1. TRANZISTORUL BIPOLAR 1.1. No iunea de tranzistor bipolar.

Structura i jonc iunile tranzistorului bipolar Tranzistor bipolar este numit dispozitivul electronic cu trei pini i dou sau mai multe jonc iuni p-n ce interac ioneaz între ele. În tranzistor se rânduiesc trei regiuni semiconductoare, pentru care pe placheta de izolator din Si-i, prin metoda epitaxial - planar se formeaz regiunile colectorului (C), bazei (B) i emitorului (E) (fig.1.1). Pentru aceasta, în regiunea Si-n, ce serve te ca colector, prin metoda difuziei este format regiunea bazei Si-p. În aceast regiune, prin metoda difuziei locale, este format emitorul Si-n cu concentra ie major a impurit ilor donoare. C B1 p n Si-i E1 n C Jonc iunea emitorului Jonc iunea colectorului

Fig.1.1. Structura tranzistorului bipolar tip n-p-n La frontiera regiunii emitorului cu cea a bazei i de asemenea la frontiera regiunii bazei cu cea a colectorului se formeaz dou jonc iuni p-n ± emitor i colector (dup denumirea regiunilor laterale ale structurii). Jonc iunile interac ioneaz dac distan a între ele WB , numit l imea bazei, este cu mult mai mic ca lungimea de difuzie a purt torilor de sarcin mobili ( WB L p ,n ). este distan a pe care o parcurge Lungimea de difuzie ,n electronul sau golul din momentul apari iei în semiconductor pân la recombinare. De regul , suprafa a jonc iunii colectorului este mai mare ca suprafa a jonc iunii emitorului. Regiunea emitorului trebuie s posede o electroconductibilitate mai înalt ca cea a bazei i a 3
 

colectorului. Concentra ia impurt ilor în regiunile tranzistorului bipolar trebuie s respecte inegalitatea N E " 100 N B u N C . (1.1) 1.2. Tranzistorul bipolar ca element al circuitului În dependen de alternarea regiunilor, dup tipul de electroconductibilitate, se deosebesc structuri tip p-n-p i n-p-n. În fig.1.2 sunt prezentate structurile p-n-p i n-p-n ale tranzistorului bipolar i reprezentarea lor în circuitele electrice. JE E p B E C p-n-p n p JC C E n E B p C n-p-n n JE JC C

B

B

Fig.1.2. Reprezentarea tranzistoarelor bipolare Ca element al circuitului electric, tranzistorul bipolar este utilizat în a a mod, ca unul din pini s fie conectat la intrare, iar altul ± la ie ire. Al treilea pin este comun. În dependen care din pini este comun, se deosebesc trei circuite de conectare ale tranzistoarelor bipolare: - baz comun (BC); - emitor comun (EC); - colector comun (CC). În fig.1.3. sunt prezentate aceste trei modific ri de cuplare a tranzistorului bipolar în circuitul electric. 4

IE Iintr.

BC

IC IB Iie . IB Iintr.

EC

IC IB Iie . IE Iintr.

CC

IE Iie . IC

Fig.1.3. Schemele de conectare ale tranzistoarelor bipolare

1.3. Regimul de lucru i procesele fizice în tranzistorul bipolar 1.3.1. Regimul de lucru al tranzistoarelor bipolare În timpul func ion rii tranzistorului la bornele sale este aplicat tensiune de la sursa de alimentare în curent contionuu. În dependen de polaritatea tensiunii aplicate, fiecare din jonc iunile p-n ale tranzistorului bipolar poate fi polarizat direct sau indirect, adic sunt posibile patru modalit i de func ionare a tranzistorului (tab.1.1). Tabelul 1.1 Modalit ile de func ionare a tranzistorului bipolar
Denumirea jonc iunii Jonc iunea emitorului Jonc iunea colectorului Jonc iunea emitorului Jonc iunea colectorului Jonc iunea emitorului Jonc iunea colectorului Jonc iunea emitorului Jonc iunea colectorului Conectarea jonc iunii Invers Invers Idirect Idirect Direct Dnvers Invers Direct Denumirea regimului de func ionare a tranzistorului Regim de blocaj Regim de satura ie Regim activ Regim de inversie

5

4.1. Ele sunt prezentate sub forma urm toare: y pentru circuitul cu BC . R B sat ! BE sat . ob inem rezisten a de satura ie: U CE sat U . Primul indice în reprezentare determin pinul prin care circul curentul. adic mers în gol.I BC 0 . I CB 0 . y pentru circuitul cu CC .1. Regim de blocaj În regim de blocaj ambele jonc iuni p-n sunt polarizate indirect. În fiecare din cele trei scheme de conectare a tranzistorului ace ti parametri posed valori determinate. Parametrii statici reprezint curen ii de satura ie I E sat . I CE 0 .I EB 0 . I CBS .3.3. ÄS´ ± scurtcircuit). Regimul activ În fig. jonc iunea emitor a c reia este polarizat 6 . 1. jonc iunile sunt saturate cu purt tori de sarcin mobili. I CES .4 este reprezentat modelul plan unidimensional al tranzistorului bipolar.2. U CE sat ). I B sat i tensiunile de rest ( U BE sat . I ECS . I BES . I EBS . rezisten ele lor sunt reduse. R C sat ! I C sat I B sat 1. I C sat . I EC 0 . y pentru circuitul cu EC . Raportând m rimile tensiunilor i curen ilor. I BCS . care reprezint parametrii statici ai regimului dat.I BE0 . al treilea.3. condi iile în regiunea r mas a schemei (Ä0´ ± lipsa curentului. al doilea ± schema de conectare.3. Regim de satura ie În regimul de satura ie ambele jonc iuni p-n sunt polarizate direct. Regiunea E-C posed o conductibilitate înalt i poate fi considerat ca scurtcircuitat . Prin bornele tranzistorului circul curen ii de scurgere a jonc iunilor polarizate indirect.

Aceast corespunde regimului activ.1.extragerea purt torilor minoritari din baz în regiunea colectorului prin intermediul câmpului electric.recombinarea purt torilor de sarcin în regiunea bazei.4. În circuitul extern al emitorului circul curentul de injec ie: q U EB I E ! I E p  I E n ! I EB 0 (e kT  1) .purt torii injecta i prin baz care circul drept rezultat al fenomenelor de difuzie i drift. IEp=KIE JE p JC ]IEp n p conectare IE IC IE n I B rec UEB IB ICB0 UCB Fig.2) Pentru structura tranzistorului tip p-n-p rela ia între concentra iile impurit ilor din regiunile emitorului . format de jonc iunea colectorului. Mi carea purt torilor de sarcin i curen ii în tranzistorul bipolar (regim activ) Principiul de func ionare a tranzistorului bipolar în regim activ se bazeaz pe utilizarea urm toarelor fenomene: .direct. . Injec ia purt torilor de sarcin duce la trecerea prin jonc iunea emitorului a curen ilor de difuzie (a golurilor I E p i electronilor I E n ).injec ia purt torilor de sarcin prin jonc iunea emitorului. (1. . . iar cea a colectorului indirect.

N acc E i bazei .

N don B se determin ca: .

N acc E u 100 ™ .

7 .N don B .

ce p trund în baz de la sursa de alimentare UEB. se compenseaz cu sarcina electronilor. Concomitent cu difuzia golurilor în baz . formând curentul de recombinare al bazei I B rec . mic orarea concentra iei purt torilor de sarcin purt torilor de sarcin în regiunea bazei din cauza recombin rii este nesemnificativ . are loc i recombinarea lor cu electronii. Circuitul emitor ± baz devine blocat i asigur circula ia curentului emitorului.4) pn ! pn e Sarcina golurilor. (1. Majorarea concentra iei electronilor i a golurilor în apropierea jonc iunii emitorului formeaz gradientul concentra iei purt torilor de sarcin în baz ( “p i “p ). iar curentul de recombinare I B rec este mai 0 qU E kT . Deoarece l imea bazei este considerabil mai mic ca lungimea de difuzie a WB L p .3) IE IE p  I E n Injec ia purt torilor de sarcin din emitor în baz m re te concentra ia purt torilor minoritari în regiunea bazei. al turi de curentul electronilor injecta i I En . Concentra ia lor la frontiera jonc iunii emitorului pentru structura tip p-n-p se determin din rela ia: . ap rute momentan în apropierea jonc iunii emitorului (~ 10-17 s).Din aceste considerente se ob ine I E p "" I E n .n . Rela ia între componentele curentului emitorului pot fi apreciate cu ajutorul coeficientului de injec ie I IE p K ! Ep ! p 1. În locul electronilor care se recombin în regiunea bazei din circuitul extern al sursei de alimentare UEB sunt injecta i al i electroni. Sub ac iunea gradientului concentra iei purt torilor de sarcin se produce mi carea de difuzie a golurilor i electronilor prin regiunea bazei de la emitor spre colector. (1.

Golurile injectate de emitor în regiunea bazei se apropie de jonc iunea colectorului polarizat indirect. nimerind în câmpul de 8 . mic decât curentul emitorului I E cu un ordin-dou .

( 2L p ) 2 Cu cât mai multe goluri sunt injectate din emitor în baz .7) IE IE p IE Posibilitatea de dirijare cu curentul de ie ire al tranzistorului. Dac apel m la rela iile (1. (1. (1. se ob ine I C p ! K] I E ! E E I E . Din aceste considerente curentul I C este propor ional cu curentul emitorului i se nume te p curentul dirijat al colectorului. primim: I I I EE ! C p ! C p ™ E p ! K ™ ] . (1. numit curentul de scurgere a jonc iunii p-n polarizate indirect. Procesul de tranzi ie a purt torilor de sarcin minoritari prin baz este caracterizat de coeficientul de transfer = .5). În afar de componenta dirijat a curentului colectorului I C p prin electrodul colectorului circul i componenta nedirijat a curentului. El este analogic curentului diodei semiconductoare cuplate indirect i de aceea a primit denumirea de curentul de scurgere al colectorului I CB 0 . ceea ce ofer posibilitatea de al utiliza în calitate de element activ în circuitele electronice. cu atât mai major este curentul colectorului.3). modificând valoarea curentul de intrare. Utilizând rela iile (1. În a a mod se formeaz componenta dirijat a curentului colectorului: I C p ! I E  I B rec  I E n ! I E p  I B rec .5). ÄB´ ± m sur rile au loc în 9 ¡ (1.accelerare a acestei jonc iuni i sunt transferate în colector.5) . Aici indicii ÄC´ indic curentul jonc iunii colectorului cuplate indirect. este o proprietate important a tranzistorului bipolar.3) i (1.6) Coeficientul E E este numit coeficient integral de transfer al curentului emitorului în circuitul colectorului.Coeficientul de transfer depinde de l rgimea bazei WB i lungimea de difuzie a golurilor L p ! I Cp I Ep }1 2 WB .

3) curentul de dirijare este curentul bazei. adic pentru regim mers în gol la intrare.9) În circuitul emitorului curentul de injec ie se determin ca suma curentului colectorului I C i curentul bazei I B : IE ! IC  IB . (1. Direc ia curentului de scurgere a colectorului I CB 0 corespunde cu componenta dirijat a curentului colectorului i de aceea I C ! E ™ I E  I CB 0 . iar rela ia pentru curentul colectorului (1.3.1.10) determin leg tura dintre curen ii tranzistorului i sunt adecvate pentru oricare din circuitele de conectare. cu unic deosebire c în loc de goluri trebuie s vorbim despre electroni i invers.8) Curentul I CB 0 în circuitul bazei este orientat invers curentului de recombinare în baz I B rec i curentului de injec ie I n inj (1.8) i (1. (1.1. Direc iile curen ilor continui i polarizarea tensiunilor de alimentare ce corespund regimului activ sunt prezentate în fig. 0 ± m sur rile au loc pentru I E ! 0 . Procese analogice au loc i în tranzistorul tip n-p-n.schema de cuplare BC. În circuitele EC i CC (fig.10) Rela iile (1.8) poate fi scris în felul urm tor: I C ! E ™ I E  I CB 0 ! E ™ .

11) IC ! ™ IB  ™ I CB 0 ! F ™ I B  I CE 0 .I C  I B  I CB 0 . I C  E ™ I C ! E ™ I B  I CB 0 . 1 E 1 E unde: E ! F este coeficientul de amplificare dup curent în schema 1 E 1 de cuplare EC. E 1 (1. ™ I CB 0 ! .

10 I B ! I B rec  I CB 0  I n inj .1  F I CB 0 ! I CE 0 . sau curentul de scurgere a tranzistorului bipolar.componenta 1 E nedirijat a curentului colectorului în schema EC. .

12) ! F 1. Regim de inversie În regim de inversie jonc iunea emitorului este cuplat invers. 1 E 1 E sau I E ! K I I B  I CE 0 .Pentru schema CC curentul de ie ire este curentul emitorului. Practic.3.13) unde Ei este coeficientul de transfer invers.5. De aceea. Din aceste considerente I E  I B ! I C ! E ™ I E  I CB 0 . Pentru schema CC I E ! F i ™ I B  . iar extrac ia purt torilor de jonc iunea emitorului. 1 I IE ! I B  CB 0 . (1. iar jonc iunea colectorului direct. emitorul i colectorul î i schimb func ia i pozi ia în circuit. atunci Ei E . I ! 1 E 1. în compara ie cu regimul activ. în regim de inversie injec ia purt torilor de sarcin este înf ptuit de jonc iunea colectorului. unde 1 (1. Pentru schema de cuplare BC: I E ! E i ™ I C  I EB 0 . Deoarece suprafa a jonc iunii emitorului este cu mult mai mic decât cea a jonc iunii colectorului i N C N B .

(1.1  F i I EB 0 .14) Pentru schema EC I C ! .

1  F i I B  .

1  F i I EB 0 . (1.15) 11 .

1. y coeficientul de transfer de difuzie = caracterizeaz procesele ce au loc în baz ± difuzia i recombinarea purt torilor de sarcin . ! EE  IE dI E dI E (1. indic leg tura dintre componentele respective în curent continuu.6. adic dI C ! E E ™ dI E  I E ™ dE E sau Ex ! dI C dE E . unde EIE este parametrul static al regimului activ. leg tura dintre curen ii colectorului i emitorului este determinat de rela ia diferen ial (1. Rela ia pentru curentul colectorului I C ! E E ™ I E  I CB 0 . Aceast formul arat leg tura dintre componentele curentului de dirijare I E i valoarea curentului de ie ire I C . 12 .3. amplitudinea c rora este cu mult mai mic ca valoarea tensiunii de alimentare. Pentru semnale alternative. care întotdeauna este mai mare decât E E .7) ca func ie de dou argumente pentru I CB 0 ! const . de regul . M ! 1 . Coeficientul diferen ial de amplificare dup curent În rela ia (1. Coeficientul E este determinat de rela ia E ! ( I C  I CB 0 ) I E .7) pentru coeficientul static de amplificare a curentului emitorului E E ! K]M : y coeficientul de injec ie K caracterizeaz eficacitatea jonc iunii emitorului. y coeficientul M se introduce pentru a lua în considerare procesele în jonc iunea colectorului i.16) unde E x este coeficientul diferen ial de amplificare dup curent în schema BC.

17) pot fi scrise sub forma: ¨ qU ¸ ¨ qU ¸ I E ! I EBC © e kT  1 ¹  E i I CBC © e kT  1 ¹ . (1.18) i (1. Schema echivalent a tranzistorului bipolar dup modelul Ebers-Moll I E ! I 1  E i I 2 . bazat pe schema echivalent format din dou diode conectate una în întâmpinarea celeilalte i a dou surse de curent continuu care indic interac iunea dintre aceste diode (fig.5.1.19) © ¹ ª º unde I EBC i I CBC prezint curen ii de scurgere ai jonc iunilor emitorului i colectorului.20) © ¹ © ¹ ª º ª º U U ¸ ¸ EI EB 0 ¨ k I CB 0 ¨ k ©e © IC !  1¹   1¹ .7. m surate în regim scurtcircuit în partea corespunz toare a schemei.21) © ¹ 1  EE © e ¹ 1  EE i ª i ª º º EB EB 13 ¦ § ¤ ¥ EB EB ¦ § EB . Modelul Ebers-Moll Leg tura dintre curen ii i tensiunile tranzistorului bipolar pentru cele patru modalit i de cuplare în circuit pot fi studiate cu ajutorul modelului matematic Ebers-Moll. (1.3.5).19) rela iile (1. Ei I2 IE E B I1 I2 EI1 IC C Fig. (1. Luând în considerare (1.1. I C ! EI 1  I 2 .18) © ¹ ª º ¨ U ¸ I 2 ! I CBC © e k  1 ¹ . ¢ £ U EB k (1.17) ¨ ¸ I 1 ! I EBC © e  1¹ . (1.1.

IC ! .

1  E I EB 0 ¨ e qU © kT 1  EE i © ª EB ¸ .

4.1  E i I CB 0 ¨ qU ¸ © e kT  1 ¹ . Modalit ile caracteristicilor statice Caracteristicile statice indic leg tura func ional între curen ii i tensiunile la bornele tranzistorului bipolar. Caracteristicile statice pentru tranzistorul bipolar 1.22)  1¹  ¹ ¹ 1  EE i © º ª º EB 1. Patru modalit i de caracteristici descriu propriet ile oric rui dispozitiv cu trei borne: y caracteristicile de intrare: I Ies ! const I Int ! f . Pentru fiecare schem de conectare în regim activ exist o familie de caracteristici. (1.4.1. ce arat leg tura între curen ii i tensiunile aplicate la tranzistor.

U Ies ! const y caracteristicile de ie ire: I Int ! const I Ies ! f .U Int sa .

U Ies sa U Int ! const

;

y

caracteristicile de transfer:
I Ies ! f

I Int U Ies ! const

;

y

caracteristicile reac iei inverse:
U Int ! f

I Ies I Ies ! const

.

14

6.a) I E ! f .2.4.1. Caracteristicile pentru cuplaj baz comun În cuplaj baz comun (BC) tranzistorul posed urm toarele caracteristici: y familia caracteristicilor de intrare (fig.1.

1. varia ia curentului colectorului trebuie s fie constant la transferul de la o caracteristic la alta. familia caracteristicilor de ie ire(fig. y caracteristicile de transfer (fig. a) caracteristicile de intrare.1.1. adic (I E ! const .6.d). Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar.b) I C ! EI E  I CB 0 .6.1.U EB U CB ! const .6. b) caracteristicile de ie ire. c) caracteristicile de transfer.c). UEB UEB=0 UEB0 y IC IE Regim de satura ie IE IE=0 Regim de blocare a) IC UEB0 UEB=0 b) IC IE UCB IE UCB c) d) Fig.6. y caracteristicile reac iei inverse (fig. d) caracteristicile reac iei inverse 15 .

Referindu-ne la modelul Ebers-Moll i rezolvând ecua ia (1. ob inem rela iile pentru caracteristicile de intrare idealizate: U EB ! f .20) fa de U EB .

¨ qU CB ¸» kT « I E ln ¬  1  E© e kT  1 ¹ ¼ . Rela ia pentru caracteristicile de ie ire sunt ob inute utilizând (1. (1.I E U EB ! U CB ! const .23) prezint caracteristica de intrare a tranzistorului cuplat în circuitul BC. (1.23) © ¹ q ¬ I EB 0 ¼ ª º½ ­ Rela ia (1.24) © ¹ ª º I CB 0 ! I CBC .21): ¨ UCB ¸ I C ! EI E  I CB 0 © e k  1 ¹ .

1  EE i . I EB 0 ! I EBC .

1  EE i . Drept rezultat. ¨ © 16 . Dependen a pozi iei caracteristicilor de intrare. Concomitent cre te gradientul de concentra ie a purt torilor de sarcin “p i “ n în baza tranzistorului i se m re te valoarea curentul de difuzie I E (fig.1. Frontiera jonc iunii colectorului se deplaseaz în direc ia jonc iunii emitorului. caracteristicilor de transfer i caracteristicilor de reac ie invers în func ie de valoarea tensiunii aplicate pe colector se explic prin efectul de modulare a grosimii bazei. unde: E este coeficientul de amplificare a curentului emitorului în regim activ. invers polarizat .coeficientul de amplificare a curentului colectorului în regim de inversie. Ei . grosimea bazei WB devine mai mic . grosimea stratului cu concentra ie redus a purt torilor de sarcin se m re te. din cauza c ruia cu majorarea tensiunii U CB a jonc iunii colector.7).

7. Devierea caracteristicii este datorat efectului de modulare a grosimii bazei. 17 . asigurat de interac iunea jonc iunilor. Îns la un nivel major de injec ie ( pn " N P ).pn IE UEB IC d d { U Cd 0 U C ! 0 pn 0 UCB x dx WBd 2 WBd x1 Fig. În caz ideal caracteristicile de ie ire trebuie s fie paralele axei tensiunii U CB . În baz are loc deplasarea purt torilor de sarcin prin procedura de difuzie spre jonc iunea colectorului dirijat de gradientul de concentra ie.b) prezint o particularitate a caracteristicilor de ie ire pentru tranzistorul bipolar cuplat în schema BC. tensiunea pe emitor trebuie mic orat .6. odat cu cre terea tensiunii pe colector. Prezen a curentului I C în circuitul colectorului când U CB ! 0 (fig. 1. coeficientul E tinde spre zero i curentul colectorului tot este aproape de zero. Efectul de modulare a grosimii bazei Efectul de modulare a grosimii bazei provoac apari ia reac iei interne în tranzistor.1. Apoi purt torii sunt accelera i de câmpul electric al jonc iunii. De aceea pentru unul i acela i curent al emitorului. pentru U CB ! 0 . La m rirea modulului tensiunii de ie ire U CB curentul de intrare I E în schema cu baz comun cre te.

12 sunt prezentate familiile de caracteristici pentru tranzistorul bipolar cuplat în schema EC: y familia caracteristicilor de intrare (fig.8.a) U BE ! f .8 i fig.1.3. Caracteristicile pentru cuplaj emitor comun Cele mai întrebuin ate sunt caracteristicile tranzistorului bipolar în cuplaj emitor comun (EC).1. În fig.1. deoarece în acest caz curentul bazei este argument pentru caracteristicile de intrare i caracteristicile de transfer i ca parametru pentru celelalte.1.4.

y familia caracteristicilor de ie ire (fig.b) I C ! f .8.1.I B U CE ! const .

12. y familia caracteristicilor de transfer dup curent (fig.U CE I B ! const .a) I C ! f . 1.

1.12. y familia caracteristicilor de reac ie invers (fig.b) U BE ! f .I B U CE ! const .

9. a a cum este ar tat în fig. curentul bazei este aproximativ de dou ori mai mare decât în regim activ. Pentru cazul când avem scurtcircuit la intrare ( U CE ! 0 .a).U CE . deoarece jonc iunile emitorului i colectorului sunt conectate paralel la sursa de alimentare U EB . fig.1. 18 . Tensiunii mai mari pe colector îi corespunde o grosime mai mic a bazei. Rezult o probabilitate mai redus de recombinare a purt torilor în baz i un curent I B mai mic.9. 1. I B ! const Forma de evantai a caracteristicilor de intrare este condi ionat de efectul de modulare a grosimii bazei.

PC max . IC  I  p n JE JC UBE a) b) p U E Fig.10).1. 1. Por iunea cu pant înalt a caracteristicii de ie ire corespunde grani ei între regimul de satura ie i regimul activ.1. corespunde regimului activ limitat de parametri electrici maximi permi i: I C max . U BE { 0 19 . U CE max . 1.1. deoarece pentru U CE U BE jonc iunile emitorului i ale colectorului sunt polarizate direct (fig. Caracteristicile de intrare i ie ire în cuplaj EC Regiunea caracteristicilor de ie ire din fig. adic U CP ! U BE  U CE .9.8.UBE UtCE Ud IC ICmax Regim de satura ie IV   UCE=0 I IV d d I Bd d I Bd d IB UCEmax PCmax IB a) IB=0 Regim de blocaj UCB b) Fig.10. Conectarea jonc iunilor p-n pentru U CE { 0.b ce se afl în interiorul grani ei ha urate. U BE { 0 IC IB UBE p n p UCE JE UCE UBE JC Fig.8. Conectarea jonc iunilor p-n pentru U CE ! 0.

1. unde curentul colectorului este determinat conform rela iei IB ! 0 I C ! F ™ I B  .8. ilustrat în fig.b . corespunde regiunii ce se afl sub caracteristica de ie ire pentru I B ! 0 .Regimului de blocaj.

F  1 I CB 0 . I CE 0 ! .

F  1 I CB 0 În schema EC pentru circuitul deschis ( I B ! 0 ) curentul de scurgere în circuitul colectorului I CE 0 este de .

12) reflect ac iunea efectului de modulare a grosimii bazei.F  1 ori mai mare decât curentul invers al colectorului I CB 0 .1.1. grosimea bazei se mic oreaz .11. Cu majorarea modului tensiunii aplicate la colector. Aceasta se explic prin conectarea direct a jonc iunii emitorului. 1.12. a a cum este prezentat în fig. Curentul bazei r mâne constant la m rirea tensiunii aplicate la baz tranzistorului.1. Caracteristicile de transfer (a) i de reac ie invers (b) pentru tranzistorul bipolar în cuplaj EC 20 . Conectarea jonc iunilor în cuplaj EC IC d d U EC d d d U EC " U EC d d d U EC " U EC UBE a) b) IB I BIV d d I Bd d I Bd d IB UCE Fig. Caracteristicile de transfer i reac ie invers (fig.11. C p ICE0 UCE UBE IB=0 E JC JE n p UBE Fig. probabilitatea recombina iei purt torilor de sarcin scade i curentul bazei se mic oreaz .

Caracteristicile statice permit de a determina parametrii de baz ai tranzistorului bipolar i sunt utilizate pentru calculul etajelor de amplificare în circuitele electronice cu tranzistoare.25) i.1.5. Cuadripol activ este numit circuitul electric format din elemente pasive (R. C. Reprezentarea tranzistorului ca cuadripol Sub curen i i tensiuni se subân eleg dependen e de tipul (1. Perechii de borne de intrare îi corespunde   curentul I1 i tensiunea U 1 . 1. Perechii de borne de ie ire îi   corespunde curentul I 2 i tensiunea U 2 .1.13.5. Tranzistorul ca cuadripol activ Varia iile mici ale tensiunii pe jonc iunile tranzistorului aduc la schimb ri liniare în valoarea curen ilor i tranzistorul devine cuadripol liniar activ.13). ce posed dou perechi de borne (fig. Sistemul de parametri diferen iali ai tranzistorului bipolar 1. L) i generatoare echivalente de tensiune electromotoare sau curent.1.  I 2  I1  U1  I2  U2  U1  I1 B C  U2 E Fig.

t ! I m sin.

[t  N . .

t ! U m sin.

[t  ] . ! I e  j.

U ! U e  j.[ t  N .

[t ] .  (1.1. care sunt prezentate în tab. 21 .2.26) I m m Exist ase sisteme posibile de ecua ii pentru descrierea tranzistorului bipolar ca cuadripol.

(1.27) ¯   U ° 2 ! 21I1  22 I 2    ®1 ! Y11 U1  Y12 U 2 I . U 2 I 2. Y. U 2 I1. (1. De aceea sistemul de parametri H este cel mai comod pentru m sur ri. la intrarea tranzistorului în circuitul bazei se conecteaz un rezistor cu rezisten înalt . H    ® 1 ! 11I 1  12I 2 U .Tabelul 1. U 2 I 1 .29) ¯   I ° 2 ! H 21I 1  H 22 U 2 Parametrii diferen iali (Z. Transferul de la un sistem la altul este u or de efectuat conform rela iilor din tab. H) sunt determina i din condi iile mers în gol sau scurtcircuit dup curent alternativ în dependen de sistemul de parametri.3. I 2 U1 .28) ¯   I °2 ! Y21 U 1  Y22 U 2    ® 1 ! H 11U1  H12 I 2 U . 22 . e ± parametrii tranzistorului în cuplaj EC.2 Sisteme de ecua ii pentru descrierea tranzistorului Argumentul Func iile I1. Rezisten a jonc iunii emitorului polarizat direct este mic i pentru ob inerea st rii de mers în gol. (1. I 2 U1 . Y. U 2 U1 . U 2 U2 . I 2 I 1 . U1 I 2.1. Între sistemele de parametri Z i H exist o interdependen . I 2 I1. I1 U1 . U1 Cele mai întrebuin ate în practic sunt trei sisteme de parametri i anume: Z. Valorile numerice ale parametrilor diferen iali ai tranzistorului ca cuadripol depind de schema de conectare.c ± parametrii tranzistorului în cuplaj CC. De aceea parametrii diferen iali se noteaz cu indici suplimentari: b ± parametrii tranzistorului în cuplaj BC.

3 Leg tura dintre parametrii Z.Y. sunt prezentate rela iile de baz pentru parametrii H la conectarea tranzistorului EC i BC.1.H ?Z A ?ZA Z 11 Z 21 Z 22 (Z Z  21 (Z ( 22 ?Y A Y22 (Y Y  21 (Y Y11 Y21 1 Y11 Y21 Y11  Y12 (Y Y11 (Y ?H A (H H 12 H 22 H 22 H 1  21 H 22 H 22 1 H  12 H11 H 11 H 21 (H H11 H 11 H 11 H 21 H 12 H 22 Z12 Z 22  Z12 (Z Z11 (Z 12 22 ?YA Y12 Y22  Y12 Y11 (Y Y11 ?H A  21 22 1 22 În tab.4 Parametrii H pentru diferite scheme de conectare H11e ! H 21e H11b 1  H 21b H 21b ! 1  H 21b H12e ! H11b H 22b  H 21b 1  H 21b H 22 b H 22e ! 1  H 21b H 12c ! H 21e  1 H 22c ! H 22e H 11c ! H 11e H 21c ! H 21e  1 23 .4. Tabelul 1.Tabelul 1.

(1.34) ! h 12 ! m 1 U m 2 I m1 ! 0 ( U 2 (I 1 ! 0 24 .4 (continuare) H11b ! H 21b H 11e 1  H 21e H 21e ! 1  H 21e H12b ! H11e H 22 e  H 21e 1  H 21e H 22e H 22b ! 1  H 21e La frecven e joase. I m1 U m 2 ! 0 (I 1 (U 2 ! 0 (1. ob inem: (U 1 U . (1.30) sau (1. utilizând rela ia (1.31) ¯ ( ° I 2 ! h 21 (I 1  h 22 ( U 2 Pentru determinarea parametrilor 11 i 21 la ie irea cuadripolului asigur m regim scurtcircuit dup curent alternativ ( U m 2 ! 0 sau (U 2 ! 0 ) i.31).31).30) sau (1. parametrii H complexi sunt substitui i cu valori reale U m 1 ! h 11I m1  h 12 U m 2 . când tranzistorul nu introduce defazaj între curent i tensiune.30) poate fi scris sub forma: (U 1 ! h 11(I 1  h 12 (U 2 .Tabelul 1. utilizând rela ia (1.33) Pentru determinarea parametrilor h12 i h 22 la intrarea cuadripolului asigur m regim mers în gol dup curent alternativ ( U m1 ! 0 sau (U1 ! 0 ) i.32) ! h 11 ! m1 I m1 U m 2 ! 0 (I 1 (U 2 ! 0 h 21 !   (I Im2 ! 2 . ob inem: (U 1 U . (1. (1.30) ¯ I ° m 2 ! h 21I m1  h 22 U m 2 Sistemul de ecua ii (1.

5.35) Coeficien ii 12 i 22 exprima i în a a mod.14). 22 I 2 .2. Pentru simplificarea calculelor se introduc schemele echivalente formale.h 22 ! (I 2 Im 2 . Acest sistem permite prin m surarea nemijlocit s determin m cel mai important parametru al tranzistorului ± coeficientul de amplificare dup curent.36)  Tensiunea de intrare U 1 prezint suma c derilor de tensiune  !   Ud 11I 1 pe impedan a la circula ia curentului I1 i 1 11 d  tensiunii generatorului cu impedan a diferit de zero Ud 12 I 2 . 25 .   (1. Fiec rui sistem de parametri îi corespunde o schem echivalent . putem scrie ®1 ! U ¯ U °2! 11 I 1 21 1   I  12 I 2 . când la intrarea tranzistorului este asigurat regim mers în gol. h22 .conductibilitatea de ie ire pentru regim mers în gol la intrarea cuadripolului ?Sm A. Avantajele sistemului de parametri h se explic prin comoditatea determin rii lor experimental i întrebuin area pe larg pentru proiectarea diverselor rezolv ri tehnice ce utilizeaz tranzistoare bipolare.coeficient de reac ie invers dup tensiune. 1 ! care indic reac ia invers în tranzistor.1. ! U m 2 I m1 ! 0 (U 2 (I 1 ! 0 (1. Schemele formale pentru substituirea tranzistorului Descrierea propriet ilor tranzistorului pentru semnale alternative cu amplitudini reduse cu ajutorul ecua iilor cuadripolului nu este comod la calculul schemelor practice. adic influen a curentului de ie ire asupra circuitului de intrare (fig. 1. au urm toarele denumiri i unit i de m sur : h12 . Pentru sistemul de parametri Z.

14. ¯   I °2 ! Y21 U1  Y22 U 2   !  Curentul de intrare I1 este format din curentul Id Y11 U 1 ce 1 d  circul prin admitan a Y11 i curentul generatorului Id Y12 U 2 . Schema formal de substituire a tranzistorului în sistemul de parametri Y 26 . 2 Pentru sistemul de parametri Y.1.15. Curentul de   !  ie ire I 2 este format din curentul generatorului Id Y21U 1 ce 2 caracterizeaz propriet ile de amplificare ale tranzistorului i d  curentul Id Y22 U 2 .15). Schema formal de substituire a tranzistorului în sistemul de parametri Z  Tensiunea la ie ire U 2 este determinat de tensiunea  !  generatorului Ud 21I 1 care arat propriet ile de amplificare ale 2 d  tranzistorului i c derii de tensiune Ud 22I 2 pe impedan a de 2 ! ie ire a tranzistorului Z 22 . Subliniem c impedan a generatorului  !   cu tensiunea Ud Z 21I 1 pentru curentul I 2 este egal cu zero. putem scrie    I1 ! Y11U 1  Y12 U 2 . care circul prin admitan a de ie ire. 1 ! care determin reac ia invers în tranzistor (fig.1. I1 Z 11 Z 22  I2  U1 !  U 1d Z 11 I 1 d  U 1d Z 12 I 2 ! d  U 2d Z 22 I 2  ! U2  !  Ud Z I 2 21 1 Fig.1. 2 !  I1 d  I 1d Y11U 1 ! !  I 1d Y12U 2 !  d I 2d Y22U 2   d I 2 ! Y21U 1 Y22  I2  U2  U 1 Y11 Fig.

1.în regim de scurtcircuit la intrarea cuadripolului. deoarece H 22 este determinat în condi ii de mers în gol la intrarea cuadripolului.18 este ar tat metoda grafic care permite 27 .16). 2 ! Subliniem c admitan a H 22 nu este egal cu admitan a Y22 .3. Determinarea parametrilor diferen iali ai tranzistorului dup caracteristicile statice Parametrii diferen iali sunt determina i pentru punctul de func ionare stabilit ini ial cu utilizarea familiilor de caracteristici statice de intrare i ie ire ale tranzistorului bipolar.Pentru sistemul de parametrii H sau h putem scrie    ® 1 ! H 11 U1  H 12 I 2 . U ¯   I ° !H I H U . Pentru aceasta se folose te metoda grafic . 1.  I1 H 11 !  d I 2d H 22U 2   d I 2 ! H 21U 1  I2  H 22 U 2  U1 !  U 1d H 11 I 1 d  U 1d H 12 I 2 ! Fig.17 i fig.1. care caracterizeaz reac ia invers în tranzistorul  U 1d 12 2 ! bipolar (fig. iar Y22 . Schema formal de substituire a tranzistorului în sistemul de parametri H  !  Curentul de ie ire I 2 prezint suma curen ilor Id H 21I 1 ce 1 caracterizeaz propriet ile de amplificare ale tranzistorului i d  curentul Id H 22 U 2 care circul prin admitan a de ie ire H 22 .16. 1. 2 21 1 22 2 Tensiunea de intrare prezint suma c derilor de tensiune d H I pe impedan a de intrare H i tensiunea generatorului U 1 ! 11  1 11 d H U .5.1. În fig.

conform (1. I m ! (I B . (U CE U B ! const 28 . (1.25).17. I mc ! (I C .38) Pentru amplitudinile tensiunilor rela iilor (1.1. h11e ! h 12e !   d d I Bd U CE (U BE .37) i curen ilor. U mc ! (U CE . putem scrie:  U mb ! h 11e I mb  h 12e U mc .determinarea parametrilor h ai tranzistorului bipolar în punctul de func ionare definit O.26). ¯ I ° mc ! h 21e I mb  h 22e U mc . (1. IC (I C (I C d" d d d d I Bd I B " I B Ad Bd D B O Dd (U CE (U CE A d IB d d IB Fig. Determinarea parametrilor h 22e i h 21e dup caracteristicile de ie ire Substituind amplitudinile mici ale curen ilor i tensiunilor pentru semnalele variabile cu devieri finite ob inem U mb ! (U BE . ¯ I ° C ! h 21e I B  h 22e U C .30) poate fi scris sub forma U B ! h 11e I B  h 12e U C . Pentru schema EC rela ia (1. (I B U CE ! const (U BE .

Determinarea parametrilor h 11e i h 12e dup caracteristicile de intrare În fig. Apoi determin m media aritmetic a acestui parametru. (U CE I B ! const d d U CE d d d U CE d U CE B IB d U CE d d d d d (U CE ! U CE  U CE (U CE ! 0 d d U CE d d d U CE Ad O A Bd U BE (I B (I B (U BE (U BE Fig. Din punctul dat O se traseaz o linie vertical pân la intersec ia cu caracteristica de sus în punctul D i cu cea de jos ± în punctul D¶.h 21e ! h 22e ! (I C !F. 29 . lâng punctul O sunt construite dou triunghiuri mici OAB i OA¶B¶ cu valori echivalente pentru (U CE . ipotenuza c rora o prezint caracteristica pentru curentul continuu al bazei d I B ! Id Din fiecare triunghi determin m conductibilitatea de B .18.1.1. d ie ire ce corespunde curentului bazei Id B h 22e ! (I C (U CE I B ! const . ( I B U CE ! const (I C .17.

hd ! . Pe grafic determin m punctul dat O ce corespunde m rimilor U CE i I B asem n tor cu cel din desenul cu caracteristicile de ie ire. Apoi din fiecare triunghi g sim parametrii i calcul m media lor aritmetic . De exemplu.1. se modific doar pozi ia în schema echivalent .6. h 21e ! 21e 2 Parametrii h 11e i h 12e se determin dup caracteristicile de intrare ale tranzistorului (fig. În apropierea punctului O se construiesc dou triunghiuri mici OAB i OA¶B¶. h 12e ! 12 e . 21 e d d d d Id Id Id Id B  B B  B Apoi calcul m media aritmetic pentru parametrul dat d hd  hd 21e . Y.Pentru fiecare segment (OD i OD¶) se determin h 21e ! F hd ! 21 e parametrul d d . Utilizându-se ace ti parametrii. H se numesc externe deoarece ele se m soar la bornele cuadripolului i m rimile acestor parametri depind de schema de conectare a tranzistorului. poate fi alc tuit schema echivalent fizic a tranzistorului la semnale mici. lega i de procesele fizice care au loc în tranzistor i care nu depind de schema de conectare. 30 . pentru coeficientul de reac ie invers h 12e hd ! 12 e d hd  hd OA OA d 12 e d . Schemele echivalente ale tranzistorului la frecven joas Sistemele de parametri diferen iali Z. La trecerea de la o schem de conectare la alta m rimile numerice ale parametrilor fizici nu se modific . hd ! . La analiza func ion rii circuitelor o întrebuin are deosebit au ob inut-o parametrii fizici ai tranzistorului.18). 12 e d d d CE d 2 Ud  Ud Ud  Ud CE CE CE 1.

Curentul jonc iunii emitorului polarizate direct se determin conform rela iei U ¨ k ¸ I E ! I E0 © e  1¹ . când în circuitul colectorului este asigurat regim de scurtcircuit dup curent alternativ. rE ! xU E . ( U C ! x U C . rE ­ xI E ½ ª º T ! 300 K .1. pentru rezisten a diferen ial a jonc iunii emitorului. (1. În a a mod. (U E . se ob ine ( U E ! xU E .1. kT q } 0.curentul jonc iunii emitorului. ( I E ! xI E . xI E ( U C ! 0 unde: U E este tensiunea între emitor i baz .tensiunea între colector i baz . I E . U C . rE ! (I E (U C ! 0 Dac substituim devierile curen ilor i tensiunilor cu echivalent diferen ial.39) © ¹ ª º unde I E 0 este curentul de scurgere al jonc iunii emitorului. putem scrie: E qU ¨ ¸ 1 « xU E » q qI E © I E 0e kT ¹ ™ !¬ ¼ !© ¹ kT } kT .026 . Rezisten a diferen ial jonc iunii emitorului i capacitatea Rezisten a diferen ial a jonc iunii emitorului rE se determin ca rela ia dintre tensiunea aplicat pe jonc iunea emitorului (U E i curentul emitorului (I E .6.

A . ?mA A E 1 31  1 rezisten a (1. qI E I E . ?.V i Pentru diferen ial a jonc iunii emitorului este mic kT 26 mA rE } } .40) .

La frecven joas .I E ! 1 mA i ! 300 K . I C .curentul jonc iunii emitorului. rC ! (I C (I E ! 0 Se efectueaz trecerea: ( U C ! x U C . I E . în schema echivalent fizic m rimea CE poate fi neglijat . ( U E ! xU E .1 M . ( I C ! x I C . Rezisten a diferen ial a jonc iunii colectorului este determinat . de efectul de modulare a grosimii bazei i de curentul de scurgere. De exemplu. rC ! xU C .6. Jonc iunea de parc 32 . Cu modificarea valorii tensiunii aplicate pe colectorul U C frontiera jonc iuni colectorului se deplaseaz . xI C ( I E ! 0 (1. pentru rE ! 26 Ohm . M rimea rC este major (de obicei rC " 0. în general. când în circuitul emitorului avem mers în gol dup curent alternativ (U C .curentul colectorului. ). capacitatea jonc iunii emitorului polarizat direct ( CE ) la frecven joas este untat de rezisten a rE i influen a ei asupra func ion rii tranzistorului este nesemnificativ . Din cauza valorii mici a rezisten ei rE .2. 1.41) unde: U C este tensiunea între colector i baz . Curentul colectorului I C circul prin jonc iunea colectorului polarizat indirect i depinde slab de tensiunea aplicat la colectorul U C . Rezisten a diferen ial i capacitatea jonc iunii colectorului Rezisten a diferen ial a jonc iunii colectorului rC se determin ca rela ia între tensiunea aplicat pe jonc iunea emitorului (U C i curentul colectorului (I C .

la rândul s u. Respectiv se modific viteza mi c rii de difuzie a purt torilor minoritari din baz i num rul de goluri ce recombin în procesul mi c rii de difuzie de la emitor spre colector. de aceea cu majorarea frecven ei aceast capacitate are o influen considerabil asupra func ion rii tranzistorului. cu schimbarea tensiunii pe colector se modific i valoarea curentul colectorului I C .s-ar mi ca în întâmpinarea golurilor la majorarea tensiunii U C i se retrage la mic orarea ei (fig. 1. Aceasta condi ioneaz majorarea total a rezisten ei diferen iale a colectorului rC .7). Rezisten a de volum a bazei Materialul semiconductor din regiunea bazei i contactul d ohmic al bazei posed o oarecare rezisten rB .3. prin urmare. Aceasta. Îns capacitatea CC unteaz o rezisten mai mare ( rC ).1. În rezultat. gradientul concentra iei golurilor din baz cre te la mic orarea grosimii bazei i descre te la m rirea grosimii bazei. ce poart un caracter de difuzie xI xE xE 1 xWB . Drept rezultat al modific rii valorii E (când I E ! const ). ! C ! IE ! IE } xU C xWB xU C rC xU C (I E ! 0 (1. conduce la dependen a coeficientului de transfer de difuzie a golurilor = i.42) Jonc iunea colectorului polarizat indirect posed capacitatea CC care este determinat de raportul dintre modificarea valorii sarcinii spa iale în jonc iune i valorii tensiunii colectorului când în circuitul emitorului este asigurat regim mers în gol. De obicei capacitatea colectorului CC este cu mult mai mic decât capacitatea jonc iunii emitorului polarizat direct CE . valoarea rezisten ei bazei rB poate fi determinat conform rela iei 33 .6. la dependen a coeficientului de amplificare dup curent E de tensiunea aplicat pe jonc iunea colectorului. Cum arat d calculele.

N x . În schema echivalent jonc iunile emitorului i colectorului sunt reprezentate prin rezisten ele lor diferen iale rE i rC .1 . Îns aceste considera ii nu ne dau precizia necesar i necesit introducerea rezisten ei ad ug toare d . deoarece aceast tensiune este distribuit între d jonc iunea emitorului i rezisten a rB . Schema echivalent pentru cuplaj baz comun Utilizând parametrii analiza i anterior.6. WB grosimea bazei. Q n . majorarea rB trebuie s mic oreze curentul emitorului pentru tensiune constant între emitor i baz .19. Cu majorarea valorii grosimii bazei i concentra iei impurit ilor rezisten a de volum a bazei se mic oreaz .4. Conform legilor fizice. Majorarea d rB m re te pierderile în circuitul de intrare.mobilitatea purt torilor majoritari în baz . d Introducerea rezisten ei rB în circuitul bazei ia în considerare reac ia intern în tranzistor i influen a modula iei grosimii bazei asupra curentului emitorului. rezisten a bazei trebuie redus la minim. Pentru majorarea eficacit ii emitorului i mic orarea pierderilor de putere a semnalului de intrare. Efectul  de transfer al curentului emitorului I în circuitul colectorului pe E schema echivalent este indicat sub form de generator de curent  EI E . unde E prezint coeficientul de transfer al curentului 34 . poate fi construit schema echivalent în T de conectare a tranzistorului cu baz comun . de aceea circuitul bazei este caracterizat de rezisten a total : d d . rBdnumit de difuzie. ceea ce mic oreaz d eficacitatea emitorului. Acest circuit echivalent este prezentat în fig.43) rB ! rB  rBd d rB ! 1. 8TqQ n N x WB unde: q este sarcina electronului.1. (1.concentra ia donorilor în baz .

coeficientul de transfer dup curent E este socotit independent de efectul de modulare a grosimii bazei. În schema echivalent .19. De aceea orientarea curentului emitorului condi ioneaz direc ia tuturor curen ilor r ma i a a cum este ar tat în fig. emitorului. Prezen a rezisten ei rB în circuitul 35 . direc ia pozitiv a curentului EI E .19. trebuie orientat spre punctul Bd Pentru direc ia invers a curentului emitorului (tranzistor tip p-n-p) polaritatea  generatorului EI E este invers . CC  EI E  IE rE Bd rB rC  IC E  UE C  UC B B Fig.20).1. Trebuie de remarcat  c rezisten a intern a generatorului de curent EI E pentru curentul  de ie ire I C tinde spre infinit.1. prezentat în fig. Polaritatea relativ a curentului generatorului EI E în schema echivalent este determinat de sensul pozitiv al curentului emitorului. Legea descris este determinat de procedeele fizice care au loc în tranzistor. unde direc iile pozitive ale curen ilor i tensiunilor corespund celor reale în tranzistorul bipolar tip n-p-n.1. În schema echivalent a tranzistorului tip p-n-p direc iile curen ilor vor fi inverse (fig.19.1. Schema echivalent a tranzistorului tip n-p-n  cu generator de curent EI E la conectare BC  În cazul orient rii curentului emitorului I E de la punctul Bd spre punctul E (ceea ce corespunde curentului emitorului real în  tranzistorul bipolar tip n-p-n).

19 i fig.1.19) i tensiunea generatorului  I r (fig.6. CC  IE rE Bd  IB rB rC  I E rG  IC E  UE C  UC B B Fig.1. rG ! ErC . un num r minim de elemente i reflect procesele fizice ce au loc în tranzistorul bipolar real.20) E G   EI E rC ! I E rG .20.1.19 i fig. Aceast schem este prezentat în fig.19.bazei eviden iaz leg tura intern în tranzistorul bipolar i influen a modul rii bazei asupra curentului emitorului.1. Uneori este mai comod de utilizat schema echivalent în care  în locul generatorului de curent EI E func ioneaz generatorul  echivalent de tensiune I ErG . Schema echivalent pentru conectarea emitorului comun Schemele prezentate în fig.1.20.20 r mân valabile 36 .20.5.44) 1. Ea este utilizat pe larg în calculul ingineresc. rezult din egalitatea c derilor de tensiune create de  curentul EI E pe rezisten a rC (fig. con ine un generator de curent EI E .1.1.1. Schema echivalent a tranzistorului tip p-n-p  cu generator I ErG (conectare BC) Echivalen a regiunilor din schem Bd C pentru fig. Schema echivalent fizic a tranzistorului bipolar. prezentat  în fig. (1. unde rG este rezisten a ce reflect propriet ile de amplificare ale tranzistorului.1.

cum este ar tat în fig. 1.  Pentru aceasta este analizat tensiunea U Bd între punctele Bd C. C care este determinat ca suma c derilor de tensiune pe rezisten a   rC din cauza curen ilor EI E i I C      .21.  În astfel de circuit curentul generatorului EI E este comod de   înlocuit prin curentul bazei I B i nu prin curentul emitorului I E .pentru conectarea tranzistorului cu EC. dac bornele de intrare de schimbat cu locul a a.

1. unde F coeficientul de transfer al curentului bazei la conectarea tranzistorului dup schema EC. tensiunea între punctele Bd.C poate fi scris sub forma  U Bd ! C C « F   » ¬I C  1  F I C  I B ¼ ! ­ ½ . Schema echivalent a tranzistorului tip p-n-p  cu generator EI E (conectare EC)    Din cauz c I E ! I C  I B .I  EI .46) B  UB C  UC E E Fig.21. E ! F /(1  F ) . U d!I  EI ! (1. Z C rC CC  EI E  IB rB Bd  IE rE rC  IC (1.45) BC C C C E C C E unde 1 1 !  j[ C C .

« ¨ F ¸ ZC  F »  . ! Z C ¬I C © 1  ¹ I © ¹ 1  F IB ¼ ! 1  F .

47) 37 . C  FI B 1 F º ª ½ ­ (1.

47) cap t forma    U Bd ! Z CE .48) ! C /(1  F ) .Introducem nota ia (1. Dac lu m în considerare (1. rela ia (1.48).

C la înlocuirea   generatorului de curent EI cu generatorul F I . (1.46) i (1.49) C unde Z CE este impedan a în punctele Bd . unde între punctele  Bd C este conectat generatorul de curent F I B . Impedan a Z CE posed componente activ i reactiv 1 1 ! *  j[ C* . C Z CE rC Luând în considerare rela iile (1. I (1. C  F I B . putem scrie r * rC ! C .45) i (1.49).50) 1 F C* ! C C . CE E B Cum se observ din rela iile (1. direc ia  generatorului de curent F I B trebuie s coincid cu direc ia  generatorului de curent EI E .48) pentru schema echivalent a tranzistorului bipolar cuplat EC.

1  F .51) C CC . (1.

 F 1  FI B  IB rB Bd  IE rE rC 1 F  IC CC .

1.  F 1  * I E rG B  UB C  UC Bd rC 1 F C E E Fig.22. Schema echivalent a tranzistorului tip n-p-n  cu generator de curent F I B i generator de  * tensiune I B rG (conectarea EC) 38 .

1.Rela iile (1..50).22 direc ia curentului  generatorului F I B este aceea i ca i în schema cu baz comun .22 este ar tat por iunea de schem între punctele Bd.22) direc iile pozitive ale curen ilor i tensiunilor coincid cu direc iile m rimilor de intrare i ie ire pentru schemele formale.1.1.fig. În fig.14.51) permit de a trece de la schema prezentat în fig. iar capacitatea C* C tot de atâtea de ori este mai mare ca CC .1..16) i schema echivalent fizic a tranzistorului tip n-p-n conectat cu emitor comun (fig. 39 . Rezisten a generatorului rG .7. Uneori în schema echivalent de conectare a tranzistorului cu  emitor comun în locul generatorului de curent F I B se folose te  * generatorul de tensiune I B rG .22.22). În schema din fig. Aceasta este posibil dac sunt cunoscute m rimile fizice ale parametrilor tranzistorului în circuitele prezentate în fig. Leg tura dintre parametrii fizici ai tranzistorului i parametrii h 1. * rezisten a rC este de zece ori mai mic ca rC .7. 1.1.1. 1. se determin din rela ia * * rG ! F rC . Rolul parametrilor h în schema echivalent i calculul lor Utilizarea schemelor echivalente pentru analiza circuitelor electronice permite de a ob ine leg tura dintre procesele fizice care au loc în tranzistor i parametrii circuitelor.1.19 i fig.49). Partea r mas a schemei r mâne * neschimbat . (1.1. (1.C. Cum se observ din analiza schemelor formale de înlocuire a tranzistorului (fig.21 la schema tranzistorului cu generator de  curent F I B (fig.1. Îns constanta de timp a jonc iunii colectorului r mâne aceea i pentru ambele scheme de conectare. ce determin propriet ile de amplificare ale tranzistorului.

38) U mb ! h 11e I mb  h 12e U mc .1.22. prezentat în fig. * * rE  rC rE  rC » « r r* U mb ! I mb ¬rB  E C * . ! i schema echivalent . adic U mc ! 0 . tensiunea la intrare poate fi determinat ca " " U m ! I m rB  I merE ! I m rB  I m " " " * * rErC rErC  FI m .Pentru determinarea rela iilor de leg tur între parametrii fizici i parametrii h ai tranzistorului este necesar de a analiza concomitent sistemul de ecua ii a parametrilor h (1.37). ¯ I ° mc ! h 21e I mb  h 22e U mc . În presupunere c tensiunea de ie ire în aceast schem este egal cu zero. (1.

rE  rC ½ ­ Dac compar m rela iile (1.52). ob inem r r* h 11e ! rB  E C * .38) i (1.1  F ¼ .

53) * rC . ob inem formula de Luând în considerare faptul c rE leg tur a parametrului h 11e cu parametrii fizici: (1.1  F . rE  rC (1.52) (1.54) h 11e ! rB  rE .

ob inem * * F I mb rC ! I mc (rE  rC ) .55) .22) * * U mc  F I mb rC ! I mc (rE  rC ) .1  F . adic Coeficientul de transfer dup curent al tranzistorului cuplat EC se determin cu ajutorul ecua iei lui Kirghoff pentru circuitul colectorului din schema echivalent (fig.1. Pentru U mc ! 0 .1. Parametrul h 12e se define te în schema din fig. Din aceste considerente 40 # # h 12e ! Um rE . ! * U mc I m ! 0 rE  rC (1.22 ca divizor * de tensiune format de rezisten ele rE i rC dac I mb ! 0 .

58) 1..(1. * U mc I mb ! 0 rE  rC rC (1.54) i (1.57) Rela iile (1. Rezolvarea concomitent a ecua iilor (1. * I mb U mc ! 0 rE  rC * rC se ob ine Luând în considerare c rE (1. presupunând c amplitudinea curentului bazei este egal cu zero ( I mb ! 0 ). Analogic putem ob ine leg tura dintre parametrii fizici i parametrii h ai tranzistorului ± cuadripol în schema de cuplare BC h 11b ! rE  rB (1  E ) .57) fa de m rimea rE primite de a ob ine formula de calcul pentru rezisten a jonc iunii emitorului h rE ! 12e . Determinarea parametrilor fizici dup parametrii h În practic apare problema invers ± dup parametrii h cunoscu i de determinat parametrii fizici ai tranzistorului bipolar. h11b ! rB 1 .57) indic leg tura dintre parametrii fizici i parametrii h ai tranzistorului ± cuadripol. h 22 e ! I mc 1 1 ! } *. Din rela ia (1.2. rC rC (1. h 22 b ! .59) h 22e Remarc m c formula dat poate fi utilizat doar în cazul când coeficientul diferen ial de reac ie invers h 12e posed o 41 . h 11b ! E . (1. primim * U mc ! I mc (rE  rC ) .55).7.56) Parametrul h 22e dup defini ie prezint conductibilitatea de ie ire pentru regim mers în gol la intrarea tranzistorului..h 21e ! * F rC I mc ! .53). h 21e } F .

Rela iile (1. Influen a temperaturii asupra parametrilor semiconductorilor Dependen a parametrilor i caracteristicilor dispozitivelor semiconductoare de temperatur este condi ionat de faptul c propriet ile fizice ale materialului semiconductor într-o m sur mare se modific sub influen a temperaturii.valoare semnificativ . (1. De exemplu. (1. conductibilitatea specific a semiconductorului este determinat de 42 .61). Parametrii h ai tranzistorului sunt m sura i experimental sau determina i conform caracteristicile statice.57) permit de a ob ine formula pentru calculul rezisten ei bazei h rB ! h11e  21e (1  h 22e ) .59) permit de a calcula rezisten a jonc iunii colectorului dup curent alternativ h12e 1 * . (1. Analogic poate fi g sit leg tura dintre parametrii h i elementele schemei echivalente fizice pentru conectarea tranzistorului BC.59). 1  h 21e rC ! (1  h 21e ) . (1. (1.8.52).  rC ! h 22e h 22e * * rC ! (1  F )rC ! (1  h 21e )rC .40).56). (1. Dac acest parametru este aproape sau egal cu zero. De regul .57) i (1. rB . rC nu sunt întotdeauna incluse. 1. Dependen a parametrilor tranzistorului de temperatur 1. (1.61) h 22e În îndrumare m rimile rE .8.60). se utilizeaz formula (1.54). ele sunt calculate dup parametrii h cunoscu i ai tranzistorului cuplat dup schema EC conform rela iilor (1.60) h 22e Rela iile (1.1.

n . Majorarea valorii conductibilit ii specifice are loc dup legea Tn .1. Dependen a tipic a conductibilit ii specifice a semiconductorului de temperatur este prezentat în fig.62) unde: Q n . Q p prezint mobilitatea purt torilor de sarcin ce sunt func ie de temperatur . p . concentra ia purt torilor de sarcin intrinseci r mâne s fie nesemnificativ i. . Majorarea de mai departe a conductibilit ii specifice cu cre terea temperaturii are loc din cauza apari iei perechilor electron ± gol în semiconductorul intrinsec.23. K Fig. 43 .1. conductibilitatea specific scade din cauza mic or rii mobilit ii purt torilor de sarcin Q ! f ( T  3 2 ) . ™ cm 1 103 102 10 N1 N2 N 3 " N 2 " N1 N3 1 0 10 20 30 40 50 1000 T. Dependen a electroconductibilit ii specifice a semiconductorului cu impurit ii de temperatur La temperatur foarte joas în semiconductor electronii ce se afl pe ultimul nivel energetic interac ioneaz între ei foarte puternic. W . unde n este un num r întreg sau frac ionar. Cu m rirea de mai departe a temperaturii to i atomii de impurit i sunt ioniza i. (1.23. Cu majorarea temperaturii la are loc ionizarea atomilor de impurit i i majorarea concentra iei purt torilor de sarcin mobili.rela ia W ! q(nQ n  pQ p ) .concentra ia purt torilor de sarcin . ca urmare.

1. (1.grosimea jonc iunii colectorului.2. . L C . Rezisten a jonc iunii emitorului depinde de temperatur în modul urm tor kT rE ! . prezentate în fig. WB . (1.fig. (1.66) rC ! I EL C Pentru a determina influen a temperaturii asupra rezisten ei jonc iunii colectorului este necesar de a analiza caracteristicile în func ie de temperatur a parametrilor ce intr în componen a rela iei (1. Rezisten a colectorului tranzistorului (f r drift) în cazul jonc iunii abrupte U F WB .63) qI E unde: k este constanta lui Boltzman.65) rC ! CE I ELC unde: U CE este tensiunea între baz i colector.. Rezisten a bazei este determinat de rela ia k rB } F rE ! F . Pentru tranzistorul cu drift 3U CEF WB .1.19. I E .64) qI E unde F este coeficientul de transfer dup curent în cuplarea tranzistorului EC. q . Se cunoa te c 44 . Modificarea parametrilor tranzistoarelor bipolare la varia ia temperaturii Practic to i parametrii schemei echivalente a tranzistorului.temperatura.66).22.grosimea bazei. depind de temperatur . Se observ c odat cu majorarea temperaturii pentru curentul emitorului constant rezisten a rE cre te.curentul emitorului. (1.8.1..sarcina electronului.

Modificarea valorii E constituie 0. Cu majorartea temperaturii cre te pu in i valoarea 2 coeficientului de transfer K ! 1  WB 2L2n . (1. curentul emitorului cre te din cauza modific rii valorii I EB 0 .05% o C .coeficientul de transfer. Deoarece concentra ia purt torilor de sarcin se m re te odat cu cre terea temperaturii.. dup legea exponen ial .0.03. Aceasta provoac majorarea coeficientului de transfer dup curent E .70) ™ LC ! q N unde: N este concentra ia impurit ilor în regiunea jonc iunii colectorului.E .p . În a a mod.68) unde: K este coeficientul de injec ie. N C . la o temperatur nu prea înalt cea mai mare influen 45 .bariera de poten ial.69) I E ! I EB 0e kT .67) 1 E Coeficientul de transfer al curentului în cuplaj BC E este determinat de rela ia E ! K]M . (1. i este mai eviden iat la temperaturi înalte (se m re te de dou ori la fiecare 10 grade în varia ia temperaturii). grosimea jonc iunii scade. Curentul emitorului depinde de temperatur qU EB (1. unde I EB 0 este curentul termic al jonc iunii emitorului. Majorarea valorii lui E provoac cre terea lui F . ] . Jonc iunea colectorului este asimetric i grosimea poate fi exprim prin rela ia 2II 0 N C  U CB .eficacitatea colectorului. deoarece se m re te F! neesen ial i lungimea de difuzie a purt torilor de sarcin L n . Cu majorarea temperaturii.. Fiindc U CB "" N C asupra grosimii jonc iunii influen eaz nivelul concentra iei purt torilor de sarcin cu modificarea temperaturii.p . M . (1.

unde (E . La temperatur mai înalt va avea loc mic orarea rC din cauza influen ei tot mai mari a curentului emitorului (1. ob inem 1 La T ! 300 ( K ) .0 0.5 K . 2. (T ! T  T0 .TY ! 4. Dac vom trece de la logaritmul natural la cel in baza 2. unde TY ! un.o va avea majorarea coeficientului de transfer F .5 1. G ! 0. rel .0 1. G Pentru jonc iunea fabricat din germaniu.1.5 0 rC rE E . ceea ce va provoca m rirea rezisten ei jonc iunii colectorului.71) I CT ! I CT eG ™ (T . TY ! 7 K .1 ( K 1 ) I CT ! I CT0 2 ln 2 este temperatura de dublare a curentului termic.16( K ) pentru siliciu.24. Dependen a de temperatur a parametrilor din schema echivalent analiza este prezentat în fig. din siliciu . ! k 02 0 pentru germaniu i G ! 0.

E 1 rE rB 40 0 I CB 0 40 rC T . oC I CB 0 E .

Dependen a parametrilor fizici de temperatur pentru tranzistorul bipolar 46 $ (T TY . E 1 rB 80 Fig.24.1. (1.72) .

apare problema invers ± dup parametrii h cunoscu i se determin parametrii fizici h 1  h 21e h rB ! h11e  12e .73) 1 E r 1 1 h12e ! E . h 22 b ! .Dup cum se cunoa te. * rC rC (1  E ) rC În practic . rC rC E h11e ! rB  rE (1  F ) . (1. h12b ! B . Parametrii h ai tranzistorului sunt lega i de parametrii schemei echivalente prin rela iile urm toare r 1 h 11b ! rE  rB (1  E ) . de obicei. h 21e ! . h 22 e ! ! *. h 11b ! E . tranzistorul bipolar poate fi prezentat ca cuadripol liniar.

25.0 0 40 20 0 20 40 h11e h21e h12 e h22 e T . Dependen a parametrilor h de temperatur pentru tranzistorul bipolar 1. curentul emitorului se m re te esen ial i caracteristica de intrare pentru schema de conectare BC 47 .0 3.0 1. un.3.25.74) h 22e h 22 e h 22e Dependen a de temperatur a parametrilor h pentru tranzistorul bipolar este prezentat în fig. rel .8. rC ! . Dependen a caracteristicilor tranzistorului bipolar de temperatur Cu majorarea temperaturii.0 2.1. 4.1  h 22e .1. (1. rE ! 12e . oC Fig.

Modificarea relativ pentru curentul colectorului este dI C I E dI dE I CB 0 dI CB 0 ! dE  CB 0 !  ™ .26.26)..75) I C ! EI E  I CB 0 .1. E IC IC IC I C I CB 0 (1.77) Din cauza c modificarea coeficientului E nu este major .. Deplasarea caracteristicilor are loc aproximativ cu 1.are forma indicat în fig.2mV o C .10 3 ..1. iar I CB 0 I C este de ordinul 10 6 . atunci devierea caracteristicilor de ie ire cu temperatura pentru schema BC este nesemnificativ (fig. Rezult c pentru curent constant al emitorului modificarea absolut a curentului colectorului va fi urm toarea: (1. Curentul de ie ire (curentul colectorului) se determin conform rela iei (1..76) dI C ! I E dE  dI CB 0 . Pentru schema de conectare EC curentul de intrare este curentul bazei care aproximativ este determinat din formulele Ebers ± Moll în modul urm tor: ¨ UE ¸ ¨ UC ¸ I B ! .

1  E ™ I ECB © e NT  1 ¹  .

deoarece unele componente din rela ia (1. m surate pentru diferite temperaturi.1. Ei . I CBC .78) unde: E prezint coeficientul de transfer în regim activ.curen ii inver i ai jonc iunii emitorului i colectorului. © ¹ © ¹ ª º ª º % (1. se intersecteaz .78) depind în mod diferit de temperatur (fig. N T ! kT q poten ialul termic.1  E i ™ I CBC © e N  1 ¹ . Caracteristicile de intrare. I ECB .coeficientul de transfer în regim de inversie.27). 48 .

m 0 5 I E ! 2 mA 10 I E ! 10 mA I E ! 6 mA 60 oC 50 oC 20 oC 80 oC Fig.26.1. 1. Dependen a de temperatur a caracteristicilor de intrare în schema de cuplare EC Curentul colectorului pentru schema de conectare EC se scrie în forma urm toare: I C ! F I B  .I C . QA 100 80 60 40 20 0 45 oC 20 oC Fig. mA I E .27. mA 4 3 2 1 0 & 50 oC 12 9 20 oC 6 3 100 200 U EB . Dependen a de temperatur a parametrilor h I B .

m .F  1 I CB 0 . (1.78) 49 ' 100 U BE . m & 15 U CB .

Fig.28. (1.80) } .I C . mA 12 10 8 6 4 2 0 5 I B ! 40 QA 30 QA 60 oC 20 QA 10 QA I B ! 40 QA 30 QA 20 oC 20 QA 10 QA 10 U CE .1. Dependen a de temperatur a caracteristicilor de ie ire în schema cu EC Instabilitatea relativ a curentului colectorului pentru I B ! 0 E I CB 0 I CB 0 IC I .

F  1  ™ ! .

F  1 C I C EC I C BC E I C I CB 0 adic se m re te în compara ie cu conectarea BC de .

Din rela ia (1. 1. atunci pentru conectarea EC ea va constitui sute de procente. De exemplu. În fig.4.F  1 ori. Regimul limit de func ionare pentru tranzistoarele bipolare la varia ia temperaturii Se cunoa te c odat cu majorarea temperaturii considerabil se m re te concentra ia purt torilor de sarcin minoritari în func ie 50 ( .80) se observ c modificarea caracteristicilor de ie ire a tranzistorului conectat în schema EC este semnificativ .1.28. ob inute pentru câteva valori ale temperaturii. sunt prezentate caracteristicile de ie ire ale tranzistorului bipolar conectat în schema EC. dac în diapazonul dat de temperaturi în schema BC modificarea formei caracteristicilor de ie ire va fi de câteva procente.8.

. iar pentru cele din siliciu în limitele 125. TC . i reprezint aproximativ  200o C . De obicei ea se exprim în grade celsius pe miliwat sau grad celsius pe wat i pentru majoritatea tranzistoarelor se plaseaz în limitele 30. Temperatura maxim admisibil determin regimurile de limit 51 .. (1.  60 C . Rezisten a termic este un parametru important al tranzistorului i este indicat în îndrumarele respective.01 eV )..72 eV .200 o C W .100o C . Pentru tranzistoarele fabricate din germaniu temperatura maxim de func ionare variaz în limitele 70. Practic diapazonul minim al temperaturilor de lucru este limitat de diferi i factori tehnologici i de particularit ile constructive i se plaseaz în limitele o 70..rezisten a termic radiator ± mediu.. Temperatura maxim de lucru este determinat de energia de ionizare a semiconductorului i concentra ia impurit ilor.temperatura mediului. func ionarea dispozitivului semiconductor se deregleaz . Aceasta se datoreaz diferen ei dintre l rgimea benzii interzise (pentru germaniu 0. Când concentra ia purt torilor de sarcin minoritari se apropie de concentra ia purt torilor de sarcin majoritari. Limita de jos a temperaturilor de lucru este determinat de energia de ionizare a impurit ilor ( 0.rezisten a termic a jonc iunii colector .de l rgimea benzii interzise a semiconductorului..81) RT  RTC unde: Tn este temperatura jonc iunii colectorului. R T C . Dintre toate regiunile din structura tranzistorului cea mai mare putere este disipat pe jonc iunea colectorului.. siliciu 1.05..carcas . Pentru func ionarea normal tranzistoarele de putere sunt utilate cu radiatoare iar puterea disipat de jonc iunea colectorului poate fi determinat conform rela iei T  TC PC ! n . R T .1 eV ).200o C ... deoarece ea posed rezisten electric mai major .0.

oC p Fig.1. Curba 1 corespunde convec iei libere a aerului.dup curent. cm 2 W 80 60 40 20 0 2 20 40 1 60 80 (t .30. tensiune i putere.29. Suprafa a radiatorului este determinat de rela ia (1.1. IC .1. A I C max 4 3 2 1 0 5 10 T2 PC max I B ! 200 mA T1 150 mA 100 mA 50 mA 25 mA U CE max U CE . Dependen a de temperatur a regimurilor de func ionare a tranzistorului Dependen a experimental care leag varia ia de temperatur (t p i coeficientul termic B este prezentat în fig.30. 2 unde B este coeficientul termic cm W . Dependen a de temperatur a coeficientului termic 52 . iar curba 2 ± r cirii for ate (viteza fluxului de aer aproximativ 300 m s ).82) S R ! BPC . Cu cre terea temperaturii. curba puterilor admisibile se deplaseaz în jos (fig. 1. B.29). V Fig.

regimul de lucru i schema de conectare. y capacitatea jonc iunii emitorului CE i colectorului CC . tehnologia de fabricare. construc ia. determinat de dimensiunile ei geometrice.1. propriet ile de amplificare ale tranzistorului bipolar se înr ut esc. Viteza de propagare a purt torilor de sarcin în regiunea bazei este diferit i de aceea grupul de purt tori de sarcin ce au intrat concomitent în regiunea bazei ating regiunea colectorului în timp diferit. y apare defazajul. Asta înseamn c : y scade puterea de ie ire.9. Dependen a parametrilor tranzistorului de frecven 1. adic întârzierea oscila iilor curentului de ie ire fa de cel de intrare. rezisten a bazei rE . Dispersia purt torilor de sarcin în baz Propriet ile de amplificare a tranzistoarelor sunt determinate de: propriet ile materialului din care sunt confec ionate.În a a mod la proiectarea aparatajului radioelectronic cu tranzistoare ce lucreaz într-un diapazon larg de temperaturi i este important de a cunoa te ce influen are temperatura asupra parametrilor i caracteristicilor elementului activ i care sunt limitele în func ionarea acestui dispozitiv electronic. 1. y 53 .9. Asupra diapazonului frecven elor de lucru a tranzistoarelor influen eaz urm torii parametri: y timpul de difuzie al purt torilor de sarcin minoritari în regiunea bazei de la jonc iunea emitorului la cea a colectorului. Cu majorarea frecven ei.

2. Când la intrarea tranzistorului se aplic semiperioada pozitiv a semnalului. Dispersia vitezelor golurilor în baz aduce la aceea c odat cu m rirea frecven ei are loc înr ut irea efectului de amplificare i mic orarea coeficientului de transfer dup curent E . semiperioada pozitiv va trece în cea negativ . se re ine pu in. Cu cât mai mare este grosimea regiunii bazei i. alt parte. când timpul mediu de mi care a golurilor în regiunea bazei este comparabil cu perioada acestui semnal. aplicat la intrarea tranzistorului. semnalul la ie irea tranzistorului va fi unul mediu. ce posed o vitez de mi care mai mic . Vom analiza defazajul între curentul emitorului i curentul colectorului.9. Nivelul de mic orare a coeficientului de transfer dup curent cu cre terea frecven ei este determinat de grosimea bazei WB . atunci la ie irea lui frontul din spate i cel din fa a fiec rui impuls va fi întins i impulsurile posed form de trapez. 54 . La fel are loc i distorsionarea semnalului sinusoidal. prin urmare. Drept rezultat. timpul de parcurgere a bazei de c tre goluri. Pentru o frecven major a semnalului. atunci din jonc iunea emitorului se injecteaz în baz un num r mare de goluri. Dac la intrarea tranzistorului aplic m impulsuri dreptunghiulare de durat redus . cu valoarea timpului mediu de propagare a procesului de difuzie prin baz X D . O parte din ele ajung destul de rapid la jonc iunea colectorului. În timpul ac iunii semiperioadei negative num rul golurilor injectate se va mic ora i o parte din ele va ajunge la jonc iunea colectorului odat cu cele întârziate de la semiperioada pozitiv . Dependen a coeficientului de transfer dup curent de frecven Fie c tranzistorul bipolar de tip p-n-p este conectat BC i func ioneaz în regim activ.1. Modificarea curentului colectorului va avea loc mai târziu decât modificarea curentului emitorului. Influen a dispersiei vitezei purt torilor de sarcin se manifest i asupra formei semnalului. cu atât este mai pronun at întârzierea purt torilor de sarcin i cu atât mai mic va fi coeficientul de transfer dup curent.

Pân când frecven a semnalului nu este mare i perioada de repetare a procesului considerabil întrece timpul mediu de difuzie X D .31 este prezentat diagrama temporal a componentei alternative a curentului colectorului. XD ! B . Întârzierea X D T poate fi neglijat . M rimea X D este determinat de grosimea bazei i de coeficientul de difuzie.1. WB .31.83) XD ! B .grosimea bazei. Cu cre terea i devine frecven ei semnalului. putem socoti c schimbarea formai curentului colectorului are loc practic momentan dup legea de schimbare a curentului emitorului. Pentru tranzistoarele bipolare în formulele (1. R p ! Rp Dp WB unde: R p este viteza purt torilor de sarcin minoritari. 1. Dp . Semnalul în circuitul colectorului este în defazaj fa de cel în circuitul emitorului cu unghiul de defazaj N B 55 . perioada T se mic oreaz comparabil cu timpul de difuzie X D . Diagramele în timp a curen ilor de intrare i ie ire la frecven înalt În fig.83) indicii respectivi trebuie indica i pentru electroni. (1.coeficientul de difuzie al golurilor în baza-n. Pentru tranzistoarele bipolare tip p-n-p timpul mediu de tranzi ie a procesului de difuzie sau timpul mi c rii de difuzie se determin ca Dp W W2 .IE IC IE IC t XD T Fig. injecta i în baz .

Dac curentul emitorului variaz dup legea (1.85) i E .84) Bazei cu grosimea mai mare îi corespunde un timp de difuzie X D mai major. Dp (1.N B ! [X D ! 2Tf 2 WB . De aceea pentru aceea i frecven distan ei mai mari între jonc iunile tranzistorului îi corespunde un unghi de defazaj mai mare între curentul de intrare i ie ire.

t ! I E ! I m e sin .

poate fi scris ca i C . luând în considerare defazajul.[t . atunci curentul colectorului.

t ! I C ! I m c sin .

[t  N B .86) Deoarece coeficientul de transfer dup curent a tranzistorului E în schema BC reprezint raportul dintre curentul semnalului în circuitul colectorului i curentul semnalului în circuitul emitorului. E depinde de frecven i este caracterizat de modulul E. (1.

[ i faza N B .

[ :  j[ t  jN I C I m c sin .

[t  N B I m c e e ! E! ! . IE I m e sin.

[t I m e e  j[ t B (1.87) unde: E.

[ ! Im c Im e este modulul coeficientului de amplificare. N B .

defazajul coeficientului de amplificare a curentului emitorului în schema cu BC.  E ! E.[ .

[ ™ e  jN .

(1. mic orându-se cu m rirea frecven ei. Cu majorarea frecven ei. coeficientul E poart un caracter complex (1. dup o lege complicat .[ .88) În domeniul frecven elor joase coeficientul de transfer dup curent E este constant.88). Cu o eroarea admisibil pentru calculele tehnice m rimea coeficientului de transfer dup curent poate fi aproximat cu ajutorul rela iei urm toare B 56 .

E.

E.j[ } E0 f 1  j™ fE .

[ ! E.

f } E0 ¨f ¸ 1 © ¹ ©f ¹ ª Eº 2 . (1.89) ¨f ¸ N B .

[ ! N B .

©f ¹ ª Eº Identic pentru conectarea tranzistorului EC: F0 E0 F .f ! arctg © ¹ .defazajul coeficientului E .

F .j[ } .

[ ! F .

90) ¨f ¸ N E . 2 f ¨f ¸ 1  j™ 1 © ¹ fF ©f ¹ ª Fº (1.f } .

[ ! N E .

f F .defazajul coeficientului F .3.90) utiliz m urm toarele not ri: E 0 .89) i (1. 1. f E . 2 Dependen a modulul coeficientului de transfer dup curent de frecven se nume te caracteristica amplitudine .frecven ele de t iere pentru tranzistorul cuplat BC i EC respectiv. F 0 .9. CPhF i al i parametrii ai tranzistorului Frecven de t iere pentru tranzistorul cuplat în BC ( f E ) este numit frecven a pentru care modulul coeficientului de transfer dup curent se mic oreaz de 2 ori ( adic cu 3 dB). CAF.modulele coeficien ilor de transfer dup curent la frecven joas pentru schemele de conectare BC i EC respectiv. ©f ¹ ª Fº În rela iile (1.frecven (CAF) E ! \. Frecven a de t iere.f ! arctg© ¹ . în compara ie cu valoarea lui la frecven e joase E Ef ! 0 .

[ sau F ! \.

[ . Dependen a unghiului de defazaj de E 57 .

N ! \ .

[ ! \ .

Ele sunt construite în coordonate normate E E 0 i f f 0 . În schema EC coeficientul de transfer al curentului bazei depinde mai tare de frecven .32. în compara ie cu valoarea lui la frecven e joase: F Ff ! 0 . Frecven a de t iere a tranzistorului în schema EC ( f F ) se nume te frecven a la care modulul coeficientului de amplificare dup curent se mic oreaz de 2 ori ( adic cu 3 dB). CAF i CPhF pentru coeficientului de transfer dup curent 58 .32. 2 F 1 0. 1.4 unit i relative E E0 NB o 30 60 90 10 2 10 1 1 f ! fE 10 fE f Fig. decât în schema BC.707 0.6 0. iar unghiul de defazaj este plasat în unit i absolute.[ este numit caracteristica faz ± frecven frecven (CPhF) a coeficientului de transfer. iar frecven a de t iere f F este considerabil mai redus decât f E .1.8 0. Exemple de astfel de caracteristici sunt prezentate în fig.

! ¸ ¨ f ¹ .S exprim m frecven a de t iere f F prin m rimea f E F! 1 E E0 E0 ! ™ ! ! f f E0 1 E 1 j 1 1  j  E0  f fE fE 1 j fE E0 .

1  E 0 © 1  j © .

1  E 0 fE ¹ º ª (1.91) Compararea rela iilor (1.90) i (1.91). cu considera ia c F 0 ! E 0 .

1  E 0 . ne permite s ob inem formula pentru leg tura dintre frecven ele de t iere în schemele BC i EC fF ! f E .

1  E . În a a mod frecven a de t iere a coeficientului de transfer a curentului bazei f F este de .

(1.93) tg.92) 1  F0 Cauza principal a mic or rii bru te a coeficientului F cu cre terea frecven ei (cum indic rela ia (1. ci majorarea valorii defazajului. 1  F0 1  F0 1  F0 f fF ! E . (1.91)) nu este mic orarea valorii E . f . Pentru schema EC.1  E ori mai mic ca frecven a de t iere în schema cu BC sau: F0 1  F 0  F0 1 ! 1  E0 ! 1  ! .

N E ! fE .

1  E 0 în timp ce pentru schema BC f tg.

93) ob inem 59 .N B ! . fE Luând în considerare (1.

tg.

N E ! 1 tg.

N B . 1  E0 ¡ tg .

N E "" tg .

I C .33. cu lungimea I m e . Aici I m e . I m c . I m b prezint amplitudinile curen ilor alternativi ai emitorului. atunci la frecven e joase curentul colectorului se deosebe te pu in de cel al emitorului i curen ii tranzistorului pot fi reprezenta i sub forma    vectorilor care coincid dup direc ie I E . Diagramele vectoriale ale curen ilor tranzistorului la frecven joas (a) i înalt (b) La frecven joas curen ii emitorului i colectorului coincid dup faz (fig. Deoarece E } 1 . I m c .33.b) în care modulul vectorului I C se mic oreaz .N B 1 NE } N . colectorului i bazei respectiv.33. Cu cre terea frecven ei. 1.1. 1  E0 B  IB  IB  IE  IC  I E ! I me  I B ! I mb  IC ! I mc  IE NE  IC NB ! a) b) Fig.1.a). I B . curentul colectorului r mâne în urm de curentul emitorului i vectorii acestor curen i formeaz un  triunghi (fig. a a încât Im e ! Im b  Im c . Amplitudinea curentului bazei este egal cu diferen a între I m e i I m c . Deoarece B 60 . I m b respectiv.  iar a modulului vectorului I se m re te de câteva ori.

dI B dU C ! 0 dI m b U m c ! 0 atunci la frecven a f ! f E coeficientul de transfer F se mic oreaz de câteva ori.33. a a cum este ar tat în fig.1.F! dI dI C sau F ! m c . f F reprezint parametrii importan i ai tranzistorului bipolar 1 fF ! f E . Frecven ele de t iere f E .b.

1  E 0 sau fE ! f ! .

1  F 0 fF . F F0 0.707 ™ F 0 F . 1  E0 F E.

707 ™ E 0 E .f 1 E0 0.

34.f f fF fT fE Fig.34 sunt prezentate dependen ele de frecven a modulelor E i F .1.1. F În fig. Caracteristicile de amplitudine ± frecven ale coeficien ilor de transfer dup curent E. Varia ia mai rapid a modulului F .

[ cu cre terea frecven ei în compara ie cu E.

[ se explic prin faptul c diferen a 1  E([) în rela ia E.

[ F .

[ ! 1  E.

[ se modific mai rapid decât E.

61 .[ .

cu cre terea frecven ei este determinat de majorarea defazajului N E . de aceea leg tura între f E i fF fE ! 1 f ! .În afar de aceast cauz principal de mic orare pentru F .89). La determinarea frecven ei de t iere f F a fost utilizat dependen a aproximativ pentru E de frecven (1.

1  F 0 fF . Pentru a ob ine un reziltat concret. se introduce coeficientul de corec ie k : k fE ! f ! . 1  E0 F este la fel aproximativ .

adic f " . k } 1.2 ). În practic . Analiza rela iei (1. 1  E0 F Valoarea acestui coeficient depinde de construc ia tranzistorului i tehnologia lui de fabricare (de regul . pentru calcule se folose te frecven a f T (adic frecven a de t iere a tranzistorului sau frecven a limit de amplificare dup curent).1.90) indic c la frecven e ce dep esc de trei-patru ori frecven a de t iere f F .1  F 0 kfF . pentru care coeficientul de transfer a curentului bazei F în schema EC este egal cu unitatea...

În acest produs f este frecven a la care este efectuat m surarea valorii coeficientului de transfer F f : F0 Ff ! . fF f ! fF F 0 ! const ! f T .. f 62 ..3.4 fF . f2 1 2 fF pentru f2 "" 1   F f ! fF2 F0 1 f2 fF2 ! fF F 0 . produsul F f ™ f este o valoare constant i nu depinde de frecven .

Deoarece F f ! const pentru f " .

atunci frecven a de t iere în schema EC este de F 0 ori mai mic decât valoarea frecven ei de t iere a tranzistorului fF ! f T F 0 . Pentru schema BC frecven a de t iere f E întotdeauna este mai mare ca frecven a de t iere a tranzistorului f T : kfF kfT k .4 fF i fF f ! fFF 0 ! fT ..3..

94) F0 1  E 0 F 0 .1  F 0 f T ! ! fE ! . (1.

1  E 0 pentru F " 10   f E ! kfT } .

. ?MHz A. Y21 ! (U int ( U ies ! 0 se mic oreaz de 2 ori în compara ie cu valoarea lui la frecven joas . pentru care coeficientul de amplificare dup putere este egal cu unitatea E 0f E f ma ! . 63 ) . pentru care modulul de conductibilitate direct . Tranzistorul poate fi utilizat în calitate de generator sau amplificator. rB .1.1. De aceea un parametru important dependent de frecven este frecven a maxim de generare sau frecven a maxim de amplificare dup putere.2 f T . dac coeficientul de amplificare dup putere K p " 1 . (1. egal cu (I ies . pF. La analiza dispozitivelor confec ionate în baza tranzistoarelor cu ajutorul schemelor echivalente i utilizarea parametrilor Y este folosit frecven a de t iere a pantei tranzistorului f S .rezisten a de volum a bazei. CC capacitatea jonc iunii colectorului.95) d 30rB CC unde: f E este frecven a de t iere a coeficientului de transfer în d schema BC. Dependen a modulului conductibilit ii directe Y21 de frecven este identic cu dependen a de frecven a m rimilor E i F . MHz.. M rimea f S este întotdeauna mai mare ca f F ..

se mic oreaz odat cu mic orarea grosimii bazei i cu majorarea valorii vitezei purt torilor de sarcin injecta i în baz . Aceast constant caracterizeaz reac ia invers la frecven înalt i este un parametru de baz al tranzistorului.În rela ia (1.9.95) produsul rezisten ei de volum a bazei la capacitatea colectorului este numit constant de timp a circuitului d de reac ie invers rB C C ! X C . se formeaz un câmp de accelerare pentru purt torii de sarcin injecta i. ce limiteaz caracteristicile de frecven a tranzistoarelor. De aceea utilizarea la frecven e înalte a structurilor tip n-p-n este preferabil . Este cunoscut c viteza electronilor R n este mai mare ca viteza golurilor R p . mic orarea rezisten ei rB (m rirea concentra iei în baz ) m re te capacitatea jonc iunii colectorului CC i mic oreaz valoarea tensiunii U C max .4. i capacitatea colectorului cu valori reduse. Aceste cerin e sunt contradictorii ± mic orarea grosimii bazei WB d d m re te rezisten a de volum rB . În a a mod tranzistorul destinat func ion rii în domeniul frecven elor înalte trebuie s posede grosimea bazei. Metode de îmbun t ire a caracteristicilor de frecven .83). 1. rezisten a de volum a bazei. Timpul de transfer ale purt torilor de sarcin prin regiunea bazei. prin intermediul procedurilor tehnologice. Tranzistoare bipolare cu drift Majorarea valorii frecven ei de t iere a tranzistorului necesit mic orarea timpului de transfer de c tre purt torii de sarcin în baz . Pentru majorarea frecven ei de regenerare este necesar de a m ri valoare f E i de a mic ora constanta de timp d rB C C . Mic orarea grosimii bazei este condi ionat de posibilit ile tehnologiilor contemporane. Din aceste considerente frecven ele de t iere pentru tranzistoarele bipolare f r drift sunt relativ reduse. conform rela iei (1. De aceea în baz . care permite de a 64 .

N acc N don . În acest scop. Între jonc iunile emitorului i colectorului se formeaz o regiune de baz tip-p compensat . Câmpul electric intercalat accelereaz electronii injecta i în baza tip-p. Qm Fig. grosimea c reia este determinat de adâncimea de difuzie a impurit ilor acceptoare. Rezult c purt torii de sarcin ob in ad ug tor componenta de drift a vitezei.1. Viteza total a electronului se m re te. Tranzistoarele care posed un câmp electric intercalat în regiunea bazei sunt numite tranzistoare cu drift. frecven a de t iere a tranzistorului de asemenea se majoreaz .m ri viteza lor. cm 3 10 21 E N don B N acc 1015 C N don 0 1 2 JE 3 JC P.1. 65 .35. În urma distribuirii neregulate a concentra iei impurit ilor în baz apare gradientul concentra iei purt torilor de sarcin care provoac un câmp electric intercalat.35 sunt prezentate curbele de distribu ie a concentra iei impurit ilor donoare i acceptoare în structura tranzistorul tip n-p-n. format prin procedura de difuzie. în regiunea baz se formeaz un câmp electric intercalat. Ele se folosesc la frecven e înalte. Distribu ia impurit ilor în structura tranzistorului cu drift În fig.

9.5.1. Schemele echivalente ale tranzistorului bipolar la frecven e înalte La frecven e înalte în schema echivalent (fig.1.19) este necesar de a lua în considerare elementele parametrii c rora sunt func ie de frecven i dependen a de frecven a coeficientului de transfer dup curent E.

36.j[ . în corespundere cu rela ia (1.b). În fig. conectat la schema echivalent prin circuitul RC.36.1.  E .a este prezentat schema echivalent pentru tranzistorul bipolar la frecven e înalte. curentul de ie ire al c ruia între punctele 1  1d este dependent de coeficientul de transfer dup curent a (fig. Dependen a coeficientului de transfer E de frecven se modeleaz cu ajutorul circuitului. format din generatorul de curent  E 0 I E independent de frecven .1.89).

j[ I E a)  IE rE 1 CC 1d  IC b)  R E .

96) I IES ! E .Schema echivalent a tranzistorului la frecven înalt (a) i circuitul RC ce modeleaz dependen a coeficientului E de frecven (b)    U   (1. 1. j[ I E 1d C  U IES 1 E  UE C E Bd rB rC C  UC  E0IE B B Fig.36.

Z RC ! ! 1 1  j[CR j[C  R 66 .j[ I E ! IES . R R R j[C . U INT ! E 0 I E Z RC .

  E 0I E R 1 E0   U  I IES ! E .

j[ I E ! IES ! ™ ! ™ IE . R 1  j[RC R 1  j[ RC E0 E.

(1. (1.89) i (1.97) 1  j[RC Pentru identitatea rela iilor (1. [ E ! 2 Tf E ! .j[ ! . Pentru o precizie mai înalt trebuie s lu m în considerare defazajul la frecven e apropiate de [E (sau mai majore decât [E ) i s introducem factorul de corec ie exp.98) RC ! RC [E Schema echivalent a tranzistorului la frecven înalt cu  generator de curent independent de frecven E 0I E este prezentat în fig.1.37.97) este necesar de a îndeplini urm toarele condi ii: 1 1 .

 j [ [ E . fE [E  E0IE C b) R E . care asigur o corec ie liniar de faz : f [ (N B ! m !m .

CPhF pentru coeficientul E (b) 67 . Schema echivalent a tranzistorului  la frecven înalt cu generator E 0 I E (a) i CAF.37.707 ad  IC a) CC  IE rE a C E Bd rB rC E  UE C  UC 1 [ [E B Fig. NB [ 1 0.1.

99) E.În a a mod aproximarea dependen ei coeficientului de transfer ob ine forma ¨ [ ¸ [  jm ¹ E 0 exp©  jm © [ E ¹ E 0e [ º! ª . (1.

m } 0.100) [E rE E Pentru schema EC 1 .38.5. capacitatea de difuzie a emitorului. folosind formulele prezentate în tab. Din aceste considerente circuitul poart denumirea de schem echivalent fizic .2 .8 . (1. CEdif } 68 . În acest caz valoarea curentului generatorului echivalent va fi ¨ [ ¸  ¹. schema din fig.1. este mai mare decât capacitatea sarcinii spa iale.8 CEdif } . prezentat în fig. I E E 0 exp©  jm © [E ¹ º ª Dac jonc iunea emitorului este polarizat direct. m } 0. (1.1.1. Parametrii fizici ai schemei analizate se determin prin parametrii h. Prioritatea principal a acestei scheme const în faptul c elementele ei posed un sens fizic bine determinat i permit de a efectua leg tura între parametrii tranzistorului cu datele constructive.j[ ! [ [ 1 j 1 j [E [E Pentru tranzistoarele formate prin aliere. constante fizice i procese de baz ce au loc în structura analizat . prin drift. de regul .101) [ TrE Dup simplificarea respectiv . În astfel de cazuri este în deajuns de a lua în considerare numai componenta de difuzie pentru schema cu BC: 0.37 posed form .

CB . (1. tranzistorul fiind prezentat formal ca un dispozitiv dirijat de tensiune. Aici se folose te sistemul de parametrii Y.1.38. determinat de elementele rB .102) . 2 [ [E  IE 1 [E CC dif rE E  UE C  UC B Fig.1. Schema de substituire a tranzistorului în acest caz este prezentat în fig.8 [E rE C C dif  I EE 0 e R!  IC Bd rB C C bar j ™0 .1. conectat paralel conductibilit ii g CE . În schem uneori se introduce i capacitatea colector ± emitor C CE . adic reprezint o parte din  d tensiunea de intrare U B .39.  De aceea sursa de curent g S U 1 de asemenea depinde de frecven . dar de tensiunea punctului intern al circuitului U 1 . Particularit ile schemei echivalente în P constau în faptul c curentul la ie irea generatorului este determinat nu de tensiunea de   intrare U B .39 con ine capacit ile de tranzi ie a reac iei inverse C C1 i CC 2 . g BE . care sunt determinate de constanta de timp a circuitului d colectorului X C ! rB C C .  Tensiunea U 1 depinde de frecven . Schema echivalent fizic simplificat a tranzistorului la frecven înalt În unele cazuri se utilizeaz schemele echivalente în P.CE ! 0. C C 2 ! C C  C C1 . Schema echivalent din fig. Aceste capacit i se calculeaz conform rela iilor CC C C1 ! .

..3 69 .2.

Tabelul 1.5 Formulele de calcul pentru parametrii fizici ai tranzistorului conform parametrilor diferen iali pentru diferite scheme de conectare Parametrul F rE rC EC h 21e BC h 21b 1  h 21b h11b  h12 b .

1  h 21b h 22b 1 h 22b h12b h 22b  h 21b h 12b h12e h 22e .

1  h 21e 1  h12e h 22e h11e  h12e .

g CB ! .1  h 21e h 22e h 21e 1  h 22e rB E Q} rB rC h11eh 22 e  h12e 1  h 22e Elementele schemei din fig.1. d h11e  rB unde g S ! Y21 este panta caracteristicii tranzistorului bipolar.103) gS ! h 21e  h12e . g BE ! d d h11e  rE h11e  rE g BE ! h 22 e  h12e ¨ h  rd ¸ h © h 21e  11e B 21e ¹ . 70 . © dº h 11e ª h 11e  rB ¹ (1.39 se determin cu ajutorul parametrilor h cu ajutorul rela iilor: 1  h12e h12e .

1.39. conectat cu emitor comun (schema Djacoletto) Capacitatea de difuzie a jonc iunii emitorului se determin conform rela iei 1 CBE ! g .C CC 2 rB  IB  U1 C CB Bd g CB JC B g CE JE  g SU1 C BE g BE E CC 2  IE C C1 rB Bd g CB  U 1 g BE C BE  g SU1 g CE  IC B  U BE C  U CE E Fig. Schema fizic echivalent simplificat a tranzistorului bipolar la frecven înalt . [F BE 71 .

U 1 ! I B Z Bd .Pentru a ne convinge de aceasta. este deajuns de a determina rela ia pentru frecven a de t iere cu ajutorul schemei echivalente. F .  Curentul generatorului echivalent I ~ se determin ca:     I ~ ! g S U 1 . E j[C BE  g BE ¨ C BE ¸ ¹g BE © 1  j[ © g BE ¹ º ª gS gS  I~ g BE g BE . E  1 g SI B    I ~ ! g S I B Z Bd } g S I B ! .

C C ! CC 2 . CBE Pentru calculul schemei echivalente în P îndrumarele con in urm torii parametri: X C .capacitatea circuitului de reac ie intern în tranzistor.frecven a de t iere pentru conectarea EC. C CE .capacitatea de ie ire pentru conectarea EC. rB .constanta de timp a circuitului de reac ie intern în tranzistor.capacitatea jonc iunii colectorului. C CB ! C C1 .rezisten a bazei. f T . unde [F ! g BE 72 .j[ !  ! ! I B 1  j[ CBE 1  j [ [F g BE .

: . ± . Sandu D. 12. : 1980. ± 512 . . ± . ± .. 10. . . Electronica fizic i aplicat . ± . . . 2. . .: 1990. . : 2001.I. . . ± 368 c. . . .488 . : 2001. ± 864 .. : 1981. Bazele radioelectronicii.Rusu.Costea Dispozitive i circuite electronice.. ± Bucure ti. : 1984.615 p. . . D. 4. . 1991.Dasc lu. . Editura A.. : 1977. . 6. ± 679 p. : 1984.. ± 279 p. .. 7. ± . ± . ...1. 9.912 c. . . ± . A. . Facla: 1987. 13.Cuza:1994. 11. . ± oc . ± Ia i. 73 . / . ± Timi oara. . .. .± . 1980. ± 424 . . . . . ± 432 . . 5. ± 622 . . .392 14. M. . 8. . .BIBLIOGRAFIE 1. ± .Profirescu. . . Zamfir V. : 1985. Editura Didactic i Pedagogic : 1982. ± 419 . . ± V. 2. ± 383 . I. . . 3. .

..14 1.... Regim de inversie..4........ 11 1...................................................... Rezisten a diferen ial i capacitatea jonc iunii emitorului..... 6 1................6.6... Schema echivalent pentru conectarea emitorului comun.......... Caracteristicile pentru cuplaj baz comun «««««.3...5......6........... Caracteristicile statice pentru tranzistorul bipolar........3.....3............. 3 1....13 1..................................3.......5......... 6 1............... Caracteristicile pentru cuplaj emitor comun«««...........................5.............................. Determinarea parametrilor diferen iali aitranzistorului dup caracteristicile statice.......32 1.....4............................. Tranzistorul ca cuadripol activ......................... Schemele formale pentru substituirea tranzistorului ...............................21 1...... Regim de satura ie......3..........................6....2.. Modalit ile caracteristicilor statice««««««««........... 6 1...............5......... Modelul Ebers ± Moll........... Schemele echivalente ale tranzistoruluila frecven joas ..... Rezisten a de volum a bazei ......6....3.......4.......4.........2..36 74 ................................. Regimul de lucru al tranzistoarelor bipolare..................................6....... Regimul de lucru i proceselefizice în tranzistorul bipolar............... Sistemul de parametri diferen iali ai tranzistorului bipolar............5........ No iunea de tranzistor bipolar................ Tranzistorul bipolar ca element al circuitului................... 4 1................. 12 1............1.......................3.. 5 1.......25 1...................4.CUPRINS 1....1...... TRANZISTORUL BIPOLAR...............27 1..21 1............ Coeficientul diferen ial de amplificare dup curent .........................1..........15 1.........4..............14 1... 5 1..............6..... Regim de blocaj...30 1....34 1.......................«.................. 3 1..1..... 18 1........3.......31 1............................................ Schema echivalent pentru cuplaj baz comun .............. Structura i jonc iunile tranzistorului bipolar....5......3................2.......................3...................33 1.3.......................3.........7.................... Rezisten a diferen ial i capacitatea jonc iunii colectorului............2....................1..................2...... Regim activ...

......... Leg tura dintre parametrii fizici ai tranzistorului i parametrii h ...........................................................39 1...5..3....1.....................4.... Dependen a coeficientului de transfer dup curent de frecven ................................. Determinarea parametrilor fizici dup parametrii h ...........................1......................................9..........................................9..............64 1......................8...........................................................................39 1......54 1.................................... Influen a temperaturii asupra parametrilor semiconductorilor.......... Dependen a parametrilor tranzistorului de temperatur ...........53 1. Schemele echivalente ale tranzistoruluibipolar la frecven e înalte.... CPhF i al iparametrii ai tranzistorului...... Dispersia purt torilor de sarcin în baz ...7..8......53 1......................42 1.66 Bibliografie.................................8.............9.. Frecven a de t iere............ CAF.....41 1...................................7.. Regimul limit de func ionare pentru tranzistoarele bipolare la varia ia temperaturii.9...2.........1. Dependen a parametrilor tranzistorului de frecven ......8..................2.... Modificarea parametrilor tranzistoarelor bipolare la varia ia temperaturii....7................47 1......44 1.......57 1......................4.......... Tranzistoare bipolare cu drift ....9....................42 1.3... Rolul parametrilor h în schemaechivalent i calculul lor.........50 1...................................................... Metode de îmbun t ire a caracteristicilorde frecven ....... Dependen a caracteristicilor tranzistorului bipolar de temperatur ...9..........1...8....2...............................73 75 ...

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful