Electronic A

CONSTANTIN MIHOLC
ELECTRONIC
PENTRU FACULTILE CU PROFIL NEELECTRIC
GALAI 2007
CUPRINS
Introducere ............................................................................................
1
CAP. 1 DISPOZITIVE ELECTRONICE DE CIRCUIT

1.1 Noiuni privind conducia electric n semiconductoare ................. 1.1.1 Semiconductoare de conductibilitate intrinsec ......................... 1.1.2 Dispozitive electronice simple bazate pe semiconductoare intrinseci ............................................................................. 1.1.2 Semiconductoarele de conductibilitate extrinsec ...................... 1.2 Jonciunea p-n .................................................................................. 1.3 Dioda semiconductoare ................................................................... 1.3.1 Dioda n circuit, determinarea punctului static de funcionare ... 1.3.2 Tipuri de diode semiconductoare ............................................... 1.4 Tranzistoare ..................................................................................... 1.4.1 Tranzistoare bipolare - structura fizic i funcionare ................ 1.4.2 Scheme de conexiuni i caracteristici statice .............................. 1.4.3 Limitri n funcionarea tranzistorului bipolar ........................... 1.4.4 Tranzistorul bipolar n circuit. Stabilirea PSF ............................ 1.4.5 Influena temperaturii asupra caracteristicilor externe. Stabilizarea punctului static de funcionare ............................... 1.4.5.1 Scheme de stabilizare a punctului static de funcionare utiliznd elemente neliniare de compensare ........................ 1.4.6 Regimul dinamic al tranzistorului bipolar (funcionarea etajului de amplificare n regim dinamic) ............................................ 1.4.7 Tranzistoare unipolare ................................................................ 1.4.7.1 TEC-J avnd canal de tip n. Structur fizic i funcionare.. 1.4.7.2 Construcia etajului de amplificare cu TEC-J ....................... 1.4.7.3 Funcionarea etajului de amplificare cu TEC-J n regim dinamic ............................................................................... 1.4.7.4 Tranzistorul TEC-MOS avnd canal permanent (de tip n) ... 1.4.7.5 Construcia unui etaj de amplificare utiliznd tranzistor TEC-MOS avnd canal de tip n ......................................... 1.5 Dispozitive semiconductoare speciale ............................................. 1.5.1 Tiristorul .................................................................................... 1.5.2 Triacul ........................................................................................ 1.5.3 Tranzistorul unijonciune (TUJ) ................................................ 1.6. ntrebri i problem................................................ 3 3 4 5 6 8 9 10 12 12 14 16 16 18 19 19 21 22 24 25 26 27 28 28 31 32 34
vi
Cuprins
CAP. 2 AMPLIFICATOARE I OSCILATOARE

2.1 Proprieti generale i caracteristici ale amplificatoarelor .............. 2.1.1 Parametrii principali ai amplificatoarelor ................................. 2.1.2 Caracteristici importante ale amplificatoarelor ......................... 2.1.3 Tipuri de amplificatoare ............................................................ 2.2 Amplificatoare de curent alternativ ................................................. 2.2.1 Amplificatoare de tensiune ........................................................ 2.2.2 Amplificatoare de putere (AP) .................................................. 2.2.2.1 Amplificatoare de putere n clas A .................................... 2.2.2.2 Amplificatoare de putere n clas B .................................... 2.2.2.3 Amplificatoare de curent (putere) n montaj Darlington ..... 2.3 Amplificatoare de curent continuu .................................................. 2.3.1 Amplificatoare de curent continuu n montaj diferenial .......... 2.4 Reacia negativ la amplificatoare i consecinele ei ...................... 2.5 Amplificatoare operaionale ............................................................ 2.6 Oscilatoare ....................................................................................... 2.7. ntrebri ....................................................................................... 35 35 37 39 40 40 43 44 45 46 47 47 49 51 54 58
CAP. 3 REDRESOARE
3.1 Noiuni generale .............................................................................. 3.2 Redresoare monofazate necomandate ............................................ 3.2.1 Schema bloc a unui redresor de mic putere ............................. 3.2.2 Redresoare monofazate monoalternan cu sarcin rezistiv .... 3.2.3 Redresoare monofazate dubl alternan cu sarcin rezistiv ... 3.2.4 Filtrarea tensiunii redresate ....................................................... 3.2.4.1 Funcionarea redresorului cu filtru capacitiv ....................... 3.2.5 Parametrii redresoarelor de mic putere .................................... 3.3 Redresoare trifazate necomandate ................................................... 3.4. ntrebri............................................................................................ 59 61 61 61 64 66 66 68 69 72
CAP. 4 STABILIZATOARE ELECTRONICE

4.1 Noiuni generale. Parametrii stabilizatoarelor ................................. 4.2 Stabilizatoare parametrice ............................................................... 4.2.1 Funcionarea unui stabilizator parametric ................................. 4.2.2 Stabilizatoare cu reacie avnd element de control serie i amplificator de eroare ................................................................ 4.2.3 Stabilizatoare integrate de tensiune ........................................... 73 73 74 77 78
CAP. 5 REDRESOARE COMANDATE DE MIC PUTERE

5.1 Principiul comenzilor pe vertical i orizontal la redresoarele de mic putere ..................................................................................... 5.2 Circuite specializate pentru comanda n faz a tiristoarelor ............ 5.3 Redresor monofazat semicomandat n punte ................................... 5.4. ntrebri i problem ..................................................................................... 82 86 88 90
Cuprins
vii
CAP. 6 CIRCUITE LOGICE COMBINAIONALE I SECVENIALE

6.1 Funcii logice elementare ................................................................ 6.2 Relaii fundamentale n algebra logicii .......................................... 6.3 Circuite logice. Realizarea funciilor logice elementare cu dispozitive electronice ................................................................. 6.4 Circuite logice integrate (poarta logic NAND-TTL)............................ 6.4.1 Poarta logic integrat NOR (SAU-Nu).................................... 6.5 Circuite logice combinaionale ........................................................ 6.5.1 Noiuni generale ......................................................................... 6.5.2 Analiza circuitelor logice combinaionale ................................. 6.6 Circuite logice secveniale ............................................................... 6.6.1 Circuite secveniale elementare ................................................. 6.6.1 Circuitul secvenial de tip Master - Slave .................................... 6.7 ntrebri i probleme............................................................... 91 94 95 97 99 100 100 101 103 104 107 109
CAP. 7 APLICAII ALE CIRCUITELOR COMBINAIONALE I SECVENIALE
LOGICE
110 110 111 113 114 115 117 122 123
7.1 Circuite LATCH .............................................................................. 7.1.1 Utilizarea triggerului SR ca circuit LATCH ............................. 7.2 Codificatoare i decodificatoare ...................................................... 7.3 Circuite de multiplexare i demultiplexare ...................................... 7.4 Numrtoare electronice .................................................................. 7.5 Convertoare ..................................................................................... 7.6 Circuite de memorie ........................................................................ 7.7 Microprocesorul (P). Microcalculatorul (C) ............................. 7.8. ntrebri ............................................................................................
Bibliografie ............................................................................................
124
INTRODUCERE
Electronica a luat natere ca o ramur a electrotehnicii, fiind denumit la nceputurile ei electrotehnica curenilor slabi i avnd ca aplicaie principal domeniul telecomunicaiilor cu i fr fir. Posibilitile remarcabile ale electronicii i progresele ei deosebit de rapide (mai ales n privina realizrii tehnologice a dispozitivelor semiconductoare i circuitelor integrate) au fcut ca, n prezent, electronica s fie utilizat aproape n toate domeniile tiinei i tehnicii. innd seama de aspectele eseniale ale electronicii i fr pretenia de a formula o definiie atotcuprinztoare, se poate spune c electronica este ramura tiinei i tehnicii care se ocup cu studiul fenomenelor i aplicaiile acestora privind conducia electric n semiconductoare, gaze i vid. Ca domeniu independent, Electronica se constituie la nceputul secolului XX. Primele cinci decenii au reprezentat epoca tuburilor electronice, cu numeroase aplicaii n telecomunicaii i industrie. ncepnd cu anii 1949-1952 s-au realizat primele tranzistoare, iar n 1952 s-a formulat ideea circuitului integrat, astfel c dup ase ani (n 1958) s-a realizat primul circuit integrat. n 1960 se construiesc primele dispozitive semiconductoare ale electronicii de putere (tiristoare i triacuri) care au condus la modernizarea i creterea performanelor n sistemele de acionri electrice reglabile. ncepnd cu anul 1962 s-a trecut la producia industrial a circuitelor integrate, la nceput n tehnologie bipolar i apoi n tehnologie MOS (dup 1965). Perfecionarea rapid a tehnologiilor electronice a condus la apariia familiilor de circuite integrate logice MOS, ncepnd cu anul 1970, permind dezvoltarea tehnologiei circuitelor larg integrate (LSI Large Scale Integration). Aceste circuite au condus la realizarea primului microprocesor, pe 8 bii, n 1971. Microprocesorul a determinat o revoluie tehnic denumit revoluia microelectronicii, care a antrenat toate domeniile tehnologiei, nct astzi nu exist domeniu de activitate uman n care microprocesorul s nu poat fi implicat. Dup 1980 s-au dezvoltat structuri VLSI (Very Large Scale Integration), utilizate fiind att tehnologia CMOS ct i bipolar. Aceste tehnologii permit nglobarea unui numr foarte mare (ntre 50.000 i 1.000.000) de tranzistoare ntr-o capsul. Dup anul 1990 s-au dezvoltat structuri ULSI (Ultra Large Scale Integration), care pot ngloba peste un milion de tranzistoare CMOS ntr-o capsul. De exemplu, microprocesorul 486 conine 1,2 milioane de tranzistoare, dimensiunea unui tranzistor fiind 1m. n prezent, circuitele integrate se realizeaz n tehnologie CMOS, dar s-a trecut la tehnologia BiCMOS care este o combinaie ntre tehnologia bipolar i tehnologia CMOS. Aceast tehnologie (BiCMOS) mbin avantajele de vitez i curent mare la ieire ale tehnologiei bipolare, cu avantajele consumului redus i densitate mare de integrare, oferite de tehnologia CMOS. n prezent numrul de tranzistoare nglobate ntr-o capsul depete 5 milioane.
Introducere
ntruct electronica are n domeniul su de preocupare att dispozitivele electronice ct i circuitele electronice se impune definirea celor dou noiuni. Dispozitivul electronic este un ansamblu format din pri componente, imobile una fa de alta, ntre care se produce conducia electric prin vid, gaze sau semiconductoare. Prile componente pot fi piese distincte (la tuburile electronice) sau regiuni cu proprieti diferite ale unui material neomogen (la dispozitivele semiconductoare). Prin extensie, se consider dispozitive electronice i acele dispozitive realizate dintr-un singur material omogen, care are una dintre proprietile fundamentale ale conduciei prin vid, gaze sau semiconductoare. n aplicaii, dispozitivul electronic reprezint un element de circuit, numit i element electronic de circuit, spre deosebire de elementele electrice de circuit obinuite (rezistoare, bobine, transformatoare, condensatoare etc). Circuitul electronic este un ansamblu electric n care se folosesc unul sau mai multe dispozitive electronice la care se leag elemente electrice de circuit, alimentndu-se de la surse de energie, n scopul realizrii unei funciuni (redresare, amplificare, producerea oscilaiilor, modulaie, detecie etc).
CAPITOLUL 1
DISPOZITIVE ELECTRONICE DE CIRCUIT

1.1 Noiuni privind conducia electric n semiconductoare
Semiconductorul ocup poziia intermediar ntre materialele conductoare i materialele izolatoare. Conducia electric n medii semiconductoare se realizeaz prin dou categorii ale purttorilor de sarcin: electronii i golurile. Aceti purttori se genereaz simultan sub form de perechi i au o anumit mobilitate, adic sub influena unui cmp electric ei pot da natere curentului electric de conducie. Dup modul de generare a purttorilor, semiconductoarele se pot clasifica astfel: semiconductor de conductibilitate intrinsec; semiconductor de conductibilitate extrinsec.
1.1.1 Semiconductoare de conductibilitate intrinsec

Acestea sunt materiale pure din punct de vedere chimic (ex. Siliciu, Germaniu). Generarea perechilor electron-gol se produce datorit aportului energetic extern, reprezentat prin limea benzii interzise (w), figura 1.1.
Figura 1.1. Structura benzilor energetice pentru un semiconductor
Capitolul 1
La echilibru termic (cnd nu exist aport energetic extern) concentraia electronilor, notat cu ni , este egal cu concentraia de goluri, notat cu pi , fiind exprimat prin relaia:
n i = pi = AT
unde:
3/ 2
w exp 2KT
(1.1)
A - constant ce depinde de natura semiconductorului; T - temperatura absolut ( grade Kelvin); w - aportul energetic extern (limea benzii interzise); K - constanta lui Boltzmann.
1.1.2. Dispozitive electronice simple bazate pe semiconductoare intrinseci (realizate cu materiale omogene)
1. Termistorul - este un dispozitiv semiconductor omogen a crui rezisten electric variaz cu temperatura. Conductibilitatea termistorului este direct proporional cu numrul de purttori ni dai de relaia (1.1), ceea ce conduce la o descretere exponenial a rezistenei electrice, ca n figura 1.2. Parametrii de catalog: a) rezistena la temperatura de referin, RTo[], unde T0=20 oC; b) sensibilitatea S =
1 dR T .100 [%/oC] exprim viteza de variaie a . R To dT
rezistenei RT la o variaie dat de un grad Celsius a temperaturii; c) constanta de timp, T1 [s], ce reprezint ineria termic a termistorului; d) domeniul de temperatur, T[-200oC...+300oC], n care performanele termistorului sunt stabile.
Figura 1.2. Variaia rezistenei electrice a termistorului cu temperatura
Utilizri: detector n traductoare de temperatur; detector n construcia sesizoarelor de incendiu; n aparatura de msur i automatizare.
2. Fotorezistena este un rezistor a crui rezisten electric se modific sub aciunea unei radiaii electromagnetice incidente din spectrul vizibil sau infrarou. Variaia rezistenei electrice a fotorezistorului se datoreaz modificrii concentraiei
Dispozitive electronice de circuit
purttorilor de sarcin (formarea perechilor electron-gol), ca urmare a aportului energetic al radiaiei incidente. Parametrii de catalog: a) rezistena la ntuneric, Ro[]; b) sensibilitatea,
S =
1 dR . .100 [%/lm]; R o d
unde
lm
simbolizeaz
lumenul (unitatea de msur pentru intensitatea luminoas); c) caracteristica spectral, S=f(), exprim dependena sensibilitii fa de lungimea de und, fiind ilustrat n figura 1.3. n funcie de valoarea lui o (la care sensibilitatea este maxim) fotorezistenele se pot construi pentru spectrele vizibil sau infrarou; d) constanta de timp, T1[s], se definete asemntor constantei de timp a termistorului; T1 caracterizeaz viteza de variaie a rezistenei electrice la o variaie brusc a fluxului luminos.
Figura 1.3. Caracteristica spectral a fotorezistenei
Fotorezistenele sunt utilizate detectoarelor de incendiu etc.
construcia
releelor
fotoelectrice,
3. Varistorul este un dispozitiv semiconductor omogen cu o caracteristic neliniar, a crui conductan crete odat cu creterea tensiunii aplicate la borne.
Figura 1.4. Caracteristica curent-tensiune i simbolizarea varistorului
Perechile electron-gol se realizeaz pe seama energiei cmpului electric n care este plasat varistorul. Forma caracteristicii statice, ilustrat n figura 1.4, l face utilizabil ca dispozitiv de protecie mpotriva supratensiunilor.
1.1.3. Semiconductoarele de conductibilitate extrinsec

Semiconductoarele de conductibilitate extrinsec sunt cele mai utilizate. Conductibilitatea extrinsec se obine prin impurificarea (doparea) cu mici adaosuri a unui semiconductor. Procesul prin care se introduc impuriti riguros dozate n semiconductor se numete dopare. n funcie de natura elementului de impuritate
Capitolul 1
exist dou modaliti de dopare care genereaz corespunztor, dou tipuri de semiconductoare extrinseci. Doparea cu impuriti pentavalente (Stibiu, Arsen etc) are ca efect creterea numrului de purttori negativi (electroni) deoarece atomii pentavaleni de impuritate cedeaz uor cte un electron, ce devine electron liber (purttor), iar semiconductorul obinut este de tip n. Atomii acestor impuriti se numesc donori. Electronii sunt purttori majoritari iar golurile reprezint purttorii minoritari. Doparea cu impuriti trivalente (Indiu, Aluminiu etc) are ca efect creterea numrului de goluri, care devin purttori majoritari, deoarece atomii trivaleni capteaz uor cte un electron de la un atom vecin. Aceti atomi de impuriti se numesc atomi acceptori i se transform n ioni imobilizai n reeaua cristalin. Semiconductorul obinut are purttorii majoritari pozitivi (goluri) fiind de tip p. Semiconductoarele de tip n i p sunt corpuri neutre din punct de vedere electric, deoarece sarcina ionilor imobilizai n reeaua cristalin compenseaz sarcina suplimentar a purttorilor majoritari.
1.2 Jonciunea p-n

Dac ntr-un cristal semiconductor se realizeaz prin dopare (utiliznd procedee speciale) o zon p cu impuriti acceptoare i o zon n cu impuriti donoare, astfel nct distana dintre cele dou zone s fie cel mult 10-5 mm, se realizeaz o jonciune p-n care reprezint structura de baz pentru majoritatea componentelor electronice. Purttorii majoritari, simbolizai prin M, care au suficient energie, trec dintr-o zon n alta i dau natere curentului de difuzie, numit i curentul direct al jonciunii: id = inM + ipM - curent direct (1.2) Cmpul intern antreneaz dintr-o zon n alta purttorii minoritari, simbolizai prin m, formnd curentul de conducie, numit i curent invers al jonciunii: ic = inm + ipm - curent invers (1.3) n figura 1.5 se explic funcionarea jonciunii. Se folosesc notaiile: Naoconcentraia iniial de goluri; Ndo - concentraia iniial de electroni. De regul concentraiile impuritilor din cele dou zone nu sunt egale (Nao > Ndo). Proprietile regiunii de trecere (pentru jonciunea p-n): 1. Regiunea de trecere se extinde mai mult n zona n, care este mai slab dopat cu impuriti. 2. Regiunea de trecere este un mediu dielectric (concentraia purttorilor este foarte mic). 3. Limea total a regiunii de trecere crete odat cu tensiunea invers aplicat jonciunii. Diferena de concentraii dintre cele dou zone determin difuzia purttorilor majoritari dintr-o zon n alta. Din cauza difuziei i a recombinrii purttorilor majoritari cu cei difuzai rezult, n vecintatea de separaie a celor dou zone p i n, o variaie a concentraiei de goluri (cp) i electroni (cn). Aceste concentraii scad pn la zero la nivelul jonciunii. Se obine o sarcin a ionilor imobili (fixai n reea) pentru purttorii din fiecare zon, sarcin care nu mai este compensat de sarcina
purttorilor majoritari din zona respectiv. Rezult o distribuie spaial nesimetric a sarcinii . Aceast sarcin creeaz cmpul electric care se opune trecerii purttorilor majoritari dintr-o zon n alta. Regiunea n care apare cmpul electric Ei i sarcina spaial se numete regiune de trecere, ilustrat prin zona haurat. Prezena cmpului intern Ei determin apariia unei bariere de potenial notate cu U0 (figura 1.5-e). Dac jonciunii p-n i se ataeaz dou contacte metalice, potenialele de tip M-S (metal-semiconductor) anuleaz bariera de potenial U0, astfel nct la bornele jonciunii potenialul rezultant este zero (figura 1.6).
Figura 1.5
Figura 1.6. Efectul potenialelor de contact asupra barierei de potenial
Polarizrile direct i invers ale jonciunii p-n

a) Polarizarea direct (figura 1.7), presupune aplicarea tensiunii de alimentare Ua, cu polaritatea (+) la zona p i, respectiv polaritatea () la zona n. Ca urmare, n zona regiunii de trecere, potenialul iniial (U0) al barierei scade cu
Capitolul 1
valoarea tensiunii de alimentare Ua. Acest lucru permite trecerea puttorilor majoritari care formeaz curentul de difuzie (Id), numit curent direct al jonciunii. Curentul de conducie (ic), numit curent invers al jonciunii, este neglijabil.
Figura 1.7. Polarizarea direct a jonciunii p-n
b) Polarizarea invers (figura 1.8), presupune aplicarea tensiunii de

alimentare Ua, cu polaritatea () la zona p i, respectiv polaritatea (+) la zona n.
Figura 1.8. Polarizarea invers a jonciunii p-n n acest caz potenialul iniial al barierei crete cu valoarea tensiunii de alimentare, Ua. Curentul direct al jonciunii este neglijabil, iar jonciunea se consider blocat. Valoarea curentului de conducie este de ordinul microamperilor.
1.3 Dioda semiconductoare

Dioda reprezint dispozitivul semiconductor format dintr-o jonciune p-n care are ataate dou contacte M-S (metal-semiconductor).
Cei doi electrozi, lipii prin procedee speciale de contactele M-S, se numesc: A = Anod, cu polaritate pozitiv n timpul conduciei; C = Catod, cu polaritate negativ n timpul conduciei. Caracteristica static a diodei este reprezentat n figura 1.9. n starea de conducie tensiunea anodic direct este: Ua 0,7V pentru diodele cu Si i Ua0,3V pentru diodele cu Ge. Tensiunea anodic invers se noteaz cu (-Ua) sau (- U a ). i
Dac aceast tensiune crete peste limita admis (parametru de catalog) i atinge valoarea de strpungere a jonciunii, aceasta se distruge prin efect termic datorit creterii n avalan a curentului invers.
Figura 1.9. Caracteristica curent-tensiune a diodei
1.3.1 Dioda n circuit, determinarea punctului static de funcionare

Se consider dioda D polarizat direct prin sursa E i o rezisten R de limitare a curentului anodic (figura 1.10). De asemenea, se cunoate caracteristica anodic, figura 1.11, pentru ramura de polarizare direct (cadranul I).
Figura 1.10. Dioda n circuit
Figura 1.11. Caracteristica extern a diodei
Pentru determinarea punctului static de funcionare, PSF (M), se rezolv grafo-analitic sistemul format din ecuaia dreptei statice de sarcin, rezultat din a IIa teorem a lui Kirchhoff aplicat circuitului din figura 1.10 i ecuaia caracteristicii anodice (figura 1.11):
E = R i a + U a i a = f (U a )
(1.4)
Tieturile dreptei de sarcin cu axele de coordonate vor fi: E/R pentru Ua=0 i E pentru ia=0. Se observ c nclinaia dreptei de sarcin este egal cu
10
Capitolul 1
valoarea rezistenei de limitare R: tg() = R. Coordonatele PSF sunt iao i Uao, obinute din proieciile punctului M pe cele dou axe.
1.3.2 Tipuri de diode semiconductoare

1) Diode redresoare (realizate cu siliciu) au urmtorii parametri de catalog: a) curentul mediu n sens direct: IF 600 A; b) tensiunea invers: Uinv. max 1800 V; c) temperatura maxim admis a jonciunii: Tj max 140 oC; d) frecvena de lucru: fl [50 Hz ... 20 KHz]. 2) Diode stabilizatoare (diode Zener). Sunt diode realizate cu siliciu la care se utilizeaz ramura caracteristicii corespunztoare polarizrii inverse. n figura 1.12-a este ilustrat polarizarea diodei Zener, iar n figura 1.12-b este reprezentat caracteristica static inversat (n cadranul I).
Figura 1.12. Dioda Zener n circuit (a) i caracteristica curent-tensiune (b)
Parametrii de catalog: a) tensiunea de stabilizare Zener: Uz [2.5 V ... 180 V]; b) curentul Zener curentul corespunztor tensiunii de stabilizare: Iz[mA...A]; c) puterea disipat: Pd<10W. d) coeficientul de variaie a tensiunii stabilizate cu temperatura:
z =
1 U z . .100 [%/oC]; U z Ta
e) rezistena intern (dinamic), rz, n poriunea de lucru a caracteristicii statice. 3) Diode de comutaie. Sunt diode de mic putere i au timpul de tranziie din starea blocat n starea de conducie - de ordinul nanosecundelor. De regul sunt utilizate n tehnica de calcul. 4) Diode cu contact punctiform. Sunt diode de mic putere i au suprafaa jonciunii foarte mic. Sunt utilizate n circuite de detecie i comutaie la frecvene de lucru pn la 10 MHz. 5) Dioda varicap. Aceast diod este echivalent cu un condensator variabil. Pe msur ce aplicm o tensiune mai mare la bornele diodei, aceasta echivaleaz cu deprtarea armturilor condensatorului, deci se comport ca o capacitate comandat prin tensiune. Simbolizarea i variaia capacitii echivalente ale diodei varicap sunt prezentate n figura 1.13.
11
Figura 1.13. Dioda varicap: simbolizare i principiu de funcionare
6) Fotodioda este utilizat cu polarizare invers. Curentul de purttori majoritari se datoreaz fluxului luminos incident. Fotodioda este utilizat n construcia detectoarelor opto-electronice ce lucreaz n spectrele vizibil sau infrarou. Polarizarea, caracteristicile anodice i caracteristica spectral sunt reprezentate n figura 1.14 (a,b,c).
Figura 1.14. Polarizarea fotodiodei (a), familia caracteristicilor curent-tensiune (b), caracteristica spectral (c)
7) Dioda electroluminiscent LED (Light Emitting Diode) se utilizeaz cu polarizare direct A-C, figura 1.15-a. Aceasta emite un flux de radiaii luminoase pe seama energiei rezultate prin recombinarea purttorilor de sarcin. Culoarea radiaiei depinde de natura semiconductorului i de impuritatea activatoare. Este utilizat n construcia afioarelor numerice, la reclame etc. Din combinarea unui LED cu o fotodiod rezult un optocuplor (cuplor optic), figurile 1.15-b i 1.15-c. Optocuplorul este un dispozitiv electronic care permite transferul unei comenzi de tip intrare-ieire, realiznd i o foarte bun separare galvanic.
Figura 1.15. LED n circuit (a), optocuplor realizat cu LED+fotodiod (b), optocuplor realizat cu LED+fototranzistor (c)
8) Dioda tunel are jonciunea p-n cu cele dou zone foarte apropiate i puternic dopate cu impuriti, astfel nct regiunea de trecere este foarte ngust, iar purttorii majoritari traverseaz bariera de potenial prin efectul tunel (efect cuantic). Caracteristica curent-tensiune este neliniar i prezint n poriunea MN rezisten intern negativ. Aceast proprietate permite utilizarea diodei tunel n construcia oscilatoarelor (vezi 2.6). Frecvena de lucru este cuprins ntre 0,5 i 5 GHz, dioda Tunel fiind utilizat i n circuite de comutaie. Simbolizarea i caracteristica anodic sunt ilustrate n figura 1.16.
12
Capitolul 1
Figura 1.16. Simbolizarea diodei tunel i caracteristica curent-tensiune
1.4 Tranzistoare
Tranzistorul este principalul dispozitiv electronic care are proprietatea de a amplifica semnale electrice. Considernd un dispozitiv de amplificare (DA) comandat prin semnalul de intrare xi, o rezisten de limitare a curentului de sarcin (R) i sursa de alimentare E, n figura 1.17 s-a reprezentat schema simplificat a unui amplificator. n aceast schem tranzistorul reprezint dispozitivul de amplificare.
Figura 1.17. Dispozitiv de amplificare cu tranzistor
Dup modul n care se realizeaz conducia electric a semnalului prin DA, tranzistoarele sunt de dou tipuri: 1. Tranzistoare bipolare, la care conducia electric este asigurat att de electroni ct i de goluri. n acest caz semnalul de intrare (xi) este un curent. 2. Tranzistoare unipolare, la care conducia electric este asigurat de o singur categorie de purttori: fie numai electroni, fie numai goluri. La aceste tranzistoare semnalul de intrare (xi) n DA este o tensiune.
1.4.1 Tranzistoare bipolare - structura fizic i funcionare

