1. TRANZISTORUL BIPOLAR 1.1. No iunea de tranzistor bipolar.

Structura i jonc iunile tranzistorului bipolar Tranzistor bipolar este numit dispozitivul electronic cu trei pini i dou sau mai multe jonc iuni p-n ce interac ioneaz între ele. În tranzistor se rânduiesc trei regiuni semiconductoare, pentru care pe placheta de izolator din Si-i, prin metoda epitaxial - planar se formeaz regiunile colectorului (C), bazei (B) i emitorului (E) (fig.1.1). Pentru aceasta, în regiunea Si-n, ce serve te ca colector, prin metoda difuziei este format regiunea bazei Si-p. În aceast regiune, prin metoda difuziei locale, este format emitorul Si-n cu concentra ie major a impurit ilor donoare. C B1 p n Si-i E1 n C Jonc iunea emitorului Jonc iunea colectorului

Fig.1.1. Structura tranzistorului bipolar tip n-p-n La frontiera regiunii emitorului cu cea a bazei i de asemenea la frontiera regiunii bazei cu cea a colectorului se formeaz dou jonc iuni p-n ± emitor i colector (dup denumirea regiunilor laterale ale structurii). Jonc iunile interac ioneaz dac distan a între ele WB , numit l imea bazei, este cu mult mai mic ca lungimea de difuzie a purt torilor de sarcin mobili ( WB L p ,n ). este distan a pe care o parcurge Lungimea de difuzie ,n electronul sau golul din momentul apari iei în semiconductor pân la recombinare. De regul , suprafa a jonc iunii colectorului este mai mare ca suprafa a jonc iunii emitorului. Regiunea emitorului trebuie s posede o electroconductibilitate mai înalt ca cea a bazei i a 3
 

colectorului. Concentra ia impurt ilor în regiunile tranzistorului bipolar trebuie s respecte inegalitatea N E " 100 N B u N C . (1.1) 1.2. Tranzistorul bipolar ca element al circuitului În dependen de alternarea regiunilor, dup tipul de electroconductibilitate, se deosebesc structuri tip p-n-p i n-p-n. În fig.1.2 sunt prezentate structurile p-n-p i n-p-n ale tranzistorului bipolar i reprezentarea lor în circuitele electrice. JE E p B E C p-n-p n p JC C E n E B p C n-p-n n JE JC C

B

B

Fig.1.2. Reprezentarea tranzistoarelor bipolare Ca element al circuitului electric, tranzistorul bipolar este utilizat în a a mod, ca unul din pini s fie conectat la intrare, iar altul ± la ie ire. Al treilea pin este comun. În dependen care din pini este comun, se deosebesc trei circuite de conectare ale tranzistoarelor bipolare: - baz comun (BC); - emitor comun (EC); - colector comun (CC). În fig.1.3. sunt prezentate aceste trei modific ri de cuplare a tranzistorului bipolar în circuitul electric. 4

IE Iintr.

BC

IC IB Iie . IB Iintr.

EC

IC IB Iie . IE Iintr.

CC

IE Iie . IC

Fig.1.3. Schemele de conectare ale tranzistoarelor bipolare

1.3. Regimul de lucru i procesele fizice în tranzistorul bipolar 1.3.1. Regimul de lucru al tranzistoarelor bipolare În timpul func ion rii tranzistorului la bornele sale este aplicat tensiune de la sursa de alimentare în curent contionuu. În dependen de polaritatea tensiunii aplicate, fiecare din jonc iunile p-n ale tranzistorului bipolar poate fi polarizat direct sau indirect, adic sunt posibile patru modalit i de func ionare a tranzistorului (tab.1.1). Tabelul 1.1 Modalit ile de func ionare a tranzistorului bipolar
Denumirea jonc iunii Jonc iunea emitorului Jonc iunea colectorului Jonc iunea emitorului Jonc iunea colectorului Jonc iunea emitorului Jonc iunea colectorului Jonc iunea emitorului Jonc iunea colectorului Conectarea jonc iunii Invers Invers Idirect Idirect Direct Dnvers Invers Direct Denumirea regimului de func ionare a tranzistorului Regim de blocaj Regim de satura ie Regim activ Regim de inversie

5

Raportând m rimile tensiunilor i curen ilor. Regim de blocaj În regim de blocaj ambele jonc iuni p-n sunt polarizate indirect. ob inem rezisten a de satura ie: U CE sat U .3.2. I CB 0 . R C sat ! I C sat I B sat 1.1. R B sat ! BE sat . În fiecare din cele trei scheme de conectare a tranzistorului ace ti parametri posed valori determinate. Regim de satura ie În regimul de satura ie ambele jonc iuni p-n sunt polarizate direct. Primul indice în reprezentare determin pinul prin care circul curentul.4 este reprezentat modelul plan unidimensional al tranzistorului bipolar. I EC 0 . jonc iunea emitor a c reia este polarizat 6 .4. I B sat i tensiunile de rest ( U BE sat . U CE sat ). Regiunea E-C posed o conductibilitate înalt i poate fi considerat ca scurtcircuitat . I ECS .3. I C sat .I BC 0 . I CE 0 .3. al doilea ± schema de conectare. rezisten ele lor sunt reduse. I BCS . I CES . Prin bornele tranzistorului circul curen ii de scurgere a jonc iunilor polarizate indirect.1. adic mers în gol. I BES . 1. Regimul activ În fig. y pentru circuitul cu EC . Parametrii statici reprezint curen ii de satura ie I E sat . al treilea. Ele sunt prezentate sub forma urm toare: y pentru circuitul cu BC . care reprezint parametrii statici ai regimului dat.I EB 0 . ÄS´ ± scurtcircuit). condi iile în regiunea r mas a schemei (Ä0´ ± lipsa curentului. y pentru circuitul cu CC .I BE0 . jonc iunile sunt saturate cu purt tori de sarcin mobili. I CBS . I EBS .3.

IEp=KIE JE p JC ]IEp n p conectare IE IC IE n I B rec UEB IB ICB0 UCB Fig.recombinarea purt torilor de sarcin în regiunea bazei. . Mi carea purt torilor de sarcin i curen ii în tranzistorul bipolar (regim activ) Principiul de func ionare a tranzistorului bipolar în regim activ se bazeaz pe utilizarea urm toarelor fenomene: . . În circuitul extern al emitorului circul curentul de injec ie: q U EB I E ! I E p  I E n ! I EB 0 (e kT  1) .4. Injec ia purt torilor de sarcin duce la trecerea prin jonc iunea emitorului a curen ilor de difuzie (a golurilor I E p i electronilor I E n ).extragerea purt torilor minoritari din baz în regiunea colectorului prin intermediul câmpului electric. Aceast corespunde regimului activ. (1.direct. iar cea a colectorului indirect.purt torii injecta i prin baz care circul drept rezultat al fenomenelor de difuzie i drift.injec ia purt torilor de sarcin prin jonc iunea emitorului.2) Pentru structura tranzistorului tip p-n-p rela ia între concentra iile impurit ilor din regiunile emitorului . . format de jonc iunea colectorului.1.

N acc E i bazei .

N don B se determin ca: .

N acc E u 100 ™ .

7 .N don B .

Sub ac iunea gradientului concentra iei purt torilor de sarcin se produce mi carea de difuzie a golurilor i electronilor prin regiunea bazei de la emitor spre colector. al turi de curentul electronilor injecta i I En . ap rute momentan în apropierea jonc iunii emitorului (~ 10-17 s). Concentra ia lor la frontiera jonc iunii emitorului pentru structura tip p-n-p se determin din rela ia: .3) IE IE p  I E n Injec ia purt torilor de sarcin din emitor în baz m re te concentra ia purt torilor minoritari în regiunea bazei. iar curentul de recombinare I B rec este mai 0 qU E kT . mic orarea concentra iei purt torilor de sarcin purt torilor de sarcin în regiunea bazei din cauza recombin rii este nesemnificativ . are loc i recombinarea lor cu electronii. Rela ia între componentele curentului emitorului pot fi apreciate cu ajutorul coeficientului de injec ie I IE p K ! Ep ! p 1.4) pn ! pn e Sarcina golurilor. Deoarece l imea bazei este considerabil mai mic ca lungimea de difuzie a WB L p . Circuitul emitor ± baz devine blocat i asigur circula ia curentului emitorului. (1. ce p trund în baz de la sursa de alimentare UEB. Majorarea concentra iei electronilor i a golurilor în apropierea jonc iunii emitorului formeaz gradientul concentra iei purt torilor de sarcin în baz ( “p i “p ). (1. se compenseaz cu sarcina electronilor. În locul electronilor care se recombin în regiunea bazei din circuitul extern al sursei de alimentare UEB sunt injecta i al i electroni.Din aceste considerente se ob ine I E p "" I E n . Concomitent cu difuzia golurilor în baz . formând curentul de recombinare al bazei I B rec .n .

nimerind în câmpul de 8 . mic decât curentul emitorului I E cu un ordin-dou . Golurile injectate de emitor în regiunea bazei se apropie de jonc iunea colectorului polarizat indirect.

El este analogic curentului diodei semiconductoare cuplate indirect i de aceea a primit denumirea de curentul de scurgere al colectorului I CB 0 .5). În a a mod se formeaz componenta dirijat a curentului colectorului: I C p ! I E  I B rec  I E n ! I E p  I B rec . Aici indicii ÄC´ indic curentul jonc iunii colectorului cuplate indirect.7) IE IE p IE Posibilitatea de dirijare cu curentul de ie ire al tranzistorului.3).6) Coeficientul E E este numit coeficient integral de transfer al curentului emitorului în circuitul colectorului. ÄB´ ± m sur rile au loc în 9 ¡ (1. Procesul de tranzi ie a purt torilor de sarcin minoritari prin baz este caracterizat de coeficientul de transfer = . (1.3) i (1. În afar de componenta dirijat a curentului colectorului I C p prin electrodul colectorului circul i componenta nedirijat a curentului. ceea ce ofer posibilitatea de al utiliza în calitate de element activ în circuitele electronice. primim: I I I EE ! C p ! C p ™ E p ! K ™ ] . Dac apel m la rela iile (1. se ob ine I C p ! K] I E ! E E I E . (1. ( 2L p ) 2 Cu cât mai multe goluri sunt injectate din emitor în baz . (1. este o proprietate important a tranzistorului bipolar.Coeficientul de transfer depinde de l rgimea bazei WB i lungimea de difuzie a golurilor L p ! I Cp I Ep }1 2 WB . Din aceste considerente curentul I C este propor ional cu curentul emitorului i se nume te p curentul dirijat al colectorului. modificând valoarea curentul de intrare. cu atât mai major este curentul colectorului.5). numit curentul de scurgere a jonc iunii p-n polarizate indirect.5) . Utilizând rela iile (1.accelerare a acestei jonc iuni i sunt transferate în colector.

Direc iile curen ilor continui i polarizarea tensiunilor de alimentare ce corespund regimului activ sunt prezentate în fig.3.9) În circuitul emitorului curentul de injec ie se determin ca suma curentului colectorului I C i curentul bazei I B : IE ! IC  IB . (1.8) poate fi scris în felul urm tor: I C ! E ™ I E  I CB 0 ! E ™ . iar rela ia pentru curentul colectorului (1. (1.8) i (1.schema de cuplare BC.3) curentul de dirijare este curentul bazei.1. cu unic deosebire c în loc de goluri trebuie s vorbim despre electroni i invers.10) determin leg tura dintre curen ii tranzistorului i sunt adecvate pentru oricare din circuitele de conectare. adic pentru regim mers în gol la intrare. Direc ia curentului de scurgere a colectorului I CB 0 corespunde cu componenta dirijat a curentului colectorului i de aceea I C ! E ™ I E  I CB 0 .10) Rela iile (1. În circuitele EC i CC (fig.8) Curentul I CB 0 în circuitul bazei este orientat invers curentului de recombinare în baz I B rec i curentului de injec ie I n inj (1.1. 0 ± m sur rile au loc pentru I E ! 0 . Procese analogice au loc i în tranzistorul tip n-p-n.

™ I CB 0 ! .11) IC ! ™ IB  ™ I CB 0 ! F ™ I B  I CE 0 . E 1 (1.I C  I B  I CB 0 . I C  E ™ I C ! E ™ I B  I CB 0 . 1 E 1 E unde: E ! F este coeficientul de amplificare dup curent în schema 1 E 1 de cuplare EC.

componenta 1 E nedirijat a curentului colectorului în schema EC.1  F I CB 0 ! I CE 0 . sau curentul de scurgere a tranzistorului bipolar. . 10 I B ! I B rec  I CB 0  I n inj .

