Tranzistor Bipolar

1. TRANZISTORUL BIPOLAR 1.1. No iunea de tranzistor bipolar.

Structura i jonc iunile tranzistorului bipolar Tranzistor bipolar este numit dispozitivul electronic cu trei pini i dou sau mai multe jonc iuni p-n ce interac ioneaz între ele. În tranzistor se rânduiesc trei regiuni semiconductoare, pentru care pe placheta de izolator din Si-i, prin metoda epitaxial - planar se formeaz regiunile colectorului (C), bazei (B) i emitorului (E) (fig.1.1). Pentru aceasta, în regiunea Si-n, ce serve te ca colector, prin metoda difuziei este format regiunea bazei Si-p. În aceast regiune, prin metoda difuziei locale, este format emitorul Si-n cu concentra ie major a impurit ilor donoare. C B1 p n Si-i E1 n C Jonc iunea emitorului Jonc iunea colectorului

Fig.1.1. Structura tranzistorului bipolar tip n-p-n La frontiera regiunii emitorului cu cea a bazei i de asemenea la frontiera regiunii bazei cu cea a colectorului se formeaz dou jonc iuni p-n ± emitor i colector (dup denumirea regiunilor laterale ale structurii). Jonc iunile interac ioneaz dac distan a între ele WB , numit l imea bazei, este cu mult mai mic ca lungimea de difuzie a purt torilor de sarcin mobili ( WB L p ,n ). este distan a pe care o parcurge Lungimea de difuzie ,n electronul sau golul din momentul apari iei în semiconductor pân la recombinare. De regul , suprafa a jonc iunii colectorului este mai mare ca suprafa a jonc iunii emitorului. Regiunea emitorului trebuie s posede o electroconductibilitate mai înalt ca cea a bazei i a 3
 

colectorului. Concentra ia impurt ilor în regiunile tranzistorului bipolar trebuie s respecte inegalitatea N E " 100 N B u N C . (1.1) 1.2. Tranzistorul bipolar ca element al circuitului În dependen de alternarea regiunilor, dup tipul de electroconductibilitate, se deosebesc structuri tip p-n-p i n-p-n. În fig.1.2 sunt prezentate structurile p-n-p i n-p-n ale tranzistorului bipolar i reprezentarea lor în circuitele electrice. JE E p B E C p-n-p n p JC C E n E B p C n-p-n n JE JC C

B

B

Fig.1.2. Reprezentarea tranzistoarelor bipolare Ca element al circuitului electric, tranzistorul bipolar este utilizat în a a mod, ca unul din pini s fie conectat la intrare, iar altul ± la ie ire. Al treilea pin este comun. În dependen care din pini este comun, se deosebesc trei circuite de conectare ale tranzistoarelor bipolare: - baz comun (BC); - emitor comun (EC); - colector comun (CC). În fig.1.3. sunt prezentate aceste trei modific ri de cuplare a tranzistorului bipolar în circuitul electric. 4

IE Iintr.

BC

IC IB Iie . IB Iintr.

EC

IC IB Iie . IE Iintr.

CC

IE Iie . IC

Fig.1.3. Schemele de conectare ale tranzistoarelor bipolare

1.3. Regimul de lucru i procesele fizice în tranzistorul bipolar 1.3.1. Regimul de lucru al tranzistoarelor bipolare În timpul func ion rii tranzistorului la bornele sale este aplicat tensiune de la sursa de alimentare în curent contionuu. În dependen de polaritatea tensiunii aplicate, fiecare din jonc iunile p-n ale tranzistorului bipolar poate fi polarizat direct sau indirect, adic sunt posibile patru modalit i de func ionare a tranzistorului (tab.1.1). Tabelul 1.1 Modalit ile de func ionare a tranzistorului bipolar
Denumirea jonc iunii Jonc iunea emitorului Jonc iunea colectorului Jonc iunea emitorului Jonc iunea colectorului Jonc iunea emitorului Jonc iunea colectorului Jonc iunea emitorului Jonc iunea colectorului Conectarea jonc iunii Invers Invers Idirect Idirect Direct Dnvers Invers Direct Denumirea regimului de func ionare a tranzistorului Regim de blocaj Regim de satura ie Regim activ Regim de inversie

5

I BCS . I CE 0 .I BC 0 . Regimul activ În fig.2. I CES . I C sat . adic mers în gol. 1. I ECS . rezisten ele lor sunt reduse. jonc iunile sunt saturate cu purt tori de sarcin mobili.3. I CBS .3. Raportând m rimile tensiunilor i curen ilor. R C sat ! I C sat I B sat 1.3. Regim de satura ie În regimul de satura ie ambele jonc iuni p-n sunt polarizate direct. I BES .1. Prin bornele tranzistorului circul curen ii de scurgere a jonc iunilor polarizate indirect.4. Regiunea E-C posed o conductibilitate înalt i poate fi considerat ca scurtcircuitat .I BE0 . y pentru circuitul cu EC . Regim de blocaj În regim de blocaj ambele jonc iuni p-n sunt polarizate indirect. I EC 0 . I EBS .I EB 0 .4 este reprezentat modelul plan unidimensional al tranzistorului bipolar. jonc iunea emitor a c reia este polarizat 6 . y pentru circuitul cu CC . În fiecare din cele trei scheme de conectare a tranzistorului ace ti parametri posed valori determinate. Ele sunt prezentate sub forma urm toare: y pentru circuitul cu BC . I B sat i tensiunile de rest ( U BE sat . al treilea. Primul indice în reprezentare determin pinul prin care circul curentul. R B sat ! BE sat . care reprezint parametrii statici ai regimului dat. ÄS´ ± scurtcircuit).3. Parametrii statici reprezint curen ii de satura ie I E sat . al doilea ± schema de conectare. condi iile în regiunea r mas a schemei (Ä0´ ± lipsa curentului. ob inem rezisten a de satura ie: U CE sat U .1. I CB 0 . U CE sat ).

direct.4. În circuitul extern al emitorului circul curentul de injec ie: q U EB I E ! I E p  I E n ! I EB 0 (e kT  1) . .purt torii injecta i prin baz care circul drept rezultat al fenomenelor de difuzie i drift. . Mi carea purt torilor de sarcin i curen ii în tranzistorul bipolar (regim activ) Principiul de func ionare a tranzistorului bipolar în regim activ se bazeaz pe utilizarea urm toarelor fenomene: . Injec ia purt torilor de sarcin duce la trecerea prin jonc iunea emitorului a curen ilor de difuzie (a golurilor I E p i electronilor I E n ).recombinarea purt torilor de sarcin în regiunea bazei.1.injec ia purt torilor de sarcin prin jonc iunea emitorului. format de jonc iunea colectorului.extragerea purt torilor minoritari din baz în regiunea colectorului prin intermediul câmpului electric. Aceast corespunde regimului activ. (1. . IEp=KIE JE p JC ]IEp n p conectare IE IC IE n I B rec UEB IB ICB0 UCB Fig. iar cea a colectorului indirect.2) Pentru structura tranzistorului tip p-n-p rela ia între concentra iile impurit ilor din regiunile emitorului .

N acc E i bazei .

N don B se determin ca: .

N acc E u 100 ™ .

7 .N don B .

al turi de curentul electronilor injecta i I En . Concomitent cu difuzia golurilor în baz . (1. mic orarea concentra iei purt torilor de sarcin purt torilor de sarcin în regiunea bazei din cauza recombin rii este nesemnificativ . se compenseaz cu sarcina electronilor.n . are loc i recombinarea lor cu electronii. Sub ac iunea gradientului concentra iei purt torilor de sarcin se produce mi carea de difuzie a golurilor i electronilor prin regiunea bazei de la emitor spre colector. ap rute momentan în apropierea jonc iunii emitorului (~ 10-17 s). iar curentul de recombinare I B rec este mai 0 qU E kT . formând curentul de recombinare al bazei I B rec .Din aceste considerente se ob ine I E p "" I E n . Majorarea concentra iei electronilor i a golurilor în apropierea jonc iunii emitorului formeaz gradientul concentra iei purt torilor de sarcin în baz ( “p i “p ). ce p trund în baz de la sursa de alimentare UEB. Circuitul emitor ± baz devine blocat i asigur circula ia curentului emitorului. Rela ia între componentele curentului emitorului pot fi apreciate cu ajutorul coeficientului de injec ie I IE p K ! Ep ! p 1.4) pn ! pn e Sarcina golurilor. Deoarece l imea bazei este considerabil mai mic ca lungimea de difuzie a WB L p . În locul electronilor care se recombin în regiunea bazei din circuitul extern al sursei de alimentare UEB sunt injecta i al i electroni. (1. Concentra ia lor la frontiera jonc iunii emitorului pentru structura tip p-n-p se determin din rela ia: .3) IE IE p  I E n Injec ia purt torilor de sarcin din emitor în baz m re te concentra ia purt torilor minoritari în regiunea bazei.

mic decât curentul emitorului I E cu un ordin-dou . Golurile injectate de emitor în regiunea bazei se apropie de jonc iunea colectorului polarizat indirect. nimerind în câmpul de 8 .

( 2L p ) 2 Cu cât mai multe goluri sunt injectate din emitor în baz . Din aceste considerente curentul I C este propor ional cu curentul emitorului i se nume te p curentul dirijat al colectorului. este o proprietate important a tranzistorului bipolar.5) . Procesul de tranzi ie a purt torilor de sarcin minoritari prin baz este caracterizat de coeficientul de transfer = . În afar de componenta dirijat a curentului colectorului I C p prin electrodul colectorului circul i componenta nedirijat a curentului. numit curentul de scurgere a jonc iunii p-n polarizate indirect. Utilizând rela iile (1.3) i (1. cu atât mai major este curentul colectorului. se ob ine I C p ! K] I E ! E E I E . modificând valoarea curentul de intrare. El este analogic curentului diodei semiconductoare cuplate indirect i de aceea a primit denumirea de curentul de scurgere al colectorului I CB 0 . Aici indicii ÄC´ indic curentul jonc iunii colectorului cuplate indirect.6) Coeficientul E E este numit coeficient integral de transfer al curentului emitorului în circuitul colectorului.5).Coeficientul de transfer depinde de l rgimea bazei WB i lungimea de difuzie a golurilor L p ! I Cp I Ep }1 2 WB .accelerare a acestei jonc iuni i sunt transferate în colector. (1.7) IE IE p IE Posibilitatea de dirijare cu curentul de ie ire al tranzistorului. ÄB´ ± m sur rile au loc în 9 ¡ (1. (1. Dac apel m la rela iile (1.5).3). ceea ce ofer posibilitatea de al utiliza în calitate de element activ în circuitele electronice. În a a mod se formeaz componenta dirijat a curentului colectorului: I C p ! I E  I B rec  I E n ! I E p  I B rec . primim: I I I EE ! C p ! C p ™ E p ! K ™ ] . (1.

(1. Direc iile curen ilor continui i polarizarea tensiunilor de alimentare ce corespund regimului activ sunt prezentate în fig. Procese analogice au loc i în tranzistorul tip n-p-n.schema de cuplare BC.8) poate fi scris în felul urm tor: I C ! E ™ I E  I CB 0 ! E ™ .1.3. iar rela ia pentru curentul colectorului (1.10) determin leg tura dintre curen ii tranzistorului i sunt adecvate pentru oricare din circuitele de conectare.10) Rela iile (1. 0 ± m sur rile au loc pentru I E ! 0 . Direc ia curentului de scurgere a colectorului I CB 0 corespunde cu componenta dirijat a curentului colectorului i de aceea I C ! E ™ I E  I CB 0 . cu unic deosebire c în loc de goluri trebuie s vorbim despre electroni i invers. În circuitele EC i CC (fig.3) curentul de dirijare este curentul bazei.1. (1.8) Curentul I CB 0 în circuitul bazei este orientat invers curentului de recombinare în baz I B rec i curentului de injec ie I n inj (1.8) i (1.9) În circuitul emitorului curentul de injec ie se determin ca suma curentului colectorului I C i curentul bazei I B : IE ! IC  IB . adic pentru regim mers în gol la intrare.

I C  E ™ I C ! E ™ I B  I CB 0 . E 1 (1.11) IC ! ™ IB  ™ I CB 0 ! F ™ I B  I CE 0 .I C  I B  I CB 0 . 1 E 1 E unde: E ! F este coeficientul de amplificare dup curent în schema 1 E 1 de cuplare EC. ™ I CB 0 ! .

10 I B ! I B rec  I CB 0  I n inj . sau curentul de scurgere a tranzistorului bipolar. .componenta 1 E nedirijat a curentului colectorului în schema EC.1  F I CB 0 ! I CE 0 .

Pentru schema CC I E ! F i ™ I B  . Din aceste considerente I E  I B ! I C ! E ™ I E  I CB 0 . iar jonc iunea colectorului direct. Regim de inversie În regim de inversie jonc iunea emitorului este cuplat invers. emitorul i colectorul î i schimb func ia i pozi ia în circuit. 1 I IE ! I B  CB 0 .5. Deoarece suprafa a jonc iunii emitorului este cu mult mai mic decât cea a jonc iunii colectorului i N C N B . 1 E 1 E sau I E ! K I I B  I CE 0 . unde 1 (1.Pentru schema CC curentul de ie ire este curentul emitorului. (1. iar extrac ia purt torilor de jonc iunea emitorului. Practic. în compara ie cu regimul activ. Pentru schema de cuplare BC: I E ! E i ™ I C  I EB 0 .3. I ! 1 E 1.13) unde Ei este coeficientul de transfer invers. în regim de inversie injec ia purt torilor de sarcin este înf ptuit de jonc iunea colectorului. De aceea.12) ! F 1. atunci Ei E .

(1.14) Pentru schema EC I C ! .1  F i I EB 0 .

1  F i I B  .

1  F i I EB 0 . (1.15) 11 .

7) ca func ie de dou argumente pentru I CB 0 ! const . ! EE  IE dI E dI E (1. amplitudinea c rora este cu mult mai mic ca valoarea tensiunii de alimentare.6. indic leg tura dintre componentele respective în curent continuu. y coeficientul M se introduce pentru a lua în considerare procesele în jonc iunea colectorului i.1. Aceast formul arat leg tura dintre componentele curentului de dirijare I E i valoarea curentului de ie ire I C . Rela ia pentru curentul colectorului I C ! E E ™ I E  I CB 0 .16) unde E x este coeficientul diferen ial de amplificare dup curent în schema BC. Coeficientul E este determinat de rela ia E ! ( I C  I CB 0 ) I E . care întotdeauna este mai mare decât E E . unde EIE este parametrul static al regimului activ.7) pentru coeficientul static de amplificare a curentului emitorului E E ! K]M : y coeficientul de injec ie K caracterizeaz eficacitatea jonc iunii emitorului. leg tura dintre curen ii colectorului i emitorului este determinat de rela ia diferen ial (1. Pentru semnale alternative. 12 . M ! 1 . adic dI C ! E E ™ dI E  I E ™ dE E sau Ex ! dI C dE E . y coeficientul de transfer de difuzie = caracterizeaz procesele ce au loc în baz ± difuzia i recombinarea purt torilor de sarcin . Coeficientul diferen ial de amplificare dup curent În rela ia (1.3. de regul .

21) © ¹ 1  EE © e ¹ 1  EE i ª i ª º º EB EB 13 ¦ § ¤ ¥ EB EB ¦ § EB . (1.18) i (1. ¢ £ U EB k (1.5.1. Schema echivalent a tranzistorului bipolar dup modelul Ebers-Moll I E ! I 1  E i I 2 .17) ¨ ¸ I 1 ! I EBC © e  1¹ .20) © ¹ © ¹ ª º ª º U U ¸ ¸ EI EB 0 ¨ k I CB 0 ¨ k ©e © IC !  1¹   1¹ .5). (1. Luând în considerare (1. (1.19) © ¹ ª º unde I EBC i I CBC prezint curen ii de scurgere ai jonc iunilor emitorului i colectorului. (1.18) © ¹ ª º ¨ U ¸ I 2 ! I CBC © e k  1 ¹ .19) rela iile (1. Ei I2 IE E B I1 I2 EI1 IC C Fig.1. bazat pe schema echivalent format din dou diode conectate una în întâmpinarea celeilalte i a dou surse de curent continuu care indic interac iunea dintre aceste diode (fig. m surate în regim scurtcircuit în partea corespunz toare a schemei.7.3.1. I C ! EI 1  I 2 . Modelul Ebers-Moll Leg tura dintre curen ii i tensiunile tranzistorului bipolar pentru cele patru modalit i de cuplare în circuit pot fi studiate cu ajutorul modelului matematic Ebers-Moll.17) pot fi scrise sub forma: ¨ qU ¸ ¨ qU ¸ I E ! I EBC © e kT  1 ¹  E i I CBC © e kT  1 ¹ .

IC ! .

1  E I EB 0 ¨ e qU © kT 1  EE i © ª EB ¸ .

1  E i I CB 0 ¨ qU ¸ © e kT  1 ¹ .1.22)  1¹  ¹ ¹ 1  EE i © º ª º EB 1. Patru modalit i de caracteristici descriu propriet ile oric rui dispozitiv cu trei borne: y caracteristicile de intrare: I Ies ! const I Int ! f . ce arat leg tura între curen ii i tensiunile aplicate la tranzistor.4. Modalit ile caracteristicilor statice Caracteristicile statice indic leg tura func ional între curen ii i tensiunile la bornele tranzistorului bipolar. Caracteristicile statice pentru tranzistorul bipolar 1. (1.4. Pentru fiecare schem de conectare în regim activ exist o familie de caracteristici.

U Int sa . U Ies ! const y caracteristicile de ie ire: I Int ! const I Ies ! f .

U Ies sa U Int ! const

;

y

caracteristicile de transfer:
I Ies ! f

I Int U Ies ! const

;

y

caracteristicile reac iei inverse:
U Int ! f

I Ies I Ies ! const

.

14

1.6.2.4.1. Caracteristicile pentru cuplaj baz comun În cuplaj baz comun (BC) tranzistorul posed urm toarele caracteristici: y familia caracteristicilor de intrare (fig.a) I E ! f .

6.c).6. d) caracteristicile reac iei inverse 15 .U EB U CB ! const .d). Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar.1. a) caracteristicile de intrare. y caracteristicile de transfer (fig. y caracteristicile reac iei inverse (fig. c) caracteristicile de transfer.1.1.6.b) I C ! EI E  I CB 0 .6. b) caracteristicile de ie ire. adic (I E ! const . UEB UEB=0 UEB0 y IC IE Regim de satura ie IE IE=0 Regim de blocare a) IC UEB0 UEB=0 b) IC IE UCB IE UCB c) d) Fig. familia caracteristicilor de ie ire(fig. varia ia curentului colectorului trebuie s fie constant la transferul de la o caracteristic la alta.1.

ob inem rela iile pentru caracteristicile de intrare idealizate: U EB ! f .Referindu-ne la modelul Ebers-Moll i rezolvând ecua ia (1.20) fa de U EB .

¨ qU CB ¸» kT « I E ln ¬  1  E© e kT  1 ¹ ¼ .I E U EB ! U CB ! const .21): ¨ UCB ¸ I C ! EI E  I CB 0 © e k  1 ¹ .24) © ¹ ª º I CB 0 ! I CBC . (1. (1.23) prezint caracteristica de intrare a tranzistorului cuplat în circuitul BC. Rela ia pentru caracteristicile de ie ire sunt ob inute utilizând (1.23) © ¹ q ¬ I EB 0 ¼ ª º½ ­ Rela ia (1.

I EB 0 ! I EBC .1  EE i .

1  EE i . Concomitent cre te gradientul de concentra ie a purt torilor de sarcin “p i “ n în baza tranzistorului i se m re te valoarea curentul de difuzie I E (fig. din cauza c ruia cu majorarea tensiunii U CB a jonc iunii colector. Drept rezultat. Dependen a pozi iei caracteristicilor de intrare. grosimea bazei WB devine mai mic . ¨ © 16 . grosimea stratului cu concentra ie redus a purt torilor de sarcin se m re te.1. Frontiera jonc iunii colectorului se deplaseaz în direc ia jonc iunii emitorului. unde: E este coeficientul de amplificare a curentului emitorului în regim activ. caracteristicilor de transfer i caracteristicilor de reac ie invers în func ie de valoarea tensiunii aplicate pe colector se explic prin efectul de modulare a grosimii bazei.7).coeficientul de amplificare a curentului colectorului în regim de inversie. invers polarizat . Ei .

tensiunea pe emitor trebuie mic orat .6. La m rirea modulului tensiunii de ie ire U CB curentul de intrare I E în schema cu baz comun cre te. De aceea pentru unul i acela i curent al emitorului. Prezen a curentului I C în circuitul colectorului când U CB ! 0 (fig. În caz ideal caracteristicile de ie ire trebuie s fie paralele axei tensiunii U CB . Apoi purt torii sunt accelera i de câmpul electric al jonc iunii. 17 . 1. Devierea caracteristicii este datorat efectului de modulare a grosimii bazei. coeficientul E tinde spre zero i curentul colectorului tot este aproape de zero. pentru U CB ! 0 . În baz are loc deplasarea purt torilor de sarcin prin procedura de difuzie spre jonc iunea colectorului dirijat de gradientul de concentra ie. Efectul de modulare a grosimii bazei Efectul de modulare a grosimii bazei provoac apari ia reac iei interne în tranzistor. odat cu cre terea tensiunii pe colector.1.pn IE UEB IC d d { U Cd 0 U C ! 0 pn 0 UCB x dx WBd 2 WBd x1 Fig. Îns la un nivel major de injec ie ( pn " N P ).b) prezint o particularitate a caracteristicilor de ie ire pentru tranzistorul bipolar cuplat în schema BC. asigurat de interac iunea jonc iunilor.7.

1.a) U BE ! f .1.1.8. deoarece în acest caz curentul bazei este argument pentru caracteristicile de intrare i caracteristicile de transfer i ca parametru pentru celelalte.8 i fig. În fig. Caracteristicile pentru cuplaj emitor comun Cele mai întrebuin ate sunt caracteristicile tranzistorului bipolar în cuplaj emitor comun (EC).12 sunt prezentate familiile de caracteristici pentru tranzistorul bipolar cuplat în schema EC: y familia caracteristicilor de intrare (fig.1.4.3.

y familia caracteristicilor de ie ire (fig.I B U CE ! const .1.8.b) I C ! f .

U CE I B ! const . 1.a) I C ! f . y familia caracteristicilor de transfer dup curent (fig.12.

y familia caracteristicilor de reac ie invers (fig. 1.12.b) U BE ! f .I B U CE ! const .

fig. I B ! const Forma de evantai a caracteristicilor de intrare este condi ionat de efectul de modulare a grosimii bazei.a). Tensiunii mai mari pe colector îi corespunde o grosime mai mic a bazei. curentul bazei este aproximativ de dou ori mai mare decât în regim activ. deoarece jonc iunile emitorului i colectorului sunt conectate paralel la sursa de alimentare U EB . Pentru cazul când avem scurtcircuit la intrare ( U CE ! 0 .9.1. 18 . 1.U CE .9. a a cum este ar tat în fig. Rezult o probabilitate mai redus de recombinare a purt torilor în baz i un curent I B mai mic.

10). deoarece pentru U CE U BE jonc iunile emitorului i ale colectorului sunt polarizate direct (fig.1. Caracteristicile de intrare i ie ire în cuplaj EC Regiunea caracteristicilor de ie ire din fig. corespunde regimului activ limitat de parametri electrici maximi permi i: I C max .b ce se afl în interiorul grani ei ha urate.UBE UtCE Ud IC ICmax Regim de satura ie IV   UCE=0 I IV d d I Bd d I Bd d IB UCEmax PCmax IB a) IB=0 Regim de blocaj UCB b) Fig. 1. Por iunea cu pant înalt a caracteristicii de ie ire corespunde grani ei între regimul de satura ie i regimul activ. U BE { 0 19 .8.8. Conectarea jonc iunilor p-n pentru U CE ! 0. PC max . adic U CP ! U BE  U CE . IC  I  p n JE JC UBE a) b) p U E Fig.1.9. Conectarea jonc iunilor p-n pentru U CE { 0.1. U CE max .10. U BE { 0 IC IB UBE p n p UCE JE UCE UBE JC Fig. 1.

b .1.8. unde curentul colectorului este determinat conform rela iei IB ! 0 I C ! F ™ I B  . corespunde regiunii ce se afl sub caracteristica de ie ire pentru I B ! 0 . ilustrat în fig.Regimului de blocaj.

F  1 I CB 0 . I CE 0 ! .

F  1 I CB 0 În schema EC pentru circuitul deschis ( I B ! 0 ) curentul de scurgere în circuitul colectorului I CE 0 este de .

Aceasta se explic prin conectarea direct a jonc iunii emitorului.1. 1.12.11.11.1. grosimea bazei se mic oreaz . Caracteristicile de transfer (a) i de reac ie invers (b) pentru tranzistorul bipolar în cuplaj EC 20 . Cu majorarea modului tensiunii aplicate la colector. Conectarea jonc iunilor în cuplaj EC IC d d U EC d d d U EC " U EC d d d U EC " U EC UBE a) b) IB I BIV d d I Bd d I Bd d IB UCE Fig. probabilitatea recombina iei purt torilor de sarcin scade i curentul bazei se mic oreaz . Curentul bazei r mâne constant la m rirea tensiunii aplicate la baz tranzistorului. C p ICE0 UCE UBE IB=0 E JC JE n p UBE Fig.1. a a cum este prezentat în fig.12) reflect ac iunea efectului de modulare a grosimii bazei. Caracteristicile de transfer i reac ie invers (fig.F  1 ori mai mare decât curentul invers al colectorului I CB 0 .

13. Reprezentarea tranzistorului ca cuadripol Sub curen i i tensiuni se subân eleg dependen e de tipul (1.5.  I 2  I1  U1  I2  U2  U1  I1 B C  U2 E Fig.13). L) i generatoare echivalente de tensiune electromotoare sau curent.1. Tranzistorul ca cuadripol activ Varia iile mici ale tensiunii pe jonc iunile tranzistorului aduc la schimb ri liniare în valoarea curen ilor i tranzistorul devine cuadripol liniar activ.25) i. 1. Perechii de borne de ie ire îi   corespunde curentul I 2 i tensiunea U 2 . Sistemul de parametri diferen iali ai tranzistorului bipolar 1. ce posed dou perechi de borne (fig. Perechii de borne de intrare îi corespunde   curentul I1 i tensiunea U 1 .1. C. Cuadripol activ este numit circuitul electric format din elemente pasive (R.5.Caracteristicile statice permit de a determina parametrii de baz ai tranzistorului bipolar i sunt utilizate pentru calculul etajelor de amplificare în circuitele electronice cu tranzistoare.1.

t ! I m sin.

.[t  N .

t ! U m sin.

! I e  j.[t  ] .

U ! U e  j.[ t  N .

21 .1.  (1.[t ] . care sunt prezentate în tab.26) I m m Exist ase sisteme posibile de ecua ii pentru descrierea tranzistorului bipolar ca cuadripol.2.

e ± parametrii tranzistorului în cuplaj EC. (1. U 2 U1 . H    ® 1 ! 11I 1  12I 2 U . U1 Cele mai întrebuin ate în practic sunt trei sisteme de parametri i anume: Z. De aceea parametrii diferen iali se noteaz cu indici suplimentari: b ± parametrii tranzistorului în cuplaj BC. (1. Y.c ± parametrii tranzistorului în cuplaj CC. (1. U1 I 2. Între sistemele de parametri Z i H exist o interdependen . Valorile numerice ale parametrilor diferen iali ai tranzistorului ca cuadripol depind de schema de conectare. U 2 U2 . Transferul de la un sistem la altul este u or de efectuat conform rela iilor din tab. 22 . I 2 U1 . De aceea sistemul de parametri H este cel mai comod pentru m sur ri. U 2 I 2.2 Sisteme de ecua ii pentru descrierea tranzistorului Argumentul Func iile I1. I 2 I 1 . U 2 I 1 . U 2 I1. Y.28) ¯   I °2 ! Y21 U 1  Y22 U 2    ® 1 ! H 11U1  H12 I 2 U .Tabelul 1. I 2 I1. la intrarea tranzistorului în circuitul bazei se conecteaz un rezistor cu rezisten înalt .3. I1 U1 . I 2 U1 . Rezisten a jonc iunii emitorului polarizat direct este mic i pentru ob inerea st rii de mers în gol.29) ¯   I ° 2 ! H 21I 1  H 22 U 2 Parametrii diferen iali (Z.1.27) ¯   U ° 2 ! 21I1  22 I 2    ®1 ! Y11 U1  Y12 U 2 I . H) sunt determina i din condi iile mers în gol sau scurtcircuit dup curent alternativ în dependen de sistemul de parametri.

4 Parametrii H pentru diferite scheme de conectare H11e ! H 21e H11b 1  H 21b H 21b ! 1  H 21b H12e ! H11b H 22b  H 21b 1  H 21b H 22 b H 22e ! 1  H 21b H 12c ! H 21e  1 H 22c ! H 22e H 11c ! H 11e H 21c ! H 21e  1 23 .Y. sunt prezentate rela iile de baz pentru parametrii H la conectarea tranzistorului EC i BC.4. Tabelul 1.3 Leg tura dintre parametrii Z.H ?Z A ?ZA Z 11 Z 21 Z 22 (Z Z  21 (Z ( 22 ?Y A Y22 (Y Y  21 (Y Y11 Y21 1 Y11 Y21 Y11  Y12 (Y Y11 (Y ?H A (H H 12 H 22 H 22 H 1  21 H 22 H 22 1 H  12 H11 H 11 H 21 (H H11 H 11 H 11 H 21 H 12 H 22 Z12 Z 22  Z12 (Z Z11 (Z 12 22 ?YA Y12 Y22  Y12 Y11 (Y Y11 ?H A  21 22 1 22 În tab.Tabelul 1.1.

30) sau (1. (1.30) sau (1. când tranzistorul nu introduce defazaj între curent i tensiune. I m1 U m 2 ! 0 (I 1 (U 2 ! 0 (1. (1. utilizând rela ia (1.Tabelul 1.30) ¯ I ° m 2 ! h 21I m1  h 22 U m 2 Sistemul de ecua ii (1.4 (continuare) H11b ! H 21b H 11e 1  H 21e H 21e ! 1  H 21e H12b ! H11e H 22 e  H 21e 1  H 21e H 22e H 22b ! 1  H 21e La frecven e joase.31) ¯ ( ° I 2 ! h 21 (I 1  h 22 ( U 2 Pentru determinarea parametrilor 11 i 21 la ie irea cuadripolului asigur m regim scurtcircuit dup curent alternativ ( U m 2 ! 0 sau (U 2 ! 0 ) i.30) poate fi scris sub forma: (U 1 ! h 11(I 1  h 12 (U 2 . (1.32) ! h 11 ! m1 I m1 U m 2 ! 0 (I 1 (U 2 ! 0 h 21 !   (I Im2 ! 2 .31).34) ! h 12 ! m 1 U m 2 I m1 ! 0 ( U 2 (I 1 ! 0 24 .33) Pentru determinarea parametrilor h12 i h 22 la intrarea cuadripolului asigur m regim mers în gol dup curent alternativ ( U m1 ! 0 sau (U1 ! 0 ) i. ob inem: (U 1 U . parametrii H complexi sunt substitui i cu valori reale U m 1 ! h 11I m1  h 12 U m 2 . ob inem: (U 1 U .31). utilizând rela ia (1. (1.

Pentru simplificarea calculelor se introduc schemele echivalente formale. ! U m 2 I m1 ! 0 (U 2 (I 1 ! 0 (1. când la intrarea tranzistorului este asigurat regim mers în gol. Avantajele sistemului de parametri h se explic prin comoditatea determin rii lor experimental i întrebuin area pe larg pentru proiectarea diverselor rezolv ri tehnice ce utilizeaz tranzistoare bipolare. Schemele formale pentru substituirea tranzistorului Descrierea propriet ilor tranzistorului pentru semnale alternative cu amplitudini reduse cu ajutorul ecua iilor cuadripolului nu este comod la calculul schemelor practice. 22 I 2 .conductibilitatea de ie ire pentru regim mers în gol la intrarea cuadripolului ?Sm A.5. 25 .coeficient de reac ie invers dup tensiune. Acest sistem permite prin m surarea nemijlocit s determin m cel mai important parametru al tranzistorului ± coeficientul de amplificare dup curent. Pentru sistemul de parametri Z.2.h 22 ! (I 2 Im 2 .35) Coeficien ii 12 i 22 exprima i în a a mod. 1. putem scrie ®1 ! U ¯ U °2! 11 I 1 21 1   I  12 I 2 .36)  Tensiunea de intrare U 1 prezint suma c derilor de tensiune  !   Ud 11I 1 pe impedan a la circula ia curentului I1 i 1 11 d  tensiunii generatorului cu impedan a diferit de zero Ud 12 I 2 .   (1.1. adic influen a curentului de ie ire asupra circuitului de intrare (fig. h22 .14). au urm toarele denumiri i unit i de m sur : h12 . 1 ! care indic reac ia invers în tranzistor. Fiec rui sistem de parametri îi corespunde o schem echivalent .

Schema formal de substituire a tranzistorului în sistemul de parametri Y 26 . ¯   I °2 ! Y21 U1  Y22 U 2   !  Curentul de intrare I1 este format din curentul Id Y11 U 1 ce 1 d  circul prin admitan a Y11 i curentul generatorului Id Y12 U 2 . Curentul de   !  ie ire I 2 este format din curentul generatorului Id Y21U 1 ce 2 caracterizeaz propriet ile de amplificare ale tranzistorului i d  curentul Id Y22 U 2 . Schema formal de substituire a tranzistorului în sistemul de parametri Z  Tensiunea la ie ire U 2 este determinat de tensiunea  !  generatorului Ud 21I 1 care arat propriet ile de amplificare ale 2 d  tranzistorului i c derii de tensiune Ud 22I 2 pe impedan a de 2 ! ie ire a tranzistorului Z 22 .1.15).15.14. 2 !  I1 d  I 1d Y11U 1 ! !  I 1d Y12U 2 !  d I 2d Y22U 2   d I 2 ! Y21U 1 Y22  I2  U2  U 1 Y11 Fig. care circul prin admitan a de ie ire. putem scrie    I1 ! Y11U 1  Y12 U 2 . Subliniem c impedan a generatorului  !   cu tensiunea Ud Z 21I 1 pentru curentul I 2 este egal cu zero.1. 1 ! care determin reac ia invers în tranzistor (fig. I1 Z 11 Z 22  I2  U1 !  U 1d Z 11 I 1 d  U 1d Z 12 I 2 ! d  U 2d Z 22 I 2  ! U2  !  Ud Z I 2 21 1 Fig.1. 2 Pentru sistemul de parametri Y.

2 ! Subliniem c admitan a H 22 nu este egal cu admitan a Y22 . Pentru aceasta se folose te metoda grafic .16. 1. În fig.5.18 este ar tat metoda grafic care permite 27 .  I1 H 11 !  d I 2d H 22U 2   d I 2 ! H 21U 1  I2  H 22 U 2  U1 !  U 1d H 11 I 1 d  U 1d H 12 I 2 ! Fig.1.în regim de scurtcircuit la intrarea cuadripolului. deoarece H 22 este determinat în condi ii de mers în gol la intrarea cuadripolului. 2 21 1 22 2 Tensiunea de intrare prezint suma c derilor de tensiune d H I pe impedan a de intrare H i tensiunea generatorului U 1 ! 11  1 11 d H U .1.Pentru sistemul de parametrii H sau h putem scrie    ® 1 ! H 11 U1  H 12 I 2 . 1. care caracterizeaz reac ia invers în tranzistorul  U 1d 12 2 ! bipolar (fig. U ¯   I ° !H I H U .1. iar Y22 .16).3.17 i fig. Determinarea parametrilor diferen iali ai tranzistorului dup caracteristicile statice Parametrii diferen iali sunt determina i pentru punctul de func ionare stabilit ini ial cu utilizarea familiilor de caracteristici statice de intrare i ie ire ale tranzistorului bipolar. Schema formal de substituire a tranzistorului în sistemul de parametri H  !  Curentul de ie ire I 2 prezint suma curen ilor Id H 21I 1 ce 1 caracterizeaz propriet ile de amplificare ale tranzistorului i d  curentul Id H 22 U 2 care circul prin admitan a de ie ire H 22 .

Pentru schema EC rela ia (1.30) poate fi scris sub forma U B ! h 11e I B  h 12e U C . (1. conform (1.26). I m ! (I B . ¯ I ° mc ! h 21e I mb  h 22e U mc .38) Pentru amplitudinile tensiunilor rela iilor (1.37) i curen ilor. (1.1. U mc ! (U CE . ¯ I ° C ! h 21e I B  h 22e U C .17. h11e ! h 12e !   d d I Bd U CE (U BE . I mc ! (I C . IC (I C (I C d" d d d d I Bd I B " I B Ad Bd D B O Dd (U CE (U CE A d IB d d IB Fig. (I B U CE ! const (U BE . putem scrie:  U mb ! h 11e I mb  h 12e U mc . Determinarea parametrilor h 22e i h 21e dup caracteristicile de ie ire Substituind amplitudinile mici ale curen ilor i tensiunilor pentru semnalele variabile cu devieri finite ob inem U mb ! (U BE . (U CE U B ! const 28 .25).determinarea parametrilor h ai tranzistorului bipolar în punctul de func ionare definit O.

Apoi determin m media aritmetic a acestui parametru. Din punctul dat O se traseaz o linie vertical pân la intersec ia cu caracteristica de sus în punctul D i cu cea de jos ± în punctul D¶. Determinarea parametrilor h 11e i h 12e dup caracteristicile de intrare În fig. 29 . d ie ire ce corespunde curentului bazei Id B h 22e ! (I C (U CE I B ! const . ( I B U CE ! const (I C .1.17. lâng punctul O sunt construite dou triunghiuri mici OAB i OA¶B¶ cu valori echivalente pentru (U CE .18. (U CE I B ! const d d U CE d d d U CE d U CE B IB d U CE d d d d d (U CE ! U CE  U CE (U CE ! 0 d d U CE d d d U CE Ad O A Bd U BE (I B (I B (U BE (U BE Fig.h 21e ! h 22e ! (I C !F. ipotenuza c rora o prezint caracteristica pentru curentul continuu al bazei d I B ! Id Din fiecare triunghi determin m conductibilitatea de B .1.