Acestea sunt dispozitive semiconductoare formate din trei zone i dou jonciuni. Structura unui tranzistor bipolar poate fi de tip pnp sau npn. Simbolizarea acestora este dat n figura 1.18. Cei trei electrozi se numesc: emitor, colector i baz. Zona E este puternic dopat cu impuriti, zona B este slab dopat cu impuriti i este foarte ngust (de ordinul micronilor), iar zona C este mai puin dopat dect zona E. La funcionarea n regim de amplificare jonciunea E-B este polarizat direct, iar jonciunea B-C este polarizat invers. Structura fizic a unui tranzistor bipolar de tip pnp este prezentat n figura 1.19.
13
Curentul de difuzie prin jonciunea emitorului este format din purttorii majoritari care sunt golurile. ntruct limea bazei este foarte mic iar regiunea de trecere a jonciunii B-C se extinde mult n zona bazei (n), golurile din emitor difuzate n baz (B) sunt preluate i transportate n colector de cmpul electric intern Ei al jonciunii colectorului. Transferul aproape integral n colector a golurilor difuzate n baz poart numele de efect de tranzistor.
Figura 1.18. Structura i simbolizarea tranzistorului bipolar (pnp i npn)
Figura 1.19. Structura fizic i polarizarea tranzistorului pnp
I n = E 0.995 - factor static de amplificare n curent IC
(1.5)
Un procent foarte mic de goluri se recombin cu electroni din baz formnd atomi neutri. Din schema structural rezult ecuaia curenilor prin tranzistor: I C = n I E + I CBo (1.6)
I B = (1 n )I E I CBo IE = IC + IB
(1.7) (1.8)
unde: ICBo este curentul de purttori minoritari. Observaie: Curentul de purttori minoritari ICBo este foarte mic, rezultnd I C I E . n modul, tensiunea ntre colector i baz este mult mai mare dect tensiunea dintre emitor i baz: U CB >> U EB . Puterea la ieire, (Pe), este mai mare dect puterea de intrare (Pi): (1.9) Aceast inegalitate explic posibilitatea funcionrii tranzistorului n regim de amplificare.
Pe = IC . UCB > Pi = UEB . IB
14
Capitolul 1
1.4.2 Scheme de conexiuni i caracteristici statice

ntruct n regim de amplificare tranzistorul este considerat un cuadripol (simbolizat n figura 1.20), avnd 4 borne, iar tranzistorul avnd numai 3 terminale (baz, colector, emitor), rezult c un terminal al tranzistorului trebuie utilizat ca born comun pentru intrare i ieire. De aceea sunt posibile trei scheme fundamentale de conexiune ale tranzistorului n regim de amplificare. n oricare dintre cele 3 scheme se are n vedere c jonciunea E-B este polarizat direct, iar jonciunea C-B este polarizat invers.
Figura 1.20. Simbolizarea unui amplificator
a) Schema de conexiuni baz comun (BC figura 1.21).
Figura 1.21. Tranzistorul bipolar n conexiune baz comun
b) Schema de conexiuni emitor comun (EC figura 1.22) este cea mai utilizat, iar n continuare vor fi prezentate caracteristicile de intrare i de ieire pentru aceast conexiune. c) Schema de conexiuni colector comun (CC figura 1.23), se utilizeaz ca amplificator de putere (etaj final).
Figura 1.22. Tranzistorul bipolar n conexiune emitor comun
Figura 1.23. Tranzistorul bipolar n conexiune colector comun
Caracteristici statice de intrare pentru conexiunea EC: (figura 1.24)
I B = f ( U BE )
U CE = ct
15
Figura 1.24. Caracteristici statice de intrare Caracteristici statice . de ieire pentru conexiunea EC:
I C = f ( U CE )
I B = ct
Familiile caracteristicilor de ieire sunt date n figura 1.25, n care se disting principalele regiuni de lucru. Regiunea 1 zona de blocare (de tiere) este caracterizat de polarizarea invers a jonciunii E-B sau de lipsa polarizrii acestei jonciuni. Regiunea 2 regiunea activ normal este caracterizat de polarizarea direct a jonciunii E-B i de polarizarea invers a jonciunii C-B. I C = n I B + (1 + n )I Co (1.10) unde: n =
n se numete factor static de amplificare n curent pentru 1 n
conexiunea emitor comun.
Figura 1.25. Familiile caracteristicilor de ieire
Relaia ntre factorul de amplificare n i factorul static de amplificare n curent n pentru conexiunea baz comun este:
n =
unde n = [30 L 1000] .
n 1 + n
(1.11)
16
Capitolul 1
n regiunea de tiere curentul de baz fiind nul, din relaia (1.10) rezult:
I C (1 + n )I Co
(1.12)
unde ICo este curentul de purttori minoritari (curentul invers al jonciunii BC). Regiunea 3 este numit i zon de saturaie i corespunde situaiei cnd ambele jonciuni sunt polarizate direct. Caracteristicile au o ramur comun sub form de dreapt cu nclinaia de aproape 90o. Aceast dreapt se numete dreapt de saturaie.
1.4.3 Limitri n funcionarea tranzistorului bipolar

Considernd familia caracteristicilor de ieire pentru conexiunea emitor comun (EC), n figura 1.26 sunt ilustrate cele 3 limitri eseniale n funcionarea tranzistorului: limita curentului de colector (ICmax), limita tensiunii de colector (UCEmax) i limita puterii disipate pe tranzistor (Pmax). Aceste trei valori reprezint parametri de catalog, ce nu trebuie depii n timpul funcionrii tranzistorului. Relaiile care trebuie respectate ntre valorile de lucru i valorile limit ale celor trei parametri sunt:
I C I C max U CE U CE max Pd < Pmax = I C max .U CE max
(1.13)
Figura 1.26. Limitri n funcionarea tranzistorului bipolar
1.4.4 Tranzistorul bipolar n circuit. Stabilirea PSF

Se consider cel mai simplu etaj de amplificare, figura 1.27, realizat cu un tranzistor de tip npn. La proiectarea etajului de amplificare trebuie rezolvate dou probleme: - determinarea punctului static de funcionare (PSF); - stabilizarea punctului static de funcionare la variaia temperaturii.
17
Figura 1.27. Etaj de amplificare cu tranzistor de tip npn
Se dau: EC, RB, RC i familia caracteristicilor externe ale tranzistorului, iC=f(UCE), prezentat n figura 1.28. Se cere: PSF M(UCEo, iCo)
Figura 1.28. Familia caracteristicilor externe ale tranzistorului
Aplicnd teorema a II-a a lui Kirchhoff pe circuitul de ieire (figura 1.27) se obine: EC = RC iC + UCE - ecuaia dreptei de sarcin. (1.14) Procednd similar pentru circuitul de intrare se obine: EC = RB iB + UBE (1.15) Neglijnd UBE n raport cu EC ( UBE 0), din relaia (1.15) se obine:
iBo
EC RB
(1.16)
Punctul static de funcionare, M(UCEo; iCo), se obine la intersecia caracteristicii externe (aferent curentului iBo) cu dreapta de sarcin, trasat prin tieturile sale ( IC =
EC i U CE = E C ). Panta (nclinarea) dreptei de sarcin se exprim prin RC tg()=RC.
18
Capitolul 1
1.4.5 Influena temperaturii asupra caracteristicilor externe. Stabilizarea punctului static de funcionare
Dac temperatura crete iCo crete, ceea ce conduce la creterea factorului de amplificare n, rezultnd o cretere a curentului de colector care deplaseaz punctul static de funcionare M n M (figura 1.29). Un alt efect al creterii temperaturii l reprezint micorarea tensiunii E-B (pentru IE=ct. sau IB=ct.) i ca urmare modificarea caracteristicilor de intrare, att n conexiunea EC ct i n conexiunea BC. De asemenea, cresc factorii statici de amplificare n curent n i n. Dac deplasarea PSF este mare, atunci funcionarea etajului de amplificare este defectuoas. Pentru restabilirea funcionrii normale este necesar readucerea PSF (M) n poziia iniial (M), realiznd astfel stabilizarea PSF la variaia temperaturii.
Figura 1.29. Modificarea PSF la variaia temperaturii
Exist mai multe metode de stabilizare, care utilizeaz diverse scheme, dar cea mai utilizat este schema din figura 1.30 n care, cu ajutorul rezistenei de emitor (RE) se rezolv problema stabilizrii PSF.
Figura 1.30. Schem utilizat pentru stabilizarea PSF-ului la variaia temperaturii
Stabilizarea PSF se explic prin relaiile: (1.17) Dac T iC (punctul M se deplaseaz n M), ceea ce conduce la creterea curentului de emitor (iE iC). Din (1.17) se observ c UBE scade ceea ce conduce la micorarea curentului de colector. Deci se compenseaz creterea iniial a curentului iC iar punctul static de funcionare este adus din poziia M n poziia iniial M.
U = UBE + RE . iE UBE = U - RE . iE
19
Observaii: Divizorul de tensiune format din rezistenele RB1 i RB2 permite impunerea valorii curentului de baz n regim static (iBo). De regul se adopt curentul prin RD la valoarea: iD10iBo. Condensatorul din emitor, CE, n paralel cu rezistena de emitor, are rolul de a scurtcircuita rezistena de emitor atunci cnd etajul funcioneaz n curent alternativ. La funcionarea etajului n curent alternativ condensatorul CE elimin reacia negativ de tensiune dac reactana condensatorului de emitor este de cel puin 10 ori mai mic dect RE: XE 0,1 RE. n regim static de funcionare cderea de tensiune pe rezistena din emitor se poate calcula cu relaia: RE.iE 0,2EC.
1.4.5.1 Scheme de stabilizare a punctului static de funcionare utiliznd elemente neliniare de compensare
Pentru stabilizarea punctului static de funcionare se pot utiliza i elemente de compensare ce au caracteristici neliniare, cum sunt termistoarele i diodele semiconductoare. n figura 1.31 este prezentat o schem de stabilizare utiliznd un termistor ca element de compensare. La creterea temperaturii, rezistena termistorului scade, iar curentul prin termistor crete, astfel nct curentul iB, rezultat din nodul A, scade corespunztor, acionnd n sensul compensrii efectului de cretere a curentului de colector cu temperatura.
Figura 1.31. Schema de stabilizare a punctului Figura 1.32. Schem cu diod de static de funcionare utiliznd termistor compensare, pentru stabilizarea punctului static de funcionare
n figura 1.32 este dat o schem de stabilizare termic utiliznd o diod ca element de compensare. Dioda D fiind polarizat n sens de blocare, la creterea temperaturii va crete curentul invers idi, avnd ca efect micorarea curentului iB, deci are loc compensarea efectului de cretere a curentului iC cu temperatura.
1.4.6 Regimul dinamic al tranzistorului bipolar (funcionarea etajului de amplificare n regim dinamic)
Se consider cel mai simplu etaj de amplificare utiliznd un tranzistor bipolar npn n conexiune emitor-comun (figura 1.33-a), pentru care diagramele curenilor i tensiunilor, corespunztoare punctului static de funcionare M, sunt prezentate n figura 1.33-b.
20
Capitolul 1
Datorit semnalului alternativ de la intrare, peste componentele continue (iB0, iC0) ale curenilor din tranzistor se suprapun componentele alternative. Curenii prin tranzistor vor fi:
i B = i Bo + i B ~ i C = i Co + i C ~
(1.18)
De asemenea, tensiunea colector-emitor are dou componente: (1.19) Condensatorul de cuplaj CC permite trecerea componentei alternative i blocheaz componenta continu (dac exist) a semnalului de intrare. n timpul funcionrii etajului de amplificare n curent alternativ, punctul static de funcionare (M) se deplaseaz pe dreapta de sarcin, corespunztor valorilor maxime ale curentului iB~ . n regim dinamic punctul static M se deplaseaz n ambele sensuri pe dreapta de sarcin i descrie caracteristica dinamic, adic segmentul AB, marcat cu linie groas. Deci caracteristica dinamic este locul geometric al punctelor statice de funcionare cnd la intrarea etajului se aplic semnalul alternativ. Deplasarea alternativ a punctului static (M) pe dreapta static de sarcin, ntre punctele A i B se face cu frecvena semnalului de intrare (iB~) i are ca efect apariia componentelor alternative pentru curentul de colector (adic iC~) i pentru tensiunea de la ieire (UCE~). Tensiunea de la ieirea etajului (UCE~) este n antifaz fa de curentul de intrare alternativ (iB~). Curentul de la ieire (iC~) este n faz cu cel de la intrare (iB~). Dac sarcina etajului nu este rezistiv, adic este inductiv sau capacitiv, panta caracteristicii dinamice (panta segmentului AB - tg ) este diferit fa de panta caracteristicii statice (tg ). Construcia grafic (reprezentat la scar) a caracteristicilor n regim dinamic permite calculul grafo-analitic al parametrilor etajului de amplificare. Parametrii principali ai unui etaj de amplificare sunt: Amplificarea n tensiune: A U = A =
U CE = U CEo + U CE ~
U2
Ui U BE I I Amplificarea n curent: A I = 2 = C (val. eficace). (1.21) I1 IB Amplificarea n putere: AP = Pe/Pi; unde Pe = UCE IC, iar Pi = UBE IB (1.22)
Rezistenele de intrare i ieire ale etajului de amplificare sunt:
U CE
(val. efective)
(1.20)
Ri =
U U1 ; R E = 2 , unde: U1 = UBE, I1 = IB, U2 = UCE, I2 = IC I1 I2
(1.23)
Observaie: Dac tensiunea de intrare Ui este de nalt frecven sau dac sarcina nu este rezistiv parametrii etajului sunt mrimi complexe: Zi, ZC, AU, AI. Proprieti calitative ale etajelor de amplificare n raport cu schema de conexiune utilizat. a) Conexiunea baz-comun (BC): Ri - rezistena la intrare (zeci de ); Re - rezistena la ieire (sute de k sau M); Ai 1; AU =zeci sau sute. b) Conexiunea colector-comun (CC): Ri - rezistena la intrare (zeci sau sute de k); Re - rezistena la ieire (zeci sau sute de );
21
Ai = zeci sau sute; AU 1. c) Conexiunea emitor-comun (EC): Ri - rezistena la intrare (k); Re - rezistena la ieire (zeci k); Ai = zeci sau sute; AU= zeci sau sute. Concluzii: Schema colector-comun este utilizat n circuitele de adaptare pentru c are rezistena la ieire mic sau, n construcia amplificatoarelor de putere. Schema baz-comun (BC) creeaz dificulti la cuplarea etajelor n cascad (serie) datorit diferenelor foarte mari ntre impedana (sau rezistena) de intrare i cea de ieire. Pentru amplificatoarele de tensiune, schema cea mai utilizat este cea cu emitorul-comun.
Figura 1.33. Regimul dinamic al tranzistorului bipolar
1.4.7 Tranzistoare unipolare

n cazul tranzistoarelor unipolare, conducia este asigurat de o singur categorie de purttori: fie electroni, fie goluri. Tranzistoarele unipolare se mai numesc Tranzistoare cu Efect de Cmp (TEC). Se mai utilizeaz abrevierea FET, care n limba englez are aceeai semnificaie: Field Effect Transistor. Funcionarea acestora se bazeaz pe modificarea conductanei unei ci de trecere a purttorilor care produc curentul electric prin dispozitiv. Calea de trecere se numete canal i este situat ntre doi electrozi numii surs (S) i dren (D). Canalul poate fi realizat din purttori de sarcin negativi (electroni), fiind canal de tip n, sau goluri (care au sarcin pozitiv), canalul fiind de tip p.
22
Capitolul 1
Figura 1.34. Simbolizarea tranzistoarelor unipolare
Conductana canalului se modific sub influena cmpului electric produs de tensiunea aplicat la al 3-lea electrod numit gril (G) sau poart (P). Din acest motiv tranzistoarele unipolare se numesc cu efect de cmp. Deoarece conductana canalului depinde de potenialul grilei, TEC sunt comandate n tensiune. Rezistena intern a acestor tranzistoare este foarte mare ( 108 ... 1012 ). Dup modul n care se realizeaz controlul (reglajul) conductanei canalului exist dou categorii de tranzistoare unipolare: 1) TEC cu jonciuni (TEC-J); 2) TEC cu gril (poart) izolat, avnd structur MOS (Metal Oxid Semiconductor)- TEC-MOS.
1.4.7.1 TEC-J avnd canal de tip n. Structur fizic i funcionare

Tranzistoarele cu efect de cmp i jonciuni (TEC-J) pot avea canalul de tip n sau p. n cele ce urmeaz se prezint structura fizic a unui tranzistor TEC-J avnd canal de tip n, figura 1.35-a.
Figura 1.35. TEC-J - structura fizic (a); distribuia potenialului (b)
Zonele haurate reprezint regiunile de trecere ale celor dou jonciuni. Zona p a grilei formeaz cu zona n a canalului o jonciune polarizat invers. Baza fiind legat la grila negativat de ctre tensiunea UG, rezult alt jonciune p-n polarizat invers. Deci canalul de tip n este situat ntre dou jonciuni polarizate invers. Distribuia spaial a potenialului la nivelul canalului este prezentat n figura 1.35-b. n funcionarea tranzistorului TEC-J se disting urmtoarele situaii: a) Dac grila nu este polarizat (UG =0), regiunile de trecere au lime neglijabil (deci nu apar zonele haurate) i ca urmare seciunea canalului este maxim, respectiv curentul de dren este maxim (ID=IDmax). b) Cnd grila este negativat (UG<0), regiunile de trecere (reprezentate prin zonele haurate din figura 1.35-a) se extind n zona canalului micornd
23
seciunea acestuia, iar curentul de dren care circul ntre surs (S) i dren (D) se micoreaz. c) Dac grila este puternic negativat (UG<<0) regiunile de trecere se unesc anulnd seciunea canalului i ca urmare se anuleaz curentul de dren (ID0). Simbolizarea n circuite a tranzistoarelor TEC-J este prezentat n figura 1.36a i b.
Figura 1.36. Simbolizarea tranzistorului TEC-J: a) canal n; b) canal p
Importan deosebit prezint familia caracteristicilor de ieire (figura 1.37) i de intrare (figura 1.38). Familia caracteristicilor de ieire prezint dou zone: I- zona de amplificare; II zona de saturaie. n zona de amplificare curentul de dren este reglat prin modificarea tensiunii de gril.
Figura 1.37. Familia caracteristicilor de ieire
n familia caracteristicilor de intrare se observ c tensiunea de prag (Up) reprezint valoarea tensiunii de gril la care se anuleaz curentul de dren (ID), indiferent de tensiunea aplicat pe dren.
Figura 1.38. Familia caracteristicilor de intrare
24
Capitolul 1
1.4.7.2 Construcia etajului de amplificare cu TEC-J

Funcionarea unui etaj de amplificare, realizat cu tranzistori TEC-J (canal n), este posibil dac tranzistorul este polarizat corect, adic atunci cnd grila (G) este negativ n raport cu sursa (S), iar pe dren (D) se aplic o tensiune pozitiv. Aceste condiii impuse etajului de amplificare pot fi ndeplinite, dac se utilizeaz una dintre schemele prezentate n figura 1.39-a i b. n figura 1.39-a etajul de amplificare utilizeaz o surs separat (Eg) pentru negativarea grilei. Rezistena Rg se adopt de ordinul megohmilor (M) i are rolul de a transmite pe gril potenialul negativ al sursei (bateriei) Eg. n acelai timp, valoarea mare a rezistenei Rg asigur o rezisten (impedan) de intrare ridicat pentru etajul de amplificare.
Figura 1.39. Etaj de amplificare cu TEC-J: a) cu surs separat pentru negativarea grilei; b) cu negativare automat a grilei.
n schema din figura 1.39-a tensiunea de negativare a grilei este: UG0 = Eg. Curentul de dren (curentul de sarcin al etajului) este limitat prin rezistena de dren (RD). Condensatoarele CC1 i CC2 sunt condensatoare de cuplaj la intrare i respectiv la ieirea etajului, acestea avnd rolul de blocare a componentei continue din semnalul de intrare i/sau ieire. Schema din figura 1.39-b realizeaz negativarea automat a grilei n raport cu sursa, utiliznd o singur surs de alimentare (sursa de dren ED). Cderea de tensiune pe rezistena sursei (RS), dat de componenta continu a curentului de dren ID0 = IS0, se aplic ntre surs i gril (prin rezistena Rg), cu semnul plus (+) la surs i minus () la gril. Rezult tensiunea de negativare a grilei, dat de relaia:
UG0 = RS ID0
S
(1.24)
Condensatorul CS decupleaz (scurtcircuiteaz) rezistena RS la funcionarea etajului n curent alternativ, ntruct reactana X C a acestuia este neglijabil la frecvena de lucru a etajului. Observaie: n proiectarea etajului de amplificare cu TEC-J trebuie ndeplinite dou condiii eseniale: Cderea de tensiune pe condensatorul de cuplaj CC1 de la intrarea etajului s nu fie mai mare de un procent (0.01) din valoarea nominal a semnalului de intrare. Rezult c ntre rezistena Rg i reactana X C trebuie s existe
C1
relaia:
X C C1
Rg 100
(1.25)
25
Condensatorul CS conectat n paralel cu RS trebuie s unteze rezistena RS la funcionarea etajului n curent alternativ, astfel nct s se elimine reacia negativ de tensiune. Aceast condiie este ndeplinit dac ntre rezistena sursei RS i reactana X C exist relaia:
S
X CS
RS 10
(1.26)
1.4.7.3 Funcionarea etajului de amplificare cu TEC-J n regim dinamic

Considernd etajul de amplificare din figura 1.39-a i aplicnd teorema a II-a a lui Kirchhoff pe circuitul de ieire rezult ecuaia dreptei statice de sarcin: ED = RD ID + UDS (1.27) Presupunnd dat familia caracteristicilor de ieire I D = f ( U DS ) U = ct. G pentru tranzistorul TEC-J utilizat n etajul de amplificare (figura 1.39-a), se traseaz dreapta static de sarcin n planul caracteristicilor de ieire (figura 1.40), utiliznd punctele de intersecie ale dreptei de sarcin cu axele de coordonate:
ID =
ED ; RD
U DS = E D
(1.28)
Punctul static de funcionare (M) se obine la intersecia caracteristicii de ieire, pentru UG0= Eg , cu dreapta static de sarcin. Proieciile duse din punctul static (M) pe axele ID i UDS determin coordonatele ID0 i UDS0 ale punctului M. Panta dreptei statice de sarcin, exprimat prin tg(), depinde numai de valoarea rezistenei de dren RD: tg()=RD. Dac la intrarea etajului se aplic un semnal alternativ (u~), atunci componenta alternativ a tensiunii de gril (UG ~) determin deplasarea rectilinie alternativ, cu frecvena semnalului UG ~ , a punctului static M pe dreapta de sarcin ntre punctele A i B. Astfel segmentul AB, figurat cu linie groas, reprezint caracteristica dinamic a tranzistorului TEC-J. Panta caracteristicii dinamice (tg ) va fi diferit de panta dreptei statice (tg ) dac la ieirea etajului se conecteaz, prin CC2, o rezisten de sarcin RS (sau o impedan ZS). n acest caz panta caracteristicii dinamice va fi: tg = f (RD + RS) sau tg = g (RD + ZS) (1.29) Din figura 1.40 se observ c la funcionarea etajului n regim dinamic apar componentele alternative ale curenilor i tensiunilor prin tranzistor care se suprapun peste componentele continue ale acestora. Astfel, expresiile curenilor i tensiunilor n regim dinamic sunt:
UG = UG0+ UG ~ UDS = UDS0+ UDS ~ ID = ID0+ ID ~
(1.30)
26

Capitolul 1
Observaii: Curentul de la ieirea etajului (ID~) este n faz cu semnalul alternativ de la intrare (UG ~). Tensiunea de ieire (UDS ~) este n antifaz cu semnalul de intrare (UG~).
Figura 1.40. Diagramele tensiunilor i curenilor la funcionarea etajului n regim dinamic
1.4.7.4 Tranzistorul TEC-MOS avnd canal permanent (de tip n)

Structura MOS este prezentat n figura 1.41. La suprafaa semiconductorului de tip n se depune prin difuzie un strat de oxizi cu o grosime de (10-5 ...10-6) mm. Metalul depus pe oxid joac rol de gril, deoarece modific prin potenialul su proprietile semiconductorului la suprafaa dinspre oxid, deci modific conductivitatea canalului, ceea ce conduce la modificarea curentului de sarcin prin tranzistor. Structura MOS poate avea dou tipuri de canale: a) canal de tip n (electroni); b) canal de tip p (goluri). n cazul tranzistoarelor TEC-MOS avnd canal permanent, la care grila este izolat de canal prin stratul de oxid, rezistena de intrare rezult foarte mare: Ri1014 . Structura fizic este prezentat n figura 1.42-a iar familia caracteristicilor statice de ieire i intrare este dat n figura 1.42-b. Dac grila este la potenial pozitiv, atunci regimul de funcionare este un regim de mbogire (n purttori), iar curentul de dren crete. n figura 1.42-b sunt reprezentate caracteristicile de ieire i intrare:
i D = f ( U D ) U G = ct
Valoarea tensiunii de gril pentru care curentul de dren se anuleaz (iD=0) poart numele de tensiune de prag (Up). n figura 1.42-b sunt marcate regiunile I i II, reprezentnd: I-regiunea de amplificare; II regiunea de saturaie. Observaii: Dac se cere o rezisten de intrare (Ri) ct mai mare a etajului de amplificare, PSF se alege pe dreapta de sarcin n zona de mbogire (gril pozitiv). Pentru Ri mic, se alege PSF n regiunea de srcire (gril negativ).
i D = g( U G ) U D = ct
(1.31)
27
Figura 1.41. Structura tranzistorului MOS
Figura 1.42. Structura fizic (a); familia caracteristicilor statice de ieire i intrare (b)
1.4.7.5 Construcia unui etaj de amplificare utiliznd tranzistor TECMOS avnd canal de tip n.
n figura 1.43 este prezentat schema unui etaj de amplificare la care tranzistorul de tip TEC-MOS (canal n), este alimentat de la o singur surs (+ED), considernd c n PSF tensiunea de gril este negativ (UGo<0). Grupul RS - CS asigur negativarea automat a grilei n raport cu sursa de alimentare, la fel ca n cazul TEC-J. Rezistena de gril (RG) se adopt suficient de mare (de ordinul M) astfel nct s asigure o impedan mare la intrarea etajului de amplificare. Dac din schema etajului de amplificare (figura 1.43) se elimin elementele RS, CS i RG, atunci se obine un etaj de amplificare ce asigur o impedan de intrare (Zi) foarte mare (1012 ). Astfel de amplificatoare cu impedane de intrare foarte mari sunt necesare n construcia adaptoarelor traductoarelor de pH, a
28
Capitolul 1
traductoarelor piezoelectrice etc. Regimul dinamic al tranzistorului TEC-MOS este asemntor celui prezentat la tranzistorul TEC-J ( 1.4.7.3)
Figura 1.43. Etaj de amplificare cu TEC-MOS avnd canal n
1.5 Dispozitive semiconductoare speciale

n electronica aplicat se utilizeaz frecvent dispozitivele semiconductoare speciale. Structura fizic a acestor dispozitive conine mai multe straturi n succesiune pnpn, deci mai multe jonciuni. Din acest motiv aceste dispozitive semiconductoare se mai numesc i multijonciune. Cele mai utilizate dispozitive multijonciune sunt: dioda pnpn (numit diod Shockley sau dinistor), tiristorul, triacul, diacul. Un dispozitiv semiconductor special care are o singur jonciune i trei electrozi (terminale) este Tranzistorul Uni-Jonciune (TUJ). n cele ce urmeaz se va prezenta structura, caracteristicile i funcionarea urmtoarelor dispozitive semiconductoare:
1.5.1 Tiristorul
Tiristorul este principalul dispozitiv semiconductor utilizat n electronica de putere. El este format din 4 zone i 3 jonciuni, structura acestuia i simbolizarea fiind prezentate n figura 1.47. Cei trei electrozi (terminale) se numesc: anod (A), catod (C) i poart sau gril (P sau G).
Figura 1.47. Structura fizic i simbolizarea tiristorului
29
Tiristorul este echivalent cu dou tranzistoare bipolare complementare (pnp i npn), conectate ca n figura 1.48.
Figura 1.48. Schema echivalent a unui tiristor
Funcionarea tiristorului cuprinde dou etape: a) amorsarea (intrarea n conducie sau aprinderea). Pentru amorsare se aplic tensiune pozitiv la anod i negativ la catod, dup care este necesar un curent de gril pozitiv care se aplic sub form de impuls. Din figura 1.48 se observ c: i B 2 = i C1 + i G . La nceput ambele tranzistoare sunt blocate, iar i B 2 este dat numai de curentul de gril care trebuie s fie suficient de mare. n continuare se deschide puin T2, ceea ce duce la creterea lui i C = i B , adic i B crete i 2 1 1 deschide T1 rezultnd creterea curentului de colector al tranzistorului T1. Acest lucru conduce la creterea lui i B , fenomenul de conducie (cretere a curenilor 2 prin tranzistoare) accelerndu-se pn cnd ambele tranzistoare intr n saturaie. Curentul prin tiristor (care circul de la anod la catod) trebuie limitat printr-o rezisten de sarcin, astfel nct acesta s nu depeasc valoarea nominal (care este un parametru de catalog). b) blocarea tiristorului are loc atunci cnd curentul prin tiristor se micoreaz, adic ia scade sub valoarea curentului de meninere iam (parametru de catalog), figura 1.49. Pentru un tiristor prezint importan caracteristica anodic, ia=f(Ua), ilustrat n figura 1.49.
Figura 1.49. Caracteristica anodic a tiristorului
30
Capitolul 1
n planul caracteristicilor anodice, figura 1.49, se disting 3 zone corespunztoare regimurilor de funcionare ale tiristorului: zona I corespunztoare regimului de blocare (curentul crete foarte puin, fiind neglijabil); zona II corespunztoare regimului de tranziie din starea blocat n starea de conducie (cnd tensiunea scade pronunat, iar curentul anodic are o cretere mic). n regimul de tranziie rezistena intern a tiristorului este negativ:
R Ti =
U a < 0; i a
(1.32)
zona III corespunde regimului de conducie (curentul crete brusc dup o caracteristic aproape vertical, iar cderea de tensiune ntre anod i catod rmne aproximativ constant). Caracteristica de comand (caracteristica de gril) reprezint dependena tensiunii de amorsare n raport cu valoarea curentului de gril (figura 1.50). Aceast caracteristic separ zona de blocare fa de zona de conducie i explic faptul c pentru tensiuni de amorsare mari, valorile curenilor de gril necesari amorsrii sunt mai mici i invers (fenomen ilustrat i n figura 1.49).
Figura 1.50. Caracteristica de comand a tiristorului
Principalii parametri de catalog ai tiristorului sunt: curentul nominal (curentul direct) al tiristorului IN 1000A; tensiunea invers Uinv = sute (mii) voli (tensiunea anodic invers); temperatura maxim a jonciunii Tj max 140 oC. Observaii: Dac ntre tensiunile de amorsare Uam1 i Uam2 exist inegalitatea (Uam1<Uam2), atunci ntre curenii de gril corespunztori exist inegalitatea invers: i G1 > i G 2 . Pentru protecia tiristorului la cureni de scurtcircuit se utilizeaz o siguran fuzibil special (ultrarapid, e, figura 1.51), iar pentru protecia acestuia mpotriva gradienilor de tensiune invers se utilizeaz un circuit Rp-Cp serie conectat n paralel cu tiristorul (figura 1.51). Grupul Rp-Cp asigur atenuarea gradienilor de tensiune invers (periculoi pentru jonciunile tiristorului) ce apar n momentul blocrii acestuia. Pentru limitarea vitezei de cretere a curentului la o valoare sub viteza critic (parametru de catalog), se nseriaz cu tiristorul o bobin de inductivitate L (calculat ca i grupul Rp-Cp dup o metodologie utilizat de exemplu, n [1]).
31
Dup intrarea n conducie a tiristorului, curentul de sarcin (curentul anodic) este limitat numai de rezistena i/sau inductivitatea de sarcin (RS, LS).
Figura 1.51. Tiristorul n circuit
Amplitudinea impulsului de comand pe gril (iG) reprezint un parametru de catalog a crui valoare nu trebuie depit. Pentru amorsarea tiristorului este necesar ca durata impulsului de comand (iG) s fie suficient de mare, astfel nct curentul prin tiristor (ia figura 1.49) s depeasc valoarea curentului de meninere iam. Tiristorul reprezint un ntreruptor static n curent continuu i este utilizat n construcia variatoarelor de tensiune continu monofazate sau polifazate. Acest domeniu de aplicaie aparine electronicii de putere, care este o ramur distinct a electronicii industriale.
1.5.2 Triacul
Triacul este un dispozitiv semiconductor cu o structur complex. Fcnd abstracie de structura fizic, se poate considera c triacul este echivalent cu dou tiristoare n conexiune antiparalel comandate printr-o gril comun (figura 1.52-a). Conectarea triacului n circuit este prezentat n figura 1.52-b. Elementele de protecie necesare triacului sunt aceleai ca n cazul tiristorului. ntruct triacul are conducie bidirecional, caracteristica anodic, ia=f(ua), este format din dou ramuri situate n cadranele I i III (figura 1.53). La funcionarea triacului ntr-un circuit de sarcin se disting dou situaii: a) Dac anodul A2 este pozitiv fa de anodul A1, intrarea n conducie se face pentru cureni de gril pozitivi (iG>0), iar funcionarea corespunde cadranului I. b) Dac anodul A2 este negativ fa de anodul A1, trecerea n starea de conducie are loc pentru cureni de gril negativi (iG<0), iar funcionarea corespunde cadranului III. Triacul reprezint un ntreruptor static n curent alternativ i este utilizat pentru reglarea tensiunii alternative (n structura variatoarelor de tensiune alternativ) la bornele receptoarelor mono sau trifazate. Principalii parametrii de catalog, ce trebuie luai n considerare la alegerea unui triac, sunt urmtorii: curentul nominal, IN 75A; tensiunea maxim invers, Uinv-max 1200V; temperatura maxim a jonciunii, Tj-max 140 oC. Observaie: Valorile absolute ale curenilor de gril |iG1| i |iG2| necesari amorsrii triacului depind de valorile efective ale tensiunilor de amorsare ale triacului (Uam1 i Uam2). Asemntor fenomenelor ntlnite la tiristor, dac tensiunile de
32
Capitolul 1
amorsare aplicate triacului sunt mai mari, curenii de gril necesari intrrii n conducie vor fi mai mici i invers.
(a)
(b)
Figura 1.52. Simbolizarea triacului (a); triacul n circuit (b)
Figura 1.53. Caracteristicile anodice ale triacului
1.5.3 Tranzistorul unijonciune (TUJ)