(1. I ! 1 E 1. Deoarece suprafa a jonc iunii emitorului este cu mult mai mic decât cea a jonc iunii colectorului i N C N B . în compara ie cu regimul activ.13) unde Ei este coeficientul de transfer invers. iar jonc iunea colectorului direct. emitorul i colectorul î i schimb func ia i pozi ia în circuit.12) ! F 1. Pentru schema de cuplare BC: I E ! E i ™ I C  I EB 0 . Practic. iar extrac ia purt torilor de jonc iunea emitorului. Din aceste considerente I E  I B ! I C ! E ™ I E  I CB 0 . unde 1 (1. 1 I IE ! I B  CB 0 .Pentru schema CC curentul de ie ire este curentul emitorului.3. 1 E 1 E sau I E ! K I I B  I CE 0 . De aceea. în regim de inversie injec ia purt torilor de sarcin este înf ptuit de jonc iunea colectorului.5. Pentru schema CC I E ! F i ™ I B  . atunci Ei E . Regim de inversie În regim de inversie jonc iunea emitorului este cuplat invers.

1  F i I EB 0 .14) Pentru schema EC I C ! . (1.

1  F i I B  .

15) 11 . (1.1  F i I EB 0 .

Coeficientul diferen ial de amplificare dup curent În rela ia (1. M ! 1 . Rela ia pentru curentul colectorului I C ! E E ™ I E  I CB 0 .7) ca func ie de dou argumente pentru I CB 0 ! const . indic leg tura dintre componentele respective în curent continuu. unde EIE este parametrul static al regimului activ. adic dI C ! E E ™ dI E  I E ™ dE E sau Ex ! dI C dE E . y coeficientul de transfer de difuzie = caracterizeaz procesele ce au loc în baz ± difuzia i recombinarea purt torilor de sarcin . y coeficientul M se introduce pentru a lua în considerare procesele în jonc iunea colectorului i.16) unde E x este coeficientul diferen ial de amplificare dup curent în schema BC. Aceast formul arat leg tura dintre componentele curentului de dirijare I E i valoarea curentului de ie ire I C . de regul . care întotdeauna este mai mare decât E E .3. Pentru semnale alternative.7) pentru coeficientul static de amplificare a curentului emitorului E E ! K]M : y coeficientul de injec ie K caracterizeaz eficacitatea jonc iunii emitorului.1. Coeficientul E este determinat de rela ia E ! ( I C  I CB 0 ) I E .6. amplitudinea c rora este cu mult mai mic ca valoarea tensiunii de alimentare. ! EE  IE dI E dI E (1. 12 . leg tura dintre curen ii colectorului i emitorului este determinat de rela ia diferen ial (1.

Luând în considerare (1. (1. (1. (1. Schema echivalent a tranzistorului bipolar dup modelul Ebers-Moll I E ! I 1  E i I 2 .19) rela iile (1.3.18) i (1. m surate în regim scurtcircuit în partea corespunz toare a schemei. Modelul Ebers-Moll Leg tura dintre curen ii i tensiunile tranzistorului bipolar pentru cele patru modalit i de cuplare în circuit pot fi studiate cu ajutorul modelului matematic Ebers-Moll.19) © ¹ ª º unde I EBC i I CBC prezint curen ii de scurgere ai jonc iunilor emitorului i colectorului.21) © ¹ 1  EE © e ¹ 1  EE i ª i ª º º EB EB 13 ¦ § ¤ ¥ EB EB ¦ § EB .5). bazat pe schema echivalent format din dou diode conectate una în întâmpinarea celeilalte i a dou surse de curent continuu care indic interac iunea dintre aceste diode (fig.1. Ei I2 IE E B I1 I2 EI1 IC C Fig.17) pot fi scrise sub forma: ¨ qU ¸ ¨ qU ¸ I E ! I EBC © e kT  1 ¹  E i I CBC © e kT  1 ¹ .17) ¨ ¸ I 1 ! I EBC © e  1¹ .5.20) © ¹ © ¹ ª º ª º U U ¸ ¸ EI EB 0 ¨ k I CB 0 ¨ k ©e © IC !  1¹   1¹ .1.18) © ¹ ª º ¨ U ¸ I 2 ! I CBC © e k  1 ¹ . I C ! EI 1  I 2 .7.1. ¢ £ U EB k (1. (1.

IC ! .

1  E I EB 0 ¨ e qU © kT 1  EE i © ª EB ¸ .

4. (1.4. Caracteristicile statice pentru tranzistorul bipolar 1.1  E i I CB 0 ¨ qU ¸ © e kT  1 ¹ . ce arat leg tura între curen ii i tensiunile aplicate la tranzistor. Modalit ile caracteristicilor statice Caracteristicile statice indic leg tura func ional între curen ii i tensiunile la bornele tranzistorului bipolar. Pentru fiecare schem de conectare în regim activ exist o familie de caracteristici.22)  1¹  ¹ ¹ 1  EE i © º ª º EB 1. Patru modalit i de caracteristici descriu propriet ile oric rui dispozitiv cu trei borne: y caracteristicile de intrare: I Ies ! const I Int ! f .1.

U Int sa . U Ies ! const y caracteristicile de ie ire: I Int ! const I Ies ! f .

U Ies sa U Int ! const

;

y

caracteristicile de transfer:
I Ies ! f

I Int U Ies ! const

;

y

caracteristicile reac iei inverse:
U Int ! f

I Ies I Ies ! const

.

14

2.1.6.a) I E ! f .4.1. Caracteristicile pentru cuplaj baz comun În cuplaj baz comun (BC) tranzistorul posed urm toarele caracteristici: y familia caracteristicilor de intrare (fig.

1. a) caracteristicile de intrare. y caracteristicile reac iei inverse (fig. d) caracteristicile reac iei inverse 15 . b) caracteristicile de ie ire.1.U EB U CB ! const .6.6. Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar.c).1.1. adic (I E ! const .d).6.b) I C ! EI E  I CB 0 . familia caracteristicilor de ie ire(fig.6. c) caracteristicile de transfer. UEB UEB=0 UEB0 y IC IE Regim de satura ie IE IE=0 Regim de blocare a) IC UEB0 UEB=0 b) IC IE UCB IE UCB c) d) Fig. y caracteristicile de transfer (fig. varia ia curentului colectorului trebuie s fie constant la transferul de la o caracteristic la alta.

20) fa de U EB .Referindu-ne la modelul Ebers-Moll i rezolvând ecua ia (1. ob inem rela iile pentru caracteristicile de intrare idealizate: U EB ! f .

24) © ¹ ª º I CB 0 ! I CBC .I E U EB ! U CB ! const . ¨ qU CB ¸» kT « I E ln ¬  1  E© e kT  1 ¹ ¼ . (1.23) prezint caracteristica de intrare a tranzistorului cuplat în circuitul BC.21): ¨ UCB ¸ I C ! EI E  I CB 0 © e k  1 ¹ .23) © ¹ q ¬ I EB 0 ¼ ª º½ ­ Rela ia (1. Rela ia pentru caracteristicile de ie ire sunt ob inute utilizând (1. (1.

I EB 0 ! I EBC .1  EE i .

unde: E este coeficientul de amplificare a curentului emitorului în regim activ.7).1  EE i . din cauza c ruia cu majorarea tensiunii U CB a jonc iunii colector. Dependen a pozi iei caracteristicilor de intrare. Ei . ¨ © 16 . grosimea stratului cu concentra ie redus a purt torilor de sarcin se m re te. grosimea bazei WB devine mai mic . Drept rezultat. Concomitent cre te gradientul de concentra ie a purt torilor de sarcin “p i “ n în baza tranzistorului i se m re te valoarea curentul de difuzie I E (fig. Frontiera jonc iunii colectorului se deplaseaz în direc ia jonc iunii emitorului.1. caracteristicilor de transfer i caracteristicilor de reac ie invers în func ie de valoarea tensiunii aplicate pe colector se explic prin efectul de modulare a grosimii bazei.coeficientul de amplificare a curentului colectorului în regim de inversie. invers polarizat .

La m rirea modulului tensiunii de ie ire U CB curentul de intrare I E în schema cu baz comun cre te. odat cu cre terea tensiunii pe colector. În caz ideal caracteristicile de ie ire trebuie s fie paralele axei tensiunii U CB . Efectul de modulare a grosimii bazei Efectul de modulare a grosimii bazei provoac apari ia reac iei interne în tranzistor. Îns la un nivel major de injec ie ( pn " N P ).pn IE UEB IC d d { U Cd 0 U C ! 0 pn 0 UCB x dx WBd 2 WBd x1 Fig. În baz are loc deplasarea purt torilor de sarcin prin procedura de difuzie spre jonc iunea colectorului dirijat de gradientul de concentra ie. Prezen a curentului I C în circuitul colectorului când U CB ! 0 (fig. tensiunea pe emitor trebuie mic orat . pentru U CB ! 0 . 1. De aceea pentru unul i acela i curent al emitorului.1. 17 . asigurat de interac iunea jonc iunilor.b) prezint o particularitate a caracteristicilor de ie ire pentru tranzistorul bipolar cuplat în schema BC. Devierea caracteristicii este datorat efectului de modulare a grosimii bazei.7.6. coeficientul E tinde spre zero i curentul colectorului tot este aproape de zero. Apoi purt torii sunt accelera i de câmpul electric al jonc iunii.

1.8.1.12 sunt prezentate familiile de caracteristici pentru tranzistorul bipolar cuplat în schema EC: y familia caracteristicilor de intrare (fig. deoarece în acest caz curentul bazei este argument pentru caracteristicile de intrare i caracteristicile de transfer i ca parametru pentru celelalte.3.1. Caracteristicile pentru cuplaj emitor comun Cele mai întrebuin ate sunt caracteristicile tranzistorului bipolar în cuplaj emitor comun (EC).4. În fig.a) U BE ! f .1.8 i fig.

I B U CE ! const . y familia caracteristicilor de ie ire (fig.1.8.b) I C ! f .

U CE I B ! const .12. y familia caracteristicilor de transfer dup curent (fig.a) I C ! f . 1.

b) U BE ! f . 1.12. y familia caracteristicilor de reac ie invers (fig.I B U CE ! const .

Pentru cazul când avem scurtcircuit la intrare ( U CE ! 0 .9. Rezult o probabilitate mai redus de recombinare a purt torilor în baz i un curent I B mai mic. a a cum este ar tat în fig. I B ! const Forma de evantai a caracteristicilor de intrare este condi ionat de efectul de modulare a grosimii bazei.9. fig. deoarece jonc iunile emitorului i colectorului sunt conectate paralel la sursa de alimentare U EB .U CE .1. Tensiunii mai mari pe colector îi corespunde o grosime mai mic a bazei. curentul bazei este aproximativ de dou ori mai mare decât în regim activ.a). 1. 18 .

Por iunea cu pant înalt a caracteristicii de ie ire corespunde grani ei între regimul de satura ie i regimul activ. Conectarea jonc iunilor p-n pentru U CE ! 0.10). U BE { 0 19 . deoarece pentru U CE U BE jonc iunile emitorului i ale colectorului sunt polarizate direct (fig. 1. 1.8.10. Caracteristicile de intrare i ie ire în cuplaj EC Regiunea caracteristicilor de ie ire din fig.8.1. adic U CP ! U BE  U CE .1.1.UBE UtCE Ud IC ICmax Regim de satura ie IV   UCE=0 I IV d d I Bd d I Bd d IB UCEmax PCmax IB a) IB=0 Regim de blocaj UCB b) Fig.b ce se afl în interiorul grani ei ha urate. PC max . U CE max .9. U BE { 0 IC IB UBE p n p UCE JE UCE UBE JC Fig. IC  I  p n JE JC UBE a) b) p U E Fig. Conectarea jonc iunilor p-n pentru U CE { 0. corespunde regimului activ limitat de parametri electrici maximi permi i: I C max .

b . unde curentul colectorului este determinat conform rela iei IB ! 0 I C ! F ™ I B  .1.Regimului de blocaj. ilustrat în fig. corespunde regiunii ce se afl sub caracteristica de ie ire pentru I B ! 0 .8.

F  1 I CB 0 . I CE 0 ! .

F  1 I CB 0 În schema EC pentru circuitul deschis ( I B ! 0 ) curentul de scurgere în circuitul colectorului I CE 0 este de .

Aceasta se explic prin conectarea direct a jonc iunii emitorului.11. a a cum este prezentat în fig. Cu majorarea modului tensiunii aplicate la colector. Caracteristicile de transfer i reac ie invers (fig.12) reflect ac iunea efectului de modulare a grosimii bazei.F  1 ori mai mare decât curentul invers al colectorului I CB 0 . Conectarea jonc iunilor în cuplaj EC IC d d U EC d d d U EC " U EC d d d U EC " U EC UBE a) b) IB I BIV d d I Bd d I Bd d IB UCE Fig. Curentul bazei r mâne constant la m rirea tensiunii aplicate la baz tranzistorului.12. 1.11. C p ICE0 UCE UBE IB=0 E JC JE n p UBE Fig.1. probabilitatea recombina iei purt torilor de sarcin scade i curentul bazei se mic oreaz .1. Caracteristicile de transfer (a) i de reac ie invers (b) pentru tranzistorul bipolar în cuplaj EC 20 . grosimea bazei se mic oreaz .1.

