Sunteți pe pagina 1din 50

Lucrarea de laborator nr.1 DETERMINAREA REZISTIVIT II SPECIFICE I TIPULUI DE CONDUC IE N SEMICONDUCTORI 1.1.

Scopul lucr rii: determinarea experimental a rezistivit ii specifice i tipului de conduc ie a semiconductorilor. 1.2. Sarcina teoretic 1.2.1. Face i cuno tin cu no iunea de rezisten specific i cu tipurile de conduc ie n semiconductori. 1.2.2. Studia i metodele de m surare a rezisten ei specifice i a conduc iei n semiconductori. 1.3. Sarcina practic 1.3.1. M sura i rezisten a specific a probei semiconductoare prin metodele celor dou i patru sonde. Compara i rezultatele ob inute. 1.3.2. Determina i tipul conduc iei materialului analizat dup valoarea for ei electromotoare (FEM) termice. 1.4. Indica ii metodice 1.4.1. M surarea rezistivit ii specifice a semiconductorului prin metoda celor dou sonde. n general m surarea rezistivit ii specifice prin metoda celor dou sonde se utilizeaz pentru cazul cnd probele au forme geometrice regulate. Aceast metod de m sur este cea mai precis pentru m surarea rezistivit ii deoarece nu depinde de contactele prin care se injecteaz curentul. ns , aplicarea metodei date este limitat att de forma probelor ct i de modul de realizare a contactelor (contacte mobile sau distructive). 3

Pentru m surarea rezistivit ii specifice a unui cristal semiconductor dreptunghiular pe extremit ile acestuia se realizeaz contacte ohmice prin care ulterior se conecteaz curentul electric. Cu ajutorul ampermetrului A se determin m rimea acestuia dup cum se observ n fig. 1. Pe una din suprafe ele probei se instaleaz 2 sonde (1 i 2) cu ajutorul c rora proba se determin c derea de tensiune U 12 . Dac semiconductoare e omogen , rezistivitatea specific se determin conform rela iei: U S (1.1) V ! 12 I d unde I - curentul continuu ce curge prin prob ; U 12 - diferen a de poten ial ntre sondele 1 i 2; d - distan a dintre sonde; S - aria sec iunii transversale a probei.
nc lzitor
1

R3

Sursa de curent

Fig. 1.1. Schema bloc a sistemului pentru m surarea rezistivit ii specifice prin metoda celor dou sonde Metoda celor dou sonde necesit lucr ri dificile pentru preg tirea contactelor ohmice cu suprafa mare i a m rimilor geometrice exacte. Eroarea m sur rilor prin aceast metod este de obicei 1-3 % pentru proba cu form geometric regulat i n mod general depinde de exactitatea m sur rii dimensiunilor geometrice a probei i distan ei dintre sonde.

1.4.2. M surarea rezistivit ii specifice a semiconductorului prin metoda celor patru sonde. Fa de metoda descris anterior, metoda celor patru sonde posed un avantaj esen ial - nu necesit formarea contactelor ohmice pe prob . Totodat , este posibil m surarea conductibilit ii specifice a probelor cu dimensiuni i forme diferite cu condi ia ca suprafe ele sa fie plan i dimensiunile liniare. Multe din particularit ile probelor reale legate cu forma i calitatea suprafe ei lor pot fi u or luate n considera ie f r a crea probleme n procesul de m surare prin metoda celor patru sonde. Pe suprafa a plan a probei se amplaseaz patru electrozi metalici cu form asem n tor unui ac metalic - sonde cu suprafa a mic de contact. Sondele sunt amplasate de-a lungul unei linii drepte (fig. 1.2). Prin sondele (electrozi) 1 i 4 se conecteaz curentul I iar pe celelalte dou sonde (electrozi) 2 i 3 se m soar c derea de tensiune U23. Conform m rimilor m surate (U23 i I) se poate determina conductibilitatea specific a probei.

Sursa de curent
V

I
1 S1 2 S2 3 S3 4

-I

Fig. 1.2. Schema de m surare a rezistivit ii specifice prin metoda cu patru sonde Pentru a g si leg tura analitic ntre rezistivitatea specific , curentul I i tensiunea U23 e necesar de a solu iona o 5

problem mai simpl legat cu scurgerea curentului printr-o sonda punctiform separat , care se afl n contact cu suprafa plan a probei semiconductoare cu volumul semiinfinit (fig. 1.3).

Fig. 1.3. Modelul sondei punctiforme Deoarece distribu ia poten ialului n prob are simetrie sferic , pentru calculul poten ialului n volumul probei U(r) n dependen de distan a r pn la contact este suficient de rezolvat ecua ia Laplace n sistemul de coordonate sferice n care se las doar termenul care depinde de r: 1 d dU (U r ! 2 r 2 (1.2) !0 dr r dr cu condi ia ca poten ialul n punctul r=0 e pozitiv i tinde c tre zero pentru un r foarte mare. n rezultatul integr rii acestei ecua ii lund n considera ie condi iile de grani ob inem: C (1.3) U( r ) !  r unde C constanta de integrare care poate fi calculat prin stabilirea condi iei de intensitate a cmpului electric E r = r0: I dU ( r ) ( r0 )  j (1.4) r r 2T r02 dr I - densitatea curentului care curge prin unde j 2T r02 semisfera cu raza r.
0

n sfr it primim
I V (1.5) 2 r Evident c distribu ia poten ialului va fi acela i i n cazul cnd sonda are cu suprafa a probei contact n form de semisfer cu diametru finit. Fie raza contactului egal cu r1 , atunci c derea de tensiune pe prob este egal cu poten ialul sondei: I V 1 U( r ) ! (1.6) 2 r1 Comparnd c derea de tensiune n stratul de contact cu grosimea ( r2  r1 ) I V r2  r1 U ( r1 )  U ( r2 ) ! (1.7) 2T r2 r1 i c derea de tensiune total pe prob (rela ia 1.6), se observ c schimbarea esen ial a poten ialului are loc n apropierea sondei. De exemplu, pentru r2 ! 10r1 c derea de tensiune total pe prob dep e te cea pe stratul r2  r1 cu 10 %. Aceasta nseamn c valoarea curentului ce curge prin sond este determinat n mod general de rezisten a stratului de lng contact, lungimea c ruia este cu att mai mic cu ct mai mic este raza contactului. Condi iile necesare pentru m surarea conductibilit ii prin metoda celor patru sonde sunt: 1) M sur rile se petrec pe o suprafa plat a unei probei izotrope i omogene; 2) Injec ia purt torilor de sarcin minoritari n volumul probei lipse te din cauza vitezei de recombinare destul de nalte pe suprafa ; 3) Scurgerea pe suprafa a curentului lipse te; 4) Sondele au contactele cu suprafa a n punctele ce se afl de-a lungul unei linii drepte; 5) Grani a dintre electrozi i prob are form de semisfer cu diametru mic; U( r ) !

6) Diametrul contactului sondei este mic n compara ie cu distan a dintre sonde. Poten ialul n orice punct a probei este egal cu suma poten ialelor create n acest punct de curentul fiec rui electrod. Poten ialul are semn pozitiv pentru curentul ce intr n prob (sonda 1) i semn negativ pentru curentul ce iese din prob (sonda 4). Astfel, poten ialele sondelor 2 i 3 de m surare snt egale respectiv: I V 1 1 I V 1 1 ; U3 ! U2 !   (1.8) 2T s1 s2  s3 2T s1  s3 s3 iar diferen a de poten ial I V 1 1 1 1 U 23 ! U 2  U 3 !    (1.9) 2T s1 s 2  s 3 s1  s 2 s 3 Rela ia (1.9) permite determinarea rezisten ei specifice a probei: U 23 2T (1.10) I 1 1 1 1  s s s s s s3 1 2 3 1 2 Dac distan a dintre sonde este aceea i, adic s1=s2=s3=s atunci U (1.11) V ! 23 2T s I unde U23 n V, I n A, s n m, n m. Teoria metodei celor patru sonde a fost analizat presupunnd c proba semiconductoare posed propriet i omogene. Practic, orice prob semiconductoare posed careva neomogenit i a distribu iei rezistivit ii specifice n volumul probei. Aceste neomogenit i ar putea fi condi ionate de distribu ia neuniform a impurit ilor, existen a conductibilit ii electrice n stratul de suprafa i altor motive. Pentru analiza cantitativ a influen ei neomogenit ilor rezistivit ii specifice asupra rezultatelor m sur rilor prin metoda celor patru sonde se ia n considera ie neomogenitatea respectiv . 8

n rezultatul analizei distribu iei poten ialului (1.5), c derii de tensiune (1.7) i densit ii curentului prin prob n dependen de coordonat rezult c : 1) pentru utilizarea metodei celor patru sonde este suficient ca proba s fie omogen ntr-o anumit regiune cu r1 m rimi liniare de ordinul 5s (dac s HH ). 2) valoarea m surat a rezistivit ii specifice corespunde m rimii conductibilit ii stratului de suprafa cu grosimea nu mai mare dect s. 1.5. Metodica efectu rii experien ei Pentru determinarea rezistivit ii specifice prin metoda celor dou sonde i metoda celor patru sonde este necesar de a conecta proba portabil la conectorul blocului de comand corespunz tor. Conecta i la bornele U blocul de comand a voltmetrului numeric B7-16. M surarea rezistivit ii specifice cu utilizarea metodei celor dou sonde se efectueaz prin stabilirea comutatorului 2 n pozi ia 23 iar prin metoda celor patru sonde n pozi ia 43. Probele de m surat se pun pe manipulator iar cu ajutorul butoanelor Curentul probei, Brutal i Progresiv se stabile te curentul necesar. Cu ajutorul comutatoarelor Polaritatea tensiunii i Polaritatea curentului se poate schimba semnul tensiunii i direc ia curentului prin prob n procesul m sur rilor. M sur torile rezistivit ii specifice a materialului se iau pentru ambele direc ii a curentului i se determin valoarea medie a datelor. Pentru determinarea tipului de conductibilitate dup valoarea FEM termice se conecteaz tumblerul Direc ia sondei (totodat trebuie s se conecteze becul prin Direc ia sondei). Se instaleaz proba n proba portabil i dup o nc lzire de 5 minute se las treptat termo-sonda. n calitate de nc lzitor a sondei se utilizeaz rezistorul R=24 care se une te la sursa de tensiune U=12 V, prin bec tensiunea este de 8 V, 9 Wt (fig. 1.4). 9

Fig. 1.4. Schema bloc a sondei La atingerea sondei fierbin i cu materialul semiconductor dup semnul tensiunii termice, fixat cu voltmetrul numeric, determina i tipul conductibilit ii materialului. 1.6. ntreb ri de control 1. Explica i n ce const metoda de m surare a rezistivit ii specifice prin dou sonde ? 2. Explica i n ce const metoda de m surare a rezistivit ii specifice prin patru sonde ? 3. Care sunt condi iile de m surare a conductibilit ii prin metoda cu patru sonde ? 4. Deduce i rela ia pentru determinarea rezistivit ii specifice prin metoda cu patru sonde ?

10

Lucrarea de laborator nr.2 STUDIEREA DEPENDEN EI REZISTEN EI SEMICONDUCTORILOR N FUNC IE DE TEMPERATUR I DETERMINAREA ENERGIEI DE ACTIVARE 2.1. Scopul lucr rii: cercetarea experimental a dependen ei conductibilit ii specifice a semiconductorilor n func ie de temperatur ; determinarea regiunilor conductibilit ii intrinseci i prin impurit i; aprecierea energiei de activare. 2.2. Sarcina teoretic 2.2.1. Studia i mecanismul conductibilit ii semiconductorilor dup conspectul lec iilor i literatura propus . 2.2.2 Studia i metodele de m surare a dependen ei conductibilit ii semiconductorilor n func ie de temperatur i metodele de calcul a energiei de activare a conductibilit ii. 2.3. Sarcina practic 2.3.1. Efectua i m surarea conductibilit ii semiconductorului n func ie de temperatur . 2.3.2. Conform datelor experimentale construi i dependen a lnW ! f 1000 / T . 2.3.3. Aprecia i energia de activare a conductibilit ii din dependen a ob inut . 2.4. Indica ii metodice n lipsa cmpului exterior gazul electronic n conductor se afl n stare de echilibru. Starea de echilibru este un rezultat al interac iunii electronilor cu defectele re elei cristaline. Principalele din ele snt impurit ile i oscila iile termice ale re elei cristaline. Unda electronic interac ioneaz cu oscila iile termice ale re elei cristaline. n limbaj clasic aceast interac iune poate fi l murit prin interac iunea electronului cu fononii. Ca 11

rezultatul acestei interac iuni are loc mpr tierea electronilor, ce duce la stabilirea st rii de echilibru n acest caz suma vitezelor medii a electronilor n diferite direc ii este egal cu zero i curentul electric este nul. Dac n re eaua cristalin snt impurit i, electronii se pot localiza pe aceste nivele energetice iar apoi delocaliza i avnd ca rezultat alte energie i impuls. n limbaj clasic aceasta nseamn ciocnirea electronilor cu impurit ile i mpr tierea lor, care n absen a cmpului exterior duce de asemenea la stabilirea echilibrului. T Dac aplic m un cmp extern E asupra cristalului, atunci T n el apare curent electric densitatea c ruia j conform legii lui T Ohm este propor ional m rimii intensit ii cmpului electric E : T T j (2.1) E este numit Coeficientul de propor ionalitate W conductibilitate specific a semiconductorului, iar m rimea (invers ) este numit rezistivitatea specific a semiconductorului: V !1 W (2.2) Apari ia curentului n conductor denot faptul c n el sub ac iunea cmpului extern apare mi carea ordonat a electronilor, care este numit drift. Lund n considera ie c sarcina electronului este negativ , direc ie driftului este n sens opus T direc iei cmpului extern. S not m aceast m rime prin Y d . Construim un paralelipiped cu baza S=1 cm2 i latura egal cu d. Volumul lui va fi d, iar num rul electronilor n el n d, unde n este concentra ia electronilor n conductor. To i ace ti electroni vor trece n timp de o secund prin baza paralelipipedului, formnd un curent cu densitatea: T T (2.3) j !  qnY d unde q este sarcina electronului. Semnul - arat , c n T acest caz curentul este orientat n sens invers Y d . Folosind (2.1) i (2.3) ob inem: 12



T T (2.4) Y d !  q n E W Vedem c viteza medie de drift este propor ional cu intensitatea cmpului electric. Coeficientul de propor ionalitate: Q ! W qn (2.5) este numit mobilitatea purt torilor de sarcin . Folosind (2.4) i (2.5) putem scrie T T (2.6) Yd ! Q E Din (2.5) rezult c W qnQ (2.7) n cazul cnd semiconductorul con ine electroni i goluri ecua ia (2.7) poate fi scris n felul urm tor : W q n Q n q p Q p q ( n Q n p Q p ) (2.8)

unde n i p snt m rimile concentra iilor electronilor i golurilor, iar n i p - mobilit ile lor. Din ecua iile (2.7) i (2.8) urmeaz c dependen a conductibilit ii semiconductorilor de temperatur poate fi determinat prin cercetarea dependen elor concentra iei i mobilit ii purt torilor de sarcin n func ie de temperatur . No iunea mobilitatea a purt torilor de sarcin poate fi T explicat n felul urm tor: n cmpul electric E asupra T T electronului ac ioneaz o for F  q E . Sub ac iunea acestei T T for e purt torul de sarcin se mi c cu accelera ia a !  q E m* , unde m* este masa efectiv a purt torului de sarcin . n cristal electronii liberi i golurile se ciocnesc cu defectele re elei cristaline (mpr tierea prin defectele re elei cristaline). Fie c timpul dintre dou ciocniri este t0, atunci viteza medie de drift a purt torilor de sarcin va fi: q t0 E Yd (2.9) m* Viteza medie de drift a electronilor d este propor ional cu intensitatea cmpului electric E. Coeficientul de 13

q t0 i este mobilitate. Deci, mobilitatea m* este egal cu viteza medie suplimentar a purt torilor de sarcin ap rut sub ac iunea cmpului electric unitar n perioada dintre dou ciocniri consecutive. Ca unitate de m sur a mobilit ii se utilizeaz cm2/(Vs). M rimea mobilit ii depinde de mecanismele de mpr tiere a purt torilor de sarcin . Valoarea numeric a mobilit ii caracterizeaz calitatea cristalului. n cristalele perfecte (f r defecte) aceast valoarea poate fi destul de nalt . n dependen de regiunea temperaturii n semiconductori sunt cele mai probabile dou mecanisme de mpr tiere: n regiunea temperaturilor joase mpr tierea pe ionii ioniza i de impurit i este mai probabil , iar n cea a temperaturilor nalte mpr tierea pe fononi acustici.

1/T Fig. 2.1. Dependen a mobilit ii purt torilor de sarcin n func ie de temperatur Pentru cazul nti dependen a mobilit ii de temperatur (fig. 2.1) va fi: (2.10) Q imp ~ T 3 2 Dac temperatura cristalului este diferit de 0 K, atunci atomii ce formeaz re eaua cristalin vor oscila n jurul st rii de echilibru. O parte din ei se vor g si la o distan mai mare unul fa de altul, iar o parte la o distan mai mic fa de cazul cnd T=0 K. n re ea se distruge periodicitatea ideal i apare a a

propor ionalitate Q

osc

~T-3/2
imp

~T3/2

14

numita mpr tiere a purt torilor de sarcin pe atomi ce oscileaz iar dependen a mobilit ii de temperatur va fi (2.11) Q osc ~ T 3 2 n prezen a mai multor mecanisme de mpr tiere a purt torilor de sarcin , un rol important prezint mecanismul ce determin mobilitatea minim . 1 1 1 (2.12) !  Q Q imp Q osc S analiz m acum dependen a concentra iei purt torilor de sarcin de temperatur . n corespundere cu teoria benzilor energetice ale corpului solid, semiconductorul intrinsec la T=0 K prezint un izolator, adic n el nu snt purt tori de sarcin liberi, care ar putea conduce curent electric. To i electronii de valen a atomilor care formeaz re eaua cristalin , iau parte la formarea leg turilor ntre atomi. Aceast leg tur chimic poate fi caracterizat prin energia necesar pentru ruperea ei cu formarea electronilor i golurilor liberi. Att electronii ct i golurile se pot deplasa prin cristal sub ac iunea cmpului electric. Rezult c , dependen a concentra iei purt torilor de sarcin are un caracter de activare, adic E (2.13) p ! n ! A exp  g 2 kT n teoria benzilor energetice, ruperea leg turilor de valen la ac iune extern este descris ca trecerea electronilor din banda de valen ocupat cu electroni n banda de conduc ie peste un interval de energie, numit l rgimea benzii interzise. Practic, concentra ia purt torilor liberi de sarcin ntr-un interval larg de temperatur este cu mult mai mare dect concentra ia intrinsec . Aceasta este legat cu activitatea electric a impurit ilor i posibilitatea lor de a ceda sau primi electroni la energie mai mici dect energia de activare a purt torilor intrinseci (Eg). Semiconductorii ce con in impurit i posed conductibilitatea extrinsec . 15

Dac n semiconductor snt introduse impurit i de tip donor, atunci n apropierea benzii de conduc ie apar nivele energetice cu energie de activare Ed E g . Dac introducem impurit i de tip acceptor, atunci n apropierea benzii de valen apar nivele energetice Ea E g (fig. 2.2). n fig. 2.2 este prezentat diagrama energetic a semiconductorului. Paralel cu procesul gener rii perechilor electron-gol decurge i procesul invers, adic o parte din purt torii de sarcin trec din banda de conduc ie n banda de valen . Ca rezultat al acestui proces dispare perechea electron-gol. Acest proces este numit recombinare. Ca rezultat, la temperatura dat T n volumul unitar al semiconductorului tot timpul exist n permanen un num r oricare de purt tori liberi de sarcin . Calculele arat c pentru semiconductorul intrinsec
* 2T mn m* kT 2 E p exp  g (2.14) ni ! pi ! 2 2 2kT h * * unde mn , m p este masa efectiv a electronilor i golurilor; k - constanta lui Boltzmann; h - constanta lui Plank; Eg - l imea benzii interzise. Cu indicii i sunt nota i parametrii semiconductorului intrinsec. Dac semiconductorul con ine numai un tip de impurit i, atunci dependen a concentra iei purt torilor de sarcin liberi de temperatur va fi prezentat de suma a doua exponente cu diferite energii de activare. De exemplu, pentru semiconductorul cu impurit i donoare 3

ni

nd

2T m* kT n 2 Nd h2

4 E exp  d 2 kT

16

2T m* m* kT n p 2 h2

2 exp  E g 2 kT

 

(2.15)

unde nd este concentra ia electronilor liberi ce snt genera i de donori; Nd - concentra ia donorilor; Ed - energia de activare a impurit ilor donore. EC

EV a) Ec Ed Ec

Ea Ev Ev c) b) Fig. 2.2 Diagrama energetic a semiconductorului a) intrinsec; b) donor (tip n) i c) acceptor (tip p); unde Ev energia maxim din BV (nivelul de valen ); Ec energia minim din BC (nivelul de conduc ie); Ed nivelul donor; Ea nivelul acceptor. Subliniem, c n rela ia (2.15) componentele naintea exponentelor depind de temperatur destul de slab. Din aceast cauza putem scrie: Eg Ed n ni n d A exp  2 kT B exp  2 kT (2.16) La temperaturi joase concentra ia electronilor n semiconductori este dirijat de impurit i, iar concentra ia intrinsec este mic . Concentra ia purt torilor de sarcin este

17

apreciat de al doilea termen al rela iei (2.16) i cre te cu temperatura (fig. 2.3, regiunea I). n fig. 2.3 este prezentat 1 1 dependen a ln n ! f T i ln W ! f T . lnn ln b

1 T Fig. 2.3. Dependen a concentra iei purt torilor de sarcin (a) i conductibilit ii (b) semiconductorilor de temperatur ; unde I regiunea temperaturilor nalte, II regiunea temperaturilor medii i III regiunea temperaturilor nalte.

III

II

La o temperatur anumit concentra ia nu mai depinde de temperatur (fig. 2.3, regiunea II). n aceast regiune to i atomii de impurit i snt ioniza i complet iar concentra ia intrinsec este mai mic dect cea dirijat de impurit i. n regiunea III (fig. 2.3) concentra ia purt torilor de sarcin cre te brusc, adic ncepe a lucra mecanismul intrinsec i concentra ia este dirijat de componenta 1 al rela iei (2.16). A a cum mobilitatea purt torilor de sarcin depinde de temperatur mult mai slab, dependen a conductibilit ii semiconductorului de temperatur este dirijat de factorii exponen iali, ce ntr n rela ia pentru concentra ie (2.16). O deosebire mai mare dintre dependen a concentra iei i conductibilit ii ca func ie de temperatur se observ n regiunea ioniz rii impurit ilor unde conductibilitatea este determinat de dependen a mobilit ii de temperatur (T) (fig. 2.3, curba b). n fig. 2.3 pe axa ordonatelor este depus nu valoarea n i , ci 18

valorile logaritmilor naturali. Pe axa absciselor este depus m rimea invers a temperaturii - 1/T. Pentru sectorul conductibilit ii intrinseci Eg (2.17) W ! W 0 exp  2 kT Dup logaritmare ob inem: Eg ln W ! ln W 0  (2.18) 2kT Din aceste considerente, dac pe axa coordonatelor depunem ln , iar pe axa absciselor 1/T, atunci att timp ct este 1 valabil rela ia (2.18), dependen a ln W ! f T , trebuie s prezinte o linie dreapt . Tangenta nclin rii acestei drepte este propor ional cu unul din parametrii principali ai semiconductorului l rgimea benzii interzise. Aceasta ne permite s determin m valoarea Eg: ( ln W E g tgE ! ! (2.19) 1 ( T 2k Pentru a opera cu numere mai mari dect unitatea pe axa absciselor utiliz m valoarea 103/T atunci ( ln W tgE ! (2.20) ( 10 3 T ( ln W 10 3 E g ! 2k (2.21) ( 10 3 T Dac vom utiliza constanta lui Boltzman 5 k ! 8.62 10 eV / K atunci Eg se calculeaz n eV. La efectuarea lucr rii de laborator este studiat o prob cu sec iunea dreptunghiular . Distan a dintre sonde L i aria S a probei este indicat de profesor. LI Conductibilitatea W ! , unde I este intensitatea S U curentului prin prob , iar U c derea de tensiune pe prob .

19

2.5. Metodica efectu rii experien ei Pentru m surarea dependen ei conductibilit ii ca func ie de temperatur este utilizat un stand universal de laborator. Proba N1 cu ajutorul cablului de cuplat la priza Proba. Comutatorul 2 pe stand - n pozi ia Decuplat, comutatorul 3 - n pozi ia U12, ntrerup torul basculant nc lzirea probei - din pozi ia neutr de trecut n pozi ia Jos. Cu ajutorul poten iometrului Temperatura probei se regleaz curentul nc lzitorului electric (fig. 2.4). U12 1 T1 nc lzitor Fig. 2.4. Schema structural a nc lzitorului Tensiunea este determinat cu ajutorul voltmetrului B7-16 la starea comutatorului 3 - T1, T2 (cu ajutorul tabelelor pentru termocupluri valorile ob inute cu voltmetrul snt trecute n valori de temperatur ). Termocuplurile T1 i T2 snt utilizate pentru m surarea temperaturii medii. T  T2 Tmed ! 1 2 n pozi ia U12 a ntrerup torului basculant 3 voltmetrul fixeaz c derea de tensiune ntre sondele 1 i 2 ale probei. Intensitatea curentului prin prob este controlat cu ajutorul multimetrului de pe stand. Efectua i m sur rile conductibilit ii pentru devierea temperaturii de la temperatura camerei pn la tmax posibil cu pasul de 5 0C. Conform datelor ob inute de construit dependen a ln W ! f T i de apreciat valoarea energiei de activare a 1 conductibilit ii (m rimea l rgimii benzii interzise). 20 2 T2

2.6. ntreb ri de control 1. Deduce i legea lui Ohm n forma diferen ial ? 2. Demonstra i c pentru a determina conductibilitatea specific este nevoie s afl m concentra ia i mobilitatea purt torilor de sarcin n semiconductor. 3. Ce este mobilitatea purt torilor de sarcin ? 4. Ce mecanisme de mpr tiere a purt torilor de sarcin cunoa te i ? 5. Explica i dependen a mobilit ii purt torilor de sarcin de temperatur . 6. Cum depinde concentra ia purt torilor de sarcin de temperatur n semiconductori ? 7. Cum se poate determina l rgimea benzii interzise a semiconductorului dup dependen a de temperatur a conductibilit ii ?

21

Lucrarea de laborator nr.3 DETERMINAREA PARAMETRILOR SEMICONDUCTORILOR CONFORM REZULTATELOR M SUR RILOR EFECTULUI HALL 3.1. Scopul lucr rii: analiza efectului Hall n semiconductori, determinarea experimental a tipului purt torilor de sarcin , concentra iei i mobilit ii lor, determinare l rgimii benzii interzise a semiconductorului. 3.2. Sarcina teoretic 3.2.1. De a studia efectul Hall dup literatura propus i conspectul lec iilor. 3.2.2. De a face cuno tin cu metodele de apreciere a parametrilor semiconductorilor dup m sur rile efectuate Hall. 3.3. Sarcina practic 3.3.1. Efectua i m sur rile efectului Hall n proba propus . 3.3.2. Aprecia i tipul de conductibilitate, concentra ia i mobilitatea purt torilor de sarcin . 3.3.3. Efectua i m sur ri a FEM Hall ca func ie de temperatur n domeniul conductibilit ii intrinseci. 3.3.4. Dup dependen ele ob inute determina i m rimea benzei interzise a semiconductorului cercetat. 3.4. Indica ii metodice Efectul Hall prezint un efect galvano-magnetic, care are loc n substan sub ac iunea concomitent a cmpului magnetic i electric. Descrierea simplificat a efectului Hall poate fi ob inut dac analiz m mi carea unei particule nc rcate n cmp magnetic sub ac iunea for ei Lorentz. Presupunem, c printr-o 22

plac , ce are l imea b i grosimea a, trece un curent cu densitatea T j a a cum este ar tat n fig. 3.1. T j
T Y dn T
H

T l

C
T Y dp

T B

Fig. 3.1. Schema apari iei efectului Hall S alegem pe fe ele laterale ale pl cii punctele C i D diferen a de poten ial dintre care este egal cu zero. Dac acum T introducem placa ntr-un cmp magnetic cu induc ia B (fig. 3.1), atunci ntre punctele C i D apare o diferen de poten ial UH ce este numit for a electromotoare (FEM) Hall. Experien ele arat c n cmpuri magnetice cu intensitate nu prea mare U H ! RH B j a (3.1) Coeficientul de propor ionalitate RH este numit constanta lui Hall. Unitatea de m sur n sistemul SI este m3/C. Dac curentul I se m soar n A, UH - n V, a - n cm, atunci n partea dreapt a formulei (3.1.) apare factorul 108 U a (3.2) RH ! 10 8 H T I H T T unde B p H - intensitatea cmpului magnetic. S studiem efectul Hall din punct de vedere fizic. Asupra T unui electron, ce se mi c de sus n jos cu viteza Y dn ac ioneaz for a Lorentz 23

"#

(3.3) T T orientat de la stnga la dreapta, perpendicular planului Y d B T T (fig. 3.1). Cnd Y dn B B aceast for este egal cu

T T ! q Yd B

! q Y dn B (3.4) Sub ac iunea for ei Lorentz, electronii snt deplasa i spre fa eta lateral a pl cii (s geata pe fig. 3.1). Pe fa eta stng a pl cii se acumuleaz sarcinile pozitive necompensate numite sarcin spa ial . Aceasta aduce la apari ia unui cmp electric, orientat de la C la D intensitatea c ruia este egal cu EH ! U H a (3.5) unde UH este diferen a de poten ial dintre C i D (FEM Hall). Intensitatea cmpului EH ac ioneaz asupra electronului cu T T for a FH !  qE H , orientat mpotriva for ei Lorentz. Cnd T T F !  FL cmpul electric transversal egaleaz for a Lorentz i procesul de acumulare a sarcinilor pe fe ele laterale se ntrerupe. Din condi ia de echilibru q Y dn B ! q E H (3.6)

g sim E H ! Y dn B sau U H ! a E H ! Y dn B a (3.7) Deoarece Y dn ! j q n (3.8) primim 1 1 I UH ! B j a ! B (3.9) qn qn b I unde j ! , S ! a b . S Deci, teoretic am primit formula ob inut pe cale experimental (3.1). n formula (3.9) RH e constanta lui Hall RH ! 1 qn (3.10) Din (3.10) urmeaz , c tiind m rimea numeric i semnul constantei Hall, se poate determina concentra ia i tipul purt torilor de sarcin . La semiconductori de tip-n constanta lui Hall e negativ , iar la semiconductori de tip-p e pozitiv . Dac 24

&%

('

avem posibilitatea de a m sura conductibilitatea materialului W n ! q n Q n , atunci putem determina i mobilitatea purt torilor de sarcin n semiconductorii de tip n: (3.11) RH W n ! Q n La descrierea ecua iei (3.10) consider m, c to i purt torii de sarcin au aceea i vitez . Aceast afirma ie este corect pentru metale, ns incorect pentru semiconductori dac viteza purt torilor de sarcin are reparti ia dup legea lui Maxwell. Dac lu m n considera ie acest fapt ob inem pentru RH: A RH ! (3.12) qn unde A este constanta ce depinde de mecanismul de mpr tiere a purt torilor de sarcin n cristal. Aceast m rime poate avea valori ntre 1 i 2. n semiconductori curentul este dirijat de ambii purt tori de sarcin - electroni i goluri. Deoarece, aceste particule au semn diferit al sarcinii, ele se mi c n direc ii opuse sub ac iunea T TT cmpului exterior. Din aceast cauz for Lorentz ! q Y B abate purt torii de sarcin de ambele tipuri n aceia i direc ie. Calculele au ar tat c RH pentru astfel de semiconductori va fi : 2 2 A Q p p  Qn n RH ! (3.13) 2 q Q p p  Qn n Semnul constantei Hall poate fi pozitiv sau negativ n dependen de care din termenii num r torului este mai mare. Pentru semiconductorii intrinseci n care n=p, rela ia (3.13) are urm toarea form : A Q p  Q n A 1  b R ! (3.14) ! qn Q p  Qn qn 1  b b ! Q n Q p este raportul dintre mobilitatea unde purt torilor de sarcin .

? A

25

10

Din (3.14) rezult , c n domeniul conductibilit ii intrinseci semnul constantei Hall RH este definit de purt torii de sarcin la care mobilitatea este mai mare. De regul , asemenea purt tori de sarcin snt electronii. Din aceast cauz n semiconductorii de tip-p la trecerea spre conductibilitatea intrinsec constanta Hall i schimb semnul. n afar de studierea propriet ilor electrice ale semiconductorilor, efectului Hall st la baza diferitor aparate semiconductoare - traductoare, modulatoare, demodulatoare, generatoare de semnale etc. Elementul principal al acestor dispozitive este traductorul Hall. El prezint o plac dreptunghiular de semiconductor sau o pelicul semiconductoare depus pe suprafa a unui izolator. Traductorul are patru electrozi - doi pentru curent i doi pentru tensiunea Hall. Pentru aceste traductoare sunt utiliza i semiconductori cu mobilitatea purt torilor de sarcin nalt ca Si, Ge, InSb, GaAs, InGaAs. 3.4.2. Determinarea parametrilor semiconductorilor dup m sur rile efectului Hall Deoarece constanta Hall depinde de propriet ile probei semiconductoare, dup m rimea RH se pot determina c iva parametri ai semiconductorului. 1. Concentra ia i tipul purt torilor de sarcin . Pentru aceasta folosim rela iile: A A ; p! ; (3.15) n! n p q RH q RH unde R n i R p snt constanta Hall n semiconductori de tip-n i tip-p. Dup valorile absolute ale lui |RH| determin m concentra ia purt torilor de sarcina, iar dup semnul lor - tipul semiconductorului (semnul - pentru tip n i semnul + pentru tip p).

26

2. Mobilitatea purt torilor de sarcin . Dac efectu m preventiv m sur rile conductibilit ii semiconductorului i cunoa tem m rimea |RH|, putem determina mobilitatea purt torilor de sarcin : Q ! RH W (3.16) 3. L rgimea benzii interzise a semiconductorului. Dac efectu m m sur rile FEM Hall n domeniul conductibilit ii intrinseci unde concentra ia purt torilor de sarcin se schimb cu temperatura dup rela ia (3.17). 12 ni ! N C NV exp Eg 2kT  (3.17) unde Nc i Nv snt densit ile efective ale st rilor energetice n banda de conduc ie i banda de valen n apropiere de nivele EC i EV; k - constanta lui Boltzmann; T temperatura. Atunci A exp E g 2 kT 1  b i RH ! (3.18) 12 q N C NV 1  b Lund n considera ie c (1-b)/(1+b), A/q nu depinde de temperatur , iar (NcNv)1/2 depinde de temperatur propor ional cu T3/2, putem scrie: i (3.19) RH T ! const exp g 2 kT E Logaritmnd (3.19) ob inem ln H T 3 2 ! ln( const )  E g 2 kT Ri (3.20)
3 2

i Din dependen a l RH T 3 2 ! f ( 10 3 T ) putem determina valoarea numeric a l rgimii benzii interzise Eg prin trasarea tangentei utiliznd rela ia: i l RH T 3 2 Eg ! 2 k 10 3 eV (3.21) l 10 3 T

5 6 5 6
27

3.5. Metodica efectu rii experimentului 1. Pentru m surarea efectului Hall, plas m mostra conectat n portul N1 ntre polii electromagnetului ce se afl n partea de sus a blocului de reglare a instala iei. 2. La bornele U cupl m voltmetrul B7-16. 3. Aliment m mostra cu curent. Pentru aceasta tumblerul 2 este cuplat n pozi ia Deconectat, 3 - n pozi ia U12. Cu ajutorul butonului Curentul probei fix m m rimea necesar a curentului. 4. M sur m tensiunea U12 pentru ambele direc ii ale curentului prin prob I (+ i -) i afl m valoarea medie a med tensiunii U 12 .
2 5. Cupl m electromagnetul cu ajutorul poten iometrului Curentul magnetului i asigur m valoarea necesar a intensit ii cmpului magnetic. 6. M sur m valoarea FEM Hall pentru ambele sensuri ale   curentului prin prob U H i U H . Determin m valoarea medie
med   med U H . Dac U H i U H au acela i semn atunci U H !
  UH  UH

med 12

  U 12  U 12

  med iar dac U H i U H au semne diferite U H !

med tensiunii U H se determin dup curentului pozitiv. 7. Calcul m valoarea conductibilit ii I l W ! med ; U 12 S constantei Hall U med b ; RH ! 10 8 H I H unde H intensitatea cmpului magnetic determinat din 28

. Semnul 2  semnul U H pentru direc ia

  UH  UH

mobilit ii purt torilor de sarcin Q ! W RH i concentra iei purt torilor de sarcin 1 n! q RH 9. Pentru efectuarea m sur rilor constantei lui Hall n func ie de temperatur cupl m tumblorul nc lzirea probei n pozi ia jos. M sur m UH la temperaturi diferite. 10. Calcul m valoarea RH pentru cteva temperaturi i construim dependen a ln(RHT3/2)=f(103/T). 11. Dup dependen a ob inut determin m valoarea numeric a l rgimii benzii interzise a probei semiconductoare analizate. 3.6. ntreb ri de control 1. Ce numim efect Hall ? 2. Ce prezint constanta lui Hall RH i care snt unit ile de m sur ale ei ? 3. L muri i natura fizic a efectului Hall. 4. Cum se poate determina concentra ia i tipul purt torilor de sarcin n semiconductor dup rezultatele m sur rilor efectului Hall ? 5. Ce deosebire este ntre efectul Hall pentru semiconductorii intrinseci i extrinseci ? 6. Cum se poate determina l rgimea benzii interzise dup rezultatele m sur rilor efectului Hall ? 7. n care aparate este utilizat efectul Hall ?

29

Lucrarea de laborator nr.4 STUDIEREA LIMITEI DE ABSORB IE N SEMICONDUCTORI 4.1. Scopul lucr rii: cercetarea experimental a absorb iei optice in semiconductori; m surarea spectrelor de transparen ; calculul distribu iei spectrale a coeficientului de absorb ie; determinarea caracterului tranzi iei electronice i a l rgimii benzii interzise. 4.2. Sarcina teoretic . 4.2.1. De a studia mecanismele de absorb ie n semiconductori, folosind literatura propus i conspectul lec iilor. 4.2.2. De a lua cuno tin de metodica calcul rii spectrelor de absorb ie dup spectrele de transparen i reflexie. 4.3. Sarcina practic . 4.3.1. M sura i spectrul de transparen a probei. 4.3.2. Calcula i distribu ia spectral a coeficientului de absorb ie i construi i dependen a coeficientului de absorb ie n func ie de energia radia iei excitatoare. 4.3.3. Din dependen a ob inut , determina i caracterul tranzi iei optice n apropiere de E g i l rgimea benzii interzise a materialului cercetat. 4.3.4. Compara i rezultatele ob inute cu datele din literatur pentru l rgimea benzii interzise i determina i materialul cercetat. 4.4. Indica ii metodice Atunci cnd un fascicol de radia ie monocromatic cade pe suprafa a cristalului o parte din fascicol se reflect de la suprafa a, o parte trece prin cristal i alt parte se absoarbe n volumul lui. Partea energiei reflectat de grani a corpului, se 30

determin reflexie.

prin m rimea R, care se nume te coeficientul de


I0

IT IR Fig. 4.1 Procesele optice ce apar la c derea luminii pe suprafa a cristalului Dac intensitatea luminii care cade este I0, iar a celui care I se reflect - IR, atunci: R! R (4.1) I0 ns , dac intensitatea luminii care cade este I0, iar a celui care a trecut prin cristal IT, atunci: I T! T (4.2) I0 Dependen a coeficientului de reflexie R, de transparen T i de absorb ie de energia luminii incidente h sau de lungimea de und se nume te spectru de reflexie. I0 RI0 I0(1-R) R(1-R)Ioe-2
d d d

I0(1-R)e-

(1-R)2Ioed

R(1-R)IoeR2(1-R)Ioe-3
d

R2(1-R)Ioe-2 R(1-R)2Ioe-2 . . .

R2(1-R)2Ioe-3

R3(1-R)Ioe-3

Fig. 4.2. Procesele optice la trecerea unui flux optic cu intensitatea ini ial I0 printr-un cristal 31

Cercet m trecerea luminii printr-un strat de substan cu grosimea d. Dac intensitatea luminii incidente este I0, atunci prin prima suprafa va trece radia ia (1-R)I0 (Fig. 4.2). Din cauza absorb iei luminii n stratul cu grosimea dx intensitatea radia iei I se mic oreaz cu dI care este propor ional cu cantitatea de energie incident pe stratul I i cu grosimea stratului absorbant: (4.3)  dI ! I dx Coeficientul de propor ionalitate , care exprim cantitatea de energie absorbit dintr-un fascicul cu intensitatea unitar ntr-un strat cu grosimea unitar se nume te coeficient de absorb ie. Integrnd rela ia (4.3) ob inem legea Lambert-Bouguer I=I0exp(- d) iar intensitatea luminii care atinge suprafa a a doua este I0(1-R)exp(- d). Intensitatea luminii, care iese din proba, va fi egal cu (1-R)(1-R)I0exp(- d). Lumina, care se va reflecta n interiorul probei (fig. 4.2), va ie i din ea v dit sl bit . Lund n considera ie aceste efecte poate fi dedus rela ia pentru coeficientul de transparen T care este: I T ( 1  R )2 exp( E d ) (4.4) T! ! 1  R 2 exp( 2Ed ) Io Dac E d HH , se poate neglija termenul al doilea din 1 numitor. n acest caz intensitatea luminii, care a trecut prin proba cu grosimea d (lund n considera ie reflexia) va fi egal cu: 2 I ! 1  R I 0 exp  Ed (4.5) Coeficientul de absorb ie este caracteristica mediului i depinde de lungimea de und a luminii care cade pe corpul dat. Aceasta dependen se nume te spectru de absorb ie al substan ei. Absorb ia radia iei n substan poate s fie determinat att de schimbarea st rii energetice a electronilor liberi sau lega i cu atomii, ct i cu schimbarea energiei oscila iilor atomilor n re ea. Din aceasta cauz n semiconductori se deosebesc 5 tipuri principale de absorb ie optic : absorb ia proprie (intrinsec ), 32

absorb ia excitonic , absorb ia prin purt tori liberi de sarcin , absorb ia prin impurit i i absorb ia re elei. La interac iunea electronilor substan ei cu radia ia electromagnetic trebuie s fie ndeplinite dou legi: legea conserv rii energiei i legea conserv rii cvaziimpulsului. Dac electronul pn la interac iunea cu cuanta de lumin cu energia T h = i impulsul h posed energia E i cvaziimpulsul p T atunci dup interac iune va fi E' i p' atunci aceste legi vor avea forma: (4.6) E' ! E  h[ T T T p' ! p  hL (4.7)

T 1 unde L - vector de und L ! . P Dac la absorb ia de c tre semiconductor a unei cuante de radia ie are loc excitarea electronilor din banda de valen n banda de conduc ie, atunci o astfel de absorb ie se nume te proprie (intrinsec ) sau fundamental . La studierea absorb iei proprii n semiconductori e necesar de luat n considera ie structura benzilor energetice. Cei mai r spndi i semiconductori cerceta i pn n prezent, n raport cu forma benzilor energetice, se mpart n dou tipuri. Pentru primul tip, punctul cu energia minim din banda de conduc ie care se caracterizeaz prin T vectorul de und kmin i punctul cu energia maxim din banda de T valen caracterizat prin vectorul de und kmax se amplaseaz n unul i acela i punct al zonei Brillouin (de regul n punctul T k ! 0 , fig. 4.3 a) T T Deci, la astfel de semiconductori kmin ! k max . Drept exemplu de astfel de semiconductori sunt GaAs ( E g ! 1,42 eV), GaSb ( E g ! 0,73 eV), InP ( E g ! 1,35 eV), InAs ( E g ! 0,36 eV) i InSb ( E g ! 0,17 eV). 33

La substan ele de tipul doi extremele benzii de conduc ie T T T i benzii de valen snt situate la diferi i k , astfel kmin { k max (fig. 4.3 b). Astfel de semiconductori snt Ge ( E g ! 0,66 eV), Si ( E g ! 1,12 eV), AlAs ( E g ! 2,16 eV), AlSb ( E g ! 1,58 eV) i GaP ( E g ! 2,26 eV).
E E

Ec foton

Ec

fonon foton

Ev

Ev

a) b) Fig. 4.3 Diagramele energetice E(k) pentru a) semiconductorul cu tranzi ie direct ; b) semiconductorul cu tranzi ie indirect . n semiconductorii de primul tip, legile de conservare se ndeplinesc n felul urm tor. La tranzi ia electronului din maximul benzii de valen n minimul benzii de conduc ie, energia cuantei absorbite este egal cu diferen a energiei electronului n aceste st ri: (4.8) h R ! E C  EV T Impulsul fotonului hL ! 1 P f este foarte mic n compara ie cu cvaziimpulsul electronului, deoarece lungimea de und a luminii f este de ordinul 10-110-5cm, iar lungimea de und a electronului n cristal pentru T=300 K este aproximativ de 510-7cm. 34

Deci, n rela ia (4.6) impulsul fotonului poate fi neglijat, ob inem urm toarele rela ii: p min ! p max T T k min ! k max (4.9) (4.10)

unde p ! J k . Rela iile (4.8) i (4.9) sau (4.10) se numesc reguli de selec ie pentru tranzi iile directe. Din rela ia (4.10) urmeaz , c la interac iunea electronului cu radia ia electromagnetic snt posibile numai astfel de tranzi ii pentru care vectorul de und este conservat (nu se schimb ). Tranzi iile cu conservarea vectorului de und se numesc verticale sau directe (fig. 4.3 a). E2

h Fig. 4.4. Dependen a coeficientului de absorb ie de energia fotonilor n semiconductorii cu tranzi ii directe Coeficientul de absorb ie pentru tranzi iile directe se exprim prin rela ia: 12 (4.11) E hR $ A R  E g unde A=const h Aceast rela ie este just ntr-un interval limitat de varia ie (h -Eg) sau cu alte cuvinte 2~h numai ntr-un oarecare interval de energii aproape de Eg. Din rela ia (4.11) observ m c pentru E<Eg absorb ia luminii nu are loc (fig. 4.3). 35

Eg

n semiconductori banda de conduc ie de regul const din cteva subzone. Din acest motiv la absorb ia fotonilor cu energia h >Eg tranzi iile directe din banda de valen n banda de conduc ie vor avea loc n mai multe puncte al zonei Brillouin, unde se realizeaz regulile de selec ie. n acest caz, spectrul de absorb ie va fi compus, demonstrnd caracterul complicat al benzilor energetice. Pentru astfel de cercet ri se folosesc pelicule semiconductoare monocristaline foarte sub iri, deoarece pentru h >Eg, coeficientul de absorb ie este foarte mare (104105)cm-1. n unele cazuri care sl besc regulile de selec ie i ca rezultat pot fi permise i tranzi iile neverticale. ns , probabilitatea unor astfel de tranzi ii este cu mult mai mic dect a tranzi iilor directe (fig. 4.3 b). Spre deosebire de tranzi iile directe, legea conserv rii cvaziimpulsului pentru tranzi iile indirecte este satisf cut datorit interac iunii cu fononul. Tranzi iile neverticale sau indirecte au loc cu emisia sau absorb ia fononilor. n acest caz dependen a coeficientului de absorb ie n func ie de energie poate fi prezentat astfel: 2 (4.12) E hR ! B R  E g s E ph h n cristale pot exista o cantitate mare de diferi i fononi, dar n tranzi iile optice particip numai acei, care satisfac varia ia necesar a cvaziimpulsului electronului. De regul , ace tia snt fononii acustici transversali. Dependen a 1/2=f(h ) pentru Ge i Si are dou sectoare liniare (fig. 4.4). Sectorul 1 corespunde dependen ei E e1 2 (emisia fononului), care se intersecteaz cu axa absciselor n punctul 1 Eg+Eph. Sectorul 2 caracterizeaz dependen a E a 2 (absorb ia fononului) i se intersecteaz cu axa absciselor n punctul Eg-Eph. Lungimea segmentului dintre punctele de intersec ie a ambelor drepte cu axa absciselor este 2Eph.

36

1/2

/2

1/2

/2 1

1/2

2 Eg Eg + Eph
1

Eg Eph

Fig. 4.5. Dependen a coeficientului de absorb ie de energie fotonilor n semiconductorii cu tranzi ii indirecte A adar, regulile de selec ie i legile conserv rii energiei i impulsului pentru tranzi iile indirecte sunt: EC ! EV  hR s E ph (4.13) T T T pC ! pV s p ph (4.14) Semnul + din rela ia (4.13) se refer la procesele care au loc cu absorb ia fononilor, iar - cu emisia lor. Limita absorb iei fundamentale sau proprie poate s se deplaseze sub ac iunea temperaturii, cmpului exterior sau dop rii puternice. Absorb ia excitonic . Dac electronul care este excitat r mne legat cu golul din banda de valen , atunci se formeaz a a un sistem numit exciton. Analogic atomului de hidrogen, electronul se mi c n jurul centrului comun al maselor i spectrul lui energetic este discret. Nivelele energetice se amplaseaz n apropiere de Ec n banda interzis (fig. 4.6). Excitonul este neutru, de aceea, formarea lui nu provoac apari ia purt torilor de sarcin suplimentari, din care cauz absorb ia nu este nso it de varia ia conductibilit ii electrice . 37

1 n=1 n=2 n=3

Ec

Ev

Fig. 4.6. Nivelele energetice la formarea excitonului La ciocnirea cu fononii, atomii de impurit i sau cu alte defecte ale re elei cristaline excitonii recombin sau sunt distru i. n primul caz, electronul trece n banda de valen i energia acestuia este transferat re elei cristalin sau emis ca cuante de lumin . n cazul al doilea, se formeaz electroni i goluri libere care duce la o cre tere a conductibilit ii electrice. Absorb ia prin purt tori de sarcin liberi. Lumina poate provoca tranzi ia purt torilor de sarcin liberi de pe unele nivele pe altele ale acelea i zone energetice permise (fig. 4.7). E
J [ J [

T (k

T (k

T k

Fig. 4.7. Dependen a E(k) la absorb ia prin purt tori liberi Deoarece, n acest caz are loc o schimbare esen ial a impulsului, astfel de tranzi ii pot avea loc numai cu participarea a trei particule. Din punct de vedere clasic, absorb ia are loc n felul 38

urm tor: purt torii de sarcin se accelereaz n cmpul electric al undei de lumin i ciocnindu-se de defectele re elei cristaline, le transmit acestora energia adic , energia undei de lumin se transform n c ldur . Absorb ia prin impurit i. Sub ac iunea luminii n semiconductorii dopa i pot avea loc tranzi ii electronice de pe nivelele de impurit i n banda de conduc ie sau din banda de valen pe nivelele de impurit i (fig. 4.8). Are loc procesul de absorb ie pentru energii mai mici dect l rgimea benzii interzise (E<Eg). Coeficientul de absorb ie prin impurit i depinde de lungimea de und i este propor ional concentra iei impurit ilor Nimp. EC
7

Ea EV Fig. 4.8. Diagrama energetic la absorb ia prin impurit i Absorb ia re elei. Re eaua cristalin poate absorbi numai fotoni cu o anumit energie. De aceea, n spectrul de absorb ie din regiunea infraro u ndep rtat apar maxime. Deoarece trebuie s se realizeze legea conserv rii cvaziimpulsului, apoi se vor absorbi numai acei fotoni, impulsul c rora este egal cu cvaziimpulsul fononului. Dar impulsul fotonului este mic n compara ie cu cvaziimpulsul fononului i pentru realizarea legii conserv rii cvaziimpulsului n proces trebuie s participe mai mul i fononi din diferite puncte a zonei Brillouin, adic are loc absorb ia multifononic . 39

4.5. Metodica efectu rii experien ei Pentru determinarea distribu iei spectrale a coeficientului de absorb ie trebuie mai nti de m surat coeficientul de transparen n func ie de energia radia iei care cade pe proba plan-paralel . Pentru aceasta se utilizeaz instala ia, schema-bloc a c reia e prezentat n fig. 4.9.
1 2 4 6 7 8 3 5

Fig. 4.9. Schema instala iei pentru m surarea coeficientului de transparen n semiconductori 1 - sursa de radia ie (bec incandescent); 2 sistem de lentile; 3 modulator mecanic; 4 - monocromator; 5 - tambur rotativ de determinare a lungimii de und ; 6 - proba; 7 - receptorul de radia ie; 8 voltmetru selectiv. Mai nti este necesar de determinat dependen a spectral a intensit ii fluxului ce a trecut prin cristal IT(h ). Determina i intervalul spectral n care are loc varia ia acestui parametru. n intervalul determinat m sura i dependen a spectral a fluxului incident Io(h ) n lipsa probei. Rezultatele m sur rilor se introduc n tabelul 4.1. Tabelul 4.1. Tabelul pentru date experimentale n m h eV Io un. arb. IT un. arb. T=IT/Io m-1
2 1/2

m-2

m-1/2

40

Dependen a (h ) se calculeaz din rela ia: 1  R 2 1 E ( hR ) ! ln (4.13) d T ( hR ) M rimile d i R snt precizate de profesor. Construind dependen ele 2=f(h ) i 1/2=f(h ) s se determine tipul tranzi iei i valoarea lui Eg. Dup tipul tranzi iei i valoarea ob inut a Eg determina i ce material semiconductor a fost cercetat. 4.6. ntreb ri de control 1. Ce mecanisme de absorb ie a luminii n substan e cunoa te i ? 2. Ce se nume te coeficient de absorb ie, reflexie, transparen i care snt rela iile dintre aceste m rimi ? 3. Cum se explic dependen a acestor coeficien i de energia radia iilor incidente ? 4. Care sunt regulile de selec ie pentru cele dou tipuri de tranzi ie ? . .

41

Lucrarea de laborator nr.5 STUDIEREA FOTOCONDUCTIBILIT SEMICONDUCTORI II N

5.1. Scopul lucr rii: de a studia dependen a spectral a fotoconductibilt ii; de a determina l rgimii benzii interzise a materialului cercetat; de a explica caracterul dependen ei =f(h ). 5.2. Sarcina teoretic 5.2.2. De studiat fenomenul fotoconductibilt ii n semiconductori dup literatura propus . 5.2.3. De luat cuno tin cu metodica m sur rilor i prelucr rii spectrelor fotoconduc iei. 5.3. Sarcina practic 5.3.1. M sura i distribu ia spectral a fotoconductibilt ii. 5.3.2. Calcula i dependen a =f(hR), lund n considera ie componen a spectral a radia iei incidente. 5.3.3. Explica i dependen a ob inut i determina i l rgimea benzii interzise a materialului cercetat. 5.4. Indica ii metodice C znd pe suprafa a semiconductorului, lumina poate provoca apari ia n el a purt torilor de sarcin n surplus fa de purt torii de echilibru, care vor majora concentra ia total a purt torilor de sarcin liberi. Procesul se nume te efect fotoelectric intern. Lungimea de und maxim a luminii, care provoac efectul fotoelectric intern, se nume te pragul ro u a fotoefectului. Majorarea concentra iei purt torilor de sarcin liberi, din cauza gener rii lor de c tre lumin , provoac majorarea conduc iei semiconductorului. Aceast conduc ie suplimentar se 42

nume te fotoconductibiltate f iar conduc ia de ntuneric datoreaz excit rilor termice ale purt torilor de sarcin . Ec E1 E2

nt

se

Ev Fig. 5.1. Mecanismele de apari ie a fotoconductibilit ii n semiconductori Excitarea purt torilor de sarcin suplimentari poate avea loc de pe nivelele de impurit i i din zona de valen (fig. 5.1). Reie ind din aceasta, se deosebe te conduc ia prin impurit i i intrinsec (proprie). Purt torii de sarcin , care apar nu n rezultatul ioniz rii termice dar de exemplu, n rezultatul ilumin rii semiconductorului, se numesc de neechilibru (n afara echilibrului termic). Ace ti purt tori de sarcin peste un timp oarecare se ntorc n banda de valen , ori la ionii de impurit i. Procesul de apari ie a purt torilor de sarcin de surplus, se nume te proces de generare, iar procesul invers, sau procesul dispari iei a perechilor de purt tori, se nume te proces de recombinare. Num rul purt torilor de sarcin , care se genereaz n fiecare secund ntr-o unitate de volum de semiconductor, este egal cu g= I, unde - coeficientul de absorb ie a luminii; I - intensitatea luminii care provoac generarea purt torilor iar - randamentul cuantic (num rul perechilor de purt tori de sarcin ap ru i sub ac iunea unei cuante de lumin ). n lipsa recombin rii num rul de purt tori genera i cre te liniar n timp sau (n ! L E I t (5.1) 43

Din cauza recombin rii, viteza c reia cre te cu majorarea concentra iei purt torilor de sarcin de neechilibru, n semiconductor se stabile te o stare sta ionar , cnd viteza de generare este egal cu viteza de recombinare. Concentra ia sta ionar a purt torilor de sarcin de neechilibru va fi egal cu produsul dintre viteza de generare g i durata vie ii n, unde durata vie ii este timpul de la generare pn la recombinare a purt torilor de sarcin : (n ! g X n ! L E I X n (5.2) (p ! g X p ! L E I X p Deoarece, purt torii de sarcin de surplus au practic aceia i mobilitate ca i cel n stare de echilibru termic, apoi fotoconductibilitatea sta ionar a semiconductorului va fi: W fo ! qL E I nX n  Q pX p Q (5.3) Viteza de recombinare a purt torilor de sarcin de neechilibru este egal cu: (n R! (5.4) Xn Varia ia num rului de purt tori de sarcin de neechilibru cu timpul se determin de m rimea g i R: (n d ( (n ) ! g  R ! LEI  (5.5) dt Xn Dac lumina se conecteaz n momentul t=0 (fig. 5.2), atunci (n t ! o ! 0 iar solu ia rela iei de mai sus va fi:
(n ! LE IX n 1  e  t X n ! (n0 1  e  t X n Pentru legea cre terii fotoconduc iei avem: W f ! qLEI Q n 1  e  t X n ! W fo 1  e  t X n

(5.6)

(5.7)

unde W o ! qLE I X n Q n este fotoconductibiltatea sta ionar (fig. 5.3). Tangenta dus din originea axelor de coordonate la curba cre terii fotoconductibilt ii f intersecteaz pe dreapta fo un segment egal cu n. Un proces analogic are loc i la deconectarea 44

luminii. n acest caz descre terea fotoconductibilt ii se exprim prin rela ia: (5.8) W f ! W fo e  t X
n

f n fo

Decon.

Fig. 5.2. Cinetica fotoconduc iei n a a mod, dup curba cre terii fotoconduc iei se poate determina durata vie ii purt torilor de sarcin . Valoarea fotoconduc iei depinde de intensitatea luminii W ~ I b . La recombinarea liniar (nivelul jos de excitare), cnd R~ n, fotoconductibiltatea W f ~ I (b=1). La recombinarea R~( n)2, fotoconductibilitatea W f ~ I (b=1/2). Pentru b=1, efectul fotoconduc iei se nume te liniar iar pentru b<1 - subliniar.
f

1 I Fig. 5.3. Caracteristica lux-amper

45

Prin urmare caracteristica lux-amper a semiconductorului care determin dependen a fotocurentului sta ionar de intensitatea luminii va avea dou sectoare: la lumina slab -liniar (fig. 5.3 a, regiunea 1), iar lumina puternic - subliniar (fig. 5.3 a, regiunea 2). Dac n semiconductor exist centre de captare atunci ele la fel vor influen a asupra cineticii fotoconductibilit ii, adic electronul nu numai c va recombina cu golul, dar i va fi capturat de centrele de captare, ce va mic ora viteza de cre tere a lui f. La conectarea luminii prezen a centrelor va determina mic orarea curentului fotoelectric. De regul , fotoconduc ia semiconductorilor se manifest ntr-un interval spectral relativ ngust. n fig. 5.4 este prezentat dependen a spectral a coeficientului de absorb ie intrinsec (propriu) i a fotoconductibilt ii f. La cre terea energiei dup pragul ro u al fotoefectului are loc sc derea f, de i energia cuantelor de lumin este suficient pentru a excita fotoconduc ia. Pentru explicarea acestei sc deri e necesar de luat n considera ie c procesele de recombinare n volum i pe suprafa a semiconductorului au loc cu viteze diferite determinate de timpul de via a purt torilor de sarcin . Timpul de via n volum v este determinat de calitatea materialului semiconductor, gradului de perfec iune i depinde de temperatura i prezen a impurit ilor. Durata vie ii la suprafa a s este determinat de starea suprafe ei. Durata efectiv de via , n prezen a a dou canale de recombinare - superficial i de volum se determin prin rela ia: 1 1 1 (5.9) !  X ef X v X s Recombinarea superficial influen eaz nu numai asupra valorii sta ionare a fotoconduc iei, ci i asupra dependen ei ei spectrale (fig. 5.4) unde curba 1 reprezint cazul idealizat ( s=0) iar curba 2 cazul real ( s0). n regiunea absorb iei proprii, grani a de unde lungi, a fotoconduc iei i limita (pragul) de absorb ie practic coincid. Grani a de lungimi de und mari a fotoconduc iei max corespunde 46

energiei minime a fotonului suficiente pentru generarea perechilor electron-gol. Aceast energie este egal cu l imea benzii interzise: hc Eg ! (5.10) P max La majorarea energiei luminii incidente n regiunea h >Eg se observ o sc dere a fotoconduc iei, de i coeficientul de absorb ie urmeaz s creasc . Acest efect se explic prin faptul, c pentru coeficien ii nal i de absorb ie (104105) cm-1 absorb ia n semiconductor are loc n stratul cu grosimea d~10-410-5cm. n acest caz rolul principal n recombinare, ncepe s -l joace defectele din stratul superficial.
fo

fo

h Fig. 5.4. Dependen a spectral a absorb iei intrinseci i fotoconductibilit ii Concentra ia acestor defecte este cu mult mai mare dect concentra ia defectelor din volumul semiconductorului. De aceea viteza recombin rii n acest interval spectral, devine mai mare dect viteza de recombinare a perechilor de purt tori de sarcin n volum. Dup descre terea fotoconductibilit ii n regiunea de unde scurte se determin viteza recombin rii pe suprafa . Fenomenul fotoconductibilit ii se folose te n fotodetectori, una din caracteristicile principale ale c rora este intervalul spectral al sensibilit ii. Pentru l rgimea acestui interval este necesar prelucrarea suprafe ei fotoreceptorului cu scopul de a mic ora viteza de recombinare pe suprafa . 47

5.3. Metodica efectu rii experien ei. Pentru determinarea distribu iei spectrale a fotoconductibilit ii se utilizeaz instala ia schema-bloc a c reia este prezentat n fig. 5.5.
1 2 4 6 7

Fig. 5.5. Schema bloc a instala iei pentru m surarea distribu iei spectrale a fotoconductibilit ii n figur 1 sursa radiativ ; 2 sistem de lentile pentru focalizarea fluxului optic n centrul fantei monocromatorului; 3 modulator mecanic; 4 monocromator; 5 tambur al lungimilor de und ; 6 fotodetector; 7 voltmetru selectiv. Ca anex a instala iei se d distribu ia spectral a intensit ii becului incandescent IL=f(h ). M sura i dependen a spectral Uf(h ). Construi i dependen a IL=f(h ) pentru intervalul spectral corespunz tor. Rezultatele m sur rilor i valorile respective ale intensit ii becului incandescent se introduc n tabelul 5.1. Tabelul 5.1 Tabelul pentru date experimentale n h Uf(h ) Ib f = Uf/Ib m eV un. un. un. arb. arb. arb. Calcula i dependen a f(h ) n unit i arbitrare, lund n considera ie distribu ia spectral a l mpii cu incandescen IL. Construi i dependen a spectral a fotoconduc iei i determina i valoarea lui Eg. 48

5.4. ntreb ri de control 1. Ce prezint fenomenul de fotoconduc ie n semiconductori ? 2. Care purt tori de sarcin se numesc de neechilibru ? 3. Da i no iunea de vitez de generare i vitez recombinare ? 4. Deduce i legea varia iei fotoconduc iei la conectarea i deconectarea luminii ? 5. Ce prezint recombinarea n volum i pe suprafa ? 6. Cum se determin valoarea Eg dup spectrul fotoconduc iei ?

49

BIBLIOGRAFIE 1. 2. 3. . ., , 1976 416 pag. . ., . . ., . . . . ., , 1986. 304 pag. , 1991. . . . .

351 pag. 4. . ., . , 1973. 656 pag. 5. . ., Partea I . , 1984. 456 pag. 6. . ., Partea II . , 1984. 456 pag. 7.

50

Anex CONSTANTE FIZICE

51

CUPRINS Lucrarea de laborator nr.1 DETERMINAREA REZISTIVIT II SPECIFICE I TIPULUI DE CONDUC IE N SEMICONDUCTORI ....................................................... 3 Lucrarea de laborator nr.2 STUDIEREA DEPENDEN EI REZISTEN EI SEMICONDUCTORILOR N FUNC IE DE TEMPERATUR I DETERMINAREA ENERGIEI DE ACTIVARE ....................................................................... 10 Lucrarea de laborator nr.3 DETERMINAREA PARAMETRILOR SEMICONDUCTORILOR CONFORM REZULTATELOR M SUR RILOR EFECTULUI HALL ................................................................................ 20 Lucrarea de laborator nr.4 STUDIEREA LIMITEI DE ABSORB IE N SEMICONDUCTORI ....................................................... 27 Lucrarea de laborator nr.5 STUDIUL FOTOCONDUCTIBILIT II N SEMICONDUCTORI .................................................. 38 BIBLIOGRAFIE................................................................ 45 Anexa ................................................................................. 46

52