1. TRANZISTORUL BIPOLAR 1.1. No iunea de tranzistor bipolar.

Structura i jonc iunile tranzistorului bipolar Tranzistor bipolar este numit dispozitivul electronic cu trei pini i dou sau mai multe jonc iuni p-n ce interac ioneaz între ele. În tranzistor se rânduiesc trei regiuni semiconductoare, pentru care pe placheta de izolator din Si-i, prin metoda epitaxial - planar se formeaz regiunile colectorului (C), bazei (B) i emitorului (E) (fig.1.1). Pentru aceasta, în regiunea Si-n, ce serve te ca colector, prin metoda difuziei este format regiunea bazei Si-p. În aceast regiune, prin metoda difuziei locale, este format emitorul Si-n cu concentra ie major a impurit ilor donoare. C B1 p n Si-i E1 n C Jonc iunea emitorului Jonc iunea colectorului

Fig.1.1. Structura tranzistorului bipolar tip n-p-n La frontiera regiunii emitorului cu cea a bazei i de asemenea la frontiera regiunii bazei cu cea a colectorului se formeaz dou jonc iuni p-n ± emitor i colector (dup denumirea regiunilor laterale ale structurii). Jonc iunile interac ioneaz dac distan a între ele WB , numit l imea bazei, este cu mult mai mic ca lungimea de difuzie a purt torilor de sarcin mobili ( WB L p ,n ). este distan a pe care o parcurge Lungimea de difuzie ,n electronul sau golul din momentul apari iei în semiconductor pân la recombinare. De regul , suprafa a jonc iunii colectorului este mai mare ca suprafa a jonc iunii emitorului. Regiunea emitorului trebuie s posede o electroconductibilitate mai înalt ca cea a bazei i a 3
 

colectorului. Concentra ia impurt ilor în regiunile tranzistorului bipolar trebuie s respecte inegalitatea N E " 100 N B u N C . (1.1) 1.2. Tranzistorul bipolar ca element al circuitului În dependen de alternarea regiunilor, dup tipul de electroconductibilitate, se deosebesc structuri tip p-n-p i n-p-n. În fig.1.2 sunt prezentate structurile p-n-p i n-p-n ale tranzistorului bipolar i reprezentarea lor în circuitele electrice. JE E p B E C p-n-p n p JC C E n E B p C n-p-n n JE JC C

B

B

Fig.1.2. Reprezentarea tranzistoarelor bipolare Ca element al circuitului electric, tranzistorul bipolar este utilizat în a a mod, ca unul din pini s fie conectat la intrare, iar altul ± la ie ire. Al treilea pin este comun. În dependen care din pini este comun, se deosebesc trei circuite de conectare ale tranzistoarelor bipolare: - baz comun (BC); - emitor comun (EC); - colector comun (CC). În fig.1.3. sunt prezentate aceste trei modific ri de cuplare a tranzistorului bipolar în circuitul electric. 4

IE Iintr.

BC

IC IB Iie . IB Iintr.

EC

IC IB Iie . IE Iintr.

CC

IE Iie . IC

Fig.1.3. Schemele de conectare ale tranzistoarelor bipolare

1.3. Regimul de lucru i procesele fizice în tranzistorul bipolar 1.3.1. Regimul de lucru al tranzistoarelor bipolare În timpul func ion rii tranzistorului la bornele sale este aplicat tensiune de la sursa de alimentare în curent contionuu. În dependen de polaritatea tensiunii aplicate, fiecare din jonc iunile p-n ale tranzistorului bipolar poate fi polarizat direct sau indirect, adic sunt posibile patru modalit i de func ionare a tranzistorului (tab.1.1). Tabelul 1.1 Modalit ile de func ionare a tranzistorului bipolar
Denumirea jonc iunii Jonc iunea emitorului Jonc iunea colectorului Jonc iunea emitorului Jonc iunea colectorului Jonc iunea emitorului Jonc iunea colectorului Jonc iunea emitorului Jonc iunea colectorului Conectarea jonc iunii Invers Invers Idirect Idirect Direct Dnvers Invers Direct Denumirea regimului de func ionare a tranzistorului Regim de blocaj Regim de satura ie Regim activ Regim de inversie

5

I ECS . Regim de satura ie În regimul de satura ie ambele jonc iuni p-n sunt polarizate direct.2. I CES . În fiecare din cele trei scheme de conectare a tranzistorului ace ti parametri posed valori determinate.3.I EB 0 . Prin bornele tranzistorului circul curen ii de scurgere a jonc iunilor polarizate indirect. Ele sunt prezentate sub forma urm toare: y pentru circuitul cu BC . rezisten ele lor sunt reduse.4 este reprezentat modelul plan unidimensional al tranzistorului bipolar. Parametrii statici reprezint curen ii de satura ie I E sat . I CE 0 . condi iile în regiunea r mas a schemei (Ä0´ ± lipsa curentului. 1. U CE sat ).I BC 0 . ob inem rezisten a de satura ie: U CE sat U . Raportând m rimile tensiunilor i curen ilor. I BCS . ÄS´ ± scurtcircuit). I EC 0 . y pentru circuitul cu EC .1.3. al doilea ± schema de conectare. care reprezint parametrii statici ai regimului dat. I BES . I CB 0 . Regimul activ În fig. R C sat ! I C sat I B sat 1. adic mers în gol. jonc iunile sunt saturate cu purt tori de sarcin mobili.3. Regiunea E-C posed o conductibilitate înalt i poate fi considerat ca scurtcircuitat .1. R B sat ! BE sat . Primul indice în reprezentare determin pinul prin care circul curentul.I BE0 . al treilea.4. I B sat i tensiunile de rest ( U BE sat . y pentru circuitul cu CC . I EBS . I C sat . I CBS . jonc iunea emitor a c reia este polarizat 6 . Regim de blocaj În regim de blocaj ambele jonc iuni p-n sunt polarizate indirect.3.

recombinarea purt torilor de sarcin în regiunea bazei.injec ia purt torilor de sarcin prin jonc iunea emitorului. iar cea a colectorului indirect. Aceast corespunde regimului activ. În circuitul extern al emitorului circul curentul de injec ie: q U EB I E ! I E p  I E n ! I EB 0 (e kT  1) .2) Pentru structura tranzistorului tip p-n-p rela ia între concentra iile impurit ilor din regiunile emitorului .purt torii injecta i prin baz care circul drept rezultat al fenomenelor de difuzie i drift. . . Mi carea purt torilor de sarcin i curen ii în tranzistorul bipolar (regim activ) Principiul de func ionare a tranzistorului bipolar în regim activ se bazeaz pe utilizarea urm toarelor fenomene: . Injec ia purt torilor de sarcin duce la trecerea prin jonc iunea emitorului a curen ilor de difuzie (a golurilor I E p i electronilor I E n ).direct. .4.extragerea purt torilor minoritari din baz în regiunea colectorului prin intermediul câmpului electric.1. format de jonc iunea colectorului. (1. IEp=KIE JE p JC ]IEp n p conectare IE IC IE n I B rec UEB IB ICB0 UCB Fig.

N acc E i bazei .

N don B se determin ca: .

N acc E u 100 ™ .

N don B . 7 .

Concentra ia lor la frontiera jonc iunii emitorului pentru structura tip p-n-p se determin din rela ia: . iar curentul de recombinare I B rec este mai 0 qU E kT . formând curentul de recombinare al bazei I B rec . al turi de curentul electronilor injecta i I En . Sub ac iunea gradientului concentra iei purt torilor de sarcin se produce mi carea de difuzie a golurilor i electronilor prin regiunea bazei de la emitor spre colector. Rela ia între componentele curentului emitorului pot fi apreciate cu ajutorul coeficientului de injec ie I IE p K ! Ep ! p 1. mic orarea concentra iei purt torilor de sarcin purt torilor de sarcin în regiunea bazei din cauza recombin rii este nesemnificativ . (1. ap rute momentan în apropierea jonc iunii emitorului (~ 10-17 s).4) pn ! pn e Sarcina golurilor.3) IE IE p  I E n Injec ia purt torilor de sarcin din emitor în baz m re te concentra ia purt torilor minoritari în regiunea bazei. Circuitul emitor ± baz devine blocat i asigur circula ia curentului emitorului. Deoarece l imea bazei este considerabil mai mic ca lungimea de difuzie a WB L p .Din aceste considerente se ob ine I E p "" I E n . Majorarea concentra iei electronilor i a golurilor în apropierea jonc iunii emitorului formeaz gradientul concentra iei purt torilor de sarcin în baz ( “p i “p ). (1. are loc i recombinarea lor cu electronii.n . În locul electronilor care se recombin în regiunea bazei din circuitul extern al sursei de alimentare UEB sunt injecta i al i electroni. ce p trund în baz de la sursa de alimentare UEB. Concomitent cu difuzia golurilor în baz . se compenseaz cu sarcina electronilor.

nimerind în câmpul de 8 . Golurile injectate de emitor în regiunea bazei se apropie de jonc iunea colectorului polarizat indirect. mic decât curentul emitorului I E cu un ordin-dou .

este o proprietate important a tranzistorului bipolar.Coeficientul de transfer depinde de l rgimea bazei WB i lungimea de difuzie a golurilor L p ! I Cp I Ep }1 2 WB . numit curentul de scurgere a jonc iunii p-n polarizate indirect. Aici indicii ÄC´ indic curentul jonc iunii colectorului cuplate indirect.3) i (1. cu atât mai major este curentul colectorului. Procesul de tranzi ie a purt torilor de sarcin minoritari prin baz este caracterizat de coeficientul de transfer = . În afar de componenta dirijat a curentului colectorului I C p prin electrodul colectorului circul i componenta nedirijat a curentului. Utilizând rela iile (1. se ob ine I C p ! K] I E ! E E I E . (1. În a a mod se formeaz componenta dirijat a curentului colectorului: I C p ! I E  I B rec  I E n ! I E p  I B rec . (1. ÄB´ ± m sur rile au loc în 9 ¡ (1. primim: I I I EE ! C p ! C p ™ E p ! K ™ ] . Dac apel m la rela iile (1. (1.accelerare a acestei jonc iuni i sunt transferate în colector.5).7) IE IE p IE Posibilitatea de dirijare cu curentul de ie ire al tranzistorului.6) Coeficientul E E este numit coeficient integral de transfer al curentului emitorului în circuitul colectorului.5) .5). ceea ce ofer posibilitatea de al utiliza în calitate de element activ în circuitele electronice. Din aceste considerente curentul I C este propor ional cu curentul emitorului i se nume te p curentul dirijat al colectorului. ( 2L p ) 2 Cu cât mai multe goluri sunt injectate din emitor în baz . modificând valoarea curentul de intrare.3). El este analogic curentului diodei semiconductoare cuplate indirect i de aceea a primit denumirea de curentul de scurgere al colectorului I CB 0 .

adic pentru regim mers în gol la intrare. iar rela ia pentru curentul colectorului (1. (1.8) poate fi scris în felul urm tor: I C ! E ™ I E  I CB 0 ! E ™ .8) i (1. 0 ± m sur rile au loc pentru I E ! 0 . În circuitele EC i CC (fig.3.10) determin leg tura dintre curen ii tranzistorului i sunt adecvate pentru oricare din circuitele de conectare.10) Rela iile (1. (1. Procese analogice au loc i în tranzistorul tip n-p-n.9) În circuitul emitorului curentul de injec ie se determin ca suma curentului colectorului I C i curentul bazei I B : IE ! IC  IB .schema de cuplare BC.8) Curentul I CB 0 în circuitul bazei este orientat invers curentului de recombinare în baz I B rec i curentului de injec ie I n inj (1. Direc ia curentului de scurgere a colectorului I CB 0 corespunde cu componenta dirijat a curentului colectorului i de aceea I C ! E ™ I E  I CB 0 .1. cu unic deosebire c în loc de goluri trebuie s vorbim despre electroni i invers.3) curentul de dirijare este curentul bazei. Direc iile curen ilor continui i polarizarea tensiunilor de alimentare ce corespund regimului activ sunt prezentate în fig.1.

1 E 1 E unde: E ! F este coeficientul de amplificare dup curent în schema 1 E 1 de cuplare EC.11) IC ! ™ IB  ™ I CB 0 ! F ™ I B  I CE 0 . I C  E ™ I C ! E ™ I B  I CB 0 . ™ I CB 0 ! .I C  I B  I CB 0 . E 1 (1.

1  F I CB 0 ! I CE 0 .componenta 1 E nedirijat a curentului colectorului în schema EC. 10 I B ! I B rec  I CB 0  I n inj . . sau curentul de scurgere a tranzistorului bipolar.

Pentru schema CC curentul de ie ire este curentul emitorului. atunci Ei E .13) unde Ei este coeficientul de transfer invers. 1 E 1 E sau I E ! K I I B  I CE 0 . 1 I IE ! I B  CB 0 . Regim de inversie În regim de inversie jonc iunea emitorului este cuplat invers. în compara ie cu regimul activ. Deoarece suprafa a jonc iunii emitorului este cu mult mai mic decât cea a jonc iunii colectorului i N C N B . iar extrac ia purt torilor de jonc iunea emitorului. Pentru schema de cuplare BC: I E ! E i ™ I C  I EB 0 . Practic. Pentru schema CC I E ! F i ™ I B  .5. în regim de inversie injec ia purt torilor de sarcin este înf ptuit de jonc iunea colectorului. iar jonc iunea colectorului direct. emitorul i colectorul î i schimb func ia i pozi ia în circuit. I ! 1 E 1.3. (1. De aceea.12) ! F 1. Din aceste considerente I E  I B ! I C ! E ™ I E  I CB 0 . unde 1 (1.

(1.14) Pentru schema EC I C ! .1  F i I EB 0 .

1  F i I B  .

1  F i I EB 0 . (1.15) 11 .

Coeficientul diferen ial de amplificare dup curent În rela ia (1. Coeficientul E este determinat de rela ia E ! ( I C  I CB 0 ) I E .16) unde E x este coeficientul diferen ial de amplificare dup curent în schema BC. Aceast formul arat leg tura dintre componentele curentului de dirijare I E i valoarea curentului de ie ire I C . M ! 1 . y coeficientul M se introduce pentru a lua în considerare procesele în jonc iunea colectorului i. Pentru semnale alternative. care întotdeauna este mai mare decât E E .1. unde EIE este parametrul static al regimului activ. de regul . amplitudinea c rora este cu mult mai mic ca valoarea tensiunii de alimentare. y coeficientul de transfer de difuzie = caracterizeaz procesele ce au loc în baz ± difuzia i recombinarea purt torilor de sarcin .7) pentru coeficientul static de amplificare a curentului emitorului E E ! K]M : y coeficientul de injec ie K caracterizeaz eficacitatea jonc iunii emitorului. leg tura dintre curen ii colectorului i emitorului este determinat de rela ia diferen ial (1.3. 12 . ! EE  IE dI E dI E (1. adic dI C ! E E ™ dI E  I E ™ dE E sau Ex ! dI C dE E . Rela ia pentru curentul colectorului I C ! E E ™ I E  I CB 0 .7) ca func ie de dou argumente pentru I CB 0 ! const . indic leg tura dintre componentele respective în curent continuu.6.

Modelul Ebers-Moll Leg tura dintre curen ii i tensiunile tranzistorului bipolar pentru cele patru modalit i de cuplare în circuit pot fi studiate cu ajutorul modelului matematic Ebers-Moll.7.1.20) © ¹ © ¹ ª º ª º U U ¸ ¸ EI EB 0 ¨ k I CB 0 ¨ k ©e © IC !  1¹   1¹ . (1. (1. ¢ £ U EB k (1.5). bazat pe schema echivalent format din dou diode conectate una în întâmpinarea celeilalte i a dou surse de curent continuu care indic interac iunea dintre aceste diode (fig. Schema echivalent a tranzistorului bipolar dup modelul Ebers-Moll I E ! I 1  E i I 2 .21) © ¹ 1  EE © e ¹ 1  EE i ª i ª º º EB EB 13 ¦ § ¤ ¥ EB EB ¦ § EB . m surate în regim scurtcircuit în partea corespunz toare a schemei.1.1. (1.19) rela iile (1.17) pot fi scrise sub forma: ¨ qU ¸ ¨ qU ¸ I E ! I EBC © e kT  1 ¹  E i I CBC © e kT  1 ¹ . Luând în considerare (1.17) ¨ ¸ I 1 ! I EBC © e  1¹ .5. (1.18) © ¹ ª º ¨ U ¸ I 2 ! I CBC © e k  1 ¹ . Ei I2 IE E B I1 I2 EI1 IC C Fig.18) i (1.3. I C ! EI 1  I 2 .19) © ¹ ª º unde I EBC i I CBC prezint curen ii de scurgere ai jonc iunilor emitorului i colectorului.

IC ! .

1  E I EB 0 ¨ e qU © kT 1  EE i © ª EB ¸ .

Pentru fiecare schem de conectare în regim activ exist o familie de caracteristici.1  E i I CB 0 ¨ qU ¸ © e kT  1 ¹ .4. Modalit ile caracteristicilor statice Caracteristicile statice indic leg tura func ional între curen ii i tensiunile la bornele tranzistorului bipolar. Patru modalit i de caracteristici descriu propriet ile oric rui dispozitiv cu trei borne: y caracteristicile de intrare: I Ies ! const I Int ! f . ce arat leg tura între curen ii i tensiunile aplicate la tranzistor.4.1. Caracteristicile statice pentru tranzistorul bipolar 1.22)  1¹  ¹ ¹ 1  EE i © º ª º EB 1. (1.

U Ies ! const y caracteristicile de ie ire: I Int ! const I Ies ! f .U Int sa .

U Ies sa U Int ! const

;

y

caracteristicile de transfer:
I Ies ! f

I Int U Ies ! const

;

y

caracteristicile reac iei inverse:
U Int ! f

I Ies I Ies ! const

.

14

2.1.6.a) I E ! f . Caracteristicile pentru cuplaj baz comun În cuplaj baz comun (BC) tranzistorul posed urm toarele caracteristici: y familia caracteristicilor de intrare (fig.4.1.

d). Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar.6.1.6.6. d) caracteristicile reac iei inverse 15 . familia caracteristicilor de ie ire(fig.1. varia ia curentului colectorului trebuie s fie constant la transferul de la o caracteristic la alta. y caracteristicile reac iei inverse (fig.c).b) I C ! EI E  I CB 0 . c) caracteristicile de transfer.6. adic (I E ! const . y caracteristicile de transfer (fig.U EB U CB ! const .1. UEB UEB=0 UEB0 y IC IE Regim de satura ie IE IE=0 Regim de blocare a) IC UEB0 UEB=0 b) IC IE UCB IE UCB c) d) Fig. b) caracteristicile de ie ire.1. a) caracteristicile de intrare.

ob inem rela iile pentru caracteristicile de intrare idealizate: U EB ! f .20) fa de U EB .Referindu-ne la modelul Ebers-Moll i rezolvând ecua ia (1.

I E U EB ! U CB ! const . (1. Rela ia pentru caracteristicile de ie ire sunt ob inute utilizând (1. (1.23) prezint caracteristica de intrare a tranzistorului cuplat în circuitul BC.23) © ¹ q ¬ I EB 0 ¼ ª º½ ­ Rela ia (1. ¨ qU CB ¸» kT « I E ln ¬  1  E© e kT  1 ¹ ¼ .24) © ¹ ª º I CB 0 ! I CBC .21): ¨ UCB ¸ I C ! EI E  I CB 0 © e k  1 ¹ .

1  EE i . I EB 0 ! I EBC .

Frontiera jonc iunii colectorului se deplaseaz în direc ia jonc iunii emitorului. din cauza c ruia cu majorarea tensiunii U CB a jonc iunii colector. invers polarizat . grosimea bazei WB devine mai mic .1.1  EE i .7). Ei . grosimea stratului cu concentra ie redus a purt torilor de sarcin se m re te.coeficientul de amplificare a curentului colectorului în regim de inversie. caracteristicilor de transfer i caracteristicilor de reac ie invers în func ie de valoarea tensiunii aplicate pe colector se explic prin efectul de modulare a grosimii bazei. Concomitent cre te gradientul de concentra ie a purt torilor de sarcin “p i “ n în baza tranzistorului i se m re te valoarea curentul de difuzie I E (fig. Dependen a pozi iei caracteristicilor de intrare. Drept rezultat. ¨ © 16 . unde: E este coeficientul de amplificare a curentului emitorului în regim activ.

pentru U CB ! 0 . 1.pn IE UEB IC d d { U Cd 0 U C ! 0 pn 0 UCB x dx WBd 2 WBd x1 Fig. În caz ideal caracteristicile de ie ire trebuie s fie paralele axei tensiunii U CB .7. 17 . Îns la un nivel major de injec ie ( pn " N P ). Prezen a curentului I C în circuitul colectorului când U CB ! 0 (fig. coeficientul E tinde spre zero i curentul colectorului tot este aproape de zero. Efectul de modulare a grosimii bazei Efectul de modulare a grosimii bazei provoac apari ia reac iei interne în tranzistor. Apoi purt torii sunt accelera i de câmpul electric al jonc iunii.1.b) prezint o particularitate a caracteristicilor de ie ire pentru tranzistorul bipolar cuplat în schema BC.6. La m rirea modulului tensiunii de ie ire U CB curentul de intrare I E în schema cu baz comun cre te. Devierea caracteristicii este datorat efectului de modulare a grosimii bazei. asigurat de interac iunea jonc iunilor. De aceea pentru unul i acela i curent al emitorului. odat cu cre terea tensiunii pe colector. În baz are loc deplasarea purt torilor de sarcin prin procedura de difuzie spre jonc iunea colectorului dirijat de gradientul de concentra ie. tensiunea pe emitor trebuie mic orat .

1.8 i fig.1. Caracteristicile pentru cuplaj emitor comun Cele mai întrebuin ate sunt caracteristicile tranzistorului bipolar în cuplaj emitor comun (EC).1.4. deoarece în acest caz curentul bazei este argument pentru caracteristicile de intrare i caracteristicile de transfer i ca parametru pentru celelalte. În fig.a) U BE ! f .8.3.12 sunt prezentate familiile de caracteristici pentru tranzistorul bipolar cuplat în schema EC: y familia caracteristicilor de intrare (fig.1.

I B U CE ! const .b) I C ! f .8. y familia caracteristicilor de ie ire (fig.1.

U CE I B ! const . 1.12. y familia caracteristicilor de transfer dup curent (fig.a) I C ! f .

I B U CE ! const .12. y familia caracteristicilor de reac ie invers (fig. 1.b) U BE ! f .

deoarece jonc iunile emitorului i colectorului sunt conectate paralel la sursa de alimentare U EB .a). fig. 18 .U CE . Rezult o probabilitate mai redus de recombinare a purt torilor în baz i un curent I B mai mic.1. 1. Tensiunii mai mari pe colector îi corespunde o grosime mai mic a bazei. Pentru cazul când avem scurtcircuit la intrare ( U CE ! 0 . a a cum este ar tat în fig.9. I B ! const Forma de evantai a caracteristicilor de intrare este condi ionat de efectul de modulare a grosimii bazei. curentul bazei este aproximativ de dou ori mai mare decât în regim activ.9.

Por iunea cu pant înalt a caracteristicii de ie ire corespunde grani ei între regimul de satura ie i regimul activ. 1. U BE { 0 IC IB UBE p n p UCE JE UCE UBE JC Fig. adic U CP ! U BE  U CE .UBE UtCE Ud IC ICmax Regim de satura ie IV   UCE=0 I IV d d I Bd d I Bd d IB UCEmax PCmax IB a) IB=0 Regim de blocaj UCB b) Fig. IC  I  p n JE JC UBE a) b) p U E Fig. 1.1. corespunde regimului activ limitat de parametri electrici maximi permi i: I C max .1. deoarece pentru U CE U BE jonc iunile emitorului i ale colectorului sunt polarizate direct (fig. U CE max .10).1. Conectarea jonc iunilor p-n pentru U CE ! 0. Caracteristicile de intrare i ie ire în cuplaj EC Regiunea caracteristicilor de ie ire din fig.8.9. PC max .b ce se afl în interiorul grani ei ha urate.8. U BE { 0 19 . Conectarea jonc iunilor p-n pentru U CE { 0.10.

unde curentul colectorului este determinat conform rela iei IB ! 0 I C ! F ™ I B  .b .1. corespunde regiunii ce se afl sub caracteristica de ie ire pentru I B ! 0 .Regimului de blocaj. ilustrat în fig.8.

I CE 0 ! .F  1 I CB 0 .

F  1 I CB 0 În schema EC pentru circuitul deschis ( I B ! 0 ) curentul de scurgere în circuitul colectorului I CE 0 este de .

a a cum este prezentat în fig.11.1. 1. probabilitatea recombina iei purt torilor de sarcin scade i curentul bazei se mic oreaz . Caracteristicile de transfer i reac ie invers (fig.12. grosimea bazei se mic oreaz . Curentul bazei r mâne constant la m rirea tensiunii aplicate la baz tranzistorului. Conectarea jonc iunilor în cuplaj EC IC d d U EC d d d U EC " U EC d d d U EC " U EC UBE a) b) IB I BIV d d I Bd d I Bd d IB UCE Fig. C p ICE0 UCE UBE IB=0 E JC JE n p UBE Fig.F  1 ori mai mare decât curentul invers al colectorului I CB 0 .12) reflect ac iunea efectului de modulare a grosimii bazei. Caracteristicile de transfer (a) i de reac ie invers (b) pentru tranzistorul bipolar în cuplaj EC 20 .11.1. Cu majorarea modului tensiunii aplicate la colector. Aceasta se explic prin conectarea direct a jonc iunii emitorului.1.

Sistemul de parametri diferen iali ai tranzistorului bipolar 1.  I 2  I1  U1  I2  U2  U1  I1 B C  U2 E Fig.25) i. ce posed dou perechi de borne (fig.13.Caracteristicile statice permit de a determina parametrii de baz ai tranzistorului bipolar i sunt utilizate pentru calculul etajelor de amplificare în circuitele electronice cu tranzistoare. C.1. Perechii de borne de ie ire îi   corespunde curentul I 2 i tensiunea U 2 . Perechii de borne de intrare îi corespunde   curentul I1 i tensiunea U 1 . 1. Reprezentarea tranzistorului ca cuadripol Sub curen i i tensiuni se subân eleg dependen e de tipul (1. L) i generatoare echivalente de tensiune electromotoare sau curent.13).5.1. Tranzistorul ca cuadripol activ Varia iile mici ale tensiunii pe jonc iunile tranzistorului aduc la schimb ri liniare în valoarea curen ilor i tranzistorul devine cuadripol liniar activ.1.5. Cuadripol activ este numit circuitul electric format din elemente pasive (R.

t ! I m sin.

.[t  N .

t ! U m sin.

[t  ] . ! I e  j.

[ t  N . U ! U e  j.

care sunt prezentate în tab.26) I m m Exist ase sisteme posibile de ecua ii pentru descrierea tranzistorului bipolar ca cuadripol.2. 21 .[t ] .  (1.1.

U 2 U1 . U 2 I 2. I 2 U1 . I 2 I 1 . I 2 I1. Valorile numerice ale parametrilor diferen iali ai tranzistorului ca cuadripol depind de schema de conectare.29) ¯   I ° 2 ! H 21I 1  H 22 U 2 Parametrii diferen iali (Z. (1. Y. la intrarea tranzistorului în circuitul bazei se conecteaz un rezistor cu rezisten înalt . Y. De aceea parametrii diferen iali se noteaz cu indici suplimentari: b ± parametrii tranzistorului în cuplaj BC. Transferul de la un sistem la altul este u or de efectuat conform rela iilor din tab. I1 U1 .28) ¯   I °2 ! Y21 U 1  Y22 U 2    ® 1 ! H 11U1  H12 I 2 U . 22 . Rezisten a jonc iunii emitorului polarizat direct este mic i pentru ob inerea st rii de mers în gol. (1.27) ¯   U ° 2 ! 21I1  22 I 2    ®1 ! Y11 U1  Y12 U 2 I . I 2 U1 . (1. H) sunt determina i din condi iile mers în gol sau scurtcircuit dup curent alternativ în dependen de sistemul de parametri. U1 Cele mai întrebuin ate în practic sunt trei sisteme de parametri i anume: Z. U 2 I1. Între sistemele de parametri Z i H exist o interdependen . U 2 U2 . H    ® 1 ! 11I 1  12I 2 U . De aceea sistemul de parametri H este cel mai comod pentru m sur ri. e ± parametrii tranzistorului în cuplaj EC.2 Sisteme de ecua ii pentru descrierea tranzistorului Argumentul Func iile I1.c ± parametrii tranzistorului în cuplaj CC.Tabelul 1. U1 I 2.3. U 2 I 1 .1.

sunt prezentate rela iile de baz pentru parametrii H la conectarea tranzistorului EC i BC.Y.4.H ?Z A ?ZA Z 11 Z 21 Z 22 (Z Z  21 (Z ( 22 ?Y A Y22 (Y Y  21 (Y Y11 Y21 1 Y11 Y21 Y11  Y12 (Y Y11 (Y ?H A (H H 12 H 22 H 22 H 1  21 H 22 H 22 1 H  12 H11 H 11 H 21 (H H11 H 11 H 11 H 21 H 12 H 22 Z12 Z 22  Z12 (Z Z11 (Z 12 22 ?YA Y12 Y22  Y12 Y11 (Y Y11 ?H A  21 22 1 22 În tab. Tabelul 1.1.4 Parametrii H pentru diferite scheme de conectare H11e ! H 21e H11b 1  H 21b H 21b ! 1  H 21b H12e ! H11b H 22b  H 21b 1  H 21b H 22 b H 22e ! 1  H 21b H 12c ! H 21e  1 H 22c ! H 22e H 11c ! H 11e H 21c ! H 21e  1 23 .Tabelul 1.3 Leg tura dintre parametrii Z.

(1. ob inem: (U 1 U . utilizând rela ia (1.34) ! h 12 ! m 1 U m 2 I m1 ! 0 ( U 2 (I 1 ! 0 24 .30) sau (1. când tranzistorul nu introduce defazaj între curent i tensiune. I m1 U m 2 ! 0 (I 1 (U 2 ! 0 (1.30) sau (1. ob inem: (U 1 U .32) ! h 11 ! m1 I m1 U m 2 ! 0 (I 1 (U 2 ! 0 h 21 !   (I Im2 ! 2 . (1.31).33) Pentru determinarea parametrilor h12 i h 22 la intrarea cuadripolului asigur m regim mers în gol dup curent alternativ ( U m1 ! 0 sau (U1 ! 0 ) i. utilizând rela ia (1.30) poate fi scris sub forma: (U 1 ! h 11(I 1  h 12 (U 2 . (1.30) ¯ I ° m 2 ! h 21I m1  h 22 U m 2 Sistemul de ecua ii (1. (1.31) ¯ ( ° I 2 ! h 21 (I 1  h 22 ( U 2 Pentru determinarea parametrilor 11 i 21 la ie irea cuadripolului asigur m regim scurtcircuit dup curent alternativ ( U m 2 ! 0 sau (U 2 ! 0 ) i.4 (continuare) H11b ! H 21b H 11e 1  H 21e H 21e ! 1  H 21e H12b ! H11e H 22 e  H 21e 1  H 21e H 22e H 22b ! 1  H 21e La frecven e joase. parametrii H complexi sunt substitui i cu valori reale U m 1 ! h 11I m1  h 12 U m 2 .31).Tabelul 1.

22 I 2 .36)  Tensiunea de intrare U 1 prezint suma c derilor de tensiune  !   Ud 11I 1 pe impedan a la circula ia curentului I1 i 1 11 d  tensiunii generatorului cu impedan a diferit de zero Ud 12 I 2 . 25 . când la intrarea tranzistorului este asigurat regim mers în gol.35) Coeficien ii 12 i 22 exprima i în a a mod. 1 ! care indic reac ia invers în tranzistor.conductibilitatea de ie ire pentru regim mers în gol la intrarea cuadripolului ?Sm A. putem scrie ®1 ! U ¯ U °2! 11 I 1 21 1   I  12 I 2 . Fiec rui sistem de parametri îi corespunde o schem echivalent .5. h22 . ! U m 2 I m1 ! 0 (U 2 (I 1 ! 0 (1. adic influen a curentului de ie ire asupra circuitului de intrare (fig.14). Pentru sistemul de parametri Z. Avantajele sistemului de parametri h se explic prin comoditatea determin rii lor experimental i întrebuin area pe larg pentru proiectarea diverselor rezolv ri tehnice ce utilizeaz tranzistoare bipolare.   (1. Schemele formale pentru substituirea tranzistorului Descrierea propriet ilor tranzistorului pentru semnale alternative cu amplitudini reduse cu ajutorul ecua iilor cuadripolului nu este comod la calculul schemelor practice.coeficient de reac ie invers dup tensiune.2. Acest sistem permite prin m surarea nemijlocit s determin m cel mai important parametru al tranzistorului ± coeficientul de amplificare dup curent.h 22 ! (I 2 Im 2 . Pentru simplificarea calculelor se introduc schemele echivalente formale.1. 1. au urm toarele denumiri i unit i de m sur : h12 .

15. 2 !  I1 d  I 1d Y11U 1 ! !  I 1d Y12U 2 !  d I 2d Y22U 2   d I 2 ! Y21U 1 Y22  I2  U2  U 1 Y11 Fig.1. putem scrie    I1 ! Y11U 1  Y12 U 2 . Schema formal de substituire a tranzistorului în sistemul de parametri Z  Tensiunea la ie ire U 2 este determinat de tensiunea  !  generatorului Ud 21I 1 care arat propriet ile de amplificare ale 2 d  tranzistorului i c derii de tensiune Ud 22I 2 pe impedan a de 2 ! ie ire a tranzistorului Z 22 .1.15). Curentul de   !  ie ire I 2 este format din curentul generatorului Id Y21U 1 ce 2 caracterizeaz propriet ile de amplificare ale tranzistorului i d  curentul Id Y22 U 2 . I1 Z 11 Z 22  I2  U1 !  U 1d Z 11 I 1 d  U 1d Z 12 I 2 ! d  U 2d Z 22 I 2  ! U2  !  Ud Z I 2 21 1 Fig. 1 ! care determin reac ia invers în tranzistor (fig. Schema formal de substituire a tranzistorului în sistemul de parametri Y 26 . care circul prin admitan a de ie ire. ¯   I °2 ! Y21 U1  Y22 U 2   !  Curentul de intrare I1 este format din curentul Id Y11 U 1 ce 1 d  circul prin admitan a Y11 i curentul generatorului Id Y12 U 2 . Subliniem c impedan a generatorului  !   cu tensiunea Ud Z 21I 1 pentru curentul I 2 este egal cu zero. 2 Pentru sistemul de parametri Y.1.14.

1. deoarece H 22 este determinat în condi ii de mers în gol la intrarea cuadripolului. iar Y22 . Determinarea parametrilor diferen iali ai tranzistorului dup caracteristicile statice Parametrii diferen iali sunt determina i pentru punctul de func ionare stabilit ini ial cu utilizarea familiilor de caracteristici statice de intrare i ie ire ale tranzistorului bipolar.1.1. 2 ! Subliniem c admitan a H 22 nu este egal cu admitan a Y22 .5.în regim de scurtcircuit la intrarea cuadripolului.17 i fig.3. Schema formal de substituire a tranzistorului în sistemul de parametri H  !  Curentul de ie ire I 2 prezint suma curen ilor Id H 21I 1 ce 1 caracterizeaz propriet ile de amplificare ale tranzistorului i d  curentul Id H 22 U 2 care circul prin admitan a de ie ire H 22 . Pentru aceasta se folose te metoda grafic . 2 21 1 22 2 Tensiunea de intrare prezint suma c derilor de tensiune d H I pe impedan a de intrare H i tensiunea generatorului U 1 ! 11  1 11 d H U . U ¯   I ° !H I H U . În fig. 1.  I1 H 11 !  d I 2d H 22U 2   d I 2 ! H 21U 1  I2  H 22 U 2  U1 !  U 1d H 11 I 1 d  U 1d H 12 I 2 ! Fig. 1.16.18 este ar tat metoda grafic care permite 27 .16). care caracterizeaz reac ia invers în tranzistorul  U 1d 12 2 ! bipolar (fig.Pentru sistemul de parametrii H sau h putem scrie    ® 1 ! H 11 U1  H 12 I 2 .

17. U mc ! (U CE .37) i curen ilor. I mc ! (I C .determinarea parametrilor h ai tranzistorului bipolar în punctul de func ionare definit O. Determinarea parametrilor h 22e i h 21e dup caracteristicile de ie ire Substituind amplitudinile mici ale curen ilor i tensiunilor pentru semnalele variabile cu devieri finite ob inem U mb ! (U BE .26). putem scrie:  U mb ! h 11e I mb  h 12e U mc .25). h11e ! h 12e !   d d I Bd U CE (U BE .30) poate fi scris sub forma U B ! h 11e I B  h 12e U C . (U CE U B ! const 28 .38) Pentru amplitudinile tensiunilor rela iilor (1. ¯ I ° mc ! h 21e I mb  h 22e U mc . IC (I C (I C d" d d d d I Bd I B " I B Ad Bd D B O Dd (U CE (U CE A d IB d d IB Fig. ¯ I ° C ! h 21e I B  h 22e U C . conform (1. (I B U CE ! const (U BE . I m ! (I B . Pentru schema EC rela ia (1.1. (1. (1.

d ie ire ce corespunde curentului bazei Id B h 22e ! (I C (U CE I B ! const . ipotenuza c rora o prezint caracteristica pentru curentul continuu al bazei d I B ! Id Din fiecare triunghi determin m conductibilitatea de B .h 21e ! h 22e ! (I C !F.18. (U CE I B ! const d d U CE d d d U CE d U CE B IB d U CE d d d d d (U CE ! U CE  U CE (U CE ! 0 d d U CE d d d U CE Ad O A Bd U BE (I B (I B (U BE (U BE Fig.17.1. Apoi determin m media aritmetic a acestui parametru. 29 . lâng punctul O sunt construite dou triunghiuri mici OAB i OA¶B¶ cu valori echivalente pentru (U CE .1. Determinarea parametrilor h 11e i h 12e dup caracteristicile de intrare În fig. ( I B U CE ! const (I C . Din punctul dat O se traseaz o linie vertical pân la intersec ia cu caracteristica de sus în punctul D i cu cea de jos ± în punctul D¶.

lega i de procesele fizice care au loc în tranzistor i care nu depind de schema de conectare. Pe grafic determin m punctul dat O ce corespunde m rimilor U CE i I B asem n tor cu cel din desenul cu caracteristicile de ie ire. 12 e d d d CE d 2 Ud  Ud Ud  Ud CE CE CE 1. La analiza func ion rii circuitelor o întrebuin are deosebit au ob inut-o parametrii fizici ai tranzistorului. hd ! . pentru coeficientul de reac ie invers h 12e hd ! 12 e d hd  hd OA OA d 12 e d .6. La trecerea de la o schem de conectare la alta m rimile numerice ale parametrilor fizici nu se modific . h 21e ! 21e 2 Parametrii h 11e i h 12e se determin dup caracteristicile de intrare ale tranzistorului (fig. h 12e ! 12 e . Y. Utilizându-se ace ti parametrii. Schemele echivalente ale tranzistorului la frecven joas Sistemele de parametri diferen iali Z. 21 e d d d d Id Id Id Id B  B B  B Apoi calcul m media aritmetic pentru parametrul dat d hd  hd 21e . se modific doar pozi ia în schema echivalent . poate fi alc tuit schema echivalent fizic a tranzistorului la semnale mici. H se numesc externe deoarece ele se m soar la bornele cuadripolului i m rimile acestor parametri depind de schema de conectare a tranzistorului.18).Pentru fiecare segment (OD i OD¶) se determin h 21e ! F hd ! 21 e parametrul d d . 30 . hd ! .1. În apropierea punctului O se construiesc dou triunghiuri mici OAB i OA¶B¶. De exemplu. Apoi din fiecare triunghi g sim parametrii i calcul m media lor aritmetic .

se ob ine ( U E ! xU E .tensiunea între colector i baz .026 . rE ! (I E (U C ! 0 Dac substituim devierile curen ilor i tensiunilor cu echivalent diferen ial.1. kT q } 0. (1. pentru rezisten a diferen ial a jonc iunii emitorului. rE ­ xI E ½ ª º T ! 300 K . ( I E ! xI E . xI E ( U C ! 0 unde: U E este tensiunea între emitor i baz . când în circuitul colectorului este asigurat regim de scurtcircuit dup curent alternativ.39) © ¹ ª º unde I E 0 este curentul de scurgere al jonc iunii emitorului.1. (U E . Curentul jonc iunii emitorului polarizate direct se determin conform rela iei U ¨ k ¸ I E ! I E0 © e  1¹ . rE ! xU E . I E . Rezisten a diferen ial jonc iunii emitorului i capacitatea Rezisten a diferen ial a jonc iunii emitorului rE se determin ca rela ia dintre tensiunea aplicat pe jonc iunea emitorului (U E i curentul emitorului (I E .6. U C . putem scrie: E qU ¨ ¸ 1 « xU E » q qI E © I E 0e kT ¹ ™ !¬ ¼ !© ¹ kT } kT . ( U C ! x U C .curentul jonc iunii emitorului. În a a mod.

40) . A . ?. ?mA A E 1 31  1 rezisten a (1.V i Pentru diferen ial a jonc iunii emitorului este mic kT 26 mA rE } } . qI E I E .

2. Jonc iunea de parc 32 . Cu modificarea valorii tensiunii aplicate pe colectorul U C frontiera jonc iuni colectorului se deplaseaz .1 M . de efectul de modulare a grosimii bazei i de curentul de scurgere.6. 1. capacitatea jonc iunii emitorului polarizat direct ( CE ) la frecven joas este untat de rezisten a rE i influen a ei asupra func ion rii tranzistorului este nesemnificativ . I E . Rezisten a diferen ial i capacitatea jonc iunii colectorului Rezisten a diferen ial a jonc iunii colectorului rC se determin ca rela ia între tensiunea aplicat pe jonc iunea emitorului (U C i curentul colectorului (I C . ( U E ! xU E . când în circuitul emitorului avem mers în gol dup curent alternativ (U C .curentul jonc iunii emitorului. ). Din cauza valorii mici a rezisten ei rE . pentru rE ! 26 Ohm .curentul colectorului. M rimea rC este major (de obicei rC " 0. Curentul colectorului I C circul prin jonc iunea colectorului polarizat indirect i depinde slab de tensiunea aplicat la colectorul U C . I C . rC ! xU C .I E ! 1 mA i ! 300 K . La frecven joas . De exemplu. xI C ( I E ! 0 (1. rC ! (I C (I E ! 0 Se efectueaz trecerea: ( U C ! x U C . Rezisten a diferen ial a jonc iunii colectorului este determinat . în schema echivalent fizic m rimea CE poate fi neglijat .41) unde: U C este tensiunea între colector i baz . în general. ( I C ! x I C .

Rezisten a de volum a bazei Materialul semiconductor din regiunea bazei i contactul d ohmic al bazei posed o oarecare rezisten rB .7). cu schimbarea tensiunii pe colector se modific i valoarea curentul colectorului I C . de aceea cu majorarea frecven ei aceast capacitate are o influen considerabil asupra func ion rii tranzistorului. Cum arat d calculele. conduce la dependen a coeficientului de transfer de difuzie a golurilor = i. ! C ! IE ! IE } xU C xWB xU C rC xU C (I E ! 0 (1. Aceasta condi ioneaz majorarea total a rezisten ei diferen iale a colectorului rC . Aceasta. Drept rezultat al modific rii valorii E (când I E ! const ). Respectiv se modific viteza mi c rii de difuzie a purt torilor minoritari din baz i num rul de goluri ce recombin în procesul mi c rii de difuzie de la emitor spre colector.1. Îns capacitatea CC unteaz o rezisten mai mare ( rC ).s-ar mi ca în întâmpinarea golurilor la majorarea tensiunii U C i se retrage la mic orarea ei (fig.6. ce poart un caracter de difuzie xI xE xE 1 xWB . prin urmare. la dependen a coeficientului de amplificare dup curent E de tensiunea aplicat pe jonc iunea colectorului. valoarea rezisten ei bazei rB poate fi determinat conform rela iei 33 .42) Jonc iunea colectorului polarizat indirect posed capacitatea CC care este determinat de raportul dintre modificarea valorii sarcinii spa iale în jonc iune i valorii tensiunii colectorului când în circuitul emitorului este asigurat regim mers în gol. gradientul concentra iei golurilor din baz cre te la mic orarea grosimii bazei i descre te la m rirea grosimii bazei. De obicei capacitatea colectorului CC este cu mult mai mic decât capacitatea jonc iunii emitorului polarizat direct CE . În rezultat. 1. la rândul s u.3.

Q n .43) rB ! rB  rBd d rB ! 1. Conform legilor fizice. de aceea circuitul bazei este caracterizat de rezisten a total : d d . Acest circuit echivalent este prezentat în fig. d Introducerea rezisten ei rB în circuitul bazei ia în considerare reac ia intern în tranzistor i influen a modula iei grosimii bazei asupra curentului emitorului. unde E prezint coeficientul de transfer al curentului 34 . Pentru majorarea eficacit ii emitorului i mic orarea pierderilor de putere a semnalului de intrare. Îns aceste considera ii nu ne dau precizia necesar i necesit introducerea rezisten ei ad ug toare d .19.4. majorarea rB trebuie s mic oreze curentul emitorului pentru tensiune constant între emitor i baz . WB grosimea bazei.6. Schema echivalent pentru cuplaj baz comun Utilizând parametrii analiza i anterior.1 . poate fi construit schema echivalent în T de conectare a tranzistorului cu baz comun . deoarece aceast tensiune este distribuit între d jonc iunea emitorului i rezisten a rB . N x . În schema echivalent jonc iunile emitorului i colectorului sunt reprezentate prin rezisten ele lor diferen iale rE i rC . Majorarea d rB m re te pierderile în circuitul de intrare.concentra ia donorilor în baz . Cu majorarea valorii grosimii bazei i concentra iei impurit ilor rezisten a de volum a bazei se mic oreaz . Efectul  de transfer al curentului emitorului I în circuitul colectorului pe E schema echivalent este indicat sub form de generator de curent  EI E . rBdnumit de difuzie. (1. 8TqQ n N x WB unde: q este sarcina electronului.mobilitatea purt torilor majoritari în baz . ceea ce mic oreaz d eficacitatea emitorului.1. rezisten a bazei trebuie redus la minim.

Prezen a rezisten ei rB în circuitul 35 . unde direc iile pozitive ale curen ilor i tensiunilor corespund celor reale în tranzistorul bipolar tip n-p-n. Polaritatea relativ a curentului generatorului EI E în schema echivalent este determinat de sensul pozitiv al curentului emitorului. coeficientul de transfer dup curent E este socotit independent de efectul de modulare a grosimii bazei.1. direc ia pozitiv a curentului EI E . trebuie orientat spre punctul Bd Pentru direc ia invers a curentului emitorului (tranzistor tip p-n-p) polaritatea  generatorului EI E este invers .19. De aceea orientarea curentului emitorului condi ioneaz direc ia tuturor curen ilor r ma i a a cum este ar tat în fig.1. emitorului. Legea descris este determinat de procedeele fizice care au loc în tranzistor. prezentat în fig.1. În schema echivalent .19.19. CC  EI E  IE rE Bd rB rC  IC E  UE C  UC B B Fig.1. Trebuie de remarcat  c rezisten a intern a generatorului de curent EI E pentru curentul  de ie ire I C tinde spre infinit. Schema echivalent a tranzistorului tip n-p-n  cu generator de curent EI E la conectare BC  În cazul orient rii curentului emitorului I E de la punctul Bd spre punctul E (ceea ce corespunde curentului emitorului real în  tranzistorul bipolar tip n-p-n). În schema echivalent a tranzistorului tip p-n-p direc iile curen ilor vor fi inverse (fig.20).

con ine un generator de curent EI E .20) E G   EI E rC ! I E rG . un num r minim de elemente i reflect procesele fizice ce au loc în tranzistorul bipolar real.bazei eviden iaz leg tura intern în tranzistorul bipolar i influen a modul rii bazei asupra curentului emitorului. Uneori este mai comod de utilizat schema echivalent în care  în locul generatorului de curent EI E func ioneaz generatorul  echivalent de tensiune I ErG . Aceast schem este prezentat în fig. Schema echivalent fizic a tranzistorului bipolar.1.1.1.20.1.19) i tensiunea generatorului  I r (fig.19 i fig.20.44) 1. Schema echivalent pentru conectarea emitorului comun Schemele prezentate în fig. (1.6. prezentat  în fig. Ea este utilizat pe larg în calculul ingineresc. Schema echivalent a tranzistorului tip p-n-p  cu generator I ErG (conectare BC) Echivalen a regiunilor din schem Bd C pentru fig. unde rG este rezisten a ce reflect propriet ile de amplificare ale tranzistorului.1.1.20 r mân valabile 36 .19.1.19 i fig.1.20.5. CC  IE rE Bd  IB rB rC  I E rG  IC E  UE C  UC B B Fig. rG ! ErC . rezult din egalitatea c derilor de tensiune create de  curentul EI E pe rezisten a rC (fig.1.

21.pentru conectarea tranzistorului cu EC. cum este ar tat în fig.  Pentru aceasta este analizat tensiunea U Bd între punctele Bd C. C care este determinat ca suma c derilor de tensiune pe rezisten a   rC din cauza curen ilor EI E i I C      . 1. dac bornele de intrare de schimbat cu locul a a.  În astfel de circuit curentul generatorului EI E este comod de   înlocuit prin curentul bazei I B i nu prin curentul emitorului I E .

46) B  UB C  UC E E Fig. E ! F /(1  F ) . U d!I  EI ! (1.21. Schema echivalent a tranzistorului tip p-n-p  cu generator EI E (conectare EC)    Din cauz c I E ! I C  I B .I  EI .C poate fi scris sub forma  U Bd ! C C « F   » ¬I C  1  F I C  I B ¼ ! ­ ½ . Z C rC CC  EI E  IB rB Bd  IE rE rC  IC (1.1. unde F coeficientul de transfer al curentului bazei la conectarea tranzistorului dup schema EC.45) BC C C C E C C E unde 1 1 !  j[ C C . tensiunea între punctele Bd.

« ¨ F ¸ ZC  F »  . ! Z C ¬I C © 1  ¹ I © ¹ 1  F IB ¼ ! 1  F .

C  FI B 1 F º ª ½ ­ (1.47) 37 .

47) cap t forma    U Bd ! Z CE .48). rela ia (1.Introducem nota ia (1. Dac lu m în considerare (1.48) ! C /(1  F ) .

C  F I B . direc ia  generatorului de curent F I B trebuie s coincid cu direc ia  generatorului de curent EI E .48) pentru schema echivalent a tranzistorului bipolar cuplat EC. I (1.45) i (1. unde între punctele  Bd C este conectat generatorul de curent F I B .49).46) i (1. putem scrie r * rC ! C .50) 1 F C* ! C C . (1. CE E B Cum se observ din rela iile (1. C Z CE rC Luând în considerare rela iile (1.49) C unde Z CE este impedan a în punctele Bd .C la înlocuirea   generatorului de curent EI cu generatorul F I . Impedan a Z CE posed componente activ i reactiv 1 1 ! *  j[ C* .

1  F . (1.51) C CC .

 F 1  FI B  IB rB Bd  IE rE rC 1 F  IC CC .

Schema echivalent a tranzistorului tip n-p-n  cu generator de curent F I B i generator de  * tensiune I B rG (conectarea EC) 38 .1.  F 1  * I E rG B  UB C  UC Bd rC 1 F C E E Fig.22.

39 . Aceasta este posibil dac sunt cunoscute m rimile fizice ale parametrilor tranzistorului în circuitele prezentate în fig. În fig.1.22 direc ia curentului  generatorului F I B este aceea i ca i în schema cu baz comun . Uneori în schema echivalent de conectare a tranzistorului cu  emitor comun în locul generatorului de curent F I B se folose te  * generatorul de tensiune I B rG .. Îns constanta de timp a jonc iunii colectorului r mâne aceea i pentru ambele scheme de conectare.Rela iile (1.14. * rezisten a rC este de zece ori mai mic ca rC .50). 1. Cum se observ din analiza schemelor formale de înlocuire a tranzistorului (fig.22.49).fig.22).22 este ar tat por iunea de schem între punctele Bd. Rezisten a generatorului rG .7.16) i schema echivalent fizic a tranzistorului tip n-p-n conectat cu emitor comun (fig.1. Rolul parametrilor h în schema echivalent i calculul lor Utilizarea schemelor echivalente pentru analiza circuitelor electronice permite de a ob ine leg tura dintre procesele fizice care au loc în tranzistor i parametrii circuitelor.C. Leg tura dintre parametrii fizici ai tranzistorului i parametrii h 1.1.1. se determin din rela ia * * rG ! F rC . (1. 1.51) permit de a trece de la schema prezentat în fig. ce determin propriet ile de amplificare ale tranzistorului.19 i fig.1. În schema din fig.1.1. iar capacitatea C* C tot de atâtea de ori este mai mare ca CC .21 la schema tranzistorului cu generator de  curent F I B (fig. (1..22) direc iile pozitive ale curen ilor i tensiunilor coincid cu direc iile m rimilor de intrare i ie ire pentru schemele formale.1. Partea r mas a schemei r mâne * neschimbat .7.1.

adic U mc ! 0 . prezentat în fig. În presupunere c tensiunea de ie ire în aceast schem este egal cu zero. tensiunea la intrare poate fi determinat ca " " U m ! I m rB  I merE ! I m rB  I m " " " * * rErC rErC  FI m .37).22.Pentru determinarea rela iilor de leg tur între parametrii fizici i parametrii h ai tranzistorului este necesar de a analiza concomitent sistemul de ecua ii a parametrilor h (1.1. * * rE  rC rE  rC » « r r* U mb ! I mb ¬rB  E C * .38) U mb ! h 11e I mb  h 12e U mc . (1. ! i schema echivalent . ¯ I ° mc ! h 21e I mb  h 22e U mc .

ob inem r r* h 11e ! rB  E C * .38) i (1.52).1  F ¼ . rE  rC ½ ­ Dac compar m rela iile (1.

52) (1. ob inem formula de Luând în considerare faptul c rE leg tur a parametrului h 11e cu parametrii fizici: (1.53) * rC .1  F . rE  rC (1.54) h 11e ! rB  rE .

! * U mc I m ! 0 rE  rC (1.22 ca divizor * de tensiune format de rezisten ele rE i rC dac I mb ! 0 .1. adic Coeficientul de transfer dup curent al tranzistorului cuplat EC se determin cu ajutorul ecua iei lui Kirghoff pentru circuitul colectorului din schema echivalent (fig.1  F . Parametrul h 12e se define te în schema din fig. Pentru U mc ! 0 .55) .1.22) * * U mc  F I mb rC ! I mc (rE  rC ) . ob inem * * F I mb rC ! I mc (rE  rC ) . Din aceste considerente 40 # # h 12e ! Um rE .

56) Parametrul h 22e dup defini ie prezint conductibilitatea de ie ire pentru regim mers în gol la intrarea tranzistorului.57) indic leg tura dintre parametrii fizici i parametrii h ai tranzistorului ± cuadripol. * U mc I mb ! 0 rE  rC rC (1.. Determinarea parametrilor fizici dup parametrii h În practic apare problema invers ± dup parametrii h cunoscu i de determinat parametrii fizici ai tranzistorului bipolar. Rezolvarea concomitent a ecua iilor (1..(1. * I mb U mc ! 0 rE  rC * rC se ob ine Luând în considerare c rE (1.7. h 11b ! E . Analogic putem ob ine leg tura dintre parametrii fizici i parametrii h ai tranzistorului ± cuadripol în schema de cuplare BC h 11b ! rE  rB (1  E ) . h11b ! rB 1 .h 21e ! * F rC I mc ! .58) 1.57) fa de m rimea rE primite de a ob ine formula de calcul pentru rezisten a jonc iunii emitorului h rE ! 12e . h 22 e ! I mc 1 1 ! } *. primim * U mc ! I mc (rE  rC ) . rC rC (1.57) Rela iile (1.53). h 22 b ! .59) h 22e Remarc m c formula dat poate fi utilizat doar în cazul când coeficientul diferen ial de reac ie invers h 12e posed o 41 . h 21e } F .2.54) i (1. Din rela ia (1. (1. presupunând c amplitudinea curentului bazei este egal cu zero ( I mb ! 0 ).55).

Parametrii h ai tranzistorului sunt m sura i experimental sau determina i conform caracteristicile statice. (1.54).valoare semnificativ . Dependen a parametrilor tranzistorului de temperatur 1.52). (1. Dac acest parametru este aproape sau egal cu zero. De regul . Influen a temperaturii asupra parametrilor semiconductorilor Dependen a parametrilor i caracteristicilor dispozitivelor semiconductoare de temperatur este condi ionat de faptul c propriet ile fizice ale materialului semiconductor într-o m sur mare se modific sub influen a temperaturii.60). rB .61). Analogic poate fi g sit leg tura dintre parametrii h i elementele schemei echivalente fizice pentru conectarea tranzistorului BC. (1. (1. ele sunt calculate dup parametrii h cunoscu i ai tranzistorului cuplat dup schema EC conform rela iilor (1. (1.  rC ! h 22e h 22e * * rC ! (1  F )rC ! (1  h 21e )rC . rC nu sunt întotdeauna incluse.59). se utilizeaz formula (1. conductibilitatea specific a semiconductorului este determinat de 42 . 1  h 21e rC ! (1  h 21e ) .59) permit de a calcula rezisten a jonc iunii colectorului dup curent alternativ h12e 1 * .8.8. (1.56).1. Rela iile (1.57) permit de a ob ine formula pentru calculul rezisten ei bazei h rB ! h11e  21e (1  h 22e ) . 1.57) i (1.61) h 22e În îndrumare m rimile rE .40). De exemplu.60) h 22e Rela iile (1. (1.

Cu majorarea temperaturii la are loc ionizarea atomilor de impurit i i majorarea concentra iei purt torilor de sarcin mobili. ca urmare. Cu m rirea de mai departe a temperaturii to i atomii de impurit i sunt ioniza i. Q p prezint mobilitatea purt torilor de sarcin ce sunt func ie de temperatur . Majorarea de mai departe a conductibilit ii specifice cu cre terea temperaturii are loc din cauza apari iei perechilor electron ± gol în semiconductorul intrinsec.rela ia W ! q(nQ n  pQ p ) .23. concentra ia purt torilor de sarcin intrinseci r mâne s fie nesemnificativ i.1.1.concentra ia purt torilor de sarcin . unde n este un num r întreg sau frac ionar. conductibilitatea specific scade din cauza mic or rii mobilit ii purt torilor de sarcin Q ! f ( T  3 2 ) . (1.23. n . ™ cm 1 103 102 10 N1 N2 N 3 " N 2 " N1 N3 1 0 10 20 30 40 50 1000 T. Dependen a tipic a conductibilit ii specifice a semiconductorului de temperatur este prezentat în fig. K Fig.62) unde: Q n . Dependen a electroconductibilit ii specifice a semiconductorului cu impurit ii de temperatur La temperatur foarte joas în semiconductor electronii ce se afl pe ultimul nivel energetic interac ioneaz între ei foarte puternic. p . Majorarea valorii conductibilit ii specifice are loc dup legea Tn . 43 . . W .

1. . q . Rezisten a colectorului tranzistorului (f r drift) în cazul jonc iunii abrupte U F WB . I E . (1.curentul emitorului. (1.temperatura. L C ..2. Pentru tranzistorul cu drift 3U CEF WB .22.65) rC ! CE I ELC unde: U CE este tensiunea între baz i colector.1. WB .grosimea bazei. prezentate în fig.66) rC ! I EL C Pentru a determina influen a temperaturii asupra rezisten ei jonc iunii colectorului este necesar de a analiza caracteristicile în func ie de temperatur a parametrilor ce intr în componen a rela iei (1.8.66).sarcina electronului. (1. Se observ c odat cu majorarea temperaturii pentru curentul emitorului constant rezisten a rE cre te. Modificarea parametrilor tranzistoarelor bipolare la varia ia temperaturii Practic to i parametrii schemei echivalente a tranzistorului.19. Se cunoa te c 44 .63) qI E unde: k este constanta lui Boltzman.. Rezisten a bazei este determinat de rela ia k rB } F rE ! F .1.64) qI E unde F este coeficientul de transfer dup curent în cuplarea tranzistorului EC. depind de temperatur .fig.grosimea jonc iunii colectorului. (1. Rezisten a jonc iunii emitorului depinde de temperatur în modul urm tor kT rE ! .

Cu majorarea temperaturii. N C . grosimea jonc iunii scade.coeficientul de transfer.67) 1 E Coeficientul de transfer al curentului în cuplaj BC E este determinat de rela ia E ! K]M . ] . Fiindc U CB "" N C asupra grosimii jonc iunii influen eaz nivelul concentra iei purt torilor de sarcin cu modificarea temperaturii.p .p . Modificarea valorii E constituie 0.bariera de poten ial. la o temperatur nu prea înalt cea mai mare influen 45 . i este mai eviden iat la temperaturi înalte (se m re te de dou ori la fiecare 10 grade în varia ia temperaturii).. unde I EB 0 este curentul termic al jonc iunii emitorului.E . Majorarea valorii lui E provoac cre terea lui F . (1. În a a mod. Aceasta provoac majorarea coeficientului de transfer dup curent E . Deoarece concentra ia purt torilor de sarcin se m re te odat cu cre terea temperaturii. Curentul emitorului depinde de temperatur qU EB (1. deoarece se m re te F! neesen ial i lungimea de difuzie a purt torilor de sarcin L n .68) unde: K este coeficientul de injec ie.03.70) ™ LC ! q N unde: N este concentra ia impurit ilor în regiunea jonc iunii colectorului.69) I E ! I EB 0e kT .. (1.05% o C . M .eficacitatea colectorului. curentul emitorului cre te din cauza modific rii valorii I EB 0 . dup legea exponen ial . (1. Jonc iunea colectorului este asimetric i grosimea poate fi exprim prin rela ia 2II 0 N C  U CB .0. Cu majorartea temperaturii cre te pu in i valoarea 2 coeficientului de transfer K ! 1  WB 2L2n .

5 K .24.5 1. G Pentru jonc iunea fabricat din germaniu. TY ! 7 K .1 ( K 1 ) I CT ! I CT0 2 ln 2 este temperatura de dublare a curentului termic. Dependen a de temperatur a parametrilor din schema echivalent analiza este prezentat în fig. din siliciu . ob inem 1 La T ! 300 ( K ) . G ! 0.o va avea majorarea coeficientului de transfer F .16( K ) pentru siliciu. unde TY ! un.0 0.TY ! 4. 2.1.5 0 rC rE E . (T ! T  T0 .71) I CT ! I CT eG ™ (T . ! k 02 0 pentru germaniu i G ! 0.0 1. Dac vom trece de la logaritmul natural la cel in baza 2. ceea ce va provoca m rirea rezisten ei jonc iunii colectorului. La temperatur mai înalt va avea loc mic orarea rC din cauza influen ei tot mai mari a curentului emitorului (1. rel . unde (E .

E 1 rE rB 40 0 I CB 0 40 rC T . oC I CB 0 E .

72) . E 1 rB 80 Fig.24. Dependen a parametrilor fizici de temperatur pentru tranzistorul bipolar 46 $ (T TY . (1.1.

Dup cum se cunoa te. * rC rC (1  E ) rC În practic . h12b ! B . Parametrii h ai tranzistorului sunt lega i de parametrii schemei echivalente prin rela iile urm toare r 1 h 11b ! rE  rB (1  E ) . rC rC E h11e ! rB  rE (1  F ) .73) 1 E r 1 1 h12e ! E . h 22 e ! ! *. h 21e ! . apare problema invers ± dup parametrii h cunoscu i se determin parametrii fizici h 1  h 21e h rB ! h11e  12e . de obicei. h 22 b ! . h 11b ! E . (1. tranzistorul bipolar poate fi prezentat ca cuadripol liniar.

Dependen a caracteristicilor tranzistorului bipolar de temperatur Cu majorarea temperaturii.25.25.0 2. rC ! . Dependen a parametrilor h de temperatur pentru tranzistorul bipolar 1.0 0 40 20 0 20 40 h11e h21e h12 e h22 e T .0 1.74) h 22e h 22 e h 22e Dependen a de temperatur a parametrilor h pentru tranzistorul bipolar este prezentat în fig.0 3. rel .1. (1. 4. un.3. rE ! 12e .8.1  h 22e .1. curentul emitorului se m re te esen ial i caracteristica de intrare pentru schema de conectare BC 47 . oC Fig.

.2mV o C .10 3 . atunci devierea caracteristicilor de ie ire cu temperatura pentru schema BC este nesemnificativ (fig.1.. Deplasarea caracteristicilor are loc aproximativ cu 1. E IC IC IC I C I CB 0 (1..1. iar I CB 0 I C este de ordinul 10 6 .76) dI C ! I E dE  dI CB 0 . Modificarea relativ pentru curentul colectorului este dI C I E dI dE I CB 0 dI CB 0 ! dE  CB 0 !  ™ .26. Rezult c pentru curent constant al emitorului modificarea absolut a curentului colectorului va fi urm toarea: (1. Curentul de ie ire (curentul colectorului) se determin conform rela iei (1.77) Din cauza c modificarea coeficientului E nu este major .75) I C ! EI E  I CB 0 . Pentru schema de conectare EC curentul de intrare este curentul bazei care aproximativ este determinat din formulele Ebers ± Moll în modul urm tor: ¨ UE ¸ ¨ UC ¸ I B ! .26).are forma indicat în fig..

1  E ™ I ECB © e NT  1 ¹  .

deoarece unele componente din rela ia (1. Ei .1  E i ™ I CBC © e N  1 ¹ . I ECB .78) unde: E prezint coeficientul de transfer în regim activ. Caracteristicile de intrare. N T ! kT q poten ialul termic.curen ii inver i ai jonc iunii emitorului i colectorului.1.78) depind în mod diferit de temperatur (fig. se intersecteaz .27). I CBC .coeficientul de transfer în regim de inversie. m surate pentru diferite temperaturi. 48 . © ¹ © ¹ ª º ª º % (1.

Dependen a de temperatur a parametrilor h I B . mA 4 3 2 1 0 & 50 oC 12 9 20 oC 6 3 100 200 U EB .26.I C . mA I E . 1. Dependen a de temperatur a caracteristicilor de intrare în schema de cuplare EC Curentul colectorului pentru schema de conectare EC se scrie în forma urm toare: I C ! F I B  .27. m 0 5 I E ! 2 mA 10 I E ! 10 mA I E ! 6 mA 60 oC 50 oC 20 oC 80 oC Fig. QA 100 80 60 40 20 0 45 oC 20 oC Fig.1.

(1.78) 49 ' 100 U BE .F  1 I CB 0 . m . m & 15 U CB .

Fig. mA 12 10 8 6 4 2 0 5 I B ! 40 QA 30 QA 60 oC 20 QA 10 QA I B ! 40 QA 30 QA 20 oC 20 QA 10 QA 10 U CE .28. Dependen a de temperatur a caracteristicilor de ie ire în schema cu EC Instabilitatea relativ a curentului colectorului pentru I B ! 0 E I CB 0 I CB 0 IC I .I C .80) } . (1.1.

F  1  ™ ! .

F  1 C I C EC I C BC E I C I CB 0 adic se m re te în compara ie cu conectarea BC de .

Regimul limit de func ionare pentru tranzistoarele bipolare la varia ia temperaturii Se cunoa te c odat cu majorarea temperaturii considerabil se m re te concentra ia purt torilor de sarcin minoritari în func ie 50 ( .1. atunci pentru conectarea EC ea va constitui sute de procente.28. În fig.F  1 ori.4.8. sunt prezentate caracteristicile de ie ire ale tranzistorului bipolar conectat în schema EC.80) se observ c modificarea caracteristicilor de ie ire a tranzistorului conectat în schema EC este semnificativ . dac în diapazonul dat de temperaturi în schema BC modificarea formei caracteristicilor de ie ire va fi de câteva procente. Din rela ia (1. 1. ob inute pentru câteva valori ale temperaturii. De exemplu.

Practic diapazonul minim al temperaturilor de lucru este limitat de diferi i factori tehnologici i de particularit ile constructive i se plaseaz în limitele o 70. Când concentra ia purt torilor de sarcin minoritari se apropie de concentra ia purt torilor de sarcin majoritari.rezisten a termic radiator ± mediu. (1. Temperatura maxim de lucru este determinat de energia de ionizare a semiconductorului i concentra ia impurit ilor. TC .100o C .. Temperatura maxim admisibil determin regimurile de limit 51 .05.200o C .01 eV ).200 o C W . Limita de jos a temperaturilor de lucru este determinat de energia de ionizare a impurit ilor ( 0.1 eV ).72 eV .rezisten a termic a jonc iunii colector . R T . R T C . func ionarea dispozitivului semiconductor se deregleaz .. Pentru tranzistoarele fabricate din germaniu temperatura maxim de func ionare variaz în limitele 70..0.carcas ... iar pentru cele din siliciu în limitele 125. Rezisten a termic este un parametru important al tranzistorului i este indicat în îndrumarele respective.. i reprezint aproximativ  200o C . Dintre toate regiunile din structura tranzistorului cea mai mare putere este disipat pe jonc iunea colectorului. Pentru func ionarea normal tranzistoarele de putere sunt utilate cu radiatoare iar puterea disipat de jonc iunea colectorului poate fi determinat conform rela iei T  TC PC ! n . Aceasta se datoreaz diferen ei dintre l rgimea benzii interzise (pentru germaniu 0. siliciu 1.de l rgimea benzii interzise a semiconductorului. De obicei ea se exprim în grade celsius pe miliwat sau grad celsius pe wat i pentru majoritatea tranzistoarelor se plaseaz în limitele 30.. deoarece ea posed rezisten electric mai major ....  60 C .temperatura mediului.81) RT  RTC unde: Tn este temperatura jonc iunii colectorului.

B. V Fig.29.dup curent. IC . Dependen a de temperatur a coeficientului termic 52 .1. curba puterilor admisibile se deplaseaz în jos (fig.30. cm 2 W 80 60 40 20 0 2 20 40 1 60 80 (t . oC p Fig. Curba 1 corespunde convec iei libere a aerului.29). iar curba 2 ± r cirii for ate (viteza fluxului de aer aproximativ 300 m s ). Cu cre terea temperaturii.82) S R ! BPC . Dependen a de temperatur a regimurilor de func ionare a tranzistorului Dependen a experimental care leag varia ia de temperatur (t p i coeficientul termic B este prezentat în fig.30. 1. A I C max 4 3 2 1 0 5 10 T2 PC max I B ! 200 mA T1 150 mA 100 mA 50 mA 25 mA U CE max U CE . 2 unde B este coeficientul termic cm W . tensiune i putere.1. Suprafa a radiatorului este determinat de rela ia (1.1.

Dispersia purt torilor de sarcin în baz Propriet ile de amplificare a tranzistoarelor sunt determinate de: propriet ile materialului din care sunt confec ionate. Cu majorarea frecven ei. 1. Viteza de propagare a purt torilor de sarcin în regiunea bazei este diferit i de aceea grupul de purt tori de sarcin ce au intrat concomitent în regiunea bazei ating regiunea colectorului în timp diferit. y apare defazajul. Asta înseamn c : y scade puterea de ie ire. propriet ile de amplificare ale tranzistorului bipolar se înr ut esc. Asupra diapazonului frecven elor de lucru a tranzistoarelor influen eaz urm torii parametri: y timpul de difuzie al purt torilor de sarcin minoritari în regiunea bazei de la jonc iunea emitorului la cea a colectorului.În a a mod la proiectarea aparatajului radioelectronic cu tranzistoare ce lucreaz într-un diapazon larg de temperaturi i este important de a cunoa te ce influen are temperatura asupra parametrilor i caracteristicilor elementului activ i care sunt limitele în func ionarea acestui dispozitiv electronic. regimul de lucru i schema de conectare. Dependen a parametrilor tranzistorului de frecven 1. y capacitatea jonc iunii emitorului CE i colectorului CC . rezisten a bazei rE .1. tehnologia de fabricare.9. determinat de dimensiunile ei geometrice.9. adic întârzierea oscila iilor curentului de ie ire fa de cel de intrare. y 53 . construc ia.

Dependen a coeficientului de transfer dup curent de frecven Fie c tranzistorul bipolar de tip p-n-p este conectat BC i func ioneaz în regim activ. Vom analiza defazajul între curentul emitorului i curentul colectorului.1. cu valoarea timpului mediu de propagare a procesului de difuzie prin baz X D . La fel are loc i distorsionarea semnalului sinusoidal. Drept rezultat. Influen a dispersiei vitezei purt torilor de sarcin se manifest i asupra formei semnalului. Modificarea curentului colectorului va avea loc mai târziu decât modificarea curentului emitorului. prin urmare. Când la intrarea tranzistorului se aplic semiperioada pozitiv a semnalului. În timpul ac iunii semiperioadei negative num rul golurilor injectate se va mic ora i o parte din ele va ajunge la jonc iunea colectorului odat cu cele întârziate de la semiperioada pozitiv . 54 .9. Pentru o frecven major a semnalului. când timpul mediu de mi care a golurilor în regiunea bazei este comparabil cu perioada acestui semnal. Cu cât mai mare este grosimea regiunii bazei i. semiperioada pozitiv va trece în cea negativ . semnalul la ie irea tranzistorului va fi unul mediu. aplicat la intrarea tranzistorului. alt parte.2. atunci la ie irea lui frontul din spate i cel din fa a fiec rui impuls va fi întins i impulsurile posed form de trapez. Dac la intrarea tranzistorului aplic m impulsuri dreptunghiulare de durat redus . Nivelul de mic orare a coeficientului de transfer dup curent cu cre terea frecven ei este determinat de grosimea bazei WB . Dispersia vitezelor golurilor în baz aduce la aceea c odat cu m rirea frecven ei are loc înr ut irea efectului de amplificare i mic orarea coeficientului de transfer dup curent E . timpul de parcurgere a bazei de c tre goluri. atunci din jonc iunea emitorului se injecteaz în baz un num r mare de goluri. ce posed o vitez de mi care mai mic . cu atât este mai pronun at întârzierea purt torilor de sarcin i cu atât mai mic va fi coeficientul de transfer dup curent. O parte din ele ajung destul de rapid la jonc iunea colectorului. se re ine pu in.

83) indicii respectivi trebuie indica i pentru electroni. Pân când frecven a semnalului nu este mare i perioada de repetare a procesului considerabil întrece timpul mediu de difuzie X D . Pentru tranzistoarele bipolare tip p-n-p timpul mediu de tranzi ie a procesului de difuzie sau timpul mi c rii de difuzie se determin ca Dp W W2 .coeficientul de difuzie al golurilor în baza-n. Pentru tranzistoarele bipolare în formulele (1. R p ! Rp Dp WB unde: R p este viteza purt torilor de sarcin minoritari. Semnalul în circuitul colectorului este în defazaj fa de cel în circuitul emitorului cu unghiul de defazaj N B 55 .31. perioada T se mic oreaz comparabil cu timpul de difuzie X D .31 este prezentat diagrama temporal a componentei alternative a curentului colectorului. Dp . XD ! B . putem socoti c schimbarea formai curentului colectorului are loc practic momentan dup legea de schimbare a curentului emitorului.grosimea bazei.83) XD ! B . WB . Diagramele în timp a curen ilor de intrare i ie ire la frecven înalt În fig.IE IC IE IC t XD T Fig. (1.1. Întârzierea X D T poate fi neglijat . Cu cre terea i devine frecven ei semnalului. injecta i în baz . M rimea X D este determinat de grosimea bazei i de coeficientul de difuzie. 1.

Dac curentul emitorului variaz dup legea (1. De aceea pentru aceea i frecven distan ei mai mari între jonc iunile tranzistorului îi corespunde un unghi de defazaj mai mare între curentul de intrare i ie ire. Dp (1.N B ! [X D ! 2Tf 2 WB .84) Bazei cu grosimea mai mare îi corespunde un timp de difuzie X D mai major.85) i E .

t ! I E ! I m e sin .

atunci curentul colectorului.[t . poate fi scris ca i C . luând în considerare defazajul.

t ! I C ! I m c sin .

(1.[t  N B . E depinde de frecven i este caracterizat de modulul E.86) Deoarece coeficientul de transfer dup curent a tranzistorului E în schema BC reprezint raportul dintre curentul semnalului în circuitul colectorului i curentul semnalului în circuitul emitorului.

[ i faza N B .

[ :  j[ t  jN I C I m c sin .

[t  N B I m c e e ! E! ! . IE I m e sin.

[t I m e e  j[ t B (1.87) unde: E.

N B .[ ! Im c Im e este modulul coeficientului de amplificare.

[ .defazajul coeficientului de amplificare a curentului emitorului în schema cu BC.  E ! E.

[ ™ e  jN .

Cu o eroarea admisibil pentru calculele tehnice m rimea coeficientului de transfer dup curent poate fi aproximat cu ajutorul rela iei urm toare B 56 .88) În domeniul frecven elor joase coeficientul de transfer dup curent E este constant. coeficientul E poart un caracter complex (1. dup o lege complicat . (1. Cu majorarea frecven ei.88). mic orându-se cu m rirea frecven ei.[ .

E.

j[ } E0 f 1  j™ fE . E.

[ ! E.

89) ¨f ¸ N B . (1.f } E0 ¨f ¸ 1 © ¹ ©f ¹ ª Eº 2 .

[ ! N B .

defazajul coeficientului E .f ! arctg © ¹ . ©f ¹ ª Eº Identic pentru conectarea tranzistorului EC: F0 E0 F .

F .j[ } .

[ ! F .

90) ¨f ¸ N E . 2 f ¨f ¸ 1  j™ 1 © ¹ fF ©f ¹ ª Fº (1.f } .

[ ! N E .

f ! arctg© ¹ . 2 Dependen a modulul coeficientului de transfer dup curent de frecven se nume te caracteristica amplitudine .frecven (CAF) E ! \.3. 1.defazajul coeficientului F . f E . F 0 .frecven ele de t iere pentru tranzistorul cuplat BC i EC respectiv. CAF. Frecven a de t iere.89) i (1. ©f ¹ ª Fº În rela iile (1. în compara ie cu valoarea lui la frecven e joase E Ef ! 0 . f F .modulele coeficien ilor de transfer dup curent la frecven joas pentru schemele de conectare BC i EC respectiv.90) utiliz m urm toarele not ri: E 0 . CPhF i al i parametrii ai tranzistorului Frecven de t iere pentru tranzistorul cuplat în BC ( f E ) este numit frecven a pentru care modulul coeficientului de transfer dup curent se mic oreaz de 2 ori ( adic cu 3 dB).9.

[ sau F ! \.

Dependen a unghiului de defazaj de E 57 .[ .

N ! \ .

[ ! \ .

4 unit i relative E E0 NB o 30 60 90 10 2 10 1 1 f ! fE 10 fE f Fig. În schema EC coeficientul de transfer al curentului bazei depinde mai tare de frecven . Frecven a de t iere a tranzistorului în schema EC ( f F ) se nume te frecven a la care modulul coeficientului de amplificare dup curent se mic oreaz de 2 ori ( adic cu 3 dB). 1. iar unghiul de defazaj este plasat în unit i absolute.1.32.32. iar frecven a de t iere f F este considerabil mai redus decât f E . Ele sunt construite în coordonate normate E E 0 i f f 0 . Exemple de astfel de caracteristici sunt prezentate în fig.8 0. CAF i CPhF pentru coeficientului de transfer dup curent 58 .6 0. în compara ie cu valoarea lui la frecven e joase: F Ff ! 0 . 2 F 1 0.707 0.[ este numit caracteristica faz ± frecven frecven (CPhF) a coeficientului de transfer. decât în schema BC.

S exprim m frecven a de t iere f F prin m rimea f E F! 1 E E0 E0 ! ™ ! ! f f E0 1 E 1 j 1 1  j  E0  f fE fE 1 j fE E0 . ! ¸ ¨ f ¹ .

1  E 0 © 1  j © .

1  E 0 fE ¹ º ª (1.90) i (1. cu considera ia c F 0 ! E 0 .91) Compararea rela iilor (1.91).

ne permite s ob inem formula pentru leg tura dintre frecven ele de t iere în schemele BC i EC fF ! f E .1  E 0 .

1  E . În a a mod frecven a de t iere a coeficientului de transfer a curentului bazei f F este de .

ci majorarea valorii defazajului. (1. (1. 1  F0 1  F0 1  F0 f fF ! E .91)) nu este mic orarea valorii E . Pentru schema EC. f .93) tg.92) 1  F0 Cauza principal a mic or rii bru te a coeficientului F cu cre terea frecven ei (cum indic rela ia (1.1  E ori mai mic ca frecven a de t iere în schema cu BC sau: F0 1  F 0  F0 1 ! 1  E0 ! 1  ! .

N E ! fE .

1  E 0 în timp ce pentru schema BC f tg.

93) ob inem 59 .N B ! . fE Luând în considerare (1.

tg.

N E ! 1 tg.

N B . 1  E0 ¡ tg .

N E "" tg .

Cu cre terea frecven ei.N B 1 NE } N .b) în care modulul vectorului I C se mic oreaz .  iar a modulului vectorului I se m re te de câteva ori. I B . colectorului i bazei respectiv. I m b prezint amplitudinile curen ilor alternativi ai emitorului. Aici I m e . cu lungimea I m e . I m b respectiv. I C . atunci la frecven e joase curentul colectorului se deosebe te pu in de cel al emitorului i curen ii tranzistorului pot fi reprezenta i sub forma    vectorilor care coincid dup direc ie I E .1. I m c .33. 1.33.1. I m c .33. Diagramele vectoriale ale curen ilor tranzistorului la frecven joas (a) i înalt (b) La frecven joas curen ii emitorului i colectorului coincid dup faz (fig.a). Deoarece B 60 . a a încât Im e ! Im b  Im c . 1  E0 B  IB  IB  IE  IC  I E ! I me  I B ! I mb  IC ! I mc  IE NE  IC NB ! a) b) Fig. Amplitudinea curentului bazei este egal cu diferen a între I m e i I m c . curentul colectorului r mâne în urm de curentul emitorului i vectorii acestor curen i formeaz un  triunghi (fig. Deoarece E } 1 .

1. dI B dU C ! 0 dI m b U m c ! 0 atunci la frecven a f ! f E coeficientul de transfer F se mic oreaz de câteva ori.33.b. f F reprezint parametrii importan i ai tranzistorului bipolar 1 fF ! f E . a a cum este ar tat în fig.F! dI dI C sau F ! m c . Frecven ele de t iere f E .

1  E 0 sau fE ! f ! .

1  F 0 fF . 1  E0 F E.707 ™ F 0 F . F F0 0.

707 ™ E 0 E .f 1 E0 0.

f f fF fT fE Fig. Caracteristicile de amplitudine ± frecven ale coeficien ilor de transfer dup curent E.34 sunt prezentate dependen ele de frecven a modulelor E i F .1. F În fig. Varia ia mai rapid a modulului F .1.34.

[ cu cre terea frecven ei în compara ie cu E.

[ se explic prin faptul c diferen a 1  E([) în rela ia E.

[ F .

[ ! 1  E.

[ se modific mai rapid decât E.

61 .[ .

89). de aceea leg tura între f E i fF fE ! 1 f ! . cu cre terea frecven ei este determinat de majorarea defazajului N E . La determinarea frecven ei de t iere f F a fost utilizat dependen a aproximativ pentru E de frecven (1.În afar de aceast cauz principal de mic orare pentru F .

1  E0 F este la fel aproximativ .1  F 0 fF . Pentru a ob ine un reziltat concret. se introduce coeficientul de corec ie k : k fE ! f ! .

Analiza rela iei (1..1  F 0 kfF . pentru calcule se folose te frecven a f T (adic frecven a de t iere a tranzistorului sau frecven a limit de amplificare dup curent). 1  E0 F Valoarea acestui coeficient depinde de construc ia tranzistorului i tehnologia lui de fabricare (de regul . pentru care coeficientul de transfer a curentului bazei F în schema EC este egal cu unitatea. În practic .1..90) indic c la frecven e ce dep esc de trei-patru ori frecven a de t iere f F . adic f " .2 ). k } 1.

f 62 . În acest produs f este frecven a la care este efectuat m surarea valorii coeficientului de transfer F f : F0 Ff ! .4 fF ...3. f2 1 2 fF pentru f2 "" 1   F f ! fF2 F0 1 f2 fF2 ! fF F 0 . fF f ! fF F 0 ! const ! f T . produsul F f ™ f este o valoare constant i nu depinde de frecven .

Deoarece F f ! const pentru f " .

4 fF i fF f ! fFF 0 ! fT .3. atunci frecven a de t iere în schema EC este de F 0 ori mai mic decât valoarea frecven ei de t iere a tranzistorului fF ! f T F 0 . Pentru schema BC frecven a de t iere f E întotdeauna este mai mare ca frecven a de t iere a tranzistorului f T : kfF kfT k ...

1  F 0 f T ! ! fE ! . (1.94) F0 1  E 0 F 0 .

1  E 0 pentru F " 10   f E ! kfT } .

M rimea f S este întotdeauna mai mare ca f F .. egal cu (I ies .1. MHz. (1.rezisten a de volum a bazei. pentru care modulul de conductibilitate direct . Tranzistorul poate fi utilizat în calitate de generator sau amplificator. Y21 ! (U int ( U ies ! 0 se mic oreaz de 2 ori în compara ie cu valoarea lui la frecven joas . rB .95) d 30rB CC unde: f E este frecven a de t iere a coeficientului de transfer în d schema BC. . De aceea un parametru important dependent de frecven este frecven a maxim de generare sau frecven a maxim de amplificare dup putere. ?MHz A.. pentru care coeficientul de amplificare dup putere este egal cu unitatea E 0f E f ma ! .2 f T .1. 63 ) . dac coeficientul de amplificare dup putere K p " 1 . La analiza dispozitivelor confec ionate în baza tranzistoarelor cu ajutorul schemelor echivalente i utilizarea parametrilor Y este folosit frecven a de t iere a pantei tranzistorului f S . CC capacitatea jonc iunii colectorului. Dependen a modulului conductibilit ii directe Y21 de frecven este identic cu dependen a de frecven a m rimilor E i F . pF.

se mic oreaz odat cu mic orarea grosimii bazei i cu majorarea valorii vitezei purt torilor de sarcin injecta i în baz . rezisten a de volum a bazei. Metode de îmbun t ire a caracteristicilor de frecven . 1. Aceste cerin e sunt contradictorii ± mic orarea grosimii bazei WB d d m re te rezisten a de volum rB . conform rela iei (1. ce limiteaz caracteristicile de frecven a tranzistoarelor.83). Timpul de transfer ale purt torilor de sarcin prin regiunea bazei. Este cunoscut c viteza electronilor R n este mai mare ca viteza golurilor R p . i capacitatea colectorului cu valori reduse. De aceea în baz . se formeaz un câmp de accelerare pentru purt torii de sarcin injecta i. Mic orarea grosimii bazei este condi ionat de posibilit ile tehnologiilor contemporane. De aceea utilizarea la frecven e înalte a structurilor tip n-p-n este preferabil . În a a mod tranzistorul destinat func ion rii în domeniul frecven elor înalte trebuie s posede grosimea bazei. Pentru majorarea frecven ei de regenerare este necesar de a m ri valoare f E i de a mic ora constanta de timp d rB C C .În rela ia (1. Din aceste considerente frecven ele de t iere pentru tranzistoarele bipolare f r drift sunt relativ reduse. care permite de a 64 . Aceast constant caracterizeaz reac ia invers la frecven înalt i este un parametru de baz al tranzistorului.4. mic orarea rezisten ei rB (m rirea concentra iei în baz ) m re te capacitatea jonc iunii colectorului CC i mic oreaz valoarea tensiunii U C max .95) produsul rezisten ei de volum a bazei la capacitatea colectorului este numit constant de timp a circuitului d de reac ie invers rB C C ! X C . Tranzistoare bipolare cu drift Majorarea valorii frecven ei de t iere a tranzistorului necesit mic orarea timpului de transfer de c tre purt torii de sarcin în baz . prin intermediul procedurilor tehnologice.9.

În urma distribuirii neregulate a concentra iei impurit ilor în baz apare gradientul concentra iei purt torilor de sarcin care provoac un câmp electric intercalat.m ri viteza lor. Qm Fig. în regiunea baz se formeaz un câmp electric intercalat. Tranzistoarele care posed un câmp electric intercalat în regiunea bazei sunt numite tranzistoare cu drift. Distribu ia impurit ilor în structura tranzistorului cu drift În fig. Ele se folosesc la frecven e înalte. În acest scop. grosimea c reia este determinat de adâncimea de difuzie a impurit ilor acceptoare. Între jonc iunile emitorului i colectorului se formeaz o regiune de baz tip-p compensat . Viteza total a electronului se m re te. frecven a de t iere a tranzistorului de asemenea se majoreaz .35.1.1. N acc N don . Rezult c purt torii de sarcin ob in ad ug tor componenta de drift a vitezei. 65 . Câmpul electric intercalat accelereaz electronii injecta i în baza tip-p. cm 3 10 21 E N don B N acc 1015 C N don 0 1 2 JE 3 JC P. format prin procedura de difuzie.35 sunt prezentate curbele de distribu ie a concentra iei impurit ilor donoare i acceptoare în structura tranzistorul tip n-p-n.

1. Schemele echivalente ale tranzistorului bipolar la frecven e înalte La frecven e înalte în schema echivalent (fig.9.5.19) este necesar de a lua în considerare elementele parametrii c rora sunt func ie de frecven i dependen a de frecven a coeficientului de transfer dup curent E.1.

conectat la schema echivalent prin circuitul RC.36. În fig.a este prezentat schema echivalent pentru tranzistorul bipolar la frecven e înalte.  E . curentul de ie ire al c ruia între punctele 1  1d este dependent de coeficientul de transfer dup curent a (fig. în corespundere cu rela ia (1.1.89).j[ .b).36. format din generatorul de curent  E 0 I E independent de frecven . Dependen a coeficientului de transfer E de frecven se modeleaz cu ajutorul circuitului.1.

j[ I E a)  IE rE 1 CC 1d  IC b)  R E .

96) I IES ! E .36. 1.Schema echivalent a tranzistorului la frecven înalt (a) i circuitul RC ce modeleaz dependen a coeficientului E de frecven (b)    U   (1. j[ I E 1d C  U IES 1 E  UE C E Bd rB rC C  UC  E0IE B B Fig.

j[ I E ! IES . R R R j[C . U INT ! E 0 I E Z RC . Z RC ! ! 1 1  j[CR j[C  R 66 .

  E 0I E R 1 E0   U  I IES ! E .

j[ I E ! IES ! ™ ! ™ IE . R 1  j[RC R 1  j[ RC E0 E.

89) i (1.37. [ E ! 2 Tf E ! .j[ ! . (1.98) RC ! RC [E Schema echivalent a tranzistorului la frecven înalt cu  generator de curent independent de frecven E 0I E este prezentat în fig. Pentru o precizie mai înalt trebuie s lu m în considerare defazajul la frecven e apropiate de [E (sau mai majore decât [E ) i s introducem factorul de corec ie exp.97) 1  j[RC Pentru identitatea rela iilor (1. (1.1.97) este necesar de a îndeplini urm toarele condi ii: 1 1 .

 j [ [ E . fE [E  E0IE C b) R E . care asigur o corec ie liniar de faz : f [ (N B ! m !m .

1. CPhF pentru coeficientul E (b) 67 .707 ad  IC a) CC  IE rE a C E Bd rB rC E  UE C  UC 1 [ [E B Fig. NB [ 1 0. Schema echivalent a tranzistorului  la frecven înalt cu generator E 0 I E (a) i CAF.37.

În a a mod aproximarea dependen ei coeficientului de transfer ob ine forma ¨ [ ¸ [  jm ¹ E 0 exp©  jm © [ E ¹ E 0e [ º! ª .99) E. (1.

de regul . prin drift.101) [ TrE Dup simplificarea respectiv .2 . CEdif } 68 .j[ ! [ [ 1 j 1 j [E [E Pentru tranzistoarele formate prin aliere.8 CEdif } . (1.38. Din aceste considerente circuitul poart denumirea de schem echivalent fizic . În astfel de cazuri este în deajuns de a lua în considerare numai componenta de difuzie pentru schema cu BC: 0.100) [E rE E Pentru schema EC 1 . capacitatea de difuzie a emitorului.37 posed form .5. schema din fig.1. În acest caz valoarea curentului generatorului echivalent va fi ¨ [ ¸  ¹. m } 0.1. prezentat în fig. folosind formulele prezentate în tab. m } 0. Parametrii fizici ai schemei analizate se determin prin parametrii h. I E E 0 exp©  jm © [E ¹ º ª Dac jonc iunea emitorului este polarizat direct. (1. este mai mare decât capacitatea sarcinii spa iale.1. constante fizice i procese de baz ce au loc în structura analizat .8 . Prioritatea principal a acestei scheme const în faptul c elementele ei posed un sens fizic bine determinat i permit de a efectua leg tura între parametrii tranzistorului cu datele constructive.

102) . adic reprezint o parte din  d tensiunea de intrare U B . Schema echivalent fizic simplificat a tranzistorului la frecven înalt În unele cazuri se utilizeaz schemele echivalente în P.8 [E rE C C dif  I EE 0 e R!  IC Bd rB C C bar j ™0 . (1. tranzistorul fiind prezentat formal ca un dispozitiv dirijat de tensiune. CB .39 con ine capacit ile de tranzi ie a reac iei inverse C C1 i CC 2 .  De aceea sursa de curent g S U 1 de asemenea depinde de frecven .1.CE ! 0. Schema de substituire a tranzistorului în acest caz este prezentat în fig. Aici se folose te sistemul de parametrii Y.1. determinat de elementele rB . g BE . conectat paralel conductibilit ii g CE .38.1.  Tensiunea U 1 depinde de frecven . În schem uneori se introduce i capacitatea colector ± emitor C CE . Aceste capacit i se calculeaz conform rela iilor CC C C1 ! .39. dar de tensiunea punctului intern al circuitului U 1 . C C 2 ! C C  C C1 . 2 [ [E  IE 1 [E CC dif rE E  UE C  UC B Fig. care sunt determinate de constanta de timp a circuitului d colectorului X C ! rB C C . Schema echivalent din fig. Particularit ile schemei echivalente în P constau în faptul c curentul la ie irea generatorului este determinat nu de tensiunea de   intrare U B .

2.3 69 ...

Tabelul 1.5 Formulele de calcul pentru parametrii fizici ai tranzistorului conform parametrilor diferen iali pentru diferite scheme de conectare Parametrul F rE rC EC h 21e BC h 21b 1  h 21b h11b  h12 b .

1  h 21b h 22b 1 h 22b h12b h 22b  h 21b h 12b h12e h 22e .

1  h 21e 1  h12e h 22e h11e  h12e .

g BE ! d d h11e  rE h11e  rE g BE ! h 22 e  h12e ¨ h  rd ¸ h © h 21e  11e B 21e ¹ . d h11e  rB unde g S ! Y21 este panta caracteristicii tranzistorului bipolar. 70 .1  h 21e h 22e h 21e 1  h 22e rB E Q} rB rC h11eh 22 e  h12e 1  h 22e Elementele schemei din fig.103) gS ! h 21e  h12e .1.39 se determin cu ajutorul parametrilor h cu ajutorul rela iilor: 1  h12e h12e . g CB ! . © dº h 11e ª h 11e  rB ¹ (1.

1. conectat cu emitor comun (schema Djacoletto) Capacitatea de difuzie a jonc iunii emitorului se determin conform rela iei 1 CBE ! g . Schema fizic echivalent simplificat a tranzistorului bipolar la frecven înalt . [F BE 71 .39.C CC 2 rB  IB  U1 C CB Bd g CB JC B g CE JE  g SU1 C BE g BE E CC 2  IE C C1 rB Bd g CB  U 1 g BE C BE  g SU1 g CE  IC B  U BE C  U CE E Fig.

este deajuns de a determina rela ia pentru frecven a de t iere cu ajutorul schemei echivalente.Pentru a ne convinge de aceasta.  Curentul generatorului echivalent I ~ se determin ca:     I ~ ! g S U 1 . E  1 g SI B    I ~ ! g S I B Z Bd } g S I B ! . E j[C BE  g BE ¨ C BE ¸ ¹g BE © 1  j[ © g BE ¹ º ª gS gS  I~ g BE g BE . U 1 ! I B Z Bd . F .

f T . unde [F ! g BE 72 .frecven a de t iere pentru conectarea EC.capacitatea de ie ire pentru conectarea EC.j[ !  ! ! I B 1  j[ CBE 1  j [ [F g BE . C CE . CBE Pentru calculul schemei echivalente în P îndrumarele con in urm torii parametri: X C .capacitatea circuitului de reac ie intern în tranzistor.capacitatea jonc iunii colectorului. rB . C C ! CC 2 .constanta de timp a circuitului de reac ie intern în tranzistor. C CB ! C C1 .rezisten a bazei.

. . ± . 8. . 12. : 1980. ± oc .392 14. D.488 . . . . 7. . . . : 1984. . . .I. 10..: . .: 1990. ± 419 . ± Ia i. ± . . . ± 424 . .. ± . . . .. . . .Costea Dispozitive i circuite electronice. 13. . Facla: 1987. . 11. .Cuza:1994. 3. .1.. . ± 512 . : 2001.. . Electronica fizic i aplicat . Editura Didactic i Pedagogic : 1982. . . Zamfir V. . . 6.. ± 864 .912 c. . : 1981. . Bazele radioelectronicii. .Profirescu. . ± 679 p. : 2001. ± Timi oara. 2. . 5. ± . ± 279 p. ± . ± V.Rusu. ± 622 .. M. ± 383 . . 2. Sandu D. .. I. ± 432 . / . 73 . 1980.615 p. . : 1985.Dasc lu. ± . . ± Bucure ti.. : 1977. 4.± . A. . ± 368 c. Editura A. ± . 1991. 9. ± . : 1984. .BIBLIOGRAFIE 1.

.....5..........6...........2...1....................................... 6 1....... Tranzistorul ca cuadripol activ......6...5..............2.............5...........................3....................... No iunea de tranzistor bipolar...........4............ Determinarea parametrilor diferen iali aitranzistorului dup caracteristicile statice....31 1................ 5 1..21 1....15 1..6............. 12 1..........7........ Modelul Ebers ± Moll....4..............13 1.............................................5..... Rezisten a diferen ial i capacitatea jonc iunii emitorului................ Regim de blocaj..............3...... 3 1....... Sistemul de parametri diferen iali ai tranzistorului bipolar.....3...CUPRINS 1........... 6 1.... Coeficientul diferen ial de amplificare dup curent ...........................4. Tranzistorul bipolar ca element al circuitului.............1.................. Schema echivalent pentru conectarea emitorului comun...... Regim activ...6............................... Schemele echivalente ale tranzistoruluila frecven joas ........4.....6..21 1.....................................14 1............. Modalit ile caracteristicilor statice««««««««..«.. Caracteristicile pentru cuplaj baz comun «««««......... Schema echivalent pentru cuplaj baz comun ..........3.........................3................ 3 1....................................3.................. 6 1............................2..3................36 74 ............3................. Rezisten a de volum a bazei ............................... 5 1..3........... 18 1.........................25 1................................3.......... Regimul de lucru al tranzistoarelor bipolare.30 1.......5......................... Rezisten a diferen ial i capacitatea jonc iunii colectorului.... Regimul de lucru i proceselefizice în tranzistorul bipolar.........5..............33 1..1...........6......14 1.............2. 11 1...................6........4.... 4 1......................32 1...............4...................... Regim de inversie............ Schemele formale pentru substituirea tranzistorului ......... Caracteristicile statice pentru tranzistorul bipolar...............34 1.......... Structura i jonc iunile tranzistorului bipolar........1................... TRANZISTORUL BIPOLAR....3... Caracteristicile pentru cuplaj emitor comun«««..3...................1...27 1....2..... Regim de satura ie................

..2................1...................... Metode de îmbun t ire a caracteristicilorde frecven ................................................7..........................54 1...............8............. Modificarea parametrilor tranzistoarelor bipolare la varia ia temperaturii................9................... Leg tura dintre parametrii fizici ai tranzistorului i parametrii h ........................... Determinarea parametrilor fizici dup parametrii h ...39 1............................7........................... Frecven a de t iere.8................ Influen a temperaturii asupra parametrilor semiconductorilor.....8...3.41 1..... Tranzistoare bipolare cu drift .......9............42 1....4.......................7.............9...........64 1. CPhF i al iparametrii ai tranzistorului............................. Schemele echivalente ale tranzistoruluibipolar la frecven e înalte..47 1................... CAF.................................................1............... Regimul limit de func ionare pentru tranzistoarele bipolare la varia ia temperaturii................... Dependen a caracteristicilor tranzistorului bipolar de temperatur ..........................8........9............39 1................8......44 1......................................3.... Dispersia purt torilor de sarcin în baz ...50 1.... Rolul parametrilor h în schemaechivalent i calculul lor.......4..........................................................9......57 1......1.......................... Dependen a parametrilor tranzistorului de temperatur .....1..............42 1............... Dependen a coeficientului de transfer dup curent de frecven .66 Bibliografie........................2...........9...53 1..53 1..... Dependen a parametrilor tranzistorului de frecven ......73 75 .......5.......2.....