectorului va fi urm toarea: (1. iar I CB 0 I C este de ordinul 10 6 .10 3 ..are forma indicat în fig. Modificarea relativ pentru curentul colectorului este dI C I E dI dE I CB 0 dI CB 0 ! dE  CB 0 !  ™ ..

1  E ™ I ECB © e NT  1 ¹  .

coeficientul de transfer în regim de inversie. I CBC .1.curen ii inver i ai jonc iunii emitorului i colectorului.78) unde: E prezint coeficientul de transfer în regim activ. Caracteristicile de intrare. 48 . © ¹ © ¹ ª º ª º % (1. se intersecteaz . deoarece unele componente din rela ia (1.1  E i ™ I CBC © e N  1 ¹ .27).78) depind în mod diferit de temperatur (fig. I ECB . m surate pentru diferite temperaturi. N T ! kT q poten ialul termic. Ei .

26. 1. mA I E . QA 100 80 60 40 20 0 45 oC 20 oC Fig. Dependen a de temperatur a parametrilor h I B . m 0 5 I E ! 2 mA 10 I E ! 10 mA I E ! 6 mA 60 oC 50 oC 20 oC 80 oC Fig.I C . Dependen a de temperatur a caracteristicilor de intrare în schema de cuplare EC Curentul colectorului pentru schema de conectare EC se scrie în forma urm toare: I C ! F I B  .1.27. mA 4 3 2 1 0 & 50 oC 12 9 20 oC 6 3 100 200 U EB .

(1. m & 15 U CB .78) 49 ' 100 U BE . m .F  1 I CB 0 .

mA 12 10 8 6 4 2 0 5 I B ! 40 QA 30 QA 60 oC 20 QA 10 QA I B ! 40 QA 30 QA 20 oC 20 QA 10 QA 10 U CE . Dependen a de temperatur a caracteristicilor de ie ire în schema cu EC Instabilitatea relativ a curentului colectorului pentru I B ! 0 E I CB 0 I CB 0 IC I .28. Fig.1.I C .80) } . (1.

F  1  ™ ! .

F  1 C I C EC I C BC E I C I CB 0 adic se m re te în compara ie cu conectarea BC de .

Regimul limit de func ionare pentru tranzistoarele bipolare la varia ia temperaturii Se cunoa te c odat cu majorarea temperaturii considerabil se m re te concentra ia purt torilor de sarcin minoritari în func ie 50 ( . sunt prezentate caracteristicile de ie ire ale tranzistorului bipolar conectat în schema EC.1. dac în diapazonul dat de temperaturi în schema BC modificarea formei caracteristicilor de ie ire va fi de câteva procente.28. Din rela ia (1. 1.4.80) se observ c modificarea caracteristicilor de ie ire a tranzistorului conectat în schema EC este semnificativ .F  1 ori.8. atunci pentru conectarea EC ea va constitui sute de procente. ob inute pentru câteva valori ale temperaturii. În fig. De exemplu.

Când concentra ia purt torilor de sarcin minoritari se apropie de concentra ia purt torilor de sarcin majoritari.1 eV ). Dintre toate regiunile din structura tranzistorului cea mai mare putere este disipat pe jonc iunea colectorului..rezisten a termic radiator ± mediu.100o C . TC . De obicei ea se exprim în grade celsius pe miliwat sau grad celsius pe wat i pentru majoritatea tranzistoarelor se plaseaz în limitele 30.01 eV ).200 o C W .. Aceasta se datoreaz diferen ei dintre l rgimea benzii interzise (pentru germaniu 0.rezisten a termic a jonc iunii colector . Temperatura maxim admisibil determin regimurile de limit 51 . deoarece ea posed rezisten electric mai major . Rezisten a termic este un parametru important al tranzistorului i este indicat în îndrumarele respective. Pentru tranzistoarele fabricate din germaniu temperatura maxim de func ionare variaz în limitele 70.0.de l rgimea benzii interzise a semiconductorului..  60 C . func ionarea dispozitivului semiconductor se deregleaz .. Limita de jos a temperaturilor de lucru este determinat de energia de ionizare a impurit ilor ( 0.carcas ... siliciu 1.200o C . iar pentru cele din siliciu în limitele 125. Pentru func ionarea normal tranzistoarele de putere sunt utilate cu radiatoare iar puterea disipat de jonc iunea colectorului poate fi determinat conform rela iei T  TC PC ! n . Temperatura maxim de lucru este determinat de energia de ionizare a semiconductorului i concentra ia impurit ilor. Practic diapazonul minim al temperaturilor de lucru este limitat de diferi i factori tehnologici i de particularit ile constructive i se plaseaz în limitele o 70. i reprezint aproximativ  200o C .81) RT  RTC unde: Tn este temperatura jonc iunii colectorului. R T .temperatura mediului.72 eV .05. (1.... R T C ..

1. Cu cre terea temperaturii.30. B. Dependen a de temperatur a regimurilor de func ionare a tranzistorului Dependen a experimental care leag varia ia de temperatur (t p i coeficientul termic B este prezentat în fig. Dependen a de temperatur a coeficientului termic 52 . Suprafa a radiatorului este determinat de rela ia (1. V Fig. curba puterilor admisibile se deplaseaz în jos (fig. oC p Fig. A I C max 4 3 2 1 0 5 10 T2 PC max I B ! 200 mA T1 150 mA 100 mA 50 mA 25 mA U CE max U CE . 1.1. iar curba 2 ± r cirii for ate (viteza fluxului de aer aproximativ 300 m s ).30. IC . tensiune i putere. Curba 1 corespunde convec iei libere a aerului.82) S R ! BPC . cm 2 W 80 60 40 20 0 2 20 40 1 60 80 (t .29).29.1.dup curent. 2 unde B este coeficientul termic cm W .

adic întârzierea oscila iilor curentului de ie ire fa de cel de intrare. Asupra diapazonului frecven elor de lucru a tranzistoarelor influen eaz urm torii parametri: y timpul de difuzie al purt torilor de sarcin minoritari în regiunea bazei de la jonc iunea emitorului la cea a colectorului. tehnologia de fabricare. propriet ile de amplificare ale tranzistorului bipolar se înr ut esc. regimul de lucru i schema de conectare. y apare defazajul. y 53 . rezisten a bazei rE . Dispersia purt torilor de sarcin în baz Propriet ile de amplificare a tranzistoarelor sunt determinate de: propriet ile materialului din care sunt confec ionate. Cu majorarea frecven ei.În a a mod la proiectarea aparatajului radioelectronic cu tranzistoare ce lucreaz într-un diapazon larg de temperaturi i este important de a cunoa te ce influen are temperatura asupra parametrilor i caracteristicilor elementului activ i care sunt limitele în func ionarea acestui dispozitiv electronic.9.1. Viteza de propagare a purt torilor de sarcin în regiunea bazei este diferit i de aceea grupul de purt tori de sarcin ce au intrat concomitent în regiunea bazei ating regiunea colectorului în timp diferit. 1. determinat de dimensiunile ei geometrice.9. construc ia. Asta înseamn c : y scade puterea de ie ire. y capacitatea jonc iunii emitorului CE i colectorului CC . Dependen a parametrilor tranzistorului de frecven 1.

ce posed o vitez de mi care mai mic . semnalul la ie irea tranzistorului va fi unul mediu. cu valoarea timpului mediu de propagare a procesului de difuzie prin baz X D . Când la intrarea tranzistorului se aplic semiperioada pozitiv a semnalului. atunci la ie irea lui frontul din spate i cel din fa a fiec rui impuls va fi întins i impulsurile posed form de trapez. Pentru o frecven major a semnalului. semiperioada pozitiv va trece în cea negativ . Dependen a coeficientului de transfer dup curent de frecven Fie c tranzistorul bipolar de tip p-n-p este conectat BC i func ioneaz în regim activ.9. aplicat la intrarea tranzistorului. alt parte. O parte din ele ajung destul de rapid la jonc iunea colectorului. Dispersia vitezelor golurilor în baz aduce la aceea c odat cu m rirea frecven ei are loc înr ut irea efectului de amplificare i mic orarea coeficientului de transfer dup curent E . Dac la intrarea tranzistorului aplic m impulsuri dreptunghiulare de durat redus . Cu cât mai mare este grosimea regiunii bazei i. cu atât este mai pronun at întârzierea purt torilor de sarcin i cu atât mai mic va fi coeficientul de transfer dup curent. prin urmare. se re ine pu in.1. Drept rezultat. timpul de parcurgere a bazei de c tre goluri. Modificarea curentului colectorului va avea loc mai târziu decât modificarea curentului emitorului.2. Influen a dispersiei vitezei purt torilor de sarcin se manifest i asupra formei semnalului. Nivelul de mic orare a coeficientului de transfer dup curent cu cre terea frecven ei este determinat de grosimea bazei WB . La fel are loc i distorsionarea semnalului sinusoidal. atunci din jonc iunea emitorului se injecteaz în baz un num r mare de goluri. În timpul ac iunii semiperioadei negative num rul golurilor injectate se va mic ora i o parte din ele va ajunge la jonc iunea colectorului odat cu cele întârziate de la semiperioada pozitiv . Vom analiza defazajul între curentul emitorului i curentul colectorului. 54 . când timpul mediu de mi care a golurilor în regiunea bazei este comparabil cu perioada acestui semnal.

injecta i în baz .coeficientul de difuzie al golurilor în baza-n. R p ! Rp Dp WB unde: R p este viteza purt torilor de sarcin minoritari. Pentru tranzistoarele bipolare în formulele (1. Pentru tranzistoarele bipolare tip p-n-p timpul mediu de tranzi ie a procesului de difuzie sau timpul mi c rii de difuzie se determin ca Dp W W2 . Întârzierea X D T poate fi neglijat .83) indicii respectivi trebuie indica i pentru electroni.IE IC IE IC t XD T Fig. M rimea X D este determinat de grosimea bazei i de coeficientul de difuzie.grosimea bazei. Cu cre terea i devine frecven ei semnalului.1. Pân când frecven a semnalului nu este mare i perioada de repetare a procesului considerabil întrece timpul mediu de difuzie X D . 1. Dp .83) XD ! B . Diagramele în timp a curen ilor de intrare i ie ire la frecven înalt În fig. perioada T se mic oreaz comparabil cu timpul de difuzie X D . putem socoti c schimbarea formai curentului colectorului are loc practic momentan dup legea de schimbare a curentului emitorului.31. Semnalul în circuitul colectorului este în defazaj fa de cel în circuitul emitorului cu unghiul de defazaj N B 55 . (1. XD ! B .31 este prezentat diagrama temporal a componentei alternative a curentului colectorului. WB .

Dp (1. Dac curentul emitorului variaz dup legea (1.84) Bazei cu grosimea mai mare îi corespunde un timp de difuzie X D mai major.N B ! [X D ! 2Tf 2 WB . De aceea pentru aceea i frecven distan ei mai mari între jonc iunile tranzistorului îi corespunde un unghi de defazaj mai mare între curentul de intrare i ie ire.85) i E .

t ! I E ! I m e sin .

luând în considerare defazajul. atunci curentul colectorului.[t . poate fi scris ca i C .

t ! I C ! I m c sin .

(1.86) Deoarece coeficientul de transfer dup curent a tranzistorului E în schema BC reprezint raportul dintre curentul semnalului în circuitul colectorului i curentul semnalului în circuitul emitorului.[t  N B . E depinde de frecven i este caracterizat de modulul E.

[ i faza N B .

[ :  j[ t  jN I C I m c sin .

[t  N B I m c e e ! E! ! . IE I m e sin.

[t I m e e  j[ t B (1.87) unde: E.

[ ! Im c Im e este modulul coeficientului de amplificare. N B .

[ .defazajul coeficientului de amplificare a curentului emitorului în schema cu BC.  E ! E.

[ ™ e  jN .

dup o lege complicat . Cu o eroarea admisibil pentru calculele tehnice m rimea coeficientului de transfer dup curent poate fi aproximat cu ajutorul rela iei urm toare B 56 . Cu majorarea frecven ei.88) În domeniul frecven elor joase coeficientul de transfer dup curent E este constant.[ . coeficientul E poart un caracter complex (1. mic orându-se cu m rirea frecven ei. (1.88).

E.

E.j[ } E0 f 1  j™ fE .

[ ! E.

89) ¨f ¸ N B . (1.f } E0 ¨f ¸ 1 © ¹ ©f ¹ ª Eº 2 .

[ ! N B .

©f ¹ ª Eº Identic pentru conectarea tranzistorului EC: F0 E0 F .f ! arctg © ¹ .defazajul coeficientului E .

j[ } . F .

[ ! F .

90) ¨f ¸ N E . 2 f ¨f ¸ 1  j™ 1 © ¹ fF ©f ¹ ª Fº (1.f } .

[ ! N E .

©f ¹ ª Fº În rela iile (1.frecven (CAF) E ! \.frecven ele de t iere pentru tranzistorul cuplat BC i EC respectiv. în compara ie cu valoarea lui la frecven e joase E Ef ! 0 . 2 Dependen a modulul coeficientului de transfer dup curent de frecven se nume te caracteristica amplitudine . CAF. f E .3. f F . F 0 .defazajul coeficientului F .modulele coeficien ilor de transfer dup curent la frecven joas pentru schemele de conectare BC i EC respectiv. CPhF i al i parametrii ai tranzistorului Frecven de t iere pentru tranzistorul cuplat în BC ( f E ) este numit frecven a pentru care modulul coeficientului de transfer dup curent se mic oreaz de 2 ori ( adic cu 3 dB).9.90) utiliz m urm toarele not ri: E 0 .89) i (1. Frecven a de t iere.f ! arctg© ¹ . 1.

[ sau F ! \.

[ . Dependen a unghiului de defazaj de E 57 .

N ! \ .

[ ! \ .

