Fundamente Ale Proiectarii Modulelor Electron Ice

ELAN – Electronic Antreprenoriat Packaging Electronic
Promovarea Culturii Antreprenoriale: Adaptabilitate, Dinamism, Iniţiativă în

Industria Electronică
Investeşte în oameni !
Proiect cofinanţat din Fondul Social European prin
Programul Operaţional Sectorial Dezvoltarea Resurselor Umane 2007-2013”
Chapter
Chapter 1.
1.33
Fundamente
Fundamente ale ale
proiectării șșii realizării
modulelor
modulelor șșii sistemelor
sistemelor
electronice
1
Comparaţie între dimensiunilor unui modul realizat prin

tehnologii clasice (THT/SMT) şi avansate (DCA/HDP)
Modul THT/SMT
Modul DCA/HDP
Vedere de sus
CI
Circuit integrat (CI) Substrat
dielectric
Componente
I/O pasive
100nF I/O
Vedere de jos
2
Evoluţia componentelor electronice
3
Cu toate avantajele evidente

ale utilizării componentelor noi
din electronică (chip/die, CSP,
FC, µBGA etc. ), principala
problemă rămâne aprovizionarea
cu respectivele componente,
cataloagele distribuitorilor
cuprinzând o paletă foarte
redusă de componente de acest
tip.
În general:
DISTRIBUITORUL DE CHIP-URI ⇔ PRODUCĂTORUL DE COMPONENTE
4
Glosarul reprezintă un sprijin important în studierea şi înţelegerea

packaging-ului electronic. Mai jos este dat un exemplu de pagină de
glosar în limba engleză.
IC Package, ”packaging” Container for one or more ICs that provides pro-
tection and connection to the next level of integra-
tion
Ball Grid Array (BGA) IC package with an area array of solder balls atta-
ched to the bottom side of a package
Substrate, also board, carrier A material which serves as the base for the me-
chanical and electrical connection of ICs
Chip Size Package (CSP) After packaging the component size is roughly the
die size
Wafer Level Packaging Modern CSP techniques allow packaging on wafer
level. It is an additional wafer process.
Direct Chip Attach (DCA) Chip is attached upside down direct on a substrate
(Flip Chip)
Chip On Board (COB) Assembly of one or more bare dies on a substrate
by wire bonding
Multichip Module (MCM) Assembly of two or more bare dies on a substrate
by any bonding technology
High Density Packaging (HDP) Large scale integrated and miniaturized systems,
advanced packages
5
Exemplu: tendințe în packaging pentru produsele mobile
Chip-uri foarte subțiri (d < 40µm)

Substraturi foarte subțiri (d < 10µm)
Interconectări “fine pitch” (pitch < 50µm)
Si pe Si MCM-D chip-ul este utilizat ca substrat
Si pe Poli MCM pe substrat polimeric (MCMflex)
SOP (System On Package)
6
Aspecte teoretice
• Cunoștințe teoretice de inginerie electronică Aspecte EDA
• Bazele PCB/MCM ( tehnologie, asamblare, testare etc.) • Sisteme de proiectare, kit-uri
• Sisteme și metodologii de proiectare PCB/MCM de proiectare
• Studii de caz • Simulare termică
dc
dd
hm
hd
Aspecte tehnologice
• Practică pe echipamente moderne de din
industria electronică
• Fabricaţia unor demonstratoare
7
Elemente de proiectare a circuitului imprimat (PCB/PWB)
w Mărimi PCB/PWB importante

a
dd
traseu: lățime minimă (w)
s
dc b
via: diametrul minim al pastilei (dc),
diametrul minim al găurii (dd)
bg
c
spațieri minime: traseu – traseu (s),
traseu-pastilă/via (a),
Cu solder mask
pastilă/via-pastilă/via (b)
dc
dd
supradimensionarea minimă pentru:
hm masca de lipire (c)
hd grosime strat: metal/Cu (hm),
dielectric (hd)
8
Tipuri de găuri de trecere (via), cu vizualizare în secțiune

transversală (1)
Burried Via Through Hole Via
Metal 1
Metal 2
Laminate
Metal 3
Metal 4
BGA Pad
Micro Via
Ni/Au Cu Solder Mask
9
Tipuri de găuri de trecere (via), cu vizualizare în secțiune

transversală (2)
Gaură de trecere “through-hole”
Gaură de trecere “oarbă”
Zoom
Micro-via
Gaura de trecere “oarbă” măsoară mai puțin de 150 um în diametru
pe o pastilă cu diametrul de 350 um sau mai mic
10
Elemente ale fluxului de proiectare şi

fabricaţie al modulelor/sistemelor avansate
•Alegere tehnologie •Substrat
Propunere
•Obţinere chip-uri • Ansamblu
•Metodologie proiectare • Packaging
•Modelări şi simulări
Analiză fezabilitate
electrice
Fl
Proiectare •Modelări şi simulări termice
ux
ge
• Proiectarea schematică
DFM, DFT, DFX
ne
• Proiectarea fizică (layout)
r al
• Prototip
Testare
11
Flux de proiectare de sistem
Informații
Proiectare de
sistem comportamentale
Proiectare pentru testare
Analiza proiectului
Proiectare MCM
Proiectare fizică
Testare Informații fizice

exacte
12
Flux de proiectare PCB/MCM

Evidenţierea Transfer prototip
problemei în producție
Studiu de Testare și
fezabilitate verificare
Selecţie
Prototip
chip-uri
Reproiectare Simulări
Schemă
electrice
electrică Proiectare
și termice
fizică
13
Studiu de fezabilitate
HALL1 HALL2 HALLSEN S HALLST R
o o
1. Technische Vorgaben
Specificații și
Produktbezeichnung: CPU MCM 32 bit
Abmessungen: minimiert (siehe Kap. 4)
EN
Temperaturbereich: -40 C....+100 C
Spezifikation: Hall- Stromquelle, Strom-
cereri
+24V +24V Verstärker T-Abschaltg. erfassung
Beschaltung: Version 3b (siehe Kap. 2)
+12V
IC-Bestückung: 32 bit-µC Konfiguration (siehe Kap. 3) + 2 ASICS (IMS) Netzteil IST
NE STR
Verkapselung: EMC (Electronic Molding Compound) +5V
REG1 Strom- BGR Strom-
Anschlußpins: In Line (Edge Clips oder PbSn-Balls) PID-Regler
GND GND Regler begrenzung
Anschlußpitch: 1,27 mm (optional 1,0 mm, 0,8 mm)
SOLL
Stückzahlen: 20 funktionale Prototypen NE
PWM1
OUT1
Endstufe
PWM
Disponibilitate
SOLLWERT Sollwert- REG2
PWM2 (24V, 20W)
2. Konzept zum Systemdesign Verstärker OUT2
chip-uri
Lötstoplack 3. Bauteileauswahl und -anfrage
Ni/Au
Estimare
3.1 Bauteileauswahl für Version 3b
Bauteil Stüc k Bauteil Stüc k
Cu 1 32 Bit µ C
SRAM 32 k x 8
1
1
Quarz 32 kH z
Quarz 32 MH z
1
1
Cu 2
SRAM 25 6 k x 16 1 Quarz 25 MH z 1
arie ocupată
DRA M 256 k x 16 1 Passive SMD 16
Flash 2M x 8 4
ASIC 1 1
Preprag FR4
ASIC 2 1
3.2 Bauteilanfrage
In unterer Tabelle sind die stückzahlabhängigen Preise in DM und $ für die einzelnen Dice
dargestellt. Für Variante 3b werden nur die Komponenten in den grauen Zeilen benötigt.
Bauteil - Mindest- $ DM DM $ DM $ DM
abnahme- /100 /100 /1000 /1000 /5000 /5000 /10000 /10000
Calcul
menge
µ C 32 Bit 578 22,28 40,77 21,11 38,63 19,94 36,49
16 MH z
SRAM 100 2,50 4,58 2,33 4,26 2,29 4,19 2,24 4,10
32 k x 8
SRAM 5,63 10,30
64 k x 16
căldură
SRAM - 100 40,00 73,20 0,00 0,00 0,00
256 k x 16
DRA M 1200 4,26 7,80 0,00 0,00 0,00 0,00
256 k x 16
-
FLA SH 180 4,85 8,88 4,61 8,44 4,36 7,98
256 k x 16
-
1)
FLA SH
512 k x 16
FLA SH 2 M 245 19,95 36,51 19,65 35,96 19,20 35,14
x8
Quarz 32 4,50 2,85
kH z
Verificare
Quarz 32 1,00 0,80 0,75
MHz
1) Preise sind Indikatoren
EMC
Alegere
producător Estimare
costuri totale
14
Tehnologii de fabricaţie şi asamblare

avansate
COB şi “hibridă”
MCM-L
MCM-C
MCM-D
Wire bonding, TAB, flip-chip
15
Tehnologiile COB și hibridă

COB – Chip On Board
Sunt primele forme de MCM (anii ‘70)
Sunt tehnologii mixte de asamblare
“chip/die” şi SMT
Chip-urile (“componentele
dezbrăcate”) sunt conectate prin
tehnica “wire-boding” direct la substrat
(PCB/PWB rigid sau substrat flexibil)
și protejate/acoperite with a “glob-top
encapsulant” (materiale de protecţie
rigidizabile prin radiaţie UV)
Suntfolosite, uzual, în aplicații cu
costuri/preţuri reduse și densitate
mică de componente (de exemplu:
ceasuri)
16
light light
mask/film mask/film Chemical
resist (thinn) resist (thick)
metal
dielectric
metal (plating base) Etching
resist, developed
resist, developed and
metal dielectric
dielectric
metal deposition Semiadditive

metal etching
Plating
and resist removal
resist removal
and etching
w1 w1
w2 w2
17
Tehnologia MCM-L
MCM – Multi Chip Module
L - Laminate
Ni/Au solder resist
metal 1
metal 2
preprags
core (FR4/5)
metal 3
metal 4
drilled via (burried) micro via
Structura de interconectare este

Substrat: obţinută prin corodare sau
metalizare semiaditivă iar găurile
prin burghiere
Prepreg: obţinută prin corodare sau
prin burghiere sau corodare
18
MCM-L (Laminat)
Material Sticlo-textolit (FR4)

Constantă dielectrică 2,8 - 4,5 CTE 14 ... 18 ppm/C
Caracteristici: Disipaţie termică redusă, medie
Lățime traseu / spaţiere > 20 / 50 µm
Diametru via Cost substrat redus
> 200 µm (0,2 mm)
Număr de straturi Asamblare COB, DCA
2 ... 8
19
Circuite multistrat flexibile etched via Polyimide, BCB
metal 1
metal 2
metal 3
metal 4
Polyimide
Substrat: Polimer, substrat avantajos pentru DCA

Dielectric: Poliimidă sau BCB (“benzocyclobutene ”)
obţinută prin corodare sau
generate prin laser sau corodare
20
Material Poliimidă
Constantă dielectrică 3-4
Lățime traseu / spaţiere 75 / 75 µm
Diametru via 200 µm
Număr de straturi 1 ... 4
Caracteristici:
CTE [Si] 27 ppm/C

Disipaţie termică medie
Cost substrat redus
Asamblare DCA - favorită
21
Tehnologia MCM-C
C - Ceramic
screen printed via
metal 1
metal 2
ceramic (Al O 3)
alumină 2
Depunere serigrafică sau

Al O prin şablon (“stencil
2 3
printing”) de materiale
conductoare sau dielectrice,
via-uri realizate prin printare
metal 1
Depunere serigrafică sau prin
metal 2 LTCC
metal 3
şablon (“stencil printing”) de
metal 4 LTCC: materiale conductoare, via-uri
realizate prin găurire şi apoi
filled via
umplute
22
Caracteristici:
Material Al2O3, Sticlă-Ceramică
Constantă dielectrică 6-8
Diametru via 200 µm
CTE 7,9 ... 10 ppm/C

Disipaţie termică mare
Cost substrat moderat
Asamblare COB, DCA
Modul de memorie TB-BGA48,
Sursa: FhG IZM
MCM-C (Ceramică)
23
Tehnologia MCM-D
D - Deposited
Via corodată Poliimidă, BCB
metal 1
metal 2
metal 3
metal 4
Si (oxidat), sticlă
Substrat: Si, substrat favorit pentru DCA
Poliimidă sau BCB (“benzocyclobutene ”)

Dielectric: obţinută prin depunere de metalul iar Tehnologie bazată pe depunere
găurile generate prin corodare de straturi subţiri (“thin film”)
24
Caracteristici:
Material Si, polimer

Constantă dielectrică 2,8 ... 12
Diametru via 30 µm
CTE [Si] 2,6 ppm

Disipaţie termică mare
Cost substrat moderat, mare
Asamblare DCA – favorită [Si]
MCM-D (D – obţinut prin depunere)
25
Comparaţie între tehnologiile MCM
MCM-L MCM-C MCM-D

Disponibilitate mare mare mică
Densitate
de interconectare mare mare foarte mare
Repair/rework mare mare mică
Disipaţie de putere mică medie mare
Performanță mică medie mare
Cost relativ 1 1,5-2,0 2-10
26
Migrarea spre packaging-ul 3D
Package TB-BGA48N
size 12,5 x 12,5 x 2,5 mm3

use volume 9,6 x 11,0 x 1,4 mm3
pin count 48
BGA pitch 1,27 mm
“Capac” TB-BGA Pastile din AgPd

Contacte “bump” din AuSn
Pastile din Au
Via-uri electrice interne
Straturi “frame”
Straturi MCM
Package 3D dezvoltat
pentru microsisteme
Package TB-BGA SnPb BGA
27
Exemplu: miniaturizarea unui µC pe 16 biți
MCM-C
MCM-L 12,5 x 12,5 x 7,5
24,0 x 24,0
MCM-D
23 x 11,5
Unitate de măsură: mm
µC pe 16 biți realizat prin diferite tehnologii MCM
28
Tehnologii de asamblare Wire bonding, TAB,

flip-chip
Wire Bonding (Conectare cu fir “prin aer”)
Pasul 4:
Pasul 1: Ridicare cap și
Topirea unei bile tragere a
conductorului în sus
Pasul 2:
prima contactare („ball bond“)
Pasul 3:
Realizare buclă şi
Chip a doua contactare
(wedge)
29
Wire Bonding (WB)
Ball bond Wedge bond
30
TAB
Tape Automated
Bonding – tehnologie de
asamblare prin care chip-
urile se conectează la PCB
prin ataşarea lor la o
structură metalică de
interconectare (“lead
frame”) plasată pe o folie
de poliimidă sau poliamidă.
După contactare, întreaga
structură (chip + lead
frame) este deplasată în
poziţia dorită, unde
terminalele sunt tăiate şi
lipite la PCB. Chip-ul poate
fi încapsulat ("glob
topped") cu răşină
epoxidică sau plastic.
31
Flip Chip / DCA
Direct Chip Attach

Pitch (distanţa dintre centrele pastilelor/bilelor): 200 µm
32
Operaţia “bumping“
33
Elemente de încapsulare a componentelor

electronice moderne
circuit integrat
Wire bond
“leadframe“
34
Tehnologii de încapsulare:
Surface Mount Technology

SMT / SMD
Ball Grid Array

BGA
Chip On Board
COB
Chip Size Package

CSP
35
Chip pe material polimeric (“chip on polimer”)

De exemplu: etichete, ecusoane,
structuri de securizare flexibile
(f= 13,56 MHz în cazul din figură)
Chip (Si), h = 40 µm
Bumb (bump) Ni/Au, h = 10µm
Inductor (Au) h = 10 µm
Folie polimerică, h = 5, 10 µm
100 µm
< 70 µm
36
Transpondere
Volume mari
Frecvenţe foarte mari
Utilizare ca “data logger”
Funcţionare în medii dificile
inductor Releu “Reed” SMD-uri ASIC
4,8 mm
24 mm
37
Aplicaţii de radiofrecvenţă (RF)
Module de radiofrecvenţă (RF) IC
pentru produse mobile LTCC
BGA
Telefonie mobilă: 0,9 - 1,9 GHz

Bluetooth: 2,4 GHz
Radar la distanță: 70 GHz
Modul Bluetooth
pe substrat LTCC
38
Capabilităţi de proiectare şi fabricaţie într-un centru

de cercetare
Prim contact
Vizită
Exprimare a
interesului
Studiu de
fezabilitate/
propunere
Proiectare
Volum mic
Volum mare
39
≈●≈
40

Fundamente Ale Proiectarii Modulelor Electron Ice

Încărcat de

Informații document

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Fundamente Ale Proiectarii Modulelor Electron Ice

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

ELAN – Electronic Antreprenoriat Packaging Electronic

Promovarea Culturii Antreprenoriale: Adaptabilitate, Dinamism, Iniţiativă în

Comparaţie între dimensiunilor unui modul realizat prin

Evoluţia componentelor electronice

Cu toate avantajele evidente

Glosarul reprezintă un sprijin important în studierea şi înţelegerea

Exemplu: tendințe în packaging pentru produsele mobile

Chip-uri foarte subțiri (d < 40µm)

Elemente de proiectare a circuitului imprimat (PCB/PWB)

w Mărimi PCB/PWB importante

Tipuri de găuri de trecere (via), cu vizualizare în secțiune

Ni/Au Cu Solder Mask

Tipuri de găuri de trecere (via), cu vizualizare în secțiune

Elemente ale fluxului de proiectare şi

Flux de proiectare de sistem

Testare Informații fizice

Flux de proiectare PCB/MCM

1) Preise sind Indikatoren

Tehnologii de fabricaţie şi asamblare

Tehnologiile COB și hibridă

metal deposition Semiadditive

drilled via (burried) micro via

Structura de interconectare este

Material Sticlo-textolit (FR4)

Circuite multistrat flexibile etched via Polyimide, BCB

Substrat: Polimer, substrat avantajos pentru DCA

CTE [Si] 27 ppm/C

Depunere serigrafică sau

CTE 7,9 ... 10 ppm/C

Substrat: Si, substrat favorit pentru DCA

Poliimidă sau BCB (“benzocyclobutene ”)

Material Si, polimer

CTE [Si] 2,6 ppm

Comparaţie între tehnologiile MCM

MCM-L MCM-C MCM-D

Cost relativ 1 1,5-2,0 2-10

Migrarea spre packaging-ul 3D

size 12,5 x 12,5 x 2,5 mm3

“Capac” TB-BGA Pastile din AgPd

Exemplu: miniaturizarea unui µC pe 16 biți

µC pe 16 biți realizat prin diferite tehnologii MCM

Tehnologii de asamblare Wire bonding, TAB,

Wire Bonding (WB)

Ball bond Wedge bond

Flip Chip / DCA

Direct Chip Attach

Elemente de încapsulare a componentelor

Surface Mount Technology

Ball Grid Array

Chip Size Package

Chip pe material polimeric (“chip on polimer”)

Bumb (bump) Ni/Au, h = 10µm

inductor Releu “Reed” SMD-uri ASIC

Aplicaţii de radiofrecvenţă (RF)

Module de radiofrecvenţă (RF) IC

pentru produse mobile LTCC

 Telefonie mobilă: 0,9 - 1,9 GHz

Capabilităţi de proiectare şi fabricaţie într-un centru

S-ar putea să vă placă și

Telefonie mobilă: 0,9 - 1,9 GHz