Roxana Elena Ciochină

431G 06.05.2011

Convertorul tensiune frecventa

cu astabil simetric cu reactie capacitiva
intre emitoare

1. Notiuni teoretice

Circuitul studiat in aceasta lucrare este un circuit astabil simetric cu reactie

capacitiva, care poate fi vizualizat in figura 1.

Acest circuit simetric este de fapt un amplificator diferential cu tranzistoarele Q1,

Q2 si circuitele de decalare a nivelului Q3, R5, R6 si Q4, R10, R11. Asupra acestui
circuit se inchide o bucla de reactie pozitiva prin conexiunile incrucisate colector-baza de
la C1 la B2 si respectiv C2 la B1 si prin condensatorul C conectat intre E1 si E2. Ultima
conexiune este efectiva doar pentru variatii rapide ale tensiunii pe condensator si
inexistenta pentru variatii lente [iC=C(dVcond)/dt)].
 Pe durata regimului tranzitoriu rapid, reacţia este pozitivă, după cum se poate
verifica urmărind transmiterea unei perturbaţii negative aplicate la emitorul lui Q1. Prin
deschiderea acestui tranzistor se produce o variaţie spre (-) in colectorul C1 şi simultan o
variaţie spre (+) in colectorul C2. Aceste variaţii se transmit cu semnul (-) prin Q4, R10,
R11, Q2 la emitorul lui Q1 întărind perturbaţia iniţială , şi cu semnul (+) prin Q3, R5, R6 la
baza lui Q1, determinând deschiderea mai rapidă a lui Q1.
În figura de mai sus, se consideră momentul imediat consecutiv unei perturbaţii
de tensiune negativă (săgeţile negre) la baza lui Q2 . Circuitul evoluează pînă la tăierea lui
Q1 şi deschiderea la curentul maxim posibil a lui Q2, care va susţine la emitor un curent
de mărime 2I (momentul t0 în figura 1).
Tensiunea la emitorul tranzistorului Q1, în momentul iniţial, este mai mare în
bază, deoarece acesta tocmai a efectuat un salt de la valoarea metastabilă anterioară (V EH)
la VEH + (VEH – VEL) adică un salt pozitiv de tensiune VEH – VEL şi ca urmare tranzistorul
Q1 se menţine blocat câtă vreme tensiunea la emitorul lui Q1 nu coboară la VEL.

2. Desfasurarea lucrarii

a. S-a ridicat caracteristica de transfer a convertoarelor V-I tinand cont de urmatoarele

specificatii:

- tensiunea de intrare este VR măsurabilă cu multimetrul comutat pe V(mV) DC şi

reglabilă în domeniul 0~10 V din potenţiometrul elicoidal;
- curentul se masoară tot cu multimetrul (comutat pe mA DC) prin efectuarea
conexiunilor spre colectoarele tranzistoarelor Q5 sau Q6;
- colectorul tranzistorului care nu se masoară, se conectează la masă pentru a nu
afecta funcţionarea generatoarelor de curent;

Rezultatele obţinute s-au trecut intr-un tabel de forma :

VR (V) 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10

IC5 (mA) 0.02 0.04 0.1 0.2 0.403 1.02 1.86
IC6 (mA) 0.019 0.039 0.097 0.192 0.387 0.95 1.74
IC5 + IC6 0.039 0.079 0.197 0.392 0.79 1.97 3.6
IC5 – IC6 0.001 0.001 0.003 0.008 0.016 0.07 0.12
Ic5 − Ic6
Ic5 + Ic6 0.026 0.013 0.015 0.020 0.020 0.036 0.033

S-a realizat reprezentarea grafica a dependentelor (IC5 + IC6)=f(VR ), (IC5 – IC6) =

Ic5 − Ic6
f(VR ), ( )= f(VR ) :
Ic5 + Ic6
 Caracteristica de transfer

12

10

8
Caracteristica de
6
transfer
4
2

0
VR
(V)
Tensiunea de intrare

0.14

0.12

0.1

0.08
Ic5-Ic6

Series1
0.06

0.04

0.02

0
Vr (V)
Vr (V)

0.040

0.035

0.030
(Ic5-Ic6)/(Ic5+Ic6)

0.025

0.020 Series1

0.015

0.010

0.005

0.000
Vr (V)
b. S-a ridicat caracteristica de transfer f-V ;
- s-au vizualizat formele de undă la E1, E2, C1 , C2;
- s-a modificat tensiunea aplicată la intrarea convertorului VR măsurată cu
multimetrul şi s-a masurat semiperioada pe palierul pozitiv T/2(+) sau negativ
T/2(-).

In conexiunea 6-9, respectiv, pentru condensatorul C = 1μF, formele de unda

corespunzatoare la E1, E2 sunt :

Unde CH1 forma de unda corespunzatoare lui E1 iar CH2 este forma de unda
corespunzatoare lui E2.
 In figura de mai sunt sunt reprezentate Ch1=Ic1 iar Ch2=Ic2, observandu-se ca cele 2
amplitudini sunt egale.

S-a facut tabelul corespunzator valorii C = 1μF :

VR (V) 0.03 0.09 0.3 0.9 3 9

f [Hz] - 3.9 6.4 17.2 56 164

T/2(+) [ms] - 124 77.6 28.4 8.81 3.3

-
zgomot
T/2(-) [ms] mare 127.4 78.2 28.7 8.9 3.1

T/2(+) – T/2(-) - -3.4 -0.6 -0.3 -0.09 0.2

T/2(+) + T/2(-) - 251.4 155.8 57.1 17.71 6.4

Caracteristica f=f(Vr)

10
9
8
7
6
5 Frecventa
4
3
2
1
0
Vr (V)

In conexiunea 8-9, respectiv pentru valoarea condensatorului de C = 10nF, s-au

obtinut urmatoarele forme de unda corespunzatoare lui E1, E2, C1 si C2.
Pentru figura de mai sus, CH1=Ic1, iar CH2=Ic2.
Pentru figura de mai sus figurile corespunzatoare formelor de unda IE1=CH1 si
IE2=CH2.

S-a facut tabelul corespunzator valorii C = 10μF :

VR (V) 0.03 0.09 0.3 0.9 3 9

f [Hz] 361 415 9.32 1700 5700 10800

T/2(+) [ms] 1642 1200 0.6 0.283 0.087 16.6

T/2(-) [ms] 1651 1212 0.59 0.292 0.087 0.019

T/2(+) – T/2(-) -9 -12 0.01 -0.009 0 16.581

T/2(+) + T/2(-) 3293 2412 1.19 0.575 0.174 16.619

Caracteristica f=f(Vr)

10
9
8
7
6
5 Frecventa
4
3
2
1
0
Vr (V)

Intrucat pentru condensatorul de valoare C = 100pF corespunzator conexiunii 9-13

nu s-au putut efectua masuratori, mai jos se pot vedea formele de unda obtinute
corespunzatoare lui CH1=Ic1, CH2=Ic2: