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Semiconductores
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Semiconductores
C : 1s 2 2 s2 2 p2
Si: 1s 2 2 s2 2 p6 3s2 3 p2
Ge: 1s 2 2s2 2 p6 3s2 3 p6 3d10 4 s2 4 p2
Todos tienen una brecha indirecta, eso los hace pobres para posibles aplicaciones
ópticas. Además, forman buenos óxidos y para los huecos las m* son grandes.
Compuesto
GaAs: Ga: 1s 2 2 s2 2 p6 3s2 3 p6 3d10 4s2 4 p1
As: 1s 2 2 s2 2 p6 3s2 3 p6 3d10 4 s2 4 p3
Este tipo de compuesto, al que se suma el InSb tienen la cualidad de tener una brecha
directa. Esto los hace aptos para aplicaciones ópticas como foto diodos y láseres.
Son difíciles de producir
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Bandas en Semiconductores
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El concepto de masa efectiva
Algunas consideraciones previas
(Continuación)
→ Si consideramos un paquete de ondas que se desplaza en δ x en la dirección de una
fuerza aceleradora F durante un tiempo δ t , entonces,
Fδε
δε = Fδ x ⇒ δε = vg Fδ t ⇒ δε = δt
δ k
la última expresión implica que,
dk dp
= =F
dt dt
Expresión equivalente a la segunda ley de Newton.
→ Es obvio que para un electrón libre podremos escribir la relación propia
de la mecánica clásica
dp dvg
=m
dt dt
pero para un electrón en un cristal esto no funciona.
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El concepto de masa efectiva
dvg
... y algunos comentarios dp
dvg ∂ 2ε 1
= =
dp ∂p 2 m*
vg electrón
libre
vg = 0
m* π p
a
k π
m*
a
−π / a π /a
p
m*
¿Semiconductor?
Glosario
Semiconductor intrínseco=sin dopantes
Semiconductor extrínsecos=con dopaje
Átomos distintos a los del semiconductor ocupando puntos de la red de éste.
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Semiconductores
Esquemas simplificados
ε estados ocupados
estados desocupados
Estructura Banda de
Conducción
de bandas Banda de
Valencia
π π
−
a a
E E vacío
qφ E
BV
Banda de valencia EC
EC
EV
Banda prohibida }E g
EF
EV
}E g
Banda de conducción BC
Diagramas de bandas
Conducción en un semiconductor
ε
E Este diagrama de bandas
EC BC BC representa la situación
EF }E g
BV correspondiente a bajas
EV BV temperaturas. No es posible la
−
π
π conducción eléctrica.
a a
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Conducción en un semiconductor
En el silicio la banda prohibida tiene 1.1 eV, ¿cuántos electrones son promovidos a la
banda de conducción a temperatura ambiente? (supóngase un material intrínseco, es
decir, sin dopajes con átomos de otros materiales)
EC BC
EF E
EV
BV
BV
Lo mismo visto en estructura de bandas
ε Al igual que en metales,
E
∆k ∆k está limitado por el
BC efecto de defectos e im-
∑k > 0 purezas.
BV
El momentum de los
electrones es ∆k
π π
−
a a
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Huecos
• A temperatura ambiente, la banda de valencia suele estár
parcialmente llena, razón por la que resulta conveniente analizar sus
propiedades en términos de los estados vacíos
Huecos
• Al igual que los electrones, los huecos tienen una masa efectiva
depende de su posición en la banda de energía
• Al ser estados vacancias, normalmente se ubican en el tope de las
bandas, esto significa que para los electrones en la banda,
−1
d 2ε
2 <0
dp
• Pero para las cargas positivas la energía tiene signo contrario al de los
electrones, así, −1
2
d ε
mh* = − 2 > 0
dp
ε
De hecho, la fuerza y la aceleración del
b a hueco apuntan en la misma dirección, lo
que implica que la masa efectiva es
también positiva
π π
−
a
E a
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Huecos • En los semiconductores reales la banda de valencia está
formada por dos bandas que coinciden (aprox.) en el
maximo de ellas, razón por la que existen huecos livianos
y pesados según la banda que ocupan.
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Distribución electrónica en semiconductores intrínsecos
La energía de Fermi
El problema es que no conocemos aún el valor de la energía de Fermi.
Por simplicicidad supondremos que el nivel 0 de energía está en la banda
de valencia (también muy delgada), es decir, EV = 0 con lo cual, el número
electrones en la banda de valencia es,
1
nv = N P(0), con P (0) =
1 + e - EF / k B T
así, dado que N = n + nv
1 1
N = N (E −E ) / k T
+
1+ e g f B 1 + e - EF / k B T
de donde
E F =E g / 2
n = ∫Banda de g ( E ) p( E )dE
conducción
donde
g ( E ) es la densidad de estados con energías entre E y E + dE y
p( E ) la probabilidad de que un estado electrónico esté en un estado con
energía E.
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Distribución electrónica en semiconductores intrínsecos
En el caso de los metales encontramos que
g (E) =
( )
8 2 π m3 / 2 1/ 2
E
3
pero en tal caso los electrones eran libres.
Para semiconductores hay que hacer algunas correcciones, entre ellas reemplazar m
por m * (su mayor valor en la banda de conducción) y eligiendo el origen de E en EC ,
( )
3/ 2
8 2 π ( m* ) 1/ 2
g(E)=
3
( E − Eg ) = C ( E − Eg )
donde C, por el momento, la consideraremos como constante.
De esta manera
1/ 2
∞ ( E − Eg ) dE
n = C∫ ( E − Eg ) / k B T
Eg
1+ e
Suponiendo temperatura en torno a la ambiente, E − EF >> k BT , es válida la
aprimación de Boltzmann, es decir,
∞
n = C ∫ ( E - Eg )1/ 2 e ( F ) B dE
− E−E / k T
Eg
Ph ( E ) = 1 − P( E )
e-( EF − E ) / kBT
Ph ( E ) =
1 + e-( EF − E ) / kBT
y la densidad de estados es,
3/ 2
(8 2)π ( mh* ) 1/ 2
g (E) = ( −E )
3
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Distribución electrónica en semiconductores intrínsecos
3/ 2
− EF / k B T 2π mh* k BT
p = NV e con Nv = 2
2
En el caso intrínseco, n = p = ni , por lo que,
− Eg / k B T
np = ni2 = N C NV e
Ejercicio
Demostrar que la posición de la energía de Fermi sólo está en el centro de la
banda de energías prohibidas cuando me* = mh* .
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Distribución electrónica en semiconductores intrínsecos
EF
EV
(1 − P ( E )) g ( E )
P( E ) g (E)
Semiconductor extrínseco
→ Los semiconductores intrínsecos rara vez se utilizan en la tecnología,
pero son la base para la construcción de dispositivos.
→ Generalmente los dispositivos se utilizan con impurezas (dopaje) que
cambian radicalmente su comportamiento.
→ Según la impureza se clasifican como "tipo n" o "tipo p".
→ Hay varios mecanismos para introducir las impurezas:
No intencionado (crecimiento del cristal en ambientes contaminantes).
Al fabricarlo (se hace crecer el semiconductor con las impurezas).
Por difusión (tratamiento a altas temperaturas en en gases dopantes).
Ej. PH 3 , AsH 3 , etc.
Por implantación de iones.
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Semiconductor extrínseco
Semiconductor tipo n
Se obtienen introduciendo en el semiconductor impurezas del grupo V
como P, As o Sb de manera que sustituyen átomos del cristal. El resultado
es un enriquecimiento de portadores negativos (electrones). Tales semi-
conductores reciben el nombre "tipo n".
Semiconductor extrínseco
Semiconductor tipo n
• El dopaje rompe la periodicidad del cristal.
• Si el efecto de la impureza es importante (intensa y de rango amplio)
abarcando varios sitios se puede introducir una simplificación (aproxi-
mación) que permite tratarla como un átomo simple inmerso en el
potencial promedio de la red.
• Así, la impureza donadora, respecto del electrón orbitante, puede ser
tratada como átomo de hidrógeno en el potencial promedio de la red.
e2
⇒ U =− , ε es la permitividad del semiconductor
4πε r
2 2 e2
⇒ − * ∇ − Ψ (r ) = ( Ed − EC )Ψ (r )
2me 4πε r
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Semiconductor extrínseco
Semiconductor tipo n
La solución:
e 4 me* 1
Ed − EC = − 2 2
; n = 1, 2,3...
2 ( 4πε ) 2
n
y el estado base es
2
m* ε
Ed = EC − 13.6 e o eV
m ε
y el radio de giro del electrón
a=
( 4πε ) / 2 = 0,53
( ε /ε o ) o
A
me*e2 (m *
e / m)
Algunos valores para E C − Ed son:
0,006 para Ge; 0,025 para Si y 0,007 para GaAs.
Semiconductor extrínseco
Conclusión:
a) los estados donadores o "donores" son localizados (no forman bandas)
b) debido a que su energía es muy próxima a la energía de la banda de
conducción ( EC − Ed ) / k BT << 1, a temperatura ambiente están todos
ionizados.
c) los electrones donados desde los donores incrementan la conductividad
del semiconductor.
EC
EC E d
Ei Ed
EV
EV
La energía de los donores es E
muy cercana a la de la banda En presencia de campo eléctrico
de conducción y por ello, lo la inclinación de la banda favo-
más probable es que estén rece la ionizacón de donores
ionizados
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Tabla de impurezas o dopaje
Energía (meV) - Energía (meV)
Impureza
Semiconductor Impureza
donora Ec -Ed Ea - Ev
aceptora
-GaAs Si 5.8 C 26
Ge 6.0 Be 28
S 6.0 Mg 28
Sn 6.0 Si 35
Si Li 33 B 45
Sb 39 Al 67
P 45 Ga 72
As 54 In 160
Ge Li 9.3 B 10
Sb 9.6 Al 10
P 12.0 Ga 11
As 13.0 In 11
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