2.

DISPOZITIVE ELECTRONICE

În acest capitol vor fi prezentate, pe scurt, principalele dispozitive electronice

utilizate astăzi. Se începe cu materialele semiconductoare folosite şi cu structura
fundamentală care este joncţiunea p-n. Sunt apoi prezentate:
• Diodele semiconductoare
• Tranzistorul bipolar
• Tranzistoarele cu efect de câmp
• Dispozitivele multistrat
• Dispozitivele optoelectronice

2.1. Materialele semiconductoare şi joncţiunea p-n

2.1.1. Structura materialelor semiconductoare

Materialele semiconductoare au conductivitatea electrică intermediară între

materialele izolante si materialele bune conductoare. Sunt utilizate pentru construcţia
dispozitivelor semiconductoare iar cel mai folosit este siliciul. Un atom de siliciu are 4
electroni pe ultimul înveliş şi siliciul în stare pură (numit şi material intrinsec), din

Fig. 2.1. Structura siliciu pur. Fig. 2.2. Generarea perechi electron liber-gol. Fig. 2.3. Material n.

motive de stabilitate, este structurat în aşa fel încât un atom este legat de încă 4 atomi
vecini cu fiecare cumulând câte doi electroni, unul propriu, altul vecin, ajungând la un
total de 8 (figura 2.1., reprezentând doar
nucleul şi ultimul înveliş). Întreaga
structură este neutră electric, motiv
pentru care s-a figurat şi sarcina
pozitiva corespondentă din nucleu.
Siliciul stabil şi între particule
sunt legături puternice. Cu toate acestea,
o dată cu creşterea temperaturii sau în
a) Material tip n. b) Material tip p. urma iradierii, unii electroni se desprind
din legaturi, devenind electroni liberi.
Fig. 2.4. Reprezentarea simplificată a Concomitent (figura 2.2.) zona părăsită
materialelor semiconductoare.

32
rămâne încărcată pozitiv, se poate deplasa (din aproape în aproape) şi se numeşte gol.
Electronii liberi şi golurile (generate în perechi) pot da naştere curenţilor electrici.
Similar cu procesul de generare, există şi un proces invers, numit recombinare.
Numărul purtătorilor rămâne însă mic, materialul intrinsec fiind mai apropiat de
materialele izolante.

2.1.2. Materiale semiconductoare p şi n

Numărul purtătorilor liberi poate fi mărit în mod artificial printr-un proces de

impurificare realizat în două variante. In prima variantă se introduc în structura
siliciului un număr de atomi ai unui element din grupa a 5-a (arsen, stibiu), cu 5
electroni pe ultimul înveliş. Acest atom se fixează în structura siliciului, la fel ca
atomul de siliciu, cu 4 dintre electronii de pe ultimul înveliş, cel de-al 5-lea devenind
electron liber (fig. 2.3.). Zona părăsită de acesta rămâne încărcată pozitiv dar nu mai
este mobilă. Prin impurificarea de acest tip se obţine materialul semiconductor tip n,
care se poate reprezenta electric (fig. 2.4.a) printr-o structura de sarcini pozitive fixe,
dublată de un număr egal de electroni liberi. Aceştia sunt numiţi şi purtători majoritari
deoarece concomitent există şi un număr, mult mai mic, de goluri rezultate din
procesul de generare termică, numiţi purtători minoritari. Analog, prin impurificare cu
atomi ai unui element din grupa a 3-a (aluminiu, indiu), se obţine materialul
semiconductor tip p, care se poate reprezenta electric (fig. 2.4.b) printr-o structura de
sarcini negative fixe, dublată de un număr egal de goluri. Materialele semiconductoare
tip n şi p se numesc şi materiale extrinseci.

2.1.3. Curenţi in materiale semiconductoare

Existenţa purtătorilor liberi, majoritari şi minoritari, permite, în anumite

condiţii, deplasarea acestora, adică apariţia curenţilor electrici. După mecanismul
generator există curenţi de câmp şi curenţi de difuzie.
Curentul de câmp apare când materialul este supus unui câmp electric Ē ŗi are
densitatea σĒ. Curentul de difuzie apare
atunci când densitatea purtătorilor este
neomogenă şi are loc fenomenul de difuzie,
adică deplasarea purtătorilor din zonele cu
densitate mai mare spre zonele cu densitate
mai mică până când distribuţia purtătorilor
devine omogenă. În figura 2.5. este ilustrat Fig. 2.5. Fenomenul de difuzie.
fenomenul de difuzie prezentând o secţiune
a unui material semiconductor în două momente de timp. Iniţial există o distribuţie
neomogenă a purtătorilor, apare un curent de difuzie iar în final distribuţia este
omogenă şi curentul se anulează. Dacă există un mecanism de generare continuă a
purtătorilor într-o zonă anumită, cum e de exemplu generarea prin iluminare, se poate
asigura un curent permanent aşa cum este cazul fotocelulelor.

33
 2.1.4. Joncţiunea p-n

Tehnologii speciale permit alăturarea intimă a celor două tipuri de materiale

semiconductoare p şi n, despărţite de o zonă îngustă de trecere şi formând o structură
denumită joncţiunea p-n (fig. 2.6.). Joncţiunea p-n are proprietăţi speciale şi stă la baza
majorităţii dispozitivelor semiconductoare şi implicit a electronicii moderne.
În momentul iniţial distribuţia de
purtători liberi este accentuat neuniformă, cu
multe goluri în zona p şi mulţi electroni liberi
în zona n. Tendinţa naturală a purtătorilor
liberi, fie ei electroni liberi sau goluri,
corespunzătoare fenomenului de difuzie, este
să se deplaseze din zonele unde sunt în exces
Fig. 2.6. Joncţiunea p-n. spre zonele sărace. Golurile se vor deplasa din
zona p spre zona n iar electronii liberi în sens
contrar. De fapt începe un proces de recombinare şi perechi de purtători dispar
începând de la suprafaţa de separaţie. Se creează o zonă fără purtători liberi, marcată
pe figură şi denumită zonă de sarcină spaţială, fiind formată din două straturi
încărcate cu sarcină de semn contrar. Se creează concomitent un câmp electric intern
cu sensul din figură, câmp ce se opune difuziei şi recombinării în continuare şi se
atinge o stare de echilibru.

2.1.5. Joncţiunea p-n cu tensiune exterioară (polarizată)

O tensiune continuă pate fi aplicată joncţiunii p-n prin intermediul a doi

electrozi conectaţi la capete. Acţiunea este denumită curent polarizare şi există două
situaţii distincte, polarizare inversă (fig. 2.7.) când plusul este la zona p şi polarizare
directă, cu plusul la zona n.
Când joncţiunea este polarizată
invers, sursa de tensiune creează în
joncţiune un câmp electric extern care are
acelaşi sens cu cel intern. Câmpul total
este suma lor şi duce la lărgirea zonei de
sarcină spaţială, zonă fără purtători liberi,
cu rezistivitate mare. Nu există circulaţie
de purtători majoritari şi curentul este
practic zero. În realitate există o
circulaţie de purtători minoritari şi în
Fig. 2.7. Joncţiunea p-n polarizată consecinţă un curent, foarte mic, denumit
şi curent invers.
Atunci când este polarizată direct, sursa de tensiune creează în joncţiune un
câmp electric extern care are sens contrar celui intern, favorizează deplasarea
purtătorilor majoritari şi conduce la apariţia unui curent direct important.

34
 2.2. Diode semiconductoare
2.2.1. Structura si simbol
Diodele semiconductoare sunt jonctiuni p-n cu doua
terminale (borne, pini) conectate la cele doua zone.
Terminalul conectat la zona p se numeste anod (A) iar cel
conectat la zona n se numeste catod (K).
Proprietatea principala a unei diode este aceea ca
permite circulatia curentului intr-un singur sens, fiind un
dispozitiv unidirectional. Structura si simbolul diodei sunt
Fig. 2.8. Structura si
prezentate in figura 2.8. Sensul sagetii este si sensul posibil
simbolul diodei
al curentului prin dioda. semiconductoare

2.2.2 Dependenta curent-tensiune

Curentul prin dioda depinde de tensiunea la borne dupa relatia exponentiala:
i = I S (e - ku − 1) ( 2.1)

IS ( curentul de saturatie al diodei) si k sunt doua mărimi care depind de

constructia diodei si de temperatura. Constanta e este baza logaritmilor naturali.
Prin reprezentarea grafica a relatiei 2.1 se obtine caracteristica grafica curent-
tensiune a diodei. Aceasta, desenata pentru scari diferite ale curentului si tensiunii,
poate fi urmarita in figura 2.9.

Fig. 2.9. Caracteristica grafica a diodei pentru diferite scari ale curentului si tensiunii.

In cazul polarizarii directe a diodei ( tensiune pozitiva anod-catod, u>0, dioda

deschisa sau in conductie) curentul creste exponential cu tensiunea. El devine insa
semnificativ doar daca tensiunea depaseste un prag UD numit tensiune de deschidere a
diodei, situat in jurul valorii de 0,7 volti pentru diodele pe siliciu. In continuare
curentul creste foarte mult iar tensiunea foarte putin. Intr-o prima aproximare se
considera ca tensiunea unei diode polarizate direct este constanta, egala cu 0,7 V. In
numeroase situatii si aceasta valoare de 0,7 V este neglijabila (cum se poate deduce

35
urmarind a treia varianta din figura 2.9), tensiunea pe o dioda deschisa fiind
considerata zero.
In cazul polarizarii inverse a diodei ( tensiune negativa anod-catod, u<0, dioda blocata)
curentul invers este foarte mic si tinde spre valoarea IS numita curent de saturatie al
diodei. Acest curent invers este in majoritatea cazurilor neglijat, considerat zero.

2.2.3. Valori limita principale

Diodele sunt fabricate in numeroase variante, fiecare varianta fiind caracterizata
printr-un numar de parametri specifici si printr-un cod dat de fabricant (un exemplu: 1N4007).
Cei mai importanti parametrii sunt valorile limita sau valorile maxime. Exista un curent direct
maxim prin dioda, IM, a carui depasire provoaca supraincalzirea si distrugerea diodei. Exista
deasemenea o tensiune inversa maxima, UM, a carei depasire provoaca o strapungere a diodei,
urmata de cresterea abrupta a curentului invers, supraincalzirea si deasemenea distrugerea
diodei. Aceste valori, cat si multe altele, sunt precizate de fabricanti in cataloagele de produse.

2.2.4. Influenta temperaturii

Temperatura influenteaza mult functionarea
diodelor, ca de altfel a tuturor dispozitivelor
semiconductoare. Temperatura de 200 grade
Celsius este o valoare limita maxima pentru
dispozitivele semiconductoare pe siliciu.
Temperatura diodelor se modifica atat ca
urmare a variatiei temperaturii mediului cat si ca
urmare a pierderilor prin efect Joule. Acestea din Fig. 2.10. Dioda montata pe
radiator
urma cresc odata cu cresterea valorii curentului sau
a frecventei de functionare.
Cand puterile de pierderi sunt mari diodele sunt mentinute sub limita
temperaturii maxim admisibile prin montarea lor pe radiatoare cu suprafata radianta
mare care permite disiparea in mediul exterior a
caldurii rezultate prin efect Joule (figura 2.10). In
numeroase situatii se utilizeaza suplimentar
racirea fortata a radiatoarelor, fie cu ventilatoare,
fie cu circuit de racire cu lichid.
Cresterea temperaturii are un dublu efect
asupra diodelor, care este prezentat in figura 2.11.
In primul rand se mareste curentul invers. Acesta
se dubleaza la fiecare crestere de aproximativ 10
grade a temperaturii. Al doilea efect este
micsorarea tensiunii pe dioda in conductie.
Micsorarea este de aproximativ 0,002 V/ grad C
si este uneori utilizata pentru masurarea
temperaturii, dioda fiind folosita drept senzor de Fig. 2.11. Influenta temperaturii
temperatura. asupra diodelor
2.2.5. Modele pentru diode
Dioda este un element neliniar de circuit. Pentru calculul circuitelor cu diode se
poate utiliza relatia analitica (2.1) sau se poate utiliza metoda grafica, folosind

36
caracteristica grafica curent-tensiune a diodei. Metodele de mai sus sunt rar utilizate,
fiind complicate sau chiar inoperante in cazul circuitelor cu mai multe elemente. Din
acest motiv cea mai utilizata metoda este liniarizarea diodei, adica inlocuirea acesteia
cu o schema echivalenta formata cu elemente liniare. In functie de precizia dorita a
calculelor, dioda poate fi echivalata cu o schema mai simpla sau mai complicata. Dupa
inlocuirea diodei cu schema echivalenta, calculul urmeaza cursul obisnuit pentru
circuitele liniare.
Sunt utilizate trei nivele de aproximare liniara a diodelor. In figura 2.12 sunt
prezentate atat modelele cat si caracteristica grafica a acestora.
Cel mai simlpu si mai folosit model este un comutator, K (2.12.a). Acesta este
deschis (rezistenta infinita), cand tensiunea anod-catod este mai mica sau egala cu zero
(uAC ≤ 0) si este inchis (rezistenta zero), cand tensiunea anod-catod este mai mare
decat zero (uAC > 0).
Un al doilea model tine cont de tensiunea de deschidere UD ≅ 0,7V (2.12.b).
In sfarsit, modelul cel mai precis (2.12.c) tine cont si de rezistenta diodei in
zona de conductie, Rd, iar panta caracteristicii grafice este mai mica de 90 grade.

a) b) c)

Fig. 2.12. Modele liniare pentru diode

Modelele prezentate pana acum sunt utilizate atunci cand diodele sunt in regim
de curent continuu sau in regim de curent alternativ de frecventa mica, de exemplu la
50 Hz, frecventa retelei. Cand diodele sunt utilizate in regim de curent alternativ cu
amplitudine mica si frecventa mai mare, se foloseste un
model al diodei, denumit model dinamic de semnal mic, care
tine cont de capacitatea electrica a jonctiunii p-n, dioda fiind
echivalata cu rezistenta dinamica (diferita pentru zona de
conductie sau de blocare) in paralel cu capacitatea totala a
jonctiunii (figura 2.13).
Fig. 2.13. Model de
semnal mic
2.2.7. Tipuri de diode
Exista variante diverse de diode care se deosebesc prin particularitati
functionale si destinatie. Principalele categorii sunt prezentate in continuare.

37
 Diode redresoare
Sunt diode destinate utilizarii in circuite redresoare pentru reteaua de c.a. de 50
herti. Parametrrii principali sunt curentul maxim, IM si tensiunea inversa maxima, UM.
Plaja de valori ale acestor parametrii este:
- amperi-zeci de mii de amperi, pentru IM
- zeci volti- zeci de mii de volti pentru UM.
Diodele de curenti mari sunt construite in asa mod incat sa le poata fi atasate
radiatoare de racire. Diodele de curenti mici sunt inchise in capsule de plastic sau
ceramica si au catodul marcat cu o banda alba sau neagra.
Diode de comutatie
Sunt diode destinate utilizarii in circuite functionand in comutatie sau la
frecvente ridicate. Parametrii principali sunt timpii de
comutatie.
Diode Schottky
Sunt diode realizate intr-o tehnologie speciala, de tip
metal-semiconductor si au simbolul prezentat in figura 2.16 Fig. 2.16. Dioda
Avantajele acestor diode sunt: Schottky
- tensiune mica in conductie, aproximativ 0,3 V;
- timpi de comutatie foarte mici.
Dezavantajul principal: - tensiune inversa maxima mica (zeci de volti).
Dioda varicap
Denumirea diodei vine de la expresia capacitate
variabila. Simbolul este prezentat in figura 2.17 Dioda este
utilizata in polarizare inversa si proprietatea principala este ca
se comporta in aceasta situatie ca un condensator cu
capacitate variabila, dependenta de tensiunea la borne. Toate
Fig. 2.17. Dioda
diodele au aceasta proprietate dar diodele varicap sunt
varicap
construite astfel incat dependenta capacitate-tensiune sa aiba
un profil optim. Zona de variatie este in intervalul 1...100
picofarazi. Domeniul principal de utilizare sunt radiocomunicatiile, mai precis acordul
circuitelor oscilante din emitatoare si receptoare.
Dioda Zener
Este o dioda construita pentru a fi utilizata in
zona de strapungere inversa. Simbolurile utilizate pentru
dioda Zener si caracteristica grafica sunt prezentate in
figura 2.18.
In polarizare directa este similara diodelor
redresoare. In polarizare inversa dioda se strapunge la o
tensiune numita tensiune Zener, UZ, constanta pentru o
anumita dioda. In zona de strapungere curentul creste
pana la o valoare maxim admisibila, iM dar tensiunea
ramane aproape constanta. Rezistenta dinamica rZ in
zona de strapungere este foarte mica, ohmi-zecimi de
ohmi. Proprietatea de a mentine contanta tensiunea pe o Fig. 2.18. Dioda Zener
plaja mare de curenti faca ca dioda sa fie utilizata
indeosebi in circuitele stabilizatoare de tensiune.

38
 2.3. Tranzistorul bipolar
2.3.1. Structură şi simboluri

Tranzistorul bipolar este un dispozitiv format din 3 straturi de material

semiconductor şi are trei electrozi conectati la acestea. Construcţia şi simbolurile sunt
prezentate in figura 2.19. Dupa
modul de succesiune al straturilor
există două tipuri de tranzistoare:
- tranzistoare npn;
- tranzistoare pnp.
Stratul median este foarte
subţire iar electrodul corespondent
se numeşte bază şi se noteaza cu
B. Construcţia tranzistorului nu
este simetrică, straturile exterioare,
a) b) deşi de acelaşi tip, sunt diferite. Un
strat este mai subţire şi mai
2.19 Structura şi simbolul tranzistorului :
a) npn; b) pnp
puternic impurificat, având în
consecinţă un număr mai mare de
purtători. Electrodul corespondent
se numeşte emitor şi se notează cu E. Al treilea este mai
gros iar electrodul corespondent se numeşte colector şi
se notează cu C.
Simbolurile celor două tipuri de tranzistoare se
deosebesc doar după sensul săgeţii care marchează
emitorul. Semnul plus marchează zona mai puternic
impurificată. Sensul săgeţii este in acelaşi timp şi sensul
2.20 Structura npn cu curentului principal care traversează tranzistorul atunci
zona mediană groasă când acesta este în zona principală de funcţionare,
denumită zona activă.
Tranzistorul se numeşte bipolar
pentru că în mecanismul
conducţiei sunt angrenaţi atât
purtători majoritari cat şi
purtători minoritari.

2.3.2. Principiul de funcţionare

Având trei straturi

alternate de material
semiconductor, tranzistorul
bipolar are două joncţiuni p-n,
joncţiunea bază-emitor (jBE) şi
2.21. Circulaţia curenţilor prin tranzistorul în zona joncţiunea bază-colector (jBC).
activă.

39
Dacă baza ar fi groasă tranzistorul nu ar fi altceva decât un grup format din două diode
conectate ca în figura 2.20. Oricum ar fi polaritatea tensiunii între emitor şi colector,
întotdeauna una dintre diode va fi polarizată invers şi între cei doi electrozi nu va
exista circulaţie de curent. În realitate baza este foarte subţire, permitând, în anumite
condiţii, printr-un efect numit efect de tranzistor, circulaţia curentului între colector si
emitor. Pentru exemplificare s-a ales un tranzistor npn, figura 2.21.
Dacă jBE e polarizată direct (aici uBE > 0) iar jBC e polarizată invers (aici uBC
< 0), adică tensiunea colector emitor este pozitivă şi mai mare decât cea bază-emitor,
deasemenea pozitivă şi aproximativ 0.7 V, tensiunea unei joncţiuni polarizată direct,
atunci suntem în zona activă şi tranzistorul este traversat între colector şi emitor de un
curent principal, mare, care depinde de un curent mult mai mic, curent de comandă iB,
între bază şi emitor.

2.3.3. Relaţii între curenţi în zona activă

Considerând tranzistorul un nod de circuit cu trei ramuri care sunt terminalele

tranzistorului, prima relaţie între curenţii tranzistorului rezultă din prima teoremă a lui
Kirchhoff şi se scrie de obicei sub forma:
iE = iC + iB. (2.2)
Această relaţie este valabilă pentru toate zonele de funcţionare ale tranzistorului.
O a doua relaţie este valabilă doar pentru zona activă şi defineşte funcţionarea
tranzistorului drept generator de curent comandat în curent:
iC = β iB (2.3)
β se numeşte factor de amplificare în curent, este un parametru important al
tranzistorului şi are valori cuprinse între zeci, pentru tranzistoarele de putere şi sute,
până la o mie, pentru tranzistoarele de mică putere. β este un parametru individual,
este într-o prima aproximare constant, dar este diferit de la tranzistor la tranzistor,
chiar şi în cadrul aceluiaşi tip de tranzistoare. Mai mult, poate varia în cadrul aceluiaşi
tip cu procente de ordinul sutelor. De exemplu, pentru unul dintre tranzistoarele de
mică putere de uz general, tranzistorul BC 107, fabricantul dă o dispersie mare a
factorului de amplificare, factor care este cuprins intre 100 si 500.
Relaţia (3) arată că în zona activă curentul principal care traverseaza
tranzistorul, iC este mult mai mare si proporţional cu un curent de comanda, curentul
iB. Deoarece iC >> iB, în relaţia (1) iB se poate neglija, rezultând:
iE ≅ i C (2.4)
Trebuie precizat că şi relaţia (3) este o relaţie simplificată, de fapt o relaţie mai precisă
ţine cont de curentul de saturaţie iCB0 al joncţiunii bază-colector, joncţiune polarizată
invers în zona activă:
iC = β iB + iCB0 (2.5)
O dată cu creşterea temperaturii curentul iCB0 creşte deasemenea, exponenţial, astfel că
simplificarea nu se poate face decât la temperaturi ce nu depăşesc 30 grade Celsius.

2.3.4. Zone de funcţionare şi scheme echivalente

Funcţionarea tranzistorului depinde decisiv de modul cum sunt polarizate cele

două joncţiuni ale sale, joncţiunea BE si joncţiunea BC. Există două posibilităţi pentru

40
o joncţiune, polarizare directă şi inversă astfel că tranzistorul poate fi polarizat în 4
moduri distincte. Pentru fiecare mod de polarizare corespunde o zonă de funcţionare a
tranzistorului. În fiecare zonă tranzistorul are o comportare total diferită faţă de
comportarea în oricare dintre celelalte zone

Zona activă
Este zona în care tranzistorul se află în majoritatea aplicaţiilor analogice.
Tranzistorul este parcurs de un curent principal, iC ≅ iE, proporţional cu un curent de
comandă mult mai mic, curentul de bază, iB. Schema echivalentă simplificată pentru
zona activă este prezentată în figura 2.22 a. Între bază si emitor tranzistorul este
echivalent cu o diodă, fiind valabile schemele echivalente pentru diode, iar între
colector şi emitor tranzistorul este echivalent cu un generator de curent, de valoare iC =
β iB.

a) În zona activă b) În zona de blocare c) În saturatie

2.22 Scheme echivalente simplificate ale tranzistorului bipolar

Zona de blocare.
Această zonă se atinge prin micşorarea tensiunii intre bază şi emitor sub pragul
de deschidere al joncţiunii, deci sub 0,7 V, dar în multe situaţii blocarea se face prin
polarizarea inversă a joncţiunii. Dacă se neglijează curenţii de saturaţie ai joncţiunilor
atunci toţi curenţii prin tranzistor sunt zero. Curentul principal este întrerupt.
Tranzistorul poate fi echivalat cu rezistenţa infinită sau contact deschis între toate cele
trei terminale (fig, 2.22 b).

Zona de saturaţie.
Un tranzistor este adus în zona de saturaţie prin mărirea curentului de comandă
şi implicit a curentului principal până la o limita la care tensiunea între colector şi
emitor scade sub 0,7 V, deci potenţialul colectorului devine mai mic decât al bazei.
Din acest moment jCE este polarizată direct. În practică tensiunea colector emitor nu
poate fi scazută sub o valoare de 0,2 până la 0,5 volti. Din momentul intrării în
saturaţie curentul principal ramâne la valoarea de saturaţie şi nu mai este proporţional
cu acela de comanda, iB. Curentul iB poate să crească în continuare dar nu mai
influenţează curentul principal. Dacă se neglijează căderile de tensiune pe joncţiunile
deschise tranzistorul este echivalent cu un nod de circuit (figura 2.22 c.)

41
 Caracteristici grafice
La fel ca în cazul diodei, şi comportarea tranzistorului poate fi descrisă prin
relaţii analitice. Acestea se numesc relaţiile Ebers-Moll şi dau dependenţa curenţilor de
colector şi de emitor în funcţie de tensiunile pe joncţiunile tranzistorului ca o sumă de
exponenţiale. În calculul
curent al circuitelor cu
tranzistoare aceste relaţii
se evită deoarece sunt
greu de utilizat. Se
preferă liniarizarea
circuitelor cu ajutorul
schemelor echivalente iar
uneori se folosesc metode
grafice. Producătorii
furnizează în cataloagele
a) Cracteristica de intrare b) Caracteristicile de iesire lor o multitudine de
caracteristici grafice sau
2.23. Caracteristicile grafice ale tranzistorului de familii de
caracteristici grafice.
Două dintre ele sunt mai importante.
Prima este caracteristica de intrare care leagă mărimile din spaţiul de intrare
al tranzistorului, care este spaţiul bază-emitor. Este vorba de curentul de bază şi de
tensiunea bază-emitor şi caracteristica de intrare este dependenţa iB funcţie de uBE
prezentată în figura 2.23 a.
Se observă că este similară cu caracteristica grafică a diodei semiconductoare.
Întradevăr, spaţiul bază-emitor este o joncţiune n-p iar tranzistorul se comportă aici
asemănător cu o diodă. Există şi pentru tranzistor o tensiune de deschidere a bazei
situată în jurul a 0,6-0,7V. Există deasemenea o limită maximă pentru curentul de bază
cât şi una pentru tensiunea inversă bază-emitor. Aceasta din urmă este de obicei mică,
în jurul a 5 volţi şi atunci când este necesar tranzistoarele sunt de obicei protejate
împotriva depăşirii acestei valori limită cu ajutorul unei diode conectate ca în figura
2.24.
Mai trebuie menţionat că temperatura influenţează caracteristica de intrare a
tranzistorului la fel cum influenţează caracteristica unei diode (figura 2.11) şi că
tensiunea pe a doua joncţiune are şi ea o mică influenţă
asupra caracteristicii de intrare a tranzistorului, influenţă
însă neglijabilă în marea majoritate a cazurilor.
A doua este familia caracteristicilor de ieşire ale
tranzistorului care leagă mărimile din spaţiul de ieşire al
tranzistorului care este de obicei spaţiul colector-emitor.
Este vorba despre curentul de colector şi tensiunea
colector-emitor şi caracteristicile de ieşire dau dependenţa
2.24 Protectia iC funcţie de uCE având curentul de bază iB drept parametru.
tranzistorului la Familia de caracteristici de ieşire este prezentată în figura
tensiune inversa baza- 2.23 b.
emitor

42
 Pe figură sunt marcate şi zonele de funcţionare ale tranzistorului.
Zona de saturaţie corespunde tensiunilor uCE mai mici decât 0,7 volţi, cât se
presupune că este valoarea minimă a tensiunii uBE.
Zona de blocare este zona în care tensiunea uBE este mai mică decât valoarea de
0,7 volţi, tensiunea minimă de deschidere a bazei şi în consecinţă curentul iB este zero.
Se poate observa că pentru iB =0 există totuşi un curent de colector foarte mic. Acesta
este denumit iCE0 şi este neglijabil. La temperaturi ridicate acest curent poate însa
deveni semnificativ.
Zona activă corespunde unor curenţi de bază mai mari decât zero. Se poate
observa faptul că tensiunea colector-emitor, uCE, influenţează puţin curentul de
colector. Dacă iB este constant şi iC este aproape constant. Dar iC depinde mult de iB,
fiind proporţional cu acesta şi mult mai mare. Constanta de proporţionalitate este β,
factorul de amplificare în curent al tranzistorului.

Modele liniare în regim dinamic

Schemele echivalente (modelele) prezentate anterior (figura 2.22) sunt utile
atunci când se analizează circuite cu tranzistoare în regim de curent continuu sau lent
variabil. La fel ca în cazul diodelor, tranzistoarele bipolare au modele liniare de
semnal mic utilizate în analiza circuitelor în regim de curent alternativ (regim dinamic)
pentru semnal mic. Trebuie precizat că un semnal este considerat mic dacă tensiunea
sa este sensibil sub valoarea tensiunii sursei de alimentare a circuitului.
Două variante de modele sunt utilizate mai des şi anume:
- modelul natural sau Giacoletto
- modelul de cuadripol cu parametrii hibrizi (parametrii h)
Modelele în variante simplificate sunt prezentate în figura 2.25.

a) Natural b) Natural, frecvenţe joase c) Cu parametrii h

Fig. 2.25 Modele liniare de semnal mic

Unele valori ale elementelor din schemele echivalente sunt date în foile de
catalog ale tranzistorului iar altele trebuiesc calculate. De exemplu, pentru schema
Giacoletto de frecvenţe joase trebuie cunoscute factorul β de amplificare în curent al
tranzistorului şi componenta de curent continuu a curentului prin tranzistor, IC.
Atunci:
gm = 40 IC (2.6 )
rπ = β /gm (2.7 )

43
 La frecvenţe înalte valorile condensatoarelor Cπ si Cµ care corespund
joncţiunilor BE şi BC trebuie luate din foile de catalog.
La schema cu parametrii h aceşti parametri sunt în cazul general mărimi
complexe. În plus, există seturi diferite de parametrii h în funcţie de modul de
conectare a tranzistorului în circuit. Ei sunt daţi în foile de catalog iar în cazul
frecvenţelor joase şi conexiunea de tip emitor comun pot fi aproximaţi şi prin relaţiile:
h11e = rπ (2.8 )
h21e = β (2.9 )

Circuite de polarizare a tranzistorului în zona activă

Pentru a utiliza proprietatea de amplificator de curent a tranzistorului acesta
trebuie să fie în zona activă, ceea ce înseamnă a polariza corect joncţiunile
tranzistorului şi anume joncţiunea
bazei direct iar a colectorului
invers. În urma plasării
tranzistorului în zona activă acesta
este caracterizat în spaţiul de ieşire
prin două mărimi continue şi
anume curentul de colector IC şi
tensiunea colector emitor UCE.
Aceste două mărimi definesc un
punct M în planul caracteristicilor
Fig. 2.26 Punctul de functionare static al de ieşire ale tranzistorului, punct
tranzistorului denumit punct de funcţionare
static (figura 2.26). Un circuit de
polarizare bun aduce tranzistorul într-un punct de funcţionare dorit şi în plus asigură
stabilitatea acestuia atunci când anumiţi factori înterni sau externi se modifică. Factorii
a căror modificare periclitează cel mai mult poziţia punctului de funcţionare sunt
tensiunea de alimentare, temperatura şi factorul de amplificare în curent β.

EA EA EA

RB RC RC
RC R B1
RB

RE R B2 RE

a) Simpla b) Cu rezistenta de stabilizare termica c) Cu divizor rezistiv

Fig. 2.27 Circuite de polarizare a tranzistoarelor in zona activa

44
 Influenţa variaţiilor tensiunii de alimentare este limitată în circuitele cu
tranzistoare prin utilizarea unor surse de tensiune stabilizate, cu variaţii
nesemnificative. Mai dificil este cu ceilalţi doi factori. Temperatura unui tranzistor se
modifică atât din cauza variaţiilor din mediul exterior cât şi din cauza pierderilor Joule
din tranzistor. Poate fi stabilizată dar cu cheltuieli prea mari. În ceea ce priveste
factorul de amplificare în curent, acesta are din fabricaţie o dispersie mare. De
exemplu, pentru acelaşi tip de tranzistor o variaţie a acestuia de la tranzistor la
tranzistor între 100 şi 500 este uzuală.
Pentru polarizarea tranzistorului se pot utiliza două surse de tensiune, una
pentru jBE si alta pentru jBC. In practica se foloseste rar aceasta variante deoarece o
polarizare potrivita se poate realiza cu o singura sursa.
Schema de polarizare simpla este prezentata in figura 2.27 a. Aceasta are doua
dezavantaje mari. Primul: schema este sensibila puternic la variatiile de temperatura. O
variatie de cateva zeci de grade Celsius poate impinge tranzistorul din zona activa in
zona de saturatie. Al doilea: tranzistorul poate fi situat ferm intr-un anumit punct de
functionare doar daca factorul de amplificare in curent β este precis cunoscut.
Dispersia β este mare. Se poate masura dar ar implica in plus scheme personalizate
adica eforturi mari si in fond inutile fiindca exista alte solutii.
În primul rand, daca se adauga o rezistenta in emitorul tranzistorului (figura
2.27 b) atunci schema de polarizare atenueaza mult influenta temperaturii si a
factorului de amplificare. Rezistenta RE se mai numeste si rezistenta de stabilizare a
punctului de functionare al tranzistorului.
Schema de polarizare din figura 2.27 c asigura cea mai buna stabilitate a
punctului de functionare, atat la variatia temperaturii cat si la aceea a factorului de
amplificare β. Deoarece utilizeaza pentr polarizarea bazei divizorul rezistiv format din
RB1 si RB2 se mai numeste schema de polarizare cu divizor rezistiv.

2.4 Tranzistoare cu efect de camp (TEC)

Clasificare si proprietati
Tranzistoarele cu efect de camp, prescurtat TEC sau FET dupa denumirea din
engleza (Field Efect Transistor), se numesc astfel datorita principiului lor de
functionare. Simplificat, la un TEC circulatia curentului principal se face printr-un
canal a carui rezistenta este controlata de un camp electric.
TEC se mai numesc si tranzistoare unipolare deoarece curentul este produs de
un singur fel de purtatori, fie goluri fie electroni care, functie de tipul tranzistorului,
sunt purtatori majoritari.
Dupa tehnologia de realizare TEC se impart in doua mari familii:
1. TEC in tehnologie metal-oxid-semiconductor sau TEC-MOS (MOS-FET in
literatura engleza);
2. TEC cu jonctiune sau TEC-J (J-FET in literatura engleza).
Campul care controleaza rezistenta canalului si implicit curentul este creat de o
tensiune de comanda aplicata in spatiul de intrare al tranzistorului. Acest spatiu este
reprezentat fie de un strat de material izolant (TEC-MOS), fie de o jonctiune polarizata
invers izolant (TEC-J) si are o rezistenta electrica foarte mare (zeci-sute de MΩ). In

45
consecinta curentul de comanda este extrem de mic (nanoamperi). Curentul de
comanda fiind foarte mic, puterea de comanda este deasemenea foarte mica si castigul
de putere al tranzistorului este foarte mare. Sintetizand, proprietatile fundamentale ale
tranzistoarelor MOS sunt:
-rezistenta foarte mare de intrare;
-castig de putere foarte mare.
Acestea sunt si doua avantaje ale TEC in comparatie cu tranzistoarele bipolare.
Un alt avantaj: TEC au un volum de constructie mult mai mic ceea ce este important in
realizarea circuitelor integrate. Valorile limita sunt insa mai mici decat la tranzistoarele
bipolare.

2.4.1 TEC – MOS

Structura si principiul de functionare

Tranzistorul TEC-MOS are structura prezentata in figura 2.30a. Acesta este
format dintr-un substrat de material semiconductor intrinsec sau impurificat, in cazul
de fata un material de tip p. Zona centrala a suprafetei superioare a materialului este
acoperita cu un subtire de oxid de siliciu care este un foarte bun izolant electric.
Suprafata stratului de oxid este metalizata. Aceasta este structura Metal-Oxid-
Semiconductor care da numele tranzistorului.
La marginile suprafetei de oxid, in baza de tip p sunt realizate doua insule de
material de tip n. Electrozii principali care se numesc Sursa si Drena sunt conectati la
aceste insule. Electrodul de comanda denumit Grila este conectat la suprafata metalica

METAL
OXID + UGS + UDS
Grila G
SEMICONDUCTOR S D
Sursa + +
n++ ++ ++ ++ ++ ++ ++ ++ ++ ++ ++ ++n++ ++ ++ Drena
+ + + +
E
n++ ++ ++- ++ ++-++ ++-++ ++ -++ ++ ++n++ ++ ++
+ + + + + +
+ + + + + + + ii
+ + + ++ ++ ++ ++ +++ ++ ++ + + + ++ ++ ++ ++ ++ ++ ++ +
+ + + + + +p+ + + + + + + + +
+ + + + + +p+ + + + + + + + +
+ + + + + + + ++ ++ ++ +
+ + + ++ ++ ++ ++ +++ ++ ++ + + +
+ + + ++ ++ ++ ++ +++ ++ ++ + + + ++ ++ ++ ++ ++ ++ ++ +
+ + + ++ ++ ++ ++ +++ ++ ++ + + + ++ ++ ++ ++ ++ ++ ++ +

Baza
a) Structura b) Tranzistor polarizat

Fig. 2.30 Structura si principiul de functionare al TEC-MOS

ce acopera stratul izolant. Uneori este conectat la substrat si un al patrulea electrod,

Baza, legat intern la sursa in marea majoritate a cazurilor.
Daca grila nu este polarizata atunci intre sursa si drena sunt trei zone n p si n
care sunt echivalente cu doua diode puse la fel ca in figura 2.20 iar un curent intre
electrozii principali nu este posibil. Daca insa Grila este polarizata cu o tensiune
pozitiva +uGS (figura 2.30b) atunci intreaga tensiune se regaseste pe stratul izolant,
subtire. In izolant se creeaza un camp electric de intensitate ridicata, E, cu sensul din
figura. Campul va impinge spre interior sarcinile majoritare pozitive si va atrage in

46
apropierea suprafetei sarcinile negative. Se va forma (induce) un strat bun conductor
de sarcini mobile negative numit strat de inversiune sau canal n. TEC-MOS in aceasta
varianta se mai numeste si TEC-MOS cu canal indus. Daca se aplica o tensiune intre
electrozii principali va apare un curent prin canalul conductor. In mod obisnuit
tensiunea este pozitiva +uDS ca in figura dar o tensiune de semn schimbat va produce
un curent de sens opus. Latimea canalului si in consecinta si intensitatea curentului pot
fi controlate prin modificarea campului E adica prin modificarea tensiunii de comanda
uGS.

Clasificare si simboluri G
Varianta de tranzistor prezentata in
S D
sectiunea anterioara are denumirea completa + + + + + +- + +-+ + -+ + -+ + + + + +
+ + +n+ + + + + + + + + + + +n+ + +
TEC-MOS cu canal indus n. Ca si in cazul + ++ ++ ++ ++ ++ ++ ++ ++ +
+ + + + + + + + +p+ + + + + + + + +
+ ++ ++ ++ ++ ++ ++ ++ ++ +
tranzistorului bipolar, exista si varianta in care + ++ ++ ++ ++ ++ ++ ++ ++ +
+ ++ ++ ++ ++ ++ ++ ++ ++ +
zonele de material semiconductor sunt de
polaritate opusa si care se numeste TEC-MOS
cu canal indus p. Fig. 2.31 Structura TEC-MOS cu canal
Dar mai exista o alta varianta initial n.
tehnologica, la care canalul conductor intre
zonele Sursa si Drena este realizat din
constructie, tranzistorul fiind denumit TEC-MOS cu canal initial, figura 2.31.
Canalul cu purtatori n exista in absenta tensiunilor de polarizare si a campului
electric in zona izolanta de oxid de siliciu. O tensiune aplicata intre sursa si drena va
conduce la o circulatie de curent. Daca se aplica pe grila o tensiune uGS pozitiva,
canalul se largeste si curentul creste, daca se aplica pe grila o tensiune uGS negativa,
canalul se ingusteaza si curentul scade. La o anumita limita a tensiunii negative de
comanda canalul se inchide si curentul se anuleaza.
Similar cazului TEC-MOS cu canal indus, si aici sunt variante cu canal initial n
sau p.
Rezumand, TEC-MOS se clasifica dupa cum urmeaza:
TEC-MOS cu canal indus n
p
TEC-MOS cu canal initial n
p
Simbolurile pentru toate variantele de TEC-MOS sunt prezentate in figura 2.32

TEC cu canal indus TEC cu canal initial

D D D D

G G G
S S S S
canal p canal n canal p canal n

Fig. 2.32 Simbolurile TEC-MOS

47
 Caracteristici grafice
Modul si zonele de functionare ale TEC-MOS pot fi cel mai bine urmarite pe
caracteristicile sau familiile de caracteristici grafice. Cea mai importanta este familia
de caracteristici grafice de iesire,
care leaga marimile de iesire si
ii [mA] u +25 V anume curentul de drena si
u u tensiunea drena-sursa. Ca
parametru este marimea de intrare,
+20 V tensiunea grila-sursa.
Caracteristicile de iesire ale
+15 V TEC-MOS cu canal indus n sunt
5 prezentate in figura 2.33. Ele sunt
+10 V desenate doar pentru modul de
+5 V polarizare cel mai utilizat, cu
5 u [V] tensiune pozitiva drena sursa.
Trebuie mentionat ca, spre
deosebire de tranzistorul bipolar,
Fig. 2.33 Caracteristicile de iesire ale TEC-MOS
TEC-MOS poate functiona pentru
cu canal indus
ambele polaritati ale tensiunii de
iesire drena-sursa.
ii [mA] u +10 V Daca tensiunea de
comanda uGS este zero sau
negativa atunci iD este zero si
tranzistorul este blocat. Daca
+5 V uGS creste atunci se formeaza
cxanalul conductor si odata cu
0V polarizarea pozitiva drena-sursa
5 apare un curent de drena.
-5 V La tensiuni mici de drena
-10 V curentul creste liniar. Panta
scestuia depinde de tensiunea de
5 u [V] comanda u. In zona liniara de
variatie (zona care se intinde si
Fig. 2.34 Caracteristicile de iesire ale TEC-MOS cu le valori negative uDS)
tranzistorul se comporta ca o
rezistenta reglabila, comandata de uGS.
Urmeaza o zona neliniara de trecere pana cind uDS = uGS, limita marcata prin
linia punctata care delimiteaza intrarea intr-o noua zona liniara, denumita zona de
saturatie cu o evolutie a curentului principal asemanatoare cu aceea de la tranzistoarele
bipolare in zona de functionare activa. Curentul ramane constant o data cu cresterea in
continuare a tensiunii uDS. Dar spre deosebire de tranzistorul bipolar, curentul principal
nu mai depinde liniar de marimea de comanda, uGS in cazul de aici. Se observa ca la
fiecare crestere de 5 Volti a tensiunii de comanda iD are o crestere mai mare decat la
pasul anterior.

48
 + EA + EA In cazul tranzistorului MOS cu canal
initial caracteristicile de iesire au aceeasi
forma ca in cazul TEC-Mos cu canal indus
R G1 RD RD
(figura 2.34) . Tranzistorul nu mai este
blocat la uGS zero. Linia iD corespunzatoare
uGS=0 este undeva la mijlocul familiei de
caracteristici.
Ca si in cazul TEC-MOS cu canal
R G2 RG RS indus, exista o zona liniara de crestere in
care tranzistorul se comporta ca o rezostenta
reglabila, una neliniara de trecere si zona de
saturatie cu iD constant la variatia uDS.
a) cu canal indus b) cu canal initial Pentru a bloca tranzistorul este nevoie de o
tensiune de comanda negativa. Valoarea de
Fig. 2.35 Circuite de polarizare ale blocare se mai numeste tensiune de
TEC-MOS patrundere, uP.

Polarizarea tranzistoarelor MOS

La fel ca in cazul tranzistorului bipolar, pentru a aduce TEC-MOS intr-un
anumit punct de functionare folosind o singura sursa de alimentare este nevoie de o
retea de polarizare. Circuitele utilizate curent pentru polarizarea TEC-MOS sunt
prezentate in figura 2.35.
Pentru TEC-MOS cu canal initial circuitul este similar circuitului de polarizare cu
divizor rezistiv pentru tranzistorul bipolar. Deoarece TEC-MOS este mai putin
influentat de modificarile de temperatura lipseste de obicei rezistenta de stabilizare
termica..
Pentru TEC-MOS cu canal initial se utilizeaza o schema denumita schema de plarizare
cu negativare automata a grilei, figura 2.35b. Curentul de grila fiind nul, potentialul
grilei este zero. Dar curentul de drena produce o crestere a potentialului sursei si atunci
uGS este automat negativa.

G D G D
g mU CGD
C GS
U rDS U rDS
gmU
S S
a) frecventa joasa b) frecventa inalta

2.36 Scheme echivalente pentru TEC-MOS

49
 Scheme echivalente
Ca si in cazul tranzistoarelor bipolare rezolvarea circuitelor cu TEC-MOS se
face prin metode grafice sau prin inlocuirea tranzistoarelor cu scheme echivalente
liniare. In figura 2.36 sunt prezentate doua circuite echivalente mai des utilizate.
Primul este valabil pentru frecvente joase, al doilea pentru frecvente ridicate. In spatiul
de intrare rezistenta este foarte mare si este presupusa infinita. Doar la schema de
frecventa ridicate se considera spatiul echivalent cu capacitatea electrica dintre grila si
sursa. Intre bornele principale, drena si sursa, TEC-MOS se comporta similar cu cel
bipolar, fiind echivalent cu un generator de curent comandat de tensiunea de intrare.
Factorul de proportionalitate se numeste panta tranzistorului, gm. De obicei se mai ia in
considerare si rezistenta echivalenta intre drena si sursa, rDS. Iar pentru schema de
frecvente ridicate mai apare un condensator intre drena si grila.

2.6 Dispozitive optoelectronice

Dispozitivele optoelectronice sunt dispozitive elctronice care au legatura cu

radiatia electromagnetica optica ce cuprinde spectrul infrarosu, vizibil si ultraviolet.

2.6.1 Prezentare generala

Exista trei categorii de dispozitive optoelectronice in functie de procesul

optoelectronic intern:
• fotovoltaice
• fotosensibile
• fotoemisive
Dispozitivele fotovoltaice transforma energia radiatiilor optice direct in energie
electrica. Se mai numesc fotocelule sau celule solare. Celule solare existente astazi au
randamentul transformarii mic si pretul raportat la puterea electrica generata mare. Sunt
utilzate pentru alimentarea sistemelor portabile de mica
putere sau a celor aflate in locuri speciale, de exemplu in
spatiul cosmic.
Dispozitivele fotosensibile sunt dispozitive
semiconductoare care au parametri ce sunt puternic
ii
influentati de radiatia optica. Sunt utilizate de obicei pentru a
sesiza prezenta si intensitatea radiatiei optice si se mai
φ2
numesc din acest motiv si dispozitive fotodetectoare. φ1
Dispozitivele fotoemisive transforma energia φ0
electrica in radiatii optice.
u
2.6.2 Dispozitive fotosensibile
Fig.2.55 Fotorezistenta
Dispozitivele fotosensibile sunt dispozitive
semiconductoare care au o parte expusa radiatiei optice, printr-o fereastra transparenta,

50
care de multe ori realizeaza si o concentrare a
radiatiei. Ele sunt fotorezistenta, fotodioda,
fototranzistorul si fototiristorul.
A C
Fotorezistenta ii
Fotorezistenta este o formata dintr-o u
pelicula de material semiconductor depusa pe φ0
un substrat izolant, cu doua terminale conectate
la extremitati. Suprafata peliculei este expusa
φ1
radiatiei optice si valoarea rezistentei electrice φ2
intre terminale depinde de intensitatea radiatiei. φ3
Simbolul si caracteristicile grafice curent
tensiune pentru diferite valori ale fluxului de
Figura 2.56 Fotodioda
radiatii optice sunt prezentate in figura 2.55.

Fotodioda
Fotodioda este o dioda care are zona jonctiunii p-n expusa radiatiei optice.
Simbolul si caracteristicile grafice curent tensiune pentru diferite valori ale fluxului de
radiatii optice sunt prezentate in figura 2.56. Fotodioda este destinata sa
functioneze in regim de polarizare inversa. Intr-un astfel de regim o dioda este
parcursa de un curent mic numit curent de saturatie, IS (figura 2.9). Pentru fotodioda
acest curent depinde de intensitatea radiatiei optice. In lipsa radiatiei exista un curent
invers mic numit curent de intuneric (curba pentru flux zero, Φ0). In prezenta radiatiei
curentul invers creste o data cu cresterea intensitatii fluxului radiatiei oprice.
Sensibilitatea fotodiodei depinde si de lungimea de unda a radiatiei. Exista fotodiode
sensibile la radiatie luminoasa sau la radiatie in infrarosu. Curentul invers ramane insa
mic, de ordinul microamperilor, motiv pentru care fotodioda este mai putin utilizata ca
element fotodetector, dispozitivul cel mai folosit in acest scop fiind fototranzistorul.

Fototranzistorul
Fototranzistorul este un
tranzistor care are zona jonctiunii
baza-colector expusa radiatiei optice.
Simbolul si caracteristicile grafice
curent tensiune pentru diferite valori
ale fluxului de radiatii optice sunt
prezentate in figura 2.57.
Radiatia luminoasa actioneaza
ca un element de comanda, curentul
principal prin tranzistor, curentul de
Figura 2.57 Fototranzistorul
colector dedpinde de radiatia
luminoasa la fel cum la un tranzistor
comun acelasi curent depinde de curentul de baza. Din
acest motiv la majoritatea fototranzistoarelor baza nici
nu este conectata la un terminal si fototranzistorul are de
A C
cele mai multe ori doar doua terminale, colectorul si
G
51

Fig 2.58 Fototiristorul

emitorul. Sensibilitatea unui fototranzistor este mult mai mare decat a fotodiodei
deoarece la fototranzistor intervine si capacitatea de amplificare a acestuia. Curentii
sunt de ordinul miliamperilor. Fototranzistorul are si un dezavantaj, inertia lui fiind
mai mare decat a fotodiodei. Intarzierea cu care curentul urmeaza variatiile de flux
luminos sunt de ordinul zecilor de microsecunde.

Fototiristorul
Fototiristorul sau LAT (Light Activated Thyristor) este un tiristor care are zona
jonctiunii grila-catod expusa radiatiei optice. Simbolul este prezentat in figura 2.58.
Radiatia luminoasa actioneaza si in acest caz ca un element de comanda.
Fototiristorul este aprins cu ajutorul unui flux de radiatie optica. Stingerea se face la
fel ca la tiristorul obisnuit, prin inversarea tensiunii la bornele principale, anod-catod.
Semnalul de comanda poate fi transmis prin fibra optica. Se obtine o separare
galvanica foarte buna intre circuitul de comanda si tiristor, indispensabila atunci cand
tiristorul este utilizat in circuite de inalta tensiune (kilovolti, zeci de kilovolti).

2.6.3 Dispozitive fotoemisive

Doua sunt dispozitivele fotoemisive care se folosesc mult in electronica

moderna. Primul este dioda luminiscenta, o dioda care emite radiatie optica, luminoasa
sau in infrarosu arunci cand este parcursa de curent electric. In combinatie cu o
fotodioda sau un fototranzistor dioda luminiscenta formeaza un alt dispositiv utilizat
intens, optocuplorul
Al doilea este tubul catodic, care transforma semnalele electrice intr-un flux
variabil de electroni si apoi prin intermediul unei substante speciale numita luminofor
transforma acest flux de electroni in imagini optice.

Dioda luminiscenta
Dioda luminiscenta este cunoscuta si sub denumirea de
LED de la numele acesteia in englaza, Light Emitting Diode.
Simbolul este prezentat in figura 2.59. Dioda are zona
jonctiunii accesibila in exterior printr-o fereastra care poate fi A C
de forme diferite. Atunci cand este polarizata direct si este
parcursa de curent dioda emite energie sub forma de radiatie
optica, luminoasa, de culori diferite, sau in infrarosu. Figura 2.59 Dioda
Intensitatea luminoasa depinde de intensitatea curentului. luminiscenta
Diodele luminiscenta au de obicei un prag de deschidere mai
mare decat diodele obisnuite, situat in jurul valorii de 2 volti.
Diodele luminiscente se
folosesc ca indicatoare optice,
inlocuindu-le pe acelea cu becuri.
Avantajele sunt consum mult mai
mic de energie electrica si durata de
viata mult mai mare
Optocuplorul

52
Figura 2.60 Optocuplorul
 Optocuplorul este un dispozitiv format dintr-un element fotoemisiv (o dioda
luminiscenta), un spatiu de propagare optic care poate fi pur si simplu un spatiu gol,
dar poate fi un cablu de fibra optica sau un izolant transparent si un element
fotoemisiv, in cele mai multe cazuri un fototranzistor (figura 2.60). Optocuplorul
permite realizarea unei izolari electrice perfecte intre doua circuite dar asigura in
acelasi timp transmiterea unor semnale electrice intre cele doua circuite. Optocuplorul
este un dispozitiv unidirectional, transmite un semnal de la un circuit sursa la un
circuit receptor. Semnalul electric de la sursa este transformat in semnal luminos,
transmis prin spatiul de propagare optic si transformat din nou in semnal electric in
circuitul receptor.

Tubul catodic
Un tub catodic este
format dintr-un tub de sticla
vidat care are o forma aparte,
figura 2.61. In extremitatea mai
subtire tubul are un sistem de
electrozi care se numeste tun
electronic si care poate emite si
focaliza electroni intr-un
fascicul foarte subtire. Un al
doilea sistem de electrozi, plasat
la mijlocul tubului si care poate
fi in interiorul sau in exteriorul Figura 2.61 Tubul catodic
tubului, formeaza sistemul de
deflexie, adica sistemul care poate controla directia fasciculului de electroni. In fine,
in partea largita a tubului, care se termina cu o suprafata relativ plana, ecranul, este
fixat un electrod, anodul, care asigura accelerarea fasciculului. Ecranul este acoperit cu
o substamta care sub actiunea unui flux de elecrtroni emite radiatie luminoasa,
substanta care se numeste luminofor. Fluxul de electroni dirijat loveste suprafata
ecranului si produce o imagine optica care este in corespondenta cu semnale ce
controleaza tunul electronic pentru intensitate şi electrozii de deflexie pentru pozitia pe
ecran.

53