REGIMURILE DE FUNCTIONARE AL TRANZSITOARELOR

BIPOLARE

Din punct de vedere al modului de polarizare al celor trei joncţiuni există trei regimuri
de funcţionare:
Regimul activ normal. Tranzistorul are joncţiunea BE polarizată direct, iar
joncţiunea BC în sens invers. Limitele acestui regim sunt determinate de condiţia
anulării uneia din tensiunile de polarizare. Curentul de colector al tranzistorului este
controlat de circuitul de bază.
Regimul de blocare sau tăiere. Joncţiunile BE şi BC sunt polarizate în sens invers.
Curentul care trece prin tranzistor este foarte mic (de ordinul nanoamperilor) şi e
datorat purtătorilor minoritari generaţi termic. Tensiunea inversă maximă care poate fi
aplicată joncţiunii BE în regim blocat depinde de tipul tranzistorului şi este specificată
în catalog. Astfel pentru tranzistoarele de înaltă frecvenţă cu Ge este de cca 0,3 V, la
tranzistoarele cu Si de 3…7 V iar la tranzistoarele cu Ge aliate de 10…20 V. În cazul
depăşirii acestei tensiuni, joncţiunea BE se comportă ca o diodă Zener cu o
caracteristică foarte abruptă, apare un curent important invers şi dacă nu există o
rezistenţă de limitare, tranzistorul se distruge prin ambalare termică. Acest efect
Zener al joncţiunii BE este exploatat la unele tranzistoare de construcţie specială
utilizate în etajele finale de baleiaj orizontal TV (TV CRT).
Regimul de saturaţie Joncţiunile BE şi BC sunt polarizate în sens direct. Curenţii
care circulă prin tranzistor sunt limitaţi în principal de circuitul exterior. Acest regim
poate apare şi la un tranzistor căruia i se aplică sursele de polarizare pentru
funcţionare în regiunea activă normală. Astfel, dacă in fig.4a, potenţiometrul P2 se
înlocuieşte cu rezistenţa RC conectată între colector şi +EC, se vede că prin mărirea
tensiunii UBE se poate ajunge ca la un moment dat curentul Ic să crească la o valoare
încât toată tensiunea de alimentare să cadă pe Rc. Se va produce astfel o limitare a
curentului de colector unde tensiunea UCE este foarte aproape de zero şi marchează
frontiera dintre regimul activ normal şi regimul de saturaţie. Până la atingerea valorii
Ics printr-un curent IBS, la un tranzistor în regim activ normal.Mărirea curentului de
bază peste valoarea IBS nu va mai produce o mărire proporţională a curentului de
colector, el rămânând la valoarea ICS care nu poate fi depăşită fiind limitată de
circuitul extern. Curentul de emitor însă va creşte în continuare cu diferenţa dintre
curentul de bază existent şi valoarea IBS.

Cu alte cuvinte un curent de saturaţie ICS printr-un tranzistor a cărui valoare depinde
de mărimile exterioare RC şi EC poate fi obţinut dacă în bază se injectează un curent
minim IBS. Tensiunea colector-emitor obţinută se numeşte tensiune de saturaţie UCEsa

Regimul de comutaţie.Anterior s-au descris regimurile de funcţionare în starea de

blocare şi de saturaţie (pct.3). Prin regim de comutaţie al unui tranzistor se înţelege
un regim dinamic în care tranzistorul funcţionează alternativ, saturat-blocat.Blocarea
tranzistorului este caracterizată pe dreapta de sarcină de punctul de funcţionare A
unde IC este zero iar UCE = EC. De asemenea, saturaţiei tranzistorului ii corespunde
un punct de funcţionare B, care se obţine prin injectarea unui curent minim de bază
IBSmin.
În colector se obţine un curent ICS=β•IBSmin. În practică însă, pentru garantarea
saturării tranzistorului se aplică un curent IBS > IBSmin. Curentul de colector nu mai
poate creşte si atunci ICS < β• IBS.
Tensiunea de colector în acest caz va fi foarte mică: UCEsat=(0,1..0,5)V. Considerăm
că până la momentul t0 tranzistorul este blocat de valoarea negativă U1 a semnalului
de intrare (Ui) aplicat pe bază. La acest timp, are loc un salt al tensiunii de intrare de
la valoarea U1 la valoarea pozitivă U2, urmărit promt de saltul curentului de bază de la
zero la IB1> IBSmin.
Datorită faptului că purtătorilor de sarcini (electroni) injectaţi rapid de emitor în bază
le trebuie un timp ca să ajungă în colector, curentul IC se va menţine la zero un timp
de întârziere — tt — după care începe să crească Ia valoarea staţionară ICS.
Timpul în care curentul creşte de la zero la 0,9 din valoarea sa finală se numeşte
timp de ridicare sau de creştere — tr. Rezultă deci că de la momentul t0 când s-a
aplicat comanda de comutaţie în saturaţie, până la momentul când curentul de
colector a atins 0,9 din valoarea maximă a trecut un timp numit „timp de comutaţie
directă":
Dacă însă la momentul t3, semnalul de intrare scade brusc de la valoarea U2 pozitiv
la U1 negativ, curentul de bază va tinde şi el să scadă brusc de la IB1 la IB2
schimbându-şi sensul datorită faptului că in regiunea bazei se găsesc purtători de
sarcină în număr mare. Rezistenţa RB are rol de a limita curentul de bază la valoarea
IB2 şi a proteja astfel joncţiunea BE. Surplusul de sarcină electrică din zona bazei va
face ca ICS să se mai menţină un timp — tS — după care acesta începe să scadă. În
acest timp are loc evacuarea sarcinii stocate în bază de unde şi denumirea de timp
de stocare.
La momentul t4 are loc ieşirea din saturaţie a tranzistorului şi punctul de funcţionare
se va deplasa din B în A într-un timp tC. În acest interval de timp sarcina din bază
continuă să se evacueze până la anularea ei aproape completă. Timpul tC se
numeşte timp de cădere şi este definit ca timpul în care curentul de colector scade
de la valoarea ICS la 0,1•ICS.
Prin „timp de comutaţie inversă" se înţelege intervalul de timp din momentul aplicării
comenzii de blocare până în momentul în care curentul de colector scade la 0,1 din
valoarea sa maximă.

Observaţie: În cataloagele diverşilor producători se mai întâlnesc pentru unii timpi

de mai sus şi următoarele notaţii cu semnificaţia: td = ti; tf = tc.

Din punct de vedere practic este de dorit ca UCEsat cât mai mică, deoarece valoarea
mare a curentului ICS ce trece prin tranzistor va produce o disipaţie de putere mare.
Pentru aceasta curentul IB va trebui mărit considerabil faţă de IBSmin. Creşterea însă nu
va trebui să fie exagerată, întrucât timpul de stocare va creşte şi în felul acesta se
înrăutăţesc proprietăţile de comutaţie ale tranzistorului.

Cazul tipic de funcţionare în acest regim îl reprezintă etajul final de BO din

televizoare.
Regimul dinamic.Tranzistorul ca element de circuit poate fi considerat ca un
cuadripol activ.Întrucât are numai trei electrozi, unul va fi comun intrării şi ieşirii.
Acest electrod sau terminal va servi ca punct de referinţă al tensiunilor şi este
considerat la potenţial zero (masă).
La funcţionarea în regim dinamic curenţii şi tensiunile pe contactele tranzistorului
sunt mărimi variabile în timp.
În funcţie de terminalul comun ales, există trei moduri fundamentale de conectare: cu
baza comună (BC), cu emitor comun (EC) şi cu colector comun (CC).