707 0.4 unit i relative E E0 NB o 30 60 90 10 2 10 1 1 f ! fE 10 fE f Fig. În schema EC coeficientul de transfer al curentului bazei depinde mai tare de frecven .32. Ele sunt construite în coordonate normate E E 0 i f f 0 . 1. iar frecven a de t iere f F este considerabil mai redus decât f E . în compara ie cu valoarea lui la frecven e joase: F Ff ! 0 . CAF i CPhF pentru coeficientului de transfer dup curent 58 .6 0. 2 F 1 0.8 0.[ este numit caracteristica faz ± frecven frecven (CPhF) a coeficientului de transfer. Frecven a de t iere a tranzistorului în schema EC ( f F ) se nume te frecven a la care modulul coeficientului de amplificare dup curent se mic oreaz de 2 ori ( adic cu 3 dB).32. iar unghiul de defazaj este plasat în unit i absolute.1. Exemple de astfel de caracteristici sunt prezentate în fig. decât în schema BC.

S exprim m frecven a de t iere f F prin m rimea f E F! 1 E E0 E0 ! ™ ! ! f f E0 1 E 1 j 1 1  j  E0  f fE fE 1 j fE E0 . ! ¸ ¨ f ¹ .

1  E 0 © 1  j © .

90) i (1.1  E 0 fE ¹ º ª (1. cu considera ia c F 0 ! E 0 .91).91) Compararea rela iilor (1.

1  E 0 . ne permite s ob inem formula pentru leg tura dintre frecven ele de t iere în schemele BC i EC fF ! f E .

1  E . În a a mod frecven a de t iere a coeficientului de transfer a curentului bazei f F este de .

ci majorarea valorii defazajului. Pentru schema EC. 1  F0 1  F0 1  F0 f fF ! E .93) tg. (1. (1.1  E ori mai mic ca frecven a de t iere în schema cu BC sau: F0 1  F 0  F0 1 ! 1  E0 ! 1  ! .91)) nu este mic orarea valorii E .92) 1  F0 Cauza principal a mic or rii bru te a coeficientului F cu cre terea frecven ei (cum indic rela ia (1. f .

N E ! fE .

1  E 0 în timp ce pentru schema BC f tg.

fE Luând în considerare (1.N B ! .93) ob inem 59 .

tg.

N E ! 1 tg.

N B . 1  E0 ¡ tg .

N E "" tg .

1.b) în care modulul vectorului I C se mic oreaz . I B . 1. colectorului i bazei respectiv.  iar a modulului vectorului I se m re te de câteva ori. I m c . atunci la frecven e joase curentul colectorului se deosebe te pu in de cel al emitorului i curen ii tranzistorului pot fi reprezenta i sub forma    vectorilor care coincid dup direc ie I E .a).1. Amplitudinea curentului bazei este egal cu diferen a între I m e i I m c . a a încât Im e ! Im b  Im c . Aici I m e . 1  E0 B  IB  IB  IE  IC  I E ! I me  I B ! I mb  IC ! I mc  IE NE  IC NB ! a) b) Fig. Deoarece B 60 . Cu cre terea frecven ei.33.N B 1 NE } N . I m b respectiv. I m b prezint amplitudinile curen ilor alternativi ai emitorului.33. Deoarece E } 1 .33. cu lungimea I m e . I m c . I C . Diagramele vectoriale ale curen ilor tranzistorului la frecven joas (a) i înalt (b) La frecven joas curen ii emitorului i colectorului coincid dup faz (fig. curentul colectorului r mâne în urm de curentul emitorului i vectorii acestor curen i formeaz un  triunghi (fig.

1. f F reprezint parametrii importan i ai tranzistorului bipolar 1 fF ! f E . a a cum este ar tat în fig. Frecven ele de t iere f E .33.F! dI dI C sau F ! m c .b. dI B dU C ! 0 dI m b U m c ! 0 atunci la frecven a f ! f E coeficientul de transfer F se mic oreaz de câteva ori.

1  E 0 sau fE ! f ! .

707 ™ F 0 F . 1  E0 F E. F F0 0.1  F 0 fF .

f 1 E0 0.707 ™ E 0 E .

Caracteristicile de amplitudine ± frecven ale coeficien ilor de transfer dup curent E.1.34 sunt prezentate dependen ele de frecven a modulelor E i F . F În fig.1. Varia ia mai rapid a modulului F .f f fF fT fE Fig.34.

[ cu cre terea frecven ei în compara ie cu E.

[ se explic prin faptul c diferen a 1  E([) în rela ia E.

[ F .

[ ! 1  E.

[ se modific mai rapid decât E.

61 .[ .

La determinarea frecven ei de t iere f F a fost utilizat dependen a aproximativ pentru E de frecven (1. de aceea leg tura între f E i fF fE ! 1 f ! .În afar de aceast cauz principal de mic orare pentru F .89). cu cre terea frecven ei este determinat de majorarea defazajului N E .

1  F 0 fF . Pentru a ob ine un reziltat concret. 1  E0 F este la fel aproximativ . se introduce coeficientul de corec ie k : k fE ! f ! .

adic f " .1. k } 1. pentru care coeficientul de transfer a curentului bazei F în schema EC este egal cu unitatea.2 ).1  F 0 kfF . În practic .90) indic c la frecven e ce dep esc de trei-patru ori frecven a de t iere f F . Analiza rela iei (1. 1  E0 F Valoarea acestui coeficient depinde de construc ia tranzistorului i tehnologia lui de fabricare (de regul .. pentru calcule se folose te frecven a f T (adic frecven a de t iere a tranzistorului sau frecven a limit de amplificare dup curent)..

f 62 ...4 fF . În acest produs f este frecven a la care este efectuat m surarea valorii coeficientului de transfer F f : F0 Ff ! . fF f ! fF F 0 ! const ! f T . f2 1 2 fF pentru f2 "" 1   F f ! fF2 F0 1 f2 fF2 ! fF F 0 .3. produsul F f ™ f este o valoare constant i nu depinde de frecven .

Deoarece F f ! const pentru f " .

4 fF i fF f ! fFF 0 ! fT ..3.. Pentru schema BC frecven a de t iere f E întotdeauna este mai mare ca frecven a de t iere a tranzistorului f T : kfF kfT k . atunci frecven a de t iere în schema EC este de F 0 ori mai mic decât valoarea frecven ei de t iere a tranzistorului fF ! f T F 0 .

94) F0 1  E 0 F 0 . (1.1  F 0 f T ! ! fE ! .

1  E 0 pentru F " 10   f E ! kfT } .

egal cu (I ies . Tranzistorul poate fi utilizat în calitate de generator sau amplificator. . CC capacitatea jonc iunii colectorului. Dependen a modulului conductibilit ii directe Y21 de frecven este identic cu dependen a de frecven a m rimilor E i F . pentru care modulul de conductibilitate direct .95) d 30rB CC unde: f E este frecven a de t iere a coeficientului de transfer în d schema BC.2 f T . Y21 ! (U int ( U ies ! 0 se mic oreaz de 2 ori în compara ie cu valoarea lui la frecven joas . pentru care coeficientul de amplificare dup putere este egal cu unitatea E 0f E f ma ! . rB . pF.1.rezisten a de volum a bazei. ?MHz A.. dac coeficientul de amplificare dup putere K p " 1 . De aceea un parametru important dependent de frecven este frecven a maxim de generare sau frecven a maxim de amplificare dup putere. La analiza dispozitivelor confec ionate în baza tranzistoarelor cu ajutorul schemelor echivalente i utilizarea parametrilor Y este folosit frecven a de t iere a pantei tranzistorului f S . M rimea f S este întotdeauna mai mare ca f F . MHz. (1.1. 63 ) ..

Aceast constant caracterizeaz reac ia invers la frecven înalt i este un parametru de baz al tranzistorului. i capacitatea colectorului cu valori reduse. care permite de a 64 . În a a mod tranzistorul destinat func ion rii în domeniul frecven elor înalte trebuie s posede grosimea bazei. ce limiteaz caracteristicile de frecven a tranzistoarelor. Din aceste considerente frecven ele de t iere pentru tranzistoarele bipolare f r drift sunt relativ reduse. se mic oreaz odat cu mic orarea grosimii bazei i cu majorarea valorii vitezei purt torilor de sarcin injecta i în baz . Aceste cerin e sunt contradictorii ± mic orarea grosimii bazei WB d d m re te rezisten a de volum rB .83). prin intermediul procedurilor tehnologice.9.În rela ia (1. Mic orarea grosimii bazei este condi ionat de posibilit ile tehnologiilor contemporane. Metode de îmbun t ire a caracteristicilor de frecven . 1.4. conform rela iei (1. rezisten a de volum a bazei.95) produsul rezisten ei de volum a bazei la capacitatea colectorului este numit constant de timp a circuitului d de reac ie invers rB C C ! X C . De aceea în baz . Timpul de transfer ale purt torilor de sarcin prin regiunea bazei. mic orarea rezisten ei rB (m rirea concentra iei în baz ) m re te capacitatea jonc iunii colectorului CC i mic oreaz valoarea tensiunii U C max . Pentru majorarea frecven ei de regenerare este necesar de a m ri valoare f E i de a mic ora constanta de timp d rB C C . De aceea utilizarea la frecven e înalte a structurilor tip n-p-n este preferabil . Tranzistoare bipolare cu drift Majorarea valorii frecven ei de t iere a tranzistorului necesit mic orarea timpului de transfer de c tre purt torii de sarcin în baz . se formeaz un câmp de accelerare pentru purt torii de sarcin injecta i. Este cunoscut c viteza electronilor R n este mai mare ca viteza golurilor R p .

