P. 1
Tranzistor Bipolar

Tranzistor Bipolar

|Views: 150|Likes:
Published by Sandu Stelea

More info:

Published by: Sandu Stelea on Jan 21, 2011
Copyright:Attribution Non-commercial

Availability:

Read on Scribd mobile: iPhone, iPad and Android.
download as DOC, PDF, TXT or read online from Scribd
See more
See less

12/20/2012

pdf

text

original

1. TRANZISTORUL BIPOLAR 1.1. No iunea de tranzistor bipolar.

Structura i jonc iunile tranzistorului bipolar Tranzistor bipolar este numit dispozitivul electronic cu trei pini i dou sau mai multe jonc iuni p-n ce interac ioneaz între ele. În tranzistor se rânduiesc trei regiuni semiconductoare, pentru care pe placheta de izolator din Si-i, prin metoda epitaxial - planar se formeaz regiunile colectorului (C), bazei (B) i emitorului (E) (fig.1.1). Pentru aceasta, în regiunea Si-n, ce serve te ca colector, prin metoda difuziei este format regiunea bazei Si-p. În aceast regiune, prin metoda difuziei locale, este format emitorul Si-n cu concentra ie major a impurit ilor donoare. C B1 p n Si-i E1 n C Jonc iunea emitorului Jonc iunea colectorului

Fig.1.1. Structura tranzistorului bipolar tip n-p-n La frontiera regiunii emitorului cu cea a bazei i de asemenea la frontiera regiunii bazei cu cea a colectorului se formeaz dou jonc iuni p-n ± emitor i colector (dup denumirea regiunilor laterale ale structurii). Jonc iunile interac ioneaz dac distan a între ele WB , numit l imea bazei, este cu mult mai mic ca lungimea de difuzie a purt torilor de sarcin mobili ( WB L p ,n ). este distan a pe care o parcurge Lungimea de difuzie ,n electronul sau golul din momentul apari iei în semiconductor pân la recombinare. De regul , suprafa a jonc iunii colectorului este mai mare ca suprafa a jonc iunii emitorului. Regiunea emitorului trebuie s posede o electroconductibilitate mai înalt ca cea a bazei i a 3
 

colectorului. Concentra ia impurt ilor în regiunile tranzistorului bipolar trebuie s respecte inegalitatea N E " 100 N B u N C . (1.1) 1.2. Tranzistorul bipolar ca element al circuitului În dependen de alternarea regiunilor, dup tipul de electroconductibilitate, se deosebesc structuri tip p-n-p i n-p-n. În fig.1.2 sunt prezentate structurile p-n-p i n-p-n ale tranzistorului bipolar i reprezentarea lor în circuitele electrice. JE E p B E C p-n-p n p JC C E n E B p C n-p-n n JE JC C

B

B

Fig.1.2. Reprezentarea tranzistoarelor bipolare Ca element al circuitului electric, tranzistorul bipolar este utilizat în a a mod, ca unul din pini s fie conectat la intrare, iar altul ± la ie ire. Al treilea pin este comun. În dependen care din pini este comun, se deosebesc trei circuite de conectare ale tranzistoarelor bipolare: - baz comun (BC); - emitor comun (EC); - colector comun (CC). În fig.1.3. sunt prezentate aceste trei modific ri de cuplare a tranzistorului bipolar în circuitul electric. 4

IE Iintr.

BC

IC IB Iie . IB Iintr.

EC

IC IB Iie . IE Iintr.

CC

IE Iie . IC

Fig.1.3. Schemele de conectare ale tranzistoarelor bipolare

1.3. Regimul de lucru i procesele fizice în tranzistorul bipolar 1.3.1. Regimul de lucru al tranzistoarelor bipolare În timpul func ion rii tranzistorului la bornele sale este aplicat tensiune de la sursa de alimentare în curent contionuu. În dependen de polaritatea tensiunii aplicate, fiecare din jonc iunile p-n ale tranzistorului bipolar poate fi polarizat direct sau indirect, adic sunt posibile patru modalit i de func ionare a tranzistorului (tab.1.1). Tabelul 1.1 Modalit ile de func ionare a tranzistorului bipolar
Denumirea jonc iunii Jonc iunea emitorului Jonc iunea colectorului Jonc iunea emitorului Jonc iunea colectorului Jonc iunea emitorului Jonc iunea colectorului Jonc iunea emitorului Jonc iunea colectorului Conectarea jonc iunii Invers Invers Idirect Idirect Direct Dnvers Invers Direct Denumirea regimului de func ionare a tranzistorului Regim de blocaj Regim de satura ie Regim activ Regim de inversie

5

ÄS´ ± scurtcircuit). I CB 0 . ob inem rezisten a de satura ie: U CE sat U . I EBS . Primul indice în reprezentare determin pinul prin care circul curentul. U CE sat ). care reprezint parametrii statici ai regimului dat.1. Regimul activ În fig.I BC 0 . Regim de blocaj În regim de blocaj ambele jonc iuni p-n sunt polarizate indirect. În fiecare din cele trei scheme de conectare a tranzistorului ace ti parametri posed valori determinate.3. condi iile în regiunea r mas a schemei (Ä0´ ± lipsa curentului. I BCS . I EC 0 . R B sat ! BE sat . jonc iunea emitor a c reia este polarizat 6 . I CBS .I BE0 .3. Raportând m rimile tensiunilor i curen ilor. jonc iunile sunt saturate cu purt tori de sarcin mobili. al treilea.4.3. I CE 0 . Regim de satura ie În regimul de satura ie ambele jonc iuni p-n sunt polarizate direct. I ECS . adic mers în gol.1.3. I C sat . 1.4 este reprezentat modelul plan unidimensional al tranzistorului bipolar. Parametrii statici reprezint curen ii de satura ie I E sat . rezisten ele lor sunt reduse. I BES .I EB 0 . I B sat i tensiunile de rest ( U BE sat . Prin bornele tranzistorului circul curen ii de scurgere a jonc iunilor polarizate indirect. y pentru circuitul cu EC .2. al doilea ± schema de conectare. y pentru circuitul cu CC . R C sat ! I C sat I B sat 1. Regiunea E-C posed o conductibilitate înalt i poate fi considerat ca scurtcircuitat . Ele sunt prezentate sub forma urm toare: y pentru circuitul cu BC . I CES .

(1. . . . Mi carea purt torilor de sarcin i curen ii în tranzistorul bipolar (regim activ) Principiul de func ionare a tranzistorului bipolar în regim activ se bazeaz pe utilizarea urm toarelor fenomene: . În circuitul extern al emitorului circul curentul de injec ie: q U EB I E ! I E p  I E n ! I EB 0 (e kT  1) .extragerea purt torilor minoritari din baz în regiunea colectorului prin intermediul câmpului electric. iar cea a colectorului indirect.1.direct.purt torii injecta i prin baz care circul drept rezultat al fenomenelor de difuzie i drift.2) Pentru structura tranzistorului tip p-n-p rela ia între concentra iile impurit ilor din regiunile emitorului .injec ia purt torilor de sarcin prin jonc iunea emitorului.4. Aceast corespunde regimului activ. Injec ia purt torilor de sarcin duce la trecerea prin jonc iunea emitorului a curen ilor de difuzie (a golurilor I E p i electronilor I E n ). IEp=KIE JE p JC ]IEp n p conectare IE IC IE n I B rec UEB IB ICB0 UCB Fig. format de jonc iunea colectorului.recombinarea purt torilor de sarcin în regiunea bazei.

N acc E i bazei .

N don B se determin ca: .

N acc E u 100 ™ .

7 .N don B .

iar curentul de recombinare I B rec este mai 0 qU E kT . se compenseaz cu sarcina electronilor. Deoarece l imea bazei este considerabil mai mic ca lungimea de difuzie a WB L p . Circuitul emitor ± baz devine blocat i asigur circula ia curentului emitorului. Rela ia între componentele curentului emitorului pot fi apreciate cu ajutorul coeficientului de injec ie I IE p K ! Ep ! p 1. (1.n .3) IE IE p  I E n Injec ia purt torilor de sarcin din emitor în baz m re te concentra ia purt torilor minoritari în regiunea bazei. Concentra ia lor la frontiera jonc iunii emitorului pentru structura tip p-n-p se determin din rela ia: . al turi de curentul electronilor injecta i I En .4) pn ! pn e Sarcina golurilor.Din aceste considerente se ob ine I E p "" I E n . formând curentul de recombinare al bazei I B rec . ap rute momentan în apropierea jonc iunii emitorului (~ 10-17 s). Majorarea concentra iei electronilor i a golurilor în apropierea jonc iunii emitorului formeaz gradientul concentra iei purt torilor de sarcin în baz ( “p i “p ). (1. are loc i recombinarea lor cu electronii. ce p trund în baz de la sursa de alimentare UEB. Concomitent cu difuzia golurilor în baz . În locul electronilor care se recombin în regiunea bazei din circuitul extern al sursei de alimentare UEB sunt injecta i al i electroni. Sub ac iunea gradientului concentra iei purt torilor de sarcin se produce mi carea de difuzie a golurilor i electronilor prin regiunea bazei de la emitor spre colector. mic orarea concentra iei purt torilor de sarcin purt torilor de sarcin în regiunea bazei din cauza recombin rii este nesemnificativ .

mic decât curentul emitorului I E cu un ordin-dou . Golurile injectate de emitor în regiunea bazei se apropie de jonc iunea colectorului polarizat indirect. nimerind în câmpul de 8 .

Din aceste considerente curentul I C este propor ional cu curentul emitorului i se nume te p curentul dirijat al colectorului. (1. Utilizând rela iile (1.3). (1.6) Coeficientul E E este numit coeficient integral de transfer al curentului emitorului în circuitul colectorului. El este analogic curentului diodei semiconductoare cuplate indirect i de aceea a primit denumirea de curentul de scurgere al colectorului I CB 0 . Aici indicii ÄC´ indic curentul jonc iunii colectorului cuplate indirect. modificând valoarea curentul de intrare.5). ÄB´ ± m sur rile au loc în 9 ¡ (1. În afar de componenta dirijat a curentului colectorului I C p prin electrodul colectorului circul i componenta nedirijat a curentului.accelerare a acestei jonc iuni i sunt transferate în colector. primim: I I I EE ! C p ! C p ™ E p ! K ™ ] . ceea ce ofer posibilitatea de al utiliza în calitate de element activ în circuitele electronice. (1. Procesul de tranzi ie a purt torilor de sarcin minoritari prin baz este caracterizat de coeficientul de transfer = . ( 2L p ) 2 Cu cât mai multe goluri sunt injectate din emitor în baz .7) IE IE p IE Posibilitatea de dirijare cu curentul de ie ire al tranzistorului.Coeficientul de transfer depinde de l rgimea bazei WB i lungimea de difuzie a golurilor L p ! I Cp I Ep }1 2 WB . numit curentul de scurgere a jonc iunii p-n polarizate indirect. se ob ine I C p ! K] I E ! E E I E .5) .5). este o proprietate important a tranzistorului bipolar. În a a mod se formeaz componenta dirijat a curentului colectorului: I C p ! I E  I B rec  I E n ! I E p  I B rec .3) i (1. cu atât mai major este curentul colectorului. Dac apel m la rela iile (1.

1. (1.8) i (1.9) În circuitul emitorului curentul de injec ie se determin ca suma curentului colectorului I C i curentul bazei I B : IE ! IC  IB . 0 ± m sur rile au loc pentru I E ! 0 . adic pentru regim mers în gol la intrare. iar rela ia pentru curentul colectorului (1.1.8) poate fi scris în felul urm tor: I C ! E ™ I E  I CB 0 ! E ™ .8) Curentul I CB 0 în circuitul bazei este orientat invers curentului de recombinare în baz I B rec i curentului de injec ie I n inj (1. cu unic deosebire c în loc de goluri trebuie s vorbim despre electroni i invers. În circuitele EC i CC (fig.10) Rela iile (1.10) determin leg tura dintre curen ii tranzistorului i sunt adecvate pentru oricare din circuitele de conectare.3. (1. Direc ia curentului de scurgere a colectorului I CB 0 corespunde cu componenta dirijat a curentului colectorului i de aceea I C ! E ™ I E  I CB 0 . Direc iile curen ilor continui i polarizarea tensiunilor de alimentare ce corespund regimului activ sunt prezentate în fig.schema de cuplare BC.3) curentul de dirijare este curentul bazei. Procese analogice au loc i în tranzistorul tip n-p-n.

I C  E ™ I C ! E ™ I B  I CB 0 . E 1 (1.11) IC ! ™ IB  ™ I CB 0 ! F ™ I B  I CE 0 . 1 E 1 E unde: E ! F este coeficientul de amplificare dup curent în schema 1 E 1 de cuplare EC.I C  I B  I CB 0 . ™ I CB 0 ! .

. 10 I B ! I B rec  I CB 0  I n inj .componenta 1 E nedirijat a curentului colectorului în schema EC.1  F I CB 0 ! I CE 0 . sau curentul de scurgere a tranzistorului bipolar.

în regim de inversie injec ia purt torilor de sarcin este înf ptuit de jonc iunea colectorului. Regim de inversie În regim de inversie jonc iunea emitorului este cuplat invers. atunci Ei E . 1 I IE ! I B  CB 0 . I ! 1 E 1. Din aceste considerente I E  I B ! I C ! E ™ I E  I CB 0 . Deoarece suprafa a jonc iunii emitorului este cu mult mai mic decât cea a jonc iunii colectorului i N C N B . Practic. De aceea. iar jonc iunea colectorului direct. iar extrac ia purt torilor de jonc iunea emitorului. în compara ie cu regimul activ.Pentru schema CC curentul de ie ire este curentul emitorului.5. (1.3. emitorul i colectorul î i schimb func ia i pozi ia în circuit.13) unde Ei este coeficientul de transfer invers.12) ! F 1. 1 E 1 E sau I E ! K I I B  I CE 0 . Pentru schema de cuplare BC: I E ! E i ™ I C  I EB 0 . Pentru schema CC I E ! F i ™ I B  . unde 1 (1.

14) Pentru schema EC I C ! .1  F i I EB 0 . (1.

1  F i I B  .

15) 11 . (1.1  F i I EB 0 .

7) ca func ie de dou argumente pentru I CB 0 ! const . y coeficientul de transfer de difuzie = caracterizeaz procesele ce au loc în baz ± difuzia i recombinarea purt torilor de sarcin . 12 .7) pentru coeficientul static de amplificare a curentului emitorului E E ! K]M : y coeficientul de injec ie K caracterizeaz eficacitatea jonc iunii emitorului. Coeficientul E este determinat de rela ia E ! ( I C  I CB 0 ) I E . ! EE  IE dI E dI E (1. leg tura dintre curen ii colectorului i emitorului este determinat de rela ia diferen ial (1.3. indic leg tura dintre componentele respective în curent continuu. adic dI C ! E E ™ dI E  I E ™ dE E sau Ex ! dI C dE E . y coeficientul M se introduce pentru a lua în considerare procesele în jonc iunea colectorului i.1. amplitudinea c rora este cu mult mai mic ca valoarea tensiunii de alimentare. M ! 1 . Rela ia pentru curentul colectorului I C ! E E ™ I E  I CB 0 . Coeficientul diferen ial de amplificare dup curent În rela ia (1.16) unde E x este coeficientul diferen ial de amplificare dup curent în schema BC. de regul . unde EIE este parametrul static al regimului activ. care întotdeauna este mai mare decât E E . Pentru semnale alternative.6. Aceast formul arat leg tura dintre componentele curentului de dirijare I E i valoarea curentului de ie ire I C .

18) i (1. Schema echivalent a tranzistorului bipolar dup modelul Ebers-Moll I E ! I 1  E i I 2 .19) rela iile (1.21) © ¹ 1  EE © e ¹ 1  EE i ª i ª º º EB EB 13 ¦ § ¤ ¥ EB EB ¦ § EB .3.17) ¨ ¸ I 1 ! I EBC © e  1¹ . ¢ £ U EB k (1. Modelul Ebers-Moll Leg tura dintre curen ii i tensiunile tranzistorului bipolar pentru cele patru modalit i de cuplare în circuit pot fi studiate cu ajutorul modelului matematic Ebers-Moll.5. Luând în considerare (1.1.17) pot fi scrise sub forma: ¨ qU ¸ ¨ qU ¸ I E ! I EBC © e kT  1 ¹  E i I CBC © e kT  1 ¹ . (1.7. bazat pe schema echivalent format din dou diode conectate una în întâmpinarea celeilalte i a dou surse de curent continuu care indic interac iunea dintre aceste diode (fig.18) © ¹ ª º ¨ U ¸ I 2 ! I CBC © e k  1 ¹ .19) © ¹ ª º unde I EBC i I CBC prezint curen ii de scurgere ai jonc iunilor emitorului i colectorului. (1.1. (1.5). m surate în regim scurtcircuit în partea corespunz toare a schemei.20) © ¹ © ¹ ª º ª º U U ¸ ¸ EI EB 0 ¨ k I CB 0 ¨ k ©e © IC !  1¹   1¹ .1. Ei I2 IE E B I1 I2 EI1 IC C Fig. (1. I C ! EI 1  I 2 .

IC ! .

1  E I EB 0 ¨ e qU © kT 1  EE i © ª EB ¸ .

22)  1¹  ¹ ¹ 1  EE i © º ª º EB 1. Modalit ile caracteristicilor statice Caracteristicile statice indic leg tura func ional între curen ii i tensiunile la bornele tranzistorului bipolar. (1.1  E i I CB 0 ¨ qU ¸ © e kT  1 ¹ .4. ce arat leg tura între curen ii i tensiunile aplicate la tranzistor. Patru modalit i de caracteristici descriu propriet ile oric rui dispozitiv cu trei borne: y caracteristicile de intrare: I Ies ! const I Int ! f .1. Caracteristicile statice pentru tranzistorul bipolar 1. Pentru fiecare schem de conectare în regim activ exist o familie de caracteristici.4.

U Int sa . U Ies ! const y caracteristicile de ie ire: I Int ! const I Ies ! f .

U Ies sa U Int ! const

;

y

caracteristicile de transfer:
I Ies ! f

I Int U Ies ! const

;

y

caracteristicile reac iei inverse:
U Int ! f

I Ies I Ies ! const

.

14

a) I E ! f .2.1.4.1.6. Caracteristicile pentru cuplaj baz comun În cuplaj baz comun (BC) tranzistorul posed urm toarele caracteristici: y familia caracteristicilor de intrare (fig.

6. varia ia curentului colectorului trebuie s fie constant la transferul de la o caracteristic la alta.1.6. Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar. c) caracteristicile de transfer.c). UEB UEB=0 UEB0 y IC IE Regim de satura ie IE IE=0 Regim de blocare a) IC UEB0 UEB=0 b) IC IE UCB IE UCB c) d) Fig.U EB U CB ! const . adic (I E ! const . y caracteristicile de transfer (fig.1.b) I C ! EI E  I CB 0 .6.1. y caracteristicile reac iei inverse (fig. a) caracteristicile de intrare.d). familia caracteristicilor de ie ire(fig.6. b) caracteristicile de ie ire. d) caracteristicile reac iei inverse 15 .1.

Referindu-ne la modelul Ebers-Moll i rezolvând ecua ia (1.20) fa de U EB . ob inem rela iile pentru caracteristicile de intrare idealizate: U EB ! f .

23) prezint caracteristica de intrare a tranzistorului cuplat în circuitul BC. Rela ia pentru caracteristicile de ie ire sunt ob inute utilizând (1.I E U EB ! U CB ! const . ¨ qU CB ¸» kT « I E ln ¬  1  E© e kT  1 ¹ ¼ .24) © ¹ ª º I CB 0 ! I CBC .23) © ¹ q ¬ I EB 0 ¼ ª º½ ­ Rela ia (1. (1. (1.21): ¨ UCB ¸ I C ! EI E  I CB 0 © e k  1 ¹ .

I EB 0 ! I EBC .1  EE i .

coeficientul de amplificare a curentului colectorului în regim de inversie. din cauza c ruia cu majorarea tensiunii U CB a jonc iunii colector. Frontiera jonc iunii colectorului se deplaseaz în direc ia jonc iunii emitorului. Concomitent cre te gradientul de concentra ie a purt torilor de sarcin “p i “ n în baza tranzistorului i se m re te valoarea curentul de difuzie I E (fig. Drept rezultat.1.1  EE i . Dependen a pozi iei caracteristicilor de intrare. grosimea stratului cu concentra ie redus a purt torilor de sarcin se m re te. ¨ © 16 . grosimea bazei WB devine mai mic . unde: E este coeficientul de amplificare a curentului emitorului în regim activ. Ei .7). invers polarizat . caracteristicilor de transfer i caracteristicilor de reac ie invers în func ie de valoarea tensiunii aplicate pe colector se explic prin efectul de modulare a grosimii bazei.

Îns la un nivel major de injec ie ( pn " N P ). Prezen a curentului I C în circuitul colectorului când U CB ! 0 (fig. Apoi purt torii sunt accelera i de câmpul electric al jonc iunii. De aceea pentru unul i acela i curent al emitorului. tensiunea pe emitor trebuie mic orat . În caz ideal caracteristicile de ie ire trebuie s fie paralele axei tensiunii U CB . odat cu cre terea tensiunii pe colector.1.pn IE UEB IC d d { U Cd 0 U C ! 0 pn 0 UCB x dx WBd 2 WBd x1 Fig. În baz are loc deplasarea purt torilor de sarcin prin procedura de difuzie spre jonc iunea colectorului dirijat de gradientul de concentra ie. Devierea caracteristicii este datorat efectului de modulare a grosimii bazei. 17 . Efectul de modulare a grosimii bazei Efectul de modulare a grosimii bazei provoac apari ia reac iei interne în tranzistor.7. coeficientul E tinde spre zero i curentul colectorului tot este aproape de zero. 1. asigurat de interac iunea jonc iunilor. pentru U CB ! 0 .6. La m rirea modulului tensiunii de ie ire U CB curentul de intrare I E în schema cu baz comun cre te.b) prezint o particularitate a caracteristicilor de ie ire pentru tranzistorul bipolar cuplat în schema BC.

8 i fig.8.1.12 sunt prezentate familiile de caracteristici pentru tranzistorul bipolar cuplat în schema EC: y familia caracteristicilor de intrare (fig.a) U BE ! f .1. În fig.1. Caracteristicile pentru cuplaj emitor comun Cele mai întrebuin ate sunt caracteristicile tranzistorului bipolar în cuplaj emitor comun (EC).4.1. deoarece în acest caz curentul bazei este argument pentru caracteristicile de intrare i caracteristicile de transfer i ca parametru pentru celelalte.3.

1.b) I C ! f .8.I B U CE ! const . y familia caracteristicilor de ie ire (fig.

a) I C ! f . 1.U CE I B ! const .12. y familia caracteristicilor de transfer dup curent (fig.

y familia caracteristicilor de reac ie invers (fig.I B U CE ! const .12.b) U BE ! f . 1.

Tensiunii mai mari pe colector îi corespunde o grosime mai mic a bazei. deoarece jonc iunile emitorului i colectorului sunt conectate paralel la sursa de alimentare U EB .1.9.9. 18 .a). a a cum este ar tat în fig. curentul bazei este aproximativ de dou ori mai mare decât în regim activ. 1.U CE . Rezult o probabilitate mai redus de recombinare a purt torilor în baz i un curent I B mai mic. I B ! const Forma de evantai a caracteristicilor de intrare este condi ionat de efectul de modulare a grosimii bazei. fig. Pentru cazul când avem scurtcircuit la intrare ( U CE ! 0 .

corespunde regimului activ limitat de parametri electrici maximi permi i: I C max .UBE UtCE Ud IC ICmax Regim de satura ie IV   UCE=0 I IV d d I Bd d I Bd d IB UCEmax PCmax IB a) IB=0 Regim de blocaj UCB b) Fig. Conectarea jonc iunilor p-n pentru U CE ! 0. U BE { 0 IC IB UBE p n p UCE JE UCE UBE JC Fig. U CE max .1. U BE { 0 19 . Por iunea cu pant înalt a caracteristicii de ie ire corespunde grani ei între regimul de satura ie i regimul activ.8.1.8. adic U CP ! U BE  U CE .10.10).9. 1.1. deoarece pentru U CE U BE jonc iunile emitorului i ale colectorului sunt polarizate direct (fig.b ce se afl în interiorul grani ei ha urate. Caracteristicile de intrare i ie ire în cuplaj EC Regiunea caracteristicilor de ie ire din fig. Conectarea jonc iunilor p-n pentru U CE { 0. IC  I  p n JE JC UBE a) b) p U E Fig. 1. PC max .

ilustrat în fig.b . corespunde regiunii ce se afl sub caracteristica de ie ire pentru I B ! 0 .1.8.Regimului de blocaj. unde curentul colectorului este determinat conform rela iei IB ! 0 I C ! F ™ I B  .

I CE 0 ! .F  1 I CB 0 .

F  1 I CB 0 În schema EC pentru circuitul deschis ( I B ! 0 ) curentul de scurgere în circuitul colectorului I CE 0 este de .

Conectarea jonc iunilor în cuplaj EC IC d d U EC d d d U EC " U EC d d d U EC " U EC UBE a) b) IB I BIV d d I Bd d I Bd d IB UCE Fig. grosimea bazei se mic oreaz .F  1 ori mai mare decât curentul invers al colectorului I CB 0 . Aceasta se explic prin conectarea direct a jonc iunii emitorului.11. Cu majorarea modului tensiunii aplicate la colector. Curentul bazei r mâne constant la m rirea tensiunii aplicate la baz tranzistorului.1. C p ICE0 UCE UBE IB=0 E JC JE n p UBE Fig. Caracteristicile de transfer i reac ie invers (fig.1.12) reflect ac iunea efectului de modulare a grosimii bazei. Caracteristicile de transfer (a) i de reac ie invers (b) pentru tranzistorul bipolar în cuplaj EC 20 .12. a a cum este prezentat în fig. probabilitatea recombina iei purt torilor de sarcin scade i curentul bazei se mic oreaz .1.11. 1.

Reprezentarea tranzistorului ca cuadripol Sub curen i i tensiuni se subân eleg dependen e de tipul (1.5. ce posed dou perechi de borne (fig. Perechii de borne de ie ire îi   corespunde curentul I 2 i tensiunea U 2 . Perechii de borne de intrare îi corespunde   curentul I1 i tensiunea U 1 .5.13).  I 2  I1  U1  I2  U2  U1  I1 B C  U2 E Fig.1.25) i.13.1. L) i generatoare echivalente de tensiune electromotoare sau curent.Caracteristicile statice permit de a determina parametrii de baz ai tranzistorului bipolar i sunt utilizate pentru calculul etajelor de amplificare în circuitele electronice cu tranzistoare. C. Tranzistorul ca cuadripol activ Varia iile mici ale tensiunii pe jonc iunile tranzistorului aduc la schimb ri liniare în valoarea curen ilor i tranzistorul devine cuadripol liniar activ.1. Cuadripol activ este numit circuitul electric format din elemente pasive (R. Sistemul de parametri diferen iali ai tranzistorului bipolar 1. 1.

t ! I m sin.

.[t  N .

t ! U m sin.

[t  ] . ! I e  j.

U ! U e  j.[ t  N .

 (1.26) I m m Exist ase sisteme posibile de ecua ii pentru descrierea tranzistorului bipolar ca cuadripol.[t ] .2. 21 . care sunt prezentate în tab.1.

U 2 U1 . U1 I 2. Rezisten a jonc iunii emitorului polarizat direct este mic i pentru ob inerea st rii de mers în gol. H) sunt determina i din condi iile mers în gol sau scurtcircuit dup curent alternativ în dependen de sistemul de parametri. Transferul de la un sistem la altul este u or de efectuat conform rela iilor din tab.27) ¯   U ° 2 ! 21I1  22 I 2    ®1 ! Y11 U1  Y12 U 2 I . (1. U1 Cele mai întrebuin ate în practic sunt trei sisteme de parametri i anume: Z. (1. De aceea parametrii diferen iali se noteaz cu indici suplimentari: b ± parametrii tranzistorului în cuplaj BC.1. I 2 U1 . I 2 I1. Între sistemele de parametri Z i H exist o interdependen .c ± parametrii tranzistorului în cuplaj CC. 22 .28) ¯   I °2 ! Y21 U 1  Y22 U 2    ® 1 ! H 11U1  H12 I 2 U . U 2 I1. U 2 I 2. U 2 U2 .Tabelul 1. H    ® 1 ! 11I 1  12I 2 U . Y. Y. (1. Valorile numerice ale parametrilor diferen iali ai tranzistorului ca cuadripol depind de schema de conectare. U 2 I 1 . e ± parametrii tranzistorului în cuplaj EC.29) ¯   I ° 2 ! H 21I 1  H 22 U 2 Parametrii diferen iali (Z. De aceea sistemul de parametri H este cel mai comod pentru m sur ri. la intrarea tranzistorului în circuitul bazei se conecteaz un rezistor cu rezisten înalt . I1 U1 . I 2 U1 . I 2 I 1 .2 Sisteme de ecua ii pentru descrierea tranzistorului Argumentul Func iile I1.3.

Y. Tabelul 1.1.Tabelul 1. sunt prezentate rela iile de baz pentru parametrii H la conectarea tranzistorului EC i BC.3 Leg tura dintre parametrii Z.H ?Z A ?ZA Z 11 Z 21 Z 22 (Z Z  21 (Z ( 22 ?Y A Y22 (Y Y  21 (Y Y11 Y21 1 Y11 Y21 Y11  Y12 (Y Y11 (Y ?H A (H H 12 H 22 H 22 H 1  21 H 22 H 22 1 H  12 H11 H 11 H 21 (H H11 H 11 H 11 H 21 H 12 H 22 Z12 Z 22  Z12 (Z Z11 (Z 12 22 ?YA Y12 Y22  Y12 Y11 (Y Y11 ?H A  21 22 1 22 În tab.4.4 Parametrii H pentru diferite scheme de conectare H11e ! H 21e H11b 1  H 21b H 21b ! 1  H 21b H12e ! H11b H 22b  H 21b 1  H 21b H 22 b H 22e ! 1  H 21b H 12c ! H 21e  1 H 22c ! H 22e H 11c ! H 11e H 21c ! H 21e  1 23 .

34) ! h 12 ! m 1 U m 2 I m1 ! 0 ( U 2 (I 1 ! 0 24 .30) poate fi scris sub forma: (U 1 ! h 11(I 1  h 12 (U 2 .30) sau (1.31).33) Pentru determinarea parametrilor h12 i h 22 la intrarea cuadripolului asigur m regim mers în gol dup curent alternativ ( U m1 ! 0 sau (U1 ! 0 ) i. (1.32) ! h 11 ! m1 I m1 U m 2 ! 0 (I 1 (U 2 ! 0 h 21 !   (I Im2 ! 2 .31) ¯ ( ° I 2 ! h 21 (I 1  h 22 ( U 2 Pentru determinarea parametrilor 11 i 21 la ie irea cuadripolului asigur m regim scurtcircuit dup curent alternativ ( U m 2 ! 0 sau (U 2 ! 0 ) i. utilizând rela ia (1.Tabelul 1.4 (continuare) H11b ! H 21b H 11e 1  H 21e H 21e ! 1  H 21e H12b ! H11e H 22 e  H 21e 1  H 21e H 22e H 22b ! 1  H 21e La frecven e joase. (1. (1.30) sau (1. parametrii H complexi sunt substitui i cu valori reale U m 1 ! h 11I m1  h 12 U m 2 . când tranzistorul nu introduce defazaj între curent i tensiune.31). I m1 U m 2 ! 0 (I 1 (U 2 ! 0 (1. ob inem: (U 1 U . ob inem: (U 1 U . utilizând rela ia (1.30) ¯ I ° m 2 ! h 21I m1  h 22 U m 2 Sistemul de ecua ii (1. (1.

35) Coeficien ii 12 i 22 exprima i în a a mod. când la intrarea tranzistorului este asigurat regim mers în gol.coeficient de reac ie invers dup tensiune. putem scrie ®1 ! U ¯ U °2! 11 I 1 21 1   I  12 I 2 . Fiec rui sistem de parametri îi corespunde o schem echivalent . ! U m 2 I m1 ! 0 (U 2 (I 1 ! 0 (1.36)  Tensiunea de intrare U 1 prezint suma c derilor de tensiune  !   Ud 11I 1 pe impedan a la circula ia curentului I1 i 1 11 d  tensiunii generatorului cu impedan a diferit de zero Ud 12 I 2 . 1.   (1.1. au urm toarele denumiri i unit i de m sur : h12 . Pentru simplificarea calculelor se introduc schemele echivalente formale. adic influen a curentului de ie ire asupra circuitului de intrare (fig.2. 25 . Pentru sistemul de parametri Z. Acest sistem permite prin m surarea nemijlocit s determin m cel mai important parametru al tranzistorului ± coeficientul de amplificare dup curent.5. Avantajele sistemului de parametri h se explic prin comoditatea determin rii lor experimental i întrebuin area pe larg pentru proiectarea diverselor rezolv ri tehnice ce utilizeaz tranzistoare bipolare.h 22 ! (I 2 Im 2 .14). 1 ! care indic reac ia invers în tranzistor. Schemele formale pentru substituirea tranzistorului Descrierea propriet ilor tranzistorului pentru semnale alternative cu amplitudini reduse cu ajutorul ecua iilor cuadripolului nu este comod la calculul schemelor practice. h22 .conductibilitatea de ie ire pentru regim mers în gol la intrarea cuadripolului ?Sm A. 22 I 2 .

1.1. care circul prin admitan a de ie ire. 2 Pentru sistemul de parametri Y. Schema formal de substituire a tranzistorului în sistemul de parametri Y 26 . 2 !  I1 d  I 1d Y11U 1 ! !  I 1d Y12U 2 !  d I 2d Y22U 2   d I 2 ! Y21U 1 Y22  I2  U2  U 1 Y11 Fig.15). I1 Z 11 Z 22  I2  U1 !  U 1d Z 11 I 1 d  U 1d Z 12 I 2 ! d  U 2d Z 22 I 2  ! U2  !  Ud Z I 2 21 1 Fig. putem scrie    I1 ! Y11U 1  Y12 U 2 .14. ¯   I °2 ! Y21 U1  Y22 U 2   !  Curentul de intrare I1 este format din curentul Id Y11 U 1 ce 1 d  circul prin admitan a Y11 i curentul generatorului Id Y12 U 2 . 1 ! care determin reac ia invers în tranzistor (fig. Subliniem c impedan a generatorului  !   cu tensiunea Ud Z 21I 1 pentru curentul I 2 este egal cu zero.1.15. Curentul de   !  ie ire I 2 este format din curentul generatorului Id Y21U 1 ce 2 caracterizeaz propriet ile de amplificare ale tranzistorului i d  curentul Id Y22 U 2 . Schema formal de substituire a tranzistorului în sistemul de parametri Z  Tensiunea la ie ire U 2 este determinat de tensiunea  !  generatorului Ud 21I 1 care arat propriet ile de amplificare ale 2 d  tranzistorului i c derii de tensiune Ud 22I 2 pe impedan a de 2 ! ie ire a tranzistorului Z 22 .

iar Y22 .  I1 H 11 !  d I 2d H 22U 2   d I 2 ! H 21U 1  I2  H 22 U 2  U1 !  U 1d H 11 I 1 d  U 1d H 12 I 2 ! Fig. 1.17 i fig. 1. Pentru aceasta se folose te metoda grafic . care caracterizeaz reac ia invers în tranzistorul  U 1d 12 2 ! bipolar (fig.5.1.3.16. Schema formal de substituire a tranzistorului în sistemul de parametri H  !  Curentul de ie ire I 2 prezint suma curen ilor Id H 21I 1 ce 1 caracterizeaz propriet ile de amplificare ale tranzistorului i d  curentul Id H 22 U 2 care circul prin admitan a de ie ire H 22 . 2 ! Subliniem c admitan a H 22 nu este egal cu admitan a Y22 .1.în regim de scurtcircuit la intrarea cuadripolului.1. În fig.18 este ar tat metoda grafic care permite 27 . Determinarea parametrilor diferen iali ai tranzistorului dup caracteristicile statice Parametrii diferen iali sunt determina i pentru punctul de func ionare stabilit ini ial cu utilizarea familiilor de caracteristici statice de intrare i ie ire ale tranzistorului bipolar.Pentru sistemul de parametrii H sau h putem scrie    ® 1 ! H 11 U1  H 12 I 2 . deoarece H 22 este determinat în condi ii de mers în gol la intrarea cuadripolului.16). U ¯   I ° !H I H U . 2 21 1 22 2 Tensiunea de intrare prezint suma c derilor de tensiune d H I pe impedan a de intrare H i tensiunea generatorului U 1 ! 11  1 11 d H U .

¯ I ° C ! h 21e I B  h 22e U C . ¯ I ° mc ! h 21e I mb  h 22e U mc .37) i curen ilor. (1. I mc ! (I C . (I B U CE ! const (U BE . I m ! (I B .25). Determinarea parametrilor h 22e i h 21e dup caracteristicile de ie ire Substituind amplitudinile mici ale curen ilor i tensiunilor pentru semnalele variabile cu devieri finite ob inem U mb ! (U BE .1. U mc ! (U CE . conform (1.30) poate fi scris sub forma U B ! h 11e I B  h 12e U C . (1. Pentru schema EC rela ia (1.38) Pentru amplitudinile tensiunilor rela iilor (1.determinarea parametrilor h ai tranzistorului bipolar în punctul de func ionare definit O. (U CE U B ! const 28 .17. putem scrie:  U mb ! h 11e I mb  h 12e U mc . h11e ! h 12e !   d d I Bd U CE (U BE . IC (I C (I C d" d d d d I Bd I B " I B Ad Bd D B O Dd (U CE (U CE A d IB d d IB Fig.26).

(U CE I B ! const d d U CE d d d U CE d U CE B IB d U CE d d d d d (U CE ! U CE  U CE (U CE ! 0 d d U CE d d d U CE Ad O A Bd U BE (I B (I B (U BE (U BE Fig. Determinarea parametrilor h 11e i h 12e dup caracteristicile de intrare În fig.h 21e ! h 22e ! (I C !F.18. Din punctul dat O se traseaz o linie vertical pân la intersec ia cu caracteristica de sus în punctul D i cu cea de jos ± în punctul D¶.1. ( I B U CE ! const (I C .17. 29 . lâng punctul O sunt construite dou triunghiuri mici OAB i OA¶B¶ cu valori echivalente pentru (U CE .1. Apoi determin m media aritmetic a acestui parametru. d ie ire ce corespunde curentului bazei Id B h 22e ! (I C (U CE I B ! const . ipotenuza c rora o prezint caracteristica pentru curentul continuu al bazei d I B ! Id Din fiecare triunghi determin m conductibilitatea de B .

Apoi din fiecare triunghi g sim parametrii i calcul m media lor aritmetic . 21 e d d d d Id Id Id Id B  B B  B Apoi calcul m media aritmetic pentru parametrul dat d hd  hd 21e . se modific doar pozi ia în schema echivalent . hd ! . Utilizându-se ace ti parametrii. În apropierea punctului O se construiesc dou triunghiuri mici OAB i OA¶B¶. pentru coeficientul de reac ie invers h 12e hd ! 12 e d hd  hd OA OA d 12 e d . h 12e ! 12 e . 12 e d d d CE d 2 Ud  Ud Ud  Ud CE CE CE 1. H se numesc externe deoarece ele se m soar la bornele cuadripolului i m rimile acestor parametri depind de schema de conectare a tranzistorului. lega i de procesele fizice care au loc în tranzistor i care nu depind de schema de conectare.18). h 21e ! 21e 2 Parametrii h 11e i h 12e se determin dup caracteristicile de intrare ale tranzistorului (fig. hd ! . La trecerea de la o schem de conectare la alta m rimile numerice ale parametrilor fizici nu se modific . poate fi alc tuit schema echivalent fizic a tranzistorului la semnale mici. Schemele echivalente ale tranzistorului la frecven joas Sistemele de parametri diferen iali Z. Y. Pe grafic determin m punctul dat O ce corespunde m rimilor U CE i I B asem n tor cu cel din desenul cu caracteristicile de ie ire.6. La analiza func ion rii circuitelor o întrebuin are deosebit au ob inut-o parametrii fizici ai tranzistorului.1. De exemplu. 30 .Pentru fiecare segment (OD i OD¶) se determin h 21e ! F hd ! 21 e parametrul d d .

rE ­ xI E ½ ª º T ! 300 K . I E . rE ! xU E . U C . Rezisten a diferen ial jonc iunii emitorului i capacitatea Rezisten a diferen ial a jonc iunii emitorului rE se determin ca rela ia dintre tensiunea aplicat pe jonc iunea emitorului (U E i curentul emitorului (I E . (1. (U E . ( I E ! xI E .1. când în circuitul colectorului este asigurat regim de scurtcircuit dup curent alternativ.curentul jonc iunii emitorului. xI E ( U C ! 0 unde: U E este tensiunea între emitor i baz . rE ! (I E (U C ! 0 Dac substituim devierile curen ilor i tensiunilor cu echivalent diferen ial.026 .39) © ¹ ª º unde I E 0 este curentul de scurgere al jonc iunii emitorului. Curentul jonc iunii emitorului polarizate direct se determin conform rela iei U ¨ k ¸ I E ! I E0 © e  1¹ . kT q } 0. se ob ine ( U E ! xU E .1. În a a mod.6. pentru rezisten a diferen ial a jonc iunii emitorului. ( U C ! x U C .tensiunea între colector i baz . putem scrie: E qU ¨ ¸ 1 « xU E » q qI E © I E 0e kT ¹ ™ !¬ ¼ !© ¹ kT } kT .

A . qI E I E .V i Pentru diferen ial a jonc iunii emitorului este mic kT 26 mA rE } } . ?.40) . ?mA A E 1 31  1 rezisten a (1.

rC ! xU C . Rezisten a diferen ial i capacitatea jonc iunii colectorului Rezisten a diferen ial a jonc iunii colectorului rC se determin ca rela ia între tensiunea aplicat pe jonc iunea emitorului (U C i curentul colectorului (I C . rC ! (I C (I E ! 0 Se efectueaz trecerea: ( U C ! x U C .curentul jonc iunii emitorului. ( I C ! x I C . xI C ( I E ! 0 (1. în general. Jonc iunea de parc 32 . I C .41) unde: U C este tensiunea între colector i baz . Cu modificarea valorii tensiunii aplicate pe colectorul U C frontiera jonc iuni colectorului se deplaseaz . capacitatea jonc iunii emitorului polarizat direct ( CE ) la frecven joas este untat de rezisten a rE i influen a ei asupra func ion rii tranzistorului este nesemnificativ . ( U E ! xU E .1 M . pentru rE ! 26 Ohm . Curentul colectorului I C circul prin jonc iunea colectorului polarizat indirect i depinde slab de tensiunea aplicat la colectorul U C . Rezisten a diferen ial a jonc iunii colectorului este determinat . I E .curentul colectorului. ). Din cauza valorii mici a rezisten ei rE . M rimea rC este major (de obicei rC " 0. 1. când în circuitul emitorului avem mers în gol dup curent alternativ (U C . La frecven joas .I E ! 1 mA i ! 300 K .6.2. De exemplu. de efectul de modulare a grosimii bazei i de curentul de scurgere. în schema echivalent fizic m rimea CE poate fi neglijat .

gradientul concentra iei golurilor din baz cre te la mic orarea grosimii bazei i descre te la m rirea grosimii bazei. de aceea cu majorarea frecven ei aceast capacitate are o influen considerabil asupra func ion rii tranzistorului. la rândul s u. Drept rezultat al modific rii valorii E (când I E ! const ). Aceasta. conduce la dependen a coeficientului de transfer de difuzie a golurilor = i. prin urmare. Cum arat d calculele. valoarea rezisten ei bazei rB poate fi determinat conform rela iei 33 . 1. Îns capacitatea CC unteaz o rezisten mai mare ( rC ). cu schimbarea tensiunii pe colector se modific i valoarea curentul colectorului I C . la dependen a coeficientului de amplificare dup curent E de tensiunea aplicat pe jonc iunea colectorului. ce poart un caracter de difuzie xI xE xE 1 xWB .3. În rezultat. Aceasta condi ioneaz majorarea total a rezisten ei diferen iale a colectorului rC .6. De obicei capacitatea colectorului CC este cu mult mai mic decât capacitatea jonc iunii emitorului polarizat direct CE . Rezisten a de volum a bazei Materialul semiconductor din regiunea bazei i contactul d ohmic al bazei posed o oarecare rezisten rB .42) Jonc iunea colectorului polarizat indirect posed capacitatea CC care este determinat de raportul dintre modificarea valorii sarcinii spa iale în jonc iune i valorii tensiunii colectorului când în circuitul emitorului este asigurat regim mers în gol.1. ! C ! IE ! IE } xU C xWB xU C rC xU C (I E ! 0 (1. Respectiv se modific viteza mi c rii de difuzie a purt torilor minoritari din baz i num rul de goluri ce recombin în procesul mi c rii de difuzie de la emitor spre colector.s-ar mi ca în întâmpinarea golurilor la majorarea tensiunii U C i se retrage la mic orarea ei (fig.7).

19. rezisten a bazei trebuie redus la minim. majorarea rB trebuie s mic oreze curentul emitorului pentru tensiune constant între emitor i baz . (1. Îns aceste considera ii nu ne dau precizia necesar i necesit introducerea rezisten ei ad ug toare d . unde E prezint coeficientul de transfer al curentului 34 . În schema echivalent jonc iunile emitorului i colectorului sunt reprezentate prin rezisten ele lor diferen iale rE i rC .1 . poate fi construit schema echivalent în T de conectare a tranzistorului cu baz comun . Conform legilor fizice.6. 8TqQ n N x WB unde: q este sarcina electronului. ceea ce mic oreaz d eficacitatea emitorului. d Introducerea rezisten ei rB în circuitul bazei ia în considerare reac ia intern în tranzistor i influen a modula iei grosimii bazei asupra curentului emitorului. Pentru majorarea eficacit ii emitorului i mic orarea pierderilor de putere a semnalului de intrare. Cu majorarea valorii grosimii bazei i concentra iei impurit ilor rezisten a de volum a bazei se mic oreaz .mobilitatea purt torilor majoritari în baz . WB grosimea bazei. Acest circuit echivalent este prezentat în fig.4.1. Q n .concentra ia donorilor în baz . Efectul  de transfer al curentului emitorului I în circuitul colectorului pe E schema echivalent este indicat sub form de generator de curent  EI E . rBdnumit de difuzie. de aceea circuitul bazei este caracterizat de rezisten a total : d d . Schema echivalent pentru cuplaj baz comun Utilizând parametrii analiza i anterior. deoarece aceast tensiune este distribuit între d jonc iunea emitorului i rezisten a rB .43) rB ! rB  rBd d rB ! 1. N x . Majorarea d rB m re te pierderile în circuitul de intrare.

Legea descris este determinat de procedeele fizice care au loc în tranzistor. prezentat în fig.19.20).1.1.1. trebuie orientat spre punctul Bd Pentru direc ia invers a curentului emitorului (tranzistor tip p-n-p) polaritatea  generatorului EI E este invers . Trebuie de remarcat  c rezisten a intern a generatorului de curent EI E pentru curentul  de ie ire I C tinde spre infinit.19. CC  EI E  IE rE Bd rB rC  IC E  UE C  UC B B Fig. direc ia pozitiv a curentului EI E . Schema echivalent a tranzistorului tip n-p-n  cu generator de curent EI E la conectare BC  În cazul orient rii curentului emitorului I E de la punctul Bd spre punctul E (ceea ce corespunde curentului emitorului real în  tranzistorul bipolar tip n-p-n). Prezen a rezisten ei rB în circuitul 35 . În schema echivalent . De aceea orientarea curentului emitorului condi ioneaz direc ia tuturor curen ilor r ma i a a cum este ar tat în fig. Polaritatea relativ a curentului generatorului EI E în schema echivalent este determinat de sensul pozitiv al curentului emitorului.19.1. emitorului. unde direc iile pozitive ale curen ilor i tensiunilor corespund celor reale în tranzistorul bipolar tip n-p-n. În schema echivalent a tranzistorului tip p-n-p direc iile curen ilor vor fi inverse (fig. coeficientul de transfer dup curent E este socotit independent de efectul de modulare a grosimii bazei.

CC  IE rE Bd  IB rB rC  I E rG  IC E  UE C  UC B B Fig. (1. rezult din egalitatea c derilor de tensiune create de  curentul EI E pe rezisten a rC (fig. Schema echivalent a tranzistorului tip p-n-p  cu generator I ErG (conectare BC) Echivalen a regiunilor din schem Bd C pentru fig.1.19) i tensiunea generatorului  I r (fig.20.1. Aceast schem este prezentat în fig.19 i fig. Schema echivalent pentru conectarea emitorului comun Schemele prezentate în fig. prezentat  în fig. con ine un generator de curent EI E .19. Schema echivalent fizic a tranzistorului bipolar.19 i fig. Uneori este mai comod de utilizat schema echivalent în care  în locul generatorului de curent EI E func ioneaz generatorul  echivalent de tensiune I ErG .1. Ea este utilizat pe larg în calculul ingineresc.1.1.5.1.1. rG ! ErC .1.44) 1.20) E G   EI E rC ! I E rG .bazei eviden iaz leg tura intern în tranzistorul bipolar i influen a modul rii bazei asupra curentului emitorului.20 r mân valabile 36 .20.20.1.6. un num r minim de elemente i reflect procesele fizice ce au loc în tranzistorul bipolar real. unde rG este rezisten a ce reflect propriet ile de amplificare ale tranzistorului.

cum este ar tat în fig.pentru conectarea tranzistorului cu EC. C care este determinat ca suma c derilor de tensiune pe rezisten a   rC din cauza curen ilor EI E i I C      . dac bornele de intrare de schimbat cu locul a a.  În astfel de circuit curentul generatorului EI E este comod de   înlocuit prin curentul bazei I B i nu prin curentul emitorului I E .  Pentru aceasta este analizat tensiunea U Bd între punctele Bd C. 1.21.

tensiunea între punctele Bd.45) BC C C C E C C E unde 1 1 !  j[ C C . Schema echivalent a tranzistorului tip p-n-p  cu generator EI E (conectare EC)    Din cauz c I E ! I C  I B . unde F coeficientul de transfer al curentului bazei la conectarea tranzistorului dup schema EC. Z C rC CC  EI E  IB rB Bd  IE rE rC  IC (1. U d!I  EI ! (1.I  EI .1. E ! F /(1  F ) .21.46) B  UB C  UC E E Fig.C poate fi scris sub forma  U Bd ! C C « F   » ¬I C  1  F I C  I B ¼ ! ­ ½ .

! Z C ¬I C © 1  ¹ I © ¹ 1  F IB ¼ ! 1  F . « ¨ F ¸ ZC  F »  .

47) 37 . C  FI B 1 F º ª ½ ­ (1.

48).47) cap t forma    U Bd ! Z CE . rela ia (1. Dac lu m în considerare (1.Introducem nota ia (1.48) ! C /(1  F ) .

unde între punctele  Bd C este conectat generatorul de curent F I B . C Z CE rC Luând în considerare rela iile (1. I (1. Impedan a Z CE posed componente activ i reactiv 1 1 ! *  j[ C* . putem scrie r * rC ! C .45) i (1.49) C unde Z CE este impedan a în punctele Bd . (1.C la înlocuirea   generatorului de curent EI cu generatorul F I . direc ia  generatorului de curent F I B trebuie s coincid cu direc ia  generatorului de curent EI E .46) i (1.48) pentru schema echivalent a tranzistorului bipolar cuplat EC.49). C  F I B . CE E B Cum se observ din rela iile (1.50) 1 F C* ! C C .

(1.51) C CC .1  F .

 F 1  FI B  IB rB Bd  IE rE rC 1 F  IC CC .

 F 1  * I E rG B  UB C  UC Bd rC 1 F C E E Fig.22.1. Schema echivalent a tranzistorului tip n-p-n  cu generator de curent F I B i generator de  * tensiune I B rG (conectarea EC) 38 .

22).1..16) i schema echivalent fizic a tranzistorului tip n-p-n conectat cu emitor comun (fig. Aceasta este posibil dac sunt cunoscute m rimile fizice ale parametrilor tranzistorului în circuitele prezentate în fig.7.1.14.1.7.21 la schema tranzistorului cu generator de  curent F I B (fig.. ce determin propriet ile de amplificare ale tranzistorului. 39 . * rezisten a rC este de zece ori mai mic ca rC .22. Uneori în schema echivalent de conectare a tranzistorului cu  emitor comun în locul generatorului de curent F I B se folose te  * generatorul de tensiune I B rG .22 direc ia curentului  generatorului F I B este aceea i ca i în schema cu baz comun . În schema din fig.19 i fig. 1. Partea r mas a schemei r mâne * neschimbat . Rolul parametrilor h în schema echivalent i calculul lor Utilizarea schemelor echivalente pentru analiza circuitelor electronice permite de a ob ine leg tura dintre procesele fizice care au loc în tranzistor i parametrii circuitelor.50). se determin din rela ia * * rG ! F rC .fig. Rezisten a generatorului rG . Leg tura dintre parametrii fizici ai tranzistorului i parametrii h 1.1.1. iar capacitatea C* C tot de atâtea de ori este mai mare ca CC . (1.Rela iile (1.51) permit de a trece de la schema prezentat în fig.22) direc iile pozitive ale curen ilor i tensiunilor coincid cu direc iile m rimilor de intrare i ie ire pentru schemele formale.1.1.22 este ar tat por iunea de schem între punctele Bd.49). (1.1. Îns constanta de timp a jonc iunii colectorului r mâne aceea i pentru ambele scheme de conectare. 1. În fig.1. Cum se observ din analiza schemelor formale de înlocuire a tranzistorului (fig.C.

(1. În presupunere c tensiunea de ie ire în aceast schem este egal cu zero.1.22. adic U mc ! 0 . prezentat în fig. ¯ I ° mc ! h 21e I mb  h 22e U mc . tensiunea la intrare poate fi determinat ca " " U m ! I m rB  I merE ! I m rB  I m " " " * * rErC rErC  FI m . * * rE  rC rE  rC » « r r* U mb ! I mb ¬rB  E C * .Pentru determinarea rela iilor de leg tur între parametrii fizici i parametrii h ai tranzistorului este necesar de a analiza concomitent sistemul de ecua ii a parametrilor h (1. ! i schema echivalent .37).38) U mb ! h 11e I mb  h 12e U mc .

ob inem r r* h 11e ! rB  E C * .52).1  F ¼ .38) i (1. rE  rC ½ ­ Dac compar m rela iile (1.

ob inem formula de Luând în considerare faptul c rE leg tur a parametrului h 11e cu parametrii fizici: (1.53) * rC .54) h 11e ! rB  rE .52) (1.1  F . rE  rC (1.

55) .22) * * U mc  F I mb rC ! I mc (rE  rC ) . ob inem * * F I mb rC ! I mc (rE  rC ) . Parametrul h 12e se define te în schema din fig.22 ca divizor * de tensiune format de rezisten ele rE i rC dac I mb ! 0 . ! * U mc I m ! 0 rE  rC (1.1. Pentru U mc ! 0 . adic Coeficientul de transfer dup curent al tranzistorului cuplat EC se determin cu ajutorul ecua iei lui Kirghoff pentru circuitul colectorului din schema echivalent (fig.1. Din aceste considerente 40 # # h 12e ! Um rE .1  F .

56) Parametrul h 22e dup defini ie prezint conductibilitatea de ie ire pentru regim mers în gol la intrarea tranzistorului.57) Rela iile (1.57) fa de m rimea rE primite de a ob ine formula de calcul pentru rezisten a jonc iunii emitorului h rE ! 12e . (1. Determinarea parametrilor fizici dup parametrii h În practic apare problema invers ± dup parametrii h cunoscu i de determinat parametrii fizici ai tranzistorului bipolar. * U mc I mb ! 0 rE  rC rC (1. h11b ! rB 1 . Din rela ia (1. Analogic putem ob ine leg tura dintre parametrii fizici i parametrii h ai tranzistorului ± cuadripol în schema de cuplare BC h 11b ! rE  rB (1  E ) . presupunând c amplitudinea curentului bazei este egal cu zero ( I mb ! 0 ).(1.2.54) i (1. * I mb U mc ! 0 rE  rC * rC se ob ine Luând în considerare c rE (1. h 22 e ! I mc 1 1 ! } *.57) indic leg tura dintre parametrii fizici i parametrii h ai tranzistorului ± cuadripol.h 21e ! * F rC I mc ! . Rezolvarea concomitent a ecua iilor (1.7. h 22 b ! . primim * U mc ! I mc (rE  rC ) . h 11b ! E .58) 1.53).. rC rC (1.. h 21e } F .59) h 22e Remarc m c formula dat poate fi utilizat doar în cazul când coeficientul diferen ial de reac ie invers h 12e posed o 41 .55).

1.59).8. Analogic poate fi g sit leg tura dintre parametrii h i elementele schemei echivalente fizice pentru conectarea tranzistorului BC.52).57) permit de a ob ine formula pentru calculul rezisten ei bazei h rB ! h11e  21e (1  h 22e ) . (1. Influen a temperaturii asupra parametrilor semiconductorilor Dependen a parametrilor i caracteristicilor dispozitivelor semiconductoare de temperatur este condi ionat de faptul c propriet ile fizice ale materialului semiconductor într-o m sur mare se modific sub influen a temperaturii. (1.56). Dac acest parametru este aproape sau egal cu zero.valoare semnificativ .8.59) permit de a calcula rezisten a jonc iunii colectorului dup curent alternativ h12e 1 * . 1  h 21e rC ! (1  h 21e ) . rC nu sunt întotdeauna incluse.61) h 22e În îndrumare m rimile rE . (1. rB .61). (1.57) i (1. (1. Parametrii h ai tranzistorului sunt m sura i experimental sau determina i conform caracteristicile statice. De exemplu.60). ele sunt calculate dup parametrii h cunoscu i ai tranzistorului cuplat dup schema EC conform rela iilor (1.40). 1. conductibilitatea specific a semiconductorului este determinat de 42 . Dependen a parametrilor tranzistorului de temperatur 1. (1.60) h 22e Rela iile (1. (1.  rC ! h 22e h 22e * * rC ! (1  F )rC ! (1  h 21e )rC .54). se utilizeaz formula (1. Rela iile (1. De regul .

W . p .23. Dependen a electroconductibilit ii specifice a semiconductorului cu impurit ii de temperatur La temperatur foarte joas în semiconductor electronii ce se afl pe ultimul nivel energetic interac ioneaz între ei foarte puternic. Q p prezint mobilitatea purt torilor de sarcin ce sunt func ie de temperatur .concentra ia purt torilor de sarcin . ca urmare. unde n este un num r întreg sau frac ionar. Cu majorarea temperaturii la are loc ionizarea atomilor de impurit i i majorarea concentra iei purt torilor de sarcin mobili. Majorarea de mai departe a conductibilit ii specifice cu cre terea temperaturii are loc din cauza apari iei perechilor electron ± gol în semiconductorul intrinsec. K Fig. Majorarea valorii conductibilit ii specifice are loc dup legea Tn . conductibilitatea specific scade din cauza mic or rii mobilit ii purt torilor de sarcin Q ! f ( T  3 2 ) . Cu m rirea de mai departe a temperaturii to i atomii de impurit i sunt ioniza i. ™ cm 1 103 102 10 N1 N2 N 3 " N 2 " N1 N3 1 0 10 20 30 40 50 1000 T.62) unde: Q n . Dependen a tipic a conductibilit ii specifice a semiconductorului de temperatur este prezentat în fig.rela ia W ! q(nQ n  pQ p ) . (1.23. n . . concentra ia purt torilor de sarcin intrinseci r mâne s fie nesemnificativ i. 43 .1.1.

22. (1.1.sarcina electronului. Rezisten a colectorului tranzistorului (f r drift) în cazul jonc iunii abrupte U F WB . Rezisten a jonc iunii emitorului depinde de temperatur în modul urm tor kT rE ! .. (1. Se observ c odat cu majorarea temperaturii pentru curentul emitorului constant rezisten a rE cre te.. depind de temperatur .8.2. (1.19.66).grosimea bazei. q .66) rC ! I EL C Pentru a determina influen a temperaturii asupra rezisten ei jonc iunii colectorului este necesar de a analiza caracteristicile în func ie de temperatur a parametrilor ce intr în componen a rela iei (1.fig. prezentate în fig.1.curentul emitorului. WB . . Pentru tranzistorul cu drift 3U CEF WB .65) rC ! CE I ELC unde: U CE este tensiunea între baz i colector.grosimea jonc iunii colectorului. L C .63) qI E unde: k este constanta lui Boltzman.temperatura. Se cunoa te c 44 . Modificarea parametrilor tranzistoarelor bipolare la varia ia temperaturii Practic to i parametrii schemei echivalente a tranzistorului.64) qI E unde F este coeficientul de transfer dup curent în cuplarea tranzistorului EC.1. I E . Rezisten a bazei este determinat de rela ia k rB } F rE ! F . (1.

0.eficacitatea colectorului. Cu majorartea temperaturii cre te pu in i valoarea 2 coeficientului de transfer K ! 1  WB 2L2n . Deoarece concentra ia purt torilor de sarcin se m re te odat cu cre terea temperaturii.p . Majorarea valorii lui E provoac cre terea lui F .68) unde: K este coeficientul de injec ie. (1. Aceasta provoac majorarea coeficientului de transfer dup curent E . curentul emitorului cre te din cauza modific rii valorii I EB 0 . la o temperatur nu prea înalt cea mai mare influen 45 . deoarece se m re te F! neesen ial i lungimea de difuzie a purt torilor de sarcin L n .. Jonc iunea colectorului este asimetric i grosimea poate fi exprim prin rela ia 2II 0 N C  U CB . unde I EB 0 este curentul termic al jonc iunii emitorului..coeficientul de transfer.67) 1 E Coeficientul de transfer al curentului în cuplaj BC E este determinat de rela ia E ! K]M .bariera de poten ial.03.69) I E ! I EB 0e kT . N C . (1.70) ™ LC ! q N unde: N este concentra ia impurit ilor în regiunea jonc iunii colectorului.p .E . (1. grosimea jonc iunii scade. Fiindc U CB "" N C asupra grosimii jonc iunii influen eaz nivelul concentra iei purt torilor de sarcin cu modificarea temperaturii. ] . M .05% o C . Cu majorarea temperaturii. dup legea exponen ial . Curentul emitorului depinde de temperatur qU EB (1. i este mai eviden iat la temperaturi înalte (se m re te de dou ori la fiecare 10 grade în varia ia temperaturii). Modificarea valorii E constituie 0. În a a mod.

5 0 rC rE E . ob inem 1 La T ! 300 ( K ) .1. Dac vom trece de la logaritmul natural la cel in baza 2.0 0.16( K ) pentru siliciu. unde TY ! un. TY ! 7 K .TY ! 4.24. ceea ce va provoca m rirea rezisten ei jonc iunii colectorului. rel . Dependen a de temperatur a parametrilor din schema echivalent analiza este prezentat în fig. G ! 0.5 K .71) I CT ! I CT eG ™ (T . unde (E . din siliciu . G Pentru jonc iunea fabricat din germaniu.1 ( K 1 ) I CT ! I CT0 2 ln 2 este temperatura de dublare a curentului termic.5 1. (T ! T  T0 . 2.o va avea majorarea coeficientului de transfer F .0 1. ! k 02 0 pentru germaniu i G ! 0. La temperatur mai înalt va avea loc mic orarea rC din cauza influen ei tot mai mari a curentului emitorului (1.

E 1 rE rB 40 0 I CB 0 40 rC T . oC I CB 0 E .

24.1. E 1 rB 80 Fig. (1.72) . Dependen a parametrilor fizici de temperatur pentru tranzistorul bipolar 46 $ (T TY .

h 11b ! E . h 22 b ! . de obicei. h 22 e ! ! *. (1. h12b ! B .73) 1 E r 1 1 h12e ! E . apare problema invers ± dup parametrii h cunoscu i se determin parametrii fizici h 1  h 21e h rB ! h11e  12e .Dup cum se cunoa te. rC rC E h11e ! rB  rE (1  F ) . h 21e ! . * rC rC (1  E ) rC În practic . tranzistorul bipolar poate fi prezentat ca cuadripol liniar. Parametrii h ai tranzistorului sunt lega i de parametrii schemei echivalente prin rela iile urm toare r 1 h 11b ! rE  rB (1  E ) .

Dependen a caracteristicilor tranzistorului bipolar de temperatur Cu majorarea temperaturii. oC Fig.8.1  h 22e .25.1. curentul emitorului se m re te esen ial i caracteristica de intrare pentru schema de conectare BC 47 . Dependen a parametrilor h de temperatur pentru tranzistorul bipolar 1.25.0 2. un. rE ! 12e .0 3.74) h 22e h 22 e h 22e Dependen a de temperatur a parametrilor h pentru tranzistorul bipolar este prezentat în fig.0 1. rel . 4.0 0 40 20 0 20 40 h11e h21e h12 e h22 e T . (1. rC ! .3.1.

1. Modificarea relativ pentru curentul colectorului este dI C I E dI dE I CB 0 dI CB 0 ! dE  CB 0 !  ™ ..26.77) Din cauza c modificarea coeficientului E nu este major . Pentru schema de conectare EC curentul de intrare este curentul bazei care aproximativ este determinat din formulele Ebers ± Moll în modul urm tor: ¨ UE ¸ ¨ UC ¸ I B ! .75) I C ! EI E  I CB 0 .10 3 .2mV o C .. atunci devierea caracteristicilor de ie ire cu temperatura pentru schema BC este nesemnificativ (fig. E IC IC IC I C I CB 0 (1. iar I CB 0 I C este de ordinul 10 6 .1.. Rezult c pentru curent constant al emitorului modificarea absolut a curentului colectorului va fi urm toarea: (1.are forma indicat în fig. Deplasarea caracteristicilor are loc aproximativ cu 1.76) dI C ! I E dE  dI CB 0 .. Curentul de ie ire (curentul colectorului) se determin conform rela iei (1.26).

1  E ™ I ECB © e NT  1 ¹  .

© ¹ © ¹ ª º ª º % (1. Ei . m surate pentru diferite temperaturi.coeficientul de transfer în regim de inversie. Caracteristicile de intrare.78) unde: E prezint coeficientul de transfer în regim activ.27).1  E i ™ I CBC © e N  1 ¹ . deoarece unele componente din rela ia (1. 48 . I CBC .curen ii inver i ai jonc iunii emitorului i colectorului. se intersecteaz .78) depind în mod diferit de temperatur (fig. I ECB .1. N T ! kT q poten ialul termic.

mA I E .I C . mA 4 3 2 1 0 & 50 oC 12 9 20 oC 6 3 100 200 U EB . QA 100 80 60 40 20 0 45 oC 20 oC Fig. m 0 5 I E ! 2 mA 10 I E ! 10 mA I E ! 6 mA 60 oC 50 oC 20 oC 80 oC Fig.26. 1.1. Dependen a de temperatur a parametrilor h I B . Dependen a de temperatur a caracteristicilor de intrare în schema de cuplare EC Curentul colectorului pentru schema de conectare EC se scrie în forma urm toare: I C ! F I B  .27.

(1.78) 49 ' 100 U BE . m & 15 U CB . m .F  1 I CB 0 .

I C .1.28. Dependen a de temperatur a caracteristicilor de ie ire în schema cu EC Instabilitatea relativ a curentului colectorului pentru I B ! 0 E I CB 0 I CB 0 IC I . Fig.80) } . (1. mA 12 10 8 6 4 2 0 5 I B ! 40 QA 30 QA 60 oC 20 QA 10 QA I B ! 40 QA 30 QA 20 oC 20 QA 10 QA 10 U CE .

F  1  ™ ! .

F  1 C I C EC I C BC E I C I CB 0 adic se m re te în compara ie cu conectarea BC de .

Din rela ia (1.28.8.1.80) se observ c modificarea caracteristicilor de ie ire a tranzistorului conectat în schema EC este semnificativ . sunt prezentate caracteristicile de ie ire ale tranzistorului bipolar conectat în schema EC. În fig. Regimul limit de func ionare pentru tranzistoarele bipolare la varia ia temperaturii Se cunoa te c odat cu majorarea temperaturii considerabil se m re te concentra ia purt torilor de sarcin minoritari în func ie 50 ( .4. De exemplu. ob inute pentru câteva valori ale temperaturii. dac în diapazonul dat de temperaturi în schema BC modificarea formei caracteristicilor de ie ire va fi de câteva procente. 1.F  1 ori. atunci pentru conectarea EC ea va constitui sute de procente.

TC .81) RT  RTC unde: Tn este temperatura jonc iunii colectorului.. func ionarea dispozitivului semiconductor se deregleaz . siliciu 1...0. Dintre toate regiunile din structura tranzistorului cea mai mare putere este disipat pe jonc iunea colectorului.. iar pentru cele din siliciu în limitele 125.01 eV ). R T C . Aceasta se datoreaz diferen ei dintre l rgimea benzii interzise (pentru germaniu 0.  60 C .100o C .. Când concentra ia purt torilor de sarcin minoritari se apropie de concentra ia purt torilor de sarcin majoritari.1 eV ).200o C .200 o C W . R T . Rezisten a termic este un parametru important al tranzistorului i este indicat în îndrumarele respective. (1.05..72 eV . De obicei ea se exprim în grade celsius pe miliwat sau grad celsius pe wat i pentru majoritatea tranzistoarelor se plaseaz în limitele 30..rezisten a termic radiator ± mediu.. Pentru tranzistoarele fabricate din germaniu temperatura maxim de func ionare variaz în limitele 70. Practic diapazonul minim al temperaturilor de lucru este limitat de diferi i factori tehnologici i de particularit ile constructive i se plaseaz în limitele o 70.de l rgimea benzii interzise a semiconductorului. i reprezint aproximativ  200o C . Temperatura maxim admisibil determin regimurile de limit 51 .rezisten a termic a jonc iunii colector . Limita de jos a temperaturilor de lucru este determinat de energia de ionizare a impurit ilor ( 0.. Temperatura maxim de lucru este determinat de energia de ionizare a semiconductorului i concentra ia impurit ilor.. deoarece ea posed rezisten electric mai major .carcas . Pentru func ionarea normal tranzistoarele de putere sunt utilate cu radiatoare iar puterea disipat de jonc iunea colectorului poate fi determinat conform rela iei T  TC PC ! n .temperatura mediului.

2 unde B este coeficientul termic cm W . cm 2 W 80 60 40 20 0 2 20 40 1 60 80 (t .1. V Fig.30. tensiune i putere. Suprafa a radiatorului este determinat de rela ia (1.30.1. oC p Fig. Dependen a de temperatur a coeficientului termic 52 .dup curent. Cu cre terea temperaturii.1. A I C max 4 3 2 1 0 5 10 T2 PC max I B ! 200 mA T1 150 mA 100 mA 50 mA 25 mA U CE max U CE .29. Curba 1 corespunde convec iei libere a aerului. B.82) S R ! BPC . IC . 1.29). curba puterilor admisibile se deplaseaz în jos (fig. Dependen a de temperatur a regimurilor de func ionare a tranzistorului Dependen a experimental care leag varia ia de temperatur (t p i coeficientul termic B este prezentat în fig. iar curba 2 ± r cirii for ate (viteza fluxului de aer aproximativ 300 m s ).

propriet ile de amplificare ale tranzistorului bipolar se înr ut esc. regimul de lucru i schema de conectare. 1. adic întârzierea oscila iilor curentului de ie ire fa de cel de intrare. tehnologia de fabricare. y apare defazajul.În a a mod la proiectarea aparatajului radioelectronic cu tranzistoare ce lucreaz într-un diapazon larg de temperaturi i este important de a cunoa te ce influen are temperatura asupra parametrilor i caracteristicilor elementului activ i care sunt limitele în func ionarea acestui dispozitiv electronic. determinat de dimensiunile ei geometrice. Cu majorarea frecven ei.9. y 53 .1.9. Asta înseamn c : y scade puterea de ie ire. Dispersia purt torilor de sarcin în baz Propriet ile de amplificare a tranzistoarelor sunt determinate de: propriet ile materialului din care sunt confec ionate. construc ia. Asupra diapazonului frecven elor de lucru a tranzistoarelor influen eaz urm torii parametri: y timpul de difuzie al purt torilor de sarcin minoritari în regiunea bazei de la jonc iunea emitorului la cea a colectorului. y capacitatea jonc iunii emitorului CE i colectorului CC . Viteza de propagare a purt torilor de sarcin în regiunea bazei este diferit i de aceea grupul de purt tori de sarcin ce au intrat concomitent în regiunea bazei ating regiunea colectorului în timp diferit. Dependen a parametrilor tranzistorului de frecven 1. rezisten a bazei rE .

semiperioada pozitiv va trece în cea negativ . aplicat la intrarea tranzistorului. cu atât este mai pronun at întârzierea purt torilor de sarcin i cu atât mai mic va fi coeficientul de transfer dup curent. cu valoarea timpului mediu de propagare a procesului de difuzie prin baz X D . Dispersia vitezelor golurilor în baz aduce la aceea c odat cu m rirea frecven ei are loc înr ut irea efectului de amplificare i mic orarea coeficientului de transfer dup curent E .9. La fel are loc i distorsionarea semnalului sinusoidal. Influen a dispersiei vitezei purt torilor de sarcin se manifest i asupra formei semnalului. Dependen a coeficientului de transfer dup curent de frecven Fie c tranzistorul bipolar de tip p-n-p este conectat BC i func ioneaz în regim activ. Drept rezultat. prin urmare. ce posed o vitez de mi care mai mic . când timpul mediu de mi care a golurilor în regiunea bazei este comparabil cu perioada acestui semnal. atunci din jonc iunea emitorului se injecteaz în baz un num r mare de goluri. Modificarea curentului colectorului va avea loc mai târziu decât modificarea curentului emitorului. atunci la ie irea lui frontul din spate i cel din fa a fiec rui impuls va fi întins i impulsurile posed form de trapez. semnalul la ie irea tranzistorului va fi unul mediu. Pentru o frecven major a semnalului. O parte din ele ajung destul de rapid la jonc iunea colectorului. se re ine pu in. alt parte. Vom analiza defazajul între curentul emitorului i curentul colectorului.2. În timpul ac iunii semiperioadei negative num rul golurilor injectate se va mic ora i o parte din ele va ajunge la jonc iunea colectorului odat cu cele întârziate de la semiperioada pozitiv . 54 . Nivelul de mic orare a coeficientului de transfer dup curent cu cre terea frecven ei este determinat de grosimea bazei WB . timpul de parcurgere a bazei de c tre goluri. Când la intrarea tranzistorului se aplic semiperioada pozitiv a semnalului.1. Dac la intrarea tranzistorului aplic m impulsuri dreptunghiulare de durat redus . Cu cât mai mare este grosimea regiunii bazei i.

M rimea X D este determinat de grosimea bazei i de coeficientul de difuzie. perioada T se mic oreaz comparabil cu timpul de difuzie X D .31 este prezentat diagrama temporal a componentei alternative a curentului colectorului. Dp . Cu cre terea i devine frecven ei semnalului. R p ! Rp Dp WB unde: R p este viteza purt torilor de sarcin minoritari.1. Pentru tranzistoarele bipolare în formulele (1. Semnalul în circuitul colectorului este în defazaj fa de cel în circuitul emitorului cu unghiul de defazaj N B 55 . XD ! B .coeficientul de difuzie al golurilor în baza-n. injecta i în baz . Pentru tranzistoarele bipolare tip p-n-p timpul mediu de tranzi ie a procesului de difuzie sau timpul mi c rii de difuzie se determin ca Dp W W2 .83) XD ! B . 1. Întârzierea X D T poate fi neglijat . WB .grosimea bazei. Diagramele în timp a curen ilor de intrare i ie ire la frecven înalt În fig.IE IC IE IC t XD T Fig.31.83) indicii respectivi trebuie indica i pentru electroni. Pân când frecven a semnalului nu este mare i perioada de repetare a procesului considerabil întrece timpul mediu de difuzie X D . putem socoti c schimbarea formai curentului colectorului are loc practic momentan dup legea de schimbare a curentului emitorului. (1.

85) i E . Dac curentul emitorului variaz dup legea (1. De aceea pentru aceea i frecven distan ei mai mari între jonc iunile tranzistorului îi corespunde un unghi de defazaj mai mare între curentul de intrare i ie ire. Dp (1.84) Bazei cu grosimea mai mare îi corespunde un timp de difuzie X D mai major.N B ! [X D ! 2Tf 2 WB .

t ! I E ! I m e sin .

[t . atunci curentul colectorului. luând în considerare defazajul. poate fi scris ca i C .

t ! I C ! I m c sin .

(1. E depinde de frecven i este caracterizat de modulul E.86) Deoarece coeficientul de transfer dup curent a tranzistorului E în schema BC reprezint raportul dintre curentul semnalului în circuitul colectorului i curentul semnalului în circuitul emitorului.[t  N B .

[ i faza N B .

[ :  j[ t  jN I C I m c sin .

[t  N B I m c e e ! E! ! . IE I m e sin.

[t I m e e  j[ t B (1.87) unde: E.

[ ! Im c Im e este modulul coeficientului de amplificare. N B .

[ .defazajul coeficientului de amplificare a curentului emitorului în schema cu BC.  E ! E.

[ ™ e  jN .

mic orându-se cu m rirea frecven ei. dup o lege complicat . (1.[ .88). coeficientul E poart un caracter complex (1.88) În domeniul frecven elor joase coeficientul de transfer dup curent E este constant. Cu o eroarea admisibil pentru calculele tehnice m rimea coeficientului de transfer dup curent poate fi aproximat cu ajutorul rela iei urm toare B 56 . Cu majorarea frecven ei.

E.

E.j[ } E0 f 1  j™ fE .

[ ! E.

(1.89) ¨f ¸ N B .f } E0 ¨f ¸ 1 © ¹ ©f ¹ ª Eº 2 .

[ ! N B .

©f ¹ ª Eº Identic pentru conectarea tranzistorului EC: F0 E0 F .defazajul coeficientului E .f ! arctg © ¹ .

F .j[ } .

[ ! F .

f } . 2 f ¨f ¸ 1  j™ 1 © ¹ fF ©f ¹ ª Fº (1. 90) ¨f ¸ N E .

[ ! N E .

f ! arctg© ¹ . CAF.89) i (1. f E . f F .9. F 0 . 2 Dependen a modulul coeficientului de transfer dup curent de frecven se nume te caracteristica amplitudine . ©f ¹ ª Fº În rela iile (1.3.90) utiliz m urm toarele not ri: E 0 .frecven (CAF) E ! \.modulele coeficien ilor de transfer dup curent la frecven joas pentru schemele de conectare BC i EC respectiv. 1.defazajul coeficientului F . Frecven a de t iere. CPhF i al i parametrii ai tranzistorului Frecven de t iere pentru tranzistorul cuplat în BC ( f E ) este numit frecven a pentru care modulul coeficientului de transfer dup curent se mic oreaz de 2 ori ( adic cu 3 dB).frecven ele de t iere pentru tranzistorul cuplat BC i EC respectiv. în compara ie cu valoarea lui la frecven e joase E Ef ! 0 .

[ sau F ! \.

[ . Dependen a unghiului de defazaj de E 57 .

N ! \ .

[ ! \ .

CAF i CPhF pentru coeficientului de transfer dup curent 58 . decât în schema BC.707 0. În schema EC coeficientul de transfer al curentului bazei depinde mai tare de frecven . 2 F 1 0. 1.32. Ele sunt construite în coordonate normate E E 0 i f f 0 . iar unghiul de defazaj este plasat în unit i absolute. Exemple de astfel de caracteristici sunt prezentate în fig.8 0.32. în compara ie cu valoarea lui la frecven e joase: F Ff ! 0 . Frecven a de t iere a tranzistorului în schema EC ( f F ) se nume te frecven a la care modulul coeficientului de amplificare dup curent se mic oreaz de 2 ori ( adic cu 3 dB).[ este numit caracteristica faz ± frecven frecven (CPhF) a coeficientului de transfer.1.4 unit i relative E E0 NB o 30 60 90 10 2 10 1 1 f ! fE 10 fE f Fig. iar frecven a de t iere f F este considerabil mai redus decât f E .6 0.

! ¸ ¨ f ¹ .S exprim m frecven a de t iere f F prin m rimea f E F! 1 E E0 E0 ! ™ ! ! f f E0 1 E 1 j 1 1  j  E0  f fE fE 1 j fE E0 .

1  E 0 © 1  j © .

91). cu considera ia c F 0 ! E 0 .1  E 0 fE ¹ º ª (1.90) i (1.91) Compararea rela iilor (1.

1  E 0 . ne permite s ob inem formula pentru leg tura dintre frecven ele de t iere în schemele BC i EC fF ! f E .

1  E . În a a mod frecven a de t iere a coeficientului de transfer a curentului bazei f F este de .

Pentru schema EC.92) 1  F0 Cauza principal a mic or rii bru te a coeficientului F cu cre terea frecven ei (cum indic rela ia (1. ci majorarea valorii defazajului.93) tg. 1  F0 1  F0 1  F0 f fF ! E . (1.1  E ori mai mic ca frecven a de t iere în schema cu BC sau: F0 1  F 0  F0 1 ! 1  E0 ! 1  ! .91)) nu este mic orarea valorii E . f . (1.

N E ! fE .

1  E 0 în timp ce pentru schema BC f tg.

N B ! .93) ob inem 59 . fE Luând în considerare (1.

tg.

N E ! 1 tg.

1  E0 ¡ tg .N B .

N E "" tg .

atunci la frecven e joase curentul colectorului se deosebe te pu in de cel al emitorului i curen ii tranzistorului pot fi reprezenta i sub forma    vectorilor care coincid dup direc ie I E .33.b) în care modulul vectorului I C se mic oreaz . Deoarece B 60 . I m b prezint amplitudinile curen ilor alternativi ai emitorului.1.33.1. I B . I C . curentul colectorului r mâne în urm de curentul emitorului i vectorii acestor curen i formeaz un  triunghi (fig. Cu cre terea frecven ei. colectorului i bazei respectiv.  iar a modulului vectorului I se m re te de câteva ori. Deoarece E } 1 . Aici I m e . I m c .N B 1 NE } N . a a încât Im e ! Im b  Im c . 1. 1  E0 B  IB  IB  IE  IC  I E ! I me  I B ! I mb  IC ! I mc  IE NE  IC NB ! a) b) Fig. I m c . I m b respectiv. Diagramele vectoriale ale curen ilor tranzistorului la frecven joas (a) i înalt (b) La frecven joas curen ii emitorului i colectorului coincid dup faz (fig.a). Amplitudinea curentului bazei este egal cu diferen a între I m e i I m c .33. cu lungimea I m e .

Frecven ele de t iere f E .b. a a cum este ar tat în fig. f F reprezint parametrii importan i ai tranzistorului bipolar 1 fF ! f E .33.1.F! dI dI C sau F ! m c . dI B dU C ! 0 dI m b U m c ! 0 atunci la frecven a f ! f E coeficientul de transfer F se mic oreaz de câteva ori.

1  E 0 sau fE ! f ! .

1  E0 F E.707 ™ F 0 F .1  F 0 fF . F F0 0.

f 1 E0 0.707 ™ E 0 E .

34. F În fig.34 sunt prezentate dependen ele de frecven a modulelor E i F .1. Varia ia mai rapid a modulului F . Caracteristicile de amplitudine ± frecven ale coeficien ilor de transfer dup curent E.f f fF fT fE Fig.1.

[ cu cre terea frecven ei în compara ie cu E.

[ se explic prin faptul c diferen a 1  E([) în rela ia E.

[ F .

[ ! 1  E.

[ se modific mai rapid decât E.

61 .[ .

La determinarea frecven ei de t iere f F a fost utilizat dependen a aproximativ pentru E de frecven (1. de aceea leg tura între f E i fF fE ! 1 f ! . cu cre terea frecven ei este determinat de majorarea defazajului N E .În afar de aceast cauz principal de mic orare pentru F .89).

se introduce coeficientul de corec ie k : k fE ! f ! .1  F 0 fF . 1  E0 F este la fel aproximativ . Pentru a ob ine un reziltat concret.

pentru care coeficientul de transfer a curentului bazei F în schema EC este egal cu unitatea. Analiza rela iei (1. 1  E0 F Valoarea acestui coeficient depinde de construc ia tranzistorului i tehnologia lui de fabricare (de regul . adic f " .1  F 0 kfF . În practic .2 ).90) indic c la frecven e ce dep esc de trei-patru ori frecven a de t iere f F .1. pentru calcule se folose te frecven a f T (adic frecven a de t iere a tranzistorului sau frecven a limit de amplificare dup curent).. k } 1..

f 62 . produsul F f ™ f este o valoare constant i nu depinde de frecven . f2 1 2 fF pentru f2 "" 1   F f ! fF2 F0 1 f2 fF2 ! fF F 0 . În acest produs f este frecven a la care este efectuat m surarea valorii coeficientului de transfer F f : F0 Ff ! .4 fF . fF f ! fF F 0 ! const ! f T ..3..

Deoarece F f ! const pentru f " .

atunci frecven a de t iere în schema EC este de F 0 ori mai mic decât valoarea frecven ei de t iere a tranzistorului fF ! f T F 0 . Pentru schema BC frecven a de t iere f E întotdeauna este mai mare ca frecven a de t iere a tranzistorului f T : kfF kfT k .3.4 fF i fF f ! fFF 0 ! fT ...

94) F0 1  E 0 F 0 . (1.1  F 0 f T ! ! fE ! .

1  E 0 pentru F " 10   f E ! kfT } .

Dependen a modulului conductibilit ii directe Y21 de frecven este identic cu dependen a de frecven a m rimilor E i F . 63 ) . egal cu (I ies . (1.. ?MHz A. pentru care coeficientul de amplificare dup putere este egal cu unitatea E 0f E f ma ! . rB . Y21 ! (U int ( U ies ! 0 se mic oreaz de 2 ori în compara ie cu valoarea lui la frecven joas . MHz.. CC capacitatea jonc iunii colectorului. La analiza dispozitivelor confec ionate în baza tranzistoarelor cu ajutorul schemelor echivalente i utilizarea parametrilor Y este folosit frecven a de t iere a pantei tranzistorului f S . M rimea f S este întotdeauna mai mare ca f F . dac coeficientul de amplificare dup putere K p " 1 .95) d 30rB CC unde: f E este frecven a de t iere a coeficientului de transfer în d schema BC. . De aceea un parametru important dependent de frecven este frecven a maxim de generare sau frecven a maxim de amplificare dup putere.2 f T .1. pentru care modulul de conductibilitate direct . Tranzistorul poate fi utilizat în calitate de generator sau amplificator.1.rezisten a de volum a bazei. pF.

83). Din aceste considerente frecven ele de t iere pentru tranzistoarele bipolare f r drift sunt relativ reduse. care permite de a 64 .95) produsul rezisten ei de volum a bazei la capacitatea colectorului este numit constant de timp a circuitului d de reac ie invers rB C C ! X C . Este cunoscut c viteza electronilor R n este mai mare ca viteza golurilor R p . Metode de îmbun t ire a caracteristicilor de frecven . De aceea utilizarea la frecven e înalte a structurilor tip n-p-n este preferabil .9. Aceste cerin e sunt contradictorii ± mic orarea grosimii bazei WB d d m re te rezisten a de volum rB .4. i capacitatea colectorului cu valori reduse. Mic orarea grosimii bazei este condi ionat de posibilit ile tehnologiilor contemporane. mic orarea rezisten ei rB (m rirea concentra iei în baz ) m re te capacitatea jonc iunii colectorului CC i mic oreaz valoarea tensiunii U C max . rezisten a de volum a bazei. conform rela iei (1. Aceast constant caracterizeaz reac ia invers la frecven înalt i este un parametru de baz al tranzistorului. Tranzistoare bipolare cu drift Majorarea valorii frecven ei de t iere a tranzistorului necesit mic orarea timpului de transfer de c tre purt torii de sarcin în baz . De aceea în baz . ce limiteaz caracteristicile de frecven a tranzistoarelor. În a a mod tranzistorul destinat func ion rii în domeniul frecven elor înalte trebuie s posede grosimea bazei.În rela ia (1. Timpul de transfer ale purt torilor de sarcin prin regiunea bazei. se mic oreaz odat cu mic orarea grosimii bazei i cu majorarea valorii vitezei purt torilor de sarcin injecta i în baz . se formeaz un câmp de accelerare pentru purt torii de sarcin injecta i. prin intermediul procedurilor tehnologice. 1. Pentru majorarea frecven ei de regenerare este necesar de a m ri valoare f E i de a mic ora constanta de timp d rB C C .

m ri viteza lor.35. în regiunea baz se formeaz un câmp electric intercalat. Distribu ia impurit ilor în structura tranzistorului cu drift În fig. N acc N don . Între jonc iunile emitorului i colectorului se formeaz o regiune de baz tip-p compensat .1. În urma distribuirii neregulate a concentra iei impurit ilor în baz apare gradientul concentra iei purt torilor de sarcin care provoac un câmp electric intercalat. Qm Fig.1. Viteza total a electronului se m re te. Tranzistoarele care posed un câmp electric intercalat în regiunea bazei sunt numite tranzistoare cu drift. Ele se folosesc la frecven e înalte. În acest scop. grosimea c reia este determinat de adâncimea de difuzie a impurit ilor acceptoare. Rezult c purt torii de sarcin ob in ad ug tor componenta de drift a vitezei. 65 .35 sunt prezentate curbele de distribu ie a concentra iei impurit ilor donoare i acceptoare în structura tranzistorul tip n-p-n. Câmpul electric intercalat accelereaz electronii injecta i în baza tip-p. format prin procedura de difuzie. frecven a de t iere a tranzistorului de asemenea se majoreaz . cm 3 10 21 E N don B N acc 1015 C N don 0 1 2 JE 3 JC P.

9.19) este necesar de a lua în considerare elementele parametrii c rora sunt func ie de frecven i dependen a de frecven a coeficientului de transfer dup curent E.1.5.1. Schemele echivalente ale tranzistorului bipolar la frecven e înalte La frecven e înalte în schema echivalent (fig.

curentul de ie ire al c ruia între punctele 1  1d este dependent de coeficientul de transfer dup curent a (fig. conectat la schema echivalent prin circuitul RC.a este prezentat schema echivalent pentru tranzistorul bipolar la frecven e înalte.1.89).1. Dependen a coeficientului de transfer E de frecven se modeleaz cu ajutorul circuitului. În fig. în corespundere cu rela ia (1.36.  E .j[ . format din generatorul de curent  E 0 I E independent de frecven .b).36.

j[ I E a)  IE rE 1 CC 1d  IC b)  R E .

j[ I E 1d C  U IES 1 E  UE C E Bd rB rC C  UC  E0IE B B Fig.Schema echivalent a tranzistorului la frecven înalt (a) i circuitul RC ce modeleaz dependen a coeficientului E de frecven (b)    U   (1.96) I IES ! E . 1.36.

U INT ! E 0 I E Z RC . Z RC ! ! 1 1  j[CR j[C  R 66 .j[ I E ! IES . R R R j[C .

  E 0I E R 1 E0   U  I IES ! E .

R 1  j[RC R 1  j[ RC E0 E.j[ I E ! IES ! ™ ! ™ IE .

j[ ! .97) 1  j[RC Pentru identitatea rela iilor (1. Pentru o precizie mai înalt trebuie s lu m în considerare defazajul la frecven e apropiate de [E (sau mai majore decât [E ) i s introducem factorul de corec ie exp.98) RC ! RC [E Schema echivalent a tranzistorului la frecven înalt cu  generator de curent independent de frecven E 0I E este prezentat în fig.97) este necesar de a îndeplini urm toarele condi ii: 1 1 .89) i (1.1. (1. [ E ! 2 Tf E ! . (1.37.

care asigur o corec ie liniar de faz : f [ (N B ! m !m . fE [E  E0IE C b) R E . j [ [ E .

707 ad  IC a) CC  IE rE a C E Bd rB rC E  UE C  UC 1 [ [E B Fig. NB [ 1 0. CPhF pentru coeficientul E (b) 67 . Schema echivalent a tranzistorului  la frecven înalt cu generator E 0 I E (a) i CAF.37.1.

În a a mod aproximarea dependen ei coeficientului de transfer ob ine forma ¨ [ ¸ [  jm ¹ E 0 exp©  jm © [ E ¹ E 0e [ º! ª .99) E. (1.

folosind formulele prezentate în tab. este mai mare decât capacitatea sarcinii spa iale. Prioritatea principal a acestei scheme const în faptul c elementele ei posed un sens fizic bine determinat i permit de a efectua leg tura între parametrii tranzistorului cu datele constructive. În acest caz valoarea curentului generatorului echivalent va fi ¨ [ ¸  ¹.38. Parametrii fizici ai schemei analizate se determin prin parametrii h.1. Din aceste considerente circuitul poart denumirea de schem echivalent fizic .1.100) [E rE E Pentru schema EC 1 . constante fizice i procese de baz ce au loc în structura analizat .1. prezentat în fig. În astfel de cazuri este în deajuns de a lua în considerare numai componenta de difuzie pentru schema cu BC: 0.37 posed form . I E E 0 exp©  jm © [E ¹ º ª Dac jonc iunea emitorului este polarizat direct. (1.8 CEdif } . capacitatea de difuzie a emitorului. schema din fig. m } 0. prin drift.j[ ! [ [ 1 j 1 j [E [E Pentru tranzistoarele formate prin aliere.101) [ TrE Dup simplificarea respectiv . de regul . (1.8 . CEdif } 68 . m } 0.2 .5.

1. dar de tensiunea punctului intern al circuitului U 1 . Schema de substituire a tranzistorului în acest caz este prezentat în fig.38. În schem uneori se introduce i capacitatea colector ± emitor C CE .39 con ine capacit ile de tranzi ie a reac iei inverse C C1 i CC 2 . determinat de elementele rB . conectat paralel conductibilit ii g CE . Aceste capacit i se calculeaz conform rela iilor CC C C1 ! . care sunt determinate de constanta de timp a circuitului d colectorului X C ! rB C C .8 [E rE C C dif  I EE 0 e R!  IC Bd rB C C bar j ™0 . Particularit ile schemei echivalente în P constau în faptul c curentul la ie irea generatorului este determinat nu de tensiunea de   intrare U B . Schema echivalent din fig. Schema echivalent fizic simplificat a tranzistorului la frecven înalt În unele cazuri se utilizeaz schemele echivalente în P.39.  Tensiunea U 1 depinde de frecven . tranzistorul fiind prezentat formal ca un dispozitiv dirijat de tensiune.1. Aici se folose te sistemul de parametrii Y. g BE .1.  De aceea sursa de curent g S U 1 de asemenea depinde de frecven . CB .102) . adic reprezint o parte din  d tensiunea de intrare U B . 2 [ [E  IE 1 [E CC dif rE E  UE C  UC B Fig. (1. C C 2 ! C C  C C1 .CE ! 0.

2.3 69 ...

5 Formulele de calcul pentru parametrii fizici ai tranzistorului conform parametrilor diferen iali pentru diferite scheme de conectare Parametrul F rE rC EC h 21e BC h 21b 1  h 21b h11b  h12 b .Tabelul 1.

1  h 21b h 22b 1 h 22b h12b h 22b  h 21b h 12b h12e h 22e .

1  h 21e 1  h12e h 22e h11e  h12e .

103) gS ! h 21e  h12e .1.1  h 21e h 22e h 21e 1  h 22e rB E Q} rB rC h11eh 22 e  h12e 1  h 22e Elementele schemei din fig. d h11e  rB unde g S ! Y21 este panta caracteristicii tranzistorului bipolar. g BE ! d d h11e  rE h11e  rE g BE ! h 22 e  h12e ¨ h  rd ¸ h © h 21e  11e B 21e ¹ .39 se determin cu ajutorul parametrilor h cu ajutorul rela iilor: 1  h12e h12e . © dº h 11e ª h 11e  rB ¹ (1. 70 . g CB ! .

1. conectat cu emitor comun (schema Djacoletto) Capacitatea de difuzie a jonc iunii emitorului se determin conform rela iei 1 CBE ! g .C CC 2 rB  IB  U1 C CB Bd g CB JC B g CE JE  g SU1 C BE g BE E CC 2  IE C C1 rB Bd g CB  U 1 g BE C BE  g SU1 g CE  IC B  U BE C  U CE E Fig.39. Schema fizic echivalent simplificat a tranzistorului bipolar la frecven înalt . [F BE 71 .

E j[C BE  g BE ¨ C BE ¸ ¹g BE © 1  j[ © g BE ¹ º ª gS gS  I~ g BE g BE . F .Pentru a ne convinge de aceasta. U 1 ! I B Z Bd . E  1 g SI B    I ~ ! g S I B Z Bd } g S I B ! . este deajuns de a determina rela ia pentru frecven a de t iere cu ajutorul schemei echivalente.  Curentul generatorului echivalent I ~ se determin ca:     I ~ ! g S U 1 .

C CE . C C ! CC 2 . rB . f T . unde [F ! g BE 72 .capacitatea circuitului de reac ie intern în tranzistor.rezisten a bazei.capacitatea de ie ire pentru conectarea EC. CBE Pentru calculul schemei echivalente în P îndrumarele con in urm torii parametri: X C .capacitatea jonc iunii colectorului. C CB ! C C1 .constanta de timp a circuitului de reac ie intern în tranzistor.j[ !  ! ! I B 1  j[ CBE 1  j [ [F g BE .frecven a de t iere pentru conectarea EC.

. M. 12. ± 622 . ± . . .. . 5. . . ± 432 . 4. . ± Bucure ti.BIBLIOGRAFIE 1. 9.. ± . D. Facla: 1987. : 1984. ± oc . 13.912 c. . ± 419 . : 2001.Dasc lu. Sandu D. ± 864 . . ± Timi oara. 73 . . .. I. .Profirescu. ± Ia i. . 6. . ± 368 c. .392 14. ± . A. . ± 512 . .Cuza:1994. : 2001. . .. . Zamfir V. : 1980. Editura A. .. : 1985. . . . 1980. . . Bazele radioelectronicii. . . ± .1. Electronica fizic i aplicat . ± 424 . . . / . 2. . : 1981. ± .. . .488 . . . . ± 383 . ± .: . ± 279 p. Editura Didactic i Pedagogic : 1982. 2..± . . 11. ± V. 10. : 1984. . 7. ± . ± . . . 8.. .Rusu. .Costea Dispozitive i circuite electronice. 3. : 1977. ..: 1990. ± 679 p.I. 1991.615 p.

.3.................. Schemele formale pentru substituirea tranzistorului ........................ Caracteristicile pentru cuplaj baz comun «««««.........6..3........4.6................6.......«.... Rezisten a diferen ial i capacitatea jonc iunii emitorului.. Caracteristicile statice pentru tranzistorul bipolar................... 6 1....21 1.....................5..34 1........ Rezisten a diferen ial i capacitatea jonc iunii colectorului..............................2.4................2....................................5..........1.......3......................6.......6................................................................... Schema echivalent pentru cuplaj baz comun ....1....... TRANZISTORUL BIPOLAR................................. 3 1.... Structura i jonc iunile tranzistorului bipolar.......................................................3..............................................27 1.CUPRINS 1............3... 18 1....30 1.....5...............3............... Modalit ile caracteristicilor statice««««««««................3.33 1. Schemele echivalente ale tranzistoruluila frecven joas .................................. Determinarea parametrilor diferen iali aitranzistorului dup caracteristicile statice....3... Coeficientul diferen ial de amplificare dup curent .............. Schema echivalent pentru conectarea emitorului comun.....5........ Regim de satura ie........................ Tranzistorul ca cuadripol activ..... 11 1.. Tranzistorul bipolar ca element al circuitului......................5..............25 1.........4....2...........4....21 1.....7...31 1........... 6 1......... 5 1....... Caracteristicile pentru cuplaj emitor comun«««.36 74 ..... Regim de blocaj............. Regim de inversie..................3.......... No iunea de tranzistor bipolar.... Sistemul de parametri diferen iali ai tranzistorului bipolar................................ 3 1..............4...........1.....3.........2.......14 1..15 1............... Modelul Ebers ± Moll.....6.................. 6 1..................5...... Regimul de lucru i proceselefizice în tranzistorul bipolar.............................1........13 1......................................32 1.......14 1... 4 1...........3... 12 1..... Rezisten a de volum a bazei ........ 5 1... Regim activ..........6............3...........1..................... Regimul de lucru al tranzistoarelor bipolare.............................2...4.

.............................5..........9.............7........41 1.......8.................................................................. Dependen a parametrilor tranzistorului de temperatur .... Schemele echivalente ale tranzistoruluibipolar la frecven e înalte..........9..3...............................................................73 75 ...... Influen a temperaturii asupra parametrilor semiconductorilor... Dispersia purt torilor de sarcin în baz ....9.... Leg tura dintre parametrii fizici ai tranzistorului i parametrii h .. CAF........1............4................... Modificarea parametrilor tranzistoarelor bipolare la varia ia temperaturii.8....................................42 1.......42 1..1................. Tranzistoare bipolare cu drift ........54 1....... Dependen a caracteristicilor tranzistorului bipolar de temperatur ...7.....4...............8............................................................53 1.......... Metode de îmbun t ire a caracteristicilorde frecven ........... Dependen a parametrilor tranzistorului de frecven .66 Bibliografie..................................2....39 1.............3.........................2...............8.....................53 1.57 1...................2.................... CPhF i al iparametrii ai tranzistorului............9.........7....9.........................................................1.1.............................. Frecven a de t iere..... Determinarea parametrilor fizici dup parametrii h ................47 1........44 1.................9....50 1................ Dependen a coeficientului de transfer dup curent de frecven .....64 1.......8....... Rolul parametrilor h în schemaechivalent i calculul lor.............39 1. Regimul limit de func ionare pentru tranzistoarele bipolare la varia ia temperaturii.....

You're Reading a Free Preview

Download
scribd
/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->