13).  I 2  I1  U1  I2  U2  U1  I1 B C  U2 E Fig. Cuadripol activ este numit circuitul electric format din elemente pasive (R. Perechii de borne de ie ire îi   corespunde curentul I 2 i tensiunea U 2 . C.5.1. Perechii de borne de intrare îi corespunde   curentul I1 i tensiunea U 1 .5.13.1.Caracteristicile statice permit de a determina parametrii de baz ai tranzistorului bipolar i sunt utilizate pentru calculul etajelor de amplificare în circuitele electronice cu tranzistoare. Reprezentarea tranzistorului ca cuadripol Sub curen i i tensiuni se subân eleg dependen e de tipul (1. 1.25) i. L) i generatoare echivalente de tensiune electromotoare sau curent. ce posed dou perechi de borne (fig. Tranzistorul ca cuadripol activ Varia iile mici ale tensiunii pe jonc iunile tranzistorului aduc la schimb ri liniare în valoarea curen ilor i tranzistorul devine cuadripol liniar activ. Sistemul de parametri diferen iali ai tranzistorului bipolar 1.1.

t ! I m sin.

[t  N . .

t ! U m sin.

[t  ] . ! I e  j.

U ! U e  j.[ t  N .

care sunt prezentate în tab. 21 .26) I m m Exist ase sisteme posibile de ecua ii pentru descrierea tranzistorului bipolar ca cuadripol.1.  (1.2.[t ] .

28) ¯   I °2 ! Y21 U 1  Y22 U 2    ® 1 ! H 11U1  H12 I 2 U . (1.3. U1 I 2.29) ¯   I ° 2 ! H 21I 1  H 22 U 2 Parametrii diferen iali (Z. Y. U 2 I 2.Tabelul 1.c ± parametrii tranzistorului în cuplaj CC. (1. U1 Cele mai întrebuin ate în practic sunt trei sisteme de parametri i anume: Z. I 2 U1 .27) ¯   U ° 2 ! 21I1  22 I 2    ®1 ! Y11 U1  Y12 U 2 I . Valorile numerice ale parametrilor diferen iali ai tranzistorului ca cuadripol depind de schema de conectare. U 2 U2 . I 2 U1 .1. H    ® 1 ! 11I 1  12I 2 U . U 2 U1 . I1 U1 . H) sunt determina i din condi iile mers în gol sau scurtcircuit dup curent alternativ în dependen de sistemul de parametri. U 2 I 1 . (1. I 2 I1. Y. U 2 I1. e ± parametrii tranzistorului în cuplaj EC. De aceea sistemul de parametri H este cel mai comod pentru m sur ri.2 Sisteme de ecua ii pentru descrierea tranzistorului Argumentul Func iile I1. Rezisten a jonc iunii emitorului polarizat direct este mic i pentru ob inerea st rii de mers în gol. Între sistemele de parametri Z i H exist o interdependen . I 2 I 1 . la intrarea tranzistorului în circuitul bazei se conecteaz un rezistor cu rezisten înalt . 22 . Transferul de la un sistem la altul este u or de efectuat conform rela iilor din tab. De aceea parametrii diferen iali se noteaz cu indici suplimentari: b ± parametrii tranzistorului în cuplaj BC.

4 Parametrii H pentru diferite scheme de conectare H11e ! H 21e H11b 1  H 21b H 21b ! 1  H 21b H12e ! H11b H 22b  H 21b 1  H 21b H 22 b H 22e ! 1  H 21b H 12c ! H 21e  1 H 22c ! H 22e H 11c ! H 11e H 21c ! H 21e  1 23 .3 Leg tura dintre parametrii Z. sunt prezentate rela iile de baz pentru parametrii H la conectarea tranzistorului EC i BC. Tabelul 1.Y.Tabelul 1.H ?Z A ?ZA Z 11 Z 21 Z 22 (Z Z  21 (Z ( 22 ?Y A Y22 (Y Y  21 (Y Y11 Y21 1 Y11 Y21 Y11  Y12 (Y Y11 (Y ?H A (H H 12 H 22 H 22 H 1  21 H 22 H 22 1 H  12 H11 H 11 H 21 (H H11 H 11 H 11 H 21 H 12 H 22 Z12 Z 22  Z12 (Z Z11 (Z 12 22 ?YA Y12 Y22  Y12 Y11 (Y Y11 ?H A  21 22 1 22 În tab.4.1.

(1. parametrii H complexi sunt substitui i cu valori reale U m 1 ! h 11I m1  h 12 U m 2 .34) ! h 12 ! m 1 U m 2 I m1 ! 0 ( U 2 (I 1 ! 0 24 . I m1 U m 2 ! 0 (I 1 (U 2 ! 0 (1.4 (continuare) H11b ! H 21b H 11e 1  H 21e H 21e ! 1  H 21e H12b ! H11e H 22 e  H 21e 1  H 21e H 22e H 22b ! 1  H 21e La frecven e joase.30) ¯ I ° m 2 ! h 21I m1  h 22 U m 2 Sistemul de ecua ii (1.Tabelul 1. când tranzistorul nu introduce defazaj între curent i tensiune.31). ob inem: (U 1 U . (1. (1.30) poate fi scris sub forma: (U 1 ! h 11(I 1  h 12 (U 2 .31).32) ! h 11 ! m1 I m1 U m 2 ! 0 (I 1 (U 2 ! 0 h 21 !   (I Im2 ! 2 . utilizând rela ia (1.31) ¯ ( ° I 2 ! h 21 (I 1  h 22 ( U 2 Pentru determinarea parametrilor 11 i 21 la ie irea cuadripolului asigur m regim scurtcircuit dup curent alternativ ( U m 2 ! 0 sau (U 2 ! 0 ) i.30) sau (1.30) sau (1. ob inem: (U 1 U . utilizând rela ia (1. (1.33) Pentru determinarea parametrilor h12 i h 22 la intrarea cuadripolului asigur m regim mers în gol dup curent alternativ ( U m1 ! 0 sau (U1 ! 0 ) i.

25 .2. adic influen a curentului de ie ire asupra circuitului de intrare (fig.36)  Tensiunea de intrare U 1 prezint suma c derilor de tensiune  !   Ud 11I 1 pe impedan a la circula ia curentului I1 i 1 11 d  tensiunii generatorului cu impedan a diferit de zero Ud 12 I 2 . ! U m 2 I m1 ! 0 (U 2 (I 1 ! 0 (1. Avantajele sistemului de parametri h se explic prin comoditatea determin rii lor experimental i întrebuin area pe larg pentru proiectarea diverselor rezolv ri tehnice ce utilizeaz tranzistoare bipolare. Pentru simplificarea calculelor se introduc schemele echivalente formale.coeficient de reac ie invers dup tensiune. putem scrie ®1 ! U ¯ U °2! 11 I 1 21 1   I  12 I 2 . 22 I 2 .   (1. când la intrarea tranzistorului este asigurat regim mers în gol.35) Coeficien ii 12 i 22 exprima i în a a mod.h 22 ! (I 2 Im 2 .conductibilitatea de ie ire pentru regim mers în gol la intrarea cuadripolului ?Sm A. Fiec rui sistem de parametri îi corespunde o schem echivalent . Schemele formale pentru substituirea tranzistorului Descrierea propriet ilor tranzistorului pentru semnale alternative cu amplitudini reduse cu ajutorul ecua iilor cuadripolului nu este comod la calculul schemelor practice.14).5. Acest sistem permite prin m surarea nemijlocit s determin m cel mai important parametru al tranzistorului ± coeficientul de amplificare dup curent. 1 ! care indic reac ia invers în tranzistor. au urm toarele denumiri i unit i de m sur : h12 . Pentru sistemul de parametri Z. h22 .1. 1.

Subliniem c impedan a generatorului  !   cu tensiunea Ud Z 21I 1 pentru curentul I 2 este egal cu zero. 2 !  I1 d  I 1d Y11U 1 ! !  I 1d Y12U 2 !  d I 2d Y22U 2   d I 2 ! Y21U 1 Y22  I2  U2  U 1 Y11 Fig.15). Schema formal de substituire a tranzistorului în sistemul de parametri Y 26 . Schema formal de substituire a tranzistorului în sistemul de parametri Z  Tensiunea la ie ire U 2 este determinat de tensiunea  !  generatorului Ud 21I 1 care arat propriet ile de amplificare ale 2 d  tranzistorului i c derii de tensiune Ud 22I 2 pe impedan a de 2 ! ie ire a tranzistorului Z 22 . 1 ! care determin reac ia invers în tranzistor (fig.15. I1 Z 11 Z 22  I2  U1 !  U 1d Z 11 I 1 d  U 1d Z 12 I 2 ! d  U 2d Z 22 I 2  ! U2  !  Ud Z I 2 21 1 Fig. care circul prin admitan a de ie ire.1.14.1. Curentul de   !  ie ire I 2 este format din curentul generatorului Id Y21U 1 ce 2 caracterizeaz propriet ile de amplificare ale tranzistorului i d  curentul Id Y22 U 2 .1. ¯   I °2 ! Y21 U1  Y22 U 2   !  Curentul de intrare I1 este format din curentul Id Y11 U 1 ce 1 d  circul prin admitan a Y11 i curentul generatorului Id Y12 U 2 . putem scrie    I1 ! Y11U 1  Y12 U 2 . 2 Pentru sistemul de parametri Y.

În fig. Schema formal de substituire a tranzistorului în sistemul de parametri H  !  Curentul de ie ire I 2 prezint suma curen ilor Id H 21I 1 ce 1 caracterizeaz propriet ile de amplificare ale tranzistorului i d  curentul Id H 22 U 2 care circul prin admitan a de ie ire H 22 . iar Y22 .în regim de scurtcircuit la intrarea cuadripolului. 1.  I1 H 11 !  d I 2d H 22U 2   d I 2 ! H 21U 1  I2  H 22 U 2  U1 !  U 1d H 11 I 1 d  U 1d H 12 I 2 ! Fig. 2 21 1 22 2 Tensiunea de intrare prezint suma c derilor de tensiune d H I pe impedan a de intrare H i tensiunea generatorului U 1 ! 11  1 11 d H U .1.1.5. 2 ! Subliniem c admitan a H 22 nu este egal cu admitan a Y22 .17 i fig.Pentru sistemul de parametrii H sau h putem scrie    ® 1 ! H 11 U1  H 12 I 2 . U ¯   I ° !H I H U .18 este ar tat metoda grafic care permite 27 .1. Pentru aceasta se folose te metoda grafic .16).16. Determinarea parametrilor diferen iali ai tranzistorului dup caracteristicile statice Parametrii diferen iali sunt determina i pentru punctul de func ionare stabilit ini ial cu utilizarea familiilor de caracteristici statice de intrare i ie ire ale tranzistorului bipolar.3. deoarece H 22 este determinat în condi ii de mers în gol la intrarea cuadripolului. 1. care caracterizeaz reac ia invers în tranzistorul  U 1d 12 2 ! bipolar (fig.

(I B U CE ! const (U BE . IC (I C (I C d" d d d d I Bd I B " I B Ad Bd D B O Dd (U CE (U CE A d IB d d IB Fig. conform (1.25). putem scrie:  U mb ! h 11e I mb  h 12e U mc . h11e ! h 12e !   d d I Bd U CE (U BE . ¯ I ° C ! h 21e I B  h 22e U C . ¯ I ° mc ! h 21e I mb  h 22e U mc . (U CE U B ! const 28 . I m ! (I B .17.37) i curen ilor. U mc ! (U CE .30) poate fi scris sub forma U B ! h 11e I B  h 12e U C . I mc ! (I C .determinarea parametrilor h ai tranzistorului bipolar în punctul de func ionare definit O.26). (1.1. (1. Determinarea parametrilor h 22e i h 21e dup caracteristicile de ie ire Substituind amplitudinile mici ale curen ilor i tensiunilor pentru semnalele variabile cu devieri finite ob inem U mb ! (U BE . Pentru schema EC rela ia (1.38) Pentru amplitudinile tensiunilor rela iilor (1.

18. 29 . Din punctul dat O se traseaz o linie vertical pân la intersec ia cu caracteristica de sus în punctul D i cu cea de jos ± în punctul D¶. ipotenuza c rora o prezint caracteristica pentru curentul continuu al bazei d I B ! Id Din fiecare triunghi determin m conductibilitatea de B . lâng punctul O sunt construite dou triunghiuri mici OAB i OA¶B¶ cu valori echivalente pentru (U CE .h 21e ! h 22e ! (I C !F.17. ( I B U CE ! const (I C . d ie ire ce corespunde curentului bazei Id B h 22e ! (I C (U CE I B ! const . (U CE I B ! const d d U CE d d d U CE d U CE B IB d U CE d d d d d (U CE ! U CE  U CE (U CE ! 0 d d U CE d d d U CE Ad O A Bd U BE (I B (I B (U BE (U BE Fig. Determinarea parametrilor h 11e i h 12e dup caracteristicile de intrare În fig. Apoi determin m media aritmetic a acestui parametru.1.1.

h 21e ! 21e 2 Parametrii h 11e i h 12e se determin dup caracteristicile de intrare ale tranzistorului (fig.1. se modific doar pozi ia în schema echivalent . Pe grafic determin m punctul dat O ce corespunde m rimilor U CE i I B asem n tor cu cel din desenul cu caracteristicile de ie ire. Schemele echivalente ale tranzistorului la frecven joas Sistemele de parametri diferen iali Z. De exemplu. lega i de procesele fizice care au loc în tranzistor i care nu depind de schema de conectare. Apoi din fiecare triunghi g sim parametrii i calcul m media lor aritmetic . 30 . La analiza func ion rii circuitelor o întrebuin are deosebit au ob inut-o parametrii fizici ai tranzistorului.Pentru fiecare segment (OD i OD¶) se determin h 21e ! F hd ! 21 e parametrul d d . 12 e d d d CE d 2 Ud  Ud Ud  Ud CE CE CE 1. În apropierea punctului O se construiesc dou triunghiuri mici OAB i OA¶B¶.6. Y. 21 e d d d d Id Id Id Id B  B B  B Apoi calcul m media aritmetic pentru parametrul dat d hd  hd 21e . Utilizându-se ace ti parametrii. H se numesc externe deoarece ele se m soar la bornele cuadripolului i m rimile acestor parametri depind de schema de conectare a tranzistorului. hd ! .18). h 12e ! 12 e . hd ! . La trecerea de la o schem de conectare la alta m rimile numerice ale parametrilor fizici nu se modific . pentru coeficientul de reac ie invers h 12e hd ! 12 e d hd  hd OA OA d 12 e d . poate fi alc tuit schema echivalent fizic a tranzistorului la semnale mici.

1. rE ! xU E . se ob ine ( U E ! xU E . I E . putem scrie: E qU ¨ ¸ 1 « xU E » q qI E © I E 0e kT ¹ ™ !¬ ¼ !© ¹ kT } kT .1. Rezisten a diferen ial jonc iunii emitorului i capacitatea Rezisten a diferen ial a jonc iunii emitorului rE se determin ca rela ia dintre tensiunea aplicat pe jonc iunea emitorului (U E i curentul emitorului (I E . kT q } 0. rE ­ xI E ½ ª º T ! 300 K . Curentul jonc iunii emitorului polarizate direct se determin conform rela iei U ¨ k ¸ I E ! I E0 © e  1¹ . când în circuitul colectorului este asigurat regim de scurtcircuit dup curent alternativ. xI E ( U C ! 0 unde: U E este tensiunea între emitor i baz .39) © ¹ ª º unde I E 0 este curentul de scurgere al jonc iunii emitorului. (1.curentul jonc iunii emitorului. În a a mod.6. U C . ( U C ! x U C . (U E .026 . pentru rezisten a diferen ial a jonc iunii emitorului.tensiunea între colector i baz . rE ! (I E (U C ! 0 Dac substituim devierile curen ilor i tensiunilor cu echivalent diferen ial. ( I E ! xI E .

qI E I E . A . ?mA A E 1 31  1 rezisten a (1. ?.V i Pentru diferen ial a jonc iunii emitorului este mic kT 26 mA rE } } .40) .

41) unde: U C este tensiunea între colector i baz .I E ! 1 mA i ! 300 K . când în circuitul emitorului avem mers în gol dup curent alternativ (U C . Cu modificarea valorii tensiunii aplicate pe colectorul U C frontiera jonc iuni colectorului se deplaseaz . pentru rE ! 26 Ohm . De exemplu.6. I E . Jonc iunea de parc 32 . în schema echivalent fizic m rimea CE poate fi neglijat . I C . Rezisten a diferen ial i capacitatea jonc iunii colectorului Rezisten a diferen ial a jonc iunii colectorului rC se determin ca rela ia între tensiunea aplicat pe jonc iunea emitorului (U C i curentul colectorului (I C .curentul jonc iunii emitorului. ( I C ! x I C . Curentul colectorului I C circul prin jonc iunea colectorului polarizat indirect i depinde slab de tensiunea aplicat la colectorul U C . în general. capacitatea jonc iunii emitorului polarizat direct ( CE ) la frecven joas este untat de rezisten a rE i influen a ei asupra func ion rii tranzistorului este nesemnificativ .2. ( U E ! xU E . de efectul de modulare a grosimii bazei i de curentul de scurgere. M rimea rC este major (de obicei rC " 0. rC ! xU C .curentul colectorului. xI C ( I E ! 0 (1. rC ! (I C (I E ! 0 Se efectueaz trecerea: ( U C ! x U C . Rezisten a diferen ial a jonc iunii colectorului este determinat . La frecven joas . Din cauza valorii mici a rezisten ei rE .1 M . ). 1.

! C ! IE ! IE } xU C xWB xU C rC xU C (I E ! 0 (1. ce poart un caracter de difuzie xI xE xE 1 xWB . În rezultat. cu schimbarea tensiunii pe colector se modific i valoarea curentul colectorului I C . Îns capacitatea CC unteaz o rezisten mai mare ( rC ). Respectiv se modific viteza mi c rii de difuzie a purt torilor minoritari din baz i num rul de goluri ce recombin în procesul mi c rii de difuzie de la emitor spre colector. de aceea cu majorarea frecven ei aceast capacitate are o influen considerabil asupra func ion rii tranzistorului.42) Jonc iunea colectorului polarizat indirect posed capacitatea CC care este determinat de raportul dintre modificarea valorii sarcinii spa iale în jonc iune i valorii tensiunii colectorului când în circuitul emitorului este asigurat regim mers în gol. valoarea rezisten ei bazei rB poate fi determinat conform rela iei 33 . 1. conduce la dependen a coeficientului de transfer de difuzie a golurilor = i. Rezisten a de volum a bazei Materialul semiconductor din regiunea bazei i contactul d ohmic al bazei posed o oarecare rezisten rB . Cum arat d calculele. De obicei capacitatea colectorului CC este cu mult mai mic decât capacitatea jonc iunii emitorului polarizat direct CE .6. la dependen a coeficientului de amplificare dup curent E de tensiunea aplicat pe jonc iunea colectorului. la rândul s u.s-ar mi ca în întâmpinarea golurilor la majorarea tensiunii U C i se retrage la mic orarea ei (fig. Aceasta condi ioneaz majorarea total a rezisten ei diferen iale a colectorului rC .3.1. prin urmare. Aceasta. Drept rezultat al modific rii valorii E (când I E ! const ).7). gradientul concentra iei golurilor din baz cre te la mic orarea grosimii bazei i descre te la m rirea grosimii bazei.

de aceea circuitul bazei este caracterizat de rezisten a total : d d . N x .6. rBdnumit de difuzie. Acest circuit echivalent este prezentat în fig.1. rezisten a bazei trebuie redus la minim. (1. Efectul  de transfer al curentului emitorului I în circuitul colectorului pe E schema echivalent este indicat sub form de generator de curent  EI E . Pentru majorarea eficacit ii emitorului i mic orarea pierderilor de putere a semnalului de intrare. Conform legilor fizice. Îns aceste considera ii nu ne dau precizia necesar i necesit introducerea rezisten ei ad ug toare d . Majorarea d rB m re te pierderile în circuitul de intrare.19. poate fi construit schema echivalent în T de conectare a tranzistorului cu baz comun . 8TqQ n N x WB unde: q este sarcina electronului. ceea ce mic oreaz d eficacitatea emitorului.1 .4.concentra ia donorilor în baz . d Introducerea rezisten ei rB în circuitul bazei ia în considerare reac ia intern în tranzistor i influen a modula iei grosimii bazei asupra curentului emitorului. deoarece aceast tensiune este distribuit între d jonc iunea emitorului i rezisten a rB . Schema echivalent pentru cuplaj baz comun Utilizând parametrii analiza i anterior. WB grosimea bazei.43) rB ! rB  rBd d rB ! 1.mobilitatea purt torilor majoritari în baz . Q n . majorarea rB trebuie s mic oreze curentul emitorului pentru tensiune constant între emitor i baz . Cu majorarea valorii grosimii bazei i concentra iei impurit ilor rezisten a de volum a bazei se mic oreaz . În schema echivalent jonc iunile emitorului i colectorului sunt reprezentate prin rezisten ele lor diferen iale rE i rC . unde E prezint coeficientul de transfer al curentului 34 .

În schema echivalent a tranzistorului tip p-n-p direc iile curen ilor vor fi inverse (fig. CC  EI E  IE rE Bd rB rC  IC E  UE C  UC B B Fig.1. Schema echivalent a tranzistorului tip n-p-n  cu generator de curent EI E la conectare BC  În cazul orient rii curentului emitorului I E de la punctul Bd spre punctul E (ceea ce corespunde curentului emitorului real în  tranzistorul bipolar tip n-p-n). coeficientul de transfer dup curent E este socotit independent de efectul de modulare a grosimii bazei. Polaritatea relativ a curentului generatorului EI E în schema echivalent este determinat de sensul pozitiv al curentului emitorului.20).19. trebuie orientat spre punctul Bd Pentru direc ia invers a curentului emitorului (tranzistor tip p-n-p) polaritatea  generatorului EI E este invers .19. De aceea orientarea curentului emitorului condi ioneaz direc ia tuturor curen ilor r ma i a a cum este ar tat în fig.19. Prezen a rezisten ei rB în circuitul 35 . Trebuie de remarcat  c rezisten a intern a generatorului de curent EI E pentru curentul  de ie ire I C tinde spre infinit. În schema echivalent .1. Legea descris este determinat de procedeele fizice care au loc în tranzistor. prezentat în fig. emitorului. direc ia pozitiv a curentului EI E .1. unde direc iile pozitive ale curen ilor i tensiunilor corespund celor reale în tranzistorul bipolar tip n-p-n.1.

1.bazei eviden iaz leg tura intern în tranzistorul bipolar i influen a modul rii bazei asupra curentului emitorului. Uneori este mai comod de utilizat schema echivalent în care  în locul generatorului de curent EI E func ioneaz generatorul  echivalent de tensiune I ErG .20. unde rG este rezisten a ce reflect propriet ile de amplificare ale tranzistorului.1.1.19. Schema echivalent pentru conectarea emitorului comun Schemele prezentate în fig. CC  IE rE Bd  IB rB rC  I E rG  IC E  UE C  UC B B Fig. (1. Schema echivalent a tranzistorului tip p-n-p  cu generator I ErG (conectare BC) Echivalen a regiunilor din schem Bd C pentru fig.6. Ea este utilizat pe larg în calculul ingineresc. rezult din egalitatea c derilor de tensiune create de  curentul EI E pe rezisten a rC (fig.1.19) i tensiunea generatorului  I r (fig.1.20 r mân valabile 36 . Aceast schem este prezentat în fig. Schema echivalent fizic a tranzistorului bipolar.19 i fig.19 i fig.1. con ine un generator de curent EI E .1.44) 1. rG ! ErC .1.1. un num r minim de elemente i reflect procesele fizice ce au loc în tranzistorul bipolar real.20) E G   EI E rC ! I E rG . prezentat  în fig.20.20.5.

pentru conectarea tranzistorului cu EC.  Pentru aceasta este analizat tensiunea U Bd între punctele Bd C. cum este ar tat în fig. dac bornele de intrare de schimbat cu locul a a.  În astfel de circuit curentul generatorului EI E este comod de   înlocuit prin curentul bazei I B i nu prin curentul emitorului I E . C care este determinat ca suma c derilor de tensiune pe rezisten a   rC din cauza curen ilor EI E i I C      . 1.21.

C poate fi scris sub forma  U Bd ! C C « F   » ¬I C  1  F I C  I B ¼ ! ­ ½ .1. Schema echivalent a tranzistorului tip p-n-p  cu generator EI E (conectare EC)    Din cauz c I E ! I C  I B .46) B  UB C  UC E E Fig. Z C rC CC  EI E  IB rB Bd  IE rE rC  IC (1. E ! F /(1  F ) .45) BC C C C E C C E unde 1 1 !  j[ C C . U d!I  EI ! (1.I  EI .21. unde F coeficientul de transfer al curentului bazei la conectarea tranzistorului dup schema EC. tensiunea între punctele Bd.

! Z C ¬I C © 1  ¹ I © ¹ 1  F IB ¼ ! 1  F . « ¨ F ¸ ZC  F »  .

C  FI B 1 F º ª ½ ­ (1.47) 37 .

48) ! C /(1  F ) .47) cap t forma    U Bd ! Z CE . rela ia (1. Dac lu m în considerare (1.48).Introducem nota ia (1.