Distribu ia impurit ilor în structura tranzistorului cu drift În fig.35 sunt prezentate curbele de distribu ie a concentra iei impurit ilor donoare i acceptoare în structura tranzistorul tip n-p-n. În acest scop. Ele se folosesc la frecven e înalte. Tranzistoarele care posed un câmp electric intercalat în regiunea bazei sunt numite tranzistoare cu drift. În urma distribuirii neregulate a concentra iei impurit ilor în baz apare gradientul concentra iei purt torilor de sarcin care provoac un câmp electric intercalat.1. Rezult c purt torii de sarcin ob in ad ug tor componenta de drift a vitezei. în regiunea baz se formeaz un câmp electric intercalat. format prin procedura de difuzie. N acc N don . Câmpul electric intercalat accelereaz electronii injecta i în baza tip-p.35. cm 3 10 21 E N don B N acc 1015 C N don 0 1 2 JE 3 JC P. Viteza total a electronului se m re te. Între jonc iunile emitorului i colectorului se formeaz o regiune de baz tip-p compensat .m ri viteza lor. 65 .1. grosimea c reia este determinat de adâncimea de difuzie a impurit ilor acceptoare. frecven a de t iere a tranzistorului de asemenea se majoreaz . Qm Fig.

1.19) este necesar de a lua în considerare elementele parametrii c rora sunt func ie de frecven i dependen a de frecven a coeficientului de transfer dup curent E.1.9.5. Schemele echivalente ale tranzistorului bipolar la frecven e înalte La frecven e înalte în schema echivalent (fig.

1. conectat la schema echivalent prin circuitul RC.  E . Dependen a coeficientului de transfer E de frecven se modeleaz cu ajutorul circuitului.a este prezentat schema echivalent pentru tranzistorul bipolar la frecven e înalte.89).36. format din generatorul de curent  E 0 I E independent de frecven .1. curentul de ie ire al c ruia între punctele 1  1d este dependent de coeficientul de transfer dup curent a (fig.36. în corespundere cu rela ia (1.j[ . În fig.b).

j[ I E a)  IE rE 1 CC 1d  IC b)  R E .

j[ I E 1d C  U IES 1 E  UE C E Bd rB rC C  UC  E0IE B B Fig.96) I IES ! E .Schema echivalent a tranzistorului la frecven înalt (a) i circuitul RC ce modeleaz dependen a coeficientului E de frecven (b)    U   (1.36. 1.

R R R j[C . U INT ! E 0 I E Z RC . Z RC ! ! 1 1  j[CR j[C  R 66 .j[ I E ! IES .

  E 0I E R 1 E0   U  I IES ! E .

j[ I E ! IES ! ™ ! ™ IE . R 1  j[RC R 1  j[ RC E0 E.

(1.37. (1.1.98) RC ! RC [E Schema echivalent a tranzistorului la frecven înalt cu  generator de curent independent de frecven E 0I E este prezentat în fig.89) i (1.97) este necesar de a îndeplini urm toarele condi ii: 1 1 .j[ ! . Pentru o precizie mai înalt trebuie s lu m în considerare defazajul la frecven e apropiate de [E (sau mai majore decât [E ) i s introducem factorul de corec ie exp.97) 1  j[RC Pentru identitatea rela iilor (1. [ E ! 2 Tf E ! .

care asigur o corec ie liniar de faz : f [ (N B ! m !m . j [ [ E . fE [E  E0IE C b) R E .

CPhF pentru coeficientul E (b) 67 .1. NB [ 1 0. Schema echivalent a tranzistorului  la frecven înalt cu generator E 0 I E (a) i CAF.37.707 ad  IC a) CC  IE rE a C E Bd rB rC E  UE C  UC 1 [ [E B Fig.

(1.99) E.În a a mod aproximarea dependen ei coeficientului de transfer ob ine forma ¨ [ ¸ [  jm ¹ E 0 exp©  jm © [ E ¹ E 0e [ º! ª .

prin drift. Prioritatea principal a acestei scheme const în faptul c elementele ei posed un sens fizic bine determinat i permit de a efectua leg tura între parametrii tranzistorului cu datele constructive.j[ ! [ [ 1 j 1 j [E [E Pentru tranzistoarele formate prin aliere.100) [E rE E Pentru schema EC 1 . În acest caz valoarea curentului generatorului echivalent va fi ¨ [ ¸  ¹. Parametrii fizici ai schemei analizate se determin prin parametrii h.37 posed form .38. folosind formulele prezentate în tab.8 CEdif } .2 .5.101) [ TrE Dup simplificarea respectiv . În astfel de cazuri este în deajuns de a lua în considerare numai componenta de difuzie pentru schema cu BC: 0. I E E 0 exp©  jm © [E ¹ º ª Dac jonc iunea emitorului este polarizat direct. prezentat în fig. m } 0. CEdif } 68 . (1.1. schema din fig.1.1. este mai mare decât capacitatea sarcinii spa iale. Din aceste considerente circuitul poart denumirea de schem echivalent fizic . (1. de regul . m } 0. capacitatea de difuzie a emitorului.8 . constante fizice i procese de baz ce au loc în structura analizat .

Aceste capacit i se calculeaz conform rela iilor CC C C1 ! . dar de tensiunea punctului intern al circuitului U 1 .  De aceea sursa de curent g S U 1 de asemenea depinde de frecven . Schema de substituire a tranzistorului în acest caz este prezentat în fig.1. C C 2 ! C C  C C1 .CE ! 0.38. Aici se folose te sistemul de parametrii Y. 2 [ [E  IE 1 [E CC dif rE E  UE C  UC B Fig.  Tensiunea U 1 depinde de frecven . În schem uneori se introduce i capacitatea colector ± emitor C CE .1. CB . Particularit ile schemei echivalente în P constau în faptul c curentul la ie irea generatorului este determinat nu de tensiunea de   intrare U B . determinat de elementele rB . adic reprezint o parte din  d tensiunea de intrare U B .39 con ine capacit ile de tranzi ie a reac iei inverse C C1 i CC 2 . care sunt determinate de constanta de timp a circuitului d colectorului X C ! rB C C . g BE . conectat paralel conductibilit ii g CE .1. Schema echivalent din fig. tranzistorul fiind prezentat formal ca un dispozitiv dirijat de tensiune.102) .8 [E rE C C dif  I EE 0 e R!  IC Bd rB C C bar j ™0 . Schema echivalent fizic simplificat a tranzistorului la frecven înalt În unele cazuri se utilizeaz schemele echivalente în P.39. (1.

3 69 .2...

Tabelul 1.5 Formulele de calcul pentru parametrii fizici ai tranzistorului conform parametrilor diferen iali pentru diferite scheme de conectare Parametrul F rE rC EC h 21e BC h 21b 1  h 21b h11b  h12 b .

1  h 21b h 22b 1 h 22b h12b h 22b  h 21b h 12b h12e h 22e .

1  h 21e 1  h12e h 22e h11e  h12e .

g CB ! . 70 .1  h 21e h 22e h 21e 1  h 22e rB E Q} rB rC h11eh 22 e  h12e 1  h 22e Elementele schemei din fig.103) gS ! h 21e  h12e . © dº h 11e ª h 11e  rB ¹ (1.1. d h11e  rB unde g S ! Y21 este panta caracteristicii tranzistorului bipolar. g BE ! d d h11e  rE h11e  rE g BE ! h 22 e  h12e ¨ h  rd ¸ h © h 21e  11e B 21e ¹ .39 se determin cu ajutorul parametrilor h cu ajutorul rela iilor: 1  h12e h12e .

1.39. Schema fizic echivalent simplificat a tranzistorului bipolar la frecven înalt . [F BE 71 . conectat cu emitor comun (schema Djacoletto) Capacitatea de difuzie a jonc iunii emitorului se determin conform rela iei 1 CBE ! g .C CC 2 rB  IB  U1 C CB Bd g CB JC B g CE JE  g SU1 C BE g BE E CC 2  IE C C1 rB Bd g CB  U 1 g BE C BE  g SU1 g CE  IC B  U BE C  U CE E Fig.

este deajuns de a determina rela ia pentru frecven a de t iere cu ajutorul schemei echivalente. E  1 g SI B    I ~ ! g S I B Z Bd } g S I B ! . U 1 ! I B Z Bd . F .Pentru a ne convinge de aceasta. E j[C BE  g BE ¨ C BE ¸ ¹g BE © 1  j[ © g BE ¹ º ª gS gS  I~ g BE g BE .  Curentul generatorului echivalent I ~ se determin ca:     I ~ ! g S U 1 .

unde [F ! g BE 72 . C C ! CC 2 . rB . CBE Pentru calculul schemei echivalente în P îndrumarele con in urm torii parametri: X C .j[ !  ! ! I B 1  j[ CBE 1  j [ [F g BE .constanta de timp a circuitului de reac ie intern în tranzistor. C CE .rezisten a bazei. C CB ! C C1 .capacitatea circuitului de reac ie intern în tranzistor.frecven a de t iere pentru conectarea EC.capacitatea jonc iunii colectorului.capacitatea de ie ire pentru conectarea EC. f T .

