MOSFET de enriquecimiento.

Introduccin
La presente investigacin se refiere al tema de MOSFET de enriquecimiento, antes de comenzar a hablar de este tipo de transistor FET (Transistor Efecto de campo), iniciaremos por dar conceptos bsicos para su mayor comprensin, para despus proceder a hablar del MOSFET de enriquecimiento, hablar de su operacin, polarizacin y dar unos ejemplos de cada uno de ellos. Como sabemos o si bien no sabemos los transistores FET son dispositivos unipolares controlados por tensin. Estos se dividen en dos tipos; por una parte est el JFET que es un transistor de efecto de campo de unin y por otro lado est el MOSFET que es un transistor efecto de campo metal-xido-semiconductor. Nosotros hablaremos de este ltimo. El MOSFET no forma por una unin semiconductora entre el canal y puerta, sino mas bien la puerta est separada del canal mediante una capa de SiO2 que es un metal-xido .semiconductor, el xido funciona como un aislante. Los MOSFET generalmente son tratados para tratar seales de muy baja potencia. En otras palabras el MOSFET de potencia es un componente que es controlado por voltaje que a su entrada solo necesita de una pequea corriente. Entre las caractersticas que presenta son que tiene una velocidad de conmutacin muy alta en el orden de nanosegundos. Los problemas que presenta son de descarga electrosttica, debido a esto requiere manejo de cuidadoso. Existen dos tipos de MOSFET: El primero de ellos es el MOSFET de agotamiento, y el segundo es el MOSFET de enriquecimiento. Despus de haber explicado todos los conceptos bsicos daremos una breve introduccin de las caractersticas del segundo MOSFET. El MOSFET de enriquecimiento tiene dos tipos el de canal P y el de canal N, ambos tienen tres terminales de conexin las cuales son: puerta, fuente y drenador como se muestra en la siguiente figura.

Figura1. a) Canal N b) Canal P

Drenaje y fuente: Son los terminales que estn unidos a la pastilla de semiconductor ya sea canal N o canal P. Los portadores mayoritarios salen por el drenaje y entran por la fuente. Se denominan por las letras D y S respectivamente. La conduccin entre estos dos terminales se comporta como la de una resistencia cuyo valor est controlado por la tensin de puerta. Puerta: Se comporta como un diodo polarizado en inverso, por lo tanto presenta una alta resistencia de entrada y casi no circula corriente por ella. Si estn las dos unidas interiormente y se tiene accesible un solo terminal, se tiene un FET de una puerta, y si estn separadas, un transistor FET de dos puertas. La puerta se representa por la letra G que en ingls significa gate.

Figura2. Canal N

Figura3.Canal P

Cuando la tensin es cero esta en corte, la tensin de umbral es la puerta que lo hace conducir. El dispositivo tiene dos funciones como fuente de corriente o como resistencia. A continuacin se muestran se presentan las curvas de salida y transferencia. La entrada de control es VGS.

Figura4. Curvas de salida.

Figura5. Curva de transferencia.

MOSFET de enriquecimiento Canal N. No tiene calan fsico. Cuando VGS es positivo el voltaje inducido atraer los electrones del substrato P para despus acumularlos en la superficie debajo de la capa de xido. As cuando VGS es mayor o igual a voltaje de umbral (VT) se recolectar gran nmero de electrones suficiente para crear un canal virtual N por lo que la corriente fluir del drenaje a la fuente.

Figura6. Canal N.

MOSFET de enriquecimiento Canal P. A diferencia del canal N, las polaridades de VDS, IDS y VGS son invertidos.

Figura8. Canal P.

Justificacin
La finalidad de realizar esta investigacin es debido a que es importante conocer las caractersticas y funciones bsicas de los transistores, as como los son su operacin, polarizacin y anlisis a seal pequea. El MOSFET de enriquecimiento ha revolucionado la industria electrnica y nosotros como ISDRS debemos saber que tienen una gran importancia en la electrnica digital, adems de en el rea de los ordenadores o computadoras. Ahora bien los componentes pequeos o discretos como los MOSFET de enriquecimiento se emplean en etapas de entrada de amplificadores operacionales debido a que tienen alta impedancia de entrada, linealidad y constan de bajo ruido. Debido esto los componentes de potencia se usan para sustituir transistores convencionales en las etapas de potencia debido a que estos son mucho ms rpidos, slidos no tienen embala miento trmico. Por lo regular se emplean en conmutacin de potencia, esto es debido a sus bajas resistencias internas de conduccin.

Algunas de sus principales ventajas son usadas de la siguiente forma: y y y y y y Impedancias de entrada alta y de salida baja. Son regularmente usadas como adaptador de impedancias, buffer aislador o separador. Bajo ruido. Son normalmente usadas en sintonizadores de FM y equipos para comunicaciones. Baja capacidad de entrada. Es usado como instrumentos de medicin y equipos de prueba. Control de voltaje. Es utilizado como amplificadores operacionales, rganos electrnicos, controlas de tono. Capacidad pequea de acoplamiento. Es utilizado en audfonos para la sordera, y transductores inductivos Pequeo tamao. Esto es una ventaja en computadoras, memorias, e integracin a escala.

Esta investigacin tiene varios propsitos, por una parte, est dirigida al incremento del conocimiento en la electrnica referente al tema de transistores MOSFET y por otra la aplicacin de conocimientos e integracin terica en problemas. Por estas razones es importante que aprendamos de este tema, a dems de que ser parte esencial en nuestras carreras.

Bibliografa
El MOSFET de enriquecimiento. (12 de diciembre de 2009). Recuperado el 9 de Mayo de 2011, de Scribd: http://es.scribd.com/doc/23448447/73/%E2%88%92-El-MOSFET-deenriquecimiento#page=47 Martnez R., J. (2007). En Sistemas elctricos y electrnicos de las aeronaves (pg. 970). Madrid, Espaa: Paraninfo, S.A. MOSFET. (s.f.). Recuperado el 9 de mayo de 2011, de Universidad de Guadalajara: http://proton.ucting.udg.mx/temas/circuitos/hermosillo/pagi3.html MOSFET de enriquecimiento [imagen]. (s.f.). Recuperado de http://www.dte.us.es/tec_ind/elecbasi/Problemas/mos.pdf.