C la înlocuirea   generatorului de curent EI cu generatorul F I . unde între punctele  Bd C este conectat generatorul de curent F I B . CE E B Cum se observ din rela iile (1. direc ia  generatorului de curent F I B trebuie s coincid cu direc ia  generatorului de curent EI E .45) i (1. C Z CE rC Luând în considerare rela iile (1.46) i (1. I (1.49). C  F I B . putem scrie r * rC ! C .50) 1 F C* ! C C .49) C unde Z CE este impedan a în punctele Bd . (1. Impedan a Z CE posed componente activ i reactiv 1 1 ! *  j[ C* .48) pentru schema echivalent a tranzistorului bipolar cuplat EC.

51) C CC . (1.1  F .

 F 1  FI B  IB rB Bd  IE rE rC 1 F  IC CC .

22.1.  F 1  * I E rG B  UB C  UC Bd rC 1 F C E E Fig. Schema echivalent a tranzistorului tip n-p-n  cu generator de curent F I B i generator de  * tensiune I B rG (conectarea EC) 38 .

1.7.49). În fig. Rezisten a generatorului rG . 1. 1. ce determin propriet ile de amplificare ale tranzistorului.7. În schema din fig. * rezisten a rC este de zece ori mai mic ca rC .1.50). Leg tura dintre parametrii fizici ai tranzistorului i parametrii h 1.1.Rela iile (1. Îns constanta de timp a jonc iunii colectorului r mâne aceea i pentru ambele scheme de conectare.1. Rolul parametrilor h în schema echivalent i calculul lor Utilizarea schemelor echivalente pentru analiza circuitelor electronice permite de a ob ine leg tura dintre procesele fizice care au loc în tranzistor i parametrii circuitelor.1.14.51) permit de a trece de la schema prezentat în fig. Aceasta este posibil dac sunt cunoscute m rimile fizice ale parametrilor tranzistorului în circuitele prezentate în fig.1.C.22) direc iile pozitive ale curen ilor i tensiunilor coincid cu direc iile m rimilor de intrare i ie ire pentru schemele formale. (1. Cum se observ din analiza schemelor formale de înlocuire a tranzistorului (fig. (1.1.19 i fig.22). 39 .1. Partea r mas a schemei r mâne * neschimbat .fig..22 este ar tat por iunea de schem între punctele Bd.22..22 direc ia curentului  generatorului F I B este aceea i ca i în schema cu baz comun . iar capacitatea C* C tot de atâtea de ori este mai mare ca CC .1.21 la schema tranzistorului cu generator de  curent F I B (fig. se determin din rela ia * * rG ! F rC . Uneori în schema echivalent de conectare a tranzistorului cu  emitor comun în locul generatorului de curent F I B se folose te  * generatorul de tensiune I B rG .16) i schema echivalent fizic a tranzistorului tip n-p-n conectat cu emitor comun (fig.

! i schema echivalent . prezentat în fig.38) U mb ! h 11e I mb  h 12e U mc . ¯ I ° mc ! h 21e I mb  h 22e U mc . tensiunea la intrare poate fi determinat ca " " U m ! I m rB  I merE ! I m rB  I m " " " * * rErC rErC  FI m .1. adic U mc ! 0 . În presupunere c tensiunea de ie ire în aceast schem este egal cu zero. * * rE  rC rE  rC » « r r* U mb ! I mb ¬rB  E C * .37).Pentru determinarea rela iilor de leg tur între parametrii fizici i parametrii h ai tranzistorului este necesar de a analiza concomitent sistemul de ecua ii a parametrilor h (1. (1.22.

ob inem r r* h 11e ! rB  E C * .1  F ¼ .38) i (1.52). rE  rC ½ ­ Dac compar m rela iile (1.

52) (1.53) * rC . ob inem formula de Luând în considerare faptul c rE leg tur a parametrului h 11e cu parametrii fizici: (1. rE  rC (1.1  F .54) h 11e ! rB  rE .

22) * * U mc  F I mb rC ! I mc (rE  rC ) . ob inem * * F I mb rC ! I mc (rE  rC ) . adic Coeficientul de transfer dup curent al tranzistorului cuplat EC se determin cu ajutorul ecua iei lui Kirghoff pentru circuitul colectorului din schema echivalent (fig.22 ca divizor * de tensiune format de rezisten ele rE i rC dac I mb ! 0 . Parametrul h 12e se define te în schema din fig.55) .1  F . Din aceste considerente 40 # # h 12e ! Um rE . Pentru U mc ! 0 . ! * U mc I m ! 0 rE  rC (1.1.1.

56) Parametrul h 22e dup defini ie prezint conductibilitatea de ie ire pentru regim mers în gol la intrarea tranzistorului. * U mc I mb ! 0 rE  rC rC (1.57) indic leg tura dintre parametrii fizici i parametrii h ai tranzistorului ± cuadripol. * I mb U mc ! 0 rE  rC * rC se ob ine Luând în considerare c rE (1. primim * U mc ! I mc (rE  rC ) . Rezolvarea concomitent a ecua iilor (1. Analogic putem ob ine leg tura dintre parametrii fizici i parametrii h ai tranzistorului ± cuadripol în schema de cuplare BC h 11b ! rE  rB (1  E ) . h 22 e ! I mc 1 1 ! } *.53).(1. h 22 b ! .. h 21e } F .57) Rela iile (1. Din rela ia (1. rC rC (1. h 11b ! E . h11b ! rB 1 .7.. Determinarea parametrilor fizici dup parametrii h În practic apare problema invers ± dup parametrii h cunoscu i de determinat parametrii fizici ai tranzistorului bipolar. presupunând c amplitudinea curentului bazei este egal cu zero ( I mb ! 0 ).54) i (1.h 21e ! * F rC I mc ! .59) h 22e Remarc m c formula dat poate fi utilizat doar în cazul când coeficientul diferen ial de reac ie invers h 12e posed o 41 .57) fa de m rimea rE primite de a ob ine formula de calcul pentru rezisten a jonc iunii emitorului h rE ! 12e .2. (1.55).58) 1.

56). Dependen a parametrilor tranzistorului de temperatur 1. De regul . (1. ele sunt calculate dup parametrii h cunoscu i ai tranzistorului cuplat dup schema EC conform rela iilor (1.54). (1. (1.61).8.59) permit de a calcula rezisten a jonc iunii colectorului dup curent alternativ h12e 1 * .  rC ! h 22e h 22e * * rC ! (1  F )rC ! (1  h 21e )rC . conductibilitatea specific a semiconductorului este determinat de 42 .57) i (1.60). (1.8.59). (1.60) h 22e Rela iile (1. De exemplu. rB .valoare semnificativ .40). rC nu sunt întotdeauna incluse. (1.61) h 22e În îndrumare m rimile rE . Rela iile (1.52). (1. Analogic poate fi g sit leg tura dintre parametrii h i elementele schemei echivalente fizice pentru conectarea tranzistorului BC. Influen a temperaturii asupra parametrilor semiconductorilor Dependen a parametrilor i caracteristicilor dispozitivelor semiconductoare de temperatur este condi ionat de faptul c propriet ile fizice ale materialului semiconductor într-o m sur mare se modific sub influen a temperaturii.57) permit de a ob ine formula pentru calculul rezisten ei bazei h rB ! h11e  21e (1  h 22e ) . 1. 1  h 21e rC ! (1  h 21e ) . se utilizeaz formula (1.1. Dac acest parametru este aproape sau egal cu zero. Parametrii h ai tranzistorului sunt m sura i experimental sau determina i conform caracteristicile statice.

unde n este un num r întreg sau frac ionar.1.concentra ia purt torilor de sarcin .23. Dependen a tipic a conductibilit ii specifice a semiconductorului de temperatur este prezentat în fig. Majorarea de mai departe a conductibilit ii specifice cu cre terea temperaturii are loc din cauza apari iei perechilor electron ± gol în semiconductorul intrinsec. W .62) unde: Q n . Dependen a electroconductibilit ii specifice a semiconductorului cu impurit ii de temperatur La temperatur foarte joas în semiconductor electronii ce se afl pe ultimul nivel energetic interac ioneaz între ei foarte puternic. n . ca urmare.1. . Q p prezint mobilitatea purt torilor de sarcin ce sunt func ie de temperatur . Majorarea valorii conductibilit ii specifice are loc dup legea Tn . p .rela ia W ! q(nQ n  pQ p ) . Cu m rirea de mai departe a temperaturii to i atomii de impurit i sunt ioniza i. Cu majorarea temperaturii la are loc ionizarea atomilor de impurit i i majorarea concentra iei purt torilor de sarcin mobili. ™ cm 1 103 102 10 N1 N2 N 3 " N 2 " N1 N3 1 0 10 20 30 40 50 1000 T. (1.23. 43 . K Fig. conductibilitatea specific scade din cauza mic or rii mobilit ii purt torilor de sarcin Q ! f ( T  3 2 ) . concentra ia purt torilor de sarcin intrinseci r mâne s fie nesemnificativ i.

(1.64) qI E unde F este coeficientul de transfer dup curent în cuplarea tranzistorului EC. L C . (1.. Modificarea parametrilor tranzistoarelor bipolare la varia ia temperaturii Practic to i parametrii schemei echivalente a tranzistorului.8.1.22.grosimea jonc iunii colectorului. Rezisten a colectorului tranzistorului (f r drift) în cazul jonc iunii abrupte U F WB .2. Pentru tranzistorul cu drift 3U CEF WB . I E .66) rC ! I EL C Pentru a determina influen a temperaturii asupra rezisten ei jonc iunii colectorului este necesar de a analiza caracteristicile în func ie de temperatur a parametrilor ce intr în componen a rela iei (1.66).temperatura.1.. Se cunoa te c 44 .grosimea bazei.19.fig. (1. Rezisten a bazei este determinat de rela ia k rB } F rE ! F .1.curentul emitorului. .65) rC ! CE I ELC unde: U CE este tensiunea între baz i colector. Rezisten a jonc iunii emitorului depinde de temperatur în modul urm tor kT rE ! . Se observ c odat cu majorarea temperaturii pentru curentul emitorului constant rezisten a rE cre te. q . (1.sarcina electronului. WB .63) qI E unde: k este constanta lui Boltzman. prezentate în fig. depind de temperatur .

. Aceasta provoac majorarea coeficientului de transfer dup curent E .67) 1 E Coeficientul de transfer al curentului în cuplaj BC E este determinat de rela ia E ! K]M . dup legea exponen ial .E . grosimea jonc iunii scade. M . i este mai eviden iat la temperaturi înalte (se m re te de dou ori la fiecare 10 grade în varia ia temperaturii). Cu majorartea temperaturii cre te pu in i valoarea 2 coeficientului de transfer K ! 1  WB 2L2n . curentul emitorului cre te din cauza modific rii valorii I EB 0 . Deoarece concentra ia purt torilor de sarcin se m re te odat cu cre terea temperaturii. deoarece se m re te F! neesen ial i lungimea de difuzie a purt torilor de sarcin L n . (1.eficacitatea colectorului.03. Fiindc U CB "" N C asupra grosimii jonc iunii influen eaz nivelul concentra iei purt torilor de sarcin cu modificarea temperaturii. la o temperatur nu prea înalt cea mai mare influen 45 .bariera de poten ial. (1. N C . Jonc iunea colectorului este asimetric i grosimea poate fi exprim prin rela ia 2II 0 N C  U CB .69) I E ! I EB 0e kT .p .05% o C .0. În a a mod.70) ™ LC ! q N unde: N este concentra ia impurit ilor în regiunea jonc iunii colectorului.68) unde: K este coeficientul de injec ie. Cu majorarea temperaturii. Majorarea valorii lui E provoac cre terea lui F .p . ] . Modificarea valorii E constituie 0.coeficientul de transfer.. unde I EB 0 este curentul termic al jonc iunii emitorului. (1. Curentul emitorului depinde de temperatur qU EB (1.

16( K ) pentru siliciu.o va avea majorarea coeficientului de transfer F . unde TY ! un.24.5 K .5 0 rC rE E .1 ( K 1 ) I CT ! I CT0 2 ln 2 este temperatura de dublare a curentului termic. rel . Dependen a de temperatur a parametrilor din schema echivalent analiza este prezentat în fig.TY ! 4. (T ! T  T0 . La temperatur mai înalt va avea loc mic orarea rC din cauza influen ei tot mai mari a curentului emitorului (1. 2.0 1. ceea ce va provoca m rirea rezisten ei jonc iunii colectorului. ob inem 1 La T ! 300 ( K ) .5 1.71) I CT ! I CT eG ™ (T . Dac vom trece de la logaritmul natural la cel in baza 2.1. TY ! 7 K . ! k 02 0 pentru germaniu i G ! 0. G Pentru jonc iunea fabricat din germaniu. G ! 0.0 0. din siliciu . unde (E .

E 1 rE rB 40 0 I CB 0 40 rC T . oC I CB 0 E .

24. E 1 rB 80 Fig.72) . (1.1. Dependen a parametrilor fizici de temperatur pentru tranzistorul bipolar 46 $ (T TY .

73) 1 E r 1 1 h12e ! E . h 22 e ! ! *. h 11b ! E . de obicei. h12b ! B . * rC rC (1  E ) rC În practic . rC rC E h11e ! rB  rE (1  F ) . Parametrii h ai tranzistorului sunt lega i de parametrii schemei echivalente prin rela iile urm toare r 1 h 11b ! rE  rB (1  E ) . tranzistorul bipolar poate fi prezentat ca cuadripol liniar. (1. h 21e ! . h 22 b ! .Dup cum se cunoa te. apare problema invers ± dup parametrii h cunoscu i se determin parametrii fizici h 1  h 21e h rB ! h11e  12e .

4. rel . (1. un.1  h 22e .0 3. oC Fig.74) h 22e h 22 e h 22e Dependen a de temperatur a parametrilor h pentru tranzistorul bipolar este prezentat în fig.0 2. rC ! . rE ! 12e . Dependen a parametrilor h de temperatur pentru tranzistorul bipolar 1. Dependen a caracteristicilor tranzistorului bipolar de temperatur Cu majorarea temperaturii. curentul emitorului se m re te esen ial i caracteristica de intrare pentru schema de conectare BC 47 .8.1.25.3.0 1.25.1.0 0 40 20 0 20 40 h11e h21e h12 e h22 e T .

Rezult c pentru curent constant al emitorului modificarea absolut a curentului colectorului va fi urm toarea: (1..26. Pentru schema de conectare EC curentul de intrare este curentul bazei care aproximativ este determinat din formulele Ebers ± Moll în modul urm tor: ¨ UE ¸ ¨ UC ¸ I B ! .1.26).75) I C ! EI E  I CB 0 ..10 3 . iar I CB 0 I C este de ordinul 10 6 .77) Din cauza c modificarea coeficientului E nu este major . Curentul de ie ire (curentul colectorului) se determin conform rela iei (1. atunci devierea caracteristicilor de ie ire cu temperatura pentru schema BC este nesemnificativ (fig... Deplasarea caracteristicilor are loc aproximativ cu 1. E IC IC IC I C I CB 0 (1.2mV o C .76) dI C ! I E dE  dI CB 0 .are forma indicat în fig.1. Modificarea relativ pentru curentul colectorului este dI C I E dI dE I CB 0 dI CB 0 ! dE  CB 0 !  ™ .

1  E ™ I ECB © e NT  1 ¹  .

48 .1.78) depind în mod diferit de temperatur (fig.coeficientul de transfer în regim de inversie. Caracteristicile de intrare. se intersecteaz .curen ii inver i ai jonc iunii emitorului i colectorului. I ECB .1  E i ™ I CBC © e N  1 ¹ . Ei . I CBC . deoarece unele componente din rela ia (1. N T ! kT q poten ialul termic. © ¹ © ¹ ª º ª º % (1.27). m surate pentru diferite temperaturi.78) unde: E prezint coeficientul de transfer în regim activ.

I C . QA 100 80 60 40 20 0 45 oC 20 oC Fig. Dependen a de temperatur a parametrilor h I B . mA 4 3 2 1 0 & 50 oC 12 9 20 oC 6 3 100 200 U EB . 1. mA I E . m 0 5 I E ! 2 mA 10 I E ! 10 mA I E ! 6 mA 60 oC 50 oC 20 oC 80 oC Fig.1.27.26. Dependen a de temperatur a caracteristicilor de intrare în schema de cuplare EC Curentul colectorului pentru schema de conectare EC se scrie în forma urm toare: I C ! F I B  .

(1.78) 49 ' 100 U BE . m & 15 U CB . m .F  1 I CB 0 .

Fig.28. (1. mA 12 10 8 6 4 2 0 5 I B ! 40 QA 30 QA 60 oC 20 QA 10 QA I B ! 40 QA 30 QA 20 oC 20 QA 10 QA 10 U CE .80) } .1.I C . Dependen a de temperatur a caracteristicilor de ie ire în schema cu EC Instabilitatea relativ a curentului colectorului pentru I B ! 0 E I CB 0 I CB 0 IC I .

F  1  ™ ! .

F  1 C I C EC I C BC E I C I CB 0 adic se m re te în compara ie cu conectarea BC de .

Din rela ia (1.1. dac în diapazonul dat de temperaturi în schema BC modificarea formei caracteristicilor de ie ire va fi de câteva procente. ob inute pentru câteva valori ale temperaturii. Regimul limit de func ionare pentru tranzistoarele bipolare la varia ia temperaturii Se cunoa te c odat cu majorarea temperaturii considerabil se m re te concentra ia purt torilor de sarcin minoritari în func ie 50 ( .4.28.8. În fig.F  1 ori.80) se observ c modificarea caracteristicilor de ie ire a tranzistorului conectat în schema EC este semnificativ . atunci pentru conectarea EC ea va constitui sute de procente. sunt prezentate caracteristicile de ie ire ale tranzistorului bipolar conectat în schema EC. De exemplu. 1.

. Rezisten a termic este un parametru important al tranzistorului i este indicat în îndrumarele respective..temperatura mediului. Temperatura maxim admisibil determin regimurile de limit 51 . func ionarea dispozitivului semiconductor se deregleaz .carcas . Limita de jos a temperaturilor de lucru este determinat de energia de ionizare a impurit ilor ( 0....0. De obicei ea se exprim în grade celsius pe miliwat sau grad celsius pe wat i pentru majoritatea tranzistoarelor se plaseaz în limitele 30. Practic diapazonul minim al temperaturilor de lucru este limitat de diferi i factori tehnologici i de particularit ile constructive i se plaseaz în limitele o 70. i reprezint aproximativ  200o C . Temperatura maxim de lucru este determinat de energia de ionizare a semiconductorului i concentra ia impurit ilor.. Pentru func ionarea normal tranzistoarele de putere sunt utilate cu radiatoare iar puterea disipat de jonc iunea colectorului poate fi determinat conform rela iei T  TC PC ! n .rezisten a termic radiator ± mediu.rezisten a termic a jonc iunii colector .  60 C .. deoarece ea posed rezisten electric mai major .05. siliciu 1.81) RT  RTC unde: Tn este temperatura jonc iunii colectorului.01 eV ). Aceasta se datoreaz diferen ei dintre l rgimea benzii interzise (pentru germaniu 0. Dintre toate regiunile din structura tranzistorului cea mai mare putere este disipat pe jonc iunea colectorului. (1. R T .72 eV . Când concentra ia purt torilor de sarcin minoritari se apropie de concentra ia purt torilor de sarcin majoritari.. R T C .100o C .1 eV ).de l rgimea benzii interzise a semiconductorului..200 o C W . TC . Pentru tranzistoarele fabricate din germaniu temperatura maxim de func ionare variaz în limitele 70.. iar pentru cele din siliciu în limitele 125.200o C .

curba puterilor admisibile se deplaseaz în jos (fig. V Fig. Dependen a de temperatur a coeficientului termic 52 .1.30. 2 unde B este coeficientul termic cm W . IC .30. cm 2 W 80 60 40 20 0 2 20 40 1 60 80 (t . iar curba 2 ± r cirii for ate (viteza fluxului de aer aproximativ 300 m s ). tensiune i putere.1. oC p Fig. Dependen a de temperatur a regimurilor de func ionare a tranzistorului Dependen a experimental care leag varia ia de temperatur (t p i coeficientul termic B este prezentat în fig. Suprafa a radiatorului este determinat de rela ia (1.dup curent.82) S R ! BPC . Cu cre terea temperaturii.1.29).29. B. A I C max 4 3 2 1 0 5 10 T2 PC max I B ! 200 mA T1 150 mA 100 mA 50 mA 25 mA U CE max U CE . Curba 1 corespunde convec iei libere a aerului. 1.

construc ia. Dispersia purt torilor de sarcin în baz Propriet ile de amplificare a tranzistoarelor sunt determinate de: propriet ile materialului din care sunt confec ionate.9. y 53 . Asupra diapazonului frecven elor de lucru a tranzistoarelor influen eaz urm torii parametri: y timpul de difuzie al purt torilor de sarcin minoritari în regiunea bazei de la jonc iunea emitorului la cea a colectorului. Cu majorarea frecven ei. determinat de dimensiunile ei geometrice.9. y capacitatea jonc iunii emitorului CE i colectorului CC . Asta înseamn c : y scade puterea de ie ire. y apare defazajul. adic întârzierea oscila iilor curentului de ie ire fa de cel de intrare. tehnologia de fabricare. rezisten a bazei rE .1. regimul de lucru i schema de conectare. Dependen a parametrilor tranzistorului de frecven 1. Viteza de propagare a purt torilor de sarcin în regiunea bazei este diferit i de aceea grupul de purt tori de sarcin ce au intrat concomitent în regiunea bazei ating regiunea colectorului în timp diferit. 1. propriet ile de amplificare ale tranzistorului bipolar se înr ut esc.În a a mod la proiectarea aparatajului radioelectronic cu tranzistoare ce lucreaz într-un diapazon larg de temperaturi i este important de a cunoa te ce influen are temperatura asupra parametrilor i caracteristicilor elementului activ i care sunt limitele în func ionarea acestui dispozitiv electronic.

Dependen a coeficientului de transfer dup curent de frecven Fie c tranzistorul bipolar de tip p-n-p este conectat BC i func ioneaz în regim activ. Vom analiza defazajul între curentul emitorului i curentul colectorului. cu valoarea timpului mediu de propagare a procesului de difuzie prin baz X D . Când la intrarea tranzistorului se aplic semiperioada pozitiv a semnalului. O parte din ele ajung destul de rapid la jonc iunea colectorului. Drept rezultat. ce posed o vitez de mi care mai mic . atunci din jonc iunea emitorului se injecteaz în baz un num r mare de goluri. 54 . Dac la intrarea tranzistorului aplic m impulsuri dreptunghiulare de durat redus . semiperioada pozitiv va trece în cea negativ .9. atunci la ie irea lui frontul din spate i cel din fa a fiec rui impuls va fi întins i impulsurile posed form de trapez. Influen a dispersiei vitezei purt torilor de sarcin se manifest i asupra formei semnalului.1. alt parte. timpul de parcurgere a bazei de c tre goluri.2. La fel are loc i distorsionarea semnalului sinusoidal. se re ine pu in. În timpul ac iunii semiperioadei negative num rul golurilor injectate se va mic ora i o parte din ele va ajunge la jonc iunea colectorului odat cu cele întârziate de la semiperioada pozitiv . Dispersia vitezelor golurilor în baz aduce la aceea c odat cu m rirea frecven ei are loc înr ut irea efectului de amplificare i mic orarea coeficientului de transfer dup curent E . cu atât este mai pronun at întârzierea purt torilor de sarcin i cu atât mai mic va fi coeficientul de transfer dup curent. aplicat la intrarea tranzistorului. Pentru o frecven major a semnalului. când timpul mediu de mi care a golurilor în regiunea bazei este comparabil cu perioada acestui semnal. prin urmare. Nivelul de mic orare a coeficientului de transfer dup curent cu cre terea frecven ei este determinat de grosimea bazei WB . Modificarea curentului colectorului va avea loc mai târziu decât modificarea curentului emitorului. Cu cât mai mare este grosimea regiunii bazei i. semnalul la ie irea tranzistorului va fi unul mediu.

1. (1. Întârzierea X D T poate fi neglijat . Diagramele în timp a curen ilor de intrare i ie ire la frecven înalt În fig. injecta i în baz .IE IC IE IC t XD T Fig. Cu cre terea i devine frecven ei semnalului. M rimea X D este determinat de grosimea bazei i de coeficientul de difuzie. Pentru tranzistoarele bipolare în formulele (1.1. WB .31 este prezentat diagrama temporal a componentei alternative a curentului colectorului. perioada T se mic oreaz comparabil cu timpul de difuzie X D .grosimea bazei.31. Dp . putem socoti c schimbarea formai curentului colectorului are loc practic momentan dup legea de schimbare a curentului emitorului. Pentru tranzistoarele bipolare tip p-n-p timpul mediu de tranzi ie a procesului de difuzie sau timpul mi c rii de difuzie se determin ca Dp W W2 . Pân când frecven a semnalului nu este mare i perioada de repetare a procesului considerabil întrece timpul mediu de difuzie X D . XD ! B . R p ! Rp Dp WB unde: R p este viteza purt torilor de sarcin minoritari. Semnalul în circuitul colectorului este în defazaj fa de cel în circuitul emitorului cu unghiul de defazaj N B 55 .coeficientul de difuzie al golurilor în baza-n.83) XD ! B .83) indicii respectivi trebuie indica i pentru electroni.

85) i E . Dac curentul emitorului variaz dup legea (1.84) Bazei cu grosimea mai mare îi corespunde un timp de difuzie X D mai major. De aceea pentru aceea i frecven distan ei mai mari între jonc iunile tranzistorului îi corespunde un unghi de defazaj mai mare între curentul de intrare i ie ire. Dp (1.N B ! [X D ! 2Tf 2 WB .

t ! I E ! I m e sin .

atunci curentul colectorului.[t . poate fi scris ca i C . luând în considerare defazajul.

t ! I C ! I m c sin .

(1.86) Deoarece coeficientul de transfer dup curent a tranzistorului E în schema BC reprezint raportul dintre curentul semnalului în circuitul colectorului i curentul semnalului în circuitul emitorului.[t  N B . E depinde de frecven i este caracterizat de modulul E.

[ i faza N B .

[ :  j[ t  jN I C I m c sin .

IE I m e sin.[t  N B I m c e e ! E! ! .

87) unde: E.[t I m e e  j[ t B (1.

[ ! Im c Im e este modulul coeficientului de amplificare. N B .

defazajul coeficientului de amplificare a curentului emitorului în schema cu BC.[ .  E ! E.

[ ™ e  jN .

(1.88) În domeniul frecven elor joase coeficientul de transfer dup curent E este constant. Cu o eroarea admisibil pentru calculele tehnice m rimea coeficientului de transfer dup curent poate fi aproximat cu ajutorul rela iei urm toare B 56 . Cu majorarea frecven ei.88).[ . dup o lege complicat . mic orându-se cu m rirea frecven ei. coeficientul E poart un caracter complex (1.

E.

j[ } E0 f 1  j™ fE . E.

[ ! E.

f } E0 ¨f ¸ 1 © ¹ ©f ¹ ª Eº 2 .89) ¨f ¸ N B . (1.

[ ! N B .

f ! arctg © ¹ . ©f ¹ ª Eº Identic pentru conectarea tranzistorului EC: F0 E0 F .defazajul coeficientului E .

j[ } . F .

[ ! F .

2 f ¨f ¸ 1  j™ 1 © ¹ fF ©f ¹ ª Fº (1.f } . 90) ¨f ¸ N E .

[ ! N E .

în compara ie cu valoarea lui la frecven e joase E Ef ! 0 .defazajul coeficientului F .3. ©f ¹ ª Fº În rela iile (1.modulele coeficien ilor de transfer dup curent la frecven joas pentru schemele de conectare BC i EC respectiv.89) i (1.9.frecven ele de t iere pentru tranzistorul cuplat BC i EC respectiv. f E . f F . CAF.90) utiliz m urm toarele not ri: E 0 . F 0 .f ! arctg© ¹ . 1. CPhF i al i parametrii ai tranzistorului Frecven de t iere pentru tranzistorul cuplat în BC ( f E ) este numit frecven a pentru care modulul coeficientului de transfer dup curent se mic oreaz de 2 ori ( adic cu 3 dB). Frecven a de t iere. 2 Dependen a modulul coeficientului de transfer dup curent de frecven se nume te caracteristica amplitudine .frecven (CAF) E ! \.

[ sau F ! \.

Dependen a unghiului de defazaj de E 57 .[ .

N ! \ .

[ ! \ .

decât în schema BC.1.707 0. în compara ie cu valoarea lui la frecven e joase: F Ff ! 0 . CAF i CPhF pentru coeficientului de transfer dup curent 58 . iar frecven a de t iere f F este considerabil mai redus decât f E .32.32. 1. Exemple de astfel de caracteristici sunt prezentate în fig.[ este numit caracteristica faz ± frecven frecven (CPhF) a coeficientului de transfer. Ele sunt construite în coordonate normate E E 0 i f f 0 . iar unghiul de defazaj este plasat în unit i absolute. 2 F 1 0.6 0.8 0. Frecven a de t iere a tranzistorului în schema EC ( f F ) se nume te frecven a la care modulul coeficientului de amplificare dup curent se mic oreaz de 2 ori ( adic cu 3 dB). În schema EC coeficientul de transfer al curentului bazei depinde mai tare de frecven .4 unit i relative E E0 NB o 30 60 90 10 2 10 1 1 f ! fE 10 fE f Fig.

S exprim m frecven a de t iere f F prin m rimea f E F! 1 E E0 E0 ! ™ ! ! f f E0 1 E 1 j 1 1  j  E0  f fE fE 1 j fE E0 . ! ¸ ¨ f ¹ .

1  E 0 © 1  j © .

90) i (1.1  E 0 fE ¹ º ª (1.91).91) Compararea rela iilor (1. cu considera ia c F 0 ! E 0 .

1  E 0 . ne permite s ob inem formula pentru leg tura dintre frecven ele de t iere în schemele BC i EC fF ! f E .

În a a mod frecven a de t iere a coeficientului de transfer a curentului bazei f F este de .1  E .

92) 1  F0 Cauza principal a mic or rii bru te a coeficientului F cu cre terea frecven ei (cum indic rela ia (1.93) tg.91)) nu este mic orarea valorii E . (1. Pentru schema EC. 1  F0 1  F0 1  F0 f fF ! E . (1.1  E ori mai mic ca frecven a de t iere în schema cu BC sau: F0 1  F 0  F0 1 ! 1  E0 ! 1  ! . f . ci majorarea valorii defazajului.

N E ! fE .

1  E 0 în timp ce pentru schema BC f tg.

fE Luând în considerare (1.N B ! .93) ob inem 59 .

tg.

N E ! 1 tg.

N B . 1  E0 ¡ tg .

N E "" tg .

Aici I m e . I m b respectiv.a). cu lungimea I m e . Amplitudinea curentului bazei este egal cu diferen a între I m e i I m c . Deoarece B 60 . Deoarece E } 1 .33.33. I C . 1  E0 B  IB  IB  IE  IC  I E ! I me  I B ! I mb  IC ! I mc  IE NE  IC NB ! a) b) Fig. 1. I m c .1. I m b prezint amplitudinile curen ilor alternativi ai emitorului.N B 1 NE } N .33.b) în care modulul vectorului I C se mic oreaz . I B . curentul colectorului r mâne în urm de curentul emitorului i vectorii acestor curen i formeaz un  triunghi (fig. Diagramele vectoriale ale curen ilor tranzistorului la frecven joas (a) i înalt (b) La frecven joas curen ii emitorului i colectorului coincid dup faz (fig. a a încât Im e ! Im b  Im c . Cu cre terea frecven ei.1. I m c .  iar a modulului vectorului I se m re te de câteva ori. colectorului i bazei respectiv. atunci la frecven e joase curentul colectorului se deosebe te pu in de cel al emitorului i curen ii tranzistorului pot fi reprezenta i sub forma    vectorilor care coincid dup direc ie I E .

a a cum este ar tat în fig. dI B dU C ! 0 dI m b U m c ! 0 atunci la frecven a f ! f E coeficientul de transfer F se mic oreaz de câteva ori. Frecven ele de t iere f E .1.33.b. f F reprezint parametrii importan i ai tranzistorului bipolar 1 fF ! f E .F! dI dI C sau F ! m c .

1  E 0 sau fE ! f ! .

1  F 0 fF .707 ™ F 0 F . 1  E0 F E. F F0 0.

707 ™ E 0 E .f 1 E0 0.

F În fig.34. Caracteristicile de amplitudine ± frecven ale coeficien ilor de transfer dup curent E.f f fF fT fE Fig. Varia ia mai rapid a modulului F .1.1.34 sunt prezentate dependen ele de frecven a modulelor E i F .

[ cu cre terea frecven ei în compara ie cu E.

[ se explic prin faptul c diferen a 1  E([) în rela ia E.

[ F .

[ ! 1  E.

[ se modific mai rapid decât E.

61 .[ .

cu cre terea frecven ei este determinat de majorarea defazajului N E . La determinarea frecven ei de t iere f F a fost utilizat dependen a aproximativ pentru E de frecven (1.89). de aceea leg tura între f E i fF fE ! 1 f ! .În afar de aceast cauz principal de mic orare pentru F .

1  E0 F este la fel aproximativ . Pentru a ob ine un reziltat concret.1  F 0 fF . se introduce coeficientul de corec ie k : k fE ! f ! .

Analiza rela iei (1.1  F 0 kfF . pentru calcule se folose te frecven a f T (adic frecven a de t iere a tranzistorului sau frecven a limit de amplificare dup curent).90) indic c la frecven e ce dep esc de trei-patru ori frecven a de t iere f F . adic f " . pentru care coeficientul de transfer a curentului bazei F în schema EC este egal cu unitatea. k } 1... În practic . 1  E0 F Valoarea acestui coeficient depinde de construc ia tranzistorului i tehnologia lui de fabricare (de regul .1.2 ).

f 62 .. În acest produs f este frecven a la care este efectuat m surarea valorii coeficientului de transfer F f : F0 Ff ! .4 fF ..3. fF f ! fF F 0 ! const ! f T . produsul F f ™ f este o valoare constant i nu depinde de frecven . f2 1 2 fF pentru f2 "" 1   F f ! fF2 F0 1 f2 fF2 ! fF F 0 .

Deoarece F f ! const pentru f " .

Pentru schema BC frecven a de t iere f E întotdeauna este mai mare ca frecven a de t iere a tranzistorului f T : kfF kfT k .3.. atunci frecven a de t iere în schema EC este de F 0 ori mai mic decât valoarea frecven ei de t iere a tranzistorului fF ! f T F 0 .4 fF i fF f ! fFF 0 ! fT ..

1  F 0 f T ! ! fE ! . (1.94) F0 1  E 0 F 0 .

1  E 0 pentru F " 10   f E ! kfT } .

rezisten a de volum a bazei. CC capacitatea jonc iunii colectorului. Dependen a modulului conductibilit ii directe Y21 de frecven este identic cu dependen a de frecven a m rimilor E i F .95) d 30rB CC unde: f E este frecven a de t iere a coeficientului de transfer în d schema BC.2 f T . De aceea un parametru important dependent de frecven este frecven a maxim de generare sau frecven a maxim de amplificare dup putere. 63 ) . rB .1. dac coeficientul de amplificare dup putere K p " 1 . Y21 ! (U int ( U ies ! 0 se mic oreaz de 2 ori în compara ie cu valoarea lui la frecven joas .. Tranzistorul poate fi utilizat în calitate de generator sau amplificator. pentru care coeficientul de amplificare dup putere este egal cu unitatea E 0f E f ma ! . M rimea f S este întotdeauna mai mare ca f F . La analiza dispozitivelor confec ionate în baza tranzistoarelor cu ajutorul schemelor echivalente i utilizarea parametrilor Y este folosit frecven a de t iere a pantei tranzistorului f S .1. MHz. pF. pentru care modulul de conductibilitate direct . (1. egal cu (I ies . ?MHz A.. .

Metode de îmbun t ire a caracteristicilor de frecven . Timpul de transfer ale purt torilor de sarcin prin regiunea bazei. Pentru majorarea frecven ei de regenerare este necesar de a m ri valoare f E i de a mic ora constanta de timp d rB C C . care permite de a 64 . În a a mod tranzistorul destinat func ion rii în domeniul frecven elor înalte trebuie s posede grosimea bazei. se formeaz un câmp de accelerare pentru purt torii de sarcin injecta i.9. Este cunoscut c viteza electronilor R n este mai mare ca viteza golurilor R p . mic orarea rezisten ei rB (m rirea concentra iei în baz ) m re te capacitatea jonc iunii colectorului CC i mic oreaz valoarea tensiunii U C max .În rela ia (1. De aceea utilizarea la frecven e înalte a structurilor tip n-p-n este preferabil .95) produsul rezisten ei de volum a bazei la capacitatea colectorului este numit constant de timp a circuitului d de reac ie invers rB C C ! X C . Din aceste considerente frecven ele de t iere pentru tranzistoarele bipolare f r drift sunt relativ reduse. ce limiteaz caracteristicile de frecven a tranzistoarelor.4. se mic oreaz odat cu mic orarea grosimii bazei i cu majorarea valorii vitezei purt torilor de sarcin injecta i în baz .83). rezisten a de volum a bazei. Aceste cerin e sunt contradictorii ± mic orarea grosimii bazei WB d d m re te rezisten a de volum rB . i capacitatea colectorului cu valori reduse. Mic orarea grosimii bazei este condi ionat de posibilit ile tehnologiilor contemporane. conform rela iei (1. De aceea în baz . prin intermediul procedurilor tehnologice. Aceast constant caracterizeaz reac ia invers la frecven înalt i este un parametru de baz al tranzistorului. Tranzistoare bipolare cu drift Majorarea valorii frecven ei de t iere a tranzistorului necesit mic orarea timpului de transfer de c tre purt torii de sarcin în baz . 1.

Rezult c purt torii de sarcin ob in ad ug tor componenta de drift a vitezei. Distribu ia impurit ilor în structura tranzistorului cu drift În fig. frecven a de t iere a tranzistorului de asemenea se majoreaz . Tranzistoarele care posed un câmp electric intercalat în regiunea bazei sunt numite tranzistoare cu drift.35. Viteza total a electronului se m re te. Qm Fig. Ele se folosesc la frecven e înalte.1. grosimea c reia este determinat de adâncimea de difuzie a impurit ilor acceptoare. N acc N don . Între jonc iunile emitorului i colectorului se formeaz o regiune de baz tip-p compensat . format prin procedura de difuzie. Câmpul electric intercalat accelereaz electronii injecta i în baza tip-p. În urma distribuirii neregulate a concentra iei impurit ilor în baz apare gradientul concentra iei purt torilor de sarcin care provoac un câmp electric intercalat. cm 3 10 21 E N don B N acc 1015 C N don 0 1 2 JE 3 JC P. În acest scop.m ri viteza lor.1.35 sunt prezentate curbele de distribu ie a concentra iei impurit ilor donoare i acceptoare în structura tranzistorul tip n-p-n. 65 . în regiunea baz se formeaz un câmp electric intercalat.

9. Schemele echivalente ale tranzistorului bipolar la frecven e înalte La frecven e înalte în schema echivalent (fig.19) este necesar de a lua în considerare elementele parametrii c rora sunt func ie de frecven i dependen a de frecven a coeficientului de transfer dup curent E.5.1.1.

1. Dependen a coeficientului de transfer E de frecven se modeleaz cu ajutorul circuitului.j[ .  E .b). În fig. curentul de ie ire al c ruia între punctele 1  1d este dependent de coeficientul de transfer dup curent a (fig.36. format din generatorul de curent  E 0 I E independent de frecven .a este prezentat schema echivalent pentru tranzistorul bipolar la frecven e înalte.89). conectat la schema echivalent prin circuitul RC.1.36. în corespundere cu rela ia (1.

j[ I E a)  IE rE 1 CC 1d  IC b)  R E .

Schema echivalent a tranzistorului la frecven înalt (a) i circuitul RC ce modeleaz dependen a coeficientului E de frecven (b)    U   (1.36. j[ I E 1d C  U IES 1 E  UE C E Bd rB rC C  UC  E0IE B B Fig. 1.96) I IES ! E .

j[ I E ! IES . R R R j[C . Z RC ! ! 1 1  j[CR j[C  R 66 . U INT ! E 0 I E Z RC .

  E 0I E R 1 E0   U  I IES ! E .

j[ I E ! IES ! ™ ! ™ IE . R 1  j[RC R 1  j[ RC E0 E.

98) RC ! RC [E Schema echivalent a tranzistorului la frecven înalt cu  generator de curent independent de frecven E 0I E este prezentat în fig.89) i (1.37. (1.97) 1  j[RC Pentru identitatea rela iilor (1.j[ ! . [ E ! 2 Tf E ! .1. (1.97) este necesar de a îndeplini urm toarele condi ii: 1 1 . Pentru o precizie mai înalt trebuie s lu m în considerare defazajul la frecven e apropiate de [E (sau mai majore decât [E ) i s introducem factorul de corec ie exp.

fE [E  E0IE C b) R E . care asigur o corec ie liniar de faz : f [ (N B ! m !m . j [ [ E .

1.707 ad  IC a) CC  IE rE a C E Bd rB rC E  UE C  UC 1 [ [E B Fig. CPhF pentru coeficientul E (b) 67 .37. NB [ 1 0. Schema echivalent a tranzistorului  la frecven înalt cu generator E 0 I E (a) i CAF.

99) E. (1.În a a mod aproximarea dependen ei coeficientului de transfer ob ine forma ¨ [ ¸ [  jm ¹ E 0 exp©  jm © [ E ¹ E 0e [ º! ª .

(1. schema din fig. constante fizice i procese de baz ce au loc în structura analizat .1. prezentat în fig.38. prin drift.1. Din aceste considerente circuitul poart denumirea de schem echivalent fizic . m } 0.8 CEdif } .37 posed form .100) [E rE E Pentru schema EC 1 . I E E 0 exp©  jm © [E ¹ º ª Dac jonc iunea emitorului este polarizat direct. (1. m } 0. CEdif } 68 .1. de regul . este mai mare decât capacitatea sarcinii spa iale.j[ ! [ [ 1 j 1 j [E [E Pentru tranzistoarele formate prin aliere. Parametrii fizici ai schemei analizate se determin prin parametrii h.2 . În acest caz valoarea curentului generatorului echivalent va fi ¨ [ ¸  ¹. Prioritatea principal a acestei scheme const în faptul c elementele ei posed un sens fizic bine determinat i permit de a efectua leg tura între parametrii tranzistorului cu datele constructive.8 .5.101) [ TrE Dup simplificarea respectiv . În astfel de cazuri este în deajuns de a lua în considerare numai componenta de difuzie pentru schema cu BC: 0. capacitatea de difuzie a emitorului. folosind formulele prezentate în tab.

În schem uneori se introduce i capacitatea colector ± emitor C CE . Schema echivalent fizic simplificat a tranzistorului la frecven înalt În unele cazuri se utilizeaz schemele echivalente în P.  De aceea sursa de curent g S U 1 de asemenea depinde de frecven . (1. adic reprezint o parte din  d tensiunea de intrare U B .1.39.38. dar de tensiunea punctului intern al circuitului U 1 . conectat paralel conductibilit ii g CE .CE ! 0.8 [E rE C C dif  I EE 0 e R!  IC Bd rB C C bar j ™0 . C C 2 ! C C  C C1 .1. g BE . Aici se folose te sistemul de parametrii Y. care sunt determinate de constanta de timp a circuitului d colectorului X C ! rB C C . tranzistorul fiind prezentat formal ca un dispozitiv dirijat de tensiune. Aceste capacit i se calculeaz conform rela iilor CC C C1 ! .  Tensiunea U 1 depinde de frecven . 2 [ [E  IE 1 [E CC dif rE E  UE C  UC B Fig. Particularit ile schemei echivalente în P constau în faptul c curentul la ie irea generatorului este determinat nu de tensiunea de   intrare U B . determinat de elementele rB . Schema echivalent din fig.1. CB . Schema de substituire a tranzistorului în acest caz este prezentat în fig.102) .39 con ine capacit ile de tranzi ie a reac iei inverse C C1 i CC 2 .

2...3 69 .

Tabelul 1.5 Formulele de calcul pentru parametrii fizici ai tranzistorului conform parametrilor diferen iali pentru diferite scheme de conectare Parametrul F rE rC EC h 21e BC h 21b 1  h 21b h11b  h12 b .

1  h 21b h 22b 1 h 22b h12b h 22b  h 21b h 12b h12e h 22e .

1  h 21e 1  h12e h 22e h11e  h12e .

© dº h 11e ª h 11e  rB ¹ (1.1  h 21e h 22e h 21e 1  h 22e rB E Q} rB rC h11eh 22 e  h12e 1  h 22e Elementele schemei din fig. g BE ! d d h11e  rE h11e  rE g BE ! h 22 e  h12e ¨ h  rd ¸ h © h 21e  11e B 21e ¹ .39 se determin cu ajutorul parametrilor h cu ajutorul rela iilor: 1  h12e h12e . 70 . g CB ! .1. d h11e  rB unde g S ! Y21 este panta caracteristicii tranzistorului bipolar.103) gS ! h 21e  h12e .

Schema fizic echivalent simplificat a tranzistorului bipolar la frecven înalt .39. conectat cu emitor comun (schema Djacoletto) Capacitatea de difuzie a jonc iunii emitorului se determin conform rela iei 1 CBE ! g . [F BE 71 .C CC 2 rB  IB  U1 C CB Bd g CB JC B g CE JE  g SU1 C BE g BE E CC 2  IE C C1 rB Bd g CB  U 1 g BE C BE  g SU1 g CE  IC B  U BE C  U CE E Fig.1.

F . E j[C BE  g BE ¨ C BE ¸ ¹g BE © 1  j[ © g BE ¹ º ª gS gS  I~ g BE g BE . U 1 ! I B Z Bd . este deajuns de a determina rela ia pentru frecven a de t iere cu ajutorul schemei echivalente.  Curentul generatorului echivalent I ~ se determin ca:     I ~ ! g S U 1 .Pentru a ne convinge de aceasta. E  1 g SI B    I ~ ! g S I B Z Bd } g S I B ! .

CBE Pentru calculul schemei echivalente în P îndrumarele con in urm torii parametri: X C .j[ !  ! ! I B 1  j[ CBE 1  j [ [F g BE .capacitatea de ie ire pentru conectarea EC. C CE . rB . f T .constanta de timp a circuitului de reac ie intern în tranzistor.capacitatea circuitului de reac ie intern în tranzistor.capacitatea jonc iunii colectorului. C C ! CC 2 . unde [F ! g BE 72 . C CB ! C C1 .frecven a de t iere pentru conectarea EC.rezisten a bazei.

. 8. . ± Bucure ti. Editura A.912 c. ± 424 . ± V.. 2. .. . .. . . ± Timi oara. Zamfir V. : 1984. A. ± 279 p. ± . ± . . .Cuza:1994.I.. . Electronica fizic i aplicat . ± 419 . 6. 1991.. Editura Didactic i Pedagogic : 1982. . : 2001. ± . .. ± oc . . . . . .BIBLIOGRAFIE 1. ± 512 .1. ± .: . . : 1984. . .. / . . 4. 10. .. 73 . ± 432 . . . . : 1977. . .Dasc lu. 13. ± . . Facla: 1987. . . : 2001. . 12. .Costea Dispozitive i circuite electronice. : 1981. . : 1985.: 1990.488 . . ± 368 c. ± . I. . : 1980. M. . D. .Profirescu. 3. . . ± Ia i. . ± . ± . 2. 11. ± 864 .392 14. Sandu D. ± 679 p. 7. 1980. Bazele radioelectronicii.615 p. . 5. . .Rusu.. ± 383 .± . ± 622 . 9.

..........................14 1............................2....................... 6 1............... Schema echivalent pentru conectarea emitorului comun.........5............................21 1.....1...........2.....32 1..2................3..3......... 5 1.............13 1..........15 1.4.............6................. 5 1.1. Regim de inversie................................6.. Caracteristicile pentru cuplaj baz comun «««««........1...............................6....5......«....................................1.6............... No iunea de tranzistor bipolar.................................... Schema echivalent pentru cuplaj baz comun . 4 1...........33 1.. Schemele echivalente ale tranzistoruluila frecven joas ..3.... Caracteristicile pentru cuplaj emitor comun«««...........1................. Regim de satura ie.............4..............4...... Determinarea parametrilor diferen iali aitranzistorului dup caracteristicile statice..... 12 1.........................5........................4..........31 1....................... TRANZISTORUL BIPOLAR............ Regim activ.....2............... Tranzistorul bipolar ca element al circuitului.....................14 1.............. 3 1..............36 74 ...............................................................6....... 6 1.. 6 1.......... Rezisten a diferen ial i capacitatea jonc iunii emitorului....3.......3...............................6..... Sistemul de parametri diferen iali ai tranzistorului bipolar.........21 1.....4.......4....... Structura i jonc iunile tranzistorului bipolar. Schemele formale pentru substituirea tranzistorului ............25 1...........27 1........CUPRINS 1.. Modelul Ebers ± Moll.............5....7......... Coeficientul diferen ial de amplificare dup curent ..............................2.......... Regim de blocaj.........5.........................30 1........3...... Rezisten a de volum a bazei ................. Modalit ile caracteristicilor statice««««««««...........34 1............. 18 1.... Tranzistorul ca cuadripol activ.......6............. Regimul de lucru al tranzistoarelor bipolare..3..3.......................3................ 3 1..5...........3............. 11 1............... Caracteristicile statice pentru tranzistorul bipolar. Regimul de lucru i proceselefizice în tranzistorul bipolar.........3........................... Rezisten a diferen ial i capacitatea jonc iunii colectorului..3.........

.................9..9...................... Determinarea parametrilor fizici dup parametrii h .1.............................8................9................39 1.............. Dispersia purt torilor de sarcin în baz .. Dependen a parametrilor tranzistorului de frecven ......................................2.........57 1.........3...2...................................47 1.......54 1...........5.......... Tranzistoare bipolare cu drift ............39 1....7...........53 1......1...44 1... Modificarea parametrilor tranzistoarelor bipolare la varia ia temperaturii......................8................................................... CPhF i al iparametrii ai tranzistorului....4...4... Leg tura dintre parametrii fizici ai tranzistorului i parametrii h .......50 1.............8...8........42 1.................................42 1......1.................................64 1..............................................9... Frecven a de t iere.................................1. Schemele echivalente ale tranzistoruluibipolar la frecven e înalte.....7......................9. Rolul parametrilor h în schemaechivalent i calculul lor................ CAF... Dependen a coeficientului de transfer dup curent de frecven ................ Dependen a caracteristicilor tranzistorului bipolar de temperatur ............. Influen a temperaturii asupra parametrilor semiconductorilor...........8.......9...2......................... Dependen a parametrilor tranzistorului de temperatur .....66 Bibliografie.. Metode de îmbun t ire a caracteristicilorde frecven ...........53 1...........................................................73 75 ............................. Regimul limit de func ionare pentru tranzistoarele bipolare la varia ia temperaturii.................41 1......3...............7.......

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful