Capitolul 4

SURSE OPTICE I FOTODETECTORI

4.1. CLASIFICAREA I FUNCIONAREA SURSELOR
OPTICE
n sistemele cu fibre optice, se pot utiliza, teoretic, toate tipurile de surse optice cunoscute. Un
criteriu de clasificare util, care ofer conexiuni funcionale directe cu tipurile de fibr optic la care se
cupleaz sursele, l reprezint criteriul lrgimii spectrului optic de emisie. Stadiul actual al tehnologiei
ofer surse cu urmtoarele spectre de emisie:
surse cu spectru continuu de band larg (lmpi cu xenon, mercur, tungsten etc.);
surse cu spectru continuu de band ngust (diode electroluminescente - LED,
diode superluminescente - SLD);
surse cu spectru discontinuu (diode laser cu emisie multimodal - LD);
surse monomodale (diode laser monomodale, laseri de calitate).


4.1.1. Surse optice cu spectru de band larg
Sursele cu spectru continuu de band larg, cuprinznd diferite tipuri de lmpi, au o
aplicabilitate redus n cazul senzorilor cu fibre optice. Dei n ultimul timp s-au dezvoltat lmpi
miniaturale destinate sistemelor cu fibre optice, acestea au nc numeroase dezavantaje n comparaie
cu sursele optoelectronice (LED, SLD, LD): tensiune de alimentare ridicat (pn la 1000V c.c.),
randament de cuplare a radiaiei optice la fibr redus, fragilitate, timp de via redus. Principalele
aplicaii n care se folosesc astfel de surse sunt: fotometria, radiometria, spectroradiometria,
cromatografia, endoscopia, colorimetria, aplicaiile n ultraviolet. Pentru aceste aplicaii, se utilizeaz
fibre optice din sticl i cuar (fibre simple cu diametrul miezului mai mare de 200 m) sau cabluri cu
fibre optice (mnunchiuri coerente i necoerente).

4.1.2. Diode electroluminescente i diode laser
Sursele cu spectru continuu de band ngust, respectiv diodele electroluminescente i
superluminescente (fig. 4.1.a) au o utilizare extrem de rspndit n sistemele cu fibre optice. Acestea
au o serie de avantaje: au dimensiuni reduse, sunt foarte robuste i fiabile, au timp de via ridicat,
fluxul optic este uor de modulat i funcioneaz la tensiuni reduse. Diodele electroluminescente sunt
dispozitive comandate n curent, puterea optic emis fiind proporional cu valoarea curentului direct.
Blocurile electrooptice cu LED-uri se remarc prin scheme electrice de alimentare i comand simple,
consum redus i pre de cost mic.
Diodele electroluminescente funcioneaz pe baza emisiei spontane. Dac densitatea de
fotoni emii spontan este suficient de mare n zona de recombinare, au loc simultan att emisia
spontan, ct i o emisie stimulat de fotoni. Emisia stimulat este procesul de emisie, de ctre un
atom excitat, a unui foton de lumin cu aceeai faz i aceeai lungime de und ca ale radiaiei optice
externe pompate n atom. Emisia stimulat n semiconductori st la baza funcionrii diodelor laser
(fig. 4.1.b). Dezvoltrile tehnologice ale acestor dispozitive au urmrit reducerea consumului electric,
creterea puterii optice emise i diversificarea gamei de culori disponibile. LED-urile folosite n
sistemele cu fibre optice funcioneaz la cureni de pn la 100 mA. Valoarea puterii optice emise a
cunoscut creteri spectaculoase, situndu-se, n prezent, n domeniul miilor de mcd (LED-urile ultra-
bright). Puterea optic depinde de natura structurii semiconductoare i este diferit pentru diversele
culori disponibile. De exemplu, n 1997, firma Hewlett-Packard a lansat pe pia LED-ul HLMT-
CH00, cu intensitatea luminoas de 9000 mcd i lungimea de und central de 592 nm (portocaliu).
1
S
Y
S
T
O
O
L
S

D
E
M
O
8|ank age has been |ntent|ona||y |nserted
here.
http://www.systoo|sgroup.com/

realizarea unei geometrii speciale a structurii semiconductoare sau prin folosirea unor elemente optice
de focalizare (microlentile, sfere). Cuplarea cea mai eficient se obine la LED-ul cu construcie
Burrus, ilustrat n figura 4.3. Stratul izolator de SiO
2
de la baza structurii are o cavitate circular, n
care se realizeaz contactul electric. Aceast structur concentreaz purttorii injectai ntr-o zon
central de dimensiuni reduse a diodei, micorndu-se astfel dimensiunea fasciculului emis. Capul
fibrei optice se fixeaz ct mai aproape de zona de emisie, pentru a micora efectul divergenei
lambertiene a radiaiei emise.

