Sunteți pe pagina 1din 74

Sorin POHOATA

Adrian GR,AUR

DISPOZITIVE ELECTRONICE $t ELECTRONTCA ANALOGICA

Editura Universitti i Suceava


2007

Cuprins

CUPRINS
Descrierea CIP a Bibliotecii Nationale a Romniei POHOATA, SORTN

Dispozitive electronice gi electronic

analogic : aplicalii i Sorin Pohoa[, Adrian


Graur

Suceava, 2007
Bibliogr.

Suceava, Editura Universittii din Prefa!".. 1. Dioda semiconductoare................ 2. Dioda Zener. Stabilizatorde tensiune cu diod Zener-.. 3. Redresoare monofazate cu diode semoconductoare'...........'.
1

tsBN 978-973-666-260-7
l. Graur, Adrian 621.38

I
15

4. Caracteristicile statice ale unui TB in conexiune emitor comun..... .....' 22


5. P olarizareatranzistoru
lu

i bipolar...

..

26
33 38

6. Parametrii h ai tranzistorului bipolar....


7. Repetor pe emitor...... Referen!i gtiin{ifici:
8. Amplificatoare cu tranzistoare bipolare

43
51

I
r*iv.,,$tefan cel
!\are

Prof. dr. ing. GavTiITODEREAN Universitatea Tehnic Cluj-Napoca _ Prof. dr. ino. Valentin POPA

9. Tranzistoare cu efect de cmp,......


10. Aplica[ii ale
1
1

TEC........

....."...... .'.'.'.'

J/

1. Dispozitive optoeleclronice............... .. ..... ..... .....

ol
68
72

S t.} $ EAVA IBI*ITEQA

2. Studiul tinstorului......
3. Studiul dispozitivelor multijonc{iune

diacul 9i triacul........

14. Stabilizator serie de tensiune..


15. Circuite de alimentare

82

Coperia:

Conf.dr. Evelyn GRAUR

6. Prezentarea 5i testarea dispozitivelor semicond uctoare utilizate

in

aplicaliipractice.........
- probleme...................

...' 89
.....'.".. 100
.....'..'. 104
.. '.'.'. 113

17. Diode semiconductoare


18. Tranzistoare bipolare

- probleme...

19. Polarizarea tranzistoarelor bipolare

- probleme...

20. Modelarea funclionrii tranzistorului bipolar la semnal mic......""..... 122


21.

\#i!J'_

.".,,ti,1';

iDiiuilunivi?)iiaiii
)ucava

Anex..... Biblioorafie...

.....'..' 133
,,...,..' 144

ill

Prefal

PREFATA

Aplica!iile legate nemijlocit de dispozitivele electronice si electronica analogic igi asociaz in prezent, intr-o msur tot mai mare, divrse sectoare care produc, prelucreaz gi ofer diverse sisteme electronice, antrennd in sens
biunivoc att cercetarea ct qi educatia.

Progresele inregistrate in "lumea electronicii", sunt considerate pe bun dreptate uimitoare 9i cu greu se pot gsi exemple comparalive in spatiul tehnic. Fr evolu{ia electronicii gi "lumea calculatoarelor" ar fi fost cu siguran! mai
srac.

Aceste progrese se bazeaz pe valorificarea in practica inginereasc a

de electricitate gi componente pasive de circuit cu ajutorul anexei prezentate la sfrgitul c(ii. Fiecare aplica{ie in parte prezint o abordare teoretic, general, cu prezentarea clar gi succint a solufiilor de ansamblu, urmat de partea de desfgurare practic ce abordeaz diverse scheme electronice particulare, care se pot modifica in funclie de dotarea laboratorului gi de evolufia dispozitivelor 9i 'abordare circuitelor. o astfel de esle foarte flexibil gi modern permitnd
utilizarea crtii pe o perioad de timp mai mare.

cunogtin{elor oferite de fizic. Astfel, cititorul igi poate reimprospta cunogtintele

Din volumul foarte mare de cunogtinle, s-au selectat aplicaliile cele mai lmportante pentru o infelegere facil gi corect a problematicii abordate gi penlrrr dobndirea de ctre cititor a unor cunogtin{e de baz, strict necesare oricrui inginer de profil electric sau neelectric. Din acest punct de vedere, acoaslli

lucrare poate

fi

utilizat

in

detaliu

de studen!ii

specializrilor: Electrorric,

Automatic, calculatoare, sisteme electrice, Energetic industrial, Mecatronic sau Utilaje 9i instalalii de proces gi utilizat partial de studen!ii specializrilor: Tehnologia construcfiilor de magini, lnginerie industrial, Inginerie economic, Ingineria gi managementul calitlii sau Ingineria gi protectia mediului. Pentru inlelegerea problematicii prezentate, fiecare capitol se incheie cu intrebri sau probleme menite s fixeze cunogtintele respective. De asemenea, ultimele patru capitole sunt rezervate problemelor care analizeaz func{ionarea circuitelor electronice, punnd in evident utilizarea modelelor de circuit ale
dispozitivelor electronice.

Prezenta lucrare este rezultatul imbinrii dintre experienla electronic, proprie autorilor, cu experienta didactic, dobndit de autori in activitatea cu studenfii pe parcursul a mai multor ani. ln scopul desfgurrii aplicatiilor in condifii optime, este necesar s se
respecte urmtoarele indicafii: - s se parcurg in prealabil materialul teoretic prezentat la flecare aplicafie gi s se studieze cu atentie modul de lucru; - studenlii vor efectua singuri conexiunile necesare fiecrei aplicatii de laborator, folosind machetele gi aparatele de msur de pe masa de lucru;

Ittrrl;tli

lJrrrrlir scmiconductoare

[)uncrr)a sub lensiune se va face numai dup verificarea conexiunilor de ctrc caclrul didactic care conduce activitatea de laborator; studenlii vor selecla gamele de msur ale aparatelor in concordant cu valorile mrimilor msurate, pentru a putea efectua msurtorile indicale in aplicatia de laborator, studenlii vor nota rezultatele experimentale culese, vor prelucra datele oblinute (calcule, tabele, reprezentri grafice) gi vor desena formele de und vizualizate pe osciloscop. re{eaua de c.a. 220 V 50 Hz, trebuie respectate cu strictele normele de protectia muncii:

1. DIODA SEMICONDUCTOARE
1.1. Obiectivele lucrrii

familiarizarea

cu

caracteristica static

a jonc{iunii p-n (dioda

semiconductoare);

Deoarece toate lucrrile de laborator necesit alimentri

de

la

determinarea valorilor elementelor ce intervin in modelele de regim static gi dinamic ale diodei semiconductoare; observarea influentei temperaturii asupra caracteristicii statice a diodei
semiconductoare,

aplicaliile de laborator

se vor desfgura numai sub conducerea gi

supravegherea unui cadru didactic; nu se vor atinge cu minile prtile neizolate ale circuitelor ce lucreaz cu tensiuni mai mari de 24 V gi nu se vor atinge concomitent dou puncte rnetalice aflate la poten{iale diferite; nu se vor face conexiuni, in interiorul machetelor in timpul funclionrii, ci cloar cu alimentarea oprit; in cazul apariliei unor anomalii in regimul de funclionare al machetelor sau echipamentelor de laborator, se va intrerupe imediat alimentarea postului de lucru, comunicndu-se cadrului didactic cele constatare.

prezentarea principiului de funclionare al ohmmetrului gi verificarea unor diode semiconductoare prin msurarea rezlstenlei electrice in conducfie direct gi invers.

1.2. Considera(ii teoretice Dloda semiconductoare fionctiunea p-n) este un dispozitiv electronic fundamental foarte utilizat in realizarea circuitelor electronice, datorit multiplelor roluri funcfionale: redresarea curentului alternativ, detectia semnalelor modulate in amplitudine sau frecven!, proteclia termic a unor circuite, comutarea unor elemente de circuit etc. Utilizrile variate ale diodei semiconductoare se datoreaz caracteristicii sale neliniare (figura 1.1), ct gi proprietlilor sale de dispozitiv unidireclional (permite trecerea curentului intr-un singur sens).
1.2.1. Generalitli

Autorii doresc s adreseze multumiri tuturor celor care i-au sprijinit sau prin rbdarea 9i intelegerea de care au dat dovad, au fcut posibil elaborarea
acestei lucrri.

Autorii

9rrr:cav;r, scpternbrie 2007

Figura 1

)to(l;t sorniconductoare

Dioda semiconductoare Dioda semiconductoare este un dispozitiv erectronic cu dou termrnare _

lnod

(A) 9i catod (K).

/uro

Pentru tensiuni apricate cu prusur pe anod gi minusur pe catod (figura I ?rr), dioda se afl in conductie direct gi permite tfecerea unui curent rerativ n|lf rc care vartaz aproximativ exponential cu tensiunea aplicat la borne. pentru larrsiuni aplicate cu prusur pe catod gi minusur pe anod (figura 1.2b), dioda se afl irr conducfie invers gi curentul care trece est foarte ri.ri, putnoi,-r" .onrio"r,
Uo

considernd caracteristlca din figura 1.3a pentru diod, se poate inlocui dioda cu un circuit eclivalent (figura 1.3b) care se numeste model static liniarizat al diodei semiconductoare. in acest caz modelul D, este o diod ideal. U' esie

tensiunea de deschidere,
(

iar q,IdI =

uut" rezistenta diodei, unde U1

este

tensiunea termic I

- t >-----:
rliodei este

/:_I\

o
Figura 1.2

r--\

U1

['

-- =:kr)l. U"
q)
Dr

avnd o rezisten.t foarte mare in conduclie invers, in cur"nt

se observ c dioda poate fi considerat ca fiind un bun

R-'d

TT

comutator, ;;nti;;, rezrstenta

-E-lFJr_--5
ab
Figura 1.3

Up

Id

acesleta,

siliciu tensiunea de prag ia varori cuprinse intre 0,6...0,g v. La cregterea tensiunii peste varoarea de prag, curentur prin diod va cre$te exponentiar cu varoarea

Pentru a intra in conduclie, o diod semiconductoare trebuie poranzat clrrect, cu o tensiune minim (numit tensiune de prag up) a crei varoare (le semiconductorul din care este realizat dioda. Astfel, pentru depinde diodele cu (|ermaniu tensiunea de prag este cuprins intre 0,2...0,4 V, iai pentru diodele cu

semiconductoare.

in regim variabil de semnal mic comportarea diodei este dat numai de rezlstenla r, care constituie 9i modelul de semnal mic ai joas frecvent al diodei
Diodele de mic gi medie pulere se incapsuleaz in material plastic sau

timpul funclionrii.

I ensrunrte aptrcate unei diode nu pot depgi anumite limite. in conduciie direct curentul prin diod ar cre$te foarte murt gi puterea disipat p; ;1il; lt, = LIu Io ar depgi puterea disipat admisibir , dioda distrugndu-se {. lermic in conductie invers pentru U; prea mare (in valoare absolut), dioda se strpunge, curentur prin ea cregte brusc ai necontrorat (regiunea pndat din figura 1), dioda putndu-se distruge, dac cesta nu este limitat de o rezistent ::rl:,-.,^t?riq.rl.V3loarea U"1, a tensiunii U6 la care se strpunge OioOa esie specrtrcata de tubricant, in cataloagele de productor gi nu tieouJe dep9it in

sticl, catodul fiind marcat cu unul sau mai multe cercuri colorate. Diodele de putere au capsul metalic, forma capsulei permi!nd fixarea diodei pe un msurtori cu ohmmetrul. in sensul in care dioda prezint rezistenl mic aceasta este polarizat direct gi terminalul legat la "plusul" ohmmetrului rrstc
radiator utilizat pentru rcire. Dac marcajul este^gters, se identific terminalele anod gi carod prin

anodul diodei. De remarcat, c in cazul folosirii unui multimetru, ca ohmmetru polaritatea bornelor este inversat,

in turrcliorruroir

Degi caracteristica diodei este profund neriniar, pentru foarte murte aplicafii ea-poate fi aproximat ca liniar pe portiuni, aga cum este prezentat in figura 3a. Panta dreptei ce aproximeaz caracteristica, tgo, este egar cu panta
tangentei la caracteristic m =

Schema electric a unui ohmmetru este prezentat in tigrrra 1 4

Instrumentul

de

msur indic valoarea curentului dtn oit(irltl.

r,irtrr

depinde de valoarea rezisten{ei necunoscute R,, prin

relatia:

t;
I

*!, du.,

t,

punctut

in care se face

aproximatia.

l{,, r l{ ,,
rorrrlr{r
rkruA

Punctul in care acest dreapt intersecteaz axa tensiunrlor este lensiunea Up de deschidere a diodei.

cu ajulorul potentiometrului Rp se regleaz curentul nr.rxrlil lrilrl instrumentul de msur (pentru Rx = 0, Iru, = E/Rp), realiznc1tr-srr rr:.llr,l

proprietti ale scalei ohmmetrului: este neliniar 9i are zeroul in dreaplrr

Dependen{a Rx(i) fiind

de invers propo(ionalitate,

[ )tr

rtlir sr:tlticot)ducloare

Dioda semiconductoare

c:alibrar()a ohrnrlelrului (reglarea zeroului). in acest aceleiagi scale pentru toate gamele de msur.

fel este posibil

folosirea

mai mici de 1 mA. Se vor citi valclrile lui U1 pentru curenlii


1.2.

16

notali in tabelul

Tabelul 1.2

Figura 1.4
irttr-adevr, clac dotr game au lmur2 = Il . lp6y1, und 1p211 = E/Rp1 gi lp3y2 = E/R1,,, alrrrrci R1,1 = n.Rr,:,$i cele dou rezistente R11 gi Rx2, care dau aceeagi rlcvur{ir,pc} c(}lc tlorrii garne (1.,= n. l,) vorfi in raportul:

It,,r _
It

1,./tl

Nr,, r)
'--

t)

..

li.lt

t\,

- tl

adicR11

=n

Rxz

Figura

'1.5

Dcci irrairrlea ctecturii unei msurtori cu ohmmetrul trebuie reglat


,,zcroul" aparalrrlui prin scurtcircuitarea testerelor de msur (Rx = 0) valorii ltri R1 . Rcglajul lrebuie refcut la trecerea dintr-o gam in alta.

3. Se observ influenta temperaturii


tabelul 1.3.

;i

ajustarea

asupra caracteristicii statice a diodei, utiliznd stalia de lipit la o temperatur de 300oC. Astfel, pentru lo= 10 mA se va pune in contact direct vrful statiei de lipit cu un terminal al diodei timp de 30 s. Se citesc valorile lui U6 gi 16, inainte Si dup inclzire. Se completeaz

1.3. Modul de lucru


Tabelul 1.3

1.

se vor msura rezistentele unor diode cu Ge gi si in conduc{ie direct gi invers, pe toate gamele ohmmetrului. Rezultatele obtinute se noteaz in
tabelul
1

.1

Tabelul 1.1

Rt0
Gama
x'1 x 10

Germanitr Direct Invers

4.

Pentru trasarea caracterisiicil

in

conduclie invers se inlocuiegte rezistenla

de 330 Q cu alta de 1 K0 gi se inverseaz pozifia diodei. Voltmetrul se conecteaz in pozitia 1. Se flxeaz E = 0, voltmetrul pe gama de 25 V $i miliampermetrul pe gama de 50 pA. Se modific E de la 0 la 24 V gi se
completeaz tabelul 1.4.

x 100 x 1K

Tabelul 1.4

2.

Se realizeaza rllonl,rilrl rlirr lirlrrra 1.5 pentru trasarea caracteristicii diodei in cortduclie dtroclil ltt, lrxcrrzli E = 0, miliampermetrul pe gama de 25 mA gi vollmetrttl trrc (lirnr;t rlt' 1 V Vollnrelnrl va fi coneclat in pozi!ia 1 pentru curen{i

Dioda scttttr:of l(,u(jloil c Dioda semiconductoare

5.

ac,eleagi condilii ca la conduclia direct. Rezultatele oblinute se trec in tabelul


1.5.

Proba de incarzire pentru conductia invers se efectueaz pentru U, = 2 V in

'

care sunt avantajere utirizrii dioderor cu si fat de cere cu Ge?

lndicati dac urmtoarele afirmalii sunt adevrate, argumentnd rspunsurire:

Tabelul 1.5

8. 9.

direct. ohm).
1

o diod realizar din si, porarizat cu,,+" pe anod cu o tensiune de 0,35 V este polarizat direct gi ,,deschis',. curentul 16 printr-o diod cu si, scade exponenfiar cu tensiunea apricat

10. in conduclie direct, dioda cu

si

are rezistenl foarte mic (zecimi de

.4. Confinutul referatului


Tabelele cu datele experimentale. se traseaz pe aceragi grafic caracteristicire ceror dou diode (ca

1'1

. Deoarece dioda este o component unidireclionar, anodul este situat in


stnga catodului.
digital).

1. 2

12. Dioda semiconductoare se poate msura cu voltmetrul (anaiogic sau

1 1).

in figura

Se calculeaz rezistentele de c.c (R U6/16) gi de semnal = mic (r, = dUo/dlo) ale diodelor in punctere 16.= 1 mA, 10 mA gi 2o mA. pentru acereagi functe se determin tensiunea de prag up, prerngind tangenta ra caratteristic in punctul considerat pn cnd intersecteaz axa absciselor. Rezurtatere obtinute se trec in tabelul nr. 1.6.

de msur indic ,,0", ra verificarea unei diode semiconductoare, atunci dioda este intreruot. Tensiunea de strp-ungere a dioderor cu si arevaroarea de 220 v. 15. In regiunea polarizrii inverse, caracteristica unei diode semiconductoare este liniar.
13. Dac aparatul

l4

Tabelul 1.6

4.

determin puterire disipate pentru cere dou diode, corespunztor punctului 2 al modurui de lucru. se reprezint grafic depend"nl. po j(ro).

Se

1.5. Evaluarea cunogtinfelor

1. Utilizrile diodei semiconductoare. 2. care sunt conditiire necesare ca o diod semiconductoare I 4 5 6


sern icond uctoa re.

s intre in conductie? in ce conditii s-ar putea produce strpungerea ciiodei? Notati in ce constau fenomenere frzice care produc strpungerea diodei

si.

Precizati valorile tensiunii de deschidere (de prag) pentru diodele cu Ge gi

Argumenlnd rspunsul, precizali starea de conduclie a unei diode cu Si, dac lensiunea de polarizare este mai rnic dect tensiunea de
cleschidere

fi

l )tor l,r

.1rnr,r. Stabilizator cu diod Zener

Dioda Zener. Stabilizator cu diod Zener

2. DIODA ZENER. STABILIZATOR DE TENSIUNE CU


DIODA ZENER
2.1. Obiectivele lucrrii

Repre; entnd

grafic dependen!a curentului prin

diod

tensiunea aplicr,t invers se obline o curb ca cea din figura 2.1ise observ c pn la strpungere, curentul prin diod este foarte mic (egal cu curentul Invers al strpungere. Dup ce dioda a ajuns in regiunea de strpungere tensiunea la bornele ei practic nu se modific, ci rmne egal cu tensiunea de strpungere. Printr-o rezisten! serie exterioar valoarea curentului trebuie limilat pentru a nu depgi puterea disipat maxim admisibil pe diod.1

,in

funclie

de

unei joncliuni obignuite), acesta crescnd brusc la atingerea tensiunii

de

2.

familiarizarea cu caracteristica diodei Zener; cunoagterea modelului echivalent al diodei Zener, studiul unui stabilizator de tensiune - aplicatie direct a diodei Zener: determinarea principalilor parametri ai unui stabilizator de tensiune cu diod Zener.

2. Consideratii teoretice

serniconductoare, la care strpungerea are ca efect distrugerea iremediabil a jonctiunii, la dioda stabilizatoare are loc o strpungere nedistructiv. Aceast strpungere este caracterizat de o cregtere puternic a curentului invers prrn diod 9i menlinerea aproximativ constant a tensiunii inverse la terminalele
diodei.

2.2,1. Generalitli Dioda Zener este o diod de construclie special, capabil s functioneze irr rer;iunea de strpungere fr a se distruge. in comparalie cu dioda

strpungerea unei diode semiconductoare

se produce prin unul

din

Qi

;dg5ntoarele

mecanisme:

qultiolicarea in avalans - fenomen ce se produce pentru intensitfi mari ale cmpului electric in regiunea de tranzilie a jonctiunii (tensiuni la borne mar mari de 8 V); electronii accelerafi de cmp acumuleaz suflcient energie pentru ca prin ciocnirea cu atomii retelei cristaline s produc ionizarea acestora, adic eliberarea altor electroni care, la rndul lor, provoac noi
ionizri etc.

Figura 2.1

se produce prin ambele mecanisme.

electronilor prin regiunea de tranzilie a jonctiunii p-n, chiar dac au o energre mai mic dect cea necesar depgirii barierei de potential. Pentru tensiuni la borne cuprinse intre 5 V gi g V strpungerea jonctiunii

efectul tunel (Zener) - fenomen ce se produce pentru tensiuni la borne mar mici dect 5 V gi care se explic^lund in consideralie comportarea dual und - corpuscul a electronilor. in esent fenomenul consi in trecerea

in conduclie direct, caracteristica unei diode Zener este identic cu cea a unei diode semiconductoare obignuite. Cotul caracteristicii in regim de strpungere este mai abrupt pentru diodele cu tensluni de strpungere mai mari de 8 V.

coeficientul

Constructiv, diodele Zener sunt asemntoare cu diodele semiconductoare obiqnuite, avnd diferit doar materialul semiconductor care are o concentralie mai mare de impuritti. Alegnd in mod corespunztor geometria jonctiunii gi doparea cristalului se pot construi diode cu tensiunea de strpungere de la mai pulin de 2 V la ctiva kV. puterea disipat admisibil pe diod depinde de tipul capsulci Ei variaz de la 0,25 W la peste 50 W.
ldenliticarea torminalelor se face
diotJa sernicrlrrrirrcloarul.

procentual a tensiunii de strpungere pentru o vanaiie a temperaturii diodei cu 1oc. Acest coeficient este pozitiv pentru diodele cu U2 mai mare de s V gi negativ pentru cele cu U7 mai mic de 5 V. Pentru diodele cu U2 in jurul valorii de s V, coeficientul de temperatur este apropial de zero. De re{inut c in funclionarea normal dioda Zener trebuie oolarizat invers. Simbolurile diodei Zener sunt iluslrate in figura 2.2.

de

temperatur

al

diodei zener reprezint variatia

in acelagi mod cu cel descrrs

penrru
D

Figura 2.2

Q, t \ti,n.n"l

Dioda Zener. Stabilizator cu diod Zener

Dioda Zener. Stabilizator cu diod Zener

caracteristica static_a diodei Zener poate fi aproximat ca in figura 2.3, aceast caracteristic liniar fiind modelat pe portiuni ca in figura 2.4.

diode ideale modeleaz regiunea cuprins intre uz


curentului prin diod este zero.

punctului in care caracteristica inlersecteaz axa tensiunilor gi reprezint de fapt valoarea tensiunii pe dioda Zener lucrnd in regiunea de strpungere. cele dou

semiconductoare obignuit. Elementele din ramura inferioar modeleaz comportarea diodei Zener in conducfie invers. Rezistenfa 17 = dUTldlT se nume$te rezisten! diferential (sau dinamic) gi reprezint inversul pantei caracteristicii in regiunea de strpungere. Tensiunea uz reprezint abscisa

in

conductie direct

Elementelc din ramura superioar modeleaz comportarea diodei Zener

gi au aceeagi

semnificalie

c gi

pentru dioda

rln alrmentare u1 gi curentur prin sarcin rs, Mrimire de mai sus trebuie s satisrur:!l relatia:

varorii rezistorului atunci cnd se cunosc limitele de varialie ale tensiunii

conectat ra bornere diodei Zener va fi arimentat ra o tensiune constant. Deci dioda Zener rearizeaz o srabirizare a tensiunii pe sarcin lrigura 2.51. proiectarea unui circuit stabirizator cu dlod Zener cnst inieterminarea

in cere mai

U., =

gi

p,

*unde

admisibil pe diod.

defavorabile conditii gi

R.(I, _ I, )* U. s nu permit

dep5irea puterii rlisrrratp

varoarea

ttL

Dz lU,

RL

),

Figura 2.5

Tinnd cont de faptul c curentul prin diod (suma lor


valoare
Uu,

la

cregterea curentulul prin sarcin scade

I. +I- = U't ,r 'z -

dat), rezult:

U, R

p( esle constant pentru

Uul .o* =

R.(Ir,*

Ir.*

)+

u,

Rmn -

"* -Uz Ir*n *Ir_*

U'l

Uur-,n =

R.(I..* +I,^")+IJ,

TI -IT _ R max -dt m -Z Ir..* *Irr_

Valoarea lui R se alege in intervalul [R.n, Rr"r]. Performan{ele unui stabilizator Oe tensiune e apreciaz prin: coeficientul de stabilizare So = rezistenta de iegire R,, =

Figura 2.4
2.2.2. Stabilizator de tensiune cu dioda Zener Deoarece in regiunea de strpungere tensiunea la bornele diodei Zenelr nu se modiflc pentru variafii mari ale curentului prin diod rezulr c o sitrc;irur
10

*!, oUr

11

= constant

9, olr-

U", = constant

ll

l)trrrl;r

i,rrcr

Stabilizator cu diod Zener

Dioda Zener. Stabilizator cu diod Zener

4.
2.3. Modul de lucru

1.

Se realizeaz montajul din figura 2.6 gi se traseaz caracteristica diodei in conducfie invers completndu-se tabelul 2.1. Aparatele de msur vor fi pozilionate pe gamele de 10 V gi respectlv 25 mA. Determinrile se fac cu voltmetrul pe pozitia 1 pentru curenli de pn la 1 mA 5i cu voltmetrul pe pozilia2 pentru curenti mai mari de 1mA.

se realizeaz montajul din figura 2.7 gi :;e traseaz caracteristica de iegire u1 = f(lL) a stabilizatorului pentru U21 = 20 V conform tabelului 2.4. Aoaratele se pozi{ioneaz astfel: | - pe 100 mA, ls - pe 25 mA $i UL pe 10 V Se va avea grij ca la conectarea sursei, R1 s nu fie pe zero ohmi.

Tabelul 2.4

D7

Rt

Figura 2.6

Tabelul2.l
lzlmAl
Uz

Figura 2.7
0,1

0,05

0.5

n.e

10

.t

E,

25

[M Pentru 17= 10 mA se citegte cu precizie valoarea U21 a tensiunii U7, apoi se va pune in contact direct vrful stafiei de lipit cu un terminal al diodei timp de 30 s (se regleaz stalia de lipit la o temperatur de 300"C). Se citegte
valoarea final U72 a tensiunii U7. Datele se noteaz in tabelul 2.2.

5.

2.

Aparatele rmn pozitionate ca la punctul nr. 4. Tabelul2.5 U"rlVj U, IVI {o to

se inlocuiegte potentiometrul Ri cu o rezistent fix de 1 ko gi se citesc valorile lui u1 pentru mai multe valori ale lui uul, conform tabelului 2.5.

tz

15

20

zz

24

Tabelul2.2

2.4. Conlinutul referatului

3.

Se inverseaz dioda Zener gi se traseaz caracteristica direct. Aparatele de rnsur vor fi pozitlonate pe gamele de msur de 1 V, respectiv 25 mA. Deterrninrile se fac respectnd indicatiile de la punctul 1, referitor la pozitia
voltmetrului. Se comoleteaz labelul 2.3.

1. se traseaz 2. 3. cu

Zener. Se determin grafic U7, Up,

pe acelagi grafic caracteristicile direct 5i invers ale diodei


r,

gi r2.
de

valorile oblinute

temperatur al tensiunii de stabilizare:

la proba de inclzire se calculeaz coeficientul

Tabelul2.3

frl-riil L_v_A.tyJ.l

ft,1mn1 'l

I or I
I I

o,s

'10

t"

15

20

25

CTUZ =
Tf

Il r*7.1 I .T"L: -

IL

Diocla Zencr, Stabilizalor cu diod Zener

Redresoare monofazate cu diode semiconductoare

4. 5'

unde T se apreciaz :a fiind aproximativ 50oc. Rezurtatur se noteaz in tabelul 2.2. Se reprezint grafic caracleristicile de iegire UL f(lJ gi de transfer U1 = = f(Uu) ale stabilizatorurui de tensiune gi se determin parameirii ss gi R6.

3.
-

REDRESOARE MONOFAZATE

SEMICONDUCTOARE
3.1. Obiectivele lucrrii

CU

DIODE

se determin R6, cunoscnd c Ro =


determinat la punctul precedent.

tt'B rz -K

gi se compar cu

varoarea

2.5. Evaluarea cunogtinfelor

1. 3. ! 5 6 7 I

, osciroscopuiui a tormetoi' oe und, corespunztoare varialiei in timp a tensiunii sau curentului redresat; evidenfierea efectelor diferitelor tipuri de filtre de netezire.
ajul0rur

vizuarizarea

prezentarea principalelor scheme de redresoare monofazate;

cu

2. De ce este

aplicat.

Dependenla curentului printr-o diod Zener in funclie de tensiunea invers necesar conectarea

3.2. Consideratii teoretice


3,2.1. Generatit{i Redresarea monoarternant are ra baz scnema din figura 3.1, forma de und a tensiunii redresate flind cea din figura 3.2.

rezistenle? Diferen{ere dintre o diod Zener gi o diod semiconductoare. Enrmerali parametrii caracterisitici importanfi ai diodei Zener. Precizali modul normal de lucru al unei diodei Zener. Explicali func,tionarea diodei Zener in conductie invers. Utilizrile diodei Zener.

in

serie cu dioda Zener

unei

Indicati dac urmtoarele afirma{ii sunt adevrate, argumentnd rspunsurile: Tensiunea de stabilizare a unei diode Zener este tensiunea care se aplic direct diodei. I Puterea disipat maxlm la o diod Zener este o functie de temperatur. 10. Dioda Zener poate avea rol de proteclie la supracurenli. 11. Diodele Zener se pot monta in serie.

mt!r
Figura
3.1

'12. Tensiunea

de stabilizare a dou diode Zener montate diferenla dintre cele dou tensiuni de stabilizare.

in serie este

Figura 3.2

La un redresor monoalternant, ca cel prezentat in figura 3.1, dioda redresoare conduce pe durata alternantelor pozitive, iar curentul prin R1 este
14
15

l.{t'rlrrr,,o;rre tnonolazate cu diode semiconductoare

Redresoare monofazate cu diode semiconductoare

propor]iortal cu lensiunea aplicat diodei. Pe durata alternantelor negative, dioda esle blocat, iar curentul prin circuit este nul. Se demonstreaz c valoarea medie a tensiunii iar amplitudinea primei armonici, redresate ste Uu = i,

in acest caz vom avea: )II Tt - -" n

Ti

Sl Y=-=U.OO
3

.2

U, = i.

Ti z

\
celei

Se definegte factorul de ondulalie ca fiind raportul dintre amplitudinea mai mari armonici si componenta continu. in cazul redresrii
1

Deaorece tensiunea de la iegirea redresorului este de form pulsatorie, iar pentru necesittile curente este necesar o netezire mult mai mare a tensiunii redresate (adic un factor de ondula{ie mult mai mic), pentru imbunttirea formei de und se utilizeaz filtrele. 3.2.2. Filtre cu inductant Functionarea acestora se explic prin acumularea de energie in cmpul electromagnetic al bobinei gi cedarea acesteia in sarcin, in alternanla negativ. In figurile 3.5 gi 3.6 sunt ilustrate schema redresorului monoalternant crr filtru inductiv gi formele de und ale tensiunii redresate fr inductant (linic intrerupt) gi cu inductant (linie continu), in acesr caz.

monoalternan!,

=2
L

= 1,51

Rezult penlru componenta de curent alternativ o valoare mai mare dect cea de curent continuu, ceea ce este dezavantajos. De asemenea, randamentul csle sc2u1, deoarece se folosegte numai o alternant a re{elei. Pentru imbunt{i rea performanlelor se folosesc redresoare bialternan! (ligura 3.3). Forma de und a tensiunii redresate este prezentat in figura 3.4.
Dr ^\l
I

t,,,
+

Err

Tt,,,

ftV-J
7l
D2

I\L

n
inductiv
demonstra c y = '

\r

DL

E
IU,

RL

1'
Figura 3.5

U1

Figura 3.3

Figura 3.6

Figura 3.4

in figurile 3.7 gi 3.8 sunt date schema redresorului bialternant cu filtru 9i formele tensiunilor redresate, fr gi cu inductant. Se poare

lransformalor cu priz median,

Schema redresorului bialternan! din figura 3.3, utilizeaz un in care secundarul este realizat din dou

inf5urri identice legaie in serie, la care se conecteaz cele dou diode D1 9i D2. Pe timpul alternan{ei pozitive conduce dioda Dr, iar dioda D2 este blocat. Pe timpul alternantei negative se inverseaz strile de conductie - dioda D2 va conduce, iar dioda D1 va fi blocat. De remarcal, c prin rezistenta de sarcin RL, curenlul trece intr-un singur sens, in ambele alternante. to

---' - , dac o.L )) R,urlSe observ c 1 scade o dat cu

R.

micgorarea sarcinii

Ri (deci cu

cresterea curentului de sarcin), cu cresterea inductantei gi cregterea pulsafiei. in general, filtrul inductiv nu se folosegte la redresarea monoaiternan!. El devine cu att mai eficient cu ct pulsatia este mai mare Deci, filtrele inductive se
17

Rerlr(rsoarc nlonofazale cu diode semiconductoare

Redresoare monofazate cu diode semiconductoare

folosesc pentru redresoare bialternant. Efectul de filtraj se mai poate explica prin micgorarea curenlilor de inalt frecvent de ctre bobin, a crei impedan! este proportional cu frecventa.

fr

^\r
I

U1

C.R,_.crt

E
3.10).

lu 21
V
I

l(1
**J

:I

lu
I

Ug

7l n v2
Figura 3.7 fr

Figura 3.1 0

nl cuL

Tensiunea medie redresat nu se schimb esential la redresarea bialternan! cu filtru capacitiv. Filtrarea poate fi imbunttit utiliznd filtre LC gi
T

in punte (punte redresoare), unde pe timpul alternanlei pozitive a tensiunii

in figura 3.11 este ilustrat schema electric a unui redresor bialternan!


u2,

Figura 3.8 3.2.3. Filtre cu capacitate in figura 3.9, condensatorul C se incarc rapid prin dioda D, la valoarea maxim a tensiunii din secundarul transformatorului, pe durata alternan{ei pozitive

conduc diodele D1 gi D3, iar diodele D2 9i D4 sunt blocate. pe timpul alternantei negative, starea de conduclie a perechilor de diode se inverseaz, dar sensul cderii de tensiune pe rezistenta de sarcin R1 va rmne acelasi. pentru

netezirea ondula{iilor se utilizeaz, in schemele practice, filtrul capacitiv. Acest


filtru se monteaz in paralel cu sarcina.

9i se descarc lent pe Rs cnd dioda D este blocat (in mpul alternanlei negative)" Descrcarea condensatorului este exponen{ial, dar penlru o
constant de timp R,'C suficient de mare, tensiunea scade practic liniar (figura

n
to

\r

tl

II

RL lU,

,1
Figura 3.11

tl

t,

c*

Rr

I
Figura 3.9

lu

tdtd

Se observ c tensiunea pe sarcin se apropie mult de cea ideal, constant, deci factorul de ondula{ie y scade. Curentul prin diod circul un timp limitat solicitnd dioda mai pufin din punct de vedere al puterii. Se poate rta c:

Figura 3.12

19

Redresoa re monofazate cu

iode semicond uctoare

Redresoare monofazate cu diode semiconductoare

3.3. Modul de lucru


Se identific componentele schemei electrlce din figura 3.13. Se realizeaz schema redresorului monoalternant. Se conecteaz voltmetrul si se msoar tensiunea medie redresat monoalternan! U6 in gol 4. Se realizeaz conexiunea intre punctele 2 gi 6, se conecteaz voltmetrul gi se msoar tensiunea medie redresat bialternan! in gol U6.

1. 2. 3.

4. Ce este factorul de ondula{ie? 5. Explicati funclionarea redresoarelor monofazate 6. 7.


transformator cu priz median.
Ce sunt filtrele? Care este rolul lor?

bialternan!

cu

)1 23:7

L-

Indicati dac urmtoarele afirmalii sunt adevrate, argumentnd rspunsurile: La un redresor monofazat bialternan! in punte, diodele conduc ambele alternanle. 8. Redresarea este procesul prin care un semnal continuu este transformat in semnal alternativ. 9. Un filtru capacitiv utilizeaz proprietatea condensatorului de a se 0pune varia{iilor de curent. 10. Un filtru inductiv utilizeaz proprietatea bobinei de a se opune varialiilor de tensiune. 11. Un redresor performant are un factor de ondulalie mare. 12. Dac se intrerupe sarcina unui redresor bialternan! cu transformator cu priz median, tensiunea de iegire va fi nul.

Figura 3.1 3

5. Se realizeaz conexiunile dintre punctele 2 - 3, 3 - 7 gi se conecteaz osciloscopul intre punctele 7 gi 8. Se vizualizeaz forma tensiunii redresate
pentru cele dou tipuri de redresoare (monoalternan! gi bialternant), fr filtru. 6. Se introduce in circuit inductan{a L. Se vizualizeaz pe osciloscop efectul

filtrajului inductiv pentru redresorul bialternant, variind curentul redresat

10, cu

ajutorul reostatului R. 7. Se scurcircuiteaz inductanla L gi se introduce condensatorul de filtraj C1 (conexiune 5 - 7). Se vizualizeaz efectul filtrajului pentru redresorul bialternan!, variind curentul redresat.

8.

Se introduc in circuit L $i Cz, realiznd filtrul

z.

Se vizualizeaz

cu

ajutorul osci loscopu lu i efectu I filtrul u i pentru redresoru I bialternan!. 9. Se traseaz caracteristica U6 = f(ls) pentru redresoarele monoalternan{ gi bialternan! cu filtru capacitiv C2. Curentul l0 se msoar cu ajutorul miliampermetrului conectat in circuit.

3.4. Evaluarea cunogtintelor

1 2. 3
20

Ce sunt redresoarele?

Clasificati redresoarele monofazate. Utilizrile redresoarelor monofazate.


zl

.flr'lr trril!,lt{ ilrr :,lirlrr:o alt) unui tranzistor bipolar in conexiune emitor comun

itir(;lt'li!'lr(:ilt, rl;rltt:l itlt'

rrrlrrr

tr?lll/istor birlolar in conexiune emitor comun

4.

CARACTERISTICILE STATICE ALE UNUI TRANZISI OR BIPOLAR iTI CONEXIUNE EMITOR


COMUN

/Regiunea activ pentru care jonctiunea emitor


direct, iar joncllunea colector

normal

4.1. Obiectivele lucrrii

caracteristlcile sunt drepte paralele gi echidistante, avnd panta mai mare dect la conexiunea baz comun. Pentru explicarea acestei particularitti se porne$te de la relalia de legtur intre lc gi ls, care este de forma:

de funclionare a tranzistorului ca amplificatoy in aceast

- baz este polarizat baz este polarizat invers, constituie regiunea


regiune

ridicarea familiilor de caracteristici de iegire, caracteristici de intrare gi de transfer pentru un tranzistor de Si de tip npn: evidentierea regimurilor de funclionare'ale unui tranzistor bipolar.

'o-l l.=
unde

l_;

Ir Fl_0" I.rn =Fr'[r-1"n,, i F,

4.2. Consideratii teoretice


caracteristicile statice .reprezint grafic interdependen!a dintre curentii tranzistorului gi tensiunile aplicate intre terminale. Aeste ,uni specificate de ctre firmele productoare in cataloage, in "r""t*iirti"i tipul funclie de conexiunii 9i de tipul tranzistorului. Schema pentru trasarea experimental a caracteristicilor statice ale unui tranzistor npn in conexiune EC este ilustrat in figura 4.1. Toate famiriire de caracteristici se reprezint in primul cadran, degi tensiunile gi curentii pol avea

I.uo = (F, + 1)-IcBo

I."o

16 prin intermediul factorului 1l(1-a). De asemenea, datorit modului de conectare, o anumit fracliune a tensiunii VcE actioneaz direct asupra jonctiunii emitor - baz. 4egiunea de blocare se caracterizeaz prin faptul c ambele joncliurri

reprezint curentul de tiere al colectorului in conexiune EC, cnd le = 0. Rezult c varialii mici ale lui or cauzate de V6p au o influen! mai mare asupra curentului

diferite sensuri.

sunt polarizate invers. Aceast regiune este cuprins intre caraclerislica


corespunztoare lui ls = 0, cnd lc = lceo gi abscisr/aloarea minirn a curclrrlrrlrri de colectoreste 1669i se obtine cnd lE = 0. in acest cazdin relatia:

I, = -(l - uo J. I, - I.r,,
rezult In = -lcao.

4egiuna de saturalie, spre deosebire de conexiun ea baz comun, cslrr situat in primul cadran gi intervine canO lV..l<lV*rl. in acest caz arnbr:lcr jonctiuni sunt polarizate direct fapt ce duce la o cregtere important a curenltrhri
ls. Pentru men{inerea constant a lui ls trebuie sczut tensiunea Vsg gi astfel irr

curentului de colector fa{ de tensiunea de iegire, avnd ca'parrm"tr,J cle irrtrar'c curenlul bazei, adic lc = fce) pentru ls constant. Aici se distino = trci rr.(rl,nr (ro funclionare.

I Famiria caracteristicilor de iegire reprezint dependenta intensiltii

Figura 4.1

lVo,I are loc scderea rapid a curenfilor 16 9i ls.r/ Caracteristicile de iegire nu trec prin origine, ci sunt deplasate spre dreapta pe axa tensiunilor, cu valori cuprinse intre V6g = -(0,005 .0,05) V. Familia caracteristicilorde intrare reprezint dependenta curentului bazei, in functie de tensiunea emitor - baz, avnd ca parametru tensiunea colector emitor, sau le = f(VeE) cu V6E drepl parametru. Atunci cnd Vss = 0, dup cum rezult din relafia anterioar, curentul de baz este egal cu - 16s6. Dnd valori cresctoare negative lui Vee, curentul ls scade mai inti la zero, apoi prezint o
domeniul de valori lV., | <

cre$lere exponenlial obignuit


reqiurrera

in domeniut de vatori lfr"rla l%ul, ,Oi"a in

acliv, caracteristicile sunt influentate de V6g prin efect Early. in schimb,

zz
23

(,;rr;rr'lr,l:,lrr;rl(r statlce ale unui tranzistor bipolarin conexiune emitor comun

Caracteristicile statice ale unui trarrzistor lriprllar in conexiune emitor comun

Jrlnlrrr vrrlorr l\',

,l

1V,,,,

I are loc o puternic

influen! a tensiunii V6g asupra

4.5.
1.
z.
3.

Evaluareacunogtinlelor
Reprezentati grafic caracteristicile statice leoretice ale unui tranzistor bioolar in conexiune EC.
Semnifi catia curentului lcso.

curentului ln. Schema mai permite ridicarea experimental a familiei caracteristicilor de

transfer, 16

regiunea activ lV., I a 1Vr,I , caracteristicile reprezint drepte care trec prin origine, panta lor fiind aproximativ

= f(ls) cu V6s parametru. in

egal cu Bo. in regiunea de saturaliu scade rapid l%rla lVru | , coeficientut spre zero, putnd deveni chiar negativ datorit faptului c 16 igi schimb sensul. Din cele expuse mai sus rezult c in cazul conexiunii EC, tranzistorul bipolar trebuie s func{ioneze cu tensiuni de colector ridicate pentru a se evita

p'

regiunea de saturalie, aceast regiune fiind utilizat numai


comutatie.

in

4. 5. 6. 7.

Care dintre caracteristicile statice ale unui lranzistor bipolar reprezint o dependent liniar intre doi parametri? S se calculezc ap unui tranzistor bipolar, dac BF = 200. Caracterizafi regiunea de blocare. Cum este curentul de colector la saturafie? Dar la blocare? Care este dependenta dlntre curentul de colector 9i curentul de baz?

regimurile de

4.3. Modul de lucru


Echipali placheta asociat cu componentele alese gi asigurali-v c aveti
contacte sigure. La conectarea aparatelor de msur urmrili ca polaritatea bornelor s corespund cu cea cerut de schem. Se traseaz caracteristicile de intrare la un tranzistor de tip npn cu siliciu, de mic putere. La punerea sub tensiune a montajului, tensiunea V6s rmne la

zero. Se modific apoi tensiunea Vsg inspre valori superioare pn

la

baleierea complet a scalei microampermetrului. Notafi un set de valori pentru Vss gi lg. Ajusta{i tensiunea V6g la 1 V $i repetati citirile in corelatie cu Vss. Repetati citirile pentru Vce = 5 V, 10 V gi 15 V. Asigurati-v c in timpul variatiei lui ls, tensiunea V6s rmne absolut constant. Ridicafi diagramele, la scar corespunztoare, pentru curbele obtinute la V6. = 0 V, 1 V, 5 V, 10 V gi respectiv 15 V.

alimentarea montajului, se va regla curentul din baz la 10 pA. Ajusta{i tensiunea Vce de la 'l V la 15 V gi notafi valorile corespunztoare ale lui 16. Reluali citirile lui 16 in coresponden! cu V6E stabilind in fiecare caz urmtoarele valori pentru curentul de baz: 20 pA, 30 pA, 40 pA, 50 pA gi de asemenea 0 pA. Trasati la scar ctrrespunztoare curbele astfel obtinute. Se ridic caracteristicile de transfer in curent, 16 = f(ls) cu V6s parametru. Astfel, dup punerea sub tensiune a circuitului, se regleaz Vcr = 1 V. Se va

Se traseaz caracteristicile de iegire pentru acelagi tranzistor.

Dup

regla lel

la 10 pA, 20 pA, 30 pA, 40 pA, 50 pA citindu-se valorile


16.

corespunztoare pentru

Se vor relua citirile pentru V6g = 5 V, 10 V, 15 V.

4.4. Continutul referatului

2.

S(ixnn;rd0 fixnlat folosita in la borator $i labelele cu &lele expedmentale. Cu fiirrlonrl(ftrl(rk)l experimenlale culese se vorlrasa cracle sticile de je9irc, (l( irrlnIr' fi r)!t'r'(1iv d(: lrnsfer in curent.
25

24

Polarizarea lranzistorului bioolar

Polarizarea tranzistorului bioolar

5. POLARIZAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR


5.1. Obiectivele lucrrii

-Caracteristica

16

Uce mici (regiunea l) curentul lsvariaz puternic cu tensiunea Ucr. in regiunea ll,

= f(U6g) prezint trei regiuni distincte. pentru tensiuni

5.

familiarizarea cu caracteristicire statice are tranzistorurui bipolar sub form graflc; reprezentarea grafic a dreptei de sarcin determinarea parametrilor 5i ei; definirea puncturui static de funcJionare ar tranzistorurui biprar; rolul circuitelor de polarizare; configuralii are circuiteror de porarizare gi performanlere acestora.

lc variaz foarte pulin la variatia tensiunii Ucr, curefltul de colector depinzncl practic numai de curentul de baz. in regiunea lll, dac U6p cregte prea mult tranzistorul se strpunge, fiind in pericol de a se distruge dac valoarea curentului nu este limitat de o rezistenl ert.enoary'1

EC

2 Considerafii teoretice

RC

Tranzistorur biporar poate fi asimirat cu un cuadripor, in care unur din lr,lnninale se consider element de referln!, comun att circuitului de intrare ct 1i cclui de iegire. in conexiune emitor-comun (EC), circuitul de intrare este realizat rlrn lenninalele baz gi emitor, iar circuitul de'iegire confine corectoiur emitorul
(li1lrrra 5.1).

li

lei < lBo

lc (Ucd.

In func{ionarea ca amplificator este folosit regiunea a ll-a a caracleristicii Reprezentnd grafic varialia lc (UcE) pentru mai multe valori ale

prezint caracteristicile de'ie$ire ale tranzistorului BC 171" in funclionarea ca amplificator, in colectorul tranzistorului se conecteaz o rezisten! R6 (figura 5.3).

curentului de baz se ob{ine o familie de curbe care reprezint caracteristicile statice de iegire ale tranzistorului bipolar ln conexiune EC. in figura 5 2 se

conexlune emitor-comun ln
iegire:
15

igura

5.1

= f(UcE) pentru 16 constant gi 16 = f(U6e) pentru Uer constant.,r Dac se reprezint grafic dependen.ta curenturui G cotectorln functie de lensrunea colector-emitor la curent de baz constant (conexiunea rcl, se ,inline o familie de caracteristici de forma celor prezentate in figura 5.2.

se definesc dou familii de caracteristici de

functionarea normar, jonctiunea B-c trebuie oorarizat practic numai cracieristicire p"nttu ". > 0 la tranzistoarele npn gi U6E < 0 pentru tranzistoarele pnp.

Deoarece

invers, au

o importan!

in

Figura 5.3
27

l'olirr rzirrca lrarrzistorului Lripolar

Polarizarea tranzistorului bipolar

In circuitul de iegire al tranzistorului bipolar se poate scrie relatia:

Elernerrte lo rlc circutl Oare ctlncur la stabilirea curentului de baz corespunzlor PSF-ului alcs pe dreapta de sarcin, constituie circuitul de

8,. =

R.

.1,. +U"o

Relalia de mai sus, in coordonatele U6g qi 16, reprezint ecuafia dreptei de sarcin gi se reprezint grafic prin intersecfia cu axele: lc = Ec / R6 pentru Usg = 0 si respectiv u6s = E6 pentru lc = 0. Deci, dreapta de sarcin se traseaz in planul caracteristicii de iegire 16 = f(ucE) pentru ls constant 9i este reprezentarea grafic a ecuatiei rezultate prin aplicarea legii a ll-a a lui Kirchhoff in circuitul de
iegire.

polarizare. Cerinla esen{ial la care trebuie s rspund un circuit de polarizare, este aceea de a pslra ct mai constant PSF la variafiile temperaturii sau la varialia parametrilortranzistorului, adic de a stabiliza PSF. in figurile 5.5, 5.6 gi 5.7 se prezint trei tipuri de circuite de polarizare
principale.

in figura 5.5 curentul de baz este asigurat de rezistenla Rs de valoare mare in serie cu sursa E6. Valoarea ei se calculeaz cu relalia:

Intersectia acestei drepte cu caracteristica lc(Uce), corespunztoare curentului de baz lg generat de generatorul de curent constant, reprezint punctul static de funclionare (PSF) al tranzistorului. coordonatele psF reprezint
tensiunea curentul 16 al TB. Dac, pentru Ec gi Rc date, se modific valoarea lui ls se obtine un nou PSF situat pe aceeagi dreapt de sarcin. in func{ionarea ca amplificator se aplic pe baz o tensiune variabil care determin variafia curentului de baz fat
U6p- gi

p- = Et -u"

"

t,

valorii de regim stationar. De aceea, de regul, psF se alege la mijlocul dreptel de sarcin (U6s = E6 / 2). La cregterea temperaturii, factorul de amplificare Be al tranzistorului cregte. $i, de asemene, lcao cregte. in consecint, curentul de colector I.. =Fr.I" +(Fr+1).IcB. cregte. Rezult o deplasare in sus a caracteristicilor de iegire ale TB. ca urmare se deplaseaz gi pSF pe dreapta de sarcin 9i nu se va mai situa la mrllocul acesteia. Dac deplasarea este prea mare, tranzistorul nu mai poate func{iona corect ca amplificator, excursia in sus a psF fiind limitat la o valoare mai mic (figura 5.4).

de regimul stalionar. ca urmare PSF se deplaseaz de-a lungul dreptei de sarcin. Dac semnalul aplicat pe baz este sinusoidal, atunci psF se deplaseaz de-a lungul dreptei de sarcin in mod egal in stnga gi in dreapta

unde lJu, Up (0,6 V la Si 9i 0,2 V la Ge). Circuitul este simplu, dar asigur o = stabilitate slab a PSF. in figura 5.6 s-a adugat rezistenla Rg in serie cu emitorul, rezistenl care intervine foarte eficient in stabilizarea PSF. Valoarea ei se poate calcula in functie de stabilizarea necesar a PSF sau se alege empiric astfel inct cderea de tensiune pe RE sa fie de (2 - 4)V.

+Ec
R^
Re

Rs

')

u"'

,-f;--\ "(l

tr

Figura 5.5

.Figura 5.6

&'

circuitul de polarizare din figura 5.7 asigur cea mai mare stabilitate a PSF, deoarece divizorul rezistiv din baz asigur in plus 9i pstrarea constant a poten{ialului bazei.

5.3. Modul de lucru

1.
Figura 5.4
28

Se realizeaz montajul din figura 5.8 9i se citescvalorile lui U6s completnduse tabelul 5.1. Valoarea curentului lc se regleaz cu ajutorul poten{iometrului P din baza tranzistorului.
ZY

Polarizarea tranzistorului bioolar

polarizarea tranzistorului bioolar

se
Y

introduce

in

emitor

rezisten! RE,

4,7MA
Rg

3.t.

ohmmetrul gi se readuce U6g la valoarea de 5 V. se citegte noua valoare a lui lc pi se efectueaz proba de inclzire ca la punctul 3, completndu-se tabelul

crei valoare se msoar cu

se realizeaz montajul din figura 5.9, se msoar tensiunile usE gi UHp gi se calculeaz lc = une i Rg. se efectueaz proba de inclzire ca tJ funcfut 3 gi se completeaz tabelul 5.2.

82KO

rB

Rer

82KO

Figura 5.8 Tabelul 5.1


Rez

lOKQ

V gi se

se inlocuiegte rezistenta de 2,2 Ko din corector cu arta de 1 Ko gi se repet msurtorile de la punctul 1 conform tabelului 5.1 In montajul din figura 5.8, pentru R6= 2,2 KO gi E6 10 V se fixeaz Ucr = 5 =
citegte varoarea rui 16.

tranzistorului bipolar, utiliznd statia de lipit la o temperatur de 300oc. Astfel, se va pune in contact direct vrful statiei de lipit cu baza tranzisorului timp de 30 s. Se citesc valorile finale ale U6E gi se trec in tabelul 5.2. Tabelul 5.2 Cu Rs in serie cu
Cu divizor in

se

observ influenta temperaturii ,lupru

Figura 5.9

5.4. Confinutul referatului

1. schemele montajelor folosite in laborator 9i tabelele cu date experimenlale. 2. cu ajutorul datelor experimentale culese la punctele 1 si 2 se traseaz

3.
= l6(cald)

l6(rece)

dreptele de sarcin in coordonate Uce, lc. se determin din grafic punctele de intersectie ale acestor drepte cu axele, precum gi paniele lor. se determin acegti parametri gi din relalia E6 = (R6+ RE).16 + U6s, gi se trec rezultatele in tabelul 5.3. Se va rspunde in scris la urmtoarele intrebri: - explicali detaliat modul in care rezistenta RE intervine in stabilizarea pSF cu temDeralura:

- ce parametrii ai dreptei de sarcin se


rezistentei de emitor ?

modific prin introoucerea

30
11

I'ril,l

r.';rrr,;r lr ltrzislotttlui bipolar

Pararnelrii h ai tranzistorului bipolar

l)uluri)a disipat adrnisibil pentru tranzistorul folosit este de 300mW. S-a depgil aceasl valoare in timpul msurtorilor ? explicati modul in care divizorul din baz intervine in stabilizarea PSF.

6. PARAMETRII h AI TRANZISTORULUI BIPOLAR


6.1, Obiectivele lucrrii

Montai fiqura 5.8

familiarizarea cu parametrii de cuadripol ai tranzistorului bipolar; determinarea parametrilor h; rela{ii de legtur intre parametrii h gi cei naturali ai tranzistorului,

Panta (mA /

6.2. Gonsiderafii teoretice


Circuitele echivalente de semnal mic pentru tranzistoarele bipolare se pot obtine prin dou metode. Ambele metode conduc la aceleagi concluzii, in legtur cu comportarea tranzistorului bipolar in regim variabil de semnal mic. Circuitul echivalent la semnal mic modeleaz comoortarea tranzistorului la mici varialii ale curenlilor gi tensiunilor in jurul punctului static de funclionare.

5.5. Evaluarea cunogtinfelor

Dac tranzistorul funclioneaz


semnal mic este IAVR.I

in regiunea activ normal, atunci conditia de

1. Influenta temperaturii asupra tranzislorului bipolar. 2. Ce este dreapta de sarcin? 3. Ce este punctul static de funclionare? 4. Procedee pentru stabilizarea PSF-ului. 5. Indicalicel pulin o cauz a instabilittii PSF-ului.
Indicafi dac urmtoarele afirmalii sunt adevrate, argumentnd rspunsurile:

,, (,

k'T

;
in

Parametrii circuitului echivalent natural (prima metod) sunt determinati in funclie de fenomenele electronice din tranzistor gi depind de parametrii constructivi 9i de material ai acestuia.

A doua metod de oblinere a unui circuit

echivalent, const

6. 7. 8. 9.

Dac un tranzistor lucreaz ca amplificator, iar curentul de baz cre$te,


atunci tensiunea U6g cregte. Principalul parametru al unui tranzistor care se modific cu temperatura este tensiunea de alimentare. Punctul static de func{ionare este determinat de curentul gi tensiunea de intrare, corespunztor tensiunii de alimentare a circuitului.

considera tranzistorul ca un cuadripol. Parametrii de cuadripol ai TB sunt definili in condifii limit de func{ionare (doi dintre ei cu intrare in gol sau in scurtcircuit), fiind ugor de simulat practic ai deci acegti parametrii se pot msura ugor. Dinlre

parametrii de cuadripol de joas

gi

medie frecvent cei mai utiliza{i

surrt

oarametrii hibrizi. intre parametrii hibrizi gi cei naturali ai TB se pot stabili relatii de legturii astfel inct, prin msurarea parametrilor h, se pot determina gi cei naturali. Circuitul echivalent natural (pentru montajul EC) este ilustrat in figura 6.1.

Cunoscnd circuitele de polarizare, dac curentul de colector cregte, atunci tensiunea colector-emitor cregte. 10. Punctul static de funclionare depinde de circuitul de polarizare 9i nu deoinde de tioul tranzistorului.

t
I

"-l
I

l-"
Figura
6.'1

32

33

|'F{tHntFlttt lr ril Irirrrzrsl0rului biOolar

Parametrii h ai tranzistorului bioolar

yoncliurii emilorului polarizat direcl, C6" - capacitatea jonctiunii emitorului polarizat direct, r5,,, - rezistenta jonctiunii colectorului polarizat invers, cp,. capacitatea joncliunii colectorului polarizat invers, g. - transconductanla
(modeleaz efectul de tranzistor) gi r""

ltl cir(:uilul ct:hivalent natural 165 (uneori notat r,) - rezistenta intrinsec a bazei (rri.risl(,nln inlre conlclul bazei 9i baza intrinsec), rs,u (notat gi r,r) rezistenta

Tabel 6.1

Parametrii hibrizi sunt parametrii de cuadripol, care determin circuitul echivalent din figura 6.2.
rela!ii:

rezistenta colector-emitor.

Intre parametrii naturali gi parametrii hibrizi sunt stabilite urmtoarele


{J

U, = h,, .[, +h,, . U"

fb"

i'b,e

hrt

[, = h,, .I, +hrr.U,


l1

ffr

fb,"

=h .o "11 t)be'
= hr, --,
= g.. = hz,
o

fbb'

.l

,1

hrz Uz

n., || (Jtv
I

1l

I tt

- -:'ce

h:r '8r'"

- (-_0mr\ Lb" =

Figura 6.2

JIt. | | "a--Lu,.,

unde gr = 40.1c, iarfl_frecvenla detiere a TB.

Semnificaliile parametrilor hibrizi 9i conditiile sunt urmtoarele:


TT

?n

care sunt pugi in evident

6.3. Modul de lucru


1.

- h,, = ] = h, ,,
I.

cu

U2

= 0 - impedanla de intrare cu iegirea in scurtcircuil;

se

realizeaz montajul din figura 6.3.

polaritti i condensatorului electrolitic. 2.

se va avea grrj la

respectarea
al

- h',

TT

Se regleaz din
rrln

potenliometrul

ij
T

h.

cu lr = o - coeflcientul de transfer invers in tensiune cu intrarea

tranzistorului bipolar, astfel inct Uce = 4,6 V gi deci lc 2 mA. =

Rg punctul static de functionare

se aplic un semnal
gi
u6g1.

In got;

msoar

un cu niverul de 300 mV gi frecventa de 1 kHz. se Sedetermin h21 gi h11 cu ajutorul relatiilor:

- rh:r = irl
- h,,
=

= h,

cu

U2

=0

coefieientul de transfer direct in curent cu iegirea in

^l

scurtcircuit;

uou, ro h-.= R'' -R'' '' ,, - rou, uour

= h" cu

11

conductanla de iegire cu intrarea in gol.

Ru .uR" k_r6
' ur*uin

u,

Valoarea parametrilor

tranzistorul, motiv pentru care parametrilor li se atageaz indici, care indic tipul conexiunii (Ec, cc sau BC). Astfel, se prezint in tabelul 6.1 indicii parametrilor hibrizi, in cele trei configuratii de circuit.
34

depinde

de

conexiunea

in

u,n

care lucreaz

Re

u,

35

Pararnetrii h ai tranzistorului bipolar

Parametrii h ai tranzistorului bipolar

10v

6.4. Continutul referatului

1. 2.

3.
l).

Schemele montajelor folosite in laborator gi datele experimentale. Se calculeaz R,n gi Rqa cu parametrii hibrizi determinall experimental gi se verific indeplinirea condifiilor de msur: Ro ,, R,n 9i R'5 << Roul. Se calculeaz parametrii naturali ai lranzistorului bipolar. Se cunosc fr = 300

MHz,C5"=6pF.

6.5. Evaluarea cunogtinfelor

Figura 6.3

1. Circuite echivalente de semnal mic. 2. Condilia de semnal mic. 3. Semniflcalia parametrilor hibrizi. 4. Cu ce parametru hibrid este echivalent factorul de amplificare Bs? 5. Semnificatia parametrilornaturali. 6. Relatii de coresponden! dintre parametrii naturali gi parametrii hibrizi.

4.

Se realizeaz circuitul din figura 6.4, nemodificnd pozitia potenliometrului


Rs. Se verific faptul c U6s

= 4,6 V.

Ec= 10V

Figura 6.4

5. 6.

Se aplic un = 1 V.1$i se cite$te un. Sedetermin h12 cu relalia: h12 = u;p/ug Se scoate potenliometrul RB din montaj gi se msoar valoarea rezistentei. Not: Toate conexiunile se vor realiza cu cabluri ecranate.
JO

JI

Repetor pe emitor
Repetor pe emitor

7. REPETOR PE EMITOR
7.1. Obiectivele lucrrii

determinarea principalilor parametri ai conexiunii colector-comun; analiza func{ionrii in c.c. gi in semnal mic a unui repetor pe emitor; vizualizarea semnalelor cu ajutorul osciloscopului; determinarea amplificrii in tensiune a repetorului pe emitor.

Aceste relalii se pot folosi, fie pentru determinarea rezistentelor Rs ii R6,, . dac se cunoagte punctul slatic de funclionare gi E6, fie pentru determrnrrea PSF, da^c se cunosc Re, Re, r $i Ec. In figura 7.2 se prezint schema echivalent de semnal mic a reoelorului pe emitor, folosind pentru tranzistor circuitul echivalent simplificat cu paramelri
hibrizi.

7.2. Considerali i teoretice in amplificatoarele cu mai multe etaje apare frecvent cerinta de a adapta o impedan! de iegire mare la o impedant de intrare mic. La aceast cerin! rspunde etajul de amplificare cu tranzistor in conexiune colector-comun, denumit repetor pe emitor. Acest etaj are impedant de
intrare mare gi impedan! de iegire mic. Schema uzual e repetorului pe emitor este ilustrat in figura 7.1.

''ll d iln,,
Uin I

hzr'io

I** L
J

R.I

Rr

I
Figura 7.2

lu"*

vc ^ ^ u------------lll r

Pe baza acestei scheme se pot calcula expresiile amplificrii in lensiune, rezistenlei de intrare gi rezistentei de iegire"

^-

ffi. +l) R h,,+(F, +t).REL

'

unde

R", =

Rn'RL
R.. + R,

1,.
Figura
7.1

R=
m

R" . [tr,, + (p. + t). R.,_ ] R, +h,, +(F, +t).Ru,

r,_(L.rU)
R

Baza tranzistorului este polarizat prin rezistenta serie Rs de la sursa de alimentare. Semnalul de intrare se aplic pe baz, iar cel de iegire se culege pe rezistenta R6 din emitor. Polarizarea bazei poate fi realizat si cu ajuto_rul unui divizor rezistiv, de la sursa E6. In regim stafionar se pot scrie relatiile.
Ec= Re'ln+ Uee + (r+ 1).RE.lB Ec= UcE+ (Fr+ 1) RE.IB

il4j\" "
F. +1
R,,,

B- +1

lc= r
38

ls

se observ c amplificarea in tensiune este rezistiv (semnalul de iegire este in faz cu semnalul de intrare) gi foarte apropiat de unltate (semnalul de iegire este practic egal cu semnalul de intrare). De aici gi denumirea de etai repetor pe emitor.
Penlru
100 0.

se oblin valori putin peste 100 kO, iar pentru

Roul

valori sub

h'(,llr,l(lr pr, cilttlrrr

Repetor pe emitor

Dcoarece amplificarea in tensiune este ugor subunitar, s-ar prea c etalul repelor pe emitor nu poate introduce distorsiuni. in realitate el disiorsioneaz semnalul de Intrare dac acesta variaz in limite largi. Printre
cauze mentionm: c deoarece rela!ia l6(ls) este liniar numai in domenii mici de variatie a lui
16,

4.

Cu un = 0,5 Vu1 se regleaz Rc pn cnd urn = unl2. in aceast situa]ie Rin = Rs.Se scoate Ro din montaj gi i se msoar valoarea. Se calculeaz
pe cale teoretic R,n gi se compar cu rezultatul oblinut experimental.

5.

rezult c la varia{ii mari ale acestuia Be nu mai este constant

gi

D !

semnalul de iegire apare distorsionat;

dac uln variaz in limite prea largi, este posibil ca s determine blocarea gi (sau) saturarea tranzistorului, adic limitarea (deci
distorsionarea) semnalului de iegire;

dac rezisten{a de sarcin este de valoare mic, este posibil ca,

la

niveluri mari ale semnalului de intrare (deci gi de iegire), curentul cerut de sarcin s fie mai mare dect curentul le din PSF. deci semnalul de regrre se distorsioneaz.

7.3. Modul de lucru

Se realizeaz circuitul din figura 7.3. Se regleaz Rs, astfel inct U*r = V. Se msoar Rs gi Rs.

='l 0 V

Cu un = 0,5 V"1 9i Rn = 0 se conecteaz ca sarcin o rezisten! de 100 O Se constat c tensiunea de iegire este limitat. Se verific prin calcul c de fapt valoarea maxim a curentului cerut de sarcin este mai mare dect lc din PSF. Pentru msurarea rezistenfei de iegire se pasivizeaz generatorul de semnal (us = 0), deci se indeprteaz generatorul de semnal gi in locur su se introduce in montaj o rezisten! de valoare aprcpiat de cea a rezisten{ei de iegire a generatorului, in cazul nostru 620 O. in acest caz in baz, tranzistorul ar avea Cs in serie cu Rn. Deoarece ins, in aceast situafie, condensatorul C6 are numai 100 nF, impedan{a lui la 1 kHz flind de aproximativ 1,6 kO (mai mare ca Rn) se inlocuiegte acesta cu un condensator cu tantal de 10 nF (se utilizeaz un condensator cu tantal deoarece are curentul de fug foarte mic (pierderi mici), mult mai mic dect la condensatoarele electrolitice gi astfel nu influenfeaz ls al TB, din PSF, care este de ordinul pA). Se aplic metoda de msur a rezistenlei de iegire utiliznd un generator de semnal un in locul sarcinii. Se msoar in gol 500 mV la bornele generatorului de semnal, se conecteaz in locul sarcinii Rs gi se msoar noua valoare u, a tensiunii la bornele sale. Se
calculeaz rezistenla de iegire cu relatia:

R.ur=

R- .u,

u,

"

-ui"

unde Rn = 600 fl,

Se comoar acest rezultat cu valoarea dedus teoretic.

7.4. Conf inutul referatului

1.

Schema montajului de lucru din laborator 9i datele experimentale conform


tabelului 7.1.

f,,
Figura 7.3

Tabel 7.1

Se regleaz R,, la zero gi se aplic de la generator un semnal de 1 kHz nivelul 0,5 V,.r. Se msoar uo,, gi se calculeaz A,. Se calculeaz Au
pe cale teoretic $i se compaf cu rezultatul experimental. Se creq;te nivelul sernnalului de intrare pn cnd semnalul

gi
Si

apare dislorsional. Se noteaz amplitudinea acestui semnal conrrrar crr U , rlrrt PSF.
40

de

gi

iegire se
3

Relatiile de calcul utilizate pentru determinarea pe cale teoretic a R,n 9i respectiv Rex1, pfcurTr gi valorlle numerice pentru elementele ce intervin in relafiile respective. Se determin amplificrile in curent 9i putere a etajului repetor pe emitor. Se vor reproduce semnalele vizualizate la prunctele 2, 3 9i 4 ale modului de
lucru.
41

ir'rr!lrlt lrr liltilol

Amplifi catoare cu tranzistoare bipolare

7.5. Evaluarea cunogtin{elor

8. AMPLIFICATOARE CU TRANZISTOARE BIPOLARE


8.1. Obiectivele lucrrii
repetor

1 2

Sr;hcrna principial a repetorului pe emitor.

Explica!i tipul conexiunii tranzistorului,


pe ernito r.

in cazul circuilului

3. Utilizarea etajului repetor pe emitor. 4. Avantajele conexiunii cu colectorul comun. 5. Realiza{i o schem ?n conexiune colecror comun, cu tranzistorul 6.

determinarea amplificrii, rezisten{ei de intrare gi rezistentei de iegire,


frecven{e medii, pentru diferite etaje echipate cu un tranzistor bipolar;

la

bipolar polarizat prin divizor de tensiune. se determin punctul static de functionare al tranzistorului (fr valori numerice). utiliznd circuitul echivalent simplificat cu parametrii hibrizi pentfu schema de la punctul precedent, se calculeaz R,n, Rog1, A, gi A (fr valori numerice).

eviden!ierea influenlei condensatoarelor de cuplare gi decuplare asupra caracteristicii de frecven! in domeniul frecventelor joase; vizualizarea semnalelor pe osciloscop.

8.2. Consideratii teoretice


in figura 8.1 esle prezentat schema unui amplificator cu un tranzistor npn in conexiune emitor comun. Punctul static de func{ionare al tranzistorului
este determinat de valorile rezistenlelor R:, Ra, R6, R7 gi sursa E6, precum gi de

parametrii tranzistorului,
frecvent.

semnalului de la generator fr a modifica polarizarea bazei tranzistorului, iar condensatorul Cg scurtcircuiteaz rezistenta Rz ?ncepnd de la o anumit

Fr $i

Uee

Condensatorul

Cs permite

aplicarea

(Br = Bz)

Figura 8.1

Utiliznd pentru tranzistor modelul Giacoletto. se obfine pentru circuitul din figura 8.1, circuitul echivalent ilustral in figura 8.2. Caracteristica amplificare-irecvent va 1l determinat de cele patru condensatoare din circuil Ct,", Ct ., Cs Ei C6. in funclie de aceste valori, rspunsul amplificatorului in frecvent poate fi ?mp(it in trei domenii: - domeniul frecvenlelor medii, in care amplificarea este practic constant;
42 43

Arr rlrlrlrc;lloar

c crr tranzistoare bipolare

Amp|tficatoare cu tranzistoare bipolare

dorneniul trecvenlelor joase, caracterizat printr-o reducere


datoril prezenlei condensatoarelor Cg gi Cg;

amplificrii
un0e:

domeniul frecventelor inalte,


condensaloarelor Csu gi C5,..

in care

amplificarea scade datorit


Cr,"

8','
urn

I | ,r. 'y'K'r

$l l'',

[],, - .-'

(8.2)

8cum tranzistorul

Rr

Cs

[oo'
Vb,e

iar uorl gi

, Parametrul y are valori cuprinse intre 1 9i 2, dup lucreaz la nivel mic, respectiv mare de injeclie. ' Dac [66 (( ;'o'u rezult:
Auv =

sunt valori efective.

1r
Ke = K:ll Ra

9. 'Ru

(8"3)

i,",

Rezistenla de intrare este dat de relatia:

R.

=Ie= lin

(r* +ro.).R"
rbb,

(8.4)

+rb" +RB

in
Figura 8.2

domeniul frecvenlelor joase, comportarea este determinat de

condensatoarele Cs gi Cg, circuitul echivalent fiind prezentat in figura 8.4. domeniul

Circuitul echivalent

al

etajului
?n

frecventelor medii este prezentat

din figura 8.1, valabil in

figura 8.3.

considernd pentru Cg o valoare care asigur o decuplare perfect pn la frecvente foarte joase. Frecvenla corespunztoare unei atenuri de 3 dB, numit frecvent limit inferioar, este dat de relalia :

Efectul condensatorului

de cuplaj Cs se poate pune in

eviden!

, 2n.C, .R'
Re
Vb,e

unde R'=Re+R,+s"
foo

(r*+ro.)
+roo, +rn,"

R"

(8 s)

Rr

vB

1'"".
Figura 8.3 Amplificarea de tensiune in modul (A,r.r = anlitaz) este dat de relalia.
-Aurvr

*"1

tl
*r'""

[ vl

R,llR.
deoarece uo,1 si
urn

sunt in

'r.'lrl

,t

Ll

,..,

gn,

.f,,,. R"
+ rbb,

_ 0, .R"
fn

(8.1)

U,,,

lj),,,

"

frrt

Figura 8.4

Efectul condensatorului de decuplare C1 poate fi pus in eviden! considernd pentru Cs o valoare suficient de mare, astfel inct s poat fi
44

45

Amplificatoare cu tranzistoare bipolare

Amplifi catoare cu tranzistoare bipolare

consideral scurtcircuit la frecvenla cea mai joas de lucru. obtinem urmtoarea


expresie pentru frecventa limit inferioar:

f,,

'' =---f-,.R" 2x.C.

unde R,,=

n,llh,, *.,. *(n, *n,)lln,1


(8.6)

F.+1

cnd cele dou efecte se suprapun, frecvenla limit de jos va fi mai mare dect fie.care din frecvenfele flr $i fu, dar nu va depgi suma lor. in cazul in care'iezisienta in emitor nu este decuplat se obline un etaj cu sarcin distribuit. lmpedanta de intrare se mregte, iar amplificrea scade. Din schema echivalent ilustrat in figura 9.5, se oblin relatiile:

*Ln

=Rr llk" +.0. +(p. +r)n,]


rbb,

(8.7)

Artv -

uou,
um

-.R.
+rb,e +(po

+1).R,

-R"

R.

(8.8)

Figura 8.6

8.3. Modul de lucru


K1 fno

tr
Rs

I
I

-tl "'"1u"
vl
uin

. 2.
1

Se identific montajul experimental din figura 8.7 gi se fixeaz Er; = 10 V.

Se msoar potenlialele continue ale colectorului U6, emitorului


precum gi la capetele rezistenlei Rs (Uer $i Uaz). Se calculeaz urmtoarele valori:

Ur

9m vo'"

3.
I
L

ugtV

Rg = R3llR4

E.-U"
=

,"j
r

?'",.

&

, - Uu, -Ur, "R,


ll--=ll^-llvb
-t vt

(8.10)

u^--U^-u-: ^I"
Pr lB

(8.11)

Figura 8.5
Dac se consider iegirea in emitorul tranzistorului obtinem:

(8.12)

Se verific astfel c tranzistorul lucreaz in regiunea activ normal.

,.uM ^r -

u.
qi

rbb,

[Bo

+l)

R,

+rbe

+(p, +l).R,

=l

-1

(8.e)

Pentru a elimina influenta rezistenlelor de polarizare asupra impedan{ei de intrare se poate utiliza schem bootstrap din figura 8 6.

8.3.1. Etaj cu un transistor in conexiune emitor comun 1. Se realizeaz schema din figura 8.'1 (se fac conexiunile 81- 82, B- C, iar Cs = Cr gi CE = C5). Se fixeaz frecventa generatorului de semnal f = 20 kHz gi se regleaz amplitudinea sursei de semnal pentru a obfine unv = 10 mV"r. Se msoar u,, gi u,,,,1 gi se determin: a. amplificarea la frecvenle medii Arr= uesl/ uln (8.13) b. rezistenla de intrare R,,,= Lln/ ilp= R1 .u,n/ (uo- u,n) (8.14) Rezultatele se trcc in tabelrrl 8.1.
47

46

Arnplilrc;aloare cu tranzistoare bipolare

Arrrlrlificaloare cu tranzistoare bipolare

Se msoar in fiecare caz u(,1,r, delerrninndu-se Auv cu expresia de la punctul 1. Rezultatele se trec in labelttl 2. 8.3.2. Etaje cu sarcin distribuit 1. Se realizeaz configuratia de etaj cu sarcin distribuit (cel din figura 8.1, dar fr condensatorul C6 9i cu Ce = Cr). Se fixeaz f = 20 kHz, usM = 100 mV"f gi se msoar ua, ue 9i u6s1. S determin Arr',4 9i Rtn cu relatiile de la punctul 1 al subcapitolului precedent, iarA'un,1 cu relalia:
^uN4 - uin -

ar - u.

(8.

5)

Se completeaz tabelul 8.3. Tabel 8.3


usNr

= 100

ExDerimental
un
ue Uout

ITlVer

mV

mV

mV

Auut

A'uu

p\tn |

Calculat
R,n
AuH.r

ko

uivl

ko

Etaj cu
sarcin

distribuit
Etaj

bootstrap Figura 8.7

Tabel8.1
Experimental Calculat R,"Ik0l
Auu

8.3.4. Etaj bootstrap

n-^.^-^ vP-u1,vtr-v/
vB- v2
UB-U? UF-U4
I

u"Ivl

uout[V]

Auvt

R,"IkQl

1. Se realizeaz configuralia de etaj bootstrap din figura 8.6 (se fac conexiunile E - B, 9i Cr - H, iarCr= Cr). Se fixeazI = 20kHz, u,;v= 100
mVsl
subcapitolului 8.3.3 9i R,n cu relalia:

gi se msoar us 9i ue. Se determin


R,"

AgM

c la punctul 1

al

i-6,^-i

=(R,

ll R_) -r

(8.16)
u,n

u, -

2. 3. rF]^ I 1 eB-v1
ln-n i ul.-v4
J

Msurtorile qi determinrile de la punctul precedent se reiau pentru toate seturile de valori Cs 9i CE indicate in tabelul 8.1. Pentru Ca = Cr, CE = Cq gi mentinnd u,n = 10 mVgl sa modific frecventa generatorului de semnal la valorile indicate in tabelul 9.2.

Rezultatele se trec in tabelul 8.3.

8.4. Confinutul referatului


1.

Tabel 8.2 iixt-tzt

10

't-

2.

f ,

vll-v,'j

I "t

*"'t

I \-t -',,,,
4B

"11-"

ln

IA" I u,,,r[Vl 4,, I u,,,1[V]


I

,'1v1

amplificarea la frecvenfe medii A,v 5i rezisten{a de intrare R,n a etajului cu tranzistorin conexiunea cu emitorcomun, cu cele calculate cu relaliile (8.3) 9i

Schemele montajelor de lucru 9i dalele experimentale conform tabelelor. Se compar in tabelul 8.1 valorile determinate experimental pentru

3.

Pe baza datelor din tabelul 8.2 se reprezint pe acelagi grafic variatia amplificrii Auy in functie de frecven!, pentru seturile de valori ale lui cs 9i cg. se determin pe grafice frecvenlele limit inferioar (punnd condi{ia
atenurii de 3 dB, adic Aupl= A, 16) 9i se compar cu valorile corelate cu relatiile (8.5) Si (8.6) Se vor comenta rezultatele oblinute.
49

(8.4), considerind roo

0.

Amplificatoare cu tranzistoare bioolare

Tranzistoare cu efect de cmo

4. 5.

se compar in tabelul 8.3 valorile ob{inute experimental in cazul etajului cu sarcina distribult pentru R'n, Aur,r gi A'urvr cu cere carcurate cu relatiir
(8.8) Si (8.9), lund rrn,

Se compar valoarea ob.tinut experimental pentru

0.
A,ur,a

1g.7;,

9. TRANZISTOARE CU EFECT DE CAMP


9.1. Obiectivele lucrrii

bootstrap cu valorile date de relatia (g.9).

in cazur etajurui

8.5. Evaluarea cunostinfelor

prezentarea principiului de funclionare a TEG; trasarea caracteristicilor statice ale TEC

1.

2. 3

schemele principiare pentru etaj de amprificare cu tranzistor in conexiune emitor comun, pentru etaj cu sarcin distribuit gi etaj bootstrap. Care sunt diferenlele intre etajele mentionate mai sus? Factorii care infruenfeaz rspunsur amprificatoarerormentionate.

9.2. Consideratii teoretice


9.2.1. Generalitfi

Funclionarea TEC se bazeaz pe principiul efectului de cmp, adic controlul conducliei unui canal semiconductor, de ctre un cmp electric transversal aplicat din exerior. curentul electrlc care strbate canalul este determinat de circulafia unui singur tip de purttori (cei majoritari), motiv pentru
care TEC se mai numesctranzistoare unioolare. in funclie de modul in care este ralizat canalul, TEC-urile se impart in: TEC cu joncliune ffEC-J);

- rEc " n'"":'''ffi':lHli'

9.2.2. Tranzistorul cu efect de cmp cu jonctiune TEC-J-ul are o structura tehnologic prezentat in figura g.1, canalul fiind delimitat de regiunile de tranzilie care sunt mult mai extinse in regiunea n datorit doprii sale mai slabe. De regul, substratul este legat electric intern la gril.

Fioura

9.1

Substrat Figura 9.2

Dac Uos = 0 (grila legat la surs), la aplicarea unei tensiuni Uos I 0, prin canal circul un curent lp proportional cu Uss. sectiunea transversal a

canalului se micaoreaz mai mult in dreptul drenei, unde diferenla de potential este mai mare (figura 9"2). cnd cele 2 regiuni de tranzltie se intreptrund, cregterea curentului ll inceteaz, valoarea sa rmnnd constant. Dac Uos
50
51

Ii

tr r.t

tsk

[l| r'

c:rr

0fcc1 de crnp

Tranzistoare cu efect de cmp

strprrrperc, Polaritatea tensiunii up5 nu este determinant pentru functionarea lranzislorului cu efect de cmp. Din considerente tehnologice, pentru tranzistoarele cu canal p se prefena UL,s < 0, iar pentru tranzistoarele cl canal [, Ups > 0. Dac pe gril se aplic o tensiune negativ fa! de sursa, seQiunea translrersal a canalului se micaorea pe toat lungimea sa, variatia curentului lD cu tensrunea are aceeagi form, numai c limitarea sa se produce la o tensiune uos mai mic, iar vatoarea curentului lD este $i ea mai mic dect in cazul U6s = 0. Trasnd grafic variatia lD = f(Ues) pentru mai multe tensiuni U65 se obfine o familie de caracteristici statice de iegire a TECJ,^|lustratat in figur:a 9"3.
Intruct rezistenla de intnare in tranzistor este foarte mare (de fapt, o diod invers polarizat), curentul de gril 16 este foarte mic in comparalie cu curentul de dren lp, iar canacteristicile de intnare nu se pot determina. Valoarea tensiunii u65 pentru care cele dou regiuni de tranzitie se intreprund pe toat lungimea, conducnd la disparitia canalului se numegte tensiune de prag up. Pentrutensiuni u65cu
UL,s.

9.2.3. Tranzistorul cu efect de cmp cu gril izolat

TEC-MOS are slruclura lehnologic prezentat in figura 9.4. De regul, substratul este legat electric intern la surs. ln absen.ta unei tensiuni aplicate pe gril, sursa gi drena sunt separate de dou joncliuni p-n- in opozitie, fapt ce nu permite circula-tia unui curenl intre cele dou terminale.
metal

oxid

lUo,

IrlUrl

curentul lDestezero,oricarearfi valoareatensiunii

de saturatie

Valoarea limit a curentului de drena cnd U65 = 0 se numeste curent de drena


1p55.

semiconductor p

Figura 9.4

Dac pe gril se aplic

tensiune pozitiv fa!

de surs, in

semiconductor, in imediata vecintate a stratului izolator de oxid, se acumuleaz o cantitate corespunzloare de sarcin negativ, adic cregte concentralia de
,'
t | - 4 \/ vGS--t v

electroni, care sunt purttori minoritari. Dac U6s este suficient de mare, concentrafia de electroni depgeqte pe cea de goluri, realizndu-se o inversare a tipului de semiconductor la suprafala sa. Se formeaz un canal de tip n care permite circulalia unui curent intre surs gi dren. Valoarea minim

a tensiunii de gril pentru care exist canalul se

l^^= \l -9 -)

numegte tensiune de prag Up. De remarcat c TEC-MOS funclioneaz pentru

]uo,lt lu,l.
'-Caracteristicile statice de iegire au aceeagi form ca la TEC-J. Legea ptratic (1) se pune sub forma (2) deoarece lp55 nu mai are semnifica{ie fizic Ucs=
UP

pentru TEC-MOS:

Figura 9.3

in

regiunea saturat, caracteristicile

de iegire, resped cu
I

I^=k (U^-*U-)r
foarte bun

(e.2)

aproximalie, o lege patnatica de forma:


l| ,

.- r r rrr'l

// It \2 \ I rr "cs

unde k [maA/'] este un paramelru constructiv al tranzistorului.

TEC-MOS-urile prezentate

se

numesc TEC-MOS

cu canal

indus,

I \

TT ./ "P

(e.1)

deoarece canalul apare ca urmare a acliunii unei tensiuni exterioare. Ele se mai

numesc
tt -n UGS _ U.

aplicat pe gril conduce la cregterea concentraliei de purttori fa! de situalia


De mrnarrirl ritr, irrloldeauna tensiunile Ucs gi Ucs sunr opuse ca semn

ai TEC-MOS ce funclioneaz prin imbog(ire, deoarece tensiunea

Exist gi TEC-MOS cu canal ini{ial la care canalul este creat in timpul procesului de fabricalie. Ele se mai numesc Si TEC-MOS cu func{ionare prin
52

I t;tt t" i-Jr r;ll

r ,t

t 1[t't

I t ll

r;illl t(t

Tranzisloare cu efect de cmo


scaderea concentratiei purttorilor de

tlt'ttltltrtt'1trt1r,1111111;1

!;tf (ililil

(llll (;ilH1.

ill)lilli) Ft gril conduce la

cnd se lucreaz

cu

MOSTEC-uri, uneltele trebuie

s fie legate la
cu

In t;rtrlul 9. 1 sr prezint simbolurile pentru toate tipurile de TEC, polaritatea lx)n()lor l)cnlru funcliorrare non.nal qi sensul real al curentului de dren.
Tabel 9.1 Canal n Canal p

impmntare (pistol de lipit, palent etc.);

dispozitivele MOS trebuie pstrate (pn

la conectarea in circuit)

terminalele infipte in material antistatic expandat;

este intezis aplicarea unui semnal de intrare, cnd circuitul nu este alimentat in c.c..

9.3. Modul de lucru

--)

1. 2.

O
uJ

Se determin lps5 gi Up pentru un TEC-J cu canal tip n, BFW1 1 Se realizeaz montajul din figura 9.5 gi se traseaz caracteristicile statice lp = f(U5s), completndu-se tabelul 9.2.
.

Cg

a
Figura 9.5
O
IIJ

Se determin Up pentru un tranzistor TEC-MOS cu canal n indus lil)


KF521. Se realizeaz montajul din figura 9.6 gi se traseaz caracteristicile stalic:r: de iegire lp = f(Ue5), completndu-se tabelul 9.3.

=" .=

a o
IU

F
Observa!ie practic
Deoarece dispozitivele semiconductoare de tip Mos se pot distruge destul de u$or, din cauza decarcarilor electroslatice, la manevnarea acestora sunt necesare cteva msuri de precautie, dug cum unreaz:

Figura 9.6
54 55

Tlanzisloare cu efecl de cmo

Aplicaliiale TEC

10. APLICATII ALE TEC


Tabel 9.2

10.1. Obiectivele lucrrii

prezentarea unor circuite de baz cu TEC msurarea performantelor circuitelor realizate cu TEC.

10.2. Considerafii teoretice


Tabel9.3

10.2.1. Generalitli

Tranzistoarele cu efect de cmp au o serie de aplicalii interesante care valorific proprietfile lor specifice gi avantajele pe care le prezint fat de tranzistorul bipolar. Astfel, tranzistoarele cu efect de cmp se utilizeaz in schemele unde este necesar o impedanf foarte mare de intrare gi distorsiuni
mici.

Un avantaj important fa! de tranzistorul bipolar este dependenfa redus de temDeratur a caracteristicilor statice.

9.4. Continutul referatului

in practic, se poate folosi tranzistorul cu efect de cmp, combinat cu tranzistorul bipolar, valoriflcndu-se avantajele celor dou dispozitive
semiconductoa re. 10.2.2. Etaj de amplificare TEC-urile pot fi folosite ca amplificatoare. Etajele de arnplificare cu TEC au avantajul unei rezistenle de intrare foarte mari 9i prin alegerea corespunztoare a PSF, a unei bune comportri cu temperatura. Amplificarea realizat este relativ mic, deoarece transconductanla g, la TEC este cu un ordin de mrime mai mic dect cea a tranzistorului bipolar. in figura 10.1 se prezint un etaj de amplificare in conexiune surs comun, cu TEC-J tip BFW1 1. Rezistenfele R5 gi R6 asigur polarizarea automat a grilei fa! de surs prin cderea de tensiune Rs lo produs de lp pe

1. 2. 3.

Montajele de lucru gi tabelele cu date experimentale. Caracteristicile gr:afice lp = f(Uos) conform tabelelor de date. Calculali din grafic transconductanta

dI^
em

0U cs

pentru Ups

10 V, cu relaliile teoretice deduse din expresiile (91) qi (9.2)

4.

compara{i rezultatele. Depinde


rlT

de Ues in regiunea satural? Dar de U65? Calculali grafic panta canacteristicilor in regiunea nesatumt.

g,

9i

Dr durr'
pentru dou valori ale lui U6s. Depinde

g,

Rs 9i legarea grilei prin R6 la potenfialul masei. In acest fel Ucs = -Rs In. Condensatoarele se aleg astfel inct ele s fie scurtcircuitate la frecventa de lucru. Se observ c rezistenta de intrare in montaj este practic egal cu R6,
Rtru

de U65?

deoarece

rFc =

9.5. Evaluarea cunogtintelor

1 2. 3. 4. 5, 6
56

Explicati functionarea unui TECJ.


Polarizarea unui TECJ. Cte jonctiuni are un TECJ?

Explicti funclionarea unui TEC-MOS. cauza dislrui;erii accidentale a unui rEC-MOS, care nu este montat in circuit si masuri dc precautie, Crrrcnlii rlc rln:rr;r ai TECJ Si TEC-MOS.

In regiunea nesaturat adic pentru tensiuni Ue5 mici, inclinarea caracteristicilor (care reprezint conductanla TEC intre dren gi surs) este dependent de tensiunea U65 (figura 10.2). Deci TEC poate fi folosit ca o rezistent a crei valoare poate fi controlat de o tensiune continu, deci poate fi controlat electric. Cu aceast func-tie, TEC-urile se folosesc de regul in
circuitele de stabilizare a amplitudinii ?n oscilatoare.

10.2.3. Rezisten! controlat in tensiune

57

Aplicatii ale TEC

Apticatiiate TEC
+ Voo='l 0 V Eliminnd U65 inlre cele dou relatii:

f, r ffil ," - urll up r,) _/ u" (.----tJ, rr || t_ |

- i, R" - , | | 2Rs .tDss / I| R, .IDss (4Rs .tDs. )l / r -u: L.

)l
I

J,",
Figura 10.1

bipolar.

Relafia oblinut este complicat ca form, dar pune in evidenf un fapt -interesant: curentul ls pentru un TEC, nu depinde dect de rezistenta Rs gi este independent de tensiunea de alimentare. Deci, circuitul este un generator de curenl constant a crui valoare se fixeaz prin alegerea rezistenlei R5. De remarcat c o surs de curent constant realizat cu TEC-J are dou borne, fa.t de 3 borne cte are un circuit cu aceeagi functie realizat cu tranzistor

10.3. Modul de lucru

1. 2. 3.
+ Voo
4.
5.

Uos=0V Ucs=-1 V

= Ups/Rg Se compar cu valoarea lui le calculat teoretic. Se aplic la intrare un semnal sinusoidal u,n = 100 mVur $i frecventa de 1 kHz. Se msoar uout gi se calculeaz Au. Se scoate tranzistorul din montaj gi se msoar les5 gi Up.
lp

Se msoar Up5 gi Ups = - Ucs. Se calculeaz

Se realizeaz etajul de amplificare din figura 10.1

Se realizeaz atenuatorul controlat in tensiune din figura 10.4 gi

se

o. 7,

8.

msoar atenuarea = uoui/rJ,n pntru U65= 0, -1, -2, -3 V. Se realizeaz montajul din figura 10.5. Se citesc valorile lui ls pentru Voo = 10 V Si 20 V. Se inlocuiegte rezlstenta de 1 ko cu alta e 2,7 ka gi se repet punctul 7. Ce reprezint valoarea lui lp pentru Rs= 0?

C 100nF

-V5
Figura 10.2 rtgura tu.z
10.2.4. Surs de curent constant

Fiqura 10.3

TEC-J in circuitul din figura 10.3 are grila polarizat automat de curentul ce produce o cdere de tensiune pe Rs. Deci, U6s = - R5.lp. Dar lp, funclie de U65, poate fi dedus prin legea ptiatic a caracterlsticii in regiunea saturat:
lD

l6 = lp5s (1-U65/U1,)? 58

Figtrra 10.4

Figura 10.5
qq

Aphcirlii alc TEC

Dispozitive optoelectronice

0.4. Conlinutul referatului

1
1

1. DISPOZITIVE OPTOELECTRONICE
1.1. Obiectivele lucrrii

1. 2. 3.
1

Schemele utilizate in lucrare gi datele experimentale.

Pentru circuitul din figura 10.'1 se deseneaz schema echivalent de semnal mic Ai se deduce teoretic expresia ampiificrii. Se calculeaz valoarea acesteia in cazul concret din figua 10.1 gi se compar rezultatul
cu cel exoerimental.

prezentarea dispozitiveloroptoelectronice; studiul circuitelor simple cu dispozitive optoelectronice.

Pentru montajul din figura 10.5

se calculeaz din rela{iile

teoretice

valoarea lui le gi se compar cu datele experimentale.

1.2. Considerafii teoretice

0.5. Evaluarea cunogtinfelor

in categoria dispozitivelor optoelectronice intr dispozitivele care transform energia electric in radialie optic sau invers. Dispozitivele
semiconductoare optoelectronice pot fi imprtite in trei categorii: - fotodetectoare - care detecteaz semnalele oplice prin procese electrice; fototiristorul. - electroluminiscente - care transform energia electric in radialie optic; din aceast categorie fac parte dioda fotoemisiv (LED-ul) gi dioda laser. - celule fotovoltaice sau celule solare - care transform energia radialiilor optice in energie electric. La baza funclionrii dispozitivelor optoelectronice gi a celulelor solare st procesul de generare a purttorilor mobili sub acliunea radiatiilor. Acest efect este

1.

2. 3. 4. 5. 6.

Tensiunea V65 trebuie s fie pozitiv sau negativ, pentru ca un TEC-J cu canal p s funclioneze? Ce esle 111s';1i?
Urr TEC-J cu canal n, are curentul de dren de 12 mA gi rezistorul din srrrs Rs de 120 Q. Se calculeaz V6s. Circuitul echivalent de semnal mic al unui TEC-J. Cum funclioneaz un TEC-J ca surs de cufent constant? Care sunt parametrii determinan{i pentru amplificarea in tensiune a unui etaj de amplificare in conexiune surs comun?

din aceast categorie fac parte: fotorezistorul, fotodioda, fototranzistorul Ei

numit efect fotoelectric intern. Dac un electron din banda de valen! a unui material semiconductor este ciocnit de un foton cu o energie mai mare decat ltimea AW a benzii interzise, atunci electronul trece in banda de conductie,
rezultnd astfel doi purttori mobili de sarcin suplimentari: un electron in banda de conduclie gi un gol in banda de valen!. Probabilitatea trecerii electronului din banda de valen! in banda de conduclie este maxim atunci cand h = AW. La baza funcfionrii dispozitivelor electroluminiscente st procesul de recombinare radiativ a purttorilor in exces dintr-un semiconductor. Concentralia de purttori in exces se poate realiza prin injeclie cu ajutorul unei joncliuni p-n, La trecerea unui electron din banda de conduclie in banda de valent se pune in evident o anumit cantitate de energie care poate fi cedat re{elei cristaline sub form de energie termic sau poate fi emis sub form de energie luminoas. Raportul dintre numrul recombinrilor radiative gi neradiative depinde de natura semiconductorului, La Ge 9i Si acest raport e foarte mic, fiind mai mare la compugi din familia Ga As. Energia fotonilor emigi este practic egal cu llimea AW a benzii intezise. Fotorezistorul - const dintr-o pelicul semiconductoare policristalin depus pe un supod izolator. in absenfa fluxului lumincs, rezisten.ta peliculei fotoconductoare este foarte mare (1 MO) gi este denumit rezistenl de intuneric. in prezenta unui flux luminos se genereaz perechi electron-gol prin efect fotoelectric intern, iar rezisten[a scade pn la circa 100 Q. Simbolul este ilustrat in figura 11.2a. Fotodioda este un dispozitiv semiconductor ce con{ine o joncliune p-n care func{ioneaz in polarizare invers (simbolul este prezentat in figura 11.2b). Curentr-rl invers este controlat cu ajutorul perechilor electron-gol generati in
OU

61

Dispozitive optoe ectron ice


I

Dispozitive optoelectronice

interiorul ei gi in vecintatea regiunii de tranzilie. in absen{a fluxului ruminos, joncfiunea polarizat invers este parcurs de curentul de sturalie denumit

propo(ional a curentului invers (figura 11.1).

de tranzilie gi cei care ajung ra marginire ei sunt treculi de cmp ?n cearart regiune neutr, contribuind astfel la cre$terea curentului prin ionctiune. prin urmare, o cregtere a intensittii luminii, exprimat in mwcm2, prodrce'o cregrere

curent de intuneric. Electronii gi golurile produse de fluxul luminos in regiunea de tranzi.tie sunt trecu{i de cmpul existent ?n cele dou regiuni neutre. Purttorii minoritari produgi in regiunile neutre difuzeaz ctre
regrunea

gi

--f_f-

\^

Figura 11.2

Fototiristorul funclioneaz, in principiu, ca orice tiristor, cu excepfia faptului c poate fi amorsat gi printr-un flux luminos. La cele mai multe fototiristoare, poarta este accesibil gi printr-un terminal extern, pentru ca dispozitivul s poat fi amorsat gi prin impulsuri electrice, similar tiristoarelor
conven!ionale. emite radiatii luminoase cnd este polarizat direct (figura 11.4a). Electronii unui dispozitiv polarizat directlraverseaz jonctiunea pn, plecnd din iegiunea n gi se

Dioda electroluminiscent (LED-ul) este o diod semiconducroare ce

Figura 11.1

curent de colector proportional cu

Fototranzistorur are joncliunea corectorurui fotosensibir, expus Ia lumin printr-o lentil incastrat in capsula tranzistorului. Jonctiunea emitorului are rolul de a amplifica fotocurentul prin intermediul efectului 'Oe tranzistor. in absenta luminii, prin tranzistor circul, doar curentul rezidual lcEo= (Fr + 1) .lceo, generat te-rmic, de valoare foarte mic (de ordinul nA) si este numii curent oe ?ntuneric. in funclionare, cnd.rumina pe joncliunea corectorurui, ia nagtere un cure.nt de baz 11, propo(ional cu"ae intensitatea luminii. ca urmare apare un
11.

obignuit. Datorit cgtigului mare in curent, acest dispozitiv prezini un curent de colector mult mai intens fotosensibiritate mai pronuntat dect fototranzistoarele obignuite. Fototranzistoarele au o gam larg de aplicatii, printre care circuitere cu relee utilrzate pentru deschiderea automat a ugilor, nrmrarea unor obiecte 9i diverse lipuri de slsteme de alarm.

conslructiv, fototranzistorul are dou variante: cu dou sau cu trei terminale. in configuratia cu trei terminale, fototranzistorul poate fi utilizat ca orice tranzistor bipolar, indiferent dac se exploateaz sau nu proprietatea lui de fotosensibilitate. simbolul fototranzistorului este ilustrat in Rgur t i.zc. variant special a fototranzistorulul este fotoda-rlington-ul, ce const dlntr-un montaj de tip Darlington, realizat cu un fototranzistr gi un tranzistor

gi o

f Irt || r:t -J tlrJ |

r=-

zecimale.

laborator. un tip foarte rspndit de dispozitiv de afigare cu LED,uri este celula de afigare cu gapte segmente. Acesta este un ansamblu de 7 diode fotoemisive, ale cror catozi sau anozi sunt comuni. prin combinalii ale segmentelor se formeaz cele zece cifre, de la 0la 9 (figura 11.3), eventuat punctut de separa{ie al prtii

gam larg de instrumente, de la aparatele electiocasnice pn

recombin cu golurile din regiunea p. Electronii liberi se afl ln banda de conductie, la un nivel energetic superior celui al golurilor din banda de valen{. in procesul de recombinare, electronii ce se recombin cu golurile elibereaz energie sub form de cldur gi lumin. un strat de material slmiconduqor cu o suprafa! liber de dimensiuni relativ mari permite eliberarea fotonilor sub form de lumin in spectrul vizibil. ln procesul de dopare se adaug diverse impuritli pentru a impune lungimea de und a luminii emise. Lungime de und determin culoarea luminii gi apartenen{a la spectrul vizibil sau invizibil (infrarogu). LED-urile se realizeaz din arseniur de galiu GaAs (infrarogu), fosfoarseniuia ce gatiu cgfsP (rogu sau galben) sau fosfur de galiu Gap (rogu sau verde). exisia gi LED-uri cu lumin albastr, dar cele cu lumin rogie sunt iele mai rspndite. Tensiunea direct aplicat LED-urilor trebuie s fie mai mre dect in cazul diodelor cu siliciu gi are valori cuprinse inlre 1,2...3,2 V, in funcfie de tipul dispozitivului, dar tensiunea invers de strpungere este mult mai mic la LED-uri (tipic 3...10 V). LED-urile se utilizeaz la lmpile indicatoare gi la cifrele de afigaj penrru o

la

cete oe

_r

I I

tl

l_l
I

Figrrra 11.3
0:,)

o5

Dispoeilive optoelectronice

Dispozitive optoel eclron ice

Diodele care emit in infrarogu intr in componenta aparatelor care folosesc cuplaje optice, adeseori alturi de fibre optice. Aplicatiile lor sunt diverse: prelucrrile gi comenzile tehnologice din industrie, sesizoarele de pozi!ie, cititoarele de coduri de bare, comutatoare optice, telecomenzi etc. Dioda laser este un dispozitiv semiconductor ce con{ine o jonc{iune p-n format din dou straturi de arseniur de galiu dopat (figura 1'l .4b). Lungimea joncliunii p-n determin cu exactitate lungimea de und a luminii emise. La unul din capetele joncliunii se afl o suprafat puternic reflectant, iar la cellalt capt, una partial reflectant, realizate prin lustruirea materialelor. in functionare, jonctiunea p-n este polarizat direct. Pe msur ce electronii traverseaz joncliunea are loc recombinarea, exact ca la o diod semiconductoare obignuit. cnd electronii se recombin cu golurile se elibereaz fotoni. Fotonii emigi pot ciocni alfi atomi care la rndul lor, elibereaz fotoni. cnd curentul direct cregte, in regiunea golit ptrund mai mul{i electroni, ceea ce duce la emisia unui numr mai mare de fotoni. La un momenr dat, ctiva dinlre fotonli catre se deplaseaz haotic prin regiunea golit, ciocnesc perpendicular suprafala reflectant. Acegtia revin in regiunea golit, ciocnind alfi atomi gi elibernd fotoni suplimentari, prin efectul de avalang. Migcarea de ,,du-te vino" a fotonilor se amplific 9i ei se acumuleaz ca intr-un bulgre, pn cnd se formeaz un fascicul laser foarte intens, care prsegte dioda prin suprafala pa(ial reflectant a joncliunii pn.
Toti fotonii eliberali in acest proces sunt identici din punctul de vedere al nivelului energetic, al defazajului gi al frecvenfei. Prin urmare, din dioda laser se emite o lumin intens cu o singur lungime de und, adic lumin coerent, spre deosebire de LED-uri ce emit lumin necoerent Diodele laser sunt caracterizate de un nivel de prag al curentului. Astfel,

- const dintr-o jonctiune p-n de arie mare care, sub acliunea unui flux luminos, produce o tensiune electromotoare. Purttorii generafi prin efect fotoelectric intern in regiunea de tranzitie sunt treculi de cmpul electric in regiunile neutre, electronii in regiunea n, iar golurile in regiunea p. La aceStia se adaug purttorii minoritari produgi in regiunile neutre in imediata vecintate a regiunii de tranzilie care sunt treculi de cmp in regiunile neutre opuse. in felul acesta in regiunile neutre se acumuleaz sarcini spa{iale, ce determin aparitia unei diferente de potential intre ele. Optocuploarele au fost concepute pentru a realiza o izolare electric total intre un circuit de intrare gi unul de iegire. Scopul izolrii este protejarea
anumitor elemente

,' Celula fotovoltaic

de

circuit

de vrfurile de tensiune tranzitorie,

de

supratensiunile accidentale sau de zgomotul de joas frecvenl, care ar putea avea ca efect un semnal de iegire eronal sau deteriorarea unui dispozitiv. Optocuploarele mai permit realizarea unei interfete intre circuite cu niveluri de
tensiune diferite sau cu potentiale de mas diferite. Circuitul de intrare al unui optocuplor este de obicei un LED, ins circuitul

de iegire se poate prezenta sub mai multe forme gi poate conline

un

fototranzistor, un fototiristor sau fotodadington. Acestea sunt agezate fat in fat, la o distan! foarte mic, intr-o capsul unic (figura 11.5).

la curen{i mai mari dect nivelul de prag, efectul laser va fi anulat,

dioda

Diodele laser sunt folosite in blocul de culegere a semnalului al cititoarelor de cD-uri sau DVD-uri. Informa{ia audio sau video este inregistrat
digital, pe suprafala CD-ului sau DVD-ului, sub form de adncituri gi suprafele

comoortndu-se ca un LED.

3. i
i\/i
refractie mai mic dect cel al fibrei.

i f\.\ir-,'---. LJ t
--.,-L+-.
Figura 11.5

netede.

lentil focalizeaz fasciculul laser de la diod pe suprafala CD-

pistele, fiind actionate

ului/DVD-ului. Cnd CD-ul/DVD-ul se rotegte, lentila gi fasciculul laser urmresc

de un

servomotor. Lumina laser este reflectat de

adnciturile gi suprafefele netede de pe CD/DVD, prinlr-un sistem optic cu lentil ctre nigte fotodiode detectoare in infrarogu. Semnalul de la iegirea fotodiodelor este apoi utilizat pentru reproducerea sunetului inregisliat digital.

Fibrele optice constituie o cale de cuplare a unui dispozitiv ce emite lumin cu un fotodetector, printr-un cablu prin care lumina se poate propaga. Aplicatiile lor sunt in domeniile comunicafiilor, electronicii medicale, reglajelor industriale, sistemelor cu microprocesoare sau sistemelor de sigurant. Cablurile din fibr de sticl sunt utilizate pentru asigurarea unui transfer maxim la cuplarea dispozitivelor optoelectronice. Exploatarea fibrelor optice se bazeaz pe principiul
reflexiei interne. Orice material prin care lumina se poate propaga este caracterizat de un indice de refraclie, n. Astfel, o raz de lumin incident pe suprafa{a de separare dintre dou materiale cu indici de refractie diferiti va fi ori reflectat, ori refractat, in funclie de'unghiul sLrb care lumina ajunge pe suprafata respectiv, numlt unghi de incident. Fibra de sticl este protejat la exterior de un strat de sticl cu indicele de

Figura 11.4

raz de lumin ce plrunde

prin

eltremitatea cablului se va refracta ca in fioura 1 1.6.


64

65

)lllrullllv+:

r;rltrolqrl;l

1y1111'1,

Dispozitive optoelectron lce


Raz emergent

5. 6. 7. 8. L
10.

Cderea de tensiune direct pe un LED esle 0,6... 0,7 V? Ce esle curentul de intuneric? Ce semnificatie are cuvntul LASER? Un fototranzistor poate lucra la intuneric? Ce este optocuplorul?

Raz incident

ce

flt

laser?

diferent este intre dioda care emite in spectrul infrarogu gi dioda

Figura 1 1.6

10v

10v

intre starea solid gi cea lichid. cristalele lichide sunt substanfe organice, care apartin compugilor arom_atici sintetizali pe cale chimic. sub influent unui cmp electric extern, se modific dispunerea molecular a cristalului lichib, ducnd la modiflcarea proprietfilor optice ale acestuia. spre deosebire de dispozitivele de afigare cu diode electroluminiscente, cristalul lichid nu emite lumin. iunctionarea sa se bazeaz pe reflexia gi transmisia luminii (functionare pasiv).

cristalele lichide sunt elemente optoelectronice de afigare, reallzate pe baza lichidelor anizotrope, care se afl in stare intermediar, m'ezomorf, situat

11.3 Modul de lucru


1.

iluminare, utiliznd diverse filtre colorate. se introduce fotorezistenJa in circuitul prezentat in figura .l 1.7 gi se msoar varialiile poten{ialului de colector la variatia iluminrii fotorezistentei.

se msoar valoarea unei fotorezistenle la intuneric ai la diferite grade

de

Figura 1'1.7

fotodiod, folosind circuitul din figura 1.1.8. se introduce o fotodiod intr-un circuit de forma celui artat in figura 1.1 .g pi se msoar varialia potentialului de colector la varialia iluminrii folodioder. Se repet punctele 3. gi 4. pentru un fototranzistor.
1

se msoar curentul de intuneric. la diferite grade de iluminare, pentru

Figura 11.8
10

1.4. Confinutul referatului s se proiecteze un circuit pentru comanda unui dispozitiv cifric de afigare
Schemele montajelor de lucru 9i datele experimentale culese.

$apte segmente care s poat afiga orice cifr de la 0 la g. Fiecare seqment va fi parcurs de un curent de 20 mA *. 10o/o, iar alimentarea se va face di ra o surs de curent continuu de + 12 V.
1

cu

1.5 Evaluarea cunositinfelor


1.

2. 4.

Utilizrile dispozitivelor semiconductoare optoelectronice. dispozitivelor optoelectronice. Functionarea fotodiodei. ce se intmpl cu emisia de lumin a unui LED la cresterea curentului direct?
Clasifi carea

Fir;ula 11.9
61

OD

Studiul tiristorulur
Stucliul tirislorului

2, STUDIUL TIRISTORULUI
2.1. Obiectivele lucrrii

Ca gi tranzistoarele, tiristoarele sunt realizate in diverse capsule, de obicei din material plastic. Tiristoarele de putere au capsule metalice prevzute cu gurub- de prindere pe radiatoare.

In functie de

modul

de polarizare, se disting cteva regimuri

de

punerea in eviden! a caracteristicilor curent-tensiune ale unui tiristor; determinarea pe cale experimental a curentului de menfinere gi a celui de acrogare (ag!are).

functionare, aga cum se observ pe caracteristica curent-tensiune rlustrat in figura 12 3.

12.2. Considera{ii teoretice


Tiristorul este un dispozitiv semiconductor format din ,patru straturi semiconductoare alternativ dopate, ce con{in trei joncfiuni pn. ln construclia normal are trei electrozi. anodul A, catodul K 9i electrodul de comand (poart
sau gril) G.

Aceast structur cu trei joncliuni, permite tiristorului

s lucreze la

tensiuni gi curenti mari, att in regim de c.c., ctgi in regim de c.a.. Se utllizeaz in diverse circuite de comand a motoarelor (invertoare sau convertizoare statice), in circuite de reglare a puterii, in circuite de comand a releelor gi in circuite de protec-tie la supratensiune. Structura gi simbolizarea tiristorului se prezint in figura 12.1.

Figura 12.3

AD
Figura 12.1 Structura intern a unui tiristor poate

fi asimilat cu cea a unui

circuit

in polarizare direct, aplicnd o tensiune continu (Un) cu ,,+" pe anod gi pe catod, dar un curent de gril nul (16 = 0) , tiristorul prezint dou stri stabile de functionare. - blocare direct (portiunea 0A din caracteristic)
,,-,,

format din dou tranzistoare, a$a ca in figura 12.2.

conduclie (po(iunea BC) La atingerea tensiunii de amorsare (Us6), tiristorul trece brusc in starea de conduclie, iar curentul lo cregte brusc la valoarea ls (curent de acrogare latching current), pentru.ca apoi s creasc aproximativ liniar, odat cu mrirea tensiunii aplicate Ua. Astfel, curentul poate atinge valori periculoase pentru dispozitiv. De aceea, in practic se inseriaz cu tiristorul, o rezistent de limitare
a curentului.

Tiristorul aflndu-se in stare de conductre gi scznd tensiunea aplicat

in sens direct, curentul va scade sub valoarea de acrogare, pn la valoarea ls (curent de mentinere - holding current). Scznd in continuare tensiunea,
curentul scade brusc la zero. Atunci cnd 16 > 0, tiristorul intr in conductie pentru tensruni Ua < Us6, caracteristica este asemntoare (po(iunea DE), dar tensiunea de intoarcere este cu att mai mic cu ct curentul de gril este mai mare Figura 12.2
6B

69

',lr

ir lrr

rl

lrr

r',lorrrlrrr

Studiul tiristorului

ot)riinrt pr:larrzat invers. Dispozitivur va rmne brocat, pn ra atingerea tensrLlnil rRverse maxrme, cnd se va produce o cregtere rapid a curenturui invers,
ceea ce duce la distrugerea tiristorului prin efect iermic.

In prrlarrzare invers, trristorul se comport ca o diod semiconductoare

10 A

12V

12.3. Modul de lucru

1.

Se realizeaz montajul din figura 12.4.

Figura 12.5
1

2.4. Conli nutu I referatul ui


Datele exoerimentale culese. Se va trasa caracteristica direct gi se va determina tensiunea de prag U; gi rezistenla tiristorului cu relafia:

1. 2.
Figura 12.4

mentinere lg.

cu pontenliometrul pe o valoare mic se apas butonul de comand K. se observ la ampermetrur A dac tiristorur a inirat in conductie. npoi ." "rest" rezrstenta potentiometrului p gi se va citi valoarea curentului la care tinstorul rese din conductie curentur cade brusc ra zero). Aceasta este curentur
de

'r
3.

AU^

alo

Cu datele oblinute se va ridica caracteristica de pierderi p1 = f(l1ay) cu relatia

curentul de acrogare lL. Att pentru lp, ct gi pentru

vatoarea maxim se apas pe butonur K, observnd dac tirisiorur rmane in conductie dup deschiderea rui K. Se micaoreaz p, repetno opeirii" pana cnd tiristorur rmne in conduclie dup dschioerea rui Ky Varoarea minim a curenturui la care tiristorul rmne in conducfie dup deschiderea lui K este
11

Pentru determinarea curenturui de acrogare se pune potentiometrur

pe

P, = U, 'Itou * r, 'I'rnuts
unde llav reprezint valoarea medie a curentului prin tiristor, iar llqrvs efectiv a curentului prin tiristor.

valoarea

voltmetrului.

Voltmetrul se va introduce in circuit prin apsarea butonurui k, nu,'"i dup ce tiristorul este in conduclie; attfer exist pericotul
oeteriorarii

ampermetrul A, chiar dup eriberarea rui K1. se fixeaz cu p vatoaa Jrta a curentului gi se inchide apoi K, citind ra vortmetru varoarea tensiunii pe tirsror.

un timp scurt, observnd amorsarea tiristorlui prin trecerea curentutui prin

trei msurtori. lundu-se valoarea medie. se realizeaz montajur din figura 12-s. cu p pe varoarea maxim se apas K.1

se vor face

2.5. Evaluarea cunogtinfelor

1. Structura tiristoruiui. 2. Modelul echivalent al tiristorului. 3. Functionarea tiristorului in polarizare direct. 4. Condifia de amorsare a unui liristor. 5 Conditia de blocare a unui liristor aflat in conduclie. 6. ce se intmpl cu tensiunea de basculare a tiristorului, dac tensrunea
de comand pe gril cregte?

70 II

$lrrrlrrrl til:,Jrozilrvclor rnullijonctiune

triacul gi diacul

Slrrrlirrl rlispozitivelor multijoncliune

- triacul

gi diacul

13. STUDIUL DISPOZITIVELOR MULTIJONCTIUNE


TRTACUL $r DTACUL
1

unica modalitate de a aduce un triac in stare de blocare este de a reduce curentul care-l parcurge pn la o valoare suficient de sczut.

3.1. Obiectivele lucrrii

amiliarizarea cu dispozitivele semiconductoare multijoncliune ; studiul modalitlilor de comand pe gril a unui triac; punerea ?n eviden! a fenomenului de conductie bidirectional la aceste dispozitive; tfasarea caracteristicilor statice de funclionare.
f

3.2. Considerafii teoretice

13.2.1.Triacul (TRIAC - Triode Alternating Current)


Triacul este un dispozitiv multijonc{iune (cu cinci sau mai multe jonc{iuni), care este echivalent cu 2 tiristoare montate antiparalel gi prevzute cu un singur terminal de comand (figura 13.1 .). Simbolul utilizat in electronic este artat in figura 13.2, unde terminalele triacului se numesc electrozi (Ar gi Az) gi gril G.

Figura 13.3

in regim de curent alternativ, triacul se afl in stare de blocare (in ambele sensuri), att timp ct curentul de gril este nul gi lensiunea aplicat intre electrozii A1 gi 42 nu depgegte tensiunea de basculare Uss. Pentru a controla triacul cu ajutorul grilei, este necesr ca tensiunea de basculare s fie mai mare dect amplitudinea tensiunii alternative aplicate intre Ar gi 42. De remarcat, c odat amorsat, triacul rmne in conductie, in intervalul de timp cnd pe gril este aplicat semnal. La intreruperea semnalului din gril, triacul rmne in
A2

conducfie pn la sfrgitul semialternanlei respective. Figura 13.2


13.2.2. Diacul
unei

Figura 13.1

Triacul este ulilizat


sarcini.

in circuite de reglare a puterii medii furnizate

Diacul este un dispozitiv multijoncfiune, asemntor cu triacul, dar care

conduclie bidirec{ional, irr frrnclic tk: polarilalr:a tensiunii aplicate intre cei doi electrozi A1 gi A;'. Triacul arc c:i,rrirr;tcrrslrt:it slalic:ir clc tunclionare simetric (in cadranele lgi lll) gi este itlcrtlrr;il (:u l urut lrrtt-lor (lrryrra 13.3)

Spre dcost:birer de tiristor, lriacul are proprietatea

de

nu are gril. Cele dou terminale ale diacului se numesc electrozi


Simbolul este prezentat in figura 13.4.

,A1

9i

42.

Din lrirlrr: ,,r' prrirlr,t{rrnilr(;lt c potentialul de basculare scade la cre5lcrrrir rrlrlrrlrilut rlt. 1;rrlrt lrrirr:rrl sc blocheaz alunci cnd curentul anodic
st;atlc srrlr vlloiltlrr r.lrr,lrlrrlrrt rlt'rtrlltlicrtcrc lir. Prin urmare, se poate spune c

Figura 13.4

72

:;lurlul (lis[)o./tltvelor multijonctiune - triacul

Si diacul

Studiul dispozitivelor multijonctiune

- triacul 9i diacul

triac, cu deosebirea c nu exist grll. Deoarece, diacul este o component bidirectional, caracteristica sa va fi simetric fat de origine gi este situat in cadranele lgi lll (figura 13.5). Diacul polaritatea electrozilor. Dup depgirea tensiunii de basculare, sensul curentului depinde de polaritatea tenslunii aplicate intre terminale. Diacul intr in starea de blocare, alunci cnd curentul scade sub valoarea de mentinere. Diacul este utilizat in circuite de comand prin impulsuri pentru triac sau tiristor

circuitul echivalent al diacului cuprinde patru tranzistoare, la fel ca

la

Pentru cazul ii. se aplic o tensiune de - 15 V pe gril (se inverseaz polaritatea sursei E1) gi de + 15 v intre electrozi. se repet msurtoarea in acelagi mod ca la punctul 2 gi se citesc valorile 16, Us6 gi 14 pentru intrarea in conductie a triacului.
4.

intr in conducfie cnd se atinge valoarea tensiunii de basculare, indiferent de

In cazul iii. se va aplica o tensiune de

inverseaz polaritatea sursei E2) gi o tensiune de + 15 V pe gril. Se repet algoritmul de la punctul 2, se citesc aparatele de msur gi se noteaz datele experimentale.

15 V intre electrozii triacului (se

in ultimul

caz de polarizare, se aplic tensiuni negative de

inverseaz polaritatea ambelor surse), att intre electrozi, ct gi grilei triacului. Se lucreaz identic cu punctul 2 gi se noteaz valorile mrimilor msurate.

15 V

(se

6.
Figura 13.5

Figura 13.6 Pentru cazurile i. gi iii., se variaz tensiunea E2 intre 0...18 V gi se traseaz
caracteristica static de funclionare a triacului. Se realizeaz montajul din figura 13.7. Se regleaz tensiunea de alimentare E in plaja 0...30 V gi se citesc aparatele de msur, in vederea ridicrii caracteristicii de funcfionare a diacului. se inverseaz electrozii diacului 9i se repet algoritmul de lucru de la punctul

7. I
cum

13.3. Modul de lucru

1.

urmeaz:

se realizeaz montajul din figura 13.Q pi se polarizeaz triacul dup

7,

pentru determinarea caracteristicii de functionare

in cellalt

sens

de

conducfie.

2.

Pentru cazul

alimenteaz ambele circuite cu + 15 V.

se ajusteaz ugor din potentiometru, astfel inct curentul l6 incepe s creasc. Triacul intr in conductie cnd
becul de control se aprinde. Se citesc aparalele de msur (16, Us6 gi l4)
74

iii. ;" pe Ar $i ,,+" pe G iv. ,-" pe Ar 9i ,,-" pe G i. se regleaz potentiometrul p la valoare minim gi se

i. ii.

,,+" pe A1 gi ,,+" pe G ,,+,, pe 41 gi ,,_,, pe G

3.4. Conlinutul referatului


Datele experimentale culese. Se ridic caracleristica de functionare a triacului. Se determin curen\ii de menlinere, pentru ambele sensuri de conductie ale triacului studiat. Se lraseaz caraclcristicir de functionare a diacului.
75

1. 2. 3. 4.

SlurIrrl tlispozilivelor rnultijoncfiune

triacul gi diacul

Stabilizator serie de tensiune

14. STABILIZATOR SfrRIE DE TENSIUNE


1

4.1. Obiectivele lucrrii

familiarizarea cu func!iile elementelor active ale unui stabilizator serie de tensiune; vizualizarea diferitelor forme de und; punerea in eviden! a per{ormanlelor stabilizatorului serie de tensiune.

14.2. Considerafii teoretice


condifiile
Figura 13.7

Un stabilizator de tensiune menline tensiunea de iegire constant in care variaz tensiunea de intrare, curentul prin sarcin

in
9i

temperatura.

5.

Se determin tensiunea de basculare a diacului din figura 13.7,


ambele sensuri de conductie.

pentru

curentului de sarcin, cea mai mare ulilizare o au stabilizatoarele serie de tensiune. Stabilizarea serie const in plasarea elementului regulator in serie cu rezistenfa de sarcin R. (figura 14.1).

Pentru

a se obtine tensiuni

reglabile, relativ constante

la

variatia

3.5. Evaluarea cunogtinlelor

ELEMENT REGULATOR

1. Caracterlstica static de func{ionare a unui triac. 2, Ce este tensiunea de basculare a unui triac? 3. Circuitul echivalent al unui triac. 4. Condi{ia de blocare a unui triac. 5 Utilizrile dispozitivelormultijonctiune. 6. Condilia de intrare in conducfie a unui diac.
Indicati dac urmtoarele afirmatii sunt adevrate, argumentnd rspunsurile:

Figura 14.1
In acesl caz, elementul regulator se comport ca o rezistent variabil a crei mrime este controlat de tensiunea de iegire Uoul prin bornele 2 - 3; cnd tensiunea de intrare Utn cregte, tensiunea Uor, tinde s urmreasc aceast cfegtere gi acfioneaz asupra elementului regulator, care-gi mregte rezistenla

7. 8. 9.

Un triac in conduclie poate trece gril. gril.

in blocare, aplicnd un impuls pozitiv

pe

Un diac poate intra in starea de conductie aplicnd un impuls pozitiv pe

intre bornele 1

La intrarea in conduclie a unui triac, tensiunea de la bornele electrozilor scade la valori mici. 10. Triacul 9i diacul sunt dispozitive multijonc{iune care au pfoprietatea de conductie bidirectional, controlat de gril.

compensat de cderea de tensiune dintre bornele 1 - 2 gi astfel, tensiunea la iegire va reveni la valoarea anterioar. Odat cu scderea tensiunii de intrare, rezistenla dintre bornele 1 - 2 iSi micgoreaz valoarea astfel inct tensiunea de la iegire s rmn neschimbat. Performanlele stabilizatoarelor de tensiune sunt urmtoarele: - coeflcientul de stabilizare Sn:
I AUou,

2. Evident, in acest mod cregterea tensiunii la intrare va

fi

la

1o,,1

gi

T (temperatura) constante;

^u*
/o
77

Slabilizator serie de tensiune

Slabilizator serie de tensiune


Mecanismul de stabilizare a tensiunii redresate va fi prezentat pentru un stabilizator de lensiune serie, cu tensirnea de iegire reglabil, a crui schem de principiu-este ilustrat in figura 14.4. In schema din figura 14.4, tranzistorul rr reprezint elementul regulalor serie, tranzistorul 12 este amplificatorul de eroare, dioda Zener Dz stabilegte tensiunea de referin!, rezistenla Rr este rezistenla de sarcin a lui T2, rezislenfa R2 asigur curentul diodei Zener in zona de stabilizare a acesteia, iar grupul

rezistenta de iegire Ro

R,, --

AUou,
T alour ^

la

U,n 9i

T constante;

coeficientul de temperatur 51;

^ \ "r =

AU^*
_________Ytj-

o reprezentare ceva mai complet a unui stabilizator liniar de tio serie este ilustrat in figura 14.2. circuitul de control al tensiunii de iegire sesizeaz variatiile tensiunii de iegire. Amplificatorul de eroare compar tensiunea de control cu o tensiune de referin! gi impune elementului regulator s actioneze in compensare, pentru a mentine constant tensiunea de ie5ire.
ELEMENT REGULATOR

AT

la

U1n

gi

lout

constante.

format din R3, P gi Ra polarizeaz baza tranzistorului amplificator T2, cu o tensiune propo(ional cu valoarea tensiunii de iegire (uout). cu ajutorul

potenliometrului P se stabilegte exact valoarea tensiunii de polarizare a bazei lui T2, adic chiar valoarea tensiunii de iegire. Tranzistorul serie r1 lucreaz ca o rezistent variabil funclie de tensiunea de comand pe care o primegte inbaz, Se va arta in continuare modul de stabilizare a tensiunii de iegire.

TENSIUNE DE REFERINTA

AMPLIFICATOR
DE EROARE

Figura 14.2
In

figura 14.3 se prezint cteva tipuri uzuale de stabilizatoare serie.

Figura 14.4

Figura 14.3
7B

s presupunem c tensiunea de intrare uln cregte. Tensiunea de iegire tinde de asemenea s creasc. Aceast cregtere a tensiunii se transmite in mod propo(ional in baza tranzistorului 12. Tensiunea de emitor a lui 12 are o valoare fix stabilit de dioda Zener Dz. cregterea tensiunii din baza lui T2 este echivalent cu cregterea tensiunii baz-emitor ugg, deci cu cfegterea curentului prin T2 gi cu scderea potentialului din colector a lui 12. scderea potenfialului din colector, inseamn scderea potentialului bazei tranzistorului 11, inseamn in continuare scderea tensiunii Ugp a lui 11, ceea ce conduce la reducerea curentului prin T1, la cregterea rezistenfei colector-emitor, deci la o cdere mai mare de tensiune pe tranzistorul serie. cderea suplimentar de tensiune pe T1 determin reducerea tensiunil de ie$ire, aducnd-o la valoarea initial. in cazul in care tensiunea e intrare scade, fenomenele artate mai sus se petrec in mod invers, conducnd la o scdere a rezisten{ei colector-emitor a lui T1, determinnd in final o cregtere a tensiunii de ieqire. in mod sirnilar se poale demonstra mentinerea constant a tensiunii de iegire gi cnd apar variatii alc rerzislenlei de sarcin. Variatia sarcinii produce
uo,1 79

Stahilrzator scrie de lensiune

Stabilrzator serie de tensiune

varia!ia tensiunii baz-emitor Use la Tl gi imediat varialia curentului ls1, cf automat modific curentul prin tranzistorul regulator serie, ceea ce are ca efect
readucerea la normal a tensiunii qe iesire.

14.3. Modul de lucru


'1 . Se identific componentele montajului din figura 14.5 gi se explic functionarea stabilizatorului serie. 2. Cu ajutorul unui voltmetru se msoar lensiunea pe condensatoarele C6 gi C7.

3. Prin intermediul unui autotransformator se produce o variatie a tensiunii

de

alimentare, ceea ce conduce la o variatie diferenlial a tensiunii U1 la iegire. Se comoleteaz tabelul 14.1.
14
v5

v1_l_-Lqq

190

200

220

230

240

4. Modificati sarcina montajului astfel inct tensiunea U1 de iegire s nu

se

modifice. Notali un set de valori intre limita minim gi maxim. Trasali graficul de dependent U1 = f(!,0,"). 5. Cu ajutorul semireglabilului R1, modificati tensiunea de iegire notnd limitele minim gi maxim. 6. Se vor vizualiza formele de und in punctele de msur 1 gi 2, din figura 14.5.

,i

ATENTIE!!!

Tensiunile msurate in acest montaj sunt periculoase!!! NU atingeli accidental p(i ale montajului aflat sub tensiune.
PERICOL DE ELECTROCUTARE!
!!

14.4, Confinutul referatului

Figura 14.5

1. 2. 3. 4. 5
1

Datele exoerimentale culese. Caracteristica de dependent U1 = f(1531"). Se deseneaz formele de und vizualizate la punctul 6 al modului de lucru. Explicati rolul fiecrei componente din circuitul prezentat in figura 14.5. Se detennin performantele stabilizatorului serie dq tensiune studiat.

4,5. Evaluarea cunogtinfelor

1 2. 3. 4

Cerirrte le rlrui circuit de alimentare. S(:h(rrn irloc a urrtri stabilizator de tensiune. Mcclrrrrsrrrrrl rlc slabilizare serie a tensiunii.

Explicir{r lunc;liorurrua circuitului din figura 14.5, atunci cnd dioda Zener so st:rl1r:ltr:rtilc;tzA

80

Circuite de alimentare Circuite de alimentare

15, CIRCUITE DE ALIMENTARE


1

5.1. Obiectivele lucrrii


familiarizarea cu funcliile elementelor unui circuit de alimentare: trasarea caracteristicii de transfer a unui stabilizator de tensiune; eviden!ierea performanlelorstabilizatorului detensiune.

15.2. Considerafii teoretice


15.2.1. Generalitti

conlrnue,

circuitere de arimentare au drept scop principar asigurarea unor tensiuni

r'xr$l0llte in orice aparat electronic, pentru a permite funclionarea acestora. Aocsr.. circuite trebuie s satisfac o serie de cerinte, din care cere mai lnll)onanl0 sunl:

cu ajulorul crora se

polarizeaz elementele electronice active,

Figura 15.2

p.rlrrrbatiile produse circuitelor aparatului electronic pe care ?l alimenteaz gi rr'loloi de alirnentare cu.curent alternativ, prin introducerea unor tensiuni parazite, hll he rlinime gi irrcadrabile in standardele in vigoare; - asigrrarea unui randament energetic ct mai ridicat (mai mare de 70%);

suprapune peste tensiunea continu, la o valoare suficient oe reosi (maxim


3o/")

asigurarea componentei arternative reziduare (brum

un sistem electronic supus acfiunii uhui ansamblu de semnale de intrare furnizeaz la iegire o serie de semnale cu caracteristici electrice variabile in timp. Menfinerea invarianl in timp a caracteristicilor electrice ale unui semnal la iegirea unui sistem, in conditii de variafie in domenii specificate a semnalelor de intrare (variatia temperaturii mediului ambiant in care funclioneaz sistemul se consider semnal

de

relea),' care se
2_

de intrare), se asigur printr-un proces de stabilizare a

rezistenta R

crrcuitere de arimentare sunt formate in principiu din dou brocuri: redresor (1) 9i stabilizator de tensiune (2) (figur rs.i), avanJ ca sarcina

tensiunea de iegire constant, indiferent de varialia tensiunii de intrare,

semnalului respectiv. Dispozitivul electronic care realizeaz functia de stabilizare a parametrilor unui semnal poart numele de stabilizator. Un stabilizator de tensiune continu este un cuadripol care menline
a

curentului prin sarcin sau a temperaturii mediului ambiant, in domenii soecificate prin standarde sau norme tehnice. 220 V 50 Hz
RL
1

5.2.2.

Figura 15.1

las ificarea stab i I izatoare lor de tens iu ne in funclie de modul de aclionare a elementului regulator se disting: stabilizatoare cu acfiune continu (stabilizatoare liniare), la care elementul
C

regulator func{ioneaz continuu;

Stabilizatorul de tensiune are rolul de a mentrne constante tensrunea oe iegire functie de anumifi factori perturbatori, ca de exmplu: van1iite tsiunii de relea, ale rezistenlei de sarcin, ale temperaturii mediurui ambiant etc. structura intern a unui stabilizator poate fi sintetizat in schema bloc din figura'15.2. Blocurire componente sunt: 1 erement regurator; 2 erement de comand; 3 - amplificator de eroare; 4 _ element de referint. Partea cea mai important a unui stabilizator o constituie elementul regulator. La stabilizatoarele serie de tensiune, elementul regulator, care este realizat dintr-un tranzistor, este montat in serie cu Dornele de la care se culege tensiunea de iegire.

stabilizatoare cu ac{iune discontinu (stabilizatoare in comutatie), la care elementul regulator func{ioneaz in regim de comutatie, incrcnd un element acumulator de energie (un condensator), care furnizeaz tensiunea de iegire pe sarcin pe durata cnd incrcarea condensatorului este

intreruot. i^ r..^^+r^ ue *^r..r r^ ^--^^r^-^ - ^l rr ruruutrr !^ rr'lodul de conectare a elementului regulator sarcina. stabilizatoarele de tensiune se impart in: - stabilizatoare de tip serie; - stabilizatoare de tio oaralel. 'metoda

in raport

cu

in

raport cu

de stabilizare exist dou tipuri principale

de

stabilizatoare. - stabilizatoare ?n bucl deschis (parametrice / open-loop regulator), - stabilizatoare in bucl inchis (cu reactie / feedback regulator).
83

82

Crrt:rrrlr.

rlc alirne rrlare

Circuite de alimentare

Dup posibilitatea de ajustare a nivelului tensiunii de iegire oferit utilizalorului, stabilizatoarele se clasific in: - stabilizatoare de tensiune variabil (care permit ajustarea tensiunii de iegire intr-un domeniu specifi cat); - stabilizatoare de tensiune fix (care furnizeaz la iegire un singur nivel de tensiune cu o precizie specificat). In funcfie de numrul iegirilor pe care se asigur simultan tensiuni stabilizate, se impart in; - stabilizatoare cu o singur iegire: - stabilizatoare cu dou sau mai multe iegiri.
15.2.3. Principii de functionare Schema bloc a unui stabilizator de tensiune conventional este prezentat in figura '15.3.
legire de
ransformator
ETEd

ieFire U,,,,r prirt bornele 2 - 3, cncl lensiunea de itrtrare U'n cregte, tensiunea Uorl tinde s urmreas; aceasl creEtere gi aclioneazi asupra elementului regulator, care-9| mreqte rezistenla intre bornele 1 2. Evident, in acest mod cre$terea tensiunii la intrare va fi compensat de cderea de tensiune dintre bornele 1 2 gi aslfel, tensiunea la iegire va reveni la valoarea anterioar. Odat cu scderea tensiunii de intrare, rezislenla dintre bornele 1 - 2 igi micaoreaz valoarea astfel inct tensiunea de la iesire s rmn neschimbat.

Redresor

Filtru

Regulator

stabil
l

Figura 15.4
Stabilizarea paralel const in plasarea elementului regulator in paralel cu sarcina. in acest caz, elementul regulator are o rezisten! dinamic foarte mic 9i astfel, varialiile curentului care il strbat, nu vor produce schimbri notabile ale tensiunii la bornele sale. Deoarece stabilizatoarele paralel sunt mai pufin eficiente dect cele serie, in continuare se vorface referiri, cu precdere la stabilizatoarele serie. Schema din figura 15.5 prezini un stabilizator simplu de tip serie, realizat

220 20v
v. d.

Sarcin

Figura 15.3

Transformatorul de relea are dou roluri principale:

cu amplificator operalional. Divizorul de tensiune rezistiv format din R: $i


urmregte varialiile tensiunii de iegire.
UN
Uout

Rr

izoleaz reteaua de 220

V c.a. 50 Hz de liniile de curent continuu

ale

redresor este puntea redresoare, ce folosegte patru diode pentru a realiza redresarea pe intregul clclu, fr a avea nevoie de priz median a

echipamentului electronic; - modific nivelul de curent alternativ de la valoarea refelei, la valori necesare iegirii de curent continuu. Redresorul realizeaz conversia energiei de curent alternativ furnizat de relea, in energie de curent continuu, solicitat de consumatori. Cel mai utilizat

transformatorului de relea. Filtrul are rolul de a netezi impulsurile primite de la redresor. Filtrul poate avea o intrare inductiv sau o intrare capacitiv. Regulalorul este folosit pentru a pstra tensiunea de iegire constant, ittdiferent de modificrile tensiunii de retea sau de variatiile curentului de sarcin. in procesLtl de stabilizare a unei tensiuni, se utilizeaz dou tehnici principale: stabilizarea serie gi stabilizarea paralel.

Stabilizarc;r sirrie const

in

plasarea elementului reoulator

rezistenla de sarcirr;l R, (figura f S.+;.

in acest caz,

in serie cu elemntul regulator se


Figura 15.5
85

comport ca o reztslttnlil vittiabil a crei mrime este controlat de tensiunea de


84

Clrcuite de alimentare Circuite de alimentare

amplificatorului operafional se aplic, prin divizorul de tensiune, o tensiune redus propo4ional. intruct dioda Zener mentine cealalt intrare a amplificatorului la o tensiune de referin! UpEp, aproximativ constant, intre intrrile amplificatorului operafional va apare o mic tensiune diferential (tensiunea de eroare). Aceasta este amplificat gi deci tensiunea de la iegirea amplificatorului cregte. Tensiunea (acum mrit) se aplic in baza tranzistorului T1, ceea ce duce la cregterea tensiunii din emitor, care este tocmai Uo,1, pn cnd tensiunea de pe intrarea inversoare a amplificatorului devine egal cu tensiunea de referin!. Astfel, se compenseaz tendinfa de scdere a tensiunii de
ie$ire, aceasta rmnnd aproximativ constant.

cnd tensiunea de iegire ?ncepe s scad, cauzele posibile fiind scderea Uln Su cregterea curentului prin sarcin l=, ca urmare a scderii R;, pe
intrarea inversoare

orrce tiiferent dintre cele dou tensiuni este amplificat de T1 9i semnaful amplifi:at este adus in baza lui 12. De exemplu, dac iegirea de c.c. scade cnd este consumat mai mult curent, tensiunea din baza lui 11 scade Ei 11 conduce un curent mai mic. Prin urmare, tensiunea de colector a lui 11 cregte gi aceast cregtere a tensiunii este adus in baza lui 12, care funclioneaz ca repetor pe emitor, pentru a contracara scderea initial a tensiunii de iegire. in acest fel circuitul actioneaz pentru a pstra iegirea ct mai constant posibil. Tensiunile de c.c. normale ?n punctele de test (pT) sunt urmtoarele:
YI
1

z
q,e

Tranzistorul de putere

este strblut de curentul de sarcin. Tensiunea stabilizat de la iegirea stabilizatorului serie va fi:

Tl se monteaz de obicei, pe radiator,

UMI
deoarece

to

tz,z

15.2.4. Circuite de proteclie in circuite de alimentare

chiar gi

in

u.*i[t-,*)

"-.

in figura 15.6 este pfezentat o surs de alimentare cu un regulator liniar simplu. Tensiunea nestabilizat de c.c. este oblinut de la un circuit cu punre redresoare gi un condensator de filtraj cr de 3300 pF. Transformatorur are o tensiune secundar de 12 V"r, astfel inct tensiunea nestabilizat oe c, va fi de aproximativ 12.

introducerea unor circuite de proteclie, pe ling siguran.tele standard. un circuit de alimentare poate avea siguran{e pe relea (pe |az, pe nul sau pe linii) gi pe linia de c.c. nestabilizat. Dar, sigurantele pot s nu se intrerup suficient de repede pentru a proteja tranzistorul regulator serie, dac iegirea stabilizatorului este scurtcircuitat. Astfel, se pot utiliza diverse circuite de limitare a curentului. un circuit simplu fiind prezenlat in figura 15.7.

cele mai simple circuite de alimentare este necesar

nE

V, adic in jur de 16 V.
I- - - - - - - |

Si1

Tr

Figura 15.7
Prin rezistenta R5 de valoare mic, trece curentul de iegire. La o cregtere peste o valoare prestabilit a aceslui curent, cderea de tensiune deschide T:, care la rndul lui va bloca regulatorul serie Tr. Proteclii la supralensiune pot fi realizate cu circuite care preiau tensiunea de iegire a stabilizatorrrlui gi o compar cu o tensiune de referin! (figura 15.9).

Figura '15.6 Tensiunea de referin! este furnizat de dioda Ds (o diod Zener de 5,6 V). Tranzistorul 11 este amplificatorul de eroare de c.c. care compar o portiune din tensiunea de c.c. de iegire, tensiunea pe Ra, cu referinta.
86

se va deschide lirislorrrl Thr care va,,scurtcircuita" iegirea gi deci va declanpa


limitatorurl de crrrorrl ()iur) vil bloca regulalorul serie.

Dac tensiunea cie ic:girc cregte peste tensiunea de stabilizare a diodei zener D2,

87

L)rr

r:rrrlr:

(lo arlitnortlare

Prrrzrnlirrlrr

,.,r

lt,l,lir{:;r tlr,lroztltvcltir semiconductoare utilizate in aplica!ii

t;

16. PREZENTAREA $l TESTAREA DISPOZITIVELOR SEMICONDUCTOARE UTILIZATE iT.I APLICATII


PRACTICE
16.1. Obiectivele lucrrii

il

R:

Th,;
;

Ra

familiarizarea cu dispozitivele semiconductoare

lipuri de capsule, diverse date de catalog; identificarea dispozitivelorsemiconductoare; identificarea terminalelor dispozitivelor semiconductoare; verificarea strii funclionale a dispozitivelor semiconductoare prin metoda
ohmmetrului.

parametri caracteristici,

Figura 15.8

15.3. Modul de lucru

6.2. Consideratii teoretice

1. 2.

se realizeaz montajul din figura 15.6 gi se msoar tensiunile in punctele de


test. Se compar rezultatele experimentale cu cele teoretice.

Se deconecteaz alimentarea stabilizatorului de la blocul redresor gi se conecteaz o surs de tensiune continu reglabil la bornele A - B, care turnizeaz o tensiune Uas gi se verific parametrii de stabilizare, conform
.

indicatiilor din tabelul 15.1 Tabel 15.1

Diodele, continnd o singur joncliune p-n, sunt cele mai simple dispozitive semiconductoare. In func{ie de locul utilizrii au fost concepute mai multe tipuri de diode cu parametri specifici aplicaiiei respective. Foile de catalog ale fabrican{ilor de diode ofer informa{ii detaliate asupra produselor, pentru ca acestea s poat fi folosite in mod adecvat in diverse circuite. [n general, o foaie de catalog cuprinde valori maxime, caracteristici electrice, detalii mecanice gi eventual, diagrame de varialie a unor parametri. Parametrii caracteristici cei mai importanfi penlru o diod sunt:

16.2.1. Diode

3.
1

Se traseaz caracteilstica de transfer U611 = f(Uas). Ce fel de stabilizator de tensiune este circuitul din figura 5?

5.4. Continutul referatului


Datele experimentale culese. Caracteristica de lransfer Uorl = f(Uas). Explicati principiul de functionare a unui stabilizator serie de tensiune. Se determin tensiunea de iegire a unui stabilizator identic cu cel din figura 15.5, dac U,n = *15 V, R1 = 1 K0, R'= R: = 10 KQ, Vzr = 5,1 V.

a z

5.5. Evaluarea cunogtin{elor

tensiune invers repetitiv maxim Veps; curentul mediu redresat lo; tensiunea direct de vrf (cderea de tensiune in conduclie direct) Vrru; curent direct de vrf lrrvr, timpul de comutare invers t'..; temperatura de lucru a jonc{iunii l. in practic, se intlnesc dlode redresoare normale, diode redresoare rapide, de comutafie, de comutare, Zener, varicap etc. Diodele redresoare nonnale sunt de dou tipuri: - diode cu germaniu (EFR 115...EFR135 etc.); - diode cu siliciu (F057...F407, 1N4001...1N4007 etc.). Funfile redresoare reprezint patru diode redresoare normale in montaj punte, in aceeagi capsul. Se asigur astfel un montaj mai simplu, de dimensiuni

micigibine echilibrat (1PM..., 3PM..., 8...C1500 etc.).

1. 2. 3. 4. 5 6
88

Cerinlele trrrui circrril clc alirnenlare Scherna bloc a rrrrrtr stabiilzalor conventional

Diodele redresoare rapide sunt utilizate la redresarea tensiunilor

elementelor (:otrilronolrl(:, Difrlrcn{;r rlirrlrc :;llrlrilrz;rlorrrl scrie gi cel paralel. Difcrrcn(lr tlirrlrr,.,l;tlrrh.ltlorrrl lrrriar 9i cel in comutatie. Ru;lttrttl rir' lurtlt ;rl lt;rttzir'lorrrlrri rcgulator dintr-un stabilizator linrar. Ptrrllr.lttlt' l,t'.rtlrtitt'tttt'ttl r.,t l;t sttltratensrune.

de tensiune gi

rolul

alternative sau de impuls, cu frecvenfa cuprins intre 1 kHz 9i 100 kHz. Ele difer de diodele redresoare normale prin faptul c au timpul de comutare mic (t < 500 ns). Se ulilizeaz in echipamente pentru comutare rapid, in surse de alimentare

in comutatie, in receptoarele TV etc. Dlodele redresoare rapide, la fel ca


diodele normale, sunt produse in mai multe variante: - diode cu germaniu, de semnal 9i comutatie (AA... EFD... etc.);

9i

89

Prezertlarea 5i leslarca clispozitivelor semiconductoare utilizate in aolicatii

['rt;/ttt]titrcit

Et

lestarea dispozitivelor semiconductoare utilizate in aolicatii

DRR114, 6DRR4P erc.) diode cu seleniu (de inalt tensiune) OV13, TV18, KfX30).

diode cu siriciu (rapide gi urtrarapide) (8A157, 8A159, 8y228, 8y299,


Diodere de comuta{ie reprezint

pe msura apropierii de joncliunea pn) utilizate in circuitele de foarte inalt frecvent gi de comutare rapid;

drode ultrarapide (realizate prin dopare progresiv, nivelul de dopare scznd

strpungere, la cregterea curentului prin diod.

invers aproximativ constant la borne, atuci cnd lucreaz

foarte mici (2...5 ns) (1N414s etc.). sunt utilizate in comutrile rapide gi ^comutalie in circuite de deteclie din aparatura TV-VIDEO_Hl_Fl. Diodere de comutare (cu siriciu) se utirizeaz in comutarea benziror de frecven! a circuitelor de acord de la 10 MHz la 1000 MHz. se caracterizeaz prin rezistent direct foarte mic pe un domeniu mare de frecvent gi curent. Principalele tipuri sunt 8A243 gi 8A244. Diodele Zener utilizeaz proprietatea joncfiunii p--n de a avea o tensiune

categorie de diode cu timpi de

diode tunel (realizate din arseniur de germaniu sau galiu, prin dopare puternic a regiunilor n si p) utilizate in oscilatoare gi amplificatoare de
microunde. in figura 16.2, sunt prezentate cele mai importante capsule ale diodelor.

in

regrunea oe

Diodere Zener sunt utirizate ca referinfe gi stabirizatoare de tensiune. Clasificndu-le in func{ie de putere se pot aminti urmtoarele: - de 0,3 W (TCZ 2V4...5V1, ZTC33 erc.): - c,e 0,4 W (D22V7...51 etc.); ' de 1 W (PL 3V3Z...pL 2002 etc.); - mai mari de 1 w: de 4 w, 10 w, 20 w 9i 50 w (forosite doar in echipamentere
industriale). tensiune sunt. - tensiunea de stabilizare, adic tensiunea nominal Zenery,,,.. - curentul de control al tensiunii de stabilizare 121; - curentul Zener maxim l7y. Diodele varicap sunt acere diode care utirizeaz dependenta capacitlii de barie_r a unei jonctiuni de tensiunea invers de polarizar aplicaia, in scopul materializrii unei capacit{i variabile. Sunt utilizate in acordul circuitelor cte unde ultrascurte giTV. Cele mai cunoscute sunt 88109, 88139 gi 88125. Diodele stabilizatoare de curent mai sunt denumite diode de curent conslant. Aceste diode functioneaz in polarizare direct, iar curentul drrect este tipul diodei.

fl

caracteristicile electrice mai importante ale diodelor stabilizatoare de

Figura 16.2 16.2.2. Tranzistoare Tranzistorul este componenta cea mai reprezentativ din electronic, fr a crui apari{ie, electronica ar fi existat, dar nu ar fi atins nici pe departe nivelul extraordinar de dezvoltare la care a ajuns astzi. Tranzistoarele se pot clasifica dup diverse criterii, dup cum urmeaz. 1. in funclie de natura purttorilor de sarcin. - tranzistoare bipolare, la care purttorii de sarcin sunt de dou tiouri (electroni gi golurr); - tranzistoare unipolare, la care purttorii de sarcin sunt de un singur tlp (fie electroni, fie goluri). 2. Dup tipul semiconductorului utilizat. - tranzistoare cu germaniu (AC..., EFT..., AD..., AU... etc.): - tranzistoare cu siliciu (8C..., BD.. ,8F..., 8U..., 2N..., etc ) 3. Dup frecventa de lucru: - de joas frecvenf (8C107 8D135, 2N3055 etc.); - de inalt frecven( (8F200, 8U208 etc.). 4. Dup pLrterea total disipat - de mic putere (8C107, 8C177 etc ); - de nreclit,' putcru (RD135, ADlSS etc.)
91

o constant dat la o tensiune direct cuprins in gama 1,5..6 v, in functie de


simbolul diodei stabirizatoare de curenr este dat in figura 16.1.

nnoo$catoo
Figura 16.1
diode:

in circuitele electronice moderne, se mai folosesc urmtoarele tipuri

de

domeniul microundelor;
90

in circuitere de inart. frecven!, comutafe rapid sau circuite igit"[; diode pin (dou regiuni n gi p, separate de o regiune intrinse"ca; utitizate in

diode schottky (oncfiune metal-semiconductor, in locul jonctiunii pn) utilizate

l'rr,,'r'ntiuli_r br testarea drspozitivelor semiconductoare utilizate in aplicatii

[)rczcnl;url

i.r lr,',1;rrt,;r rlrsJro;tttvelor senticonductoare utilizate

in aplica{tt

de putere (2N3055, 8U208, 8U508 etc).

5.

Dup regimul de lucru:

tranzistoare utilizate in regim de amplificare (8C107, 8D139, 2N3055 etc.); tranzistoare utilizate in regim de comutatie (BSW21, BSV90, 2N2905, etc.) caracterizate prin timpi de comutalie foarte mici (de ordinul ns). Tranzistoarele bipolare pot

fi imprtite, la rndul lor, dup numrul

de

jonctiuni:

tranzistoare cu dou jonctiuni (npn sau pnp); tranzistoare unijonctiune TUJ (ROS 11,2N'1671 etc.). Parametrii caracteristici cei mai importan{i pentru un tranzistor bipolar
tensiuni continue intre electrozt Vqp, Vs6, Vs6, V6s6 etc.;

Figura

16.3

Figura 16.4 singur

Din necesitatea mririi factorului de amplificare, folosind un

SUNI:

curenli continui

16,

ls, ls,

putere total disipat P,o,[w]; temperatura maxim a jonctiunii T;["C]' timpii de comutatie t;n, to6.

tranzistor (o singur capsul), in etajele finale, firmele productoare au scos pe pia! tranzistoarele Darlington. La aceste tranzistoare, factorul de amplificare in curent este egal cu produsul factorilor de amplificare individuali. Pe lng aceste tranzistoare utilizate pe scar larg, in circuitele de comutare, in

Tranzistoarele unipolare denumite

pot fi gi ele imp(ite in dou clase: cu jonctiune TEC-J (JFET) (ROS104, BFW10 etc.), care sunt de dou tipuri:

Qi

tranzistoare cu efect de cmp (TEC)

gi TV se folosesc aga-numitele tranzistoare digitale adic tranzistoare care pot fi comandate digital. Un tranzistor digital este format dintr-un tranzistor bipolar gi dou rezistoare (un divizor de tensiune) conectate ca in figura 16.5. Aceste tranzistoare pot fi comandate direct in baz cu tensiuni de nivel logic 0 sau 1 (adic 0 sau 5 V). Dintre tranzistoarele digitale mai uzuale sunt seriile BCR..." DTA.... DTC... etc.
tehnica Hl-Fl

cu canal n, cu canat p.

cu gril izolat (cu metal oxid semiconducto| TEC-MOS (MOS-FET) (ROS 01, 8FR 84 etc.), care la rndul lor pot fi: - cu canal initial; - cu canal indus. O form special de tranzistor cu efect de cmp este tetroda MOS-FEf, avnd dou grile plasate una dup alta (8F907.. 910...960...961). Se poate mentiona un aspect de ordin practic legat de utilizarea tranzistoarelor TEC-MOS - datorit impedantei foarte mari de intrare, exist riscul de strpungere al stratului de oxid (rezist pn la cca. 100 V) prin acumulri de sarcini electrostatice mari. De aceea, depozitarea se face in cutii din material conductor electric astfel ca toate terminalele s fie scurtcircuitate imoreun. Ciocanele de lipit care se vor folosi in acest caz vor fi legate la pmnt, Parametrii caracteristici cei mai importanli pentru un tranzistor unipolar
tiunt: ttrrtsirrrri continue intre electrozi Ve5, V65, V6p etc.;

Figura 16.5

Constructiv, tranzistoarele se realizeaz intr-o gam larg de capsule, in funclie de destinatia lor. Cele care se monteaz pe distantiere sau radiatoare sunt tranzistoare de putere. Tranzistoarele de putere mic sau medie au capsule mai mici, din metal sau material plastic. Cele mai importante capsule sunt prezentate in figura 16.6.
16.2.3. Tiristoare

r:urenIi continui 111, l1;, ls;i tirrrpii tlc r:onrrrta\ie t,,,,, 1,,x. lrr r:apsulir rrnor trulnzistoare de putere (de ex., BU50SD), sunt inglobate ciiode rlc froupcfilfo pnralel, montate in contrasens cu curentul de colector 9i rezisten(e, de 25 35 tJ, de evacuare a sarcinii stocate in baz, montate in paralel pe Jonctiunea enrrtortrlui, a$a cum se vede in figura 16.3.

Tiristorul este o component semiconductoare cu o structur pnpn cu trei terminale, numite anod A, catod K gi gril (poart) G.

in func{ie de timpul de comutalie, se pot clasifica in tiristoare normale


rapide.

gi

92

Prezentarea gi testarea dispozrtivelor semiconductoare utirizate in aolicatrr

Pttt,'t'tllillca i,i lcslarca dispozitivelor semiconductoare utilizate in aolicatii


OBSERVATIE Uneori, in practic, aceste msurtori nu sunt suficiente per,tru a depista o diod defect. Astfel, se va comuta instrumentul de msur pe gama de x .l gi se va msura rezistenla diodei in conduclie direct. Dac instrumentul va indica o

""' 'q-,

L"'

.'!, #-.

'l1r: 1'
"

t-N 1 ,1

B
E;]

'C

(capsut)

@'
BCE
SOT 93 SOT 23

valoare de aproximativ 20 Q, dioda este bun. Dac instrumentul va indica

o 1,

BCE
TO220

TO3

t
BCE

verificarea diodei se poate face (de ceie mai multe ori) fr a o deconecta din
monlaj.

este defect. Datorit faptului c msurtoarea se face pe gama de

valoare de 40 Q sau mult mai mare, dioda are rezisten{a dinamic mrit gi deci

B.

Msurtori cu multimetrul digital, pe gama pentru joncfiuni

in acest caz, msurtorile se fac in volfi (adic cderi de tensiune pe joncliunea pn), valorile oblinute variind de la un multimetru la altul. cazul f . in ambele sensuri, aparatul indic o cdere de tensiune cuprins intre 0 9i 0,3 V- jonc{iunea este in scurtcircuit gi evident dioda este defect; cazul 2'. in ambele sensuri, aparatul nu indic nici o cdere de tensiune - dioda
este intrerupt;

ECB
TO 39

BCE
soT
186

CBE
TO 92

soT

126

Cazul 3. aparatul indic o cdere de tensiune cuprins intre 0,4 V gi 0,6 V in conductie direct (adic cu minusul multimetrului pe catod gi cu plusul pe anod) gi o cdere de tensiune de aproximativ 0,7...0,8 V in conductie invers - diod cu
rezistenl invers micgorat.
conduc,tie direct gi nici o cdere de tensiune bun.

Figura 16.6 Caracteristicile mai importante sunt:

Cazul 4. aparatul indic o cdere de tensiune cuprins intre 0,4 V gi 0,6 V in in conductie invers - dioda esle

putere au capsul metaric, prevzut cu gurub pentru fixare pe radiator.


16.2.4. Testarea componentelor gi depistarea celor defecte de x 1K.

Tiristoarele sunt rearizate sub diverse forme, din care cere mai reprezentative sunt asemntoare cu capsulele tranzistoarelor. Tiristoarele de

tensiunea direct de intoarcere Venr _ tensiunea de ia care tiristorul intr in regiunea de conductie direct; curentul de mentinere lr; tensiunea invers de strpungere Vspp.

OBSERVATIE
Dac sunt dubii asupra diodei, se poate comuta aparatul pe gama de

se va msura rezistenla in conduclie invers. O rezistent mai mic de 3 MO


inseamn o diod cu rezislenfa dinamic mrit gi decl diod defect.

gi

2.

Punli redresoare

1. Diode redresoare normare gi rapide, diode de comutatie cu siriciu A. Msurtorr cu murtimetrur MAVO-3S (iau arte murtimetre pe gama
este in scurtcircuit. cazul 2 rezistent infinit in ambere sensuri dioda este intrerupt. cazul 3: rezistent de aproximativ 4...10 Ko in conductie direct gi rezrstent de

Punlile redresoare (care ?nglobeaz 4 diode intr-o singur capsul) se msoar identic cu diodele redresoare cu observalia c se repet msurtorile pentru fiecare diod in parte. Astfel, defectarea unei singure diode inseamn
punte redresoare defect.

cazul 1. rezistent zero sau aproximativ egal cu zero in ambele sensun _

"."rbgr""l

dioda

3. Diode ZENER A. Msurtori cu multimetrul MAVO-3S (sau alte multimetre


de x 1K

analogice), pe gama

cu rezistent invers micgorat.

ordinul zecilor sau sutelor de Ke in conductie invers (diferit de infinit) _ ctiod in conductie invers

Verificarea diodelor Zener se face ca 9i in cazul celor normale cu observalia c diodele Zener cu tensiunea de stabilizare mai mic de 5,6 V, vor avea in conductie invers o rezistent cu att mai mic cu ct tensiunea de
stabilizare este mai mic.

cazul 4. rezisten! de aproximativ 4...10 Kr) in conductre direct gi - -. ---- Y 'rezistent infinit

diod

bun

94
95

Prezentarea gi testarea dispozitivelor semiconductoare utilizate in aolicatii

Prczt.trrl;rrr';r qr lr,r,ltrtt,;t tlil;pozitivelor semiconductoare utilizate in aplicatii

Msurtori cu multimetrul dlgital pe Uama pentru jonc{iuni Verificarea se face ca gi in cazul Jiodelor normale - o cdere de tensiune de 0,4...0 6 V in conductie direct gi lipsa oricrei cderi de tensiune in conductie invers inseamn diod Zener bun.

B.

OBSERVATII
f

1. La el ca la diode,

Diode de inalt tensiune Verificarea acestor diode se poate face alimentnd dioda cu o tensiune mai mare dect tensiunea de deschidere (ex.: tensiunea de deschidere a unel dlode TV18 este de cca. 180 V) gi msurnd tensiunea cu voltmetrul. in acest caz, msurtorile cu ohmmetrul sunt inutile, aceste diode avnd tensiunile de deschidere mult mai mari decttensiunea de alimentare a aparatului de msur.
Msurtori cu rnultimetrul MAVO-35 (sau alte multimetre analogice), pe gama de x 10 Cazurile 1 gi 2 sunt identice cu msurtorile de la dioda cu siliciu. cazrrl 3. rezisten! de aproximativ 20...100 e in conductie direct si rezistent diferil de infinit in conductie invers - diod defect. Cazul 4. rezistent de aproximativ 20...100 O in conductie direct si rezistent infinit in conductie invers - diod bun. B. Msurtori cu multimetrul digital pe gama pentru joncliuni Cazurile 1 gi 2 sunt identice cu msurtorile de la dioda cu siliciu. cazul 3: aparatul indic o cdere de tensiune cuprins intre 0,15 V gi 0,35 V in conduclie direct gi o cdere de tensiune de aproximativ 0,7...0,g V in conductie invers - diod cu rezisten! invers micaorat. cazul 4. aparatul indic o cdere de tensiune cuprins intre 0,15V...0,35 V in conductie direct gi nici o cdere de tensiune in conductie invers dioda este bun.

4.

pentru eliminarea oricror dubii' se va comuta instrumentul de msur pe gama de x 1 9i se va msura rezisten{a joncliunilor BE si BC ale tranzistorului in conducfie direct. Dac

2. 3.

instrumentul va indica o valoare de aproximativ 10...2a Q joncliunile sunt bune. Dac instrumentul va indica o valoare de 40 a sau mult mai mare, joncliunile sunt defecte. Un tranzistor de putere cu diod incorporat bun, trebuie s indice intre colector gi emitor, intr-un singur sens, o rezisten_t de aproximativ 4...10

4. A

Diode cu germaniu

Un tranzistor de putere cu rezisten! paralel pe jonc{iunea BE, trebule s Indice intre baz gi emitor, in ambele sensuri, o rezistenl de aproximativ 2A...40 A. B. Msurtori cu un multimetru digital pe gama pentru joncfiuni in acest caz, un tranzistor este considerat bun dac la msurtorile joncfiunilor se oblin urmtoarele: - in conduclie direct, pe joncliunea BE, o cdere de tensiune cuprins intre 0,45...0,65 V gi nici o cdere de tensiune in conducfie invers; - in conduclie direct, pe joncliunea BC, o cdere de tensiune cuprins intre 0,45...0,65 V gi nici o cdere de tensiune in conduclie invers; - in ambele sensuri, intre C 9i E, nici o cdere de tensiune

l().

OBSERVATIE un tranzistr cu diod incorporat bun, trebuie s indice intre singur sens, o cdere de tensiune de aproximativ 0,6 V.

5i E, intr-un

6. -

inseamn diod defect.

o gi se va msura rezistenta in conducfie invers - o rezistent diferit de infinit,

OBSERVATIE .. Pentru siguran{a msurtorilor se va comuta aparatul pe gama de

Tranzistoare bipolare NPN 9i PNP (cu germaniu) A. Msurtori cu un multimetru MAVO-35, pe gama de x
joncliunilor se obfin urmtoarele:

Un tranzistor cu germaniu este considerat bun dac la msurtorile

5. Tranzistoare bipolare NPN gi PNp (cu siticiu) A. Msurtori cu multimetrul MAVO-3S (sau alte multimetre analogice), pe gama
dexlK
Datorit structurii lor, un tranzistor bipolar este considerat bun dac la msu rtorile joncti u nilor se obfin urmtoarele : - jonc{iunea B-E trebuie s aib o rezistent de aproximativ 4...10 Kfr in

rezisten! de aproximativ 4.. 10 () in conduclie direct 9i rezisten! infinit in conduclie invers; joncliunea BC trebuie s aib o rezisten! de aproximativ 4...10 Q in conductie direct 9i rezisten! infinit in conduclie invers; '1 intre c gi E trebuie s aib intr-un sens o rezisten! de aproximativ KQ, iar in cellalt sens o rezistent infinit.

jonctiunea BE trebuie

s aib o

conduc{ie direct gi rezisten! infinit in conductie invers;

jonc{iunea

conduclie direct 9i rezistent infinit in conductie invers. intre C gi E trebuie s aib rezistent infinit in ambele sensuri:

B-c trebuie s aib o rezistent de aproximativ 4...10 K)

in

OBSERVATIE Unele tranzistoare cu germaniu nu confirm acest regul 9i prin urmare un tranzistor suspect trebuie inlocuit cu altul considerat func{ional.

Altfel, tranzistorul este considerat

rezistenta dinamic a jonctiunilor mrit.


96

ln

B
cu

Msurtori cu un multimetru digital pe gama pentru joncliuni

scurtcircuit. intreruol sau

in

acest caz, un tranzistor cu germaniu este considerat bun dac

la

msurtorile joncliunilor se oblin urmtoarele.


97

.
i

.&:-.-?:'

Prezentarea $i testarea dispozitivelor semiconductoare utirizate in apricatii

Prezentarea gi testarea dispozitivelor semiconductoare utilizate in aplicatii

in c-onductie direct, pe joncfiunea BE, o cdere de tensiune cuprins intre 0,15...0,2 V gi nici o cdere de tensiune in conductie invers; in conducfie direct, pe joncliunea BC, o cdere de tensiune cuprins intre 0,15...0,2 V gi nici o cdere de tensiune in conducfie invers, intre c gi E, intr-un sens o cdere de tensiune oe b,ts...o,z gi V nici o cdere de tensiune in cellalt sens

2. 3. 5. 6.

Alegeti un lot de cinci diode cu marcajul gters gi identificati catodul pentru fiecare in parte. Explica{i ralionamentul pe care v-afi bazat. Se vor msura lranzistoare bipolare cu germaniu gi siliciu, comparnd cu
datele teoretice. Se vor identifica tranzistoarele defecte. observnd diferenfa fa! de celelalte tranzistoare.

4. Se vor msura tranzistoare Darlington, tranzistoare cu efect de cmp


Alegeli un lot de 5 tranzistoare cu marcajul $ters gi identifica{i baza pentru
fiecare tranzistor. De asemenea, stabiliti tipul tranzistorului (npn sau pnp). Pentru identificarea colectorului gi a emitorului, ave{i la dispozilie pe lng ohmmetru gi o rezisten! de 47 KQ. Pentru tranzistoarele npn, se conecteaz rezistenla intre baz gi un terminal la alegere. Tot la acest terminal se va conecta 9i borna ,,+" a ohmmetrului. Borna ,,-,, a ohmmetrului este conectat la terminalul rmas liber. Dac rezistenla msurat este mic, atunci borna ,,+" a aparatului este conectal la colector. De asemenea, se vor msura diverse tiristoare si se vor identifica cele defecte.

de x 1K

7. Tranzistoare unipolare (MOS_FET) A. Msurtori cu multimetrur MAVo-35 (sau arte murtimetre anrogice), pe gama

Datorit structurii ror, un tranzistor uniporar este considerat bun dac ra msurtorile dintre terminale se oblin urmloarele: - intre G gi D trebuie s fre rezistent infinit in ambere sensuri; - intre G 9i s trebuie s fie rezistent infinit in ambere ,rniuri; - intre S qi D trebuie s fie-o rezistenl de aproximativ4...10 Kf), inrr-un sens gi rezisten! infinit in cellalt sens;
rczistenla dinamic mrit intre terminale. B, Msurtori cu un multimetru digital pe gama pentru jonc{iuni

7.
1

Artfer, tranzistorur este considerat

in

scurtcircuit, intrerupr sau cu

6.4. Conlinutul referatului


Datele experimentale ob{inute.

' -

Un tranzistor unipolar este considerat bun dac la msurtorile dintre lerlnlno;. se oblin urmtoarele:
intre G gi S nu trebuie s fie cdere de tensiune 1in ambete ;;;;;; intre s gi D trebuie s se obfin 0,4...0,6 V intr-un sens gi nici o'cdere de tensiune in cellalt sens:

inlre G gi D nu rrebuie s fie cdere de tensiune (in ambere sensuri);

1. 2. 3.
1

Pentru componentele gsite funclionale, se vor identifica parametrii


caracteristici importanli gi se vor identifica componente compatibile. Desenali cele dou scheme de identificare ale terminalelor coleclor gi emitor, pentru cele dou tipuri de tranzistoare - npn gi pnp.

trebuie s fie cdere de tensiune.

Msurtorire efectuate intre gril gi catod trebuie s aib ca rezurtat obtinerea unei tensiuni de aproximativ o,os...o,oo V. intre cet;tati;le;minate

sau anod-grir aparatur nu trebuie s indice nici o rezistent. B. Msurtori cu un multimetru digital pe gama pentru jonif,uni

8. Tiristoare A. Msurtori cu un multimetru MAVO_35, pe gama de x 10 Msurtorile efectuate intre gril gi ctoc trebuie s indice o rezistent intre 30 gi 100 o pentru un tiristor bun. La toate cererarte msurtori, r.;;i;;

6.5. Evaluarea cunogtinfelor

nu

1. Defectele jonctiunilor p-n. 2. Compune{i un algoritm de msur pentru un tranzistor bipolar gi pentru un tranzistor cu efect de cmp. 3. Ce va indica ohmmetrul analogic la msurarea unui tranzistor digital gi a unui tranzistor Darlington? 4. Cerintele identificrii unei componente echivalente (diod, tranzistor, tiristor). 5. Gsili componente echivalente pentru urmtoarele: 8C107, 8D136,
8U205, 8U207, BUs08, 1N4002, 8D440, 2N30055/1, SDT9204, 8F199, 8F458, T3N6, utiliznd cataloagele fi rmelor productoare.

OBSERVATIE Exceptie fac tiristoarere care au incorporat diod de proteclie, montat antiparalel intre anod gi catod.

16.3. Modul de lucru

identificnd pe cere defecte se vor compara datere experimentare obtinute cu cele leoretice.

se vor msura diode cu germaniu gi siriciu, in conductre direct gi invers,

98 99

T!.F1

Diode semiconductoare - probleme

Diode semiconductoare - probleme

4.

tensiune la bornele celor dou dlode.

Se d circrritul din figura 17.4 cu E = 200 V gi R1 = Rz = 1 MO. Dac se consideri cere dou diode identice, s se carcureze cderire de

n u1

u2

in figura 17.7, diodele D1 gi D2 au curenfii de saturafie ls1 = 1 pA gi 152 = 1 pA. S se gseasc cele dou puncte slatice de functionare, dac R1 = 'l kO, Rz = 100 kO Si E 20 V.
=

Figura 17.4

in circuitul din figura 17.5 se consider diodele D1 gi D2 cu siliciu. 9{.ntilde,saturalie sunt 151= 2 pA gi t52= 6 pA. gtiin-d c E = tOO V gi R = 1 KO, s se carcureze tensiunea noinete-oioderor gi curenfii
ce le

strbat

R
8.

Figura 17.7

in figura 17.8, dioda D (cu siliciu), are curentul de saturalie ls= 1pA. Sursa de tensiune continu E furnizeaz 20 V, iar generatorul de
semnal Vn are amplitutinea Vn = 0,5 V. S se calculeze punctul static de func,tionare al diodei, amplitudinea semnalului la bornele diodei V. gi amplitudinea curentului prin diod lu. Se consider c la frecvenfa

semnalului generat
Figura 17.5
6.

de Vn se pot neglija efectele produse

de

capacittile de difuzie gi de barier ale diodei, precum $i reactanla


condensatoarelor. Valorilenrezistenlelor R1 gi R2 sunt egale cu 10 Kfl.

se d circuitur din figura 17.6, in care R2 gi R3 se numesc.rezrstente de egalizare gi au valoarea de 22 e. S se"caliule.. dou diode gi tensiunile de la bornele lor, gtiind c "r*r,tii E = 100 V gi R, = 1

;;;;;i;

ko

Rl

Figura 17.8

102

Figura 17.6
InL

Tranzistoare bipolare - probleme

Tranzistoare bipolare - probleme

18. TRANZISTOARE BIPOLARE


18,1. Scurte considerafii teoretice
18.1.1. Divizorul de tensiune

PROBLEME

18.1.2. Pu nctul ctatlc d funcfionare al tranzistorului bipolar


NPN
UcE

PNP
Uce

Figura 18.3 intr-un tranzistor bipolar se pot scrie relatiile:


Figura 18.1

lg=13+1.

E=I

**-)\ Ur =Rr'I J
(R,

ti Li---

R.

-R+R

E9i

U, =' R, +R"

R,

lc = Fr' ls.
t1

Dar, le=lr-lc= le-or' lr-lcso=

(1

-op) lg- l6se

Considernd op = 1 gi lcgg (( lc, in practic se folosegte relalia aproximativ: 18.1.2. Divizorul de curent

l"=lg=Bp.ls
in probleme, se consider
Uss = 0,6 V (la siliciu), iar factorul de amplificare
pp poate lua valori cuprinse intre 20...1000.

Determinarea punctului static

de funclionare al tranzistorului

bipolar,

presupune calculul curentului de colector 16 gi a tensiunii colector - emitor Uce. Aceste calcule se fac utiliznd schema de curent continuu, care rezult din

schema electric,
condensatoarelor.

in

urma pasivizrii sursei

de semnal Si a

eliminrii

Curentul de colector 16 se determin scriind teorema a ll-a a lui Kirchhoff, pe acele ochiuri de circuit care con{in tensiunea baz - erTritor Ugg gi nu contin tensiunea colector - emitor U6s su tensiunea baz - colector Ue6. Figura 18.2 Tensiunea colector - emitor U6g s determin scriind teorema a ll-a a lui Kirchhoff, pe acele ochiuri de circuit care confin tensiunea colector - emitor Uce, eventual tensiunea baz - emitor Us6, dar nu contin tensiunea baz - colector
UBC'

)). -----) R,.1, =P,.1, )


I=1,
104

+1,

[,

R, R, +R,

gi I"= R' 'I - R, +R,

Pentru simplificarea calculelor, curentul de baz ls poate cnd pe ramura ,baz- primul nod" nu exist rezistenle.

fi neglijat, atunci

Tranzistoare bipolare - probleme

Tranzistoare bipolare - probleme

18.2. Probleme rezolvate


f

. Rzultatul oblinut respect condifia U6s r Vse gi prin urmare problema este rezolval.
2i.. completnd circuitul precedent cu o rezistent in emitor, vom avea
BF

= 0,6 V. Cunoscndu-se Rs = 560 KO, Rc = 1,2 K giV66 = 12V, s se gseasc punctur static de funclionare ar tranzistorurui
Usg

in circuitul din figura 18.4, tranzistorur este cu siriciu are $i

1oo,

i.

,l :

circuitul din figura 18.5. Tranzistorul este cu siliciu 9l are Be = 200, Ugg V" Cun-o,scndu-se Rs = 620 KO, Rc = 1 KO, Re = 470 O gi V"" l^0:9 = 18 V, s se gseasc punctur static de functionare ar tranzistoruiui r. Vcc

Vcc

Figura 18.4
Rezolvare punctul static de funclionare. Astfel, pentru calculul 16 se scrie teorema a ll-a a lui Kirchhoff pe ochiul ce conline Use (+ Vcc, Rs, UsE, - V66):

se figureaz curenlii prin tranzistor gi se aplic regulile de calcut

pentru

Figura 18.5
Rezolvare punctul static de func{ionare. Astfel, pentru calculul 16 se scrie teorema a ll-a a lui Kirchhoff pe ochlul ce conline Uae (+ Vcc, Re, Uee, RE, - V66):

%"
Dar,

= Iu .R" + Uu,

se figureaz curen{ii prin tranzistor gi se aplic regulile de calcul pantru

I"

= I9"F' gideci: V." = It.R" * ur.

%"

I" .Ru

uu,

I, .R,
=

Adic,

I" "

(v"" -.u"r)'8.

Ro

(tz-o,e)'-too 56o.td

=znA

Dar,

l, = F ,, l, - I.. Deci: V". -t{


I'F

n, +u", +I.

Apoi, pentru calculul u6s vorTr scrie teorema a ll-a a lui Kirchhoff pe ochiul ce confine Uce (+ Vcc, R6, U6E, - V66): Adic, L.

%"

I" 'R"

U",

(v"" -urr)'p, R, +R,

- 0s-o,o)+ zoo -5 6ma 620.103


470

$ideci IJ". = V""


106

-I..Rc

12

-2.10-3.1,2.103 =9,6V.

Apoi, pentru calculul u6g vorn scrie teoreina a ll-a a lui Kirchhoff oe ochiul ce conline Uce (+ Vcc, Rc, Uca, Rg, - V66):

Tranzistoare bipolare - probleme


I

Tranzistoare bipolare - probleme


c.

V..

I. ,R. + U., + I, 'R,

$ideci:

lir ttgurr 1C,! tranzistorulT are qr= 0,992. s se calculeze punctul static de funcflonarc sltrsnzlstorului, dac Rr = 330 kO, Rz = 4,7 kO, Rz= 2,2 k0, VeEr I V 9lVs6= 12 Y.
R,

U"r

%"

-I" . (n. +Rr)= l8-

5,6.10-3

'(r to' +470)=s,76v.

18.3. Probleme

1.

valorile obtinute, stabili{i tipul materialului utilizat


tranzistorului.

in circuitul din figura 18.6 tranzistorul bipolar f op = 0,99 9i lr = 1 pA. S se determine curenlii prin tranzistor gi tensiunile intre terminale, pentru VeE = 6 V, Vcc = 12V, Rr = 2,2 kO 9i Rq = 3,3 kO. Avnd in vedere

la fabricarea

Figura 18.8
4.

Circuitul din figura 18.9, are urmtoarele componente: Rt = 220 KO, R2 = 2 KO, R: = 470 Q gi Vcc = 12 V . Dac cele dou tranzistoare au Frr = Frz = 200, iar Vser = Veez = 0,6 V, s se calculeze cele dou puncte statice de functionare.
+ Vcc

Figura 18.6
2.

Se d circuituldin figura 18.7, cu tranzistorul bipolarT care are urmtorii parametri: or = 0,99, lcao = 2 pA, iar Vgs = 0,45 V. Se cunosc VEe 9 V, = Vcc = 15 V, R, = 2,2kO,R2= 2,2 kO. Dac rezistenla R1 are toleranl de + 10Yo, iar R2 are o toleran! de + 20%, s se determine limitele de variafie ale curentului de colector.

oTR^

Figura 18.9

S se calculeze punctele statice de functionare ale tranzistoarelor din figura 18.10, dac Be1 = Frz = 100, Veel = 0,6 V, VaEz = - 0,6 V, Rr = 2,2 MO, R2 = 5,6 KO, R: = 2,2 K0 9i Vcc = 15 V.
Figura 18.7
108

9.,?qr;g

Tranzistoare bipolare

probleme

VCC

7.

In circuitul din figura 18,12, tranzistoarele bipolare u rr = pp2 = 100, Vser = 0,6 V, VBE2 = - 0,6 V. Se cunos6 R1 = 1,8 MO, d2 = g,O, Re = 1,5 Ko gi Vcc = 18 v. s se carcureze punctere statice de funclionare re tranzistoarelor bioolare.
+ Vcc

Figura 18.10
6,

in_figura 18.11 se cunosc urmtoarele: R' = 3,3 Me, R2 1 KO, Rs 12 = = l|!)a 1, = 1 ryg giVcc = 10 V. Tranzistoarete au urmtoriiparametrii: Br, = 100, Bs2 = 50, Vggl = VaEz = 0,6 V. S se calculeze cele dou puncte statice de funclionare.
+ Vcc

Figura 18.12

110

Figura 18.11

Figura 18.13

,"qrwins!@'ia'i@ry*.

Tranzistoare bipolare - probleme

Polarlzarea tranzistoarelor bipolare - probleme


I

8. S se calculeze punctele

statice de funclionare ale tranzistoarelor din figura 18.13, dac er = rz = 300, VsEl = 0,4 V, VsE2 = 0,6 V, Rr = 15 KO, z = 0,6 KO, Rs = 2,2 KQ, Rc = 0,5 KO, Rs = 50 KO gi V66 = 9 V.

19. PbLARIZAREA TRANZISTOARELOR BIPOLARE


PROBLEME
1

Cunoscndu-se R1 = 1 MO, R2 = KQ, Rs = ' 9. 3,3 KO, Vee=5V,V6e= 10V, rr2,2Frz= Br:= 5 KQ, Rq = 2,2 KO, R5 = 1009i VsEl =Varz=VeEr = = 0,6 V, s se calculeze punctele statice de funcfionare ale tranzistoarelor T1, T2 9iT: (figura 1E.14).

9.1 I
:

Scurte conslderafii teoretice


+ Vcc

+ Vcc

Figura - Vee
Figura 18.14

'19.1

Divizorul rezistiv, care polarizeaz in tensiune tranzistorul bipolar, poate echivala Thdvenin, oblinndu-se circuitul echivalent din figura 19.2.
+ Vcc

Figura 19.2 in circuitul echivalent, E"


112

=R,R, .v^" +R,

9i

Rs=

R,.R, R, +R"
ttJ

Polrrlnnr trrnrlrlorrrlor

blpolero . probteme

Polarizarea tranzistoarelor bipolare - probleme

utlllzlnd clrcultul ochlvalent, calculut punctutui static de funclionare este relellv tlmplu, rcrllnd tcorema a ll.a a lui Kirchhoff pe circuitut bazei gipe circuitul de iegire, Astfel, pentru determinarea curentului ls vorn v relaiia:

2.

figura '1 9.4, se cunosc urmtoarele: Fr = 50, Vps = 0,2 V, lcao =1p4, Rr = 130 kCl, R2 = 33 kO, Rg ='l kO, R+= 2 kO giV66 = - 2S V. S se calculeze punctul static de funclionare al anzistorului T.

!{

Ee=Rs.Ir+Vrr+R4.IE
$tiind c

- Vcc

I, =: I.
Pr

Sl

I, = I. , vom avea:

, -Eu-%, ^._il

ti **.

lar pentru calculul tensiunii u6E, putem scrieteorema a ll-a a lui Kirchhoff pe un ochi corespunztor:
Figura 19.4

V.. = I..R, +%n +IE.R4


Adic,

V., = %. -I..(R, *R").

In circuitul din figrrra 19.5, tranzistoarele T1 gi 12 se consider identice $i au parametrii: 91 = Frz = 200 gi Vaer = Vaez = 0,6 V. De asemenea, s-e cunosc Rr = 5 k0 , R2= 12 kO, R, = 12 kO, R4 = 2,T ke gi Vcc = 1g V. S se calculeze punctele statice de functionare ale celor dou tranzistoare .
+ Vcc

19.2. Probleme
f

in circuitul din figura 19.3, tranzislorul T are Vsg = 0,6 V gi r = 200. S se calculeze punctul staticdefunclionare, dac V66= 20 V, Rr 20 KO Rz , = = 10 kO, R3= 2,2 kO, Ro = 2,2 kQ.
+ Vcc

Figura 19.5

Figura 19.3
4,

Sj

g,r eltcm-clpunctele Statice de funclionare ate tranzistoaretor f., gi t, dlnflgun 10,6, Tranrlotoarele sunt considerate identice cu Bpl=i3ir=

114 115

PolarieRrca lrarrzisloarelor blpolare - probleme

Polarizarea tranzistoarelor bipolare - probleme

s se gseasc punctele statice de functionare ale tranzistoarelorTr si r, din figura 19.10. Tranzisloarele sunt considerate identice cu B., = pr, = 100, iar VaEr = Verz = 0,6 V. se dau urmtoarele valori numerice peniru componentele circuitului: Rt= 12 kO, R2= 12 ke, R3 = 12ke, Ro 4,7 fO =
Rs

in circuitul din figura 19.11, tranzistoarele

= 1,8 kO,

Ru

= 3,6 kO gi Vs6 = 'l 8 V.

+ Vcc
10

T1 gi T3 se consider identice gi parametrii: 9rr = Fnz = 200 gi Veer = Vees= 0,6 V. Tranzistorul T2aBp2= 100 gi Vss2 = - 0,6 V. De asemenea, se cunosc Rr = 2 kQ , Re = 0,6 kO, Rs = 5,6 kO, R4 = 2 kA, Rs = '1 ,2 kQ, R6 = 1,2 kQ gi Vsq = 18 V. S se calculeze punctele statice de functionare ale celor trei tranzistoare.
1 9.1 2 se cunosc: Rr = 5,6 KO, R2 = 5,6 KQ, R3 = 2,2 KO, R, = 1 KQ, Rs = 3,3 KO, Re = 3,6 KQ R7 = 2,2KQ,U7= 6,2 V gi V66 = 18 V Tranzistoarele au urmtorii parametri: Bp1 = 200, Frz = 200, VsEl = 0,6 V

in figura

$i

Veez

= 0,6 V. S se calculeze punctele

statice de functionare ale


+ Vcc

tranzistoarelor.

.r
H-'
Figura 19.1 0

Figura '19.12
11

, s se gseasc punctele statice de functionare ale tranzistoarelor din figura 19.13. Tranzistoarele sunt consideraie identice cu F1 = Fsz= Fro = 100, iar Vrut = Vai:u = VeE3 = 0 6 V. Se dau urmtoarele valori numerice pentru cotttponentele circuitului: Rr = 1 MO, R2=2,2 ke, R3= 4,7 kO, Ra= 4,7 kO, R1,. 2,2 kO, R,, = 2 kO, R7 = 4,7 kQ gi Vs. = 16 y.

Figura 19
118

119

f'ol;rrirarr:a tranzistoarelor bipolare - probleme

l-)olarizarea tranzistoarelor bipolare - probleme

+ Vcc

12. ln crrr:rritrrl dirr llgura'10,14, tranzistoarele T1 gi T2 se consider identice cu paritmotrii: Fr r = 9rr - 200 gi Veer = Varz = 0,6 V. Tranzistoarele T3 gi Ta u Frr = Pr ,r = 100 9i V6s3 = VBEr = - 0,6 V. De asemenea, se cunosc Rr = 20 kn , Rr= 10 kO, Rr = 4,7 kQ, Ra= 3,6 kO, R5 = 5,6 kQ, R6= f,,3 kO, R7= 1 kn, Ru= 1 k0, Re = 1,8 kO, Rro= 1 kO giVsg=25V. S se calculeze punctele statice de funclionare ale celor patru tranzistoare.

13 S se gseasc punctele statice de func{ionare ale tranzistoarelor

din

figura 19.15. Tranzistoarele au F1 = Frz = 9rg = Bro = 100, Vsgl = 0,6 V, Vaez = Vees = VeEa = - 0,6 V. Se dau urmtoarele valori numerice pentru componentelecircuitului: Rl = 1 MO, Rz=560 kO, Rr= 1,8kCI, Rq= 1 kO, Rs= 1,2 k0, R6= 4,7k4, Rt=1,2 kO, Rs=5,6 kO, Rs=5,6 kQ, R16= 5,6
kO,
R11

= 100 kO, R12= 1,2 kQ,

R13

= 5,6 kQ qi Vs6 = 25 V.

Figura 19.1 3
+ Vcc

Figura 19.1 5

I rUrinr l[] l,l


120
121

Mptlelarea ltrrrr,ltalt:fll lrsrrjtekrrrihti brpolar la semnal mic

Modelarea functionrii tranzistorului bipolar la semnal mic

FUNcTtoruAnn rRANztsroRULUl IIPOLAR LA IEMNAL MIC


10,1,

!0. MODILAiEA

tourtr conrldrrrfll teorcilce


Modclul trrnrlrtorulul cu parrmetrll hlbrtzi Dcli ara numrr trcr bornej un tranzistor poate forma un cuadripor dac

l0,l,t.

conexiunea emitor comun EC; conexiunea baz comun BC; conexiunea colector comun CC. conexiunea emitor comun se prezint in figura 20.2, iar relatiile (20.3) (20.4) descriu functionarea cuadripolului in acest tip de conexiune.
I2

-.

in funclie de borna comun aleas vor rezulta trei tipuri de conexrunr:

gi

une dln borne se regsegte att la intrare, ct la iegire. 9i Parametrii hibrizi sunt parametrii de cuadripol, iar circuitul echivatent este ilustrat in figura 20.1.

U, = h,, .1, + h,, .U"


Iz

(20.1) (20.2)

=hr,'I, +hrr.U,

Figura 20.2

U, = h,, . I, + h,, .Ur_

(20.3) (20.4)

I,
tl v1

= h,, -I,

+hrr.U,

Modelul de tranzistor in conexiune EC este considerat un model de referint. Pentru multe aproximri practice, un tranzistor bipolar in montaj emitor comun, poate fi considerat ca avnd o rezisten! de iegire foarte mare gi o valoare foarte mic a tensiunii de reaclie hrz = 0. Neg|1nd efectul produs de parametrii h12 gi h22, se prezint un model simplificat al tranzistorului pentru aceast conexiune. in fiqura 20.3.
Figura 20.1

lt

lz

sunt

s-emnificatiire parametriror . urmtoarele:

hibrizi gi conditiire in care sunt pugi in evident .' r -

''

II - h', = -l -h cuuo=0-impedantadeintrare,cu iegireainscurtcircuit; " Ir


- h,z :
in gol;

''

* = l, u.
T

cu

11

=0

coeficientur de transfer invers in tensiune, cu intrarea

Figura 20.3

- hr, = = h, cu U2 = 0 ill
scurtcircuit;

coeficientur de transfer direct in curent, cu iegirea in

in cazul conexiunii baz comun, baza apa(ine att circuitului de rntrare, ct 9i circuitului de iegire, aga cum este ilustrat in figura 20.4. Putem scrie urmtoarele relatii:

- h,, = |
122

U, = hr, '1, + h,, .U, = tr" cu 11 = Q - conductanta de iegire, cu intrarea in


gol,

(20.5) (20.6)

lt,

I,

= h,, .1, + hr"

't),

123

Morlcl,rrrrl funclronarii tranzistorului bipolar la semnal mic

MrrrlplHton

lul{,tinnilr lrirrtzislorului bipolar la semnal mic


Rout

R.,

,,J
Figura 2A.4

Figura 20.6

Pentru conexiunea colector comun cuadripolul este prezentat in figura


20.5

Pentru analiza circuitelor electronice trebuie respectate cteva etape,


dup cum urmeaz: 'l . Se deseneaz schema de c.c. a circuitului. Pentru aceasta sursele de energie dependente de timp se pasivizeaz, iar condensatoarele se consider c nu permit trecerea c.c., deci vor intrerupe ramura pe care se afl.

,,1

c
U, = h,, .I, + h,,

L--------i
Figura 20.5

f,,
c

2. in schema de c.c. se determin punctele statice de func{ionare


disoozitivelor semiconductoare din circuit.

ale

3. Se deseneaz schema de c.a a circuitului. in acest caz, sursele de


curent coniinuu se pasivizeaz, iar condensatoarele se inlocuiesc cu scurtcircuite

(se presupune reactanfa condensatoarelor la frecvenla de lucru foarte mic).


Dispozitivele semiconductoare se modeleaz prin circuitele lor echivalente de
semnal mic. in cazul diodelor Zener, rezistenla dinamic se poate neglija. (20.7) (20.8)

Relatrile care se pot scrie pentru aceast conexiune sunt:

.U, 'U,

4. in circuitul de c.a., analiza poate fi fcut cu teoremele clasice ale electrotehnicii. Astfel, pot fi calculate mrimile care caracterizeaz acest circuit:
rezistenta de intrare, rezistenfa de iegire, amplificarea in tensiune, amplificarea in

I,
^^r^^r^.i,^^-x uqr 4!Lct t4cd4d ^..-1. 5uilt.

= h,, I, + hr,
.

curent.

Etapele prezentate pentru analiza circuitelor electronice sunt valabile att


udtg
1l

Considernd

un

cuadripol (ca

in figura 20.6), mrimile

timp ct funclionarea circuitului


componentele de curent alternativ.

in

curent continuu nu este influentat

de

tl

rezistenla de intrare R,", = f


rezistenta de iegire n,,,,, =

20.2. Probleme rezolvate


; ,

I,

(20.e)

1.

in circuitul din figura 20.7, tranzistorul T are

*l,
,.

(20.10)

lvn=0

amplificarea in tensiune n,,


amplificarea in crrrlrrt A

1l' t,l

(20.11)

Vgs = 0,6 V 9i Fr = 100. Se cunosc: Rr = 10 kO, Rz = 20 kO, R: = 4 kO, Rq= 2,2 k0, R5 = 4,7 kO, Vcc = 18 V. S se determine punctul static de funclionare al tranzistorului bipolar, rezistenla de intrare in tranzistor R'n1, rezistenla de intrare in circuit Rin, rezisten{a de iegire din circuit Rout, amplificarea in curent A, 5i amplificarea in tensiune Au. Se consider c la frecven.ta de lucru, condensatoarele sunt scurtcircuite.

(20.12)

de curent continuu (figura 20.8), pasiviznd sursa de semnal mic vn

Rezolvare Pentru determinarea punctului static de functionare, se va figura schema


9i

considernd condensatoarele ca fiind intreruperi. De asemenea, divizorul rezistlv care polarizeaz tranzistorul se echivaleaz Thvenin 9i se pot scrie relaliile; tz3

Modelarea funclionrii tranzistorului bipolar la semnal rnic

Modelarea functionrii tranzistonului bipolar la semnal mic

b' ^ nt

[, 1p=
R,

R. '%" .R,
=

1oLffiF'18

IO

IO]

6V

10.103 .20.101

Ic=

E,

q a4 rolro'-20rot

=6'66kQ
+ Vcc

Ro+R " '

-V",
loo

6-0,6
6"66. l 03

F.

=2.26 10'. = 2.38 mA

5'4

lar pentru calculul tensiunii UcE putem scrie:

V".
Adic,

I. .R, + V",

+ IF

.R.

v", =v.. -i.'(R, +Ro)=18-2,38.10-3.(4 +2,2).103 =3,24Y

n.) "/

u"

amplificrii in tensiune A, gi amplificrii in curent A, se va figura schema echivalent in semnal mic (figura 20.9). Pentru aceasta se pasivizeaz sursa de curent continuu, condensatoarele se consider scurtcircuite, iar tranzistorul se va modela simplificat prin circuitul echivalent in functie de parametrii hibrizi (se neglijeaz efectele produse de h12 gi h22). intrare
R,n,

in circuit

Pentru calculul rezistenfei de intrare

in tranzistor

R,nT, rezistenlei de

Figura 20.7
+ Vcc

R'n

Rtnr

Roui

Figura 20.9
RezistenJa de intrarain lranzistor este:

Figura 20.8 Pentru determinarea curentului


16

Rrr=.:=*=h,,
lb
lb

vrn

vom avea ecuatia:

gtiind c h,, Deci,

E,
$tiind c
tzo

= R, .I. + V". + R4 .IE

"- ! =* g- 40Ic
hh

gi hzr = po, atunci

lri

= 1,05 kQ

I,

=l
PF

$i

Ir

R.,

= 1., vom avea:

= 1,05 kO .

Rezistenta de intrare in circuit va fi:


127

Modelarea funclionrii tranzistorului bipolar la semnal mic

Modelarea functionrii tranzistorului bipolar la semnal mic

v- i^ R" ll *'nr 3 - '6 '-.B llR -. = 1,, t"


_

Ra.R,nr 6,66.10r.1,05.10r = R. -*- R- loro *1611,n

2.

= o'e kQ

Rezistenfa de iegire Rort definit cu intrarea in scurtcircuit (vn = 0) este: Rou, = J-r =
lo

Be2 = 100. S se calculeze punctele statice de funclionare ale tranzistoarelor bipolare, rezistenla de inlrare in tranzistorul Tt Rin1, rezistenla de intrare in circuit R,n, amplificarea in curent A1 gi amplificarea in tensiune Ar. Se cunosc. R1 = 100 kn, Rz = 10 kO, Rg : 1 5 k0, Re = 1 kO, Rs= 1 kf), R6= 4 kO, Rz = 5 kO, Rs= 0,1 kO gi Vccr20 V.
+ Vee

Tranzistoarele din figura 20.11 au parametrii Vser = Vsrz = 0,6 V, iar ppl =

-:-iL
[o

i .P

R: = 4 kf).

Amplificarea in curent A, este:

h,r .R..RB _,^ n _ io _ '' " R, +R, _ - i^ ^' .c h" -R(R,;RJ(hu *R*) ='u ,,

hi ll.'

R'1, '-

1,. "R-

Amplificarea in tensiune Au va fi:

. v. i.R. ^ R, Au = -" =---a---:-- -A,' ' R,nr v, i* .R,n,

* -44,7

l
['
Figura 20.11 + Vcc

vo

20.3. Probleme

1.

determine punctul static de func.tionare al tranzistorului bipolar, rezistenla de intrare in tranzistor RrnT, rezistenla de intrare in circuit R,n, rezistenta de iegire din circuit Ro,1, amplificarea in curent A1 gi amplificarea in tensiune Au. Se consider c la frecvenla de lucru, condensatoarele sunt scurtcircuite. + Vcc

in figura 20.10, tranzistorul T are Ver = 0,6 V Si Fr = 200. Se cunosc: R1 = 56 kO, R2 = 12 kO, R3 = 2,2 kQ, Ra = 0,5 k0 gi V66 = 15 V. S se

d:f
I

F--1'"

t-\ \
*'/
""

ro

Ra lvo

\/u'
I

_L/
Figura 20.12
1?O

Figura 20.10
128

Motlr,ltnt.l flrnr'ltorrrlll lr;rrrzr:;lonrlui bipolar la semnal mic

Modelarea functionrii tranzistorului bipolar la semnal mic

inlrare

lrr circrllul dilr figura ZQ.12,se cunosc: Rr = 10 ke, R, 100 kO, R. = =1 kQ, R,r = 2,5 kQ, Rs, = 2 kO, R6 = 0,5 ke, R, = 4,7 kO,lis = 0,1 ke, V66 = 20 V, V11g.1 = 0,6 V, VsE2 = -0,6 V, Frr = 100, FFz = 50. "Sa se detemine punctele statice de functionare ale tranzistoarelor T1 gl 12, rezisten{a de

+ Vcc

in

tranzistorur

amplificarea in curent A, gi amplificarea in tensiune Au a circuitului.

rr R,n-, rezistenla de intrre in

circuit

R,^.

4.

Circuitul din figura 20.13, are urmtoarele componente: Rr 33 K0, R2 = = 4,7 KO, Rr = 3,3 KQ, R4 = 470 Q, Rs = 330 O, Ru 2,2KO, Rn 0,1 kO = = gi Vcc - 12V. Dac cele dou tranzistoare u Frr = Frz = 100,"iar Vser = Vss2 = 0,6 V, s se calculeze cere dou puncte statiie de funcrronare. rezistenfa de intrare in tranzistorul rr R,n-, rezistenla de intrare in circuit R,n, amplificarea in curent A, gi amplificarea in tensiune A, a circuiturui. + Vcc

R^lvo -t

/
Figura 20.14

F--l\ t'" \

t/
Figura 20.13

l*/""
\ Ro lu.
I

Tranzistoarele au urmtorii parametri: cr = 2dC, Fez = 106, Vae, = O,O V $i Verz = - 0,6 V. s se determine punctele statice de funciionare ale tranzistoarelor, rezistenta de intrare in tranzistorul 11 R,n11, rezistenla de intrare in circuit R,n, amplificarea in curent A gi amplificarea in teniiune A, a circuitului.

in_circuitul din figura 20.14 se cunosc: Rr = 50 Ke, R2 100 KO, Rt= 2,2 = KQ, R4 = 1 KO, Rs = 1 KQ, R6 = 3,6 KO, Rs = 0,1 ke gi Vss =-16 y

de intrare in circuit h n, amplificarea in curent A; gi -rezistenla amplificarea in tensiune Au a circuitului, dac Frr = Frz = 200, Vsgl = g,ij 0,6 V, Rr = 5,6 KQ, R2 = 5 KO, Rr = 43 KCr, R4 = t,S X, Rs= g i1,_Verz = KO, R6 = 2,7 kQ, Rn = 0,1 k0 gi V66 = 12V.
130

figura-.20.15,

s se calculeze punctele statice de functionare ale tranzistoarelor

din

Figura 20.'l 5

ltt cttr;rrilrrl tlrrr h1;rrnr 2Q 16, se cunosc: Rr = 100 kO, R2 = 10 ke, R3 = g kQ, R,r "5kQ,R,,=5kO, Ri ='1 0kQ,Rs=0,1 kQ,Vcc=20V,Vser= 0,6 V, V1r ' 0 6 V, llr r = 100, 9r :r = 100 S se determine punctele

Modelarea funclionrii tranzistorului bipolar la semnal mic

Anex

statice de functionare ale tranzistoarelor'l-1 gi T2, rezistenla de intrare in tranzistorul Tr Rnrr, rezistenla de intrare in circuit Rn, amplificarea in curent A gi ampliflcarea in tensiune A, a circuitului.
+ Vcc

21. ANEXA
21.1. lntroducere in electronic
1. Sarcina elementar

Electronul are sarcina e'cu valoarea 1.6. 10 " C.

Considernd dou puncte alese aleatoriu pe un conductor. dac in punctul A exist o concentrafie mare de electroni, in comparalie cu un punct B, se spune c exist o diferen! de potenlial (tensiune electric) intre punctele A gi B (Uag sau Usa). Se va forma o migcare a electronilor in surplus din punctul A ctre punctul B. Aceast migcare de electroni formeaz curentul electric (figura 21.1). Degi electronii se deplaseaz de la punctul negativ spre punctul pozitiv, se spune despre curentul electric c circul de la "+" la "-" (sens conventional). Aceast conven{ie a fost fcut in timpuri cnd nu se gtia nimic de electroni, ca pailicule negative, sau de migcarea ordonat a acestora.

2. Curentul electric

A
Electroni Figura 20.16 3. Rezistenta electric

Sensul

curentului

Mi$care de electroni Figura 21.1

--------'

Rezistenla este proprietatea unui material


curentului electric.

de a se opune

trecerii

4. Diferenta de potential Diferenla de potenlial (cderea de tensiune) intre dou puncte ale unui circuit electric este diferenta tensiunilor acelor puncte calculate fat de un punct de referin!, care in principiu va fi masa sau pmntul (puncte de potential 0).
Pentru figura 21.1. putem scrie:
Uas = Ua

- Us sau Usa = Us - Ua

Q1 .1)

5" Unitti de msur

voltul (V) 9i ohmul (O) in practlc, se folosesc gi submultiplii sau multiplii uniililorde baz, adic milim (10"), micro pr (10"), kilo k (10), mega M (10').
6. Legea lui Ohm

Unitlile de msur pentru curent, tensiune gi rezistent sunt amperul (A),

Intensitatea curentului 'electric depinde direct proporlional de tensiunea electric gi invers propor-lional de rezistent.
132
IJJ

Ailcxal

Anex

Tabelul21.1
Nr. Simbol

xr_-;
U

Semnificatie Rezistor fix Potentiometru

Nr
15.

Simbol

Semnificatie Diod semiconductoare Diod Zener

-tF
2. (21.2)

Figura 21.2
TT

R
7. Gruparea rezistentelor

U=R'I
fi

Rezistor variabil

17.

Fotodiod Diod electroluminiscent(LED) Tiristor

?n serie, cnd rezistenla total (echivalent) va


rezislentelor inseriate;

egal cu suma
4

- in paralr:1,

rir,r:tll rr'zt,,lcrrllr r:clr lniri ntic. 6. Prrlcroa r.;rlrlrrr;i [rrrltrrcir cslt.r clal cJc relatia:

cnd inversul rezistentei echivalente va fl egal cu suma inversclrlr rczisrerrlelor conectate in paralel; de remariat faptul c, rczir,lrrrl;r lolirlji dclrr rezisterrle in paralel este totdeauna mai mic

Termistor

18

Varistor

cllrr(l (rurcnlul lrcr:t';lrirrlr-o rezistenl se pierde energie sub form

o. de 7

-Jrrrn_

--I-

Bobin (fr miez) Bobin cu miez de fier

zu.

Diac

P=U l=R.12
Unitalea de msur pentru puterea electric este watt-ul (W).

(21.3)

-_Jnrrr.\_

21

---.

Triac

--.--.rYYYYI_

9. Circuite electrice gi simboluri orice sistem sau echipament electronic se poate descompune intr-o serie de circuite componente finndu-se seama de funcfiunile indeplinite de aceste circuite. un asemenea circuit, cu rol func{ional de sine stttor. se reprezint ?n scheme printr-un contur ?nchis, prevzut cu un numr corespunztor de intrri gi

--I-

Bobin cu miez de ferit Condensator (nepolarizat) Condensator variabil Condensator electrolitic

zz

9.

iegiri.

-l F
__.n_

23.

schem continnd aceste blocuri

gi

circuit (tranzistoare, rezistoare, condensatoare, bobine, transformatoare etc.) conectate intre ele intr-un anumit mod. schema care reprezint - prin simboluri grafice - toate aceste componente, precum gi interconexiunile lor se numesre
schem prlncipial.

numegte schem bloc. Fiecare bloc functional la rndul lui este constituit din diferite elemente de

interconexiunile respective se

10.

z+.

K
AJ _\I/r
I

@ @
.N

Tranzistor pnp

Tranzistor npn

Fototranzlstor Tranzistor unijoncliune rTUJ)

tl

25.

Simbolurile grafice ale elementelor de circuit intlnite curent in electronic sunt reprezentate in tabelul 21.1. Aceste elemente sunt clasificate de obicei in elemente pasive (rezistoare, condensatoare, bobine) gi dispozitive electronice semiconductoare (diode, tranzistoare, tiristoare etc.). circuitele eleclrice sunt formate din noduri de retea si ochiuri de retea. Norirrl este intersectia a cel putin trei laturi de circuit, iar ochiul este un contur inchis furmat din cel putin trei laturi.
134

12.

---EI/777777
I

' Sigurant
Conexiune la
pntrrl Corrcxirrrrir la
II I

26,

{rr

Tranzistor cu
efect de cmp | tsL;-J canal o Tranzistor cu efect de cmp TEC-J canal n Conexiune la carcas
135

27.

14

l_

itsil

28

Artex

Anex

10. Teoremele lui Kirchhoff

[)cttlttt fottttl rlt'rl(1,'1 hulr]sor(l;rl, valoarea efectiv


14^

U91

= 0,707.Ur"".

Teorema l-a
Suma algebric a curenlilorintr-un nod de relea este egal cu zero, adic, cu alte cu9inte, suma curenlilor care intr intr-un nod este egal cu suma curen{ilor care ies din acel nod.

Clclul, frocvonfa 1l porloada Crclrl utitu lr.rrloir rltrr flrrma de und care se repet. Frecventa este

Teorema a ll-a Suma tensiunilor electromotoare pe un ochi de circuit este egal cu suma tuturor
cderilor de tensiune pe acel ochi.
1

numrul care arat cle cte orr se repet un ciclu intr-o secund. Se noteaz cu f, iar unttatea de msur estc hertz-ul (Hz), cu multiplii kilo kHz, mega MHz, giga GHz Timpul necesar pentrL/ a parcurge un ciclu complet se numegte perioada formei de und 9i se noteaz cu T, De remarcat, c perioada este inversul frecventei gi viceversa. Unitatea de msur este secunda s, cu submultiplii mili ms sau micro us,

1. Curentul alternativ

Curenl alternativ (c.a.) este curentul care igi schimb in mod repetat directia. Acest curent poate fi furnizat de la releaua 220 V 50 Hz sau de la un
generator de semnal. 12. Unde sinusoidale

21.2. Rezistoare
21.2.1. Generalitti

Rezistoarele sunt elemente de circuit liniare caracterizate de rezistent electric (de unde gi denumirea de ,,rezistent")

Forma de und cea mai comun Dentru curentul alternativ esle unda
sinusoidal.

nu r(=R

(21 4\

in care U este tensiunea aplicat la borne, | - curentul ce strbate elernentul, iar

rezistenta elementului.

Rezistentele nu decaleaz curentul I in raport cu tenstunea U

in circuitele electronice rezistoarele sunt folosite ca elemente de sarcin,


ca divizoare de tensiune sau ca elemente a circuitelor de polarizare etc. Parametrii mai importanti ai rezistoarelor sunt: - rezistenta nominal Rn (exprimat in Q, kO sau MO) 9i toleranta acesteia (abaterea de la valoarea nominal, exprimat in procente); - puterea de disipatie nominal Pn (exprimat in wati); puterile uzuale standardizate sunt: 0,05; 0,1; 0,'125: 0,25: 0,5; 1, 2; 3: 4, 5; 6, 7; 10; 12', 17....100W. 21.2.2. Glsificarea rezistoarelor Clasificarea rezistoarelor se face dup mai multe crrterii, cele mai utilizate
sunt:

Figura 21.3 Unda sinusoidal are dou alternanle egale, una pozitiv gi una negativ.

Valoarea de vrf este cunoscut sub numele de amolitudine sau valoarea


maxim a undei sinusoidale (Urur). Valoarea vrf-la-vrf a undei sinusoidale este diferenta de poten{ial intre vrful pozitiv gi vrful negativ gi va deci Uy y = 2 U62y.
13. Valori efective

1)

Dup tipul constructiv:

o o

rezistoare
a

fixe (a cror rezistent stabilit in procesul de


(a cror rezistent poate fi modificat,
fun

fabricatie rmne constant pe intreaga perioad de functionare

rezistorului):

Spre deosebire de curenlul conlinuu, care are o valoare constant ce


poate fi folosit pt,'r1ru orice lip dc calcule, un curent alternativ vanaz continuu in timp gi nu are o valoare fix, Pentru a dep$i aceast dificultate, se foloseSte pentru curentul allerrraliv o valoarc "corrstarrt" numit valoare efectiv. Valoarca cft'clivir ir rrrrui crrronl sau a unei tensiuni alternative este valoarea cottlirtttit cr:ltivirlcrrlA r;i.rrc pnrcluce aceeagi putere ca gi valoarea

rezistoare variabile
"

in

2\

alternativ oriryirrirln
136

. semireglabile. Dup elementul conductor o rezistoare perltru curen{r slabi (utilizate in electronic); . rezistoare (liniare)
tJ/

"

T''" J',I:',;i,il.,',lT!''

ction ri i)

Anex Anex

peliculare c cu r:eilcul de carbon o cu pelicul metalic. . bobinate r de volum, rezistoare neliniare r termistoare r varistoare . fotorezistente.

Tabel 21.3 Factor de multiplicare


1

Litera

Toleranfa
%

Litera
B D
F

10' 10'
10"

K
M

r0.1 10,25 10.5

u
T

10''
in

l1

te.'j:il();ur., pentrLl cerrenfi

tari (utilizate

electrotehnic,

l)

r,l trtt tlnttr:l'l

llulr

rlr:rtlrrrrrlre
pr

!2 t5 !10 !20
130

rfn:rtr

rt r;

rlo,

J K M N

rlr u/

rJrrtrrrr;rl

Exemple de marcare a rezistoarelor: Tabel 21.4 Valoarea

2l 2.3 Mnrcaron rorlrtonrolor


r,iil
l{ )f
;

M,rrr:,rrr';r rrr,zistoirrckrr sc poutc face in clar, codificat (in codul culorilor) lrilrr rrilrlrolrril alfarrunrerrce codificate internatjr:nal (cod literal) Mlrc:irrcil rezrstoarelor in cociul culorilor este ilustrat in tabelul de mai

rezislentei 0,75 O * 50
120 Q

Codificerea cu litere si cifre R75J 0.75


5o/o

Codificarea in codul culorilor

t t

10o/o

120 RK 4K7M 500K

120
*,'l0o/o

__flIII]-

4,7 KQr.200 560 KO


100/o

4.7K

s60K
t,'l0o/o

--flIfl_{IIMD-

2'1.2.4. Msurarea rezistoarelor Rezistoarere se pot msura cu ohmmetrur sau cu murtimetrur (anarogic sau digital), respectnd algoritmul de msur specific aparatului de masur respectiv.

21.3. Condensatoare
21.3.1. Generalitti

In tabelul 21.3 se indic codificarea litersl a rezistenlei nominsle gi a toleranlei.

un condensator este o component pasiv de circuit caracterizat de capacitate. un condensator const din suprafete conductoare agezate fat in fat (numite armturi), desprtite de un material izolant numit dielectric. Proprietatea de baz a unui condensator este capacitatea sa de a stoca energre electric sub form de sarcini electrice. prin urmre, putem spune c un condensator se opune varratiilor de tensiune. Unitatea de msur pentru capacitate este faradur, dar de obicei se folosesc subnrultrplii pF, nF 9i chiar pF.
139

138

Anex

Anex

Cnd dou condensatoare sunt ccnectate in paralel, capacitatea lor total este suma celor dou capacitti, ia: dac dou condensatoare sunr conectate in serie, inversul capacittii totale este suma inverselor celor dou
capacitti. ' Parametrii principali ai condensatoarelor sunt: - capacitatea nomrnal C" gi toleranta;

tensiunea

nom

jnal Un (tensiunea continu maxim sau tensiunea

alternativ efectiv care poate fi aplicat condensatorului). 21.3.2. Clasificarea condensatoarelor Clasificarea cea mai uzual a condensatoarelor este din ounct de vedere constructiv:

condensatol'u t";o"nsatoare

. -

. . . I

neoorarizate: condensatoare cu mic: condensatoare cu hrtie;

condensatoareceramice;
condensatoare cu pelicul de polistiren:

condensatoarepolarizate(electrolitice).

condensatoare reglabile (trimere); condensatoare variabile (condensatoarele de acord din radioreceptoare).


rT)

Cel mai adesea condensatoarele se marcheaz in clar, firmele productoare notnd pe lng capacitate gi tensiunea nominal. Doar
condensatoarele ceramice sau de tip plachet se marcheaz in codul culorilor, cu 3, 4 sau 5 benzi colorate. La condensatoarele ceramice tip disc Ai plachet, citirea se face incepnd de la terminale. Codul culorilor pentru condensatoare este cel prezentat in tabelul 21 .4, tar valorile codificate sunt date in pF. Coeficientul de temperatur este exprimat in ,,ppm/oC" - p(i pe milion pe grad Celsius 21.3.4. Msurarea condensatoarelor Condensatoarele se msoar folosind capacimetrul. in lipsa unui astfel de aparat de msur, se poate folosi un ohmmetru, dar doar pentru gsirea unui condensator in scurtcircuit sau electronigtii cu ceva experlen! pot aproxima (dar

21.3.3. Marcarea condensatoarelor

i
unde

(21.5)

o - fluxul

magnetic creat de bobin, iar i este curentul ce strbate spirele

bobinei.

Unitatea de msur pentru inductant este henry H, cu submultiplii miliH


sau microH.

cu destule erori) curentul de incrcare gi descrcare (eventual folosind


condensator etalon). 21.4. Bobine

un

ffi JI
Figura 21.4

Bobina este o component pasiv de circuit, realizat dintr-o infgurare conductoare (pe un miez magnetic sau aer), caracterizat de o mrime numit
inductan! L (tigura 21.4).

de ferit in interiorul bobinei sau prin modificarea inductan{ei mutuale M intre


dou bobine cuplate, agezate pe acelagi suport.

Bobinele se realizeaz fr miez magnetic (bobine cu aer) sau dac este necesar o inductant mare, pe miezuri magnetice de diferite forme. Din punct de vedere corstructiv, bobinele se impa( in bobine fixe (cu L = const.) gi bobine reglabile. in al doilea caz, inductanta poate fi variat, prin deplasarea unui miez

Inductanta bobinei este proprietatea de a se opune oricror variatii de curent. lnductanta unei bobine depinde de numrul de spire, de dimensiirnile
conductorului, de fornra bobinei gi de modul de bobinare.
140

Inductan{a unei bobine

dimensiunile conductorului, de forma bobinei si de modul de bobinare.

cu aer depinde de numrul de spire, de in cazul


t4l

l\l|Ltr6

Anex

lrolrrfrr,krr (,u
ttttt,,zttlttt

nrc/, n(1r(.it.rrlil deprnde gi de

permeabilitatea magnetic

[:terrtru a cvrti] actruno perturbatoare a cmpurilor magnetice exterioare

(sau pentru a protcla alte elemente de circuit de acliunea cmpului magnetic propriu) bobinele se inchid in ecrane magnetice realizate din materiale
feromagnetice de inalt permeabilitate (permalloy, mumetal etc). Prin cregterea frecven(ei cmpurilor perturbatoare acltunea de ecranare

Tensiunea

de iegire c.a
U2

scade odat cu micgorarea permeabilitlii materialului magnetic. De aceea, la frecvente ridicate ecranele se realizeaz din materiale nemagnetice cu
conductibilitate ridicat (Cu, Al) care micgoreaz cmpurile perturbatoare datortt actiunii curentrlor turbionari. Figura 21.5

21.5. Reactanfa

9i condensatoarele se opun trecerii curentului alternativ. Aceast rezisten! se numegte reactant X gi se msoar in ohmi. Reactanta depinde de valoarea bobinei sau a condensatorului gi de frecventa formei de
Bobinele und

Dac tensiunea de intrare diry.'Onmar este Ur, tensiunea de iegire din secundar este U2, curentul din primar este lr, curentul din secundar este 12, numrul de spire din primar este Nr, numrul de spile din secundar este Nz,
atunci se poate scrie relalia care definegte raportul de transformare n:

O bobin are o reactan! inductiv, care cregte cu frecvenla:

ll

u, I,
-

N,

U, I'

(21.9)

N,

Xr=2n.f .L=cu.L
Un condensator are o reactant capacitiv, care scade cu frecvenla.

(21 6)

1\^

'

i Zn.f .C
-

(21.7)

21.6. lmpedanta Un circuit care contine

rezistent, are o rezistent total numit impedant, Z. lmpedanla este suma fazorial a reactantei X gi a rezistentei R.
(21.8)

reactant lcapacitiv sau inductiv) El

21.7. Transformatorul
Transformatorul este un element de circuit, realizat din dou infgurri separate, numite primar gi secundar (figura 21 5) infgurrii ,,primar" ii este aplicat tensiunea de intrare (in general, tensiunea re{elei 220 V c.a. 50 Hz), care va produce un cmp magentic variabil. Acest cmp magnetic va induce in infgurarea secundar, o tensiune de c.a. de aceeagi frecvent cu tensiunea de intrare. Amplitudinea tensiunii din secundar va fi determinat de de numrul de spire, att din secundar, ct gi din primar.
142 143

Brblioiyrafie

BIBLIOGRAFIE

2.

Adrian GRAUR, Bazele electronicii, Editura Mediamira, Cluj-Napoca'

Adrian GRAUR, Dispozitve gi circuite eleclronice Universitatea "gtefan cel Mare", Suceava, 1994
1

indrumar de laborator,

Dan DASCALU, Gheorghe $TEFAN $ a., Dispozitive 9i circuite electronice, Editura Didactic 9i Pedagogic, Bucuregti, 1982 Dan DASCALU, Adrian RUSU, Dispozitive 9i circuite electronice, Editura Didactic gi Pedagogic, Bucuregti, 1982 Thomas [. flOyO, Dispozitive electronice, Editura Teora, Bucuregti,
2003

0a7

CameliaNEAC$U,MarinSARAC|N,Componentegidispozitive
7
B

electronice, Editura Matrix ROM, Bucuregti, 2005 K. F. IBRAHIM, Introducere in electronic, Editura Teora, Bucuregti, 2005 Sever PA$CA, Niculae TOMESCU, lstvan SZTOJANOV, Eleclronic analogic gi oigitata - Dispozitive 9i circuite electronice fundamentale, Editura Albastr, Cluj-Napoca, 2004 Sorin POHOATA Televiziune indrumar de laborator, Edltura Universit{ii Suceava, 2007
9i

10. Gabriel VASILESCU, $erban LUNGU, Electronic, Editura Didactic

Pedagogic. Bucuregti, 1 98'l 11. Emit btr,,fnCHt, Aurelia TUNSOIU q.a., Electronic, Editura Didactic 9i Pedagogic, Bucuregti, 1979 i2. NicotebRAcULANESCU, Constantin MIROIU I a., ABC..Electronica tn imagini, Editura Tehnic, Bucuregti, 1990 13. Dan DASCALU, Laurenliu TURIC g.a., Circuite electronice, Editura

14. George

Didactic gi Pedagogic, Bucure;ti, 1981 f-VfOni, befectele electronice, Editura Teora, Bucuregti, 200'1

tl tl

l-r=

-:_! t5.\4 .-..:.t-1,:::-:,:': ' '...' .


i.t;i131-.iil
1

/1

L,:-+--<l

.1.:,
i

t:,tj;,',

il il" {itc,,: -' . .li; +" ll


ll
: .ri

i..il'll'lr',ri:r.riLt:|l,:,t li