P. 1
Electronic A

Electronic A

|Views: 6,914|Likes:
Published by Enache Nicusor

More info:

Published by: Enache Nicusor on Jun 22, 2011
Copyright:Attribution Non-commercial

Availability:

Read on Scribd mobile: iPhone, iPad and Android.
download as PDF, TXT or read online from Scribd
See more
See less

08/09/2013

pdf

text

original

Sections

  • INTRODUCERE
  • 1.1 Noţiuni privind conducţia electrică în semiconductoare
  • 1.1.1 Semiconductoare de conductibilitate intrinsecă
  • 1.1.3. Semiconductoarele de conductibilitate extrinsecă
  • 1.2 Joncţiunea p-n
  • 1.3 Dioda semiconductoare
  • 1.3.1 Dioda în circuit, determinarea punctului static de funcţionare
  • 1.3.2 Tipuri de diode semiconductoare
  • 1.4 Tranzistoare
  • 1.4.1 Tranzistoare bipolare - structura fizică şi funcţionare
  • 1.4.2 Scheme de conexiuni şi caracteristici statice
  • 1.4.3 Limitări în funcţionarea tranzistorului bipolar
  • Figura 1.26. Limitări în funcţionarea tranzistorului bipolar
  • 1.4.4 Tranzistorul bipolar în circuit. Stabilirea PSF
  • 1.4.7 Tranzistoare unipolare
  • 1.4.7.1 TEC-J având canal de tip n. Structură fizică şi funcţionare
  • 1.4.7.2 Construcţia etajului de amplificare cu TEC-J
  • 1.4.7.4 Tranzistorul TEC-MOS având canal permanent (de tip n)
  • 1.5 Dispozitive semiconductoare speciale
  • 1.5.1 Tiristorul
  • 1.5.2 Triacul
  • 1.5.3 Tranzistorul unijoncţiune (TUJ)
  • 2.1 Proprietăţi generale şi caracteristici ale amplificatoarelor
  • 2.1.1 Parametrii principali ai amplificatoarelor
  • 2.1.2 Caracteristici importante ale amplificatoarelor
  • 2.1.3 Tipuri de amplificatoare
  • 2.2 Amplificatoare de curent alternativ
  • 2.2.1 Amplificatoare de tensiune
  • 2.2.2 Amplificatoare de putere (AP)
  • 2.2.2.1 Amplificatoare de putere în clasă A
  • 2.2.2.2 Amplificatoare de putere în clasă B
  • 2.2.2.3 Amplificatoare de curent (putere) în montaj Darlington
  • 2.3 Amplificatoare de curent continuu
  • 2.3.1 Amplificatoare de curent continuu în montaj diferenţial
  • 2.4 Reacţia negativă în amplificatoare şi consecinţele ei
  • 2.5 Amplificatoare operaţionale
  • 2.6 Oscilatoare
  • 3.1 Noţiuni generale
  • 3.2 Redresoare monofazate necomandate
  • 3.2.1 Schema bloc a unui redresor de mică putere
  • 3.2.2 Redresoare monofazate monoalternanţă cu sarcină rezistivă
  • 3.2.3 Redresoare monofazate dublă alternanţă cu sarcină rezistivă
  • 3.2.4 Filtrarea tensiunii redresate
  • 3.2.4.1 Funcţionarea redresorului cu filtru capacitiv
  • 3.2.5 Parametrii redresoarelor de mică putere
  • 3.3 Redresoare trifazate necomandate
  • 4.1 Noţiuni generale. Parametrii stabilizatoarelor
  • 4.2 Stabilizatoare parametrice
  • 4.2.1 Funcţionarea unui stabilizator parametric
  • 4.2.3 Stabilizatoare integrate de tensiune
  • 5.2 Circuite specializate pentru comanda în fază a tiristoarelor
  • 5.3 Redresor monofazat semicomandat în punte
  • 5.4 Întrebări şi problemă
  • 6.1 Funcţii logice elementare
  • 6.2 Relaţii fundamentale în algebra logicii
  • 6.4 Circuite logice integrate (poarta logică NAND - TTL)
  • 6.4.1. Poarta logică integrată NOR (SAU-NU)
  • 6.5 Circuite logice combinaţionale
  • 6.5.1 Noţiuni generale
  • 6.5.2 Analiza circuitelor logice combinaţionale
  • 6.6 Circuite logice secvenţiale
  • 6.6.1 Circuite secvenţiale elementare
  • 6.6.2. Circuitul secvenţial de tip Master-Slave
  • 6.7. Întrebări şi probleme
  • 7.1 Circuite LATCH
  • 7.1.1 Utilizarea triggerului SR ca circuit LATCH
  • 7.2 Codificatoare şi decodificatoare
  • 7.4 Numărătoare electronice
  • 7.5 Convertoare
  • 7.6 Circuite de memorie
  • 7.7 Microprocesorul (μP). Microcalculatorul (μC)

CONSTANTIN MIHOLCĂ

ELECTRONICĂ
PENTRU FACULTĂŢILE CU PROFIL NEELECTRIC

GALAŢI 2007

CUPRINS
Introducere ............................................................................................
1

CAP. 1 DISPOZITIVE ELECTRONICE DE CIRCUIT
1.1 Noţiuni privind conducţia electrică în semiconductoare ................. 1.1.1 Semiconductoare de conductibilitate intrinsecă ......................... 1.1.2 Dispozitive electronice simple bazate pe semiconductoare intrinseci ............................................................................. 1.1.2 Semiconductoarele de conductibilitate extrinsecă ...................... 1.2 Joncţiunea p-n .................................................................................. 1.3 Dioda semiconductoare ................................................................... 1.3.1 Dioda în circuit, determinarea punctului static de funcţionare ... 1.3.2 Tipuri de diode semiconductoare ............................................... 1.4 Tranzistoare ..................................................................................... 1.4.1 Tranzistoare bipolare - structura fizică şi funcţionare ................ 1.4.2 Scheme de conexiuni şi caracteristici statice .............................. 1.4.3 Limitări în funcţionarea tranzistorului bipolar ........................... 1.4.4 Tranzistorul bipolar în circuit. Stabilirea PSF ............................ 1.4.5 Influenţa temperaturii asupra caracteristicilor externe. Stabilizarea punctului static de funcţionare ............................... 1.4.5.1 Scheme de stabilizare a punctului static de funcţionare utilizând elemente neliniare de compensare ........................ 1.4.6 Regimul dinamic al tranzistorului bipolar (funcţionarea etajului de amplificare în regim dinamic) ............................................ 1.4.7 Tranzistoare unipolare ................................................................ 1.4.7.1 TEC-J având canal de tip n. Structură fizică şi funcţionare.. 1.4.7.2 Construcţia etajului de amplificare cu TEC-J ....................... 1.4.7.3 Funcţionarea etajului de amplificare cu TEC-J în regim dinamic ............................................................................... 1.4.7.4 Tranzistorul TEC-MOS având canal permanent (de tip n) ... 1.4.7.5 Construcţia unui etaj de amplificare utilizând tranzistor TEC-MOS având canal de tip n ......................................... 1.5 Dispozitive semiconductoare speciale ............................................. 1.5.1 Tiristorul .................................................................................... 1.5.2 Triacul ........................................................................................ 1.5.3 Tranzistorul unijoncţiune (TUJ) ................................................ 1.6. Întrebări şi problemă................................................ 3 3 4 5 6 8 9 10 12 12 14 16 16 18 19 19 21 22 24 25 26 27 28 28 31 32 34

vi

Cuprins

CAP. 2 AMPLIFICATOARE ŞI OSCILATOARE
2.1 Proprietăţi generale şi caracteristici ale amplificatoarelor .............. 2.1.1 Parametrii principali ai amplificatoarelor ................................. 2.1.2 Caracteristici importante ale amplificatoarelor ......................... 2.1.3 Tipuri de amplificatoare ............................................................ 2.2 Amplificatoare de curent alternativ ................................................. 2.2.1 Amplificatoare de tensiune ........................................................ 2.2.2 Amplificatoare de putere (AP) .................................................. 2.2.2.1 Amplificatoare de putere în clasă A .................................... 2.2.2.2 Amplificatoare de putere în clasă B .................................... 2.2.2.3 Amplificatoare de curent (putere) în montaj Darlington ..... 2.3 Amplificatoare de curent continuu .................................................. 2.3.1 Amplificatoare de curent continuu în montaj diferenţial .......... 2.4 Reacţia negativă la amplificatoare şi consecinţele ei ...................... 2.5 Amplificatoare operaţionale ............................................................ 2.6 Oscilatoare ....................................................................................... 2.7. Întrebări ....................................................................................... 35 35 37 39 40 40 43 44 45 46 47 47 49 51 54 58

CAP. 3 REDRESOARE
3.1 Noţiuni generale .............................................................................. 3.2 Redresoare monofazate necomandate ............................................ 3.2.1 Schema bloc a unui redresor de mică putere ............................. 3.2.2 Redresoare monofazate monoalternanţă cu sarcină rezistivă .... 3.2.3 Redresoare monofazate dublă alternanţă cu sarcină rezistivă ... 3.2.4 Filtrarea tensiunii redresate ....................................................... 3.2.4.1 Funcţionarea redresorului cu filtru capacitiv ....................... 3.2.5 Parametrii redresoarelor de mică putere .................................... 3.3 Redresoare trifazate necomandate ................................................... 3.4. Întrebări............................................................................................ 59 61 61 61 64 66 66 68 69 72

CAP. 4 STABILIZATOARE ELECTRONICE
4.1 Noţiuni generale. Parametrii stabilizatoarelor ................................. 4.2 Stabilizatoare parametrice ............................................................... 4.2.1 Funcţionarea unui stabilizator parametric ................................. 4.2.2 Stabilizatoare cu reacţie având element de control serie şi amplificator de eroare ................................................................ 4.2.3 Stabilizatoare integrate de tensiune ........................................... 73 73 74 77 78

CAP. 5 REDRESOARE COMANDATE DE MICĂ PUTERE
5.1 Principiul comenzilor pe verticală şi orizontală la redresoarele de mică putere ..................................................................................... 5.2 Circuite specializate pentru comanda în fază a tiristoarelor ............ 5.3 Redresor monofazat semicomandat în punte ................................... 5.4. Întrebări şi problemă ..................................................................................... 82 86 88 90

.........................................................................1 Circuite secvenţiale elementare ............................................5 Convertoare ..6................. Realizarea funcţiilor logice elementare cu dispozitive electronice ..............................................4 Numărătoare electronice .............................................. 7..............3 Circuite de multiplexare şi demultiplexare ........1 Funcţii logice elementare .................. 7....................... 6...... 7............................1 Circuitul secvenţial de tip Master .................................1 Utilizarea triggerului SR ca circuit LATCH ...................... 7.................................................................................................................6 Circuite de memorie .............7 Microprocesorul (μP)................................................................... 6..2 Relaţii fundamentale în algebra logicii ....1 Noţiuni generale ................ 7.............................. 7..............................................2 Analiza circuitelor logice combinaţionale ....................1...5............ 6..............5 Circuite logice combinaţionale .....Slave ....................3 Circuite logice........................... 124 ............................6......................................................... 6 CIRCUITE LOGICE COMBINAŢIONALE ŞI SECVENŢIALE 6........5.......2 Codificatoare şi decodificatoare ...................................1 Poarta logică integrată NOR (SAU-Nu)..................... 6............... 6............... 91 94 95 97 99 100 100 101 103 104 107 109 CAP..................... Microcalculatorul (μC) ..............Cuprins vii CAP......8.............. 7 APLICAŢII ALE CIRCUITELOR COMBINAŢIONALE ŞI SECVENŢIALE LOGICE 110 110 111 113 114 115 117 122 123 7...... 6.................................................. Întrebări ..........1 Circuite LATCH ..... 6...... 7.................................. 6...........4..... 6..........6 Circuite logice secvenţiale .......... 7.. Bibliografie ...........4 Circuite logice integrate (poarta logică NAND-TTL).................................. 6............................................................ 6........7 Întrebări şi probleme..

dar s-a trecut la tehnologia BiCMOS care este o combinaţie între tehnologia bipolară şi tehnologia CMOS.000. Posibilităţile remarcabile ale electronicii şi progresele ei deosebit de rapide (mai ales în privinţa realizării tehnologice a dispozitivelor semiconductoare şi circuitelor integrate) au făcut ca. la început în tehnologie bipolară şi apoi în tehnologie MOS (după 1965). dimensiunea unui tranzistor fiind ≤ 1μm. După 1980 s-au dezvoltat structuri VLSI (Very Large Scale Integration). gaze şi vid. permiţând dezvoltarea tehnologiei circuitelor larg integrate (LSI –Large Scale Integration). Ca domeniu independent.000) de tranzistoare într-o capsulă. După anul 1990 s-au dezvoltat structuri ULSI (Ultra Large Scale Integration). electronica să fie utilizată aproape în toate domeniile ştiinţei şi tehnicii. cu avantajele consumului redus şi densitate mare de integrare. oferite de tehnologia CMOS. iar în 1952 s-a formulat ideea circuitului integrat. astfel că după şase ani (în 1958) s-a realizat primul circuit integrat. Această tehnologie (BiCMOS) îmbină avantajele de viteză şi curent mare la ieşire ale tehnologiei bipolare. Aceste tehnologii permit înglobarea unui număr foarte mare (între 50. Microprocesorul a determinat o revoluţie tehnică denumită ”revoluţia microelectronicii”. . Aceste circuite au condus la realizarea primului microprocesor. În prezent numărul de tranzistoare înglobate într-o capsulă depăşeşte 5 milioane. microprocesorul 486 conţine 1. În 1960 se construiesc primele dispozitive semiconductoare ale electronicii de putere (tiristoare şi triacuri) care au condus la modernizarea şi creşterea performanţelor în sistemele de acţionări electrice reglabile.INTRODUCERE Electronica a luat naştere ca o ramură a electrotehnicii. începând cu anul 1970. încât astăzi nu există domeniu de activitate umană în care microprocesorul să nu poată fi implicat. în 1971. cu numeroase aplicaţii în telecomunicaţii şi industrie. Începând cu anul 1962 s-a trecut la producţia industrială a circuitelor integrate. care pot îngloba peste un milion de tranzistoare CMOS într-o capsulă. În prezent.000 şi 1. care a antrenat toate domeniile tehnologiei. fiind denumită la începuturile ei “electrotehnica curenţilor slabi” şi având ca aplicaţie principală domeniul telecomunicaţiilor cu şi fără fir. Ţinând seama de aspectele esenţiale ale electronicii şi fără pretenţia de a formula o definiţie atotcuprinzătoare. Primele cinci decenii au reprezentat ”epoca” tuburilor electronice.2 milioane de tranzistoare. Perfecţionarea rapidă a tehnologiilor electronice a condus la apariţia familiilor de circuite integrate logice MOS. utilizate fiind atât tehnologia CMOS cât şi bipolară. în prezent. Electronica se constituie la începutul secolului XX. se poate spune că electronica este ramura ştiinţei şi tehnicii care se ocupă cu studiul fenomenelor şi aplicaţiile acestora privind conducţia electrică în semiconductoare. Începând cu anii 1949-1952 s-au realizat primele tranzistoare. circuitele integrate se realizează în tehnologie CMOS. pe 8 biţi. De exemplu.

2 Introducere Întrucât electronica are în domeniul său de preocupare atât dispozitivele electronice cât şi circuitele electronice se impune definirea celor două noţiuni. detecţie etc). între care se produce conducţia electrică prin vid. gaze sau semiconductoare. spre deosebire de elementele electrice de circuit obişnuite (rezistoare. Circuitul electronic este un ansamblu electric în care se folosesc unul sau mai multe dispozitive electronice la care se leagă elemente electrice de circuit. numit şi element electronic de circuit. Dispozitivul electronic este un ansamblu format din părţi componente. dispozitivul electronic reprezintă un element de circuit. Părţile componente pot fi piese distincte (la tuburile electronice) sau regiuni cu proprietăţi diferite ale unui material neomogen (la dispozitivele semiconductoare). producerea oscilaţiilor. În aplicaţii. Prin extensie. imobile una faţă de alta. alimentându-se de la surse de energie. transformatoare. gaze sau semiconductoare. modulaţie. condensatoare etc). . amplificare. bobine. în scopul realizării unei funcţiuni (redresare. se consideră dispozitive electronice şi acele dispozitive realizate dintr-un singur material omogen. care are una dintre proprietăţile fundamentale ale conducţiei prin vid.

1. Figura 1. Siliciu. semiconductoarele se pot clasifica astfel: • semiconductor de conductibilitate intrinsecă.1 Noţiuni privind conducţia electrică în semiconductoare Semiconductorul ocupă poziţia intermediară între materialele conductoare şi materialele izolatoare. • semiconductor de conductibilitate extrinsecă. Germaniu).1.1 Semiconductoare de conductibilitate intrinsecă Acestea sunt materiale pure din punct de vedere chimic (ex. Aceşti purtători se generează simultan sub formă de perechi şi au o anumită mobilitate. Generarea perechilor electron-gol se produce datorită aportului energetic extern. reprezentat prin lăţimea benzii interzise (∆w). Structura benzilor energetice pentru un semiconductor . După modul de generare a purtătorilor.1. figura 1. adică sub influenţa unui câmp electric ei pot da naştere curentului electric de conducţie.CAPITOLUL 1 DISPOZITIVE ELECTRONICE DE CIRCUIT 1. Conducţia electrică în medii semiconductoare se realizează prin două categorii ale purtătorilor de sarcină: electronii şi golurile. 1.

aportul energetic extern (lăţimea benzii interzise). 1. notată cu ni . Variaţia rezistenţei electrice a fotorezistorului se datorează modificării concentraţiei . b) sensibilitatea S = − 1 dR T . T1 [s].. 2. Variaţia rezistenţei electrice a termistorului cu temperatura - Utilizări: detector în traductoare de temperatură. ceea ce conduce la o descreştere exponenţială a rezistenţei electrice.este un dispozitiv semiconductor omogen a cărui rezistenţă electrică variază cu temperatura. detector în construcţia sesizoarelor de incendiu.100 → [%/oC] exprimă viteza de variaţie a . fiind exprimată prin relaţia: n i = pi = AT unde: 3/ 2 ⎛ − Δw ⎞ exp⎜ ⎟ ⎝ 2KT ⎠ (1. Termistorul . K . c) constanta de timp. în aparatura de măsură şi automatizare. Parametrii de catalog: a) rezistenţa la temperatura de referinţă.constanta lui Boltzmann. Dispozitive electronice simple bazate pe semiconductoare intrinseci (realizate cu materiale omogene) 1. Figura 1. d) domeniul de temperatură.1) A .1). ΔT∈[-200oC. Δw .2. T .. în care performanţele termistorului sunt stabile.temperatura absolută ( grade Kelvin). Conductibilitatea termistorului este direct proporţională cu numărul de purtători ni daţi de relaţia (1.2.1.constantă ce depinde de natura semiconductorului. notată cu pi . ca în figura 1. ce reprezintă inerţia termică a termistorului.4 Capitolul 1 La echilibru termic (când nu există aport energetic extern) concentraţia electronilor.2. R To dT rezistenţei RT la o variaţie dată de un grad Celsius a temperaturii. RTo[Ω]. unde T0=20 oC.+300oC]. este egală cu concentraţia de goluri. Fotorezistenţa este un rezistor a cărui rezistenţă electrică se modifică sub acţiunea unei radiaţii electromagnetice incidente din spectrul vizibil sau infraroşu.

Ro[Ω]. . Sφ = − 1 dR .3. a cărui conductanţă creşte odată cu creşterea tensiunii aplicate la borne. Caracteristica spectrală a fotorezistenţei Fotorezistenţele sunt utilizate detectoarelor de incendiu etc. În funcţie de valoarea lui λo (la care sensibilitatea este maximă) fotorezistenţele se pot construi pentru spectrele vizibil sau infraroşu. Semiconductoarele de conductibilitate extrinsecă Semiconductoarele de conductibilitate extrinsecă sunt cele mai utilizate. Figura 1. Conductibilitatea extrinsecă se obţine prin impurificarea (doparea) cu mici adaosuri a unui semiconductor.3.Dispozitive electronice de circuit 5 purtătorilor de sarcină (formarea perechilor electron-gol). exprimă dependenţa sensibilităţii faţă de lungimea de undă. 1. Procesul prin care se introduc impurităţi riguros dozate în semiconductor se numeşte dopare. T1 caracterizează viteza de variaţie a rezistenţei electrice la o variaţie bruscă a fluxului luminos.4.4. se defineşte asemănător constantei de timp a termistorului. Varistorul este un dispozitiv semiconductor omogen cu o caracteristică neliniară. d) constanta de timp.3. în construcţia releelor fotoelectrice. ca urmare a aportului energetic al radiaţiei incidente. a 3. Caracteristica curent-tensiune şi simbolizarea varistorului Perechile electron-gol se realizează pe seama energiei câmpului electric în care este plasat varistorul.1. În funcţie de natura elementului de impuritate .100 → [%/lm]. Figura 1. îl face utilizabil ca dispozitiv de protecţie împotriva supratensiunilor. Sφ=f(λ). T1[s]. R o dφ unde lm simbolizează lumenul (unitatea de măsură pentru intensitatea luminoasă). Parametrii de catalog: a) rezistenţa la întuneric. fiind ilustrată în figura 1. ilustrată în figura 1. Forma caracteristicii statice. b) sensibilitatea. c) caracteristica spectrală.

curent direct (1. Arsen etc) are ca efect creşterea numărului de purtători negativi (electroni) deoarece atomii pentavalenţi de impuritate cedează uşor câte un electron.3) În figura 1. Semiconductorul obţinut are purtătorii majoritari pozitivi (goluri) fiind de tip p. 2. o variaţie a concentraţiei de goluri (cp) şi electroni (cn). două tipuri de semiconductoare extrinseci.6 Capitolul 1 există două modalităţi de dopare care generează corespunzător. 1. Semiconductoarele de tip n şi p sunt corpuri neutre din punct de vedere electric. Aceşti atomi de impurităţi se numesc atomi acceptori şi se transformă în ioni imobilizaţi în reţeaua cristalină.2 Joncţiunea p-n Dacă într-un cristal semiconductor se realizează prin dopare (utilizând procedee speciale) o zonă p cu impurităţi acceptoare şi o zonă n cu impurităţi donoare. 3. Se obţine o sarcină a ionilor imobili (fixaţi în reţea) pentru purtătorii din fiecare zonă. Purtătorii majoritari. simbolizaţi prin m. Din cauza difuziei şi a recombinării purtătorilor majoritari cu cei difuzaţi rezultă. iar semiconductorul obţinut este de tip n. care devin purtători majoritari. Aceste concentraţii scad până la zero la nivelul joncţiunii. Proprietăţile regiunii de trecere (pentru joncţiunea p-n): 1. astfel încât distanţa dintre cele două zone să fie cel mult 10-5 mm. • Doparea cu impurităţi pentavalente (Stibiu.2) Câmpul intern antrenează dintr-o zonă în alta purtătorii minoritari. deoarece sarcina ionilor imobilizaţi în reţeaua cristalină compensează sarcina suplimentară a purtătorilor majoritari. numit şi curentul direct al joncţiunii: id = inM + ipM . ce devine electron liber (purtător). Aluminiu etc) are ca efect creşterea numărului de goluri.5 se explică funcţionarea joncţiunii. sarcină care nu mai este compensată de sarcina . Lăţimea totală a regiunii de trecere creşte odată cu tensiunea inversă aplicată joncţiunii. trec dintr-o zonă în alta şi dau naştere curentului de difuzie. Atomii acestor impurităţi se numesc donori. Se folosesc notaţiile: Naoconcentraţia iniţială de goluri.curent invers (1. formând curentul de conducţie. simbolizaţi prin M. Ndo . numit şi curent invers al joncţiunii: ic = inm + ipm . Regiunea de trecere se extinde mai mult în zona n.concentraţia iniţială de electroni. Electronii sunt purtători majoritari iar golurile reprezintă purtătorii minoritari. care este mai slab dopată cu impurităţi. De regulă concentraţiile impurităţilor din cele două zone nu sunt egale (Nao > Ndo). se realizează o joncţiune p-n care reprezintă structura de bază pentru majoritatea componentelor electronice. în vecinătatea de separaţie a celor două zone p şi n. Regiunea de trecere este un mediu dielectric (concentraţia purtătorilor este foarte mică). deoarece atomii trivalenţi captează uşor câte un electron de la un atom vecin. care au suficientă energie. Diferenţa de concentraţii dintre cele două zone determină difuzia purtătorilor majoritari dintr-o zonă în alta. • Doparea cu impurităţi trivalente (Indiu.

5-e).7).6).Dispozitive electronice de circuit 7 purtătorilor majoritari din zona respectivă. Regiunea în care apare câmpul electric Ei şi sarcina spaţială ρ se numeşte regiune de trecere. respectiv polaritatea (−) la zona n. ilustrată prin zona haşurată. Rezultă o distribuţie spaţială nesimetrică a sarcinii ρ. Figura 1.6. cu polaritatea (+) la zona p şi.5 Figura 1. în zona regiunii de trecere. Efectul potenţialelor de contact asupra barierei de potenţial Polarizările directă şi inversă ale joncţiunii p-n a) Polarizarea directă (figura 1. potenţialul iniţial (U0) al barierei scade cu . Ca urmare. Dacă joncţiunii p-n i se ataşează două contacte metalice. Prezenţa câmpului intern Ei determină apariţia unei bariere de potenţial notate cu U0 (figura 1. presupune aplicarea tensiunii de alimentare Ua. potenţialele de tip M-S (metal-semiconductor) anulează bariera de potenţial U0. Această sarcină creează câmpul electric care se opune trecerii purtătorilor majoritari dintr-o zonă în alta. astfel încât la bornele joncţiunii potenţialul rezultant este zero (figura 1.

Polarizarea inversă a joncţiunii p-n În acest caz potenţialul iniţial al barierei creşte cu valoarea tensiunii de alimentare. Tensiunea anodică inversă se notează cu (-Ua) sau (. cu polaritatea (−) la zona p şi. lipiţi prin procedee speciale de contactele M-S. În starea de conducţie tensiunea anodică directă este: Ua ≅ 0. Polarizarea directă a joncţiunii p-n b) Polarizarea inversă (figura 1. Curentul de conducţie (ic). numit curent invers al joncţiunii. Figura 1. cu polaritate pozitivă în timpul conducţiei. este neglijabil. numit curent direct al joncţiunii.3V pentru diodele cu Ge. Caracteristica statică a diodei este reprezentată în figura 1.9. presupune aplicarea tensiunii de alimentare Ua. i . Cei doi electrozi.8 Capitolul 1 valoarea tensiunii de alimentare Ua. Acest lucru permite trecerea putătorilor majoritari care formează curentul de difuzie (Id). Curentul direct al joncţiunii este neglijabil. C = Catod.7. cu polaritate negativă în timpul conducţiei.8). Valoarea curentului de conducţie este de ordinul microamperilor.8.3 Dioda semiconductoare Dioda reprezintă dispozitivul semiconductor format dintr-o joncţiune p-n care are ataşate două contacte M-S (metal-semiconductor). respectiv polaritatea (+) la zona n.U a ). 1. Figura 1.7V pentru diodele cu Si şi Ua≅0. Ua. se numesc: A = Anod. iar joncţiunea se consideră blocată.

Dioda în circuit Figura 1. pentru ramura de polarizare directă (cadranul I). determinarea punctului static de funcţionare Se consideră dioda D polarizată direct prin sursa E şi o rezistenţă R de limitare a curentului anodic (figura 1.11.9. Caracteristica curent-tensiune a diodei 1.10.10 şi ecuaţia caracteristicii anodice (figura 1. PSF (M).3.11): ⎧E = R ⋅ i a + U a ⎨ ⎩ i a = f (U a ) (1. De asemenea.4) Tăieturile dreptei de sarcină cu axele de coordonate vor fi: E/R → pentru Ua=0 şi E → pentru ia=0.Dispozitive electronice de circuit 9 Dacă această tensiune creşte peste limita admisă (parametru de catalog) şi atinge valoarea de străpungere a joncţiunii. rezultată din a IIa teoremă a lui Kirchhoff aplicată circuitului din figura 1.11. aceasta se distruge prin efect termic datorită creşterii în avalanşă a curentului invers. Figura 1. se cunoaşte caracteristica anodică.10).1 Dioda în circuit. Se observă că înclinaţia dreptei de sarcină este egală cu . Caracteristica externă a diodei Pentru determinarea punctului static de funcţionare. Figura 1. se rezolvă grafo-analitic sistemul format din ecuaţia dreptei statice de sarcină. figura 1.

1. d) frecvenţa de lucru: fl ∈ [50 Hz . Figura 1. c) temperatura maximă admisă a joncţiunii: Tj max ≤ 140 oC. U z ΔTa e) rezistenţa internă (dinamică).12-a este ilustrată polarizarea diodei Zener. Sunt diode de mică putere şi au suprafaţa joncţiunii foarte mică.3. În figura 1. . obţinute din proiecţiile punctului M pe cele două axe. Sunt utilizate în circuite de detecţie şi comutaţie la frecvenţe de lucru până la 10 MHz.. Dioda Zener în circuit (a) şi caracteristica curent-tensiune (b) Parametrii de catalog: a) tensiunea de stabilizare Zener: Uz ∈[2. deci se comportă ca o capacitate comandată prin tensiune.12-b este reprezentată caracteristica statică inversată (în cadranul I). max ≤ 1800 V.de ordinul nanosecundelor.. . 2) Diode stabilizatoare (diode Zener).10 Capitolul 1 valoarea rezistenţei de limitare R: tg(α) = R.13. De regulă sunt utilizate în tehnica de calcul. Coordonatele PSF sunt iao şi Uao. c) puterea disipată: Pd<10W. 5) Dioda varicap. iar în figura 1.2 Tipuri de diode semiconductoare 1) Diode redresoare (realizate cu siliciu) au următorii parametri de catalog: a) curentul mediu în sens direct: IF ≤ 600 A. Simbolizarea şi variaţia capacităţii echivalente ale diodei varicap sunt prezentate în figura 1. b) tensiunea inversă: Uinv. d) coeficientul de variaţie a tensiunii stabilizate cu temperatura: αz = 1 ΔU z . 180 V].5 V . 4) Diode cu contact punctiform. Sunt diode de mică putere şi au timpul de tranziţie – din starea ”blocat” în starea de ”conducţie” . în porţiunea de lucru a caracteristicii statice.. 20 KHz]. 3) Diode de comutaţie. b) curentul Zener – curentul corespunzător tensiunii de stabilizare: Iz∈[mA.100 [%/oC].. Această diodă este echivalentă cu un condensator variabil. Sunt diode realizate cu siliciu la care se utilizează ramura caracteristicii corespunzătoare polarizării inverse. rz.. Pe măsură ce aplicăm o tensiune mai mare la bornele diodei. aceasta echivalează cu depărtarea armăturilor ”condensatorului”.A]..12.

Simbolizarea şi caracteristica anodică sunt ilustrate în figura 1.b. Polarizarea fotodiodei (a).6). Caracteristica curent-tensiune este neliniară şi prezintă în porţiunea MN rezistenţă internă negativă. la reclame etc. Frecvenţa de lucru este cuprinsă între 0. optocuplor realizat cu LED+fotodiodă (b).14 (a. figurile 1. Polarizarea.16. caracteristica spectrală (c) 7) Dioda electroluminiscentă – LED (Light Emitting Diode) se utilizează cu polarizare directă A-C. astfel încât regiunea de trecere este foarte îngustă. familia caracteristicilor curent-tensiune (b). Această proprietate permite utilizarea diodei tunel în construcţia oscilatoarelor (vezi § 2. Optocuplorul este un dispozitiv electronic care permite transferul unei comenzi de tip intrare-ieşire. dioda Tunel fiind utilizată şi în circuite de comutaţie. Este utilizată în construcţia afişoarelor numerice. Fotodioda este utilizată în construcţia detectoarelor opto-electronice ce lucrează în spectrele vizibil sau infraroşu.14. Curentul de purtători majoritari se datorează fluxului luminos incident.5 şi 5 GHz. .15. realizând şi o foarte bună separare galvanică. LED în circuit (a).15-b şi 1. Figura 1. figura 1. Din combinarea unui LED cu o fotodiodă rezultă un optocuplor (cuplor optic).Dispozitive electronice de circuit 11 Figura 1. Figura 1.c). Dioda varicap: simbolizare şi principiu de funcţionare 6) Fotodioda este utilizată cu polarizare inversă. Aceasta emite un flux de radiaţii luminoase pe seama energiei rezultate prin recombinarea purtătorilor de sarcină. caracteristicile anodice şi caracteristica spectrală sunt reprezentate în figura 1. iar purtătorii majoritari traversează bariera de potenţial prin ”efectul tunel” (efect cuantic).15-a. optocuplor realizat cu LED+fototranzistor (c) 8) Dioda tunel – are joncţiunea p-n cu cele două zone foarte apropiate şi puternic dopate cu impurităţi.13.15-c. Culoarea radiaţiei depinde de natura semiconductorului şi de impuritatea activatoare.

în figura 1.1 Tranzistoare bipolare .structura fizică şi funcţionare Acestea sunt dispozitive semiconductoare formate din trei zone şi două joncţiuni. La funcţionarea în regim de amplificare joncţiunea E-B este polarizată direct. iar zona C este mai puţin dopată decât zona E. . tranzistoarele sunt de două tipuri: 1. 2. 1. Zona E este puternic dopată cu impurităţi. zona B este slab dopată cu impurităţi şi este foarte îngustă (de ordinul micronilor). o rezistenţă de limitare a curentului de sarcină (R) şi sursa de alimentare E. colector şi bază.4 Tranzistoare Tranzistorul este principalul dispozitiv electronic care are proprietatea de a amplifica semnale electrice.17. Dispozitiv de amplificare cu tranzistor După modul în care se realizează conducţia electrică a semnalului prin DA. Cei trei electrozi se numesc: emitor. Tranzistoare bipolare. Structura unui tranzistor bipolar poate fi de tip pnp sau npn. În acest caz semnalul de intrare (xi) este un curent. La aceste tranzistoare semnalul de intrare (xi) în DA este o tensiune. fie numai goluri. Simbolizarea acestora este dată în figura 1. Figura 1.16. iar joncţiunea B-C este polarizată invers. Structura fizică a unui tranzistor bipolar de tip pnp este prezentată în figura 1. la care conducţia electrică este asigurată atât de electroni cât şi de goluri.12 Capitolul 1 Figura 1.4. la care conducţia electrică este asigurată de o singură categorie de purtători: fie numai electroni. În această schemă tranzistorul reprezintă dispozitivul de amplificare. Considerând un dispozitiv de amplificare (DA) comandat prin semnalul de intrare xi. Simbolizarea diodei tunel şi caracteristica curent-tensiune 1.18.19.17 s-a reprezentat schema simplificată a unui amplificator. Tranzistoare unipolare.

rezultând I C ≈ I E .5) Un procent foarte mic de goluri se recombină cu electroni din bază formând atomi neutri. Puterea la ieşire. Figura 1.6) I B = (1 − α n )I E − I CBo IE = IC + IB (1.9) Această inegalitate explică posibilitatea funcţionării tranzistorului în regim de amplificare.19.factor static de amplificare în curent IC (1. Structura şi simbolizarea tranzistorului bipolar (pnp şi npn) Figura 1. golurile din emitor difuzate în bază (B) sunt preluate şi transportate în colector de câmpul electric intern Ei al joncţiunii colectorului. IB .7) (1. Transferul aproape integral în colector a golurilor difuzate în bază poartă numele de efect de tranzistor.8) unde: ICBo este curentul de purtători minoritari. (Pe). Pe = IC . UCB > Pi = UEB .Dispozitive electronice de circuit 13 Curentul de difuzie prin joncţiunea emitorului este format din purtătorii majoritari care sunt golurile. Întrucât lăţimea bazei este foarte mică iar regiunea de trecere a joncţiunii B-C se extinde mult în zona bazei (n). este mai mare decât puterea de intrare (Pi): (1. În modul. Din schema structurală rezultă ecuaţia curenţilor prin tranzistor: I C = α n I E + I CBo (1. tensiunea între colector şi bază este mult mai mare decât tensiunea dintre emitor şi bază: U CB >> U EB .18.995 . Structura fizică şi polarizarea tranzistorului pnp I α n = E ≅ 0. Observaţie: Curentul de purtători minoritari ICBo este foarte mic.

22) – este cea mai utilizată. se utilizează ca amplificator de putere (etaj final). De aceea sunt posibile trei scheme fundamentale de conexiune ale tranzistorului în regim de amplificare.4. rezultă că un terminal al tranzistorului trebuie utilizat ca bornă comună pentru intrare şi ieşire.21). colector.22. Tranzistorul bipolar în conexiune colector comun Caracteristici statice de intrare pentru conexiunea EC: (figura 1. Tranzistorul bipolar în conexiune bază comună b) Schema de conexiuni – emitor comun (EC – figura 1. iar joncţiunea C-B este polarizată invers.20).14 Capitolul 1 1. În oricare dintre cele 3 scheme se are în vedere că joncţiunea E-B este polarizată direct. iar în continuare vor fi prezentate caracteristicile de intrare şi de ieşire pentru această conexiune.24) I B = f ( U BE ) U CE = ct . Simbolizarea unui amplificator a) Schema de conexiuni – bază comună (BC – figura 1. emitor). având 4 borne.20.23. Figura 1.23).21.2 Scheme de conexiuni şi caracteristici statice Întrucât în regim de amplificare tranzistorul este considerat un cuadripol (simbolizat în figura 1. Tranzistorul bipolar în conexiune emitor comun Figura 1. c) Schema de conexiuni – colector comun (CC – figura 1. Figura 1. Figura 1. . iar tranzistorul având numai 3 terminale (bază.

βn 1 + βn (1. I C = β n I B + (1 + β n )I Co (1.24. în care se disting principalele regiuni de lucru.Dispozitive electronice de circuit 15 Figura 1.25. Regiunea 2 – regiunea activă normală este caracterizată de polarizarea directă a joncţiunii E-B şi de polarizarea inversă a joncţiunii C-B. Familiile caracteristicilor de ieşire Relaţia între factorul de amplificare βn şi factorul static de amplificare în curent αn – pentru conexiunea bază comună este: αn = unde β n = [30 L 1000] .25.10) unde: β n = αn se numeşte factor static de amplificare în curent pentru 1 − αn conexiunea emitor comun. de ieşire pentru conexiunea EC: I C = f ( U CE ) I B = ct Familiile caracteristicilor de ieşire sunt date în figura 1. Figura 1. Regiunea 1 – zona de blocare (de tăiere) este caracterizată de polarizarea inversă a joncţiunii E-B sau de lipsa polarizării acestei joncţiuni. Caracteristici statice de intrare Caracteristici statice .11) .

ce nu trebuie depăşiţi în timpul funcţionării tranzistorului.26. Regiunea 3 – este numită şi zonă de saturaţie şi corespunde situaţiei când ambele joncţiuni sunt polarizate direct. din relaţia (1.U CE max (1.12) unde ICo este curentul de purtători minoritari (curentul invers al joncţiunii BC). în figura 1. Relaţiile care trebuie respectate între valorile de lucru şi valorile limită ale celor trei parametri sunt: I C ≤ I C max U CE ≤ U CE max Pd < Pmax = I C max .4. Limitări în funcţionarea tranzistorului bipolar 1. . Această dreaptă se numeşte ”dreaptă de saturaţie”.4.16 Capitolul 1 În regiunea de tăiere curentul de bază fiind nul. 1.4 Tranzistorul bipolar în circuit.26 sunt ilustrate cele 3 limitări esenţiale în funcţionarea tranzistorului: limita curentului de colector (ICmax). Stabilirea PSF Se consideră cel mai simplu etaj de amplificare.13) Figura 1.3 Limitări în funcţionarea tranzistorului bipolar Considerând familia caracteristicilor de ieşire pentru conexiunea emitor comun (EC). La proiectarea etajului de amplificare trebuie rezolvate două probleme: . realizat cu un tranzistor de tip npn. Aceste trei valori reprezintă parametri de catalog. figura 1.determinarea punctului static de funcţionare (PSF).stabilizarea punctului static de funcţionare la variaţia temperaturii.10) rezultă: I C ≅ (1 + β n )I Co (1. Caracteristicile au o ramură comună sub formă de dreaptă cu înclinaţia de aproape 90o. . limita tensiunii de colector (UCEmax) şi limita puterii disipate pe tranzistor (Pmax).27.

15) se obţine: iBo ≅ EC RB (1. Panta (înclinarea) dreptei de sarcină se exprimă prin RC tg(α)=RC.15) Neglijând UBE în raport cu EC ( UBE ≅ 0). RB. din relaţia (1. prezentată în figura 1. se obţine la intersecţia caracteristicii externe (aferentă curentului iBo) cu dreapta de sarcină.28.Dispozitive electronice de circuit 17 Figura 1. RC şi familia caracteristicilor externe ale tranzistorului.28. iC=f(UCE). M(UCEo. trasată prin tăieturile sale ( IC = EC şi U CE = E C ). Se cere: PSF → M(UCEo. (1.14) Procedând similar pentru circuitul de intrare se obţine: EC = RB ⋅ iB + UBE (1. iCo). iCo) Figura 1. Familia caracteristicilor externe ale tranzistorului Aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff pe circuitul de ieşire (figura 1.16) Punctul static de funcţionare.27) se obţine: EC = RC ⋅ iC + UCE .ecuaţia dreptei de sarcină. Etaj de amplificare cu tranzistor de tip npn Se dau: EC. .27.

cresc factorii statici de amplificare în curent βn şi αn.5 Influenţa temperaturii asupra caracteristicilor externe. Figura 1.) şi ca urmare modificarea caracteristicilor de intrare. ceea ce conduce la creşterea factorului de amplificare βn.29).RE . Deci se compensează creşterea iniţială a curentului iC iar punctul static de funcţionare este adus din poziţia M’ în poziţia iniţială M. cu ajutorul rezistenţei de emitor (RE) se rezolvă problema stabilizării PSF.30 în care.29. atunci funcţionarea etajului de amplificare este defectuoasă. care utilizează diverse scheme. sau IB=ct. Figura 1.17) Dacă T ↑ ⇒ iC ↑ (punctul M se deplasează în M’). Un alt efect al creşterii temperaturii îl reprezintă micşorarea tensiunii E-B (pentru IE=ct. Modificarea PSF la variaţia temperaturii Există mai multe metode de stabilizare. Stabilizarea punctului static de funcţionare Dacă temperatura creşte iCo creşte.4. Pentru restabilirea funcţionării normale este necesară readucerea PSF (M’) în poziţia iniţială (M). atât în conexiunea EC cât şi în conexiunea BC.30. De asemenea. Schemă utilizată pentru stabilizarea PSF-ului la variaţia temperaturii Stabilizarea PSF se explică prin relaţiile: (1. Dacă deplasarea PSF este mare. ceea ce conduce la creşterea curentului de emitor (iE ≈ iC).17) se observă că UBE scade ceea ce conduce la micşorarea curentului de colector. Din (1. dar cea mai utilizată este schema din figura 1.18 Capitolul 1 1. realizând astfel stabilizarea PSF la variaţia temperaturii. iE ⇒ UBE = U . rezultând o creştere a curentului de colector care deplasează punctul static de funcţionare M în M’ (figura 1. iE . U = UBE + RE .

rezistenţa termistorului scade. La creşterea temperaturii.31. De regulă se adoptă curentul prin RD la valoarea: iD≅10⋅iBo. • Condensatorul din emitor.33-a). având ca efect micşorarea curentului iB. pentru stabilizarea punctului static de funcţionare În figura 1. 1. rezultat din nodul A. corespunzătoare punctului static de funcţionare M.1 ⋅ RE.1 Scheme de stabilizare a punctului static de funcţionare utilizând elemente neliniare de compensare Pentru stabilizarea punctului static de funcţionare se pot utiliza şi elemente de compensare ce au caracteristici neliniare. La funcţionarea etajului în curent alternativ condensatorul CE elimină reacţia negativă de tensiune dacă reactanţa condensatorului de emitor este de cel puţin 10 ori mai mică decât RE: XE ≤ 0.Dispozitive electronice de circuit 19 Observaţii: • Divizorul de tensiune format din rezistenţele RB1 şi RB2 permite impunerea valorii curentului de bază în regim static (iBo).4. are rolul de a scurtcircuita rezistenţa de emitor atunci când etajul funcţionează în curent alternativ. cum sunt termistoarele şi diodele semiconductoare. • În regim static de funcţionare căderea de tensiune pe rezistenţa din emitor se poate calcula cu relaţia: RE.5. deci are loc compensarea efectului de creştere a curentului iC cu temperatura. Figura 1. astfel încât curentul iB.32. Schema de stabilizare a punctului Figura 1.iE ≅ 0. acţionând în sensul compensării efectului de creştere a curentului de colector cu temperatura. în paralel cu rezistenţa de emitor.33-b. .6 Regimul dinamic al tranzistorului bipolar (funcţionarea etajului de amplificare în regim dinamic) Se consideră cel mai simplu etaj de amplificare utilizând un tranzistor bipolar npn în conexiune emitor-comun (figura 1. iar curentul prin termistor creşte. scade corespunzător. sunt prezentate în figura 1. În figura 1. pentru care diagramele curenţilor şi tensiunilor.31 este prezentată o schemă de stabilizare utilizând un termistor ca element de compensare.32 este dată o schemă de stabilizare termică utilizând o diodă ca element de compensare. Dioda D fiind polarizată în sens de blocare. CE.2⋅EC.4. Schemă cu diodă de static de funcţionare utilizând termistor compensare. 1. la creşterea temperaturii va creşte curentul invers idi.

23) Observaţie: Dacă tensiunea de intrare Ui este de înaltă frecvenţă sau dacă sarcina nu este rezistivă parametrii etajului sunt mărimi complexe: Zi. adică este inductivă sau capacitivă. Construcţia grafică (reprezentată la scară) a caracteristicilor în regim dinamic permite calculul grafo-analitic al parametrilor etajului de amplificare. Curenţii prin tranzistor vor fi: i B = i Bo + i B ~ i C = i Co + i C ~ (1. adică segmentul AB. În regim dinamic punctul static M se deplasează în ambele sensuri pe dreapta de sarcină şi descrie caracteristica dinamică. unde: U1 = UBE.rezistenţa la ieşire (zeci sau sute de Ω).rezistenţa la ieşire (sute de kΩ sau MΩ).20 Capitolul 1 Datorită semnalului alternativ de la intrare. Re .20) Ri = U U1 .19) Condensatorul de cuplaj CC permite trecerea componentei alternative şi blochează componenta continuă (dacă există) a semnalului de intrare.rezistenţa la intrare (zeci sau sute de kΩ). Deci caracteristica dinamică este locul geometric al punctelor statice de funcţionare când la intrarea etajului se aplică semnalul alternativ. Tensiunea de la ieşirea etajului (UCE~) este în antifază faţă de curentul de intrare alternativ (iB~).21) I1 IB Amplificarea în putere: AP = Pe/Pi. În timpul funcţionării etajului de amplificare în curent alternativ.22) Rezistenţele de intrare şi ieşire ale etajului de amplificare sunt: ≅ U CE (val. marcat cu linie groasă. I1 = IB.18) De asemenea. b) Conexiunea colector-comun (CC): Ri . U2 = UCE. Curentul de la ieşire (iC~) este în fază cu cel de la intrare (iB~). Parametrii principali ai unui etaj de amplificare sunt: Amplificarea în tensiune: A U = A = U CE = U CEo + U CE ~ U2 Ui U BE I I Amplificarea în curent: A I = 2 = C (val. Proprietăţi calitative ale etajelor de amplificare în raport cu schema de conexiune utilizată. (1. AI. R E = 2 . Deplasarea alternativă a punctului static (M) pe dreapta statică de sarcină.rezistenţa la intrare (zeci de Ω). corespunzător valorilor maxime ale curentului iB~ . peste componentele continue (iB0. iar Pi = UBE ⋅ IB (1. unde Pe = UCE ⋅ IC.tg β) este diferită faţă de panta caracteristicii statice (tg α). iC0) ale curenţilor din tranzistor se suprapun componentele alternative. eficace). I2 = IC I1 I2 (1. Ai ≤ 1. . tensiunea colector-emitor are două componente: (1. Dacă sarcina etajului nu este rezistivă. punctul static de funcţionare (M) se deplasează pe dreapta de sarcină. panta caracteristicii dinamice (panta segmentului A’B’ . între punctele A şi B se face cu frecvenţa semnalului de intrare (iB~) şi are ca efect apariţia componentelor alternative pentru curentul de colector (adică iC~) şi pentru tensiunea de la ieşire (UCE~). AU. Re . efective) (1. a) Conexiunea bază-comună (BC): Ri . ZC. AU =zeci sau sute.

care în limba engleză are aceeaşi semnificaţie: Field Effect Transistor.7 Tranzistoare unipolare În cazul tranzistoarelor unipolare. schema cea mai utilizată este cea cu emitorul-comun. Concluzii: • Schema colector-comun este utilizată în circuitele de adaptare pentru că are rezistenţa la ieşire mică sau.4. Funcţionarea acestora se bazează pe modificarea conductanţei unei căi de trecere a purtătorilor care produc curentul electric prin dispozitiv. în construcţia amplificatoarelor de putere. Re . sau goluri (care au sarcină pozitivă).Dispozitive electronice de circuit 21 Ai = zeci sau sute. . Se mai utilizează abrevierea FET.rezistenţa la ieşire (zeci kΩ). Figura 1. AU ≤1. fiind canal de tip n. AU= zeci sau sute. conducţia este asigurată de o singură categorie de purtători: fie electroni. Tranzistoarele unipolare se mai numesc Tranzistoare cu Efect de Câmp (TEC). • Pentru amplificatoarele de tensiune. Calea de trecere se numeşte canal şi este situat între doi electrozi numiţi sursă (S) şi drenă (D). fie goluri. c) Conexiunea emitor-comun (EC): Ri .33. canalul fiind de tip p. Ai = zeci sau sute. • Schema bază-comună (BC) creează dificultăţi la cuplarea etajelor în cascadă (serie) datorită diferenţelor foarte mari între impedanţa (sau rezistenţa) de intrare şi cea de ieşire. Regimul dinamic al tranzistorului bipolar 1. Canalul poate fi realizat din purtători de sarcină negativi (electroni).rezistenţa la intrare (kΩ).

Deoarece conductanţa canalului depinde de potenţialul grilei.1 TEC-J având canal de tip n. 1. Deci canalul de tip n este situat între două joncţiuni polarizate invers. distribuţia potenţialului (b) Zonele haşurate reprezintă regiunile de trecere ale celor două joncţiuni. regiunile de trecere au lăţime neglijabilă (deci nu apar zonele haşurate) şi ca urmare secţiunea canalului este maximă.35-a. TEC sunt comandate în tensiune.4. rezultă altă joncţiune p-n polarizată invers. respectiv curentul de drenă este maxim (ID=IDmax).34. În cele ce urmează se prezintă structura fizică a unui tranzistor TEC-J având canal de tip n. Distribuţia spaţială a potenţialului la nivelul canalului este prezentată în figura 1. figura 1.22 Capitolul 1 Figura 1. Baza fiind legată la grila negativată de către tensiunea UG.35. Din acest motiv tranzistoarele unipolare se numesc cu efect de câmp. În funcţionarea tranzistorului TEC-J se disting următoarele situaţii: a) Dacă grila nu este polarizată (UG =0). 2) TEC cu grilă (poartă) izolată. TEC-J .35-a) se extind în zona canalului micşorând . Simbolizarea tranzistoarelor unipolare Conductanţa canalului se modifică sub influenţa câmpului electric produs de tensiunea aplicată la al 3-lea electrod numit grilă (G) sau poartă (P).. Rezistenţa internă a acestor tranzistoare este foarte mare ( 108 . 1012 Ω). Figura 1.35-b. După modul în care se realizează controlul (reglajul) conductanţei canalului există două categorii de tranzistoare unipolare: 1) TEC cu joncţiuni (TEC-J). b) Când grila este negativată (UG<0).. având structură MOS (Metal Oxid Semiconductor). regiunile de trecere (reprezentate prin zonele haşurate din figura 1.TEC-MOS. Zona p a grilei formează cu zona n a canalului o joncţiune polarizată invers.7.structura fizică (a). Structură fizică şi funcţionare Tranzistoarele cu efect de câmp şi joncţiuni (TEC-J) pot avea canalul de tip n sau p.

36a şi b. Figura 1. II – zona de saturaţie. indiferent de tensiunea aplicată pe drenă. Familia caracteristicilor de ieşire prezintă două zone: I.zona de amplificare.37. Simbolizarea în circuite a tranzistoarelor TEC-J este prezentată în figura 1. Figura 1. Familia caracteristicilor de intrare . iar curentul de drenă care circulă între sursă (S) şi drenă (D) se micşorează. c) Dacă grila este puternic negativată (UG<<0) regiunile de trecere se unesc anulând secţiunea canalului şi ca urmare se anulează curentul de drenă (ID≅0).38).Dispozitive electronice de circuit 23 secţiunea acestuia. b) canal p Importanţă deosebită prezintă familia caracteristicilor de ieşire (figura 1.37) şi de intrare (figura 1.38. Simbolizarea tranzistorului TEC-J: a) canal n. Figura 1. Familia caracteristicilor de ieşire În familia caracteristicilor de intrare se observă că tensiunea de prag (Up) reprezintă valoarea tensiunii de grilă la care se anulează curentul de drenă (ID). În zona de amplificare curentul de drenă este reglat prin modificarea tensiunii de grilă.36.

Schema din figura 1.39. În figura 1.39-a etajul de amplificare utilizează o sursă separată (Eg) pentru negativarea grilei. dată de componenta continuă a curentului de drenă ID0 = IS0.4. Aceste condiţii impuse etajului de amplificare pot fi îndeplinite. Etaj de amplificare cu TEC-J: a) cu sursă separată pentru negativarea grilei.39-b realizează negativarea automată a grilei în raport cu sursa.24) Condensatorul CS decuplează (scurtcircuitează) rezistenţa RS la funcţionarea etajului în curent alternativ. Observaţie: În proiectarea etajului de amplificare cu TEC-J trebuie îndeplinite două condiţii esenţiale: • Căderea de tensiune pe condensatorul de cuplaj CC1 de la intrarea etajului să nu fie mai mare de un procent (0.2 Construcţia etajului de amplificare cu TEC-J Funcţionarea unui etaj de amplificare. Rezistenţa Rg se adoptă de ordinul megohmilor (MΩ) şi are rolul de a transmite pe grilă potenţialul negativ al sursei (bateriei) Eg. Condensatoarele CC1 şi CC2 sunt condensatoare de cuplaj la intrare şi respectiv la ieşirea etajului. dată de relaţia: UG0 = − RS ⋅ ID0 S (1. realizat cu tranzistori TEC-J (canal n). acestea având rolul de blocare a componentei continue din semnalul de intrare şi/sau ieşire. Rezultă tensiunea de negativare a grilei.01) din valoarea nominală a semnalului de intrare. iar pe drenă (D) se aplică o tensiune pozitivă. b) cu negativare automată a grilei. În schema din figura 1. Curentul de drenă (curentul de sarcină al etajului) este limitat prin rezistenţa de drenă (RD). utilizând o singură sursă de alimentare (sursa de drenă ED). Figura 1.25) . se aplică între sursă şi grilă (prin rezistenţa Rg). valoarea mare a rezistenţei Rg asigură o rezistenţă (impedanţă) de intrare ridicată pentru etajul de amplificare.39-a şi b. Rezultă că între rezistenţa Rg şi reactanţa X C trebuie să existe C1 relaţia: X C C1 ≤ Rg 100 (1.24 Capitolul 1 1. În acelaşi timp. dacă se utilizează una dintre schemele prezentate în figura 1.7. Căderea de tensiune pe rezistenţa sursei (RS).39-a tensiunea de negativare a grilei este: UG0 = −Eg. întrucât reactanţa X C a acestuia este neglijabilă la frecvenţa de lucru a etajului. este posibilă dacă tranzistorul este polarizat corect. cu semnul plus (+) la sursă şi minus (−) la grilă. adică atunci când grila (G) este negativă în raport cu sursa (S).

expresiile curenţilor şi tensiunilor în regim dinamic sunt: UG = UG0+ UG ~ UDS = UDS0+ UDS ~ ID = ID0+ ID ~ (1. Această condiţie este îndeplinită dacă între rezistenţa sursei RS şi reactanţa X C există relaţia: S X CS ≤ RS 10 (1. cu dreapta statică de sarcină. exprimată prin tg(α).3 Funcţionarea etajului de amplificare cu TEC-J în regim dinamic Considerând etajul de amplificare din figura 1. depinde numai de valoarea rezistenţei de drenă RD: tg(α)=RD. a punctului static M pe dreapta de sarcină între punctele A şi B.27) Presupunând dată familia caracteristicilor de ieşire I D = f ( U DS ) U = ct. utilizând punctele de intersecţie ale dreptei de sarcină cu axele de coordonate: ID = ED .40). Proiecţiile duse din punctul static (M) pe axele ID şi UDS determină coordonatele ID0 şi UDS0 ale punctului M.7. Panta dreptei statice de sarcină. figurat cu linie groasă.4. se trasează dreapta statică de sarcină în planul caracteristicilor de ieşire (figura 1. reprezintă caracteristica dinamică a tranzistorului TEC-J. atunci componenta alternativă a tensiunii de grilă (UG ~) determină deplasarea rectilinie alternativă.26) 1.40 se observă că la funcţionarea etajului în regim dinamic apar componentele alternative ale curenţilor şi tensiunilor prin tranzistor care se suprapun peste componentele continue ale acestora. astfel încât să se elimine reacţia negativă de tensiune. Dacă la intrarea etajului se aplică un semnal alternativ (u~).30) . pentru UG0= −Eg . Astfel.28) Punctul static de funcţionare (M) se obţine la intersecţia caracteristicii de ieşire. RD U DS = E D (1. cu frecvenţa semnalului UG ~ . G pentru tranzistorul TEC-J utilizat în etajul de amplificare (figura 1. prin CC2. o rezistenţă de sarcină RS (sau o impedanţă ZS). În acest caz panta caracteristicii dinamice va fi: tg β = f (RD + RS) sau tg β = g (RD + ZS) (1. Astfel segmentul AB.39-a şi aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff pe circuitul de ieşire rezultă ecuaţia dreptei statice de sarcină: ED = RD ⋅ ID + UDS (1.29) Din figura 1.39-a). Panta caracteristicii dinamice (tg β) va fi diferită de panta dreptei statice (tg α) dacă la ieşirea etajului se conectează.Dispozitive electronice de circuit • 25 Condensatorul CS conectat în paralel cu RS trebuie să şunteze rezistenţa RS la funcţionarea etajului în curent alternativ.

4.7. În figura 1. se alege PSF în regiunea de sărăcire (grilă negativă)..10-6) mm. iar curentul de drenă creşte. deoarece modifică prin potenţialul său proprietăţile semiconductorului la suprafaţa dinspre oxid.4 Tranzistorul TEC-MOS având canal permanent (de tip n) Structura MOS este prezentată în figura 1. rezistenţa de intrare rezultă foarte mare: Ri≅1014 Ω.41.42-a iar familia caracteristicilor statice de ieşire şi intrare este dată în figura 1. Diagramele tensiunilor şi curenţilor la funcţionarea etajului în regim dinamic 1.42-b. i D = g( U G ) U D = ct (1. Tensiunea de ieşire (UDS ~) este în antifază cu semnalul de intrare (UG~). II – regiunea de saturaţie.42-b sunt marcate regiunile I şi II.40. Pentru Ri mică. la care grila este izolată de canal prin stratul de oxid.31) . b) canal de tip p (goluri). Observaţii: Dacă se cere o rezistenţă de intrare (Ri) cât mai mare a etajului de amplificare. Dacă grila este la potenţial pozitiv. În cazul tranzistoarelor TEC-MOS având canal permanent. reprezentând: I-regiunea de amplificare.42-b sunt reprezentate caracteristicile de ieşire şi intrare: i D = f ( U D ) U G = ct Valoarea tensiunii de grilă pentru care curentul de drenă se anulează (iD=0) poartă numele de tensiune de prag (Up). deci modifică conductivitatea canalului. Metalul depus pe oxid joacă rol de grilă. Figura 1. Structura fizică este prezentată în figura 1. Structura MOS poate avea două tipuri de canale: a) canal de tip n (electroni). atunci regimul de funcţionare este un regim de îmbogăţire (în purtători).26 • • Capitolul 1 Observaţii: Curentul de la ieşirea etajului (ID~) este în fază cu semnalul alternativ de la intrare (UG ~). În figura 1. PSF se alege pe dreapta de sarcină în zona de îmbogăţire (grilă pozitivă). ceea ce conduce la modificarea curentului de sarcină prin tranzistor.. La suprafaţa semiconductorului de tip n se depune prin difuzie un strat de oxizi cu o grosime de (10-5 .

5 Construcţia unui etaj de amplificare utilizând tranzistor TECMOS având canal de tip n.41. Grupul RS . Dacă din schema etajului de amplificare (figura 1.43 este prezentată schema unui etaj de amplificare la care tranzistorul de tip TEC-MOS (canal n).Dispozitive electronice de circuit 27 Figura 1. Rezistenţa de grilă (RG) se adoptă suficient de mare (de ordinul MΩ) astfel încât să asigure o impedanţă mare la intrarea etajului de amplificare. CS şi RG. Structura tranzistorului MOS Figura 1. la fel ca în cazul TEC-J. atunci se obţine un etaj de amplificare ce asigură o impedanţă de intrare (Zi) foarte mare (≈1012 Ω). În figura 1. a .4. considerând că în PSF tensiunea de grilă este negativă (UGo<0). Structura fizică (a). Astfel de amplificatoare cu impedanţe de intrare foarte mari sunt necesare în construcţia adaptoarelor traductoarelor de pH.43) se elimină elementele RS.7. este alimentat de la o singură sursă (+ED). familia caracteristicilor statice de ieşire şi intrare (b) 1.CS asigură negativarea automată a grilei în raport cu sursa de alimentare.42.

catod (C) şi poartă sau grilă (P sau G). În cele ce urmează se va prezenta structura.7.4.5 Dispozitive semiconductoare speciale În electronica aplicată se utilizează frecvent dispozitivele semiconductoare speciale. El este format din 4 zone şi 3 joncţiuni.43. structura acestuia şi simbolizarea fiind prezentate în figura 1. diacul.5.47.47. deci mai multe joncţiuni. Un dispozitiv semiconductor special care are o singură joncţiune şi trei electrozi (terminale) este Tranzistorul Uni-Joncţiune (TUJ). Regimul dinamic al tranzistorului TEC-MOS este asemănător celui prezentat la tranzistorul TEC-J (§ 1.3) Figura 1.28 Capitolul 1 traductoarelor piezoelectrice etc. Etaj de amplificare cu TEC-MOS având canal n 1.1 Tiristorul Tiristorul este principalul dispozitiv semiconductor utilizat în electronica de putere. Din acest motiv aceste dispozitive semiconductoare se mai numesc şi multijoncţiune. Figura 1. Structura fizică a acestor dispozitive conţine mai multe straturi în succesiune pnpn. Cele mai utilizate dispozitive multijoncţiune sunt: dioda pnpn (numită diodă Shockley sau dinistor). Structura fizică şi simbolizarea tiristorului . caracteristicile şi funcţionarea următoarelor dispozitive semiconductoare: 1. tiristorul. triacul. Cei trei electrozi (terminale) se numesc: anod (A).

Dispozitive electronice de circuit 29 Tiristorul este echivalent cu două tranzistoare bipolare complementare (pnp şi npn). Schema echivalentă a unui tiristor Funcţionarea tiristorului cuprinde două etape: a) amorsarea (intrarea în conducţie sau aprinderea). iar i B 2 este dat numai de curentul de grilă care trebuie să fie suficient de mare. adică i B creşte şi 2 1 1 deschide T1 rezultând creşterea curentului de colector al tranzistorului T1. după care este necesar un curent de grilă pozitiv care se aplică sub formă de impuls. astfel încât acesta să nu depăşească valoarea nominală (care este un parametru de catalog). b) blocarea tiristorului are loc atunci când curentul prin tiristor se micşorează. Acest lucru conduce la creşterea lui i B . Curentul prin tiristor (care circulă de la anod la catod) trebuie limitat printr-o rezistenţă de sarcină.48.49. Din figura 1. ceea ce duce la creşterea lui i C = i B . Pentru un tiristor prezintă importanţă caracteristica anodică. Caracteristica anodică a tiristorului . Figura 1. La început ambele tranzistoare sunt blocate. fenomenul de conducţie (creştere a curenţilor 2 prin tranzistoare) accelerându-se până când ambele tranzistoare intră în saturaţie.49. ilustrată în figura 1. Pentru amorsare se aplică tensiune pozitivă la anod şi negativă la catod. Figura 1. figura 1.49.48. În continuare se deschide puţin T2. adică ia scade sub valoarea curentului de menţinere iam (parametru de catalog). ia=f(Ua). conectate ca în figura 1.48 se observă că: i B 2 = i C1 + i G .

• zona II – corespunzătoare regimului de tranziţie din starea blocat în starea de conducţie (când tensiunea scade pronunţat.50). iar curentul anodic are o creştere mică). atunci între curenţii de grilă corespunzători există inegalitatea inversă: i G1 > i G 2 . fiind neglijabil). Această caracteristică separă zona de blocare faţă de zona de conducţie şi explică faptul că pentru tensiuni de amorsare mari. iar pentru protecţia acestuia împotriva gradienţilor de tensiune inversă se utilizează un circuit Rp-Cp serie conectat în paralel cu tiristorul (figura 1. valorile curenţilor de grilă necesari amorsării sunt mai mici şi invers (fenomen ilustrat şi în figura 1. e. se înseriază cu tiristorul o bobină de inductivitate L (calculată ca şi grupul Rp-Cp după o metodologie utilizată de exemplu. figura 1. În regimul de tranziţie rezistenţa internă a tiristorului este negativă: R Ti = − • ΔU a < 0. Pentru limitarea vitezei de creştere a curentului la o valoare sub viteza critică (parametru de catalog).51). Grupul Rp-Cp asigură atenuarea gradienţilor de tensiune inversă (periculoşi pentru joncţiunile tiristorului) ce apar în momentul blocării acestuia.32) zona III – corespunde regimului de conducţie (curentul creşte brusc după o caracteristică aproape verticală. Caracteristica de comandă (caracteristica de grilă) reprezintă dependenţa tensiunii de amorsare în raport cu valoarea curentului de grilă (figura 1. Observaţii: Dacă între tensiunile de amorsare Uam1 şi Uam2 există inegalitatea (Uam1<Uam2). Pentru protecţia tiristorului la curenţi de scurtcircuit se utilizează o siguranţă fuzibilă specială (ultrarapidă. se disting 3 zone corespunzătoare regimurilor de funcţionare ale tiristorului: • zona I – corespunzătoare regimului de blocare (curentul creşte foarte puţin.49. figura 1.49). .50. Figura 1. • temperatura maximă a joncţiunii Tj max ≤ 140 oC.30 Capitolul 1 În planul caracteristicilor anodice. • tensiunea inversă Uinv = sute (mii) volţi (tensiunea anodică inversă). Caracteristica de comandă a tiristorului • • • Principalii parametri de catalog ai tiristorului sunt: • curentul nominal (curentul direct) al tiristorului IN ≤ 1000A. iar căderea de tensiune între anod şi catod rămâne aproximativ constantă).51). Δi a (1. în [1]).

este formată din două ramuri situate în cadranele I şi III (figura 1. astfel încât curentul prin tiristor (ia – figura 1. Elementele de protecţie necesare triacului sunt aceleaşi ca în cazul tiristorului. 1. Tiristorul reprezintă un întrerupător static în curent continuu şi este utilizat în construcţia variatoarelor de tensiune continuă monofazate sau polifazate. iar funcţionarea corespunde cadranului I. Pentru amorsarea tiristorului este necesar ca durata impulsului de comandă (iG) să fie suficient de mare.51. Triacul reprezintă un întrerupător static în curent alternativ şi este utilizat pentru reglarea tensiunii alternative (în structura variatoarelor de tensiune alternativă) la bornele receptoarelor mono sau trifazate. Făcând abstracţie de structura fizică. La funcţionarea triacului într-un circuit de sarcină se disting două situaţii: a) Dacă anodul A2 este pozitiv faţă de anodul A1. b) Dacă anodul A2 este negativ faţă de anodul A1. ia=f(ua). Principalii parametrii de catalog. Asemănător fenomenelor întâlnite la tiristor. IN≤ 75A. Acest domeniu de aplicaţie aparţine electronicii de putere. LS). Tiristorul în circuit • • Amplitudinea impulsului de comandă pe grilă (iG) reprezintă un parametru de catalog a cărui valoare nu trebuie depăşită. Tj-max≤ 140 oC.52-a).2 Triacul Triacul este un dispozitiv semiconductor cu o structură complexă.49) să depăşească valoarea curentului de menţinere iam. curentul de sarcină (curentul anodic) este limitat numai de rezistenţa şi/sau inductivitatea de sarcină (RS. Conectarea triacului în circuit este prezentată în figura 1. sunt următorii: • curentul nominal. trecerea în starea de conducţie are loc pentru curenţi de grilă negativi (iG<0). care este o ramură distinctă a electronicii industriale. • temperatura maximă a joncţiunii.53).Dispozitive electronice de circuit • 31 După intrarea în conducţie a tiristorului. Observaţie: Valorile absolute ale curenţilor de grilă |iG1| şi |iG2| necesari amorsării triacului depind de valorile efective ale tensiunilor de amorsare ale triacului (Uam1 şi Uam2). Figura 1. • tensiunea maximă inversă. Uinv-max≤ 1200V. ce trebuie luaţi în considerare la alegerea unui triac. caracteristica anodică.5.52-b. dacă tensiunile de . se poate considera că triacul este echivalent cu două tiristoare în conexiune antiparalelă comandate printr-o grilă comună (figura 1. Întrucât triacul are conducţie bidirecţională. intrarea în conducţie se face pentru curenţi de grilă pozitivi (iG>0). iar funcţionarea corespunde cadranului III.

Figura 1.5.53. Joncţiunea p-n este realizată în zona mediană a blocului semiconductor de tip n. Simbolizarea triacului (a). (a) (b) Figura 1. triacul în circuit (b) Figura 1. curenţii de grilă necesari intrării în conducţie vor fi mai mici şi invers. Caracteristicile anodice ale triacului 1.3 Tranzistorul unijoncţiune (TUJ) Acest dispozitiv semiconductor se mai numeşte şi diodă cu două baze. iar rezistenţa RBB între bazele B1 şi B2 este relativ mare (de ordinul kΩ). Structura fizică şi simbolizarea tranzistorului unijoncţiune La acest tranzistor zona n este slab dopată cu impurităţi.54.54. Structura fizică şi simbolizarea sunt prezentate în figura 1.32 Capitolul 1 amorsare aplicate triacului sunt mai mari. Zona p a emitorului este puternic .52.

După terminarea regimului tranzitoriu curentul de emitor creşte brusc (pe ramura AB comună caracteristicilor). curentul de emitor (iE) creşte lent pe durata regimului tranzitoriu.Dispozitive electronice de circuit 33 dopată cu impurităţi. Intrarea în conducţie a tranzistorului unijoncţiune are loc dacă sunt îndeplinite condiţiile: a) uBB > 0. fiind limitat numai de valoarea rezistenţei de sarcină. între punctul din dreptul joncţiunii emitorului şi cele două baze. Care este legea de variaţie a purtătorilor de sarcină în cazul semiconductoarelor omogene? Precizaţi semnificaţia parametrilor din expresia analitică ! 2.33) în care rB1 şi rB2 sunt rezistenţele barei de semiconductor. Figura 1. De regulă η=0.8. iar uEB1 scade până la valoarea de 0. 1. unde η se numeşte raport intrinsec (coeficient subunitar) exprimat prin relaţia: η= rB1 + rB 2 rB1 (1.5 ··· 0. Care sunt parametrii de catalog şi semnificaţia acestora. Pe durata regimului tranzitoriu (porţiunea OA din caracteristici) rezistenţa internă a TUJ este negativă. (semnul plus la borna B2). Când aceste condiţii sunt îndeplinite joncţiunea p-n este polarizată direct... în cazul Termistorului şi Fotodiodei ? .6 Întrebări şi problemă 1.55). La aplicarea unei tensiuni uBB>0 între cele două baze potenţialul punctului M situat pe joncţiune va fi egal cu η⋅uBB. tranzistorul unijoncţiune este utilizat ca formator de impulsuri în circuitele de comandă ale tiristoarelor sau triacurilor.8 . Familia caracteristicilor curent-tensiune Datorită formei de variaţie a curentului de emitor (în regim de conducţie). Care sunt proprietăţile regiunii de trecere a unei joncţiuni pn? 3. 1 V (punctul A din figura 1.55. b) uEB1 > η·uBB.

f min = 200 [ Hz ] .34 Capitolul 1 4. Prin ce parametru (variabil) se poate modifica secţiunea canalului (de tip n) în cazul TEC-J ? 9. C1 . C2 = CS . Se cere să se calculeze valorile elementelor: R S . Ce reprezintă caracteristica dinamică în cazul tranzistorului bipolar şi de cine depinde panta acesteia ? 8. în care se cunoaşte: U DS0 = 10 [ V ] . Re = 40 KΩ ? 7. Ce modalităţi (variante) există pentru negativarea grilei – în cazul TEC-J. Care element (componentă) din schema etajului de amplificare – asigură stabilizarea PSF la variaţia temperaturii mediului ? Problemă Considerând schema unui etaj de amplificare. Cum (în câte moduri) se poate măsura o tensiune alternativă cu parametrii: Uef = 80V. R D . Care sunt relaţiile analitice ce justifică proprietatea de amplificare a tranzistorului bipolar ? 5. U G0 = −5 [ V ] . cu TEC-J (prezentată mai jos). I DS0 = 8m [ A ] . f = 20 KHz ? 6. . canal de tip “n” (permanent) ? 10. Care este schema de conexiune a unui etaj de amplificare ce are parametrii: RI =4 KΩ.

Un amplificator are rolul de dezvolta în circuitul de ieşire o putere mai mare decât cea aplicată la intrare. care de regulă nu se simbolizează în schemele bloc. în condiţia ca semnalul de la ieşire să păstreze forma semnalului aplicat la intrare. Sarcina sa poate fi rezistivă sau poate fi o impedanţă.1) .1. U1. se pot defini următorii parametri: • Amplificarea de putere Ap: A p = P2 >1 P1 (2.1. Schema de principiu a unui amplificator Bornele de intrare (1 – 1’) reprezintă poarta de intrare. ca în figura 2. 2. Bornele de ieşire (2 – 2’) reprezintă poarta de ieşire. Amplificarea semnalului de la intrare se face utilizând energie preluată de la sursa de alimentare (Uo). caracterizată de tensiunea şi curentul de intrare. printr-un cuadripol activ care are două perechi de borne.CAPITOLUL 2 AMPLIFICATOARE ŞI OSCILATOARE 2.1 Proprietăţi generale şi caracteristici ale amplificatoarelor Un amplificator este simbolizat. Figura 2. caracterizată de tensiunea U2 şi respectiv curentul I2.1.1 Parametrii principali ai amplificatoarelor Dacă notăm cu P1 puterea în circuitul de intrare şi cu P2 puterea obţinută la ieşire. respectiv I1.

4) Considerând reprezentările în complex ale mărimilor intrare-ieşire.2) Frecvent se utilizează unitatea logaritmică pentru amplificare.dacă A = 10n → AdB = 20⋅n. În aceste cazuri primul etaj al amplificatorului se realizează cu tranzistoare MOS.componentei alternative din tensiunea de alimentare a amplificatorului (când filtrarea acestei tensiuni este necorespunzătoare). Când amplificatoarele intră în componenţa traductoarelor piezoelectrice. .3) . Amplificarea în curent se defineşte prin relaţia: A i = • I2 I1 (2. Amplificarea în decibeli se calculează utilizând relaţia: A[dB] = 20 ⋅ log A = 20 ⋅ log Exemple: • [dB] (A > 0) (2. • Impedanţa de ieşire. impedanţa de intrare (Zi) trebuie să fie foarte mare: Zi∈[108.6) Valoarea impedanţei de intrare trebuie să fie de ordinul meghomilor [MΩ]. Puterea nominală este puterea maximă debitată în sarcină în condiţiile când factorul de distorsiuni. . ..36 • Amplificarea în tensiune Au: A u ≡ A = Capitolul 2 U2 U1 U2 U1 (2.agitaţiei termice a purtătorilor de sarcini elementare prin rezistoare şi tranzistoare. piezorezistive sau de pH. Ze. • Raportul semnal util/zgomot propriu este parametrul ce caracteri-zează efectul tensiunii fluctuante la ieşirea amplificatorului – care există şi atunci când nu se aplică semnal la intrare. Zgomotul propriu al amplificatorului se poate datora: . ce caracterizează deformarea unui semnal sinusoidal. Aceasta se defineşte prin relaţia: Zi = U1 I1 (2.dacă A = 1 → AdB = 0.tensiunilor electromotoare parazite induse datorită câmpurilor electromagnetice din mediul înconjurător. se pot defini amplificările în tensiune şi curent prin relaţiile: A= • U2 .1012] Ω.. atunci când amplificatoarele se utilizează în aparatura de măsurare (voltmetre electronice. trebuie să fie mică (zeci de Ω) pentru ca la ieşire să se poată debita un curent (o putere) cât mai mare în impedanţa de sarcină nominală (ZSN). Un amplificator performant trebuie să aibă raportul dintre semnalul util şi zgomot cât mai mare. .5) Impedanţa de intrare este impedanţa echivalentă la bornele de intrare atunci când la bornele de ieşire este conectată impedanţa de sarcină nominală (ZSN). osciloscoape etc). U1 I Ai = 2 I1 (2. numită decibel [dB]. nu depăşeşte o limită impusă (de exemplu 5%).

în care este valabilă relaţia A[dB]=20⋅logA şi zona AB (zona II) corespunzătoare regiunii neliniare de saturaţie.3. iar punctul B – în zona de tăiere. Figura 2. se consideră un etaj de amplificare cu tranzistor bipolar la intrarea căruia se aplică un semnal sinusoidal.. A3. Caracteristica externă a amplificatorului În figură se disting două zone: zona OA (zona I) corespunzătoare regiunii liniare a caracteristicii.3 sunt prezentate caracteristicile de ieşire ale tranzistorului împreună cu dreapta de sarcină (AB).2.2 Caracteristici importante ale amplificatoarelor Caracteristica externă reprezintă dependenţa tensiunii de ieşire în raport cu tensiunea de intrare.. reprezintă amplitudinile armonicilor de ordin superior ale semnalului u2(t). (a) (b) Figura 2.2. Distorsiunile de acest tip se numesc distorsiuni de neliniaritate. ( U 2 = f ( U1 ) ). Dacă Ui>Uimax atunci semnalul de ieşire este distorsionat (deformat).Amplificatoare şi oscilatoare 37 2.7) A1 unde: A1 – este amplitudinea armonicii fundamentale a semnalului de ieşire u2(t) – distorsionat. Se defineşte factorul distorsiunilor de neliniaritate d[%] exprimat prin relaţia: 2 2 2 A 2 + A 3 + A 4 + . A2. A4 ..3-a) semnalul de ieşire (ue2) va fi distorsionat atunci când amplitudinea semnalului de intrare (ui 2) depăşeşte valoarea maximă (ui max) delimitată de curbele c1 şi c2.1. Dacă PSF se alege în zona mediană a caracteristicii statice ( soluţia corectă – figura 2. unde punctul A este situat în zona de saturaţie.. d[%] = ⋅ 100 (2. Pentru a explica apariţia distorsiunilor de neliniaritate şi efectul poziţiei punctului static de funcţionare (PSF) al tranzistorului asupra lărgimii zonei de liniaritate în caracteristica intrare-ieşire. În figura 2. când la intrare se aplică un semnal perfect sinusoidal. fiind dată în figura 2. b) Distorsiuni datorate alegerii greşite a poziţiei PSF . a) Distorsiuni datorate de amplitudinii prea mari a semnalului de intrare.

38 Capitolul 2 Dacă PSF este greşit ales spre punctul A. Caracteristica de frecvenţă În aplicaţiile practice interesează domeniul de frecvenţă în care amplificarea este aproximativ constantă. pentru a nu avea distorsiuni de frecvenţă. Dacă spectrul semnalului de intrare nu este inclus în totalitate în banda de trecere a amplificatorului. delimitată prin caracteristica c1. introdus de amplificator. • În afara caracteristicii de frecvenţă. figura 2. semnalul de ieşire (ue) va fi distorsionat numai pentru semialternanţa pozitivă deoarece numai prima semialternanţă din semnalul de intrare (ui) depăşeşte valoarea maximă. Detalii privind caracteristica de fază a amplificatoarelor sunt date în [3]. Această condiţie este îndeplinită atunci când spectrul semnalului aplicat la intrare este cuprins în banda de trecere a amplificatorului.3-b. televiziune. Caracteristica de fază este importantă la amplificatoarele utilizate în: osciloscoape.8) Figura 2. un amplificator este caracterizat prin dependenţa defazajului ϕ. Semnalul de intrare în amplificator este rezultatul însumării unor armonici de diferite amplitudini şi frecvenţe.707 ⋅ A 0 . unde ϕ este defazajul introdus de amplificator. Această dependenţă se numeşte caracteristică de fază: ϕ = g’(f). Observaţii: • La proiectarea amplificatorului banda de trecere a acestuia nu trebuie să fie mai îngustă decât spectrul semnalului util (de intrare). . transmisii de date etc. în funcţie de frecvenţa f (datorită elementelor reactive din circuitul acestora).4. vor rezulta distorsiuni de frecvenţă numite şi distorsiuni de liniaritate (când amplificatorul funcţionează în regiunea liniară a caracteristicii intrare-ieşire). iar f este frecvenţa semnalului de intrare. Ansamblul acestor armonici formează spectrul semnalului de intrare. la extremităţile benzii de trecere. Caracteristica de frecvenţă este prezentată în figura 2.4 şi exprimă dependenţa modulului amplificării în raport cu frecvenţa (f): A[dB] = g(f) (2. Micşorarea cu 3dB a amplificării. dar nici mult mai largă decât acest spectru pentru a nu micşora raportul semnal util/zgomot. 2 unde A0 este amplificarea medie în banda de trecere Bt. Pentru amplificarea fără distorsiuni a semnalului de intrare este necesar ca toate armonicele din spectrul acestuia să fie amplificate în aceeaşi măsură. este echivalentă cu scăderea amplificării A la valoarea 1 ⋅ A 0 = 0. Acest domeniu se numeşte banda de trecere a amplificatorului (Bt) şi reprezintă domeniul cuprins între frecvenţa joasă de tăiere (ftj) şi frecvenţa de tăiere înaltă (ftî) pentru care amplificarea A[dB] nu se micşorează cu mai mult de 3dB.

Caracteristica de frecvenţă a unui amplificator pentru semnale lent variabile b) După nivelul semnalului amplificat: • amplificatoare de semnal mic. • amplificatoare de curent alternativ. În această categorie sunt incluse şi amplificatoarele de audiofrecvenţă. deoarece se urmăreşte. la care raportul dintre frecvenţa înaltă de tăiere şi frecvenţa joasă de tăiere (ftî/ftj).ftj). unde variaţiile de curent şi tensiune. numite şi selective. Aceste amplificatoare se numesc amplificatoare de putere. ilustrat în figura 2. e) După poziţia punctului static de funcţionare (PSF)..5. care amplifică semnale fără componentă continuă şi au caracteristica de frecvenţă de tipul celei din figura 2. 60]. d) După lărgimea benzii de trecere: • amplificatoare de bandă îngustă. Aceste amplificatoare se numesc de tensiune. unde f0 este frecvenţa centrală a benzii de trecere.5. c) După valoarea frecvenţei medii din spectrul semnalului amplificat: • amplificatoare de joasă frecvenţă. amplificatoarele pot fi: .4. definit prin relaţia Q=f0/(ftî . când frecvenţa medie este mai mică de 1MHz. Figura 2... corespunzătoare semnalului de intrare. obţinerea unei amplificări în tensiune. când frecvenţa medie este de ordinul MHz sau GHz. • amplificatoare de semnal mare. • amplificatoare de bandă largă. obţinerea unei anumite puteri pe sarcină. caracterizate prin factorul de calitate Q.. corespunzătoare semnalului de intrare. sunt relativ mari. în mod deosebit.106.1. sunt mici în comparaţie cu valorile tensiunilor şi curenţilor de la ieşire. Caracteristică de frecvenţă a acestui tip de amplificator este prezentată în figura 2.3 Tipuri de amplificatoare Amplificatoarele sunt de mai multe tipuri şi se pot clasifica după următoarele criterii: a) După tipul semnalului de amplificat: • amplificatoare de curent continuu – destinate amplificării semnalelor lent variabile. La aceste amplificatoare se urmăreşte.Amplificatoare şi oscilatoare 39 2. este de ordinul 105.6. În categoria acestor amplificatoare sunt incluse amplificatoarele de videofrecvenţă. în mod deosebit. la care variaţiile de tensiune şi de curent. • amplificatoare de înaltă frecvenţă. Valoarea curentă a factorului de calitate este cuprinsă în domeniul [10. ale căror spectre conţin şi componenta continuă (armonica de frecvenţă nulă).

acesta să poată furniza puterea P2 cerută la . punctul M1).. AT-PA). punctul M). • amplificatoare în clasă A-B (PSF se află aproape de punctul de tăiere. Se cere: proiectarea amplificatorului de tensiune şi a amplificatorului de putere astfel încât să se debiteze pe ZS puterea impusă la ieşire. AP-EF).7. la care PSF se alege în profunzimea regiunii de blocare. punctul M2).2 Amplificatoare de curent alternativ Un exemplu tipic al acestor amplificatoare îl reprezintă amplificatorul de audiofrecvenţă. au în componenţă două blocuri funcţionale (etaje): primul bloc (etaj) este un amplificator de tensiune (numit preamplificator. iar al doilea bloc este un amplificator de putere (etaj final. 2. Schema bloc a unui amplificator de curent alternativ La proiectarea unui amplificator se dau: tensiunea la intrare (U1). figura 2.40 • Capitolul 2 amplificatoare în clasă A (PSF se află în regiunea mediană a dreptei de sarcină.6. aplicată la intrarea AP. Figura 2. Poziţia PSF pentru diferite tipuri de amplificatoare 2.1 Amplificatoare de tensiune Aceste amplificatoare trebuie să asigure la ieşire o tensiune U (suficient de mare) încât.. • amplificatoare în clasă B (PSF se află în punctul de tăiere. Observaţie: Există şi amplificatoare în clasă C.7. impedanţa de sarcină (ZS) sau rezistenţa de sarcină şi puterea necesară la ieşire (P2).20 kHz. Banda de trecere (Bt) a acestor amplificatoare este cuprinsă în domeniul 20Hz. Figura 2. aceste amplificatoare fiind utilizate în construcţia triploarelor de frecvenţă şi în tehnica semnalelor modulate în frecvenţă. Amplificatoarele de curent alternativ.2.

Amplificator de tensiune alternativă realizat cu tranzistoare bipolare Perechile de rezistoare RB1 − RB2 şi RB3 – RB4 reprezintă divizoare de tensiune prin care se stabilesc valorile curenţilor de bază. RC2 au rolul de a limita curenţii de sarcină (curenţii de colector). C3 blochează componenta continuă care s-ar putea transmite la ieşirea etajului al II-lea. Din acest motiv. . Observaţie: Utilizarea transformatoarelor de cuplaj între etaje oferă avantajul unei adaptări facile între sarcină şi etaj. C2 şi C3 se numesc condensatoare de cuplaj şi au următoarele roluri: C1 blochează componenta continuă a semnalului aplicat la intrarea primului etaj de amplificare. b) cuplajul direct între etaje (ca în cazul circuitelor integrate).8.9). C2 are rolul de a bloca componenta continuă care s-ar transmite de la primul etaj la următorul. Amplificatorul de tensiune cu două etaje utilizând tranzistoare bipolare (figura 2. CE2) sunt astfel alese încât reactanţele acestora să fie neglijabile (să reprezinte scurtcircuite) la frecvenţele de lucru ale amplificatorului. Exemple de amplificatoare de tensiune 1. RE2 au rolul de a stabiliza poziţia punctelor statice de funcţionare (PSF) în cele două etaje de amplificare. amplificatoarele de tensiune se realizează din mai multe etaje legate în serie (cascadă) ca în figura 2. Figura 2. Rezistoarele RE1.9.8. Rezistoarele RC1. Condensatoarele C1. Structura generală a unui amplificator de tensiune Cuplarea etajelor se poate realiza în două moduri: a) utilizând elemente de cuplaj . dar are şi dezavantaje: gabarit mare şi preţ de cost ridicat.condensatoare sau transformatoare de cuplaj.Amplificatoare şi oscilatoare 41 ieşire. Figura 2. Condensatoarele CE1. către amplificatorul de putere. CE2 sunt condensatoare de decuplare şi au rolul de a elimina reacţia negativă de tensiune la funcţionarea etajelor de amplificare în regim dinamic. Capacităţile condensatoarelor de cuplaj şi a condensatoarelor de decuplare (CE1.

condensatoarele C1.10) Figura 2. Condensatoarele CS1. realizat cu circuitul integrat TAA-263. RS2 au rolul de negativare automată a grilelor cât şi de a stabiliza poziţiile punctelor statice de funcţionare (PSF) la variaţia temperaturii ambiante. CS2) trebuie să asigure reactanţe capacitive neglijabile la frecvenţele de lucru ale amplificatorului. Amplificator de joasă frecvenţă realizat prin cuplare directă între etaje În cazul cuplajului direct între etajele de amplificare se transmite. 2 – alimentare (+E). atât componenta alternativă cât şi componenta continuă ale semnalului. 3. RG2 (cu valori de ordinul MΩ) au rolul de a realiza impedanţe mari la intrarea etajelor. iar tensiunea din colectorul lui T2 (UCE2) determină poziţia PSF pentru tranzistorul T3 care. C2. Rezistenţele RD1. Capitolul 2 Amplificatorul de tensiune cu două etaje utilizând TEC-J (figura 2. CS2 sunt condensatoare de decuplare şi au rolul de a elimina reacţia negativă de tensiune în regim dinamic. polarizează baza tranzistorului T1 (prin intermediul elementelor rezistive P şi RB). • Al doilea etaj de amplificare poate fi realizat utilizând tranzistoare bipolare în loc de tranzistoare TEC-J. între etaje prin C2 şi la ieşire prin C3). 3 – ieşire. Tensiunea din colectorul lui T1 (UCE1) asigură polarizarea corectă a bazei lui T2. Rezistenţa RB împreună cu potenţiometrul P realizează un divizor de tensiune utilizat pentru impunerea PSF al primului . Rezistoarele RS1.11 este prezentat un amplificator de audiofrecvenţă.42 2. Funcţionarea corectă a circuitului presupune ca în circuitul bazei primului tranzistor (T1) să existe un curent de polarizare iBo care să determine funcţionarea tranzistorului în regiunea activă.9. În figura 2. Rezistenţele RG1. Observaţii: • Capacităţile condensatoarelor de cuplaj şi de decuplare (CS1. deci blochează componentele continue (la intrare prin C1. la rândul său. Circuitul integrat are 4 terminale (borne de acces): 1 – intrare. de la un etaj la altul. RD2 au rolul de a limita curenţii de sarcină (curenţii de drenă). Se observă că cele trei etaje de amplificare (din structura circuitului integrat) sunt cuplate direct. C3 au acelaşi rol (de cuplaj). Amplificator de tensiune alternativă realizat cu TEC-J Ca şi în schema din figura 2. Acest fenomen complică – într-o anumită măsură – calculul regimului staţionar al amplificatorului (în faza de proiectare). Din această cauză punctul static de funcţionare (PSF) al tranzistorului dintr-un etaj depinde de poziţia PSF a tranzistorului din etajul anterior.10. 4 – bornă de masă (−E).

schema echivalentă a amplificatorului (AP) este dată în figura 2.11. Acest lucru este posibil prin alegerea unui raport de transformare adecvat pentru transformatorul de .2.12. au rolul de a debita pe un rezistor de sarcină dat. Cu prima metodă se adaptează rezistenţa de sarcină la etaj. puterea debitată pe RS va fi maximă dacă este îndeplinită condiţia: Re (AP) ≤ RS (2.12. Figura 2. Amplificator de audiofrecvenţă realizat cu CI de tip TAA-263 Observaţie: Pentru limitarea componentei alternative a semnalului de intrare (U1∼). b) adaptarea etajului la sarcină utilizând pentru etajul final o schemă de conexiune adecvată. la un generator dat se obţine puterea maximă pe sarcină atunci când rezistenţa internă a generatorului (Rg) este mai mică sau egală cu rezistenţa de sarcină (RS). ţinând seama de schema echivalentă (figura 2. numite şi etaje finale. se va înseria un rezistor R1 ( ≅ 1 kΩ) înaintea condensatorului C. Schema echivalentă a unui amplificator de putere Există două metode pentru creşterea puterii debitate la ieşire: a) adaptarea sarcinii la etajul de ieşire prin intermediul transformatoarelor (de adaptare).Amplificatoare şi oscilatoare 43 tranzistor.2 Amplificatoare de putere (AP) Aşa cum s-a arătat anterior amplificatoarele de putere. Condensatorul Cd are rol de decuplare (elimină reacţia negativă de tensiune la frecvenţele de lucru ale amplificatorului). o valoare impusă a puterii P2 (la ieşire). În conformitate cu teorema transferului maxim de putere.12). Deci.9) Figura 2. 2. Reprezentând amplificatorul de putere (AP) ca un generator echivalent cu rezistenţa internă Rg egală cu rezistenţa de ieşire a etajului (Re).

Rezistenţa generatorului (Rg) din schema echivalentă se adoptă egală cu rezistenţa de ieşire (Re) a etajului amplificator de putere (AP). Rezistenţa de sarcină raportată la primarul transformatorului se poate calcula folosind relaţia: 2 ⎛ N1 ⎞ (2. figura 2. O metodă de creştere a puterii debitate de AP constă în creşterea amplitudinii semnalului de la intrare.14 care funcţionează în clasă A având sarcina cuplată prin transformator. Acest lucru este ilustrat în diagramele de semnale aferente funcţionării în regim dinamic al etajului. Figura 2. .12) Creşterea puterii debitate la ieşire datorată creşterii semnalului de intrare poate avea loc dacă punctul A’ nu intră în zona de saturaţie. 2. pentru o putere mare la ieşire.13. se alege o schemă de conexiuni cu rezistenţă de ieşire mică (conexiune colector comun). Sarcină cuplată la AP prin transformator Transformatorul de cuplaj are factorul de transformare Kt ≅ N1/N2. figura 2. unde N1 şi N2 reprezintă numărul de spire din primarul transformatorului.1 Amplificatoare de putere în clasă A Se consideră etajul de amplificare din figura 2.2. Astfel.2.26). În acest caz trebuie urmărită condiţia ca punctul A’ să nu ajungă în zona de saturaţie şi punctul B’ să nu ajungă pe caracteristica iB=0 (zona de tăiere). În cazul unei sarcini rezistive (rS) conectate la ieşirea amplificatorului prin transformator. puterea utilă (Pu) debitată pe rS reprezintă puterea dezvoltată în circuitul monofazat din secundarul transformatorului şi se calculează utilizând relaţia: Pu = U ef I ef cos(ϕ) = U CE max I C max U ⋅I ⋅ = CE max C max = 2 2 2 CM ⋅ AC = = aria (ΔMAC).44 Capitolul 2 cuplaj.15. Aria triunghiului poate fi mărită dacă PSF iniţial (M) se adoptă prin proiectare astfel încât dreapta de sarcină să fie tangentă în M la hiperbola de disipaţie a puterii tranzistorului (vezi figura 1.10) R S = r1 + (r2 + rS ) ⋅ ⎜ ⎜N ⎟ ⎟ ⎝ 2⎠ Dacă se neglijează r1 şi r2. se obţine relaţia aproximativă de calcul pentru RS: 2 (2. respectiv din secundarul acestuia. 2 (2.13. adică pentru un curent de ieşire (curent de colector) mare.11) R S ≅ rS ⋅ K t Adaptarea etajului la sarcină este posibilă dacă alegem o schemă de conexiuni adecvată transferului maxim de putere.

Figura 2.14.16. în cazul acestor amplificatoare PSF se alege în zona de tăiere a dreptei de sarcină.16). figura 2.2 Amplificatoare de putere în clasă B Considerând planul caracteristicilor de ieşire.16.15. Figura 2. Amplificator de putere în clasă A Figura 2. semnalul fiind distorsionat.Amplificatoare şi oscilatoare 45 Randamentul unui amplificator în clasă A nu depăşeşte 50% (η=Pu/Pc. Pentru ca semnalul de ieşire să fie tot . atunci PSF va descrie la ieşire un semnal redresat monoalternanţă (ca în figura 2. PSF (punctul M) poate ajunge în poziţia A”. Diagrama de semnale pentru amplificatorul în clasă A 2.2. Diagrama de semnale pentru amplificatorul în clasă B Dacă semnalul de intrare iB~ creşte excesiv. unde Pc este puterea consumată de amplificator de la sursa auxiliară de alimentare).2. Dacă amplificatorul este realizat cu un singur tranzistor.

aceeaşi conexiune este realizată cu două tranzistoare complementare (T1 –npn. Randamentul acestui amplificator în clasă B este de circa (70÷75)%. numită şi tranzistor compus.2.18. figura 2.19-b. Amplificator de putere amplificatorul în clasă B Figura 2. Figura 2.18. invers. Această conexiune este formată din două tranzistoare (figura 2. 2.19-a conexiunea Darlington este realizată cu două tranzistoare npn (fără inversare de polaritate). În figura 2. i S = i C1 + i C 2 (2. Ansamblul tranzistoarelor într-o conexiune Darlington se numeşte dublet.de putere mică sau medie). Curentul de colector al tranzistorului compus este: i C = i C1 + i C2 ≅ β N1i B1 + β N2i B2 = β N2i B + β N2i E 2 = β N 2i B + + β N1 (i C2 + i B2 ) = β N 2i B + β N1β N 2i B2 + β N1i B2 = β N i B (2. etajul de amplificare se realizează cu două tranzistoare complementare.2. conduce T1 iar T2 este blocat şi. formează prin însumare curentul alternativ de sarcină (iS) prin RS. figura 2. pentru semialternanţa negativă. iar al doilea este un tranzistor de putere (T1). T2 –pnp).17: 1-npn şi 2-pnp.46 Capitolul 2 sinusoidal (ca cel de intrare).17. Curentul de sarcină pentru din figura 2. dintre care primul este numit tranzistor de comandă (T2 . În acest ultim caz conexiunea Darlington se numeşte cu inversare de polaritate.17 Dacă la intrare se aplică semialternanţa pozitivă. iC1 şi iC2. iar în figura 2. pentru ca amplificarea celor două alternanţe să se facă în cantităţi egale (amplitudini egale).15) Din ultima relaţie se observă că tranzistorul compus realizează o amplificare în curent mare. Cei doi curenţi de colector.14) unde: (2.3 Amplificatoare de curent (putere) în montaj Darlington Etajele finale ale amplificatoarelor de putere se pot realiza utilizând conexiunea Darlington.19).13) În schema prezentată este necesar ca tranzistoarele să aibă caracteristici statice identice. β N = β N1 + β N2 + β N1 β N2 ≅ β N1β N2 .

Amplificarea semnalelor continue presupune cuplarea directă între etajele de amplificare. Conexiune Darlington: fără schimbare de polaritate 2.două ieşiri nesimetrice (Ue1 şi Ue2). unde se disting: .două intrări simetrice Ui1 şi Ui2 . rezultă în timpul funcţionării un fenomen numit ”deriva nulului” (sau derivă termică). b) utilizarea schemei de amplificare care se bazează pe principiul modulăriidemodulării. Ele sunt utilizate în construcţia aparatelor de măsură şi automatizare. Pentru eliminarea acestui fenomen se utilizează două metode: a) folosirea unui montaj diferenţial în schema de amplificare.19.1 Amplificatoare de curent continuu în montaj diferenţial În figura 2. Acest fenomen constă în modificarea în timp a tensiunilor la ieşirea amplificatorului atunci când la intrarea acestuia semnalul se menţine constant sau este nul. Etaj de amplificare diferenţial .o ieşire simetrică între bornele AB (Ue ≡UAB).două divizoare de tensiune la intrări. care asigură tensiunile U1 şi U2. 2. ca urmare.3 Amplificatoare de curent continuu Acestea sunt destinate amplificării semnalelor lent variabile care au frecvenţa minimă din spectru egală cu zero.20.Amplificatoare şi oscilatoare 47 Figura 2. . Figura 2.20 este prezentat etajul de amplificare în montaj diferenţial. .3. .

considerând aceste semnale neegale (Ui1 ≠ Ui2).18) U BE1 ↓. din (2. Tensiunile de ieşire ale amplificatorului diferenţial Observaţii: Panta caracteristicii Ue=f(Ui1) este dublă faţă de pantele caracteristicilor referitoare la ieşirile simetrice. Ue2 au variaţii opuse în raport cu creşterea semnalului la una dintre intrările amplificatorului. unde K este factorul de amplificare pentru montajul diferenţial. figura 2. Figura 2. tensiunea la ieşire va fi dată de relaţia: Ue=K⋅(Ui1-Ui2). Funcţionarea în regim de amplificator Pe parcursul explicaţiilor se utilizează notaţiile simbolice: ↑ ≡ creşte.17) ⇒ U BE 2 ↓ ⇒ iB2 ↓ ⇒ iC2 ↓ ⇒ Ue2 ↑ Cazul II. Cazul I: Aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff în circuitele de emitor rezultă ecuaţiile: Ui1 ≠ 0 (Ui1 ↑) Ui2 = 0 ⇒ U2 = const. .48 Capitolul 2 Explicarea atenuării fenomenului de derivă: considerăm Ui1=Ui2=constant şi că temperatura T creşte. Ui1= 0 ⇒ U1= const. din (2. deci iB1 ↓ ⇒ iC1 ↓ (scade) ⇒ Ue1 ↑(creşte) Concluzie: Cele două tensiuni la ieşirile nesimetrice Ue1.16) (2. În acest caz rezultă: iC1 creşte şi iC2 creşte.17) Dacă iE1 ↑. ⇒ (2.22-a se dă schema unui etaj diferenţial. Ui2 ≠ 0 (Ui2 ↑) Dacă Ui2 ↑. ⇒ iB2 ↑ ⇒ iC2 ↑ ⇒ Ue2 ↓. Dacă se aplică simultan semnale la ambele intrări. ceea ce conduce la scăderi ale tensiunilor Ue1 şi Ue2 în cantităţi egale. dar iC2 ≈ iE2 ↑. Aceste variaţii sunt ilustrate în planul caracteristicilor de transfer. ↓ ≡ scade.16).21. rezultând o tensiune constantă la ieşirea simetrică (Ue =UAB=const). Dacă Ui1 ↑ ⇒ iB1 ↑ ⇒ iC1 ↑ ≈ iE1 ↑ ⇒ Ue1 ↓ U BE1 = U1 − R E (i E1 + i E 2 ) U BE 2 = U 2 − R E (i E1 + i E 2 ) (2. având ca elemente de echilibrare potenţiometrul P şi reostatul R.21. În figura 2.

2. acesta se realizează prin circuite specializate (dimensionate în faza de proiectare). iar tensiunea de ieşire comună creşte. Schema bloc a amplificatorului cu reacţie negativă de tensiune . fiind determinată de cuplaje parazite. b) deplasarea caracteristicilor statice. Există însă şi situaţii în care reacţia negativă apare accidental. determinând o deplasare în sus a caracteristicilor.23. Prin ajustarea potenţiometrului P se deplasează caracteristicile pe orizontală. Figura 2. iar cu ajutorul reostatului R se deplasează caracteristicile pe verticală.22. Se consideră un amplificator cu reacţie negativă de tensiune.Amplificatoare şi oscilatoare 49 S-a considerat iniţial că etajul nu este echilibrat. adică intersecţia caracteristicilor statice nu are loc în origine (figura 2. prin intermediul unei legături inverse (ieşire-intrare). până când se obţine echilibrarea amplificatorului (intersecţia caracteristicilor statice are loc în originea axelor de coordonate). Echilibrarea etajului diferenţial: a)schema etajului cu elemente de echilibrare. Când reacţia negativă este necesară în amplificatoare. Exemplu: Prin creşterea rezistenţei R curentul iC ≅ iE1+iE2 se micşorează.23.4 Reacţia negativă în amplificatoare şi consecinţele ei Reacţia – în cazul amplificatoarelor – constă în aplicarea (introducerea) la intrarea acestuia a unei părţi din energia mărimii de la ieşire. Figura 2.22-b). a cărui schemă bloc este prezentată în figura 2.

28) Pornind de la relaţia (2. Amplificarea unui amplificator cu reacţie pozitivă de tensiune este dată prin relaţia: Ar = A 1−β⋅A (2.Ar este factorul de amplificare al amplificatorului cu reacţie de tensiune. Reacţia pozitivă se obţine când tensiunea Ue de la ieşire este în fază cu semnalul U.23 acest factor este exprimat prin relaţia: Ar = Ue Ui (2.24) (2. Conform figurii 2. de obicei. se pot scrie următoarele ecuaţii: U + U r − Ui = 0 (2.26) Rezultă că.27) În cazul reacţiei negative semnalul de la ieşire (Ue) este în antifază cu semnalul de la intrare (U). se obţine: Ue U +β e =1 A ⋅ Ui Ui Ţinând seama de expresia lui Ar (2.23). rezultă: . pentru cazul reacţiei negative de tensiune (figura 2.este tensiunea la ieşirea amplificatorului.50 Capitolul 2 Semnificaţiile notaţiilor din figură sunt: .19) unde: Ue . (2. amplificarea este exprimată prin relaţia: Ar = (2. exprimat prin relaţia: A= Ue U (2.28) şi împărţind membrul drept prin A.19).25) Ar + β ⋅ Ar = 1 A A 1+β⋅A (2. .21) se obţine: Ue + β ⋅ Ue = Ui A Împărţind ultima relaţie la U i . printr-o reţea de elemente pasive şi este caracterizat prin factorul de reacţie β: β= Ur Ue (2.23) Din relaţiile (2.A este factorul de amplificare al amplificatorului fără reacţie.este tensiunea la intrarea amplificatorului fără reacţie. U .20) unde: U i este tensiunea aplicată la intrare.21) unde: Ur este tensiunea de reacţie.20) şi (2. din relaţia precedentă se obţine: (2.20). Aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff în circuitul de intrare şi cel de reacţie (figura 2.22) Ur = β ⋅ Ue (2.23). Circuitul de reacţie este realizat. Dacă circuitul de reacţie este format numai din rezistoare atunci β este un număr real.

• Creşte stabilitatea în timp a amplificării. 5) impedanţa de ieşire Ze → 0. Un AO foloseşte reţele de reacţie a căror structură (rezistenţe şi capacităţi) permite realizarea unor operaţii matematice (adunare. Principalii parametri idealizaţi sunt: 1) amplificarea în buclă deschisă A0 → ∞. Amplificatoarele operaţionale se clasifică după natura relaţiei intrare-ieşire. Uieşire=0 în orice moment în care la intrare nu se aplică semnal). dar acest lucru nu reprezintă un inconvenient prea mare deoarece prin proiectare se poate adopta (impune) o amplificare A mai mare decât cea dorită. Cele mai utilizate scheme cu AO sunt: . astfel încât amplificarea cu reacţie să rezulte la valoarea impusă.30) Consecinţele reacţiei negative în amplificatoare: Se micşorează amplificarea A. integrare. 2) decalajul de tensiune (deriva nulului este neglijabilă. 4) impedanţa de intrare Zi → ∞. 7) variaţia defazajului Δϕ ≅ 0. AO este caracterizat de o amplificare foarte mare. proprietate foarte utilă în echipamentele de măsură şi de automatizare.Amplificatoare şi oscilatoare 51 Ar = 1 1 +β A 1 β (2. • Se modifică favorabil impedanţele intrare-ieşire. majoritatea amplificatoarelor utilizează acest tip de reacţie. fiind conceput să funcţioneze într-o gamă largă de frecvenţe. Parametrii ideali ai AO permit proiectarea cu relaţii de calcul simple. diferenţiere etc). 6) 1ăţimea benzii de trecere B → ∞. iar erorile introduse sunt în limitele admise. Relaţia (dependenţa) intrare-ieşire poate fi liniară sau neliniară. Observaţie: Datorită avantajelor oferite de reacţia negativă. • Se micşorează distorsiunile de neliniaritate. în funcţie de structura circuitului de reacţie aferent amplificatorului. scădere. • 2. 3) curentul de polarizare pe cele două intrări neglijabil.5 Amplificatoare operaţionale Un amplificator operaţional (AO) este un amplificator la care cuplarea între etaje se face direct. • Se reduce zgomotul propriu al amplificatorului. • Se ameliorează (îmbunătăţesc) parametrii calitativi ai amplificării. • Creşte lăţimea benzii de trecere. (foarte mare) rezultă: A r ≅ (2.29) Pentru A→ ∞ . Amplificatorul inclus în structura oricărui AO este un amplificator de curent continuu (amplificator diferenţial integrat).

Schema electrică a acestui amplificator este dată în figura 2. pentru determinarea caracteristicii Ue=f(Ui) se consideră ipotezele: Zi → ∞ .24.35) Ue U =− i R1 Ro sau U e = − R1 Rezultă: Ue= .34) şi (2.25.25. Schema de principiu a unui AO în montaj inversor Figura 2.33). unde K = R1/Ro (2.33) Din teorema I-a a lui Kirchhoff aplicată în nodul de curenţi M rezultă: Din teorema a II-a a lui Kirchhoff aplicată în circuitul de ieşire rezultă: i = io + i1 .realizează înmulţirea cu o constantă şi inversarea semnului tensiunii de intrare.52 Capitolul 2 1) Amplificator operaţional în montaj inversor .27.31) Aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff în circuitul de intrare.36) obţine: Ţinând cont de (2.32) Ţinând seama de (2. (2. Schema de principiu este prezentată în figura 2.34) (2. iar simbolizarea este prezentată în figura 2. Ro ⋅ Ui .27. Simbolizarea unui AO neinversor . rezultă: Ui=Roio+U (2.26. i ≅ 0 şi U≅0 (2. Schema de principiu a unui AO în montaj neinversor Figura 2.31) se obţine: i o ≅ Ui Ro (2.31) se obţine: i1 ≅ Din (2.26.K Ui . iar schema simbolică este dată în figura 2.37) 2) Amplificator operaţional în montaj neinversor – realizează înmulţirea tensiunii de intrare cu o constantă pozitivă supraunitară.35) (2.24. Simbolizarea unui AO inversor Întrucât amplificatorul de curent continuu are impedanţa de intrare şi amplificarea în circuit deschis foarte mari. ⇒ io ≅ − i1 Ue=R1i1+U Ue R1 se (2. Figura 2. Figura 2.

..31) şi aplicând aceeaşi procedură se obţin: 53 ⎧ R 0i 0 + U + U i = 0 ⎪ ⎨U e + R 0i 0 − R1i1 = 0 ⎪ i = i 0 + i1 ⎩ (2.29.. i ≅ 0.38) Neglijând mărimile U şi i.40) Observaţie: Pentru R0 → ∞ şi R1 = 0 se obţine circuitul repetor.41). i o 2 = i 2 . utilizat frecvent ca element de adaptare..28..39) unde: K =1+ R1 Ro (2. aplicată în cele două noduri de curenţi.29. se obţine: Ue= -(K1Ui1+K2Ui2+ .28.45) componentele curentului i0 din relaţia (2.43) (2. U≅0.. 3) Amplificatorul sumator-inversor realizează suma ponderată.46) . cu semn schimbat.45) i1=Ue/R1 sau Înlocuind în (2. i on = in R 01 R 02 R 0n (2.44) (2.i1 Ue = −i 0 R1 (2.. Figura 2. întrucât asigură rezistenţa de intrare foarte mare şi rezistenţa de ieşire mică. Schema de principiu a unui AO în montaj sumator-inversor AO Figura 2. conform relaţiei (2.38) rezultă expresia caracteristicii externe: Ue = K⋅Ui (2. adică Zi → ∞ . iar simbolizarea este dată în figura 2. conduce la relaţiile: Din teorema a II-a a lui Kirchhoff aplicată pe circuitul de ieşire se obţine: i0=i01 + i02+ . Simbolizarea unui sumator-inversor Considerând aceleaşi ipoteze din (2.31). a tensiunilor de intrare. Schema electrică a acestui amplificator este prezentată în figura 2.41) Teorema I-a a lui Kirchhoff.31).42) (2.. din (2. + i0n i0= . +KnUin) (2. se determină (utilizând legea lui Ohm) curenţii prin rezistoarele conectate la intrările amplificatorului: i o1 = U i1 U U .Amplificatoare şi oscilatoare Utilizând aceleaşi ipoteze din (2.

Tensiunea Ue(0) se figurează la borna de ”condiţie iniţială” (figura 2. Schema electrică a acestui amplificator este prezentată în figura 2. iar capacitatea C se exprimă în farazi. ∑ K jUij (2. Dacă timpul de integrare nu este limitat. i ≅ 0. Atunci când . K n = n R 01 R 02 R 0n Ue = − În general.31..31) şi relaţiile (2. exprimat în secunde.49) Ţinând seama de ipotezele (2. Simbolizarea unui AO în integrator-inversor Utilizând aceleaşi ipoteze (Zi → ∞ .54 unde Capitolul 2 K1 = R1 R R . . tensiunea de ieşire se poate exprima prin relaţia: ∫ Uidt sau U e = − Ti 1 ∫ Ui (τ)dτ + U e (0) (2.48) Din teorema a II-a a lui Kirchhoff aplicată pe circuitul de ieşire rezultă: Ue = 1 CR 1 i1dt +U C ∫ (2. Ue(0)=0 dacă condensatorul este descărcat la momentul aplicării semnalului de intrare şi Ue(0)≠0 dacă condensatorul este încărcat la momentul aplicării semnalului de intrare. dacă valoarea rezistenţei R este exprimată în ohmi. caracteristica de transfer se poate exprima prin relaţia (2. iar simbolizarea este dată în figura 2.47) Figura 2.30. generează semnale periodice de forma: U(t)=U⋅sin(ωt) sau de orice altă formă.6 Oscilatoare Acestea sunt circuit care.51) 2. utilizând dispozitive electronice active.50) U e = − K U i dt + U e (0) . unde K = ∫ 1 1 = Ti RC (2. K 2 = 2 .31.47): n j=1 4) Amplificatorul integrator-inversor furnizează la ieşire un semnal proporţional cu integrala tensiunii aplicate la intrare.31).49) rezultă: t Ue = − 0 Cu Ue(0)=Ue0 s-a notat valoarea tensiunii la bornele condensatorului (din circuitul de reacţie) în momentul aplicării semnalului de intrare (t=0).30. din (2.48).. Schema de principiu a unui AO montaj integrator-inversor Figura 2.. se obţin relaţiile: Ui = R⋅i0 şi i0 = -i1 (2. U≅0) şi procedând similar. Ti=RC este timpul de integrare.

figura 2. Schema echivalentă a circuitului oscilant anterior este ilustrată în figura 2. Sub acţiunea unei tensiuni oarecare (exterioare) iau naştere oscilaţii armonice având frecvenţa de oscilaţie la rezonanţă dată de relaţia: f0 = 1 2π LC (2.33-a.33-a Pentru a realiza oscilaţii întreţinute (cu amplitudine constantă). Semnalul produs de circuitul LC Un circuit oscilant ideal nu poate fi realizat din cauza pierderilor de energie care determină stingerea. Pierderile de energie care duc la micşorarea amplitudinii se datorează lui r şi R. unde: r este rezistenţa electrică a bobinei care are inductanţa L.Amplificatoare şi oscilatoare 55 semnalul produs de oscilator este sinusoidal oscilatorul se numeşte armonic. figura 2.32. tiristorul etc). cu energie adusă din exterior prin intermediul unor rezistenţe negative. se va amortiza în timp (îşi micşorează amplitudinea) datorită pierderilor de energie prin rezistenţa electrică echivalentă a circuitului capacitiv-inductiv (L-C). adică amortizarea oscilaţiilor.33-a.33-b. iar R este conductanţa de pierderi a condensatorului.32. Schema de principiu a unui oscilator Principiul de întreţinere a oscilaţiilor Se consideră circuitul oscilant realizat dintr-o capacitate C în paralel cu o inductivitate L. Figura 2. Schema de principiu este prezentată în figura 2. în circuitul oscilant real este necesar să se recupereze (compenseze) energia pierdută.34.52) Semnalul U(t). semnalul util produs de oscilator. Figura 2.34. Figura 2. Schema echivalentă a circuitului oscilant LC din figura 2. Circuit oscilant LC Figura 2. În acest sens se pot utiliza dispozitive semiconductoare care să funcţioneze în regiunea de rezistenţă negativă (dioda tunel. . controlate prin curenţi sau prin tensiune.33-b.

c)Schema bloc a unui oscilator cu reacţie Aceste dispozitive semiconductoare introduc rezistenţe negative.56 Capitolul 2 Caracteristica statică a diodei tunel şi respectiv a tiristorului sunt date în figura 2. deci semnalul de reacţie trebuie să fie în fază cu semnalul de intrare.35-c) şi semnalul de intrare ( U i ).54) Relaţia (2. este un fapt real şi o metodă utilizată în proiectarea oscilatoarelor. n (argumentul lui Acomplex + argumentul lui βcomplex = 2kπ) adică: arg A + arg β = 2kπ (2. dacă defazajul amplificatorului (cu număr impar de etaje) este (2k+1)π. dacă defazajul amplificatorului este 2kπ (cu un număr par de etaje).53) arată că defazajul total introdus de amplificator şi circuitul de reacţie trebuie să fie un multiplu întreg de 2π. b) Caracteristica curent-tensiune a tiristorului. Oscilatoarele cu reacţie pot fi de tip LC sau RC. dacă produsul βA tinde la valoarea 1. 2.34). b) respectarea condiţiei de fază: ϕ A + ϕβ = 2kπ . După modul de realizare. β ⋅ A = 1 . dau o rezistenţă echivalentă egală cu zero. atunci A r → ∞ . oscilatoarele pot fi: 1) oscilatoare de tip amplificator cu reacţie pozitivă. care arată că produsul în modul al amplitudinilor trebuie să fie egal cu unitatea.. Oscilatoarele pot fi realizate şi cu amplificatoare ce au reacţie pozitivă. sau un defazaj de 1800. Figura 2. Acestea au calea . la care amplificarea complexă este: A r = A . . 1. 1 − βA În acest caz. k=0..35: a) Caracteristica curent-tensiune a diodei tunel. ϕβ este defazajul dintre semnalul de reacţie ( U r ) şi semnalul de ieşire ( Ue ). unde: A = A ⋅ exp( j ⋅ ϕ A ) şi β = β ⋅ exp( j ⋅ ϕβ ) (2. Rezultă că reţeaua de reacţie trebuie să introducă un defazaj nul. Producerea oscilaţiilor întreţinute prin anularea rezistenţei din circuit cu ajutorul unor rezistenţe dinamice negative.35-a şi 2. 2) oscilatoare cu dispozitive care au rezistenţe negative (oscilatoare de relaxare). care însumate cu rezistenţele r şi R (figura 2.35-b.figura 2. Cele mai utilizate oscilatoare cu reacţie de tip LC sunt oscilatoarele în trei puncte.. Condiţia întreţinerii oscilaţiilor implică respectarea a două principii: a) respectarea relaţiei lui Barkhausen (de autooscilaţie).53) Prin ϕA s-a notat defazajul dintre semnalul de ieşire ( Ue .

Δϕ = arctgRC = Se obţine un defazaj total al semnalului de reacţie. Oscilator având reţea RC (reţea de defazare trece-jos) Aceste oscilatoare au o largă utilizare în diferite domenii ale electronicii industriale (telecomunicaţii. formată din trei celule RC. are schema de principiu prezentată în figura 2.36.36.37 este prezentată schema electrică a unui oscilator având reţea de defazare ”trece jos”.57) Figura 2. În figura 2. alimentarea este serie iar sarcina este cuplată inductiv. Defazajul fiecărei celule este de 60o. egal cu π (180o): π 3 (2.Amplificatoare şi oscilatoare 57 de reacţie formată dintr-un circuit LC selectiv (care reprezintă un filtru cu trei borne de acces). Exemple de oscilatoare în trei puncte Oscilatorul Hartley (realizat cu reţea de defazare trece sus).37. aparatură electromedicală etc) fiind specifice benzilor de joasă frecvenţă.56) f0 = 1 6 + 4R / R C 2πRC (2. Schema de principiu a oscilatorului cu reţea RC .55) ϕ t = 3 ⋅ Δϕ = π Frecvenţa de oscilaţie la rezonanţă se poate calcula folosind relaţia: (2. Schema de principiu a oscilatorului Hartley La acest oscilator emitorul este legat la masă. automatizări. Figura 2. În timpul funcţionării singurul condensator care nu este scurtcircuitat este condensatorul variabil C.

Care este schema de conexiune a unui etaj de amplificare ce are parametrii: RI =4 KΩ. Care este deosebirea între un AO inversor şi un AO integrator – inversor? (Utilizaţi schemele electrice !) 9.7 Întrebări 1. Când apar distorsiunile de frecvenţă la amplificatoare şi cum se elimină acestea? 4. Ce este deriva termică (deriva nulului) în cazul amplificatoarelor de curent continuu şi cum se atenuează aceasta ? 11. Când un tiristor funcţionează ca şi o diodă ? Care este schema şi denumirea celui mai simplu amplificator de putere ? . Ce diferenţă există între caracteristicile A[dB] = g(f) în cazurile: a) amplificatoare de radiofrecvenţă ? b) amplificatoare de audiofrecvenţă ? 5. Ce semnifică borna de condiţie iniţială în cazul A. Care este raportul de transformare (K) al unui transformator de cuplaj pentru o sarcină rezistivă (rs = 4 Ω). Ce se înţelege prin zgomot la amplificatoare? Ce se înţelege prin tensiune de zgomot (Uz) în cazul redresoarelor cu filtre ? 3. Re = 80 KΩ ? 8.58 Capitolul 2 2. Re = 40 KΩ ? 10. Ce sunt distorsiunile de neliniaritate în cazul amplificatorului de joasă frecvenţă şi cum se elimină acestea ? 12. Ce formă de variaţie are tensiunea UCE la ieşirea unui etaj de amplificare în clasă B. ştiind că amplificatorul în clasă A are rezistenţa de ieşire. integrator şi ce se poate măsura la această bornă ? 7.O. realizat cu un singur tranzistor? 6. Ce este reacţia negativă în cazul unui amplificator de tensiune? Cum se obţine practic reacţia negativă? 2.

de regulă 50 Hz (când se numesc invertoare de reţea sau neautonome).2-c) se mai numeşte variator de c. Mutatoarele transformă.a. Este însă posibil ca aceeaşi schemă de mutator să funcţioneze – în funcţie de condiţiile de lucru (comanda primită.1-a. Pentru convertorul cu circuit intermediar.a. Convertorul care modifică amplitudinea tensiunii de c. furnizează la ieşire o tensiune continuă diferită de cea de la intrare. În regim de frânare. În schemele din figura 3. când maşina electrică lucrează ca generator de c. (figura 3.c.c. cu anumiţi parametri.2-b). Principalul criteriu de clasificare a mutatoarelor îl reprezintă funcţiile realizate de acestea. comanda mutatorului poate asigura funcţionarea acestuia în regim de invertor (neautonom).c. (figura 3. cu alţi parametri. de frecvenţă f1. Convertorul de c. maşina electrică funcţionează ca motor şi transferul energetic se face de la reţeaua de c. fie în regim de invertor (neautonom).c. în energie electromagnetică debitată la ieşire. energia electromagnetică primită la intrare.).1-a şi b. la reţeaua de c.a. În primul caz.3-a) sau direct. polaritatea tensiunii continue etc. (figura 3.a. (figura 3. (figura 3. obţinându-se transferul energetic (recuperarea) de la reţeaua de c. figura 3. numite mutatoare. mutatorul se mai numeşte convertor static de frecvenţă şi poate fi realizat în două variante: cu circuit intermediar de c.2-a) şi sub formă de convertor direct sau cicloconvertor (figura 3. Transferul energetic se poate face. în ambele sensuri. Mutatoarele din această categorie stau la baza sistemelor de acţionări recuperative cu maşini de c.CAPITOLUL 3 REDRESOARE 3. Frecvenţa f2 a curentului alternativ poate fi variabilă (în cazul invertoarelor autonome) sau fixată la o anumită valoare.1-c).c. transferul energetic se face într-un singur sens.a..) – fie în regim de redresor. Dacă mutatorul funcţionează în regim de redresor.). tensiunea . El poate fi: cu circuit intermediar de c. prin elemente neliniare unidirecţionale (diode. în acest caz.1 Noţiuni generale Redresoarele sunt circuite electronice care fac parte dintr-o clasă mai largă de echipamente electrice. după cum urmează. Invertorul transformă curentul continuu în curent alternativ (figura 3.3-b).a. Convertorul de c.c. în curent continuu (c. Redresorul este un circuit electronic care transformă curentul alternativ (c. tiristoare etc). numit şi variator de c.1-b). converteşte frecvenţa sau amplitudinea curentului alternativ.c.c.

Trecerea conducţiei de la un ventil la altul se numeşte comutaţie.a. mutatorul va avea comutaţie (forţată) de la reţea. invertoare neautonome şi . Mutatoare având comutaţie proprie. presupune – de regulă – un consum de energie reactivă din exterior. Mutatoare Figura 3. Mutatoarele care au comutaţie naturală sunt redresoare cu diode. mutatoarele se împart în următoarele categorii: • Mutatoare având comutaţie naturală. Comutaţia forţată externă se întâlneşte în redresoarele comandate. Prelungirea conducţiei unui ventil. după cum transformatorul este coborâtor.1. Figura 3. În majoritatea mutatoarelor. Figura 3. când condiţia de comutaţie naturală nu este respectată. când energia reactivă necesară este furnizată de însuşi mutatorul respectiv. mutatoarele care au comutaţie forţată pot fi: Mutatoare având comutaţie externă. După modul de realizare a comutaţiei. Mutatoarele care funcţionează cu intrarea şi/sau ieşirea în c.a.c. Convertoare statice de c. După provenienţa acestei energii.. funcţionarea acestor elemente este ciclică. Dacă această energie provine de la reţea. elemente de conducţie unidirecţională numite şi “ventile” semiconductoare (diode şi/sau tiristoare).a. Convertor de c. pe fiecare fază a reţelei de c.3.60 Capitolul 3 de ieşire (U2) poate fi mai mică sau mai mare decât tensiunea de intrare (U1). Dacă energia este dată de circuitul sarcinii (de la ieşire). respectiv ridicător de tensiune. utilizează. când valoarea instantanee a tensiunii pe latura ventilului care preia conducţia este întotdeauna mai mare decât valoarea instantanee a tensiunii pe latura ventilului care cedează conducţia. mutatorul are comutaţie (forţată) de la sarcină. când energia reactivă este preluată din exterior. • Mutatoare având comutaţie forţată.2. dincolo de momentul comutaţiei naturale.

Tensiunea continuă. în condiţiile cunoaşterii tensiunii de alimentare U1. U0. ur şi a curentului prin sarcină sunt date în figura 3. Diagramele tensiunilor u2. cu valoare de asemenea impusă. are rolul de a menţine constantă tensiunea U0 (stabilizatoarele vor fi prezentate în capitolul 4). Aceste circumstanţe au determinat includerea în capitolul de mutatoare a redresoarelor de mică putere realizate sub forma redresoarelor monofazate. .5-a.1 Schema bloc a unui redresor de mică putere Redresoarele monofazate se utilizează.2 Redresoare monofazate necomandate 3.5-b.2. dioda este blocată şi ur = 0. care are o componentă continuă (utilă) şi o componentă alternativă. de regulă. definind un domeniu cunoscut sub numele ”electronică de putere”. fie din cauza variaţiei tensiunii de alimentare U1.Redresoare 61 convertoare directe de frecvenţă. toate redresoarele se încadrează în categoria mutatoarelor. precum şi tratarea lor specifică. Stabilizatorul de tensiune continuă. la bornele sarcinii Rs.4 este dată schema-bloc a unui redresor monofazat de mică putere. Sub aspectul funcţiei realizate. deci ur = u2. În timpul semialternanţei negative. necesară obţinerii tensiunii continue U0. datorită polarizării inverse. În acelaşi timp. în care ventilele (tiristoarele) au dispozitive de “blocare” forţată: invertoare autonome. dioda D (care reprezintă redresorul) este polarizată în sens direct şi conduce. Filtrul F are rolul de a diminua componenta alternativă din tensiunea redresată. variatoare de c. 3. mutatoarele reprezintă circuite electronice de putere. Redresorul R este elementul esenţial al schemei. de la ieşirea filtrului se poate modifica. Figura 3. într-un paragraf distinct. La ieşirea lui se obţine tensiunea redresată ur.c. conectat între filtru şi sarcină. Comutaţia proprie este specifică unei categorii de mutatoare.2 Redresoare monofazate monoalternanţă cu sarcină rezistivă Schema redresorului monofazat monoalternanţă este dată în figura 3. de valoare impusă. În timpul semialternanţei pozitive a tensiunii u 2 = 2U 2 sin ωt .4. la puteri mici. În figura 3. fie din cauza modificării rezistenţei de sarcină Rs. Schema bloc a unui redresor monofazat de mică putere 3. etc.2. Transformatorul Tr reduce tensiunea alternativă din înfăşurarea primară la valoarea U2 (în secundar). STC. U0. Scopul urmărit este de a obţine o tensiune continuă.

astfel: 2π ⎡π 2π).6) u r (ωt ) = U 0 + ∑ 2U n sin( nωt + ϕ n ) n =1 . ur= u2.3) se obţine: π 1 U0 = ⋅ 2π = ∫ 0 1 u r ( ωt ) ⋅ d ( ωt ) = ⋅ 2π ∫ 0 π 2U 2 sin(ωt ) ⋅ d (ωt ) = (3. π]. exprimat prin relaţia: ir = ur Rs (3.2) Înlocuind valoarea perioadei (T = printr-o sumă de două integrale.5) Dacă se doreşte exprimarea detaliată a componentei alternative (u~). iar în intervalul [π. 2π].2) se poate exprima 1 U0 = ⋅ T ∫ 2π ⎤ 1 ⎢ u r ( ωt ) ⋅ d ( ωt ) = u r (ωt ) ⋅ d (ωt ) + u r (ωt ) ⋅ d (ωt )⎥ (3.3) ⎥ 2π ⎢ 0 π ⎣0 ⎦ ∫ ∫ Din diagramele tensiunilor (figura 3.62 Capitolul 3 Se observă că tensiunea redresată ur este o tensiune periodică pulsatorie având perioada T = 2π. Redresor monofazat monoalternanţă Componenta continuă U0 este egală cu valoarea medie a tensiunii redresate şi se calculează cu relaţia: T U0 = 1 ⋅ T ∫ u r ( ωt ) ⋅ d ( ωt ) 0 (3.5-b) se observă că în intervalul [0. integrala din (3. deci este periodic şi pulsatoriu. ur= 0.4) π 2 2 ⋅ U 2 [− cos(ωt )] = ⋅ U 2 ≅ 0. Tensiunea redresată conţine o componentă continuă (U0) şi o componentă alternativă (u~): ur = U0+ u~ (3.1) Figura 3.45 ⋅ U 2 2π π 0 Curentul redresat prin rezistenţa de sarcină este proporţional cu tensiunea ur . Din relaţia (3. atunci tensiunea redresată se poate exprima prin relaţia: ∞ (3.5.

10) Înlocuind în relaţia (3. 2π 1 = 2π ∫ π 2U 2 sin(ωt ) d (ωt ) = 2 U 2 ≅ 0. şi factorul de ondulaţie. γ.8).⎟ .11) ⎜1 + sin(ωt ) − 2 1⋅ 3 π ⎝ 3⋅5 ⎠ Raportul dintre tensiunea continuă pe sarcină şi valoarea eficace a tensiunii din secundar se numeşte coeficient de redresare.9) sin( ωt ) sin( n ⋅ ωt ) d ( ωt ) 2U 2 π ∫ 0 u r (ωt ) cos(n ⋅ ωt ) d (ωt ) = 2U 2 −2 ⋅ . iar coeficienţii an şi bn se pot calcula utilizând relaţiile (3. an şi bn din relaţiile (3. F. Relaţia (3. şi componenta continuă U0 : . (3..10).45 (3.12) Ponderea componentei alternative în tensiunea redresată se poate evalua prin factorul de formă.8) an = 1 π ∫ 0 u r (ωt ) sin( n ⋅ ωt ) d (ωt ) = 2U 2 π = 1 bn = π = 2π ∫ 0 π (3.. (3.7) coeficienţii b0. ur. iar ϕn – faza iniţială a armonicii de ordinul n.9) şi (3.9) şi (3.10) se obţine: u r ( ωt ) = 2U 2 ⎛ 2 2 π ⎞ cos(2 ωt ) − cos(4 ωt ) − . În cazul analizat coeficientul de redresare Kr este: Kr = U0 U2 = 0.7) u r (ωt ) = b 0 + ∑ a n sin( n ⋅ ωt ) + ∑ b n cos(n ⋅ ωt ) n =1 n =1 Coeficienţii seriei Fourier se definesc prin: T 2π ⎡π ⎤ 1 b0 = U0 = T ∫ 0 u r ( ωt ) d ( ωt ) = 1 ⎢ u ( ωt ) d ( ωt ) + u r ( ωt ) d ( ωt ) ⎥ = ⎥ 2π ⎢ r ⎢0 ⎥ π ⎣ ⎦ ∫ ∫ 0 Se observă că valoarea componentei continue (U0) este exprimată de coeficientul b0 al seriei Fourier.45 U 2 π (3. 2 π n −1 ∫ 0 π sin(ωt ) cos(n ⋅ ωt ) d(ωt ) = (3.Redresoare 63 unde Un este valoarea eficace a armonicii de ordinul n. Factorul de formă este raportul dintre valoarea eficace a tensiunii redresate.6) se poate scrie sub forma trigonometrică a unei serii Fourier şi devine: ∞ ∞ (3.

7. (3.13) Cu cât F este mai apropiat de unitate. … .17) şi rezultă U γ = ~ = U0 U1 + U 2 + . valoarea eficace U∼ este: 2 2 U∼ = U1 + U 2 + . 2.211. D2 şi D4 fiind blocate. şi componenta continuă. necesară transformatorului. U∼ .64 Capitolul 3 F= ur U0 (3. .. Cunoscând valorile eficace Un ale armonicilor de ordin n = 1.15) Factorul de ondulaţie se defineşte ca raportul dintre valoarea eficace a componentei alternative. Schema redresorului având transformator cu priză mediană este dată în figura 3.2.3 Redresoare monofazate dublă alternanţă cu sarcină rezistivă Redresoarele dublă alternanţă se realizează după două scheme: cu transformator având priză mediană în secundar. 3.16) sau 2 2 U∼ = U r − U 0 (3. Cele două secţiuni ale înfăşurării secundarului transformatorului sunt identice ' " şi deci u 2 = − u 2 . În timpul semialternanţei pozitive a tensiunii u2 conduc diodele D1 şi D3 . cu atât ponderea componentei alternative în tensiunea redresată este mai mică. iar diodele D1 şi D3 sunt blocate. În semialternanţa negativă conduc diodele D2 şi D4 .14) T0 0 F= 2 U 2 2 π π = = 1. astfel încât tensiunea redresată şi curentul prin sarcină au forma din figura 3. = U0 2 2 U r − U0 = U0 2 2 ⎛ Ur ⎞ ⎜ ⎟ ⎜U ⎟ −1 = ⎝ 0⎠ 2 F −1 2 (3. Diodele D1 şi D2 conduc alternativ.6-c..18) În cazul redresorului monoalternanţă se obţine Puterea în curent continuu este: γ = 1.57 2 2 U2 (3. sau utilizând schema de redresare în punte. U P0 = U 0 I 0 = 0 Rs 2 (3.19) Aceasta determină o anumită putere aparentă.. La redresorul monoalternanţă avem: 1T 2 1 π 2 2 2 Ur = ∫ u r (ωt ) d(ωt ) = 2π ∫ 2U 2 sin (ωt ) d(ωt ) = 2 U 2 (3.. Redresorul în punte are schema din figura 3.6-a.

48 P0. b) diagrama tensiunilor din secundar. iar componenta continuă este: U0 = 2 2 ⋅ U 2 ≅ 0.23 P0. puterea de calcul a transformatorului este ST = 1.9 ⋅ U 2 π (3.20) Componenta continuă a tensiunii redresate (U0) se calculează cu aceeaşi relaţie (3. Comparând cele două scheme de redresare dublă alternanţă se pot reţine următoarele: • pentru aceeaşi putere P0 în sarcină. ⎥ ⎪ ⎣ 2⎦ ⎪ ur = ⎨ ⎪− 2U sin(ωt ) pentru t ∈ ⎡ T . respectiv I0) şi o componentă alternativă. Astfel. T ⎤ 2 ⎢2 ⎥ ⎪ ⎣ ⎦ ⎩ (3. De asemenea.3) ca şi în cazul redresorului monoalternanţă. puterile aparente în înfăşurarea secundară şi înfăşurarea primară ale transformatorului se micşorează. pentru schema cu priză mediană.6. Expresia analitică a tensiunii redresate. tensiunea şi curentul prin sarcină au două componente: o componentă continuă (U0 . puterea aparentă necesară a transformatorului este mai mare la schema cu punct median.482. Redresor dublă alternanţă folosind transformator cu priză mediană: a) schema. . c) diagrama tensiunii şi a curentului redresat Figura 3.9). γ = 0. pentru o putere P0 dată.11. Redresor dublă alternanţă în punte Ca şi în cazul redresorului monoalternanţă. iar la schema în punte. pe o perioadă a tensiunii u2 este: ⎧ ⎡ T⎤ 2 U 2 sin(ωt ) pentru t ∈ ⎢0.21) Coeficientul de redresare este dublu faţă de schema monoalternanţă (Kr = 0. ST = 1.7.Redresoare 65 Figura 3. iar factorul de formă şi coeficientul de ondulaţie se ameliorează: F = 1. cu deosebirea că în acest caz perioada este egală cu durata unei semialternanţe (T = π).

3. cu ajutorul filtrelor. este necesară diminuarea componentei alternative din tensiunea redresată.4 Filtrarea tensiunii redresate Pentru obţinerea unei tensiuni cu factor de ondulaţie mic la bornele rezistenţei de sarcină. tensiunea inversă maximă pe diode. Tipuri de filtre: a) capacitiv. rezultă: (3.1 Funcţionarea redresorului cu filtru capacitiv Schema unui redresor monofazat monoalternanţă cu filtru capacitiv este dată în figura 3.CLC sau CRC 3. pentru aceeaşi tensiune redresată este de două ori mai mare la schema cu punct median faţă schema de redresare în punte (deoarece tensiunea inversă ce apare în momentul blocării diodelor se distribuie pe două diode).9-b. Figura 3. Funcţionarea ei se poate urmări în diagrama din figura 3.8. c) tip π . ur. condensatorul C este descărcat.22) u2 = ua + uc Tensiunea la bornele condensatorului (uc) este în acelaşi timp. rezultă o cădere de tensiune pe diode dublă faţă de schema cu punct median. Dioda conduce şi condensatorul se încarcă prin . Din relaţia anterioară rezultă căderea de tensiune (ua) pe dioda în conducţie: Presupunem că în momentul aplicării tensiunii de alimentare.2. (u2 > uc) şi deci ua > 0. b) inductiv-capacitiv. de a şunta armonicele de ordin superior. Se observă că în intervalul (0 … ωt1) tensiunea din secundarul transformatorului (u2) este mai mare decât tensiunea la bornele condensatorului ua = u2 – uc.8.4. Aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff pe circuitul din secundarul transformatorului. datorită conducţiei în permanenţă a două diode. Funcţionarea filtrelor se bazează pe proprietatea bobinelor de a avea o rezistenţă neglijabilă pentru componenta continuă a curentului şi o reactanţă mare pentru componenta alternativă din curentul redresat.66 Capitolul 3 • • la schema în punte. Filtrele utilizate frecvent la redresoarele de mică putere au schemele din figura 3.9-a. (uc). tensiunea la bornele rezistenţei de sarcină (us) cât şi tensiunea după elementul redresor. cât şi pe proprietatea capacităţilor mari (conectate în paralel cu sarcina). Parametrul principal care le caracterizează este factorul de ondulaţie al tensiunii de la ieşire.2.

iar dioda se blochează. În intervalul de conducţie secundarul transformatorului şi diodă. Ti = Ri C. Ri.Redresoare 67 Ri ≅ RS(Tr). În intervalul (ωt1. ωt2. sau Tensiunea la bornele condensatorului are mici oscilaţii (având forma dinţilor de ferăstrău) în jurul valorii U0. până în momentul ωt2. iar componenta alternativă (u~) a tensiunii redresate creşte.24) (3. Constanta de timp de descărcare a condensatorului este Td = RsC şi este relativ mare (pentru că Rs este mai mare decât Ri). aceasta incluzând rezistenţa echivalentă serie în secundarul transformatorului. care reprezintă componenta continuă a tensiunii la bornele sarcinii. Unghiul la care încetează încărcarea condensatorului s-a notat cu ψ = α + β şi se numeşte unghi de blocare. deci condensatorul se încarcă rapid... Rezistenţa de încărcare. precum şi amplitudinea componentei alternative.9-b s-a notat cu α unghiul de la care începe încărcarea condensatorului (considerând ca moment de referinţă. În figura 3. La funcţionarea fără filtru capacitiv. deci ua = 0.. Parametrii redresorului depind de unghiurile de conducţie şi de blocare. tensiunea uc scade lent. Cu β s-a notat unghiul de conducţie. Constanta de timp la încărcarea condensatorului. curentul prin diodă este: unde: ia = ic + is ic = C du c d =C dt dt is = (3. trecerea prin zero spre valori pozitive a tensiunii u2). dioda conduce pe întreaga semiperioadă a tensiunii u2 din secundarul transformatorului. adică intervalul de timp în care se încarcă condensatorul.23) [ 2 U 2 sin(ωt ) = ω C 2 U 2 cos(ωt ) 2 U2 sin(ωt ) Rs ] (3. Deci Ri = RS(Tr) + RDc β = ωt3 . Filtrul capacitiv micşorează durata de conducţie a diodei în intervalul 0 < β < π.. care – la rândul lor – sunt determinate de mărimile C şi Rs. În momentul ωt1 se obţine egalitatea uc = u2. Valoarea tensiunii continue U0. iar ua < 0. rezultă foarte mică.25) .. RDc.ωt2) u2 < uc. adică β = π. este foarte mică. care este neglijabilă. Micşorarea rezistenţei de sarcină (Rs) are ca efect creşterea curentului de sarcină (Is) şi ca urmare tensiunea U0 scade. depind mult de valoarea rezistenţei de sarcină.. În continuare dioda conduce în intervalul (ωt2 . RS(Tr) şi rezistenţa diodei în conducţie.ωt3). Dioda rămâne blocată şi condensatorul se descarcă prin rezistenţa de sarcină Rs.

b) diagrama tensiunilor şi curenţilor 3. U0N . exprimat prin raportul: I0N = PN / U0N . atunci când redresorul funcţionează la putere nominală. • curentul nominal.18) când redresorul funcţionează la putere nominală.10).9.2.5 Parametrii redresoarelor de mică putere În cazul redresoarelor de mică putere parametrii şi caracteristicile importante sunt: puterea nominală a redresorului. • . γ . Se observă o cădere de tensiune (la curent nominal) mică (ΔU01). în cazul redresoarelor cu filtru capacitiv. • tensiunea nominală. Redresor monoalternanţă cu filtru capacitiv: a) schema. dar aşa cum s-a precizat anterior. aceste caracteristici ar trebui să fie orizontale (liniile punctate din figura 3. în regim nominal de funcţionare. egală cu tensiunea continuă la bornele de ieşire. • factorul de ondulaţie. reprezintă dependenţa US = f(IS). I0N . ilustrată în figura 3. influenţa rezistenţei de sarcină RS asupra tensiunii US este importantă. PN . Cele trei caracteristici reprezintă: • Curba 1 este caracteristica externă în cazul redresorului fără filtru. definit prin relaţia (3. • caracteristica externă. în condiţia 0 ≤ IS ≤ I0N . Ideal.68 Capitolul 3 Figura 3.10. reprezintă puterea pe care o poate debita redresorul în sarcină. mai ales.

ΔU03) – poate fi compensat prin utilizarea stabilizatoarelor de tensiune continuă (STC) conectate între filtre şi consumatori (sarcini). necesită o tensiune redresată cu un factor de ondulaţie cât mai mic.26) Figura 3. ΔU S ΔIS (3. ce funcţionează în curent continuu. Cea mai simplă schemă de redresor trifazat utilizează un transformator trifazat având secundarul conectat în stea (figura 3.12.10. La un moment oarecare conduce dioda care are anodul la potenţialul cel mai ridicat.11. polifazate) se construiesc pentru puteri nominale mari. Deoarece majoritatea consumatorilor industriali. Curentul prin sarcină este: is = i1 + i2 + i3 (3. astfel încât caracteristica externă reală să fie cât mai apropiată de caracteristica ideală. În această situaţie se observă o cădere de tensiune (ΔU03) mai mică decât în cazul redresorului cu filtru capacitiv. dată de relaţia următoare: Ri = − Această rezistenţă este de dorit să rezulte cât mai mică. Dezavantajul pe care îl introduc filtrele – exprimat prin căderile de tensiune (ΔU02 . este evidentă necesitatea utilizării filtrelor. Caracteristicile externe ale redresorului 3.3 Redresoare trifazate necomandate Redresoarele trifazate (în general. În capitolul 4 se vor trata principiile de funcţionare şi schemele principalelor tipuri de stabilizatoare de tensiune continuă.27) .Redresoare • 69 • Curba 2 reprezintă caracteristica externă în cazul redresorului cu filtru capacitiv. Curba 3 reprezintă caracteristica externă în cazul redresorului cu filtru π (CLC). Se remarcă o cădere mult mai mare de tensiune (ΔU02) corespunzătoare curentului nominal.) Funcţionarea schemei se poate urmări în diagrama din figura 3. Un parametru care determină panta caracteristicii externe este rezistenţa internă a redresorului.

t2) conduc diodele D1 şi D5 . ωt2 . deci perioada pulsaţiilor tensiunii redresate este de două ori mai mică. Tensiunea ur de la bornele rezistenţei de sarcină este egală cu diferenţa potenţialelor între acele borne ale înfăşurării secundare. Astfel.14. Se remarcă faptul că frecvenţa comutărilor este de două ori mai mare decât în cazul redresorului trifazat în stea.14. în intervalul (t1. în intervalul (t2. Valoarea tensiunii continue. Funcţionarea acestui redresor se explică utilizând diagramele curenţilor prin faze.29).29) . Descrierea proceselor dintr-un redresor real cu sarcină inductivă se poate urmări în lucrarea [2]. În schema redresor O schemă foarte des utilizată în practică. situaţie ilustrată în figura 3. Deci. în cazul sarcinii rezistive. în special la producerea comutaţiei de pe o fază pe alta. sau când sarcina are caracter inductiv. ωt3 … se produce comutarea conducţiei de pe o fază pe alta. împărţită la perioadă (T). calculată în relaţia (3.13). În schema redresorului se observă că la un moment oarecare conduc două diode: dioda cu potenţialul anodului cel mai ridicat şi dioda cu potenţialul catodului cel mai scăzut. prin definiţie. Perioada ur fiind 2π/3. În cazul când se admite că transformatorul nu este ideal. (3. apar efecte care complică funcţionarea redresorului. prezentate în figura 3. a curentului i0 (curentul prin sarcină) şi a tensiunii redresate. tensiunea ur corespunde segmentelor verticale dintre curbele trasate cu linie întărită şi axa timpului. Tensiunea continuă tensiunii U0 de la bornele rezistenţei de sarcină este. o formă pulsatorie.17 U 2 π 2π 2π 6 Descrierea funcţionării redresorului trifazat s-a făcut în ipoteza că transformatorul este ideal (are inductanţele de scăpări neglijabile). deci intervin inductanţele de scăpări ale acestuia. Tensiunea ur de la bornele rezistenţei RS este egală cu tensiunea pe faza în care dioda conduce şi are forma curbei cu linie întărită din figura 3.70 Capitolul 3 şi are.12.28) π 2π 3 6+ 3 3 6 = 2U 2 sin(ω t )d(ω t ) = U 2 ≅ 1. la care sunt legate diode în conducţie. integrala pe o perioadă a tensiunii ur. este de două ori mai mare decât în cazul redresorului trifazat simplu (conectat în stea): rezultă valoarea tensiunii U0: π 2π 1 α0 +T 1 6+ 3 U0 = u r (ω t )d (ω t ) = u r (ω t )d(ω t ) = 2π π T α0 3 6 ∫ ∫ ∫ U0 = 3 6 U 2 ≅ 2. este schema de redresare trifazată în punte (figura 3. t3) conduc diodele D1 şi D6 etc. datorită performan-ţelor superioare pe care le prezintă. iar sarcina redresorului este rezistivă. În momentele ωt1 .34 U 2 π (3.

Redresor trifazat în stea Figura 3. Diagramele tensiunilor şi curenţilor pentru redresorul în punte . Redresor trifazat în punte Figura 3.Redresoare 71 Figura 3.13.11. Diagramele tensiunilor şi curenţilor pentru redresorul trifazat în stea Figura 3.14.12.

γ ? . conectate la un transformator cu două secundare şi punct median? 3.4 Întrebări 1. Cum se explică (justifică) relaţia τ d >> τ i în cazul redresorului cu filtru capacitiv ? 4. Ce este deosebirea dintre un invertor (I) şi un convertor – static de frecvenţă? 2.72 Capitolul 3 3. Care sunt semnificaţiile şi expresiile analitice ale parametrilor redresorului de mică putere Kr . F. Ce condiţie trebuie să îndeplinească cele două diode ale unui redresor bialternanţă.

valorile tensiunii sau curentului de alimentare.1 Noţiuni generale. Ele se pot conecta ca în figura 4. parametrice (cu elemente neliniare. care fac parte componentă din alimentatoarele celor mai diverse circuite . ale unei instalaţii industriale sau de laborator. Figura 4.1. în limite strânse.2 Stabilizatoare parametrice Cele mai răspândite stabilizatoare parametrice sunt cele de tensiune continuă. În lipsa stabilizatorului. motiv pentru care această variantă este cel mai des utilizată în practică. Parametrii stabilizatoarelor Stabilizatorul electronic este un circuit care are rolul de a menţine. În principiu tensiunea continuă poate fi stabilizată şi înainte de redresor. În prezent există un număr relativ mare de categorii şi tipuri de stabilizatoare electronice. Varianta din figura 4.1 are avantajul că menţine constantă tensiunea pe sarcină indiferent de cauzele care tind să o modifice.CAPITOLUL 4 STABILIZATOARE ELECTRONICE 4. pot fi depăşite limitele admise şi pot să apară dereglări în funcţionarea instalaţiilor sau/şi erori de măsurare nepermise. dacă tensiunea stabilizată este continuă. sau în paralel cu sarcina) şi cu reacţie (care funcţionează pe principiul sistemelor de reglare automată cu reacţie negativă). În acest capitol vor fi prezentate stabilizatoarele parametrice şi cu reacţie. Schema bloc de conectare a unui stabilizator electronic 4. În funcţie de mărimea electrică de stabilizat există stabilizatoare de tensiune şi de curent. iar în funcţie de metoda de stabilizare există stabilizatoare electromecanice (pentru tensiuni alternative şi continue la consumatori de mare putere).1. montate în serie. menţinând constantă tensiunea alternativă cu stabilizatoare corespunzătoare. electromagnetice (cu miezuri magnetice saturate).

iar punctul M de funcţionare se deplasează spre A. Practic. electromagnetice). Pe măsură ce RS scade. cu variaţii reduse ale tensiunii ( ΔU z ) la bornele ei (figura 4. dacă tensiunea reţelei scade. electronice. care să asigure valoare maximă admisă a curentului I z max prin dioda Zener.2. b) caracteristica tensiune-curent a diodei Zener Pentru o funcţionare normală a stabilizatorului este necesar ca rezistenţa de balast R să îndeplinească următoarea condiţie: R min < R < R max (4. Figura 4.1) ΔI z = Iz max − I z min ΔU z = U z max − U z min (4. În mod similar funcţionează stabilizatorul şi în cazul variaţiei tensiunii de reţea: dacă tensiunea reţelei creşte. .2. cât şi i z (într-o măsură mult mai mare). tuburi cu gaz de tip stabilovolt sau stabilitron.3. punctul de funcţionare se deplasează spre B.2-b): (4. a căror caracteristică tensiune-curent asigură stabilizarea tensiunii. cresc atât i 2 (într-o mică măsură).2-a) a cărei proprietate principală este de a prelua variaţii importante ale curentului ( ΔI z ). punctul de funcţionare al diodei se găseşte în A. În cazul funcţionării în gol (RS = ∞) se alege o valoare pentru rezistenţa R (de “balast”). Majoritatea stabilizatoarelor parametrice folosesc ca element stabilizator dioda Zener (figura 4. rezistenţa de sarcină se limitează astfel încât punctul de funcţionare M să se situeze la mijlocul segmentului AB (liniar) al caracteristicii. iar punctul de funcţionare se deplasează spre B şi în continuare spre 0. creşte curentul i2 din RS.1 Funcţionarea unui stabilizator parametric Stabilizatoarele parametrice au ca elemente esenţiale diode Zener. pentru a nu se ajunge în zona neliniară a caracteristicii.74 Capitolul 4 electronice.3) 4. Invers. Schema unui stabilizator de tensiune cu diodă Zener este dată în figura 4.2) Pentru RS = ∞. Principiul stabilizatorului parametric cu diodă Zener: a) schema. Aceste stabilizatoare folosesc elemente neliniare (electrice.

2-b.4) E = R ⋅ I + Ua I = I a + Is U Is = a Rs (4.4).3. Modificarea PSF al diodei Zener la variaţia tensiunii de intrare (a) şi la variaţia rezistenţei de sarcină (b) Din relaţiile (4. Stabilizator parametric cu diodă Zener În această schemă sensurile adoptate pentru ia şi ua sunt inversate faţă de schema din figura 4.7) Punctele de intersecţie ale dreptei de sarcină (tăieturile) cu axele de coordonate sunt: . = f(ua). dată grafic sub forma caracteristicii statice a diodei Figura 4.5) (4. astfel încât zona de stabilizare parametrică din caracteristica statică a diodei se va desena în cadranul 1 (figura 4.4) … (4. Tensiunea de ieşire de pe rezistenţa de sarcină Rs este identică cu tensiunea anodică ua a diodei Zenner (DZ).6) rezultă ecuaţia dreptei statice de sarcină: ⎛ R ⎞ E = R ⋅ Ia + ⎜ ⎜ R + 1⎟ ⋅ U a ⎟ ⎝ S ⎠ (4.Stabilizatoare electronice 75 Figura 4.4. Pentru deducerea punctului static de funcţionare (PSF) al diodei se utilizează relaţiile: (4. Tensiunea aplicată la intrarea în stabilizator este tensiunea de ieşire din filtrul redresorului şi s-a notat cu E în schema din figura 4.3.6) precum şi dependenţa ia Zener.

Concluzie: Proprietatea de stabilizare se păstrează în orice regim de lucru. .76 Capitolul 4 Ia = E . atunci tăieturile dreptei statice de sarcină cu axele de coordonate vor fi (figura 4. deci tensiunea pe sarcină este practic constantă dacă PSF (M) nu intră în raza de curbură a caracteristicii statice. Deci. R U" = E" Rs + R Rs (4.10) Se observă că E’ > E şi E” < E.4-b)..4-a). Şi în acest caz modificarea poziţiei punctului static de funcţionare afectează curentul prin diodă. Aceste coordonate sunt: Ia 0 şi Ua 0 ≡ Uz.9) Rezultă că înclinaţia (panta) dreptei statice de sarcină nu depinde de valoarea tensiunii E de la intrarea stabilizatorului. dacă punctul de funcţionare M nu intră în raza de curbură a caracteristicii statice a diodei Zener (DZ). U' = E . iar Rs = ct. tensiunea Ua rămânând practic constantă (vezi figura 4.4-a dreapta statică de sarcină este reprezentată printr-o linie continuă. S-a considerat: R s > R s şi R s < R s . Înclinarea dreptei va fi aceeaşi (vezi figura 4.8) În figura 4.). respectiv U’ > U şi U” < U. U" = E (4.11) " ' R Rs + R Rs + R ' " Observaţie. sau scade la valoarea E”). " ' b) Presupunând că rezistenţa de sarcină Rs variază între valorile R s şi R s . tăieturile dreptei de sarcină cu axele de coordonate vor fi (figura 4. Punctul static de funcţionare al diodei Zener se păstrează pe porţiunea în care tensiunea Ua este practic constantă. iar tensiunea de la intrare rămâne constantă (E = ct. dacă PSF nu intră în zona de curbură a caracteristicii statice. R U' = E' Rs + R Rs . R Ua = E ⋅ Rs + R Rs (4.4-a): I' = E' . La intersecţia dintre caracteristica statică a diodei Zener şi dreapta de sarcină se obţine PSF notat cu M.4-b): " ' E Rs Rs I = I' = I" = . Proiecţiile duse din M pe axele de coordonate determină coordonatele PSF. Panta dreptei statice de sarcină se exprimă prin relaţia: tg α = RR s R + Rs (4. I" = E" . În funcţionarea stabilizatorului parametric pot exista două regimuri distincte de lucru: a) Dacă tensiunea de intrare E se modifică (creşte la valoarea E’. însă tensiunea la bornele diodei. modificarea tensiunii de intrare duce la modificarea curentului Ia .

încât să se compenseze variaţiile tensiunii de ieşire (±ΔU0) faţă de valoarea prescrisă.5. este constantă şi proporţională cu valoarea prescrisă a tensiunii U0 (tensiunea de ieşire pe Rs). de exemplu. prezentată în figura 4.5. în sensul scăderii rezistenţei acestuia. elementul de execuţie 1.13) E = U'+ U 0 dată de teorema a II-a a lui Kirchhoff se conservă în orice condiţie. Amplificatorul 2 amplifică semnalul de eroare şi acţionează asupra elementului de control 1 (ECS) în aşa fel. Tensiunea de referinţă E0. ceea ce reprezintă compensarea efectului iniţial de scădere a tensiunii U0. deci la creşterea tensiunii U0.2. obţinută la ieşirea elementului de comparaţie 5. tensiunea U0 tinde să scadă faţă de valoarea nominală. Acesta se construieşte după schema din figura 4. amplificatorul 2 amplifică semnalul de eroare şi comandă. reprezintă eroarea sau abaterea tensiunii U0 de la valoarea prescrisă.Stabilizatoare electronice 77 4. prin ieşirea sa. Dacă. Schema bloc a stabilizatorului cu element de control serie şi amplificator de eroare Elementul de comparaţie 5 compară două tensiuni: E0 şi Ur. a cărei valoare este comandată de semnalul de ieşire al amplificatorului 2. Tensiunea Ur este proporţională cu valoarea reală a tensiunii U0: U r = U0 R1 = k ⋅ U0 R1 + R 2 (4.12) Diferenţa dintre aceste două tensiuni.6 este dată schema detaliată a stabilizatorului cu ECS. dată de un stabilizator parametric (diodă Zener). întrucât egalitatea: (4. elementul de comparaţie 5 sesizează abaterea. .2 Stabilizatoare cu reacţie având elemente de control serie şi amplificator de eroare Stabilizatorul cu elemente de control serie (ECS) şi amplificator de eroare este cel mai răspândit. În figura 4.5. Figura 4. Micşorarea rezistenţei elementului 1 duce la micşorarea căderii de tensiune U’ pe acest element. Elementul de execuţie 1 se comportă ca o rezistenţă în serie.

dată de relaţia 4.78 Capitolul 4 Figura 4. se va deschide mai mult (curentul de colector ic2 creşte). iar amplificatoarele de eroare sunt amplificatoare operaţionale (AO).6 Schema detaliată a stabilizatorului prezentat în figura 4. creşterea potenţialului în colectorul tranzistorului T1 are ca efect o pozitivare accentuată a bazei tranzistorului T2. În figura 4.2.14. iar în figura 4.12) deci scade şi tensiunea Ube. a cărui rezistenţă este comandată de tensiunea de ieşire a amplificatorului de eroare. fiind un tranzistor npn. . Astfel. are loc compensarea efectului iniţial de scădere a tensiunii U0.5 Tensiunea de referinţă E0 este dată de un stabilizator parametric format din dioda Zener (Dz) şi rezistenţa R3. ducând la creşterea tensiunii U0 conform relaţiei (4.14) şi reprezintă mărimea de intrare în amplificatorul de eroare format din tranzistorul T1 şi rezistenţa R4.7-a amplificatorul de eroare lucrează în regim de amplificator neinversor. Deoarece colectorul tranzistorului T1 este legat direct la baza tranzistorului T2. tensiunea colector – emitor U’ scade.3 Stabilizatoare integrate de tensiune Aceste stabilizatoare au performanţe superioare faţă de circuitele de stabilizare având componente discrete şi pot fi realizate atât pentru tensiuni mari (figura 4.13). va scădea şi tensiunea Ur (conform relaţiei 4. Curentul de bază al tranzistorului T1 se micşorează ducând la reducerea curentului de colector.7-b amplificatorul de eroare lucrează în regim de repetor.7-a) cât şi pentru tensiuni mici (figura 4. Acesta.7-b). Elementele de control serie (ECS) sunt componente integrate. Dacă tensiunea U0 tinde să scadă. 4. Semnalul de eroare este: U be = U r − E 0 (4. Elementul de control serie este tranzistorul T2. deci la creşterea tensiunii de colector Uc1.

Stabilizatoarele integrate pentru tensiuni fixe necesită un număr redus de componente discrete externe (pasive şi active). deoarece în afara circuitului integrat sunt necesare numai două condensatoare iar prezenţa diodei de protecţie este facultativă. în prezent se realizează circuite stabilizatoare de tensiune fixă şi curenţi de sarcină relativ mari. Stabilizatoare de tensiune integrate U2 în funcţie de tensiunea de referinţă Ur are valorile: a) pentru stabilizarea tensiunilor mari (U2 > Ur). schema generală din figura 4.16) U2 = Pentru a îmbunătăţi fiabilitatea stabilizatoarelor integrate şi pentru a elimina căderile de tensiune pe conductoarele externe (ce pot modifica tensiunea de ieşire).17) . ieşire şi bornă de masă. adică: U0 = Unom ± 5% unde Unom = 5V. Dioda D protejează circuitul integrat. în special atunci când STC se află la o distanţă oarecare faţă de circuitul de filtrare care îl precede (la ieşirea redresorului). Condensatorul C2 de la ieşire are tot rol de filtrare.7-b: (4. reducând suplimentar tensiunea de zgomot propriu al stabilizatorului.8 se constituie într-un stabilizator de tensiune fixă (5V) dacă STC este un circuit integrat tip LM7805 (figura 4.7-a: Tensiunea de ieşire R + R2 U2 = 1 ⋅ Ur R1 R1 ⋅ Ur R1 + R 2 (4. prin limitarea tensiunii inverse care poate să apară între intrare şi ieşire. figura 4.8 se prezintă schema clasică a unui stabilizator de tensiune integrat cu trei pini. Condensatorul C1 este indispensabil în montaj. Uin > U0nom + 2.7.5V superioară tensiunii de ieşire U0. fiind prevăzute cu trei terminale: intrare. Acest montaj se caracterizează printr-o simplitate deosebită.pentru tensiuni mari (b). în montajele la care tensiunea de ieşire se menţine şi după anularea tensiunii de intrare (cazul montajelor cu sarcini capacitive importante). Exemplificând. În figura 4.Stabilizatoare electronice 79 (a).pentru tensiuni mici Figura 4. figura 4.9). Tensiunea de ieşire stabilizată în acest caz este: Stabilizatoarele din seria 78XX pot funcţiona corect numai dacă tensiunea de intrare este cu cel puţin 2.15) b) pentru stabilizarea tensiunilor mici (U2 < Ur).5V (4.

Tensiunea de ieşire a stabilizatorului LM317 poate fi reglată între 1. În acest caz termenul IrR2 din expresia tensiunii de ieşire (4. Tensiunea de ieşire se poate determina folosind relaţia: Uout = 1. la un curent maxim de 1. Stabilizator integrat de tensiune fixă (5V) Figura 4..18) Curentul Ir (obţinut la pinul 3) are valori cuprinse în domeniul 4.8.19) U0 = U0nom(1 + R2/R1 + Ir R2) (4. Întrucât valoarea cea mai mare a .10. În figura 4. Pentru un stabilizator de 15V.5A. Din motive de stabilitate.9 i se ataşează un divizor rezistiv la care unul dintre rezistoare este reglabil.5V în cazul stabilizatorului de 5V.80 Capitolul 4 Stabilizatoarele integrate pot îndeplini şi funcţia de regulatoare de tensiune. Din acest motiv se alege R2 ≅ R1/2. dacă schemei din figura 4.11 este prezentată schema unui stabilizator de tensiune variabilă utilizând circuitul integrat LM317 pentru tensiuni pozitive (sau LM337 pentru tensiuni negative). în figura 4. Figura 4. se adoptă R1 = 390 Ω. Variaţiile curentului rezidual Ir (în funcţie de curentul de ieşire) vor avea o anumită influenţă asupra tensiunii de ieşire când se reglează valoarea lui R2 către maxim..2V şi 37V. nu este indicat să se depăşească plaja de variaţie a tensiunii de ieşire.9.25⋅(1 + R2/R1) (4. Variaţiile curentului rezidual Ir în funcţie de curentul de ieşire ar putea afecta gradul de stabilizare al tensiunii de ieşire. Schema de principiu pentru un stabilizator integrat – tensiune fixă Figura 4. astfel încât prin el să treacă un curent de cel puţin cinci ori mai mare decât curentul rezidual (IR1 ≥ 5 Ir). Stabilizator integrat de tensiune variabilă Tensiunea obţinută la ieşire are expresia: curentului Ir este de 8 mA.10.8 mA. Şi în acest caz protecţia împotriva suprasarcinilor rămâne activă în condiţia că tensiunea de intrare nu depăşeşte valoarea maximă admisă (de firmă) care este de regulă de 35 V. faţă de tensiunea nominală. se alege R1 = 120 Ω pentru stabilizatorul LM7805 utilizat în acest caz. cu mai mult de 50%. realizat cu circuitul LM7815. Pentru a minimiza acest efect se alege rezistorul R1. Astfel.18) reprezintă circa 0. este prezentat un variator de tensiune (în limite mici) utilizând circuitul specializat 7805.

11. Observaţii: Deşi schema utilizată în cazul stabilizatoarelor ajustabile de tensiune este identică cu cea din cazul stabilizatoarelor fixe. . Diodele D1 şi D2 au rolul de proteja circuitul integrat în cazul apariţiei unor descărcări inverse ale condensatoarelor. totuşi.25V.Stabilizatoare electronice 81 Figura 4. baza de calcul suferă o modificare generată de faptul că stabilizatoarele variabile dezvoltă o tensiune de referinţă egală cu 1. Stabilizator integrat de tensiune variabilă Condensatorul C3 are rolul de a ameliora. între pinul ADJ şi pinul VOUT (de ieşire). factorul de rejecţie global. suplimentar.

CAPITOLUL 5

REDRESOARE COMANDATE DE MICĂ PUTERE
5.1 Principiul comenzilor pe verticală şi orizontală la redresoarele de mică putere
Pentru ilustrarea unor noţiuni fundamentale privind utilizarea tiristoarelor în mutatoare se consideră cel mai simplu redresor comandat, în schema monofazată, monoalternanţă, cu sarcină rezistivă (figura 5.1). El conţine un dispozitiv de comandă pe grilă, DCG, la intrarea căruia se aplică semnalul de comandă, uc. Scopul urmărit este ajustarea tensiunii continue, la bornele sarcinii, prin intermediul tensiunii de comandă uc.

Figura 5.1. Redresor comandat monoalternanţă

Figura 5.2. Circuit de defazare

După modul cum DCG realizează amorsarea tiristorului (intrarea în conducţie), există două metode de comandă pe grilă: comanda pe orizontală şi comanda pe verticală. Dispozitivul de comandă pe grilă transmite impulsurile iG pe grila tiristorului, la fiecare semialternanţă pozitivă a tensiunii u2 (figura 5.3-b). Aceste impulsuri produc amorsarea tiristorului. Până la aplicarea impulsului iG curentul ia prin tiristor este nul. După deschiderea tiristorului curentul variază proporţional cu tensiunea aplicată u2.

iG care produce amorsarea tiristorului, se numeşte unghi de amorsare şi s-a notat cu αa.
Intervalul cuprins între începutul semialternanţei pozitive şi apariţia impulsului amorsare αa1 şi curentul mediu prin tiristor este proporţional cu suprafaţa dintre curba Din figura 5.3 se observă că modificarea unghiului de amorsare se realizează (1) prin modificarea fazei impulsurilor iG. Astfel, impulsurile iG realizează unghiul de

ωt

Redresoare comandate de mică putere

83

şi abscisă. Tensiunea continuă de pe rezistenţa de sarcină, proporţională cu valoarea curentului mediu, rezultă mai mică decât în cazul când unghiul de amorsare este zero, adică la redresorul necomandat. Dacă unghiul de amorsare creşte la (2) valoarea αa2, corespunzătoare impulsurilor iG , curentul continuu scade la o valoare proporţională cu suprafaţa dublu haşurată.

ia

Figura 5.3. Formele de undă ale tensiunilor şi curenţilor în cazul comenzii pe orizontală

Deci, prin ajustarea fazei impulsurilor de comandă, se poate modifica unghiul de amorsare de la 0° la 180° şi tensiunea continuă variază de la 100% la zero. Acest principiu este valabil în ambele metode de comandă pe grilă (comanda pe orizontală şi comanda pe verticală). La comanda pe orizontală, modificarea fazei impulsurilor iG se face prin deplasarea pe orizontală a unei tensiuni alternative de comandă. În figura 5.3-c este prezentată această tensiune, u~ , cu defazaj reglabil. DCG este astfel construit, încât se generează impulsurile iG în momentul trecerii tensiunii u~ prin zero, de la valori negative spre valori pozitive. Ajustarea fazei semnalului u~ se poate face cu ajutorul unor circuite de defazare aşa cum este cel din figura 5.2. În acest caz comanda defazajului, deci şi a tensiunii redresate, se face printr-o acţiune de reglare manuală asupra reostatului R. Dacă se impune ca tensiunea continuă să fie ajustată printr-un semnal de comandă uc, DCG trebuie să conţină un oscilator electronic care generează o tensiune periodică, liniar variabilă în timp, uLV, precum şi un circuit ce formează un impuls de comandă, iG, atunci când se produce intersectarea tensiunilor uLV şi uc pe panta

83

84

Capitolul 5

descendentă a tensiunii uLV (figura 5.3-d). Modificarea tensiunii de comandă conduce la modificarea corespunzătoare a fazei impulsurilor iG. Comanda pe verticală a redresoarelor monofazate cu tiristoare este ilustrată în figura 5.4. Dispozitivul de comandă pe grilă (DCG) generează iniţial o tensiune alternativă U~, defazată cu 900 în urma tensiunii U2. (a ) Impulsul de comandă pe grilă i G se formează iniţial la intersecţia cu abscisa (pe porţiunea ascendentă a tensiunii U~). Ca urmare, unghiul de amorsare a tiristorului are valoarea iniţială αa = 90 . Principiul comenzii pe verticală constă în variaţia unghiului de amorsare a tiristorului prin deplasarea pe verticală a tensiunii U~, deplasare ce are ca efect micşorarea sau creşterea unghiului de amorsare faţă de unghiul iniţial αa. Pentru a realiza deplasarea pe verticală a tensiunii U~, la nivelul DCG se însumează o tensiune continuă de comandă (Uc – pozitivă sau negativă) cu tensiunea U~.
0

Figura 5.4. Formele de undă ale tensiunilor şi curenţilor în cazul comenzii pe verticală

Redresoare comandate de mică putere
Ajustarea tensiunii de comandă astfel: a. Creşterea tensiunii

85

Uc determină reglarea unghiului de amorsare (Uc > 0) are [00 ... 900], iar
ca efect reglarea valoarea medie a

Uc

în valori pozitive

unghiului de amorsare

tensiunii redresate creşte (proporţional cu valoarea unghiului de conducţie α1) în cadrul unei semialternanţe pozitive; b. Creşterea tensiunii Uc în valori negative

(α1)

în intervalul

(Uc < 0) are ca efect reglarea 0 0 unghiului de amorsare (α2) în intervalul [90 ... 180 ], iar valoarea medie a tensiunii redresate scade proporţional cu creşterea unghiului α2, între [900 ... 1800].

[0 [0% ... 100%] din Ur.

0

Deci unghiul de amorsare a tiristorului se poate regla continuu, în domeniul ...1800], iar tensiunea medie redresată poate fi ajustată continuu, în domeniul

La evaluarea comparativă a performanţelor redresoarelor având comandă pe orizontală faţă de cele ce au comanda pe verticală, un criteriu important este forma dependenţei tensiunii continue U0 în raport cu semnalul de comandă uc. Expresia tensiunii continue sarcină rezistivă este: 2π

U0

la un redresor monofazat comandat cu

1 U0 = 2⋅π


0

1 u r d ( ωt ) = 2⋅π

αa

π

2 ⋅U 2 sin(ωt ) ⋅ d(ωt ) =
(5.1)

=

2 ⋅U 2 (1 + cos α a ) 2⋅π

La comanda pe orizontală, figura 5.3.d, unghiul de amorsare în funcţie de tensiunea de comandă uc prin relaţia:

αa se exprimă
(5.2)

α a = π ⋅ (1 −

uc

Înlocuind α a în relaţia (5.1) rezultă:

u c max

)

U0 =

π uc 2 ⋅U 2 (1 − cos ) 2⋅π u c max

(5.3)

deci dependenţa U0 = f(uc) este neliniară. La comanda pe verticală, considerând că tensiunea de comandă maximă, ucmax, este egală cu amplitudinea tensiunii u~ , relaţia dintre unghiul de amorsare

(αa) şi tensiunea uc este:
α a = arccos(

uc u c max

)

(5.4)

Înlocuind relaţia 5.4 în ultima formă a relaţiei 5.1 se obţine:

85

Rampă de tensiune 8. este circuitul integrat ßAA-145. 5. care pot fi realizate cu ajutorul componentelor electronice discrete sau cu ajutorul circuitelor integrate. întrucât redresorul comandat poate fi utilizat ca element de execuţie într-un sistem liniar de reglare automată (de exemplu reglarea turaţiei motorului de curent continuu).Alimentare ( I ) 6.Alimentare (+V) 2. Dispozitiv de comandă pe grilă realizat cu ßAA-145 .Ieşire monostabil 3.Referinţa de tensiune (-V) 16.Ieşire (E2) 15.5) deci.Sincronizare paralel Figura 5. destinat comenzii în fază a elementelor de redresare.5.Ieşire ( E1 ) 11.5. dependenţa U0 = f(uc) este liniară. semnificaţia terminalelor (pinilor) este următoarea: 1.Masă − 13.2 Circuite specializate pentru comanda în fază a tiristoarelor Pentru reglarea unghiului de conducţie a tiristoarelor şi/sau triacurilor se pot utiliza dispozitive electronice specializate. Această proprietate reprezintă un avantaj important al comenzii pe verticală faţă de comanda pe orizontală.Intrare de sincronizare 10.86 Capitolul 5 U0 = 2 ⋅U 2 uc (1 + ) u c max 2⋅π (5.Blocare impuls 7.Comandă durată (tp) 14. Făcând abstracţie de schema electronică detaliată prezentată în [9].Comandă fază ( V8 ) 9. Unul dintre cele mai utilizate circuite integrate. Schema electronică test pentru o aplicaţie tipică (cu posibilităţi de comandă a două tiristoare) realizată cu circuitul integrat ßAA145 este prezentată în figura 5.

Variaţia unghiului de conducţie în raport cu tensiunea de comandă (V8) este prezentată în figura 5. În acest caz valorile rezistenţelor divizorului se adoptă astfel încât curentul de sincronizare (consumat la pinul 9) să aibă valoarea de 10 mA. Figura 5.6. ce urmează a fi aplicate pe porţile tiristoarelor sau triacurilor. asociat cu divizorul rezistiv pentru alimentarea pinului de sincronizare (9).7. atunci când tensiunea de comandă aplicată la pinul 8 variază în domeniul 0. se obţin la pinii 10 şi 14.6.. această valoare fiind un parametru de catalog.. 87 .8V. Diagrama impulsurilor de comandă Impulsurile de comandă. pentru separare galvanică (220V~/24V~). Durata impulsurilor (tp) se poate ajusta cu ajutorul unui potenţiometru semireglabil (Rt) de 250 KΩ conectat la pinul 11. Variaţia unghiului de conducţie Figura 5.Redresoare comandate de mică putere 87 Observaţie: Este recomandat să se utilizeze un transformator coborâtor de tensiune. Acest circuit permite reglarea unghiului de conducţie (φ) în domeniul 0-180 grade.

3 Redresor monofazat semicomandat în punte În cazul redresorului semicomandat.88 Capitolul 5 Cele două impulsuri de comandă (V10 şi V14) sunt decalate permanent cu un unghi constant de 180 grade.8.. impulsul de amorsare (aprindere) a fiecărui tiristor poate fi aplicat la un interval de timp variabil. dar unghiul de conducţie ϕ se poate regla în intervalul 0. figura 5. Aceste transformatoare realizează separare galvanică Între circuitul de forţă (tiristor sau triac) şi circuitul de comandă unde se află circuitul integrat βAA – 145. acest interval defineşte unghiul de comandă (α) pentru tiristoare.. În raport cu referinţa.. tensiunea de ieşire Ud este reglabilă în limitele [0. . Întrucât impulsurile de comandă (V10 şi V14) sunt de mică putere. în cazul redresorului monofazat. începe ieşirea din conducţie a tiristorului T2 şi intrarea în conducţie a diodei D1. Figura 5. realizate cu miezuri de ferită şi dimensionate corespunzător.8.100%]. iar formele de undă ale tensiunilor şi curenţilor prin circuitul redresor-sarcină sunt date în figura 5. Reglajul tensiunii se face prin comanda corespunzătoare a tiristoarelor din circuit. Exprimat în radiani..catod.7. se alege ca moment de referinţă pentru comanda pe grilă. Unghiul de comandă (α) exprimă intervalul de timp cuprins între momentul începutului blocării tiristorului T1 şi momentul în care începe conducţia tiristorului T2. Schema electrică a redresorului monofazat în punte semicomandată Tiristoarele trebuie comandate pe intervalul în care tensiunea lor în sensul anod – catod este pozitivă.9. 5. Blocarea impulsurilor de comandă (inhibarea circuitului ßAA-145) se poate face conectând pinul 6 la masă. În punctul A al diagramelor. Impulsurile astfel amplificate sunt aplicate pe porţile tiristoarelor/triacurilor prin intermediul unor transformatoare de impulsuri. Momentul în care tensiunea pe tiristor este nulă şi urmează să devină pozitivă în sensul anod . Momentul de referinţă pentru unghiul de comandă este momentul trecerii prin zero a tensiunii reţelei. acestea trebuie amplificate cu ajutorul unor amplificatoare de tip Darlington. Schema electrică a redresorului monofazat în punte semicomandată (cu sarcină inductiv-rezistivă) este prezentată în figura 5.180 grade datorită translaţiei pe orizontală a celor două impulsuri.

Figura 5. iar tiristorul T2 se blochează natural în momentele A. C şi E. α – este unghiul de conducţie al tiristoarelor. Tiristorul T1 se stinge natural în punctele (momentele) B şi D. D2 . După intervalul de conducţie γ 2 . RS) se obţine în intervalele de timp în care are loc conducţia simultană pe T1.6) unde: US – este valoarea eficace a tensiunii din secundar ( U 21 = U 2 2 ). Tensiunea medie redresată (Ud) este dată de relaţia: Ud = 2 U S (cos α + 1) .9. Formele de undă ale tensiunilor şi curenţilor 89 . Tensiunea redresată Ud pe sarcină (LS. curentul de sarcină trece în întregime prin T1 şi D1. D1 şi respectiv T2. π (5.Redresoare comandate de mică putere 89 Intervalele de comutaţie γ1 şi γ 2 definesc timpii necesari blocării tiristoarelor şi intrării în conducţie a diodelor.

rDZ = 8 [ Ω ] . c) Unghuiul de conducţie θ al diodei Zenner. faţă de metoda comenzii pe orizontală (în cazul redresoarelor comandate) ? 2.1[ V ] . Care este rolul şi seminificaţia terminalelor (pinilor) de la circuitul integrat βAA145. b) Durata de conducţie a diodelor este mult mai mare decât durata de conducţie a tiristoarelor. b) Tensiunea între punctele M şi N (U MN ) .4 Întrebări şi problemă 1.90 Capitolul 5 Observaţii: a) Pe durata conducţiei tiristoarelor. d) Valoarea curentului de sarcină (I S ) . specializat pentru comanda în fază a tiristoarelor şi triacurilor? Problemă Se dă circuitul de redresareşi stabilizare din figură pentru care se cunoaşte: u1 ( t ) = 240 ⋅ sin ( ωt ) [ V ] . asigurând curentul neîntrerupt prin sarcina RS. α c = 900 ( unghiul de comutatie al tiristorului ) Se cere: a) Tensiunea medie redresată U 0 . LS. iar în intervalul unghiului de comandă cele două diode D1 şi D2 joacă rolul de protecţie (descărcare) împotriva tensiunilor de autoinducţie ce apar în momentul blocării tiristoarelor. R S = 50 [ Ω ] . 5. interval de timp necesar preluării conducţiei de la tiristoare de către diode. R = 200 [ Ω ] . U Z = 9. diodele de acelaşi indice (nume) joacă rolul de redresor. Ce avantaj oferă comanda pe verticală. c) Tensiunea redresată (Ud) creşte dacă unghiul de comandă α scade. K TR = 8. Valoarea minimă a unghiului de comandă (α) se adoptă în intervalul 5÷8 grade electrice.

2. propoziţiei “releul Y este acţionat” (figura 6. Deci se obţine identitatea logică: y≡x (6.1-b) i se poate asocia variabila binară y. Realizarea identităţii logice. conform căreia o propoziţie poate fi adevărată sau falsă. În mod similar. propoziţia a doua este adevărată când prima propoziţie este adevărată şi invers. când propoziţia este adevărată şi valoarea 0 când propoziţia este falsă. Figura 6.2. Fiecărei propoziţii i se poate asocia o variabilă. circuitul se . Figura 6. Definirea funcţiilor logice elementare. care are valoarea 1. Acestei propoziţii i se poate asocia variabila binară x.3. numită şi algebră booleană (după numele matematicianului irlandez G. contactul butonului X este normal închis. având o semnificaţie asemănătoare.CAPITOLUL 6 CIRCUITE LOGICE COMBINAŢIONALE ŞI SECVENŢIALE 6. În algebra booleană se utilizează logica bivalentă. Fie de exemplu. Boole. 1815-1864). 1 Identitatea logică.1-a. În cadrul schemei din figura 6. numită variabilă logică sau binară. Veridicitatea unei propoziţii poate să depindă de veridicitatea altor propoziţii. Ilustrând această idee prin exemple simple.1 Funcţii logice elementare Algebra logicii. propoziţia: “butonul X este acţionat” (figura 6.1. Când butonul este acţionat. 2 Negaţia logică. acesta îşi deschide contactul. la care interesează veridicitatea acestora. contactul electric este închis) şi valoarea 0 dacă propoziţia este falsă (contactul electric deschis). Referindu-ne la cele două propoziţii menţionate anterior constatăm că în schema din figura 6. se vor introduce – în cele ce urmează – funcţiile logice elementare.1) Identităţii logice îi corespunde tabelul de adevăr 6.1-a). operează cu propoziţii. care are valoarea 1 dacă propoziţia este adevărată (butonul fiind acţionat. luate din domeniul schemelor de comandă cu relee şi contacte.

conjuncţia logică se mai numeşte funcţie logică “ŞI”.3) Generalizând.5. situaţie în care funcţia ”SAU” este: y = x1 + x2 + x3 + . disjuncţia logică poate conţine n variabile binare. + xn (6..2 a) x y≡x x y= x 0 0 0 1 1 1 1 0 x1 x2 y=x1+x2 0 0 0 1 0 1 0 1 1 1 1 1 b) x ⋅x 4 Conjuncţia logică a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin 1 2 şi are valoarea 1 dacă ambele variabile au valoarea 1. conjuncţia logică are valoarea 1.3 se constată că numai atunci când x1 şi x2 au valoarea logică 1.6) În cazul negaţiei logice. disjuncţia logică se mai numeşte funcţie logică “SAU”. Se realizează deci negaţia logică. Interpretarea fizică a acesteia este ilustrată prin schema dată în figura 6.. Realizarea funcţiei logice SAU Tabelul 6.1-b. iar releul Y nu va fi acţionat. sau ambele variabile au valoarea 1. corespondenţa dintre variabila dependentă (y) şi cea independentă (x) este dată de tabelul de adevăr 6.4.4. de unde rezultă: y = x1 ⋅ x 2 (6.. Realizarea fizică a funcţiei “ŞI” cu două variabile este dată în schema din figura 6. Realizarea negaţiei logice Figura 6.2) Figura 6.1 Tabelul 6. notată simbolic: y= x (6.92 Capitolul 6 întrerupe. Din tabelul de adevăr 6. Disjuncţia logică a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin x1+x2 şi are valoarea 1 dacă una dintre variabile are valoarea 1. Ca urmare.. din care rezultă: y = x1 + x2 (6. conjuncţia logică se realizează cu n variabile binare. ⋅ xn (6. Tabelul de adevăr 6.3. Din acest motiv.4) .2 al disjuncţiei logice arată că aceasta are valoarea 1 dacă x1 sau x2 au valoarea ”1” logic sau x1 şi x2 au valoarea logică 1.5) În cazul general. situaţie în care funcţia ”ŞI” este: y = x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ .

iar în terminologia engleză este NOR (Not-OR). şi 6.5 0 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 0 Tabelul 6. Uneori. funcţia SAU-EXCLUSIV este disjuncţia termenilor x1 ⋅ x 2 şi x1 ⋅ x 2 . se mai utilizează şi alte funcţii logice (derivate).6 x1 x2 y= x1 ⋅ x 2 0 1 0 0 0 1 1 1 1 1 1 0 x1 x2 x1⊕x2 0 0 0 1 0 1 0 1 1 1 1 0 Din compararea tabelelor de adevăr 6. atunci când nici x1. ŞI reprezintă funcţii elementare în algebra propoziţiilor. funcţia NICI se mai numeşte funcţie SAU-NU. adică se mai numeşte funcţia ŞI-NU. fapt ce exclude posibilitatea de a fi adevărate simultan cele două alternative implicate în propoziţie. Funcţia logică SAU-EXCLUSIV a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin x1⊕x2 şi este definită prin intermediul tabelului de adevăr 6. Funcţia logică NICI a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin x1↓ x2 şi este definită prin intermediul tabelului de adevăr 6. Semnificaţia şi denumirea funcţiei este legată de interpretarea propoziţiilor de forma: “Maşina electrică funcţionează în regim de motor sau în regim de generator”.6. cum sunt: NICI. simbolizarea disjuncţiei logice şi respectiv a conjuncţiei logice realizate cu două variabile (ca în exemplul de faţă) se poate face astfel: y =x1 ∪ x2 .7) Funcţiile logice NU.4. iar în terminologia engleză NAND (Not –AND): x1 ↑ x 2 = x 1 ⋅ x 2 (6. funcţia SAU negată: (6. Comparând tabelele de adevăr 6. SAU. de fapt.2 şi 6.3.Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale Tabelul 6.9) Observaţie: Şi în cazul funcţiilor NOR şi NAND. SAU EXCLUSIV etc. Se remarcă faptul că funcţia are valoarea 1. adică: (6.5. x1 x2 y= x1 + x 2 Tabelul 6. NUMAI. Funcţia logică NUMAI a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin x1↓ x2 şi este definită prin intermediul tabelului de adevăr 6.3 93 Figura 6.8) x1 ↓ x 2 = x1 + x 2 Din acest motiv.5.5 rezultă că funcţia NUMAI se obţine prin negarea funcţiei ŞI.10) . În conformitate cu tabelul de adevăr 6. nici x2 nu sunt egale cu 1.6. Tabelul 6. y = x1 ∩ x2 (6.4. se constată că funcţia NICI reprezintă. acestea se pot realiza cu n variabile binare.4. În afara acestora.

SAU.2 Relaţii fundamentale în algebra logicii Pentru transformarea unor expresii logice în altele.13) (6.9) precum şi teoremele lui De Morgan rezultă: (6.94 Capitolul 6 6. NUMAI şi SAU–EXCLUSIV prin intermediul funcţiilor elementare NU. la funcţiile NU. date în tabelul 6. Tabelul 6. crt. se folosesc o serie de relaţii (proprietăţi) fundamentale.7 permit exprimarea funcţiilor NICI. utilizând relaţiile de definiţie (6.8) şi (6. de la funcţiile NICI şi NUMAI. Relaţiile date în tabelul 6.15) .7 Nr. SAU. ŞI.11) x=x+x=x↓x x1 + x 2 = x1 + x 2 = x1 ↓ x 2 x1 ⋅ x 2 = x1 ⋅ x 2 = x1 + x 2 = x1 ↓ x 2 (6. însă cu o structură mai simplă.7. echivalente celor iniţiale. se realizează astfel: x1 ↓ x 2 = x1 + x 2 = x1 ⋅ x 2 x1 ↑ x 2 = x1 ⋅ x 2 = x1 + x 2 (6. Verificarea acestor proprietăţi se poate face cu uşurinţă utilizând tabelele de adevăr ale funcţiilor logice elementare.14) (6. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Proprietatea de idempotenţă Proprietatea de asociativitate Proprietatea de comutativitate Proprietatea de distributivitate Proprietatea de absorbţie Teoremele lui De Morgan Principiul contradicţiei Principiul terţului exclus Principiul dublei negaţii Denumirea relaţiei logice Proprietăţile constantelor logice 0 şi 1 x+0=x x ⋅0 = 0 x + 1 = 1 x ⋅1 = x x+x=x x⋅x=x (x1⋅x2)⋅x3 = x1⋅(x2⋅x3) (x1+x2)+x3 = x1+(x2+x3) x1⋅x2 = x2⋅x1 x1+x2 = x2+x1 x1⋅(x2+x3) = (x1⋅x2)+(x1⋅x3) x1+(x2⋅x3) = (x1+x2)⋅(x1+x3) x1+x1⋅x2 = x1 x1⋅(x1+x2) = x1 x1 ⋅ x 2 = x1 + x 2 x1 + x 2 = x1 ⋅ x 2 x⋅ x =0 x+ x =1 x =x Astfel. ŞI.12) Transformările inverse.

1 s-a arătat modul de realizare a funcţiilor logice elementare prin intermediul contactelor. Relaţiile (6. Regula de asociere: " 0" logic → (0. care lucrează în regim de comutaţie. cu deosebirea că în starea “0” logic (tranzistor saturat). funcţiile logice elementare NU. 6.13) … (6.19) . ŞI. Tabelul 6. când tensiunea în colectorul tranzistorului este aproximativ egală cu tensiunea de alimentare.. E ) → H (6. iar dacă este polarizată invers. întrucât prin intermediul lor se poate exprima orice altă funcţie logică.18) sunt sintetizate în tabelele recapitulative 6...18) Relaţiile de transformare (6. Diodele semiconductoare se consideră ideale (cu rezistenţă internă nulă). Realizarea funcţiilor logice elementare cu dispozitive electronice În § 6.High).17) x = x⋅x = x↑ x x1 + x 2 = x1 + x 2 = x1 ⋅ x 2 = x1 ↑ x 2 (6. numite circuite logice. ceea ce echivalează cu semnalul “0” logic. Dacă dioda este polarizată în sens direct.9. ea va fi asimilată cu un element conductor ideal (contact închis). Punctul static de funcţionare (M) al unui tranzistor bipolar este plasat pe dreapta de sarcină în M” (regim de saturaţie) – corespunzător unei tensiuni neglijabile în colector. cât şi funcţia NUMAI pot juca rolul unui sistem complet de funcţii elementare. se consideră ca un izolator ideal (contact deschis). . .8 Tabelul 6. Valorilor logice ”0” şi ”1” li se asociază două niveluri de tensiuni electrice: nivel coborât (L -Low) şi nivel ridicat (H .3 Circuite logice. SAU formează un sistem complet de funcţii.8 şi 6. .Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale 95 (6. .13)…(6.18) arată că atât funcţia NICI. ceea ce echivalează cu semnalul “1” logic. De asemenea. ceea ce le oferă o importanţă deosebită în circuitele logice de comandă.16) (6. căderea de tensiune pe tranzistor este mai mare decât la tranzistorul bipolar. Funcţiile logice se pot realiza şi cu ajutorul unor circuite electronice.9 x 1 ⋅ x 2 = x1 ⋅ x 2 = x 1 ↑ x 2 x1 ↓ x 2 = x1 + x 2 x1 ↓ x 2 = x1 ⋅ x 2 x1 ↑ x 2 = x1 + x 2 x1 + x 2 = x1 ↓ x 2 x1 ⋅ x 2 = x1 ↓ x 2 x1 ↑ x 2 = x1 ⋅ x 2 x1 + x 2 = x1 ↑ x 2 x1 ⋅ x 2 = x1 ↑ x 2 În algebra propoziţiilor.. În mod similar se consideră şi tranzistoarele unipolare. Tranzistoarele utilizate în circuitele logice funcţionează în regim de comutaţie. în componenţa cărora intră diode şi tranzistoare.+ ε1 )V → L " 1" logic → (+ E − ε 2 . punctul static poate fi în poziţia M’ (regim de blocare).

.20) Sub aspect tehnologic. la ieşire se obţine o tensiune uy = 0 V. D2 este blocată şi tensiunea de ieşire este egală cu cea de la prima intrare. Funcţionarea acestui circuit este următoarea: dacă x1 = 0.− E ) → H Figura 6. În alte situaţii. circuitele logice conţineau componente discrete. cu circuitul NU. ambele diode sunt blocate (având semnal pozitiv la catozi). conducând D2. Dacă x = 1. realizat cu diode.9. deci y = 1. atunci când x1 = 0. deci y = 0. se adoptă logica negativă. iar D1 este blocată. lucrând în logica pozitivă. Schema unui circuit ŞI cu două intrări. funcţionarea este similară. În primele variante constructive.. toate punctele circuitului se vor afla la potenţial nul. dacă x1 = 1. în logică pozitivă este dată în figura 6. " l" logic → (− E + ε 2 . tranzistorul este blocat. x2 = 0. conduce dioda D2. În figura 6. adică y = 1. corespunde logicii pozitive şi se aplică. . x2 = 1. Dacă x1 = 0 şi x2 = 0. deci y = 0. rezistoare şi tranzistoare) se obţin prin conectarea în serie a circuitului SAU. Dacă x1 = 1 şi x2 = 0. Circuit ŞI Circuitele SAU-NU (NOR). respectiv circuitul ŞI-NU (NAND) realizate cu ajutorul componentelor discrete (diode.. respectiv 6. respectiv D2 conduc.6 este dată schema unui circuit logic NU (logică pozitivă). tensiunea de intrare ux este egală cu 0 V.. adică tensiunile de intrare sunt egale cu 0 V. În mod similar rezultă y = 0 când x1 = 0. circuitele logice se pot realiza utilizând componente discrete sau sub formă de circuite integrate. respectiv ŞI.6. Atunci când x1 = 1 şi x2 = 1. de exemplu. deci la ieşire se obţine uy. deci y = 0. .8. sunt date în figurile 6. tensiunea de intrare este ux. Circuit SAU Figura 6. Tensiunea de ieşire este egală cu valoarea căderii de tensiune pe diodele care conduc. x2 = 0. intrările sunt conectate la potenţialul bornei comune şi diodele D1. În figura 6. bornele de intrare având potenţialul +E ( E ≥ E1 ). deci rezultă y ≅ 0.7 este dată schema unui circuit SAU cu diode.. adică ≅ 0V. dioda D1 conduce.−ε1 ) V → L (6.7. . ca de exemplu la utilizarea tranzistoarelor de tip pnp.8. Tensiunea de ieşire este egală cu valoarea căderii de tensiune pe dioda D2. . căreia îi corespunde regula de asociere: " 0" logic → (0. astfel încât y = 1.10. Dacă x = 0. E şi tranzistorul lucrează în saturaţie. E. Schemele acestor circuite. precum şi simbolizarea lor. respectiv D1 şi D2. x2 = 1 sau x1 = 1 şi x2 = 1.96 Capitolul 6 în care ε1 şi ε2 sunt toleranţe admise. iar la ieşire rezultă semnal logic y = 1. la utilizarea tranzistoarelor bipolare de tip npn. baza este negativată (prin sursa –Eb). Circuit logic NU Figura 6.

Circuitele DTL (Diode-Transistor-Logic) au structura similară circuitelor cu componente discrete. Circuitele RTL şi DTL având performanţe reduse. După tehnologia utilizată. dintre care menţionăm.11. a cărui schemă este dată în figura 6. conectate la bazele tranzistoarelor bipolare. realizate cu tranzistoare unipolare TEC-MOS. adică are o joncţiune bazăcolector şi mai multe joncţiuni bază-emitor.4 Circuite logice integrate (poarta logică NAND .9. HLL şi I2L.Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale 97 Figura 6. Circuit ŞI-NU (NAND) 6. este de tip multiemitor. în prezent nu mai sunt utilizate. Tranzistorul de intrare. în care se utilizează tranzistoare bipolare. TTL. şi CLI-MOS.10. Circuitele TTL (Transistor. Circuitele RTL (Resistor-Transistor-Logic) au intrările prin rezistenţe. joncţiunea bază-emitor respectivă conduce.TTL) În prezent circuitele logice se realizează aproape în exclusivitate sub formă de circuite integrate. Dacă la una dintre intrări se aplică tensiunea 0V. Astfel curentul i în colectorul lui T1 este neglijabil. Circuit SAU-NU (NOR) gura 6. potenţialul bazei este practic egal cu 0V iar joncţiunea bazăcolector nu conduce. adică intrarea respectivă se leagă la masă. Modulul logic reprezentativ al familiei de circuite TTL este circuitul ŞI-NU. T1.Transistor-Logic) sunt în prezent cele mai utilizate CLI. circuitele logice integrate (CLI) se clasifică în: CLI bipolare. La realizarea CLI bipolare s-au adoptat mai multe tipuri de structuri de bază. în ordinea în care s-au succedat. tipurile: RTL. DTL. .

în această situaţie.4 V pentru y=”0” logic VH 3. se asigură o cădere de tensiune pe rezistenţa RE. Ca urmare. deoarece tensiunea bază-emitor aplicată acestuia este neglijabilă. însă va conduce joncţiunea bază-colector. potenţialul bazei tranzistorului T4 este practic egal cu 0V. deci y = 0. adică potenţialul bornei de ieşire este practic egal cu +E. care determină saturarea tranzistorului T4. Întrucât T3 se comportă ca un contact deschis. deci şi acest tranzistor este blocat. stabilindu-se un curent i suficient de mare pentru aducerea în saturaţie a tranzistorului T2.98 Capitolul 6 Figura 6. tensiunea de ieşire este practic +E. potenţialul colectorului acestui tranzistor (T4). Practic. cât şi în situaţiile când mai multe intrări au tensiunea de 0V. întrucât T3 este în conducţie (saturat). Circuit ŞI-NU (NAND) TTL Tranzistorul T2 este blocat şi întrucât iE2 = 0. Dacă la toate intrările se aplică tensiunea +E. Curentul iE2 fiind mare. joncţiunile bazăemitor ale tranzistorului T1 nu conduc. Figura 6. În acelaşi timp tranzistorul T3 este blocat.11. Deci. 1 2 Caracteristica de transfer a tensiunii pentru poarta TTL (NAND) este prezentată în figura 6. generând curentul de sarcină. tranzistorul T3 se comportă ca un repetor pe emitor.5 V pentru y=”1” logic Valorile standardizate pentru circuitele TTL sunt 0V şi 5V. iar T4 ca un contact închis. Observaţii: Când ieşirea este ”1” logic (y = 1).12. Dioda D este conectată între tranzistorele T3 şi T4 din motive tehnologice. tensiunea de ieşire este 0V. . valorile tensiunilor pentru ”0” logic şi ”1” sunt: VH 0.12. iar curentul prin sarcina conectată la ieşire este asigurat de tranzistorul T3 care este în saturaţie.

atunci tranzistorul T3 va fi saturat. Perechile de tranzistoare T1. Funcţionarea este următoarea: a) Dacă T2 sau T’2 este saturat.) − VCE (T4 − sat.) − VD (6.22) 6. Poarta TTL (NOR) Concluzie: Circuitul NOR (SAU-NU) realizează funcţia logică F ="1" = V0 = A + B = A ⋅ B . Observaţie: T2 sau T’2 sunt saturate dacă T1 sau T’1 sunt blocate. VCE (T3 − sat. .tensiunea colector-emitor când T4 este saturat. Poarta logică integrată NOR (SAU-NU) În cele ce urmează se prezintă poarta integrată NOR (SAU-NU) realizată cu numai 2 (două) intrări.) − VD R C3 (6. atunci când T1 şi T’1 sunt saturate. VH = VCC − VCE (T3 − sat.13. T’2 formează două etaje de intrare conectate în paralel pe rezistoarele R2 şi R3.) . adică VIA sau VIB au valoarea „1” logic (+E volţi). ce are schema electrică prezentată în figura 6. când acesta ar trebui să fie deja blocat.13. Deci la ieşirea F se obţine V0=”0” logic. În starea ”1” logic tensiunea VH la ieşirea porţii TTL este: VCE (T4 − sat. iar T4 este blocat. Figura 6. Cauza conducţiei simultane este aceea că T3 comută mai rapid în conducţie decât comută T4 în starea de blocare.) . Expresia curentului maxim de impuls în colector (ICC-max) la ieşirea porţii TTL este: I CC − max = unde: VCC − VCE (T3 − sat. T2 şi T’1. la ieşire se obţine V0=”1” logic (+E volţi). deoarece T3 este blocat iar T4 este saturat. Astfel T3 îl ”surprinde” pe T4 în conducţie. b) Dacă T2 şi T’2 sunt blocate.4.1.tensiunea colector-emitor când T3 este saturat. într-un interval de timp foarte scurt (de ordinul microsecundelor).Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale 99 Observaţie: În timpul funcţionării (la trecerea din starea ”0” logic în starea ”1” logic) apare un impuls de curent tranzitoriu (curent suplimentar) datorită conducţiei simultane a tranzistoarelor T3 şi T4.21) VD – este căderea de tensiune pe dioda D.

Circuitele logice combinaţionale sunt acele circuite de comandă la care setul mărimilor de ieşire. u 2 . . Mărimile de intrare sunt variabile binare independente. La ieşirea F se obţine ”0” logic dacă una dintre intrări (sau ambele) au nivel de tensiune ”1” logic. contacte ale unor relee din alte scheme de comandă etc. lămpi de semnalizare etc. fr(.. 6.14..).. schema de comandă se poate reprezenta ca în figura 6..14-b. reprezentând contacte de butoane şi de limitatoare de cursă.elemente de ieşire: Y1.ansamblul elementelor de comandă (contacte sau circuite logice). a) Circuit combinaţional. y2. adică funcţii în care variabilele logice sunt legate prin operaţiile din algebra logicii.23) în care f1(. în momentul considerat. iar y1.5. um se numesc mărimi de intrare. .. Um.) sunt funcţii booleene. ….5 Circuite logice combinaţionale 6. …. . . u m ) (6. …. b) Simbolizarea circuitului combinaţional Asociind elementelor de intrare-ieşire variabile binare. notate cu litere mici. caracterizat prin următoarele elemente: . u 2 . ... iar mărimile de ieşire sunt variabile binare dependente. Yr. Y2.).. yr – mărimi de ieşire. în orice moment. îi corespunde în mod univoc o anumită situaţie a elementelor de ieşire.100 Capitolul 6 când ambele intrări sunt legate la masă.14-a). ale căror structuri sunt cunoscute. reprezentând înfăşurări de relee şi/sau contactoare. u2. înfăşurări ale robinetelor electromagnetice. U2.. este determinat în mod univoc de o combinaţie dată a mărimilor de intrare. în care u1. …. u m ) M y 2 = f 2 (u1. u 2 .. Circuitele logice combinaţionale sunt descrise prin ecuaţii ieşire-intrare de forma: y1 = f1 (u1. f2(. În privinţa circuitelor logice combinaţionale se pot formula două categorii de probleme: . unei situaţii date a elementelor de intrare (acţionate sau neacţionate). Figura 6.1 Noţiuni generale Fie un circuit de comandă (figura 6.. u m ) M y r = f r (u1. .elemente de intrare: U1. Cu alte cuvinte.

Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale
analiza circuitelor logice combinaţionale; sinteza (proiectarea) circuitelor logice combinaţionale.

101

6.5.2 Analiza circuitelor logice combinaţionale
Într-o problemă de analiză se dă structura circuitului combinaţional, starea elementelor de intrare (dacă sunt acţionate sau nu) şi se cere starea elementelor de ieşire. O problemă de analiză, de tipul celei formulate, se rezolvă în trei etape: • pornind de la schema circuitului combinaţional, se asociază variabile binare elementelor fizice de intrare-ieşire şi se scrie funcţia logică corespunzătoare schemei date; • se înlocuiesc variabilele binare independente cu 1 sau 0, după starea elementelor de intrare respective; • se evaluează expresia logică, deteminând variabila dependentă (mărimea de ieşire): dacă aceasta este 1, elementul de ieşire este acţionat, iar dacă expresia logică are valoarea 0, elementul de ieşire este neacţionat.

Figura 6.15. Schema de comandă cu releu şi contacte

Figura 6.16. Schema de comandă echivalentă schemei din figura 6.22

Vom ilustra procedura descrisă prin intermediul schemei de comandă cu relee şi contacte dată în figura 6.15. Aici, U1, U2 şi U3 sunt contacte normal deschise şi normal închise ale unor elemente de comandă, limitatoare de cursă etc. Aşa cum s-a arătat în § 6.1, contactelor normal deschise li se asociază variabile binare, notate cu litere mici fără bară de negare, iar contactelor normal închise li se asociază variabile binare negate (cu bară de negare). Acţionarea unui contact normal închis reprezintă deschiderea sa. Asociind o variabilă binară, y, elementului de ieşire, Y, schema de comandă poate fi reprezentată ca în figura 6.16. Cunoscând realizarea funcţiilor logice elementare utilizând contacte, variabila de ieşire y (figura 6.16) se poate exprima cu uşurinţă prin intermediul variabilelor de intrare u1, u2 şi u3:

y = (u1 u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3 ) u + (u1u 2 + u 1 u 2 ) u 1 3

(6.24)

Presupunem că, în cadrul problemei de analiză, se cere starea elementului de ieşire atunci când U1 şi U2 sunt acţionate iar U3 este neacţionat. Punând în expresia (6.24) u1 = u2 =

1 şi u3 = 0, se obţine:

y = (1 ⋅ 1 ⋅ 0 + 1 ⋅ 1 ⋅ 0) ⋅ 1 + (1 ⋅ 1 + 1 ⋅ 1) ⋅ 0 = 1
deci elementul de ieşire este acţionat. Formularea problemelor de analiză a schemelor combinaţionale poate fi completată în sensul determinării unei scheme de comandă mai simplă, însă echivalentă cu cea iniţială, sau al stabilirii unei scheme de comandă cu aceleaşi funcţiuni, însă realizată prin alte dispozitive (de exemplu, circuite logice). Rezolvările

102

Capitolul 6

acestor completări din formularea problemelor de analiză constituie, în acelaşi timp, soluţii ale unor etape din procedura de sinteză (proiectare) a schemelor combinaţionale. Fie schema de comandă din figura 6.15. Se cere o schemă echivalentă cu aceasta, însă mai simplă, adică realizată cu un număr mai mic de elemente. Pentru simplificarea schemei de comandă se procedează la minimizarea funcţiei booleene (6.24), adică la aducerea acesteia la o formă cât mai simplă. Utilizând relaţiile fundamentale din algebra booleană, se obţine:

(6.25) Ţinând seama de proprietăţile de idempotenţă, terţ exclus şi contradicţie, din ultima expresie se obţine: (6.26) y = u 1 u 2 u 3 + u1u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3 Mărimea de ieşire (y) s-a exprimat printr-o disjuncţie a unor conjuncţii logice. Funcţia booleană corespunzătoare se exprimă în forma canonică disjunctivă. Constituenţii disjuncţiei se numesc mintermeni. Pentru obţinerea formei canonice disjunctive minimale se pot utiliza mai multe metode: a) metoda alipirilor (metoda grupărilor); b) metoda diagramelor Karnaugh; c) algoritmul Quine-McCluskey. Dacă numărul variabilelor logice este mai mare de 3, se recomandă metodele b sau c. Pentru exemplul anterior, având în vedere numărul redus de mintermeni, vom utiliza metoda grupărilor. Termenii vor fi grupaţi câte doi, astfel încât fiecare pereche să aibă numai un singur termen diferit în conjuncţiile respective. Astfel, primii doi mintermeni se pot grupa având u 2 u 3 ca parte comună în conjuncţii. La fel, primul şi al treilea, se pot grupa având u 1 u 3 ca parte comună. Pentru a nu rămâne un mintermen necuplat, în expresia (6.25) se adaugă în disjuncţie mintermenul existent u 1 u 2 u 3 (care se poate cupla cu ceilalţi doi):

y = u 1 u 2 u 3 + u1u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3
Această expresie este

(6.27)

identică cu cea precedentă, deoarece u 1 u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3 = u 1 u 2 u 3 , ca urmare a proprietăţii de idempotenţă. Grupând primii doi mintermeni, precum şi următorii doi, din relaţia 6.27, prin utilizarea proprietăţii de distributivitate se obţine: y = (u 1 + u1 )u 2 u 3 + u 1 u 3 (u 2 + u 2 ) (6.28) şi, deoarece u1 + u1 = 1 şi u 2 + u 2 = 1, în conformitate cu principiul terţului exclus rezultă forma minimală a funcţiei logice: y = u2 u 3 + u1 u 3 (6.29) Se constată cu uşurinţă că funcţia booleană în forma canonică minimaldisjunctivă nu se poate simplifica mai mult. Forma minimală a funcţiei booleene se prezintă ca o disjuncţie a unor termeni numiţi implicanţi primi ai funcţiei. Deci, în esenţă, determinarea formei canonice disjunctive minimale a funcţiei logice iniţiale se reduce la deducerea implicanţilor primi ai acesteia. Corespunzător ecuaţiei (6.29) se poate desena schema de comandă minimală din figura 6.17, echivalentă cu schema iniţială din figura 6.15.

Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale

103

Realizarea cu circuite logice NU, ŞI, SAU a circuitului de comandă corespunzător funcţiei logice (6.29), se face prin schema dată în figura 6.18. Dacă se pune problema deducerii unei scheme de comandă realizată cu elemente NAND, se transformă funcţia (6.29) după cum urmează:

y = u 2 u 3 + u 1 u 3 = (u 2 u 3 ) ↑ (u1 u 3 ) = (u 2 ↑ u 3 ) ↑ (u 1 ↑ u 3 )

(6.30)

Utilizând module NAND cu două intrări, rezultă schema circuitului de comandă din figura 6.19.

Figura 6.17. Schema de comandă minimală echivalentă schemei din figura 6.15

Figura 6.18. Schema echivalentă a realizată funcţiei logice (6.28)

Figura 6.19. Schema echivalentă a funcţiei logice (6.28) cu module NAND

6.6 Circuite logice secvenţiale
Aşa cum s-a arătat în § 6.5.1 mărimile de ieşire ale unui circuit combinaţional sunt determinate univoc, în orice moment, de mărimile de intrare din momentul respectiv. În cazul circuitelor logice secvenţiale, mărimile de ieşire la momentul k, k k k notate prin y1 , y 2 ,..., y r , sunt determinate nu numai de mărimile de intrare k k k u1 , u 2 ,..., u m , ci şi de starea internă a circuitului din momentul anterior, k −1 k −1 k −1 (figura 6.20). caracterizată prin mărimile de stare x1 , x 2 , ... , x n Variabilele de stare descriu evoluţia (istoria) circuitului, în sensul că la momentul k ele depind atât de valorile anterioare, din momentul k–1, cât şi de mărimile de intrare ale circuitului. Din cele menţionate rezultă că un circuit logic secvenţial este caracterizat de două seturi de ecuaţii: ecuaţiile de stare şi ecuaţiile de ieşire. Ecuaţiile de stare leagă mărimile de stare din momentul k, de mărimile de stare din momentul anterior, k–1, şi de mărimile de intrare. Ele pot avea două forme:

u m ) (6. Din acest motiv. obţinându-se – în esenţă – clasa circuitelor basculante (triggere). u1 .21.104 Capitolul 6 k k −1 k −1 k −1 k k x i = f i ( x1 . la fel ca şi cele de intrare-ieşire.31) şi (6. mărimile de stare şi mărimile de intrare ale acestuia. .. u m ) unde x i = f i ( x1 k −1 .. x n k −1 . x2 k −1 . x 2 . circuitul secvenţial se poate afla în 2 stări (n este numărul variabilelor de intrare). ecuaţiile de ieşire ale unui circuit secvenţial sunt de forma: k k k k k k k (6. .20. sub acţiunea semnalelor de intrare. . Circuitele logice secvenţiale se încadrează în categoria generală de sisteme dinamice. . . n Deci.. . sub acţiunea mărimilor de intrare. 2. la care corespunde tabelul 6.6. notate convenţional prin 0 şi 1. având diagrama de tranziţie a stărilor din figura 6. variabilele din circuit (6.. u m ) Figura 6. ..33) y j = g j ( x1 . realizate într-o formă specifică. u2 şi o ieşire y = x. x.. având particularitatea că au un număr finit de stări. r. Este evident că cele două stări pot fi codificate printr-o singură variabilă de stare binară..... . x n . Circuit logic secvenţial.. ele se mai numesc automate finite. 2. care ilustrează grafic modul cum se realizează trecerea dintr-o stare în alta. Se constată că s-a eliminat combinaţia (1. Ecuaţia de stare se poate asocia unei diagrame de tranziţie a stărilor. u1 k −1 . variabile binare. .. . Din acest motiv ele se mai numesc ecuaţii de tranziţie a stărilor. . .32) g(·) sunt funcţii logice cunoscute.32) descriu trecerea circuitului dintr-o stare în alta. n.. 6. Tranziţia stărilor se face sub acţiunea unor semnale de intrare. după cum mărimile de intrare se consideră în momentul k. Variabilele de stare sunt. . Fie un circuit elementar cu două intrări u1. x n . . u 2 . Ecuaţiile de ieşire exprimă legătura dintre mărimile de ieşire ale circuitului secvenţial.10 de tranziţie a stărilor. x 2 .31) k −1 sau k unde i =1. . Ecuaţiile (6. respectiv în momentul k – 1. iar j = 1.... În cazul general...1 Circuite secvenţiale elementare În cele ce urmează se vor considera câteva circuite secvenţiale cu numai două stări.1) a variabilelor de intrare. u1 .

este necesar să se aplice operaţia de dublă negaţie peste funcţia (6.35) se transformă într-o expresie de forma ( ) x k = m ⋅ n . Diagrama de tranziţie a unui circuit secvenţial elementar Ecuaţia de stare a circuitului este: k k k k −1 k k k −1 k k k −1 x = ( u1 ⋅ u 2 ⋅ x ) + ( u1 ⋅ u 2 ⋅ x ) + (u1 ⋅ u 2 ⋅ x ) (6. cerută de proprietatea dublei negaţii. şi se obţine: ⎞ ⎞ k ⎛ k k ⎛ k x k = u 2 ⋅ ⎜ u1 + x k −1 ⎟ = u 2 ⋅ ⎜ u1 ⋅ x k −1 ⎟ (6. considerând variabila u1k borna S (set = inscriere).37) este dată în figura 6. Dacă se impune realizarea circuitului de comandă cu elemente (module) NAND funcţia logică minimizată (6.Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale Tabelul 6.35) x k = x 2 u1 + x k −1 .37) ⎜ ⎟ ⎝ ⎠ Această realaţie satisface expresia unei funcţii logice NAND (SI .36) ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎛ k ⎞ k Notând (convenţional) n = u 2 şi m = ⎜ u1 ⋅ x k −1 ⎟ se observă că pentru a ⎝ ⎠ obţine expresia unei funcţii de forma x k = m ⋅ n este necesară operaţia de negare peste întreaga funcţie (6. va mai suporta o operaţie suplimentară de negare. pe baza notaţiilor anterioare s-a obţinut expresia x k = m ⋅ n care arată că funcţia dorită x k = m ⋅ n .NU) deoarece.36) şi rezultă: k k x k = u 2 ⋅ ⎛ u1 ⋅ x k −1 ⎞ .22-b. funcţiei din paranteză. Schema circuitului ce corespunde ecuaţiei (6.35) reprezintă funcţia logică minimizată.10 105 Figura 6. Prin redesenarea ei. (6. iar variabila u2k borna R (reset = ştergere) se obţine bistabilul S–R cu elemente NAND reprezent ca în figura 6. Ultima relaţie (6.34) Se minimizează funcţia logică utilizând metoda grupărilor (1-3) şi (2-3): k k k k k k k k x k = ⎛ u 2 ⋅ x k −1 ⎞ ⋅ ⎛ u1 + u1 ⎞ + ⎛ u 2 ⋅ u1 ⎞ ⋅ ⎛ x k −1 + x k −1 ⎞ = ⎛ u 2 ⋅ x k −1 ⎞ + ⎛ u 2 ⋅ u1 ⎞ ⎜ ⎟ ⎜ ⎟ ⎜ ⎟ ⎜ ⎟ ⎜ ⎟ ⎜ ⎟ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ sau k k (6.36). .22-a. Pentru aceasta se aplică proprietatea dublei negaţii şi una din teoremele lui De Morgan. dar pentru a nu schimba valoarea funcţiei x k .21.

prezentată în figura 6. Starea curentă a k k motorului (pornit sau oprit) depinde nu numai de comenzile ( u1 şi u 2 ) date prin butoanele de pornire şi oprire. Figura 6.24.24. bascularea dintr-o stare în alta se face prin aplicarea semnalului logic 0 la una din intrări. deci când y = 1 k (prezentate în tabelul de trantziţie 6. din tabelul de tranziţie anterior 6.22. Cele trei situaţii în care motorul este pornit. b. este echivalentă tabelului de tranziţie a stărilor 6. Bistabil SR cu elemente ŞI–NU: a şi b – structura. Diagrama de funcţionare a acestei scheme de comandă. Circuitul secvenţial prezentat are o funcţionare asincronă. funcţionează conform diagramei de lucru din figura 6.22.25-a.23. Observaţii: a) Comanda (1. a cărui funcţionare corespunde tabelului de tranziţie 6.1) (combinaţia (0. b) Schema de comandă din figura 6. Dacă se elimină circuitele NU de la intrările S şi R ale elementelor NAND din figura 6. În acest caz starea curentă (y ) are valoarea ”1” logic. Bistabil SR comandat prin semnal logic zero Figura 6. c – simbolizarea. circuitul rămânând în starea în care se afla. la care diagrama de stare este dată în figura 6. Se observă că motorul este alimentat de la reţeaua trifazată numai dacă contactorul Y este anclanşat.21.106 Capitolul 6 (a) (b) (c) Figura 6.0) este interzisă).23 Un exemplu de circuit secvenţial asincron cu două intrări. întrucât prin butonul BP se înscrie comanda de pornire.10. ci şi de starea anterioară (pornit-oprit) a motorului k-1 k notată prin y .1) este eliminată.25-a reprezintă o celulă de memorie. îl reprezintă schema electrică de comandă (pornire-oprire) a unui motor asincron trifazat. dacă implicit se consideră echivalente notaţiile: xk-1 ≡ yk-1 şi xk ≡ yk Schema electrică simplificată pentru comanda pornirii şi opririi unui motor asincron trifazat. iar motorul rămâne .25-b. Diagrama de tranziţie a bistabilului din figura 6. se obţine bistabilul din figura 6.25-b) sunt identice cu stările x = 1. adică numai atunci când contactele sale normal-deschise (y) se vor k închide. întrucât acţionarea simultană a butoanelor BP şi BO este fără sens (motorul nu ar porni). Cu alte cuvinte. ilustrată în figura 6. atunci când combinaţia de intrare este (1.10 şi respectiv diagramei de tranziţie a stărilor din figura 6.23.25-b.10.

prezentat în figura 6. Circuitul secvenţial din figura 6. pentru S = 0 şi R = 1.28 se prezintă schema unui circuit bistabil Master-Slave (M-S) de tip SRT. În figura 6.26. Schema bistabilului S-T-R: a . astfel încât se produce bascularea (trecerea din starea 0 logic în starea 1 logic).26.1) la intrare (combinaţia (0.simbolizarea Figura 6.27. b. a cărui basculare este comandată prin semnal “0” logic. în sensul că îl subordonează pe al doilea (slave . Semnalele de comandă se aplică prin bornele S (set) şi R .26 se numeşte bistabil S–T–R. R = 0 nu influenţează starea bistabilului decât atunci când se aplică semnalul de tact.sclav).6. Diagramă de tranziţie a stărilor În circuitele elementare prezentate se interzice aplicarea combinaţiei (1. unde T este intrarea de tact. rezultă V1 = 1 şi V2 = 1.25 Pentru transformarea bistabilului SR (asincron) într-un automat sincron se utilizează schema din figura 6. revenirea în starea 0 se produce numai la aplicarea impulsului de tact (T= 1).structura.23). Figura 6. 6.2.Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale 107 pornit (comanda este memorată) până când se acţionează butonul BO (pentru ştergerea memoriei). În mod similar.0) – la schema din figura 6. Circuitul secvenţial de tip Master-Slave O categorie importantă de bistabile o formează cele cu structură stăpân-sclav (master–slave). adică T = 0. În acest caz (T= 1. Când nu se aplică semnalul de tact. R = 0) rezultă V1 = 0 şi V2 = 1.stăpân). Aplicarea semnalelor S = 1.a. Bistabilul M (master) este un trigger SR asincron realizat cu module NAND. S = 1. Circuitul încadrat este un bistabil de tipul celui din figura 6. bistabilul rămâne în starea în care se afla. de exemplu starea 0.23.23. Ele sunt formate din două circuite basculante conectate în cascadă: primul are funcţia de comandă (master . Figura 6.

iar porţile P3. porţile P1. Intrarea de tact s-a notat cu T (sau CK ) sugerând că informaţia apare la ieşirea bistabilului.28 Figura 6.29 Funcţionare: 1. prin semnalul de tact T. iar P3. în antifază faţă de porţile de transfer (P3 şi P4) datorită circuitului inversor (CI) care este un circuit de tip NU. pe frontul posterior al impulsului de tact. . P4 nu s-au deschis încă. Semnalele logice V3 şi V4 de la ieşirea porţilor de transfer reprezintă informaţia de intrare în bistabilul S. iar porţile de transfer P3. P2 se închid. Între bistabilul M şi bistabilul S se află porţile de transfer P3 şi P4 de tip NAND. P2 sunt deschise permiţând transferul informaţiei în M. Figura 6. 3.108 Capitolul 6 (reset) unor porţi logice de intrare P1 şi P2. La ieşirile porţilor P1 şi P2 se obţin semnalele logice (potenţialele) V1 şi V2 care reprezintă informaţia aplicată la intrarea bistabilului M. Pe porţiunea 1-2.29. Pe porţiunea 3-4. deci M este izolat faţă de intrare. P4 sunt închise. de tip NAND. 2. iar S este izolat faţă de M. porţile P1. Bistabilul S (slave) este tot un trigger SR asincron realizat cu module NAND. Pe porţiunea 2-3. P4 se blochează. P2 sunt încă închise. Deci bistabilul M (Master) este izolat faţă de intrare. Funcţionarea bistabilului Master-Slave pe o perioadă a impulsului de tact real (trapezoidal) se explică utilizând diagramele de semnale din figura 6. izolând M faţă de S. porţile P1. Porţile de intrare (P1 şi P2) sunt comandate (activate). iar bistabilul S (Slave) este izolat faţă de Master.

realizată cu circuite NAND (ŞI . A – neacţionat. B – acţionate. C – neacţionate. 3) A.NU . NU . Care este regimul de lucru al tranzistoarelor bipolare în cazurile: a) circuite logice ? b) circuite de amplificare ? 4. iar porţile P3. P4 sunt deschise. 6. U2. – (circuit logic secvenţial) ? Probleme: 1. U3 Ul U1 . deoarece în acest circuit s-a eliminat transparenţa intrărilor de date. 3.7. U 2 .L.NU . porţile P1. NU. U 3 - - Să se deducă schema de comandă în următoarele variante constructive: cu contacte. C – neacţionat. Pe porţiunea 4-5. 2. Schema de comandă pentru acţionarea unui utliaj are trei elemente de comandă U1. cu module SI . U3 şi a unui element de execuţie. deci informaţia trece din M în S şi apare la ieşirea Q. U2 . este necesar ca aceasta să nu-şi modifice valoarea în intervalele de tranziţie (1-2) şi (3-4) ale impulsului de tact. U2.S. Pentru ca informaţia să se înscrie fără erori. Y. Cum se realizează practic condiţia de semnal logic “0” (zero) în cazul circuitului “SI” ? 2. cu module SAU . SAU. 2) B. A. care să acţioneze elementul de execuţie Y numai în următoarele situaţii: 1) B acţionat . Se cere schema logică de comandă.L. U2 Ul . Comanda unui utilaj impune utilizarea a 3 elemente de comandă (de intrare) U1. Care este expresia (şi cauza apariţiei) curentului de impuls (IC MAX) în cazul porţii logice NAND (TTL) ? 3.Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale 109 4. C acţionate. U 3 nu sunt acţionate U3 U 1 . Întrebări şi probleme 1. U3 U2 U2 . cu circuite (module) SI. care trebuie să fie acţionat numai in următoarele situaţii: sunt acţionate Ul .NU). P2 sunt închise şi nu permit intrarea informaţiei în M. Se dau funcţiile logice: Să se arate că: y1 = y2. şi un circuit C. Observaţii: CBB – Master-Slave elimină posibilitatea tranziţiilor asincrone (necontrolate) la ieşire. NU.C. Care este diferenţa (funcţională) între un C. U3 şi un element de execuţie Y.

1-b.1 se obţine un circuit bistabil care memorează evenimentul marcat prin tranziţia temporară a unei intrări în ”0” logic.3-a. Deci ieşirile Q şi Q sunt complementare. (a) Figura 7. dar în practică se foloseşte reprezentarea din figura 7.2-b. Circuitul latch memorează tranziţia lui poziţionarea ieşirilor S în ”0” logic prin QQ în 10. Schema din figura 7. Acest circuit se mai numeşte latch (în limba engleză având semnificaţia de zăvor.CAPITOLUL 7 APLICAŢII ALE CIRCUITELOR LOGICE COMBINAŢIONALE ŞI SECVENŢIALE 7.2-a se observă că la închiderea contactului K tensiunea pe rezistenţa de sarcină (URs ) se stabilizează la valoarea E după un regim tranzitoriu oscilant.1 sunt identice.1.1-a evidenţiază faptul că circuitul latch are o singură reacţie. încuietoare). iar activarea lui R prin ”0” logic produce resetarea circuitului (poziţionarea ieşirii Q în ”0” logic. ca în figura 7. tranziţia lui R în ”0” logic Q în 01. În mod asemănător.1. activarea lui S prin ”0” logic produce setarea circuitului (poziţionarea ieşirii Q în ”1” logic). ilustrat în figura 7.1 Utilizarea triggerului SR ca circuit LATCH Conectând două porţi logice NAND conform schemei din figura 7. Una dintre aplicaţiile circuitului latch serveşte la eliminarea oscilaţiilor de tensiune ce apar la închiderea contactelor electrice acţionate manual prin butoane. În figura 7. determină poziţionarea ieşirilor Q . Dacă se utilizează un circuit latch.1 Circuite LATCH 7. Schema logică a circuitului latch (b) Cele două scheme din figura 7.

C.L. Figura 7.3-b.4: Figura 7. • Codificatoarele sunt C. se poate realiza decodificarea.3 Astfel. Codificator cu patru ieşiri . Codificarea este transformarea unui mesaj cu ajutorul unui cod.2 Codificatoare şi decodificatoare Se numeşte COD o regulă ce descrie o aplicaţie ”C” a unei mulţimi de semne în altă mulţime de semne. adică reconstituirea mesajului iniţial. 7. semnalul de comandă la ieşirea Q va avea o valoare constantă şi fără oscilaţii care ar putea deranja funcţionarea altor circuite ce utilizează acest semnal (numărătoare.4. Dacă aplicaţia ”C” este injectivă. Principiul de lucru al codificatorului cu 4 (patru) ieşiri este ilustrat în figura 7.2 Figura 7.Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 111 atunci tensiunea la ieşirea Q a circuitului latch va fi de forma prezentată în figura 7. circuite te tip Master-Slave etc). la care activarea unei intrări determină apariţia unui cuvânt de cod pe ieşire.

5-a. Decodificarea este necesară în următoarele operaţii: − adresarea memoriilor − afişarea numerică − multiplexarea datelor etc. Y0 = A 0 ⋅ A1 ⎫ ⎪ Y1 = A 0 ⋅ A1 ⎪ ⎪ ⎬ Y2 = A 0 ⋅ A1 ⎪ ⎪ Y3 = A 0 ⋅ A1 ⎪ ⎭ (7. al cărui tabel de funcţionare (figura 7. b) tabelul de adevăr. care activează una sau mai multe ieşiri în funcţie de cuvântul de cod aplicat la intrare.1) Pe baza relaţiilor (7.C.5-b) serveşte scrierii funcţiilor logice corespunzătoare. atunci pe ieşirile paralele apare cuvântul de cod: 1101.112 Capitolul 7 • În funcţionarea codificatorului menţionat se disting două situaţii: a) Dacă se activează intrarea IK (la nivel logic ”H”).6). Decodificator cu două intrări: a)schema bloc. decodificatorul de adrese este un CLC cu n intrări şi 2n ieşiri distincte.5. În cazul general. Exemplu: Se consideră decodificatorul cu două intrări (n = 2) şi 2n ieşiri (4 ieşiri) distincte. prezentat în figura 7. b) Dacă se activează intrarea IJ (cu nivelul ”H”) pe ieşirile paralele se obţine cuvântul de cod: 1110. Figura 7.L.1) se elaborează schema logică a decodificatorului de adresă cu 4 ieşiri (figura 7. Decodificatoare sunt C. Figura 7.6. Decodificator de adresă cu patru ieşiri .

8. Observaţie: Porţile de intrare sunt prevăzute cu o intrare suplimentară comună ( E ) = Enable care autorizează. Multiplexorul prezentat în figura 7.7-a funcţionează conform tabelului logic 7. Selecţia intrării se face printr-un cod binar (adresă) aplicat pe intrările de selecţie A0 şi A1. funcţionarea multiplexorului. X = valoare logică oarecare Circuitele de demultiplexare (DEMUX) sunt CLC care permit transmiterea datelor de pe o intrare de date comună pe una din ieşirile selectate. Multiplexor cu patru intrări şi o ieşire: a) schema bloc. . Figura 7. b) schema logică. E H L L L L L L L L A1 X L L L L H H H H A0 X L L H H L L H H I0 X H L X X X X X X I1 X X X H L X X X X I2 X X X X X H L X X I3 X X X X X X X H L Y L H L H L H L H L Stare circuit → circuit blocat → I0 selectat → I1 selectat → I2 selectat → I3 selectat Figura 7. Tabelul logic al multiplexorului din figura 7.8.7-a. sau nu. Selectarea ieşirii se face printr-un cuvânt de cod – numit adresă.7-a. schema logică fiind prezentată în figura 7. Schema bloc a unui multiplexor cu patru intrări şi o ieşire este prezentată în figura 7.7.3 Circuite de multiplexare (MUX) şi demultiplexare (DEMUX) Circuitele de multiplexare sunt circuite logice combinaţionale (CLC) care permit trecerea datelor de la una dintre intrări spre o ieşire unică. Pentru adresarea celor patru intrări sunt necesari 2 biţi.7-b.Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 113 7.

9-b) este dată în figura 7. la aplicarea unei succesiuni de impulsuri care trebuie numărate.9-c. Figura 7.9. . iar funcţionarea acestuia. c) schema a unui demultiplexor cu patru ieşiri. fie pe ieşirea Y0 (dacă A = 0) fie pe ieşirea Y1 (dacă A = 1). permite comutarea fluxului de date de pe intrarea comună (I).114 Capitolul 7 Demultiplexorul cu două ieşiri.9-a.4 Numărătoare electronice Schema unui numărător binar cu 4 biţi este dată în figura 7. Schema logică a demultiplexorului cu două ieşiri (realizată conform tabelului 7.10-a.9-b. 7. b) diagrama impulsurilor. este ilustrată în diagrama din figura 7. Demultiplexor cu două ieşiri: a) schema bloc. conform tabelului de funcţionare 7. b) tabelul de adevăr.10. Figura 7. figura 7. Numărător binar cu patru biţi: a) schema de principiu.10-b.

Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale Nr.c)... 7. stările triggerelor indică valoarea numerică a lui N...5 Convertoare Convertoarele sunt circuite electronice complexe care reprezintă elementele de bază ale interfeţelor de proces în sistemele numerice de reglare. Dacă se utilizează ieşirile Q pentru legarea triggerelor în cascadă (figura 7. .. la intrările calculatorului de proces se utilizează convertoare de tip A-N (analog-numerice).. Tabel lohgic al numărotzorului binar (drirect) cu 4 biţi Se constată că după aplicarea a N impulsuri. numărul înregistrat cu ajutorul triggerelor scade cu o unitate (conform diagramei din figura 7. . impuls Q1 Q2 Q3 Q4 0 0 0 0 0 1 1 0 0 0 2 0 1 0 0 3 1 1 0 0 4 0 0 1 0 5 1 0 1 0 6 0 1 1 0 7 1 1 1 0 8 0 0 0 1 9 10 11 12 13 14 15 16 17 . . în baza 2 (tabelul din figura 7.. în acest caz rezultă numărarea inversă a impulsurilor.11-b. Figura 7. Spre deosebire de schema anterioară. Numărător binar invers cu patru biţi: a) schema de principiu. Pentru conversia semnalelor analogice (achiziţionate dintr-un proces tehnologic) în semnale numerice.. când s-a obţinut numărarea directă în binar. 115 Figura 7.11-a).10 – c. frontul de basculare 1 → 0 al ieşirii Q produce tranziţia stării triggerului următor şi se obţine diagrama de semnal din figura 7. adică la fiecare impuls aplicat la intrare. 1 0 0 1 0 1 0 1 1 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 1 0 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 1 0 0 0 .11.. b) diagrama impulsurilor.b).10 . care se găsesc în interfaţa de intrare.11. ..

din (7. Schema de principiu a unui CAN analogic cu rampă de tensiune. fiind convertor indirect. . UC . Când rampa începe să fie generată.tensiunea pe condensator. n}.12. 2. 1.3) în care: 0 • ≤ N < 2n Observaţii: Acest convertor se numeşte convertor tensiune-timp. impulsurile de tact sunt numărate de N2. unde fiecare element din Sn se poate reprezenta sub formă de impulsuri codificate. În acest moment numărătorul N2 este oprit de către comparator. a cărui lăţime este direct proporţională cu amplitudinea tensiunii Ux. T fiind perioada impulsurilor. I este curentul de încărcare al condensatorului care generează rampa. care basculează şi închide poarta ŞI. până când amplitudinea rampei este egală cu amplitudinea tensiunii Ux (de intrare).12 este dată schema de principiu a unui CAN . Figura 7.116 Capitolul 7 Semnalele numerice elaborate la ieşirea calculatorului de proces pe baza unui algoritm de reglare şi/sau conducere. Aceste convertoare se găsesc în interfaţa de ieşire situată între calculatorul de proces şi elementele de execuţie care sunt implementate în instalaţia tehnologică. C .2) se obţine: Ux = I / C ⋅NT (7. Generatorul de rampă conţine un condensator care se încarcă la curent constant. întrucât în procesul conversiei tensiunea de intrare Ux este transformată într-un impuls. sunt convertite în semnale analogice (necesare elementelor de execuţie). prin intermediul convertoarelor de tip N-A (numericanalogice). . Dacă numărătorul N2 a înregistrat (numărat) N impulsuri.capacitatea condensatorului..2) ΔT’ este timpul de conversie egal cu NT. Mărimea numerică (digitală) este o mărime fizică ale cărei valori aparţin mulţimii Sn = {0. Conţinutul informaţiei din N2 reprezintă valoarea binară a tensiunii de intrare (Ux). Deci: unde: UC = I ⋅ ΔT ' = UX C (7.analogic cu rampă de tensiune. În figura 7.. Mărimea analogică este o mărime fizică a cărei variaţie în timp este dată de o funcţie continuă şi ale cărei valori sunt cuprinse în intervalul:I = [xmin ÷ xmax] cu x∈R. Acest convertor face modulaţia în durată a impulsurilor..

lent. care pot fi doar citite. în cazul tehnologiei MOS. optice sau semiconductoare. integrate în aceeaşi capsulă cu sistemele de înscriere şi citire a informaţiei. Există însă posibilitatea ca utilizatorul să-şi înscrie singur. Memoriile RAM sunt volatile. care au fost anterior stocate într-un circuit de memorare. Programarea memoriei constă în selecţia adresei şi a liniei de date şi aplicarea unui impuls . tehnologia MOS este cel mai des folosită. fiind realizată însă cu matrice de bistabile SR. dintre care. Această structură este de obicei definită ca un convertor de cod compus dintr-un decodificator şi un codificator. În funcţie de modul în care se utilizează memoriile într-un sistem de calcul funcţiile de memorare pot fi: • Memorare cu citire şi scriere de date. cu memoria operativă din calculatoarele clasice. în consecinţă. sute de nanosecunde. Memoriile ROM programabile prin mască.Memoria ROM (Read Only Memory) este un circuit combinaţional care stochează permanent date binare. care lucrează pe 8 biţi.Memoriile PROM (Programmable Read Only Memory) se fabrică cu toţi biţii poziţionaţi pe un anumit nivel logic. adică îşi pierd conţinutul la întreruperea tensiunii de alimentare. Un exemplu de circuit integrat specializat în conversia numericanalogică este circuitul β DAC-08. Circuitul de memorare este un circuit electronic integrat care implementează funcţia de memorare. .Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 117 numărul de impulsuri • Numărul N are valoarea 2 n-1 şi reprezintă corespunzătoare valorii (7. Există mai multe tipuri constructive de memorii ROM. În funcţie de suportul fizic folosit pentru stocarea datelor. care se vaporizează la trecerea unui curent suficient de mare prin el. iar datele obţinute la ieşirea codificatorului reprezintă informaţia memorată la adresa respectivă. memoriile pot fi: magnetice. • Memorare numai pentru citirea datelor.4) Rezultă că acest sistem de conversie este de tip serie. acolo unde doreşte. Realizarea convertoarelor A-N rapide presupune utilizarea reacţiei cu funcţionare prin SOFTWARE şi a circuitelor integrate specializate în operaţii de conversie A-N. Vectorul de intrare în decodificator este interpretat ca o adresă. sunt circuite la care harta memoriei de introduce în procesul de fabricaţie al circuitului integrat. Uxmax.Random Acces Memory (RAM). În cele ce urmează se au în vedere circuitele de memorie realizate cu dispozitive semiconductoare. Timpul de acces în cazul memoriilor RAM poate fi de 10 ns în cazul tehnologiei bipolare sau.6 Circuite de memorie Funcţia de memorare poate fi definită ca posibilitatea de regăsire a unor informaţii reprezentate sub formă binară. În această categorie intră memoriile cu acces aleator . n Deci: ΔT’ = (2 −1)T 7. Acest tip de memorie este similară. ca structură. Acestea sunt folosite pentru înmagazinarea datelor şi a programelor de tip utilizator. fiind. În această categorie intră memoriile următoare: . Memoriile sunt realizate cu circuite integrate de tip LSI şi VLSI realizate în diverse tehnologii. sau mask ROM. valorile logice complementare. Acest lucru se face prin arderea unui fuzibil (o peliculă subţire de CrNi).

dar este unidirecţional în cazul memoriilor: ROM. şi sarcina electrică negativă poate fi eliminată prin aplicarea unei tensiuni de polaritate inversă pe poarta tranzistorului care nu este flotantă. cele realizate în tehnologie CMOS au timpi de acces mai mici de 100ns.13: Figura 7. Memoriile mask ROM şi PROM se realizează atât în tehnologie bipolară cât şi în tehnologie MOS. numai că ştergerea se poate face pe cale electrică. semnale de intrare (când datele se înscriu în memorie).Memoriile EPROM (Eraseable Programmable Read Only Memory) sunt programabile ca şi memoriile PROM. Matricea de memorie conţine tranzistoare FAMOS (Floating Avalanche Injection MOS). Dacă memoriile EPROM în tehnologie NMOS au timpi de acces de aproape 500ns. Geometria memoriei (modul de organizare) reprezintă lungimea unui cuvânt de memorie şi numărul de cuvinte memorate. . O memorie EEPROM poate fi ştearsă şi reprogramată de circa 10000 ori. izolată de substrat prin 10 −7 m de SiO 2 . Accesul la memorie se face la un moment de timp bine determinat. 100000 cicluri garantate de programare/ştergere şi timp de stocare a datelor de peste 20 ani. Schema bloc (conexiunile informaţionale) pentru un circuit de memorie este prezentată în figura 7. dar de mai multe ori. Izolaţia porţii este mult mai subţire decât la EPROM. 2. iar timpul de stocare a informaţiei poate depăşi 10 ani. .118 Capitolul 7 de tensiune (10-30V) pe un pin special de programare. . Progresele tehnologice au determinat modificări importante în performanţele memoriilor ROM. moment ce trebuie comunicat printr-un semnal circuitului de memorie. semnale de ieşire (când datele se citesc din memorie). Cuvintele (numerele) binare reprezintă date pentru un circuit de memorie şi se consideră: a. Capacitatea memoriei exprimă numărul total de biţi ce pot fi memoraţi (capacitatea se exprimă în multipli de 1k = 1024 biţi). iar timpul de stocare a informaţiei poate fi de 100 ani. pentru că ele pot fi “şterse” prin expunere la radiaţii ultraviolete cu o lungime de undă specifică. O memorie EPROM poate fi ştearsă şi reprogramată de circa 100 ori.Memoriile EEPROM (Electricaly Eraseable Programmable Read Only Memory) sunt similare memoriilor EPROM. PROM. Evident că programarea nu se poate face decât o singură dată.13 Schema bloc a unui circuit de memorie Observaţie: Transferul de date este bidirecţional (datele intră şi ies din circuit) în cazul memoriilor: RAM şi E2PROM. EPROM. b. adică tranzistoare care conţin o poartă metalică flotantă. Notaţia E2PROM este uneori folosită pentru memoriile EEPROM. Principalele caracteristici ale unei memorii sunt: 1. o memorie FLASH (un EEPROM de capacitate mare) poate avea un timp de acces de 50ns. În sfârşit. în timp ce memoriile EPROM şi EEPROM nu se pot realiza decât în tehnologie MOS.

Liniile de bit (DL şi DL ) sunt conectate la capătul coloanei .Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 119 3. • 1 (una) linie de selecţie cuvânt (WL). conexiunea selecţie-cuvânt (WL) este menţinută la un potenţial coborât (+0. Acţionarea liniei de selecţie-cuvânt face posibilă citirea sau scrierea informaţiei în oricare dintre celulele de memorie situate pe aceeaşi linie în matrice. Timpul de acces la memorie reprezintă durata necesară citirii sau scrierii informaţiei în memorie şi se exprimă în [ms] sau [ns]. care reprezintă selecţia pe linii în matricea de memorie. În cazul utilizării tranzistoarelor bipolare circuitul elementar de memorie îl constituie circuitul basculant bistabil (CBB) care foloseşte două tranzistoare multiemitor.o memorie este volatilă dacă informaţia înscrisă se pierde în timp. memorarea informaţiei se bazează pe modificarea capacităţii joncţiunii semiconductoare. În stare neselectată. • 1 (una) linie de alimentare (sursa VCC) comună tuturor celulelor din matricea de memorie. Celulă de memorie RAM cu tranzistor bipolar Liniile de conexiune în afara celulei sunt: • 2 (două) linii de bit (notate DL şi DL ) care servesc la scrierea şi citirea informaţiei în celulă.5 V. Volatilitatea se datorează modului de stocare a informaţiei sau dispariţiei tensiunii de alimentare a circuitului de memorie (cazul memoriilor dinamice). prin intermediul unei rezistenţe senzor (r) care . 5. figura 7. Puterea consumată se exprimă în [μW/bit]. La memoriile dinamice. Un circuit de memorare poate fi realizat cu tranzistoare bipolare sau tranzistoare MOS.3 V). Structura celulei de memorie RAM Celula de memorie este circuitul elementar care realizează memorarea unui bit. 4. Volatilitatea .la o tensiune de +0.14. În cele ce urmează se prezintă succint funcţionarea celulei de memorie din figura 7. Puterea consumată reprezintă raportul între puterea totală consumată de circuit şi capacitatea acestuia. Figura 7. ceea ce necesită reîmprospătarea conţinutului la intervale constante de timp.14.14. Aceste linii sunt comune tuturor celulelor de aceeaşi coloană într-o matrice de memorie.

în stare neselectată. linia selecţie-cuvânt (WL) este pusă la un potenţial ridicat (+3 V) apropiat de VCC (+3.n este numărul de perechi (DL şi DL ).16 se prezintă structura unei matrice de memorie de dimensiune m×n. se forţează linia de bit stânga (DL) la zero. Pentru accesul la celula de memorie (i×j) se face selecţia liniei. . se va obţine la ieşire o tensiune diferenţială cu semnul (+) pe DL şi semnul (-) pe DL . atunci selectând linia WL (selecţie-cuvânt) pentru citire. Matricea de memorie Circuitul de memorare propriu-zis este aranjat sub forma unei matrice de memorare în ale cărei noduri se găsesc celule de memorie.Consumul de putere al acestui circuit este de circa 800µW. . . În figura 7.m este numărul de linii. Structura unui circuit de memorie.5 V). prin care se transformă un şir de date de intrare într-un alt şir de date la ieşire. În acest mod. iar linia de bit dreapta ( DL ) la o tensiune de aproximativ +0. Curentul de emitor se va închide prin rezistenţele senzor conectate la liniile de bit. acţionând WLi . tensiunea diferenţială are sens invers: semnul (+) la DL şi semnul (-) la DL. Exemplu: Dacă T1 conduce şi T2 este blocat. figura 7. Figura 7.5 V). Procesorul reprezintă un automat aritmetic. Cele două operaţii (citirea şi înscrierea informaţiilor) se desfăşoară astfel: • Pentru citirea informaţiei. Observaţii: . se ridică potenţialul pe linia WL (la +3V) şi. Linia (conexiunea) de alimentare este comună tuturor celulelor de memorie pe care le conţine matricea de memorare. adică numărul de coloane. deci conducţia este asigurată de acestea (legate în A şi B). DLj ).5 V (în timp ce linia selecţie-cuvânt WL este selectată). acţionat printr-o succesiune de comenzi aplicate din exterior. Capacitatea memoriei este dată de produsul (m × n). se forţează pe liniile de bit (DL şi DL ) o diferenţă de potenţial corespunzătoare stării în care dorim să se găsească bistabilul.15. selecţie-cuvânt (WL). Explicativă pentru celula de memorie RAM • Pentru înscrierea informaţiei în celulă. iar viteza de comutaţie este de 20ns. emitoarele conectate la liniile de bit sunt polarizate la o tensiune mai mică (+0. În cazul T1 blocat şi T2 în conducţie. simultan. În funcţie de semnul tensiunii obţinute la bornele celor două linii de bit. adică m linii şi n coloane. şi selecţia coloanei prin perechea ( DLj.Celula de memorie RAM se poate realiza cu două tranzistoare bipolare obişnuite (npn) la care se ataşează câte o diodă Shottky. Exemplu: Pentru a se obţine T1 în conducţie şi T2 în starea blocat. unde: .15.120 Capitolul 7 sesizează apariţia închiderii unui curent. se poate "spune" care este starea bistabilelor.

O operaţie elementară implică unul sau doi operanzi (interni sau externi faţă de RALU).semnal de tact (clock). Structura unui circuit de memorie Procesorul. F . FL . C .Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 121 Figura 7.16.comandă pentru funcţiile aritmetice (+ . D0 sunt terminalele pentru datele de intrare şi respectiv de ieşire. având schema bloc prezentată figura 7. : .17..adrese pentru selectarea operanzilor interni şi a destinaţiei rezultatelor. Succesiunea de comenzi pentru RALU trebuie generată din exterior de către . RALU generează spre exterior şi un cuvânt FL ce conţine k indicatori (flag-uri) prin care se caracterizează rezultatul unei operaţii. A .comenzi. CK . Rezultatul operaţiei se poate memora intern (în registre) sau se poate genera spre exterior pe liniile de ieşire D0 (Data output).flag-uri (indicatori).18 sunt: Di. RALU poate servi ca element structural pentru sisteme digitale complexe. *) şi logice. denumit şi RALU (Registers and Aritmetic Logic Unit). Prelucrările se efectuează asupra unor cuvinte binare cu n biţi. conţine o unitate aritmetică logică şi registre.17: Figura 7. . Automat aritmetic Semnificaţiile mărimilor din figura 7.

18 sunt: C este fluxul comenzilor către RALU. Sistemul digital de prelucrare realizat cu ajutorul unui μP se numeşte microcalculator (μC). c) Porturile de intrare/ieşire (PI. 7. PE). interfeţe cu sistemul comandat. terminale video. benzi magnetice etc. I . Observaţie: Denumirea corectă a memoriei MD este RWM Read/Write Memory. D0. . pentru adresare (BA) şi pentru comenzi (BC).18.instrucţiunea curentă.18: Figura 7. informatice: console.caracteristicile rezultatelor.7 Microprocesorul (μP).122 Capitolul 7 alt automat denumit unitate de comandă (UC). cap. Configuraţia de bază a unui microcalculator (μC) este dată în figura 7.fluxul datelor de la ieşire şi de la intrare. SO .memoria de date (memorie RAM). SI. Di .memoria de program (memorie ROM). Microcalculatorul (μC) Microprocesorul este o unitate centrală de prelucrare realizată într-un singur circuit integrat (μP). Schema bloc a unui procesor este dată în figura 7. BD.sincronizarea comenzilor pentru intrare şi ieşire. 2. Schema bloc a unui procesor Semnificaţiile mărimilor din figura 7. discuri magnetice flexibile sau rigide. Magistralele menţionate conţin: d linii pentru date. 7. Elementele componente ale microcalculatoarelor sunt: a) Unitatea centrală de prelucrare (μP). Magistralele sunt fascicule de linii fizice pentru date (BD). şi este volatilă. Cititorul interesat de aplicaţiile circuitelor logice combinaţionale (CLC) şi/sau aplicaţiile circuitelor logice secenţiale (CLS) poate găsi suficiente exemple în [1]. pentru interconectarea cu dispozitivele periferice sau cu sistemul comandat (cazul reglării sau conducerii numerice a unui proces). a linii de adresare şi c linii pentru comenzi. imprimante. cititoare şi perforatoare de bandă de hârtie. realizate cu circuite specializate sau circuite standard. b) Memoria (MEM) compusă din: MP . ce conţin convertoare de tip N/A şi A/N cât şi magistralele . Deci procesorul este un sistem digital format din RALU şi UC.19: Dispozitivele periferice sunt: 1.Buses (BA. MD . FL . BC).

Care este schema bloc a decodificatorului de adresă cu n = 2 (intrări) şi 4 ieşiri ? 6. Ce rol au circuitele: MUX şi DEMUX ? 5.Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 123 Figura 7. Care este deosebirea între o mărime analogică şi o mărime numerică (digitală) ? 2. Configuraţia de bază a unui microcalculator 7. Care sunt tipurile de memorii si cand se utilizează acestea ? 7. Care sunt componentele din structura unui microcalculator ? 8.8 Întrebări 1.19. Cum se poate activa (accesa) o celulă de memorie de ordinul (i x j) dintr-o matrice de memorare ? . Ce este un convertor de cod ? Ce este un decodificator ? 4. Când se utilizează circuitul LATCH ? 3.

Creangă. 2003. N. P. Editura Militară.. V. http://www. Miholcă.. Bulucea. Editura MATRIX-ROM.. I. C. Microprocesoare – Aplicaţii.BIBLIOGRAFIE 1. Miholcă. Ţepelea. A. Neagoe. Editura Militară. . 2002. 1981. Electronică industrială (pentru subingineri)..sanyo. Malvern. United States. ∗ ∗ ∗ Catalog de circuite integrate digitale. C.. Editura didactică şi pedagogică. VISHAY INTERTECHNOLOGY. 12. Constantin. Bucureşti. 8. 4. SANYO Electric Co. Mărăşescu. ∗ ∗ ∗ Catalog de componente electronice “FULL LINE PRODUCT CATALOG”... Electronică industrială.. Catalog IPRS – Băneasa. ş. E.vishay.jp..a. 1991. Bîrcă – Gălăţeanu. Electronică industrială şi automatizări. S.. 1980. Ltd. 10. Banu. Editura Tehnică. 1976. Lupu.. ∗ ∗ ∗ Circuite integrate analogice.A. C. Bîrcă – Gălăţeanu.. Catalog IPRS – Băneasa.. Bucureşti. C. Electronică de putere – Aplicaţii. 1983 9.. Bucureşti. Stoichescu. 2001. Electronică pentru neelectrice. JAPAN. Bucureşti. ∗ ∗ ∗ Circuite integrate liniare. Tusac. http://www. Buzuloiu. P. V. E. 6. INC. Editura didactică şi pedagogică. S. Semiconductor Company – TOKYO. ş. 1982. Rădoi.. 1976. Bucureşti. Electronică industrială. Ceangă. 11.co. V.. P. Universitatea din Galaţi. Ceangă. Bucureşti. E. Circuite integrate liniare. Constantin. Editura didactică şi pedagogică. 1981.. profiluri 2. Purice. 63 Lincoln Highway. 3. E..a. 5. E. Constantin. 1979. Bucureşti. PA – 19355. Şaimac. Bucureşti. 7. C.. Bucureşti.com. D.

You're Reading a Free Preview

Download
scribd
/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->