Sunteți pe pagina 1din 4

AMPLIFICATOR DE TENSIUNE

- exemplu de proiectare -
Presupunem ca se doreste obtinerea unui amplificator cu urmatoarele caracteristici
♦ Semnal de intrare, ui in gama: ±120 mV;
♦ Sarcina la iesire, RL: 1 Ω;
♦ Rezistenta de intrare, ri: >1MΩ;
♦ Rezistenta de iesire, ro: <0.1Ω
♦ Amplificare, av: 20

1. Proiectarea amplificatorului

O implementare posibila (cu dispozitive discrete) a amplificatorului este prezentata in Fig.


1. Acest circuit are o retea de reactie negativa Serie-Paralel, amplificare mare in bucla deschisa,
impedanta de intrare >5MΩ, impedanta de iesire foarte mica.

Fig. 1 - Schema electrica a amplificatorului

1.2. Detalii de proiectare

Tranzistoarele din etajul diferential de intrare Q1,2 vor functiona in mod simetric la un
curent mai mic decat IDSS / 2 (Q1, Q2, Q3 se aleg de tip BF256 cu parametri de catalog
IDSS=6…10mA, VT = -1…-3V, VDSmax = 30V) pentru a putea permite maximum excursiei asimetrice
in curent intre tranzistoare.
Suma curentilor de drena ai Q1,2 este:

1
I D1 + I D 2 = I D 3 (1)

Curentul ID3 este dat de ecuatiiile:

−VGS 3
I D3 = (2)
R7
2
 V 
si I D3 = I DSS 3  1 − GS 3  (3)
 VT 
Presupunind pentru parametri IDSS, VT valorile tipice: IDSS = 8mA respectiv VT = -2V rezulta ID3 =
2mA. In cazurile cele mai defavorabile avem:
(IDSS=6mA, VT=-3V) ⇒ ID3 ≈ 1.6mA
(IDSS=10mA, VT=-1V) ⇒ ID3 ≈ 2.8mA
deci intotdeuna tranzistoarele de intrare Q1,2 vor functiona la un curent static de drena mai mic
decat IDSS /2.
Curentul prin Q1 este dat de relatia:

VBE 4
I D1 = (4)
R2
Alegem Q4 de tip BC 177 (pnp de mica putere) la care, conform curbelor de catalog, VBE =
0.5…0.7V pentu IC = 10mA (la t = 25°C). Tinanad sema de toleranta lui R2 (5%)
putem determina:
ID1min=0.8mA; ID1max=1.2mA
Intotdeauna avem un curent diferit de 0 prin Q2.
Curentul prin Q4 ≈ IDSS5 (BF256, IDSS5= 6…10mA)
Compensarea functionarii nesimetrice a Q1, Q2 se va face prin R1. Alegem R1=1KΩ (20%)
deoarece in cel mai defavorabil caz (R1min, ID3min) se poate compensa o tensiune de 1.12V (mai
mare decat diferenta (VGS1- VGS2)max=0.8V.
Dioda D asigura functionarea Q1, Q2 la aproximativ aceeasi tensiune VDS.
Curentul static prin Q6, Q7 va fi ales suficient de mare astfel incat sa avem un β stabil pentru
tranzistoare iar curentul de baza al tranzistoarelor finale sa fie neglijabiliar in raport cu acesta.
Ciruitul “superdioda” format din Q8, R6, R4 are rolul compensarii neliniaritatilor la comutarea
de pe untranzistor final pe celalalt, si al fixarii curentului de mers in gol pentru etajul final.
Tensiunea VCE8 este data de formula:

R4 + R6
VCE 8 = VBE 8
R6'

Unde R 6 este rezstenta din bratul lui R6 de langa R4, plus R4. Alegem Q8 de tipul BC107 (npn de
mica putere) la care, conform curbelor de catalog, VBE = 0.5…0.7V pentu IC = 10mA (la t = 25°C).

2
Tinand sema de tolerantele componentelor VCE8 ser poate regla in intervalul 0.5- 4.8. Q8 se va
monta pe acelasi radiator cu tranzistoarele finale pentru ca superdioda sa copieze driftul termic
al acestora si curentul de mers in gol al \etajului final sa nu se modifice.
Etajul final in clasa AB. Tranzitorul final NPN este un Darlington (Q11, Q12) si va suporta in
cel mai defavorabil caz 2.4A sau o tensiune CE de circa 14V. Alegem Q11 BC107 (β>100,
VCBO=25V, ICmax=100mA) si Q12 BD433 (Pmax=36W, VCBO=22V, ICmax=4A, 85<β<150). Tranzistorul
echivalent are β>8500 deci la curentul maxim Ib<0.2mA, deci neglijabil in raport cu IC6.
Tranzistoarele au ambele tensiuni de strapungere superioare celor ce pot aparea in montaj deci
problema strapungerii nu se pune. Curentul maxim suportat de Q11 este 28mA < ICmax. Puterea
disipata de tranzistorul echivalent este aproape in intregime localizata la nivelul Q12 si in cel mai
defavorabil caz este circa ½ din puterea in sarcina (5.6W) si in concluzie acest tranzistor nu se
poate distruge.
Tranzitorul final PNP este o configuratie Super G (Q13, Q14) si va suporta in cel mai defavorabil
caz 2.4A sau o tensiune CE de circa 14V. . Alegem Q13 BC177 (β>100, VCBO=25V, ICmax=100mA)
si Q14 BD434 (Pmax=36W, VCBO=22V, ICmax=4A, 85<β<150). Tranzistorul echivalent are β>8500
deci la curentul maxim Ib<0.2mA, deci neglijabil in raport cu IC6. Se vor face restul verificarilor
identic ca pentru celalat tranzistor.
Rezistentele R13, R14 (1K) se aleg ai. Sa forteze curent prin tranzistoarele de mica putere
si atunci cand curentul prin tranzistorul echivalent este mic (pentru a evita scaderea lui β odata
cu cresterea sarcinii). In acelasi timp ele evita amplificarea curentilor reziduli ai Q13, Q11 prin finalii
de putere. Tinana sema de tolerantele tensiunii VBE si ale rezistentelor R13, R14 (+/-20%) rezulta
curentii minimi pentru perioadele de conductie de la care se dechid finalii de putere si anume
0.5V/1.2K=0.4mA.
Circuitul de protectie pentru tranzistorul final NPN va limita curentul de baza al acestuia la
depasirea limitei de 2.5A. Pentru sistemul de protectie (cu limitare) ales este necesar ca in caz
de suprasarcina pe R11 sa cada o tensiune mai mare de 0.8V necesara deschiderii lui Q9 (uzual
un NPN de mica putere). Alegem Q9 BC107 la care, conform curbelor de catalog, VBEon =
0.5…0.7V. Pentru siguranta deschiderii lui Q9 alegem R11 0.68Ω (20%). La o suprasarcina de
2.5A la bornele ei vor apare in cel mai defavorabil caz 1.3V. Aceasta tensiune va fi preluata de
divizorul rezistiv R9 care se va calibra in functie de parametrii concreti ai Q9.
In mod identic rezulta sistemul de protectie al PNP final.
Curentul de mers in gol al etajului se regeleaza din tensiune VCE8, deoarece VCE8= VBE11+
VBE12+(R11+R12) Igol+VEB13. Acest curent (Igol) se alege la circa 1/20 din curentul maxim (in acest
caz aproximativ 0.12A). Rezulta ca vaem nevoie in cel mai defavorabil caz (toate VBE sunt
maxime iar toleranta rezistentelor este +20%) de o tensiune de circa 4.8V, tensiune ce se poate
obtine din reglajul R6.

3
Amplificarea in bucla inchisa a etajului este data de formula A=(R1+R8)/R1. In

dimensionarea acestor rezistente se va tine seama ca R1≅R 1R8.
In final se va determina prin calcul pe valorile medii din schema functionarea in RAN a
tuturor componentelor active (la etajul final pot apare situatii deblocare (clasa B de functionare)).
Se va studia circuitul in regim dinamic pentru functionarea pe una din alternantele tensiunii de
intrare (se va lua in calcul numi unul din finali, celalalt este blocat). Pe schema de regim dinamic
se va determina a (obligatoriu >10.000),A, RI, R0. Valorile obtinute vor satisface obligatoriu
datele de proiectare

OBS.
Stabilizatoarele de tensiune ce vor alimenta montajul vor ingloba circuitul specializat
BA723 cu tranzistoare regulatoare externe (se poate folosi schema din fig.3 pag83 a catalogului
de circuite integrate analogice produs de IPRS). Sursele pozitiva si negativa de tensiune vor fi
dimensionate pentru un curent maxim de 3A.

CONTINUTUL MINIM AL PROIECTULUI

1. Schema bloc a circuitului.


2. Schema electrica de detaliu si calculele de dimensionare pentru fiecare din blocurile
componente ale schemei.
• Se vor prezenta schemele electrice (cu elementele numerotate si valorile sau tipul
componentelor). Pentru fiecare componenta va fi justificata alegerea valorii (sau tipului) pe
baza relatiilor de dimensionare disponibile.
• Componentele pasive vor avea valori STANDARD (se va preciza si tipul constructiv al
componentei - de exemplu, pentru rezistoare, RBC, RPM, etc.). Dispozitivele
semiconductoare vor fi de catalog.
• Pentru TOATE componentele se demonstreaza prin calcul functionarea sigura (nedistructiva).
De exemplu, pentru orice tranzistor bipolar se va arata ca nu se depasesc valorile maxime
admisibile: ICMAX, VCEMAX, PdMAX, etc. .
• De asemenea se va demonstra prin calcul atingerea parametrilor functionali impusi in tema de
proiectare.

OPTIONAL (…dar recomandat)


3. Simularile PSPICE (fisierele .CIR, forme de unda, puncte statice de functionare, etc.)