Electrnica y Automatismos

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El transistor bipolar

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Introduccin: tipos de transistores

NPN BIPOLARES PNP

TRANSISTORES UNIN

CANAL N (JFET-N) CANAL P (JFET-P)

EFECTO DE CAMPO METAL-OXIDOSEMICONDUCTOR CANAL N (MOSFET-N) CANAL P (MOSFET-P)

* FET : Field Effect Transistor

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Principio de funcionamiento del transistor bipolar

+ -

+ + -

+ +

+ +

+ +

P
Concentracin de huecos

+ -

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Principio de funcionamiento del transistor bipolar

Si la zona central es muy ancha el comportamiento es el dos diodos en serie: el funcionamiento de la primera unin no afecta al de la segunda

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Principio de funcionamiento del transistor bipolar

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Principio de funcionamiento del transistor bipolar

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Principio de funcionamiento del transistor bipolar

El terminal central (base) maneja una fraccin de la corriente que circula entre los otros dos terminales (emisor y colector): EFECTO TRANSISTOR

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Principio de funcionamiento del transistor bipolar

Base

Emisor

Colector

Transistor PNP
P N P

El terminal de base acta como terminal de control manejando una fraccin de la corriente mucho menor a la de emisor y el colector. El emisor tiene una concentracin de impurezas muy superior a la del colector: emisor y colector no son intercambiables

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Principio de funcionamiento del transistor bipolar Transistor NPN

Se comporta de forma equivalente al transistor PNP, salvo que la corriente se debe mayoritariamente al movimiento de electrones.

En un transistor NPN en conduccin, la corriente por emisor, colector y base circula en sentido opuesto a la de un PNP.
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Principio de funcionamiento del transistor bipolar Transistor NPN

Base

Emisor

Colector

Transistor NPN
N P N

La mayor movilidad que presentan los electrones hace que las caractersticas del transistor NPN sean mejores que las de un PNP de forma y tamao equivalente. Los NPN se emplean en mayor nmero de aplicaciones.

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Principio de funcionamiento del transistor bipolar Conclusiones: Un transistor bipolar est formado por dos uniones PN. Para que sea un transistor y no dos diodos deben de cumplirse dos condiciones. 1) La zona de Base debe ser muy estrecha. 2) El emisor debe de estar muy dopado. Normalmente, el colector est muy poco dopado y es mucho mayor.
C NP B N+ E

Descubiertos por Shockley, Brattain y Barden en 1947 (Laboratorios Bell)

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Caractersticas elctricas del transistor bipolar Transistor NPN

IB = f(VBE, VCE) Caracterstica de entrada
En principio necesitamos conocer 3 tensiones y 3 corrientes:

IC
+ VCB + VBE

IC, IB, IE

VCE, VBE, VCB En la prctica basta con conocer solo 2 corrientes y 2 tensiones. Normalmente se trabaja con IC, IB, VCE y VBE. Por supuesto las otras dos pueden obtenerse fcilmente: IE = I C + I B

IB

VCE

IE

IC = f(VCE, IB) Caracterstica de salida

VCB = VCE - VBE

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Caractersticas elctricas del transistor bipolar Transistor NPN

IB = f(VBE, VCE) Caracterstica de entrada VCE IB

IC + IB

+ VBE

VCE

VBE

Entre base y emisor el transistor se comporta como un diodo. La caracterstica de este diodo depende de VCE pero la variacin es pequea.

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Caractersticas elctricas del transistor bipolar Transistor NPN

IC = f(IB, VCE) Caracterstica de salida

IC + IB

IC

IB VCE

+ VBE

VCE

La corriente que circula por el colector se controla mediante la corriente de base IB.

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Caractersticas elctricas del transistor bipolar Equivalente hidrulico del transistor

h2

Caudal

Apertura

h1 - h2

h1

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Caractersticas elctricas del transistor bipolar: linealizacin Transistor NPN: linealizacin de la caracterstica de salida
IC + + VBE Zona de saturacin Zona activa: IC=IB IB (A)
400

IC (mA)
40

IB

VCE

30
20 10 1 2

300
200 100 0 VCE (V)

Zona de corte

El parmetro fundamental que describe la caracterstica de salida del transistor es la ganancia de corriente .

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Caractersticas elctricas del transistor bipolar Transistor NPN: linealizacin de la caracterstica de entrada
VCE IC + + VBE VBE IB

IB

VCE

Ideal

La caracterstica de entrada corresponde a la de un diodo y se emplean las aproximaciones lineales vistas en el tema anterior.

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Caractersticas elctricas del transistor bipolar Transistor NPN: zonas de funcionamiento del transistor ideal
IC IC + + VBE IB VCE -

Zona activa
VBE

+ + IB IB

VCE -

IC

IC

Zona de saturacin
IB VBE

+ + IC=0 IB

IC<IB VCE=0
+

VCE

Zona de corte
VBE

IB

VCE -

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Funcionamiento en conmutacin de un transistor NPN

12 V 36 W 3A 12 V I 40 mA
Sustituimos el interruptor principal por un transistor. La corriente de base debe ser suficiente para asegurar la zona de saturacin. Ventajas: No desgaste, sin chispas, rapidez, permite control desde sistema lgico. Electrnica de Potencia y Electrnica digital Universidad de Oviedo

12 V 36 W

12 V

3A = 100

IC 4A PF (ON) 3 A OFF VCE 12 V PF (OFF) IB = 40 mA

ON

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Caractersticas elctricas del transistor bipolar Transistor PNP

IB = f(VBE, VEC) Caracterstica de entrada VEC IB -

IC

VEB +

IB

VEC VEB +

Las tensiones y corrientes van en sentido contrario a las de un transistor NPN. Entre emisor y base se comporta como un diodo. La corriente por la base es saliente.
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Caractersticas elctricas del transistor bipolar Transistor PNP

IC = f(IB, VCE) Caracterstica de salida

IC
-

IC

VEB +

IB

IB VEC

VEC

La corriente que circula por el colector es saliente y se controla mediante la corriente de base IB.

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Funcionamiento en conmutacin de un transistor PNP

12 V 36 W 40 mA 12 V I

= 100
3A 12 V 36 W

3A
12 V I

IC
Al igual que antes, sustituimos el interruptor principal por un transistor. La corriente de base (ahora circula al reves) debe ser suficiente para asegurar la zona de saturacin.

4A PF (ON) 3 A OFF ON

IB = 40 mA

VEC 12 V PF (OFF)
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Caractersticas elctricas del transistor bipolar Caractersticas reales (NPN)

Activa Avalancha Secundaria
IB6 IB5

IB
VCE = 0 VCE1 VCE2

IC I
CMax

Saturacin
IB3 IB2 IB1

IB4

PMax = VCEIC Avalancha Primaria

VBE

IB= 0

Caracterstica de Entrada

1V Corte

VCEMax

VCE

Caracterstica de Salida

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Caractersticas elctricas del transistor bipolar Caractersticas reales: datos proporcionados por los fabricantes
IC IC-MAX VCE-MAX Corriente mxima de colector Tensin mxima CE ICMAX B E PMAX C

PMAX
VCE-SAT HFE

Potencia mxima
Tensin C.E. de saturacin Ganancia

SOAR
VCE-MAX

VCE
rea de operacin segura (Safety Operation Area)

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Caractersticas elctricas del transistor bipolar

VCE = 1500 IC = 8 HFE = 20

TOSHIBA

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El fototransistor
La luz (fotones de una cierta longitud de onda) al incidir en la zona de base desempean el papel de corriente de base C El terminal de Base, puede estar presente o no.

No confundir con un fotodiodo.

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El fototransistor

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El fototransistor

DISTINTOS ENCAPSULADOS

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El fototransistor
OPTOACOPLADOR

Conjunto fotodiodo + fototransistor

OBJETIVO:
Proporcionar aislamiento galvnico y proteccin elctrica. Deteccin de obstculos.

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Conclusiones
Sobre el uso del transistor como interruptor se profundiza en Electrnica de Potencia y en Electrnica Digital. Sobre el uso del transistor como amplificador se profundiza en Electrnica Analgica.

Como se ha visto ambos transistores bipolares son bastante intercambiables y constructivamente similares.
Solamente se diferencian en la rapidez: El transistor NPN funciona bsicamente con electrones mientras que el PNP lo hace con huecos (Mayoritarios del emisor en cada caso). Reacurdese que la movilidad de los electrones es mayor que la de los huecos, es decir, el transistor NPN es mas rpido que le PNP en igualdad de condiciones.

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