Capitolul 1

DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE FOLOSITE N ELECTRONICA DE PUTERE 1.1. Tranzistorul bipolar de putere n acest paragraf, vor fi prezentate cteva aspecte introductive referitoare la tranzistorul bipolar (TB) de putere, tehnologia i structura sa. n paragrafele urmtoare, vor fi prezentate o serie de caracteristici specifice i precauii care se iau la circuitele cu tranzistoare bipolare de putere. 1.1.1. Caracteristicile principale ale TB de putere Tranzistorul bipolar de putere este folosit aproape exclusiv ca un comutator. De aceea, caracteristicile sale se dau pentru starea de conducie, pentru cea de blocare, precum i pentru regimul tranzitoriu al comutaiei ntre strile saturat-blocat tF i blocat-saturat tS. Mrimile maxime absolute VCES i VCEO sunt relevante n funcie de aplicaia respectiv. Astfel, la un convertor n semipunte, valoarea VCEO reprezint mrimea de referin, n timp ce, la un convertor forward, important este VCES. De asemeni, constantele de timp din circuit (de exemplu, snubber-ul) pot determina care din timpii de comutaie sunt cei mai relevani pentru proiectare. Aceste mrimi sunt considerate pentru o anumit valoare a curentului de colector, numit curentul de saturaie al tranzistorului ICsat. Acesta este considerat, n mod obinuit, ca fiind curentul la care lucreaz tranzistorul. Dac curentul de lucru depete aceast valoare, atunci puterea disipat va fi prea mare, iar dac se lucreaz la valori mai mici, atunci timpii de comutaie pot deveni prea mari, i n plus, exit pericolul ca tranzistorul s nu fie saturat corespunztor i deci pierderile de putere s devin 3

inacceptabile. Valoarea curentului de baz, corespunztoare saturaiei, este notat IBsat i este, de asemenea, un parametru important pentru proiectare. Valoarea sa depinde de tranzistor, de tipul aplicaiei n care este folosit i nu are o definiie anume. 1.1.2. Realizarea tranzistorului bipolar de putere O schi a unui tranzistor funcionnd la tensiuni mari, realizat ntr-o capsul izolat (nu s-a reprezentat i capsula din plastic), este prezentat n Fig.1.1. Se pot observa cele trei terminale, ntre care dou sunt legate prin fire la cipul tranzistorului. Al treilea terminal este lipit de suprafaa pe care s-a realizat tranzistorul i permite, n acest fel, o preluare eficient a cldurii de la cip ctre exterior. Caracteristicile tranzistorului Fig. 1.1. Vedere de ansamblu asupra sunt determinate, n principal, de TB de putere. realizarea cipului propriu-zis. O seciune printr-un cip poate fi vzut n Fig. 1.2. Se observ c partea cea mai important o reprezint zona n-, care va determina i tensiunea pn la care rezist tranzistorul. Imediat dedesubt, se afl stratul n+, care realizeaz un contact termic cu exteriorul. Regiunile de tip p, de baz i respectiv de emitor, au prevzute contacte metalice. Remarcm faptul c aria activ, aflat sub emitor, determin caracteristicile importante ale tranzistorului.

Fig. 1.2. Seciune printr-un tranzistor de putere. Se observ corespondena dintre limea zonei n+ i tensiunea VCEO.

Fig. 1.3. Timpii de comutaie i hFE n funcie de VCEO.

Exist diferite procedee tehologice de realizare. De exemplu, unul dintre ele pornete, n principiu, de la un strat n- peste care este difuzat dedesubt un strat n+, apoi se realizeaz baza p, respectiv emitorul n+. Suprafaa din sticl ajut la o distribuie ct mai uniform a liniilor de cmp electric prin colectorul tranzistorului. n Fig 1.3, este prezentat o caracteristic pentru timpii de comutaie i parametrul hFE, n funcie de valoarea maxim a tensiunii VCEO. 1.1.3. Distribuirea sarcinii i fenomenele de comutaie ntr-un TB de putere Pe durata strii de conducie, exist trei distribuiri de sarcin distincte, care ne vor ajuta s nelegem evoluia curenilor prin dispozitiv. Mai nti, avansarea jonciunii JBE n zona p creeaz o zon de golire n jur, aceasta provocnd o ridicare a energiei barierei de potenial i electronii vor curge spre baz. La TB de putere, acest efect este mult mai semnificativ fa de cele de Fig. 1.4. Distribuirea sarcinii n TB de putere, pe durata strii de conducie. mic putere. Sarcina astfel aprut n exces spre baz este notat Qb i se gsete n principal sub emitor. Aceast sarcin excedentar influeneaz i jonciunea JBC. Sarcina n exces Qc mai depinde i de comportamentul sarcinii exterioare din colector (de regul, aceasta este inductiv), care determin variaia IC. Concentraia diferit ntre sarcina din apropierea emitorului i sarcina din colector, precum i nceputul polarizrii directe a JBC determin o micare a sarcinii Qd de la baz spre colector, n sens invers curentului IC. Acest fenomen este recunoscut, n sens clasic, ca fiind saturarea tranzistorului. Se disting patru faze distincte n procesul de blocare al tranzistorului: 1) dup aplicarea tensiunii negative n baz (exemplul este pentru tranzistoare npn), efectul va aprea i asupra jonciunii JBC. Sarcina Qd se va Fig. 1.5. Dependena celor trei disipa ntruct tensiunea induce goluri concentraii de sarcin fa de VCE. din exteriorul bazei, iar electronii se 5

vor duce spre colector, mrind puin IC. ntruct VBE<0, curentul de sarcin mai este meninut doar de sarcina astfel stocat. Intervalul este cunoscut ca fiind timpul de stocare (ts); 2) n aceast stare, scad drastic Qb i Qc deci i IC. Totodat, Qd scade, ntreinnd un curent negativ n baz. Acest timp este cunoscut ca fiind timpul de cdere a curentului IC (tf); 3) n aceast faz, apare o rezisten a stratului srcit de electroni, aflat sub emitor, i golirea sarcinii este continuat prin forarea unui curent negativ exterior. Mecanismul este numit blocarea n avalan a JBE; 4) mecanismul blocrii (strile 1-3) poate fi ajutat cu o mic inductan n baz, polarizat invers la 5V. Acest curent invers de baz va goli sarcina din vecintatea bazei, dar o anumit sarcin rezidual va rmne n vecintatea colectorului. Aceast sarcin Qr trebuie eliminat din exterior, nainte de blocarea complet a tranzistorului. Prezena ei se poate observa ca o coad a curentului IC, nainte de cderea complet a acestuia la Fig. 1.6. Comutarea invers la TB de putere. zero n Fig. 1.7. Pentru blocarea tranzistorului, exist circuite de blocare hard i soft prezentate n Fig.1.8. Pentru aplicaii uzuale, pn la 50 kHz, bobina din baza circuitului de blocare soft se calculeaz cu relaia : 12 (1.1) H LB =
IC

Tranzistorul blocat se comport ca o rezisten de valoare relativ ridicat n colector. Pentru a realiza o cdere de tensiune VCE de valoare mic, se injecteaz un curent n baz, ceea ce va umple regiunea colectorului cu perechi electroni-goluri. Iniial, acestea vor veni n principal de la baz, provocnd o mic supracretere a curentului IB. n Fig. 1.9, se observ regimul tranzitoriu de supracretere a curentului Ic, datorit rezistenei din regiunea colectorului. 6

Circuit de blocare ''hard'' + + LC +V C R Circuit de +I blocare ''soft'' b -Vb

Fig. 1.7. Momentele de timp ts, t1, tf, t2, corespunztoare golirii sarcinilor Qd, Qc, Qb, Qr.

+ + LC

Lb
Fig.1.9. Regimul tranzitoriu al comutrii directe.

Fig.1.8. Circuite de blocare rapid a TB de putere.

1.1.4. Aria de operare sigur SOAi protecia TB lucrnd n comutaie Un tranzistor bipolar de putere are nevoie de anumite protecii pentru a asigura limitarea nivelurilor de tensiuni sau cureni care apar, la valorile maxime admise. Dac se depete nivelul maxim de curent, n mod normal, aceasta nu conduce la distrugerea tranzistorului. De altfel, cele mai multe componente semiconductoare sunt capabile s conduc supracureni, pe intervale scurte de timp, fr s se distrug. Va aprea totui o supranclzire a Fig. 1.10. Aria de funcionare sigur (SOA). jonciunii, ceeea ce, n timp, va deteriora dispozitivul. n contrast cu aceasta, este strict interzis depirea valorilor de tensiuni prescrise n catalog (VCEO) i (VCES sau VCBO). ntruct, la comutaie, JBE trece printr-un regim nedistructiv de multiplicare n avalan, tensiunea (VEBO) nu are o limit precizat de productor. Depirea (VCEO) i (VCES) provoac cureni de valori mari, neuniformi, concentrai n seciuni mici de semiconductor, ceea ce, chiar i pentru cteva nanosecunde, duce la distrugerea local a dispozitivului. Acest fenomen este denumit strpungerea secundar a tranzistorului. 7

Aria de funcionare sigur (SOA) este limitat superior de valoarea (ICM) i, la dreapta, de valoarea (VCEO). Dreptele (a) i (b) din Fig. 1.10 reprezint transpunerile logaritmice, respectiv transpunerea curbelor strpungerii secundare i transpunerea puterii disipate maxime (PdM). Putem exemplifica necesitatea unui circuit de protecie al unui tranzistor care are n colector o sarcin inductiv printr-un exemplu numeric (circuitul din Fig 1.11):
e ai = L dI ; VCE = E C + e ai dt

(1.2)

Pentru o inductan L=20H, un curent de saturaie IC=1A i pentru un timp de blocare de toff =0.1 s, avem, n momentul comutaiei, o valoare a tensiunii autoinduse de bobin de eai=200V. Aadar, aceast valoare se adun la tensiunea de alimentare producnd, n lipsa unei protecii, depirea valorii (VCEO) i distrugerea tranzistorului. Circuitul din Fig. 1.11 este un exemplu de tranzistor avnd protecie maxim. Grupul D6-R6 limiteaz tensiunea din colector la: VCEM = EC + VD 6 + R6 I CM ; (1.3) L6 ; ta 3 VCEM VCEO R6 + rL 6 unde ta, reprezint timpul de anulare a curentului inductiv (aproximativ egal cu de trei ori constanta de timp a circuitului de descrcare). Grupul D5-R5-C5 asigur o limitare rapid a tensiunii n colector, n timp ce grupul D4-R4-C4 va prelua n continuare energia, tensiunea de pe C4, ajutnd la comutarea direct a tranzistorului. n alte aplicaii, pentru o D1 D3 L0 D2 C0 v
0

EA R5

D5

R6

D6 R4

e ai

L6 rL6 T1

D4 C5

C4

Fig. 1.11. Reea de protecie maxim al unui tranzistor care are n colector sarcini inductive.

reducere a timpului de anulare, rezistena R6 poate fi nlocuit cu o diod Zener, caz n care avem: (1.4) VCEM = EC + VD6 + VZ
1.2. Tiristorul i triacul

Termenul de tiristor este denumirea generic a unui dispozitiv semiconductor comutator, format din cel puin patru straturi suprapuse pnpn. Exist o mare varietate de dispozitive care au aceast structur (tiristor de tip diod, triod, tetrod etc.). Aceast component rmne unul din cele mai folosite dispozitive semiconductoare n electronica de putere. n cele ce urmeaz, vor fi prezentate structurile i principalele caracteristici ale acestora.
1.2.1. Structura i caracteristicile de baz ale tiristorului i ale triacului

Cea mai simpl structur de tiristor, i dealtfel cea mai ntlnit, este cea de triod-tiristor ca n Fig 1.12, cunocut n literatura strin i sub prescurtarea SCR (Silicon Controlled Rectifier). Cele trei terminale ale tiristorului se numesc anod A, catod C i poart G. Cea mai complex structur de tiristor este cea de triod-tiristor bidirecional, sau, cum este cunoscut, structura de triac. Acesta (prezentat n Fig. 1.18), spre deosebire de un SCR, este un dispozitiv bidirecional n curent, fiind astfel un important comutator de putere n curent alternativ. Ambele dispozitive sunt componente bipolare, care au o cdere de tensiune, n starea de conducie, foarte redus, dar, datorit purttorilor de sarcin minoritari, care trebuie eliminai nainte ca dispozitivul s se blocheze , timpul de comutaie este relativ lung. Acest fapt, limiteaz frecvena de lucru a aplicaiilor cu tiristoare. Triacurile sunt folosite, aproape exclusiv, n surse de 50 sau 60 Hz, iar unele aplicaii, n aeronautic, extind domeniul aplicaiilor pn la 400 Hz.
1.2.2. Modul de funcionare al tiristorului

Funcionarea tiristorului poate fi urmrit din Fig. 1.12 - 1.14. Dac potenialul catodului este mai mare dect cel al anodului, atunci jonciunile J1 i J3 sunt polarizate invers, iar dispozitivul rmne blocat. Cnd tensiunea VAC devine pozitiv, cele dou jonciuni vor fi polarizate direct, dar J2 va fi polarizat invers i tiristorul rmne tot n starea blocat. Dac tensiunea invers aduce J2 n starea de strpungere prin avalan, atunci dispozitivul va 9

conduce ca o simpl jonciune polarizat direct. Modelul cu dou tranzistoare poate fi folosit pentru a explica intrarea n conducie a structurii pnpn. Colectorul lui T1 asigur un curent de baz pentru T2 i curentul de baz a lui T1 este format din curentul de colector al lui T2 mpreun cu un curent din exterior, injectat n poart. Dac avem o amplificare supraunitar pe bucla de reacie pozitiv baz colector ntre T1 i T2, acestea se vor satura i spunem c tiristorul s-a aprins prin strpungere direct. Aceste condiii se ndeplinesc, fie la atingerea pragului VA=VBO pentru IG=0, fie la valori mai mici ale tensiunii VA, o dat cu creterea IG. .

Fig. 1.12. Simbolul de circuit al tiristorului (SCR) i structura sa.

Fig. 1.13. Modelul tiristorului, cu cele dou tranzistoare T1 i T2 i capacitatea parazit CJ2.

Fig. 1.14. Caracteristica static a tiristorului.

Fig. 1.15. Limitarea vitezei de cretere a tensiunii anodice cu ajutorul unui snubber R-C.

10

Fig. 1.16. Comutaia direct a tiristorului. Se observ timpii care intervin ton=t + tr.

Fig. 1.17. Comutaia invers a tiristorului. Timpul de comutaie invers este tq=t4 - t1.

Dup deschidere, curentul anodic este limitat doar de circuitul exterior. Aadar, datorit reaciei pozitive, se realizeaz automeninerea n conducie a tiristorului, chiar dac IG dispare, singura modalitate de stingere fiind aducerea curentului anodic sub pragul minim, de automeninere, IH Aprinderea tiristorului poate fi realizat prin mai multe metode : aprinderea prin atingerea pragului de strpungere pentru tensiuniea anodic. Aceast metod de deschidere este n general evitat, ntruct timpul de scdere a tensiunii anodice mic (1/20 din timpul de comutaie prin comanda pe poart) face ca tiristorul s suporte un prag maximal de cretere a curentului anodic (di/dt) mai redus; aprinderea prin cureni de scurgere. Datorit supranclzirii jonciunilor, curentul de scurgere poate atinge acel prag de la care apare automeninerea n conducie. Depirea temperaturii Tj(max) face ca tiristorul s nu poat bloca nici cel mai mic prag de tensiune anodic; aprinderea prin efect dv/dt. Capacitatea de barier a jonciunii CJ2 crete o dat cu suprafaa acesteia. Curentul prin aceast capacitate, care se nchide prin bazele celor dou structuri echivalente de tranzistoare, depinde att de valoarea capacitii, ct i de viteza de cretere a tensiunii anodice: dv (1.5) iCJ 2 = C J 2 A dt 11

Acest curent, precum i curenii care se nchid prin capacitile celorlalte jonciuni pot determina amorsarea tiristorului. La cteva aprinderi repetate prin acest efect, tiristorul se poate distruge. Parametrul (dvA/dt)critic este prevzut, n cataloage, de productor. Sunt cunoscute mai multe circuite (snubber) pentru limitarea creterilor brute ale tensiunii anodice (fenomen destul de frecvent n circuitele de for cu tiristoare). Se dau pentru circuitul uzual din Fig. 1.15, relaiile de dimensionare a elementelor R-C: (1.6) RS dvA dvA R V 81V
; V = R= ;C > dt < dt R + RS 10 9 max critic dv 100RS A dt critic

Foarte muli productori indic i valorile pentru componentele snubber-ului. Valorile uzuale sunt (R=10 - 100 ; C=0,1 - 5 F). aprinderea tiristorului cu un curent de comand n poart. n Fig. 1.16, este prezentat regimul tranzitoriu prin care curentul anodic crete n funcie de caracteristicile constructive ale dispozitivului. Astfel, timpul t, reprezint perioada necesar polarizrii directe a lui J2, i de deplasare a sarcinilor prin structurile T1 i T2, n vederea obinerii reaciei pozitive. Timpul tr, este dat de durata necesar acumulrii purttorilor de sarcin n exces, n vederea asigurrii curentului prin dispozitiv (ton=1 5 sec). De fapt, intrarea n conducie a tiristorului se face ntr-o zon ngust din apropierea porii, numit zon de conducie primar, care se propag apoi n toat pastila de siliciu cu 100m/sec. Dac circuitul anodic permite o cretere cu vitez mare a curentului anodic, se poate ca, n zona de conducie, s se depeasc densitatea admis de curent, iar tiristorul se poate distruge prin efect di/dt. Comutaia invers forat a tiristorului se realizeaz prin polarizarea invers anod-catod (vAC < 0), pentru scderea curentului anodic sub limita de automeninere. Se observ n Fig. 1.17, faptul c, dup momentul t1, o dat cu tensiunea aplicat negativ, mai exist i un curent invers care circul prin dispozitiv. Acesta este format din purttorii de sarcin concentrai n jurul jonciunii J3, aceasta fiind i prima care este polarizat invers, datorit construciei. La momentul t2, se atinge tensiunea de strpungere pentru J3, tensiunea pe dispozitiv rmnnd constant pn la t3, cnd sunt eliminai toi purttorii, inclusiv din zona J1. Ca urmare, curentul anodic scade pronunat, iar tensiunea pe dispozitiv crete brusc. Dac, dup momentul t2, s-ar aplica o tensiune pozitiv, tiristorul s-ar reaprinde fr curent de poart, deci nu ar fi capabil s blocheze o tensiune anodic pozitiv. Abia dup momentul t4, el poate bloca o tensiune anodic pozitiv iar durata: 12

tq = t4 - t1 (1.7) se numete timpul de revenire al tiristorului. n funcie de valoarea acestuia, exist urmtoarea clasificare pentru tiristoare: ultrarapide tq = (1 5) s; rapide tq = (5 10) s; normale tq = (10 200) s; lente tq > (200) s.

Dac tensiunea invers atinge o anumit valoare, curentul invers prin tiristor ncepe s creasc fr reducerea tensiunii pe dispozitiv, producndu-se aa-numita strpungere invers, fenomen care duce la distrugerea tiristorului.
1.2.3. Modul de funcionare al triacului

Acest dispozitiv a fost conceput pentru a nlocui, n mod economic, o structur de comutator bilateral n curent cu dou tiristoare antiparalele: p2n1p1n3 respectiv p1n1p2n2 din Fig. 1.18 1.19. Polaritatea tensiunii aplicate pe dispozitiv este n mod obinuit cu referina fa de terminalul notat MT1, iar notaia MT2+ semnific un potenial superior primului terminal. Caracteristica static din Fig. 1.20 este foarte apropiat de cea a tiristorului n conducie direct. Caracteristica de conducie invers este n general aceeai, avnd uor modificate valorile pentru curentul de automeninere, sau de comand pe poart IH, IGT etc. Dac triacul este stins, el nu permite dect trecerea unui curent rezidual IR. Dac triacul este polarizat, fie direct, fie invers, el poate fi aprins cu un curent de poart, fie pozitiv, fie negativ i rmne n conducie pn la scderea curentului sub valoarea de automeninere iT < iH . De aceea, el se folosete numai la realizarea variatoarelor de tensiune alternativ de 50 Hz. Aadar, el poate funciona n cele patru cadrane descrise: (1+), (1-), (3-), (3+). Cele mai uoare regimuri de aprindere (Fig. 1.21) se ntlnesc, n ordine, respectiv pentru modurile (1+), (3-), (1-), (3+). Dac avem o surs de comand cu impulsuri unipolare, vom alege modurile (3-), (1-), evitnd astfel ultimul mod, care este cel mai dificil din punct de vedere al mrimii curentului de poart IG. Ca i tiristorul, triacul poate fi distrus prin efect di/dt i poate comuta necontrolat, n mod direct, prin efect dv/dt, protecia realizndu-se prin grupul R-C. 13

Fig. 1.18. Simbolul de circuit al triacului i structura sa.

Fig. 1.19. Reprezentarea cu ajutorul a dou tiristoare antiparalele pentru triac.

Fig. 1.20. Caracteristica static a triacului.

Fig. 1.21. Cadranele de conducie comandat ale triacului.

1.2.4. Parametrii de catalog. Determinarea pierderilor de conducie direct

n cataloage, se specific parametrii pentru tensiuni i cureni ntre cele dou terminale principale, valori pentru mrimile din circuitul de poart, precum i caracteristici termice ale dispozitivului. Astfel, sunt prezentate n Fig. 1.22 definiiile urmtoarelor mrimi: VDSM; VRSM: tensiunea maxim nerepetitiv, care poate fi blocat de tiristor, la polarizare direct, respectiv la polarizare invers. VDRM; VRRM: tensiunea maxim repetitiv, care poate fi blocat de tiristor, la polarizare direct respectiv la polarizare invers. 14

 VDWM; VRWM: Tensiunile maxime repetitive, de lucru. IT(AV): curentul mediu prin tiristor. Se presupune c acesta conduce 1800, iar Tamb<850 C. ITRMS: valoarea efectiv a curentului. ITRM: curentul maxim repetitiv. ITSM: curentul maxim nerepetitiv care poate aparea prin tiristor, pentru un interval de timp determinat. Pentru circuitul de poart se precizeaz IGT, IGM, VGT, PGM, adic respectiv curentul de aprindere, valoarea maxim a curentului de poart, tensiunea poartcatod la aprindere, puterea maxim din circuitul de poart. Putem estima puterea disipat pe un tiristor prin aproximarea caracteristicii sale directe cu ajutorul tangentei, n punctul de funcionare. Puterea instantanee este:

Fig. 1.22. Diagramele explicative cu formele de und de tensiune i curent pentru un tiristor i valorile lor maximale din catalog.

pd = v Ai A

(1.8)
v A = VD + rd i A

(a) (b) Fig. 1.23. (a) Circuitul termic al puterii disipate ntro capsul de tiristor; (b) Aproximarea caracteristicii directe la un tiristor.

(1.9) Exprimm puterea medie pe dispozitiv n funcie de rezistena dinamic rd: (1.10) Pd ( AVR ) = VD I A( AVR ) + rd I A(RMS )2 15

Circuitul termic pentru disiparea puterii include rezistenele care intervin ntre punctele de temperaturi Tj, Tmb, Th, Ta, adic respectiv ale jonciunii, ale capsulei, ale contactului capsul-radiator i mediului ambiant.
1.3. Tiristoare cu blocare pe poart (GTO)

1.3.1. Structura i particularitile unui GTO

Tiristorul cu blocare pe poart GTO (Gate Turn-Off Thyristor) este un dispozitiv cu structura PNPN, care poate fi amorsat ca un tiristor obinuit, cu un curent pozitiv prin terminalul de comand (poart), dar, n plus, poate fi blocat, prin polarizare invers a circuitului poartcatod (cu "-" la G, "+" la C), ceea ce produce un curent negativ de poart. Dispozitivul GTO combin avantajele de baz ale unui tiristor (suport cureni i tensiuni ridicate) cu cele ale unui tranzistor (n primul rnd, prin faptul c poate fi stins prin aplicarea unui curent negativ de poart). Posibilitatea de blocare a dispozitivului GTO confer acestor o plaj mare de aplicaii n domeniul electronicii de putere (invertoare, choppere, contactoare statice de c.c. etc.), ca urmare a simplificrii circuitelor de for.
A A
A

A
P1>>N1 J1 N1 J2

G C C

G C

G
N2 N2 C

P2>>N1 N2 J3 G

Fig. 1.24. Simboluri folosite i structura tiristorului GTO.

Unul dintre avantajele principale ale unui GTO, n comparaie cu un tranzistor bipolar de putere, const n puterea relativ redus consumat pe poart. Acest fenomen se datoreaz faptului c GTO necesit cureni de comand numai pe durata proceselor tranzitorii de comutaie direct, respectiv invers, nu i n starea de conducie. n Fig. 1.24, sunt prezentate simbolurile i structura dispozitivului GTO. Straturile P1, P2, N2 sunt puternic dopate n comparaie cu N1. Valoarea 16

tensiunii de blocare la polarizare direct este dat de grosimea stratului N1. Catodul N2 este format din catozi elementari legai ntre ei printr-o suprafa metalizat. n aceste condiii, GTO poate fi privit, n ansamblu ca o structur multicelular. O consecin imediat a unei asemenea structuri o reprezint valorile destul de ridicate ale curenilor IGT, IL i IH, care sunt aproximativ de 10 ori mai mari fa de curenii din tiristoarele convenionale, ce au aceeai suprafa de cristal i aceeai tensiune de blocare.
1.3.2. Funcionarea GTO-ului. Caracteristica de comand

Schema echivalent a unui GTO este identic cu cea a unui tiristor convenional, fiind realizat cu ajutorul a dou tranzistoare complementare. Intrarea n conducie direct este ca a unui tiristor obinuit, ecuaia curentului anodic fiind: I +I (1.21) IT = n G CB0 1 ( p + n ) n Fig. 1.25, este prezentat caracteristica de comand. La comutaie direct, punctul de comand trebuie s fie situat n zona A. Dac valoarea lui VGT L1 este aceeai pentru GTO i L2 I tiristor convenional, valoarea G lui IGT a GTO-ului poate fi de 10 I ori mai mare (VGT=VG(25C); GM A A IGT=IG(25C)). Avnd n vedere I GT structura multicelular a V GR GTO-ului, pentru o intrare V V GR min GRM sigur n conducie direct, V V VG GT GM I circuitul de comand trebuie s GR min B injecteze un curent de poart de I valoare aproximativ (5IGT) i GRM viteza de cretere de (diG/dt 10A/s). n cazul n I GR care nu sunt respectate aceste Fig. 1.25. Caracteristica de comand. cerine, exist posibilitatea ca o parte din celulele GTO-ului s nu intre n conducie, acestea scurtcircuitndu-se, i s determine creterea periculoas a curentului prin celulele amorsate, iar GTO-ul se poate distruge. Comanda de comutaie invers (blocare) se realizeaz prin extragerea unui curent negativ de poart: 17

IG =

I CBO n

(1.22)

n relaia de mai sus exprimnd ICBO n funcie de curentul anodic IT, curentul IG devine :
IG = 1 (P + n ) IT n

(1.23)

Deci, pentru a obine o comutaie invers ferm , este necesar ca valoarea curentului (-IG=IGR) s satisfac inegalitatea:
IGR 1 p + n n

)I

, IGR[0.2 0.3]IT

(1.24)

Valoarea negativ a sursei de tensiune pentru extragerea acestui curent nu trebuie s depeasc valoarea maxim VGRM. Caracteristica de comand pentru acest mod de funcionare se afl n cadranul trei, zona B i ea nu poate exista la un tiristor obinuit. Pentru GTO de mare putere, curentul negativ de poart poate atinge valori destul de mari, ajungnd uneori la sute de amperi, ceea ce creeaz un dezavantaj major. GTO trebuie s aib inductana de poart foarte mic (n domeniul nH). n Fig. 1.26 este prezentat forma de und a curentului de comand pentru GTO BIW 58 n care avem intervalele de timp: t1 timpul de comutaie direct; t2 timpul de conducie; t3 timpul de comutaie invers.
1.3.3. Regimul de comutaie la GTO

n prezent, exist GTO care lucreaz la tensiuni i cureni foarte mari, dar frecvenele lor de funcionare sunt limitate la 1kHz. Regimul dinamic al GTO la comutaia direct este identic cu cel al tiristorului obinuit, n schimb regimul dinamic la comutaia invers este diferit. n Fig. 1.27, este prezentat diagrama corespunztoare pentru regimurile dinamice menionate. n cazul comutaiei inverse, timpii caracteristici sunt: - timpul de stocare tS (storage time), care caracterizeaz ineria GTO n rspunsul lor la curentul negativ de poart. Este delimitat de momentul n care curentul invers pe poart atinge valoarea 0.1IGRM i de cel n care curentul iT ajunge 0.9ITGQ (90% din valoarea iniial). Cderea de tensiune pe GTO n acest interval, vT rmne neschimbat. Creterea amplitudinii IGRM i a ratei diGR/dt pentru curentul de intrare conduce la micorarea substanial a lui tS; 18

- timpul de cdere tf (fall time), care este definit ca intervalul de timp n care curentul anodic scade de la 0.9 la 0.1 din valoarea i (A) iniial corespunztoare strii de G 1 conducie. Variaia rapid a 0.8 curentului este nsoit de t creterea rapid a tensiunii 0 anodice. Puterea instantanee pe dispozitiv, pe durata tf, poate 2 atinge valori apreciabile, conducnd uneori la distrugerea dispozitivului prin efect termic; 7 t1 t2 t3 - timpul de ncheiere tt (tail time), care este stabilit prin i GR (A) convenie, ca intervalul de timp Fig. 1.26. Forma de und a curentului de n care curentul anodic scade de comand. la 10% la 2% din valoarea sa corespunztoare conduciei directe. Timpul total de blocare este suma celor trei timpi: toff = t s + t f + tt (1.25)

Scderea curentului de poart pe msura desfurrii procesului de blocare se datoreaz creterii rezistenei interne poartcatod de la aproximativ 10m, la nceputul lui ts, pn la cteva sute de ohmi la sfritul momentului tt.
i
T

ITGQ 0.9 I TGQ

VD vT
t 0.1 IGM
gd

0.1 I

TGQ

r conductie directa

iG

comutatie directa

ts

t off

tf

tt

t t

comutatie inversa

I GRM IGRM i
GR

Fig.1.27. Formele de und corespunztoare comutaiei directe, conduciei i comutaiei inverse.

19

O problem important care apare tot n cazul comutaiei inverse o reprezint aceea n care tiristorul GTO lucreaz cu sarcini care au un caracter puternic inductiv. n aceast situaie, avem de-a face cu supratensiuni pe GTO de valori destul de mari, iar limitarea acestui efect se poate obine prin utilizarea circuitelor de protecie de tip "snubber" R-C-D.
1.3.4. Circuite de comand

Proiectarea etajelor finale pentru comand a porii, la comutaia direct nu ridic probleme, etajele fiind asemntoare cu cele care comand tiristoarele convenionale. n schimb, circuitele de comand pentru comutaia invers au o serie de particulariti, cum ar fi : amplitudinea i +V durata impulsurilor negative de +Vcc comand n blocare trebuie s fie T1 net superioare impulsurilor vc Rl pozitive, de comand n i GF R1 C conducie; rata de cretere a i GR semnalului negativ (dvGR/dt R2 Dz ,diGR/dt) trebuie s minimizeze V on T2 timpul necesar stabilirii curentului IGR la valoarea sa maxim IGRM.. 0 Circuitele de comand se pot Fig.1.28. Circuit de comand fr izolare mpart n dou categorii: galvanic. circuite cu cuplaj +V direct ; circuite cu izolare RL C galvanic ; acestea, fa de R primele circuite, realizeaz o separare ntre circuitul de for i D cel de comand, izolare realizat V1 fie cu transformatoare de i i GR p impulsuri, fie cu optocuploare, i T au rolul de a evita apariia accidental n circuitul de Von comand a tensiunilor mari Fig.1.29. Circuit de comand cu izolare (aceste tensiuni, sunt de obicei galvanic. tensiunile de alimentare ale circuitului de sarcin). 20

n Fig. 1.28, este prezentat schema de comand a GTO-ului cu cuplaj direct. Pentru tensiuni Von pozitive, tranzistorul T1 conduce, iar T2 este blocat. Curentul furnizat de T1, ncarc pe de o parte condensatorul C la tensiunea vc(t) cu polaritatea din figur i asigur curentul iGF, necesar comutaiei directe a GTO. Valoarea tensiunii de pe condensatorul C este limitat la valoarea Vz. La aplicarea tensiunii negative Von, tranzistorul T1 se blocheaz, tranzistorul T2 intr n conducie i determin descrcarea condensatorului C prin T2 i jonciunea poartcatod a GTO-ului. Curentul iGR de descrcare al condensatorului C determin comutaia invers a tiristorului GTO. n Fig. 1.29, se prezint schema de comand a GTO cu izolare galvanic realizat cu ajutorul unui transformator de impulsuri. Dac tranzistorul T este blocat, tiristorul GTO este n conducie. Comanda de saturare a tranzistorului T permite trecerea curentului ip n primarul transformatorului. Tensiunea indus n secundar cu polaritatea din figur, determin conducia direct a diodei D i faciliteaz extragerea curentului iGR din poarta GTO blocndu-l. Prezena condensatorului C determin un supracurent pe poart, atunci cnd se iniiaz procesul de comutaie invers.
1.4. Tranzistorul MOS de putere

1.4.1. Simbol. Structur. Principii de funcionare

Structural, tranzistorul clasic de tip MOS este format dintr-un semiconductor de tip P, n care sunt difuzate dou zone de tip N, de unde se extrag terminalele de dren (D) i surs (S), Fig. 1.30. n Fig. 1.31, sunt prezentate simbolurile tranzistorului MOSFET cu canal N. Aplicarea unei tensiuni vGS pozitive ntre gril i surs determin mrirea concentraiei de purttori minoritari (electroni), n zona de jonciune dintre semiconductorul P i stratul de oxid. Dac valoarea tensiunii vGS depete valoarea tensiunii de prag VGSP, n zona de jonciune vor fi numai sarcini negative. Zona de tip N astfel format constituie un canal ce leag sursa S de drena D. Curentul de dren iD , obinut prin aplicarea unei tensiuni pozitive ntre dren i surs vDS, poate s treac prin acest canal i, n aceste condiii, MOSFET-ul devine conductor. Configuraia prezentat ofer curentului de dren un traseu "orizontal", adic paralel cu suprafaa cristalului. Apariia MOS-ului de putere se datoreaz noilor tehnologii, care au permis s se ofere curentului de dren iD un traseu vertical, adic paralel cu 21

suprafaa pastilei. La nceput, s-au realizat tranzistoare de tip VMOS, V-ul caracteriznd traiectoria vertical a curentului i forma n V a tieturii la suprafaa cristalului. Structura unui tranzistor VMOS este prezentat n Fig. 1.32. La ora actual, cei mai utilizai tranzistori sunt cei de tip DMOS, D-ul indicnd procedeul de dubl difuziune, folosit n realizarea lor. n Fig. 1.33, este redat structura unei celule DMOS, pe ansamblu, un tranzistor fiind format din mai multe astfel de celule. La MOS-urile de putere, drena este format din dou straturi N (N+ i N ). ntr-o prim difuzie, se introduc poriuni P n substratul N-, iar n cea de a doua difuzie se introduc poriuni N+ n substratul P (difuzat anterior).
S G D Metal
N
D i D

D B

SIO P

G V DS S V GS

Substrat

Fig.1.30. Structur MOSFET.

S G

clasic

de

tranzistor

Fig.1.31. Simboluri pentru tranzistoare MOSFET.

G S

SiO N+ P J3 J2 NJ1 N+ D

N P -

+ P+

N N

+ D

Fig. 1.32. Structura tranzistorului VMOS.

Fig. 1.33. Structura tranzistorului DMOS.

Aplicarea unei tensiuni pozitive vGS superioare tensiunii de prag VGSP determin apariia canalului de tip N prin care poate circula curentul de la dren la surs.

22

1.4.2. Caracteristici statice ale MOSFET-ului Caracteristica de ieire n Fig. 1.34, este prezentat variaia curentului de dren iD n funcie de tensiunea vDS pentru diferite valori ale tensiunii vGS. Dup cum am menionat anterior, pentru valorile lui vGS mai mici ca VGSP, curentul iD este foarte mic. Pentru tensiuni vGS mai mari ca VGSP, curentul iD ncepe s creasc. n electronica de putere n general, tranzistorul lucreaz ca un comutator. Caracteristuca de intrare Din punct de vedere teoretic, grila find izolat, n regim static vloarea curentului care circul ntre G i S este nul. n realitate datorit structurii sale interne, prin MOS circul un curent a crei valoare este foarte mic de ordinul microamperilor. Caracteristica principal a MOS-ului o constituie impedana foarte mare de intrare (M).
I D (A)
I D (A)

10 20 16 12 8 4
0
V GS (V)

15

T J C = 25

150

5
10

3 2 4 6 2 8 V DS (V)
ID=f (VDS) cu Tj,
0 2 4 6 8 V GS (V)

Fig. 1.34. Caracteristica parametru; VDS=25V.

Fig.1.35. Caracteristica ID=F(VGS) cu Tj, parametru; VDS=25V.

R
DSON

( )

n Fig. 1.35 este trasat caracteristica de transfer a curentului ID in funcie de VGS pentru VDS constant. Se observ c atunci cnd tensiunea vGS depete valoarea tensiunii de prag VGSP care este de obicei ntre 2 i 4V, curentul iD crete rapid. Creterea temeraturii determin o scdere a tensiunii de 23

2 .5 0 .5 0 .4 0 .3 0 .2 0 .1 0

V GS (V)

4
5 10

12

16

20

I D (A)

Fig. 1.36. Caracteristica RDSON=f(ID) cu parametru VG ; Tj=25C.

prag VGSP, dar, favorizeaz apoi creterea mai lent a curentului iD n funcie de tensiunea vGS.
Rezistena aparent n starea de conducie RDSON n Fig. 1.36, este prezentat variaia rezistenei RDSON n funcie de curentul ID pentru diferite valori ale tensiunii vGS: v (1.26) R DSON = DS iD Structura multicelular a MOSFET-ului de putere, permite punerea n paralel a tuturor rezistenelor celulelor, pe ansamblu obinndu-se o valoare a lui RDSON foarte mic. Diode i capaciti parazite Structura intern a MOSFET-ului, succesiunea zonelor N, P i Ndetermin apariia unui tranzistor bipolar NPN parazit. Prin metalizarea sursei care se ntinde peste zonele P i N difuzate, se scurtcircuiteaz JBE a tranzistorului parazit, rmnnd practic activ n aceste condiii JCB, care determin apariia unei diode parazite, ce are drept anod, sursa S, iar catodul este drena D, ca n Fig. 1.37.a. Aceast D diod parazit se comport ca o diod D redresoare i drept urmare, nrutete timpii de comutaie ai MOSFET-ului. G G D2 Pentru nlturarea acestui impediment n paralel cu dioda parazit se conecteaz S o diod rapid D2, ca n fig. 1.37.b, S dioda D2 fiind implementat pe aceeai a b capsul cu MOSFET-ul. Viteza de Fig.1.37. MOSFET cu (a) Diod parazit comutaie a unui tranzistor MOSFET (b)Diod rapid n paralel i dioda este limitat de capacitile parazite CGS, parazit. CGD i CDS, (Fig. 1.38) unde: D CGS este capacitatea C GD stratului de oxid ce izoleaz grila i variaz puin cu tensiunea vDS; G C DS CGD format n urma acumulrilor de sarcin n zona P sub gril i este dependent de tensiunea vDS. CDS capacitatea dren surs C GS i este inclus deobicei n calcule n S Fig.1.38. Capacitile parazite ale capacitatea CGD. Influena capacitii

MOSFET-ului

24

parazite n momentul comutaiei directe a MOSFET-lui este prezentat n continuare. capacitatea de intrare (ieirea n scurtcircuit) CISS : CISS = CGD + CGS C C ISS C GS (1.27) C iss capacitatea de reacie gril C GS dren Crss: C rss = C GD (1.28) C GD vDS capacitatea de ieire v v DS ON DS OFF (intrarea n scurtcircuit) Coss: Fig. 1.39. Evoluia capacitilor Coss = CGD + CDS (1.29) Ciss, CGS i CGD funcie de vDS. n Fig. 1.39 se prezint modul de variaie al capacitilor sus-menionate n funcie de tensiunea vDS. Evoluia tensiunii vGS n funcie de sarcina QG acumulat la comutaia direct este ilustrat n Fig. 1.40. n aceast reprezentare, se disting trei zone i anume: n zona 0-1, VGS MOSFET-ul este blocat, iar capacitatea de intrare VGG 3 CissOFF CGS se ncarc sub tensiunea vDS, avnd panta (Vcc,I') 1 panta=1/Cissoff (Vcc,I) Ciss OFF (Vcc',I) 1 2 n zona 1-2, VGS1 tensiunea vDS scade de la VCC la vDSON, iar tensiunea vGS nu panta=1/Cisson se modific. Variaia sarcinii 0 QG1 Q Q G3 Q contribuie la descrcarea G2 (t2) (t3)(t) (t1) capacitilor CGD i CDS n zona 2-3, Fig. 1.40. Evoluia vGS (QG) la comutaie direct. capacitatea de intrare se ncarc pn la intrarea n conducie direct a tranzistorului MOS; n aceste condiii capacitatea de intrare devine: CissON = CGS + CGDON (1.30) iar tensiunea vDS scade pn la valoarea: (vDSON=RDSONI). Pentru un curent I, superior curentului I, caracteristica arat ca n varianta cu linie punctat, iar pentru o tensiune VCC superioar tensiunii VCC caracteristica arat ca n varianta cu linie ntrerupt. 25

1.4.3. Comutaia direct a tranzistorului MOSFET

Se consider circuitul din Fig. 1.41 i se presupune c valoarea curentului I este constant pe durata unei perioade de comutaie. Schemele echivalente ale circuitului i formele de und corespunztoare I procesului de comutaie direct sunt prezentate n Fig. 1.42, V L respectiv Fig. 1.43. CC D n primul interval de timp (0-t1), dac este indeplinit i D inegalitatea: 0<vGS<VGSP, R i G G capacitatea de intrare Ciss ncepe s se ncarce prin RG , iar V v v G DS GS tensiunea de comand vGS ncepe s creasc de la 0 la valoarea Fig.1.41. Circuit de comand pentru analiza determinat de VGG. Expresiile fenomenelor de comutaie. tensiunii vGS i curentului iG sunt:
vGS = VGG (1 e iG =
t RG CGS

VGG e (1.31) RG n continuare, dac VGSP<vGS<VGS1, capacitatea Ciss continu s se ncarce, ajungnd, la sfritul primului interval de timp cnd vGS devine VGS1, s aib valoarea: Ciss= CissOFFCGS. Depirea tensiunii de prag VGSP determin o cretere rapid a curentului iD. Att timp ct iD<I, dioda D conduce, tranzistorul MOSFET va fi blocat, iar circuitul echivalent este cel din Fig. 1.43.a. n momentul cnd t=t1, curentul iD atinge valoarea I i dioda se blocheaz. n aceste condiii tensiunea vGS este:
v GS 1 = V GG (1 e ) VGG (1.32) t1 = RG C GS ln VGG VGS 1 Al doilea interval de timp ncepe la momentul t = t1, cnd scderea tensiunii vDS determin descrcarea capacitilor CGD i CDS. La momentul t=t1, tensiunea vGS1 este constant, iar curentul iG este:
t1 R G C GS

t RG C GS

26

iG =

V GG V GS 1 = const RG d ( v DS v GS ) dv DS ; i G = C rss dt dt
dt

(1.33)

i G = C GD

Tensiunea vDS descrete cu panta dvDS , circuitul echivalent este cel din Fig. 1.43.b. Sfritul celui de-al doilea interval de timp are loc la momentul t2; durata acestui interval fiind:
t 2 t1 = QG 2 QG1 iG

(1.34)

Momentul de timp t2 constituie nceputul celui de-al treilea interval de timp n care MOSFET-ul intr n conducie. Din motive de securitate, pentru intrarea ferm n conducie a MOSFET-ului, tensiunea vGS se crete pn la valoarea VGG. n aceste condiii, capacitatea de intrare Ciss continu s se ncarce, la sfritul intervalului atingnd valoarea CissON, iar tensiunea vGS
i
I D C iG V GS

D= I

C iG
V CC

GD C DS V DS

RG VG G

GD

RG C GS

C GS V DS

GG

V GS1

a
i C i V GG G R G GD D = I

R DSON C DS - V DSON

GS

c
Fig.1.42. Schemele echivalente la comutaia direct, a) intervalul 0-t1. b) intervalul t1-t2. c) intervalul t3-t4.

27

este:
t

v GS = V GG + (V GS 1 V GG ) e R G C issON
Ciss = QG3 QG2 = CissON VGG VGS1

(1.35)

VGS V GG V GS1 V GSP iD I+IRM I t rr t

t i D I V GS V GG VGS 1

t0 v DS Vcc

t
t V DS Vcc

V DS ON
toff

iG VGG RG

t c on

G 0

t4

t5

t6 t

t1

t2

t3

Fig.1.43. Formele de und la comutaia direct.

Fig.1.44. Formele de und la comutaia invers.

28

i tensiunea vDS devine VDSON=RDSONI, iar circuitul echivalent este cel din Fig.1.43.c.
1.4.4. Comutaia invers a tranzistorului MOSFET

Pentru studiul comutaiei inverse, se folosete acelai circuit ca cel din Fig. 1.41. Formele de und corespunztoare comutaiei sunt prezentate n Fig. 1.44. Iniierea comutaiei inverse se realizeaz prin scderea tensiunii vGS de la VGG la zero. n prima etap, se descarc capacitatea de intrare prin rezistena RG, curentul IG fiind negativ. Aceast etap dureaz pn la momentul t4. A doua etap ncepe de la t4 i se termin la timpul t5; n acest interval, tensiunea vDS crete, dar curentul iD rmne egal cu I (dioda D fiind nc blocat). A treia etap incepe de la t5 i se sfrete la t6, curentul iD se anuleaz, iar dioda D devine polarizat direct i intr n conducie. La momentul t=t6, tranzistorul este blocat, capacitatea de intrare continu s se descarce pn la anularea tensiunii vGS. Capacitile parazite au valori de ordinul a ctorva sute de pF, timpii de comutaie ai MOSFET-ului sunt foarte redui, iar frecvena de funcionare poate ajunge pn la 10 MHz.
1.4.5. Circuite de comand a tranzistorului MOSFET

Comutarea unui MOSFET implic ncrcarea, respectiv descrcarea capacitii de intrare Ciss, capacitate ce este inclus n cip. O tensiune pozitiv

Fig.1.45. Circuit de realizat cu CI CMOS.

comand

Fig.1.46. Circuit comand MOSFET.

29

aplicat ntre poart i surs de pn la 15V determin intrarea n conducie a MOSEFT-ului. Pentru micorarea timpilor de comutaie este necesar ca la comutaia direct, ct i la cea invers s se genereze impulsuri de curent, cu rolul de ncrcare, respectiv, descrcare rapid a capacitii de intrare. n Fig. 1.45, este prezentat cea mai simpl schem de comand a unui MOSEFT, realizat cu ajutorul unei pori logice. Pentru obinerea unor timpi de comutaie mai mici, se utilizeaz un circuit de comand implementat tot cu ajutorul unui CI CMOS, ca n Fig. 1.46. Un alt circuit de comand este prezentat n Fig. 1.47 i poart denumirea push-pull. Dac T1 este n conducie, T2 este blocat, curentul de colector al tranzistorului T1 determin ncrcarea capacitii de intrare a lui T3 i, implicit, comutaia direct a acestuia. Pentru comutaia invers a MOSFET-ului se comand T2, tranzistorul T1 se blocheaz, iar curentul de colector a lui T2, prin descrcarea capacitii de intrare, va bloca pe T3. Circuitul de comand prezentat este fr izolare galvanic. n Fig. 1.48 se prezint o schem de comand a unui tranzistor MOSFET, folosind un transformator de impulsuri ce realizeaz izolarea galvanic ntre circuitul de for i cel de comand. Dac tensiunea din secundarul transformatorului de impulsuri are semnul "+", la pinul notat cu "A" capacitatea de intrare a lui T1 se ncarc prin dioda parazit D, a lui T2. Cnd tensiunea din secundar devine zero, capacitatea de intrare i continu ncrcarea cu ajutorul capacitii C i, implicit, se realizeaz comutaia direct a MOSFET-ului. Cnd pinul "B" devine pozitiv, tranzistorul T2 intr n conducie, polariznd invers poarta lui T1 i va determina descrcarea capacitii de intrare i comutaia invers a MOSFET-ului T1.
Vcc T1

T2 A
T3

T1 C

T2
Fig.1.47. Circuit de comand realizat cu tranzistoare n configuraia push-pull.

Fig.1.48. Circuit de comand cu izolare galvanic.

1.5. Tranzistorul unijonciune (TUJ)

Tranzistoarele unijonciune au fost nc de la nceput utilizate cu rezultate foarte bune pentru construcia oscilatoarelor de relaxare, a 30

circuitelor de temporizare pentru comanda tiristoarelor i n alte aplicaii care vor fi menionate n acest paragraf.
1.5.1. Proprietile i caracteristicile TUJ-urilor n regim static

Fenomenele fizice care stau la baza funcionrii tranzistoarelor unijonciune sunt dependente de structura folosit, de construcia i de tehnologia adoptat. n cele ce urmeaz, se va avea n vedere structura bar cu disc de ceramic din Fig. 1.50. Simbolul de reprezentare, tensiunile i curenii n tranzistorul unijonciune sunt artate n Fig 1.49. Baza 1 este conectat la mas iar la Baza 2 se aplic o tensiune pozitiv de polarizare vBB, de valoare constant. Pe emitor, se aplic o tensiune pozitiv n raport cu masa vE, care se crete ncepnd de la zero, trasndu-se astfel caracteristica iE = f(vE). Aspectul tipic al caracteristicii statice este reprezentat n Fig. 1.51. Fig. 1.49. Tensiunile i curenii TUJ-ului. La vE = 0, n circuitul emitorului circul un mic curent invers (punctul A). Cnd vE crete, iE descrete n valoare absolut pn n punctul B, cnd se anuleaz. Folosind acum un generator de curent i crescnd pe iE, vE va crete de asemenea. n punctul P (punct de vrf), tensiunea de emitor are o valoare maxim VP denumit tensiune de vrf, Fig. 1.50. Structura unui TUJ tip bar. iar curentul de emitor corespunztor este denumit curent de vrf (IP). Dac se crete n continuare curentul de emitor, utilizndu-se o surs de curent, se constat o scdere a tensiunii de emitor pn n punctul V (punct de vale) cnd vE are un minim. Coordonatele punctului V sunt denumite tensiune de vale (VV), respectiv curent de vale (IV). Pe caracteristica static se remarc trei regiuni cu particulariti
Fig. 1.51. Caracteristica static IE=f(ue).

31

deosebite: regiunea de blocare AP, regiunea de rezisten negativ PV i regiunea de saturaie, situat la dreapta punctului V. Fenomenele fizice care au loc n interiorul barei de siliciu difer de la o regiune la alta. Considerm un punct O din interiorul barei de siliciu, situat la nivelul emitorului. Dac aplicm o tensiune vBB, ntre cele dou baze n interiorul siliciului de tip n, se stabilete un cmp electric i atunci va circula un curent electric. Rezistenele barei cuprinse ntre punctul O i contactul bazelor se noteaz cu rB1 i rB2, iar suma lor sau rezistena interbaz, respectiv raportul de divizare intrinsec (n englez: Stand-off ratio) sunt date mai jos:
not rBB = rB1 + rB 2 ; = rB1

(1.36)

rBB

n aceste condiii, tensiunea vE ntre punctul O i contactul bazei 1 este (vBB). Se disting mai multe regimuri de funcionare: regimul de blocare (tiere) apare att timp ct vE < (vBB). Astfel, jonciunea pn este polarizat invers i n circuitul emitorului circul curentul invers al jonciunii, de valoare foarte mic. Pe msur ce vE crete, iE scade n valoare absolut. n punctul B, tensiunea vE = (vBB) i ct timp vE < (vBB)+VD , prin jonciunea pn vom avea un curent direct, cresctor i de valoare relativ mic; regimul de rezisten negativ ncepe din punctul P n care vE = (vBB)+VD, iar curentul atinge valoarea IP. Dac cretem curentul peste valoarea IP, o mare cantitate de goluri se injecteaz din emitor n bar. Sub aciunea cmpului electric, golurile respective se deplaseaz spre contactul bazei 1, mrind conductivitatea sa ntre puncul O i baza 1 i, implicit, scznd rezistena acestei poriuni n raport cu valoarea din zona de blocare. Golurile se recombin cu un numr egal de electroni din circuitul exterior, la contactul bazei 1 pentru meninerea neutralitii electrice a barei. Ca urmare a scderii rezistenei barei ntre emitor i baza 1, scade i tensiunea vE fa de valoarea de vrf. Procesul descris, denumit modulaie de conductivitate, continu pe msur ce curentul iE crete i astfel apare regiunea de rezisten negativ, din Fig.1.51. regimul de saturaie se instaleaz o dat cu creterea curentului de emitor (peste 500mA), ca efect al scderii mobilitii purttorilor de sarcin. Astfel, este compensat creterea concentraiei de purttori i conductivitatea va pstra o valoare relativ constant. Panta dreptei de pe caracteristic este cunoscut sub denumirea de rezisten dinamic de saturaie. n aceast regiune, curentul iB2 devine neglijabil, iar caracteristica este asemntoare cu cea a unei diode. 32

1.5.2. Scheme echivalente n regim static pentru modelarea unui TUJ

Pentru caracterizarea funcionrii TUJ-ului n regim static, s-au propus mai multe scheme echivalente, la baza crora stau fenomenele fizice i procesele menionate anterior. n general, se stabilesc scheme echivalente separate pentru cele trei regiuni de funcionare a TUJ-ului. Schema echivalent valabil pentru zona de blocare (Fig. 1.52.a) cuprinde rezistenele ohmice ale poriunilor barei situate ntre contactele bazelor i un punct O situat la nivelul emitorului (punct de injecie) i dioda corespunztoare jonciunii emitorului. n zona de rezisten negativ, rezistena dintre punctul O i baza 1 se poate considera ca o sum dintre o rezisten pozitiv rS (rezistena de saturaie) i o rezisten dinamic negativ rN. Rezistena de saturaie are o valoare independent de iE, pe cnd rN variaz cnd iE crete. Atunci cnd concentraia de goluri ajunge la o valoare mare (106/cm3), rN devine practic egal cu zero (punctul de vale). Urmeaz zona de saturaie n care schema echivalent ia forma din Fig. 1.52.b. n zona de rezisten negativ, caracteristica static este teoretic neliniar din cauza variaiei rezistenei rN cu iE. Practic, exist o poriune ntins a caracteristicii, care poate fi considerat liniar, dup care urmeaz zona profund neliniar din apropierea punctului V. Un alt mod de a lua n considerare fenomenul de modulaie a conductivitii este montarea unui generator de curent n serie cu o rezisten, n paralel cu rezistena rB1.

(a) (b) (c) Fig. 1.52. Schemele echivalente respectiv pentru: (a)-zona de blocare; (b)-zona de rezisten negativ; (c)-ambele regimuri de funcionare.

33

Astfel, se ajunge la schema echivalent din Fig. 1.52.c. Curentul dat de generator este considerat proporional cu curentul de emitor (iE), iar rS reprezint rezistena ohmic ntre emitor i baza 1, care nu este influenat de modularea de conductivitate. Aceast schem echivalent este valabil att pentru zona de rezisten negativ, ct i pentru cea de saturaie, cu alegerea convenabil a coeficientului .
1.5.3. Oscilatoare de relaxare cu TUJ

Oscilatorul de relaxare este circuitul de baz n cele mai multe aplicaii ale TUJului. El este utilizat n circuite multivibratoare, circuite pentru comanda tiristoareloretc. Schema de baz este prezentat n Fig. 1.53. Fig. 1.53. Formele de und asociate unui oscilator de Cnd se aplic relaxare cu TUJ . tensiunea de alimentare V1, condensatorul se ncarc exponenial prin rezistena R, pn la valoarea de vrf VP=V1. La aceast tensiune, jonciunea EB1 este polarizat direct i rezistena dinamic devine negativ. Prin descrcarea condensatorului prin EB1 pe rezistena R2, va aprea un impuls pozitiv. Cnd tensiunea VC scade la valoarea VV, TUJ-ul trece n starea blocat. Condensatorul se va rencrca i funcionarea se repet. Pentru calculul perioadei de oscilaie T , obsevm c t2<<t1, deci vom considera Tt1:

vC (t ) = V + (V0 + V )e

t RC

(1.37) (1.38) (1.39) (1.40)

V0 = VV ; V = V1
VC (t1 ) = V1

Considernd i aproximaia VV <<V1, avem n continuare relaiile:

T = RC ln V V0 1 ; T RC ln 1 V V1

Pentru proiectarea corect a unui oscilator care s asigure condiia de oscilaie, trebuie s fie ndeplinit fie condiia din graficul 1.54., n care 34

dreapta de sarcin intersecteaz caracteristica TUJ-ului n zona de rezisten negativ, fie condiia analitic: IV IP 1 (1.41) tg1 < tg < tg 2 ; < <
V1 (1 ) R V1 VV

Se observ, la oscilatorul din Fig. 1.53, c, pentru a modifica perioada de oscilaie, trebuie s modificm rezistena R, deci curentul de ncrcare al condensatorului. O alt metod ar putea modifica valoarea iniial V0. n Fig. 1.55, sunt prezentate cteva variante ale circuitului oscilator cu TUJ. Fig. 1.54. Reprezentarea grafic a condiiei Astfel, primul circuit din Fig. de oscilaie pentru un oscilator cu TUJ. 1.55.a regleaz perioada de oscilaie prin intermediul unei tensiuni de comand Vcom, care stabilete valoarea iniial V0, naintea fiecrei noi ncrcri prin rezistena R. Imediat dup ncrcarea instantanee de la nceputul fiecrei perioade, dioda D va fi polarizat invers datorit potenialului n cretere pe emitorul TUJ-ului. Expresia perioadei de oscilaie (1.40) va deveni: V 1 com V0 = VV V1 (1.42) T = RC ln V = V1 1

(a) (b) (c) Fig. 1.55. Variante de oscilatoare cu TUJ, cu perioada reglabil printr-o tensiune de comand.

35

n Fig. 1.55.b, se prezint o schem cu control derivaie al curentului de ncrcare pentru condensator. n paralel cu condensatorul, avem o surs de curent constant la nivelul colectorului tranzistorului Q. Pentru simplificarea calculului pentru perioada de oscilaie T, vom considera sursa de curent din colector ca fiind ideal, cu impedan infinit i care conduce un curent constant:
iQ = V com V BE R

(1.43)

Dup descrcarea condensatorului pn la VV, intr n conducie ca diod jonciunea JBC, tranzistorul intrnd n regim de saturaie, iar condensatorul se va ncrca instantaneu pn la valoarea (V0=Vcom-VBCsat). Constanta de ncrcare rmne RC, iar expresia din 1.40 va deveni:
V = V1 V0 Vcom R (Vcom VBE ) R0 T = RC ln R0V1 (R + R0 )Vcom + RVBE R0V1 (1 ) R(Vcom VBE )

(1.44)

n Fig. 1.55.c, se prezint o schem de comand cu control serie al curentului de ncrcare al condensatorului. Considernd colectorul tranzistorului ca o surs ideal de curent, ncrcarea condensatorului se va face liniar, rezultnd expresiile:
vC (t ) = V0 +

1 Vcom VBE dt C R0 0 Vo = VV ; vC (T ) = V1

T=

R0 C (V1 VV ) Vcom VBE

(1.45)

1.6. Tranzistorul bipolar cu poart izolat (IGBT)

1.6.1. Structura i funcionarea unui IGBT

IGBT ul este un dispozitiv semiconductor ce are o structur multicelular, fiecare celul fiind realizat dintr-un tranzistor MOS ce comand un tranzistor bipolar de putere. n Fig. 1.56, se prezint o seciune transversal pentru o celul a IGBT-ului cu canal N (a), schema electric (b), schema electric simplificat (c) i simboluri (d). IGBT apare, la prima vedere, ca fiind identic cu un tranzistor MOSFET n varianta DMOS. Noutatea pe care o introduce IGBT-ul o reprezint utilizarea canalului de inversiune care se formeaz la interfaa zonei P cu oxidul, n urma aplicrii unei tensiuni pozitive pe poart. n Fig. 1.56.b, se observ existena unui tranzistor T2-(NPN), care se formeaz datorit dispunerii straturilor, i a unui tranzistor T1-(PNP), care apare datorit sucesiunii celor 3 zone de la colectorul C ctre emitorul E. 36

Tranzistoarele compuse T1, T2 formeaz un tiristor parazit, i care n caz de conducie determin funcionarea anormal a IGBT-ului. Pentru nlturarea acestui neajuns, n fiecare celul elementar P+N-PN+ se formeaz, n emitorul N+, un unt central E prin intermediul cruia baza P este conectat direct la Al metalizarea emitorului printr-o rezisten Rb. G N+ N+ untarea bazei P are ca P J3 Rb + efect micorarea factorului de P J2 R Nctig n curent npn. N Introducerea prin difuzie a purttorilor P+ n P, are drept J1 scop reducerea rezistenei Rb, i a P+ ctigului n curent n a lui T2. Aplicarea unei tensiuni VGE ntre C gril i emitor, determin n a) MOSFET apariia canalului N, E E prin care se furnizeaz curent de baz pentru T1 i n consecin I T3 E IGBT-ul intr n conducie. Dac G R T3 tensiunea VGE este zero, canalul b T2 G N va fi ntrerupt, T1 se va bloca, I determinnd blocarea IGBTR DMOS Nului. R N Din cele menionate T1 anterior putem trage concluzia c T1 IGBT-ul este comandat la fel ca C I c c) b) un MOSFET avnd toate E C C avantajele acestuia, dar, datorit E interdependenei celor dou tranzistoare T1 i T2, funcionarea sa este mai complicat. Pentru G G tensiuni vGE<VGEP (tensiunea de d) prag IGBT), absena stratului de Fig. 1.56. a) structura IGBT cu canal n; inversiune face ca legtura ntre b) schema electric; dren i surs s nu existe c) schema electric simplificat; IGBT-ul fiind blocat. d) simboluri. Performanele la blocare 37

ale IGBT-ului sunt date de caracteristicile stratului N-, adic de grosimea lui i de concentraia de impuriti. Pentru vCE mai mari ca zero, trebuie s se evite strpungerea jonciunilor J2, J3 din zona P, fapt ce impune ca lungimea canalului s fie minim i este condiionat de distribuia impuritilor P. Apariia stratului de inversiune i implicit conducia dispozitivului are loc n momentul n care vGE>VGEP. Rezistena, n starea de conducie a IGBT-ului, este mult mai mic dect a unui DMOS ce are aceeai suprafa de cristal i aceeai tensiune de blocare. Scderea rezistenei este determinat de efectul de modulaie al conductibilitii zonei N-, efect datorat injeciei purttorilor minoritari din substratul P+ n substratul N- . Consecina imediat a acestui deziderat, o prezint funcionarea IGBT-ului la E densiti de curent mult mai ridicate (de exemplu, dac densitatea de Al curent pentru un IGBT poate depi 2 200A/cm , pentru un MOSFET cu G + N N+ aceleai dimensiuni aceasta nu P Rb + P depete 10A/cm2). R Ninnd cont de Fig. 1.56.c, cale curent N princip tensiunea de saturaie colectoremitor N+ VCES este:
V CES = V BE + I DMOS R C + R N

P+

(1.46) unde:
IDMOS - curentul de dren al tranzistorului T3; RN- - rezistena stratului N modulat n conducie; RC - rezistena canalului MOSFET-ului. Tensiunea VCES este mai ridicat ca valoare dect tensiunea de saturaie a unui tranzistor bipolar, dar inferioar celei a unui MOSFET. Curentul IGBT-ului este dat de relaia: I C = I DMOS + I E

Fig.1.57. Structura IGBT- ului asimetric.

E

Al

P P cale de curent

N + +

N N+ P+

Fig.1.58. Structura mbuntit a unui IGBT.

38

I DMOS =

IE h FET 1

(1.47)

hFET1 reprezint ctigul n curent al tranzistorului T1. Combinnd cele dou relaii de mai sus, se deduce expresia curentului IC: I C = I DMOS + hFET1 I DMOS (1.48) I C = I DMOS (hFET1 + 1) La IGBT-urile moderne, se creeaz o cale preferenial, astfel nct cea mai mare parte a curentului IC trece prin MOSFET. Reducerea tensiunii VCES se realizeaz prin scderea curentului IDMOS, deci prin creterea lui hFET1, dar atunci crete i posibilitatea de "zvorre" a tranzistorului parazit T2. Caracteristicile IGBT-ului pot fi mbuntite dac se adaug un strat tampon N+ intre stratul P+ i zona de dren N-. n Fig. 1.57, este prezentat structura unui IGBT ce conine stratul tampon N+, acesta fiind cunoscut n literatura de specialitate ca IGBT asimetric. Stratul N+ este subire (aproximativ 10 m), el determinnd scderea ctigului n curent hFET1, astfel tensiunea VCES va crete, dar, n schimb, se evit posibilitatea de "zvorre", iar viteza de comutaie la deschidere se reduce. Caracteristica de transfer i regimul dinamic la comutaie sunt identice cu cele ale unui MOSFET. 1.6.2. Fenomenul de zvorre

Dac tensiunea vGE>VGEP, stratul N-, este bombardat de electroni emii de emitor i goluri emise de colector, i n consecin, rezistivitatea acestei zone scade foarte mult.Traiectoriile acestor goluri, sunt direcionate n mare parte spre metalizarea emitorului, dar, o parte din ele ajung n zona stratului de inversiune. Aceste goluri dau natere unui curent, iar cele ce strbat zona de inversiune vor favoriza circulaia curent prin rezistena Rb. Dac curentul de colector IC depete o anumit valoare ICM, atunci curentul de goluri ce strbate rezistena Rb, devine important i faciliteaz intrarea n conducie a tranzistorului T2, implicit i a ansamblului T1-T2, care formeaz un tiristor parazit. n acest caz, apare o "zvorre", n sensul c IGBT-ul intr ntr-o stare de conducie n care tensiunea vGE devine inoperabil, blocarea IGBT-ului realizndu-se prin comutaie forat a curentului, ca la unui tiristor convenional. Dac dispozitivul rmne mult timp n aceast stare el se distruge prin efect termic. Pentru eliminarea acestui neajuns exist mai multe posibiliti, amintind printre acestea urmtoarele : 39

1) modificarea rezistenei Rb (micorare) prin modificarea geometriei stratului, realizat prin: dopajul puternic al zonei P+; alungirea i ngustarea zona P ; micorarea distanelor dintre celule. 2) mrirea curentului ICM, fapt ce se poate realiza prin crearea unor ci prefereniale pentru curentul de goluri, sau chiar eliminarea unei regiuni N+ din emitor ca n Fig. 1.58.
1.6.3. Comanda IGBT-ului

IGBT- ul este un dispozitiv semiconductor care lucreaz la tensiuni i cureni de valoare destul de ridicat (400A/1200V), iar n domeniul frecvenelor mergnd pn la 70 kHz. Dispozitivul lucreaz n regim de conducie direct att timp ct exist o tensiune vGE cuprins intre +5V i +15V. ntreruperea curentului de colector, adic blocarea OFF ON v ON GE dispozitivului, se realizeaz V1 prin aducerea la zero a tensiunii 0 de polarizare a porii vGE. t n regim permanent de V2 conducie, IGBT-ul nu necesit iG un curent de poart ridicat, deoarece acesta este comandat 0 t n tensiune, dar, avnd n vedere c IGBT-ul are n componena sa un MOSFET Fig.1.59. Tensiunea vGE (t) i curentul iG (t). ce prezint capaciti parazite, este indicat ca, la comutaia direct, respectiv invers, s T1 V2 existe prin poart impulsuri de RG i curent de scurt durat care s G VON ncarce, respectiv s descarce aceste capaciti aa cum se V arat n Fig. 1.59. T2 GE 0 n Fig. 1.60, se prezint o schem de comand V1 a unui IGBT. Intrarea n conducie a lui T1 i blocarea Fig.1.60. Schem de comand realizat cu componente discrete. lui T2 determin apariia unei 40

tensiuni VGE pozitive i intrarea n conducie a IGBT-ului. Rezistena RG limiteaz amplitudinea impulsurilor de curent pe poart att la conducie, ct i la blocare. Marele avantaj pe care l are IGBT-ul fa de MOSFET este acela c poate realiza un control asupra dispozitivului cu ajutorul unei tensiuni negative poartemitor (VGE<0). Astfel, la intrarea n conducie a lui T2 i blocarea lui T1, tensiunea V2 cu polaritatea din Fig.1.60 se aplic ntre poart i emitorul tranzistorului, forndu-l s comute invers. Pentru obinerea unui randament mrit, se prefer comanda IGBT-ului pe poart doar cu impulsuri pozitive (renunndu-se la impulsurile negative). n momentul n care VGE atinge valoarea 0, controlul pe poart dispare. Descrcarea capacitii interne se realizeaz prin interconectarea porii i emitorului dispozitivului IGBT prin intermediul unui MOSFET comandat de CI TSC429, ca n Fig. 1.61. n Fig. 1.62, se prezint schema funcional a CI TSC 429. Circuitul poate furniza semnale de pn la 6A (valoare de vrf). Printre avantajele ce le ofer acest circuit integrat, amintim: energia disipat pe el este foarte mic i nu are nevoie de radiator; este uor de utilizat n comand, deoarece orice intrare are nivel logic cuprins ntre 2,4V i valoarea tensiunii de alimentare a CI; capsula integratului rezist la factorii exteriori (umiditate, praf etc.).

V+

V
450 uA

Pin 1,8

TSC 429

OUTPUT

Pin6 INPUT

0
Pin 2 Pin4,5

Fig.1.61. Schem de comand cu CI TSC 429.

Fig.1.62. Schema intern a CI TSC 429.

41

1.7. Dispozitive semiconductoare de putere Smartpower. Module de putere inteligente (IPM) i integrarea funcional

Dispozitivele de putere trebuie s fie capabile s funcioneze la cureni importani (de la civa amperi pn la cteva sute de amperi) i la tensiuni mari (de la 100V pn la 2000V). Din acest motiv, arhitectura lor integrat se difereniaz de circuitele integrate clasice, deoarece au structuri cu conducie exclusiv vertical, n care curentul circul vertical, ntre cele dou fee ale cip-ului. Dac evoluia circuitelor integrate clasice a solicitat tehnologii de gravur a plachetelor de siliciu i de realizare a geometriilor din ce n ce mai fine, tehnologia componentelor de putere a evoluat, prin progresele realizate, n direcia unui mai bun control al proprietilor de volum ale siliciului, cum ar fi stpnirea difuziilor profunde ale dimensiunilor zonelor crescute epitaxial, ale periferiilor de nalt tensiune i al controlului n profunzime al duratei de via a purttorilor. Apariia tranzistoarelor VDMOS de putere a dus la o evoluie rapid a tehnologiilor dispozitivelor de putere. Ameliorarea performanelor privind timpii de comutaie, cderea de tensiune la conducie, aria de funcionare sigur etc. au necesitat realizarea unor geometrii din ce n ce mai fine, fiind utilizate n acest scop cele mai recente tehnologii de gravur. Aceasta a permis ca, n apropierea arhitecturii de putere, s se poat integra circuite logice i/sau analogice de comand, de protecie i diagnostic, care au condus la apariia componentelor de putere Fig. 1.63. Capsula (TO 218) a unui dispozitv inteligente, n integrare smartpower de tip MOSFET SGS Thomson i monolitic, cunoscute sub blocurile sale funcionale. denumirea de smartpower. Adjectivul inteligent trebuie considerat n sensul din limba englez, i anume dispozitiv care are posibilitatea de a prelucra o anumit informaie, 42

n acest caz cu referire la informaiile despre o stare de conducie sau una critic, periculoas etc. Un prim exemplu de dispozitiv smartpower este prezentat n Fig. 1.63. Acesta este un tranzistor MOSFET de putere SGS Thomson (n capsul TO 218 cu 3 ieiri) de 42V, 12m, n care sunt integrate comanda corespunztoare pe poart, proteciile i posibilitatea de a furniza prin intermediul conexiunii de poart, o informaie (diagnostic) asupra strii Fig.1.64. Diagrama intern a unui IGBT de tip circuitului de putere. smartpower, produs de firma Mitsubishi. Un alt exemplu, n care dispozitivul de putere propriu-zis este un IGBT, realizat de firma MITSUBISHI, este prezentat n Fig. 1.64. Sunt prezente aceleai funcii de protecie i diagnostic, n plus fiind sesizat

(a) (b) Fig. 1.65. Diagramele cu dispozitivele de putere i circuitele de comand pentru modulele de tip SkiiPACK GH (a), respectiv SKiiPACK GDL (b), ale productorului SEMIKRON.

i absena tensiunii de alimentare. Semnalizarea defectelor este realizat printr-o ieire special. 43

Fig. 1.66. Diagrama cu blocurile componente ale unui driver de tip SKiiPACK - semipunte.

44

Pe msur ce procesele tehnologice privind integrarea n domeniul electronicii de putere au nceput s fie din ce n ce mai bine controlate, s-a putut trece la realizarea de module de putere inteligente (Inteligent Fig. 1.67. Prezentarea capsulei exterioare i diagrama Power Modules n seciune a modulului Mitsubishi (PM200CSA060). IPMs), care conin mai Se observ terminalele exterioare pentru comand i multe dispozitive de pentru liniile de putere. putere mpreun cu circuitele aferente de comand, protecie i diagnoz a funcionrii. n prezent, aceste dispozitive sunt realizate pentru puteri relativ reduse, fie pe un singur cip, n cazul modulelor mai puin complexe, fie pe mai multe cipuri, ca o versiune pentru electronica de putere a tehnologiei hibride. Aceste module sunt deja prezente n cataloagele productorilor de dispozitive de putere. Pentru exemplificare, vom prezenta dou astfel de module echipate cu IGBT i diode antiparalele, mpreun cu circuitele de comand i de protecie aferente. Astfel, circuitul din Fig. 1.65.a este o punte monofazat, iar n Fig. 1.65.b se prezint o punte trifazat mpreun cu o ramur folosit la frnare. Modulele furnizeaz n exterior, sub form de semnale analogice Fig. 1.68. Limitele de integrare pentru modulele normalizate, valorile curentului integrate de putere. alternativ, temperaturii radiatorului i tensiunii de pe linia de curent continuu, pentru a fi transmise altor bucle de reglare. Schema bloc a driver-ului unei ramuri este dat n Fig. 1.66. Se constat posibilitile deosebite oferite de schem, precum i de flexibilitatea asigurat n conceperea diverselor scheme. Urmtoarea treapt (cea actual) n tehnologia de integrare din electronica de putere o constituie integrarea funcional, n care, n tehnologie 45

uni sau multicip se realizeaz partea de for i partea de comand destinate numai unei anumite aplicaii i se prezint utilizatorului sub form complet ncapsulat. Aceast capsul are doar pinii semnalelor de comand i intrrile de putere ca n Fig. 1.67. Aceste produse se numesc ASD (Application Specific Discret). Atunci cnd constrngerile de izolare galvanic sunt mult prea severe pentru a fi asigurate prin procedee de izolare utilizate n microelectronic, se recurge la o separare material ntre componentele de putere i partea de prelucrare a semnalului. Legturile ntre ele se pot face pe cale optic i este astfel convenabil s se integreze cu componenta de putere funciile de detecie, de validare i de amplificare ale comenzii. Pentru creterea fiabilitii, este util s se grefeze, pe componentele de putere, i funciile de protecie, pentru obinerea de dispozitive ntreruptoare autoprotejate. Majoritatea acestor funcii pot fi realizate prin componente MOS plasate pe suprafaa dispozitivului de putere. Integrarea funcional urmrete realizarea unor sisteme n electronica de putere cu performane ct mai ridicate i o fiabilitate ct mai mare. n acest scop, s-a urmrit minimizarea pierderilor n dispozitivele de putere ntr-o aplicaie dat, minimiznd, n primul rnd, rezistena la conducie. Creterea fiabilitii s-a obinut prin reducerea solicitrilor termice ale comutatoarelor la frecvene ridicate (peste 500 kHz la sursele n comutaie i peste 1 kHz la invertoarele MID). Cele mai noi produse ASD au fost realizate pentru traciunea electric. S-au obinut reduceri ale dimensiunilor de pn la 1/3 din modulul anterior, cu performane superioare i cu o cretere rezonabil a preului de cost. n Fig. 1.68, sunt prezentate limitele de integrare actuale i n perspectiv pentru electronica de putere. Dac, n prezent, modulele IPM sunt disponibile pentru puteri atingnd 50 kVA, n viitorul apropiat modulele ASD vor fi disponibile la puteri de peste 500 KVA. Pentru puteri mai mari, singura soluie previzibil pe termen scurt rmne utilizarea componentelor discrete.

46