Acest dispozitiv semiconductor se mai numete i diod cu dou baze. Structura fizic i simbolizarea sunt prezentate n figura 1.54.
Figura 1.54. Structura fizic i simbolizarea tranzistorului unijonciune
La acest tranzistor zona n este slab dopat cu impuriti, iar rezistena RBB ntre bazele B1 i B2 este relativ mare (de ordinul k). Jonciunea p-n este realizat n zona median a blocului semiconductor de tip n. Zona p a emitorului este puternic
33
dopat cu impuriti. La aplicarea unei tensiuni uBB>0 ntre cele dou baze potenialul punctului M situat pe jonciune va fi egal cu uBB, unde se numete raport intrinsec (coeficient subunitar) exprimat prin relaia:
rB1 + rB 2
rB1
(1.33)
n care rB1 i rB2 sunt rezistenele barei de semiconductor, ntre punctul din dreptul jonciunii emitorului i cele dou baze. De regul =0,5 0,8. Intrarea n conducie a tranzistorului unijonciune are loc dac sunt ndeplinite condiiile: a) uBB > 0, (semnul plus la borna B2);
b) uEB1 > uBB.
Cnd aceste condiii sunt ndeplinite jonciunea p-n este polarizat direct, curentul de emitor (iE) crete lent pe durata regimului tranzitoriu, iar uEB1 scade pn la valoarea de 0,8 ... 1 V (punctul A din figura 1.55). Pe durata regimului tranzitoriu (poriunea OA din caracteristici) rezistena intern a TUJ este negativ. Dup terminarea regimului tranzitoriu curentul de emitor crete brusc (pe ramura AB comun caracteristicilor), fiind limitat numai de valoarea rezistenei de sarcin.
Figura 1.55. Familia caracteristicilor curent-tensiune
Datorit formei de variaie a curentului de emitor (n regim de conducie), tranzistorul unijonciune este utilizat ca formator de impulsuri n circuitele de comand ale tiristoarelor sau triacurilor.
1.6 ntrebri i problem

1. Care este legea de variaie a purttorilor de sarcin n cazul semiconductoarelor omogene? Precizai semnificaia parametrilor din expresia analitic ! 2. Care sunt proprietile regiunii de trecere a unei jonciuni pn? 3. Care sunt parametrii de catalog i semnificaia acestora, n cazul Termistorului i Fotodiodei ?
34
Capitolul 1
4. Care sunt relaiile analitice ce justific proprietatea de amplificare a tranzistorului bipolar ? 5. Cum (n cte moduri) se poate msura o tensiune alternativ cu parametrii: Uef = 80V; f = 20 KHz ? 6. Care este schema de conexiune a unui etaj de amplificare ce are parametrii: RI =4 K; Re = 40 K ? 7. Ce reprezint caracteristica dinamic n cazul tranzistorului bipolar i de cine depinde panta acesteia ? 8. Prin ce parametru (variabil) se poate modifica seciunea canalului (de tip n) n cazul TEC-J ? 9. Ce modaliti (variante) exist pentru negativarea grilei n cazul TEC-J, canal de tip n (permanent) ? 10. Care element (component) din schema etajului de amplificare asigur stabilizarea PSF la variaia temperaturii mediului ? Problem Considernd schema unui etaj de amplificare, cu TEC-J (prezentat mai jos), n care se cunoate: U DS0 = 10 [ V ] ; I DS0 = 8m [ A ] ; U G0 = 5 [ V ] ; f min = 200 [ Hz ] ;
Se cere s se calculeze valorile elementelor: R S ; R D ; C1 ; C2 = CS .
CAPITOLUL 2
AMPLIFICATOARE I OSCILATOARE
2.1 Proprieti generale i caracteristici ale amplificatoarelor
Un amplificator este simbolizat, ca n figura 2.1, printr-un cuadripol activ care are dou perechi de borne. Sarcina sa poate fi rezistiv sau poate fi o impedan. Amplificarea semnalului de la intrare se face utiliznd energie preluat de la sursa de alimentare (Uo), care de regul nu se simbolizeaz n schemele bloc.
Figura 2.1. Schema de principiu a unui amplificator
Bornele de intrare (1 1) reprezint poarta de intrare, caracterizat de tensiunea i curentul de intrare, U1, respectiv I1. Bornele de ieire (2 2) reprezint poarta de ieire, caracterizat de tensiunea U2 i respectiv curentul I2. Un amplificator are rolul de dezvolta n circuitul de ieire o putere mai mare dect cea aplicat la intrare, n condiia ca semnalul de la ieire s pstreze forma semnalului aplicat la intrare.
2.1.1 Parametrii principali ai amplificatoarelor

Dac notm cu P1 puterea n circuitul de intrare i cu P2 puterea obinut la ieire, se pot defini urmtorii parametri: Amplificarea de putere Ap: A p =
P2 >1 P1
(2.1)
36
Amplificarea n tensiune Au: A u A =
Capitolul 2
U2 U1 U2 U1
(2.2)
Frecvent se utilizeaz unitatea logaritmic pentru amplificare, numit decibel [dB]. Amplificarea n decibeli se calculeaz utiliznd relaia:
A[dB] = 20 log A = 20 log

Exemple:
[dB]
(A > 0)
(2.3)
- dac A = 1 AdB = 0; - dac A = 10n AdB = 20n.
Puterea nominal este puterea maxim debitat n sarcin n condiiile cnd factorul de distorsiuni, ce caracterizeaz deformarea unui semnal sinusoidal, nu depete o limit impus (de exemplu 5%). Amplificarea n curent se definete prin relaia: A i =
I2 I1
(2.4)
Considernd reprezentrile n complex ale mrimilor intrare-ieire, se pot defini amplificrile n tensiune i curent prin relaiile:
A=
U2 ; U1
I Ai = 2 I1
(2.5)
Impedana de intrare este impedana echivalent la bornele de intrare atunci cnd la bornele de ieire este conectat impedana de sarcin nominal (ZSN). Aceasta se definete prin relaia:
Zi =
U1 I1
(2.6)
Valoarea impedanei de intrare trebuie s fie de ordinul meghomilor [M], atunci cnd amplificatoarele se utilizeaz n aparatura de msurare (voltmetre electronice, osciloscoape etc). Cnd amplificatoarele intr n componena traductoarelor piezoelectrice, piezorezistive sau de pH, impedana de intrare (Zi) trebuie s fie foarte mare: Zi[108...1012] . n aceste cazuri primul etaj al amplificatorului se realizeaz cu tranzistoare MOS. Impedana de ieire, Ze, trebuie s fie mic (zeci de ) pentru ca la ieire s se poat debita un curent (o putere) ct mai mare n impedana de sarcin nominal (ZSN). Raportul semnal util/zgomot propriu este parametrul ce caracteri-zeaz efectul tensiunii fluctuante la ieirea amplificatorului care exist i atunci cnd nu se aplic semnal la intrare. Zgomotul propriu al amplificatorului se poate datora: - agitaiei termice a purttorilor de sarcini elementare prin rezistoare i tranzistoare; - tensiunilor electromotoare parazite induse datorit cmpurilor electromagnetice din mediul nconjurtor; - componentei alternative din tensiunea de alimentare a amplificatorului (cnd filtrarea acestei tensiuni este necorespunztoare). Un amplificator performant trebuie s aib raportul dintre semnalul util i zgomot ct mai mare.
Amplificatoare i oscilatoare
37
2.1.2 Caracteristici importante ale amplificatoarelor

Caracteristica extern reprezint dependena tensiunii de ieire n raport cu tensiunea de intrare, ( U 2 = f ( U1 ) ), fiind dat n figura 2.2.
Figura 2.2. Caracteristica extern a amplificatorului
n figur se disting dou zone: zona OA (zona I) corespunztoare regiunii liniare a caracteristicii, n care este valabil relaia A[dB]=20logA i zona AB (zona II) corespunztoare regiunii neliniare de saturaie. Dac Ui>Uimax atunci semnalul de ieire este distorsionat (deformat). Distorsiunile de acest tip se numesc distorsiuni de neliniaritate. Se definete factorul distorsiunilor de neliniaritate d[%] exprimat prin relaia: 2 2 2 A 2 + A 3 + A 4 + ... d[%] = 100 (2.7) A1 unde: A1 este amplitudinea armonicii fundamentale a semnalului de ieire u2(t) distorsionat, cnd la intrare se aplic un semnal perfect sinusoidal; A2, A3, A4 ... reprezint amplitudinile armonicilor de ordin superior ale semnalului u2(t). Pentru a explica apariia distorsiunilor de neliniaritate i efectul poziiei punctului static de funcionare (PSF) al tranzistorului asupra lrgimii zonei de liniaritate n caracteristica intrare-ieire, se consider un etaj de amplificare cu tranzistor bipolar la intrarea cruia se aplic un semnal sinusoidal. n figura 2.3 sunt prezentate caracteristicile de ieire ale tranzistorului mpreun cu dreapta de sarcin (AB), unde punctul A este situat n zona de saturaie, iar punctul B n zona de tiere. Dac PSF se alege n zona median a caracteristicii statice ( soluia corect figura 2.3-a) semnalul de ieire (ue2) va fi distorsionat atunci cnd amplitudinea semnalului de intrare (ui 2) depete valoarea maxim (ui max) delimitat de curbele c1 i c2.
(a)
(b)
Figura 2.3. a) Distorsiuni datorate de amplitudinii prea mari a semnalului de intrare; b) Distorsiuni datorate alegerii greite a poziiei PSF
38
Capitolul 2
Dac PSF este greit ales spre punctul A, figura 2.3-b, semnalul de ieire (ue) va fi distorsionat numai pentru semialternana pozitiv deoarece numai prima semialternan din semnalul de intrare (ui) depete valoarea maxim, delimitat prin caracteristica c1. Caracteristica de frecven este prezentat n figura 2.4 i exprim dependena modulului amplificrii n raport cu frecvena (f): A[dB] = g(f) (2.8)
Figura 2.4. Caracteristica de frecven
n aplicaiile practice intereseaz domeniul de frecven n care amplificarea este aproximativ constant. Acest domeniu se numete banda de trecere a amplificatorului (Bt) i reprezint domeniul cuprins ntre frecvena joas de tiere (ftj) i frecvena de tiere nalt (ft) pentru care amplificarea A[dB] nu se micoreaz cu mai mult de 3dB. Micorarea cu 3dB a amplificrii, la extremitile benzii de trecere, este echivalent cu scderea amplificrii A la valoarea
1 A 0 = 0.707 A 0 , 2
unde A0 este amplificarea medie n banda de trecere Bt. Semnalul de intrare n amplificator este rezultatul nsumrii unor armonici de diferite amplitudini i frecvene. Ansamblul acestor armonici formeaz spectrul semnalului de intrare. Pentru amplificarea fr distorsiuni a semnalului de intrare este necesar ca toate armonicele din spectrul acestuia s fie amplificate n aceeai msur. Aceast condiie este ndeplinit atunci cnd spectrul semnalului aplicat la intrare este cuprins n banda de trecere a amplificatorului. Dac spectrul semnalului de intrare nu este inclus n totalitate n banda de trecere a amplificatorului, vor rezulta distorsiuni de frecven numite i distorsiuni de liniaritate (cnd amplificatorul funcioneaz n regiunea liniar a caracteristicii intrare-ieire). Observaii: La proiectarea amplificatorului banda de trecere a acestuia nu trebuie s fie mai ngust dect spectrul semnalului util (de intrare), pentru a nu avea distorsiuni de frecven, dar nici mult mai larg dect acest spectru pentru a nu micora raportul semnal util/zgomot. n afara caracteristicii de frecven, un amplificator este caracterizat prin dependena defazajului , introdus de amplificator, n funcie de frecvena f (datorit elementelor reactive din circuitul acestora). Aceast dependen se numete caracteristic de faz: = g(f), unde este defazajul introdus de amplificator, iar f este frecvena semnalului de intrare. Caracteristica de faz este important la amplificatoarele utilizate n: osciloscoape, televiziune, transmisii de date etc. Detalii privind caracteristica de faz a amplificatoarelor sunt date n [3].
39
2.1.3 Tipuri de amplificatoare

Amplificatoarele sunt de mai multe tipuri i se pot clasifica dup urmtoarele criterii: a) Dup tipul semnalului de amplificat: amplificatoare de curent continuu destinate amplificrii semnalelor lent variabile, ale cror spectre conin i componenta continu (armonica de frecven nul). Caracteristic de frecven a acestui tip de amplificator este prezentat n figura 2.5; amplificatoare de curent alternativ, care amplific semnale fr component continu i au caracteristica de frecven de tipul celei din figura 2.4.
Figura 2.5. Caracteristica de frecven a unui amplificator pentru semnale lent variabile
b) Dup nivelul semnalului amplificat: amplificatoare de semnal mic, la care variaiile de tensiune i de curent, corespunztoare semnalului de intrare, sunt mici n comparaie cu valorile tensiunilor i curenilor de la ieire. Aceste amplificatoare se numesc de tensiune, deoarece se urmrete, n mod deosebit, obinerea unei amplificri n tensiune. amplificatoare de semnal mare, unde variaiile de curent i tensiune, corespunztoare semnalului de intrare, sunt relativ mari. La aceste amplificatoare se urmrete, n mod deosebit, obinerea unei anumite puteri pe sarcin. Aceste amplificatoare se numesc amplificatoare de putere. c) Dup valoarea frecvenei medii din spectrul semnalului amplificat: amplificatoare de joas frecven, cnd frecvena medie este mai mic de 1MHz. n aceast categorie sunt incluse i amplificatoarele de audiofrecven. amplificatoare de nalt frecven, cnd frecvena medie este de ordinul MHz sau GHz. d) Dup lrgimea benzii de trecere: amplificatoare de band ngust, numite i selective, caracterizate prin factorul de calitate Q, definit prin relaia Q=f0/(ft - ftj), unde f0 este frecvena central a benzii de trecere. Valoarea curent a factorului de calitate este cuprins n domeniul [10... 60]. amplificatoare de band larg, la care raportul dintre frecvena nalt de tiere i frecvena joas de tiere (ft/ftj), este de ordinul 105...106. n categoria acestor amplificatoare sunt incluse amplificatoarele de videofrecven. e) Dup poziia punctului static de funcionare (PSF), ilustrat n figura 2.6, amplificatoarele pot fi:
40
Capitolul 2
amplificatoare n clas A (PSF se afl n regiunea median a dreptei de sarcin, punctul M); amplificatoare n clas B (PSF se afl n punctul de tiere, punctul M1); amplificatoare n clas A-B (PSF se afl aproape de punctul de tiere, punctul M2). Observaie: Exist i amplificatoare n clas C, la care PSF se alege n profunzimea regiunii de blocare, aceste amplificatoare fiind utilizate n construcia triploarelor de frecven i n tehnica semnalelor modulate n frecven.
Figura 2.6. Poziia PSF pentru diferite tipuri de amplificatoare
2.2 Amplificatoare de curent alternativ

Un exemplu tipic al acestor amplificatoare l reprezint amplificatorul de audiofrecven. Banda de trecere (Bt) a acestor amplificatoare este cuprins n domeniul 20Hz...20 kHz. Amplificatoarele de curent alternativ, figura 2.7, au n componen dou blocuri funcionale (etaje): primul bloc (etaj) este un amplificator de tensiune (numit preamplificator, AT-PA), iar al doilea bloc este un amplificator de putere (etaj final, AP-EF).
Figura 2.7. Schema bloc a unui amplificator de curent alternativ
La proiectarea unui amplificator se dau: tensiunea la intrare (U1), impedana de sarcin (ZS) sau rezistena de sarcin i puterea necesar la ieire (P2). Se cere: proiectarea amplificatorului de tensiune i a amplificatorului de putere astfel nct s se debiteze pe ZS puterea impus la ieire.
2.2.1 Amplificatoare de tensiune

Aceste amplificatoare trebuie s asigure la ieire o tensiune U (suficient de mare) nct, aplicat la intrarea AP, acesta s poat furniza puterea P2 cerut la
41
ieire. Din acest motiv, amplificatoarele de tensiune se realizeaz din mai multe etaje legate n serie (cascad) ca n figura 2.8.
Figura 2.8. Structura general a unui amplificator de tensiune
Cuplarea etajelor se poate realiza n dou moduri: a) utiliznd elemente de cuplaj - condensatoare sau transformatoare de cuplaj; b) cuplajul direct ntre etaje (ca n cazul circuitelor integrate). Observaie: Utilizarea transformatoarelor de cuplaj ntre etaje ofer avantajul unei adaptri facile ntre sarcin i etaj, dar are i dezavantaje: gabarit mare i pre de cost ridicat. Exemple de amplificatoare de tensiune 1. Amplificatorul de tensiune cu dou etaje utiliznd tranzistoare bipolare (figura 2.9). Condensatoarele C1, C2 i C3 se numesc condensatoare de cuplaj i au urmtoarele roluri: C1 blocheaz componenta continu a semnalului aplicat la intrarea primului etaj de amplificare; C2 are rolul de a bloca componenta continu care s-ar transmite de la primul etaj la urmtorul; C3 blocheaz componenta continu care s-ar putea transmite la ieirea etajului al II-lea, ctre amplificatorul de putere.
Figura 2.9. Amplificator de tensiune alternativ realizat cu tranzistoare bipolare
Perechile de rezistoare RB1 RB2 i RB3 RB4 reprezint divizoare de tensiune prin care se stabilesc valorile curenilor de baz. Rezistoarele RE1, RE2 au rolul de a stabiliza poziia punctelor statice de funcionare (PSF) n cele dou etaje de amplificare. Rezistoarele RC1, RC2 au rolul de a limita curenii de sarcin (curenii de colector). Condensatoarele CE1, CE2 sunt condensatoare de decuplare i au rolul de a elimina reacia negativ de tensiune la funcionarea etajelor de amplificare n regim dinamic. Capacitile condensatoarelor de cuplaj i a condensatoarelor de decuplare (CE1, CE2) sunt astfel alese nct reactanele acestora s fie neglijabile (s reprezinte scurtcircuite) la frecvenele de lucru ale amplificatorului.
42
2.
Capitolul 2
Amplificatorul de tensiune cu dou etaje utiliznd TEC-J (figura 2.10)
Figura 2.10. Amplificator de tensiune alternativ realizat cu TEC-J
Ca i n schema din figura 2.9, condensatoarele C1, C2, C3 au acelai rol (de cuplaj), deci blocheaz componentele continue (la intrare prin C1, ntre etaje prin C2 i la ieire prin C3). Rezistenele RG1, RG2 (cu valori de ordinul M) au rolul de a realiza impedane mari la intrarea etajelor. Rezistoarele RS1, RS2 au rolul de negativare automat a grilelor ct i de a stabiliza poziiile punctelor statice de funcionare (PSF) la variaia temperaturii ambiante. Condensatoarele CS1, CS2 sunt condensatoare de decuplare i au rolul de a elimina reacia negativ de tensiune n regim dinamic. Rezistenele RD1, RD2 au rolul de a limita curenii de sarcin (curenii de dren). Observaii: Capacitile condensatoarelor de cuplaj i de decuplare (CS1, CS2) trebuie s asigure reactane capacitive neglijabile la frecvenele de lucru ale amplificatorului. Al doilea etaj de amplificare poate fi realizat utiliznd tranzistoare bipolare n loc de tranzistoare TEC-J. 3. Amplificator de joas frecven realizat prin cuplare direct ntre etaje
n cazul cuplajului direct ntre etajele de amplificare se transmite, de la un etaj la altul, att componenta alternativ ct i componenta continu ale semnalului. Din aceast cauz punctul static de funcionare (PSF) al tranzistorului dintr-un etaj depinde de poziia PSF a tranzistorului din etajul anterior. Acest fenomen complic ntr-o anumit msur calculul regimului staionar al amplificatorului (n faza de proiectare). n figura 2.11 este prezentat un amplificator de audiofrecven, realizat cu circuitul integrat TAA-263. Se observ c cele trei etaje de amplificare (din structura circuitului integrat) sunt cuplate direct. Funcionarea corect a circuitului presupune ca n circuitul bazei primului tranzistor (T1) s existe un curent de polarizare iBo care s determine funcionarea tranzistorului n regiunea activ. Tensiunea din colectorul lui T1 (UCE1) asigur polarizarea corect a bazei lui T2, iar tensiunea din colectorul lui T2 (UCE2) determin poziia PSF pentru tranzistorul T3 care, la rndul su, polarizeaz baza tranzistorului T1 (prin intermediul elementelor rezistive P i RB). Circuitul integrat are 4 terminale (borne de acces): 1 intrare; 2 alimentare (+E); 3 ieire; 4 born de mas (E). Rezistena RB mpreun cu poteniometrul P realizeaz un divizor de tensiune utilizat pentru impunerea PSF al primului
43
tranzistor. Condensatorul Cd are rol de decuplare (elimin reacia negativ de tensiune la frecvenele de lucru ale amplificatorului).
Figura 2.11. Amplificator de audiofrecven realizat cu CI de tip TAA-263
Observaie: Pentru limitarea componentei alternative a semnalului de intrare (U1), se va nseria un rezistor R1 ( 1 k) naintea condensatorului C.
2.2.2 Amplificatoare de putere (AP)

Aa cum s-a artat anterior amplificatoarele de putere, numite i etaje finale, au rolul de a debita pe un rezistor de sarcin dat, o valoare impus a puterii P2 (la ieire). Reprezentnd amplificatorul de putere (AP) ca un generator echivalent cu rezistena intern Rg egal cu rezistena de ieire a etajului (Re), schema echivalent a amplificatorului (AP) este dat n figura 2.12. n conformitate cu teorema transferului maxim de putere, la un generator dat se obine puterea maxim pe sarcin atunci cnd rezistena intern a generatorului (Rg) este mai mic sau egal cu rezistena de sarcin (RS). Deci, innd seama de schema echivalent (figura 2.12), puterea debitat pe RS va fi maxim dac este ndeplinit condiia:
Re (AP) RS
(2.9)
Figura 2.12. Schema echivalent a unui amplificator de putere
Exist dou metode pentru creterea puterii debitate la ieire: a) adaptarea sarcinii la etajul de ieire prin intermediul transformatoarelor (de adaptare); b) adaptarea etajului la sarcin utiliznd pentru etajul final o schem de conexiune adecvat. Cu prima metod se adapteaz rezistena de sarcin la etaj. Acest lucru este posibil prin alegerea unui raport de transformare adecvat pentru transformatorul de
44
Capitolul 2
cuplaj, figura 2.13. Rezistena generatorului (Rg) din schema echivalent se adopt egal cu rezistena de ieire (Re) a etajului amplificator de putere (AP).
Figura 2.13. Sarcin cuplat la AP prin transformator
Transformatorul de cuplaj are factorul de transformare Kt N1/N2, unde N1 i N2 reprezint numrul de spire din primarul transformatorului, respectiv din secundarul acestuia. Rezistena de sarcin raportat la primarul transformatorului se poate calcula folosind relaia: 2 N1 (2.10) R S = r1 + (r2 + rS ) N 2 Dac se neglijeaz r1 i r2, se obine relaia aproximativ de calcul pentru RS: 2 (2.11) R S rS K t Adaptarea etajului la sarcin este posibil dac alegem o schem de conexiuni adecvat transferului maxim de putere. Astfel, pentru o putere mare la ieire, adic pentru un curent de ieire (curent de colector) mare, se alege o schem de conexiuni cu rezisten de ieire mic (conexiune colector comun).
2.2.2.1 Amplificatoare de putere n clas A

Se consider etajul de amplificare din figura 2.14 care funcioneaz n clas A avnd sarcina cuplat prin transformator. O metod de cretere a puterii debitate de AP const n creterea amplitudinii semnalului de la intrare. n acest caz trebuie urmrit condiia ca punctul A s nu ajung n zona de saturaie i punctul B s nu ajung pe caracteristica iB=0 (zona de tiere). Acest lucru este ilustrat n diagramele de semnale aferente funcionrii n regim dinamic al etajului, figura 2.15. n cazul unei sarcini rezistive (rS) conectate la ieirea amplificatorului prin transformator, puterea util (Pu) debitat pe rS reprezint puterea dezvoltat n circuitul monofazat din secundarul transformatorului i se calculeaz utiliznd relaia:
Pu = U ef I ef cos() =
U CE max I C max U I = CE max C max = 2 2 2 CM AC = = aria (MAC). 2
(2.12)
Creterea puterii debitate la ieire datorat creterii semnalului de intrare poate avea loc dac punctul A nu intr n zona de saturaie. Aria triunghiului poate fi mrit dac PSF iniial (M) se adopt prin proiectare astfel nct dreapta de sarcin s fie tangent n M la hiperbola de disipaie a puterii tranzistorului (vezi figura 1.26).
45
Randamentul unui amplificator n clas A nu depete 50% (=Pu/Pc, unde Pc este puterea consumat de amplificator de la sursa auxiliar de alimentare).
Figura 2.14. Amplificator de putere n clas A
Figura 2.15. Diagrama de semnale pentru amplificatorul n clas A
2.2.2.2 Amplificatoare de putere n clas B

Considernd planul caracteristicilor de ieire, n cazul acestor amplificatoare PSF se alege n zona de tiere a dreptei de sarcin, figura 2.16. Dac amplificatorul este realizat cu un singur tranzistor, atunci PSF va descrie la ieire un semnal redresat monoalternan (ca n figura 2.16).
Figura 2.16. Diagrama de semnale pentru amplificatorul n clas B
Dac semnalul de intrare iB~ crete excesiv, PSF (punctul M) poate ajunge n poziia A, semnalul fiind distorsionat. Pentru ca semnalul de ieire s fie tot
46
Capitolul 2
sinusoidal (ca cel de intrare), etajul de amplificare se realizeaz cu dou tranzistoare complementare, figura 2.17: 1-npn i 2-pnp.
Figura 2.17. Amplificator de putere amplificatorul n clas B
Figura 2.18. Curentul de sarcin pentru din figura 2.17
Dac la intrare se aplic semialternana pozitiv, conduce T1 iar T2 este blocat i, invers, pentru semialternana negativ. Cei doi cureni de colector, iC1 i iC2, formeaz prin nsumare curentul alternativ de sarcin (iS) prin RS, figura 2.18. i S = i C1 + i C 2 (2.13) n schema prezentat este necesar ca tranzistoarele s aib caracteristici statice identice, pentru ca amplificarea celor dou alternane s se fac n cantiti egale (amplitudini egale). Randamentul acestui amplificator n clas B este de circa (7075)%.
2.2.2.3 Amplificatoare de curent (putere) n montaj Darlington

Etajele finale ale amplificatoarelor de putere se pot realiza utiliznd conexiunea Darlington, numit i tranzistor compus. Aceast conexiune este format din dou tranzistoare (figura 2.19), dintre care primul este numit tranzistor de comand (T2 - de putere mic sau medie), iar al doilea este un tranzistor de putere (T1). n figura 2.19-a conexiunea Darlington este realizat cu dou tranzistoare npn (fr inversare de polaritate), iar n figura 2.19-b, aceeai conexiune este realizat cu dou tranzistoare complementare (T1 npn, T2 pnp). n acest ultim caz conexiunea Darlington se numete cu inversare de polaritate. Ansamblul tranzistoarelor ntr-o conexiune Darlington se numete dublet. Curentul de colector al tranzistorului compus este:
i C = i C1 + i C2 N1i B1 + N2i B2 = N2i B + N2i E 2 = N 2i B + + N1 (i C2 + i B2 ) = N 2i B + N1 N 2i B2 + N1i B2 = N i B
(2.14)
unde:
(2.15) Din ultima relaie se observ c tranzistorul compus realizeaz o amplificare n curent mare.
N = N1 + N2 + N1 N2 N1 N2
47
Figura 2.19. Conexiune Darlington: fr schimbare de polaritate
2.3 Amplificatoare de curent continuu

