Teorema superpoziiei exemplu de calcul S se determine curenii prin circuitul din figura 1.4.a.

i 1 R1 u0 iS i2 R2 i 1a u0 R1 i2a
Intrerupere

i 1b R1 R2
Scurtcircuit

iS

i2b R2

a)

b)

c)

Fig. 1.4. Exemplu de aplicare a teoremei superpoziiei: a) Circuitul complet; b) Circuitul cu sursa de curent pasivizat; c) Circuitul cu sursa de tensiune pasivizat.

Pentru rezolvarea circuitului se calculeaz rspunsul fiecrei surse considerate separat, presupunnd cealalt surs pasivizat (anulat) i apoi se nsumeaz efectele. a) Se anuleaz sursa de curent; sursa de curent se nlocuiete cu o ntrerupere de circuit (se pasivizeaz) i circuitul se simplific conform figurii 1.4.b. Cele dou rezistene nseriate sunt u0 i1a = i2a = parcurse de acelai curent: . R1 + R2 b) Pentru cazul cu sursa de tensiune anulat, circuitul rezultat este cel din figura 1.4.c, adic un divizor de curent. Conform regulii divizorului de curent aplicat succesiv celor dou ramuri R2 R1 de circuit rezult: i1b = i S , i2b = iS . R1 + R2 R1 + R2 n final prin suprapunerea efectelor se obin valorile totale ale curenilor prin rezistene:
i1 = i1a + i1b = u 0 i S R2 , R1 + R2 i 2 = i2a + i 2 b = u 0 + i S R1 . R1 + R2

Verificarea rezultatelor obinute prin aplicarea direct a teoremelor lui Kirchhoff se propune ca tem; se vor obine aceleai rezultate cu un efort de calcul mai mare (prin rezolvarea unui sistem de dou ecuaii cu dou necunoscute). Problem de analiz redresor cu filtru capacitiv Dac tensiunea de intrare este: ui =30 sin100 t (V) i componentele redresorului din figur se presupun ideale: a) s se determine tensiunea pulsatorie i tensiunea medie de ieire precum i factorul de ondulaie;
ui
_ +

iO uO
300

C
220 F

b) s se redimensioneze cond. de filtrare pentru a obine un factor de ondulaie de 1%. Rezolvare: Frecvena tensiunii ui este de 50Hz i perioada T=20 ms. Punctul a) presupune aplicarea direct a relaiilor (2.32) i (2.33). Astfel tensiunea ondulatorie vrf la vrf i efectiv este: U r _ vv U vf U r _ vv T 20m = 30 = 30 0,15 = 4,5 V , U r = = 1,3 V, 2 RC 2 300 220 2 3 1

iar tensiunea de ieire i factorul de ondulaie sunt:

T 0,15 UO = U vf 1 = 30 1 = 27,7V , 2 4RC

Ur 1. 3 = = 0,047 = 4,7% . UO 27.7

Punctul b) este n fapt o problem de proiectare. Capacitatea care conduce la un anumit factor de ondulaie se calculeaz din formula (2.33) prin explicitarea lui C din formul. Se va utiliza indicele b pentru valorile specifice punctului b.

Cb =

T 1 1 + 4R 3 b

1 = 20m 1 + = 16,7 58,7 = 979F 1000 F . 4 300 3 0,01

O metod mai expeditiv, cu un grad de aproximaie rezonabil, se bazeaz pe proporionalitatea (aproximativ) dintre capacitile de filtrare i inversele factorilor de ondulaie:

Cb = C

4,7 = 220 1000 F . b 1

Verificarea metodei:

Rezultatele obinute prin simularea circuitului (din figura alturat) difer destul de mult de cele calculate. Astfel la punctul a) valoarea vrf la vrf a tensiunii ondulatorii este de 3,6V fa de 4,5V ct a rezultat din calcul. n procente aceast diferen este: U r _ vv (calc) U r _ vv (sim) U r _ vv (sim) 100 = 0,9 = +25% 3,6

Motivul pentru aceast diferen este c la deducerea relaiilor (utilizate n problem) s-a neglijat durata de conducie a diodelor i s-a presupus c timpul de descrcare al condensatorului (ntre dou ncrcri succesive) este jumtate din perioada semnalului de intrare, T/2 =10ms. Pentru a demonstra c acesta este motivul erorii, se va corecta calculul innd seama de durata de conducie a diodelor, care este de circa 1,6ms (conform simulrii). Durata descrcrii condensatorului ntr-o semiperioad este de 8,4ms (restul semiperioadei); tensiunea de ondulaie vrf la vrf corectat este: U r _ vv (cor) = U r _ vv (calc) tC ( sim) T 2 = 4,5 8,4m = 3,8 V = U r _ vv(sim) + 5% 10m

Concluzia care se impune este c rezultatele obinute conform metodei de calcul prezentate pot avea o eroare relativ mare (25% n acest caz). Rezultatele sunt ns ntotdeauna acoperitoare, n sensul c ondulaia calculat este mai mare dect cea realizat, deoarece la calcule se consider durata de descrcare maxim posibil. Practic, alegerea unui condensator mai mare dect cel necesar conduce la ondulaii mai reduse (dect cele calculate) ceea ce este mai convenabil. Un calcul mai exact nu se justific practic datorit tolerantelor mari ale condensatoarelor de filtrare.

Problem de analiz limitator de tensiune cu diode

Pentru circuitul din figura 2.18.a se consider UD =0.6V i U 1 =3V. a) S se exprime analitic i s se reprezinte grafic tensiunea de ieire pentru o tensiune de intrare sinusoidal: u i = 2 U i sin t = 6 sin(100 t ) V .
D1

R2
+

iO =0
D2

iA1 uI
+

uI
Fig. 2.18.

R1

U1

uO

UD R 1

R2 iR2 =0 iO =0 uA uO uM U1
+

a) Schema de principiu,

b) Schema echivalent cu D1 n conducie i D2 blocat

b) S se exprime analitic i s se reprezinte grafic caracteristica de transfer uO (uI ) a circuitului;

Rezolvare:

Primul pas este analiza problemei. Circuitul este compus dintr-un redresor monoalternan, D1-R1 i un limitator cu tensiune de prag, R2-D2-U1. Se noteaz cu uM tensiunea median, dintre cele dou circuite. Varianta propus va analiza circuitul n ansamblu n funcie de strile posibile ale diodelor. O observaie util pentru nelegerea funcionrii se refer la relaiile cauz-efect din circuit; cauza apariiei curenilor n circuit sunt sursele de tensiune. n acest caz este vorba de sursa de tensiune care se presupune c exist implicit la intrare, chiar dac nu este figurat ca atare. Sursa U1 este o surs pasiv datorit diodei D2; aceasta nseamn c U1 nu poate furniza curent dect atunci cnd o surs extern (uI ) deschide dioda D2. La ieirea circuitului, notaia uO semnific denumirea care permite identificarea respectivei tensiuni (se poate imagina un voltmetru ideal care msoar respectiva tensiune). Deoarece circuitul conine dou diode i fiecare diod poate avea dou stri (blocat sau n conducie) sunt posibile patru variante. Dac ambele diode sunt blocate, curentul prin acestea este nul, iA 1=iA 2=0. Sursa U1 nu poate furniza curent prin dioda D2 blocat. Curentul spre ieire este i el nul conform datelor iniiale ale problemei (circuitul lucreaz n gol). Din aceste motive, ct timp D1 este blocat curentul prin R1 este nul: iR 2 = iO + iA 2 = 0, iR 1 = iA 1 iR 2 = 0 i tensiunea median este nul: uM = R 1 . iR 1 = 0. Pe de alt parte curentul prin R2 fiind nul i tensiunea de ieire va fi nul: uO = uM R 2 . iR 2 = 0. D1 este blocat pentru uA 1 <UD , adic uA 1 = uI R 1 . iR 1 = uI <UD . La limita intrrii n conducie a diodei D1, curentul prin diod este nc nul i cderea de tensiune pe R1 este nul: uA 1 = uI R 1 . iR 1 = uI =UD . Pentru uI >UD , D1 intr n conducie, uA 1 =UD i tensiunea median uM = uI uA 1 devine uM = uI UD . Limitatorul cu tensiune de prag, R2-D2-U1, are tensiunea uM la intrare i uO la ieire i funcioneaz conform relaiilor (2.38). Pragul de conducie al diodei D2 este la tensiunea uM = U1 +UD = uI UD adic uI = U1 +2UD . Funcionarea circuitului poate fi descris cu relaiile:

uO = u M = 0 uO = uI U D u = U + U D 1 O

dac dac dac

; ambele diode sunt blocate uI < U D U D uI < 2 U D + U1 ; conduce D1, D2 este blocat ; conduc ambele diode u I 2 U D + U1

Cea de-a patra combinaie principial posibil, D1 blocat i D2 n conducie nu se poate realiza n cazul acestui circuit; pentru D1 blocat, uM =0, situaie n care i D2 este blocat. Caracteristica static este descris analitic de ecuaiile:
uO = 0 uO = uI 0,6 V u = 3,6 V O dac dac dac uI < 0,6 V 0,6V uI < 4,2V uI 4,2V

Reprezentarea grafic a caracteristicii de transfer a circuitului din figura 2.19.a este de fapt o reprezentare grafic a acestui sistem de ecuaii (o funcie matematic descris pe poriuni). Forma analitic a tensiunii de ieire se obine nlocuind tensiunea uI , n sistemul de ecuaii anterior, conform enunului. Unghiurile de deschidere ale diodelor i respectiv momentele de timp la care diodele se deschid sunt:
u i 1 = 6 sin 1 = 6 sin (100 t1 ) = 0,6 1 = arcsin u i 2 = 6 sin 2 = 6 sin (100 t 2 ) = 4,2 2 = arcsin 0,1 0,6 = 0,1 rad , t1 = = 0,32 ms 6 100 0,78 4,2 0,78 rad , t 2 = 2,5 ms 6 100

uO
3,6

(V)

(V)
4,2

uO
45o

6V

uI
4,2

0,6

2,5 0,32

0 0,6

(V)

10

20

t
(ms )

6V

ui

Fig. 2.19. a) Caracteristica de transfer,

b) Reprezentarea grafic a tensiunii de ieire

Formele de und ale tensiunilor sunt reprezentate n figura 2.19.b. Tensiunea de ieire poate fi obinut prin translatarea tensiunii de intrare cu 0,6V n jos i tierea valorilor negative i a celor care depesc 3,6V. Tensiunea rezultat are o form aproximativ trapezoidal.

Exemplu de proiectare stabilizator de tensiune cu dioda Zener

R
+

iR iZ uZ

iO uO uI
RL

iR iZ UZ
+

iO uO

uI

a)

b)

IZm< iZ < IZM

Fig. 2.34. Stabilizatorul parametric; schema de principiu i schema echivalent simplificat.

a) S se determine parametrii (UZ 0 i rZ ) unei diode stabilizatoare pentru care s-au msurat: UZ1 = 6,3V la IZ1 = 50mA i UZ2 = 6,4V la IZ2 =100mA. b) Utiliznd aceast diod s se proiecteze un stabilizator parametric care s funcioneze corect pentru uI =1215V i iO = 2080mA. Se admite IZm = 5mA, PD adm = 1W i rZ 0. c) S se determine limitele extreme ale tensiunii de ieire. Se consider rZ de la punctul a.
Rezolvare: a) Schema echivalent a diodei zener din figura 2.33.c conduce la relaia (2.72). Pentru a calcula parametrii diodei, UZ 0 i rZ , (considerai ca fiind constante), se scrie relaia (2.72) de dou ori succesiv pentru cele dou puncte (de pe caracteristica diodei) din enun:
U Z1 = U Z 0 + r Z I Z1 U Z 2 = U Z 0 + r Z I Z 2

Cele dou ecuaii sunt un sistem de ecuaii cu necunoscutele UZ 0 i rZ . Rezult:

rZ = U Z 2 U Z1 6,4 6,3 = = 2 , I Z 2 I Z1 0,1 0,05 U Z 0 = U Z1 rZ I Z1 = 6,2V .

b) Prin proiectarea stabilizatorului se nelege determinarea componentelor stabilizatorului parametric cu schema din figura 2.34.a, adic aflarea valorii i a puterii disipate de rezistorul R. Deoarece se neglijeaz rZ , calculele se pot face pe schema echivalent din figura 2.34.b. Pentru ca stabilizatorul s funcioneze corect, curentul prin diod trebuie s fie mai mare dect curentul minim pentru orice valoare a tensiunii de intrare i a curentului de ieire: u UZ0 i Z = i R iO = I i O I Zm . R Cele mai defavorabile condiii n ecuaia precedenta apar pentru o valoare minim n stnga inegalitii, adic pentru tensiunea de intrare minim i curentul de ieire maxim, UIm i IOM :
UI m U Z 0 IOM I Zm R R UI m U Z 0 12 6,2 = 68 . (80 + 5 )m I O M + I Zm

Puterea disipat de rezisten este maxim pentru o tensiune de intrare maxim:

PdRM =

(U IM

U Z 0 )2 (15 6,2 )2 = = 1,14 W . R 68

Se poate alege un rezistor de 68/2W. n final se verific dac puterea maxim disipat n dioda zener este mai mic dect puterea maxim admisibil: UI M U Z 0 15 6,2 PdZM = U Z IOm = 6,2 0,02 = 0,68 W < 1W = PDadm . R 68

c) Pentru a determina limitele tensiunii de ieire trebuie s se ia n considerare i rZ prin utilizarea schemei echivalente din figura 2.33.c n locul diodei. n circuitul echivalent rezultat astfel, figura 2.34, se calculeaz tensiunea de ieire i apoi se consider cazurile extreme:
12 15 u U Z 0 + rZ I iO 6,2 + 2 0,08 L 0,02 68 68 = R = 6,21K 6,413 V . uO = 1 + rZ R 1 + 2 68

R uI

iR iZ rZ UZ0
+

iO uO
Fig. 2.34. Stabilizatorul parametric: schema echivalent utilizat pentru determinarea variaiilor tensiunii de ieire.

Calculul simplificat se poate face conform urmtoarei metode: se calculeaz curentul prin dioda zener fr a considera rezistena diferenial a diodei (aproximaie posibil deoarece rZ << R i iZ < iR ) i apoi se determin tensiunea de ieire considernd i rezistena rZ n circuit:
u UZ0 uO = U Z 0 + rZ i Z U Z 0 + rZ I iO . R

n acest caz limitele extreme ale tensiunii de ieire vor fi: 12 6,8 15 6,8 0,08 L 0,02 = 6,211K 6,419 V . uO 6,2 + 2 68 68 Se poate constata o diferen nesemnificativ ntre rezultatele celor dou metode de calcul; calculul aproximativ este preferabil n practic deoarece este mai simplu.
Inversorul cu tranzistor bipolar exemplu
i C RC
+ +

RB UCC uI

iB
+

iC

RC uO UCC
+

RB iB
+

uI

uBE

uO

UBE

iB

a) b) Fig. 3.7. Inversorul cu tranzistor bipolar: a) schema de principiu, b) schema echivalent cu tranzistorul n RAN.

S se exprime analitic i s se reprezinte grafic caracteristica de transfer a inversorului din figura 3.7.a pentru: RC =1k , RB =10k , uI =05V i UCC =5V. Se consider modelul din fig. 3.4.b cu UB E (=UD ) =0,7V, =100 i UCEsat =0,2V. Rezolvare: n blocare: i B 0, u BE = u I R B i B u I . Tranzistorul este blocat dac dioda baz-emitor este blocat: uB E <UD adic uI <UD . Dac tranzistorul este blocat, iC 0 i rezult: u O = U CC RC iC U CC = 5V , pentru u I < 0,7 V . Pentru uI >0,7V dioda baz-emitor este n conducie i tranzistorul poate fi n RAN sau n saturaie. Dac uO >0,2V, tranzistorul este n RAN i caracteristica de transfer este:
u O = 5 1k 100 u I 0,7 = 12 10 u I [V] , pt. 12 10 u I > 0,2 u I < 1,18V . 10k

n saturaie, conform: uO =0,2V pentru uI >1,18V relaia. Caracteristica de transfer a circuitului pentru ntreg domeniul de variaie a tensiunii de intrare este reprezentat grafic n figura 3.8. Pentru comparaie, s-a reprezentat cu linie ntrerupt caracteristica obinut prin simulare. Caracteristica de transfer este descris analitic de funcia liniarizat pe poriuni: uO [V] RAN
5

Saturaie

Blocare

pentru u I < 0,7 V uO = 5 V u O = 12 10 u I V pt. 0,7 u I < 1,18 V u = 0,2 V pentru u I 1,18 V O

Fig. 3.8. Caracteristica de transfer a inversorului cu tranzistor ; cu linie ntrerupt este schiat caracteristica de transfer obinut prin simulare.

0,2 0

uI [V]
0,7 1 1,18 2 5

Problem de proiectare a) S se dimensioneze circuitul inversor din figura 3.9, astfel nct s realizeze: uO UCC pentru uI =01V, uO =UCEsat 0 pentru uI = 25V.
+

RC
1k

+UCC
+5V

R1 uI

iC iB R2 uBE uO

Parametrii tranzistorului se consider UD 0 =0,5V, UB E =0,7V i =100. b) S se determine tensiunea de intrare de la care tranzistorul intr n saturaie dac =300.

Fig. 3.9. Inversor logic cu tranzistor

Rezolvare: a) Dimensionarea circuitului se reduce la aflarea valorilor rezistenelor R 1 i R 2 . Pentru tranzistorul blocat, divizorul de tensiune lucreaz n gol (iB 0) i deci:
u BE = u I R2 sau R1 + R2 uI R = 1+ 1 . u BE R2

La limita ieirii din blocare, conform relaiei (3.11): uBE =UD 0 =0,5V i trebuie ca uI =1V (conform enunului). Din relaia precedent rezult:
R1 u 1 = I 1 = 1 = 1 0,5 R2 u BE
R1 = R2 .

La limita intrrii n saturaie (uI = 2V), curentul de baz este:

iB U CC 5 = = 0,05 mA . RC 100 1k U BE + i B , obinut din T1K, R2

Curentul necesar prin R 1:

i R1 = i R 2 + i B =

se poate determina i din legea lui Ohm:

iR1 = R2 =

u I U BE . Pentru R 1 =R 2 , rezult: R1 uI 2U BE 2 2 0,7 = = 12k 0,05m iB

U BE u U BE , + iB = I R2 R2

b) Pentru =300, la limita intrrii n saturaie (uI = 2V), curentul iB necesar este:
iB U CC 5 = = 0,0167 mA , RC 300 1k

iar tensiunea de intrare la care apare acest curent (pentru R 1 =R2 =12k) se poate calcula din:
u I U BE U BE = + iB R1 R2 u I = R1i B + 2U BE = 12k 0,0167 m + 2 0,7 = 1,6V .

n concluzie circuitul analizat poate fi utilizat ca inversor logic. Intervalele de tensiuni corespunztoare nivelelor logice la intrare sunt:

pentru 0 logic : uI =01V depinde de tensiunea de deschidere a tranzistorului UD 0 i de raportul rezistenelor de la intrare (nu depinde de ); pentru 1 logic : uI = 25V pentru =100 i uI = 1,65V pentru =300 depinde de factorul de amplificare n curent al tranzistorului. Pentru ca circuitul s funcioneze cu orice tranzistor care are 100, se va considera intervalul de tensiuni care asigur saturarea tranzistorului pentru minim, deci uI = 25V, saturarea tranzistoarelor care au mai mare fiind asigurat implicit.

Circuit de comand al unui releu cu tranzistor bipolar exemplu de proiectare

S se calculeze R 1 pentru ca releul s cupleze la acea iluminare pentru care fotorezistena are RFR = 5k, dac UCC =12V, UBE =0,7V, =100. Rezistena releului este RRel = 1k iar tensiunea de prag (la care cupleaz releul) este UP =6V. La ce valoare a FR va cupla releul dac =200?

+UCC Rel. D

R1 iB
FR uBE

iC

Fig. 3.11. Releu optic

Rezolvare:

Declanarea releului se produce la apariia tensiunii de prag pe releu. Curentul prin releu este curentul de colector al tranzistorului. Curenii prin tranzistor sunt: i U 6m 6 = 6mA , i B = C = = 0,06mA . iC = P = 100 RRel 1k Acest curent de baz trebuie s apar pentru RFR = 5k. Curentul prin fotorezisten i rezistena R 1 necesar se pot determina prin aplicarea succesiv a legii lui Ohm:

iFR =

U BE U U BE 11,3 = 0,14mA , iR1 = iB + iFR = 0,2mA , R1 = CC = 56k RFR 0,2m iR1

Dac

factorul de amplificare crete, curentul necesar n baz scade, curentul prin R 1 nu se modific i deci cuplarea releului se va produce pentru o alt valoare a fotorezistenei:
i FR1 = i R1 iC

= 0,2m

6m = 0,17 mA , 200

RFR1 =

U BE 0,7 = = 4,12k . i FR1 0,17 m

Observaie: Pentru aplicaia propus modificarea fotorezistenei de la 5k la circa 4k este acceptabil; declanarea releului optic se va produce la un nivel de iluminare ceva mai ridicat dac factorul de amplificare al tranzistorului este mai mare.

Exemplu de proiectare stabilizator de tensiune cu tranzistor

a) S se determine rezistorul R astfel nct stabilizatorul de tensiune din figura 3.14.a s funcioneze corect i ncrcarea diodei zener s fie minim dac uI =1215V i iO = 00,5A. Pentru dioda zener (de tip DZ6V8) se consider UZ = 6,8V, IZm = 5mA i IZM = 70mA iar pentru tranzistor 100 i UBE = 0,7V. Pentru R = 470 s se determine: b) puterea maxim disipat de tranzistor i de dioda zener dac limitele uI i iO sunt cele de la punctul precedent i c) puterea maxim disipat de tranzistor n cazul unui scurtcircuit la ieire dac =50 (pentru IC = 1 2 A; scade la creterea IC ).

iO
+

iB
+ +

iO UBE UZ
+

T D

uI

UZ

uO

RL

uI

iR iB
iZ

uO

RL

a) b) Fig. 3.14. Stabilizatorul de tensiune serie cu tranzistor i diod Zener: a) Schema de principiu, b) Schema echivalent simplificat (valabil pentru iZ >IZm ).

Rezolvare

a) Determinarea rezistorului R presupune aflarea valorii rezistenei i a puterii disipate maxime. Rezistena trebuie astfel dimensionat nct cel mai mic curent prin dioda zener s fie cel puin egal cu IZm :
iZ = i R i B = u I U Z iO ; R i Z min = u Imin U Z iO max I Zm . R min

Din relaia anterioar rezult rezistena maxim (pentru care stabilizatorul funcioneaz corect i ncrcarea diodei zener este minim):
R u I min U Z 12 6,8 = 0,52k = 520 . = I Zm + iO max min 5m + 500m 100

Puterea disipat de rezistor i valoarea maxim a acesteia sunt:

PdR =

(u I

U Z )2 , R

PdR max =

(u I max U Z )2 (15 6,8)2 =

R 520

0,13W .

Se verific dac dioda zener suport curentul maxim care poate s apar: i Z max = u I max U Z iO min 15 6,8 = 0 16mA < I ZM (= 70mA ) . R 520

b) Puterea maxim disipat de tranzistor se calculeaz particulariznd relaia (3.35): PdT max = (u I max U O ) iO max = [15 (6,8 0,7 )] 0,5 = 4,45W . Puterea maxim disipat de dioda zener se calculeaz cu ajutorul curentului maxim care poate s apar prin dioda zener (calculat cu rezistena R de la punctul b): U Z iO min u PdZ max = U Z i Z max = U Z I max R 15 6,8 = 6,8 0 0.12 W . 470

c) n cazul unui scurtcircuit la ieire tensiunea pe tranzistor este egal cu tensiunea de intrare i curentul prin tranzistor crete foarte mult:
u CEsc = u I u O = u I 0 = u I , iCsc = i Bsc = u I U BE R

ceea ce determin o cretere apreciabil a puterii disipate pe tranzistor: U BE 15 0,7 u PdT max sc = u I max I max = 15 50 = 15 1,52 = 22,8W . R 470

10

S-a utilizat valoarea mai mic a factorului de amplificare deoarece curentul prin tranzistor are o valoare mare (1,5A), valoare la care factorul scade (conform enunului).
Observaii: 1. Circuitul se dimensioneaz astfel nct curentul prin dioda zener s fie mai mare dect curentul minim admisibil, ct timp tensiunea de intrare i curentul de ieire se menin n limitele prestabilite. 2. Pentru stabilizatorul serie, tranzistorul este componenta de circuit care preia diferena de putere dintre intrare i ieire. n cazul unui scurtcircuit la ieire, puterea disipat de tranzistor crete foarte mult (de circa 5 ori la circuitul analizat) i pentru a prentmpina distrugerea tranzistorului, n circuitele reale trebuie prevzut un mecanism de limitare a curentului de scurtcircuit. Exemplu de analiz- Circuit de polarizare cu RE i cu divizor n baz

S se determine limitele de variaie ale psf {IC, UCE} pentru circuitul din figura 3.20.c dac se consider UBE = 0,60,7V i =100300. Valorile rezistenelor din circuit sunt: R1 =30k, R2 =10k, RC = 2k, RE =1k i tensiunea de alimentare este UCC =12V.
RC UCC RE
b)
+

+UCC RB RC R1
B

iB RB
+

iC

RC

+UCC

+UCC R1 iB B
+

RB iB B UBB
d)

UBB
a)

R2 RE
A c)

RE

R2
A

uB

uB
A

Fig. 3.20. Circuite de polarizare cu RE; Schema principial: a) cu dou surse, b) cu surs unic; c) Schema practic d) echivalarea divizorului de polarizare a bazei (pt. cazul c).

Rezolvare: Parametrii sursei echivalente Thvenin, de polarizare a bazei, sunt:

U BB = UCC R2 10k = 12 = 3V , R1 + R 2 30k + 10k R B = R1 || R 2 =

30k 10k = 7,5k . 30k + 10k

Curentul de colector se calculeaz cu relaia (3.33) innd seama de limitele extreme: IC = 100 (3 0,7 ) 300 (3 0,6 ) L = 2,12 K 2,33mA 7,5k + 101 1k 7,5k + 301 1k

Se observ c pentru o variaie foarte mare a lui , (-50%+50% fa de media valorilor), variaia IC este mult mai mic: 5%+3,5%. Influena variaiei tensiunii UBE este oricum foarte mic deoarece numrtorul relaiei (3.34) este mult mai mare dect aceast variaie: 2,3V>>0,05V (s-a considerat variaia fa de media tensiunilor UBE). Conform cu relaia (3.35) limitele tensiunii UCE sunt: UCE = 12 (2k + 1k ) (2,12K 2,33 )m = 5,64 K5,01V .

11

Calculele cu inecuaii i estimarea erorilor sunt o necesitate n practica inginereasc datorit variaiilor inerente ale componentelor de circuit (mai ales a dispozitivelor semiconductoare). Se observ c rezultatele obinute cu relaia aproximativ de calcul (3.34) sunt acceptabile:
IC U BB U BE 3 0,65 = = 2,35mA , RE 1k UCE = 12 3k 2,35m = 4,95 V ,

curentul obinut este ceva mai mare dect cel din circuit (ca pentru = ). innd seama de precizia cu care sunt cunoscute valorile componentelor n circuitele practice, acest calcul este de obicei satisfctor.
Exemplu de proiectare - dimensionarea circuitului de polarizare

S se dimensioneze circuitul de polarizare al tranzistorului bipolar din figura 3.20.c astfel nct s se obin: IC = 3mA, UCE = UCC /3, pentru UBE = 0,6V, 200 i UCC =9V. Se sugereaz alegerea IDiv 0,1IC i UE UCC /3.
Rezolvare: Rezistenele din circuit pot fi dimensionate utiliznd legea lui Ohm:
RE = UE UE 3 = = 1k , IE IC 3m RC = UCC UCE U E 9 3 3 = = 1k IC 3m

Curentul prin divizor se alege conform sugestiei:

IDiv = 0,1IC = 0,3 mA

i cu acest curent se pot determina rezistoarele de polarizare a bazei:

R2 U U BE U E U BE + U E 0,6 + 3 = = 12k , R1 = CC = 18k 0,3m I Div I Div

La rezolvarea problemei nu s-a utilizat explicit factorul al tranzistorului; s-a considerat implicit >>1 presupunnd un curent unic prin tranzistor IC IE , conform (3.39).
Exemplu de calcul determinarea psf la circuitele cu mai multe tranzistoare

Tranzistoarele din schema alturat au 300. n psf se cunosc UBE 1 = 0,55V i UBE 2 = 0,6V. S se determine psf {IC, UCE} pentru cele dou tranzistoare.
Rezolvare: Se va aplica metoda simplificat de calcul propus anterior. Mai mult, se vor presupune iniial curenii de baz neglijabili fa de curenii de colector chiar i pentru tranzistoare diferite, presupunere care va trebui verificat nainte de finalizarea calculelor.

15k

R C1

2,2k T2 T1

R C2

+UCC
+9V

RB
600

RE1

50k

300

RE2

T1K se poate scrie n trei noduri (de obicei curentul care intr n masa montajului nu trebuie calculat i deci T1K nu se aplic n nodul de mas). Scrierea T1K n nodul de alimentare (+UCC ) nu prezint interes la aceast problem, iar neglijarea curenilor de baz 12

fat de cei de colector face inutil T1K n colectorii tranzistoarelor sau mai exact T1K se reduc la:
I RC1 = IC1 + I B 2 IC1 pentru I B 2 << IC1 ; I R E 2 = I E 2 + I B1 IC 2 pentru I B1 << IC 2 .

Dac se ocolesc tensiunile UCE i UCB (care nu se cunosc iniial) mai rmn trei bucle pe care se poate scrie T2K: +UCC RC1 UBE2 RE2 mas; mas RE2 RB UBE1 RE1 mas; +UCC RC1 UBE2 RB UBE1 RE1 mas.

Primele dou bucle exprim relaiile cauzale din circuit; curentul de polarizare a bazei tranzistorului T2 este furnizat de sursa de alimentare (prin RC1), iar rezistena din emitorul lui T2 (de valoare mic) acioneaz ca o surs de polarizare a bazei lui T1 (prin RB). Cea de-a treia bucl este de fapt o combinaie a primelor dou. Pentru a determina curenii prin tranzistoare (dou necunoscute) este necesar un sistem de dou ecuaii; pentru a rezolva circuitul se pot utiliza ecuaiile scrise pe oricare dou bucle dintre cele trei artate mai sus. Conform T2K exprimat gravitaional (tensiunea ntre dou linii este aceeai pe orice cale) pe primele dou bucle rezult:
UCC = RC1IC1 + U BE 2 + RE 2IC 2 RE 2IC 2 = RB (IC1 ) + U BE1 + RE1IC1

( a) ( b)

n (b) s-a inut seama c IC1 = IB1. Dac se substituie (b) n (a) se obine: UCC = RC1IC1 + U BE 2 + RB (IC1 ) + U BE1 + RE1IC1 Se observ c aceast relaie reprezint de fapt T2K scris pe bucla a 3-a i are o singur necunoscut, curentul prin T1:
IC1 = UCC U BE 2 U BE1 9 0,6 0,55 7,85 = = = 0,5mA 15k + 0,6k + 50k 300 15,67k RC1 + RE1 + RB UCC RC1IC1 U BE 2 9 15k 0,5m 0,6 0,9 = = = 3mA 300 0,3k RE 2

Curentul IC2 se poate calcula din oricare dintre ecuaiile sistemului. Din (a) rezult:
IC 2 =

Presupunerile iniiale se dovedesc a fi corecte:

I 3m IB2 = C 2 = = 10A << IC1 = 500A , 300 I 0,5m I B1 = C1 = = 1,67A << IC1 = 3mA . 300

Tensiunile pe tranzistoare UCE se calculeaz din T2K aplicat pe buclele de ieire ale tranzistoarelor, care includ tensiunile respective: UCE 2 UCC IC 2 (RC 2 + RE 2 ) = 9 3m 2,5k = 1,5 V , UCE1 UCC IC1(RC1 + RE1 ) = 9 0,5m 15,6k = 1,2V .

13

Ambele tranzistoare se afl n RAN deoarece UCE >UBE . Circuitul analizat este cunoscut sub numele de schem cu polarizare automat, deoarece tranzistoarele vor fi polarizate n RAN (de exemplu UCE1 2UBE ) pentru limite largi ale tens. de alimentare UCC.
Exemplu Etaj de amplificare cu un tranzistor n conexiune EC

1. n condiii de semnal mic la intrare, s se calculeze Au0 , R i, R o, i Aug pentru amplificatorul cu emitor comun din figura 3.27 dac: =100, IC =1mA, RC =5k, RB (= R1 ||R2 ) =10k, Rg =6k. 2. S se calculeze amplificrile Au i Aug pentru o rezisten de sarcin RL =500 cuplat capacitiv la ieire. 3. Ct este amplitudinea semnalului la ieire pentru o amplitudine la generator Ug_vf =20mV? Se consider UT =25mV i condensatoarele din circuit se consider scurtcircuite n ca.
R1 Rg ui CB RC +UCC CC uo RL
Fig. 3.27. Schema amplificatorului cu un tranzistor discret n conexiune EC. - Tranzistorul este polarizat cu divizor n baz i rezisten n emitor. - Condensatoarele din circuit se consider scurtcircuite n ca.

ug

R2

RE

CE

uo ui R1 R2
a)

Rg ui

Ri

R ib
b

ib r

ic
c

Ro i o

RC

ug

RB

g m ube
e

ube
b)

RC u o

RL

( R B = R 1|| R 2)

Fig. 3.28. Scheme echivalente de ca ale amplificatorului n conexiunea EC: a) C i U CC nlocuite cu scurtcircuite, b) TB liniarizat, n condiii de semnal mic.

1. Se calculeaz parametrii de semnal mic ai TB cu (3.48) i (3.52):

I I mA , g m = C = C = 40IC = 40 1m = 40 25m V UT r =

gm

100 = 2,5k 40m

Parametrii amplificatorului se calculeaz conform (3.62 3.57), cu R L = : Au 0 = g m RC = 40m 5k = 200 , Ro = RC = 5k , R i = R B || r = 10k || 2,5k = 2k Ri 2k = 200 = 200 0,25 = 50 Aug 0 = Au 0 Ri + Rg 2k + 6k

2. Sarcina fiind cuplat capacitiv la ieire, nu influeneaz psf. Prin urmare parametrii tranzistorului i ai amplificatorului nu se modific la conectarea sarcinii. Amplificrile n tensiune n prezena sarcinii se calculeaz conform (3.58) i (3.65): 14

Au = Au 0

RL 500 1 = 200 = 200 = 18,2 500 + 5k 11 RL + Ro

Aug = Au 0

Ri RL 1 1 = 200 4,5 4 11 R i + Rg RL + Ro

Aceste relaii au fost determinate folosind modelul amplificatorului de tensiune din figura 3.26 i innd seama de cele dou divizoare de tensiune care apar n schema respectiv. 3. Se verific iniial dac este ndeplinit condiia de semnal mic (3.44). Astfel, valoarea maxim a tensiunii baz-emitor este amplitudinea semnalului n baz (de intrare n amplificator), calculat innd seama de divizorul de tensiune de la intrare, conform relaiei (3.60): Ri 2k 1 = 20m = 20m = 5mV < 10mV . U be_ vf = U i _ vf = U g _ vf 2k + 6k 4 Ri + Rg Amplitudinea semnalului la ieire se determin innd seama de valorile amplificrilor n tensiune:
U o 0_ vf = Au 0U i _ vf = 200 5m = 1V , U o_ vf = Au U i _ vf 18,2 5m = 91mV ;

cu indicele 0 s-a notat tensiunea n gol (fr RL ). Amplificrile s-au considerat n modul, deoarece defazajul dintre semnalul de ieire i semnalul de intrare nu are importan la calculul amplitudinii, iar o valoare negativ a amplitudinii nu are sens.
Concluzii: Amplificarea n tensiune obinut cu un singur tranzistor este mare. Rezistena de intrare relativ mic i cea de ieire relativ mare conduc la apariia a dou efecte de divizare a tensiunii semnalului de la intrare i la ieire (cu un factor 1/4=0,25 la intrare, respectiv cu un factor 1/110,091 la ieire). De aceea amplificarea global se reduce de 44 de ori n exemplul dat, de la 200 la circa 4,5.

Prin urmare, rezistena de intrare a i amplificatorului (relativ mic fa de Rg ) i rezistena de ieire (relativ mare fa de RL ), conduc la reducerea apreciabil a amplificrii.
Exemplu repetorul pe emitor

1. Pentru repetorul pe emitor din figura 3.29.a, s se calculeze curentul static de colector IC dac UCC =10V, RE =5k, RB = 430k, =100 i UBE =0,7V. 2. Pentru Rg =6k, s se calculeze Au0 , R i, R o, i Aug0. 3. S se calculeze amplificrile Au i Aug pentru o rezisten de sarcin RL =500 cuplat capacitiv la ieire i s se compare cu factorul de transfer obinut prin conectarea direct a generatorului de semnal cu sarcina. 4. Ct este amplitudinea semnalului pe sarcin dac amplitudinea la generator este Ug_vf =100mV? Se consider UT =25mV i condensatoarele scurtcircuite n ca.

15

RB Rg ug CB

+UCC

Rg

Ri

R ib
b

ib
ib
e

ic c
Roe Ro

CE ui
a)

ug RL

ui

RB
b)

ioe

RE

RE u o

RL

uo

Fig. 3.29. Repetorul pe emitor: a) schema de principiu; b) schema echivalent de ca cu tranzistorul liniarizat (ca SIcI), n condiii de semnal mic.

1. Curentul de colector se calculeaz cu (3.33), pentru UBB =UCC :

IC =

(UCC U BE ) 100 (10 0,7 ) = = 0,995m 1mA . RB + ( + 1)RE 430k + 101 5k

gm 100 = 2,5k 40m

2. Parametrii de semnal mic ai TB se determin cu (3.48) i (3.52):

I 1m mA gm = C = = 40 , UT 25m V r = =

Amplificarea n tensiune fr sarcin se determin cu (3.67):

Au 0 = 1 1 1 = = = 0,995 2,5k r 1,00495 1+ 1+ 101 5k ( + 1)RE

Rezistena de intrare se determin cu (3.70) pentru RL =:

Rib = r + ( + 1)RE = 2,5k + 101 5k = 507,5k ;

Ri = RB || Rib = 430k || 507,5k = 233k Rezistena de ieire se determin cu (3.72) i (3.73):

Roe = r + RB || R g 2,5k + 430k || 6k = = 83,3 , +1 101

Ro = RE || Roe = 83,3 || 5k = 82 .

Cu (3.74) se calculeaz amplificarea global fr sarcin: Aug 0 = Au 0 Ri 233k = 0,995 = 0,995 0,975 = 0,97 . 233k + 6k Ri + Rg

3. n prezena sarcinii, rezistena de emitor n ca devine: Re = RE || R L = 5k || 500 = 454,6 ; iar parametrii tranzistorului nu se schimb pentru c sarcina este cuplat capacitiv i nu influeneaz psf. Amplificarea n tensiune devine:
Au = 1 1 1 = = 0,948 . = 2,5k r 1,0545 1+ 1+ 101 0,455k ( + 1)Re

Pentru calcularea amplificrii globale n tensiune se recalculeaz iniial rezistena de intrare: 16

R ib = r + ( + 1) R e = 2,5k + 101 455 = 45,9k , Aug = Au

R i = RB || R ib = 43,5k ,

Ri 43,5k = 0,948 = 0,948 0,89 = 0,84 . 43,5k + 6k Ri + Rg

Factorul de transfer direct dintre generator i sarcin rezult din regula divizorului de tensiune aplicat circuitului din figura 3.30.a: u RL 500 1 = = = 0,077 = 7,7 % . K ug = o = u g RL + R g 500 + 6k 13 Fa de cuplajul direct, amplificarea obinut prin intermediul repetorului pe emitor este de Aug /Kug =0,84 / 0,077 =11 ori mai mare.
Rg RL
a)

re uo
R g ||R B

R oe

Rg Re uo ui

Ri

R ib r ( +1) Re c)

ug

ug +1

ui u be
b)

ug

RB

uo

Fig. 3.30. a) Cuplajul direct al generatorului cu sarcina. Scheme echivalente de ca ale repetorului pe emitor obinute prin reflectare: b) n emitor, c) n baz.

4. Pentru a calcula amplitudinea tensiunii pe sarcin se verific mai nti dac tensiunea de intrare ndeplinete condiia de semnal mic relaia (3.60), pe baza circuitului din figura 3.30.b: re 25 = 100 4,6mV< 10mV U be_ vf = U g _ vf R g || RB 455 + 25 + 59 R e + re + +1 i apoi se calculeaz amplitudinea tensiunii la ieire cu ajutorul amplificrii globale cu sarcin, A ug :
U o_ vf = Aug U g _ vf = 0,84 100m = 84mV .

Concluzii: - Amplificarea n tensiune a repetorului pe emitor este subunitar i apropiat de unitate, mai ales n cazul amplificatorului fr sarcin (A ug0 , A u0 1).

Rezistena de intrare este mare i depinde de rezistenele din emitor, iar rezistena de ieire este mic i depinde de rezistenele din baz. De aceea, cuplarea n tensiune este mult mai bun n cazul utilizrii repetorului pe emitor dect n cazul cuplrii directe a generatorului cu sarcina. Calcularea circuitului se face fie dinspre ieire spre intrare (caz n care se include sarcina n rezistena de emitor), fie dinspre intrare spre ieire (caz n care se ine seama de rezistena intern a generatorului conectat la intrare). Metoda cea mai convenabil de calcul utilizeaz schema echivalent obinut prin reflectarea rezistenelor (din circuitul bazei n emitor sau din circuitul emitorului n baz).

17

Problem de analiz - Etaj de amplificare cu rezisten nedecuplat n emitor

1. Pentru amplificatorul din figura alturat s se calculeze curentul static de colector IC dac =100 i UBE =0,7V 2. Dac rezistena intern a generatorului este: Rg =6k, s se calculeze Au0 , R i, R o, i Aug0, pentru: a) Re =1k respectiv b) Re =100. (practic, n primul caz comutatorul este deschis: Re =RE , respectiv n al u g doilea caz este nchis: Re = RE ||RE1)
Rg ui

820k

RB

RC
5k

+UCC
+10V

CB RE
1k

CC

K CE
110

RE1

uo

3. Ct este amplitudinea la ieire dac amplitudinea la generator este Ug_vf =50mV? Condensatoarele din circuit se consider scurtcircuite n ca i UT =25mV.
Rezolvare:

1. Curentul de colector se calculeaz cu relaia (3.53), la care se consider UBB =UCC :

IC =

(U CC U BE ) 100 (10 0,7 ) = = 1,01m 1mA . RB + ( + 1)RE 820k + 101 1k

2. Parametrii de semnal mic ai tranzistorului se determin cu relaiile (3.67), (3.76) i prin explicitarea factorului din relaia (3.7):
gm = IC mA 1m = = 40 , U T 25m V re =

gm

1 1 = = 25 , g m 40m

+1

= 0,99 .

Amplificarea n tensiune (fr sarcin) se determin cu relaia (3.98):

Au 0 =

RC uo = : ui re + Re
RC : Re

a ) Au 0( a ) =

0,99 5k = 4,83 , 25 + 1k 5k = 5 , 1k

b) Au 0(b ) =

0,99 5k = 39,6 . 25 + 100

Calculul amplificrii cu relaia aproximativ (3.101):

Au 0 = a ) Au 0( a )~ = b) Au 0(b )~ = 5k = 50 , 100

conduce la o eroare:
= Au 0~ Au 0 100 [%] : Au 0 a = 5 4,83 = 3,5 % , 4,83 b = 50 39,6 = 26 % , 39,6

acceptabil (de ordinul procentelor, mai mic de 5%) n primul caz; n cazul al doilea eroarea este apreciabil, deoarece inegalitatea (3.100) nu este de fapt ndeplinit:

Re ( a ) Re ( a ) = 1000 >> 25 = re , = 40 ; r e Rezistena de intrare se determin cu relaia (3.95):

Rib = ( + 1 )(re + Re ) :

Re (b ) Re (b) = 100 , = 4 < 10 . r e

Rib ( a ) = 101 (25 + 1k ) = 103,5k , Rib (b ) = 101 (25 + 100 ) = 13,6k ,

Ri = RB || Rib :

Ri ( a ) = 103,5k || 820k = 91,9k ,

Ri (b) = 13,6k || 820k = 13,4k .

Rezistena de ieire nu depinde de Re i se determin cu relaia (3.97): Ro = RC = 5k .

18

Cu relaia (3.80): Aug =

Aug ( a ) = 4,83

uo uo ui Ri = = Au 0 se determin amplificarea global: u g ui u g Ri + R g Aug (b) = 39,6 13,6k = -39,6 0,694 27,5 . 13,5k + 2,5k

103,5k 4,6 , 103,5k + 6k

Se observ c amplificarea mai mic obinut n cazul a) se modific mai puin la conectarea generatorului (deoarece rezistena de intrare a amplificatorului este mai mare). 3. Se determin iniial dac este ndeplinit condiia de semnal mic (3.64). Pentru aceasta se determin tensiunea ube cu ajutorul relaiilor (3.103) i (3.80): u be = re re Ri ui = ug . re + Re re + Re Ri + R g

Amplitudinea tensiunii ube n cele dou cazuri este: U be _ vf ( a ) = 25 91,9k 50m = 0,024 0,94 50m = 1,15mV < 10mV , 25 + 1k 91,9k + 6k 25 13,4k 50m = 0,2 0,69 50m = 6,9mV < 10mV . 25 + 100 13,4k + 6k

U be _ vf (b) =

Amplitudinea tensiunii la ieire se determin cu amplificarea global calculat anterior:

U o _ vf = Aug U g _ vf :

U o _ vf ( a ) = 4,6 50m = 230mV,

U o _ vf (b) = 27,5 50m = 1,375V .

Semnul negativ al amplificrii semnific un semnal de ieire n antifaz cu cel de intrare. La calcularea amplitudinii la ieire s-a considerat amplificarea n modul, ntruct amplitudinea unui semnal este o mrime pozitiv (indiferent de defazajul semnalului).

Exemplu de analiz Amplificator de tensiune cu TEC-MOS

8

RD

iD
iG=0

UDD

Fig. 4.11. Amplificator de tensiune cu TEC-MOS cu canal iniial de tip n. RG asigur un potenial nul n gril, C asigur separarea componentei de ca la ieire.

uO uo

ui

RG

Pentru amplificatorul din figura 4.11 cu UDD =12V i RG =1M, tranzistorul MOS cu canal iniial de tip n cu parametrii: IDSS =10mA i UP = 3V, funcioneaz n saturaie. a) S se determine rezistena de dren pentru care psf este centrat la ieire (n dren). b) Dac semnalul la intrare are o amplitudine Ui_vf = |UP /3| = 1V s se determine limitele tensiunii de ieire i amplitudinea celor dou alternane la ieire, cu RD de la punctul a. c) S se calculeze amplificarea n tensiune a circuitului n condiii de semnal mic, cu RD de la punctul a i cu rezistena de dren maxim. Ct este amplitudinea semnalului la ieire n cele dou cazuri, dac amplitudinea semnalului de la intrare este Ui_vf = 0,1V?

19

Rezolvare: a) Pentru a centra psf n dren trebuie ca tensiunea de dren s fie media tensiunilor de blocare i de ieire din saturaie a TEC, conform (*4.30):
RD = U DD + U P 12 3 = = 0,45k = 450 . 2 I DSS 2 10m

Punctul static de funcionare al TEC este definit de mrimile de cc: UGS = RG IG =0, ID = IDSS =10mA i U DS = U DD R D I DSS = 12 0,45k 10m = 7,5V . b) Curentul de dren n cele dou situaii limit: uGS = Ui_vf = |UP /3| , se calculeaz cu relaia (*4.11), innd seama de rezultatul de la punctul a: RD IDSS =(UDD +UP )/2, iar limitele tensiunii de ieire rezult din T2K aplicat pe bucla de ieire. - Pentru alternana pozitiv la intrare, uGS = Ui_vf = UP /3, rezult: U P i D = I DSS 1 3 U P
u DS = U DD
2

16 = I DSS = i D max = 17,8 mA i 9

U 16 8 8 I DSS R D = U DD (U DD + U P ) = DD U P = uO min = 4V . 9 9 9 9

Deoarece uO min > UP , condiia de saturaie este ndeplinit i deci calculul este corect. - Pentru alternana negativ la intrare, uGS = Ui_vf = UP /3, rezult: UP i D = I DSS 1 3 U P
u DS = U DD
2

4 = I DSS = i D min = 4,44mA i 9

4 2 7 2 I DSS R D = U DD (U DD + U P ) = U DD U P = uO max = 10V . 9 9 9 9

Amplitudinile semnalului la ieire pot fi calculate ca diferene ntre valorile limit i valoarea din psf a tensiunii de ieire:
( U o+ ) vf = u o max U O = 2,5V _

( U o) vf = U O u o min = 3,5V . _

Semnalul de ieire este distorsionat deoarece amplitudinile acestuia sunt inegale. Eroarea este cauzat de nivelul prea mare al semnalului i poate fi apreciat cu diferena dintre amplitudini i media acestora, raportat la medie:
( ( U o+ ) vf + U o) vf _ _ U o _ med = = 3V , 2

( U o) vf U o _ med _

U o _ med

0,5 = 0,167 = 16,7% . 3

Eroarea calculat reprezint de fapt coeficientul de distorsiuni al semnalului la ieire. c) Amplificarea n tensiune se poate calcula cu (*4.34). Pentru RD = 0,45k rezult:
Au = 2 I DSS 2 10m RD = 0,45k = 3 . UP 3

Valoarea negativ a amplificrii arat faptul c semnalul de ieire este n antifaz cu cel de la intrare. Se remarc valoarea mic a modulului amplificrii (comparativ cu cea a unui amplificator identic echipat cu tranzistor bipolar). Astfel, la un amplificator cu TB n condiii echivalente: IC =10mA i RC = 0,45k, rezult din (3.82): Au = 40IC RC =180, o amplificare

20

de 60 de ori mai mare (n modul). Pe de alt parte, amplificatorul cu TEC are o rezisten de intrare Ri = RG =1M mult mai mare fa de amplificatorul cu TB, a crui rezisten de intrare este mai mic de 1k, (de cel puin 1000 de ori mai mare). Rezistena de dren maxim se obine la limita ieirii din saturaie a TEC, conform (*4.36), iar amplificarea corespunztoare rezult din (*4.34):
RD = U DD + U P 12 3 = = 0,9k , I DSS 10m Au = 2 I DSS 2 10m RD = 0,9k = 6 . UP 3

Amplificarea maxim obinut, n condiiile unei tensiuni statice de ieire la limita saturaiei: U DS = U DD R D I DSS = 12 0,9k 10m = 3V ( = UP ). este dubl fa de amplificarea calculat anterior Condiia de semnal mic (*4.33) fiind ndeplinit: amplitudinea tensiunii la ieire este:
U o _ vf = | Au | U i _ vf = 3 0,1 = 0,3V pentru RD =0,45k,

Ui_vf (=0,1V)<< | UP |(=3V),

respectiv Uo_vf = 0,6V pentru RD =0,9k. Tensiunea la ieire n al doilea caz variaz n jurul valorii din psf (UDS ) astfel: uO =UDS Uo_vf =3V 0,6V=2,43,6V. Tranzistorul iese din saturaie (uO < UP ) pentru semialternana negativ a semnalului de ieire. n aceast situaie, pe de o parte, relaia de calcul a amplificrii nu mai este corect i pe de alt parte, apar distorsiuni suplimentare ale semnalului de ieire (deoarece curentul de dren va depinde i de tensiunea de ieire). Pentru a obine o amplificare ct mai mare fr distorsiuni, se ridic tensiunea static de ieire (n acest caz la: UDS > UP + Uo_vf =3,6V), prin reducerea corespunztoare a rezistenei de dren: RD =(UDD UDS )/IDSS (RD < 0,84k, n acest caz).

21