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Effet photolectrique
Energie croissante
Bande de Conduction
Electron
n ph oto
Principaux capteurs
CCD : Charge Coupled Devices Collection Transfert de la charge Conversion CMOS : Complimentary Metal Oxyde SC
Historique
1970 : CCD (Bells Lab) 1974: Capteur 100 * 100 pixels (Fairchild) Sensibilit: IR et Visible 1993: Capteur CMOS (NASA JPL) 2000: Capteur 7186 * 9216 pixels (Philips) Sensibilit: IR, Visible, X 2007: Capteur PhotronSA1: 5400 fps pour 1Mpixel
Glossaire
Pixel : picture element, ~10m, jointifs Pitch : distance interpixel, selon format Format : line, interline, field, frame, full frame Rsolution : nbre de pixel et taille du pixel Binning : groupement de pixel Taux de transfert (pix/s): rsolution, format Sensibilit: semiconducteur,type de dopage Bruit : tout signal image dsire
SEAUX (PIXELS)
CONVOYEUR
HORIZONTAL
(REGISTRE SERIE)
Tulloch 8
Le convoyeur senclenche et transfre les seaux; La pluie collecte dans les colonnes est verse dans les seaux du convoyeur horizontal.
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Le convoyeur vertical sarrte. Le convoyeur horizontal dmarre et verse chaque seau son tour dans le cylindre.
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Aprs la mesure de chaque seau, le cylindre gradu est vid, et prt pour le remplissage suivant.
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Gnration de la charge
Dfauts
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Cas idal
Cas bruit
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electron/pixel/seconde
Exemple: 1000pA/cm2=>36000e/p/s, FWC en 10 secondes !!! Rduction: Diminuer la temprature de fonctionnement (TEC) Temps dintgration courts
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Limite du pixel
Photons
Photons
Limite du pixel
Tulloch 39
BLOOMING VERTICAL
Tulloch 40
EXEMPLE DE BLOOMING
Tulloch 41
Systme 4 phases => 8000 puits Pour 8000 transferts: 0,9999958000 =0,96
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Sensibilit intensit
1 lux = 1 lum/m2
Soleil direct Plein jour, soleil indirect Jour couvert Bureau intrieur Jour trs sombre Crpuscule Nuit Pleine lune Quart de lune Nuit toile sans lune Nuit noire 100,000130,000 lux 10,00020,000 lux 1,000 lux 200400 lux 100 lux 10 lux 1 lux 0.1 lux 0.01 lux 0.001 lux 0.0001 lux
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Sensibilit spectrale
Silicium Oeil
nm
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Rponse spectrale
Si >>, photons absorbs plus en profondeur Front side CCD: TransmittancePolySi si 0,6m, opaque aprs 0,4m Back side Thinned CCD: Amincis (10m) pour viter recombinaison QE 85% mais trs fragile et coteux Sensibilit UV: Phosphore fluorescent 0,12-0,45 m => 0,54-0,58 m
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FSCCD
photons
SiO2
625 m
BSTCCD
photons
AR
15 m
Tulloch 46
Format et Architecture
Compltement dpendants de lapplication Applications scientifiques: transfert de bloc Tlvisions et grand public: transfert interligne Applications industrielles: capteurs linaires, balayage progressif, TDI, Applications militaires: .
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E x e m p l e s
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Architecture
160 m
Registre srie
Fils du Bus
Bord du chip
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Architecture
20 m Drain de Sortie (OD) Porte du transistor de sortie Source de sortie (OS) Nud de sortie Drain de rarmement (RD)
Taille du capteur
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E2V device will be priced to be slightly less than two 2k x 4k devices of the same area. E2V will also offer 15 m pixel variant.
Tulloch
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Taille de linformation
Poids du pixel Nombre de pixels
Vitesse
CORRECTIONS Ports parallles multiples : complexit, interfaage Collection des photons sur blindage par microlentilles
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Capteurs couleurs
Filtre couleur matriciel
Dfauts
GRADE
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Ngatif
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Critres de slection
Rsolution Vitesse Dynamique Bruit Grade
Prix
Progrs raliss
Vitesse 30 kHZ Binning
Diminution du cot
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Capteur CMOS
Fabrication identique (90%) aux chips informatiques (idem DRAM Dynamical Random Access Memory) Production de masse bas cot Conversion directe de la charge sans transfert Pas de blooming ni de smearing Chaque pixel a son propre ampli, pas de shift register Active Pixel Sensor Chaque pixel est adressable individuellement Pas dhorloges compliques Faible consommation lectrique (100 x moins que CCD)
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Principe du CMOS
Ampli
Photosite
Taille des photosites : 3m Dynamique : 75dB Bruit : 15 lectrons RMS QE CCD Vitesse : 5oo fr/s pour megapixel
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Applications du CMOS
Kyocera 66
Applications du CMOS
Kyocera 67
Rsum
Dalsa
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Applications
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Astronomie
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Perspectives
Kyocera 72
1E+ 10
LSST SNAP (space) Pan-STARRS
Number of pixels
1E+ 09
SLAC VXD3
GAIA (space)
1E+ 08
1E+ 07
INTWFC
1E+ 06 1990 1992 1994 1996 1998 2000 2002 2004 2006 2008 2010 2012 2014
Year
ESO OmegaCam
For VLT Survey Telescope. Camera ready for use.
256 Megapixel
MMT MegaCam
36 2048x4608 13.5micron pixels 200kps through 72 amplifiers 2 additional ccd42-90s for guiding/focus Currently in use.
340 Megapixel
CFHT MegaCam
40 2048x4608 pixel CCDs 1 square degree field Commissioned Jan 2003
360 Megapixel
500 Megapixel
PanSTARRS
1.4GigaPixel
64 X 5k square Orthogonal Transfer CCDs Four cameras to be built. First camera/telescope ready in 2006-2008
OT tracking (0.50)
Comparable size to detectors required for the proposed ESO OWL 100m telescope. 2011 Launch
Gaia Optics 1.4 0.5 m mirrors
1.5GigaPixel
170 CCDs=14MEuros
Palomar Schmidt Plate size comparison
CCDs
3GigaPixel
Will survey whole available sky every 3 nights.
WFS
XXX XX X
XXX XX X
X XX XXX
X XX XXX
Simon Tulloch
8.4m primary 200 x 4k x 4k Detectors 3.5 degree field of view 20-30 TByte per night 2 second mosaic readout. May require hybrid detector technology
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Fonctions de la carte
Transformation du signal capteur Rglages supplmentaires
Niveau de noir Niveau de blanc Gain Look Up Table
OUT
IN
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