Acestea sunt destinate amplificrii semnalelor lent variabile care au frecvena minim din spectru egal cu zero. Ele sunt utilizate n construcia aparatelor de msur i automatizare. Amplificarea semnalelor continue presupune cuplarea direct ntre etajele de amplificare; ca urmare, rezult n timpul funcionrii un fenomen numit deriva nulului (sau deriv termic). Acest fenomen const n modificarea n timp a tensiunilor la ieirea amplificatorului atunci cnd la intrarea acestuia semnalul se menine constant sau este nul. Pentru eliminarea acestui fenomen se utilizeaz dou metode: a) folosirea unui montaj diferenial n schema de amplificare; b) utilizarea schemei de amplificare care se bazeaz pe principiul modulriidemodulrii.
2.3.1 Amplificatoare de curent continuu n montaj diferenial

n figura 2.20 este prezentat etajul de amplificare n montaj diferenial, unde se disting: - dou ieiri nesimetrice (Ue1 i Ue2); - o ieire simetric ntre bornele AB (Ue UAB); - dou intrri simetrice Ui1 i Ui2 ; - dou divizoare de tensiune la intrri, care asigur tensiunile U1 i U2.
Figura 2.20. Etaj de amplificare diferenial
48
Capitolul 2
Explicarea atenurii fenomenului de deriv: considerm Ui1=Ui2=constant i c temperatura T crete. n acest caz rezult: iC1 crete i iC2 crete, ceea ce conduce la scderi ale tensiunilor Ue1 i Ue2 n cantiti egale, rezultnd o tensiune constant la ieirea simetric (Ue =UAB=const).
Funcionarea n regim de amplificator

Pe parcursul explicaiilor se utilizeaz notaiile simbolice: crete; scade. Cazul I:
Aplicnd teorema a II-a a lui Kirchhoff n circuitele de emitor rezult ecuaiile:
Ui1 0 (Ui1 ) Ui2 = 0 U2 = const. Dac Ui1 iB1 iC1 iE1 Ue1
U BE1 = U1 R E (i E1 + i E 2 ) U BE 2 = U 2 R E (i E1 + i E 2 )
(2.16) (2.17)
Dac iE1 , din (2.17) U BE 2 iB2 iC2 Ue2 Cazul II.
Ui1= 0 U1= const. Ui2 0 (Ui2 ) Dac Ui2 , iB2 iC2 Ue2 ; dar iC2 iE2 ; din (2.16), (2.18) U BE1 , deci iB1 iC1 (scade) Ue1 (crete)
Concluzie: Cele dou tensiuni la ieirile nesimetrice Ue1, Ue2 au variaii opuse n raport cu creterea semnalului la una dintre intrrile amplificatorului. Aceste variaii sunt ilustrate n planul caracteristicilor de transfer, figura 2.21.
Figura 2.21. Tensiunile de ieire ale amplificatorului diferenial
Observaii: Panta caracteristicii Ue=f(Ui1) este dubl fa de pantele caracteristicilor referitoare la ieirile simetrice. Dac se aplic simultan semnale la ambele intrri, considernd aceste semnale neegale (Ui1 Ui2), tensiunea la ieire va fi dat de relaia: Ue=K(Ui1-Ui2), unde K este factorul de amplificare pentru montajul diferenial. n figura 2.22-a se d schema unui etaj diferenial, avnd ca elemente de echilibrare poteniometrul P i reostatul R.
49
S-a considerat iniial c etajul nu este echilibrat, adic intersecia caracteristicilor statice nu are loc n origine (figura 2.22-b). Prin ajustarea poteniometrului P se deplaseaz caracteristicile pe orizontal, iar cu ajutorul reostatului R se deplaseaz caracteristicile pe vertical, pn cnd se obine echilibrarea amplificatorului (intersecia caracteristicilor statice are loc n originea axelor de coordonate).
Figura 2.22. Echilibrarea etajului diferenial: a)schema etajului cu elemente de echilibrare; b) deplasarea caracteristicilor statice.
Exemplu: Prin creterea rezistenei R curentul iC iE1+iE2 se micoreaz, iar tensiunea de ieire comun crete, determinnd o deplasare n sus a caracteristicilor.
2.4 Reacia negativ n amplificatoare i consecinele ei

Reacia n cazul amplificatoarelor const n aplicarea (introducerea) la intrarea acestuia a unei pri din energia mrimii de la ieire, prin intermediul unei legturi inverse (ieire-intrare). Cnd reacia negativ este necesar n amplificatoare, acesta se realizeaz prin circuite specializate (dimensionate n faza de proiectare). Exist ns i situaii n care reacia negativ apare accidental, fiind determinat de cuplaje parazite. Se consider un amplificator cu reacie negativ de tensiune, a crui schem bloc este prezentat n figura 2.23.
Figura 2.23. Schema bloc a amplificatorului cu reacie negativ de tensiune
50
Capitolul 2
Semnificaiile notaiilor din figur sunt: - A este factorul de amplificare al amplificatorului fr reacie, exprimat prin relaia:
A=
Ue U
(2.19)
unde: Ue - este tensiunea la ieirea amplificatorului; U - este tensiunea la intrarea amplificatorului fr reacie. - Ar este factorul de amplificare al amplificatorului cu reacie de tensiune. Conform figurii 2.23 acest factor este exprimat prin relaia:
Ar =
Ue Ui
(2.20)
unde: U i este tensiunea aplicat la intrare. Circuitul de reacie este realizat, de obicei, printr-o reea de elemente pasive i este caracterizat prin factorul de reacie :
Ur Ue
(2.21)
unde: Ur este tensiunea de reacie. Dac circuitul de reacie este format numai din rezistoare atunci este un numr real. Aplicnd teorema a II-a a lui Kirchhoff n circuitul de intrare i cel de reacie (figura 2.23), se pot scrie urmtoarele ecuaii: U + U r Ui = 0 (2.22)
Ur = Ue
(2.23)
Din relaiile (2.19), (2.20) i (2.21) se obine:
Ue + Ue = Ui A mprind ultima relaie la U i , se obine: Ue U + e =1 A Ui Ui

innd seama de expresia lui Ar (2.20), din relaia precedent se obine:
(2.24)
(2.25)
Ar + Ar = 1 A A 1+A
(2.26)
Rezult c, pentru cazul reaciei negative de tensiune (figura 2.23), amplificarea este exprimat prin relaia:
Ar =
(2.27)
n cazul reaciei negative semnalul de la ieire (Ue) este n antifaz cu semnalul de la intrare (U). Reacia pozitiv se obine cnd tensiunea Ue de la ieire este n faz cu semnalul U. Amplificarea unui amplificator cu reacie pozitiv de tensiune este dat prin relaia:
Ar =
A 1A
(2.28)
Pornind de la relaia (2.28) i mprind membrul drept prin A, rezult:
51
Ar =
1 1 + A 1
(2.29)
Pentru A , (foarte mare) rezult: A r
(2.30)
Consecinele reaciei negative n amplificatoare: Se micoreaz amplificarea A, dar acest lucru nu reprezint un inconvenient prea mare deoarece prin proiectare se poate adopta (impune) o amplificare A mai mare dect cea dorit, astfel nct amplificarea cu reacie s rezulte la valoarea impus. Crete stabilitatea n timp a amplificrii, proprietate foarte util n echipamentele de msur i de automatizare. Se micoreaz distorsiunile de neliniaritate. Crete limea benzii de trecere. Se reduce zgomotul propriu al amplificatorului. Se amelioreaz (mbuntesc) parametrii calitativi ai amplificrii. Se modific favorabil impedanele intrare-ieire. Observaie: Datorit avantajelor oferite de reacia negativ, majoritatea amplificatoarelor utilizeaz acest tip de reacie.
2.5 Amplificatoare operaionale

Un amplificator operaional (AO) este un amplificator la care cuplarea ntre etaje se face direct. AO este caracterizat de o amplificare foarte mare, fiind conceput s funcioneze ntr-o gam larg de frecvene. Un AO folosete reele de reacie a cror structur (rezistene i capaciti) permite realizarea unor operaii matematice (adunare, scdere, integrare, difereniere etc). Parametrii ideali ai AO permit proiectarea cu relaii de calcul simple, iar erorile introduse sunt n limitele admise. Principalii parametri idealizai sunt: 1) amplificarea n bucl deschis A0 ; 2) decalajul de tensiune (deriva nulului este neglijabil, Uieire=0 n orice moment n care la intrare nu se aplic semnal); 3) curentul de polarizare pe cele dou intrri neglijabil; 4) impedana de intrare Zi ; 5) impedana de ieire Ze 0; 6) 1imea benzii de trecere B ; 7) variaia defazajului 0. Amplificatoarele operaionale se clasific dup natura relaiei intrare-ieire. Relaia (dependena) intrare-ieire poate fi liniar sau neliniar, n funcie de structura circuitului de reacie aferent amplificatorului. Amplificatorul inclus n structura oricrui AO este un amplificator de curent continuu (amplificator diferenial integrat). Cele mai utilizate scheme cu AO sunt:
52
Capitolul 2
1) Amplificator operaional n montaj inversor - realizeaz nmulirea cu o constant i inversarea semnului tensiunii de intrare. Schema de principiu este prezentat n figura 2.24, iar schema simbolic este dat n figura 2.25.
Figura 2.24. Schema de principiu a unui AO n montaj inversor
Figura 2.25. Simbolizarea unui AO inversor
ntruct amplificatorul de curent continuu are impedana de intrare i amplificarea n circuit deschis foarte mari, pentru determinarea caracteristicii Ue=f(Ui) se consider ipotezele: Zi ; i 0 i U0 (2.31) Aplicnd teorema a II-a a lui Kirchhoff n circuitul de intrare, rezult: Ui=Roio+U (2.32) innd seama de (2.31) se obine: i o
Ui Ro
(2.33)
Din teorema I-a a lui Kirchhoff aplicat n nodul de cureni M rezult: Din teorema a II-a a lui Kirchhoff aplicat n circuitul de ieire rezult:
i = io + i1 ; io i1 Ue=R1i1+U
Ue R1
se
(2.34) (2.35) (2.36) obine:
innd cont de (2.31) se obine: i1 Din
(2.33),
Ro Ui .
(2.34)
(2.35)
Ue U = i R1 Ro
sau
U e = R1
Rezult: Ue= - K Ui , unde K = R1/Ro (2.37) 2) Amplificator operaional n montaj neinversor realizeaz nmulirea tensiunii de intrare cu o constant pozitiv supraunitar. Schema electric a acestui amplificator este dat n figura 2.26, iar simbolizarea este prezentat n figura 2.27.
Figura 2.26. Schema de principiu a unui AO n montaj neinversor
Figura 2.27. Simbolizarea unui AO neinversor
Utiliznd aceleai ipoteze din (2.31) i aplicnd aceeai procedur se obin:
53
R 0i 0 + U + U i = 0 U e + R 0i 0 R1i1 = 0 i = i 0 + i1
(2.38)
Neglijnd mrimile U i i, conform relaiei (2.31), din (2.38) rezult expresia caracteristicii externe: Ue = KUi (2.39) unde:
K =1+
R1 Ro
(2.40)
Observaie: Pentru R0 i R1 = 0 se obine circuitul repetor, utilizat frecvent ca element de adaptare, ntruct asigur rezistena de intrare foarte mare i rezistena de ieire mic. 3) Amplificatorul sumator-inversor realizeaz suma ponderat, cu semn schimbat, a tensiunilor de intrare. Schema electric a acestui amplificator este prezentat n figura 2.28, iar simbolizarea este dat n figura 2.29.
Figura 2.28. Schema de principiu a unui AO n montaj sumator-inversor AO
Figura 2.29. Simbolizarea unui sumator-inversor
Considernd aceleai ipoteze din (2.31), adic Zi ; i 0; U0, se determin (utiliznd legea lui Ohm) curenii prin rezistoarele conectate la intrrile amplificatorului:
i o1 =
U i1 U U ; i o 2 = i 2 .... i on = in R 01 R 02 R 0n
(2.41)
Teorema I-a a lui Kirchhoff, aplicat n cele dou noduri de cureni, conduce la relaiile:
Din teorema a II-a a lui Kirchhoff aplicat pe circuitul de ieire se obine:
i0=i01 + i02+ .... + i0n i0= - i1

Ue = i 0 R1
(2.42) (2.43) (2.44) (2.45)
i1=Ue/R1
sau
nlocuind n (2.45) componentele curentului i0 din relaia (2.41), se obine: Ue= -(K1Ui1+K2Ui2+ ... +KnUin) (2.46)
54
unde
Capitolul 2
K1 =
R1 R R ; K 2 = 2 ; .... K n = n R 01 R 02 R 0n
Ue =
n general, caracteristica de transfer se poate exprima prin relaia (2.47): n

j=1 4) Amplificatorul integrator-inversor furnizeaz la ieire un semnal proporional cu integrala tensiunii aplicate la intrare. Schema electric a acestui amplificator este prezentat n figura 2.30, iar simbolizarea este dat n figura 2.31.
K jUij
(2.47)
Figura 2.30. Schema de principiu a unui AO montaj integrator-inversor
Figura 2.31. Simbolizarea unui AO n integrator-inversor
Utiliznd aceleai ipoteze (Zi ; i 0; U0) i procednd similar, se obin relaiile: Ui = Ri0 i i0 = -i1 (2.48) Din teorema a II-a a lui Kirchhoff aplicat pe circuitul de ieire rezult:
Ue = 1 CR
1 i1dt +U C
(2.49)
innd seama de ipotezele (2.31) i relaiile (2.48), din (2.49) rezult: t
Ue =
0 Cu Ue(0)=Ue0 s-a notat valoarea tensiunii la bornele condensatorului (din circuitul de reacie) n momentul aplicrii semnalului de intrare (t=0). Tensiunea Ue(0) se figureaz la borna de condiie iniial (figura 2.31). Ue(0)=0 dac condensatorul este descrcat la momentul aplicrii semnalului de intrare i Ue(0)0 dac condensatorul este ncrcat la momentul aplicrii semnalului de intrare. Ti=RC este timpul de integrare, exprimat n secunde, dac valoarea rezistenei R este exprimat n ohmi, iar capacitatea C se exprim n farazi. Dac timpul de integrare nu este limitat, tensiunea de ieire se poate exprima prin relaia:
Uidt
sau U e = Ti
Ui ()d + U e (0)
(2.50)
U e = K U i dt + U e (0) ; unde K =
1 1 = Ti RC
(2.51)
2.6 Oscilatoare
Acestea sunt circuit care, utiliznd dispozitive electronice active, genereaz semnale periodice de forma: U(t)=Usin(t) sau de orice alt form. Atunci cnd
55
semnalul produs de oscilator este sinusoidal oscilatorul se numete armonic. Schema de principiu este prezentat n figura 2.32.
Figura 2.32. Schema de principiu a unui oscilator
Principiul de ntreinere a oscilaiilor Se consider circuitul oscilant realizat dintr-o capacitate C n paralel cu o inductivitate L, figura 2.33-a. Sub aciunea unei tensiuni oarecare (exterioare) iau natere oscilaii armonice avnd frecvena de oscilaie la rezonan dat de relaia:
f0 =
1 2 LC
(2.52)
Semnalul U(t), semnalul util produs de oscilator, figura 2.33-b, se va amortiza n timp (i micoreaz amplitudinea) datorit pierderilor de energie prin rezistena electric echivalent a circuitului capacitiv-inductiv (L-C).
Figura 2.33-a. Circuit oscilant LC
Figura 2.33-b. Semnalul produs de circuitul LC
Un circuit oscilant ideal nu poate fi realizat din cauza pierderilor de energie care determin stingerea, adic amortizarea oscilaiilor. Schema echivalent a circuitului oscilant anterior este ilustrat n figura 2.34. Pierderile de energie care duc la micorarea amplitudinii se datoreaz lui r i R, unde: r este rezistena electric a bobinei care are inductana L, iar R este conductana de pierderi a condensatorului.
Figura 2.34. Schema echivalent a circuitului oscilant LC din figura 2.33-a
Pentru a realiza oscilaii ntreinute (cu amplitudine constant), n circuitul oscilant real este necesar s se recupereze (compenseze) energia pierdut, cu energie adus din exterior prin intermediul unor rezistene negative, controlate prin cureni sau prin tensiune. n acest sens se pot utiliza dispozitive semiconductoare care s funcioneze n regiunea de rezisten negativ (dioda tunel, tiristorul etc).
56
Capitolul 2
Caracteristica static a diodei tunel i respectiv a tiristorului sunt date n figura 2.35-a i 2.35-b.
Figura 2.35: a) Caracteristica curent-tensiune a diodei tunel; b) Caracteristica curent-tensiune a tiristorului; c)Schema bloc a unui oscilator cu reacie
Aceste dispozitive semiconductoare introduc rezistene negative, care nsumate cu rezistenele r i R (figura 2.34), dau o rezisten echivalent egal cu zero. Producerea oscilaiilor ntreinute prin anularea rezistenei din circuit cu ajutorul unor rezistene dinamice negative, este un fapt real i o metod utilizat n proiectarea oscilatoarelor. Condiia ntreinerii oscilaiilor implic respectarea a dou principii: a) respectarea relaiei lui Barkhausen (de autooscilaie), care arat c produsul n modul al amplitudinilor trebuie s fie egal cu unitatea, A = 1 ; unde:
A = A exp( j A ) i = exp( j )
(2.53)
Prin A s-a notat defazajul dintre semnalul de ieire ( Ue - figura 2.35-c) i semnalul de intrare ( U i ). este defazajul dintre semnalul de reacie ( U r ) i semnalul de ieire ( Ue ). b) respectarea condiiei de faz: A + = 2k , k=0, 1, 2, ..., n (argumentul lui Acomplex + argumentul lui complex = 2k) adic:
arg A + arg = 2k
(2.54)
Relaia (2.53) arat c defazajul total introdus de amplificator i circuitul de reacie trebuie s fie un multiplu ntreg de 2, deci semnalul de reacie trebuie s fie n faz cu semnalul de intrare. Rezult c reeaua de reacie trebuie s introduc un defazaj nul, dac defazajul amplificatorului este 2k (cu un numr par de etaje), sau un defazaj de 1800, dac defazajul amplificatorului (cu numr impar de etaje) este (2k+1). Oscilatoarele pot fi realizate i cu amplificatoare ce au reacie pozitiv, la care amplificarea complex este: A r =
A . 1 A
n acest caz, dac produsul A tinde la valoarea 1, atunci A r . Dup modul de realizare, oscilatoarele pot fi: 1) oscilatoare de tip amplificator cu reacie pozitiv; 2) oscilatoare cu dispozitive care au rezistene negative (oscilatoare de relaxare). Oscilatoarele cu reacie pot fi de tip LC sau RC. Cele mai utilizate oscilatoare cu reacie de tip LC sunt oscilatoarele n trei puncte. Acestea au calea
57
de reacie format dintr-un circuit LC selectiv (care reprezint un filtru cu trei borne de acces). Exemple de oscilatoare n trei puncte Oscilatorul Hartley (realizat cu reea de defazare trece sus), are schema de principiu prezentat n figura 2.36.
Figura 2.36. Schema de principiu a oscilatorului Hartley
La acest oscilator emitorul este legat la mas, alimentarea este serie iar sarcina este cuplat inductiv. n timpul funcionrii singurul condensator care nu este scurtcircuitat este condensatorul variabil C. Oscilator avnd reea RC (reea de defazare trece-jos) Aceste oscilatoare au o larg utilizare n diferite domenii ale electronicii industriale (telecomunicaii, automatizri, aparatur electromedical etc) fiind specifice benzilor de joas frecven. n figura 2.37 este prezentat schema electric a unui oscilator avnd reea de defazare trece jos, format din trei celule RC. Defazajul fiecrei celule este de 60o.
= arctgRC =
Se obine un defazaj total al semnalului de reacie, egal cu (180o):
(2.55)
t = 3 =
Frecvena de oscilaie la rezonan se poate calcula folosind relaia:
(2.56)
f0 =
1 6 + 4R / R C 2RC
(2.57)
Figura 2.37. Schema de principiu a oscilatorului cu reea RC
58
Capitolul 2
2.7 ntrebri
1. Ce este reacia negativ n cazul unui amplificator de tensiune? Cum se obine practic reacia negativ? 2. Ce se nelege prin zgomot la amplificatoare? Ce se nelege prin tensiune de zgomot (Uz) n cazul redresoarelor cu filtre ? 3. Cnd apar distorsiunile de frecven la amplificatoare i cum se elimin acestea? 4. Ce diferen exist ntre caracteristicile A[dB] = g(f) n cazurile: a) amplificatoare de radiofrecven ? b) amplificatoare de audiofrecven ? 5. Ce form de variaie are tensiunea UCE la ieirea unui etaj de amplificare n clas B, realizat cu un singur tranzistor? 6. Ce semnific borna de condiie iniial n cazul A.O. integrator i ce se poate msura la aceast born ? 7. Care este raportul de transformare (K) al unui transformator de cuplaj pentru o sarcin rezistiv (rs = 4 ), tiind c amplificatorul n clas A are rezistena de ieire, Re = 80 K ? 8. Care este deosebirea ntre un AO inversor i un AO integrator inversor? (Utilizai schemele electrice !) 9. Care este schema de conexiune a unui etaj de amplificare ce are parametrii: RI =4 K; Re = 40 K ? 10. Ce este deriva termic (deriva nulului) n cazul amplificatoarelor de curent continuu i cum se atenueaz aceasta ? 11. Ce sunt distorsiunile de neliniaritate n cazul amplificatorului de joas frecven i cum se elimin acestea ? 12. Cnd un tiristor funcioneaz ca i o diod ? Care este schema i denumirea celui mai simplu amplificator de putere ?
CAPITOLUL 3
REDRESOARE
3.1 Noiuni generale
Redresoarele sunt circuite electronice care fac parte dintr-o clas mai larg de echipamente electrice, numite mutatoare. Mutatoarele transform, prin elemente neliniare unidirecionale (diode, tiristoare etc), energia electromagnetic primit la intrare, cu anumii parametri, n energie electromagnetic debitat la ieire, cu ali parametri. Principalul criteriu de clasificare a mutatoarelor l reprezint funciile realizate de acestea, dup cum urmeaz. Redresorul este un circuit electronic care transform curentul alternativ (c.a.), de frecven f1, n curent continuu (c.c.), figura 3.1-a. Invertorul transform curentul continuu n curent alternativ (figura 3.1-b). Frecvena f2 a curentului alternativ poate fi variabil (n cazul invertoarelor autonome) sau fixat la o anumit valoare, de regul 50 Hz (cnd se numesc invertoare de reea sau neautonome). n schemele din figura 3.1-a i b, transferul energetic se face ntr-un singur sens. Este ns posibil ca aceeai schem de mutator s funcioneze n funcie de condiiile de lucru (comanda primit, polaritatea tensiunii continue etc.) fie n regim de redresor, fie n regim de invertor (neautonom). Transferul energetic se poate face, n acest caz, n ambele sensuri. Mutatoarele din aceast categorie stau la baza sistemelor de acionri recuperative cu maini de c.c. Dac mutatorul funcioneaz n regim de redresor, maina electric funcioneaz ca motor i transferul energetic se face de la reeaua de c.a. la reeaua de c.c. n regim de frnare, cnd maina electric lucreaz ca generator de c.c., comanda mutatorului poate asigura funcionarea acestuia n regim de invertor (neautonom), obinndu-se transferul energetic (recuperarea) de la reeaua de c.c. (figura 3.1-c). Convertorul de c.a. convertete frecvena sau amplitudinea curentului alternativ. n primul caz, mutatorul se mai numete convertor static de frecven i poate fi realizat n dou variante: cu circuit intermediar de c.c. (figura 3.2-a) i sub form de convertor direct sau cicloconvertor (figura 3.2-b). Convertorul care modific amplitudinea tensiunii de c.a. (figura 3.2-c) se mai numete variator de c.a. Convertorul de c.c. furnizeaz la ieire o tensiune continu diferit de cea de la intrare. El poate fi: cu circuit intermediar de c.a. (figura 3.3-a) sau direct, numit i variator de c.c. (figura 3.3-b). Pentru convertorul cu circuit intermediar, tensiunea
60
Capitolul 3
de ieire (U2) poate fi mai mic sau mai mare dect tensiunea de intrare (U1), dup cum transformatorul este cobortor, respectiv ridictor de tensiune.
Figura 3.1. Mutatoare
Figura 3.2. Convertoare statice de c.a.
Figura 3.3. Convertor de c.c.
Mutatoarele care funcioneaz cu intrarea i/sau ieirea n c.a. utilizeaz, pe fiecare faz a reelei de c.a., elemente de conducie unidirecional numite i ventile semiconductoare (diode i/sau tiristoare). n majoritatea mutatoarelor, funcionarea acestor elemente este ciclic. Trecerea conduciei de la un ventil la altul se numete comutaie. Dup modul de realizare a comutaiei, mutatoarele se mpart n urmtoarele categorii: Mutatoare avnd comutaie natural, cnd valoarea instantanee a tensiunii pe latura ventilului care preia conducia este ntotdeauna mai mare dect valoarea instantanee a tensiunii pe latura ventilului care cedeaz conducia. Mutatoare avnd comutaie forat, cnd condiia de comutaie natural nu este respectat. Prelungirea conduciei unui ventil, dincolo de momentul comutaiei naturale, presupune de regul un consum de energie reactiv din exterior. Dup proveniena acestei energii, mutatoarele care au comutaie forat pot fi: Mutatoare avnd comutaie extern, cnd energia reactiv este preluat din exterior. Dac aceast energie provine de la reea, mutatorul va avea comutaie (forat) de la reea. Dac energia este dat de circuitul sarcinii (de la ieire), mutatorul are comutaie (forat) de la sarcin. Mutatoare avnd comutaie proprie, cnd energia reactiv necesar este furnizat de nsui mutatorul respectiv. Mutatoarele care au comutaie natural sunt redresoare cu diode. Comutaia forat extern se ntlnete n redresoarele comandate, invertoare neautonome i
Redresoare
61
convertoare directe de frecven. Comutaia proprie este specific unei categorii de mutatoare, n care ventilele (tiristoarele) au dispozitive de blocare forat: invertoare autonome, variatoare de c.c. etc. Sub aspectul funciei realizate, toate redresoarele se ncadreaz n categoria mutatoarelor. n acelai timp, mutatoarele reprezint circuite electronice de putere, definind un domeniu cunoscut sub numele electronic de putere. Aceste circumstane au determinat includerea n capitolul de mutatoare a redresoarelor de mic putere realizate sub forma redresoarelor monofazate, precum i tratarea lor specific, ntr-un paragraf distinct.
3.2 Redresoare monofazate necomandate

3.2.1 Schema bloc a unui redresor de mic putere
Redresoarele monofazate se utilizeaz, de regul, la puteri mici. Scopul urmrit este de a obine o tensiune continu, U0, de valoare impus, la bornele sarcinii Rs, cu valoare de asemenea impus, n condiiile cunoaterii tensiunii de alimentare U1. n figura 3.4 este dat schema-bloc a unui redresor monofazat de mic putere. Transformatorul Tr reduce tensiunea alternativ din nfurarea primar la valoarea U2 (n secundar), necesar obinerii tensiunii continue U0. Redresorul R este elementul esenial al schemei. La ieirea lui se obine tensiunea redresat ur, care are o component continu (util) i o component alternativ. Filtrul F are rolul de a diminua componenta alternativ din tensiunea redresat. Tensiunea continu, U0, de la ieirea filtrului se poate modifica, fie din cauza variaiei tensiunii de alimentare U1, fie din cauza modificrii rezistenei de sarcin Rs. Stabilizatorul de tensiune continu, STC, conectat ntre filtru i sarcin, are rolul de a menine constant tensiunea U0 (stabilizatoarele vor fi prezentate n capitolul 4).
Figura 3.4. Schema bloc a unui redresor monofazat de mic putere
3.2.2 Redresoare monofazate monoalternan cu sarcin rezistiv

Schema redresorului monofazat monoalternan este dat n figura 3.5-a. n timpul semialternanei pozitive a tensiunii u 2 =
2U 2 sin t , dioda D (care reprezint redresorul) este polarizat n sens direct i conduce, deci ur = u2. n
timpul semialternanei negative, datorit polarizrii inverse, dioda este blocat i
ur = 0. Diagramele tensiunilor u2, ur i a curentului prin sarcin sunt date n figura

3.5-b.
62
Capitolul 3
Se observ c tensiunea redresat ur este o tensiune periodic pulsatorie avnd perioada T = 2. Tensiunea redresat conine o component continu (U0) i o component alternativ (u~): ur = U0+ u~ (3.1)
Figura 3.5. Redresor monofazat monoalternan
Componenta continu U0 este egal cu valoarea medie a tensiunii redresate i se calculeaz cu relaia: T
U0 =
1 T
u r ( t ) d ( t )
0
(3.2)
nlocuind valoarea perioadei (T = printr-o sum de dou integrale, astfel: 2
2),
integrala din (3.2) se poate exprima
1 U0 = T
2 1 u r ( t ) d ( t ) = u r (t ) d (t ) + u r (t ) d (t ) (3.3) 2 0 0
Din diagramele tensiunilor (figura 3.5-b) se observ c n intervalul
[0, ], ur=
u2, iar n intervalul [, 2], ur= 0.

Din relaia (3.3) se obine:
1 U0 = 2 =
1 u r ( t ) d ( t ) = 2
2U 2 sin(t ) d (t ) =
(3.4)
2 2 U 2 [ cos(t )] = U 2 0,45 U 2 2 0
Curentul redresat prin rezistena de sarcin este proporional cu tensiunea ur , deci este periodic i pulsatoriu, exprimat prin relaia:
ir =
ur Rs
(3.5)
Dac se dorete exprimarea detaliat a componentei alternative (u~), atunci tensiunea redresat se poate exprima prin relaia: (3.6) u r (t ) = U 0 + 2U n sin( nt + n ) n =1
Redresoare
63
unde Un este valoarea eficace a armonicii de ordinul n, iar n faza iniial a armonicii de ordinul n. Relaia (3.6) se poate scrie sub forma trigonometric a unei serii Fourier i devine: (3.7) u r (t ) = b 0 + a n sin( n t ) + b n cos(n t ) n =1 n =1 Coeficienii seriei Fourier se definesc prin: T 2
1 b0 = U0 = T
u r ( t ) d ( t ) =
1 u ( t ) d ( t ) + u r ( t ) d ( t ) = 2 r 0
0 Se observ c valoarea componentei continue (U0) este exprimat de coeficientul b0 al seriei Fourier, iar coeficienii an i bn se pot calcula utiliznd relaiile (3.9) i (3.10). 2
1 = 2
2U 2 sin(t ) d (t ) =
2 U 2 0,45 U 2
(3.8)
an =
u r (t ) sin( n t ) d (t ) = 2U 2
= 1 bn =
=
2
(3.9)
sin( t ) sin( n t ) d ( t ) 2U 2
u r (t ) cos(n t ) d (t ) =
2U 2 2 . 2 n 1
sin(t ) cos(n t ) d(t ) =
(3.10)
nlocuind n relaia (3.7) coeficienii b0, an i bn din relaiile (3.8), (3.9) i (3.10) se obine:
u r ( t ) =
2U 2 2 2 cos(2 t ) cos(4 t ) ... ; (3.11) 1 + sin(t ) 2 1 3 35
Raportul dintre tensiunea continu pe sarcin i valoarea eficace a tensiunii din secundar se numete coeficient de redresare. n cazul analizat coeficientul de redresare Kr este:
Kr =
U0 U2
= 0,45
(3.12)
Ponderea componentei alternative n tensiunea redresat se poate evalua prin factorul de form, F, i factorul de ondulaie, . Factorul de form este raportul dintre valoarea eficace a tensiunii redresate, ur, i componenta continu U0 :
64
Capitolul 3
F=
ur U0
(3.13)
Cu ct F este mai apropiat de unitate, cu att ponderea componentei alternative n tensiunea redresat este mai mic. La redresorul monoalternan avem: 1T 2 1 2 2 2 Ur = u r (t ) d(t ) = 2 2U 2 sin (t ) d(t ) = 2 U 2 (3.14) T0 0
F=
2 U 2 2
= = 1,57 2 2 U2
(3.15)
Factorul de ondulaie se definete ca raportul dintre valoarea eficace a componentei alternative, U , i componenta continu. Cunoscnd valorile eficace Un ale armonicilor de ordin n = 1, 2, , valoarea eficace U este: 2 2 U = U1 + U 2 + ... (3.16) sau 2 2 U = U r U 0 (3.17) i rezult
U = ~ = U0
U1 + U 2 + ... = U0
U r U0 = U0
Ur U 1 = 0
F 1
(3.18)
n cazul redresorului monoalternan se obine Puterea n curent continuu este:
= 1,211.
U P0 = U 0 I 0 = 0 Rs
2
(3.19)
Aceasta determin o anumit putere aparent, necesar transformatorului.
3.2.3 Redresoare monofazate dubl alternan cu sarcin rezistiv

Redresoarele dubl alternan se realizeaz dup dou scheme: cu transformator avnd priz median n secundar, sau utiliznd schema de redresare n punte. Schema redresorului avnd transformator cu priz median este dat n figura 3.6-a. Cele dou seciuni ale nfurrii secundarului transformatorului sunt identice ' " i deci u 2 = u 2 . Diodele D1 i D2 conduc alternativ, astfel nct tensiunea redresat i curentul prin sarcin au forma din figura 3.6-c. Redresorul n punte are schema din figura 3.7. n timpul semialternanei pozitive a tensiunii u2 conduc diodele D1 i D3 , D2 i D4 fiind blocate. n semialternana negativ conduc diodele D2 i D4 , iar diodele D1 i D3 sunt blocate.
Redresoare
65
Figura 3.6. Redresor dubl alternan folosind transformator cu priz median: a) schema; b) diagrama tensiunilor din secundar; c) diagrama tensiunii i a curentului redresat
Figura 3.7. Redresor dubl alternan n punte
Ca i n cazul redresorului monoalternan, tensiunea i curentul prin sarcin au dou componente: o component continu (U0 , respectiv I0) i o component alternativ. Expresia analitic a tensiunii redresate, pe o perioad a tensiunii u2 este:
T 2 U 2 sin(t ) pentru t 0, 2 ur = 2U sin(t ) pentru t T , T 2 2
(3.20)
Componenta continu a tensiunii redresate (U0) se calculeaz cu aceeai relaie (3.3) ca i n cazul redresorului monoalternan, cu deosebirea c n acest caz perioada este egal cu durata unei semialternane (T = ), iar componenta continu este:
U0 =
2 2 U 2 0,9 U 2
(3.21)
Coeficientul de redresare este dublu fa de schema monoalternan (Kr = 0,9), iar factorul de form i coeficientul de ondulaie se amelioreaz: F = 1,11; = 0,482. De asemenea, pentru o putere P0 dat, puterile aparente n nfurarea secundar i nfurarea primar ale transformatorului se micoreaz. Astfel, pentru schema cu priz median, puterea de calcul a transformatorului este ST = 1,48 P0, iar la schema n punte, ST = 1,23 P0. Comparnd cele dou scheme de redresare dubl alternan se pot reine urmtoarele: pentru aceeai putere P0 n sarcin, puterea aparent necesar a transformatorului este mai mare la schema cu punct median;
66
Capitolul 3

la schema n punte, datorit conduciei n permanen a dou diode, rezult o cdere de tensiune pe diode dubl fa de schema cu punct median; tensiunea invers maxim pe diode, pentru aceeai tensiune redresat este de dou ori mai mare la schema cu punct median fa schema de redresare n punte (deoarece tensiunea invers ce apare n momentul blocrii diodelor se distribuie pe dou diode).
3.2.4 Filtrarea tensiunii redresate

Pentru obinerea unei tensiuni cu factor de ondulaie mic la bornele rezistenei de sarcin, este necesar diminuarea componentei alternative din tensiunea redresat, cu ajutorul filtrelor. Funcionarea filtrelor se bazeaz pe proprietatea bobinelor de a avea o rezisten neglijabil pentru componenta continu a curentului i o reactan mare pentru componenta alternativ din curentul redresat, ct i pe proprietatea capacitilor mari (conectate n paralel cu sarcina), de a unta armonicele de ordin superior. Filtrele utilizate frecvent la redresoarele de mic putere au schemele din figura 3.8. Parametrul principal care le caracterizeaz este factorul de ondulaie al tensiunii de la ieire.
Figura 3.8. Tipuri de filtre: a) capacitiv; b) inductiv-capacitiv; c) tip - CLC sau CRC
3.2.4.1 Funcionarea redresorului cu filtru capacitiv

Schema unui redresor monofazat monoalternan cu filtru capacitiv este dat n figura 3.9-a. Funcionarea ei se poate urmri n diagrama din figura 3.9-b. Aplicnd teorema a II-a a lui Kirchhoff pe circuitul din secundarul transformatorului, rezult: (3.22) u2 = ua + uc Tensiunea la bornele condensatorului (uc) este n acelai timp, tensiunea la bornele rezistenei de sarcin (us) ct i tensiunea dup elementul redresor, ur. Din relaia anterioar rezult cderea de tensiune (ua) pe dioda n conducie: Presupunem c n momentul aplicrii tensiunii de alimentare, condensatorul C este descrcat. Se observ c n intervalul (0 t1) tensiunea din secundarul transformatorului (u2) este mai mare dect tensiunea la bornele condensatorului
ua = u2 uc.
(uc), (u2 > uc)
i deci
ua > 0.
Dioda conduce i condensatorul se ncarc prin
Redresoare
67
Ri RS(Tr). Constanta de timp la ncrcarea condensatorului, Ti = Ri C, rezult foarte mic, deci condensatorul se ncarc rapid. n momentul t1 se obine egalitatea uc = u2, deci ua = 0, iar dioda se blocheaz. n intervalul (t1...t2) u2 < uc, iar ua < 0. Dioda rmne blocat i condensatorul se descarc prin rezistena de sarcin Rs. Constanta de timp de descrcare a condensatorului este Td = RsC i este relativ mare (pentru c Rs este mai mare dect Ri), tensiunea uc scade lent, pn n momentul t2. n continuare dioda conduce n intervalul (t2 ...t3).
sau Tensiunea la bornele condensatorului are mici oscilaii (avnd forma dinilor de ferstru) n jurul valorii U0, care reprezint componenta continu a tensiunii la bornele sarcinii. Valoarea tensiunii continue U0, precum i amplitudinea componentei alternative, depind mult de valoarea rezistenei de sarcin. Micorarea rezistenei de sarcin (Rs) are ca efect creterea curentului de sarcin (Is) i ca urmare tensiunea U0 scade, iar componenta alternativ (u~) a tensiunii redresate crete. n figura 3.9-b s-a notat cu unghiul de la care ncepe ncrcarea condensatorului (considernd ca moment de referin, trecerea prin zero spre valori pozitive a tensiunii u2). Cu s-a notat unghiul de conducie, adic intervalul de timp n care se ncarc condensatorul. Unghiul la care nceteaz ncrcarea condensatorului s-a notat cu = + i se numete unghi de blocare. La funcionarea fr filtru capacitiv, dioda conduce pe ntreaga semiperioad a tensiunii u2 din secundarul transformatorului, adic = . Filtrul capacitiv micoreaz durata de conducie a diodei n intervalul 0 < < . Parametrii redresorului depind de unghiurile de conducie i de blocare, care la rndul lor sunt determinate de mrimile C i Rs. n intervalul de conducie
secundarul transformatorului i diod. Rezistena de ncrcare, Ri, este foarte mic, aceasta incluznd rezistena echivalent serie n secundarul transformatorului, RS(Tr) i rezistena diodei n conducie, RDc, care este neglijabil. Deci Ri = RS(Tr) + RDc
= t3 ... t2, curentul prin diod este:

unde:
ia = ic + is
ic = C du c d =C dt dt is =
(3.23)
2 U 2 sin(t ) = C 2 U 2 cos(t ) 2 U2 sin(t ) Rs
(3.24)
(3.25)
68
Capitolul 3
Figura 3.9. Redresor monoalternan cu filtru capacitiv: a) schema; b) diagrama tensiunilor i curenilor
3.2.5 Parametrii redresoarelor de mic putere

n cazul redresoarelor de mic putere parametrii i caracteristicile importante sunt: puterea nominal a redresorului, PN , reprezint puterea pe care o poate debita redresorul n sarcin, n regim nominal de funcionare; tensiunea nominal, U0N , egal cu tensiunea continu la bornele de ieire, atunci cnd redresorul funcioneaz la putere nominal; curentul nominal, I0N , exprimat prin raportul: I0N = PN / U0N ; factorul de ondulaie, , definit prin relaia (3.18) cnd redresorul funcioneaz la putere nominal; caracteristica extern, reprezint dependena US = f(IS), ilustrat n figura 3.10, n condiia 0 IS I0N . Ideal, aceste caracteristici ar trebui s fie orizontale (liniile punctate din figura 3.10), dar aa cum s-a precizat anterior, influena rezistenei de sarcin RS asupra tensiunii US este important, mai ales, n cazul redresoarelor cu filtru capacitiv. Cele trei caracteristici reprezint: Curba 1 este caracteristica extern n cazul redresorului fr filtru. Se observ o cdere de tensiune (la curent nominal) mic (U01).
Redresoare
69
Curba 2 reprezint caracteristica extern n cazul redresorului cu filtru capacitiv. Se remarc o cdere mult mai mare de tensiune (U02) corespunztoare curentului nominal. Curba 3 reprezint caracteristica extern n cazul redresorului cu filtru
(CLC). n aceast situaie se observ o cdere de tensiune (U03) mai mic dect n cazul redresorului cu filtru capacitiv. Un parametru care determin panta caracteristicii externe este rezistena intern a redresorului, dat de relaia urmtoare:
Ri =
Aceast rezisten este de dorit s rezulte ct mai mic, astfel nct caracteristica extern real s fie ct mai apropiat de caracteristica ideal. Deoarece majoritatea consumatorilor industriali, ce funcioneaz n curent continuu, necesit o tensiune redresat cu un factor de ondulaie ct mai mic, este evident necesitatea utilizrii filtrelor. Dezavantajul pe care l introduc filtrele exprimat prin cderile de tensiune (U02 , U03) poate fi compensat prin utilizarea stabilizatoarelor de tensiune continu (STC) conectate ntre filtre i consumatori (sarcini). n capitolul 4 se vor trata principiile de funcionare i schemele principalelor tipuri de stabilizatoare de tensiune continu.
U S IS
(3.26)
Figura 3.10. Caracteristicile externe ale redresorului
3.3 Redresoare trifazate necomandate

Redresoarele trifazate (n general, polifazate) se construiesc pentru puteri nominale mari. Cea mai simpl schem de redresor trifazat utilizeaz un transformator trifazat avnd secundarul conectat n stea (figura 3.11.) Funcionarea schemei se poate urmri n diagrama din figura 3.12. La un moment oarecare conduce dioda care are anodul la potenialul cel mai ridicat. Curentul prin sarcin este:
is = i1 + i2 + i3
(3.27)
70
Capitolul 3
i are, n cazul sarcinii rezistive, o form pulsatorie. Tensiunea ur de la bornele rezistenei RS este egal cu tensiunea pe faza n care dioda conduce i are forma curbei cu linie ntrit din figura 3.12. n momentele t1 , t2 , t3 se produce comutarea conduciei de pe o faz pe alta. Tensiunea continu tensiunii
U0
de la bornele rezistenei de sarcin este, prin
definiie, integrala pe o perioad a tensiunii
ur,
mprit la perioad
(T).
Perioada
ur fiind 2/3,
(3.28) 2 3 6+ 3 3 6 = 2U 2 sin( t )d( t ) = U 2 1,17 U 2 2 2 6 Descrierea funcionrii redresorului trifazat s-a fcut n ipoteza c transformatorul este ideal (are inductanele de scpri neglijabile), iar sarcina redresorului este rezistiv. n cazul cnd se admite c transformatorul nu este ideal, deci intervin inductanele de scpri ale acestuia, sau cnd sarcina are caracter inductiv, apar efecte care complic funcionarea redresorului, n special la producerea comutaiei de pe o faz pe alta. Descrierea proceselor dintr-un redresor real cu sarcin inductiv se poate urmri n lucrarea [2]. n schema redresor O schem foarte des utilizat n practic, datorit performan-elor superioare pe care le prezint, este schema de redresare trifazat n punte (figura 3.13). Funcionarea acestui redresor se explic utiliznd diagramele curenilor prin faze, a curentului i0 (curentul prin sarcin) i a tensiunii redresate, prezentate n figura 3.14. n schema redresorului se observ c la un moment oarecare conduc dou diode: dioda cu potenialul anodului cel mai ridicat i dioda cu potenialul catodului cel mai sczut. Astfel, n intervalul (t1, t2) conduc diodele D1 i D5 ; n intervalul (t2, t3) conduc diodele D1 i D6 etc. Se remarc faptul c frecvena comutrilor este de dou ori mai mare dect n cazul redresorului trifazat n stea, deci perioada pulsaiilor tensiunii redresate este de dou ori mai mic. Tensiunea ur de la bornele rezistenei de sarcin este egal cu diferena potenialelor ntre acele borne ale nfurrii secundare, la care sunt legate diode n conducie. Deci, tensiunea ur corespunde segmentelor verticale dintre curbele trasate cu linie ntrit i axa timpului, situaie ilustrat n figura 3.14. Valoarea tensiunii continue, calculat n relaia (3.29), este de dou ori mai mare dect n cazul redresorului trifazat simplu (conectat n stea):
rezult valoarea tensiunii U0: 2 1 0 +T 1 6+ 3 U0 = u r ( t )d ( t ) = u r ( t )d( t ) = 2 T 0 3 6
U0 =
3 6 U 2 2,34 U 2
(3.29)
Redresoare
71
Figura 3.11. Redresor trifazat n stea
Figura 3.12. Diagramele tensiunilor i curenilor pentru redresorul trifazat n stea
Figura 3.13. Redresor trifazat n punte
Figura 3.14. Diagramele tensiunilor i curenilor pentru redresorul n punte
72
Capitolul 3
3.4 ntrebri
1. Ce este deosebirea dintre un invertor (I) i un convertor static de frecven? 2. Ce condiie trebuie s ndeplineasc cele dou diode ale unui redresor bialternan, conectate la un transformator cu dou secundare i punct median? 3. Cum se explic (justific) relaia d >> i n cazul redresorului cu filtru capacitiv ? 4. Care sunt semnificaiile i expresiile analitice ale parametrilor redresorului de mic putere Kr ; F; ?
CAPITOLUL 4
STABILIZATOARE ELECTRONICE
4.1 Noiuni generale. Parametrii stabilizatoarelor
Stabilizatorul electronic este un circuit care are rolul de a menine, n limite strnse, valorile tensiunii sau curentului de alimentare, ale unei instalaii industriale sau de laborator. n lipsa stabilizatorului, pot fi depite limitele admise i pot s apar dereglri n funcionarea instalaiilor sau/i erori de msurare nepermise. n prezent exist un numr relativ mare de categorii i tipuri de stabilizatoare electronice. n funcie de mrimea electric de stabilizat exist stabilizatoare de tensiune i de curent, iar n funcie de metoda de stabilizare exist stabilizatoare electromecanice (pentru tensiuni alternative i continue la consumatori de mare putere), electromagnetice (cu miezuri magnetice saturate), parametrice (cu elemente neliniare, montate n serie, sau n paralel cu sarcina) i cu reacie (care funcioneaz pe principiul sistemelor de reglare automat cu reacie negativ). n acest capitol vor fi prezentate stabilizatoarele parametrice i cu reacie. Ele se pot conecta ca n figura 4.1, dac tensiunea stabilizat este continu. n principiu tensiunea continu poate fi stabilizat i nainte de redresor, meninnd constant tensiunea alternativ cu stabilizatoare corespunztoare. Varianta din figura 4.1 are avantajul c menine constant tensiunea pe sarcin indiferent de cauzele care tind s o modifice, motiv pentru care aceast variant este cel mai des utilizat n practic.
Figura 4.1. Schema bloc de conectare a unui stabilizator electronic
4.2 Stabilizatoare parametrice

Cele mai rspndite stabilizatoare parametrice sunt cele de tensiune continu, care fac parte component din alimentatoarele celor mai diverse circuite
74
Capitolul 4
electronice. Aceste stabilizatoare folosesc elemente neliniare (electrice, electronice, electromagnetice), a cror caracteristic tensiune-curent asigur stabilizarea tensiunii. Majoritatea stabilizatoarelor parametrice folosesc ca element stabilizator dioda Zener (figura 4.2-a) a crei proprietate principal este de a prelua variaii importante ale curentului ( I z ), cu variaii reduse ale tensiunii ( U z ) la bornele ei (figura 4.2-b): (4.1) I z = Iz max I z min
U z = U z max U z min
(4.2)
Pentru RS = , punctul de funcionare al diodei se gsete n A. Pe msur ce RS scade, crete curentul i2 din RS, iar punctul de funcionare se deplaseaz spre B i n continuare spre 0. Practic, pentru a nu se ajunge n zona neliniar a caracteristicii, rezistena de sarcin se limiteaz astfel nct punctul de funcionare M s se situeze la mijlocul segmentului AB (liniar) al caracteristicii. n cazul funcionrii n gol (RS = ) se alege o valoare pentru rezistena R (de balast), care s asigure valoare maxim admis a curentului I z max prin dioda Zener. n mod similar funcioneaz stabilizatorul i n cazul variaiei tensiunii de reea: dac tensiunea reelei crete, cresc att i 2 (ntr-o mic msur), ct i i z (ntr-o msur mult mai mare), iar punctul M de funcionare se deplaseaz spre A. Invers, dac tensiunea reelei scade, punctul de funcionare se deplaseaz spre B.
Figura 4.2. Principiul stabilizatorului parametric cu diod Zener: a) schema; b) caracteristica tensiune-curent a diodei Zener
Pentru o funcionare normal a stabilizatorului este necesar ca rezistena de balast R s ndeplineasc urmtoarea condiie: R min < R < R max (4.3)
4.2.1 Funcionarea unui stabilizator parametric

Stabilizatoarele parametrice au ca elemente eseniale diode Zener, tuburi cu gaz de tip stabilovolt sau stabilitron. Schema unui stabilizator de tensiune cu diod Zener este dat n figura 4.3.
Stabilizatoare electronice
75
Figura 4.3. Stabilizator parametric cu diod Zener
n aceast schem sensurile adoptate pentru ia i ua sunt inversate fa de schema din figura 4.2-b, astfel nct zona de stabilizare parametric din caracteristica static a diodei se va desena n cadranul 1 (figura 4.4). Tensiunea aplicat la intrarea n stabilizator este tensiunea de ieire din filtrul redresorului i s-a notat cu E n schema din figura 4.3. Tensiunea de ieire de pe rezistena de sarcin Rs este identic cu tensiunea anodic ua a diodei Zenner (DZ). Pentru deducerea punctului static de funcionare (PSF) al diodei se utilizeaz relaiile: (4.4) E = R I + Ua
I = I a + Is U Is = a Rs
(4.5) (4.6)
precum i dependena ia Zener.
= f(ua), dat grafic sub forma caracteristicii statice a diodei
Figura 4.4. Modificarea PSF al diodei Zener la variaia tensiunii de intrare (a) i la variaia rezistenei de sarcin (b)
Din relaiile (4.4) (4.6) rezult ecuaia dreptei statice de sarcin:
R E = R Ia + R + 1 U a S
(4.7)
Punctele de intersecie ale dreptei de sarcin (tieturile) cu axele de coordonate sunt:
76
Capitolul 4
Ia =
E ; R
Ua = E
Rs + R
Rs
(4.8)
n figura 4.4-a dreapta static de sarcin este reprezentat printr-o linie continu. La intersecia dintre caracteristica static a diodei Zener i dreapta de sarcin se obine PSF notat cu M. Proieciile duse din M pe axele de coordonate determin coordonatele PSF. Aceste coordonate sunt: Ia 0 i Ua 0 Uz. Panta dreptei statice de sarcin se exprim prin relaia:
tg =
RR s R + Rs
(4.9)
Rezult c nclinaia (panta) dreptei statice de sarcin nu depinde de valoarea tensiunii E de la intrarea stabilizatorului. n funcionarea stabilizatorului parametric pot exista dou regimuri distincte de lucru: a) Dac tensiunea de intrare E se modific (crete la valoarea E, sau scade la valoarea E), iar Rs = ct., atunci tieturile dreptei statice de sarcin cu axele de coordonate vor fi (figura 4.4-a):
I' =
E' , R
U' = E'
Rs + R
Rs
I" =
E" , R
U" = E"
Rs + R
Rs
(4.10)
Se observ c E > E i E < E, respectiv U > U i U < U. nclinarea dreptei va fi aceeai (vezi figura 4.4-a). Punctul static de funcionare al diodei Zener se pstreaz pe poriunea n care tensiunea Ua este practic constant. Deci, modificarea tensiunii de intrare duce la modificarea curentului Ia , ns tensiunea la bornele diodei, deci tensiunea pe sarcin este practic constant dac PSF (M) nu intr n raza de curbur a caracteristicii statice. " ' b) Presupunnd c rezistena de sarcin Rs variaz ntre valorile R s i R s , iar tensiunea de la intrare rmne constant (E = ct.), tieturile dreptei de sarcin cu axele de coordonate vor fi (figura 4.4-b): " ' E Rs Rs I = I' = I" = , U' = E ; U" = E (4.11) " ' R Rs + R Rs + R ' " Observaie. S-a considerat: R s > R s i R s < R s . i n acest caz modificarea poziiei punctului static de funcionare afecteaz curentul prin diod, tensiunea Ua rmnnd practic constant (vezi figura 4.4-b), dac PSF nu intr n zona de curbur a caracteristicii statice. Concluzie: Proprietatea de stabilizare se pstreaz n orice regim de lucru, dac punctul de funcionare M nu intr n raza de curbur a caracteristicii statice a diodei Zener (DZ).
77
4.2.2 Stabilizatoare cu reacie avnd elemente de control serie i amplificator de eroare

Stabilizatorul cu elemente de control serie (ECS) i amplificator de eroare este cel mai rspndit. Acesta se construiete dup schema din figura 4.5.
Figura 4.5. Schema bloc a stabilizatorului cu element de control serie i amplificator de eroare
Elementul de comparaie 5 compar dou tensiuni: E0 i Ur. Tensiunea de referin E0, dat de un stabilizator parametric (diod Zener), este constant i proporional cu valoarea prescris a tensiunii
U0
(tensiunea de ieire pe
Rs).
Tensiunea Ur este proporional cu valoarea real a tensiunii U0:
U r = U0
R1 = k U0 R1 + R 2
(4.12)
Diferena dintre aceste dou tensiuni, obinut la ieirea elementului de comparaie 5, reprezint eroarea sau abaterea tensiunii U0 de la valoarea prescris. Amplificatorul 2 amplific semnalul de eroare i acioneaz asupra elementului de control 1 (ECS) n aa fel, nct s se compenseze variaiile tensiunii de ieire (U0) fa de valoarea prescris. Elementul de execuie 1 se comport ca o rezisten n serie, a crei valoare este comandat de semnalul de ieire al amplificatorului 2. Dac, de exemplu, tensiunea U0 tinde s scad fa de valoarea nominal, elementul de comparaie 5 sesizeaz abaterea, amplificatorul 2 amplific semnalul de eroare i comand, prin ieirea sa, elementul de execuie 1, n sensul scderii rezistenei acestuia. Micorarea rezistenei elementului 1 duce la micorarea cderii de tensiune U pe acest element, deci la creterea tensiunii U0, ceea ce reprezint compensarea efectului iniial de scdere a tensiunii U0, ntruct egalitatea: (4.13) E = U'+ U 0 dat de teorema a II-a a lui Kirchhoff se conserv n orice condiie. n figura 4.6 este dat schema detaliat a stabilizatorului cu ECS, prezentat n figura 4.5.
78
Capitolul 4
Figura 4.6 Schema detaliat a stabilizatorului prezentat n figura 4.5
Tensiunea de referin E0 este dat de un stabilizator parametric format din dioda Zener (Dz) i rezistena R3. Semnalul de eroare este:
U be = U r E 0
(4.14)
i reprezint mrimea de intrare n amplificatorul de eroare format din tranzistorul T1 i rezistena R4. Elementul de control serie este tranzistorul T2, a crui rezisten este comandat de tensiunea de ieire a amplificatorului de eroare. Dac tensiunea U0 tinde s scad, va scdea i tensiunea Ur (conform relaiei 4.12) deci scade i tensiunea Ube, dat de relaia 4.14. Curentul de baz al tranzistorului T1 se micoreaz ducnd la reducerea curentului de colector, deci la creterea tensiunii de colector Uc1. Deoarece colectorul tranzistorului T1 este legat direct la baza tranzistorului T2, creterea potenialului n colectorul tranzistorului T1 are ca efect o pozitivare accentuat a bazei tranzistorului T2. Acesta, fiind un tranzistor npn, se va deschide mai mult (curentul de colector ic2 crete), tensiunea colector emitor U scade, ducnd la creterea tensiunii U0 conform relaiei (4.13). Astfel, are loc compensarea efectului iniial de scdere a tensiunii U0.
4.2.3 Stabilizatoare integrate de tensiune

Aceste stabilizatoare au performane superioare fa de circuitele de stabilizare avnd componente discrete i pot fi realizate att pentru tensiuni mari (figura 4.7-a) ct i pentru tensiuni mici (figura 4.7-b). Elementele de control serie (ECS) sunt componente integrate, iar amplificatoarele de eroare sunt amplificatoare operaionale (AO). n figura 4.7-a amplificatorul de eroare lucreaz n regim de amplificator neinversor, iar n figura 4.7-b amplificatorul de eroare lucreaz n regim de repetor.
79
(a)- pentru tensiuni mari
(b)- pentru tensiuni mici
Figura 4.7. Stabilizatoare de tensiune integrate
U2 n funcie de tensiunea de referin Ur are valorile: a) pentru stabilizarea tensiunilor mari (U2 > Ur), figura 4.7-a:
Tensiunea de ieire
R + R2 U2 = 1 Ur R1 R1 Ur R1 + R 2
(4.15)
b)
pentru stabilizarea tensiunilor mici
(U2 < Ur), figura 4.7-b:

(4.16)
U2 =
Pentru a mbunti fiabilitatea stabilizatoarelor integrate i pentru a elimina cderile de tensiune pe conductoarele externe (ce pot modifica tensiunea de ieire), n prezent se realizeaz circuite stabilizatoare de tensiune fix i cureni de sarcin relativ mari. Stabilizatoarele integrate pentru tensiuni fixe necesit un numr redus de componente discrete externe (pasive i active), fiind prevzute cu trei terminale: intrare, ieire i born de mas. n figura 4.8 se prezint schema clasic a unui stabilizator de tensiune integrat cu trei pini. Acest montaj se caracterizeaz printr-o simplitate deosebit, deoarece n afara circuitului integrat sunt necesare numai dou condensatoare iar prezena diodei de protecie este facultativ. Condensatorul C1 este indispensabil n montaj, n special atunci cnd STC se afl la o distan oarecare fa de circuitul de filtrare care l precede (la ieirea redresorului). Condensatorul C2 de la ieire are tot rol de filtrare, reducnd suplimentar tensiunea de zgomot propriu al stabilizatorului. Dioda D protejeaz circuitul integrat, prin limitarea tensiunii inverse care poate s apar ntre intrare i ieire, n montajele la care tensiunea de ieire se menine i dup anularea tensiunii de intrare (cazul montajelor cu sarcini capacitive importante). Exemplificnd, schema general din figura 4.8 se constituie ntr-un stabilizator de tensiune fix (5V) dac STC este un circuit integrat tip LM7805 (figura 4.9). Tensiunea de ieire stabilizat n acest caz este: Stabilizatoarele din seria 78XX pot funciona corect numai dac tensiunea de intrare este cu cel puin 2,5V superioar tensiunii de ieire U0, adic:
U0 = Unom 5% unde Unom = 5V.
Uin > U0nom + 2,5V
(4.17)
80
Capitolul 4
Stabilizatoarele integrate pot ndeplini i funcia de regulatoare de tensiune, dac schemei din figura 4.9 i se ataeaz un divizor rezistiv la care unul dintre rezistoare este reglabil. Astfel, n figura 4.10, este prezentat un variator de tensiune (n limite mici) utiliznd circuitul specializat 7805.
Figura 4.8. Schema de principiu pentru un stabilizator integrat tensiune fix
Figura 4.9. Stabilizator integrat de tensiune fix (5V)
Figura 4.10. Stabilizator integrat de tensiune variabil
Tensiunea obinut la ieire are expresia:
curentului Ir este de 8 mA, se alege R1 = 120 pentru stabilizatorul LM7805 utilizat n acest caz. Pentru un stabilizator de 15V, realizat cu circuitul LM7815, se adopt R1 = 390 . Din motive de stabilitate, nu este indicat s se depeasc plaja de variaie a tensiunii de ieire, cu mai mult de 50%, fa de tensiunea nominal. Din acest motiv se alege R2 R1/2. n acest caz termenul IrR2 din expresia tensiunii de ieire (4.18) reprezint circa 0,5V n cazul stabilizatorului de 5V. Variaiile curentului rezidual Ir (n funcie de curentul de ieire) vor avea o anumit influen asupra tensiunii de ieire cnd se regleaz valoarea lui R2 ctre maxim. n figura 4.11 este prezentat schema unui stabilizator de tensiune variabil utiliznd circuitul integrat LM317 pentru tensiuni pozitive (sau LM337 pentru tensiuni negative). Tensiunea de ieire a stabilizatorului LM317 poate fi reglat ntre 1,2V i 37V, la un curent maxim de 1,5A. Tensiunea de ieire se poate determina folosind relaia: Uout = 1,25(1 + R2/R1) (4.19)
U0 = U0nom(1 + R2/R1 + Ir R2) (4.18) Curentul Ir (obinut la pinul 3) are valori cuprinse n domeniul 4...8 mA. i n acest caz protecia mpotriva suprasarcinilor rmne activ n condiia c tensiunea de intrare nu depete valoarea maxim admis (de firm) care este de regul de 35 V. Variaiile curentului rezidual Ir n funcie de curentul de ieire ar putea afecta gradul de stabilizare al tensiunii de ieire. Pentru a minimiza acest efect se alege rezistorul R1, astfel nct prin el s treac un curent de cel puin cinci ori mai mare dect curentul rezidual (IR1 5 Ir). ntruct valoarea cea mai mare a
81
Figura 4.11. Stabilizator integrat de tensiune variabil
Condensatorul C3 are rolul de a ameliora, suplimentar, factorul de rejecie global. Diodele D1 i D2 au rolul de proteja circuitul integrat n cazul apariiei unor descrcri inverse ale condensatoarelor. Observaii: Dei schema utilizat n cazul stabilizatoarelor ajustabile de tensiune este identic cu cea din cazul stabilizatoarelor fixe, totui, baza de calcul sufer o modificare generat de faptul c stabilizatoarele variabile dezvolt o tensiune de referin egal cu 1,25V, ntre pinul ADJ i pinul VOUT (de ieire).
CAPITOLUL 5
REDRESOARE COMANDATE DE MIC PUTERE

5.1 Principiul comenzilor pe vertical i orizontal la redresoarele de mic putere
Pentru ilustrarea unor noiuni fundamentale privind utilizarea tiristoarelor n mutatoare se consider cel mai simplu redresor comandat, n schema monofazat, monoalternan, cu sarcin rezistiv (figura 5.1). El conine un dispozitiv de comand pe gril, DCG, la intrarea cruia se aplic semnalul de comand, uc. Scopul urmrit este ajustarea tensiunii continue, la bornele sarcinii, prin intermediul tensiunii de comand uc.
Figura 5.1. Redresor comandat monoalternan
Figura 5.2. Circuit de defazare
Dup modul cum DCG realizeaz amorsarea tiristorului (intrarea n conducie), exist dou metode de comand pe gril: comanda pe orizontal i comanda pe vertical. Dispozitivul de comand pe gril transmite impulsurile iG pe grila tiristorului, la fiecare semialternan pozitiv a tensiunii u2 (figura 5.3-b). Aceste impulsuri produc amorsarea tiristorului. Pn la aplicarea impulsului iG curentul ia prin tiristor este nul. Dup deschiderea tiristorului curentul variaz proporional cu tensiunea aplicat u2.
iG care produce amorsarea tiristorului, se numete unghi de amorsare i s-a notat cu a.

Intervalul cuprins ntre nceputul semialternanei pozitive i apariia impulsului amorsare a1 i curentul mediu prin tiristor este proporional cu suprafaa dintre curba Din figura 5.3 se observ c modificarea unghiului de amorsare se realizeaz (1) prin modificarea fazei impulsurilor iG. Astfel, impulsurile iG realizeaz unghiul de
Redresoare comandate de mic putere
83
i abscis. Tensiunea continu de pe rezistena de sarcin, proporional cu valoarea curentului mediu, rezult mai mic dect n cazul cnd unghiul de amorsare este zero, adic la redresorul necomandat. Dac unghiul de amorsare crete la (2) valoarea a2, corespunztoare impulsurilor iG , curentul continuu scade la o valoare proporional cu suprafaa dublu haurat.
ia
Figura 5.3. Formele de und ale tensiunilor i curenilor n cazul comenzii pe orizontal
Deci, prin ajustarea fazei impulsurilor de comand, se poate modifica unghiul de amorsare de la 0 la 180 i tensiunea continu variaz de la 100% la zero. Acest principiu este valabil n ambele metode de comand pe gril (comanda pe orizontal i comanda pe vertical). La comanda pe orizontal, modificarea fazei impulsurilor iG se face prin deplasarea pe orizontal a unei tensiuni alternative de comand. n figura 5.3-c este prezentat aceast tensiune, u~ , cu defazaj reglabil. DCG este astfel construit, nct se genereaz impulsurile iG n momentul trecerii tensiunii u~ prin zero, de la valori negative spre valori pozitive. Ajustarea fazei semnalului u~ se poate face cu ajutorul unor circuite de defazare aa cum este cel din figura 5.2. n acest caz comanda defazajului, deci i a tensiunii redresate, se face printr-o aciune de reglare manual asupra reostatului R. Dac se impune ca tensiunea continu s fie ajustat printr-un semnal de comand uc, DCG trebuie s conin un oscilator electronic care genereaz o tensiune periodic, liniar variabil n timp, uLV, precum i un circuit ce formeaz un impuls de comand, iG, atunci cnd se produce intersectarea tensiunilor uLV i uc pe panta
83
84
Capitolul 5
descendent a tensiunii uLV (figura 5.3-d). Modificarea tensiunii de comand conduce la modificarea corespunztoare a fazei impulsurilor iG. Comanda pe vertical a redresoarelor monofazate cu tiristoare este ilustrat n figura 5.4. Dispozitivul de comand pe gril (DCG) genereaz iniial o tensiune alternativ U~, defazat cu 900 n urma tensiunii U2. (a ) Impulsul de comand pe gril i G se formeaz iniial la intersecia cu abscisa (pe poriunea ascendent a tensiunii U~). Ca urmare, unghiul de amorsare a tiristorului are valoarea iniial a = 90 . Principiul comenzii pe vertical const n variaia unghiului de amorsare a tiristorului prin deplasarea pe vertical a tensiunii U~, deplasare ce are ca efect micorarea sau creterea unghiului de amorsare fa de unghiul iniial a. Pentru a realiza deplasarea pe vertical a tensiunii U~, la nivelul DCG se nsumeaz o tensiune continu de comand (Uc pozitiv sau negativ) cu tensiunea U~.
0
Figura 5.4. Formele de und ale tensiunilor i curenilor n cazul comenzii pe vertical

Ajustarea tensiunii de comand astfel: a. Creterea tensiunii
85
Uc determin reglarea unghiului de amorsare (Uc > 0) are [00 ... 900], iar
ca efect reglarea valoarea medie a
Uc
n valori pozitive
unghiului de amorsare
tensiunii redresate crete (proporional cu valoarea unghiului de conducie 1) n cadrul unei semialternane pozitive; b. Creterea tensiunii Uc n valori negative
(1)
n intervalul
(Uc < 0) are ca efect reglarea 0 0 unghiului de amorsare (2) n intervalul [90 ... 180 ], iar valoarea medie a tensiunii redresate scade proporional cu creterea unghiului 2, ntre [900 ... 1800].
[0 [0% ... 100%] din Ur.
Deci unghiul de amorsare a tiristorului se poate regla continuu, n domeniul ...1800], iar tensiunea medie redresat poate fi ajustat continuu, n domeniul
La evaluarea comparativ a performanelor redresoarelor avnd comand pe orizontal fa de cele ce au comanda pe vertical, un criteriu important este forma dependenei tensiunii continue U0 n raport cu semnalul de comand uc. Expresia tensiunii continue sarcin rezistiv este: 2
U0
la un redresor monofazat comandat cu
1 U0 = 2
1 u r d ( t ) = 2
2 U 2 sin(t ) d(t ) =
(5.1)
2 U 2 (1 + cos a ) 2
La comanda pe orizontal, figura 5.3.d, unghiul de amorsare n funcie de tensiunea de comand uc prin relaia:
a se exprim
(5.2)
a = (1
uc
nlocuind a n relaia (5.1) rezult:
u c max
U0 =
uc 2 U 2 (1 cos ) 2 u c max
(5.3)
deci dependena U0 = f(uc) este neliniar. La comanda pe vertical, considernd c tensiunea de comand maxim, ucmax, este egal cu amplitudinea tensiunii u~ , relaia dintre unghiul de amorsare
(a) i tensiunea uc este:

a = arccos(
uc u c max
(5.4)
nlocuind relaia 5.4 n ultima form a relaiei 5.1 se obine:
85
86
Capitolul 5
U0 =
2 U 2 uc (1 + ) u c max 2
(5.5)
deci, dependena U0 = f(uc) este liniar. Aceast proprietate reprezint un avantaj important al comenzii pe vertical fa de comanda pe orizontal, ntruct redresorul comandat poate fi utilizat ca element de execuie ntr-un sistem liniar de reglare automat (de exemplu reglarea turaiei motorului de curent continuu).
5.2 Circuite specializate pentru comanda n faz a tiristoarelor

Pentru reglarea unghiului de conducie a tiristoarelor i/sau triacurilor se pot utiliza dispozitive electronice specializate, care pot fi realizate cu ajutorul componentelor electronice discrete sau cu ajutorul circuitelor integrate. Unul dintre cele mai utilizate circuite integrate, destinat comenzii n faz a elementelor de redresare, este circuitul integrat AA-145. Schema electronic test pentru o aplicaie tipic (cu posibiliti de comand a dou tiristoare) realizat cu circuitul integrat AA145 este prezentat n figura 5.5. Fcnd abstracie de schema electronic detaliat prezentat n [9], semnificaia terminalelor (pinilor) este urmtoarea: 1- Alimentare (+V) 2- Ieire monostabil 3- Mas 13- Alimentare ( I ) 6- Blocare impuls 7- Ramp de tensiune 8- Comand faz ( V8 ) 9- Intrare de sincronizare 10- Ieire ( E1 ) 11- Comand durat (tp) 14- Ieire (E2) 15- Referina de tensiune (-V) 16- Sincronizare paralel
Figura 5.5. Dispozitiv de comand pe gril realizat cu AA-145
87
Observaie: Este recomandat s se utilizeze un transformator cobortor de tensiune, pentru separare galvanic (220V~/24V~), asociat cu divizorul rezistiv pentru alimentarea pinului de sincronizare (9). n acest caz valorile rezistenelor divizorului se adopt astfel nct curentul de sincronizare (consumat la pinul 9) s aib valoarea de 10 mA, aceast valoare fiind un parametru de catalog. Acest circuit permite reglarea unghiului de conducie () n domeniul 0-180 grade, atunci cnd tensiunea de comand aplicat la pinul 8 variaz n domeniul 0...8V. Variaia unghiului de conducie n raport cu tensiunea de comand (V8) este prezentat n figura 5.6.
Figura 5.6. Variaia unghiului de conducie
Figura 5.7. Diagrama impulsurilor de comand
Impulsurile de comand, ce urmeaz a fi aplicate pe porile tiristoarelor sau triacurilor, se obin la pinii 10 i 14. Durata impulsurilor (tp) se poate ajusta cu ajutorul unui poteniometru semireglabil
(Rt) de 250 K conectat la pinul 11.
87
88
Capitolul 5
Cele dou impulsuri de comand (V10 i V14) sunt decalate permanent cu un unghi constant de 180 grade, figura 5.7, dar unghiul de conducie se poate regla n intervalul 0...180 grade datorit translaiei pe orizontal a celor dou impulsuri. Blocarea impulsurilor de comand (inhibarea circuitului AA-145) se poate face conectnd pinul 6 la mas. ntruct impulsurile de comand (V10 i V14) sunt de mic putere, acestea trebuie amplificate cu ajutorul unor amplificatoare de tip Darlington. Impulsurile astfel amplificate sunt aplicate pe porile tiristoarelor/triacurilor prin intermediul unor transformatoare de impulsuri, realizate cu miezuri de ferit i dimensionate corespunztor. Aceste transformatoare realizeaz separare galvanic ntre circuitul de for (tiristor sau triac) i circuitul de comand unde se afl circuitul integrat AA 145.
5.3 Redresor monofazat semicomandat n punte

n cazul redresorului semicomandat, tensiunea de ieire Ud este reglabil n limitele [0...100%]. Reglajul tensiunii se face prin comanda corespunztoare a tiristoarelor din circuit. Schema electric a redresorului monofazat n punte semicomandat (cu sarcin inductiv-rezistiv) este prezentat n figura 5.8, iar formele de und ale tensiunilor i curenilor prin circuitul redresor-sarcin sunt date n figura 5.9.
Figura 5.8. Schema electric a redresorului monofazat n punte semicomandat
Tiristoarele trebuie comandate pe intervalul n care tensiunea lor n sensul anod catod este pozitiv. Momentul n care tensiunea pe tiristor este nul i urmeaz s devin pozitiv n sensul anod - catod, se alege ca moment de referin pentru comanda pe gril. n raport cu referina, impulsul de amorsare (aprindere) a fiecrui tiristor poate fi aplicat la un interval de timp variabil. Exprimat n radiani, acest interval definete unghiul de comand () pentru tiristoare. Momentul de referin pentru unghiul de comand este momentul trecerii prin zero a tensiunii reelei, n cazul redresorului monofazat. Unghiul de comand () exprim intervalul de timp cuprins ntre momentul nceputului blocrii tiristorului T1 i momentul n care ncepe conducia tiristorului T2. n punctul A al diagramelor, ncepe ieirea din conducie a tiristorului T2 i intrarea n conducie a diodei D1.
89
Intervalele de comutaie 1 i 2 definesc timpii necesari blocrii tiristoarelor i intrrii n conducie a diodelor. Dup intervalul de conducie 2 , curentul de sarcin trece n ntregime prin T1 i D1. Tensiunea redresat Ud pe sarcin (LS, RS) se obine n intervalele de timp n care are loc conducia simultan pe T1, D1 i respectiv T2, D2 . Tiristorul T1 se stinge natural n punctele (momentele) B i D, iar tiristorul T2 se blocheaz natural n momentele A, C i E. Tensiunea medie redresat (Ud) este dat de relaia:
Ud =
2 U S (cos + 1) ;
(5.6)
unde: US este valoarea eficace a tensiunii din secundar ( U 21 = U 2 2 ); este unghiul de conducie al tiristoarelor.
Figura 5.9. Formele de und ale tensiunilor i curenilor
89
90
Capitolul 5
Observaii: a)
Pe durata conduciei tiristoarelor, diodele de acelai indice (nume) joac rolul de redresor, iar n intervalul unghiului de comand cele dou diode D1 i D2 joac rolul de protecie (descrcare) mpotriva tensiunilor de autoinducie ce apar n momentul blocrii tiristoarelor, asigurnd curentul nentrerupt prin sarcina RS, LS. b) Durata de conducie a diodelor este mult mai mare dect durata de conducie a tiristoarelor. c) Tensiunea redresat (Ud) crete dac unghiul de comand scade. Valoarea minim a unghiului de comand () se adopt n intervalul 58 grade electrice, interval de timp necesar prelurii conduciei de la tiristoare de ctre diode.
5.4 ntrebri i problem

1. Ce avantaj ofer comanda pe vertical, fa de metoda comenzii pe orizontal (n cazul redresoarelor comandate) ? 2. Care este rolul i seminificaia terminalelor (pinilor) de la circuitul integrat AA145, specializat pentru comanda n faz a tiristoarelor i triacurilor? Problem Se d circuitul de redresarei stabilizare din figur pentru care se cunoate:
u1 ( t ) = 240 sin ( t ) [ V ] ; R = 200 [ ] ; rDZ = 8 [ ] ; R S = 50 [ ] ; U Z = 9,1[ V ] .
K TR = 8;
c = 900 ( unghiul de comutatie al tiristorului )
Se cere: a) Tensiunea medie redresat U 0 ;
b) Tensiunea ntre punctele M i N (U MN ) ; c) Unghuiul de conducie al diodei Zenner; d) Valoarea curentului de sarcin (I S )
CAPITOLUL 6
CIRCUITE LOGICE COMBINAIONALE I SECVENIALE

6.1 Funcii logice elementare
Algebra logicii, numit i algebr boolean (dup numele matematicianului irlandez G. Boole, 1815-1864), opereaz cu propoziii, la care intereseaz veridicitatea acestora. n algebra boolean se utilizeaz logica bivalent, conform creia o propoziie poate fi adevrat sau fals. Fiecrei propoziii i se poate asocia o variabil, numit variabil logic sau binar, care are valoarea 1, cnd propoziia este adevrat i valoarea 0 cnd propoziia este fals. Fie de exemplu, propoziia: butonul X este acionat (figura 6.1-a). Acestei propoziii i se poate asocia variabila binar x, care are valoarea 1 dac propoziia este adevrat (butonul fiind acionat, contactul electric este nchis) i valoarea 0 dac propoziia este fals (contactul electric deschis). n mod similar, propoziiei releul Y este acionat (figura 6.1-b) i se poate asocia variabila binar y, avnd o semnificaie asemntoare.
Figura 6.1. Definirea funciilor logice elementare.
Figura 6.2. Realizarea identitii logice.
Veridicitatea unei propoziii poate s depind de veridicitatea altor propoziii. Ilustrnd aceast idee prin exemple simple, luate din domeniul schemelor de comand cu relee i contacte, se vor introduce n cele ce urmeaz funciile logice elementare. 1 Identitatea logic. Referindu-ne la cele dou propoziii menionate anterior constatm c n schema din figura 6.2, propoziia a doua este adevrat cnd prima propoziie este adevrat i invers. Deci se obine identitatea logic: yx (6.1) Identitii logice i corespunde tabelul de adevr 6.1-a. 2 Negaia logic. n cadrul schemei din figura 6.3, contactul butonului X este normal nchis. Cnd butonul este acionat, acesta i deschide contactul, circuitul se
92
Capitolul 6
ntrerupe, iar releul Y nu va fi acionat. Se realizeaz deci negaia logic, notat simbolic:
y= x
(6.2)
Figura 6.3. Realizarea negaiei logice
Figura 6.4. Realizarea funciei logice SAU
Tabelul 6.1
Tabelul 6.2
a)
x yx x y= x
0 0 0 1
1 1 1 0
x1 x2 y=x1+x2
0 0 0
1 0 1
0 1 1
1 1 1
b)
x x 4 Conjuncia logic a dou variabile binare x1 i x2 se noteaz prin 1 2 i are valoarea 1 dac ambele variabile au valoarea 1. Din tabelul de adevr 6.3 se constat c numai atunci cnd x1 i x2 au valoarea logic 1, conjuncia logic are valoarea 1. Din acest motiv, conjuncia logic se mai numete funcie logic I. Realizarea fizic a funciei I cu dou variabile este dat n schema din figura 6.5, de unde rezult: y = x1 x 2 (6.5) n cazul general, conjuncia logic se realizeaz cu n variabile binare, situaie n care funcia I este: y = x1 x2 x3 ... xn (6.6)
n cazul negaiei logice, corespondena dintre variabila dependent (y) i cea independent (x) este dat de tabelul de adevr 6.1-b. Disjuncia logic a dou variabile binare x1 i x2 se noteaz prin x1+x2 i are valoarea 1 dac una dintre variabile are valoarea 1, sau ambele variabile au valoarea 1. Tabelul de adevr 6.2 al disjunciei logice arat c aceasta are valoarea 1 dac x1 sau x2 au valoarea 1 logic sau x1 i x2 au valoarea logic 1. Ca urmare, disjuncia logic se mai numete funcie logic SAU. Interpretarea fizic a acesteia este ilustrat prin schema dat n figura 6.4, din care rezult: y = x1 + x2 (6.3) Generaliznd, disjuncia logic poate conine n variabile binare, situaie n care funcia SAU este: y = x1 + x2 + x3 + ... + xn (6.4)
Circuite logice combinaionale i secveniale

Tabelul 6.3
93
Figura 6.5.
Uneori, simbolizarea disjunciei logice i respectiv a conjunciei logice realizate cu dou variabile (ca n exemplul de fa) se poate face astfel: y =x1 x2 ; y = x1 x2 (6.7) Funciile logice NU, SAU, I reprezint funcii elementare n algebra propoziiilor. n afara acestora, se mai utilizeaz i alte funcii logice (derivate), cum sunt: NICI, NUMAI, SAU EXCLUSIV etc. Funcia logic NICI a dou variabile binare x1 i x2 se noteaz prin x1 x2 i este definit prin intermediul tabelului de adevr 6.4. Se remarc faptul c funcia are valoarea 1, atunci cnd nici x1, nici x2 nu sunt egale cu 1. Comparnd tabelele de adevr 6.2 i 6.4, se constat c funcia NICI reprezint, de fapt, funcia SAU negat: (6.8) x1 x 2 = x1 + x 2 Din acest motiv, funcia NICI se mai numete funcie SAU-NU, iar n terminologia englez este NOR (Not-OR). Funcia logic NUMAI a dou variabile binare x1 i x2 se noteaz prin x1 x2 i este definit prin intermediul tabelului de adevr 6.5. Tabelul 6.4.
x1 x2 y= x1 + x 2
Tabelul 6.5
0 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 0
Tabelul 6.6
x1 x2 y= x1 x 2
0 1 0 0 0 1 1 1 1
1 1 0
x1 x2 x1x2
0 0 0
1 0 1
0 1 1
1 1 0
Din compararea tabelelor de adevr 6.3. i 6.5 rezult c funcia NUMAI se obine prin negarea funciei I, adic se mai numete funcia I-NU, iar n terminologia englez NAND (Not AND): x1 x 2 = x 1 x 2 (6.9) Observaie: i n cazul funciilor NOR i NAND, acestea se pot realiza cu n variabile binare. Funcia logic SAU-EXCLUSIV a dou variabile binare x1 i x2 se noteaz prin x1x2 i este definit prin intermediul tabelului de adevr 6.6. Semnificaia i denumirea funciei este legat de interpretarea propoziiilor de forma: Maina electric funcioneaz n regim de motor sau n regim de generator, fapt ce exclude posibilitatea de a fi adevrate simultan cele dou alternative implicate n propoziie. n conformitate cu tabelul de adevr 6.6, funcia SAU-EXCLUSIV este disjuncia termenilor
x1 x 2
x1 x 2
, adic: (6.10)
94
Capitolul 6
6.2 Relaii fundamentale n algebra logicii

Pentru transformarea unor expresii logice n altele, echivalente celor iniiale, ns cu o structur mai simpl, se folosesc o serie de relaii (proprieti) fundamentale, date n tabelul 6.7. Verificarea acestor proprieti se poate face cu uurin utiliznd tabelele de adevr ale funciilor logice elementare. Relaiile date n tabelul 6.7 permit exprimarea funciilor NICI, NUMAI i SAUEXCLUSIV prin intermediul funciilor elementare NU, I, SAU. Tabelul 6.7 Nr. crt. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Proprietatea de idempoten Proprietatea de asociativitate Proprietatea de comutativitate Proprietatea de distributivitate Proprietatea de absorbie Teoremele lui De Morgan Principiul contradiciei Principiul terului exclus Principiul dublei negaii Denumirea relaiei logice Proprietile constantelor logice 0 i 1
x+0=x x 0 = 0 x + 1 = 1 x 1 = x x+x=x xx=x (x1x2)x3 = x1(x2x3) (x1+x2)+x3 = x1+(x2+x3) x1x2 = x2x1 x1+x2 = x2+x1 x1(x2+x3) = (x1x2)+(x1x3) x1+(x2x3) = (x1+x2)(x1+x3) x1+x1x2 = x1 x1(x1+x2) = x1
x1 x 2 = x1 + x 2 x1 + x 2 = x1 x 2
x x =0 x+ x =1
x =x
Astfel, utiliznd relaiile de definiie (6.8) i (6.9) precum i teoremele lui De Morgan rezult:
(6.12) Transformrile inverse, de la funciile NICI i NUMAI, la funciile NU, I, SAU, se realizeaz astfel:
x1 x 2 = x1 + x 2 = x1 x 2 x1 x 2 = x1 x 2 = x1 + x 2
(6.11)
x=x+x=xx
x1 + x 2 = x1 + x 2 = x1 x 2 x1 x 2 = x1 x 2 = x1 + x 2 = x1 x 2
(6.13) (6.14) (6.15)
95
(6.16) (6.17)
x = xx = x x
x1 + x 2 = x1 + x 2 = x1 x 2 = x1 x 2
(6.18) Relaiile de transformare (6.13) (6.18) sunt sintetizate n tabelele recapitulative 6.8 i 6.9. Tabelul 6.8 Tabelul 6.9
x 1 x 2 = x1 x 2 = x 1 x 2
x1 x 2 = x1 + x 2 x1 x 2 = x1 x 2 x1 x 2 = x1 + x 2
x1 + x 2 = x1 x 2 x1 x 2 = x1 x 2
x1 x 2 = x1 x 2
x1 + x 2 = x1 x 2
x1 x 2 = x1 x 2
n algebra propoziiilor, funciile logice elementare NU, I, SAU formeaz un sistem complet de funcii, ntruct prin intermediul lor se poate exprima orice alt funcie logic. Relaiile (6.13)(6.18) arat c att funcia NICI, ct i funcia NUMAI pot juca rolul unui sistem complet de funcii elementare, ceea ce le ofer o importan deosebit n circuitele logice de comand.
6.3 Circuite logice. Realizarea funciilor logice elementare cu dispozitive electronice

n 6.1 s-a artat modul de realizare a funciilor logice elementare prin intermediul contactelor. Funciile logice se pot realiza i cu ajutorul unor circuite electronice, numite circuite logice, n componena crora intr diode i tranzistoare, care lucreaz n regim de comutaie. Diodele semiconductoare se consider ideale (cu rezisten intern nul). Dac dioda este polarizat n sens direct, ea va fi asimilat cu un element conductor ideal (contact nchis), iar dac este polarizat invers, se consider ca un izolator ideal (contact deschis). Tranzistoarele utilizate n circuitele logice funcioneaz n regim de comutaie. Punctul static de funcionare (M) al unui tranzistor bipolar este plasat pe dreapta de sarcin n M (regim de saturaie) corespunztor unei tensiuni neglijabile n colector, ceea ce echivaleaz cu semnalul 0 logic. De asemenea, punctul static poate fi n poziia M (regim de blocare), cnd tensiunea n colectorul tranzistorului este aproximativ egal cu tensiunea de alimentare, ceea ce echivaleaz cu semnalul 1 logic. n mod similar se consider i tranzistoarele unipolare, cu deosebirea c n starea 0 logic (tranzistor saturat), cderea de tensiune pe tranzistor este mai mare dect la tranzistorul bipolar. Valorilor logice 0 i 1 li se asociaz dou niveluri de tensiuni electrice: nivel cobort (L -Low) i nivel ridicat (H - High). Regula de asociere:
" 0" logic (0, ... ,+ 1 )V L
" 1" logic (+ E 2 , ... , E ) H
(6.19)
96
Capitolul 6
n care 1 i 2 sunt tolerane admise, corespunde logicii pozitive i se aplic, de exemplu, la utilizarea tranzistoarelor bipolare de tip npn. n alte situaii, ca de exemplu la utilizarea tranzistoarelor de tip pnp, se adopt logica negativ, creia i corespunde regula de asociere:
" 0" logic (0, ... ,1 ) V L
(6.20) Sub aspect tehnologic, circuitele logice se pot realiza utiliznd componente discrete sau sub form de circuite integrate. n primele variante constructive, circuitele logice conineau componente discrete. n figura 6.6 este dat schema unui circuit logic NU (logic pozitiv). Dac x = 0, tensiunea de intrare ux este egal cu 0 V, baza este negativat (prin sursa Eb), tranzistorul este blocat, deci la ieire se obine uy. E, adic y = 1. Dac x = 1, tensiunea de intrare este ux. E i tranzistorul lucreaz n saturaie; la ieire se obine o tensiune uy = 0 V, deci y = 0. n figura 6.7 este dat schema unui circuit SAU cu diode, lucrnd n logica pozitiv. Funcionarea acestui circuit este urmtoarea: dac x1 = 0, x2 = 0, adic tensiunile de intrare sunt egale cu 0 V, toate punctele circuitului se vor afla la potenial nul, deci y = 0; dac x1 = 1, x2 = 0, dioda D1 conduce, D2 este blocat i tensiunea de ieire este egal cu cea de la prima intrare, deci y = 1; atunci cnd x1 = 0, x2 = 1 sau x1 = 1 i x2 = 1, funcionarea este similar, conducnd D2, respectiv D1 i D2, astfel nct y = 1. Schema unui circuit I cu dou intrri, realizat cu diode, n logic pozitiv este dat n figura 6.8. Dac x1 = 0 i x2 = 0, intrrile sunt conectate la potenialul bornei comune i diodele D1, respectiv D2 conduc. Tensiunea de ieire este egal cu valoarea cderii de tensiune pe diodele care conduc, deci rezult y 0. Dac x1 = 1 i x2 = 0, conduce dioda D2, iar D1 este blocat. Tensiunea de ieire este egal cu valoarea cderii de tensiune pe dioda D2, adic 0V, deci y = 0. n mod similar rezult y = 0 cnd x1 = 0, x2 = 1. Atunci cnd x1 = 1 i x2 = 1, bornele de intrare avnd potenialul +E ( E E1 ), ambele diode sunt blocate (avnd semnal pozitiv la catozi), iar la ieire rezult semnal logic y = 1.
" l"
logic ( E + 2 , ... , E ) H
Figura 6.6. Circuit logic NU
Figura 6.7. Circuit SAU
Figura 6.8. Circuit I
Circuitele SAU-NU (NOR), respectiv circuitul I-NU (NAND) realizate cu ajutorul componentelor discrete (diode, rezistoare i tranzistoare) se obin prin conectarea n serie a circuitului SAU, respectiv I, cu circuitul NU. Schemele acestor circuite, precum i simbolizarea lor, sunt date n figurile 6.9, respectiv 6.10.
97
Figura 6.9. Circuit SAU-NU (NOR)
gura 6.10. Circuit I-NU (NAND)
6.4 Circuite logice integrate (poarta logic NAND - TTL)

n prezent circuitele logice se realizeaz aproape n exclusivitate sub form de circuite integrate. Dup tehnologia utilizat, circuitele logice integrate (CLI) se clasific n: CLI bipolare, n care se utilizeaz tranzistoare bipolare, i CLI-MOS, realizate cu tranzistoare unipolare TEC-MOS. La realizarea CLI bipolare s-au adoptat mai multe tipuri de structuri de baz, dintre care menionm, n ordinea n care s-au succedat, tipurile: RTL, DTL, TTL, HLL i I2L. Circuitele RTL (Resistor-Transistor-Logic) au intrrile prin rezistene, conectate la bazele tranzistoarelor bipolare. Circuitele DTL (Diode-Transistor-Logic) au structura similar circuitelor cu componente discrete. Circuitele RTL i DTL avnd performane reduse, n prezent nu mai sunt utilizate. Circuitele TTL (Transistor- Transistor-Logic) sunt n prezent cele mai utilizate CLI. Modulul logic reprezentativ al familiei de circuite TTL este circuitul I-NU, a crui schem este dat n figura 6.11. Tranzistorul de intrare, T1, este de tip multiemitor, adic are o jonciune bazcolector i mai multe jonciuni baz-emitor. Dac la una dintre intrri se aplic tensiunea 0V, adic intrarea respectiv se leag la mas, jonciunea baz-emitor respectiv conduce, potenialul bazei este practic egal cu 0V iar jonciunea bazcolector nu conduce. Astfel curentul i n colectorul lui T1 este neglijabil.
98
Capitolul 6
Figura 6.11. Circuit I-NU (NAND) TTL
Tranzistorul T2 este blocat i ntruct iE2 = 0, potenialul bazei tranzistorului T4 este practic egal cu 0V, deci i acest tranzistor este blocat. Ca urmare, potenialul colectorului acestui tranzistor (T4), adic potenialul bornei de ieire este practic egal cu +E, ntruct T3 este n conducie (saturat). Deci, n aceast situaie, ct i n situaiile cnd mai multe intrri au tensiunea de 0V, tensiunea de ieire este practic +E, iar curentul prin sarcina conectat la ieire este asigurat de tranzistorul T3 care este n saturaie. Dac la toate intrrile se aplic tensiunea +E, jonciunile bazemitor ale tranzistorului T1 nu conduc, ns va conduce jonciunea baz-colector, stabilindu-se un curent i suficient de mare pentru aducerea n saturaie a tranzistorului T2. Curentul iE2 fiind mare, se asigur o cdere de tensiune pe rezistena RE, care determin saturarea tranzistorului T4. n acelai timp tranzistorul T3 este blocat, deoarece tensiunea baz-emitor aplicat acestuia este neglijabil. ntruct T3 se comport ca un contact deschis, iar T4 ca un contact nchis, tensiunea de ieire este 0V, deci y = 0. Observaii: Cnd ieirea este 1 logic (y = 1), tranzistorul T3 se comport ca un repetor pe emitor, genernd curentul de sarcin. Dioda D este conectat ntre tranzistorele T3 i T4 din motive tehnologice.
1 2
Caracteristica de transfer a tensiunii pentru poarta TTL (NAND) este prezentat n figura 6.12. Practic, valorile tensiunilor pentru 0 logic i 1 sunt: VH 0,4 V pentru y=0 logic VH 3,5 V pentru y=1 logic Valorile standardizate pentru circuitele TTL sunt 0V i 5V.
Figura 6.12.
99
Observaie: n timpul funcionrii (la trecerea din starea 0 logic n starea 1 logic) apare un impuls de curent tranzitoriu (curent suplimentar) datorit conduciei simultane a tranzistoarelor T3 i T4, ntr-un interval de timp foarte scurt (de ordinul microsecundelor). Cauza conduciei simultane este aceea c T3 comut mai rapid n conducie dect comut T4 n starea de blocare. Astfel T3 l surprinde pe T4 n conducie, cnd acesta ar trebui s fie deja blocat. Expresia curentului maxim de impuls n colector (ICC-max) la ieirea porii TTL este:
I CC max =
unde:
VCC VCE (T3 sat.) VCE (T4 sat.) VD R C3
(6.21)
VD este cderea de tensiune pe dioda D;
VCE (T3 sat.)
- tensiunea colector-emitor cnd T4 este saturat. n starea 1 logic tensiunea VH la ieirea porii TTL este:
VCE (T4 sat.)
- tensiunea colector-emitor cnd T3 este saturat;
VH = VCC VCE (T3 sat.) VD
(6.22)
6.4.1. Poarta logic integrat NOR (SAU-NU)

n cele ce urmeaz se prezint poarta integrat NOR (SAU-NU) realizat cu numai 2 (dou) intrri, ce are schema electric prezentat n figura 6.13. Perechile de tranzistoare T1, T2 i T1, T2 formeaz dou etaje de intrare conectate n paralel pe rezistoarele R2 i R3. Funcionarea este urmtoarea: a) Dac T2 sau T2 este saturat, atunci tranzistorul T3 va fi saturat, iar T4 este blocat. Deci la ieirea F se obine V0=0 logic. Observaie: T2 sau T2 sunt saturate dac T1 sau T1 sunt blocate, adic VIA sau VIB au valoarea 1 logic (+E voli). b) Dac T2 i T2 sunt blocate, atunci cnd T1 i T1 sunt saturate, la ieire se obine V0=1 logic (+E voli), deoarece T3 este blocat iar T4 este saturat.
Figura 6.13. Poarta TTL (NOR)
Concluzie: Circuitul NOR (SAU-NU) realizeaz funcia logic
F ="1" = V0 = A + B = A B ,
100
Capitolul 6
cnd ambele intrri sunt legate la mas. La ieirea F se obine 0 logic dac una dintre intrri (sau ambele) au nivel de tensiune 1 logic.
6.5 Circuite logice combinaionale

6.5.1 Noiuni generale
Fie un circuit de comand (figura 6.14-a), caracterizat prin urmtoarele elemente: - elemente de intrare: U1, U2, , Um, reprezentnd contacte de butoane i de limitatoare de curs, contacte ale unor relee din alte scheme de comand etc; - elemente de ieire: Y1, Y2, , Yr, reprezentnd nfurri de relee i/sau contactoare, nfurri ale robinetelor electromagnetice, lmpi de semnalizare etc; - ansamblul elementelor de comand (contacte sau circuite logice), ale cror structuri sunt cunoscute.
Figura 6.14. a) Circuit combinaional; b) Simbolizarea circuitului combinaional
Asociind elementelor de intrare-ieire variabile binare, notate cu litere mici, schema de comand se poate reprezenta ca n figura 6.14-b, n care u1, u2, , um se numesc mrimi de intrare, iar y1, y2, ... yr mrimi de ieire. Mrimile de intrare sunt variabile binare independente, iar mrimile de ieire sunt variabile binare dependente. Circuitele logice combinaionale sunt acele circuite de comand la care setul mrimilor de ieire, n orice moment, este determinat n mod univoc de o combinaie dat a mrimilor de intrare, n momentul considerat. Cu alte cuvinte, unei situaii date a elementelor de intrare (acionate sau neacionate), i corespunde n mod univoc o anumit situaie a elementelor de ieire. Circuitele logice combinaionale sunt descrise prin ecuaii ieire-intrare de forma:
y1 = f1 (u1, u 2 , ..., u m ) M
y 2 = f 2 (u1, u 2 , ..., u m ) M y r = f r (u1, u 2 , ..., u m )
(6.23)
n care f1(.), f2(.), , fr(.) sunt funcii booleene, adic funcii n care variabilele logice sunt legate prin operaiile din algebra logicii. n privina circuitelor logice combinaionale se pot formula dou categorii de probleme:

analiza circuitelor logice combinaionale; sinteza (proiectarea) circuitelor logice combinaionale.
101
6.5.2 Analiza circuitelor logice combinaionale

ntr-o problem de analiz se d structura circuitului combinaional, starea elementelor de intrare (dac sunt acionate sau nu) i se cere starea elementelor de ieire. O problem de analiz, de tipul celei formulate, se rezolv n trei etape: pornind de la schema circuitului combinaional, se asociaz variabile binare elementelor fizice de intrare-ieire i se scrie funcia logic corespunztoare schemei date; se nlocuiesc variabilele binare independente cu 1 sau 0, dup starea elementelor de intrare respective; se evalueaz expresia logic, deteminnd variabila dependent (mrimea de ieire): dac aceasta este 1, elementul de ieire este acionat, iar dac expresia logic are valoarea 0, elementul de ieire este neacionat.
Figura 6.15. Schema de comand cu releu i contacte
Figura 6.16. Schema de comand echivalent schemei din figura 6.22
Vom ilustra procedura descris prin intermediul schemei de comand cu relee i contacte dat n figura 6.15. Aici, U1, U2 i U3 sunt contacte normal deschise i normal nchise ale unor elemente de comand, limitatoare de curs etc. Aa cum s-a artat n 6.1, contactelor normal deschise li se asociaz variabile binare, notate cu litere mici fr bar de negare, iar contactelor normal nchise li se asociaz variabile binare negate (cu bar de negare). Acionarea unui contact normal nchis reprezint deschiderea sa. Asociind o variabil binar, y, elementului de ieire, Y, schema de comand poate fi reprezentat ca n figura 6.16. Cunoscnd realizarea funciilor logice elementare utiliznd contacte, variabila de ieire y (figura 6.16) se poate exprima cu uurin prin intermediul variabilelor de intrare u1, u2 i u3:
y = (u1 u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3 ) u + (u1u 2 + u 1 u 2 ) u 1 3
(6.24)
Presupunem c, n cadrul problemei de analiz, se cere starea elementului de ieire atunci cnd U1 i U2 sunt acionate iar U3 este neacionat. Punnd n expresia (6.24) u1 = u2 =
1 i u3 = 0, se obine:
y = (1 1 0 + 1 1 0) 1 + (1 1 + 1 1) 0 = 1
deci elementul de ieire este acionat. Formularea problemelor de analiz a schemelor combinaionale poate fi completat n sensul determinrii unei scheme de comand mai simpl, ns echivalent cu cea iniial, sau al stabilirii unei scheme de comand cu aceleai funciuni, ns realizat prin alte dispozitive (de exemplu, circuite logice). Rezolvrile
102
Capitolul 6
acestor completri din formularea problemelor de analiz constituie, n acelai timp, soluii ale unor etape din procedura de sintez (proiectare) a schemelor combinaionale. Fie schema de comand din figura 6.15. Se cere o schem echivalent cu aceasta, ns mai simpl, adic realizat cu un numr mai mic de elemente. Pentru simplificarea schemei de comand se procedeaz la minimizarea funciei booleene (6.24), adic la aducerea acesteia la o form ct mai simpl. Utiliznd relaiile fundamentale din algebra boolean, se obine:
(6.25) innd seama de proprietile de idempoten, ter exclus i contradicie, din ultima expresie se obine: (6.26) y = u 1 u 2 u 3 + u1u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3 Mrimea de ieire (y) s-a exprimat printr-o disjuncie a unor conjuncii logice. Funcia boolean corespunztoare se exprim n forma canonic disjunctiv. Constituenii disjunciei se numesc mintermeni. Pentru obinerea formei canonice disjunctive minimale se pot utiliza mai multe metode: a) metoda alipirilor (metoda gruprilor); b) metoda diagramelor Karnaugh; c) algoritmul Quine-McCluskey. Dac numrul variabilelor logice este mai mare de 3, se recomand metodele b sau c. Pentru exemplul anterior, avnd n vedere numrul redus de mintermeni, vom utiliza metoda gruprilor. Termenii vor fi grupai cte doi, astfel nct fiecare pereche s aib numai un singur termen diferit n conjunciile respective. Astfel, primii doi mintermeni se pot grupa avnd u 2 u 3 ca parte comun n conjuncii. La fel, primul i al treilea, se pot grupa avnd u 1 u 3 ca parte comun. Pentru a nu rmne un mintermen necuplat, n expresia (6.25) se adaug n disjuncie mintermenul existent u 1 u 2 u 3 (care se poate cupla cu ceilali doi):
y = u 1 u 2 u 3 + u1u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3
Aceast expresie este
(6.27)
identic cu cea precedent, deoarece u 1 u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3 = u 1 u 2 u 3 , ca urmare a proprietii de idempoten. Grupnd primii doi mintermeni, precum i urmtorii doi, din relaia 6.27, prin utilizarea proprietii de distributivitate se obine: y = (u 1 + u1 )u 2 u 3 + u 1 u 3 (u 2 + u 2 ) (6.28) i, deoarece u1 + u1 = 1 i u 2 + u 2 = 1, n conformitate cu principiul terului exclus rezult forma minimal a funciei logice: y = u2 u 3 + u1 u 3 (6.29) Se constat cu uurin c funcia boolean n forma canonic minimaldisjunctiv nu se poate simplifica mai mult. Forma minimal a funciei booleene se prezint ca o disjuncie a unor termeni numii implicani primi ai funciei. Deci, n esen, determinarea formei canonice disjunctive minimale a funciei logice iniiale se reduce la deducerea implicanilor primi ai acesteia. Corespunztor ecuaiei (6.29) se poate desena schema de comand minimal din figura 6.17, echivalent cu schema iniial din figura 6.15.
103
Realizarea cu circuite logice NU, I, SAU a circuitului de comand corespunztor funciei logice (6.29), se face prin schema dat n figura 6.18. Dac se pune problema deducerii unei scheme de comand realizat cu elemente NAND, se transform funcia (6.29) dup cum urmeaz:
y = u 2 u 3 + u 1 u 3 = (u 2 u 3 ) (u1 u 3 ) = (u 2 u 3 ) (u 1 u 3 )
(6.30)
Utiliznd module NAND cu dou intrri, rezult schema circuitului de comand din figura 6.19.
Figura 6.17. Schema de comand minimal echivalent schemei din figura 6.15
Figura 6.18. Schema echivalent a realizat funciei logice (6.28)
Figura 6.19. Schema echivalent a funciei logice (6.28) cu module NAND
6.6 Circuite logice secveniale

Aa cum s-a artat n 6.5.1 mrimile de ieire ale unui circuit combinaional sunt determinate univoc, n orice moment, de mrimile de intrare din momentul respectiv. n cazul circuitelor logice secveniale, mrimile de ieire la momentul k, k k k notate prin y1 , y 2 ,..., y r , sunt determinate nu numai de mrimile de intrare k k k u1 , u 2 ,..., u m , ci i de starea intern a circuitului din momentul anterior, k 1 k 1 k 1 (figura 6.20). caracterizat prin mrimile de stare x1 , x 2 , ... , x n Variabilele de stare descriu evoluia (istoria) circuitului, n sensul c la momentul k ele depind att de valorile anterioare, din momentul k1, ct i de mrimile de intrare ale circuitului. Din cele menionate rezult c un circuit logic secvenial este caracterizat de dou seturi de ecuaii: ecuaiile de stare i ecuaiile de ieire. Ecuaiile de stare leag mrimile de stare din momentul k, de mrimile de stare din momentul anterior, k1, i de mrimile de intrare. Ele pot avea dou forme:
104
Capitolul 6
k k 1 k 1 k 1 k k x i = f i ( x1 , x 2 , ... , x n , u1 , ... , u m )
Figura 6.20. Circuit logic secvenial; variabilele din circuit
(6.31)
k 1
sau
k
unde i =1, 2, ..., n. dup cum mrimile de intrare se consider n momentul k, respectiv n momentul k 1. Ecuaiile de ieire exprim legtura dintre mrimile de ieire ale circuitului secvenial, mrimile de stare i mrimile de intrare ale acestuia. n cazul general, ecuaiile de ieire ale unui circuit secvenial sunt de forma: k k k k k k k (6.33) y j = g j ( x1 , x 2 , ... , x n , u1 , u 2 , ... , u m ) unde
x i = f i ( x1
k 1
, x2
k 1
, ... , x n
k 1
, u1
k 1
, ... , u m )
(6.32)
g() sunt funcii logice cunoscute, iar j = 1, 2, ..., r.
Variabilele de stare sunt, la fel ca i cele de intrare-ieire, variabile binare. n Deci, circuitul secvenial se poate afla n 2 stri (n este numrul variabilelor de intrare). Ecuaiile (6.31) i (6.32) descriu trecerea circuitului dintr-o stare n alta, sub aciunea mrimilor de intrare. Din acest motiv ele se mai numesc ecuaii de tranziie a strilor. Circuitele logice secveniale se ncadreaz n categoria general de sisteme dinamice, avnd particularitatea c au un numr finit de stri. Din acest motiv, ele se mai numesc automate finite. Ecuaia de stare se poate asocia unei diagrame de tranziie a strilor, care ilustreaz grafic modul cum se realizeaz trecerea dintr-o stare n alta, sub aciunea semnalelor de intrare.
6.6.1 Circuite secveniale elementare

n cele ce urmeaz se vor considera cteva circuite secveniale cu numai dou stri, notate convenional prin 0 i 1. Este evident c cele dou stri pot fi codificate printr-o singur variabil de stare binar, x. Tranziia strilor se face sub aciunea unor semnale de intrare, obinndu-se n esen clasa circuitelor basculante (triggere), realizate ntr-o form specific. Fie un circuit elementar cu dou intrri u1, u2 i o ieire y = x, avnd diagrama de tranziie a strilor din figura 6.21, la care corespunde tabelul 6.10 de tranziie a strilor. Se constat c s-a eliminat combinaia (1,1) a variabilelor de intrare.

Tabelul 6.10
105
Figura 6.21. Diagrama de tranziie a unui circuit secvenial elementar
Ecuaia de stare a circuitului este: k k k k 1 k k k 1 k k k 1 x = ( u1 u 2 x ) + ( u1 u 2 x ) + (u1 u 2 x ) (6.34) Se minimizeaz funcia logic utiliznd metoda gruprilor (1-3) i (2-3):
k k k k k k k k x k = u 2 x k 1 u1 + u1 + u 2 u1 x k 1 + x k 1 = u 2 x k 1 + u 2 u1 sau
k k (6.35) x k = x 2 u1 + x k 1 ; Ultima relaie (6.35) reprezint funcia logic minimizat. Dac se impune realizarea circuitului de comand cu elemente (module) NAND funcia logic minimizat (6.35) se transform ntr-o expresie de forma
x k = m n . Pentru aceasta se aplic proprietatea dublei negaii i una din teoremele lui De Morgan, funciei din parantez, i se obine: k k k k x k = u 2 u1 + x k 1 = u 2 u1 x k 1 (6.36) k k Notnd (convenional) n = u 2 i m = u1 x k 1 se observ c pentru a
obine expresia unei funcii de forma x k = m n este necesar operaia de negare peste ntreaga funcie (6.36), dar pentru a nu schimba valoarea funciei x k , este necesar s se aplice operaia de dubl negaie peste funcia (6.36) i rezult:
k k x k = u 2 u1 x k 1 ; (6.37) Aceast realaie satisface expresia unei funcii logice NAND (SI - NU)
deoarece, pe baza notaiilor anterioare s-a obinut expresia x k = m n care arat c funcia dorit x k = m n , va mai suporta o operaie suplimentar de negare, cerut de proprietatea dublei negaii. Schema circuitului ce corespunde ecuaiei (6.37) este dat n figura 6.22-a. Prin redesenarea ei, considernd variabila u1k borna S (set = inscriere), iar variabila u2k borna R (reset = tergere) se obine bistabilul SR cu elemente NAND reprezent ca n figura 6.22-b.
106
Capitolul 6
(a)
(b)
(c)
Figura 6.22. Bistabil SR cu elemente INU: a i b structura; c simbolizarea.
Dac se elimin circuitele NU de la intrrile S i R ale elementelor NAND din figura 6.22, b, se obine bistabilul din figura 6.23, la care diagrama de stare este dat n figura 6.24. Cu alte cuvinte, bascularea dintr-o stare n alta se face prin aplicarea semnalului logic 0 la una din intrri, circuitul rmnnd n starea n care se afla, atunci cnd combinaia de intrare este (1,1) (combinaia (0,0) este interzis). Circuitul secvenial prezentat are o funcionare asincron.
Figura 6.23. Bistabil SR comandat prin semnal logic zero
Figura 6.24. Diagrama de tranziie a bistabilului din figura 6.23
Un exemplu de circuit secvenial asincron cu dou intrri, a crui funcionare corespunde tabelului de tranziie 6.10 i respectiv diagramei de tranziie a strilor din figura 6.21, l reprezint schema electric de comand (pornire-oprire) a unui motor asincron trifazat, ilustrat n figura 6.25-a. Diagrama de funcionare a acestei scheme de comand, prezentat n figura 6.25-b, este echivalent tabelului de tranziie a strilor 6.10, dac implicit se consider echivalente notaiile:
xk-1 yk-1 i xk yk
Schema electric simplificat pentru comanda pornirii i opririi unui motor asincron trifazat, funcioneaz conform diagramei de lucru din figura 6.25-b. Se observ c motorul este alimentat de la reeaua trifazat numai dac contactorul Y este anclanat, adic numai atunci cnd contactele sale normal-deschise (y) se vor k nchide. n acest caz starea curent (y ) are valoarea 1 logic. Starea curent a k k motorului (pornit sau oprit) depinde nu numai de comenzile ( u1 i u 2 ) date prin butoanele de pornire i oprire, ci i de starea anterioar (pornit-oprit) a motorului k-1 k notat prin y . Cele trei situaii n care motorul este pornit, deci cnd y = 1 k (prezentate n tabelul de trantziie 6.25-b) sunt identice cu strile x = 1, din tabelul de tranziie anterior 6.10. Observaii: a) Comanda (1,1) este eliminat, ntruct acionarea simultan a butoanelor BP i BO este fr sens (motorul nu ar porni). b) Schema de comand din figura 6.25-a reprezint o celul de memorie, ntruct prin butonul BP se nscrie comanda de pornire, iar motorul rmne
107
pornit (comanda este memorat) pn cnd se acioneaz butonul BO (pentru tergerea memoriei).
Figura 6.25
Pentru transformarea bistabilului SR (asincron) ntr-un automat sincron se utilizeaz schema din figura 6.26,a, unde T este intrarea de tact. Circuitul ncadrat este un bistabil de tipul celui din figura 6.23, a crui basculare este comandat prin semnal 0 logic. Cnd nu se aplic semnalul de tact, adic T = 0, rezult V1 = 1 i V2 = 1, bistabilul rmne n starea n care se afla, de exemplu starea 0. Aplicarea semnalelor S = 1, R = 0 nu influeneaz starea bistabilului dect atunci cnd se aplic semnalul de tact. n acest caz (T= 1, S = 1, R = 0) rezult V1 = 0 i V2 = 1, astfel nct se produce bascularea (trecerea din starea 0 logic n starea 1 logic). n mod similar, pentru S = 0 i R = 1, revenirea n starea 0 se produce numai la aplicarea impulsului de tact (T= 1). Circuitul secvenial din figura 6.26 se numete bistabil STR.
Figura 6.26. Schema bistabilului S-T-R: a - structura; b- simbolizarea
Figura 6.27. Diagram de tranziie a strilor
n circuitele elementare prezentate se interzice aplicarea combinaiei (1,1) la intrare (combinaia (0,0) la schema din figura 6.23).
6.6.2. Circuitul secvenial de tip Master-Slave

O categorie important de bistabile o formeaz cele cu structur stpn-sclav (masterslave). Ele sunt formate din dou circuite basculante conectate n cascad: primul are funcia de comand (master - stpn), n sensul c l subordoneaz pe al doilea (slave - sclav). n figura 6.28 se prezint schema unui circuit bistabil Master-Slave (M-S) de tip SRT. Bistabilul M (master) este un trigger SR asincron realizat cu module NAND, prezentat n figura 6.23. Semnalele de comand se aplic prin bornele S (set) i R
108
Capitolul 6
(reset) unor pori logice de intrare P1 i P2, de tip NAND. La ieirile porilor P1 i P2 se obin semnalele logice (potenialele) V1 i V2 care reprezint informaia aplicat la intrarea bistabilului M. Bistabilul S (slave) este tot un trigger SR asincron realizat cu module NAND. ntre bistabilul M i bistabilul S se afl porile de transfer P3 i P4 de tip NAND. Porile de intrare (P1 i P2) sunt comandate (activate), prin semnalul de tact T, n antifaz fa de porile de transfer (P3 i P4) datorit circuitului inversor (CI) care este un circuit de tip NU. Semnalele logice V3 i V4 de la ieirea porilor de transfer reprezint informaia de intrare n bistabilul S. Intrarea de tact s-a notat cu T (sau CK ) sugernd c informaia apare la ieirea bistabilului, pe frontul posterior al impulsului de tact. Funcionarea bistabilului Master-Slave pe o perioad a impulsului de tact real (trapezoidal) se explic utiliznd diagramele de semnale din figura 6.29.
Figura 6.28
Figura 6.29
Funcionare: 1. Pe poriunea 1-2, porile P1, P2 sunt nc nchise, iar porile de transfer P3, P4 se blocheaz. Deci bistabilul M (Master) este izolat fa de intrare, iar bistabilul S (Slave) este izolat fa de Master. 2. Pe poriunea 2-3, porile P1, P2 sunt deschise permind transferul informaiei n M, iar porile P3, P4 sunt nchise, izolnd M fa de S. 3. Pe poriunea 3-4, porile P1, P2 se nchid, iar P3, P4 nu s-au deschis nc, deci M este izolat fa de intrare, iar S este izolat fa de M.
109
4. Pe poriunea 4-5, porile P1, P2 sunt nchise i nu permit intrarea informaiei n M, iar porile P3, P4 sunt deschise, deci informaia trece din M n S i apare la ieirea Q. Observaii: CBB Master-Slave elimin posibilitatea tranziiilor asincrone (necontrolate) la ieire, deoarece n acest circuit s-a eliminat transparena intrrilor de date. Pentru ca informaia s se nscrie fr erori, este necesar ca aceasta s nu-i modifice valoarea n intervalele de tranziie (1-2) i (3-4) ale impulsului de tact.
6.7. ntrebri i probleme

1. Cum se realizeaz practic condiia de semnal logic 0 (zero) n cazul circuitului SI ? 2. Care este expresia (i cauza apariiei) curentului de impuls (IC MAX) n cazul porii logice NAND (TTL) ? 3. Care este regimul de lucru al tranzistoarelor bipolare n cazurile: a) circuite logice ? b) circuite de amplificare ? 4. Care este diferena (funcional) ntre un C.L.C. i un circuit C.L.S. (circuit logic secvenial) ? Probleme: 1. Se dau funciile logice:
S se arate c:
y1 = y2.
2. Schema de comand pentru acionarea unui utliaj are trei elemente de comand U1, U2, U3 i un element de execuie Y. Se cere schema logic de comand, realizat cu circuite NAND (I - NU), care s acioneze elementul de execuie Y numai n urmtoarele situaii:
1) B acionat ; 2) B, C acionate; 3) A, B acionate; A, C neacionate; A neacionat; C neacionat.
3. Comanda unui utilaj impune utilizarea a 3 elemente de comand (de intrare) U1, U2, U3 i a unui element de execuie, Y, care trebuie s fie acionat numai in urmtoarele situaii:
sunt acionate Ul , U2 Ul , U3 Ul U1 , U 2 , U 3 nu sunt acionate U3 U 1 , U2 , U3 U2 U2 , U 3 -
S se deduc schema de comand n urmtoarele variante constructive: cu contacte; cu circuite (module) SI, SAU, NU; cu module SI - NU , NU; cu module SAU - NU , NU
CAPITOLUL 7
APLICAII ALE CIRCUITELOR LOGICE COMBINAIONALE I SECVENIALE

7.1 Circuite LATCH
7.1.1 Utilizarea triggerului SR ca circuit LATCH
Conectnd dou pori logice NAND conform schemei din figura 7.1 se obine un circuit bistabil care memoreaz evenimentul marcat prin tranziia temporar a unei intrri n 0 logic. Acest circuit se mai numete latch (n limba englez avnd semnificaia de zvor, ncuietoare).
(a)
Figura 7.1. Schema logic a circuitului latch
(b)
Cele dou scheme din figura 7.1 sunt identice, dar n practic se folosete reprezentarea din figura 7.1-b. Schema din figura 7.1-a evideniaz faptul c circuitul latch are o singur reacie. Circuitul latch memoreaz tranziia lui poziionarea ieirilor
n 0 logic prin
QQ
n 10. n mod asemntor, tranziia lui R n 0 logic
Q n 01. Deci ieirile Q i Q sunt complementare, activarea lui S prin 0 logic produce setarea circuitului (poziionarea ieirii Q n 1 logic), iar activarea lui R prin 0 logic produce resetarea circuitului (poziionarea ieirii Q n 0 logic. Una dintre aplicaiile circuitului latch servete la eliminarea
oscilaiilor de tensiune ce apar la nchiderea contactelor electrice acionate manual prin butoane. n figura 7.2-a se observ c la nchiderea contactului K tensiunea pe rezistena de sarcin (URs ) se stabilizeaz la valoarea E dup un regim tranzitoriu oscilant, ilustrat n figura 7.2-b. Dac se utilizeaz un circuit latch, ca n figura 7.3-a,
determin poziionarea ieirilor Q
Aplicaii ale circuitelor logice combinaionale i secveniale
111
atunci tensiunea la ieirea Q a circuitului latch va fi de forma prezentat n figura 7.3-b.
Figura 7.2
Figura 7.3
Astfel, semnalul de comand la ieirea Q va avea o valoare constant i fr oscilaii care ar putea deranja funcionarea altor circuite ce utilizeaz acest semnal (numrtoare, circuite te tip Master-Slave etc).
7.2 Codificatoare i decodificatoare

Se numete COD o regul ce descrie o aplicaie C a unei mulimi de semne n alt mulime de semne. Codificarea este transformarea unui mesaj cu ajutorul unui cod. Dac aplicaia C este injectiv, se poate realiza decodificarea, adic reconstituirea mesajului iniial. Codificatoarele sunt C.L.C. la care activarea unei intrri determin apariia unui cuvnt de cod pe ieire. Principiul de lucru al codificatorului cu 4 (patru) ieiri este ilustrat n figura 7.4:
Figura 7.4. Codificator cu patru ieiri
112
Capitolul 7
n funcionarea codificatorului menionat se disting dou situaii: a) Dac se activeaz intrarea IK (la nivel logic H), atunci pe ieirile paralele apare cuvntul de cod: 1101; b) Dac se activeaz intrarea IJ (cu nivelul H) pe ieirile paralele se obine cuvntul de cod: 1110. Decodificatoare sunt C.L.C. care activeaz una sau mai multe ieiri n funcie de cuvntul de cod aplicat la intrare. Decodificarea este necesar n urmtoarele operaii: adresarea memoriilor afiarea numeric multiplexarea datelor etc.
Exemplu: Se consider decodificatorul cu dou intrri (n = 2) i 2n ieiri (4 ieiri) distincte, prezentat n figura 7.5-a, al crui tabel de funcionare (figura 7.5-b) servete scrierii funciilor logice corespunztoare.
Figura 7.5. Decodificator cu dou intrri: a)schema bloc; b) tabelul de adevr.
Y0 = A 0 A1 Y1 = A 0 A1 Y2 = A 0 A1 Y3 = A 0 A1
(7.1)
Pe baza relaiilor (7.1) se elaboreaz schema logic a decodificatorului de adres cu 4 ieiri (figura 7.6).
n cazul general, decodificatorul de adrese este un CLC cu n intrri i 2n ieiri distincte.
Figura 7.6. Decodificator de adres cu patru ieiri
113
7.3 Circuite de multiplexare (MUX) i demultiplexare (DEMUX)

Circuitele de multiplexare sunt circuite logice combinaionale (CLC) care permit trecerea datelor de la una dintre intrri spre o ieire unic. Selecia intrrii se face printr-un cod binar (adres) aplicat pe intrrile de selecie A0 i A1. Schema bloc a unui multiplexor cu patru intrri i o ieire este prezentat n figura 7.7-a. Multiplexorul prezentat n figura 7.7-a funcioneaz conform tabelului logic 7.8, schema logic fiind prezentat n figura 7.7-b. Pentru adresarea celor patru intrri sunt necesari 2 bii.
Figura 7.7. Multiplexor cu patru intrri i o ieire: a) schema bloc; b) schema logic.
Observaie: Porile de intrare sunt prevzute cu o intrare suplimentar comun
( E ) = Enable care autorizeaz, sau nu, funcionarea multiplexorului.

E
H L L L L L L L L A1 X L L L L H H H H A0 X L L H H L L H H I0 X H L X X X X X X I1 X X X H L X X X X I2 X X X X X H L X X I3 X X X X X X X H L Y L H L H L H L H L Stare circuit circuit blocat I0 selectat I1 selectat I2 selectat I3 selectat
Figura 7.8. Tabelul logic al multiplexorului din figura 7.7-a.
X = valoare logic oarecare Circuitele de demultiplexare (DEMUX) sunt CLC care permit transmiterea datelor de pe o intrare de date comun pe una din ieirile selectate. Selectarea ieirii se face printr-un cuvnt de cod numit adres.
114
Capitolul 7
Demultiplexorul cu dou ieiri, figura 7.9-a, permite comutarea fluxului de date de pe intrarea comun (I), fie pe ieirea Y0 (dac A = 0) fie pe ieirea Y1 (dac A = 1), conform tabelului de funcionare 7.9-b. Schema logic a demultiplexorului cu dou ieiri (realizat conform tabelului 7.9-b) este dat n figura 7.9-c.
Figura 7.9. Demultiplexor cu dou ieiri: a) schema bloc; b) tabelul de adevr; c) schema a unui demultiplexor cu patru ieiri.
7.4 Numrtoare electronice

Schema unui numrtor binar cu 4 bii este dat n figura 7.10-a, iar funcionarea acestuia, la aplicarea unei succesiuni de impulsuri care trebuie numrate, este ilustrat n diagrama din figura 7.10-b.
Figura 7.10. Numrtor binar cu patru bii: a) schema de principiu; b) diagrama impulsurilor.

Nr. impuls Q1 Q2 Q3 Q4 0 0 0 0 0 1 1 0 0 0 2 0 1 0 0 3 1 1 0 0 4 0 0 1 0 5 1 0 1 0 6 0 1 1 0 7 1 1 1 0 8 0 0 0 1 9 10 11 12 13 14 15 16 17 ... 1 0 0 1 0 1 0 1 1 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 1 0 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 1 0 0 0 ... ... ... ...
115
Figura 7.10 c. Tabel lohgic al numrotzorului binar (drirect) cu 4 bii
Se constat c dup aplicarea a N impulsuri, strile triggerelor indic valoarea numeric a lui N, n baza 2 (tabelul din figura 7.10 - c). Dac se utilizeaz ieirile Q pentru legarea triggerelor n cascad (figura 7.11-a), frontul de basculare 1 0 al ieirii Q produce tranziia strii triggerului urmtor i se obine diagrama de semnal din figura 7.11-b. Spre deosebire de schema anterioar, cnd s-a obinut numrarea direct n binar, n acest caz rezult numrarea invers a impulsurilor, adic la fiecare impuls aplicat la intrare, numrul nregistrat cu ajutorul triggerelor scade cu o unitate (conform diagramei din figura 7.11- b).
Figura 7.11. Numrtor binar invers cu patru bii: a) schema de principiu; b) diagrama impulsurilor.
7.5 Convertoare
Convertoarele sunt circuite electronice complexe care reprezint elementele de baz ale interfeelor de proces n sistemele numerice de reglare. Pentru conversia semnalelor analogice (achiziionate dintr-un proces tehnologic) n semnale numerice, la intrrile calculatorului de proces se utilizeaz convertoare de tip A-N (analog-numerice), care se gsesc n interfaa de intrare.
116
Capitolul 7
Semnalele numerice elaborate la ieirea calculatorului de proces pe baza unui algoritm de reglare i/sau conducere, sunt convertite n semnale analogice (necesare elementelor de execuie), prin intermediul convertoarelor de tip N-A (numericanalogice). Aceste convertoare se gsesc n interfaa de ieire situat ntre calculatorul de proces i elementele de execuie care sunt implementate n instalaia tehnologic. Mrimea analogic este o mrime fizic a crei variaie n timp este dat de o funcie continu i ale crei valori sunt cuprinse n intervalul:I = [xmin xmax] cu
xR.
Mrimea numeric (digital) este o mrime fizic ale crei valori aparin mulimii Sn = {0, 1, 2, ..., n}, unde fiecare element din Sn se poate reprezenta sub form de impulsuri codificate. n figura 7.12 este dat schema de principiu a unui CAN - analogic cu ramp de tensiune.
Figura 7.12. Schema de principiu a unui CAN analogic cu ramp de tensiune.
Acest convertor face modulaia n durat a impulsurilor, ntruct n procesul conversiei tensiunea de intrare Ux este transformat ntr-un impuls, a crui lime este direct proporional cu amplitudinea tensiunii Ux. Generatorul de ramp conine un condensator care se ncarc la curent constant. Cnd rampa ncepe s fie generat, impulsurile de tact sunt numrate de N2, pn cnd amplitudinea rampei este egal cu amplitudinea tensiunii Ux (de intrare). n acest moment numrtorul N2 este oprit de ctre comparator, care basculeaz i nchide poarta I. Coninutul informaiei din N2 reprezint valoarea binar a tensiunii de intrare (Ux). Deci: unde:
UC =
I T ' = UX C
(7.2)
T este timpul de conversie egal cu NT, T fiind perioada impulsurilor; I este curentul de ncrcare al condensatorului care genereaz rampa; C - capacitatea condensatorului; UC - tensiunea pe condensator.
Dac numrtorul N2 a nregistrat (numrat) N impulsuri, din (7.2) se obine: Ux = I / C NT (7.3)
n care: 0
N < 2n Observaii:
Acest convertor se numete convertor tensiune-timp, fiind convertor indirect.
117
numrul de impulsuri
Numrul
are
valoarea
n-1
i reprezint
corespunztoare valorii
(7.4) Rezult c acest sistem de conversie este de tip serie, fiind, n consecin, lent. Realizarea convertoarelor A-N rapide presupune utilizarea reaciei cu funcionare prin SOFTWARE i a circuitelor integrate specializate n operaii de conversie A-N. Un exemplu de circuit integrat specializat n conversia numericanalogic este circuitul DAC-08, care lucreaz pe 8 bii.
Uxmax. n Deci: T = (2 1)T
7.6 Circuite de memorie

Funcia de memorare poate fi definit ca posibilitatea de regsire a unor informaii reprezentate sub form binar, care au fost anterior stocate ntr-un circuit de memorare. Circuitul de memorare este un circuit electronic integrat care implementeaz funcia de memorare. n funcie de suportul fizic folosit pentru stocarea datelor, memoriile pot fi: magnetice, optice sau semiconductoare. n cele ce urmeaz se au n vedere circuitele de memorie realizate cu dispozitive semiconductoare. Memoriile sunt realizate cu circuite integrate de tip LSI i VLSI realizate n diverse tehnologii, dintre care, tehnologia MOS este cel mai des folosit. n funcie de modul n care se utilizeaz memoriile ntr-un sistem de calcul funciile de memorare pot fi: Memorare cu citire i scriere de date. n aceast categorie intr memoriile cu acces aleator - Random Acces Memory (RAM). Acest tip de memorie este similar, ca structur, cu memoria operativ din calculatoarele clasice, fiind realizat ns cu matrice de bistabile SR, integrate n aceeai capsul cu sistemele de nscriere i citire a informaiei. Memoriile RAM sunt volatile, adic i pierd coninutul la ntreruperea tensiunii de alimentare. Acestea sunt folosite pentru nmagazinarea datelor i a programelor de tip utilizator. Timpul de acces n cazul memoriilor RAM poate fi de 10 ns n cazul tehnologiei bipolare sau, sute de nanosecunde, n cazul tehnologiei MOS. Memorare numai pentru citirea datelor. n aceast categorie intr memoriile urmtoare: - Memoria ROM (Read Only Memory) este un circuit combinaional care stocheaz permanent date binare, care pot fi doar citite. Aceast structur este de obicei definit ca un convertor de cod compus dintr-un decodificator i un codificator. Vectorul de intrare n decodificator este interpretat ca o adres, iar datele obinute la ieirea codificatorului reprezint informaia memorat la adresa respectiv. Exist mai multe tipuri constructive de memorii ROM. Memoriile ROM programabile prin masc, sau mask ROM, sunt circuite la care harta memoriei de introduce n procesul de fabricaie al circuitului integrat. - Memoriile PROM (Programmable Read Only Memory) se fabric cu toi biii poziionai pe un anumit nivel logic. Exist ns posibilitatea ca utilizatorul s-i nscrie singur, acolo unde dorete, valorile logice complementare. Acest lucru se face prin arderea unui fuzibil (o pelicul subire de CrNi), care se vaporizeaz la trecerea unui curent suficient de mare prin el. Programarea memoriei const n selecia adresei i a liniei de date i aplicarea unui impuls
118
Capitolul 7
de tensiune (10-30V) pe un pin special de programare. Evident c programarea nu se poate face dect o singur dat. - Memoriile EPROM (Eraseable Programmable Read Only Memory) sunt programabile ca i memoriile PROM, dar de mai multe ori, pentru c ele pot fi terse prin expunere la radiaii ultraviolete cu o lungime de und specific. Matricea de memorie conine tranzistoare FAMOS (Floating Avalanche Injection MOS), adic tranzistoare care conin o poart metalic flotant, izolat de substrat prin 10 7 m de SiO 2 .
- Memoriile EEPROM (Electricaly Eraseable Programmable Read Only Memory) sunt similare memoriilor EPROM, numai c tergerea se poate face pe cale electric. Izolaia porii este mult mai subire dect la EPROM, i sarcina electric negativ poate fi eliminat prin aplicarea unei tensiuni de polaritate invers pe poarta tranzistorului care nu este flotant. Memoriile mask ROM i PROM se realizeaz att n tehnologie bipolar ct i n tehnologie MOS, n timp ce memoriile EPROM i EEPROM nu se pot realiza dect n tehnologie MOS. Progresele tehnologice au determinat modificri importante n performanele memoriilor ROM. Dac memoriile EPROM n tehnologie NMOS au timpi de acces de aproape 500ns, cele realizate n tehnologie CMOS au timpi de acces mai mici de 100ns. O memorie EPROM poate fi tears i reprogramat de circa 100 ori, iar timpul de stocare a informaiei poate depi 10 ani. O memorie EEPROM poate fi tears i reprogramat de circa 10000 ori, iar timpul de stocare a informaiei poate fi de 100 ani. n sfrit, o memorie FLASH (un EEPROM de capacitate mare) poate avea un timp de acces de 50ns, 100000 cicluri garantate de programare/tergere i timp de stocare a datelor de peste 20 ani. Notaia E2PROM este uneori folosit pentru memoriile EEPROM. Cuvintele (numerele) binare reprezint date pentru un circuit de memorie i se consider: a. semnale de intrare (cnd datele se nscriu n memorie); b. semnale de ieire (cnd datele se citesc din memorie). Accesul la memorie se face la un moment de timp bine determinat, moment ce trebuie comunicat printr-un semnal circuitului de memorie. Schema bloc (conexiunile informaionale) pentru un circuit de memorie este prezentat n figura 7.13:
Figura 7.13 Schema bloc a unui circuit de memorie
Observaie: Transferul de date este bidirecional (datele intr i ies din circuit) n cazul memoriilor: RAM i E2PROM, dar este unidirecional n cazul memoriilor: ROM, PROM, EPROM. Principalele caracteristici ale unei memorii sunt: 1. Geometria memoriei (modul de organizare) reprezint lungimea unui cuvnt de memorie i numrul de cuvinte memorate. 2. Capacitatea memoriei exprim numrul total de bii ce pot fi memorai (capacitatea se exprim n multipli de 1k = 1024 bii).
119
3. Timpul de acces la memorie reprezint durata necesar citirii sau scrierii informaiei n memorie i se exprim n [ms] sau [ns]. 4. Puterea consumat reprezint raportul ntre puterea total consumat de circuit i capacitatea acestuia. Puterea consumat se exprim n [W/bit]. 5. Volatilitatea - o memorie este volatil dac informaia nscris se pierde n timp. Volatilitatea se datoreaz modului de stocare a informaiei sau dispariiei tensiunii de alimentare a circuitului de memorie (cazul memoriilor dinamice). La memoriile dinamice, memorarea informaiei se bazeaz pe modificarea capacitii jonciunii semiconductoare, ceea ce necesit remprosptarea coninutului la intervale constante de timp.
Structura celulei de memorie RAM

Celula de memorie este circuitul elementar care realizeaz memorarea unui bit. Un circuit de memorare poate fi realizat cu tranzistoare bipolare sau tranzistoare MOS. n cazul utilizrii tranzistoarelor bipolare circuitul elementar de memorie l constituie circuitul basculant bistabil (CBB) care folosete dou tranzistoare multiemitor, figura 7.14.
Figura 7.14. Celul de memorie RAM cu tranzistor bipolar
Liniile de conexiune n afara celulei sunt: 2 (dou) linii de bit (notate DL i DL ) care servesc la scrierea i citirea informaiei n celul. Aceste linii sunt comune tuturor celulelor de aceeai coloan ntr-o matrice de memorie. 1 (una) linie de selecie cuvnt (WL), care reprezint selecia pe linii n matricea de memorie. Acionarea liniei de selecie-cuvnt face posibil citirea sau scrierea informaiei n oricare dintre celulele de memorie situate pe aceeai linie n matrice. 1 (una) linie de alimentare (sursa VCC) comun tuturor celulelor din matricea de memorie. n cele ce urmeaz se prezint succint funcionarea celulei de memorie din figura 7.14. n stare neselectat, conexiunea selecie-cuvnt (WL) este meninut la un potenial cobort (+0,3 V). Liniile de bit (DL i DL ) sunt conectate la captul coloanei - la o tensiune de +0,5 V, prin intermediul unei rezistene senzor (r) care
120
Capitolul 7
sesizeaz apariia nchiderii unui curent. Cele dou operaii (citirea i nscrierea informaiilor) se desfoar astfel: Pentru citirea informaiei, linia selecie-cuvnt (WL) este pus la un potenial ridicat (+3 V) apropiat de VCC (+3,5 V). n acest mod, emitoarele conectate la liniile de bit sunt polarizate la o tensiune mai mic (+0,5 V), deci conducia este asigurat de acestea (legate n A i B). Curentul de emitor se va nchide prin rezistenele senzor conectate la liniile de bit. n funcie de semnul tensiunii obinute la bornele celor dou linii de bit, se poate "spune" care este starea bistabilelor. Exemplu: Dac T1 conduce i T2 este blocat, atunci selectnd linia WL (selecie-cuvnt) pentru citire, se va obine la ieire o tensiune diferenial cu semnul (+) pe DL i semnul (-) pe DL , figura 7.15. n cazul T1 blocat i T2 n conducie, tensiunea diferenial are sens invers: semnul (+) la DL i semnul (-) la DL.
Figura 7.15. Explicativ pentru celula de memorie RAM
Pentru nscrierea informaiei n celul, se ridic potenialul pe linia WL (la +3V) i, simultan, se foreaz pe liniile de bit (DL i DL ) o diferen de potenial corespunztoare strii n care dorim s se gseasc bistabilul. Exemplu: Pentru a se obine T1 n conducie i T2 n starea blocat, se foreaz linia de bit stnga (DL) la zero, iar linia de bit dreapta ( DL ) la o tensiune de aproximativ +0,5 V (n timp ce linia selecie-cuvnt WL este selectat).
Observaii:
- Consumul de putere al acestui circuit este de circa 800W, n stare neselectat, iar viteza de comutaie este de 20ns. - Celula de memorie RAM se poate realiza cu dou tranzistoare bipolare obinuite (npn) la care se ataeaz cte o diod Shottky.
Structura unui circuit de memorie. Matricea de memorie

Circuitul de memorare propriu-zis este aranjat sub forma unei matrice de memorare n ale crei noduri se gsesc celule de memorie. n figura 7.16 se prezint structura unei matrice de memorie de dimensiune mn, adic m linii i n coloane. Pentru accesul la celula de memorie (ij) se face selecia liniei, acionnd WLi , i selecia coloanei prin perechea ( DLj, DLj ). Capacitatea memoriei este dat de produsul (m n), unde: - m este numrul de linii, selecie-cuvnt (WL); - n este numrul de perechi (DL i DL ), adic numrul de coloane. Linia (conexiunea) de alimentare este comun tuturor celulelor de memorie pe care le conine matricea de memorare. Procesorul reprezint un automat aritmetic, acionat printr-o succesiune de comenzi aplicate din exterior, prin care se transform un ir de date de intrare ntr-un alt ir de date la ieire.
121
Figura 7.16. Structura unui circuit de memorie
Procesorul, denumit i RALU (Registers and Aritmetic Logic Unit), conine o unitate aritmetic logic i registre, avnd schema bloc prezentat figura 7.17:
Figura 7.17. Automat aritmetic
Semnificaiile mrimilor din figura 7.18 sunt: Di, D0 sunt terminalele pentru datele de intrare i respectiv de ieire; FL - flag-uri (indicatori); C - comenzi; F - comand pentru funciile aritmetice (+ , - , : , *) i logice; A - adrese pentru selectarea operanzilor interni i a destinaiei rezultatelor; CK - semnal de tact (clock). RALU poate servi ca element structural pentru sisteme digitale complexe. Prelucrrile se efectueaz asupra unor cuvinte binare cu n bii. O operaie elementar implic unul sau doi operanzi (interni sau externi fa de RALU). Rezultatul operaiei se poate memora intern (n registre) sau se poate genera spre exterior pe liniile de ieire D0 (Data output). RALU genereaz spre exterior i un cuvnt FL ce conine k indicatori (flag-uri) prin care se caracterizeaz rezultatul unei operaii. Succesiunea de comenzi pentru RALU trebuie generat din exterior de ctre
122
Capitolul 7
alt automat denumit unitate de comand (UC). Deci procesorul este un sistem digital format din RALU i UC. Schema bloc a unui procesor este dat n figura 7.18:
Figura 7.18. Schema bloc a unui procesor
Semnificaiile mrimilor din figura 7.18 sunt: C este fluxul comenzilor ctre RALU; FL - caracteristicile rezultatelor; D0, Di - fluxul datelor de la ieire i de la intrare; I - instruciunea curent; SI, SO - sincronizarea comenzilor pentru intrare i ieire.
7.7 Microprocesorul (P). Microcalculatorul (C)

Microprocesorul este o unitate central de prelucrare realizat ntr-un singur circuit integrat (P). Sistemul digital de prelucrare realizat cu ajutorul unui P se numete microcalculator (C). Elementele componente ale microcalculatoarelor sunt: a) Unitatea central de prelucrare (P). b) Memoria (MEM) compus din: MP - memoria de program (memorie ROM); MD - memoria de date (memorie RAM). Observaie: Denumirea corect a memoriei MD este RWM Read/Write Memory, i este volatil. c) Porturile de intrare/ieire (PI, PE), realizate cu circuite specializate sau circuite standard, pentru interconectarea cu dispozitivele periferice sau cu sistemul comandat (cazul reglrii sau conducerii numerice a unui proces). Configuraia de baz a unui microcalculator (C) este dat n figura 7.19: Dispozitivele periferice sunt: 1. informatice: console, terminale video, imprimante, cititoare i perforatoare de band de hrtie, discuri magnetice flexibile sau rigide, benzi magnetice etc. 2. interfee cu sistemul comandat, ce conin convertoare de tip N/A i A/N ct i magistralele - Buses (BA, BD, BC). Magistralele sunt fascicule de linii fizice pentru date (BD), pentru adresare (BA) i pentru comenzi (BC). Magistralele menionate conin: d linii pentru date, a linii de adresare i c linii pentru comenzi. Cititorul interesat de aplicaiile circuitelor logice combinaionale (CLC) i/sau aplicaiile circuitelor logice seceniale (CLS) poate gsi suficiente exemple n [1], cap. 7.
123
Figura 7.19. Configuraia de baz a unui microcalculator
7.8 ntrebri
1. Care este deosebirea ntre o mrime analogic i o mrime numeric (digital) ? 2. Cnd se utilizeaz circuitul LATCH ? 3. Ce este un convertor de cod ? Ce este un decodificator ? 4. Ce rol au circuitele: MUX i DEMUX ? 5. Care este schema bloc a decodificatorului de adres cu n = 2 (intrri) i 4 ieiri ? 6. Care sunt tipurile de memorii si cand se utilizeaz acestea ? 7. Care sunt componentele din structura unui microcalculator ? 8. Cum se poate activa (accesa) o celul de memorie de ordinul (i x j) dintr-o matrice de memorare ?
BIBLIOGRAFIE
1. Miholc, C., Mrescu, N. Electronic pentru neelectrice, Editura MATRIX-ROM, Bucureti, 2003. profiluri
2. Brc Gleanu, S., Stoichescu, D.A., Constantin, P. Electronic de putere Aplicaii, Editura Militar, Bucureti, 1991. 3. Bulucea, C. .a. Circuite integrate liniare. Editura Tehnic, Bucureti, 1976. 4. Ceang, E., aimac, A., Banu, E. Electronic industrial, Editura didactic i pedagogic, Bucureti, 1981. 5. Ceang, E., Tusac, I., Miholc, C., Electronic industrial i automatizri, Universitatea din Galai, 1979. 6. Catalog de circuite integrate digitale, SANYO Electric Co., Ltd. Semiconductor Company TOKYO, http://www.sanyo.co.jp, JAPAN, 2001. 7. Catalog de componente electronice FULL LINE PRODUCT CATALOG, VISHAY INTERTECHNOLOGY, INC. 63 Lincoln Highway, Malvern, PA 19355, http://www.vishay.com, United States, 2002. 8. Circuite integrate analogice, Catalog IPRS Bneasa, Bucureti, 1983 9. Circuite integrate liniare, Catalog IPRS Bneasa, Bucureti, 1981. 10. Constantin, P., Brc Gleanu, S. .a., Electronic industrial (pentru subingineri), Editura didactic i pedagogic, Bucureti, 1976. 11. Constantin, P., Creang, E., Buzuloiu, V., Rdoi, C., Neagoe, V., Electronic industrial, Editura didactic i pedagogic, Bucureti, 1980. 12. Lupu, C., epelea, V., Purice, E., Microprocesoare Aplicaii, Editura Militar, Bucureti, 1982.

Electronic A

Încărcat de

Informații document

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Electronic A

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

CONSTANTIN MIHOLC

CAP. 1 DISPOZITIVE ELECTRONICE DE CIRCUIT

CAP. 2 AMPLIFICATOARE I OSCILATOARE

CAP. 4 STABILIZATOARE ELECTRONICE

CAP. 5 REDRESOARE COMANDATE DE MIC PUTERE

CAP. 6 CIRCUITE LOGICE COMBINAIONALE I SECVENIALE

CAP. 7 APLICAII ALE CIRCUITELOR COMBINAIONALE I SECVENIALE

DISPOZITIVE ELECTRONICE DE CIRCUIT

1.1.1 Semiconductoare de conductibilitate intrinsec

Figura 1.1. Structura benzilor energetice pentru un semiconductor

1 dR T .100 [%/oC] exprim viteza de variaie a . R To dT

Figura 1.2. Variaia rezistenei electrice a termistorului cu temperatura

Dispozitive electronice de circuit

Figura 1.3. Caracteristica spectral a fotorezistenei

Fotorezistenele sunt utilizate detectoarelor de incendiu etc.

Figura 1.4. Caracteristica curent-tensiune i simbolizarea varistorului

1.1.3. Semiconductoarele de conductibilitate extrinsec

1.2 Jonciunea p-n

Dispozitive electronice de circuit

Figura 1.6. Efectul potenialelor de contact asupra barierei de potenial

Polarizrile direct i invers ale jonciunii p-n

Figura 1.7. Polarizarea direct a jonciunii p-n

b) Polarizarea invers (figura 1.8), presupune aplicarea tensiunii de

1.3 Dioda semiconductoare

Dispozitive electronice de circuit

Figura 1.9. Caracteristica curent-tensiune a diodei

1.3.1 Dioda n circuit, determinarea punctului static de funcionare

Figura 1.10. Dioda n circuit

Figura 1.11. Caracteristica extern a diodei

1.3.2 Tipuri de diode semiconductoare

Figura 1.12. Dioda Zener n circuit (a) i caracteristica curent-tensiune (b)

Dispozitive electronice de circuit

Figura 1.13. Dioda varicap: simbolizare i principiu de funcionare

Figura 1.16. Simbolizarea diodei tunel i caracteristica curent-tensiune

Figura 1.17. Dispozitiv de amplificare cu tranzistor

1.4.1 Tranzistoare bipolare - structura fizic i funcionare

Dispozitive electronice de circuit

Figura 1.18. Structura i simbolizarea tranzistorului bipolar (pnp i npn)

Figura 1.19. Structura fizic i polarizarea tranzistorului pnp

I n = E 0.995 - factor static de amplificare n curent IC

Pe = IC . UCB > Pi = UEB . IB

1.4.2 Scheme de conexiuni i caracteristici statice

Figura 1.20. Simbolizarea unui amplificator

a) Schema de conexiuni baz comun (BC figura 1.21).

Figura 1.21. Tranzistorul bipolar n conexiune baz comun

Figura 1.22. Tranzistorul bipolar n conexiune emitor comun

Figura 1.23. Tranzistorul bipolar n conexiune colector comun

Caracteristici statice de intrare pentru conexiunea EC: (figura 1.24)

Dispozitive electronice de circuit

n se numete factor static de amplificare n curent pentru 1 n

conexiunea emitor comun.

Figura 1.25. Familiile caracteristicilor de ieire

1.4.3 Limitri n funcionarea tranzistorului bipolar

I C I C max U CE U CE max Pd < Pmax = I C max .U CE max

Figura 1.26. Limitri n funcionarea tranzistorului bipolar

1.4.4 Tranzistorul bipolar n circuit. Stabilirea PSF

Dispozitive electronice de circuit

Figura 1.27. Etaj de amplificare cu tranzistor de tip npn

Figura 1.28. Familia caracteristicilor externe ale tranzistorului

EC i U CE = E C ). Panta (nclinarea) dreptei de sarcin se exprim prin RC tg()=RC.

Figura 1.29. Modificarea PSF la variaia temperaturii

Figura 1.30. Schem utilizat pentru stabilizarea PSF-ului la variaia temperaturii

Dispozitive electronice de circuit

U U1 ; R E = 2 , unde: U1 = UBE, I1 = IB, U2 = UCE, I2 = IC I1 I2