Diodele laser sunt dispozitive semiconductoare cu heterojonciuni, cu emisie lateral. O
heterojonciune este o jonciune format din semiconductoare de naturi diferite. Un dispozitiv
semiconductor fotoemisiv este format din dou heterojonciuni, aa cum este ilustrat n figura 4.4.




Fig. 4.4. Dispozitiv fotoemisiv cu heterojonciuni: structura geometric.

Dispozitivele fotoemisive cu heterojonciuni se realizeaz, n general, cu emisie lateral,
adic ntr-un plan perpendicular pe jonciune. n acest plan, modurile permise ale ghidului de und,
format prin variaia indicelui de refracie pe direcie perpendicular, micoreaz divergena
fasciculului emis. Fasciculul are simetrie eliptic, cu grosimea de civa m (determinat de grosimea
stratului activ) i limea de ordinul zecilor de m (determinat de dimensiunea zonei de injecie a
purttorilor). Comparativ cu dispozitivele cu emisie frontal, la diodele cu emisie lateral, se obine o
mbuntire a cuplrii radiaiei, mai ales la fibrele de diametru mic, datorit dimensiunii i divergenei
mai mici ale fasciculului emis i densitii crescute de putere optic.
n structura semiconductoare a diodei laser, se creeaz o cavitate rezonant, n care suprafeele
reflectante (oglinzile) pe direcia de emisie a fasciculului laser se realizeaz prin clivarea structurii. Se
obine o emisie laser prin ambele capete ale cavitii, dar cu intensiti diferite. Fasciculul principal
emis este eliptic, avnd pe o direcie o divergen de aproximativ 810, iar pe direcia
perpendicular aproximativ 3060, un exemplu tipic fiind prezentat n figura 4.5.


Fig. 4.5. Divergena fasciculului emis de o diod laser (LD) pe
cele dou direcii (paralel i perpendicular).
Divergena i nesimetria fasciculului emis nu favorizeaz o cuplare eficient a radiaiei la
3
S
Y
S
T
O
O
L
S

D
E
M
O
8|ank age has been |ntent|ona||y |nserted
here.
http://www.systoo|sgroup.com/

(ncorporat n capsula diodei), circuitul de comand al diodei laser (driver) stabilizeaz nivelul puterii
optice la ieirea acesteia.



Fig 4.6. Circuitul de control al temperaturii i puterii
radiante la ieire pentru o diod laser.


Cuplarea napoi, n cavitatea optic a diodei, a radiaiei din exterior, care se poate produce ca
urmare a retromprtierii n fibr i a reflexiei n conectori, conduce la creterea numrului de moduri
emise, transformnd emisia monomodal ntr-o emisie multimodal. Pentru evitarea acestui fenomen,
se folosesc conectori cu faa nclinat i unele dispozitive speciale (izolatoare optice).
Diodele laser, dei sunt mult mai bine adaptate pentru folosirea n sistemele cu fibre optice
dect alte tipuri de laser, sunt totui mult mai scumpe i pretenioase n ceea ce privete utilizarea,
comparativ cu LED-urile. Folosirea lor este limitat la acele aplicaii care necesit lumin
monomodal sau densiti ale intensitii optice care nu pot fi obinute cu diode electroluminescente:
senzori interferometrici, senzori polarimetrici (cu modularea polarizrii) etc.



4.2. PARAMETRII SURSELOR OPTICE
4.2.1. Puterea radiant. Intensitatea luminoas
Cu toate c este de dorit ca o surs s genereze o putere optic ct mai mare, pentru a
compensa pierderile din ntreg sistemul optic, trebuie s se aib n vedere faptul c o putere prea mare
poate genera fenomene neliniare (necontrolabile) n fibrele optice. Aceste fenomene pot genera, n cele
din urm, o cretere semnificativ a zgomotului, ceea ce, n mod evident, nrutete raportul semnal-
zgomot al sistemului. n prezent, n majoritatea cazurilor, o densitate de putere de aproximativ 10
mW/m
2
este considerat limit (aceasta presupune o putere cuplat n fibr de aproximativ 3W
pentru un diametru al fibrei optice de 20 m).


4.2.2. Randamentul intern
Pentru sursele cu semiconductori utilizate, de regul, n cadrul sistemelor cu fibre optice (LED-uri
i diode laser), randamentul depinde de:
randamentul injeciei purttorilor;
randamentul radiativ i randamentul cuantic intern;
randamentul cuantic extern.

4.2.3. Randamentul de cuplare
O surs optic trebuie cuplat la fibra optic, astfel nct cuplarea s se fac cu un randament ct
mai bun. Astfel, n afara compatibilitii dimensionale ntre surs i fibra optic, mai trebuie asigurat i
compatibilitatea dintre apertura numeric a fibrei optice (AN) i domeniul unghiular de divergen al sursei
optice: diagrama intensitii luminoase (se utilizeaz, n general, intensitatea relativ), n funcie de
deviaia unghiular raportat la axa de emisie a sursei. Aceast diagram este prezentat n cataloagele
surselor optice, n figura 4.7 fiind dat un exemplu pentru dou LED-uri superluminescente ("ultrabright").
Practic, unghiul de acceptan al fibrei optice este limitat de apertura sa numeric, ceea ce face ca sursele
5
S
Y
S
T
O
O
L
S

D
E
M
O
8|ank age has been |ntent|ona||y |nserted
here.
http://www.systoo|sgroup.com/

n cazul utilizrii fibrelor optice multimodale (cu diametre mari ale miezului: 0,1 mm 1
mm), LED-urile sunt, de regul, suficiente, iar n cazul fibrelor monomodale (cu diametre ale
miezului mai mici de 10 microni) sunt de preferat laserii (cu spectre foarte nguste - sub un
nanometru), sau diodele laser (LD). n prezent, se produc LED-uri cu emisie n vizibil (albastru, verde,
galben, portocaliu, rou) i infrarou (IRED).

4.2.5. Capacitatea de modulare
Un avantaj incontestabil al LED-urilor i LD-urilor l reprezint uurina cu care poate fi
obinut modularea n intensitate i n frecven a semnalului optic (n anumite limite) prin alegerea
corespunztoare a parametrilor curentului de excitaie al acestora. Modularea digital (obinerea unor
impulsuri dreptunghiulare) se face prin simpla ntrerupere a unui curent continuu, iar cea analogic
prin nsumarea unui curent sinusoidal cu un curent continuu, astfel nct curentul de excitaie s
varieze ntre o valoare minim i una maxim. Acest lucru se bazeaz pe faptul c fluxul radiant al
acestor surse,
e
, este liniar cu curentul de excitaie (comand), I
F
. n figurile 4.9.a, 4.9.b i 4.9.c, sunt
prezentate caracteristicile,
e
=f(I
F
), pentru LED-uri, diode laser i lmpi cu filament.



a) b) c)
Fig. 4.9. Caracteristica
e
= f(I
F
), pentru diverse surse electrooptice:
a) LED-uri; b) diode laser (LD); c) lmpi cu filament.


Se observ c lmpile cu filament au o caracteristic neliniar, dar ele ies din discuie, oricum,
din cauza altor considerente (dimensiuni necompatibile cu fibrele optice etc). LED-urile (obinuite i
superluminescente) au o caracteristic liniar, ceea ce permite utilizarea unor tehnici simple de
modulare. n final, se observ c diodele laser (LD) au o caracteristic "dubl pant", radiaia laser
fiind emis dup depirea curentului de prag, I
p
. Evident, n acest caz, modularea trebuie s se fac
ntr-un interval de curent superior valorii de prag.

4.2.6. Timpul de via i temperatura de operare
n majoritatea situaiilor, n cazul LED-urilor i diodelor laser, timpul de via este de,
aproximativ, 10
5
10
6
ore. Durata de via a surselor optoelectronice este influenat de temperatura de
lucru a jonciunii, de structura i materialele acestora. n ceea ce privete temperatura, trebuie precizat
faptul c o suprancrcare a surselor (cureni de excitaie peste limita specificat n catalog) conduce la
scurtarea duratei de via, dar i la unele fenomene nedorite: modificri ale caracteristicilor spectrale i
fluctuaii ale intensitii luminoase.


4.3. SURSE OPTICE. CONSIDERATII FINALE
Dat fiind marea varietate de fenomene folosite la realizarea senzorilor cu fibre optice, n acest
domeniu, pot fi utilizate toate tipurile de surse optice, de la lmpile cu lumin alb (surse de band
larg), pn la laseri de putere i coeren ridicat. n marea majoritate a aplicaiilor, se folosesc ns
diodele superluminescente (SLD) i diodele laser (LD).
7
S
Y
S
T
O
O
L
S

D
E
M
O
8|ank age has been |ntent|ona||y |nserted
here.
http://www.systoo|sgroup.com/


2. detectorii termici, n cazul crora energia fluxului luminos produce modificri ale unui
parametru fizic al detectorului. Din aceast categorie, fac parte:
bolometrele (metalice- conductoare, tip termistor sau cu semiconductori);
termopila (termocuplul);
detectorii piroelectrici (utilizeaz cristale, cum ar fi niobiatul de bariu / stroniu,
tantalatul de litiu etc.).


n sistemele cu fibre optice, din considerente practice (compatibilitate spectral, mod de interfaare
cu fibrele optice, vitez de rspuns etc.), se folosesc numai detectorii cuantici. Practic, cei mai utilizai
fotodetectori sunt:
fotodioda pin;
fotodioda cu avalan controlat;
dispozitivele integrate (exemplu: modulul pin-FET).
Toate aceste dispozitive au la baz fenomenul de tranziie a electronilor din banda de valen a
semiconductorului n banda de conducie, prin aportul de energie al radiaiei optice. Pentru lungimi de
und mai mici de 1100 nm, se folosete siliciul, iar pentru lungimi de und mai mari se folosesc, n
general, soluii solide ternare i cuaternare (de exemplu, GaInAsP).

4.4.1. Fotodioda pin
Viteza de rspuns a fotodiodei cu jonciune p-n poate fi mbuntit prin generarea de perechi
electron-gol, exclusiv, n stratul de golire (depletion region), ceea ce presupune un strat mai mare.
Pentru aceasta, n structura fotodiodei, este introdus un nou strat intrinsec (i) de grosime w,
rezultatul fiind o structur de tip p-i-n (fig. 4.10).


Fig. 4.10. Structura unei fotodiode pin.


Stratul i, este "crescut" peste substratul n, peste care - la rndul su - este crescut stratul p. Un
strat metalic, ce servete drept catod, este prevzut cu o deschidere ca fereastr pentru fasciculul
luminos. Catodul este reprezentat de stratul metalic de la baza substratului n. Cnd fotodioda este
polarizat invers, stratul i este complet golit. Radiaia luminoas penetreaz stratul p i atinge stratul i,
unde energia fotonilor genereaz perechi electron-gol (EHPs). Cmpul electric puternic din aceast
regiune mtur rapid electronii i golurile spre catodul, respectiv anodul fotodiodei, ceea ce nseamn,
de fapt, apariia, n circuitul exterior al acesteia, a unui fotocurent proporional cu intensitatea
luminii. Evident c fotonii absorbii, teoretic, pot genera perechi electron-gol i n straturile p i n
(practic, numai n p pentru c acesta este traversat). Dar purttorii de sarcin vor re-difuza n stratul de
golire nainte de a fi colectai. Deoarece procesul de difuzie dureaz circa 1 ns, iar tranzitul purttorilor
n stratul de golire numai aproximativ 1 ps, nseamn c primul limiteaz viteza de rspuns i deci
trebuie, pe ct posibil, eliminat. O fotodiod de calitate este realizat astfel nct absorbia fotonilor s
fie limitat numai n stratul i. Au fost identificate metode n vederea minimizrii absorbiei fotonilor n
regiunea p (regiune de tranzit). Una dintre soluii presupune utilizarea unui strat superior (p) din
GaAlAs (arseniur de aluminiu i galiu), care permite fotonilor s-l traverseze fr a fi absorbii
(practic, acest strat este total "transparent" pentru radiaia optic). Alte metode presupun ca excitarea
9
S
Y
S
T
O
O
L
S

D
E
M
O
8|ank age has been |ntent|ona||y |nserted
here.
http://www.systoo|sgroup.com/

n mod fotovoltaic, fotodioda se comport ca o celul solar, genernd un curent proporional
cu puterea optic ce cade pe jonciune. Dioda se conecteaz n serie cu o rezisten de sarcin, pe care
se obine o cdere de tensiune proporional cu fotocurentul generat sau pe intrrile unui amplificator
operaional (fig. 4.13.a), n configuraie de convertor curent-tensiune (amplificator transimpedan).
n acest montaj, tensiunea pe fotodiod este nul (fig. 4.12), ceea ce nseamn c fotodioda "lucreaz"
pe zona negativ a axei curentului. Tensiunea la ieirea amplificatorului este proporional cu
fotocurentul I
fd
: U
out
= RI
fd
. Liniariatea relaiei face ca acest montaj s fie unul dintre cele mai utilizate
n domeniul msurrilor (asigur i cel mai redus nivel de zgomot la ieire). Fotocurentul generat de
fotodiod este dat de relaia:

I
fd
= R
e
(4.2)

unde R reprezint "responsivitatea" (sensibilitatea) fotodiodei, iar
e
fluxul (puterea) radiant incident.


a) b)
Fig. 4.13. Amplificatoare transimpedan asociate cu fotodiod:
a) montaj fotovoltaic; b) montaj fotoconductiv.

n mod fotoconductiv, fotodioda se polarizeaz invers de la o surs extern, cu o tensiune
continu de ordinul volilor (U
p
). Curentul invers prin diod, care este proporional cu puterea optic a
radiaiei ce ilumineaz jonciunea, poate fi convertit ntr-o tensiune, folosind diverse configuraii cu
amplificatoare operaionale, un exemplu tipic fiind prezentat n figura 4.13.b. Principalul avantaj al
acestei configuraii l constituie micorarea capacitii jonciunii fotodiodei i, implicit, mrirea vitezei
de lucru (micorarea timpului de rspuns).
La nivelul fotodetectorilor, apar i componente electrice de zgomot care se suprapun peste
semnalul util (I
fd
): zgomotul termic al rezistoarelor (zgomot Johnson), zgomotul de alice produs de
curentul de ntuneric al fotodiodei (I
d
) i zgomotul "1/f" (datorat "curentului de scurgere de suprafa"
al jonciunii pn). Avnd n vedere valoarea mic a fotocurentului, amplificatoarele operaionale
folosite n schemele de detecie trebuie s aib rezisten de intrare mare (intrri tip FET) i s fie "de
zgomot redus". Chiar i aa, obinerea unui raport semnal-zgomot satisfctor este, de multe ori, foarte
dificil. Din acest punct de vedere, funcionarea n mod fotovoltaic d rezultate mai bune pentru
frecvene mai mici de 100 kHz.
n unele aplicaii, se utilizeaz i fotodioda cu jonciune pn. Aceasta are o funcionare
asemntoare cu a fotodiodei p-i-n, cu deosebirile care decurg din inexistena stratului de golire i. Fr
ndoial, o regiune de golire tot exist, dar este mult mai subire, ceea ce face ca viteza de rspuns a
fotodiodelor cu jonciune pn s fie mai mic.

4.4.2. Fotodioda cu avalan (APD)
Fotodioda cu avalan (APD) exploateaz fenomenul de avalan controlat, prin care
perechile electron-gol generate de fotoni sunt multiplicate n zona barierei de potenial. Astfel,
fotocurentul fotodiodei cu avalan, I
fda
, este definit de relaia simplificat:

I
fda
= (MR )
e
(4.3)
unde
R
este responsivitatea (sensibilitatea) fotodiodei, M - factorul de multiplicare (M100) i
e
-
fluxul radiant care excit fotodioda.
11
S
Y
S
T
O
O
L
S

D
E
M
O
8|ank age has been |ntent|ona||y |nserted
here.
http://www.systoo|sgroup.com/


n mod evident, alegerea unui fotodetector presupune un compromis adaptat cerinelor. n
sistemele cu fibre optice, fotodiodele pin reprezint soluia cea mai bun pentru majoritatea
aplicaiilor, motiv pentru care, n cele ce urmeaz, vor fi prezentai numai parametrii acestora.


4.5.1. Randamentul cuantic
Randamentul cuantic al unui fotodetector este o msur a eficacitii generrii de perechi
electron-gol n urma unei excitri fotonice i are relaia:

( ) ( )
x a
q
e 1 1


= (4.6)

unde: reprezint reflectana suprafeei active a fotodetectorului;
a

- coeficientul de absorbie al stratului semiconductor;

x - grosimea stratului absorbant (cristalului semiconductor).

Din relaia (4.6), se observ c obinerea unei valori ridicate a randamentului presupune o
valoare ct mai redus a reflectanei (soluia presupune utilizarea unui strat antireflexie) i o
valoare ct mai ridicat a produsului a

x (coeficientul de absorbie al semiconductorului este de

preferat s fie mai mare; valoarea depinde de tipul semiconductorului i de lungimea de und).


4.5.2. Sensibilitatea
Sensibilitatea unui fotodetector poate fi exprimat n mai multe moduri. n cazul fotodiodelor,
sensibilitatea se exprim prin responsivitate (R ) i se msoar n amperi pe watt (A/W):

R = I
fd
/
e
(4.7)

Cu alte cuvinte, responsivitatea exprim curentul generat de fotodiod pentru o excitaie cu un
flux luminos cu puterea radiant de 1 W. Responsivitatea este o mrime spectral, valori tipice ale ei
fiind prezentate n figura 4.14 pentru diferite fotodiode pin. Se observ c fotodiodele pin cu siliciu
sunt potrivite pentru spectrul vizibil, n timp ce variantele cu germaniu i InGaAs sunt optime pentru
infrarou apropiat (NIR).



Fig. 4.14. Responsivitatea pentru fotodiode pin cu Si, Ge i InGaAs.


Observaie. Spre deosebire de fotodiodele pin, fotodiodele cu avalan au valori ale
responsivitii cu aproape dou ordine de mrime mai mari ( 10 A/W).
13
S
Y
S
T
O
O
L
S

D
E
M
O
8|ank age has been |ntent|ona||y |nserted
here.
http://www.systoo|sgroup.com/


Pentru a avea un timp de rspuns ct mai mic, este necesar ca majoritatea purttorilor generai s
ajung n stratul de epuizare. Aceast condiie presupune ca lungimea acestui strat, la lungimea de
und dorit, s ndeplineasc condiia: w > 1/ ( este coeficientul de absorbie);

timpul de drift, care reprezint timpul n care purttorii de sarcin generai traverseaz
regiunea de epuizare cu o vitez cunoscut ca vitez de saturaie, v
s
1000 m/s:

s
drift
v
w
t = (4.13)

capacitatea jonciunii, care este proporional printr-o constant, k (depinde de proprietile
semiconductorului utilizat), cu aria suprafeei sensibile i cu inversul radicalului tensiunii de
polarizare invers:

i j
U / A k C = (4.14)
Capacitatea fotodiodei mpreun cu rezistena de intrare a amplificatorului transimpedan
(soluia cea mai utilizat) presupune o constant de timp, = R
L
C
j
, care limiteaz banda de
frecven a circuitului de fotodetecie la o valoare:

) C R ( 2
1
B
j L

= (4.15)


Din punctul de vedere al rejeciei zgomotului, o valoare ridicat a capacitii jonciunii este
benefic, dar, din punctul de vedere al vitezei de rspuns, este preferabil o capacitate a jonciunii ct
mai redus.




4.6. FOTODETECTORI. CONSIDERAII FINALE
n vederea unei analize comparative privind caracteristicile fotodiodelor pin i cu avalan, n
tabelul 4.3 sunt prezentate valori uzuale (tipice) ale celor mai importani parametri.


Tabelul 4.3. Valori uzuale ale parametrilor fotodiodelor pin i cu avalan.
Nr.
crt.

Parametru

Fotodiod pin
Fotodiod cu
avalan (APD)
1 Suprafaa fotosensibil, S 0.8 mm
2
1 cm
2
0.5 mm
2
2 Responsivitatea maxim, R
max
0.6 A/W 10 A/W
3 Curent de ntuneric, I
d 4 nA 3 A 0.2 A
4 Capacitatea jonciunii, C
j 2.5 80 pF 2 pF
5 Timpul de cretere, t
r 3 25 ns 5 ns
6 Tensiunea invers, U
r
< 200 V
(uzual 5-10 V)
200 500 V


15
S
Y
S
T
O
O
L
S

D
E
M
O
8|ank age has been |ntent|ona||y |nserted
here.
http://www.systoo|sgroup.com/