REGIMUL DINAMIC AL TRANZISTORULUI BIPOLAR

Scopul lucrării: Se studiază regimul dinamic, la semnale mici, al tranzistorului bipolar la

o frecvenţă joasă fixă. Se determină principalii parametri ai circuitului echivalent natural şi se
demonstrează dependenţa lor de punctul static de funcţionare. Se utilizează aceşti parametrii pentru
calculul unui etaj de amplificare.

Determinări experimentale:

Determinarea parametrilor β F, β 0, gm, rb,e :

Se realizează configuraţia de circuit şi se fixează punctul static de funcţionare al

tranzistorului la primul set de valori indicat în Tabelul 1 :
IC=1 mA, VCE=4 V, VCC=8 V.

Figura 1.

Se măsoară potenţialele continue VBB şi VBE la capetele rezistenţei R0, valorile se trec în
Tabelul 1.
La intrarea circuitului se aplică un semnal sinusoidal la 10KHz a cărui amplificare se
reglează astfel ca Vi=2 mV. Se măsoară potenţialele alternative V şi V0 şi se trec în Tabelul 1.

Se determină :

iC ic Rb
- factorul de amplificare în curent continuu: β F = =
i B V BB − V BE

V0 R L
Factorul de amplificare dinamic: β 0 =
-
(V − Vi ) Rb când rL<<rCE.
V0
Dar RL=0,1kΩ , Rb=100kΩ ⇒ β 0 = 1000 ⋅
V − Vi

1
 1 V0 V0
- panta de semnal mic: g m = ⋅ când rL<<rCE. Dar RL=0,1kΩ , ⇒ g m = 10 ⋅
R L Vi Vi
Vi
- rezistenţa de intrare: Ri = 100 ⋅
V − Vi

Tabelul 1.

Vcc Vce Ic Vbb Vbe V Vo β F β 0 gm Ri = r b,e

8 4 1 1,74 0,11 90 36 61,34 409,09 180 2,27
12 4 2 0,86 0,61 20,5 4,5 800 243,24 22,5 10,81
16 4 3 1,37 0,48 57 14 337,07 254,54 70 3,64
20 4 4 2,12 0,63 121 31 268,45 260,50 155 1,68
20 12 2 1,34 0,6 56 14,5 270,27 268,52 72,5 3,70
4,6 4 6 2,95 0,64 173 44,4 259,74 259,65 222 1,17
4,8 4 8 3,69 0,64 212 56 262,29 266,67 280 0,95
5 4 10 4,38 0,64 254 67 267,37 265,87 335 0,79

Se reprezintă variaţia în funcţie de curentul IC, (pentru VCE = 4V ) a mărimilor β F şi β 0

pe un grafic, şi respectiv a rezistenţelor rb,e şi g m−1 pe alt grafic.

Graficul 1.1 – β F ( I C ) , β 0 ( I C )

900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0 2 4 6 8 10 12

Graficul 1.2 – rb ,e ( I C ) , g m ( I C )
−1

12
10
8
6
4
2
0
0 2 4 6 8 10 12

2
 Se vor compara valorile experimentale ale pantei tranzistorului extrase din Tabelul 1, cu
cele calculate cu relaţia: g m ≅ 40 ⋅ I C

IC(mA) 1 2 4 6 8 10
 mA  Exp. 180 22,5 155 222 280 335
gm  
 V  Calc. 40 80 160 240 320 400

Determinarea rezistenţei de ieşire a tranzistorului, RCE.

Se realizează circuitul:

Figura 2.

şi se fixeză p.s.f. la valorile IC=1 mA, VCE=4 V, (VCC=8 V). Se aplică un semnal sinusoidal
de 10 KHz a cărui amplitudine se reglează astfel ca V0=0,4 V. Se măsoară V’ (care are valori mai
mici de 2V); valorile obţinute se trec în Tabelul 2.
12
rCE =
Rezistenţa rce se calculează cu relaţia: V'
−4
V0

Tabelul 2.
Vcc 8 12 16 20 20
Ic 1 2 3 4 2
Vce 4 4 4 4 12
V' 1,74 1,71 1,73 1,76 1,68
Rce 34,28571 43,63636 36,92308 30 60

3
 Se reprezintă variaţia rezistenţei rCE cu IC, (pentru VCE = 4V )

50
40
30
20
10
0
0 1 2 3 4 5

Amplificator cu tranzistorul în EC:

Se fixează p.s.f- ul la valorile IC =1mA, VCE=4V. Se cuplează la ieşire R=1,3kΩ pentru a

avea rezistenţa de sarcină RL=1kΩ (RL=R||RC ).

Figura 3.

Se aplică la intrare un semnal de 10 kHz a cărui amplitudine se reglează pentru ca

Vi=2mV. Se măsoară V şi V0 iar valorile se trec în tabelul 3.
V0 Rb V0
Se calculează: amplificarea în tensiune AV = şi amplificarea în curent Ai = ⋅ .
Vi R L V − Vi
Vi
Rezistenţa de intrare este: Ri = 100 ⋅
V − Vi

4
 Tabelul 3.1
Vi=2mV Experimental
p.s.f. RL(kΩ ) V(mV) V0(mV) AV Ai Ri(kΩ )
VCC=8V 1 33 74 37 238,7 6,45
IC=1mA 2 35 162 81 245,45 6,06
VCE=4V 4 35 238 119 180,3 6,06
VCC=12V 1 67 156 78 240 3,076
IC=2mA 2 67 318 159 244,61 3,076
VCE=4V 4 67 470 235 180,76 3,076
VCC=20V 1 123 290 145 239,66 1,652
IC=4mA 2 123 585 292,5 241,73 1,652
VCE=4V 4 123 850 425 175,61 1,652
VCC=20V 1 61 150 75 254,23 3,389
IC=2mA 2 61 315 157,5 266,94 3,389
VCE=12V 4 61 465 232,5 197,03 3,389

β 0 RL β0
AV = Ai = V
Se calculează din nou cu formulele:  RL  ; R L ; Ri = i = rbb + rbe ,
( rbb + rbe ) ⋅ 1 +  1+ Ii
 rce 
rce
unde β0 = rbe ⋅ g m ; folosind valorile mărimilor β 0, rbe, şi rce din tabelele anterioare, cu rbb ≅ 0.

Tabelul 3.2
Vi=2mV Calculat
p.s.f. AV Ai Ri(kΩ )
VCC=8V 175,107 397,49
IC=1mA 340,56 386,53 2,27
VCE=4V 345,53 366,34
VCC=12V 21,99 237,78
IC=2mA 43,03 232,57 10,81
VCE=4V 82,44 222,81
VCC=20V 150,05 252,09
IC=4mA 290,73 244,21 1,68
VCE=4V 547,26 229,85
VCC=20V 71,38 264,10
IC=2mA 140,45 259,84 3,7
VCE=12V 272,13 251,72