Apoi din fiecare triunghi g sim parametrii i calcul m media lor aritmetic . H se numesc externe deoarece ele se m soar la bornele cuadripolului i m rimile acestor parametri depind de schema de conectare a tranzistorului. se modific doar pozi ia în schema echivalent . h 12e ! 12 e . De exemplu. 12 e d d d CE d 2 Ud  Ud Ud  Ud CE CE CE 1. 21 e d d d d Id Id Id Id B  B B  B Apoi calcul m media aritmetic pentru parametrul dat d hd  hd 21e .6. La analiza func ion rii circuitelor o întrebuin are deosebit au ob inut-o parametrii fizici ai tranzistorului. lega i de procesele fizice care au loc în tranzistor i care nu depind de schema de conectare.18). La trecerea de la o schem de conectare la alta m rimile numerice ale parametrilor fizici nu se modific . Pe grafic determin m punctul dat O ce corespunde m rimilor U CE i I B asem n tor cu cel din desenul cu caracteristicile de ie ire.Pentru fiecare segment (OD i OD¶) se determin h 21e ! F hd ! 21 e parametrul d d . pentru coeficientul de reac ie invers h 12e hd ! 12 e d hd  hd OA OA d 12 e d . Utilizându-se ace ti parametrii. poate fi alc tuit schema echivalent fizic a tranzistorului la semnale mici. Schemele echivalente ale tranzistorului la frecven joas Sistemele de parametri diferen iali Z. h 21e ! 21e 2 Parametrii h 11e i h 12e se determin dup caracteristicile de intrare ale tranzistorului (fig.1. 30 . hd ! . În apropierea punctului O se construiesc dou triunghiuri mici OAB i OA¶B¶. Y. hd ! .

I E . se ob ine ( U E ! xU E .curentul jonc iunii emitorului. Curentul jonc iunii emitorului polarizate direct se determin conform rela iei U ¨ k ¸ I E ! I E0 © e  1¹ .026 . În a a mod. U C .6. ( I E ! xI E . kT q } 0. rE ! xU E . (U E .tensiunea între colector i baz .39) © ¹ ª º unde I E 0 este curentul de scurgere al jonc iunii emitorului. xI E ( U C ! 0 unde: U E este tensiunea între emitor i baz .1. rE ! (I E (U C ! 0 Dac substituim devierile curen ilor i tensiunilor cu echivalent diferen ial. când în circuitul colectorului este asigurat regim de scurtcircuit dup curent alternativ. (1. pentru rezisten a diferen ial a jonc iunii emitorului.1. ( U C ! x U C . putem scrie: E qU ¨ ¸ 1 « xU E » q qI E © I E 0e kT ¹ ™ !¬ ¼ !© ¹ kT } kT . rE ­ xI E ½ ª º T ! 300 K . Rezisten a diferen ial jonc iunii emitorului i capacitatea Rezisten a diferen ial a jonc iunii emitorului rE se determin ca rela ia dintre tensiunea aplicat pe jonc iunea emitorului (U E i curentul emitorului (I E .

40) . ?. qI E I E .V i Pentru diferen ial a jonc iunii emitorului este mic kT 26 mA rE } } . A . ?mA A E 1 31  1 rezisten a (1.

Rezisten a diferen ial i capacitatea jonc iunii colectorului Rezisten a diferen ial a jonc iunii colectorului rC se determin ca rela ia între tensiunea aplicat pe jonc iunea emitorului (U C i curentul colectorului (I C . în general. Curentul colectorului I C circul prin jonc iunea colectorului polarizat indirect i depinde slab de tensiunea aplicat la colectorul U C . ). ( U E ! xU E . De exemplu. rC ! (I C (I E ! 0 Se efectueaz trecerea: ( U C ! x U C .curentul jonc iunii emitorului. Cu modificarea valorii tensiunii aplicate pe colectorul U C frontiera jonc iuni colectorului se deplaseaz . 1. xI C ( I E ! 0 (1.2. când în circuitul emitorului avem mers în gol dup curent alternativ (U C .6.curentul colectorului. în schema echivalent fizic m rimea CE poate fi neglijat . La frecven joas . Rezisten a diferen ial a jonc iunii colectorului este determinat . capacitatea jonc iunii emitorului polarizat direct ( CE ) la frecven joas este untat de rezisten a rE i influen a ei asupra func ion rii tranzistorului este nesemnificativ .41) unde: U C este tensiunea între colector i baz .1 M . de efectul de modulare a grosimii bazei i de curentul de scurgere. Din cauza valorii mici a rezisten ei rE . Jonc iunea de parc 32 . I C . rC ! xU C .I E ! 1 mA i ! 300 K . pentru rE ! 26 Ohm . M rimea rC este major (de obicei rC " 0. I E . ( I C ! x I C .

Cum arat d calculele. ! C ! IE ! IE } xU C xWB xU C rC xU C (I E ! 0 (1.42) Jonc iunea colectorului polarizat indirect posed capacitatea CC care este determinat de raportul dintre modificarea valorii sarcinii spa iale în jonc iune i valorii tensiunii colectorului când în circuitul emitorului este asigurat regim mers în gol.1. la dependen a coeficientului de amplificare dup curent E de tensiunea aplicat pe jonc iunea colectorului. de aceea cu majorarea frecven ei aceast capacitate are o influen considerabil asupra func ion rii tranzistorului.7).6. conduce la dependen a coeficientului de transfer de difuzie a golurilor = i. Rezisten a de volum a bazei Materialul semiconductor din regiunea bazei i contactul d ohmic al bazei posed o oarecare rezisten rB . De obicei capacitatea colectorului CC este cu mult mai mic decât capacitatea jonc iunii emitorului polarizat direct CE . Îns capacitatea CC unteaz o rezisten mai mare ( rC ). la rândul s u. Aceasta condi ioneaz majorarea total a rezisten ei diferen iale a colectorului rC . Drept rezultat al modific rii valorii E (când I E ! const ). ce poart un caracter de difuzie xI xE xE 1 xWB .s-ar mi ca în întâmpinarea golurilor la majorarea tensiunii U C i se retrage la mic orarea ei (fig.3. valoarea rezisten ei bazei rB poate fi determinat conform rela iei 33 . prin urmare. Aceasta. cu schimbarea tensiunii pe colector se modific i valoarea curentul colectorului I C . În rezultat. gradientul concentra iei golurilor din baz cre te la mic orarea grosimii bazei i descre te la m rirea grosimii bazei. Respectiv se modific viteza mi c rii de difuzie a purt torilor minoritari din baz i num rul de goluri ce recombin în procesul mi c rii de difuzie de la emitor spre colector. 1.

mobilitatea purt torilor majoritari în baz . deoarece aceast tensiune este distribuit între d jonc iunea emitorului i rezisten a rB . WB grosimea bazei. de aceea circuitul bazei este caracterizat de rezisten a total : d d . Schema echivalent pentru cuplaj baz comun Utilizând parametrii analiza i anterior. N x . Îns aceste considera ii nu ne dau precizia necesar i necesit introducerea rezisten ei ad ug toare d . Efectul  de transfer al curentului emitorului I în circuitul colectorului pe E schema echivalent este indicat sub form de generator de curent  EI E . Conform legilor fizice.43) rB ! rB  rBd d rB ! 1. În schema echivalent jonc iunile emitorului i colectorului sunt reprezentate prin rezisten ele lor diferen iale rE i rC . d Introducerea rezisten ei rB în circuitul bazei ia în considerare reac ia intern în tranzistor i influen a modula iei grosimii bazei asupra curentului emitorului.6.1.1 . 8TqQ n N x WB unde: q este sarcina electronului. Q n . (1. rBdnumit de difuzie. unde E prezint coeficientul de transfer al curentului 34 .19. rezisten a bazei trebuie redus la minim.4. Cu majorarea valorii grosimii bazei i concentra iei impurit ilor rezisten a de volum a bazei se mic oreaz . Acest circuit echivalent este prezentat în fig. Pentru majorarea eficacit ii emitorului i mic orarea pierderilor de putere a semnalului de intrare. poate fi construit schema echivalent în T de conectare a tranzistorului cu baz comun .concentra ia donorilor în baz . Majorarea d rB m re te pierderile în circuitul de intrare. ceea ce mic oreaz d eficacitatea emitorului. majorarea rB trebuie s mic oreze curentul emitorului pentru tensiune constant între emitor i baz .

19. Prezen a rezisten ei rB în circuitul 35 . trebuie orientat spre punctul Bd Pentru direc ia invers a curentului emitorului (tranzistor tip p-n-p) polaritatea  generatorului EI E este invers . În schema echivalent . Trebuie de remarcat  c rezisten a intern a generatorului de curent EI E pentru curentul  de ie ire I C tinde spre infinit. direc ia pozitiv a curentului EI E .1.1. coeficientul de transfer dup curent E este socotit independent de efectul de modulare a grosimii bazei. Polaritatea relativ a curentului generatorului EI E în schema echivalent este determinat de sensul pozitiv al curentului emitorului. CC  EI E  IE rE Bd rB rC  IC E  UE C  UC B B Fig. prezentat în fig. unde direc iile pozitive ale curen ilor i tensiunilor corespund celor reale în tranzistorul bipolar tip n-p-n.20).1. De aceea orientarea curentului emitorului condi ioneaz direc ia tuturor curen ilor r ma i a a cum este ar tat în fig. emitorului.19.19.1. Schema echivalent a tranzistorului tip n-p-n  cu generator de curent EI E la conectare BC  În cazul orient rii curentului emitorului I E de la punctul Bd spre punctul E (ceea ce corespunde curentului emitorului real în  tranzistorul bipolar tip n-p-n). În schema echivalent a tranzistorului tip p-n-p direc iile curen ilor vor fi inverse (fig. Legea descris este determinat de procedeele fizice care au loc în tranzistor.

1.1. unde rG este rezisten a ce reflect propriet ile de amplificare ale tranzistorului.1.20. Ea este utilizat pe larg în calculul ingineresc.1. Uneori este mai comod de utilizat schema echivalent în care  în locul generatorului de curent EI E func ioneaz generatorul  echivalent de tensiune I ErG . un num r minim de elemente i reflect procesele fizice ce au loc în tranzistorul bipolar real.19 i fig.19.1.44) 1.1.1. con ine un generator de curent EI E .1. Schema echivalent a tranzistorului tip p-n-p  cu generator I ErG (conectare BC) Echivalen a regiunilor din schem Bd C pentru fig. rG ! ErC . Schema echivalent fizic a tranzistorului bipolar. Schema echivalent pentru conectarea emitorului comun Schemele prezentate în fig. (1. Aceast schem este prezentat în fig. rezult din egalitatea c derilor de tensiune create de  curentul EI E pe rezisten a rC (fig.5.20 r mân valabile 36 .6.bazei eviden iaz leg tura intern în tranzistorul bipolar i influen a modul rii bazei asupra curentului emitorului. prezentat  în fig.1.20.20) E G   EI E rC ! I E rG .20. CC  IE rE Bd  IB rB rC  I E rG  IC E  UE C  UC B B Fig.19) i tensiunea generatorului  I r (fig.19 i fig.

C care este determinat ca suma c derilor de tensiune pe rezisten a   rC din cauza curen ilor EI E i I C      .pentru conectarea tranzistorului cu EC. 1. dac bornele de intrare de schimbat cu locul a a.  În astfel de circuit curentul generatorului EI E este comod de   înlocuit prin curentul bazei I B i nu prin curentul emitorului I E .  Pentru aceasta este analizat tensiunea U Bd între punctele Bd C.21. cum este ar tat în fig.

1. unde F coeficientul de transfer al curentului bazei la conectarea tranzistorului dup schema EC. Schema echivalent a tranzistorului tip p-n-p  cu generator EI E (conectare EC)    Din cauz c I E ! I C  I B .21. Z C rC CC  EI E  IB rB Bd  IE rE rC  IC (1.45) BC C C C E C C E unde 1 1 !  j[ C C . tensiunea între punctele Bd.I  EI . E ! F /(1  F ) .46) B  UB C  UC E E Fig.C poate fi scris sub forma  U Bd ! C C « F   » ¬I C  1  F I C  I B ¼ ! ­ ½ . U d!I  EI ! (1.

! Z C ¬I C © 1  ¹ I © ¹ 1  F IB ¼ ! 1  F . « ¨ F ¸ ZC  F »  .

47) 37 . C  FI B 1 F º ª ½ ­ (1.

Introducem nota ia (1.47) cap t forma    U Bd ! Z CE .48).48) ! C /(1  F ) . Dac lu m în considerare (1. rela ia (1.

45) i (1. (1. C  F I B . I (1.49). putem scrie r * rC ! C .50) 1 F C* ! C C . direc ia  generatorului de curent F I B trebuie s coincid cu direc ia  generatorului de curent EI E .C la înlocuirea   generatorului de curent EI cu generatorul F I .46) i (1.49) C unde Z CE este impedan a în punctele Bd . Impedan a Z CE posed componente activ i reactiv 1 1 ! *  j[ C* . unde între punctele  Bd C este conectat generatorul de curent F I B . CE E B Cum se observ din rela iile (1.48) pentru schema echivalent a tranzistorului bipolar cuplat EC. C Z CE rC Luând în considerare rela iile (1.

51) C CC .1  F . (1.

 F 1  FI B  IB rB Bd  IE rE rC 1 F  IC CC .

Schema echivalent a tranzistorului tip n-p-n  cu generator de curent F I B i generator de  * tensiune I B rG (conectarea EC) 38 .22.  F 1  * I E rG B  UB C  UC Bd rC 1 F C E E Fig.1.

Rolul parametrilor h în schema echivalent i calculul lor Utilizarea schemelor echivalente pentru analiza circuitelor electronice permite de a ob ine leg tura dintre procesele fizice care au loc în tranzistor i parametrii circuitelor.22.51) permit de a trece de la schema prezentat în fig. (1.1. Uneori în schema echivalent de conectare a tranzistorului cu  emitor comun în locul generatorului de curent F I B se folose te  * generatorul de tensiune I B rG .50). se determin din rela ia * * rG ! F rC .49).. Partea r mas a schemei r mâne * neschimbat . 1.7. 1. (1.1. Aceasta este posibil dac sunt cunoscute m rimile fizice ale parametrilor tranzistorului în circuitele prezentate în fig.1.16) i schema echivalent fizic a tranzistorului tip n-p-n conectat cu emitor comun (fig.19 i fig.1.22). * rezisten a rC este de zece ori mai mic ca rC . Îns constanta de timp a jonc iunii colectorului r mâne aceea i pentru ambele scheme de conectare. Cum se observ din analiza schemelor formale de înlocuire a tranzistorului (fig.1.1.C.1. În schema din fig.. iar capacitatea C* C tot de atâtea de ori este mai mare ca CC .1.7.21 la schema tranzistorului cu generator de  curent F I B (fig.Rela iile (1.22) direc iile pozitive ale curen ilor i tensiunilor coincid cu direc iile m rimilor de intrare i ie ire pentru schemele formale. Rezisten a generatorului rG . În fig.14.22 direc ia curentului  generatorului F I B este aceea i ca i în schema cu baz comun . ce determin propriet ile de amplificare ale tranzistorului. Leg tura dintre parametrii fizici ai tranzistorului i parametrii h 1.22 este ar tat por iunea de schem între punctele Bd. 39 .fig.1.

(1. ¯ I ° mc ! h 21e I mb  h 22e U mc .38) U mb ! h 11e I mb  h 12e U mc . adic U mc ! 0 . ! i schema echivalent .37).22. * * rE  rC rE  rC » « r r* U mb ! I mb ¬rB  E C * . În presupunere c tensiunea de ie ire în aceast schem este egal cu zero. tensiunea la intrare poate fi determinat ca " " U m ! I m rB  I merE ! I m rB  I m " " " * * rErC rErC  FI m .Pentru determinarea rela iilor de leg tur între parametrii fizici i parametrii h ai tranzistorului este necesar de a analiza concomitent sistemul de ecua ii a parametrilor h (1. prezentat în fig.1.

ob inem r r* h 11e ! rB  E C * .1  F ¼ .52). rE  rC ½ ­ Dac compar m rela iile (1.38) i (1.

rE  rC (1. ob inem formula de Luând în considerare faptul c rE leg tur a parametrului h 11e cu parametrii fizici: (1.1  F .53) * rC .52) (1.54) h 11e ! rB  rE .

Parametrul h 12e se define te în schema din fig.55) . Pentru U mc ! 0 . Din aceste considerente 40 # # h 12e ! Um rE . ob inem * * F I mb rC ! I mc (rE  rC ) . ! * U mc I m ! 0 rE  rC (1. adic Coeficientul de transfer dup curent al tranzistorului cuplat EC se determin cu ajutorul ecua iei lui Kirghoff pentru circuitul colectorului din schema echivalent (fig.1  F .22) * * U mc  F I mb rC ! I mc (rE  rC ) .1.1.22 ca divizor * de tensiune format de rezisten ele rE i rC dac I mb ! 0 .

Rezolvarea concomitent a ecua iilor (1.58) 1. h 21e } F .54) i (1.53).57) Rela iile (1. presupunând c amplitudinea curentului bazei este egal cu zero ( I mb ! 0 ). Determinarea parametrilor fizici dup parametrii h În practic apare problema invers ± dup parametrii h cunoscu i de determinat parametrii fizici ai tranzistorului bipolar. h 11b ! E .. h11b ! rB 1 .7. h 22 b ! . * U mc I mb ! 0 rE  rC rC (1. Din rela ia (1.57) fa de m rimea rE primite de a ob ine formula de calcul pentru rezisten a jonc iunii emitorului h rE ! 12e .55).59) h 22e Remarc m c formula dat poate fi utilizat doar în cazul când coeficientul diferen ial de reac ie invers h 12e posed o 41 ..2. Analogic putem ob ine leg tura dintre parametrii fizici i parametrii h ai tranzistorului ± cuadripol în schema de cuplare BC h 11b ! rE  rB (1  E ) . (1.h 21e ! * F rC I mc ! . rC rC (1. * I mb U mc ! 0 rE  rC * rC se ob ine Luând în considerare c rE (1.(1.57) indic leg tura dintre parametrii fizici i parametrii h ai tranzistorului ± cuadripol.56) Parametrul h 22e dup defini ie prezint conductibilitatea de ie ire pentru regim mers în gol la intrarea tranzistorului. primim * U mc ! I mc (rE  rC ) . h 22 e ! I mc 1 1 ! } *.

valoare semnificativ .  rC ! h 22e h 22e * * rC ! (1  F )rC ! (1  h 21e )rC .8.40). (1.61) h 22e În îndrumare m rimile rE . 1  h 21e rC ! (1  h 21e ) .1. Dependen a parametrilor tranzistorului de temperatur 1. se utilizeaz formula (1. (1. Rela iile (1.8. (1.59).54). Analogic poate fi g sit leg tura dintre parametrii h i elementele schemei echivalente fizice pentru conectarea tranzistorului BC. conductibilitatea specific a semiconductorului este determinat de 42 . (1.57) i (1.61). rC nu sunt întotdeauna incluse. Parametrii h ai tranzistorului sunt m sura i experimental sau determina i conform caracteristicile statice.52).59) permit de a calcula rezisten a jonc iunii colectorului dup curent alternativ h12e 1 * . (1. Dac acest parametru este aproape sau egal cu zero. Influen a temperaturii asupra parametrilor semiconductorilor Dependen a parametrilor i caracteristicilor dispozitivelor semiconductoare de temperatur este condi ionat de faptul c propriet ile fizice ale materialului semiconductor într-o m sur mare se modific sub influen a temperaturii.57) permit de a ob ine formula pentru calculul rezisten ei bazei h rB ! h11e  21e (1  h 22e ) . (1. 1. ele sunt calculate dup parametrii h cunoscu i ai tranzistorului cuplat dup schema EC conform rela iilor (1. (1.60).60) h 22e Rela iile (1.56). De regul . rB . De exemplu.

23.1.concentra ia purt torilor de sarcin .62) unde: Q n . K Fig. Majorarea de mai departe a conductibilit ii specifice cu cre terea temperaturii are loc din cauza apari iei perechilor electron ± gol în semiconductorul intrinsec.rela ia W ! q(nQ n  pQ p ) . . W . Dependen a tipic a conductibilit ii specifice a semiconductorului de temperatur este prezentat în fig. (1. 43 . n . unde n este un num r întreg sau frac ionar. Q p prezint mobilitatea purt torilor de sarcin ce sunt func ie de temperatur . conductibilitatea specific scade din cauza mic or rii mobilit ii purt torilor de sarcin Q ! f ( T  3 2 ) .23. Cu majorarea temperaturii la are loc ionizarea atomilor de impurit i i majorarea concentra iei purt torilor de sarcin mobili. ca urmare. Majorarea valorii conductibilit ii specifice are loc dup legea Tn . Cu m rirea de mai departe a temperaturii to i atomii de impurit i sunt ioniza i. concentra ia purt torilor de sarcin intrinseci r mâne s fie nesemnificativ i. Dependen a electroconductibilit ii specifice a semiconductorului cu impurit ii de temperatur La temperatur foarte joas în semiconductor electronii ce se afl pe ultimul nivel energetic interac ioneaz între ei foarte puternic. p . ™ cm 1 103 102 10 N1 N2 N 3 " N 2 " N1 N3 1 0 10 20 30 40 50 1000 T.1.

. I E . Rezisten a jonc iunii emitorului depinde de temperatur în modul urm tor kT rE ! .2. prezentate în fig.19. (1. depind de temperatur .sarcina electronului.grosimea jonc iunii colectorului.66).8. Se cunoa te c 44 .64) qI E unde F este coeficientul de transfer dup curent în cuplarea tranzistorului EC.63) qI E unde: k este constanta lui Boltzman..temperatura.. (1. Rezisten a bazei este determinat de rela ia k rB } F rE ! F .1.22.grosimea bazei. Se observ c odat cu majorarea temperaturii pentru curentul emitorului constant rezisten a rE cre te. L C .65) rC ! CE I ELC unde: U CE este tensiunea între baz i colector. q .curentul emitorului.1. WB . Modificarea parametrilor tranzistoarelor bipolare la varia ia temperaturii Practic to i parametrii schemei echivalente a tranzistorului. (1.66) rC ! I EL C Pentru a determina influen a temperaturii asupra rezisten ei jonc iunii colectorului este necesar de a analiza caracteristicile în func ie de temperatur a parametrilor ce intr în componen a rela iei (1.1. Pentru tranzistorul cu drift 3U CEF WB .fig. Rezisten a colectorului tranzistorului (f r drift) în cazul jonc iunii abrupte U F WB . (1.

70) ™ LC ! q N unde: N este concentra ia impurit ilor în regiunea jonc iunii colectorului. Jonc iunea colectorului este asimetric i grosimea poate fi exprim prin rela ia 2II 0 N C  U CB . Cu majorarea temperaturii. M .E .p . (1.0. i este mai eviden iat la temperaturi înalte (se m re te de dou ori la fiecare 10 grade în varia ia temperaturii). Modificarea valorii E constituie 0.03. (1. Fiindc U CB "" N C asupra grosimii jonc iunii influen eaz nivelul concentra iei purt torilor de sarcin cu modificarea temperaturii. la o temperatur nu prea înalt cea mai mare influen 45 ..eficacitatea colectorului. ] . dup legea exponen ial . deoarece se m re te F! neesen ial i lungimea de difuzie a purt torilor de sarcin L n . (1. Deoarece concentra ia purt torilor de sarcin se m re te odat cu cre terea temperaturii.. N C . În a a mod. Majorarea valorii lui E provoac cre terea lui F . Cu majorartea temperaturii cre te pu in i valoarea 2 coeficientului de transfer K ! 1  WB 2L2n . curentul emitorului cre te din cauza modific rii valorii I EB 0 .68) unde: K este coeficientul de injec ie. grosimea jonc iunii scade.p . Curentul emitorului depinde de temperatur qU EB (1.67) 1 E Coeficientul de transfer al curentului în cuplaj BC E este determinat de rela ia E ! K]M .05% o C .coeficientul de transfer. unde I EB 0 este curentul termic al jonc iunii emitorului.69) I E ! I EB 0e kT .bariera de poten ial. Aceasta provoac majorarea coeficientului de transfer dup curent E .

5 0 rC rE E . Dac vom trece de la logaritmul natural la cel in baza 2. unde TY ! un.TY ! 4. unde (E .71) I CT ! I CT eG ™ (T . ob inem 1 La T ! 300 ( K ) .0 1. TY ! 7 K . Dependen a de temperatur a parametrilor din schema echivalent analiza este prezentat în fig. ceea ce va provoca m rirea rezisten ei jonc iunii colectorului.5 K . G Pentru jonc iunea fabricat din germaniu.o va avea majorarea coeficientului de transfer F . ! k 02 0 pentru germaniu i G ! 0.1.5 1.0 0.1 ( K 1 ) I CT ! I CT0 2 ln 2 este temperatura de dublare a curentului termic. La temperatur mai înalt va avea loc mic orarea rC din cauza influen ei tot mai mari a curentului emitorului (1. G ! 0. rel . (T ! T  T0 .24. din siliciu . 2.16( K ) pentru siliciu.

oC I CB 0 E . E 1 rE rB 40 0 I CB 0 40 rC T .

Dependen a parametrilor fizici de temperatur pentru tranzistorul bipolar 46 $ (T TY .24. E 1 rB 80 Fig.1.72) . (1.

h 21e ! . de obicei. Parametrii h ai tranzistorului sunt lega i de parametrii schemei echivalente prin rela iile urm toare r 1 h 11b ! rE  rB (1  E ) . (1. * rC rC (1  E ) rC În practic . h 22 e ! ! *. tranzistorul bipolar poate fi prezentat ca cuadripol liniar.73) 1 E r 1 1 h12e ! E .Dup cum se cunoa te. h 11b ! E . h12b ! B . rC rC E h11e ! rB  rE (1  F ) . h 22 b ! . apare problema invers ± dup parametrii h cunoscu i se determin parametrii fizici h 1  h 21e h rB ! h11e  12e .

Dependen a parametrilor h de temperatur pentru tranzistorul bipolar 1.3.25.1. rel .74) h 22e h 22 e h 22e Dependen a de temperatur a parametrilor h pentru tranzistorul bipolar este prezentat în fig.0 1.8.0 0 40 20 0 20 40 h11e h21e h12 e h22 e T . curentul emitorului se m re te esen ial i caracteristica de intrare pentru schema de conectare BC 47 . un. rE ! 12e .0 2. (1.0 3.1. oC Fig. rC ! . Dependen a caracteristicilor tranzistorului bipolar de temperatur Cu majorarea temperaturii. 4.25.1  h 22e .

26). Pentru schema de conectare EC curentul de intrare este curentul bazei care aproximativ este determinat din formulele Ebers ± Moll în modul urm tor: ¨ UE ¸ ¨ UC ¸ I B ! .1..1..77) Din cauza c modificarea coeficientului E nu este major . Deplasarea caracteristicilor are loc aproximativ cu 1..2mV o C .are forma indicat în fig. E IC IC IC I C I CB 0 (1. Modificarea relativ pentru curentul colectorului este dI C I E dI dE I CB 0 dI CB 0 ! dE  CB 0 !  ™ .26. Curentul de ie ire (curentul colectorului) se determin conform rela iei (1..76) dI C ! I E dE  dI CB 0 . Rezult c pentru curent constant al emitorului modificarea absolut a curentului colectorului va fi urm toarea: (1. atunci devierea caracteristicilor de ie ire cu temperatura pentru schema BC este nesemnificativ (fig.75) I C ! EI E  I CB 0 .10 3 . iar I CB 0 I C este de ordinul 10 6 .

1  E ™ I ECB © e NT  1 ¹  .

Caracteristicile de intrare. N T ! kT q poten ialul termic. I ECB .1.78) depind în mod diferit de temperatur (fig. © ¹ © ¹ ª º ª º % (1. I CBC . se intersecteaz . deoarece unele componente din rela ia (1. 48 .27).coeficientul de transfer în regim de inversie. m surate pentru diferite temperaturi. Ei .78) unde: E prezint coeficientul de transfer în regim activ.curen ii inver i ai jonc iunii emitorului i colectorului.1  E i ™ I CBC © e N  1 ¹ .

Dependen a de temperatur a parametrilor h I B .27. 1. QA 100 80 60 40 20 0 45 oC 20 oC Fig.26.1. m 0 5 I E ! 2 mA 10 I E ! 10 mA I E ! 6 mA 60 oC 50 oC 20 oC 80 oC Fig. mA I E . Dependen a de temperatur a caracteristicilor de intrare în schema de cuplare EC Curentul colectorului pentru schema de conectare EC se scrie în forma urm toare: I C ! F I B  . mA 4 3 2 1 0 & 50 oC 12 9 20 oC 6 3 100 200 U EB .I C .

m & 15 U CB . m .78) 49 ' 100 U BE . (1.F  1 I CB 0 .

1.80) } . Fig. mA 12 10 8 6 4 2 0 5 I B ! 40 QA 30 QA 60 oC 20 QA 10 QA I B ! 40 QA 30 QA 20 oC 20 QA 10 QA 10 U CE .I C . Dependen a de temperatur a caracteristicilor de ie ire în schema cu EC Instabilitatea relativ a curentului colectorului pentru I B ! 0 E I CB 0 I CB 0 IC I .28. (1.

F  1  ™ ! .

F  1 C I C EC I C BC E I C I CB 0 adic se m re te în compara ie cu conectarea BC de .

De exemplu. sunt prezentate caracteristicile de ie ire ale tranzistorului bipolar conectat în schema EC. atunci pentru conectarea EC ea va constitui sute de procente. Regimul limit de func ionare pentru tranzistoarele bipolare la varia ia temperaturii Se cunoa te c odat cu majorarea temperaturii considerabil se m re te concentra ia purt torilor de sarcin minoritari în func ie 50 ( .8.F  1 ori. dac în diapazonul dat de temperaturi în schema BC modificarea formei caracteristicilor de ie ire va fi de câteva procente. Din rela ia (1. În fig.80) se observ c modificarea caracteristicilor de ie ire a tranzistorului conectat în schema EC este semnificativ . ob inute pentru câteva valori ale temperaturii.4. 1.1.28.

siliciu 1.100o C . iar pentru cele din siliciu în limitele 125. Dintre toate regiunile din structura tranzistorului cea mai mare putere este disipat pe jonc iunea colectorului. R T ..200o C . De obicei ea se exprim în grade celsius pe miliwat sau grad celsius pe wat i pentru majoritatea tranzistoarelor se plaseaz în limitele 30.01 eV ).de l rgimea benzii interzise a semiconductorului. deoarece ea posed rezisten electric mai major . Aceasta se datoreaz diferen ei dintre l rgimea benzii interzise (pentru germaniu 0..rezisten a termic radiator ± mediu. i reprezint aproximativ  200o C . Temperatura maxim de lucru este determinat de energia de ionizare a semiconductorului i concentra ia impurit ilor. R T C .05.rezisten a termic a jonc iunii colector .. Rezisten a termic este un parametru important al tranzistorului i este indicat în îndrumarele respective. Când concentra ia purt torilor de sarcin minoritari se apropie de concentra ia purt torilor de sarcin majoritari.. (1. Pentru tranzistoarele fabricate din germaniu temperatura maxim de func ionare variaz în limitele 70. Practic diapazonul minim al temperaturilor de lucru este limitat de diferi i factori tehnologici i de particularit ile constructive i se plaseaz în limitele o 70..carcas .. Temperatura maxim admisibil determin regimurile de limit 51 .200 o C W .1 eV ). Limita de jos a temperaturilor de lucru este determinat de energia de ionizare a impurit ilor ( 0.. func ionarea dispozitivului semiconductor se deregleaz .81) RT  RTC unde: Tn este temperatura jonc iunii colectorului.  60 C .72 eV ...temperatura mediului.0. TC . Pentru func ionarea normal tranzistoarele de putere sunt utilate cu radiatoare iar puterea disipat de jonc iunea colectorului poate fi determinat conform rela iei T  TC PC ! n ..

30.1. Curba 1 corespunde convec iei libere a aerului.1. V Fig.29.1. Cu cre terea temperaturii. iar curba 2 ± r cirii for ate (viteza fluxului de aer aproximativ 300 m s ).82) S R ! BPC . B. IC . Dependen a de temperatur a coeficientului termic 52 . 1.dup curent.30. curba puterilor admisibile se deplaseaz în jos (fig. Suprafa a radiatorului este determinat de rela ia (1. 2 unde B este coeficientul termic cm W .29). Dependen a de temperatur a regimurilor de func ionare a tranzistorului Dependen a experimental care leag varia ia de temperatur (t p i coeficientul termic B este prezentat în fig. tensiune i putere. oC p Fig. cm 2 W 80 60 40 20 0 2 20 40 1 60 80 (t . A I C max 4 3 2 1 0 5 10 T2 PC max I B ! 200 mA T1 150 mA 100 mA 50 mA 25 mA U CE max U CE .

y 53 . y capacitatea jonc iunii emitorului CE i colectorului CC . tehnologia de fabricare. Dependen a parametrilor tranzistorului de frecven 1. Asta înseamn c : y scade puterea de ie ire. Cu majorarea frecven ei.În a a mod la proiectarea aparatajului radioelectronic cu tranzistoare ce lucreaz într-un diapazon larg de temperaturi i este important de a cunoa te ce influen are temperatura asupra parametrilor i caracteristicilor elementului activ i care sunt limitele în func ionarea acestui dispozitiv electronic. construc ia. Viteza de propagare a purt torilor de sarcin în regiunea bazei este diferit i de aceea grupul de purt tori de sarcin ce au intrat concomitent în regiunea bazei ating regiunea colectorului în timp diferit. propriet ile de amplificare ale tranzistorului bipolar se înr ut esc. y apare defazajul. Dispersia purt torilor de sarcin în baz Propriet ile de amplificare a tranzistoarelor sunt determinate de: propriet ile materialului din care sunt confec ionate. Asupra diapazonului frecven elor de lucru a tranzistoarelor influen eaz urm torii parametri: y timpul de difuzie al purt torilor de sarcin minoritari în regiunea bazei de la jonc iunea emitorului la cea a colectorului.9. determinat de dimensiunile ei geometrice. rezisten a bazei rE .1. adic întârzierea oscila iilor curentului de ie ire fa de cel de intrare.9. 1. regimul de lucru i schema de conectare.

La fel are loc i distorsionarea semnalului sinusoidal. Dispersia vitezelor golurilor în baz aduce la aceea c odat cu m rirea frecven ei are loc înr ut irea efectului de amplificare i mic orarea coeficientului de transfer dup curent E . Nivelul de mic orare a coeficientului de transfer dup curent cu cre terea frecven ei este determinat de grosimea bazei WB . Drept rezultat. Dependen a coeficientului de transfer dup curent de frecven Fie c tranzistorul bipolar de tip p-n-p este conectat BC i func ioneaz în regim activ. Pentru o frecven major a semnalului. cu atât este mai pronun at întârzierea purt torilor de sarcin i cu atât mai mic va fi coeficientul de transfer dup curent.1. Cu cât mai mare este grosimea regiunii bazei i. O parte din ele ajung destul de rapid la jonc iunea colectorului. când timpul mediu de mi care a golurilor în regiunea bazei este comparabil cu perioada acestui semnal. Influen a dispersiei vitezei purt torilor de sarcin se manifest i asupra formei semnalului. Vom analiza defazajul între curentul emitorului i curentul colectorului. semnalul la ie irea tranzistorului va fi unul mediu. atunci la ie irea lui frontul din spate i cel din fa a fiec rui impuls va fi întins i impulsurile posed form de trapez. aplicat la intrarea tranzistorului. semiperioada pozitiv va trece în cea negativ . 54 . cu valoarea timpului mediu de propagare a procesului de difuzie prin baz X D . se re ine pu in. atunci din jonc iunea emitorului se injecteaz în baz un num r mare de goluri. prin urmare. timpul de parcurgere a bazei de c tre goluri. alt parte.9.2. În timpul ac iunii semiperioadei negative num rul golurilor injectate se va mic ora i o parte din ele va ajunge la jonc iunea colectorului odat cu cele întârziate de la semiperioada pozitiv . Când la intrarea tranzistorului se aplic semiperioada pozitiv a semnalului. Dac la intrarea tranzistorului aplic m impulsuri dreptunghiulare de durat redus . ce posed o vitez de mi care mai mic . Modificarea curentului colectorului va avea loc mai târziu decât modificarea curentului emitorului.

Diagramele în timp a curen ilor de intrare i ie ire la frecven înalt În fig.31. WB . Semnalul în circuitul colectorului este în defazaj fa de cel în circuitul emitorului cu unghiul de defazaj N B 55 . R p ! Rp Dp WB unde: R p este viteza purt torilor de sarcin minoritari. 1. Dp . Pentru tranzistoarele bipolare în formulele (1. Pentru tranzistoarele bipolare tip p-n-p timpul mediu de tranzi ie a procesului de difuzie sau timpul mi c rii de difuzie se determin ca Dp W W2 .31 este prezentat diagrama temporal a componentei alternative a curentului colectorului.1.83) indicii respectivi trebuie indica i pentru electroni. Pân când frecven a semnalului nu este mare i perioada de repetare a procesului considerabil întrece timpul mediu de difuzie X D .grosimea bazei.coeficientul de difuzie al golurilor în baza-n.83) XD ! B . Întârzierea X D T poate fi neglijat .IE IC IE IC t XD T Fig. M rimea X D este determinat de grosimea bazei i de coeficientul de difuzie. XD ! B . perioada T se mic oreaz comparabil cu timpul de difuzie X D . putem socoti c schimbarea formai curentului colectorului are loc practic momentan dup legea de schimbare a curentului emitorului. Cu cre terea i devine frecven ei semnalului. (1. injecta i în baz .

N B ! [X D ! 2Tf 2 WB . Dp (1. Dac curentul emitorului variaz dup legea (1. De aceea pentru aceea i frecven distan ei mai mari între jonc iunile tranzistorului îi corespunde un unghi de defazaj mai mare între curentul de intrare i ie ire.85) i E .84) Bazei cu grosimea mai mare îi corespunde un timp de difuzie X D mai major.

t ! I E ! I m e sin .

luând în considerare defazajul. poate fi scris ca i C . atunci curentul colectorului.[t .

t ! I C ! I m c sin .

[t  N B .86) Deoarece coeficientul de transfer dup curent a tranzistorului E în schema BC reprezint raportul dintre curentul semnalului în circuitul colectorului i curentul semnalului în circuitul emitorului. E depinde de frecven i este caracterizat de modulul E. (1.

[ i faza N B .

[ :  j[ t  jN I C I m c sin .

IE I m e sin.[t  N B I m c e e ! E! ! .

[t I m e e  j[ t B (1.87) unde: E.

[ ! Im c Im e este modulul coeficientului de amplificare. N B .

defazajul coeficientului de amplificare a curentului emitorului în schema cu BC.[ .  E ! E.

[ ™ e  jN .

dup o lege complicat . (1. Cu o eroarea admisibil pentru calculele tehnice m rimea coeficientului de transfer dup curent poate fi aproximat cu ajutorul rela iei urm toare B 56 . mic orându-se cu m rirea frecven ei.[ . Cu majorarea frecven ei.88). coeficientul E poart un caracter complex (1.88) În domeniul frecven elor joase coeficientul de transfer dup curent E este constant.

E.

j[ } E0 f 1  j™ fE . E.

[ ! E.

(1.89) ¨f ¸ N B .f } E0 ¨f ¸ 1 © ¹ ©f ¹ ª Eº 2 .

[ ! N B .

f ! arctg © ¹ .defazajul coeficientului E . ©f ¹ ª Eº Identic pentru conectarea tranzistorului EC: F0 E0 F .

F .j[ } .

[ ! F .

2 f ¨f ¸ 1  j™ 1 © ¹ fF ©f ¹ ª Fº (1. 90) ¨f ¸ N E .f } .

[ ! N E .

1. Frecven a de t iere. f E .frecven (CAF) E ! \.modulele coeficien ilor de transfer dup curent la frecven joas pentru schemele de conectare BC i EC respectiv.89) i (1. ©f ¹ ª Fº În rela iile (1.frecven ele de t iere pentru tranzistorul cuplat BC i EC respectiv.defazajul coeficientului F .f ! arctg© ¹ . F 0 .90) utiliz m urm toarele not ri: E 0 . CAF.9. 2 Dependen a modulul coeficientului de transfer dup curent de frecven se nume te caracteristica amplitudine .3. CPhF i al i parametrii ai tranzistorului Frecven de t iere pentru tranzistorul cuplat în BC ( f E ) este numit frecven a pentru care modulul coeficientului de transfer dup curent se mic oreaz de 2 ori ( adic cu 3 dB). f F . în compara ie cu valoarea lui la frecven e joase E Ef ! 0 .

[ sau F ! \.

[ . Dependen a unghiului de defazaj de E 57 .

N ! \ .

[ ! \ .

CAF i CPhF pentru coeficientului de transfer dup curent 58 . Exemple de astfel de caracteristici sunt prezentate în fig.707 0.4 unit i relative E E0 NB o 30 60 90 10 2 10 1 1 f ! fE 10 fE f Fig.8 0.32. Frecven a de t iere a tranzistorului în schema EC ( f F ) se nume te frecven a la care modulul coeficientului de amplificare dup curent se mic oreaz de 2 ori ( adic cu 3 dB). Ele sunt construite în coordonate normate E E 0 i f f 0 . decât în schema BC. iar unghiul de defazaj este plasat în unit i absolute.[ este numit caracteristica faz ± frecven frecven (CPhF) a coeficientului de transfer.6 0. 2 F 1 0. în compara ie cu valoarea lui la frecven e joase: F Ff ! 0 . 1. iar frecven a de t iere f F este considerabil mai redus decât f E .32. În schema EC coeficientul de transfer al curentului bazei depinde mai tare de frecven .1.

! ¸ ¨ f ¹ .S exprim m frecven a de t iere f F prin m rimea f E F! 1 E E0 E0 ! ™ ! ! f f E0 1 E 1 j 1 1  j  E0  f fE fE 1 j fE E0 .

1  E 0 © 1  j © .

90) i (1.1  E 0 fE ¹ º ª (1. cu considera ia c F 0 ! E 0 .91) Compararea rela iilor (1.91).

ne permite s ob inem formula pentru leg tura dintre frecven ele de t iere în schemele BC i EC fF ! f E .1  E 0 .

În a a mod frecven a de t iere a coeficientului de transfer a curentului bazei f F este de .1  E .

(1.1  E ori mai mic ca frecven a de t iere în schema cu BC sau: F0 1  F 0  F0 1 ! 1  E0 ! 1  ! . 1  F0 1  F0 1  F0 f fF ! E .93) tg. ci majorarea valorii defazajului. (1.92) 1  F0 Cauza principal a mic or rii bru te a coeficientului F cu cre terea frecven ei (cum indic rela ia (1. f .91)) nu este mic orarea valorii E . Pentru schema EC.

N E ! fE .

1  E 0 în timp ce pentru schema BC f tg.

N B ! . fE Luând în considerare (1.93) ob inem 59 .

tg.

N E ! 1 tg.

1  E0 ¡ tg .N B .

N E "" tg .

a). Aici I m e .b) în care modulul vectorului I C se mic oreaz .33. Deoarece E } 1 . I m c . cu lungimea I m e . 1  E0 B  IB  IB  IE  IC  I E ! I me  I B ! I mb  IC ! I mc  IE NE  IC NB ! a) b) Fig. 1. Cu cre terea frecven ei.33. a a încât Im e ! Im b  Im c . Diagramele vectoriale ale curen ilor tranzistorului la frecven joas (a) i înalt (b) La frecven joas curen ii emitorului i colectorului coincid dup faz (fig.1. I m b respectiv. colectorului i bazei respectiv. atunci la frecven e joase curentul colectorului se deosebe te pu in de cel al emitorului i curen ii tranzistorului pot fi reprezenta i sub forma    vectorilor care coincid dup direc ie I E .1. Deoarece B 60 . I B .33. I m c . curentul colectorului r mâne în urm de curentul emitorului i vectorii acestor curen i formeaz un  triunghi (fig.  iar a modulului vectorului I se m re te de câteva ori. Amplitudinea curentului bazei este egal cu diferen a între I m e i I m c .N B 1 NE } N . I m b prezint amplitudinile curen ilor alternativi ai emitorului. I C .

Frecven ele de t iere f E .1. a a cum este ar tat în fig. f F reprezint parametrii importan i ai tranzistorului bipolar 1 fF ! f E . dI B dU C ! 0 dI m b U m c ! 0 atunci la frecven a f ! f E coeficientul de transfer F se mic oreaz de câteva ori.b.33.F! dI dI C sau F ! m c .

1  E 0 sau fE ! f ! .

1  F 0 fF . 1  E0 F E.707 ™ F 0 F . F F0 0.

707 ™ E 0 E .f 1 E0 0.

Varia ia mai rapid a modulului F .34.1.34 sunt prezentate dependen ele de frecven a modulelor E i F . F În fig.1.f f fF fT fE Fig. Caracteristicile de amplitudine ± frecven ale coeficien ilor de transfer dup curent E.

[ cu cre terea frecven ei în compara ie cu E.

[ se explic prin faptul c diferen a 1  E([) în rela ia E.

[ F .

[ ! 1  E.

[ se modific mai rapid decât E.

[ . 61 .

La determinarea frecven ei de t iere f F a fost utilizat dependen a aproximativ pentru E de frecven (1.În afar de aceast cauz principal de mic orare pentru F . cu cre terea frecven ei este determinat de majorarea defazajului N E . de aceea leg tura între f E i fF fE ! 1 f ! .89).

1  E0 F este la fel aproximativ . se introduce coeficientul de corec ie k : k fE ! f ! . Pentru a ob ine un reziltat concret.1  F 0 fF .

Analiza rela iei (1. adic f " . În practic . k } 1. pentru calcule se folose te frecven a f T (adic frecven a de t iere a tranzistorului sau frecven a limit de amplificare dup curent). pentru care coeficientul de transfer a curentului bazei F în schema EC este egal cu unitatea.90) indic c la frecven e ce dep esc de trei-patru ori frecven a de t iere f F . 1  E0 F Valoarea acestui coeficient depinde de construc ia tranzistorului i tehnologia lui de fabricare (de regul .1  F 0 kfF ..1.2 )..

f 62 ...3. În acest produs f este frecven a la care este efectuat m surarea valorii coeficientului de transfer F f : F0 Ff ! . fF f ! fF F 0 ! const ! f T .4 fF . produsul F f ™ f este o valoare constant i nu depinde de frecven . f2 1 2 fF pentru f2 "" 1   F f ! fF2 F0 1 f2 fF2 ! fF F 0 .

Deoarece F f ! const pentru f " .

atunci frecven a de t iere în schema EC este de F 0 ori mai mic decât valoarea frecven ei de t iere a tranzistorului fF ! f T F 0 .. Pentru schema BC frecven a de t iere f E întotdeauna este mai mare ca frecven a de t iere a tranzistorului f T : kfF kfT k ..4 fF i fF f ! fFF 0 ! fT .3.

1  F 0 f T ! ! fE ! .94) F0 1  E 0 F 0 . (1.

1  E 0 pentru F " 10   f E ! kfT } .

2 f T . ?MHz A. rB . dac coeficientul de amplificare dup putere K p " 1 .95) d 30rB CC unde: f E este frecven a de t iere a coeficientului de transfer în d schema BC. pentru care coeficientul de amplificare dup putere este egal cu unitatea E 0f E f ma ! . M rimea f S este întotdeauna mai mare ca f F . Tranzistorul poate fi utilizat în calitate de generator sau amplificator. . La analiza dispozitivelor confec ionate în baza tranzistoarelor cu ajutorul schemelor echivalente i utilizarea parametrilor Y este folosit frecven a de t iere a pantei tranzistorului f S . De aceea un parametru important dependent de frecven este frecven a maxim de generare sau frecven a maxim de amplificare dup putere. egal cu (I ies . pF. CC capacitatea jonc iunii colectorului. pentru care modulul de conductibilitate direct .rezisten a de volum a bazei. Dependen a modulului conductibilit ii directe Y21 de frecven este identic cu dependen a de frecven a m rimilor E i F .1..1.. 63 ) . Y21 ! (U int ( U ies ! 0 se mic oreaz de 2 ori în compara ie cu valoarea lui la frecven joas . (1. MHz.

Mic orarea grosimii bazei este condi ionat de posibilit ile tehnologiilor contemporane. prin intermediul procedurilor tehnologice. rezisten a de volum a bazei.83). se formeaz un câmp de accelerare pentru purt torii de sarcin injecta i. se mic oreaz odat cu mic orarea grosimii bazei i cu majorarea valorii vitezei purt torilor de sarcin injecta i în baz . De aceea în baz . Din aceste considerente frecven ele de t iere pentru tranzistoarele bipolare f r drift sunt relativ reduse. i capacitatea colectorului cu valori reduse. care permite de a 64 . Pentru majorarea frecven ei de regenerare este necesar de a m ri valoare f E i de a mic ora constanta de timp d rB C C . mic orarea rezisten ei rB (m rirea concentra iei în baz ) m re te capacitatea jonc iunii colectorului CC i mic oreaz valoarea tensiunii U C max . Tranzistoare bipolare cu drift Majorarea valorii frecven ei de t iere a tranzistorului necesit mic orarea timpului de transfer de c tre purt torii de sarcin în baz . Aceast constant caracterizeaz reac ia invers la frecven înalt i este un parametru de baz al tranzistorului.95) produsul rezisten ei de volum a bazei la capacitatea colectorului este numit constant de timp a circuitului d de reac ie invers rB C C ! X C . Aceste cerin e sunt contradictorii ± mic orarea grosimii bazei WB d d m re te rezisten a de volum rB . ce limiteaz caracteristicile de frecven a tranzistoarelor. În a a mod tranzistorul destinat func ion rii în domeniul frecven elor înalte trebuie s posede grosimea bazei. conform rela iei (1. Metode de îmbun t ire a caracteristicilor de frecven .În rela ia (1. Timpul de transfer ale purt torilor de sarcin prin regiunea bazei. 1.4. Este cunoscut c viteza electronilor R n este mai mare ca viteza golurilor R p . De aceea utilizarea la frecven e înalte a structurilor tip n-p-n este preferabil .9.

Ele se folosesc la frecven e înalte. Distribu ia impurit ilor în structura tranzistorului cu drift În fig. N acc N don .1.m ri viteza lor. frecven a de t iere a tranzistorului de asemenea se majoreaz .35. Între jonc iunile emitorului i colectorului se formeaz o regiune de baz tip-p compensat .35 sunt prezentate curbele de distribu ie a concentra iei impurit ilor donoare i acceptoare în structura tranzistorul tip n-p-n. Rezult c purt torii de sarcin ob in ad ug tor componenta de drift a vitezei. Viteza total a electronului se m re te. Qm Fig. cm 3 10 21 E N don B N acc 1015 C N don 0 1 2 JE 3 JC P. format prin procedura de difuzie. În urma distribuirii neregulate a concentra iei impurit ilor în baz apare gradientul concentra iei purt torilor de sarcin care provoac un câmp electric intercalat. 65 . Tranzistoarele care posed un câmp electric intercalat în regiunea bazei sunt numite tranzistoare cu drift. grosimea c reia este determinat de adâncimea de difuzie a impurit ilor acceptoare. în regiunea baz se formeaz un câmp electric intercalat.1. Câmpul electric intercalat accelereaz electronii injecta i în baza tip-p. În acest scop.

5.1.9. Schemele echivalente ale tranzistorului bipolar la frecven e înalte La frecven e înalte în schema echivalent (fig.1.19) este necesar de a lua în considerare elementele parametrii c rora sunt func ie de frecven i dependen a de frecven a coeficientului de transfer dup curent E.

format din generatorul de curent  E 0 I E independent de frecven . conectat la schema echivalent prin circuitul RC.b). în corespundere cu rela ia (1.36.36. În fig.89).j[ .1.a este prezentat schema echivalent pentru tranzistorul bipolar la frecven e înalte.1. Dependen a coeficientului de transfer E de frecven se modeleaz cu ajutorul circuitului. curentul de ie ire al c ruia între punctele 1  1d este dependent de coeficientul de transfer dup curent a (fig.  E .

j[ I E a)  IE rE 1 CC 1d  IC b)  R E .

96) I IES ! E .36.Schema echivalent a tranzistorului la frecven înalt (a) i circuitul RC ce modeleaz dependen a coeficientului E de frecven (b)    U   (1. j[ I E 1d C  U IES 1 E  UE C E Bd rB rC C  UC  E0IE B B Fig. 1.

U INT ! E 0 I E Z RC . Z RC ! ! 1 1  j[CR j[C  R 66 . R R R j[C .j[ I E ! IES .

  E 0I E R 1 E0   U  I IES ! E .

j[ I E ! IES ! ™ ! ™ IE . R 1  j[RC R 1  j[ RC E0 E.

[ E ! 2 Tf E ! . (1.98) RC ! RC [E Schema echivalent a tranzistorului la frecven înalt cu  generator de curent independent de frecven E 0I E este prezentat în fig.1. Pentru o precizie mai înalt trebuie s lu m în considerare defazajul la frecven e apropiate de [E (sau mai majore decât [E ) i s introducem factorul de corec ie exp.97) 1  j[RC Pentru identitatea rela iilor (1.97) este necesar de a îndeplini urm toarele condi ii: 1 1 .j[ ! . (1.89) i (1.37.

care asigur o corec ie liniar de faz : f [ (N B ! m !m . fE [E  E0IE C b) R E . j [ [ E .

CPhF pentru coeficientul E (b) 67 .1.707 ad  IC a) CC  IE rE a C E Bd rB rC E  UE C  UC 1 [ [E B Fig. Schema echivalent a tranzistorului  la frecven înalt cu generator E 0 I E (a) i CAF. NB [ 1 0.37.

99) E.În a a mod aproximarea dependen ei coeficientului de transfer ob ine forma ¨ [ ¸ [  jm ¹ E 0 exp©  jm © [ E ¹ E 0e [ º! ª . (1.

2 .5.1. Prioritatea principal a acestei scheme const în faptul c elementele ei posed un sens fizic bine determinat i permit de a efectua leg tura între parametrii tranzistorului cu datele constructive. folosind formulele prezentate în tab. I E E 0 exp©  jm © [E ¹ º ª Dac jonc iunea emitorului este polarizat direct. Parametrii fizici ai schemei analizate se determin prin parametrii h.j[ ! [ [ 1 j 1 j [E [E Pentru tranzistoarele formate prin aliere. de regul . constante fizice i procese de baz ce au loc în structura analizat .8 CEdif } . m } 0. (1.37 posed form . În astfel de cazuri este în deajuns de a lua în considerare numai componenta de difuzie pentru schema cu BC: 0. schema din fig. m } 0. Din aceste considerente circuitul poart denumirea de schem echivalent fizic .8 . În acest caz valoarea curentului generatorului echivalent va fi ¨ [ ¸  ¹.100) [E rE E Pentru schema EC 1 . este mai mare decât capacitatea sarcinii spa iale. (1.1.1. prin drift. CEdif } 68 .38.101) [ TrE Dup simplificarea respectiv . prezentat în fig. capacitatea de difuzie a emitorului.

2 [ [E  IE 1 [E CC dif rE E  UE C  UC B Fig.CE ! 0.  De aceea sursa de curent g S U 1 de asemenea depinde de frecven . Schema echivalent din fig. g BE . adic reprezint o parte din  d tensiunea de intrare U B . conectat paralel conductibilit ii g CE .1. CB . Aceste capacit i se calculeaz conform rela iilor CC C C1 ! . dar de tensiunea punctului intern al circuitului U 1 .102) .1. Particularit ile schemei echivalente în P constau în faptul c curentul la ie irea generatorului este determinat nu de tensiunea de   intrare U B .  Tensiunea U 1 depinde de frecven . determinat de elementele rB . (1.39 con ine capacit ile de tranzi ie a reac iei inverse C C1 i CC 2 .1. tranzistorul fiind prezentat formal ca un dispozitiv dirijat de tensiune.39. C C 2 ! C C  C C1 . care sunt determinate de constanta de timp a circuitului d colectorului X C ! rB C C .8 [E rE C C dif  I EE 0 e R!  IC Bd rB C C bar j ™0 . Schema echivalent fizic simplificat a tranzistorului la frecven înalt În unele cazuri se utilizeaz schemele echivalente în P. În schem uneori se introduce i capacitatea colector ± emitor C CE .38. Schema de substituire a tranzistorului în acest caz este prezentat în fig. Aici se folose te sistemul de parametrii Y.

..3 69 .2.

5 Formulele de calcul pentru parametrii fizici ai tranzistorului conform parametrilor diferen iali pentru diferite scheme de conectare Parametrul F rE rC EC h 21e BC h 21b 1  h 21b h11b  h12 b .Tabelul 1.

1  h 21b h 22b 1 h 22b h12b h 22b  h 21b h 12b h12e h 22e .

1  h 21e 1  h12e h 22e h11e  h12e .

g CB ! .1  h 21e h 22e h 21e 1  h 22e rB E Q} rB rC h11eh 22 e  h12e 1  h 22e Elementele schemei din fig. © dº h 11e ª h 11e  rB ¹ (1.103) gS ! h 21e  h12e .1. g BE ! d d h11e  rE h11e  rE g BE ! h 22 e  h12e ¨ h  rd ¸ h © h 21e  11e B 21e ¹ . 70 . d h11e  rB unde g S ! Y21 este panta caracteristicii tranzistorului bipolar.39 se determin cu ajutorul parametrilor h cu ajutorul rela iilor: 1  h12e h12e .

conectat cu emitor comun (schema Djacoletto) Capacitatea de difuzie a jonc iunii emitorului se determin conform rela iei 1 CBE ! g . [F BE 71 .C CC 2 rB  IB  U1 C CB Bd g CB JC B g CE JE  g SU1 C BE g BE E CC 2  IE C C1 rB Bd g CB  U 1 g BE C BE  g SU1 g CE  IC B  U BE C  U CE E Fig.39. Schema fizic echivalent simplificat a tranzistorului bipolar la frecven înalt .1.

E  1 g SI B    I ~ ! g S I B Z Bd } g S I B ! . este deajuns de a determina rela ia pentru frecven a de t iere cu ajutorul schemei echivalente.Pentru a ne convinge de aceasta. F . E j[C BE  g BE ¨ C BE ¸ ¹g BE © 1  j[ © g BE ¹ º ª gS gS  I~ g BE g BE . U 1 ! I B Z Bd .  Curentul generatorului echivalent I ~ se determin ca:     I ~ ! g S U 1 .

C CB ! C C1 . C C ! CC 2 .capacitatea circuitului de reac ie intern în tranzistor.capacitatea de ie ire pentru conectarea EC. C CE . rB .constanta de timp a circuitului de reac ie intern în tranzistor. f T .capacitatea jonc iunii colectorului.rezisten a bazei.j[ !  ! ! I B 1  j[ CBE 1  j [ [F g BE . CBE Pentru calculul schemei echivalente în P îndrumarele con in urm torii parametri: X C .frecven a de t iere pentru conectarea EC. unde [F ! g BE 72 .

Electronica fizic i aplicat . .. ± 512 .Rusu. . . . ± . Facla: 1987. : 1984. 10.488 . : 1980. : 1984.: . 11. : 1981. 3. . . ± 383 . . . ± 432 . ± oc . : 1977. 73 . . . ± Timi oara. . .I. 4. . Editura Didactic i Pedagogic : 1982.BIBLIOGRAFIE 1. ± 622 . ± . ± . . 9. . . 12. 7. . ± V.. Zamfir V. 2.. I.912 c. ± 864 . . . ± Ia i.... . ..392 14. 1980. . . : 2001. . .Cuza:1994. ± Bucure ti.Dasc lu. ± 679 p. 1991.± .Profirescu. 6. ± 368 c. 8. . M. . A. / . . . . 5. . 2. . ± 279 p.. . ± .1. ± .. 13. . ± . ± 424 . . . : 2001. D. Sandu D. . . . .: 1990. Editura A. ± .615 p. : 1985.Costea Dispozitive i circuite electronice. . Bazele radioelectronicii. . . ± 419 . ± .

...............3........................ Regimul de lucru al tranzistoarelor bipolare..6..1....4...... 6 1........................2..................................3.........1.5.....................1............30 1..............6...13 1...................... Sistemul de parametri diferen iali ai tranzistorului bipolar...........4.34 1...................................... Rezisten a diferen ial i capacitatea jonc iunii colectorului..................3................... 12 1........... Modalit ile caracteristicilor statice««««««««....... Regimul de lucru i proceselefizice în tranzistorul bipolar............. 18 1...3.. Structura i jonc iunile tranzistorului bipolar.................2... Caracteristicile pentru cuplaj baz comun «««««..............................................4............ 6 1....................5................. Tranzistorul bipolar ca element al circuitului.25 1........ Tranzistorul ca cuadripol activ...............................2........ Schema echivalent pentru conectarea emitorului comun.........14 1........2.............5.. 6 1................1.«.....3.32 1......1..... TRANZISTORUL BIPOLAR.36 74 .....7...4......3.....3. Regim de satura ie................. 5 1...21 1......................................... Coeficientul diferen ial de amplificare dup curent .......15 1...... Regim de inversie..............3.......... Caracteristicile pentru cuplaj emitor comun«««.............................. 11 1................................. 3 1...2..............3...........................6................................................. Modelul Ebers ± Moll...27 1........ 3 1........................................ 4 1.....5...... Regim de blocaj............ 5 1.....3.6....33 1............. Regim activ.................... Rezisten a de volum a bazei ............. Schemele echivalente ale tranzistoruluila frecven joas . Schema echivalent pentru cuplaj baz comun .........14 1... Rezisten a diferen ial i capacitatea jonc iunii emitorului..6.........5...........3...21 1................CUPRINS 1..31 1.............4.............4......3........................................6.............6.................... Determinarea parametrilor diferen iali aitranzistorului dup caracteristicile statice............... Caracteristicile statice pentru tranzistorul bipolar.. Schemele formale pentru substituirea tranzistorului ...................... No iunea de tranzistor bipolar....5...

...1.54 1.............. Influen a temperaturii asupra parametrilor semiconductorilor.......................9.... Dispersia purt torilor de sarcin în baz ...................................................2.......8.......................50 1..8...... CAF... Dependen a parametrilor tranzistorului de temperatur .... Regimul limit de func ionare pentru tranzistoarele bipolare la varia ia temperaturii................39 1.........53 1. CPhF i al iparametrii ai tranzistorului......2...........1..7...............4......44 1............ Metode de îmbun t ire a caracteristicilorde frecven ............7............3.........................9...........47 1.39 1..................... Leg tura dintre parametrii fizici ai tranzistorului i parametrii h .9...........................57 1............ Tranzistoare bipolare cu drift ............8............9.................1.................. Schemele echivalente ale tranzistoruluibipolar la frecven e înalte........... Dependen a caracteristicilor tranzistorului bipolar de temperatur ..........9...........................9........42 1.....42 1.............. Modificarea parametrilor tranzistoarelor bipolare la varia ia temperaturii........ Determinarea parametrilor fizici dup parametrii h ................................................................................................... Frecven a de t iere............................1............ Dependen a coeficientului de transfer dup curent de frecven .....................73 75 .............66 Bibliografie...41 1..2.7...........3.......................5.. Rolul parametrilor h în schemaechivalent i calculul lor........8.....8.........................4............................................ Dependen a parametrilor tranzistorului de frecven .......53 1.......64 1............................

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful