Apostila Eletronica de Potencia (Unicamp)

UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação

Departamento de Sistemas e Controle de Energia
Eletrônica de
Potência
José Antenor Pomilio
Publicação FEEC 01/98

Fevereiro de 1998
Revisado em Julho de 2009
Apresentação
O texto que se segue foi elaborado para a disciplina "Eletrônica de Potência"

ministrada nos cursos de pós-graduação em Engenharia Elétrica na Faculdade de Engenharia
Elétrica e de Computação da Universidade Estadual de Campinas.
Este é um material que vem sofrendo freqüentes atualizações, em função da constante
evolução tecnológica na área da Eletrônica de Potência, além do que, o próprio texto pode
ainda conter eventuais erros, para os quais pedimos a colaboração dos estudantes e
profissionais que eventualmente fizerem uso do mesmo, enviando ao autor uma comunicação
sobre as falhas detectadas.
Os resultados experimentais incluídos no texto referem-se a trabalhos executados pelo
autor, juntamente com estudantes e outros pesquisadores e foram publicados em congressos e
revistas, conforme indicado nas referências bibliográficas.
Textos semelhantes foram, ou estão sendo produzidos referentes às disciplinas de
"Fontes Chaveadas" e “Condicionamento de Energia Elétrica e Dispositivos FACTS”.
Campinas, 2 de fevereiro de 2009
José Antenor Pomilio
José Antenor Pomilio é Engenheiro Eletricista, Mestre e Doutor em

Engenharia Elétrica pela Universidade Estadual de Campinas - UNICAMP (1983,
1986 e 1991, respectivamente). É professor junto à Faculdade de Engenharia
Elétrica e de Computação da UNICAMP desde 1984. Participou do Grupo de
Eletrônica de Potência do Laboratório Nacional de Luz Síncrotron (CNPq) entre
1988 e 1993, sendo chefe do Grupo entre 1988 e 1991. Realizou estágios de pós-
doutoramento junto ao Departamento de Engenharia Elétrica da Universidade de
Pádua (1993/1994) e ao Departamento de Engenharia Industrial da Terceira
Universidade de Roma (2003), ambas na Itália. Foi “Liaison” da IEEE Power
Electronics Society para a Região 9 (América Latina) em 1998/1999. Foi membro
do Comitê de Administração da IEEE Power Electronics Society no triênio
2000/2002. Foi editor da Revista Eletrônica de Potência e é editor associado das
revistas IEEE Trans. on Power Electronics e Controle & Automação (SBA). Foi
presidente da Sociedade Brasileira de Eletrônica de Potência (2000-2002) e é
membro de Conselho Deliberativo.
ii
Conteúdo
1. COMPONENTES SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA

2. TÉCNICAS DE MODULAÇÃO DE POTÊNCIA
3. CONVERSORES CA-CC - RETIFICADORES
4. CONVERSORES CC-CC PARA ACIONAMENTO DE MÁQUINAS DE
CORRENTE CONTÍNUA
5. TOPOLOGIAS BÁSICAS DE FONTES CHAVEADAS
6. CONVERSORES CC-CA COMO FONTES DE ALIMENTAÇÃO COM
FREQUÊNCIA FIXA
7. CONVERSORES CC-CA PARA ACIONAMENTO DE MÁQUINA DE INDUÇÃO
TRIFÁSICA
8. INVERSORES DE TENSÃO COM COMUTAÇÃO SUAVE
9. INVERSORES E RETIFICADORES DE CORRENTE COM COMUTAÇÃO
SUAVE
10. CONVERSORES CA-CA: VARIADORES DE TENSÃO E CICLOCONVERSORES
11. DIMENSIONAMENTO DE SISTEMAS DE DISSIPAÇÃO DE CALOR PARA
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA
iii
Eletrônica de Potência - Cap. 1 J. A. Pomilio
1. COMPONENTES SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA
A figura 1.1 mostra uma distribuição dos componentes semicondutores, indicando limites
aproximados (B. Wu, 2005) para valores de tensão de bloqueio e corrente de condução.
Obviamente estes limites evoluem com o desenvolvimento tecnológico e servem como uma
ilustração para a verificação, numa primeira aproximação, das faixas de potência em que cada
componente pode ser utilizado.
V
(k V )
12
SCR 1 2 k V /1 .5 k A
10
8
6 .5 k V /
0 .6 k A 6 .5 k V /4 .2 k A
6 6 k V /6 k A
G T O /IG C T 4 .8 k V /5 k A
4
2 .5 k V /1 .8 k A
2 1 .7 k V /3 .6 k A
IG B T
0 1 2 3 4 5 6 I( k A )
Figura 1.1 Limites de capacidade de componentes semicondutores de potência.
1.1 Breve Revisão da Física de Semicondutores
A passagem de corrente elétrica em um meio depende da aplicação de um campo elétrico

e da existência de portadores livres (usualmente elétrons) neste meio. Em metais, como o cobre
ou a prata, a densidade de portadores livres (elétrons) é da ordem de 1023/cm3, enquanto nos
materiais isolantes, como o quartzo ou o óxido de alumínio, o valor é da ordem de 103/cm3. Os
chamados semicondutores, como o silício, têm densidades intermediárias, na faixa de 108 a
1019/cm3. Nos condutores e nos isolantes, tais densidades são propriedades dos materiais,
enquanto nos semicondutores estas podem ser variadas, seja pela adição de “impurezas” de
outros materiais, seja pela aplicação de campos elétricos em algumas estruturas de
semicondutores.
1.1.1 Os portadores: elétrons e lacunas

Átomos de materias com 4 elétrons em sua camada mais externa (C, Ge, Si, etc.), ou
ainda moléculas com a mesma propriedade, permitem o estabelecimento de ligações muito
estáveis, uma vez que, pelo compartilhamento dos elétrons externos pelos átomos vizinhos
(ligação covalente), tem-se um arranjo com 8 elétrons na camada de valência, como ilustra a
figura 1.2.
DSCE – FEEC – UNICAMP 2009 1-1

elétrons
compartilhados
núcleos
atômicos
Figura 1.2 – Estrutura cristalina de material semicondutor
Em qualquer temperatura acima do zero absoluto (-273 oC), algumas destas ligações são
rompidas (ionização térmica), produzindo elétrons livres. O átomo que perde tal elétron se torna
positivo. Eventualmente um outro elétron também escapa de outra ligação e, atraído pela carga
positiva do átomo, preenche a ligação covalente. Desta maneira tem-se uma movimentação
relativa da “carga positiva”, chamada de lacuna, que, na verdade, é devida ao deslocamento dos
elétrons que saem de suas ligações covalentes e vão ocupar outras, como mostra a figura 1.3.
movimento
da lacuna
átomo
ionizado
elétron
ligação
rompida
Figura 1.3 – Movimento de elétrons e lacunas em semicondutor
A ionização térmica gera o mesmo número de elétrons e lacunas. Em um material puro, a

densidade de portadores é aproximadamente dada por:
− qE g
ni ≈ C⋅e kT (1.1)
onde C é uma constante de proporcionalidade, q é a carga do elétron (valor absoluto), Eg é a

banda de energia do semicondutor (1,1 eV para o Si), k é a constante de Boltzmann, T é a
temperatura em Kelvin. Para o Si, à temperatura ambiente (300K), ni ≈ 1010/cm3.
1.1.2 Semicondutores dopados

Quando se faz a adição de átomos de materiais que possuam 3 (como o alumínio ou o
boro) ou 5 elétrons (como o fósforo) em sua camada de valência à estrutura dos semicondutores,
os átomos vizinhos a tal impureza terão suas ligações covalentes incompletas ou com excesso de
elétrons, como mostra a figura 1.4.

Si Si Si Si Si Si
elétron
ligação em excesso
incompleta
Si Bo Si Si P Si
Si Si Si Si Si Si
Figura 1.4 – Semicondutores dopados
Neste caso não se tem mais o equilíbrio entre elétrons e lacunas, passando a existir um
número maior de elétrons livres nos materiais dopados com elementos da quinta coluna da tabela
periódica, ou de lacunas, caso a dopagem seja com elementos da terceira coluna.
Respectivamente, produzem-se os chamados materiais semicondutores tipo N e tipo P. Observe-
se, no entanto, que o material permanece eletricamente neutro, uma vez que a quantidade total de
elétrons e prótons é a mesma.
Quando a lacuna introduzida pelo boro captura um elétron livre, tem-se a movimentação
da lacuna. Neste caso diz-se que as lacunas são os portadores majoritários, sendo os elétrons os
portadores minoritários.
Já no material tipo N, a movimentação do elétron excedente deixa o átomo ionizado, o
que o faz capturar outro elétron livre. Neste caso os portadores majoritários são os elétrons,
enquanto os minoritários são as lacunas.
As dopagens das impurezas (1019/cm3 ou menos), tipicamente são feitas em níveis muito
menores que a densidade de átomos do material semicondutor (1023/cm3), de modo que as
propriedades de ionização térmica não são afetadas.
Mesmo em um material dopado, o produto das densidades de lacunas e de elétrons (po e
no, respectivamente) é igual ao valor ni2 dado pela equação (1.1), embora aqui po ≠ no .
Além da ionização térmica, tem-se uma quantidade adicional de cargas “livres”, relativas
às próprias impurezas. Pelos valores indicados anteriormente, pode-se verificar que a
concentração de átomos de impurezas é muitas ordens de grandeza superior à densidade de
portadores gerados por efeito térmico, de modo que, num material tipo P, po Æ Na, onde Na é a
densidade de impurezas “aceitadoras” de elétrons. Já no material tipo N, no Æ Nd, onde Nd é a
densidade de impurezas “doadoras” de elétrons.
Em qualquer dos materiais, a densidade dos portadores minoritários é proporcional ao
quadrado da densidade “intrínseca”, ni, e é fortemente dependente da temperatura.
n i2
no ≈ , po ≈ Na (1.2)
po
n i2
po ≈ , no ≈ Nd (1.3)
no
1.1.3 Recombinação
Uma vez que a quantidade ni é determinada apenas por propriedades do material e pela
temperatura, é necessário que exista algum mecanismo que faça a recombinação do excesso de
portadores à medida que novos portadores são criados pela ionização térmica.
Tal mecanismo inclui tanto a recombinação propriamente dita de um elétron com uma
lacuna em um átomo de Si, quanto a captura dos elétrons pela impureza ionizada ou,

adicionalmente, por imperfeições na estrutura cristalina. Tais imperfeições fazem com que os
átomos adjacentes não necessitem realizar 4 ligações covalentes.
Pode-se definir o “tempo de vida” de um portador como o tempo médio necessário para
que o elétron ou a lacuna sejam “neutralizados” pela consecussão de uma ligação covalente. Em
muitos casos pode-se considerar o “tempo de vida” de um portador como uma constante do
material. No entanto, especialmente nos semicondutores de potência, esta não é uma boa
simplificação.
Quando ocorre um significativo aumento na temperatura do semicondutor, tem-se um
aumento no tempo de recombinação do excesso de portadores, o que leva a um aumento nos
tempos de comutação dos dispositivos de tipo “portadores minoritários”, como o transistor
bipolar e os tiristores.
Uma vez que este “tempo de vida” dos portadores afeta significantemente o
comportamento dos dispositivos de potência, a obtenção de métodos que possam controlá-lo é
importante. Um dos métodos que possibilita o “ajuste” deste tempo é a dopagem com ouro, uma
vez que este elemento funciona como um “centro” de recombinação, uma vez que realiza tal
operação com grande facilidade. Outro método é o da irradiação de elétrons de alta energia,
bombardeando a estrutura cristalina de modo a deformá-la e, assim, criar “centros de
recombinação”. Este último método tem sido preferido devido à sua maior controlabilidade (a
energia dos elétrons é facilmente controlável, permitindo estabelecer a que profundidade do
cristal se quer realizar as deformações) e por ser aplicado no final do processo de construção do
componente.
1.1.4 Correntes de deriva e de difusão

Quando um campo elétrico for aplicado a um material semicondutor, as lacunas se
movimentarão no sentido do campo decrescente, enquanto os elétrons seguirão em sentido
oposto. Esta corrente depende de um parâmetro denominado “mobilidade”, a qual varia com o
material e do tipo de portador. A mobilidade dos elétrons é aproximadamente 3 vezes maior do
que a das lacunas para o Si em temperatura ambiente. A mobilidade diminui aproximadamente
com o quadrado do aumento da temperatura.
Outro fator de movimentação de portadores é por “difusão”, quando existem regiões
adjacentes em que há diferentes concentrações de portadores. O movimento aleatório dos
portadores tende a equalizar sua dispersão pelo meio, de modo que tende a haver uma migração
de portadores das regiões mais concentradas para as mais dispersas.
1.2 Diodos de Potência
Um diodo semicondutor é uma estrutura P-N que, dentro de seus limites de tensão e de
corrente, permite a passagem de corrente em um único sentido. Detalhes de funcionamento, em
geral desprezados para diodos de sinal, podem ser significativos para componentes de maior
potência, caracterizados por uma maior área (para permitir maiores correntes) e maior
comprimento (a fim de suportar tensões mais elevadas). A figura 1.5 mostra, simplificadamente,
a estrutura interna de um diodo.
Aplicando-se uma tensão entre as regiões P e N, a diferença de potencial aparecerá na
região de transição, uma vez que a resistência desta parte do semicondutor é muito maior que a
do restante do componente (devido à concentração de portadores).
Quando se polariza reversamente um diodo, ou seja, se aplica uma tensão negativa no
anodo (região P) e positiva no catodo (região N), mais portadores positivos (lacunas) migram

para o lado N, e vice-versa, de modo que a largura da região de transição aumenta, elevando a
barreira de potencial.
Junção metalúrgica
P+ + + + + + + _ _ + + _ _ _ _ _ _ N_
++++++++ _ _ + + _ _ _ _ _ _ _
Anodo Catodo
++++++++ _ _ + + _ _ _ _ _ _ _
++++++++ _ _ + + _ _ _ _ _ _ _
++++++++ _ _ + + _ _ _ _ _ _ _
+ Difusão
_
0 Potencial
1u
Figura 1.5 Estrutura básica de um diodo semicondutor.
Por difusão ou efeito térmico, uma certa quantidade de portadores minoritários penetra na
região de transição. São, então, acelerados pelo campo elétrico, indo até a outra região neutra do
dispositivo. Esta corrente reversa independe da tensão reversa aplicada, variando, basicamente,
com a temperatura.
Se o campo elétrico na região de transição for muito intenso, os portadores em trânsito
obterão grande velocidade e, ao se chocarem com átomos da estrutura, produzirão novos
portadores, os quais, também acelerados, produzirão um efeito de avalanche. Dado o aumento na
corrente, sem redução significativa na tensão na junção, produz-se um pico de potência que
destrói o componente.
Uma polarização direta leva ao estreitamento da região de transição e à redução da
barreira de potencial. Quando a tensão aplicada superar o valor natural da barreira, cerca de 0,7V
para diodos de Si, os portadores negativos do lado N serão atraídos pelo potencial positivo do
anodo e vice-versa, levando o componente à condução.
Na verdade, a estrutura interna de um diodo de potência é um pouco diferente desta
apresentada. Existe uma região N intermediária, com baixa dopagem. O papel desta região é
permitir ao componente suportar tensões mais elevadas, pois tornará menor o campo elétrico na
região de transição (que será mais larga, para manter o equilíbrio de carga).
Esta região de pequena densidade de dopante dará ao diodo uma significativa
característica resistiva quando em condução, a qual se torna mais significativa quanto maior for a
tensão suportável pelo componente. As camadas que fazem os contatos externos são altamente
dopadas, a fim de fazer com que se obtenha um contato com característica ôhmica e não
semicondutor.
O contorno arredondado entre as regiões de anodo e catodo tem como função criar
campos elétricos mais suaves (evitando o efeito de pontas).
No estado bloqueado, pode-se analisar a região de transição como um capacitor, cuja
carga é aquela presente na própria região de transição.
Na condução não existe tal carga, no entanto, devido à alta dopagem da camada P+, por
difusão, existe uma penetração de lacunas na região N-. Além disso, à medida que cresce a
corrente, mais lacunas são injetadas na região N-, fazendo com que elétrons venham da região
N+ para manter a neutralidade de carga. Desta forma, cria-se uma carga espacial no catodo, a

qual terá que ser removida (ou se recombinar) para permitir a passagem para o estado bloqueado
do diodo.
O comportamento dinâmico de um diodo de potência é, na verdade, muito diferente do de
uma chave ideal, como se pode observar na figura 1.6. Suponha-se que se aplica uma tensão vi
ao diodo, alimentando uma carga resistiva (cargas diferentes poderão alterar alguns aspectos da
forma de onda).
Durante t1, remove-se a carga acumulada na região de transição. Como ainda não houve
significativa injeção de portadores, a resistência da região N- é elevada, produzindo um pico de
tensão. Indutâncias parasitas do componente e das conexões também colaboram com a sobre-
tensão. Durante t2 tem-se a chegada dos portadores e a redução da tensão para cerca de 1V.
Estes tempos são, tipicamente, da ordem de centenas de ns.
No desligamento, a carga espacial presente na região N- deve ser removida antes que se
possa reiniciar a formação da barreira de potencial na junção. Enquanto houver portadores
transitando, o diodo se mantém em condução. A redução em Von se deve à diminuição da queda
ôhmica. Quando a corrente atinge seu pico negativo é que foi retirado o excesso de portadores,
iniciando-se, então, o bloqueio do diodo. A taxa de variação da corrente, associada às
indutâncias do circuito, provoca uma sobre-tensão negativa.
trr
t3
t1 dir/dt
dif/dt
Qrr
i=Vr/R
iD
Anodo
Vfp Von t4 t5
P+ 10e19 cm-3 10 u
vD
Vrp
_
-Vr t2
N 10e14 cm-3 Depende
da tensão
+Vr
vi
vD -Vr
250 u
N+ 10e19cm-3
substrato
iD
vi R
Catodo
Figura 1.6 - Estrutura típica de diodo de potência e formas de onda típicas de comutação de
diodo de potência.
A figura 1.7 mostra resultados experimentais de um diodo de potência “lento”

(retificador) em um circuito como o da figura 1.6, no qual a indutância é desprezível, como se
nota na figura (a), pela inversão quase imediata da polaridade da corrente. A corrente reversa é
limitada pela resistência presente no circuito. Já na entrada em condução, a tensão aplicada ao
circuito aparece instantaneamente sobre o próprio diodo, o que contribui para limitar o
crescimento da corrente. Quando esta tensão cai, a corrente vai assumindo seu valor de regime.

(a) (b)
Figura 1.7 - Resultados experimentais das comutações de diodo: (a) desligamento;
(b) entrada em condução. Canal 1: Corrente; Canal 2: tensão vak
Diodos rápidos possuem trr da ordem de, no máximo, poucos micro-segundos, enquanto
nos diodos normais é de dezenas ou centenas de micro-segundos.
O retorno da corrente a zero, após o bloqueio, devido à sua elevada derivada e ao fato de,
neste momento, o diodo já estar desligado, é uma fonte importante de sobre-tensões produzidas
por indutâncias parasitas associadas aos componentes por onde circula tal corrente. A fim de
minimizar este fenômeno foram desenvolvidos os diodos “soft-recovery”, nos quais esta
variação de corrente é suavizada, reduzindo os picos de tensão gerados.
Em aplicações nas quais o diodo comuta sob tensão nula, como é o caso dos retificadores
com filtro capacitivo, praticamente não se observa o fenômeno da recombinação reversa.
1.3 Diodos Schottky
Quando é feita uma junção entre um terminal metálico e um material semicondutor, o

contato tem, tipicamente, um comportamento ôhmico, ou seja, a resistência do contato governa o
fluxo da corrente. Quando este contato é feito entre um metal e uma região semicondutora com
densidade de dopante relativamente baixa, o efeito dominante deixa de ser o resistivo, passando
a haver também um efeito retificador.
Um diodo Schottky é formado colocando-se um filme metálico em contato direto com
um semicondutor, como indicado na figura 1.8. O metal é usualmente depositado sobre um
material tipo N, por causa da maior mobilidade dos portadores neste tipo de material. A parte
metálica será o anodo e o semicondutor, o catodo.
Numa deposição de Al (3 elétrons na última camada), os elétrons do semicondutor tipo N
migrarão para o metal, criando uma região de transição na junção.
Note-se que apenas elétrons (portadores majoritários em ambos materiais) estão em
trânsito. O seu chaveamento é muito mais rápido do que o dos diodos bipolares, uma vez que
não existe carga espacial armazenada no material tipo N, sendo necessário apenas refazer a
barreira de potencial (tipicamente de 0,3V). A região N+ tem uma dopagem relativamente alta, a
fim de reduzir as perdas de condução, com isso, a máxima tensão suportável por estes diodos é
de cerca de 100V.
A aplicação deste tipo de diodos ocorre principalmente em fontes de baixa tensão, nas
quais as quedas sobre os retificadores são significativas.
Na figura 1.4.(b) tem-se uma forma de onda típica no desligamento do componente. Note
que, diferentemente dos diodos convencionais, assim que a corrente se inverte a tensão começa a
crescer, indicando a não existência dos portadores minoritários no dispositivo.

contato Al Al contato
retificador ôhmico
SiO2
N+
Tipo N
Substrato tipo P
(a) (b)
Figura 1.8 - (a) Estrutura de diodo Schottky; (b) Forma de onda típica no desligamento. Canal 1:
Corrente; Canal 2: tensão vak
1.4 Tiristor
O nome tiristor engloba uma família de dispositivos semicondutores que operam em

regime chaveado, tendo em comum uma estrutura de 4 camadas semicondutoras numa seqüência
p-n-p-n, apresentando um funcionamento biestável.
O tiristor de uso mais difundido é o SCR (Retificador Controlado de Silício), usualmente
chamado simplesmente de tiristor. Outros componentes, no entanto, possuem basicamente uma
mesma estrutura: LASCR (SCR ativado por luz), também chamado de LTT (Light Triggered
Thyristor), TRIAC (tiristor triodo bidirecional), DIAC (tiristor diodo bidirecional), GTO (tiristor
comutável pela porta), MCT (Tiristor controlado por MOS).
1.4.1 Princípio de funcionamento

O tiristor é formado por quatro camadas semicondutoras, alternadamente p-n-p-n,
possuindo 3 terminais: anodo e catodo, pelos quais flui a corrente, e a porta (ou gate) que, a
uma injeção de corrente, faz com que se estabeleça a corrente anódica. A figura 1.9 ilustra uma
estrutura simplificada do dispositivo.
Se entre anodo e catodo tivermos uma tensão positiva, as junções J1 e J3 estarão
diretamente polarizadas, enquanto a junção J2 estará reversamente polarizada. Não haverá
condução de corrente até que a tensão Vak se eleve a um valor que provoque a ruptura da
barreira de potencial em J2.
Se houver uma tensão Vgk positiva, circulará uma corrente através de J3, com portadores
negativos indo do catodo para a porta. Por construção, a camada P ligada à porta é
suficientemente estreita para que parte destes elétrons que cruzam J3 possua energia cinética
suficiente para vencer a barreira de potencial existente em J2, sendo então atraídos pelo anodo.

Vcc Rc (carga)
J1 J2 J3
P N- P N+
A K Catodo
Anodo Vg CH
Gate G Rg
Vcc
Rc
A K
G
Rg
Vg
Figura 1.9 - Funcionamento básico do tiristor e seu símbolo.
Desta forma, a junção reversamente polarizada tem sua diferença de potencial diminuída
e estabelece-se uma corrente entre anodo e catodo, que poderá persistir mesmo na ausência da
corrente de porta.
Quando a tensão Vak for negativa, J1 e J3 estarão reversamente polarizadas, enquanto J2
estará diretamente polarizada. Uma vez que a junção J3 é intermediária a regiões de alta
dopagem, ela não é capaz de bloquear tensões elevadas, de modo que cabe à junção J1 manter o
estado de bloqueio do componente.
É comum fazer-se uma analogia entre o funcionamento do tiristor e o de uma associação
de dois transistores, conforme mostrado na figura 1.10.
Quando uma corrente Ig positiva é aplicada, Ic2 e Ik crescerão. Como Ic2 = Ib1, T1
conduzirá e teremos Ib2=Ic1 + Ig, que aumentará Ic2 e assim o dispositivo evoluirá até a saturação,
mesmo que Ig seja retirada. Tal efeito cumulativo ocorre se os ganhos dos transistores forem
maior que 1. O componente se manterá em condução desde que, após o processo dinâmico de
entrada em condução, a corrente de anodo tenha atingido um valor superior ao limite IL,
chamado de corrente de "latching".
Para que o tiristor deixe de conduzir é necessário que a corrente por ele caia abaixo do
valor mínimo de manutenção (IH), permitindo que se restabeleça a barreira de potencial em J2.
Para a comutação do dispositivo não basta, pois, a aplicação de uma tensão negativa entre anodo
e catodo. Tal tensão reversa apressa o processo de desligamento por deslocar nos sentidos
adequados os portadores na estrutura cristalina, mas não garante, sozinha, o desligamento.
Devido a características construtivas do dispositivo, a aplicação de uma polarização
reversa do terminal de gate não permite a comutação do SCR. Este será um comportamento dos
GTOs, como se verá adiante.
A A Ia
Ib1
P T1
N N Ic1 Ic2
G P G
P
T2
N Ig Ib2
Ik
K
K

Figura 1.10 - Analogia entre tiristor e transistores bipolares
1.4.2 Maneiras de disparar um tiristor

Podemos considerar cinco maneiras distintas de fazer com que um tiristor entre em
condução:
a) Tensão
Quando polarizado diretamente, no estado desligado, a tensão de polarização é aplicada
sobre a junção J2. O aumento da tensão Vak leva a uma expansão da região de transição tanto
para o interior da camada do gate quanto para a camada N adjacente. Mesmo na ausência de
corrente de gate, por efeito térmico, sempre existirão cargas livres que penetram na região de
transição (no caso, elétrons), as quais são aceleradas pelo campo elétrico presente em J2. Para
valores elevados de tensão (e, consequentemente, de campo elétrico), é possível iniciar um
processo de avalanche, no qual as cargas aceleradas, ao chocarem-se com átomos vizinhos,
provoquem a expulsão de novos portadores, os quais reproduzem o processo. Tal fenômeno, do
ponto de vista do comportamento do fluxo de cargas pela junção J2, tem efeito similar ao de uma
injeção de corrente pelo gate, de modo que, se ao se iniciar a passagem de corrente for atingido o
limiar de IL, o dispositivo se manterá em condução. A figura. 1.11 mostra a característica estática
de um SCR.
b) Ação da corrente positiva de porta

Sendo o disparo através da corrente de porta a maneira mais usual de ser ligado o tiristor,
é importante o conhecimento dos limites máximos e mínimos para a tensão Vgk e a corrente Ig,
como mostrados na figura 1.12.
O valor Vgm indica a mínima tensão de gate que garante a condução de todos os
componentes de um dado tipo, na mínima temperatura especificada.
O valor Vgo é a máxima tensão de gate que garante que nenhum componente de um dado
tipo entrará em condução, na máxima temperatura de operação.
A corrente Igm é a mínima corrente necessária para garantir a entrada em condução de
qualquer dispositivo de um certo tipo, na mínima temperatura.
Para garantir a operação correta do componente, a reta de carga do circuito de
acionamento deve garantir a passagem além dos limites Vgm e Igm, sem exceder os demais limites
(tensão, corrente e potência máximas).
c) Taxa de crescimento da tensão direta

Quando reversamente polarizadas, a área de transição de uma junção comporta-se de
maneira similar a um capacitor, devido ao campo criado pela carga espacial. Considerando que
praticamente toda a tensão está aplicada sobre a junção J2 (quando o SCR estiver desligado e
polarizado diretamente), a corrente que atravessa tal junção é dada por:
Ij =
(
d C j ⋅ Vak ) = C ⋅ dVak + V ⋅
dC j
(1.4)
j ak
dt dt dt
Onde Cj é a capacitância da junção.

Ia
Von
IL
Ig2 > Ig1 > Ig=0
IH
Vbr
Vak
Vbo
Figura 1.11 - Característica estática do tiristor.
Vgk
Máxima tensão de gate
Limite de
baixa corrente
Máxima potência
Instantânea de gate
6V
Vgm Limite de
alta corrente
Vgo
Reta de carga
do circuito de acionamento
0
0 Igm 0,5A Ig
Figura 1.12 - Condições para disparo de tiristor através de controle pela porta.
Quando Vak cresce, a capacitância diminui, uma vez que a região de transição aumenta de
largura. Entretanto, se a taxa de variação da tensão for suficientemente elevada, a corrente que
atravessará a junção pode ser suficiente para levar o tiristor à condução.
Uma vez que a capacitância cresce com o aumento da área do semicondutor, os
componentes para correntes mais elevadas tendem a ter um limite de dv/dt menor. Observe-se
que a limitação diz respeito apenas ao crescimento da tensão direta (Vak > 0). A taxa de
crescimento da tensão reversa não é importante, uma vez que as correntes que circulam pelas
junções J1 e J3, em tal situação, não tem a capacidade de levar o tiristor a um estado de
condução.
Como se verá adiante, utilizam-se circuitos RC em paralelo com os tiristores com o
objetivo de limitar a velocidade de crescimento da tensão direta sobre eles.
d) Temperatura
A altas temperaturas, a corrente de fuga numa junção p-n reversamente polarizada dobra
aproximadamente com o aumento de 8o C. Assim, a elevação da temperatura pode levar a uma
corrente através de J2 suficiente para levar o tiristor à condução.
e) Energia radiante
Energia radiante dentro da banda espectral do silício, incidindo e penetrando no cristal,
produz considerável quantidade de pares elétrons-lacunas, aumentando a corrente de fuga
reversa, possibilitando a condução do tiristor. Este tipo de acionamento é o utilizado nos

LASCR, cuja aplicação principal é em sistemas que operam em elevado potencial, onde a
isolação necessária só é obtida por meio de acoplamentos óticos.
1.4.3 Parâmetros básicos de tiristores

Apresentaremos a seguir alguns parâmetros típicos de tiristores e que caracterizam
condições limites para sua operação. Alguns já foram apresentados e comentados anteriormente
e serão, pois, apenas citados aqui.
• Tensão direta de ruptura (VBO)
• Máxima tensão reversa (VBR)
• Máxima corrente de anodo (Iamax): pode ser dada como valor RMS, médio, de pico e/ou
instantâneo.
• Máxima temperatura de operação (Tjmax): temperatura acima da qual, devido a um possível
processo de avalanche, pode haver destruição do cristal.
• Resistência térmica (Rth): é a diferença de temperatura entre 2 pontos especificados ou
regiões, dividido pela potência dissipada sob condições de equilíbrio térmico. É uma medida
das condições de fluxo de calor do cristal para o meio externo.
• Característica I2t: é o resultado da integral do quadrado da corrente de anodo num
determinado intervalo de tempo, sendo uma medida da máxima potência dissipável pelo
dispositivo. É dado básico para o projeto dos circuitos de proteção.
• Máxima taxa de crescimento da tensão direta Vak (dv/dt).
• Máxima taxa de crescimento da corrente de anodo (di/dt): fisicamente, o início do processo
de condução de corrente pelo tiristor ocorre no centro da pastilha de silício, ao redor da
região onde foi construída a porta, espalhando-se radialmente até ocupar toda a superfície do
catodo, à medida que cresce a corrente. Mas se a corrente crescer muito rapidamente, antes
que haja a expansão necessária na superfície condutora, haverá um excesso de dissipação de
potência na área de condução, danificando a estrutura semicondutora. Este limite é ampliado
para tiristores de tecnologia mais avançada fazendo-se a interface entre gate e catodo com
uma maior área de contato, por exemplo, 'interdigitando" o gate. A figura 1.13 ilustra este
fenômeno.
• Corrente de manutenção de condução (IH): a mínima corrente de anodo necessária para
manter o tiristor em condução.
• Corrente de disparo (IL): mínima corrente de anodo requerida para manter o SCR ligado
imediatamente após ocorrer a passagem do estado desligado para o ligado e ser removida a
corrente de porta.
• Tempo de disparo (ton): é o tempo necessário para o tiristor sair do estado desligado e atingir
a plena condução.
• Tempo de desligamento (toff): é o tempo necessário para a transição entre o estado de
condução e o de bloqueio. É devido a fenômenos de recombinação de portadores no material
semicondutor.
• Corrente de recombinação reversa (Irqm): valor de pico da corrente reversa que ocorre durante
o intervalo de recombinação dos portadores na junção.

K
G
N N
P
G P G
N- P
N
N
P Catodo
Gate circular Gate interdigitado

A Contato metálico
Figura 1.13 - Expansão da área de condução do tiristor a partir das vizinhanças da região de gate.
A figura 1.14 ilustra algumas destas características.
dv/dt
di/dt
Tensão direta de bloqueio
Von
Corrente de fuga direta
Corrente de fuga reversa
Irqm
ton
Tensão reversa de bloqueio
toff
Figura 1.14 Tensões e correntes características de tiristor.
1.4.4 Circuitos de excitação do gate

a) Condução
Conforme foi visto, a entrada em condução de um tiristor é controlada pela injeção de
uma corrente no terminal da porta, devendo este impulso estar dentro da área delimitada pela
figura 1.12. Por exemplo, para um dispositivo que deve conduzir 100 A, um acionador que
forneça uma tensão Vgk de 6 V com impedância de saída 12 ohms é adequado. A duração do
sinal de disparo deve ser tal que permita à corrente atingir IL quando, então, pode ser retirada.
Observamos ser bastante simples o circuito de disparo de um SCR e, dado o alto ganho
do dispositivo, as exigências quando ao acionamento são mínimas.
b) Comutação
Se, por um lado, é fácil a entrada em condução de um tiristor, o mesmo não se pode dizer
de sua comutação. Lembramos que a condição de desligamento é que a corrente de anodo fique
abaixo do valor IH. Se isto ocorrer juntamente com a aplicação de uma tensão reversa, o bloqueio
se dará mais rapidamente.
Não existe uma maneira de se desligar o tiristor através de seu terminal de controle,
sendo necessário algum arranjo no nível do circuito de anodo para reduzir a corrente principal.
b.1) Comutação Natural

É utilizada em sistemas de CA nos quais, em função do caráter ondulatório da tensão de

entrada, em algum instante a corrente tenderá a se inverter e terá, assim, seu valor diminuído
abaixo de IH, desligando o tiristor. Isto ocorrerá desde que, num intervalo inferior a toff, não
cresça a tensão direta Vak, o que poderia levá-lo novamente à condução.
A figura 1.15 mostra um circuito de um controlador de tensão CA, alimentando uma
carga RL, bem como as respectivas formas de onda. Observe que quando a corrente se anula a
tensão sobre a carga se torna zero, indicando que nenhum dos SCRs está em condução.
S1
i(t)
L
vi(t) S2 vL R
200V
vi(t)
-200V
40A
i(t)
-40A
200V
vL(t)
-200V
5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms 35ms 40ms
Figura 1.15 - Controlador de tensão CA com carga RL e formas de onda típicas.
b.2) Comutação por ressonância da carga

Em algumas aplicações específicas, é possível que a carga, pela sua dinâmica própria,
faça com que a corrente tenda a se inverter, fazendo o tiristor desligar. Isto ocorre, por exemplo,
quando existem capacitâncias na carga as quais, ressoando com as indutâncias do circuito
produzem um aumento na tensão ao mesmo tempo em que reduzem a corrente. Caso a corrente
se torne menor do que a corrente de manutenção e o tiristor permaneça reversamente polarizado
pelo tempo suficiente, haverá o seu desligamento. A tensão de entrada pode ser tanto CA quanto
CC. A figura 1.16 ilustra tal comportamento. Observe que enquanto o tiristor conduz a tensão de
saída, vo(t), é igual à tensão de entrada. Quando a corrente se anula e S1 desliga, o que se
observa é a tensão imposta pela carga ressonante.
b.3) Comutação forçada

É utilizada em circuitos com alimentação CC e nos quais não ocorre reversão no sentido
da corrente de anodo.
A idéia básica deste tipo de comutação é oferecer à corrente de carga um caminho
alternativo ao tiristor, enquanto se aplica uma tensão reversa sobre ele, desligando-o.
Antes do surgimento dos GTOs, este foi um assunto muito discutido, buscando-se
topologias eficientes. Com o advento dos dispositivos com comutação pelo gate, os SCRs
tiveram sua aplicação concentrada nas aplicações nas quais ocorre comutação natural ou pela
carga.

vo
Vcc
L
S1 io(t) io
Vcc Carga 0
vo(t) Ressonante
Figura 1.17 Circuito e formas de onda de comutação por ressonância da carga.
A figura 1.18 mostra um circuito para comutação forçada de SCR e as formas de onda
típicas. A figura 1.19 mostra detalhes de operação do circuito auxiliar de comutação.
Em um tempo anterior a to, a corrente da carga (suposta quase constante, devido à
elevada constante de tempo do circuito RL) passa pelo diodo de circulação. A tensão sobre o
capacitor é negativa, com valor igual ao da tensão de entrada.
No instante to o tiristor principal, Sp, é disparado, conectando a fonte à carga, levando o
diodo Df ao desligamento. Ao mesmo tempo surge uma malha formada por Sp, Cr, D1 e Lr, a
qual permite a ocorrência de uma ressonância entre Cr e Lr, levando à inversão na polaridade da
tensão do capacitor. Em t1 a tensão atinge seu máximo e o diodo D1 desliga (pois a corrente se
anula). O capacitor está preparado para realizar a comutação de Sp.
Quanto o tiristor auxiliar, Sa, é disparado, em t2, a corrente da carga passa a ser fornecida
através do caminho formado por Lr, Sa e Cr, levando a corrente por Sp a zero, ao mesmo tempo
em que se aplica uma tensão reversa sobre ele, de modo a desligá-lo.
D2
60A
iT
Sp
Lo
i +
T Cr
Vc
+
Lr iC
-60A
Df Ro
Sa i 200V
c Vo
Vcc vo
0
vC
D1
-200V
Figura 1.18 Topologia com comutação forçada de SCR e formas de onda típicas.
Continua a haver corrente por Cr, a qual, em t3, se torna igual à corrente da carga,
fazendo com que a variação de sua tensão assuma uma forma linear. Esta tensão cresce (no
sentido negativo) até levar o diodo de circulação à condução, em t4. Como ainda existe corrente
pelo indutor Lr, ocorre uma pequena oscilação na malha Lr, Sa, Cr e D2 e, quando a corrente por
Sa se anula, o capacitor se descarrega até a tensão Vcc na malha formada por Cr, D1, Lr, fonte e
Df.

60A
iT
-60A ic
200V
vo
0
vc
-200V
to t1 t2 t3 t4 t5
Figura 1.19 - Detalhes das formas de onda durante comutação.
1.4.5 Redes Amaciadoras

O objetivo destas redes é evitar problemas advindos de excessivos valores para dv/dt e
di/dt, conforme descritos anteriormente.
a) O problema di/dt
Uma primeira medida capaz de limitar possíveis danos causados pelo crescimento
excessivamente rápido da corrente de anodo é construir um circuito acionador de gate adequado,
que tenha alta derivada de corrente de disparo para que seja também rápida a expansão da área
condutora.
Um reator saturável em série com o tiristor também limitará o crescimento da corrente de
anodo durante a entrada em condução do dispositivo.
Além deste fato tem-se outra vantagem adicional que é a redução da potência dissipada
no chaveamento pois, quando a corrente de anodo crescer, a tensão Vak será reduzida pela queda
sobre a indutância.
O atraso no crescimento da corrente de anodo pode levar à necessidade de um pulso
mais longo de disparo, ou ainda a uma seqüência de pulsos, para que seja assegurada a condução
do tiristor.
b) O problema do dv/dt
A limitação do crescimento da tensão direta Vak, usualmente é feita pelo uso de circuitos
RC, RCD, RLCD em paralelo com o dispositivo, como mostrado na figura 1.20.
No caso mais simples (a), quando o tiristor é comutado, a tensão Vak segue a dinâmica
dada por RC que, além disso, desvia a corrente de anodo facilitando a comutação. Quando o
SCR é ligado o capacitor descarrega-se, ocasionando um pico de corrente no tiristor, limitado
pelo valor de R.
No caso (b) este pico pode ser reduzido pelo uso de diferentes resistores para os
processos de carga e descarga de C. No 3o caso, o pico é limitado por L, o que não traz eventuais
problemas de alto di/dt. A corrente de descarga de C auxilia a entrada em condução do tiristor
para obter um Ia>IL, uma vez que se soma à corrente de anodo proveniente da carga.
A energia acumulada no capacitor é praticamente toda dissipada sobre o resistor de
descarga.

D L
D
R R2
R1
R
C
C
C
(a) (b) (c)

Figura 1.20 - Circuitos amaciadores para dv/dt.
1.4.6 Associação em Paralelo de Tiristores

Desde o início da utilização do tiristor, em 1958, têm crescido constantemente os limites
de tensão e corrente suportáveis, atingindo hoje faixas de 5000 V e 4000 A. Há, no entanto,
diversas aplicações nas quais é necessária a associação de mais de um destes componentes, seja
pela elevada tensão de trabalho, seja pela corrente exigida pela carga.
Quando a corrente de carga, ou a margem de sobre-corrente necessária, não pode ser
suportada por um único tiristor, é essencial a ligação em paralelo. A principal preocupação neste
caso é a equalização da corrente entre os dispositivos, tanto em regime, como durante a
comutação. Diversos fatores influem na distribuição homogênea da corrente, desde aspectos
relacionados à tecnologia construtiva do dispositivo, até o arranjo mecânico da montagem final.
Existem duas tecnologias básicas de construção de tiristores, diferindo basicamente no
que se refere à região do catodo e sua junção com a região da porta. A tecnologia de difusão cria
uma região de fronteira entre catodo e gate pouco definida, formando uma junção não-uniforme
que leva a uma característica de disparo (especialmente quanto ao tempo de atraso e à
sensibilidade ao disparo) não homogênea. A tecnologia epitaxial permite fronteiras bastante
definidas, implicando numa maior uniformidade nas características do tiristor. Conclui-se
assim que, quando se faz uma associação (série ou paralela) destes dispositivos, é preferível
empregar componentes de construção epitaxial.
Em ligações paralelas de elementos de baixa resistência, um fator crítico para a
distribuição de corrente são variações no fluxo concatenado pelas malhas do circuito,
dependendo, pois, das indutâncias das ligações. Outro fator importante relaciona-se com a
característica do coeficiente negativo de temperatura do dispositivo, ou seja, um eventual
desequilíbrio de corrente provoca uma elevação de temperatura no SCR que, por sua vez,
melhora as condições de condutividade do componente, aumentando ainda mais o desequilíbrio,
podendo levá-lo à destruição.
Uma primeira precaução para reduzir estes desbalanceamentos é realizar uma montagem
de tal maneira que todos os tiristores estejam a uma mesma temperatura, o que pode ser feito,
por exemplo, pela montagem em um único dissipador.
No que se refere à indutância das ligações, a própria disposição dos componentes em
relação ao barramento afeta significativamente esta distribuição de corrente. Arranjos cilíndricos
tendem a apresentar um menor desequilíbrio.
1.4.6.1 Estado estacionário

Além das considerações já feitas quanto à montagem mecânica, algumas outras
providências podem ser tomadas para melhorar o equilíbrio de corrente nos tiristores:

a) Impedância série
A idéia é adicionar impedâncias em série com cada componente a fim de limitar o
eventual desequilíbrio. Se a corrente crescer num ramo, haverá aumento da tensão, o que fará
com que a corrente se distribua entre os demais ramos. O uso de resistores implica no aumento
das perdas, uma vez que dado o nível elevado da corrente, a dissipação pode atingir centenas de
watts, criando problemas de dissipação e eficiência. Outra alternativa é o uso de indutores
lineares.
b) Reatores acoplados
Conforme ilustrado na figura 1.21, se a corrente por SCR1 tende a se tornar maior que
por SCR2, uma força contra-eletro-motriz aparecerá sobre a indutância, proporcionalmente ao
desbalanceamento, tendendo a reduzir a corrente por SCR1. Ao mesmo tempo uma tensão é
induzida do outro lado do enrolamento, aumentando a corrente por SCR2. As mais importantes
características do reator são alto valor da saturação e baixo fluxo residual, para permitir uma
grande excursão do fluxo a cada ciclo.
.
.
.
.
(a)
.
.
(c)
SCR1
. . .
. . .
SCR2
(b) . .
. .
(d)
Figura 1.21 - Equalização de corrente com resistores e com reatores acoplados
1.4.6.2 Disparo
Há duas características do tiristor bastante importantes para boa divisão de corrente entre
os componentes no momento em que se deve dar o início da condução: o tempo de atraso (td) e a
mínima tensão de disparo (VONmin).
O tempo de atraso pode ser interpretado como o intervalo entre a aplicação do sinal de
gate e a real condução do tiristor.
A mínima tensão de disparo é o valor mínimo da tensão direta entre anodo e catodo com
a qual o tiristor pode ser ligado por um sinal adequado de porta. Recorde-se, da característica
estática do tiristor, que quanto menor a tensão Vak, maior deve ser a corrente de gate para levar o
dispositivo à condução.
Diferenças em td podem fazer com que um componente entre em condução antes do
outro. Com carga indutiva este fato não é tão crítico pela inerente limitação de di/dt da carga, o
que não ocorre com cargas capacitivas e resistivas. Além disso, como VONmin é maior que a queda
de tensão direta sobre o tiristor em condução, é possível que outro dispositivo não consiga entrar
em condução.

Esta situação é crítica quando se acoplam diretamente os tiristores, sendo minimizada

através dos dispositivos de equalização já descritos e ainda por sinais de porta de duração maior
que o tempo de atraso.
1.4.6.3 Desligamento
Especialmente com carga indutiva, deve-se prever algum tipo de arranjo que consiga
manter o equilíbrio de corrente mesmo que haja diferentes características entre os tiristores
(especialmente relacionadas com os tempos de desligamento). A capacitância do circuito
amaciador limita o desbalanceamento, uma vez que absorve a corrente do tiristor que começa a
desligar.
1.4.6.4 Circuito de disparo

A corrente de gate deve ser alvo de atenções. O uso de um único circuito de comando
para acionar todos os tiristores minimiza os problemas de tempos de atraso. Além disso, deve-se
procurar usar níveis iguais de corrente e tensão de gate, uma vez que influem significativamente
no desempenho do disparo. Para minimizar os efeitos das diferenças nas junções gate-catodo de
cada componente pode-se fazer uso de um resistor ou indutor em série com o gate, para procurar
equalizar os sinais. É importante que se tenha atingido a corrente de disparo (IL) antes da retirada
do pulso de gate, o que pode levar à necessidade de circuitos mais elaborados para fornecer a
energia necessária. Uma seqüência de pulsos também pode ser empregada.
1.4.7 Associação em série de tiristores

Quando o circuito opera com tensão superior àquela suportável por um único tiristor, é
preciso associar estes componentes em série, com precauções para garantir a distribuição
equilibrada de tensão entre eles. Devido a diferenças nas correntes de bloqueio, capacitâncias de
junção, tempos de atraso, quedas de tensão direta e recombinação reversa, redes de equalização
externa são necessárias, bem como cuidados quanto ao circuito de disparo.
A figura 1.22 indica uma possível distribuição de tensão numa associação de 3 tiristores,
nas várias situações de operação.
Durante os estados de bloqueio direto e reverso (I e VI), diferenças nas características de
bloqueio resultam em desigual distribuição de tensão em regime. Ou seja, o tiristor com menor
condutância quando bloqueado terá de suportar a maior tensão. É interessante, então, usar
dispositivos com características o mais próximas possível.
Os estados de condução (III e IV) não apresentam problema de distribuição de tensão.
Estados II e V representam um desbalanceamento indesejado durante os transientes de disparo e
comutação. No estado II o tempo de atraso do SCR1 é consideravelmente mais longo que o dos
outros e, assim, terá que, momentaneamente, suportar toda a tensão. O estado V resulta dos
diferentes tempos de recombinação dos componentes. O primeiro a se recombinar suportará toda
a tensão.
1.4.7.1 Estado estacionário

O método usual de equalizar tensões nas situações I e VI é colocar uma rede resistiva
com cada resistor conectado entre anodo e catodo de cada tiristor. Estes resistores representam
consumo de potência, sendo desejável usar os de maior valor possível. O projeto do valor da
resistência deve considerar a diferença nos valores das correntes de bloqueio direta e reversa.

I II III IV V VI
Recuperação
Bloqueio Condução Condução Condução Bloqueio
reversa
1200V direto parcial direta reversa reverso
parcial
+ + + +
1000V 1200V 1.0V 0.9V 0.7V 100V

T1
50V 6V 1.1V 1.0V 0.7V 900V

T2
150V 5V 0.9V 0.8V 1200V 200V

T3
+ +
5mA 10mA 50A 10A 10mA 10mA
Figura 1.22 - Tensões em associação de tiristores sem rede de equalização.
1.4.7.2 Disparo
Um método que pode ser usado para minimizar o desequilíbrio do estado II é fornecer
uma corrente de porta com potência suficiente e de rápido crescimento, para minimizar as
diferenças relativas ao tempo de atraso. A largura do pulso deve ser tal que garanta a
continuidade da condução de todos os tiristores.
Para equalizar a tensão no estado V, um capacitor é ligado entre anodo e catodo de cada
tiristor. Se a impedância do capacitor é suficientemente baixa e/ou se utiliza a constante de
tempo necessária, o crescimento da tensão no dispositivo mais rápido será limitado até que todos
se recombinem. Esta implementação também alivia a situação no disparo, uma vez que realiza
uma injeção de corrente no tiristor, facilitando a entrada em condução de todos os dispositivos.
Mas se o capacitor providencia excelente equalização de tensão, o pico de corrente
injetado no componente no disparo pode ser excessivo, devendo ser limitado por meio de um
resistor em série com o capacitor. É interessante um alto valor de R e baixo valor de C para, com
o mesmo RC, obter pouca dissipação de energia. Mas se o resistor for de valor muito elevado
será imposta uma tensão de rápido crescimento sobre o tiristor, podendo ocasionar disparo por
dv/dt. Usa-se então um diodo em paralelo com o resistor, garantindo um caminho de carga para o
capacitor, enquanto a descarga se faz por R. O diodo deve ter uma característica suave de
recombinação para evitar efeitos indesejáveis associados às indutâncias parasitas das ligações.
Recomenda-se o uso de capacitores de baixa indutância parasita. A figura 1.23 ilustra tais
circuitos de equalização.

C R C R C R Equalização
Dinâmica
D D D
Rs Rs Rs
Equalização estática
Figura 1.23 - Circuito de equalização de tensão em associação série de tiristores.
1.4.7.4 Circuito de disparo

Em muitas aplicações, devido à necessidade de isolamento elétrico entre o circuito de
comando e o de potência, o sinal de disparo deve ser isolado por meio de algum dispositivo
como, por exemplo, transformadores de pulso ou acopladores óticos, como mostra a figura 1.24.
a) Transformador de pulso
Neste caso, têm-se transformadores capazes de responder apenas em alta freqüência, mas
que possibilitam a transferência de pulsos de curta duração (até centenas de microssegundos),
após o que o transformador satura. Caso seja necessário um pulso mais largo, ele poderá ser
obtido por meio de um trem de pulsos, colocando-se um filtro passa-baixas no lado de saída.
Com tais dispositivos deve-se prever algum tipo de limitação de tensão no secundário (onde está
conectado o gate), a fim de evitar sobre-tensões.
Quando se usar transformador de pulso é preciso garantir que ele suporte pelo menos a
tensão de pico da alimentação. Como as condições de disparo podem diferir consideravelmente
entre os tiristores, é comum inserir uma impedância em série com o gate para evitar que um
tiristor com menor impedância de gate drene o sinal de disparo, impedindo que os demais
dispositivos entrem em condução. Esta impedância em série pode ser um resistor ou um
capacitor, que tornaria mais rápido o crescimento do pulso de corrente.
b) Acoplamento luminoso
O acoplamento ótico apresenta como principal vantagem a imunidade a interferências
eletromagnéticas, além da alta isolação de potencial. Dois tipos básicos de acopladores são
usados: os opto-acopladores e as fibras óticas. No primeiro caso tem-se um dispositivo no qual o
emissor e o receptor estão integrados, apresentando uma isolação típica de 2500 V. Já para as
fibras óticas, o isolamento pode ser de centenas de kV.
A potência necessária para o disparo é provida por duas fontes: uma para alimentar o
emissor (em geral a própria fonte do circuito de controle) e outra para o lado do receptor.
Eventualmente, a própria carga armazenada no capacitor do circuito amaciador (ou rede de
equalização), através de um transformador de corrente, pode fornecer a energia para o lado do
receptor, a partir da corrente que circula pelo tiristor, assegurando potência durante todo o
período de condução.

+Vcc +V
+
..
Req
Pulsos
Pulsos Req
Figura 1.24 Circuitos de acionamento de pulso.
1.4.8 Sobre-tensão
As funções gerais da proteção contra sobre-tensão são: assegurar, tão rápido quanto
possível, que qualquer falha em algum componente afete apenas aquele tiristor diretamente
associado ao componente; aumentar a confiabilidade do sistema; evitar reações na rede (como
excitação de ressonâncias). Estas sobre-tensões podem ser causadas tanto por ações externas
como por distribuição não homogênea das tensões entre os dispositivos.
Em aplicações onde as perdas provocadas pelos resistores de equalização devem ser
evitadas, a distribuição de tensão pode ser realizada pelo uso de retificadores de avalanche
controlada, que também atuam no caso de sobre-tensões. Uma possível restrição ao uso de
supressores de sobre-tensão (geralmente de óxido metálico, os varistores), é que a falha em um
certo componente (um curto em um tiristor) pode levar a uma sobrecarga nos demais
supressores, provocando uma destruição em cascata de todos.
A fim de evitar disparos indesejados dos tiristores em virtude do aumento repentino da
tensão, superando o limite de dv/dt ou o valor da máxima tensão direta de bloqueio, deve-se
manter uma polarização negativa no terminal da porta, aumentado o nível de tensão suportável.
1.4.9 Resfriamento
As características do tiristor são fornecidas a uma certa temperatura da junção. O calor
produzido na pastilha deve ser dissipado, devendo transferir-se da pastilha para o
encapsulamento, deste para o dissipador e daí para o meio de refrigeração (ar ou líquido).
Este conjunto possui uma capacidade de armazenamento de calor, ou seja, uma constante
de tempo térmica, que permite sobrecargas de corrente por períodos curtos. Tipicamente esta
constante é da ordem de 3 minutos para refrigeração a ar.
A temperatura de operação da junção deve ser muito menor que o máximo especificado.
Ao aumento da temperatura corresponde uma diminuição na capacidade de suportar tensões no
estado de bloqueio. Tipicamente esta temperatura não deve exceder 120oC.
O sistema de refrigeração deve possuir redundância, ou seja, uma falha no sistema deve
por em operação um outro, garantindo a troca de calor necessária. Existem várias maneiras de
implementar as trocas: circulação externa de ar filtrado, circulação interna de ar (com trocador
de calor), refrigeração com líquido, etc. A escolha do tipo de resfriamento é influenciada pelas
condições ambientais e preferências do usuário.

1.5 GTO - Gate Turn-Off Thyristor
O GTO, embora tenha sido criado no início da década de 60, por problemas de fraco
desempenho foi pouco utilizado. Com o avanço da tecnologia de construção de dispositivos
semicondutores, novas soluções foram encontradas para aprimorar tais componentes, que hoje
ocupam significativa faixa de aplicação, especialmente naquelas de elevada potência, uma vez
que estão disponíveis dispositivos para 5000V, 4000A.

O GTO possui uma estrutura de 4 camadas, típica dos componentes da família dos
tiristores. Sua característica principal é sua capacidade de entrar em condução e bloquear através
de comandos adequados no terminal de gate.
O mecanismo de disparo é semelhante ao do SCR: supondo-o diretamente polarizado,
quando a corrente de gate é injetada, circula corrente entre gate e catodo. Grande parte de tais
portadores, como a camada de gate é suficientemente fina, desloca-se até a camada N adjacente,
atravessando a barreira de potencial e sendo atraídos pelo potencial do anodo, dando início à
corrente anódica. Se esta corrente se mantiver acima da corrente de manutenção, o dispositivo
não necessita do sinal de gate para manter-se conduzindo.
A figura 1.25 mostra o símbolo do GTO e uma representação simplificada dos processos
de entrada e saída de condução do componente.
A aplicação de uma polarização reversa na junção gate-catodo pode levar ao
desligamento do GTO. Portadores livres (lacunas) presentes nas camadas centrais do dispositivo
são atraídos pelo gate, fazendo com que seja possível o restabelecimento da barreira de potencial
na junção J2.
Rg
Vcc J2 J3
P+ N- P N+
Entrada em condução
J1
Região de
Vg
Transição
A K
Rg
G
Rg
Vcc
P+ N- P N+
Desligamento
Rg
Vg
Figura 1.25 - Símbolo, processos de comutação e estrutura interna de GTO.
A figura do GTO foi obtida na AN-315, International Rectifier, 04/82.

Aparentemente seria possível tal comportamento também no SCR. As diferenças, no

entanto, estão no nível da construção do componente. O funcionamento como GTO depende, por
exemplo, de fatores como:
• facilidade de extração de portadores pelo terminal de gate - isto é possibilitado pelo uso de
dopantes com alta mobilidade
• desaparecimento rápido de portadores nas camadas centrais - uso de dopante com baixo
tempo de recombinação. Isto implica que um GTO tem uma maior queda de tensão quando
em condução, comparado a um SCR de mesmas dimensões.
• suportar tensão reversa na junção porta-catodo, sem entrar em avalanche - menor dopagem na
camada de catodo
• absorção de portadores de toda superfície condutora - região de gate e catodo muito
interdigitada, com grande área de contato.
Diferentemente do SCR, um GTO pode não ter capacidade de bloquear tensões reversas.
Existem 2 possibilidades de construir a região de anodo: uma delas é utilizando apenas
uma camada p+, como nos SCR. Neste caso o GTO apresentará uma característica lenta de
comutação, devido à maior dificuldade de extração dos portadores, mas suportará tensões
reversas na junção J2.
A outra alternativa, mostrada na figura 1.26, é introduzir regiões n+ que penetrem na
região p+ do anodo, fazendo contato entre a região intermediária n- e o terminal de anodo. Isto,
virtualmente, curtocircuita a junção J1 quando o GTO é polarizado reversamente. No entanto,
torna-o muito mais rápido no desligamento (com polarização direta). Como a junção J3 é
formada por regiões muito dopadas, ela não consegue suportar tensões reversas elevadas. Caso
um GTO deste tipo deva ser utilizado em circuitos nos quais fique sujeito a tensão reversa, ele
deve ser associado em série com um diodo, o qual bloqueará a tensão.
placa de metalização do catodo

contato do
metalização do gate
catodo
n+ n+ n+
J3
p
J2
n-
J1
p+ p+ p+
n+ n+
anodo
Figura 1.26 - Estrutura interna de GTO rápido (sem bloqueio reverso)
1.5.2 Parâmetros básicos do GTO

Os símbolos utilizados pelos diversos fabricantes diferem, embora as grandezas
representadas sejam, quase sempre, as mesmas.

• Vdrxm - Tensão de pico, repetitiva, de estado desligado: sob condições dadas, é a máxima
tensão instantânea permissível, em estado desligado, que não ultrapasse o dv/dt máximo,
aplicável repetidamente ao GTO.
• It - Corrente (RMS) de condução: máxima corrente (valor RMS) que pode circular
continuamente pelo GTO.
• Itcm - Corrente de condução repetitiva controlável: máxima corrente repetitiva, cujo valor
instantâneo ainda permite o desligamento do GTO, sob determinadas condições.
• I2t: escala para expressar a capacidade de sobrecorrente não-repetitiva, com respeito a um
pulso de curta duração. É utilizado no dimensionamento dos fusíveis de proteção.
• di/dt: taxa de crescimento máxima da corrente de anodo.
• Vgrm - Tensão reversa de pico de gate repetitiva: máxima tensão instantânea permissível
aplicável à junção gate-catodo.
• dv/dt: máxima taxa de crescimento da tensão direta de anodo para catodo.
• IH - corrente de manutenção: Corrente de anodo que mantém o GTO em condução mesmo na
ausência de corrente de porta.
• IL - corrente de disparo: corrente de anodo necessária para que o GTO entre em condução
com o desligamento da corrente de gate.
• tgt - tempo de disparo: tempo entre a aplicação da corrente de gate e a queda da tensão Vak.
• tgq - tempo de desligamento: tempo entre a aplicação de uma corrente negativa de gate e a
queda da corrente de anodo (tgq=ts+tf)
• ts - tempo de armazenamento
1.5.3 Condições do sinal de porta para chaveamento

Desde que, geralmente, o GTO está submetido a condições de alto di/dt, é necessário que
o sinal de porta também tenha rápido crescimento, tendo um valor de pico relativamente elevado.
Deve ser mantido neste nível por um tempo suficiente (tw1) para que a tensão Vak caia a seu valor
de condução direta. É conveniente que se mantenha a corrente de gate durante todo o período de
condução, especialmente se a corrente de anodo for pequena, de modo a garantir o estado
"ligado". A figura 1.27 ilustra as formas de corrente recomendadas para a entrada em condução e
também para o desligamento.
Durante o intervalo "ligado" existe uma grande quantidade de portadores nas camadas
centrais do semicondutor. A comutação do GTO ocorrerá pela retirada destes portadores e,
ainda, pela impossibilidade da vinda de outros das camadas ligadas ao anodo e ao catodo, de
modo que a barreira de potencial da junção J2 possa se restabelecer.
O grande pico reverso de corrente apressa a retirada dos portadores. A taxa de
crescimento desta corrente relaciona-se com o tempo de armazenamento, ou seja, o tempo
decorrido entre a aplicação do pulso negativo e o início da queda (90%) da corrente de anodo.
Quanto maior for a derivada, menor o tempo.
Quando a corrente drenada começa a cair, a tensão reversa na junção gate-catodo cresce
rapidamente, ocorrendo um processo de avalanche. A tensão negativa de gate deve ser mantida
próxima ao valor da tensão de avalanche. A potência dissipada neste processo é controlada (pela
própria construção do dispositivo). Nesta situação a tensão Vak cresce e o GTO desliga.
Para evitar o disparo do GTO por efeito dv/dt, uma tensão reversa de porta pode ser
mantida durante o intervalo de bloqueio do dispositivo.
O ganho de corrente típico, no desligamento, é baixo (de 5 a 10), o que significa que,
especialmente para os GTOs de alta corrente, o circuito de acionamento, por si só, envolve a
manobra de elevadas correntes.

t gq
Ifgm
ts
Ifg
Vr
tr
dIrg
Vrg (tensão negativa
dt do circuito de comando)
t w1 avalanche
Vgk
Ig Irg
Figura 1.27 - Formas de onda típicas do circuito de comando de porta de GTO.
1.5.4 Circuitos amaciadores (snubber)
Durante o desligamento, com o progressivo restabelecimento da barreira de potencial na
junção reversamente polarizada, a corrente de anodo vai se concentrando em áreas cada vez
menores, concentrando também os pontos de dissipação de potência. Uma limitação da taxa de
crescimento da tensão, além de impedir o gatilhamento por efeito dv/dt, implicará numa redução
da potência dissipada nesta transição.
O circuito mais simples utilizado para esta função é uma rede RCD, como mostrado na
figura 1.28.
Supondo uma corrente de carga constante, ao ser desligado o GTO, o capacitor se carrega
com a passagem da corrente da carga, com sua tensão vaiando de forma praticamente linear.
Assim, o dv/dt é determinado pela capacitância. Quando o GTO entrar em condução, este
capacitor se descarrega através do resistor. A descarga deve ocorrer dentro do mínimo tempo em
condução previsto para o GTO, a fim de assegurar tensão nula inicial no próximo desligamento.
A resistência não pode ser muito baixa, a fim de limitar a impulso de corrente injetado no GTO.
D
R C
Figura 1.28 Circuito amaciador de desligamento tipo RCD.
A energia armazenada no capacitor será praticamente toda dissipada em R.

Especialmente em aplicações de alta tensão e alta freqüência, esta potência pode assumir valores
excessivos. Em tais casos deve-se buscar soluções ativas, nas quais a energia acumulada no
capacitor seja devolvida à fonte ou à carga .
A potência a ser retirada do capacitor é dada por:

C ⋅ V2
p cap = ⋅ fs (1.5)
2
onde V é a tensão de alimentação e fs é a freqüência de chaveamento.

Como exemplo, suponhamos um circuito alimentado em 1000V, operando a 1kHz com
um capacitor de 1μF. Isto significa uma potência de 500W!
1.5.4.2 Entrada em condução

A limitação de di/dt nos GTOs é muito menos crítica do que para os SCR. Isto se deve à
interdigitação entre gate e catodo, o que leva a uma expansão muito mais rápida da superfície em
condução, não havendo significativa concentração de corrente em áreas restritas.
O problema relacionado ao crescimento da corrente refere-se, para um GTO,
principalmente, à potência dissipada na entrada em condução do dispositivo. Com carga
indutiva, dada a necessária existência de um diodo de livre-circulação (e o seu inevitável tempo
de desligamento), durante alguns instantes em que o GTO já se encontra conduzindo, sobre ele
também existe uma tensão elevada, produzindo um pico de potência sobre o componente. Este
fato é agravado pela corrente reversa do diodo e ainda pela descarga do capacitor do snubber de
desligamento (caso exista). A figura 1.29 ilustra este comportamento.
V
Io
carga Df
Lcarga Df
Ia
Io Ds
R
carga Ls
Rs
V
Vak
Ia V
Vak
Vak
Figura 1.29 - GTO acionando carga indutiva e amaciador para desligamento.
Para reduzir este efeito, um circuito amaciador para o disparo pode ser necessário, com o
objetivo de reduzir a tensão sobre o GTO em sua entrada em condução, pode-se utilizar um
circuito amaciador formado, basicamente, por um indutor com núcleo saturável, que atue de
maneira significativa apenas durante o início do crescimento da corrente, mas sem armazenar
uma quantidade significativa de energia.
1.5.5 Associações em série e em paralelo

Nas situações em que um componente único não suporte a tensão ou a corrente de uma
dada aplicação, faz-se necessário associar componentes em série ou em paralelo. Nestes casos os
procedimentos são similares àqueles empregados, descritos anteriormente, para os SCRs.

1.6 Transistor Bipolar de Potência (TBP)

A figura 1.30 mostra a estrutura básica de um transistor bipolar.
Rc
Vcc
J2 J1
N+ N- P N+
C - - E
- -
Vb
B
Rb
Figura 1.30 - Estrutura básica de transistor bipolar
A operação normal de um transistor é feita com a junção J1 (B-E) diretamente

polarizada, e com J2 (B-C) reversamente polarizada.
No caso NPN, os elétrons são atraídos do emissor pelo potencial positivo da base. Esta
camada central é suficientemente fina para que a maior parte dos portadores tenha energia
cinética suficiente para atravessá-la, chegando à região de transição de J2, sendo, então, atraídos
pelo potencial positivo do coletor.
O controle de Vbe determina a corrente de base, Ib, que, por sua vez, se relaciona com Ic
pelo ganho de corrente do dispositivo.
Na realidade, a estrutura interna dos TBPs é diferente. Para suportar tensões elevadas,
existe uma camada intermediária do coletor, com baixa dopagem, a qual define a tensão de
bloqueio do componente.
A figura 1.31 mostra uma estrutura típica de um transistor bipolar de potência. As bordas
arredondadas da região de emissor permitem uma homogeneização do campo elétrico, necessária
à manutenção de ligeiras polarizações reversas entre base e emissor. O TBP não sustenta tensão
no sentido oposto porque a alta dopagem do emissor provoca a ruptura de J1 em baixas tensões
(5 a 20V).
O uso preferencial de TBP tipo NPN se deve às menores perdas em relação aos PNP, o
que ocorre por causa da maior mobilidade dos elétrons em relação às lacunas, reduzindo,
principalmente, os tempos de comutação do componente.
B E
N+ 10e19 cm-3 10 u
P 10e16 cm-3 5 a 20 u
N- 10e14 cm-3 50 a 200 u

B
N+ 10e19 cm-3 250 u (substrato)
C
Figura 1.31 Estrutura interna de TPB e seu símbolo

1.6.2 Limites de tensão

A tensão aplicada ao transistor encontra-se praticamente toda sobre a junção J2 a qual,
tipicamente, está reversamente polarizada. Existem limites suportáveis por esta junção, os quais
dependem principalmente da forma como o comando de base está operando, conforme se vê nas
figuras 1.32 e 1.33.
Com o transistor conduzindo (Ib>0) e operando na região ativa, o limite de tensão Vce é
Vces o qual, se atingido, leva o dispositivo a um fenômeno chamado de primeira ruptura.
O processo de primeira ruptura ocorre quando, ao se elevar a tensão Vce, provoca-se um
fenômeno de avalanche em J2. Este acontecimento não danifica, necessariamente, o dispositivo.
Se, no entanto, a corrente Ic se concentrar em pequenas áreas, o sobre-aquecimento produzirá
ainda mais portadores e destruirá o componente (segunda ruptura).
Com o transistor desligado (Ib=0) a tensão que provoca a ruptura da junção J2 é maior,
elevando-se ainda mais quando a corrente de base for negativa. Isto é uma indicação interessante
que, para transistores submetidos a valores elevados de tensão, o estado desligado deve ser
acompanhado de uma polarização negativa da base.
Ic Ic Vcbo
Ic
Ib>0 Ib=0
Vces Vceo
Ib<0
Figura 1.32 - Tipos de conexão do circuito de base e máximas tensões Vce.
1.6.3 Área de Operação Segura (AOS)

A AOS representa a região do plano Vce x Ic dentro da qual o TBP pode operar sem se
danificar. A figura 1.34 mostra uma forma típica de AOS.
À medida que a corrente se apresenta em pulsos (não-repetitivos) a área se expande.
Para pulsos repetitivos deve-se analisar o comportamento térmico do componente para se
saber se é possível utilizá-lo numa dada aplicação, uma vez que a AOS, por ser definida para um
único pulso, é uma restrição mais branda. Esta análise térmica é feita com base no ciclo de
trabalho a que o dispositivo está sujeito, aos valores de tensão e corrente e à impedância térmica
do transistor, a qual é fornecida pelo fabricante.
Ic segunda ruptura
primeira ruptura
Ib4
Ib3
Ib2 Ib<0
Ib1
Ib=0 Vce
Vces Vceo Vcbo

Ib4>Ib3>Ib2>Ib1>0
Figura 1.33 - Característica estática de transistor bipolar.

log Ic
Ic max 1 us
10 us
100 us
A
Ic DC B
log Vce
Figura 1.34 - Aspecto típico de AOS de TBP
A: Máxima corrente contínua de coletor
B: Máxima potência dissipável (relacionada à temperatura na junção)
C: Limite de segunda ruptura
D: Máxima tensão Vce
1.6.4 Região de quase-saturação

Consideremos o circuito mostrado na figura 1.35, e as curvas estáticas do TBP ali
indicadas. Quando Ic cresce, Vce diminui, dada a maior queda de tensão sobre R. À medida que
Vce se reduz, caminha-se no sentido da saturação.
Os TBP apresentam uma região chamada de quase-saturação gerada, principalmente, pela
presença da camada N- do coletor.
À semelhança da carga espacial armazenada nos diodos, nos transistores bipolares
também ocorre estocagem de carga. A figura 1.36 mostra a distribuição de carga estática no
interior do transistor para as diferentes regiões de operação.
Na região ativa, J2 está reversamente polarizada e ocorre uma acumulação de elétrons na
região da base. Quando se aproxima da saturação, J2 fica diretamente polarizada, atraindo
lacunas da base para o coletor. Tais lacunas associam-se a elétrons vindos do emissor e que estão
migrando pelo componente, criando uma carga espacial que penetra a região N-. Isto representa
um "alargamento" da região da base, implicando na redução do ganho do transistor. Tal situação
caracteriza a chamada quase-saturação. Quando esta distribuição de carga espacial ocupa toda a
região N- chega-se, efetivamente, à saturação.
É claro que no desligamento toda esta carga terá que ser removida antes do efetivo
bloqueio do TBP, o que sinaliza a importância do ótimo circuito de acionamento de base para
que o TBP possa operar numa situação que minimize a tempo de desligamento e a dissipação de
potência (associada ao valor de Vce).
saturação
quase-saturação
Ic
R
Vcc/R
Ib
região ativa Vcc

Vce
corte
Vcc Vce
Figura 1.35 - Região de quase-saturação do TBP.

Coletor Base Emissor

N+ N- P N+
quase-
saturação e-
região ativa
saturação base virtual
Figura 1.36 - Distribuição da carga estática acumulada no TBP
1.6.5 Ganho de corrente

O ganho de corrente dos TBP varia com diversos parâmetros (Vce, Ic, temperatura), sendo
necessário, no projeto, definir adequadamente o ponto de operação. A figura 1.37 mostra uma
variação típica do ganho.
Em baixas correntes, a recombinação dos portadores em trânsito leva a uma redução no
ganho, enquanto para altas correntes tem-se o fenômeno da quase-saturação reduzindo o ganho,
como explicado anteriormente.
Para uma tensão Vce elevada, a largura da região de transição de J2 que penetra na
camada de base é maior, de modo a reduzir a espessura efetiva da base, o que leva a um aumento
do ganho.
ganho de corrente
Vce = 2V (125 C)
Vce = 400 V (25 C)
Vce = 2 V (25 C)
log Ic
Figura 1.37 - Comportamento típico do ganho de corrente em função da tensão Vce, da
temperatura e da corrente de coletor.
1.6.6 Características de chaveamento

As características de chaveamento são importantes pois definem a velocidade de
mudança de estado e ainda determinam as perdas no dispositivo relativas às comutações, que são
dominantes nos conversores de alta freqüência. Definem-se diversos intervalos considerando
operação com carga resistiva ou indutiva. O sinal de base, para o desligamento é, geralmente,
negativo, a fim de acelerar o bloqueio do TBP.
a) Carga resistiva
A figura 1.38 mostra formas de onda típicas para este tipo de carga. O índice "r' se refere
a tempos de subida (de 10% a 90% dos valores máximos), enquanto "f" relaciona-se aos tempos
de descida. O índice "s" refere-se ao tempo de armazenamento e "d" ao tempo de atraso.
td: tempo de atraso

Corresponde a tempo de descarregamento da capacitância da junção b-e. Pode ser
reduzido pelo uso de uma maior corrente de base com elevado dib/dt.

tri: tempo de crescimento da corrente de coletor

Este intervalo se relaciona com a velocidade de aumento da carga estocada e depende da
corrente de base. Como a carga é resistiva, uma variação de Ic provoca uma mudança em Vce.
ts: tempo de armazenamento

Intervalo necessário para retirar (Ib<0) e/ou neutralizar os portadores estocados no coletor
e na base
tfi: tempo de queda da corrente de coletor

Corresponde ao processo de bloqueio do TBP, com a travessia da região ativa, da
saturação para o corte. A redução de Ic depende de fatores internos ao componente, como o
tempo de recombinação, e de fatores externos, como o valor de Ib (negativo).
Para obter um desligamento rápido deve-se evitar operar com o componente além da
quase-saturação, de modo a tornar breve o tempo de armazenamento.
b) Carga indutiva
Seja Io>0 e constante durante a comutação. A figura 1.39 mostra formas de onda típicas
com este tipo de carga.
b.1) Entrada em condução

Com o TBP cortado, Io circula pelo diodo (=> Vce=Vcc). Após td, Ic começa a crescer,
reduzindo Id (pois Io é constante). Quando Ic=Io, o diodo desliga e Vce começa a diminuir. Além
disso, pelo transistor circula a corrente reversa do diodo.
b.2) Bloqueio
Com a inversão da tensão Vbe (e de Ib), inicia-se o processo de desligamento do TBP.
Após tsv começa a crescer Vce. Para que o diodo conduza é preciso que Vce>Vcc. Enquanto isto
não ocorre, Ic=Io. Com a entrada em condução do diodo, Ic diminui, à medida que Id cresce (tfi).
Além destes tempos definem-se outros para carga indutiva: tti: (tail time): Queda de Ic de
10% a 2%; tc ou txo: intervalo entre 10% de Vce e 10% de Ic.
100%
90%
Sinal de base
10%
ton=ton(i)
toff=toffi
td=tdi ts=tsi tfi
tri
90%
Corrente de coletor
10%
ton(v) toff(v)
tdv tsv
tfv trv
+Vcc
90%
Tensão Vce
Vce(sat) 10%
CARGA RESISTIVA
Figura 1.38 - Característica típica de chaveamento de carga resistiva

Vb
Io
Lcarga Df
td
Ic
Io
R
carga
Vcc tti
Vce tsv
Ic Vcc
Vce
Figura 1.39 - Formas de onda com carga indutiva
1.6.7 Circuitos amaciadores (ou de ajuda à comutação) - "snubber"

O papel dos circuitos amaciadores é garantir a operação do TBP dentro da AOS,
especialmente durante o chaveamento de cargas indutivas.
a) Desligamento - Objetivo: atrasar o crescimento de Vce (figura 1.40)

Quando Vce começa a crescer, o capacitor Cs começa a se carregar (via Ds), desviando
parcialmente a corrente, reduzindo Ic. Df só conduzirá quando Vce>Vcc.
Quando o transistor ligar o capacitor se descarregará por ele, com a corrente limitada por
Rs. A energia acumulada em Cs será, então, dissipada sobre Rs.
Sejam as formas de onda mostradas na figura 1.41. Consideremos que Ic caia linearmente
e que Io é aproximadamente constante. Sem o circuito amaciador, supondo desprezível a
capacitância entre coletor e emissor, assim que o transistor inicia seu desligamento, a corrente de
coletor que vinha crescendo (ou estava constante), muda sua derivada tendendo a diminuir. Isto
produz uma tensão sobre a carga que leva o diodo de livre-circulação à condução, de modo que a
tensão Vce cresce praticamente para o valor da tensão de alimentação. Com a inclusão do circuito
amaciador, o diodo Df só conduzirá quando a tensão no capacitor Cs atingir Vcc. Assim,
considerando que Ic decai linearmente, a corrente por Cs cresce linearmente e a tensão sobre ele
tem uma forma quadrática. Fazendo-se com que Cs complete sua carga quando Ic=0, o pico de
potência se reduzirá a menos de 1/4 do seu valor sem circuito amaciador (supondo trv=0)
O valor de Rs deve ser tal que permita toda a descarga de Cs durante o mínimo tempo
ligado do TBP e, por outro lado, limite o pico de corrente em um valor inferior à máxima
corrente de pico repetitiva do componente. Deve-se usar o maior Rs possível.

Io
log Ic
Lcarga Df
sem amaciador
Io
Cs
R
carga
Vcc
Ic
Cs Vcs Vcc log Vce
Vce
Ds Rs
Figura 1.40 - Circuito amaciador de desligamento e trajetórias na AOS
Vcc
Vcc
Ic Ic
Vce Vce
Ic.Vcc
P P
tf
Figura 1.41 - Formas de onda no desligamento sem e com o circuito amaciador.
b) Entrada em condução: Objetivo: reduzir Vce e atrasar o aumento de Ic (figura 1.42)

No circuito sem amaciador, após o disparo do TBP, Ic cresce, mas Vce só se reduz quando
Df deixar de conduzir. A colocação de Ls provoca uma redução de Vce, além de reduzir a taxa de
crescimento de Ic.
Normalmente não se utiliza este tipo de circuito, considerando que os tempos associados
à entrada em condução são menores do que os de desligamento e que Ls, por ser de baixo valor,
pode ser substituído pela própria indutância parasita do circuito.
carga
Vcc
Ls
Rs Ds Df
Figura 1.42 - Circuito amaciador para entrada em condução.

1.6.8 Conexão Darlington

Como o ganho dos TBP é relativamente baixo, usualmente são utilizadas conexões
Darlington (figura 1.43), que apresentam como principais características:
- ganho de corrente β= β1(β2+1)+β2
- T2 não satura, pois sua junção B-C está sempre reversamente polarizada
- tanto o disparo quanto o desligamento são seqüenciais. No disparo, T1 liga primeiro,
fornecendo corrente de base para T2. No desligamento, T1 deve comutar antes, interrompendo a
corrente de base de T2.
T1
T2
Figura 1.43 - Conexão Darlington.
Os tempos totais dependem, assim, de ambos transistores, elevando, em princípio, as

perdas de chaveamento.
Considerando o caso de uma topologia em ponte (ou meia ponte), como mostrado na
figura 1.44, quando o conjunto superior conduz, o inferior deve estar desligado. Deve-se lembrar
aqui que existem capacitâncias associadas às junções dos transistores.
Quando o potencial do ponto A se eleva (pela condução de T2) a junção B-C terá
aumentada sua largura, produzindo uma corrente a qual, se a base de T3 estiver aberta, circulará
pelo emissor, transformando-se em corrente de base de T4, o qual poderá conduzir, provocando
um curto-circuito (momentâneo) na fonte.
A solução adotada é criar caminhos alternativos para esta corrente, por meio de
resistores, de modo que T4 não conduza.
Além destes resistores, é usual a inclusão de um diodo reverso, de emissor para coletor,
para facilitar o escoamento das cargas no processo de desligamento. Além disso, tal diodo tem
fundamental importância no acionamento de cargas indutivas, uma vez que faz a função do
diodo de circulação.
T1 T2
capacitâncias parasitas
A
i i carga
T3
T4
Figura 1.44 - Conexão Darlington num circuito em ponte.
Usualmente associam-se aos transistores em conexão Darlington, outros componentes,

cujo papel é garantir seu bom desempenho em condições adversas, como se vê na figura 1.45.

Figura 1.45 - Conexão Darlington com componentes auxiliares.
1.6.9 Métodos de redução dos tempos de chaveamento

Um ponto básico é utilizar uma corrente de base adequada, como mostra a figura 1.46.
As transições devem ser rápidas, para reduzir os tempo de atraso. Um valor elevado Ib1 permite
uma redução de tri. Quando em condução, Ib2 deve ter tal valor que faça o TBP operar na região
de quase-saturação. No desligamento, deve-se prover uma corrente negativa, acelerando assim a
retirada dos portadores armazenados.
Para o acionamento de um transistor único, pode-se utilizar um arranjo de diodos para
evitar a saturação, como mostrado na figura 1.47.
Neste arranjo, a tensão mínima na junção B-C é zero. Excesso na corrente Ib é desviado
por D1. D3 permite a circulação de corrente negativa na base.
Ib1
Ib2
dib/dt
dib/dt
Ibr
Figura 1.46 - Forma de onda de corrente de base recomendada para acionamento de TBP.
D1
D2
D3
Figura 1.47 - Arranjo de diodos para evitar saturação.
1.7 MOSFET
Enquanto o TBP foi inventado no final dos anos 40, já em 1925 fora registrada uma
patente (concedida em 1930 a Julius Edgard Lilienfeld, reproduzida na figura 1.48) que se referia
a “um método e um dispositivo para controlar o fluxo de uma corrente elétrica entre dois
terminais de um sólido condutor”. Tal patente, que pode ser considerada a precursora dos
Transistores de Efeito de Campo, no entanto, não redundou em um componente prático, uma vez
que não havia, então, tecnologia que permitisse a construção dos dispositivos. Isto se modificou
nos anos 60, quando surgiram os primeiros FETs, mas ainda com limitações importantes em
termos de características de chaveamento. Nos anos 80, com a tecnologia MOS, foi possível
construir dispositivos capazes de comutar valores significativos de corrente e tensão, em
velocidade superior ao que se obtinha com os TBP.

1.7.1 Princípio de funcionamento (canal N)

O terminal de gate é isolado do semicondutor por SiO2. A junção PN- define um diodo
entre Source e Drain, o qual conduz quando Vds<0. A operação como transistor ocorre quando
Vds>0. A figura 1.49 mostra a estrutura básica do transistor.
Quando uma tensão Vgs>0 é aplicada, o potencial positivo no gate repele as lacunas na
região P, deixando uma carga negativa, mas sem portadores livres. Quando esta tensão atinge um
certo limiar (Vth), elétrons livres (gerados principalmente por efeito térmico) presentes na região
P são atraídos e formam um canal N dentro da região P, pelo qual torna-se possível a passagem
de corrente entre D e S. Elevando Vgs, mais portadores são atraídos, ampliando o canal,
reduzindo sua resistência (Rds), permitindo o aumento de Id. Este comportamento caracteriza a
chamada "região resistiva".
A passagem de Id pelo canal produz uma queda de tensão que leva ao seu afunilamento,
ou seja, o canal é mais largo na fronteira com a região N+ do que quando se liga à região N-. Um
aumento de Id leva a uma maior queda de tensão no canal e a um maior afunilamento, o que
conduziria ao seu colapso e à extinção da corrente! Obviamente o fenômeno tende a um ponto de
equilíbrio, no qual a corrente Id se mantém constante para qualquer Vds, caracterizando a região
ativa do MOSFET. A figura 1.50 mostra a característica estática do MOSFET,
Uma pequena corrente de gate é necessária apenas para carregar e descarregar as
capacitâncias de entrada do transistor. A resistência de entrada é da ordem de 1012 ohms.
Estes transistores, em geral, são de canal N por apresentarem menores perdas e maior
velocidade de comutação, devido à maior mobilidade dos elétrons em relação às lacunas.
Vdd
Vgs
G
S +++++++++++++++
- - - - - - - - - - - - - - - -- - - - - - - -
- - - - - - - - - - - - - - -- - - - - -
N+ -Id
----------------
- - - - - - - -- - - -- -Id D
N- G
N+ S
Símbolo
D
SiO2
metal
Figura 1.49 - Estrutura básica de transistor MOSFET.

Fig. 1.48 - Pedido de patente de transistor FET

Reproduzida de Arthur D. Evans, “Designing with Field-Effect Transistors”, McGraw-Hill, New York, 1981.

A máxima tensão Vds é determinada pela ruptura do diodo reverso. Os MOSFETs não
apresentam segunda ruptura uma vez que a resistência do canal aumenta com o crescimento de
Id. Este fato facilita a associação em paralelo destes componentes.
A tensão Vgs é limitada a algumas dezenas de Volts, por causa da capacidade de isolação
da camada de SiO2.
Id
região
resistiva Vgs3
região ativa
Vgs2
Vgs1
Vdso
Vds
vgs3>Vgs2>Vgs1
Figura 1.50 - Característica estática do MOSFET.
1.7.2 Área de Operação Segura

A figura 1.51 mostra a AOS dos MOSFET. Para tensões elevadas ela é mais ampla que
para um TBP equivalente, uma vez que não existe o fenômeno de segunda ruptura. Para baixas
tensões, entretanto, tem-se a limitação da resistência de condução.
A: Máxima corrente de dreno contínua

B: Limite da região de resistência constante
C: Máxima potência (relacionada à máxima temperatura de junção)
D: Máxima tensão Vds
log Id
Id pico
Id cont
A
B C
Vdso log Vds
Figura 1.51 - AOS para MOSFET.
1.7.3 Característica de chaveamento - carga indutiva

a) Entrada em condução (figura 1.52)
Ao ser aplicada a tensão de acionamento (Vgg), a capacitância de entrada começa a se
carregar, com a corrente limitada por Rg. Quando se atinge a tensão limiar de condução (Vth),

após td, começa a crescer a corrente de dreno. Enquanto Id<Io, Df se mantém em condução e
Vds=Vdd. Quando Id=Io, Df desliga e Vds cai. Durante a redução de Vds ocorre um aparente
aumento da capacitância de entrada (Ciss) do transistor (efeito Miller), fazendo com que a
variação de Vgs se torne muito mais lenta (em virtude do "aumento" da capacitância). Isto se
mantém até que Vds caia, quando, então, a tensão Vgs volta a aumentar, até atingir Vgg.
Vgg
V+
Io
Vgs Df
V+
Vth
Cgd
Id Id=Io Vdd
Vds Cds
Rg
Vds
Vds on Vgs
Vgg
Cgs Id
td
CARGA INDUTIVA
Figura 1.52 - Formas de onda na entrada em condução de MOSFET com carga indutiva.
Na verdade, o que ocorre é que, enquanto Vds se mantém elevado, a capacitância que
drena corrente do circuito de acionamento é apenas Cgs. Quando Vds diminui, a capacitância
entre dreno e source se descarrega, o mesmo ocorrendo com a capacitância entre gate e dreno. A
descarga desta última capacitância se dá desviando a corrente do circuito de acionamento,
reduzindo a velocidade do processo de carga de Cgs, o que ocorre até que Cgd esteja
descarregado.
Os manuais fornecem informações sobre as capacitâncias operacionais do transistor
(Ciss, Coss e Crss), mostradas na figura 1.53, as quais se relacionam com as capacitâncias do
componente por:
Ciss = Cgs + Cgd , com Cds curtocircuitada
Crs = Cgd
Coss ~ Cds + Cgd
b) Desligamento
O processo de desligamento é semelhante ao apresentado, mas na ordem inversa. O uso
de uma tensão Vgg negativa apressa o desligamento, pois acelera a descarga da capacitância de
entrada.
Como os MOSFETs não apresentam cargas estocadas, não existe o tempo de
armazenamento, por isso são muito mais rápidos que os TBP.

C (nF)
C (nF)
4
Ciss 4
Cgs
3
3
Coss Cds
2
2
1
Crss 1 Cgd
0
0
0 10 20 30 40 Vds (V) 0 10 20 30 40 Vds (V)
Figura 1.53 - Capacitâncias de transistor MOSFET
1.8 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
O IGBT alia a facilidade de acionamento dos MOSFET com as pequenas perdas em

condução dos TBP. Sua velocidade de chaveamento, em princípio semelhante à dos transistores
bipolares, tem crescido nos últimos anos, permitindo operação em dezenas de kHz, nos
componentes para correntes na faixa de algumas dezenas de Ampéres.

A estrutura do IGBT é similar à do MOSFET, mas com a inclusão de uma camada P+
que forma o coletor do IGBT, como se vê na figura 1.54.
Em termos simplificados pode-se analisar o IGBT como um MOSFET no qual a região
N- tem sua condutividade modulada pela injeção de portadores minoritários (lacunas), a partir da
região P+, uma vez que J1 está diretamente polarizada. Esta maior condutividade produz uma
menor queda de tensão em comparação a um MOSFET similar.
O controle de componente é análogo ao do MOSFET, ou seja, pela aplicação de uma
polarização entre gate e emissor. Também para o IGBT o acionamento é feito por tensão.
A máxima tensão suportável é determinada pela junção J2 (polarização direta) e por J1
(polarização reversa). Como J1 divide 2 regiões muito dopadas, conclui-se que um IGBT não
suporta tensões elevadas quando polarizado reversamente.
Os IGBTs apresentam um tiristor parasita. A construção do dispositivo deve ser tal que
evite o acionamento deste tiristor, especialmente devido às capacitâncias associadas à região P, a
qual relaciona-se à região do gate do tiristor parasita. Os modernos componentes não apresentam
problemas relativos a este elemento indesejado.
Gate (porta)
Emissor
SiO2
N+ N+
J3
metal
C
P
B
J2
N-
N+
J1
P+
Coletor
Figura 1.54 - Estrutura básica de IGBT.

1.8.2 Características de chaveamento

A entrada em condução é similar ao MOSFET, sendo um pouco mais lenta a queda da
tensão Vce, uma vez que isto depende da chegada dos portadores vindos da região P+.
Para o desligamento, no entanto, tais portadores devem ser retirados. Nos TBPs isto se dá
pela drenagem dos portadores via base, o que não é possível nos IGBTs, devido ao acionamento
isolado. A solução encontrada foi a inclusão de uma camada N+, na qual a taxa de recombinação
é bastante mais elevada do que na região N-. Desta forma, as lacunas presentes em N+
recombinam-se com muita rapidez, fazendo com que, por difusão, as lacunas existentes na região
N- refluam, apressando a extinção da carga acumulada na região N-, possibilitando o
restabelecimento da barreira de potencial e o bloqueio do componente.
1.9 Alguns critérios de seleção entre transistores
Pode-se desconsiderar o uso de TBP em novos projetos.

Um primeiro critério é o dos limites de tensão e de corrente. Os MOSFET possuem uma
faixa mais reduzida de valores, ficando, tipicamente entre: 100V/200A e 1000V/20A.
Já IGBT atingem potências mais elevadas, indo até 3kV/3kA. Estes componentes de
maior potência comutam apenas em baixa freqüência, e não são adequados para a realização de
fontes chaveadas. Os componentes de menor potência (centenas de Voltes e dezenas de
Ampéres) podem comutar na faixa de dezenas de kHz.
Outro importante critério para a seleção refere-se às perdas de potência no componente.
Assim, em aplicações em alta freqüência (acima de 50kHz) devem ser utilizados MOSFETs. Em
freqüências mais baixas, quaisquer dos dois componentes podem responder satisfatoriamente.
No entanto, as perdas em condução dos IGBTs são sensivelmente menores que as dos
MOSFET.
Como regra básica: em baixa tensão e alta freqüência: MOSFET
em alta tensão e baixa freqüência: IGBT
1.10 IGCT
O IGCT é um dispositivo surgido no final da década de 90, capaz de comutação

comandada para ligar e desligar, com aplicações em média e alta potência.
Em termos de aplicações, é um elemento que pode substituir os GTOs.
Além de algumas melhorias no projeto do dispositivo, a principal característica do IGCT,
que lhe dá o nome, é a integração do circuito de comando junto ao dispositivo de potência, como
mostrado na figura 1.55. Tal implementação permite minimizar indutâncias neste circuito, o que
resulta na capacidade de desligamento muito rápida (da ordem de 1 μs), e praticamente
eliminando problemas de dv/dt típicos dos GTOs. Com isso, a ligação série destes componentes
é muito facilitada.
Esta unidade de comando necessita apenas da informação lógica para o liga-desliga
(normalmente fornecida por meio de fibra ótica) e de uma fonte de alimentação para o circuito.
O consumo do circuito de comando é entre 10 e 100W.
Como um tiristor, as perdas em condução são muito baixas. A freqüência típica de
comutação está na faixa de 500 Hz. No entanto, diferentemente do GTO, que necessita de
capacitores para limitar o dv/dt no desligamento, o limite superior de freqüência de comutação é
dado apenas pela temperatura do dispositivo (dependente das perdas de condução), o que
permite, em princípio, seu uso em freqüências da ordem de dezenas de kHz.
Na entrada em condução é preciso um indutor que limite o di/dt.

A operação do IGCT no desligamento se deve ao fato de que, pela ação do circuito de

comando, a estrutura pnpn do tiristor é convertida em uma estrutura de transistor pnp,
imediatamente antes do desligamento. Isto é feito com o desvio da totalidade da corrente de
catodo pelo circuito de gate, enquanto aplica uma tensão negativa de gate. Disto resulta um
dispositivo que dinâmica e estaticamente se desliga como um IGBT, mas que conduz como um
tiristor, como mostra a figura 1.56.
São possíveis dispositivos com condução assimétrica ou com diodo reverso integrado.
Figura 1.55 IGCT e seu circuito de comando integrado ao dispositivo de potência e circuito de
inversor com IGCT.
Figura 1.56. IGCT conduzindo, IGCT bloqueando e formas d eonda no desligamento.

(Figuras extraídas da referência Steimer, 2001)
1.11 Materiais Emergentes
Embora existam alguns diodos realizados com outros materiais (Arseneto de Gálio e
Carbeto de Silício), o silício é atualmente praticamente o único material utilizado para a
fabricação de componentes semicondutores de potência. Isto se deve ao fato de que se tem
tecnologia para fazer o crescimento de monocristais de silício com pureza e em diâmetro
suficientes, o que ainda não é possível para outros materiais.
Existem, no entanto, outros materiais com propriedades superiores, em relação ao silício,
mas que ainda não são produzidos em dimensões e grau de pureza necessários à fabricação de
componentes de potência.
Arseneto de Gálio (GaAs) é um destes materiais. Por possuir um maior gap de energia,
sempre em relação ao silício, dispositivos construídos a partir deste material apresentam menor
corrente de fuga e, assim, poderiam operar em temperaturas mais elevadas. Uma vez que a

mobilidade dos portadores é muito maior no GaAs, tem-se um componente com menor
resistência de condução, especialmente nos dispositivos com condução por portadores
majoritários (MOSFET). Além disso, por apresentar uma maior intensidade de campo elétrico de
ruptura, ele poderia suportar maiores tensões.
A tabela 1.1 mostra propriedades de diversos materiais a partir dos quais pode-se,
potencialmente, produzir dispositivos semicondutores de potência.
Carbetos de Silício são materiais sobre os quais se fazem intensas pesquisas. O gap de
energia é maior que o dobro do Si, permitindo operação em temperaturas elevadas.
Adicionalmente apresenta elevada condutividade térmica (que é baixa para GaAs), facilitando a
dissipação do calor produzido no interior do semicondutor. Sua principal vantagem em relação
tanto ao Si quanto ao GaAs é a intensidade de campo elétrico de ruptura, que é aumentada em
uma ordem de grandeza.
Outro material de interesse potencial é o diamante. Apresenta, dentre todos estes
materiais, o maior gap de energia, a maior condutividade térmica e a maior intensidade de
campo elétrico, além de elevada mobilidade de portadores.
Uma outra análise pode ser feita comparando o impacto dos parâmetros mostrados na
tabela 1.I sobre algumas características de componentes (hipotéticos) construídos com os novos
materiais. As tabelas 1.II a 1.IV mostram as variações de alguns parâmetros. Tomem-se os
valores do Si como referência. Estas informações foram obtidas em Mohan, Robbins e Undeland
(1994).
Tabela 1.I Propriedades de materias semicondutores

Propriedade Si GaAs 3C-SiC 6H-SiC Diamante
Gap de energia a 300K (eV) 1,12 1,43 2,2 2,9 5,5
Condutividade térmica (W/cm.C) 1,5 0,5 5,0 5,0 20
Mobilidade a 300K (cm2/V.s) 1400 8500 1000 600 2200
Campo elétrico máximo (V/cm) 3.105 4.105 4.106 4.106 1.107
Temperatura de fusão (ºC) 1415 1238 Sublima Sublima Muda de
>> 1800 >>1800 fase 2200*
* Diamante Æ grafite
Nota-se (tabela 1.II) que as resistências da região de deriva são fortemente influenciadas
pelos materiais. Estes valores são determinados considerando as grandezas indicadas na tabela
1.I. A resistência de um componente de diamante teria, assim, um valor cerca de 30000 vezes
menor do que se tem hoje num componente de Si. O impacto sobre a redução das perdas de
condução é óbvio.
Na tabela 1.III tem-se, para um dispositivo que deve suportar 1kV, as necessidades de
dopagem e o comprimento da região de deriva. Nota-se também aqui que os novos materiais
permitirão uma redução drástica no comprimento dos dispositivos, implicando numa menor
quantidade de material, embora isso não necessariamente tenha impacto sobro o custo. Um
dispositivo de diamante seria, em princípio, capaz de suportar 1kV com uma dopagem elevada
na região de deriva e num comprimento de apenas 2μm, ou seja, 50 vezes menos que um
componente equivalente de Si.
Na tabela 1.IV tem-se expressa a redução no tempo de vida dos portadores no interior da
região de deriva. Este parâmetro tem implicações sobre a velocidade de comutação dos
dispositivos, sendo, assim, esperável que componentes de diamante, sejam algumas ordens de
grandeza mais rápidos que os atuais componentes de Si.

Tabela 1.II Resistência ôhmica da região de deriva

Material Si GaAs SiC Diamante
Resistência relativa 1 6,4.10-2 9,6.10-3 3,7.10-5
Tabela 1.III Dopagem e comprimento da região de deriva necessário para uma junção abrupta
suportar 1kV
Dopagem (cm-3) 1,3.1014 5,7.1014 1,1.1016 1,5.1017
Comprimento (μm) 100 50 10 2
Tabela 1.IV Tempo de vida de portador (na região de deriva) para uma junção pn com ruptura de
1000V
Tempo de vida 1,2 μs 0,11 μs 40 ns 7 ns
Muitos problemas tecnológicos ainda devem ser solucionados para que estes materiais se
constituam, efetivamente, em alternativas para o Si. Silício é um material que vem sendo
estudado há quase meio século e com enormes investimentos. O mesmo não ocorre com os
demais materiais.
O GaAs vem sendo estudado nas últimas 2 décadas, mas com uma ênfase em dispositivos
rápidos, seja para aplicações computacionais, seja em comunicações óticas. Não existe ainda
tecnologia para produzir pastilhas com o grau de pureza e dimensão necessárias à construção de
componentes de potência. Além disso, em relação ao Si, este material não possui um óxido
natural (como é o SiO2), dificultando a formação de camadas isolantes e de máscaras para os
processos litográficos. Em 1994 a Motorola anunciou o lançamento comercial de diodo Schottky
de 600V. No entanto, embora para este componente específico o aumento da tensão seja
significativo, as vantagens do GaAs sobre o Si são incrementais, quando comparadas com os
outros materiais.
Para componentes de SiC, em 2003 a Infineon passou a comercializar um diodo
Schottky, para 600V, com corrente até 12 A (SDP12S06). Não está disponível nenhum
componente de estrutura mais complexa, em nível de potência compatível com as aplicações de
interesse. O custo deste componente ainda é muito elevado frente aos dispositivos de Si.
Quanto ao diamante, não existe ainda uma tecnologia para construção de "waffers" de
monocristal de diamante. Os métodos existentes para produção de filmes finos levam a estruturas
policristalinas. A difusão seletiva de dopantes e a realização de contatos ôhmicos ainda devem
ser objeto de profundas pesquisas.
1.12 Referências Bibliográficas
B. Wu, High-Power Converters and AC Drives. New York: Wiley-IEEE Press, 2005
Grafham, D.R. e Golden, F.B., editors: SCR Manual. General Electric, 6th ed., 1979, USA.
Rice, L.R., editor: SCR Designers Handbook. Westinghouse Electric Co., 1970, USA
Hoft, R.G., editor: SCR Applications Handbook. International Rectifiers, 1977, USA

Tsuneto Sekiya, S. Furuhata, H. Shigekane, S. Kobayashi e S. Kobayashi: “Advancing Power

Transistors and Their Applications to Electronic Power Converters”, Fuji Electric Co.,
Ltd., 1981
Edwin S. Oxner: “MOSPOWER Semiconductor”, Power Conversion International,

Junho/Julho/Agosto/Setembro 1982, Artigo Técnico Siliconix TA82-2
B. Jayant Baliga: “Evolution of MOS-Bipolar Power Semiconductos Technology”, Proceedings

of the IEEE, vol 76, no. 4, Abril 1988, pp. 409-418
V. A. K. Temple: “Advances in MOS-Controlled Thyristor Technology”, PCIM, Novembro

1989, pp. 12-15.
N. Mohan, T. M. Undeland and W. P. Robbins: “Power Electronics - Converters, Applications

and Design”, John Wiley & Sons, Inc., Second Ed., 1995
Bimal K. Bose “Power Electronics - A Technology Review”, Proceedings of the IEEE, vol 80,
no. 8, August 1992, pp. 1303-1334.
Detemmerman, B.: Parallel and Serie Connection of GTOs in Traction Applications. I European
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Hausles, M. e outros: Firing System and Overvoltage Protection for Thyristor Valves in Static
VAR Compensators. Brown Boveri Review, 4-1987, pp. 206-212
Miller, T.J.E.: Reactive Power Control in Electric Systems. John Wiley & Sons, 1982, USA
E. Duane Wolley: Gate Turn-off in p-n-p-n devices. IEEE Trans. On Electron Devices,
vol. ED-13, no.7, pp. 590-597, July 1966
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A. Woodworth: Understanding GTO data as an aid to circuit design. Electronic Components and
Applications, vol 3, no. 3, pp. 159166, Julho 1981
Steyn, C.G.; Van Wyk, J.D.: Ultra Low-loss Non-linear Turn-off Snubbers for Power Electronics
Switches. I European Conference on Power Electronics and Applications, 1985.
Edwin S. Oxner: Power Conversion International, Junho/Julho/Agosto/Setembro 1982. Artigo

Técnico Siliconix TA82-2 MOSPOWER Semiconductor
V. A. K. Temple: Advances in MOS-Controlled Thyristor Technology. PCIM, Novembro 1989,

pp. 12-15.
Arthur D. Evans, “Designing with Field-Effect Transistors”, McGraw-Hill, New York, 1981.
P. Steimer, O. Apeldoorn, E. Carroll e A.Nagel: “IGCT Technology baseline and future

opportunities”, IEEE PES Summer Meeting, Atlanta, USA, October 2001.

Eletrônica de Potência – Cap. 2 J. A.Pomilio
2. TÉCNICAS DE MODULAÇÃO DE POTÊNCIA
Uma vez que as fontes de alimentação são, tipicamente, de valor constante, sejam elas
CA ou CC, caso seja preciso variar a tensão aplicada sobre uma carga, é necessário o emprego de
algum dispositivo que seja capaz de "dosar" a quantidade de energia transferida.
Se o controle deve ser feito sobre a tensão, o dispositivo deve ter uma posição em série
entre a fonte e a carga, como indicado na figura 2.1.
Pode-se ter um atuador linear, sobre o qual tem-se uma queda de tensão proporcional à
sua impedância. Este tipo de controle da tensão tem como inconveniente a perda de energia
sobre a resistência série.
A maneira mais eficiente e simples de manobrar valores elevados de potência é por meio
de chaves. Obviamente esta não é uma variação contínua. No entanto, dada a característica de
armazenadores de energia presentes em quase todas as aplicações, a própria carga atua como um
filtro, extraindo o valor médio da tensão instantânea aplicada sobre ela.
Como uma chave ideal apresenta apenas os estados de condução (quando a tensão sobre
ela é nula) e de bloqueio (quando a corrente por ela é nula), não existe dissipação de potência
sobre ela, garantindo a eficiência energética do arranjo.
Na maior parte dos casos, a freqüência de comutação da chave é muito maior do que a
constante de tempo da carga.
+ Vr -
S
+ Rr + + +
Carga Vo Carga vo
Vi Vi
-
Vo=Vi-Vr Vo = vo
Vi Vi vo
Vo
Vo
Vr
t t
(a) (b)
Figura 2.1 Reguladores de tensão série (a) e chaveado (b),
supondo uma tensão de entrada CC.
2.1. Entrada CA: Controle por ciclos inteiros
O controle "ON-OFF" consiste em ligar e desligar a alimentação da carga sem se

importar com o instante de comutação. O intervalo de condução e também o de bloqueio do
interruptor é tipicamente de muitos ciclos da rede. A comutação não guarda nenhuma relação
com os cruzamentos com o zero da tensão da rede. Assim, pode-se ter um “recorte” nas formas
de onda, podendo produzir eventuais problemas de interferências eletromagnéticos devido a
valores elevados de di/dt e dv/dt nos elementos do circuito.
O chaveamento síncrono é um tipo de controle "ON-OFF" utilizado para minimizar o
problema de interferência eletromagnética. Considerando o emprego de tiristores como

elementos interruptores, a entrada em condução pode se dar quando tensão for nula, e o
desligamento ocorre quanto a corrente se anula. Em caso de uma carga resistiva, ambas
comutações se dão com corrente e tensão nulas. Também neste caso a carga fica conectada à
rede durante diversos semiciclos.
Neste sistema, escolhe-se uma base de tempo contendo muitos ciclos da tensão de
alimentação. A precisão do ajuste da saída depende, assim, da base de tempo utilizada. Por
exemplo, numa base de 1 segundo existem 120 semiciclos. O ajuste da tensão aplicada à carga
pode ter uma resolução mínima de 1/120.
Um método de se conseguir o controle é usar um gerador de sinal triangular de freqüência
fixa que é comparado com um sinal CC de controle. O sinal triangular estabelece a base de
tempo do sistema. O sinal de controle Vc vem do circuito de controle da variável de interesse
(por exemplo, a temperatura de um forno). A potência entregue à carga varia proporcionalmente
a este sinal. A figura 2.2 ilustra este funcionamento.
Vrampa
Vc
T
t1
Tensão sobre a carga
Figura 2.2 Operação de controle por ciclos inteiros.
t1
O valor eficaz da tensão aplicada à carga é dado por: Vef = Vp , sendo Vp o valor de
2T
pico da tensão senoidal.
Embora os problemas de IEM em alta freqüência sejam muito reduzidos, podem surgir
outros, decorrentes de flutuação na tensão da rede, devido às comutações da carga.
A norma internacional IEC 61000-3-3 estabelece limites para flutuações de tensão em
baixa freqüência, como mostra a figura 2.3. Dependendo da freqüência com que se dá a
comutação da carga, existe um valor máximo admissível de variação de tensão no ponto de
acoplamento comum. Por exemplo, uma carga que produza uma flutuação na tensão de 1,5 %
poderia alterar seu estado entre ligado e desligado no máximo 7 vezes por minuto.
Uma das maneiras de verificar se uma carga de uso doméstico fere a tais limitações é
utilizando-se de uma impedância típica, definida pela norma, e mostrada na figura 2.3.
Conhecida a potência da carga, sabe-se qual será a variação da tensão medida por M. Este é um
método analítico. Existem métodos experimentais, que estão relacionados com esta norma, mas
se atêm ao fenômeno de cintilação luminosa (“flicker”), que relaciona a flutuação da tensão à
variação da intensidade luminosa de uma lâmpada incandescente.

d (%)
Número de comutações por minuto
L
~
G Ra jXa
EST
N
Rn jXn
S M
Figura 2.3 Relação entre a taxa de flutuação da tensão e o número de transições e impedância
típica definida pela norma
onde:
EST- equipamento sob teste
M- equipamento de medida
S- fonte de energia consistindo de um gerador G e uma impedância de referência Z, com os
elementos:
Ra= 0,24Ω Xa= 0,15Ω a 50 Hz
Rn= 0,16Ω Xn= 0,10Ω a 50 Hz
2.2 Entrada CA: Controle de fase
Quando a tensão de alimentação é alternada, é mais usual o uso de tiristores como

interruptores, seja para um ajuste na própria tensão CA, seja para a conversão de uma tensão CA
em CC (retificação).
O modo mais comum de variar o valor de uma tensão CA é por meio do chamado
Controle de Fase, no qual, dado um semiciclo da rede, a chave é acionada em um determinado
ângulo, fazendo com que a carga esteja conectada à entrada por um intervalo de tempo menor ou
igual a um semiciclo.

a) Carga resistiva
A título de exemplo, tomemos o caso de um variador de tensão CA, alimentando uma
carga resistiva, cujo circuito e formas de onda estão mostrados na figura 2.4. Para uma carga
resistiva, o desligamento do SCR se dará no momento em que a corrente cai a zero. Obviamente
as formas de onda da tensão e da corrente na carga são as mesmas.
O valor da tensão eficaz aplicada à carga resistiva é:
( )
π
1 1 α sin( 2α)
Vo ef = ∫ V p ⋅ sin( θ) ⋅ dθ = Vp ⋅ − +
2
(2.1)
πα 2 2π 4π
onde:
vi(t)=Vp . sin (θ)
θ = ωt
α é o ângulo de disparo do SCR, medido a partir do cruzamento da tensão com o zero.
200V
100V
S1
i(t)
0V
Ro
vi(t) S2 v
o
-100V
. -200V
0s 5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms 35ms 40ms
Figura 2.4 Circuito e forma de onda de variador de tensão CA alimentando carga resistiva.
A figura 2.5 mostra a variação da tensão eficaz de saída como função do ângulo de
disparo, supondo condução simétrica de ambas chaves. A componente fundamental e as
componentes harmônicas da tensão na carga estão mostradas também na figura 2.5 e são dadas
por:
⎡ π − α sin( 2α) ⎤
Vh1 = Vp ⋅ ⎢ + +
[cos(2α) − 1]
2 2
(2.2)
⎣ π 2 π ⎥⎦ ( 2 π) 2
Vp k2 − k + 1 cos(2α) cos(2kα) cos[2( k − 1)α]

Vh ( 2 k −1) = − + 2 −
π 2 k ⋅ ( k − 1)
2 2
2k ⋅ ( k − 1) 2 k ⋅ ( k − 1) 2 k ⋅ ( k − 1) 2
para k inteiro e maior que 1.

Como se observa, esta técnica de modulação produz saída com amplo conteúdo espectral
e em baixa freqüência, o que dificulta uma eventual filtragem, caso necessário, devido aos
elevados valores de indutância e capacitância necessários. Resultados semelhantes são obtidos
com outros tipos de cargas e também em conversores CA-CC (retificadores), os quais serão
vistos com atenção em capítulos posteriores.

Tensão de saída
1
0.5
0 1 α 2 π [rad]
Amplitude normalizada das harmônicas

1
Harmônica 1
0.8
0.6
0.4
Harmônica 3
0.2 Harmônica 5
Harmônica 7
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
α
Figura 2.5 Valor eficaz da tensão de saída, normalizada em relação ao valor eficaz da tensão de
entrada (superior) e amplitude das harmônicas, normalizadas em relação à amplitude da tensão
de entrada, para carga resistiva (inferior).
b) Carga indutiva
A figura 2.6 mostra topologia e formas de onda típicas em um variador de tensão, para
alimentação monofásica, tendo como carga uma indutância pura. Esta configuração é típica de
um Reator Controlado por Tiristor (RCT).
A operação, neste caso, só é possível para ângulos de disparo entre 90o e 180o. Se o
disparo ocorrer para um ângulo inferior a 90o, a corrente pelo indutor S1 não terá se anulado
quando ocorrer o pulso para S2, de modo que S2 não poderá entrar em condução. Após alguns
instantes a corrente irá a zero, desligando S1, o qual, ao receber o novo pulso de disparo, entrará
novamente em condução. Desta forma, ao invés de se ter uma corrente CA sobre a indutância,
ela será uma corrente unidirecional.
Uma alternativa para garantir uma corrente bidirecional é, ao invés de enviar apenas um
pulso de disparo, manter o sinal de comando até o final de cada semiciclo. Isto faz com que o
controlador de tensão se comporte como um curto, mantendo uma corrente CA, mas sem
controle.

40A
i(t)
S1
i(t) Corrente na carga
extinção de S1
L -40A
200V
vi(t) S2 v vo(t)
disparo de S2 Tensão na carga
o
α
disparo de S1
. -200V
Figura 2.6 Circuito e formas de onda de variador de tensão CA com carga indutiva.
A corrente obedece à seguinte expressão:
Vi
i(t) = ⋅ [ cos(α ) − cos(ωt )] (2.3)
ωL
O valor eficaz da tensão de saída é:
π − α sin( 2α )
Vo ef = Vi ⋅ +
π 2π
A figura 2.7 mostra a variação do valor desta tensão (normalizado em relação à tensão de
entrada), como função do ângulo de disparo.
As amplitudes das componentes fundamental e harmônicas (ímpares) são mostradas na
figura 2.7 e valem, respectivamente, para as tensões:
2 Vi ⎡ sin( 2α ) ⎤
Vh1 = ⋅ ⎢π − α + (2.4)
π ⎣ 2 ⎥⎦
2Vi ⎧ sin (2kα ) sin[2(k − 1)α ]⎫

Vh ( 2 k −1) = ⋅⎨ − ⎬ para k=2,3... (2.5)
π ⎩ 2k 2(k − 1) ⎭
Os valores eficazes das componentes fundamental e harmônicas (ímpares) da corrente na

carga valem, respectivamente:
γ − sin ( γ )
I1 = ⋅V (2.6)
π ⋅ XL
4V sin[(k + 1) ⋅ α ] sin[(k − 1) ⋅ α] sin (k ⋅ α)

Ik = ⋅ + − cos(α) ⋅
XL ⋅ π 2(k + 1) 2(k − 1) k
para k=3,5,7...
V é o valor eficaz da tensão de entrada, γ é o ângulo de condução do SCR e XL é a reatância do

indutor na freqüência fundamental.

Tensão eficaz de saída
0.5
0 1
π/2 2 3 [rad]
α
Componentes harmônicas Componentes harmônicas normalizadas da

1
1
1a 1
0.5 0.5
a
3
a
5 3
7a 0
5
2 2.5 3 π
π/2
0
π/2 2 α 2.5 3 π α
Figura 2.7 Tensão eficaz, normalizada (superior) e amplitude (normalizada) das harmônicas da
tensão e da corrente sobre uma carga indutiva (inferior)
2.3 Entrada CC: Modulação por largura de pulso

Tomemos o circuito mostrado na figura 2.8 na qual se tem um circuito alimentado por
uma fonte CC e do qual se deseja obter na saída uma tensão CC mas de valor diferente (no caso
menor que a entrada). Tal topologia será detalhadamente estudada na seqüência deste curso.
vo
T L E
E D vo C R Vo
Vo
t
T τ t
Figura 2.8 Conversor abaixador de tensão e forma de onda da tensão sobre o diodo.
Considerando chaves semicondutoras ideais, elas estão ou no estado bloqueado ou em

plena condução. A tensão média de saída depende da relação entre o intervalo em que a chave
permanece fechada e o período de chaveamento. Define-se ciclo de trabalho (largura de pulso ou
razão cíclica) como a relação entre o intervalo de condução da chave e o período de
chaveamento.
Em Modulação por Largura de Pulso – MLP (em inglês. Pulse Width Modulation –
PWM) opera-se com freqüência constante, variando-se o tempo em que o interruptor permanece
conduzindo.

O sinal de comando é obtido, geralmente, pela comparação de um sinal de controle

(modulante) com uma onda periódica (portadora) como, por exemplo, uma "dente-de-serra". A
figura 2.9 ilustra estas formas de onda.
Para que a relação entre o sinal de controle e a tensão média de saída seja linear, como
desejado, a portadora deve apresentar uma variação linear e, além disso, a sua freqüência deve
ser, pelo menos, 10 vezes maior do que a modulante, de modo que seja relativamente fácil filtrar
o valor médio do sinal modulado (MLP), recuperando, sobre a carga, uma tensão contínua
proporcional à tensão de controle (vc).
vp
vc vp
-
vo
vo
vc
+
Vo
Figura 2.9 Modulação por Largura de Pulso.
Na figura 2.10 tem-se o espectro de uma onda MLP, onde se observa a presença de uma
componente contínua que reproduz o sinal modulante. As demais componentes aparecem nos
múltiplos da freqüência da portadora sendo, em princípio, relativamente fáceis de filtrar dada sua
alta freqüência.
8.0V
6.0V
4.0V
2.0V
0V
0Hz 50KHz 100KHz 150KHz 200KHz
Figura 2.10 Espectro de sinal MLP.
2.4 Entrada CC: Inversores com comutação em baixa freqüência

Consideremos agora que se tem uma entrada CC. Tome-se o circuito de um inversor
(conversor CC-CA) monofásico mostrado na figura 2.11.
As leis de modulação são numerosas, a mais simples talvez seja a que produz uma onda
retangular, numa freqüência constante (eventualmente até zero - sinal CC), porém ajustável.
Uma tensão positiva é aplicada à carga quando T1 e T4 conduzirem (estando T2 e T3
desligados). A tensão negativa é obtida complementarmente. O papel dos diodos associados aos
transistores é garantir um caminho para a corrente caso a carga apresente característica indutiva.
Note que a condução dos diodos não afeta a forma da tensão desejada. Este tipo de modulação

não permite o controle da amplitude nem do valor eficaz da tensão de saída, a qual poderia ser
variada apenas se a tensão de entrada, E, fosse ajustável.
O espectro de uma onda quadrada é conhecido e apresenta todos os componentes
ímpares, com decaimento de amplitude proporcional à freqüência dos mesmos.
D2 T2 D1 T1 V
Ia S
+E
A
T2/T3 I
Vs Carga a
E
B Monofásica T1/T4
-E
D1 D2
D4 T4 D3 T3 D4 D3
Figura 2.11 Inversor monofásico e forma de onda quadrada de saída (carga indutiva).
2.4.1 Modulação com onda quase-quadrada.

Uma alternativa que permite ajustar o valor eficaz da tensão de saída e eliminar algumas
harmônicas é a chamada onda quase-quadrada, na qual se mantém um nível de tensão nulo sobre
a carga durante parte do período, como mostrado na figura 2.12 com o respectivo espectro.
Para obter este tipo de onda, uma possibilidade é a seguinte: quando se deseja tensão
positiva na carga mantém-se T1 e T4 conduzindo (T2 e T3 desligados). A tensão negativa é
obtida complementarmente. Os intervalos de tensão nula são obtidos mantendo T1 conduzindo e
desligando T4. Com corrente positiva, D2 entrará em condução. Quando T1 desligar D3 entra
em condução, aguardando o momento em que T2 e T3 conduzem, o que ocorre quando a
corrente se inverte. O intervalo de tensão nula seguinte é obtido com o desligamento de T3 e a
continuidade de condução de T2.
Nota-se que estão presentes os múltiplos ímpares da freqüência de chaveamento, o que
significa que a filtragem de tal sinal para a obtenção apenas da fundamental exige um filtro com
freqüência de corte muito próxima da própria freqüência desejada. Este espectro varia de acordo
com a largura do pulso. Para este caso particular não estão presentes os múltiplos da terceira
harmônica.
V
S
+V D2/D3
T1/D2
T2/T3 I
A
T1/T4
-V D1/D4 T2/D1
o o
1.5A 0 120 o 180 o 300 o 360
0A
0Hz 1.0KHz 2.0KHz 3.0KHz 4.0KHz 5.0KHz 6.0KHz
Frequency
Figura 2.12 Forma de onda e espectro da onda quase-quadrada.
2.4.2 Modulação multinível

Uma outra estratégia de modulação que produz reduzidas harmônicas é a multinível.
Neste caso, a tensão de saída é produzida por diversos módulos inversores conectados em série,

cada um acionado no momento adequado, de modo a tentar reproduzir uma forma de onda que se
aproxime de uma senóide (ou de uma outra forma desejada).
Na figura 2.13 tem-se um diagrama esquemático do conversor multinível que utiliza
diversos inversores de onda quase-quadrada para obter o sinal multinível.
Inversor onda
E V3
quase-quadrada
Inversor onda 3E
E V2
quase-quadrada
Vo
Inversor onda
E V1
quase-quadrada
Figura 2.13 Diagrama esquemático de conversor multinível.
Existem outras topologias que também permitem obter sinais deste tipo, sem recorrer à
simples associação de conversores. Em 2.14 tem-se uma forma de onda deste tipo e o respectivo
espectro. Nota-se que a distorção harmônica é reduzida, embora existam componentes espectrais
em baixa freqüência. Os filtros necessários à obtenção de uma onda senoidal devem ter uma
freqüência de corte baixa, uma vez que as componentes harmônicas apresentam-se em múltiplos
da freqüência da rede. No entanto, a atenuação não precisa ser muito grande, uma vez que as
amplitudes das harmônicas são pequenas. Aumentando-se o número de pulsos as primeiras
harmônicas surgirão em freqüências mais elevadas. No caso de N níveis, as componentes são de
freqüências múltiplas de (2N+1).
1 11 13 23 25 ordem harmônica
Figura 2.14 Forma de onda e espectro de sinal multinível.
2.5 Conversor CC-CA com Modulação por Largura de Pulso - MLP

Uma outra maneira de obter um sinal alternado de baixa freqüência é através de uma
modulação em alta freqüência.
De uma maneira analógica, é possível obter este tipo de modulação ao se comparar uma
tensão de referência (que seja imagem da tensão de saída buscada), com um sinal triangular

simétrico, cuja freqüência determine a freqüência de chaveamento. A freqüência da onda

triangular (chamada portadora) deve ser, no mínimo 10 vezes superior à máxima freqüência da
onda de referência, para que se obtenha uma reprodução aceitável do sinal de referência, agora
modulado, na forma de onda sobre a carga, após efetuada a adequada filtragem. A largura do
pulso de saída do modulador varia de acordo com a amplitude relativa da referência em
comparação com a portadora (triangular). Tem-se, assim, uma Modulação por Largura de Pulso.
A tensão de saída, que é aplicada à carga, é formada por uma sucessão de ondas
retangulares de amplitude igual à tensão de alimentação CC e duração variável.
A figura 2.15 mostra a modulação de uma onda senoidal, produzindo na saída uma tensão
com 2 níveis, na freqüência da onda triangular.
Figura 2.15 Sinal MLP de 2 níveis.
É possível ainda obter uma modulação a 3 níveis (positivo, zero e negativo). Este tipo de
modulação apresenta um menor conteúdo harmônico, como mostram a figura 2.16. A produção
de um sinal de 3 níveis é ligeiramente mais complicada para ser gerado analogicamente. Uma
maneira de fazê-lo, para um inversor monofásico, é de acordo com a seguinte seqüência:
• durante o semiciclo positivo, T1 permanece sempre ligado;
• o sinal MLP é enviado a T4 e o mesmo sinal barrado é enviado a T2.
• no semiciclo negativo, quem permanece conduzindo é T3,
• o sinal MLP é enviado a T2 e o sinal barrado vai para T4.
A recuperação da onda de referência é facilitada pela forma do espectro. Note-se que,
após a componente espectral relativa à referência, aparecem componentes nas vizinhanças da
freqüência de chaveamento. Ou seja, um filtro passa baixas com freqüência de corte acima da
freqüência da referência é perfeitamente capaz de produzir uma atenuação bastante efetiva em
componentes na faixa dos kHz. Na figura 2.16 tem-se também as formas de onda filtradas (filtro
LC, 2mH, 20μF). Uma redução ainda mais efetiva das componentes de alta freqüência é obtida
com o uso de filtro de ordem superior.
O uso de um filtro não amortecido pode levar ao surgimento de componentes oscilatórias
na freqüência de ressonância, que podem ser excitadas na ocorrência de transitórios na rede ou
na carga. Em regime elas não se manifestam, uma vez que o espectro da onda MLP não as
excita. O uso de filtros amortecidos pode ser indicado em situações em que tais transitórios
possam ser problemáticos, com a inevitável perda de eficiência do filtro. Os menores valores
dos elementos de filtragem tornam a resposta dinâmica deste sistema mais rápida que as obtidas
com filtros aplicados às técnicas de modulação anteriores.

400V
-400V
400V
-400V
10ms 15ms 20ms 25ms 30ms 35ms 40ms
a) Formas de onda de tensão e de corrente em modulação MLP de 2 e de 3 níveis.
200V
0V
200V
0V
Figura 2.16 b) Espectro dos sinais MLP de 2 e 3 níveis.
2.6 Modulação em freqüência - MF
Neste caso opera-se a partir de um pulso de largura fixa, cuja taxa de repetição é variável.
A figura 2.17 mostra um pulso de largura fixa modulado em freqüência.
Um pulso modulado em freqüência pode ser obtido, por exemplo, pelo uso de um
monoestável acionado por meio de um VCO, cuja freqüência seja determinada pelo sinal de
controle.
σ
vo
E
Vo
0
t1 t2 t3
Figura 2.17 Pulso de largura σ modulado em freqüência.

2.7 Modulação por limites de corrente - MLC (Histerese)
Neste caso, são estabelecidos os limites máximo e mínimo da corrente, fazendo-se o

chaveamento em função de serem atingidos tais valores extremos. O valor instantâneo da
corrente, em regime, é mantido sempre dentro dos limites estabelecidos e o conversor comporta-
se como uma fonte de corrente.
Tanto a freqüência quanto a largura de pulso (também denominada de ciclo de trabalho
ou razão cíclica) são variáveis, dependendo dos parâmetros do circuito e dos limites impostos. A
figura 2.18 mostra as formas de onda para este tipo de controlador.
MLC só é possível em malha fechada, pois é necessário medir instantaneamente a
variável de saída. Por esta razão, a relação entre o sinal de controle e a tensão média de saída é
direta. Este tipo de modulação é usado, principalmente, em fontes com controle de corrente e que
tenha um elemento de filtro indutivo na saída.
mudança na carga
io Imax
Io
Imin
t
vo
E
0
t
Figura 2.18 Formas de onda de corrente e de tensão instantâneas com controlador MLC.
A obtenção de um sinal MLC pode ser conseguida com o uso de um comparador com
histerese, atuando a partir da realimentação do valor instantâneo da corrente. A referência de
corrente é dada pelo erro da tensão de saída (através de um controlador integral). A figura 2.19
ilustra este sistema de controle. Na figura 2.20 vê-se a forma de onda da tensão de saída,
aplicada à carga e o respectivo espectro. Note-se o espalhamento devido ao fato de a freqüência
não ser constante.
É possível obter um sinal MLC com freqüência fixa caso se adicione ao sinal de entrada
do comparador uma onda triangular cujas derivadas sejam maiores do que as do sinal de
corrente. Assim os limites reais da variação da corrente serão inferiores ao estabelecido pelo
comparador. Pode-se ainda variar a banda de histerese, buscando minimizar a variação da
freqüência.
Em princípio o controle por histerese pode ser aplicado também no controle de tensão,
desde que a fonte tenha um comportamento de fonte de corrente.

V vo(t)
Inversor
sensor de
io
corrente
sinal sincronizador
comparador
com histerese
i*
Figura 2.19 Controlador por histerese, incluindo sinal sincronizador.
Figura 2.20 - À esquerda: Sinal MLC (superior), entrada do comparador com histerese e corrente
resultante (inferior). À direita: Espectro de sinal MLC (superior) e da corrente de saída (inferior).

2.8 Modulação MLP com freqüência de portadora variável
Uma alternativa, que tem como característica o espalhamento do espectro, é o uso de uma
freqüência de chaveamento não fixa, mas que varie, dentro de limites aceitáveis, de uma forma,
idealmente, aleatória. Isto faz com que as componentes de alta freqüência do espectro não
estejam concentradas, mas apareçam em torno da freqüência base, como se observa na figura
2.21. Note-se que o nível relativo à referência, neste caso uma senóide, não sofre alteração, uma
vez que independe da freqüência de chaveamento. Na mesma figura (parte b)), observa-se o sinal
modulado e o que se obtém após uma filtragem das componentes de alta freqüência. Observe
que, como a freqüência varia ao longo do período da referência, tem-se uma alteração na
atenuação proporcionada pelo filtro, que se torna menor na medida em que diminui a freqüência
de comutação.
a)
b)
Figura 2.21 a) - Espectro de sinal MLP (referência CC) com portadora de freqüência variável.
b) - Sinal modulado em largura de pulso com variação da freqüência da portadora (superior);
referência CA e sinal recuperado após filtragem (inferior)
2.9 Eliminação de harmônicas
Considerando, a título de exemplo, o caso da modulação por onda quadrada, mas sem
perda de generalidade, é possível eliminar uma dada harmônica se a cada ¼ de ciclo for
introduzida uma comutação adicional, como mostrado na figura 2.22.
Para uma amplitude unitária, a forma de onda da fig. 2.22 é expressa por:
∞
v(t) = ∑
4
{2 cos[(2n − 1)α] − 1}⋅ sin[(2n − 1)ωt ]
n =1 ( 2 n − 1) π (2.7)

v(t)
ωt
−1
α π−α π
Figura 2.22 Modulação com eliminação de harmônica.
Note que se α=0 tem-se a expressão da série de Fourier de uma onda quadrada. Para
eliminar a 3a harmônica deve-se impor, no intervalo 0<α<π/2 que:
2 cos(3α) − 1 = 0 (2.8)
isto significa α=π/9, para qualquer valor de t. O impacto sobre a componente fundamental de v(t)
é que ocorre uma redução de seu valor eficaz para 88%, em relação ao valor de onda quadrada.
É possível estender este mesmo enfoque para a eliminação de um número qualquer de
harmônicos. Uma expressão geral para v(t), considerando que existem h pulsos inseridos no
intervalo entre 0 e π/2, é:
∞
⎧ h
⎫
( −1) k ⋅ cos[( 2n − 1) ⋅ α k ]⎬ ⋅ sin[( 2n − 1) ⋅ ωt ]
4
v ( t ) = ( −1) h ∑ ⎨1 + 2 ∑
n =1 ( 2 n − 1) π ⎩ k =1 ⎭ (2.9)
A eliminação de h harmônicas de v(t) impõe que os respectivos ângulos α1, ασ,...αh

sejam raízes de:
h
⋅ cos[2n − 1) ⋅ α k ] = −
1
∑ ( −1)
k =1
k
2 (2.10)
2.10 Outras técnicas de modulação
Outras formas de controle têm sido pesquisadas com o intuito de melhorar a resposta
dinâmica do sistema, aumentar a margem de estabilidade, rejeitar mais eficientemente
perturbações, etc. Estas novas técnicas utilizam, via de regra, métodos não-lineares e procuram
aproveitar ao máximo as características também não-lineares dos conversores.
2.10.1 Controle “One-cycle”

O controle “one-cycle” permite o controle da tensão de um conversor com saída CC-CC
ciclo a ciclo, de modo que o sistema se torna praticamente imune a variações na alimentação e na
carga. Opera com freqüência constante a modulação da largura de pulso, mas o instante de
comutação é determinado por uma integração da tensão que é aplicada ao estágio de saída do
conversor.
A figura 2.23 mostra a estrutura básica para um conversor CC-CC do tipo abaixador de

tensão (que será estudado posteriormente).

Uma vez que, em regime, a tensão média numa indutância é nula, a tensão de saída, Vo, é
igual à tensão média sobre o diodo. A tensão sobre o diodo, no entanto, variará entre
praticamente zero (quando o componente conduz) e a tensão de alimentação, E. Seu valor médio
a cada ciclo deve ser igual a Vo. Tal valor médio a cada ciclo é que é obtido pela integração de
tal tensão.
O sinal integrado é comparado com a referência. Enquanto não atingi-la, a chave
permanece ligada (tensão E aplicada sobre o diodo). Quando a tensão de referência é igualada o
capacitor do integrador é descarregado e o comparador muda de estado, desligando o transistor,
até o início do ciclo seguinte, determinado pelo clock.
Observe que qualquer variação na referência, na tensão de entrada ou na carga afeta o
intervalo de tempo que o transistor permanece conduzindo, mas sempre de maneira a manter a
tensão média sobre o diodo igual ao valor determinado pela referência.
clock
+
vo
E
Vo
vo
E
integrador
vi v*
Q Q
comparador Ci
S R vi Rf
+
fc +
v*
clock referência
Figura 2.23 Controle “one-cycle” aplicado a conversor abaixador de tensão.
2.10.2 Modulação Delta

O sinal de referência é comparado diretamente com a saída modulada (e não a filtrada). O
sinal de erro é integrado e a saída do integrador é comparada com zero. A saída do comparador é
amostrada a uma dada freqüência, fc, e o sinal de saída do amostrador/segurador comanda a
chave. A figura 2.24 mostra o sistema.
O estado da chave em cada intervalo entre 2 amostragens é determinado pelo sinal da
integral do erro de tensão (no instante da amostragem). Deste modo os mínimos tempos de
abertura e de fechamento são iguais ao período de amostragem. A robustez do controlador é seu
ponto forte. O problema é que esta técnica de controle é intrinsecamente assíncrona, dificultando
o projeto dos filtros.

clock
+
vo
E
Vo
vo
E
v*
clock
integrador
fc comparador vo
sinal
+ I v* de
+
S&H referência erro
Figura 2.24 - Controlador Delta.
2.11 Modulação Vetorial
Este tópico baseia-se no material do prof. S. Buso, utilizado no curso sobre “Controle
Digital de Conversores de Potência”, e pode ser encontrado na íntegra em :
http://www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor/Digital.html.
Um inversor trifásico, como o mostrado na figura 2.25, pode produzir três tensões
independentes, V1, V2 e V3. Tais tensões podem apresentar apenas 2 níveis, dependendo de quais
interruptores estiverem conduzindo. Em relação ao ponto neutro, os valores médios de tais
tensões podem variar entre +E/2 e -E/2, sendo E o valor da tensão no lado CC.
Se a fonte CC possuir um ponto médio e a carga estiver a ele conectado (conexão estrela
com neutro), o potencial deste ponto não se altera. No entanto, se o neutro da carga não estiver
ligado, seu potencial variará, dependendo dos estados dos interruptores do inversor.
Qualquer conjunto de três tensões pode ser representado por um vetor no plano definido
por eixos abc, deslocados 120º um do outro, como mostra a figura 2.26. Normalmente a
informação sobre o valor da tensão de neutro é perdida, pois se situaria no eixo ortogonal ao
plano abc.
+
E
-
v1 v2 v3
Figura 2.25 - Inversor trifásico tipo fonte de tensão

V1 b
V3 V
V2
V1 a
V2 V3
V3 V2
c
Figura 2.26 - Representação de tensões instantâneas no plano abc
É possível representar o mesmo vetor resultante no plano αβ, o que se faz aplicando a
transformação indicada a seguir. O mesmo vetor no plano αβ é mostrado na figura 2.27. Esta
transformação é válida também para correntes.
⎡ V1 ⎤
⎡Vα ⎤ ⎡ 1 − 2 − 2 ⎤ ⎢ ⎥
1 1
⎢V ⎥ = ⎢ ⎥
⎢V2 ⎥
⎣ β ⎦ ⎢⎣0 3
2
− 3 ⎥⎢ ⎥
2 ⎦ ⎣ V3 ⎦
(2.11)
A transformação inversa leva a:

2
V1 = Vα
3
2⎛ 3 V ⎞
V2 = ⎜⎜ Vβ − α ⎟⎟
3⎝ 2 2 ⎠
2⎛ 3 V ⎞
V3 = ⎜⎜ − Vβ − α ⎟⎟
3⎝ 2 2 ⎠
(2.12)
V3
b 2/3 V
β V
V3
V
Vβ
V1 a
V1 Vα α c V2
V2
Figura 2.27 - Vetor de tensão resultante no plano αβ e transformação inversa
Os estados do inversor também podem ser representados por vetores, como o exemplo
mostrado na figura 2.28, para o estado chamado 100, no qual V1=E, V2=0 e V3=0.

V 010 V110
+ V1
V100
E V2
V 011
- V3
V001 V101
Figura 2.28 - Representação dos estados do inversor no plano (αβ ou abc)
O vetor nulo, definido como os estados 111 ou 000, ou seja, quando os três interruptores
superiores, ou os três inferiores estivem simultaneamente fechados, são representados pelo ponto
na origem do plano.
A modulação vetorial é realizada gerando, dentro de cada período de comutação, uma
seqüência de diferentes estados do inversor. Tal seqüência normalmente consiste de três vetores,
um dos quais é o vetor nulo. A soma das larguras de pulso relativas a cada estado deve satisfazer
à restrição:
δ1 + δ 2 + δ 3 = 1 (2.13)
Para produzir na saída do inversor valores desejados de tensões médias (calculadas no

período de comutação), deve-se obter o vetor resultante V*, como feito nas figuras 2.26 (plano
abc) ou 2.27 (plano αβ). Verifica-se quais são os estados do inversor que são adjacentes ao vetor
V*. Tais estados, e o estado nulo, serão aqueles que deverão ser ativados para produzir as saídas
desejadas. As projeções de V* nos vetores adjacentes determinam as respectivas razões cíclicas,
enquanto a duração do vetor nulo é dada, quando possível, por:
δ 3 = 1 − δ1 − δ 2 (2.14)
A figura 2.29 mostra o procedimento para definir os estados a serem utilizados, suas
respectivas larguras de pulso e os limites de V* que podem ser produzidos com esta técnica, que
são os vetores contidos no hexágono.
V110
V110 V110
V* V*
V111 V111
δ1 V110 V*
V100 V100
V100
δ 3V111 δ2V100
Figura 2.29 - Definição dos estados do inversor, respectivas larguras de pulso e seus limites
Diferentes estratégias podem ser utilizadas para gerar os vetores necessários, como
mostra a figura 2.30. No caso (a), o estado V1=1 é comum aos dois vetores, sendo mantido fixo
durante todo o período de comutação. As comutações são realizadas nos ramos que produzem V2
e V3.

E
V1
E
V2
E
V3
V100 V110 V111 V100 V110 V111
δ 2T δ 1T δ3T δ 2T δ 1T δ3T
T T
(a)
E
V1
E
V2
E
V3
V100 V110 V111 V111 V110 V100
δ 2T δ 1T δ3T δ3T δ 1T δ 2T
T T
(b)
E
V1
E
V2
E
V3
V000 V100 V110 V111 V110 V100 V000
δ T/2 δ T δ 1T δ3 T δ T δ 2T δ3T/2
2 1
T T
(c)
Figura 2.30 - Possíveis realizações para obter V* (exemplo da fig. 2.27)

No caso (b) tem-se uma estratégia que minimiza as comutações, o que reduz as perdas do
conversor. Note que V1 está sempre em “1”, como no caso anterior. A diferença é que cada
período adjacente é “espelhado”, de modo a não ser preciso alterar o estado anterior dos
interruptores.
No caso (c) o estado nulo é feito com o vetor 111 e com o vetor 000. Sua principal
característica é o fato dos pulsos de cada fase estarem centrados exatamente na passagem de um
ciclo de comutação para outro. Esta estratégia facilita a observação, por exemplo, do valor da
corrente de cada fase. Fazendo-se a observação precisamente neste instante tem-se uma
amostragem do valor médio da corrente (supondo uma carga com característica indutiva, que
normalmente ocorre), sem ser preciso qualquer tipo de processamento do valor amostrado. Pelo
fato de se estar distante dos momentos das comutações, os eventuais ruídos produzidos pelo
chaveamento também já terão sido amortecidos, como ilustra a figura 2.31.
A forma de onda obtida da estratégia (c) é a mesma que se tem na modulação analógica
com onda triangular, usando um período 2T, como mostra a figura 2.32.
No entanto, apesar da simetria dos pulsos, o uso de modulação vetorial leva à produção
inerente de uma terceira harmônica nas tensões de fase. Isto pode ser analisado como se o ponto
do vetor nulo não permanecesse no plano, mas se deslocasse ortogonalmente a ele. Observe-se
aqui que, sendo um sistema a três fios, quando são definidas as tensões em duas fases, a terceira
está necessariamente definida.
corrente
ruído
valor médio
T T
Figura 2.31 - Amostragem da corrente (carga indutiva) na estratégia (c)

V1 * V2 * V3 *
Figura 2.32 Modulação usando portadora triangular

A figura 2.33 ilustra o fato de que a existência de um nível comum às 3 fases (no
exemplo, um nível CC), não afeta a tensão de linha, que se mantém simétrica e equilibrada. O
efeito da terceira harmônica é semelhante, como se vê na mesma figura. Ou seja, as tensões de
fase possuem a terceira harmônica, mas ela não se apresenta na tensão de linha, por ser de “modo
comum”.
Esta terceira harmônica, ao reduzir o pico da tensão, permite que a componente
fundamental associada a esta onda tenha um valor de pico de 1,15E, ou seja, maior do que
existiria sem a terceira harmônica! Este fato está mostrado na figura 2.33.
V10 V 10
V N0
V 20
V 20 VN0
V 30
V30
V N0
VN0
V 23 V 12 V 31 V 23 V 12 V 31
Figura 2.33 - Efeito de tensão de “modo comum” nas tensões de fase
O comportamento com modulação vetorial e com portadora triangular tornam-se

idênticos caso, nesta última, seja adicionada a cada largura de pulso uma componente dada por:
− [max(δ 1 , δ 2 , δ 3 ) + min (δ 1 , δ 2 , δ 3 )]
1
2 .
1.15 E
E
V N0
E/2
V 10
0
Figura 2.34 - Efeito da presença de terceira harmônica na modulação vetorial
Sumariamente pode-se concluir que, em cada período de comutação, adicionando-se uma

mesma componente, constante ou variável, a todas as três referências, tem-se
• O valor instantâneo da tensão de fase se altera;
• O valor médio da tensão de fase também se altera proporcionalmente;
• O valor médio da tensão entre fases não se altera;
• Se não existe conexão do neutro (carga em Y), as tensões na carga não se alteram.
Outra estratégia bastante usada é a chamada “flat-top”, na qual é adicionado a cada

componente um valor de razão cíclica de modo a requerer apenas dois estados. Isto se obtém
“saturando” a máxima (ou a mínima) largura de pulso em cada período de comutação, como
mostra a figura 2.35. Também neste caso obtém-se uma componente fundamental senoidal (se
for o caso) com amplitude 1,15 E. A redução nos chaveamentos (diminuindo as perdas de
comutação) é evidente.
+E V 10
0
+E V 20
0
+E V 30
E
0 V 10
+E V N0 V10avg
0
V 23 V12 V31
Figura 2.35 Modulação vetorial com técnica “flat-top”
2.11.1 Saturação
Quando o vetor de referência V* excede os limites do hexágono (figura 2.29) deve-se
arbitrar alguma estratégia para, ainda assim, possibilitar o comando do conversor.
Uma possibilidade é reduzir o módulo de V*, mantendo seu ângulo, até ser atingido o
limite do hexágono, como mostra a figura 2.36. A implementação desta estratégia (em um DSP,
por exemplo), exige uma operação de divisão, o que nem sempre está disponível, ou é
suficientemente rápida. Uma outra alternativa é manter a maior componente (já feita a projeção
de V* nos vetores adjacentes) e reduzir a menor componente até que a resultante recaia no
hexágono. Neste caso não há operações aritméticas significativas, sendo de fácil implementação.
No entanto tem-se um erro de amplitude e de fase no vetor gerado.
V* V*
V*sat
V*sat
Figura 2.36 - Estratégias de tratar “saturação” da referência V*
Existem situações em que uma das projeções, por si só, já é maior que a unidade, de
modo que as estratégias anteriores não podem ser aplicadas. Neste caso, escolhe-se o vetor mais
próximo de V* e este estado é mantido por todo o período de comutação. O conversor passa a ter
um funcionamento de onda quase-quadrada. Esta situação é ilustrada na figura 2.37. Na mesma
figura mostram-se as regiões de saturação leve e de saturação profunda.

V*'
V*
Saturação leve
V=V'
Saturação profunda
(região do círculo e externa)
V*"
Figura 2.37 - Saturação profunda (dir.) e limites de saturação (esq.)
O uso da segunda estratégia mostrada na figura 2.36 e desta última para a “saturação
profunda” tem a vantagem de permitir uma passagem suave de uma situação não-saturada para a
saturada, como mostra a figura 2.38.
0
Figura 2.38 - Passagem de modulação vetorial normal para saturada e com saturação profunda:
tensão MLP e corrente resultante em carga indutiva.
Francis Labrique e João José Esteves Santana: “Electrónica de Potência”, Edição da Fundação
Calouste Gulbekian, Lisboa, 1991
Muhammad H. Rashid: “Power Electronics: Circuits, Devices and Applications”, 2nd Ed.
Prentice Hall International Editions, USA, 1993
N. Mohan, T. M. Undeland e W. P. Robbins: “Power Electronics, Converters, Applications ans

Design”, 2nd Edition, John Willey & Sons, USA, 1994

K. M. Smedley and S. Cuk: “One-Cycle Control of Switching Converters”. Proc. of PESC ‘91,
pp. 888-896.
E. Santi and S. Cuk: “Modeling of One-Cycle Controlled Switching Converters”. Proc. of

INTELEC ‘92, Washington, D.C., USA, Oct. 1992.
W. Tang and F. C. Lee: “Charge Control: Modeling, Analysis and Design”. Proc. of VPEC
Seminar, 1992, Blacksbourg, USA.
S. Buso: “Digital Control of Power Converters”. FEEC, UNICAMP, 1999.

http”//www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor/Digital.html.
J. Holtz et. Alli: “On Continuous Control of PWM Inverters in the Overmodulation Range
Including the Six-Step Mode”. Proc. of IEEE IECON, 1992, pp. 307-312.
H. W. van der Broeck et alli: “Analysis and Realization of a Pulsewidth Modulator Based on
Voltage Space Vectors”. IEEE Trans. on Industry Applications, vol. 24, no. 1, Jan/Feb 1988, pp.
142-150.

Eletrônica de Potência – Cap. 3 J. A. Pomilio
3. CONVERSORES CA-CC - RETIFICADORES
Este capítulo se inicia com uma revisão de alguns conceitos básicos dos retificadores.
Este assunto já deve ter sido objeto de estudo em cursos de graduação, razão pela qual não se faz
uma análise aprofundada dos mesmos. O foco deste tópico é estudar novas estruturas de
retificadores e suas aplicações.
O fornecimento de energia elétrica é feito, essencialmente, a partir de uma rede de
distribuição em corrente alternada, devido, principalmente, à facilidade de adaptação do nível de
tensão por meio de transformadores.
Em muitas aplicações, no entanto, a carga alimentada exige uma tensão contínua. A
conversão CA-CC é realizada por conversores chamados retificadores.
Os retificadores podem ser classificados segundo a sua capacidade de ajustar o valor da
tensão de saída (controlados x não controlados); de acordo com o número de fases da tensão
alternada de entrada (monofásico, trifásico, hexafásico, etc.); em função do tipo de conexão dos
elementos retificadores (meia ponte x ponte completa).
Os retificadores não-controlados são aqueles que utilizam diodos como elementos de
retificação, enquanto os controlados utilizam tiristores ou transistores.
Usualmente topologias em meia ponte não são aplicadas. A principal razão é que, nesta
conexão, a corrente média da entrada apresenta um nível médio diferente de zero. Tal nível
contínuo pode levar elementos magnéticos presentes no sistema (indutores e transformadores) à
saturação, o que é prejudicial ao sistema. Topologias em ponte completa absorvem uma corrente
média nula da rede, não afetando, assim, tais elementos magnéticos.
A figura 3.1 mostra o circuito e as formas de onda com carga resistiva para um retificador
monofásico com topologia de meia-ponte, também chamado de meia-onda.
Corrente média de entrada

Vo
Vi=Vp.sen(wt) +
Vo
Tensão de entrada
0V
Figura 3.1 Topologia e formas de onda (com carga resistiva) de retificador monofásico não-
controlado, meia-onda.
3.1 Retificadores não controlados

A figura 3.2 mostra topologias de retificadores a diodo (não-controlados). Neste caso não
há possibilidade de controlar a tensão de saída devido à ausência de interruptores controláveis.
Têm-se os três tipos básicos de carga: resistiva, capacitiva e indutiva.
Com carga resistiva (fig. 3.2.a) as formas de onda da tensão e da corrente na saída do
retificador e na carga são as mesmas, como mostrado na figura 3.3. A corrente de entrada
apresenta-se com a mesma forma e fase da tensão.
Um retificador com carga capacitiva (fig. 3.2.B) faz com que a tensão de saída apresente-
se alisada, elevando o seu valor médio em relação à carga resistiva. O capacitor carrega-se com a
tensão de pico da entrada (desprezando a queda nos diodos). Quando a tensão de entrada se torna
menor do que a tensão no capacitor os diodos ficam bloqueados e a corrente de saída é fornecida
exclusivamente pelo capacitor, o qual vai se descarregando, até que, novamente, a tensão de

entrada fique maior, recarregando o capacitor. A forma de onda da corrente de entrada é muito
diferente de uma senóide, apresentando pulsos de corrente nos momentos em que o capacitor é
recarregado, como mostrado na figura 3.4.
Para o retificador com carga indutiva (fig. 3.2.C), a carga se comporta como uma fonte de
corrente. Dependendo do valor da indutância, a corrente de entrada pode apresentar-se quase
como uma corrente quadrada, como mostrado na figura 3.5. Para valores reduzidos de
indutância, a corrente tende a uma forma que depende do tipo de componente à sua jusante. Se
for apenas uma resistência, tende a uma senóide. Se for um capacitor, tende à forma de pulso,
mas apresentando uma taxa de variação (di/dt) reduzida.
+ + + +
Vr
Vp.sin(ωt) Vo=Vr Vp.sin(ωt) Vo Vp.sin(ωt) Vo
(a) (b) (c)
Figura 3.2 Retificadores monofásicos não-controlados, de onda-completa.

200V
Tensão na saída
100V
0V
200V
Tensão na entrada
0V
-200V
0s 5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms 35ms 40ms
Figura 3.3. Formas de onda para retificador com carga resistiva.
Corrente de entrada
Tensão de saída (Vo)
Tensão de entrada
Figura 3.4 Formas de onda para retificador monofásico não-controlado, onda completa, com
carga capacitiva.

Tensão de entrada
Corrente de entrada
resistivo dominante
capacitivo dominante indutivo dominante
Figura 3.5. Formas de onda no lado CA para retificador monofásico, onda-completa, não-
controlado, alimentando carga indutiva.
3.1.1 Retificadores não-controlados com entrada trifásica

Quando a potência da carga alimentada se eleva, via de regra são utilizados retificadores
trifásicos, como mostra a figura 3.6, a fim de, distribuindo a corrente entre as 3 fases, evitar
desequilíbrios que poderiam ocorrer caso a corrente fosse consumida de apenas 1 ou 2 fases.
Neste caso a corrente é fornecida, a cada intervalo de 60 graus, por apenas 2 das 3 fases.
Poderão conduzir aquelas fases que tiverem, em módulo, as 2 maiores tensões. Ou seja, a fase
que for mais positiva, poderá levar o diodo a ela conectado, na semi-ponte superior, à condução.
Na semi-ponte inferior poderá conduzir o diodo conectado às fase com tensão mais negativa.
Pela fase com tensão intermediária não haverá corrente.
A figura 3.7 mostra formas de onda típicas considerando que o lado CC é composto,
dominantemente, por uma carga resistiva, indutiva ou capacitiva. No primeiro caso a corrente
segue a mesma forma da tensão sobre a carga, ou seja, uma retificação de 6 pulsos. Quando um
filtro indutivo é utilizado, tem-se um alisamento da corrente, de modo que a onda apresenta-se
praticamente retangular. Já com um filtro capacitivo (mantendo ainda uma pequena indutância
série), tem-se os picos de corrente. Com o aumento da indutância tem-se uma redução dos picos
e, eventualmente, a corrente não chega a se anular.
Lo
+ +
Vr
Co Vo
Figura 3.6 Retificador trifásico, onda completa, não controlado.

Tensão
carga dominante resistiva
carga dominante indutiva
carga dominante capacitiva
Figura 3.7 Formas de onda no lado CA para retificador trifásico, onda-completa, não-controlado,
alimentando diferentes tipos de carga.
3.4 Fator de Potência

A atual regulamentação brasileira do fator de potência estabelece que o mínimo fator de
potência (FP) das unidades consumidoras é de 0,92, com o cálculo feito por média horária. O
consumo de reativos além do permitido (0,425 varh por cada Wh) é cobrado do consumidor. No
intervalo entre 6 e 24 horas isto ocorre se a energia reativa absorvida for indutiva e das 0 às 6
horas, se for capacitiva.
3.4.1 Definição de Fator de Potência

Fator de potência é definido como a relação entre a potência ativa (P) e a potência
aparente (S) consumidas por um dispositivo ou equipamento, independentemente das formas que
as ondas de tensão e corrente apresentem, desde que sejam periódicas (período T).
1
P T∫ i
v ( t ) ⋅ ii ( t ) ⋅ dt
FP = = (3.1)
S VRMS ⋅ I RMS
Em um sistema com formas de onda senoidais, a equação anterior torna-se igual ao

cosseno da defasagem entre as ondas de tensão e de corrente:
FPsen o = cos φ (3.2)
Quando apenas a tensão de entrada for senoidal, o FP é expresso por:
I1
FPV = ⋅ cos φ1 (3.3)
sen o
I RMS
onde I1 é o valor eficaz da componente fundamental e φ1 é a defasagem entre esta componente da
corrente e a onda de tensão.
Neste caso, a potência ativa de entrada é dada pela média do produto da tensão (senoidal)
por todas as componentes harmônicas da corrente (não-senoidal). Esta média é nula para todas as
harmônicas exceto para a fundamental, devendo-se ponderar tal produto pelo cosseno da
defasagem entre a tensão e a primeira harmônica da corrente. Desta forma, o fator de potência é
expresso como a relação entre o valor eficaz da componente fundamental da corrente e a corrente
eficaz de entrada, multiplicada pelo cosseno da defasagem entre a tensão e a primeira harmônica
da corrente.

A relação entre as correntes é chamada de fator de forma e o termo em cosseno é

chamado de fator de deslocamento.
Por sua vez, o valor eficaz da corrente de entrada também pode ser expresso em função
das componentes harmônicas:
∞
I RMS = I12 + ∑ I 2n (3.4)
n=2
Define-se a Taxa de Distorção Harmônica – TDH (em inglês, THD - Total Harmonic
Distortion) como sendo a relação entre o valor eficaz das componentes harmônicas da corrente e
o da fundamental:
∑I 2
n
n=2
TDH = (3.5)
I1
Assim, o FP pode ser rescrito como:
cosφ1
FP = (3.6)
1 + TDH 2
É evidente a relação entre o FP e a distorção da corrente absorvida da linha. Neste

sentido, existem normas internacionais que regulamentam os valores máximos das harmônicas
de corrente que um dispositivo ou equipamento pode injetar na linha de alimentação.
3.4.2 Desvantagens do baixo fator de potência (FP) e da alta distorção da corrente

Consideremos aqui aspectos relacionados com o estágio de entrada de fontes de
alimentação. As tomadas da rede elétrica doméstica ou industrial possuem uma corrente eficaz
máxima que pode ser absorvida (tipicamente 15A nas tomadas domésticas).
A figura 3.8 mostra uma forma de onda típica de um circuito retificador alimentando um
filtro capacitivo. Notem-se os picos de corrente e a distorção provocada na tensão de entrada,
devido à impedância da linha de alimentação. O espectro da corrente (figura 3.9) mostra o
elevado conteúdo harmônico.
Nota-se que o baixo fator de potência da solução convencional (filtro capacitivo) é o
grande responsável pela reduzida potência ativa disponível para a carga alimentada.
Consideremos os dados comparativos da tabela 3.I.
Suponhamos uma tensão de alimentação de 120 V, sendo possível consumir 15 A de uma
dada tomada. A potência aparente máxima disponível é de 1800 VA.
Tabela 3.I: COMPARAÇÃO DA POTÊNCIA ATIVA DE SAÍDA

Convencional Com correção de FP
Potência disponível 1800 VA 1800 VA
Fator de potência 0,6 1
Eficiência do corretor de fator de potência 100% 95%
Eficiência da fonte 85% 85%
Potência disponível 918 W (51%) 1453 W (81%)
Podem ser citadas como desvantagens de um baixo FP e elevada distorção os seguintes fatos:

• A máxima potência ativa absorvível da rede é fortemente limitada pelo FP;

• As harmônicas de corrente exigem um sobre-dimensionamento da instalação elétrica e dos
transformadores, além de aumentar as perdas (efeito pelicular);
• A componente de 3a harmônica da corrente, em sistema trifásico com neutro, pode ser muito
maior do que o normal;
• Deformação da onda de tensão, devido ao pico da corrente, além da distorção da forma de
onda, pode causar mau-funcionamento de outros equipamentos conectados à mesma rede;
• As componentes harmônicas podem excitar ressonâncias no sistema de potência, levando a
picos de tensão e de corrente, podendo danificar dispositivos conectados à linha.
-
0
Figura 3.8 Corrente de entrada e tensão de alimentação de retificador alimentando filtro

capacitivo.
10A
1.0A
100mA
10mA
1.0mA
0Hz 0.2KHz 0.4KHz 0.6KHz 0.8KHz 1.0KHz 1.2KHz 1.4KHz1.6KH
Figura 3.9 Espectro da corrente.
3.5 Normas IEC 61000-3-2: Distúrbios causados por equipamento conectado à rede pública
de baixa tensão
Esta norma (cuja versão anterior era designada de IEC555-2) refere-se às limitações das
harmônicas de corrente injetadas na rede pública de alimentação. Aplica-se a equipamentos
elétricos e eletrônicos que tenham uma corrente de entrada de até 16 A por fase, conectado a
uma rede pública de baixa tensão alternada, de 50 ou 60 Hz, com tensão fase-neutro entre 220 e
240 V. Para tensões inferiores, os limites não foram ainda estabelecidos (1990). A Emenda 14,
de janeiro de 2001 inseriu algumas alterações nas definições das classes e nos métodos de
medidas, devendo vigorar a partir de 2004.
Os equipamentos são classificados em quatro classes:
Classe A: Equipamentos com alimentação trifásica equilibrada e todos os demais não incluídos
nas classes seguintes.

Classe B: Ferramentas portáteis.
Classe C: Dispositivos de iluminação, exceto reguladores de intensidade para lâmpadas

incandescentes (dimmer).
Classe D: Equipamentos de TV, computadores pessoais e monitores de vídeo. A potência ativa

de entrada deve ser igual ou inferior a 600W, medida esta feita obedecendo às condições de
ensaio estabelecidas na norma (que variam de acordo com o tipo de equipamento).
A Tabela 3.II indica os valores máximos para as harmônicas de corrente
Tabela 3.II: Limites para as Harmônicas de Corrente

Ordem da Classe A Classe B Classe C (>25W) Classe D
Harmônica (n) Máxima corrente Máxima % da fundamental (de 75 W a 600 W)
[A] corrente[A] [mA/W]
Harmônicas
Ímpares
3 2,30 3,45 30.FP 3,4
5 1,14 1,71 10 1,9
7 0,77 1,155 7 1,0
9 0,40 0,60 5 0,5
11 0,33 0,495 3 0,35
13 0,21 0,315 3 0,296
15<n<39 2,25/n 3,375/n 3 3,85/n
Harmônicas
Pares
2 1,08 1,62 2
4 0,43 0,645
6 0,3 0,45
8<n<40 1,83/n 2,76/n
FP: fator de potência
3.6 Retificadores com alto fator de potência

São apresentadas a seguir algumas possibilidades de melhoria no fator de potência de
retificadores não-controlados. Tais circuitos, no entanto, não serão objetos de estudos mais
aprofundados, sendo indicados a título de informação. Este item é estudado detalhadamente no
curso de Fontes Chaveadas.
3.6.1 Soluções passivas

Soluções passivas para a correção do FP oferecem características como robustez, alta
confiabilidade, insensibilidade a surtos, operação silenciosa. No entanto, existem diversas
desvantagens, tais como:
• São pesados e volumosos (em comparação com soluções ativas);
• Afetam as formas de onda na freqüência fundamental;
• Alguns circuitos não podem operar numa larga faixa da tensão de entrada (90 a 240V);
• Não possibilitam regulação da tensão de saída;
• A resposta dinâmica é pobre.
A principal vantagem, óbvia, é a não-presença de elementos ativos.

A colocação de um filtro indutivo na saída do retificador (sem capacitor) produz uma

melhoria significativa do FP uma vez que, idealmente, é absorvida uma corrente quadrada da
rede, o que leva a um FP de 0,90. Como grandes indutâncias são indesejáveis, um filtro LC pode
permitir ainda o mesmo FP, mas com elementos significativamente menores. Obviamente a
presença do indutor em série com o retificador reduz o valor de pico com que se carrega o
capacitor (cerca de 72% num projeto otimizado). A figura 3.10 mostra a estrutura do filtro.
vac Carga
Figura 3.10 Filtro LC de saída
A figura 3.11 mostra as formas de onda relativas às correntes de entrada com filtro
capacitivo e com filtro LC. Pelos espectros de tais correntes nota-se a redução significativa no
conteúdo harmônico da "onda quadrada" em relação à "onda impulsiva". Note ainda a maior
amplitude da componente fundamental obtida no circuito com filtro capacitivo, devido à sua
defasagem em relação à tensão da rede.
50
tensão
C
LC
-50
0s 20ms 40ms 60ms 80ms 100ms
Time
20A
LC
0A
Frequency
Fig. 3.11 Formas de onda e espectro da corrente de retificador monofásico com filtros capacitivo
e LC.
Uma alternativa, e que não reduz significativamente a tensão disponível para o

retificador, é o uso de filtros LC paralelo, sintonizados (na 3a harmônica, por exemplo) na
entrada do retificador. Com tal circuito, mostrado na figura 3.12, não se permite que as
componentes selecionadas circulem pela rede. Obviamente é necessário oferecer um caminho
para elas, o que é feito com a adição de um capacitor.
Com este método, supondo ainda uma corrente quadrada na entrada do retificador, chega-
se a FP elevado (0,95). As harmônicas não bloqueadas pelo filtro sintonizado poderão ainda
circular pela rede, mas encontrarão um caminho alternativo pelo capacitor. A figura 3.13 mostra
as formas de onda na entrada do retificador e na rede, bem como seus respectivos espectros.

Io
vac
Figura 3.12 Filtro LC sintonizado de entrada.

20A
-20A
0s 20ms 40ms 60ms 80ms 100ms
Time
12A
0A
0Hz 0.2KHz 0.4KHz 0.6KHz 0.8KHz 1.0KHz
Frequency
Figura 3.13 Correntes na rede e na entrada do retificador e respectivos espectros.
3.6.2 Soluções ativas para retificadores com alto FP

Os pré-reguladores de FP ativos empregam interruptores controlados associados a
elementos passivos.
Algumas topologias operam o interruptor na freqüência da rede (retificada), o que implica
no uso de indutores e capacitores dimensionados para baixa freqüência. Outras, por trabalharem
em alta freqüência, podem permitir redução nos valores dos elementos de filtragem.
3.6.2.1 Conversor Suga

A figura 3.14 mostra as formas de onda referentes a um conversor que comuta o
transistor na freqüência da rede. O interruptor é acionado de modo a iniciar a corrente de linha
antecipadamente (em relação a quando aconteceria a carga do capacitor de saída).
O fator de potência resultante se eleva de cerca de 0,6 para algo próximo a 0,9. A TDH,
no entanto, ainda é elevada e os limites da norma IEC61000-3-2, podem não ser atendidos,
dependendo do valor da indutância, da potência de saída e do tempo de condução do transistor.
Adicionalmente tem-se um pequeno efeito “boost” que pode elevar um pouco a tensão de saída
em relação ao valor que haveria caso se tivesse apenas o filtro LC.

0 Vac
120Hz
0s 10ms 20ms 30ms 40ms 50ms 60ms 70ms 80ms 90ms 100ms
.
Figura 3.14 Formas de onda e circuito com interruptor controlado na freqüência da rede
3.6.2.2 Conversor elevador de tensão (boost) como PFP (Pré-regulador de Fator de Potência)
A figura 3.15 mostra o diagrama geral do circuito e do controle de um conversor elevador
de tensão operando como retificador de alto fator de potência, com controle da corrente média
instantânea.
Este tipo de conversor tem sido o mais utilizado como PFP em função de suas vantagens
estruturais como:
• a presença do indutor na entrada bloqueia a propagação de variações bruscas na tensão de
rede (“spikes”), além de facilitar a obtenção da forma desejada da corrente (senoidal);
• energia é armazenada mais eficientemente no capacitor de saída, o qual opera em alta tensão
(Vo>E), permitindo valores relativamente menores de capacitância;
• controle da forma de onda é mantido para todo valor instantâneo da tensão de entrada,
inclusive o zero;
• como a corrente de entrada não é interrompida (no modo de condução contínua), as
exigências de filtros de IEM são minimizadas.
A figura 3.16 mostra, esquematicamente, a ação de um controle MLP de modo a obter
uma corrente média (desprezando as componentes na freqüência de comutação) com a mesma
forma da tensão de entrada.
Comportamentos semelhantes podem ser obtidos com os conversores 'Cuk e SEPIC. O
conversor abaixador-elevador de tensão e o conversor Zeta também permitem implementar
retificadores com alto fator de potência, mas quando operando no modo de condução
descontínua.
Vac Vo
Compensador de corrente
Iref
K A
A.B - Vref
Regulador erro
FPB C C2 B de Tensão - PI
+
Figura 3.15 Circuito de controle de conversor elevador de tensão operando como retificador de
alto fator de potência, com controle da corrente média instantânea.

Corrente no interruptor
Corrente de entrada (no indutor)
Figura 3.16 Formas de onda típicas da corrente pelo indutor e no interruptor e resultado
experimental em conversor elevador de tensão
3.5 Comutação
Para qualquer tipo de retificador, nos instantes em que ocorre a transferência de corrente
de um diodo para outro de uma mesma semiponte (lado superior ou inferior do retificador) caso
exista alguma indutância na conexão de entrada, esta transição não pode ser instantânea.
Quando a alimentação é feita por meio de transformadores, devido à indutância de
dispersão dos mesmos, este fenômeno se acentua, embora ocorra sempre, uma vez que as linhas
de alimentação sempre apresentam alguma característica indutiva. Em tais situações, durante
alguns instantes estão em condução simultânea o diodo que está entrando em condução e aquele
que está sendo desligado. Isto significa, do ponto de vista da rede, um curto-circuito aplicado
após as indutâncias de entrada, Li. A tensão efetiva na entrada do retificador será a média das
tensões presentes nas fases. Tal distorção é mostrada na figura 3.17, num circuito trifásico
alimentando carga indutiva. A soma das correntes pelas fases em comutação é igual à corrente
drenada pela carga. Quando termina o intervalo de comutação, a tensão retorna à sua forma
normal (neste caso em que o di/dt em regime é nulo).
Corrente de fase
Vi
Lf
+ +
Li
Vp.sin(ωt)
Vr Tensão de fase
Vo
intervalo de comutação
Figura 3.17 Topologia de retificador trifásico, não-controlado, com carga indutiva. Formas de
onda típicas, indicando o fenômeno da comutação.
Quando a carga é capacitiva, as indutâncias de entrada atuam no sentido de reduzir a

derivada inicial da corrente, como mostrado na figura 3.18. Neste caso, como a corrente
apresenta-se variando, as mesmas indutâncias apresentarão uma queda de tensão, de modo que a
tensão Vi mostra-se significativamente distorcida. Note que a tensão Vi de linha é igual à tensão
presente no capacitor, fazendo com que tal tensão apresente um topo achatado. Qualquer outro

equipamento conectado nestes pontos será, assim, alimentado por uma tensão distorcida. NO
exemplo ilustrado a distorção, no entanto, não é devida ao fenômeno de comutação, pois quando
há mudança nos componentes que conduzem, a corrente inicial é nula.
tensão de saída
Vi corrente
0
+
Li
Cf Vo tensão de fase
tensão de linha
Figura 3.18 Topologia de retificador trifásico, não-controlado, com carga capacitiva e formas de
onda típicas, indicando distorção da tensão (não devida à comutação).
3.6 Retificadores Controlados

Os circuitos retificadores controlados constituem a principal aplicação dos tiristores em
conversores estáticos. Possuem vasta aplicação industrial, no acionamento de motores de corrente
contínua, em estações retificadoras para alimentação de redes de transmissão CC, no acionamento
de locomotivas, etc.
Analisaremos brevemente pontes retificadoras monofásicas, embora o estudo das pontes
trifásicas não seja substancialmente diferente. Para potência superior a alguns kVA geralmente se
usam pontes trifásicas (ou mesmo hexafásicas). A Figura 3.19 mostra 3 estruturas de pontes
retificadores monofásicas.
+ + +
T1 D1 T1 T2 T1 T2
+ + +
vi(t) vo(t) vi(t) D3 vo(t) vi(t) vo(t)
T2 D2 D1 D2 T3 T4
- - -
(a) vi(t)=Vp.sin(wt) (b) (c)
Figura 3.19 - Pontes retificadoras monofásicas:

a) Semicontrolada assimétrica; b) Semicontrolada simétrica; c) Totalmente controlada.
A principal vantagem das pontes semicontroladas é o uso de apenas 2 tiristores, sendo

indicadas quando o fluxo de energia será apenas da fonte para a carga. Neste circuito a tensão de
saída, vo(t), pode assumir apenas valores (instantâneos e médios) positivos. Sempre que a tensão de
saída tender a se inverter haverá um caminho interno que manterá esta tensão em zero,
desconectando a carga da rede.
Quando a carga for resistiva, a forma de onda da corrente de linha será a mesma da
tensão sobre a carga (obviamente sem a retificação). Com carga indutiva, a corrente irá se

alisando à medida que aumenta a constante de tempo elétrica da carga, tendo, no limite, uma
forma plana. Vista da entrada, a corrente assume uma forma retangular, como mostram as figuras
a seguir.
a)Ponte semicontrolada assimétrica

Na ponte assimétrica, cujas formas de onda estão mostradas na figura 3.20, existe um
caminho de livre-circulação formado pelos diodos D1 e D3. Supondo a polaridade da tensão da
entrada como indicada em 3.19, o disparo de T1 conecta a entrada à carga (suposta indutiva) através
do tiristor e D2. Quando a tensão de entrada se inverter, D1 entrará em condução e T1 cortará.
Enquanto, devido ao tempo de desligamento do tiristor, T1, D1 e D2 conduzirem, a fonte estará
curto-circuitada, com sua corrente sendo limitada pela impedância da fonte. Quando T2 for
disparado, D1 cortará.
O intervalo de condução de cada SCR é de (π−α). Cada diodo conduz por (π+α). A figura
3.14 mostra formas de onda para este conversor.
vg1(t)
vg2(t)
vo(t)
iD1(t)
iD2(t)
iT1(t)
iT2(t)
Corrente de entrada
0
α π
Figura 3.20 - Formas de onda de ponte retificadora semicontrolada assimétrica, com carga
altamente indutiva.
A tensão média de saída, calculada a cada semiciclo é dada por:
π
Vp
⋅ (1 + cos α )
1
Vo =
πα∫ V p ⋅ sinθ ⋅ dθ =
π
(3.7)
A tensão eficaz de saída é:
π
Vef =
1
∫ (V p ⋅ sinθ)2 ⋅ dθ = V p 1 − α + sin(2α) (3.8)
πα 2 2π 4π
Para uma corrente de carga constante, de valor Io, a corrente eficaz na entrada é:
π
1 α
I ef = ∫ I o ⋅ dθ = I o 1 −
2
(3.9)
πα π

Com tais valores, é possível explicitar o fator de potência desta carga visto pela rede:
P 2 (1 + cos α )
FP = = (3.10)
S π 2 − απ
Por inspeção da forma de onda, o fator de deslocamento da componente fundamental da

corrente é:
⎛α⎞
FD1 = cos⎜ ⎟ (3.11)
⎝2⎠
b) Ponte semicontrolada simétrica

Neste circuito não existe um caminho natural de livre-circulação, a qual deve ocorrer sempre
através de um SCR e um diodo. As mesmas equações da ponte assimétrica são válidas para este
conversor.
vg1(t)
vg2(t)
vo(t)
iT1(t)
iD2(t)
iT2(t)
iD1(t)
Corrente de entrada
0
α π
Corrente da carga RL
0
200V Tensão na carga
Pulsos de disparo
-200V
0s 20ms 40ms 60ms 80ms 100ms
Figura 3.21 Formas de onda de ponte retificadora semi-controlada simétrica, com carga
altamente indutiva. Funcionamento normal (superior) e efeito da supressão dos pulsos de
comando (inferior).

Supondo vi(t) com a polaridade indicada, quando T1 for disparado, a corrente circulará por
T1 e D2. Quando a tensão da fonte inverter a polaridade, D1 entrará em condução e D2 bloqueará.
A tensão na carga será nula pois T1 e D1 conduzirão, supondo que a corrente não se interrompa
(carga indutiva). Quando T2 for disparado, T1 bloqueará. Diodos e tiristores conduzem, cada um
por 180o.
Note que se T2 não for disparado, e supondo que T1 continue a conduzir, em função da
elevada constante de tempo elétrica da carga, no próximo semiciclo positivo a fonte será novamente
acoplada à carga fornecendo-lhe mais corrente. Ou seja, a simples retirada dos pulsos de disparo
não garante o desacoplamento entre carga e fonte. Para que isso ocorra é necessário diminuir o
ângulo de disparo para que a corrente se torne descontínua e assim T1 corte. Obviamente o mesmo
comportamento pode ocorrer com respeito ao outro par de componentes. Este comportamento é
ilustrado na figura 3.21.
Isto pode ser evitado pela inclusão do diodo de livre-circulação D3, o qual entrará em
condução quando a tensão se inverter, desligando T1 e D1. A vantagem da montagem assimétrica é
que os catodos estão num mesmo potencial, de modo que os sinais de acionamento podem estar
num mesmo potencial.
c) Ponte totalmente controlada

Seu principal uso é no acionamento de motor de corrente contínua quando é necessária uma
operação em dois quadrantes do plano tensão x corrente. Nestes circuitos não pode haver inversão
de polaridade na corrente, de modo que, mantida a polaridade da tensão Eg, não é possível a
frenagem da máquina. A tensão sobre a carga pode se tornar negativa, desde que exista um
elemento indutivo que mantenha a circulação de corrente pelos tiristores, mesmo quando
reversamente polarizados. A energia retornada à fonte nesta situação é aquela acumulada na
indutância de armadura. Formas de onda típicas estão mostradas na figura 3.22.
Os pares de componentes T1 e T4, T2 e T3 devem ser disparados simultaneamente, a fim de
garantir um caminho para a corrente através da fonte.
No caso de corrente descontínua (corrente da carga vai a zero dentro de cada semiciclo da
rede), os tiristores desligarão quando a corrente cair abaixo da corrente de manutenção. No caso de
condução contínua, o par de tiristores desligará quando a polaridade da fonte se inverter e for
disparado outro par de tiristores.
Assim, se houver inversão na polaridade da tensão de entrada, mas não for acionado o outro
par de SCRs, a tensão nos terminais do retificador será negativa.
+ Io
i i (t)
0A
-Io
Io
iT 2 (t)= iT 3 (t)
0A
Io iT 1 (t)= iT 4 (t)
0A
20 0V vi(t)
0 vo(t)
-20 0V
0s 5m s 10 m s 1 5m s 2 0m s 25m s 3 0m s 35 m s 4 0m s
α
Figura 3.22 Formas de onda para ponte totalmente controlada, monofásica, alimentando carga
indutiva.

A tensão média de saída, calculada a cada semiciclo é dada por:
π +α
1 2V p
Vo =
π ∫α V p ⋅ sin θ ⋅ dθ =
π
⋅ cos α (3.12)
A tensão eficaz de saída é igual ao valor eficaz da tensão de entrada (supondo condução
contínua do conversor, ou seja, a ponte retificadora sempre está em funcionamento). A corrente
eficaz na entrada vale Io.
Com tais valores, é possível explicitar o fator de potência desta carga visto pela rede:
P 2 2 cos α
FP = = (3.13)
S π
A corrente de entrada apresenta-se como uma onda quadrada, com sua componente
fundamental defasada de um ângulo α em relação à tensão. Durante os intervalos em que a
corrente e tensão na entrada apresentam sinais opostos, há um fluxo de energia da carga para a
fonte. Em regime permanente e com carga passiva, no entanto, o fluxo de potência é sempre da
fonte para a carga, ou seja, o ângulo de disparo deve ser inferior a 90º.
Quando se faz o acionamento de um motor CC, a carga comporta-se como um circuito

RL ao qual se adiciona uma fonte de tensão CC, que representa a força contra-eletro-motriz de
armadura, como mostrado na figura 3.23. Em situações em que a constante de tempo é pequena,
ou então a tensão Eg é elevada, é possível que a corrente se anule, fazendo com que os tiristores
comutem dentro de um semiciclo da rede. Em tal situação, como não há corrente, a tensão vista
nos terminais da máquina, vo(t), será a própria tensão de armadura. A tensão vo(t) será igual à
tensão de entrada (retificada) apenas enquanto os tiristores conduzirem.
Numa situação de condução descontínua, para que seja possível acionar os tiristores, é
necessário que no ângulo de disparo a tensão de entrada seja superior à tensão Eg, de modo que
os SCRs estejam diretamente polarizados. Isto significa que, à medida que a máquina se acelera,
elevando o valor da tensão de armadura, existe um mínimo ângulo de disparo possível. Tal
comportamento está ilustrado na figura 3.24. No caso (a), com tensão Eg nula, o acionamento
pode ser feito com um pequeno ângulo de disparo. A corrente é elevada e não se anula dentro de
cada semiperíodo. No caso (b), com tensão mais elevada, a condução se torna descontínua,
desligando os tiristores dentro de cada semiciclo. Quanto a tensão de armadura se torna maior do
que a de entrada, no instante de disparo, “perde-se o pulso”, e os tiristores não são ligados.
+
ia(t)
T1 T2 La
+
vi(t) vo(t) Ra
D1 D2 Eg
-
Figura 3.23 Retificador monofásico semicontrolado, acionando motor CC.

(a) (b)
(c)
Figura 3.24. Formas de onda de retificador semicontrolado, acionando motor CC, em diferentes
valores de Eg (velocidade). De cima para baixo: vT1, iD1, ia, vo e vi.
3.6.1 Retificadores trifásicos

A figura 3.25 mostra circuitos de retificadores trifásicos. No caso a) tem-se um retificador
semicontrolado, enquanto em b) tem-se um retificador totalmente controlado. Diferentemente do
caso monofásico, no circuito trifásico não há o circuito simétrico.
Vp.sin(wt) Lf
Li + +
van(t)
vo(t) Vo
D1
a)
Vp.sin(wt) T1 Lf
+ +
Li
van(t)
vo(t)
Vo
b)
Figura 3.25 Retificador trifásico semicontrolado (a) e controlado (b).

Também para estes retificadores, a versão semicontrolada não permite a inversão da

tensão instantânea no barramento CC. É possível a colocação de um diodo de roda livre que
entra em operação quando tal tensão se anula. Na ausência do diodo, a condução se dá pelo
último tiristor acionado e pelo diodo do mesmo ramo.
A figura 3.26 mostra formas de onda para diferentes ângulos de disparo, sendo
desprezada a indutância de entrada. Este ângulo é definido a partir do ponto em que a tensão da
respectiva fase se torna a maior em valor absoluto ou, o que é equivalente, quando a tensão de
linha se torna positiva. Nestas simulações a carga é uma fonte de corrente constante, razão pela
qual não há alteração na corrente com o ângulo de disparo. Para um ângulo nulo, as formas de
onda são idênticas às do retificador a diodo. A faixa de controle vai de 0 a 60 graus. Note-se que
a condução do diodo independe do ângulo de disparo (na ausência do diodo de livre-circulação).
A forma de onda da corrente na rede é assimétrica, dando origem a componentes espectrais de
ordem par, o que não é desejável.
A figura 3.27 mostra resultados análogos, também sem indutâncias de entrada, para um
retificador totalmente controlado. A carga é um circuito RL (4 Ω, 16 mH), de modo que a
corrente se altera à medida que muda o ângulo de disparo e, conseqüentemente, a tensão média
aplicada à carga. Para um ângulo de 0 grau a forma de onda é idêntica a do retificador a diodos.
Na ausência de um diodo de roda-livre a tensão instantânea aplicada no barramento CC pode ser
negativa, o que ocorre para um ângulo de disparo superior a 60 graus. Como não há
possibilidade de inversão no sentido da corrente, uma tensão negativa leva à diminuição da
corrente até sua extinção (em uma carga passiva).
A corrente da rede é simétrica, apresentando apenas componentes espectrais de ordem
ímpar, exceto os múltiplos da terceira, que não existem.
A tensão média no barramento CC é dada por:
3 2
Vo = ⋅ Vlinha ⋅ cos α (3.14)
π RMS
Uma corrente no lado CC de baixa ondulação reflete para o lado CA uma onda quase
quadrada, com condução de 120° a cada 180°, deslocada de um ângulo α em relação à tensão.
Neste caso pode-se determinar o espectro da corrente em relação à corrente da carga, Io. A
corrente eficaz no lado CA é 81,6% da corrente no lado CC.
A componente fundamental é Ii1 = 0,78 ⋅ Io , enquanto as harmônicas são dadas por:
I
Iih = i1 , onde n=6k+1, para k=1,2... (3.15)
n
Isto permite determinar que a distorção harmônica total da corrente é de 31,08%.

O fator de deslocamento (ângulo entre a tensão e a componente fundamental da corrente)
é igual a (cos α). O fator de potência é:
3
FP = cos α (3.16)
π

400
200
200
-200
a) Ângulo de disparo: 0 graus

400
200
200
-2 0 0
b) Ângulo de disparo: 30 graus

400
200
-2 0 0
200
-2 0 0
c) Ângulo de disparo: 60 graus

Figura 3.26 Formas de onda de retificador trifásico semi-controlado.
De cima para baixo: tensão instantânea no barramento CC (vo(t)); Corrente no diodo D1; Tensão da
fase A (van(t)); Corrente na fase A.

400
200
200
-200
16.7ms 20.0ms 25.0ms 30.0ms 35.0ms 40.0ms 45.0ms 50.0ms
a) Ângulo de disparo: 30 graus

400
200
-200
200
-200
b) Ângulo de disparo: 60 graus

400
200
-200
200
-200
c) Ângulo de disparo: 75 graus

Figura 3.27 Formas de onda de retificador trifásico controlado.
De cima para baixo: tensão instantânea no barramento CC (vo(t)); Corrente no tiristor T1; Tensão da
fase A (van(t)); Corrente na fase A.

3.6 Associação de Retificadores

Em determinadas situações pode ser conveniente fazer-se uma associação de circuitos
retificadores. Isto se aplica a retificadores controlados ou não. A análise que se segue, embora
tome como exemplos retificadores a diodo, pode ser estendida também para circuitos com
tiristores e mistos.
São essencialmente 3 as situações em que são feitas associações de retificadores:
• Uma associação série, como mostra a figura 3.28, é normalmente empregada em situações
em que se deseja uma tensão CC de saída elevada, que não poderia ser obtida com um
retificador único;
• Uma associação em paralelo, como mostra a figura 3.29, é feita quando a carga exige uma
corrente que não poderia ser fornecida por um único retificador;
• Em ambos os casos, quando se deseja reduzir o conteúdo harmônico da corrente drenada da
rede.
Notem-se em ambos os circuitos mostrados que as tensões de entrada de cada um dos

retificadores não são as mesmas. Isto é feito com o objetivo de melhorar a forma de onda da
corrente de entrada, como mostra a figura 3.30.
No exemplo, no qual se têm um retificador de 12 pulsos, cada um dos retificadores é
alimentado por tensões de mesmo valor eficaz, mas com defasagem de 30o entre os sistemas
trifásicos. Isto faz com que a corrente da rede se apresente de uma forma “multinível”. Neste
caso, têm-se 6 níveis e o respectivo espectro (mostrado na figura 3.31) mostra que só existem
harmônicos em freqüências de ordem 12k+1, ou seja, após a fundamental, teremos as
componentes de ordem 11a, 13a, 23a, 25a, e assim por diante. Obviamente, dada a ordem elevada
e a amplitude reduzida, um eventual processo de filtragem exigiria elementos LC de valor
reduzido, comparado com retificadores de 6 pulsos.
Lo
+
Io
Vr
+
-
Vo
+
Vr
-
Figura 3.28 Associação em série de retificadores não controlados. Circuito de “12 pulsos”.
No circuito série, a tensão CC total apresenta uma ondulação em 720Hz (daí o nome 12
pulsos) e uma variação pico a pico de apenas 3% do valor CC. Aqui também, uma eventual
filtragem seria facilitada pela freqüência elevada e pela pequena amplitude das variações.
Um caso típico de aplicação da associação em série de retificadores é na transmissão de
energia em corrente contínua, em alta tensão (HVDC), como é o caso da linha CC que conecta
Itaipú a São Roque (SP), trazendo a energia comprada do Paraguai (originalmente em 50Hz). O
sistema opera, via dois cabos, que estão alimentados em +/- 600 kV, transmitindo uma potência

de 6000MW. Neste caso têm-se retificadores controlados, permitindo um controle do sistema,

incluindo a absorção/fornecimento de reativos.
Numa associação em paralelo, é importante que as tensões médias de ambas as pontes
retificadoras sejam as mesmas. Mesmo nesta situação, faz-se uso de um indutor (ou
transformador) chamado de “interfase”, sobre o qual se tem a diferença instantânea das tensões
de cada um dos retificadores. A tensão média aplicada à carga será a média das duas tensões
retificadas e a corrente será dividida na razão inversa das reatâncias. Caso elas sejam iguais, cada
ponte fornecerá metade da corrente total.
Transformador de interfase
+
Io
Vr
+
-
Vo
+
Vr
Figura 3.29 Associação em paralelo de retificadores não controlados. Circuito de “12 pulsos”.
600
Tensão total
400
Tensão em cada retificador
200
Tensão de fase
0
Corrente de fase
-200
0s 10ms 20ms 30ms 40ms 50ms
Figura 3.30 Formas de onda de associação em série de retificadores.

11a 13a 23a 25a
0A
Figura 3.31 Espectro da corrente na rede para retificador de 12 pulsos
3.7 Retificador MLP

Quando a ponte retificadora é formada por interruptores controlados na entrada em
condução e no desligamento, como transistores ou GTOs, é possível fazer-se um comando
adequando de tais componentes de modo a absorver da rede uma corrente senoidal, enquanto se
controla a tensão de saída (caso esta seja a variável de interesse).
O lado CC pode se comportar como uma fonte de tensão, quando apresenta um filtro
capacitivo. Neste caso a conexão com a rede deve ser feita por meio de indutores no lado CA. Se
o barramento CC se comportar como uma fonte de corrente (tendo um indutor na saída do
retificador), a interface com o lado CA deve utilizar capacitores, que permitam acomodar valores
instantaneamente diferentes entre a corrente CC e a corrente no lado CA. Tal circuito está
mostrado na figura 3.32. É possível obter-se uma tensão CC neste circuito com o uso de um filtro
capacitivo. Uma vez que a tensão média sobre a indutância é nula, o valor médio da tensão vo(t)
é a própria tensão de saída.
Io
Lo
isa va ia
S1 S2 S3
isb vb ib Co Ro
v
o Vo
isc vc ic
S4 S5 S6
Figura 3.32 Topologia do conversor CA-CC trifásico, operando em MLP, com saída de corrente.
A idéia básica é comandar adequadamente os interruptores de modo que a corrente média

instantânea no lado CA tenha a mesma forma da tensão da respectiva fase e esteja em fase com
ela.
Na entrada do retificador, supondo desprezível a ondulação da corrente pelo indutor, as
correntes instantâneas pelas fases têm forma retangular, com amplitude dada pela corrente CC e
largura determinada pela lei de modulação dos interruptores, como ilustra a figura 3.33.

Simultaneamente haverá corrente apenas por 2 das 3 fases, uma vez que se 2 interruptores de
uma mesma semiponte conduzirem se colocaria em curto 2 das fases, como se pode concluir da
figura 3.32. No entanto, após uma adequada filtragem das componentes de alta freqüência, a
corrente de saída, apresentará apenas o valor médio que terá uma forma senoidal, se esta tiver
sido a forma do sinal de referência usado para produzir os sinais de comando dos interruptores.
+Io
-Io
Figura 3.32 Forma de onda instantânea das correntes no lado CA.
A figura 3.34 mostra as tensões de entrada e referências de corrente a serem seguidas.

Consideremos, sem perda de validade para uma análise geral, que as referências de corrente
estão em fase com as tensões da rede. Em cada período da rede existem 6 intervalos, que se
iniciam nos cruzamentos das referências de corrente. Cada intervalo corresponde a um modo de
funcionamento distinto.
Consideremos o intervalo (t1 - t2). A referência ira é a maior positiva e irb é a maior
negativa. Considerando que a corrente de saída Io é perfeitamente contínua, o interruptor S1
pode ser acionado de acordo com uma lei de modulação senoidal, m1, de modo que a corrente ia
siga a referência ira em termos dos componentes de baixa freqüência do espectro.
Da mesma forma, uma lei de modulação m5 pode ser adotada para S5, fazendo com que
ib siga a referência irb.
va vb vc
ira irb irc
t1 t1' t2 t3 t4 t5 t6 t7
Figura 3.34 Tensões de entrada e referência de corrente.
Quando a chave S1 é aberta, uma outra chave da semi-ponte superior deve ser fechada
para permitir a continuidade da corrente. Quando S5 é aberta, outro interruptor da semi-ponte
negativa deve entrar em condução. Para estas funções, S3 e S6 são usadas, uma vez que elas não

alteram as correntes pelas fases a e b. A forma senoidal desejada para a fase c é resultado do fato
que a soma das correntes nas 3 fases é nula. Quando S3 e S6 conduzirem simultaneamente, cria-
se um caminho de livre-circulação para a corrente CC. A figura 3.35 mostra os sinais de
comando para os interruptores e a forma de onda da tensão instantânea sobre o indutor CC, a
qual apresenta um comportamento de 3 níveis. Uma vez que a freqüência de chaveamento deve
ser muito maior do que a freqüência da rede, pode-se considerar que, dentro de cada ciclo de
chaveamento as tensões da rede são constantes.
As formas de onda mostradas correspondem ao intervalo t1’<t<t2, no qual va>vb, em
módulo e, conseqüentemente, δa>δb.
S1
S5
S6
S3
δ5
δ1
Τ
va-vb
va-vc
v
o
Figura 3.35 Sinais de comando para os interruptores e tensão instantânea no lado CC.
3.7.1 Equações básicas

Seja x(t) uma função lógica que descreve o estado de uma chave genérica S.
Correspondentemente, a lei de modulação m(t) pode ser definida como uma função contínua
dada pelo conteúdo de baixa freqüência de x(t). Como x(t) assume apenas valores 0 e 1, m(t) é
limitada entre 0 e 1.
O fato de apenas um interruptor estar fechado em cada semi-ponte ao mesmo tempo, faz
com que apenas um x(t), relacionado a cada semi-ponte, a cada instante, possa ser 1:
i a = ( x1 − x 4 ) ⋅ Io
i b = ( x 2 − x5 ) ⋅ Io (3.17)
i c = ( x 3 − x 6 ) ⋅ Io
A tensão instantânea no lado CC é:
v o = ( x1 − x 4 ) ⋅ v a + ( x 2 − x 5 ) ⋅ v b + (x 3 − x 6 ) ⋅ v c (3.18)
Desprezando as componentes de alta freqüência no espectro de x(t), as equações (3.17) e

(3.18) podem ser rescritas como:

i a = ( m1 − m 4 ) ⋅ Io
i b = ( m 2 − m5 ) ⋅ Io (3.19)
i c = ( m 3 − m 6 ) ⋅ Io
v o = ( m1 − m 4 ) ⋅ v a + ( m 2 − m 5 ) ⋅ v b + ( m 3 − m 6 ) ⋅ v c (3.20)
No intervalo t1 - t2, dadas as amplitudes das tensões da rede, as seguintes condições

devem ser satisfeitas:
x4 =0
x2 =0
(3.21)
x3 = x1
x6 = x5
Para obter as correntes senoidais de entrada tem-se (note que estamos supondo corrente
em fase com a tensão, mas esta análise vale para qualquer tipo de corrente):
m1 = M ⋅ sin(ωt )
m 3 = 1 − m1 = 1 − M ⋅ sin(ωt )
m5 = − M ⋅ sin(ωt − 120 o ) (3.22)
m 6 = 1 − m5 = 1 + M ⋅ sin(ωt − 120 ) o
m4 = m2 = 0
onde M é o índice de modulação que determina a amplitude das correntes.
De (3.19) e (3.22) tem-se:
i a = Io ⋅ M ⋅ sin(ωt )
i b = Io ⋅ M ⋅ sin(ωt − 120 o ) (3.23)
i c = Io ⋅ M ⋅ sin(ωt + 120 o )
Assim, desde que a corrente do lado CC seja perfeitamente contínua, as correntes

desejadas serão obtidas no lado CA.
Procedendo analogamente para a expressão da tensão média do lado CC, e considerando
as tensões senoidais, simétricas e em fase com as referências de corrente, a tensão média do lado
CC apresenta-se constante, sendo dada por:
3 ⋅ Vp ⋅ M
v o = M ⋅ [ v a ⋅ sin(ωt ) + v b ⋅ sin(ωt − 120 o ) + v c ⋅ sin(ωt + 120 o )] = (3.24)
2
onde Vp é a valor de pico das tensões CA (fase - neutro).

Ou seja, a tensão CC não é afetada por componentes de baixa freqüência.
O índice de modulação, M, determina tanto a amplitude da tensão média do lado CC
quanto a amplitude das correntes alternadas do lado ca.
Observe-se ainda que a síntese da corrente desejada pode ser feita em malha aberta, ou
seja,não é preciso realimentar a corrente, é preciso apenas que se disponha da referência
adequada.

3.7.2 Absorção de reativos

Esta técnica de controle pode ser estendida variando-se a fase entre a tensão ca e as
respectivas correntes, permitindo assim a circulação de uma quantidade controlável de potência
reativa.
Para este objetivo, as referências de corrente, ir, devem estar defasadas das tensões de
uma fase adequada, φ. As equações das correntes não sofrem alterações, enquanto a tensão CC
passa a ser expressa por:
3 ⋅ Vp ⋅ M
vo = ⋅ cosφ (3.25)
2
Note que se o inversor fornece apenas energia reativa a tensão média no lado CC é nula,
como é de se esperar, já que se trata de um elemento puramente indutivo.
Generalizando um pouco mais, qualquer forma de corrente pode ser sintetizada, desde
que uma referência adequada seja utilizada, o que torna esta topologia bastante própria para a
implementação de filtros ativos de potência.
A figura 3.36 mostra um resultado experimental de um conversor operando baseado neste
princípio. A corrente alternada sintetizada apresenta uma ondulação superposta, relativa à
ressonância do filtro de alta freqüência.
3.7.3 Controle da corrente CC

Numa situação de regime, para que não haja mudança na corrente CC, a tensão média
sobre o indutor deve ser nula. Como o indutor possui perdas, ou ainda, porque transitoriamente
houve uma absorção (ou entrega) de potência ativa, é possível que ocorra uma variação no nível
da corrente CC. O controle do conversor deve prever um modo de manter, em regime, a corrente
no valor Io desejado. Isto pode ser feito alterando a fase das referências de corrente. Se a
defasagem entre tensão e corrente for 90o, o inversor só trabalha com energia reativa. Se a fase
for menor do que 90o, isto significa que o inversor está entregando ao resto do sistema um pouco
de potência ativa, o que faz com que a corrente Io tenda a diminuir (aparece uma tensão média
positiva no lado CC). Fazendo com que a defasagem seja maior do que 90o o inversor absorve
potência ativa do sistema, levando ao crescimento da corrente Io. Uma vez atingido o valor Io
desejado, o controle deve retornar referência de regime. O mesmo efeito pode ser obtido
controlando-se a amplitude do sinal de referência em função do erro da corrente CC.
v a
ia
Figura 3.36 Tensão (40V/div) e corrente (10A/div) de entrada. Horiz.: 4ms/div.

3.8 Referências bibliográficas

Crestani, M. “Com uma terceira portaria, o novo fator de potência já vale em abril”. Eletricidade
Moderna, ano 22, no 239, fevereiro de 1994.
International Electrotechnical Comission: IEC 61000-3-2: “Electromagnetic Compatibility

(EMC) – Part 3: Limits – Section 2: Limits for Harmonic Current Emissions (Equipment input
current < 16 A per phase)”. 1999.
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IEEE Trans. On Industry Applications, vol. IA-17, no. 3, May/June 1981
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Phase Diode Rectifier”. Proc. Of IECON ‘90, pp. 1041-1050
R. Gohr Jr. and A. J. Perin: “Three-Phase Rectifier Filters Analysis”. Proc. Of Brazilian Power
Electronics Conference, COBEP ‘91,Florianópolis - SC, pp. 281-283.
I. Suga, M. Kimata, Y. Ohnishi and R. Uchida: “New Switching Method for Single-phase AC to
DC converter”. IEEE PCC ‘93, Yokohama, Japan, 1993.
C. de Sá e Silva, “Power factor correction with the UC3854,” Unitrode Application Note U-125,
Unitrode Corporation, USA, 1986.
Mohan, Undeland & Robbins, “Power Electronics”, IEEE Press, 2nd Edition, 1995.

4. CONVERSORES CC-CC PARA ACIONAMENTO DE MÁQUINAS DE

CORRENTE CONTÍNUA
As aplicações de máquinas de corrente contínua (MCC) são bastante variadas, incluindo,

por exemplo, a tração de veículos elétricos e o acionamento de máquinas operatrizes.
4.1 Princípios de acionamento de máquinas de corrente contínua
Apresentam-se brevemente as equações básicas de uma máquina de corrente contínua,

através das quais é possível determinar os parâmetros a serem ajustados quando se deseja
controlá-la.
A figura 4.1 mostra um diagrama esquemático indicando o circuito elétrico da MCC.
O enrolamento de campo pode ser conectado de diferentes maneiras em relação ao
enrolamento de armadura: em série (as correntes de campo e de armadura são iguais); em
paralelo (as tensões de campo e a tensão terminal, Vt, de armadura são iguais) e independente.
Embora historicamente tenha se utilizado em grande escala a conexão série para aplicações em
tração, devido ao alto torque de partida que produz, com o advento dos conversores eletrônicos
de potência passou-se a utilizar a excitação independente, em virtude da maior flexibilidade que
apresenta em termos do controle da MCC.
Tw
J
Ra T
La
ω
B
Vt +
Lf Rf
Eg +
ia - If Vf
-
Figura 4.1 Circuito elétrico de MCC
4.1.1 Equações estáticas

Existem 2 equações básicas para a MCC que relacionam as grandezas elétricas às
mecânicas:
Eg = Kv ⋅ Φ ⋅ ω (4.1)
T = K t ⋅ Φ ⋅ ia (4.2)
Onde:
Eg: força contra-eletro-motriz de armadura
K: constante determinada por características construtivas da MCC (normalmente K=Kv=Kt)

Φ: fluxo de entreferro
ω: velocidade angular da máquina
ia: corrente de armadura
J: momento de inércia incluindo a carga mecânica.
T: torque
B: atrito
Do circuito elétrico da figura 4.1 obtém-se que a tensão terminal da máquina é dada por:
d
v t (t) = E g + R a ⋅ i a (t) + L a ⋅ i a (t) (4.3)
dt
Considerando apenas os valores médios da tensão terminal e da corrente de armadura, o

termo relativo à sua derivada torna-se nulo, de modo que se pode escrever de (4.1) e (4.3):
Vt − R a ⋅ I a
ω= (4.4)
K⋅Φ
Assim, a velocidade de uma MCC pode ser controlada através de 3 variáveis: a tensão
terminal, o fluxo de entreferro e a resistência de armadura.
O controle pela resistência de armadura era feito em sistemas de tração, com resistências
de potência conectadas em série com a armadura (e com o campo, já que se utilizava excitação
série). Tais resistências iam sendo curto-circuitadas à medida que se desejava aumentar a tensão
terminal de armadura e, consequentemente, aumentar a velocidade da MCC. Era um controle
essencialmente manual, comandado pelo operador do veículo.
O controle da velocidade pelo fluxo de entreferro é utilizado em acionamentos
independentes, mas quando se deseja velocidade acima da velocidade base da máquina. Ou seja,
tipicamente opera-se com campo pleno (para maximizar o torque) e, ao ser atingida a velocidade
base, pelo enfraquecimento do campo pode-se ter uma maior velocidade, às custas de uma
diminuição no torque.
A figura 4.2 ilustra um perfil típico de acionamento.
velocidade
controle de
controle de campo
armadura potência
torque
máximo
torque
velocidade
base velocidade
máxima
Figura 4.2. Controle de MCC pela armadura e pelo campo
Dada a elevada constante de tempo elétrica do enrolamento de campo (para enrolamento

independente), não é possível fazer variações rápidas de velocidade por meio deste controle. Esta

é uma alternativa com uso principalmente em tração, na qual as exigências de resposta dinâmica
são menores.
Do ponto de vista de um melhor desempenho sistêmico, o controle através da tensão
terminal é o mais indicado, uma vez que permite ajustes relativamente rápidos (sempre limitados
pela dinâmica elétrica e mecânica do sistema), além de, adicionalmente, possibilitar o controle
do torque, através do controle da corrente de armadura. É o método geralmente utilizado no
acionamento de MCC em processos industriais.
4.1.2 Equações dinâmicas

O comportamento dinâmico de um sistema é dado por suas propriedades de
armazenamento de energia. No caso de MCC a energia pode ser acumulada, magneticamente,
nas indutâncias da máquina e, mecanicamente, na massa girante.
Relacionada à energia magnética, tem-se que ela é armazenada nas indutâncias de campo
e de armadura. Como, por construção, os campos produzidos por estes enrolamentos estão a 90o
elétricos um do outro, não há indutância mútua entre eles, podendo-se considerá-los
independentemente.
Considerando o fluxo de campo constante e excitado separadamente, tem-se o diagrama
de blocos mostrado na figura 4.3.
Tw(s)
vt (s)+ 1 ia(s) T(s) +
- 1 ω (s)
Conversor K. Φ
Ra + s.La B + s.J
-
Eg(s)
K. Φ
Figura 4.3 Diagrama de blocos de MCC com excitação independente.
A equação do conjugado para o sistema mecânico é dada por:
d
T( t ) = K ⋅ Φ ⋅ i a ( t ) = J ⋅ ω( t ) + B ⋅ ω( t ) + Tw ( t ) (4.5)
dt
Tw é o torque exercido pela carga acoplada ao eixo da máquina. Sendo suposto o linear
sistema, pode-se, a partir do modelo da figura 4.3, obter por superposição uma expressão para a
velocidade da máquina:
K ⋅Φ R a + sL a
ω(s) = ⋅ Vt (s) − ⋅ Tw (s) (4.6)
(R a + sL a )(B + sJ) + (K ⋅ Φ ) 2
(R a + sL a )(B + sJ ) + (K ⋅ Φ ) 2
Fazendo Tw(s)=0, a relação dinâmica entre a velocidade e a tensão terminal é:
ω(s) K⋅Φ
= (4.6.a)
Vt (s) (R a + sL a )(B + sJ ) + ( K ⋅ Φ ) 2
Fazendo Vt(s)=0 tem-se:

ω(s) (R a + sL a )
= (4.6.b)
Tw (s) (R a + sL a )(B + sJ ) + (K ⋅ Φ ) 2
Para ter-se uma visão mais clara sobre o comportamento dinâmico da máquina CC,
consideremos que seu atrito viscoso seja desprezível (B=0) e que a máquina esteja sem carga
mecânica e que a constante de tempo mecânica seja muito maior que a elétrica, o que permite
escrever:
ω(s) 1
≅ (4.7)
Vt (s) (1 + τ m ⋅ s ) ⋅ ( τ a ⋅ s + 1) ⋅ K ⋅ Φ
τa e τm são, respectivamente, as constantes de tempo elétrica (de armadura) e mecânica,

cujos valores são dados por:
La
τa = (4.8)
Ra
J⋅Ra
τm = (4.9)
(KΦ )2
Dada a característica de segunda ordem do sistema, pode-se obter os parâmetros relativos
à freqüência natural não-amortecida do sistema e ao coeficiente de amortecimento, dados
respectivamente por:
1
ωn ≅ (4.10)
τ m ⋅ τa
1
α≅ (4.11)
2τ a
Para máquinas de grande porte, usadas, em geral, em tração, a constante de tempo elétrica
é muito menor do que a constante de tempo mecânica, de modo que o sistema, do ponto de vista
do acionamento, pode ser considerado como de primeira ordem, desprezando a constante de
tempo elétrica. Isto já não ocorre para máquinas de pequeno porte, como as usadas em
automação industrial, nas quais o sistema, via de regra, é efetivamente considerado como de
segunda ordem.
4.1.3 Quadrantes de operação

Do ponto de vista do acionamento da MCC, pode-se definir, no plano torque x
velocidade, 4 regiões de operação, como indicado na figura 4.4. Note-se que o mesmo plano
pode ser colocado em termos do valor médio da corrente de armadura (Ia) e da força contra-
eletro-motriz de armadura, Eg, caso se suponha constante o fluxo de entreferro.
No quadrante I tem-se torque e velocidade positivos, indicando, que a máquina está
operando como motor e girando num dado sentido. Em termos de tração, poder-se-ia dizer que se
está operando em tração para frente.

No quadrante III, tanto o torque quanto a velocidade são negativos, caracterizando uma
operação de aceleração em ré.
Já o quadrante II se caracteriza por um movimento em ré (velocidade negativa) e torque
positivo, implicando, assim, numa frenagem.
No quadrante IV, tem-se velocidade positiva e torque negativo, ou seja, frenagem. Tem-
se um movimento de avanço, mas com redução da velocidade.
Sintetizando, tem-se a seguinte tabela:
Quadrante Torque Velocidade Sentido de Variação da

(Ia) (Eg) rotação velocidade
I >0 >0 avante acelera
II >0 <0 à ré freia
III <0 <0 à ré acelera
IV <0 >0 avante freia
Uma outra classificação usual para estes conversores é, ao invés da velocidade,

considerar-se a polaridade da tensão média terminal:
• Classe A: Operação no I quadrante
• Classe B: Operação no IV quadrante
• Classe C: Operação no I e IV quadrantes
• Classe D: Operação nos I e II quadrantes
• Classe E: Operação nos 4 quadrantes.
Note-se que não existe uma relação direta entre a polaridade da tensão terminal e o
sentido de rotação da MCC, uma vez que, transitoriamente, pode-se ter Vt com uma polaridade e
Eg com outra.
Assim, o plano Torque x Velocidade pode ser usado para definir aspectos de tração e
frenagem, mas o mesmo não ocorre com o plano Ia x Vt.
Velocidade angular Vt
IV I IV I
Torque Ia
III II III II
Figura 4.4 Regiões de acionamento de MCC.
4.2 Topologias de conversores para acionamento de MCC
A grande maioria dos acionamentos é feita utilizando-se conversores abaixadores de

tensão, ou seja, aqueles nos quais a tensão média aplicada à carga é menor do que a tensão de
alimentação do conversor. Conversores elevadores de tensão são usados quando se deseja freiar
a máquina, com envio de energia para a fonte (frenagem regenerativa). Tais conversores são
denominados “chopper”, em inglês. Em português recebem diferentes denominações, como:
recortador, pulsador, chaveador, etc.

Diferentemente do que ocorre com as fontes chaveadas (tema do capítulo 5), neste caso
não existe a preocupação com a filtragem da tensão antes de aplicá-la à carga. Assim, a tensão
terminal instantânea é a própria tensão sobre o diodo de circulação, enquanto a corrente é filtrada
pela indutância de armadura.
O comando usual é por Modulação por Largura de Pulso, com uma freqüência de
chaveamento cujo período seja muito menor do que a constante de tempo elétrica da carga, a fim
de permitir uma reduzida ondulação na corrente e, portanto, no torque. Outra possibilidade,
usada quando se deseja um controle de torque mais preciso é o controle por MLC (histerese)
4.2.1 Conversor Classe A

A figura 4.5 mostra uma topologia de conversor que opera apenas no I quadrante. Dada a
característica indutiva da carga, o uso do diodo de circulação (free-wheeling) é indispensável.
Note-se que a corrente da carga pode circular apenas no sentido indicado na figura, assim
como a tensão de armadura não pode ser invertida em relação à indicada, uma vez que o diodo
impede a existência de tensões negativas aplicadas no terminal da MCC.
ia La
Ra
E vt +
Eg
-
Figura 4.5 Conversor para I quadrante.
Em termos do comportamento da corrente de armadura, duas situações são possíveis: o

Modo de Condução Contínua e o Modo de Condução Descontínua, como mostrado na figura 4.6.
Na hipótese de que a constante de tempo elétrica da máquina seja muito maior do que o período
de chaveamento, pode-se considerar que a corrente tem uma variação praticamente linear. Na
realidade a variação é do tipo exponencial.
No primeiro caso a corrente de armadura não vai a zero dentro de cada ciclo de
chaveamento, o que significa que existe corrente circulando pelo diodo durante todo o tempo em
que o transistor permanece desligado, ou seja, uma tensão terminal nula. Já em condução
descontínua, a corrente de armadura vai a zero, fazendo com que o diodo deixe de conduzir.
Como não há corrente, não há queda de tensão sobre Ra e La, de modo que a tensão vista nos
terminais da MCC é a própria tensão de armadura, Eg.
A operação em um ou outro modo de funcionamento depende de diversos parâmetros do
sistema. Desprezando as quedas de tensão no transistor e no diodo, o valor médio da tensão
terminal, em condução contínua é:
t1
Vt = E ⋅ = E ⋅δ (4.12)
T
δ é o chamado ciclo de trabalho, razão cíclica ou largura de pulso.

Condução contínua Condução descontínua
I1 I1 tx
ΔI Ia i
Io a
Ia
0
i
D
i
T
E E
Vt vt
Eg
0 t1 T=t2 t2
0 t1 Τ
Figura 4.6. Formas de onda típicas nos modos de condução contínua e descontínua
No intervalo em que a corrente de armadura cresce (entre 0 e t1) a corrente é expressa

por:
ia ( t ) = Io ⋅ e
−t
τa
+
( E − E ) ⋅ ⎡⎢1 − e
g
⎛⎜ − t ⎞⎟ ⎤
⎝ τa ⎠⎥
(4.13)
Ra ⎢⎣ ⎥⎦
No intervalo de decaimento da corrente, ou seja, entre t1 e t2, tem-se:
⎛⎜ − ( t − t 1 ) ⎞⎟
τa ⎠ Eg ⎡ ⎛⎜ − ( t − t 1 ) ⎞⎟ ⎤
τa ⎠⎥
ia ( t ) = I1 ⋅ e⎝
− ⎢
⋅ 1 − e⎝ (4.14)
R a ⎢⎣ ⎥⎦
Aproximações (1a ordem) das equações anteriores são dadas, respectivamente, por:
⎛ t ⎞ E − Eg
ia ( t ) = Io ⋅ ⎜1 − ⎟ + ⋅
t ( ) (4.15)
⎝ τa ⎠ Ra τa
⎛ ( t − t1 ) ⎞ E g t − t1
ia ( t ) = I1 ⋅ ⎜1 − ⎟− ⋅ (4.16)
⎝ τ a ⎠ Ra τ a
No modo de condução descontínua, a corrente Io é nula e t2<T. A tensão terminal média

é:
tx
Vt = E ⋅ δ + E g ⋅ (4.17)
T
A duração do intervalo tx depende de vários parâmetros, sendo dada por:

(E − Eg ) ⋅ τ a ⋅ δ ⋅ T
t x = T − t 2 = T ⋅ (1 − δ) − (4.18)
Eg ⋅ τ a + (E − Eg ) ⋅ δ ⋅ T
Sendo τa>>T, a equação anterior se simplifica para:
tx E
≅ 1− δ ⋅ (4.19)
T Eg
Fazendo-se t2=T obtém-se o ciclo de trabalho que determina a passagem do modo de

condução contínua para o modo de condução descontínua, que é dado pela raiz positiva da
equação:
⎡ E⋅τ ⎤ Eg ⋅ τ a
δ2 + δ ⋅ ⎢ a
− 1⎥ − =0 (4.20)
⎢⎣ ( E − E g ) ⋅ T ⎥⎦ ( E − E g ) ⋅ T
Eg
δ≅ (4.21)
E
No caso crítico, substituindo (4.21) em (4.19), tem-se que tx=0. A figura 4.7 mostra o
valor do ciclo de trabalho crítico para diferentes relações entre a constante de tempo elétrica e o
período de chaveamento.
Nas figuras 4.8 e 4.9 tem-se as curvas características estáticas do conversor para
diferentes tensões de armadura. Em 4.8, no modo descontínuo, a tensão terminal é igual a Eg,
enquanto em 4.9, como a queda resistiva não é desprezível, o valor da tensão terminal é sempre
superior à tensão Eg.
Em termos de uma modelagem do conversor para uma análise dinâmica, se a operação
ocorrer no modo de condução contínua, pode-se representá-lo por um ganho, o que já não é
possível no caso de condução descontínua. Note-se que, nesta situação, o ganho incremental
(dVt/dδ) é muito baixo, tendendo a zero para τa>>T.
1
δcrit cond.
contínua
0.8
τa /T=1
0.6
cond.
descontínua
0.4
τa /T=10
0.2
0
0 20 40 60 80 100
Eg/E (%)
Figura 4.7. Ciclo de trabalho crítico que delimita o modo de operação.

100
Eg/E=0,8
80
Eg/E=0,6
60
Vt/E (%)
Eg/E=0,4
40
Eg/E=0,2
20
0
0.60 0.8 0.2
1 0.4
δ
Figura 4.8. Característica estática do conversor para I quadrante para τa/T=10.
100
Eg/E=0,8
80
Eg/E=0,6
60
Eg/E=0,4
Vt/E (%)
40
Eg/E=0,2
20
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
δ
Figura 4.9. Característica estática do conversor para I quadrante para τa/T=1.
Em condução contínua a ondulação da corrente é dada por:
⎛⎜ −δT ⎞⎟ ⎛⎜ − T ⎞⎟ ⎛⎜ − (1−δ ) T ⎞⎟
τa ⎠ τa ⎠ τa ⎠
E 1− e⎝ + e⎝ − e⎝
ΔI = ⋅ (4.22)
Ra ⎛⎜ − T ⎞⎟
⎝ τa ⎠
1− e
Utilizando as linearizações apresentadas tem-se:
2 ⋅ E ⋅ δ ⋅ T ⋅ (1 − δ)
ΔI = (4.23)
R a ⋅ ( 2 ⋅ τ a − δ ⋅ T)
A ondulação será máxima para 50% de ciclo de trabalho, valendo:
E⋅T
ΔI max = (4.24)
4⋅ La
A corrente média é:
E ⋅δ− Eg
Ia = (4.25)
Ra

4.2.2 Conversor Classe B

Nesta situação, na qual a velocidade mantém seu sentido (portanto também o faz Eg) e o
torque (a corrente de armadura) se inverte, a topologia apresenta-se como mostrada na figura
4.10, na qual o diodo e o transistor trocaram de posição, havendo uma inversão no sentido da
corrente de armadura e da fonte.
ia La
If Ra
E vt +
Eg
i
T
-
Figura 4.10. Conversor Classe B: operação no IV quadrante - frenagem avante.
Para que seja possível à corrente retornar à fonte (supondo-a receptiva), é necessário que
a tensão terminal média tenha um valor maior do que a tensão da fonte. Isto pode ocorrer se
Eg>E ou ainda pela ação do próprio conversor.
O primeiro caso (Eg>E) ocorre, por exemplo, quando se faz controle de velocidade
através do enfraquecimento do campo. Ao se desejar freiar a MCC, eleva-se a corrente de
campo, aumentando Eg, possibilitando a transferência de energia da máquina para a fonte. Isto é
possível até a velocidade base. Uma outra possibilidade é a MCC girar, por ação de um torque
externo, acima da velocidade base (por exemplo, um veículo numa descida).
Nosso objetivo aqui, no entanto, é analisar esta frenagem quando comandada pelo
conversor. As formas de onda mostradas na figura 4.11 referem-se à operação nos modos de
condução contínua e descontínua.
tx
ΔI Ia
ia
Ii
If i f If
iT
E E
vt Eg
Eg
0 t1 Τ t1 t2
0 Τ
Figura 4.11 Formas de onda típicas de conversor classe B.
Durante a condução do transistor acumula-se energia na indutância de armadura. Quando

este componente é desligado, a continuidade da corrente por La leva à condução do diodo,

fazendo com que a energia acumulada na indutância e aquela retirada da MCC sejam entregues à
fonte. Quanto maior for o ciclo de trabalho, maior será a corrente e, portanto, maior a energia
retirada da máquina.
Desprezando as quedas de tensão no transistor e no diodo, o valor médio da tensão
Vt = E ⋅ (1 − δ) (4.26)
No intervalo em que a corrente de armadura cresce (entre 0 e t1) a corrente é expressa

por:
−t Eg ⎡ ⎛⎜ − t ⎞⎟ ⎤
τ
τa
i a (t ) = Io ⋅ e + ⋅ 1 − e⎝ a ⎠ ⎥
⎢ (4.27)
R a ⎢⎣ ⎥⎦
⎛⎜ − ( t − t 1 ) ⎞⎟
τa ⎠
E − Eg ⎡ ⎛⎜ − ( t − t 1 ) ⎞⎟ ⎤
τa ⎠ ⎥
⎝
i a (t ) = I1 ⋅ e − ⋅ 1 − e⎝
⎢ (4.28)
R a ⎢⎣ ⎥⎦
⎛ t ⎞ Eg
i a (t ) = Io ⋅ ⎜1 − ⎟ + ⋅
t ( ) (4.29)
⎝ τa ⎠ Ra τa
⎛ (t − t 1 ) ⎞ E − E g t − t 1
i a (t ) = I 1 ⋅ ⎜1 − ⎟− ⋅ (4.30)
⎝ τa ⎠ Ra τa
No modo descontínuo a corrente Io é nula e t2<T. A tensão terminal média é:
tx
Vt = E ⋅ (t 2 − δ ⋅ T) + E g ⋅ (4.31)
T
Eg ⋅τa ⋅δ⋅T
t x = T − t 2 = T ⋅ (1 − δ) + (4.32)
E g ⋅ (τ a − δ ⋅ T) − E ⋅ τ a
tx E
≅ 1−δ⋅ (4.33)
T E − Eg
O ciclo de trabalho que determina a passagem do modo de condução contínua para o

modo de condução descontínua é dado pela raiz positiva da equação:

⎡ E⋅τ ⎤ (E − E g ) ⋅ τ a
a
δ2 + δ ⋅ ⎢ − 1⎥ − =0 (4.34)
⎢⎣ E g ⋅ T ⎥⎦ EgT
Eg
δ ≅ 1− (4.35)
E
A figura 4.12 mostra o valor do ciclo de trabalho crítico para diferentes relações entre a
constante de tempo elétrica e o período de chaveamento.
Na figura 4.13 tem-se as curvas características estáticas do conversor para diferentes
tensões de armadura. No modo de condução descontínua, a tensão terminal tende a Eg, supondo
a queda resistiva não desprezível, o valor da tensão terminal é sempre inferior a esta tensão.
Em condução contínua, a corrente média de armadura é:
Eg − E ⋅ (1 − δ)
Ia = (4.36)
Ra
Em condução descontínua a corrente média é baixa, de modo que o torque frenante

produzido é pequeno. Uma frenagem eficiente é realizada operando-se com condução contínua.
Na hipótese em que a fonte de alimentação não seja receptiva ao retorno da energia
(como, por exemplo, um retificador a diodos), deve-se prever um meio de dissipar a energia
retirada da MCC. Em geral, isto é feito sobre uma resistência, caracterizando a chamada
frenagem dinâmica.
δ 1
0.8
τ a/T=1
0.6
0.4
τ a/T=10
0.2
0
0 20 40 60 80 100
Eg/E (%)
Figura 4.12. Ciclo de trabalho crítico para conversor Classe B.

100
Vt/E (%)
80
Eg/E=0,6
60
Eg/E=0,4
40
Eg/E=0,2
20
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
δ
Figura 4.13. Característica de transferência estática de conversor Classe B (τa/T=1).
4.2.3 Conversor Classe C

Neste caso pode-se operar tanto em tração quanto em frenagem, mas sem alterar o
sentido de rotação da máquina. O circuito mostrado na figura 4.14 realiza tal função.
O conjunto T3/D3/Rd, é usado caso se deseje fazer frenagem dinâmica.
O acionamento do I quadrante é feito aplicando-se o sinal de comando em T1, ficando T2
e T3 desligados. O intervalo de circulação se dá via D2 e D3.
A frenagem (IV quadrante) regenerativa é feita mantendo-se T1 desligado e aplicando o
sinal de comando a T2, enquanto T3 é mantido constantemente ligado. O intervalo de circulação
ocorre via D1 e T3.
A presença de T3 possibilita a realização de frenagem dinâmica, ou seja, dissipativa.
Neste caso, T1 é mantido desligado (D1 não existe) e T2 ligado. O sinal de comando é aplicado a
T3. Quando T3 desliga a corrente continua a circular pelo resistor Rd, dissipando aí a energia
retirada da máquina.
D1 ia La
D2
Ra
T1
E vt +
T2 Rd Eg
D3 -
T3
Figura 4.14 Conversor Classe C, com frenagem dinâmica.
Exceto para a operação com frenagem dinâmica, as características estáticas deste

conversor são uma união das características descritas para os conversores classe A e B.
4.2.4 Conversor Classe D

Neste tipo de conversor não ocorre frenagem (ou seja, a corrente de armadura circula
sempre no mesmo sentido), mas a polaridade da tensão terminal pode ser alternada. A figura
4.15 mostra tal topologia. Uma aplicação típica é no acionamento de motores de passo, de

relutância, ou “brushless” quando se deseja apressar a extinção da corrente após o período de

alimentação de uma dada fase do motor.
D2
T1
vt
E
ia La Ra
Eg
T4
D3
Figura 4.15 Conversor Classe D.
Tipicamente os transistores são acionados simultaneamente, aplicando uma tensão

terminal positiva à MCC. Quando são desligados, a continuidade da corrente se dá pela
condução dos diodos, fazendo com que a tensão terminal se inverta. Note que, como não ocorre
inversão no sentido da corrente, não está havendo frenagem da máquina. O retorno de energia
para a fonte se dá pela absorção da energia acumulada na indutância de armadura e não pela
diminuição da energia presente na massa girante acoplada ao eixo da máquina.
A figura 4.16 mostra as formas de onda típicas para operação nos modos de condução
contínua e descontínua. Observe que a tensão terminal varia entre +E e -E.
I1 I1 tx
ΔI Ia
Io i
a
Ia
0
iD
i T
E E
Vt v Eg
t
-E -E
0 t1 T=t2
0 t1 t2 Τ
Figura 4.16. Formas de onda do conversor Classe D.
A operação em um ou outro modo de funcionamento depende de diversos parâmetros do

sistema. Desprezando as quedas de tensão no transistor e no diodo, o valor médio da tensão
Vt = E ⋅ ( 2 ⋅ δ − 1) (4.37)
Note que para um ciclo de trabalho inferior a 50% ter-se-ia uma tensão terminal negativa.
Uma situação deste tipo poderia ocorrer em dois casos: transitoriamente, quando a largura de

pulso é reduzida rapidamente, enquanto a corrente de armadura se mantém contínua, levando os

diodos a conduzirem por alguns ciclos completos; a outra hipótese é a de uma tensão de
armadura com polaridade oposta à indicada, o que poderia ocorrer, nesta topologia, caso
houvesse um torque externo levando a este movimento, ou uma inversão na corrente de campo,
uma vez que o conversor não permite um torque que conduza a MCC ao outro sentido de
rotação.
No intervalo em que a corrente de armadura cresce (entre 0 e t1) a corrente é dada por:
i a ( t ) = Io ⋅ e
−t
τa
+
( E − Eg ) ⎡ ⎛⎜ − t ⎞⎟ ⎤
⋅ 1 − e⎝
⎢ τ ⎠⎥ a
(4.38)
Ra ⎢⎣ ⎥⎦
⎛⎜ − ( t − t 1 ) ⎞⎟
τa ⎠
(E + E g ) ⎡ ⎛⎜ − ( t − t 1 ) ⎞⎟ ⎤
τa ⎠ ⎥
⎝
i a (t ) = I 1 ⋅ e − ⋅ ⎢1 − e ⎝ (4.39)
Ra ⎢⎣ ⎥⎦
⎛
i a ( t ) = Io ⋅ ⎜1 −
t ⎞ E − Eg t ( )
⎟+ ⋅ (4.40)
⎝ τa ⎠ Ra τa
⎛ (t − t 1 ) ⎞ (E + E g ) t − t 1
i a ( t ) = I 1 ⋅ ⎜1 − ⎟− ⋅ (4.41)
⎝ τa ⎠ Ra τa
No modo de condução descontínua a corrente Io é nula e t2<T. A tensão terminal média

é:
⎛ t2 ⎞ tx
Vt = E ⋅ ⎜ 2 ⋅ δ − ⎟ + E g ⋅ (4.42)
⎝ T⎠ T
( E − Eg ) ⋅ δ ⋅ T ⋅ τ a
t x = T − t 2 = T ⋅ (1 − δ) − (4.43)
( E − Eg ) ⋅ δ ⋅ T + ( E + Eg ) ⋅ τ a
tx ⎛ E − Eg ⎞
≅ 1 − δ ⋅ ⎜1 + ⎟ (4.44)
T ⎝ E + Eg ⎠
O ciclo de trabalho que determina a passagem do modo de condução contínua para a

descontínua é dado pela raiz positiva da equação:

⎡ 2⋅E⋅τ ⎤ (E + E g ) ⋅ τ a
δ2 + δ ⋅⎢ − 1⎥ −
a
=0 (4.41)
⎢⎣ ( E − E g ) ⋅ T ⎥⎦ ( E − E g ) ⋅ T
E + Eg
δ≅ (4.42)
2⋅E
δ
τ a/T=1
0.8
τ a/T=10
0.6
0.4
0.2
0
0 20 40 60 80 100
Eg/E (%)
Figura 4.17. Ciclo de trabalho crítico para conversor Classe D.

tensões de armadura, supondo a queda resistiva desprezível, ou seja, o valor da tensão terminal é
igual à tensão Eg. Indicam-se apenas valores para tensão terminal positiva pois esta é a única
possibilidade de operação em regime proporcionada pelo conversor sob análise.
100
Vt/E (%)
Eg/E=0,8
80
60
Eg/E=0,4
40
20
Eg/E=0
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
δ
Figura 4.18. Característica estática do conversor classe D para τa>>T.
4.2.5 Conversor Classe E

Neste tipo de conversor é possível a operação nos quatro quadrantes do plano torque x
velocidade, ou seja, tração e frenagem avante e à ré. A figura 4.19 mostra tal topologia.

T1 D1 vt T2 D2
La Ra
E
ia
Eg
T3
D3
D4 T4
Figura 4.19 Conversor Classe E.
Diferentes possibilidades de comando dos transistores existem:
4.2.5.1 Comando simultâneo

O par de transistores T1/T4 ou o par T2/T3 é acionado simultaneamente. Quando um par
é desligado, a continuidade da corrente se dá pela condução dos diodos em antiparalelo com o
outro par, fazendo com que a tensão terminal da MCC se inverta. Note que se não ocorre
inversão no sentido da corrente não está havendo frenagem da máquina. O retorno de energia
para a fonte se dá pela absorção da energia acumulada na indutância de armadura e não pela
diminuição da energia presente na massa girante acoplada ao eixo da máquina. As formas de
onda são as mesmas mostradas na figura 4.16.
O acionamento no I e II quadrantes (torque positivo) é feito aplicando-se o sinal de
comando a T1 e T4, ficando T2 e T3 desligados. O acionamento no III e IV quadrantes (torque
negativo) é feito comandando-se T2 e T3.
As equações e curvas válidas para este conversor são as mesmas, para tração, mostradas
para o conversor Classe D, ou seja, desprezando as quedas de tensão nos transistores e nos
diodos, o valor médio da tensão terminal, em condução contínua é:
Vt = E ⋅ ( 2 ⋅ δ − 1) (4.43)
Quando o sistema entra no modo de condução descontínua a corrente média tende a um

valor muito baixo e praticamente não há torque, de modo que a velocidade (e consequentemente
Eg) permanece praticamente constante.
Note que para um ciclo de trabalho inferior a 50% tem-se uma tensão terminal negativa.
Uma situação deste tipo poderia ocorrer transitoriamente, quando a largura de pulso fosse
reduzida rapidamente, enquanto a corrente de armadura se mantém contínua, levando os diodos a
conduzirem por um intervalo de tempo maior do que o fazem os transistores. Neste caso, como
não há inversão no sentido da corrente de armadura e supondo Eg>0, o processo continua sendo
de tração e a energia entregue à fonte é aquela acumulada na indutância de armadura.
Uma outra hipótese é a de uma tensão de armadura com polaridade oposta à indicada, ou
seja, com a MCC girando no outro sentido de rotação (à ré). Neste caso, mantida a polaridade da
corrente média de armadura, tem-se efetivamente um processo de frenagem.

100
Vt/E (%)
Eg/E=0,6 Tração
60
Eg/E=0,2
20 Acionamento
Eg/E=0
0 de T1 e T4
Eg/E=-0,2
-20
Eg/E=-0,6
-60
Frenagem se Eg<0
-100
0 0.2 0.4 0.5 0.6 0.8 1
δ
Figura 4.20. Característica estática (em tração, I quadrante e frenagem, II quadrante) do
conversor classe E para τa>>T.
O acionamento de T2 e T3, deixando T1 e T4 desligados, permite a operação nos

quadrantes III e IV. Sempre considerando a polaridade indicada na figura 4.19, isto significa
uma corrente de armadura negativa. Para a polaridade da tensão de armadura indicada na figura,
ou seja, Eg>0, durante a condução destes transistores a tensão terminal instantânea será negativa
e a tensão da fonte se somará a Eg. Durante a condução dos diodos a tensão sobre a indutância
(desprezando a queda em Ra) será a diferença destas tensões. A figura 4.21 mostra as formas de
onda.
Desprezando as quedas de tensão no transistor e no diodo, o valor médio da tensão
Vt = E ⋅ (1 − 2 ⋅ δ) (4.44)
Ter-se-á frenagem regenerativa, com um fluxo de potência da MCC para a fonte, quando
o intervalo de condução dos diodos for superior ao dos transistores. Isto ocorrerá para um ciclo
de trabalho inferior a 50%. Sempre supondo Eg>0, para δ>0,5, a energia retirada da fonte é
maior do que a devolvida, ou seja, o que se tem é uma frenagem dinâmica com a energia sendo
dissipada sobre a resistência de armadura!
No intervalo em que a corrente de armadura cresce em módulo (entre 0 e t1) a corrente é
expressa por:
i a ( t ) = Io ⋅ e
−t
τa
+
( E + Eg ) ⎡ ⎛⎜ − t ⎞⎟ ⎤
⋅ 1 − e⎝
⎢ τ ⎠⎥ a
(4.45)
Ra ⎢⎣ ⎥⎦
⎛⎜ − ( t − t 1 ) ⎞⎟
τa ⎠
(E − E g ) ⎡ ⎛⎜ − ( t − t 1 ) ⎞⎟ ⎤
τa ⎠ ⎥
⎝
i a (t ) = I 1 ⋅ e − ⋅ 1 − e⎝
⎢ (4.46)
Ra ⎢⎣ ⎥⎦

⎛
i a ( t ) = Io ⋅ ⎜1 −
(
t ⎞ E + Eg t )
⎟+ ⋅ (4.47)
⎝ τa ⎠ Ra τa
⎛ (t − t 1 ) ⎞ (E − E g ) t − t 1
i a ( t ) = I 1 ⋅ ⎜1 − ⎟− ⋅ (4.48)
⎝ τa ⎠ Ra τa
0
ΔI ia
Ia Ia
I1 tx
iD
i T
E E
Vt vt Eg
-E -E
0 t1 T=t2 0 t1 t2 Τ
Figura 4.21. Formas de onda do conversor Classe E, para frenagem.
No modo de condução descontínua a corrente Io é nula e t2<T. A tensão terminal média

é:
⎛t2 ⎞ tx
Vt = E ⋅ ⎜ − 2 ⋅ δ ⎟ + E g ⋅ (4.49)
⎝T ⎠ T
( E + Eg ) ⋅ δ ⋅ T ⋅ τ a
t x = T − t 2 = T ⋅ (1 − δ) − (4.50)
( E + Eg ) ⋅ δ ⋅ T + ( E − Eg ) ⋅ τ a
tx ⎛ E + Eg ⎞
≅ 1 − δ ⋅ ⎜1 + ⎟ (4.51)
T ⎝ E − Eg ⎠
O ciclo de trabalho que determina a passagem do modo de condução contínua para a

descontínua é dado pela raiz positiva da equação:

⎡ 2⋅E⋅τ ⎤ (E − E ) ⋅ τ
g a
δ2 + δ ⋅ ⎢ a
− 1⎥ − =0 (4.52)
⎢⎣ ( E + E g ) ⋅ T ⎥⎦ ( E + E g ) ⋅ T
E − Eg
δ≅ (4.53)
2⋅E
tensões de armadura, supondo a queda resistiva desprezível, ou seja, o valor da tensão terminal
igual à tensão Eg.
Se a tensão Eg for negativa, isto significa que a MCC está girando no sentido oposto.
Neste caso o comando de T2/T3 implica numa operação de tração à ré. Para δ<0,5, não havendo
inversão no sentido da corrente, continua-se num procedimento de tração, mas com uma tensão
terminal positiva, o que significa que está sendo retirada energia acumulada na indutância de
armadura e entregando-a à fonte. Este procedimento só é possível transitoriamente.
δ 1
0.8
0.6
τ a/T=1
0.4
τa/T=10
0.2
0
0 20 40 60 80 100
Eg/E (%)
Figura 4.22. Ciclo de trabalho crítico para conversor Classe E, operando em frenagem.
100
Vt/E (%) Frenagem regenerativa
75 Se Eg>0
Eg/E=0,5
50
25
Eg/E=0
0
25
Eg/E=-0,5
Tração à ré
50 Se Eg<0
75
100
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
δ
Figura 4.23. Característica estática do conversor classe E para τa>>T. Acionamento de T2/T3.

4.2.5.2 Comandos separados

Uma outra forma de comandar os transistores, e que determina diferentes formas de onda
para a tensão terminal é descrita a seguir:
• Para tensão terminal positiva mantém-se T1 (ou T4) sempre ligado, fazendo-se a modulação
sobre T4 (ou T1). O período de circulação ocorrerá não através da fonte, mas numa malha
interna, formada, por exemplo, por T1 e D2, fazendo com que a tensão terminal se anule.
Tem-se para o conversor um comportamento igual ao Classe A, valendo, inclusive, as
mesmas equações.
• Para tensão terminal negativa mantém-se T2 (ou T3) sempre ligado, fazendo-se a modulação
sobre T3 (ou T2). O período de circulação ocorrerá não através da fonte, mas numa malha
interna, formada, por exemplo, por T2 e D1.
Este acionamento não permite frenagem regenerativa, uma vez que a corrente que circula
pelos diodos não retorna para a fonte. A vantagem é que, em tração, como o ciclo de trabalho
crítico é menor do que no caso anterior, a corrente tende ao modo contínuo.
4.2.5.3 Deslocamento de fase

Neste tipo de acionamento os comandos para os pares T1/T4 e T2/T3 são
complementares, ou seja, quando se desliga um par se liga o outro. Isto garante a não existência
de descontinuidade na corrente pois, quando ela tende a se anular (circulando pelos diodos), os
transistores acionados em antiparalelo permitirão sua reversão. O inconveniente é que, mesmo
com a MCC parada (tensão média nula) os transistores estão sendo acionados com ciclo de
trabalho de 50%.
Para se ter uma tensão média positiva o intervalo de condução de T1/T4 deve ser maior
do que o de T2/T3, e vice-versa, como indicado na figura 4.24.
As frenagens ocorrem naturalmente quando, para uma dada polaridade da tensão de
armadura se faz o acionamento (com largura de pulso maior que 50%) do par de transistores que
produz uma tensão terminal com polaridade oposta.
T1/T4
T2/T3
+E
vt
-E
Ia
Ia
Figura 4.24 Formas de onda de Conversor Classe E, com acionamento por deslocamento de fase.

4.3 Princípios de motores com ímãs permanentes
Um problema dos motores CC convencionais são as escovas, devido ao desgaste e

centelhamento produzido. Uma alternativa é introduzir no rotor um ímã permanente que faz as
vezes da armadura. Obviamente não se tem mais a possibilidade de controle através da variação
do respectivo campo magnético.
Abrem-se, no entanto, outras possibilidades de acionamento, com o aumento do número
de pólos. O funcionamento do motor, no entanto, depende de um conversor eletrônico que faça a
adequada alimentação dos enrolamentos do estator.
A figura 4.25 ilustra um motor com 2 pólos e as respectivas bobinas do estator.
Figura 4.25 Estrutura básica de motor de ímas parmanentes de dois pólos e respectivas bobinas.
(extraído de http://www.basilnetworks.com/article/motors/analysis3.html em 8/2/2006).
Com a energização seqüêncial de cada bobina cria-se um campo resultante que impõe um
deslocamento no rotor, buscando o devido alinhamento, o que leva à rotação do eixo.
Motores assim simples são normalmente utilizados em brinquedos e sistemas de baixo
custo, como ventiladores para computadores. No entanto o motor de 2 pólos, embora possa
operar em elevadas velocidades, apresenta elevada ondulação de torque.
Com o aumento do número de pólos é possível obter um comportamento mais plano do
torque embora, normalmente, isso implique numa redução da velocidade. A figura 4.26 mostra
um motor com 4 pólos.
A redução da velocidade decorre da dificuldade de se conseguir desmagnetizar a bobina
antecessora ao mesmo tempo em que se alimenta a bobina seguinte. Observe que o campo ainda
produzido pela bobina anterior produz um torque que se opõe à rotação desejada.
A minimização deste efeito exige que o conversor que alimenta o motor seja capaz de
levar a zero da meneira mais rápida possível a corrente da bobina que está sendo desligada, o
que justifica o uso de topologias classe D.

Figura 4.26 Motor com ímã permanente com 4 pólos.
Para motores com três fases, que são os de menor custo e exigem menor quantidade de
dispositivos eletrônicos, a redução da ondulação de torque pode ser obtida com um acionamento
que module a corrente das fases e que permita correntes negativas, o que se consegue com o
conversor classe E, ou, para uma quantidade menor de componentes, um conversor trifásico
como mostra a figura 4.27.
Figura 4.27 Inversor trifásico para acionamento de motor de 2 pólos (3 enrolamentos de estator).
Figura obtida em 8/2/2006 em http://mag-net.ee.umist.ac.uk/reports/P11/p11.html
O acionamento de cada bobina necessita de informações sobre a posição do rotor.

Existem diversas técnicas de sensoriamento, assim como estratégias “sensorless”. A figura 4.28
ilustra uma aplicação típica que usa sensor de posição e realimentação de corrente.

Figura 4.28 Acionamento de motor “brushless”. Figura obtida em 8/2/2006 em

http://www.mathworks.com/access/helpdesk/help/toolbox/physmod/powersys/electr33.html
4.4 Motor de relutância comutada

O motor de relutância comutada (ou variável) - utiliza o princípio da atração magnética
para produzir torque. Não existem enrolamentos nem ímãs permanentes no rotor, o qual é
constituído de chapas de aço com formato adequado para formarem pólos magnéticos, como
mostra a figura 4.29. O número de pólos do estator deve ser diferente do rotor, de modo a sempre
haver pólos desalinhados.
Quando um dado enrolamento do estator é energizado (no caso da figura, o enrolamento
B), o pólo do rotor mais próximo será atraído de forma a minimizar o caminho magnético do
fluxo, ou seja, minimizar a relutância. No caso da figura, haverá um movimento do rotor no
sentido anti-horário.
A rotação é obtida pela energização seqüencial dos enrolamentos do estator. O torque
desenvolvido é função da corrente do estator e das características ferromagnéticas do material.
Normalmente é necessário um sensor de posição para identificar qual e quando um enrolamento
deve ser energizado, como ilustra a figura 4.30. No entanto existem técnicas mais modernas que
podem prescindir do sensor.
Por seu baixo custo, robustez e tolerância a falhas, tais motores tem tido crescente
aplicação em aparelhos eletrodomésticos, como refrigeradores, ar-condicionado, máquinas de
lavar, etc.
Algumas propriedades deste motor são:
• Robustez, devido à ausência de enrolamentos e contatos com o rotor.
• Para uma mesma aplicação, a inércia é menor do que em motores CC convencionais ou
de indução, o que traz benefícios para os mancais, especialmente em aplicações com
grande quantidade de partidas e paradas.
• Para uma mesma potência, o tamanho é menor do que motores CC convencionais.

• Tolerante à falha no circuito eletrônico de acionamento, pois é possível manter a rotação

mesmo na ausência de alimentação de uma ou mais fases (dependendo do projeto do
motor).
• Disponibilidade de torque mesmo com o motor parado.
• Velocidade máxima limitada apenas pelos mancais.
• Elevada eficiência em ampla faixa de torque e velocidade.
• Operação em 4 quadrantes.
Figura 4.29 Princípio construtivo e de operação de motor de relutância comutada.

Imagem obtida em 14/2/2006 em http://emsyl.ece.ua.edu/vasquez/websim.html
Figura 4.30 Circuito completo de acionamento e controle de motor de relutância produzido pela
NEC. Imagem obtida em 14/2/2006 em:
http://www.eu.necel.com/applications/industrial/motor_control/030_general_motor_control/060_switched_reluctance/

Dewan, S. B.; Slemon, G. R. e Straughen, A.: “Power Semiconductor Drives”, John Wiley &
Sons, New York, USA, 1984.
N. Mohan, T. M. Undeland e W. P. Robbins: “Power Electronics, Converters, Applications ans

Design”, 2nd Edition, John Willey & Sons, USA, 1994
Barton, T. H.: “The Transfer Characteristics of a Chopper Drive”. IEEE Trans. On Industry
Applications, vol. IA-16, no. 4, Jul/Aug 1980, pp. 489-495
Schonek, J. : “Pulsador Reversível para a Alimentação de uma Máquina de Corrente Contínua

nos Quatro Quadrantes do Plano Torque velocidade”. Anais do II Congresso Brasileiro de
Automática, Florianópolis, SC, 1978.
Pomilio, J. A.: “Frenagem Regenerativa de Máquina CC Acionada por Recortador: Maximização

da Energia Regenerada”. Dissertação de Mestrado, FEC - UNICAMP, 1986.

5. TOPOLOGIAS BÁSICAS DE FONTES CHAVEADAS
Apresentam-se a seguir as estruturas circuitais básicas que realizam a função de, a partir
de uma fonte de tensão fixa na entrada, fornecer uma tensão de valor diferente e, eventualmente
variável na saída. Neste caso, diferentemente do que se viu para os conversores para
acionamento de máquinas de corrente contínua, existe um filtro capacitivo na saída, de modo a
manter, sobre ele, a tensão estabilizada.
5.1 Conversor abaixador de tensão (step-down ou buck): Vo<E
A tensão de entrada (E) é recortada pela chave T. Considere-se Vo constante. Assim, a

corrente pela carga (Ro) tem ondulação desprezível, possuindo apenas um nível contínuo. A
figura 5.1 mostra a topologia.
Com o transistor conduzindo (diodo cortado), transfere-se energia da fonte para o indutor
(cresce iL) e para o capacitor (quando iL>Vo/R).
Quando T desliga, o diodo conduz, dando continuidade à corrente do indutor. A energia
armazenada em L é entregue ao capacitor e à carga. Enquanto o valor instantâneo da corrente
pelo indutor for maior do que a corrente da carga, a diferença carrega o capacitor. Quando a
corrente for menor, o capacitor se descarrega, suprindo a diferença a fim de manter constante a
corrente da carga (já que estamos supondo constante a tensão Vo).
iT iL
T
L +
iD Ro
E vD D Co Vo
Io
Figura 5.1 Conversor abaixador de tensão
Se a corrente pelo indutor não vai a zero durante a condução do diodo, diz-se que o
circuito opera no modo de condução contínua. Caso contrário tem-se o modo descontínuo. Via
de regra, prefere-se operar no modo de condução contínua devido a haver neste caso uma
relação bem determinada entre a largura de pulso e a tensão média de saída. A figura 5.2 mostra
as formas de onda típicas de ambos os modos de operação.
5.1.1 Modo de condução contínua (MCC)

Este modo de operação é definido como aquele em que a corrente pelo diodo não vai a
zero antes que o transistor seja religado. Em alguns conversores isto coincide com o fato da
corrente pelo indutor não se anular, em outros, não.
A obtenção da relação entrada/saída pode ser feita a partir do comportamento do
elemento que transfere energia da entrada para a saída. Sabe-se que a tensão média sobre uma
indutância, em regime, é nula, como mostrado na figura 5.3.
DSCE – FEEC – UNICAMP 2009

5-1
tT t t2 tx Iomax
T
Δ Io Io
i
L
Io
iD
i
T
E E
Vo vD
Vo
0 τ
0 τ Fi
gura 5.2 Formas de onda típicas nos modos de condução contínua e descontínua
vL
V1
A1
t1 τ
A2
V2
Figura 5.3 Tensão sobre uma indutância em regime.
A1 = A 2
(5.1)
V1 ⋅ t 1 = V2 ⋅(τ − t 1)
No caso do conversor abaixador, quanto T conduz, vL=E-Vo, e quando D conduz, vL=-

Vo
(E − Vo)⋅ t T = Vo ⋅(τ − t T )
Vo t T (5.2)
= ≡δ
E τ
5.1.2 Modo de condução descontínua (MCD)

A modelagem que se segue pressupõe um comportamento de corrente constante na saída.
Caso a hipótese seja de “resistência constante” ou de “potência constante”, as equações
resultantes são diversas daquelas ora apresentadas. Isto é válido também para os demais
conversores apresentados na seqüência.
5-2
A corrente do indutor será descontínua quando seu valor médio for inferior à metade de
seu valor de pico (Io<ΔIo/2). A condição limite é dada por:
ΔI o ( E − Vo) ⋅ t T ( E − Vo) ⋅ δ ⋅ τ
Io = = = (5.3)
2 2⋅L 2⋅L
Com a corrente sendo nula durante o intervalo tx, tem-se:
(E − Vo)⋅ t T = Vo ⋅(τ − t T − t x ) (5.4)
Vo δ
= (5.5)
E t
1− x τ
Escrevendo em termos de variáveis conhecidas, tem-se:
I o max ⋅ δ
Ii = (corrente média de entrada) (5.6)
2
( E − Vo) ⋅ t T
I o max = (5.7)
L
Como a potência de entrada é suposta igual à potência de saída, chega-se a:
Vo Ii I o max ⋅ δ ( E − Vo) ⋅ δ 2 ⋅ τ
= = =
E Io 2 ⋅ Io 2 ⋅ Io ⋅ L
Vo 2 ⋅ L ⋅ Ii
= 1− (5.8)
E E ⋅ τ ⋅ δ2
E
Vo = (5.9)
2 ⋅ L ⋅ Io
1+
E ⋅ τ ⋅ δ2
Vamos definir o parâmetro K, que se relaciona com a descontinuidade como sendo:
L ⋅ Io
K= (5.10)
E⋅τ
A relação saída/entrada pode ser rescrita como:
Vo δ2
= 2 (5.11)
E δ +2⋅K
O ciclo de trabalho crítico, no qual há a passagem do modo de condução contínua para a

descontínua é dado por:

5-3
1± 1− 8 ⋅ K
δ crit = (5.12)
2
A figura 5.4 mostra a característica estática do conversor para diferentes valores de K.

Na figura 5.5 tem-se a variação da tensão de saída com a corrente de carga. Note-se que a
condução descontínua tende a ocorrer para pequenos valores de Io, levando à exigência da
garantia de um consumo mínimo. Existe um limite para Io acima do qual a condução é sempre
contínua e a tensão de saída não é alterada pela corrente.
1
Cond. descontínua
0.75
K=.1
Vo/E K=.01 K=.05
0.5
0.25
Cond. contínua
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
δ
Figura 5.4 Característica de controle do conversor abaixador de tensão nos modos de condução
contínua e descontínua.
1
Cond. contínua
δ=0,8
0.8
δ=0,6
0.6
Vo/E δ=0,4
Cond. descontínua
0.4
δ=0,2
0.2
0
0
E.τ
Io 8L
Figura 5.5 Característica de saída do conversor abaixador de tensão nos modos de condução
contínua e descontínua.
5.1.3 Dimensionamento de L e de C
Da condição limite entre o modo de condução contínua e descontínua, tem-se:
( E − Vo) ⋅ τ ⋅ δ
I o min = (5.14)
2⋅L
Caso se deseje operar sempre no modo de condução contínua deve-se ter:
E ⋅(1 − δ)⋅δ ⋅ τ
L min = (5.15)
2 ⋅ Io(min)
Quanto ao capacitor de saída, ele pode ser definido a partir da variação da tensão
admitida, lembrando-se que enquanto a corrente pelo indutor for maior que Io (corrente na

5-4
carga, suposta constante) o capacitor se carrega e, quando for menor, o capacitor se descarrega,
levando a uma variação de tensão ΔVo.
1 ⎡ τ ⎤ ΔIo τ ⋅ ΔIo
ΔQ = ⋅ ⋅ = (5.16)
2 ⎢⎣ 2 ⎥⎦ 2 8
A variação da corrente é:
(E − Vo)⋅ t T E ⋅ δ ⋅ τ ⋅(1 − δ)
ΔIo = = (5.17)
L L
Substituindo (5.17) em (5.16) tem-se:
ΔQ τ 2 ⋅ E ⋅ δ ⋅(1 − δ)
ΔVo = = (5.18)
Co 8 ⋅ L ⋅ Co
Logo,
Vo ⋅(1 − δ)⋅ τ 2
Co = (5.19)
8 ⋅ L ⋅ ΔVo
Muitas vezes o limitante para a ondulação da tensão não é a capacitância, mas sim a
resistência série equivalente (Rse) do capacitor. Tal resistência produz uma queda de tensão que
se soma à queda na capacitância, podendo ser dominante. A redução de Rse é feita pela
colocação em paralelo de vários capacitores.
5.2 Conversor elevador de tensão (step-up ou boost): Vo>E
Quando T é ligado, a tensão E é aplicada ao indutor. O diodo fica reversamente

polarizado (pois Vo>E). Acumula-se energia em L, a qual será enviada ao capacitor e à carga
quando T desligar. A figura 5.6 mostra esta topologia. A corrente de saída, iD, é sempre
descontínua, enquanto iL (corrente de entrada) pode ser contínua ou descontínua.
Também neste caso tem-se a operação no modo de condução contínua ou descontínua.
As formas de onda são mostradas na figura 5.7.
5.2.1 Modo de condução contínua

Quando T conduz: vL=E (durante tT)
Quando D conduz: vL=-(Vo-E) (durante τ-tT)
E ⋅ t T (Vo − E)⋅(τ − t T )
ΔIi = = (5.20)
L L
E
Vo = (5.21)
1− δ
Embora para δ → 1, Vo → ∞, na prática os elementos parasitas e não ideais do circuito

(como as resistências do indutor e da fonte) impedem o crescimento da tensão acima de um certo

5-5
limite, no qual as perdas nestes elementos resistivos se tornam maiores do que a energia
transferida pelo indutor para a saída.
vL
Io
L iD D
iL +
iT
Ro
E vT T Co Vo
Figura 5.6 Conversor elevador de tensão

tT tT t2 tx
ΔI Ii
iL
Ii
Io i D Io
iT
Vo Vo
vT E
E
0 τ 0 τ
Figura 5.7 Formas de onda típicas de conversor elevador de tensão.
Nota-se que a corrente de entrada é a própria corrente pelo indutor e que a corrente
média pelo diodo é a corrente da carga (já que a corrente média pelo capacitor é nula).
5.2.2 Modo de condução descontínua

Quando T conduz: vL = E, (durante tT)
Quando D conduz: vL = -(Vo-E), durante (τ-tT-tx)
1 − tx τ
Vo = E ⋅ (5.22)
1 − δ − tx τ
Escrevendo em termos de variáveis conhecidas, tem-se:

5-6
E2 ⋅ τ ⋅ δ2
Vo = E + (5.23)
2 ⋅ L ⋅ Io
Vo δ2
= 1+ (5.24)
E 2⋅K

1± 1− 8 ⋅ K
δ crit = (5.25)
2

Na figura 5.9 tem-se a variação da tensão de saída com a corrente de carga. Note-se que a
condução descontínua tende a ocorrer para pequenos valores de Io, levando à exigência da
50
K=.01
40
30
Vo/E cond. descontínua K=.02
20
10 K=.05
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8
δ
Figura 5.8 Característica estática do conversor elevador de tensão nos modos de condução
contínua e descontínua, para diferentes valores de K.
10
cond. contínua
6
δ=.8
Vo/E cond.
4 descontínua
δ=.6
2 δ=.4
δ=.2
0
0 0.04 0.08 0.12 0.16 0.2
Io E.τ
8.L
Figura 5.9 Característica de saída do conversor elevador de tensão.

5-7
5.2.3 Dimensionamento de L e de C
O limiar para a condução descontínua é dado por:
ΔIi E ⋅ t T Vo ⋅(1 − δ)⋅δ ⋅ τ

Ii = = = (5.26)
2 2⋅L 2⋅L
ΔIi ⋅(τ − t T ) E ⋅ δ ⋅(1 − δ)⋅ τ
Io = = (5.27)
2⋅τ 2⋅L
E ⋅ δ ⋅(1 − δ)⋅ τ
L min = (5.28)
2 ⋅ Io(min)
Para o cálculo do capacitor deve-se considerar

iD
a forma de onda da corrente de saída. Admitindo-se a
hipótese que o valor mínimo instantâneo atingido por
esta corrente é maior que a corrente média de saída,
Io, o capacitor se carrega durante a condução do diodo
Io e fornece toda a corrente de saída durante a condução
do transistor.
δτ τ
Io(max)⋅δ ⋅ τ
Co = (5.29)
ΔVo
5.3 Conversor abaixador-elevador (buck-boost)
Neste conversor, a tensão de saída tem polaridade oposta à da tensão de entrada. A figura
5.10 mostra o circuito.
Quando T é ligado, transfere-se energia da fonte para o indutor. O diodo não conduz e o
capacitor alimenta a carga. Quando T desliga, a continuidade da corrente do indutor se faz pela
condução do diodo. A energia armazenada em L é entregue ao capacitor e à carga. Tanto a
corrente de entrada quanto a de saída são descontínuas. A figura 5.11. mostra as formas de onda
nos modos de condução contínua e descontínua (no indutor).
vT
D
iD
iT T
vL L Vo
E Co Ro
iL Io
+
Figura 5.10 Conversor abaixador-elevador de tensão
5.3.1 Modo de condução contínua

Quando T conduz: vL=E, (durante tT)
Quando D conduz: vL=-Vo, (durante τ-tT)
5-8
E ⋅ t T Vo ⋅ (τ − t T )
= (5.30)
L L
E ⋅δ
Vo = (5.31)
1− δ
tT tT t2 tx
ΔI iL
Io i D Io
iT
E+Vo E+Vo
vT
E E
0 τ
0 τ
(a) (b)
Figura 5.11 Formas de onda do conversor abaixador-elevador de tensão operando em condução
contínua (a) e descontínua (b).
5.3.2 Modo de condução descontínua

Quando T conduz: vL = E, (durante tT)
Quando D conduz: vL = -Vo, durante (τ-tT-tx)
E ⋅δ
Vo = (5.32)
1 − δ − tx τ
A corrente máxima de entrada, que é a corrente pelo transistor, ocorre ao final do intervalo de
condução do transistor:
E ⋅ tT
Ii max = (5.33)
L
Seu valor médio é:
Ii max ⋅ t T
Ii = (5.34)
2⋅τ

5-9
Do balanço de potência tem-se:
Io ⋅ Vo
Ii = (5.35)
E
O que permite escrever:
E2 ⋅ τ ⋅ δ2
Vo = (5.36)
2 ⋅ L ⋅ Io
Uma interessante característica do conversor abaixador-elevador quando operando no

modo de condução descontínua é que ele funciona como uma fonte de potência constante.
E2 ⋅ τ ⋅ δ2
Po = (5.37)
2⋅L
Vo δ2
= (5.38)
E 2⋅K

1± 1− 8 ⋅ K
δ crit = (5.39)
2
50
40 K=.01
cond. descontínua
30
Vo/E K=.02
20
10 K=.05
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8
δ
Figura 5.12 Característica estática do conversor abaixador-elevador de tensão nos modos de
condução contínua e descontínua, para diferentes valores de K.
Na figura 5.13 tem-se a variação da tensão de saída com a corrente de carga. Note-se que
a condução descontínua tende a ocorrer para pequenos valores de Io, levando à exigência da

5-10
10
Vo/E cond. contínua

4 δ=.8
cond.
2
descontínua δ=.6
δ=.4
0 δ=.2
0 0.04 0.08 0.12 0.16 0.2
Io E. τ
8.L
Figura 5.13 Característica de saída do conversor abaixador-elevador de tensão.
5.3.3 Cálculo de L e de C
O limiar entre as situações de condução contínua e descontínua é dado por:
ΔI L ⋅ (τ − t T ) Vo ⋅ (τ − t T ) ⋅ (1 − δ) Vo ⋅ τ ⋅ (1 − δ) 2
Io = = = (5.40)
2⋅τ 2⋅L 2⋅L
E ⋅ τ ⋅ δ ⋅(1 − δ)
L min = (5.41)
2 ⋅ Io(min)
Quanto ao capacitor, como a forma de onda da corrente de saída é a mesma do conversor

elevador de tensão, o cálculo segue a mesma expressão.
Io(max)⋅ τ ⋅ δ
Co = (5.42)
ΔVo
5.4 Conversor Ćuk
Diferentemente dos conversores anteriores, no conversor Ćuk, cuja topologia é mostrada

na figura 5.14, a transferência de energia da fonte para a carga é feita por meio de um capacitor.
Como vantagem, existe o fato de que tanto a corrente de entrada quanto a de saída
poderem ser contínuas, devido à presença dos indutores. Além disso, ambos indutores estão
sujeitos ao mesmo valor instantâneo de tensão, de modo que é possível construí-los num mesmo
núcleo. Este eventual acoplamento magnético permite, com projeto adequado, eliminar a
ondulação de corrente em um dos enrolamentos. Os interruptores devem suportar a soma das
tensões de entrada e saída.
A tensão de saída apresenta-se com polaridade invertida em relação à tensão de entrada.

5-11
I L1 VC1 I L2
+
L1 C1 L2 Ro
Co
E T D Vo
Figura 5.14 Conversor Ćuk
Em regime, como as tensões médias sobre os indutores são nulas, tem-se: VC1=E+Vo.
Com o transistor desligado, iL1 e iL2 fluem pelo diodo. C1 se carrega, recebendo energia
de L1. A energia armazenada em L2 é enviada à saída.
Quando o transistor é ligado, D desliga e iL1 e iL2 fluem por T. Como VC1>Vo, C1 se
descarrega, transferindo energia para L2 e para a saída. L1 acumula energia retirada da fonte.
A figura 5.15 mostra as formas de onda de corrente nos modos de condução contínua e
descontínua. Note-se que no modo descontínuo a corrente pelos indutores não se anula, mas sim
ocorre uma inversão em uma das correntes, que irá se igualar à outra. Na verdade, a
descontinuidade é caracterizada pelo anulamento da corrente pelo diodo, fato que ocorre
também nas outras topologias já estudadas.
i Condução contínua Condução descontínua

L1 i L1
I1
Ix
i L2 i
L2
I2
vC1 -Ix
V1 tT t2 tx
tT
τ
Figura 5.15. Formas de onda do conversor Ćuk em condução contínua e descontínua
Assumindo que iL1 e iL2 são constantes, e como a corrente média por um capacitor é nula
(em regime), tem-se:
I L2 ⋅ t T = I L1 ⋅(τ − t T ) (5.43)

5-12
I L1 ⋅ E = I L2 ⋅ Vo (5.44)
E ⋅δ
Vo = (5.45)
1− δ
Uma vez que a característica estática do conversor Ćuk é idêntica ao do conversor

abaixador-elevador de tensão, as mesmas curvas características apresentadas anteriormente são
válidas também para esta topologia. A diferença é que a indutância utilizada nas equações deve
L ⋅L
ser substituída por Le, onde L e = 1 2 .
L1 + L 2
5.4.1 Dimensionamento de C1
C1 deve ser tal que não se descarregue totalmente durante a condução de T.
Considerando iL1 e iL2 constantes, a variação da tensão é linear. A figura 5.16 mostra a tensão no
capacitor numa situação crítica.
v
C1
2VC1
V C1
tT τ t
Figura 5.16. Tensão no capacitor intermediário numa situação crítica.
VC1 = E + Vo (5.46)
Na condição limite:
2 ⋅(E + Vo)
Io = I L2 = C1 ⋅ (5.47)
tT
Io(max)⋅δ ⋅(1 − δ)⋅ τ

C1 min = (5.48)
2⋅E
5.4.2 Dimensionamento de L1
Considerando C1 grande o suficiente para que sua variação de tensão seja desprezível,
L1 deve ser tal que não permita que iL1 se anule. A figura 5.17 mostra a corrente por L1 numa
situação crítica.
L1 ⋅ I L1max
E= (5.49)
tT

5-13
E+Vo
+ i
L1
L1
I
E L1max
t τ
T
Figura 5.17 Corrente por L1 em situação crítica.
I L1 max
Ii = I L1 = (5.50)
2
Quando T conduz:
E ⋅ tT
L1 = (5.51)
2 ⋅ Ii
E ⋅ τ ⋅ (1 − δ)
L1min = (5.52)
2 ⋅ Io(min)
5.4.3 Cálculo de L2
Analogamente à análise anterior, obtém-se para L2:
E⋅δ⋅τ
L 2 min = (5.53)
2 ⋅ Io(min)
5.4.4 Cálculo de Co (capacitor de saída)

Como a corrente de saída é contínua, o dimensionamento de C é idêntico ao realizado
para o conversor abaixador de tensão.
E ⋅ δ ⋅ τ2
Co = (5.54)
8 ⋅ L 2 ⋅ ΔVo
5.5 Conversor SEPIC
O conversor SEPIC (Single Ended Primary Inductance Converter) é mostrado na figura

5.18.
Possui uma característica de transferência do tipo abaixadora-elevadora de tensão.
Diferentemente do conversor Ćuk, a corrente de saída é pulsada e não existe inversão na
polaridade da tensão de saída. Como no conversor Ćuk, os interruptores ficam sujeitos a uma
tensão que é a soma das tensões de entrada e de saída e a transferência de energia da entrada
para a saída se faz via capacitor. Sua principal vantagem é no circuito isolado quando a
indutância L2 pode ser a própria indutância de magnetização do transformador.

5-14
L1 D +
C1
Vo
E L2 Co
T Ro
Figura 5.18 Topologia do conversor SEPIC.
O funcionamento no modo descontínuo também é igual ao do conversor Ćuk, ou seja, a

corrente pelo diodo de saída se anula, de modo que as correntes pelas indutâncias se tornam
iguais.
5.6 Conversor Zeta
O conversor Zeta, cuja topologia está mostrada na figura 5.19, também possui uma
característica abaixadora-elevadora de tensão. Na verdade, a diferença entre este conversor, o
Ćuk e o SEPIC é apenas a posição relativa dos componentes.
Aqui a corrente de entrada é descontínua e a de saída é continua. A transferência de
energia se faz via capacitor. A indutância L1 pode ser a própria indutância de magnetização na
versão isolada. A operação no modo descontínuo também se caracteriza pela inversão do sentido
da corrente por uma das indutâncias. A posição do interruptor permite uma natural proteção
contra sobrecorrentes.
T C1 L2 Ro
L1 D Co
E Vo
Figura 5.19 Topologia do conversor Zeta.
5.7 Conversores com isolação
Em muitas aplicações é necessário que a saída esteja eletricamente isolada da entrada,

fazendo-se uso de transformadores. Em alguns casos o uso desta isolação implica na alteração
do circuito para permitir um adequado funcionamento do transformador, ou seja, para evitar a
saturação do núcleo magnético. Relembre-se que não é possível interromper o fluxo magnético
produzido pela força magneto-motriz aplicada aos enrolamentos.
5.7.1 Conversor Ćuk

Neste circuito a isolação se faz pela introdução de um transformador no circuito.
Utilizam-se 2 capacitores para a transferência da energia da entrada para a saída. A figura 5.20
mostra o circuito.

5-15
N1 N2
L1 L2
C1 C2
E T Co
V1 V2 D Vo
Figura 5.20. Conversor Ćuk com isolação
A tensão de saída, no modo contínuo de condução, é dada por:
N2 E ⋅ δ
Vo = ⋅ (5.55)
N1 (1 − δ)
O balanço de carga deve se verificar para C1 e C2. Com N1=N2, C1=C2, tendo o dobro
do valor obtido pelo método de cálculo indicado anteriormente no circuito sem isolação. Para
outras relações de transformação deve-se obedecer a N1.C1=N2.C2, ou ΔV1.C1=ΔV2.C2.
Note que quando T conduz a tensão em N1 é VC1=E (em N2 tem-se VC1.N2/N1). Quando
D conduz, a tensão em N2 é VC2=Vo (em N1 tem-se VC2.N1/N2). A corrente pelos enrolamentos
não possui nível contínuo e o dispositivo comporta-se, efetivamente, como um transformador.
5.7.2 Conversores SEPIC e Zeta isolados

Apesar das diversas semelhanças entre os conversores Ćuk, SEPIC e Zeta, na versão
isolada tem-se uma mudança significativa quanto ao projeto do “transformador”. Note que no
SEPIC a corrente média pelo “secundário” não é nula, pois é a própria corrente média da carga.
Ou seja, o dispositivo magnético não se comporta efetivamente como uma transformador. Isto
significa que ele deve possuir um entreferro a fim de não saturar. Isto aumenta o seu volume em
relação ao transformador de um conversor Cuk para a mesma potência. O mesmo ocorre com o
conversor Zeta, no qual a corrente contínua existe no primário. Entretanto, como já foi dito,
estes elementos magnéticos podem ser construídos de modo que as indutâncias Lp seja as
próprias indutâncias L2 (SEPIC) ou L1 (Zeta), de modo que existam apenas dois elementos
magnéticos no conversor, enquanto no `Cuk serão três.
L1 D +
C1 T C1 L2 Ro
+
Lp Ls Co Lp Ls D Co
E T Vo E Vo
Ro
(a) (b)
Figura 21 Conversores SEPIC (a) e Zeta (b) isolados.
5.7.3 Conversor fly-back (derivado do abaixador-elevador)

Assim como no conversor Zeta, o elemento magnético comporta-se como um indutor
bifilar e não como um transformador. Quando T conduz, armazena-se energia na indutância do
"primário" (no campo magnético) e o diodo fica reversamente polarizado. Quando T desliga,
para manter a continuidade do fluxo, o diodo entra em condução, e a energia acumulada no
campo magnético é enviada à saída. A figura 5.22 mostra o circuito.

5-16
Note-se que as correntes médias nos enrolamentos não são nulas, levando à necessidade
de colocação de entreferro no "transformador".
A tensão de saída, no modo contínuo de condução, é dada por:
N2 E ⋅ δ
Vo = ⋅ (5.56)
N1 (1 − δ)
D
T
E Co Vo
L1
N1 N2
Figura 5.22 Conversor fly-back
5.7.4 Conversor “forward” (derivado do abaixador de tensão)

Quando T conduz, aplica-se E em N1. D1 fica diretamente polarizado e cresce a corrente
por L. Quando T desliga, a corrente do indutor de saída tem continuidade via D3. Quanto ao
transformador, é necessário um caminho que permita a circulação de uma corrente que dê
continuidade ao fluxo magnético, de modo a absorver a energia acumulada no campo, relativa à
indutância de magnetização. Isto se dá pela condução de D2. Durante este intervalo (condução
de D2) aplica-se uma tensão negativa em N2, que se reflete em N3, e ocorre um retorno de
energia para a fonte. A figura 5.23 mostra o circuito.
D2 D1 L
+
E T D3 Co Vo
N1 N2 N3
Figura 5.23 Conversor “forward”
Para garantir a desmagnetização do núcleo a cada ciclo o conversor opera sempre no

modo descontínuo.
Existe um máximo ciclo de trabalho que garante a desmagnetização do transformador
(tensão média nula), o qual depende da relação de espiras existente. A figura 5.24 mostra o
circuito equivalente no intervalo de desmagnetização.

5-17
E
T . Va
Vp
N1
.
A1
Vp
tT τ
N2 A2
D
Vb A1=A2
Figura 5.24 Forma de onda no enrolamento de “primário”.
A tensão total nos enrolamentos N1 e N2, chamada de Vp, é:
E( N1 + N 2) E( N1 + N 2)
Va = Vb = (5.57)
N1 N2
Outra possibilidade, que prescinde do enrolamento de desmagnetização, é a introdução

de um diodo zener no secundário, pelo qual circula a corrente no momento do desligamento de
T. Esta solução, mostrada na figura 5.25, no entanto, provoca uma perda de energia sobre o
zener, além de limitar o ciclo de trabalho em função da tensão.
..
E
Figura 5.25 Conversor “forward” com desmagnetização por diodo zener.
5.7.5 Conversor “push-pull”

O conversor “push-pull” é, na verdade, um arranjo de 2 conversores “forward”,
trabalhando em contra-fase, conforme mostrado na figura 5.26.
Quando T1 conduz (considerando as polaridades dos enrolamentos), nos secundários
aparecem tensões como as indicadas na figura 5.27. Neste intervalo D1 não conduz e D2
conduz, mantendo nulo o fluxo no transformador (desconsiderando a magnetização).
Note que no intervalo entre as conduções dos transistores, os diodos D1 e D2 conduzem
simultaneamente (no instante em que T1 é desligado, o fluxo nulo é garantido pela condução de
ambos os diodos, cada um conduzindo metade da corrente), atuando como diodos de livre-
circulação e curto-circuitando o secundário do transformador.
A tensão de saída é dada por:
2⋅δ ⋅ E
Vo = (5.58)
n

5-18
Vce1
T1
I c1
.. n:1
I D1 D1
. L io
. +
V1=E E/n Co Ro Vo
. .. .. .
E E/n
T2 I c2 I D2 D2
Figura 5.26 Conversor “push-pull”.
O ciclo de trabalho deve ser menor que 0,5 de modo a evitar a condução simultânea dos
transistores. n é a relação de espiras do transformador.
Os transistores devem suportar uma tensão com o dobro do valor da tensão de entrada.
Outro problema deste circuito refere-se à possibilidade de saturação do transformador caso a
condução dos transistores não seja idêntica (o que garante uma tensão média nula aplicada ao
primário). A figura 5.27 mostra algumas formas de onda do conversor.
T1/D2 D1/D2 T2/D1 D1/D2
V1 δ1
+E
-E
Ic1 δ2
I
D1
Vce1 2E
E
io
Io
Figura 5.27 Formas de onda do conversor “push-pull”.
5.7.5.1 Conversor em meia-ponte

Uma alteração no circuito que permite contornar ambos inconvenientes do conversor
“push-pull” leva ao conversor com topologia em 1/2 ponte, mostrado na figura 5.28. Neste caso
cria-se um ponto médio na alimentação, por meio de um divisor capacitivo, o que faz com que
os transistores tenham que suportar 50% da tensão do caso anterior, embora a corrente seja o
dobro. O uso de um capacitor de desacoplamento garante uma tensão média nula no primário do

5-19
transformador. Este capacitor deve ser escolhido de modo a evitar ressonância com o indutor de
saída e, ainda, para que sobre ele não recaia uma tensão maior que um pequeno percentual da
tensão de alimentação (durante a condução de cada transistor).
.
. . L
.
..
E/2 +
. .
T1
Co
.
Vo
E/2 .. .
T2 .
Figura 5.28 Conversor em meia-ponte
5.7.5.2 Conversor em ponte completa

Pode-se obter o mesmo desempenho do conversor em 1/2 ponte, sem o problema da
maior corrente pelo transistor, com o conversor em ponte completa. O preço é o uso de 4
transistores, como mostrado na figura 5.29.
.
. .
. . L
.
. .. +
.
T1 T2
Co
Vo
E .. .
.
. .
T3 . T4 .
.
Figura 5.29 Conversor em ponte completa.
5.8 Consideração sobre a máxima tensão de saída no conversor elevador de tensão
Pelas funções indicadas anteriormente, tanto para o conversor elevador de tensão quanto
para o abaixador-elevador (e para o Ćuk, SEPIC e Zeta), quando o ciclo de trabalho tende à
unidade, a tensão de saída tende a infinito. Nos circuitos reais, no entanto, isto não ocorre, uma
vez que as componentes resistivas presentes nos componentes, especialmente nas chaves, na
5-20
fonte de entrada e nos indutores, produzem perdas. Tais perdas, à medida que aumenta a tensão
de saída e, consequentemente, a corrente, tornam-se mais elevadas, reduzindo a eficiência do
conversor. As curvas de Vo x δ se alteram e passam a apresentar um ponto de máximo, o qual
depende das perdas do circuito.
A figura 5.30 mostra a curva da tensão de saída normalizada em função da largura do
pulso para o conversor elevador de tensão.
Se considerarmos as perdas relativas ao indutor e à fonte de entrada, podemos redesenhar
o circuito como mostrado na figura 5.31.
Para tal circuito, a tensão disponível para alimentação do conversor se torna (E-Vr),
podendo-se prosseguir a análise a partir desta nova tensão de entrada. A hipótese é que a
ondulação da corrente pelo indutor é desprezível, de modo a se poder supor Vr constante.
O objetivo é obter uma nova expressão para Vo, em função apenas do ciclo de trabalho e
das resistências de carga e de entrada. O resultado está mostrado na figura 5.32.
40
Vo( d )
20
0 0.2 0.4 0.6 0.8

d
Figura 5.30 Característica estática de conversor elevador de tensão no modo contínuo.
Vr
Ii
RL L Io
E E-Vr Co +
Ro Vo
Figura 5.31 Conversor elevador de tensão considerando a resistência do indutor.
E − Vr
Vo = (5.59)
1− δ
Vr = R L ⋅ Ii
(5.60)
Vo = Ro ⋅ Io
Io = Ii ⋅(1 − δ) (5.61)

5-21
R L ⋅ Io R L ⋅ Vo
Vr = = (5.62)
1− δ (1 − δ)⋅ Ro
R L ⋅ Vo
E−
(1 − δ)⋅ Ro E R L ⋅ Vo
Vo = = − (5.63)
1− δ 1 − δ Ro ⋅(1 − δ) 2
Vo 1− δ
= (5.64)
E 2R
(1 − δ) + L
Ro
Vo( d )
2
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
d
Figura 5.32 Característica estática de conversor elevador de tensão, no modo contínuo,
considerando as perdas devido ao indutor.
N. Mohan, T. M. Undeland and W. P. Robbins: “Power Electronics: Converters, Applications

and Design”. John Wiley & Sons, 2nd Edition, 1994.
G. Chryssis: “High Frequency Switching Power Supplies: Theory and design”. McGraw-Hill,
New York, 1984.
R. D. Middlebrook and S. Ćuk: “Advances in Switched-Mode Power Conversion”, TESLAco,

Pasadena, USA, 1981.
E. R. Hnatek: “Design of Solid State Power Supplies”. Van Nostrand Reinhold, New York, 3rd
Edition, 1989.

5-22
6. CONVERSORES CC-CA COMO FONTES DE ALIMENTAÇÃO COM

FREQUÊNCIA FIXA
Serão estudados neste capítulo os conversores CC-CA que fornecem em suas saídas
tensões com freqüência fixa, para aplicação como fonte de tensão, especialmente em fontes de
alimentação ininterrupta (chamadas de “no-break” ou “UPS - Uninterruptible Power Supplies”,
em inglês).
Qualquer sistema no qual o fornecimento da energia elétrica não pode ser interrompido
deve prever uma fonte de emergência para supri-lo. Quando a potência instalada é muito grande
tem-se, em geral, um sistema de acionamento imediato, alimentado a partir de baterias, e um
sistema motor-gerador que, por necessitar de alguns minutos para estar em condições ideais de
operação, não pode ser usado de imediato. Tal arranjo é usado, por exemplo, em centrais
telefônicas, hospitais, etc.
Quando as cargas críticas são distribuídas, como no caso de microcomputadores, podem-
se usar UPSs modulares, de acionamento imediato, e capazes de manter a operação do
equipamento por um tempo suficiente para que não sejam perdidas operações que estavam em
curso (tipicamente os tempos são da ordem de dezenas de minutos).
Além disso, os sistemas mais modernos devem ter a capacidade de trocar informações
com os computadores, de forma a otimizar seu funcionamento, mas isto não será tema deste
curso.
Interessam aqui as topologias empregadas na realização dos conversores de potência que,
a partir de uma fonte CC produzem uma saída alternada, seja ela senoidal ou não.
6.1 Requisitos de qualidade na alimentação de equipamentos sensíveis
Especialmente para os equipamentos de computação, são estabelecidos limites em termos

da qualidade da energia a ele suprida. No entanto, graças à ação de grandes usuários
(especialmente militares), a CBEMA (Computer Business Equipment Manufacturer’s
Association) adotou as curvas mostradas na figura 6.1. Estas curvas aparecem na norma IEEE
446 como “prática recomendada para sistemas de alimentação de emergência, em aplicações
industriais e comerciais”. Para equipamentos de tecnologia da informação, foi definido pelos
fabricantes a curva ITIC, também mostrada na figura 6.1.
As curvas definem um envelope dentro do qual deve estar o valor da tensão suprida ao
equipamento. Ou seja, quando os limites forem violados, o sistema de alimentação ininterrupta
deve atuar, no sentido de manter a alimentação dentro de valores aceitáveis.
Em outras palavras, se a tensão de alimentação estiver dentro dos limites não devem
ocorrer mal-funcionamentos do equipamento alimentado. Violações dos limites podem, então,
provocar falhas, que devem ser evitadas.
Via de regra, quem suporta a alimentação do equipamento na ocorrência de falhas de
curta duração são as capacitâncias das fontes de alimentação internas, de modo que,
eventualmente, mesmo violações mais demoradas do que aquelas indicadas podem ser
suportadas.
Nota-se na figura 6.1 que, em regime, a tensão deve estar limitada a uma sobretensão de
6% e uma subtensão de 13%. Quanto menor a duração da perturbação, maior a alteração
admitida, uma vez que os elementos armazenadores de energia internos ao equipamento devem
ser capazes de absorvê-la. Assim, por exemplo, a tensão pode ir a zero por meio ciclo, ou ainda
haver um surto de tensão com 3 vezes o valor nominal (eficaz), desde que com duração inferior a
100 μs.

Figura 6.1 Envelope de tolerância de tensão típico para sistema computacional (adaptado da
norma IEEE 466). Curva CBEMA (acima) e curva ITIC (abaixo).
Uma outra definição em termos da tensão suprida é a Distorção Harmônica Total (THD)
que tem um limite de 5%. Além disso, para alimentação trifásica, tolera-se um desbalanceamento
entre as fases de 3 a 6%. No que se refere à freqüência, tem-se um desvio máximo admissível de
+0,5Hz (em torno de 60Hz), com uma máxima taxa de variação de 1Hz/s.

6.2 Classificação das UPS
São definidas três configurações, indicadas, simplificadamente, na figura 6.2:

• linha prioritária;
• inversor prioritário;
• interativo com a linha.
Todas as estruturas contêm um elemento armazenador de energia que é, tipicamente, um
banco de baterias.
A configuração de linha prioritária possui um retificador, que fornece a carga para as
baterias, um inversor (conversor CC-CA) e uma chave que transfere automaticamente a
alimentação da carga da linha para o inversor, em caso de falha. Quando o inversor for
conectado à carga deve fazê-lo de modo a que sua tensão tenha a mesma amplitude e fase da
tensão esperada na linha. Como o inversor não realiza nenhuma função de regulação da tensão
enquanto a alimentação provier da linha, alguns equipamentos podem possuir um estabilizador
de tensão a jusante da chave. A detecção da falha e a transferência da alimentação podem ser
feitas em menos de 1/4 de ciclo, o que garante a alimentação do equipamento crítico. Uma vez
que este sistema não apresenta uma efetiva isolação e proteção da carga contra distúrbios na
linha e dado que ele altera seu funcionamento exatamente quando ocorre uma falha, tal estrutura
é utilizada principalmente para sistemas de baixos custo e potência, quando a operação não é
altamente crítica. Esta estrutura é conhecida como “off-line”.
A configuração com inversor preferencial é padrão para equipamentos críticos, uma vez
que a carga é alimentada por uma tensão controlada e estabilizada pelo inversor, estando isolada
(não necessariamente galvanicamente) da rede. Neste caso a alimentação provém sempre do
inversor, cuja alimentação CC virá da rede (através do retificador) ou da bateria, em caso de
falha. O conversor não altera sua operação na ocorrência da falha e não existe nenhuma
descontinuidade na tensão suprida. Como o retificador deve suprir a carga, e não apenas
recarregar as baterias (como no caso anterior), ele é dimensionado para a potência do
equipamento alimentado. A presença da chave (by-pass) é para, em caso de falha da UPS, passar
a alimentação à rede em menos de 1/4 de ciclo. O inversor pode possuir ainda uma limitação
automática de corrente contra sobrecargas. Esta estrutura é conhecida como “on-line”.
A configuração interativa com a linha possui apenas um conversor CC-CA. Este sistema
possui a vantagem (sobre a configuração linha preferencial) de permitir um condicionamento da
tensão aplicada à carga. Normalmente o fluxo de potência vai, através do indutor L, da rede para
a carga, e o conversor mantém as baterias carregadas. Em caso de falha, a chave se abre e o
inversor passa a alimentar o equipamento crítico. Quando existe tensão na linha, o inversor
produz uma tensão no ponto A com a mesma freqüência da linha, mas com amplitude
controlada. Se as tensões nos pontos A e B forem idênticas em freqüência, fase e amplitude não
haverá corrente pelo indutor e toda energia da carga será fornecida pelo inversor. Alterando-se a
fase da tensão no ponto A pode-se controlar o fluxo de corrente por L. Assim , controlando a
fase da tensão em A pode-se fazer com que provenha da linha toda a energia ativa necessária
para alimentar a carga, ficando a cargo do inversor fornecer a energia não ativa (reativos e
harmônicos). Neste caso, como o inversor não fornece potência ativa, a condição de carga das
baterias não se altera. Adicionalmente, tem-se que a corrente absorvida da linha é senoidal e em
fase com sua tensão, ou seja, o UPS opera como um compensador de fator de potência,
independente da carga. Esta análise supõe uma carga com alta impedância de entrada, o que não
é verdade em situação muito usual em que a carga tem um comportamento de fonte de tensão
(retificador com filtro capacitivo).

Retificador Inversor
Equipamento
Linha
Chave estática
("by-pass")
Bateria
(a) Linha Prioritária
Equipamento
Linha
Chave estática
("by-pass")
Bateria
(b) Inversor Prioritário
Linha B A Equipamento
L
Inversor
Carregador
Bateria
(c) Interativo com a linha
Figura 6.2 Configurações de UPS.
O fato de não fazer uso de dupla conversão, ou seja, o retificador não está inserido na
alimentação da carga, faz com que o rendimento do conjunto seja superior ao da estrutura
“Inversor prioritário”, de modo a ser aplicável em potências mais elevadas.
6.3 Outras Características de UPS
6.3.1 Forma de onda da saída

A obtenção de uma onda senoidal (em um conversor CC-CA) é mais complexa do que
uma tensão de forma quadrada. Por este motivo, as UPS de baixa potência e para cargas não
altamente críticas, podem fornecer uma tensão quadrada em sua saída e utilizam uma
configuração do tipo Linha preferencial. Como, normalmente, alimentam pequenos
computadores de uso pessoal, os quais tem um estágio de entrada com um retificador a diodos e
filtro capacitivo, o parâmetro principal é que a tensão possua o mesmo valor de pico da tensão
normal (rede). Comparativamente a uma onda senoidal, tal tensão apresentará um maior valor

eficaz, mas que não traz maiores conseqüências. Dado o espectro da onda produzida, haverá um
maior aquecimento em transformadores e indutores eventualmente presentes, mas que, dado o
curto prazo de atuação da UPS, em geral não causam maiores problemas.
Em sistemas de maior porte e criticidade são usados inversores com saída senoidal.
6.3.2 Isolação elétrica

A isolação elétrica entre entrada e saída é necessária quando, por motivo de segurança ou
de norma, deve-se aterrar um dos terminais da saída.
Dois tipos de isolação podem ser utilizados: em baixa ou em alta freqüência. Como se
sabe, quanto maior a freqüência de operação, menores as dimensões do transformador, o que
tende a reduzir custo, volume e peso. No entanto, isolação em alta freqüência é possível apenas
em alguns pontos e para algumas topologias dos conversores CA-CC e CC-CA. Já a isolação em
baixa freqüência pode ser colocada na entrada (rede) ou na saída da UPS.
6.3.3 Paralelismo
Conectar em paralelo duas ou mais UPSs é necessário quando se deseja ampliar a
potência instalada ou aumentar a confiabilidade do sistema.
No primeiro caso, o fator determinante é o econômico, quando é mais barato utilizar uma
UPS adicional para alimentar um acréscimo de carga do que trocar todo o sistema já existente.
No outro caso, para cargas muito críticas, a redundância torna-se necessária.
As questões a serem consideradas são diversas:
• deve-se garantir que as tensões de saída sejam idênticas e que as correntes sejam igualmente
distribuídas;
• em caso de falha de qualquer uma das UPS, as demais devem ser capazes de manter o
equipamento crítico em operação;
• para manter a identidade das tensões, uma das UPS deve produzir a referência para as demais;
• em caso de falha, uma outra deve assumir tal função.
6.4 Componentes de uma UPS estática
6.4.1 Retificador
O retificador, além de produzir a tensão cc que alimenta o inversor tem também como
função manter as baterias carregadas.
As baterias serão adequadamente carregadas desde que a tensão de saída do retificador
seja um pouco superior à tensão nominal das baterias, de modo a suprir as perdas devidas às
quedas resistivas presentes. Tensões menores não permitirão um processo adequado de recarga,
enquanto tensões muito elevadas podem produzir correntes excessivas, levando à eletrólise.
Caso as baterias estejam muito descarregadas, é possível que o retificador tenha seu
limite de corrente atingido. Em tal caso, a recarga é feita a corrente constante, até que a tensão
suba a níveis adequados.
Considerando adicionalmente a possibilidade de variação da tensão da linha, pode-se
concluir que o retificador deve ser do tipo controlado. A solução mais simples e barata é usar um
retificador a tiristores, com controle da tensão de saída através da variação do ângulo de disparo,
como mostrado na figura 6.3.

300V
Lf +
Vr
200V
Vr Cf Vo
100V
0V
0s 5ms 10ms 15ms 20ms
Baterias
Figura 6.3 Retificador controlado a tiristores com forma de onda de tensão típica de saída.
Para sistemas de maior potência, é comum utilizar retificadores de 12 ou mesmo 24

pulsos, a fim de minimizar o conteúdo harmônico da corrente absorvida da linha. Tal
implementação, no entanto, exige a presença de um transformador na entrada do retificador.
A utilização de uma ponte de diodos tem o inconveniente de não permitir ajustar o valor
da tensão de saída. Isto poderia ser feito, por exemplo, adicionando um conversor CC-CC,
operando em alta freqüência. A figura 6.4 mostra diferentes possibilidades de implementação.
No primeiro caso o recortador estabiliza também a tensão fornecida ao inversor, devendo, assim,
suportar toda a potência da carga. No segundo caso ele controla apenas a recarga das baterias,
sendo, portanto, de muito menor potência. O inversor deverá ser capaz de ajustar sua operação
de modo que a variação na tensão CC (produzida por variações na tensão da rede) não afete a
tensão fornecida pela UPS.
Recortador
Retificador Inversor Retificador Inversor
MLP
Recortador
MLP
Figura 6.4 Configurações com retificador a diodos.
O recente desenvolvimento de retificadores com correção de fator de potência, sejam

monofásicos ou trifásicos, vem permitir, aliado ao controle da tensão de saída, absorver uma
corrente senoidal e em fase com a tensão da rede, implicando num fator de potência que tende à
unidade. A figura 6.5 mostra possíveis topologias para este tipo de circuito. No primeiro caso
tem-se um retificador trifásico no qual as chaves semicondutoras são transistores, permitindo a
aplicação de modulação por largura de pulso, o que possibilita absorver uma corrente senoidal na
rede. A tensão CC de saída é sempre maior do que o valor de pico da tensão de entrada, trata-se
pois, de uma topologia elevadora de tensão. No outro caso tem-se um conversor tipo elevador de
tensão, com entrada monofásica. Um controle adequado do ciclo de trabalho permite, também
aqui, a absorção de uma corrente senoidal.

Vo
Vo
Figura 6.5 Retificador MLP e conversor elevador de tensão para correção de fator de potência.
6.4.2 Inversor
O inversor é o principal constituinte de uma UPS, uma vez que é ele quem determina a
qualidade da energia fornecida à carga.
Deve fornecer uma tensão alternada, com freqüência, forma e amplitude invariantes, a
despeito de eventuais alterações na alimentação CC ou na carga.
A configuração básica é mostrada na figura 6.6, para um inversor trifásico. Uma saída
monofásica pode ser obtida utilizando-se apenas 2 ramos, ao invés de 3.
Vcc Vca
Figura 6.6 Inversor trifásico.
6.4.2.1 Inversor com saída quadrada

Consideremos o circuito de um inversor monofásico como mostrado na figura 6.7.
As leis de modulação são numerosas, a mais simples talvez seja a que produz uma onda
retangular, na própria freqüência de saída que se deseja. Em tal caso, uma tensão positiva é aplicada
à carga quando T1 e T4 conduzirem (estando T2 e T3 desligados). A tensão negativa é obtida
complementarmente. O papel dos diodos é garantir um caminho para a corrente em caso de a carga
apresentar característica indutiva. Note que a condução dos diodos não afeta a forma da tensão
desejada. Este tipo de modulação não permite o controle da amplitude nem do valor eficaz da tensão
de saída.

D2 T2 D1 T1 V
S
Ia
+E
A T2/T3 IA
Vs Carga
E
B Monofásica T1/T4
-E
D1 D2
D4 T4 D3 T3 D4 D3
Figura 6.7. Inversor monofásico e forma de onda quadrada de saída (carga indutiva).
6.4.2.2 Inversor com saída quase-quadrada.

Uma alternativa que permite ajustar o valor eficaz da tensão de saída e eliminar algumas
harmônicas é a chamada onda quase-quadrada, na qual se mantém um nível de tensão nulo sobre a
carga durante parte do período, como mostrado na figura 6.8.
Para obter este tipo de onda, uma possibilidade é a seguinte: quando se deseja tensão
positiva na carga mantém-se T1 e T4 conduzindo (T2 e T3 desligados). A tensão negativa é obtida
complementarmente. Os intervalos de tensão nula são obtidos mantendo T1 conduzindo e
desligando T4. Com corrente positiva, D2 entrará em condução. Quando T1 desligar D3 entra em
condução, aguardando o momento em que T2 e T3 conduzem, o que ocorre quando a corrente se
inverte. O intervalo de tensão nula seguinte é obtido com o desligamento de T3 e a continuidade de
condução de T2.
Nota-se que estão presentes os múltiplos ímpares da freqüência de chaveamento, o que
significa que a filtragem de tal sinal para a obtenção apenas da fundamental exige um filtro com
freqüência de corte muito próxima da própria freqüência desejada. Este espectro varia de acordo
com a largura do pulso. Para este caso particular não estão presentes os múltiplos da terceira
harmônica.
V
S
+E D2/D3
T1/D2
T2/T3 I
A
T1/T4
-E D1/D4 T2/D1
o o
0 120 o 180 o 300 o 360
Figura 6.8 Forma de onda quase-quadrada.
6.4.2.3 Inversor ferro-ressonante

A obtenção de uma onda senoidal a partir de ondas quadradas é possível através de
filtragem. O tamanho do filtro é determinado não apenas pela quantidade de harmônicas que se
quer minimizar, mas também pela freqüência de tais harmônicas. Quanto menores forem as
freqüências, maior será o filtro (maiores valores de indutância e capacitância com conseqüente
maior volume e peso).
Quanto menor for o filtro (menor impedância) melhor será a regulação de tensão na saída,
especialmente em situações transitórias, uma vez que valores elevados de indutância e
capacitância produzem respostas lentas a perturbações. Além disso, as distorções introduzidas
pela carga distorcerão menos a tensão fornecida.
O conceito básico do inversor ferro-ressonante é sintonizar um filtro na freqüência
desejada na saída (50 ou 60Hz), de modo a eliminar as harmônicas. Adicionalmente o conversor
apresenta outras importantes características para uma UPS, quais sejam: regulação da tensão de
saída e limitação da corrente.
A figura 6.9 mostra o esquema básico do conversor.

Ld
Vi Cr Vo
Figura 6.9 Estágio ferro-ressonante.
O capacitor Cr, associado à indutância de dispersão, Ld e, eventualmente, a uma

indutância adicional, perfazem um circuito ressonante, sintonizado na freqüência desejada. Mais
de um caminho de fluxo magnético existe no núcleo do transformador, permitindo ao secundário
saturar, enquanto o primário opera na região linear. Como resultado, o circuito de saída
apresenta-se limitado em tensão (devido à saturação do secundário), enquanto o primário (que
não satura) mantém a característica de limitação da corrente, devido à indutância série presente
no circuito. A tensão de saída, devido à saturação, apresenta-se como uma senóide truncada. Seu
conteúdo harmônico, no entanto, é menor do que o da onda quadrada presente na entrada do
transformador.
A principal vantagem deste tipo de UPS é sua simplicidade, aliada a razoáveis
características. Como desvantagem tem-se o volume e o peso característicos de um
transformador/filtro que deve operar na freqüência da rede.
6.4.2.4 Inversor Modulação por Largura de Pulso - MLP

Uma outra maneira de obter um sinal alternado de baixa freqüência é através de uma
modulação em alta freqüência.
É possível obter este tipo de modulação ao comparar uma tensão de referência (que seja
imagem da tensão de saída buscada), com um sinal triangular simétrico cuja freqüência determine a
freqüência de chaveamento. A freqüência da onda triangular (chamada portadora) deve ser, no
mínimo 20 vezes superior à máxima freqüência da onda de referência, para que se obtenha uma
reprodução aceitável da forma de onda sobre a carga, depois de efetuada a filtragem. A largura do
pulso de saída do modulador varia de acordo com a amplitude relativa da referência em comparação
com a portadora (triangular). Tem-se, assim, uma Modulação por Largura de Pulso.
A tensão de saída, que é aplicada à carga, é formada por uma sucessão de ondas retangulares
de amplitude igual à tensão de alimentação CC e duração variável.
A figura 6.10 mostra a modulação de uma onda senoidal, produzindo na saída uma tensão
com 2 níveis, na freqüência da onda triangular.
Figura 6.10. Sinal MLP de 2 níveis.

É possível ainda obter uma modulação a 3 níveis (positivo, zero e negativo). Este tipo de
modulação apresenta um menor conteúdo harmônico, como mostra a figura 6.11. Um sinal de 3
níveis é ligeiramente mais complicado para ser gerado analogicamente.
Uma maneira de fazê-lo é de acordo com a seguinte seqüência:
• durante o semiciclo positivo, T1 permanece sempre ligado;
• o sinal MLP é enviado a T4 e o mesmo sinal barrado é enviado a T2.
• no semiciclo negativo, quem permanece conduzindo é T3,
• o sinal MLP é enviado a T2 e o sinal barrado vai para T4.
Desta forma, na presença de uma carga indutiva (portanto com a corrente atrasada em
relação à tensão), é possível manter sobre a carga uma onda efetivamente modulada em largura de
pulso, de modo que, depois de filtrada, recupere-se o sinal de referência. Deve-se prever, neste caso,
um atraso nas bordas de subida em todas as comutações do sinal MLP (e não apenas na passagem
de T1/T3). Estes atrasos introduzem uma pequena distorção no sinal MLP, uma vez que pulsos
muito estreitos serão absorvidos pelo atraso imposto e pelos atrasos normais do circuito acionador.
400V
-400V
400V
-400V
10ms 15ms 20ms 25ms 30ms 35ms 40ms
200V
0V
200V
0V
Figura 6.11. Formas de onda da tensão de fase e de linha em inversor trifásico em semi-ponte.
Indicam-se ainda os respectivos sinais MLP filtrados. Espectro dos sinais MLP de 2 e 3 níveis.
A obtenção de uma saída que recupere a onda de referência é facilitada pela forma do
espectro. Note-se que, após a componente espectral relativa à referência, aparecem componentes
nas vizinhanças da freqüência de chaveamento. Ou seja, um filtro passa baixas com freqüência de
corte acima e 50/60 Hz é perfeitamente capaz de produzir uma atenuação bastante efetiva em
componentes na faixa dos kHz. Na figura 6.11 tem-se também as formas de onda filtradas. Uma
redução ainda mais efetiva das componentes de alta freqüência é obtida com o uso de filtro de
ordem superior.
O uso de um filtro não amortecido pode levar ao surgimento de componentes oscilatórias na
freqüência de ressonância, que podem ser excitadas na ocorrência de transitórios na rede ou na
carga. Em regime elas não se manifestam, uma vez que o espectro da onda MLP não as excita. Os
menores valores dos elementos de filtragem tornam a resposta dinâmica deste sistema mais rápida
que as anteriores.

Normalmente a obtenção de uma forma de onda adequada, principalmente quando se

alimenta uma carga não-linear, somente é obtida por meios ativos, através da realimentação da
tensão de saída.
A figura 6.12 mostra o resultado experimental de uma UPS monofásica alimentando uma
carga não-linear. Neste caso a carga é isolada por meio de um transformador de baixa-freqüência. O
filtro passivo é de segunda ordem, LC, no qual a indutância de saída do inversor inclui a indutância
de dispersão do transformador. Um valor de distorção harmônica compatível com a norma foi
obtido com realimentação da tensão de saída.
Figura 6.12. Tensões e correntes no primário e na carga (THDv=5,5%, THDi=50%,

Vrms=108,9V, FC=2,4) .
Quando se trata de um inversor trifásico, 2 arranjos podem ser feitos: utilizando 3 inversores
monofásicos (o que exige 12 transistores, e é chamado de ponte completa) ou um arranjo chamado
de semiponte, com 6 transistores, como o mostrado na figura 6.13.
Ponte completa Semi-ponte

Figura 6.13. Topologias de inversor em ponte completa e em semiponte.

Em termos do conversor em semiponte, o sinal de comando enviado a cada ramo do

inversor é do tipo 2 níveis (quando um transistor liga, o complementar desliga). Assim, a tensão de
fase apresenta-se em 2 níveis. No entanto, a tensão de linha (entre 2 fases) apresenta-se de 3 níveis.
6.4.2.5 Inversor multinível

Os conversores multiníveis apresentam vantagens sobre conversores PWM,
especialmente para aplicações de média e alta potência, tais como: possibilidade de conexão
direta com a rede sem que seja necessário o uso de transformadores; redução dos níveis de
Interferência Eletromagnética (EMI) devido à menor taxa de variação da tensão de saída;
possibilidade de obtenção de níveis mais altos de potência sem a necessidade de associações em
série e/ou paralelo de chaves, etc.
Por outro lado, há algumas desvantagens que devem ser consideradas para a escolha de
uma topologia multinível como conversor CC/CA. As estratégias de modulação são mais
complexas do que para conversores convencionais. Além disso, Microcontroladores (μC) e
Processadores Digitais de Sinal (DSP) disponíveis no mercado não possuem hardware adequado
para implementação das estratégias de modulação, dificultando suas implementações. Esta
desvantagem pode ser superada por meio de algoritmos adequados e/ou com a inclusão de
circuitos analógicos e digitais externos, os quais devem ser desenvolvidos especialmente para
propósitos de modulação.
A figura 6.14 mostra o circuito e as formas de onda de um inversor trifásico de 5 níveis
do tipo com grampeamento por diodos. Quando se deseja um número maior de níveis,
conversores deste tipo necessitam de uma quantidade muito grande de componentes, o que
inviabiliza seu uso. A figura mostra a tensão de fase com 3 níveis. A tensão de linha apresenta-se
com 5 níveis.
Para uma quantidade maior de níveis o Conversor Multinível em Cascata, Figura 6.15,
destaca-se por seu reduzido número de interruptores. Contudo, possui a desvantagem de, para
cada célula inversora monofásica composta por quatro chaves, requerer fontes de tensão CC
isoladas. Esta desvantagem restringe a utilização do conversor a aplicações de potência elevada,
nas quais outras topologias multiníveis de conversores não podem ser usadas devido à
complexidade e ao elevado número de componentes requeridos.
A relação entre as várias fontes de tensão CC depende das especificações da aplicação, do
número requerido de níveis da tensão de saída, da tensão reversa máxima suportável pelas
chaves, etc. Quando fontes de tensão CC de valores diferentes são usadas, Conversor Multinível
Assimétrico, um número ainda maior de níveis de saída pode ser obtido. Com isso, o tamanho do
filtro de saída é minimizado e uma melhor performance dinâmica pode ser obtida. Além disso,
apenas a célula de menor tensão opera em alta freqüência enquanto os outros inversores operam
em baixa freqüência. Conseqüentemente, o rendimento do sistema deve aumentar.

Vdc
2
a b c
N
Vdc
2
Figura 6.14 Inversor trifásico de 5 níveis com grampeamento por diodos e sinais de controle e de
saída.
Vna
V2 a
V1a
Figura 6.15. Conversor multinível monofásico composto por células inversoras monofásicas em
cascata.
Na figura 6.16 tem-se um diagrama esquemático do conversor e em 6.17 tem-se uma
forma de onda deste tipo. Nota-se que a distorção harmônica é reduzida, embora existam
componentes espectrais em baixa freqüência. Os filtros necessários à obtenção de uma onda
senoidal devem ter uma freqüência de corte baixa, uma vez que as componentes harmônicas
apresentam-se em múltiplos da freqüência da rede. No entanto, a atenuação não precisa ser muito
grande, uma vez que as amplitudes das harmônicas são pequenas.

Inversor onda
V3 quase-quadrada V3
ou PWM
Inversor onda V1+V2+V3

V2 V2
quase-quadrada
Vo
Inversor onda
V1 V1
quase-quadrada
Figura 6.16 Diagrama esquemático de conversor multinível.
Figura 6.17. Forma de onda de sinal multinível.
6.4.3 A chave estática ou “by-pass”

Como outro elemento eletrônico (ou eletromecânico) constituinte de uma UPS tem-se a
chave estática, também chamada de “by-pass”. Sua função é permitir a comutação da tensão de
saída do inversor para a rede e vice-versa, em caso de falha. Pode ainda ter um papel de isolar o
inversor para fins de manutenção.
Basicamente existem 2 possibilidades de implementar tal chave: usando tiristores ou relés
eletromecânicos.
Soluções de baixo custo usam, em geral, relés. Sua comutação deve ser rápida, de modo a
não interromper a alimentação por mais de 1/2 ciclo.
Quando a potência cresce, o emprego de tiristores é o usual. Uma preocupação, neste
caso, é garantir que as tensões da UPS e da rede tenham a mesma fase e amplitude no momento
da comutação, para evitar a existência de uma corrente que circule de uma fonte para outra.
Como o desligamento de um tiristor se dá quando sua corrente vai a zero, este deve ser o
momento de inibir os pulsos que acionam o tiristor que conecta a UPS à carga e de acionar
aquele que a conecta à rede. A figura 6.18 mostra um arranjo típico.

Circuito de Circuito de
Acionamento Acionamento
Inversor Rede
Detector de
Corrente zero
Carga
Figura 6.18. Sistema de acionamento de “by-pass”.
6.5 Resultados Experimentais
Os resultados mostrados a seguir foram obtidos em ensaios de equipamentos comerciais,

testados no Laboratório de Condicionamento de Energia Elétrica da Faculdade de Engenharia
Elétrica e de Computação da Unicamp.
6.5.1 Linha prioritária

Observe-se na figura 6.19 que há um atraso na entrada em funcionamento do inversor, e
que o mesmo está dentro da especificação de operação em menos de ½ ciclo.
A forma de onda da saída apresenta baixa distorção harmônica. O topo achatado deve-se
à limitação de tensão do banco de baterias. A distorção harmônica total (THD) é de 3,6%. A
carga alimentada, neste caso, é resistiva e no valor nominal.
A figura 6.20 mostra a tensão na entrada e na saída no teste de rejeição a transitório. A
perturbação produzida teve variação pico-a-pico de aproximadamente 120V e foi integralmente
sentida pela saída.
A regulação da tensão de saída é feita pela variação de “taps” na entrada, como se
verifica na figura 6.21. Nota-se que quando ocorre a operação via baterias (96V) a tensão é de
111,6V, ou seja, 7% abaixo da nominal. No intervalo em que está atuando o regulador tem-se
uma variação entre –7,7% a +10%.
Figura 6.19 Tensão de saída e a corrente da rede com carga resistiva na transição da alimentação
da rede para baterias.

Figura 6.20. Rejeição de transitório na entrada.

Tensão de saída (V)
140
130
120
110
.
100
84 90 96 102 108 114 120 126 132 138 144 150
Figura 6.21. Regulação de tensão de saída em função da tensão de entrada, com carga resistiva.
6.5.2 Inversor prioritário

A figura 6.22 mostra que não existe transitório na passagem da alimentação da rede para
as baterias. Note-se que a corrente de entrada se anula quando há falha na alimentação.
A figura 6.23 mostra a tensão na entrada e na saída no teste de rejeição a transitório. A
perturbação produzida teve variação pico-a-pico de aproximadamente 150V e não foi sentida
pela saída.
Figura 6.22. Tensão de saída e corrente da rede com carga resistiva na transição da alimentação
da rede para baterias.

Figura 6.23. Rejeição de transitório na entrada.

A regulação se mantém em toda faixa de experimentação, sem que o equipamento tenha
recorrido ao uso das baterias. A operação com baterias ocorre para tensão inferior a 92V.
Tensão de saída (V)

118
117,9
117,8
117,7
117,6
117,5 .
117,4
84 90 96 102 108 114 120 126 132 138 144 150
Figura 6.24. Regulação de tensão de saída em função da tensão de entrada, com carga resistiva.
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de Potência – COBEP 2005, Recife – PE, 14 a 17 de junho de 2005.
L. A. Silva S. P. Pimentel J. A. Pomilio, “Analysis and Proposal of Capacitor Voltage Control

for an Asymmetric Cascaded Inverter”, IEEE Power Electronics Specialists Conference – PESC
2005, Recife, Brasil, June 12-16, 2005.

Eletrônica de Potência J. A. Pomilio
7. CONVERSORES PARA ACIONAMENTO DE MÁQUINA DE INDUÇÃO

TRIFÁSICA
As máquinas de corrente alternada, especialmente a máquina de indução, são

construtivamente muito mais simples e robustas do que as máquinas de corrente contínua.
Apresentam menor massa (20 a 40% a menos), para uma mesma potência, o que leva a um custo
menor de aquisição e manutenção do que as máquinas CC equivalentes.
Quando se trata de realizar um acionamento controlado, no entanto, os conversores e
sistemas de controle necessários se tornam bem mais sofisticados do que aqueles utilizados para
as máquinas CC, o que faz necessário analisar o custo global, e não apenas o relativo à máquina.
Entretanto, o custo dos conversores e circuitos eletrônicos tem diminuído com o passar o tempo,
enquanto o custo de produção das máquinas tem tido uma variação muito menos significativa.
Por esta razão, o custo total do sistema máquina + acionamento tende cada vez mais a ser
vantajoso para a máquina CA.
Em termos de desempenho dinâmico, novas técnicas de controle, como o controle
vetorial, têm possibilitado às máquinas CA apresentarem comportamento similar ao das
máquinas CC, eliminando, também neste aspecto, as vantagens anteriores das máquinas de
corrente contínua.
Este capítulo analisará as máquinas de indução trifásicas e os conversores CC-CA
utilizados em seu acionamento, uma vez que representam a grande maioria das aplicações
industriais neste campo.
7.1 Modelagem da máquina de indução trifásica
Uma máquina de indução trifásica possui enrolamentos de estator nos quais é aplicada a
tensão alternada de alimentação. O rotor pode ser composto por uma gaiola curto-circuitada ou
por enrolamentos que permitam circulação de corrente. De qualquer forma, por efeito
transformador, o campo magnético produzido pelos enrolamentos do estator induz correntes no
rotor, de modo que, da interação de ambos campos magnéticos será produzido o torque que
levará a máquina à rotação.
Dada a característica trifásica da alimentação do estator e à distribuição espacial dos
enrolamentos, o campo produzido pelo estator é girante, ou seja, sua resultante possui um
movimento rotacional. O campo produzido pelas correntes induzidas no rotor terá a mesma
característica, procurando sempre acompanhar o campo girante do estator.
Se o rotor girar na mesma velocidade do campo girante, não haverá corrente induzida,
uma vez que não haverá variação de fluxo pelas espiras do rotor. Não havendo corrente, não
haverá torque. Desta análise qualitativa pode-se concluir que a produção de torque no eixo da
máquina deriva do fato de que a velocidade do rotor ser sempre diferente do que a velocidade do
campo girante. A figura 7.1 ilustra a formação do campo girante.
A corrente induzida no rotor possui uma freqüência que é a diferença das freqüências
angulares do campo girante e do rotor. Assim, na partida, com a máquina parada, as correntes
serão de 60Hz (supondo esta a freqüência de alimentação da máquina). À medida que a máquina
ganha velocidade, tal freqüência vai caindo, até chegar, tipicamente, a poucos Hz, quando atingir
a velocidade de regime.
A velocidade angular do campo girante depende, além da freqüência de alimentação, do
chamado número de pólos da máquina. O número de pólos indica quantos enrolamentos,
deslocados espacialmente (simetricamente) no estator, são alimentados pela mesma tensão de
fase. Assim, se 3 enrolamentos (1 para cada fase) estiverem dispostos num arco de 180 graus e
DSCE – FEEC - UNICAMP 2009 7-1

outros 3 enrolamentos ocuparem os outros 180 graus do perímetro do estator, diz-se que esta é
uma máquina de 4 pólos (ou 2 pares de pólos).
φb Fluxos por fase

1.0 φa
Campo girante φb φc
d
f c b d f
φa 0
a c e
S
g b
N
-1.0
a
ω φc
Figura 7.1 Formação de campo girante.
O campo girante possui 2 pólos norte e 2 pólos sul, distribuídos simetricamente e

intercalados. A figura 7.2 ilustra tal situação. Dada a simetria circular das máquinas, tem-se que
o campo resultante, visto no entreferro da máquina, apresenta os pólos resultantes deslocados 90
graus (espacial) um do outro. Note-se , ainda, que a resultante no centro do arranjo é sempre
nula. No entanto, o que importa é o fluxo presente no entreferro.
A cada ciclo completo das tensões de alimentação (360 graus elétricos) corresponde uma
rotação de 180 graus no eixo.
φc φb φc φb
N S N
φa φa φa φa
S S
S N
N
φb φc φb ω φc
ω
Figura 7.2 Campo girante em máquina de 4 pólos.
Sendo p o número de pólos e ω a freqüência angular (em rd/s) das tensões de alimentação
da máquina, a velocidade de rotação do campo girante, chamada de velocidade síncrona, é dada
por:
2⋅ω
ωs = (7.1)
p

Para uma tensão de fase aplicada ao estator do tipo v s ( t ) = 2 ⋅ Vs ⋅ sin(ωt ) , o fluxo

concatenado com o rotor é dado por:
φ ( t ) = φ m ⋅ cos(ω m ⋅ t + δ − ω s ⋅ t ) (7.2)
A tensão induzida por fase nos enrolamentos do rotor é (supondo rotor bobinado):
dφ
e r (t) = N r ⋅ = − N r ⋅ φ m ⋅ (ω s − ω m ) ⋅ sin[(ω s − ω m ) ⋅ t − δ] (7.3)
dt
Esta equação pode ser rescrita como:
e r ( t ) = − s ⋅ 2 ⋅ E r ⋅ sin( s ⋅ ω s ⋅ t − δ) (7.4)
Nr é o número de espiras de cada fase do rotor

ωm é a velocidade angular do rotor
δ é a posição relativa do rotor
Er é o valor eficaz da tensão induzida no rotor por fase (para velocidade do rotor igual a zero):
E = N ⋅φ ⋅ω
r r m s
s é o escorregamento definido por:
( ωs − ω m )
s= (7.5)
ωs
O modelo por fase de um motor de indução é mostrado na figura 7.3.
js.Xr' jXs Rs jXr'
+ + + +
R 'r
s.Er R 'r Vs Es Er
s
I'r Is Ns Nr I'r
(b)
(a)
jXs Rs jXr
+ Im
Rr
Vs + s
Vm=Es Rm jXm
Is Ir
(c)
Figura 7.3 Modelos circuitais para motor de indução: a) circuito do rotor;
b) com rotor e estator separados, c) com rotor refletido ao lado do estator.
Utilizando o modelo do rotor, onde Xr’ representa a indutância de dispersão (na

freqüência ωs) e Rr’ é a resistência do enrolamento, obtém-se a corrente do rotor:

s⋅ E r
I 'r = (7.5)
R 'r + j ⋅ s ⋅ X 'r
Er
I 'r = (7.5.a)
R 'r
+ j ⋅ X 'r
s
O modelo do rotor pode, então, ser modificado, a fim de que o escorregamento afete
apenas a resistência do rotor, como se vê na figura 7.3.b, onde se inclui também um circuito
equivalente para o estator.
Refletindo o lado do rotor para o do estator, tem-se o circuito equivalente mostrado em
7.3.c. Indica-se nesta figura a reatância de magnetização, Xm e a resistência relativa às perdas no
ferro da máquina, Rm. A resistência do enrolamento do estator é Rs e a reatância de dispersão, Xs.
As perdas no cobre podem ser estimadas por:
Ps = 3 ⋅ I s2 ⋅ R s (7.6)
Pr = 3 ⋅ I 2r ⋅ R r (7.7)
As perdas no material ferromagnético são estimadas por:
3 ⋅ Vm2 3 ⋅ Vs2
Pc = ≈ (7.8)
Rm Rm
A potência presente no entreferro da máquina, que é aquela que se transfere para o rotor,
é:
Rr
Pg = 3 ⋅ I 2r ⋅ (7.9)
s
A potência desenvolvida pela máquina (e que efetivamente produz o torque

eletromagnético) é:
Pd = Pg − Pr = Pg ⋅ (1 − s) (7.10)
O torque desenvolvido é:
Pd Pg
Td = = (7.11)
ωm ωs
A potência de entrada é:
Pi = Pc + Ps + Pg = 3 ⋅ Vs ⋅ I s ⋅ cos θ s (7.12)
onde θs é o ângulo entre Is e Vs.

A potência de saída é a potência desenvolvida subtraída das perdas mecânicas, Px (atrito e

ventilação):
Po = Pd − Px (7.13)
A eficiência será:
Po Pd − Px
η= = (7.14)
Pi Pc + Ps + Pg
Sendo Pg>>(Pc+Ps) e Pd>>Px, a eficiência é, aproximadamente:
η ≈ 1− s (7.15)
Sendo, normalmente, Rm muito grande e Xm2>>(Rs2+Xs2), o ramo relativo à magnetização

pode ser representado apenas pela reatância e colocado na entrada do circuito, como mostrado na
figura 7.4.
I jX R jXr
s s s
I
+ m Rr
Vs s
jXm
Zi I s= I r
Figura 7.4. Modelo simplificado, por fase, de motor de indução.
A impedância de entrada do motor (com modelo simplificado) é:
− X m ⋅ ( X s + X r ) + j ⋅ X m ⋅ ( R s + R r s)
Zi = (7.16)
R s + R r s + j ⋅ ( Xm + Xs + Xr )
A defasagem entre tensão e corrente na entrada será:
⎛ ⎞ Rr ⎛ ⎞
−1⎜
Rs +
s ⎟ −1 ⎜ X m + X s + X r ⎟
θm = π − tan + tan (7.17)
⎜ Xs + Xr ⎟ ⎜ Rr ⎟
⎝ ⎠ ⎝ Rs + s ⎠
Da figura 7.4, a corrente de rotor é:
Vs
Ir = 1/ 2
(7.18)
⎡⎛ ⎞ 2
2⎤
s ⎠ + ( X s + X r ) ⎥⎦
R
⎢⎜⎝ R s + ⎟
r
⎣

Substituindo Ir na expressão da potência no entreferro e, esta, na expressão do torque

desenvolvido, tem-se:
3 ⋅ R r ⋅ Vs2
Td = (7.19)
⎡⎛ R ⎞2 2⎤
s ⋅ ωs ⋅ ⎢⎜⎝ R s + r s ⎟⎠ + ( X s + X r ) ⎥
⎣ ⎦
A figura 7.5 mostra uma curva torque - velocidade típica para um motor alimentado a
partir de uma fonte de tensão senoidal de freqüência e amplitude fixas. Existem 3 regiões de
operação:
• tração (0<s<1)
• regeneração (s<0)
• reversão (1<s<2)
2ωs ωs 0 −ωs
Td ωm
Regeneração Tração Reversão
Tmm
Ts
0
ωs ωs ωm
ωm ωm
ωs
Tmr s
1 0.5 0 0.5 1 1.5 2
-sm sm
Figura 7.5 Característica torque-velocidade de máquina de indução.
Em tração, o rotor roda no mesmo sentido do campo girante e, à medida que o

escorregamento aumenta (partindo do zero), o torque também aumenta, de maneira praticamente
linear, enquanto o fluxo de entreferro se mantém constante.
A corrente do rotor é dependente da tensão nele induzida e de sua impedância. A
variação da tensão induzida é linear com o escorregamento, enquanto o da impedância não o é.
Para valores pequenos de s (até cerca de 10%, tipicamente), a reatância do rotor pode ser
desconsiderada (s.Xr’, na equação 7.5). Sendo o rotor praticamente resistivo (e variando
minimamente), a corrente do rotor cresce de modo linear com o escorregamento, o mesmo
ocorrendo com a potência. Dado que a velocidade é praticamente constante (próxima a ωs), o
torque varia de forma praticamente linear com o aumento de s.
Quando as hipóteses acima deixam de serem válidas, ou seja, quando a reatância do rotor
se torna significativa e a resistência equivalente passa a diminuir de modo mais marcante, tem-se
uma redução da potência (seja pela diminuição da corrente, seja pela menor fração de tensão
aplicada à parte resistiva), levando a menores potência e torque.
A operação normal do motor se dá na região linear, uma vez que, se o torque de carga
exceder Tmm, o motor, perdendo o seu torque, parará, levando a elevadas perdas no rotor, devido
às altas correntes induzidas.

Na região de regeneração, o rotor e o campo girante movem-se no mesmo sentido, mas a

velocidade mecânica, ωm, é maior do que a velocidade síncrona, levando a um escorregamento
negativo. Como a resistência equivalente do rotor é negativa, isto significa que a máquina está
operando como gerador, entregando potência para o sistema ao qual está conectado o estator. A
característica torque - velocidade é similar àquela da operação em tração, mas com um valor de
pico maior (uma vez que o numerador é menor do que no caso de tração).
No modo de reversão, o campo girante gira em sentido oposto ao rotor, levando a um
escorregamento maior do que 1. Isto pode ocorrer quando se faz a inversão na conexão de 2
fases do estator, provocando a mudança no sentido de rotação do campo. O torque produzido
(que tende a acompanhar o campo girante) se opõe ao movimento do rotor, levando a uma
frenagem da máquina. O torque presente é pequeno, mas as correntes são elevadas. A energia
retirada da massa girante é dissipada internamente na máquina, levando ao seu aquecimento, que
pode ser excessivo. Tal modo de operação não é normalmente recomendado.
O torque de partida, Ts, é obtido quando s=1. O escorregamento que dá o máximo torque
é obtido fazendo dTd/ds=0:
Rr
sm = ± (7.20)
[ R s2 + (Xs + Xr ) ]
2 1/ 2
Substituindo estes valores na expressão do torque, obtêm-se os máximos torques

possíveis:
3Vs2
Tmm = (7.21)
⎡ 2⎤
2ω s ⋅ ⎢ R s + R s2 + ( X s + X r ) ⎥
⎣ ⎦
3Vs2
Tmr = (7.22)
⎡ 2⎤
2ωs ⋅ ⎢ − R s + R s2 + ( X s + X r ) ⎥
⎣ ⎦
Para motores de potência superior a 1kW, é razoável supor que Rs é desprezível em

relação às outras impedâncias do circuito. Isto permite simplificar as expressões, conforme
indicado a seguir:
3R r ⋅ Vs2
Td = (7.23)
⎡⎛ R ⎞⎟ 2 2⎤
s ⋅ ωs ⋅ ⎢⎜ r s + (Xs + Xr ) ⎥
⎣⎝ ⎠ ⎦
3R r ⋅ Vs2
Ts =
[ ]
(7.24)
ωs ⋅ ( R r ) + ( X s + X r )
2 2
Rr
sm = ± (7.25)
Xs + Xr

3 ⋅ Vs2
Tmm = −Tmr = (7.26)
2ωs ⋅ (X s + X r )
Normalizando (7.23) e (7.24) em relação ao torque máximo:
Td 2 ⋅ s ⋅ sm
= 2 (7.27)
Tmm s m + s 2
Ts 2⋅s
= 2 m (7.28)
Tmm s m + 1
Para s<1 e s2<<sm2, o torque normalizado pode, ainda, ser aproximado por:
Td 2s ωs − ω m
= =2 (7.29)
Tmm s m s m ⋅ ωs
A relação linearizada entre torque e velocidade, nesta região, é:
⎛ s ⋅T ⎞
ωm = ωs ⋅ ⎜1 − m d ⎟ (7.30)
⎝ 2 ⋅ Tmm ⎠
A figura 7.6 mostra as curvas aproximadas (desprezando Rs) e linearizada, na região de

baixo escorregamento. Na figura 7.7 tem-se o comportamento do fator de potência.
Na região de operação em que o escorregamento é menor do que sm, o motor opera de
modo estável. Quanto menor a resistência do rotor, menor será o valor de sm e mais próxima
estará a velocidade mecânica da velocidade síncrona. Assim, nesta região, o motor opera
praticamente a velocidade constante.
Td/Tmm aproximado por (7.27) Td/Tmm aproximação linear (7.29)

1 1.5
0.5
0.5
0 0
0.2 0.4 0.6 0.8 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05
s s
Figura 7.6 Característica torque-escorregamento aproximada (desprezando Rs) e linearizada.

FP 0.5
0
0.05 0.1 0.15 0.2
s
Figura 7.7 Fator de potência do motor.
7.2 Métodos de controle da velocidade de máquina de indução
Do ponto de vista do acionamento, a velocidade de um motor de indução pode ser variada

das seguintes maneiras
• Controle da resistência do rotor
• Controle da tensão do estator
• Controle da freqüência do estator
• Controle da tensão e da freqüência do estator
• Controle da corrente
7.2.1 Controle pela resistência

Para uma máquina de rotor enrolado é possível, externamente, colocar resistências que se
somem à impedância própria do rotor, como mostrado na figura 7.9.a. A variação de Rx permite
mover a curva torque - velocidade da máquina, como mostrado na figura 7.8. Note que, para um
dado torque, o aumento da resistência do rotor leva a uma diminuição na velocidade mecânica.
Este método permite elevar o torque de partida e limitar a corrente de partida. Obviamente este é
um método de baixa eficiência devido à dissipação de potência sobre as resistências. O
balanceamento entre as 3 fases é fundamental para a boa operação da máquina. Este tipo de
acionamento foi usado especialmente em situações que requeriam grande número de partidas e
paradas, além de elevado torque. Os resistores podem ser substituídos por um retificador
trifásico que “enxerga” uma resistência variável, determinada, por sua vez, pelo ciclo de trabalho
do transistor de saída, como mostrado na figura 7.9.b.
Outros arranjos, utilizando retificadores controlados, permitem que, ao invés de dissipar
energia sobre a resistência externa, se possa enviá-la de volta para a rede. A relação entre a
tensão CC definida pelo retificador e a corrente Id refletem para os enrolamentos do rotor a
resistência equivalente. Este arranjo é mostrado na figura 7.9.c.
Td/Tmm
1
10Rr
5Rr
0.5
Rr
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 ωs
ωm
Figura 7.8 Característica torque - velocidade para diferentes valores de resistência de rotor.

Ld
Retificador
Estator Rx Estator
Id
Rotor Rx Rotor Vd R
Vdc
Rx
(a)
(b)
Ld
Retificador Retificador
Estator
Controlado
Id
Rotor Vd Vdc Trafo Rede
(c)
Figura 7.9 Controle de velocidade por variação da resistência da armadura.
7.2.2 Controle pela tensão de alimentação do estator

Da equação do torque vê-se que ele é proporcional ao quadrado da tensão aplicada ao
estator. Assim para um dado torque, uma redução na tensão produz uma diminuição na
velocidade (um aumento no escorregamento), como mostrado na figura 7.10.
Este tipo de acionamento não é aplicável a cargas que necessitem de torque constante,
nem elevado conjugado de partida. A faixa de ajuste de velocidade é relativamente estreita e é
feita ao custo de uma redução significativa do torque disponível. Quando a curva do torque da
carga cruza a curva da máquina além do ponto de torque máximo, não é possível o acionamento.
Motores construídos para este tipo de acionamento são denominados de classe D e possuem
elevada resistência de rotor, de modo que a faixa de variação de velocidade se torne maior e não
seja muito severa a perda de torque em baixas velocidades.
Td Torque da carga
1
100% Vs
0.5
75% Vs
50% Vs
0.2 0.4 0.6 0.8 wm

ws
Figura 7.10. Características torque - velocidade para diferentes valores de tensão de alimentação.
A tensão do estator pode ser variada por meio de um controlador de tensão CA, formado
por tiristores, operando com controle de fase. Sua simplicidade justifica seu uso em sistemas de
baixa performance e potência, como ventiladores e bombas centrífugas, que precisam de baixo
torque de partida. Outra possibilidade é o uso de um inversor trifásico, operando com freqüência
constante e tensão ajustável, seja variando a tensão CC, por uso de MLP. O fato de a tensão de
partida ser reduzida permite uma limitação na corrente de partida. A figura 7.11 mostra,
esquematicamente, os acionamentos.

Rede
estator estator
Controlador
Inversor
Vcc CA
Trifásico
(a) (b)
Figura 7.11 Controle da tensão de estator por inversor (a) e controlador CA (b).
7.2.3 Controle pela variação da freqüência

Como se vê na eq. 7.19, o torque e a velocidade de um motor de indução podem ser
variados controlando-se a freqüência da fonte de alimentação.
Nos valores nominais de tensão e freqüência, o fluxo de entreferro da máquina também
estará em seu valor nominal. Se a tensão for mantida constante e a freqüência diminuída, o fluxo
aumentará, levando à saturação da máquina, alterando os parâmetros da máquina e a
característica torque - velocidade. Em baixas freqüências, com a queda no valor das reatâncias,
as correntes tendem a se elevar demasiadamente. Este tipo de controle não é normalmente
utilizado.
Se a freqüência for aumentada acima do valor nominal, fluxo e torque diminuem. Se a
velocidade síncrona à freqüência nominal for denominada ωb (velocidade base), a velocidade
síncrona e o escorregamento em outras freqüências de excitação serão:
ωs = b ⋅ ωb (7.31)
b ⋅ ωb − ωm ω
s= = 1− m (7.32)
b ⋅ ωb b ⋅ ωb
A expressão para o torque será:
3 ⋅ R r ⋅ Vs2
Td = (7.33)
⎡⎛ R ⎞2 2⎤
s ⋅ b ⋅ ω b ⋅ ⎢⎜⎝ R s + r s ⎟⎠ + ( b ⋅ X s + b ⋅ X r ) ⎥
⎣ ⎦
As curvas típicas de torque - velocidade para diferentes valores de b estão mostradas na

figura 7.12. Abaixo da velocidade base o torque deve ficar limitado ao seu valor nominal. A
elevação da freqüência permite aumentar a velocidade, às custas da perda do torque. Esta
característica é similar à dos motores de corrente contínua quando se faz a elevação da
velocidade pelo método do enfraquecimento do campo.
Uma alimentação deste tipo pode ser obtida por meio de um inversor que forneça uma
tensão constante (valor eficaz), variando apenas a freqüência.

Td/Tm
1.2
0.8
0.6
b=1
0.4
b=1.5
0.2
b=2 b=2.5
0
0.5 1 1.5 2 2.5
ω m = ωb * b b>1
Figura 7.12 Característica torque - velocidade com controle da freqüência.
7.2.4 Controle da tensão e da freqüência

Se a relação entre a tensão e a freqüência da alimentação do motor for mantida constante,
o fluxo de entreferro não se altera, de modo que o torque máximo não se altera. A figura 7.13
mostra a característica torque - velocidade para uma excitação deste tipo, para velocidades
abaixo da velocidade base.
0.833
T( s , 1 ) 0.667
T( s , .8 ) 0.5
T( s , .6 )
0.333
0.167
0
0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
ω m = b * ωb b<1
Figura 7.13 Característica torque - velocidade com controle de tensão/freqüência.
Uma vez que a tensão nominal da máquina não deve ser excedida, este tipo de
acionamento aplica-se para velocidades abaixo da velocidade base. O acionador mais usual é do
tipo inversor com controle MLP ou de onda quase-quadrada, que permita ajustar
simultaneamente tensão e freqüência. Um inversor de onda quadrada necessita de uma tensão no
barramento CC variável. Para velocidades muito baixas pode-se ainda fazer uso de
cicloconversores (conversores CA-CA).
À medida que a freqüência se reduz, o fluxo de entreferro tende a diminuir devido à
queda de tensão na impedância série do estator, levando à redução na tensão aplicada sobre a
reatância de magnetização, o que conduz à necessidade de se elevar a tensão em tais situações
para se manter o torque.

7.2.5 Controle da corrente

O torque do motor de indução pode ser controlado variando-se a corrente do rotor. No
entanto, como se tem acesso à corrente do estator, é ela que pode ser objeto de controle direto. A
corrente e o torque produzido podem ser rescritos como:
jI i ⋅ X m
Ir = (7.34)
Rs + Rr + j(X m + X s + X r )
s
3R r ⋅ ( X m ⋅ I i ) 2
Td = (7.34.a)
⎡ 2
2⎤
s ⋅ ωs ⎢⎛⎜ R s + R r ⎞⎟ + (X m + X s + X r ) ⎥
⎣⎝ ⎠
s
⎦
O torque de partida (s=1) é dado por:
3R r ⋅ (X m ⋅ I i ) 2
Ts =
ω [(R s + R r ) + (X m + X s + X r ) ]
(7.35)
2 2
s
O escorregamento para o torque máximo é:
Rr
sm = ± (7.36)
+(Xm + Xs + Xr )
2
R 2s
Desprezando o efeito da impedância do estator, o torque máximo é expresso por:
3 ⋅ L2m
Tm = ⋅ I 2i (7.37)
2( L m + L r )
A figura 7.14 mostra a característica torque - velocidade para diferentes valores de

corrente de entrada.
I1>I2>I3 I1
I2
I3
0.5 0.6 0.7 0.8 0.9

ωm
Figura 7.14 Característica torque - velocidade com acionamento por controle de corrente.
O torque máximo é praticamente independente da freqüência. Na partida (s=1) o valor

Rr/s é reduzido, de modo que a corrente que flui pela indutância de magnetização é pequena,
produzindo um baixo fluxo e, consequentemente, um pequeno torque. À medida que a máquina

se acelera o escorregamento diminui e aumentam a corrente de magnetização, o fluxo e o torque,

caminhando no sentido da saturação do material ferromagnético.
A fim de evitar saturação, o motor é normalmente acionado na região instável da curva
torque - velocidade, o que só é possível em malha fechada e com controle sobre a tensão
terminal da máquina (para impedir a sua saturação).
Uma corrente com valor eficaz constante pode ser suprida por inversores de corrente.
Tais inversores são obtidos tendo no barramento CC uma fonte de corrente contínua, tipicamente
realizada por um indutor, sobre o qual é controlada a corrente. Técnicas tipo MLP são também
possíveis, desde que o inversor seja adaptado para tal situação. Isto significa que as chaves
devem permitir passagem de corrente em apenas um sentido, sendo capazes de bloquear tensões
com ambas polaridades. A figura 7.15 mostra as chaves semicondutores utilizadas nos
diferentes tipos de inversores.
I+
I+ I-
V-
V+
V+
Chave para Chave para

Inversor de tensão Inversor de corrente
Figura 7.15 Chaves semicondutoras para inversores de tensão e de corrente.
7.3 Inversores de tensão
As topologias dos inversores de tensão utilizadas no acionamento de máquinas elétricas

não possuem diferenças significativas em relação àquelas já descritas para a realização de
inversores de freqüência fixa. O que os diferencia é o circuito de controle que deve produzir,
quando necessário, um sinal de referência com freqüência variável.
7.4 Inversores de corrente

O uso de inversores de corrente ocorre principalmente em aplicações de grande potência,
nas quais não é necessária uma rápida resposta dinâmica, tais como: ventiladores e bombas,
guindastes, esteiras rolantes, acionamento de veículos pesados. Dada a alta potência envolvida,
soluções topológicas que utilizam SCRs e GTOs (Gate Turn-Off Thyristors) são interessantes.
No primeiro caso (SCRs) como a alimentação é em corrente contínua, faz-se necessário o uso de
algum tipo de comutação forçada para permitir o desligamento dos tiristores. Com GTOs é
possível utilizar técnicas do tipo MLP.
A tensão observada na entrada das máquinas é praticamente senoidal. Este fato indica o
uso destes conversores para o acionamento de máquinas elétricas (especialmente as de
construção mais antiga) cuja isolação da fiação, em função do isolante utilizado, não admite
taxas de variação da tensão (dv/dt) muito elevadas.
Uma estrutura genérica para um sistema de acionamento de motores CA em corrente é
mostrada na figura 7.16. O nível da corrente CC sobre a indutância de alisamento, L, é ajustado
pelo retificador (conversor CA-CC) de entrada. A freqüência das correntes alternadas na saída

do inversor (conversor CC-CA) é determinada pelo circuito de comando do inversor. Este

inversor pode possuir diferentes topologias, como se verá a seguir.
Esta estrutura permite, pelo ajuste adequado do ângulo de disparo da ponte retificadora, a
regeneração de energia, ou seja, a energia retirada do motor acionado pode refluir para a rede,
bastando para tanto que, momentaneamente, a tensão média na saída do retificador seja negativa.
Icc L
Linha
Vcc
Motor ca
Controle de fase Controle de frequência
Figura 7.16 Estrutura básica de sistema para acionamento em corrente de máquina ca.
7.4.1 Inversor a tiristores

A figura 7.17 mostra a topologia de um inversor de corrente trifásico utilizando SCRs. A
máquina é representada por um circuito RL e uma tensão E, de forma senoidal. A operação
adequada do conversor exige que exista, a todo instante, pelo menos uma fase de cada semiponte
(superior e inferior) em condução, para dar vazão à corrente. Em caso de necessidade, a chave
auxiliar Sw propicia um caminho alternativo para a corrente. Os capacitores utilizados são os
responsáveis pela comutação dos tiristores, como se verá na seqüência.
A seqüência dos sinais de comando dos tiristores está indicada na figura 7.18, para um
dado sentido de rotação. Mostra-se também a forma das correntes no motor para conexões em
estrela e em triângulo.
Para analisar o funcionamento deste circuito, consideremos que, inicialmente, os
tiristores T1 e T2, bem como os diodos D1 e D2, estejam em condução. A corrente flui pelas
fases A e C. A figura 7.19.a mostra esta situação topológica. O capacitor C1 está carregado com
a polaridade indicada, C5 está carregado com a mesma tensão de C1, com a polaridade indicada
na figura 7.19a. C3 está descarregado.
No instante t1 cessa-se de enviar o sinal de acionamento para T1 e comanda-se a entrada
em condução de T3. Para que T1 efetivamente desligue é necessário que sua corrente vá a zero.
Com a condução de T3, a corrente circula pelos capacitores como indicado na figura 7.19.b, ou
seja, descarregando C1 e C5 e carregando C3. Por C1 circula 2/3 da corrente, enquanto por C3 e
C5 (que aparecem em série) circula o restante 1/3. A corrente da fase A permanece inalterada e
D1 segue conduzindo. A variação das tensões nos capacitores é linear.
A tensão em C1 se inverte e quando o potencial do ponto b se torna maior do que em B, o
diodo D3 se torna diretamente polarizado, levando ao desligamento de D1. Como a carga é
indutiva, a transferência da corrente de uma fase para outra não é instantânea, de modo que, por
alguns instantes a corrente coexiste em ambas as fases, embora sua soma seja constante, como
indicado na figura 7.19.c.
Neste intervalo, ocorre uma ressonância entre as capacitâncias do circuito e as
indutâncias da carga, levando a uma elevação importante na tensão VBA acima do valor da
tensão produzida pela máquina (E). Estes picos de tensão são típicos destes conversores e devem
ser considerados no dimensionamento dos elementos. Este intervalo termina com os capacitores
C1 e C3 carregados como mostrado na figura 7.19.d estando C5 com tensão nula. A figura 7.20
mostra uma forma de onda típica da tensão entre fases deste tipo de inversor.

Icc T1 T3 T5
C5
-Vca+
Sw
+Vab- +Vbc-
b c
a
C1 C3
D1 D3 D5
C
E
R Ls
B
E
A
E
D4 D6 N D2
-Vtr+
C4
+Vrs- +Vst-
C6 C2
T4 T6 T2
Figura 7.17 Topologia de um inversor de corrente trifásico utilizando SCRs
Comando dos tiristores Conexão estrela

T1 Icc
T3
θ
T5 -Icc
T4 2π
T6 2/3 Icc
θ
T2
t1 Conexão triângulo
Figura 7.18. Condução dos tiristores e formas de corrente na carga.

Icc T1 T3 T5 Icc T1 T5
C5 T3
C5
+ - + -
+ - + - + -
b c b c
a a
C1 C3 C1 C3
D1 D3 D5 D1 D3 D5
E E
C R Ls C R Ls
B B
E E
A A
E E
D4 D6 N D2 D4 D6 N D2
-Vtr+ -Vtr+
C4 C4
+Vrs- +Vst- +Vrs- +Vst-
C6 C2 C6 C2
T4 T6 T2 T4 T2
T6
(a) (b)
Icc T1 T3 T5 Icc T1 T3 T5
C5
C5
+ -
- + + - - + + -
b c b c
a a
C1 C3 C1 C3
D1 D3 D5 D1 D3 D5
E E
C R Ls C R Ls
B B
V BA E E
A A
E E
D4 D6 N D2 D4 D6 N D2
-Vtr+ -Vtr+
C4 C4
+Vrs- +Vst- +Vrs- +Vst-
C6 C2 C6 C2
T4 T6 T2 T4 T6 T2
(c) (d)
Figura 7.19. Estágios de operação do inversor fonte de corrente com tiristores.

Figura 7.20 Forma de onda típica de tensão de linha para inversor de corrente a tiristores.
7.4.1.1 Funcionamento na partida

É importante analisar também o comportamento do circuito no início de operação,
quando todos os capacitores estão descarregados. A tensão E vale zero e não há queda sobre as
indutâncias da carga (pois a corrente é suposta constante)
Consideremos que T1 e T2 estejam conduzindo uma corrente ICC. Num primeiro
momento a corrente da semiponte superior circula por 2 caminhos:
• T1, D1, fase A, fase C, D2, T2
• T1, capacitores, D5, D2, T2
O capacitor C5 se carrega até o valor da tensão VAC =2.ICC.R, quando D5 deixa de
conduzir. Como os capacitores C1 e C3 estão conectados em série, sobre cada um deles tem-se a
metade de tal tensão.
Quanto T3 é acionado, a tensão sobre C1 polariza reversamente T1 e, com a corrente
passando a fluir por T3, T1 desligará. Ao mesmo tempo D3 entra em condução e a corrente vai
se transferindo da fase A para a fase B. Assim, nesta primeira comutação não existe o intervalo
em que os capacitores se carregam linearmente (pois E=0). Quando o motor inicia a girar, surge
uma tensão induzida E e as próximas comutações seguem a seqüência descrita anteriormente.
A tensão sobre o capacitor C1 deve ser suficiente para manter T1 reversamente
polarizado durante o tempo necessário para garantir seu desligamento (tipicamente, dezenas de
microsegundos). Ou seja, para uma dada corrente, há uma tensão mínima que permite o
funcionamento correto do conversor. Um aumento nesta tensão pode ser obtido se a corrente
ICC apresentar (nos primeiros ciclos) uma ondulação significativa, o que faz com que a
componente indutiva da carga também contribua com a tensão.
A figura 7.21 mostra uma estrutura em ponte dupla e que opera segundo o mesmo
princípio descrito. Neste caso, deve haver um circuito adicional para fazer uma pré-carga nos
capacitores. As polaridades marcadas nos capacitores indicam as polaridades necessárias para a
comutação dos tiristores em condução. A figura ilustra um exemplo de comutação de T3, quando
T5 entra em condução. Os tiristores auxiliares (T1a, T2a, etc.) servem para proceder ao
desligamento dos tiristores principais, atuando apenas durante as comutações.
7.4.2 Inversor com IGBT (ou GTO)

Se a chave semicondutora permite desligamento comandado, como é o caso dos
transistores e GTOs, pode-se aplicar técnicas de modulação de largura de pulso, à semelhança do
que se faz com os inversores de tensão. A figura 7.22 mostra uma topologia deste tipo.
O interruptor deve permitir passagem de corrente num único sentido e ser capaz de
bloquear tensões com ambas polaridades. Deve-se garantir que haja sempre uma chave em
condução em cada semiponte.
Como a impedância da carga é indutiva, é necessária a colocação de capacitores na saída
do inversor de modo a acomodar as diferenças instantâneas dos valores das correntes de entrada
e da carga. Tais capacitâncias podem provocar ressonâncias com as componentes indutivas do
circuito, devendo-se controlar a tensão sobre os capacitores.

T1a T1 T3a T3 T5a T5
Icc
+ A + B + C
T4a T4 T6a T6 T2a T2
E E E
Figura 7.21 Inversor fonte de corrente trifásico em ponte dupla.
Icc
Carga
Cf
Figura 7.22 Inversor fonte de corrente MLP utilizando IGBT.
M. P. Kazmierkowiski and H. Tunia: “Automatic Control of Converter-Fed Drives”. Elsevier,

Amsterdam, 1994.
N. Mohan, T. M. Undeland and W. P. Robbins: “Power Electronics: Converters, Applications

and Design”. John Wiley & Sons, New York, 1994.
M. H. Rashid: “Power Electronics: Circuits, Devices and Applications”, Prentice Hall

International, Inc., Englewood Cliffs, 1993.
S. B. Dewan, G. R. Slemon and A. Straughen: “Power Semiconductor Drives”. John Wiley &
Sons., New York, 1984

8. INVERSORES DE TENSÃO COM COMUTAÇÃO SUAVE

Nas topologias em que as chaves semicondutoras comutam a corrente total da carga a
cada ciclo, elas ficam sujeitas a picos de potência que colaboram para o "stress" do componente,
reduzindo sua vida útil. Além disso, elevados valores de di/dt e dv/dt são potenciais causadores
de interferência eletromagnética (IEM).
Quando se aumenta a freqüência de chaveamento, buscando reduzir o tamanho dos
elementos de filtragem e dos transformadores, as perdas de comutação se tornam mais
significativas sendo, em última análise, as responsáveis pela limitação da freqüência máxima de
operação dos conversores.
Por outro lado, caso a mudança de estado da chave ocorra quando tensão e/ou corrente
por ela seja nula, o chaveamento se faz sem dissipação de potência.
A fim de eliminar ou minimizar as perdas que ocorrem nos chaveamentos dos
semicondutores, as quais, para freqüências elevadas limitam a aplicação dos semicondutores,
têm sido criados circuitos que, nas transições de estado das chaves, produzem uma situação de
tensão e/ou corrente nulas, minimizando, consequentemente, a potência dissipada nestes
momentos. Estes processos são denominados de comutação suave (soft-commutation). Quando a
comutação se dá com tensão nula nos terminais do interruptor, ela é denominada de ZVS (do
inglês “Zero Voltage Switching”). Quando a comutação acontece com corrente nula, é chamada
de ZCS (do inglês “Zero Current Switching”).
O uso de comutação forçada (hard-commutation) em inversores, até um passado recente,
era limitado a freqüências em torno de 5kHz (para IGBTs e transistores bipolares), o que trazia
grande incômodo oriundo do ruído acústico, além de pobres resultados em termos de harmônicas
de corrente sobre a carga. A elevação da freqüência era inviável por causa da excessiva perda de
potência no chaveamento. Desta época datam os primeiros circuitos para comutação suave,
objetivando elevar a freqüência no mínimo para 20kHz, eliminando os efeitos audíveis do
chaveamento.
Melhorias na tecnologia de construção, especialmente dos IGBTs, torna possível operá-
los nos dias de hoje a 20kHz sem necessidade de comutação suave. O interesse por estas técnicas
se mantém, no entanto, pela possibilidade de se trabalhar sempre com menores conteúdos
harmônicos de corrente sobre a carga.
Por outro lado, em aplicações de potência mais elevada, nas quais GTO e SCR são os
únicos componentes possíveis, as limitações de freqüência ainda são muito severas, tornando o
uso de comutação suave muito importante.
Diferentes técnicas de controle podem ser utilizadas, como se verá na seqüência, sendo,
no entanto, preferível a Modulação por Largura de Pulso. Obviamente circuitos que produzam
mínimas sobre-tensão e sobre-corrente pelos interruptores são mais interessantes.
8.1 Inversor com Link CC Ressonante
Dentre as primeiras propostas para produção de comutações suaves em inversores de

tensão está o circuito mostrado na figura 8.1.
Em relação à topologia convencional, tem-se a adição de um circuito ressonante, L-C, no
lado CC do conversor. Este circuito ressonante, mediante um controle adequado do interruptor S,
permite manter uma oscilação que leva periodicamente a zero a tensão vc. Nos instantes em que
esta tensão se anula é possível ligar ou desligar os interruptores sem dissipar potência. A
condução de S permite armazenar a energia necessária em L de modo a garantir que a tensão em
C se anule.

O mesmo efeito de controle da energia armazenada na indutância ressonante pode ser

feito com o comando adequado dos interruptores da ponte inversora, prescindindo assim da
chave adicional. As formas de onda da corrente pela indutância e tensão vc estão mostradas na
figura 8.2.
iL L Io
+
E C vc
S D
carga
Figura 8.1. Inversor com link CC ressonante
iL
v
C
Io
DS
Figura 8.2. Formas de onda do conversor
Consideremos que a carga tem uma característica indutiva, como um motor de indução.
Quando a tensão se anula, como a corrente iL é menor do que a corrente Io, o diodo D conduz,
suprindo a diferença da corrente. Durante a condução de D é enviado o sinal de comando para S
o qual entra em condução quando a corrente do indutor se torna maior do que a da carga. A
corrente tem uma variação linear neste intervalo. O interruptor é desligado (sob tensão nula)
quando a energia acumulada em L for suficiente para garantir que, no próximo ciclo, a tensão
volte a se anular.
Os inconvenientes desta estrutura são basicamente dois:
• A tensão máxima sobre os interruptores apresenta picos com o dobro do valor da tensão CC.
• Sendo possível realizar a comutação apenas nos instantes em que a tensão é nula, este
conversor não se presta ao uso de MLP.
Como vantagem pode-se citar a sua grande simplicidade, sendo possível aplicá-la em
freqüências de até 100kHz (com IGBTs)
Como não se pode usar MLP, o controle é feito por Modulação de Densidade de Pulsos -
MDP. Nesta técnica, como mostra a figura 8.3., entregam-se à carga "pacotes" de energia que
possuem uma duração constante (no caso igual ao período de ressonância). A quantidade destes
"pacotes" em um certo período (relativo à freqüência que se deseja na saída) permite alterar o

valor médio da tensão sobre a carga. A polaridade é determinada pela condução dos interruptores
da semiponte superior (tensão positiva na saída) ou da semiponte inferior (tensão negativa na
saída). Assim, a variação da tensão é discreta, enquanto em MLP é contínua.
A técnica MDP é tanto mais eficiente quanto maior a freqüência de ressonância em
relação à freqüência fundamental que se quer na saída. Estudos indicam que para uma dada
freqüência de ressonância, o conteúdo espectral do sinal de saída é equivalente ao de um
conversor MLP com freqüência de chaveamento 10 vezes menor. Ou seja, um conversor deste
tipo operando a 50kHz produz sobre a carga um conteúdo harmônico semelhante ao de um
conversor operando em MLP a 5kHz.
Figura 8.3. Sinal modulado em MDP e sua componente fundamental.
8.2 Inversor com Link CC Ressonante com limitação da sobre-tensão
Com a alteração indicada na figura 8.4 a sobre-tensão presente na alimentação do

inversor é drasticamente limitada. Utiliza-se um interruptor auxiliar e um capacitor adicional
para limitar o pico de tensão a um valor pouco superior àquele da alimentação CC. A figura 8.5.
mostra as formas de onda no circuito ressonante.
+
Cc K.E Sc
i L i
L L
+
E C Vc
carga
Figura 8.4. Circuito com limitação da sobre-tensão.
O capacitor Cc é pré-carregado com uma tensão K.E, onde K varia tipicamente entre 0,2
e 0,4 (ou seja, com uma sobre-tensão de 20% a 40%). Quando a tensão no capacitor ressonante
atinge este nível, o diodo em antiparalelo com o transistor Sc entra em condução. Cc é muito
maior que C, de modo que a tensão fica limitada. O controle adequado de Sc permite controlar a
tensão sobre Cc.

A técnica de modulação é MDP, ou seja, as comutações só ocorrem em instantes

discretos.
Consideremos que antes de to o interruptor Sc está conduzindo. A tensão vlink fica
limitada e a corrente da carga (suposta constante num curto intervalo de tempo) circula por Cc (o
qual, para não se descarregar muito deve ter um valor relativamente elevado). Em to Sc é
desligado e a corrente de saída é fornecida por C. Note-se que neste instante a corrente iL é
negativa e será suprida também por C. No instante t1 a tensão sobre C se anula e inicia-se um
período de livre-circulação pelos diodos da ponte inversora. Nesta situação os interruptores são
desligados sob tensão e corrente nulas.
A corrente iL, que está crescendo linearmente entre t1 e t2, se torna maior do que a
corrente da carga em t2, iniciando a recarga do capacitor, de forma ressonante. Quando esta
tensão atinge o valor da tensão presente em Cc, em t3, o diodo em antiparalelo com Sc conduz,
limitando a tensão. O excesso de corrente iL em relação a Is recarrega Cc. Após t3, até T, a
corrente varia linearmente. Entre t3 e t4 a condução se faz pelo diodo, mas quando a corrente
pelo indutor se torna menor do que a corrente da carga, a corrente começa a circular por Sc. Isto
significa que este interruptor deve ter sido acionado ainda durante a condução do diodo. Após t4
conduz Sc, o qual será desligado em T, reiniciando o ciclo. O controle adequando de Sc permite
manter constante a tensão sobre Cc.
iL
Vc
(1+K)E
Is
Sc
Sc C C D(Sc)
to t1 t2 t3 t4 T
Diodos
Figura 8.5. Formas de onda no circuito ressonante.
8.3 Inversor MLP com Link Quase-ressonante
A principal limitação dos conversores precedentes é a não possibilidade de uso de MLP

no acionamento da carga. Além disso, a presença de indutor em série com a alimentação,
considerando níveis relativamente elevados da corrente, produz perdas significativas (que
crescem com o quadrado da corrente), exigindo esforços para sua refrigeração e reduzindo a
eficiência do conversor.
Diversas outras topologias foram propostas com o objetivo de reduzir perdas e usar MLP,
sem um aumento excessivo na complexidade dos circuitos. A figura 8.6. mostra um circuito que
praticamente supera ambas restrições apontadas.

Note-se a presença de capacitores em paralelo com os interruptores da ponte. Um

capacitor colocado em tal posição permite o desligamento do transistor sob tensão nula, em
qualquer momento. Esta técnica é conhecida por ZVS - Zero Voltage Switching.
A possibilidade de desligar qualquer chave a qualquer momento (embora o instante de
entrada em condução seja determinado pelo link ressonante) garante a realização de um controle
MLP.
Em série com a alimentação tem-se um interruptor, cujas perdas em condução crescem
com o valor da corrente (e não seu quadrado), permitindo menores perdas, além de uma proteção
contra sobre-correntes.
is
Dm
Cs Cs Cs
Sm Sr Dr
T1 T3 T5 carga RL
io
E
Lr Vlink
iL Cs Cs Cs
+
Ce Ve T2 T4 T6
Figura 8.6. Inversor com link CC quase-ressonante
8.3.1 Princípio de operação

Como se trata de um inversor de tensão, tipicamente 2 interruptores de uma semiponte e
1 interruptor da outra semiponte estarão conduzindo a cada instante, existindo ainda intervalos
de livre-circulação.
Consideremos as formas de onda mostradas na figura 8.7.
No intervalo anterior a to o interruptor Sm (ou o diodo Dm) estão conduzindo a corrente
da carga, io, mantendo a tensão Vlink no valor da tensão de entrada. Os capacitores conectados
junto aos interruptores da ponte que não conduzem estão, assim, carregados com a tensão E.
A tensão no capacitor Ce (de alta capacitância) é mantida em aproximadamente E/2.
Em to, o interruptor Sr é ligado (sob corrente nula). A corrente por Lr cresce linearmente
até atingir um nível adequado, no instante t1. Neste momento Sm é desligado (sob tensão nula,
pois Vlink=E) e inicia-se uma ressonância entre Lr e os capacitores de “snubber”, Cs. A tensão
vlink se reduz até o zero (em t2), quando os diodos em antiparalelo com os transistores entram em
condução. Nesta situação, quaisquer dos interruptores da ponte podem ser ligados sob tensão
nula. Por exemplo, ligam-se T1, T2, T4 e T6.
A corrente passa a decair linearmente, invertendo sua polaridade em t3, quando passa a
circular via Dr (permitindo desligar Sr sem perdas).
Quando a corrente iL atinge um valor adequado, igual à soma das correntes positivas da
carga (em t4), alguns transistores da ponte, selecionados de acordo com a estratégia de
modulação, são desligados (por exemplo T2), causando o aumento da tensão vlink de uma forma
ressonante até atingir a tensão E (em t5). O diodo Dm passa a conduzir, limitando a tensão. Após
t5 a corrente iL passa a ter uma variação linear, indo a zero. Durante a condução de Dm dá-se o
comando para Sm, o qual entra em condução sob corrente nula, repetindo o ciclo.

Como se nota, o instante de entrada em condução dos transistores da ponte deve ocorrer
durante o intervalo em que a tensão vlink é nula e o seu desligamento pode ocorrer a qualquer
momento, garantindo um comando tipo MLP.
i L
Ir1
v
link
E
Ir2
Dr
Sm Sm e Sr Sr Diodos T1 Dm, Sm, Dr
Sr T2 Dr
to t1 t2 t3 T4 t4 t5
T6
T1/T4/T6 T1/T4/T6
Ressonância
Figura 8.7. Formas de onda do inversor com link CC quase-ressonante
8.3.2 Dimensionamento dos componentes

Os limites Ir1 e Ir2 devem ser mantidos nos mínimos possíveis para reduzir as perdas no
circuito ressonante. O valor Ir1 pode ser obtido de:
E ⋅ (2 ⋅ Ve − E) ⋅ C se
I r1 = I m1 + I 01 + (8.1)
Lr
onde I01 é o valor da corrente Io (soma das correntes positivas pelas fases da carga) no instante
t1, a qual é suposta constante no intervalo (t2-t1). Im1 é uma margem que leva em conta as perdas
no circuito ressonante e também assegura uma corrente no indutor Lr que torne o intervalo (t2-
t1), no qual a tensão se reduz, curto o suficiente. Este mesmo parâmetro é usado para manter
constante a tensão Ve. Cse é a capacitância equivalente com a qual se realiza a ressonância.
C se = 3 ⋅ C s (8.2)
Como Io1 é normalmente positiva, Ir1 cresce com o aumento da carga.

O valor Ir2 deve satisfazer a duas exigências: a corrente deve ser suficiente para assegurar
que a oscilação seja completa e que a tensão atinja o valor E; adicionalmente, o balanço de carga
em Ce deve ser respeitado para manter sua tensão constante em regime.
Pode-se ainda garantir que a tensão vlink atinja o valor E usando-se uma tensão Ve maior
do que E/2.
Caso o valor Ir2 seja menor do que a soma das correntes positivas da carga, a oscilação
não se inicia instantaneamente. Como a livre-circulação prossegue, a corrente iL continua a
crescer (negativamente), até igualar-se a Io, quando se inicia efetivamente a ressonância.

Observe que o controle do circuito ressonante necessita do monitoramento da corrente Io

e da corrente iL.
O valor dos capacitores Cs é escolhido em função dos tempos de desligamento dos
transistores e da máxima corrente de carga.
O intervalo (t4-t2), no qual ocorre livre-circulação, é dado aproximadamente por:
2 ⋅ I r1 ⋅ Lr
( t 4 − t 2) = (8.3)
Ve
Lr deve ser escolhido como um compromisso entre um mínimo pico de corrente (valor
mínimo) e um intervalo (t4-t2) suficientemente longo (à máxima corrente), que permita ao
comando ligar os transistores da ponte.
Em algumas situações a corrente de carga pode assumir valores baixos, seja nos
cruzamentos com o zero, seja pela variação da carga propriamente dita.
Correntes baixas significam que o processo de descarga dos capacitores de “snubber” (t2-
t1) se fará lentamente, afetando a forma de onda aplicada à carga, que não será mais uma onda
“quadrada”, mas terá uma das bordas muito suavizada. Obviamente o controle MLP fica afetado.
Sintetizando, como vantagens deste circuito têm-se:
• Controle MLP;
• Redução nas perdas do circuito ressonante;
• Redução na potência reativa em circulação.
Com desvantagens cita-se:
• Necessidade de monitorar a tensão Ve e as correntes iL e Io;
• Distorção do controle MLP para baixas correntes de carga;
• O instante de entrada em condução dos transistores não é livre.
8.4 Inversor com polo ressonante auxiliar
Esta estrutura pertence à família dos conversores com “polo ressonante”. Diferentemente
dos esquemas precedentes, neste caso cada ramo do inversor possui seu próprio circuito auxiliar
para a realização de comutação suave, de modo que cada ramo é livre para comutar a qualquer
instante, permitindo o uso de modulação MLP.
A desvantagem é o maior número de componentes ativos e passivos.
A figura 8.8. mostra o esquema para uma fase.
Os capacitores em paralelo com os interruptores S1 e S2, C1 e C2, permitem um
desligamento sob tensão nula, a qualquer momento. O funcionamento da estrutura deve ser tal
que, antes da condução dos interruptores, os diodos em antiparalelo conduzam, descarregando os
capacitores de “snubber”.
A sobre-corrente presente no indutor ressonante é tipicamente de 1,3 a 1,8 p.u.. A
atuação do circuito auxiliar deve se reduzir a um intervalo de 1/10 a 1/20 do ciclo de
chaveamento, o que significa que o valor RMS, apesar do maior pico de corrente, é bastante
reduzido.

D1
S1 C1
E/2 DA2 DA1 ir io
Cr/2
Cr/2
Lr
SA2 SA1 Vp
E/2
S2 C2
D2
Figura 8.8. Ramo de inversor com polo ressonante auxiliar.
8.4.1 Princípio de funcionamento do circuito auxiliar de comutação

A figura 8.9. mostra as formas de onda da tensão sobre um interruptor (S2, no caso) e a
corrente pelo indutor. A hipótese é que a corrente da carga é constante durante cada período de
chaveamento.
Suponhamos que inicialmente tem-se um intervalo de livre-circulação, com a corrente da
carga circulando por D2. Assim , vp é zero e o capacitor C1 está carregado com a tensão total da
entrada, E.
No instante to a chave SA2 entra em condução (juntamente com DA1) sob corrente nula.
A corrente por Lr cresce linearmente pois D2 continua a conduzir. Ao mesmo tempo manda-se
um sinal para ligar S2, o qual não conduz imediatamente porque o diodo D2 está conduzindo.
Quando a corrente ir se iguala à corrente da carga, em t1, o diodo D2 desliga e S2 começa a
conduzir (corrente nula), mantendo o crescimento linear da corrente por Lr acima do valor da
corrente de saída. A corrente por S2 é a diferença entre ir e io.
O atraso no desligamento de S2 permite um acúmulo de energia em Lr o qual irá facilitar
o processo de comutação, compensando as perdas do circuito ressonante. Em t2, S2 é desligado
(sob tensão nula). E inicia-se a ressonância entre Lr e Cr.
O excesso de corrente ir em relação à corrente da carga irá carregar C2 e descarregar C1.
Em t3 a tensão vp se iguala à tensão de entrada, E, de modo que C1 está descarregado e o diodo
D1 inicia a condução da corrente (ir-io). A corrente ir decai linearmente. Durante a condução
deste diodo é enviado sinal para ligar S1 o qual, assim que a corrente ir se tornar menor do que a
corrente absorvida pela carga, em t4, entra em condução (sob corrente zero).
Quando a corrente por Lr se anula, em t5, a corrente da carga flui inteiramente por S1.
SA2 pode ser desligado sob corrente zero.
S1 permanece conduzindo pelo tempo determinado pela largura de pulso do sinal MLP.
Em t6 o interruptor auxiliar SA1 é ligado, a corrente ir se torna negativa, variando
linearmente enquanto S1 conduzir. Quando S1 é desligado (sob tensão nula), inicia-se a
ressonância entre Lr e Cr. C1 se carrega e C2 se descarrega. Controlando-se o atraso no
desligamento de S1 pode-se determinar a velocidade da transição de tensão. Quando vp se anula,
em t7, o diodo D2 volta a conduzir. Caso ainda exista corrente por Lr ela decairá linearmente até
se anular, permitindo desligar SA1. Completa-se assim o ciclo.

SA2
SA1
S2
S1
i r
E
Io
0 v
p
to t2 t3 t5 t6 t7 T
t1 t4
to-t1: D2, SA2, DA1 t1-t2: S2, SA2, DA1 t2-t3: Ressonância, DA1, SA2 t3-t4: D1, SA2, DA1 t4-t5: S1, SA2, DA1
t5-t6: S1 t6-t7: Ressonância, SA1, DA2 t7-T:D2
Figura 8.9. Formas de onda do inversor com polo ressonante auxiliar
8.5 Inversor/Retificador MLP com comutação ZVS com circuito auxiliar
Um outro enfoque para se obter comutação suave em topologias em ponte, estejam elas
operando como inversor ou retificador, é pelo uso de um circuito auxiliar único que nas
transições produzem uma tensão e/ou corrente nula pelo interruptor a ser ligado. Seu
funcionamento deve ser tal que seja garantida uma operação tipo MLP, ainda que dentro de
certos limites.
A figura 8.10. mostra um conversor que faz uso de um circuito auxiliar para permitir uma
entrada em condução suave dos interruptores. O desligamento suave é sempre obtido por causa
da presença dos capacitores em paralelo com as chaves. Uma estrutura trifásica também é
possível.
A fonte Vf é constituída, na verdade, por um capacitor e uma carga resistiva. Sua função
é apenas de oferecer um caminho para a absorção de alguma energia remanescente nos indutores
La e Lb quando o interruptor auxiliar Sa é aberto. Idealmente, Sa deve comutar sob corrente
nula.
O retificador mostrado opera como fonte de tensão. As indutâncias de entrada são de
valor muito mais elevado do que as indutâncias La e Lb, de modo que, durante o intervalo de
comutação pode-se considerar constante a corrente de entrada.
A figura 8.11. mostra algumas formas de onda para este conversor.

O objetivo é criar uma condição favorável para a entrada em condução dos interruptores,
uma vez que o desligamento é sempre suave.
Suponhamos uma corrente i1 positiva e constante durante o intervalo de comutação. A
corrente circula inicialmente por D1 e D4. No instante to entra em condução a chave auxiliar, Sa,
e são enviamos comandos para ligar S1 e S4.

C2 D2 S2 v D1 S1
C1
La + C1
E La iLa i1 L1
Vf
Sa
Lb L2
v C4 D S4 C3 D3 S3
4
C4
Figura 8.10. Inversor MLP com circuito auxiliar para comutação suave
A corrente por La e Lb cresce linearmente. A tensão sobre cada um destes indutores é

Vo/2. Quando a corrente iLa se torna maior do que i1, em t1, deixa de haver corrente por D1 e
D4 e a corrente passa a circular pelos transistores S1 e S4 (que entram em condução sob corrente
nula). Quando a energia acumulada nos indutores for suficiente para produzir a excursão
necessária da tensão dos capacitores de "snubber", S1 e S4 são desligados (ZVS), em t2.
Inicia-se um processo ressonante, com os capacitores C1 e C4 sendo carregados enquanto
C2 e C3 são descarregados. No instante t3 completa-se o intervalo ressonante, e vC1 e vC4
atingem a tensão Vo, enquanto os diodos D2 e D3 entram em condução. Durante a condução
destes diodos envia-se sinal de acionamento para S2 e S3.
Vo v C1
0
Vo
v C4
Vo/2
i La
Ii
v La
-Vo/2
Sa
S1 e S4
S3
S2
to t1 t2 t3 t4 t5 t6 t7 t8 t9 T
até to: D1 e D4 t0-t1: D1, D4, Sa t1-t2: Sa, S1, S4 t2-t3: Ressonância: capacitores, Sa
t3-t4: Sa, D2, D3 t4-t6: S2, S3 t6-t7: C1, C3, S2 t7-t8: D1, S2 t8-t9: C2, C4, D1 t9-T: D1, D4
Figura 8.11. Formas de onda do retificador com circuito auxiliar para comutação suave.

A tensão sobre La e Lb se inverte (para -Vo/2) e a corrente iLa decai linearmente.

Quando iLa se torna menor do que i1 os diodos D2 e D3 deixam de conduzir, e a corrente passa
a circular por S2 e S3.
Em t4, Sa é desligado. Caso a corrente por La ainda não tenha sido zerada, a energia
presente na indutância é descarregada sobre Vf. Após t5 o circuito auxiliar não participa mais do
processo.
Em t6, S3 é desligado (ZVS). A corrente i1 provoca a descarga de C1, enquanto C3 vai
sendo carregado. Quando, em t7, vC1 se anula, o diodo D1 entra em condução. A corrente de
entrada circula por D1 e S2. Em t8 S2 é desligado (ZVS), C2 se carrega e C4 se descarrega. Em
t9 D4 entra em condução, completando o ciclo.
D. M. Divan: "The Resonant DC Link Converter: A New Concept in Static Power Conversion".
IEEE Trans. on Industry Applications, Vol 25, no. 2, Mar. 1989, pp. 317-325.
D. M. Divan and G. Skibinski: "Zero-Switching-Loss Inverters for High-Power Applications".

IEEE Trans. on Industry Applications, Vol 25, no. 2, Jul. 1989, pp. 634-643.
L. Malesani, P. Tenti, P. Tomasin and V. Toigo: "High Efficiency Quasi Resonant DC Link
Converter for Full-Range PWM". Proc. of APEC '92, Boston, USA.
R. W. De Doncker and J. P. Lyons: “The Auxiliary Resonant Commutated Pole Converter”.

IEEE - IAS Annual Meeting, 1990, pp. 1228-1235 (accepted for T-IA).
V. Vlatkovic: “A Zero-Voltage Transition, Three-Phase Rectifier/Inverter”. VPEC, Current -

Summer, 1993, Virginia, USA, pp. 11-18.

9. INVERSORES E RETIFICADORES DE CORRENTE COM

COMUTAÇÃO SUAVE
O estudo que se segue se aplica aos inversores de corrente (aqueles que tem como
entrada uma fonte de corrente CC) e aos retificadores com saída em corrente. Os circuitos para a
realização de comutação suave empregados em ambas aplicações são, na maioria das vezes, os
mesmos. Eventualmente um mesmo circuito pode permitir a realização de comutação suave em
ambas as pontes (retificador/inversor) quando conectadas num arranjo CA/CC/CA.
Tipicamente os inversores de corrente são aplicados no acionamento de grandes
máquinas de corrente alternada, especialmente as de construção mais antiga, cuja isolação não
suporta os elevados dv/dt produzidos por inversores de tensão. Devido à alta potência, em geral
se faz uso de GTOs.
Como características desejáveis para estes circuitos de comutação suave pode-se citar:
• Mínimo número de componentes adicionais, especialmente os ativos;
• Comutação suave de todos os interruptores;
• Independência da corrente de saída e da tensão de entrada;
• Funcionamento em MLP;
• Mínima sobre-tensão em relação a um conversor MLP convencional.
9.1 Retificador/Inversor com Link CC ressonante em série
O circuito mostrado na figura 9.1. é o de um arranjo de retificador e inversor,

intermediado por um circuito ressonante que permite a comutação sob corrente nula dos
interruptores.
De maneira análoga ao que foi apresentado para os inversores de tensão com link
ressonante, o objetivo aqui é produzir uma corrente pelos interruptores das pontes que se anule
periodicamente, de modo que ocorram comutações não dissipativas.
i Link
retificador La Ca inversor
Carga RL
Lb ( )
io
Figura 9.1. Retificador e inversor com link CC ressonante série
Como o desligamento se dá sob corrente nula é possível, em princípio, o uso de tiristores.

Caso se deseje uma freqüência mais elevada no link deve-se utilizar GTOs, uma vez que sua
comutação, além de mais rápida, pode ser auxiliada por uma adequada corrente de gate.
A figura 9.2. mostra a forma da corrente sintetizada sobre a carga. O método de controle
é o de Modulação por Densidade de Pulsos - MDP.

A presença do indutor Lb permite um ajuste no nível contínuo presente na corrente iLink,

uma vez que a corrente média pelo ramo LC é nula.
io
Figura 9.2. Corrente de saída do inversor com controle MDP.
9.2 Inversores/Retificadores MLP com comutação ZCS
A operação em MLP pode ser obtida, não mais utilizando um link ressonante, mas com
um circuito auxiliar que garanta condições de comutação suave para os interruptores.
A figura 9.3. mostra um retificador com saída em corrente empregando um circuito para
comutação dos GTOs sob corrente nula. Um circuito análogo, apenas com a inversão na
polaridade do circuito auxiliar pode ser usado para inversores.
Lr
S1 S2 S3
Sa2
D1
Vr - + Vo Io
Cr
Sa1 D2
S4 S5 S6
Figura 9.3. Retificador/Inversor com circuito auxiliar para comutação ZCS
Foram adicionados ao circuito básico 2 interruptores, 2 diodos e um conjunto ressonante,

Lr /Cr.
A limitação deste circuito, mas que também está presente em praticamente todas soluções
deste tipo, é a exigência de uma mínima corrente de carga para garantir a comutação suave.
A figura 9.4. mostra as formas de onda sobre o capacitor ressonante, os sinais de
comando de alguns interruptores e a forma da tensão de saída, Vo. Note-se a presença dos picos
de tensão na saída, e de significativa sobre-tensão, o que também são características deste tipo de
solução. A figura 9.5 mostra um detalhe da comutação.

(1+K)Vp Vc
0
S1 e S6
Saux
(1+K)Vp
Vo
Vi
0
-(1+K)Vp
Figura 9.4. Formas de onda da tensão no capacitor, dos sinais de comando e da tensão de saída

A idéia básica é que o circuito auxiliar desvie a corrente de saída (suposta constante) nos
momentos das comutações dos GTOs, de modo que estas ocorram sempre sob corrente nula.
Seja Vp a máxima tensão instantânea entre fases. O capacitor Cr está inicialmente
carregado com uma tensão maior do que Vp, de modo que sempre seja possível polarizar
reversamente os GTOs.
Consideremos que as tensões de entrada estão numa situação em que os interruptores S1
e S6 devam conduzir. Como a entrada do retificador tem característica de fonte de tensão, apenas
1 interruptor de cada semiponte pode conduzir a cada intervalo.
Inicialmente S1 e S6 estão conduzindo. Por eles circula a corrente de saída. A tensão Vo
é igual a Vi, ou seja, ao valor instantâneo da tensão presente entre as fases conectadas a S1 e S6.
Sobre Cr tem-se uma tensão (1+K).Vp, com K positivo.
Em to as chaves auxiliares são ligadas. A tensão de saída cresce instantaneamente para
(1+K).Vp. Inicia-se uma ressonância entre Lr e Cr. A corrente de saída começa a circular pelo
circuito auxiliar, diminuindo a corrente fornecida pela ponte retificadora. Em t1 a corrente por
S1 e S6 se anula e eles desligam. O sinal de gate deve ser retirado após este instante.
Entre t1 e t2 ocorre a descarga do capacitor Cr, a corrente constante. Quando a tensão se
anula, os diodos D1 e D2 ficam diretamente polarizados e entram em condução.
Entre t2 e t3 conduzem Sa1, Sa2, D1 e D2, de modo que Cr permanece com tensão nula e
a corrente de carga é dividida pelos 2 ramos do circuito auxiliar.
Em t3 as chaves auxiliares são abertas (sob tensão nula) e o capacitor começa a se
carregar. Embora a polaridade da tensão sobre Cr não se altere, a tensão vista na saída se inverte,
surgindo um pico negativo. A tensão cresce linearmente até que, em t4, S1 e S6 são ligados
novamente. O intervalo entre t3 e t4 deve ser tal que permita ao capacitor recuperar a tensão
(1+K).Vp.
A entrada em condução dos interruptores da ponte é sob corrente nula. Inicia-se uma
ressonância entre Lr e Cr a qual se conclui quando por Lr circula a totalidade da corrente de
saída, em t5. Neste instante a corrente pelos diodos D1 e D2 é nula e eles desligam. A tensão de
saída volta a assumir o valor da tensão presente na entrada do retificador.

Saux
S1 e S6
(1+K)Vp
Vi Vo
0
-(1+K)Vp
Io I L
to t1 t2 t3 t4 t5
Figura 9.5. Detalhe de chaveamento

Seja Zo a impedância do circuito ressonante:
Lr
Zo = (9.1)
Cr
Para que a corrente absorvida da ponte se anule em t1 é necessário que a corrente

desviada pelo capacitor seja maior do que a corrente de carga:
(1+ K) ⋅ Vp − Vi
> Io (9.2)
Zo
No caso limite em que a tensão de entrada é máxima tem-se:
K ⋅ Vp
> Io (9.3)
Zo
O valor do capacitor deve garantir um dv/dt menor do que o máximo estabelecido para os
interruptores:
Io max
Cr >
( )
dv
dt MAX
(9.4)
Já o indutor deve limitar o di/dt máximo:
(1 + K) ⋅ Vp + Vp
Lr >
( )
(9.5)
di
dt MAX
Uma outra condição que deve ser atendida é que os interruptores da ponte devem ser
desligados quando toda a corrente de saída estiver fluindo pelo capacitor (ou seja, após t1) mas

antes que a tensão vC caia abaixo de Vi, o que levaria novamente a haver corrente pela ponte.
Seja Toff o tempo necessário para o efetivo desligamento das chaves da ponte:
Io max ⋅ Toff
Cr ≥ (9.6)
K ⋅ Vp
Para assegurar um desligamento sob tensão nula para as chaves auxiliares, deve-se
assegurar que Cr tenha se descarregado totalmente durante o intervalo entre t1 e t2. Assim,
define-se um mínimo tempo que estes interruptores devem permanecer em condução, que é
aproximadamente igual ao intervalo (t2-t1). Para correntes de saída pequenas este intervalo pode
tornar-se excessivamente longo:
Cr ⋅ (1 + K ) ⋅ Vp
( t 2 − t1) min = (9.7)
Io min
9.3 Inversores/Retificadores MLP com comutação ZVS
O circuito mostrado na figura 9.6. coloca os elementos ressonantes em paralelo com a

ponte, de modo que a corrente de saída não circula continuamente pela indutância, como ocorre
no circuito anterior. Além disso o circuito apresenta pequena dependência da corrente de carga,
permitindo seu uso numa larga faixa de variação da corrente de saída.
O desligamento dos interruptores é sempre ZVS por causa dos capacitores de “snubber”.
A entrada em condução é também do tipo ZVS.
S1 S2 S3 D1
u1
D2
i1 Sr
u2 i2 u Id
+ d
v Cr Lr
C
u3 i3
iL
S4 S5 S6
Figura 9.6. Topologia do conversor operando como retificador com saída em corrente
O retificador é controlado por MLP. No caso das formas de onda mostradas na seqüência,
utiliza-se uma estratégia MLP que permite a síntese de uma corrente senoidal de entrada ao
mesmo tempo em que fornece a tensão média desejada na saída. A tensão de saída do retificador
apresenta-se com 3 níveis. A corrente de entrada do retificador é uma seqüência de pulsos de
amplitude Id na freqüência de chaveamento. A forma senoidal é obtida após uma adequada
filtragem.
Transições de uma tensão mais alta para uma menor ocorrem naturalmente de maneira
suave, uma vez que o GTO que entra em condução se encontra reversamente polarizado, sendo
necessário que antes de sua efetiva entrada em condução o respectivo capacitor se descarregue.
Consideremos o intervalo τ indicado na figura 9.7., no qual a tensão ui1 é positiva e a
maior em módulo.

u i1
0V
u i2 u i3
τ
Figura 9.7. Tensões de entrada do retificador
A figura 9.8. mostra a forma da tensão de saída, ud, durante este intervalo. O ciclo de
trabalho, nesta simulação, foi feito constante por facilidade. Note-se a existência de corrente
pelas 3 fases em cada período de chaveamento. O pico negativo presente na tensão de saída tem
amplitude pouco superior à máxima tensão entre fases, bem como a sobre-tensão positiva.
A figura 9.9. mostra os sinais de comando para os interruptores e um detalhe da tensão
de saída durante um período de chaveamento.
Resonant
commutation
u d
u i1-u i2
u i1 -u i3
T
τ
i1
0
i2 0
i3 0
Figura 9.8. Tensão de saída e correntes de entrada durante o intervalo τ.
Consideremos a situação mostrada nas figuras 9.8. e 9.9. em que conduzem inicialmente
S1 e S5. A tensão na saída é a máxima tensão de linha de entrada (ui1-ui2). Quando S5 for
desligado, S6 deve entrar em condução. Como ui2 está mais negativa que ui3, o GTO relativo a
S6 está com seu terminal de anodo mais negativo do que o terminal de catodo, ou seja, está
reversamente polarizado. A presença de um sinal de gate não o leva à condução. O que ocorre
com o desligamento de S5 é que o capacitor C6 se descarrega (enquanto C5 se carrega) com a
passagem da corrente de saída até que, ao zerar sua tensão, permite a efetiva entrada em
condução de S6.
O mesmo comportamento ocorre quando S6 é desligado e S4 deve conduzir, realizando o
intervalo de livre-circulação.
Ou seja, transições de uma tensão maior para uma menor produzem naturalmente
comutações suaves. O problema está na transição inversa, ou seja, na passagem para uma tensão
mais alta. Esta passagem se faz com o auxílio do circuito auxiliar, como descrito a seguir.

T
S1
S5
S6
S4
u d
0
S1 S5 S1 S6 S1 S4
Figura 9.9. Sinais de comando dos interruptores e tensão de saída durante período de
chaveamento.
Consideremos as formas de onda mostradas na figura 9.10. e que se referem ao final do

intervalo de livre-circulação mostrado na figura 9.9.
Consideremos, por facilidade, que a corrente de saída, Id, seja constante; que a tensão de
saída seja positiva e que o capacitor ressonante, Cr, esteja pré-carregado com uma tensão
negativa uC(0). S1 e S4 estão conduzindo para t<T0.
O processo de desligamento se inicia com a comutação de S1 em T0. Neste momento, as
tensões sobre S5 e S6 são negativas, iguais à tensão de linha. A fim de inibir o aumento
desnecessário destas tensões, S4 é mantido em condução até que se inicie o intervalo ressonante.
u dp
+v* ui
ud
0
u (0)
C
-v*
iL
Id
0
u
C
u (S1)
0
-u i u (S5)
T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7
Figura 9.10. Formas de onda durante a comutação ressonante.

A comutação segue os seguintes intervalos:
Intervalo T0-T1 (Figura 9.11.a):

A corrente de carga Id começa a fluir através dos capacitores de snubber C1, C2 e C3,
produzindo uma redução linear na tensão ud e nas tensões sobre as respectivas chaves.

Intervalo T1-T2 (Figura 9.11.b.)

O diodo D1 começa a conduzir quando a tensão ud se iguala à tensão presente no capacitor
ressonante, uC(0). Note (fig. 9.10) que uC é negativa. Como Cr é muito maior do que os
capacitores de snubber, a taxa de crescimento da tensão de saída diminui. Uma tensão de limiar,
v*, com valor adequado é ajustada com o objetivo de permitir, com a ocorrência da ressonância,
a contra-polarização dos GTOs que devem entrar em condução no início do próximo ciclo.
Quando a tensão de saída atinge esta tensão, em T2, S4 é aberta e Sr entra em condução,
iniciando, de fato, a ressonância.
Como a diferença entre a tensão inicial em Cr e a tensão de limiar é pequena, o intervalo
(T2-T1) é suficientemente curto, mesmo para baixas correntes de carga.
C1 C2 C3
D1
S1 S2 S3
D2
Sr
+
Id Id
uC
S4 S5 S6 -
C4 C5 C6
(a) (b)
Figura 9.11. Configuração do circuito nos intervalos (T0-T1) e (T1-T2)
Intervalo T2 a T4 (Figura 9.12.a.)

Enquanto a corrente por Lr não atinge a corrente Id, a tensão no capacitor continua a
diminuir. O pico negativo acontece em T3. A tensão começa a crescer. Em T4 ambos
interruptores que devem entrar em condução (S1 e S5) encontram-se reversamente polarizados e
podem receber o sinal de acionamento.
Id Id
IL IL
(a) (b)
Intervalo T4 a T5 (Figura 9.12.b.)

Durante este intervalo, com ambos interruptores reversamente polarizados, envia-se o
sinal de acionamento. Assim que os respectivos capacitores descarregarem, os GTOs entram em
condução. No exemplo, S1 o fará em T5 e S5 em T6.

Intervalo T5-T6 (Figura 9.13.a.)

Quando iL se torna negativa, a oscilação ressonante continua devido à presença do diodo
D2. Em T6 a tensão uC se torna menor do que a tensão entre fases de modo que D1 deixa de
conduzir. O comportamento da ressonância se altera ligeiramente uma vez que os capacitores de
snubber deixam de participar dela. Em T5 a chave S1 entra efetivamente em condução, enquanto
S5 só o fará em T6.
Intervalo T6-T7 (Figura 9.13.b.)

A corrente da carga flui por S1 e S5. A ressonância continua até que iL se anule. Neste
instante a tensão uC é negativa, recuperando a tensão inicial. Completa-se assim o ciclo.
Id Id
(a) (b)

Para que, na ressonância, ocorra a polarização reversa dos interruptores a tensão de limiar
deve obedecer a:
v* ≥ U (9.8)
onde U é o valor de pico da tensão entre fases da entrada.

Os elementos do circuito ressonante são calculados a partir dos seguintes parâmetros :
• Máxima corrente de carga, IdMax
• Mínima corrente de carga que permita comutação suave, Idmin
• Máxima sobre-tensão na saída, udMax
• Mínimo intervalo de polarização reversa das chaves que devem entrar em condução,
Δtd = T5-T4 (9.9)
Esta última condição é determinada em função do atraso previsto para o acionamento dos
GTOs devido ao processamento do sinal de comando.
O valor do pico de tensão na saída é dado por:
u dp = v *2 + ( Z o ⋅ I d ) 2 (9.10)
Vamos definir algumas variáveis auxiliares:
• Impedância ressonante:
Lr
Zo = (9.11)
Ce

• Capacitância equivalente:
Ce = C r + 32 Cs (9.12)
Os capacitores de snubber são calculados considerando o máximo dv/dt dos GTOs.
• Freqüência de ressonância:
1
ωo = (9.13)
Lr .Ce
• Sobre-tensão com mínima corrente de saída:

u dp ( I d min )
γm = (9.14)
U
• Sobre-tensão com máxima corrente de saída:

u dp ( I d max )
γM = (9.15)
U
O valor de Zo é calculado considerando v*=U:
U
Zo = γ M2 − 1 (9.16)
I d max
Pode-se então calcular γm e determinar uma freqüência de ressonância que satisfaça à eq.
(9.9).
⎛ 1 ⎞
π − 2 ⋅ arcsin⎜ ⎟
⎝γm ⎠
ωo = (9.17)
Δt d
Conhecidos Zo e ωo determinam-se os elementos do circuito ressonante.

As figuras 9.14 e 9.15 mostram resultados experimentais deste circuito, confirmando as
análises anteriores.
ud
u s1
Figura 9.14. Tensão na saída e sobre S1 (100 V/div) Horiz.:(10 μs/div)

iL
uC
Figura 9.15 Corrente no indutor Lr (10 A/div), tensão no capacitor Cr (100V/div)

Horiz.: 4μs/div
9.3.2 Funcionamento do circuito como inversor

A figura 9.16. mostra as alterações necessárias para o uso do circuito proposto em um
inversor de corrente.
A figura 9.17. mostra as formas de onda da tensão de entrada do inversor, ud, bem como
os sinais de acionamento dos interruptores que atuam num dado intervalo, no qual a tensão é
negativa, significando um fluxo de potência do motor para a fonte.
Note-se que agora as transições que naturalmente são não-dissipativas são aquelas de
uma tensão menor para uma maior, com o circuito auxiliar atuando na transição da tensão
máxima para a mínima.
Lf id
S1 S2 S3
iL carga
e1
+
Lr i1
Cr v e2
C
ud Sr i2
e3
D2
i3
S4 S5 S6
D1
Figura 9.16. Inversor de corrente com circuito auxiliar para comutação ZVS

T
S5
S1
S3
S2
ud S1 S5 S3 S5 S2 S5
0
u"
u' d
d
Figura 9.17. Formas de onda dos sinais de comando e da tensão de entrada do inversor, numa
situação de fluxo de potência da carga para o retificador.
Y. Murai and T. A. Lipo: "High-Frequency Series Resonant DC Link Power Conversion". Proc.
of IEEE-IAS Annual Meet., 1988, pp. 772-779.
G. Moschopoulos and G. Joos: "A Novel Soft-Switched PWM Current Source

Rectifier/Inverter". Proc. of PESC '94, Taiwan, June 1994, pp. 978-984.
J. A. Pomilio, L. Rossetto, P. Tenti and P. Tomasin: "Performance Improvement of Soft-

Switched PWM Rectifier with Inductive Load". IEEE Trans. on Power Electronics, January
1997.
D. Ciscato, L. Malesani, L. Rossetto, P. Tenti, G.L. Basile, M. Pasti and F. Voelker: "PWM
Rectifier with Low DC Voltage Ripple for Magnet Supply". IEEE Trans. On Industry
Applications, vol. 28, no. 2, March/April 1992, pp. 414-420
S. Buso, L. Rossetto, P. Tenti, P. Tomasin and J. A. Pomilio: "Soft-Switched Current-Fed PWM

Inverter with Space Vector Modulation". Proc. of IEEE-IAS Annual Meeting, 1994.

10. CONVERSORES CA-CA: VARIADORES DE TENSÃO E

CICLOCONVERSORES
Neste capítulo serão estudados dois tipos de conversores que, a partir de uma tensão de
entrada alternada, produzem na saída uma tensão também alternada mas de características
distintas, seja em valor eficaz, seja em freqüência, ou em ambas.
Quando se altera apenas o valor da tensão CA, temos os chamados Variadores de Tensão,
enquanto os cicloconversores permitem produzir saída com freqüência distinta daquela presente
na entrada.
10.1 Variadores de tensão

Em algumas aplicações, alimentadas em corrente alternada (CA), nas quais se deseja
alterar o valor da tensão (e da corrente) eficaz da carga, é usual o emprego dos chamados
Variadores de Tensão, também designados como Gradadores (Barbi), Contatores Estáticos
(Labrique e Santana), Controladores (Rashid; Sen).
Como aplicações típicas podem-se citar, dentre outras:
• aquecimento (controle de temperatura);
• reguladores de tensão;
• controle de intensidade luminosa em lâmpadas incandescentes;
• acionamento de motores CA;
• partida suave de motores de indução;
• compensação de reativos em sistemas de potência (RCT, CCT).
Os dispositivos semicondutores de potência empregados em tais conversores são,

tipicamente, tiristores, uma vez que se pode contar com a ocorrência de comutação natural. Em
aplicações de baixa potência pode-se fazer uso de TRIACs, enquanto para potência mais elevada
utilizam-se 2 SCRs em antiparalelo, como mostra a figura 10.1.
Vi.sin(wt) Vi.sin(wt)
carga carga
Figura 10.1 - Variador de tensão CA (monofásico) com TRIAC e com SCR.
Dois tipos de controle são normalmente empregados: o controle liga-desliga e o controle

de fase.
10.1.1 Controle Liga-Desliga

Este tipo de controle é usado em situações em que a constante de tempo da carga é muito
grande em relação ao período da rede CA, como em sistemas de aquecimento.
O controle consiste simplesmente em ligar e desligar a alimentação da carga (em geral uma
resistência). O intervalo de condução e também o de bloqueio do interruptor é tipicamente de
muitos ciclos da rede.

Quando a carga é do tipo resistivo, tanto o início da condução quanto seu final podem
ocorrer em situações em que tensão e corrente são nulas (início e final de cada semiciclo da rede)
tem-se, então, o chamado controle por ciclos inteiros. Sua vantagem é o de praticamente eliminar
problemas de Interferência Eletromagnética (IEM) devido a baixos valores de di/dt e dv/dt
produzidos por este tipo de modulação.
Escolhe-se uma base de tempo contendo muitos ciclos da tensão de alimentação. Dentro do
período escolhido, a duração do fornecimento de potência à carga varia desde um número máximo
inteiro de semiciclos até zero. A precisão do ajuste depende, assim, da base de tempo utilizada. Por
exemplo, numa base de 1 segundo existem 120 semiciclos. O ajuste da tensão aplicada à carga pode
ter uma resolução mínima de 1/120.
Um método de se conseguir o controle é usar um gerador de sinal triangular, de freqüência
fixa que é comparado com um sinal CC de controle. O sinal dente de serra estabelece a base de
tempo do sistema. O sinal de controle CC vem do circuito de controle da temperatura. A potência
entregue à carga varia proporcionalmente a este sinal. A figura 10.2 ilustra este funcionamento.
Durante “n” ciclos a carga permanece conectada à alimentação, enquanto fica “m” desconectada.
T
n m Vrampa
Vc
Figura 10.2 - Operação de controle por ciclos inteiros.
A tensão eficaz aplicada à carga (considerando o período T) é dada por:
2π
Vi2 [sin (ωt )] d (ωt )
n
Voef = ∫
2
(10.1)
2 π( n + m ) 0
Vi n
= = Vef δ (10.2)
2 n+m
onde Vi é o valor de pico da tensão de entrada (senoidal); Vef é o respectivo valor eficaz e δ é a
relação entre o número de ciclos de alimentação da carga dividido pelo número total de ciclos
controláveis, podendo ser interpretada como a razão cíclica do controlador.
Em termos do impacto deste tipo de controle sobre a qualidade da energia elétrica,
embora não se tenha problema de IEM, tem-se a produção de variação de tensão no alimentador
em virtude da carga estar ou não conectada. Isto pode, potencialmente, violar normas que versam
sobre este assunto (IEC 61000-3-3).

10.1.2 Controle de fase

No chamado Controle de Fase, em um dado semiciclo da rede, o interruptor (tiristor) é
acionado em um determinado instante, fazendo com que a carga esteja conectada à entrada por
um intervalo de tempo menor ou igual a um semiciclo. Os valores de tensão, corrente e potência
na carga dependerão, não apenas de ângulo de disparo, mas também do tipo de carga alimentada,
conforme se verá na seqüência.
10.2 Circuitos monofásicos
10.2.1 Carga Resistiva

Para um variador de tensão CA, cujo circuito e formas de onda estão mostrados na figura
10.3 para uma carga resistiva, o desligamento do SCR se dará no momento em que a corrente cai
abaixo da corrente de manutenção do componente. Obviamente as formas de onda da tensão e da
corrente na carga são as mesmas.
S1
i(t)
Ro
vi(t) S2 vo
Tensão de entrada e pulsos de disparo

α
ângulo de disparo
Corrente na carga
Figura 10.3 - Circuito e forma de onda de variador de tensão CA monofásico alimentando carga
resistiva.
O valor eficaz da tensão aplicada à carga resistiva é:
π
1 1 α sin( 2α )
Vo ef = ∫ ( Vi ⋅ sin(θ)) 2 ⋅ dθ = Vi ⋅ − + (10.3)
πα 2 2π 4π
onde: vi(t)=Vi . sin (θ) e θ = ωt

α é o ângulo de disparo do SCR, em radianos, medido a partir do cruzamento da tensão com o
zero.

A figura 10.4 mostra a variação da tensão eficaz de saída como função do ângulo de
disparo, supondo condução simétrica de ambas chaves.
O fator de potência é dado pela relação entre a potência ativa e a potência aparente. Como
a carga é resistiva, a potência ativa é aquela dissipada em R, dependendo, assim, do valor eficaz
da tensão de saída.
Como a corrente da fonte é a mesma da carga, o fator de potência é simplesmente a
relação entre a tensão eficaz de saída e a tensão eficaz de entrada, ou seja, apresenta exatamente
o mesmo comportamento mostrado na figura 10.4.
Tensão de saída (ou Fator de Potência)

1
0.5
0 α 1 2 π [rad]
Figura 10.4 - Tensão de saída (sobre uma carga resistiva), normalizada em relação ao valor
eficaz da tensão de entrada.
A amplitude da componente fundamental da corrente sobre a carga é dada por:
⎡ π − α sin( 2α ) ⎤ [ cos( 2α ) − 1]
2 2
Vh1 = Vi ⋅ ⎢ + + (10.4)
⎣ π 2π ⎥⎦ (2π ) 2
A variação das componentes harmônica da tensão na carga está mostrada na figura 10.5 e
sendo dada por:
Vi k2 − k + 1 cos( 2α ) cos( 2 kα ) cos[ 2 ( k − 1)α ]

Vh ( 2 k −1) = − + 2 − (10.5)
π 2 k ⋅ ( k − 1)
2 2
2 k ⋅ ( k − 1) 2 k ⋅ ( k − 1) 2k ⋅ ( k − 1) 2
para k inteiro e maior que 1.
Amplitude normalizada das harmônicas

1
Harmônica 1
0.8
0.6
0.4
Harmônica 3
0.2 Harmônica 5
Harmônica 7
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
α
Figura 10.5 - Amplitude dos harmônicos de tensão (normalizado em relação à amplitude da
tensão de entrada), para carga resistiva.

Na figura 10.6 tem-se, para um ângulo de disparo de 90o, o espectro da tensão (e da

corrente) na carga. Note que, normalizando em relação ao valor da tensão de entrada, os valores
coincidem com os previstos na figura 10.5.
Figura 10.6 – Espectro da tensão sobre a carga (α=90o).
10.2.2 Carga indutiva

A figura 10.7 mostra topologia e formas de onda típicas em um variador de tensão, para
alimentação monofásica, tendo como carga uma indutância pura. Esta configuração é típica de
um Reator Controlado por Tiristor (RCT).
A operação, neste caso, só é possível para ângulos de disparo entre 90o e 180o. Observe
que o aumento do ângulo de disparo implica numa redução do valor eficaz da corrente. Este
efeito pode ser interpretado como um aumento da indutância vista pela rede, considerando
apenas a componente fundamental da corrente, a qual está sempre 90º atrasada da tensão. Ou
seja, consegue-se uma “indutância (reatância) variável” com o ângulo de disparo.
Se o disparo ocorrer para um ângulo inferior a 90o, a corrente pelo indutor S1 não terá se
anulado quando ocorrer o pulso para S2, de modo que S2 não poderá entrar em condução. Após
alguns instantes a corrente irá a zero, desligando S1, o qual, ao receber o novo pulso de disparo,
entrará novamente em condução. Desta forma, ao invés de se ter uma corrente CA sobre a
indutância, ela será uma corrente unidirecional. A figura 10.8 ilustra este comportamento.
Uma alternativa para garantir uma corrente bidirecional é, ao invés de enviar apenas um
pulso de disparo, manter o sinal de comando até o final de cada semi-ciclo. Isto faz com que o
variador de tensão se comporte como um curto, mantendo uma corrente CA, mas sem controle.
A corrente obedece à seguinte expressão:
Vi
i(t) = ⋅ [ cos(α ) − cos(ωt )] (10.6)
ωL
O valor eficaz da tensão de saída é:
π − α sin( 2α )
Vo ef = Vi ⋅ + (10.7)
π 2π

S1
i(t)
L
vi(t) S2 v
o
Figura 10.7 - Circuito e formas de onda de variador de tensão CA com carga indutiva.
Figura 10.8 – Formas de onda para ângulo de disparo menor que 90o (pulso estreito).
A figura 10.9 mostra a variação do valor desta tensão (normalizado em relação à tensão
de entrada), como função do ângulo de disparo.
As amplitudes das componentes fundamental e harmônicas (ímpares) são mostradas na
figura 10.10 e valem, respectivamente:
2 Vi ⎡ sin( 2α ) ⎤
Vh1 = ⋅ ⎢π − α + (10.8)
π ⎣ 2 ⎥⎦

2Vi ⎧ sin (2kα ) sin[2(k − 1)α ]⎫

Vh ( 2 k −1) = ⋅⎨ − ⎬ (10.9)
π ⎩ 2k 2(k − 1) ⎭
Tensão eficaz de saída
0.5
0 1
π/2 2 3 [rad]
α
Figura 10.9 – Tensão de saída (valor eficaz), normalizada, para carga indutiva.
Componentes harmônicas normalizadas

1
1a
0.5
a
3
a
5
a
7
0
π/2 2 α 2.5 3 π
Componentes harmônicas normalizadas da corrente
1
0.5
3
5
0
π/2
2 2.5 3 π
α
Figura 10.10 Amplitude (normalizada) das harmônicas da tensão e da corrente sobre uma carga
indutiva.

10.2.3 Carga RL
Quando a carga alimentada possui característica resistivo-indutiva existe também uma
limitação em termos do mínimo ângulo de condução, o qual depende da impedância da carga, Z.
A figura 10.11 mostra circuito e formas de onda típicas.
Considerando uma situação de condução descontínua (na qual a corrente por cada um dos
tiristores vai a zero dentro de um semiciclo), temos que em t1 o tiristor S1, que está diretamente
polarizado, é acionado. A corrente cresce e, mesmo com a inversão da polaridade da tensão de
entrada, o SCR continua conduzindo, até que sua corrente caia abaixo do valor de manutenção
(em t2). O outro tiristor, S2, recebe o pulso de comando em t3, iniciando o semiciclo negativo da
corrente, a qual se extinguirá em t4.
Z = R 2 + (ωL)
2
(10.10)
⎛ ωL ⎞
φ = tg −1 ⎜ ⎟ (10.11)
⎝ R⎠
S1
i(t)
L
vi(t) S2 v
o
R
200V
vi(t)
-200V
40A
i(t)
γ
-40A
200V
vL(t)
α
β
-200V
t1 t2 t3 t4
Figura 10.11 - Variador de tensão ca monofásico e carga RL.
O intervalo controlável do circuito é para ângulos de disparo na faixa φ ≤ α ≤ π . Para

ângulo menores que φ obtém-se corrente unidirecional (caso o pulso de disparo seja de curta
duração), ou condução constante (caso o pulso de gate seja largo).
Supondo que a corrente inicial pelo indutor seja nula, a expressão para a corrente no
semiciclo positivo é:
⎡ ⎛ ωt − α ⎞ ⎤
−⎜ ⎟
Vi ⎢
io ( t ) = ⋅ sin(ωt − φ ) − sin(α − φ ) ⋅ e ⎝ tg (φ ) ⎠ ⎥ (10.12)
Z ⎢ ⎥
⎢⎣ ⎥⎦
Z é o valor obtido da eq. (10.10) para a freqüência da rede.
A corrente se anula para um ângulo de extinção, β, obtido pela solução numérica de:
⎡ β−α ⎤
−⎢ ⎥
sin(β − φ ) = sin(α − φ ) ⋅ e ⎣ tg (φ ) ⎦ (10.13)

O SCR conduz por um ângulo γ=β−α. A tensão eficaz de saída é:
Vi 1 ⎡ sin( 2α ) sin( 2β ) ⎤
Vo ef = ⋅ ⋅ ⎢β − α + − (10.14)
2 π ⎣ 2 2 ⎥⎦
10.3 Variadores de tensão trifásico

A figura 10.12 mostra diferentes possibilidades de conexões de variadores de tensão e
cargas trifásicas.
Carga Carga
N N
(a) (b)
Carga
Carga
(d)
(c)
Figura 10.12 - Topologias de variadores de tensão trifásicos:
(a) Com carga em Y; (b) Com controlador em Y;
(c) Com variador e carga em Δ; (d) Com variador em Δ.
10.3.1 Carga resistiva

Nos casos em que a conexão é em Y, se o neutro (N) estiver conectado, cada fase
comporta-se como no caso monofásico apresentado anteriormente. Em situações em que o neutro
não estiver ligado, podem ocorrer 2 casos:
a) Conduzem todas as 3 fases

A corrente em cada fase é dada pela relação entre a tensão de cada fase e a respectiva
resistência da carga.
b) Conduzem apenas 2 fases

A corrente presente nas fases em condução é dada pela relação entre a tensão de linha e a
associação em série das cargas das respectivas fases.
Para um ângulo de disparo entre 0º e 60o, medidos, em cada fase, em relação ao início do
semiciclo da tensão fase-neutro, tem-se a situação indicada na figura 10.13 (para um ângulo de
disparo de 42o), ou seja, condução simultânea de 2 ou 3 tiristores. Para um ângulo entre 60º e 90º,
apenas 2 tiristores conduzem, cada um deles por um intervalo contínuo de 120º. Para ângulos
entre 90º e 150º, conduzem 2 tiristores, mas existe um intervalo em que a corrente se anula, como
mostra a figura 10.14 para um ângulo de 108o.

Na situação mostrada na figura 10.14, como os tiristores deixam de conduzir antes que se
dê o disparo da outra fase, o pulso de disparo de uma fase deve ser também enviado ao tiristor da
outra fase que deve conduzir, para que exista um caminho para a corrente.
Para ângulos de disparo maiores que 150º não existe condução simultânea de 2 tiristores,
de modo que não existe corrente por nenhuma das fases.
20A
-20A
20A
-20A
20A
-20A
5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms
Figura 10.13 - Formas de onda de corrente em controlador trifásico em Y (disparo a 42o).

20A
-20A
20A
-20A
20A
-20A
0s 5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms
Figura 10.14 - Formas de onda de corrente em controlador trifásico em Y (disparo a 108o) .
Para tensões de linha com amplitude Vi, as tensões eficazes em cada fase da carga, para
cada intervalo são:
Para 0 ≤ α ≤ 60o :
1/ 2 (10.15)
⎡ 1 ⎛ π α sin( 2α ) ⎞ ⎤
Vo ef = 3 ⋅ Vi ⋅ ⎢ ⋅ ⎜ − + ⎟
⎣π ⎝ 6 4 8 ⎠ ⎥⎦
Para 60o ≤ α ≤ 90o :

1/ 2
⎡ 1 ⎛ π 3 ⋅ sin( 2α ) 3 cos( 2α ) ⎞ ⎤ (10.16)
Vo ef = 3 ⋅ Vi ⋅ ⎢ ⋅ ⎜ + + ⎟⎥
⎢⎣ π ⎝ 12 16 16 ⎠ ⎥⎦

Para 90o ≤ α ≤ 150o :

1/ 2
⎡ 1 ⎛ 5π α sin( 2α ) 3 cos( 2α ) ⎞ ⎤ (10.17)
Vo ef = 3 ⋅ Vi ⋅ ⎢ ⋅ ⎜ − + + ⎟⎥
⎢⎣ π ⎝ 24 4 16 16 ⎠ ⎥⎦
A conexão do variador de tensão em Δ é possível quando se tem acesso aos terminais das
cargas. Uma vantagem é que as correntes de fase são menores do que as correntes de linha, o que
reduz as exigências relativas à capacidade de corrente dos tiristores.
Para carga resistiva, a faixa de controle se estende de 0 a 180 graus. A tensão eficaz de
fase tem a mesma expressão do circuito monofásico, afinal, o controle é feito sobre cada fase
individualmente. O ângulo de disparo é medido em relação às tensões de linha.
1/ 2
Vi ⎡1 ⎛ sin( 2α ) ⎞ ⎤
Vo ef = ⋅ ⎢ ⋅⎜π − α + ⎟ (10.18)
2 ⎣π ⎝ 2 ⎠ ⎥⎦
A figura 10.15 mostra formas de onda típicas de uma corrente de fase e uma corrente de
linha resultante.
A corrente de fase possui, tipicamente, todos os harmônicos ímpares. No entanto, como a
carga está em Δ, as harmônicas múltiplas ímpares da terceira harmônica não aparecem na
corrente de linha. Desta forma, a corrente de linha será menor do que aquela obtida da relação
convencional de um circuito trifásico, ou seja, Ia < 3 ⋅ Iab . A mesma figura mostra o espectro
das correntes, evidenciando a não existência das harmônicas citadas.
40A
-40A
60A
-60A
40A
0A
50A
0A
Figura 10.15 - Formas de onda de corrente de fase (superior) e corrente de linha (inferior) para
conexão em Δ. Espectro das correntes de fase (superior) e de linha.

10.3.2 Carga indutiva (em Y sem neutro)

De modo análogo ao que ocorre no caso monofásico, existem comportamentos diferentes
dependendo do ângulo de disparo dos tiristores.
Para ângulos menores que 90 graus, os SCRs conduzem continuamente, não havendo
controle sobre a carga.
Para ângulos entre 90 e 120 graus existem instantes em que 2 fases conduzem e outros
em que as 3 fases têm corrente. Pode-se determinar o ângulo β no qual uma das fases deixa de
conduzir, levando o circuito ao estado em que apenas 2 fases operam. A figura 10.16 mostra a
corrente em uma fase, para um ângulo de disparo de 108o.
Corrente de fase
Figura 10.16 - Corrente de fase para carga indutiva e disparo entre 90 e 120 graus.
Quando o ângulo de disparo está na faixa entre 120 e 150 graus existem apenas intervalos
em que conduzem 2 fases. A corrente se apresenta em pulsos simétricos que se iniciam no
ângulo α e se anula no instante β, simétrico em relação ao ângulo de 150o. A figura 10.17 mostra
as formas de onda da tensão e da corrente de fase. O segundo pulso observado se deve ao fato de
que a operação correta do circuito exige um pulso longo de gate (com duração de 120 graus),
possibilitando um caminho de retorno para a corrente de uma das outras fases.
Para ângulos de disparo maiores que 150o não ocorre condução.

Figura 10.17 - Tensão e corrente de fase, carga indutiva, para disparo entre 120 e 150o
Na conexão em Δ, com carga indutiva, repete-se o comportamento descrito anteriormente

de que cada fase opera como no caso monofásico. A corrente de linha também não apresenta os
múltiplos ímpares da terceira harmônica.

10.3.3 Carga RL
De maneira análoga ao que foi descrito para o caso monofásico, a análise de cargas RL
faz uso de métodos numéricos, devido à impossibilidade de obtenção de soluções analíticas. A
figura 10.18 mostra formas de onda típicas, nas quais, para um dado ângulo de disparo tem-se
condução de 2 ou de 3 fases, com o ângulo de anulamento da corrente sendo função do ângulo de
disparo e do fator de potência da carga.
10A
-10A
10A
-10A
10A
-10A
Figura 10.18 - Correntes de linha (conexão Y) em carga RL.
10.4 Exemplo de aplicação

Capacitor Chaveado a Tiristor (CCT) e Reator Controlado a Tiristor (RCT)
Consideremos o circuito mostrado na figura 10.19, no qual tem-se uma linha de
transmissão, na qual são inseridos, na metade de seu comprimento, um CCT e um RCT.
A conexão do capacitor se dá com os tiristores funcionando como chaves estáticas, que
permanecem continuamente em condução. Já para a conexão do indutor, faz-se um controle do
ângulo de disparo. Como cargas indicam-se resistências, as quais alteram o carregamento da
rede.
L1 (20mH) R1(.1 Ω ) Vm L2 (20mH) R2(.1 Ω ) VL

V1
40Ω 40Ω
C=100uF L=100mH
Figura 10.19 – Rede elétrica com compensadores de reativos.
10.4.1 Linha sem compensação

Neste caso não estão em funcionamento nem o CCT, nem o RCT. Como se observa na
figura 10.20, existe uma queda de tensão ao longo da linha. Além disso, constata-se também uma
abertura angular entre as tensões terminais, devido ao carregamento da linha.

0V
0s 50ms 100ms 150ms 200ms
V1 Vm VL
Figura 10.20 – Tensões ao longo da linha, sem compensação.
10.4.2 CCT atuando e saída de carga

Inicialmente tem-se a carga total inserida no circuito (20Ω). A colocação do capacitor no
circuito (80 ms) faz a tensão no centro da linha aumentar, tornando-se maior do que a tensão na
própria entrada (sobre-compensação). Na carga tem-se uma tensão com amplitude praticamente
igual à da entrada.
Em 150 ms, 50% da carga é desconectada, elevando a tensão de saída. Na corrente,
observa-se uma correspondente redução.
Nos transitórios de conexão do CCT e de saída da carga têm-se pequenas distorções
devido às condições de tensão no capacitor e corrente nos indutores.
A figura 10.21 mostra as formas de onda de tensão e de corrente no circuito.
10A
I(L1)
I(L2)
-10A
50ms 100ms 150ms 200ms
V1 Vm VL
Figura 10.21 – Formas de onda de tensão e de corrente com atuação do CCT e manobra de carga.

10.4.3 CCT atuando, saída de carga e atuação do RCT

Neste caso, após a desconexão de 50% da carga, o RCT entra em funcionamento de modo
a corrigir a elevação na tensão de saída.
A figura 10.22 mostra tal funcionamento, com a carga sendo desconectada em 100ms e o
RCT passando a atuar em 170ms. Note-se que a ação do RCT permite, ao consumir parte da
potência reativa inserida no sistema pelo CCT, recuperar o valor desejado para a tensão na carga.
A corrente distorcida produzida pelo RCT, ao circular pelo circuito, provoca distorções
também nas tensões, como mostra a figura 10.23. A inclusão de um filtro de harmônicas
(principalmente a 3a), permite uma substancial redução na distorção que se observa na tensão,
como se vê na figura 10.24.
10A
I(L1)
I(L2)
I(RCT))
-10A
200V
-200V
20ms 50ms 100ms 150ms 200ms 250ms 300ms
V1 Vm VL
Figura 10.22 – Formas de onda com CCT (fixo), desligamento de 50% da carga e atuação do
RCT.
4.0A
I(L2)
I(L1) I(RCT)
-4.0A
200V
-200V
250ms 260ms 270ms 280ms 290ms 300ms
Figura 10.23 - Detalhe da distorção harmônica introduzida pelo SVC

10A
i(RCT)
I(L1)
I(L2)
I(filtro)
SEL>>
-10A
200V
-200V
220ms 240ms 260ms 280ms 300ms 315ms
Figura 10.24 – Formas de onda com atuação de filtro de 3a harmônica.
10.5 Cicloconversores com comutação natural

Cicloconversores são associações de retificadores controlados (como os vistos no
capítulo dos conversores CA-CC), de maneira que cada um dos retificadores produza, sobre a
carga, tensões com valores médios opostos, como ilustra a figura 10.25, para o caso de entradas
trifásicas e saída monofásica.
Aplicação típica deste tipo de circuito é no acionamento de grandes motores CA (indução
ou síncrono), na faixa de centenas ou milhares de kVA, em baixas velocidades, como ocorre em
moínhos, por exemplo, para fabricação de cimento. Dada a alta potência requerida, não é
possível utilizar transistores. Uma vez que a aplicação exige freqüências baixas sobre a carga,
torna-se possível utilizar tiristores com comutação natural.
Outra aplicação é na alimentação ferroviária em 16 e 2/3 Hz, existente em alguns trechos
de ferrovias européias. Cicloconversores, com entrada em 50Hz, tem substituído os conversores
rotativos anteriormente usados. Ainda no setor ferroviário, há locomotivas diesel-elétricas, cujos
geradores (acionados por motores diesel) fornecem uma tensão em 400Hz. Um cicloconversor
reduz esta freqüência para fazer o acionamento de motores de indução utilizados na tração, com
freqüências até 50/60Hz.
O transformador que acopla os barramentos CC serve para, nas comutações entre os
semiciclos limitar a corrente que eventualmente circularia entre os retificadores, por causa do
atraso na comutação dos tiristores em função de se estar alimentando uma carga com
característica indutiva. Dependendo da estratégia de comando dos conversores, ou do tipo de
carga alimentada, este transformador pode não ser necessário, desde que se garanta que não
ocorrerá condução simultânea dos conversores.
-
+ +
Io
Vr Vo
Vr
+
-
Figura 10.25 Cicloconversor com entrada trifásica e saída monofásica.

A figura 10.26 mostra forma de onda sobre a carga (resistiva) em um cicloconversor com
entrada e saída monofásicas. Observe que o ângulo de disparo vai se alterando de modo que a
tensão média na carga acompanhe uma variação senoidal. Neste caso tem-se uma entrada em
50Hz e uma saída em 5 Hz.
A figura 10.27 mostra o espectro da tensão, podendo-se verificar a presença da
componente de 5 Hz e harmônicas significativas nos múltiplos de 100Hz (freqüência da rede
retificada).
No caso de uma carga RL (como um motor), a própria indutância da carga atua como um
elemento de filtragem, o que levará a uma redução na ondulação da corrente. Por outro lado,
como se utilizam SCRs, os mesmos só desligam quando a corrente por eles se anula, de modo
que a tensão instantânea sobre a carga pode apresentar valores negativos, como se observa na
figura 10.28. A componente fundamental da corrente apresenta-se atrasada em relação à tensão,
de modo que o fator de potência é menor do que um. Esta defasagem faz com que existam
intervalos de tempo, dentro de cada semiciclo da tensão na carga, em que existe fluxo de energia
da rede para a carga (quando tensão e corrente têm mesmas polaridades) e intervalos em que a
energia flui da carga para a rede (quando tensão e corrente têm polaridades opostas).
Figura 10.26 Formas de onda sobre a carga (resistiva) em cicloconversor com entrada e saída
monofásicas.
Figura 10.27 Espectro da tensão mostrada na fig. 10.27

Figura 10.28 Formas de onda com carga indutiva.
No caso de cargas trifásicas, pode-se fazer uso de três conversores como o mostrado na
figura 10.25. A forma de onda da tensão de linha, supondo uma carga com característica
indutiva, apresenta-se como mostra a figura 10.29. Dado o fato da entrada ser trifásica, a
ondulação da tensão entre fases apresenta-se com uma freqüência 6 vezes maior que a da rede
CA, de modo que se espera uma ondulação na corrente significativamente menor do que aquela
mostrada na figura 10.28. Pode-se ainda utilizar um arranjo como o mostrado na figura 10.30, no
qual utilizam-se apenas 18 SCRs, no entanto, a pulsação da tensão na carga ocorre numa
freqüência de apenas 3 vezes maior que a freqüência da rede.
Figura 10.29 Forma de onda de saída (1 fase) em cicloconversor com entrada trifásica.
Rede CA
Figura 10.30 Cicloconversor com entrada e saída trifásicas.

10.6 Conversor em Matriz

Desde que esta topologia foi proposta em 1980 por Venturini, tem recebido muita atenção
devido à sua simplicidade conceitual. No entanto, sua efetiva aplicação tem sido muito restrita
devido à implementação prática, especialmente em termos das comutações não-ideais dos
interruptores.
Como aspectos positivos têm-se:
• A ausência de elementos acumuladores de energia, pois não há indutores nem capacitores no
conversor, apenas interruptores.
• Maior eficiência, quando comparado com um sistema composto por retificador e inversor, no
qual haveria 4 interruptores no caminho da corrente, contra 2 neste conversor.
• Facilidade de operação em 4 quadrantes, com possibilidade de obter-se qualquer forma de
onda de tensão e de corrente na saída, e qualquer forma de corrente na entrada.
A grande limitação deste conversor, como citado, reside em problemas de comutações
dos interruptores. Observe-se na figura 10.31, onde está ilustrado um conversor com entrada e
saída trifásicas, que a condução de 2 interruptores de um mesmo ramo coloca em curto-circuito a
entrada. Devido ao fato de não se conhecer a priori a forma de onda das correntes,
principalmente da carga, e à necessidade de se garantir um caminho para tais correntes (se esta
tiver um comportamento indutivo) a lógica de comando pode se tornar complexa e dependente
da observação de todas as tensões e correntes presentes na entrada e na saída.
Sra
Ssa D1 S1 S2 D2
a
Sta
G
r Srb
Ssb
s b
t Stb
Src
Ssc c
Stc
Figura 10.31 Conversor em matriz, com entrada e saída trifásicas.
Os interruptores são bidirecionais em tensão e em corrente, o que significa que devem ser
capazes de conduzir e de bloquear em ambos sentidos. Uma vez que não existem tais
componentes, eles devem ser realizados a partir da associação de outros como, por exemplo, dois
MOSFETs, ou dois transistores e dois diodos, como também mostra a figura 10.31. Em ambos os
arranjos ilustrados, o sinal de comando pode ser único, entrando em condução o transistor que
estiver diretamente polarizado.
O problema da comutação pode ser ilustrado pelo exemplo da figura 10.32, onde se tem
um conversor com entrada e saída monofásicas. Suponhamos que no momento analisado tanto a
tensão de entrada quanto a de saída estejam com as polaridades indicadas e que a corrente da
carga seja positiva. Ao ser ligada, a chave Sa conduzirá uma corrente positiva. No momento do
desligamento, deve ser ligada a chave Sb de modo a dar continuidade à corrente (pois a carga tem
característica indutiva). Como as chaves não são ideais, os tempos de comutação podem fazer

com que duas situações igualmente críticas surjam: se Sa abrir antes que Sb entre em condução,
surgirá um pico de tensão, devido à não existência de um caminho para a corrente da carga. Por
outro lado, se Sb conduzir antes que Sa tenha bloqueado, tem-se um curto-circuito aplicado na
fonte, levando a um surto de corrente. Ambas situações são potencialmente destrutivas para os
componentes.
O esforço atual dos pesquisadores que atuam nesta área é o de implementar técnicas de
comutação que garantam a operação segura deste conversor.
Sa i i
a o
+
R
+
Sb
vi vo
L
i
b
Figura 10.32 Conversor em matriz, com entrada e saída monofásicas.
Diferentemente do que ocorre nos cicloconversores, em que só é possível sintetizar

formas de onda na saída com freqüência abaixo da freqüência da entrada, neste caso, como são
utilizados interruptores totalmente controláveis (transistores ou GTOs), pode-se operar tanto
abaixo quanto acima da freqüência da entrada. Topologias alternativas, com saída monofásica,
ou com entrada e saída monofásicas também são possíveis.

Francis Labrique e João José Esteves Santana: “Electrónica de Potência”. Edição Fundação
Calouste Gulbekian – Lisboa, 1991
P. C. Sem: “Principles of Electric Machines and Power Electronics”. John Wiley & Sons, 2nd
Ed., 1997
Muhammad H. Rashid: “Power Electronics: Circuits, Devices, and Applications”. Prentice Hall,
Inc., 2nd Ed., 1993
Ivo Barbi: “Eletrônica de Potência”, Edição do Autor – Florianópolis, 1997
S. M. Deckmann e J. A. Pomilio: “Condicionamento de Energia Elétrica e Dispositivos

FACTS”. Apostila, FEEC, UNICAMP, 1998.
M. Venturini: “A new sine wave in, sine wave out, conversion technique eliminates reactive
elements”. Proc. of Powercon 7, 1980.
J-H Youm e B-H Kwon: “Switching technique for current controlled AC-to-AC converters”.
IEEE Trans. on Industrial Electronics, vol. 46, no. 2, April 1999.

11. DIMENSIONAMENTO DE SISTEMAS DE DISSIPAÇÃO DE CALOR

PARA DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA
11.1 Introdução
A circulação de corrente elétrica por qualquer bipolo provoca uma dissipação de potência
igual ao produto do quadrado da corrente pela resistência do caminho percorrido. Tal potência
dissipada converte-se, essencialmente, em calor (efeito Joule). As relações entre potência e
energia são indicadas abaixo:
1 W = 0,239 cal/s
1 W.s = 1 J
1 cal = 4,187 J
O objetivo deste estudo é fornecer subsídios para estabelecer critérios para o

dimensionamento de sistemas de dissipação do calor produzido por componentes eletrônicos,
especialmente semicondutores de potência (diodos, transistores, tiristores, etc.), buscando a
proteção de tais componentes, tendo como meta fundamental a elevada confiabilidade dos
equipamentos nos quais os dispositivos são empregados. Deve-se também buscar volumes,
massas e custos tão reduzidos quanto possíveis.
Os dispositivos semicondutores atuais são praticamente todos de silício. Este material
tem temperatura de fusão superior a 1400 °C. Por qual razão, então, os fabricantes especificam
uma máxima temperatura de operação da junção em torno de 150 °C?
A temperatura interna de um dispositivo semicondutor determina a quantidade de
portadores livres (elétrons e lacunas) que, por sua vez, é responsável pela corrente de fuga que
existe quando o dispositivo deveria estar bloqueado. O efeito combinado da tensão de bloqueio
com a corrente de fuga e a temperatura pode levar à ruptura do dispositivo, neste caso,
provocando uma excessiva dissipação de potência no componente e levando à sua destruição.
A máxima temperatura da junção especificada pelos fabricantes é aquela que garante que
o componente será capaz de bloquear a tensão prevista. Assim, um diodo para 500 V somente
será capaz de manter-se desligado e suportando tal tensão se sua temperatura de junção não
exceder o limite dado (por exemplo, 150 °C). Se a temperatura for maior do que esta, o diodo
não será capaz de bloquear os 500 V previstos.
.
11.2 Cálculo da potência dissipada
Uma primeira dificuldade para a escolha de um dissipador é conhecer com alguma

precisão a potência que será dissipada pelo dispositivo semicondutor. Uma estimativa pode ser
feita a partir de dados de catálogo, lembrando que os tempos especificados estão sempre
associados a condições precisas de acionamento (no caso de transistores) e das cargas
alimentadas. As condições reais de cada aplicação podem diferir bastante de tais situações de
teste, de modo que se exige do projetista um cuidado especial nesta estimativa inicial das perdas
no componente. Outro modo de estimativa é por simulação, desde que os modelos do
dispositivos sejam confiáveis.
O cálculo das potências deve ser feito, via de regra, pelo produto dos sinais de tensão e
corrente sobre o componente em questão.

Consideremos para fins de exemplo as formas de onda indicadas na figura 11.1. Os

valores da potência média em cada sub-intervalo são calculados na seqüência.
Potência
p=v.i
v
V1 I1
i Vo Io
0
t0 t4 t5
t1 t2 t3
T
Figura 11.1 Exemplo de sinais de tensão, corrente e potência para cálculo de potência média
dissipada.
a) Intervalo (t1-t0)
i( t ) = Io (11.1)
v ( t ) = V1 (11.2)
t1
1
P1 = ⋅ ∫ Io ⋅ V1 ⋅ dt (11.3)
T t0
Io ⋅ V1 ⋅ (t1 − t 0)
P1 = (11.4)
T
b) Intervalo (t2-t1)
( I1 − Io) ⋅ ( t − t1)
i( t ) = Io + (11.5)
( t 2 − t1)
Se Io << I1 e se colocar a referência de tempo em t1, a equação (11.5) simplifica-se para:
I1
i( t ) = ⋅t (11.6)
tq
onde tq = t2-t1.

v ( t ) = V1
1⎧ V1 ⋅ ( I1 − Io) ⋅ ( t 2 2 − t12 ) ⎫
P2 = ⎨ V1 ⋅ Io ⋅ ( t 2 − t1) − V1 ⋅ ( I1 − Io ) ⋅ t1 + ⎬ (11.7)
T⎩ 2 ⋅ ( t 2 − t1) ⎭
Usando (11.6) ao invés de (11.5), tem-se:
V1 ⋅ I1 ⋅ tq
P2 = (11.8)
2⋅T
c) Intervalo (t3 - t2)
i (t) = I1
( t − t 2)
v ( t ) = V1 + ( Vo − V1) ⋅ (11.9)
( t 3 − t 2)
Sendo Vo << V1 e deslocando o início da integração para t = t2
⎛ t ⎞
v ( t ) = V1 ⋅ ⎜1 − ⎟ (11.10)
⎝ td ⎠
onde td = (t3 - t2)
1⎧ I1 ⋅ ( Vo − V1) ⋅ ( t 32 − t 2 2 ) ⎫
P3 = ⎨I1 ⋅ V1 ⋅ ( t 3 − t 2) − I1 ⋅ ( Vo − V1) ⋅ t 2 + ⎬ (11.11)
T⎩ 2 ⋅ ( t 3 − t 2) ⎭
Simplificadamente tem-se:
I1 ⋅ V1 ⋅ td
P3 = (11.12)
2⋅T
d) Intervalo (t4 - t3)
i (t) = I1
v (t) = Vo
( t 4 − t 3)
P4 = I1 ⋅ Vo ⋅ (11.13)
T
e) Intervalo (t5 - t4)
( t − t 4)
i( t ) = I1 + ( Io − I1) ⋅ (11.14)
( t 5 − t 4)

( t − t 4)
v ( t ) = Vo + ( V1 − Vo) ⋅ (11.15)
( t 5 − t 4)
1⎧ ( t5 2 − t 4 2 )
P5 = ⎨ I1 ⋅ Vo ⋅ tj − [I1 ⋅ V1 + Io ⋅ Vo − 2 ⋅ Vo ⋅ I1] ⋅ t 4 − +
T⎩ 2 ⋅ tj
( Io − I1) ⋅ ( V1 − Vo) ⎡ ( t53 − t 4 3 ) ⎤⎫

2
⋅⎢ − t 4 ⋅ ( t 5 2 − t 4 2 ) + t 4 2 ( t 5 − t 4) ⎥ ⎬ (11.16)
tj ⎣ 3 ⎦⎭
onde tj= t5 - t4
Simplificadamente:
⎛ t⎞
i( t ) = I1 ⋅ ⎜⎜1 − ⎟⎟ (11.17)
⎝ tj ⎠
t
v ( t ) = V1 ⋅ (11.18)
tj
Usando as equações (11.18) e (11.17) tem-se:
tj
P5 = V1 ⋅ I1 ⋅ (11.19)
6⋅T
A potência média dissipada será:
P = P1 + P2 + P3 + P4 + P5 (11.20)
Os picos de potência no exemplo dado são:
Pp1 = V1 ⋅ I1 , em t = t2 (11.21)
V1 I1 ( t 4 + t 5)
Pp2 = ∗ , em t = (11.22)
2 2 2
É claro que as linearizações das curvas de corrente e tensão por si só constituem uma
simplificação e, portanto, implicam em erros. O uso de “bom senso”, atuando de maneira
moderadamente conservativa é fundamental para um cálculo seguro.
Alguns osciloscópios digitais possuem a função produto e até mesmo a sua integral,
facilitando o cálculo (o valor integrado deve ser dividido pelo período de chaveamento). Este é o
método mais indicado especialmente em regime chaveado. Para sinais contínuos, a potência é,
obviamente, o produto dos valores de tensão e corrente. Na ausência dos equipamentos e/ou
recursos citados, deve-se obter os sinais de tensão e corrente e aproximá-los, em partes, por
funções de fácil integração.

11.2.1 Diodos
Usualmente a tensão de condução dos diodos de potência é da ordem de 1 V, valor este
que aumenta quanto maior for a tensão do componente, devendo-se verificar o valor dos
manuais. O efeito da resistência de condução pode ser, em geral, desconsiderado. A dissipação
no estado bloqueado pode ser desprezada em função de seu pequeno valor em comparação com
as perdas em condução.
A figura 11.2 indica uma situação de aplicação típica de diodos, qual seja, uma ponte
retificadora trifásica, operando, assim, em baixa freqüência de comutação. O fator dominante é
aquele relativo às perdas em condução. Para um cálculo analítico aproximado da potência média,
pode-se considerar a tensão de condução constante (Vd) e utilizar-se o valor médio da corrente.
Como a freqüência de comutação é baixa, as perdas relativas a este termo podem ser
desprezadas.
A corrente média pode ser estimada, conhecida a potência consumida pela carga,
lembrando-se que por cada diodo circula 1/3 da corrente total. Assim, para uma entrada de 200V
(valor eficaz), tem-se uma tensão retificada de cerca de 300V. Supondo uma carga de 150 Ω, a
corrente média pelo diodo será de 0,66A. Para uma queda de tensão de 2 V, tem-se uma potência
média de 1,32W.
Já para a determinação da potência de pico, como se deve conhecer o valor de pico da
corrente, uma estimativa analítica é mais difícil, uma vez que a forma da corrente depende da
impedância da linha trifásica e ainda de eventuais indutâncias parasitas das conexões, que podem
alterar o valor do pico da corrente.
Alguns catálogos de diodos fornecem gráficos indicando a potência ou energia dissipada
pelo componente em função da forma de onda da corrente.
20W
potência
C Carga
-0W
400V 20A
tensão
corrente
-10V -1A
0s 4ms 8ms 12ms 16ms 20ms
Figura 11.2. Tensão, potência e corrente em um diodo de uma ponte retificadora trifásica com
filtro capacitivo.
A figura 11.3 mostra as formas de onda típicas de um diodo. As perdas devido à

recombinação reversa são, em geral, desprezadas, uma vez que durante o tempo de decaimento
da corrente a tensão é baixa. Somente quando é atingido o pico negativo da corrente reversa é
que a tensão começa a crescer. Neste caso a potência dissipada é dada por:
Pr = Q rrn ⋅ Vr ⋅ f (11.25)
Qrrn : carga de recombinação reversa relativa ao intervalo t5

Vr : tensão reversa
f : freqüência de repetição
Para a entrada em condução, como o intervalo t1 é muito rápido, não se leva em
consideração a potência aí dissipada.
trr
t3
t1 dir/dt
dif/dt
Qrr
i=Vr/R
iD
Vfp Von t4 t5
vD
Vrp
-Vr t2
Figura 11.3 Formas de onda típicas de um diodo rápido.
11.2.2 Tiristores
Em geral os tiristores são empregados em circuitos conectados à rede. Em função do tipo
de carga alimentada sua corrente pode assumir diferentes formas. O cálculo da potência média
pode ser feito analogamente ao que foi indicado para os diodos, pois esta é uma situação de pior
caso (ângulo de condução de 180o). A queda de tensão em condução é em torno de 1,4 V,
devendo-se verificar nos manuais o valor correto.
11.2.3 Transistores
a) Em regime contínuo
Se o transistor (bipolar ou MOSFET) estiver operando em sua região ativa, a potência por
ele dissipada é simplesmente o produto da corrente pela tensão. Caso os valores não sejam
constantes, a potência média dissipada pode ser calculada pelo produto da corrente e tensão com
valores RMS.
b) Em regime chaveado
Em aplicações em que o transistor é usado como interruptor, como em fontes chaveadas
ou amplificadores classe D, deve-se considerar as perdas em condução e as perdas de comutação
(chaveamento).
Formas de ondas típicas de tensão e corrente pelo componente estão indicadas na figura
11.4. Os valores médio e de pico podem ser calculados (estimados) de acordo com o que foi
indicado anteriormente, para formas de onda genéricas. Note que, em relação às formas de onda
da figura 11.1, tem-se um agravante que é a corrente de recombinação reversa do diodo, que se
soma à corrente do transistor, aumentando significativamente o pico de potência dissipada na
entrada em condução do transistor.

200V 100A
tensão
corrente
L
0V 0A T
10KW
D C
Potência
0W
20.0us 30.0us 40.0us 50.0us 60.0us 66.5us
Figura 11.4. Formas de onda típicas de potência em um transistor utilizado em fonte chaveada
com carga indutiva.
No caso de transistores bipolares, a tensão de saturação está em torno de 0,4V (verifique

o valor no manual específico). Para conexão Darlington este valor cresce para cerca de 1,2V,
uma vez que o transistor não entra na região de saturação. A corrente no estado bloqueado pode,
em geral, ser negligenciada para o cálculo da potência.
Para um IGBT, o valor da tensão de condução é maior, situando-se entre 3 e 5 V, a
depender do componente. O valor deve ser verificado no catálogo do fabricante.
Um cálculo preliminar da potência dissipada no componente deve ser feito antes da
montagem do circuito a partir dos dados de manual. Com o funcionamento do equipamento
deve-se verificar as formas de onda reais e reconsiderar o dimensionamento do sistema de
dissipação.
Os manuais de transistores de potência, em geral, indicam os tempos característicos de
chaveamento para cargas resistivas e indutivas, devendo-se empregar os tempos máximos
estipulados para o dimensionamento preliminar. Uma vez que o desempenho do componente é
fortemente influenciado pelo circuito de acionamento da base/gate, pela carga e por
componentes parasitas, um dimensionamento mais rigoroso só será possível após o
funcionamento do equipamento.
Como regra geral, deve-se buscar o chaveamento mais rápido possível embora isto possa
trazer problemas de interferências e surgimento de picos de tensão e/ou corrente devido aos
elevados di/dt e dv/dt e aos componentes indutivos e capacitivos (parasitas ou não) do circuito.
Medidas para redução destes tempos ou técnicas de chaveamento sem perdas podem ser
encontradas fartamente na bibliografia especializada.
Neste ponto sugere-se a consulta a inúmeros artigos publicados pela Associação
Brasileira de Eletrônica de Potência – SOBRAEP, seja nos anais das diversas edições do
Congresso Brasileiro de Eletrônica de Potência, seja na revista Eletrônica de Potência, que pode
ser livremente acessada através de http://www.sobraep.org.br.
Os transistores MOSFET produzem menores perdas de chaveamento, pois seus tempos
de subida e queda da corrente de dreno são menores que os obtidos para a corrente de coletor dos
transistores bipolares ou IGBTs, sendo indicados para aplicações em freqüências elevadas. No
entanto, possuem maiores perdas de condução que os transistores bipolares equivalentes. Suas
perdas em condução podem ser preliminarmente aproximadas pelo produto da resistência entre
dreno e fonte (RDSon) pelo quadrado da corrente, ponderando-se pelo ciclo de trabalho. No
entanto, como RDS se altera (cresce) com a elevação da temperatura é necessário, em projetos
mais acurados, considerar tal efeito. Para IGBTs, como para os bipolares, faz-se o cálculo
utilizando a tensão Vce e a corrente de coletor.

11.3 Mecanismos atuantes em um dissipador de calor
11.3.1 Dissipação por Convecção

A dissipação por convecção é a que ocorre pela movimentação do ar na região onde se
encontra o dissipador de calor.
A Taxa de Calor [J/s] dissipado é dada por:
Q=h A (Ts -Tf) (11.26)
h = coeficiente individual de transporte de calor

A = área do dissipador
Ts = temperatura de superfície
Tf = temperatura do ar circunstante
De acordo com esta equação, para melhorar a dissipação pode-se aumentar a área do
dissipador ou aumentar o coeficiente individual de transporte de calor, o qual pode ser
melhorado alterando a geometria do dissipador, alterando a orientação do dissipador (deixando-o
em posição horizontal ou vertical, de modo a facilitar o fluxo do ar) ou forçando passagem do ar
pelo dissipador (ventilação forçada).
11.3.2 Dissipação por Radiação

O segundo fenômeno que permite dissipação de calor é por radiação, no qual a energia é
transportada por ondas eletromagnéticas. Neste caso, a Taxa de Calor dissipado é dada por:
Q= A (Ts4 - Tf4) (11.27)
= constante de Boltzmann = 5,67 10 -8 W/m2K4

=emissividade
Ts = temperatura de superfície
Tf = temperatura do fluído (ar)
A única variável que pode ser alterada para o aumento da eficiência é a emissividade ( ),
a qual é função apenas do tipo de acabamento da superfície que irradia o calor.
Da tabela 11.1 nota-se que a anodização do alumínio (material normalmente utilizado nos
dissipadores) altera a emissividade de 0,04 para cerca de 0,85, o que melhora a Taxa de Calor
radiado em cerca de 20 vezes.
A cor da superfície influencia apenas na absorvitividade de radiação, mas este não é o
mecanismo pelo qual o dissipador absorve o calor do componente eletrônico, uma vez que o
calor é absorvido por condução térmica (contato entre as superfícies). O fato do dissipador estar
anodizado na cor preta ou na cor natural não influencia na dissipação.

Tabela 11.1 Absortividade e emissividade de radiação do alumínio em função do acabamento

superficial
absortividade emissividade
Anodização Preto 0.86 0.86 1.00
Anodização Azul 0.67 0.87 0.77

Anodização Bronze 0.73 0.86 0.85
Anodização Verde 0.66 0.88 0.75
Anodização Vermelho 0.57 0.88 0.65
Anodização Amarelo 0.47 0.87 0.54
Anodização Natural 0.35 0.84 0.42
Sem Anodizar 0.26 0.04 6.50
Define-se a grandeza “resistência térmica” como uma medida da dificuldade do fluxo de

calor entre 2 meios:
ΔT 1
Rt = = (11.28)
P (h ⋅ A )
ΔT: diferença de temperatura entre regiões de transferência de calor
P: potência média dissipada
A utilização de grande número de aletas é para aumentar a área de troca de calor. A

resistência térmica entre o dissipador e o ambiente, Rdta, para uma placa plana quadrada é
aproximadamente dada por:
3,3 C
Rtda = ⋅ C 0f.25 + 650 ⋅ f (11.29)
λW A
o o
λ: condutância térmica (a 77 C) [W/( C.cm)]
W: espessura do dissipador [mm]
A: área do dissipador [cm2]
Cf: fator de correção devido à posição e tipo de superfície
Tabela 11.2 Valores de condutância térmica para diferentes materiais:

Material (W/oC.cm)
Alumínio 2,08
Cobre 3,85
Latão 1,1
Aço 0,46
Mica 0,006
Óxido de berílio 2,10

O fator Cf varia com a posição do dissipador, sendo preferível uma montagem vertical à
horizontal por criar um efeito “chaminé”.
Tabela 11.3Valores para Cf: para dissipador de alumínio

Corpo anodizado corpo brilhante
Montagem vertical 0,43 0,85
Montagem horizontal 0,5 1,00
O valor efetivo da resistência térmica do dissipador pode ser significativamente reduzido

por circulação forçada de ar, como indicado na figura 11.5.
1
R
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14
v (m/s)
Figura 11.5 Variação relativa de Rtda com ventilação forçada.
11.4 Comportamento em regime permanente: potência média

Nos dispositivos semicondutores de potência o calor decorrente do efeito Joule é
produzido na pastilha semicondutora, fluindo daí para ambientes mais frios, como o
encapsulamento do dispositivo e o ambiente. Este fluxo de calor depende de fatores como o
gradiente de temperatura e as características térmicas dos meios e materiais envolvidos.
Em geral se faz uma analogia com um circuito elétrico, mostrado na figura 11.6, sendo a
potência média representada por uma fonte de corrente. As temperaturas nos ambientes
indicados (junção, cápsula, ambiente) são análogas às tensões nos respectivos nós, enquanto as
resistências térmicas são as próprias resistências do modelo.
R R
Tj tjc Tc tca Ta
R tcd R tda
P
Td
Figura 11.6. Equivalente elétrico para circuito térmico em regime permanente (incluindo
dissipador).
Via de regra a temperatura ambiente (Ta) é considerada constante e o objetivo do

dimensionamento é garantir que a temperatura da junção semicondutora (Tj) não ultrapasse um
dado valor máximo. As resistências térmicas entre junção e cápsula (Rtjc) e entre cápsula e
ambiente (Rtca) são dados do componente, existindo nos manuais. Eventualmente se omite o

valor da resistência entre cápsula e ambiente caso seu valor seja elevado e seguramente seja
utilizado algum dissipador de baixa resistência térmica.
A equação típica do modelo é:
Tj = Ta + P . (Rtjc + Rtca) (11.30)
Exemplo 1:
Sejam os seguintes dados iniciais (a potência média já foi calculada ou estimada por
algum método):
P = 20 W
Rtjc = 2oC/W (dado de catálogo)
Rtca = 10oC/W (dado de catálogo)
Ta = 40oC (arbitrado pelo projetista em função do local de instalação)
Tjmax = 120oC (dado de catálogo)
Destes dados determina-se que:

Tc = Ta + P . Rtca = 240oC
Tj = Tc + P . Rtjc = 280oC
11.4.1 Dissipador de calor

Pelos dados de exemplo 1 verifica-se que uma situação de tal tipo levaria à destruição do
dispositivo, uma vez que seria ultrapassada a sua máxima temperatura de junção.
Considerando que não seja possível reduzir a potência média dissipada e que não há
como alterar as resistências térmicas (a menos que se substitua o componente por algum de outro
tipo) e ainda que a temperatura ambiente não pode ser reduzida significativamente, a alternativa
para a proteção do semicondutor é colocar um dispositivo de baixa resistência térmica entre o
encapsulamento e o ambiente (entre a junção e o encapsulamento não é possível fazê-lo). A este
elemento colocado junto ao encapsulamento se diz “dissipador de calor”. Tal “associação em
paralelo” de resistências térmicas (veja a figura 11.6) permite reduzir a resistência equivalente
entre ambiente e encapsulamento e, assim, reduzir as temperaturas da cápsula e,
conseqüentemente, da junção.
Desprezemos inicialmente a resistência térmica entre a cápsula e o dissipador (Rtcd). No
exemplo dado e usando o modelo, tem-se:
Tj max = Ta + ( Rtjc + Rteq ) ⋅ P (11.31)
Rteq =
(Rtca ⋅ Rtda )
(Rtca + Rtda )
Rteq = 2oC/W
Rtda = 2,5oC/W
A figura 11.7 mostra perfis típicos de dissipadores.

Na montagem do componente semicondutor sobre o dissipador existe uma resistência
térmica entre o encapsulamento e o corpo do dissipador, a qual é determinada, principalmente,
pelo ar contido entre os corpos, devido às rugosidades e não alinhamento das superfícies. Este
fato pode ser minimizado pelo uso de pastas de silicone ou outro tipo de material que seja bom
condutor térmico e isolante elétrico. Caso seja necessário isolar eletricamente o corpo do
componente do dissipador utiliza-se, em geral, isoladores de mica ou de teflon, que apresentam
uma resistência térmica adicional entre cápsula e dissipador.

Recorde-se aqui que, normalmente, a parte metálica do corpo dos componentes

eletrônicos está ligada eletricamente a um dos terminais do mesmo. Por exemplo, é comum que a
cápsula de um transistor esteja conectada ao coletor. Caso seja necessário isolar eletricamente o
corpo do componente do dissipador utiliza-se, em geral, isoladores de mica ou de teflon, que
apresentam uma resistência térmica adicional entre cápsula e dissipador.
Tabela 11.4 Valores típicos de resistência térmica entre cápsula e dissipador
Tipo de cápsula Tipo de isolador Rtcd (oC/W)

c/ pasta s/ pasta
TO - 3 s/ isolador 0,1 0,3
teflon 0,7 a 0,8 1,25 a 1,45
mica 0,5 a 0,7 1,2 a 1,5
TO - 66 s/ isolador 0,15 a 0,2 0,4 a 0,5
mica 0,6 a 0,8 1,5 a 2,0
mylar 0,6 a 0,8 1,2 a 1,4
TO - 220AB s/ isolador 0,3 a 0,5 1,5 a 2,0
mica 2,0 a 2,5 4,0 a 6,0
Obs.: mica e mylar com espessura de 50 μm a 100 μm.

Figura 11.7 Perfis típicos de dissipadores (Semikron Semicondutores)

11.5 Comportamento em regime transitório: potência de pico
Quando a potência dissipada no semicondutor apresenta pulsos de potência é preciso

verificar a proteção do componente não apenas em relação ao valor médio sobre ele mas também
em relação aos picos de dissipação.
Durante a ocorrência do pico de potência ocorre a elevação da temperatura da junção
embora não ocorra variação nas temperaturas do encapsulamento e do dissipador (que dependem
da potência média) devido à maior capacidade térmica da cápsula e, especialmente, do
dissipador. Tal capacidade térmica relaciona-se com o tipo de material utilizado e seu volume.
Na analogia elétrica utilizada anteriormente, ela se comporta como uma capacitância.
O cálculo da temperatura da junção em tal regime transitório é feito utilizando uma
grandeza chamada “impedância térmica” que leva em consideração a capacidade térmica da
junção. O valor da impedância térmica, Ztjc, é obtido de curvas normalizadas presentes nos
manuais de componentes semicondutores de potência. A figura 11.8 mostra uma curva típica de
impedância térmica, normalizada em relação à resistência térmica entre junção e cápsula.
Estas curvas tomam por base pulsos quadrados de potência que, via de regra, não
apresentam tal formato. Como se vê na figura 11.9, os pulsos reais devem ser normalizados de
maneira a que o valor de pico e a energia (área sob o pulso) se mantenham. Com o ciclo de
trabalho obtido pela divisão da largura do pico retangular pelo período de chaveamento,
seleciona-se a curva adequada e se obtém o valor de Ztjc (normalizado ou não). Calculada a
temperatura do encapsulamento (a partir da potência média) obtém-se o valor da temperatura da
junção no instante do pulso de potência.
Zt/Rt 1
δ=0.5
δ=0.1
0.1
δ=0.05
0.01 5
1 10 0 0.001 0.01 0.1 1
pulso único tp
Figura 11.8. Curvas típicas de impedância térmica para picos de potência.

Pd(t)
Pp
A1
τ t
Pj(t) A1=A2
tp Pulso normalizado
Pp
A2
T t
Figura 11.9. Normalização do pulso de potência.
τ
⋅ ∫ Pd ( t ) dt
1
tp = (11.32)
Pp 0
tp
δ=
T
Uma vez determinada a temperatura relativa à potência média pode-se calcular a

temperatura de pico que se tem na junção utilizando estes dados:
Tj p = Tc + Pp ⋅ Z tjc ( tp, δ) (11.33)
Exemplo 2:
Rtjc = 2o C/W (dado de catálogo)
Rtca = 5o C/W (dado de catálogo)
Rtcd = 2o C/W (associado ao tipo de isolação entre cápsula e dissipador)
Rtda = 3o C/W (dissipador escolhido previamente)
Ztjc = 0,05o C/W (dado de catálogo)
Tjmax = 150o C (dado de catálogo)
Ta = 40o C (arbitrado pelo projetista)
P = 20W (calculado ou estimado previamente)
Pp = 1000W (calculado ou estimado previamente)
Em relação à potência média:
⎡ Rtca ⋅ (Rtcd + Rtda )⎤

Tj = Ta + P ⋅ ⎢ Rtjc + (11.34)
⎣ Rtca + Rtcd + Rtda ⎥⎦

Tj = 130 oC (o componente está protegido em relação à potência média)
Tc = 90 oC
Em relação ao pico de potência

Tj = Tc + Pp . Ztjc = 140 oC (11.35)
O componente também está protegido nos transitórios. Caso a temperatura calculada da

junção ultrapassasse o valor máximo seria necessário recalcular o dissipador para que a
temperatura da cápsula fosse baixa o suficiente para permitir a elevação na junção decorrente do
pulso de potência.
11.6 Cálculo de dissipadores
Neste item indicam-se alguns critérios a serem adotados no dimensionamento de

dissipadores. Os valores de potência serão dados como ponto de partida mas nas situações reais
deverão ter sido calculados a partir de dados de manual ou de observação das formas de onda
sobre o componente.
• A temperatura de trabalho da junção deve ser 20% a 30% menor que seu valor máximo, para
permitir a proteção do componente sem superdimensionar o dissipador.
• Para ambientes nos quais não se faça um controle rígido da temperatura deve-se usar uma
temperatura ambiente de 40oC (exceto se for possível a ocorrência de temperaturas ainda mais
elevadas).
• Caso o dissipador fique dentro de algum bastidor ou caixa na qual a temperatura possa se
elevar acima dos 40oC deve-se considerar sempre a máxima temperatura do ar com o qual o
dissipador troca calor. É conveniente, à falta de maiores informações utilizar o valor de 40oC
e verificar após a entrada em operação do protótipo a verdadeira temperatura ambiente.
• Deve-se verificar a necessidade do uso de isoladores (mica, teflon ou mylar) e não
desconsiderar suas resistências térmicas.
• O emprego de pastas térmicas é sempre recomendado e se deve considerar também sua
resistência térmica.
Exemplo 3:
Rtjc = 1oC/W (dado de catálogo)
Rtca = 35oC/W (dado de catálogo)
Rtcd = 0,7oC/W (isolador e pasta)
Ztjc = 0,01oC/W (dado de catálogo)
P = 20W
Pp = 5 kW
Tjmax = 150oC
Ta = 40oC
a) Cálculo em regime permanente
Tj = 0,8 . Tjmax = 120oC

Tj = Ta + P . (Rtjc + Rteq)
Rteq = 3oC/W

Rtca ⋅ (Rtcd + Rtda ) )

Rteq =
Rtca + Rtcd + Rtda
Rtdamax = 2,58oC/W
O dissipador térmico selecionado deve possuir uma resistência térmica inferior à

calculada. Por exemplo:
Rtda = 2oC/W
Assim o novo Rteq será 2,5oC/W.
b) Cálculo em regime transitório
Tc = Ta + Rteq . P = 90oC
Tjp = Tc + Ztjc . Pp = 140 oC >120o C
Como, no transitório ultrapassa-se o valor de Tj estabelecido é preciso redimensionar o

dissipador, a partir de um valor admissível para Tc.
Tcmax = Tj - Ztjc . Pp (11.36)

Tcmax = 70oC
Tcmax = Ta + Rteq . P
Rteq = 1,5oC/W
Rtda = 0,86oC/W
Assim, para proteção do dispositivo contra a potência média dissipada e os pulsos de

potência nos transitórios, deve-se usar um dissipador com resistência térmica de 0,8oC/W. Outra
possibilidade é usar um dissipador com resistência térmica maior mas fazendo uso de ventilação
forçada.
11.7 Fontes de calor distribuídas
Componentes idênticos são freqüentemente montados próximos em placas, quando um

único dispositivo não pode dissipar toda a potência projetada, por exemplo, um conjunto de
transistores em paralelo em um regulador série para alta corrente. Cada dispositivo dissipa
praticamente uma mesma fração da potência total. A máxima temperatura ocorrerá no centro da
placa, com uma distribuição parabólica de temperatura, com o mínimo nas bordas. A diferença
de temperatura entre as bordas e qualquer ponto da placa é dada por:
q
T= ( L2 − X 2 ) (11.37)
2 KA
L: distância entre a borda e o centro da placa [cm]
K: condutividade térmica do material da placa [cal/s.cm.C]
A: seção transversal da placa [cm]
X: distância, a partir do centro, onde se quer saber a temperatura [cm]
q: potência distribuída entre o centro da placa e o ponto X [cal/s]

11.8 Refrigeração forçada
Sistemas eletrônicos de alta potência freqüentemente utilizam refrigeração com

circulação forçada de líquidos. Em geral os componentes são montados em placas metálicas de
cobre ou alumínio, através da qual circula o líquido refrigerante, normalmente por condutores
ocos soldados à placa.
Água é provavelmente o melhor líquido para resfriamento em termos de densidade,
viscosidade, condutividade térmica e calor específico. Para operação de longa duração deve-se
prever uso de água destilada e deionizada. Se a temperatura esperada puder cair abaixo do ponto
de solidificação ou acima do de ebulição deve-se adicionar outro líquido à água, como o
“ethylene glycol” o que também previne a corrosão do cobre ou alumínio usado nos dutos.
O cálculo do sistema de refrigeração é relativamente elaborado, utilizando fórmulas
aproximadas e indicadas nas referências e que não serão tratadas aqui.
11.9 Referências bibliográficas
B.W.Williams: “Power Electronics, Devices, Drives and Applications”, MacMillan Education,

1987
Ivo Barbi: “Progress in the Development of High-Frequency nondissipative Commutation power

Converter Technologies”, Power Electronics Seminar, Dec, 15-16, 1988, Florianópolis, Brazil
P.L. Hower“ Power Semiconductors Devices: An Overview”, Proc. IEEE, vol. 76, no 4, April
1988
R.D.King er alli: “Comparison of Power Darlinton, IGBT and MCT Switch Losses in ASD
PWM Inverters”, PCIM, August 1990
D.S.Steinberg: “Cooling Techniques for Electronic Equipment”, John Wiley & Sons, Inc., 1980.
http://www.hsdissipadores.com.br/tecnologia.asp, acesso em 21/07/2007.
http://www.sobraep.org.br, para acesso às publicações da SOBRAEP

Apostila Eletronica de Potencia (Unicamp)

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UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS

Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação

José Antenor Pomilio

Publicação FEEC 01/98

O texto que se segue foi elaborado para a disciplina "Eletrônica de Potência"

Campinas, 2 de fevereiro de 2009

José Antenor Pomilio

José Antenor Pomilio é Engenheiro Eletricista, Mestre e Doutor em

1. COMPONENTES SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA

1. COMPONENTES SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA

Figura 1.1 Limites de capacidade de componentes semicondutores de potência.

1.1 Breve Revisão da Física de Semicondutores

A passagem de corrente elétrica em um meio depende da aplicação de um campo elétrico

1.1.1 Os portadores: elétrons e lacunas

DSCE – FEEC – UNICAMP 2009 1-1

Figura 1.2 – Estrutura cristalina de material semicondutor

Figura 1.3 – Movimento de elétrons e lacunas em semicondutor

A ionização térmica gera o mesmo número de elétrons e lacunas. Em um material puro, a

onde C é uma constante de proporcionalidade, q é a carga do elétron (valor absoluto), Eg é a

1.1.2 Semicondutores dopados

DSCE – FEEC – UNICAMP 2009 1-2

DSCE – FEEC – UNICAMP 2009 1-3

1.1.4 Correntes de deriva e de difusão

1.2 Diodos de Potência

DSCE – FEEC – UNICAMP 2009 1-4

Figura 1.5 Estrutura básica de um diodo semicondutor.

DSCE – FEEC – UNICAMP 2009 1-5

A figura 1.7 mostra resultados experimentais de um diodo de potência “lento”

DSCE – FEEC – UNICAMP 2009 1-6

1.3 Diodos Schottky

Quando é feita uma junção entre um terminal metálico e um material semicondutor, o

DSCE – FEEC – UNICAMP 2009 1-7

O nome tiristor engloba uma família de dispositivos semicondutores que operam em

1.4.1 Princípio de funcionamento

DSCE – FEEC – UNICAMP 2009 1-8

DSCE – FEEC – UNICAMP 2009 1-9

Figura 1.10 - Analogia entre tiristor e transistores bipolares

1.4.2 Maneiras de disparar um tiristor

b) Ação da corrente positiva de porta

c) Taxa de crescimento da tensão direta

Onde Cj é a capacitância da junção.

DSCE – FEEC – UNICAMP 2009 1-10

Figura 1.11 - Característica estática do tiristor.

DSCE – FEEC – UNICAMP 2009 1-11

1.4.3 Parâmetros básicos de tiristores

DSCE – FEEC – UNICAMP 2009 1-12

Gate circular Gate interdigitado

A figura 1.14 ilustra algumas destas características.

1.4.4 Circuitos de excitação do gate

b.1) Comutação Natural

DSCE – FEEC – UNICAMP 2009 1-13

É utilizada em sistemas de CA nos quais, em função do caráter ondulatório da tensão de

Figura 1.15 - Controlador de tensão CA com carga RL e formas de onda típicas.

b.2) Comutação por ressonância da carga

b.3) Comutação forçada

DSCE – FEEC – UNICAMP 2009 1-14

Figura 1.17 Circuito e formas de onda de comutação por ressonância da carga.

DSCE – FEEC – UNICAMP 2009 1-15

1.4.5 Redes Amaciadoras

DSCE – FEEC – UNICAMP 2009 1-16

(a) (b) (c)

1.4.6 Associação em Paralelo de Tiristores

1.4.6.1 Estado estacionário