6. Bazele radioelectronicii. 9. 11. . : 2001. Editura A..912 c. .: . . 1980.. I. . Facla: 1987. ± . 5. . ± Timi oara. A. ± 419 . . ± 383 ..BIBLIOGRAFIE 1. : 1977. ± . ± . 4. ± 432 .Cuza:1994. ± 368 c. ± . ± oc . 10. . . ± V. . ± . ± Ia i.± . .Rusu. 7. 12.Profirescu. ± . .Dasc lu. : 1984. : 1984.: 1990. Sandu D. . . 8. . . ± 279 p. : 1985. .1. . . . .. ± Bucure ti.. ± . . . .. ± 679 p. 1991. . ± 622 . / . : 1980. Zamfir V. : 2001.615 p. . . .. . . 2. . ± 512 . .. 2.Costea Dispozitive i circuite electronice. Electronica fizic i aplicat . . 3. . .488 . D. Editura Didactic i Pedagogic : 1982. . . ± . . . ± 864 . ± 424 .I. 13. . . : 1981. . . M.. . 73 .392 14.

.......27 1........ Rezisten a de volum a bazei .. 3 1................................ Schemele echivalente ale tranzistoruluila frecven joas .....2.................. Schemele formale pentru substituirea tranzistorului ....2.................3...... Caracteristicile pentru cuplaj baz comun «««««........36 74 ........5.... Rezisten a diferen ial i capacitatea jonc iunii colectorului.....................5................ 18 1...............7..6...3..........1.........6..................6...... Determinarea parametrilor diferen iali aitranzistorului dup caracteristicile statice....................14 1............33 1.... 3 1................. Caracteristicile pentru cuplaj emitor comun«««...........5...... 6 1.5.... Modalit ile caracteristicilor statice««««««««..............25 1....30 1...............3........................................ Sistemul de parametri diferen iali ai tranzistorului bipolar.......... Regim activ.....6...... Coeficientul diferen ial de amplificare dup curent ........................4..........................CUPRINS 1................. Regim de satura ie... Tranzistorul bipolar ca element al circuitului...........31 1........................4...... 6 1........................ 12 1............ 4 1..............3..3.......4.................................................................6......15 1.....5..... 11 1................................. Regimul de lucru al tranzistoarelor bipolare.. Caracteristicile statice pentru tranzistorul bipolar.......... Modelul Ebers ± Moll............3..4..............3........ Schema echivalent pentru conectarea emitorului comun...3.... 5 1..........................................21 1..............1....................3...6.2..5............3.........13 1........4............................................3.....1..... 6 1.......2.. Rezisten a diferen ial i capacitatea jonc iunii emitorului................. Regim de blocaj............32 1....... Regim de inversie.........3........................2................... No iunea de tranzistor bipolar.. Structura i jonc iunile tranzistorului bipolar........ 5 1.......................6.............................. TRANZISTORUL BIPOLAR.........14 1...................4......................................... Tranzistorul ca cuadripol activ..... Regimul de lucru i proceselefizice în tranzistorul bipolar.........34 1..«.1...1.....21 1....... Schema echivalent pentru cuplaj baz comun ....

..............................2.......9........................................... Influen a temperaturii asupra parametrilor semiconductorilor................1...... CAF.............. Dispersia purt torilor de sarcin în baz ................ Schemele echivalente ale tranzistoruluibipolar la frecven e înalte.....8.............2........2.............. Leg tura dintre parametrii fizici ai tranzistorului i parametrii h ...73 75 ....54 1...........................8................ Modificarea parametrilor tranzistoarelor bipolare la varia ia temperaturii......................... Metode de îmbun t ire a caracteristicilorde frecven ............ Regimul limit de func ionare pentru tranzistoarele bipolare la varia ia temperaturii...................66 Bibliografie..........9....... Dependen a parametrilor tranzistorului de temperatur ..57 1...........................7......................42 1......................................53 1.....39 1........................8....................... Dependen a caracteristicilor tranzistorului bipolar de temperatur ....64 1.............3.................47 1...... Dependen a coeficientului de transfer dup curent de frecven ............44 1..................39 1. Rolul parametrilor h în schemaechivalent i calculul lor.......................4......................3.8....................53 1......1.........................8......................................42 1....... Dependen a parametrilor tranzistorului de frecven ...7...............50 1.......................9... Tranzistoare bipolare cu drift ..1....................1...7....41 1............................................9........... Determinarea parametrilor fizici dup parametrii h ....4..9...5..................9.... CPhF i al iparametrii ai tranzistorului... Frecven a de t iere...........

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful