155

CAPITOLUL 7. ETAJE DE AMPLIFICARE

CU TRANZISTORI CUPLAŢI

În condiţiile în care nu se pot obţine performanţele dorite prin

utilizarea numai a unui singur tranzistor în conexiune EC, BC sau CC
se utilizează conexiunile compuse sau se conectează mai multe etaje
de amplificare în cascadă.
Un etaj de amplificare cu tranzistori cuplaţi este format din doi
tranzistori cuplaţi atât în regim de curent alternativ cât şi în regim de
curent continuu. Rezultă că punctele statice de funcţionare se
influenţează reciproc, spre deosebire de situaţia conectării în cascadă a
mai multor amplificatoare când fiecare etaj este separat în regim de
curent continuu (separaţie realizată de condensatori de cuplaj, de
transformatoare sau de un cuplaj optic).

7.1. Etaje cu tranzistori compuşi

Termenul de tranzistor compus se referă la doi tranzistori cuplaţi

în curent continuu fiecare tranzistor fiind într-una din conexiunile
cunoscute (EC, BC, CC).
În figura 7.1 este prezentată structura corespunzătoare
conexiunilor EC+CC şi CC+CC.
156

a) b)
Fig. 7.1.

Structura formată din cei doi tranzistori , din figura 7.1a, cuplaţi
este echivalentă cu un singur tranzistor echivalent , din figura 7.1b, a
cărui proprietăţi urmează să le determinăm. Prin proprietăţi înţelegem
de fapt parametri de cuadripol ai tranzistorului echivalent.
În figura 7.2 sunt prezentate schemele echivalente
corespunzătoare schemelor din figura 7.1. Cunoscuţi fiind parametrii
de cuadripol ai celor doi tranzistori, în continuare se vor determina
parametrii de cuadripol ai tranzistorului echivalent.

a) b)
Fig. 7.2.
157
Ecuaţiile de cuadripol sunt cele corespunzătoare exprimării cu
parametrii „h”
Vi  hi I i
I 0  h f I i  h0V0

Parametrul h numit admitanţă de ieşire se constată, comparând

cele două scheme, că este determinat de tranzistorul T2
h0= h02 .
Impedanţa de intrare se defineşte prin relaţia:
Vi hi1 I i  hi 2 I 2
hi    hi1  (1  h f )hi 2 .
Ii Ii

S-au folosit relaţiile dintre curenţi:

I 2  I 1  h f 1 I 1  I 1 1  h f 1  I 1 , I i  I1 .
Factorul de amplificare în curent este:
I0
hf  V0  0 .
Ii

Suma curenţilor în nodul de la ieşire

 h f 2 I 2  h02V0  h f 2 I 1 1  h f 1   h02V0
V0
I0  hf 2 I2  I3  hf 2 I2 
1
h02

Pentru V0 = 0 avem
I0 V0  0  h f 2 1  h f 1  I 1  h f  h f 2 (1  h f 1 )

Concluzii:
- impedanţa de intrare are valori mari hi  hi1  (1  h f )hi 2 ;

- factor de amplificare este mare egal cu produsul factorilor de

amplificare;
- impedanţa de ieşire dată de T2.
Un circuit des utilizat este tranzistorul Darlington fiind un
montaj format din doi tranzistori cuplaţi ambii în conexiune colector
comun, cu schema din figura 7.3.
158

T1 T1

T2 T2

b)
Fig. 7.3.

Schema din fig. 7.3b conţine un rezistor care să preia o parte din
curentul de emitor al T1, pentru ca acesta să poată lucra la curenţi de
emitor mai mari decât curentul de bază al T2.

7.2 . Modalităţi de creşterea impedanţei de ieşire a

amplificatorului

Impedanţa de ieşire fiind condiţionată de valoarea impedanţei de

ieşire a tranzistorului şi de impedanţa conectată în colectorul (drena)
acestuia pentru a creşte valoarea impedanţei de ieşire trebuie să se
acţioneze asupra acestor doi factori.
Montajul cascod este format dintr-un tranzistor în conexiune
emitor comun (sursă comună) - pentru că prezintă amplificări
supraunitare, atât în tensiune cât şi în curent - în colectorul căruia se
conectează un tranzistor în conexiune bază comună – pentru că este
conexiunea care prezintă o impedanţă de ieşire mare, ca în figura 7.4.
159

Fig. 7.4.

Condensatorii CE şi CB sunt condensatori de decuplare a

rezistoarelor specificate

1
 R E
 jCE
1
 B ' B1 R' B 2
 jCB

primul scurcircuitând rezistorul RE iar cel de al doilea conectând

la masă baza tranzistorului T2.
În figura 7.5 este prezentată o altă modalitate de polarizare
atranzistorilor din montajul cascod.
160

Fig. 7.5.

Schema echivalentă în regim de curent alternativ valabilă pentru

ambele montaje cascod este prezentată în figura 7.6.

Fig. 7.6.
161
Pentru a efectua calculele necesare stabilirii parametrilor
montajului se înlocuiesc tranzistorii cu modelul lor cuadripolar, ceea
ce conduce la schema echivalentă din figura 7.7.

Fig. 7.7.

Pentru calculul impedanţei de ieşire se ţine seamă de faptul că

aceasta este definită în condiţiile în care la intrare semnalul este nul.
I1 = 0 şi sursa de curent se va înlocui cu un rezistor de valoare
infintă, ceea ce conduce la schema echivalentă din figura 7.8 valabilă
numai pentru calculul impedanţei de ieşire.

Fig. 7.8.
162
Impedanţa de ieşire poate fi privită de la RL, incluzând şi valoarea
acesteia, sau poate fi privită după RL, ca raport:
V0
R0T  ,
I 02

fiind numită impedanţă de ieşire a montajului.

Impedanţa care include şi RL se calculează cu relaţia:
V0
R0   R0T R L .
I0

Tensiunea şi curentul pot fi aproximate ca mai jos, deoarece

impedanţa de intrare este mult mai mică decât impedanţa de ieşire a

1
tranzistorului hi 2  .
h02

1
V  hi 2 I 02  hi 2 I 02
h02
1
h02
I2   I 02   I 02
1
hi 2 
h02

Curentul I03 este dat de diferenţa de potenţial:

V0  V
I 03   h02 (V0  V )  h02 (V0  hi 2 I 02 ).
1
h02

Teorema I a lui Kirchhoff stabileşte relaţia între curenţi:

I 02  h f I 2  I 03 

I 02  h f I 02  h02 (V0  hi 2 I 02 ) 

expresia rezistenţei de ieşire a tranzistorului:

V0 1 1
R0 T   (1  h f  h02 hi 2 )  (1  h f ) .
I 02 h02 h02

Se constată că rezistenţa de ieşire a montajului a crescut de hf ori

faţă de valoarea rezistenţei de ieşire a tranzistorului.
Pentru determinarea factorilor de amplificare AV, Ai şi a
impedanţei de intrare Zi , nu este necesar să luăm în considerare
impedanţa de ieşire a tranzistorului (acesata având valori mari nu
163
modifică rezultatele), aşa încât schema echivalentă din figura 7.7 se
simplifică ca în figura 7.9.

Fig. 7.9.

Impedanţa de intrare este:

Vi
Zi   RB hi 2  hi 2
Ii

Factorul de amplificare în curent devine:

I0 hf I2
Ai   .
Ii I1

Dacă se scrie teorema I Kirchhoff în nodul cu cele două surse

comandate:
I2 hf1
I 2  h f 2 I 2  h f 1 I1    1,
I1 1  h f 2

factorul de amplificare în curent capătă forma:

hf I2
Ai   hf ,
I1

ceea ce spune că amplificarea în curent a montajului este dată de un

singur tranzistor.
Factorul de amplificare în tensiune
V0  h f I 2 R L hf
AV    R L   g m RL ,
Vi hi I 1 hi

are expresia de mai sus pentru că raportul curenţilor este unitar.

164
Se constată că numai un tranzistor formează factorul de
amplificare în tensiune, expresia factorului de amplificare fiind cea a
unui tranzistor în conexiunea emitor comun.
În figura 7.10 este prezentată schema de principiu a unui etaj
cascod realizat cu doi tranzistori cu efect de câmp (SC+GC), a
cărei schemă de curent alternativ este în figura 7.11.

Fig. 7.10.

S D
T2
D G
G T1
S RL
V i R B 2 R B1

Fig. 7.11.
165
Condensatorii CB şi CS sunt condensatori de decuplare a
rezistoarelor pe care sunt conectaţi (în paralel), iar CC sunt
condensatori de cuplaj.
În figura 7.12 este prezentată schema echivalentă completă a
montajului.

g mV gS 2
G S D I0
G
Vi R B1 R B 2V gS 1 rD RL V0
g mV gS 1 V gS 2rD
IG
Z0
Fig. 7.12.

Pentru determinarea impedanţei de ieşire se scurcircuitează intrarea Vi

= 0 şi VgS1 = 0.
Vo
Z0 
I0 Vi  0

Vi  0  V gS 1  0  g mV gS1  0

Cu aceste condiţii schema echivalentă pentru determinarea

impedanţei de ieşire este prezentată în figura 7.13.

rD
I1 I1 I0
g mV gS 2 I2
rD V gS 2 RL V0

Fig. 7.13.
166
Se determină rezistenţa R0T care se vede de la RL către circuit,
pentru că rezistenţa de ieşire totală este
R0  R 0 T R L .
V
Vom determina R0T  I .
0

Tensiunea de ieşire conform teoremei a II-a

V0  rD I D  rD I 1 ,

iar
V gS 2   rD I 1 .

Din nodul de la ieşire se obţine curentul ID

I 1  g mV gS 2  I D  I D  I 1  g mV gS 2  I 1  g m rD I 1 .

Reluând tensiunea V0 avem

V0
V0  rD ( I 1  g m rD I 1 )  rD I 1  R0T   rD ( 2  g m rD ) .
I1

Se constată că rezistenţa de ieşire a montajului este foarte mare.

 VDD
RL
RB3
G T2C
C
CB
S
RB 2
C
V0
T1
CC B
E
Vi R B1 R CE
E

Fig. 7.14.

Se mai întâlnesc două scheme electronice ale montajului cascod,

obţinute din schema din figura 7.10 prin înlocuirea unuia din
tranzistorii cu efect de câmp cu un tranzistor bipolar.
167
Spre exemplu în figura 7.14 este prezentată una din schemele
montajului cascod cu doi tranzistori diferiţi, în care tranzistorul
bipolar este în conexiune emitor comun iar tranzistorul cu efect de
câmp este în conexiunea sursă comună.
Impedanţa de ieşire a montajului este:
1
R0T )  rD  (1  g m rD ) ,
h0

unde intervine conductanţa de ieşire h0 a tranzistorului bipolar.

Etaje cuplate prin emitor - sunt etaje la care emitorii celor doi
tranzistori sunt cuplaţi printr.o rezistenţă unică, ca în figura 7.15.

Fig. 7.15.

Tranzistorul T1 este în conexiunea colector comun iar T2, datorită

  1
condensatorului de decuplare CB ( RB1 RB 2  ) , este în
 J CB

conexiunea bază comună.

Schema de c.a. a montajului este prezentată în figura 7.16, iar
schema echivalentă în figura 7,17.
168

Rg C
B T
1

E
RB T2
Vg
RE RC RL

Z0

Fig. 7.16.

Rg 1
BI r02 
1 hOC
hi1
hf 2I2
E2 C2
E I2
RE hi 2 R2 RL
h f 1 I1
B2
Z OT ZO

Fig. 7.17.

Pentru a determina impedanţa de ieşire se anulează intrarea ca

în figura 7.18.
1
r02 
hO
I1 R  h IA I3
g i1 I0 I0
h f 1 I1 hf 2I2
Vg V0
RE hi 2
I2
V3

Fig. 7.18
169

Se notează impedanţa
V3
R01  ,
IA

dar avem:
I A   I 1  h f 1 I 1  (1  h f ) I 1 , V3  ( R g  hi1 ) I 1   hi I 1 ,

şi se obţine:
V3 hi
R01   de valoare foarte mică.
I A 1 hf

Rezistenţa RE şi hi2 sunt în paralel cu R01 de valoare mică, ceea ce

înseamnă că rezistenţa echivalentă va fi:
hi
Z 3  R01 R E hi 2  R01  .
1 hf

Tensiunea de ieşire este

1 1
V0  I 3  R01 I 0  ( I 0  h f I 2 )  R01 I 0
h0 h0

pentru că
I3  I0  hf I2 .

1
r02 
hO
I3
I0 I0
hf I2
V0
R01 I2

Fig. 7.19
170

Din figura 7.19 se exprimă curentul I 2   I 0 ,cu ajutorul căruia

avem
1 1
V0  ( I 0  h f I 0 )  R01 I 0  [ (1  h f )  R01 ]I 0 
h0 h0

1 1
Z0  (1  h f )  R01  (1  h f ) 
h0 h0

impedanţa de ieşire a montajului

1
Z0  (1  h f ) .
h0

T2 este în conex BC ( cu intrarea pe emitor şi ieşirea pe colector)

rezultă factorul de amplificare în curent al acestui tranzistor este
subunitar (Ai <1 ) şi factorul de amplificare al montajului va fi dat de
factorul de amplificare al tranzistorului T1
T1 este în conexiune colector comun şi factorul de amplificare
în curent al întregului montaj va fi
Ai  Ai1  h f 1 .

Factorul de amplificare în tensiune al montajului este

determinat de factorul de amplificare al tranzistorului T 2 ( care este în
conexiune bază comună) pentru că tranzistorul T1 fiind în conexiune
colector comun are un factor de amplificare în tensiune subunitar (Av
<1 ).

7.3 . Modalităţi de creştere a impedanţei de intrare a

amplificatorului
171

Aplicaţiile care necesită utilizarea unor amplificatoare cu

impedanţă mare de intrare vor avea în componenţă etaje de
amplificare cu tranzistori în conexiunea colector comun, pentru că este
singura conexiune a tranzistorului care determină o impedanţă de
intrare mai mare decât h i .
Impedanţa de intrare a amplificatoarelor realizate cu tranzistori
bipolari este micşorată de rezistenţele conectate în baza tranzistorului
(rezistenţe cu rol de polarizare a acestuia în zona activă de
funcţionare) care apar, în schema echivalentă, în paralel cu impedanţa
de intrare a tranzistorului.

a) b)

Fig.7.20.

În figura 7.20a este prezentată schema schema de c.a. a etajului

cu tranzistor bipolar în conexiunea colector comun .
S-a notat Zig – impedanţa de intrare a amplificatorului, care este
formată din trei rezistenţe conectate în paralel (ca în figura 7.20b)
Zig =RB1 || RB2 || RIT = RB || RIT ,
unde RIT este impedanţa de intrare a tranzistorului.
Rezistenţele de polarizare RB1 ,RB2 nu pot fi luate de valori foarte
mari => RB va scurcircuita impedanţa de intrare a tranzistorului, adică
va conduce la micşorarea impedanţei aşa încât Zig  Z IT .
172
Creşterea impedanţei de intrare se poate face prin mai multe
procedee dintre care, în continuare va fi prezentată metoda urmăririi
de potenţial
Metoda urmăririi de potenţial constă în modificarea circuitului
de polarizare astfel încât potenţialul bazei să urmărească potenţialul
emitorului.
Schema de polarizare în zona activă a tranzistorului,
corespunzătore metodei urmăririi de potenţial este prezentată în figura
7.21. , iar în figura 7.22 sunt prezentate schemele echivalente.
Se constată că prin intermediul condensatorului de cuplaj C C1 se
realizează o legătură, în curent alternativ, directă între baza şi emitorul
tranzistorului. În regim variabil potenţialul emitorului va urmări
potenţialul bazei (şi reciproc) .

Fig. 7.21.
173

a) b)

Fig.7.22.
a) )
Constatăm că condensatorul de scurcircuitare CC conectează RB1
şi RB în || cu RE, dar RE<<RB1, RB2 astfel încât RAM = RE || RB1 || RB2 ~
RE .
Impedanţa de intrare se calculează pe desenul din figura 7.22b,
care se redesenează, după înlocuirea tranzistorului cu schema lui
echivalentă, în figura 7.23.
Se aplică teoremele lui Kirchoff pentru schema din figura 7.23b, care
determină relaţiile între tensiuni şi respectiv între curenţi
Vi = hi I1 + IE RE ,
IE = I1 +hf I1 .

a) b)
Fig.7.23.

Prin înlocuirea relaţiei dintre curenţi se obţine expresia tensiunii

VI în funcţie de curentul de intrare I1
VI = hi I1 + RE (I1 + hf I1)/I1 ,
cu ajutorul căreia se stabileşte expresia impedanţei de intrare
ZI = hi + RE (1 + hf ) .
Schema urmăririi potenţialului poate fi generalizată.
174
Astfel schema din figura 7.22 poate fi exprimată, evidenţiind
amplificatorul cu tranzistor şi impedanţa de reacţie , ca în figura 7.24.

a) b)

Fig.7.24.

Cele două scheme din figura 7.24 sunt echivalente a )  b ) în

condiţiile în care
R
Z’ = 1  Av , Z” ~R ,

unde s-a notat cu A v factorul de amplificare în tensiune al

amplificatorului în conexiunea colector comun.
Având în vedere faptul că tranzistorul cu efect de câmp are o
impedanţă de intrare foarte mare rezultă că, dacă dorim să păstrăm
valoarea mare a impedanţei de intrare şi pentru amplificator, se
impune să aplicăm metodei urmăririi de potenţial. Altfel rezistenţele
de polarizare a grilei vor scurcircuita intrarea tranzistorului.
În figura 7.25a este prezentat amplificatorul cu TEC iar în 7.25b este
prezentat amplificatorul cu TEC la care s-a modificat circuitul de
polarizare pentru ca potenţialul sursei să urmărească potenţialul grilei.
175

a) b)

Fig.7.25.

În cazul schemei din figura 7.25a impedanţa de intrare (foarte

mare) a tranzistorului va fi scurcircuitată de cele două rezistenţe din
grilă (conectate în paralel) Zi ~ RG1|| RG2 .
Montajul din figura 7.25b determină schema de curent alternativ
din figura 7.26a şi schema echivalentă din figura 7.26b.

a) b)

Fig.7.26.

În figura 7.26 nu apar rezistenţele R G1|| RG2 pentru că în c.a.

acestea se conectează în paralel cu rezistenţa de sarcină R S ,care se
presupune de valoare mult mai mică decât cele două rezistenţe, ceea
ce înseamnă că rezistenţa echivalentă a grupului va fi apropiată de R S
(care apare în desen).
Impedanţa de intrare se calculează cu relaţia
VI
ZI = I .
1

Pentru schema echivalentă din figura 7.26b se pot scrie relaţiile

VI = Vgs + IS RS , I1 + gmVgs = IS , Vgs = I1 R ,

176
unde I1 este curentul prin R iar IS este curentul prin RS .
=> VI = Vgs + ( I1 + gm Vgs ) Rs = I1 R + (I1 + gm I1 R ) Rs ,
=> Zi = R + (1 + gm R ) Rs

Expresia de mai sus se poate obţine şi pe baza schemei generale

a urmăririi de potenţial (din figura 7.24), calculând factorul de
amplificare în tensiune pentru schema din figura 7.26b în condiţiile
anulării rezistenţei R = 0.
Pentru creşterea impedanţei de intrare, datorită faptului că R S se
transferă la intrare înmulţită cu factorul de amplificare, se recurge la
utilizarea unei rezistenţe RS care să aibă o valoare mare în regim de
c.a. şi o valoare mai mică în regim de c.c.
Acest lucru se realizează prin înlocuirea R S cu o sursă de curent
constant, a cărei schemă este prezentată în figura 7.27.

a) b)

Fig.7.27.

Valoarea rezistenţei în regim de curent continuu este:

VSM
RS = I .
C

Valoarea rezistenţei în regim de c.a. se calculează cu relaţia de

mai sus pe schema din figura 7.8b.
177
Sursa fiind de curent constant baza tranzistorului va fi la potenţial
constant ceea ce înseamnă că impedanţa hi va fi conectată la masă (în
paralel cu RE).
Prin RE|| hi circulă curentul I =>
- căderea de tensiune
V2 = RE|| hi I
- curentul prin hi
 RE
I1  I
RE  hi
.

Curentul de intrare este:

I =I2 + hf I1,
unde I2 este curentul prin h0, care se determină din lege lui Ohm
V  V2
I2   h0 (V  V2 )  h0V  h0 R E hi I
1 .
h0

Curentul de intrare se obţine

I  h0 (V  V2 )  h0V  h0 RE hi I

RE
I  h0V  h0 RE hi I  h f I,
RE  hi

RE
I (1  h0 R E hi  h f )  h0V =>
RE  hi

valoarea impedanţei în c.a.

V 1 RE
Z  (1  h0 R E hi  h f ),
I h0 RE  hi

care este mult mai mare decât valoarea în curent continuu.

178

Fig.7.28.

În figura 7.28. este prezentat modul de conectare a sursei de

curent constant la amplificatorul cu TEC în conexiune sursă comună.