RECOMBINAREA RADIATIVA IN FIR

CUANTIC CU SECTIUNE PATRATA

Aevoae Horia
Gr. 1343
 CUPRINS

RECOMBINAREA RADIATIVA

FIRUL CUANTIC

FIRUL CILINDRIC

Recombinarea radiativa

Procesul care determina emisia optica, este replica procesului

prin care se absoarbe radiatia electromagnetica. Sub influenta
câmpului sau curentului electric, electronii ocupa nivele energetice si
revin pe nivele inferioare printr-un proces de recombinare.
Mecanismele de recombinare radiativa a purtatorilor de sarcina în
exces, sunt realizate prin excitatie intrinseca, care consta în
ionizarea prin ciocnire a impuritatilor în prezenta unui câmp electric
intens (E>10MV/m), prin excitatie datorata injectiei de curent electric,
sau prin multiplicare în avalansa, prin excitatie optica, sau prin efect
tunel.
Dupa durata proceselor de recombinare, emisia optica se
numeste fluorescenta, (pentru durate cuprinse între: 10 -5 ¸10 -8 s) sau
fosforescenta (pentru durate cuprinse între: 1¸10 4 s).
Mecanismele de recombinare sunt de mai multe tipuri
Recombinarea directa are loc atunci când electronul trece din
banda de conductie în banda de valenta, cu eliberare de energie
radiativa (cu emisia unui foton), sau neradiativa, când energia
electronului este cedata retelei cristaline, (care absoarbe un fonon).
Recombinarea indirecta are loc prin intermediul unor nivele
energetice plasate în banda interzisa, în procesul de recombinare
fiind implicati si fononii care caracterizeaza starile vibrationale ale
retelei cristaline. Recombinarea indirecta, prin care electronul de
conductie ocupa într-o prima etapa un nivel local, iar ulterior trece în
banda de valenta, are un caracter predominant neradiativ.
Recombinarea prin alipire este caracteristica semiconductorilor
extrinseci de tip „p“ (pentru care, impuritatile sunt ionizate la
temperatura ambianta), si consta în captarea unui electron de
conductie de catre un ion acceptor.
(a) Mecanisme de recombinare directa, indirecta si prin alipire, pentru un material
izotrop
(b) configuratia suprafetelor echienergetice în functie de numarul de stari n
(E), (sau numarul de unda k), pentru un semiconductor care prezinta inversie de
populatie
(c) Tranzitie spontana
(d) si stimulata prin intermediul unui foton a electronului, cu emisie stimulata a
fotonilor, care sunt în faza si au aceeasi frecventa
(e). Jonctiune „pn” nepolarizata – la echilibru
(f) si polarizata direct – la neechilibru
 Procesele de recombinare radiativa pot avea un caracter
spontan, corespunzator unei stari de echilibru termic sau stimulat,
corespunzator unei stari de dezechilibru provocat. Recombinarea
spontana genereaza fotoni cu directii, frecvente si faze aleatoare,
emisia fiind incoerenta, iar recombinarea stimulata genereaza fotoni
cu aceeasi frecventa si aceeasi directie, emisia fiind coerenta.
La emisia stimulata, se genereaza un foton care are aceeasi
frecventa, directie de propagare si faza ca si fotonul stimulator
Atunci când mai multi electroni se afla în starea de excitatie E 2 ,
decât în starea fundamentala E 1 , iar tranzitia este determinata prin
intermediul unui foton, sistemul prezinta inversie de populatie. În
prezenta unui câmp de radiatie cu: hn = E 2 – E 1 emisia stimulata va
depasi absorbtia fotonilor si mai multi fotoni cu energie hn vor depasi
sistemul, în comparatie cu numarul de fotoni care intra în sistem.
Acest proces se numeste amplificare cuantica.
Pentru ca materialul semiconductor sa constituie o sursa optica,
este necesar ca emisia radiativa prin recombinare stimulata sa fie
mai pronuntata decât absorbtia luminoasa, ceea ce se poate realiza
printr-o inversiune de populatie
Inversiunea de populatie consta în ocuparea cu electroni a
nivelelor inferioare ale benzii de conductie pâna la pseudonivelul
Fermi E Fn si eliberarea nivelelor superioare ale benzii de valenta
pâna la pseudonivelul Fermi E Fp . Astfel toate nivelele sau starile
energetice implicate în tranzitiile emisive nu mai sunt disponibile
pentru tranzitiile de absorbtie, energia implicata în procesul de
absorbtie fiind superioara energiei furnizate în procesul de emisie.
Pseudonivelele Fermi E Fn si E Fp înlocuiesc nivelele Fermi E F , în
conditiile de dezechilibru al cristalului.
Sursele semiconductoare de fotoni coerenti, pot fi obtinuti prin
mai multe procedee: prin “pompaj” optic cu o sursa optica, prin
radiatie “b” de electroni sau prin intermediul unei jonctiuni “pn”
puternic dopate, parcursa de un curent. În general, prin dopari
puternice se creaza semiconductori de tip “p” si “n” degenerati,
cvasi-nivelele Fermi fiind plasate în exteriorul limitelor E c , E v ale
benzii interzise .La echilibru, cvasi-nivelele Fermi sunt aliniate . La
polarizare directa a jonctiunii “pn”, cvasi-nivelele Fermi se
distanteaza – în raport direct, cu valoarea tensiunii directe aplicate.
Sub influenta tensiunii de polarizare directa, golurile se vor
deplasa în regiunea “n” iar electronii – în regiunea “p”. Astfel,
electronii si golurile vor fi spatial coincidente si are loc recombinarea
radiativa a lor pe distanta “d”. Întrucât electronii sunt mult mai mobili
decât golurile, adâncimea “d” a regiunii active, este în principal
determinata de mobilitatea electronilor si este de acelasi ordin de
marime cu lungimea de unda a modulului electromagnetic care este
amplificat (vezi dioda LASER). Densitatea curentului prin jonctiune,
pentru care apare inversia de populatie si emisia stimulata a
radiatiei, este de ordinul zecilor de mii de amperi pe cm 2 pentru
jonctiuni simple si de ordinul sutelor de amperi pe cm 2 pentru
heterojonctiuni duble [Das]
Firul cuantic

Pentru firul cuantic, presupunând localizarea bidimensională într-un

dreptunghi de laturi Lx , Ly , putem scrie
ψ ( x , y , z ) = exp [ ik z z ] χ ( x , y ) (30)
E
Stările staţionare np în firul cuantic se obţin rezolvând ecuaţia lui Schrödinger:
 2  ∂ 2 ∂ 2 
− + χ ( x, y ) + V ( x, y ) χ ( x, y ) = Epq χ ( x, y ) (31)
2m *  ∂ x 2 ∂ y 2 
unde
[ ]
 0 , x ∈ [ 0,Lx ] ; y ∈ 0 L,y
V ( x, y) =  (32)
 V0 , x < 0 ; s ix > Lx ; y < 0 s iy > Ly
În aproximaţia barierelor de potenţial de înălţime infinită:
 2π 2  p 2 q 2 
Epq = + (33)
2m *  L2x L2y 
 
iar energia totală este:
2π 2  p 2 q 2   2 k z2
E = E ( p,q,k z ) = Ec + + + = Ec + Epq + E1D ( k z ) (34)
2m *  L2x L2y  2m*
 
 2π
În spaţiul k , pe axa Oz lungimea per stare este egală cu Lz , iar numarul
stărilor cu k z între k z şi k z + dk z este
dk z
dN = 2 Lz (35)
2π
Utilizând ecuaţia (34), avem
2
k z dkz = dE (36)
m*
unde k z este dat de relaţia:

kz = 2 E1 D= 2 ( E − Ec − En p)
2m * 2m *
(37)
 
Prin urmare, în unitatea de volum numărul de stări electronice în subbanda (np),
având cu k z între k z şi k z + dk z este egal cu
 1 2m * 1 1
dnpq ( E ) = dE (38)
π Lx Ly  2 2 E − Ec − Epq
dnpq ( E ) 1
2m * 1 1
g 1pq
D
( E) = d pq = d pq (39)
dE π Lx Ly  2 2 E − Ec − Epq
Densitatea totală de stări se obţine sumând peste contribuţia subbenzilor:
1 m* 1
g1D ( E ) = ∑ (40)
π Lx Ly 2 2 p,q E − Ec − Epq
şi este reprezentată în figura 6.

Fig.6
Se observă că densitatea de stări creşte brusc, având o singularitate pentru
E = E pq + Ec .
 Fir cilindric GaAs

 0, ρ < R
V ( ρ) = 
∞, ρ > R

( ρ,ϕ, z )

dV = ρ ⋅ dρ ⋅ dϕ ⋅ dz

 J l (kρ ) = f u n cBt iei s s fe el r i c e


 J l (k R) = 0 l = 0,1,2
Primele trei nivele rezulta din
primele trei zerouri de la functiile
Bessel : E10 , E 20 , E30 .

Solutia finita in origine este J m ( kρ)

2m * E
, unde k= . Pe frontiera domeniului J m ( kR ) = 0 .
2
Functiile J0 – functii oscilante
 ⋅k2
4,19 = kR ⇒ E =
2m *

Numai pentru starea fundamentala calculam energia unei impuritati

introdusa pe axa firului.
−e2 1
H imp =
4π ε0ε r
⋅
r
unde ε r ≅ 12

Cu teoria perturbatiilor se calculeaza energia impuritatii.

  −e2  
 1 
 ⋅ Ψ ⋅ ρ ⋅ dρ ⋅ dϕ ⋅ dz
∆E imp = ∫ Ψ1 ( ρ) ⋅ 
 4π ε ε 
⋅
   ρ + z2
2  1
0 r 
−e2 1
= ∫ ∫Ψ ( ρ) ⋅ ⋅ 2 ⋅ π ⋅ ρ ⋅ dρ ⋅ dz
2

4π ε0ε r
1
ρ + z2
2

Eimp = E0 + ∆E imp
Eionizare = E0 − Eimp