1. TRANZISTORUL BIPOLAR 1.1. No iunea de tranzistor bipolar.

Structura i jonc iunile tranzistorului bipolar Tranzistor bipolar este numit dispozitivul electronic cu trei pini i dou sau mai multe jonc iuni p-n ce interac ioneaz între ele. În tranzistor se rânduiesc trei regiuni semiconductoare, pentru care pe placheta de izolator din Si-i, prin metoda epitaxial - planar se formeaz regiunile colectorului (C), bazei (B) i emitorului (E) (fig.1.1). Pentru aceasta, în regiunea Si-n, ce serve te ca colector, prin metoda difuziei este format regiunea bazei Si-p. În aceast regiune, prin metoda difuziei locale, este format emitorul Si-n cu concentra ie major a impurit ilor donoare. C B1 p n Si-i E1 n C Jonc iunea emitorului Jonc iunea colectorului

Fig.1.1. Structura tranzistorului bipolar tip n-p-n La frontiera regiunii emitorului cu cea a bazei i de asemenea la frontiera regiunii bazei cu cea a colectorului se formeaz dou jonc iuni p-n ± emitor i colector (dup denumirea regiunilor laterale ale structurii). Jonc iunile interac ioneaz dac distan a între ele WB , numit l imea bazei, este cu mult mai mic ca lungimea de difuzie a purt torilor de sarcin mobili ( WB L p ,n ). este distan a pe care o parcurge Lungimea de difuzie ,n electronul sau golul din momentul apari iei în semiconductor pân la recombinare. De regul , suprafa a jonc iunii colectorului este mai mare ca suprafa a jonc iunii emitorului. Regiunea emitorului trebuie s posede o electroconductibilitate mai înalt ca cea a bazei i a 3
 

colectorului. Concentra ia impurt ilor în regiunile tranzistorului bipolar trebuie s respecte inegalitatea N E " 100 N B u N C . (1.1) 1.2. Tranzistorul bipolar ca element al circuitului În dependen de alternarea regiunilor, dup tipul de electroconductibilitate, se deosebesc structuri tip p-n-p i n-p-n. În fig.1.2 sunt prezentate structurile p-n-p i n-p-n ale tranzistorului bipolar i reprezentarea lor în circuitele electrice. JE E p B E C p-n-p n p JC C E n E B p C n-p-n n JE JC C

B

B

Fig.1.2. Reprezentarea tranzistoarelor bipolare Ca element al circuitului electric, tranzistorul bipolar este utilizat în a a mod, ca unul din pini s fie conectat la intrare, iar altul ± la ie ire. Al treilea pin este comun. În dependen care din pini este comun, se deosebesc trei circuite de conectare ale tranzistoarelor bipolare: - baz comun (BC); - emitor comun (EC); - colector comun (CC). În fig.1.3. sunt prezentate aceste trei modific ri de cuplare a tranzistorului bipolar în circuitul electric. 4

IE Iintr.

BC

IC IB Iie . IB Iintr.

EC

IC IB Iie . IE Iintr.

CC

IE Iie . IC

Fig.1.3. Schemele de conectare ale tranzistoarelor bipolare

1.3. Regimul de lucru i procesele fizice în tranzistorul bipolar 1.3.1. Regimul de lucru al tranzistoarelor bipolare În timpul func ion rii tranzistorului la bornele sale este aplicat tensiune de la sursa de alimentare în curent contionuu. În dependen de polaritatea tensiunii aplicate, fiecare din jonc iunile p-n ale tranzistorului bipolar poate fi polarizat direct sau indirect, adic sunt posibile patru modalit i de func ionare a tranzistorului (tab.1.1). Tabelul 1.1 Modalit ile de func ionare a tranzistorului bipolar
Denumirea jonc iunii Jonc iunea emitorului Jonc iunea colectorului Jonc iunea emitorului Jonc iunea colectorului Jonc iunea emitorului Jonc iunea colectorului Jonc iunea emitorului Jonc iunea colectorului Conectarea jonc iunii Invers Invers Idirect Idirect Direct Dnvers Invers Direct Denumirea regimului de func ionare a tranzistorului Regim de blocaj Regim de satura ie Regim activ Regim de inversie

5

I EC 0 .3.3. I CB 0 . I CES .4 este reprezentat modelul plan unidimensional al tranzistorului bipolar. I B sat i tensiunile de rest ( U BE sat . ÄS´ ± scurtcircuit). Regimul activ În fig.I EB 0 . condi iile în regiunea r mas a schemei (Ä0´ ± lipsa curentului. ob inem rezisten a de satura ie: U CE sat U . al doilea ± schema de conectare. y pentru circuitul cu CC . al treilea. R B sat ! BE sat . I BCS . I CE 0 . I CBS .1. R C sat ! I C sat I B sat 1. Parametrii statici reprezint curen ii de satura ie I E sat .I BC 0 . În fiecare din cele trei scheme de conectare a tranzistorului ace ti parametri posed valori determinate. Prin bornele tranzistorului circul curen ii de scurgere a jonc iunilor polarizate indirect. U CE sat ). I ECS .3. Primul indice în reprezentare determin pinul prin care circul curentul. jonc iunea emitor a c reia este polarizat 6 . Regiunea E-C posed o conductibilitate înalt i poate fi considerat ca scurtcircuitat . I EBS .2.I BE0 . y pentru circuitul cu EC . Regim de satura ie În regimul de satura ie ambele jonc iuni p-n sunt polarizate direct. Regim de blocaj În regim de blocaj ambele jonc iuni p-n sunt polarizate indirect.3. Ele sunt prezentate sub forma urm toare: y pentru circuitul cu BC .4. care reprezint parametrii statici ai regimului dat. Raportând m rimile tensiunilor i curen ilor.1. I C sat . I BES . jonc iunile sunt saturate cu purt tori de sarcin mobili. adic mers în gol. rezisten ele lor sunt reduse. 1.

2) Pentru structura tranzistorului tip p-n-p rela ia între concentra iile impurit ilor din regiunile emitorului . În circuitul extern al emitorului circul curentul de injec ie: q U EB I E ! I E p  I E n ! I EB 0 (e kT  1) . . Mi carea purt torilor de sarcin i curen ii în tranzistorul bipolar (regim activ) Principiul de func ionare a tranzistorului bipolar în regim activ se bazeaz pe utilizarea urm toarelor fenomene: .4.injec ia purt torilor de sarcin prin jonc iunea emitorului. IEp=KIE JE p JC ]IEp n p conectare IE IC IE n I B rec UEB IB ICB0 UCB Fig. . format de jonc iunea colectorului.1. iar cea a colectorului indirect.direct. . (1.purt torii injecta i prin baz care circul drept rezultat al fenomenelor de difuzie i drift.recombinarea purt torilor de sarcin în regiunea bazei.extragerea purt torilor minoritari din baz în regiunea colectorului prin intermediul câmpului electric. Injec ia purt torilor de sarcin duce la trecerea prin jonc iunea emitorului a curen ilor de difuzie (a golurilor I E p i electronilor I E n ). Aceast corespunde regimului activ.

N acc E i bazei .

N don B se determin ca: .

N acc E u 100 ™ .

N don B . 7 .

al turi de curentul electronilor injecta i I En . iar curentul de recombinare I B rec este mai 0 qU E kT . (1. Rela ia între componentele curentului emitorului pot fi apreciate cu ajutorul coeficientului de injec ie I IE p K ! Ep ! p 1. Majorarea concentra iei electronilor i a golurilor în apropierea jonc iunii emitorului formeaz gradientul concentra iei purt torilor de sarcin în baz ( “p i “p ). are loc i recombinarea lor cu electronii.3) IE IE p  I E n Injec ia purt torilor de sarcin din emitor în baz m re te concentra ia purt torilor minoritari în regiunea bazei.Din aceste considerente se ob ine I E p "" I E n . Sub ac iunea gradientului concentra iei purt torilor de sarcin se produce mi carea de difuzie a golurilor i electronilor prin regiunea bazei de la emitor spre colector. Circuitul emitor ± baz devine blocat i asigur circula ia curentului emitorului. ap rute momentan în apropierea jonc iunii emitorului (~ 10-17 s). În locul electronilor care se recombin în regiunea bazei din circuitul extern al sursei de alimentare UEB sunt injecta i al i electroni.4) pn ! pn e Sarcina golurilor. se compenseaz cu sarcina electronilor. Concentra ia lor la frontiera jonc iunii emitorului pentru structura tip p-n-p se determin din rela ia: . ce p trund în baz de la sursa de alimentare UEB. Concomitent cu difuzia golurilor în baz .n . (1. Deoarece l imea bazei este considerabil mai mic ca lungimea de difuzie a WB L p . mic orarea concentra iei purt torilor de sarcin purt torilor de sarcin în regiunea bazei din cauza recombin rii este nesemnificativ . formând curentul de recombinare al bazei I B rec .

Golurile injectate de emitor în regiunea bazei se apropie de jonc iunea colectorului polarizat indirect. nimerind în câmpul de 8 . mic decât curentul emitorului I E cu un ordin-dou .

numit curentul de scurgere a jonc iunii p-n polarizate indirect.5) . ÄB´ ± m sur rile au loc în 9 ¡ (1. Procesul de tranzi ie a purt torilor de sarcin minoritari prin baz este caracterizat de coeficientul de transfer = . cu atât mai major este curentul colectorului. modificând valoarea curentul de intrare.3). ceea ce ofer posibilitatea de al utiliza în calitate de element activ în circuitele electronice. primim: I I I EE ! C p ! C p ™ E p ! K ™ ] . se ob ine I C p ! K] I E ! E E I E . Aici indicii ÄC´ indic curentul jonc iunii colectorului cuplate indirect.3) i (1. ( 2L p ) 2 Cu cât mai multe goluri sunt injectate din emitor în baz . În afar de componenta dirijat a curentului colectorului I C p prin electrodul colectorului circul i componenta nedirijat a curentului. (1. Din aceste considerente curentul I C este propor ional cu curentul emitorului i se nume te p curentul dirijat al colectorului.accelerare a acestei jonc iuni i sunt transferate în colector. (1.Coeficientul de transfer depinde de l rgimea bazei WB i lungimea de difuzie a golurilor L p ! I Cp I Ep }1 2 WB . Dac apel m la rela iile (1.5). (1. În a a mod se formeaz componenta dirijat a curentului colectorului: I C p ! I E  I B rec  I E n ! I E p  I B rec . El este analogic curentului diodei semiconductoare cuplate indirect i de aceea a primit denumirea de curentul de scurgere al colectorului I CB 0 . este o proprietate important a tranzistorului bipolar.6) Coeficientul E E este numit coeficient integral de transfer al curentului emitorului în circuitul colectorului.7) IE IE p IE Posibilitatea de dirijare cu curentul de ie ire al tranzistorului. Utilizând rela iile (1.5).

1. (1. cu unic deosebire c în loc de goluri trebuie s vorbim despre electroni i invers. Direc ia curentului de scurgere a colectorului I CB 0 corespunde cu componenta dirijat a curentului colectorului i de aceea I C ! E ™ I E  I CB 0 .3) curentul de dirijare este curentul bazei. Procese analogice au loc i în tranzistorul tip n-p-n. 0 ± m sur rile au loc pentru I E ! 0 . iar rela ia pentru curentul colectorului (1.8) Curentul I CB 0 în circuitul bazei este orientat invers curentului de recombinare în baz I B rec i curentului de injec ie I n inj (1.10) determin leg tura dintre curen ii tranzistorului i sunt adecvate pentru oricare din circuitele de conectare. În circuitele EC i CC (fig. Direc iile curen ilor continui i polarizarea tensiunilor de alimentare ce corespund regimului activ sunt prezentate în fig.8) i (1.1.3.8) poate fi scris în felul urm tor: I C ! E ™ I E  I CB 0 ! E ™ . (1.schema de cuplare BC. adic pentru regim mers în gol la intrare.9) În circuitul emitorului curentul de injec ie se determin ca suma curentului colectorului I C i curentul bazei I B : IE ! IC  IB .10) Rela iile (1.

™ I CB 0 ! . 1 E 1 E unde: E ! F este coeficientul de amplificare dup curent în schema 1 E 1 de cuplare EC. I C  E ™ I C ! E ™ I B  I CB 0 . E 1 (1.I C  I B  I CB 0 .11) IC ! ™ IB  ™ I CB 0 ! F ™ I B  I CE 0 .

sau curentul de scurgere a tranzistorului bipolar. 10 I B ! I B rec  I CB 0  I n inj . .1  F I CB 0 ! I CE 0 .componenta 1 E nedirijat a curentului colectorului în schema EC.

Pentru schema CC curentul de ie ire este curentul emitorului. Pentru schema CC I E ! F i ™ I B  . Regim de inversie În regim de inversie jonc iunea emitorului este cuplat invers. atunci Ei E . 1 E 1 E sau I E ! K I I B  I CE 0 . (1. Practic. emitorul i colectorul î i schimb func ia i pozi ia în circuit. Din aceste considerente I E  I B ! I C ! E ™ I E  I CB 0 . Pentru schema de cuplare BC: I E ! E i ™ I C  I EB 0 .3. I ! 1 E 1. iar jonc iunea colectorului direct. în compara ie cu regimul activ. Deoarece suprafa a jonc iunii emitorului este cu mult mai mic decât cea a jonc iunii colectorului i N C N B .5. De aceea. în regim de inversie injec ia purt torilor de sarcin este înf ptuit de jonc iunea colectorului.13) unde Ei este coeficientul de transfer invers.12) ! F 1. 1 I IE ! I B  CB 0 . iar extrac ia purt torilor de jonc iunea emitorului. unde 1 (1.

(1.1  F i I EB 0 .14) Pentru schema EC I C ! .

1  F i I B  .

15) 11 .1  F i I EB 0 . (1.

12 .1. adic dI C ! E E ™ dI E  I E ™ dE E sau Ex ! dI C dE E . unde EIE este parametrul static al regimului activ. de regul .6. Pentru semnale alternative. y coeficientul de transfer de difuzie = caracterizeaz procesele ce au loc în baz ± difuzia i recombinarea purt torilor de sarcin .7) pentru coeficientul static de amplificare a curentului emitorului E E ! K]M : y coeficientul de injec ie K caracterizeaz eficacitatea jonc iunii emitorului. Aceast formul arat leg tura dintre componentele curentului de dirijare I E i valoarea curentului de ie ire I C . M ! 1 . ! EE  IE dI E dI E (1. leg tura dintre curen ii colectorului i emitorului este determinat de rela ia diferen ial (1. Coeficientul diferen ial de amplificare dup curent În rela ia (1. indic leg tura dintre componentele respective în curent continuu. care întotdeauna este mai mare decât E E . Coeficientul E este determinat de rela ia E ! ( I C  I CB 0 ) I E . y coeficientul M se introduce pentru a lua în considerare procesele în jonc iunea colectorului i.16) unde E x este coeficientul diferen ial de amplificare dup curent în schema BC.7) ca func ie de dou argumente pentru I CB 0 ! const . amplitudinea c rora este cu mult mai mic ca valoarea tensiunii de alimentare.3. Rela ia pentru curentul colectorului I C ! E E ™ I E  I CB 0 .

20) © ¹ © ¹ ª º ª º U U ¸ ¸ EI EB 0 ¨ k I CB 0 ¨ k ©e © IC !  1¹   1¹ . Schema echivalent a tranzistorului bipolar dup modelul Ebers-Moll I E ! I 1  E i I 2 . I C ! EI 1  I 2 . bazat pe schema echivalent format din dou diode conectate una în întâmpinarea celeilalte i a dou surse de curent continuu care indic interac iunea dintre aceste diode (fig. (1. m surate în regim scurtcircuit în partea corespunz toare a schemei. Ei I2 IE E B I1 I2 EI1 IC C Fig.5.19) © ¹ ª º unde I EBC i I CBC prezint curen ii de scurgere ai jonc iunilor emitorului i colectorului.17) pot fi scrise sub forma: ¨ qU ¸ ¨ qU ¸ I E ! I EBC © e kT  1 ¹  E i I CBC © e kT  1 ¹ .21) © ¹ 1  EE © e ¹ 1  EE i ª i ª º º EB EB 13 ¦ § ¤ ¥ EB EB ¦ § EB .18) © ¹ ª º ¨ U ¸ I 2 ! I CBC © e k  1 ¹ .5). ¢ £ U EB k (1. Modelul Ebers-Moll Leg tura dintre curen ii i tensiunile tranzistorului bipolar pentru cele patru modalit i de cuplare în circuit pot fi studiate cu ajutorul modelului matematic Ebers-Moll.1.7. (1. (1.19) rela iile (1.3.1.1.18) i (1.17) ¨ ¸ I 1 ! I EBC © e  1¹ . (1. Luând în considerare (1.

IC ! .

1  E I EB 0 ¨ e qU © kT 1  EE i © ª EB ¸ .

Patru modalit i de caracteristici descriu propriet ile oric rui dispozitiv cu trei borne: y caracteristicile de intrare: I Ies ! const I Int ! f . ce arat leg tura între curen ii i tensiunile aplicate la tranzistor. Modalit ile caracteristicilor statice Caracteristicile statice indic leg tura func ional între curen ii i tensiunile la bornele tranzistorului bipolar. Pentru fiecare schem de conectare în regim activ exist o familie de caracteristici.4. Caracteristicile statice pentru tranzistorul bipolar 1.22)  1¹  ¹ ¹ 1  EE i © º ª º EB 1.1.1  E i I CB 0 ¨ qU ¸ © e kT  1 ¹ .4. (1.

U Int sa . U Ies ! const y caracteristicile de ie ire: I Int ! const I Ies ! f .

U Ies sa U Int ! const

;

y

caracteristicile de transfer:
I Ies ! f

I Int U Ies ! const

;

y

caracteristicile reac iei inverse:
U Int ! f

I Ies I Ies ! const

.

14

1.2. Caracteristicile pentru cuplaj baz comun În cuplaj baz comun (BC) tranzistorul posed urm toarele caracteristici: y familia caracteristicilor de intrare (fig.1.a) I E ! f .6.4.

Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar. UEB UEB=0 UEB0 y IC IE Regim de satura ie IE IE=0 Regim de blocare a) IC UEB0 UEB=0 b) IC IE UCB IE UCB c) d) Fig.6.6.6.c). c) caracteristicile de transfer. y caracteristicile de transfer (fig.b) I C ! EI E  I CB 0 .d). y caracteristicile reac iei inverse (fig.1.U EB U CB ! const .1. familia caracteristicilor de ie ire(fig.1. b) caracteristicile de ie ire. varia ia curentului colectorului trebuie s fie constant la transferul de la o caracteristic la alta. d) caracteristicile reac iei inverse 15 . a) caracteristicile de intrare.1.6. adic (I E ! const .

ob inem rela iile pentru caracteristicile de intrare idealizate: U EB ! f .Referindu-ne la modelul Ebers-Moll i rezolvând ecua ia (1.20) fa de U EB .

21): ¨ UCB ¸ I C ! EI E  I CB 0 © e k  1 ¹ . (1.23) prezint caracteristica de intrare a tranzistorului cuplat în circuitul BC.23) © ¹ q ¬ I EB 0 ¼ ª º½ ­ Rela ia (1.I E U EB ! U CB ! const .24) © ¹ ª º I CB 0 ! I CBC . Rela ia pentru caracteristicile de ie ire sunt ob inute utilizând (1. ¨ qU CB ¸» kT « I E ln ¬  1  E© e kT  1 ¹ ¼ . (1.

I EB 0 ! I EBC .1  EE i .

invers polarizat . Drept rezultat. Concomitent cre te gradientul de concentra ie a purt torilor de sarcin “p i “ n în baza tranzistorului i se m re te valoarea curentul de difuzie I E (fig. ¨ © 16 . Frontiera jonc iunii colectorului se deplaseaz în direc ia jonc iunii emitorului.7). grosimea bazei WB devine mai mic .coeficientul de amplificare a curentului colectorului în regim de inversie. din cauza c ruia cu majorarea tensiunii U CB a jonc iunii colector.1. Ei . Dependen a pozi iei caracteristicilor de intrare. unde: E este coeficientul de amplificare a curentului emitorului în regim activ.1  EE i . caracteristicilor de transfer i caracteristicilor de reac ie invers în func ie de valoarea tensiunii aplicate pe colector se explic prin efectul de modulare a grosimii bazei. grosimea stratului cu concentra ie redus a purt torilor de sarcin se m re te.

În baz are loc deplasarea purt torilor de sarcin prin procedura de difuzie spre jonc iunea colectorului dirijat de gradientul de concentra ie. 1. Devierea caracteristicii este datorat efectului de modulare a grosimii bazei. În caz ideal caracteristicile de ie ire trebuie s fie paralele axei tensiunii U CB . Îns la un nivel major de injec ie ( pn " N P ). odat cu cre terea tensiunii pe colector. Prezen a curentului I C în circuitul colectorului când U CB ! 0 (fig. La m rirea modulului tensiunii de ie ire U CB curentul de intrare I E în schema cu baz comun cre te.pn IE UEB IC d d { U Cd 0 U C ! 0 pn 0 UCB x dx WBd 2 WBd x1 Fig.6.1. 17 .b) prezint o particularitate a caracteristicilor de ie ire pentru tranzistorul bipolar cuplat în schema BC. asigurat de interac iunea jonc iunilor. Efectul de modulare a grosimii bazei Efectul de modulare a grosimii bazei provoac apari ia reac iei interne în tranzistor. De aceea pentru unul i acela i curent al emitorului. Apoi purt torii sunt accelera i de câmpul electric al jonc iunii.7. pentru U CB ! 0 . tensiunea pe emitor trebuie mic orat . coeficientul E tinde spre zero i curentul colectorului tot este aproape de zero.

3. În fig.4.1.1. Caracteristicile pentru cuplaj emitor comun Cele mai întrebuin ate sunt caracteristicile tranzistorului bipolar în cuplaj emitor comun (EC).8 i fig. deoarece în acest caz curentul bazei este argument pentru caracteristicile de intrare i caracteristicile de transfer i ca parametru pentru celelalte.a) U BE ! f .12 sunt prezentate familiile de caracteristici pentru tranzistorul bipolar cuplat în schema EC: y familia caracteristicilor de intrare (fig.8.1.1.

8. y familia caracteristicilor de ie ire (fig.I B U CE ! const .b) I C ! f .1.

y familia caracteristicilor de transfer dup curent (fig.a) I C ! f .12.U CE I B ! const . 1.

b) U BE ! f .I B U CE ! const . y familia caracteristicilor de reac ie invers (fig.12. 1.

18 .1. a a cum este ar tat în fig. Tensiunii mai mari pe colector îi corespunde o grosime mai mic a bazei.9.a). Rezult o probabilitate mai redus de recombinare a purt torilor în baz i un curent I B mai mic. Pentru cazul când avem scurtcircuit la intrare ( U CE ! 0 .U CE . deoarece jonc iunile emitorului i colectorului sunt conectate paralel la sursa de alimentare U EB . fig. curentul bazei este aproximativ de dou ori mai mare decât în regim activ. I B ! const Forma de evantai a caracteristicilor de intrare este condi ionat de efectul de modulare a grosimii bazei. 1.9.

UBE UtCE Ud IC ICmax Regim de satura ie IV   UCE=0 I IV d d I Bd d I Bd d IB UCEmax PCmax IB a) IB=0 Regim de blocaj UCB b) Fig. 1.9. deoarece pentru U CE U BE jonc iunile emitorului i ale colectorului sunt polarizate direct (fig.10.10). adic U CP ! U BE  U CE . corespunde regimului activ limitat de parametri electrici maximi permi i: I C max . Conectarea jonc iunilor p-n pentru U CE ! 0.1. Por iunea cu pant înalt a caracteristicii de ie ire corespunde grani ei între regimul de satura ie i regimul activ.1.1. U BE { 0 19 . Conectarea jonc iunilor p-n pentru U CE { 0. 1.8.8. U BE { 0 IC IB UBE p n p UCE JE UCE UBE JC Fig.b ce se afl în interiorul grani ei ha urate. U CE max . Caracteristicile de intrare i ie ire în cuplaj EC Regiunea caracteristicilor de ie ire din fig. IC  I  p n JE JC UBE a) b) p U E Fig. PC max .

ilustrat în fig. unde curentul colectorului este determinat conform rela iei IB ! 0 I C ! F ™ I B  .b . corespunde regiunii ce se afl sub caracteristica de ie ire pentru I B ! 0 .Regimului de blocaj.8.1.

F  1 I CB 0 . I CE 0 ! .

F  1 I CB 0 În schema EC pentru circuitul deschis ( I B ! 0 ) curentul de scurgere în circuitul colectorului I CE 0 este de .

Caracteristicile de transfer (a) i de reac ie invers (b) pentru tranzistorul bipolar în cuplaj EC 20 .12.11. Aceasta se explic prin conectarea direct a jonc iunii emitorului. Conectarea jonc iunilor în cuplaj EC IC d d U EC d d d U EC " U EC d d d U EC " U EC UBE a) b) IB I BIV d d I Bd d I Bd d IB UCE Fig.1. Curentul bazei r mâne constant la m rirea tensiunii aplicate la baz tranzistorului.11.1. probabilitatea recombina iei purt torilor de sarcin scade i curentul bazei se mic oreaz .1. C p ICE0 UCE UBE IB=0 E JC JE n p UBE Fig. 1. a a cum este prezentat în fig.F  1 ori mai mare decât curentul invers al colectorului I CB 0 .12) reflect ac iunea efectului de modulare a grosimii bazei. grosimea bazei se mic oreaz . Cu majorarea modului tensiunii aplicate la colector. Caracteristicile de transfer i reac ie invers (fig.

Sistemul de parametri diferen iali ai tranzistorului bipolar 1.5. Tranzistorul ca cuadripol activ Varia iile mici ale tensiunii pe jonc iunile tranzistorului aduc la schimb ri liniare în valoarea curen ilor i tranzistorul devine cuadripol liniar activ.  I 2  I1  U1  I2  U2  U1  I1 B C  U2 E Fig. 1.1. C.13).25) i. L) i generatoare echivalente de tensiune electromotoare sau curent.5. Perechii de borne de ie ire îi   corespunde curentul I 2 i tensiunea U 2 .1. Perechii de borne de intrare îi corespunde   curentul I1 i tensiunea U 1 .13. Cuadripol activ este numit circuitul electric format din elemente pasive (R. ce posed dou perechi de borne (fig. Reprezentarea tranzistorului ca cuadripol Sub curen i i tensiuni se subân eleg dependen e de tipul (1.Caracteristicile statice permit de a determina parametrii de baz ai tranzistorului bipolar i sunt utilizate pentru calculul etajelor de amplificare în circuitele electronice cu tranzistoare.1.

t ! I m sin.

[t  N . .

t ! U m sin.

! I e  j.[t  ] .

U ! U e  j.[ t  N .

2. care sunt prezentate în tab.26) I m m Exist ase sisteme posibile de ecua ii pentru descrierea tranzistorului bipolar ca cuadripol.  (1. 21 .[t ] .1.

H) sunt determina i din condi iile mers în gol sau scurtcircuit dup curent alternativ în dependen de sistemul de parametri. I 2 I1. U 2 I1. De aceea sistemul de parametri H este cel mai comod pentru m sur ri. (1. U1 Cele mai întrebuin ate în practic sunt trei sisteme de parametri i anume: Z.29) ¯   I ° 2 ! H 21I 1  H 22 U 2 Parametrii diferen iali (Z. I 2 U1 . Rezisten a jonc iunii emitorului polarizat direct este mic i pentru ob inerea st rii de mers în gol.c ± parametrii tranzistorului în cuplaj CC. la intrarea tranzistorului în circuitul bazei se conecteaz un rezistor cu rezisten înalt . Y. U 2 I 1 . U1 I 2.2 Sisteme de ecua ii pentru descrierea tranzistorului Argumentul Func iile I1. (1. I 2 U1 . Y.28) ¯   I °2 ! Y21 U 1  Y22 U 2    ® 1 ! H 11U1  H12 I 2 U .3. I 2 I 1 . I1 U1 . Transferul de la un sistem la altul este u or de efectuat conform rela iilor din tab. U 2 U1 . U 2 U2 . e ± parametrii tranzistorului în cuplaj EC.Tabelul 1. U 2 I 2. 22 . H    ® 1 ! 11I 1  12I 2 U . De aceea parametrii diferen iali se noteaz cu indici suplimentari: b ± parametrii tranzistorului în cuplaj BC.27) ¯   U ° 2 ! 21I1  22 I 2    ®1 ! Y11 U1  Y12 U 2 I . (1. Între sistemele de parametri Z i H exist o interdependen . Valorile numerice ale parametrilor diferen iali ai tranzistorului ca cuadripol depind de schema de conectare.1.

4 Parametrii H pentru diferite scheme de conectare H11e ! H 21e H11b 1  H 21b H 21b ! 1  H 21b H12e ! H11b H 22b  H 21b 1  H 21b H 22 b H 22e ! 1  H 21b H 12c ! H 21e  1 H 22c ! H 22e H 11c ! H 11e H 21c ! H 21e  1 23 . Tabelul 1.4.Y.Tabelul 1. sunt prezentate rela iile de baz pentru parametrii H la conectarea tranzistorului EC i BC.H ?Z A ?ZA Z 11 Z 21 Z 22 (Z Z  21 (Z ( 22 ?Y A Y22 (Y Y  21 (Y Y11 Y21 1 Y11 Y21 Y11  Y12 (Y Y11 (Y ?H A (H H 12 H 22 H 22 H 1  21 H 22 H 22 1 H  12 H11 H 11 H 21 (H H11 H 11 H 11 H 21 H 12 H 22 Z12 Z 22  Z12 (Z Z11 (Z 12 22 ?YA Y12 Y22  Y12 Y11 (Y Y11 ?H A  21 22 1 22 În tab.1.3 Leg tura dintre parametrii Z.

4 (continuare) H11b ! H 21b H 11e 1  H 21e H 21e ! 1  H 21e H12b ! H11e H 22 e  H 21e 1  H 21e H 22e H 22b ! 1  H 21e La frecven e joase.31) ¯ ( ° I 2 ! h 21 (I 1  h 22 ( U 2 Pentru determinarea parametrilor 11 i 21 la ie irea cuadripolului asigur m regim scurtcircuit dup curent alternativ ( U m 2 ! 0 sau (U 2 ! 0 ) i. ob inem: (U 1 U . (1. I m1 U m 2 ! 0 (I 1 (U 2 ! 0 (1.30) ¯ I ° m 2 ! h 21I m1  h 22 U m 2 Sistemul de ecua ii (1.31). utilizând rela ia (1. ob inem: (U 1 U . când tranzistorul nu introduce defazaj între curent i tensiune.32) ! h 11 ! m1 I m1 U m 2 ! 0 (I 1 (U 2 ! 0 h 21 !   (I Im2 ! 2 . (1.33) Pentru determinarea parametrilor h12 i h 22 la intrarea cuadripolului asigur m regim mers în gol dup curent alternativ ( U m1 ! 0 sau (U1 ! 0 ) i. (1. (1.30) sau (1.31).30) sau (1. parametrii H complexi sunt substitui i cu valori reale U m 1 ! h 11I m1  h 12 U m 2 .34) ! h 12 ! m 1 U m 2 I m1 ! 0 ( U 2 (I 1 ! 0 24 .30) poate fi scris sub forma: (U 1 ! h 11(I 1  h 12 (U 2 . utilizând rela ia (1.Tabelul 1.

conductibilitatea de ie ire pentru regim mers în gol la intrarea cuadripolului ?Sm A.2. adic influen a curentului de ie ire asupra circuitului de intrare (fig. 22 I 2 . Avantajele sistemului de parametri h se explic prin comoditatea determin rii lor experimental i întrebuin area pe larg pentru proiectarea diverselor rezolv ri tehnice ce utilizeaz tranzistoare bipolare. 25 . h22 . Acest sistem permite prin m surarea nemijlocit s determin m cel mai important parametru al tranzistorului ± coeficientul de amplificare dup curent. Pentru simplificarea calculelor se introduc schemele echivalente formale. putem scrie ®1 ! U ¯ U °2! 11 I 1 21 1   I  12 I 2 .1. Schemele formale pentru substituirea tranzistorului Descrierea propriet ilor tranzistorului pentru semnale alternative cu amplitudini reduse cu ajutorul ecua iilor cuadripolului nu este comod la calculul schemelor practice. 1 ! care indic reac ia invers în tranzistor.14).h 22 ! (I 2 Im 2 . când la intrarea tranzistorului este asigurat regim mers în gol. Fiec rui sistem de parametri îi corespunde o schem echivalent .coeficient de reac ie invers dup tensiune. ! U m 2 I m1 ! 0 (U 2 (I 1 ! 0 (1.5. Pentru sistemul de parametri Z.35) Coeficien ii 12 i 22 exprima i în a a mod.   (1.36)  Tensiunea de intrare U 1 prezint suma c derilor de tensiune  !   Ud 11I 1 pe impedan a la circula ia curentului I1 i 1 11 d  tensiunii generatorului cu impedan a diferit de zero Ud 12 I 2 . au urm toarele denumiri i unit i de m sur : h12 . 1.

¯   I °2 ! Y21 U1  Y22 U 2   !  Curentul de intrare I1 este format din curentul Id Y11 U 1 ce 1 d  circul prin admitan a Y11 i curentul generatorului Id Y12 U 2 .1.14. 2 Pentru sistemul de parametri Y. putem scrie    I1 ! Y11U 1  Y12 U 2 . I1 Z 11 Z 22  I2  U1 !  U 1d Z 11 I 1 d  U 1d Z 12 I 2 ! d  U 2d Z 22 I 2  ! U2  !  Ud Z I 2 21 1 Fig.1.15. care circul prin admitan a de ie ire. Schema formal de substituire a tranzistorului în sistemul de parametri Z  Tensiunea la ie ire U 2 este determinat de tensiunea  !  generatorului Ud 21I 1 care arat propriet ile de amplificare ale 2 d  tranzistorului i c derii de tensiune Ud 22I 2 pe impedan a de 2 ! ie ire a tranzistorului Z 22 . Schema formal de substituire a tranzistorului în sistemul de parametri Y 26 . 1 ! care determin reac ia invers în tranzistor (fig.15). Curentul de   !  ie ire I 2 este format din curentul generatorului Id Y21U 1 ce 2 caracterizeaz propriet ile de amplificare ale tranzistorului i d  curentul Id Y22 U 2 . 2 !  I1 d  I 1d Y11U 1 ! !  I 1d Y12U 2 !  d I 2d Y22U 2   d I 2 ! Y21U 1 Y22  I2  U2  U 1 Y11 Fig.1. Subliniem c impedan a generatorului  !   cu tensiunea Ud Z 21I 1 pentru curentul I 2 este egal cu zero.

care caracterizeaz reac ia invers în tranzistorul  U 1d 12 2 ! bipolar (fig.Pentru sistemul de parametrii H sau h putem scrie    ® 1 ! H 11 U1  H 12 I 2 . Pentru aceasta se folose te metoda grafic .16. 1.5. Determinarea parametrilor diferen iali ai tranzistorului dup caracteristicile statice Parametrii diferen iali sunt determina i pentru punctul de func ionare stabilit ini ial cu utilizarea familiilor de caracteristici statice de intrare i ie ire ale tranzistorului bipolar.17 i fig. iar Y22 . 2 21 1 22 2 Tensiunea de intrare prezint suma c derilor de tensiune d H I pe impedan a de intrare H i tensiunea generatorului U 1 ! 11  1 11 d H U .18 este ar tat metoda grafic care permite 27 . deoarece H 22 este determinat în condi ii de mers în gol la intrarea cuadripolului. În fig. Schema formal de substituire a tranzistorului în sistemul de parametri H  !  Curentul de ie ire I 2 prezint suma curen ilor Id H 21I 1 ce 1 caracterizeaz propriet ile de amplificare ale tranzistorului i d  curentul Id H 22 U 2 care circul prin admitan a de ie ire H 22 .1.16).1.  I1 H 11 !  d I 2d H 22U 2   d I 2 ! H 21U 1  I2  H 22 U 2  U1 !  U 1d H 11 I 1 d  U 1d H 12 I 2 ! Fig.3.în regim de scurtcircuit la intrarea cuadripolului. 1. U ¯   I ° !H I H U .1. 2 ! Subliniem c admitan a H 22 nu este egal cu admitan a Y22 .

30) poate fi scris sub forma U B ! h 11e I B  h 12e U C . ¯ I ° C ! h 21e I B  h 22e U C . (U CE U B ! const 28 .37) i curen ilor. I m ! (I B . ¯ I ° mc ! h 21e I mb  h 22e U mc . IC (I C (I C d" d d d d I Bd I B " I B Ad Bd D B O Dd (U CE (U CE A d IB d d IB Fig. I mc ! (I C . Determinarea parametrilor h 22e i h 21e dup caracteristicile de ie ire Substituind amplitudinile mici ale curen ilor i tensiunilor pentru semnalele variabile cu devieri finite ob inem U mb ! (U BE .25).38) Pentru amplitudinile tensiunilor rela iilor (1. h11e ! h 12e !   d d I Bd U CE (U BE . (I B U CE ! const (U BE . Pentru schema EC rela ia (1.26).17.determinarea parametrilor h ai tranzistorului bipolar în punctul de func ionare definit O. (1.1. (1. conform (1. U mc ! (U CE . putem scrie:  U mb ! h 11e I mb  h 12e U mc .

h 21e ! h 22e ! (I C !F. d ie ire ce corespunde curentului bazei Id B h 22e ! (I C (U CE I B ! const .1. Determinarea parametrilor h 11e i h 12e dup caracteristicile de intrare În fig.18. ipotenuza c rora o prezint caracteristica pentru curentul continuu al bazei d I B ! Id Din fiecare triunghi determin m conductibilitatea de B .1. (U CE I B ! const d d U CE d d d U CE d U CE B IB d U CE d d d d d (U CE ! U CE  U CE (U CE ! 0 d d U CE d d d U CE Ad O A Bd U BE (I B (I B (U BE (U BE Fig.17. lâng punctul O sunt construite dou triunghiuri mici OAB i OA¶B¶ cu valori echivalente pentru (U CE . Din punctul dat O se traseaz o linie vertical pân la intersec ia cu caracteristica de sus în punctul D i cu cea de jos ± în punctul D¶. 29 . Apoi determin m media aritmetic a acestui parametru. ( I B U CE ! const (I C .

Y.18). hd ! . 21 e d d d d Id Id Id Id B  B B  B Apoi calcul m media aritmetic pentru parametrul dat d hd  hd 21e . lega i de procesele fizice care au loc în tranzistor i care nu depind de schema de conectare. se modific doar pozi ia în schema echivalent .6. Pe grafic determin m punctul dat O ce corespunde m rimilor U CE i I B asem n tor cu cel din desenul cu caracteristicile de ie ire. Utilizându-se ace ti parametrii.Pentru fiecare segment (OD i OD¶) se determin h 21e ! F hd ! 21 e parametrul d d . Apoi din fiecare triunghi g sim parametrii i calcul m media lor aritmetic . Schemele echivalente ale tranzistorului la frecven joas Sistemele de parametri diferen iali Z. hd ! . 12 e d d d CE d 2 Ud  Ud Ud  Ud CE CE CE 1. poate fi alc tuit schema echivalent fizic a tranzistorului la semnale mici. La trecerea de la o schem de conectare la alta m rimile numerice ale parametrilor fizici nu se modific . 30 . pentru coeficientul de reac ie invers h 12e hd ! 12 e d hd  hd OA OA d 12 e d . De exemplu. În apropierea punctului O se construiesc dou triunghiuri mici OAB i OA¶B¶. H se numesc externe deoarece ele se m soar la bornele cuadripolului i m rimile acestor parametri depind de schema de conectare a tranzistorului. h 12e ! 12 e . h 21e ! 21e 2 Parametrii h 11e i h 12e se determin dup caracteristicile de intrare ale tranzistorului (fig.1. La analiza func ion rii circuitelor o întrebuin are deosebit au ob inut-o parametrii fizici ai tranzistorului.

1. se ob ine ( U E ! xU E . (U E . ( I E ! xI E . Curentul jonc iunii emitorului polarizate direct se determin conform rela iei U ¨ k ¸ I E ! I E0 © e  1¹ .026 . ( U C ! x U C . putem scrie: E qU ¨ ¸ 1 « xU E » q qI E © I E 0e kT ¹ ™ !¬ ¼ !© ¹ kT } kT . U C . kT q } 0. xI E ( U C ! 0 unde: U E este tensiunea între emitor i baz .curentul jonc iunii emitorului. I E . rE ­ xI E ½ ª º T ! 300 K .1.39) © ¹ ª º unde I E 0 este curentul de scurgere al jonc iunii emitorului.tensiunea între colector i baz . Rezisten a diferen ial jonc iunii emitorului i capacitatea Rezisten a diferen ial a jonc iunii emitorului rE se determin ca rela ia dintre tensiunea aplicat pe jonc iunea emitorului (U E i curentul emitorului (I E . rE ! xU E .6. când în circuitul colectorului este asigurat regim de scurtcircuit dup curent alternativ. rE ! (I E (U C ! 0 Dac substituim devierile curen ilor i tensiunilor cu echivalent diferen ial. (1. pentru rezisten a diferen ial a jonc iunii emitorului. În a a mod.

?.V i Pentru diferen ial a jonc iunii emitorului este mic kT 26 mA rE } } . ?mA A E 1 31  1 rezisten a (1. qI E I E .40) . A .

Cu modificarea valorii tensiunii aplicate pe colectorul U C frontiera jonc iuni colectorului se deplaseaz . ). M rimea rC este major (de obicei rC " 0. ( U E ! xU E .curentul jonc iunii emitorului. de efectul de modulare a grosimii bazei i de curentul de scurgere. când în circuitul emitorului avem mers în gol dup curent alternativ (U C .curentul colectorului. rC ! xU C . La frecven joas . ( I C ! x I C .2. Din cauza valorii mici a rezisten ei rE . 1. în schema echivalent fizic m rimea CE poate fi neglijat .6. De exemplu. pentru rE ! 26 Ohm . capacitatea jonc iunii emitorului polarizat direct ( CE ) la frecven joas este untat de rezisten a rE i influen a ei asupra func ion rii tranzistorului este nesemnificativ . Rezisten a diferen ial a jonc iunii colectorului este determinat .I E ! 1 mA i ! 300 K . Rezisten a diferen ial i capacitatea jonc iunii colectorului Rezisten a diferen ial a jonc iunii colectorului rC se determin ca rela ia între tensiunea aplicat pe jonc iunea emitorului (U C i curentul colectorului (I C . Jonc iunea de parc 32 . Curentul colectorului I C circul prin jonc iunea colectorului polarizat indirect i depinde slab de tensiunea aplicat la colectorul U C . rC ! (I C (I E ! 0 Se efectueaz trecerea: ( U C ! x U C . xI C ( I E ! 0 (1. I C .1 M . în general.41) unde: U C este tensiunea între colector i baz . I E .

3.1. Îns capacitatea CC unteaz o rezisten mai mare ( rC ). De obicei capacitatea colectorului CC este cu mult mai mic decât capacitatea jonc iunii emitorului polarizat direct CE . ! C ! IE ! IE } xU C xWB xU C rC xU C (I E ! 0 (1. Drept rezultat al modific rii valorii E (când I E ! const ).6. de aceea cu majorarea frecven ei aceast capacitate are o influen considerabil asupra func ion rii tranzistorului. Rezisten a de volum a bazei Materialul semiconductor din regiunea bazei i contactul d ohmic al bazei posed o oarecare rezisten rB . la dependen a coeficientului de amplificare dup curent E de tensiunea aplicat pe jonc iunea colectorului. 1. Respectiv se modific viteza mi c rii de difuzie a purt torilor minoritari din baz i num rul de goluri ce recombin în procesul mi c rii de difuzie de la emitor spre colector. cu schimbarea tensiunii pe colector se modific i valoarea curentul colectorului I C . În rezultat. Aceasta. la rândul s u. conduce la dependen a coeficientului de transfer de difuzie a golurilor = i. valoarea rezisten ei bazei rB poate fi determinat conform rela iei 33 . Aceasta condi ioneaz majorarea total a rezisten ei diferen iale a colectorului rC . ce poart un caracter de difuzie xI xE xE 1 xWB .42) Jonc iunea colectorului polarizat indirect posed capacitatea CC care este determinat de raportul dintre modificarea valorii sarcinii spa iale în jonc iune i valorii tensiunii colectorului când în circuitul emitorului este asigurat regim mers în gol. gradientul concentra iei golurilor din baz cre te la mic orarea grosimii bazei i descre te la m rirea grosimii bazei. prin urmare.s-ar mi ca în întâmpinarea golurilor la majorarea tensiunii U C i se retrage la mic orarea ei (fig. Cum arat d calculele.7).

rezisten a bazei trebuie redus la minim.1 . Efectul  de transfer al curentului emitorului I în circuitul colectorului pe E schema echivalent este indicat sub form de generator de curent  EI E . În schema echivalent jonc iunile emitorului i colectorului sunt reprezentate prin rezisten ele lor diferen iale rE i rC . rBdnumit de difuzie. Acest circuit echivalent este prezentat în fig.concentra ia donorilor în baz . (1. Majorarea d rB m re te pierderile în circuitul de intrare. Conform legilor fizice.6.4. Pentru majorarea eficacit ii emitorului i mic orarea pierderilor de putere a semnalului de intrare.mobilitatea purt torilor majoritari în baz . unde E prezint coeficientul de transfer al curentului 34 .43) rB ! rB  rBd d rB ! 1. WB grosimea bazei. 8TqQ n N x WB unde: q este sarcina electronului. N x . de aceea circuitul bazei este caracterizat de rezisten a total : d d . poate fi construit schema echivalent în T de conectare a tranzistorului cu baz comun . Cu majorarea valorii grosimii bazei i concentra iei impurit ilor rezisten a de volum a bazei se mic oreaz . Q n . majorarea rB trebuie s mic oreze curentul emitorului pentru tensiune constant între emitor i baz . Schema echivalent pentru cuplaj baz comun Utilizând parametrii analiza i anterior. Îns aceste considera ii nu ne dau precizia necesar i necesit introducerea rezisten ei ad ug toare d . d Introducerea rezisten ei rB în circuitul bazei ia în considerare reac ia intern în tranzistor i influen a modula iei grosimii bazei asupra curentului emitorului. deoarece aceast tensiune este distribuit între d jonc iunea emitorului i rezisten a rB .1. ceea ce mic oreaz d eficacitatea emitorului.19.

trebuie orientat spre punctul Bd Pentru direc ia invers a curentului emitorului (tranzistor tip p-n-p) polaritatea  generatorului EI E este invers . emitorului.19. Schema echivalent a tranzistorului tip n-p-n  cu generator de curent EI E la conectare BC  În cazul orient rii curentului emitorului I E de la punctul Bd spre punctul E (ceea ce corespunde curentului emitorului real în  tranzistorul bipolar tip n-p-n). coeficientul de transfer dup curent E este socotit independent de efectul de modulare a grosimii bazei. CC  EI E  IE rE Bd rB rC  IC E  UE C  UC B B Fig.1.1. Legea descris este determinat de procedeele fizice care au loc în tranzistor. În schema echivalent .1.20). prezentat în fig. unde direc iile pozitive ale curen ilor i tensiunilor corespund celor reale în tranzistorul bipolar tip n-p-n.19. Prezen a rezisten ei rB în circuitul 35 . În schema echivalent a tranzistorului tip p-n-p direc iile curen ilor vor fi inverse (fig. De aceea orientarea curentului emitorului condi ioneaz direc ia tuturor curen ilor r ma i a a cum este ar tat în fig.19.1. Polaritatea relativ a curentului generatorului EI E în schema echivalent este determinat de sensul pozitiv al curentului emitorului. direc ia pozitiv a curentului EI E . Trebuie de remarcat  c rezisten a intern a generatorului de curent EI E pentru curentul  de ie ire I C tinde spre infinit.

1.1. Schema echivalent a tranzistorului tip p-n-p  cu generator I ErG (conectare BC) Echivalen a regiunilor din schem Bd C pentru fig.44) 1. Schema echivalent fizic a tranzistorului bipolar.1.20. rG ! ErC . prezentat  în fig.1.6. con ine un generator de curent EI E . unde rG este rezisten a ce reflect propriet ile de amplificare ale tranzistorului. CC  IE rE Bd  IB rB rC  I E rG  IC E  UE C  UC B B Fig.20) E G   EI E rC ! I E rG . Schema echivalent pentru conectarea emitorului comun Schemele prezentate în fig. un num r minim de elemente i reflect procesele fizice ce au loc în tranzistorul bipolar real.20.1.bazei eviden iaz leg tura intern în tranzistorul bipolar i influen a modul rii bazei asupra curentului emitorului.19.19) i tensiunea generatorului  I r (fig. (1. Aceast schem este prezentat în fig. Ea este utilizat pe larg în calculul ingineresc.20 r mân valabile 36 .1.20. rezult din egalitatea c derilor de tensiune create de  curentul EI E pe rezisten a rC (fig.19 i fig. Uneori este mai comod de utilizat schema echivalent în care  în locul generatorului de curent EI E func ioneaz generatorul  echivalent de tensiune I ErG .1.5.1.1.19 i fig.

1. C care este determinat ca suma c derilor de tensiune pe rezisten a   rC din cauza curen ilor EI E i I C      .21.  În astfel de circuit curentul generatorului EI E este comod de   înlocuit prin curentul bazei I B i nu prin curentul emitorului I E . dac bornele de intrare de schimbat cu locul a a.  Pentru aceasta este analizat tensiunea U Bd între punctele Bd C.pentru conectarea tranzistorului cu EC. cum este ar tat în fig.

1. Schema echivalent a tranzistorului tip p-n-p  cu generator EI E (conectare EC)    Din cauz c I E ! I C  I B . tensiunea între punctele Bd. E ! F /(1  F ) .46) B  UB C  UC E E Fig.21.45) BC C C C E C C E unde 1 1 !  j[ C C .C poate fi scris sub forma  U Bd ! C C « F   » ¬I C  1  F I C  I B ¼ ! ­ ½ .I  EI . U d!I  EI ! (1. Z C rC CC  EI E  IB rB Bd  IE rE rC  IC (1. unde F coeficientul de transfer al curentului bazei la conectarea tranzistorului dup schema EC.

! Z C ¬I C © 1  ¹ I © ¹ 1  F IB ¼ ! 1  F . « ¨ F ¸ ZC  F »  .

C  FI B 1 F º ª ½ ­ (1.47) 37 .

47) cap t forma    U Bd ! Z CE . rela ia (1. Dac lu m în considerare (1.48) ! C /(1  F ) .48).Introducem nota ia (1.

48) pentru schema echivalent a tranzistorului bipolar cuplat EC.C la înlocuirea   generatorului de curent EI cu generatorul F I . direc ia  generatorului de curent F I B trebuie s coincid cu direc ia  generatorului de curent EI E .49). (1. C  F I B . CE E B Cum se observ din rela iile (1. C Z CE rC Luând în considerare rela iile (1. putem scrie r * rC ! C .50) 1 F C* ! C C . unde între punctele  Bd C este conectat generatorul de curent F I B .46) i (1. I (1.45) i (1.49) C unde Z CE este impedan a în punctele Bd . Impedan a Z CE posed componente activ i reactiv 1 1 ! *  j[ C* .

(1.1  F .51) C CC .

 F 1  FI B  IB rB Bd  IE rE rC 1 F  IC CC .

 F 1  * I E rG B  UB C  UC Bd rC 1 F C E E Fig.22. Schema echivalent a tranzistorului tip n-p-n  cu generator de curent F I B i generator de  * tensiune I B rG (conectarea EC) 38 .1.

ce determin propriet ile de amplificare ale tranzistorului.1. În schema din fig.1. Uneori în schema echivalent de conectare a tranzistorului cu  emitor comun în locul generatorului de curent F I B se folose te  * generatorul de tensiune I B rG .50). 39 .1.fig..1. iar capacitatea C* C tot de atâtea de ori este mai mare ca CC . 1. În fig. Leg tura dintre parametrii fizici ai tranzistorului i parametrii h 1.7. Rezisten a generatorului rG .19 i fig.49). (1.1. 1.22). Aceasta este posibil dac sunt cunoscute m rimile fizice ale parametrilor tranzistorului în circuitele prezentate în fig.7. Îns constanta de timp a jonc iunii colectorului r mâne aceea i pentru ambele scheme de conectare.1.14..22) direc iile pozitive ale curen ilor i tensiunilor coincid cu direc iile m rimilor de intrare i ie ire pentru schemele formale.22 este ar tat por iunea de schem între punctele Bd.22.Rela iile (1.22 direc ia curentului  generatorului F I B este aceea i ca i în schema cu baz comun .21 la schema tranzistorului cu generator de  curent F I B (fig.1.C. (1.16) i schema echivalent fizic a tranzistorului tip n-p-n conectat cu emitor comun (fig. se determin din rela ia * * rG ! F rC .51) permit de a trece de la schema prezentat în fig. * rezisten a rC este de zece ori mai mic ca rC .1.1. Partea r mas a schemei r mâne * neschimbat . Cum se observ din analiza schemelor formale de înlocuire a tranzistorului (fig. Rolul parametrilor h în schema echivalent i calculul lor Utilizarea schemelor echivalente pentru analiza circuitelor electronice permite de a ob ine leg tura dintre procesele fizice care au loc în tranzistor i parametrii circuitelor.

! i schema echivalent . adic U mc ! 0 .37). În presupunere c tensiunea de ie ire în aceast schem este egal cu zero. tensiunea la intrare poate fi determinat ca " " U m ! I m rB  I merE ! I m rB  I m " " " * * rErC rErC  FI m .1. (1.22.38) U mb ! h 11e I mb  h 12e U mc . prezentat în fig. ¯ I ° mc ! h 21e I mb  h 22e U mc .Pentru determinarea rela iilor de leg tur între parametrii fizici i parametrii h ai tranzistorului este necesar de a analiza concomitent sistemul de ecua ii a parametrilor h (1. * * rE  rC rE  rC » « r r* U mb ! I mb ¬rB  E C * .

38) i (1. ob inem r r* h 11e ! rB  E C * . rE  rC ½ ­ Dac compar m rela iile (1.52).1  F ¼ .

rE  rC (1. ob inem formula de Luând în considerare faptul c rE leg tur a parametrului h 11e cu parametrii fizici: (1.52) (1.54) h 11e ! rB  rE .1  F .53) * rC .

1. Pentru U mc ! 0 .22) * * U mc  F I mb rC ! I mc (rE  rC ) .22 ca divizor * de tensiune format de rezisten ele rE i rC dac I mb ! 0 .1  F .55) . ob inem * * F I mb rC ! I mc (rE  rC ) . adic Coeficientul de transfer dup curent al tranzistorului cuplat EC se determin cu ajutorul ecua iei lui Kirghoff pentru circuitul colectorului din schema echivalent (fig. Din aceste considerente 40 # # h 12e ! Um rE . Parametrul h 12e se define te în schema din fig.1. ! * U mc I m ! 0 rE  rC (1.

presupunând c amplitudinea curentului bazei este egal cu zero ( I mb ! 0 ). Din rela ia (1. rC rC (1. Determinarea parametrilor fizici dup parametrii h În practic apare problema invers ± dup parametrii h cunoscu i de determinat parametrii fizici ai tranzistorului bipolar.56) Parametrul h 22e dup defini ie prezint conductibilitatea de ie ire pentru regim mers în gol la intrarea tranzistorului.7.h 21e ! * F rC I mc ! .58) 1. h 11b ! E .57) fa de m rimea rE primite de a ob ine formula de calcul pentru rezisten a jonc iunii emitorului h rE ! 12e .57) indic leg tura dintre parametrii fizici i parametrii h ai tranzistorului ± cuadripol.59) h 22e Remarc m c formula dat poate fi utilizat doar în cazul când coeficientul diferen ial de reac ie invers h 12e posed o 41 . Analogic putem ob ine leg tura dintre parametrii fizici i parametrii h ai tranzistorului ± cuadripol în schema de cuplare BC h 11b ! rE  rB (1  E ) . primim * U mc ! I mc (rE  rC ) . (1. * U mc I mb ! 0 rE  rC rC (1.. h11b ! rB 1 .53)..55). Rezolvarea concomitent a ecua iilor (1. h 22 b ! . h 22 e ! I mc 1 1 ! } *.2.(1.54) i (1. h 21e } F .57) Rela iile (1. * I mb U mc ! 0 rE  rC * rC se ob ine Luând în considerare c rE (1.

60).57) i (1.59) permit de a calcula rezisten a jonc iunii colectorului dup curent alternativ h12e 1 * . (1. Influen a temperaturii asupra parametrilor semiconductorilor Dependen a parametrilor i caracteristicilor dispozitivelor semiconductoare de temperatur este condi ionat de faptul c propriet ile fizice ale materialului semiconductor într-o m sur mare se modific sub influen a temperaturii. (1. (1. conductibilitatea specific a semiconductorului este determinat de 42 . De regul .valoare semnificativ .60) h 22e Rela iile (1. rB .8. Parametrii h ai tranzistorului sunt m sura i experimental sau determina i conform caracteristicile statice. Analogic poate fi g sit leg tura dintre parametrii h i elementele schemei echivalente fizice pentru conectarea tranzistorului BC. 1. 1  h 21e rC ! (1  h 21e ) .59).52).61) h 22e În îndrumare m rimile rE . (1. Rela iile (1. (1. (1.40). (1.61).  rC ! h 22e h 22e * * rC ! (1  F )rC ! (1  h 21e )rC .56). se utilizeaz formula (1.54). ele sunt calculate dup parametrii h cunoscu i ai tranzistorului cuplat dup schema EC conform rela iilor (1.1. De exemplu. Dependen a parametrilor tranzistorului de temperatur 1. Dac acest parametru este aproape sau egal cu zero.8. rC nu sunt întotdeauna incluse.57) permit de a ob ine formula pentru calculul rezisten ei bazei h rB ! h11e  21e (1  h 22e ) .

. ™ cm 1 103 102 10 N1 N2 N 3 " N 2 " N1 N3 1 0 10 20 30 40 50 1000 T. Majorarea de mai departe a conductibilit ii specifice cu cre terea temperaturii are loc din cauza apari iei perechilor electron ± gol în semiconductorul intrinsec.23.1. W .concentra ia purt torilor de sarcin . 43 . concentra ia purt torilor de sarcin intrinseci r mâne s fie nesemnificativ i. Dependen a tipic a conductibilit ii specifice a semiconductorului de temperatur este prezentat în fig. Cu majorarea temperaturii la are loc ionizarea atomilor de impurit i i majorarea concentra iei purt torilor de sarcin mobili.62) unde: Q n . ca urmare. Majorarea valorii conductibilit ii specifice are loc dup legea Tn . (1. conductibilitatea specific scade din cauza mic or rii mobilit ii purt torilor de sarcin Q ! f ( T  3 2 ) . n . p . Cu m rirea de mai departe a temperaturii to i atomii de impurit i sunt ioniza i.23.1. unde n este un num r întreg sau frac ionar. Q p prezint mobilitatea purt torilor de sarcin ce sunt func ie de temperatur . K Fig. Dependen a electroconductibilit ii specifice a semiconductorului cu impurit ii de temperatur La temperatur foarte joas în semiconductor electronii ce se afl pe ultimul nivel energetic interac ioneaz între ei foarte puternic.rela ia W ! q(nQ n  pQ p ) .

Rezisten a colectorului tranzistorului (f r drift) în cazul jonc iunii abrupte U F WB .66). (1.grosimea bazei. I E ..fig.curentul emitorului. Modificarea parametrilor tranzistoarelor bipolare la varia ia temperaturii Practic to i parametrii schemei echivalente a tranzistorului.66) rC ! I EL C Pentru a determina influen a temperaturii asupra rezisten ei jonc iunii colectorului este necesar de a analiza caracteristicile în func ie de temperatur a parametrilor ce intr în componen a rela iei (1.1.temperatura. (1. Se observ c odat cu majorarea temperaturii pentru curentul emitorului constant rezisten a rE cre te. L C . Rezisten a jonc iunii emitorului depinde de temperatur în modul urm tor kT rE ! . .65) rC ! CE I ELC unde: U CE este tensiunea între baz i colector. (1.1.2.. Se cunoa te c 44 .64) qI E unde F este coeficientul de transfer dup curent în cuplarea tranzistorului EC.63) qI E unde: k este constanta lui Boltzman. Pentru tranzistorul cu drift 3U CEF WB . WB . depind de temperatur .19.1.sarcina electronului. (1.grosimea jonc iunii colectorului. Rezisten a bazei este determinat de rela ia k rB } F rE ! F . prezentate în fig.8. q .22.

i este mai eviden iat la temperaturi înalte (se m re te de dou ori la fiecare 10 grade în varia ia temperaturii). curentul emitorului cre te din cauza modific rii valorii I EB 0 . la o temperatur nu prea înalt cea mai mare influen 45 . Modificarea valorii E constituie 0. (1.70) ™ LC ! q N unde: N este concentra ia impurit ilor în regiunea jonc iunii colectorului.0.coeficientul de transfer. Fiindc U CB "" N C asupra grosimii jonc iunii influen eaz nivelul concentra iei purt torilor de sarcin cu modificarea temperaturii.67) 1 E Coeficientul de transfer al curentului în cuplaj BC E este determinat de rela ia E ! K]M . Jonc iunea colectorului este asimetric i grosimea poate fi exprim prin rela ia 2II 0 N C  U CB . Cu majorarea temperaturii. grosimea jonc iunii scade. Aceasta provoac majorarea coeficientului de transfer dup curent E . M . deoarece se m re te F! neesen ial i lungimea de difuzie a purt torilor de sarcin L n . Majorarea valorii lui E provoac cre terea lui F .. unde I EB 0 este curentul termic al jonc iunii emitorului.. Curentul emitorului depinde de temperatur qU EB (1.p . N C . Deoarece concentra ia purt torilor de sarcin se m re te odat cu cre terea temperaturii.p . În a a mod.68) unde: K este coeficientul de injec ie. dup legea exponen ial .69) I E ! I EB 0e kT .bariera de poten ial. (1.eficacitatea colectorului. ] .03.05% o C . Cu majorartea temperaturii cre te pu in i valoarea 2 coeficientului de transfer K ! 1  WB 2L2n . (1.E .

! k 02 0 pentru germaniu i G ! 0. unde TY ! un. ceea ce va provoca m rirea rezisten ei jonc iunii colectorului. G ! 0. 2.1 ( K 1 ) I CT ! I CT0 2 ln 2 este temperatura de dublare a curentului termic. Dependen a de temperatur a parametrilor din schema echivalent analiza este prezentat în fig. unde (E .71) I CT ! I CT eG ™ (T .16( K ) pentru siliciu. Dac vom trece de la logaritmul natural la cel in baza 2. G Pentru jonc iunea fabricat din germaniu.0 0.24. TY ! 7 K . La temperatur mai înalt va avea loc mic orarea rC din cauza influen ei tot mai mari a curentului emitorului (1.5 1. rel .o va avea majorarea coeficientului de transfer F .0 1. ob inem 1 La T ! 300 ( K ) .TY ! 4. (T ! T  T0 .5 0 rC rE E .1. din siliciu .5 K .

oC I CB 0 E . E 1 rE rB 40 0 I CB 0 40 rC T .

72) . Dependen a parametrilor fizici de temperatur pentru tranzistorul bipolar 46 $ (T TY . E 1 rB 80 Fig.24.1. (1.

(1.73) 1 E r 1 1 h12e ! E . h 22 b ! . h 21e ! . Parametrii h ai tranzistorului sunt lega i de parametrii schemei echivalente prin rela iile urm toare r 1 h 11b ! rE  rB (1  E ) . * rC rC (1  E ) rC În practic .Dup cum se cunoa te. apare problema invers ± dup parametrii h cunoscu i se determin parametrii fizici h 1  h 21e h rB ! h11e  12e . rC rC E h11e ! rB  rE (1  F ) . de obicei. h 11b ! E . tranzistorul bipolar poate fi prezentat ca cuadripol liniar. h 22 e ! ! *. h12b ! B .

Dependen a parametrilor h de temperatur pentru tranzistorul bipolar 1. rE ! 12e .25.3.0 3. un.74) h 22e h 22 e h 22e Dependen a de temperatur a parametrilor h pentru tranzistorul bipolar este prezentat în fig. (1. Dependen a caracteristicilor tranzistorului bipolar de temperatur Cu majorarea temperaturii.0 2.25. curentul emitorului se m re te esen ial i caracteristica de intrare pentru schema de conectare BC 47 . 4.1  h 22e . rel .1. oC Fig. rC ! .8.0 1.0 0 40 20 0 20 40 h11e h21e h12 e h22 e T .1.

...1.76) dI C ! I E dE  dI CB 0 . Rezult c pentru curent constant al emitorului modificarea absolut a curentului colectorului va fi urm toarea: (1. E IC IC IC I C I CB 0 (1. Modificarea relativ pentru curentul colectorului este dI C I E dI dE I CB 0 dI CB 0 ! dE  CB 0 !  ™ .2mV o C . Deplasarea caracteristicilor are loc aproximativ cu 1.26).77) Din cauza c modificarea coeficientului E nu este major .26.75) I C ! EI E  I CB 0 . Pentru schema de conectare EC curentul de intrare este curentul bazei care aproximativ este determinat din formulele Ebers ± Moll în modul urm tor: ¨ UE ¸ ¨ UC ¸ I B ! . iar I CB 0 I C este de ordinul 10 6 .1.10 3 .. atunci devierea caracteristicilor de ie ire cu temperatura pentru schema BC este nesemnificativ (fig. Curentul de ie ire (curentul colectorului) se determin conform rela iei (1.are forma indicat în fig.

1  E ™ I ECB © e NT  1 ¹  .

48 . I ECB .27).1  E i ™ I CBC © e N  1 ¹ . Ei .1. N T ! kT q poten ialul termic. m surate pentru diferite temperaturi.coeficientul de transfer în regim de inversie.curen ii inver i ai jonc iunii emitorului i colectorului. I CBC . Caracteristicile de intrare. deoarece unele componente din rela ia (1.78) depind în mod diferit de temperatur (fig. se intersecteaz . © ¹ © ¹ ª º ª º % (1.78) unde: E prezint coeficientul de transfer în regim activ.

1. QA 100 80 60 40 20 0 45 oC 20 oC Fig. m 0 5 I E ! 2 mA 10 I E ! 10 mA I E ! 6 mA 60 oC 50 oC 20 oC 80 oC Fig.I C . mA 4 3 2 1 0 & 50 oC 12 9 20 oC 6 3 100 200 U EB .26.27. mA I E .1. Dependen a de temperatur a parametrilor h I B . Dependen a de temperatur a caracteristicilor de intrare în schema de cuplare EC Curentul colectorului pentru schema de conectare EC se scrie în forma urm toare: I C ! F I B  .

m & 15 U CB . (1. m .78) 49 ' 100 U BE .F  1 I CB 0 .

mA 12 10 8 6 4 2 0 5 I B ! 40 QA 30 QA 60 oC 20 QA 10 QA I B ! 40 QA 30 QA 20 oC 20 QA 10 QA 10 U CE . Dependen a de temperatur a caracteristicilor de ie ire în schema cu EC Instabilitatea relativ a curentului colectorului pentru I B ! 0 E I CB 0 I CB 0 IC I . (1.80) } .1. Fig.28.I C .

F  1  ™ ! .

F  1 C I C EC I C BC E I C I CB 0 adic se m re te în compara ie cu conectarea BC de .

8. ob inute pentru câteva valori ale temperaturii. Din rela ia (1. 1. În fig.1. Regimul limit de func ionare pentru tranzistoarele bipolare la varia ia temperaturii Se cunoa te c odat cu majorarea temperaturii considerabil se m re te concentra ia purt torilor de sarcin minoritari în func ie 50 ( .4. De exemplu. dac în diapazonul dat de temperaturi în schema BC modificarea formei caracteristicilor de ie ire va fi de câteva procente.80) se observ c modificarea caracteristicilor de ie ire a tranzistorului conectat în schema EC este semnificativ . sunt prezentate caracteristicile de ie ire ale tranzistorului bipolar conectat în schema EC.28. atunci pentru conectarea EC ea va constitui sute de procente.F  1 ori.

TC ..1 eV ). R T C . Când concentra ia purt torilor de sarcin minoritari se apropie de concentra ia purt torilor de sarcin majoritari. Dintre toate regiunile din structura tranzistorului cea mai mare putere este disipat pe jonc iunea colectorului.. De obicei ea se exprim în grade celsius pe miliwat sau grad celsius pe wat i pentru majoritatea tranzistoarelor se plaseaz în limitele 30. i reprezint aproximativ  200o C . Temperatura maxim de lucru este determinat de energia de ionizare a semiconductorului i concentra ia impurit ilor.. (1. deoarece ea posed rezisten electric mai major .81) RT  RTC unde: Tn este temperatura jonc iunii colectorului.carcas .  60 C .. Limita de jos a temperaturilor de lucru este determinat de energia de ionizare a impurit ilor ( 0. Rezisten a termic este un parametru important al tranzistorului i este indicat în îndrumarele respective. Pentru func ionarea normal tranzistoarele de putere sunt utilate cu radiatoare iar puterea disipat de jonc iunea colectorului poate fi determinat conform rela iei T  TC PC ! n . Aceasta se datoreaz diferen ei dintre l rgimea benzii interzise (pentru germaniu 0.rezisten a termic radiator ± mediu.temperatura mediului. Practic diapazonul minim al temperaturilor de lucru este limitat de diferi i factori tehnologici i de particularit ile constructive i se plaseaz în limitele o 70..05.200 o C W ..de l rgimea benzii interzise a semiconductorului.. siliciu 1. Temperatura maxim admisibil determin regimurile de limit 51 .72 eV . Pentru tranzistoarele fabricate din germaniu temperatura maxim de func ionare variaz în limitele 70. R T .100o C ..0.200o C .01 eV ). func ionarea dispozitivului semiconductor se deregleaz ..rezisten a termic a jonc iunii colector .. iar pentru cele din siliciu în limitele 125.

30. tensiune i putere.29. Suprafa a radiatorului este determinat de rela ia (1.1. 1. V Fig. Cu cre terea temperaturii.30.82) S R ! BPC . B. A I C max 4 3 2 1 0 5 10 T2 PC max I B ! 200 mA T1 150 mA 100 mA 50 mA 25 mA U CE max U CE . IC . oC p Fig. 2 unde B este coeficientul termic cm W . iar curba 2 ± r cirii for ate (viteza fluxului de aer aproximativ 300 m s ). Dependen a de temperatur a regimurilor de func ionare a tranzistorului Dependen a experimental care leag varia ia de temperatur (t p i coeficientul termic B este prezentat în fig. curba puterilor admisibile se deplaseaz în jos (fig. Dependen a de temperatur a coeficientului termic 52 . cm 2 W 80 60 40 20 0 2 20 40 1 60 80 (t .1. Curba 1 corespunde convec iei libere a aerului.29).dup curent.1.

construc ia. y capacitatea jonc iunii emitorului CE i colectorului CC . Viteza de propagare a purt torilor de sarcin în regiunea bazei este diferit i de aceea grupul de purt tori de sarcin ce au intrat concomitent în regiunea bazei ating regiunea colectorului în timp diferit.1. Asupra diapazonului frecven elor de lucru a tranzistoarelor influen eaz urm torii parametri: y timpul de difuzie al purt torilor de sarcin minoritari în regiunea bazei de la jonc iunea emitorului la cea a colectorului. Dependen a parametrilor tranzistorului de frecven 1. Cu majorarea frecven ei. rezisten a bazei rE . determinat de dimensiunile ei geometrice. propriet ile de amplificare ale tranzistorului bipolar se înr ut esc.9. y 53 . regimul de lucru i schema de conectare.9.În a a mod la proiectarea aparatajului radioelectronic cu tranzistoare ce lucreaz într-un diapazon larg de temperaturi i este important de a cunoa te ce influen are temperatura asupra parametrilor i caracteristicilor elementului activ i care sunt limitele în func ionarea acestui dispozitiv electronic. Asta înseamn c : y scade puterea de ie ire. Dispersia purt torilor de sarcin în baz Propriet ile de amplificare a tranzistoarelor sunt determinate de: propriet ile materialului din care sunt confec ionate. adic întârzierea oscila iilor curentului de ie ire fa de cel de intrare. y apare defazajul. 1. tehnologia de fabricare.

În timpul ac iunii semiperioadei negative num rul golurilor injectate se va mic ora i o parte din ele va ajunge la jonc iunea colectorului odat cu cele întârziate de la semiperioada pozitiv .1. Nivelul de mic orare a coeficientului de transfer dup curent cu cre terea frecven ei este determinat de grosimea bazei WB . Dispersia vitezelor golurilor în baz aduce la aceea c odat cu m rirea frecven ei are loc înr ut irea efectului de amplificare i mic orarea coeficientului de transfer dup curent E . cu valoarea timpului mediu de propagare a procesului de difuzie prin baz X D . 54 . aplicat la intrarea tranzistorului. Modificarea curentului colectorului va avea loc mai târziu decât modificarea curentului emitorului. prin urmare.2. ce posed o vitez de mi care mai mic . Când la intrarea tranzistorului se aplic semiperioada pozitiv a semnalului. Dac la intrarea tranzistorului aplic m impulsuri dreptunghiulare de durat redus . La fel are loc i distorsionarea semnalului sinusoidal. O parte din ele ajung destul de rapid la jonc iunea colectorului. cu atât este mai pronun at întârzierea purt torilor de sarcin i cu atât mai mic va fi coeficientul de transfer dup curent. Dependen a coeficientului de transfer dup curent de frecven Fie c tranzistorul bipolar de tip p-n-p este conectat BC i func ioneaz în regim activ. Pentru o frecven major a semnalului. semnalul la ie irea tranzistorului va fi unul mediu. alt parte. Influen a dispersiei vitezei purt torilor de sarcin se manifest i asupra formei semnalului. când timpul mediu de mi care a golurilor în regiunea bazei este comparabil cu perioada acestui semnal. atunci din jonc iunea emitorului se injecteaz în baz un num r mare de goluri. Drept rezultat. Vom analiza defazajul între curentul emitorului i curentul colectorului. atunci la ie irea lui frontul din spate i cel din fa a fiec rui impuls va fi întins i impulsurile posed form de trapez. se re ine pu in. timpul de parcurgere a bazei de c tre goluri. semiperioada pozitiv va trece în cea negativ . Cu cât mai mare este grosimea regiunii bazei i.9.

31. putem socoti c schimbarea formai curentului colectorului are loc practic momentan dup legea de schimbare a curentului emitorului. XD ! B . Cu cre terea i devine frecven ei semnalului. (1. injecta i în baz . Pân când frecven a semnalului nu este mare i perioada de repetare a procesului considerabil întrece timpul mediu de difuzie X D .coeficientul de difuzie al golurilor în baza-n. R p ! Rp Dp WB unde: R p este viteza purt torilor de sarcin minoritari. M rimea X D este determinat de grosimea bazei i de coeficientul de difuzie.IE IC IE IC t XD T Fig. Semnalul în circuitul colectorului este în defazaj fa de cel în circuitul emitorului cu unghiul de defazaj N B 55 . perioada T se mic oreaz comparabil cu timpul de difuzie X D . Pentru tranzistoarele bipolare tip p-n-p timpul mediu de tranzi ie a procesului de difuzie sau timpul mi c rii de difuzie se determin ca Dp W W2 . Dp . Întârzierea X D T poate fi neglijat . Diagramele în timp a curen ilor de intrare i ie ire la frecven înalt În fig.83) indicii respectivi trebuie indica i pentru electroni. Pentru tranzistoarele bipolare în formulele (1.83) XD ! B .1. WB .grosimea bazei.31 este prezentat diagrama temporal a componentei alternative a curentului colectorului. 1.

N B ! [X D ! 2Tf 2 WB . Dp (1.85) i E . Dac curentul emitorului variaz dup legea (1. De aceea pentru aceea i frecven distan ei mai mari între jonc iunile tranzistorului îi corespunde un unghi de defazaj mai mare între curentul de intrare i ie ire.84) Bazei cu grosimea mai mare îi corespunde un timp de difuzie X D mai major.

t ! I E ! I m e sin .

atunci curentul colectorului.[t . luând în considerare defazajul. poate fi scris ca i C .

t ! I C ! I m c sin .

86) Deoarece coeficientul de transfer dup curent a tranzistorului E în schema BC reprezint raportul dintre curentul semnalului în circuitul colectorului i curentul semnalului în circuitul emitorului. (1.[t  N B . E depinde de frecven i este caracterizat de modulul E.

[ i faza N B .

[ :  j[ t  jN I C I m c sin .

[t  N B I m c e e ! E! ! . IE I m e sin.

87) unde: E.[t I m e e  j[ t B (1.

N B .[ ! Im c Im e este modulul coeficientului de amplificare.

 E ! E.defazajul coeficientului de amplificare a curentului emitorului în schema cu BC.[ .

[ ™ e  jN .

Cu majorarea frecven ei.88) În domeniul frecven elor joase coeficientul de transfer dup curent E este constant.[ . coeficientul E poart un caracter complex (1. dup o lege complicat . Cu o eroarea admisibil pentru calculele tehnice m rimea coeficientului de transfer dup curent poate fi aproximat cu ajutorul rela iei urm toare B 56 . (1. mic orându-se cu m rirea frecven ei.88).

E.

j[ } E0 f 1  j™ fE . E.

[ ! E.

(1.f } E0 ¨f ¸ 1 © ¹ ©f ¹ ª Eº 2 .89) ¨f ¸ N B .

[ ! N B .

f ! arctg © ¹ . ©f ¹ ª Eº Identic pentru conectarea tranzistorului EC: F0 E0 F .defazajul coeficientului E .

F .j[ } .

[ ! F .

2 f ¨f ¸ 1  j™ 1 © ¹ fF ©f ¹ ª Fº (1. 90) ¨f ¸ N E .f } .

[ ! N E .

3.9. 2 Dependen a modulul coeficientului de transfer dup curent de frecven se nume te caracteristica amplitudine .defazajul coeficientului F . Frecven a de t iere.90) utiliz m urm toarele not ri: E 0 . 1. f F .modulele coeficien ilor de transfer dup curent la frecven joas pentru schemele de conectare BC i EC respectiv. ©f ¹ ª Fº În rela iile (1. CAF. în compara ie cu valoarea lui la frecven e joase E Ef ! 0 .frecven (CAF) E ! \. f E .frecven ele de t iere pentru tranzistorul cuplat BC i EC respectiv.89) i (1. CPhF i al i parametrii ai tranzistorului Frecven de t iere pentru tranzistorul cuplat în BC ( f E ) este numit frecven a pentru care modulul coeficientului de transfer dup curent se mic oreaz de 2 ori ( adic cu 3 dB).f ! arctg© ¹ . F 0 .

[ sau F ! \.

[ . Dependen a unghiului de defazaj de E 57 .

N ! \ .

[ ! \ .

707 0.6 0. în compara ie cu valoarea lui la frecven e joase: F Ff ! 0 .32. iar frecven a de t iere f F este considerabil mai redus decât f E . Frecven a de t iere a tranzistorului în schema EC ( f F ) se nume te frecven a la care modulul coeficientului de amplificare dup curent se mic oreaz de 2 ori ( adic cu 3 dB).8 0.32. iar unghiul de defazaj este plasat în unit i absolute.[ este numit caracteristica faz ± frecven frecven (CPhF) a coeficientului de transfer. decât în schema BC.1. 2 F 1 0. Ele sunt construite în coordonate normate E E 0 i f f 0 . În schema EC coeficientul de transfer al curentului bazei depinde mai tare de frecven . 1. CAF i CPhF pentru coeficientului de transfer dup curent 58 .4 unit i relative E E0 NB o 30 60 90 10 2 10 1 1 f ! fE 10 fE f Fig. Exemple de astfel de caracteristici sunt prezentate în fig.

! ¸ ¨ f ¹ .S exprim m frecven a de t iere f F prin m rimea f E F! 1 E E0 E0 ! ™ ! ! f f E0 1 E 1 j 1 1  j  E0  f fE fE 1 j fE E0 .

1  E 0 © 1  j © .

1  E 0 fE ¹ º ª (1.90) i (1.91) Compararea rela iilor (1. cu considera ia c F 0 ! E 0 .91).

ne permite s ob inem formula pentru leg tura dintre frecven ele de t iere în schemele BC i EC fF ! f E .1  E 0 .

1  E . În a a mod frecven a de t iere a coeficientului de transfer a curentului bazei f F este de .

1  E ori mai mic ca frecven a de t iere în schema cu BC sau: F0 1  F 0  F0 1 ! 1  E0 ! 1  ! . (1.93) tg. Pentru schema EC.92) 1  F0 Cauza principal a mic or rii bru te a coeficientului F cu cre terea frecven ei (cum indic rela ia (1. 1  F0 1  F0 1  F0 f fF ! E . ci majorarea valorii defazajului.91)) nu este mic orarea valorii E . (1. f .

N E ! fE .

1  E 0 în timp ce pentru schema BC f tg.

N B ! .93) ob inem 59 . fE Luând în considerare (1.

tg.

N E ! 1 tg.

1  E0 ¡ tg .N B .

N E "" tg .

a).33. Cu cre terea frecven ei. 1  E0 B  IB  IB  IE  IC  I E ! I me  I B ! I mb  IC ! I mc  IE NE  IC NB ! a) b) Fig. I m c . Diagramele vectoriale ale curen ilor tranzistorului la frecven joas (a) i înalt (b) La frecven joas curen ii emitorului i colectorului coincid dup faz (fig. colectorului i bazei respectiv. I C . I m b prezint amplitudinile curen ilor alternativi ai emitorului.1. Aici I m e .b) în care modulul vectorului I C se mic oreaz .1. cu lungimea I m e . I m c . 1. I m b respectiv. I B . Deoarece B 60 .N B 1 NE } N . atunci la frecven e joase curentul colectorului se deosebe te pu in de cel al emitorului i curen ii tranzistorului pot fi reprezenta i sub forma    vectorilor care coincid dup direc ie I E .33.  iar a modulului vectorului I se m re te de câteva ori. Amplitudinea curentului bazei este egal cu diferen a între I m e i I m c . Deoarece E } 1 . a a încât Im e ! Im b  Im c . curentul colectorului r mâne în urm de curentul emitorului i vectorii acestor curen i formeaz un  triunghi (fig.33.

Frecven ele de t iere f E .33. a a cum este ar tat în fig. f F reprezint parametrii importan i ai tranzistorului bipolar 1 fF ! f E .b. dI B dU C ! 0 dI m b U m c ! 0 atunci la frecven a f ! f E coeficientul de transfer F se mic oreaz de câteva ori.1.F! dI dI C sau F ! m c .

1  E 0 sau fE ! f ! .

1  F 0 fF . F F0 0. 1  E0 F E.707 ™ F 0 F .

707 ™ E 0 E .f 1 E0 0.

34 sunt prezentate dependen ele de frecven a modulelor E i F . Varia ia mai rapid a modulului F .f f fF fT fE Fig. Caracteristicile de amplitudine ± frecven ale coeficien ilor de transfer dup curent E. F În fig.34.1.1.

[ cu cre terea frecven ei în compara ie cu E.

[ se explic prin faptul c diferen a 1  E([) în rela ia E.

[ F .

[ ! 1  E.

[ se modific mai rapid decât E.

61 .[ .

de aceea leg tura între f E i fF fE ! 1 f ! .89). La determinarea frecven ei de t iere f F a fost utilizat dependen a aproximativ pentru E de frecven (1. cu cre terea frecven ei este determinat de majorarea defazajului N E .În afar de aceast cauz principal de mic orare pentru F .

Pentru a ob ine un reziltat concret. 1  E0 F este la fel aproximativ .1  F 0 fF . se introduce coeficientul de corec ie k : k fE ! f ! .

Analiza rela iei (1.90) indic c la frecven e ce dep esc de trei-patru ori frecven a de t iere f F .1.1  F 0 kfF . În practic . k } 1. pentru care coeficientul de transfer a curentului bazei F în schema EC este egal cu unitatea. 1  E0 F Valoarea acestui coeficient depinde de construc ia tranzistorului i tehnologia lui de fabricare (de regul ..2 ). pentru calcule se folose te frecven a f T (adic frecven a de t iere a tranzistorului sau frecven a limit de amplificare dup curent).. adic f " .

. f2 1 2 fF pentru f2 "" 1   F f ! fF2 F0 1 f2 fF2 ! fF F 0 . f 62 .. În acest produs f este frecven a la care este efectuat m surarea valorii coeficientului de transfer F f : F0 Ff ! . fF f ! fF F 0 ! const ! f T . produsul F f ™ f este o valoare constant i nu depinde de frecven .4 fF .3.

Deoarece F f ! const pentru f " .

.4 fF i fF f ! fFF 0 ! fT . Pentru schema BC frecven a de t iere f E întotdeauna este mai mare ca frecven a de t iere a tranzistorului f T : kfF kfT k .. atunci frecven a de t iere în schema EC este de F 0 ori mai mic decât valoarea frecven ei de t iere a tranzistorului fF ! f T F 0 .3.

1  F 0 f T ! ! fE ! .94) F0 1  E 0 F 0 . (1.

1  E 0 pentru F " 10   f E ! kfT } .

pF. egal cu (I ies . Dependen a modulului conductibilit ii directe Y21 de frecven este identic cu dependen a de frecven a m rimilor E i F ...2 f T . rB . 63 ) .rezisten a de volum a bazei. Y21 ! (U int ( U ies ! 0 se mic oreaz de 2 ori în compara ie cu valoarea lui la frecven joas . Tranzistorul poate fi utilizat în calitate de generator sau amplificator. MHz. pentru care modulul de conductibilitate direct .1. De aceea un parametru important dependent de frecven este frecven a maxim de generare sau frecven a maxim de amplificare dup putere. ?MHz A. M rimea f S este întotdeauna mai mare ca f F . dac coeficientul de amplificare dup putere K p " 1 . CC capacitatea jonc iunii colectorului. (1. . La analiza dispozitivelor confec ionate în baza tranzistoarelor cu ajutorul schemelor echivalente i utilizarea parametrilor Y este folosit frecven a de t iere a pantei tranzistorului f S .1.95) d 30rB CC unde: f E este frecven a de t iere a coeficientului de transfer în d schema BC. pentru care coeficientul de amplificare dup putere este egal cu unitatea E 0f E f ma ! .

prin intermediul procedurilor tehnologice. mic orarea rezisten ei rB (m rirea concentra iei în baz ) m re te capacitatea jonc iunii colectorului CC i mic oreaz valoarea tensiunii U C max . Pentru majorarea frecven ei de regenerare este necesar de a m ri valoare f E i de a mic ora constanta de timp d rB C C . rezisten a de volum a bazei. Aceste cerin e sunt contradictorii ± mic orarea grosimii bazei WB d d m re te rezisten a de volum rB . Mic orarea grosimii bazei este condi ionat de posibilit ile tehnologiilor contemporane. se formeaz un câmp de accelerare pentru purt torii de sarcin injecta i. care permite de a 64 .4. Din aceste considerente frecven ele de t iere pentru tranzistoarele bipolare f r drift sunt relativ reduse. Metode de îmbun t ire a caracteristicilor de frecven . Este cunoscut c viteza electronilor R n este mai mare ca viteza golurilor R p . i capacitatea colectorului cu valori reduse.9. În a a mod tranzistorul destinat func ion rii în domeniul frecven elor înalte trebuie s posede grosimea bazei. ce limiteaz caracteristicile de frecven a tranzistoarelor.95) produsul rezisten ei de volum a bazei la capacitatea colectorului este numit constant de timp a circuitului d de reac ie invers rB C C ! X C . Tranzistoare bipolare cu drift Majorarea valorii frecven ei de t iere a tranzistorului necesit mic orarea timpului de transfer de c tre purt torii de sarcin în baz .83). conform rela iei (1. De aceea utilizarea la frecven e înalte a structurilor tip n-p-n este preferabil . 1. Aceast constant caracterizeaz reac ia invers la frecven înalt i este un parametru de baz al tranzistorului. Timpul de transfer ale purt torilor de sarcin prin regiunea bazei. se mic oreaz odat cu mic orarea grosimii bazei i cu majorarea valorii vitezei purt torilor de sarcin injecta i în baz .În rela ia (1. De aceea în baz .

Câmpul electric intercalat accelereaz electronii injecta i în baza tip-p.35.35 sunt prezentate curbele de distribu ie a concentra iei impurit ilor donoare i acceptoare în structura tranzistorul tip n-p-n. frecven a de t iere a tranzistorului de asemenea se majoreaz . Între jonc iunile emitorului i colectorului se formeaz o regiune de baz tip-p compensat . Qm Fig. N acc N don . În urma distribuirii neregulate a concentra iei impurit ilor în baz apare gradientul concentra iei purt torilor de sarcin care provoac un câmp electric intercalat.1. grosimea c reia este determinat de adâncimea de difuzie a impurit ilor acceptoare. Distribu ia impurit ilor în structura tranzistorului cu drift În fig. în regiunea baz se formeaz un câmp electric intercalat. Viteza total a electronului se m re te. cm 3 10 21 E N don B N acc 1015 C N don 0 1 2 JE 3 JC P. 65 . Ele se folosesc la frecven e înalte. format prin procedura de difuzie. Rezult c purt torii de sarcin ob in ad ug tor componenta de drift a vitezei.m ri viteza lor. Tranzistoarele care posed un câmp electric intercalat în regiunea bazei sunt numite tranzistoare cu drift.1. În acest scop.

9.19) este necesar de a lua în considerare elementele parametrii c rora sunt func ie de frecven i dependen a de frecven a coeficientului de transfer dup curent E.1. Schemele echivalente ale tranzistorului bipolar la frecven e înalte La frecven e înalte în schema echivalent (fig.5.1.

Dependen a coeficientului de transfer E de frecven se modeleaz cu ajutorul circuitului.1. în corespundere cu rela ia (1.b).36.  E .a este prezentat schema echivalent pentru tranzistorul bipolar la frecven e înalte. curentul de ie ire al c ruia între punctele 1  1d este dependent de coeficientul de transfer dup curent a (fig. format din generatorul de curent  E 0 I E independent de frecven .j[ .1. În fig. conectat la schema echivalent prin circuitul RC.89).36.

j[ I E a)  IE rE 1 CC 1d  IC b)  R E .

96) I IES ! E .Schema echivalent a tranzistorului la frecven înalt (a) i circuitul RC ce modeleaz dependen a coeficientului E de frecven (b)    U   (1. 1.36. j[ I E 1d C  U IES 1 E  UE C E Bd rB rC C  UC  E0IE B B Fig.

Z RC ! ! 1 1  j[CR j[C  R 66 . U INT ! E 0 I E Z RC . R R R j[C .j[ I E ! IES .

  E 0I E R 1 E0   U  I IES ! E .

j[ I E ! IES ! ™ ! ™ IE . R 1  j[RC R 1  j[ RC E0 E.

97) 1  j[RC Pentru identitatea rela iilor (1. Pentru o precizie mai înalt trebuie s lu m în considerare defazajul la frecven e apropiate de [E (sau mai majore decât [E ) i s introducem factorul de corec ie exp.37. (1.j[ ! . (1.98) RC ! RC [E Schema echivalent a tranzistorului la frecven înalt cu  generator de curent independent de frecven E 0I E este prezentat în fig. [ E ! 2 Tf E ! .1.97) este necesar de a îndeplini urm toarele condi ii: 1 1 .89) i (1.

fE [E  E0IE C b) R E . j [ [ E . care asigur o corec ie liniar de faz : f [ (N B ! m !m .

707 ad  IC a) CC  IE rE a C E Bd rB rC E  UE C  UC 1 [ [E B Fig. CPhF pentru coeficientul E (b) 67 . Schema echivalent a tranzistorului  la frecven înalt cu generator E 0 I E (a) i CAF. NB [ 1 0.37.1.

(1.În a a mod aproximarea dependen ei coeficientului de transfer ob ine forma ¨ [ ¸ [  jm ¹ E 0 exp©  jm © [ E ¹ E 0e [ º! ª .99) E.

În astfel de cazuri este în deajuns de a lua în considerare numai componenta de difuzie pentru schema cu BC: 0.j[ ! [ [ 1 j 1 j [E [E Pentru tranzistoarele formate prin aliere. constante fizice i procese de baz ce au loc în structura analizat .101) [ TrE Dup simplificarea respectiv . I E E 0 exp©  jm © [E ¹ º ª Dac jonc iunea emitorului este polarizat direct.1. Prioritatea principal a acestei scheme const în faptul c elementele ei posed un sens fizic bine determinat i permit de a efectua leg tura între parametrii tranzistorului cu datele constructive. schema din fig. (1. m } 0. prin drift.37 posed form . CEdif } 68 . (1.2 . prezentat în fig. În acest caz valoarea curentului generatorului echivalent va fi ¨ [ ¸  ¹. este mai mare decât capacitatea sarcinii spa iale.5.100) [E rE E Pentru schema EC 1 . Parametrii fizici ai schemei analizate se determin prin parametrii h. m } 0.8 CEdif } . folosind formulele prezentate în tab.1. Din aceste considerente circuitul poart denumirea de schem echivalent fizic . de regul . capacitatea de difuzie a emitorului.8 .1.38.

Particularit ile schemei echivalente în P constau în faptul c curentul la ie irea generatorului este determinat nu de tensiunea de   intrare U B . determinat de elementele rB . În schem uneori se introduce i capacitatea colector ± emitor C CE .39 con ine capacit ile de tranzi ie a reac iei inverse C C1 i CC 2 .  De aceea sursa de curent g S U 1 de asemenea depinde de frecven . dar de tensiunea punctului intern al circuitului U 1 .1.  Tensiunea U 1 depinde de frecven .38.39. C C 2 ! C C  C C1 . tranzistorul fiind prezentat formal ca un dispozitiv dirijat de tensiune. Schema de substituire a tranzistorului în acest caz este prezentat în fig.CE ! 0. care sunt determinate de constanta de timp a circuitului d colectorului X C ! rB C C . (1. 2 [ [E  IE 1 [E CC dif rE E  UE C  UC B Fig.1. Schema echivalent fizic simplificat a tranzistorului la frecven înalt În unele cazuri se utilizeaz schemele echivalente în P. Schema echivalent din fig.102) .8 [E rE C C dif  I EE 0 e R!  IC Bd rB C C bar j ™0 . conectat paralel conductibilit ii g CE . CB . adic reprezint o parte din  d tensiunea de intrare U B .1. Aici se folose te sistemul de parametrii Y. Aceste capacit i se calculeaz conform rela iilor CC C C1 ! . g BE .

3 69 .2...

5 Formulele de calcul pentru parametrii fizici ai tranzistorului conform parametrilor diferen iali pentru diferite scheme de conectare Parametrul F rE rC EC h 21e BC h 21b 1  h 21b h11b  h12 b .Tabelul 1.

1  h 21b h 22b 1 h 22b h12b h 22b  h 21b h 12b h12e h 22e .

1  h 21e 1  h12e h 22e h11e  h12e .

1.39 se determin cu ajutorul parametrilor h cu ajutorul rela iilor: 1  h12e h12e . g CB ! . d h11e  rB unde g S ! Y21 este panta caracteristicii tranzistorului bipolar.1  h 21e h 22e h 21e 1  h 22e rB E Q} rB rC h11eh 22 e  h12e 1  h 22e Elementele schemei din fig. g BE ! d d h11e  rE h11e  rE g BE ! h 22 e  h12e ¨ h  rd ¸ h © h 21e  11e B 21e ¹ . © dº h 11e ª h 11e  rB ¹ (1. 70 .103) gS ! h 21e  h12e .

conectat cu emitor comun (schema Djacoletto) Capacitatea de difuzie a jonc iunii emitorului se determin conform rela iei 1 CBE ! g .C CC 2 rB  IB  U1 C CB Bd g CB JC B g CE JE  g SU1 C BE g BE E CC 2  IE C C1 rB Bd g CB  U 1 g BE C BE  g SU1 g CE  IC B  U BE C  U CE E Fig. Schema fizic echivalent simplificat a tranzistorului bipolar la frecven înalt .39. [F BE 71 .1.

este deajuns de a determina rela ia pentru frecven a de t iere cu ajutorul schemei echivalente. U 1 ! I B Z Bd .Pentru a ne convinge de aceasta. F .  Curentul generatorului echivalent I ~ se determin ca:     I ~ ! g S U 1 . E  1 g SI B    I ~ ! g S I B Z Bd } g S I B ! . E j[C BE  g BE ¨ C BE ¸ ¹g BE © 1  j[ © g BE ¹ º ª gS gS  I~ g BE g BE .

capacitatea jonc iunii colectorului.frecven a de t iere pentru conectarea EC. C C ! CC 2 . rB . C CE .j[ !  ! ! I B 1  j[ CBE 1  j [ [F g BE . f T . CBE Pentru calculul schemei echivalente în P îndrumarele con in urm torii parametri: X C . C CB ! C C1 .rezisten a bazei.constanta de timp a circuitului de reac ie intern în tranzistor.capacitatea circuitului de reac ie intern în tranzistor.capacitatea de ie ire pentru conectarea EC. unde [F ! g BE 72 .

± 424 . . .Cuza:1994. : 1985. Editura Didactic i Pedagogic : 1982. . .: . / . . . Electronica fizic i aplicat . 2. ± 679 p. .± ..Rusu. ± oc . ± V. 7. : 1981. . 6. . 2. 10. . 13. 73 .Profirescu. . . . . 12. . .. . . ± 864 .: 1990.912 c. . : 1984. . 5. 3. . ± . ± Bucure ti. ± 279 p. 8. : 1980.. . ± . . ± . Facla: 1987. : 1984.BIBLIOGRAFIE 1. . . Bazele radioelectronicii.. . 11. . ± .Dasc lu. : 2001. 1980. ± 622 . Zamfir V. .I. .1. 4. . ± 368 c. ± Timi oara. M.392 14. . .. 9. Editura A. .Costea Dispozitive i circuite electronice. . ± 383 . ± . ± . ± 512 . ± .. . I.. 1991.. ± 419 . . . . Sandu D. ± . . . : 1977.615 p. ..488 . . : 2001. . D. ± Ia i. A. ± 432 .

............27 1...................3............ Regimul de lucru i proceselefizice în tranzistorul bipolar............ Schemele formale pentru substituirea tranzistorului ..... Schema echivalent pentru cuplaj baz comun .31 1.5..... 4 1....................... 3 1...3................4......2........... Rezisten a de volum a bazei ......3................................................................................... 6 1.................5...33 1.....21 1.......... Regim de inversie.................... 18 1.................................................................. Regim de blocaj.............................................3.........1... Rezisten a diferen ial i capacitatea jonc iunii colectorului..4............ 5 1............5...... Tranzistorul ca cuadripol activ........................3. Sistemul de parametri diferen iali ai tranzistorului bipolar..... Modalit ile caracteristicilor statice««««««««...7...... Regim activ............................. Determinarea parametrilor diferen iali aitranzistorului dup caracteristicile statice...............................2... Caracteristicile statice pentru tranzistorul bipolar.... 3 1...... 12 1........................3.. Tranzistorul bipolar ca element al circuitului.......4......6.............................4.............. Caracteristicile pentru cuplaj baz comun «««««..... Structura i jonc iunile tranzistorului bipolar...........3....6........3.3...1.. 11 1...... 5 1.....6.............2..5.......3.30 1............13 1...6.4........ Regim de satura ie........«................................ No iunea de tranzistor bipolar. 6 1...........25 1........1...........................3...32 1.............5................................... Regimul de lucru al tranzistoarelor bipolare.............5...............................................34 1.....1. 6 1.... Schema echivalent pentru conectarea emitorului comun..........36 74 ..............2.............15 1.....................14 1................. TRANZISTORUL BIPOLAR........21 1.. Schemele echivalente ale tranzistoruluila frecven joas ...........2........................ Coeficientul diferen ial de amplificare dup curent ............... Rezisten a diferen ial i capacitatea jonc iunii emitorului....14 1........3...1................6.............. Caracteristicile pentru cuplaj emitor comun«««...4........... Modelul Ebers ± Moll......................6..CUPRINS 1.........6...........

........................................ Influen a temperaturii asupra parametrilor semiconductorilor.... Dispersia purt torilor de sarcin în baz ...........66 Bibliografie.9...3...........4......................1........2................................... Tranzistoare bipolare cu drift .............................8.1...47 1.9......7.. Dependen a parametrilor tranzistorului de frecven ........41 1........................ Modificarea parametrilor tranzistoarelor bipolare la varia ia temperaturii.............1.42 1............. Leg tura dintre parametrii fizici ai tranzistorului i parametrii h ........ Metode de îmbun t ire a caracteristicilorde frecven ................64 1.......53 1..54 1.....9........9.............8.7...... CPhF i al iparametrii ai tranzistorului............................73 75 ...... Frecven a de t iere..................44 1.........................................................9.....................................................42 1................. Schemele echivalente ale tranzistoruluibipolar la frecven e înalte..........39 1....................3..........50 1....53 1..8................................... Regimul limit de func ionare pentru tranzistoarele bipolare la varia ia temperaturii.........................57 1.... Determinarea parametrilor fizici dup parametrii h .. Dependen a caracteristicilor tranzistorului bipolar de temperatur .................. Dependen a coeficientului de transfer dup curent de frecven ............ Dependen a parametrilor tranzistorului de temperatur ..........8.....8...........2....9.......... Rolul parametrilor h în schemaechivalent i calculul lor...................................39 1.........2.7.........................4................................................. CAF...............1...............5..........

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful